WO2022009451A1 - Polymer film releasing method, electronic device production method, and releasing device - Google Patents

Polymer film releasing method, electronic device production method, and releasing device Download PDF

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WO2022009451A1
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polymer film
peeling
inorganic substrate
substrate
functional element
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PCT/JP2021/000071
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哲雄 奥山
吉拡 鶴野
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東洋紡株式会社
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Definitions

  • FIG. It is a top view of the laminated body shown in FIG. It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. It is a schematic cross-sectional view of the modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 11th Embodiment.
  • a two-layer structure consisting of a known easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and a main polymer layer (polymer film), or a main It may have a two-layer structure consisting of a layer (polymer film) and an inorganic thin film layer.
  • an existing configuration for controlling the peeling force may be applied.
  • the adhesive force between the easily peeling polymer layer (easily peeling layer) and the inorganic substrate Is stronger than the adhesive strength between the easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and the main polymer layer (polymer film), and is easily peeled off from the main polymer layer (polymer film).
  • the adhesive strength between the easy peeling polymer layer (easy peeling layer) and the main polymer layer (polymer film) is a polymer that is easy to peel off.
  • a laminate of the polymer film and the inorganic substrate can be obtained.
  • a laminate can be obtained by directly melt-extruding the polymer onto an inorganic substrate.
  • the inorganic substrate and the polymer film can be layered and heated to the melting point or softening temperature of the polymer under pressure to press them together to form a laminate. can.
  • the polymer film 14 is not particularly limited, but is a polyimide resin such as polyimide, polyamideimide, polyetherimide, or fluorinated polyimide (for example, aromatic polyimide resin, alicyclic polyimide resin); polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and the like.
  • a polyimide resin such as polyimide, polyamideimide, polyetherimide, or fluorinated polyimide (for example, aromatic polyimide resin, alicyclic polyimide resin); polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and the like.
  • the silane coupling agent includes n-propyltrimethoxysilane, butyltrichlorosilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, cyclohexyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, diacetoxydimethylsilane, diethoxydimethylsilane, and dimethoxy.
  • the coupling agent includes 1-mercapto-2-propanol, 3-mercaptopropionate methyl, 3-mercapto-2-butanol, 3-mercaptopropionate butyl, 3- (dimethoxymethylsilyl)-.
  • silane coupling agent layer As a method for applying the silane coupling agent (method for forming the silane coupling agent layer), a method of applying a silane coupling agent solution to the inorganic substrate 12, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the silane coupling agent layer may be formed on the surface of the polymer film 14.
  • the thickness of the silane coupling agent layer is extremely thin compared to the inorganic substrate 12, the polymer film 14, etc., and is negligible from the viewpoint of mechanical design. In principle, it is the minimum. , A thickness on the order of a single molecular layer is sufficient.
  • the adhesive strength of the laminated body can be developed by a step of bringing the inorganic substrate 12 into close contact with the polymer film 14 and a step of heating.
  • the method of bringing them into close contact is not particularly limited, but there are laminating, pressing and the like. Adhesion and heating may be performed at the same time or sequentially.
  • the heating method is not particularly limited, but may be placed in an oven, a heat laminate, a heat press, or the like.
  • a two-layer structure consisting of a known easily peelable varnish layer (easy peeling layer) and a main varnish layer (polymer film), or a main layer ( It may have a two-layer structure consisting of a polymer film) and an inorganic thin film layer.
  • a method of cutting the polymer film 14 by relatively scanning the water jet and the laminate 10 a method of cutting the polymer film 14 while cutting a little to the glass layer by a dicing device of a semiconductor chip, and the like.
  • the method is not particularly limited.
  • a film or sheet having no adhesiveness or adhesiveness may be sandwiched between the peeled portions 18 in order to maintain the peeled state so that the peeled portions 18 do not reattach.
  • a film or sheet having adhesiveness or adhesiveness on one side may be sandwiched between the peeling portions 18.
  • a metal part for example, a needle
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment.
  • the peeling device 20 according to the first embodiment includes a vacuum chamber 30, a roller 32, a vacuum chuck 34, and a substrate contactor 35.
  • the roller 32 is arranged so as to be movable in the vacuum chamber 30.
  • the vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can be positioned above the vacuum chamber 30 in a state where the laminated body 10 is adsorbed.
  • the substrate contactor 35 is arranged on the upper surface of the vacuum chamber 30 so as to cover the upper surface opening of the vacuum chamber 30.
  • the gap between the vacuum chamber 30 and the substrate contactor 35 should be small. Although not shown, it is sufficient if there is a part that closes the gap.
  • the substrate contactor 35 is preferably an adsorption plate having a porous body (adsorption plate with a porous body).
  • the peeling device 20 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the laminated body 10 is positioned so as to be located at the opening of the peeled portion 18. At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the substrate contactor 35.
  • the peeling device 20 arranges the roller 32 on the non-adhesive surface 12a side of the inorganic substrate 12, and presses the inorganic substrate 12 in the peeling portion 18 direction (upward in FIG. 2) by the roller 32 and the substrate contactor 35. (Step D-1).
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment, and is a diagram showing a state in which the rollers are moved. As shown in FIG. 3, when the roller 32 and the substrate contactor 35 are moved laterally (leftward in FIG. 3) from the lower part of the peeling portion 18, the portions where the pressure by the roller 32 and the substrate contactor 35 is released are released in order. , The peeling of the peeled portion 18 progresses.
  • the surfaces of the roller 32 and the substrate contact 35 are moved in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds according to the movement of the roller 32 and the substrate contact 35 (step D-3). ..
  • the inorganic substrate 12 is warped in the direction away from the polymer film 14, and the entire polymer film 14 is warped. Is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur.
  • the substantially plane is not only a perfect plane, but the flatness in JISB0621 (1984) is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the surfaces of the roller 32 and the substrate contact 35 are moved in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds in accordance with the movement of the roller 32, so that the peeling speed is increased. Can be controlled. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
  • Either the roller 32 or the substrate contactor 35 may be used for pushing up the laminate 10, preferably both the roller 35 and the substrate contactor 35.
  • the peeling angle of the inorganic substrate 12 can be controlled. For example, if the radius of the roller 32 is reduced, the inorganic substrate 12 is peeled off at a radius of curvature according to it, and if the radius of the roller 32 is increased, the inorganic substrate 12 is peeled off at a radius of curvature according to it.
  • the peeling device 20 can be miniaturized, and by increasing the radius of the roller 32, the bending load applied to the inorganic substrate 12 can be reduced.
  • the vacuum chamber 30 and the vacuum chuck 34 correspond to the static pressure difference forming means of the present invention.
  • the radius of the roller is 40 mm or more and 1000 mm or less, more preferably 60 mm or more and 100 mm or less.
  • a material having a certain degree of elasticity is preferable, and for example, silicone rubber, fluororubber, urethane rubber, ethylene propylene rubber and the like can be used.
  • the elastic modulus of the roller material (JIS K 6255: 2013) is preferably 3 to 60%.
  • the rubber hardness of the roller material is preferably 50 to 90, preferably non-adhesive and antistatic or conductive.
  • the mesh-like sheet 38 may be arranged between the inorganic substrate 12 and the roller 32. Since the mesh-like sheet 38 is arranged between the inorganic substrate 12 and the roller 32, the peeled inorganic substrate 12 can be held.
  • the mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
  • the material of the mesh-like sheet is preferably a material that is appropriately elastically deformed, and specifically, a mesh having a mesh count of # 80 or more and # 600 or less using a polyester filament, a nylon filament, a stainless wire, or the like. It is preferably a shaped sheet. Further, it is preferably antistatic or conductive.
  • the peeling device 20 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
  • the peeling device 23 is a device in which a support part 33 is added to the peeling device 22 described above.
  • the support part 33 pushes the inorganic substrate 12 to widen the peeled portion 18 part between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the second embodiment.
  • the peeling device 40 according to the second embodiment includes a vacuum chuck 34 and a diaphragm 42.
  • the vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can be positioned above the diaphragm 42 in a state where the laminated body 10 is adsorbed.
  • the diaphragm 42 is an elastic thin film, and the laminated body 10 can be pressed against the surface.
  • a pressurizing device (not shown) is installed under the diaphragm 42, and the surface of the diaphragm 42 (elastic thin film) is pressed against the laminated body 10 by the pressurization by the pressurizing device.
  • the diaphragm 42 is an elastic thin film, even if the functional element 16 is provided on the polymer film 14, the laminate is substantially uniformly along the surface of the polymer film 14 and the functional element 16. 10 can be pressed.
  • the peeling device 40 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the diaphragm 42.
  • the embedding member 64 may be a hard sheet coated with a plastically deformable resin composition, or may be a hard sheet coated with a plastically deformable resin composition. Further, it may have adhesiveness, and the embedding member itself may have a role as a protective layer for the functional element.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the third embodiment.
  • the peeling device 50 according to the third embodiment includes a vacuum chamber 30, a vacuum chuck 34, an embedding member 64, a flexible support material 66, a porous flexible body 52, and a pressure inlet 54. ..
  • the flexible support material 66 is arranged in the vacuum chamber 30, and when the laminated body 11 with a functional element is arranged on the upper side, it is possible to hold the polymer film 14 or the inorganic substrate 12.
  • the flexible support material 66 is not particularly limited as long as it has flexibility, and examples thereof include a silicone rubber sheet.
  • the embedding member 64 is arranged in the vacuum chamber 30, and holds the polymer film 14 or the inorganic substrate 12 when the laminate 11 with a functional element is arranged on the surface opposite to the vacuum chuck 34. It is possible. Although it is in contact with the polymer film 14 in FIG. 10, it may be located outside the polymer film 14.
  • the embedding member 64 is not particularly limited as long as it is porous and has flexibility, but for example, a plastic sintered porous body, a metal porous sintered body, or a porous ceramic sintered body. Is processed into a shape that can embed a functional element.
  • the process C according to the third embodiment includes the process E-1 and the process E-2.
  • the peeling device 50 operates as follows to perform steps E-1 and E-2.
  • the peeling device 50 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 11 with the functional element by the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30.
  • the functional element 16 of the laminated body 11 is positioned so as to be located at the opening of the embedding member 64.
  • the peeling device 50 makes the inside of the vacuum chamber 30 less than the atmospheric pressure by the pump P.
  • the peeled portion 18 is at atmospheric pressure.
  • a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface 14a of the polymer film 14 and the peeled portion 18. That is, while the non-contact surface 14a side is set to be less than the atmospheric pressure, the static pressure difference is provided by introducing air from the pressure introduction port 54 to make the pressure higher than the atmospheric pressure (step E-2).
  • the peeling spreads sequentially from the peeling portion 18, and the polymer film 14 with the functional element 16 is peeled from the inorganic substrate 12.
  • the inorganic substrate 12 is warped in the direction away from the polymer film 14, and the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface.
  • the peeling device 20 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 11) by the support part 33 (step F-1). Specifically, it is preferable to bend the inorganic substrate 12.
  • the minimum radius of curvature of the curvature is preferably 350 mm or more. Since the load of the inorganic substrate 12 can be reduced, it is more preferably 400 mm or more, and further preferably 500 mm or more. Further, it is preferably 1000 mm or less, and more preferably 800 mm or less because the peeling speed increases.
  • the substantially plane is not only a perfect plane, but the flatness in JISB0621 (1984) is preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, still more preferably 10 ⁇ m or less. Further, the deviation from the plane in the range of 1 mm 2 is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or less, and further preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the mesh-like sheet 38 may be arranged under the inorganic substrate 12. Since the mesh-like sheet 38 is arranged under the inorganic substrate 12, the inorganic substrate 12 after peeling can be held.
  • the mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
  • the peeling device 20 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
  • FIGS. 13 and 14 are schematic cross-sectional views of a modified example of the peeling device according to the fifth embodiment.
  • the peeling devices 22 and 23 according to the fifth embodiment provide a vacuum chuck 37 for an inorganic substrate as a holding mechanism for the inorganic substrate 12 with respect to the peeling device 20 described above. Be prepared.
  • the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate can be moved up and down and tilted.
  • the vacuum chuck 34 can suck and hold the laminated body 10, and can position the laminated body 10 upward in a sucked state.
  • FIG. 13 and 14 are schematic cross-sectional views of a modified example of the peeling device according to the fifth embodiment.
  • the peeling devices 22 and 23 according to the fifth embodiment provide a vacuum chuck 37 for an inorganic substrate as a holding mechanism for the inorganic substrate 12 with respect to the peeling device 20 described above. Be prepared.
  • the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate can be moved up and down and tilted.
  • the peeling device 22 operates in the same manner as the peeling device 20 described above. However, since the peeling device 22 is provided with the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate, the inorganic substrate 12 can be deformed in the direction in which the peeling portion expands while limiting the bending from the minimum radius of curvature. Since the mesh-shaped sheet 38 is provided, the inorganic substrate 12 after peeling can be supported. Therefore, it is possible to prevent the peeled portion of the inorganic substrate 12 from hanging down significantly.
  • the peeling device 22 separates the vacuum chuck 37 (contact surface with the inorganic substrate 12) of the inorganic substrate from the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12 at a position away from the peeling portion 18.
  • the inorganic substrate 12 has a radius of curvature according to this movement, the height, inclination, and the presence / absence of vacuum suction of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate are controlled.
  • the peeling of the peeling portion 18 proceeds in order from the portion where the pressure by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is released. (Step G-3).
  • the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur.
  • the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is sequentially moved from the peeling portion 18 side of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds according to the movement of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate, so that the peeling speed is controlled. can do. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
  • the peeling device 23 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 14) by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate, and the inorganic substrate 12 is displaced in the direction of the peeling portion 18 (in FIG. 14). Press (upward) (step G-1).
  • the peeling device 24 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 15) by the substrate contact 35 and the support part 33, and displaces the inorganic substrate 12 in the peeling portion 18 direction (FIG. 15). In 15, it is pressed upward (upward) (step G-1).
  • the roller 32 and the substrate contact 12 are sequentially moved from the peeling portion 18 side of the inorganic substrate 12, and the peeling is advanced according to the movement of the roller 32 and the substrate contact 12, so that the peeling speed is increased. Can be controlled. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
  • the peeled portion 18 By providing a wall so as to surround the nozzle portion, the peeled portion 18 can be sealed, and the pressure difference between the polymer film 14 of the inorganic substrate 12 and the non-contact surface side 12a that is not in close contact can be efficiently provided. can.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the tenth embodiment.
  • the peeling device 120 according to the tenth embodiment includes a nozzle 122 (hereinafter, also referred to as an air blow nozzle 122) and a holding plate 124.
  • the following processing is performed as a preliminary step of the step B.
  • the non-woven fabric 164 (soft pressing plate 164) is present below the adhesive tape 162, the polymer film 114 is turned up to some extent, but the non-woven fabric 164 (soft pressing plate 164) causes the peeled region 118 to be separated. It can be prevented from spreading more than that.
  • the laminate that can be used in the present invention is not limited to this example, and the end faces of the inorganic substrate and the polymer film may not be flush with each other at the end portion of the object for forming the peeling region.
  • the polymer film 174 is not formed on the inorganic substrate 112 at the end portion (right end portion in FIG. 41) which is the target for forming the peeling region.

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Abstract

This polymer film releasing method includes the step A of preparing a layered body comprising an inorganic substrate in tight contact with a polymer film having formed thereon a circuit pattern and/or a functional element, the step B of forming, at an end portion of the layered body, a release portion between the polymer film and the inorganic substrate, and the step C of warping the inorganic substrate in the direction of separation from the polymer film, thereby causing the polymer film to be released from the inorganic substrate while being kept approximately flat.

Description

高分子フィルムの剥離方法、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置Polymer film peeling method, electronic device manufacturing method, and peeling device
　本発明は、高分子フィルムの剥離方法、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置に関する。 The present invention relates to a method for peeling a polymer film, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device.
　近年、半導体素子、ＭＥＭＳ素子、ディスプレイ素子など機能素子の軽量化、小型・薄型化、フレキシビリティ化を目的として、高分子フィルム上にこれらの素子を形成する技術開発が活発に行われている。すなわち、情報通信機器（放送機器、移動体無線、携帯通信機器等）、レーダーや高速情報処理装置などといった電子部品の基材の材料としては、従来、耐熱性を有し且つ情報通信機器の信号帯域の高周波数化（ＧＨｚ帯に達する）にも対応し得るセラミックが用いられていたが、セラミックはフレキシブルではなく薄型化もしにくいので、適用可能な分野が限定されるという欠点があったため、最近は高分子フィルムが基板として用いられている。 In recent years, technological development for forming these elements on a polymer film has been actively carried out for the purpose of reducing the weight, size and thickness, and flexibility of functional elements such as semiconductor elements, MEMS elements, and display elements. That is, as a material for a base material of electronic parts such as information communication equipment (broadcast equipment, mobile radio, portable communication equipment, etc.), radar, high-speed information processing device, etc., conventionally, it has heat resistance and a signal of information communication equipment. Ceramics that can handle higher frequencies in the band (reaching the GHz band) have been used, but since ceramics are not flexible and difficult to thin, there is a drawback that the applicable fields are limited, so recently. A polymer film is used as a substrate.
　半導体素子、ＭＥＭＳ素子、ディスプレイ素子などの機能素子を高分子フィルム表面に形成するにあたっては、高分子フィルムの特性であるフレキシビリティを利用した、いわゆるロール・ツー・ロールプロセスにて加工することが理想とされている。しかしながら、半導体産業、ＭＥＭＳ産業、ディスプレイ産業等の業界では、これまでウエハベースまたはガラス基板ベース等のリジッドな平面基板を対象としたプロセス技術が構築されてきた。そこで、既存インフラを利用して機能素子を高分子フィルム上に形成するために、高分子フィルムを、例えばガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属板などの無機物からなるリジッドな支持体に貼り合わせ、その上に所望の素子を形成した後に支持体から剥離するというプロセスが用いられている。 When forming functional elements such as semiconductor elements, MEMS elements, and display elements on the surface of polymer films, it is ideal to process them by a so-called roll-to-roll process that utilizes the flexibility that is a characteristic of polymer films. It is said that. However, in industries such as the semiconductor industry, the MEMS industry, and the display industry, process technologies for rigid flat substrates such as wafer-based or glass substrate-based have been constructed so far. Therefore, in order to form a functional element on a polymer film using the existing infrastructure, the polymer film is bonded to a rigid support made of an inorganic substance such as a glass plate, a ceramic plate, a silicon wafer, or a metal plate. A process is used in which a desired element is formed on the element and then peeled off from the support.
　従来、高分子フィルムを支持体から剥離する方法として、レーザー光を照射することにより、高分子フィルムと支持体との間の密着力を弱め、剥離する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, as a method of peeling a polymer film from a support, a method of irradiating a laser beam to weaken the adhesive force between the polymer film and the support and peeling the polymer film is known (for example, Patent Document). 1).
特開平１０－１２５９３１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125931
　しかしながら、特許文献１の方法では、レーザー光を支持体の全面に照射するため、レーザー光を照射するための大掛かりな照射装置が必要になるといった問題がある。また、レーザー光を照射するため、高分子フィルムに焦げ等が生じ、高分子フィルムの品位に影響を及ぼすといった問題がある。また、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子にレーザーの光が漏れて照射されること、あるいはレーザー加熱での衝撃波が発生することにより品位に影響を与えることが懸念されている。機械的剥離についても高分子フィルムの変形に伴い、高分子フィルムそのものへの応力によるダメージおよび、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子の品位に影響を及ぼすことが懸念されてきた。 However, in the method of Patent Document 1, since the laser beam is irradiated on the entire surface of the support, there is a problem that a large-scale irradiation device for irradiating the laser beam is required. Further, since the laser beam is irradiated, there is a problem that the polymer film is burnt or the like, which affects the quality of the polymer film. In addition, the quality is affected by the leakage of laser light from the circuits and devices formed on the surface of the polymer film and the elements mounted on the polymer film, or by the generation of shock waves from laser heating. Is concerned. Mechanical peeling also affects the damage caused by stress on the polymer film itself due to the deformation of the polymer film, and the quality of circuits and devices formed on the surface of the polymer film and the elements mounted on the polymer film. Has been a concern.
　本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高分子フィルム、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子の品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能な高分子フィルムの剥離方法、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof affects the quality of a polymer film, circuits and devices formed on the surface of the polymer film, and elements mounted on the polymer film. It is an object of the present invention to provide a method for peeling a polymer film, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device capable of easily peeling a polymer film from an inorganic substrate.
　本発明者は、高分子フィルムの剥離方法、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置について鋭意研究を行った。その結果、下記の構成を採用することにより、高分子フィルム、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子の品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventor has conducted intensive research on a method for peeling a polymer film, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device. As a result, by adopting the following configuration, the polymer film can be easily obtained without affecting the quality of the polymer film, the circuits and devices formed on the surface of the polymer film, and the elements mounted on the polymer film. It was found that the film can be peeled off from the inorganic substrate, and the present invention has been completed.
　すなわち、本発明は以下を提供する。
　（１）回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する工程Ａと、
　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する工程Ｂと、
　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程Ｃと
　を含むことを特徴とする高分子フィルムの剥離方法。 That is, the present invention provides the following.
(1) Step A of preparing a laminate in which a polymer film on which a circuit pattern and / or a functional element is formed and an inorganic substrate are in close contact with each other.
Step B of forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
A method for peeling a polymer film, which comprises a step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by warping in a direction away from the polymer film. ..
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、高分子フィルムに応力が加わることなく、品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the above configuration, the polymer is not mechanically peeled off, but the inorganic substrate is warped in a direction away from the polymer film, so that the polymer film is peeled off without bending (substantially flat). The polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without applying stress to the film and without affecting the quality.
　（２）前記（１）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記工程Ｂの後、前記無機基板の前記高分子フィルムと密着していない非密着面と、前記剥離部分との間に静圧差を設けるとともに、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程であることが好ましい。 (2) In the configuration of (1) above,
The step C is
After the step B, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeled portion, and the inorganic substrate is opposed in the direction away from the polymer film. Therefore, it is preferable to perform a step of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat.
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記非密着面と前記剥離部分との間の静圧差により前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する事および前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、高分子フィルムに応力が加わることなく、品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the above configuration, the polymer film is not peeled off mechanically, but the polymer film is peeled from the inorganic substrate by the static pressure difference between the non-adhesive surface and the peeled portion, and the polymer film is not bent. Since the polymer film is peeled off to a (substantially flat surface), the polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without applying stress to the polymer film and without affecting the quality.
　（３）前記（１）又は前記（２）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記無機基板の前記非密着面側にローラーまたは基板接触子を配置し、前記ローラーまたは基板接触子により、前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｄ－１と、
　　前記非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分を大気圧とすることにより、前記静圧差を設ける工程Ｄ－２と、
　　前記工程Ｄ－１及び前記工程Ｄ－２の後、前記ローラーまたは基板接触子を前記無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーまたは基板接触子の移動に応じて前記剥離を進行させる工程Ｄ－３とを含むことが好ましい。 (3) In the configuration of (1) or (2) above,
The step C is
Step D-1 in which a roller or a substrate contactor is arranged on the non-contact surface side of the inorganic substrate and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by the roller or the substrate contactor.
Step D-2 in which the static pressure difference is provided by setting the non-contact surface side to less than atmospheric pressure and setting the peeled portion to atmospheric pressure.
After the step D-1 and the step D-2, the roller or the substrate contactor is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling is performed in response to the movement of the roller or the substrate contactor. It is preferable to include the step D-3 for advancing the above process.
　前記構成によれば、ローラーまたは基板接触子を設置し、その面を無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーの移動に応じて前記剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the above configuration, a roller or a substrate contactor is installed, the surface thereof is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling proceeds in accordance with the movement of the roller, so that the peeling speed is increased. You can control it. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film.
　（４）前記（１）～前記（３）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記無機基板の非密着面側と、前記剥離部分の圧力差を大気圧力よりも高い圧力とすることが好ましい。 (4) In the configuration of the above (1) to the above (3)
The step C is
It is preferable that the pressure difference between the non-adhesive surface side of the inorganic substrate and the peeled portion is higher than the atmospheric pressure.
　前記構成によれば、前記非密着面側を大気圧以下としておきその後、前記剥離部分を大気圧より高い圧力とすることより、前記静圧差を設ける（Case 1）、あるいは、前記非密着面側を大気圧以上としておき、その後、前記剥離部分を前記非密着面側の圧力よりも高い圧力とすることより、圧力差を大気圧以上にする（Case 2）ことで前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する。前記非密着面側を大気圧以上としているため、必要となるユーティリティーは高圧の気体のみ、あるいは（Case 1の場合は）真空と高圧の組み合わせであり、高圧の気体も例えば３気圧以下程度（圧力差（２．５気圧－１気圧）なら１．５気圧）までであるという、簡便な構成により剥離が可能となる。
　前記構成の一例としては、メッシュ状シートが配置されていてもよい。前記高分子フィルムと前記ローラーまたは基板接触子との間にメッシュ状シートが配置された場合には、剥離後の前記高分子フィルムを保持することができる。 According to the configuration, the static pressure difference is provided by setting the non-contact surface side to atmospheric pressure or less and then setting the peeled portion to a pressure higher than atmospheric pressure (Case 1), or the non-adhesive surface side. Is set to atmospheric pressure or higher, and then the pressure difference is set to atmospheric pressure or higher (Case 2) by setting the peeled portion to a pressure higher than the pressure on the non-contact surface side, thereby making the polymer film the inorganic. Peel off from the substrate. Since the non-contact surface side is set to atmospheric pressure or higher, the required utility is only high-pressure gas or a combination of vacuum and high pressure (in the case of Case 1), and high-pressure gas is also, for example, about 3 atm or less (pressure). Peeling is possible due to the simple configuration that the difference (2.5 atm-1 atm) is up to 1.5 atm).
As an example of the above configuration, a mesh-like sheet may be arranged. When the mesh-like sheet is arranged between the polymer film and the roller or the substrate contactor, the polymer film after peeling can be held.
　（５）前記（１）～前記（４）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記高分子フィルムの前記非密着面側に埋め込み用部材またはスペーサーを配置し、前記埋め込み用部材またはスペーサーに前記機能素子を埋め込みつつ、多孔質柔軟体により前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｅ－１と、前記無機基板の非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分を大気圧とすることにより、前記静圧差を設ける工程Ｅ－２とを含むことが好ましい。 (5) In the configuration of (1) to (4) above,
The step C is
An embedding member or spacer is arranged on the non-adhesive surface side of the polymer film, and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by a porous flexible body while embedding the functional element in the embedding member or spacer. It is preferable to include the step E-1 and the step E-2 in which the non-adhesive surface side of the inorganic substrate is set to a pressure lower than the atmospheric pressure, while the peeled portion is set to a atmospheric pressure to provide the static pressure difference.
　前記構成によれば、前記非密着面側を大気圧以上としておき、その後、前記剥離部分を前記非密着面側の圧力よりも高い圧力とすることより、前記静圧差を設け、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する。前記非密着面側を大気圧以上としているため、剥離後の前記高分子フィルムを保持することができる。 According to the above configuration, the static pressure difference is provided by setting the non-contact surface side to atmospheric pressure or higher and then setting the peeled portion to a pressure higher than the pressure on the non-contact surface side to provide the polymer film. Is peeled off from the inorganic substrate. Since the pressure on the non-adhesive surface side is set to atmospheric pressure or higher, the polymer film after peeling can be held.
　さらに前記（２）の構成によれば、前記埋め込み用部材またはスペーサーに前記回路パターン及び／又は前記機能素子を埋め込んだ状態で、前記静圧差を設け、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離するため、前記機能素子の位置する箇所において高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 Further, according to the configuration of (2), the static pressure difference is provided in a state where the circuit pattern and / or the functional element is embedded in the embedding member or spacer, and the polymer film is peeled off from the inorganic substrate. Therefore, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film at the location where the functional element is located.
　（６）前記（１）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記工程Ｂの後、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記剥離部分に動圧を加えることにより、前記無機基板から剥離する工程であることが好ましい。 (6) In the configuration of (1) above,
The step C is
After the step B, it is preferable to perform a step of peeling from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeled portion while keeping the polymer film substantially flat.
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記剥離部分に動圧を加えることにより前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する事および前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、高分子フィルムに応力が加わることなく、品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the above configuration, the polymer film is peeled from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeled portion instead of being mechanically peeled, and the polymer film is not bent (substantially flat). Since the polymer film is peeled off, the polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without applying stress to the polymer film and without affecting the quality.
　（７）前記（１）又は前記（６）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記無機基板を高分子フィルムと密着していない非密着面側に変位させる工程Ｆ－１と
　　前記無機基板の前記非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分に気体の流れを与えることにより、前記動圧を加える工程Ｆ－２と
を含むことが好ましい。 (7) In the configuration of (1) or (6) above,
The step C is
Step F-1 to displace the inorganic substrate to the non-adhesive surface side that is not in close contact with the polymer film, and the non-adhesive surface side of the inorganic substrate is set to less than atmospheric pressure, while a gas flow is given to the peeled portion. Therefore, it is preferable to include the step F-2 of applying the dynamic pressure.
　前記構成によれば、前記無機基板を非密着面側に変位させ、非密着面側を大気圧未満とする一方、剥離部分に気体の流れを与えることにより、前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に容易に剥離することができる。 According to the above configuration, the inorganic substrate is displaced to the non-adhesive surface side so that the non-adhesive surface side is below the atmospheric pressure, while the gas flow is applied to the peeled portion, so that the polymer film is not bent (omitted). It can be easily peeled off to a flat surface).
　（８）前記（１）、前記（６）又は前記（７）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記無機基板の前記非密着面側にローラーまたは基板接触子を配置し、前記ローラーまたは基板接触子により、前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｇ－１と、
　　前記剥離部分に流体の流れを与えることにより、前記動圧を加える工程Ｇ－２と、
　　前記工程Ｇ－１及び前記工程Ｇ－２の後、前記ローラーまたは基板接触子を前記無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーまたは基板接触子の移動に応じて前記剥離を進行させる工程Ｇ－３とを含むことが好ましい。 (8) In the configuration of the above (1), the above (6) or the above (7).
The step C is
Step G-1 in which a roller or a substrate contactor is arranged on the non-contact surface side of the inorganic substrate and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by the roller or the substrate contactor.
Step G-2 in which the dynamic pressure is applied by applying a fluid flow to the peeled portion,
After the step G-1 and the step G-2, the roller or the substrate contactor is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling is performed in response to the movement of the roller or the substrate contactor. It is preferable to include the step G-3 for advancing the above process.
　前記構成によれば、ローラーまたは基板接触子を設置し、その面を無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーの移動に応じて前記剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the above configuration, a roller or a substrate contactor is installed, the surface thereof is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling proceeds in accordance with the movement of the roller, so that the peeling speed is increased. You can control it. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film.
　（９）前記（７）又は前記（８）の構成において、
　前記変位が、湾曲であり、前記湾曲の最小曲率半径が３５０ｍｍ以上であることが好ましい。 (9) In the configuration of (7) or (8) above,
It is preferable that the displacement is a curve and the minimum radius of curvature of the curve is 350 mm or more.
　（１０）前記（１）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記工程Ｂの後、前記積層体の前記高分子フィルム面が真空吸着プレートに接するように前記積層体を設置して固定し、前記積層体の側面には隔壁が設けられ、次いで前記剥離部分にノズルにより気体を注入し、圧力を加えることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま剥離する工程であることが好ましい。 (10) In the configuration of (1) above,
The step C is
After the step B, the laminated body is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminated body is in contact with the vacuum suction plate, a partition wall is provided on the side surface of the laminated body, and then the peeled portion is covered. It is preferable that the polymer film is peeled off while being kept substantially flat by injecting gas through a nozzle and applying pressure.
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記剥離部分に圧力を加えることにより前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する事および前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、高分子フィルムに応力が加わることなく、品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。さらに、積層体の側面に隔壁が設けられているため、無機基板が剥離する際、高分子フィルムと離れる方向のみに制限することができる。 According to the above configuration, the polymer film is peeled from the inorganic substrate by applying pressure to the peeled portion, and the polymer film is peeled without bending (substantially flat surface), instead of mechanically peeling. Therefore, it is possible to easily peel off the polymer film from the inorganic substrate without applying stress to the polymer film and without affecting the quality. Further, since the partition wall is provided on the side surface of the laminated body, when the inorganic substrate is peeled off, it can be limited only in the direction away from the polymer film.
　（１１）前記（１）又は前記（１０）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記無機基板側に前記無機基板と平行で接触しない概略平板を置く工程Ｈ－１と
　　前記無機基板の高分子フィルムとの非密着面側を大気圧または低圧力とする一方、前記剥離部分に気体を注入することにより、前記剥離部分に圧力を加える工程Ｈ－２と
を含むことが好ましい。 (11) In the configuration of the above (1) or the above (10).
The step C is
The step H-1 in which a substantially flat plate that is parallel to the inorganic substrate and does not come into contact with the inorganic substrate is placed on the inorganic substrate side, and the non-adhesive surface side of the inorganic substrate with the polymer film is set to atmospheric pressure or low pressure, while gas is applied to the peeled portion. It is preferable to include the step H-2 of applying pressure to the peeled portion by injecting.
　前記構成によれば、無機基板を剥離する際、無機基板を概略曲げることがない。そのため、効率よく剥離することができる。 According to the above configuration, the inorganic substrate is not substantially bent when the inorganic substrate is peeled off. Therefore, it can be peeled off efficiently.
　（１２）前記（１）、前記（１０）又は前記（１１）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　高分子フィルムを真空吸着する工程Ｊ－１と、
　　前記ノズル部も囲うよう壁を設け前記積層体へ注入する気体を前記剥離部分から逃さない閉じ込めた空間の中におくことにする工程Ｊ－２と、
　　前記工程Ｊ－１及び前記工程Ｊ－２の後、ノズルより圧力を印加して、気体を注入する工程Ｊ－３とを含むことが好ましい。 (12) In the configuration of the above (1), the above (10) or the above (11).
The step C is
Step J-1 to vacuum-adsorb the polymer film and
Step J-2, in which a wall is provided so as to surround the nozzle portion and the gas to be injected into the laminate is placed in a confined space that does not escape from the peeled portion.
After the step J-1 and the step J-2, it is preferable to include a step J-3 in which a pressure is applied from a nozzle to inject a gas.
　前記構成によれば、ノズル部を囲うように壁を設けることで、剥離部分を密閉することができ、無機基板の高分子フィルムと密着していない非密着面側との圧力差を効率よく設けることができる。 According to the above configuration, by providing a wall so as to surround the nozzle portion, the peeled portion can be sealed, and the pressure difference between the polymer film of the inorganic substrate and the non-adhesive surface side that is not in close contact is efficiently provided. be able to.
　（１３）前記（１）～前記（１２）の構成において、
　前記工程Ｂは、
　　前記積層体の前記端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域を形成する工程であることが好ましい。 (13) In the configuration of the above (1) to the above (12),
The step B is
It is preferable that the step is to spray a gas on the region including the boundary between the polymer film and the inorganic substrate at the end portion of the laminate to form a peeling region at the end portion.
　前記構成によれば、積層体の端部に、機械的に剥離領域を形成するのではなく、気体の吹き付けにより剥離領域を形成する（工程Ｂ）。そして、その後、前記剥離領域を起点として、高分子フィルムを無機基板から剥離する（工程Ｃ）。工程Ｃにおいては、剥離領域が存在するため、剥離領域に対してさらに気体を吹きつけたり、無機基板を反らせたりすること等により、高分子フィルムを機械的に把持することなく、高分子フィルムを無機基板から剥離することができる。
　このように、前記構成によれば、高分子フィルムに機械的に触れることなく、高分子フィルムを無機基板から剥離することができる。その結果、高分子フィルム、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子の品位を傷つけることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the above configuration, the peeling region is not mechanically formed at the end of the laminated body, but the peeling region is formed by spraying gas (step B). Then, the polymer film is peeled from the inorganic substrate starting from the peeled region (step C). In step C, since the peeling region exists, the polymer film is made inorganic without mechanically gripping the polymer film by further spraying gas on the peeling region, warping the inorganic substrate, or the like. It can be peeled off from the substrate.
As described above, according to the above configuration, the polymer film can be peeled off from the inorganic substrate without mechanically touching the polymer film. As a result, the polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without damaging the quality of the polymer film, the circuits and devices formed on the surface of the polymer film, and the elements mounted on the polymer film. ..
　（１４）前記（１）～前記（１３）の構成において、前記回路パターン及び／又は前記機能素子は、前記高分子フィルムの外周に触れない態様で、形成されていることが好ましい。 (14) In the configurations (1) to (13), it is preferable that the circuit pattern and / or the functional element is formed so as not to touch the outer periphery of the polymer film.
　前記構成によれば、前記機能素子が、前記高分子フィルムの外周に触れない態様で、形成されているため、前記剥離領域を形成する際に、高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the configuration, since the functional element is formed in such a manner that it does not touch the outer periphery of the polymer film, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film when forming the peeled region. can do.
　（１５）前記（１３）又は前記（１４）の構成において、前記工程Ｂにて形成される前記剥離領域は、前記回路パターン及び／又は前記機能素子形成領域よりも外側であることが好ましい。 (15) In the configuration of (13) or (14), the peeling region formed in the step B is preferably outside the circuit pattern and / or the functional element forming region.
　前記構成によれば、前記剥離領域が機能素子形成領域よりも外側であるため、前記剥離領域を形成する際に、高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the above configuration, since the peeling region is outside the functional element forming region, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film when forming the peeling region.
　（１６）前記（１３）～前記（１５）の構成において、
　前記工程Ｃは、
　　前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は前記機能素子形成領域を平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程であることが好ましい。 (16) In the configuration of the above (13) to the above (15),
The step C is
It is preferable to perform a step of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the circuit pattern and / or the functional element forming region flat.
　前記構成によれば、前記高分子フィルムの前記機能素子形成領域を平面に保ったまま、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離するため、前記機能素子の位置する箇所において高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the above configuration, the polymer film is peeled off from the inorganic substrate while keeping the functional element forming region of the polymer film flat, so that the polymer film is excessive at the position where the functional element is located. It is possible to suppress the load.
　（１７）前記（１３）～前記（１６）の構成においては、
　前記工程Ｂの前に、前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に極微小剥離部分を形成する工程Ｗを含み、
　前記工程Ｂは、前記工程Ｗの後、前記極微小剥離部分を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に前記剥離領域を形成する工程であることが好ましい。 (17) In the configuration of the above (13) to the above (16),
Prior to the step B, a step W of forming a micro-peelable portion at the end of the laminated body in a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate is included.
It is preferable that the step B is a step after the step W in which a gas is blown onto the region including the micro-peelable portion to form the peel-off region at the end portion.
　前記構成によれば、前記積層体の端部において、全く剥離領域がない場合（極微小な剥離部分も存在しない場合）に、前記剥離領域を容易に形成することが可能となる。 According to the above configuration, when there is no peeling region at the end of the laminated body (when there is no extremely minute peeling portion), the peeling region can be easily formed.
　（１８）前記（１）～前記（１７）の構成において、
　前記工程Ｃよりも前に、前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は前記機能素子が設けられていない面上に、前記回路パターン及び／又は前記機能素子の厚さと同程度の厚さを有するスペーサーを設ける工程Ｘを含むことが好ましい。 (18) In the configuration of the above (1) to the above (17),
Prior to the step C, the polymer film has the same thickness as the circuit pattern and / or the functional element on the surface on which the circuit pattern and / or the functional element is not provided. It is preferable to include the step X of providing the spacer.
　前記構成によれば、前記埋め込み用部材またスペーサーにより高分子フィルム上の凹凸を少なくすることができる。その結果、剥離する際に、前記回路パターン及び／又は前記機能素子の位置する箇所において高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the above configuration, the unevenness on the polymer film can be reduced by the embedding member or the spacer. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film at the location of the circuit pattern and / or the functional element at the time of peeling.
　（１９）前記（１）～前記（１８）の構成において、
　前記工程Ｃよりも前に、前記高分子フィルムの前記非密着面側に、埋め込み用部材、スペーサー、及び埋め込み用真空チャックからなる群より選択された１以上を配置し、前記埋め込み用部材、スペーサー、及び埋め込み用真空チャックからなる群より選択された１以上に前記回路パターン及び／又は機能素子を埋め込むみつつ、剥離工程Ｙを行うことが好ましい。 (19) In the configuration of the above (1) to the above (18),
Prior to the step C, one or more selected from the group consisting of an embedding member, a spacer, and an embedding vacuum chuck are arranged on the non-adhesive surface side of the polymer film, and the embedding member and the spacer are arranged. It is preferable to perform the peeling step Y while embedding the circuit pattern and / or the functional element in one or more selected from the group consisting of the vacuum chuck for embedding.
　前記構成によれば、埋め込み用部材、スペーサー、及び／又は、埋め込み用真空チャックにより前記回路パターン及び／又は前記機能素子を埋め込んだ状態で、前記静圧差を設け、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離するため、前記回路パターン及び／又は前記機能素子の位置する箇所において高分子フィルムに過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 According to the configuration, the static pressure difference is provided in a state where the circuit pattern and / or the functional element is embedded by the embedding member, the spacer, and / or the embedding vacuum chuck, and the polymer film is used as the inorganic substrate. Therefore, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film at the location where the circuit pattern and / or the functional element is located.
　（２０）前記（１）～前記（１９）の構成において、
　前記工程Ｃよりも前に、前記積層体の前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は機能素子を保護するために粘着性の保護フィルムをつける工程Ｚを含むことが好ましい。 (20) In the configuration of the above (1) to the above (19),
Prior to the step C, it is preferable to include a step Z of attaching an adhesive protective film in order to protect the circuit pattern and / or the functional element of the polymer film of the laminate.
　また、本発明は以下を提供する。
　（２１）回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する工程Ａと、
　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する工程Ｂと、
　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程Ｃと
　を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 The present invention also provides the following.
(21) A step A of preparing a laminate in which a polymer film on which a circuit pattern and / or a functional element is formed and an inorganic substrate are in close contact with each other.
Step B of forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
A method for manufacturing an electronic device, which comprises a step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、高分子フィルムに応力が加わることなく、品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。従って、剥離された機能素子付きの高分子フィルムは、電子デバイスに好適に使用することができる。 According to the above configuration, the polymer is not mechanically peeled off, but the inorganic substrate is warped in a direction away from the polymer film, so that the polymer film is peeled off without bending (substantially flat). The polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without applying stress to the film and without affecting the quality. Therefore, the peeled polymer film with the functional element can be suitably used for an electronic device.
　（２２）前記（２１）の構成においては、レーザースミアの付着がないことが好ましい。レーザー光を照射した場合、高分子フィルムに焦げ等が生じレーザースミアとなった場合、高分子フィルムの品位、に影響を及ぼす、パーティクル化してデバイスを汚染するといった問題がある。そこで、レーザースミアの付着がないことが好ましい。 (22) In the configuration of (21) above, it is preferable that there is no adhesion of laser smear. When the polymer film is irradiated with laser light, the polymer film is scorched and becomes laser smear, which causes problems such as affecting the quality of the polymer film and contaminating the device by forming particles. Therefore, it is preferable that there is no adhesion of laser smear.
　また、本発明は以下を提供する。
　（２３）回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体から、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する剥離装置であって、
　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する手段と、
　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする剥離装置。 The present invention also provides the following.
(23) A peeling device for peeling the polymer film from the inorganic substrate from a laminate in which the polymer film on which the circuit pattern and / or the functional element is formed and the inorganic substrate are in close contact with each other.
A means for forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
A peeling device comprising a peeling means for peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film in a substantially flat surface by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
　前記構成によれば、機械的に剥離するのではなく、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを曲げず（略平面）に剥離するため、
分子フィルムの品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the above configuration, the polymer film is peeled off without bending (substantially flat surface) by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film, instead of mechanically peeling off.
The polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without affecting the quality of the molecular film.
　本発明によれば、高分子フィルムの品位に影響を与えることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能となる。 According to the present invention, the polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without affecting the quality of the polymer film.
積層体の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows an example of a laminated body. 第１実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る剥離装置の変形例１の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the modification 1 of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る剥離装置の変形例２の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the modification 2 of the peeling apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 機能素子付きの積層体の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows an example of the laminated body with a functional element. 機能素子付きの積層体の高分子フィルム上にスペーサーを設けた様子を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the appearance that the spacer is provided on the polymer film of the laminated body with a functional element. 機能素子付きの積層体の高分子フィルム上に埋め込み用部材を配置し、機能素子を埋めこんだ様子を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the appearance that the embedding member was arranged on the polymer film of the laminated body with a functional element, and the functional element was embedded. 第３実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第４実施形態に係る剥離装置の動作途中の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view in the middle of operation of the peeling apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第５実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第５実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第５実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第６実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 6th Embodiment. 図１７は第７実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１７は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the seventh embodiment. FIG. 17 shows the setting of the peeling device. 図１８は第７実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１８は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the seventh embodiment. FIG. 18 shows the setting of the peeling device. 図１９は第７実施形態に係る剥離装置の動作直前の模式断面図である。FIG. 19 is a schematic cross-sectional view immediately before the operation of the peeling device according to the seventh embodiment. 図２０は第８実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図２０は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eighth embodiment. FIG. 20 shows the setting of the peeling device. 図２１は第８実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図２１は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eighth embodiment. FIG. 21 shows the setting of the peeling device. 図２２は第８実施形態に係る剥離装置の動作直前の模式断面図である。FIG. 22 is a schematic cross-sectional view immediately before the operation of the peeling device according to the eighth embodiment. 図２３は第８実施形態に係る剥離装置の別の模式断面図である。図２３は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 23 is another schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eighth embodiment. FIG. 23 shows the setting of the peeling device. 図２４は第８実施形態に係る剥離装置の別の模式断面図である。図２４は剥離装置のセッティング途中のものである。FIG. 24 is another schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eighth embodiment. FIG. 24 shows the setting of the peeling device. 図２５は機能素子付きの積層体の高分子フィルム上に埋め込み用真空チャックを配置し、機能素子を埋めこんだ第８実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of a peeling device according to an eighth embodiment in which a vacuum chuck for embedding is arranged on a polymer film of a laminated body having a functional element and the functional element is embedded. 図２６は機能素子付きの積層体の高分子フィルム上に埋め込み用真空チャックを配置し、機能素子を埋めこんだ第８実施形態に係る剥離装置の別の模式断面図である。FIG. 26 is another schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eighth embodiment in which the vacuum chuck for embedding is arranged on the polymer film of the laminated body with the functional element and the functional element is embedded. 積層体の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows an example of a laminated body. 図２７に示した積層体の平面図である。It is a top view of the laminated body shown in FIG. 27. 極微小剥離部分を形成した後の積層体を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the laminated body after forming the micro-peelated portion. 図２９に示した積層体の平面図である。It is a top view of the laminated body shown in FIG. 第１０実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第１０実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第１０実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第１０実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第１０実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第１１実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the peeling apparatus which concerns on 11th Embodiment. 第１１実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the modification of the peeling apparatus which concerns on 11th Embodiment. 第１１実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 11th Embodiment. 第１１実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling apparatus which concerns on 11th Embodiment. 積層体の他の例を示す模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the other example of a laminated body. 図４０に示した積層体の平面図である。It is a top view of the laminated body shown in FIG. 40.
　以下、本発明の実施形態について説明する。以下では、高分子フィルムの剥離方法について説明し、その中で、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置についても説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. Hereinafter, a method for peeling a polymer film will be described, and a method for manufacturing an electronic device and a peeling device will also be described.
　［高分子フィルムの剥離方法］
　本実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法は、
　回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する工程Ａと、
　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する工程Ｂと、
　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程Ｃと
　を含む。 [Method for peeling polymer film]
The method for peeling off the polymer film according to this embodiment is
Step A of preparing a laminate in which a polymer film on which a circuit pattern and / or a functional element is formed and an inorganic substrate are in close contact with each other, and
Step B of forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
This includes step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
　＜工程Ａ＞
　本実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法においては、まず、回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する（工程Ａ）。図１は、積層体の一例を示す模式断面図である。図１に示すように、積層体１０は、無機基板１２と高分子フィルム１４とを備える。無機基板１２と高分子フィルム１４とは密着している。無機基板１２と高分子フィルム１４とは、図示しないシランカップリング剤層を介して密着していてもよい。
　高分子フィルム１４上には、回路パターン及び／又は機能素子が形成されている（図示せず）。回路パターン及び／又は機能素子は無機基板１２と密着していない非密着面上に形成される。つまり、本実施形態では、高分子フィルム１４上に、回路パターンと機能素子との両方が形成されていてもよく、回路パターンが形成され且つ機能素子が形成されていなくてもよく、機能素子が形成され且つ回路パターンが形成されていなくてもよい。
　前記回路パターンは、従来公知の方法にて形成することができる。前記回路パターンの厚みとしては、通常０．０５μｍ～２０μｍ、好ましくは０．１μｍ～１５μｍ、より好ましくは０．１５μｍ～０．５μｍ程度である。
　また、図１では無機基板１２と高分子フィルム１４の厚みは異なるものの同じ大きさで書かれている。高分子フィルム１４と無機基板１２の大きさが異なり、高分子フィルム１４が無機基板１２よりも大きくても構わないし、小さくても構わない。高分子フィルム１４が無機基板１２より小さく作ることは作製上容易であるため、このように大きさが異なっていてもよい。また、剥離を容易にするため、工程Ａの後に前記高分子フィルム１４と無機基板１２とが密着した積層体から外周部のガラスを割断して、除去して、高分子フィルム１４が無機基板１２より大きくなっていてもよい。
　なお、本実施形態では、あらかじめ別途製造した高分子フィルムを無機基板に接着する（積層する）ことにより積層体を得ることができる。積層の方法としては、後述するシランカップリング剤を用いた積層方法の他、既存公知の接着剤、接着シート、粘着剤、粘着シートなどを適用することも可能である。また、この時、前記接着剤、前記接着シート、前記粘着剤、前記粘着シートは、無機基板側に先につけてもよく、高分子フィルム側に先につけてもよい。
　また、高分子フィルムと無機基板との積層体を作製する他の方法として、高分子フィルム形成用の高分子溶液あるいは高分子の前駆体の溶液を無機基板に塗布し、乾燥および、必要に応じて化学反応を行い、無機基板上で高分子をフィルム化することにより積層体を得る方法が挙げられる。高分子溶液として可溶性ポリイミドの溶液、高分子前駆体として化学反応によりポリイミドとなるポリアミド酸溶液などを用いることにより、高分子フィルムと無機基板との積層体を得ることができる。またその際に、無機基板にシランカップリング剤処理などの表面処理を行うことにより、高分子フィルムと無機基板との接着性を制御することも好ましい態様の一つである。この時、無機基板と高分子フィルムとの剥離強度をコントロールするため、既知の易剥離な高分子層（易剥離層）と主なる高分子層（高分子フィルム）との２層構成や、主層（高分子フィルム）と無機薄膜層との２層構成としてもよい。その他、剥離力をコントロールための既存の構成を適用してもよい。
　易剥離な高分子層（易剥離層）と主なる高分子層（高分子フィルム）との２層構成の場合には、易剥離な高分子層（易剥離層）と無機基板との接着力が易剥離な高分子層（易剥離層）と主なる高分子層（高分子フィルム）との接着力よりも強く接着して、主なる高分子層（高分子フィルム）と易剥離な高分子層（易剥離層）との間で剥離する設計の場合と、易剥離な高分子層（易剥離層）と主なる高分子層（高分子フィルム）との接着力が、易剥離な高分子層（易剥離層）と無機基板との接着力より強く、易剥離な高分子層（易剥離層）と無機基板との間で剥離する設計の場合がある。
　易剥離な高分子層（易剥離層）と無機基板との接着力が易剥離な高分子層（易剥離層）と主なる高分子層（高分子フィルム）との接着力より強く接着して、主なる高分子層（高分子フィルム）と易剥離な高分子層（易剥離層）との間で剥離する設計の場合については、無機基板に易剥離な高分子層（易剥離層）が堆積しているものが、本発明における無機基板に相当する。
　無機薄膜層との２層構成の場合には、無機薄膜層を無機基板上に製膜して、その後に無機薄膜層の上に溶液あるいは高分子の前駆体の溶液を無機基板に塗布し、乾燥および、必要に応じて化学反応を行い、無機基板上で高分子をフィルム化することにより積層体を得る方法が挙げられる。この場合、無機基板上の無機薄膜と高分子層との間で剥離することになる。この場合、無機基板に無機薄膜が堆積しているものが、本発明における無機基板に相当する。
　高分子溶液ないし高分子前駆体溶液を用いる手法の変形として、溶剤を含んだ半固体状態（高粘度ペースト状）の高分子フィルムを無機基板に圧着した後に追乾燥ないし必要に応じて化学反応を行い、高分子フィルムと無機基板との積層体を得ることもできる。より具体的には、ポリエチレンテレフタレートなどの支持フィルム上に目的とする高分子溶液ないし高分子前駆体溶液を塗布し、残溶剤分がウェットベースで５～４０質量％程度となるまで半乾燥させることにより、塑性変形性を有する半固体のフィルムとすることができる（グリーンフィルムないしゲルフィルムと呼ばれることもある）。このようにして得られた半固体状態のフィルムを無機基板に圧着し、乾燥と熱処理などを行えば、高分子フィルムと無機基板との積層体を得ることができる。
　本実施形態において、熱可塑性の高分子を用いる場合には、高分子を無機基板上に直接溶融押し出しすることにより積層体を得ることができる。また熱可塑性の高分子フィルムの場合には、無機基板と高分子フィルムとを重ね、加圧した状態で高分子の融点ないし軟化温度まで加熱することにより両者を圧着して積層体とすることができる。 <Process A>
In the polymer film peeling method according to the present embodiment, first, a laminate in which the polymer film on which the circuit pattern and / or the functional element is formed and the inorganic substrate are in close contact is prepared (step A). FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminated body. As shown in FIG. 1, the laminated body 10 includes an inorganic substrate 12 and a polymer film 14. The inorganic substrate 12 and the polymer film 14 are in close contact with each other. The inorganic substrate 12 and the polymer film 14 may be in close contact with each other via a silane coupling agent layer (not shown).
A circuit pattern and / or a functional element is formed on the polymer film 14 (not shown). The circuit pattern and / or the functional element is formed on a non-contact surface that is not in close contact with the inorganic substrate 12. That is, in the present embodiment, both the circuit pattern and the functional element may be formed on the polymer film 14, or the circuit pattern may be formed and the functional element may not be formed, and the functional element may be formed. It may be formed and the circuit pattern may not be formed.
The circuit pattern can be formed by a conventionally known method. The thickness of the circuit pattern is usually about 0.05 μm to 20 μm, preferably 0.1 μm to 15 μm, and more preferably about 0.15 μm to 0.5 μm.
Further, in FIG. 1, although the thicknesses of the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 are different, they are written in the same size. The size of the polymer film 14 and the inorganic substrate 12 are different, and the polymer film 14 may be larger or smaller than the inorganic substrate 12. Since it is easy to make the polymer film 14 smaller than the inorganic substrate 12, the sizes may be different in this way. Further, in order to facilitate peeling, after the step A, the glass on the outer peripheral portion is cut and removed from the laminate in which the polymer film 14 and the inorganic substrate 12 are in close contact, and the polymer film 14 is removed from the inorganic substrate 12. It may be larger.
In this embodiment, a laminated body can be obtained by adhering (laminating) a polymer film separately manufactured in advance to an inorganic substrate. As a laminating method, in addition to a laminating method using a silane coupling agent described later, it is also possible to apply an existing known adhesive, adhesive sheet, adhesive, adhesive sheet or the like. Further, at this time, the adhesive, the adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive sheet may be attached first to the inorganic substrate side or first to the polymer film side.
In addition, as another method for producing a laminate of a polymer film and an inorganic substrate, a polymer solution for forming a polymer film or a solution of a polymer precursor is applied to the inorganic substrate, dried, and if necessary. A method of obtaining a laminate by performing a chemical reaction to form a polymer on an inorganic substrate can be mentioned. By using a soluble polyimide solution as the polymer solution and a polyamic acid solution that becomes polyimide by a chemical reaction as the polymer precursor, a laminate of the polymer film and the inorganic substrate can be obtained. At that time, it is also a preferable aspect to control the adhesiveness between the polymer film and the inorganic substrate by performing a surface treatment such as a silane coupling agent treatment on the inorganic substrate. At this time, in order to control the peeling strength between the inorganic substrate and the polymer film, a two-layer structure consisting of a known easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and a main polymer layer (polymer film), or a main It may have a two-layer structure consisting of a layer (polymer film) and an inorganic thin film layer. In addition, an existing configuration for controlling the peeling force may be applied.
In the case of a two-layer structure consisting of an easily peelable polymer layer (easily peeling layer) and a main polymer layer (polymer film), the adhesive force between the easily peeling polymer layer (easily peeling layer) and the inorganic substrate. Is stronger than the adhesive strength between the easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and the main polymer layer (polymer film), and is easily peeled off from the main polymer layer (polymer film). In the case of a design that peels off from the layer (easy peeling layer), the adhesive strength between the easy peeling polymer layer (easy peeling layer) and the main polymer layer (polymer film) is a polymer that is easy to peel off. In some cases, it is designed to peel off between the easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and the inorganic substrate, which is stronger than the adhesive force between the layer (easily peeling layer) and the inorganic substrate.
The adhesive strength between the easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and the inorganic substrate is stronger than the adhesive strength between the easily peelable polymer layer (easy peeling layer) and the main polymer layer (polymer film). In the case of a design that peels off between the main polymer layer (polymer film) and the easily peelable polymer layer (easily peeling layer), the easily peeling polymer layer (easily peeling layer) is provided on the inorganic substrate. What is deposited corresponds to the inorganic substrate in the present invention.
In the case of a two-layer structure with an inorganic thin film layer, the inorganic thin film layer is formed on an inorganic substrate, and then a solution or a polymer precursor solution is applied to the inorganic substrate on the inorganic thin film layer. Examples thereof include a method of obtaining a laminate by drying and, if necessary, performing a chemical reaction to form a film of a polymer on an inorganic substrate. In this case, the inorganic thin film on the inorganic substrate and the polymer layer are separated from each other. In this case, the inorganic thin film deposited on the inorganic substrate corresponds to the inorganic substrate in the present invention.
As a modification of the method using a polymer solution or a polymer precursor solution, a semi-solid state (high-viscosity paste-like) polymer film containing a solvent is pressure-bonded to an inorganic substrate and then dried or chemically reacted as necessary. It is also possible to obtain a laminate of a polymer film and an inorganic substrate. More specifically, the target polymer solution or polymer precursor solution is applied on a support film such as polyethylene terephthalate, and semi-dried until the residual solvent content is about 5 to 40% by mass on a wet base. Therefore, a semi-solid film having plastic deformability can be obtained (sometimes called a green film or a gel film). When the semi-solid film thus obtained is pressure-bonded to an inorganic substrate and dried and heat-treated, a laminate of the polymer film and the inorganic substrate can be obtained.
In the present embodiment, when a thermoplastic polymer is used, a laminate can be obtained by directly melt-extruding the polymer onto an inorganic substrate. In the case of a thermoplastic polymer film, the inorganic substrate and the polymer film can be layered and heated to the melting point or softening temperature of the polymer under pressure to press them together to form a laminate. can.
　無機基板１２としては、無機物からなる基板として用いることのできる板状のものであればよく、例えば、ガラス板、セラミック板、半導体ウエハ、金属等を主体としているもの、および、これらガラス板、セラミック板、半導体ウエハ、金属の複合体として、これらを積層したもの、これらが分散されているもの、これらの繊維が含有されているものなどが挙げられる。 The inorganic substrate 12 may be a plate-shaped substrate that can be used as a substrate made of an inorganic substance. For example, a glass plate, a ceramic plate, a semiconductor wafer, a metal or the like, and these glass plates and ceramics are used. Examples of the composite of a plate, a semiconductor wafer, and a metal include those in which these are laminated, those in which they are dispersed, and those in which these fibers are contained.
　無機基板１２の厚さは特に制限されないが、取り扱い性の観点より１０ｍｍ以下の厚さが好ましく、３ｍｍ以下がより好ましく、１．３ｍｍ以下がさらに好ましい。厚さの下限については特に制限されないが、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．３ｍｍ以上、さらに好ましくは０．５ｍｍ以上である。 The thickness of the inorganic substrate 12 is not particularly limited, but from the viewpoint of handleability, a thickness of 10 mm or less is preferable, 3 mm or less is more preferable, and 1.3 mm or less is further preferable. The lower limit of the thickness is not particularly limited, but is preferably 0.05 mm or more, more preferably 0.3 mm or more, and further preferably 0.5 mm or more.
　高分子フィルム１４としては、特に限定されないが、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、フッ素化ポリイミドといったポリイミド系樹脂（例えば、芳香族ポリイミド樹脂、脂環族ポリイミド樹脂）；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレートといった共重合ポリエステル（例えば、全芳香族ポリエステル、半芳香族ポリエステル）；ポリメチルメタクリレートに代表される共重合（メタ）アクリレート；ポリカーボネート；ポリアミド；ポリスルフォン；ポリエーテルスルフォン；ポリエーテルケトン；酢酸セルロース；硝酸セルロース；芳香族ポリアミド；ポリ塩化ビニル；ポリフェノール；ポリアリレート；ポリフェニレンスルフィド；ポリフェニレンオキシド；ポリスチレン等のフィルムを例示できる。
　高分子フィルム１４の厚さは特に制限されないが、取り扱い性の観点より２５０μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。厚さの下限については特に制限されないが、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。 The polymer film 14 is not particularly limited, but is a polyimide resin such as polyimide, polyamideimide, polyetherimide, or fluorinated polyimide (for example, aromatic polyimide resin, alicyclic polyimide resin); polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and the like. Copolymerized polyesters such as polybutylene terephthalate and polyethylene-2,6-naphthalate (eg, fully aromatic polyesters, semi-aromatic polyesters); copolymerized (meth) acrylates typified by polymethylmethacrylate; polycarbonates; polyamides; polysulphon; Examples of films such as polyether sulfone; polyether ketone; cellulose acetate; cellulose nitrate; aromatic polyamide; polyvinyl chloride; polyphenol; polyarylate; polyphenylene sulfide; polyphenylene oxide; polystyrene can be exemplified.
The thickness of the polymer film 14 is not particularly limited, but is preferably 250 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less from the viewpoint of handleability. The lower limit of the thickness is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more, still more preferably 10 μm or more.
　前記シランカップリング剤層は、無機基板１２と高分子フィルム１４との間に物理的ないし化学的に介在し、無機基板と高分子フィルムとを密着させる作用を有する。
　本実施形態で用いられるシランカップリング剤は、特に限定されないが、アミノ基を有するカップリング剤を含むことが好ましい。
　前記シランカップリング剤の好ましい具体例としては、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、２－（３，４－エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ビニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリス－（３－トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、クロロメチルフェネチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
　前記シランカップリング剤としては、前記のほかに、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシラン、２－シアノエチルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、ジアセトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ドデシルリクロロシラン、ドデシルトリメトキシラン、エチルトリクロロシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリクロロシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－オクチルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシフェニルシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ペンチルトリクロロシラン、トリアセトキシメチルシラン、トリクロロヘキシルシラン、トリクロロメチルシラン、トリクロロオクタデシルシラン、トリクロロプロピルシラン、トリクロロテトラデシルシラン、トリメトキシプロピルシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、トリクロロビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、ビニルトリス（２－メトキシエトキシ）シラン、トリクロロ－２－シアノエチルシラン、ジエトキシ（３－グリシジルオキシプロピル）メチルシラン、３－グリシジルオキシプロピル（ジメトキシ）メチルシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランなどを使用することもできる。 The silane coupling agent layer is physically or chemically interposed between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14, and has an action of bringing the inorganic substrate and the polymer film into close contact with each other.
The silane coupling agent used in the present embodiment is not particularly limited, but preferably contains a coupling agent having an amino group.
Preferred specific examples of the silane coupling agent include N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2-. (Aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, 2 -(3,4-Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, vinyltricrolsilane , Vinyl Trimethoxysilane, Vinyl Triethoxysilane, 2- (3,4-Epoxycyclohexyl) Ethyltrimethoxysilane, 3-Glysidoxypropyltrimethoxysilane, 3-Glysidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-Gly Sidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane , 3-Acryloxypropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, aminophenyltrimethoxysilane, Aminophenetiltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 3- Isozepropyltriethoxysilane, Tris- (3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate, chloromethylphenetiltrimethoxysilane, chloromethyltrimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenetyltrimethoxysilane, aminophenylaminomethylphenetyrti Examples include methoxysilane.
In addition to the above, the silane coupling agent includes n-propyltrimethoxysilane, butyltrichlorosilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, cyclohexyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, diacetoxydimethylsilane, diethoxydimethylsilane, and dimethoxy. Dimethylsilane, dimethoxydiphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, dodecyllichlorosilane, dodecyltrimethoxylane, ethyltrichlorosilane, hexyltrimethoxysilane, octadecyltriethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, n-octyltrichlorosilane, n-octyltri. Ethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, triethoxyethylsilane, triethoxymethylsilane, trimethoxymethylsilane, trimethoxyphenylsilane, pentyltriethoxysilane, pentyllichlorosilane, triacetoxymethylsilane, trichlorohexylsilane, trichloromethyl Silane, Trichlorooctadecylsilane, Trichloropropylsilane, Trichlorotetradecylsilane, Trimethoxypropylsilane, Allyltrichlorosilane, Allyltriethoxysilane, Allyltrimethoxysilane, Diethoxymethylvinylsilane, Dimethoxymethylvinylsilane, Trichlorovinylsilane, Triethoxyvinylsilane, Vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, trichloro-2-cyanoethylsilane, diethoxy (3-glycidyloxypropyl) methylsilane, 3-glycidyloxypropyl (dimethoxy) methylsilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, etc. can also be used. can.
　前記シランカップリング剤のなかでも、１つの分子中に１個のケイ素原子を有するシランカップリング剤が特に好ましく、例えば、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、２－（３，４－エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。プロセスで特に高い耐熱性が要求される場合、Ｓｉとアミノ基の間を芳香族基でつないだものが望ましい。
　前記カップリング剤としては、前記のほかに、１－メルカプト－２－プロパノール、３－メルカプトプロピオン酸メチル、３－メルカプト－２－ブタノール、３－メルカプトプロピオン酸ブチル、３－（ジメトキシメチルシリル）－１－プロパンチオール、４－（６－メルカプトヘキサロイル）ベンジルアルコール、１１－アミノ－１－ウンデセンチオール、１１－メルカプトウンデシルホスホン酸、１１－メルカプトウンデシルトリフルオロ酢酸、２，２’－（エチレンジオキシ）ジエタンチオール、１１－メルカプトウンデシトリ（エチレングリコール）、（１－メルカプトウンデイック－１１－イル）テトラ（エチレングリコール）、１－（メチルカルボキシ）ウンデック－１１－イル）ヘキサ（エチレングリコール）、ヒドロキシウンデシルジスルフィド、カルボキシウンデシルジスルフィド、ヒドロキシヘキサドデシルジスルフィド、カルボキシヘキサデシルジスルフィド、テトラキス（２－エチルヘキシルオキシ）チタン、チタンジオクチロキシビス（オクチレングリコレート）、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムモノブトキシアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムトリブトキシモノステアレート、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、２，３－ブタンジチオール、１－ブタンチオール、２－ブタンチオール、シクロヘキサンチオール、シクロペンタンチオール、１－デカンチオール、１－ドデカンチオール、３－メルカプトプロピオン酸－２－エチルヘキシル、３－メルカプトプロピオン酸エチル、１－ヘプタンチオール、１－ヘキサデカンチオール、ヘキシルメルカプタン、イソアミルメルカプタン、イソブチルメルカプタン、３－メルカプトプロピオン酸、３－メルカプトプロピオン酸－３－メトキシブチル、２－メチル－１－ブタンチオール、１－オクタデカンチオール、１－オクタンチオール、１－ペンタデカンチオール、１－ペンタンチオール、１－プロパンチオール、１－テトラデカンチオール、１－ウンデカンチオール、１－（１２－メルカプトドデシル）イミダゾール、１－（１１－メルカプトウンデシル）イミダゾール、１－（１０－メルカプトデシル）イミダゾール、１－（１６－メルカプトヘキサデシル）イミダゾール、１－（１７－メルカプトヘプタデシル）イミダゾール、１－（１５－メルカプト）ドデカン酸、１－（１１－メルカプト）ウンデカン酸、１－（１０－メルカプト）デカン酸などを使用することもできる。 Among the silane coupling agents, a silane coupling agent having one silicon atom in one molecule is particularly preferable, and for example, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- 2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-Aminopropyltrimethoxysilane, 3-Aminopropyltriethoxysilane, 3- Triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxy Examples thereof include propylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenetyltrimethoxysilane, and aminophenylaminomethylphenetyltrimethoxysilane. When particularly high heat resistance is required in the process, it is desirable to connect Si and an amino group with an aromatic group.
In addition to the above, the coupling agent includes 1-mercapto-2-propanol, 3-mercaptopropionate methyl, 3-mercapto-2-butanol, 3-mercaptopropionate butyl, 3- (dimethoxymethylsilyl)-. 1-Propanethiol, 4- (6-mercaptohexaloyl) benzyl alcohol, 11-amino-1-undecenethiol, 11-mercaptoundecylphosphonic acid, 11-mercaptoundecyltrifluoroacetic acid, 2,2'-( Ethylenedioxy) dietanthiol, 11-mercaptoundecitri (ethylene glycol), (1-mercaptoundic-11-yl) tetra (ethylene glycol), 1- (methylcarboxy) undec-11-yl) hexa (ethylene) Glycol), hydroxyundecyl disulfide, carboxyundecyl disulfide, hydroxyhexadodecyl disulfide, carboxyhexadecyl disulfide, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, titanium dioctyloxybis (octylene glycolate), zirconium tributoxymonoacetylacet Nate, zirconium monobutoxyacetylacetonate bis (ethylacetacetate), zirconium tributoxymonostearate, acetalkoxyaluminum diisopropilate, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 2,3-butanedithiol, 1-butanethiol, 2-Butanthiol, Cyclohexanethiol, Cyclopentanethiol, 1-decanethiol, 1-dodecanethiol, 3-mercaptopropionic acid-2-ethylhexyl, 3-mercaptopropionic acid ethyl, 1-heptanethiol, 1-hexadecanethiol, hexyl Mercaptan, Isoamyl mercaptan, Isobutyl mercaptan, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid-3-methoxybutyl, 2-methyl-1-butanethiol, 1-octadecanethiol, 1-octanethiol, 1-pentadecanethiol, 1 -Pentanthiol, 1-Propanethiol, 1-Tetradecanethiol, 1-Undecanethiol, 1- (12-mercaptododecyl) imidazole, 1- (11-mercaptoundesyl) imidazole, 1- (10-mercaptodecyl) imidazole, 1- (16-mercaptohexadecyl) imidazole, 1- (17-mercapto) Heptadecyl) imidazole, 1- (15-mercapto) dodecanoic acid, 1- (11-mercapto) undecanoic acid, 1- (10-mercapto) decanoic acid and the like can also be used.
　シランカップリング剤の塗布方法（シランカップリング剤層の形成方法）としては、シランカップリング剤溶液を無機基板１２に塗布する方法や蒸着法などを用いることができる。なお、シランカップリング剤層の形成は、高分子フィルム１４の表面に行ってもよい。 As a method for applying the silane coupling agent (method for forming the silane coupling agent layer), a method of applying a silane coupling agent solution to the inorganic substrate 12, a vapor deposition method, or the like can be used. The silane coupling agent layer may be formed on the surface of the polymer film 14.
　シランカップリング剤層の膜厚は、無機基板１２、高分子フィルム１４等と比較しても極めて薄く、機械設計的な観点からは無視される程度の厚さであり、原理的には最低限、単分子層オーダーの厚さがあれば十分である。 The thickness of the silane coupling agent layer is extremely thin compared to the inorganic substrate 12, the polymer film 14, etc., and is negligible from the viewpoint of mechanical design. In principle, it is the minimum. , A thickness on the order of a single molecular layer is sufficient.
　シランカップリング剤を塗布したのちに、無機基板１２と高分子フィルム１４とを密着させる工程と加熱する工程によって積層体の接着力を発現させることができる。密着させる方法は、特に限定されないが、ラミネート、プレスなどがある。密着と加熱は同時でもよく、順次行ってもよい。加熱方法は、特に限定されないが、オーブンに入れる、加熱ラミネート、加熱プレスなどがあり得る。 After applying the silane coupling agent, the adhesive strength of the laminated body can be developed by a step of bringing the inorganic substrate 12 into close contact with the polymer film 14 and a step of heating. The method of bringing them into close contact is not particularly limited, but there are laminating, pressing and the like. Adhesion and heating may be performed at the same time or sequentially. The heating method is not particularly limited, but may be placed in an oven, a heat laminate, a heat press, or the like.
　高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体の作製方法としては、無機基板と高分子フィルムとを別々で作製した後、密着させてもよく、この時、既知のシランカップリング剤以外の易剥離な接着剤、接着シート、粘着剤、粘着シートを使って貼り付けてもよい。また、この時、前記接着剤、前記接着シート、前記粘着剤、前記粘着シートは無機基板側に先につけてもよく、高分子フィルム側に先につけてもよい。また、高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体の他の作製方法としては、無機基板上に、高分子フィルム形成用のワニスを塗布、乾燥させてもよい。この時、無機基板と、高分子フィルムの剥離強度をコントロールするため、既知の易剥離なワニス層（易剥離層）と主なるワニス層（高分子フィルム）との２層構成や、主層（高分子フィルム）と無機薄膜層との２層構成としてもよい。 As a method for producing a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact with each other, the inorganic substrate and the polymer film may be separately produced and then adhered to each other. It may be attached using a peeling adhesive, an adhesive sheet, an adhesive, or an adhesive sheet. Further, at this time, the adhesive, the adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive sheet may be attached first to the inorganic substrate side or first to the polymer film side. Further, as another method for producing a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact with each other, a varnish for forming the polymer film may be applied and dried on the inorganic substrate. At this time, in order to control the peeling strength of the inorganic substrate and the polymer film, a two-layer structure consisting of a known easily peelable varnish layer (easy peeling layer) and a main varnish layer (polymer film), or a main layer ( It may have a two-layer structure consisting of a polymer film) and an inorganic thin film layer.
　＜工程Ｂ＞
　次に、積層体１０の端部において、高分子フィルム１４と無機基板１２との間に剥離部分１８を形成する（工程Ｂ）。 <Process B>
Next, at the end of the laminated body 10, a peeled portion 18 is formed between the polymer film 14 and the inorganic substrate 12 (step B).
　剥離部分１８を設ける方法としては、特に制限されないが、ピンセットなどで端から捲る方法、高分子フィルム１４に切り込みを入れ、切り込み部分の１辺に粘着テープを貼着させた後にそのテープ部分から捲る方法、高分子フィルム１４の切り込み部分の１辺を真空吸着した後にその部分から捲る方法等が採用できる。
　高分子フィルム１４に切り込みを入れる方法としては、刃物などの切削具によって高分子フィルム１４を切断する方法や、レーザーと積層体１０とを相対的にスキャンさせることにより高分子フィルム１４を切断する方法、ウォータージェットと積層体１０とを相対的にスキャンさせることにより高分子フィルム１４を切断する方法、半導体チップのダイシング装置により若干ガラス層まで切り込みつつ高分子フィルム１４を切断する方法などがあるが、特に方法は限定されるものではない。例えば、上述した方法を採用するにあたり、切削具に超音波を重畳させたり、往復動作や上下動作などを付け加えて切削性能を向上させる等の手法を適宜採用することもできる。
　また、図示しないが、剥離部分１８が再密着しないように、剥離状態を維持させるため、粘着性、接着性の無いフィルムやシートを剥離部分１８に挟んでもよい。また、片面に粘着性、接着性の有るフィルムやシートを剥離部分１８に挟んでもよい。また、金属部品（例えば、針）を剥離部分１８に挟んでもよい。 The method of providing the peeling portion 18 is not particularly limited, but a method of winding from the end with tweezers or the like, a method of making a cut in the polymer film 14, attaching an adhesive tape to one side of the cut portion, and then winding from the tape portion. A method, a method of vacuum-adsorbing one side of the cut portion of the polymer film 14 and then winding from that portion can be adopted.
As a method of making a cut in the polymer film 14, a method of cutting the polymer film 14 with a cutting tool such as a cutting tool, or a method of cutting the polymer film 14 by relatively scanning a laser and a laminate 10. There are a method of cutting the polymer film 14 by relatively scanning the water jet and the laminate 10, a method of cutting the polymer film 14 while cutting a little to the glass layer by a dicing device of a semiconductor chip, and the like. The method is not particularly limited. For example, in adopting the above-mentioned method, it is also possible to appropriately adopt a method such as superimposing ultrasonic waves on the cutting tool or adding a reciprocating motion or a vertical motion to improve the cutting performance.
Further, although not shown, a film or sheet having no adhesiveness or adhesiveness may be sandwiched between the peeled portions 18 in order to maintain the peeled state so that the peeled portions 18 do not reattach. Further, a film or sheet having adhesiveness or adhesiveness on one side may be sandwiched between the peeling portions 18. Further, a metal part (for example, a needle) may be sandwiched between the peeling portions 18.
　＜工程Ｃ＞
　無機基板１２が高分子フィルム１４と離れる方向に反ることにより、高分子フィルム１４を略平面に保ったまま無機基板１２から剥離する（工程Ｃ）。 <Process C>
When the inorganic substrate 12 warps in the direction away from the polymer film 14, the polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while being kept substantially flat (step C).
　以下、工程Ｃの具体例について説明する。 Hereinafter, a specific example of step C will be described.
　以下の第１実施形態～第３実施形態では、前記工程Ｃが、「前記工程Ｂの後、前記無機基板の前記高分子フィルムと密着していない非密着面と、前記剥離部分との間に静圧差を設けるとともに、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程である」場合について説明する。
　すなわち、第１実施形態～第３実施形態における工程Ｃは、以下のとおりである。
　＜第１実施形態～第３実施形態における工程Ｃ＞
　前記工程Ｂの後、無機基板１２の高分子フィルム１４と密着していない側の面（非密着面１４ａ）と、剥離部分１８との間に静圧差を設けるとともに、無機基板１２が高分子フィルム１４と離れる方向に反ることにより、高分子フィルム１４を略平面に保ったまま高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離する（工程Ｃ）。 In the following first to third embodiments, the step C is "after the step B, between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeled portion. This is a step of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by providing a static pressure difference and warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film. "
That is, the process C in the first to third embodiments is as follows.
<Step C in the first to third embodiments>
After the step B, a static pressure difference is provided between the surface of the inorganic substrate 12 that is not in close contact with the polymer film 14 (non-adhesive surface 14a) and the peeled portion 18, and the inorganic substrate 12 is made of the polymer film. By warping in the direction away from 14, the polymer film 14 is peeled from the inorganic substrate 12 while keeping the polymer film 14 substantially flat (step C).
　［第１実施形態］
　図２は、第１実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図２に示すように、第１実施形態に係る剥離装置２０は、真空チャンバー３０と、ローラー３２と、真空チャック３４と、基板接触子３５とを備える。 [First Embodiment]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the peeling device 20 according to the first embodiment includes a vacuum chamber 30, a roller 32, a vacuum chuck 34, and a substrate contactor 35.
　ローラー３２は、真空チャンバー３０内を移動可能に配置されている。 The roller 32 is arranged so as to be movable in the vacuum chamber 30.
　真空チャック３４は、積層体１０を吸着して保持することができ、積層体１０を吸着した状態で真空チャンバー３０の上方に位置させることができる。 The vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can be positioned above the vacuum chamber 30 in a state where the laminated body 10 is adsorbed.
　基板接触子３５は、真空チャンバー３０の上面開口を覆うように真空チャンバー３０の上面に配置されている。真空チャンバー３０と基板接触子３５の隙間は小さいほうが良い。図示しないが、隙間部をふさぐ部品があれば良い。また、基板接触子３５は多孔質体が付いた吸着板（多孔質体付き吸着板）であることが好ましい。 The substrate contactor 35 is arranged on the upper surface of the vacuum chamber 30 so as to cover the upper surface opening of the vacuum chamber 30. The gap between the vacuum chamber 30 and the substrate contactor 35 should be small. Although not shown, it is sufficient if there is a part that closes the gap. Further, the substrate contactor 35 is preferably an adsorption plate having a porous body (adsorption plate with a porous body).
　第１実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｄ－１、工程Ｄ－２、及び、工程Ｄ－３を含む。剥離装置２０は、以下のように動作することにより、工程Ｄ－１、工程Ｄ－２、及び、工程Ｄ－３を行う。 The process C according to the first embodiment includes the process D-1, the process D-2, and the process D-3. The peeling device 20 operates as follows to perform steps D-1, step D-2, and step D-3.
　まず、剥離装置２０は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１０が剥離部分１８の開口に位置するように位置させる。また、この際、積層体１０の無機基板１２を基板接触子３５に接触させる。 First, the peeling device 20 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the laminated body 10 is positioned so as to be located at the opening of the peeled portion 18. At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the substrate contactor 35.
　次に、剥離装置２０は、無機基板１２の非密着面１２ａ側にローラー３２を配置し、ローラー３２および基板接触子３５により、無機基板１２を剥離部分１８方向（図２では上方向）に押圧する（工程Ｄ－１）。 Next, the peeling device 20 arranges the roller 32 on the non-adhesive surface 12a side of the inorganic substrate 12, and presses the inorganic substrate 12 in the peeling portion 18 direction (upward in FIG. 2) by the roller 32 and the substrate contactor 35. (Step D-1).
　次に、剥離装置２０は、ポンプＰにより真空チャンバー３０内を大気圧未満とする。ここで、剥離部分１８は大気圧である。これにより、無機基板１２の非密着面１２ａと、剥離部分１８との間に静圧差を設ける。つまり、非密着面１２ａ側を大気圧未満とする一方、剥離部分１８を大気圧とすることにより、静圧差を設ける（工程Ｄ－２）。
　なお、この状態では、ローラー３２が高分子フィルム１４を剥離部分１８方向に基板接触子３５越しに押圧しているため、剥離は進行しない。 Next, the peeling device 20 makes the inside of the vacuum chamber 30 less than the atmospheric pressure by the pump P. Here, the peeled portion 18 is at atmospheric pressure. As a result, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12 and the peeled portion 18. That is, the static pressure difference is provided by setting the non-contact surface 12a side to the atmospheric pressure or less and the peeling portion 18 to the atmospheric pressure (step D-2).
In this state, since the roller 32 presses the polymer film 14 toward the peeling portion 18 through the substrate contactor 35, the peeling does not proceed.
　次に、剥離装置２０は、ローラー３２および基板接触子３５の面（無機基板１２との接触面）を無機基板１２の非密着面１２ａに対して平行に移動させる。図３は、第１実施形態に係る剥離装置の模式断面図であり、ローラーを移動させている状態を示す図である。図３に示すように、ローラー３２および基板接触子３５を剥離部分１８下部から横方向（図３では左方向）に移動させると、ローラー３２および基板接触子３５による押圧が解かれた部分から順に、剥離部分１８の剥離が進行する。つまり、ローラー３２および基板接触子３５の面を無機基板１２の非密着面１２ａに対して平行に移動させ、ローラー３２および基板接触子３５の移動に応じて剥離を進行させる（工程Ｄ－３）。その後、ローラー３２および基板接触子３５を剥離部分１８が形成されていた辺の対辺の直下まで移動させることにより、無機基板１２が高分子フィルム１４と離れる方向に反りが生じ、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。略平面とは、完全な平面だけでなく、ＪＩＳＢ０６２１（１９８４）における平面度が１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。
　このように、剥離装置２０では、ローラー３２および基板接触子３５の面を無機基板１２の非密着面１２ａに対して平行に移動させ、ローラー３２の移動に応じて剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、無機基板１２や高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。積層体１０の押上には、ローラー３２または基板接触子３５のいずれかであれば良く、好ましくはローラー３５および基板接触子３５の両方である。
　さらにローラー３２の半径を変化させることにより、無機基板１２の剥離角度をコントロールすることができる。例えば、ローラー３２の半径を小さくすれば、無機基板１２はそれに従った曲率半径で剥離し、ローラー３２の半径を大きくすれば、無機基板１２はそれに従った曲率半径で剥離する。ローラー３２の半径を小さくすることで剥離装置２０を小型化することができ、ローラー３２の半径を大きくすることで、無機基板１２に加わる曲げの負荷を小さくすることができる。
　なお、真空チャンバー３０及び真空チャック３４は、本発明の静圧差形成手段に相当する。
　前記ローラーの半径は、４０ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下であり、より好ましくは６０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下である。
　前記ローラーの材質としては、ある程度の弾性を有する材質が好ましく、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。
　前記ローラー材質の反発弾性率（ＪＩＳ　Ｋ　６２５５：２０１３）は、３～６０％であることが好ましい。
　前記ローラー材質のゴム硬度は、５０～９０であることが好ましく、非粘着性かつ帯電防止あるいは導電性のものが好ましい。 Next, the peeling device 20 moves the surfaces of the roller 32 and the substrate contact 35 (contact surfaces with the inorganic substrate 12) in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment, and is a diagram showing a state in which the rollers are moved. As shown in FIG. 3, when the roller 32 and the substrate contactor 35 are moved laterally (leftward in FIG. 3) from the lower part of the peeling portion 18, the portions where the pressure by the roller 32 and the substrate contactor 35 is released are released in order. , The peeling of the peeled portion 18 progresses. That is, the surfaces of the roller 32 and the substrate contact 35 are moved in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds according to the movement of the roller 32 and the substrate contact 35 (step D-3). .. After that, by moving the roller 32 and the substrate contact 35 to just below the opposite side of the side where the peeling portion 18 was formed, the inorganic substrate 12 is warped in the direction away from the polymer film 14, and the entire polymer film 14 is warped. Is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur. The substantially plane is not only a perfect plane, but the flatness in JISB0621 (1984) is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less.
As described above, in the peeling device 20, the surfaces of the roller 32 and the substrate contact 35 are moved in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds in accordance with the movement of the roller 32, so that the peeling speed is increased. Can be controlled. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14. Either the roller 32 or the substrate contactor 35 may be used for pushing up the laminate 10, preferably both the roller 35 and the substrate contactor 35.
Further, by changing the radius of the roller 32, the peeling angle of the inorganic substrate 12 can be controlled. For example, if the radius of the roller 32 is reduced, the inorganic substrate 12 is peeled off at a radius of curvature according to it, and if the radius of the roller 32 is increased, the inorganic substrate 12 is peeled off at a radius of curvature according to it. By reducing the radius of the roller 32, the peeling device 20 can be miniaturized, and by increasing the radius of the roller 32, the bending load applied to the inorganic substrate 12 can be reduced.
The vacuum chamber 30 and the vacuum chuck 34 correspond to the static pressure difference forming means of the present invention.
The radius of the roller is 40 mm or more and 1000 mm or less, more preferably 60 mm or more and 100 mm or less.
As the material of the roller, a material having a certain degree of elasticity is preferable, and for example, silicone rubber, fluororubber, urethane rubber, ethylene propylene rubber and the like can be used.
The elastic modulus of the roller material (JIS K 6255: 2013) is preferably 3 to 60%.
The rubber hardness of the roller material is preferably 50 to 90, preferably non-adhesive and antistatic or conductive.
　ここで、本実施形態では、図示されていないが、無機基板１２とローラー３２との間にメッシュ状シート３８が配置されていてもよい。無機基板１２とローラー３２との間にメッシュ状シート３８が配置されているため、剥離後の無機基板１２を保持することができる。メッシュ状シート３８としては、通気性があり、且つ、ある程度の強度を有していればよく、例えば、公知のスクリーンメッシュ等を用いることができる。
　前記メッシュ状シートの材質としては、適度に弾性変形する材質であることが好ましく、具体的にはポリエステルフィラメント、ナイロンフィラメント、ステンレスワイヤ等が用いられたメッシュカウント＃８０以上＃６００以下の範囲のメッシュ状シートであることが好ましい。また、帯電防止または導電性のものであることが好ましい。
　なお、本実施形態では、メッシュ状シート３８を用いる場合について説明したが、剥離装置２０において、メッシュ状シートを配置しない構成としてもよい。この場合、剥離した無機基板１２を都度、取り出す、別の機構があればよい。 Here, in the present embodiment, although not shown, the mesh-like sheet 38 may be arranged between the inorganic substrate 12 and the roller 32. Since the mesh-like sheet 38 is arranged between the inorganic substrate 12 and the roller 32, the peeled inorganic substrate 12 can be held. The mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
The material of the mesh-like sheet is preferably a material that is appropriately elastically deformed, and specifically, a mesh having a mesh count of # 80 or more and # 600 or less using a polyester filament, a nylon filament, a stainless wire, or the like. It is preferably a shaped sheet. Further, it is preferably antistatic or conductive.
In the present embodiment, the case where the mesh-shaped sheet 38 is used has been described, but the peeling device 20 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
　図４及び図５は、第１実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。図５に示すように、剥離装置２３は、上記で説明した剥離装置２２に対して、サポートパーツ３３を追加した装置である。 4 and 5 are schematic cross-sectional views of a modified example of the peeling device according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the peeling device 23 is a device in which a support part 33 is added to the peeling device 22 described above.
　サポートパーツ３３は、無機基板１２を押して、無機基板１２と高分子フィルム１４との剥離分１８部を広げている。 The support part 33 pushes the inorganic substrate 12 to widen the peeled portion 18 part between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
　剥離装置２３は、上記の剥離装置２０と同様の動作を行う。ただし、剥離装置２３では、サポートパーツ３３が設けられているため、剥離後の無機基板１２を支えることができる。従って、無機基板１２の剥離された部分が大きく垂れ下がるのを防止することができる。 The peeling device 23 operates in the same manner as the peeling device 20 described above. However, since the peeling device 23 is provided with the support parts 33, the inorganic substrate 12 after peeling can be supported. Therefore, it is possible to prevent the peeled portion of the inorganic substrate 12 from hanging down significantly.
　（機能素子が形成された）高分子フィルムと無機基板との剥離角度は１度以上３０度以下となるように制御することが好ましい。より好ましくは１度以上１０度以下である。前記範囲内に収めることにより、機能素子にダメージを与えることなく、効率的に剥離を行うことが可能となる。
　なお本明細書における剥離角度はメッシュ厚、フィルム厚、および、ローラーの半径に依存する。剥離するフィルム厚に応じて適切なメッシュ厚とローラー半径を選択することで、剥離角度を所定の範囲に収めることができる。
　本実施形態では、剥離後の高分子フィルムと無機基板は、ローラーで押されていないため概略平行で数ｍｍ離れている。そのため、一旦剥離した高分子フィルムは真空吸着されたまま無機基板とは再度接触しない。 It is preferable to control the peeling angle between the polymer film (where the functional element is formed) and the inorganic substrate to be 1 degree or more and 30 degrees or less. More preferably, it is 1 degree or more and 10 degrees or less. By keeping it within the above range, it is possible to efficiently perform peeling without damaging the functional element.
The peeling angle in the present specification depends on the mesh thickness, the film thickness, and the radius of the roller. By selecting an appropriate mesh thickness and roller radius according to the film thickness to be peeled off, the peeling angle can be kept within a predetermined range.
In the present embodiment, the polymer film and the inorganic substrate after peeling are substantially parallel and separated by several mm because they are not pressed by the rollers. Therefore, the polymer film once peeled off does not come into contact with the inorganic substrate again while being vacuum-adsorbed.
　以上、第１実施形態に係る工程Ｃ（工程Ｄ－１、工程Ｄ－２、及び、工程Ｄ－３を含む工程Ｃ）について説明した。 The process C (process C including process D-1, process D-2, and process D-3) according to the first embodiment has been described above.
　［第２実施形態］
　図６は、第２実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図６に示すように、第２実施形態に係る剥離装置４０は、真空チャック３４と、ダイヤフラム４２とを備える。 [Second Embodiment]
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the second embodiment. As shown in FIG. 6, the peeling device 40 according to the second embodiment includes a vacuum chuck 34 and a diaphragm 42.
　真空チャック３４は、積層体１０を吸着して保持することができ、積層体１０を吸着した状態でダイヤフラム４２の上方に位置させることができる。 The vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can be positioned above the diaphragm 42 in a state where the laminated body 10 is adsorbed.
　ダイヤフラム４２は、弾性薄膜であり、面で積層体１０を押圧することができる。具体的には、ダイヤフラム４２の下側に図示しない加圧装置が設置されており、前記加圧装置による加圧により、ダイヤフラム４２（弾性薄膜）の面が積層体１０に押圧される。後述するように、ダイヤフラム４２は弾性薄膜であるため、高分子フィルム１４上に機能素子１６が設けられていたとしても、高分子フィルム１４と機能素子１６との表面に沿ってほぼ均一に積層体１０を押圧することができる。なお、本実施形態では、ダイヤフラム４２を用いる場合について説明するが、面で積層体１０を押圧することができればダイヤフラムに限定されない。機能素子とは、高分子フィルム上に形成された素子であり、高分子フィルム表面の凹凸の高低差が１０μｍ以上のものをいう。 The diaphragm 42 is an elastic thin film, and the laminated body 10 can be pressed against the surface. Specifically, a pressurizing device (not shown) is installed under the diaphragm 42, and the surface of the diaphragm 42 (elastic thin film) is pressed against the laminated body 10 by the pressurization by the pressurizing device. As will be described later, since the diaphragm 42 is an elastic thin film, even if the functional element 16 is provided on the polymer film 14, the laminate is substantially uniformly along the surface of the polymer film 14 and the functional element 16. 10 can be pressed. In this embodiment, the case where the diaphragm 42 is used will be described, but it is not limited to the diaphragm as long as the laminated body 10 can be pressed on the surface. The functional element is an element formed on a polymer film and has a height difference of 10 μm or more on the surface of the polymer film.
　第２実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｅ２－１、及び、工程Ｅ２－２を含む。剥離装置４０は、以下のように動作することにより、工程Ｅ２－１、及び、工程Ｅ２－２を行う。 The process C according to the second embodiment includes the process E2-1 and the process E2-2. The peeling device 40 operates as follows to perform steps E2-1 and step E2-2.
　まず、剥離装置４０は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、ダイヤフラム４２の上方に位置させる。 First, the peeling device 40 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the diaphragm 42.
　次に、剥離装置４０は、ダイヤフラム４２を動作させて積層体１０を押圧し、無機基板１２の非密着面１２ａ側を大気圧以上とする。そして、ローラー３２でダイヤフラム４２を介して積層体の剥離部を押している。なお、剥離部分１８は大気圧である。つまり、非密着面１２ａ側を大気圧以上とする一方、剥離部分１８を大気圧とする（工程Ｅ２－１）。
　なお、この状態では、ダイヤフラム４２およびローラー３２が無機基板１２を剥離部分１８方向に押圧しているため、剥離は進行しない。 Next, the peeling device 40 operates the diaphragm 42 to press the laminated body 10, and the non-adhesive surface 12a side of the inorganic substrate 12 is set to atmospheric pressure or higher. Then, the roller 32 pushes the peeled portion of the laminated body via the diaphragm 42. The peeled portion 18 has an atmospheric pressure. That is, the non-contact surface 12a side is set to atmospheric pressure or higher, while the peeled portion 18 is set to atmospheric pressure (step E2-1).
In this state, since the diaphragm 42 and the roller 32 press the inorganic substrate 12 in the direction of the peeling portion 18, the peeling does not proceed.
　次に、剥離装置４０は、剥離部分１８を非密着面１２ａ側の圧力よりも高い圧力とすることより、無機基板１２の非密着面１２ａと、剥離部分１８との間に静圧差を設ける（工程Ｅ２－２）。例えば、剥離装置４０全体を高圧チャンバー内に配置しておき、高圧チャンバー内を加圧することにより、剥離部分１８を非密着面１４ａ側の圧力よりも高い圧力とする。この時機械的な力を併用してもよい。そして、ローラーを剥離していない方向へ移動させることにより、剥離部分１８から順次剥離が広がり、高分子フィルム１４が無機基板１２から剥離される。
　剥離装置４０では、非密着面１２ａ側を大気圧以上としているため、剥離後の高分子フィルム１４を保持することができる。
　なお、真空チャック３４及びダイヤフラム４２は、本発明の静圧差形成手段に相当する。 Next, the peeling device 40 makes the peeling portion 18 a pressure higher than the pressure on the non-contact surface 12a side, so that a static pressure difference is provided between the non-contact surface 12a of the inorganic substrate 12 and the peeling portion 18 ( Step E2-2). For example, the entire peeling device 40 is arranged in the high pressure chamber, and the inside of the high pressure chamber is pressurized so that the peeling portion 18 has a pressure higher than the pressure on the non-contact surface 14a side. At this time, a mechanical force may be used together. Then, by moving the roller in the direction in which the roller is not peeled off, the peeling spreads sequentially from the peeling portion 18, and the polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12.
In the peeling device 40, since the non-contact surface 12a side is set to atmospheric pressure or higher, the polymer film 14 after peeling can be held.
The vacuum chuck 34 and the diaphragm 42 correspond to the static pressure difference forming means of the present invention.
　以上、第２実施形態に係る工程Ｃ（工程Ｅ２－１、及び、工程Ｅ２－２を含む工程Ｃ）について説明した。 The process C (process C including process E2-1 and process E2-2) according to the second embodiment has been described above.
　上述した第１実施形態、第２実施形態では、無機基板１２と高分子フィルム１４とが密着した積層体１０を用い、高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離する場合について説明した。
　しかしながら、本発明においてはこの例に限定されず、前記積層体の高分子フィルム１４上に機能素子１６が設けられた機能素子付きの積層体を用い、機能素子付き高分子フィルムを無機基板から剥離してもよい。この場合、積層体１０を準備する工程Ａの代わりに、機能素子付きの積層体１１を準備する工程Ａ－１を行えばよい。 In the first embodiment and the second embodiment described above, a case where the polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 has been described by using the laminate 10 in which the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 are in close contact with each other.
However, the present invention is not limited to this example, and the polymer film with a functional element is peeled off from the inorganic substrate by using a laminate with a functional element provided on the polymer film 14 of the laminate. You may. In this case, instead of the step A for preparing the laminated body 10, the step A-1 for preparing the laminated body 11 with the functional element may be performed.
　図７は、機能素子付きの積層体の一例を示す模式断面図である。図７に示すように、機能素子付きの積層体１１は、積層体１０（無機基板１２と高分子フィルム１４とが密着した積層体）と、積層体１０の高分子フィルム１４上に設けられた機能素子１６とを有する。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminated body with a functional element. As shown in FIG. 7, the laminated body 11 with a functional element is provided on the laminated body 10 (a laminated body in which the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 are in close contact with each other) and the polymer film 14 of the laminated body 10. It has a functional element 16.
　機能素子付きの積層体１１を用い、機能素子付き高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離する場合、以下に説明するスペーサーを用いることが好ましい。つまり、前記工程Ｃよりも前に、高分子フィルム１４の機能素子１６が設けられていない面上に、機能素子１６の厚さと同程度の厚さを有するスペーサー６２を設ける工程Ｘを行うことが好ましい。 When the laminated body 11 with a functional element is used and the polymer film 14 with a functional element is peeled off from the inorganic substrate 12, it is preferable to use the spacer described below. That is, prior to the step C, the step X of providing the spacer 62 having the same thickness as the functional element 16 on the surface of the polymer film 14 on which the functional element 16 is not provided can be performed. preferable.
　図８は、機能素子付きの積層体１１の高分子フィルム１４上にスペーサー６２を設けた様子を示す模式断面図である。図８では、高分子フィルム１４の機能素子１６が設けられていない面上に、機能素子１６の厚さと同程度の厚さを有するスペーサー６２が設けられている。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a spacer 62 is provided on a polymer film 14 of a laminate 11 with a functional element. In FIG. 8, a spacer 62 having a thickness similar to that of the functional element 16 is provided on the surface of the polymer film 14 on which the functional element 16 is not provided.
　第１実施形態、及び、第２実施形態において、スペーサー６２を用いた場合、つまり、工程Ｃの前に工程Ｘを行う場合、スペーサー６２により高分子フィルム１４上の凹凸を少なくすることができる。その結果、剥離する際に、機能素子１６の位置する箇所において高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 When the spacer 62 is used in the first embodiment and the second embodiment, that is, when the step X is performed before the step C, the spacer 62 can reduce the unevenness on the polymer film 14. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film 14 at the position where the functional element 16 is located when the functional element 16 is peeled off.
　機能素子付きの積層体１１を用い、機能素子付き高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離する場合、以下に説明する埋め込み用部材を用いることも好ましい。つまり、前記工程Ｃよりも前に記高分子フィルム１４上に埋め込み用部材６４を配置し、埋め込み用部材６４に機能素子１６を埋め込む工程Ｙを行うことが好ましい。
　埋め込み用部材６４としては、硬質シートに塑性変形可能な樹脂組成物を塗布したものであっても良いし、硬質シートに塑性変形可能な樹脂組成物を貼付したものであっても良い。また、粘着性を有していても良く、埋め込み用部材自体が機能素子の保護層としての役割を有していても良い。 When the laminated body 11 with a functional element is used and the polymer film 14 with a functional element is peeled off from the inorganic substrate 12, it is also preferable to use the embedding member described below. That is, it is preferable to arrange the embedding member 64 on the polymer film 14 before the step C and perform the step Y of embedding the functional element 16 in the embedding member 64.
The embedding member 64 may be a hard sheet coated with a plastically deformable resin composition, or may be a hard sheet coated with a plastically deformable resin composition. Further, it may have adhesiveness, and the embedding member itself may have a role as a protective layer for the functional element.
　図９は、機能素子付きの積層体１１の高分子フィルム１４上に埋め込み用部材６４を配置し、機能素子を埋め込んだ様子を示す模式断面図である。図９では、高分子フィルム１４上に埋め込み用部材６４を配置し、埋め込み用部材６４に機能素子１６が埋め込まれている。埋め込み用部材６４としては、多孔質体であって、真空吸着ができるものが望ましい。高分子焼結体、セラミック焼結体、金属多孔質体、多孔質のフィルムなどが望ましい。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state in which an embedding member 64 is arranged on a polymer film 14 of a laminate 11 with a functional element and the functional element is embedded. In FIG. 9, the embedding member 64 is arranged on the polymer film 14, and the functional element 16 is embedded in the embedding member 64. As the embedding member 64, a porous body capable of vacuum suction is desirable. Polymer sintered bodies, ceramic sintered bodies, metal porous bodies, porous films and the like are desirable.
　第１実施形態、及び、第２実施形態において、埋め込み用部材６４を用いた場合、つまり、工程Ｃの前に工程Ｙを行う場合、埋め込み用部材６４により機能素子１６を埋め込んだ状態で、静圧差を設け、高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離するため、機能素子１６の位置する箇所において高分子フィルム１４および無機基板１２に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 When the embedding member 64 is used in the first embodiment and the second embodiment, that is, when the step Y is performed before the step C, the functional element 16 is embedded by the embedding member 64 and is static. Since the polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 by providing a pressure difference, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film 14 and the inorganic substrate 12 at the position where the functional element 16 is located.
　［第３実施形態］
　第３実施形態では、機能素子付きの積層体１１から、機能素子１６付きの高分子フィルム１４を剥離する場合について説明する。 [Third Embodiment]
In the third embodiment, a case where the polymer film 14 with the functional element 16 is peeled off from the laminated body 11 with the functional element will be described.
　図１０は、第３実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１０に示すように、第３実施形態に係る剥離装置５０は、真空チャンバー３０と、真空チャック３４と、埋め込み部材６４と、柔軟支持材６６と多孔質柔軟体５２と圧力導入口５４を備える。 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the third embodiment. As shown in FIG. 10, the peeling device 50 according to the third embodiment includes a vacuum chamber 30, a vacuum chuck 34, an embedding member 64, a flexible support material 66, a porous flexible body 52, and a pressure inlet 54. ..
　真空チャンバー３０、真空チャック３４については第１実施形態の項にてすでに説明したのでここでの説明は省略する。 Since the vacuum chamber 30 and the vacuum chuck 34 have already been described in the section of the first embodiment, the description thereof will be omitted here.
　多孔質柔軟体５２は、真空チャンバー３０内に配置され、上側に無機基板１２が配置された際には、ガラスが若干の曲がることが可能である。多孔質柔軟体５２としては、多孔質であり、且つ、柔軟性を有するものであれば、特に限定されない。多孔質柔軟体５２の材質としては、高分子多孔質体、金属多孔質体、セラミックス多孔質体いずれも使用可能である。高分子多孔質体としては、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメタアクリル、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などが使用される。金属多孔質体としては、Ｃｕ、ＳＵＳ、チタンなどが使用される。セラミックス多孔質体としてはアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、ジルコニアなどが使用される。 The porous flexible body 52 is arranged in the vacuum chamber 30, and when the inorganic substrate 12 is arranged on the upper side, the glass can be slightly bent. The porous flexible body 52 is not particularly limited as long as it is porous and has flexibility. As the material of the porous flexible body 52, any of a polymer porous body, a metal porous body, and a ceramic porous body can be used. As the polymer porous body, low-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-high-density polyethylene, polypropylene, polymethacrylic, polyvinyl chloride, fluororesin and the like are used. As the metal porous body, Cu, SUS, titanium and the like are used. As the ceramic porous body, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, zirconia and the like are used.
　柔軟支持材６６は、真空チャンバー３０内に配置され、上側に機能素子付きの積層体１１が配置された際には高分子フィルム１４あるいは無機基板１２を保持することが可能である。　柔軟支持材６６としては、柔軟性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコーンゴムシートなどが挙げられる。 The flexible support material 66 is arranged in the vacuum chamber 30, and when the laminated body 11 with a functional element is arranged on the upper side, it is possible to hold the polymer film 14 or the inorganic substrate 12. The flexible support material 66 is not particularly limited as long as it has flexibility, and examples thereof include a silicone rubber sheet.
　埋め込み用部材６４は、真空チャンバー３０内に配置され、真空チャック３４とは反対側の面に機能素子付きの積層体１１が配置された際には、高分子フィルム１４あるいは無機基板１２を保持することが可能である。図１０では高分子フィルム１４と接しているが、高分子フィルム１４の外側に位置することもあり得る。埋め込み用部材６４としては、多孔質であり、且つ、柔軟性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、プラスチック焼結多孔質体あるいは金属多孔質焼結体あるいは多孔質セラミック焼結体を機能素子を埋め込める形状に加工したものが挙げられる。 The embedding member 64 is arranged in the vacuum chamber 30, and holds the polymer film 14 or the inorganic substrate 12 when the laminate 11 with a functional element is arranged on the surface opposite to the vacuum chuck 34. It is possible. Although it is in contact with the polymer film 14 in FIG. 10, it may be located outside the polymer film 14. The embedding member 64 is not particularly limited as long as it is porous and has flexibility, but for example, a plastic sintered porous body, a metal porous sintered body, or a porous ceramic sintered body. Is processed into a shape that can embed a functional element.
　第３実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｅ－１、及び、工程Ｅ－２を含む。剥離装置５０は、以下のように動作することにより、工程Ｅ－１、及び、工程Ｅ－２を行う。 The process C according to the third embodiment includes the process E-1 and the process E-2. The peeling device 50 operates as follows to perform steps E-1 and E-2.
　まず、剥離装置５０は、機能素子付きの積層体１１の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１１の機能素子１６が埋め込み用部材６４の開口に位置するように位置させる。 First, the peeling device 50 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 11 with the functional element by the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the functional element 16 of the laminated body 11 is positioned so as to be located at the opening of the embedding member 64.
　次に、剥離装置５０は、真空チャンバー３０内に配置された多孔質柔軟体５２に押し込みつつ、多孔質柔軟体５２により無機基板１２を剥離部分１８方向に押圧する（工程Ｅ－１）。 Next, the peeling device 50 pushes the inorganic substrate 12 toward the peeling portion 18 by the porous flexible body 52 while pushing it into the porous flexible body 52 arranged in the vacuum chamber 30 (step E-1).
　次に、剥離装置５０は、ポンプＰにより真空チャンバー３０内を大気圧未満とする。ここで、剥離部分１８は大気圧である。これにより、高分子フィルム１４の非密着面１４ａと、剥離部分１８との間に静圧差を設ける。つまり、非密着面１４ａ側を大気圧未満とする一方、圧力導入口５４よりエアーを導入することで大気圧以上とすることにより、静圧差を設ける（工程Ｅ－２）。これにより、剥離部分１８から順次剥離が広がり、機能素子１６付きの高分子フィルム１４が無機基板１２から剥離される。その際、無機基板１２が高分子フィルム１４と離れる方向に反りが生じ、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。 Next, the peeling device 50 makes the inside of the vacuum chamber 30 less than the atmospheric pressure by the pump P. Here, the peeled portion 18 is at atmospheric pressure. As a result, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface 14a of the polymer film 14 and the peeled portion 18. That is, while the non-contact surface 14a side is set to be less than the atmospheric pressure, the static pressure difference is provided by introducing air from the pressure introduction port 54 to make the pressure higher than the atmospheric pressure (step E-2). As a result, the peeling spreads sequentially from the peeling portion 18, and the polymer film 14 with the functional element 16 is peeled from the inorganic substrate 12. At that time, the inorganic substrate 12 is warped in the direction away from the polymer film 14, and the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface.
　剥離装置５０では、埋め込み用部材６４に機能素子１６を埋め込んだ状態で、静圧差を設け、高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離するため、機能素子１６の位置する箇所において高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。また、埋め込み部材は若干の柔軟性は有するが、平面を保つため、高分子フィルム１４も平面を保ったまま剥離される。このことも、高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制する。
　なお、真空チャンバー３０及び真空チャック３４は、本発明の静圧差形成手段に相当する。 In the peeling device 50, in a state where the functional element 16 is embedded in the embedding member 64, a static pressure difference is provided to peel the polymer film 14 from the inorganic substrate 12, so that the polymer film 14 is formed at a position where the functional element 16 is located. It is possible to prevent an excessive load from being applied. Further, although the embedded member has some flexibility, the polymer film 14 is also peeled off while maintaining the flat surface in order to maintain the flat surface. This also suppresses an excessive load from being applied to the polymer film 14.
The vacuum chamber 30 and the vacuum chuck 34 correspond to the static pressure difference forming means of the present invention.
　前記工程Ｃにより剥離された機能素子１６付きの高分子フィルム１４は、電子デバイス、特に、フレキシブル電子デバイスとして使用することができる。つまり、前記工程Ａ－１、前記工程Ｂ、及び、前記工程Ｃを含む方法は、電子デバイスの製造方法でもある。 The polymer film 14 with the functional element 16 peeled off in the step C can be used as an electronic device, particularly a flexible electronic device. That is, the method including the step A-1, the step B, and the step C is also a method for manufacturing an electronic device.
　以上、第１実施形態～第３実施形態について説明した。 The first to third embodiments have been described above.
　以下の第４実施形態～第６実施形態では、前記工程Ｃが、「前記工程Ｂの後、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記剥離部分に動圧を加えることにより、前記無機基板から剥離する工程である」場合について説明する。
　すなわち、第４実施形態～第６実施形態における工程Ｃは、以下のとおりである。
　＜第４実施形態～第６実施形態における工程Ｃ＞
　前記高分子フィルム１４を略平面に保ったまま、剥離部分１８に動圧を加えることにより、前記無機基板から剥離する（工程Ｃ）。 In the following 4th to 6th embodiments, the step C "after the step B, the inorganic substrate is subjected to a dynamic pressure applied to the peeled portion while keeping the polymer film substantially flat. This is a step of peeling from the surface. ”The case will be described.
That is, the process C in the 4th to 6th embodiments is as follows.
<Step C in the 4th to 6th embodiments>
The polymer film 14 is peeled from the inorganic substrate by applying dynamic pressure to the peeled portion 18 while keeping the polymer film 14 substantially flat (step C).
　［第４実施形態］
　図１１～図１２は、第４実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１１～図１２に示すように、第４実施形態に係る剥離装置２０は、サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４とを備える。
　なお、第４実施形態～第６実施形態の説明において、第１実施形態～第３実施形態と共通する構成については同一の符号を付している場合がある。 [Fourth Embodiment]
11 to 12 are schematic cross-sectional views of the peeling device according to the fourth embodiment. As shown in FIGS. 11 to 12, the peeling device 20 according to the fourth embodiment includes a support part 33, an air blow nozzle 45, and a vacuum chuck 34.
In the description of the fourth embodiment to the sixth embodiment, the same reference numerals may be given to the configurations common to those of the first embodiment to the third embodiment.
　真空チャック３４は、積層体１０を吸着して保持することができ、積層体１０を吸着した状態で剥離を行うことができる。積層体１０の高分子フィルム１４側が真空チャック３４に吸着しているため、高分子フィルム１４と無機基板１２の剥離部分１８に、エアーブローノズル４５から動圧を加えることで、高分子フィルム１４を略平面に保ったまま無機基板１２から剥離することができる。なお、エアーブローノズル４５は、本発明の動圧形成手段に相当する。 The vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can perform peeling in a state where the laminated body 10 is adsorbed. Since the polymer film 14 side of the laminate 10 is adsorbed on the vacuum chuck 34, the polymer film 14 is formed by applying dynamic pressure from the air blow nozzle 45 to the peeled portion 18 between the polymer film 14 and the inorganic substrate 12. It can be peeled off from the inorganic substrate 12 while keeping it substantially flat. The air blow nozzle 45 corresponds to the dynamic pressure forming means of the present invention.
　第４実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｆ－１、工程Ｆ－２を含む。剥離装置２０は、以下のように動作することにより、工程Ｆ－１、工程Ｆ－２を行う。 The process C according to the fourth embodiment includes the process F-1 and the process F-2. The peeling device 20 operates as follows to perform step F-1 and step F-2.
　まず、剥離装置２０は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着する。この際、積層体１０の無機基板１２をサポートパーツ３３に接触させる。 First, the peeling device 20 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34. At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the support part 33.
　次に、剥離装置２０は、サポートパーツ３３により、無機基板１２を剥離部分１８が広がる方向（図１１では下方向）に変位させる（工程Ｆ－１）。具体的には、無機基板１２を湾曲させることが好ましい。前記湾曲の最小曲率半径は３５０ｍｍ以上であることが好ましい。無機基板１２の負荷を小さくできることから、より好ましくは４００ｍｍ以上であり、さらに好ましくは５００ｍｍ以上である。また剥離速度が上がることから１０００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８００ｍｍ以下である。 Next, the peeling device 20 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 11) by the support part 33 (step F-1). Specifically, it is preferable to bend the inorganic substrate 12. The minimum radius of curvature of the curvature is preferably 350 mm or more. Since the load of the inorganic substrate 12 can be reduced, it is more preferably 400 mm or more, and further preferably 500 mm or more. Further, it is preferably 1000 mm or less, and more preferably 800 mm or less because the peeling speed increases.
　次に、剥離装置２０は、無機基板１２の高分子フィルム１４と密着していない非密着面側を大気圧未満とする一方、エアーブローノズル４５から気体を噴出させて、剥離を進行させる。ここで、エアーノズルはサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い（工程Ｆ－２）。前記非密着面を大気圧未満とするために、図１１～図１２では図示していないが、例えば真空チャンバー３０を使用することができる。
　次いで、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。略平面とは、完全な平面だけでなく、ＪＩＳＢ０６２１（１９８４）における平面度が５００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００μｍ以下さらに好ましくは１０μｍ以下である。また、１ｍｍ２範囲での平面からのずれは、１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下さらに好ましくは０．５μｍ以下である。 Next, the peeling device 20 sets the non-contact surface side of the inorganic substrate 12 that is not in close contact with the polymer film 14 to less than the atmospheric pressure, while ejecting gas from the air blow nozzle 45 to proceed with the peeling. Here, if the sample size is large, the air nozzle may be appropriately moved (step F-2). Although not shown in FIGS. 11 to 12, for example, a vacuum chamber 30 can be used in order to make the non-contact surface less than atmospheric pressure.
Next, the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur. The substantially plane is not only a perfect plane, but the flatness in JISB0621 (1984) is preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 10 μm or less. Further, the deviation from the plane in the range of 1 mm 2 is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less, and further preferably 0.5 μm or less.
　ここで、本実施形態では、図示されていないが、無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されていてもよい。無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されているため、剥離後の無機基板１２を保持することができる。メッシュ状シート３８としては、通気性があり、且つ、ある程度の強度を有していればよく、例えば、公知のスクリーンメッシュ等を用いることができる。
　なお、本実施形態では、メッシュ状シート３８を用いる場合について説明したが、剥離装置２０において、メッシュ状シートを配置しない構成としてもよい。この場合、剥離した無機基板１２を都度、取り出す、別の機構があればよい。 Here, in the present embodiment, although not shown, the mesh-like sheet 38 may be arranged under the inorganic substrate 12. Since the mesh-like sheet 38 is arranged under the inorganic substrate 12, the inorganic substrate 12 after peeling can be held. The mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
In the present embodiment, the case where the mesh-shaped sheet 38 is used has been described, but the peeling device 20 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
　［第５実施形態］
　図１３～図１５は、第５実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。図１３及び図１４に示すように、第５実施形態に係る剥離装置２２、２３は、上記で説明した剥離装置２０に対して、無機基板１２の保持機構として、無機基板用の真空チャック３７を備える。この無機基板用の真空チャック３７は上下動作と傾き動作ができる。真空チャック３４は、積層体１０を吸着して保持することができ、積層体１０を吸着した状態で上方に位置させることができる。図１５に示すように、剥離装置２４は、上記で説明した剥離装置２０に対して、真空チャック３４の代わりに、ローラー３２および真空チャンバー３０および基板接触子３５を追加した装置である。基板接触子３５に無機基板１２が沿うことによって、機械的に無機基板１２の最小曲率半径より曲げないように制限している。 [Fifth Embodiment]
13 to 15 are schematic cross-sectional views of a modified example of the peeling device according to the fifth embodiment. As shown in FIGS. 13 and 14, the peeling devices 22 and 23 according to the fifth embodiment provide a vacuum chuck 37 for an inorganic substrate as a holding mechanism for the inorganic substrate 12 with respect to the peeling device 20 described above. Be prepared. The vacuum chuck 37 for the inorganic substrate can be moved up and down and tilted. The vacuum chuck 34 can suck and hold the laminated body 10, and can position the laminated body 10 upward in a sucked state. As shown in FIG. 15, the peeling device 24 is a device in which a roller 32, a vacuum chamber 30, and a substrate contactor 35 are added instead of the vacuum chuck 34 to the peeling device 20 described above. By aligning the inorganic substrate 12 with the substrate contact 35, it is mechanically restricted from bending beyond the minimum radius of curvature of the inorganic substrate 12.
　剥離装置２２は、上記の剥離装置２０と同様の動作を行う。ただし、剥離装置２２では、無機基板用の真空チャック３７が設けられているため、無機基板１２を最小曲率半径より曲げないように制限しつつ、剥離部が広がる方向に変形させることができる。
　メッシュ状シート３８が設けられているため、剥離後の無機基板１２を支えることができる。従って、無機基板１２の剥離された部分が大きく垂れ下がるのを防止することができる。 The peeling device 22 operates in the same manner as the peeling device 20 described above. However, since the peeling device 22 is provided with the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate, the inorganic substrate 12 can be deformed in the direction in which the peeling portion expands while limiting the bending from the minimum radius of curvature.
Since the mesh-shaped sheet 38 is provided, the inorganic substrate 12 after peeling can be supported. Therefore, it is possible to prevent the peeled portion of the inorganic substrate 12 from hanging down significantly.
　第５実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｇ－１、工程Ｇ－２、及び、工程Ｇ－３を含む。剥離装置２２、２３、２４は、以下のように動作することにより、工程Ｇ－１、工程Ｇ－２、及び、工程Ｇ－３を行う。 The process C according to the fifth embodiment includes the process G-1, the process G-2, and the process G-3. The peeling devices 22, 23, and 24 perform the steps G-1, the step G-2, and the step G-3 by operating as follows.
　まず、剥離装置２２は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１０の剥離部分１８の開口にエアーブローノズル４５が位置するようにする。無機基板の真空チャック３７に接触させるようにする。無機基板の真空チャック３７は無機基板１２を剥離部分方向に押圧する（工程Ｇ－１）。ここでは、無機基板の真空チャック３７が基板接触子に相当する。 First, the peeling device 22 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the air blow nozzle 45 is positioned at the opening of the peeled portion 18 of the laminated body 10. It is brought into contact with the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate. The vacuum chuck 37 of the inorganic substrate presses the inorganic substrate 12 toward the peeled portion (step G-1). Here, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate corresponds to the substrate contactor.
　次に、剥離装置２２は、無機基板の真空チャック３７により、無機基板１２を剥離部分１８が広がる方向（図１１では下方向）に変位させる。 Next, the peeling device 22 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 11) by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate.
　次に、剥離装置２２は、エアーブローノズル４５から気体を噴出させて、剥離を進行させる。ここで、エアーノズルはサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い。ここで、動圧を剥離部分１８に加える。（工程Ｇ－２）。
　なお、この状態では、剥離部分１８から離れた位置では無機基板１２の真空チャック３７が無機基板１２を剥離部分１８方向にメッシュ状シート３８越しに押圧しているため、（図１３では上向き）剥離は進行しない。 Next, the peeling device 22 ejects gas from the air blow nozzle 45 to proceed with the peeling. Here, the air nozzle may be appropriately moved when the sample size is large. Here, dynamic pressure is applied to the peeled portion 18. (Step G-2).
In this state, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate 12 presses the inorganic substrate 12 toward the peeling portion 18 through the mesh sheet 38 at a position away from the peeling portion 18, so that the inorganic substrate 12 is peeled (upward in FIG. 13). Does not progress.
　次に、剥離装置２２は、剥離部１８から離れた位置では無機基板の真空チャック３７（無機基板１２との接触面）を無機基板１２の非密着面１２ａから離していく。この時、無機基板１２はこの動きに従った曲率半径を取ることになるため、無機基板の真空チャック３７の高さ、傾き、真空吸着の有無をコントロールする。無機基板の真空チャック３７による押圧が解かれた部分から順に、剥離部分１８の剥離が進行する。（工程Ｇ－３）。高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。 Next, the peeling device 22 separates the vacuum chuck 37 (contact surface with the inorganic substrate 12) of the inorganic substrate from the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12 at a position away from the peeling portion 18. At this time, since the inorganic substrate 12 has a radius of curvature according to this movement, the height, inclination, and the presence / absence of vacuum suction of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate are controlled. The peeling of the peeling portion 18 proceeds in order from the portion where the pressure by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is released. (Step G-3). The entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur.
　このように、剥離装置２２では、無機基板の真空チャック３７を無機基板１２の剥離部分１８側から順次移動させ、無機基板の真空チャック３７の移動に応じて剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、無機基板１２や高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 In this way, in the peeling device 22, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is sequentially moved from the peeling portion 18 side of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds according to the movement of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate, so that the peeling speed is controlled. can do. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
　ここで、本実施形態では、無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されていてもよい。無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されているため、剥離後の無機基板１２を保持することができる。メッシュ状シート３８としては、通気性があり、且つ、ある程度の強度を有していればよく、例えば、公知のスクリーンメッシュ等を用いることができる。
　なお、本実施形態では、メッシュ状シート３８を用いる場合について説明したが、剥離装置２０において、メッシュ状シートを配置しない構成としてもよい。この場合、剥離した無機基板１２を都度、取り出す、別の機構があればよい。 Here, in the present embodiment, the mesh-like sheet 38 may be arranged under the inorganic substrate 12. Since the mesh-like sheet 38 is arranged under the inorganic substrate 12, the inorganic substrate 12 after peeling can be held. The mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
In the present embodiment, the case where the mesh-shaped sheet 38 is used has been described, but the peeling device 20 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
　次に剥離装置２３について説明する（図１４）。まず、剥離装置２３は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１０の剥離部分１８の開口にエアーブローノズル４５が位置するようにする。また、この際、積層体１０の無機基板１２をサポートパーツ３３に接触させる。無機基板１２の非密着面を真空チャック３７に接触させるようにする。ここでは、無機基板の真空チャック３７が基板接触子に相当する。 Next, the peeling device 23 will be described (FIG. 14). First, the peeling device 23 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the air blow nozzle 45 is positioned at the opening of the peeled portion 18 of the laminated body 10. At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the support part 33. The non-contact surface of the inorganic substrate 12 is brought into contact with the vacuum chuck 37. Here, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate corresponds to the substrate contactor.
　次に、剥離装置２３は、無機基板の真空チャック３７により、無機基板１２を剥離部分１８が広がる方向（図１４では下方向）に変位させるとともに、無機基板１２を剥離部分１８方向（図１４では上方向）に押圧する（工程Ｇ－１）。 Next, the peeling device 23 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 14) by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate, and the inorganic substrate 12 is displaced in the direction of the peeling portion 18 (in FIG. 14). Press (upward) (step G-1).
　次に、剥離装置２３は、エアーブローノズル４５から気体を噴出させて、剥離を進行させる　ここで、エアーブローノズル４５はサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い。ここで、動圧を剥離部分１８に加える。（工程Ｇ－２）。
　なお、この状態では、剥離部分１８から離れた位置では無機基板１２の真空チャック３７が無機基板１２を剥離部分１８方向にメッシュ状シート３８越しに押圧しているため、（図１４では上向き）剥離は進行しない。 Next, the peeling device 23 ejects gas from the air blow nozzle 45 to proceed with the peeling. Here, the air blow nozzle 45 may be appropriately moved when the sample size is large. Here, dynamic pressure is applied to the peeled portion 18. (Step G-2).
In this state, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate 12 presses the inorganic substrate 12 toward the peeling portion 18 through the mesh sheet 38 at a position away from the peeling portion 18, so that the inorganic substrate 12 is peeled (upward in FIG. 14). Does not progress.
　次に、剥離装置２３は、剥離部分１８から離れた方向に無機基板の真空チャック３７（無機基板１２との接触面）を無機基板１２の非密着面１２ａに対して平行に移動させる。この時、無機基板１２は無機基板の真空チャック３７の無機基板との接触面の曲率に従った曲率半径を取ることになるため、無機基板の曲率半径をコントロールすることができる。無機基板の真空チャック３７による押圧が解かれた部分から順に、剥離部分１８の剥離が進行する。（工程Ｇ－３）。高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。略平面とは、略平面とは、完全な平面だけでなく、ＪＩＳＢ０６２１（１９８４）における平面度が５００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００μｍ以下さらに好ましくは１０μｍ以下である。また、１ｍｍ２範囲での平面からのずれは、１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下さらに好ましくは０．５μｍ以下である。 Next, the peeling device 23 moves the vacuum chuck 37 (contact surface with the inorganic substrate 12) of the inorganic substrate in a direction away from the peeling portion 18 in parallel with the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12. At this time, since the inorganic substrate 12 has a radius of curvature according to the curvature of the contact surface of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate with the inorganic substrate, the radius of curvature of the inorganic substrate can be controlled. The peeling of the peeling portion 18 proceeds in order from the portion where the pressure by the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is released. (Step G-3). The entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur. The substantially flat surface means not only a perfect plane but also a flatness of JISB0621 (1984) of 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 10 μm or less. Further, the deviation from the plane in the range of 1 mm 2 is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less, and further preferably 0.5 μm or less.
　このように、剥離装置２３では、無機基板の真空チャック３７を無機基板１２の剥離部分１８側から順次移動させ、無機基板の真空チャック３７の移動に応じて剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、無機基板１２や高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 In this way, in the peeling device 23, the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate is sequentially moved from the peeling portion 18 side of the inorganic substrate 12, and the peeling proceeds according to the movement of the vacuum chuck 37 of the inorganic substrate, so that the peeling speed is controlled. can do. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
　ここで、本実施形態では、無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されていてもよい。無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されているため、剥離後の無機基板１２を保持することができる。メッシュ状シート３８としては、通気性があり、且つ、ある程度の強度を有していればよく、例えば、公知のスクリーンメッシュ等を用いることができる。
　なお、本実施形態では、メッシュ状シート３８を用いる場合について説明したが、剥離装置２において、メッシュ状シートを配置しない構成としてもよい。この場合、剥離した無機基板１２を都度、取り出す、別の機構があればよい。 Here, in the present embodiment, the mesh-like sheet 38 may be arranged under the inorganic substrate 12. Since the mesh-like sheet 38 is arranged under the inorganic substrate 12, the inorganic substrate 12 after peeling can be held. The mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
In the present embodiment, the case where the mesh-shaped sheet 38 is used has been described, but the peeling device 2 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
　次に剥離装置２４について説明する（図１５）。まず、剥離装置２４は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１０の剥離部分１８の開口にエアーブローノズル４５が位置するようにする（エアーブローノズル４５の図示は省略する）。また、この際、積層体１０の無機基板１２をサポートパーツ３３に接触させる（サポートパーツ３３の図示は省略する）。基板接触子３５にも接触させるようにする。 Next, the peeling device 24 will be described (FIG. 15). First, the peeling device 24 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the air blow nozzle 45 is positioned at the opening of the peeled portion 18 of the laminated body 10 (the illustration of the air blow nozzle 45 is omitted). At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the support part 33 (the support part 33 is not shown). It is also brought into contact with the substrate contactor 35.
　次に、剥離装置２４は、基板接触子３５およびサポートパーツ３３により、無機基板１２を剥離部分１８が広がる方向（図１５では下方向）に変位させるとともに、無機基板１２を剥離部分１８方向（図１５では上方向）に押圧する（工程Ｇ－１）。 Next, the peeling device 24 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 15) by the substrate contact 35 and the support part 33, and displaces the inorganic substrate 12 in the peeling portion 18 direction (FIG. 15). In 15, it is pressed upward (upward) (step G-1).
　次に、剥離装置２４は、エアーブローノズル４５から気体を噴出させて、剥離を進行させる。ここで、エアーブローノズル４５はサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い。ここで、動圧を剥離部に加える。（工程Ｇ－２）。なお、この状態では、剥離部分１８から離れた位置ではローラー３２が無機基板１２を剥離部分１８方向に基板接触子３５越しに押圧しているため、（図１５では上向き）剥離は進行しない。 Next, the peeling device 24 ejects gas from the air blow nozzle 45 to proceed with the peeling. Here, the air blow nozzle 45 may be appropriately moved when the sample size is large. Here, dynamic pressure is applied to the peeled portion. (Step G-2). In this state, since the roller 32 presses the inorganic substrate 12 toward the peeling portion 18 through the substrate contactor 35 at a position away from the peeling portion 18, the peeling does not proceed (upward in FIG. 15).
　次に、剥離装置２４は、剥離部分１８から離れた方向に無機基板の基板接触子３５（無機基板１２との接触面）をローラー３２および真空チャンバー３０とともに無機基板１２の非密着面１２ａに対して平行に移動させる。この時、無機基板１２は基板接触子３５の無機基板との接触面の曲率に従った曲率半径を取ることになるため、無機基板の曲率半径をコントロールすることができる。基板接触子３５による押圧が解かれた部分から順に、剥離部分１８の剥離が進行する。（工程Ｇ－３）。高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。 Next, the peeling device 24 attaches the substrate contactor 35 (contact surface with the inorganic substrate 12) of the inorganic substrate to the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate 12 together with the roller 32 and the vacuum chamber 30 in the direction away from the peeling portion 18. And move it in parallel. At this time, since the inorganic substrate 12 has a radius of curvature according to the curvature of the contact surface of the substrate contact 35 with the inorganic substrate, the radius of curvature of the inorganic substrate can be controlled. The peeling of the peeling portion 18 proceeds in order from the portion where the pressure by the substrate contact 35 is released. (Step G-3). The entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur.
　このように、剥離装置２４では、ローラー３２および基板接触子１２を無機基板１２の剥離部分１８側から順次移動させ、ローラー３２および基板接触子１２の移動に応じて剥離を進行させるため、剥離スピードをコントロールすることができる。その結果、無機基板１２や高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 As described above, in the peeling device 24, the roller 32 and the substrate contact 12 are sequentially moved from the peeling portion 18 side of the inorganic substrate 12, and the peeling is advanced according to the movement of the roller 32 and the substrate contact 12, so that the peeling speed is increased. Can be controlled. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the inorganic substrate 12 and the polymer film 14.
　ここで、本実施形態では、無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されていてもよい。無機基板１２の下にメッシュ状シート３８が配置されているため、剥離後の無機基板１２を保持することができる。
メッシュ状シート３８としては、通気性があり、且つ、ある程度の強度を有していればよく、例えば、公知のスクリーンメッシュ等を用いることができる。
　なお、本実施形態では、メッシュ状シート３８を用いる場合について説明したが、剥離装置２において、メッシュ状シートを配置しない構成としてもよい。この場合、剥離した無機基板１２を都度、取り出す、別の機構があればよい。 Here, in the present embodiment, the mesh-like sheet 38 may be arranged under the inorganic substrate 12. Since the mesh-like sheet 38 is arranged under the inorganic substrate 12, the inorganic substrate 12 after peeling can be held.
The mesh-shaped sheet 38 may be breathable and may have a certain level of strength, and for example, a known screen mesh or the like can be used.
In the present embodiment, the case where the mesh-shaped sheet 38 is used has been described, but the peeling device 2 may have a configuration in which the mesh-shaped sheet is not arranged. In this case, there may be another mechanism for taking out the peeled inorganic substrate 12 each time.
　以上、第５実施形態に係る工程Ｃ（工程Ｇ－１、工程Ｇ－２、及び、工程Ｇ－３を含む工程Ｃ）について説明した。 The process C (process C including process G-1, process G-2, and process G-3) according to the fifth embodiment has been described above.
　［第６実施形態］
　第６実施形態では、機能素子付きの積層体１１から、機能素子１６付きの高分子フィルム１４を剥離する場合について説明する。 [Sixth Embodiment]
In the sixth embodiment, a case where the polymer film 14 with the functional element 16 is peeled off from the laminated body 11 with the functional element will be described.
　図１６は、第６実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１６に示すように、第６実施形態に係る剥離装置５０は、サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４、埋め込み用部材６４、柔軟体６６とを備える。なお、サポートバーツ３３は図１４と同様であるため図示しない。 FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 16, the peeling device 50 according to the sixth embodiment includes a support part 33, an air blow nozzle 45, a vacuum chuck 34, an embedding member 64, and a flexible body 66. The support baht 33 is the same as that shown in FIG. 14, and is not shown.
　サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４については第４実施形態の項にてすでに説明したのでここでの説明は省略する。 Since the support parts 33, the air blow nozzle 45, and the vacuum chuck 34 have already been described in the section of the fourth embodiment, the description thereof is omitted here.
　柔軟支持材６６は、真空チャック３４上に配置され、上側に機能素子付きの積層体１１が配置された際には高分子フィルム１４を保持することが可能である。柔軟支持材６６としては、柔軟性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコーンゴムシートなどが挙げられる。 The flexible support material 66 is arranged on the vacuum chuck 34, and can hold the polymer film 14 when the laminated body 11 with a functional element is arranged on the upper side. The flexible support material 66 is not particularly limited as long as it has flexibility, and examples thereof include a silicone rubber sheet.
　埋め込み用部材６４は、真空チャック３４上に配置され、真空チャック３４とは反対側の面に機能素子付きの積層体１１が配置された際には、高分子フィルム１４を保持することが可能である。図１６では高分子フィルム１４と接しているが、高分子フィルム１４の外側に位置することもあり得る。埋め込み用部材６４としては、多孔質であり、且つ、柔軟性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、プラスチック焼結多孔質体あるいは金属多孔質焼結体あるいは多孔質セラミック焼結体を機能素子を埋め込める形状に加工したものが挙げられる。 The embedding member 64 is arranged on the vacuum chuck 34, and can hold the polymer film 14 when the laminated body 11 with a functional element is arranged on the surface opposite to the vacuum chuck 34. be. Although it is in contact with the polymer film 14 in FIG. 16, it may be located outside the polymer film 14. The embedding member 64 is not particularly limited as long as it is porous and has flexibility, but for example, a plastic sintered porous body, a metal porous sintered body, or a porous ceramic sintered body. Is processed into a shape that can embed a functional element.
　第６実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｆ２－１、及び、工程Ｆ２－２を含む。剥離装置５０は、以下のように動作することにより、工程Ｆ２－１、及び、工程Ｆ２－２を行う。 The process C according to the sixth embodiment includes the process F2-1 and the process F2-2. The peeling device 50 operates as follows to perform steps F2-1 and step F2-2.
　まず、剥離装置５０は、機能素子付きの積層体１１の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着し、真空チャンバー３０の上方に位置させる。この際、積層体１１の機能素子１６が埋め込み用部材６４の開口に位置するように位置させる。 First, the peeling device 50 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 11 with the functional element by the vacuum chuck 34 and positions it above the vacuum chamber 30. At this time, the functional element 16 of the laminated body 11 is positioned so as to be located at the opening of the embedding member 64.
　次に、剥離装置５０は、図示しないサポートパーツ３３により、無機基板１２を剥離部分１８が広がる方向（図１６では下方向）に変位させる（工程Ｆ２－１）。 Next, the peeling device 50 displaces the inorganic substrate 12 in the direction in which the peeling portion 18 spreads (downward in FIG. 16) by the support part 33 (not shown) (step F2-1).
　次に、剥離装置５０は、エアーブローノズル４５から気体を噴出させて、剥離を進行させる　ここで、エアーノズルはサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い（工程Ｆ２－２）。
　これにより、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。 Next, the peeling device 50 ejects gas from the air blow nozzle 45 to proceed with the peeling. Here, if the sample size is large, the air nozzle may be appropriately moved (step F2-2).
As a result, the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur.
　剥離装置５０では、埋め込み用部材６４に機能素子１６を埋め込んだ状態で、動圧を加え、高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離するため、機能素子１６の位置する箇所において高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。また、埋め込み部材は若干の柔軟性は有するが、平面を保つため、高分子フィルム１４も略平面を保ったまま剥離される。このことも、高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制する。
　なお、エアーブローノズル４５は、本発明の動圧形成手段に相当する。 In the peeling device 50, in a state where the functional element 16 is embedded in the embedding member 64, dynamic pressure is applied to peel the polymer film 14 from the inorganic substrate 12, so that the polymer film 14 is formed at a position where the functional element 16 is located. It is possible to prevent an excessive load from being applied. Further, although the embedded member has some flexibility, the polymer film 14 is also peeled off while maintaining a substantially flat surface in order to maintain a flat surface. This also suppresses an excessive load from being applied to the polymer film 14.
The air blow nozzle 45 corresponds to the dynamic pressure forming means of the present invention.
　前記工程Ｃにより剥離された機能素子１６付きの高分子フィルム１４は、電子デバイス、特に、フレキシブル電子デバイスとして使用することができる。つまり、前記工程Ａ－１、前記工程Ｂ、及び、前記工程Ｃを含む方法は、電子デバイスの製造方法でもある。 The polymer film 14 with the functional element 16 peeled off in the step C can be used as an electronic device, particularly a flexible electronic device. That is, the method including the step A-1, the step B, and the step C is also a method for manufacturing an electronic device.
　以上、第４実施形態～第６実施形態について説明した。 The fourth to sixth embodiments have been described above.
　以下の第７実施形態～第９実施形態では、前記工程Ｃが、
「前記工程Ｂの後、前記積層体の前記高分子フィルム面が真空吸着プレートに接するように前記積層体を設置して固定し、前記積層体の側面には隔壁が設けられ、次いで前記剥離部分にノズルにより気体を注入し、圧力を加えることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま剥離する工程である」場合について説明する。
　すなわち、第７実施形態～第９実施形態における工程Ｃは、以下のとおりである。
　＜第７実施形態～第９実施形態における工程Ｃ＞
　前記積層体１０の高分子フィルム１４の面を真空吸着プレート３４（以下、真空チャックともいう）に接するように前記積層体１０を設置して固定し、前記積層体１０の側面には隔壁３１が設けられ、次いで前記剥離部分１８にノズル４５（以下、エアーブローノズルともいう）により気体を注入し、圧力を加えることにより、前記高分子フィルム１４を略平面に保ったまま、前記無機基板１２から剥離する（工程Ｃ）。 In the following 7th to 9th embodiments, the step C is
"After the step B, the laminate is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminate is in contact with the vacuum suction plate, a partition wall is provided on the side surface of the laminate, and then the peeled portion. This is a step of injecting gas into the film with a nozzle and applying pressure to peel off the polymer film while keeping it substantially flat. "
That is, the process C in the 7th to 9th embodiments is as follows.
<Step C in the 7th to 9th embodiments>
The laminated body 10 is installed and fixed so that the surface of the polymer film 14 of the laminated body 10 is in contact with the vacuum suction plate 34 (hereinafter, also referred to as a vacuum chuck), and a partition wall 31 is provided on the side surface of the laminated body 10. Then, a gas is injected into the peeled portion 18 by a nozzle 45 (hereinafter, also referred to as an air blow nozzle), and pressure is applied to the polymer film 14 from the inorganic substrate 12 while keeping the polymer film 14 substantially flat. Peel off (step C).
　［第７実施形態］
　図１７～図１９は、第７実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図１７、図１８は剥離装置のセッティング途中の図であり、図１９はエアーブローノズル４５から気体を注入する直前の図である。図１７～図１９に示すように、第７実施形態に係る剥離装置２０、２１、２３は、隔壁３１、隔壁サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４、概略平板３９（以下、上壁ともいう）とを備える。 [7th Embodiment]
17 to 19 are schematic cross-sectional views of the peeling device according to the seventh embodiment. 17 and 18 are views during the setting of the peeling device, and FIG. 19 is a view immediately before injecting gas from the air blow nozzle 45. As shown in FIGS. 17 to 19, the peeling devices 20, 21, and 23 according to the seventh embodiment include a partition wall 31, a partition wall support part 33, an air blow nozzle 45, a vacuum chuck 34, and a substantially flat plate 39 (hereinafter referred to as a flat plate 39). Also called the upper wall).
　真空チャック３４は、積層体１０を吸着して保持することができ、積層体１０を吸着した状態で剥離を行うことができる。積層体１０の高分子フィルム１４側が真空チャック３４に吸着しているため、高分子フィルム１４と無機基板１２の剥離部分１８に、エアーブローノズル４５から圧力を加えることで、高分子フィルム１４を略平面に保ったまま無機基板１２から剥離することができる。なお、エアーブローノズル４５は、本発明の圧力形成手段に相当する。 The vacuum chuck 34 can adsorb and hold the laminated body 10, and can perform peeling in a state where the laminated body 10 is adsorbed. Since the polymer film 14 side of the laminate 10 is adsorbed on the vacuum chuck 34, the polymer film 14 is abbreviated by applying pressure from the air blow nozzle 45 to the peeled portion 18 between the polymer film 14 and the inorganic substrate 12. It can be peeled off from the inorganic substrate 12 while being kept flat. The air blow nozzle 45 corresponds to the pressure forming means of the present invention.
　第７実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を含む。剥離装置２０、２１、２３は、以下のように動作することにより、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を行う。 The process C according to the seventh embodiment includes the process H-1 and the process H-2. The peeling devices 20, 21 and 23 perform the steps H-1 and the step H-2 by operating as follows.
　まず、剥離装置２０、２１、２３は、積層体１０の高分子フィルム１４側を真空チャック３４で吸着する。この際、積層体１０の無機基板１２をサポートパーツ３３に接触させる。 First, the peeling devices 20, 21, and 23 adsorb the polymer film 14 side of the laminated body 10 with the vacuum chuck 34. At this time, the inorganic substrate 12 of the laminated body 10 is brought into contact with the support part 33.
　次に、剥離装置２０、２１、２３は、エアーブローノズル４５が隔壁３１を貫通している。そして、エアーブローノズル４５から、無機基板１２と高分子フィルム１４の間の剥離部分１８が広がる方向に変位させるように気体を導入する。さらに積層体１０の無機基板１２側に無機基板１２と並行で、かつ、無機基板１２とは接触しない概略平板を設置する（工程Ｈ－１）。具体的には、高分子フィルム１４の下の真空チャックに図示しない切り欠きを作るか、この端からエアーブローノズル４５を導入することで、高分子フィルム１４の変形を容易にしておく。無機基板１２は大きくは湾曲させないことが好ましい。前記湾曲の最小曲率半径は３５０ｍｍ以上であることが好ましい。無機基板１２の負荷を小さくできることから、より好ましくは５００ｍｍ以上であり、さらに好ましくは８００ｍｍ以上である。また剥離時の瞬間的な変形では大きく変形することから１０００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１８００ｍｍ以下である。 Next, in the peeling devices 20, 21 and 23, the air blow nozzle 45 penetrates the partition wall 31. Then, gas is introduced from the air blow nozzle 45 so as to displace the peeled portion 18 between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 in the spreading direction. Further, a substantially flat plate that is parallel to the inorganic substrate 12 and does not come into contact with the inorganic substrate 12 is installed on the inorganic substrate 12 side of the laminate 10 (step H-1). Specifically, the polymer film 14 is easily deformed by making a notch (not shown) in the vacuum chuck under the polymer film 14 or by introducing an air blow nozzle 45 from this end. It is preferable that the inorganic substrate 12 is not largely curved. The minimum radius of curvature of the curvature is preferably 350 mm or more. Since the load on the inorganic substrate 12 can be reduced, it is more preferably 500 mm or more, still more preferably 800 mm or more. Further, it is preferably 1000 mm or less, more preferably 1800 mm or less because it is greatly deformed by the momentary deformation at the time of peeling.
　次に、剥離装置２０、２１、２３は、無機基板１２の高分子フィルム１４と密着していない非密着面側１２ａを大気圧または低圧力とする一方、エアーブローノズル４５から気体を注入させて、剥離を進行させる。ここで、エアーノズルはサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い（工程Ｈ－２）。前記非密着面を低圧力とするために、図１７～図１９では図示していないが、例えば真空チャンバー３０を使用することができる。
　次いで、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。この時高分子フィルム１４は常に真空チャック３４に保持されているため、曲げ、変形は起きていない。略平面とは、完全な平面だけでなく、ＪＩＳＢ０６２１（１９８４）における平面度が１０００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００μｍ以下さらに好ましくは１００μｍ以下である。また、１ｍｍ２範囲での平面からのずれは、１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下さらに好ましくは０．５μｍ以下である。 Next, the peeling devices 20, 21, and 23 set the non-contact surface side 12a of the inorganic substrate 12 that is not in close contact with the polymer film 14 to atmospheric pressure or low pressure, while injecting gas from the air blow nozzle 45. , Proceed with peeling. Here, if the sample size is large, the air nozzle may be appropriately moved (step H-2). Although not shown in FIGS. 17 to 19, a vacuum chamber 30 can be used, for example, in order to reduce the pressure of the non-contact surface.
Next, the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface. At this time, since the polymer film 14 is always held by the vacuum chuck 34, bending and deformation do not occur. The substantially plane is not only a perfect plane, but the flatness in JISB0621 (1984) is preferably 1000 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 100 μm or less. Further, the deviation from the plane in the range of 1 mm 2 is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less, and further preferably 0.5 μm or less.
　ここで低圧力とはエアーブローノズル４５から供給される気体の圧力と比べて低い圧力のことを指し、真空あるいは減圧した状態あるいは大気開放した状態をさす。エアーブローノズル４５から供給される気体の圧力が十分高い場合は、若干の加圧状態圧力を一定にコントロールされた状態も低圧力に含める。
　高圧力とはエアーブローノズル４５から供給される気体の圧力によって剥離部分に生じる圧力のことを指す。
　隔壁３１は前記積層体１０の側面に設けられている。隔壁３１とはエアーブローノズル４５から供給される気体の圧力が無機基板の非密着面１２ａ側に漏れないように両者を分離するための壁を言う。ここで、側面とは積層体１０の厚み方向と平行になる位置をいう。また、隔壁３１が積層体１０の側面に存在することで、剥離部分１８に気体を注入した際、剥離部分１８と、無機基板の非密着面１２aとの圧力差を概略維持することができる。さらに、前記無機基板１２の動きを前記高分子フィルム１４から離れる方向のみに制限することができる。離れる方向の動きとは剥離の時に高分子フィルム１４平面に対して、概略垂直方向で無機基板１２と高分子フィルム１４の距離が大きくなる動きのことを指す。高圧力と低圧力は隔壁３１があることによって分離されている。
　前記気体は、特に限定されず、空気、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等を使用することができる。 Here, the low pressure refers to a pressure lower than the pressure of the gas supplied from the air blow nozzle 45, and refers to a state of being vacuumed, decompressed, or open to the atmosphere. When the pressure of the gas supplied from the air blow nozzle 45 is sufficiently high, a state in which a slight pressurized state pressure is controlled to be constant is also included in the low pressure.
The high pressure refers to the pressure generated in the peeled portion by the pressure of the gas supplied from the air blow nozzle 45.
The partition wall 31 is provided on the side surface of the laminated body 10. The partition wall 31 is a wall for separating the two so that the pressure of the gas supplied from the air blow nozzle 45 does not leak to the non-adhesive surface 12a side of the inorganic substrate. Here, the side surface means a position parallel to the thickness direction of the laminated body 10. Further, since the partition wall 31 is present on the side surface of the laminated body 10, the pressure difference between the peeled portion 18 and the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate can be substantially maintained when the gas is injected into the peeled portion 18. Further, the movement of the inorganic substrate 12 can be restricted only in the direction away from the polymer film 14. The movement in the separation direction refers to a movement in which the distance between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 increases in a substantially vertical direction with respect to the plane of the polymer film 14 at the time of peeling. The high pressure and the low pressure are separated by the presence of the partition wall 31.
The gas is not particularly limited, and air, nitrogen, helium, neon, argon and the like can be used.
　［第８実施形態］
　図２０～図２４は、第８実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。図２０～図２４に示すように、第８実施形態に係る剥離装置２４、２５、２６、２７，２８は、上記で説明した剥離装置２０に対して、無機基板１２の保持機構として、隔壁サポートパーツ３３が無い。このため、剥離した無機基板１２のエッジ（端部）より高圧力の気体が無機基板の非密着面１２ａに移動しうる。このため、隔壁３１の材質を選択する、無機基板１２と隔壁３１の間隔を狭くするあるいは、上壁に空白部を作ることで大気開放とする、上壁から真空ポンプによって吸引する、といった方策で剥離部分と１８と無機基板の非密着面１２ａの圧力差を維持することで、剥離を実現できる。上壁３９に無機基板１２が沿うことによって、機械的に無機基板１２の最小曲率半径より曲げないように制限している。これにより、剥離時の無機基板１２への負荷を低減することができる。特に剥離装置２７のように、上壁３９を、真空チャック３４と平行ではあるが、やや斜めにすることで無機基板が剥離するときの動ける範囲を制限することができる。このようにすることで無機基板の剥離時の動きを制限することも有効な手段である。また、剥離装置２８では、Ｏリング６３を使って真空チャック３４と上壁３９を隔壁３１との間で結合させ、厳密にエアー漏れを防ぐ構造を取っている。これも有効な手段である。 [Eighth Embodiment]
20 to 24 are schematic cross-sectional views of a modified example of the peeling device according to the eighth embodiment. As shown in FIGS. 20 to 24, the peeling devices 24, 25, 26, 27, 28 according to the eighth embodiment support the partition wall as a holding mechanism for the inorganic substrate 12 with respect to the peeling device 20 described above. There is no part 33. Therefore, a gas having a high pressure from the edge of the peeled inorganic substrate 12 can move to the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate. For this reason, measures such as selecting the material of the partition wall 31, narrowing the distance between the inorganic substrate 12 and the partition wall 31, opening the space to the atmosphere by creating a blank portion on the upper wall, and sucking from the upper wall with a vacuum pump are possible. Peeling can be realized by maintaining the pressure difference between the peeled portion and 18 and the non-adhesive surface 12a of the inorganic substrate. By aligning the inorganic substrate 12 with the upper wall 39, it is mechanically restricted from bending beyond the minimum radius of curvature of the inorganic substrate 12. As a result, the load on the inorganic substrate 12 at the time of peeling can be reduced. In particular, like the peeling device 27, the upper wall 39 is parallel to the vacuum chuck 34, but can be slightly slanted to limit the range of movement when the inorganic substrate is peeled off. By doing so, it is also an effective means to limit the movement of the inorganic substrate at the time of peeling. Further, the peeling device 28 has a structure in which the vacuum chuck 34 and the upper wall 39 are coupled between the partition wall 31 by using an O-ring 63 to strictly prevent air leakage. This is also an effective means.
　剥離装置２５は、上記の剥離装置２０と同様の動作を行う。ただし、剥離装置２５では、無機基板用の真空チャック３７が設けられているため、無機基板１２を最小曲率半径より曲げないように制限しつつ、剥離部が広がる方向に変形させることができる。 The peeling device 25 operates in the same manner as the peeling device 20 described above. However, since the peeling device 25 is provided with the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate, the inorganic substrate 12 can be deformed in the direction in which the peeling portion expands while limiting the bending from the minimum radius of curvature.
　第８実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を含む。剥離装置２２、２３は、隔壁サポートパーツ３３が無い事以外は第７実施形態と同じであり、第７実施形態と動作することにより、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を行う。 The process C according to the eighth embodiment includes the process H-1 and the process H-2. The peeling devices 22 and 23 are the same as those of the seventh embodiment except that the partition wall support parts 33 are not provided, and the steps H-1 and the steps H-2 are performed by operating with the seventh embodiment.
　［第９実施形態］
　第９実施形態では、機能素子付きの積層体１１から、機能素子１６付きの高分子フィルム１４を剥離する場合について説明する。 [9th Embodiment]
In the ninth embodiment, a case where the polymer film 14 with the functional element 16 is peeled off from the laminated body 11 with the functional element will be described.
　図２５～図２６は、第９実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図２５～図２６に示すように、第９実施形態に係る剥離装置５０、５１は、隔壁サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４、埋め込み用真空チャック６５、上壁３９、無機基板用の真空チャック３７とを備える。 25 to 26 are schematic cross-sectional views of the peeling device according to the ninth embodiment. As shown in FIGS. 25 to 26, the peeling devices 50 and 51 according to the ninth embodiment include a partition wall support part 33, an air blow nozzle 45, a vacuum chuck 34, a vacuum chuck for embedding 65, an upper wall 39, and an inorganic substance. A vacuum chuck 37 for a substrate is provided.
　隔壁サポートパーツ３３と、エアーブローノズル４５と、真空チャック３４、上壁３９、無機基板用の真空チャック３７については第７実施形態の項にてすでに説明したのでここでの説明は省略する。 Since the partition wall support parts 33, the air blow nozzle 45, the vacuum chuck 34, the upper wall 39, and the vacuum chuck 37 for the inorganic substrate have already been described in the section of the seventh embodiment, the description thereof is omitted here.
　埋め込み用真空チャック６５は、真空チャック３４上に配置され、真空チャック３４とは反対側の面に機能素子付きの積層体１１が配置された際には、高分子フィルム１４を保持することが可能である。図２５～図２６では高分子フィルム１４と接しているが、高分子フィルム１４の外側に位置することもあり得る。埋め込み用真空チャック６５としては、多孔質であり、且つ、柔軟性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、プラスチック焼結多孔質体あるいは金属多孔質焼結体あるいは多孔質セラミック焼結体を機能素子を埋め込める形状に加工したものが挙げられる。 The embedding vacuum chuck 65 is arranged on the vacuum chuck 34, and can hold the polymer film 14 when the laminated body 11 with a functional element is arranged on the surface opposite to the vacuum chuck 34. Is. Although it is in contact with the polymer film 14 in FIGS. 25 to 26, it may be located outside the polymer film 14. The embedding vacuum chuck 65 is not particularly limited as long as it is porous and has flexibility. For example, a plastic sintered porous body, a metal porous sintered body, or a porous ceramic sintered body is used. An example is a body processed into a shape in which a functional element can be embedded.
　第９実施形態に係る工程Ｃは、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を含む。剥離装置５０の動作は、は、第７実施形態と同じであり、５１は、隔壁サポートパーツ３３が無い事以外は第７実施形態と同じであり、第７実施形態と同じ動作することにより、工程Ｈ－１、工程Ｈ－２を行う。 The process C according to the ninth embodiment includes the process H-1 and the process H-2. The operation of the peeling device 50 is the same as that of the seventh embodiment, and 51 is the same as that of the seventh embodiment except that the partition wall support part 33 is not provided. Step H-1 and step H-2 are performed.
　まず、剥離装置５０は、機能素子付きの積層体１１の高分子フィルム１４側を埋め込み用真空チャック６５で吸着し、真空チャック３４の上方に位置させる。この際、積層体１１の機能素子１６が埋め込み用真空チャック６５の開口に位置するように位置させる。 First, the peeling device 50 sucks the polymer film 14 side of the laminated body 11 with the functional element by the vacuum chuck 65 for embedding and positions it above the vacuum chuck 34. At this time, the functional element 16 of the laminated body 11 is positioned so as to be located at the opening of the vacuum chuck 65 for embedding.
　次に、剥離装置５０は、エアーブローノズル４５が隔壁３１を貫通している。そして、エアーブローノズル４５から、無機基板１２と高分子フィルム１４の間の剥離部分１８が広がる方向に変位させるように気体を導入する。さらに積層体１０の無機基板１２側に無機基板１２と並行で、かつ、無機基板１２とは接触しない概略平板を設置する（工程Ｈ－１）。具体的には、高分子フィルム１４の下の真空チャック６５に図示しない切り欠きを作るか、この端からエアーブローノズル４５を導入することで、高分子フィルム１４の変形を容易にしておく。無機基板１２は多くは湾曲させないことが好ましい。 Next, in the peeling device 50, the air blow nozzle 45 penetrates the partition wall 31. Then, gas is introduced from the air blow nozzle 45 so as to displace the peeled portion 18 between the inorganic substrate 12 and the polymer film 14 in the spreading direction. Further, a substantially flat plate that is parallel to the inorganic substrate 12 and does not come into contact with the inorganic substrate 12 is installed on the inorganic substrate 12 side of the laminate 10 (step H-1). Specifically, the polymer film 14 is easily deformed by making a notch (not shown) in the vacuum chuck 65 under the polymer film 14 or by introducing an air blow nozzle 45 from this end. It is preferable that most of the inorganic substrates 12 are not curved.
　無機基板１２の高分子フィルム１４と密着していない非密着面側１２ａを低圧力とする一方、エアーブローノズル４５から気体を注入させて、剥離を進行させる。ここで、エアーノズルはサンプルサイズが大きい場合は適宜移動させても良い（工程Ｈ－２）。前記非密着面を低圧力とするために、図２５～図２６では図示していないが、例えば真空チャンバー３０を使用することができる。
　次いで、高分子フィルム１４全体が略平面を保ったまま無機基板１２から剥離される。 The pressure is set to low on the non-adhesive surface side 12a that is not in close contact with the polymer film 14 of the inorganic substrate 12, while gas is injected from the air blow nozzle 45 to proceed with peeling. Here, if the sample size is large, the air nozzle may be appropriately moved (step H-2). Although not shown in FIGS. 25 to 26, for example, a vacuum chamber 30 can be used in order to reduce the pressure of the non-contact surface.
Next, the entire polymer film 14 is peeled off from the inorganic substrate 12 while maintaining a substantially flat surface.
　剥離装置５０では、埋め込み用真空チャック６５に機能素子１６を埋め込んだ状態で、圧力を加え、高分子フィルム１４を無機基板１２から剥離するため、機能素子１６の位置する箇所において高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。また、埋め込み部材は若干の柔軟性は有するが、平面を保つため、高分子フィルム１４も略平面を保ったまま剥離される。このことも、高分子フィルム１４に過度の負荷が掛かることを抑制する。
　なお、エアーブローノズル４５は、本発明の圧力形成手段に相当する。 In the peeling device 50, in a state where the functional element 16 is embedded in the vacuum chuck 65 for embedding, pressure is applied to peel the polymer film 14 from the inorganic substrate 12, so that the polymer film 14 is formed at a position where the functional element 16 is located. It is possible to prevent an excessive load from being applied. Further, although the embedded member has some flexibility, the polymer film 14 is also peeled off while maintaining a substantially flat surface in order to maintain a flat surface. This also suppresses an excessive load from being applied to the polymer film 14.
The air blow nozzle 45 corresponds to the pressure forming means of the present invention.
　また、前記工程Ｃは、高分子フィルム１４を真空吸着する工程Ｊ－１、
　前記ノズル部も囲うよう壁を設け前記積層体へ注入する気体を前記剥離部分から逃さない閉じ込めた空間の中におくことにする工程Ｊ－２と、
　前記工程Ｊ－１及び前記工程Ｊ－２の後、ノズルより圧力を印加して、気体を注入する工程Ｊ－３とを含むことも好ましい。 Further, in the step C, the step J-1 of vacuum-adsorbing the polymer film 14
Step J-2, in which a wall is provided so as to surround the nozzle portion and the gas to be injected into the laminate is placed in a confined space that does not escape from the peeled portion.
After the step J-1 and the step J-2, it is also preferable to include a step J-3 in which a pressure is applied from a nozzle to inject a gas.
　ノズル部を囲うように壁を設けることで、剥離部分１８を密閉することができ、無機基板１２の高分子フィルム１４と密着していない非密着面側１２ａとの圧力差を効率よく設けることができる。 By providing a wall so as to surround the nozzle portion, the peeled portion 18 can be sealed, and the pressure difference between the polymer film 14 of the inorganic substrate 12 and the non-contact surface side 12a that is not in close contact can be efficiently provided. can.
　前記工程Ｃにより剥離された機能素子１６付きの高分子フィルム１４は、電子デバイス、特に、フレキシブル電子デバイスとして使用することができる。つまり、前記工程Ａ－１、前記工程Ｂ、及び、前記工程Ｃを含む方法は、電子デバイスの製造方法でもある。 The polymer film 14 with the functional element 16 peeled off in the step C can be used as an electronic device, particularly a flexible electronic device. That is, the method including the step A-1, the step B, and the step C is also a method for manufacturing an electronic device.
　以上、第７実施形態～第９実施形態について説明した。 The seventh to ninth embodiments have been described above.
　上述した高分子フィルムの剥離方法において、工程Ｂは、「前記積層体の前記端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域を形成する工程」であってもよい。
　以下、工程Ｂが、「前記積層体の前記端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域を形成する工程」である場合について、第１０実施形態～第１１実施形態として説明する。 In the method for peeling the polymer film described above, in step B, "at the end portion of the laminate, a gas is blown to a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate, and a peeling region is formed on the end portion. It may be a step of forming the above.
Hereinafter, step B is a case where "at the end portion of the laminate, a gas is blown to a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate to form a peeling region at the end portion". Will be described as the tenth to eleventh embodiments.
［第１０実施形態］
　＜工程Ａ＞
　第１０実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法においては、まず、高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する（工程Ａ）。図２７は、積層体の一例を示す模式断面図であり、図２８は、その平面図である。図２７、図２８に示すように、積層体１１０は、無機基板１１２と高分子フィルム１１４とを備える。無機基板１１２と高分子フィルム１１４とは密着している。無機基板１１２と高分子フィルム１１４とは、図示しないシランカップリング剤層を介して密着していてもよい。
　高分子フィルム１１４上には、回路パターン及び／又は機能素子が形成されている（図示せず）。つまり、本実施形態では、高分子フィルム１１４上に、回路パターンと機能素子との両方が形成されていてもよく、回路パターンが形成され且つ機能素子が形成されていなくてもよく、機能素子が形成され且つ回路パターンが形成されていなくてもよい。
　前記回路パターンは、従来公知の方法にて形成することができる。前記回路パターンの厚みとしては、通常０．０５μｍ～２０μｍ、好ましくは０．１μｍ～１５μｍ、より好ましくは０．１５μｍ～０．５μｍ程度である。 [10th Embodiment]
<Process A>
In the polymer film peeling method according to the tenth embodiment, first, a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact is prepared (step A). 27 is a schematic cross-sectional view showing an example of the laminated body, and FIG. 28 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 27 and 28, the laminate 110 includes an inorganic substrate 112 and a polymer film 114. The inorganic substrate 112 and the polymer film 114 are in close contact with each other. The inorganic substrate 112 and the polymer film 114 may be in close contact with each other via a silane coupling agent layer (not shown).
A circuit pattern and / or a functional element is formed on the polymer film 114 (not shown). That is, in the present embodiment, both the circuit pattern and the functional element may be formed on the polymer film 114, or the circuit pattern may be formed and the functional element may not be formed, and the functional element may be formed. It may be formed and the circuit pattern may not be formed.
The circuit pattern can be formed by a conventionally known method. The thickness of the circuit pattern is usually about 0.05 μm to 20 μm, preferably 0.1 μm to 15 μm, and more preferably about 0.15 μm to 0.5 μm.
　図２８に示すように、積層体１１０の左端部及び右端部では、無機基板１１２と高分子フィルム１１４との端面は、面一となっている。また、積層体１１０の上端部及び下端部では、無機基板１１２上に高分子フィルム１１４が存在しない部分がある。すなわち、積層体１１０では、平面視で高分子フィルム１１４の大きさが無機基板１１２よりも小さい。なお、本実施形態では、図２７、図２８に示した積層体１１０を用いる場合について説明するが、本発明で使用できる積層体は、積層体１１０に限定されず、無機基板上の少なくとも一部に高分子フィルムが積層されていればよく、無機基板上の全面に高分子フィルムが積層された積層体であってもよい。また、高分子フィルム上にさらに保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムサイズと高分子フィルムサイズは同じでもよく、保護フィルムの方が小さくてもよい。また、ある辺では保護フィルムサイズと高分子フィルムサイズが同じで、ある辺では保護フィルムサイズが高分子フィルムサイズより小さい場合もあり得る。素子構成によっては、ある辺では保護フィルムサイズが高分子フィルムサイズより大きいこともあり得る。 As shown in FIG. 28, at the left end portion and the right end portion of the laminated body 110, the end faces of the inorganic substrate 112 and the polymer film 114 are flush with each other. Further, in the upper end portion and the lower end portion of the laminated body 110, there is a portion on the inorganic substrate 112 in which the polymer film 114 does not exist. That is, in the laminated body 110, the size of the polymer film 114 is smaller than that of the inorganic substrate 112 in a plan view. In the present embodiment, the case where the laminated body 110 shown in FIGS. 27 and 28 is used will be described, but the laminated body that can be used in the present invention is not limited to the laminated body 110, and at least a part of the laminated body 110 on the inorganic substrate. The polymer film may be laminated on the entire surface of the inorganic substrate, and the polymer film may be laminated on the entire surface of the inorganic substrate. Further, a protective film may be further provided on the polymer film. The protective film size and the polymer film size may be the same, and the protective film may be smaller. Further, the protective film size and the polymer film size may be the same on one side, and the protective film size may be smaller than the polymer film size on one side. Depending on the device configuration, the protective film size may be larger than the polymer film size in some areas.
　積層体１１０を得る方法としては、上記にて説明した積層体１０を得る方法と同様の方法を採用することができる。 As a method for obtaining the laminated body 110, the same method as the method for obtaining the laminated body 10 described above can be adopted.
　無機基板１１２としては、上記にて説明した無機基板１２と同様のものを用いることができる。 As the inorganic substrate 112, the same one as the inorganic substrate 12 described above can be used.
　高分子フィルム１１４としては、上記にて説明した高分子フィルム１４と同様のものを用いることができる。 As the polymer film 114, the same polymer film 14 as described above can be used.
　＜工程Ｗ＞
　図２９は、極微小剥離部分を形成した後の積層体を示す模式断面図であり、図３０は、その平面図である。工程Ａの後、必要に応じて、積層体１１０の端部において、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域に極微小剥離部分１１５を形成する（工程Ｗ）。この工程Ｗは、次に説明する工程Ｂの前に必要に応じて行ってもよい工程である。積層体においては、特に極微小剥離部分を形成する工程を実施しなくても、極微小剥離部分が存在する場合がある。つまり、工程Ａの時点で極微小剥離部分が存在する場合がある。この場合、この工程Ｗを行う必要はない。例えば、大面積な高分子フィルムと無機基板との積層物を分割して積層体とする場合、通常、分割の過程で極微小剥離部分が形成される。ここで、極微小剥離部分とは、積層体の端面からの距離（図３０における極微小剥離部分１１５の横幅）が３ｍｍ未満の剥離部分をいう。前記極微小剥離部分は、積層体の端面からの距離が１ｍｍ以下であり、且つ、端部幅方向の長さ（図３０における極微小剥離部分１１５の縦幅）が５ｍｍ以下であることが好ましく、積層体の端面からの距離が３ｍｍ以下であり、且つ、端部幅方向の長さが１０ｍｍ以下であることがより好ましい。
　また、積層体の端面からの距離が０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、且つ、端部幅方向全面に剥離部分がある場合、工程Ｗを行わなくてもよい。 <Process W>
FIG. 29 is a schematic cross-sectional view showing a laminated body after forming a micro-peeled portion, and FIG. 30 is a plan view thereof. After step A, if necessary, a micro-peelable portion 115 is formed at the end of the laminated body 110 in a region including a boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 (step W). This step W is a step that may be performed as needed before the step B described below. In the laminated body, there may be a very small peeled portion even if the step of forming the very small peeled portion is not carried out. That is, there may be a very small peeled portion at the time of step A. In this case, it is not necessary to perform this step W. For example, when a laminate of a large-area polymer film and an inorganic substrate is divided into a laminate, a very small peeled portion is usually formed in the process of division. Here, the micro peeled portion means a peeled portion in which the distance from the end face of the laminated body (the width of the micro peeled portion 115 in FIG. 30) is less than 3 mm. It is preferable that the distance from the end face of the laminated body of the micro-peeled portion is 1 mm or less, and the length in the end width direction (vertical width of the micro-peeled portion 115 in FIG. 30) is 5 mm or less. It is more preferable that the distance from the end face of the laminated body is 3 mm or less and the length in the end width direction is 10 mm or less.
Further, when the distance from the end face of the laminated body is 0.5 mm or more and 3 mm or less and there is a peeled portion on the entire surface in the width direction of the end portion, the step W may not be performed.
　一方、積層体１１０の端部において、全く剥離領域がない場合（極微小剥離部分が存在しない場合）、前記工程Ｗを行うことが好ましい。前記工程Ｗを行うと、次に説明する工程Ｂにおいて、剥離領域を容易に形成することが可能となる。 On the other hand, when there is no peeling region at the end of the laminated body 110 (when there is no micro peeling portion), it is preferable to perform the step W. When the step W is performed, the peeling region can be easily formed in the step B described below.
　極微小剥離部分１１５を形成する方法としては、特に制限されないが、積層体１１０の端部をピンセットや回転ブラシ等で軽く触れる方法や、軽くふれた後にピンセット等をわずかに上下に移動させる方法、高分子製のナイフを無機基板と高分子フィルムの間に挿入する方法、無機基板としてガラスを用いる場合、無機基板側（ガラス側）から、ガラスは透過するが高分子フィルムは吸収する波長のレーザーを照射する方法、無機基板を割断して、剥離するときに高分子フィルムを意図的にやや剥離する方法等が挙げられる。前記工程Ｗは、わずかな剥離部分を形成するだけの工程であるため、通常、端部に軽く触れるだけで気泡が高分子フィルムと無機基板との境界に発生し、これが、極微小剥離部分１１５となる。
　微小剥離部分１５は、端部幅方向に複数個所、または辺全面にあってもよい。 The method for forming the micro-peelable portion 115 is not particularly limited, but a method of lightly touching the end portion of the laminate 110 with tweezers, a rotating brush, or the like, or a method of slightly moving the tweezers or the like up and down after lightly touching the laminate 110. A method of inserting a polymer knife between an inorganic substrate and a polymer film. When glass is used as an inorganic substrate, a laser with a wavelength that allows glass to pass through but the polymer film absorbs from the inorganic substrate side (glass side). Examples thereof include a method of irradiating the polymer film, a method of cutting the inorganic substrate, and a method of intentionally peeling off the polymer film when peeling off. Since the step W is a step of forming only a slight peeling portion, bubbles are usually generated at the boundary between the polymer film and the inorganic substrate simply by lightly touching the end portion, and this is the micro peeling portion 115. It becomes.
The micro peeled portions 15 may be provided at a plurality of locations in the end width direction or on the entire side surface.
　＜工程Ｂ＞
　次に、積層体１１０の端部において、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域１１８を形成する（工程Ｂ）。この工程Ｂでは、前記工程Ｗを行った場合には、極微小剥離部分１１５を含む領域に気体を吹き付けて、端部に剥離領域１１８を形成する。 <Process B>
Next, at the end of the laminated body 110, a gas is blown to a region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 to form a peeling region 118 at the end (step B). In this step B, when the step W is performed, a gas is blown to the region including the micro-peelable portion 115 to form the peel-off region 118 at the end portion.
　図３１は、第１０実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図３１に示すように、第１０実施形態に係る剥離装置１２０は、ノズル１２２（以下、エアーブローノズル１２２ともいう）と、押さえ板１２４とを備える。 FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 31, the peeling device 120 according to the tenth embodiment includes a nozzle 122 (hereinafter, also referred to as an air blow nozzle 122) and a holding plate 124.
　エアーブローノズル１２２は、積層体１１０の端部の高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域（極微小剥離部分１１５を形成した場合には、極微小剥離部分１１５を含む領域）に気体を吹き付けることが可能となるように配置されている。前記気体としては、特に限定されず、例えば、空気、窒素ガス、アルゴンガス、炭酸ガスなどの不活性ガス等を挙げることができる。高分子フィルムが湿度を吸収することを防ぐためには、前記気体は乾燥状態であることが望ましい。ただし、帯電を防ぐことを優先する場合、湿度を含んだ気体であることが望ましい。湿度を含んだ気体とする場合、当該気体の湿度は、５０％ＲＨ以上８０％ＲＨ以下程度が好ましい。
　前記気体を吹き付ける際の前記気体の流速としては、１００ｍ／ｓ以上であることが好ましく、２００ｍ／ｓ以上であることがより好ましく、３００ｍ／ｓ以上であることがさらに好ましい。前記流速の上限は特に制限されないが、超音速領域における衝撃波振動の影響から、例えば、５００ｍ／ｓ以下、好ましくは３４３ｍ／ｓ以下等とすることができる。積層体１１０における高分子フィルム１１４と無機基板１１２との間の９０°剥離強度は、一般的に、０．０５Ｎ／ｃｍ以上３Ｎ／ｃｍ以下の範囲内であり、より好ましくは、０．０８Ｎ／ｃｍ以上２Ｎ／ｃｍ以下である。さらに好ましくは０．１Ｎ／ｃｍ以上０．８Ｎ／ｃｍ以下である。そこで、前記気体を吹き付ける際の前記流速を前記数値範囲内とすれば、前記剥離強度で貼り合わされている高分子フィルム１１４と無機基板１１２との間に好適に剥離領域１１８を形成することができる。
なお、前記９０°剥離強度の測定条件は、下記の通りである。
　無機基板に対して高分子フィルムを９０°の角度で引き剥がす。
　５回測定を行い、平均値を測定値とする。
測定温度　　　　；　室温（２５℃）
剥離速度　　　　；　１００ｍｍ／ｍｉｎ 
雰囲気　　　　　；　大気
測定サンプル幅　；　１ｃｍ The air blow nozzle 122 is provided in a region including a boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 at the end of the laminated body 110 (in the case where the micro-peelable portion 115 is formed, the region including the micro-peelable portion 115). It is arranged so that it can be blown with gas. The gas is not particularly limited, and examples thereof include an inert gas such as air, nitrogen gas, argon gas, and carbon dioxide gas. In order to prevent the polymer film from absorbing humidity, it is desirable that the gas is in a dry state. However, when giving priority to preventing charging, it is desirable that the gas contains humidity. When the gas contains humidity, the humidity of the gas is preferably about 50% RH or more and 80% RH or less.
The flow velocity of the gas when the gas is sprayed is preferably 100 m / s or more, more preferably 200 m / s or more, and further preferably 300 m / s or more. The upper limit of the flow velocity is not particularly limited, but may be, for example, 500 m / s or less, preferably 343 m / s or less, due to the influence of shock wave vibration in the supersonic region. The 90 ° peel strength between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 in the laminate 110 is generally in the range of 0.05 N / cm or more and 3 N / cm or less, and more preferably 0.08 N / cm. It is cm or more and 2 N / cm or less. More preferably, it is 0.1 N / cm or more and 0.8 N / cm or less. Therefore, if the flow velocity at the time of blowing the gas is within the numerical range, the peeling region 118 can be suitably formed between the polymer film 114 bonded by the peeling strength and the inorganic substrate 112. ..
The measurement conditions for the 90 ° peel strength are as follows.
Peel off the polymer film at an angle of 90 ° to the inorganic substrate.
The measurement is performed 5 times, and the average value is used as the measured value.
Measurement temperature; room temperature (25 ° C)
Peeling speed; 100 mm / min
Atmosphere; Atmosphere measurement sample width; 1 cm
　押さえ板１２４は、断面が矩形である棒状であり、高分子フィルム１１４の上面を押さえることが可能であり、エアーブローノズル１２２により形成される剥離領域１１８の大きさを規制することができる。押さえ板１２４で高分子フィルム１１４の上面を押さえることにより、押さえ板１２４よりも内側方向に剥離領域１１８が広がらないようにすることができる。ここで、剥離領域とは、積層体の端面からの距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲で剥離された領域をいう。抑え板１２４，１２６，１２７の材質は特に限定しないが、金属あるいは金属の外側に高分子皮膜で覆ったもの、あるいは高分子でできておりガラスに傷をつける懸念が少ない材質であればよい。 The pressing plate 124 has a rod shape having a rectangular cross section, can press the upper surface of the polymer film 114, and can regulate the size of the peeling region 118 formed by the air blow nozzle 122. By pressing the upper surface of the polymer film 114 with the pressing plate 124, it is possible to prevent the peeling region 118 from expanding inward from the pressing plate 124. Here, the peeled region means a region where the distance from the end face of the laminated body is 3 mm or more and 20 mm or less. The material of the holding plates 124, 126, 127 is not particularly limited, but any material may be used as long as it is made of metal or the outside of the metal covered with a polymer film, or is made of a polymer and is less likely to damage the glass.
　高分子フィルム１１４上に回路パターンが形成されている場合や機能素子が形成されている場合、回路パターンは極力折り曲げられないことが好ましい。また、機能素子が形成されている箇所において、高分子フィルム１１４は極力折り曲げられないことが好ましい。つまり、回路パターンや機能素子が形成されていない範囲で剥離領域が形成されることが好ましい。回路パターンや機能素子は、通常、高分子フィルム１１４の中央に形成され、外周を含むようには形成されない。そこで、前記剥離領域を前記数値範囲内において形成すれば、回路パターンや機能素子が形成されていない範囲で剥離領域を形成することができる。 When the circuit pattern is formed on the polymer film 114 or the functional element is formed, it is preferable that the circuit pattern is not bent as much as possible. Further, it is preferable that the polymer film 114 is not bent as much as possible at the place where the functional element is formed. That is, it is preferable that the peeling region is formed in the range where the circuit pattern and the functional element are not formed. The circuit pattern or functional element is usually formed in the center of the polymer film 114 and is not formed so as to include the outer periphery. Therefore, if the peeling region is formed within the numerical range, the peeling region can be formed in a range in which the circuit pattern or the functional element is not formed.
　工程Ｂにおいて、剥離装置１２０は、押さえ板１２４により高分子フィルム１１４の上面を押さえた状態で、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域にエアーブローノズル１２２により気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域１１８を形成する。なお、エアーブローノズル１２２、及び、押さえ板１２４は、本発明の剥離領域形成手段に相当する。 In step B, the peeling device 120 blows gas from the air blow nozzle 122 onto the region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 while the upper surface of the polymer film 114 is pressed by the pressing plate 124. A peeling region 118 is formed at the end portion. The air blow nozzle 122 and the pressing plate 124 correspond to the peeling region forming means of the present invention.
　図３２は、第１０実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。図３２に示すように、剥離装置１２１は、上記で説明した剥離装置１２０に対して押さえ板の形状が異なる。 FIG. 32 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 32, the peeling device 121 has a different shape of the holding plate from the peeling device 120 described above.
　剥離装置１２１は、エアーブローノズル１２２と、押さえ板１２６とを備える。 The peeling device 121 includes an air blow nozzle 122 and a holding plate 126.
　押さえ板１２６は、棒状であり、且つ、エアーブローノズル１２２に対向する側の面（図３２に示した断面の右側）が一定の曲率を有している。 The holding plate 126 is rod-shaped, and the surface on the side facing the air blow nozzle 122 (the right side of the cross section shown in FIG. 32) has a constant curvature.
　剥離装置１２１では、工程Ｂにおいて、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域にエアーブローノズル１２２により気体を吹き付けた際、めくれ上がった高分子フィルム１１４が押さえ板１２６の前記面に沿うように押しつけられる。これにより、高分子フィルム１１４が一定曲率以上に曲がらないようにすることができる。前記曲率としては、一例として、曲率半径３ｍｍ～５００ｍｍの範囲が挙げられる。高分子フィルム１１４上に回路パターンが形成されている場合、回路パターンは極力折り曲げられないことが好ましいことから、曲率半径１０ｍｍ以上であることが好ましい。 In the peeling device 121, when the gas was blown by the air blow nozzle 122 to the region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 in the step B, the polymer film 114 turned up was applied to the surface of the pressing plate 126. It is pressed along. This makes it possible to prevent the polymer film 114 from bending beyond a certain curvature. As an example of the curvature, a range of a radius of curvature of 3 mm to 500 mm can be mentioned. When the circuit pattern is formed on the polymer film 114, it is preferable that the circuit pattern is not bent as much as possible, so that the radius of curvature is preferably 10 mm or more.
　図３３は、第１０実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。図３３に示すように、剥離装置１２３は、上記で説明した剥離装置１２１に対して、サポート板１２８を追加した構成である。サポート板としては、ガラス、金属、セラミック、高分子、あるいはこれら複合材料のいずれも使用できる。無機基板に傷をつけにくく、無機基板の変形に追従しやすい、高分子あるいは、繊維強化プラスチックが好ましい。 FIG. 33 is a schematic cross-sectional view of another modification of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 33, the peeling device 123 has a configuration in which a support plate 128 is added to the peeling device 121 described above. As the support plate, glass, metal, ceramic, polymer, or any of these composite materials can be used. Polymers or fiber-reinforced plastics that do not easily damage the inorganic substrate and easily follow the deformation of the inorganic substrate are preferable.
　剥離装置１２３では、工程Ｂにおいて、サポート板１２８が無機基板１１２の隣に配置される。具体的に、サポート板１２８は、その上面が無機基板１１２の上面と面一となるように、無機基板１１２の隣に配置される。また、エアーブローノズル１２２をサポート板１２８に沿わせるように配置する。これにより、エアーブローノズル１２２からの気体を、高分子フィルムと無機基板との境界を含む領域に確実に吹き付けることができる。なお、エアーブローノズル１２２からの気体がサポート板１２８に沿って、高分子フィルムと無機基板との境界を含む領域に確実に吹き付けることができる場合、サポート板１２８に対するエアーブローノズル１２２の配置、及び、吹き出し角度は特に限定されない。 In the peeling device 123, the support plate 128 is arranged next to the inorganic substrate 112 in the step B. Specifically, the support plate 128 is arranged next to the inorganic substrate 112 so that its upper surface is flush with the upper surface of the inorganic substrate 112. Further, the air blow nozzle 122 is arranged so as to be along the support plate 128. As a result, the gas from the air blow nozzle 122 can be reliably blown to the region including the boundary between the polymer film and the inorganic substrate. When the gas from the air blow nozzle 122 can be reliably sprayed along the support plate 128 to the region including the boundary between the polymer film and the inorganic substrate, the arrangement of the air blow nozzle 122 with respect to the support plate 128 and the arrangement of the air blow nozzle 122 with respect to the support plate 128. , The blowing angle is not particularly limited.
　図３４、図３５は、第１０実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。図３４に示すように、剥離装置１３０は、上記で説明した剥離装置１２０に対して、サポート板１２８を追加した構成であり、且つ、粘着テープ１３２を貼り付ける工程が追加された構成である。 34 and 35 are schematic cross-sectional views of another modification of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 34, the peeling device 130 has a configuration in which a support plate 128 is added to the peeling device 120 described above, and a step of attaching the adhesive tape 132 is added.
　剥離装置１３０では、図３４に示すように、工程Ｂを実施する直前に、高分子フィルム１１４の上面に、高分子フィルム１１４からはみ出すように粘着テープ１３２を貼り付ける。粘着テープ１３２の貼り付け位置は、はみ出した箇所の下側にサポート板１２８が存在する位置にする。 In the peeling device 130, as shown in FIG. 34, immediately before the step B is performed, the adhesive tape 132 is attached to the upper surface of the polymer film 114 so as to protrude from the polymer film 114. The adhesive tape 132 is attached at a position where the support plate 128 exists under the protruding portion.
　粘着テープ１３２としては、無機基板１１２と高分子フィルム１１４との間の接着力よりも高分子フィルム１１４と粘着テープ１３２との接着力が高くなるものであれば、従来公知のものを採用することができる。粘着テープ１３２としては、ある程度の硬さを有する基材（例えば、ＰＥＴフィルム）と従来公知の粘着剤層とが積層されたものが好ましい。 As the adhesive tape 132, if the adhesive force between the polymer film 114 and the adhesive tape 132 is higher than the adhesive force between the inorganic substrate 112 and the polymer film 114, a conventionally known adhesive tape 132 is adopted. Can be done. The adhesive tape 132 is preferably a laminate of a base material having a certain degree of hardness (for example, PET film) and a conventionally known pressure-sensitive adhesive layer.
　剥離装置１３０では、図３４の状態で、エアーブローノズル１２２から気体を吹き出させる。これにより、エアーブローノズル１２２からの気体は、サポート板１２８の上面と粘着テープ１３２の下面との間の空間により確実に吹き込むことができ、図３５に示すように、その圧力により粘着テープ１３２とともに高分子フィルム１１４がめくれあがることになる。 In the peeling device 130, gas is blown out from the air blow nozzle 122 in the state of FIG. 34. As a result, the gas from the air blow nozzle 122 can be reliably blown into the space between the upper surface of the support plate 128 and the lower surface of the adhesive tape 132, and as shown in FIG. 35, the pressure causes the gas together with the adhesive tape 132. The polymer film 114 will be turned up.
　図３４、図３５を用いて説明した剥離装置１３０、及び、剥離方法では、特に、大きな力で高分子フィルム１１４を無機基板１１２からめくれあがらせることができる。従って、工程Ｂを行う直前の状態で積層体１１０に極微小剥離部分１１５が存在しない場合であっても、好適に剥離領域１１８を形成することが可能となる。 In the peeling device 130 and the peeling method described with reference to FIGS. 34 and 35, the polymer film 114 can be turned up from the inorganic substrate 112 with a particularly large force. Therefore, even when the micro-peelable portion 115 does not exist in the laminated body 110 immediately before the step B is performed, it is possible to preferably form the peel-off region 118.
　以上、第１０実施形態に係る工程Ｂについて説明した。 The process B according to the tenth embodiment has been described above.
　＜工程Ｃ＞
　次に、剥離領域１１８を起点として、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離する（工程Ｃ）。 <Process C>
Next, the polymer film 114 is peeled from the inorganic substrate 112 starting from the peeling region 118 (step C).
　高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離する方法は、特に限定されず、例えば、無機基板１１２を反らせて、高分子フィルム１１４から離れる方向に引っ張り、剥離領域１１８を起点として、剥離する方法が挙げられる。この際、エアーブローノズル１２２から気体を吹き出させて、剥離をさらに促進させてもよい。当該装置（無機基板１１２を反らせて、高分子フィルム１１４から離れる方向に引っ張り、剥離領域１１８を起点として、剥離するための装置）や、この剥離の際に気体を吹き出すエアーブローノズル１２２は、本発明の剥離手段に相当する。 The method of peeling the polymer film 114 from the inorganic substrate 112 is not particularly limited, and examples thereof include a method of bending the inorganic substrate 112, pulling the polymer film 114 in a direction away from the polymer film 114, and peeling the polymer film 114 from the peeling region 118 as a starting point. Be done. At this time, gas may be blown out from the air blow nozzle 122 to further promote the peeling. The device (a device for bending an inorganic substrate 112, pulling it away from the polymer film 114, and peeling from the peeling region 118 as a starting point) and an air blow nozzle 122 that blows gas at the time of this peeling are included in the present invention. It corresponds to the peeling means of the present invention.
　以上、第１０実施形態に係る工程Ｃについて説明した。 The process C according to the tenth embodiment has been described above.
　なお、第１０実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法は、前記工程Ａ、前記工程Ｂ、及び、前記工程Ｃを含むため、電子デバイスの製造方法でもある。 Since the polymer film peeling method according to the tenth embodiment includes the step A, the step B, and the step C, it is also a method for manufacturing an electronic device.
　また、機能素子付きの積層体を用いる場合、工程Ｃでは、高分子フィルム１１４の機能素子形成領域を平面に保ったまま、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離することが好ましい。高分子フィルム１１４の機能素子形成領域を平面に保ったまま、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離すれば、機能素子の位置する箇所において高分子フィルム１１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 Further, when a laminate with a functional element is used, in step C, it is preferable to peel off the polymer film 114 from the inorganic substrate 112 while keeping the functional element forming region of the polymer film 114 flat. By peeling the polymer film 114 from the inorganic substrate 112 while keeping the functional element forming region of the polymer film 114 flat, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film 114 at the position where the functional element is located. be able to.
　なお、第１０実施形態において、押さえ板の形状は、高分子フィルム１１４の上面を押さえることが可能であれば、上記の押さえ板１２４や押さえ板１２６のような形状に限定されない。 In the tenth embodiment, the shape of the pressing plate is not limited to the shape of the pressing plate 124 or the pressing plate 126 as long as the upper surface of the polymer film 114 can be pressed.
　［第１１実施形態］
　＜工程Ａ＞
　第１１実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法においては、まず、高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する（工程Ａ）。 [11th Embodiment]
<Process A>
In the polymer film peeling method according to the eleventh embodiment, first, a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact is prepared (step A).
　図３６は、第１１実施形態に係る剥離装置の模式断面図である。図３６には、剥離装置とともに機能素子付きの積層体も示している。図３６に示すように、機能素子付きの積層体１１１は、積層体１１０（無機基板１１２と高分子フィルム１１４とが密着した積層体）と、積層体１１０の高分子フィルム１１４上に設けられた機能素子１１６とを有する。機能素子１１６は、高分子フィルム１１４の外周に触れない態様で、高分子フィルム１１４上に形成されている。 FIG. 36 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the eleventh embodiment. FIG. 36 shows a laminate with a functional element as well as a peeling device. As shown in FIG. 36, the laminated body 111 with a functional element is provided on the laminated body 110 (a laminated body in which the inorganic substrate 112 and the polymer film 114 are in close contact with each other) and the polymer film 114 of the laminated body 110. It has a functional element 116. The functional element 116 is formed on the polymer film 114 so as not to touch the outer periphery of the polymer film 114.
　＜工程Ｗ＞
　工程Ａの後、必要に応じて、積層体１１０の端部において、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域に極微小剥離部分１１５を形成する（工程Ｗ）。工程Ｗについては、第１０実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。 <Process W>
After step A, if necessary, a micro-peelable portion 115 is formed at the end of the laminated body 110 in a region including a boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 (step W). Since the process W has been described in the tenth embodiment, the description thereof will be omitted here.
　第１１実施形態では、工程Ｂの前段階として、以下の処理を行う。 In the eleventh embodiment, the following processing is performed as a preliminary step of the step B.
　まず、機能素子付きの積層体１１１の高分子フィルム１１４側の面に保護フィルム１５２を貼り付ける。保護フィルム１５２は、機能素子１１６が設けられている箇所に対応する位置に穴があけられている。機能素子１１６は、前記穴に挿通されており、保護フィルム１５２上に突出している。 First, the protective film 152 is attached to the surface of the laminated body 111 with a functional element on the polymer film 114 side. The protective film 152 has a hole at a position corresponding to a portion where the functional element 116 is provided. The functional element 116 is inserted through the hole and projects onto the protective film 152.
　次に、機能素子１１６の形状に対応した凹部を有する多孔質体１５４を準備し、前記凹部に機能素子１１６をはめ込むように、多孔質体１５４上に機能素子付きの積層体１１１を配置する。 Next, a porous body 154 having a recess corresponding to the shape of the functional element 116 is prepared, and a laminated body 111 with a functional element is arranged on the porous body 154 so as to fit the functional element 116 in the recess.
　次に、多孔質体１５４を間に挟み込むように、機能素子付きの積層体１１１の外周と真空チャック１４２の外周とを粘着剤１５８で貼り合わせる。多孔質体の材質としては、高分子多孔質体、金属多孔質体、セラミックス多孔質体いずれも使用可能である。高分子多孔質体としては、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメタアクリル、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などが使用される。金属多孔質体としては、Ｃｕ、ＳＵＳ、チタンなどが使用される。セラミックス多孔質体としてはアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、ジルコニアなどが使用される。 Next, the outer circumference of the laminated body 111 with the functional element and the outer circumference of the vacuum chuck 142 are bonded together with the adhesive 158 so as to sandwich the porous body 154 in between. As the material of the porous body, any of a polymer porous body, a metal porous body, and a ceramic porous body can be used. As the polymer porous body, low-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-high-density polyethylene, polypropylene, polymethacrylic, polyvinyl chloride, fluororesin and the like are used. As the metal porous body, Cu, SUS, titanium and the like are used. As the ceramic porous body, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, zirconia and the like are used.
　＜工程Ｂ＞
　次に、積層体１１０の端部において、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域１１８を形成する（工程Ｂ）。 <Process B>
Next, at the end of the laminated body 110, a gas is blown to a region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 to form a peeling region 118 at the end (step B).
　図３６に示すように、第１１実施形態に係る剥離装置１４０は、エアーブローノズル１２２と、押さえ板１２６とを備える。エアーブローノズル１２２、押さえ板１２６については、第１０実施形態で説明したので、ここでの説明は省略する。 As shown in FIG. 36, the peeling device 140 according to the eleventh embodiment includes an air blow nozzle 122 and a holding plate 126. Since the air blow nozzle 122 and the holding plate 126 have been described in the tenth embodiment, the description thereof will be omitted here.
　工程Ｂにおいて、剥離装置１４０は、押さえ板１２６により高分子フィルム１１４の上面を押さえた状態で、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域にエアーブローノズル１２２により気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域１１８を形成する。なお、エアーブローノズル１２２、及び、押さえ板１２６は、本発明の剥離領域形成手段に相当する。 In step B, in the state where the upper surface of the polymer film 114 is pressed by the pressing plate 126, the peeling device 140 blows gas to the region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 by the air blow nozzle 122. A peeling region 118 is formed at the end portion. The air blow nozzle 122 and the holding plate 126 correspond to the peeling region forming means of the present invention.
　図３７は、第１１実施形態に係る剥離装置の変形例の模式断面図である。図３７に示すように、剥離装置１４４は、上記で説明した剥離装置１４０に対して押さえ板の形状が異なる。 FIG. 37 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 37, the peeling device 144 has a different shape of the holding plate from the peeling device 140 described above.
　剥離装置１４４は、エアーブローノズル１２２と、押さえ板１２７とを備える。 The peeling device 144 includes an air blow nozzle 122 and a holding plate 127.
　押さえ板１２７は、上面が平面の板状であり、高分子フィルム１１４の端部の下方に配置される。なお、押さえ板１２７は、工程Ｂの開始前（気体の吹き付け前）は、高分子フィルム１１４の上面に触れないように配置される。 The holding plate 127 has a flat plate shape on the upper surface, and is arranged below the end portion of the polymer film 114. The pressing plate 127 is arranged so as not to touch the upper surface of the polymer film 114 before the start of the step B (before spraying the gas).
　工程Ｂにおいて、剥離装置１４４は、高分子フィルム１１４と無機基板１１２との境界を含む領域にエアーブローノズル１２２により気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域１１８を形成する。高分子フィルム１１４の剥離した部分は、押さえ板１２７上にまで垂れ下がるが、押さえ板１２７により剥離領域１１８がそれ以上広がらないようにすることができる。なお、エアーブローノズル１２２、及び、押さえ板１２７は、本発明の剥離領域形成手段に相当する。 In step B, the peeling device 144 blows gas to the region including the boundary between the polymer film 114 and the inorganic substrate 112 by the air blow nozzle 122 to form the peeling region 118 at the end portion. The peeled portion of the polymer film 114 hangs down onto the pressing plate 127, but the pressing plate 127 can prevent the peeled region 118 from expanding any further. The air blow nozzle 122 and the holding plate 127 correspond to the peeling region forming means of the present invention.
　図３８、図３９は、第１１実施形態に係る剥離装置の別の変形例の模式断面図である。図３８に示すように、剥離装置１４６は、上記で説明した剥離装置１４０に対してサポート板１６８を追加した構成であり、且つ、粘着テープ１６２を貼り付ける工程が追加された構成である。また、押さえ板１２６を用いる代わりに不織布、または、スポンジ等に代表される軟質多孔質材からなる軟質押さえ板１６４を用いる点でも異なる。 38 and 39 are schematic cross-sectional views of another modification of the peeling device according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 38, the peeling device 146 has a configuration in which a support plate 168 is added to the peeling device 140 described above, and a step of attaching the adhesive tape 162 is added. It is also different in that instead of using the pressing plate 126, a soft pressing plate 164 made of a non-woven fabric or a soft porous material typified by a sponge or the like is used.
　剥離装置１４６では、図３８に示すように、工程Ｂを実施する直前に、高分子フィルム１１４の上面（図３８では下側）に、高分子フィルム１１４からはみ出すように粘着テープ１６２を貼り付ける。粘着テープ１６２を貼り付けた下方には、軟質押さえ板１６４を配置する。また、軟質押さえ板１６４の位置を固定するために軟質押さえ板１６４の下側に固定用部材１６６を配置する。 In the peeling device 146, as shown in FIG. 38, immediately before the step B is performed, the adhesive tape 162 is attached to the upper surface (lower side in FIG. 38) of the polymer film 114 so as to protrude from the polymer film 114. A soft pressing plate 164 is arranged below the adhesive tape 162 to which the adhesive tape 162 is attached. Further, in order to fix the position of the soft pressing plate 164, the fixing member 166 is arranged under the soft pressing plate 164.
　粘着テープ１６２としては、上記で説明した粘着テープ１３２と同様のものを採用できる。 As the adhesive tape 162, the same adhesive tape 132 as described above can be adopted.
　保護フィルム１５２の材質としては、特に制限されないが、例えば、基材種としてＰＥＴ、ＰＰ、ＯＰＰ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＶＣ等が挙げられ、高分子フィルム１１４側の粘着材層として、シリコーン系、ウレタン系、アクリル系、合成ゴム系等が挙げられる。保護フィルム１５２は基材、又は、粘着材層に帯電防止処理をすることが好ましい。保護フィルムの粘着強度は、９０度剥離で、０．１Ｎ／ｃｍ以下さらには０．０６Ｎ／ｃｍ以下が好ましい。しかし、剥離強度が弱すぎると、保護フィルムと高分子フィルムの間で剥離が起きる恐れがあるため０．００１Ｎ／ｃｍ以上が好ましい。 The material of the protective film 152 is not particularly limited, and examples thereof include PET, PP, OPP, PEN, PE, and PVC as base material types, and silicone-based and urethane as the pressure-sensitive adhesive layer on the polymer film 114 side. Examples include type, acrylic type, synthetic rubber type and the like. It is preferable that the protective film 152 is subjected to antistatic treatment on the base material or the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive strength of the protective film is preferably 0.1 N / cm or less, more preferably 0.06 N / cm or less after peeling at 90 degrees. However, if the peel strength is too weak, peeling may occur between the protective film and the polymer film, so 0.001 N / cm or more is preferable.
　剥離装置１４６では、工程Ｂにおいて、サポート板１６８が無機基板１１２の隣に配置される。
具体的に、サポート板１６８は、その上面（図３８では下側）が無機基板１１２の上面（図３８では下側）と面一となるように、無機基板１１２の隣に配置される。また、エアーブローノズル１２２をサポート板１２８に沿わせるように配置する。これにより、エアーブローノズル１２２からの気体を、高分子フィルムと無機基板との境界を含む領域に確実に吹き付けることができる。 In the peeling device 146, the support plate 168 is arranged next to the inorganic substrate 112 in the step B.
Specifically, the support plate 168 is arranged next to the inorganic substrate 112 so that its upper surface (lower side in FIG. 38) is flush with the upper surface (lower side in FIG. 38) of the inorganic substrate 112. Further, the air blow nozzle 122 is arranged so as to be along the support plate 128. As a result, the gas from the air blow nozzle 122 can be reliably blown to the region including the boundary between the polymer film and the inorganic substrate.
　剥離装置１４６では、図３８の状態で、エアーブローノズル１２２から気体を吹き出させる。これにより、エアーブローノズル１２２からの気体は、サポート板１６８の上面（図３８では下側）と粘着テープ１６２の下面（図３８では上側）との間の空間に吹き込むことになり、図３９に示すように、その圧力により粘着テープ１６２とともに高分子フィルム１１４がめくれあがることになる。 In the peeling device 146, gas is blown out from the air blow nozzle 122 in the state of FIG. 38. As a result, the gas from the air blow nozzle 122 is blown into the space between the upper surface of the support plate 168 (lower side in FIG. 38) and the lower surface of the adhesive tape 162 (upper side in FIG. 38). As shown, the pressure causes the polymer film 114 to be turned up together with the adhesive tape 162.
　この際、粘着テープ１６２の下方には不織布１６４（軟質押さえ板１６４）が存在するため、高分子フィルム１１４はある程度まではめくれあがるが、不織布１６４（軟質押さえ板１６４）がにより剥離領域１１８がそれ以上広がらないようにすることができる。 At this time, since the non-woven fabric 164 (soft pressing plate 164) is present below the adhesive tape 162, the polymer film 114 is turned up to some extent, but the non-woven fabric 164 (soft pressing plate 164) causes the peeled region 118 to be separated. It can be prevented from spreading more than that.
　図３８、図３９を用いて説明した剥離装置１４６、及び、剥離方法では、特に、大きな力で高分子フィルム１１４を無機基板１１２からめくれあがらせることができる。従って、工程Ｂを行う直前の状態で積層体１１０に極微小剥離部分１１５が存在しない場合であっても、好適に剥離領域１１８を形成することが可能となる。 In the peeling device 146 and the peeling method described with reference to FIGS. 38 and 39, the polymer film 114 can be turned up from the inorganic substrate 112 with a particularly large force. Therefore, even when the micro-peelable portion 115 does not exist in the laminated body 110 immediately before the step B is performed, it is possible to preferably form the peel-off region 118.
　第１１実施形態では、高分子フィルム１１４上に機能素子１１６が配置されているため、機能素子１１６が配置されている箇所では極力折り曲げられないことが好ましい。つまり、機能素子１１６が形成されていない範囲で剥離領域１１８が形成されることが好ましい。第１１実施形態では、高分子フィルム１１４の外周に触れない態様で高分子フィルム１１４上には機能素子１１６が形成されており、前記工程Ｂにて形成される剥離領域１１８は、機能素子形成領域よりも外側であるため、剥離領域１１８を形成する際に、高分子フィルム１１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。 In the eleventh embodiment, since the functional element 116 is arranged on the polymer film 114, it is preferable that the functional element 116 is not bent as much as possible at the place where the functional element 116 is arranged. That is, it is preferable that the peeling region 118 is formed in a range in which the functional element 116 is not formed. In the eleventh embodiment, the functional element 116 is formed on the polymer film 114 so as not to touch the outer periphery of the polymer film 114, and the peeling region 118 formed in the step B is a functional element forming region. Since it is on the outer side, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film 114 when the peeling region 118 is formed.
　以上、第１１実施形態に係る工程Ｂについて説明した。 The process B according to the eleventh embodiment has been described above.
　＜工程Ｃ＞
　次に、剥離領域１１８を起点として、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離する（工程Ｃ）。 <Process C>
Next, the polymer film 114 is peeled from the inorganic substrate 112 starting from the peeling region 118 (step C).
　工程Ｃについては、第１０実施形態と同様の方法を採用することができる。特に、第１１実施形態では、機能素子１１６付きの高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離するため、工程Ｃでは、高分子フィルム１１４の機能素子形成領域を平面に保ったまま、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離することが好ましい。第１１実施形態では、平面な真空チャック１４２上に機能素子１１６付きの高分子フィルム１１４を固定した状態で、無機基板１１２を反らせて（図３９では右端部を上側に反らせて）、高分子フィルム１１４から離れる方向に引っ張る。これにより、高分子フィルム１１４の機能素子形成領域を平面に保ったまま、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離することができる。その結果、機能素子１１６の位置する箇所において高分子フィルム１１４に過度の負荷が掛かることを抑制することができる。
　なお、本明細書において、「平面に保ったまま剥離する」の「平面」とは、完全な平面だけでなく、略平面の場合も含む。前記の略平面とは、ＪＩＳ　Ｂ　０６２１（１９８４）にて規定されている平面度が１０００μｍ以下であることをいい、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。また、１ｍｍ２範囲での平面からのずれ（平面度）は、１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下さらに好ましくは０．５μｍ以下である。 For step C, the same method as in the tenth embodiment can be adopted. In particular, in the eleventh embodiment, since the polymer film 114 with the functional element 116 is peeled off from the inorganic substrate 112, in step C, the polymer film 114 keeps the functional element forming region of the polymer film 114 flat. Is preferably peeled off from the inorganic substrate 112. In the eleventh embodiment, the polymer film 114 with the functional element 116 is fixed on the flat vacuum chuck 142, and the inorganic substrate 112 is warped (the right end portion is warped upward in FIG. 39) to warp the polymer film. Pull away from 114. As a result, the polymer film 114 can be peeled off from the inorganic substrate 112 while keeping the functional element forming region of the polymer film 114 flat. As a result, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the polymer film 114 at the position where the functional element 116 is located.
In the present specification, the "flat surface" of "peeling while keeping the flat surface" includes not only a perfect flat surface but also a substantially flat surface. The above-mentioned substantially flat surface means that the flatness defined by JIS B 0621 (1984) is 1000 μm or less, preferably 500 μm or less, and more preferably 100 μm or less. Further, the deviation from the plane (flatness) in the range of 1 mm 2 is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less, and further preferably 0.5 μm or less.
　以上、第１１実施形態に係る工程Ｃについて説明した。 The process C according to the eleventh embodiment has been described above.
　なお、第１１実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法は、前記工程Ａ、前記工程Ｂ、及び、前記工程Ｃを含むため、電子デバイスの製造方法でもある。 Since the polymer film peeling method according to the eleventh embodiment includes the step A, the step B, and the step C, it is also a method for manufacturing an electronic device.
　第１０実施形態、及び、第１１実施形態に係る高分子フィルムの剥離方法、電子デバイスの製造方法、及び、剥離装置によれば、高分子フィルム１１４を機械的に把持することなく、高分子フィルム１１４を無機基板１１２から剥離することができる。その結果、高分子フィルム、高分子フィルム表面に形成した回路やデバイス、及び、高分子フィルムに実装した素子の品位を傷つけることなく、容易に高分子フィルムを無機基板から剥離することが可能である。 According to the method for peeling the polymer film, the method for manufacturing an electronic device, and the peeling device according to the tenth embodiment and the eleventh embodiment, the polymer film 114 is not mechanically gripped. The 114 can be peeled off from the inorganic substrate 112. As a result, the polymer film can be easily peeled off from the inorganic substrate without damaging the quality of the polymer film, the circuits and devices formed on the surface of the polymer film, and the elements mounted on the polymer film. ..
　上述の実施形態では、積層体１１０の剥離領域１１８を形成する対象である端部（図２８では右端部）において、無機基板１１２と高分子フィルム１１４との端面が面一となっている場合について説明した。しかしながら、本発明で使用できる積層体は、この例に限定されず、剥離領域を形成する対象である端部において、無機基板と高分子フィルムとの端面が面一となっていなくてもよい。 In the above-described embodiment, the case where the end faces of the inorganic substrate 112 and the polymer film 114 are flush with each other at the end portion (right end portion in FIG. 28) to form the peeling region 118 of the laminated body 110. explained. However, the laminate that can be used in the present invention is not limited to this example, and the end faces of the inorganic substrate and the polymer film may not be flush with each other at the end portion of the object for forming the peeling region.
　図４０は、積層体の他の例を示す模式断面図であり、図４１は、その平面図である。図４０、図４１に示すように、積層体１７０は、無機基板１１２と高分子フィルム１７４とを備える。無機基板１１２と高分子フィルム１７４とは密着している。 FIG. 40 is a schematic cross-sectional view showing another example of the laminated body, and FIG. 41 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 40 and 41, the laminate 170 includes an inorganic substrate 112 and a polymer film 174. The inorganic substrate 112 and the polymer film 174 are in close contact with each other.
　積層体１７０の上端部、下端部、右端部には、無機基板１１２上に高分子フィルム１７４が存在しない部分がある。すなわち、積層体１７０は、剥離領域を形成する対象である端部（図４１では右端部）において、無機基板１１２上に高分子フィルム１７４が形成されていない。 At the upper end, lower end, and right end of the laminated body 170, there is a portion on the inorganic substrate 112 in which the polymer film 174 does not exist. That is, in the laminated body 170, the polymer film 174 is not formed on the inorganic substrate 112 at the end portion (right end portion in FIG. 41) which is the target for forming the peeling region.
　積層体１７０においては、無機基板１１２のうち、高分子フィルム１７４が上面に形成されていない部分７６が、上記で説明したサポート板（サポート板１２８やサポート板１６８）の機能を兼ね備えることができる。つまり、工程Ｂにおいて、エアーブローノズル１２２を配置する際に、この部分７６に沿わせるように配置することかできる。この場合、サポート板を不要とすることができる。 In the laminated body 170, the portion 76 of the inorganic substrate 112 in which the polymer film 174 is not formed on the upper surface can also have the functions of the support plates (support plate 128 and support plate 168) described above. That is, in step B, when arranging the air blow nozzle 122, it can be arranged so as to follow this portion 76. In this case, the support plate can be eliminated.
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and the design can be appropriately changed within a range that satisfies the configuration of the present invention.
　１０　積層体
　１１　機能素子付きの積層体
　１２　無機基板
　１２ａ　無機基板の非密着面
　１４　高分子フィルム
　１４ａ　非密着面
　１６　機能素子
　１８　剥離部分
　２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、４０、５０　剥離装置
　３０　真空チャンバー
　３１　隔壁
　３２　ローラー
　３３　サポートパーツ
　３４　真空チャック
　３５　基板接触子
　３６　ダミーフィルム
　３７　無機基板用の真空チャック
　３８　メッシュ状シート
　３９　概略平板（上壁）
　４２　ダイヤフラム
　４５　エアーブローノズル
　５２　多孔質柔軟体
　５４　圧力導入口
　６２　スペーサー
　６３　Ｏリング
　６４　埋め込み用部材
　６５　埋め込み用真空チャック
　６６　柔軟支持材
　１１０、１７０　積層体
　１１１　機能素子付きの積層体
　１１２　無機基板
　１１４、１７４　高分子フィルム
　１１５　極微小剥離部分
　１１６　機能素子
　１１８　剥離領域
　１２０、１２１、１２３、１３０、１４０、１４４、１４６　剥離装置
　１２２　ノズル
　１２４、１２６、１２７　押さえ板
　１２８　サポート板
　１３２　粘着テープ
　１４２　真空チャック
　１５２　保護フィルム
　１５４　多孔質体
　１５８　粘着剤
　１６２　粘着テープ
　１６４　軟質押さえ板
　１６６　固定用部材
　１６８　サポート板 10 Laminated body 11 Laminated body with functional element 12 Inorganic substrate 12a Non-adhesive surface of inorganic substrate 14 Polymer film 14a Non-adhesive surface 16 Functional element 18 Peeled part 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 40, 50 Peeling device 30 Vacuum chamber 31 Partition 32 Roller 33 Support parts 34 Vacuum chuck 35 Substrate contact 36 Dummy film 37 Vacuum chuck for inorganic substrate 38 Mesh sheet 39 Approximate flat plate (upper wall)
42 Diaphragm 45 Air blow nozzle 52 Porous flexible body 54 Pressure inlet 62 Spacer 63 O-ring 64 Embedding member 65 Vacuum chuck for embedding 66 Flexible support member 110, 170 Laminated body 111 Laminated body with functional element 112 Inorganic substrate 114, 174 Polymer film 115 Ultra-fine peeling part 116 Functional element 118 Peeling area 120, 121, 123, 130, 140, 144, 146 Peeling device 122 Nozzle 124, 126, 127 Pressing plate 128 Support plate 132 Adhesive tape 142 Vacuum chuck 152 Protection Film 154 Porous body 158 Adhesive 162 Adhesive tape 164 Soft holding plate 166 Fixing member 168 Support plate

Claims (23)

  1. 　回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する工程Ａと、
    　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する工程Ｂと、
    　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程Ｃと
    　を含むことを特徴とする高分子フィルムの剥離方法。     Step A of preparing a laminate in which a polymer film on which a circuit pattern and / or a functional element is formed and an inorganic substrate are in close contact with each other, and
    Step B of forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
    A method for peeling a polymer film, which comprises a step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by warping in a direction away from the polymer film. ..
  2. 　前記工程Ｃは、
    　　前記工程Ｂの後、前記無機基板の前記高分子フィルムと密着していない非密着面と、前記剥離部分との間に静圧差を設けるとともに、前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程であることを特徴とする請求項１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    After the step B, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeled portion, and the inorganic substrate is opposed to the polymer film in a direction away from the polymer film. The method for peeling a polymer film according to claim 1, wherein the step is a step of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat.
  3. 　前記工程Ｃは、
    　　前記無機基板の前記非密着面側にローラーまたは基板接触子を配置し、前記ローラーまたは基板接触子により、前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｄ－１と、
    　　前記非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分を大気圧とすることにより、前記静圧差を設ける工程Ｄ－２と、
    　　前記工程Ｄ－１及び前記工程Ｄ－２の後、前記ローラーまたは基板接触子を前記無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーまたは基板接触子の移動に応じて前記剥離を進行させる工程Ｄ－３とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    Step D-1 in which a roller or a substrate contactor is arranged on the non-contact surface side of the inorganic substrate and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by the roller or the substrate contactor.
    Step D-2 in which the static pressure difference is provided by setting the non-contact surface side to less than atmospheric pressure and setting the peeled portion to atmospheric pressure.
    After the step D-1 and the step D-2, the roller or the substrate contactor is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling is performed in response to the movement of the roller or the substrate contactor. The method for peeling a polymer film according to claim 1 or 2, wherein the step D-3 is included.
  4. 　前記工程Ｃは、
    　　前記無機基板の非密着面側と、前記剥離部分の圧力差を大気圧力よりも高い圧力とすることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    The method for peeling a polymer film according to any one of claims 1 to 3, wherein the pressure difference between the non-adhesive surface side of the inorganic substrate and the peeled portion is set to a pressure higher than the atmospheric pressure.
  5. 　前記工程Ｃは、
    　　前記高分子フィルムの前記非密着面側に埋め込み用部材またはスペーサーを配置し、前記埋め込み用部材またはスペーサーに前記機能素子を埋め込みつつ、多孔質柔軟体により前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｅ－１と、前記無機基板の非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分を大気圧とすることにより、前記静圧差を設ける工程Ｅ－２とを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    An embedding member or spacer is arranged on the non-adhesive surface side of the polymer film, and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by a porous flexible body while embedding the functional element in the embedding member or spacer. It is characterized by including a step E-1 and a step E-2 in which the static pressure difference is provided by setting the non-adhesive surface side of the inorganic substrate to less than atmospheric pressure and setting the peeled portion to atmospheric pressure. The method for peeling a polymer film according to any one of claims 1 to 4.
  6. 　前記工程Ｃは、
    　　前記工程Ｂの後、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記剥離部分に動圧を加えることにより、前記無機基板から剥離する工程であることを特徴とする請求項１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    The polymer according to claim 1, wherein after the step B, the polymer is peeled from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeled portion while keeping the polymer film substantially flat. How to peel off the film.
  7. 　前記工程Ｃは、
    　　前記無機基板を高分子フィルムと密着していない非密着面側に変位させる工程Ｆ－１と
    　　前記無機基板の前記非密着面側を大気圧未満とする一方、前記剥離部分に気体の流れを与えることにより、前記動圧を加える工程Ｆ－２と
    を含むことを特徴とする請求項１又は６に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    Step F-1 to displace the inorganic substrate to the non-adhesive surface side that is not in close contact with the polymer film, and the non-adhesive surface side of the inorganic substrate is set to less than atmospheric pressure, while a gas flow is given to the peeled portion. The method for peeling a polymer film according to claim 1 or 6, further comprising the step F-2 of applying the dynamic pressure.
  8. 　前記工程Ｃは、
    　　前記無機基板の前記非密着面側にローラーまたは基板接触子を配置し、前記ローラーまたは基板接触子により、前記無機基板を前記剥離部分方向に押圧する工程Ｇ－１と、
    　　前記剥離部分に流体の流れを与えることにより、前記動圧を加える工程Ｇ－２と、
    　　前記工程Ｇ－１及び前記工程Ｇ－２の後、前記ローラーまたは基板接触子を前記無機基板の前記非密着面に対して平行に移動させ、前記ローラーまたは基板接触子の移動に応じて前記剥離を進行させる工程Ｇ－３とを含むことを特徴とする請求項１、６または７に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    Step G-1 in which a roller or a substrate contactor is arranged on the non-contact surface side of the inorganic substrate and the inorganic substrate is pressed toward the peeled portion by the roller or the substrate contactor.
    Step G-2 in which the dynamic pressure is applied by applying a fluid flow to the peeled portion,
    After the step G-1 and the step G-2, the roller or the substrate contactor is moved in parallel with the non-adhesive surface of the inorganic substrate, and the peeling is performed in response to the movement of the roller or the substrate contactor. The method for peeling a polymer film according to claim 1, 6 or 7, wherein the step G-3 is included.
  9. 　前記変位が、湾曲であり、前記湾曲の最小曲率半径が３５０ｍｍ以上であること特徴とする請求項７または８に記載の高分子フィルムの剥離方法。 The method for peeling a polymer film according to claim 7 or 8, wherein the displacement is a curve, and the minimum radius of curvature of the curve is 350 mm or more.
  10. 　前記工程Ｃは、
    　　前記工程Ｂの後、前記積層体の前記高分子フィルム面が真空吸着プレートに接するように前記積層体を設置して固定し、前記積層体の側面には隔壁が設けられ、次いで前記剥離部分にノズルにより気体を注入し、圧力を加えることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま剥離する工程であることを特徴とする請求項１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    After the step B, the laminate is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminate is in contact with the vacuum suction plate, a partition wall is provided on the side surface of the laminate, and then the peeled portion is covered. The method for peeling a polymer film according to claim 1, wherein the step is a step of injecting a gas through a nozzle and applying pressure to peel the polymer film while keeping the polymer film substantially flat.
  11. 　前記工程Ｃは、
    　　前記無機基板側に前記無機基板と平行で接触しない概略平板を置く工程Ｈ－１と
    　　前記無機基板の高分子フィルムとの非密着面側を大気圧または低圧力とする一方、前記剥離部分に気体を注入することにより、前記剥離部分に圧力を加える工程Ｈ－２と
    を含むことを特徴とする請求項１または１０に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    The step H-1 in which a substantially flat plate that is parallel to the inorganic substrate and does not come into contact with the inorganic substrate is placed on the inorganic substrate side, and the non-adhesive surface side of the inorganic substrate with the polymer film is set to atmospheric pressure or low pressure, while gas is applied to the peeled portion. The method for peeling a polymer film according to claim 1 or 10, further comprising the step H-2 of applying pressure to the peeled portion by injecting.
  12. 　前記工程Ｃは、
    　　高分子フィルムを真空吸着する工程Ｊ－１と、
    　　前記ノズル部も囲うよう壁を設け前記積層体へ注入する気体を前記剥離部分から逃さない閉じ込めた空間の中におくことにする工程Ｊ－２と、
    　　前記工程Ｊ－１及び前記工程Ｊ－２の後、ノズルより圧力を印加して、気体を注入する工程Ｊ－３とを含むことを特徴とする請求項１、１０、または１１に記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    Step J-1 to vacuum-adsorb the polymer film and
    Step J-2, in which a wall is provided so as to surround the nozzle portion and the gas to be injected into the laminate is placed in a confined space that does not escape from the peeled portion.
    The high molecular weight according to claim 1, 10, or 11, further comprising a step J-3 of injecting a gas by applying a pressure from a nozzle after the step J-1 and the step J-2. Method of peeling off the molecular film.
  13. 　前記工程Ｂは、
    　　前記積層体の前記端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に剥離領域を形成する工程であることを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step B is
    A first aspect of the present invention, wherein the step is a step of spraying a gas on a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate at the end portion of the laminate to form a peeling region at the end portion. 12. The method for peeling a polymer film according to any one of 12.
  14. 　前記回路パターン及び／又は前記機能素子は、前記高分子フィルムの外周に触れない態様で、形成されていることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。 The method for peeling a polymer film according to any one of claims 1 to 13, wherein the circuit pattern and / or the functional element is formed so as not to touch the outer periphery of the polymer film.
  15. 　前記工程Ｂにて形成される前記剥離領域は、前記回路パターン及び／又は前記機能素子形成領域よりも外側であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の高分子フィルムの剥離方法。 The method for peeling a polymer film according to claim 13, wherein the peeling region formed in the step B is outside the circuit pattern and / or the functional element forming region.
  16. 　前記工程Ｃは、
    　　前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は前記機能素子形成領域を平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程であることを特徴とする請求項１３～１５のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。     The step C is
    The polymer film according to any one of claims 13 to 15, wherein the step is a step of peeling from the inorganic substrate while keeping the circuit pattern and / or the functional element forming region of the polymer film on a flat surface. Peeling method.
  17. 　前記工程Ｂの前に、前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との境界を含む領域に極微小剥離部分を形成する工程Ｗを含み、
    　前記工程Ｂは、前記工程Ｗの後、前記極微小剥離部分を含む領域に気体を吹き付けて、前記端部に前記剥離領域を形成する工程であることを特徴とする請求項１３～１６のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。     Prior to the step B, a step W of forming a micro-peelable portion at the end of the laminated body in a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate is included.
    13. The method for peeling off the polymer film described in the above.
  18. 　前記工程Ｃよりも前に、前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は前記機能素子が設けられていない面上に、前記回路パターン及び／又は前記機能素子の厚さと同程度の厚さを有するスペーサーを設ける工程Ｘを含むことを特徴とする請求項１～１７のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。 Prior to the step C, the polymer film has the same thickness as the circuit pattern and / or the functional element on the surface on which the circuit pattern and / or the functional element is not provided. The method for peeling a polymer film according to any one of claims 1 to 17, further comprising a step X of providing a spacer.
  19. 　前記工程Ｃよりも前に、前記高分子フィルムの前記非密着面側に、埋め込み用部材、スペーサー、及び埋め込み用真空チャックからなる群より選択された１以上を配置し、前記埋め込み用部材、スペーサー、及び埋め込み用真空チャックからなる群より選択された１以上に前記回路パターン及び／又は機能素子を埋め込むみつつ、剥離工程Ｙを行うことを特徴とする請求項１～１８のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。 Prior to the step C, one or more selected from the group consisting of an embedding member, a spacer, and an embedding vacuum chuck are arranged on the non-adhesive surface side of the polymer film, and the embedding member and the spacer are arranged. The method according to any one of claims 1 to 18, wherein the peeling step Y is performed while embedding the circuit pattern and / or the functional element in one or more selected from the group consisting of the vacuum chuck for embedding. Method of peeling polymer film.
  20. 　前記工程Ｃよりも前に、前記積層体の前記高分子フィルムの前記回路パターン及び／又は機能素子を保護するために粘着性の保護フィルムをつける工程Ｚを含むことを特徴とする請求項１～１９のいずれかに記載の高分子フィルムの剥離方法。 The first aspect of the present invention comprises a step Z of attaching an adhesive protective film to protect the circuit pattern and / or the functional element of the polymer film of the laminate prior to the step C. 19. The method for peeling a polymer film according to any one of 19.
  21. 　回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体を準備する工程Ａと、
    　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する工程Ｂと、
    　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する工程Ｃと
    　を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。     Step A of preparing a laminate in which a polymer film on which a circuit pattern and / or a functional element is formed and an inorganic substrate are in close contact with each other, and
    Step B of forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
    A method for manufacturing an electronic device, which comprises a step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
  22. 　レーザースミアの付着がない請求項２１に記載の電子デバイスの製造方法。 The method for manufacturing an electronic device according to claim 21, wherein there is no adhesion of laser smear.
  23. 　回路パターン及び／又は機能素子が形成された高分子フィルムと無機基板とが密着した積層体から、前記高分子フィルムを前記無機基板から剥離する剥離装置であって、
    　前記積層体の端部において、前記高分子フィルムと前記無機基板との間に剥離部分を形成する手段と、
    　前記無機基板が前記高分子フィルムと離れる方向に反ることにより、前記高分子フィルムを略平面に保ったまま前記無機基板から剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする剥離装置。     A peeling device for peeling the polymer film from the inorganic substrate from the laminate in which the polymer film on which the circuit pattern and / or the functional element is formed and the inorganic substrate are in close contact with each other.
    A means for forming a peeled portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate,
    A peeling device comprising a peeling means for peeling the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film in a substantially flat surface by warping the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022230505A1 (en) * 2021-04-28 2022-11-03 東洋紡株式会社 Polymer film releasing method, method for manufacturing electronic device, and releasing device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117246621B (en) * 2023-11-10 2024-01-23 四川英创力电子科技股份有限公司 Device and method for efficiently stripping gold-plated layer surface protection adhesive tape of circuit board

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031486A (en) * 2002-06-24 2004-01-29 Daiichi:Kk Protective spacer for film type substrate and its manufacture
JP2004142878A (en) * 2002-10-24 2004-05-20 Toray Ind Inc Peeling method of flexible film, peeling device and circuit substrate
WO2015008658A1 (en) * 2013-07-16 2015-01-22 東洋紡株式会社 Method for producing flexible electronic device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256248A (en) * 1985-09-04 1987-03-11 Somar Corp Exfoliating for thin film and executing apparatus thereof
JP4619462B2 (en) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 Thin film element transfer method
JP3910485B2 (en) * 2002-05-15 2007-04-25 シャープ株式会社 Film peeling apparatus and film peeling method
JP5907711B2 (en) * 2011-12-06 2016-04-26 キヤノンマシナリー株式会社 Peeling apparatus and peeling method
JP2015145306A (en) * 2014-02-04 2015-08-13 旭硝子株式会社 Separation start part preparation method and separation start part preparation device of stacked body, and manufacturing method of electronic device
JP6311501B2 (en) * 2014-07-07 2018-04-18 凸版印刷株式会社 Peeling trigger manufacturing apparatus and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031486A (en) * 2002-06-24 2004-01-29 Daiichi:Kk Protective spacer for film type substrate and its manufacture
JP2004142878A (en) * 2002-10-24 2004-05-20 Toray Ind Inc Peeling method of flexible film, peeling device and circuit substrate
WO2015008658A1 (en) * 2013-07-16 2015-01-22 東洋紡株式会社 Method for producing flexible electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022230505A1 (en) * 2021-04-28 2022-11-03 東洋紡株式会社 Polymer film releasing method, method for manufacturing electronic device, and releasing device

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