KR20220163475A - Polymer film peeling method, electronic device manufacturing method, and peeling device - Google Patents
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Abstract
회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비하는 공정 A와, 적층체의 단부에 있어서, 고분자 필름과 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와, 무기 기판이 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C를 포함하는 고분자 필름의 박리 방법.Step A of preparing a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element in close contact with an inorganic substrate is prepared; Step B of forming a separation portion between the polymer film and the inorganic substrate at an end of the laminate; A polymer film peeling method comprising step C of separating the polymer film from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the substrate in a direction away from the polymer film.
Description
본 발명은 고분자 필름의 박리 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 박리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for peeling a polymer film, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device.
최근, 반도체 소자, MEMS 소자, 디스플레이 소자 등 기능 소자의 경량화, 소형·박형화, 플렉시빌리티화를 목적으로 하여, 고분자 필름 상에 이들 소자를 형성하는 기술 개발이 활발히 행해지고 있다. 즉, 정보 통신 기기(방송 기기, 이동체 무선, 휴대 통신 기기 등), 레이더나 고속 정보 처리 장치 등이라고 하는 전자 부품의 기재의 재료로서는, 종래, 내열성을 갖고 또한 정보 통신 기기의 신호대역의 고주파수화(㎓대에 달함)에도 대응할 수 있는 세라믹이 이용되고 있었지만, 세라믹은 플렉시블이 아니며 박형화도 하기 어려워, 적용 가능한 분야가 한정된다고 하는 결점이 있었기 때문에, 최근은 고분자 필름이 기판으로서 이용되고 있다.BACKGROUND ART In recent years, for the purpose of reducing the weight of functional elements such as semiconductor elements, MEMS elements, and display elements, reducing the size and thickness, and increasing flexibility, technology development of forming these elements on polymer films has been actively conducted. That is, as materials for base materials of electronic parts such as information communication devices (broadcasting devices, mobile radios, portable communication devices, etc.), radars, high-speed information processing devices, etc., conventionally, they have heat resistance and high frequency signal bands of information communication devices. Although ceramics capable of responding to (reaching the GHz band) have been used, ceramics are not flexible and have the disadvantage of being difficult to thin and limiting their applicable fields. Recently, polymer films have been used as substrates.
반도체 소자, MEMS 소자, 디스플레이 소자 등의 기능 소자를 고분자 필름 표면에 형성하는 데 있어서는, 고분자 필름의 특성인 플렉시빌리티를 이용한, 소위 롤·투·롤 프로세스로 가공하는 것이 이상으로 되어 있다. 그러나, 반도체 산업, MEMS 산업, 디스플레이 산업 등의 업계에서는, 지금까지 웨이퍼 베이스 또는 유리 기판 베이스 등의 리지드인 평면 기판을 대상으로 한 프로세스 기술이 구축되어 왔다. 그래서, 기존 인프라를 이용하여 기능 소자를 고분자 필름 상에 형성하기 위해, 고분자 필름을, 예컨대 유리판, 세라믹판, 실리콘 웨이퍼, 금속판 등의 무기물을 포함하는 리지드인 지지체에 접합하고, 그 위에 원하는 소자를 형성한 후에 지지체로부터 박리한다고 하는 프로세스가 이용되고 있다.In forming functional elements such as semiconductor elements, MEMS elements, and display elements on the surface of a polymer film, it is ideal to process them in a so-called roll-to-roll process that takes advantage of the flexibility that is a characteristic of polymer films. However, in industries such as the semiconductor industry, the MEMS industry, and the display industry, process technologies targeting rigid flat substrates such as wafer bases or glass substrate bases have been built up to now. Therefore, in order to form a functional element on a polymer film using the existing infrastructure, the polymer film is bonded to a rigid support containing an inorganic material such as a glass plate, a ceramic plate, a silicon wafer, a metal plate, and the like, and a desired element is placed thereon. A process of peeling from the support after formation is used.
종래, 고분자 필름을 지지체로부터 박리하는 방법으로서, 레이저 광을 조사함으로써, 고분자 필름과 지지체 사이의 밀착력을 약하게 하여, 박리하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).Conventionally, as a method of peeling a polymer film from a support, a method of exfoliating by weakening the adhesive force between the polymer film and the support by irradiating laser light is known (eg, see Patent Document 1).
그러나, 특허문헌 1의 방법에서는, 레이저 광을 지지체의 전체면에 조사하기 때문에, 레이저 광을 조사하기 위한 대규모의 조사 장치가 필요해진다고 하는 문제가 있다. 또한, 레이저 광을 조사하기 때문에, 고분자 필름에 눌어붙음 등이 생겨, 고분자 필름의 품위에 영향을 끼친다고 하는 문제가 있다. 또한, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자에 레이저의 광이 새어 조사되는 것, 혹은 레이저 가열에서의 충격파가 발생함으로써 품위에 영향을 부여하는 것이 염려되고 있다. 기계적 박리에 대해서도 고분자 필름의 변형에 따라, 고분자 필름 그 자체에의 응력에 의한 손상 및, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자의 품위에 영향을 끼치는 것이 염려되어 왔다.However, in the method of Patent Literature 1, since the entire surface of the support is irradiated with laser light, there is a problem that a large-scale irradiation device for irradiating the laser light is required. In addition, since the laser light is irradiated, there is a problem that seizure or the like occurs on the polymer film, which affects the quality of the polymer film. In addition, there is a concern that circuits and devices formed on the surface of the polymer film and elements mounted on the polymer film may be irradiated by leaking laser light or that the quality may be affected by the generation of shock waves in laser heating. Regarding mechanical peeling, there has been concern about damage caused by stress to the polymer film itself due to deformation of the polymer film, and affecting the quality of circuits and devices formed on the surface of the polymer film and elements mounted on the polymer film.
본 발명은 전술한 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 고분자 필름, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자의 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능한 고분자 필름의 박리 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 박리 장치를 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to easily form a polymer film inorganically without affecting the quality of a polymer film, a circuit or device formed on the surface of the polymer film, and an element mounted on the polymer film. It is to provide a peeling method for a polymer film capable of peeling from a substrate, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device.
본 발명자는 고분자 필름의 박리 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 박리 장치에 대해서 예의 연구를 행하였다. 그 결과, 하기의 구성을 채용함으로써, 고분자 필름, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자의 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능한 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors conducted intensive research on a method for peeling a polymer film, a method for manufacturing an electronic device, and a peeling device. As a result, by adopting the following configuration, it is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without affecting the quality of the polymer film, circuits or devices formed on the surface of the polymer film, and elements mounted on the polymer film. Having discovered what is possible, we have come to complete the present invention.
즉, 본 발명은 이하를 제공한다.That is, the present invention provides the following.
(1) 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비하는 공정 A와,(1) Step A of preparing a laminate in which a polymer film on which circuit patterns and/or functional elements are formed and an inorganic substrate are in close contact with each other;
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와,Step B of forming a peeling portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate;
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.and step C of peeling the polymer film from the inorganic substrate while maintaining the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름에 응력이 가해지는 일없이, 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.According to the above configuration, it is not mechanically peeled off, and since the inorganic substrate is bent in a direction away from the polymer film, the polymer film is peeled without bending (substantially flat), so that stress is not applied to the polymer film. , it is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without affecting the quality.
(2) 상기 (1)의 구성에 있어서,(2) In the configuration of (1) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 공정 B 후, 상기 무기 기판의 상기 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면과, 상기 박리 부분 사이에 정압차를 마련하고, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것이 바람직하다. After the step B, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeling portion, and the inorganic substrate is bent in a direction away from the polymer film, thereby forming the polymer film It is preferable that it is a process of peeling from the said inorganic substrate, maintaining a substantially flat surface.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 비밀착면과 상기 박리 부분 사이의 정압차에 의해 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하는 것 및 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름에 응력이 가해지는 일없이, 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.According to the configuration, the polymer film is not peeled off mechanically, and the polymer film is peeled off from the inorganic substrate by a static pressure difference between the non-stick surface and the peel portion, and the polymer film is peeled off without bending (substantially flat) the polymer film. Therefore, it is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without applying stress to the polymer film and without affecting its quality.
(3) 상기 (1) 또는 상기 (2)의 구성에 있어서,(3) In the configuration of (1) or (2) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측에 롤러 또는 기판 접촉자를 배치하고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자에 의해, 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 D-1과, Step D-1 of arranging a roller or substrate contact on the non-adhesion surface side of the inorganic substrate and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion by the roller or substrate contact;
상기 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분을 대기압으로 함으로써, 상기 정압차를 마련하는 공정 D-2와, Step D-2 of providing the static pressure difference by setting the non-adhesive surface side to atmospheric pressure while setting the peeling portion to atmospheric pressure;
상기 공정 D-1 및 상기 공정 D-2 후, 상기 롤러 또는 기판 접촉자를 상기 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키는 공정 D-3을 포함하는 것이 바람직하다. After Step D-1 and Step D-2, Step D of moving the roller or substrate contactor in parallel with the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and proceeding with the separation in accordance with the movement of the roller or substrate contactor. It is preferable to include -3.
상기 구성에 따르면, 롤러 또는 기판 접촉자를 설치하고, 그 면을 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, since a roller or substrate contactor is provided, its surface is moved parallel to the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and the peeling is advanced according to the movement of the roller, the peeling speed can be controlled. . As a result, excessive load applied to the polymer film can be suppressed.
(4) 상기 (1)∼상기 (3)의 구성에 있어서,(4) In the configurations of (1) to (3) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 무기 기판의 비밀착면측과, 상기 박리 부분의 압력차를 대기 압력보다 높은 압력으로 하는 것이 바람직하다. It is preferable to make the pressure difference between the non-adhesion surface side of the said inorganic substrate and the said peeling part a pressure higher than atmospheric pressure.
상기 구성에 따르면, 상기 비밀착면측을 대기압 이하로 해 두고 그 후, 상기 박리 부분을 대기압보다 높은 압력으로 함으로써, 상기 정압차를 마련함(Case 1), 혹은, 상기 비밀착면측을 대기압 이상으로 해 두고, 그 후, 상기 박리 부분을 상기 비밀착면측의 압력보다 높은 압력으로 함으로써, 압력차를 대기압 이상으로 함(Case 2)으로써 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리한다. 상기 비밀착면측을 대기압 이상으로 하고 있기 때문에, 필요로 되는 유틸리티는 고압의 기체만, 혹은(Case 1의 경우는) 진공과 고압의 조합이며, 고압의 기체도 예컨대 3 기압 이하 정도(압력차(2.5 기압-1 기압)이면 1.5 기압)까지라고 하는, 간편한 구성에 의해 박리가 가능해진다.According to the above configuration, the static pressure difference is provided by setting the non-adhesive surface side to atmospheric pressure or lower and then setting the peeling portion to a pressure higher than atmospheric pressure (Case 1), or by setting the non-adhesive surface side to atmospheric pressure or higher After that, the polymer film is separated from the inorganic substrate by making the pressure difference higher than the atmospheric pressure by setting the peeling portion to a pressure higher than the pressure on the non-adhesive surface side (Case 2). Since the non-adhesive surface side is set to atmospheric pressure or higher, the required utility is only high-pressure gas or (in the case of Case 1) a combination of vacuum and high-pressure, and the high-pressure gas is also about 3 atm or less (pressure difference ( If it is 2.5 atm - 1 atm), peeling becomes possible by a simple configuration of up to 1.5 atm).
상기 구성의 일례로서는, 메쉬형 시트가 배치되어 있어도 좋다. 상기 고분자 필름과 상기 롤러 또는 기판 접촉자 사이에 메쉬형 시트가 배치된 경우에는, 박리 후의 상기 고분자 필름을 유지할 수 있다.As an example of the above configuration, a mesh-like sheet may be disposed. When a mesh type sheet is disposed between the polymer film and the roller or substrate contactor, the polymer film after peeling can be maintained.
(5) 상기 (1)∼상기 (4)의 구성에 있어서,(5) In the configuration of (1) to (4) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 고분자 필름의 상기 비밀착면측에 매립용 부재 또는 스페이서를 배치하고, 상기 매립용 부재 또는 스페이서에 상기 기능 소자를 매립하면서, 다공질 유연체에 의해 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 E-1과, 상기 무기 기판의 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분을 대기압으로 함으로써, 상기 정압차를 마련하는 공정 E-2를 포함하는 것이 바람직하다. Step E of disposing an embedding member or spacer on the non-adhesive surface side of the polymer film and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion with a porous flexible body while embedding the functional element in the embedding member or spacer It is preferable to include -1 and step E-2 of providing the said static pressure difference by making the non-adhesion surface side of the said inorganic substrate below atmospheric pressure, and making the said peeling part atmospheric pressure.
상기 구성에 따르면, 상기 비밀착면측을 대기압 이상으로 해 두고, 그 후, 상기 박리 부분을 상기 비밀착면측의 압력보다 높은 압력으로 함으로써, 상기 정압차를 마련하고, 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리한다. 상기 비밀착면측을 대기압 이상으로 하고 있기 때문에, 박리 후의 상기 고분자 필름을 유지할 수 있다.According to the above configuration, the pressure difference is provided by setting the non-adhesive surface side to atmospheric pressure or higher, and then setting the peeling portion to a pressure higher than the pressure on the non-adhesive surface side, thereby removing the polymer film from the inorganic substrate. peel off Since the non-adhesive surface side is set to atmospheric pressure or higher, the polymer film after peeling can be maintained.
또한 상기 (2)의 구성에 따르면, 상기 매립용 부재 또는 스페이서에 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자를 매립한 상태에서, 상기 정압차를 마련하고, 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하기 때문에, 상기 기능 소자가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.Further, according to the configuration of (2) above, in a state where the circuit pattern and/or the functional element are embedded in the embedding member or spacer, the static pressure difference is provided and the polymer film is peeled off from the inorganic substrate. , It is possible to suppress an excessive load applied to the polymer film at the location where the functional element is located.
(6) 상기 (1)의 구성에 있어서,(6) In the configuration of (1) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 공정 B 후, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 박리 부분에 동압을 가함으로써, 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것이 바람직하다. After the step B, it is preferable to separate the polymer film from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeling portion while keeping the polymer film substantially flat.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 박리 부분에 동압을 가함으로써 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하는 것 및 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름에 응력이 가해지는 일없이, 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.According to the configuration, the polymer film is not peeled off mechanically, and the polymer film is peeled from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeling portion, and the polymer film is peeled off without bending (substantially flat). It is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without applying stress and without affecting the quality.
(7) 상기 (1) 또는 상기 (6)의 구성에 있어서,(7) In the configuration of (1) or (6) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 무기 기판을 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면측으로 변위시키는 공정 F-1과, Step F-1 of displacing the inorganic substrate to the side of the non-adhesive surface that is not in close contact with the polymer film;
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분에 기체의 흐름을 부여함으로써, 상기 동압을 가하는 공정 F-2를 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable to include step F-2 of applying the dynamic pressure by applying a flow of gas to the peeling portion while setting the non-adhesive surface side of the inorganic substrate to less than atmospheric pressure.
상기 구성에 따르면, 상기 무기 기판을 비밀착면측으로 변위시키고, 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 박리 부분에 기체의 흐름을 부여함으로써, 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 용이하게 박리할 수 있다.According to the above configuration, the inorganic substrate is displaced to the non-adhesive surface side, the non-adhesive surface side is set to less than atmospheric pressure, and a flow of gas is applied to the peeling portion, thereby easily peeling the polymer film without bending (substantially flat). can do.
(8) 상기 (1), 상기 (6) 또는 상기 (7)의 구성에 있어서,(8) In the configuration of (1), (6) or (7) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측에 롤러 또는 기판 접촉자를 배치하고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자에 의해, 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 G-1과, Step G-1 of arranging a roller or substrate contact on the non-adhesion surface side of the inorganic substrate and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion by the roller or substrate contact;
상기 박리 부분에 유체의 흐름을 부여함으로써, 상기 동압을 가하는 공정 G-2와, Step G-2 of applying the dynamic pressure by applying a flow of fluid to the peeling portion;
상기 공정 G-1 및 상기 공정 G-2 후, 상기 롤러 또는 기판 접촉자를 상기 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키는 공정 G-3을 포함하는 것이 바람직하다. After Step G-1 and Step G-2, Step G of moving the roller or substrate contactor in parallel with the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and advancing the peeling in accordance with the movement of the roller or substrate contactor. It is preferable to include -3.
상기 구성에 따르면, 롤러 또는 기판 접촉자를 설치하고, 그 면을 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, since a roller or substrate contactor is provided, its surface is moved parallel to the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and the peeling is advanced according to the movement of the roller, the peeling speed can be controlled. . As a result, excessive load applied to the polymer film can be suppressed.
(9) 상기 (7) 또는 상기 (8)의 구성에 있어서,(9) In the configuration of (7) or (8) above,
상기 변위가, 만곡이며, 상기 만곡의 최소 곡률 반경이 350 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the said displacement is a curve, and the minimum radius of curvature of the said curve is 350 mm or more.
(10) 상기 (1)의 구성에 있어서,(10) In the configuration of (1) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 공정 B 후, 상기 적층체의 상기 고분자 필름면이 진공 흡착 플레이트에 접하도록 상기 적층체를 설치하여 고정하고, 상기 적층체의 측면에는 격벽이 마련되고, 이어서 상기 박리 부분에 노즐에 의해 기체를 주입하고, 압력을 가함으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 박리하는 공정인 것이 바람직하다. After step B, the laminate is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminate is in contact with the vacuum adsorption plate, a partition wall is provided on the side surface of the laminate, and gas is then supplied to the peeling portion by a nozzle. It is preferable that it is a step of peeling the polymer film while maintaining it substantially flat by injecting and applying pressure.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 박리 부분에 압력을 가함으로써 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하는 것 및 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름에 응력이 가해지는 일없이, 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다. 또한, 적층체의 측면에 격벽이 마련되어 있기 때문에, 무기 기판이 박리할 때, 고분자 필름과 떨어지는 방향만으로 제한할 수 있다.According to the configuration, the polymer film is not peeled off mechanically, and the polymer film is peeled off from the inorganic substrate by applying pressure to the peeling portion, and the polymer film is peeled off without bending (approximately flat) the polymer film. It is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without applying stress and without affecting the quality. In addition, since the barrier rib is provided on the side surface of the laminate, when the inorganic substrate is separated, it can be limited only to the direction away from the polymer film.
(11) 상기 (1) 또는 상기 (10)의 구성에 있어서,(11) In the configuration of (1) or (10) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 무기 기판측에 상기 무기 기판과 평행하며 접촉하지 않는 개략 평판을 두는 공정 H-1과, Step H-1 of placing a rough flat plate parallel to the inorganic substrate and not in contact with the inorganic substrate;
상기 무기 기판의 고분자 필름과의 비밀착면측을 대기압 또는 저압력으로 하는 한편, 상기 박리 부분에 기체를 주입함으로써, 상기 박리 부분에 압력을 가하는 공정 H-2를 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable to include step H-2 of applying pressure to the peeling portion by injecting gas into the peeling portion while setting the side of the non-adhesive surface of the inorganic substrate to the polymer film at atmospheric pressure or low pressure.
상기 구성에 따르면, 무기 기판을 박리할 때, 무기 기판을 개략 구부리는 일이 없다. 그 때문에, 효율적으로 박리할 수 있다.According to the above configuration, when the inorganic substrate is peeled off, there is no general bending of the inorganic substrate. Therefore, it can peel efficiently.
(12) 상기 (1), 상기 (10) 또는 상기 (11)의 구성에 있어서,(12) In the configuration of (1), (10) or (11) above,
상기 공정 C는,The step C,
고분자 필름을 진공 흡착하는 공정 J-1과, Step J-1 of vacuum adsorbing the polymer film;
상기 노즐부도 둘러싸도록 벽을 마련하여 상기 적층체에 주입하는 기체를 상기 박리 부분으로부터 내보내지 않는 차폐된 공간 속에 두는 것으로 하는 공정 J-2와, Step J-2 of providing a wall so as to also surround the nozzle portion and placing the gas injected into the layered body in a shielded space that does not blow out from the peeling portion;
상기 공정 J-1 및 상기 공정 J-2 후, 노즐로부터 압력을 인가하여, 기체를 주입하는 공정 J-3을 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable to include a step J-3 of applying pressure from a nozzle and injecting gas after the step J-1 and the step J-2.
상기 구성에 따르면, 노즐부를 둘러싸도록 벽을 마련함으로써, 박리 부분을 밀폐할 수 있어, 무기 기판의 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면측과의 압력차를 효율적으로 마련할 수 있다.According to the above configuration, by providing the wall to surround the nozzle portion, the peeling portion can be sealed, and a pressure difference between the polymer film and the non-adhesive surface side of the inorganic substrate not in close contact can be efficiently provided.
(13) 상기 (1)∼상기 (12)의 구성에 있어서,(13) In the configurations of (1) to (12) above,
상기 공정 B는,In the step B,
상기 적층체의 상기 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역을 형성하는 공정인 것이 바람직하다. It is preferable to form a peeling region at the end portion of the laminate by spraying a gas onto a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate.
상기 구성에 따르면, 적층체의 단부에, 기계적으로 박리 영역을 형성하는 것이 아니며, 기체의 분무에 의해 박리 영역을 형성한다(공정 B). 그리고, 그 후, 상기 박리 영역을 기점으로 하여, 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리한다(공정 C). 공정 C에 있어서는, 박리 영역이 존재하기 때문에, 박리 영역에 대하여 기체를 더 분무하거나, 무기 기판을 휘게 하거나 하는 것 등에 의해, 고분자 필름을 기계적으로 파지하는 일없이, 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리할 수 있다.According to the above configuration, the peeling region is not formed mechanically at the end of the laminate, but is formed by spraying gas (step B). After that, the polymer film is separated from the inorganic substrate using the separation region as a starting point (Step C). In Step C, since the separation region exists, the polymer film can be separated from the inorganic substrate without mechanically gripping the polymer film by further spraying gas to the separation region or by bending the inorganic substrate. can
이와 같이, 상기 구성에 따르면, 고분자 필름에 기계적으로 닿는 일없이, 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리할 수 있다. 그 결과, 고분자 필름, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자의 품위를 손상시키는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.In this way, according to the above configuration, the polymer film can be separated from the inorganic substrate without mechanical contact with the polymer film. As a result, it is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without damaging the quality of the polymer film, circuits or devices formed on the surface of the polymer film, and elements mounted on the polymer film.
(14) 상기 (1)∼상기 (13)의 구성에 있어서, 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자는, 상기 고분자 필름의 외주에 닿지 않는 양태로, 형성되어 있는 것이 바람직하다.(14) In the configurations of (1) to (13) above, it is preferable that the circuit pattern and/or the functional element are formed in such a way that they do not touch the outer periphery of the polymer film.
상기 구성에 따르면, 상기 기능 소자가, 상기 고분자 필름의 외주에 닿지 않는 양태로, 형성되어 있기 때문에, 상기 박리 영역을 형성할 때에, 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, since the functional element is formed in such a way that it does not touch the outer periphery of the polymer film, it is possible to suppress an excessive load applied to the polymer film when forming the separation region.
(15) 상기 (13) 또는 상기 (14)의 구성에 있어서, 상기 공정 B에서 형성되는 상기 박리 영역은, 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자 형성 영역보다 외측인 것이 바람직하다.(15) In the structure of (13) or (14) above, it is preferable that the peeling region formed in the step B is outside the circuit pattern and/or the functional element formation region.
상기 구성에 따르면, 상기 박리 영역이 기능 소자 형성 영역보다 외측이기 때문에, 상기 박리 영역을 형성할 때에, 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, since the separation region is outside the functional element formation region, excessive load applied to the polymer film can be suppressed when forming the separation region.
(16) 상기 (13)∼상기 (15)의 구성에 있어서,(16) In the configurations of (13) to (15) above,
상기 공정 C는,The step C,
상기 고분자 필름의 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것이 바람직하다. It is preferable to separate the circuit pattern and/or the functional element formation region of the polymer film from the inorganic substrate while maintaining a flat surface.
상기 구성에 따르면, 상기 고분자 필름의 상기 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로, 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하기 때문에, 상기 기능 소자가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the configuration, since the polymer film is separated from the inorganic substrate while the functional element formation region of the polymer film is kept flat, excessive load is not applied to the polymer film at the location where the functional element is located. can be suppressed
(17) 상기 (13)∼상기 (16)의 구성에 있어서는,(17) In the configurations of (13) to (16) above,
상기 공정 B 전에, 상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 극미소 박리 부분을 형성하는 공정 W를 포함하고,Before the step B, a step W of forming an extremely small peeled portion in a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate at an end of the laminate,
상기 공정 B는, 상기 공정 W 후, 상기 극미소 박리 부분을 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 상기 박리 영역을 형성하는 공정인 것이 바람직하다.It is preferable that the said process B is the process of spraying gas to the area|region containing the said micro peeling part after the said process W, and forming the said peeling area at the said edge part.
상기 구성에 따르면, 상기 적층체의 단부에 있어서, 전혀 박리 영역이 없는 경우(극미소의 박리 부분도 존재하지 않는 경우)에, 상기 박리 영역을 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.According to the above configuration, it becomes possible to easily form the peeling region in the case where there is no peeling region at the end portion of the laminate (when even a very small peeling portion does not exist).
(18) 상기 (1)∼상기 (17)의 구성에 있어서,(18) In the configurations of (1) to (17) above,
상기 공정 C보다 전에, 상기 고분자 필름의 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자가 마련되지 않은 면 상에, 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자의 두께와 같은 정도의 두께를 갖는 스페이서를 마련하는 공정 X를 포함하는 것이 바람직하다.Prior to step C, a step of providing a spacer having a thickness equivalent to that of the circuit pattern and/or the functional element on the surface of the polymer film on which the circuit pattern and/or the functional element are not provided. It is preferable to include X.
상기 구성에 따르면, 상기 매립용 부재 또는 스페이서에 의해 고분자 필름 상의 요철을 적게 할 수 있다. 그 결과, 박리할 때에, 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, irregularities on the polymer film can be reduced by the embedding member or the spacer. As a result, when peeling, it is possible to suppress excessive load on the polymer film at the location where the circuit pattern and/or the functional element are located.
(19) 상기 (1)∼상기 (18)의 구성에 있어서,(19) In the configurations of (1) to (18) above,
상기 공정 C보다 전에, 상기 고분자 필름의 상기 비밀착면측에, 매립용 부재, 스페이서 및 매립용 진공 척으로 이루어지는 군에서 선택된 1 이상을 배치하고, 상기 매립용 부재, 스페이서 및 매립용 진공 척으로 이루어지는 군에서 선택된 1 이상에 상기 회로 패턴 및/또는 기능 소자를 매립하면서, 박리 공정 Y를 행하는 것이 바람직하다.Prior to the step C, at least one selected from the group consisting of an embedding member, a spacer, and a vacuum chuck for embedding is disposed on the non-stick surface side of the polymer film, and the member, spacer, and vacuum chuck for embedding are disposed. It is preferable to perform the peeling step Y while embedding the circuit pattern and/or functional element in at least one selected from the group.
상기 구성에 따르면, 매립용 부재, 스페이서, 및/또는, 매립용 진공 척에 의해 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자를 매립한 상태에서, 상기 정압차를 마련하고, 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하기 때문에, 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.According to the configuration, in a state in which the circuit pattern and/or the functional element are embedded by an embedding member, a spacer, and/or a vacuum chuck for embedding, the static pressure difference is provided, and the polymer film is applied to the inorganic substrate. Since it is peeled off from the surface, it is possible to suppress excessive load on the polymer film at the location where the circuit pattern and/or the functional element are located.
(20) 상기 (1)∼상기 (19)의 구성에 있어서,(20) In the configurations of (1) to (19) above,
상기 공정 C보다 전에, 상기 적층체의 상기 고분자 필름의 상기 회로 패턴 및/또는 기능 소자를 보호하기 위해 점착성의 보호 필름을 붙이는 공정 Z를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to include a step Z of attaching an adhesive protective film to protect the circuit pattern and/or functional element of the polymer film of the laminate before the step C.
또한, 본 발명은 이하를 제공한다.In addition, the present invention provides the following.
(21) 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비하는 공정 A와,(21) Step A of preparing a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element formed thereon and an inorganic substrate are in close contact with each other;
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와,Step B of forming a peeling portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate;
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.and step C of separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름에 응력이 가해지는 일없이, 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다. 따라서, 박리된 기능 소자를 갖는 고분자 필름은, 전자 디바이스에 적합하게 사용할 수 있다.According to the above configuration, it is not mechanically peeled off, and since the inorganic substrate is bent in a direction away from the polymer film, the polymer film is peeled without bending (substantially flat), so that stress is not applied to the polymer film. , it is possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without affecting the quality. Therefore, a polymer film having peeled off functional elements can be suitably used for electronic devices.
(22) 상기 (21)의 구성에 있어서는, 레이저 스미어의 부착이 없는 것이 바람직하다. 레이저 광을 조사한 경우, 고분자 필름에 눌어붙음 등이 생겨 레이저 스미어가 된 경우, 고분자 필름의 품위에 영향을 끼치거나, 파티클화하여 디바이스를 오염시킨다고 하는 문제가 있다. 그래서, 레이저 스미어의 부착이 없는 것이 바람직하다.(22) In the structure of (21) above, it is preferable that there is no adhesion of laser smear. When irradiated with laser light, there is a problem that, when the polymer film is burned and becomes a laser smear, the quality of the polymer film is affected or the device is contaminated by particle formation. Therefore, it is preferable that there is no adhesion of laser smear.
또한, 본 발명은 이하를 제공한다.In addition, the present invention provides the following.
(23) 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체로부터, 상기 고분자 필름을 상기 무기 기판으로부터 박리하는 박리 장치로서,(23) A peeling device for peeling a polymer film from an inorganic substrate in a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element is formed in close contact with an inorganic substrate,
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 수단과,At an end of the laminate, means for forming a separation portion between the polymer film and the inorganic substrate;
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 박리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 장치.A peeling device comprising: a peeling means for separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
상기 구성에 따르면, 기계적으로 박리하는 것이 아니며, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 구부리지 않고(대략 평면으로) 박리하기 때문에, 고분자 필름의 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.According to the configuration, it is not mechanically peeled off, and since the inorganic substrate is bent in a direction away from the polymer film, the polymer film is peeled off without bending (approximately flat), which affects the quality of the polymer film It is possible to peel the polymer film from the inorganic substrate easily and without work.
본 발명에 따르면, 고분자 필름의 품위에 영향을 부여하는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it becomes possible to easily peel the polymer film from the inorganic substrate without affecting the quality of the polymer film.
도 1은 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예 1의 모식 단면도이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예 2의 모식 단면도이다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 7은 기능 소자를 갖는 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 기능 소자를 갖는 적층체의 고분자 필름 상에 스페이서를 마련한 모습을 나타내는 모식 단면도이다.
도 9는 기능 소자를 갖는 적층체의 고분자 필름 상에 매립용 부재를 배치하고, 기능 소자를 매립한 모습을 나타내는 모식 단면도이다.
도 10은 제3 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 11은 제4 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 12는 제4 실시형태에 따른 박리 장치의 동작 도중의 모식 단면도이다.
도 13은 제5 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 14는 제5 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 15는 제5 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 16은 제6 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 17은 제7 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 17은 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 18은 제7 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 18은 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 19는 제7 실시형태에 따른 박리 장치의 동작 직전의 모식 단면도이다.
도 20은 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 20은 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 21은 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 21은 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 22는 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 동작 직전의 모식 단면도이다.
도 23은 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 별의 모식 단면도이다. 도 23은 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 24는 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 별의 모식 단면도이다. 도 24는 박리 장치의 셋팅 도중의 것이다.
도 25는 기능 소자를 갖는 적층체의 고분자 필름 상에 매립용 진공 척을 배치하고, 기능 소자를 매립한 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 26은 기능 소자를 갖는 적층체의 고분자 필름 상에 매립용 진공 척을 배치하고, 기능 소자를 매립한 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 모식 단면도이다.
도 27은 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 28은 도 27에 나타낸 적층체의 평면도이다.
도 29는 극미소 박리 부분을 형성한 후의 적층체를 나타내는 모식 단면도이다.
도 30은 도 29에 나타낸 적층체의 평면도이다.
도 31은 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 32는 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다.
도 33은 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다.
도 34는 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다.
도 35는 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다.
도 36은 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다.
도 37은 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다.
도 38은 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다.
도 39는 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다.
도 40은 적층체의 다른 예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 41은 도 40에 나타낸 적층체의 평면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate.
2 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of Modification 1 of the peeling device according to the first embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of Modification 2 of the peeling device according to the first embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view of a peeling device according to a second embodiment.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate having functional elements.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing a spacer provided on a polymer film of a laminate having functional elements.
9 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a member for embedding is disposed on a polymer film of a laminate having functional elements and the functional elements are embedded.
10 is a schematic sectional view of a peeling device according to a third embodiment.
11 is a schematic sectional view of a peeling device according to a fourth embodiment.
12 is a schematic cross-sectional view of the peeling device in the middle of operation according to the fourth embodiment.
13 is a schematic sectional view of a peeling device according to a fifth embodiment.
14 is a schematic sectional view of a peeling device according to a fifth embodiment.
15 is a schematic sectional view of a peeling device according to a fifth embodiment.
16 is a schematic sectional view of a peeling device according to a sixth embodiment.
17 is a schematic sectional view of a peeling device according to a seventh embodiment. Fig. 17 is during setting of the peeling device.
18 is a schematic sectional view of a peeling device according to a seventh embodiment. Fig. 18 is during setting of the peeling device.
Fig. 19 is a schematic cross-sectional view immediately before the operation of the peeling device according to the seventh embodiment.
20 is a schematic sectional view of a peeling device according to an eighth embodiment. Fig. 20 is during setting of the peeling device.
21 is a schematic cross-sectional view of a peeling device according to an eighth embodiment. Fig. 21 is during setting of the peeling device.
Fig. 22 is a schematic cross-sectional view immediately before the operation of the peeling device according to the eighth embodiment.
Fig. 23 is a schematic sectional view of a star of a peeling device according to an eighth embodiment. Fig. 23 is during setting of the peeling device.
Fig. 24 is a schematic sectional view of a star of a peeling device according to an eighth embodiment. Fig. 24 is during setting of the peeling device.
Fig. 25 is a schematic cross-sectional view of a peeling device according to an eighth embodiment in which a vacuum chuck for embedding is disposed on a polymer film of a laminate having functional elements and the functional elements are embedded.
Fig. 26 is another schematic cross-sectional view of a peeling device according to an eighth embodiment in which a vacuum chuck for embedding is disposed on a polymer film of a laminate having functional elements and the functional elements are embedded.
27 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate.
Fig. 28 is a plan view of the laminate shown in Fig. 27;
Fig. 29 is a schematic cross-sectional view showing a laminate after forming a very small peeling portion.
Fig. 30 is a plan view of the laminate shown in Fig. 29;
31 is a schematic sectional view of a peeling device according to a tenth embodiment.
32 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the tenth embodiment.
33 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the tenth embodiment.
34 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the tenth embodiment.
35 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the tenth embodiment.
36 is a schematic sectional view of a peeling device according to an eleventh embodiment.
37 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment.
38 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment.
39 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment.
40 is a schematic cross-sectional view showing another example of a laminate.
Fig. 41 is a plan view of the laminate shown in Fig. 40;
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는, 고분자 필름의 박리 방법에 대해서 설명하고, 그 중에서, 전자 디바이스의 제조 방법 및 박리 장치에 대해서도 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. Hereinafter, a method for peeling a polymer film will be described, and, among them, a method for manufacturing an electronic device and a peeling device will also be described.
[고분자 필름의 박리 방법][Method of peeling polymer film]
본 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법은,The peeling method of the polymer film according to the present embodiment,
회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비하는 공정 A와,A step A of preparing a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element formed thereon and an inorganic substrate are in close contact with each other;
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와,Step B of forming a peeling portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate;
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C를 포함한다.and step C of separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while maintaining the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
<공정 A><Process A>
본 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법에 있어서는, 먼저, 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성된 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비한다(공정 A). 도 1은 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 적층체(10)는, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)을 구비한다. 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)은 밀착하고 있다. 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)은, 도시하지 않는 실란 커플링제층을 개재시켜 밀착하고 있어도 좋다.In the polymer film peeling method according to the present embodiment, first, a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact with each other is prepared (step A). 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate. As shown in FIG. 1 , the laminate 10 includes an
고분자 필름(14) 상에는, 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성되어 있다(도시하지 않음). 회로 패턴 및/또는 기능 소자는 무기 기판(12)과 밀착하지 않은 비밀착면 상에 형성된다. 즉, 본 실시형태에서는, 고분자 필름(14) 상에, 회로 패턴과 기능 소자의 양방이 형성되어 있어도 좋고, 회로 패턴이 형성되며 또한 기능 소자가 형성되어 있지 않아도 좋고, 기능 소자가 형성되며 또한 회로 패턴이 형성되어 있지 않아도 좋다.On the
상기 회로 패턴은, 종래 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 상기 회로 패턴의 두께로서는, 통상 0.05 ㎛∼20 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛∼15 ㎛, 보다 바람직하게는 0.15 ㎛∼0.5 ㎛ 정도이다.The circuit pattern can be formed by a conventionally known method. The thickness of the circuit pattern is usually about 0.05 μm to 20 μm, preferably about 0.1 μm to 15 μm, and more preferably about 0.15 μm to 0.5 μm.
또한, 도 1에서는 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)의 두께는 다르지만 동일한 크기로 쓰여 있다. 고분자 필름(14)과 무기 기판(12)의 크기가 다르며, 고분자 필름(14)이 무기 기판(12)보다 커도 상관없고, 작아도 상관없다. 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)보다 작게 만드는 것은 제작상 용이하기 때문에, 이와 같이 크기가 달라도 좋다. 또한, 박리를 용이하게 하기 위해, 공정 A 후에 상기 고분자 필름(14)과 무기 기판(12)이 밀착한 적층체로부터 외주부의 유리를 할단하여, 제거하여, 고분자 필름(14)이 무기 기판(12)보다 크게 되어 있어도 좋다.In FIG. 1, the
또한, 본 실시형태에서는, 미리 별도 제조한 고분자 필름을 무기 기판에 접착함(적층함)으로써 적층체를 얻을 수 있다. 적층의 방법으로서는, 후술하는 실란 커플링제를 이용한 적층 방법 외에, 기존 공지의 접착제, 접착 시트, 점착제, 점착 시트 등을 적용하는 것도 가능하다. 또한, 이때, 상기 접착제, 상기 접착 시트, 상기 점착제, 상기 점착 시트는, 무기 기판측에 먼저 붙여도 좋고, 고분자 필름측에 먼저 붙여도 좋다.Further, in the present embodiment, a laminate can be obtained by adhering (laminating) a polymer film separately prepared in advance to an inorganic substrate. As a method of lamination, it is also possible to apply conventionally known adhesives, adhesive sheets, pressure-sensitive adhesives, pressure-sensitive adhesive sheets, etc., in addition to the lamination method using a silane coupling agent described later. In this case, the adhesive, the adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive sheet may be applied first to the inorganic substrate side or to the polymer film side.
또한, 고분자 필름과 무기 기판의 적층체를 제작하는 다른 방법으로서, 고분자 필름 형성용의 고분자 용액 혹은 고분자의 전구체의 용액을 무기 기판에 도포하고, 건조 및, 필요에 따라 화학 반응을 행하여, 무기 기판 상에서 고분자를 필름화함으로써 적층체를 얻는 방법을 들 수 있다. 고분자 용액으로서 가용성 폴리이미드의 용액, 고분자 전구체로서 화학 반응에 의해 폴리이미드가 되는 폴리아미드산 용액 등을 이용함으로써, 고분자 필름과 무기 기판의 적층체를 얻을 수 있다. 또한 그때에, 무기 기판에 실란 커플링제 처리 등의 표면 처리를 행함으로써, 고분자 필름과 무기 기판의 접착성을 제어하는 것도 바람직한 양태의 하나이다. 이때, 무기 기판과 고분자 필름의 박리 강도를 컨트롤하기 위해, 기지의 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 주가 되는 고분자층(고분자 필름)의 2층 구성이나, 주층(고분자 필름)과 무기 박막층의 2층 구성으로 하여도 좋다. 그 외에, 박리력을 컨트롤하기 위한 기존의 구성을 적용하여도 좋다.In addition, as another method of producing a laminate of a polymer film and an inorganic substrate, a polymer solution for forming a polymer film or a solution of a polymer precursor is coated on an inorganic substrate, dried, and, if necessary, chemically reacted to the inorganic substrate. A method of obtaining a laminate by forming a polymer into a film on the top is exemplified. A laminate of a polymer film and an inorganic substrate can be obtained by using a soluble polyimide solution as a polymer solution and a polyamic acid solution that becomes polyimide through a chemical reaction as a polymer precursor. At that time, it is also one of the preferable aspects to control the adhesion between the polymer film and the inorganic substrate by subjecting the inorganic substrate to surface treatment such as treatment with a silane coupling agent. At this time, in order to control the peel strength between the inorganic substrate and the polymer film, a two-layer configuration of a base easily peelable polymer layer (easily peelable layer) and a main polymer layer (polymer film), or a main layer (polymer film) and an inorganic thin film layer It is good also as a two-layer structure of. In addition, you may apply the existing structure for controlling peeling force.
박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 주가 되는 고분자층(고분자 필름)의 2층 구성의 경우에는, 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 무기 기판의 접착력이 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 주가 되는 고분자층(고분자 필름)의 접착력보다 강하게 접착하여, 주가 되는 고분자층(고분자 필름)과 박리 용이한 고분자층(박리 용이층) 사이에서 박리하는 설계의 경우와, 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 주가 되는 고분자층(고분자 필름)의 접착력이, 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 무기 기판의 접착력보다 강하고, 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 무기 기판 사이에서 박리하는 설계의 경우가 있다.In the case of a two-layer configuration of an easily-peelable polymer layer (easily peelable layer) and a main polymer layer (polymer film), the adhesive strength between the easily-peelable polymer layer (easily peelable layer) and the inorganic substrate is the polymer layer (easily peelable) In the case of a design in which the adhesion is stronger than the adhesive force between the easy layer) and the main polymer layer (polymer film), and the separation between the main polymer layer (polymer film) and the easily peelable polymer layer (easy peel layer), and the easy peel The adhesive force between the polymer layer (easily peelable layer) and the main polymer layer (polymer film) is stronger than the adhesive force between the easily peelable polymer layer (easily peeled layer) and the inorganic substrate, and the easily peelable polymer layer (easily peeled layer) and the inorganic substrate There is a case of a design that peels between substrates.
박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 무기 기판의 접착력이 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)과 주가 되는 고분자층(고분자 필름)의 접착력보다 강하게 접착하여, 주가 되는 고분자층(고분자 필름)과 박리 용이한 고분자층(박리 용이층) 사이에서 박리하는 설계의 경우에 대해서는, 무기 기판에 박리 용이한 고분자층(박리 용이층)이 퇴적하고 있는 것이, 본 발명에 있어서의 무기 기판에 상당한다.The adhesive force between the easily peelable polymer layer (easily peelable layer) and the inorganic substrate is stronger than the adhesive force between the easily peelable polymer layer (easily peeled layer) and the main polymer layer (polymer film), and the main polymer layer (polymer film) In the case of a design in which peeling is performed between the polymer layer (easily peelable layer) and the polymer layer (easily peelable layer) that is easily peeled, the inorganic substrate in the present invention corresponds to an easily peelable polymer layer (easily peelable layer) deposited on the inorganic substrate. .
무기 박막층과의 2층 구성의 경우에는, 무기 박막층을 무기 기판 상에 막 제조하고, 그 후에 무기 박막층 상에 용액 혹은 고분자의 전구체의 용액을 무기 기판에 도포하고, 건조 및, 필요에 따라 화학 반응을 행하여, 무기 기판 상에서 고분자를 필름화함으로써 적층체를 얻는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 무기 기판 상의 무기 박막과 고분자층 사이에서 박리하게 된다. 이 경우, 무기 기판에 무기 박막이 퇴적하고 있는 것이, 본 발명에 있어서의 무기 기판에 상당한다.In the case of a two-layer configuration with an inorganic thin film layer, the inorganic thin film layer is formed on an inorganic substrate, and then a solution or a solution of a polymer precursor is applied to the inorganic substrate on the inorganic thin film layer, followed by drying and, if necessary, chemical reaction. and a method of obtaining a laminate by forming a polymer film on an inorganic substrate. In this case, a separation occurs between the inorganic thin film and the polymer layer on the inorganic substrate. In this case, the inorganic thin film deposited on the inorganic substrate corresponds to the inorganic substrate in the present invention.
고분자 용액 내지 고분자 전구체 용액을 이용하는 방법의 변형으로서, 용제를 포함한 반고체 상태(고점도 페이스트형)의 고분자 필름을 무기 기판에 압착한 후에 추가 건조 내지 필요에 따라 화학 반응을 행하여, 고분자 필름과 무기 기판의 적층체를 얻을 수도 있다. 보다 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 지지 필름 상에 목적으로 하는 고분자 용액 내지 고분자 전구체 용액을 도포하고, 잔용제분이 웨트 베이스로 5∼40 질량% 정도가 될 때까지 반건조시킴으로써, 소성 변형성을 갖는 반고체의 필름으로 할 수 있다(그린 필름 내지 겔 필름이라고 불리는 경우도 있음). 이와 같이 하여 얻어진 반고체 상태의 필름을 무기 기판에 압착하고, 건조와 열처리 등을 행하면, 고분자 필름과 무기 기판의 적층체를 얻을 수 있다.As a modification of the method using a polymer solution or a polymer precursor solution, a polymer film in a semi-solid state (high viscosity paste type) containing a solvent is pressed onto an inorganic substrate, followed by additional drying or, if necessary, a chemical reaction to form a mixture between the polymer film and the inorganic substrate. A laminated body can also be obtained. More specifically, the desired polymer solution or polymer precursor solution is applied onto a support film such as polyethylene terephthalate, and semi-drying is performed until the remaining solvent content is about 5 to 40% by mass in a wet base, thereby reducing plastic deformation. It can be set as a semi-solid film having (sometimes called a green film or a gel film). A laminate of the polymer film and the inorganic substrate can be obtained by pressing the obtained semi-solid film to an inorganic substrate and subjecting to drying and heat treatment.
본 실시형태에 있어서, 열가소성의 고분자를 이용하는 경우에는, 고분자를 무기 기판 상에 직접 용융 압출함으로써 적층체를 얻을 수 있다. 또한 열가소성의 고분자 필름의 경우에는, 무기 기판과 고분자 필름을 중첩하고, 가압한 상태로 고분자의 융점 내지 연화 온도까지 가열함으로써 양자를 압착하여 적층체로 할 수 있다.In the present embodiment, when a thermoplastic polymer is used, a laminate can be obtained by directly melting and extruding the polymer onto an inorganic substrate. Further, in the case of a thermoplastic polymer film, an inorganic substrate and a polymer film may be overlapped and heated to the melting point or softening temperature of the polymer in a pressurized state, thereby compressing both to form a laminate.
무기 기판(12)으로서는, 무기물을 포함하는 기판으로서 이용할 수 있는 판형의 것이면 좋고, 예컨대, 유리판, 세라믹판, 반도체 웨이퍼, 금속 등을 주체로 하고 있는 것, 및, 이들 유리판, 세라믹판, 반도체 웨이퍼, 금속의 복합체로서, 이들을 적층한 것, 이들이 분산되어 있는 것, 이들의 섬유가 함유되어 있는 것 등을 들 수 있다.The
무기 기판(12)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 취급성의 관점에서 10 ㎜ 이하의 두께가 바람직하고, 3 ㎜ 이하가 보다 바람직하고, 1.3 ㎜ 이하가 더욱 바람직하다. 두께의 하한에 대해서는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ㎜ 이상, 보다 바람직하게는 0.3 ㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎜ 이상이다.The thickness of the
고분자 필름(14)으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 불소화폴리이미드라고 하는 폴리이미드계 수지(예컨대, 방향족 폴리이미드 수지, 지환족 폴리이미드 수지); 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트라고 하는 공중합 폴리에스테르(예컨대, 전방향족 폴리에스테르, 반방향족 폴리에스테르); 폴리메틸메타크릴레이트로 대표되는 공중합 (메트)아크릴레이트; 폴리카보네이트; 폴리아미드; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르케톤; 아세트산셀룰로오스; 질산셀룰로오스; 방향족 폴리아미드; 폴리염화비닐; 폴리페놀; 폴리아릴레이트; 폴리페닐렌술피드; 폴리페닐렌옥사이드; 폴리스티렌 등의 필름을 예시할 수 있다.Examples of the
고분자 필름(14)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 취급성의 관점에서 250 ㎛ 이하가 바람직하고, 100 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 두께의 하한에 대해서는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 3 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이상이다.The thickness of the
상기 실란 커플링제층은, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14) 사이에 물리적 내지 화학적으로 개재되며, 무기 기판과 고분자 필름을 밀착시키는 작용을 갖는다.The silane coupling agent layer is physically or chemically interposed between the
본 실시형태에서 이용되는 실란 커플링제는, 특별히 한정되지 않지만, 아미노기를 갖는 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.Although the silane coupling agent used in this embodiment is not specifically limited, It is preferable that the coupling agent which has an amino group is included.
상기 실란 커플링제의 바람직한 구체예로서는, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란염산염, 아미노페닐트리메톡시실란, 아미노페네틸트리메톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 트리스-(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 클로로메틸페네틸트리메톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 아미노페네틸트리메톡시실란, 아미노페닐아미노메틸페네틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Specific preferred examples of the silane coupling agent include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-2-( Aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene )Propylamine, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltri Ethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3 -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxy Silane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-( Vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, 3-ureidpropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxy Silane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, tris-(3-trimethoxysilane) oxysilylpropyl) isocyanurate, chloromethylphenethyltrimethoxysilane, chloromethyltrimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, aminophenylaminomethylphenethyltrimethoxysilane, etc. can
상기 실란 커플링제로서는, 상기한 것 외에, n-프로필트리메톡시실란, 부틸트리클로로실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 시클로헥실트리클로로실란, 데실트리클로로실란, 디아세톡시디메틸실란, 디에톡시디메틸실란, 디메톡시디메틸실란, 디메톡시디페닐실란, 디메톡시메틸페닐실란, 도데실클로로실란, 도데실트리메톡시실란, 에틸트리클로로실란, 헥실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, n-옥틸트리클로로실란, n-옥틸트리에톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, 트리에톡시에틸실란, 트리에톡시메틸실란, 트리메톡시메틸실란, 트리메톡시페닐실란, 펜틸트리에톡시실란, 펜틸트리클로로실란, 트리아세톡시메틸실란, 트리클로로헥실실란, 트리클로로메틸실란, 트리클로로옥타데실실란, 트리클로로프로필실란, 트리클로로테트라데실실란, 트리메톡시프로필실란, 알릴트리클로로실란, 알릴트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 디에톡시메틸비닐실란, 디메톡시메틸비닐실란, 트리클로로비닐실란, 트리에톡시비닐실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 트리클로로-2-시아노에틸실란, 디에톡시(3-글리시딜옥시프로필)메틸실란, 3-글리시딜옥시프로필(디메톡시)메틸실란, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 등을 사용할 수도 있다.Examples of the silane coupling agent include n-propyltrimethoxysilane, butyltrichlorosilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, cyclohexyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, and diacetoxydimethylsilane in addition to those described above. , diethoxydimethylsilane, dimethoxydimethylsilane, dimethoxydiphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, dodecylchlorosilane, dodecyltrimethoxysilane, ethyltrichlorosilane, hexyltrimethoxysilane, octadecyltriethoxy Silane, octadecyltrimethoxysilane, n-octyltrichlorosilane, n-octyltriethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, triethoxyethylsilane, triethoxymethylsilane, trimethoxymethylsilane, Trimethoxyphenylsilane, pentyltriethoxysilane, pentyltrichlorosilane, triacetoxymethylsilane, trichlorohexylsilane, trichloromethylsilane, trichlorooctadecylsilane, trichloropropylsilane, trichlorotetradecylsilane, Trimethoxypropylsilane, allyltrichlorosilane, allyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, diethoxymethylvinylsilane, dimethoxymethylvinylsilane, trichlorovinylsilane, triethoxyvinylsilane, vinyltris (2 -methoxyethoxy)silane, trichloro-2-cyanoethylsilane, diethoxy(3-glycidyloxypropyl)methylsilane, 3-glycidyloxypropyl(dimethoxy)methylsilane, 3-glycy Diloxypropyltrimethoxysilane etc. can also be used.
상기 실란 커플링제 중에서도, 하나의 분자 중에 1개의 규소 원자를 갖는 실란 커플링제가 특히 바람직하고, 예컨대, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 아미노페네틸트리메톡시실란, 아미노페닐아미노메틸페네틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 프로세스에서 특히 높은 내열성이 요구되는 경우, Si와 아미노기 사이를 방향족기로 연결한 것이 바람직하다.Among the above silane coupling agents, silane coupling agents having one silicon atom in one molecule are particularly preferred, such as N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(amino Ethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- Triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3 -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, aminophenylaminomethylphenethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned. When particularly high heat resistance is required in a process, it is preferable to connect Si and an amino group with an aromatic group.
상기 커플링제로서는, 상기한 것 외에, 1-메르캅토-2-프로판올, 3-메르캅토프로피온산메틸, 3-메르캅토-2-부탄올, 3-메르캅토프로피온산부틸, 3-(디메톡시메틸실릴)-1-프로판티올, 4-(6-메르캅토헥사노일)벤질알코올, 11-아미노-1-운데센티올, 11-메르캅토운데실포스폰산, 11-메르캅토운데실트리플루오로아세트산, 2,2'-(에틸렌디옥시)디에탄티올, 11-메르캅토운데실트리(에틸렌글리콜), (1-메르캅토운데익-11-일)테트라(에틸렌글리콜), 1-(메틸카르복시)운덱-11-일)헥사(에틸렌글리콜), 히드록시운데실디술피드, 카르복시운데실디술피드, 히드록시헥사도데실디술피드, 카르복시헥사데실디술피드, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 티탄디옥틸옥시비스(옥틸렌글리콜레이트), 지르코늄트리부톡시모노아세틸아세토네이트, 지르코늄모노부톡시아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트), 지르코늄트리부톡시모노스테아레이트, 아세토알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 2,3-부탄디티올, 1-부탄티올, 2-부탄티올, 시클로헥산티올, 시클로펜탄티올, 1-데칸티올, 1-도데칸티올, 3-메르캅토프로피온산-2-에틸헥실, 3-메르캅토프로피온산에틸, 1-헵탄티올, 1-헥사데칸티올, 헥실메르캅탄, 이소아밀메르캅탄, 이소부틸메르캅탄, 3-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토프로피온산-3-메톡시부틸, 2-메틸-1-부탄티올, 1-옥타데칸티올, 1-옥탄티올, 1-펜타데칸티올, 1-펜탄티올, 1-프로판티올, 1-테트라데칸티올, 1-운데칸티올, 1-(12-메르캅토도데실)이미다졸, 1-(11-메르캅토운데실)이미다졸, 1-(10-메르캅토데실)이미다졸, 1-(16-메르캅토헥사데실)이미다졸, 1-(17-메르캅토헵타데실)이미다졸, 1-(15-메르캅토)도데칸산, 1-(11-메르캅토)운데칸산, 1-(10-메르캅토)데칸산 등을 사용할 수도 있다.As said coupling agent, in addition to the above, 1-mercapto-2-propanol, 3-mercapto methyl propionate, 3-mercapto-2-butanol, 3-mercapto butyl propionate, 3-(dimethoxymethylsilyl) -1-propanethiol, 4-(6-mercaptohexanoyl)benzyl alcohol, 11-amino-1-undecenethiol, 11-mercaptoundecylphosphonic acid, 11-mercaptoundecyltrifluoroacetic acid, 2 ,2'-(ethylenedioxy)diethanethiol, 11-mercaptoundecyltri(ethylene glycol), (1-mercaptoundecyl-11-yl)tetra(ethyleneglycol), 1-(methylcarboxy)undec -11-yl) hexa(ethylene glycol), hydroxyundecyl disulfide, carboxyundecyl disulfide, hydroxyhexadodecyl disulfide, carboxyhexadecyl disulfide, tetrakis(2-ethylhexyloxy)titanium, Titaniumdioctyloxybis(octylene glycolate), zirconium tributoxymonoacetylacetonate, zirconium monobutoxyacetylacetonate bis(ethylacetoacetate), zirconium tributoxymonostearate, acetoalkoxyaluminum diisopropylate , 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 2,3-butanedithiol, 1-butanethiol, 2-butanethiol, cyclohexanethiol, cyclopentanethiol, 1-decanethiol, 1-dodecanethiol, 3-mercaptopropionate-2-ethylhexyl, 3-mercaptopropionate ethyl, 1-heptanethiol, 1-hexadecanethiol, hexylmercaptan, isoamylmercaptan, isobutylmercaptan, 3-mercaptopropionic acid, 3 -Mercaptopropionic acid-3-methoxybutyl, 2-methyl-1-butanethiol, 1-octadecanethiol, 1-octanethiol, 1-pentadecanethiol, 1-pentanethiol, 1-propanethiol, 1-tetra Decanethiol, 1-undecanethiol, 1-(12-mercaptododecyl)imidazole, 1-(11-mercaptodecyl)imidazole, 1-(10-mercaptodecyl)imidazole, 1-( 16-mercaptohexadecyl)imidazole, 1-(17-mercaptoheptadecyl)imidazole, 1-(15-mercapto)dodecanoic acid, 1-(11-mercapto)undecanoic acid, 1-(10- Mercapto) decanoic acid or the like can also be used.
실란 커플링제의 도포 방법(실란 커플링제층의 형성 방법)으로서는, 실란 커플링제 용액을 무기 기판(12)에 도포하는 방법이나 증착법 등을 이용할 수 있다. 또한, 실란 커플링제층의 형성은, 고분자 필름(14)의 표면에 행하여도 좋다.As a method of applying the silane coupling agent (method of forming the silane coupling agent layer), a method of applying a silane coupling agent solution to the
실란 커플링제층의 막 두께는, 무기 기판(12), 고분자 필름(14) 등과 비교하여도 매우 얇고, 기계 설계적인 관점에서는 무시되는 정도의 두께이며, 원리적으로는 최저한, 단분자층 오더의 두께가 있으면 충분하다.The film thickness of the silane coupling agent layer is very thin compared to the
실란 커플링제를 도포한 후에, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)을 밀착시키는 공정과 가열하는 공정에 의해 적층체의 접착력을 발현시킬 수 있다. 밀착시키는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 라미네이트, 프레스 등이 있다. 밀착과 가열은 동시여도 좋고, 순차 행하여도 좋다. 가열 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 오븐에 넣는, 가열 라미네이트, 가열 프레스 등이 있을 수 있다.After the application of the silane coupling agent, the adhesive force of the laminate can be developed by a step of bringing the
고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체의 제작 방법으로서는, 무기 기판과 고분자 필름을 따로따로 제작한 후, 밀착시켜도 좋고, 이때, 기지의 실란 커플링제 이외의 박리 용이한 접착제, 접착 시트, 점착제, 점착 시트를 사용하여 접착하여도 좋다. 또한, 이때, 상기 접착제, 상기 접착 시트, 상기 점착제, 상기 점착 시트는 무기 기판측에 먼저 붙여도 좋고, 고분자 필름측에 먼저 붙여도 좋다. 또한, 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체의 다른 제작 방법으로서는, 무기 기판 상에, 고분자 필름 형성용의 바니시를 도포, 건조시켜도 좋다. 이때, 무기 기판과, 고분자 필름의 박리 강도를 컨트롤하기 위해, 기지의 박리 용이한 바니시층(박리 용이층)과 주가 되는 바니시층(고분자 필름)의 2층 구성이나, 주층(고분자 필름)과 무기 박막층의 2층 구성으로 하여도 좋다.As a method for producing a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact, the inorganic substrate and the polymer film may be separately produced and then adhered. At this time, an easily peelable adhesive other than a known silane coupling agent, an adhesive sheet, You may adhere using an adhesive sheet. In this case, the adhesive, the adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive sheet may be applied to the inorganic substrate first or to the polymer film. As another method for producing a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact, a varnish for forming the polymer film may be applied onto the inorganic substrate and then dried. At this time, in order to control the peel strength between the inorganic substrate and the polymer film, a two-layer configuration of a base varnish layer (easily peelable layer) and a main varnish layer (polymer film), or a main layer (polymer film) and inorganic It is good also as a two-layer structure of a thin film layer.
<공정 B><Process B>
다음에, 적층체(10)의 단부에 있어서, 고분자 필름(14)과 무기 기판(12) 사이에 박리 부분(18)을 형성한다(공정 B).Next, at the end of the layered
박리 부분(18)을 마련하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 핀셋 등으로 단부로부터 벗기는 방법, 고분자 필름(14)에 절입을 넣고, 절입 부분의 1변에 점착 테이프를 접착시킨 후에 그 테이프 부분으로부터 벗기는 방법, 고분자 필름(14)의 절입 부분의 1변을 진공 흡착한 후에 그 부분으로부터 벗기는 방법 등을 채용할 수 있다.The method of providing the peeling
고분자 필름(14)에 절입을 넣는 방법으로서는, 날붙이 등의 절삭구에 의해 고분자 필름(14)을 절단하는 방법이나, 레이저와 적층체(10)를 상대적으로 스캔시킴으로써 고분자 필름(14)을 절단하는 방법, 워터 제트와 적층체(10)를 상대적으로 스캔시킴으로써 고분자 필름(14)을 절단하는 방법, 반도체 칩의 다이싱 장치에 의해 약간 유리층까지 절입하면서 고분자 필름(14)을 절단하는 방법 등이 있지만, 특별히 방법은 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 전술한 방법을 채용하는 데 있어서, 절삭구에 초음파를 중첩시키거나, 왕복 동작이나 상하 동작 등을 덧붙여 절삭 성능을 향상시키는 등의 방법을 적절하게 채용할 수도 있다.As a method of making an incision in the
또한, 도시하지 않지만, 박리 부분(18)이 재밀착하지 않도록, 박리 상태를 유지시키기 위해, 점착성, 접착성이 없는 필름이나 시트를 박리 부분(18)에 끼워도 좋다. 또한, 편면에 점착성, 접착성이 있는 필름이나 시트를 박리 부분(18)에 끼워도 좋다. 또한, 금속 부품(예컨대, 바늘)을 박리 부분(18)에 끼워도 좋다.In addition, although not shown, in order to maintain a peeled state so that the peeling
<공정 C><Process C>
무기 기판(12)이 고분자 필름(14)과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리한다(공정 C).By bending the
이하, 공정 C의 구체예에 대해서 설명한다.Hereinafter, the specific example of process C is demonstrated.
이하의 제1 실시형태∼제3 실시형태에서는, 상기 공정 C가 「상기 공정 B 후, 상기 무기 기판의 상기 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면과, 상기 박리 부분 사이에 정압차를 마련하고, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인」 경우에 대해서 설명한다.In the following first to third embodiments, the step C is "after the step B, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeling portion, A case in which the inorganic substrate is detached from the inorganic substrate while maintaining the polymer film substantially flat by being bent in a direction away from the polymer film will be described.
즉, 제1 실시형태∼제3 실시형태에 있어서의 공정 C는, 이하와 같다.That is, the process C in the first to third embodiments is as follows.
<제1 실시형태∼제3 실시형태에 있어서의 공정 C><Process C in the first to third embodiments>
상기 공정 B 후, 무기 기판(12)의 고분자 필름(14)과 밀착하지 않은 측의 면(비밀착면(14a))과, 박리 부분(18) 사이에 정압차를 마련하고, 무기 기판(12)이 고분자 필름(14)과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리한다(공정 C).After step B, a static pressure difference is provided between the surface of the
[제1 실시형태][First Embodiment]
도 2는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 박리 장치(20)는, 진공 챔버(30)와, 롤러(32)와, 진공 척(34)과, 기판 접촉자(35)를 구비한다.2 is a schematic cross-sectional view of the peeling device according to the first embodiment. As shown in FIG. 2 , the peeling
롤러(32)는, 진공 챔버(30) 내를 이동 가능하게 배치되어 있다.The
진공 척(34)은, 적층체(10)를 흡착하여 유지할 수 있으며, 적층체(10)를 흡착한 상태로 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킬 수 있다.The
기판 접촉자(35)는, 진공 챔버(30)의 상면 개구를 덮도록 진공 챔버(30)의 상면에 배치되어 있다. 진공 챔버(30)와 기판 접촉자(35)의 간극은 작은 편이 좋다. 도시하지 않지만, 간극부를 막는 부품이 있으면 좋다. 또한, 기판 접촉자(35)는 다공질체가 붙은 흡착판(다공질체를 갖는 흡착판)인 것이 바람직하다.The
제1 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 D-1, 공정 D-2 및 공정 D-3을 포함한다. 박리 장치(20)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 D-1, 공정 D-2 및 공정 D-3을 행한다.Step C according to the first embodiment includes step D-1, step D-2 and step D-3. The peeling
먼저, 박리 장치(20)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(10)가 박리 부분(18)의 개구에 위치하도록 위치시킨다. 또한, 이때, 적층체(10)의 무기 기판(12)을 기판 접촉자(35)에 접촉시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(20)는, 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)측에 롤러(32)를 배치하고, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향(도 2에서는 상방향)으로 압박한다(공정 D-1).Next, the peeling
다음에, 박리 장치(20)는, 펌프(P)에 의해 진공 챔버(30) 내를 대기압 미만으로 한다. 여기서, 박리 부분(18)은 대기압이다. 이에 의해, 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)과, 박리 부분(18) 사이에 정압차를 마련한다. 즉, 비밀착면(12a)측을 대기압 미만으로 하는 한편, 박리 부분(18)을 대기압으로 함으로써, 정압차를 마련한다(공정 D-2).Next, the peeling
또한, 이 상태에서는, 롤러(32)가 고분자 필름(14)을 박리 부분(18) 방향으로 기판 접촉자(35) 너머로 압박하고 있기 때문에, 박리는 진행되지 않는다.Further, in this state, since the
다음에, 박리 장치(20)는, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 면(무기 기판(12)과의 접촉면)을 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)에 대하여 평행하게 이동시킨다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이며, 롤러를 이동시키고 있는 상태를 나타내는 도면이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)를 박리 부분(18) 하부로부터 가로 방향(도 3에서는 좌측 방향)으로 이동시키면, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)에 의한 압박이 해제된 부분으로부터 순서대로, 박리 부분(18)의 박리가 진행된다. 즉, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 면을 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)에 대하여 평행하게 이동시키고, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 이동에 따라 박리를 진행시킨다(공정 D-3). 그 후, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)를 박리 부분(18)이 형성되어 있던 변의 대변의 직하까지 이동시킴으로써, 무기 기판(12)이 고분자 필름(14)과 떨어지는 방향으로 휘어짐이 생겨, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되고 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않았다. 대략 평면이란, 완전한 평면뿐만 아니라, JISB0621(1984)에 있어서의 평면도가 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.Next, the peeling
이와 같이, 박리 장치(20)에서는, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 면을 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)에 대하여 평행하게 이동시키고, 롤러(32)의 이동에 따라 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 무기 기판(12)이나 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다. 적층체(10)의 밀어올림에는, 롤러(32) 또는 기판 접촉자(35) 중 어느 하나이면 좋고, 바람직하게는 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 양방이다.In this way, in the
또한 롤러(32)의 반경을 변화시킴으로써, 무기 기판(12)의 박리 각도를 컨트롤할 수 있다. 예컨대, 롤러(32)의 반경을 작게 하면, 무기 기판(12)은 그에 따른 곡률 반경으로 박리하고, 롤러(32)의 반경을 크게 하면, 무기 기판(12)은 그에 따른 곡률 반경으로 박리한다. 롤러(32)의 반경을 작게 함으로써 박리 장치(20)를 소형화할 수 있고, 롤러(32)의 반경을 크게 함으로써 무기 기판(12)에 가해지는 굽힘의 부하를 작게 할 수 있다.Moreover, by changing the radius of the
또한, 진공 챔버(30) 및 진공 척(34)은, 본 발명의 정압차 형성 수단에 상당한다.In addition, the
상기 롤러의 반경은, 40 ㎜ 이상, 1000 ㎜ 이하이며, 보다 바람직하게는 60 ㎜ 이상, 100 ㎜ 이하이다.The radius of the roller is 40 mm or more and 1000 mm or less, more preferably 60 mm or more and 100 mm or less.
상기 롤러의 재질로서는, 어느 정도의 탄성을 갖는 재질이 바람직하고, 예컨대, 실리콘 고무, 불소 고무, 우레탄 고무, 에틸렌프로필렌 고무 등을 이용할 수 있다.As the material of the roller, a material having a certain degree of elasticity is preferable, and for example, silicone rubber, fluororubber, urethane rubber, ethylene propylene rubber and the like can be used.
상기 롤러 재질의 반발 탄성률(JIS K 6255: 2013)은, 3∼60%인 것이 바람직하다.The rebound elastic modulus (JIS K 6255: 2013) of the roller material is preferably 3 to 60%.
상기 롤러 재질의 고무 경도는, 50∼90인 것이 바람직하고, 비점착성 또한 대전 방지 혹은 도전성의 것이 바람직하다.The rubber hardness of the roller material is preferably 50 to 90, and it is preferable that it is non-adhesive and antistatic or conductive.
여기서, 본 실시형태에서는, 도시되어 있지 않지만, 무기 기판(12)과 롤러(32) 사이에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있어도 좋다. 무기 기판(12)과 롤러(32) 사이에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 유지할 수 있다. 메쉬형 시트(38)로서는, 통기성이 있고, 또한, 어느 정도의 강도를 갖고 있으면 좋고, 예컨대, 공지의 스크린 메쉬 등을 이용할 수 있다.Here, in this embodiment, although not shown, the mesh-
상기 메쉬형 시트의 재질로서는, 적절하게 탄성 변형하는 재질인 것이 바람직하고, 구체적으로는 폴리에스테르 필라멘트, 나일론 필라멘트, 스테인레스 와이어 등이 이용된 메쉬 카운트 #80 이상 #600 이하의 범위의 메쉬형 시트인 것이 바람직하다. 또한, 대전 방지 또는 도전성의 것이 바람직하다.The material of the mesh-like sheet is preferably a material that is elastically deformed appropriately, specifically, a mesh-like sheet in the range of mesh count #80 or more and #600 or less using polyester filament, nylon filament, stainless wire, etc. it is desirable Moreover, antistatic or conductive ones are preferable.
또한, 본 실시형태에서는, 메쉬형 시트(38)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 박리 장치(20)에 있어서, 메쉬형 시트를 배치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 박리한 무기 기판(12)을 그때마다, 추출하는, 별도의 기구가 있으면 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where the
도 4 및 도 5는 제1 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(23)는, 상기에서 설명한 박리 장치(22)에 대하여, 서포트 파트(33)를 추가한 장치이다.4 and 5 are schematic cross-sectional views of modified examples of the peeling device according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the peeling
서포트 파트(33)는, 무기 기판(12)을 눌러, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)의 박리 부분(18)을 넓히고 있다.The
박리 장치(23)는, 상기 박리 장치(20)와 동일한 동작을 행한다. 단, 박리 장치(23)에서는, 서포트 파트(33)가 마련되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 지지할 수 있다. 따라서, 무기 기판(12)의 박리된 부분이 크게 처치는 것을 방지할 수 있다.The peeling
(기능 소자가 형성된) 고분자 필름과 무기 기판의 박리 각도는 1도 이상 30도 이하가 되도록 제어하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 1도 이상 10도 이하이다. 상기 범위 내에 들어가게 함으로써, 기능 소자에 손상을 부여하는 일없이, 효율적으로 박리를 행하는 것이 가능해진다.It is preferable to control the separation angle between the polymer film (on which the functional element is formed) and the inorganic substrate to be 1 degree or more and 30 degrees or less. More preferably, it is 1 degree or more and 10 degrees or less. By setting it within the said range, it becomes possible to peel efficiently, without giving damage to a functional element.
또한 본 명세서에 있어서의 박리 각도는 메쉬 두께, 필름 두께 및 롤러의 반경에 의존한다. 박리하는 필름 두께에 따라 적절한 메쉬 두께와 롤러 반경을 선택함으로써, 박리 각도를 소정의 범위에 들어가게 할 수 있다.In addition, the peeling angle in this specification depends on the mesh thickness, the film thickness, and the radius of the roller. By selecting an appropriate mesh thickness and roller radius according to the film thickness to be peeled off, the peeling angle can be made to fall within a predetermined range.
본 실시형태에서는, 박리 후의 고분자 필름과 무기 기판은, 롤러로 눌려지고 있지 않기 때문에 개략 평행하며 수 ㎜ 떨어져 있다. 그 때문에, 일단 박리한 고분자 필름은 진공 흡착된 채로 무기 기판과는 재차 접촉하지 않는다.In this embodiment, since the polymer film and the inorganic substrate after peeling are not pressed with a roller, they are substantially parallel and separated by several millimeters. Therefore, the once peeled polymer film does not come into contact with the inorganic substrate again while vacuum adsorbed.
이상, 제1 실시형태에 따른 공정 C(공정 D-1, 공정 D-2 및 공정 D-3을 포함하는 공정 C)에 대해서 설명하였다.As mentioned above, process C (process C including process D-1, process D-2, and process D-3) concerning 1st Embodiment was demonstrated.
[제2 실시형태][Second Embodiment]
도 6은 제2 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 박리 장치(40)는, 진공 척(34)과, 다이어프램(42)을 구비한다.6 is a schematic cross-sectional view of a peeling device according to a second embodiment. As shown in FIG. 6 , the peeling
진공 척(34)은, 적층체(10)를 흡착하여 유지할 수 있으며, 적층체(10)를 흡착한 상태로 다이어프램(42)의 상방에 위치시킬 수 있다.The
다이어프램(42)은, 탄성 박막이며, 면으로 적층체(10)를 압박할 수 있다. 구체적으로는, 다이어프램(42)의 하측에 도시하지 않는 가압 장치가 설치되어 있고, 상기 가압 장치에 의한 가압에 의해, 다이어프램(42)(탄성 박막)의 면이 적층체(10)에 압박된다. 후술하는 바와 같이, 다이어프램(42)은 탄성 박막이기 때문에, 고분자 필름(14) 상에 기능 소자(16)가 마련되어 있었다고 해도, 고분자 필름(14)과 기능 소자(16)의 표면을 따라 거의 균일하게 적층체(10)를 압박할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 다이어프램(42)을 이용하는 경우에 대해서 설명하지만, 면으로 적층체(10)를 압박할 수 있으면 다이어프램에 한정되지 않는다. 기능 소자란, 고분자 필름 상에 형성된 소자이며, 고분자 필름 표면의 요철의 고저차가 10 ㎛ 이상인 것을 말한다.The
제2 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 E2-1 및 공정 E2-2를 포함한다. 박리 장치(40)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 E2-1 및 공정 E2-2를 행한다.Step C according to the second embodiment includes steps E2-1 and E2-2. The peeling
먼저, 박리 장치(40)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 다이어프램(42)의 상방에 위치시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(40)는, 다이어프램(42)을 동작시켜 적층체(10)를 압박하여, 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)측을 대기압 이상으로 한다. 그리고, 롤러(32)로 다이어프램(42)을 개재시켜 적층체의 박리부를 누르고 있다. 또한, 박리 부분(18)은 대기압이다. 즉, 비밀착면(12a)측을 대기압 이상으로 하는 한편, 박리 부분(18)을 대기압으로 한다(공정 E2-1).Next, the peeling
또한, 이 상태에서는, 다이어프램(42) 및 롤러(32)가 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향으로 압박하고 있기 때문에, 박리는 진행되지 않는다.Moreover, since the
다음에, 박리 장치(40)는, 박리 부분(18)을 비밀착면(12a)측의 압력보다 높은 압력으로 함으로써, 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)과, 박리 부분(18) 사이에 정압차를 마련한다(공정 E2-2). 예컨대, 박리 장치(40) 전체를 고압 챔버 내에 배치해 두고, 고압 챔버 내를 가압함으로써, 박리 부분(18)을 비밀착면(14a)측의 압력보다 높은 압력으로 한다. 이때 기계적인 힘을 병용하여도 좋다. 그리고, 롤러를 박리되지 않은 방향으로 이동시킴으로써, 박리 부분(18)으로부터 순차 박리가 넓어져, 고분자 필름(14)이 무기 기판(12)으로부터 박리된다.Next, the peeling
박리 장치(40)에서는, 비밀착면(12a)측을 대기압 이상으로 하고 있기 때문에, 박리 후의 고분자 필름(14)을 유지할 수 있다.In the
또한, 진공 척(34) 및 다이어프램(42)은, 본 발명의 정압차 형성 수단에 상당한다.In addition, the
이상, 제2 실시형태에 따른 공정 C(공정 E2-1 및 공정 E2-2를 포함하는 공정 C)에 대해서 설명하였다.In the above, process C (process C including process E2-1 and process E2-2) concerning 2nd Embodiment was demonstrated.
전술한 제1 실시형태, 제2 실시형태에서는, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)이 밀착한 적층체(10)를 이용하여, 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하는 경우에 대해서 설명하였다.In the first embodiment and the second embodiment described above, the
그러나, 본 발명에 있어서는 이 예에 한정되지 않고, 상기 적층체의 고분자 필름(14) 상에 기능 소자(16)가 마련된 기능 소자를 갖는 적층체를 이용하여, 기능 소자를 갖는 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하여도 좋다. 이 경우, 적층체(10)를 준비하는 공정 A 대신에, 기능 소자를 갖는 적층체(11)를 준비하는 공정 A-1을 행하면 좋다.However, in the present invention, the present invention is not limited to this example, and a polymer film having functional elements is formed on an inorganic substrate by using a laminate having functional elements in which
도 7은 기능 소자를 갖는 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 기능 소자를 갖는 적층체(11)는, 적층체(10)(무기 기판(12)과 고분자 필름(14)이 밀착한 적층체)와, 적층체(10)의 고분자 필름(14) 상에 마련된 기능 소자(16)를 갖는다.Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate having functional elements. As shown in FIG. 7 , the laminate 11 having functional elements includes the laminate 10 (a laminate in which the
기능 소자를 갖는 적층체(11)를 이용하여, 기능 소자를 갖는 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하는 경우, 이하에 설명하는 스페이서를 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 공정 C보다 전에, 고분자 필름(14)의 기능 소자(16)가 마련되지 않은 면 상에, 기능 소자(16)의 두께와 같은 정도의 두께를 갖는 스페이서(62)를 마련하는 공정 X를 행하는 것이 바람직하다.When the
도 8은 기능 소자를 갖는 적층체(11)의 고분자 필름(14) 상에 스페이서(62)를 마련한 모습을 나타내는 모식 단면도이다. 도 8에서는, 고분자 필름(14)의 기능 소자(16)가 마련되지 않은 면 상에, 기능 소자(16)의 두께와 같은 정도의 두께를 갖는 스페이서(62)가 마련되어 있다.Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing how
제1 실시형태 및 제2 실시형태에 있어서, 스페이서(62)를 이용한 경우, 즉, 공정 C 전에 공정 X를 행하는 경우, 스페이서(62)에 의해 고분자 필름(14) 상의 요철을 적게 할 수 있다. 그 결과, 박리할 때에, 기능 소자(16)가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In the first embodiment and the second embodiment, when the
기능 소자를 갖는 적층체(11)를 이용하여, 기능 소자를 갖는 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하는 경우, 이하에 설명하는 매립용 부재를 이용하는 것도 바람직하다. 즉, 상기 공정 C보다 전에 상기 고분자 필름(14) 상에 매립용 부재(64)를 배치하고, 매립용 부재(64)에 기능 소자(16)를 매립하는 공정 Y를 행하는 것이 바람직하다.In the case of peeling the
매립용 부재(64)로서는, 경질 시트에 소성 변형 가능한 수지 조성물을 도포한 것이어도 좋고, 경질 시트에 소성 변형 가능한 수지 조성물을 첩부한 것이어도 좋다. 또한, 점착성을 갖고 있어도 좋고, 매립용 부재 자체가 기능 소자의 보호층으로서의 역할을 갖고 있어도 좋다.As the embedding
도 9는 기능 소자를 갖는 적층체(11)의 고분자 필름(14) 상에 매립용 부재(64)를 배치하고, 기능 소자를 매립한 모습을 나타내는 모식 단면도이다. 도 9에서는, 고분자 필름(14) 상에 매립용 부재(64)를 배치하고, 매립용 부재(64)에 기능 소자(16)가 매립되어 있다. 매립용 부재(64)로서는, 다공질체로서, 진공 흡착을 할 수 있는 것이 바람직하다. 고분자 소결체, 세라믹 소결체, 금속 다공질체, 다공질의 필름 등이 바람직하다.Fig. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state in which an embedding
제1 실시형태 및 제2 실시형태에 있어서, 매립용 부재(64)를 이용한 경우, 즉, 공정 C 전에 공정 Y를 행하는 경우, 매립용 부재(64)에 의해 기능 소자(16)를 매립한 상태에서, 정압차를 마련하고, 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하기 때문에, 기능 소자(16)가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(14) 및 무기 기판(12)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In the first and second embodiments, when the embedding
[제3 실시형태][Third Embodiment]
제3 실시형태에서는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)로부터, 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)을 박리하는 경우에 대해서 설명한다.In the third embodiment, a case where the
도 10은 제3 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 박리 장치(50)는, 진공 챔버(30)와, 진공 척(34)과, 매립용 부재(64)와, 유연 지지재(66)와 다공질 유연체(52)와 압력 도입구(54)를 구비한다.10 is a schematic sectional view of a peeling device according to a third embodiment. As shown in FIG. 10 , the peeling
진공 챔버(30), 진공 척(34)에 대해서는 제1 실시형태의 항에서 이미 설명하였기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.Since the
다공질 유연체(52)는, 진공 챔버(30) 내에 배치되고, 상측에 무기 기판(12)이 배치되었을 때에는, 유리가 약간 구부러지는 것이 가능하다. 다공질 유연체(52)로서는, 다공질이며, 또한, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 다공질 유연체(52)의 재질로서는, 고분자 다공질체, 금속 다공질체, 세라믹스 다공질체 중 어느 것이나 사용 가능하다. 고분자 다공질체로서는, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메타아크릴, 폴리염화비닐, 불소 수지 등이 사용된다. 금속 다공질체로서는, Cu, SUS, 티탄 등이 사용된다. 세라믹스 다공질체로서는 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소, 지르코니아 등이 사용된다.When the porous
유연 지지재(66)는, 진공 챔버(30) 내에 배치되고, 상측에 기능 소자를 갖는 적층체(11)가 배치되었을 때에는 고분자 필름(14) 혹은 무기 기판(12)을 유지하는 것이 가능하다. 유연 지지재(66)로서는, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 실리콘 고무 시트 등을 들 수 있다.The
매립용 부재(64)는, 진공 챔버(30) 내에 배치되고, 진공 척(34)과는 반대측의 면에 기능 소자를 갖는 적층체(11)가 배치되었을 때에는, 고분자 필름(14) 혹은 무기 기판(12)을 유지하는 것이 가능하다. 도 10에서는 고분자 필름(14)과 접하고 있지만, 고분자 필름(14)의 외측에 위치할 수도 있다. 매립용 부재(64)로서는, 다공질이며, 또한, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 플라스틱 소결 다공질체 혹은 금속 다공질 소결체 혹은 다공질 세라믹 소결체를 기능 소자를 매립할 수 있는 형상으로 가공한 것을 들 수 있다.The embedding
제3 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 E-1 및 공정 E-2를 포함한다. 박리 장치(50)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 E-1 및 공정 E-2를 행한다.Step C according to the third embodiment includes step E-1 and step E-2. The peeling
먼저, 박리 장치(50)는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상측에 위치시킨다. 이때, 적층체(11)의 기능 소자(16)가 매립용 부재(64)의 개구에 위치하도록 위치시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(50)는, 진공 챔버(30) 내에 배치된 다공질 유연체(52)에 압입하면서, 다공질 유연체(52)에 의해 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향으로 압박한다(공정 E-1).Next, the peeling
다음에, 박리 장치(50)는, 펌프(P)에 의해 진공 챔버(30) 내를 대기압 미만으로 한다. 여기서, 박리 부분(18)은 대기압이다. 이에 의해, 고분자 필름(14)의 비밀착면(14a)과, 박리 부분(18) 사이에 정압차를 마련한다. 즉, 비밀착면(14a)측을 대기압 미만으로 하는 한편, 압력 도입구(54)로부터 에어를 도입함으로써 대기압 이상으로 함으로써, 정압차를 마련한다(공정 E-2). 이에 의해, 박리 부분(18)으로부터 순차 박리가 넓어져, 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)이 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 그때, 무기 기판(12)이 고분자 필름(14)과 떨어지는 방향으로 휘어짐이 생겨, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다.Next, the peeling
박리 장치(50)에서는, 매립용 부재(64)에 기능 소자(16)를 매립한 상태에서, 정압차를 마련하고, 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하기 때문에, 기능 소자(16)가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 매립용 부재는 약간의 유연성은 갖지만, 평면을 유지하기 때문에, 고분자 필름(14)도 평면을 유지한 채로 박리된다. 이것도, 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제한다.In the
또한, 진공 챔버(30) 및 진공 척(34)은, 본 발명의 정압차 형성 수단에 상당한다.In addition, the
상기 공정 C에 의해 박리된 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)은, 전자 디바이스, 특히, 플렉시블 전자 디바이스로서 사용할 수 있다. 즉, 상기 공정 A-1, 상기 공정 B 및 상기 공정 C를 포함하는 방법은, 전자 디바이스의 제조 방법이기도 하다.The
이상, 제1 실시형태∼제3 실시형태에 대해서 설명하였다.In the above, the first to third embodiments have been described.
이하의 제4 실시형태∼제6 실시형태에서는, 상기 공정 C가 「상기 공정 B 후, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 박리 부분에 동압을 가함으로써, 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인」 경우에 대해서 설명한다.In the following fourth to sixth embodiments, the step C is "a step of peeling from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeling portion while maintaining the polymer film substantially flat after the step B" 」 Describe the case.
즉, 제4 실시형태∼제6 실시형태에 있어서의 공정 C는, 이하와 같다.That is, the process C in the fourth to sixth embodiments is as follows.
<제4 실시형태∼제6 실시형태에 있어서의 공정 C><Process C in the fourth to sixth embodiments>
상기 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로, 박리 부분(18)에 동압을 가함으로써, 상기 무기 기판으로부터 박리한다(공정 C).The
[제4 실시형태][Fourth Embodiment]
도 11∼도 12는 제4 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 11∼도 12에 나타내는 바와 같이, 제4 실시형태에 따른 박리 장치(20)는, 서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34)을 구비한다.11 and 12 are schematic sectional views of a peeling device according to a fourth embodiment. As shown in FIGS. 11 and 12 , the peeling
또한, 제4 실시형태∼제6 실시형태의 설명에 있어서, 제1 실시형태∼제3 실시형태와 공통하는 구성에 대해서는 동일의 부호를 붙이는 경우가 있다.Note that, in the description of the fourth to sixth embodiments, the same reference numerals may be attached to configurations common to those of the first to third embodiments.
진공 척(34)은, 적층체(10)를 흡착하여 유지할 수 있고, 적층체(10)를 흡착한 상태로 박리를 행할 수 있다. 적층체(10)의 고분자 필름(14)측이 진공 척(34)에 흡착되어 있기 때문에, 고분자 필름(14)과 무기 기판(12)의 박리 부분(18)에, 에어 블로우 노즐(45)로부터 동압을 가함으로써, 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리할 수 있다. 또한, 에어 블로우 노즐(45)은, 본 발명의 동압 형성 수단에 상당한다.The
제4 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 F-1, 공정 F-2를 포함한다. 박리 장치(20)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 F-1, 공정 F-2를 행한다.Step C according to the fourth embodiment includes steps F-1 and F-2. The peeling
먼저, 박리 장치(20)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착한다. 이때, 적층체(10)의 무기 기판(12)을 서포트 파트(33)에 접촉시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(20)는, 서포트 파트(33)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18)이 넓어지는 방향(도 11에서는 하방향)으로 변위시킨다(공정 F-1). 구체적으로는, 무기 기판(12)을 만곡시키는 것이 바람직하다. 상기 만곡의 최소 곡률 반경은 350 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 무기 기판(12)의 부하를 작게 할 수 있는 것으로부터, 보다 바람직하게는 400 ㎜ 이상이며, 더욱 바람직하게는 500 ㎜ 이상이다. 또한 박리 속도가 오르는 것으로부터 1000 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 800 ㎜ 이하이다.Next, the peeling
다음에, 박리 장치(20)는, 무기 기판(12)의 고분자 필름(14)과 밀착하지 않은 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 노즐은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다(공정 F-2). 상기 비밀착면을 대기압 미만으로 하기 위해, 도 11∼도 12에서는 도시하지 않지만, 예컨대 진공 챔버(30)를 사용할 수 있다.Next, the peeling
이어서, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되고 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않았다. 대략 평면이란, 완전한 평면뿐만 아니라, JISB0621(1984)에 있어서의 평면도가 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다. 또한, 1 ㎟ 범위에서의 평면으로부터의 어긋남은, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이하 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.Subsequently, the
여기서, 본 실시형태에서는, 도시되어 있지 않지만, 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있어도 좋다. 무기 기판(12)의 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 유지할 수 있다. 메쉬형 시트(38)로서는, 통기성이 있으며, 또한, 어느 정도의 강도를 갖고 있으면 좋고, 예컨대, 공지의 스크린 메쉬 등을 이용할 수 있다.Here, in the present embodiment, although not shown, a mesh-
또한, 본 실시형태에서는, 메쉬형 시트(38)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 박리 장치(20)에 있어서, 메쉬형 시트를 배치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 박리한 무기 기판(12)을 그때마다, 추출하는, 별도의 기구가 있으면 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where the
[제5 실시형태][Fifth Embodiment]
도 13∼도 15는 제5 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다. 도 13 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 제5 실시형태에 따른 박리 장치(22, 23)는, 상기에서 설명한 박리 장치(20)에 대하여, 무기 기판(12)의 유지 기구로서, 무기 기판용의 진공 척(37)을 구비한다. 이 무기 기판용의 진공 척(37)은 상하 동작과 기울기 동작을 할 수 있다. 진공 척(34)은, 적층체(10)를 흡착하여 유지할 수 있고, 적층체(10)를 흡착한 상태로 상방에 위치시킬 수 있다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(24)는, 상기에서 설명한 박리 장치(20)에 대하여, 진공 척(34) 대신에, 롤러(32) 및 진공 챔버(30) 및 기판 접촉자(35)를 추가한 장치이다. 기판 접촉자(35)에 무기 기판(12)이 따름으로써, 기계적으로 무기 기판(12)의 최소 곡률 반경보다 구부러지지 않도록 제한하고 있다.13 to 15 are schematic cross-sectional views of modified examples of the peeling device according to the fifth embodiment. 13 and 14, the peeling
박리 장치(22)는, 상기 박리 장치(20)와 동일한 동작을 행한다. 단, 박리 장치(22)에서는, 무기 기판용의 진공 척(37)이 마련되어 있기 때문에, 무기 기판(12)을 최소 곡률 반경보다 구부리지 않도록 제한하면서, 박리부가 넓어지는 방향으로 변형시킬 수 있다.The peeling
메쉬형 시트(38)가 마련되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 지지할 수 있다. 따라서, 무기 기판(12)의 박리된 부분이 크게 처지는 것을 방지할 수 있다.Since the mesh-
제5 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 G-1, 공정 G-2 및 공정 G-3을 포함한다. 박리 장치(22, 23, 24)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 G-1, 공정 G-2 및 공정 G-3을 행한다.Step C according to the fifth embodiment includes step G-1, step G-2 and step G-3. The peeling
먼저, 박리 장치(22)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(10)의 박리 부분(18)의 개구에 에어 블로우 노즐(45)이 위치하도록 한다. 무기 기판의 진공 척(37)에 접촉시키도록 한다. 무기 기판의 진공 척(37)은 무기 기판(12)을 박리 부분 방향으로 압박한다(공정 G-1). 여기서는, 무기 기판의 진공 척(37)이 기판 접촉자에 상당한다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(22)는, 무기 기판의 진공 척(37)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18)이 넓어지는 방향(도 11에서는 하방향)으로 변위시킨다.Next, the
다음에, 박리 장치(22)는, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 노즐은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게이동시켜도 좋다. 여기서, 동압을 박리 부분(18)에 가한다(공정 G-2).Next, the peeling
또한, 이 상태에서는, 박리 부분(18)으로부터 떨어진 위치에서는 무기 기판(12)의 진공 척(37)이 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향으로 메쉬형 시트(38) 너머로 압박하고 있기 때문에, (도 13에서는 상향)박리는 진행되지 않는다.Further, in this state, the
다음에, 박리 장치(22)는, 박리 부분(18)으로부터 떨어진 위치에서는 무기 기판의 진공 척(37)(무기 기판(12)과의 접촉면)을 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)으로부터 떼어 간다. 이때, 무기 기판(12)은 이 움직임에 따른 곡률 반경을 취하게 되기 때문에, 무기 기판의 진공 척(37)의 높이, 기울기, 진공 흡착의 유무를 컨트롤한다. 무기 기판의 진공 척(37)에 의한 압박이 해제된 부분으로부터 순서대로, 박리 부분(18)의 박리가 진행된다(공정 G-3). 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되어 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나고 있지 않다.Next, the peeling
이와 같이, 박리 장치(22)에서는, 무기 기판의 진공 척(37)을 무기 기판(12)의 박리 부분(18)측으로부터 순차 이동시키고, 무기 기판의 진공 척(37)의 이동에 따라 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 무기 기판(12)이나 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In this way, in the
여기서, 본 실시형태에서는, 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있어도 좋다. 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 유지할 수 있다. 메쉬형 시트(38)로서는, 통기성이 있으며, 또한, 어느 정도의 강도를 갖고 있으면 좋고, 예컨대, 공지의 스크린 메쉬 등을 이용할 수 있다.Here, in the present embodiment, the mesh-
또한, 본 실시형태에서는, 메쉬형 시트(38)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 박리 장치(20)에 있어서, 메쉬형 시트를 배치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 박리한 무기 기판(12)을 그때마다, 추출하는, 별도의 기구가 있으면 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where the
다음에 박리 장치(23)에 대해서 설명한다(도 14). 먼저, 박리 장치(23)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(10)의 박리 부분(18)의 개구에 에어 블로우 노즐(45)이 위치하도록 한다. 또한, 이때, 적층체(10)의 무기 기판(12)을 서포트 파트(33)에 접촉시킨다. 무기 기판(12)의 비밀착면을 진공 척(37)에 접촉시키도록 한다. 여기서는, 무기 기판의 진공 척(37)이 기판 접촉자에 상당한다.Next, the peeling
다음에, 박리 장치(23)는, 무기 기판의 진공 척(37)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18)이 넓어지는 방향(도 14에서는 하방향)으로 변위시키며, 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향(도 14에서는 상방향)으로 압박한다(공정 G-1).Next, the peeling
다음에, 박리 장치(23)는, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 블로우 노즐(45)은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다. 여기서, 동압을 박리 부분(18)에 가한다.(공정 G-2).Next, the peeling
또한, 이 상태에서는, 박리 부분(18)으로부터 떨어진 위치에서는 무기 기판(12)의 진공 척(37)이 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향으로 메쉬형 시트(38) 너머로 압박하고 있기 때문에, (도 14에서는 상향)박리는 진행되지 않는다.Further, in this state, the
다음에, 박리 장치(23)는, 박리 부분(18)으로부터 떨어지는 방향으로 무기 기판의 진공 척(37)(무기 기판(12)과의 접촉면)을 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)에 대하여 평행하게 이동시킨다. 이때, 무기 기판(12)은 무기 기판의 진공 척(37)의 무기 기판과의 접촉면의 곡률에 따른 곡률 반경을 취하게 되기 때문에, 무기 기판의 곡률 반경을 컨트롤할 수 있다. 무기 기판의 진공 척(37)에 의한 압박이 해제된 부분으로부터 순서대로, 박리 부분(18)의 박리가 진행된다(공정 G-3). 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되어 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않는다. 대략 평면이란, 완전한 평면뿐만 아니라, JISB0621(1984)에 있어서의 평면도가 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다. 또한, 1 ㎟ 범위에서의 평면으로부터의 어긋남은, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.Next, the peeling
이와 같이, 박리 장치(23)에서는, 무기 기판의 진공 척(37)을 무기 기판(12)의 박리 부분(18)측으로부터 순차 이동시키고, 무기 기판의 진공 척(37)의 이동에 따라 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 무기 기판(12)이나 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In this way, in the
여기서, 본 실시형태에서는, 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있어도 좋다. 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 유지할 수 있다. 메쉬형 시트(38)로서는, 통기성이 있으며, 또한, 어느 정도의 강도를 갖고 있으면 좋고, 예컨대, 공지의 스크린 메쉬 등을 이용할 수 있다.Here, in the present embodiment, the mesh-
또한, 본 실시형태에서는, 메쉬형 시트(38)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 박리 장치(23)에 있어서, 메쉬형 시트를 배치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 박리한 무기 기판(12)을 그때마다, 추출하는, 별도의 기구가 있으면 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where the
다음에 박리 장치(24)에 대해서 설명한다(도 15). 먼저, 박리 장치(24)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(10)의 박리 부분(18)의 개구에 에어 블로우 노즐(45)이 위치하도록 한다(에어 블로우 노즐(45)의 도시는 생략함). 또한, 이때, 적층체(10)의 무기 기판(12)을 서포트 파트(33)에 접촉시킨다(서포트 파트(33)의 도시는 생략함). 기판 접촉자(35)에도 접촉시키도록 한다.Next, the peeling
다음에, 박리 장치(24)는, 기판 접촉자(35) 및 서포트 파트(33)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18)이 넓어지는 방향(도 15에서는 하방향)으로 변위시키며, 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향(도 15에서는 상방향)으로 압박한다(공정 G-1).Next, the peeling
다음에, 박리 장치(24)는, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 블로우 노즐(45)은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다. 여기서, 동압을 박리부에 가한다(공정 G-2). 또한, 이 상태에서는, 박리 부분(18)으로부터 떨어진 위치에서는 롤러(32)가 무기 기판(12)을 박리 부분(18) 방향으로 기판 접촉자(35) 너머로 압박하고 있기 때문에, (도 15에서는 상향)박리는 진행되지 않는다.Next, the peeling
다음에, 박리 장치(24)는, 박리 부분(18)으로부터 떨어지는 방향으로 무기 기판의 기판 접촉자(35)(무기 기판(12)과의 접촉면)를 롤러(32) 및 진공 챔버(30)와 함께 무기 기판(12)의 비밀착면(12a)에 대하여 평행하게 이동시킨다. 이때, 무기 기판(12)은 기판 접촉자(35)의 무기 기판과의 접촉면의 곡률에 따른 곡률 반경을 취하게 되기 때문에, 무기 기판의 곡률 반경을 컨트롤할 수 있다. 기판 접촉자(35)에 의한 압박이 해제된 부분으로부터 순서대로, 박리 부분(18)의 박리가 진행된다(공정 G-3). 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되고 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않는다.Next, the peeling
이와 같이, 박리 장치(24)에서는, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)를 무기 기판(12)의 박리 부분(18)측으로부터 순차 이동시키고, 롤러(32) 및 기판 접촉자(35)의 이동에 따라 박리를 진행시키기 때문에, 박리 스피드를 컨트롤할 수 있다. 그 결과, 무기 기판(12)이나 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In this way, in the
여기서, 본 실시형태에서는, 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있어도 좋다. 무기 기판(12) 아래에 메쉬형 시트(38)가 배치되어 있기 때문에, 박리 후의 무기 기판(12)을 유지할 수 있다.Here, in the present embodiment, the mesh-
메쉬형 시트(38)로서는, 통기성이 있으며, 또한, 어느 정도의 강도를 갖고 있으면 좋고, 예컨대, 공지의 스크린 메쉬 등을 이용할 수 있다.As the mesh-
또한, 본 실시형태에서는, 메쉬형 시트(38)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 박리 장치(24)에 있어서, 메쉬형 시트를 배치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 박리한 무기 기판(12)을 그때마다, 추출하는, 별도의 기구가 있으면 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where the
이상, 제5 실시형태에 따른 공정 C(공정 G-1, 공정 G-2 및 공정 G-3을 포함하는 공정 C)에 대해서 설명하였다.As mentioned above, process C (process C including process G-1, process G-2, and process G-3) concerning 5th Embodiment was demonstrated.
[제6 실시형태][Sixth Embodiment]
제6 실시형태에서는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)로부터, 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)을 박리하는 경우에 대해서 설명한다.In the sixth embodiment, a case where the
도 16은 제6 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 16에 나타내는 바와 같이, 제6 실시형태에 따른 박리 장치(50)는, 서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34), 매립용 부재(64), 유연체(66)를 구비한다. 또한, 서포트 파트(33)는 도 14와 동일하기 때문에 도시하지 않는다.16 is a schematic sectional view of a peeling device according to a sixth embodiment. As shown in FIG. 16 , the peeling
서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34)에 대해서는 제4 실시형태의 항에서 이미 설명하였기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.Since the
유연 지지재(66)는, 진공 척(34) 상에 배치되며, 상측에 기능 소자를 갖는 적층체(11)가 배치되었을 때에는 고분자 필름(14)을 유지하는 것이 가능하다. 유연 지지재(66)로서는, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 실리콘 고무 시트 등을 들 수 있다.The
매립용 부재(64)는, 진공 척(34) 상에 배치되며, 진공 척(34)과는 반대측의 면에 기능 소자를 갖는 적층체(11)가 배치되었을 때에는, 고분자 필름(14)을 유지하는 것이 가능하다. 도 16에서는 고분자 필름(14)과 접하고 있지만, 고분자 필름(14)의 외측에 위치할 수도 있다. 매립용 부재(64)로서는, 다공질이며, 또한, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 플라스틱 소결 다공질체 혹은 금속 다공질 소결체 혹은 다공질 세라믹 소결체를 기능 소자를 매립할 수 있는 형상으로 가공한 것을 들 수 있다.The embedding
제6 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 F2-1 및 공정 F2-2를 포함한다. 박리 장치(50)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 F2-1 및 공정 F2-2를 행한다.Step C according to the sixth embodiment includes step F2-1 and step F2-2. The peeling
먼저, 박리 장치(50)는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착하여, 진공 챔버(30)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(11)의 기능 소자(16)가 매립용 부재(64)의 개구에 위치하도록 위치시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(50)는, 도시하지 않는 서포트 파트(33)에 의해, 무기 기판(12)을 박리 부분(18)이 넓어지는 방향(도 16에서는 하방향)으로 변위시킨다(공정 F2-1).Next, the peeling
다음에, 박리 장치(50)는, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 노즐은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다(공정 F2-2).Next, the peeling
이에 의해, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되고 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않는다.As a result, the
박리 장치(50)에서는, 매립용 부재(64)에 기능 소자(16)를 매립한 상태에서, 동압을 가하여, 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하기 때문에, 기능 소자(16)가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 매립용 부재는 약간의 유연성은 갖지만, 평면을 유지하기 때문에, 고분자 필름(14)도 대략 평면을 유지한 채로 박리된다. 이것도, 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제한다.In the
또한, 에어 블로우 노즐(45)은, 본 발명의 동압 형성 수단에 상당한다.In addition, the
상기 공정 C에 의해 박리된 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)은, 전자 디바이스, 특히, 플렉시블 전자 디바이스로서 사용할 수 있다. 즉, 상기 공정 A-1, 상기 공정 B 및 상기 공정 C를 포함하는 방법은, 전자 디바이스의 제조 방법이기도 하다.The
이상, 제4 실시형태∼제6 실시형태에 대해서 설명하였다.In the above, the fourth to sixth embodiments have been described.
이하의 제7 실시형태∼제9 실시형태에서는, 상기 공정 C가,In the following seventh to ninth embodiments, the step C,
「상기 공정 B 후, 상기 적층체의 상기 고분자 필름면이 진공 흡착 플레이트에 접하도록 상기 적층체를 설치하여 고정하고, 상기 적층체의 측면에는 격벽이 마련되고, 이어서 상기 박리 부분에 노즐에 의해 기체를 주입하여, 압력을 가함으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 박리하는 공정인」 경우에 대해서 설명한다."After the step B, the laminate is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminate is in contact with the vacuum adsorption plate, a partition is provided on the side surface of the laminate, and then a nozzle is used to remove the gas from the peeling portion. The process of peeling the polymer film while maintaining it substantially flat by injecting and applying pressure will be described.
즉, 제7 실시형태∼제9 실시형태에 있어서의 공정 C는, 이하와 같다.That is, the process C in the seventh to ninth embodiments is as follows.
<제7 실시형태∼제9 실시형태에 있어서의 공정 C><Process C in the seventh to ninth embodiments>
상기 적층체(10)의 고분자 필름(14)의 면을 진공 흡착 플레이트(34)(이하, 진공 척이라고도 함)에 접하도록 상기 적층체(10)를 설치하여 고정하고, 상기 적층체(10)의 측면에는 격벽(31)이 마련되고, 이어서 상기 박리 부분(18)에 노즐(45)(이하, 에어 블로우 노즐이라고도 함)에 의해 기체를 주입하여, 압력을 가함으로써, 상기 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로, 상기 무기 기판(12)으로부터 박리한다(공정 C).The laminate 10 is installed and fixed so that the surface of the
[제7 실시형태][Seventh Embodiment]
도 17∼도 19는 제7 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 17, 도 18은 박리 장치의 셋팅 도중의 도면이고, 도 19는 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 주입하기 직전의 도면이다. 도 17∼도 19에 나타내는 바와 같이, 제7 실시형태에 따른 박리 장치(20, 21, 23)는, 격벽(31), 격벽 서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34), 개략 평판(39)(이하, 상벽이라고도 함)을 구비한다.17 to 19 are schematic cross-sectional views of a peeling device according to a seventh embodiment. 17 and 18 are views during setting of the peeling device, and FIG. 19 is a view immediately before injecting gas from the
진공 척(34)은, 적층체(10)를 흡착하여 유지할 수 있어, 적층체(10)를 흡착한 상태로 박리를 행할 수 있다. 적층체(10)의 고분자 필름(14)측이 진공 척(34)에 흡착되어 있기 때문에, 고분자 필름(14)과 무기 기판(12)의 박리 부분(18)에, 에어 블로우 노즐(45)로부터 압력을 가함으로써, 고분자 필름(14)을 대략 평면으로 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리할 수 있다. 또한, 에어 블로우 노즐(45)은, 본 발명의 압력 형성 수단에 상당한다.The
제7 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 H-1, 공정 H-2를 포함한다. 박리 장치(20, 21, 23)는, 이하와 같이 동작함으로써, 공정 H-1, 공정 H-2를 행한다.Step C according to the seventh embodiment includes steps H-1 and H-2. The peeling
먼저, 박리 장치(20, 21, 23)는, 적층체(10)의 고분자 필름(14)측을 진공 척(34)으로 흡착한다. 이때, 적층체(10)의 무기 기판(12)을 서포트 파트(33)에 접촉시킨다.First, the
다음에, 박리 장치(20, 21, 23)는, 에어 블로우 노즐(45)이 격벽(31)을 관통하고 있다. 그리고, 에어 블로우 노즐(45)로부터, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14) 사이의 박리 부분(18)이 넓어지는 방향으로 변위시키도록 기체를 도입한다. 또한 적층체(10)의 무기 기판(12)측에 무기 기판(12)과 병행하며, 또한, 무기 기판(12)과는 접촉하지 않는 개략 평판을 설치한다(공정 H-1). 구체적으로는, 고분자 필름(14) 아래의 진공 척에 도시하지 않는 절결을 만들거나, 이 단부로부터 에어 블로우 노즐(45)을 도입함으로써, 고분자 필름(14)의 변형을 용이하게 해 둔다. 무기 기판(12)은 크게는 만곡시키지 않는 것이 바람직하다. 상기 만곡의 최소 곡률 반경은 350 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 무기 기판(12)의 부하를 작게 할 수 있는 것으로부터, 보다 바람직하게는 500 ㎜ 이상이며, 더욱 바람직하게는 800 ㎜ 이상이다. 또한 박리 시의 순간적인 변형에서는 크게 변형하는 것으로부터 1000 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1800 ㎜ 이하이다.Next, in the
다음에, 박리 장치(20, 21, 23)는, 무기 기판(12)의 고분자 필름(14)과 밀착하지 않은 비밀착면측(12a)을 대기압 또는 저압력으로 하는 한편, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 주입시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 노즐은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다(공정 H-2). 상기 비밀착면을 저압력으로 하기 위해, 도 17∼도 19에서는 도시하지 않지만, 예컨대 진공 챔버(30)를 사용할 수 있다.Next, the
이어서, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다. 이때 고분자 필름(14)은 항상 진공 척(34)에 유지되고 있기 때문에, 굽힘, 변형은 일어나지 않는다. 대략 평면이란, 완전한 평면뿐만 아니라, JISB0621(1984)에 있어서의 평면도가 1000 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다. 또한, 1 ㎟ 범위에서의 평면으로부터의 어긋남은, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.Subsequently, the
여기서 저압력이란 에어 블로우 노즐(45)로부터 공급되는 기체의 압력과 비교하여 낮은 압력을 가리키며, 진공 혹은 감압한 상태 혹은 대기 개방한 상태를 가리킨다. 에어 블로우 노즐(45)로부터 공급되는 기체의 압력이 충분히 높은 경우는, 약간의 가압 상태 압력이 일정하게 컨트롤된 상태도 저압력에 포함시킨다.Here, the low pressure refers to a low pressure compared to the pressure of the gas supplied from the
고압력이란 에어 블로우 노즐(45)로부터 공급되는 기체의 압력에 의해 박리 부분에 생기는 압력을 가리킨다.The high pressure refers to the pressure generated in the peeled portion by the pressure of the gas supplied from the
격벽(31)은 상기 적층체(10)의 측면에 마련되어 있다. 격벽(31)이란 에어 블로우 노즐(45)로부터 공급되는 기체의 압력이 무기 기판의 비밀착면(12a)측으로 새지 않도록 양자를 분리하기 위한 벽을 말한다. 여기서, 측면이란 적층체(10)의 두께 방향과 평행해지는 위치를 말한다. 또한, 격벽(31)이 적층체(10)의 측면에 존재함으로써, 박리 부분(18)에 기체를 주입하였을 때, 박리 부분(18)과, 무기 기판의 비밀착면(12a)의 압력차를 개략 유지할 수 있다. 또한, 상기 무기 기판(12)의 움직임을 상기 고분자 필름(14)으로부터 떨어지는 방향만으로 제한할 수 있다. 떨어지는 방향의 움직임이란 박리 시에 고분자 필름(14) 평면에 대하여, 개략 수직 방향에서 무기 기판(12)과 고분자 필름(14)의 거리가 커지는 움직임을 가리킨다. 고압력과 저압력은 격벽(31)이 있음으로써 분리되어 있다.The
상기 기체는, 특별히 한정되지 않고, 공기, 질소, 헬륨, 네온, 아르곤 등을 사용할 수 있다.The gas is not particularly limited, and air, nitrogen, helium, neon, argon and the like can be used.
[제8 실시형태][Eighth Embodiment]
도 20∼도 24는 제8 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다. 도 20∼도 24에 나타내는 바와 같이, 제8 실시형태에 따른 박리 장치(24, 25, 26, 27, 28)는, 상기에서 설명한 박리 장치(20)에 대하여, 무기 기판(12)의 유지 기구로서, 격벽 서포트 파트(33)가 없다. 이 때문에, 박리한 무기 기판(12)의 엣지(단부)로부터 고압력의 기체가 무기 기판의 비밀착면(12a)으로 이동할 수 있다. 이 때문에, 격벽(31)의 재질을 선택하는, 무기 기판(12)과 격벽(31)의 간격을 좁게 하거나 혹은, 상벽에 공백부를 만듦으로써 대기 개방으로 하거나, 상벽으로부터 진공 펌프에 의해 흡인한다고 하는 방책으로 박리 부분(18)과 무기 기판의 비밀착면(12a)의 압력차를 유지함으로써, 박리를 실현할 수 있다. 상벽(39)에 무기 기판(12)이 따름으로써, 기계적으로 무기 기판(12)의 최소 곡률 반경보다 구부리지 않도록 제한하고 있다. 이에 의해, 박리 시의 무기 기판(12)에의 부하를 저감할 수 있다. 특히 박리 장치(27)와 같이, 상벽(39)을, 진공 척(34)과 평행하지만, 약간 비스듬하게 함으로써 무기 기판이 박리할 때의 움직일 수 있는 범위를 제한할 수 있다. 이와 같이 함으로써 무기 기판의 박리 시의 움직임을 제한하는 것도 유효한 수단이다. 또한, 박리 장치(28)에서는, O링(63)을 사용하여 진공 척(34)과 상벽(39)을 격벽(31)과의 사이에서 결합시켜, 엄밀하게 에어 누설을 막는 구조를 취하고 있다. 이것도 유효한 수단이다.20 to 24 are schematic cross-sectional views of modified examples of the peeling device according to the eighth embodiment. As shown in Figs. 20 to 24, the peeling
박리 장치(25)는, 상기 박리 장치(20)와 동일한 동작을 행한다. 단, 박리 장치(25)에서는, 무기 기판용의 진공 척(37)이 마련되어 있기 때문에, 무기 기판(12)을 최소 곡률 반경보다 구부리지 않도록 제한하면서, 박리부가 넓어지는 방향으로 변형시킬 수 있다.The peeling
제8 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 H-1, 공정 H-2를 포함한다. 박리 장치(22, 23)는, 격벽 서포트 파트(33)가 없는 것 이외에는 제7 실시형태와 동일하며, 제7 실시형태와 동일하게 동작함으로써, 공정 H-1, 공정 H-2를 행한다.Step C according to the eighth embodiment includes step H-1 and step H-2. The peeling
[제9 실시형태][Ninth Embodiment]
제9 실시형태에서는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)로부터, 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)을 박리하는 경우에 관해서 설명한다.In the ninth embodiment, a case where the
도 25∼도 26은 제9 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 25∼도 26에 나타내는 바와 같이, 제9 실시형태에 따른 박리 장치(50, 51)는, 격벽 서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34), 매립용 진공 척(65), 상벽(39), 무기 기판용의 진공 척(37)을 구비한다.25 to 26 are schematic cross-sectional views of a peeling device according to a ninth embodiment. 25 to 26, the
격벽 서포트 파트(33)와, 에어 블로우 노즐(45)과, 진공 척(34), 상벽(39), 무기 기판용의 진공 척(37)에 대해서는 제7 실시형태의 항에서 이미 설명하였기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.Since the
매립용 진공 척(65)은, 진공 척(34) 상에 배치되며, 진공 척(34)과는 반대측의 면에 기능 소자를 갖는 적층체(11)가 배치되었을 때에는, 고분자 필름(14)을 유지하는 것이 가능하다. 도 25∼도 26에서는 고분자 필름(14)과 접하고 있지만, 고분자 필름(14)의 외측에 위치할 수도 있다. 매립용 진공 척(65)으로서는, 다공질이며, 또한, 유연성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 플라스틱 소결 다공질체 혹은 금속 다공질 소결체 혹은 다공질 세라믹 소결체를 기능 소자를 매립할 수 있는 형상으로 가공한 것을 들 수 있다.The
제9 실시형태에 따른 공정 C는, 공정 H-1, 공정 H-2를 포함한다. 박리 장치(50)의 동작은, 제7 실시형태와 동일하며, 51은 격벽 서포트 파트(33)가 없는 것 이외에는 제7 실시형태와 동일하며, 제7 실시형태와 동일하게 동작함으로써, 공정 H-1, 공정 H-2를 행한다.Step C according to the ninth embodiment includes steps H-1 and H-2. The operation of the
먼저, 박리 장치(50)는, 기능 소자를 갖는 적층체(11)의 고분자 필름(14)측을 매립용 진공 척(65)으로 흡착하여, 진공 척(34)의 상방에 위치시킨다. 이때, 적층체(11)의 기능 소자(16)가 매립용 진공 척(65)의 개구에 위치하도록 위치시킨다.First, the peeling
다음에, 박리 장치(50)는, 에어 블로우 노즐(45)이 격벽(31)을 관통하고 있다. 그리고, 에어 블로우 노즐(45)로부터, 무기 기판(12)과 고분자 필름(14) 사이의 박리 부분(18)이 넓어지는 방향으로 변위시키도록 기체를 도입한다. 또한 적층체(10)의 무기 기판(12)측에 무기 기판(12)과 병행하며, 또한, 무기 기판(12)과는 접촉하지 않는 개략 평판을 설치한다(공정 H-1). 구체적으로는, 고분자 필름(14) 아래의 진공 척(65)에 도시하지 않는 절결을 만들거나, 이 단부로부터 에어 블로우 노즐(45)을 도입함으로써, 고분자 필름(14)의 변형을 용이하게 해 둔다. 무기 기판(12)은 많이는 만곡시키지 않는 것이 바람직하다.Next, in the
무기 기판(12)의 고분자 필름(14)과 밀착하지 않은 비밀착면측(12a)을 저압력으로 하는 한편, 에어 블로우 노즐(45)로부터 기체를 주입시켜, 박리를 진행시킨다. 여기서, 에어 노즐은 샘플 사이즈가 큰 경우는 적절하게 이동시켜도 좋다(공정 H-2). 상기 비밀착면을 저압력으로 하기 위해, 도 25∼도 26에서는 도시하지 않지만, 예컨대 진공 챔버(30)를 사용할 수 있다.While the
이어서, 고분자 필름(14) 전체가 대략 평면을 유지한 채로 무기 기판(12)으로부터 박리된다.Subsequently, the
박리 장치(50)에서는, 매립용 진공 척(65)에 기능 소자(16)를 매립한 상태에서, 압력을 가하여, 고분자 필름(14)을 무기 기판(12)으로부터 박리하기 때문에, 기능 소자(16)가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 매립용 부재는 약간의 유연성은 갖지만, 평면을 유지하기 때문에, 고분자 필름(14)도 대략 평면을 유지한 채로 박리된다. 이것도, 고분자 필름(14)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제한다.In the
또한, 에어 블로우 노즐(45)은, 본 발명의 압력 형성 수단에 상당한다.In addition, the
또한, 상기 공정 C는, 고분자 필름(14)을 진공 흡착하는 공정 J-1,Further, in the step C, step J-1 of vacuum adsorbing the
상기 노즐부도 둘러싸도록 벽을 마련하여 상기 적층체에 주입하는 기체를 상기 박리 부분으로부터 내보내지 않는 차폐된 공간 속에 두는 것으로 하는 공정 J-2와,Step J-2 of providing a wall so as to also surround the nozzle portion and placing the gas injected into the layered body in a shielded space that does not blow out from the peeling portion;
상기 공정 J-1 및 상기 공정 J-2 후, 노즐로부터 압력을 인가하여, 기체를 주입하는 공정 J-3을 포함하는 것도 바람직하다.It is also preferable to include a step J-3 of applying pressure from a nozzle and injecting gas after the step J-1 and the step J-2.
노즐부를 둘러싸도록 벽을 마련함으로써, 박리 부분(18)을 밀폐할 수 있어, 무기 기판(12)의 고분자 필름(14)과 밀착하지 않은 비밀착면측(12a)과의 압력차를 효율적으로 마련할 수 있다.By providing a wall so as to surround the nozzle portion, the peeling
상기 공정 C에 의해 박리된 기능 소자(16)를 갖는 고분자 필름(14)은, 전자 디바이스, 특히, 플렉시블 전자 디바이스로서 사용할 수 있다. 즉, 상기 공정 A-1, 상기 공정 B 및 상기 공정 C를 포함하는 방법은, 전자 디바이스의 제조 방법이기도 하다.The
이상, 제7 실시형태∼제9 실시형태에 대해서 설명하였다.In the above, the seventh to ninth embodiments have been described.
전술한 고분자 필름의 박리 방법에 있어서, 공정 B는 「상기 적층체의 상기 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역을 형성하는 공정」이어도 좋다.In the polymer film peeling method described above, step B is "spraying gas to a region including the boundary between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate to form a peeling region at the end" It may be "fair".
이하, 공정 B가 「상기 적층체의 상기 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역을 형성하는 공정」인 경우에 대해서, 제10 실시형태∼제11 실시형태로서 설명한다.Hereinafter, for the case where step B is "a step of spraying a gas into a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate, and forming a peeling region at the end", the first It demonstrates as 10th embodiment - 11th embodiment.
[제10 실시형태][Tenth Embodiment]
<공정 A><Process A>
제10 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법에 있어서는, 먼저, 고분자 필름과 무기 기판이 밀착한 적층체를 준비한다(공정 A). 도 27은 적층체의 일례를 나타내는 모식 단면도이며, 도 28은 그 평면도이다. 도 27, 도 28에 나타내는 바와 같이, 적층체(110)는, 무기 기판(112)과 고분자 필름(114)을 구비한다. 무기 기판(112)과 고분자 필름(114)은 밀착하고 있다. 무기 기판(112)과 고분자 필름(114)은, 도시하지 않는 실란 커플링제층을 개재시켜 밀착하고 있어도 좋다.In the polymer film peeling method according to the tenth embodiment, first, a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact is prepared (Step A). Fig. 27 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate, and Fig. 28 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 27 and 28 , the laminate 110 includes an
고분자 필름(114) 상에는, 회로 패턴 및/또는 기능 소자가 형성되어 있다(도시하지 않음). 즉, 본 실시형태에서는, 고분자 필름(114) 상에, 회로 패턴과 기능 소자의 양방이 형성되어 있어도 좋고, 회로 패턴이 형성되며 또한 기능 소자가 형성되어 있지 않아도 좋고, 기능 소자가 형성되며 또한 회로 패턴이 형성되어 있지 않아도 좋다.On the
상기 회로 패턴은, 종래 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 상기 회로 패턴의 두께로서는, 통상 0.05 ㎛∼20 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛∼15 ㎛, 보다 바람직하게는 0.15 ㎛∼0.5 ㎛ 정도이다.The circuit pattern can be formed by a conventionally known method. The thickness of the circuit pattern is usually about 0.05 μm to 20 μm, preferably about 0.1 μm to 15 μm, and more preferably about 0.15 μm to 0.5 μm.
도 28에 나타내는 바와 같이, 적층체(110)의 좌단부 및 우단부에서는, 무기 기판(112)과 고분자 필름(114)의 단부면은, 동일 평면으로 되어 있다. 또한, 적층체(110)의 상단부 및 하단부에서는, 무기 기판(112) 상에 고분자 필름(114)이 존재하지 않는 부분이 있다. 즉, 적층체(110)에서는, 평면으로 보아 고분자 필름(114)의 크기가 무기 기판(112)보다 작다. 또한, 본 실시형태에서는, 도 27, 도 28에 나타낸 적층체(110)를 이용하는 경우에 대해서 설명하지만, 본 발명에서 사용할 수 있는 적층체는, 적층체(110)에 한정되지 않고, 무기 기판 상의 적어도 일부에 고분자 필름이 적층되어 있으면 좋고, 무기 기판 상의 전체면에 고분자 필름이 적층된 적층체여도 좋다. 또한, 고분자 필름 상에 보호 필름이 더 마련되어 있어도 좋다. 보호 필름 사이즈와 고분자 필름 사이즈는 동일하여도 좋고, 보호 필름 쪽이 작아도 좋다. 또한, 어떤 변에서는 보호 필름 사이즈와 고분자 필름 사이즈가 동일하고, 어떤 변에서는 보호 필름 사이즈가 고분자 필름 사이즈보다 작은 경우도 있을 수 있다. 소자 구성에 따라서는, 어떤 변에서는 보호 필름 사이즈가 고분자 필름 사이즈보다 큰 경우도 있을 수 있다.As shown in FIG. 28 , at the left and right ends of the laminate 110, the end faces of the
적층체(110)를 얻는 방법으로서는, 상기에서 설명한 적층체(10)를 얻는 방법과 동일한 방법을 채용할 수 있다.As a method of obtaining the
무기 기판(112)으로서는, 상기에서 설명한 무기 기판(12)과 동일한 것을 이용할 수 있다.As the
고분자 필름(114)으로서는, 상기에서 설명한 고분자 필름(14)과 동일한 것을 이용할 수 있다.As the
<공정 W><Process W>
도 29는 극미소 박리 부분을 형성한 후의 적층체를 나타내는 모식 단면도이며, 도 30은 그 평면도이다. 공정 A 후, 필요에 따라, 적층체(110)의 단부에 있어서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 극미소 박리 부분(115)을 형성한다(공정 W). 이 공정 W는, 다음에 설명하는 공정 B 전에 필요에 따라 행하여도 좋은 공정이다. 적층체에 있어서는, 특히 극미소 박리 부분을 형성하는 공정을 실시하지 않아도, 극미소 박리 부분이 존재하는 경우가 있다. 즉, 공정 A의 시점에 극미소 박리 부분이 존재하는 경우가 있다. 이 경우, 이 공정 W를 행할 필요는 없다. 예컨대, 대면적인 고분자 필름과 무기 기판의 적층물을 분할하여 적층체로 하는 경우, 통상, 분할의 과정에서 극미소 박리 부분이 형성된다. 여기서, 극미소 박리 부분이란, 적층체의 단부면으로부터의 거리(도 30에 있어서의 극미소 박리 부분(115)의 가로폭)가 3 ㎜ 미만인 박리 부분을 말한다. 상기 극미소 박리 부분은, 적층체의 단부면으로부터의 거리가 1 ㎜ 이하이며, 또한, 단부 폭방향의 길이(도 30에 있어서의 극미소 박리 부분(115)의 세로폭)가 5 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 적층체의 단부면으로부터의 거리가 3 ㎜ 이하이며, 또한, 단부 폭방향의 길이가 10 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.Fig. 29 is a schematic cross-sectional view showing a laminate after forming an extremely finely peeled portion, and Fig. 30 is a plan view thereof. After Step A, if necessary, a
또한, 적층체의 단부면으로부터의 거리가 0.5 ㎜ 이상 3 ㎜ 이하이며, 또한, 단부 폭방향 전체면에 박리 부분이 있는 경우, 공정 W를 행하지 않아도 좋다.In addition, when the distance from the end surface of a laminated body is 0.5 mm or more and 3 mm or less, and there exists a peeling part in the whole surface in the width direction of an edge part, it is not necessary to perform process W.
한편, 적층체(110)의 단부에 있어서, 전혀 박리 영역이 없는 경우(극미소 박리 부분이 존재하지 않는 경우), 상기 공정 W를 행하는 것이 바람직하다. 상기 공정 W를 행하면, 다음에 설명하는 공정 B에 있어서, 박리 영역을 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.On the other hand, in the case where there is no exfoliation area at all at the end of the layered product 110 (when no micro exfoliation portion exists), it is preferable to perform the step W above. If the step W is performed, it becomes possible to easily form the peeling region in the step B described below.
극미소 박리 부분(115)을 형성하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 적층체(110)의 단부를 핀셋나 회전 브러시 등으로 가볍게 닿게 하는 방법이나, 가볍게 닿은 후에 핀셋 등을 약간 상하로 이동시키는 방법, 고분자제의 나이프를 무기 기판과 고분자 필름 사이에 삽입하는 방법, 무기 기판으로서 유리를 이용하는 경우, 무기 기판측(유리측)으로부터, 유리는 투과하지만 고분자 필름은 흡수하는 파장의 레이저를 조사하는 방법, 무기 기판을 할단하여, 박리할 때에 고분자 필름을 의도적으로 약간 박리하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 공정 W는, 약간의 박리 부분을 형성하는 것뿐인 공정이기 때문에, 통상, 단부에 가볍게 닿는 것만으로 기포가 고분자 필름과 무기 기판의 경계에 발생하고, 이것이, 극미소 박리 부분(115)이 된다.The method of forming the
극미소 박리 부분(115)은, 단부 폭방향에 복수 개소, 또는 근처 전체면에 있어도 좋다.The microscopically peeled
<공정 B><Process B>
다음에, 적층체(110)의 단부에 있어서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역(118)을 형성한다(공정 B). 이 공정 B에서는, 상기 공정 W를 행한 경우에는, 극미소 박리 부분(115)을 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 단부에 박리 영역(118)을 형성한다.Next, at the end of the laminate 110, a gas is sprayed on a region including the boundary between the
도 31은 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 31에 나타내는 바와 같이, 제10 실시형태에 따른 박리 장치(120)는, 노즐(122)(이하, 에어 블로우 노즐(122)이라고도 함)과, 누름판(124)을 구비한다.31 is a schematic sectional view of a peeling device according to a tenth embodiment. As shown in FIG. 31 , the
에어 블로우 노즐(122)은, 적층체(110)의 단부의 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역(극미소 박리 부분(115)을 형성한 경우에는, 극미소 박리 부분(115)을 포함하는 영역)에 기체를 분무하는 것이 가능해지도록 배치되어 있다. 상기 기체로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 공기, 질소가스, 아르곤 가스, 탄산 가스 등의 불활성 가스 등을 들 수 있다. 고분자 필름이 습도를 흡수하는 것을 막기 위해서는, 상기 기체는 건조 상태인 것이 바람직하다. 단, 대전을 막는 것을 우선하는 경우, 습도를 포함한 기체인 것이 바람직하다. 습도를 포함한 기체로 하는 경우, 그 기체의 습도는, 50% RH 이상 80% RH 이하 정도가 바람직하다.The
상기 기체를 분무할 때의 상기 기체의 유속으로서는, 100 m/s 이상인 것이 바람직하고, 200 m/s 이상인 것이 보다 바람직하고, 300 m/s 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 유속의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 초음속 영역에 있어서의 충격파 진동의 영향으로부터, 예컨대, 500 m/s 이하, 바람직하게는 343 m/s 이하 등으로 할 수 있다. 적층체(110)에 있어서의 고분자 필름(114)과 무기 기판(112) 사이의 90°박리 강도는, 일반적으로, 0.05 N/㎝ 이상 3 N/㎝ 이하의 범위 내이며, 보다 바람직하게는 0.08 N/㎝ 이상 2 N/㎝ 이하이다. 더욱 바람직하게는 0.1 N/㎝ 이상 0.8 N/㎝ 이하이다. 그래서, 상기 기체를 분무할 때의 상기 유속을 상기 수치 범위 내로 하면, 상기 박리 강도로 접합되어 있는 고분자 필름(114)과 무기 기판(112) 사이에 적합하게 박리 영역(118)을 형성할 수 있다.The flow velocity of the gas when spraying the gas is preferably 100 m/s or more, more preferably 200 m/s or more, and still more preferably 300 m/s or more. The upper limit of the flow velocity is not particularly limited, but it can be, for example, 500 m/s or less, preferably 343 m/s or less, etc., from the influence of shock wave vibration in the supersonic speed range. The 90° peel strength between the
또한, 상기 90°박리 강도의 측정 조건은, 하기와 같다.In addition, the measurement conditions of the said 90 degree peel strength are as follows.
무기 기판에 대하여 고분자 필름을 90°의 각도로 잡아 뗀다. The polymer film was held at an angle of 90° with respect to the inorganic substrate and peeled off.
5회 측정을 행하여, 평균값을 측정값으로 한다. The measurement is performed 5 times, and the average value is taken as the measured value.
측정 온도; 실온(25℃)measuring temperature; Room temperature (25℃)
박리 속도; 100 ㎜/minpeeling rate; 100mm/min
분위기; 대기atmosphere; Waiting
측정 샘플 폭; 1 ㎝measurement sample width; 1cm
누름판(124)은, 단면이 직사각형인 막대형이며, 고분자 필름(114)의 상면을 누르는 것이 가능하고, 에어 블로우 노즐(122)에 의해 형성되는 박리 영역(118)의 크기를 규제할 수 있다. 누름판(124)으로 고분자 필름(114)의 상면을 누름으로써, 누름판(124)보다 내측 방향으로 박리 영역(118)이 넓어지지 않도록 할 수 있다. 여기서, 박리 영역이란, 적층체의 단부면으로부터의 거리가 3 ㎜ 이상 20 ㎜ 이하의 범위에서 박리된 영역을 말한다. 누름판(124, 126, 127)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 금속 혹은 금속의 외측에 고분자 피막으로 덮은 것, 혹은 고분자로 되어 있어 유리를 손상시킬 염려가 적은 재질이면 좋다.The
고분자 필름(114) 상에 회로 패턴이 형성되어 있는 경우나 기능 소자가 형성되어 있는 경우, 회로 패턴은 극력 절곡되지 않는 것이 바람직하다. 또한, 기능 소자가 형성되어 있는 개소에 있어서, 고분자 필름(114)은 극력 절곡되지 않는 것이 바람직하다. 즉, 회로 패턴이나 기능 소자가 형성되어 있지 않은 범위에서 박리 영역이 형성되는 것이 바람직하다. 회로 패턴이나 기능 소자는, 통상, 고분자 필름(114)의 중앙에 형성되며, 외주를 포함하도록은 형성되지 않는다. 그래서, 상기 박리 영역을 상기 수치 범위 내에서 형성하면, 회로 패턴이나 기능 소자가 형성되지 않은 범위에서 박리 영역을 형성할 수 있다.When a circuit pattern is formed on the
공정 B에 있어서, 박리 장치(120)는, 누름판(124)에 의해 고분자 필름(114)의 상면을 누른 상태로, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 에어 블로우 노즐(122)에 의해 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역(118)을 형성한다. 또한, 에어 블로우 노즐(122) 및 누름판(124)은, 본 발명의 박리 영역 형성 수단에 상당한다.In step B, the
도 32는 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다. 도 32에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(121)는, 상기에서 설명한 박리 장치(120)에 대하여 누름판의 형상이 다르다.32 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 32, the
박리 장치(121)는, 에어 블로우 노즐(122)과, 누름판(126)을 구비한다.The
누름판(126)은, 막대형이며, 또한, 에어 블로우 노즐(122)에 대향하는 측의 면(도 32에 나타낸 단면의 우측)이 일정한 곡률을 갖고 있다.The
박리 장치(121)에서는, 공정 B에 있어서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 에어 블로우 노즐(122)에 의해 기체를 분무하였을 때, 말려 올라간 고분자 필름(114)이 누름판(126)의 상기 면을 따르도록 압박된다. 이에 의해, 고분자 필름(114)이 일정 곡률 이상으로 굽지 않도록 할 수 있다. 상기 곡률로서는, 일례로서, 곡률 반경 3 ㎜∼500 ㎜의 범위를 들 수 있다. 고분자 필름(114) 상에 회로 패턴이 형성되어 있는 경우, 회로 패턴은 극력 절곡되지 않는 것이 바람직한 것으로부터, 곡률 반경 10 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.In the
도 33은 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다. 도 33에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(123)는, 상기에서 설명한 박리 장치(121)에 대하여, 서포트판(128)을 추가한 구성이다. 서포트판으로서는, 유리, 금속, 세라믹, 고분자, 혹은 이들 복합 재료 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 무기 기판을 손상시키기 어려우며, 무기 기판의 변형에 추종하기 쉬운, 고분자 혹은, 섬유 강화 플라스틱이 바람직하다.33 is a schematic cross-sectional view of another modified example of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 33, the
박리 장치(123)에서는, 공정 B에 있어서, 서포트판(128)이 무기 기판(112)의 옆에 배치된다. 구체적으로, 서포트판(128)은, 그 상면이 무기 기판(112)의 상면과 동일 평면이 되도록, 무기 기판(112)의 옆에 배치된다. 또한, 에어 블로우 노즐(122)을 서포트판(128)을 따르도록 배치한다. 이에 의해, 에어 블로우 노즐(122)로부터의 기체를, 고분자 필름과 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 확실하게 분무할 수 있다. 또한, 에어 블로우 노즐(122)로부터의 기체가 서포트판(128)을 따라, 고분자 필름과 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 확실하게 분무할 수 있는 경우, 서포트판(128)에 대한 에어 블로우 노즐(122)의 배치, 및, 분출 각도는 특별히 한정되지 않는다.In the
도 34, 도 35는 제10 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다. 도 34에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(130)는, 상기에서 설명한 박리 장치(120)에 대하여, 서포트판(128)을 추가한 구성이며, 또한, 점착 테이프(132)를 접착하는 공정이 추가된 구성이다.34 and 35 are schematic cross-sectional views of another modified example of the peeling device according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 34 , the
박리 장치(130)에서는, 도 34에 나타내는 바와 같이, 공정 B를 실시하기 직전에, 고분자 필름(114)의 상면에, 고분자 필름(114)으로부터 비어져 나오도록 점착 테이프(132)를 접착한다. 점착 테이프(132)의 접착 위치는, 비어져 나온 개소의 하측에 서포트판(128)이 존재하는 위치로 한다.In the
점착 테이프(132)로서는, 무기 기판(112)과 고분자 필름(114) 사이의 접착력보다 고분자 필름(114)과 점착 테이프(132)의 접착력이 높아지는 것이면, 종래 공지의 것을 채용할 수 있다. 점착 테이프(132)로서는, 어느 정도의 경도를 갖는 기재(예컨대, PET 필름)와 종래 공지의 점착제층이 적층된 것이 바람직하다.As the
박리 장치(130)에서는, 도 34의 상태에서, 에어 블로우 노즐(122)로부터 기체를 분출시킨다. 이에 의해, 에어 블로우 노즐(122)로부터의 기체를, 서포트판(128)의 상면과 점착 테이프(132)의 하면 사이의 공간에 보다 확실하게 불어 넣을 수 있어, 도 35에 나타내는 바와 같이, 그 압력에 의해 점착 테이프(132)와 함께 고분자 필름(114)이 말려 올라가게 된다.In the
도 34, 도 35를 이용하여 설명한 박리 장치(130) 및 박리 방법에서는, 특히, 큰 힘으로 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 말려 올라가게 할 수 있다. 따라서, 공정 B를 행하기 직전의 상태에서 적층체(110)에 극미소 박리 부분(115)이 존재하지 않는 경우라도, 적합하게 박리 영역(118)을 형성하는 것이 가능해진다.In the
이상, 제10 실시형태에 따른 공정 B에 대해서 설명하였다.In the above, process B according to the tenth embodiment has been described.
<공정 C><Process C>
다음에, 박리 영역(118)을 기점으로 하여, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리한다(공정 C).Next, using the
고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 무기 기판(112)을 휘게 하여, 고분자 필름(114)으로부터 떨어지는 방향으로 인장하여, 박리 영역(118)을 기점으로 하여, 박리하는 방법을 들 수 있다. 이때, 에어 블로우 노즐(122)로부터 기체를 분출시켜, 박리를 더욱 촉진시켜도 좋다. 상기 장치(무기 기판(112)을 휘게 하여, 고분자 필름(114)으로부터 떨어지는 방향으로 인장하여, 박리 영역(118)을 기점으로 하여, 박리하기 위한 장치)나, 이 박리 시에 기체를 분출하는 에어 블로우 노즐(122)은, 본 발명의 박리 수단에 상당한다.The method of peeling the
이상, 제10 실시형태에 따른 공정 C에 대해서 설명하였다.In the above, process C according to the tenth embodiment has been described.
또한, 제10 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법은, 상기 공정 A, 상기 공정 B 및 상기 공정 C를 포함하기 때문에, 전자 디바이스의 제조 방법이기도 하다.In addition, since the peeling method of the polymer film according to the tenth embodiment includes the step A, the step B, and the step C, it is also a method for manufacturing an electronic device.
또한, 기능 소자를 갖는 적층체를 이용하는 경우, 공정 C에서는, 고분자 필름(114)의 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리하는 것이 바람직하다. 고분자 필름(114)의 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리하면, 기능 소자가 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(114)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In the case of using a laminate having functional elements, in step C, it is preferable to peel the
또한, 제10 실시형태에 있어서, 누름판의 형상은, 고분자 필름(114)의 상면을 누르는 것이 가능하면, 상기 누름판(124)이나 누름판(126)과 같은 형상에 한정되지 않는다.Further, in the tenth embodiment, the shape of the pressure plate is not limited to the same shape as the
[제11 실시형태][Eleventh Embodiment]
<공정 A><Process A>
제11 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법에 있어서는, 먼저, 고분자 필름과 무기 기판과가 밀착한 적층체를 준비한다(공정 A).In the polymer film peeling method according to the eleventh embodiment, first, a laminate in which the polymer film and the inorganic substrate are in close contact is prepared (Step A).
도 36은 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 모식 단면도이다. 도 36에는, 박리 장치와 함께 기능 소자를 갖는 적층체도 나타내고 있다. 도 36에 나타내는 바와 같이, 기능 소자를 갖는 적층체(111)는, 적층체(110)(무기 기판(112)과 고분자 필름(114)이 밀착한 적층체)와, 적층체(110)의 고분자 필름(114) 상에 마련된 기능 소자(116)를 갖는다. 기능 소자(116)는, 고분자 필름(114)의 외주에 닿지 않는 양태로, 고분자 필름(114) 상에 형성되어 있다.36 is a schematic sectional view of a peeling device according to an eleventh embodiment. 36 also shows a layered body having functional elements together with the peeling device. As shown in FIG. 36, the laminate 111 having functional elements is composed of the laminate 110 (a laminate in which the
<공정 W><Process W>
공정 A 후, 필요에 따라, 적층체(110)의 단부에 있어서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 극미소 박리 부분(115)을 형성한다(공정 W). 공정 W에 대해서는, 제10 실시형태에서 설명하였기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.After Step A, if necessary, a
제11 실시형태에서는, 공정 B의 전단계로서, 이하의 처리를 행한다.In 11th Embodiment, the following process is performed as a step before process B.
먼저, 기능 소자를 갖는 적층체(111)의 고분자 필름(114)측의 면에 보호 필름(152)을 접착한다. 보호 필름(152)은, 기능 소자(116)가 마련되어 있는 개소에 대응하는 위치에 구멍이 뚫려 있다. 기능 소자(116)는, 상기 구멍에 삽입 관통되어 있고, 보호 필름(152) 상에 돌출하고 있다.First, the
다음에, 기능 소자(116)의 형상에 대응한 오목부를 갖는 다공질체(154)를 준비하고, 상기 오목부에 기능 소자(116)를 끼워 넣도록, 다공질체(154) 상에 기능 소자를 갖는 적층체(111)를 배치한다.Next, a
다음에, 다공질체(154)를 사이에 끼우도록, 기능 소자를 갖는 적층체(111)의 외주와 진공 척(142)의 외주를 점착제(158)로 접합한다. 다공질체의 재질로서는, 고분자 다공질체, 금속 다공질체, 세라믹스 다공질체 중 어느 것이나 사용 가능하다. 고분자 다공질체로서는, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메타아크릴, 폴리염화비닐, 불소 수지 등이 사용된다. 금속 다공질체로서는, Cu, SUS, 티탄 등이 사용된다. 세라믹스 다공질체로서는 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소, 지르코니아 등이 사용된다.Next, the outer periphery of the
<공정 B><Process B>
다음에, 적층체(110)의 단부에 있어서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역(118)을 형성한다(공정 B).Next, at the end of the laminate 110, a gas is sprayed on a region including the boundary between the
도 36에 나타내는 바와 같이, 제11 실시형태에 따른 박리 장치(140)는, 에어 블로우 노즐(122)과, 누름판(126)을 구비한다. 에어 블로우 노즐(122), 누름판(126)에 대해서는, 제10 실시형태에서 설명하였기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.As shown in FIG. 36 , the
공정 B에 있어서, 박리 장치(140)는, 누름판(126)에 의해 고분자 필름(114)의 상면을 누른 상태에서, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 에어 블로우 노즐(122)에 의해 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역(118)을 형성한다. 또한, 에어 블로우 노즐(122) 및 누름판(126)은, 본 발명의 박리 영역 형성 수단에 상당한다.In step B, the
도 37은 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 변형예의 모식 단면도이다. 도 37에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(144)는, 상기에서 설명한 박리 장치(140)에 대하여 누름판의 형상이 다르다.37 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 37, the
박리 장치(144)는, 에어 블로우 노즐(122)과, 누름판(127)을 구비한다.The
누름판(127)은, 상면이 평면의 판형이며, 고분자 필름(114)의 단부의 하방에 배치된다. 또한, 누름판(127)은, 공정 B의 개시 전(기체의 분무 전)은, 고분자 필름(114)의 상면에 닿지 않도록 배치된다.The
공정 B에 있어서, 박리 장치(144)는, 고분자 필름(114)과 무기 기판(112)의 경계를 포함하는 영역에 에어 블로우 노즐(122)에 의해 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역(118)을 형성한다. 고분자 필름(114)의 박리한 부분은, 누름판(127) 상까지 처지지만, 누름판(127)에 의해 박리 영역(118)이 그 이상 넓어지지 않도록 할 수 있다. 또한, 에어 블로우 노즐(122) 및 누름판(127)은, 본 발명의 박리 영역 형성 수단에 상당한다.In step B, the
도 38, 도 39는 제11 실시형태에 따른 박리 장치의 다른 변형예의 모식 단면도이다. 도 38에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(146)는, 상기에서 설명한 박리 장치(140)에 대하여 서포트판(168)을 추가한 구성이며, 또한, 점착 테이프(162)를 접착하는 공정이 추가된 구성이다. 또한, 누름판(126)을 이용하는 것 대신에 부직포, 또는, 스폰지 등으로 대표되는 연질 다공질재를 포함하는 연질 누름판(164)을 이용하는 점에서도 다르다.38 and 39 are schematic cross-sectional views of another modified example of the peeling device according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 38 , the
박리 장치(146)에서는, 도 38에 나타내는 바와 같이, 공정 B를 실시하기 직전에, 고분자 필름(114)의 상면(도 38에서는 하측)에, 고분자 필름(114)으로부터 비어져 나오도록 점착 테이프(162)를 접착한다. 점착 테이프(162)를 접착한 하방에는, 연질 누름판(164)을 배치한다. 또한, 연질 누름판(164)의 위치를 고정하기 위해 연질 누름판(164)의 하측에 고정용 부재(166)를 배치한다.In the
점착 테이프(162)로서는, 상기에서 설명한 점착 테이프(132)와 동일한 것을 채용할 수 있다.As the
보호 필름(152)의 재질로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 기재종으로서 PET, PP, OPP, PEN, PE, PVC 등을 들 수 있고, 고분자 필름(114)측의 점착재층으로서, 실리콘계, 우레탄계, 아크릴계, 합성 고무계 등을 들 수 있다. 보호 필름(152)은 기재, 또는, 점착재층에 대전 방지 처리를 하는 것이 바람직하다. 보호 필름의 점착 강도는, 90도 박리에서, 0.1 N/㎝ 이하, 더욱 0.06 N/㎝ 이하가 바람직하다. 그러나, 박리 강도가 지나치게 약하면, 보호 필름과 고분자 필름 사이에서 박리가 일어날 우려가 있기 때문에 0.001 N/㎝ 이상이 바람직하다.The material of the
박리 장치(146)에서는, 공정 B에 있어서, 서포트판(168)이 무기 기판(112)의 옆에 배치된다. 구체적으로, 서포트판(168)은, 그 상면(도 38에서는 하측)이 무기 기판(112)의 상면(도 38에서는 하측)과 동일 평면이 되도록, 무기 기판(112)의 옆에 배치된다. 또한, 에어 블로우 노즐(122)을 서포트판(128)을 따르도록 배치한다. 이에 의해, 에어 블로우 노즐(122)로부터의 기체를, 고분자 필름과 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 확실하게 분무할 수 있다.In the
박리 장치(146)에서는, 도 38의 상태에서, 에어 블로우 노즐(122)로부터 기체를 분출시킨다. 이에 의해, 에어 블로우 노즐(122)로부터의 기체를, 서포트판(168)의 상면(도 38에는 하측)과 점착 테이프(162)의 하면(도 38에서는 상측) 사이의 공간에 불어 넣게 되고, 도 39에 나타내는 바와 같이, 그 압력에 의해 점착 테이프(162)와 함께 고분자 필름(114)이 말려 올라가게 된다.In the
이때, 점착 테이프(162)의 하방에는 부직포(164)(연질 누름판(164))가 존재하기 때문에, 고분자 필름(114)은 어느 정도까지는 말려 올라가지만, 부직포(164)(연질 누름판(164))에 의해 박리 영역(118)이 그 이상 넓어지지 않도록 할 수 있다.At this time, since the nonwoven fabric 164 (soft holding plate 164) exists under the
도 38, 도 39를 이용하여 설명한 박리 장치(146) 및 박리 방법에서는, 특히, 큰 힘으로 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 말려 올라가게 수 있다. 따라서, 공정 B를 행하기 직전의 상태에서 적층체(110)에 극미소 박리 부분(115)이 존재하지 않는 경우라도, 적합히 박리 영역(118)을 형성하는 것이 가능해진다.In the
제11 실시형태에서는, 고분자 필름(114) 상에 기능 소자(116)가 배치되어 있기 때문에, 기능 소자(116)가 배치되어 있는 개소에서는 극력 절곡되지 않는 것이 바람직하다. 즉, 기능 소자(116)가 형성되지 않은 범위에서 박리 영역(118)이 형성되는 것이 바람직하다. 제11 실시형태에서는, 고분자 필름(114)의 외주에 닿지 않는 양태로 고분자 필름(114) 상에는 기능 소자(116)가 형성되어 있고, 상기 공정 B에서 형성되는 박리 영역(118)은, 기능 소자 형성 영역보다 외측이기 때문에, 박리 영역(118)을 형성할 때에, 고분자 필름(114)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.In the eleventh embodiment, since the
이상, 제11 실시형태에 따른 공정 B에 대해서 설명하였다.In the above, process B according to the eleventh embodiment has been described.
<공정 C><Process C>
다음에, 박리 영역(118)을 기점으로 하여, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리한다(공정 C).Next, using the
공정 C에 대해서는, 제10 실시형태와 동일한 방법을 채용할 수 있다. 특히, 제11 실시형태에서는, 기능 소자(116)를 갖는 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리하기 때문에, 공정 C에서는, 고분자 필름(114)의 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리하는 것이 바람직하다. 제11 실시형태에서는, 평면인 진공 척(142) 상에 기능 소자(116)를 갖는 고분자 필름(114)을 고정한 상태로, 무기 기판(112)을 휘게 하여(도 39에서는 우단부를 상측으로 휘게 하여), 고분자 필름(114)으로부터 떨어지는 방향으로 인장한다. 이에 의해, 고분자 필름(114)의 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리할 수 있다. 그 결과, 기능 소자(116)의 위치하는 개소에 있어서 고분자 필름(114)에 과도한 부하가 걸리는 것을 억제할 수 있다.For step C, the same method as in the tenth embodiment can be employed. In particular, in the eleventh embodiment, since the
또한, 본 명세서에 있어서, 「평면으로 유지한 채로 박리한다」의 「평면」이란, 완전한 평면뿐만 아니라, 대략 평면의 경우도 포함한다. 상기 대략 평면이란, JIS B 0621(1984)에서 규정되어 있는 평면도가 1000 ㎛ 이하인 것을 말하며, 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다. 또한, 1 ㎟ 범위에서의 평면으로부터의 어긋남은, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.In addition, in this specification, the "plane" of "peeling while holding|maintained flat" includes the case of not only a perfect plane but also a substantially plane. The above-mentioned substantially flat means that the flatness defined by JIS B 0621 (1984) is 1000 μm or less, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less. Further, the deviation from the plane in the range of 1 mm 2 is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less, still more preferably 0.5 μm or less.
이상, 제11 실시형태에 따른 공정 C에 대해서 설명하였다.In the above, process C according to the eleventh embodiment has been described.
또한, 제11 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법은, 상기 공정 A, 상기 공정 B 및 상기 공정 C를 포함하기 때문에, 전자 디바이스의 제조 방법이기도 하다.In addition, since the peeling method of the polymer film according to the eleventh embodiment includes the step A, the step B, and the step C, it is also a method for manufacturing an electronic device.
제10 실시형태 및 제11 실시형태에 따른 고분자 필름의 박리 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 박리 장치에 의하면, 고분자 필름(114)을 기계적으로 파지하는 일없이, 고분자 필름(114)을 무기 기판(112)으로부터 박리할 수 있다. 그 결과, 고분자 필름, 고분자 필름 표면에 형성한 회로나 디바이스 및 고분자 필름에 실장한 소자의 품위를 손상시키는 일없이, 용이하게 고분자 필름을 무기 기판으로부터 박리하는 것이 가능하다.According to the polymer film peeling method, electronic device manufacturing method, and peeling apparatus according to the tenth and eleventh embodiments, the
전술한 실시형태에서는, 적층체(110)의 박리 영역(118)을 형성하는 대상인 단부(도 28로서는 우단부)에 있어서, 무기 기판(112)과 고분자 필름(114)의 단부면이 동일 평면으로 되어 있는 경우에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명에서 사용할 수 있는 적층체는, 이 예에 한정되지 않고, 박리 영역을 형성하는 대상인 단부에 있어서, 무기 기판과 고분자 필름의 단부면이 동일 평면으로 되어 있지 않아도 좋다.In the above-described embodiment, the end faces of the
도 40은 적층체의 다른 예를 나타내는 모식 단면도이며, 도 41은 그 평면도이다. 도 40, 도 41에 나타내는 바와 같이, 적층체(170)는, 무기 기판(112)과 고분자 필름(174)을 구비한다. 무기 기판(112)과 고분자 필름(174)은 밀착하고 있다.Fig. 40 is a schematic cross-sectional view showing another example of a laminate, and Fig. 41 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 40 and 41 , the laminate 170 includes an
적층체(170)의 상단부, 하단부, 우단부에는, 무기 기판(112) 상에 고분자 필름(174)이 존재하지 않는 부분이 있다. 즉, 적층체(170)는, 박리 영역을 형성하는 대상인 단부(도 41에서는 우단부)에 있어서, 무기 기판(112) 상에 고분자 필름(174)이 형성되어 있지 않다.At the upper end, lower end, and right end of the laminate 170 , there is a portion where the
적층체(170)에 있어서는, 무기 기판(112) 중, 고분자 필름(174)이 상면에 형성되지 않은 부분(76)이, 상기에서 설명한 서포트판(서포트판(128)이나 서포트판(168))의 기능을 겸비할 수 있다. 즉, 공정 B에 있어서, 에어 블로우 노즐(122)을 배치할 때에, 이 부분(76)을 따르도록 배치할 수 있다. 이 경우, 서포트판을 불필요로 할 수 있다.In the laminate 170, the portion 76 of the
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전술한 예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 구성을 충족하는 범위 내에서, 적절하게설계 변경을 행하는 것이 가능하다.As mentioned above, although the embodiment of the present invention has been described, the present invention is not limited to the above examples, and it is possible to make appropriate design changes within a range satisfying the configuration of the present invention.
10 적층체
11 기능 소자를 갖는 적층체
12 무기 기판
12a 무기 기판의 비밀착면
14 고분자 필름
14a 비밀착면
16 기능 소자
18 박리 부분
20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 40, 50 박리 장치
30 진공 챔버
31 격벽
32 롤러
33 서포트 파트
34 진공 척
35 기판 접촉자
36 더미 필름
37 무기 기판용의 진공 척
38 메쉬형 시트
39 개략 평판(상벽)
42 다이어프램
45 에어 블로우 노즐
52 다공질 유연체
54 압력 도입구
62 스페이서
63 O링
64 매립용 부재
65 매립용 진공 척
66 유연 지지재
110, 170 적층체
111 기능 소자를 갖는 적층체
112 무기 기판
114, 174 고분자 필름
115 극미소 박리 부분
116 기능 소자
118 박리 영역
120, 121, 123, 130, 140, 144, 146 박리 장치
122 노즐
124, 126, 127 누름판
128 서포트판
132 점착 테이프
142 진공 척
152 보호 필름
154 다공질체
158 점착제
162 점착 테이프
164 연질 누름판
166 고정용 부재
168 서포트판10 laminate
Laminate with 11 functional elements
12 inorganic substrate
12a non-contact surface of inorganic substrate
14 polymer film
14a Secret Encounter
16 functional elements
18 peeling part
20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 40, 50 Peeling device
30 vacuum chamber
31 bulkhead
32 roller
33 support parts
34 vacuum chuck
35 board contact
36 dummy film
37 vacuum chuck for inorganic substrates
38 mesh type seat
39 Rough Reputation (Upper Wall)
42 diaphragm
45 air blow nozzle
52 porous flexible body
54 pressure inlet
62 spacer
63 O-ring
64 Material for landfill
65 landfill vacuum chuck
66 flexible support
110, 170 laminate
Laminate with 111 functional elements
112 inorganic substrate
114, 174 polymer film
115 Micro-exfoliation part
116 functional elements
118 Exfoliation zone
120, 121, 123, 130, 140, 144, 146 peeling device
122 nozzle
124, 126, 127 pressure plate
128 support plate
132 adhesive tape
142 vacuum chuck
152 protective film
154 porous body
158 adhesive
162 adhesive tape
164 soft pressing plate
166 Fixing member
168 support plate
Claims (23)
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와,
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C
를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.A step A of preparing a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element formed thereon and an inorganic substrate are in close contact with each other;
Step B of forming a peeling portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate;
Step C of separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film
A peeling method of a polymer film comprising a.
상기 공정 B 후, 상기 무기 기판의 상기 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면과, 상기 박리 부분 사이에 정압차를 마련하고, 상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The method of claim 1, wherein the step C,
After the step B, a static pressure difference is provided between the non-adhesive surface of the inorganic substrate that is not in close contact with the polymer film and the peeling portion, and the inorganic substrate is bent in a direction away from the polymer film, thereby forming the polymer film A method of peeling a polymer film, characterized in that it is a step of peeling from the inorganic substrate while maintaining a substantially flat surface.
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측에 롤러 또는 기판 접촉자를 배치하고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자에 의해, 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 D-1과,
상기 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분을 대기압으로 함으로써, 상기 정압차를 마련하는 공정 D-2와,
상기 공정 D-1 및 상기 공정 D-2 후, 상기 롤러 또는 기판 접촉자를 상기 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키는 공정 D-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to claim 1 or 2,
Step D-1 of arranging a roller or substrate contact on the non-adhesion surface side of the inorganic substrate and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion by the roller or substrate contact;
Step D-2 of providing the static pressure difference by setting the non-adhesive surface side to atmospheric pressure while setting the peeling portion to atmospheric pressure;
After Step D-1 and Step D-2, Step D of moving the roller or substrate contactor in parallel with the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and proceeding with the separation in accordance with the movement of the roller or substrate contactor. A peeling method of a polymer film, characterized in that it comprises -3.
상기 무기 기판의 비밀착면측과, 상기 박리 부분의 압력차를 대기 압력보다 높은 압력으로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to any one of claims 1 to 3,
A method of peeling a polymer film, characterized in that a pressure difference between the non-adhesive surface side of the inorganic substrate and the peeling portion is set to a pressure higher than atmospheric pressure.
상기 고분자 필름의 상기 비밀착면측에 매립용 부재 또는 스페이서를 배치하고, 상기 매립용 부재 또는 스페이서에 상기 기능 소자를 매립하면서, 다공질 유연체에 의해 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 E-1과, 상기 무기 기판의 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분을 대기압으로 함으로써, 상기 정압차를 마련하는 공정 E-2를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to any one of claims 1 to 4,
Step E of disposing an embedding member or spacer on the non-adhesive surface side of the polymer film and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion with a porous flexible body while embedding the functional element in the embedding member or spacer A method for peeling a polymer film characterized by including -1 and step E-2 of providing the positive pressure difference by setting the non-adhesive surface side of the inorganic substrate to less than atmospheric pressure and setting the peeling portion to atmospheric pressure.
상기 공정 B 후, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 박리 부분에 동압을 가함으로써, 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The method of claim 1, wherein the step C,
A method for peeling a polymer film, characterized in that, after the step B, a step of peeling the polymer film from the inorganic substrate by applying a dynamic pressure to the peeling portion while keeping the polymer film substantially flat.
상기 무기 기판을 고분자 필름과 밀착하지 않은 비밀착면측으로 변위시키는 공정 F-1과,
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측을 대기압 미만으로 하는 한편, 상기 박리 부분에 기체의 흐름을 부여함으로써, 상기 동압을 가하는 공정 F-2를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to claim 1 or 6,
Step F-1 of displacing the inorganic substrate to the side of the non-adhesive surface that is not in close contact with the polymer film;
Step F-2 of applying the dynamic pressure by applying a flow of gas to the peeling portion while lowering the pressure on the non-adhesive surface side of the inorganic substrate to be less than atmospheric pressure.
상기 무기 기판의 상기 비밀착면측에 롤러 또는 기판 접촉자를 배치하고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자에 의해, 상기 무기 기판을 상기 박리 부분 방향으로 압박하는 공정 G-1과,
상기 박리 부분에 유체의 흐름을 부여함으로써, 상기 동압을 가하는 공정 G-2와,
상기 공정 G-1 및 상기 공정 G-2 후, 상기 롤러 또는 기판 접촉자를 상기 무기 기판의 상기 비밀착면에 대하여 평행하게 이동시키고, 상기 롤러 또는 기판 접촉자의 이동에 따라 상기 박리를 진행시키는 공정 G-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to claim 1, 6 or 7,
Step G-1 of arranging a roller or substrate contact on the non-adhesion surface side of the inorganic substrate and pressing the inorganic substrate in the direction of the peeling portion by the roller or substrate contact;
Step G-2 of applying the dynamic pressure by applying a flow of fluid to the peeling portion;
After Step G-1 and Step G-2, Step G of moving the roller or substrate contactor in parallel with the non-adhesion surface of the inorganic substrate, and advancing the peeling in accordance with the movement of the roller or substrate contactor. A peeling method of a polymer film, characterized in that it comprises -3.
상기 공정 B 후, 상기 적층체의 상기 고분자 필름면이 진공 흡착 플레이트에 접하도록 상기 적층체를 설치하여 고정하고, 상기 적층체의 측면에는 격벽이 마련되고, 이어서 상기 박리 부분에 노즐에 의해 기체를 주입하고, 압력을 가함으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 박리하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The method of claim 1, wherein the step C,
After step B, the laminate is installed and fixed so that the polymer film surface of the laminate is in contact with the vacuum adsorption plate, a partition wall is provided on the side surface of the laminate, and gas is then supplied to the peeling portion by a nozzle. A method of peeling a polymer film, characterized in that it is a step of peeling the polymer film while maintaining it substantially flat by injecting and applying pressure.
상기 무기 기판측에 상기 무기 기판과 평행하며 접촉하지 않는 개략 평판을 두는 공정 H-1과,
상기 무기 기판의 고분자 필름과의 비밀착면측을 대기압 또는 저압력으로 하는 한편, 상기 박리 부분에 기체를 주입함으로써, 상기 박리 부분에 압력을 가하는 공정 H-2를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The process C according to claim 1 or 10,
Step H-1 of placing a rough flat plate parallel to the inorganic substrate and not in contact with the inorganic substrate;
Step H-2 of applying pressure to the peeling portion by injecting gas into the peeling portion while the side of the non-adhesive surface of the inorganic substrate with the polymer film is subjected to atmospheric pressure or low pressure. peeling method.
고분자 필름을 진공 흡착하는 공정 J-1과,
상기 노즐부도 둘러싸도록 벽을 마련하여 상기 적층체에 주입하는 기체를 상기 박리 부분으로부터 내보내지 않는 차폐된 공간 속에 두는 것으로 하는 공정 J-2와,
상기 공정 J-1 및 상기 공정 J-2 후, 노즐로부터 압력을 인가하여, 기체를 주입하는 공정 J-3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to claim 1, 10 or 11,
Step J-1 of vacuum adsorbing the polymer film;
Step J-2 of providing a wall so as to also surround the nozzle portion and placing the gas injected into the layered body in a shielded space that does not blow out from the peeling portion;
A peeling method for a polymer film characterized by comprising a step J-3 of injecting a gas by applying pressure from a nozzle after the step J-1 and the step J-2.
상기 적층체의 상기 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판의 경계를 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 박리 영역을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The process B according to any one of claims 1 to 12,
A step of forming a peeling region at the end portion of the laminate by spraying a gas into a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate at the end portion of the laminate.
상기 고분자 필름의 상기 회로 패턴 및/또는 상기 기능 소자 형성 영역을 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The step C according to any one of claims 13 to 15,
A step of peeling the polymer film from the inorganic substrate while maintaining the circuit pattern and/or the functional element formation region of the polymer film flat.
상기 공정 B는, 상기 공정 W 후, 상기 극미소 박리 부분을 포함하는 영역에 기체를 분무하여, 상기 단부에 상기 박리 영역을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 고분자 필름의 박리 방법.The process W according to any one of claims 13 to 16, wherein, before the process B, at an end of the layered body, a micro-exfoliated portion is formed in a region including a boundary between the polymer film and the inorganic substrate. including,
The peeling method for a polymer film, characterized in that step B is, after the step W, a step of spraying a gas to a region containing the micro-exfoliated portion to form the peeled region at the end.
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 공정 B와,
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 공정 C를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A step A of preparing a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element formed thereon and an inorganic substrate are in close contact with each other;
Step B of forming a peeling portion between the polymer film and the inorganic substrate at the end of the laminate;
and step C of separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
상기 적층체의 단부에 있어서, 상기 고분자 필름과 상기 무기 기판 사이에 박리 부분을 형성하는 수단과,
상기 무기 기판이 상기 고분자 필름과 떨어지는 방향으로 휨으로써, 상기 고분자 필름을 대략 평면으로 유지한 채로 상기 무기 기판으로부터 박리하는 박리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박리 장치.A peeling device for peeling a polymer film from an inorganic substrate in a laminate in which a polymer film having a circuit pattern and/or functional element in close contact with an inorganic substrate is adhered thereto,
At an end of the laminate, means for forming a separation portion between the polymer film and the inorganic substrate;
A peeling device comprising: a peeling means for separating the inorganic substrate from the inorganic substrate while keeping the polymer film substantially flat by bending the inorganic substrate in a direction away from the polymer film.
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