KR20130039701A - Method for producing electronic device - Google Patents

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KR20130039701A
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electronic device
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carrier substrate
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KR1020120113421A
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겐이치 에바타
다이스케 우치다
준이치 가쿠타
Original Assignee
아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of an electronic device capable of including a fissility glass substrate and a member for the electronic device is provided to provide the manufacturing method of the electronic device in which the productivity is excellent, and uses a carrier substrate including a resin layer with excellent flatness. CONSTITUTION: A manufacturing method of an electronic device prepares a surface treatment process(S102) obtaining a fissility glass substrate having a surface showing an easy fissility by treating a first main surface of the glass substrate having the first main surface and a second main surface with a fissility material. By covering a curing resin composition layer on a surface showing an easy fissility of the fissility glass substrate, the curing resin composition layer formation process(S104) forming a hardening property resin composition layer is prepared. A lamination process (S106) is prepared to obtain the former hardening laminate layer by laminating a carrier substrate, having a smaller outer size than the outer size of the hardening property resin composition layer of the uncured, on the hardening property resin composition layer of the uncured in order to leave a fringe area which does not contact with the carrier substrate on the hardening property resin composition layer of the uncured. A hardening process(S108) obtaining the laminated layer after the hardening and having the resin layer is prepared by hardening the hardening property resin composition layer of the uncured in the former hardening laminated layer. A sawing process(S110) cutting the resin layer and the fissility glass substrate is prepared along the outer periphery of the carrier substrate within the post-cure laminate. A member formation process(S112) obtaining the laminate layer equipped with the member for the electronic device is prepared by forming the member for the electronic device on the second major surface of the fissility glass substrate. A singulation process(S114) obtaining the electronic device having the fissility glass substrate and the member for the electronic device is prepared as the laminate layer including the member for the electronic device. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Surface treatment process; (S104) Curing resin composition layer formation process; (S106) Lamination process; (S108) Hardening process; (S110) Sawing process; (S112) Member formation process; (S114) Singulation process;

Description

전자 디바이스의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE}Manufacturing method of electronic device {METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은, 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of an electronic device.

최근, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있으며, 이들 디바이스에 사용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 유리 기판의 핸들링성이 저하한다.In recent years, thinning and weight reduction of devices (electronic devices), such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic electroluminescent panel (OLED), are progressing, and the thinning of the glass substrate used for these devices is progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to thinning, the handling property of the glass substrate decreases in the device manufacturing process.

따라서, 종래부터, 최종 두께보다 두꺼운 유리 기판 위에 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다. 그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 유리 기판의 두께를 0.7mm로부터 0.2mm나 0.1mm로 박판화한 경우, 원래의 유리 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다.Therefore, conventionally, after forming a device member (for example, a thin film transistor) on the glass substrate thicker than a final thickness, the method of thinly thinning a glass substrate by a chemical etching process is employ | adopted widely. However, in this method, when the thickness of one glass substrate is thinned from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, for example, most of the original glass substrate material is scraped off with an etchant, thus increasing productivity and use efficiency of raw materials. It is not preferable from the viewpoint.

또한, 상기의 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.In addition, in the thinning method of the glass substrate by said chemical etching, when a fine flaw exists on the surface of a glass substrate, a fine recessed part (etch pit) is formed by an etching process as a starting point, and an optical defect There was a case.

최근에는, 상기의 과제에 대응하기 위해, 유리 기판과 보강판을 적층한 적층체를 준비하고, 적층체의 유리 기판 위에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 유리 기판으로부터 보강판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 보강판은, 지지체와, 상기 지지체 위에 고정된 수지층을 갖고, 수지층과 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 적층체의 수지층과 유리 기판의 계면이 박리되어, 유리 기판으로부터 분리된 보강판은, 새로운 유리 기판과 적층되고, 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.In recent years, in order to respond to the above problem, a laminate in which a glass substrate and a reinforcement plate are laminated is prepared, and after forming a member for an electronic device such as a display device on the glass substrate of the laminate, the reinforcement plate is removed from the glass substrate. A separation method has been proposed (see, for example, Patent Document 1). A reinforcement board has a support body and the resin layer fixed on the said support body, and a resin layer and a glass substrate adhere | attach so that peeling is possible. The interface of the resin layer of a laminated body and a glass substrate is peeled off, and the reinforcement board separated from the glass substrate is laminated | stacked with a new glass substrate, and can be reused as a laminated body.

국제 공개 제07/018028호 팸플릿International Publication No. 07/018028

한편, 최근, 전자 디바이스의 고성능화의 요구에 수반하여, 전자 디바이스용 부재의 한층 더한 미세화가 진행되고, 실시되는 공정이 보다 번잡화되고 있다. 상기 상황 하에 있어서도, 성능이 우수한 전자 디바이스를 생산성 높게 제조하는 것이 요구된다.On the other hand, in recent years, with the request for the high performance of an electronic device, further refinement | miniaturization of the member for electronic devices advances, and the process performed is becoming more complicated. Even in the above situation, it is required to manufacture an electronic device having excellent performance with high productivity.

본 발명자들은, 특허문헌 1에 기재된 적층체를 사용하여 전자 디바이스의 제조를 행한 바, 얻어진 전자 디바이스의 성능이 떨어지는 경우가 있는 것을 발견했다. 예를 들어, OLED 패널의 제작을 행한 바, 상기 패널의 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일이 발생하는 경우가 있었다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM When this inventor manufactured the electronic device using the laminated body of patent document 1, it discovered that the performance of the obtained electronic device may be inferior. For example, when an OLED panel is manufactured, display irregularity may occur in a driving region of the panel.

본 발명자들은, 상기 원인에 대하여 검토를 행한 바, 특허문헌 1에 기재된 적층체 내의 수지층의 두께 불균일(특히, 주연부에 볼록부)이 있고, 이것이 유리 기판의 평탄성을 손상시키게 하여, 결과적으로 전자 디바이스의 제조 수율을 저하시키는 것을 발견했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined the said cause, and there exists a thickness nonuniformity (especially a convex part in a periphery part) of the resin layer in the laminated body of patent document 1, and this causes the flatness of a glass substrate, and consequently an electron It was found that the manufacturing yield of the device was lowered.

도 8의 (A)에, 특허문헌 1에 기재된 적층체를 제작할 때에 사용되는, 캐리어 기판(14)과 수지층(18)을 갖는 수지층을 구비한 캐리어 기판(28)의 단면도를 도시한다. 수지층을 구비한 캐리어 기판(28) 내의 수지층(18)의 노출 표면 위에 유리 기판이 적층되어, 적층체가 형성된다. 도 8의 (A)에 도시한 바와 같이, 특허문헌 1에 기재된 방법으로 형성된 수지층(18)은, 두께 불균일을 갖는다. 특히, 이 두께 불균일은, 수지층(18)의 외주연 부근에서 현저하여, 볼록부(80)가 형성된다. 이러한 두께 불균일을 갖는 수지층(18) 위에 유리 기판(82)을 적층하면, 유리 기판(82)의 중앙부가 오목해지도록 만곡되어, 유리 기판(82)의 평탄성이 손상된다(도 8의 (B) 참조). 유리 기판(82)의 평탄성이 손상됨으로써, 유리 기판(82) 위에 배치되는 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하여, 결과적으로 전자 디바이스의 성능 저하를 일으킬 우려가 있다.FIG. 8A is a cross-sectional view of the carrier substrate 28 including the resin substrate having the carrier substrate 14 and the resin layer 18, which are used when producing the laminate described in Patent Document 1. FIG. A glass substrate is laminated | stacked on the exposed surface of the resin layer 18 in the carrier substrate 28 provided with the resin layer, and a laminated body is formed. As shown to FIG. 8A, the resin layer 18 formed by the method of patent document 1 has thickness nonuniformity. In particular, this thickness nonuniformity is remarkable in the vicinity of the outer periphery of the resin layer 18, and the convex part 80 is formed. When the glass substrate 82 is laminated on the resin layer 18 having such a thickness nonuniformity, the center part of the glass substrate 82 is curved so as to be concave, and the flatness of the glass substrate 82 is impaired (FIG. 8B). ) Reference). When the flatness of the glass substrate 82 is impaired, the position shift of the member for electronic devices arrange | positioned on the glass substrate 82, etc. generate | occur | produce, and as a result, there exists a possibility of causing the performance fall of an electronic device.

또한, 도 8의 (B)에 도시한 바와 같이, 이러한 수지층을 구비한 캐리어 기판(28) 위에 유리 기판(82)을 적층하면, 유리 기판(82)과 수지층(18) 사이에 공극(84)이 형성되어 버린다. 적층체는, 전자 디바이스용 부재의 제조 공정에 제공되고, 도전층 등의 기능층이 유리 기판(82)의 노출 표면 위에 형성된다. 그 때에는, 레지스트액 등 다양한 용액이 사용된다.In addition, as shown in FIG. 8B, when the glass substrate 82 is laminated on the carrier substrate 28 having such a resin layer, a gap (between the glass substrate 82 and the resin layer 18) is formed. 84) is formed. The laminated body is provided in the manufacturing process of the member for electronic devices, and functional layers, such as a conductive layer, are formed on the exposed surface of the glass substrate 82. At this time, various solutions such as a resist solution are used.

적층체 내에 공극(84)이 있으면, 다양한 용액이 모세관 현상에 의해 인입되어 버린다. 공극(84)에 들어간 재료는, 세정에 의해서도 제거하기 어려워, 건조 후에 이물로서 남기 쉽다. 이 이물은, 가열 처리 등에 의해 전자 디바이스용 부재를 오염시키는 오염원으로 되기 때문에, 전자 디바이스의 성능 저하를 일으켜, 결과적으로 수율을 저하시키게 된다.If the voids 84 are present in the laminate, various solutions are drawn in by capillary action. The material which entered the space | gap 84 is difficult to remove also by washing | cleaning, and it is easy to remain as a foreign material after drying. Since this foreign matter becomes a pollution source that contaminates the electronic device member by heat treatment or the like, it causes performance degradation of the electronic device and consequently lowers the yield.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 평탄성이 우수한 수지층을 구비한 캐리어 기판을 사용한, 생산성이 우수한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the manufacturing method of the electronic device excellent in productivity using the carrier substrate provided with the resin layer excellent in flatness.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors completed this invention, as a result of earnestly examining in order to solve the said subject.

즉, 본 발명의 제1 형태는, 박리성 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법이며, 제1 주면 및 제2 주면을 갖는 유리 기판의 상기 제1 주면을 박리제로 처리하여, 박리 용이성을 나타내는 표면을 갖는 박리성 유리 기판을 얻는 표면 처리 공정과, 상기 박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면 위에, 경화성 수지 조성물을 도포하여, 미경화의 경화성 수지 조성물층을 형성하는 경화성 수지 조성물층 형성 공정과, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외형 치수보다 작은 외형 치수를 갖는 캐리어 기판을, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층에 상기 캐리어 기판과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층 위에 적층하여, 경화 전 적층체를 얻는 적층 공정과, 상기 경화 전 적층체 내의 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층을 경화시켜, 수지층을 갖는 경화 후 적층체를 얻는 경화 공정과, 상기 경화 후 적층체 내의 상기 캐리어 기판의 외주연을 따라, 상기 수지층 및 상기 박리성 유리 기판을 절단하는 절단 공정과, 상기 박리성 유리 기판의 상기 제2 주면 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체를 얻는 부재 형성 공정과, 상기 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체로부터, 상기 박리성 유리 기판과 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 분리하여 얻는 분리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법이다.That is, the 1st aspect of this invention is a manufacturing method of the electronic device containing a peelable glass substrate and a member for electronic devices, Comprising: The said 1st main surface of the glass substrate which has a 1st main surface and a 2nd main surface is treated with a release agent, Curable which apply | coats curable resin composition on the surface treatment process of obtaining the peelable glass substrate which has a surface which shows peelability, and the surface which shows peelability of the said peelable glass substrate, and forms an uncured curable resin composition layer. The carrier substrate having a resin composition layer forming step and an outer dimension smaller than the outer dimension of the uncured curable resin composition layer is left in the uncured curable resin composition layer so that a peripheral region does not contact the carrier substrate. The lamination | stacking process of laminating | stacking on the unhardened curable resin composition layer, and obtaining a laminated body before hardening, and the said laminated body before hardening The said resin layer and said peelable glass along the hardening process of hardening | curing the said uncured curable resin composition layer of the above, and obtaining a laminated body after hardening which has a resin layer, and the outer periphery of the said carrier substrate in the said laminated body after hardening. And a cutting step of cutting the substrate, a member forming step of forming a member for an electronic device on the second main surface of the peelable glass substrate, obtaining a laminate including the member for an electronic device, and the member for the electronic device. It is a manufacturing method of the electronic device provided with the separation process obtained by isolate | separating the said peelable glass substrate and the electronic device which has the said electronic device member from one laminated body.

제1 형태에 있어서, 상기 적층 공정 후 상기 경화 공정 전에, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층의 탈포 처리를 행하는 탈포 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, it is preferable to further provide the defoaming process of performing the defoaming process of the said uncured curable resin composition layer after the said lamination process and before the said hardening process.

제1 형태에 있어서, 상기 박리제가 메틸실릴기 또는 플루오로알킬기를 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, it is preferable that the said peeling agent contains the compound which has a methylsilyl group or a fluoroalkyl group.

제1 형태에 있어서, 상기 박리제가 실리콘 오일 또는 불소계 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, it is preferable that the said peeling agent contains a silicone oil or a fluorine-type compound.

제1 형태에 있어서, 상기 수지층이 실리콘 수지를 포함하는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, it is preferable that the said resin layer contains a silicone resin.

제1 형태에 있어서, 상기 수지층이, 알케닐기를 갖는 오르가노알케닐폴리실록산과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 오르가노히드로겐폴리실록산의 조합으로 이루어지는 부가 반응형 실리콘의 경화물인 것이 바람직하다.In 1st aspect, it is preferable that the said resin layer is hardened | cured material of addition reaction type silicone which consists of a combination of the organo alkenyl polysiloxane which has an alkenyl group, and the organohydrogen polysiloxane which has a hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom.

상기 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 상기 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 내지 2인 것이 바람직하다.It is preferable that the molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of the said organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of the said organo alkenyl polysiloxane is 0.5-2.

제1 형태에 있어서, 상기 수지층이 비경화성의 오르가노폴리실록산을 5질량% 이하 함유하는 것이 바람직하다.In 1st aspect, it is preferable that the said resin layer contains 5 mass% or less of non-hardening organopolysiloxane.

제1 형태에 있어서, 상기 절단 공정에 있어서, 상기 경화 후 적층체 내의 캐리어 기판의 주면을 스테이지에 의해 지지함과 함께, 상기 캐리어 기판의 외주를 상기 스테이지 위에 형성되는 위치 결정 블록에 접촉시키는 것이 바람직하다.1st aspect WHEREIN: It is preferable in the said cutting process that the main surface of the carrier substrate in the said laminated body after hardening is supported by a stage, and the outer periphery of the said carrier substrate is made to contact the positioning block formed on the said stage. Do.

제1 형태에 있어서, 상기 절단 공정에 있어서, 상기 경화 후 적층체 내의 박리성 유리 기판의 표면에 절선을 형성한 후, 절선을 따라, 상기 경화 후 적층체 내의 박리성 유리 기판 및 수지층 각각의 외주부를 한번에 할단하는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, in the said cutting process, after forming a cut line on the surface of the peelable glass substrate in the said laminated body after hardening, each of the peelable glass substrate and resin layer in the said laminated body after hardening along a broken line It is preferable to cut the outer periphery at once.

본 발명에 의하면, 평탄성이 우수한 수지층을 구비한 캐리어 기판을 사용한, 생산성이 우수한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to this invention, the manufacturing method of the electronic device excellent in productivity using the carrier substrate provided with the resin layer excellent in flatness can be provided.

도 1은 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 일 실시 형태의 제조 공정을 나타내는 흐름도.
도 2의 (A) 내지 도 2의 (G)는, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 일 실시 형태를 공정순으로 도시하는 모식적 단면도.
도 3의 (A)는, 적층 공정에서 얻어진 경화 전 적층체의 상면도.
도 3의 (B)는, 캐리어 기판의 적층 전의 상태를 도시하는 부분 단면도.
도 3의 (C)는, 캐리어 기판을 적층한 후의 상태를 도시하는 부분 단면도.
도 4는 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체를 일부 투시하여 도시하는 평면도.
도 5는 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체 및 가공 헤드를 일부 파괴하여 도시하는 단면도.
도 6은 다른 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체 및 끼움 지지 지그를 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 다른 실시 형태의 제조 공정을 나타내는 흐름도.
도 8의 (A)는 종래 기술에 기초한, 수지층을 구비한 캐리어 기판의 단면도.
도 8의 (B)는 종래 기술에 기초한, 적층체의 단부의 부분 단면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The flowchart which shows the manufacturing process of one Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention.
2 (A) to 2 (G) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing an electronic device of the present invention in the order of steps.
3A is a top view of the laminate before curing obtained in the lamination step.
3B is a partial cross-sectional view showing a state before lamination of a carrier substrate.
3C is a partial cross-sectional view showing a state after laminating a carrier substrate.
4 is a plan view partially showing the laminated body after curing loaded on a stage;
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a part of the laminate and the processing head after curing, which are stacked on the stage. FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the laminate and the fitting support jig after curing loaded on another stage. FIG.
7 is a flowchart showing a manufacturing process of another embodiment of the manufacturing method of the electronic device of the present invention.
Fig. 8A is a sectional view of a carrier substrate with a resin layer based on the prior art.
Fig. 8B is a partial cross sectional view of the end of the laminate, based on the prior art;

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings, this invention is not limited to the following embodiment, A various deformation | transformation and substitution are given to the following embodiment, without deviating from the range of this invention. Can be added.

본 발명자들은, 특허문헌 1의 발명의 문제점에 대하여 검토를 행한 바, 경화성 수지 조성물의 도포에 의한 영향이나, 공기 계면에 있어서의 표면 장력의 영향을 받아, 수지층 표면에 요철이 생겨 버리는 것을 발견했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined the problem of invention of patent document 1, and discovered that the unevenness | corrugation arises on the surface of a resin layer under the influence of application | coating of curable resin composition, or the surface tension in an air interface. did.

따라서, 수지층이 미경화인 상태에서 소정의 박리성을 나타내는 유리 기판과 접촉시켜, 평탄성을 부여한 후, 경화시킴으로써, 소정의 평탄성을 갖는 수지층을 구비한 적층체를 얻을 수 있어, 결과적으로 전자 디바이스의 성능 저하를 억제할 수 있는 것을 발견하고 있다.Therefore, by contacting with a glass substrate showing predetermined peelability in a state where the resin layer is uncured, giving flatness, and curing, a laminate having a resin layer having predetermined flatness can be obtained, resulting in an electronic device. It has been found that the degradation in performance can be suppressed.

이하에, 전자 디바이스의 제조 방법에 대하여, 각 공정순으로 설명한다.Below, the manufacturing method of an electronic device is demonstrated in order of each process.

또한, 본 발명에 있어서, 후술하는 경화 후 적층체 내의 수지층과 캐리어 기판의 층의 계면의 박리 강도가, 유리 기판의 층과 수지층의 계면의 박리 강도보다 높은 것을, 이하, 수지층은 캐리어 기판에 고정되어, 수지층은 유리 기판에 박리 가능하게 밀착하고 있다고도 한다.In addition, in this invention, that the peeling strength of the interface of the resin layer in the laminated body after hardening mentioned later, and the layer of a carrier substrate is higher than the peeling strength of the interface of the layer of a glass substrate and a resin layer is called a carrier below. It is said that it is fixed to a board | substrate and the resin layer is closely_contact | adhering to a glass substrate so that exfoliation is possible.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

도 1은, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 일 실시 형태에 있어서의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스의 제조 방법은, 표면 처리 공정 S102, 경화성 수지 조성물층 형성 공정 S104, 적층 공정 S106, 경화 공정 S108, 절단 공정 S110, 부재 형성 공정 S112 및 분리 공정 S114를 구비한다.1 is a flowchart showing a manufacturing process in one embodiment of a method for manufacturing an electronic device of the present invention. As shown in FIG. 1, the manufacturing method of an electronic device is provided with surface treatment process S102, curable resin composition layer formation process S104, lamination process S106, curing process S108, cutting process S110, member formation process S112, and separation process S114. do.

또한, 도 2는, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서의 각 제조 공정을 순서대로 도시하는 모식적 단면도이다.2 is typical sectional drawing which shows each manufacturing process in the manufacturing method of the electronic device of this invention in order.

이하에, 도 2를 참조하면서, 각 공정에서 사용되는 재료 및 그 수순에 대하여 상세하게 설명한다. 우선, 표면 처리 공정 S102에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to Fig. 2, the materials used in each step and the procedure thereof will be described in detail. First, surface treatment process S102 is demonstrated in detail.

[표면 처리 공정] [Surface Treatment Process]

표면 처리 공정 S102는, 제1 주면 및 제2 주면을 갖는 유리 기판의 제1 주면을 박리제로 처리하여, 박리 용이성을 나타내는 표면을 갖는 박리성 유리 기판을 얻는 공정이다. 상기 공정 S102를 실시함으로써, 후술하는 수지층과 박리 가능하게 밀착하는 박리성 유리 기판(10)을 얻을 수 있다(도 2의 (A) 참조). 여기서 박리성 유리 기판(10)이란, 후술하는 수지층에 대하여 박리 용이성을 나타내는 표면(10a)을 갖는 유리 기판을 의미한다. 또한, 박리성 유리 기판의 표면이 갖는 박리 용이성이란, 후술하는 경화 후 적층체로부터 박리성 유리 기판을 박리하기 위한 외력을 가한 경우, 캐리어 기판과 수지층의 계면 및 수지층 내부에서 박리하지 않고, 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에서 박리하는 성질을 의미한다.Surface treatment process S102 is a process of processing the 1st main surface of the glass substrate which has a 1st main surface and a 2nd main surface with a peeling agent, and obtaining a peelable glass substrate which has a surface which shows peelability. By performing the said process S102, the peelable glass substrate 10 which contact | connects so that exfoliation and the resin layer mentioned later can be obtained (refer FIG. 2 (A)). The peelable glass substrate 10 means the glass substrate which has the surface 10a which shows easy peelability with respect to the resin layer mentioned later here. In addition, with the peelability which the surface of a peelable glass substrate has, when the external force for peeling a peelable glass substrate is applied from the laminated body after hardening mentioned later, it does not peel in the interface of a carrier substrate and a resin layer, and inside a resin layer, It means the property which peels at the interface of a peelable glass substrate and a resin layer.

우선, 본 공정에서 사용되는 유리 기판 및 박리제에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 상기 공정 S102의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the glass substrate and peeling agent used at this process are demonstrated in detail, and the procedure of the said process S102 is explained in full detail after that.

(유리 기판)(Glass substrate)

유리 기판은, 제1 주면 및 제2 주면을 갖는 판상 기판이며, 그 제1 주면이 박리제에 의해 표면 처리된다. 표면 처리되어, 박리 용이성을 나타내는 제1 주면은 후술하는 수지층과 박리 가능하게 밀착하고, 수지층과 밀착하는 측과는 반대측인 제2 주면에는 전자 디바이스용 부재가 형성된다.A glass substrate is a plate-shaped board | substrate which has a 1st main surface and a 2nd main surface, and the 1st main surface is surface-treated with a peeling agent. An electronic device member is formed on the 2nd main surface which is surface-treated and the 1st main surface which shows easy peelability is peelably contact | connected with the resin layer mentioned later and peelable, and is the opposite side to the side in close contact with a resin layer.

유리 기판의 종류는, 일반적인 것이어도 좋은데, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용의 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축율이 낮다. 열수축율의 지표로서는, JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다.Although the kind of glass substrate may be general, the glass substrate for display apparatuses, such as LCD and OLED, etc. are mentioned, for example. The glass substrate is excellent in chemical resistance, moisture permeability, and low in heat shrinkage. As an index of thermal contraction rate, the linear expansion coefficient prescribed | regulated to JISR3102 (Rev. 1995) is used.

유리 기판의 선팽창 계수가 크면, 부재 형성 공정 S112는 가열 처리를 수반하는 일이 많으므로, 여러 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 유리 기판 위에 TFT를 형성하는 경우, 가열 하에서 TFT가 형성된 유리 기판을 냉각하면, 유리 기판의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.When the coefficient of linear expansion of a glass substrate is large, since the member formation process S112 often involves heat processing, various problems are easy to produce. For example, when forming a TFT on a glass substrate, when cooling the glass substrate in which TFT was formed under heating, there exists a possibility that the position shift of TFT may become excessive by heat shrink of a glass substrate.

유리 기판은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 좋은데, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단에 의해 잡아 늘려 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a molding method may be a general one. For example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a furcol method, a rubber method and the like are used. Moreover, especially a thin glass substrate is obtained by shape | molding the glass once shape | molded at plate shape by the method (stretch method) which stretches and thins by means of extending | stretching temperature, etc. by means of extending | stretching temperature.

유리 기판의 유리는, 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The glass of the glass substrate is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass containing silicon oxide as a main component. As the oxide-based glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판의 유리로서는, 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용의 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬운 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)로 이루어진다(단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함된다). 이와 같이, 유리 기판의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass of the glass substrate, glass suitable for the kind of the electronic device member and the manufacturing process thereof is employed. For example, the glass substrate for liquid crystal panels consists of glass (alkali free glass) which does not substantially contain an alkali metal component, since elution of an alkali metal component tends to affect a liquid crystal (however, normally alkaline earth metals) Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

유리 기판의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 통상 0.8mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.15mm 이하이다. 0.8mm 초과의 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3mm 이하의 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15mm 이하의 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유에서, 0.03mm 이상인 것이 바람직하다.Although the thickness of a glass substrate is not specifically limited, From a viewpoint of thickness reduction and / or light weight of a glass substrate, it is preferable that it is normally 0.8 mm or less, More preferably, it is 0.3 mm or less, More preferably, it is 0.15 mm or less. In the case of more than 0.8 mm, the demand for thinning and / or lightening the glass substrate cannot be satisfied. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give favorable flexibility to a glass substrate. In the case of 0.15 mm or less, it is possible to wind up a glass substrate in roll shape. In addition, it is preferable that the thickness of a glass substrate is 0.03 mm or more for the reason that manufacture of a glass substrate is easy, handling of a glass substrate is easy, etc.

또한, 유리 기판은 2층 이상으로 이루어져 있어도 좋고, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료이어도 좋고, 이종 재료이어도 좋다. 또한, 이 경우, 「유리 기판의 두께」는 모든 층의 합계 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, a glass substrate may consist of two or more layers, In this case, the material which forms each layer may be a homogeneous material, or a heterogeneous material may be sufficient as it. In addition, in this case, "thickness of a glass substrate" shall mean the total thickness of all the layers.

또한, 유리 기판의 한쪽의 표면에는, 다른 층상 재료가 적층되어 있어도 좋다. 예를 들어, 유리 기판의 강도를 보강하기 위해, 수지층 등이 적층되어 있어도 좋고, 산화인듐주석이나 산화규소 등의 무기물 박막층이 적층되어 있어도 좋다.In addition, another layer material may be laminated | stacked on one surface of a glass substrate. For example, in order to reinforce the strength of the glass substrate, a resin layer or the like may be laminated, or an inorganic thin film layer such as indium tin oxide or silicon oxide may be laminated.

(박리제)(remover)

박리제로서는 공지의 박리제를 사용할 수 있는데, 예를 들어 실리콘계 화합물(예를 들어, 실리콘 오일 등), 실릴화제(예를 들어, 헥사메틸디실라잔 등), 불소계 화합물(예를 들어, 불소 수지 등) 등을 들 수 있다. 박리제는, 에멀전형·용제형·무용제형으로서 사용할 수 있다. 박리력, 안전성, 비용 등에서, 하나의 적합예로서, 메틸실릴기(≡SiCH3, =Si(CH3)2, -Si(CH3)3 중 어느 것) 또는 플루오로알킬기(-CmF2m +1)(m은 1 내지 6의 정수가 바람직하다)를 포함하는 화합물을 들 수 있고, 다른 적합예로서, 실리콘계 화합물 또는 불소계 화합물을 들 수 있고, 특히 실리콘 오일이 바람직하다.As a releasing agent, a known releasing agent can be used, for example, a silicone-based compound (for example, silicone oil, etc.), a silylating agent (for example, hexamethyldisilazane, etc.), a fluorine-based compound (for example, a fluorine resin, etc.). ), And the like. The releasing agent can be used as an emulsion type, a solvent type or a solventless form. As a suitable example, in terms of peeling force, safety, cost, and the like, a methylsilyl group (≡SiCH 3 , = Si (CH 3 ) 2 , -Si (CH 3 ) 3 ) or a fluoroalkyl group (-C m F 2 m + 1 ) (m is preferably an integer of 1 to 6). Examples of other suitable examples include silicone-based compounds or fluorine-based compounds, with silicone oil being particularly preferred.

실리콘 오일의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 디메틸실리콘 오일, 메틸페닐실리콘 오일, 메틸히드로겐실리콘 오일 등의 스트레이트실리콘 오일, 스트레이트실리콘 오일의 측쇄 또는 말단에 알킬기, 히드로겐기, 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 폴리에테르기, 할로겐기 등을 도입한 변성 실리콘 오일이 예시된다. 스트레이트실리콘 오일의 구체예로서는, 메틸히드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산, 메틸페닐폴리실록산, 디페닐폴리실록산 등을 들 수 있고, 열기의 순서대로 내열성이 증가하는데, 가장 내열성이 높은 것은 디페닐폴리실록산이다. 이들 실리콘 오일은, 일반적으로는 유리 기판이나 프라이머 처리한 금속 기판 등 기판의 표면의 발수 처리에 사용되고 있다.Although the type of silicone oil is not particularly limited, straight silicone oils such as dimethylsilicone oil, methylphenylsilicone oil and methylhydrogensilicone oil, alkyl groups, hydrogen groups, epoxy groups, amino groups, carboxyl groups and polyethers on the side chains or ends of the straightsilicone oils A modified silicone oil which introduce | transduced the group, a halogen group, etc. is illustrated. Specific examples of the straight silicone oil include methylhydrogenpolysiloxane, dimethylpolysiloxane, methylphenylpolysiloxane, diphenylpolysiloxane, and the like. The heat resistance increases in the order of hot air, and the highest heat resistance is diphenyl polysiloxane. These silicone oils are generally used for the water-repellent treatment of the surface of board | substrates, such as a glass substrate and a metal substrate which carried out the primer process.

실리콘 오일은, 유리 기판의 피처리 표면에 결합시키는 처리의 효율성의 관점에서는, 25℃에서의 동점도가 5000㎟/s 이하가 바람직하고, 500㎟/s 이하가 보다 바람직하다. 동점도의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 취급 면이나 비용을 고려하여 0.5㎟/s 이상이 바람직하다.From a viewpoint of the efficiency of the process which bonds a silicone oil to the to-be-processed surface of a glass substrate, a kinematic viscosity in 25 degreeC is preferable 5000 mm <2> / s or less, and its 500 mm <2> / s or less is more preferable. The lower limit of the kinematic viscosity is not particularly limited, but is preferably 0.5 mm 2 / s or more in consideration of the handling surface and cost.

상기 실리콘 오일 중, 수지층과의 박리성이 양호한 점에서 스트레이트실리콘 오일이 바람직하고, 특히 높은 박리성을 부여하는 점에서 디메틸폴리실록산이 바람직하다. 또한 박리성과 함께 특히 내열성을 필요로 하는 경우는 메틸페닐폴리실록산 또는 디페닐폴리실록산이 바람직하다.Of the silicone oils, a straight silicone oil is preferable in terms of good peelability with the resin layer, and dimethyl polysiloxane is particularly preferable in terms of providing high peelability. In addition, methylphenyl polysiloxane or diphenyl polysiloxane is preferable when heat resistance is particularly required.

불소계 화합물의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 퍼플루오로알킬암모늄염, 퍼플루오로알킬술폰산아미드, 퍼플루오로알킬술폰산염(예를 들어, 퍼플루오로알킬술폰산나트륨), 퍼플루오로알킬칼륨염, 퍼플루오로알킬카르복실산염, 퍼플루오로알킬에틸렌옥시드 부가물, 퍼플루오로알킬트리메틸암모늄염, 퍼플루오로알킬아미노 술폰산염, 퍼플루오로알킬인산에스테르, 퍼플루오로알킬 화합물, 퍼플루오로알킬베타인, 퍼플루오로알킬할로겐 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 플루오로알킬기(CmF2m +1)를 포함하는 화합물로서는, 예를 들어, 상기 불소계 화합물의 예시 화합물 중의 플루오로알킬기를 갖는 화합물을 들 수 있다. m의 상한은 박리 성능 상으로는 특별히 제한되지 않지만, 취급상의 안전성이 보다 우수한 점에서, m은 1 내지 6의 정수가 바람직하다.The kind of the fluorine-based compound is not particularly limited, but perfluoroalkylammonium salt, perfluoroalkylsulfonate amide, perfluoroalkylsulfonate salt (for example, sodium perfluoroalkylsulfonate), perfluoroalkyl potassium salt, purple Luoroalkylcarboxylates, perfluoroalkylethylene oxide adducts, perfluoroalkyltrimethylammonium salts, perfluoroalkylamino sulfonates, perfluoroalkyl phosphate esters, perfluoroalkyl compounds, perfluoroalkylbeta Phosphorus, a perfluoroalkyl halogen compound, etc. are mentioned. Examples of the compounds containing an alkyl group (C m F 2m +1) fluoroalkyl, for example, there may be mentioned a compound having a fluoroalkyl group of exemplary compounds of the fluorine-based compound. The upper limit of m is not particularly limited on the peeling performance, but m is preferably an integer of 1 to 6 from the viewpoint of better safety in handling.

(공정의 수순)(Process procedure)

유리 기판의 표면의 처리 방법은, 사용되는 박리제에 따라 적절히 최적의 방법이 선택된다. 통상, 박리제를 유리 기판의 제1 주면의 표면에 부여(예를 들어, 도포)함으로써 처리가 이루어진다.As for the processing method of the surface of a glass substrate, the optimal method is selected suitably according to the peeling agent used. Usually, a process is performed by providing a peeling agent to the surface of the 1st main surface of a glass substrate (for example, apply | coating).

예를 들어, 실리콘 오일을 사용하는 경우는, 실리콘 오일을 유리 기판 표면에 도포하는 방법을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 오일을 도포한 후, 실리콘 오일을 유리 기판의 피처리 표면에 결합시키는 처리를 행하는 것이 바람직하다. 실리콘 오일을 피처리 표면에 결합시키는 처리는, 실리콘 오일의 분자쇄를 절단하는 처리이며, 절단된 단편이 피처리 표면에 결합한다(이하, 이 처리를 실리콘 오일의 저분자화라고 한다).For example, when using a silicone oil, the method of apply | coating a silicone oil to the glass substrate surface is mentioned. Especially, after apply | coating silicone oil, it is preferable to perform the process which bonds a silicone oil to the to-be-processed surface of a glass substrate. The process of bonding the silicone oil to the surface to be treated is a process of breaking the molecular chain of the silicone oil, and the cut fragments are bonded to the surface to be treated (hereinafter, this treatment is referred to as low molecular weight of the silicone oil).

실리콘 오일의 도포 방법은, 일반적인 방법이어도 좋다. 예를 들어, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등 중에서 실리콘 오일의 종류나 도포량 등에 따라 적절히 선정된다.The coating method of silicone oil may be a general method. For example, it selects suitably according to the kind, application | coating amount, etc. of silicone oil from the spray coating method, the die coating method, the spin coating method, the dip coating method, the roll coating method, the bar coating method, the screen printing method, the gravure coating method, etc., for example.

도포액으로서는, 헥산, 헵탄, 크실렌, 이소파라핀 등의 용제에 의해 실리콘 오일을 5질량% 이하로 희석한 용액을 사용하는 것이 바람직하다. 5질량%를 초과하면, 저분자화의 처리 시간이 너무 길다.As a coating liquid, it is preferable to use the solution which diluted 5 mass% or less of silicone oil with solvents, such as hexane, heptane, xylene, and isoparaffin. If it is more than 5% by mass, the processing time for the lower molecular weight is too long.

도포액에 포함되는 용매는, 필요에 따라, 가열 및 또는 감압 건조 등의 방법에 의해 제거된다. 저분자화 공정에서의 가열에 의해 제거해도 좋다.The solvent contained in a coating liquid is removed by methods, such as a heating and / or vacuum drying, as needed. You may remove by heating in a low molecular weight process.

실리콘 오일의 도포량은 0.1 내지 10μg/㎠가 바람직하다. 0.1μg/㎠ 이상이면 박리성이 보다 우수한 점에서 바람직하고, 10μg/㎠ 이하이면 도포액의 도포성 및 저분자화 처리성이 보다 우수한 점에서 바람직하다.The application amount of the silicone oil is preferably 0.1 to 10 µg / cm 2. If it is 0.1 microgram / cm <2> or more, peelability is preferable at the point which is more excellent, and if it is 10 micrograms / cm <2> or less, it is preferable at the point which is more excellent in the coating property of a coating liquid and low molecular-ized treatment processability.

실리콘 오일을 저분자화하는 방법에는, 일반적인 방법이 사용되는데, 예를 들어 광분해나 열분해에 의해, 실리콘 오일의 실록산 결합을 절단하는 방법이 있다. 광분해에는, 저압 수은 램프나 크세논 아크 램프 등으로부터 조사되는 자외선이 이용되고, 대기 중에서의 자외선 조사에 의해 발생하는 오존이 병용되어도 좋다. 열분해는, 배치로, 컨베이어로 등에서 행해져도 좋고, 플라즈마나 아크 방전 등이 이용되어도 좋다.As a method for lowering the molecular weight of silicone oil, a general method is used, for example, there is a method of cleaving the siloxane bond of the silicone oil by photolysis or pyrolysis. Ultraviolet light irradiated from a low pressure mercury lamp, a xenon arc lamp, etc. may be used for photolysis, and ozone generated by ultraviolet irradiation in the atmosphere may be used in combination. Pyrolysis may be performed by a batch, a conveyor furnace, etc., and a plasma, an arc discharge, etc. may be used.

실리콘 오일의 실록산 결합, 또는 실리콘 원자와 탄소 원자의 결합이 절단되면, 발생한 활성점이 피처리 표면의 수산기 등의 활성기와 반응한다. 그 결과, 피처리 표면에 있어서의 메틸기 등의 소수성의 관능기의 밀도가 높아지고, 친수성의 극성기의 밀도가 줄어들어, 결과적으로 피처리 표면에 박리 용이성이 부여된다.When the siloxane bond of the silicone oil or the bond between the silicon atom and the carbon atom is cleaved, the generated active point reacts with an active group such as a hydroxyl group on the surface to be treated. As a result, the density of hydrophobic functional groups, such as a methyl group, on a to-be-processed surface becomes high, the density of a hydrophilic polar group is reduced, and as a result, peelability is provided to a to-be-processed surface.

또한, 표면 처리를 행하는 유리 기판의 표면은, 충분히 청정한 면인 것이 바람직하고, 세정 직후의 면인 것이 바람직하다. 세정 방법으로서는, 유리 표면이나 수지 표면의 세정에 사용되는 일반적인 방법이 사용된다.Moreover, it is preferable that the surface of the glass substrate which surface-treats is a surface fully clean, and it is preferable that it is a surface immediately after washing | cleaning. As a cleaning method, a general method used for cleaning a glass surface or a resin surface is used.

표면 처리를 행하지 않는 표면은, 마스크 등의 보호 필름에 의해 미리 보호해 두는 것이 바람직하다.It is preferable to protect the surface which does not surface-treat previously with protective films, such as a mask.

또한, 헥사메틸디실라잔 등의 실릴화제를 사용하는 경우는, 실릴화제의 증기를 유리 기판 표면과 접촉시키는 것이 바람직하다. 또한, 유리 기판을 가열시킨 상태에서, 실릴화제의 증기와 접촉시켜도 좋다.In addition, when using silylating agents, such as hexamethyldisilazane, it is preferable to make vapor of a silylating agent contact with the glass substrate surface. Moreover, you may make it contact with the vapor of a silylating agent in the state which heated the glass substrate.

실릴화제의 증기 농도는 높은 쪽이, 즉 포화 농도에 가까운 쪽이 처리 시간을 단축시킬 수 있으므로 바람직하다.The higher the vapor concentration of the silylating agent, that is, the closer to the saturation concentration, is preferable because the treatment time can be shortened.

실릴화제와 유리 기판의 접촉 시간은, 박리성 유리 기판의 기능을 손상시키지 않는 범위에서 단축시킬 수 있다.The contact time of a silylating agent and a glass substrate can be shortened in the range which does not impair the function of a peelable glass substrate.

상기 수순에 의해 제조된 박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면의 표면 거칠기 Ra는, 후술하는 경화 공정 S108에서 얻어지는 수지층의 두께 불균일이 보다 억제되는 점에서, 2.0nm 이하가 바람직하고, 1.0nm 이하가 보다 바람직하고, 0.5nm 이하가 더욱 바람직하다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0nm가 특히 바람직하다.As surface roughness Ra of the surface which shows the peelability of the peelable glass substrate manufactured by the said procedure, 2.0 nm or less is preferable at the point by which the thickness nonuniformity of the resin layer obtained by the hardening process S108 mentioned later is suppressed more, 1.0 nm The following is more preferable, and 0.5 nm or less is further more preferable. Although a minimum in particular is not restrict | limited, 0 nm is especially preferable.

또한, 표면 거칠기 Ra의 측정은, 원자간력 현미경(퍼시픽 나노테크놀로지(Pacific Nanotechnology)사제, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0Hz, Sample Lines256, 0ff-line Modify Flatten order-2, Planefit order-2 등)을 사용하여 JI S B O601(2001)에 기초하여 행할 수 있다.In addition, measurement of surface roughness Ra is atomic force microscope (made by Pacific Nanotechnology, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0Hz, Sample Lines256, 0ff-line Modify Flatten order-2, Planefit order-2, etc.). Can be performed based on JI SB O601 (2001).

박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면의 물 접촉각은, 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에서의 박리가 보다 진행되기 쉬운 점에서, 90°이상인 것이 바람직하고, 90 내지 120°인 것이 보다 바람직하고, 90 내지 110°인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that it is 90 degrees or more, and, as for the water contact angle of the surface which shows the peelability of a peelable glass substrate more easily in the peeling at the interface of a peelable glass substrate and a resin layer, it is more preferable that it is 90-120 degrees. And it is more preferable that it is 90-110 degrees.

또한, 물 접촉각의 측정은, 접촉각계(크로스사제, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2 등)를 사용하여 행할 수 있다.In addition, the water contact angle can be measured using a contact angle meter (manufactured by Cross Corporation, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2, etc.).

[경화성 수지 조성물층 형성 공정] [Curable resin composition layer forming step]

경화성 수지 조성물층 형성 공정 S104는, 상기 표면 처리 공정 S102에서 얻어진 박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면 위에, 경화성 수지 조성물을 도포하여, 미경화의 경화성 수지 조성물층을 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이, 박리성 유리 기판(10)의 박리성을 나타내는 표면(10a) 위에 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)이 형성된다.Curable resin composition layer formation process S104 is a process of apply | coating curable resin composition on the surface which shows the peelability of the peelable glass substrate obtained by the said surface treatment process S102, and forming an uncured curable resin composition layer. More specifically, as shown in FIG.2 (B), the uncurable curable resin composition layer 12 is formed on the surface 10a which shows the peelability of the peelable glass substrate 10. FIG.

미경화의 경화성 수지 조성물층은 박리성 유리 기판의 박리성을 나타내는 표면과 간극을 띠우지 않고 접하고 있다. 그로 인해, 후술하는 경화 공정 S108에 있어서, 상기 경화성 수지 조성물층을 경화시키면, 박리성 유리 기판의 평탄한 표면이 전사된 수지층을 얻을 수 있어, 박리성 유리 기판의 왜곡 등이 억제된다.The uncured curable resin composition layer is in contact with the surface exhibiting the peelability of the peelable glass substrate without gaps. Therefore, in hardening process S108 mentioned later, when hardening the said curable resin composition layer, the resin layer to which the flat surface of the peelable glass substrate was transferred can be obtained, and distortion of a peelable glass substrate, etc. are suppressed.

우선, 본 공정에서 사용되는 경화성 수지 조성물에 대해 상세하게 설명하고, 그 후 상기 공정 S104의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the curable resin composition used at this process is explained in full detail, and the procedure of the said process S104 is explained in full detail after that.

(경화성 수지 조성물)(Curable resin composition)

본 공정 S104에서 사용되는 경화성 수지 조성물은, 후술하는 경화 공정 S108에서 수지층(밀착성 수지층)을 형성할 수 있는 조성물이다.Curable resin composition used by this process S104 is a composition which can form a resin layer (adhesive resin layer) in the hardening process S108 mentioned later.

경화성 수지 조성물 중에 포함되는 경화성 수지로서는, 그 경화막이 대상물에 대하여 박리 가능하게 밀착할 수 있는 밀착성을 갖고 있으면 되고, 공지의 경화성 수지(예를 들어, 열경화성 조성물, 광경화성 조성물 등)를 사용할 수 있다. 예를 들어, 경화성 아크릴 수지, 경화성 우레탄 수지, 경화성 실리콘 등을 들 수 있다. 몇 종류의 경화성 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도 경화성 실리콘이 바람직하다. 경화성 실리콘을 경화하여 얻어지는 실리콘 수지는, 내열성이나 박리성이 우수하기 때문이다. 또한, 경화성 실리콘을 사용하면, 후술하는 유리 기판 표면의 실라놀기와의 축합 반응에 의해, 유리 기판에 고정하기 쉽기 때문이다.As curable resin contained in curable resin composition, the cured film should just have adhesiveness which can adhere to an object so that peeling is possible, and well-known curable resin (for example, thermosetting composition, photocurable composition, etc.) can be used. . For example, a curable acrylic resin, a curable urethane resin, a curable silicone and the like can be given. Several types of curable resins can also be mixed and used. Among them, curable silicone is preferable. This is because the silicone resin obtained by curing the curable silicone has excellent heat resistance and peelability. Moreover, when curable silicone is used, it is easy to fix to a glass substrate by condensation reaction with the silanol group of the glass substrate surface mentioned later.

경화성 수지 조성물로서는, 경화성 실리콘 수지 조성물(특히, 박리지용에 사용되는 경화성 실리콘 수지 조성물이 바람직하다)이 바람직하다. 이 경화성 실리콘 수지 조성물을 사용하여 형성되는 수지층은, 유리 기판 표면에 밀착함과 함께 그 자유 표면은 우수한 박리 용이성을 가지므로 바람직하다.As curable resin composition, curable silicone resin composition (The curable silicone resin composition especially used for release papers is preferable) is preferable. Since the resin layer formed using this curable silicone resin composition adheres to the glass substrate surface, and the free surface has the outstanding peelability, it is preferable.

이러한 박리지용 실리콘 수지로 되는 경화성 실리콘은, 그 경화 기구에 의해 축합 반응형 실리콘, 부가 반응형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형 실리콘이 바람직하다. 이것은, 경화 반응이 용이하고, 수지층을 형성했을 때에 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.Although curable silicone which becomes such a release paper silicone resin is classified into condensation reaction type | mold silicone, addition reaction type | mold silicone, ultraviolet curable silicone, and electron beam curable silicone by the hardening mechanism, all can be used. Of these, addition reaction type silicon is preferable. This is because the curing reaction is easy, the degree of peelability is good when the resin layer is formed, and the heat resistance is also high.

부가 반응형 실리콘 수지 조성물은, 주제 및 가교제를 포함하고, 백금계 촉매 등의 촉매의 존재 하에서 경화하는 경화성의 조성물이다. 부가 반응형 실리콘 수지 조성물의 경화는, 가열 처리에 의해 촉진된다. 부가 반응형 실리콘 수지 조성물 중의 주제는, 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐폴리실록산. 또한, 직쇄상이 바람직하다)인 것이 바람직하고, 알케닐기 등이 가교점으로 된다. 부가 반응형 실리콘 수지 조성물 중의 가교제는, 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산. 또한 직쇄상이 바람직하다)인 것이 바람직하고, 히드로실릴기 등이 가교점으로 된다.An addition reaction type silicone resin composition is a curable composition containing a main body and a crosslinking agent and curing in the presence of a catalyst such as a platinum catalyst. Curing of the addition reaction type silicone resin composition is promoted by heat treatment. The main ingredient in the addition-reaction type silicone resin composition is an organopolysiloxane having an alkenyl group (vinyl group or the like) bonded to a silicon atom (that is, organoalkenylpolysiloxane, preferably linear), and an alkenyl group Etc. become a crosslinking point. It is preferable that the crosslinking agent in an addition reaction type | mold silicone resin composition is organopolysiloxane (that is, organohydrogenpolysiloxane. Furthermore, linear form is preferable) which has a hydrogen atom (hydrosilyl group) couple | bonded with the silicon atom, and a hydrosilyl group Etc. become a crosslinking point.

부가 반응형 실리콘 수지 조성물은, 주제와 가교제의 가교점이 부가 반응을 함으로써 경화한다.The addition reaction type silicone resin composition cures when the crosslinking point of the main material and the crosslinking agent undergoes an addition reaction.

또한, 가교 구조에서 유래하는 내열성이 보다 우수한 점에서, 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 내지 2인 것이 바람직하다.Moreover, since the heat resistance derived from a crosslinked structure is more excellent, it is preferable that the molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of organoalkenylpolysiloxane is 0.5-2.

또한, 박리지 등의 박리층을 형성하기 위하여 사용되는 경화성 실리콘 수지 조성물은 형태적으로 용제형, 에멀전형 및 무용제형이 있고, 어느 형태든 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 이것은 생산성, 안전성, 환경 특성 면이 우수하기 때문이다. 또한, 후술하는 수지층을 형성할 때의 경화 시, 즉, 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화 시에 발포를 발생시키는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.Moreover, curable silicone resin composition used in order to form peeling layers, such as a release paper, has a solvent type, an emulsion type, and a non-solvent type in form, and can use any form. Of these, no-solvent formulations are preferred. This is because it is excellent in productivity, safety, and environmental characteristics. Moreover, since it does not contain the solvent which generate | occur | produces foaming at the time of hardening at the time of forming the resin layer mentioned later, ie, heating hardening, ultraviolet curing, or electron beam hardening, it is because a bubble is hard to remain in a resin layer.

또한, 박리지 등의 박리층을 형성하기 위하여 사용되는 경화성 실리콘 수지 조성물로서, 구체적으로는 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에쯔 실리콘사제), TPR6700(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도 가이샤제), 비닐실리콘 「8500」(아라까와 가가꾸 고교사제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합, 비닐실리콘 「11364」(아라까와 가가꾸 고교사제)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합, 비닐실리콘 「11365」(아라까와 가가꾸 고교사제)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)의 조합 등을 들 수 있다.Moreover, as curable silicone resin composition used in order to form peeling layers, such as a release paper, KNS-320A, KS-847 (all are Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), TPR6700 (all are commercially available as a brand name or model number). Product made in creative performance materials Japan Kodo Kaisha), vinyl silicone "8500" (product made by Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane "12031" (product made by Arakawa Chemical Industries, Ltd.), vinyl silicone "11364" Combination of Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methylhydrogen polysiloxane "12031" (product of Arakawa Chemical Co., Ltd.), vinyl silicone "11365" (product of Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methyl hydrogen polysiloxane "12031" (Arakawa Kagaku Kogyo Co., Ltd.) etc. can be mentioned.

또한, KNS-320A, KS-847 및 TPR6700은, 미리 주제와 가교제를 함유하고 있는 경화성 실리콘 수지 조성물이다.In addition, KNS-320A, KS-847, and TPR6700 are curable silicone resin compositions containing the main body and a crosslinking agent beforehand.

(공정의 수순)(Process procedure)

박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면 위에 경화성 수지 조성물을 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 도포 방법으로서는, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 이러한 방법 중에서, 경화성 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.The method of apply | coating curable resin composition on the surface which shows the peelability of a peelable glass substrate is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, as a coating method, the spray coating method, the die coating method, the spin coating method, the dip coating method, the roll coating method, the bar coating method, the screen printing method, the gravure coating method, etc. are mentioned. Among these methods, it can be appropriately selected depending on the kind of the curable resin composition.

또한, 경화성 수지 조성물의 도포량은 특별히 제한되지 않지만, 수지층의 적합한 두께가 얻어지는 점에서, 1 내지 100g/㎡인 것이 바람직하고, 5 내지 20g/㎡인 것이 보다 바람직하다.Moreover, although the application amount of curable resin composition is not restrict | limited, It is preferable that it is 1-100 g / m <2>, and, as for the suitable thickness of a resin layer, it is more preferable that it is 5-20 g / m <2>.

또한, 경화성 수지 조성물에 용매가 포함되어 있는 경우는, 필요에 따라, 경화성 수지가 경화되지 않을 정도의 가열 처리를 행하여, 용매를 휘발시켜도 좋다.In addition, when a solvent is contained in curable resin composition, you may volatilize a solvent by heat-processing about the grade which curable resin does not harden as needed.

경화성 수지 조성물을 박리성 유리 기판 위에 도포하여 얻어지는 미경화의 경화성 수지 조성물층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 후술하는 적합한 두께를 갖는 수지층이 얻어지도록 적절히 조정된다.The thickness of the uncured curable resin composition layer obtained by apply | coating curable resin composition on a peelable glass substrate is not restrict | limited, It adjusts suitably so that the resin layer which has a suitable thickness mentioned later is obtained.

형성되는 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외형 치수는, 박리성 유리 기판의 외형 치수와 동일 정도이거나, 그것보다 작다.The external dimension of the uncured curable resin composition layer formed is about the same as the external dimension of a peelable glass substrate, or it is smaller than it.

[적층 공정][Lamination process]

적층 공정 S106은, 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외형 치수보다 작은 외형 치수를 갖는 캐리어 기판을, 상기의 경화성 수지 조성물층 형성 공정 S104에서 얻어진 미경화의 경화성 수지 조성물층에 캐리어 기판과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 미경화의 경화성 수지 조성물층 위에 적층하여, 경화 전 적층체(경화 처리가 실시되기 전의 적층체)를 얻는 공정이다. 바꾸어 말하면, 캐리어 기판은, 캐리어 기판의 외주에 미경화의 경화성 수지 조성물층이 노출되도록, 미경화의 경화성 수지 조성물층 위에 적층된다.Lamination process S106 does not contact a carrier substrate which has an external dimension smaller than the external dimension of an uncurable curable resin composition layer to the uncurable curable resin composition layer obtained by said curable resin composition layer formation process S104 with a carrier substrate. It is a process of laminating | stacking on the unhardened curable resin composition layer so that a peripheral region may remain, and obtaining a laminated body before hardening (laminated body before hardening process is performed). In other words, the carrier substrate is laminated on the uncured curable resin composition layer so that the uncured curable resin composition layer is exposed to the outer circumference of the carrier substrate.

보다 구체적으로는, 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이, 본 공정 S106에 의해, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)의 외형 치수보다 작은 캐리어 기판(14)을, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)에 캐리어 기판(14)과 접촉하지 않는 주연 영역(12a)이 생기도록, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12) 위에 적층하여 경화 전 적층체(16)가 얻어진다. 도 3의 (A)는 경화 전 적층체(16)의 상면도이며, 상기 도면에 도시된 바와 같이, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)의 주연 영역(12a)은, 캐리어 기판(14)과 접촉하지 않고 있다.More specifically, as shown to Fig.2 (C), by this process S106, the carrier substrate 14 smaller than the external dimension of the uncurable curable resin composition layer 12 is made into the uncurable curable resin. The laminated body 16 is obtained by laminating on the uncured curable resin composition layer 12 so that the peripheral region 12a which is not in contact with the carrier substrate 14 is formed in the composition layer 12. 3A is a top view of the laminate 16 before curing, and as shown in the figure, the peripheral region 12a of the uncured curable resin composition layer 12 is the carrier substrate 14. Not in contact with

통상, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)의 노출 표면에는, 그 표면 장력의 영향에 의해 주연부 부근에 볼록부가 생기기 쉽다(도 3의 (B) 참조). 캐리어 기판(14)을 적층할 때에 그러한 볼록부와 접촉하면, 캐리어 기판(14)과 미경화의 경화성 수지 조성물층(12) 사이에 공극(32) 등이 생기는 경우가 있어, 결과적으로 캐리어 기판(14)과 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)이 접촉하지 않는 영역이 생기는 경우가 있다(도 3의 (C)). 이러한 영역이 있으면, 경화 공정 S108에서 얻어지는 수지층의 캐리어 기판(14)에 대한 밀착성이 저하하는 경우가 있다. 또한, 수지층의 두께 불균일이 발생하는 경우도 있어, 수지층을 구비한 캐리어 기판의 노출 표면에 표면 요철이 생기는 원인으로 될 수 있다. 또한, 상기 공극(32)에 이물이 인입하여 전자 디바이스용 부재를 오염시키는 오염원으로 되어, 전자 디바이스의 수율을 저하시키는 원인으로 될 수 있다.Usually, a convex part tends to generate | occur | produce on the exposed surface of the uncured curable resin composition layer 12 near a peripheral part by influence of the surface tension (refer FIG. 3 (B)). When the carrier substrate 14 is in contact with such a convex portion when the carrier substrate 14 is laminated, voids 32 and the like may occur between the carrier substrate 14 and the uncured curable resin composition layer 12, and as a result, the carrier substrate ( The area | region which 14) and the uncured curable resin composition layer 12 do not contact may arise (FIG. 3C). If there exists such an area, the adhesiveness with respect to the carrier substrate 14 of the resin layer obtained by hardening process S108 may fall. Moreover, the thickness nonuniformity of a resin layer may generate | occur | produce, and it may become a cause which surface unevenness generate | occur | produces on the exposed surface of the carrier substrate provided with the resin layer. In addition, foreign matter may enter the void 32 to become a pollution source that contaminates the electronic device member, which may cause a decrease in the yield of the electronic device.

따라서, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)의 외형 치수보다 작은 외형 치수를 갖는 캐리어 기판(14)을 사용함으로써, 상기 볼록부와 접촉시키지 않고, 캐리어 기판(14)을 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)과 접촉시킬 수 있다. 결과적으로, 캐리어 기판(14)과 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)이 접촉하지 않는 영역의 발생이 보다 억제되어, 수지층의 캐리어 기판(14)에 대한 밀착성이 보다 우수함과 함께, 수지층의 두께 불균일의 발생도 보다 억제된다.Therefore, by using the carrier substrate 14 which has an external dimension smaller than the external dimension of the uncurable curable resin composition layer 12, the carrier substrate 14 is not hardened without contacting the said convex part, and the uncurable curable resin composition Contact with layer 12. As a result, generation | occurrence | production of the area | region which the carrier substrate 14 and the uncured curable resin composition layer 12 do not contact is suppressed more, adhesiveness with respect to the carrier substrate 14 of a resin layer is more excellent, and a resin layer The occurrence of thickness nonuniformity of is further suppressed.

우선, 본 공정에서 사용되는 캐리어 기판에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 상기 공정 S106의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the carrier substrate used at this process is explained in full detail, and the procedure of the said process S106 is explained in full detail after that.

(캐리어 기판)(Carrier board)

캐리어 기판은, 후술하는 부재 형성 공정 S112(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조 시에 박리성 유리 기판의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지하는 기판이다.A carrier substrate is a board | substrate which prevents deformation | transformation, a flaw generation, damage, etc. of a peelable glass substrate at the time of manufacture of an electronic device member in member formation process S112 (process of manufacturing a member for electronic device) mentioned later.

캐리어 기판으로서는, 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 캐리어 기판은, 부재 형성 공정 S112가 열처리를 수반한 경우, 박리성 유리 기판과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 박리성 유리 기판과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 캐리어 기판은 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 캐리어 기판은, 박리성 유리 기판과 동일한 유리 재료로 이루어지는 유리판인 것이 바람직하다.As a carrier substrate, metal plates, such as a glass plate, a plastic plate, and an SUS board, etc. are used, for example. When member formation process S112 carries out heat processing, it is preferable that a carrier substrate is formed with the material with a small difference of the linear expansion coefficient with a peelable glass substrate, It is more preferable that it is formed with the same material as a peelable glass substrate, It is preferable that a board | substrate is a glass plate. It is preferable that especially a carrier substrate is a glass plate which consists of the same glass material as a peelable glass substrate.

캐리어 기판의 두께는, 박리성 유리 기판보다 두꺼워도 좋고, 얇아도 좋다. 바람직하게는, 박리성 유리 기판의 두께, 수지층의 두께 및 후술하는 절단 후 적층체의 두께에 기초하여, 캐리어 기판의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 부재 형성 공정이, 두께 0.5mm의 부재 형성용 기판(캐리어 기판의 적층 없이 캐리어 기판 단판으로서 조작하는 현행의 경우)을 부재 형성용 처리(예를 들어, 세정, 성막, 노광현상, 검사 등)하도록 설계된 것이며, 박리성 유리 기판의 두께와 수지층의 두께의 합이 0.1mm인 경우, 캐리어 기판의 두께를 0.4mm로 한다. 캐리어 기판의 두께는, 통상의 경우, 0.2 내지 5.0mm인 것이 바람직하다.The thickness of a carrier substrate may be thicker than a peelable glass substrate, and may be thin. Preferably, the thickness of a carrier substrate is selected based on the thickness of a peelable glass substrate, the thickness of a resin layer, and the thickness of the laminated body after cutting mentioned later. For example, the current member forming process is a member forming process (for example, the current case of operating as a carrier substrate single plate without laminating a carrier substrate) having a thickness of 0.5 mm. Development, inspection, etc.), and when the sum of the thickness of the peelable glass substrate and the thickness of the resin layer is 0.1 mm, the thickness of the carrier substrate is 0.4 mm. In general, the thickness of the carrier substrate is preferably 0.2 to 5.0 mm.

캐리어 기판이 유리판인 경우, 유리판의 두께는 다루기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유에서, 0.08mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때에, 깨지지 않고 적절하게 휘는 강성이 요망되는 이유에서, 1.0mm 이하인 것이 바람직하다.In the case where the carrier substrate is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for reasons such as being easy to handle and difficult to break. Moreover, when peeling after formation of an electronic device member, the thickness of a glass plate is 1.0 mm or less, for the reason that the rigidity which bends suitably without breaking is desired.

박리성 유리 기판과 캐리어 기판의 25 내지 300℃에 있어서의 평균 선팽창 계수(이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」라고 한다)의 차는, 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 너무 크면, 부재 형성 공정 S112에 있어서의 가열 냉각 시에, 적층체가 격렬하게 휠 우려가 있다. 박리성 유리 기판의 재료와 캐리어 기판의 재료가 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference between the average linear expansion coefficient (hereinafter referred to simply as the "average linear expansion coefficient") at 25 to 300 ° C of the peelable glass substrate and the carrier substrate is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, and more preferably It is 300x10 <-7> / degrees C or less, More preferably, it is 200x10 <-7> / degrees C or less. If the difference is too large, there is a fear that the laminate violently during heating and cooling in the member forming step S112. When the material of a peelable glass substrate and the material of a carrier substrate are the same, generation of such a problem can be suppressed.

(공정의 수순) (Process procedure)

캐리어 기판을 미경화의 경화성 수지 조성물층 위에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다.The method of laminating | stacking a carrier substrate on an uncured curable resin composition layer is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted.

예를 들어, 상압 환경 하에서 미경화의 경화성 수지 조성물층의 표면 위에 캐리어 기판을 겹치는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라, 미경화의 경화성 수지 조성물층의 표면 위에 캐리어 기판을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용하여 미경화의 경화성 수지 조성물층에 캐리어 기판을 압착시켜도 좋다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 미경화의 경화성 수지 조성물층과 캐리어 기판의 층 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.For example, the method of laminating | stacking a carrier substrate on the surface of an unhardened curable resin composition layer in an atmospheric pressure environment is mentioned. In addition, if necessary, the carrier substrate may be pressed onto the uncured curable resin composition layer using a roll or a press after the carrier substrate is laminated on the surface of the uncured curable resin composition layer. Since the bubble mixed in between the uncured curable resin composition layer and the layer of a carrier substrate is removed comparatively easily by the crimping | rolling by a roll or a press, it is preferable.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 행해지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도, 가열에 의해 기포가 성장하지 않아, 캐리어 기판의 왜곡 결함으로 연결되기 어렵다는 이점도 있다.The vacuum lamination method or the vacuum press method is preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By pressing under vacuum, even when a minute bubble remains, the bubble does not grow by heating, and there is also an advantage that it is difficult to be connected to distortion defects of the carrier substrate.

캐리어 기판을 적층할 때에는, 미경화의 경화성 수지 조성물층에 접촉하는 캐리어 기판의 표면을 충분히 세정하여, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록, 캐리어 기판의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When laminating | stacking a carrier substrate, it is preferable to fully wash | clean the surface of the carrier substrate which contact | connects an uncured curable resin composition layer, and to laminate | stack in an environment with high cleanness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the carrier substrate is.

상기 공정에 의해 얻어진 경화 전 적층체에는, 박리성 유리 기판의 층과 미경화의 경화성 수지 조성물층과 캐리어 기판의 층이 이 순서로 포함된다.The layer of a peelable glass substrate, the uncured curable resin composition layer, and the layer of a carrier substrate are contained in this order in the laminated body before hardening obtained by the said process.

상기 형태에 있어서, 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외형 치수는 캐리어 기판의 외형 치수보다 크다. 미경화의 경화성 수지 조성물층의 캐리어 기판과 접촉하는 영역의 면적 A와 미경화의 경화성 수지 조성물층의 전체 면적 B의 비(면적 A/전체 면적 B)는, 0.98 이하인 것이 바람직하고, 0.95 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 수지층의 두께 불균일의 발생이 보다 억제된다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 생산성 등의 관점에서, 0.75 이상인 것이 바람직하고, 0.80 이상인 것이 보다 바람직하다.In the said aspect, the external dimension of an uncured curable resin composition layer is larger than the external dimension of a carrier substrate. It is preferable that ratio (area A / total area B) of the area A of the area | region A in contact with the carrier substrate of an uncured curable resin composition layer, and the total area B of an uncured curable resin composition layer is 0.98 or less, and it is 0.95 or less More preferred. If it is in the said range, generation | occurrence | production of the thickness nonuniformity of a resin layer will be suppressed more. Although a minimum in particular is not restrict | limited, From a viewpoint of productivity etc., it is preferable that it is 0.75 or more, and it is more preferable that it is 0.80 or more.

또한, 캐리어 기판의 외주연부터 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외주연까지의 길이는, 10mm 이상이 바람직하고, 15mm 이상이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 수지층의 두께 불균일의 발생이 보다 억제된다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 생산성 등의 관점에서, 100mm 이하가 바람직하다.Moreover, 10 mm or more is preferable and, as for the length from the outer periphery of a carrier substrate to the outer periphery of an uncured curable resin composition layer, 15 mm or more is more preferable. If it is in the said range, generation | occurrence | production of the thickness nonuniformity of a resin layer will be suppressed more. Although an upper limit in particular is not restrict | limited, 100 mm or less is preferable from a viewpoint of productivity.

[경화 공정][Curing Process]

경화 공정 S108은, 상기 적층 공정 S106에서 얻어진 경화 전 적층체에 대하여 경화 처리를 실시하고, 경화 전 적층체 내의 미경화의 경화성 수지 조성물층을 경화시켜, 수지층을 갖는 경화 후 적층체(경화 처리가 실시된 적층체)를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (D)에 도시한 바와 같이, 상기 공정을 실시함으로써, 미경화의 경화성 수지 조성물층(12)이 경화되어 수지층(18)이 얻어지고, 박리성 유리 기판(10)의 층과 수지층(18)과 캐리어 기판(14)의 층을 이 순서로 갖는 경화 후 적층체(20)가 얻어진다.The hardening process S108 hardens the uncured resin composition layer in the laminated body before hardening by hardening | curing the pre-cured laminated body obtained by the said lamination process S106, and the hardened | cured laminated body (hardening process) which has a resin layer To a laminated body). More specifically, as shown in FIG. 2 (D), by performing the above process, the uncured curable resin composition layer 12 is cured to obtain a resin layer 18, and a peelable glass substrate ( The laminated body 20 after hardening which has the layer of 10), the resin layer 18, and the layer of the carrier substrate 14 in this order is obtained.

이하에, 본 공정에서 실시되는 공정의 수순에 대해 상세하게 설명하고, 그 후 얻어진 적층체의 구성에 대하여 상세하게 설명한다.Below, the procedure of the process performed by this process is explained in full detail, and the structure of the laminated body obtained after that is demonstrated in detail.

(공정의 수순)(Process procedure)

본 공정에서 실시되는 경화 처리는, 사용되는 경화성 수지의 종류에 따라 적절히 최적의 방법이 선택되지만, 통상, 가열 처리 또는 노광 처리가 행해진다.Although the optimal method is selected suitably according to the kind of curable resin used for the hardening process performed by this process, heat processing or an exposure process is normally performed.

경화성 수지 조성물층 중에 포함되는 경화성 수지가 열경화성인 경우에는, 미경화의 경화성 수지 조성물층에 대하여 가열 처리를 실시함으로써, 상기 층을 경화시킬 수 있다. 가열 처리의 조건은 사용되는 열경화성 수지의 종류에 따라 적절히 최적의 조건이 선택된다. 그 중에서도, 경화성 수지의 경화 속도 및 형성되는 수지층의 내열성 등의 관점에서, 150 내지 300℃(바람직하게는 180 내지 250℃)에서 10 내지 120분간(바람직하게는 30 내지 60분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.When curable resin contained in curable resin composition layer is thermosetting, the said layer can be hardened by heat-processing about the uncured curable resin composition layer. The conditions of heat processing are suitably selected suitably according to the kind of thermosetting resin used. Especially, heat processing is performed for 10 to 120 minutes (preferably 30 to 60 minutes) at 150-300 degreeC (preferably 180-250 degreeC) from a viewpoint of the hardening rate of curable resin, the heat resistance of the resin layer formed, etc. It is preferable to carry out.

경화성 수지 조성물층 중에 포함되는 경화성 수지가 광경화성 수지인 경우는, 미경화의 경화성 수지 조성물층에 대하여 노광 처리를 실시함으로써, 상기 층을 경화시킬 수 있다. 노광 처리 시에 조사되는 광의 종류는, 광경화성 수지의 종류에 따라 적절히 선택되지만, 예를 들어 자외광, 가시광, 적외광 등을 들 수 있다. 또한, 노광 처리 시의 조사 시간은, 경화성 수지의 경화 속도 및 형성되는 수지층의 내광성 등의 관점에서, 0.1 내지 10분간(바람직하게는 0.5 내지 5분간)이 바람직하다.When curable resin contained in curable resin composition layer is photocurable resin, the said layer can be hardened by performing exposure process with respect to the uncured curable resin composition layer. The kind of light irradiated in the exposure process is appropriately selected depending on the type of the photocurable resin, and examples thereof include ultraviolet light, visible light, and infrared light. Moreover, as for irradiation time at the time of an exposure process, 0.1-10 minutes (preferably 0.5 to 5 minutes) are preferable from a viewpoint of the hardening speed of curable resin, the light resistance of the resin layer formed, etc.

(수지층)(Resin layer)

이어서, 경화 후 적층체 내의 수지층에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the resin layer in the laminated body after hardening is demonstrated in detail.

수지층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 30㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 수지층의 두께가 이러한 범위이면, 수지층과 캐리어 기판의 밀착이 충분해지기 때문이다. 또한, 수지층과 캐리어 기판 사이에 기포나 이물이 개재하는 경우가 있어도, 박리성 유리 기판의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 수지층의 두께가 지나치게 두꺼우면, 형성하는 데 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않다.Although the thickness of a resin layer is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 micrometers, It is more preferable that it is 5-30 micrometers, It is further more preferable that it is 7-20 micrometers. It is because the adhesiveness of a resin layer and a carrier substrate becomes enough that the thickness of a resin layer is such a range. Moreover, even if foam | bubble and a foreign material may interpose between a resin layer and a carrier substrate, it is because generation | occurrence | production of the distortion defect of a peelable glass substrate can be suppressed. In addition, when the thickness of the resin layer is too thick, it is not economical because it requires time and materials to form.

또한, 수지층은 2층 이상으로 이루어져 있어도 좋다. 이 경우 「수지층의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the resin layer may consist of two or more layers. In this case, "thickness of the resin layer" shall mean the thickness of the sum total of all layers.

또한, 수지층이 2층 이상으로 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 상이해도 좋다.In addition, when a resin layer consists of two or more layers, the kind of resin which forms each layer may differ.

수지층은, 유리 전이점이 실온(25℃ 정도)보다 낮거나 또는 유리 전이점을 갖지 않는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 보다 용이하게 박리성 유리 기판과 박리할 수 있어, 동시에 박리성 유리 기판과의 밀착도 충분해지기 때문이다.It is preferable that a resin layer consists of a material in which a glass transition point is lower than room temperature (about 25 degreeC), or does not have a glass transition point. It is because peeling with a peelable glass substrate can be carried out more easily, and also adhesiveness with a peelable glass substrate becomes sufficient at the same time.

수지층을 형성하는 수지의 종류는 특별히 한정되지 않고 상술한 경화성 수지 조성물에 포함되는 수지의 종류에 따라 상이하다. 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지 또는 실리콘 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 상술한 바와 같이, 실리콘 수지가 바람직하다.The kind of resin which forms a resin layer is not specifically limited, It changes with kinds of resin contained in curable resin composition mentioned above. For example, acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin or silicone resin can be mentioned. Among them, a silicone resin is preferable as described above.

또한, 수지층은, 필요에 따라, 비경화성의 오르가노폴리실록산을 포함하고 있어도 좋고, 그의 함유량은 구체적으로는 5질량% 이하(0 내지 5질량%), 바람직하게는 0.01 내지 1질량%를 들 수 있다. 비경화성의 오르가노폴리실록산이 수지층 중에 포함되면, 후술하는 분리 공정 S114에 있어서의 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에서의 박리가 보다 효율적으로 진행된다.In addition, the resin layer may contain the non-curable organopolysiloxane as needed, and its content is specifically 5 mass% or less (0-5 mass%), Preferably 0.01-1 mass% is mentioned. Can be. When a nonhardening organopolysiloxane is contained in a resin layer, peeling at the interface of the peelable glass substrate and resin layer in separation process S114 mentioned later advances more efficiently.

상기 비경화성의 오르가노폴리실록산을 수지층에 함유시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 상술한 경화성 수지 조성물 중에 첨가하는 방법을 들 수 있다.The method of including the said non-curable organopolysiloxane in a resin layer is not specifically limited, The method of adding in curable resin composition mentioned above is mentioned.

또한, 비경화성의 오르가노폴리실록산으로서는, Si-H 결합을 포함하지 않는 실리콘 오일, 구체적으로는 폴리디메틸실록산계 또는 폴리메틸페닐실록산계의 실리콘 오일 등을 들 수 있다.Examples of the noncurable organopolysiloxane include a silicone oil not containing a Si-H bond, specifically, a polydimethylsiloxane-based or polymethylphenylsiloxane-based silicone oil.

(경화 후 적층체)(Cured laminate)

상기 경화 공정에 의해 얻어지는 경화 후 적층체는, 박리성 유리 기판의 층과 수지층과 캐리어 기판의 층을 이 순서로 갖는다.The laminated body after hardening obtained by the said hardening process has the layer of a peelable glass substrate, the resin layer, and the layer of a carrier substrate in this order.

얻어진 경화 후 적층체 내, 수지층은, 캐리어 기판 위에 고정(접착)되어 있고, 또한, 박리성 유리 기판에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 수지층은, 후술하는 분리 공정 S114에 있어서, 박리성 유리 기판과 수지층을 구비한 캐리어 기판을 분리하는 조작이 행해질 때까지, 박리성 유리 기판의 위치 어긋남을 방지한다.In the obtained laminated body after hardening, the resin layer is fixed (adhesive) on the carrier substrate and is in close contact with the peelable glass substrate so that peeling is possible. In the separation process S114 mentioned later, a resin layer prevents position shift of a peelable glass substrate until the operation which isolate | separates a peelable glass substrate and a carrier substrate provided with a resin layer is performed.

박리성 유리 기판의 수지층과 접하는 표면은, 수지층의 표면에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 본 발명에서는, 이 박리성 유리 기판의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리 용이성이라고 한다.The surface which contacts the resin layer of a peelable glass substrate is closely_contact | adhered to the surface of a resin layer so that exfoliation is possible. In this invention, the property which can peel easily of this peelable glass substrate is called peelability.

본 발명에 있어서, 상기 고정과 (박리 가능한) 밀착은 박리 강도(즉, 박리에 필요로 하는 응력)에 차이가 있고, 고정은 밀착에 대하여 박리 강도가 큰 것을 의미한다. 구체적으로는, 경화 후 적층체 내의 수지층과 캐리어 기판의 층의 계면의 박리 강도가, 박리성 유리 기판의 층과 수지층의 계면의 박리 강도보다 커진다.In the present invention, the fixation (peelable) adhesion has a difference in peel strength (i.e., the stress required for peeling), and the fixation means that the peel strength is higher than that of adhesion. Specifically, the peeling strength of the interface between the resin layer in the laminate after curing and the layer of the carrier substrate is greater than the peeling strength of the interface between the layer of the peelable glass substrate and the resin layer.

또한, 박리 가능한 밀착이란, 박리 가능한 동시에, 고정되어 있는 면의 박리를 발생시키지 않고 박리 가능한 것도 의미한다. 구체적으로는, 경화 후 적층체에 있어서, 박리성 유리 기판과 캐리어 기판을 분리하는 조작을 행한 경우, 밀착된 면에서 박리하고, 고정된 면에서는 박리하지 않는 것을 의미한다. 따라서, 경화 후 적층체를 박리성 유리 기판과 캐리어 기판으로 분리하는 조작을 행하면, 경화 후 적층체는 박리성 유리 기판과 수지층을 구비한 캐리어 기판의 2개로 분리된다.In addition, peelable adhesiveness also means that peelable and peelable are possible without generating peeling of the fixed surface. Specifically, in the laminated body after curing, when an operation of separating the peelable glass substrate and the carrier substrate is performed, it means that the adhesive is peeled off from the adhered surface and not peeled off from the fixed surface. Therefore, when the operation | movement which isolate | separates a laminated body after hardening into a peelable glass substrate and a carrier substrate is carried out, the laminated body after hardening will be isolate | separated into two of a carrier substrate provided with a peelable glass substrate and a resin layer.

상술한 바와 같이, 미경화의 경화성 수지 조성물층을 캐리어 기판 표면에 접촉시킨 상태에서 반응 경화하는 점에서, 형성된 수지층은 캐리어 기판 표면에 강하게 접착한다. 한편, 미경화의 경화성 수지 조성물층은 박리성 유리 기판과도 접촉한 상태에서 반응 경화하지만, 박리성 유리 기판 표면의 박리 용이성(비부착성)을 위해, 형성된 수지층은 박리성 유리 기판에 대하여, 고체 분자간에 있어서의 반데발스 힘에 기인하는 결합력 등의 약한 결합력으로 밀착한다.As mentioned above, in the state which react-hardens in the state which contacted the uncurable curable resin composition layer to the carrier substrate surface, the formed resin layer adhere | attaches strongly to the carrier substrate surface. On the other hand, although the uncured curable resin composition layer is reacted and cured in contact with the peelable glass substrate, the formed resin layer is formed on the peelable glass substrate for ease of peeling (non-adhesion) on the surface of the peelable glass substrate. And a weak bonding force such as a bonding force due to van de Waals force between solid molecules.

[절단 공정][Cutting step]

절단 공정 S110은, 상기 경화 공정 S108에서 얻어진 경화 후 적층체 내의 캐리어 기판의 외주연을 따라, 수지층 및 박리성 유리 기판을 절단하는 공정이다. 바꾸어 말하면, 경화 후 적층체 내의 수지층 및 박리성 유리 기판 각각의 외주부를 절단하고, 캐리어 기판, 수지층 및 박리성 유리 기판 각각의 외주연의 전체 둘레를 정렬시키는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (E)에 도시한 바와 같이, 본 공정에 의해, 캐리어 기판(14)의 외주연을 따라, 수지층(18) 및 박리성 유리 기판(10)이 절단되어, 절단 후 적층체(22)(절단 처리가 실시된 적층체)가 얻어진다.Cutting process S110 is a process of cut | disconnecting a resin layer and a peelable glass substrate along the outer periphery of the carrier substrate in the laminated body after hardening obtained in the said hardening process S108. In other words, it is a process of cutting the outer periphery of each of the resin layer and peelable glass substrate in a laminated body after hardening, and aligning the perimeter of the outer periphery of each of a carrier substrate, a resin layer, and a peelable glass substrate. More specifically, as shown to FIG. 2E, the resin layer 18 and the peelable glass substrate 10 are cut | disconnected along the outer periphery of the carrier substrate 14 by this process, After cutting, the laminate 22 (the laminate subjected to the cutting treatment) is obtained.

이하에서, 본 공정 S110의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the procedure of this process S110 is explained in full detail.

수지층 및 박리성 유리 기판을 절단하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 도 4 내지 도 6에 기초하여 설명되는 절단 방법이, 취급성 등의 관점에서 바람직하다.The method of cutting a resin layer and a peelable glass substrate is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, the cutting method explained based on FIGS. 4-6 is preferable from a viewpoint of handleability.

도 4는 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체를 일부 투시하여 도시하는 평면도이며, 도 5는 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체 및 가공 헤드를 일부 파괴하여 도시하는 단면도이며, 도 6은 다른 스테이지 위에 적재한 경화 후 적층체 및 끼움 지지 지그를 도시하는 단면도이다.FIG. 4 is a plan view partially showing a laminated body after curing stacked on a stage, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing a partial fracture of the laminated body and a processing head after curing stacked on a stage, and FIG. 6 is stacked on another stage. It is sectional drawing which shows a laminated body and a fitting support jig after one hardening.

도 4에 도시한 바와 같이, 경화 후 적층체(20)는, 캐리어 기판(14)의 주면이 스테이지(50)에 의해 지지됨과 함께, 캐리어 기판의 외주연이 스테이지(50) 위에 형성되는 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉된다.As shown in FIG. 4, in the laminated body 20 after curing, the main surface of the carrier substrate 14 is supported by the stage 50, and the outer periphery of the carrier substrate is formed on the stage 50. Contact blocks 51-53.

도 4에 있어서는, 캐리어 기판(14)의 노출 표면이 스테이지(50)의 상면에 의해 지지됨과 함께, 직사각 형상의 캐리어 기판(14)의 서로 수직한 2변(14a 및 14b)이 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉된다. 그 후, 캐리어 기판(14)의 나머지 각 변(14c, 14d)에, 이동 블록(54, 55)이 접근되어, 접촉된다.In FIG. 4, while the exposed surface of the carrier substrate 14 is supported by the top surface of the stage 50, the two sides 14a and 14b perpendicular to each other of the rectangular carrier substrate 14 are positioned in the positioning block ( 51 to 53). Thereafter, the moving blocks 54 and 55 approach and contact the remaining sides 14c and 14d of the carrier substrate 14.

도 4에 도시한 바와 같이, 캐리어 기판(14)의 외주연이 위치 결정 블록(51 내지 53)에 접촉되면, 캐리어 기판(14)의 외주연과 스테이지(50)의 위치 정렬 정밀도가 좋아진다. 따라서, 캐리어 기판(14)의 외주연과, 수지층(18) 및 박리성 유리 기판(10)의 외주연이 고정밀도로 정렬된다.As shown in FIG. 4, when the outer periphery of the carrier substrate 14 contacts the positioning blocks 51 to 53, the outer periphery of the carrier substrate 14 and the alignment accuracy of the stage 50 are improved. Therefore, the outer periphery of the carrier substrate 14 and the outer periphery of the resin layer 18 and the peelable glass substrate 10 are aligned with high precision.

또한, 스테이지(50)의 상면에 복수 형성되는 흡착 구멍 내가 진공 펌프 등에 의해 감압되어, 스테이지(50)의 상면에 캐리어 기판(14)이 흡착된다. 스테이지(50)의 상면에는, 캐리어 기판(14)을 보호하기 위해, 수지 필름 등이 형성되어도 좋다.Moreover, the inside of the suction hole formed in multiple numbers on the upper surface of the stage 50 is decompressed by a vacuum pump, etc., and the carrier substrate 14 is adsorbed on the upper surface of the stage 50. A resin film or the like may be formed on the upper surface of the stage 50 to protect the carrier substrate 14.

이어서, 촬상 장치가 스테이지(50) 위의 경화 후 적층체(20)를 촬상한다. 촬상된 화상은 컴퓨터에 송신된다. 컴퓨터는, 수신한 화상을 화상 처리하여, 캐리어 기판(14)의 외주연과 스테이지(50)의 위치 관계를 검출한다.Next, the imaging device picks up the laminated body 20 after hardening on the stage 50. The captured image is transmitted to a computer. The computer image-processes the received image, and detects the positional relationship of the outer periphery of the carrier substrate 14 and the stage 50.

이어서, 컴퓨터는, 화상 처리의 결과에 기초하여, 경화 후 적층체(20)를 가공하는 가공 헤드(60)를 스테이지(50)에 대하여 상대 이동시킨다. 가공 헤드(60)의 이동 궤적은, 평면에서 보아 캐리어 기판(14)의 외주연과 겹치도록 제어한다(도 5 참조).Subsequently, the computer moves the processing head 60 which processes the laminated body 20 after hardening with respect to the stage 50 based on the result of image processing. The movement trajectory of the processing head 60 is controlled to overlap the outer periphery of the carrier substrate 14 in plan view (see FIG. 5).

또한, 본 실시 형태에서는, 컴퓨터는 가공 헤드의 이동 궤적을 제어하기 위해, 화상 처리의 결과를 이용한다로 했지만, 그 대신 하드 디스크 등의 기록 매체 등에 미리 기록되어 있는 캐리어 기판의 형상 치수에 관한 정보를 이용해도 좋다. 그 경우, 촬상 장치는 불필요하게 된다.In the present embodiment, the computer uses the result of the image processing to control the movement trajectory of the processing head, but instead the information on the shape dimensions of the carrier substrate which is recorded in advance in a recording medium such as a hard disk or the like is used. You may use it. In that case, the imaging device becomes unnecessary.

도 5에 도시하는, 가공 헤드(60)는, 박리성 유리 기판(10)의 종류나 두께 등에 따라 구성된다. 예를 들어, 가공 헤드(60)는, 박리성 유리 기판(10)의 표면에 절선(66)을 형성하는 것이며, 커터(62) 등으로 구성된다.The processing head 60 shown in FIG. 5 is comprised according to the kind, thickness, etc. of the peelable glass substrate 10. FIG. For example, the processing head 60 forms the cutting line 66 on the surface of the peelable glass substrate 10, and is comprised by the cutter 62 etc.

커터(62)는, 예를 들어 원판 형상이며, 외주부가 다이아몬드나 초합금 등으로 형성되고, 홀더(64)는 회전 가능하게 지지되어 있다. 커터(62)의 외주부를 박리성 유리 기판(10)의 표면에 가압한 상태에서, 홀더(64)를 박리성 유리 기판(10)의 면 내 방향으로 상대 이동시키면, 커터(62)가 회전하면서, 박리성 유리 기판(10)의 표면에 절선(66)을 형성한다.The cutter 62 is, for example, in the shape of a disk, and its outer circumference is formed of diamond, superalloy, or the like, and the holder 64 is rotatably supported. When the holder 64 is relatively moved in the in-plane direction of the peelable glass substrate 10 while the outer circumferential portion of the cutter 62 is pressed against the surface of the peelable glass substrate 10, the cutter 62 rotates. Cut lines 66 are formed on the surface of the peelable glass substrate 10.

절선(66)은, 직사각 형상의 캐리어 기판(14)의 4변(14a, 14b, 14c, 14d)에 대응하여 4개 형성되고, 각각 평면에서 보아 캐리어 기판(14)이 대응하는 변과 겹치도록 형성된다. 각 절선(66)은, 박리성 유리 기판(10)의 표면을 분단하도록, 박리성 유리 기판(10)의 일변으로부터 타변까지 신장되어 있다.Four cutting lines 66 are formed corresponding to four sides 14a, 14b, 14c, and 14d of the rectangular carrier substrate 14, and the carrier substrate 14 overlaps with the corresponding sides in plan view, respectively. Is formed. Each cutting line 66 extends from one side to the other side of the peelable glass substrate 10 so as to segment the surface of the peelable glass substrate 10.

또한, 도 5에 도시된 본 실시 형태의 가공 헤드(60)는, 커터(62) 등으로 구성되어 있지만, 선단이 원추 형상이며 다이아몬드로 형성되고, 미끄럼에 의해 절선을 넣는 포인트 스크라이버이어도 좋고, 레이저광원 등으로 구성되어 있어도 좋다. 레이저광원은, 박리성 유리 기판(10)의 표면에 스폿 광을 조사한다. 스폿 광은, 박리성 유리 기판(10)의 표면 위에서 주사되어, 열응력에 의해 절선(66)을 형성한다.In addition, although the processing head 60 of this embodiment shown in FIG. 5 is comprised by the cutter 62 etc., the tip scriber may be a point scriber in which the tip is formed in the shape of diamond, and cuts off by sliding, It may be comprised with a laser light source. The laser light source irradiates the spot light to the surface of the peelable glass substrate 10. Spot light is scanned on the surface of the peelable glass substrate 10, and forms the cutting line 66 by thermal stress.

가공 헤드(60)에 의해 절선(66)이 형성된 후, 진공 펌프가 작동 정지되고, 흡인 구멍 내가 대기에 개방되어, 흡인이 해제된다. 계속해서, 이동 블록(54, 55)이 캐리어 기판(14)으로부터 이격됨과 함께, 캐리어 기판(14)이 위치 결정 블록(51 내지 53)으로부터 이격된다. 그 후, 경화 후 적층체(20)는, 스테이지(50)의 상방으로 들어 올려져, 다른 스테이지(70)의 상방으로 이송된다. 계속해서, 경화 후 적층체(20)는 하방으로 내려가, 스테이지(70)에 적재된다(도 6 참조).After the cutting line 66 is formed by the processing head 60, the vacuum pump is stopped, the suction hole is opened to the atmosphere, and suction is released. Subsequently, while the moving blocks 54 and 55 are spaced apart from the carrier substrate 14, the carrier substrate 14 is spaced apart from the positioning blocks 51 to 53. Thereafter, the laminated body 20 after curing is lifted above the stage 50 and transferred above the other stage 70. Subsequently, the laminated body 20 after hardening goes down and is mounted in the stage 70 (refer FIG. 6).

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 스테이지(70)의 상면에 복수 형성되어 있는 흡인 구멍 내가 진공 펌프 등에 의해 감압되어, 스테이지(70)의 상면에 캐리어 기판(14)이 흡착된다. 이 상태에서는, 스테이지(70)의 외측에, 1개의 절선(66)이 밀려 나와 있다.Next, as shown in FIG. 6, the inside of the suction hole formed in multiple numbers on the upper surface of the stage 70 is decompressed by a vacuum pump, etc., and the carrier substrate 14 is adsorb | sucked on the upper surface of the stage 70. FIG. In this state, one cutting line 66 is pushed out of the stage 70.

이어서, 1개의 절선(66)보다 외측의 부분이, 판 두께 방향으로 끼움 지지 지그(72)에 의해 끼움 지지된다. 이 상태에서, 끼움 지지 지그(72)가 하측 방향으로 회전이동되면, 박리성 유리 기판(10) 및 수지층(18)에 굽힘 응력이 가해지므로, 1개의 절선(66)을 기점으로 하여 판 두께 방향으로 균열(68)이 연신되어, 박리성 유리 기판(10) 및 수지층(18)이 한번에 할단된다(도 6 참조).Subsequently, the part outside the one cutting line 66 is clamped by the fitting support jig 72 in the plate | board thickness direction. In this state, when the clamping jig 72 is rotated in the downward direction, bending stress is applied to the peelable glass substrate 10 and the resin layer 18, so that the sheet thickness is set based on one cut line 66. The crack 68 is extended in the direction, and the peelable glass substrate 10 and the resin layer 18 are cut | disconnected at once (refer FIG. 6).

이어서, 스테이지(50) 위에서의 캐리어 기판(14)의 흡착이 해제되어, 경화 후 적층체(20)는, 평행 이동 또는 90°회전이동된 후, 다시 흡착된다. 그 후, 다른 하나의 절선(66)을 따라, 박리성 유리 기판(10) 및 수지층(18)이 할단된다. 이것을 반복하여, 4개의 절선(66)을 따라 박리성 유리 기판(10) 및 수지층(18)이 할단된다.Subsequently, the adsorption | suction of the carrier substrate 14 on the stage 50 is canceled | released, and the laminated body 20 after hardening is adsorb | sucked again after parallel movement or 90 degree rotational movement. Then, the peelable glass substrate 10 and the resin layer 18 are cut along another cut line 66. This is repeated, and the peelable glass substrate 10 and the resin layer 18 are cut along the four cutting lines 66.

또한, 본 실시 형태에서는, 할단을 행하기 위해, 경화 후 적층체가 스테이지(50)로부터 다른 스테이지(70)로 이송되게 했지만, 동일한 스테이지(50) 위에서, 평행 이동 또는 90°회전이동된 후, 할단이 행해져도 좋다. 또한, 필요에 따라 할단부에 모따기 처리를 실시해도 좋다.In addition, in this embodiment, in order to perform cutting, although the laminated body after hardening was made to be conveyed from the stage 50 to another stage 70, after cutting in parallel or 90 degree rotation on the same stage 50, This may be done. In addition, you may perform a chamfering process to a cut part as needed.

[부재 형성 공정][Member forming process]

부재 형성 공정 S112는, 상기 절단 공정 S110에서 얻어진 절단 후 적층체 내의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체를 얻는 공정이다.Member formation process S112 is a process of forming the member for electronic devices on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in the after-cut | disconnection laminated body obtained by the said cutting process S110, and obtaining the laminated body provided with the member for electronic devices.

보다 구체적으로는, 도 2의 (F)에 도시한 바와 같이, 박리성 유리 기판(10)의 제2 주면(10b) 위에 전자 디바이스용 부재(24)를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체(26)를 얻는다.More specifically, as shown to FIG. 2F, the electronic device member 24 is formed on the 2nd main surface 10b of the peelable glass substrate 10, and is equipped with the electronic device member. The laminated body 26 is obtained.

우선, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후속 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the electronic device member used in this step will be described in detail and the procedure of the subsequent step will be described in detail.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자))(Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재는, 절단 후 적층체 내의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재로서는, 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 사용되는 부재를 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등이 포함된다.The member for electronic devices is a member formed on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in a laminated body after cutting | disconnection, and comprises at least one part of an electronic device. More specifically, as an electronic device member, the member used for electronic components, such as a display panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer with a circuit formed in the surface, is mentioned. The panel for a display device includes an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel and the like.

예를 들어, 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형에서는, 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 나타내는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 밖에, 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.For example, as a solar cell member, in a silicon type | mold, a transparent electrode, such as a tin oxide of a positive electrode, the silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, the metal of a negative electrode, etc. are mentioned, In addition, a compound type and a pigment | dye Various members corresponding to a sensitization type, a quantum dot type, etc. are mentioned.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형에서는, 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에, 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Moreover, as a member for thin-film secondary batteries, in lithium ion type, transparent electrodes, such as a metal or metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, the lithium compound of an electrolyte layer, the metal of a current collector layer, resin as a sealing layer, etc. are mentioned. And various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like.

또한, 전자 부품용 부재로서는, CCD나 CMOS에서는, 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 밖에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.As the electronic component member, in the CCD or CMOS, a metal of a conductive portion, silicon oxide or silicon nitride of an insulating portion, and the like, and various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed substrate, a flexible printed substrate, Various members corresponding to a printed board and the like.

(공정의 수순)(Process procedure)

상술한 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지의 방법에 의해, 절단 후 적층체의 박리성 유리 기판의 제2 주면 표면 위에, 전자 디바이스용 부재를 형성한다.The manufacturing method of the laminated body provided with the member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, The 2nd main surface of the peelable glass substrate of a laminated body after cutting | disconnection by a conventionally well-known method according to the kind of structural member of an electronic device member. On the surface, a member for an electronic device is formed.

또한, 전자 디바이스용 부재는, 박리성 유리 기판의 제2 주면에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 한다)가 아니고, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 한다)이어도 좋다. 수지층으로부터 박리된 부분 부재를 구비한 박리성 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재를 구비한 박리성 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.In addition, the member for electronic devices is not part of the member finally formed in the 2nd main surface of a peelable glass substrate (henceforth a "whole member"), but a part of all members (henceforth a "part member"). ) May be used. The peelable glass substrate provided with the partial member peeled from the resin layer can also be made into the peelable glass substrate (corresponding to the electronic device mentioned later) provided with the whole member in a subsequent process.

또한, 전체 부재를 구비한 적층체를 조립하고, 그 후, 전체 부재를 구비한 적층체로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재를 구비한 적층체를 2매 사용하여 전자 디바이스를 조립하고, 그 후, 전체 부재를 구비한 적층체로부터 2매의 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.Moreover, the laminated body provided with the whole member is assembled, and after that, the carrier substrate provided with the resin layer is peeled from the laminated body provided with the whole member, and an electronic device can also be manufactured. In addition, the electronic device is assembled using two laminates with all members, and then the carrier substrate with two resin layers is peeled from the laminate with all members to manufacture the electronic devices. It may be.

예를 들어, OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 절단 후 적층체의 박리성 유리 기판의 수지층측과는 반대측의 표면 위(박리성 유리 기판의 제2 주면에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해, 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 위에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 사용하여 밀봉하는, 등의 각종 층 형성이나 처리가 행해진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는, 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing OLED, for example, an organic EL structure is formed on the surface on the side opposite to the resin layer side of the peelable glass substrate of the laminate after cutting (corresponding to the second main surface of the peelable glass substrate). To this end, a transparent electrode is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed, and a back electrode is formed and sealed using a sealing plate. Layer formation and processing are performed. Specific examples of such layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, adhesion treatment of a sealing plate, and the like.

또한, 예를 들어 TFT-LCD의 제조 방법은, 절단 후 적층체의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 레지스트액을 사용하여, CVD법 및 스퍼터법 등, 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 다른 절단 후 적층체의 유리 기판의 제2 주면(1) 위에 레지스트액을 패턴 형성에 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT를 구비한 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF를 구비한 적층체를 TFT와 CF가 대향하도록 시일을 개재하여 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.In addition, for example, in the manufacturing method of TFT-LCD, the metal film formed by general film-forming methods, such as CVD method and sputtering method, using a resist liquid on the 2nd main surface of the peelable glass substrate of a laminated body after cutting | disconnection. And a TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning a metal oxide film or the like, and using the resist liquid on the second main surface 1 of the glass substrate of the laminated body after other cutting for pattern formation using the color filter CF. Various processes such as a CF forming step to be formed, a lamination step including a TFT obtained in the TFT forming step, and a laminate including a CF obtained in the CF forming step, and a lamination step for laminating the TFT and CF so as to face each other through a seal. Have

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 사용하여, 박리성 유리 기판의 제2 주면에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용의 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In a TFT formation process and a CF formation process, TFT and CF are formed in the 2nd main surface of a peelable glass substrate using well-known photolithography technique, an etching technique, etc. At this time, a resist liquid is used as the coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라, 박리성 유리 기판의 제2 주면을 세정해도 좋다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 사용할 수 있다.In addition, before forming TFT and CF, you may wash the 2nd main surface of a peelable glass substrate as needed. As a washing | cleaning method, well-known dry washing and wet washing can be used.

접합 공정에서는, 예를 들어 TFT를 구비한 적층체와 CF를 구비한 적층체 사이에 액정재를 주입하여 적층한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, for example, a liquid crystal material is injected and laminated between the laminate with TFT and the laminate with CF. As a method of inject | pouring a liquid crystal material, there exists a vacuum injection method and the dropping injection method, for example.

[분리 공정]Separation Process

분리 공정 S114는, 상기 부재 형성 공정 S112에서 얻어진 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체로부터, 박리성 유리 기판과 수지층의 계면을 박리면으로 하여, 수지층 및 캐리어 기판을 갖는 수지층을 구비한 캐리어 기판을 제거하여, 박리성 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (G)에 도시한 바와 같이, 상기 공정 S114에 의해, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체(26)로부터, 수지층을 구비한 캐리어 기판(28)을 분리·제거하여, 박리성 유리 기판(10)과 전자 디바이스용 부재(24)를 포함하는 전자 디바이스(30)가 얻어진다.Separation process S114 is provided with the resin layer which has a resin layer and a carrier substrate from the laminated body provided with the member for electronic devices obtained by the said member formation process S112, using the interface of a peelable glass substrate and a resin layer as a peeling surface. It is a process of removing a carrier substrate and obtaining the electronic device which has a peelable glass substrate and a member for electronic devices. More specifically, as shown in FIG. 2G, the carrier substrate 28 having the resin layer is separated and separated from the laminate 26 provided with the electronic device member by the step S114. It removes and the electronic device 30 containing the peelable glass substrate 10 and the electronic device member 24 is obtained.

박리 시의 박리성 유리 기판 위의 전자 디바이스용 부재가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는, 분리 후, 나머지의 구성 부재를 박리성 유리 기판 위에 형성할 수도 있다.When it is a part of formation of the whole structural member which requires the member for electronic devices on the peelable glass substrate at the time of peeling, you may form the remaining structural member on a peelable glass substrate after separation.

박리성 유리 기판과 수지층을 박리하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하고, 박리의 계기를 부여한 후, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체 내의 캐리어 기판이 상측, 전자 디바이스용 부재가 하측으로 되도록 정반 위에 설치하고, 전자 디바이스용 부재측을 정반 위에 진공 흡착하고, 이 상태에서 우선 칼날을 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에 칼날을 침입시킨다. 그리고, 그 후에 캐리어 기판측을 복수의 진공 흡착 패드에 의해 흡착하고, 칼날을 삽입한 개소 부근부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면 박리성 유리 기판과 수지층의 계면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면의 전체면에 퍼져, 수지층을 구비한 캐리어 기판을 용이하게 박리할 수 있다.The method of peeling a peelable glass substrate and a resin layer is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-like thing is inserted into the interface between the peelable glass substrate and the resin layer, and after giving an opportunity for peeling, the mixed fluid of water and compressed air can be sprayed or peeled off. Preferably, the carrier substrate in the laminate including the electronic device member is placed on the surface plate so that the upper side and the electronic device member are on the lower side, and the electronic device member side is vacuum-adsorbed on the surface plate. A blade penetrates into the interface of a peelable glass substrate and a resin layer. Then, the carrier substrate side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the point where the blade is inserted. Then, an air layer is formed in the interface of a peelable glass substrate and a resin layer, the air layer spreads over the whole surface of an interface, and a carrier substrate provided with a resin layer can be peeled easily.

또한, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 제거할 때에 있어서는, 이오나이저에 의한 분사나 습도를 제어함으로써, 전자 디바이스에 영향을 미칠 가능성이 있는 정전기를 억제할 수 있다. 또는, 전자 디바이스에 정전기를 소모시키는 회로를 내장하거나, 희생 회로를 내장하여 단자부로부터 적층체 외부로 도통(導通)을 취하거나 해도 좋다.Moreover, when removing the carrier substrate with a resin layer from the laminated body provided with the member for electronic devices, the static electricity which may affect an electronic device can be suppressed by controlling spraying and humidity by an ionizer. have. Alternatively, a circuit for consuming static electricity in the electronic device may be incorporated, or a conductive circuit may be incorporated to the outside of the laminate from the terminal portion.

상기 공정에 의해 얻어진 전자 디바이스는, 휴대 전화나 PDA와 같은 모바일 단말기에 사용되는 소형의 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED이며, LCD로서는, TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형의 어느 표시 장치의 경우에든 적용할 수 있다.The electronic device obtained by the said process is suitable for manufacture of the small display apparatus used for mobile terminals, such as a mobile telephone and a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. Basically, it can be applied to any display device of passive driving type and active driving type.

[제2 실시 형태][Second Embodiment]

도 7은, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 다른 실시 형태에 있어서의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스의 제조 방법은, 표면 처리 공정 S102, 경화성 수지 조성물층 형성 공정 S104, 적층 공정 S106, 탈포 공정 S116, 경화 공정 S108, 절단 공정 S110, 부재 형성 공정 S112 및 분리 공정 S114를 구비한다.7 is a flowchart showing a manufacturing process in another embodiment of the manufacturing method of the electronic device of the present invention. As shown in FIG. 7, the manufacturing method of an electronic device is surface treatment process S102, curable resin composition layer formation process S104, lamination process S106, defoaming process S116, hardening process S108, cutting process S110, member formation process S112, and separation | separation. Step S114 is provided.

도 7에 도시하는 각 공정은, 탈포 공정 S116을 구비하는 점을 제외하고, 도 1에 도시하는 공정과 마찬가지의 수순이며, 동일한 공정에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략하고, 이하에서는 주로 탈포 공정 S116에 대하여 설명한다.Each step shown in FIG. 7 is the same procedure as the step shown in FIG. 1 except that the defoaming step S116 is provided. The same steps are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The defoaming step S116 will be described.

[탈포 공정][Degreasing Process]

탈포 공정 S116은, 상기 적층 공정 S106 후이고 경화 공정 S108 전에, 미경화의 경화성 수지 조성물층의 탈포 처리를 행하는 공정이다. 상기 공정 S116을 마련함으로써, 미경화의 경화성 수지 조성물층으로부터 기포나 휘발 용이 성분이 제거되어, 얻어지는 수지층과 캐리어 기판의 밀착성이 보다 강화된다.Defoaming process S116 is a process of degassing the uncured curable resin composition layer after lamination process S106 and before hardening process S108. By providing the said process S116, the bubble and the easily volatile component are removed from the uncured curable resin composition layer, and the adhesiveness of the resin layer obtained and a carrier substrate is strengthened more.

탈포 공정의 처리 방법은 사용되는 미경화의 경화성 수지 조성물층의 재료에 따라 적절히 최적의 방법이 선택되지만, 예를 들어 진공 펌프를 사용한 감압 탈포나, 원심력을 사용한 원심 분리 탈포, 초음파 탈포 장치를 사용한 초음파 탈포 등을 들 수 있다. 생산성 등의 관점에서, 감압 하에서 탈포 처리를 행하는 감압 탈포가 바람직하고, 그 조건으로서는 1000Pa 이하(바람직하게는 100Pa 이하)에서 1 내지 30분 정도 탈포 처리를 실시하는 것이 바람직하다.Although the optimal method is appropriately selected according to the material of the uncured curable resin composition layer used for the degassing process, for example, vacuum degassing using a vacuum pump, centrifugal defoaming using centrifugal force, and ultrasonic degassing apparatus are used. Ultrasonic defoaming etc. are mentioned. From the viewpoint of productivity and the like, vacuum degassing is preferably carried out under reduced pressure, and as the condition, it is preferable to perform the defoaming treatment at about 1000 Pa or less (preferably 100 Pa or less) for about 1 to 30 minutes.

<실시예> <Examples>

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited by these examples.

이하의 실시예 1 및 4 내지 6, 비교예 1 내지 2에서는, 박리성 유리 기판용의 유리 기판으로서, 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(세로 760mm, 가로 640mm, 판 두께 0.3mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사제 상품명 「AN100」)을 사용했다. 또한, 캐리어 기판으로서는, 동일하게 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(세로 720mm, 가로 600mm, 판 두께 0.7mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사제 상품명 「AN100」)을 사용했다.In the following Examples 1 and 4 to 6 and Comparative Examples 1 to 2, glass plates made of alkali-free borosilicate glass (length 760 mm, width 640 mm, sheet thickness 0.3 mm, linear expansion coefficient 38 ×) as glass substrates for peelable glass substrates. 10-7 / ° C, brand name "AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was used. In addition, as a carrier board | substrate, the glass plate (length 720mm, width 600mm, plate thickness 0.7mm, linear expansion coefficient 38x10 <-7> / degreeC), brand name "AN100" by Asahi Glass Co., Ltd. made of alkali-free borosilicate glass was used similarly.

(실시예 1)(Example 1)

박리성 유리 기판으로서 사용하는 유리 기판을 순수 세정, UV 세정하여, 표면을 청정화했다. 그 후, 유리 기판의 편면인 제2 주면에 마스크를 실시한 후, 반대측의 제1 주면에 실리콘 오일 함유량이 1질량%인 헵탄 용액을 스프레이 코트하여 건조했다. 실리콘 오일에는, 디메틸폴리실록산(도레이 다우코닝사제, SH200, 동점도 190 내지 210㎟/s)을 사용했다. 계속해서, 실리콘 오일의 저분자화 때문에, 350℃에서의 가열 처리를 5분간 행하여, 박리성 유리 기판을 얻었다.The glass substrate used as a peelable glass substrate was wash | cleaned pure water, UV wash, and the surface was cleaned. Then, after masking on the 2nd main surface which is the single side | surface of a glass substrate, the heptane solution of 1 mass% of silicone oil content was spray-coated and dried on the 1st main surface on the opposite side. Dimethyl polysiloxane (made by Toray Dow Corning, SH200, kinematic viscosity 190-210 mm <2> / s) was used for silicone oil. Subsequently, for the low molecular weight of silicone oil, the heat processing at 350 degreeC was performed for 5 minutes, and the peelable glass substrate was obtained.

그 후, 접촉각계(크로스사제, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)를 사용하여, 박리성 유리 기판의 제1 주면의 물 접촉각을 측정한 바, 100°이었다.Then, it was 100 degrees when the water contact angle of the 1st main surface of a peelable glass substrate was measured using the contact angle meter (Drop SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2 by the cross company).

또한, 원자간력 현미경(퍼시픽 나노테크놀로지사제, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0Hz, Sample Lines 256, 0ff-line Modify Flatten order-2, Planefit order-2)을 사용하여, 박리성 유리 기판의 제1 주면의 평균 표면 거칠기 Ra를 측정한 바, 0.5nm이었다. 평균 표면 거칠기 Ra는, 측정 범위 한 변의 길이가 10㎛인 사각형의 측정값으로부터 산출했다.In addition, the first of the peelable glass substrates using an atomic force microscope (manufactured by Pacific Nanotechnology, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0 Hz, Sample Lines 256, 0ff-line Modify Flatten order-2, Planefit order-2) It was 0.5 nm when the average surface roughness Ra of the principal surface was measured. Average surface roughness Ra was computed from the measured value of the rectangle whose length of one side of a measuring range is 10 micrometers.

이어서, 박리성 유리 기판의 제1 주면 위에, 양쪽 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산(비닐실리콘, 아라까와 가가꾸 고교사제, 8500)과, 분자 내에 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산(아라까와 가가꾸 고교사제, 12031)과, 백금계 촉매(아라까와 가가꾸 고교사제, CAT12070)의 혼합액을, 세로 750mm, 가로 630mm의 크기로 직사각형으로 스크린 인쇄기에 의해 도포 시공하여, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층을 박리성 유리 기판 위에 형성했다(도포 시공량 35g/㎡). 여기서, 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산과, 메틸히드로겐폴리실록산의 혼합비는, 비닐기와 히드로실릴기의 몰비가 1:1로 되도록 조절했다. 또한, 백금계 촉매는, 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산과, 메틸히드로겐폴리실록산의 합계 100질량부에 대하여, 5질량부로 했다.Subsequently, on the 1st main surface of a peelable glass substrate, the linear organo alkenyl polysiloxane (vinyl silicone, Arakawa Chemical Co., Ltd., 8500) which has a vinyl group at both ends, and methylhydrogen which has a hydrosilyl group in a molecule | numerator A mixture of polysiloxane (Arakawa Chemical Co., Ltd., 12031) and platinum catalyst (Arakawa Chemical Co., Ltd., CAT12070) is applied by a screen printing machine in a rectangular shape of 750 mm long and 630 mm wide. A layer containing uncured curable silicone was formed on a peelable glass substrate (coating amount of 35 g / m 2). Here, the mixing ratio of linear organoalkenylpolysiloxane and methylhydrogenpolysiloxane was adjusted so that the molar ratio of vinyl group and hydrosilyl group might be 1: 1. In addition, the platinum catalyst was 5 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of linear organo alkenyl polysiloxane and methylhydrogen polysiloxane.

이어서, 판 두께 0.4mm의 캐리어 기판의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면(제1 주면)을 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화했다. 그 후, 캐리어 기판의 제1 주면과, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 접합하고, 30Pa에서 5분간 정치하고, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층의 탈포 처리를 행하여, 경화 전 적층체 A0을 얻었다. 그 때, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층에 캐리어 기판과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 캐리어 기판을 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층 위에 적층했다. 또한, 캐리어 기판의 외주연부터 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외주연까지의 길이는 약 15mm 이상이었다. 또한, 미경화의 경화성 수지 조성물층의 캐리어 기판과 접촉하는 영역의 면적 A와 미경화의 경화성 수지 조성물층의 전체 면적 B의 비(면적 A/전체 면적B)는 0.91이었다.Subsequently, the surface (1st main surface) of the side which contacts the silicone resin of the carrier substrate of 0.4 mm of plate | board thicknesses was wash | cleaned purely, and it cleaned by UV washing after that. Thereafter, the first main surface of the carrier substrate and the layer containing uncured curable silicone are bonded to each other by vacuum press at room temperature, and left to stand at 30 Pa for 5 minutes, and a defoaming treatment of the layer containing uncured curable silicone is performed. Was performed to obtain laminate A0 before curing. At that time, the carrier substrate was laminated on the layer containing the uncured curable silicone so that the peripheral region not contacting the carrier substrate remained in the layer containing the uncured curable silicone. In addition, the length from the outer periphery of the carrier substrate to the outer periphery of the uncured curable resin composition layer was about 15 mm or more. In addition, the ratio (area A / total area B) of the area A of the area | region A in contact with the carrier substrate of the uncured curable resin composition layer and the total area B of the uncured curable resin composition layer was 0.91.

이어서, 이것을 250℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여, 두께 10㎛의 경화된 실리콘 수지층을 포함하는 경화 후 적층체 A1을 얻었다.Subsequently, this was heat-cured at 250 degreeC for 30 minutes in air | atmosphere, and the post-curing laminated body A1 containing the hardened silicone resin layer of thickness 10micrometer was obtained.

계속해서, 위치 결정 지그를 설치한 정반 위에 경화 후 적층체 A1의 캐리어 기판을 고정하고, 정반의 상면으로부터 캐리어 기판의 외주연 중 1개의 변과 겹치도록, 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에 다이아몬드 휠 커터로 절선을 새긴 후, 끼움 지지 지그에 의해 박리성 유리 기판의 절선의 외측을 끼워 넣고, 할단했다. 마찬가지로, 캐리어 기판의 외주연의 나머지 3변과 겹치는 박리성 유리의 외측에 대해서도 할단한 후, 곡면을 갖는 지석에 의해 박리성 유리 기판의 할단면을 연마하여 모따기를 실시하고, 절단 후 적층체 A2를 얻었다.Subsequently, the carrier substrate of the laminated body A1 after hardening is fixed on the surface plate in which the positioning jig was provided, and the diamond on the 2nd main surface of a peelable glass substrate so that it may overlap with one side of the outer periphery of a carrier substrate from the upper surface of a surface plate. After carving a cut line with a wheel cutter, the outer side of the cut line of a peelable glass substrate was inserted and cut | disconnected by the fitting support jig. Similarly, after cutting also about the outer side of the peelable glass which overlaps with the remaining three sides of the outer periphery of a carrier substrate, the cut edge of a peelable glass substrate is polished and chamfered by the grindstone which has a curved surface, and laminated body A2 after cutting Got.

계속해서, 절단 후 적층체 A2에 있어서의 박리성 유리 기판의 실리콘 수지와의 접촉면과 반대의 면(제2 주면)을 정반에 진공 흡착시킨 후, 박리성 유리 기판의 4개소의 코너부 중 1개소의 코너부에 있어서의 박리성 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 박리성 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여했다. 그리고, 캐리어 기판 표면을 24개의 진공 흡착 패드에 의해 흡착한 뒤, 칼날을 삽입한 코너부에 가까운 흡착 패드부터 순서대로 상승시켰다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(기엔스사제)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행했다. 이어서, 형성된 공극을 향하여, 이오나이저로부터는 계속하여 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 인상했다. 그 결과, 정반 위에 제1 주면에 실리콘 수지층이 형성된 캐리어 기판(수지층을 구비한 캐리어 기판)을 박리할 수 있었다. 이때, 박리성 유리 기판의 실리콘 수지층과 밀착하고 있던 면(제1 주면) 위에 실리콘 수지의 부착은 육안상 보이지 않았다. 또한, 상기 결과로부터, 수지층과 캐리어 기판의 층의 계면의 박리 강도가, 박리성 유리 기판의 층과 수지층의 계면의 박리 강도보다 큰 것이 확인되었다.Subsequently, after making the surface (2nd main surface) opposite to the contact surface with the silicone resin of the peelable glass substrate in laminated body A2 after cutting to vacuum in a surface plate, 1 of the four corner parts of a peelable glass substrate A stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the peelable glass substrate and the silicone resin layer at the corner portion, and an occasion for peeling was applied to the interface between the peelable glass substrate and the silicone resin layer. Then, the surface of the carrier substrate was adsorbed by 24 vacuum adsorption pads, and then raised from the adsorption pad close to the corner portion where the blade was inserted. Here, the blade was inserted while spraying the antistatic fluid on the interface from the ionizer (manufactured by Giens). Subsequently, the vacuum adsorption pad was pulled toward the formed void while continuously spraying the antistatic fluid from the ionizer. As a result, the carrier substrate (carrier substrate with resin layer) in which the silicone resin layer was formed in the 1st main surface on the surface plate could be peeled. At this time, adhesion | attachment of a silicone resin was not visually seen on the surface (1st main surface) which was in close contact with the silicone resin layer of a peelable glass substrate. Moreover, it was confirmed from the said result that peeling strength of the interface of a layer of a resin layer and a carrier substrate is larger than peeling strength of the interface of a layer of a peelable glass substrate, and a resin layer.

(실시예 2)(Example 2)

캐리어 기판 및 유리 기판으로서, 소다석회 유리로 이루어지는 유리판을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 B2를 얻었다. 또한, 사용한 캐리어 기판과 유리 기판의 크기는, 실시예 1에서 사용한 캐리어 기판과 유리 기판의 크기와 동일하였다.As a carrier substrate and a glass substrate, the laminated body B2 after cutting was obtained by the method similar to Example 1 except having used the glass plate which consists of soda-lime glass. In addition, the magnitude | size of the carrier substrate and glass substrate which were used were the same as the magnitude | size of the carrier substrate and glass substrate which were used in Example 1.

이어서, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 B2로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, 소다석회 유리 기판 B3(박리성 유리 기판)을 얻었다. 이때, 소다석회 유리 기판 B3의 실리콘 수지층과 밀착하고 있던 면(제1 주면) 위에 실리콘 수지의 부착은 육안상 보이지 않았다.Next, by the method similar to Example 1, the carrier substrate provided with the resin layer was peeled from the laminated body B2 after cutting, and the soda-lime glass substrate B3 (peelable glass substrate) was obtained. At this time, adhesion | attachment of a silicone resin was not visually seen on the surface (first main surface) which was in close contact with the silicone resin layer of soda-lime glass substrate B3.

(실시예 3)(Example 3)

캐리어 기판 및 유리 기판으로서, 화학 강화된 유리판으로 이루어지는 유리판을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 C2를 얻었다. 또한, 사용한 캐리어 기판과 유리 기판의 크기는, 실시예 1에서 사용한 캐리어 기판과 유리 기판의 크기와 동일했다.As a carrier substrate and a glass substrate, the laminated body C2 after cutting was obtained by the method similar to Example 1 except having used the glass plate which consists of chemically strengthened glass plate. In addition, the magnitude | size of the carrier substrate and glass substrate which were used were the same as the magnitude | size of the carrier substrate and glass substrate which were used in Example 1.

이어서, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 C2로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, 화학 강화된 유리 기판 C3(박리성 유리 기판)을 얻었다. 이때, 유리 기판 C3의 실리콘 수지층과 밀착하고 있던 면(제1 주면) 위에 실리콘 수지의 부착은 육안상 보이지 않았다.Subsequently, by the method similar to Example 1, the carrier substrate provided with the resin layer was peeled from the laminated body C2 after cutting | disconnection, and chemically strengthened glass substrate C3 (peelable glass substrate) was obtained. At this time, adhesion of silicone resin was not visually seen on the surface (first main surface) which was in close contact with the silicone resin layer of glass substrate C3.

(실시예 4)(Example 4)

유리 기판의 제1 주면상, 즉 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면을 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화하고, 또한 청정화된 면에, 마그네트론 스퍼터링법(가열 온도 300℃, 성막 압력 5mTorr, 파워 밀도 0.5W/㎠)에 의해, 두께 10nm의 산화인듐주석의 박막을 형성하고(시트 저항 300Ω/□), 그 후 산화인듐주석의 박막 위에 실리콘 오일 함유량이 1질량%인 헵탄 용액을 스프레이 코트하여 건조한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 D2를 얻었다.The magnetron sputtering method (heating temperature of 300 ° C., film forming pressure of 5 mTorr, power) is cleaned on the first main surface of the glass substrate, that is, on the side of the side in contact with the silicone resin, followed by pure cleaning by UV cleaning, followed by cleaning. A density of 0.5 W / cm 2) to form a thin film of indium tin oxide having a thickness of 10 nm (sheet resistance 300 Ω / square), and then spray coating a heptane solution having a silicon oil content of 1 mass% on the thin film of indium tin oxide. The laminated body D2 was cut after cutting by the method similar to Example 1 except having dried.

이어서, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 절단 후 적층체 D2로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, 제1 주면에 산화인듐주석의 박막층이 형성된 유리 기판 D3(박리성 유리 기판)을 얻었다. 이때, 유리 기판 D3의 실리콘 수지층과 밀착하고 있던 면(제1 주면) 위에 실리콘 수지의 부착은 육안상 보이지 않았다.Next, by the method similar to Example 1, the carrier substrate provided with the resin layer was peeled from the laminated body D2 after cutting | disconnection, and the glass substrate D3 (peelable glass substrate) in which the thin film layer of indium tin oxide was formed in the 1st main surface was removed. Got it. At this time, adhesion of silicone resin was not visually seen on the surface (first main surface) which was in close contact with the silicone resin layer of glass substrate D3.

(실시예 5)(Example 5)

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 절단 후 적층체 A2를 사용하여 OLED를 제작했다.In this example, OLED was produced using the laminated body A2 after cutting obtained in Example 1.

보다 구체적으로는, 절단 후 적층체 A2에 있어서의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성했다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 게이트 전극을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 질화 실리콘, 진성 아몰퍼스 실리콘, n형 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막하고, 계속하여 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해, 게이트 절연막, 반도체 소자부 및 소스/드레인 전극을 형성했다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 질화 실리콘을 성막하여 패시베이션층을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해, 화소 전극을 형성했다.More specifically, molybdenum was formed into a film by sputtering method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in laminated body A2 after cutting, and the gate electrode was formed by the etching using the photolithographic method. Subsequently, a film is formed on the second main surface side of the peelable glass substrate on which the gate electrode is formed by the plasma CVD method, in the order of silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon, and then molybdenum is formed by sputtering. It formed into a film and the gate insulating film, the semiconductor element part, and the source / drain electrode were formed by the etching using the photolithographic method. Subsequently, after forming a passivation layer by forming a silicon nitride film further on the 2nd main surface side of a peelable glass substrate by plasma CVD method, indium tin oxide is formed into a film by sputtering method, and it is used for the etching using the photolithographic method. Thus, pixel electrodes were formed.

계속해서, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 증착법에 의해 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막했다. 이어서, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성했다. 이어서, 대향 전극을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 1매 더 접합하여 밀봉했다. 상기 수순에 의해 얻어진, 박리성 유리 기판 위에 유기 EL 구조체를 갖는 절단 후 적층체 A2는 캐리어 기판을 구비한 표시 장치용 패널(패널 A2)(전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체)에 해당한다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and a bis [(N-) as a hole transport layer by the vapor deposition method further on the 2nd main surface side of a peelable glass substrate. Naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as light emitting layer ] naphthalene-1,5-dicarbonyl nitrile (BSN-BCN) to 40% by volume to the mixture, and depositing the Alq 3 as the electron transporting layer in this order. then, the second sputtering on the main surface side of the glass substrate, releasability Aluminum was formed into a film, and the counter electrode was formed by the etching using the photolithographic method Next, one more glass substrate was carried out on the 2nd main surface of the peelable glass substrate on which the counter electrode was formed via the ultraviolet curable adhesive layer. It bonded and sealed.The organic EL structure was provided on the peelable glass substrate obtained by the said procedure. After cutting the layered product A2 corresponds to (a laminate comprising a member for an electronic device), a display panel (Panel A2) provided for the carrier substrate.

계속해서, 패널 A2의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 A2의 코너부의 박리성 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 패널 A2로부터 수지층을 구비한 캐리어 기판을 분리하여, OLED 패널(전자 디바이스에 해당. 이하 패널 A라고 한다)을 얻었다.Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of panel A2 to a surface plate, a 0.1 mm-thick stainless steel blade is inserted in the interface of the peelable glass substrate of the corner part of panel A2, and a silicone resin layer, and a resin layer is removed from panel A2. The equipped carrier substrate was isolate | separated and the OLED panel (it corresponds to an electronic device. Hereinafter, it is called panel A).

제작한 패널 A에 IC 드라이버를 접속하여 구동시킨 바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일은 확인되지 않았다.When an IC driver was connected and driven to the produced panel A, display unevenness was not recognized in the drive area.

(실시예 6)(Example 6)

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 절단 후 적층체 A2를 사용하여 LCD를 제작했다.In this example, the LCD was produced using the laminated body A2 after cutting obtained in Example 1.

절단 후 적층체 A2를 2매 준비하고, 우선, 한쪽의 절단 후 적층체 A2에 있어서의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성했다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 게이트 전극을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 질화 실리콘, 진성 아몰퍼스 실리콘, n형 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막하고, 계속하여 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해, 게이트 절연막, 반도체 소자부 및 소스/드레인 전극을 형성했다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 질화 실리콘을 성막하여 패시베이션층을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해, 화소 전극을 형성했다. 이어서, 화소 전극을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 롤 코트법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행했다. 얻어진 절단 후 적층체 A2를, 절단 후 적층체 A2-1이라고 칭한다.Two sheets of laminated body A2 are prepared after cutting, and molybdenum is formed into a film by sputtering method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in one after cutting, and by etching using the photolithographic method A gate electrode was formed. Subsequently, a film is formed on the second main surface side of the peelable glass substrate on which the gate electrode is formed by the plasma CVD method, in the order of silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon, and then molybdenum is formed by sputtering. It formed into a film and the gate insulating film, the semiconductor element part, and the source / drain electrode were formed by the etching using the photolithographic method. Subsequently, after forming a passivation layer by forming a silicon nitride film further on the 2nd main surface side of a peelable glass substrate by plasma CVD method, indium tin oxide is formed into a film by sputtering method, and it is used for the etching using the photolithographic method. Thus, pixel electrodes were formed. Next, the polyimide resin liquid was apply | coated by the roll coat method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in which the pixel electrode was formed, the orientation layer was formed by thermosetting, and rubbing was performed. The obtained laminated body A2 after cutting is called laminated body A2-1 after cutting.

이어서, 다른 한쪽의 절단 후 적층체 A2에 있어서의 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 차광층을 형성했다. 이어서, 차광층을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 다이 코트법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 컬러 필터층을 형성했다. 이어서, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 또한 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여, 대향 전극을 형성했다. 이어서, 대향 전극을 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 다이 코트법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 기둥 형상 스페이서를 형성했다. 이어서, 기둥 형상 스페이서를 형성한 박리성 유리 기판의 제2 주면 위에, 롤 코트법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행한다. 이어서, 박리성 유리 기판의 제2 주면측에, 디스펜서법에 의해 시일용 수지액을 프레임 형상으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에, 상술한 절단 후 적층체 A2-1을 사용하여, 2매의 절단 후 적층체 A2의 박리성 유리 기판의 제2 주면측끼리 접합하여, 자외선 경화 및 열경화에 의해 LCD 패널을 갖는 적층체를 얻었다. 여기에서의 LCD 패널을 갖는 적층체를 이하, 패널을 구비한 적층체 B2라고 한다.Next, chromium was formed into a film by the sputtering method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in the laminated body A2 after the other cutting, and the light shielding layer was formed by the etching using the photolithographic method. Subsequently, on the 2nd main surface side of the peelable glass substrate in which the light shielding layer was formed, the color resist was further apply | coated by the die-coat method, and the color filter layer was formed by the photolithographic method and thermosetting. Next, indium tin oxide was formed into a film by the sputtering method on the 2nd main surface side of a peelable glass substrate, and the counter electrode was formed. Subsequently, the ultraviolet curable resin liquid was apply | coated by the die-coat method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in which the counter electrode was formed, and the columnar spacer was formed by the photolithographic method and thermosetting. Next, the polyimide resin liquid is apply | coated by the roll coat method on the 2nd main surface of the peelable glass substrate in which the columnar spacer was formed, an orientation layer is formed by thermosetting, and rubbing is performed. Next, after drawing the resin liquid for sealing to a frame shape by the dispenser method to the 2nd main surface side of a peelable glass substrate, and dropping a liquid crystal by the dispenser method in a frame, the laminated body A2-1 after cutting mentioned above is The 2nd main surface side of the peelable glass substrate of laminated body A2 after two sheets of cutting | disconnection was bonded together, and the laminated body which has an LCD panel by ultraviolet curing and thermosetting was obtained. Here, the laminated body which has an LCD panel is called laminated body B2 provided with a panel.

이어서, 실시예 1과 마찬가지로 패널을 구비한 적층체 B2로부터 양면의 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, TFT 어레이를 형성한 유리 기판 및 컬러 필터를 형성한 유리 기판으로 이루어지는 LCD 패널 B(전자 디바이스에 해당)를 얻었다.Next, the LCD panel B which consists of a glass substrate in which the TFT substrate was formed, and the glass substrate in which the TFT substrate was formed, and the glass substrate in which the color filter was formed was peeled from the laminated body B2 with a panel similarly to Example 1. Corresponding to the device).

제작한 LCD 패널 B에 IC 드라이버를 접속하여 구동시킨 바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일은 확인되지 않았다.When an IC driver was connected and driven to the produced LCD panel B, display unevenness was not recognized in the drive area.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 1과 마찬가지로, 캐리어 기판의 제1 주면을 순수 세정, UV 세정하여, 청정화했다.In the same manner as in Example 1, the first main surface of the carrier substrate was cleaned by pure water, washed with UV, and cleaned.

이어서, 실시예 1에 있어서의, 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산과, 분자 내에 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산과, 백금계 촉매의 혼합액 99.5질량부와 실리콘 오일(도레이 다우코닝사제, SH200) 0.5질량부의 혼합물을 캐리어 기판의 제1 주면 위에 스크린 인쇄에 의해 도포했다. 이어서, 이것을 250℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여, 두께 10㎛의 경화된 실리콘 수지층을 형성했다.Subsequently, in Example 1, 99.5 parts by mass of a mixed liquid of a linear organoalkenylpolysiloxane having a vinyl group at its terminal, a methylhydrogenpolysiloxane having a hydrosilyl group in a molecule, a platinum-based catalyst, and a silicone oil (Toray Dow Corning Corporation). The SH200) 0.5 mass part mixture was apply | coated by screen printing on the 1st main surface of a carrier substrate. This was then heat cured at 250 ° C. for 30 minutes in air to form a cured silicone resin layer having a thickness of 10 μm.

계속해서, 유리 기판의 제1 주면을 순수 세정, UV 세정하여, 청정화한 후에, 캐리어 기판의 제1 주면 위에 형성한 실리콘 수지층과 실온 하 진공 프레스에 의해 밀착시켜, 적층체 P1을 얻었다.Subsequently, after pure water washing | cleaning, UV washing, and purifying the 1st main surface of a glass substrate, it contact | adhered by the silicone resin layer formed on the 1st main surface of a carrier substrate by vacuum press at room temperature, and laminated body P1 was obtained.

그리고, 적층체 P1의 유리 기판 위에, 실시예 5와 마찬가지의 수순에 의해 OLED를 제작한 후에 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, OLED 패널(이하 패널 P라고 한다)을 얻었다.And after producing OLED on the glass substrate of laminated body P1 by the procedure similar to Example 5, the carrier substrate provided with the resin layer was peeled off, and the OLED panel (henceforth panel P) was obtained.

제작한 패널 P에 IC 드라이버를 접속하여 구동시킨 바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일이 확인되어, 불량부는 적층체 P1의 단부 근방에 상당하는 부분에 존재하고 있었다.When the IC driver was connected and driven to the produced panel P, display unevenness was confirmed in the driving region, and the defective portion was present at a portion corresponding to the end portion of the laminate P1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비교예 1과 마찬가지의 방법으로, 적층체 P1을 2매 얻었다.In the same manner as in Comparative Example 1, two laminates P1 were obtained.

이어서, 실시예 6과 마찬가지의 수순에 따라, 적층체 P1을 2매 사용하여, LCD 패널을 갖는 적층체를 얻었다. 또한, 얻어진 적층체로부터 양면의 수지층을 구비한 캐리어 기판을 박리하여, LCD 패널(이하 패널 Q라고 한다)을 얻었다.Next, according to the same procedure as in Example 6, two laminates P1 were used to obtain a laminate having an LCD panel. Moreover, the carrier substrate provided with the resin layer of both surfaces was peeled from the obtained laminated body, and the LCD panel (henceforth panel Q) was obtained.

제작한 패널 Q에 IC 드라이버를 접속하여 구동시킨 바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일이 확인되고, 불량부는 적층체 P1의 단부 근방에 상당하는 부분에 존재하고 있었다.When the IC Q was connected to the manufactured panel Q for driving, the display unevenness was confirmed in the driving region, and the defective portion was present in the portion corresponding to the end portion of the laminate P1.

상기 실시예 5 및 6에 기재한 바와 같이, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법에 의하면, 성능이 우수한 전자 디바이스를 수율 높게 제조할 수 있다.As described in the above Examples 5 and 6, according to the manufacturing method of the electronic device of the present invention, an electronic device excellent in performance can be manufactured with high yield.

한편, 특허문헌 1에 기재된 종래의 방법에 있어서는, 상기 비교예 1 및 2에 기재한 바와 같이, 얻어진 전자 디바이스의 성능 저하가 일어나는 경우가 있었다. 비교예 1 및 2에 있어서는, 표시 불균일이 전자 디바이스의 단부(주연부) 부근에 보였다. 이것은, 상술한 바와 같이, 경화 처리에 의해 얻어진 수지층(특히, 수지층의 외주연 근방)에 두께 불균일에 의해, 유리 기판과 수지층 사이에 공극이 생겨, 그 공극에 이물이 인입하여 전자 디바이스의 성능 저하를 초래했다고 생각되어진다.On the other hand, in the conventional method of patent document 1, as described in the said Comparative Examples 1 and 2, the performance fall of the obtained electronic device may occur. In Comparative Examples 1 and 2, display unevenness was observed near the edge (periphery) of the electronic device. As described above, voids are formed between the glass substrate and the resin layer due to thickness irregularity in the resin layer (particularly near the outer circumferential edge of the resin layer) obtained by the curing treatment, and foreign matter enters the voids and the electronic device. It is thought that caused the degradation of the performance.

본 출원은, 2011년 10월 12일 출원의 일본 특허 출원 제2011-225239호에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로 하여 도입된다.This application is based on the JP Patent application 2011-225239 of an application on October 12, 2011, The content is taken in here with reference.

10: 박리성 유리 기판
12: 미경화의 경화성 수지 조성물층
14: 캐리어 기판
16: 경화 전 적층체
18: 수지층
20: 경화 후 적층체
22: 절단 후 적층체
24: 전자 디바이스용 부재
26: 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체
28: 수지층을 구비한 캐리어 기판
30: 전자 디바이스
32: 공극
50, 70: 스테이지
51 내지 53: 위치 결정 블록
54, 55: 이동 블록
60: 가공 헤드
62: 커터
64: 홀더
66: 절선
68: 균열
72: 끼움 지지 지그
80: 볼록부
82: 유리 기판
84: 공극
10: peelable glass substrate
12: uncured curable resin composition layer
14: carrier substrate
16: laminate before curing
18: resin layer
20: laminate after curing
22: laminate after cutting
24: member for an electronic device
26: laminated body with members for electronic devices
28: carrier substrate with resin layer
30: electronic device
32: void
50, 70: stage
51 to 53: positioning block
54, 55: moving block
60: machining head
62: cutter
64: holder
66: cutting
68: crack
72: fitting support jig
80: convex
82: glass substrate
84: void

Claims (10)

박리성 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법이며,
제1 주면 및 제2 주면을 갖는 유리 기판의 상기 제1 주면을 박리제로 처리하여, 박리 용이성을 나타내는 표면을 갖는 박리성 유리 기판을 얻는 표면 처리 공정과,
상기 박리성 유리 기판의 박리 용이성을 나타내는 표면 위에, 경화성 수지 조성물을 도포하여, 미경화의 경화성 수지 조성물층을 형성하는 경화성 수지 조성물층 형성 공정과,
상기 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외형 치수보다 작은 외형 치수를 갖는 캐리어 기판을, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층에 상기 캐리어 기판과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층 위에 적층하여, 경화 전 적층체를 얻는 적층 공정과,
상기 경화 전 적층체 내의 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층을 경화시켜, 수지층을 갖는 경화 후 적층체를 얻는 경화 공정과,
상기 경화 후 적층체 내의 상기 캐리어 기판의 외주연을 따라, 상기 수지층 및 상기 박리성 유리 기판을 절단하는 절단 공정과,
상기 박리성 유리 기판의 상기 제2 주면 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,
상기 전자 디바이스용 부재를 구비한 적층체로부터, 상기 박리성 유리 기판과 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 분리하여 얻는 분리 공정을 구비하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
It is a manufacturing method of the electronic device containing a peelable glass substrate and the member for electronic devices,
The surface treatment process of processing the said 1st main surface of the glass substrate which has a 1st main surface and a 2nd main surface with a peeling agent, and obtaining the peelable glass substrate which has a surface which shows peelability,
Curable resin composition layer formation process of apply | coating curable resin composition on the surface which shows the peelability of the said peelable glass substrate, and forming an unhardened curable resin composition layer,
The uncured curable resin composition layer such that a carrier substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the uncured curable resin composition layer is left in the uncured curable resin composition layer so that a peripheral region does not contact the carrier substrate. A lamination step of laminating on to obtain a laminate before curing,
A curing step of curing the uncured curable resin composition layer in the laminate before curing and obtaining a laminate after curing having a resin layer,
A cutting step of cutting the resin layer and the peelable glass substrate along the outer periphery of the carrier substrate in the laminate after the curing;
A member formation step of forming a member for an electronic device on the second main surface of the peelable glass substrate to obtain a laminate including the member for an electronic device;
The manufacturing method of an electronic device provided with the separation process obtained by isolate | separating the said peelable glass substrate and the electronic device which has the said electronic device member from the laminated body provided with the said electronic device member.
제1항에 있어서, 상기 적층 공정 후 상기 경화 공정 전에, 상기 미경화의 경화성 수지 조성물층의 탈포 처리를 행하는 탈포 공정을 더 구비하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of Claim 1 which further includes the degassing process of degassing the said uncured curable resin composition layer after the said lamination process and before the said hardening process. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박리제가 메틸실릴기 또는 플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of Claim 1 or 2 in which the said release agent contains the compound containing a methylsilyl group or a fluoroalkyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박리제가 실리콘 오일 또는 불소계 화합물을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of Claim 1 or 2 in which the said peeling agent contains a silicone oil or a fluorine-type compound. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층이 실리콘 수지를 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of any one of Claims 1-4 in which the said resin layer contains a silicone resin. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층이, 알케닐기를 갖는 오르가노알케닐폴리실록산과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 오르가노히드로겐폴리실록산의 조합으로 이루어지는 부가 반응형 실리콘의 경화물인, 전자 디바이스의 제조 방법.The addition reaction type according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin layer is a combination of an organoalkenylpolysiloxane having an alkenyl group and an organohydrogenpolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom. The manufacturing method of an electronic device which is a hardened | cured material of silicone. 제6항에 있어서, 상기 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 상기 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 내지 2인, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of Claim 6 whose molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of the said organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of the said organo alkenyl polysiloxane is 0.5-2. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층이 비경화성의 오르가노폴리실록산을 5질량% 이하 함유하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device of any one of Claims 1-7 in which the said resin layer contains 5 mass% or less of non-curable organopolysiloxane. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절단 공정에 있어서, 상기 경화 후 적층체 내의 캐리어 기판의 주면을 스테이지에 의해 지지함과 함께, 상기 캐리어 기판의 외주를 상기 스테이지 위에 형성되는 위치 결정 블록에 접촉시키는, 전자 디바이스의 제조 방법.The cutting step WHEREIN: The cutting process WHEREIN: The main surface of the carrier substrate in a laminated body after the said hardening is supported by a stage, and the outer periphery of the said carrier substrate is formed on the said stage. A method of manufacturing an electronic device, contacting the positioning block. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절단 공정에 있어서, 상기 경화 후 적층체 내의 박리성 유리 기판의 표면에 절선을 형성한 후, 상기 절선을 따라, 상기 경화 후 적층체 내의 박리성 유리 기판 및 수지층 각각의 외주부를 한번에 할단하는, 전자 디바이스의 제조 방법.The cutting process according to any one of claims 1 to 9, wherein in the cutting step, after forming a cut line on the surface of the peelable glass substrate in the laminate after the curing, the cut line is formed in the laminated body after the curing. The manufacturing method of an electronic device which cuts the outer peripheral part of each of a peelable glass substrate and a resin layer at once.
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