WO2021250721A1 - 増幅回路 - Google Patents

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修一 坂田
優治 小松崎
真太郎 新庄
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三菱電機株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to an amplifier circuit that amplifies a signal.
  • Patent Document 1 discloses an amplifier circuit in which a drive amplifier is used as the first amplifier and a Doherty amplifier is used as the second amplifier.
  • an impedance adjustment unit is connected between the drive amplifier and the Doherty amplifier.
  • the impedance adjuster includes a matching circuit that matches the output load impedance of the drive amplifier and the input impedance of the Doherty amplifier, and a phase adjuster that adjusts the phase of the signal output from the matching circuit to the Doherty amplifier. .. By adjusting the phase of the signal, the phase adjuster can increase the efficiency of the drive amplifier when the output power of the Doherty amplifier is lower than the saturation power.
  • the impedance adjusting unit includes a phase adjusting device.
  • the phase adjuster is a distributed constant circuit formed by a transmission line. Since the amplifier circuit disclosed in Patent Document 1 includes a phase adjuster formed by a distributed constant circuit, there is a problem that the circuit size becomes large.
  • the present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and the efficiency of the first amplifier when the output power of the second amplifier is lower than the saturated power without using a distributed constant circuit is used.
  • the purpose is to obtain an amplifier circuit that can be enhanced.
  • the amplifier circuit includes a first amplifier that amplifies the signal to be amplified, an output matching circuit in which the signal amplified by the first amplifier propagates, and a first amplifier that amplifies the signal propagating in the output matching circuit.
  • the output matching circuit including two amplifiers is a centralized constant circuit including a plurality of centralized constant elements, and the first is when the output power of the second amplifier is lower than the saturated power due to the plurality of centralized constant elements.
  • the impedance seen from the second amplifier side is transformed into an impedance larger than the impedance seen from the first amplifier to the second amplifier side when the output power of the second amplifier is saturated power. It is a thing.
  • FIG. It is a block diagram which shows the amplifier circuit which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a block diagram which shows the 2nd amplifier 7 realized by the Doherty amplifier. It is an equivalent circuit diagram which shows the equivalent circuit of the 1st amplifier 3 included in the amplifier circuit which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a block diagram which shows an example of the lumped constant element included in LPF type matching circuit 5 and the lumped constant element included in HPF type matching circuit 6.
  • It is a Smith chart which shows the input impedance Imp IN of the 2nd amplifier 7.
  • It is a Smith chart which shows the impedance Imp OUT which looked at the 2nd amplifier 7 side from the current source 22 of the 1st amplifier 3.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an amplifier circuit according to the first embodiment.
  • the amplifier circuit shown in FIG. 1 includes an input terminal 1, an input matching circuit 2, a first amplifier 3, an output matching circuit 4, a second amplifier 7, and an output terminal 8.
  • a signal to be amplified is given to the input terminal 1.
  • the input matching circuit 2 is connected to the input terminal 1.
  • the other end of the input matching circuit 2 is connected to the input side of the first amplifier 3.
  • the input matching circuit 2 is realized by, for example, a lumped constant element.
  • the input matching circuit 2 is a circuit that matches the input impedance of the first amplifier 3 with the impedance on the input side of the amplifier circuit shown in FIG.
  • the first amplifier 3 is realized by, for example, a FET (Field Effect Transistor), an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), or a HEMT (High Electron Mobility Transistor).
  • the first amplifier 3 amplifies the signal to be amplified that has propagated through the input matching circuit 2, and outputs the amplified signal to the output matching circuit 4.
  • the output matching circuit 4 is a lumped constant circuit having a lumped constant element. That is, the output matching circuit 4 includes an LPF (Low Pass Filter) type matching circuit 5 having a lumped constant element and an HPF (High Pass Filter) type matching circuit 6 having a lumped constant element.
  • LPF Low Pass Filter
  • HPF High Pass Filter
  • the output matching circuit 4 is a lumped constant circuit, the circuit size is smaller than that formed by the distributed constant circuit.
  • the LPF type matching circuit 5 is connected to the output side of the first amplifier 3.
  • the other end of the LPF type matching circuit 5 is connected to one end of the HPF type matching circuit 6.
  • the LPF type matching circuit 5 has, for example, an inductor as a lumped constant element.
  • One end of the HPF type matching circuit 6 is connected to the other end of the LPF type matching circuit 5.
  • the other end of the HPF type matching circuit 6 is connected to the input side of the second amplifier 7.
  • the HPF type matching circuit 6 has, for example, an inductor and a capacitor as lumped constant elements.
  • the second amplifier 7 is realized by, for example, a Doherty amplifier as shown in FIG.
  • the second amplifier 7 amplifies the signal propagating through the output matching circuit 4.
  • the second amplifier 7 outputs the amplified signal to the output terminal 8.
  • the output terminal 8 is a terminal for outputting the signal after amplification by the second amplifier 7 to the outside.
  • FIG. 2 is a configuration diagram showing a second amplifier 7 realized by a Doherty amplifier.
  • the Doherty amplifier shown in FIG. 2 includes a distributor 11, a carrier amplifier 12, a peak amplifier 13, a 90-degree line 14, and a synthesizer 15.
  • the distributor 11 distributes the signal propagating through the output matching circuit 4 into two, outputs one signal to the carrier amplifier 12, and outputs the other signal to the peak amplifier 13.
  • the carrier amplifier 12 amplifies the signal output from the distributor 11, and outputs the amplified signal to the 90-degree line 14.
  • the peak amplifier 13 amplifies the signal and outputs the amplified signal to the synthesizer 15.
  • the 90-degree line 14 is a line for setting the electric length of the output-side line of the carrier amplifier 12 to 90 degrees.
  • the synthesizer 15 synthesizes the signal propagating on the 90-degree line 14 and the signal amplified by the peak amplifier 13, and outputs a combined signal of the two signals.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an equivalent circuit of the first amplifier 3 included in the amplifier circuit according to the first embodiment.
  • the equivalent circuit of the first amplifier 3 is represented by the current source 22, the inductor 23 and the capacitor 24, as shown in FIG.
  • the current source 22 outputs a larger current as the signal level of the signal to be amplified propagating through the input matching circuit 2 increases.
  • the inductor 23 is a part of the parasitic component from the current source 22 to one end of the LPF type matching circuit 5.
  • the capacitor 24 is a part of the parasitic component from the current source 22 to one end of the LPF type matching circuit 5.
  • the parasitic component contained in the first amplifier 3, that is, the parasitic component from the current source 22 to one end of the LPF type matching circuit 5, is represented by the inductor 23 and the capacitor 24.
  • FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a lumped constant element included in the LPF type matching circuit 5 and an example of the lumped constant element included in the HPF type matching circuit 6.
  • the LPF type matching circuit 5 includes a first inductor 31 as a lumped constant element. One end of the first inductor 31 is connected to the output side of the first amplifier 3. The other end of the first inductor 31 is connected to one end of the second inductor 32 and one end of the capacitor 33 included in the HPF type matching circuit 6.
  • the HPF type matching circuit 6 includes a second inductor 32, a capacitor 33, and a DC cutoff capacitor 34 as lumped constant elements.
  • One end of the second inductor 32 is connected to the other end of the first inductor 31 and one end of the capacitor 33.
  • the other end of the second inductor 32 is connected to one end of the DC cutoff capacitor 34.
  • One end of the capacitor 33 is connected to the other end of the first inductor 31 and one end of the second inductor 32, respectively.
  • the other end of the capacitor 33 is connected to the input side of the second amplifier.
  • One end of the DC cutoff capacitor 34 is connected to the other end of the second inductor 32.
  • the other end of the DC cutoff capacitor 34 is grounded.
  • the HPF type matching circuit 6 shown in FIG. 7 includes a DC cutoff capacitor 34. However, this is only an example, and the HPF type matching circuit 6 may not include the DC cutoff capacitor 34, and the other end of the second inductor 32 may be grounded.
  • the second amplifier 7 is realized by a Doherty amplifier as shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 5, the input impedance Imp IN of the second amplifier 7 changes from the time of backoff to the time of saturation.
  • the saturated state indicates a state in which the output power of the second amplifier 7 is the saturated power.
  • the back-off time indicates a state in which the output power of the second amplifier 7 is lower than the saturated power, and the peak amplifier 13 can perform a signal amplification operation.
  • FIG. 5 is a Smith chart showing the input impedance Imp IN of the second amplifier 7.
  • the input impedances Imp IN and S of the second amplifier 7 at the time of saturation are represented in the center of the Smith chart.
  • the input impedance of the second amplifier 7 at the time of backoff is Imp IN, B as shown in FIG. 5, and the input reflection phase of the second amplifier 7 at the time of backoff is as shown in FIG. It is ⁇ IN.
  • the absolute value of the input reflection phase ⁇ IN of the second amplifier 7 at the time of backoff is larger than zero.
  • FIG. 6 is a Smith chart showing the impedance Imp OUT seen from the current source 22 of the first amplifier 3 to the second amplifier 7 side. As shown in FIG. 6, the impedance Imp OUT changes from the back-off time of the second amplifier 7 to the saturation time.
  • the impedance Imp OUT, S at the time of saturation is represented in the center of the Smith chart.
  • the impedance Imp OUT seen from the current source 22 to the second amplifier 7 side is the impedance Imp OUT, S at the time of saturation, the output power of the first amplifier 3 becomes the maximum power. That is, the output power of the first amplifier 3 becomes the saturated power.
  • the impedance Imp OUT as seen from the current source 22 to the side of the second amplifier 7 also changes from the time of backoff to the time of saturation. Change.
  • the impedance at the time of back-off is Imp OUT, B.
  • the lumped constant element of the output matching circuit 4 By changing the lumped constant element of the output matching circuit 4, it is possible to change the input impedances Imp IN and S of the second amplifier 7 at the time of saturation.
  • the input impedance Imp IN, S of the second amplifier 7 at the time of saturation is changed to the impedance Imp OUT, S at which the output power of the first amplifier 3 becomes the maximum power by the output matching circuit 4.
  • the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so as to be modified.
  • the impedance Imp OUT seen from the current source 22 on the second amplifier 7 side is such that the output power of the first amplifier 3 is the maximum power. Impedance Imp OUT, S is matched.
  • the lumped constant element of the output matching circuit 4 By changing the lumped constant element of the output matching circuit 4, it is possible to change the input impedances Imp IN and B of the second amplifier 7 at the time of backoff.
  • the impedances Imp OUT and B seen from the current source 22 to the second amplifier 7 side at the time of backoff are measured by the output matching circuit 4 from the current source 22 to the second amplifier 7 at the time of saturation.
  • the centralized constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the impedance is transformed into an impedance larger than the impedance Imp OUT, S seen from the side.
  • the centralized constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the absolute value of the sum of the input reflection phase ⁇ IN of the second amplifier 7 and the input reflection phase ⁇ IN is within the threshold value Th.
  • Th for example, a value of 0 or more and 45 or less is assumed.
  • the input reflection phase ⁇ IN of the second amplifier 7 is set. It is transformed to 0 degrees, and the efficiency of the first amplifier 3 becomes the highest efficiency when the second amplifier 7 backs off.
  • FIG. 7 is a Smith chart showing an example of impedance transformation by the output matching circuit 4.
  • the input impedances Imp IN and S of the second amplifier 7 at the time of saturation are 50 ⁇
  • the impedance Imp OUT and S where the output power of the first amplifier 3 is the maximum power is 75 ⁇ .
  • L1 is the inductance of the first inductor 31
  • L2 is the inductance of the second inductor 32
  • L3 is the inductance of the inductor 23 which is a part of the parasitic component.
  • C1 is the capacitance of the capacitor 33
  • C2 is the capacitance of the capacitor 24 which is a part of the parasitic component.
  • the input impedances Imp IN and S of the second amplifier 7 at the time of saturation are represented in the center of the Smith chart. Further, in the Smith chart shown in FIG. 7, the impedance denaturation at the time of saturation is represented by a dotted line, and the impedance denaturation at the time of backoff is represented by a solid line.
  • the input impedance Imp IN, S of the second amplifier 7 becomes the maximum power of the output power of the first amplifier 3 by C1, L2, L1 + L3, C2, and the impedance Imp OUT, It is transformed into 75 ⁇ , which is S (see the dotted line in FIG. 7).
  • the input impedances Imp IN and B of the second amplifier 7 are the impedance Imp OUT where the output power of the first amplifier 3 becomes the maximum power due to C1, L2, L1 + L3, C2.
  • S is transformed into impedances Imp OUT, B larger than S (see the solid line in FIG. 7). Impedances Imp OUT, B are on the real axis of the Smith chart, as shown in FIG.
  • the input impedance Imp IN, B of the second amplifier 7 has an impedance Imp OUT, B larger than the impedance Imp OUT, S at which the output power of the first amplifier 3 is the maximum power. Is transformed into. Further, the input impedances Imp IN and B of the second amplifier 7 are transformed on the actual axis of the Smith chart. Therefore, it is possible to realize high-efficiency operation of the first amplifier 3 at the time of back-off. Therefore, in the amplifier circuit shown in FIG. 1, if the inductances L1 and L2 and the capacitance C1 are designed according to the inductance L3 and the capacitance C2 so that the Smith chart shown in FIG. 7 is applied, the first in saturation. It is possible to realize high-efficiency operation of the first amplifier 3 at the time of back-off while maintaining the maximum output power of the amplifier 3 of the above.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing the efficiency of the first amplifier 3 in the amplifier circuit shown in FIG.
  • the horizontal axis shows the output power [dBm] of the first amplifier 3
  • the vertical axis shows the efficiency [%] of the first amplifier 3.
  • the efficiency characteristics of the first amplifier 3 in the amplifier circuit shown in FIG. 1 are represented by solid lines.
  • 0 is used as the threshold value Th, and the efficiency characteristics of the first amplifier 3 when the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the absolute value of the sum is 0 degrees are shown. Shows.
  • the dotted line is the first when it is assumed that the impedance Imp OUT seen from the current source 22 toward the second amplifier 7 is fixed to the input impedance Imp IN, B of the second amplifier 7 at the time of backoff.
  • the efficiency characteristics of the amplifier 3 (hereinafter referred to as "first assumed efficiency characteristics") are shown.
  • the peak amplifier 13 indicates a state when the signal level of the signal output from the distributor 11 is the lowest among the states capable of performing the signal amplification operation. be.
  • the alternate long and short dash line is the first when it is assumed that the impedance Imp OUT seen from the current source 22 toward the second amplifier 7 is fixed to the input impedance Imp IN, S of the second amplifier 7 at the time of saturation.
  • the efficiency characteristics of the amplifier 3 (hereinafter referred to as "second assumed efficiency characteristics”) are shown.
  • the impedance Imp OUT, B at the time of back-off when the second amplifier 7 side is viewed from the current source 22 is larger than the impedance Imp OUT, S at the time of saturation. Therefore, the output power of the first amplifier 3 at the time of backoff is lower than the output power of the first amplifier 3 at the time of saturation, and the efficiency of the first amplifier 3 at the time of backoff is the first at the time of saturation. It is higher than the efficiency of the amplifier 3 of. Since the impedance Imp OUT seen from the current source 22 to the second amplifier 7 side changes from the time of backoff to the time of saturation, the efficiency characteristic of the first amplifier 3 at the time of backoff is the first assumption indicated by the dotted line.
  • the efficiency characteristic of the first amplifier 3 overlaps with the second assumed efficiency characteristic indicated by the alternate long and short dash line. Therefore, the efficiency of the first amplifier 3 at the time of back-off is higher than the efficiency indicated by the second hypothetical efficiency characteristic.
  • the saturated output power of the first amplifier 3 is larger than the output power indicated by the first assumed efficiency characteristic.
  • 0 is used as the threshold value Th, and the efficiency characteristics of the first amplifier 3 when the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the absolute value of the sum is 0 degrees are shown. Shows.
  • the efficiency characteristic of the first amplifier 3 is the absolute value of the total. The value is lower than the efficiency characteristic of the first amplifier 3 when the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the value becomes 0 degrees.
  • the efficiency characteristic of the first amplifier 3 at the time of backoff is the first shown by the dotted line. It is between the assumed efficiency characteristic of and the second assumed efficiency characteristic indicated by the alternate long and short dash line. Therefore, even when the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so that the absolute value of the sum is 45 degrees, the efficiency at the time of backoff of the first amplifier 3 is the second assumed efficiency characteristic. Is higher than the efficiency shown by.
  • the efficiency characteristic of the first amplifier 3 when the lumped constant element of the output matching circuit 4 is designed so that 90 is used as the threshold value Th and the absolute value of the sum is 90 degrees is one point. Since it overlaps with the second assumed efficiency characteristic indicated by the chain line, it is not possible to realize high-efficiency operation at the time of backoff.
  • the output matching circuit 4 is a centralized constant circuit including a plurality of centralized constant elements, and the output power of the second amplifier 7 is increased from the saturated power by the plurality of centralized constant elements.
  • the impedance is low, the impedance seen from the first amplifier 3 to the second amplifier 7 side is the impedance, and when the output power of the second amplifier 7 is the saturated power, the first amplifier 3 to the second amplifier 7 are used.
  • the amplifier circuit was configured so as to transform the impedance into a value larger than the impedance seen from the side. Therefore, the amplifier circuit can increase the efficiency of the first amplifier 3 when the output power of the second amplifier 7 is lower than the saturated power without using the distributed constant circuit.
  • the output matching circuit 4 includes a first inductor 31, a second inductor 32, and a capacitor 33 as a plurality of lumped constant elements. Then, the impedance Imp OUT, B at the time of back-off is transformed into an impedance larger than the impedance Imp OUT, S at the time of saturation by the first inductor 31, the second inductor 32, and the capacitor 33. However, it suffices if the impedance Imp OUT, B at the time of back-off can be transformed into an impedance larger than the impedance Imp OUT, S at the time of saturation, and the output matching circuit 4 is the first inductor as a plurality of lumped constant elements.
  • the output matching circuit 4 may include a lumped constant element such that the passing phase of the output matching circuit 4 is ⁇ LPF + ⁇ HPF. Therefore, the output matching circuit 4 includes a combination of lumped constant elements of any one of a series inductor, a parallel inductor, a series capacitor, a parallel capacitor, a series resistor, and a parallel resistor, so that the pass phase ⁇ LPF + ⁇ HPF It may be the one that realizes.
  • Embodiment 2 In the amplifier circuit shown in FIG. 1, the second amplifier 7 is realized by a Doherty amplifier. In the second embodiment, the amplifier circuit in which the second amplifier 7 is realized by the envelope tracking amplifier will be described.
  • the configuration of the amplifier circuit according to the second embodiment is the same as the configuration of the amplifier circuit according to the first embodiment, and the configuration diagram showing the amplifier circuit according to the second embodiment is shown in FIG.
  • the envelope tracking amplifier is an amplifier in which the input impedance Imp IN changes, similar to the Doherty amplifier.
  • the input impedance Imp IN, S at saturation in the envelope tracking amplifier and the input impedance Imp IN, B at backoff in the envelope tracking amplifier are different.
  • FIG. 9 is a configuration diagram showing a second amplifier 7 realized by an envelope tracking amplifier.
  • the envelope tracking amplifier which is the second amplifier 7, includes a high frequency amplifier 41 and a power supply modulator 42.
  • the high frequency amplifier 41 amplifies the signal propagating through the output matching circuit 4.
  • the high frequency amplifier 41 outputs the amplified signal to the output terminal 8.
  • the power supply modulator 42 supplies a power supply voltage corresponding to the amplitude of the signal propagating through the output matching circuit 4 to the high frequency amplifier 41.
  • the power supply voltage supplied from the power supply modulator 42 to the high frequency amplifier 41 changes according to the change in the amplitude of the signal propagating through the output matching circuit 4. Since the power supply voltage supplied from the power supply modulator 42 changes in the high frequency amplifier 41, the input impedance Imp IN changes.
  • the amplifier circuit is configured so that the second amplifier 7 is realized by the envelope tracking amplifier.
  • the amplifier circuit according to the second embodiment is the same as the amplifier circuit according to the first embodiment, when the output power of the second amplifier 7 is lower than the saturated power without using the distributed constant circuit. The efficiency of the amplifier 3 can be increased.
  • any combination of the embodiments can be freely combined, any component of the embodiment can be modified, or any component can be omitted in each embodiment.
  • This disclosure is suitable for an amplifier circuit that amplifies a signal.

Abstract

増幅対象の信号を増幅する第1の増幅器(3)と、第1の増幅器(3)による増幅後の信号が伝搬する出力整合回路(4)と、出力整合回路(4)を伝搬してきた信号を増幅する第2の増幅器(7)とを備え、出力整合回路(4)は、複数の集中定数素子を備える集中定数回路であり、複数の集中定数素子によって、第2の増幅器(7)の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器(3)から第2の増幅器(7)側を見たインピーダンスを、第2の増幅器(7)の出力電力が飽和電力であるときの、第1の増幅器(3)から第2の増幅器(7)側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させるように、増幅回路を構成した。

Description

増幅回路
 本開示は、信号を増幅する増幅回路に関するものである。
 増幅回路の中には、第1の増幅器と第2の増幅器とを備え、第1の増幅器の出力側に第2の増幅器が直列に接続されている増幅回路がある。
 以下の特許文献1には、第1の増幅器として、駆動増幅器が用いられ、第2の増幅器として、ドハティ増幅器が用いられている増幅回路が開示されている。当該増幅回路では、駆動増幅器とドハティ増幅器との間に、インピーダンス調整部が接続されている。
 当該インピーダンス調整部は、駆動増幅器の出力負荷インピーダンスとドハティ増幅器の入力インピーダンスとを整合させる整合回路と、当該整合回路からドハティ増幅器に出力される信号の位相を調整する位相調整器とを含んでいる。当該位相調整器が、信号の位相を調整することによって、ドハティ増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、駆動増幅器の効率を高めることができる。
特開2014-116757号公報
 特許文献1に開示されている増幅回路では、インピーダンス調整部が、位相調整器を含んでいる。位相調整器は、伝送線路によって形成されている分布定数回路である。特許文献1に開示されている増幅回路は、分布定数回路によって形成されている位相調整器を含んでいるため、回路サイズが大きくなるという課題があった。
 本開示は、上記のような課題を解決するためになされたもので、分布定数回路を用いることなく、第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器の効率を高めることができる増幅回路を得ることを目的とする。
 本開示に係る増幅回路は、増幅対象の信号を増幅する第1の増幅器と、第1の増幅器による増幅後の信号が伝搬する出力整合回路と、出力整合回路を伝搬してきた信号を増幅する第2の増幅器とを備え、出力整合回路は、複数の集中定数素子を備える集中定数回路であり、複数の集中定数素子によって、第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器から第2の増幅器側を見たインピーダンスを、第2の増幅器の出力電力が飽和電力であるときの、第1の増幅器から第2の増幅器側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させるものである。
 本開示によれば、分布定数回路を用いることなく、第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器の効率を高めることができる。
実施の形態1に係る増幅回路を示す構成図である。 ドハティ増幅器によって実現されている第2の増幅器7を示す構成図である。 実施の形態1に係る増幅回路に含まれている第1の増幅器3の等価回路を示す等価回路図である。 LPF型整合回路5に含まれている集中定数素子及びHPF型整合回路6に含まれている集中定数素子の一例を示す構成図である。 第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINを示すスミスチャートである。 第1の増幅器3の電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTを示すスミスチャートである。 出力整合回路4によるインピーダンス変成の一例を示すスミスチャートである。 図1に示す増幅回路における第1の増幅器3の効率を示す説明図である。 エンベロープトラッキング増幅器によって実現されている第2の増幅器7を示す構成図である。
 以下、本開示をより詳細に説明するために、本開示を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1に係る増幅回路を示す構成図である。
 図1に示す増幅回路は、入力端子1、入力整合回路2、第1の増幅器3、出力整合回路4、第2の増幅器7及び出力端子8を備えている。
 入力端子1には、増幅対象の信号が与えられる。
 入力整合回路2の一端は、入力端子1と接続されている。
 入力整合回路2の他端は、第1の増幅器3の入力側と接続されている。
 入力整合回路2は、例えば、集中定数素子によって実現される。
 入力整合回路2は、第1の増幅器3の入力インピーダンスを、図1に示す増幅回路の入力側のインピーダンスと整合させる回路である。
 第1の増幅器3は、例えば、FET(Field Effect Transistor)、HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)、又は、HEMT(High Electron Mobility Transistor)によって実現される。
 第1の増幅器3は、入力整合回路2を伝搬してきた増幅対象の信号を増幅し、増幅後の信号を出力整合回路4に出力する。
 出力整合回路4の一端は、第1の増幅器3の出力側と接続されている。
 出力整合回路4の他端は、第2の増幅器7の入力側と接続されている。
 出力整合回路4は、集中定数素子を有する集中定数回路である。
 即ち、出力整合回路4は、集中定数素子を有するLPF(Low Pass Filter)型整合回路5と、集中定数素子を有するHPF(High Pass Filter)型整合回路6とを備えている。
 出力整合回路4は、第1の増幅器3による増幅後の信号が伝搬する。
 出力整合回路4は、複数の集中定数素子によって、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスを、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力であるときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させる。
 出力整合回路4は、集中定数回路であるため、分布定数回路で形成されているものよりも、回路サイズが小さい。
 LPF型整合回路5の一端は、第1の増幅器3の出力側と接続されている。
 LPF型整合回路5の他端は、HPF型整合回路6の一端と接続されている。
 LPF型整合回路5は、集中定数素子として、例えば、インダクタを有している。
 HPF型整合回路6の一端は、LPF型整合回路5の他端と接続されている。
 HPF型整合回路6の他端は、第2の増幅器7の入力側と接続されている。
 HPF型整合回路6は、集中定数素子として、例えば、インダクタ及びコンデンサを有している。
 第2の増幅器7は、例えば、図2に示すようなドハティ増幅器によって実現される。
 第2の増幅器7は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を増幅する。
 第2の増幅器7は、増幅後の信号を出力端子8に出力する。
 出力端子8は、第2の増幅器7による増幅後の信号を外部に出力するための端子である。
 図2は、ドハティ増幅器によって実現されている第2の増幅器7を示す構成図である。
 図2に示すドハティ増幅器は、分配器11、キャリアアンプ12、ピークアンプ13、90度線路14及び合成器15を備えている。
 分配器11は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を2分配し、一方の信号をキャリアアンプ12に出力し、他方の信号をピークアンプ13に出力する。
 キャリアアンプ12は、分配器11から出力された信号を増幅し、増幅後の信号を90度線路14に出力する。
 ピークアンプ13は、分配器11から出力された信号の信号レベルが一定レベルよりも大きいときに、当該信号を増幅し、増幅後の信号を合成器15に出力する。
 90度線路14は、キャリアアンプ12の出力側線路の電気長を90度にするための線路である。
 合成器15は、90度線路14を伝搬してきた信号と、ピークアンプ13による増幅後の信号とを合成し、2つの信号の合成信号を出力する。
 図3は、実施の形態1に係る増幅回路に含まれている第1の増幅器3の等価回路を示す等価回路図である。
 第1の増幅器3の等価回路は、図3に示すように、電流源22、インダクタ23及びコンデンサ24によって表される。
 電流源22は、入力整合回路2を伝搬してきた増幅対象の信号の信号レベルが大きいほど、大きな電流を出力する。
 インダクタ23は、電流源22からLPF型整合回路5の一端に至るまでの寄生成分の一部である。
 コンデンサ24は、電流源22からLPF型整合回路5の一端に至るまでの寄生成分の一部である。
 第1の増幅器3に含まれている寄生成分、即ち、電流源22からLPF型整合回路5の一端に至るまでの寄生成分は、インダクタ23及びコンデンサ24によって表される。
 図4は、LPF型整合回路5に含まれている集中定数素子及びHPF型整合回路6に含まれている集中定数素子の一例を示す構成図である。
 LPF型整合回路5は、集中定数素子として、第1のインダクタ31を含んでいる。
 第1のインダクタ31の一端は、第1の増幅器3の出力側と接続されている。
 第1のインダクタ31の他端は、HPF型整合回路6に含まれている第2のインダクタ32の一端及びコンデンサ33の一端のそれぞれと接続されている。
 HPF型整合回路6は、集中定数素子として、第2のインダクタ32、コンデンサ33及び直流遮断用コンデンサ34を含んでいる。
 第2のインダクタ32の一端は、第1のインダクタ31の他端及びコンデンサ33の一端のそれぞれと接続されている。
 第2のインダクタ32の他端は、直流遮断用コンデンサ34の一端と接続されている。
 コンデンサ33の一端は、第1のインダクタ31の他端及び第2のインダクタ32の一端のそれぞれと接続されている。
 コンデンサ33の他端は、第2の増幅器の入力側と接続されている。
 直流遮断用コンデンサ34の一端は、第2のインダクタ32の他端と接続されている。
 直流遮断用コンデンサ34の他端は、接地されている。
 図7に示すHPF型整合回路6は、直流遮断用コンデンサ34を備えている。しかし、これは一例に過ぎず、HPF型整合回路6は、直流遮断用コンデンサ34を備えずに、第2のインダクタ32の他端が接地されていてもよい。
 次に、図1に示す増幅回路の動作について説明する。
 第2の増幅器7は、図2に示すようなドハティ増幅器によって実現される。このため、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINは、図5に示すように、バックオフ時から飽和時に至るまで変化する。
 ここで、飽和時とは、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力である状態を示すものである。
 バックオフ時とは、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低い状態であって、ピークアンプ13が、信号増幅動作を行うことが可能な状態を示すものである。
 図5は、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINを示すスミスチャートである。
 図5に示すスミスチャートでは、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、スミスチャートの中心に表されている。
 バックオフ時における第2の増幅器7の入力インピーダンスは、図5に示すように、ImpIN,Bであり、バックオフ時における第2の増幅器7の入力反射位相は、図5に示すように、φINである。バックオフ時における第2の増幅器7の入力反射位相φINの絶対値は、ゼロよりも大きい。
 図6は、第1の増幅器3の電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTを示すスミスチャートである。
 インピーダンスImpOUTは、図6に示すように、第2の増幅器7のバックオフ時から飽和時に至るまで変化する。
 図6に示すスミスチャートでは、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sが、スミスチャートの中心に表されている。電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sであるとき、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となる。即ち、第1の増幅器3の出力電力が飽和電力となる。
 バックオフ時から飽和時に至るまで、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINが変化するため、バックオフ時から飽和時に至るまで、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTも変化する。バックオフ時のインピーダンスは、ImpOUT,Bである。
 出力整合回路4が有する集中定数素子を変えることによって、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sを変成させることが可能である。
 図1に示す増幅回路では、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、出力整合回路4によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sに変成されるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。
 出力整合回路4が有する集中定数素子が、上記のように設計される場合、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTは、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sと整合される。
 出力整合回路4が有する集中定数素子を変えることによって、バックオフ時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bを変成させることが可能である。
 図1に示す増幅回路では、バックオフ時における電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUT,Bが、出力整合回路4によって、飽和時における電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスに変成されるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。
 具体的には、電流源22から出力整合回路4の一端に至るまでの寄生成分の通過位相φPARと、LPF型整合回路5の通過位相φLPFと、HPF型整合回路6の通過位相φHPFと、第2の増幅器7の入力反射位相φINとの総和の絶対値が閾値Th以内になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。閾値Thとしては、例えば、0以上45以下の値が想定される。
 例えば、閾値Thとして、0が用いられ、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計される場合、第2の増幅器7の入力反射位相φINが0度に変成され、第2の増幅器7がバックオフ動作するときの、第1の増幅器3の効率が最高効率になる。
 図7は、出力整合回路4によるインピーダンス変成の一例を示すスミスチャートである。
 図7では、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが50Ω、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sが75Ωであるとしている。
 L1は、第1のインダクタ31のインダクタンス、L2は、第2のインダクタ32のインダクタンス、L3は、寄生成分の一部であるインダクタ23のインダクタンスである。
 C1は、コンデンサ33のキャパシタンス、C2は、寄生成分の一部であるコンデンサ24のキャパシタンスである。
 図7に示すスミスチャートでは、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、スミスチャートの中心に表されている。
 また、図7に示すスミスチャートでは、飽和時のインピーダンス変性が点線で表されており、バックオフ時のインピーダンス変性が実線で表されている。
 第2の増幅器7の飽和時では、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、C1,L2,L1+L3,C2によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sである75Ωに変成される(図7の点線を参照)。
 第2の増幅器7のバックオフ時では、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bが、C1,L2,L1+L3,C2によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスImpOUT,Bに変成される(図7の実線を参照)。インピーダンスImpOUT,Bは、図7に示すように、スミスチャートの実軸上である。
 第2の増幅器7のバックオフ時には、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bが、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスImpOUT,Bに変成される。また、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bが、スミスチャートの実軸上に変成される。したがって、バックオフ時における第1の増幅器3の高効率動作を実現することができる。
 したがって、図1に示す増幅回路では、図7に示すスミスチャートが適用されるように、インダクタンスL3及びキャパシタンスC2に応じて、インダクタンスL1,L2及びキャパシタンスC1が設計されれば、飽和時における第1の増幅器3の最大出力電力を維持しつつ、バックオフ時における第1の増幅器3の高効率動作を実現することができる。
 図8は、図1に示す増幅回路における第1の増幅器3の効率を示す説明図である。
 図8において、横軸は、第1の増幅器3の出力電力[dBm]、縦軸は、第1の増幅器3の効率[%]を示している。
 図8では、図1に示す増幅回路における第1の増幅器3の効率特性が実線で表されている。図8では、閾値Thとして、0が用いられ、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性を示している。
 点線は、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、バックオフ時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bに固定されていると仮定した場合の第1の増幅器3の効率特性(以下、「第1の仮定効率特性」という)を示している。ここでのバックオフ時は、ピークアンプ13が、信号増幅動作を行うことが可能な状態のうち、分配器11から出力された信号の信号レベルが最も低い信号レベルのときの状態を示すものである。
 一点鎖線は、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sに固定されていると仮定した場合の第1の増幅器3の効率特性(以下、「第2の仮定効率特性」という)を示している。
 電流源22から第2の増幅器7側を見たバックオフ時のインピーダンスImpOUT,Bは、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sよりも大きい。このため、バックオフ時における第1の増幅器3の出力電力は、飽和時における第1の増幅器3の出力電力よりも低く、バックオフ時における第1の増幅器3の効率は、飽和時における第1の増幅器3の効率よりも高くなる。
 電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTは、バックオフ時から飽和時にかけて変化するため、バックオフ時には、第1の増幅器3の効率特性が、点線が示す第1の仮定効率特性と重なり、飽和時には、第1の増幅器3の効率特性が、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性と重なる。
 したがって、第1の増幅器3のバックオフ時の効率は、第2の仮定効率特性が示す効率よりも高くなる。
 第1の増幅器3の飽和時の出力電力は、第1の仮定効率特性が示す出力電力よりも大きくなる。
 図8では、閾値Thとして、0が用いられ、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性を示している。
 閾値Thとして、45が用いられ、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性は、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性よりも低下する。
 しかし、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの、バックオフ時における第1の増幅器3の効率特性は、点線が示す第1の仮定効率特性と、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性との間になる。したがって、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときでも、第1の増幅器3のバックオフ時の効率は、第2の仮定効率特性が示す効率よりも高くなる。
 なお、閾値Thとして、90が用いられ、総和の絶対値が90度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性は、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性と重なるため、バックオフ時での高効率動作を実現することができない。
 以上の実施の形態1では、増幅対象の信号を増幅する第1の増幅器3と、第1の増幅器3による増幅後の信号が伝搬する出力整合回路4と、出力整合回路4を伝搬してきた信号を増幅する第2の増幅器7とを備え、出力整合回路4は、複数の集中定数素子を備える集中定数回路であり、複数の集中定数素子によって、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスを、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力であるときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させるように、増幅回路を構成した。したがって、増幅回路は、分布定数回路を用いることなく、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器3の効率を高めることができる。
 図1に示す増幅回路では、出力整合回路4が、複数の集中定数素子として、第1のインダクタ31、第2のインダクタ32及びコンデンサ33を備えている。そして、第1のインダクタ31、第2のインダクタ32及びコンデンサ33によって、バックオフ時のインピーダンスImpOUT,Bが、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスに変成させている。
 しかし、バックオフ時のインピーダンスImpOUT,Bを、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスに変成させることができればよく、出力整合回路4が、複数の集中定数素子として、第1のインダクタ31、第2のインダクタ32及びコンデンサ33を備えるものに限るものではない。
 即ち、出力整合回路4は、出力整合回路4の通過位相が、φLPF+φHPFとなるような集中定数素子を備えていればよい。したがって、出力整合回路4は、直列インダクタ、並列インダクタ、直列コンデンサ、並列コンデンサ、直列抵抗、又は、並列抵抗のうちの、いずれかの集中定数素子の組み合わせを備えることによって、通過位相φLPF+φHPFを実現するものであってもよい。
実施の形態2.
 図1に示す増幅回路では、第2の増幅器7がドハティ増幅器によって実現されている。
 実施の形態2では、第2の増幅器7が、エンベロープトラッキング増幅器によって実現されている増幅回路について説明する。
 実施の形態2に係る増幅回路の構成は、実施の形態1に係る増幅回路の構成と同様であり、実施の形態2に係る増幅回路を示す構成図は、図1である。
 エンベロープトラッキング増幅器は、ドハティ増幅器と同様に、入力インピーダンスImpINが変化する増幅器である。エンベロープトラッキング増幅器における飽和時の入力インピーダンスImpIN,Sとエンベロープトラッキング増幅器におけるバックオフ時の入力インピーダンスImpIN,Bとが異なる。
 図9は、エンベロープトラッキング増幅器によって実現されている第2の増幅器7を示す構成図である。
 第2の増幅器7であるエンベロープトラッキング増幅器は、高周波増幅器41及び電源変調器42を備えている。
 高周波増幅器41は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を増幅する。
 高周波増幅器41は、増幅後の信号を出力端子8に出力する。
 電源変調器42は、出力整合回路4を伝搬してきた信号の振幅に応じた電源電圧を高周波増幅器41に供給する。
 電源変調器42から高周波増幅器41に供給される電源電圧は、出力整合回路4を伝搬してきた信号の振幅の変化に応じて変化する。
 高周波増幅器41は、電源変調器42から供給される電源電圧が変化するため、入力インピーダンスImpINが変化する。
 以上の実施の形態2では、第2の増幅器7が、エンベロープトラッキング増幅器によって実現されるように、増幅回路を構成した。実施の形態2に係る増幅回路は、実施の形態1に係る増幅回路と同様に、分布定数回路を用いることなく、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器3の効率を高めることができる。
 なお、本開示は、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
 本開示は、信号を増幅する増幅回路に適している。
 1 入力端子、2 入力整合回路、3 第1の増幅器、4 出力整合回路、5 LPF型整合回路、6 HPF型整合回路、7 第2の増幅器、8 出力端子、11 分配器、12 キャリアアンプ、13 ピークアンプ、14 90度線路、15 合成器、21 トランジスタ、22 電流源、23 インダクタ、24 コンデンサ、31 第1のインダクタ、32 第2のインダクタ、33 コンデンサ、34 直流遮断用コンデンサ、41 高周波増幅器、42 電源変調器。

Claims (7)

  1.  増幅対象の信号を増幅する第1の増幅器と、
     前記第1の増幅器による増幅後の信号が伝搬する出力整合回路と、
     前記出力整合回路を伝搬してきた信号を増幅する第2の増幅器とを備え、
     前記出力整合回路は、複数の集中定数素子を備える集中定数回路であり、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力であるときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させることを特徴とする増幅回路。
  2.  前記出力整合回路は、
     前記第1の増幅器に含まれている寄生成分の通過位相と、前記出力整合回路の通過位相と、前記第2の増幅器の入力反射位相との総和の絶対値が閾値以内になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
  3.  前記出力整合回路は、前記複数の集中定数素子として、
     前記第1の増幅器の出力側と一端が接続されている第1のインダクタと、
     前記第1のインダクタの他端と一端が接続され、他端が接地されている第2のインダクタと、
     前記第1のインダクタの他端及び前記第2のインダクタの一端のそれぞれと一端が接続され、前記第2の増幅器の入力側と他端が接続されているコンデンサとを備えていることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。
  4.  前記閾値が45度であり、
     前記出力整合回路は、前記総和の絶対値が45度以内になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。
  5.  前記閾値が0度であり、
     前記出力整合回路は、前記総和の絶対値が0度になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。
  6.  前記第2の増幅器は、ドハティ増幅器であることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
  7.  前記第2の増幅器は、エンベロープトラッキング増幅器であることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
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WO (1) WO2021250721A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002330031A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Sony Corp 電力増幅装置
JP3423706B2 (ja) * 2000-02-08 2003-07-07 三菱電機株式会社 多段増幅器
JP2010245705A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高効率増幅器
JP2014116757A (ja) 2012-12-07 2014-06-26 Samsung Electronics Co Ltd 増幅回路及び通信装置
WO2017122271A1 (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 三菱電機株式会社 高周波増幅器及び増幅器モジュール

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10530306B2 (en) * 2018-04-13 2020-01-07 Nxp Usa, Inc. Hybrid power amplifier circuit or system with combination low-pass and high-pass interstage circuitry and method of operating same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3423706B2 (ja) * 2000-02-08 2003-07-07 三菱電機株式会社 多段増幅器
JP2002330031A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Sony Corp 電力増幅装置
JP2010245705A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高効率増幅器
JP2014116757A (ja) 2012-12-07 2014-06-26 Samsung Electronics Co Ltd 増幅回路及び通信装置
WO2017122271A1 (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 三菱電機株式会社 高周波増幅器及び増幅器モジュール

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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