WO2021210346A1 - 二次電池検査方法および二次電池検査装置 - Google Patents

二次電池検査方法および二次電池検査装置 Download PDF

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Definitions

  • an AC impedance analysis method based on a frequency response analysis method (FRA: Frequency Response Analysis) is well known, and some time constants are applied by applying a model of an equivalent circuit. Methods have been established for decomposing into elements and interpreting the various internal reactions of a secondary battery.
  • an object of the present invention is to provide a secondary battery inspection device or the like that can improve the inspection accuracy while facilitating the inspection of the secondary battery.
  • FIG. 2A shows an example of an equivalent circuit of the internal resistance of the secondary battery 200.
  • the number m of the RC parallel circuits connected in series is “4”.
  • the number m of the RC parallel circuits connected in series may be smaller than 4 or larger than 4.
  • H W (s) R W tanh (sT W) p / (sT W) p .. (41).
  • FIG. 4 shows an example of a Nyquist plot showing the actual measurement result of the complex impedance Z of the secondary battery 200 together with the approximate curve of the plot.
  • the horizontal axis is the real part ReZ of the complex impedance Z
  • the vertical axis is the imaginary part ⁇ ImZ of the complex impedance Z.
  • the larger ReZ is in the region of ⁇ ImZ> 0, the lower the frequency of the complex impedance Z is represented.
  • the voltage V (t) of the secondary battery 200 is inferred according to the secondary battery model (see relational expression (1)).
  • the measured value of the voltage V at the time of discharging the secondary battery 200 is shown by a solid line
  • the approximate curve showing the measured value of the OCV of the secondary battery 200 for each second sampling period T 2 is shown by a broken line.

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Abstract

二次電池の検査の容易を図りながらも検査精度の向上を図りうる二次電池検査装置等を提供する。サンプリング周期Tに基づき、二次電池モデルのモデルパラメータの値が同定される。二次電池モデルにより、IIR伝達関数およびFIR伝達関数により二次電池200の内部抵抗のインピーダンスが表現されている。モデルパラメータの値が同定された二次電池モデルである指定モデルに対してインパルス電流I(t)が入力された際に当該指定モデルから出力される電圧の変化態様としてのモデル出力電圧が推定される。二次電池200にインパルス電流I(t)が流れた際の当該二次電池200の電圧の計測結果と、指定モデル出力電圧と、に基づき、サンプリング周期Tに応じた二次電池200の性能が評価される。

Description

二次電池検査方法および二次電池検査装置
 本発明は、リチウムイオンバッテリ等の二次電池を検査する技術に関する。
 二次電池の内部状態を検査する方法として、周波数応答解析法(FRA:Frequency Response Analysis)に基づくACインピーダンス解析法がよく知られており、等価回路のモデルを適用して、いくつかの時定数要素に分解して二次電池の様々な内部反応を解釈する方法が確立されている。
特許第5924617号公報
 しかし、ACインピーダンス解析のためには、10kHz程度の高周波数域から10mHz~100mHz程度の低周波数域までの多点計測が必要である。このため、二次電池の検査に長時間がかかる。また、専用の計測装置が必要であるため、量産ライン等の短いタクト時間が前提条件とされている場面での実用が困難であった。二次電池の量産出荷検査や製品受け入れ検査の際には短時間である程度の精度を有する検査機を必要とするが、電池はその動作状態(電圧(SOC),動作電流、電池温度)等により特性が変化しているために、条件を一定に設定しての検査を行わなくてはならず、再現性の良い検査装置が望まれている。量産ライン等では統計的な母集団分布から良否判別基準を設定するが、検査条件を固定化した場合のみ可能であり、市場に出た二次電池の良否を簡単に判別できる方法はほとんど無かった。
 そこで、本発明は、二次電池の検査の容易を図りながらも検査精度の向上を図りうる二次電池検査装置等を提供することを目的とする。
 本発明に係る二次電池検査装置は、
 二次電池にインパルス電流が流れた際の前記二次電池の電圧の計測結果を認識する電圧認識要素と、
 サンプリング周期に基づき、IIRシステムおよびFIRシステムのそれぞれを表わす伝達関数により前記二次電池の内部抵抗のインピーダンスが表現されている二次電池モデルのモデルパラメータの値を同定するモデルパラメータ設定要素と、
 前記モデルパラメータ設定要素により前記モデルパラメータの値が同定された前記二次電池モデルである指定モデルに対して前記インパルス電流が入力された際に前記指定モデルから出力される電圧の変化態様としてのモデル出力電圧を推定する電圧推定要素と、
 前記電圧認識要素により認識された前記二次電池の電圧の計測結果と、前記電圧推定要素により推定された前記指定モデル出力電圧と、に基づき、前記サンプリング周期に応じた前記二次電池の性能を評価する評価要素と、
を備えている。
 前記モデルパラメータ設定要素が、複数のサンプリング周期のそれぞれに基づき、前記モデルパラメータの値を個別に同定し、
 前記電圧推定要素が、前記モデルパラメータ設定要素により前記モデルパラメータの値が同定された個別の前記二次電池モデルである複数の前記指定モデルに対して前記インパルス電流が入力された際に前記複数の指定モデルのそれぞれから出力される電圧の変化態様としての複数のモデル出力電圧を推定し、
 前記評価要素が、前記電圧認識要素により認識された前記二次電池の電圧の計測結果と、前記電圧推定要素により推定された前記複数の指定モデル出力電圧のそれぞれと、に基づき、前記複数のサンプリング周期のそれぞれに応じた前記二次電池の複数の性能のそれぞれを評価することが好ましい。
 前記二次電池検査装置が、前記二次電池の温度の計測結果を認識する温度補償要素をさらに備え、
 前記モデルパラメータ設定要素が、前記温度補償要素により認識された前記二次電池の温度の計測結果に基づき、前記モデルパラメータの値を補正することが好ましい。
本発明の一実施形態としての二次電池検査装置の構成に関する説明図。 二次電池の内部抵抗の等価回路の第1の例示図。 二次電池の内部抵抗の等価回路の第2の例示図。 二次電池の内部抵抗の等価回路の第3の例示図。 二次電池の内部抵抗の等価回路の第4の例示図。 二次電池の接続抵抗成分R0の伝達関数を表わすダイヤグラム。 電荷移動抵抗RiおよびキャパシタCiからなる第iのRC並列回路のIIR伝達関数を表わすダイヤグラム。 インダクタンス成分LのIIR伝達関数を表わすダイヤグラム。 ワールブルグインピーダンスW0のFIR伝達関数を表わすダイヤグラム。 二次電池のナイキストプロットに関する説明図。 第1サンプリング周期に応じた第1評価指数に関する説明図。 第1サンプリング周期に応じた第2評価指数に関する説明図。 第2サンプリング周期に応じた第3評価指数に関する説明図。
 (二次電池検査装置の構成)
 図1に示されている本発明の一実施形態としての二次電池検査装置100は、プロセッサ(演算処理装置)、メモリ(記憶装置)およびI/O回路等により構成されている。メモリまたはこれとは別個の記憶装置には、二次電池モデルを定義するためのパラメータなどの様々なデータのほか、プログラム(ソフトウェア)が記憶保持されている。例えば、二次電池またはこれが搭載されている対象機要素の種類(規格および諸元により特定される。)を識別するための複数の識別子のそれぞれと、複数の二次電池モデルのそれぞれとが対応付けられてメモリに記憶保持されている。プロセッサがメモリから必要なプログラムおよびデータを読み取り、当該データに基づき、当該プログラムにしたがった演算処理を実行することにより、後述する演算処理またはタスクが実行される。
 二次電池検査装置100は、OCV検出要素102と、減算要素104と、温度補償要素110と、第1サンプリング周期出力要素111と、第1モデルパラメータ設定要素112と、第1電圧推定要素114と、第1除算要素116と、第2サンプリング周期出力要素121と、第2モデルパラメータ設定要素122と、第2電圧推定要素124と、第2除算要素126と、第1評価要素142と、第2評価要素144と、第3評価要素146と、を備えている。
 (二次電池モデル)
 二次電池モデルは、電流I(t)が二次電池200に入力された際に当該二次電池200から出力される電圧V(t)を表わすモデルである。二次電池200の開放電圧OCVおよび内部抵抗の伝達関数H(t)を用いて関係式(01)により定義される。
 V(t)=OCV+H(t)・I(t) ‥(01)。
 二次電池の内部抵抗の等価回路モデルの伝達関数H(t)は関係式(02)により定義される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 
 「H0(t)」、「Hi(t)」、「HW(t)」および「HL(t)」は、二次電池の内部抵抗の特性を表わすパラメータにより定義されている。
 図2Aには、二次電池200の内部抵抗の等価回路の一例が示されている。この例では、内部抵抗の等価回路は、接続抵抗成分R0、電荷移動抵抗RiおよびキャパシタCiからなる第iのRC並列回路(i=1,2,‥,m)、ワールブルグインピーダンスW0、ならびに、コイルLの直列回路により定義されている。図2Aでは、直列接続されるRC並列回路の数mが「4」である。図2Bに示されているように、直列接続されるRC並列回路の数mは4より小さくてもよく、4より大きくてもよい。図2Cおよび図2Dのそれぞれに示されているように、抵抗W0は、少なくともいずれか1つのRC並列回路(例えば、第1のRC並列回路)において抵抗Rと直列接続されていてもよい。キャパシタCがCPE(Constant Phase Element)に置換されていてもよい。コイルLが省略されてもよい。
 抵抗R0の伝達関数H0(z)は関係式(10)により定義されている。図5Aには、抵抗R0の伝達関数H0(z)を表わすブロックダイヤグラムが示されている。
 H0(z)=R0 ‥(10)。
 R0の温度Θに対する依存性は、異なる温度Θのそれぞれにおける基準二次電池のナイキストプロットの実測結果(図4参照)に基づき、関係式(10)にしたがってあらかじめ求められている。すなわち、抵抗R0の伝達関数H0(z)を定義する係数R0は、温度Θを主変数とする従変数または関数として定義されている。
 第iのRC並列回路の伝達関数Hi(z)はIIR(Infinite Impulse Response)システム(無限インパルス応答システム)の伝達関数として関係式(20)により定義されている。図5Bには、第iのRC並列回路の伝達関数Hi(z)を表わすブロックダイヤグラムが示されている。
 Hi(z)=(b0+bi-1)/(1+ai-1) ‥(20)。
 s領域において第iのRC並列回路の伝達関数Hi(s)は関係式(21)により表わされる。
 Hi(s)=Ri/(1+τis)(ここで、τi=1/Rii)‥(21)。
 伝達関数Hi(s)が双一次変換されると(s→(2/T)(1-z-1)/(1+z-1)(Tはサンプリング周期である。))、z領域において第iのRC並列回路の伝達関数Hi(z)は関係式(22)により表わされる。
 Hi(z)={Ri/(1+2τi/T)+Ri/(1+2τi/T)z-1
       /{1+(1-2τi/T)/(1+2τi/T)z-1} ‥(22)。
 関係式(20)および(22)を対比すると、IIR伝達関数の係数b0、biおよびaiのそれぞれが、関係式(221)~(223)のそれぞれにより定義される。
 b0=Ri/(1+2τi/T) ‥(221)。
 bi=Ri/(1+2τi/T) ‥(222)。
 ai=-{1+(1-2τi/T)/(1+2τi/T)} ‥(223)。
 RiおよびCiの温度Θに対する依存性は、異なる温度Θのそれぞれにおける基準二次電池のナイキストプロットの実測結果(図4参照)に基づき、関係式(21)にしたがってあらかじめ求められている。すなわち、第iのRC並列回路の伝達関数Hi(z)を定義する係数b0、biおよびaiのそれぞれは、温度Θおよびサンプリング周波数Tを主変数とする従変数または多変数関数として定義されている。
 コイルLの伝達関数HL(z)はIIRシステムの伝達関数として関係式(30)により定義されている。図5Cには、コイルLの伝達関数HL(z)を表わすブロックダイヤグラムが示されている。
 HL(z)=(2L0/T)(1-z-1)/(1+z-1) ‥(30)。
 s領域においてコイルLの伝達関数HL(s)は関係式(31)により表わされる。
 HL(s)=sL0 ‥(31)。
 伝達関数HL(s)が双一次変換されると、z領域において、コイルLの伝達関数HL(z)は関係式(32)により表わされる。
 HL(z)={2L0/T-2L0/Tz-1}/(1+z-1) ‥(32)。
 関係式(30)および(32)を対比すると、IIR伝達関数の係数b0、biおよびaiのそれぞれが、関係式(321)~(323)のそれぞれにより定義される。
 b0=2L0/T ‥(321)。
 bi=-2L0/T ‥(322)。
 ai=-1 ‥(323)。
 L0の温度Θに対する依存性は、異なる温度Θのそれぞれにおける基準二次電池のナイキストプロットの実測結果(図4参照)に基づき、関係式(31)にしたがってあらかじめ求められている。すなわち、コイルLの伝達関数Hi(z)を定義する係数b0およびbiのそれぞれは、温度Θおよびサンプリング周波数Tを主変数とする従変数または多変数関数として定義されている。
 ワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(z)はFIR(Finite Impulse Response)システム(有限インパルス応答システム)の伝達関数として関係式(40)により定義されている。図5Dには、ワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(z)を表わすブロックダイヤグラムが示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 
 s領域においてワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(s)は関係式(41)により表わされる。
 HW(s)=RWtanh(sTWp/(sTWp ‥(41)。
 伝達関数HL(s)が双一次変換されると、z領域においてワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(z)は関係式(42)により表わされる。
 HW(z)=RWtanh[(2TW/T)(1-z-1)/(1+z-1)]p
     /{(2TW/T)(1-z-1)/(1+z-1)}p ‥(42)。
 しかるに、関係式(40)および(42)を対比することにより、IIR伝達関数の係数b0、biおよびaiのそれぞれを求めることが困難である。そこで、RW、TWおよびpの温度Θに対する依存性が、異なる温度Θのそれぞれにおける基準二次電池のナイキストプロットの実測結果(図4参照)に基づき、関係式(41)にしたがって求められる。その上で、関係式(42)を逆FFT変換し、遅延要素z(k=0~n、ここでnは、例えば数10~1000程度)の係数として抽出され、ワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(z)が関係式(05)のようにFIR伝達関数として近似的に定義される。これは、ナイキストプロットにおいて、ワールブルグインピーダンスW0の影響が低周波数側に反映されることに由来している。すなわち、ワールブルグインピーダンスW0の伝達関数HW(z)を定義する係数hkのそれぞれは、温度Θおよびサンプリング周波数Tを主変数とする従変数または多変数関数として定義されている。
 図4には、二次電池200の複素インピーダンスZの実測結果を表わすナイキストプロットの一例が、当該プロットの近似曲線とともに示されている。横軸は複素インピーダンスZの実部ReZであり、縦軸は複素インピーダンスZの虚部-ImZである。-ImZ>0の領域においてReZが大きくなるほど低周波数の複素インピーダンスZを表わしている。
 -ImZ=0におけるReZの値(図4(第1評価区間))は二次電池200の接続抵抗成分R0相当する(図5A参照)。図4において一点鎖線で囲まれている-ImZ<0の領域における部分(第1評価区間)は、二次電池200の電極等の配線インダクタンスL0のインピーダンスに相当する(図5B参照)。図4において二点鎖線で囲まれている-ImZ>0の領域における潰れた半円形状の部分(第2評価区間)は、二次電池200の電極界面での反応抵抗と電気二重層(第1~第mのRC並列回路のインピーダンス)に相当する(図5C参照)。当該半径は、二次電池200の温度Tが高温になるほど小さくなる傾向がある。図4において破線で囲まれているImZ>0の領域において低周波数領域において約45°で立ち上がる略直線状の部分(第3評価区間)には、二次電池200のワールブルグインピーダンスW0の影響が反映されている(図5D参照)。
 図4に実線で示されているナイキストプロットにより表わされる二次電池の複素インピーダンスZの近似曲線を求める際、関係式(02)にしたがって二次電池の内部抵抗の等価回路モデルの伝達関数H(t)が定義されるという仮定下で求められる。これにより、各温度Θにおいて、パラメータR0(関係式(10)参照)、RiおよびCi(関係式(21)参照)、L0(関係式(31)参照)、ならびに、RW、TWおよびp(関係式(41)参照)の値が求められる。開放電圧OCVの測定値により二次電池モデルにおける開放電圧OCVの値が同定される(関係式(01)参照)。そして、当該パラメータの値により二次電池モデルが様々な種類の二次電池200について確立される。
 (二次電池検査方法)
 前記構成の二次電池検査装置100により実行される二次電池200の検査方法について説明する。
 電流センサS1、電圧センサS2および温度センサS0のそれぞれにより、充放電装置300により検査対象となる二次電池200にインパルス電流I(t)が流された際の、当該二次電池200のインパルス電流I(t)、電圧V(t)および温度Θ(t)が計測される。
 二次電池200の温度Θ(t)の計測結果が温度補償要素110に入力され、温度補償要素110により当該計測結果に応じた温度補正モデルパラメータが出力される。具体的にはパラメータR0(関係式(10)参照)、RiおよびCi(関係式(21)参照)、L0(関係式(31)参照)、ならびに、RWおよびTW(関係式(41)参照)の、温度Θに応じた値R0(Θ)、Ri(Θ)、Ci(Θ)、L0(Θ)、RW(Θ)、TW(Θ)およびp(Θ)が求められる。これらのモデルパラメータは二次電池の量産品の中から良品の母集団の平均値として求めておくことで良否判別の基準モデルとすることができる。
 温度補正モデルパラメータが温度補償要素110から第1モデルパラメータ設定要素112に入力され、第1モデルパラメータ設定要素112により、第1サンプリング周期T1に応じて、温度補正モデルパラメータRi(Θ)およびCi(Θ)に基づいてIIRモデルパラメータb0(Θ,T1)、bi(Θ,T1)およびai(Θ,T1)が求められる(関係式(221)~(223)参照)。第1モデルパラメータ設定要素112により、第1サンプリング周期T1に応じて、温度補正モデルパラメータL0(Θ)に基づいてIIRモデルパラメータb0(Θ,T1)、bi(Θ,T1)およびai(Θ,T1)が求められる(関係式(321)~(323)参照)。第1モデルパラメータ設定要素112により、第1サンプリング周期T1に応じて、温度補正モデルパラメータRW(Θ,T1)、TW(Θ,T1)およびp(Θ,T1)に基づいてFIRモデルパラメータhk(Θ,T1)が求められる(関係式(40)参照)。
 第1電圧推定要素114により、二次電池200のインパルス電流I(t)の計測結果に基づき、短周期(例えば10ms程度)の第1サンプリング周期T1 に応じた伝達関数H(t)により定義される二次電池モデルにしたがって、二次電池200の電圧V(t)が推察される(関係式(1)参照)。図5Aおよび図5Bのそれぞれには、二次電池200の放電時の電圧Vの計測値が実線で示され、二次電池200のOCVの第1サンプリング周期T1ごとの計測値を表わす近似曲線が破線で示され、かつ、第1電圧推定要素114による二次電池200の電圧V(t)の第1サンプリング周期T1ごとの推定結果を表わす近似曲線が一点鎖線で示されている。二次電池モデルでは開放電圧OCVが考慮されていないので、第1電圧推定要素114による二次電池200の電圧V(t)の第1サンプリング周期T1ごとの推定結果Dは、OCVを基準として推察される(図5A、図5B/下向き矢印D参照)。
 温度補正モデルパラメータが温度補償要素110から第2モデルパラメータ設定要素122に入力され、第2モデルパラメータ設定要素122により、第2サンプリング周期T2に応じて、温度補正モデルパラメータRi(Θ)およびCi(Θ)に基づいてIIRモデルパラメータb0(Θ,T2)、bi(Θ,T2)およびai(Θ,T2)が求められる(関係式(221)~(223)参照)。第1モデルパラメータ設定要素112により、第2サンプリング周期T2に応じて、温度補正モデルパラメータL0(Θ)に基づいてIIRモデルパラメータb0(Θ,T2)、bi(Θ,T2)およびai(Θ,T2)が求められる(関係式(321)~(323)参照)。第1モデルパラメータ設定要素112により、第2サンプリング周期T2に応じて、温度補正モデルパラメータRW(Θ,T2)、TW(Θ,T2)およびp(Θ,T2)に基づいてFIRモデルパラメータhk(Θ,T2)が求められる(関係式(40)参照)。
 第2電圧推定要素124により、二次電池200のインパルス電流I(t)の計測結果に基づき、長周期(例えば1s程度)の第2サンプリング周期T2に応じた伝達関数H(t)により定義される二次電池モデルにしたがって、二次電池200の電圧V(t)が推察される(関係式(1)参照)。図5Cには、二次電池200の放電時の電圧Vの計測値が実線で示され、二次電池200のOCVの第2サンプリング周期T2ごとの計測値を表わす近似曲線が破線で示され、かつ、第2電圧推定要素124による二次電池200の電圧V(t)の第1サンプリング周期T1ごとの推定結果を表わす近似曲線が一点鎖線で示されている。二次電池モデルでは開放電圧OCVが考慮されていないので、第2電圧推定要素124による二次電池200の電圧V(t)の推定結果Eは、OCVを基準として推察される(図5C/下向き矢印E参照)。
 二次電池200の電圧V(t)が二次電池検査装置100に入力され、当該入力Aに基づき、OCV検出要素102により二次電池200の開放電圧OCV(t)が検出される。減算要素104により、入力A=V(t)とOCV検出要素102の出力B=OCV(t)との差分C=A-Bが出力される。差分Cは、図5A、図5Bおよび図5Cのそれぞれにおいて下向き矢印Cで示されている、二次電池200の放電時の電圧Vの計測値(実線)およびOCVの計測値(破線)の差分を表わしている。
 除算要素116に対して減算要素104から差分Cが入力され、かつ、第1電圧推定要素114から二次電池200の電圧V(t)の推定結果Dが入力され、両入力の比C/Dが算定される。
 除算要素116からインパルス電流I(t)が流れ始めた直後の第1期間(図5A/破線で囲まれた領域参照)における各時点のC/Dが第1評価要素142に入力され、第1評価要素142により当該入力の平均値、分散値、偏差値、または最大値および最小値の中間値などの統計的指標値に基づいて第1評価区間において電池200の接続抵抗成分R0およびインダクタンス要素L0が評価される。ここでL0による寄与は虚軸上のインピーダンスのみであるため抵抗値としては寄与しないため評価される成分は結局R0 のみである。C/Dが1に近いほど、二次電池200の接続抵抗成分R0が当初の状態または良品母集団と比較して変化が小さいと評価される。
 除算要素116からインパルス電流I(t)が流れ始めてから第1期間が経過してから始まる当該第1期間よりも長い第2期間(図5B/破線で囲まれた領域参照)における各時点のC/Dが第2評価要素144に入力され、第2評価要素144により当該入力の統計的指標値に基づいて第2評価区間において二次電池200の電極界面での反応抵抗と電気二重層(第1~第mのRC並列回路のインピーダンス)が評価される。C/Dが1に近いほど、二次電池200の電極界面での反応抵抗と電気二重層(第1~第mのRC並列回路のインピーダンス)が当初の状態または良品母集団と比較して変化が小さいと評価される。C/Dの算定値に許容レベルを設定することで良否判定ができる。
 除算要素126に対して減算要素104から差分Cが入力され、かつ、第2電圧推定要素124から二次電池200の電圧V(t)の推定結果Eが入力され、両入力の比C/Eが算定される。
 除算要素126からインパルス電流I(t)が流れ始めてから第1期間が経過してから始まる第2期間よりも長い第3期間(図5C/破線で囲まれた領域参照)における各時点のC/Eが第1評価要素142に入力され、第3評価要素143により当該入力の統計的指標値に基づいて第3評価区間において二次電池200のワールブルグインピーダンスW0が評価される。C/Eが1に近いほど、二次電池200のワールブルグインピーダンスW0が当初の状態または良品母集団と比較して変化が小さいと評価される。C/Eの算定値に許容レベルを設定することで良否判定ができる。
 第1評価要素142、第2評価要素144および第3評価要素146のそれぞれによる評価結果が、二次電池装置100に有線または無線で連結されている出力インターフェースに出力される。
 第1評価要素142、第2評価要素144および第3評価要素は1回の計測で判定され、その判定結果の組み合わせ状態により二次電池の構成要素のいずれが不良の要因であるかの推定が可能となる。
(発明の効果)
 本発明に係る二次電池検査装置100およびこれにより実行される二次電池検査方法によれば、例えば、表1に示されているように、第1評価区間に関して、C/Dの判定結果が第1判定基準値γ1に対して関係式(51)で表わされる関係にある場合は「OK(セル構成材料抵抗値が基準範囲以内)」と評価され、C/Dの判定結果が関係式(51)で表わされる関係にない場合は「NG(セル構成材料抵抗値が基準を超えている)」と評価される。
 1-γ1<C/D<1+γ1 ‥(51)。
 また、表1に示されているように、第2評価区間に関して、C/Dの判定結果が第2判定基準値γ2に対して関係式(52)で表わされる関係にある場合は「OK(正極、負極等の反応性に異常がない)」と評価され、C/Dの判定結果が関係式(52)で表わされる関係にない場合は「NG(正極、負極等の反応性に異常がある)」と評価される。
 1-γ2<C/D<1+γ2 ‥(52)。
 さらに、表1に示されているように、第3評価区間に関して、C/Eの判定結果が第3判定基準値γ3に対して関係式(53)で表わされる関係にある場合は「OK(電解液の不足、変質等がない)」と評価され、C/Eの判定結果が関係式(53)で表わされる関係にない場合は「NG(電解液の不足、変質等がある)」と評価される。
 1-γ3<C/D<1+γ3 ‥(53)。
 このように本発明によれば一度の測定によって二次電池としての良否を単純に判定するだけではなく、二次電池の構成要素のうち、何に原因があるのかというところまで推定可能になる。
 当該評価結果が、二次電池検査装置100からスマートホン、タブレット端末またはパーソナルコンピュータなどのクライアントに対して送信され、当該クライアントを構成する出力インターフェース(ディスプレイ)に出力表示されてもよい。これにより、二次電池200の検査の容易を図りながらも不良要因の推定も行えるため検査精度の向上ならびに生産工程に従事する当該クライアントのユーザに対してスムースなフィードバックが図られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 
100‥二次電池検査装置、102‥OCV検出要素(電圧認識要素)、104‥減算器、110‥温度補償要素、112‥第1モデルパラメータ設定要素、114‥第1電圧推定要素、122‥第2モデルパラメータ設定要素、124‥第2電圧推定要素、200‥二次電池、300‥充放電装置。
 

Claims (4)

  1.  二次電池にインパルス電流が流れた際の前記二次電池の電圧の計測結果を認識する電圧認識要素と、
     サンプリング周期に基づき、IIRシステムおよびFIRシステムのそれぞれを表わす伝達関数により前記二次電池の内部抵抗のインピーダンスが表現されている二次電池モデルのモデルパラメータの値を同定するモデルパラメータ設定要素と、
     前記モデルパラメータ設定要素により前記モデルパラメータの値が同定された前記二次電池モデルである指定モデルに対して前記インパルス電流が入力された際に前記指定モデルから出力される電圧の変化態様としてのモデル出力電圧を推定する電圧推定要素と、
     前記電圧認識要素により認識された前記二次電池の電圧の計測結果と、前記電圧推定要素により推定された前記指定モデル出力電圧と、に基づき、前記サンプリング周期に応じた前記二次電池の性能を評価する評価要素と、
    を備えている二次電池検査装置。
  2.  請求項1記載の二次電池検査装置において、
     前記モデルパラメータ設定要素が、複数のサンプリング周期のそれぞれに基づき、前記モデルパラメータの値を個別に同定し、
     前記電圧推定要素が、前記モデルパラメータ設定要素により前記モデルパラメータの値が同定された個別の前記二次電池モデルである複数の前記指定モデルに対して前記インパルス電流が入力された際に前記複数の指定モデルのそれぞれから出力される電圧の変化態様としての複数のモデル出力電圧を推定し、
     前記評価要素が、前記電圧認識要素により認識された前記二次電池の電圧の計測結果と、前記電圧推定要素により推定された前記複数の指定モデル出力電圧のそれぞれと、に基づき、前記複数のサンプリング周期のそれぞれに応じた前記二次電池の複数の性能のそれぞれを評価する
    二次電池検査装置。
  3.  請求項1または2記載の二次電池検査装置において、
     前記二次電池の温度の計測結果を認識する温度補償要素をさらに備え、
     前記モデルパラメータ設定要素が、前記温度補償要素により認識された前記二次電池の温度の計測結果に基づき、前記モデルパラメータの値を補正する
    二次電池検査装置。
  4.  二次電池にインパルス電流が流れた際の前記二次電池の電圧の計測結果を認識する電圧認識工程と、
     サンプリング周期に基づき、IIRシステムおよびFIRシステムのそれぞれを表わす伝達関数により前記二次電池の内部抵抗のインピーダンスが表現されている二次電池モデルのモデルパラメータの値を同定するモデルパラメータ設定工程と、
     前記モデルパラメータ設定工程により前記モデルパラメータの値が同定された前記二次電池モデルである指定モデルに対して前記インパルス電流が入力された際に前記指定モデルから出力される電圧の変化態様としてのモデル出力電圧を推定する電圧推定工程と、
     前記電圧認識工程により認識された前記二次電池の電圧の計測結果と、前記電圧推定工程により推定された前記指定モデル出力電圧と、に基づき、前記サンプリング周期に応じた前記二次電池の性能を評価する評価工程と、
    を含む二次電池検査方法。
     
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