WO2021176802A1 - 電子機器 - Google Patents

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WO2021176802A1
WO2021176802A1 PCT/JP2020/047437 JP2020047437W WO2021176802A1 WO 2021176802 A1 WO2021176802 A1 WO 2021176802A1 JP 2020047437 W JP2020047437 W JP 2020047437W WO 2021176802 A1 WO2021176802 A1 WO 2021176802A1
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WO
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resin layer
shape memory
memory resin
flexible substrate
base material
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PCT/JP2020/047437
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English (en)
French (fr)
Inventor
匠 佐野
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
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Publication date
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the embodiment of the present invention relates to an electronic device.
  • a flexible substrate in which electrical elements are arranged in a matrix can be attached to a curved surface such as a housing of an electronic device or a human body.
  • the electrical element for example, various sensors such as a touch sensor and a temperature sensor and a display element can be applied.
  • An object of the present embodiment is to provide an electronic device provided with a shape memory resin layer.
  • a second resin layer covering the wiring is provided, the insulating base material and the wiring are located between the first resin layer and the second resin layer, and the insulating base material is located where the wiring is located.
  • the second resin layer has a plurality of wire portions and an island-shaped portion connected to the plurality of wire portions, and the second resin layer includes a first portion overlapping the plurality of wire portions and the plurality of island-shaped portions, and the said second resin layer.
  • It has a second portion located between a plurality of wire portions, and the second portion is in contact with the first resin layer, and the first resin layer, the first portion, and the second portion.
  • An electronic device is provided in which at least one of them is a shape memory resin layer.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a flexible substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of the flexible substrate shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate shown in FIGS. 2B.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate shown by CD in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram showing attachment / detachment of a flexible substrate to / from an object.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate shown by IJ in FIG.
  • FIG. 7 is a diagram showing a first modification of the flexible substrate.
  • FIG. 8 is a diagram showing a second modification of the flexible substrate.
  • FIG. 9 is a diagram showing a third modification example of the flexible substrate.
  • FIG. 10 is a diagram showing a fourth modification of the flexible substrate.
  • FIG. 11 is a diagram showing a fifth modification of the flexible substrate
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a flexible substrate 100 according to the present embodiment.
  • the first direction D1, the second direction D2, and the third direction D3 are defined as shown in the figure.
  • the first direction D1 and the second direction D2 are parallel to the main surface of the flexible substrate 100 and intersect with each other.
  • the third direction D3 is a direction perpendicular to the first direction D1 and the second direction D2, and corresponds to the thickness direction of the flexible substrate 100.
  • the first direction D1 and the second direction D2 intersect vertically in the present embodiment, they may intersect at an angle other than vertical.
  • the direction toward the tip of the arrow indicating the third direction D3 is referred to as "up”, and the direction opposite from the tip of the arrow is referred to as "down”. Further, it is assumed that there is an observation position for observing the flexible substrate 100 on the tip side of the arrow indicating the third direction D3, and from this observation position toward the D1-D2 plane defined by the first direction D1 and the second direction D2. Seeing is called plan view.
  • the flexible substrate 100 has a plurality of scanning lines 1, a plurality of signal lines 2, a plurality of electrical elements 3, a first shape storage resin layer 81, a scanning line driver DR1, and a signal line driver DR2.
  • the scanning line 1, the signal line 2, the electrical element 3, the scanning line driver DR1, and the signal line driver DR2 are located on the first shape storage resin layer 81.
  • the plurality of scanning lines 1 extend in the first direction D1 and are arranged in the second direction D2.
  • Each of the plurality of scanning lines 1 is connected to the scanning line driver DR1.
  • the plurality of signal lines 2 extend in the second direction D2 and are lined up in the first direction D1.
  • Each of the plurality of signal lines 2 is connected to the signal line driver DR2.
  • the plurality of electrical elements 3 are located at the intersections of the scanning line 1 and the signal line 2, respectively, and are electrically connected to the scanning line 1 and the signal line 2. The details of the function of the electric element 3 will be described later.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of the flexible substrate 100 shown in FIG.
  • the flexible substrate 100 includes an insulating base material 4 that supports the scanning line 1 and the signal line 2.
  • the insulating base material 4 extends in the first direction D1 and extends in the second direction D2, and is arranged side by side in a plurality of first portions (line portions) PT1 and in the second direction D2. It has a plurality of second portion (line portions) PT2 arranged side by side, and a plurality of island-shaped portions IL provided at the intersection of the first portion PT1 and the second portion PT2.
  • the first portion PT1 and the second portion PT2 are each formed in a wavy shape.
  • the island-shaped portion IL is connected to the first portion PT1 and the second portion PT2.
  • the insulating base material 4 has flexibility and can be formed of, for example, polyimide, but is not limited to this example.
  • the scanning line 1 is arranged on the first portion PT1 of the insulating base material 4 and is arranged in a wavy shape.
  • the signal line 2 is arranged on the second portion PT2 of the insulating base material 4 and is arranged in a wavy shape.
  • the scanning line 1 and the signal line 2 are examples of wiring provided in the flexible substrate 100.
  • the scanning line 1 and the signal line 2 can be formed of, for example, a metal material or a transparent conductive material, and may have a single-layer structure or a laminated structure.
  • the flexible substrate 100 may include other types of wiring such as a power supply line that supplies power to the electrical element 3.
  • the scanning line 1 has a first portion 11 shown by a solid line and a second portion 12 shown by a broken line.
  • the second portion 12 overlaps with the electrical element 3.
  • the first portion 11 and the second portion 12 are arranged in different layers from each other, and are electrically connected through the contact holes CH1 and CH2.
  • the scanning line 1 supplies a scanning signal to the electrical element 3.
  • the electric element 3 is accompanied by the output of a signal such as a sensor, the output signal from the electric element 3 is supplied to the signal line 2.
  • a drive signal is supplied to the signal line 2.
  • a controller including a scanning signal supply source, a drive signal supply source, a processor for processing an output signal, and the like may be provided on the flexible substrate 100, or may be provided on an apparatus connected to the flexible substrate 100.
  • the electrical element 3 is located on the island-shaped portion IL.
  • the electrical element 3 is smaller than the island-shaped portion IL, and in FIG. 2, the island-shaped portion IL protrudes from the edge of the electrical element 3.
  • the electrical element 3 is a sensor, a semiconductor element, an actuator, or the like.
  • the sensor an optical sensor that receives visible light or near-infrared light, a temperature sensor, a pressure sensor, a touch sensor, or the like can be applied.
  • a semiconductor element a light emitting element, a light receiving element, a diode, a transistor, or the like can be applied.
  • the electric element 3 is a light emitting element, a flexible display having flexibility and elasticity can be realized.
  • the light emitting element for example, a light emitting diode having a size of about 100 ⁇ m such as a mini LED or a micro LED or an organic electroluminescence element can be applied.
  • the electrical element 3 is an actuator, for example, a piezoelectric element can be applied.
  • the electrical element 3 is not limited to the one illustrated here, and other elements having various functions can be applied.
  • the electrical element 3 may be a capacitor, a resistor, or the like. Further, the arrangement position and shape of the electric element 3 are not limited to the example shown in FIG.
  • the first portion PT1 and the second portion PT2 of the insulating base material 4, the scanning line 1, the signal line 2, and the first organic insulating layer 5 and the second organic insulating layer 6 described later are collectively referred to as wire portions.
  • the LP is referred to as the island-shaped portion IL of the insulating base material 4, the inorganic insulating layer 19 described later, and the electrical element 3 are collectively referred to as the island-shaped portion IP.
  • the linear portion LP and the island-shaped portion IP are located on the first shape memory resin layer 81.
  • the line portion LP extends in the first direction D1 and extends in the second direction D2 to a plurality of corrugated first line portions LP1 arranged side by side in the second direction D2, and extends in the second direction D2 in the first direction D1. It includes a plurality of corrugated second line portions LP2 arranged side by side.
  • the island-shaped portion IP is located at the intersection of the first line portion LP1 and the second line portion LP2.
  • the first line portion LP1 includes the first portion PT1 of the insulating base material 4 described above and the scanning line 1.
  • the second wire portion LP2 includes a second portion PT2 of the insulating base material 4 and a signal line 2.
  • the insulating base material 4 is not formed in the region surrounded by the two adjacent first wire portions LP1 and the two adjacent second wire portions LP2, and an opening OP is formed.
  • the opening OP can be said to be a region surrounded by two adjacent first portion PT1s and two adjacent second portion PT2s.
  • the opening OPs are arranged in a matrix in the first direction D1 and the second direction D2.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown in FIGS. 2B.
  • the flexible substrate 100 further includes a first organic insulating layer 5, a second organic insulating layer 6, and a second shape memory resin layer 82.
  • the first shape memory resin layer (first resin layer) 81 has an outer surface 81A and an inner surface 81B on the opposite side of the outer surface 81A.
  • the first line portion LP1 is located on the inner surface 81B.
  • the first line portion LP1 has a first side surface SS1, a second side surface SS2 opposite to the first side surface SS1, and an upper surface US.
  • the first portion PT1 of the insulating base material 4 is located on the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81.
  • the first organic insulating layer 5 covers the insulating base material 4.
  • the scanning line 1 is located on the first organic insulating layer 5.
  • the second organic insulating layer 6 covers the first organic insulating layer 5 and the scanning line 1. Both the first organic insulating layer 5 and the second organic insulating layer 6 are made of an organic material.
  • the second shape memory resin layer (second resin layer) 82 has an outer surface 82A and an inner surface 82B on the opposite side of the outer surface 82A.
  • the second shape memory resin layer 82 covers the first side surface SS1, the second side surface SS2, and the upper surface US of the first line portion LP1. That is, the second shape memory resin layer 82 covers the scanning line 1, the insulating base material 4, the first organic insulating layer 5, and the second organic insulating layer 6.
  • the second shape memory resin layer 82 is in contact with the insulating base material 4, the first organic insulating layer 5, and the second organic insulating layer 6 in the first wire portion LP1.
  • the inner surface 82B of the second shape memory resin layer 82 is in contact with the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81 at the opening OP.
  • the first shape memory resin layer 81, the insulating base material 4, the scanning line 1, and the second shape memory resin layer 82 overlap in the third direction D3. Further, the insulating base material 4 and the scanning line 1 are located between the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82.
  • first portion 821 a portion overlapping the plurality of first portion PT1 and second portion PT2 and the plurality of island-shaped portions IL is designated as the first portion 821, and the plurality of first portion PT1 and the second portion.
  • the portion located between the PT2s, that is, the portion overlapping the opening OP is referred to as the second portion 822.
  • the second portion 822 is in contact with the first shape memory resin layer 81.
  • the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82 are formed of a shape memory resin.
  • the shape memory resin can also be referred to as, for example, a smart polymer.
  • a smart polymer is a polymer whose properties change in response to changes in the external environment such as temperature, magnetic force, and light.
  • the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82 of the present embodiment are formed by using a smart polymer that is deformed by applying a stimulus such as temperature, magnetic force, or light from the outside.
  • the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82 have adhesive strength, and the outer surface 81A or the outer surface 82A can be attached to an object.
  • the flexible substrate 100 may have an adhesive layer formed on the outer surface 81A or the outer surface 82A.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown by CD in FIG.
  • the second wire portion LP2 is located on the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81.
  • the second line portion LP2 has a first side surface SS1, a second side surface SS2 opposite to the first side surface SS1, and an upper surface US.
  • the second portion PT2 of the insulating base material 4 is located on the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81.
  • the first organic insulating layer 5 covers the insulating base material 4.
  • the second organic insulating layer 6 covers the first organic insulating layer 5.
  • the signal line 2 is located on the second organic insulating layer 6.
  • the second shape memory resin layer 82 covers the first side surface SS1, the second side surface SS2, and the upper surface US of the second wire portion LP2, and is in contact with the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81 at the opening OP. That is, the second shape memory resin layer 82 covers and is in contact with the insulating base material 4, the first organic insulating layer 5, the second organic insulating layer 6, and the signal line 2.
  • the first shape memory resin layer 81, the insulating base material 4, the signal line 2, and the second shape memory resin layer 82 overlap in the third direction D3. Further, the insulating base material 4 and the signal line 2 are located between the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82.
  • the first line portion LP1 and the second line portion LP2 are covered with the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82.
  • a stretchable resin may be used instead of the 1 shape memory resin layer 81, and a shape memory resin may be used for the second shape memory resin layer 82, or a shape memory resin may be used for the first shape memory resin layer 81.
  • a stretchable resin may be used instead of the second shape memory resin layer 82.
  • the resin layer below the first wire portion LP1 and the second wire portion LP2 is the first resin layer
  • the resin layer above the first wire portion LP1 and the second wire portion LP2 is the second resin layer.
  • the first resin layer (first shape memory resin layer 81) is a shape memory resin layer
  • the first portion 821 and the second portion 822 of the second resin layer (second shape memory resin layer 82).
  • the first portion 821 is made of the same material as the second portion 822.
  • the first portion 821 and the second portion 822 are integrally formed shape memory resin layers.
  • the thickness T1 of the first portion 821 is smaller than the thickness T2 of the second portion 822.
  • FIG. 5 is a diagram showing attachment / detachment of the flexible substrate 100 to / from the object 101.
  • the flexible substrate 100 has, for example, a flat rectangular basic shape.
  • the temperature of the shape memory resin layer is the temperature A
  • the shape memory resin layer is energetically stable at the temperature A. That is, the shape memory resin layer is set so as to harden at the temperature A.
  • the shape memory resin layer becomes soft at the temperature B, and the flexible substrate 100 can be deformed.
  • the temperature B is higher than the temperature A.
  • the flexible substrate 100 is deformed into a desired shape.
  • the shape memory resin layer is energetically unstable, a force is generated on the flexible substrate 100 to return to the basic shape shown in FIG. 5 (a).
  • the flexible substrate 100 is deformed at the temperature B and attached to the object 101.
  • the flexible substrate 100 is deformed into a shape that follows the shape of the object 101.
  • the shape memory resin layer drops to the temperature A after the flexible substrate 100 is attached to the object 101, the shape memory resin layer is solidified and the deformed state of the flexible substrate 100 is maintained.
  • the shape memory resin layer becomes soft and returns to an energetically stable basic shape.
  • the shape memory resin layer returns to the basic shape, the flexible substrate 100 is peeled off from the object 101.
  • the amount of deformation of the shape memory resin layer is adjusted by, for example, the glass transition temperature and the cross-linking reaction between the polymers.
  • the flexible substrate 100 includes a shape memory resin layer. Therefore, the flexible substrate 100 can be deformed at a specific temperature or higher, and the flexible substrate 100 can be solidified in a deformed state at a specific temperature or lower. Further, at a specific temperature or higher, the flexible substrate 100 can be returned from the deformed state to the basic shape. Therefore, when the temperature of the object 101 rises above a specific temperature as described above, the flexible substrate 100 is peeled off from the object 101, and it is possible to prevent the flexible substrate 100 from being overheated. That is, it is possible to prevent functional damage from occurring due to overheating of the flexible substrate 100. Further, the flexible substrate 100 can be repeatedly attached to and detached from the object 101.
  • the flexible substrate 100 After the flexible substrate 100 is peeled off from the object 101, it can be attached by deforming it again.
  • the flexible substrate 100 may include a shape memory resin layer that is deformed by magnetic force, light, or the like.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown by IJ in FIG.
  • the electrical element 3 is arranged on the island-shaped portion IL of the insulating base material 4.
  • An inorganic insulating layer 19 (passivation layer) is arranged between the electrical element 3 and the island-shaped portion IL.
  • the inorganic insulating layer 19 is formed in an island shape that overlaps with the electric element 3 (or the island-shaped portion IL) in a plan view.
  • the first portion 11 is arranged on the first organic insulating layer 5 and covered with the second organic insulating layer 6.
  • the second portion 12 is arranged on the inorganic insulating layer 19 and is electrically connected to the electric element 3. In the example shown in FIG. 6, both ends of the second portion 12 are covered with the first organic insulating layer 5.
  • the contact holes CH1 and CH2 are provided in the first organic insulating layer 5.
  • the first portion 11 is electrically connected to the second portion 12 via the connecting members CM1 and CM2 arranged in the contact holes CH1 and CH2.
  • the connecting members CM1 and CM2 may be a part of the first portion 11, or may be provided separately from the first portion 11.
  • the island-shaped inorganic insulating layer 19 is arranged between the electrical element 3 and the insulating base material 4.
  • the inorganic insulating layer 19 functions as a protective film that suppresses the intrusion of moisture and the like into the electric element 3 and the second portion 12 of the scanning line 1. Therefore, the reliability of the flexible substrate 100 is improved. Further, in general, the inorganic film is more likely to crack than the organic film, but since the inorganic insulating layer 19 is not provided below the first portion 11 of the scanning line 1, the disconnection at the first portion 11 is caused. It is suppressed. The same applies to signal lines (not shown). Further, as compared with the case where the inorganic insulating layer 19 is provided on the entire flexible substrate 100, the elasticity and flexibility of the flexible substrate 100 are less likely to be hindered.
  • the second portion 12 overlapping with the electrical element 3 is arranged in a layer different from that of the first portion 11, the degree of freedom of design in the vicinity of the electrical element 3 is improved. Further, since the contact holes CH1 and CH2 are provided above the inorganic insulating layer 19, poor connection at the connection position between the first portion 11 and the second portion 12 is suppressed. Further, an island-shaped portion IL of the insulating base material 4 is arranged below the electrical element 3. Thereby, the electric element 3 can be satisfactorily supported.
  • the island-shaped portion IL is located on the inner surface 81B of the first shape memory resin layer 81.
  • the second shape memory resin layer 82 covers the electrical element 3.
  • the first shape memory resin layer 81, the island-shaped portion IL, the electrical element 3, and the second shape memory resin layer 82 overlap in the third direction D3.
  • FIG. 7 is a diagram showing a first modification example of the flexible substrate 100.
  • the configuration shown in FIG. 7 is different from the configurations shown in FIGS. 3 and 4 in that the elastic resin portion 102 is formed in the same layer as the second shape memory resin layer 82.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown in FIGS. 2B.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown by CD in FIG.
  • the second shape memory resin layer 82 overlaps with the first shape memory resin layer 81 at the opening OP.
  • the elastic resin portion 102 overlaps with the first shape memory resin layer 81 in the third direction D3. Further, in the example shown in FIG. 7A, the elastic resin portion 102 overlaps with the first portion PT1 and the scanning line 1 of the insulating base material 4 and is in contact with the second organic insulating layer 6 and the second shape memory resin layer 82. ing.
  • the elastic resin portion 102 overlaps with the second portion PT2 and the signal line 2 of the insulating base material 4, and the second organic insulating layer 6, the second shape memory resin layer 82, and the signal line 2 are overlapped with each other. Is in contact with.
  • the stretchable resin portion 102 is made of, for example, a flexible organic material. Further, since the elastic resin portion 102 is located in the same layer as the second shape memory resin layer 82, it does not overlap with the second shape memory resin layer 82 in the third direction D3.
  • the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82 are formed on substantially the entire flexible substrate 100, and are one of the same layers as the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82.
  • the elastic resin portion 102 may be formed in the portion. In the illustrated example, the elastic resin portion 102 is located in the same layer as the second shape memory resin layer 82, but the elastic resin portion 102 may be formed in the same layer as the first shape memory resin layer 81. , The elastic resin portion 102 may be formed in the same layer of both the first shape memory resin layer 81 and the second shape memory resin layer 82.
  • the first resin layer (first shape memory resin layer 81) is a shape memory resin layer
  • the first portion 821 of the second resin layer is an elastic resin layer
  • the second portion 822 is a shape memory resin layer. That is, the first portion 821 is made of a material different from that of the second portion 822.
  • FIG. 8 is a diagram showing a second modification of the flexible substrate 100.
  • the first line portion LP1 and the second line portion LP2 are surrounded by the first elastic resin layer 91 and the second elastic resin layer 92 as compared with the configurations shown in FIGS. 3 and 4. It is different in that it is.
  • FIG. 8A is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown in FIGS. 2B.
  • FIG. 8B is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown by CD in FIG.
  • the flexible substrate 100 includes a first stretchable resin layer 91 and a second stretchable resin layer 92.
  • the first elastic resin layer 91 is formed at the position of the first shape memory resin layer 81 shown in FIGS. 3 and 4.
  • the first elastic resin layer 91 has an outer surface 91A and an inner surface 91B on the opposite side of the outer surface 91A.
  • the first elastic resin layer 91 is formed by using a material different from that of the first shape memory resin layer 81.
  • the first elastic resin layer 91 may be formed by applying an organic material to the lower surfaces of the insulating base material 4 and the second elastic resin layer 92, or may be formed in the form of a film or a plate and attached via an adhesive layer. May be done.
  • the second elastic resin layer 92 is formed at the position of the second shape memory resin layer 82 shown in FIGS. 3 and 4.
  • the second elastic resin layer 92 has an inner surface 92B facing the inner surface 91B and an outer surface 92A on the opposite side of the inner surface 92B.
  • the inner surface 92B of the second stretchable resin layer 92 is in contact with the inner surface 91B of the first stretchable resin layer 91.
  • the second elastic resin layer 92 is formed by using a material different from that of the second shape memory resin layer 82.
  • the second elastic resin layer 92 is formed of a poly-p-xylylene (PPX: poly-para-xylylenes) structure, for example, parylene (registered trademark).
  • the insulating base material 4 is located between the first stretchable resin layer 91 and the second stretchable resin layer 92.
  • the third shape memory resin layer 83 is located on the outer surface 92A of the second stretchable resin layer 92.
  • the third shape memory resin layer 83 overlaps the opening OP, the first portion PT1, the second portion PT2, the scanning line 1, and the signal line 2.
  • FIG. 9 is a diagram showing a third modification example of the flexible substrate 100.
  • the configuration shown in FIG. 9 is different from the configuration shown in FIG. 8 in that the third shape memory resin layer 83 is formed on the outer surface 91A of the first elastic resin layer 91.
  • 9A is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown in FIGS. 2B.
  • FIG. 9B is a schematic cross-sectional view of a part of the flexible substrate 100 shown by CD in FIG.
  • the third shape memory resin layer 83 overlaps the opening OP, the first portion PT1, the second portion PT2, the scanning line 1, and the signal line 2. As shown in FIGS. 8 and 9, the third shape memory resin layer 83 is formed on either or both of the outer surface 91A of the first stretchable resin layer 91 and the outer surface 92A of the second stretchable resin layer 92. Is also good.
  • FIG. 10 is a diagram showing a fourth modification of the flexible substrate 100.
  • FIG. 10 shows a case where the electric element 3 shown in FIG. 2 is a light emitting element L1, L2, L3.
  • the flexible substrate 100 includes a red (R) light emitting element L1, a green (G) light emitting element L2, and a blue (B) light emitting element L3.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • any one of the light emitting elements L1, L2, and L3 is arranged on each island-shaped portion IL.
  • the light emitting elements L1, L2, and L3 are LEDs having a size of about 100 ⁇ m, such as a mini LED and a micro LED.
  • the flexible substrate 100 has the light emitting elements L1, L2, and L3, it is possible to realize a flexible display having flexibility and elasticity.
  • FIG. 11 is a diagram showing a fifth modification of the flexible substrate 100.
  • the configuration shown in FIG. 11 is different from the configuration shown in FIG. 10 in that three light emitting elements L1, L2, and L3 are arranged in one island-shaped portion IL.
  • the light emitting elements L1, L2, and L3 are, for example, any of red, green, and blue light emitting elements.
  • the light emitting elements L1, L2, and L3 may be light emitting elements having the same color as each other.
  • three light emitting elements L1, L2, and L3 are arranged in one island-shaped portion IL, but not limited to this example, two light emitting elements are arranged in one island-shaped portion IL.
  • four or more light emitting elements may be arranged. Further, the arrangement and orientation of the light emitting elements L1, L2, and L3 are not limited to the illustrated example.

Abstract

第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に配置された可撓性の絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された配線と、前記絶縁基材及び前記配線を覆う第２樹脂層と、を備え、前記絶縁基材及び前記配線は、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に位置し、前記絶縁基材は、前記配線が位置する複数の線部と、複数の前記線部に繋がった島状部と、を有し、前記第２樹脂層は、前記複数の線部及び前記複数の島状部と重なる第１部分と、前記複数の線部の間に位置する第２部分と、を有し、前記第２部分は、前記第１樹脂層と接しており、前記第１樹脂層、前記第１部分、及び前記第２部分のうち少なくとも１つは形状記憶樹脂層である、電子機器。

Description

電子機器
　本発明の実施形態は、電子機器に関する。
　近年、可撓性及び伸縮性を有したフレキシブル基板の利用が種々の分野で検討されている。一例を挙げると、マトリクス状に電気的素子が配列されたフレキシブル基板を電子機器の筐体や人体等の曲面に貼り付ける利用形態が考えられる。電気的素子としては、例えばタッチセンサや温度センサ等の各種センサや表示素子が適用され得る。
　フレキシブル基板においては、屈曲や伸縮による応力で配線が損傷しないように対策を講じる必要がある。このような対策としては、例えば、配線を支持する基材にハニカム形状の開口を設けることや、配線を蛇行した形状（ミアンダ形状）とすることが提案されている。
特開２０１５－１９８１０１号公報 特開２０１５－１９８１０２号公報 特開２０１７－１１８１０９号公報 特開２０１７－１１３０８８号公報
　本実施形態の目的は、形状記憶樹脂層を備える電子機器を提供することにある。
　本実施形態によれば、第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に配置された可撓性の絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された配線と、前記絶縁基材及び前記配線を覆う第２樹脂層と、を備え、前記絶縁基材及び前記配線は、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に位置し、前記絶縁基材は、前記配線が位置する複数の線部と、複数の前記線部に繋がった島状部と、を有し、前記第２樹脂層は、前記複数の線部及び前記複数の島状部と重なる第１部分と、前記複数の線部の間に位置する第２部分と、を有し、前記第２部分は、前記第１樹脂層と接しており、前記第１樹脂層、前記第１部分、及び前記第２部分のうち少なくとも１つは形状記憶樹脂層である、電子機器が提供される。
図１は、本実施形態に係るフレキシブル基板の概略的な平面図である。 図２は、図１に示したフレキシブル基板の一部を拡大した平面図である。 図３は、図２においてＡ－Ｂで示すフレキシブル基板の一部の概略的な断面図である。 図４は、図２においてＣ－Ｄで示すフレキシブル基板の一部の概略的な断面図である。 図５は、物体に対するフレキシブル基板の着脱を示す図である。 図６は、図２においてＩ－Ｊで示すフレキシブル基板の一部の概略的な断面図である。 図７は、フレキシブル基板の第１変形例を示す図である。 図８は、フレキシブル基板の第２変形例を示す図である。 図９は、フレキシブル基板の第３変形例を示す図である。 図１０は、フレキシブル基板の第４変形例を示す図である。 図１１は、フレキシブル基板の第５変形例を示す図である。
　以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
　本実施形態においては、電子機器の一例として、フレキシブル基板１００を開示する。
　図１は、本実施形態に係るフレキシブル基板１００の概略的な平面図である。
　本実施形態においては、図示したように第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２、第３方向Ｄ３を定義する。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、フレキシブル基板１００の主面と平行であり、互いに交わる方向である。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２に対して垂直な方向であり、フレキシブル基板１００の厚さ方向に相当する。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２は、本実施形態では垂直に交わるが、垂直以外の角度で交わってもよい。本明細書において、第３方向Ｄ３を示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。また、第３方向Ｄ３を示す矢印の先端側にフレキシブル基板１００を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２で規定されるＤ１－Ｄ２平面に向かって見ることを平面視という。
　フレキシブル基板１００は、複数の走査線１、複数の信号線２、複数の電気的素子３、第１形状記憶樹脂層８１、走査線ドライバＤＲ１、信号線ドライバＤＲ２を有している。走査線１、信号線２、電気的素子３、走査線ドライバＤＲ１、信号線ドライバＤＲ２は、第１形状記憶樹脂層８１の上に位置している。複数の走査線１は、それぞれ第１方向Ｄ１に延出し第２方向Ｄ２に並んでいる。複数の走査線１は、それぞれ走査線ドライバＤＲ１に接続されている。複数の信号線２は、それぞれ第２方向Ｄ２に延出し第１方向Ｄ１に並んでいる。複数の信号線２は、それぞれ信号線ドライバＤＲ２に接続されている。複数の電気的素子３は、それぞれ走査線１と信号線２との交差部に位置し、走査線１及び信号線２と電気的に接続されている。なお、電気的素子３の機能の詳細については後述する。
　図２は、図１に示したフレキシブル基板１００の一部を拡大した平面図である。
　フレキシブル基板１００は、上記に加えて、走査線１及び信号線２を支持する絶縁基材４を備えている。
　絶縁基材４は、平面視において、第１方向Ｄ１に延出し第２方向Ｄ２に並んで配置された複数の第１部分（線部）ＰＴ１と、第２方向Ｄ２に延出し第１方向Ｄ１に並んで配置された複数の第２部分（線部）ＰＴ２と、第１部分ＰＴ１と第２部分ＰＴ２との交差部に設けられた複数の島状部ＩＬと、を有している。平面視において、第１部分ＰＴ１及び第２部分ＰＴ２は、それぞれ波状に形成されている。島状部ＩＬは、第１部分ＰＴ１と第２部分ＰＴ２に繋がっている。絶縁基材４は、可撓性を有し、例えばポリイミドで形成することができるが、この例に限られない。
　走査線１は、絶縁基材４の第１部分ＰＴ１上に配置され、波状に配置されている。信号線２は、絶縁基材４の第２部分ＰＴ２上に配置され、波状に配置されている。走査線１及び信号線２は、フレキシブル基板１００が備える配線の一例である。走査線１及び信号線２は、例えば金属材料や透明導電材料で形成することができ、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。フレキシブル基板１００は、走査線１及び信号線２の他に、電気的素子３に給電する電源線などの他種の配線を備えてもよい。
　走査線１は、実線で示す第１部分１１と、破線で示す第２部分１２と、を有している。第２部分１２は、電気的素子３と重畳している。第１部分１１と第２部分１２は、互いに異なる層に配置されており、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を通じて電気的に接続されている。
　走査線１は、電気的素子３に走査信号を供給する。例えば電気的素子３がセンサのような信号の出力を伴うものである場合、信号線２には電気的素子３からの出力信号が供給される。また、例えば電気的素子３が発光素子やアクチュエータのように入力される信号に応じて作動するものである場合、信号線２には駆動信号が供給される。走査信号の供給源、駆動信号の供給源又は出力信号を処理するプロセッサなどを含むコントローラは、フレキシブル基板１００に設けられてもよいし、フレキシブル基板１００に接続される機器に設けられてもよい。
　電気的素子３は、島状部ＩＬ上に位置している。電気的素子３は島状部ＩＬよりも小さく、図２においては電気的素子３の縁から島状部ＩＬがはみ出ている。例えば電気的素子３は、センサ、半導体素子、又はアクチュエータなどである。例えばセンサとしては、可視光や近赤外光を受光する光学センサ、温度センサ、圧力センサ、又はタッチセンサなどを適用できる。例えば半導体素子としては、発光素子、受光素子、ダイオード、又はトランジスタなどを適用できる。電気的素子３が発光素子である場合、可撓性及び伸縮性を有するフレキシブルディスプレイを実現できる。発光素子としては、例えばミニＬＥＤやマイクロＬＥＤといった１００μｍ前後の大きさを有する発光ダイオードや有機エレクトロルミネッセンス素子を適用することができる。電気的素子３がアクチュエータである場合、例えば圧電素子を適用できる。なお、電気的素子３は、ここで例示したものに限られず、その他にも種々の機能を有する素子を適用し得る。電気的素子３は、コンデンサや抵抗などであってもよい。また、電気的素子３の配置位置や形状は図２に示した例に限らない。
　本実施形態においては、絶縁基材４の第１部分ＰＴ１及び第２部分ＰＴ２、走査線１、信号線２、後述する第１有機絶縁層５及び第２有機絶縁層６を総称して線部ＬＰとし、絶縁基材４の島状部ＩＬ、後述する無機絶縁層１９、電気的素子３を総称して島状部ＩＰとする。線部ＬＰ及び島状部ＩＰは、第１形状記憶樹脂層８１の上に位置している。線部ＬＰは、平面視において、第１方向Ｄ１に延出し第２方向Ｄ２に並んで配置された複数の波型の第１線部ＬＰ１と、第２方向Ｄ２に延出し第１方向Ｄ１に並んで配置された複数の波型の第２線部ＬＰ２と、を含んでいる。第１線部ＬＰ１と第２線部ＬＰ２の交差部に島状部ＩＰが位置している。第１線部ＬＰ１は、上記した絶縁基材４の第１部分ＰＴ１と、走査線１と、を含んでいる。第２線部ＬＰ２は、絶縁基材４の第２部分ＰＴ２と、信号線２と、を含んでいる。また、隣り合う２つの第１線部ＬＰ１と、隣り合う２つの第２線部ＬＰ２とによって囲まれた領域には、絶縁基材４が形成されておらず、開口ＯＰが形成されている。換言すると、開口ＯＰは、隣り合う２つの第１部分ＰＴ１と、隣り合う２つの第２部分ＰＴ２とによって囲まれた領域ということもできる。開口ＯＰは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２にマトリクス状に並んでいる。
　図３は、図２においてＡ－Ｂで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。
　フレキシブル基板１００は、上述の要素の他に、第１有機絶縁層５と、第２有機絶縁層６と、第２形状記憶樹脂層８２と、をさらに備えている。
　第１形状記憶樹脂層（第１樹脂層）８１は、外面８１Ａと、外面８１Ａの反対側の内面８１Ｂと、を有している。第１線部ＬＰ１は、内面８１Ｂに位置している。第１線部ＬＰ１は、第１側面ＳＳ１と、第１側面ＳＳ１とは反対側の第２側面ＳＳ２と、上面ＵＳと、を有している。
　絶縁基材４の第１部分ＰＴ１は、第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂ上に位置している。第１有機絶縁層５は、絶縁基材４を覆っている。走査線１は、第１有機絶縁層５の上に位置している。第２有機絶縁層６は、第１有機絶縁層５及び走査線１を覆っている。第１有機絶縁層５及び第２有機絶縁層６は、何れも有機材料で形成されている。
　第２形状記憶樹脂層（第２樹脂層）８２は、外面８２Ａと、外面８２Ａの反対側の内面８２Ｂと、を有している。第２形状記憶樹脂層８２は、第１線部ＬＰ１の第１側面ＳＳ１、第２側面ＳＳ２、上面ＵＳを覆っている。すなわち、第２形状記憶樹脂層８２は、走査線１、絶縁基材４、第１有機絶縁層５及び第２有機絶縁層６を覆っている。第２形状記憶樹脂層８２は、第１線部ＬＰ１のうち、絶縁基材４、第１有機絶縁層５、第２有機絶縁層６に接している。また、第２形状記憶樹脂層８２の内面８２Ｂは、開口ＯＰにおいて第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂに接している。第１形状記憶樹脂層８１、絶縁基材４、走査線１、第２形状記憶樹脂層８２は、第３方向Ｄ３に重なっている。また、絶縁基材４及び走査線１は、第１形状記憶樹脂層８１と第２形状記憶樹脂層８２との間に位置する。
　第２形状記憶樹脂層８２のうち、複数の第１部分ＰＴ１及び第２部分ＰＴ２、及び、複数の島状部ＩＬと重なる部分を第１部分８２１とし、複数の第１部分ＰＴ１及び第２部分ＰＴ２の間に位置する部分、すなわち、開口ＯＰと重なる部分を第２部分８２２とする。第２部分８２２は、第１形状記憶樹脂層８１と接している。
　第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２は、形状記憶樹脂によって形成されている。形状記憶樹脂は、例えば、スマートポリマーと称することもできる。スマートポリマーは、温度、磁力、光などの外部の環境変化に応じて性質が変化するポリマーである。本実施形態の第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２は、外部から温度、磁力、光などの刺激を与えることで変形するスマートポリマーを用いて形成されている。
　第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２は、粘着力を有しており、外面８１Ａもしくは外面８２Ａを物体に貼り付けることができる。なお、フレキシブル基板１００は、外面８１Ａもしくは外面８２Ａに形成された粘着層を有していても良い。
　図４は、図２においてＣ－Ｄで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。
　第２線部ＬＰ２は、第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂに位置している。第２線部ＬＰ２は、第１側面ＳＳ１と、第１側面ＳＳ１とは反対側の第２側面ＳＳ２と、上面ＵＳと、を有している。
　絶縁基材４の第２部分ＰＴ２は、第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂ上に位置している。第１有機絶縁層５は、絶縁基材４を覆っている。第２有機絶縁層６は、第１有機絶縁層５を覆っている。信号線２は、第２有機絶縁層６の上に位置している。第２形状記憶樹脂層８２は、第２線部ＬＰ２の第１側面ＳＳ１、第２側面ＳＳ２、上面ＵＳを覆い、開口ＯＰにおいて第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂに接している。すなわち、第２形状記憶樹脂層８２は、絶縁基材４、第１有機絶縁層５及び第２有機絶縁層６、信号線２を覆い、それぞれに接している。第１形状記憶樹脂層８１、絶縁基材４、信号線２、第２形状記憶樹脂層８２は、第３方向Ｄ３に重なっている。また、絶縁基材４及び信号線２は、第１形状記憶樹脂層８１と第２形状記憶樹脂層８２との間に位置する。
　なお、図３及び図４に示した例では、第１線部ＬＰ１及び第２線部ＬＰ２が第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２に覆われる例を示したが、第１形状記憶樹脂層８１の代わりに伸縮樹脂が用いられ第２形状記憶樹脂層８２に形状記憶樹脂が用いられる構成であっても良いし、第１形状記憶樹脂層８１に形状記憶樹脂が用いられ第２形状記憶樹脂層８２の代わりに伸縮樹脂が用いられる構成であっても良い。
　また、本実施形態において、第１線部ＬＰ１及び第２線部ＬＰ２より下側の樹脂層を第１樹脂層とし、第１線部ＬＰ１及び第２線部ＬＰ２より上側の樹脂層を第２樹脂層とする。上記実施形態では、第１樹脂層（第１形状記憶樹脂層８１）は、形状記憶樹脂層であり、第２樹脂層（第２形状記憶樹脂層８２）の第１部分８２１及び第２部分８２２も形状記憶樹脂層である。つまり、第１部分８２１は、第２部分８２２と同じ材料で形成されている。第１部分８２１及び第２部分８２２は、一体的に形成された形状記憶樹脂層である。また、第１部分８２１の厚みＴ１は、第２部分８２２の厚みＴ２より小さい。
　図５は、物体１０１に対するフレキシブル基板１００の着脱を示す図である。　
　まず、図５（ａ）に示すように、フレキシブル基板１００は、例えば、平坦な矩形状の基本形状を有している。このとき、形状記憶樹脂層の温度は、温度Ａであり、形状記憶樹脂層は、温度Ａにおいてエネルギー的に安定している。すなわち、形状記憶樹脂層は、温度Ａで固まるように設定されている。
　図５（ｂ）に示すように、温度Ｂにおいて、形状記憶樹脂層が柔らかくなり、フレキシブル基板１００を変形させることが可能となる。このとき、温度Ｂは、温度Ａより高い。温度Ｂにおいて、フレキシブル基板１００を所望の形状に変形させる。このとき、形状記憶樹脂層はエネルギー的に不安定であるため、フレキシブル基板１００には図５（ａ）に示した基本形状に戻る力が生じている。
　図５（ｃ）に示すように、温度Ｂの状態でフレキシブル基板１００を変形させ、物体１０１に貼り付ける。フレキシブル基板１００は、物体１０１の形状に沿った形状に変形される。図示した例では、フレキシブル基板１００は、物体１０１の曲面に貼付されるため、物体１０１の曲面に沿った形状に変形される。フレキシブル基板１００が物体１０１に貼り付けられた後、形状記憶樹脂層が温度Ａに下がると、形状記憶樹脂層が固まり、フレキシブル基板１００が変形した状態が維持される。
　図５（ｄ）に示すように、物体１０１の温度が上昇し温度Ｂに達すると、形状記憶樹脂層が柔らかくなり、エネルギー的に安定した基本形状に戻る。形状記憶樹脂層が基本形状に戻ることにより、フレキシブル基板１００は物体１０１から剥がれ落ちる。なお、形状記憶樹脂層の変形量は、例えば、ガラス転移温度、ポリマー間の架橋反応によって調整される。
　本実施形態によれば、フレキシブル基板１００は、形状記憶樹脂層を備えている。そのため、特定の温度以上においてフレキシブル基板１００を変形させ、特定の温度以下においてフレキシブル基板１００を変形した状態で固めることができる。また、特定の温度以上において、フレキシブル基板１００を変形した状態から基本形状に戻すことができる。よって、上記したように物体１０１の温度が特定の温度以上に上昇した場合に、フレキシブル基板１００は物体１０１から剥離され、フレキシブル基板１００が過熱されるのを抑制することができる。つまり、フレキシブル基板１００が過熱されることにより、機能的なダメージが生じるのを抑制することができる。　
　また、フレキシブル基板１００を物体１０１に対して繰り返し着脱することが可能である。フレキシブル基板１００が物体１０１から剥離された後に、再び変形させることで貼り付けを行うことができる。　
　なお、図示した例では、形状記憶樹脂層が温度によって変形する場合を示したが、フレキシブル基板１００は、磁力や光などによって変形する形状記憶樹脂層を備えていても良い。
　図６は、図２においてＩ－Ｊで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。　
　電気的素子３は、絶縁基材４の島状部ＩＬの上に配置されている。電気的素子３と島状部ＩＬとの間には、無機絶縁層１９（パッシベーション層）が配置されている。無機絶縁層１９は、平面視においては電気的素子３（あるいは島状部ＩＬ）と重畳する島状に形成されている。第１部分１１は、第１有機絶縁層５の上に配置され、第２有機絶縁層６によって覆われている。第２部分１２は、無機絶縁層１９の上に配置され、電気的素子３と電気的に接続されている。図６に示す例においては、第２部分１２の両端部が第１有機絶縁層５に覆われている。
　コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、第１有機絶縁層５に設けられている。第１部分１１は、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２に配置された接続部材ＣＭ１及びＣＭ２を介して第２部分１２と電気的に接続されている。接続部材ＣＭ１及びＣＭ２は、第１部分１１の一部であってもよいし、第１部分１１とは別途に設けられてもよい。
　このように、電気的素子３と絶縁基材４との間には島状の無機絶縁層１９が配置されている。この無機絶縁層１９は、電気的素子３や走査線１の第２部分１２への水分等の侵入を抑制する保護膜として機能する。このため、フレキシブル基板１００の信頼性が向上する。また、一般的に無機膜は有機膜に比べてクラックが生じやすいが、走査線１の第１部分１１の下方には無機絶縁層１９が設けられていないため、第１部分１１での断線が抑制される。図示しない信号線についても同様である。さらに、無機絶縁層１９がフレキシブル基板１００の全体に設けられている場合と比較して、フレキシブル基板１００の伸縮性及び可撓性が阻害されにくくなる。
　また、走査線１において、電気的素子３と重畳する第２部分１２が第１部分１１とは異なる層に配置されているため、電気的素子３の近傍における設計の自由度が向上する。また、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、無機絶縁層１９の上方に設けられているため、第１部分１１と第２部分１２との接続位置での接続不良が抑制される。さらに、電気的素子３の下方には、絶縁基材４の島状部ＩＬが配置されている。これにより、電気的素子３を良好に支持できる。
　島状部ＩＬは、第１形状記憶樹脂層８１の内面８１Ｂに位置している。第２形状記憶樹脂層８２は、電気的素子３を覆っている。第１形状記憶樹脂層８１、島状部ＩＬ、電気的素子３、第２形状記憶樹脂層８２は、第３方向Ｄ３に重なっている。
　図７は、フレキシブル基板１００の第１変形例を示す図である。図７に示す構成は、図３及び図４に示した構成と比較して、第２形状記憶樹脂層８２と同層に伸縮樹脂部１０２が形成されている点で相異している。図７（ａ）は、図２においてＡ－Ｂで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。図７（ｂ）は、図２においてＣ－Ｄで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。
　第２形状記憶樹脂層８２は、開口ＯＰにおいて、第１形状記憶樹脂層８１と重なっている。伸縮樹脂部１０２は、第３方向Ｄ３において第１形状記憶樹脂層８１と重なっている。また、図７（ａ）に示す例では、伸縮樹脂部１０２は、絶縁基材４の第１部分ＰＴ１及び走査線１と重なり、第２有機絶縁層６、第２形状記憶樹脂層８２に接している。図７（ｂ）に示す例では、伸縮樹脂部１０２は、絶縁基材４の第２部分ＰＴ２及び信号線２と重なり、第２有機絶縁層６、第２形状記憶樹脂層８２、信号線２に接している。伸縮樹脂部１０２は、例えば、可撓性を有する有機材料で形成されている。また、伸縮樹脂部１０２は、第２形状記憶樹脂層８２と同層に位置しているため、第３方向Ｄ３において第２形状記憶樹脂層８２とは重なっていない。
　このように、第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２がフレキシブル基板１００の略全体に形成され、第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２と同層の一部に伸縮樹脂部１０２が形成されていても良い。図示した例では、第２形状記憶樹脂層８２と同層に伸縮樹脂部１０２が位置しているが、第１形状記憶樹脂層８１と同層に伸縮樹脂部１０２が形成されていても良いし、第１形状記憶樹脂層８１及び第２形状記憶樹脂層８２の両方の同層に伸縮樹脂部１０２が形成されていても良い。
　上記第１変形例では、第１樹脂層（第１形状記憶樹脂層８１）は、形状記憶樹脂層であり、第２樹脂層の第１部分８２１は、伸縮樹脂層であり、第２部分８２２は、形状記憶樹脂層である。つまり、第１部分８２１は、第２部分８２２とは異なる材料で形成されている。
　図８は、フレキシブル基板１００の第２変形例を示す図である。図８に示す構成は、図３及び図４に示した構成と比較して、第１線部ＬＰ１及び第２線部ＬＰ２が第１伸縮樹脂層９１及び第２伸縮樹脂層９２によって囲まれている点で相異している。図８（ａ）は、図２においてＡ－Ｂで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。図８（ｂ）は、図２においてＣ－Ｄで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。
　フレキシブル基板１００は、第１伸縮樹脂層９１及び第２伸縮樹脂層９２を備えている。第１伸縮樹脂層９１は、図３及び図４に示した第１形状記憶樹脂層８１の位置に形成されている。第１伸縮樹脂層９１は、外面９１Ａと、外面９１Ａの反対側の内面９１Ｂと、を有している。第１伸縮樹脂層９１は、第１形状記憶樹脂層８１とは異なる材料を用いて形成されている。第１伸縮樹脂層９１は、絶縁基材４及び第２伸縮樹脂層９２の下面に有機材料を塗布して形成されてもよいし、フィルム状あるいは板状に形成され接着層を介して貼り付けられてもよい。
　第２伸縮樹脂層９２は、図３及び図４に示した第２形状記憶樹脂層８２の位置に形成されている。第２伸縮樹脂層９２は、内面９１Ｂと対向する内面９２Ｂと、内面９２Ｂの反対側の外面９２Ａと、を有している。第２伸縮樹脂層９２の内面９２Ｂは、第１伸縮樹脂層９１の内面９１Ｂに接している。第２伸縮樹脂層９２は、第２形状記憶樹脂層８２とは異なる材料を用いて形成されている。第２伸縮樹脂層９２は、ポリ－ｐ－キシリレン（PPX: poly-para-xylylenes）構造体、例えばパリレン（登録商標）で形成されている。
　絶縁基材４は、第１伸縮樹脂層９１と第２伸縮樹脂層９２との間に位置している。第３形状記憶樹脂層８３は、第２伸縮樹脂層９２の外面９２Ａに位置している。第３形状記憶樹脂層８３は、開口ＯＰ、第１部分ＰＴ１、第２部分ＰＴ２、走査線１、信号線２に重なっている。
　図９は、フレキシブル基板１００の第３変形例を示す図である。図９に示す構成は、図８に示した構成と比較して、第３形状記憶樹脂層８３が第１伸縮樹脂層９１の外面９１Ａに形成されている点で相異している。図９（ａ）は、図２においてＡ－Ｂで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。図９（ｂ）は、図２においてＣ－Ｄで示すフレキシブル基板１００の一部の概略的な断面図である。
　第３形状記憶樹脂層８３は、開口ＯＰ、第１部分ＰＴ１、第２部分ＰＴ２、走査線１、信号線２に重なっている。
　図８及び図９に示すように、第１伸縮樹脂層９１の外面９１Ａ及び第２伸縮樹脂層９２の外面９２Ａのどちらか一方、もしくは両方に、第３形状記憶樹脂層８３が形成されていても良い。
　図１０は、フレキシブル基板１００の第４変形例を示す図である。図１０は、図２に示した電気的素子３が発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３である場合を示している。　
　フレキシブル基板１００は、赤色（Ｒ）の発光素子Ｌ１、緑色（Ｇ）の発光素子Ｌ２、青色（Ｂ）の発光素子Ｌ３を備えている。それぞれの島状部ＩＬ上には、発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３のうち何れか１つの発光素子が配置されている。発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、ミニＬＥＤやマイクロＬＥＤといった１００μｍ前後の大きさを有するＬＥＤである。このように、フレキシブル基板１００が発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を有することで、可撓性及び伸縮性を有するフレキシブルディスプレイを実現することができる。
　図１１は、フレキシブル基板１００の第５変形例を示す図である。図１１に示す構成は、図１０に示した構成と比較して、１つの島状部ＩＬに３つの発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が配置されている点で相異している。
　発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、例えば、赤色、緑色、青色の発光素子の何れかである。または、発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、互いに同色の発光素子であってもよい。図示した例では、１つの島状部ＩＬに３つの発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が配置されているが、この例に限らず、１つの島状部ＩＬに２つの発光素子が配置されていても良いし、４つ以上の発光素子が配置されていてもよい。また、発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の並びや向きは図示した例に限られない。
　以上説明したように、本実施形態によれば、形状記憶樹脂層を備える電子機器を得ることができる。
　なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Claims (8)

  1. 　第１樹脂層と、
    　前記第１樹脂層上に配置された可撓性の絶縁基材と、
    　前記絶縁基材上に配置された配線と、
    　前記絶縁基材及び前記配線を覆う第２樹脂層と、を備え、
    　前記絶縁基材及び前記配線は、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に位置し、
    　前記絶縁基材は、前記配線が位置する複数の線部と、複数の前記線部に繋がった島状部と、を有し、
    　前記第２樹脂層は、前記複数の線部及び前記複数の島状部と重なる第１部分と、前記複数の線部の間に位置する第２部分と、を有し、
    　前記第２部分は、前記第１樹脂層と接しており、
    　前記第１樹脂層、前記第１部分、及び前記第２部分のうち少なくとも１つは形状記憶樹脂層である、電子機器。
  2. 　前記第１部分は、前記第２部分とは異なる材料で形成されている、請求項１に記載の電子機器。
  3. 　前記第１樹脂層は、形状記憶樹脂層である、請求項１に記載の電子機器。
  4. 　前記第２部分は、形状記憶樹脂層であり、
    　前記第１部分は、伸縮樹脂層である、請求項１に記載の電子機器。
  5. 　前記第１部分は、前記第２部分と同じ材料で形成されている、請求項１に記載の電子機器。
  6. 　前記第１部分及び前記第２部分は、一体的に形成された形状記憶樹脂層である、請求項５に記載の電子機器。
  7. 　前記第１部分の厚みは、前記第２部分の厚みより小さい、請求項１に記載の電子機器。
  8. 　第１外面と、前記第１外面の反対側の第１内面と、を有する第１伸縮樹脂層と、
    　前記第１内面と対向する第２伸縮樹脂層と、
    　前記第１伸縮樹脂層と前記第２伸縮樹脂層の間に位置する絶縁基材と、
    　前記第１外面に位置する形状記憶樹脂層と、を備える、電子機器。
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