WO2021166763A1 - コイル部品及びその製造方法 - Google Patents

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WO2021166763A1
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interlayer insulating
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magnetic
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川口　裕一
朋永 西川
拓也 竹内
光夫 名取
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Tdk株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a coil component and a method for manufacturing the same, and more particularly to a coil component having a structure in which spiral coil patterns are laminated and a method for manufacturing the same.
  • the coil component described in Patent Document 1 As a coil component having a structure in which spiral coil patterns are laminated, the coil component described in Patent Document 1 is known.
  • the coil component described in Patent Document 1 has a structure in which a coil pattern is embedded by a first magnetic resin layer containing a spherical magnetic filler and the coil pattern is sandwiched in a stacking direction by a second magnetic resin layer containing a flat magnetic filler. have.
  • Patent Document 1 since the second magnetic resin layer is further arranged outside the first magnetic resin layer, there is a problem that the entire thickness of the coil component becomes large.
  • an object of the present invention is to obtain a high inductance value while reducing the overall thickness in a coil component having a structure in which spiral coil patterns are laminated and a method for manufacturing the same.
  • the coil component according to the present invention includes a coil portion having a structure in which a plurality of interlayer insulating films and a plurality of coil patterns wound in a spiral shape are alternately laminated in the axial direction, and a magnetic element in which the coil portion is embedded.
  • the plurality of interlayer insulating films are the first interlayer insulating film that covers the first coil pattern located at one end in the axial direction from one end side in the axial direction among the plurality of coil patterns, and the remaining of the plurality of coil patterns. It has a second interlayer insulating film that covers the coil pattern, and the first interlayer insulating film is characterized by having a higher magnetic permeability than the second interlayer insulating film.
  • the first coil pattern located at the end is covered with the first interlayer insulating film having high magnetic permeability, it is possible to obtain a high inductance value while keeping the overall thickness thin. It will be possible.
  • the magnetic element may have a higher magnetic permeability than the first interlayer insulating film. According to this, it is possible to obtain a higher inductance value. Moreover, if a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the magnetic element is used as the material of the first interlayer insulating film, it is possible to prevent peeling at the interface between the first interlayer insulating film and the magnetic element.
  • the first interlayer insulating film may be made of the same magnetic material as the magnetic element. According to this, since the coefficient of thermal expansion of the first interlayer insulating film and the magnetic element match, it is possible to more effectively prevent peeling at the interface between the first interlayer insulating film and the magnetic element. Become.
  • the first interlayer insulating film is made of a magnetic resin material in which a magnetic filler is added to the resin material, and the maximum particle size of the magnetic filler may be smaller than the pattern spacing of the first coil pattern. According to this, since the magnetic filler enters between the patterns of the first coil pattern, it is possible to obtain a higher inductance value.
  • the magnetic filler may contain a nanofiller made of a metallic magnetic material having an average particle size of 1 ⁇ m or less. According to this, the magnetic filler is more likely to enter between the patterns of the first coil pattern.
  • the cross section of the first coil pattern may have a tapered shape that narrows toward one end side in the axial direction. According to this, the magnetic filler is more likely to enter between the patterns of the first coil pattern.
  • the coil portion includes an electrode pattern located in the same conductor layer as the first coil pattern, and the electrode pattern may be in contact with the first interlayer insulating film and may be exposed from the magnetic element. .. According to this, the heat dissipation of the coil component is improved.
  • the plurality of interlayer insulating films further include a third interlayer insulating film that covers the second coil pattern located at the other end in the axial direction from the other end side in the axial direction among the plurality of coil patterns.
  • the third interlayer insulating film may have a higher magnetic permeability than the second interlayer insulating film. According to this, since the third coil pattern located at the end is covered with the third interlayer insulating film having high magnetic permeability, it is possible to obtain a high inductance value while keeping the overall thickness thin. It becomes.
  • the method for manufacturing a coil component according to the present invention includes a first step of forming a coil portion by alternately laminating a plurality of interlayer insulating films and a plurality of coil patterns wound in a spiral shape in the axial direction, and a coil portion.
  • the plurality of coil patterns include the first coil pattern to be formed last and the remaining second coil pattern, and the plurality of interlayer insulating films are the first and the first.
  • the first step includes a step of alternately forming a second coil pattern and a second interlayer insulating film, and a first coil pattern after forming the first coil pattern.
  • the first interlayer insulating film includes a step of covering with a first interlayer insulating film, and the first interlayer insulating film is characterized by having a higher magnetic permeability than the second interlayer insulating film.
  • the first coil pattern located at the end is covered with the first interlayer insulating film having a high magnetic permeability, a coil component having a thin overall thickness and a high inductance value can be manufactured. It becomes possible.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the coil component 1 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the coil portion C.
  • FIG. 3 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 4 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 5 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 6 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 7 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 8 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 9 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the coil component 1 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the coil portion C.
  • FIG. 3
  • FIG. 10 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 11 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 12 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 13 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 14 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 15 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 16 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 17 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 18 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 19 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 20 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 21 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 22 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 23 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 24 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 25 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 26 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1.
  • FIG. 27 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the coil component 1 according to the embodiment of the present invention.
  • the coil component 1 is a surface mount type chip component suitable to be used as an inductor for a power supply circuit, and as shown in FIG. 1, magnetic elements M1 to M3 and magnetic elements.
  • a coil portion C embedded in M1 to M3 is provided.
  • the configuration of the coil portion C will be described later, but in the present embodiment, four conductor layers having a spiral coil pattern are laminated via an interlayer insulating film, whereby one coil conductor is formed.
  • the magnetic elements M1 to M3 are composite members including a metallic magnetic filler made of iron (Fe) or a permalloy-based material and a resin binder, and form a magnetic path of magnetic flux generated by passing an electric current through the coil portion C.
  • a metallic magnetic filler made of iron (Fe) or a permalloy-based material
  • a resin binder it is preferable to use a liquid or powder epoxy resin.
  • the materials constituting the magnetic elements M1 to M3 may be the same as each other or may be different from each other.
  • the magnetic element M1 is a portion embedded in the inner diameter region of the coil portion C
  • the magnetic element M2 is a portion that covers the coil portion C from one side (lower side shown in FIG. 1) in the axial direction.
  • the magnetic element M3 is a portion that covers the coil portion C from the other side (upper side shown in FIG. 1) in the axial direction.
  • the coil portion C has a configuration in which the interlayer insulating films 51 to 55 and the conductor layers 10, 20, 30, and 40 are alternately laminated.
  • the conductor layers 10, 20, 30 and 40 have spiral coil patterns CP1 to CP4, respectively, and the upper surface or the lower surface of the coil patterns CP1 to CP4 is covered with the interlayer insulating films 51 to 55.
  • the side surfaces of the coil patterns CP1 to CP4 are covered with a part of the interlayer insulating films 52 to 55, respectively.
  • the upper surfaces and lower surfaces of the coil patterns CP1 to CP4 refer to surfaces perpendicular to the coil shaft, and the side surfaces of the coil patterns CP1 to CP4 refer to surfaces horizontal or inclined with respect to the coil shaft.
  • the coil patterns CP1 to CP4 form one coil conductor by being connected to each other via through holes formed in the interlayer insulating films 52 to 54.
  • Copper (Cu) is preferably used as the material for the conductor layers 10, 20, 30, and 40.
  • a non-magnetic material is used for the interlayer insulating films 51 to 54, and a magnetic material is used for the interlayer insulating film 55 located at the uppermost layer. That is, the interlayer insulating film 55 has a higher magnetic permeability than the interlayer insulating films 51 to 54.
  • the same magnetic material as the interlayer insulating film 55 may be used for the interlayer insulating film 51 located at the bottom layer.
  • the conductor layer 10 is a first-layer conductor layer formed on the upper surface of the magnetic element M2 via an interlayer insulating film 51, and includes a seed layer S1 as a base.
  • the conductor layer 10 is provided with a coil pattern CP1 spirally wound for a plurality of turns and two electrode patterns 11 and 12.
  • the lower surface of the coil pattern CP1 is covered with the interlayer insulating film 51, and the side surfaces and the upper surface of the coil pattern CP1 are covered with the interlayer insulating film 52.
  • the coil pattern CP1 and the electrode pattern 11 are connected in a predetermined cross section.
  • the electrode pattern 12 is provided independently of the coil pattern CP1.
  • the electrode patterns 11 and 12 are exposed from the magnetic elements M1 to M3.
  • the conductor layer 20 is a second conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 10 via an interlayer insulating film 52, and includes a seed layer S2 as a base.
  • the conductor layer 20 is provided with a coil pattern CP2 spirally wound for a plurality of turns and two electrode patterns 21 and 22.
  • the lower surface of the coil pattern CP2 is covered with the interlayer insulating film 52, and the side surface and the upper surface of the coil pattern CP2 are covered with the interlayer insulating film 53.
  • the electrode patterns 21 and 22 are provided independently of the coil pattern CP2.
  • the electrode patterns 21 and 22 are exposed from the magnetic elements M1 to M3.
  • the conductor layer 30 is a third conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 20 via an interlayer insulating film 53, and includes a seed layer S3 as a base.
  • the conductor layer 30 is provided with a coil pattern CP3 spirally wound for a plurality of turns and two electrode patterns 31 and 32.
  • the lower surface of the coil pattern CP3 is covered with the interlayer insulating film 53, and the side surface and the upper surface of the coil pattern CP3 are covered with the interlayer insulating film 54.
  • the electrode patterns 31 and 32 are both provided independently of the coil pattern CP3.
  • the electrode patterns 31 and 32 are exposed from the magnetic elements M1 to M3.
  • the conductor layer 40 is a fourth conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 30 via an interlayer insulating film 54, and includes a seed layer S4 as a base.
  • the conductor layer 40 is provided with a coil pattern CP4 spirally wound for a plurality of turns and two electrode patterns 41 and 42.
  • the lower surface of the coil pattern CP4 is covered with the interlayer insulating film 54, and the side surfaces and the upper surface of the coil pattern CP4 are covered with the interlayer insulating film 55.
  • the coil pattern CP4 and the electrode pattern 42 are connected in a predetermined cross section.
  • the electrode pattern 41 is provided independently of the coil pattern CP4.
  • the electrode patterns 41 and 42 are exposed from the magnetic elements M1 to M3.
  • the inner peripheral end of the coil pattern CP1 and the inner peripheral end of the coil pattern CP2 are a part of the conductor layer 20 and are connected via a via conductor provided so as to penetrate the interlayer insulating film 52.
  • the outer peripheral end of the coil pattern CP2 and the outer peripheral end of the coil pattern CP3 are a part of the conductor layer 30 and are connected via a via conductor provided so as to penetrate the interlayer insulating film 53.
  • the inner peripheral end of the coil pattern CP3 and the inner peripheral end of the coil pattern CP4 are connected via a via conductor which is a part of the conductor layer 40 and is provided so as to penetrate the interlayer insulating film 54.
  • the coil patterns CP1 to CP4 are connected in series to form a coil conductor composed of a plurality of turns. Further, the electrode patterns 11, 21, 31 and 41 are used as one external terminal, and the electrode patterns 12, 22, 32 and 42 are used as the other external terminal.
  • the above is the structure of the coil component 1 according to this embodiment.
  • the coil portion C is embedded by the magnetic elements M1 to M3, the magnetic elements M1 to M3 become magnetic paths, and a high inductance value can be obtained. It becomes.
  • the interlayer insulating film 55 covering the coil pattern CP4 on the uppermost layer is made of a magnetic material, the inductance value can be further increased without adding another magnetic layer or the like.
  • the interlayer insulating film 55 has a protruding portion 55a protruding into the inner diameter region, this portion may become a magnetic resistance and the inductance value may decrease.
  • the inductance value may decrease. Since the interlayer insulating film 55 is made of a magnetic material, it is possible to suppress a decrease in the inductance value even when the interlayer insulating film 55 has a protruding portion 55a. Further, if a magnetic material similar to that of the interlayer insulating film 55 is used as the material of the interlayer insulating film 51 located at the bottom layer, it is possible to suppress a decrease in the inductance value due to the protruding portion 51a.
  • the interlayer insulating film 55 a magnetic resin material in which a magnetic filler is added to the resin material can be used. According to this, the magnetic characteristics and the insulating property can be adjusted depending on the type of magnetic filler, the amount added, the particle size, and the like.
  • a metallic magnetic filler made of iron (Fe), a permalloy-based material, or the like may be added as in the magnetic elements M1 to M3, but the interlayer insulating film 55 has a coil pattern. Since it is in direct contact with CP4, it is required to have higher insulating properties than the magnetic elements M1 to M3.
  • the amount of the magnetic filler added to the resin material is smaller than that of the magnetic elements M1 to M3, or the particle size of the magnetic filler added to the resin material is changed to the magnetic element.
  • Examples thereof include a method of making the body smaller than the bodies M1 to M3.
  • the magnetic permeability of the interlayer insulating film 55 is lower than the magnetic permeability of the magnetic elements M1 to M3, but a higher magnetic permeability can be obtained as compared with a general resin material using a non-magnetic material. It is possible to increase the inductance value. Further, as long as the insulating property is ensured, the interlayer insulating film 55 may be made of the same magnetic material as the magnetic elements M1 to M3.
  • the interlayer insulating film 55 is made of the same material as the magnetic elements M1 and M3, the difference in the coefficient of thermal expansion can be suppressed. This makes it possible to prevent peeling at the interface between the interlayer insulating film 55 and the magnetic elements M1 and M3.
  • the coefficients of thermal expansion of both are completely the same, so that peeling at the interface between the two is extremely unlikely to occur.
  • the maximum particle size of the magnetic filler contained in the interlayer insulating film 55 is preferably smaller than the pattern spacing of the coil pattern CP4. According to this, since the magnetic filler enters between the patterns of the coil pattern CP4, it is possible to obtain a higher inductance value. In particular, if a nanofiller made of a metallic magnetic material having an average particle size of 1 ⁇ m or less is added, the nanofiller easily enters between the patterns of the coil pattern CP4.
  • the cross section of the coil pattern CP4 may have a tapered shape as shown in FIG. 2 which is a partial cross-sectional view. That is, when the pattern spacing at the bottom portion in contact with the interlayer insulating film 54 is W2 and the pattern spacing at the upper portion on the opposite side of the bottom portion is W1, W1> W2 and a tapered shape that narrows from the bottom to the top. You just have to have it.
  • the other coil patterns CP1 to CP3 may also have a tapered shape.
  • FIGS. 3 to 27 are process diagrams for explaining the manufacturing method of the coil component 1 according to the present embodiment.
  • the process diagrams shown in FIGS. 3 to 27 show a cross section corresponding to one coil component 1, but in reality, a large number of coil components 1 are taken by simultaneously manufacturing a large number of coil components 1 using an assembly substrate. can do.
  • a support 60 provided with metal foils 62 and 63 such as copper (Cu) on the surface of the base material 61 is prepared (FIG. 3).
  • a release layer is provided at the interface between the metal foil 62 and the metal foil 63.
  • a protrusion 63a is formed on the metal foil 63 (FIG. 4).
  • the interlayer insulating film 51 and the metal foil 64 are formed on the surface of the metal foil 63 provided with the protrusion 63a (FIG. 5).
  • the interlayer insulating film 51 and the metal foil 64 can be formed by a laminating method.
  • the shape of the protrusion 63a is transferred to the interlayer insulating film 51, and the interlayer insulating film 51 is formed with a thick region 51A and a thin interlayer 51B.
  • the seed layer S1 is formed on the surface of the interlayer insulating film 51 by electroless plating (FIG. 7).
  • the metal foil 64 may be used as it is as the seed layer, but since it is desirable that the seed layer S1 is as thin as possible, after removing the metal foil 64, the thinner seed layer S1 is used. It is preferable to form a new film.
  • a resist pattern R1 is formed on the surface of the seed layer S1 (FIG. 8).
  • the resist pattern R1 is a negative pattern of the conductor layer 10.
  • the conductor layer 10 is formed by growing the seed layer S1 by electrolytic plating (FIG. 9).
  • the sacrificial pattern VP1 is formed in the inner diameter region of the coil pattern CP1.
  • the position of the resist pattern R1 is adjusted so that the thin region 51A of the interlayer insulating film 51 completely overlaps and the thick region 51B partially overlaps.
  • the seed layer S1 exposed on the peeled portion of the resist pattern R1 is removed by etching (FIG. 11).
  • the coil pattern CP1 and the sacrificial pattern VP1 are electrically separated by the spiral slit SL.
  • an interlayer insulating film 52 and a metal foil 65 are formed on the surface of the conductor layer 10 so as to fill the slit SL (FIG. 12).
  • the interlayer insulating film 52 and the metal foil 65 can be formed by a laminating method.
  • a resist pattern R2 is formed on the surface of the metal foil 65 (FIG. 13), and the metal foil 65 is etched using the resist pattern R2 as a mask (FIG. 14). As a result, the metal foil 65 at the portion overlapping the sacrificial pattern VP1 is removed.
  • the sacrificial pattern VP1 is exposed by blasting with the metal foil 65 as a mask (FIG. 16).
  • an opening 52a is formed in the interlayer insulating film 52 by laser processing (FIG. 18).
  • the conductor layer 20, the interlayer insulating film 53, the conductor layer 30, the interlayer insulating film 54, and the conductor layer 40 are sequentially formed (FIG. 19).
  • the conductor layers 20, 30 and 40 include sacrificial patterns VP2 to VP4 that overlap with the sacrificial pattern VP1.
  • the interlayer insulating film 55 that covers the conductor layer 40 is formed (FIG. 20).
  • the interlayer insulating film 55 can be formed by applying a resin material containing a magnetic filler.
  • the sacrificial pattern VP4 is exposed by patterning the interlayer insulating film 55 (FIG. 21).
  • the sacrificial patterns VP1 to VP4 are removed (FIG. 22). Since the coil patterns CP1 to CP4 are covered with the interlayer insulating films 51 to 55, they are not etched. As a result, a space S is formed in the inner diameter region of the coil patterns CP1 to CP4.
  • the magnetic elements M1 and M3 that fill this space S are formed (FIG. 23).
  • the support 60 is removed by peeling the interface between the metal foil 62 and the metal foil 63, the support 70 is attached by turning it upside down (FIG. 24), and then the metal foil 63 is removed by etching (FIG. 24). FIG. 25).
  • the film thickness of the interlayer insulating film 51 is reduced as a whole (FIG. 26). The amount of decrease in film thickness is adjusted so that all the thin region 51B is removed and the thick region 51A remains. As a result, the magnetic element M1 embedded in the inner diameter region of the coil portion C is exposed.
  • the magnetic element M2 is formed so as to cover the interlayer insulating film 51 (FIG. 27). Then, when the support 70 is peeled off and separated into individual pieces by dicing, the coil component 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1 is completed.
  • the interlayer insulating film 55 is formed by applying the resin material containing the magnetic filler, the interlayer insulating films 51 to 55 are all made of a non-magnetic material. In comparison, it is possible to obtain a high inductance value without increasing the overall thickness.
  • the interlayer insulating film 51 is laminated on the surface of the metal foil 63 provided with the protrusion 63a, the shape of the protrusion 63a is transferred to the interlayer insulating film 51. As a result, a thick region 51A and a thin region 51B are formed in the interlayer insulating film 51, so that the thickness of the interlayer insulating film 51 can be further reduced by the ashing treatment shown in FIG. It becomes. As a result, the height of the coil component 1 can be reduced.

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Abstract

【課題】スパイラル状のコイルパターンが積層された構造を有するコイル部品において、全体の厚みを薄くしつつ、高いインダクタンス値を得る。 【解決手段】コイル部品１は、層間絶縁膜５１～５５とスパイラル状に巻回されたコイルパターンＣＰ１～ＣＰ４が軸方向に交互に積層された構造を有するコイル部Ｃと、コイル部Ｃを埋め込む磁性素体Ｍ１～Ｍ３とを備える。軸方向における一端に位置するコイルパターンＣＰ４を軸方向における一端側から覆う層間絶縁膜５５は、他の層間絶縁膜５１～５４よりも透磁率が高い。このように、端部に位置するコイルパターンＣＰ４が透磁率の高い層間絶縁膜５５で覆われていることから、全体の厚みを薄くしたまま、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。

Description

コイル部品及びその製造方法
　本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、スパイラル状のコイルパターンが積層された構造を有するコイル部品及びその製造方法に関する。
　スパイラル状のコイルパターンが積層された構造を有するコイル部品としては、特許文献１に記載されたコイル部品が知られている。特許文献１に記載されたコイル部品は、球状磁性フィラーを含有する第１磁性樹脂層によってコイルパターンを埋め込むとともに、扁平磁性フィラーを含有する第２磁性樹脂層によってコイルパターンを積層方向に挟み込んだ構造を有している。
　このように、特許文献１に記載されたコイル部品は、コイルパターンが磁性樹脂層に埋め込まれていることから、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
特開２０１９－１４０２０２号公報
　しかしながら、特許文献１においては、第１磁性樹脂層の外側にさらに第２磁性樹脂層を配置していることから、コイル部品の全体の厚みが大きくなるという問題があった。
　したがって、本発明は、スパイラル状のコイルパターンが積層された構造を有するコイル部品及びその製造方法において、全体の厚みを薄くしつつ、高いインダクタンス値を得ることを目的とする。
　本発明によるコイル部品は、複数の層間絶縁膜とスパイラル状に巻回された複数のコイルパターンが軸方向に交互に積層された構造を有するコイル部と、コイル部を埋め込む磁性素体とを備え、複数の層間絶縁膜は、複数のコイルパターンのうち軸方向における一端に位置する第１のコイルパターンを軸方向における一端側から覆う第１の層間絶縁膜と、複数のコイルパターンのうち残りのコイルパターンを覆う第２の層間絶縁膜とを有し、第１の層間絶縁膜は、第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とする。
　本発明によれば、端部に位置する第１のコイルパターンが透磁率の高い第１の層間絶縁膜で覆われていることから、全体の厚みを薄くしたまま、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
　本発明において、磁性素体は第１の層間絶縁膜よりも透磁率が高くても構わない。これによれば、より高いインダクタンス値を得ることが可能となる。しかも、第１の層間絶縁膜の材料として、熱膨張係数が磁性素体に近い材料を用いれば、第１の層間絶縁膜と磁性素体の界面における剥離を防止することも可能となる。
　本発明において、第１の層間絶縁膜は磁性素体と同じ磁性材料からなるものであっても構わない。これによれば、第１の層間絶縁膜と磁性素体の熱膨張係数が一致することから、第１の層間絶縁膜と磁性素体の界面における剥離をより効果的に防止することが可能となる。
　本発明において、第１の層間絶縁膜は樹脂材料に磁性フィラーが添加された磁性樹脂材料からなり、磁性フィラーの最大粒径は、第１のコイルパターンのパターン間隔よりも小さくても構わない。これによれば、第１のコイルパターンのパターン間に磁性フィラーが入り込むことから、より高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
　本発明において、磁性フィラーは、平均粒径が１μｍ以下の金属磁性体からなるナノフィラーを含んでいても構わない。これによれば、第１のコイルパターンのパターン間に磁性フィラーがより入り込みやすくなる。
　本発明において、第１のコイルパターンの断面は、軸方向における一端側に向かって細くなるテーパー形状を有していても構わない。これによれば、第１のコイルパターンのパターン間に磁性フィラーがより入り込みやすくなる。
　本発明において、コイル部は第１のコイルパターンと同じ導体層に位置する電極パターンを含み、電極パターンは、第１の層間絶縁膜と接し、且つ、磁性素体から露出していても構わない。これによれば、コイル部品の放熱性が向上する。
　本発明において、複数の層間絶縁膜は、複数のコイルパターンのうち軸方向における他端に位置する第２のコイルパターンを軸方向における他端側から覆う第３の層間絶縁膜をさらに有し、第３の層間絶縁膜は、第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高くても構わない。これによれば、端部に位置する第３のコイルパターンが透磁率の高い第３の層間絶縁膜で覆われていることから、全体の厚みを薄くしたまま、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
　本発明によるコイル部品の製造方法は、複数の層間絶縁膜とスパイラル状に巻回された複数のコイルパターンを軸方向に交互に積層することによってコイル部を形成する第１の工程と、コイル部を磁性素体によって埋め込む第２の工程とを備え、複数のコイルパターンは、最後に形成する第１のコイルパターンと残りの第２のコイルパターンを含み、複数の層間絶縁膜は、第１及び第２の層間絶縁膜を含み、第１の工程は、第２のコイルパターンと第２の層間絶縁膜を交互に形成する工程と、第１のコイルパターンを形成した後、第１のコイルパターンを第１の層間絶縁膜で覆う工程とを含み、第１の層間絶縁膜は、第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とする。
　本発明によれば、端部に位置する第１のコイルパターンが透磁率の高い第１の層間絶縁膜で覆われることから、全体の厚みが薄く、且つ、インダクタンス値の高いコイル部品を作製することが可能となる。
　このように、本発明によれば、スパイラル状のコイルパターンが積層された構造を有するコイル部品及びその製造方法において、全体の厚みを薄くしつつ、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
図１は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための略断面図である。 図２は、コイル部Ｃの部分断面図である。 図３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図１９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。 図２７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
　以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
　図１は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための略断面図である。
　本発明の一実施形態によるコイル部品１は、電源回路用のインダクタとして用いることが好適な表面実装型のチップ部品であり、図１に示すように、磁性素体Ｍ１～Ｍ３と、磁性素体Ｍ１～Ｍ３に埋め込まれたコイル部Ｃとを備える。コイル部Ｃの構成については後述するが、本実施形態においてはスパイラル状のコイルパターンを有する導体層が層間絶縁膜を介して４層積層され、これによって１つのコイル導体が形成される。
　磁性素体Ｍ１～Ｍ３は、鉄（Ｆｅ）やパーマロイ系材料などからなる金属磁性フィラーと樹脂バインダーを含む複合部材であり、コイル部Ｃに電流を流すことによって生じる磁束の磁路を構成する。樹脂バインダーとしては、液状又は粉体のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。磁性素体Ｍ１～Ｍ３を構成する材料は、互いに同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。ここで、磁性素体Ｍ１はコイル部Ｃの内径領域に埋め込まれた部分であり、磁性素体Ｍ２はコイル部Ｃを軸方向における一方側（図１に示す下側）から覆う部分であり、磁性素体Ｍ３はコイル部Ｃを軸方向における他方側（図１に示す上側）から覆う部分である。
　図１に示すように、コイル部Ｃは、層間絶縁膜５１～５５と導体層１０，２０，３０，４０が交互に積層された構成を有している。導体層１０，２０，３０，４０はそれぞれスパイラル状のコイルパターンＣＰ１～ＣＰ４を有しており、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４の上面又は下面が層間絶縁膜５１～５５で覆われている。コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４の側面は、それぞれ層間絶縁膜５２～５５の一部で覆われている。ここで、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４の上面及び下面とは、コイル軸に対して垂直な面を指し、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４の側面とは、コイル軸に対して水平又は傾斜した面を指す。
　コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４は、層間絶縁膜５２～５４に形成されたスルーホールを介して互いに接続されることにより、１つのコイル導体を構成している。導体層１０，２０，３０，４０の材料としては、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。本実施形態においては、層間絶縁膜５１～５５のうち、層間絶縁膜５１～５４については非磁性材料が用いられ、最上層に位置する層間絶縁膜５５については磁性材料が用いられる。つまり、層間絶縁膜５５は、層間絶縁膜５１～５４よりも透磁率が高い。最下層に位置する層間絶縁膜５１についても、層間絶縁膜５５と同様の磁性材料を用いても構わない。
　導体層１０は、磁性素体Ｍ２の上面に層間絶縁膜５１を介して形成された１層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ１を含んでいる。導体層１０には、スパイラル状に複数ターン巻回されたコイルパターンＣＰ１と、２つの電極パターン１１，１２が設けられている。コイルパターンＣＰ１の下面は層間絶縁膜５１で覆われ、コイルパターンＣＰ１の側面及び上面は層間絶縁膜５２で覆われている。図１に示すように、所定の断面においては、コイルパターンＣＰ１と電極パターン１１が接続されている。これに対し、電極パターン１２はコイルパターンＣＰ１とは独立して設けられている。電極パターン１１，１２は磁性素体Ｍ１～Ｍ３から露出している。
　導体層２０は、導体層１０の上面に層間絶縁膜５２を介して形成された２層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ２を含んでいる。導体層２０には、スパイラル状に複数ターン巻回されたコイルパターンＣＰ２と、２つの電極パターン２１，２２が設けられている。コイルパターンＣＰ２の下面は層間絶縁膜５２で覆われ、コイルパターンＣＰ２の側面及び上面は層間絶縁膜５３で覆われている。電極パターン２１，２２は、いずれもコイルパターンＣＰ２とは独立して設けられている。電極パターン２１，２２は磁性素体Ｍ１～Ｍ３から露出している。
　導体層３０は、導体層２０の上面に層間絶縁膜５３を介して形成された３層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ３を含んでいる。導体層３０には、スパイラル状に複数ターン巻回されたコイルパターンＣＰ３と、２つの電極パターン３１，３２が設けられている。コイルパターンＣＰ３の下面は層間絶縁膜５３で覆われ、コイルパターンＣＰ３の側面及び上面は層間絶縁膜５４で覆われている。電極パターン３１，３２は、いずれもコイルパターンＣＰ３とは独立して設けられている。電極パターン３１，３２は磁性素体Ｍ１～Ｍ３から露出している。
　導体層４０は、導体層３０の上面に層間絶縁膜５４を介して形成された４層目の導体層であり、下地であるシード層Ｓ４を含んでいる。導体層４０には、スパイラル状に複数ターン巻回されたコイルパターンＣＰ４と、２つの電極パターン４１，４２が設けられている。コイルパターンＣＰ４の下面は層間絶縁膜５４で覆われ、コイルパターンＣＰ４の側面及び上面は層間絶縁膜５５で覆われている。図１に示すように、所定の断面においては、コイルパターンＣＰ４と電極パターン４２が接続されている。これに対し、電極パターン４１はコイルパターンＣＰ４とは独立して設けられている。電極パターン４１，４２は磁性素体Ｍ１～Ｍ３から露出している。
　そして、コイルパターンＣＰ１の内周端とコイルパターンＣＰ２の内周端は、導体層２０の一部であり層間絶縁膜５２を貫通して設けられたビア導体を介して接続される。また、コイルパターンＣＰ２の外周端とコイルパターンＣＰ３の外周端は、導体層３０の一部であり層間絶縁膜５３を貫通して設けられたビア導体を介して接続される。さらに、コイルパターンＣＰ３の内周端とコイルパターンＣＰ４の内周端は、導体層４０の一部であり層間絶縁膜５４を貫通して設けられたビア導体を介して接続される。これにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４が直列に接続され、複数ターンからなるコイル導体が形成される。また、電極パターン１１，２１，３１，４１は一方の外部端子として用いられ、電極パターン１２，２２，３２，４２は他方の外部端子として用いられる。
　以上が本実施形態によるコイル部品１の構造である。このように、本実施形態によるコイル部品１は、コイル部Ｃが磁性素体Ｍ１～Ｍ３によって埋め込まれていることから、磁性素体Ｍ１～Ｍ３が磁路となり、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。しかも、最上層のコイルパターンＣＰ４を覆う層間絶縁膜５５は、磁性材料によって構成されているため、別の磁性層など追加することなく、インダクタンス値をより高めることが可能となる。特に、層間絶縁膜５５が内径領域に突出する突出部５５ａを有している場合には、この部分が磁気抵抗となってインダクタンス値が低下することがあるが、本実施形態によるコイル部品１では、層間絶縁膜５５が磁性材料からなるため、層間絶縁膜５５が突出部５５ａを有している場合であっても、インダクタンス値の低下を抑えることが可能となる。また、最下層に位置する層間絶縁膜５１の材料として、層間絶縁膜５５と同様の磁性材料を用いれば、突出部５１ａに起因するインダクタンス値の低下を抑えることが可能となる。
　層間絶縁膜５５としては、樹脂材料に磁性フィラーを添加した磁性樹脂材料を用いることができる。これによれば、磁性フィラーの種類、添加量、粒径などによって、磁気特性や絶縁性を調整することができる。層間絶縁膜５５の磁気特性を高めるためには、磁性素体Ｍ１～Ｍ３と同様、鉄（Ｆｅ）やパーマロイ系材料などからなる金属磁性フィラーを添加すれば良いが、層間絶縁膜５５はコイルパターンＣＰ４と直接接するため、磁性素体Ｍ１～Ｍ３よりも高い絶縁性が求められる。層間絶縁膜５５の絶縁性を高める方法としては、樹脂材料に添加する磁性フィラーの量を磁性素体Ｍ１～Ｍ３に比べて少なくする、或いは、樹脂材料に添加する磁性フィラーの粒径を磁性素体Ｍ１～Ｍ３に比べて小さくするなどの方法が挙げられる。この場合、層間絶縁膜５５の透磁率は、磁性素体Ｍ１～Ｍ３の透磁率よりも低くなるものの、非磁性材料を用いた一般的な樹脂材料に比べれば高い透磁率が得られることから、インダクタンス値を高めることが可能となる。また、絶縁性が確保される限り、層間絶縁膜５５は磁性素体Ｍ１～Ｍ３が同じ磁性材料からなるものであっても構わない。
　また、層間絶縁膜５５は、磁性素体Ｍ１，Ｍ３と同種の材料からなるため、熱膨張係数の差を抑えることができる。これにより、層間絶縁膜５５と磁性素体Ｍ１，Ｍ３の界面における剥離を防止することが可能となる。特に、層間絶縁膜５５と磁性素体Ｍ１，Ｍ３が同じ磁性材料からなる場合には、両者の熱膨張係数が完全に一致することから、両者の界面における剥離は非常に生じにくい。
　ここで、層間絶縁膜５５に含まれる磁性フィラーの最大粒径は、コイルパターンＣＰ４のパターン間隔よりも小さいことが好ましい。これによれば、コイルパターンＣＰ４のパターン間に磁性フィラーが入り込むことから、より高いインダクタンス値を得ることが可能となる。特に、平均粒径が１μｍ以下の金属磁性体からなるナノフィラーを添加すれば、コイルパターンＣＰ４のパターン間にナノフィラーが容易に入り込む。
　コイルパターンＣＰ４のパターン間に磁性フィラーが入り込みやすくするためには、部分断面図である図２に示すように、コイルパターンＣＰ４の断面をテーパー形状とすればよい。つまり、層間絶縁膜５４と接する底部におけるパターン間隔をＷ２とし、底部と反対側の上部におけるパターン間隔をＷ１とした場合、Ｗ１＞Ｗ２であり、且つ、底部から上部に向かって細くなるテーパー形状を持たせればよい。他のコイルパターンＣＰ１～ＣＰ３についてもテーパー形状を有していても構わない。つまり、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の底部におけるパターン間隔をＷ４とし、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の上部におけるパターン間隔をＷ３とした場合、Ｗ３＞Ｗ４であっても構わない。この場合であっても、コイルパターンＣＰ４のテーパー形状をより大きく、つまり、（Ｗ１－Ｗ２）＞（Ｗ３－Ｗ４）とすることにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ３の断面積を十分に確保しつつ、コイルパターンＣＰ４のパターン間に磁性フィラーを入り込みやすくすることが可能となる。
　次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。
　図３～図２７は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図３～図２７に示す工程図は、１個のコイル部品１に対応する断面を示しているが、実際には、集合基板を用いて多数のコイル部品１を同時に作製することによって多数個取りすることができる。
　まず、基材６１の表面に銅（Ｃｕ）などの金属箔６２，６３が設けられた支持体６０を用意する（図３）。金属箔６２と金属箔６３の界面には剥離層が設けられている。次に、金属箔６３をパターニングすることによって、金属箔６３に突起部６３ａを形成する（図４）。
　次に、突起部６３ａが設けられた金属箔６３の表面に、層間絶縁膜５１及び金属箔６４を形成する（図５）。層間絶縁膜５１及び金属箔６４の形成は、ラミネート法によって行うことができる。これにより、突起部６３ａの形状が層間絶縁膜５１に転写され、層間絶縁膜５１には膜厚の厚い領域５１Ａと膜厚の薄い領域５１Ｂが形成される。
　次に、エッチングにより金属箔６４を除去した後（図６）、無電解メッキによって層間絶縁膜５１の表面にシード層Ｓ１を形成する（図７）。シード層Ｓ１を形成する代わりに、金属箔６４をそのままシード層として用いても構わないが、シード層Ｓ１はできる限り薄いことが望ましいため、金属箔６４を除去した後、より薄いシード層Ｓ１を新たに成膜することが好ましい。
　次に、シード層Ｓ１の表面にレジストパターンＲ１を形成する（図８）。レジストパターンＲ１は、導体層１０のネガパターンである。この状態で、電解メッキによってシード層Ｓ１を成長させることにより、導体層１０を形成する（図９）。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域には、犠牲パターンＶＰ１が形成される。犠牲パターンＶＰ１は、層間絶縁膜５１のうち膜厚の薄い領域５１Ａが完全に重なり、且つ、膜厚の厚い領域５１Ｂが一部重なるよう、レジストパターンＲ１の位置が調整される。
　次に、レジストパターンＲ１を剥離した後（図１０）、レジストパターンＲ１の剥離部分に露出するシード層Ｓ１をエッチングにより除去する（図１１）。これにより、コイルパターンＣＰ１と犠牲パターンＶＰ１がスパイラル状のスリットＳＬによって電気的に分離される。次に、スリットＳＬを埋めるよう、導体層１０の表面に層間絶縁膜５２及び金属箔６５を形成する（図１２）。層間絶縁膜５２及び金属箔６５の形成は、ラミネート法によって行うことができる。次に、金属箔６５の表面にレジストパターンＲ２を形成し（図１３）、レジストパターンＲ２をマスクとして金属箔６５をエッチングする（図１４）。これにより、犠牲パターンＶＰ１と重なる部分の金属箔６５が除去される。
　次に、レジストパターンＲ２を剥離した後（図１５）、金属箔６５をマスクとしてブラスト加工することにより、犠牲パターンＶＰ１を露出させる（図１６）。次に、金属箔６５を除去した後（図１７）、レーザー加工によって層間絶縁膜５２に開口部５２ａを形成する（図１８）。以上の工程により、導体層１０及び層間絶縁膜５２の形成が完了する。
　その後、図７～図１８に示す工程を繰り返すことにより、導体層２０、層間絶縁膜５３、導体層３０、層間絶縁膜５４、導体層４０を順次形成する（図１９）。導体層２０，３０，４０には、犠牲パターンＶＰ１と重なる犠牲パターンＶＰ２～ＶＰ４が含まれている。次に、導体層４０を覆う層間絶縁膜５５を形成する（図２０）。層間絶縁膜５５の形成は、磁性フィラーが配合された樹脂材料を塗布することによって行うことができる。次に、層間絶縁膜５５をパターニングすることによって犠牲パターンＶＰ４を露出させる（図２１）。この状態でウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンＶＰ１～ＶＰ４を除去する（図２２）。コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４については、層間絶縁膜５１～５５で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、コイルパターンＣＰ１～ＣＰ４の内径領域には、空間Ｓが形成される。
　次に、この空間Ｓを埋める磁性素体Ｍ１，Ｍ３を形成する（図２３）。次に、金属箔６２と金属箔６３の界面を剥離することによって支持体６０を除去し、上下反転させて支持体７０を貼り付けた後（図２４）、エッチングにより金属箔６３を除去する（図２５）。この状態でアッシング処理を行うことにより、層間絶縁膜５１の膜厚を全体的に減少させる（図２６）。膜厚の減少量は、膜厚の薄い領域５１Ｂが全て除去され、且つ、膜厚の厚い領域５１Ａが残存する量に調整する。これにより、コイル部Ｃの内径領域に埋め込まれた磁性素体Ｍ１が露出する。
　次に、層間絶縁膜５１を覆うように磁性素体Ｍ２を形成する（図２７）。そして、支持体７０を剥離し、ダイシングによって個片化すれば、図１に示した本実施形態によるコイル部品１が完成する。
　このように、本実施形態においては、磁性フィラーが配合された樹脂材料を塗布することによって層間絶縁膜５５を形成していることから、層間絶縁膜５１～５５が全て非磁性材料からなる場合と比べて、全体の厚みを増加させることなく、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。
　また、本実施形態においては、突起部６３ａが設けられた金属箔６３の表面に層間絶縁膜５１をラミネートしていることから、突起部６３ａの形状が層間絶縁膜５１に転写される。これにより、層間絶縁膜５１に膜厚の厚い領域５１Ａと膜厚の薄い領域５１Ｂが形成されることから、図２６に示すアッシング処理によって、層間絶縁膜５１の膜厚をより薄くすることが可能となる。これにより、コイル部品１を低背化することができる。
　以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
１　　コイル部品
１０，２０，３０，４０　　導体層
１１，１２，２１，２２，３１，３２，４１，４２　　電極パターン
５１～５５　　層間絶縁膜
５１Ａ　　膜厚の厚い領域
５１Ｂ　　膜厚の薄い領域
５１ａ　　突出部
５２ａ　　開口部
５５ａ　　突出部
６０　　支持体
６１　　基材
６２～６５　　金属箔
６３ａ　　突起部
７０　　支持体
Ｃ　　コイル部
ＣＰ１～ＣＰ４　　コイルパターン
Ｍ１～Ｍ３　　磁性素体
Ｒ１，Ｒ２　　レジストパターン
Ｓ　　空間
Ｓ１～Ｓ４　　シード層
ＳＬ　　スリット
ＶＰ１～ＶＰ４　　犠牲パターン

Claims (9)

  1. 　複数の層間絶縁膜とスパイラル状に巻回された複数のコイルパターンが軸方向に交互に積層された構造を有するコイル部と、
    　前記コイル部を埋め込む磁性素体と、を備え、
    　前記複数の層間絶縁膜は、前記複数のコイルパターンのうち前記軸方向における一端に位置する第１のコイルパターンを前記軸方向における前記一端側から覆う第１の層間絶縁膜と、前記複数のコイルパターンのうち残りのコイルパターンを覆う第２の層間絶縁膜とを有し、
    　前記第１の層間絶縁膜は、前記第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とするコイル部品。
  2. 　前記磁性素体は、前記第１の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
  3. 　前記第１の層間絶縁膜は、前記磁性素体と同じ磁性材料からなることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
  4. 　前記第１の層間絶縁膜は、樹脂材料に磁性フィラーが添加された磁性樹脂材料からなり、
    　前記磁性フィラーの最大粒径は、前記第１のコイルパターンのパターン間隔よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
  5. 　前記磁性フィラーは、平均粒径が１μｍ以下の金属磁性体からなるナノフィラーを含むことを特徴とする請求項４に記載のコイル部品。
  6. 　前記第１のコイルパターンの断面は、前記軸方向における前記一端側に向かって細くなるテーパー形状を有していることを特徴とする請求項４又は５に記載のコイル部品。
  7. 　前記コイル部は、前記第１のコイルパターンと同じ導体層に位置する電極パターンを含み、
    　前記電極パターンは、前記第１の層間絶縁膜と接し、且つ、前記磁性素体から露出していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のコイル部品。
  8. 　前記複数の層間絶縁膜は、前記複数のコイルパターンのうち前記軸方向における他端に位置する第２のコイルパターンを前記軸方向における前記他端側から覆う第３の層間絶縁膜をさらに有し、
    　前記第３の層間絶縁膜は、前記第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のコイル部品。
  9. 　複数の層間絶縁膜とスパイラル状に巻回された複数のコイルパターンを軸方向に交互に積層することによってコイル部を形成する第１の工程と、
    　前記コイル部を磁性素体によって埋め込む第２の工程と、を備え、
    　前記複数のコイルパターンは、最後に形成する第１のコイルパターンと、残りの第２のコイルパターンを含み、
    　前記複数の層間絶縁膜は、第１及び第２の層間絶縁膜を含み、
    　前記第１の工程は、前記第２のコイルパターンと前記第２の層間絶縁膜を交互に形成する工程と、前記第１のコイルパターンを形成した後、前記第１のコイルパターンを前記第１の層間絶縁膜で覆う工程とを含み、
    　前記第１の層間絶縁膜は、前記第２の層間絶縁膜よりも透磁率が高いことを特徴とするコイル部品の製造方法。
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