WO2021162100A1

WO2021162100A1 - Ｒｆタグ及びその使用方法、並びに、アンテナ

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Publication number: WO2021162100A1
Application number: PCT/JP2021/005290
Authority: WO
Inventors: 布士人山口; 和磨小松; 浩晃小山
Original assignee: 旭化成株式会社
Priority date: 2020-02-13
Filing date: 2021-02-12
Publication date: 2021-08-19
Also published as: JPWO2021162100A1; CN219225549U

Abstract

基材と、前記基材上に配設されたアンテナ部と、前記アンテナ部に電気的に接続された半導体素子と、前記アンテナ部と前記半導体素子との少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、前記アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、前記接着層を前記アンテナ部から引き剥がしたときに、前記接着層は、前記導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の一部以外の前記導電性細線の他部を含む第２の分離部が前記基材に残存する、ＲＦタグ。

Description

ＲＦタグ及びその使用方法、並びに、アンテナ

　本発明は、ＲＦタグ及びその使用方法、並びに、ＲＦタグに用いられるアンテナに関する。

　例えば、自動車において、テレビ電波やＦＭ電波等の各種電波、カーナビゲーションシステムに用いられるＧＰＳ（global positioning system）衛星からの位置座標情報に関する電波等を受信するためのアンテナとして、フロントガラス等に設置されるフィルムアンテナが知られている。

　また、フィルムアンテナは、輸送、搬送、製造、廃棄物管理、郵便物の追跡、航空機での手荷物照合、及び有料道路の通行料金管理を含む、多くの産業において幅広く使用される無線周波数識別（ＲＦＩＤ）技術にも使用される。ＲＦＩＤタグ及びラベルは、供給元から顧客に、及び顧客のサプライチェーンを通じて、配送を追跡するために有用である。

　このようなフィルムアンテナとして、アンテナを導電性パターンにより形成することで、導電性パターンの不可視性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１～４、１１参照）。

　さらに、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）技術は、物品の配送追跡に加え、物品が最終顧客（ユーザ）に届いた後に、ユーザによる物品の使用状況に応じたサービスを提供する用途としても使用される。例えば、ＲＦＩＤタグを用いて消費財の使用量を推定することによりユーザに購入通知を定期的に送信したり（例えば、特許文献５を参照）、ＲＦＩＤタグを、開封時に断線するように包装容器に配置することにより、開封有無を確認（例えば、特許文献６を参照）する用途が挙げられる。

　また、このようなＲＦＩＤタグの使用において、タグの表面に強粘着層を形成し接着して使用する際、ＲＦＩＤを破損させ、再利用を抑制するＲＦＩＤタグが提案されている（例えば、特許文献７～１０参照）。

特開２０１１－６６６１０号公報特開２０１１－９１７８８号公報特開２０１７－１７５５４０号公報特開２０１６－１０５６２４号公報国際公開第２０１７／１２７３９６号国際公開第２０１８／１０３１７９号米国特許公報２０１３－００６８８４２号明細書特開２０１９－００９７０１号公報特開２００９－０７５７１１号公報特開２０１４－１３４９９７号公報特開２０１０－２３９２５９号公報

　上述のように、ＲＦタグは、物品の流通管理のみならず、ユーザエクスペリエンスの向上のためにも用いられている。

　ここで、ＲＦタグ設けられている半導体素子には、ＲＦタグの使用用途およびその使用環境に応じた所定の情報が記憶されている。そのなかには、漏洩を防止したい情報、例えば、ユーザの生活環境が推定されるような個人情報に準じる情報が含まれている場合がある。そのため、使用後のＲＦタグから情報が抜き取られないようにする機能が望まれる。

　従来技術においては、ＲＦＩＤタグを接着する接着層や基材層の一部に易破壊性を持たせ、ＲＦＩＤタグを、接着層または基材層の剥離時に破壊するように構成したり、接着層または基材層の剥離時に、ＲＦＩＤタグを構成するアンテナ等の機能部品を貼り付け対象物側に残存させたりすることで、ＲＦＩＤタグの再利用を抑制しようとしていたが、十分なＲＦＩＤタグの破壊が生じず、結果として、ＲＦＩＤタグの再利用を十分に抑制できない課題があった。例えば、接着層に強接着層と弱接着層を形成する技術（例えば、特許文献８参照）においては、弱粘着層との界面のみで剥離が起き、ＲＦＩＤタグ自体が破壊されず、再利用を抑制できない傾向があった。また、基材層に易破壊層を形成する技術（例えば、特許文献９参照）においても、基材の易破壊層の破壊が優先的に置き、結果として、ＲＦＩＤタグの機能を損ない状態で剥離され、同様に再利用を抑制できない傾向があった。

　これらの課題の本質は、易剥離層や易破壊層をＲＦＩＤの面外に設けたために、ＲＦＩＤ自体の破壊が困難となることであった。

　本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、第１実施形態として、ＲＦタグを構成するアンテナ部が確実に破壊され、それを容易に検知できることとすることで、ＲＦＩＤタグの再利用を抑制できるＲＦタグ及びその使用方法、並びに、ＲＦタグに用いられるアンテナを提供することを目的とする。

　また、上記特許文献１～４、１１によれば、透明アンテナと表現されているものの、実施例等の具体的な態様によれば、その線幅が大きく、導電性細線が目視できる程度の大きさである。上記特許文献に記載の導電性細線によってアンテナを形成する場合、導電性細線を構成する細線を目視することができるため、アンテナが形成されている領域が視認される。

　特許文献１１では、線幅５～１００μｍの金属細線パターン層からなるアンテナエレメント以外の部分に、該アンテナエレメントと同等の透過率及び色度を有するダミー配線層が配置されてなる、透明平面アンテナが記載されている。ダミー配線を形成することにより、意匠性の良好なものにすることができるとされている。しかしながら、導電性細線を視認できるため、ダミー配線層を形成したとしても、導電性細線の配線は変わらず視認でき、また、ダミー配線層の細線も視認できる。

　これに対して、例えば、導電性細線の線幅を５．０μｍ以下とすることにより、導電性細線の不可視性が向上する。このため、当該線幅の導電性細線により、透明基材上にアンテナを形成すれば、視認性の低いアンテナが得られるものと期待される。しかしながら、実際に、当該範囲の線幅の導電性細線によりアンテナを形成すると、導電性パターンを構成する細線が視認できなくても、導電性細線が形成された領域は、可視光透過率が減少したり、その細線の材料に起因して色調に変化が生じたりするため、他の領域と目視で区別できることが分かった。

　本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、第２実施形態及び第３実施形態として、アンテナ部の視認性を低減させた、透明アンテナ及びＲＦタグを提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記課題を可決するために鋭意検討した。その結果、ＲＦタグのインレットを基材と接着層の間に挟持し、接着層を剥がしたときにＲＦタグを構成するアンテナ部の導電性細線が接着層側と基材側に、各々分離するようにインレットが破壊されるようにし、かつ、その状態を容易に検知できるようにすることで、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明に係る第１実施形態は、以下のとおりである。
〔１〕
　基材と、
　前記基材上に配設されたアンテナ部と、
　前記アンテナ部に電気的に接続された半導体素子と、
　前記アンテナ部と前記半導体素子との少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、
　前記アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、
　前記接着層を前記アンテナ部から引き剥がしたときに、前記接着層は、前記導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の一部以外の前記導電性細線の他部を含む第２の分離部が前記基材に残存する、
　ＲＦタグ。
〔２〕
　前記第１の分離部は、前記半導体素子を含む、
　〔１〕に記載のＲＦタグ。
〔３〕
　前記第２の分離部は、前記半導体素子を含む、
　〔１〕に記載のＲＦタグ。
〔４〕
　前記第１の分離部は、前記導電性細線の一部であって、前記導電性細線の高さ方向における前記接着層側の一部を含み、前記第２の分離部は、前記導電性細線の他部であって、前記接着層側の一部に対応する前記基材側の他部を含む、
　〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のＲＦタグ。
〔５〕
　前記アンテナ部が、導電性細線を有する導電性パターンを有し、
　該導電性パターンの可視光透過率Ｔｒ_１が８０％以上である、
　〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のＲＦタグ。
〔６〕
　前記導電性細線のギャップＧ_２が、６０μｍ以上３００μｍ以下である、
　〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のＲＦタグ。
〔７〕
　前記基材が、透明基材である、
　〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のＲＦタグ。
〔８〕
　前記基材が第１主面及び第２主面を有する透明基材であり、
　前記導電性細線を有する細線パターン部は、下記（ｉ）、及び（ｉｉ）のいずれかの要件を満たす、
　〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のＲＦタグ。
　（ｉ）前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された第２パターンにより構成される透過率調整部を備え、
　前記透過率調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の可視光透過率Ｔｒ_２１と前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値　｜（Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１）｜が、１０％以下である、
　（ｉｉ）前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された色調調整部を備え、
　前記色調調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）と前記アンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√[（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）²＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）²＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）²]）が、１０以下である。
〔９〕
　基材と、
　前記基材上に配設されたアンテナ部と、
　前記アンテナ部の少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、
　前記アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、
　前記接着層を、前記アンテナ部から引き剥がしたときに、前記接着層は、前記導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の一部以外の前記導電性細線の他部を含む第２の分離部が前記基材に残存する、
　アンテナ。
〔１０〕
　〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のＲＦタグと、
　該ＲＦタグが付された対象物と、を備える、
　ＲＦタグ付帯物。
〔１１〕
　〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のＲＦタグの使用方法であって、
　基材と接着層を引き剥がすことで、アンテナ部の少なくとも一部を連れ去り、前記ＲＦタグを破壊する、
　ＲＦタグの使用方法。

　また、本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、所定の透過率調整部を設けることにより、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明に係る第２実施形態は、以下のとおりである。
〔１〕
　第１主面及び第２主面を有する透明基材と、
　前記透明基材の前記第１主面上に配設された、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する第１パターンにより構成されるアンテナ部と、
　前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された第２パターンにより構成される透過率調整部と、
を備え、
　前記透過率調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の可視光透過率Ｔｒ_２１と前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜が、１０％以下である、
　透明アンテナ。
〔２〕
　前記第２パターンが、導電性細線により構成される、
　〔１〕に記載の透明アンテナ。
〔３〕
　前記第２パターンが、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する、
　〔２〕に記載の透明アンテナ。
〔４〕
　透明基材の周縁部の可視光透過率Ｔｒ_２２が、前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１よりも大きい、
　〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔５〕
　前記可視光透過率Ｔｒ_２２が、前記可視光透過率Ｔｒ_２１よりも大きく、
　前記第２パターンの可視光透過率は、前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置から、前記透明基材の周縁部まで、段階的に増加する、
　〔４〕に記載の透明アンテナ。
〔６〕
　透明基材の周縁部の可視光透過率Ｔｒ_２２が、前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１よりも小さい、
　〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔７〕
　前記透過率調整部は、平面透視において、前記アンテナ部と重ならないよう配置されている、
　〔１〕～〔６〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔８〕
　前記透過率調整部は、平面透視において、前記アンテナ部と、前記透過率調整部の一部が重なるように配置されている、
　〔１〕～〔７〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔９〕
　前記アンテナ部の前記可視光透過率Ｔｒ_１は、８０％以上９９．０％以下であり、且つ、
　前記透過率調整部の前記可視光透過率Ｔｒ_２１は、８５％以上９９．９％以下である、
　〔１〕～〔８〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔１０〕
　前記透過率調整部が、前記第１主面上に配設され、
　前記アンテナ部と、前記透過率調整部との間に形成される非導通領域の幅が５μｍ以上１，０００μｍ以下である、
　〔１〕～〔９〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔１１〕
　〔１〕～〔１０〕のいずれか１項に記載の透明アンテナと、
　前記アンテナ部と電気的に接合される半導体素子と、を備える、
　ＲＦタグ。

　また、本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、所定の色調調整部を設けることにより、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明に係る第３実施形態は、以下のとおりである。
〔１〕
　第１主面及び第２主面を有する透明基材と、
　前記透明基材の前記第１主面上に配設された、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する第１パターンにより構成されるアンテナ部と、
　前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された色調調整部と、
を備え、
　前記色調調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）と前記アンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√〔（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）²＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）²＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）²〕）が、１０以下である、
　透明アンテナ。
〔２〕
　前記色調調整部が、第２パターンにより構成される、
　〔１〕に記載の透明アンテナ。
〔３〕
　前記第２パターンが、導電性細線により構成される、
　〔２〕に記載の透明アンテナ。
〔４〕
　前記第２パターンが、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する、
　〔３〕に記載の透明アンテナ。
〔５〕
　前記色調調整部は、平面透視において、前記アンテナ部と重ならないよう配置されている、
　〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔６〕
　前記色調調整部は、平面透視において、前記アンテナ部と、前記色調調整部の一部が重なるように配置されている、
　〔１〕～〔５〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔７〕
　前記色調調整部が、前記第１主面上に配設され、
　前記アンテナ部と前記色調調整部との間に形成される非導通領域の幅が、５μｍ以上１，０００μｍ以下である、
　〔１〕～〔６〕のいずれか１項に記載の透明アンテナ。
〔８〕
　〔１〕～〔７〕のいずれか１項に記載の透明アンテナと、
　前記アンテナ部と電気的に接合される半導体素子と、
を備える、ＲＦタグ。

　本発明の第１実施形態によれば、ＲＦタグ及びその使用方法、並びに、ＲＦタグに用いられるアンテナを提供することができる。

　また、本発明の第２実施形態及び第３実施形態によれば、アンテナ部の視認性を低減させた、透明アンテナ及びＲＦタグを提供することができる。

第１実施形態のＲＦタグの一態様を示す断面図である。第１実施形態のＲＦタグの接着層が形成される前の一態様を示す平面図である。図２のＳ１ａの拡大図である。図３のＳ２の拡大図（ａ）である。図３のＳ３の拡大図（ａ）である。第１実施形態～第３実施形態における導電性細線の断面を示す概略図である。第１実施形態～第３実施形態における導電性細線の断面を示す他の概略図である。第２実施形態に係る透明アンテナ１の概略構成図である。第２実施形態におけるアンテナ部１３及び集電部１２の別形態を示す概略構成図である。アンテナ部１３を構成する第１パターン１３１を示す、図８のＳ１部分の拡大図である。第２実施形態における第１パターン１３１の別形態を示す概略図である。第２実施形態における透過率調整部１７を構成する第２パターン１５１を示す、図８のＳ２部分の拡大図である。第２実施形態におけるアンテナ部１３と透過率調整部１７との境界を示す、図８のＳ３部分の拡大図である。第２実施形態及び第３実施形態におけるＲＦタグ１００の概略構成図である。第２実施形態及び第３実施形態におけるＲＦタグ１００の概略側面図である。第３実施形態におけるＲＦタグのストレイトタイプの態様を示す平面図である。図１６のＳ１ａの拡大図である。第３実施形態におけるＲＦタグのループタイプの態様を示す平面図である。図１８のＳ１ｂの拡大図である。第３実施形態におけるアンテナ部１３を構成する第１パターン１３１を示す、図１６及び図１８のＳ１部分の拡大図である。第３実施形態における第１パターン１３１の別形態を示す概略図である。第３実施形態における色調調整部１８を構成する第２パターン１５１を示す、図１６及び図１８のＳ２部分の拡大図である。第３実施形態におけるアンテナ部１３と色調調整部１８との境界を示す、図１６及び図１８のＳ３部分の拡大図である。実施例１の導電性細線の断面を示すＳＥＭ写真である。実施例２において、接着層の引き剥がしにより、剥離・破壊された導電性細線の状態を示すＳＥＭ写真である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

＜＜第１実施形態＞＞
〔ＲＦタグ〕
　第１実施形態のＲＦタグは、基材と、基材上に配設されたアンテナ部と、アンテナ部に電気的に接続された半導体素子と、アンテナ部と半導体素子との少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有する。すなわち、第１実施形態のＲＦタグでは、ＲＦタグのインレットの一部が基材と接着層の間に挟持されている。そして、接着層をアンテナ部から引き剥がしたときに、接着層は、導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、導電性細線の一部以外の導電性細線の他部を含む第２の分離部が基材に残存する。これにより、基材から接着層を引きはがすことで、ＲＦタグのインレットを物理的に破壊することができることを容易にし、情報抜き取り防止機能を達成することができる。

　なお、第１実施形態において、第１の分離部とは、アンテナ部を構成する導電性細線のうち、接着層により連れ去られるものであり、第２の分離部とは、アンテナ部を構成する導電性細線のうち、基材に残存するものである。すなわち、第１実施形態においては、導電性細線のすべてが、接着層により連れ去られたり、または、基材に残存したりすることなく、接着層をアンテナ部から引き剥がしたときに、導電性細線が第１の分離部と第２の分離部とに切断される。このような第１の分離部と第２の分離部は、アンテナ部を構成する導電性細線と接着層又は基材層との接着強度や、導電性細線の細さ、あるいは、導電性細線の断面（内部）に空隙が形成される場合には、その空隙等によって形成することができる。

　なお、接着層をアンテナ部から引き剥がしたときに、接着層により連れ去られる第１の分離部が、半導体素子を含んでいてもよいし、基材に残存する第２の分離部が半導体素子を含んでいてもよい。

　また、第１の分離部と第２の分離部は、例えば、一本の導電性細線が高さ方向のいずれかの部分で分離し、一本の導電性細線の基材側の半分が基材に残存し、接着層側の半分が接着層側に連れ去られるように分離してもよい。このような場合には、第１の分離部は、導電性細線の一部であって、導電性細線の高さ方向における接着層側の一部を含み、第２の分離部は、導電性細線の他部であって、接着層側の一部に対応する基材側の他部を含むものとなる。

　このとき、第１の分離部の高さ方向の長さ（厚さ）は、第２分離部の高さ方向の長さ（厚さ）よりも大きくてよい。例えば、導電性細線が空隙を有する場合には、その空隙が多く存在する部分、言い換えれば導電性細線の密度が低い部分において、導電性細線が高さ方向に分離しやすくなる。後述するように、導電性細線において空隙が基材側により多く分布するような場合には、接着層側に連れ去られる第１の分離部の高さ方向の長さ（厚さ）が、基材側に残存する第２分離部の高さ方向の長さ（厚さ）よりも大きくなる。

　図１に、第１実施形態のＲＦタグ１００の一態様を示す断面図を示し、図２に、第１実施形態のＲＦタグの接着層が形成される前の一態様を示す平面図を示す。ＲＦタグ１００は、基材１１と、基材上に形成されたアンテナ部１３と、アンテナ部１３に電気的に接続された半導体素子１４を有する。アンテナ部１３と半導体素子１４とは、集電部１２（接合部１２１）を介して電気的に接続されている。集電部１２は、アンテナ１３部と電気的に接続されるものであり、アンテナ部１３が所定の周波数に応答して発生した電気を、半導体素子１４に向かって集電する部分をいう。また、接合部１２１は、集電部１２のうち、半導体素子１４と接合する部分をいう。以下、集電部１２とその接合部１２１を区別する必要がなく、両方に関するものに関しては、「集電部１２（接合部１２１）」と表記することがある。また、単に「集電部１２」と記載する場合であっても、集電部１２における接合部１２１以外の部分を意味するものではない。

　図３に、図１のＳ１ａの拡大図を示す。図２において、集電部１２は２以上の先端が対向した接合部１２１を有する。この接合部１２１には、異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムなどの異方性導電性接着剤１５などにより、半導体素子１４を電気的に接合することができる。また、アンテナ部１３は、その接合部１２１と電気的に接続され、所定の周波数の電波を受信して半導体素子１４に電気信号を伝えたり、半導体素子１４の出力に応じて所定の周波数の電波を送信したりすることができる。なお、図３では、台形状の集電部１２を示すが、集電部１２の形状はこれに制限されない。一例として、図３における集電部１２は、平面視において半導体素子の投影面積と同等～数倍の面積を有し、接合部１２１に半導体素子１４が接合された際に、集電部１２がほぼ覆われるものが好ましい。この場合、集電部１２は実質的に接合部１２１のみで構成されているともいえる。

　図１には、電池を内蔵しておらず、リーダ・ライタから受信した電波をエネルギー源として動作するパッシブタグであるＲＦタグ１００を示すが、第１実施形態のＲＦタグ１００は、さらに電池（不図示）を内蔵し、その電力を送受信や内部回路用電源として使用するアクティブタグや、その他センサやセンサの電源としての電池を内蔵するセミパッシブタグであってもよい。なお、第１実施形態においてＲＦタグとは、上記アンテナ１０を有することにより特定の周波数の送受信が可能であるものをいう。従って、ＩＣタグと呼ばれるものであっても上記構成を満たすものであれば、第１実施形態におけるＲＦタグに含まれる。

　第１実施形態のＲＦタグ１００は、アンテナ部１３と半導体素子１４との少なくとも一部分を覆うように基材上に形成された接着層１６を有する。接着層１６は基材１１上のアンテナ部１３と半導体素子１４とが形成されていない部分において、基材１１とも接触する。接着層１６は、基材１１から引き剥がしたときに、アンテナ部１３の少なくとも一部又は半導体素子１４の少なくともいずれか一方を連れ去る密着力を有する。これは言い換えると、接着層１６を基材１１から引き剥がしたときに、接着層１６又は基材１１のどちらかに、アンテナ部１３の全部と半導体素子１４からなるインレットのすべてが残らないことを意味する。これにより、引きはがしによってインレットの少なくとも一部が物理的に破壊され、アンテナ部１３による通信が不能になり、使用済みＲＦタグからの情報の抜き取りが防止される。

　第１実施形態のＲＦタグ１００は、対象物に付して用いられる。対象物にＲＦタグ１００が付されたものをＲＦタグ付帯物という。また、ここで、対象物としては、特に制限されないが、例えば、商業的に流通する任意の製品や、製品の包装材などが挙げられる。対象物に接するＲＦタグ１００の面は、基材１１の面であっても接着層１６の面であってもよい。対象物に接するＲＦタグ１００の面を接着層１６の面とする場合、接着層１６は、アンテナ部１３と半導体素子１４との少なくとも一部分を覆う第１の接着面と、第１の接着面とは反対側の第２の接着面とを有するように構成されていてよい。また、ＲＦタグ１００における基材１１面側に、図示しない接着層を設け、対象物に貼り付け可能な接着面として構成されていてもよい。

　上述したように、第１実施形態のＲＦタグ１００の使用方法には、基材１１と接着層１６を引き剥がすことで、アンテナ部１３を構成する導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の前記一部以外の出導電性細線の他部を含む第２の分離部が基材１１に残存し、ＲＦタグ１００を破壊する工程が含まれる。この破壊工程においては、アンテナ部１３の少なくとも一部を対象物に残した状態で、ＲＦタグ１００を前記対象物から剥がす。これにより、情報抜き取り防止機能が達せられる。また、第１実施形態のＲＦタグ１００の使用方法には、上記破壊工程の前にＲＦタグ１００を対象物に付す工程や、対象物に付したＲＦタグ１００を用いて電波の送受信を行う工程が含まれていてもよい。さらに、ＲＦタグ１００を対象物に付す工程に代えて、ＲＦタグ１００が付されたＲＦタグ付帯物を用意する工程を行うこともできる。

　また上記に加え、前記ＲＦタグ１００の破壊時、半導体素子１４が接着層１６により連れ去られることもＲＦタグ１００の機能が完全に破壊され、ＲＦタグの再利用による情報抜き取りを防止できるので好ましい。以下、各構成について詳説する。

〔接着層〕
　上記のような情報抜き取り防止機能を達成するための接着層１６の態様としては、接着層１６の密着力は、少なくとも、アンテナ部１３を構成する少なくとも一部の導電性細線の破断強度よりも高いことが好ましい。

　さらに加えて、以下の態様が挙げられる。例えば、接着層１６がアンテナ部１３と半導体素子１４を覆うものである場合、アンテナ部１３に対しては、接着層１６の密着力が基材１１との密着力よりも高く、半導体素子１４に対しては、接着層１６の密着力が基材１１との密着力よりも低い態様と、アンテナ部１３に対しては、接着層１６の密着力が基材１１の密着力よりも低く、半導体素子１４に対しては、接着層１６の密着力が基材１１の密着力よりも高い態様が挙げられる。

　上記態様においても、アンテナ部１３を構成する少なくとも一部の導電性細線の破断強度が、接着層１６とアンテナ部との密着力よりも低いことが好ましい。アンテナ部１３を構成する少なくとも一部の導電性細線の破断強度が、接着層１６との密着力を下回ることで、接着層１６の剥離時に、アンテナ部１３を構成する一部の導電性細線の破壊が促進され、本発明の効果であるＲＦタグの破壊による情報抜き取り防止機能が達成される。

　また、接着層１６がアンテナ部１３を覆い、半導体素子１４を覆わないものである場合、アンテナ部１３に対しては、接着層１６の密着力が基材１１の密着力よりも高い態様が挙げられる。さらに、接着層１６がアンテナ部１３を覆わず、半導体素子１４を覆うものである場合、半導体素子１４に対しては、接着層１６の密着力が基材１１の密着力よりも高い態様が挙げられる。

　接着層１６がアンテナ部１３を覆う場合、接着層１６はアンテナ部１３の全体を覆うものであってもよいし、一部を覆うものであってもよい。一部を覆うような態様であっても、接着層１６を基材１１から引き剥がしたときに、アンテナ部１３の一部が欠損することでアンテナ部１３による通信が不能となる。接着層１６がアンテナ部１３の一部を覆う態様としては、特に制限されないが、例えば、アンテナ部１３のうち半導体素子１４と離れている側を覆う態様と、アンテナ部１３のうち半導体素子１４に近い側を覆う態様が挙げられる。

　上記接着層１６が、アンテナ部１３の一部を覆う場合でも、前記したように、アンテナ部１３の破断強度が、接着層１６の破断強度よりも低いことが好ましく、本発明の効果である情報抜き取り防止機能が達成される。

　接着層１６のアンテナ部１３又は半導体素子１４への密着力は、接着層１６を構成する接着成分や、接着時の加熱や加圧などの条件によって調整することができる。また、基材１１のアンテナ部１３又は半導体素子１４への密着力は、基材１１を構成する材料や、基材１１が後述する第１最外層などを有する場合には、その最外層を構成する成分、あるいは、アンテナ部１３や集電部１２（接合部１２１）を形成する際の条件によって調整することができる。

　なお、上記において半導体素子１４に対する基材１１の密着力とは、基材１１上に形成された集電部１２（接合部１２１）に対する、基材１１の密着力と言い換えることができる。さらに、半導体素子１４を接合部１２１に接合するための異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）、あるいは、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）を使用した場合、基材と直接接合する領域の接着力も、半導体素子１４に対する基材１１の密着力に含まれる。

　また、アンテナ部１３に対する接着層１６の密着力又は基材１１の密着力とは、アンテナ部１３を構成する導電性パターンに対する、接着層１６の密着力又は基材１１の密着力と言い換えることができる。

　さらに、後述するようにアンテナ部１３又は集電部１２（接合部１２１）が導電性細線を有する導電性パターンを有する場合、接着層１６を基材１１から引き剥がしたときにインレットの少なくとも一部が物理的に破壊されやすくするという観点から、アンテナ部１３又は集電部１２（接合部１２１）の導電性細線の幅を後述する値に設定することが考えられる。これにより、導電性細線を比較的細く構成し、引きはがしの際に断線を生じやすくさせることが可能となる。

　接着層を形成する材料としては、特に制限されないが、例えば、ゴム系化合物やアクリル系化合物、ビニルアルキルエーテル系化合物やシリコーン系化合物、ポリエステル系化合物やポリウレタン系化合物、ポリエーテル系化合物やポリアミド系化合物、スチレン系化合物などの適宜なポリマーをベースポリマーとする粘着剤；ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィン樹脂（ＣＯＰ）、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの非晶性熱可塑性樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンな二レート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリぶち連テレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂等の結晶性熱可塑性樹脂；アクリル系、エポキシ系、ウレタン系等の光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。

　また、接着層の厚さは、好ましくは０．５～１０μｍであり、より好ましくは１～５μｍである。接着層の厚さが０．５μｍ以上であることにより、配線高さの影響による、集電部１２（接合部１２１）及び／又はアンテナ部１３に対する接着性の低下が抑制される傾向にある。また、接着層の厚さが１０μｍ以下であることにより、接着力がより安定する傾向にある。さらに、接着層の厚さが１～５μｍの範囲であることにより、集電部１２（接合部１２１）及び／又はアンテナ部１３に対する接着性が保持され、ＲＦタグ自体の接着性が安定し好ましい。

〔基材〕
　基材１１は透明なものも不透明なものも用いることができる。このなかでも、ＲＦタグ１００を目立たせず、貼り付ける対象物の意匠性を害しないようにする観点から、透明基材を用いることが好ましい。さらに、本発明のＲＦタグにおいては、基材１１が透明であると、本発明のＲＦタグを接着層１６を介して貼り付け対象物に張り付けた後、剥がす時に、アンテナ部１３を構成する導電性細線の一部が、貼り付け対象物と剥がした後のＲＦタグの双方に分離するので、アンテナ部１３が破壊され分離したことが明瞭となり、引き剥がしによる意図しない第三者によるＲＦタグの複製意欲を削げ、好ましい。

　ここで、「透明」とは、可視光透過率が、好ましくは８０％以上であることをいい、より好ましくは９０％以上であることをいい、さらに好ましくは９５％以上であることをいう。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７に準拠して測定することができる。

　基材１１は、１種の材料からなるものであっても、２種以上の材料が積層されたものであってもよい。また、基材が、２種以上の材料が積層された多層体である場合、基材１１は、有機基材又は無機基材同士が積層されたものであっても、有機基材及び無機基材が積層されたものであってもよい。

　基材１１の態様としては、コア層の単層シート、コア層と第１最外層とを有する積層シート、コア層と第２最外層とを有する積層シート、第１最外層と第２最外層とを有する積層シート、コア層と第１最外層と第２最外層とを有する積層シートが挙げられる。また、上記積層シートにおいて、コア層と第１最外層の間、コア層と第２最外層の間、または、第１最外層と第２最外層の間には、さらに他の層を有していてもよい。

　なお、基材１１がコア層の単層シートである場合、集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３はコア層の表面に形成される。また、基材１１が積層シートである場合、第１最外層は、集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３が形成される面を構成する層を意味し、第２最外層は第１最外層の裏面を意味する。但し、基材１１の両面にインレットが形成されるような場合には、第２最外層に集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３が形成されることもあり得る。以下、各層の構成について詳説する。

（コア層）
　コア層を構成する材料は、特に制限されないが、基材の機械的強度の向上に寄与するものが好ましい。そのようなコア層の材料としては、特に限定されないが、例えば、ガラス等の透明無機基材；アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ナイロン、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の透明有機基材が挙げられる。このなかでも、ポリエチレンテレフタレートを用いることにより、アンテナを製造するための生産性（コスト削減効果）がより優れる。また、ポリイミドを用いることにより、アンテナの耐熱性がより優れる。ポリイミドを用いる場合は、可視光の光透過性が優れる、いわゆる透明ポリイミドを用いることとより好ましい。さらに、ポリエチレンテレフタレート及び／又はポリエチレンナフタレートを用いることにより、基材と導電性細線との密着性がより優れる。

　コア層は、１種の材料からなるものであっても、２種以上の材料が積層されたものであってもよい。また、コア層が、２種以上の材料が積層された多層体である場合、基材は、有機基材又は無機基材同士が積層されたものであっても、有機基材及び無機基材が積層されたものであってもよい。

　コア層の厚さは、好ましくは５μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下である。

（第１最外層）
　基材１１が積層体である場合、第１最外層は、集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３が形成される面を構成する層となる。第１最外層を構成する材料は、特に制限されないが、コア層と、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３それぞれとの密着性向上に寄与するものが好ましい。また、基材１１が、第１最外層と第２最外層とを有し、コア層を有しない態様の場合には、第１最外層は第２最外層と、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３それぞれとの密着性向上に寄与するものが好ましい。

　このような第１最外層に含まれる成分としては、特に限定されないが、例えば、ケイ素化合物（例えば、（ポリ）シラン類、（ポリ）シラザン類、（ポリ）シルチアン類、（ポリ）シロキサン類、ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、塩化ケイ素、ケイ素酸塩、ゼオライト、シリサイド等）、アルミニウム化合物（例えば、酸化アルミニウム等）、マグネシウム化合物（例えばフッ化マグネシウム）等が挙げられる。

　この中でも、ケイ素化合物が好ましく、シロキサン類がより好ましい。このような成分を用いることにより、第１面１０ａの密着性が向上するほか、ＲＦタグ１００の透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

　ケイ素化合物としては、特に制限されないが、例えば、多官能性オルガノシランの縮合物、多官能性オルガノシラン又はそのオリゴマーとポリ酢酸ビニルとを加水分解反応させて得られた重縮合物などが挙げられる。

　多官能性オルガノシランとしては、特に制限されないが、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどの２官能性オルガノシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシランなどの３官能性オルガノシラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなどの４官能性オルガノシランなどが挙げられる。

　第１最外層は、上記第１最外層に含まれる成分を含む組成物をコア層に塗布、乾燥する方法により成膜することができる。また、第１最外層は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法によって製膜してもよい。第１最外層を形成するための組成物は、必要に応じて、分散剤、界面活性剤、結着剤等を含有してもよい。

　第１最外層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、さらに好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下である。第１最外層の厚さが上記範囲内であることにより、上記密着性がより向上するほか、ＲＦタグ１００の透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

　第１最外層をコア層上に積層することで、例えば、集電部１２（接合部１２１）やアンテナ部１３をプラズマ等の焼成手段でインク中の金属成分を焼結させて形成する際に、プラズマ等によって集電部１２（接合部１２１）やアンテナ部１３で被覆されていない箇所のコア層のエッチングを防ぐことができる。

　さらにこの第１最外層は静電気による集電部１２（接合部１２１）やアンテナ部１３の断線を防ぐために、帯電防止機能を持っていることが好ましい。第１最外層が帯電防止機能を有するために、第１最外層は導電性無機酸化物及び導電性有機化合物の少なくともいずれかを含むことが好ましい。

（第２最外層）
　基材１１が積層体である場合、第２最外層は、第１最外層の裏面を意味する。第２最外層に含まれる成分としては、特に限定されないが、例えば、メラミン系化合物、アルキド系化合物、フッ素系化合物、シリコーン系化合物、ポリエチレンワックス、脂肪酸、脂肪酸エステルが挙げられる。このなかでも、メラミン系化合物、アルキド系化合物、フッ素系化合物、シリコーン系化合物が好ましく、メラミン系化合物、アルキド系化合物がより好ましい。このような成分を用いることにより、ＲＦタグ１００の透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

　第２最外層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、さらに好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下である。第２最外層の厚さが上記範囲内であることにより、ＲＦタグ１００の透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

（その他の層）
　コア層と第１最外層の間、コア層と第２最外層の間、または、第１最外層と第２最外層の間に配される他の層としては、特に制限されないが、例えば、易接着層が挙げられる。易接着層は、コア層と第１最外層、コア層と第２最外層、または、第１最外層と第２最外層の接着性を向上する目的で用いられる。

〔接合部〕
　接合部１２１は、集電部１２の先端であって、半導体素子１４と接合する場所である。接合部１２１（集電部１２）は、アンテナ部１３と半導体素子１４とを電気的に接続するものであり、アンテナ部１３及び半導体素子１４とそれぞれ電気的に接合されている。

　集電部１２の構成は、特に制限されないが、例えば、複数のアンテナ部１３を接続するように、半導体素子１４でほぼ隠れる大きさの集電部１２が設けられる構成や（図２参照）、ループ形状の集電部１２の一部に半導体素子１４が接合され、ループ形状の集電部１２の外周にアンテナ部１３が設けられる構成、１つのアンテナ部１３の任意の箇所に集電部１２が設けられる構成が挙げられる。また、集電部１２における半導体素子１４の接合位置（接合部１２１）は特に制限されるものではないが、集電部１２の先端が対向する位置が好ましい。

　第１実施形態のアンテナは、λ／２ダイポールアンテナの構成に制限されず、接地型λ／４モノポールアンテナなど、他のアンテナ構成を有してもよく、それに応じて、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３は種々の態様をとることができる。

　集電部１２を構成する導電性部材の形態（以下、「第１導電性パターン３００」ともいう）としては、特に制限されず、導電性部材をベタ塗りした態様の他、導電性細線から形成される任意の態様が挙げられる。ここで、第１導電性パターン３００とは、連続したパターンであり、パターン中の任意の点から他の任意の点までの導電性を有するものである。なお、集電部１２は、電気的に独立した一又は複数の第１導電性パターン３００を有していてもよい。

　導電性細線を含む第１導電性パターン３００としては、特に制限されないが、例えば、複数の導電性細線が網目状に交差して形成されるグリッドパターン、第１導電性細線が交差し導電性が維持される他のパターンが挙げられる。また、第１導電性パターン３００は規則的なパターンであっても不規則なパターンであってもよい。さらに、第１導電性パターン３００を構成する導電性細線は、直線であっても、曲線であってもよい。

　また、導電性細線が網目状に形成されてできる第１導電性パターン３００の第１開口部３０１の形状としては、特に制限されないが、例えば、三角形；正方形、長方形、ひし形等の四角形；六角形；あるいは複数種の多角形を組み合わせたものが挙げられる。

　さらに、第１導電性パターンを構成する第１導電性細線の幅、厚さの長さ方向の変動幅や、延伸方向に直交する断面における断面構造は、後述するアンテナ部１３を構成する第２導電性パターン４００と同様であると、引き剥がし時にＲＦタグの破壊が促進され好ましい。

〔アンテナ部１３〕
　アンテナ部１３は、集電部１２（接合部１２１）と電気的に接合されており、アンテナとして機能するための第２導電性パターン４００を有する。ここで、第２導電性パターン４００とは、連続したパターンであり、パターン中の任意の点から他の任意の点までの導電性を有するものである。なお、アンテナ部１３は、電気的に独立した複数の第２導電性パターン４００を有していてもよい。

　アンテナ部１３は、その種類に応じて種々の形状を有する。アンテナ部１３の種類としては、特に制限されないが、例えば、電界の変化により電流を生じさせるダイポールアンテナやパッチアンテナ等の電界アンテナや、磁界の変化により電流を生じさせるループアンテナなどの磁界アンテナが挙げられる。

　また、アンテナ部１３の外形としては、公知形状を利用することができる。例えば、線状のダイポールアンテナとしては、直線型に限られず、折り返し型、メアンダ型、ヘリカル型、スパイラル型など各種公知の形状が挙げられる。また、パッチアンテナについても、多角形、円形などの任意の外形のほか、それらに切込みを有する形状が挙げられる。さらに、アンテナ部１３は、これら形状を複数組み合わせたものであってもよい。

　また、アンテナ部１３についても、第２導電性細線を有する第２導電性パターン４００を有するものが好ましい。図４に、アンテナ部１３の一態様として、図３のＳ３部分の拡大図を表す。図４において、第２導電性パターン４００は、複数の第２導電性細線が網目状に交差して形成されるグリッドパターンとして示すが、第２導電性パターン４００はこれに限定されず第２導電性細線が交差し導電性が維持される他のパターンであってもよい。また、第２導電性パターン４００は規則的なパターンであっても不規則なパターンであってもよい。さらに、第２導電性細線は、直線であっても、曲線であってもよい。

　第２導電性パターン４００が形成されていない部分、すなわち第２開口部４０１の形状としては、特に制限されないが、例えば、三角形；正方形、長方形、ひし形等の四角形；五角形；六角形；あるいは複数種の多角形を組み合わせたものが挙げられる。

　図２は、アンテナ部１３が電界アンテナである場合のＲＦタグの構成を示す例である。図２では、半導体素子１４でほぼ隠れる大きさの比較的小さい集電部１２の周りに２つのアンテナ部１３が形成されており、アンテナ部１３は長方形のような外形を有する。図２において、アンテナ部１３は、導電層が平面にベタ塗された態様ではなく、第２開口部４０１と第２導電性パターン４００により構成されるグリッドパターンにより構成されることが好ましい。これにより、アンテナ部１３の電界アンテナとしての機能を確保しつつ、アンテナ部が形成された領域の透明性を確保することができる。

（第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００）
　第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００は、導電性成分を含む。導電性成分としては、特に制限されないが、例えば、導電性金属、導電性高分子などが挙げられる。また、第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００は、非導電性成分を含んでもよい。導電性金属としては、特に制限されないが、例えば、金、銀、銅、及びアルミニウムが挙げられる。このなかでも、銀又は銅が好ましく、比較的安価な銅であることがより好ましい。このような導電性金属を用いることにより、透明アンテナの導電性が一層優れる傾向にある。また、導電性高分子としては、公知のものを用いることができ、ポリアセチレンやポリチオフェンなどが挙げられる。

　また、非導電性成分としては、特に制限されないが、例えば、金属酸化物や金属化合物、及び有機化合物が挙げられる。より具体的には、これら非導電性成分としては、後述するインクに含まれる成分に由来する成分であって、インクに含まれる成分のうち焼成を経た後の導電性細線に残留する金属酸化物、金属化合物、及び有機化合物が挙げられる。

　第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００における導電性成分の含有割合は、各々独立して、好ましくは５０質量％以上であり、より好ましくは６０質量％以上であり、さらに好ましくは７０質量％以上である。導電性成分の含有割合の上限は、特に制限されないが、１００質量％である。また、第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００における非導電性成分の含有割合は、各々独立して、好ましくは５０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下である。非導電性成分の含有割合の下限は、特に制限されないが、０質量％である。

（線幅Ｗ）
　第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００が第１導電性細線及び第２導電性細線を有する場合、第１導電性細線及び第２導電性細線の線幅Ｗは、基材１１の導電性パターンが配された面側から、導電性細線を基材１１の表面上に投影したときの線幅Ｗをいう。台形の断面を有する導電性細線においては、基材１１と接している導電性細線の面の幅が線幅Ｗとなる。

　第１導電性細線の線幅Ｗ_１は、好ましくは０．５～２００μｍであり、より好ましくは１～１５０μｍであり、さらに好ましくは２～１００μｍである。第１導電性細線の線幅Ｗ_１が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。また、第１導電性細線の線幅Ｗ_１が２００μｍ以下であることにより、第１導電性パターン３００の視認性がより低下し、集電部１２（接合部１２１）の透明性がより向上する傾向にある。

　第２導電性細線の線幅Ｗ_２は、好ましくは０．２５～７．５μｍであり、より好ましくは０．２５～５．０μｍ、さらに好ましくは０．２５～４．０μｍ、特に好ましくは０．５０～３．０μｍである。第２導電性細線の線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上であることにより、アンテナ部１３の導電性がより向上する傾向にある。また、導電性細線表面の酸化や腐食等による導電性の低下を十分に抑制できる。他方、第２導電性細線の線幅Ｗ_２が１０．０μｍ以下であることにより、第２導電性パターン４００の視認性がより低下し、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。

　なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、線幅Ｗ_１及び／又は線幅Ｗ_２が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべての線幅Ｗ_１及び／又は線幅Ｗ_２が上記範囲を満たすことが好ましい。

　また、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００における、線幅Ｗ_１及び／又は線幅Ｗ_２は、前記した所定の線幅を中心値として、変動していることが好ましい。導電性細線の線幅が一定範囲で変動することにより、ＲＦタグ１００から接着層１６を引き剥がす際に、線幅が狭い箇所に引き剥がし応力が集中し、その部分の破壊を促進できる。なおここで、「変動」とは、導電性細線の線幅の設計値として狙った特定の線幅に対して、導電性細線の線幅が所定の公差を有することを意味する。例えば、導電性細線の線幅が、設計値±公差の範囲をとる場合に、公差がマイナス側に振れた導電性細線の部分、すなわち他と比較して細くなっている部分に対して応力が集中し、その部分で第１の分離部と第２の分離部とがはがれやすくなる。

　前記理由により、アンテナ部１３の面内における導電性細線の線幅の変動係数ＣＶ_Ｗ（標準偏差／平均値）は、１％以上１０％以下が好ましく、３％以上８％以下であると、アンテナ部１３の導電体としての均一性を維持しつつ、引き剥がし時に第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００の一部の破壊を誘引できより好ましく、４％以上７％以下であると、さらに好ましい。

（高さＴ）
　第１導電性細線の高さＴ_１及び第２導電性細線の高さＴ_２は、好ましくは０．０５～１．０μｍであり、より好ましくは０．０７～０．８μｍあり、さらに好ましくは０．１～０．５μｍである。高さＴ_１及びＴ_２が０．０５μｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。また、導電性細線表面の酸化や腐食等による導電性の低下を十分に抑制できる傾向にある。他方、高さＴ_１及びＴ_２が１．０μｍ以下であることにより、広い視野角において高い透明性が発現される傾向にある。

　なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、高さＴ_１及び／又は高さＴ_２が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべての高さＴ_１及び／又は高さＴ_２が上記範囲を満たすことが好ましい。

　第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００における、高さＴ_１及び／又は高さＴ_２は、前記した所定の高さを中心値として、変動していることが好ましい。導電性細線の高さが一定範囲で変動することにより、ＲＦタグ１００から接着層１６を引き剥がす際に、導電性細線が薄い箇所に引き剥がし応力が集中し、その部分の破壊を促進できる。なおここで、「変動」とは、導電性細線の線幅の設計値として狙った特定の高さに対して、導電性細線の高さが所定の公差を有することを意味する。例えば、導電性細線の高さが、設計値±公差の範囲をとる場合に、公差がマイナス側に振れた導電性細線の部分、すなわち他と比較して薄くなっている部分に対して応力が集中し、その部分で第１の分離部と第2の分離部とがはがれやすくなる。

　前記理由により、アンテナ部１３の面内における導電性細線の高さの変動係数ＣＶ_Ｔ（標準偏差／平均値）は、１％以上１０％以下が好ましく、３％以上８％以下であると、アンテナ部１３の導電体としての均一性を維持しつつ、引き剥がし時に第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００の一部の破壊を誘引できより好ましく、４％以上７％以下であると、さらに好ましい。

（ギャップＧ）
　第１導電性細線のギャップＧ_１は、好ましくは０．５～２５μｍであり、より好ましくは１．０～１０μｍであり、さらに好ましくは２．０～７．０μｍである。ギャップＧ_１が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。なお、ギャップＧは、導電性細線間の距離である。

　第２導電性細線のギャップＧ_２は、好ましくは２０～１０００μｍであり、より好ましくは４０～７５０μｍであり、さらに好ましくは６０～３００μｍである。ギャップＧ_２が２０μｍ以上であることにより、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。また、ギャップＧ_２が１０００μｍ以下であることにより、導電性がより向上する傾向にある。

　なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、ギャップＧ_１及び／又はギャップＧ_２が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべてのギャップＧ_１及び／又はギャップＧ_２が上記範囲を満たすことが好ましい。

（占有面積率Ｓ）
　第１導電性パターン３００の占有面積率Ｓ_１は、好ましくは３０～９０％であり、より好ましくは３０～８０％であり、さらに好ましくは４０～８０％であり、特に好ましくは５０～８０％である。占有面積率Ｓ_１が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。

　第２導電性パターン４００の占有面積率Ｓ_２は、好ましくは０．１～７．０％であり、より好ましくは０．５～５．０％であり、さらに好ましくは１．０～３．０％である。占有面積率Ｓ_２が０．１％以上であることにより、アンテナ部１３の特性がより向上する傾向にある。また、占有面積率Ｓ_２が７．０％以下であることにより、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。

　なお、「導電性パターンの占有面積率Ｓ」とは、基材１１上の導電性パターンが形成されている領域について以下の式で算出することができる。基材１１上の導電性パターンが形成されている領域とは、その領域内に導電性パターンが形成されていない部分を含まない領域をいい、例えば、導電性パターンが形成されていない縁部等は除かれる。
　　導電性パターンの占有面積率Ｓ
　　　　　＝（導電性パターンの占める面積／基材１１の面積）×１００

　導電性パターンの線幅、高さ、ギャップ、ピッチ、及び占有面積は、アンテナ断面や表面を電子顕微鏡等で見ることにより確認することができる。また、導電性パターンの線幅とギャップやピッチはレーザー顕微鏡や光学顕微鏡でも観察できる。導電性パターンの線幅、高さ、ギャップ、ピッチ、及び占有面積を所望の範囲に調整する方法としては、後述するアンテナの製造方法において用いる版の溝を調整する方法、インク中の金属粒子の平均粒子径を調整する方法等が挙げられる。

（形状）
　第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００が第１導電性細線及び第２導電性細線を有する場合、第１導電性細線及び第２導電性細線の断面形状は、導電性細線の線幅Ｗ及び厚さＴで規定することができる。

　図６に、導電性細線の断面形状の概略図を示す。導電性細線の厚さＴを基準に、基材１１と導電性細線の界面からの高さを０．５０Ｔ及び０．９０Ｔと規定する。また、高さ０．５０Ｔにおける導電性細線の幅をＷ_０．５０とし、高さ０．９０Ｔにおける導電性細線の幅をＷ_０．９０とする。このとき、Ｗ_０．５０／Ｗ_０は、好ましくは０．７０～０．９９であり、より好ましくは０．７５～０．９９以下であり、さらに好ましくは０．８０～０．９５である。また。Ｗ_０．９０／Ｗ_０．５０は、好ましくは０．５０～０．９５であり、より好ましくは０．５５～０．９０であり、さらに好ましくは０．６０～０．８５である。第１実施形態のアンテナにおいて、Ｗ_０．５０／Ｗ_０がＷ_０．９０／Ｗ_０．５０よりも大きいことが好ましい。すなわち基材１１側の導電性細線の界面から０．５０Ｔの厚さにおける高さ位置から０．９０Ｔの厚さにおける高さ位置に向かって導電性細線の幅が漸減することが好ましい。

　導電性細線の形状を上記のようにすることにより、接着層１６と導電性細線の側面との接着面積がより増大し、基材１１と接着層１６とを剥離した際に、接着層１６側に導電性細線が残りやすくなる。そのため、情報抜き取り防止機能がより達成されやすくなる傾向にある。

（ピッチＰ）
　第１導電性パターン３００のピッチＰ_１は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。第１導電性パターン３００のピッチＰ_１が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることができる。また、第１導電性パターン３００のピッチＰ_１は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。第１導電性パターン３００のピッチＰ_１が１，０００μｍ以下であることにより、導電性をより向上できる傾向にある。なお、第１導電性パターン３００の正方形のグリッドパターンである場合には、線幅１μｍの第１導電性パターン３００のピッチＰ_１を２００μｍとすることにより、開口率９９％とすることができる。なお、ピッチＰ_１は、線幅Ｗ_１と導電性細線間の距離（ギャップＧ_１）の和を意味する。

　第２導電性パターン４００のピッチＰ_２は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。第２導電性パターン４００のピッチＰ_２が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることができる。また、第２導電性パターン４００のピッチＰ_２は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。第２導電性パターン４００のピッチＰ_２が１，０００μｍ以下であることにより、導電性をより向上できる傾向にある。なお、ピッチＰ_２は、線幅Ｗ_２と導電性細線間の距離（ギャップＧ_２）の和を意味する。

（断面構造）
　第１導電性細線及び／又は第２導電性細線の延伸方向に直交する断面において、該導電性細線は、空隙を有し、かつ、分布を有することが好ましい。導電性細線が空隙を有し、高さ方向に分布を有していると、ＲＦタグ１００から接着層１６を引き剥がす際に、空隙部の破壊強度が低くなるために、第１導電性細線及び／又は第２導電性細線の厚さ方向に破壊しやすくなる。つまり、本発明のＲＦタグにおいて、接着層１６は、基材１１から引き剥がしたときに、第１導電性細線及び／又は第２導電性細線のうち、少なくとも厚み方向の一部を連れ去ることができ、好ましい。

　図７に、導電性細線の断面構造を表す概略図を示す。図７において、導電性細線の最大厚さＴ（以下、単に「厚さＴ」ともいう。）は表面粗さを考慮した場合の最大厚さを意味する。また、界面が平坦でなく厚みの測定が困難な場合には、界面の両端２点を結んだ直線とその垂直二等分線との交点と、垂直二等分線と導電性細線の外表面との交点の距離をＴとする。図７中、０．２０Ｔは、透明基材２１側の導電性細線２００の界面から、当該界面の垂直方向に０．２０×厚さＴの距離の位置を意味する。０．５０Ｔは、透明基材２１側の導電性細線２００の界面から、当該界面の垂直方向に０．５０×厚さＴの距離の位置を意味する。０．８０Ｔは、透明基材２１側の導電性細線２００の界面から、当該界面の垂直方向に０．８０×厚さＴの距離の位置を意味する。

　前記導電性細線の空隙は、導電性細線の延伸方向に直行するこのような導電性細線の断面において、導電性細線断面積をＳ_Ｍとし、前記導電性細線の断面に含まれる全空隙断面積をＳ_{Ｖｔｏｔａｌ}とするとき、Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}／Ｓ_Ｍが０．１０以上０．４０以下であると好ましい。この範囲であると、空隙部による破壊強度の低下を顕著にでき好ましく、０．１３以上０．３７以下であると好ましく、０．１５以上０．３５以下であるとより好ましいい。

　前記導電性細線の断面内における空隙は偏在していることが好ましく、例えば基材１１側の導電性細線の界面に偏在していてもよく、導電性細線の表面側（接着層１６との界面側）に偏在していてもよい。なかでも、基材１１側の導電性細線側の界面に偏在していると、ＲＦタグ使用時のアンテナ部１３の可撓性が向上する傾向があり好ましい。なお、「界面に空隙を有する」とは、「少なくとも一部の空隙が透明基材１１と接触している」ことをいい、前記した第１最外層を有する場合には「少なくとも一部の空隙が第１最外層と接触している」ことをいう。

　前記構成であるとＲＦタグ使用時のアンテナ部１３の可撓性が向上する原理は、特に制限されないが、例えば、以下のように考えられる。ＲＦタグ１００のように透明基材と導電性細線という剛性や延伸性などの機械性質の異なる２種の屈曲などの変形時は、その界面に応力が集中し、界面での断線や剥離が生じる。この場合、導電性細線の界面に空隙があることにより応力が緩和されやすく可撓性がより向上する。また、導電性細線の可撓性に等方性を持たせるという観点からは、導電性細線の断面における空隙分布は、均一であることが好ましい。前記両者の観点からすれば、導電性細線が透明基材側の導電性細線の界面に空隙を有しつつも、一部の空隙においては導電性細線の断面内で分布するような態様が好ましい。

　上記空隙の偏在性及び均一性は、導電性細線に断面の厚さ方向における空隙断面積を用いて表すことができる。例えば、厚さＴ_２の導電性細線において、基材１１側の導電性細線界面から０．２Ｔ_２までの厚さ領域における空隙断面積をＳ_Ｖ０．２とするとき、Ｓ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は基材１１側の導電性細線の界面側の領域に存在する空隙の割合を示す指標となる。このようなＳ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は、好ましくは０．１５以上０．６０以下であり、より好ましくは０．１８以上０．５５以下であり、さらに好ましくは０．２０以上０．５０以下である。

　また、例えば、厚さＴ_２の導電性細線において、基材１１側の導電性細線界面から０．８Ｔ_２までの厚さ領域における空隙断面積をＳ_Ｖ０．８とするとき、Ｓ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は導電性細線の表面側以外の領域に存在する空隙の割合を示す指標となる。このようなＳ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は、好ましくは０．８０以上１．０以下であり、下限値は、より好ましくは０．８５以上であり、さらに好ましくは０．９５以上である。

　また、例えば、（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は、導電性細線の表面側（０．８ＴからＴまでの厚さ領域）に対する導電性細線の界面側（導電性細線界面から０．２Ｔまでの厚さ領域）の空隙の偏在度合いを示す指標である。導電性細線の界面側、すなわち導電性細線界面から０．２Ｔまでの厚さ領域に空隙が存在し、かつ（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}が１．００超であると、導電性細線の表面側よりも界面側に空隙が偏在していることを示す。（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は、好ましくは１．００超１．６０以下であり、より好ましくは１．１０以上１．５５以下であり、さらに好ましくは１．１５以上１．５０以下である。（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}が１．００超であると導電性細線の界面側に空隙が偏在しているため、導電性細線の界面における応力が緩和されやすくなり、可撓性がより向上する傾向にある。（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}が１．６０以下であると界面以外の領域に存在する空隙割合が相対的に大きくなることから、等方的な可撓性がより向上する傾向にある。なお、（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}の最大値は２．００であり、このとき空隙はすべて基材１１側の導電性細線界面から０．２Ｔまでの厚さ領域に存在する。

　以上のようにＳ_{Ｖｔｏｔａｌ}／Ｓ_Ｍや、好ましくはさらにＳ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、Ｓ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}を特定の範囲に調整することで、接着層１６を基材１１から引き剥がしたときに、導電性細線のうち、少なくとも厚み方向の一部を連れ去り、ＲＦタグ１００を破壊することができる。

　本明細書におけるＳ_{Ｖｔｏｔａｌ}／Ｓ_Ｍ、Ｓ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、Ｓ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、及び（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}は、導電性細線の延伸方向に直交する導電性細線の断面の電子顕微鏡写真から算出することができる。

　後述するように第１実施形態のアンテナは、インクを用いて印刷法により形成することができ、当該方法により形成された導電性細線は上記のような特徴的な形状や断面構造を有する。その他の導電性細線の形成方法としては、ナノインプリント法やリソグラフィー法を用いる方法、その他なのワイヤーを用いる方法なども考えられるが、これら方法で作成された導電性細線と、印刷法により形成した導電性細線とは、上記形状や断面構造において相違する。

（可視光透過率）
　第１導電性パターン３００の可視光透過率ＶＴ_１は、好ましくは２０～８０％であり、より好ましくは３０％以上７０％以下である。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７の全光線透過率に準拠して、その可視光（３６０～８３０ｎｍ）の範囲の透過率を算出することで測定することができる。

　第２導電性パターン４００の可視光透過率Ｔｒ_１は、好ましくは８０％以上９９％以下であり、より好ましくは９０％以上９９％以下である。

　アンテナ１０の可視光透過率は、導電性パターンの線幅を小さくしたり、占有面積率を向上させたりすることにより、向上する傾向にある。

（透過率調整部及び色調調整部）
　第１実施形態のＲＦタグ１００は、後述する第２実施形態に記載の透過率調整部や、第３実施形態に記載の色調調整部をさらに有していてもよい。透過率調整部と色調調整部の詳細については後述するが、具体的には、基材１１は、第１主面及び第２主面を有する透明基材であり、導電性細線を有する細線パターン部は、下記（ｉ）、及び（ｉｉ）のいずれかの要件を満たすことができる。

　要件（ｉ）：透明基材の第１主面及び第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された第２パターンにより構成される透過率調整部を備え、透過率調整部におけるアンテナ部に平面透視で隣接する位置の可視光透過率Ｔｒ_２１と前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値｜（Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１）｜が、１０％以下である。

　なお、ここで「第２パターン」は上記の「第２導電性パターン」とは別のものであり、第２実施形態に記載の第２パターンを意味するものとする。

　要件（ｉｉ）：透明基材の第１主面及び第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視でアンテナ部の少なくとも周辺に形成された色調調整部を備え、色調調整部におけるアンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）と前記アンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√[（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）²＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）²＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）²]）が、１０以下である。

　透過率調整部と色調調整部の詳細及び好ましい数値範囲については、第２実施形態及び第３実施形態で記載のものを参照する。

〔半導体素子〕
　半導体素子１４は、ＲＦタグ１００の用途に応じて公知のものを用いることができる。半導体素子１４の構成は、特に制限されないが、例えば、記憶部、電源整流部、受信部、制御部、及び送信部などの機能部を有する。

　半導体素子１４が、各機能部と第１実施形態のＲＦタグ１００がパッシブ型である場合の動作の一例について説明する。まず、ＲＦタグ１００のアンテナ部１３が、リーダ・ライタリーダ・ライタからの電波を受信し、電磁誘導などにより起電力が発生する。そして、この起電力によりＲＦタグ１００の半導体素子１４が起動する。その際、電源整流部は、アンテナ部１３に入力された交流を直流に変換し、半導体素子１４の回路に電源を供給する。また、これと並行して、受信部は、リーダ・ライタから受信した搬送波を信号列に復調し、信号列を制御部に送る。制御部は、受信部から受け取った信号列に従って、記憶部への情報のリード／ライトや、情報処理結果を信号列として送信部へ受け渡す。ここで、記憶部は、商品情報など、ＲＦタグの用途に応じて様々な情報を記憶する。最後に、送信部は、制御部から受け取った信号列を搬送波に変調し、アンテナ部１３から送信する。そして、リーダ・ライタのアンテナがその搬送波を受信し、情報処理を行う。なお、第１実施形態においてＲＦＩＤとは、ＲＦタグとリーダ・ライタからなるシステムをいう。

　第１実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な周波数帯は、特に制限されないが、例えば、ＬＦ帯（中波帯）：１２０～１３０ｋＨｚ、ＨＦ帯（短波帯）：１３．５６ＭＨｚ、ＵＨＦ帯（極超短波）：９００ＭＨｚ帯、マイクロ波：２．４５ＧＨｚ帯が挙げられる。アンテナ部１３のタイプは、利用する周波数帯に応じて適宜調整することができる。例えば、ＨＦ帯を利用する場合には、ループタイプのアンテナを使用し、ＵＨＦ帯を利用する場合には、ダイポールタイプのアンテナを使用することができる。

　第１実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な送受信方式としては、上記電波方式に限定されず、送信側・受信側それぞれが持つコイルに高周波を印加し、生じる相互誘導に情報を載せる電磁結合方式や、アンテナ近傍に発生する磁界に情報を載せ、情報のやりとりを行う電磁誘導方式を用いてもよい。

〔ＲＦタグの製造方法〕
　ＲＦタグ１００の製造方法としては、例えば、基材１１上に、金属成分を含むインクを用いてパターンを形成するパターン形成工程と、インクを焼成して集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３とを形成する焼成工程と、集電部１２（接合部１２１）上に半導体素子１４を接合する接合工程と、アンテナ部１３と半導体素子１４の少なくとも一部分を覆う接着層１６を形成する接着層形成工程と、を有する方法が挙げられる。

〔表面処理工程〕
　表面処理工程では、基材１１と、集電部１２（接合部１２１）又はアンテナ部１３との密着力を調整する観点から、コア層の一方の面に第１最外層を設けたり、基材１１の表面粗さ調整したりすることができる。

　第１最外層を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の気相成膜法を用いてコア層の第１面１０ａ側に第１最外層を構成する成分を成膜する方法が挙げられる。また、別の方法としては、第１最外層を形成する成分を含む組成物をコア層の第１面１０ａ側の表面に塗布し、乾燥させることにより第１最外層を形成する方法が挙げられる。

　一般に平滑である基材１１の表面粗さを増加させる方法としては、特に制限されないが、例えば、コア層と第１最外層との間に、表面粗さの大きい易接着層を設け、その易接着層上に第１最外層を形成する方法が挙げられる。これにより、第１最外層は易接着層の表面粗さが反映されたものとなる。

〔パターン形成工程〕
　パターン形成工程は、金属成分を含むインクを用いてパターンを形成する工程である。パターン形成工程は、所望の導電性パターンの溝を有する版を用いる有版印刷方法であれば特に限定されないが、例えば、転写媒体表面にインクをコーティングする工程と、インクをコーティングした転写媒体表面と、凸版の凸部表面とを対向させて、押圧、接触して、凸版の凸部表面に転写媒体表面上のインクを転移させる工程と、インクが残存した転写媒体表面と基材１１の面とを対向させて、押圧、接触して、転写媒体表面に残ったインクを基材１１の面に転写する工程とを有する。なお、基材１１に第１最外層が形成されている場合には、第１最外層表面にインクが転写される。

（インク）
　上記パターン形成工程に用いられるインクは、導電性成分と溶剤を含み、必要に応じて、界面活性剤、分散剤、還元剤等を含んでもよい。導電性成分が金属成分である場合、金属成分は金属粒子としてインクに含まれていてもよいし、金属錯体としてインクに含まれていてもよい。なお、ここでいう金属成分に含まれる金属元素種としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウムが挙げられる。これらの中でも、銀又は銅が好ましく、銅がより好ましい。

　金属粒子の平均一次粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。また、金属粒子の平均一次粒径の下限は特に制限されないが、１ｎｍ以上が挙げられる。金属粒子の平均一次粒径が１００ｎｍ以下であることにより、得られる導電性細線の線幅Ｗをより細くすることができる。なお、「平均一次粒径」とは、金属粒子１つ１つ（所謂一次粒子）の粒径をいい、金属粒子が複数個集まって形成される凝集体（所謂二次粒子）の粒径である平均二次粒径とは区別される。

　金属粒子としては、特に制限されないが、例えば、酸化銅等の金属酸化物や金属化合物、コア部が銅でありシェル部が酸化銅であるようなコア／シェル粒子が挙げられる。金属粒子の態様は、分散性や焼結性の観点から、適宜決めることができる。

　インク中、金属粒子の含有量は、インク組成物の全質量に対して、好ましくは１質量％以上４０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以上３５質量％以下であり、さらに好ましくは１０質量％以上３５質量％以下である。

　界面活性剤としては、特に制限されないが、例えば、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。このような界面活性剤を用いることにより、転写媒体（ブランケット）へのインクのコーティング性、コーティングされたインクの平滑性が向上し、より均一な塗膜が得られる傾向にある。なお、界面活性剤は、金属成分を分散可能であり、かつ焼成の際に残留しにくいよう構成されていることが好ましい。

　インク中、界面活性剤の含有量は、インク組成物の全質量に対して、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下であり、より好ましくは０．１質量％以上５質量％以下であり、さらに好ましくは０．５質量％以上２質量％以下である。

　また、分散剤としては、特に制限されないが、例えば、金属成分表面に非共有結合又は相互作用をする分散剤、金属成分表面に共有結合をする分散剤が挙げられる。非共有結合又は相互作用をする官能基としてはリン酸基を有する分散剤が挙げられる。このような分散剤を用いることにより、金属成分の分散性がより向上する傾向にある。

　インク中、分散剤の含有量は、インク組成物の全質量に対して、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下であり、より好ましくは１質量％以上２０質量％以下であり、さらに好ましくは２質量％以上１０質量％以下である。

　さらに、溶剤としては、モノアルコール及び多価アルコール等のアルコール系溶剤；アルキルエーテル系溶剤；炭化水素系溶剤；ケトン系溶剤；エステル系溶剤などが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、１種以上で併用されても良い。たとえば、炭素数１０以下のモノアルコールと炭素数１０以下の多価アルコールとの併用などが挙げられる。このような、溶剤を用いることにより、転写媒体（ブランケット）へのインクのコーティング性、転写媒体から凸版へのインクの転写性、転写媒体から基材へのインクの転写性、及び金属成分の分散性がより向上する傾向にある。なお、溶剤は、金属成分を分散可能であり、かつ焼成の際に残留しにくいよう構成されていることが好ましい。

　インク中、溶媒の含有量は、上述の金属粒子、界面活性剤、分散剤等の成分の残部であるが、例えば、インク組成物の全質量に対して、好ましくは５０質量％以上９９質量％以下であり、より好ましくは６０質量％以上９０質量％以下であり、さらに好ましくは７０質量％以上８０質量％以下である。

　なお、焼成中に発生するこれらの分解ガス等により導電性細線中の空隙量を調整するという観点から、インクに含まれる上記成分の含有量を適宜調整することができる。

〔焼成工程〕
　焼成工程では、例えば、基材１１の面に転写されたインク中の金属成分を焼結し、集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３を形成する。焼成は、金属成分が融着して、金属成分焼結膜を形成することができる方法であれば特に制限されない。焼成は、例えば、焼成炉で行ってもよいし、プラズマ、加熱触媒、紫外線、真空紫外線、電子線、赤外線ランプアニール、フラッシュランプアニール、レーザーなどを用いて行ってもよい。得られる焼結膜が酸化されやすい場合には、非酸化性雰囲気中において焼成することが好ましい。また、インクに含まれ得る還元剤のみで金属酸化物等が還元されにくい場合には、還元性雰囲気で焼成することが好ましい。

　焼成工程において、表面側から金属成分が焼結しながら、インク中の揮発成分が随時揮発することで、前記した断面に空隙分布を有する導電性細線を得ることができ、好ましい。

　非酸化性雰囲気とは酸素等の酸化性ガスを含まない雰囲気であり、不活性雰囲気と還元性雰囲気がある。不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオンや窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気である。また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。これらのガスを焼成炉中に充填して密閉系としてインクの塗布膜（分散体塗布膜）を焼成してもよい。また、焼成炉を流通系にしてこれらのガスを流しながら分散体塗布膜を焼成してもよい。分散体塗布膜を非酸化性雰囲気で焼成する場合には、焼成炉中を一旦真空に引いて焼成炉中の酸素を除去し、非酸化性ガスで置換することが好ましい。また、焼成は、加圧雰囲気で行なってもよいし、減圧雰囲気で行なってもよい。

　焼成温度は、特に制限はないが、好ましくは２０℃以上４００℃以下であり、より好ましくは５０℃以上３００℃以下であり、さらに好ましくは８０℃以上２００℃以下である。焼成温度が４００℃以下であることにより、耐熱性の低い基板を使用することができるので好ましい。また、焼成温度が２０℃以上であることにより、焼結膜の形成が十分に進行し、導電性が良好となる傾向にあるため好ましい。なお、得られる焼結膜は、金属成分に由来する導電性成分を含み、そのほか、インクに用いた成分や焼成温度に応じて、非導電性成分を含みうる。

〔接合工程〕
　接合工程では、接合部１２１上に半導体素子１４を電気的に接合する。接合方法は特に制限されないが、例えば、異方性導電性接着剤を用いて行うことができる。異方性導電性接着剤は、主に、樹脂バインダーと該樹脂バインダー中に分散した導電性微粒子を含むものであり、電極間にこれらを介在させて加熱しつつ圧力を加えることで、樹脂バインダーが押し広げられ、導電性微粒子が電極を電気的に接合するものである。この接合の工程の違いにより、異方性導電性接着剤は、フィルムタイプ、ペーストタイプ、または液体タイプなどが知られている。

〔接着層形成工程〕
　接着層形成工程では、アンテナ部１３と半導体素子１４の少なくとも一部分を覆う接着層１６を形成する。接着層１６の形成方法は、特に制限されないが、例えば、接着層１６を形成する原料として液状材料を用いる場合には、その液状材料をアンテナ部１３と半導体素子１４の少なくとも一部分を覆うように塗工し、硬化させる方法が挙げられる。また、接着層１６を形成する原料としてフィルムなどの固体材料を用いる場合には、その個体材料をアンテナ部１３と半導体素子１４の少なくとも一部分を覆うように配置し、加圧または加熱により、アンテナ部１３と半導体素子１４の少なくとも一部分に接着する方法が挙げられる。

〔アンテナ〕
　第１実施形態のＲＦタグ１００に用いられる情報抜き取り防止機能付きアンテナ１０は、基材１１と基材１１上に配設されたアンテナ部１３と、アンテナ部１３の少なくとも一部分を覆うように形成された接着層１６と、を備え、アンテナ部１３は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、接着層１６を、アンテナ部１３から引き剥がしたときに、接着層１６は、導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、導電性細線の一部以外の導電性細線の他部を含む第２の分離部が基材１１に残存する。各構成については、上述したものと同様とすることができる。

＜＜第２実施形態＞＞
〔透明アンテナ〕
　第２実施形態に係る透明アンテナは、第１主面及び第２主面を有する透明基材と、当該透明基材の当該第１主面上に配設された、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する第１パターンにより構成されるアンテナ部と、当該透明基材の当該第１主面及び当該第１主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で当該アンテナ部の少なくとも周辺に形成された第２パターンにより構成される透過率調整部と、を備える。
　第２実施形態では、当該透過率調整部における当該アンテナ部に平面透視で隣接する位置の可視光透過率Ｔｒ_２１と前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜が、１０％以下である。

　以上の構成を有することで、第２実施形態に係る透明アンテナは、アンテナ部の視認性を低減させることができる。第１パターンにより構成されるアンテナ部の平面透視で少なくとも周辺に形成された第２パターンを有し、当該可視光透過率Ｔｒ_２１と当該可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜を１０％以下とすることで、アンテナ部と周囲の可視光透過率差を小さくすることができ、アンテナ部の視認性を低減させることができる。

　図８は、第２実施形態に係る透明アンテナ１の概略構成図である。透明アンテナ１は、第１主面及び第２主面を有する透明基材１１と、透明基材１１の第１主面上に配設されたアンテナ部１３と、アンテナ部１３と電気的に接続する集電部１２と、透明基材１１の第１主面上に配設された接合部１２１と、平面透視で当該アンテナ部１３の少なくとも周辺に形成された透過率調整部１７と、を備える。集電部１２は、アンテナ１３部と電気的に接続されるものであり、アンテナ部１３が所定の周波数に応答して発生した電気を、半導体素子１４に向かって集電する部分をいう。また、接合部１２１は、集電部１２のうち、半導体素子１４と接合する部分をいう。以下、集電部１２とその接合部１２１を区別する必要がなく、両方に関するものに関しては、「集電部１２（接合部１２１）」と表記することがある。また、単に「集電部１２」と記載する場合であっても、集電部１２における接合部１２１以外の部分を意味するものではない。

〔集電部〕
　図８に示すように、集電部１２は、アンテナ部１３との接続を容易にするため、ループ形状を有していてもよい。

〔接合部〕
　接合部１２１上で、半導体素子が接続される。半導体素子は、例えば、異方性導電性接着剤により接続される。異方性導電性接着剤は、導電性接着層を構成する。異方性導電性接着剤については後ほど詳細に説明する。

　図９は、アンテナ部１３及び集電部１２の別形態を示す概略構成図である。図９に示すように、２以上の領域に分割されたアンテナ部１３と、当該アンテナ部１３の中心部に集電部１２を設けてもよい。

〔アンテナ部〕
　図１０は、アンテナ部１３を構成する第１パターン１３１を示す、図８のＳ１部分の拡大図である。アンテナ部１３は、第１パターン１３１と、開口部１３２とを有する。第１パターン１３１は、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する。当該線幅の導電性細線を有することで、第１パターン１３１における導電性細線が視認できなくなる。第１パターン１３１は、アンテナ部１３が所定の周波数に応答するよう、その外縁形状が設計される。第１パターン１３１を構成する導電性細線は、アンテナ部１３の領域内で互いに電気的に導通する。また、第１パターン１３１は、例えば、導電性細線により構成されるグリットである。グリットの単位形状は、特に限定されないが、例えば、三角形、四角形、六角形等が挙げられる。図１０には、単位形状が四角形であるグリットが示されている。図１１は、第１パターン１３１の別形態を示す概略図である。当該別形態においては、単位形状が六角形であるグリットを有する。

　導電性細線は、金属細線であることが好ましい。金属としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウムが挙げられる。これらの中でも、銀又は銅が好ましく、銅がより好ましい。

（第１パターンの線幅Ｗ_１）
　第１パターン１３１を構成する導電性細線の線幅Ｗ_１は、好ましくは０．２５μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上４．０μｍ以下であり、さらに好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下である。導電性細線の線幅Ｗ_１を当該範囲とすることで第１パターン１３１を構成する導電性細線が目視できなくなり、アンテナ部の視認性を低減させることができる。第２実施形態の線幅Ｗ_１とは、透明基材１１の第１パターン１３１が配された面側から、導電性細線を透明基材１１の表面上に投影したときの導電性細線の線幅をいう。

（厚さＴ_１）
　導電性細線の厚さＴ_１は、好ましくは１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以上あり、さらに好ましくは７５ｎｍ以上である。導電性細線の厚さＴ_１が１０ｎｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。他方、導電性細線の厚さＴ_１が１，０００ｎｍ以下であることにより、広い視野角において視認性が抑制される。第２実施形態の導電性細線の厚さＴ_１とは、前記定義した導電性細線の線幅内における、透明基材１１と導電性細線との界面に対する垂直方向の最大値であり、導電性内部の空孔や接着層などの導通に寄与しない不導体部も含む。

（アスペクト比）
　導電性細線の線幅Ｗ_１に対する導電性細線の厚さＴ_１で表されるアスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）は、好ましくは０．０５以上２．００以下である。アスペクト比の下限は、より好ましくは０．０８以上、さらに好ましく０．１０以上である。アスペクト比が０．０５以上であることにより、透過率を低下させることなく、導電性をより向上できる傾向にある。アスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）が２．００以下であると、導電性細線の耐久性や接着性が向上する傾向があり好ましい。導電性細線の耐久性や接着性が向上する詳細なメカニズムは不明であるが、アスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）が２．００以下であることで、耐久性向上のためのパッシベーション膜に欠陥が生じにくくなることや、導電性細線の面内方向のせん断力に物理的に強くなると想定される。

（ピッチＰ_１）
　第１パターン１３１のピッチＰ_１は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。第１パターン１３１のピッチＰ_１が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることができる。また、第１パターン１３１のピッチＰ_１は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。第１パターン１３１のピッチＰ_１が１，０００μｍ以下であることにより、導電性をより向上できる傾向にある。なお、第１パターン１３１の正方形のグリッドパターンである場合には、線幅１μｍの第１パターン１３１のピッチＰ_１を２００μｍとすることにより、開口率９９％とすることができる。なお、ピッチＰ_１は、線幅Ｗ_１と導電性細線間の距離の和を意味する。

（開口率）
　第１パターン１３１の開口率は、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは７０％以上であり、更に好ましくは８０％以上であり、より更に好ましくは９０％以上である。第１パターン１３１の開口率を当該値以上とすることにより、透明アンテナの可視光透過率がより向上する傾向にある。また、第１パターン１３１の開口率は、好ましくは１００％未満であり、より好ましくは９５％以下である。第１パターン１３１の開口率を当該値以下とすることで、アンテナ部の導電性がより向上する傾向にある。

　なお、パターンにおける「開口率」とは、透明基材上の第１パターン１３１が形成されている領域について以下の式で算出することができる。
　開口率（％）＝（１－第１パターンの占める面積／透明基材の第１パターンが形成されている領域の面積）×１００

（アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ１）
　アンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１は、好ましくは８０％以上９９．０％以下であり、より好ましくは８５％以上９５．０％以下である。可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７の全光線透過率に準拠して、その可視光（３６０～８３０ｎｍ）の範囲の透過率を算出することで測定することができる。可視光透過率Ｔｒ_１が、８０％以上であることで、アンテナ部の視認性をより抑制することができ、８５％以上であると、透明基材との透過率差が少なくなり、アンテナ部が視認されにくくなる。また、可視光透過率Ｔｒ_１が、９９％以下とすることで、アンテナ部のパターンによる導電性を維持することが可能であり、９５％以下であると、良好な導電性を確保しやすくなり、工業生産上好ましい。

　アンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１は、第１パターン１３１の線幅を小さくしたり、開口率を増加させたりすることにより、より向上する傾向にある。

（アンテナ部の面抵抗率）
　アンテナ部１３の面抵抗率は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１，０００Ω／ｓｑ以下であり、より好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上５００Ω／ｓｑ以下であり、さらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上３００Ω／ｓｑ以下であり、よりさらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２０Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１０Ω／ｓｑ以下である。面抵抗率が低いほど電力損失が抑制される傾向にあり、アンテナとしての感度を高めることができる。

　面抵抗率の測定方法に関して、先ず、透明アンテナのアンテナ部から第１パターン１３１が全面に配された部分を矩形状に切り出して、測定サンプルを得る。得られた測定サンプルからＪＩＳ　Ｋ　７１９４：１９９４に準拠した四端子法により面抵抗率Ｒ_ｓ（Ω／ｓｑ）を測定することができる。面抵抗率の測定に用いられる抵抗率計としては、例えば、「ロレスターＧＰ」（製品名、三菱化学株式会社製）が挙げられる。

　面抵抗率は、導電性細線のアスペクト比（厚さ）の増加にともない、低下する傾向にある。また、導電性細線を構成する金属材料種の選択によっても調整することが可能である。

（アンテナ部のヘイズ）
　アンテナ部１３のヘイズは、好ましくは０．０１％以上５．００％以下である。ヘイズの上限は、より好ましくは、４．００％以下であり、さらに好ましくは３．００％以下である。ヘイズの上限が５．００％以下であれば、可視光に対する導電性フィルムの曇りを十分に低減できる。本明細書におけるヘイズは、ＪＩＳ　Ｋ　７１３６：２０００に準拠して測定することができる。

〔透過率調整部〕
　図８に示すように、第２実施形態に係る透明アンテナ１は、平面透視でアンテナ部１３の少なくとも周辺に形成された透過率調整部１７を有する。透過率調整部１７は、透明基材１１の第１主面上に配設されていてもよく、透明基材１１の第２主面上に配設されていてもよく、透明基材１１の第１主面及び第２種面の両方の主面上に配設されていてもよいが、ここでは、パターン形成の容易性の観点から、透明基材１１の第１主面上に配設されていることが好適である。以下、第１主面上に透過率調整部１７が配される場合を例にとり説明する。

　図１２は、透過率調整部１７を構成する第２パターン１５１を示す、図８のＳ２部分の拡大図である。透過率調整部１７は、第２パターン１５１と、開口部１５２とを有する。第２パターン１５１は、例えば、細線により構成されるグリット、ドットが挙げられる。グリットの単位形状は、特に限定されないが、例えば、三角形、四角形、六角形等が挙げられる。

　第２パターン１５１は、導電性細線で構成されていてもよいし、非導電性細線で構成されていてもよい。これらの中でも、色調調整の容易性及びパターン形成の容易性の観点から、導電性細線されることが好ましく、アンテナ部１３を構成する第１パターン１３１と同一の材料から形成される導電性細線であることが好ましい。第２パターン１５１が、導電性細線で構成されていると、フィルム面内方向の電波の発生を抑制でき、また、フィルム面外方向へのアンテナ異方性を発現させることができる点で好ましい。これは、第２パターン１５１を導電性細線で形成すると、面内方向に電波吸収体が存在することになるためと推察される。さらに、透過率調整部１７は、第１パターン１３１内の導電性細線とは電気的に導通しない。なお、第２パターン１５１を構成する導電性細線は、透過率調整部１７の領域内で互いに電気的に導通していてもよく、電気的に導通してなくてもよい。

　非導電性細線としては、例えば、インクが挙げられる。インクの色相を第１パターン１３１の導電性細線の色相にあわせることで、視認性をより抑制することができる。

（第２パターンの線幅Ｗ_２）
　第２パターン１５１を構成する細線の線幅Ｗ_２は、好ましくは０．２５μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上３．０μｍ以下であり、さらに好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下である。導電性細線の線幅Ｗ_２を当該範囲とすることで第２パターン１５１を構成する導電性細線が目視できなくすることができる。第２実施形態の線幅Ｗ_２とは、透明基材１１の第２パターン１５１が配された面側から、細線を透明基材１１の表面上に投影したときの細線の線幅をいう。

（厚さＴ_２）
　第２パターン１５１を構成する細線の厚さＴ_２は、好ましくは１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以上あり、さらに好ましくは７５ｎｍ以上である。第２パターン１５１を構成する細線の厚さＴ_２が１０ｎｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。他方、細線の厚さＴ_２が１，０００ｎｍ以下であることにより、広い視野角において視認性が抑制される。第２実施形態の第２パターン１５１を形成する細線の厚さＴ_２は、前記定義した第２パターン１５１を構成する細線の線幅内における、透明基材１１と導電性細線との界面に対する垂直方向の最大値であり、細線内の空孔や接着層などの導通に寄与しない不導体部も含む。

（アスペクト比）
　第２パターン１５１を構成する細線の線幅Ｗ_２に対する細線の厚さＴ_２で表されるアスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）は、好ましくは０．０５以上２．００以下である。アスペクト比の下限は、より好ましくは０．０８以上、さらに好ましく０．１０以上である。アスペクト比が０．０５以上であることにより、透過率を低下させることなく、導電性をより向上できる傾向にある。アスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）が２．００以下であると、細線の耐久性や接着性が向上する傾向があり好ましい。細線の耐久性や接着性が向上する詳細なメカニズムは不明であるが、アスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）が２．００以下であることで、耐久性向上のためのパッシベーション膜に欠陥が生じにくくなることや、導電性細線の面内方向のせん断力に物理的に強くなると想定される。

（ピッチＰ_２）
　第２パターン１５１のピッチＰ_２は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。第２パターン１５１のピッチＰ_２が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることができる。また、第２パターン１５１のピッチＰ_２は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。第２パターン１５１のピッチＰ_２が１，０００μｍ以下であることにより、導電性をより向上できる傾向にある。なお、ピッチＰ_２は、線幅Ｗ_２と導電性細線間の距離の和を意味する。

（開口率）
　第２パターン１５１の開口率は、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは７０％以上であり、更に好ましくは８０％以上であり、より更に好ましくは９０％以上である。第２パターン１５１の開口率を当該値以上とすることにより、透明アンテナの可視光透過率がより向上する傾向にある。また、第２パターン１５１の開口率は、好ましくは１００％未満であり、より好ましくは９５％以下である。開口率の算出方法は、前述の第１パターン１３１における開口率の算出方法と同様である。

〔差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜〕
　透過率調整部１７におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａの可視光透過率Ｔｒ_２１とアンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜が、１０％以下である。当該透過率調整部１７を有することで、アンテナ部１３の視認性を抑制することができる。当該差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜は、好ましくは８％以下であり、より好ましくは５％以下であり、更に好ましくは３％以下である。差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜が当該範囲であることで、アンテナ部の視認性を抑制することができる。差の絶対値｜Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１｜は、特に限定されないが、例えば、０．１以上であってもよい。

　可視光透過率Ｔｒ_２１を測定する位置Ｐ_ａは、透過率調整部１７におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置であり、例えば、図８に示す位置である。

（可視光透過率Ｔｒ_２１）
　可視光透過率Ｔｒ_２１は、好ましくは８０％以上９９．９％以下であり、より好ましくは８５％以上９５．０％以下である。可視光透過率Ｔｒ_２１が、８０％以上であることで、透過率調整部１７の視認性をより抑制することができ、８５％以上であると、透明基材との透過率差が少なくなり、透過率調整部１７が視認しにくくなる。可視光透過率Ｔｒ_２１は、９５％以下であると、通常のフィルムの取扱範囲であるため生産上好ましい。

　第２パターン１５１の可視光透過率Ｔｒ_２１は、第２パターン１５１の線幅を小さくしたり、開口率を増加させたりすることにより、より向上する傾向にある。

（可視光透過率Ｔｒ_２２）
　透明基材１１の周縁部における可視光透過率Ｔｒ_２２が、アンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１よりも大きい値を有することが好ましい。当該構成を有することで、透明アンテナを透明な物品に貼り付けるとき、周囲の透明部材に溶け込みやすくなり、使用時の視認性を抑制することができる。なお、第２実施形態に係る透明アンテナにおける透明基材１１の周縁部は、透明基材１１上に第２パターン１５１が形成されていない場合と、透明基材１１上に透過率調整部１７を構成する第２パターン１５１が形成されている場合とがある。

　可視光透過率Ｔｒ_２２は、好ましくは透過率調整部１７におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａの可視光透過率Ｔｒ_２１よりも大きい値を有する。可視光透過率Ｔｒ_２２は、具体的には、好ましくは８５％以上９９．９％以下であり、より好ましくは９０％以上９９．９％以下であり、更に好ましくは９５％以上９９．９％以下である。この場合、第２パターン１５１における、可視光透過率は、アンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａから、透明基材の周縁部Ｐ_ｂまで、段階的に増加する。このように、段階的に可視光透過率を増加させることで、アンテナ部１３の周囲をぼかし視認性を抑制することができる。あるいは、位置Ｐ_ａから、周縁部Ｐ_ｂまで、連続的に増加させる場合も、アンテナ部１３の周囲をぼかし視認性を抑制することが可能となる。

　一方で、透明基材１１の周縁部の可視光透過率Ｔｒ_２２が、アンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１よりも小さい値を有していてもよい。当該構成を有することで、透明アンテナを不透明な物品に貼り付けるとき、周囲の透明部材に溶け込みやすくなり、使用時の視認性を抑制することができる。

　可視光透過率Ｔｒ_２２が、可視光透過率Ｔｒ_１よりも小さい場合、可視光透過率Ｔｒ_２２は、好ましくは透過率調整部１７におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａの可視光透過率Ｔｒ_２１よりも小さい値を有する。可視光透過率Ｔｒ_２２は、好ましくは７０％以上９９．０％以下であり、より好ましくは７５％以上９５．０％以下であり、更に好ましくは８０％以上９０．０％以下である。この場合、第２パターン１５１における、可視光透過率は、アンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａから、透明基材の周縁部Ｐ_ｂまで、段階的に減少する。このように、段階的に可視光透過率を減少させることで、アンテナ部１３の周囲をぼかし視認性を抑制することができる。あるいは、位置Ｐ_ａから周縁部Ｐ_ｂまで、連続的に減少させる場合でも、アンテナ部１３の周囲をぼかし視認性を抑制することが可能となる。
　また、上記した位置Ｐ_ａから周縁部Ｐ_ｂへの段階的、或いは連続的な透過率の増減は、単調変化の増減である必要はなく、例えば、位置Ｐ_ａより透過率を下げた後、周縁部Ｐ_ｂまで透過率を上げても良い。位置Ｐ_ａから周縁部Ｐ_ｂへの透過率変化については、透明アンテナを貼り付ける部材との意匠性に応じて、適宜採用される。

（透過率調整部の面抵抗率）
　透過率調整部１７が導電性細線で構成される場合、透過率調整部１７の面抵抗率は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１，０００Ω／ｓｑ以下であり、より好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上５００Ω／ｓｑ以下であり、さらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上３００Ω／ｓｑ以下であり、よりさらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２０Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１０Ω／ｓｑ以下である。面抵抗率が低いほど電力損失が抑制される傾向にあり、アンテナとしての感度を高めることができる。

（透過率調整部のヘイズ）
　透過率調整部１７のヘイズは、好ましくは０．０１％以上５．００％以下である。ヘイズの上限は、より好ましくは、４．００％以下であり、さらに好ましくは３．００％以下である。ヘイズの上限が５．００％以下であれば、可視光に対する導電性フィルムの曇りを十分に低減できる。本明細書におけるヘイズは、ＪＩＳ　Ｋ　７１３６：２０００のヘイズに準拠して測定することができる。

　アンテナ部１３及び透過率調整部１７は、透視平面において、アンテナ部１３の周縁部の境界における視感透過率の劇的な変化を少なくし、アンテナ部１３の形状の視認性を抑制するように配置される。

　図１３は、アンテナ部１３と透過率調整部１７との境界を示す、図８のＳ３部分の拡大図である。第２実施形態の透明アンテナ１における、アンテナ部１３と透過率調整部１７とは、非導通領域１７１を介在して配置されていてもよい。非導通領域１７１の幅Ｗ_３は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。非導通領域１７１の幅Ｗ_３が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることが出来る。また、非導通領域１７１の幅Ｗ_３は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。当該範囲であることで、非導通領域１７１の視認性が抑制され、アンテナ部１３の視認性が抑制された透明アンテナが得られる。

　別形態として、透過率調整部１７は、平面透視において、アンテナ部１３の一部が重なるように配置されていてもよい。より具体的には、第１主面に形成されているアンテナ部１３に対して、平面透視において一部が重なるように透過率調整部１７を第２主面に配置してもよい。

〔透明基材〕
　透明基材の「透明」とは、可視光透過率が、好ましくは８０％以上であることをいい、より好ましくは９０％以上であることをいい、さらに好ましくは９５％以上であることをいう。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７に準拠して測定することができる。

　透明基材の材料としては、特に限定されないが、例えば、ガラス等の透明無機基材；アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ナイロン、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の透明有機基材が挙げられる。このなかでも、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、又はポリエチレンナフタレートが好ましい。ポリエチレンテレフタレートを用いることにより、導電性フィルムを製造するための生産性（コスト削減効果）がより優れ、また、透明基材と導電性細線との密着性がより向上する傾向にある。また、ポリイミドを用いることにより、導電性フィルムの耐熱性がより向上する傾向にある。さらに、ポリエチレンナフタレートを用いることにより、透明基材と導電性細線との密着性がより優れる傾向にある。

　透明基材は、１種の材料からなるものであっても、２種以上の材料が積層されたものであってもよい。また、透明基材が２種以上の材料が積層された多層体である場合には、該透明基材は有機基材又は無機基材同士が積層されたものであっても、有機基材及び無機基材が積層されたものであってもよい。

　透明基材の厚さは、好ましくは５μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下である。

〔中間層〕
　第２実施形態の透明アンテナ１は、透明基材と導電部の間に中間層を有していてもよい。該中間層は、透明基材と導電部の導電性細線との密着性の向上に寄与しうる。

　中間層に含まれる成分としては、特に限定されないが、例えば、ケイ素化合物（例えば、（ポリ）シラン類、（ポリ）シラザン類、（ポリ）シルチアン類、（ポリ）シロキサン類、ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、塩化ケイ素、ケイ素酸塩、ゼオライト、シリサイド等）、アルミニウム化合物（例えば、酸化アルミニウム等）、マグネシウム化合物（例えばフッ化マグネシウム）等が挙げられる。この中でも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、及びフッ化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。このような成分を用いることにより、導電性フィルムの透明性及び耐久性がより向上する傾向にあり、導電性フィルムを製造するための生産性（コスト削減効果）がより優れる。中間層は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法や、上記中間層に含まれる成分が分散媒に分散した中間体形成組成物を塗布、乾燥する方法により成膜することができる。中間体形成組成物は、必要に応じて、分散剤、界面活性剤、結着剤等を含有してもよい。

　中間層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは０．０５μｍ以上３００μｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０μｍ以上２００μｍ以下である。中間層の厚みが０．０１μｍ以上であることで、中間層と導電性細線の密着性が発現され、中間層の厚みが５００μｍ以下であれば透明基材の可撓性が担保できる。

　中間層を透明基材上に積層することで、プラズマ等の焼成手段でインク中の金属成分を焼結させる際に、プラズマ等によって導電性細線パターン部で被覆されていない箇所の透明基材のエッチングを防ぐことができる。

　さらにこの中間層は静電気による導電性細線パターンの断線を防ぐために、帯電防止機能を持っていることが好ましい。中間層が帯電防止機能を有するために、中間層は導電性無機酸化物及び導電性有機化合物の少なくともいずれかを含むことが好ましい。導電性有機化合物としては、例えば、導電性の有機シラン化合物、脂肪族共役系のポリアセチレン、芳香族共役系のポリ（パラフェニレン）、複素環式共役系のポリピロール等が挙げられる。これらの中でも、導電性の有機シラン化合物が好ましい。

　中間層の体積抵抗率は１００Ωｃｍ以上１０００００Ωｃｍ以下であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上１００００Ωｃｍ以下であることがより好ましく、２０００Ωｃｍ以上８０００Ωｃｍ以下であることがさらにより好ましい。中間層の体積抵抗率が１０００００Ωｃｍ以下であることで、帯電防止機能を発現することができる。また中間層の体積抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることで導電性細線パターン間の電気伝導が好ましくないタッチパネル等の用途に好適に用いることができる。体積抵抗率は、中間層内の導電性無機酸化物や導電性有機化合物等の帯電防止機能を発揮する成分の含有量により調整することができる。例えば、プラズマ耐性の高い酸化ケイ素（体積比抵抗１０^１４Ω・ｃｍ以上）と導電性有機化合物である有機シラン化合物を中間層に含む場合、導電性の有機シラン化合物の含有量を増やすことで体積抵抗率を低下することができる。一方で、酸化ケイ素の含有量を増やすことで体積抵抗率は増加するが高いプラズマ耐性を有するため薄膜にすることができ、光学的特性を損なうことがない。

〔透明アンテナの製造方法〕
　透明アンテナは、例えば、透明基材上に上述の透明アンテナのパターンを形成することで得られる。透明アンテナの製造方法は、特に制限されないが、例えば、透明基材上に金属成分を含むインクを用いてパターンを形成するパターン形成工程と、当該パターンを焼成して導電性細線を形成する焼成工程と、を有する方法が挙げられる。また、第２実施形態の透明アンテナの製造方法は、パターン形成工程に先立ち、透明基材の表面に中間層を形成する中間層形成工程を含んでもよい。

〔中間層形成工程〕
　中間層形成工程は、透明基材の表面に中間層を形成する工程である。中間層の形成方法としては、特に制限されないが、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相成膜法により、透明基材表面に蒸着膜を形成する方法；透明基材表面に中間層形成用組成物を塗布し、乾燥することで塗膜を形成する方法が挙げられる。

　中間層形成用組成物は、上記中間層に含まれる成分として例示した成分あるいはその前駆体と、溶剤とを含み、必要に応じて、界面活性剤、分散剤、結着剤等を含有してもよい。

〔パターン形成工程〕
　パターン形成工程は、金属成分を含むインクを用いてパターンを形成する工程である。パターン形成工程は、所望の導電性細線パターンの溝を有する版を用いる有版印刷方法であれば特に限定されないが、例えば、転写媒体表面にインクをコーティングする工程と、インクをコーティングした転写媒体表面と、凸版の凸部表面とを対向させて、押圧、接触して、凸版の凸部表面に転写媒体表面上のインクを転移させる工程と、インクをコーティングした転写媒体表面と透明基材の表面とを対向させて、押圧、接触して、転写媒体表面に残ったインクを透明基材の表面に転写する工程とを有する。なお、透明基材に中間層が形成されている場合には、中間層表面にインクが転写される。

（インク）
　インクとしては、第１実施形態において例示したものを適宜用いることができる。

〔焼成工程〕
　焼成工程は、パターンを焼成して導電性細線を形成する工程であり、これにより、インクを塗布したパターンと同様の導電性細線パターンを有する導電部を得ることができる。焼成は、金属成分が融着して、金属成分焼結膜を形成することができる方法であれば特に制限されない。焼成は、例えば、焼成炉で行ってもよいし、プラズマ、加熱触媒、紫外線、真空紫外線、電子線、赤外線ランプアニール、フラッシュランプアニール、レーザーなどを用いて行ってもよい。得られる焼結膜が酸化されやすい場合には、非酸化性雰囲気中において焼成することが好ましい。また、インクに含まれ得る還元剤のみで金属酸化物等が還元されにくい場合には、還元性雰囲気で焼成することが好ましい。

　非酸化性雰囲気とは酸素等の酸化性ガスを含まない雰囲気であり、不活性雰囲気と還元性雰囲気がある。不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオンや窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気である。また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。これらのガスを焼成炉中に充填して密閉系としてインクの塗布膜（分散体塗布膜）を焼成してもよい。また、焼成炉を流通系にしてこれらのガスを流しながら塗布膜を焼成してもよい。塗布膜を非酸化性雰囲気で焼成する場合には、焼成炉中を一旦真空に引いて焼成炉中の酸素を除去し、非酸化性ガスで置換することが好ましい。また、焼成は、加圧雰囲気で行なってもよいし、減圧雰囲気で行なってもよい。

　焼成温度は、特に制限されないが、好ましくは２０℃以上４００℃以下であり、より好ましくは５０℃以上３００℃以下であり、さらに好ましくは８０℃以上２００℃以下である。焼成温度が４００℃以下であることにより、耐熱性の低い基板を使用することができるので好ましい。また、焼成温度が２０℃以上であることにより、焼結膜の形成が十分に進行し、導電性が良好となる傾向にあるため好ましい。なお、得られる焼結膜は、金属成分に由来する導電性成分を含み、そのほか、インクに用いた成分や焼成温度に応じて、非導電性成分を含みうる。

　この中でも、金属成分の拡散、凝集を調整し、これにより導電性細線中の空隙量を調整する観点から、焼成時のエネルギーとしては、例えば、熱、プラズマ、電子線や光源を用いることが好ましく、フラッシュランプアニールを用いることが好ましい。また、同様の観点から、焼成時間は、好ましくは１００μｓｅｃ～５０ｍｓｅｃであり、より好ましくは８００μｓｅｃ～１０ｍｓｅｃであり、１ｍｓｅｃ～２．４ｍｓｅｃである。なお、必要に応じて、フラッシュランプアニールを複数回用いて焼成してもよい。

　また、上述の観点に加え金属成分の融着を促進でき、より高い導電性を有する導電性フィルムが得られるため、プラズマによる焼成方法を用いることがより好ましい。同様の観点から、プラズマの出力は好ましくは０．５ｋＷ以上であり、より好ましくは０．６ｋＷ以上であり、さらに好ましくは０．７ｋＷ以上である。プラズマの出力の上限値は、特に制限はなく、使用する透明基材や中間層に損傷がない範囲であればよい。また焼成時間の下限値はプラズマ出力に依るが、生産性の観点から上限値は好ましくは１０００ｓｅｃ以下であり、より好ましくは６００ｓｅｃ以下である。なお、必要に応じて、プラズマ焼成を複数回用いて焼成してもよい。

〔ＲＦタグ〕
　図１４は、第２実施形態に係るＲＦタグ１００の概略構成図である。図１５は、第２実施形態に係るＲＦタグ１００の概略側面図である。「ＲＦタグ」とは、「Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙタグ」の略称である。なお、ＲＦタグは、電子タグ、ＩＣタグ、無線タグ、ＲＦＩＤタグ等、他の名称で呼称されることもある。この実施形態でいう「ＲＦタグ」は、対応するリーダとともに用いられ、リーダとの間で非接触にてデータを送信または送受信できるものをいう。かかる非接触の送信または送受信は、好ましくは電波によって行われる。なお、リーダは、ライタ（書き込み）を兼ねていてもよい。ＲＦタグ１００は、第２実施形態に係る透明アンテナ１と、アンテナ部１３と電気的に接続される半導体素子１４を有する。半導体素子１４は、第２実施形態に係る透明アンテナ１の集電部１２で、例えば、異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムにより接続される。半導体素子１４は、導電性接着層１９を介して、集電部１２と接合する。半導体素子１４としては、特に限定されないが、記憶素子等の集積回路が挙げられる。

　第２実施形態では、電池を内蔵しておらず、リーダ・ライタから受信した電波をエネルギー源として動作するパッシブタグであるＲＦタグ１００を示すが、第２実施形態のＲＦタグ１００は、さらに電池（不図示）を内蔵し、その電力を送受信や内部回路用電源として使用するアクティブタグや、その他センサやセンサの電源としての電池を内蔵するセミパッシブタグであってもよい。なお、第２実施形態においてＲＦタグとは、透明アンテナ１を有することにより特定の周波数の送受信が可能であるものをいう。したがって、ＩＣタグと呼ばれるものであっても上記構成を満たすものであれば、第２実施形態におけるＲＦタグに含まれる。

　半導体素子１４は、ＲＦタグ１００の用途に応じて公知のものを用いることができる。半導体素子１４の構成は、特に制限されないが、例えば、記憶部、電源整流部、受信部、制御部、及び送信部などの機能部を有する。

　各機能部と第２実施形態のＲＦタグ１００がパッシブ型である場合の動作の一例について説明する。まず、ＲＦタグ１００のアンテナ部１３が、リーダ・ライタからの電波を受信し、電磁誘導などにより起電力が発生する。そして、この起電力によりＲＦタグ１００の半導体素子１４が起動する。その際、電源整流部は、アンテナ部１３に入力された交流を直流に変換し、半導体素子１４の回路に電源を供給する。また、これと並行して、受信部は、リーダ・ライタから受信した搬送波を信号列に復調し、信号列を制御部に送る。制御部は、受信部から受け取った信号列に従って、記憶部への情報のリード／ライトや、情報処理結果を信号列として送信部へ受け渡す。ここで、記憶部は、商品情報など、ＲＦタグの用途に応じて様々な情報を記憶する。最後に、送信部は、制御部から受け取った信号列を搬送波に変調し、アンテナ部１３から送信する。そして、リーダ・ライタのアンテナがその搬送波を受信し、情報処理を行う。なお、第２実施形態においてＲＦＩＤとは、ＲＦタグとリーダ・ライタからなるシステムをいう。

　第２実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な周波数帯は、特に制限されないが、例えば、ＬＦ帯（中波帯）：１２０～１３０ｋＨｚ、ＨＦ帯（短波帯）：１３．５６ＭＨｚ、ＵＨＦ帯（極超短波）：９００ＭＨｚ帯、マイクロ波：２．４５ＧＨｚ帯が挙げられる。アンテナ部１３のタイプは、利用する周波数帯に応じて適宜調整することができる。例えば、ＨＦ帯を利用する場合には、ループタイプのアンテナを使用し、ＵＨＦ帯を利用する場合には、ダイポールタイプのアンテナを使用することができる。

　第２実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な送受信方式としては、上記電波方式に限定されず、送信側・受信側それぞれが持つコイルに高周波を印加し、生じる相互誘導に情報を載せる電磁結合方式や、アンテナ近傍に発生する磁界に情報を載せ、情報のやりとりを行う電磁誘導方式を用いてもよい。

＜＜第３実施形態＞＞
［透明アンテナ］
　第３実施形態に係る透明アンテナは、第１主面及び第２主面を有する透明基材と、当該透明基材の当該第１主面上に配設された、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する第１パターンにより構成されるアンテナ部と、当該透明基材の当該第１主面及び当該第１主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で当該アンテナ部の少なくとも周辺に形成された色調調整部と、を備える。
　第３実施形態では、当該色調調整部における当該アンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）と前記アンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√［（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）^２＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）^２＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）^２］）が、１０以下である。

　以上の構成を有することで、第３実施形態に係る透明アンテナは、アンテナ部の視認性を低減させることができる。第１パターンにより構成されるアンテナ部の平面透視で少なくとも周辺に形成された色調調整部を有し、色差（√［（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）^２＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）^２＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）^２］）を１０以下とすることで、アンテナ部と周囲の色度の差を小さくすることができ、アンテナ部の視認性を低減させることができる。

　図１６は、第３実施形態に係る透明アンテナ１の概略構成図である。透明アンテナ１は、第１主面及び第２主面を有する透明基材１１と、透明基材１１の第１主面上に配設された集電部１２と、透明基材１１の第１主面上に配設されたアンテナ部１３と、平面透視で当該アンテナ部１３の少なくとも周辺に形成された色調調整部１８と、を備える。

　集電部１２は、アンテナ部１３と電気的に接続されるものであり、アンテナ部１３が所定の周波数に応答して発生した電気を、半導体素子１４に向かって集電する部分をいう。また、接合部１２１は、集電部１２のうち、半導体素子１４と接合する部分をいう。以下、集電部１２とその接合部１２１を区別する必要がなく、両方に関するものに関しては、「集電部１２（接合部１２１）」と表記することがある。また、単に「集電部１２」と記載する場合であっても、集電部１２における接合部１２１以外の部分を意味するものではない。

＜接合部＞
　接合部１２１は、集電部１２の先端であって、半導体素子１４と接合する場所である。図１７に、図１６のＳ１ａの拡大図を示す。図１７において、集電部１２は２以上の先端が対向した接合部１２１を有する。この接合部１２１には、異方性導電性接着剤などにより、半導体素子１４が電気的に接合される。また、アンテナ部１３は、その接合部１２１と電気的に接続され、所定の周波数の電波を受信して半導体素子１４に電気信号を伝えたり、半導体素子１４の出力に応じて所定の周波数の電波を送信したりすることができる。なお、図１７では、台形状の集電部１２を示すが、集電部１２の形状はこれに制限されない。一例として、図１７における集電部１２は、平面視において半導体素子の投影面積と同等～数倍の面積を有し、接合部１２１に半導体素子１４が接合された際に、集電部１２がほぼおおわれるものが好ましい。この場合、集電部１２は実質的に接合部１２１のみで構成されているともいえる。

　図１６には、２つのアンテナ部１３を有し、その間に接合部１２１を有する集電部１２が設けられたストレイトタイプの透明アンテナ１０及びＲＦタグ１００を示すが、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３の態様はこれに制限されるものではない。例えば、第３実施形態の透明アンテナ１０やＲＦタグ１００は、図１８に示すように、集電部１２がループ形状になっており、ループ形状の集電部１２の周囲にアンテナ部１３が設置されたループタイプの透明アンテナ１０及びＲＦタグ１００であってもよい。

　図１９に、図１８のＳ１ｂの拡大図を示す。図１９に示すように、ループタイプの集電部１２は、ループの先端が対向した接合部１２１を有する。接合部１２１は、集電部１２の先端であって、半導体素子１４と接合する場所である。

　図１７及び１９では、太い導電性細線からなる導電性パターンで形成された集電部１２（接合部１２１）と、より細い導電性細線からなる導電性パターンで形成されたアンテナ部１３とが、電気的に接合されている例を示す。集電部１２を構成する導電性パターンは、複数の導電性細線が網目状に交差して形成されるグリッドパターンとして示すが、導電性パターンはこれに限定されず導電性細線が交差し導電性が維持される他のパターンであってもよい。また、集電部１２を構成する導電性パターンは規則的なパターンであっても不規則なパターンであってもよい。さらに、導電性細線は、直線であっても、曲線であってもよい。

＜アンテナ部＞
　図２０は、アンテナ部１３を構成する第１パターン１３１を示す、図１６のＳ１部分の拡大図である。アンテナ部１３は、第１パターン１３１と、開口部１３２とを有する。第１パターン１３１は、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下の線幅の導電性細線を有する。当該線幅の導電性細線を有することで、第１パターン１３１における導電性細線が視認できなくなる。第１パターン１３１は、アンテナ部１３が所定の周波数に応答するよう、その外縁形状が設計される。第１パターン１３１を構成する導電性細線は、アンテナ部１３の領域内で互いに電気的に導通する。また、第１パターン１３１は、例えば、導電性細線により構成されるグリットである。グリットの単位形状は、特に限定されないが、例えば、三角形、四角形、六角形等が挙げられる。図２０には、単位形状が四角形であるグリットが示されている。図２１は、第１パターン１３１の別形態を示す概略図である。当該別形態においては、単位形状が六角形であるグリットを有する。

（第１パターンの線幅Ｗ_１）
　第１パターン１３１を構成する導電性細線の線幅Ｗ_１は、好ましくは０．２５μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上４．０μｍ以下であり、さらに好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下である。導電性細線の線幅Ｗ_１を当該範囲とすることで第１パターン１３１を構成する導電性細線が目視できなくなり、アンテナ部１３の視認性を低減させることができる。第３実施形態の線幅Ｗ_１とは、透明基材１１の第１パターン１３１が配された面側から、導電性細線を透明基材１１の表面上に投影したときの導電性細線の線幅をいう。

（厚さＴ_１）
　導電性細線の厚さＴ_１は、好ましくは１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以上あり、さらに好ましくは７５ｎｍ以上である。導電性細線の厚さＴ_１が１０ｎｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。他方、導電性細線の厚さＴ_１が１，０００ｎｍ以下であることにより、広い視野角において視認性が抑制される。第３実施形態の導電性細線の厚さＴ_１とは、前記定義した導電性細線の線幅内における、透明基材１１と導電性細線との界面に対する垂直方向の最大値であり、導電性内部の空孔や接着層などの導通に寄与しない不導体部も含む。

（アスペクト比）
　導電性細線の線幅Ｗ_１に対する導電性細線の厚さＴ_１で表されるアスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）は、好ましくは０．０５以上２．００以下である。アスペクト比の下限は、より好ましくは０．０８以上、さらに好ましく０．１０以上である。アスペクト比が０．０５以上であることにより、透過率を低下させることなく、導電性をより向上できる傾向にある。アスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）が２．００以下であると、導電性細線の耐久性や接着性が向上する傾向があり、好ましい。導電性細線の耐久性や接着性が向上する詳細なメカニズムは不明であるが、アスペクト比（Ｔ_１／Ｗ_１）が２．００以下であることで、耐久性向上のためのパッシベーション膜に欠陥が生じにくくなることや、導電性細線の面内方向のせん断力に物理的に強くなると想定される。

（ピッチＰ_１）
　導電性パターン１３１のピッチＰ_１は、好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。導電性パターン１３１のピッチＰ_１が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることができる。また、導電性パターン１３１のピッチＰ_１は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。導電性パターン１３１のピッチＰ_１が１，０００μｍ以下であることにより、導電性をより向上できる傾向にある。なお、導電性パターン１３１の正方形のグリッドパターンである場合には、線幅１μｍの導電性パターン１３１のピッチＰ_１を２００μｍとすることにより、開口率９９％とすることができる。なお、ピッチＰ_１は、線幅Ｗ_１と導電性細線間の距離の和を意味する。

（開口率）
　第１パターン１３１の開口率は、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは７０％以上であり、更に好ましくは８０％以上であり、より更に好ましくは９０％以上である。第１パターン１３１の開口率を当該値以上とすることにより、透明アンテナの可視光透過率がより向上する傾向にある。また、第１パターン１３１の開口率は、好ましくは１００％未満であり、より好ましくは９５％以下である。第１パターン１３１の開口率を当該値以下とすることで、アンテナ部１３の導電性がより向上する傾向にある。

（アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１）
　アンテナ部１３の可視光透過率Ｔｒ_１は、好ましくは８０％以上９９．０％以下であり、より好ましくは８５％以上９５．０％以下である。可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７の全光線透過率に準拠して、その可視光（３６０～８３０ｎｍ）の範囲の透過率を算出することで測定することができる。可視光透過率Ｔｒ_１が、８０％以上であると、アンテナ部１３の視認性をより抑制することができ、８５％以上であると、透明基材との透過率差が少なくなり、アンテナ部１３が視認されにくくなる。また、可視光透過率Ｔｒ_１が、９９％以下とすることで、アンテナ部のパターンによる導電性を維持することが可能であり、９５％以下であると、良好な導電性を確保しやすくなり、工業生産上好ましい。

　面抵抗率の測定方法に関して、先ず、透明アンテナのアンテナ部から第１パターンが全面に配された部分を矩形状に切り出して、測定サンプルを得る。得られた測定サンプルからＪＩＳ　Ｋ　７１９４：１９９４に準拠した四端子法により面抵抗率Ｒ_ｓ（Ω／ｓｑ）を測定することができる。面抵抗率の測定に用いられる抵抗率計としては、例えば、「ロレスターＧＰ」（製品名、三菱化学株式会社製）が挙げられる。

（アンテナ部のヘイズ）
　アンテナ部１３のヘイズは、好ましくは０．０１％以上５．００％以下である。ヘイズの上限は、より好ましくは、４．００％以下であり、さらに好ましくは３．００％以下である。ヘイズの上限が５．００％以下であれば、可視光に対する導電性フィルムの曇りを十分に低減できる。本明細書におけるヘイズは、ＪＩＳ　Ｋ　７１３６：２０００のヘイズに準拠して測定することができる。

＜色調調整部＞
　図１６に示すように、第３実施形態に係る透明アンテナ１は、平面透視でアンテナ部１３の少なくとも周辺に形成された色調調整部１８を有する。色調調整部１８は、アンテナ部１３との色差を調整する機能を有すればよく、例えば、パターン（以下、アンテナ部の第１パターンと区別して、「第２パターン」ともいう。）であってもよいし、透明性の高い塗料によるベタであってもよい。

　さらに、色調調整部１８は、後述する色差条件を満たすものであればその態様は制限されず、例えば、その領域中で色度が一様である必要はない。例えば、以下のように各位置の色度と色差を定義する。この場合、色調調整部１８は、後述する色差条件に加え、色差Δ_１と色差Δ_２との差（Δ_１－Δ_２）が、正となるように、アンテナ部と隣接する位置からアンテナ部とは隣接しない位置（外縁部）にかけて、色度が漸減するように構成されていてもよい。これにより、色調調整部１８は、アンテナ部１３から離れるほど透明基材１１と近い色度を有することになるため、色差を調整する機能がより適切に発揮されうる。
　　色度Ｃ_３：色調調整部１８のアンテナ部とは隣接しない位置、すなわち外縁部の色度（Ｌ_３ ^＊，ａ_３ ^＊，ｂ_３ ^＊）
　　色度Ｃ_４：透明基材の色度（Ｌ_４ ^＊，ａ_４ ^＊，ｂ_４ ^＊）
　　色差Δ_１：色度Ｃ_３と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_３ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_３ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_３ ^＊）^２］）
　　色差Δ_２：色度Ｃ_２と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_２ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_２ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_２ ^＊）^２］）

　また、色調調整部１８は、色度の異なる２つ以上の領域から形成されていてもよい。例えば、色調調整部１８は、アンテナ部１３と隣接する第１の色調調整部と、第１の色調調整部と隣接する第２の色調調整部と、を有していてもよい。この場合、例えば、以下のように各位置の色度と色差を定義すると、第１の色調調整部が後述する色差条件を満たし、第２の色調調整部が色差Δ_２と色差Δ_１’との差（Δ_２－Δ_１’）が、正となる色差を有するようにすることができる。これにより、アンテナ部１３に近い第１の色調調整部は、アンテナ部１３と比較的近い色度を有し、アンテナ部１３から遠い第２の色調調整部は、透明基材１１と比較的近い色度を有するように、構成することができる。そのため、色差を調整する機能がより適切に発揮されうる。
　　色度Ｃ_２：第１の色調調整部の色度（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）
　　色度Ｃ_３’：第２の色調調整部の色度（Ｌ_３’ ^＊，ａ_３’ ^＊，ｂ_３’ ^＊）
　　色度Ｃ_４：透明基材の色度（Ｌ_４ ^＊，ａ_４ ^＊，ｂ_４ ^＊）
　　色差Δ_１’：色度Ｃ_３’と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_３’ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_３’ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_３’ ^＊）^２］）
　　色差Δ_２：色度Ｃ_２と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_２ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_２ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_２ ^＊）^２］）

　色調調整部１８は、透明基材１１の第１主面上に配設されていてもよく、透明基材１１の第２主面上に配設されていてもよく、透明基材１１の第１主面及び第２種面の両方の主面上に配設されていてもよいが、ここでは、パターン形成の容易性の観点から、透明基材１１の第１主面上に配設されていることが好適である、第１主面上に色調調整部１８が配される場合を例にとり説明する。

　図２２は、色調調整部１８を構成する第２パターン１５１を示す、図１６のＳ２部分の拡大図である。色調調整部１８は、第２パターン１５１と、開口部１５２とを有する。第２パターン１５１は、例えば、細線により構成されるグリット、ドットが挙げられる。グリットの単位形状は、特に限定されないが、例えば、三角形、四角形、六角形等が挙げられる。

　第２パターン１５１は、導電性細線で構成されていてもよいし、非導電性細線で構成されていてもよい。これらの中でも、色調調整の容易性及びパターン形成の容易性の観点から、導電性細線されることが好ましく、アンテナ部１３を構成する第１パターン１３１と同一の材料から形成される導電性細線であることが好ましい。第２パターン１５１が、導電性細線で構成されていると、フィルム面内方向の電波の発生を抑制でき、また、フィルム面外方向へのアンテナ異方性を発現させることができ点で好ましい。これは、第２パターン１５１を導電性細線で形成すると、面内方向に電波吸収体が存在することになるためと推察される。さらに、色調調整部１８は、第１パターン１３１内の導電性細線とは電気的に導通しない。なお、第２パターン１５１を構成する導電性細線は、色調調整部１８の領域内で互いに電気的に導通していてもよく、電気的に導通してなくてもよい。

（第２パターンの線幅Ｗ_２）
　第２パターン１５１を構成する細線の線幅Ｗ_２は、好ましくは０．２５μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上４．０μｍ以下であり、さらに好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下である。導電性細線の線幅Ｗ_２を当該範囲とすることで第２パターン１５１を構成する導電性細線が目視できなくすることができる。第３実施形態の線幅Ｗ_２とは、透明基材１１の第２パターン１５１が配された面側から、細線を透明基材１１の表面上に投影したときの細線の線幅をいう。

（厚さＴ_２）
　第２パターン１５１を構成する細線の厚さＴ_２は、好ましくは１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以上あり、さらに好ましくは７５ｎｍ以上である。第２パターン１５１を構成する細線の厚さＴ_２が１０ｎｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。他方、細線の厚さＴ_２が１，０００ｎｍ以下であることにより、広い視野角において視認性が抑制される。第３実施形態の第２パターン１５１を形成する細線の厚さＴ_２は、前記定義した第２パターン１５１を構成する細線の線幅内における、透明基材１１と導電性細線との界面に対する垂直方向の最大値であり、細線内の空孔や接着層などの導通に寄与しない不導体部も含む。

（アスペクト比）
　第２パターン１５１を構成する細線の線幅Ｗ_２に対する細線の厚さＴ_２で表されるアスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）は、好ましくは０．０５以上２．００以下である。アスペクト比の下限は、より好ましくは０．０８以上、さらに好ましく０．１０以上である。アスペクト比が０．０５以上であることにより、透過率を低下させることなく、導電性をより向上できる傾向にある。アスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）が２．００以下であると、導電性細線の耐久性や接着性が向上する傾向があり好ましい。導電性細線の耐久性や接着性が向上する詳細なメカニズムは不明であるが、アスペクト比（Ｔ_２／Ｗ_２）が２．００以下であることで、耐久性向上のためのパッシベーション膜に欠陥が生じにくくなることや、導電性細線の面内方向のせん断力に物理的に強くなると想定される。

＜色差＞
　色調調整部１８におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置Ｐ_ａの色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）とアンテナ部１３の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√［（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）^２＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）^２＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）^２］）が、１０以下である。このような色差条件を満たすことで、アンテナ部１３の視認性を抑制することができる。当該色差は、好ましくは６．５以下であり、より好ましくは３．２以下であり、更に好ましくは１．６以下である。当該色差が当該範囲であることで、アンテナ部１３の視認性を抑制することができる。色差は、特に限定されないが、例えば、０．２以上であってもよい。

　また、色調調整部１８は、以下のようにと定義される色差Δ_３と色差Δ_２との差（Δ_３－Δ_２）が、正となる色差を有することが好ましい。これにより、色調調整部１８は、アンテナ部１３と透明基材１１の中間的な色度を有するため、色差を調整する機能がより適切に発揮されうる。
　　色度Ｃ_４：透明基材の色度（Ｌ_４ ^＊，ａ_４ ^＊，ｂ_４ ^＊）
　　色差Δ_３：色度Ｃ_１と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_１ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_１ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_１ ^＊）^２］）
　　色差Δ_２：色度Ｃ_２と色度Ｃ_４との色差（√［（Ｌ_４ ^＊－Ｌ_２ ^＊）^２＋（ａ_４ ^＊－ａ_２ ^＊）^２＋（ｂ_４ ^＊－ｂ_２ ^＊）^２］）

　色度Ｃ_２を測定する位置Ｐ_ａは、色調調整部１８におけるアンテナ部１３に平面透視で隣接する位置であり、例えば、図１６に示す位置である。

　第３実施形態における色度は、ＣＩＥのＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色空間の色座標で表される値である。色差は、ＪＩＳ　Ｚ８７２９－２００４「色の表示方法－Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系」に基づく表面の色差測定により測定することができる。

（色調調整部の面抵抗率）
　色調調整部１８が、導電性細線で構成される場合、色調調整部の面抵抗率は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１，０００Ω／ｓｑ以下であり、より好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上５００Ω／ｓｑ以下であり、さらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上３００Ω／ｓｑ以下であり、よりさらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２０Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１０Ω／ｓｑ以下である。面抵抗率が低いほど電力損失が抑制される傾向にあり、アンテナとしての感度を高めることができる。

（色調調整部のヘイズ）
　色調調整部１８のヘイズは、好ましくは０．０１％以上５．００％以下である。ヘイズの上限は、より好ましくは、４．００％以下であり、さらに好ましくは３．００％以下である。ヘイズの上限が５．００％以下であれば、可視光に対する導電性フィルムの曇りを十分に低減できる。本明細書におけるヘイズは、ＪＩＳ　Ｋ　７１３６：２０００のヘイズに準拠して測定することができる。

　アンテナ部１３及び色調調整部１８は、透視平面において、アンテナ部１３の周縁部の境界における色調の劇的な変化を少なくし、アンテナ部１３の形状の視認性を抑制するように配置される。

　図２３は、アンテナ部１３と色調調整部１８との境界を示す、図１６のＳ３部分の拡大図である。第３実施形態の透明アンテナ１における、アンテナ部１３と色調調整部１８とは、非導通領域１８１を介在して配置されていてもよい。非導通領域１８１の幅Ｗ_３は、５μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは１００μｍ以上である。非導通領域１８１の幅Ｗ_３が５μｍ以上であることで、良好な透過率を得ることが出来る。また、非導通領域１８１の幅Ｗ_３は、好ましくは１，０００μｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは２５０μｍ以下である。当該範囲であることで、非導通領域１８１の視認性が抑制され、アンテナ部１３の視認性が抑制された透明アンテナが得られる。

　別形態として、色調調整部１８は、平面透視において、アンテナ部１３の一部が重なるように配置されていてもよい。より具体的には、第１主面に形成されているアンテナ部１３に対して、平面透視において一部が重なるように色調調整部１８を第２主面に配置してもよい。

＜透明基材＞
　透明基材の「透明」とは、可視光透過率が、好ましくは８０％以上であることをいい、より好ましくは９０％以上であることをいい、さらに好ましくは９５％以上であることをいう。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７に準拠して測定することができる。

＜中間層＞
　第３実施形態の透明アンテナ１は、透明基材と導電部の間に中間層を有していてもよい。該中間層は、透明基材と導電部の導電性細線との密着性の向上に寄与しうる。中間層としては、第２実施形態に記載のものと同様のものを例示することができる。

［透明アンテナの製造方法］
　第３実施形態の透明アンテナの製造方法としては、色調調整部を設けること以外は、第２実施形態と同様の方法を用いることができる。

［ＲＦタグ］
　第３実施形態に係るＲＦタグ１００は、色調調整部を有すること以外は、第２実施形態のＲＦタグと同様の構成とすることができる。

　以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
　片面に易接着層が形成されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製、製品名コスモシャインＡ４１００、フィルム厚５０μｍ）をコア層として用いて、易接着層が形成されていない一方の面上に酸化ケイ素粒子２重量％、導電性の有機シラン化合物１重量％、２－プロパノール６５重量％、１－ブタノール２５重量％、水７重量％で形成された組成物を塗布し、乾燥して、酸化ケイ素を含有した厚さ５０ｎｍの酸化ケイ素含有膜の第１最外層を形成して、基材Ａを得た。

　次いで、粒子径２１ｎｍの酸化第一銅ナノ粒子２０質量部と、分散剤（ビッグケミー社製、製品名：Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１４５）４質量部と、界面活性剤（セイミケミカル社製、製品名：Ｓ－６１１）１質量部と、エタノール７５質量部とを混合・分散し、酸化第一銅ナノ粒子の含有割合が２０質量％のインクを調製した。

　そして、転写媒体表面にインクを塗布し、インクが塗布された転写媒体表面と導電性パターンの溝を有する版を対向させて、押圧、接触して、版の凸部表面に転写媒体表面上の一部のインクを転移させた。その後、残ったインクがコーティングされた転写媒体表面と基材Ａとを対向させて、押圧、接触させ、基材Ａの第１最外層の上に所望の導電性パターン状のインクを転写させた。次いで、ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ社製Ｐｕｌｓｅｆｏｒｇｅ１３００を用いて室温環境下で導電性パターン状のインク（分散体塗布膜）をフラッシュランプアニールにより焼成した。これにより、図１及び２で示すタイプのＲＦタグを得た。

　なお、アンテナ部における導電性パターンは、正方形グリッド状とし、線幅Ｗ_２：１．４μｍ、ギャップＧ_２：６０μｍとし、可視光透過率Ｔｒ２が８８％であった。また、接合部における導電性パターンは、正方形グリッドとし、線幅Ｗ_１：１．４μｍ、ギャップＧ_１：３μｍとした。なお、図２４に、アンテナ部の導電性細線の断面を示す。接合部もアンテナ部も、導電性細線は、Ｗ_０．５０／Ｗ_０がＷ_０．９０／Ｗ_０．５０よりも大きいものであった。また、導電性細線の断面は図２４のように得られ、Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}／Ｓ_Ｍ：０．４０、Ｓ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}：０．２２、Ｓ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}：０．８８、（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}：１．１１であり、導電性細線内部に存在する空隙が、基材側に偏在していた。

　また、アンテナパターンは、図２に示すような長さ４９ｍｍ、幅１０ｍｍの長方形上２枚を２ｍｍ間隔で儲け、接合部間のギャップを１５０μｍとしたダイポールアンテナである。

　上記のようにして形成した接合部に、異方性導電性ペースト（京セラ製ＴＡＰ０６４４Ｆ）を用いて半導体素子を搭載した。次いで、その上からアンテナ部と半導体素子の全体にわたり、アクリル系の光学透明粘着剤（ＯＣＡ、グンゼ株式会社　ＮＮＸ５０Ｍ）を塗布し、接着層を形成してＲＦタグを得た。

　上記のＲＦタグを含むフィルムを幅１２０ｍｍ、長さ１２０ｍｍのフィルムとし、接着層を介して、幅１２０ｍｍ、長さ１２０ｍｍ、厚さ３ｍｍのガラス板を基材として貼り合わせた。得られたＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離０．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔実施例２〕
　接合部の線幅Ｗ_１とアンテナ部の線幅Ｗ_２を３μｍにした以外は、実施例１と同様にして、ＲＦタグを得た。実施例１と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離１．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔実施例３〕
　アンテナ部の全体にのみに、アクリル系の光学透明粘着剤（ＯＣＡ、グンゼ株式会社　ＮＮＸ５０Ｍ）を塗布し、接着層を形成したこと以外は、実施例２と同様にして、ＲＦタグを得た。実施例２と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離１．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔実施例４〕
　アンテナ部の一部にのみに、アクリル系の光学透明粘着剤（ＯＣＡ、グンゼ株式会社　ＮＮＸ５０Ｍ）を塗布し、接着層を形成したこと以外は、実施例２と同様にして、ＲＦタグを得た。実施例２と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離１．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔実施例５〕
　アンテナ部の周囲に、透過率調整部と色調調整部とを兼ねるパターンを設けた以外は、実施例２と同様にして、ＲＦタグを得た。具体的には、アンテナパターンの周囲に、線幅Ｗ_２：３．０μｍでギャップＧ_２を１００μｍから５００μｍまで１ｍｍごとに５０μｍ変えたパターンを矩形状に設けて、第１の透過率調整部（第１の色調調整部）とした。さらにその第１の透過率調整部（第１の色調調整部）の周囲をフィルム端まで、ギャップＧ_２を１０００μｍとしたパターンを設けて、第２の透過率調整部（第２の色調調整部）を形成した。なお、アンテナパターンと第１の透過率調整部（第１の色調調整部）は、幅１００μｍの非導通領域１７１を介して隣接させた。

　第１の透過率調整部の可視光透過率Ｔｒ_２は、８６％から９１％まで連続的に増加した。

　また、色差は、コニカミノルタ製分光測色計　ＣＭ－３６００Ａを使用し、視野２度、主光源Ｄ６５で、反射測定により測定した。ギャップＧ_２が１０００μｍの第２の色調調整部と、アンテナパターンとの色差は、２．８であり、第１の色調調整部は、アンテナ部から、色味が連続的に単調に薄くなっており、各々の境界部は明瞭に観察されなかった。

　実施例１と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離１．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔比較例１〕
　接着層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、ＲＦタグを得た。実施例１と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離０．５ｍのアンテナ特性が得られた。

〔比較例２〕
　実施例１の基材Ａ上に、厚さ１２μｍの連続箔上の圧延アルミニウムを透明なウレタン樹脂接着剤（主剤：平均分子量３００００のポリエステルポリウレタンポリオール１２重量部、硬化剤：キシリレンジイソシアネート系プレポリマー１重量部）で接着後、エッチングにより実施例１と同様に、図２に示すような長さ４９ｍｍ、幅１０ｍｍの長方形上２枚を２ｍｍ間隔で儲け、接合部間のギャップを１５０μｍとしたダイポールアンテナのアンテナパターンを形成した。アンテナパターン形成した後、実施例１と同様にＲＦタグを形成した。実施例１と同様に、ＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離２．０ｍのアンテナ特性が得られた。

〔線幅、ピッチ、及び占有面積率〕
　光学顕微鏡による平面写真により、線幅、ピッチ、及び占有面積率を算出した。

［導電性細線断面のＳＥＭ観察］
　得られた導電性フィルムから数ｍｍ角の小片を切り出し、日本電子社製のＳＭ－０９０１０ＣＰを用い、加速電圧４ｋＶの条件で、上述した方法でアルゴンイオンビームによるＢＩＢ加工を施し、導電性細線の延伸方向に直交する導電性細線の断面を含む測定サンプルを作製した。次いで、導電性細線の断面表面に導電性付与のためのＯｓプラズマコート処理を行った。

　次いで、日立ハイテクノロジーズ社製走査電子顕微鏡（ＳＵ８２２０）を用いて、以下の条件にて、導電性細線の断面のＳＥＭ像を得た。
　　・加速電圧：１ｋＶ
　　・エミッション電流：１０μＡ
　　・測定倍率：５０，０００倍
　　・検出器：Ｕｐｐｅｒ検出器
　　・作動距離：約３ｍｍ

　先ず、得られた導電性細線の断面のＳＥＭ像から基材側の導電性細線界面から細線表面までの最大厚さＴ、線幅Ｗの平均値及び各々のＣＶを算出した。測定は、面内任意の箇所９点を測定し、平均値、ＣＶを求めた。

　画像処理ソフトＩｍａｇｅＪを用いて導電性細線の断面のＳＥＭ像の画像解析を行った。具体的には、ＳＥＭ像（８ｂｉｔ）について、導電性細線の断面のみを抽出し、メディアンフィルタ処理により画像に含まれる微細なノイズを除去した。続いて、抽出した導電性細線の断面について、二値化処理を施し、Ｓ_Ｍ、Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、Ｓ_Ｖ０．２、及びＳ_Ｖ０．８をそれぞれ算出し、Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}／Ｓ_Ｍ、Ｓ_Ｖ０．２／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、Ｓ_Ｖ０．８／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}、及び（Ｓ_Ｖ０．２＋Ｓ_Ｖ０．８）／Ｓ_{Ｖｔｏｔａｌ}を算出した。次いで、導電性細線界面における導電性細線の幅Ｗ０、基材側の導電性細線界面から０．５０Ｔ、０．９０Ｔの高さにおける導電性細線の幅Ｗ_０．５０、Ｗ_{０．９０を}算出した。これらを用いて、Ｗ_０．５０／Ｗ_０、Ｗ_０．９０／Ｗ_０．５０をそれぞれ算出した。

〔情報抜き取り防止機能評価〕
　上記のようにして得られたＲＦタグの接着層を基材から引き剥がした。その後、ＲＦタグと通信が可能かどうかを確認し、導電性細線の破壊状況を確認した。

　実施例１、実施例２、３、４、５のいずれも、アンテナ部が断線されて基材から離間し、ＲＦタグとしての通信は不可能であった。さらに、実施例１～５においては、導電性細線が破壊され、剥離によりアンテナ部が破壊し、剥離されたＲＦタグを転用使用することが困難であった。実施例２の破壊された導電性細線の代表例を図２５に電子顕微鏡写真で示す。図２５は、接着層の引き剥がしにより、剥離・破壊された導電性細線２００の状態を示すＳＥＭ写真である。図２５には、剥離・破壊された導電性細線２００の一部である第２の分離部が基材１１側に残り、剥離された部分においては、高さ方向に一部（第１の分離部が連れ去られた跡）が基材１１側に残った状態であった。なお、この跡として残っている導電性細線の残渣も第２の分離部に含まれる。

　図２５に示すとおり、剥離したガラス側と、剥離されたＲＦタグ双方に破壊痕が明瞭に残り、引き剥がされたことが明瞭であった。さらに、実施例５においては、透過率調整部もアンテナ部と同様に、導電性細線の一部が破壊され、剥離したガラス側と、剥離されたＲＦタグ双方に破壊痕が明瞭に残り、アンテナ部との境界が困難であり、剥離後のＲＦタグの再利用の抑制効果が高かった。

　一方、比較例１においては、アンテナ部の断線は観察されず、ＲＦタグとして通信可能であった。比較例２においては、剥離によりアンテナ部の一部が破壊されたが、剥離後も通信が可能であり、破壊は不十分であった。

　以下、表１に実施例及び比較例の結果を示す。

※色差は、色調調整部におけるアンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）とアンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√［（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）^２＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）^２＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）^２］）から求めた。

　本発明は、ＲＦＩＤなどに使用可能なＲＦタグ、特に、情報抜き取り防止が要求される用途に使用されるＲＦタグとして、産業上の利用可能性を有する。

１０…アンテナ、１１…基材、１２…集電部、１２１…接合部、１３…アンテナ部、１４…半導体素子、１５…異方性導電性接着剤、１６…接着層、１７…透過率調整部、１８…色調調整部、１７１，１８１…非導通領域、１９…導電性接着層、１００…ＲＦタグ、１３１…第１パターン、１３２…開口部、１５１…第２パターン、１５２…開口部、２００…導電性細線、３００…第１導電性パターン、３０１…第１開口部、４００…第２導電性パターン、４０１…第２開口部。

Claims

　基材と、
　前記基材上に配設されたアンテナ部と、
　前記アンテナ部に電気的に接続された半導体素子と、
　前記アンテナ部と前記半導体素子との少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、
　前記アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、
　前記接着層を前記アンテナ部から引き剥がしたときに、前記接着層は、前記導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の一部以外の前記導電性細線の他部を含む第２の分離部が前記基材に残存する、
　ＲＦタグ。
　前記第１の分離部は、前記半導体素子を含む、
　請求項１に記載のＲＦタグ。
　前記第２の分離部は、前記半導体素子を含む、
　請求項１に記載のＲＦタグ。
　前記第１の分離部は、前記導電性細線の一部であって、前記導電性細線の高さ方向における前記接着層側の一部を含み、前記第２の分離部は、前記導電性細線の他部であって、前記接着層側の一部に対応する前記基材側の他部を含む、
　請求項１～３のいずれか一項に記載のＲＦタグ。
　前記アンテナ部が、導電性細線を有する導電性パターンを有し、
　該導電性パターンの可視光透過率Ｔｒ_１が８０％以上である、
　請求項１～３のいずれかに記載のＲＦタグ。
　前記導電性細線のギャップＧ_２が、６０μｍ以上３００μｍ以下である、
　請求項１～３のいずれかに記載のＲＦタグ。
　前記基材が、透明基材である、
　請求項１～３のいずれか一項に記載のＲＦタグ。
　前記基材が第１主面及び第２主面を有する透明基材であり、
　前記導電性細線を有する細線パターン部は、下記（ｉ）、及び（ｉｉ）のいずれかの要件を満たす、
　請求項１～３のいずれかに記載のＲＦタグ。
　（ｉ）前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された第２パターンにより構成される透過率調整部を備え、
　前記透過率調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の可視光透過率Ｔｒ_２１と前記アンテナ部の可視光透過率Ｔｒ_１との差の絶対値　｜（Ｔｒ_２１－Ｔｒ_１）｜が、１０％以下である、
　（ｉｉ）前記透明基材の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれか一方の主面上に配設された、平面透視で前記アンテナ部の少なくとも周辺に形成された色調調整部を備え、
　前記色調調整部における前記アンテナ部に平面透視で隣接する位置の色度Ｃ_２（Ｌ_２ ^＊，ａ_２ ^＊，ｂ_２ ^＊）と前記アンテナ部の色度Ｃ_１（Ｌ_１ ^＊，ａ_１ ^＊，ｂ_１ ^＊）との色差（√[（Ｌ_２ ^＊－Ｌ_１ ^＊）²＋（ａ_２ ^＊－ａ_１ ^＊）²＋（ｂ_２ ^＊－ｂ_１ ^＊）²]）が、１０以下である。
　基材と、
　前記基材上に配設されたアンテナ部と、
　前記アンテナ部の少なくとも一部分を覆うように形成された接着層と、を備え、
　前記アンテナ部は、線幅Ｗ_２が０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である導電性細線を有し、
　前記接着層を、前記アンテナ部から引き剥がしたときに、前記接着層は、前記導電性細線の少なくとも一部を含む第１の分離部を連れ去り、前記導電性細線の一部以外の前記導電性細線の他部を含む第２の分離部が前記基材に残存する、
　アンテナ。
　請求項１～３のいずれか一項に記載のＲＦタグと、
　該ＲＦタグが付された対象物と、を備える、
　ＲＦタグ付帯物。
　請求項１～３のいずれか一項に記載のＲＦタグの使用方法であって、
　基材と接着層を引き剥がすことで、アンテナ部の少なくとも一部を連れ去り、前記ＲＦタグを破壊する、
　ＲＦタグの使用方法。