CN208889828U - 磁隔离器和包括该磁隔离器的电子装置 - Google Patents
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Abstract
磁隔离器和包括该磁隔离器的电子装置,磁隔离器包括介电膜,该介电膜具有与其粘结的导电软磁材料层。导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的基本上共面的导电软磁岛。间隙中的至少一些填充有无机介电材料。当存在施加的外部磁场时,间隙至少部分地抑制在软磁材料层内感应的电涡流。还公开了包括该磁隔离器的电子装置和制作该磁隔离器的方法。
Description
技术领域
本公开广义地涉及磁隔离器、其制作方法和包括该磁隔离器的装置。
背景技术
在射频识别(RFID)市场快速发展的背景下,近场通信(即,NFC) 技术近来已变得越来越普遍地用于蜂窝电话中。该技术为蜂窝电话开创了许多新的可能性,例如,使蜂窝电话能够具有电子密钥、ID卡和电子钱包的功能,并且还使得能够经由无线信道以快捷的方式与其他人完成电话号码的交换。
NFC基于使用磁场作为载波的13.56MHz RFID系统。然而,当环形天线靠近金属箱、屏蔽箱、电路板的接地表面或片材表面诸如电池壳时,可无法达到设计的通信范围。该载波衰减发生是因为金属表面上感应的涡流沿反方向到载波形成磁场。因此,期望可为载波提供屏蔽以免受金属表面的影响的具有高磁导率的材料,诸如Ni-Zn铁氧体(化学式:NiaZr(1-a)Fe2O4)。
在典型的NFC应用中,电子装置收集在环形读取器天线周围循环的磁通量。通过装置线圈的通量在线圈路径周围激励出电压。当将天线置于导体上方时,表面附近的磁场振幅将显著减小。对于理想导体,在表面的任何点处的电场的切向分量均为零。因此,金属的存在通常对RFID标签耦合是有害的,因为将没有在导体表面处的磁场的法向分量对通过线圈的总通量产生贡献。根据法拉第定律,线圈周围将不存在电压激励。仅天线的介电基板的边沿厚度允许通过标签的小磁通量。
可通过将通量场定向材料(即,磁隔离器)安置在金属表面和标签之间来减轻天线附近的金属表面的有害效应。理想的高磁导率磁隔离器将使场集中在其厚度中,而不对在其表面处的正常磁场产生任何影响。铁氧体或其它磁性陶瓷传统上因为其超低的体积导电率而用于该目的。它们显现出非常低的涡流损耗,并且因此通过天线回路的高比例的磁场保持正常。然而,它们的相对低的磁导率需要较高的隔离器层厚度以用于有效隔离,这增加了成本并且在微型化装置中可为有问题的。
对于电子工业中的高频应用,纳米晶体软磁材料可取代粉末状铁氧体和非晶态材料。在最近二十年中,已经深入研究了通过不同的铸造技术制备的具有有前景的软磁特性的一种新型块体金属玻璃。在几种开发的金属玻璃系统之中,Fe基合金由于其具有接近零的磁致伸缩、高饱和磁化强度和高磁导率的良好的软磁特性而已吸引相当多的关注。
在不同的Fe基合金中,非晶态FeCuNbSiB合金(例如,由德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(VACUUMSCHMELZE GmbH&Co.KG,Hanau, Germany)以VITROPERM商品名销售的那些)被设计为当在550℃之上退火时转变为纳米晶体材料。所得的材料显现出比初生非晶态带材高得多的磁导率。由于金属带材的固有导电性质,所以来自隔离器的涡流损耗可为有问题的。在减小涡流损耗的一种方法中,已经将退火的纳米晶体带材置于载体膜上并且破碎成小块。
欧洲专利申请公布2 797 092 A1(Lee等人)描述了用于无线充电器的磁场屏蔽片材及其制造方法,该磁场屏蔽片材通过非晶态带材的薄片处理工艺以及然后用粘合剂进行的压缩层合工艺来填充非晶态带材的细小块之间的间隙,从而防止渗水,并且该磁场屏蔽片材同时用粘合剂(或电介质)环绕细小块的所有表面以因此将细小块相互隔离,从而促进涡流的减小并且防止屏蔽性能降低。
实用新型内容
然而,薄片状或破碎的带材可具有导致沿XY方向的连续电路径的重叠的或接触的薄片。此外,可延展的粘合剂诸如压敏粘合剂可随时间推移发生变形,导致在薄片之间形成接触点,从而增加涡流损耗。期望的是具有可由此减少或消除此类接触点的形成(例如,在操纵期间)的材料。
在一个方面,本公开提供磁隔离器,该磁隔离器包括基板,该基板具有与其粘结的导电软磁材料层,其中导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的导电软磁岛,其中互连间隙中的至少一些填充有无机介电材料,其中间隙至少部分地抑制由外部磁场在导电软磁材料层内感应的电涡流。
磁隔离器可用于电子装置的制造中,其中可包括磁隔离器以提供对电场和磁场的屏蔽。
在另一方面,本公开提供适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置,该电子装置包括:
基板;
粘结到基板的天线;
设置在基板上并且电耦合到天线的集成电路;和
根据本公开的磁隔离器,该磁隔离器设置在天线和基板之间。
在又一方面,本公开提供制作磁隔离器的方法,该方法包括以下步骤:
a)提供基板,所述基板具有与其粘结的连续的导电软磁材料层;
b)在导电软磁材料层中形成限定多个导电软磁岛的间隙;以及
c)用无机介电材料填充互连间隙中的至少一些。
在考虑具体实施方式以及所附权利要求书时,将进一步理解本公开的特征和优点。
附图说明
图1为根据本公开的示例性磁隔离器100的示意性侧视图。
图2为根据本公开的示例性电子制品200的示意性侧视图。
图3为不同样品的读取距离。
在说明书和附图中重复使用的参考符号旨在表示本公开的相同或类似的特征结构或元件。应当理解,本领域的技术人员可以设计出许多落入本公开原理的范围内及符合本公开原理的实质的其它修改形式和实施方案。附图可不按比例绘制。
具体实施方式
现在参见图1,根据本公开的磁隔离器100包括具有对置的主表面 112,114的介电膜110。导电软磁材料(ESMM)的层120粘结到主表面 112。层120包括通过互连间隙140的网络130彼此隔开的多个基本上共面的导电软磁岛122。虽然示出了互连间隙网络,但是间隙不必为互连的(例如,它们可为基本上平行的)。间隙140至少部分地填充有无机介电材料150。当存在施加的外部磁场(未示出)时,互连间隙140的网络130至少部分地抑制在软磁材料层内感应的电涡流(未示出)。
可使用任何介电膜。可用的膜包括介电热塑性膜,该介电热塑性膜包含例如聚酯(例如,聚对苯二甲酸乙二酯和聚己酸内酯)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚烯烃、聚碳酸酯、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醚酰亚胺、聚醚酰亚胺(PEI)、纤维素(例如,醋酸纤维素)、以及它们的组合。介电膜可包括一个或多个层。例如,其可包括由两个或多个介电聚合物层制成的复合膜。在一些实施方案中,介电膜包括具有将ESMM的层粘结到聚合物膜的压敏粘合剂的层的聚合物膜。
介电膜可包含高介电常数填料。示例包括钛酸钡、钛酸锶、二氧化钛、炭黑和其它已知的高介电常数材料。也可使用纳米尺寸高介电常数颗粒和/或高介电常数共轭聚合物。可使用两种或更多种不同的高介电常数材料的共混物或高介电常数材料与软磁材料诸如羰基铁的共混物。
介电膜的厚度可为约0.01毫米(mm)至约0.5mm,优选地为0.01mm 至0.3mm,并且更优选地为0.1mm至0.2mm,但是也可使用更小和更大的厚度。
可用的导电软磁材料包括非晶态合金或当在550℃之上退火时转变成纳米晶体材料的非晶态合金如FeCuNbSiB(由德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(VacuumschmelzeGmbH&Co.KG,Hanau,Germany)以VITROPERM商品名销售)、来自宾夕法尼亚州雷丁市的卡朋特技术公司(Carpenter Technologies Corporation,Reading,Pennsylvania)的可以以商品名 PERMALLOY购得的铁/镍材料或其铁/镍/钼同源物MOLYPERMALLOY,以及非晶态金属带材诸如日立金属公司(Hitachi Metals Inc)的Metglass 2605SA1。
优选地,ESMM包含纳米晶体含铁材料。在一些实施方案中,ESMM 可包含铁(Fe)的氧化物,该铁的氧化物掺杂选自包括但不限于以下的组的至少一种金属元素:Ni、Zn、Cu、Co、Ni、Nb、B、Si、Li、Mg和Mn。通过在至少550℃的温度下将可以以VITROPERM VT-800购自真空熔炼股份有限公司(Vacuumschmelze GmbH&Co.KG)的非晶态软磁带材前体材料退火以形成具有纳米尺度的结晶区的结构来形成一种优选的软磁材料。
ESMM的层包括通过间隙彼此隔开的ESMM的岛。
ESMM的岛可具有各种规则的或不规则的几何形状诸如例如板和/或薄片,该ESMM的岛可为微米尺寸的或纳米尺寸的,但是也可使用更大的尺寸。ESMM的厚度可为约0.005毫米(mm)至约0.5mm,但是也可使用更小和更大的厚度。
导电软磁材料层的磁导率在很大程度上由层的材料和间隙的面密度以及其深度确定。当用于制作能够在NFC中使用的磁隔离器(例如,天线隔离器)时,磁导率大于约80的导电软磁材料层为优选的。
实磁导率表示磁场的传播情况,并且虚磁导率表示磁场损耗的程度。理想材料为表现出高磁导率并且具有低磁导率损耗的材料。在一些实施方案中,与除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的能与之相比的磁隔离器比较,磁隔离器的磁导率的实部不小于约10%。同样,在一些实施方案中,磁隔离器的磁导率的虚部不大于除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的磁隔离器的磁导率的虚部的约90%。
通常,间隙以随机网络或伪随机网络形成;然而,网络还可为规则的 (例如,阵列)。例如,阵列可为矩形阵列或菱形阵列。优选地,互连间隙网络相对于其长度和宽度至少基本上与ESMM的层共延。
在一些实施方案中,间隙的面密度为约0.001%至约60%,优选地为约 0.01%至约15%,并且更具体地为约0.01%至约6%。如说明书中所使用,间隙的面密度意指导电软磁材料层中所有间隙的面积与导电软磁材料层的总面积的比率;术语“面积”意指平行于介电膜的顶部表面的方向上的截面积。
优选地,导电软磁层中的间隙中的每个的深度等于层自身的厚度 (即,它们通过层延伸到介电膜),但是在一些实施方案中,间隙中的一些或所有可比导电软磁层的全厚度薄。因此,在一些实施方案中,互连间隙的平均深度与导电软磁岛的平均厚度的比率为至少0.5、0.6、0.7、0.8、或甚至至少0.9。
间隙至少部分地抑制由外部磁场在ESMM的层内感应的电涡流。效果的大小取决于导电软磁材料层的成分和厚度以及间隙网络。
无机介电材料是所有电介质中首选的。可使用任何无机介电材料。无机介电材料可例如作为糊剂、浆液、分散体或粉末、溶液以前体形式或当在不对导电软磁材料有害的条件下进行处理时形成无机介电材料的任何其它期望的形式供应。示例包括除去水和/或有机溶剂,从而留下介电无机材料。
无机介电材料可包括优选地为微粒形式的介电材料,诸如例如二氧化硅、熔融的二氧化硅、氧化锆和/或α氧化铝。可用的无机介电材料颗粒的平均粒度可优选地小于约5微米,优选地小于1微米(即,纳米颗粒),更优选地小于500nm,并且更加优选地小于100nm,但是也可使用其它尺寸。在一个实施方案中,将无机介电颗粒提供为分散体(例如,胶态分散体),该分散体在进行干燥时提供颗粒。在另一个实施方案中,供应作为干燥粉末的颗粒。可商购获得的无机介电粉末和分散体可广泛地从制造商诸如例如韩国安山市的Sukyung AT有限公司(Sukyung AT Co.Ltd.,Ansan,South Korea);以例如SG-SO50二氧化硅颗粒、SG-SO100二氧化硅颗粒、SG-SO500二氧化硅颗粒、SG-SO800二氧化硅颗粒、SG-SO2000二氧化硅颗粒商购获得。
可通过例如,使用压敏粘合剂、热熔性粘合剂或热固性粘合剂(例如,未固化的环氧树脂),随后进行固化将ESMM的层层合或以其它方式粘结到介电膜来制作根据本公开的磁隔离器。
根据本公开的磁隔离器通常用作最终用途的电子制品中的片材,但是可期望地以卷筒或片材形式供应;例如,用于制造设备。
一旦层合,就在ESMM的层中形成限定导电软磁岛的间隙。用于形成间隙的合适的技术的示例包括机械间隙形成技术(例如,通过将ESMM的层挠曲、拉伸、敲打和/或压印)、消融(激光消融、超声消融、电消融和热消融)和化学蚀刻。
优选地,在间隙形成期间在长度和/或宽度上将ESMM的层以及磁隔离器拉伸。这有助于减少ESMM的相邻的岛之间的意外的电接触。优选地,在磁隔离器的长度或宽度中的至少一者上,该拉伸为至少10%、至少 20%或甚至至少30%。
一旦形成间隙,间隙中的至少一些就填充有无机介电材料;例如,如上所述的无机介电材料。
根据本公开的磁隔离器可用于延伸NFC电子装置的读取范围。
现在参见图2,能够与远程收发器进行近场通信的示例性电子制品200包括基板210和天线220。根据本公开的磁隔离器100(参见图1)设置在天线220和基板210之间。为了获得最大益处,基板210为导电的 (例如,包含金属和/或其它导电材料)。
例如,天线220(例如,导电环形天线)可为铜或铝蚀刻的天线,并且可设置在介电聚合物(例如,PET聚酯)膜基板上。其形状可为例如具有13.56兆赫兹(MHz)的谐振频率的环形形状、矩形形状或正方形形状。例如,尺寸可为约80cm2至约0.1cm2,其中厚度为约35微米至约10 微米。优选地,导电环形天线的阻抗的实分量为低于约5Ω。
集成电路240设置在基板210上并且电耦合到环形天线220。
示例性电子装置包括移动电话、平板计算机和配备有近场通信的其它装置、配备有无线充电的装置、配备有磁屏蔽材料以防止来自装置内或周围环境中的导电金属物体的干扰的装置。
本公开的精选实施方案
在第一实施方案中,本公开提供一种磁隔离器,所述磁隔离器包括基板,所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层,其中所述导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的导电软磁岛,其中所述互连间隙中的至少一些填充有无机介电材料,其中所述间隙至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的电涡流。
在第二实施方案中,本公开提供根据第一实施方案所述的磁隔离器,其中所述无机介电材料包括二氧化硅。
在第三实施方案中,本公开提供根据第一实施方案或第二实施方案所述的磁隔离器,其中所述无机介电材料包括磷酸铁。
在第四实施方案中,本公开提供根据第一实施方案至第三实施方案中任一项所述的磁隔离器,其中所述导电软磁岛中的大多数独立地与所述导电软磁岛的所有相邻的岛电隔离。
在第五实施方案中,本公开提供根据第一实施方案至第四实施方案中任一项所述的磁隔离器,其中所述互连间隙网络沿其长度和宽度与所述导电软磁材料层共延。
在第六实施方案中,本公开提供一种适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置,所述电子装置包括:
基板;
天线,所述天线粘结到所述基板;
集成电路,所述集成电路设置在所述基板上并且电耦合到所述天线;和
根据第一实施方案所述的磁隔离器,所述磁隔离器设置在所述天线和所述基板之间。
在第七实施方案中,本公开提供根据第六实施方案所述的电子装置,其中所述天线包括环形天线。
在第八实施方案中,本公开提供一种制作磁隔离器的方法,所述方法包括以下步骤:
a)提供基板,所述基板具有与其粘结的连续的导电软磁材料层;
b)在所述导电软磁材料层中形成限定多个导电软磁岛的间隙;以及
c)用无机介电材料填充互连间隙中的至少一些。
在第九实施方案中,本公开提供根据第八实施方案所述的方法,其中所述导电软磁岛包含纳米晶体含铁材料。
在第十实施方案中,本公开提供根据第八实施方案或第九实施方案所述的方法,其中所述无机介电材料包括二氧化硅。
在第十一实施方案中,本公开提供根据第八实施方案至第十实施方案中任一项所述的方法,其中所述无机介电材料包括磷酸铁。
在第十二实施方案中,本公开提供根据第八实施方案至第十一实施方案中任一项所述的方法,其中所述互连间隙网络沿其长度和宽度与所述导电软磁材料层共延。
在第十三实施方案中,本公开提供根据第八实施方案至第十一实施方案中任一项所述的方法,其中在步骤b)中,所述互连间隙网络至少部分地通过有意地使所述连续的导电软磁材料层机械破碎来提供。
在第十四实施方案中,本公开提供根据第八实施方案至第十一实施方案中任一项所述的方法,所述互连间隙网络至少部分地通过所述连续的导电软磁材料层的消融来提供。
在第十五实施方案中,本公开提供根据第八实施方案至第十四实施方案中任一项所述的方法,其中步骤和b)包括将所述基板在至少一个维度上拉伸至少5%。
通过以下非限制性实施例,进一步示出了本公开的目的和优点,但在这些实施例中引用的具体材料及其量以及其它条件和细节不应被理解为对本公开的不当限制。
实施例
除非另有说明,否则实施例及本说明书的其余部分中的所有份数、百分比、比率等均以重量计。
实施例中所使用的材料:VITROPERM 800非晶态带材(VP800、Fe73.5Si15.5B7.0Nb3.0Cu),厚18微米,购自德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(VACUUMSCHMELZE GmbH&Co.KG,Hanau,Germany);硝酸, 70%ACS级,购自威斯康辛州密尔沃基市的奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company Inc.,Milwaukee,Wisconsin);以及无水变性乙醇,购自奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company Inc.)。
导电软磁材料的退火的和破碎的带材的制备
根据制造商的指示将非晶态VITROPERM 800带材在500℃至550℃下退火以提供退火的纳米晶体导电软磁带材的带材。通过将退火的VP 800 带材夹置在两个载体衬件之间并且在进行拉伸的情况下使其通过辊式破碎机来使其破碎,得到具有设置在两个粘合剂涂覆的聚酯膜衬件之间的导电软磁岛的层的精细破碎的(具有几微米至几毫米的间隙)带材CR1。
比较例A
如上制备的CR1用作比较例A。
实施例1
将一个聚酯衬件移除并且将二氧化硅纳米颗粒的胶态分散体(含10%固体的含水溶媒,D50=100nm平均粒度,购自韩国SG公司(SG Corp., South Korea))覆膜到暴露的CR1上,并且在室温下在空气中干燥10分钟。然后,将聚对苯二甲酸乙二酯覆盖膜层合到CR1的涂覆侧。在所得的带材中,间隙已至少部分地填充有无机材料(二氧化硅)。
实施例2
将含磷酸的乙醇(2∶8重量/重量)覆膜到CR1上,并且在室温下在空气中干燥10分钟。然后,将聚对苯二甲酸乙二酯覆盖膜层合到CR1的涂覆侧。在所得的带材中,间隙已至少部分地填充有无机材料(磷酸铁)。
实施例3
将含磷酸的乙醇(1∶9重量/重量)覆膜到CR1上,并且在室温下在空气中干燥10分钟。然后,将聚对苯二甲酸乙二酯覆盖膜层合到CR1的涂覆侧。在所得的带材中,间隙已至少部分地填充有无机材料(磷酸铁)。
NFC读取距离测量
使用购自3A逻辑NFC公司(3A Logics NFC)的NFC读取器套件来进行NFC读取距离测量,该NFC读取器套件被配置成能够符合ISO/IEC 14443A数字信号处理协议。ISO/IEC14443A数字信号处理协议的特征是在较短读取距离上的较高数据传输速率。
根据ISO/IEC 14443A数字信号处理协议评估材料的样品。图3中报告的结果表示根据每种方法评估的在用隔离器而被屏蔽以免受金属板的影响的供电的天线和无源读取器天线之间的最大NFC读取距离(以毫米为单位)。
在用于专利证书的上述申请中所有引用的参考文献、专利和专利申请通过全文引用以一致的方式并入本文中。在并入的参考文献部分与本申请之间存在不一致或矛盾的情况下,应以前述说明中的信息为准。为了使本领域的普通技术人员能够实践受权利要求书保护的本公开而给出的前述说明不应理解为是对本公开范围的限制,本公开的范围由权利要求书及其所有等同形式限定。
Claims (7)
1.一种磁隔离器,所述磁隔离器包括基板,所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层,其中所述导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的导电软磁岛,其中互连间隙中的至少一些填充有无机介电材料,其中所述间隙至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的电涡流。
2.根据权利要求1所述的磁隔离器,其中所述无机介电材料包括二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的磁隔离器,其中所述无机介电材料包括磷酸铁。
4.根据权利要求1所述的磁隔离器,其中所述导电软磁岛中的大多数独立地与所有相邻的导电软磁岛电隔离。
5.根据权利要求1所述的磁隔离器,其中互连间隙网络与所述导电软磁材料层沿其长度和宽度共延。
6.一种适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置,所述电子装置包括:
基板;
天线,所述天线粘结到所述基板;
集成电路,所述集成电路设置在所述基板上并且电耦合到所述天线;和
根据权利要求1所述的磁隔离器,所述磁隔离器设置在所述天线和所述基板之间。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其中所述天线包括环形天线。
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