JP2021129220A

JP2021129220A - 透明アンテナ及びｒｆタグ

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Publication number: JP2021129220A
Application number: JP2020022883A
Authority: JP
Inventors: 布士人山口; Fujito Yamaguchi; 和磨小松; Kazuma Komatsu
Original assignee: Asahi Kasei Corp
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 2020-02-13
Filing date: 2020-02-13
Publication date: 2021-09-02

Abstract

【課題】半導体素子の接合性に優れた透明アンテナ及び該透明アンテナを備えるＲＦタグを提供することを目的とする。
【解決手段】透明基材と、前記透明基材上に配設された、接合部と、該接合部と電気的に接合されたアンテナ部と、を有し、前記接合部が、第１導電性細線を有する第１導電性パターンを有し、前記アンテナ部が、第２導電性細線を有する第２導電性パターンを有し、下記Ａ〜Ｃ条件を１つ以上満たす、透明アンテナ。
条件Ａ：前記第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、前記第２導電性細線の線幅Ｗ₂よりも広い
条件Ｂ：前記第１導電性細線の高さＴ₁は、前記第２導電性細線の高さＴ₂よりも高い
条件Ｃ：単位面積当たりの前記第１導電性パターンの占有面積率Ｓ₁は、単位面積当たりの前記第２導電性パターンの占有面積率Ｓ₂よりも大きい
【選択図】図１

Description

本発明は、透明アンテナ及びＲＦタグに関する。

例えば、自動車において、テレビ電波やＦＭ電波等の各種電波、カーナビゲーションシステムに用いられるＧＰＳ（global positioning system）衛星からの位置座標情報に関する電波等を受信するためのアンテナとして、フロントガラス等に設置されるフィルムアンテナが知られている。

また、フィルムアンテナは、輸送、搬送、製造、廃棄物管理、郵便物の追跡、航空機での手荷物照合、及び有料道路の通行料金管理を含む、多くの産業において幅広く使用される無線周波数識別（ＲＦＩＤ）としても使用される。ＲＦＩＤタグ及びラベルは、供給元から顧客に、及び顧客のサプライチェーンを通じて、配送を追跡するために有用である。

このようなフィルムアンテナとして、アンテナを導電性パターンにより形成することで、導電性パターンの不可視性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１〜５参照）。

特開２０１１−６６６１０号公報特開２０１１−９１７８８号公報特開２０１７−１７５５４０号公報特開２００３−２０９４２１号公報特開２０１６−１０５６２４号公報

上記先行技術に記載のように、導電性パターンの微細化により、その不可視性が向上する。しかしながら、導電性パターンを微細化すると、アンテナを構成する導電性パターンとこれに電気的に接続されるＩＣチップとの接合が困難になる場合があった。

ここで、特許文献４には、ＩＣチップのボンディングに際し、事前にＩＣチップの周囲に子アンテナパターンを形成し、ＩＣチップラベルを生成し、その後、ＩＣチップラベルの子アンテナパターンが、基材上に形成された親アンテナパターンと導通するようにボンディングを行うことが開示されている。また、特許文献５には、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）を用いて、ＩＣチップとアンテナを構成する導電性パターンとを接合することが開示されている。

しかしながら、特に、パターンの不可視性を向上させるために、アンテナを形成するパターンとして線幅５μｍ以下の導電性細線を採用すると、アンテナを構成する導電性パターンとこれに電気的に接続されるＩＣチップとの接合が困難になる場合があった。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、半導体素子の接合性に優れた透明アンテナ及び該透明アンテナを備えるＲＦタグを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討した。その結果、異方性導電性接着剤が接触する部分の導電性パターンの形状を調整することにより、上記課題を解決し得ることを見出して、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、以下のとおりである。
〔１〕
透明基材と、
前記透明基材上に配設された、接合部と、該接合部と電気的に接合されたアンテナ部と、を有し、
前記接合部が、第１導電性細線を有する第１導電性パターンを有し、
前記アンテナ部が、第２導電性細線を有する第２導電性パターンを有し、
下記Ａ〜Ｃ条件を１つ以上満たす、透明アンテナ。
条件Ａ：前記第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、前記第２導電性細線の線幅Ｗ₂よりも広い
条件Ｂ：前記第１導電性細線の高さＴ₁は、前記第２導電性細線の高さＴ₂よりも高い
条件Ｃ：単位面積当たりの前記第１導電性パターンの占有面積率Ｓ₁は、単位面積当たりの前記第２導電性パターンの占有面積率Ｓ₂よりも大きい
〔２〕
前記線幅Ｗ₁が、０．５μｍ以上２００μｍ以下であり、
前記線幅Ｗ₂が、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である、
〔１〕に記載の透明アンテナ。
〔３〕
前記高さＴ₁が、０．０６μｍ以上、１．０μｍ以下であり、
前記高さＴ₂が、０．０５μｍ以上、０．９５μｍ以下である、
〔１〕又は〔２〕に記載の透明アンテナ。
〔４〕
前記第１導電性細線のピッチＰ₁は、前記第２導電性細線のピッチＰ₂よりも小さく、
前記ピッチＰ₁が、１．０μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記ピッチＰ₂が、６０μｍ以上３００μｍ以下である、
〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の透明アンテナ。
〔５〕
前記占有面積率Ｓ₁は、３０％以上８０％以下であり、
前記占有面積率Ｓ₂は、０．１％以上７．０％以下である、
〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の透明アンテナ。
〔６〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の透明アンテナと、
該透明アンテナの接合部と電気的に接合された半導体素子と、を備える、
ＲＦタグ。
〔７〕
前記半導体素子が、異方性導電性接着剤により、前記接合部と電気的に接合されたものである、
〔６〕に記載のＲＦタグ。

本発明によれば、半導体素子の接合性に優れた透明アンテナ及び該透明アンテナを備えるＲＦタグを提供することができる。

本実施形態のＲＦタグのストレイトタイプの態様を示す平面図である。図１のＳ１ａの拡大図である。本実施形態のＲＦタグのループタイプの態様を示す平面図である。図３のＳ１ｂの拡大図である。図２及び図４のＳ２の拡大図（ａ）である。図２及び図４のＳ３の拡大図（ａ）である。主に条件Ａを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を表す概略断面図である。主に条件Ｂを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を表す概略断面図である。主に条件Ｃを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を表す概略断面図である。本実施形態のＲＦタグの概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

〔透明アンテナ〕
本実施形態の透明アンテナは、透明基材と、透明基材上に配設された、接合部と、該接合部と電気的に接合されたアンテナ部と、を有し、接合部が、第１導電性細線を有する第１導電性パターンを有し、アンテナ部が、第２導電性細線を有する第２導電性パターンを有し、下記Ａ〜Ｃ条件を１つ以上満たす。
条件Ａ：前記第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、前記第２導電性細線の線幅Ｗ₂よりも広い
条件Ｂ：前記第１導電性細線の高さＴ₁は、前記第２導電性細線の高さＴ₂よりも高い
条件Ｃ：単位面積当たりの前記第１導電性パターンの占有面積率Ｓ₁は、単位面積当たりの前記第２導電性パターンの占有面積率Ｓ₂よりも大きい

図１に、本実施形態の透明アンテナ１０を備えるＲＦタグ１００の一態様を示す平面図を示す。本実施形態の透明アンテナ１０は、透明基材１１と、透明基材１１上に形成された集電部１２とアンテナ部１３とを有する。集電部１２は、アンテナ１３部と電気的に接続されるものであり、アンテナ部１３が所定の周波数に応答して発生した電気を、半導体素子１４に向かって集電する部分をいう。また、接合部１２１は、集電部１２のうち、半導体素子１４と接合する部分をいう。以下、集電部１２とその接合部１２１を区別する必要がなく、両方に関するものに関しては、「集電部１２（接合部１２１）」と表記することがある。また、単に「集電部１２」と記載する場合であっても、集電部１２における接合部１２１以外の部分を意味するものではない。

図２に、図１のＳ１ａの拡大図を示す。図２において、集電部１２は２以上の先端が対向した接合部１２１を有する。この接合部１２１には、異方性導電性接着剤などにより、半導体素子１４が電気的に接合される。また、アンテナ部１３は、その接合部１２１と電気的に接続され、所定の周波数の電波を受信して半導体素子１４に電気信号を伝えたり、半導体素子１４の出力に応じて所定の周波数の電波を送信したりすることができる。なお、図２では、台形状の集電部１２を示すが、集電部１２の形状はこれに制限されない。一例として、図２における集電部１２は、平面視において半導体素子の投影面積と同等〜数倍の面積を有し、接合部１２１に半導体素子１４が接合された際に、集電部１２がほぼおおわれるものが好ましい。この場合、集電部１２は実質的に接合部１２１のみで構成されているともいえる。

図１には、２つのアンテナ部１３を有し、その間に接合部１２１を有する集電部１３が設けられたストレイトタイプの透明アンテナ１０及びＲＦタグ１００を示すが、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３の態様はこれに制限されるものではない。例えば、本実施形態の透明アンテナ１０やＲＦタグ１００は、図３のように、集電部１２がループ形状になっており、ループ形状の集電部１２の周囲にアンテナ部１３が設置されたループタイプの透明アンテナ１０及びＲＦタグ１００であっていてもよい。

図４に、図３のＳ１ｂの拡大図を示す。図４に示すように、ループタイプの集電部１２は、ループの先端が対向した接合部１２１を有する。接合部１２１は、集電部１２の先端であって、半導体素子１４と接合する場所である。

また、本実施形態の透明アンテナは、λ／２ダイポールアンテナの構成に制限されず、接地型λ／４モノポールアンテナなど、他のアンテナ構成を有してもよく、それに応じて、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３は種々の態様をとることができる。

次いで、半導体素子の接合性ついて説明する。上記のとおり、接合部１２１には、異方性導電性接着剤などにより、半導体素子１４が電気的に接合される。異方性導電性接着剤は、主に、樹脂バインダーと該樹脂バインダー中に分散した導電性微粒子を含むものであり、電極間にこれらを介在させて加熱しつつ圧力を加えることで、樹脂バインダーが押し広げられ、導電性微粒子が電極を電気的に接合するものである。この接合の工程の違いにより、異方性導電性接着剤は、フィルムタイプ、ペーストタイプ、または液体タイプなどが知られている。

このような接合では、導電性微粒子が電極を電気的に接合できるような厚さまで異方性導電性接着剤を押し広げる必要がある。そのため、接合する領域に対しては、異方性導電性接着剤が十分に濡れ広がることが望ましい。しかしながら、半導体素子の周辺領域に異方性導電性接着剤がにじみ出て濡れ広がりすぎると、ＲＦタグの外観不良を生じるほか、意図しない電気的接合も生じる可能性がある。特に、透明アンテナを用いた場合、半導体素子の周辺領域に異方性導電性接着剤に由来する金属質の部分が生じると、その金属質部分が特に目立ち、透明という商品価値を損なう結果となる。また、半導体素子の小型化によって、異方性導電性接着剤の使用量の調整はより困難となり、滲出による歩留まりの低下が生じやすい傾向にある。

これに対して、本実施形態においては、接合部１２１を構成する第１導電性パターン３００の線幅、高さ、または占有面積率を調整することで、接合部に異方性導電性接着剤の拡散防止機能を持たせる。より具体的には、第１導電性パターン３００の線幅を広くするか（条件Ａ）、高さを高くするか（条件Ｂ）、または占有面積率を高くする（条件Ｃ）。なお、集電部１２において、接合部１２１とその他の部分における、第１導電性パターン３００の線幅、高さ、または占有面積率は、一致していても異なっていてもよい。

これにより、第１導電性パターン３００の第１導電性細線を超えて、異方性導電性接着剤が滲出することを抑制することが可能となり、パターン間での異方性導電性接着剤の広がりの停止位置を精度よく制御することができる。また、導電性微粒子２１が第１導電性パターン３００と半導体素子１４とを接合しやすくなる。そのため、接合不良が低減し、配線接合の安定性がより向上する。

なお、本実施形態において接合性の向上とは、上記接合信頼性の向上と外観不良の抑制をいうものとする。以下、各構成について詳説する。

〔透明基材〕
本実施形態では透明基材１１を用いる。ここで、「透明」とは、可視光透過率が、好ましくは８０％以上であることをいい、より好ましくは９０％以上であることをいい、さらに好ましくは９５％以上であることをいう。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳＫ７３６１−１：１９９７に準拠して測定することができる。

透明基材１１は、１種の材料からなるものであっても、２種以上の材料が積層されたものであってもよい。また、基材が、２種以上の材料が積層された多層体である場合、基材は、有機基材又は無機基材同士が積層されたものであっても、有機基材及び無機基材が積層されたものであってもよい。

透明基材１１の態様としては、コア層の単層シート、コア層と第１最外層とを有する積層シート、コア層と第２最外層とを有する積層シート、第１最外層と第２最外層とを有する積層シート、コア層と第１最外層と第２最外層とを有する積層シートが挙げられる。また、上記積層シートにおいて、コア層と第１最外層の間、コア層と第２最外層の間、または、第１最外層と第２最外層の間には、さらに他の層を有していてもよい。

なお、透明基材１１がコア層の単層シートである場合、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３はコア層の表面に形成される。また、透明基材１１が積層シートである場合、第１最外層は、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３が形成される面を構成する層を意味し、第２最外層は第１最外層の裏面を意味する。以下、各層の構成について詳説する。

（コア層）
コア層を構成する材料は、特に制限されないが、基材の機械的強度の向上に寄与するものが好ましい。そのようなコア層の材料としては、特に限定されないが、例えば、ガラス等の透明無機基材；アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ナイロン、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の透明有機基材が挙げられる。このなかでも、ポリエチレンテレフタレートを用いることにより、透明アンテナを製造するための生産性（コスト削減効果）がより優れる。また、ポリイミドを用いることにより、透明アンテナの耐熱性がより優れる。ポリイミドを用いる場合は、可視光の光透過性が優れる、いわゆる透明ポリイミドを用いることとより好ましい。さらに、ポリエチレンテレフタレート及び／又はポリエチレンナフタレートを用いることにより、透明基材と導電性細線との密着性がより優れる。

コア層は、１種の材料からなるものであっても、２種以上の材料が積層されたものであってもよい。また、コア層が、２種以上の材料が積層された多層体である場合、基材は、有機基材又は無機基材同士が積層されたものであっても、有機基材及び無機基材が積層されたものであってもよい。

コア層の厚さは、好ましくは５μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下である。

（第１最外層）
透明基材１１が積層体である場合、第１最外層は、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３が形成される面を構成する層となる。第１最外層を構成する材料は、特に制限されないが、コア層と、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３それぞれとの密着性向上に寄与するものが好ましい。また、透明基材１１が、第１最外層と第２最外層とを有し、コア層を有しない態様の場合には、第１最外層は第２最外層と、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３それぞれとの密着性向上に寄与するものが好ましい。

このような第１最外層に含まれる成分としては、特に限定されないが、例えば、ケイ素化合物（例えば、（ポリ）シラン類、（ポリ）シラザン類、（ポリ）シルチアン類、（ポリ）シロキサン類、ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、塩化ケイ素、ケイ素酸塩、ゼオライト、シリサイド等）、アルミニウム化合物（例えば、酸化アルミニウム等）、マグネシウム化合物（例えばフッ化マグネシウム）等が挙げられる。

この中でも、ケイ素化合物が好ましく、シロキサン類がより好ましい。このような成分を用いることにより、透明アンテナの透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

ケイ素化合物としては、特に制限されないが、例えば、多官能性オルガノシランの縮合物、多官能性オルガノシラン又はそのオリゴマーとポリ酢酸ビニルとを加水分解反応させて得られた重縮合物などが挙げられる。

多官能性オルガノシランとしては、特に制限されないが、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどの２官能性オルガノシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシランなどの３官能性オルガノシラン；テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなどの４官能性オルガノシランなどが挙げられる。

第１最外層は、上記第１最外層に含まれる成分を含む組成物をコア層に塗布、乾燥する方法により成膜することができる。また、第１最外層は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの気相成膜法によって製膜してもよい。第１最外層を形成するための組成物は、必要に応じて、分散剤、界面活性剤、結着剤等を含有してもよい。

第１最外層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、さらに好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下である。第１最外層の厚さが上記範囲内であることにより、上記密着性がより向上するほか、透明アンテナの透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

第１最外層をコア層上に積層することで、例えば、集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３をプラズマ等の焼成手段でインク中の金属成分を焼結させて形成する際に、プラズマ等によって集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３で被覆されていない箇所のコア層のエッチングを防ぐことができる。

さらにこの第１最外層は静電気による集電部１２（接合部１２１）及びアンテナ部１３の断線を防ぐために、帯電防止機能を持っていることが好ましい。第１最外層が帯電防止機能を有するために、第１最外層は導電性無機酸化物及び導電性有機化合物の少なくともいずれかを含むことが好ましい。

（第２最外層）
透明基材１１が積層体である場合、第２最外層は、第１最外層の裏面を意味する。第２最外層に含まれる成分としては、特に限定されないが、例えば、メラミン系化合物、アルキド系化合物、フッ素系化合物、シリコーン系化合物、ポリエチレンワックス、脂肪酸、脂肪酸エステルが挙げられる。このなかでも、メラミン系化合物、アルキド系化合物、フッ素系化合物、シリコーン系化合物が好ましく、メラミン系化合物、アルキド系化合物がより好ましい。このような成分を用いることにより、透明アンテナの透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

第２最外層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは０．０１μｍ以上１０μｍ以下であり、さらに好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下である。第２最外層の厚さが上記範囲内であることにより、透明アンテナ１０の透明性及び耐久性がより向上する傾向にある。

（その他の層）
コア層と第１最外層の間、コア層と第２最外層の間、または、第１最外層と第２最外層の間に配される他の層としては、特に制限されないが、例えば、易接着層が挙げられる。易接着層は、コア層と第１最外層、コア層と第２最外層、または、第１最外層と第２最外層の接着性を向上する目的で用いられる。

〔接合部〕
接合部１２１は、集電部１２の先端であって、半導体素子１４と接合する場所である。接合部１２１（集電部１２）は、アンテナ部１３と電気的に接合されており、第１導電性パターン３００を有する。ここで、第１導電性パターン３００とは、連続したパターンであり、パターン中の任意の点から他の任意の点までの導電性を有するものである。なお、集電部１２は、電気的に独立した一又は複数の第１導電性パターン３００を有していてもよい。また、集電部１２において第１導電性パターン３００が形成されていない部分は、第１開口部３０１と称する。

図２及び４に、図１のＳ１ａ部分及び図３のＳ１ｂの拡大図を示す。図２及び４では、太い導電性細線からなる第１導電性パターン３００で形成された集電部１２（接合部１２１）と、より細い導電性細線からなる第２導電性パターン４００で形成されたアンテナ部１３とが、電気的に接合されている例を示す。

図５に、接合部１２１の一態様として、図２及び４のＳ２部分の拡大図を表す。図５において、第１導電性パターン３００は、複数の第１導電性細線が網目状に交差して形成されるグリッドパターンとして示すが、第１導電性パターン３００はこれに限定されず第１導電性細線が交差し導電性が維持される他のパターンであってもよい。また、第１導電性パターン３００は規則的なパターンであっても不規則なパターンであってもよい。さらに、第１導電性細線は、直線であっても、曲線であってもよい。

第１開口部３０１の形状としては、特に制限されないが、例えば、三角形；正方形、長方形、ひし形等の四角形；五角形；六角形；あるいは複数種の多角形を組み合わせたものが挙げられる。

集電部１２の構成は、特に制限されないが、例えば、複数のアンテナ部１３を接続するように、半導体素子１４でほぼ隠れる大きさの集電部１２が設けられる構成や（図１参照）、ループ形状の集電部１２の一部に半導体素子１４が接合され、ループ形状の集電部１２の外周にアンテナ部１３が設けられる構成（図３参照）、１つのアンテナ部１３の任意の箇所に集電部１２が設けられる構成が挙げられる。また、集電部１２における半導体素子１４の接合位置（接合部１２１）は特に制限されるものではないが、集電部１２の先端が対向する位置が好ましい。

〔アンテナ部１３〕
アンテナ部１３は、集電部１２（接合部１２１）と電気的に接合されており、第２導電性パターン４００を有する。ここで、第２導電性パターン４００とは、連続したパターンであり、パターン中の任意の点から他の任意の点までの導電性を有するものである。なお、アンテナ部１３は、電気的に独立した複数の第２導電性パターン４００を有していてもよい。また、アンテナ部１３において第２導電性パターン４００が形成されていない部分は、第２開口部４０１と称する。

アンテナ部１３は、その種類に応じて種々の形状を有する。アンテナ部１３の種類としては、特に制限されないが、例えば、電界の変化により電流を生じさせるダイポールアンテナやパッチアンテナ等の電界アンテナや、磁界の変化により電流を生じさせるループアンテナなどの磁界アンテナが挙げられる。

また、アンテナ部１３の外形としては、公知形状を利用することができる。例えば、線状のダイポールアンテナとしては、直線型に限られず、折り返し型、メアンダ型、ヘリカル型、スパイラル型など各種公知の形状が挙げられる。また、パッチアンテナについても、多角形、円形などの任意の外形のほか、それらに切込みを有する形状が挙げられる。さらに、アンテナ部１３は、これら形状を複数組み合わせたものであってもよい。

また、アンテナ部１３についても、第２導電性細線を有する第２導電性パターンを有するものが好ましい。図６に、アンテナ部１３の一態様として、図２及び４のＳ３部分の拡大図を表す。図６において、第２導電性パターン４００は、複数の第２導電性細線が網目状に交差して形成されるグリッドパターンとして示すが、第２導電性パターン４００はこれに限定されず第２導電性細線が交差し導電性が維持される他のパターンであってもよい。また、第２導電性パターン４００は規則的なパターンであっても不規則なパターンであってもよい。さらに、第２導電性細線は、直線であっても、曲線であってもよい。

第２導電性パターン４００が形成されていない部分、すなわち第２開口部４０１の形状としては、特に制限されないが、例えば、三角形；正方形、長方形、ひし形等の四角形；五角形；六角形；あるいは複数種の多角形を組み合わせたものが挙げられる。

図１及び図３は、アンテナ部１３が電界アンテナである場合のＲＦタグの構成を示す例である。図１では、半導体素子１４でほぼ隠れる大きさの比較的小さい集電部１２の周りに２つのアンテナ部１３が形成されており、図３においては、ループ形状の集電部１２の周りを囲うようにアンテナ部１３が形成されている。図１及び３ともに、アンテナ部１３は長方形のような外形を有する。図１及び３において、アンテナ部１３は、導電層が平面にベタ塗された態様ではなく、第２開口部４０１と第２導電性パターン４００により構成されるグリッドパターンにより構成される。これにより、アンテナ部１３の電界アンテナとしての機能を確保しつつ、アンテナ部が形成された領域の透明性を確保することができる。

（第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００）
第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００は、導電性成分を含む。導電性成分としては、特に制限されないが、例えば、導電性金属、導電性高分子などが挙げられる。また、第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００は、非導電性成分を含んでもよい。導電性金属としては、特に制限されないが、例えば、金、銀、銅、及びアルミニウムが挙げられる。このなかでも、銀又は銅が好ましく、比較的安価な銅であることがより好ましい。このような導電性金属を用いることにより、透明アンテナの導電性が一層優れる傾向にある。また、導電性高分子としては、公知のものを用いることができ、ポリアセチレンやポリチオフェンなどが挙げられる。

また、非導電性成分としては、特に制限されないが、例えば、金属酸化物や金属化合物、及び有機化合物が挙げられる。より具体的には、これら非導電性成分としては、後述するインクに含まれる成分に由来する成分であって、インクに含まれる成分のうち焼成を経た後の導電性細線に残留する金属酸化物、金属化合物、及び有機化合物が挙げられる。

第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００における導電性成分の含有割合は、各々独立して、好ましくは５０質量％以上であり、より好ましくは６０質量％以上であり、さらに好ましくは７０質量％以上である。導電性成分の含有割合の上限は、特に制限されないが、１００質量％である。また、第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００における非導電性成分の含有割合は、各々独立して、好ましくは５０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下である。非導電性成分の含有割合の下限は、特に制限されないが、０質量％である。

（線幅Ｗ）
第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００における第１導電性細線及び第２導電性細線の線幅Ｗは、透明基材１１の導電性パターンが配された面側から、導電性細線を透明基材１１の表面上に投影したときの線幅Ｗをいう。台形の断面を有する導電性細線においては、透明基材１１と接している導電性細線の面の幅が線幅Ｗとなる。

第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、好ましくは０．５〜２００μｍであり、より好ましくは１〜１５０μｍ、さらに好ましくは２〜１００μｍである。第１導電性細線の線幅Ｗ₁が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。また、第１導電性細線の線幅Ｗ₁が２００μｍ以下であることにより、第１導電性パターン３００の視認性がより低下し、集電部１２（接合部１２１）の透明性がより向上する傾向にある。

第２導電性細線の線幅Ｗ₂は、好ましくは０．２５〜７．５μｍであり、より好ましくは０．２５〜５．０μｍ、さらに好ましくは０．２５〜４．０μｍ、特に好ましくは０．５０〜３．０μｍである。第２導電性細線の線幅Ｗ₂が０．２５μｍ以上であることにより、アンテナ部１３の導電性がより向上する傾向にある。また、導電性細線表面の酸化や腐食等による導電性の低下を十分に抑制できる。他方、第２導電性細線の線幅Ｗ₂が１０．０μｍ以下であることにより、第２導電性パターン４００の視認性がより低下し、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。

条件Ａとして、本実施形態の第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、第２導電性細線の線幅Ｗ₂よりも広いことが好ましい。図７に、主に条件Ａを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を示す概略断面図を示す。線幅Ｗ₁を広くすることにより、異方性導電性接着剤は線幅の広い第１導電性細線を超えにくくなり、滲出がより抑制される。その差（Ｗ₁−Ｗ₂）は、好ましくは４〜２００μｍであり、より好ましくは１０〜１５０μｍであり、さらに好ましくは２０〜１００μｍである。差（Ｗ₁−Ｗ₂）が上記範囲内であることにより、接合性がより向上する傾向にある。

なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、線幅Ｗ₁及び／又は線幅Ｗ₂が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべての線幅Ｗ₁及び／又は線幅Ｗ₂が上記範囲を満たすことが好ましい。

（高さＴ）
第１導電性細線の高さＴ₁は、好ましくは０．０６以上１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．０８以上０．９μｍ以下あり、さらに好ましくは０．１１以上〜０．８μｍ以下である。高さＴ₁が０．０６μｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。また、導電性細線表面の酸化や腐食等による導電性の低下を十分に抑制できる傾向にある。他方、高さＴ₁が１．０μｍ以下であることにより、広い視野角において高い透明性が発現される傾向にある。

第２導電性細線の高さＴ₂は、好ましくは０．０５以上０．９５μｍ以下であり、より好ましくは０．０７以上０．８μｍ以下あり、さらに好ましくは０．１以上０．５μｍ以下である。高さＴ₂が０．０５μｍ以上であることにより、導電性がより向上する傾向にある。また、導電性細線表面の酸化や腐食等による導電性の低下を十分に抑制できる傾向にある。他方、高さＴ₂が０．９５μｍ以下であることにより、広い視野角において高い透明性が発現される傾向にある。

条件Ｂとして、本実施形態の第１導電性細線の高さＴ₁は、第２導電性細線の高さＴ₂よりも高いことが好ましい。図８に、主に条件Ｂを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を表す概略断面図を示す。高さＴ₁を高くすることにより、異方性導電性接着剤は線幅の高い第１導電性細線を超えにくくなり、滲出がより抑制される。さらに、導電性微粒子２１が第１開口部３０１に収まりやすくなるため、第１導電性パターン３００と半導体素子１４との配線接合の安定性がより向上する傾向にある。その差（Ｔ₁−Ｔ₂）は、好ましくは０．０１〜０．９μｍであり、より好ましくは０．０５〜０．８μｍであり、さらに好ましくは０．１〜０．７μｍである。差（Ｔ₁−Ｔ₂）が上記範囲内であることにより、接合性がより向上する傾向にある。

なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、高さＴ₁及び／又は高さＴ₂が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべての高さＴ₁及び／又は高さＴ₂が上記範囲を満たすことが好ましい。

（ピッチＰ）
第１導電性細線のピッチＰ₁は、好ましくは０．５〜２５μｍであり、より好ましくは１．０〜１０μｍであり、さらに好ましくは２．０〜７．０μｍである。ピッチＰ₁が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。なお、ピッチＰは、導電性細線間の距離である。

第２導電性細線のピッチＰ₂は、好ましくは２０〜１０００μｍであり、より好ましくは４０〜７５０μｍであり、さらに好ましくは６０〜３００μｍである。ピッチＰ₂が２０μｍ以上であることにより、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。また、ピッチＰ₂が１０００μｍ以下であることにより、導電性がより向上する傾向にある。

条件Ａ〜Ｃ以外の条件Ｄとして、本実施形態の第１導電性細線のピッチＰ₁は、第２導電性細線のピッチＰ₂よりも小さいことが好ましい。これにより、第１導電性パターンが密に配置されることになる。そのため、異方性導電性接着剤は密に配置された第１導電性パターンを超えにくくなり、滲出がより抑制される。さらに、導電性微粒子２１が収まる第１開口部３０１の密度も高くなるため、第１導電性パターン３００と半導体素子１４との配線接合の安定性がより向上する傾向にある。その差（Ｐ₂−Ｐ₁）は、好ましくは３０〜１０００μｍ以下であり、より好ましくは５０〜５００μｍ以下であり、さらに好ましくは１００〜３００μｍである。差（Ｐ₂−Ｐ₁）が上記範囲内であることにより、接合部の視認性が低下し、意匠性が向上する傾向にある。

なお、第１導電性パターン３００及び／又は第２導電性パターン４００において、ピッチＰ₁及び／又はピッチＰ₂が、一定の値ではなく、複数の値となるような場合には、すべてのピッチＰ₁及び／又はピッチＰ₂が上記範囲を満たすことが好ましい。

（占有面積率Ｓ）
第１導電性パターン３００の占有面積率Ｓ₁は、好ましくは３０〜９０％であり、より好ましくは３０〜８０％であり、さらに好ましくは４０〜８０％であり、特に好ましくは５０〜８０％である。占有面積率Ｓ₁が上記範囲内であることにより、接合性がより向上するとともに、利得等のアンテナ特性がより向上する傾向にある。

第２導電性パターン４００の占有面積率Ｓ₂は、好ましくは０．１〜７．０％であり、より好ましくは０．５〜５．０％であり、さらに好ましくは１．０〜３．０％である。占有面積率Ｓ₂が０．１％以上であることにより、アンテナ部１３の特性がより向上する傾向にある。また、占有面積率Ｓ₂が７．０％以下であることにより、アンテナ部１３の透明性がより向上する傾向にある。

条件Ｃとして、本実施形態の第１導電性パターンの占有面積率Ｓ₁は、第２導電性パターンの占有面積率Ｓ₂よりも大きいことが好ましい。図９に、主に条件Ｃを充足する本実施形態のＲＦタグの接合部上に、異方性導電性接着剤を介して半導体素子が接合された状態を表す概略断面図を示す。占有面積率Ｓ₁を大きくすることにより、第１導電性パターンが密に配置されることになる。そのため、異方性導電性接着剤は密に配置された第１導電性パターンを超えにくくなり、滲出がより抑制される。さらに、導電性微粒子２１が収まる第１開口部３０１の密度も高くなるため、第１導電性パターン３００と半導体素子１４との配線接合の安定性がより向上する傾向にある。また、図９では、線幅Ｗ₁を細くして占有面積率Ｓ₁を高くする例を示しているが、これに代えて又は加えて、ピッチＰ₁を狭くすることで占有面積率Ｓ₁を高くしてもよい。その差（Ｓ₁−Ｓ₂）は、好ましくは３〜５０％であり、より好ましくは９〜５０％であり、さらに好ましくは１５〜５０％である。差（Ｓ₁−Ｓ₂）が上記範囲内であることにより、接合部の視認性が低下し、意匠性が向上する傾向にある。

なお、「導電性パターンの占有面積率Ｓ」とは、透明基材上の導電性パターンが形成されている領域について以下の式で算出することができる。透明基材上の導電性パターンが形成されている領域とは、図６のＳ２やＳ３で示されるような範囲であり、導電性パターンが形成されていない縁部等は除かれる。
導電性パターンの占有面積率Ｓ
＝（導電性パターンの占める面積／透明基材１１の面積）×１００

導電性パターンの線幅、高さ、ピッチ、及び占有面積率等は、透明アンテナの表面又は断面を電子顕微鏡、レーザー顕微鏡や光学顕微鏡等により確認することができる。導電性パターンの線幅、及びピッチを所望の範囲に調整する方法としては、後述する透明アンテナの製造方法において用いる版の溝を調整する方法、インク中の金属粒子の平均粒子径を調整する方法等が挙げられる。

（形状）
第１導電性細線及び第２導電性細線の断面形状は、導電性細線の線幅Ｗ及び高さＴで規定することができる。導電性細線の高さＴを基準に、透明基材１１と導電性細線の界面からの高さを０．５０Ｔ及び０．９０Ｔと規定する。また、高さ０．５０Ｔにおける導電性細線の幅をＷ_0.50とし、高さ０．９０Ｔにおける導電性細線の幅をＷ_0.90とする。このとき、Ｗ_0.50／Ｗ₀は、好ましくは０．７０〜０．９９であり、より好ましくは０．７５〜０．９９以下であり、さらに好ましくは０．８０〜０．９５である。また。Ｗ_0.90／Ｗ_0.50は、好ましくは０．５０〜０．９５であり、より好ましくは０．５５〜０．９０であり、さらに好ましくは０．６０〜０．８５である。本実施形態の透明アンテナにおいて、Ｗ_0.50／Ｗ₀がＷ_0.90／Ｗ_0.50よりも大きいことが好ましい。すなわち透明基材１１側の導電性細線の界面から０．５０Ｔの厚さにおける高さ位置から０．９０Ｔの厚さにおける高さ位置に向かって導電性細線の幅が漸減することが好ましい。

後述するように本実施形態の透明アンテナは、インクを用いて印刷法により形成することができ、当該方法により形成された導電性細線は上記のような特徴的な形状を有する。その他の導電性細線の形成方法としては、ナノインプリント法やリソグラフィー法を用いる方法、その他なのワイヤーを用いる方法なども考えられるが、これら方法で作成された導電性細線と、印刷法により形成した導電性細線とは、上記形状において相違する。

（シート抵抗）
第１導電性パターン３００及び第２導電性パターン４００のシート抵抗は、好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１，０００Ω／ｓｑ以下であり、より好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上５００Ω／ｓｑ以下であり、さらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１００Ω／ｓｑ以下であり、よりさらに好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上２０Ω／ｓｑ以下であり、さらにより好ましくは０．１Ω／ｓｑ以上１０Ω／ｓｑ以下である。

透明アンテナのシート抵抗は、以下の方法により測定できる。先ず、透明アンテナから導電性パターンが全面に配された部分を矩形状に切り出し測定サンプルを得る。得られた測定サンプルの両端部に導電性パターンと電気的に接続されたシート抵抗測定用の集電部を形成し、両端部に設けられた集電部間の電気抵抗Ｒ（Ω）を測定する。上述した電気抵抗Ｒ（Ω）、及び測定サンプルの集電部間の距離に相当する幅方向の長さＬ（ｍｍ）、奥行方向の長さＤ（ｍｍ）を用いて、次式によりシート抵抗Ｒ_s（Ω／ｓｑ）を算出できる。
Ｒ_s＝Ｒ／Ｌ×Ｄ

透明アンテナ１０のシート抵抗は、導電性細線の高さを向上させることにより、低下する傾向にある。また、導電性細線を構成する金属材料種の選択によっても調整することが可能である。

（可視光透過率）
第１導電性パターン３００の可視光透過率ＶＴ₁は、好ましくは３０〜８０％であり、より好ましくは４０〜７５％であり、さらに好ましくは４５〜７０％である。ここで、可視光透過率は、ＪＩＳＫ７３６１−１：１９９７の全光線透過率に準拠して、その可視光（３６０〜８３０ｎｍ）の範囲の透過率を算出することで測定することができる。

第２導電性パターン４００の可視光透過率ＶＴ₂は、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。

透明アンテナ１０の可視光透過率は、導電性パターンの線幅を小さくしたり、占有面積率を向上させたりすることにより、向上する傾向にある。

〔透明アンテナの製造方法〕
透明アンテナの製造方法としては、透明基材１１上に、金属成分を含むインクを用いてパターンを形成するパターン形成工程と、インクを焼成して集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３とを形成する焼成工程とを有する方法が挙げられる。また、透明基材１１の表面を処理する表面処理工程を有していてもよい。

〔表面処理工程〕
表面処理工程では、コア層の一方の面に第１最外層を設けたり、透明基材１１の表面粗さ調整したりすることができる。

第１最外層を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の気相成膜法を用いてコア層の一方の面に第１最外層を構成する成分を成膜する方法が挙げられる。また、別の方法としては、第１最外層を形成する成分を含む組成物をコア層の一方の面に塗布し、乾燥させることにより第１最外層を形成する方法が挙げられる。

一般に平滑である透明基材１１の表面粗さを増加させる方法としては、特に制限されないが、例えば、コア層と第１最外層との間に、表面粗さの大きい易接着層を設け、その易接着層上に第１最外層を形成する方法が挙げられる。これにより、第１最外層は易接着層の表面粗さが反映されたものとなる。

〔パターン形成工程〕
パターン形成工程は、金属成分を含むインクを用いてパターンを形成する工程である。パターン形成工程は、所望の導電性パターンの溝を有する版を用いる有版印刷方法であれば特に限定されないが、例えば、転写媒体表面にインクをコーティングする工程と、インクをコーティングした転写媒体表面と、凸版の凸部表面とを対向させて、押圧、接触して、凸版の凸部表面に転写媒体表面上のインクを転移させる工程と、インクが残存した転写媒体表面と透明基材１１の面とを対向させて、押圧、接触して、転写媒体表面に残ったインクを透明基材１１の面に転写する工程とを有する。なお、透明基材１１に第１最外層が形成されている場合には、第１最外層表面にインクが転写される。

（インク）
上記パターン形成工程に用いられるインクは、導電性成分と溶剤を含み、必要に応じて、界面活性剤、分散剤、還元剤等を含んでもよい。導電性成分が金属成分である場合、金属成分は金属粒子としてインクに含まれていてもよいし、金属錯体としてインクに含まれていてもよい。

金属粒子の平均一次粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。また、金属粒子の平均一次粒径の下限は特に制限されないが、１ｎｍ以上が挙げられる。金属粒子の平均一次粒径が１００ｎｍ以下であることにより、得られる導電性細線の線幅Ｗをより細くすることができる。なお、「平均一次粒径」とは、金属粒子１つ１つ（所謂一次粒子）の粒径をいい、金属粒子が複数個集まって形成される凝集体（所謂二次粒子）の粒径である平均二次粒径とは区別される。

金属粒子としては、特に制限されないが、例えば、酸化銅等の金属酸化物や金属化合物、コア部が銅でありシェル部が酸化銅であるようなコア／シェル粒子が挙げられる。金属粒子の態様は、分散性や焼結性の観点から、適宜決めることができる。

界面活性剤としては、特に制限されないが、例えば、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。このような界面活性剤を用いることにより、転写媒体（ブランケット）へのインクのコーティング性、コーティングされたインクの平滑性が向上し、より均一な塗膜が得られる傾向にある。なお、界面活性剤は、金属成分を分散可能であり、かつ焼成の際に残留しにくいよう構成されていることが好ましい。

また、分散剤としては、特に制限されないが、例えば、金属成分表面に非共有結合又は相互作用をする分散剤、金属成分表面に共有結合をする分散剤が挙げられる。非共有結合又は相互作用をする官能基としてはリン酸基を有する分散剤が挙げられる。このような分散剤を用いることにより、金属成分の分散性がより向上する傾向にある。

さらに、溶剤としては、モノアルコール及び多価アルコール等のアルコール系溶剤；アルキルエーテル系溶剤；炭化水素系溶剤；ケトン系溶剤；エステル系溶剤などが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、１種以上で併用されても良い。たとえば、炭素数１０以下のモノアルコールと炭素数１０以下の多価アルコールとの併用などが挙げられる。このような、溶剤を用いることにより、転写媒体（ブランケット）へのインクのコーティング性、転写媒体から凸版へのインクの転写性、転写媒体から透明基材へのインクの転写性、及び金属成分の分散性がより向上する傾向にある。なお、溶剤は、金属成分を分散可能であり、かつ焼成の際に残留しにくいよう構成されていることが好ましい。

〔焼成工程〕
焼成工程では、例えば、透明基材１１の面に転写されたインク中の金属成分を焼結し、集電部１２（接合部１２１）とアンテナ部１３を形成する。焼成は、金属成分が融着して、金属成分焼結膜を形成することができる方法であれば特に制限されない。焼成は、例えば、焼成炉で行ってもよいし、プラズマ、加熱触媒、紫外線、真空紫外線、電子線、赤外線ランプアニール、フラッシュランプアニール、レーザーなどを用いて行ってもよい。得られる焼結膜が酸化されやすい場合には、非酸化性雰囲気中において焼成することが好ましい。また、インクに含まれ得る還元剤のみで金属酸化物等が還元されにくい場合には、還元性雰囲気で焼成することが好ましい。

非酸化性雰囲気とは酸素等の酸化性ガスを含まない雰囲気であり、不活性雰囲気と還元性雰囲気がある。不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオンや窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気である。また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。これらのガスを焼成炉中に充填して密閉系としてインクの塗布膜（分散体塗布膜）を焼成してもよい。また、焼成炉を流通系にしてこれらのガスを流しながら分散体塗布膜を焼成してもよい。分散体塗布膜を非酸化性雰囲気で焼成する場合には、焼成炉中を一旦真空に引いて焼成炉中の酸素を除去し、非酸化性ガスで置換することが好ましい。また、焼成は、加圧雰囲気で行なってもよいし、減圧雰囲気で行なってもよい。

焼成温度は、特に制限はないが、好ましくは２０℃以上４００℃以下であり、より好ましくは５０℃以上３００℃以下であり、さらに好ましくは８０℃以上２００℃以下である。焼成温度が４００℃以下であることにより、耐熱性の低い基板を使用することができるので好ましい。また、焼成温度が２０℃以上であることにより、焼結膜の形成が十分に進行し、導電性が良好となる傾向にあるため好ましい。なお、得られる焼結膜は、金属成分に由来する導電性成分を含み、そのほか、インクに用いた成分や焼成温度に応じて、非導電性成分を含みうる。

〔ＲＦタグ〕
本実施形態のＲＦタグ１００は、上記透明アンテナ１０と、該透明アンテナ１０の接合部１２１と電気的に接合された半導体素子１４と、を備える。図９に、本実施形態のＲＦタグ１００の断面図を示す。図９に示すように、半導体素子１４は、異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムなどの異方性導電性接着剤１５により、接合部１２１と電気的に接合されたものであることが好ましい。

図１及び２には、電池を内蔵しておらず、リーダー・ライターから受信した電波をエネルギー源として動作するパッシブタグであるＲＦタグ１００を示すが、本実施形態のＲＦタグ１００は、さらに電池（不図示）を内蔵し、その電力を送受信や内部回路用電源として使用するアクティブタグや、その他センサやセンサの電源としての電池を内蔵するセミパッシブタグであってもよい。なお、本実施形態においてＲＦタグとは、上記透明アンテナ１０を有することにより特定の周波数の送受信が可能であるものをいう。従って、ＩＣタグと呼ばれるものであっても上記構成を満たすものであれば、本実施形態におけるＲＦタグに含まれる。

半導体素子１４は、ＲＦタグ１００の用途に応じて公知のものを用いることができる。半導体素子１４の構成は、特に制限されないが、例えば、記憶部、電源整流部、受信部、制御部、及び送信部などの機能部を有する。

各機能部と本実施形態のＲＦタグ１００がパッシブ型である場合の動作の一例について説明する。まず、ＲＦタグ１００のアンテナ部１３が、リーダー・ライターからの電波を受信し、電磁誘導などにより起電力が発生する。そして、この起電力によりＲＦタグ１００の半導体素子１４が起動する。その際、電源整流部は、アンテナ部１３に入力された交流を直流に変換し、半導体素子１４の回路に電源を供給する。また、これと並行して、受信部は、リーダー・ライターから受信した搬送波を信号列に復調し、信号列を制御部に送る。制御部は、受信部から受け取った信号列に従って、記憶部への情報のリード／ライトや、情報処理結果を信号列として送信部へ受け渡す。ここで、記憶部は、商品情報など、ＲＦタグの用途に応じて様々な情報を記憶する。最後に、送信部は、制御部から受け取った信号列を搬送波に変調し、アンテナ部１３から送信する。そして、リーダー・ライターのアンテナがその搬送波を受信し、情報処理を行う。なお、本実施形態においてＲＦＩＤとは、ＲＦタグとリーダー・ライターからなるシステムをいう。

本実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な周波数帯は、特に制限されないが、例えば、ＬＦ帯（中波帯）：１２０〜１３０ｋＨｚ、ＨＦ帯（短波帯）：１３．５６ＭＨｚ、ＵＨＦ帯（極超短波）：９００ＭＨｚ帯、マイクロ波：２．４５ＧＨｚ帯が挙げられる。アンテナ部１３のタイプは、利用する周波数帯に応じて適宜調整することができる。例えば、ＨＦ帯を利用する場合には、ループタイプのアンテナを使用し、ＵＨＦ帯を利用する場合には、ダイポールタイプのアンテナを使用することができる。

本実施形態のＲＦタグ１００が利用可能な送受信方式としては、上記電波方式に限定されず、送信側・受信側それぞれが持つコイルに高周波を印加し、生じる相互誘導に情報を載せる電磁結合方式や、アンテナ近傍に発生する磁界に情報を載せ、情報のやりとりを行う電磁誘導方式を用いてもよい。

異方性導電性接着剤に含まれる導電性微粒子の直径ｄは、好ましくは３．０〜１０μｍであり、より好ましくは４．０〜９．０μｍである。導電性微粒子の直径ｄが上記範囲内であることにより、接合性がより向上する傾向にある。

また、集電部１２（接合部１２１）に形成される第１導電性パターンのピッチＰ₁と、その厚みＴ₁と、導電性微粒子の直径ｄとは、下式（１）を満たすことが好ましい。
（Ｐ₁／２）²＜（ｄ／２）²−（ｄ／２−Ｔ₁）² 式（５）

以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）をコア層として用いて、一方の面上に酸化ケイ素ナノ粒子と導電性の有機シラン化合物を含む組成物を塗布し、乾燥して、酸化ケイ素を含有した厚さ５０ｎｍの第１最外層を形成して、基材Ａを得た。

次いで、粒子径２１ｎｍの酸化第一銅ナノ粒子２０質量部と、分散剤（ビッグケミー社製、製品名：Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１４５）４質量部と、界面活性剤（セイミケミカル社製、製品名：Ｓ−６１１）１質量部と、エタノール７５質量部とを混合・分散し、酸化第一銅ナノ粒子の含有割合が２０質量％のインクを調製した。

そして、転写媒体表面にインクを塗布し、インクが塗布された転写媒体表面と導電性パターンの溝を有する版を対向させて、押圧、接触して、版の凸部表面に転写媒体表面上の一部のインクを転移させた。その後、残ったインクがコーティングされた転写媒体表面と基材Ａとを対向させて、押圧、接触させ、基材Ａの上に所望の導電性パターン状のインクを転写させた。次いで、ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ社製Ｐｕｌｓｅｆｏｒｇｅ１３００を用いて室温環境下で導電性パターン状のインク（分散体塗布膜）をフラッシュランプアニールにより焼成した。

これにより、アンテナ部における導電性パターンは、正方形グリッド状とし、線幅Ｗ₂：２．０μｍ、高さＴ₂：０．５μｍ、開口ピッチＰ₂：６０μｍとし、占有面積率Ｓ₂は６％であった。また、接合部における導電性パターンは、正方形グリッド状とし、線幅Ｗ₁：３．０μｍ、高さＴ₁：０．５μｍ、開口ピッチＰ₁：６．０μｍとし、占有面積率Ｓ₁は、７５％であった。また、アンテナ部は、図１に示すような、長辺方向の縦寸法が４９ｍｍ、短辺方向の横寸法が１０ｍｍの長方形状の２つの導電性パターンが、短辺が対向するように２ｍｍ間隔で設けられ、また、２つの導電性パターンの間に形成される接合部間のギャップを１５０μｍとしたダイポールアンテナである。なお、接合部もアンテナ部も、導電性細線は、Ｗ_0.50／Ｗ₀がＷ_0.90／Ｗ_0.50よりも大きいものであった。

〔実施例２〕
位置合わせマークを設けた基材Ａ上に、第１の版、転写媒体を用いて、アンテナ部の導電性パターン状に、インクを転写させた。次に、位置合わせマークを用いて位置合わせを行ったのち、第２の版、転写媒体を用いて、接合部の導電性パターン状に、インクを転写させた。これにより、アンテナ部として、線幅Ｗ₂：３．０μｍ、高さＴ₂：０．５μｍ、開口ピッチＰ₂：６０μｍ、占有面積率Ｓ₂が１０％の導電性パターンを形成した。また、接合部として、線幅Ｗ₁：３．０μｍ、高さＴ₁：１．０μｍ、開口ピッチＰ₁：６．０μｍ、占有面積率Ｓ₁が７５％の導電性パターンを形成した。このように、上記線幅と開口ピッチを有し、導電性細線の高さをアンテナ部と接合部とで異ならせた以外は、実施例１と同様のアンテナ部及び接合部を形成した。接合部、及びアンテナ部の導電性細線の寸法を表１に示す。

〔実施例３〕
アンテナ部における導電性パターンが、線幅Ｗ₂：３．０μｍである以外は、実施例１と同様なアンテナ部および接合部を形成した。接合部、及びアンテナ部の導電性細線の寸法を表１に示す。

〔比較例１〕
アンテナ部として、線幅Ｗ₂：３．０μｍ、高さＴ₂：０．５μｍ、開口ピッチＰ₂：６０μｍ、占有面積率Ｓ₂が６％の導電性パターンを形成した。また、接合部として、アンテナ部と同様に、線幅Ｗ₁：３．０μｍ、高さＴ₁：０．５μｍ、開口ピッチＰ₁：６．０μｍ、占有面積率Ｓ₁が６％の導電性パターンを形成した。
接合部、及びアンテナ部の導電性細線の寸法を表１に示す。

〔線幅、ピッチ、及び占有面積率〕
上記線幅、ピッチ、及び占有面積率は、光学顕微鏡による平面写真により算出した。

〔ＲＦタグ〕
上記のようにして得られた透明アンテナの接合部に、導電粒子の平均粒径１０μｍの異方性導電性ペーストを用いて半導体素子を接合して、ＲＦタグを得た。

〔接合信頼性〕
実施例１から３のＲＦタグの放射特性を測定した結果、９２０ＭＨｚにおいて、通信距離１．３ｍが得られ、同一の外形寸法の銅箔からなる金属ダイポールアンテナと同等のアンテナ特性が得られた（表1中の接続信頼性の〇評価）。一方、比較例１のＲＦタグは、９２０ＭＨｚにおいて、通信応答せず、アンテナ特性は得られなかった（表1中の接続信頼性の×評価）。このような比較例１のＲＦタグは、アンテナ部とＩＣチップとの導通不足が推定された。

〔外観不良〕
実施例１、２、３および比較例１の接合部を、透明基材裏面からデジタルマイクロスコープ（ＫＥＹＥＮＣＥ製ＶＨＸ−１００）で観察した。実施例１の基材開口部には、気泡の巻き込みはなく、接着安定性が担保されていた。さらに、接合部からアンテナ部への異方性導電性ペーストのはみ出しがなく、外観上優れていた（表1中の〇評価）。
一方、比較例１の接合部には、導電性パターンと接触しない導電性粒子が多数認められ、さらに、接合部からアンテナ部への異方性導電性ペーストのはみ出しが観察され、透明性を有するRFタグとしての外観性が損なわれていた（表1中の×評価）。

本発明は、ＲＦＩＤに使用可能なＲＦタグ、特に、透明性を活かした意匠性が要求される用途に使用されるＲＦタグとして、産業上の利用可能性を有する。

１０…透明アンテナ、１１…透明基材、１２…集電部、１２３…接合部、１３…アンテナ部、１４…半導体素子、１５…異方性導電性接着剤、２１…導電性微粒子、２２…樹脂バインダ、１００…ＲＦタグ、３００…第１導電性パターン、３０１…第１開口部、４００…第２導電性パターン、４０１…第２開口部。

Claims

透明基材と、
前記透明基材上に配設された、接合部と、該接合部と電気的に接合されたアンテナ部と、を有し、
前記接合部が、第１導電性細線を有する第１導電性パターンを有し、
前記アンテナ部が、第２導電性細線を有する第２導電性パターンを有し、
下記Ａ〜Ｃ条件を１つ以上満たす、透明アンテナ。
条件Ａ：前記第１導電性細線の線幅Ｗ₁は、前記第２導電性細線の線幅Ｗ₂よりも広い
条件Ｂ：前記第１導電性細線の高さＴ₁は、前記第２導電性細線の高さＴ₂よりも高い
条件Ｃ：単位面積当たりの前記第１導電性パターンの占有面積率Ｓ₁は、単位面積当たりの前記第２導電性パターンの占有面積率Ｓ₂よりも大きい
前記線幅Ｗ₁が、０．５μｍ以上２００μｍ以下であり、
前記線幅Ｗ₂が、０．２５μｍ以上５．０μｍ以下である、
請求項１に記載の透明アンテナ。
前記高さＴ₁が、０．０６μｍ以上、１．０μｍ以下であり、
前記高さＴ₂が、０．０５μｍ以上、０．９５μｍ以下である、
請求項１又は２に記載の透明アンテナ。
前記第１導電性細線のピッチＰ₁は、前記第２導電性細線のピッチＰ₂よりも小さく、
前記ピッチＰ₁が、１．０μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記ピッチＰ₂が、６０μｍ以上３００μｍ以下である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明アンテナ。
前記占有面積率Ｓ₁は、３０％以上８０％以下であり、
前記占有面積率Ｓ₂は、０．１％以上７．０％以下である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明アンテナ。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明アンテナと、
該透明アンテナの接合部と電気的に接合された半導体素子と、を備える、
ＲＦタグ。
前記半導体素子が、異方性導電性接着剤により、前記接合部と電気的に接合されたものである、
請求項６に記載のＲＦタグ。