WO2021157704A1

WO2021157704A1 - 光学フィルムの製造方法

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Publication number: WO2021157704A1
Application number: PCT/JP2021/004364
Authority: WO
Inventors: 一茂中川; 西川　秀幸; 真人中尾; 峻也加藤; 浩之萩尾; 寛野副; 邦浩加瀬澤
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2020-02-06
Filing date: 2021-02-05
Publication date: 2021-08-12
Also published as: JP7386268B2; JPWO2021157704A1

Abstract

本発明は、液晶化合物の配向欠陥が少ない液晶層を有する光学フィルムを製造できる、光学フィルムの製造方法を提供する。本発明の光学フィルムの製造方法は、基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、第１塗膜を形成する工程Ａ１と、第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、第２塗膜を形成する工程Ａ２と、第１塗膜に対して偏光を照射して、第１塗膜に配向規制力を付与して、光配向層を形成する工程Ａ３と、第２塗膜中の前記液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程Ａ４と、をこの順に有する。

Description

光学フィルムの製造方法

　本発明は、光学フィルムの製造方法に関する。

　液晶化合物を用いて形成される液晶層は、ディスプレイ分野で使用される光学フィルムの用途に用いられている。
　液晶層の形成方法としては、光配向化合物を含む光配向層を用いる方法が知られている（文献１）。具体的には、配向規制力を有する光配向層を形成した後、その上に液晶層形成用組成物を塗布して、液晶層を形成する方法が知られている。

国際公開第２０１７／０６９２５２号

　一方で、近年、液晶化合物の配向欠陥がより少ない液晶層の形成が求められている。
　本発明者らは特許文献１に記載されるような光配向層を用いる態様について検討したところ、形成される液晶層中において液晶化合物の配向欠陥が見られ、昨今の要求レベルを満たしていなかった。

　本発明は、上記実情に鑑みて、液晶化合物の配向欠陥が少ない液晶層を有する光学フィルムを製造できる、光学フィルムの製造方法を提供することを課題とする。

　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねたところ、以下の構成の本発明を完成させた。

（１）　基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、第１塗膜を形成する工程Ａ１と、
　第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、第２塗膜を形成する工程Ａ２と、
　第１塗膜に対して偏光を照射して、第１塗膜に配向規制力を付与して、光配向層を形成する工程Ａ３と、
　第２塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程Ａ４と、をこの順に有する、光学フィルムの製造方法。
（２）　工程Ａ３において、偏光を基材側から第１塗膜に照射する、（１）に記載の光学フィルムの製造方法。
（３）　液晶化合物が重合性基を有する、（１）または（２）に記載の光学フィルムの製造方法。
（４）　第１塗膜の厚みが１．０μｍ以下である、（１）～（３）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（５）　光配向化合物が、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光配向性基を有する、（１）～（４）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（６）　光配向性基が、シンナモイル基、アゾベンゼン基、カルコニル基、および、クマリン基からなる群から選択される、（５）に記載の光学フィルムの製造方法。
（７）　光配向化合物が、光配向性基を有する繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位とを含む、（５）または（６）に記載の光学フィルムの製造方法。
（８）　架橋性基を有する繰り返し単位が、後述する式（１）で表される繰り返し単位を含む、（７）に記載の光学フィルムの製造方法。
（９）　架橋性基が、後述する式（Ｚ１）～（Ｚ４）で表される基のいずれかである、（８）に記載の光学フィルムの製造方法。
（１０）　光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　極大吸収波長における基材の吸光度が１．０以下である、（５）～（９）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１１）　光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、
　重合開始剤が後述する要件１または要件２を満たす、（５）～（１０）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１２）　基材上に、光配向化合物および液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、光配向化合物が基材側に偏在している塗膜を形成する工程Ｂ１と、
　塗膜に対して偏光を照射して、光配向化合物に配向規制力を付与する工程Ｂ２と、
　塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程Ｂ３と、をこの順に有する、光学フィルムの製造方法。
（１３）　工程Ｂ２において、偏光を基材側から塗膜に照射する、（１２）に記載の光学フィルムの製造方法。
（１４）　液晶化合物が重合性基を有する、（１２）または（１３）に記載の光学フィルムの製造方法。
（１５）　液晶層形成用組成物における光配向化合物の含有量が、液晶化合物の含有量に対して、０．０１～３０質量％である、（１２）～（１４）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１６）　基材が、表面に水素結合性基を有する、（１２）～（１５）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１７）　基材の表面の水接触角が８０°以下である、（１２）～（１６）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１８）　光配向化合物が、水素結合性基、塩構造を有する基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、および、後述する式（２）で表される基からなる群から選択される相互作用性基を有する、（１２）～（１７）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（１９）　光配向化合物が、相互作用性基を有する繰り返し単位を含む、（１８）に記載の光学フィルムの製造方法。
（２０）　相互作用性基を有する繰り返し単位が、後述する式（３）～（７）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含む、（１９）に記載の光学フィルムの製造方法。
（２１）　相互作用性基を有する繰り返し単位が、後述する式（８）～（１０）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含む、（１９）または（２０）に記載の光学フィルムの製造方法。
（２２）　光配向化合物が、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光配向性基を有する、（１２）～（２１）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（２３）　光配向性基が、シンナモイル基、アゾベンゼン基、カルコニル基、および、クマリン基からなる群から選択される、（２２）に記載の光学フィルムの製造方法。
（２４）　光配向化合物が、光配向性基を有する繰り返し単位を含む、（２２）または（２３）に記載の光学フィルムの製造方法。
（２５）　光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　極大吸収波長における基材の吸光度が１．０以下である、（２２）～（２４）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。
（２６）　光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、
　重合開始剤が後述する要件１または要件２を満たす、（２２）～（２５）のいずれかに記載の光学フィルムの製造方法。

　本発明によれば、液晶化合物の配向欠陥が少ない液晶層を有する光学フィルムを製造できる、光学フィルムの製造方法を提供できる。

従来技術を説明するための図である。従来技術を説明するための図である。従来技術を説明するための図である。従来技術を説明するための図である。工程Ａ１を説明するための図である。工程Ａ２を説明するための図である。工程Ａ３を説明するための図である。工程Ａ４を説明するための図である。工程Ｂ１を説明するための図である。飛行時間型二次イオン質量分析法で得られた光配向化合物由来の二次イオン強度分布の一例である。工程Ｂ２を説明するための図である。工程Ｂ３を説明するための図である。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
　なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において、「（メタ）アクリル」は、「アクリルおよびメタクリルのいずれか一方または双方」の意味で使用される。

　本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
　本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
　遅相軸方向（°）
　Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
　Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄ
が算出される。
　なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎで算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

　本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折計（ＮＡＲ－４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ－Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルターとの組み合わせで測定できる。
　また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。

　本明細書中における「光」とは、活性光線または放射線を意味し、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、紫外線、および、電子線（ＥＢ：Electron Beam）などを意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

　また、本明細書において表記される２価の基（例えば、－Ｏ－ＣＯ－）の結合方向は特に限定されず、例えば、「Ｌ^１－Ｌ^２－Ｌ^３」の結合においてＬ^２が－Ｏ－ＣＯ－である場合、Ｌ^１側に結合している位置を＊１、Ｌ^３側に結合している位置を＊２とすると、Ｌ^２は＊１－Ｏ－ＣＯ－＊２であってもよく、＊１－ＣＯ－Ｏ－＊２であってもよい。

　従来技術においては、上述したように、基材上に光配向層を形成した後、光配向層上に液晶層形成用組成物を塗布して塗膜を形成して、塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する。
　以下では、まず、上記手順の従来技術において所望の効果が得られない理由について図１～４を用いて説明する。
　図１は、基材１００上に光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、塗膜１２０を形成した図である。塗膜１２０中に含まれる光配向化合物中の光配向性基ＬＡは、種々の方向を向いている。
　次に、図１の白矢印で示すように、塗膜１２０側から偏光を照射すると、光配向性基ＬＡが偏光によって配向して、図２に示すように、配向規制力を有する光配向層１４０が基材１００上に形成される。
　次に、図３に示すように、光配向層１４０上に液晶化合物ＬＣおよび溶媒を含む液晶層形成用組成物を塗布して、塗膜１６０を形成すると、液晶層形成用組成物に含まれる溶媒によって光配向層中の光配向性基ＬＡの配向が緩和してしまい、配向の乱れが生じる。
　そのため、図４に示すように、塗膜１６０に加熱処理などの配向処理を施して、液晶化合物ＬＣを配向させると、光配向層１４０中の光配向性基ＬＡの配向の乱れに起因して、液晶化合物ＬＣの配向にも乱れが生じてしまう。結果として、液晶層中に配向欠陥が生じてしまう。

　それに対して、本発明では、後述するように、所定の工程を実施することにより、所望の効果が得られている。
　以下では、本発明を、第１実施形態および第２実施形態に分けて説明する。

＜＜第１実施形態＞＞
　本発明の第１実施形態は、以下の工程Ａ１～Ａ４を有する。
工程Ａ１：基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、第１塗膜を形成する工程
工程Ａ２：第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、第２塗膜を形成する工程
工程Ａ３：第１塗膜に対して偏光を照射して、第１塗膜に配向規制力を付与して、光配向層を形成する工程
工程Ａ４：第２塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程
　以下、各工程の手順について詳述する。

＜工程Ａ１＞
　工程Ａ１は、基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、第１塗膜を形成する工程である。本工程を実施することにより、図５に示すように、基材１０上に、光配向性基ＬＡを有する光配向化合物を含む第１塗膜１２が形成される。第１塗膜１２中において、光配向性基ＬＡは種々の方向を向いている。
　以下では、まず、本工程で使用される部材および材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（基材）
　基材は、後述する光配向層および液晶層を支持する部材である。
　基材は、有機基材（有機材料で構成される基材）であってもよいし、無機基材（無機材料で構成される基材）であってもよく、有機基材が好ましい。

　有機基材としては、樹脂基材が好ましい。
　樹脂基材の材料としては、セルロース系ポリマー；ポリメチルメタクリレート、および、ラクトン環含有重合体であるアクリル酸エステル重合体などのアクリル系ポリマー；熱可塑性ノルボルネン系ポリマー；ポリカーボネート系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系ポリマー；ポリスチレン、および、アクリロニトリルスチレン共重合体などのスチレン系ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、および、エチレン・プロピレン共重合体などのポリオレフィン系ポリマー；、塩化ビニル系ポリマー；ナイロン、および、芳香族ポリアミドなどのアミド系ポリマー；イミド系ポリマー；スルホン系ポリマー；ポリエーテルスルホン系ポリマー；ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー；ポリフェニレンスルフィド系ポリマー；塩化ビニリデン系ポリマー；ビニルアルコール系ポリマー；ビニルブチラール系ポリマー；アリレート系ポリマー；ポリオキシメチレン系ポリマー；エポキシ系ポリマー；またはこれらのポリマーを混合したポリマーが挙げられる。

　無機基材としては、ガラス基材が挙げられる。

　基材は、透明であることが好ましい。つまり、基材としては、透明基材が好ましい。
　なお、透明基材とは、可視光の透過率が６０％以上である基材を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。

　基材は、その表面に水素結合性基を有することが好ましい。
　水素結合性基としては、ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシ基、アミノ基、アミド基、ウレア基、および、ウレタン基が挙げられ、形成される液晶層中の液晶化合物の配向欠陥がより少ない点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、ヒドロキシ基またはカルボキシ基が好ましい。
　基材の表面に水素結合性基を導入する方法は特に制限されず、コロナ処理、および、紫外線照射処理などの公知の表面処理方法が挙げられる。
　また、基材を構成する材料（例えば、ポリマー）自体が、水素結合性基を有していてもよい。
　また、基材は、基材を構成する主成分とは別に、水素結合性基を有する添加剤を含んでいてもよい。
　さらに、基材は、熱または光などにより分解して、水素結合性基を生じる化合物を含み、所定の処理（例えば、光照射処理、または、加熱処理）を施すことにより、基材の表面に水素結合性基を導入してもよい。

　基材の表面の水接触角は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、８０°以下が好ましく、７０°以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、１°以上の場合が多い。
　基材の表面の水接触角の測定方法としては、以下の通りである。
　まず、接触角計［“ＣＡ－Ｘ”型接触角計、協和界面科学（株）製］を用い、乾燥状態（２０℃／６５％ＲＨ）で、液体として純水を使用して３μＬの液滴を針先に作り、これを基材表面に接触させて、基材上に液滴を作る。滴下後１５秒での基材と液体とが接する点における、液体表面に対する接線と基材表面がなす角で、液体を含む側の角度を測定し、水接触角とする。

　基材は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。
　基材が複層構造である場合、基材は、支持体と、支持体上に配置される光学異方性層とを有していてもよい。
　光学異方性層としては、面内方向に位相差を有する光学異方性層、および、厚み方向に位相差を有する光学異方性層が挙げられる。

　基材の厚みは特に限定されず、５～２００μｍが好ましく、１０～１００μｍがより好ましく、２０～９０μｍがさらに好ましい。

（光配向化合物）
　光配向化合物とは、光配向性基を有する化合物である。
　ここで、「光配向性基」とは、異方性を有する光（例えば、平面偏光など）の照射により、再配列または異方的な化学反応が誘起される光配向機能を有する基をいい、配向の均一性に優れ、熱的安定性または化学的安定性も良好となる点から、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光配向性基が好ましい。

　光の作用により二量化する光配向性基としては、例えば、桂皮酸誘導体（M. Schadt et al., J. Appl. Phys., vol. 31, No. 7, page 2155 (1992)）、クマリン誘導体（M. Schadt et al., Nature., vol. 381, page 212 (1996)）、カルコン誘導体（小川俊博他、液晶討論会講演予稿集，2AB03(1997)）、マレイミド誘導体、および、ベンゾフェノン誘導体（Y. K. Jang et al., SID Int. Symposium Digest, P-53(1997)）からなる群から選択される少なくとも１種の誘導体の骨格を有する基が挙げられる。
　一方、光の作用により異性化する光配向性基としては、例えば、アゾベンゼン化合物（K. Ichimura et al.,Mol.Cryst.Liq.Cryst .,298,221(1997)）、スチルベン化合物（J.G.Victor and J.M.Torkelson,Macromolecules,20,2241(1987)）、スピロピラン化合物（K. Ichimura et al., Chemistry Letters, page 1063 (1992)；K.Ichimura et al., Thin Solid Films, vol. 235, page 101 (1993)）、桂皮酸化合物（K.Ichimura et al.,Macromolecules,30,903(1997)）、および、ヒドラゾノ－β－ケトエステル化合物（S. Yamamura et al., Liquid Crystals, vol. 13, No. 2, page 189 (1993)）からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の骨格を有する基が挙げられる。

　これらのうち、光配向性基が、シンナモイル基、アゾベンゼン基、カルコニル基、および、クマリン基からなる群から選択されることが好ましい。

　光配向化合物は、本発明の効果がより優れる点で、ポリマーであることが好ましい。
　光配向化合物は、光配向性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。
　光配向性基を有する繰り返し単位の主鎖の構造は特に限定されず、公知の構造が挙げられ、（メタ）アクリル系、スチレン系、シロキサン系、シクロオレフィン系、メチルペンテン系、アミド系、および、芳香族エステル系からなる群から選択される骨格が好ましい。
　これらのうち、（メタ）アクリル系、シロキサン系、および、シクロオレフィン系からなる群から選択される骨格がより好ましく、（メタ）アクリル系骨格がさらに好ましい。

　光配向性基を有する繰り返し単位としては、式（Ｗ）で表される繰り返し単位が好ましい。

　Ｒ^Ｗ１は、水素原子またはメチル基を表す。
　Ｌ^Ｗは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の好適態様は、後述するＬ^１で表される２価の連結基の好適態様と同じである。
　Ｒ^Ｗ２、Ｒ^Ｗ３、Ｒ^Ｗ４、Ｒ^Ｗ５およびＲ^Ｗ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｗ２、Ｒ^Ｗ３、Ｒ^Ｗ４、Ｒ^Ｗ５およびＲ^Ｗ６のうち、隣接する２つの基が結合して環を形成していてもよい。
　上記置換基の種類は特に制限されず、後述するＲ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。なかでも、アルコキシ基が好ましい。

　光配向化合物中における光配向性基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物中の全繰り返し単位に対して、１５～９８質量％が好ましく、３０～９５質量％がより好ましい。

　工程Ａ２において液晶層形成用組成物に含まれる溶剤により第１塗膜中の光配向化合物が溶出するのを防止できる点、および、光配向層と液晶層との密着性がより優れる点で、光配向化合物は、架橋性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。
　架橋性基を有する繰り返し単位の主鎖の構造は特に限定されず、公知の構造が挙げられ、（メタ）アクリル系、スチレン系、シロキサン系、シクロオレフィン系、メチルペンテン系、アミド系、および、芳香族エステル系からなる群から選択される骨格が好ましい。
　これらのうち、（メタ）アクリル系、シロキサン系、および、シクロオレフィン系からなる群から選択される骨格がより好ましく、（メタ）アクリル系骨格がさらに好ましい。

　架橋性基を有する繰り返し単位としては、式（１）で表される繰り返し単位が好ましい。

　Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表す。
　Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基は特に制限されず、例えば、２価の炭化水素基（例えば、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数１～１０のアルケニレン基、および、炭素数１～１０のアルキニレン基などの２価の脂肪族炭化水素基、並びに、アリーレン基などの２価の芳香族炭化水素基）、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－ＣＯ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）_ｍ－Ｏ－（ｍは、１以上の整数を表す）、および、－２価の炭化水素基－Ｏ－ＣＯ－など）が挙げられる。Ｒ^ａは、水素原子またはアルキル基を表す。

　Ｚは、架橋性基を表す。架橋性基の種類は特に制限されず、公知の架橋性基が挙げられ、例えば、ラジカル重合性基、および、カチオン重合性基が挙げられる。
　架橋性基としては、式（Ｚ１）～（Ｚ４）で表される基のいずれかが好ましい。

　Ｒ^２は、水素原子、メチル基、または、エチル基を表す。
　Ｒ^３は、水素原子またはメチル基を表す。
　＊は結合位置を表す。

　光配向化合物が架橋性基を有する繰り返し単位を含む場合、光配向化合物中における架橋性基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物中の全繰り返し単位に対して、２０～８０質量％が好ましく、３０～７０質量％がより好ましい。

　光配向化合物は、上述した、光配向性基を有する繰り返し単位、および、架橋性基を有する繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。
　他の繰り返し単位としては、後述する相互作用性基を有する繰り返し単位、および、後述するアルキル基を有する繰り返し単位などが挙げられる。

　光配向化合物がポリマーである場合、光配向化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１００００～５０００００が好ましく、２００００～３０００００がより好ましい。
　本発明における重量平均分子量および数平均分子量は、以下に示す条件でゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）法により測定された値である。
　・溶媒（溶離液）：ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）
　・装置名：ＴＯＳＯＨＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
　・カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ（４．６ｍｍ×１５ｃｍ）を３本接続して使用
　・カラム温度：４０℃
　・試料濃度：０．１質量％
　・流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
　・校正曲線：ＴＯＳＯＨ製ＴＳＫ標準ポリスチレン　Ｍｗ＝２８０００００～１０５０（Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０３～１．０６）までの７サンプルによる校正曲線を使用

　光配向化合物は、公知の方法で合成できる。

（光配向層形成用組成物）
　光配向層形成用組成物は、上述した光配向化合物を含む。
　光配向層形成用組成物中における光配向化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、光配向層形成用組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
　なお、光配向層形成用組成物中の全固形分とは、光配向層を構成する成分を意図し、溶媒は含まれない。

　光配向層形成用組成物は、熱酸発生剤を含んでいてもよい。特に、光配向化合物がカチオン重合性基を有する場合、液晶層を形成する際に熱酸発生剤を用いて、カチオン重合性基を重合させることができる。
　光配向層形成用組成物中における熱酸発生剤の含有量は、光配向層形成用組成物中の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。

　また、光配向層形成用組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミン（例：ジイソプロピルエチルアミン）、アミド（例：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例：ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例：ピリジン、１，３－ジオキソラン）、炭化水素（例：ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例：クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例：アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン）、および、エーテル（例：テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン）が挙げられる。なお、２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

（工程Ａ１の手順）
　工程Ａ１では、基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布する。
　光配向層形成用組成物を基材上に塗布する方法は特に制限されず、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法が挙げられる。

　光配向層形成用組成物を塗布した後、必要に応じて、形成される第１塗膜に対して乾燥処理を施してもよい。
　乾燥処理の方法としては、加熱処理が挙げられる。
　加熱処理の際の加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。

　第１塗膜の厚みは特に制限されないが、２．０μｍ以下の場合が多く、本発明の効果がより優れる点で、１．０μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、０．０１μｍ以上が好ましい。

　なお、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、光配向性基に由来する極大吸収波長における基材の吸光度が１．０以下であることが好ましい。
　後述するように、工程Ａ３において第１塗膜に対して偏光を照射する際に、上記関係を満たす場合、基材側から偏光を第１塗膜に照射することにより、効率的に第１塗膜中の光配向性基を配向させることができる。

＜工程Ａ２＞
　工程Ａ２は、第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、第２塗膜を形成する工程である。本工程を実施することにより、図６に示すように、第１塗膜１２上に、液晶化合物ＬＣを含む第２塗膜１４が形成される。第２塗膜１４中において、液晶化合物ＬＣは種々の方向を向いている。
　以下では、まず、本工程で使用される材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（液晶化合物）
　液晶化合物の種類は特に限定されず、例えば、ホメオトロピック配向、ホモジニアス配向、ハイブリッド配向およびコレステリック配向のいずれかの配向が可能な化合物が挙げられる。
　ここで、一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプと円盤状タイプとに分類できる。さらに、それぞれ低分子と高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井正男著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできるが、棒状液晶化合物またはディスコティック液晶化合物（円盤状液晶化合物）が好ましい。また、モノマーであるか、重合度が１００未満の比較的低分子量な液晶化合物が好ましい。

　液晶化合物は、重合性基を有することが好ましい。つまり、液晶化合物は、重合性液晶化合物であることが好ましい。重合性液晶化合物が有する重合性基としては、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、エポキシ基、および、ビニル基が挙げられる。
　このような重合性液晶化合物を重合させることにより、液晶化合物の配向を固定することができる。なお、液晶化合物が重合によって固定された後においては、もはや液晶性を示す必要はない。

　棒状液晶化合物としては、例えば、特表平１１－５１３０１９号公報の請求項１または特開２００５－２８９９８０号公報の段落［００２６］～［００９８］に記載のものを好ましく、ディスコティック液晶化合物としては、例えば、特開２００７－１０８７３２号公報の段落［００２０］～［００６７］または特開２０１０－２４４０３８号公報の段落［００１３］～［０１０８］に記載のものを好ましい

　上記重合性液晶化合物として、逆波長分散性の液晶化合物を用いることができる。
　ここで、本明細書において「逆波長分散性」の液晶化合物とは、この化合物を用いて作製された位相差フィルムの特定波長（可視光範囲）における面内のレタデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、測定波長が大きくなるにつれてＲｅ値が同等または高くなるものをいう。

　逆波長分散性の液晶化合物は、上記のように逆波長分散性のフィルムを形成できるものであれば特に限定されず、例えば、特開２００８－２９７２１０号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物（特に、段落［００３４］～［００３９］に記載の化合物）、特開２０１０－０８４０３２号公報に記載の一般式（１）で表される化合物（特に、段落［００６７］～［００７３］に記載の化合物）、および、特開２０１６－０８１０３５公報に記載の一般式（１）で表される化合物（特に、段落［００４３］～［００５５］に記載の化合物）が挙げられる。
　さらに、特開２０１１－００６３６０号公報の段落［００２７］～［０１００］、特開２０１１－００６３６１号公報の段落［００２８］～［０１２５］、特開２０１２－２０７７６５号公報の段落［００３４］～［０２９８］、特開２０１２－０７７０５５号公報の段落［００１６］～［０３４５］、ＷＯ１２／１４１２４５号公報の段落［００１７］～［００７２］、ＷＯ１２／１４７９０４号公報の段落［００２１］～［００８８］、ＷＯ１４／１４７９０４号公報の段落［００２８］～［０１１５］に記載の化合物が挙げられる。

（液晶層形成用組成物）
　液晶層形成用組成物は、液晶化合物を含む。
　液晶層形成用組成物中における液晶化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下の場合が多い。
　なお、液晶層形成用組成物中の全固形分とは、液晶層を構成する成分を意図し、溶媒は含まれない。

　液晶層形成用組成物は、上述した、液晶化合物以外の他の化合物を含んでいてもよい。
　液晶層形成用組成物は、レベリング剤を含んでいてもよい。
　レベリング剤は、フッ素原子またはケイ素原子を有することが好ましい。つまり、レベリング剤としては、フッ素系レベリング剤またはケイ素系レベリング剤が好ましく、フッ素系レベリング剤がより好ましい。

　レベリング剤の具体例としては、特開２００７－０６９４７１号公報の段落［００７９］～［０１０２］の記載の化合物、特開２０１３－０４７２０４号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物、特開２０１２－２１１３０６号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物、特開２００２－１２９１６２号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される液晶配向促進剤、特開２００５－０９９２４８号公報に記載の一般式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
　液晶層形成用組成物中におけるレベリング剤の含有量は、液晶層形成用組成物中の全固形分に対して、０．０１～５質量％が好ましく、０．０５～１質量％がより好ましい。

　液晶層形成用組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α－カルボニル化合物、アシロインエーテル、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ－アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
　液晶層形成用組成物中における重合開始剤の含有量は、液晶層形成用組成物中の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。

　液晶層形成用組成物は、重合性モノマーを含んでいてもよい。
　重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。なかでも、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましい。また、重合性モノマーとしては、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のモノマーが好ましい。例えば、特開２００２－２９６４２３号公報中の段落［００１８］～［００２０］に記載の重合性モノマーが挙げられる。
　液晶層形成用組成物中における重合性モノマーの含有量は、液晶化合物の全質量に対して、１～５０質量％が好ましく、２～３０質量％がより好ましい。

　液晶層形成用組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミン（例：ジイソプロピルエチルアミン）、アミド（例：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例：ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例：ピリジン、１，３－ジオキソラン）、炭化水素（例：ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例：クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例：アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン）、および、エーテル（例：テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン）が挙げられる。なお、２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

　液晶層形成用組成物は、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤を含んでいてもよい。これらの配向制御剤は、界面側において液晶化合物を水平または垂直に配向制御可能な化合物である。
　さらに、液晶層形成用組成物は、上記成分以外に、重合禁止剤、密着改良剤、および、可塑剤を含んでいてもよい。
　特に、後述する工程Ａ３において液晶化合物の重合を抑制する目的で、液晶層形成用組成物は重合禁止剤を含んでいてもよい。

（工程Ａ２の手順）
　工程Ａ２では、第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布する。
　液晶層形成用組成物を第１塗膜上に塗布する方法は特に制限されず、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法が挙げられる。

　液晶層形成用組成物を塗布した後、必要に応じて、形成される第２塗膜に対して乾燥処理を施してもよい。

　第２塗膜の厚みは特に制限されないが、０．１～１０μｍが好ましく、０．５～５μｍがより好ましい。

　なお、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、重合開始剤が要件１または要件２を満たすことが好ましい。要件１または要件２を満たすことにより、後述する工程Ａ３の際に、液晶化合物の重合を抑制でき、液晶化合物の配向欠陥が生じることをより抑制できる。
要件１：上記極大吸収波長（光配向性基に由来する極大吸収波長）における、重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以下
要件２：上記極大吸収波長（光配向性基に由来する極大吸収波長）における、重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより大きく２００００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより小さく、液晶化合物の含有量に対する重合開始剤の含有量が２．０質量％以下である。

＜工程Ａ３＞
　工程Ａ３は、第１塗膜に対して偏光を照射して、第１塗膜に配向規制力を付与して、光配向層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図６に示す、第１塗膜１２中の光配向性基ＬＡが配列して、図７に示すように、光配向性基ＬＡが所定の方向に配向した光配向層１６が形成される。光配向層１６は、その上に形成される層中の化合物を配向させる配向規制力を有する。

　第１塗膜に対して照射する偏光は特に制限はなく、例えば、直線偏光、円偏光、および、楕円偏光が挙げられ、直線偏光が好ましい。

　偏光における波長は特に制限はないが、例えば、紫外線、近紫外線、および、可視光線が挙げられる。なかでも、２５０～４５０ｎｍの近紫外線が好ましい。
　また、偏光を照射するための光源としては、例えば、キセノンランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、および、メタルハライドランプが挙げられる。このような光源から得た紫外線または可視光線に対して、干渉フィルタまたは色フィルタなどを用いることで、照射する波長範囲を制限できる。また、これらの光源からの光に対して、偏光フィルタまたは偏光プリズムを用いることで、直線偏光を得ることができる。

　偏光の照射方向は特に制限されず、第１塗膜側から照射してもよいし、基材側から照射してもよい。本発明の効果がより優れる点で、基材側から照射することが好ましい。

　偏光の積算光量は特に制限されないが、１～３００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、２～１００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。

＜工程Ａ４＞
　工程Ａ４は、第２塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図７に示す、第２塗膜１４中の液晶化合物が配列して、図８に示すように、液晶化合物が所定の方向に配向した液晶層１８が形成される。

　液晶化合物を配向させる方法は特に制限されないが、加熱処理が挙げられる。
　第２塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。
　また、第２塗膜を加熱した後、後述する硬化処理の前に、必要に応じて、第２塗膜を冷却してもよい。冷却温度としては２０～２００℃が好ましく、３０～１５０℃がより好ましい。

　液晶化合物が重合性基を有する場合、液晶化合物を配向させた後、液晶化合物が配向している液晶層に対して硬化処理を施してもよい。
　硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
　光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０～１０００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量が好ましい。
　光照射処理の際の雰囲気は特に制限されないが、窒素雰囲気が好ましい。

　工程Ａ４を実施することにより、液晶化合物が配向している液晶層が形成される。
　液晶層は、配向した液晶化合物が固定されてなる層であることが好ましい。液晶化合物が重合性基を有する場合、上述したように硬化処理によって、液晶化合物の配向状態を容易に固定化できる。
　なお、本明細書において、「固定した」状態は、液晶化合物の配向が保持された状態である。具体的には、通常、０～５０℃、より過酷な条件下では－３０～７０℃の温度範囲において、層に流動性がなく、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定された配向形態を安定に保ち続けることができる状態であることが好ましい。

　液晶化合物が配向した状態（配向状態）は特に制限されず、公知の配向状態が挙げられる。配向状態としては、例えば、ホモジニアス配向、および、ホメオトロピック配向が挙げられる。より具体的には、液晶化合物が棒状液晶化合物である場合、配向状態としては、例えば、ネマチック配向（ネマチック相を形成している状態）、スメクチック配向（スメクチック相を形成している状態）、コレステリック配向（コレステリック相を形成している状態）、および、ハイブリッド配向が挙げられる。液晶化合物がディスコティック液晶化合物である場合、配向状態としては、ネマチック配向、カラムナー配向（カラムナー相を形成している状態）、および、コレステリック配向が挙げられる。
　なお、本明細書において、ホモジニアス配向とは、液晶化合物の分子軸（例えば、棒状液晶化合物の場合には長軸が該当）が層表面に対して水平に、かつ、同一方位に配列している状態（光学的一軸性）をいう。
　ここで、水平とは、厳密に水平であることを要求するものでなく、層内の液晶化合物の平均分子軸が層表面とのなす傾斜角が２°未満の配向を意味するものとする。
　また、同一方位とは、厳密に同一方位であることを要求するものでなく、面内の任意の２０か所の位置で遅相軸の方位を測定したとき、２０か所での遅相軸の方位のうちの遅相軸方位の最大差（２０個の遅相軸方位のうち、差が最大となる２つの遅相軸方位の差）が１０°未満であることを意味するものとする。

　液晶層の厚みは特に制限されないが、０．１～１０μｍが好ましく、０．５～５μｍがより好ましい。

　液晶層の面内レタデーションは特に制限されないが、例えば、光学フィルムを反射防止膜用途に用いる場合、液晶層の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは１１０～１６０ｎｍが好ましい。

＜＜第２実施形態＞＞
　本発明の第２実施形態は、以下の工程Ｂ１～Ｂ３を有する。
工程Ｂ１：基材上に、光配向化合物および液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、光配向化合物が基材側に偏在している塗膜を形成する工程
工程Ｂ２：塗膜に対して偏光を照射して、光配向化合物に配向規制力を付与する工程
工程Ｂ３：塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程
　以下、各工程の手順について詳述する。

＜工程Ｂ１＞
　工程Ｂ１は、基材上に、光配向化合物および液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、光配向化合物が基材側に偏在している塗膜を形成する工程である。本工程を実施することにより、図９に示すように、基材１０上に、光配向性基ＬＡを有する光配向化合物および液晶化合物ＬＣを含み、光配向化合物が基材１０側に偏在している塗膜２０が形成される。
　以下では、まず、本工程で使用される部材および材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（基材）
　本工程で使用される基材としては、上述した第１実施形態で使用される基材が挙げられ、好適態様は上述した通りである。

（液晶化合物）
　本工程で使用される液晶化合物としては、上述した第１実施形態で使用される液晶化合物が挙げられ、好適態様は上述した通りである。

（光配向化合物）
　光配向化合物としては、上述した第１実施形態で使用される光配向化合物が挙げられる。つまり、光配向化合物は、第１実施形態で説明した、光配向性基を有する化合物である。
　本工程で使用される光配向化合物は、上述した第１実施形態で説明したように、架橋性基を有する繰り返し単位を含んでいてもよい。

　光配向化合物は、本発明の効果がより優れる点で、水素結合性基、塩構造を有する基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）_２）、ボロン酸エステル基、および、式（２）で表される基からなる群から選択される相互作用性基を有することが好ましい。光配向化合物が上記相互作用性基を有する場合、基材と相互作用しやすくなり、結果として、光配向化合物が基材側に偏在しやすくなる。
　なお、光配向化合物は、熱若しくは光により分解して水素結合性基を生じる基、または、熱若しくは光により分解して塩構造を生じる基を有していてもよい。

　水素結合性基としては、ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシ基、アミノ基、アミド基、ウレア基、および、ウレタン基が挙げられる。
　塩構造を有する基とは、酸由来の陰イオンと塩基由来の陽イオンとからなる塩由来の構造を有する基である。塩構造としては、カルボン酸塩構造、スルホン酸塩構造、ホスホン酸塩構造、および、４級アンモニウム塩構造が挙げられる。

　式（２）中、Ｒ^４は、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０のアルキル基を表す。上記アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられる。置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（例えば、ヘテロアリール基）、シリル基、および、これらを組み合わせた基などが挙げられる。なお、上記置換基は、さらに置換基で置換されていてもよい。
　なお、Ｒ^４が炭素数２～２０のアルキル基である場合、アルキル基を構成する－ＣＨ_２－の１個以上が－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－または－ＣＯ－に置換されていてもよい。
　Ｑは置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。
　＊は結合位置を表す。

　光配向化合物は、本発明の効果がより優れる点で、相互作用性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。
　なかでも、光配向化合物は、式（３）～（７）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含むことが好ましい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物は、式（３）で表される繰り返し単位、式（４）で表される繰り返し単位、または、式（７）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

　Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。
　アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

　Ｌ^２、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基は特に制限されず、例えば、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基（例えば、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数１～１０のアルケニレン基、および、炭素数１～１０のアルキニレン基などの２価の脂肪族炭化水素基、並びに、アリーレン基などの２価の芳香族炭化水素基）、置換基を有していてもよい２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－ＣＯ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）_ｍ－Ｏ－（ｍは、１以上の整数を表す）、および、－２価の炭化水素基－Ｏ－ＣＯ－など）が挙げられる。Ｒ^ａは、水素原子またはアルキル基を表す。
　２価の炭化水素基および２価の複素環基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

　Ｘ^＋は、陽イオン基を表す。陽イオン基とは、正電荷を有する基である。陽イオン基は特に制限されず、４級アンモニウム基およびピリジニウム基が挙げられる。なかでも、４級アンモニウム基が好ましい。
　Ｙ^－は、アニオンを表す。アニオンの種類は特に制限されず、公知のアニオンが挙げられる。例えば、ハロゲンイオン（Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、Ｉ^－）、ＮＯ_３ ^－、ＣＩＯ_４ ^－、ＢＦ_４ ^－、ＣＯ_３ ^２－、および、ＳＯ_４ ^２－などの無機アニオン、並びに、ＣＨ_３ＯＳＯ_３ ^－、Ｃ_２Ｈ_５ＯＳＯ_３ ^－、さらには酢酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、ｐ－トルエンスルホン酸、および、トリフルオロ酢酸などの有機酸残基からなる有機アニオンが挙げられる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ハロゲンイオンが好ましい。

　Ｄ^－は、陰イオン基を表す。陰イオン基とは、負電荷を有する基である。陰イオン基は特に制限されず、－ＣＯＯ^－、および、－ＳＯ_３ ^－が挙げられる。

　Ｅ^＋は、カチオンを表す。カチオンの種類は特に制限されず、リチウムイオン、ナトリウムイオン、マグネシウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、および、アルミニウムイオンなどの無機カチオン、並びに、有機アンモニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、および、有機ホスホニウムカチオンなどの有機カチオンが挙げられる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、有機カチオンが好ましい。

　Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ^９およびＲ^１０のいずれか一方は水素原子である。
　アルキル基の炭素数は特に制限されず、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。
　アリール基としては、単環構造でも、多環構造でもよい。
　ヘテロアリール基に含まれるヘテロ原子は特に制限されず、窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子が挙げられる。
　上記基（アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基）が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

　Ｒ^１２は、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。
　なお、Ｒ^１２が炭素数２～２０のアルキル基である場合、アルキル基を構成する－ＣＨ_２－の１個以上が－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－または－ＣＯ－に置換されていてもよい。
　Ｑは置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。
　＊は結合位置を表す。

　光配向化合物は、本発明の効果がより優れる点で、式（８）～（１０）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを有することが好ましい。

　Ｒ^１３、Ｒ^１７およびＲ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　上記アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。
　アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

　Ｌ^７、Ｌ^８およびＬ^９は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上述した、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６で表される２価の連結基で例示した基が挙げられる。

　Ｙ^－は、アニオンを表す。式（８）中のＹ^－は、式（３）中のＹ^－と同義である。
　Ｅ^＋は、カチオンを表す。式（９）中のＥ^＋は、式（４）中のＥ^＋と同義である。

　Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　上記アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。
　アルキル基が有していてもよい置換基の種類は特に制限されず、公知の置換基が挙げられ、Ｒ^４で表されるアルキル基が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

　光配向化合物中における相互作用性基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物中の全繰り返し単位に対して、２～８５質量％が好ましく、５～７０質量％がより好ましい。

　光配向化合物は、光配向性基を有する繰り返し単位、相互作用性基を有する繰り返し単位、および、架橋性基を有する繰り返し単位とは異なる、アルキル基を有する繰り返し単位を含んでいてもよい。
　アルキル基の炭素数は特に制限されず、１～２０が好ましく、１～１５がより好ましい。
　アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよく、これらを組み合わせた構造であってもよい。熱による光配向化合物の配向緩和を抑制できる点で、環状のアルキル基が好ましい。環状のアルキル基としては、アダマンタンなどが挙げられる。
　光配向化合物が上記アルキル基を有する繰り返し単位を含む場合、光配向化合物中におけるアルキル基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物中の全繰り返し単位に対して、２０～８０質量％が好ましく、３０～７０質量％がより好ましい。

　本工程で使用される光配向化合物の重量平均分子量は、上述した第１実施形態で説明した光配向化合物の重量平均分子量が挙げられる。

　液晶層形成用組成物中における光配向化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、液晶化合物の含有量に対して、０．０１～３０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。

（他の成分）
　本工程で使用される液晶層形成用組成物は、液晶化合物および光配向化合物以外の他の化合物を含んでいてもよい。
　他の成分としては、レベリング剤が挙げられる。レベリング剤としては、上述した第１実施形態で説明したレベリング剤が挙げられ、その使用量の好適範囲も第１実施形態と同じである。
　他の成分としては、重合開始剤が挙げられる。重合開始剤としては、上述した第１実施形態で説明した重合開始剤が挙げられ、その使用量の好適範囲も第１実施形態と同じである。
　他の成分としては、重合性モノマーが挙げられる。重合性モノマーとしては、上述した第１実施形態で説明した重合性モノマーが挙げられ、その使用量の好適範囲も第１実施形態と同じである。
　他の成分としては、溶媒が挙げられる。溶媒としては、上述した第１実施形態で説明した溶媒が挙げられる。
　他の成分としては、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤が挙げられる。
　さらに、液晶層形成用組成物は、上記成分以外に、重合禁止剤、密着改良剤、および、可塑剤を含んでいてもよい。
　特に、後述する工程Ｂ２において液晶化合物の重合を抑制する目的で、液晶層形成用組成物は重合禁止剤を含んでいてもよい。

（工程Ｂ１の手順）
　本工程の手順は特に制限されず、基材上に、光配向化合物および液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、光配向化合物が基材側に偏在している塗膜を形成できれば特に制限されない。
　なかでも、相互作用性基を有する光配向化合物を用いると、生産性よく所定の塗膜を形成できる。光配向化合物が相互作用性基を有する場合、光配向化合物中の相互作用性基と基材との間で相互作用が生じて、塗膜中において光配向化合物が基材側に偏在しやすくなる。

　液晶層形成用組成物を基材上に塗布する方法は特に制限されず、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法が挙げられる。

　なお、塗膜を形成した後であって、後述する工程Ｂ２の前に、塗膜に対して加熱処理を施してもよい。加熱処理を施すことにより、光配向化合物がより基材側により偏在しやすくなる。
　加熱処理の際の加熱温度としては、本発明の効果がより優れる点で、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。

　上記手順を実施することにより、光配向化合物が基材側に偏在している塗膜を形成できる。
　光配向化合物が基材側に偏在しているとは、後述する偏在度算出方法により算出される偏在度が２．０以上であることに該当する。

　以下、偏在度算出方法について詳述する。
　まず、塗膜の基材側とは反対側の表面から基材側に向かって、イオンビームを照射しながら飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）で塗膜中における光配向化合物由来の二次イオン強度を測定する。イオンビームの種類としては、アルゴンガスクラスターイオン銃（Ａｒ－ＧＣＩＢ銃）によるイオンビームが挙げられる。
　図１０は、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析で得られた光配向化合物由来の二次イオン強度分布の一例である。横軸は、塗膜の基材側とは反対側の表面からの距離（ｎｍ）、縦軸は、光配向化合物由来の二次イオンの強度である。図１０中、Ｓ点からＥ点までが塗膜中での光配向化合物由来の二次イオン強度を表し、Ｅ点以降が基材中での光配向化合物由来の二次イオン強度を表す。つまり、Ｓ点からＥ点までが塗膜、Ｅ点以降が基材に該当する。
　なお、光配向化合物の一部は基材内部に浸入する場合があり、この場合には図１０に示すように、基材中において光配向化合物由来の二次イオン強度が観測される。

　次に、塗膜の基材側とは反対側の表面から、基材側に向かって、塗膜の全厚みの８０％に相当する深さ位置（以下、「深さ位置Ｍ」ともいう。）までの領域を上層領域とし、深さ位置Ｍから塗膜の基材側の表面までの領域を下層領域とした際、上層領域における光配向化合物由来の二次イオン強度の平均値Ｉ_２に対する、下層領域における光配向化合物由来の二次イオン強度の最大値Ｉ_１の比が２．０以上であれば、光配向化合物が基材側に偏在しているとする。
　つまり、まず、図１０に示すように、塗膜の基材側とは反対側の表面に該当するＳ点から、基材側に向かって、塗膜の全厚みの８０％に相当する深さ位置に該当するＭ点までの領域を上層領域とし、Ｍ点から、塗膜の基材側の表面に該当するＥ点までの領域を下層領域とする。次に、上層領域における光配向化合物由来の二次イオン強度の平均値Ｉ_２、および、下層領域における光配向化合物由来の二次イオン強度の最大値Ｉ_１を算出して、比（Ｉ_１／Ｉ_２）が２．０以上であれば、光配向化合物が基材側に偏在しているとする。

　上記比（Ｉ_１／Ｉ_２）が大きければ大きいほど、光配向化合物が基材側に偏在していることを示す。
　本発明の効果がより優れる点で、上記比（Ｉ_Ａ１／Ｉ_Ａ２）は、３．５以上が好ましく、５．０以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３０．０以下の場合が多く、２０．０以下の場合がより多い。

　なお、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、極大吸収波長における基材の吸光度が１．０以下であることが好ましい。
　後述するように、工程Ｂ２において塗膜に対して偏光を照射する際に、上記関係を満たす場合、基材側から偏光を照射することにより、効率的に塗膜中の光配向性基を配向させることができる。

　なお、本発明の効果がより優れる点で、光配向化合物が、光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、重合開始剤が要件１または要件２を満たすことが好ましい。要件１または要件２を満たすことにより、後述する工程Ｂ２の際に、液晶化合物の重合を抑制でき、液晶化合物の配向欠陥が生じることをより抑制できる。
要件１：上記極大吸収波長（光配向性基に由来する極大吸収波長）における、重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以下
要件２：上記極大吸収波長（光配向性基に由来する極大吸収波長）における、重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより大きく２００００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより小さく、液晶化合物の含有量に対する重合開始剤の含有量が２．０質量％以下である。

＜工程Ｂ２＞
　工程Ｂ２は、塗膜に対して偏光を照射して、光配向化合物に配向規制力を付与する工程である。本工程を実施することにより、図１１に示すように、塗膜２０中において光配向性基ＬＡが所定の方向に配向する。

　塗膜に対して照射する偏光は特に制限はなく、例えば、直線偏光、円偏光、および、楕円偏光が挙げられ、直線偏光が好ましい。

　偏光の照射方向は特に制限されず、塗膜側から照射してもよいし、基材側から照射してもよい。本発明の効果がより優れる点で、基材側から照射することが好ましい。

＜工程Ｂ３＞
　工程Ｂ３は、塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図１２に示すように、配向した光配向性基ＬＡの配向規制力によって、液晶化合物が配列して、液晶化合物が所定の方向に配向した液晶層２２が形成される。

　液晶化合物を配向させる方法は特に制限されないが、加熱処理が挙げられる。
　塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。
　また、塗膜を加熱した後、後述する硬化処理の前に、必要に応じて、塗膜を冷却してもよい。冷却温度としては２０～２００℃が好ましく、３０～１５０℃がより好ましい。

　工程Ｂ３を実施することにより、液晶化合物が配向している液晶層が形成される。
　液晶層は、配向した液晶化合物が固定されてなる層であることが好ましい。液晶化合物が重合性基を有する場合、上述したように硬化処理によって、液晶化合物の配向状態を容易に固定化できる。

　液晶化合物が配向した状態（配向状態）は特に制限されず、公知の配向状態が挙げられる。具体的には、第１実施形態で説明した各種配向状態が挙げられる。

＜用途＞
　上記手順によって形成された上記光学フィルムは種々の用途に適用できる。例えば、表示素子と、光学フィルムを含む画像表示装置が挙げられる。また、表示素子上に光学フィルムの液晶層を転写して、基材を剥離して、表示装置と液晶層とを含む画像表示装置としてもよい。
　本発明の画像表示装置に用いられる表示素子は特に制限されず、例えば、液晶セル、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と略す。）表示パネル、および、プラズマディスプレイパネルが挙げられ、液晶セルまたは有機ＥＬ表示パネルが好ましい。すなわち、本発明の画像表示装置としては、表示素子として液晶セルを用いた液晶表示装置、または、表示素子として有機ＥＬ表示パネルを用いた有機ＥＬ表示装置が好ましい。

　液晶表示装置に利用される液晶セルとしては、ＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｅｄＢｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、または、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モードであることが好ましい。

　本発明の画像表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置としては、例えば、視認側から、偏光子、光学フィルム（または、液晶層）、および、有機ＥＬ表示パネルをこの順に有する態様が好ましい。

　上記偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材であれば特に制限されず、従来公知の吸収型偏光子および反射型偏光子を利用できる。
　吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子などが用いられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子および延伸型偏光子があり、いずれも適用できる。
　また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、および、特許第４７５１４８６号公報に記載の方法が挙げられ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用できる。
　反射型偏光子としては、例えば、複屈折の異なる薄膜を積層した偏光子、ワイヤーグリッド偏光子、および、選択反射域を有するコレステリック液晶と１／４波長板とを組み合わせた偏光子が挙げられる。
　これらのうち、密着性がより優れる点で、ポリビニルアルコール系樹脂（－ＣＨ_２－ＣＨＯＨ－を繰り返し単位として含むポリマー。特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン－ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つ）を含む偏光子が好ましい。

　偏光子の厚みは特に制限されず、３～６０μｍが好ましく、５～３０μｍがより好ましい。

　有機ＥＬ表示パネルは、陽極および陰極の一対の電極間に、発光層または発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した部材である。有機ＥＬ表示パネルは、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、および、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。

　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきではない。

＜モノマー合成＞
（モノマーｍＡ－１の合成）
　撹拌羽根、温度計、滴下ロートおよび還流管を備えた２Ｌ三口フラスコに、ｔｒａｎｓ－４－アミノシクロヘキサノール（５０．０ｇ）、トリエチルアミン（４８．３ｇ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（８００ｇ）を入れて、得られた混合液を氷冷下で撹拌した。
　次に、滴下ロートを用いてメタクリル酸クロリド（４７．５ｇ）を４０分かけて上記フラスコ内に滴下し、滴下終了後、反応液を４０℃で２時間撹拌した。
　反応液を室温（２３℃）まで冷却した後、反応液を吸引ろ過して、析出した塩を除去した。得られたろ液を撹拌羽根、温度計、滴下ロートおよび還流管を備えた２Ｌ三口フラスコに移し、水冷下で撹拌した。
　次いで、フラスコ内に、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン（１０．６ｇ）およびトリエチルアミン（６５．９ｇ）を添加し、滴下ロートを用いて、あらかじめテトラヒドロフラン（１２５ｇ）に溶解させた４－ｎ－オクチルオキシ桂皮酸クロリド（１２７．９ｇ）を３０分かけて上記フラスコ内に滴下した。滴下終了後、反応液を５０℃で６時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水で分液洗浄し、得られた有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ別し、得られた溶液を濃縮することにより黄白色固体を得た。
　得られた黄白色固体をメチルエチルケトン（４００ｇ）に加熱溶解させ、再結晶を行うことで、以下に示すモノマーｍＡ－１を白色固体として７６ｇ得た（収率４０％）。

（モノマーｍＡ－２の合成）
　原料のｔｒａｎｓ－４－アミノシクロヘキサノールをｔｒａｎｓ－１、４－シクロヘキサンジオールに、４－ｎ－オクチルオキシ桂皮酸クロリドを４－メトキシ桂皮酸クロリドにかえた以外は、上記（モノマーｍＡ－１の合成）と同様の手順に従って、モノマーｍＡ－２を合成した。なお、Ｍｅはメチル基を表す。

＜重合体の合成＞
（重合体Ｐ－１の合成）
　冷却管、温度計、および、撹拌機を備えたフラスコに、２－ブタノン（５ｇ）を仕込み、フラスコ内に窒素を５ｍＬ／ｍｉｎ流しながら、水浴加熱により還流させた。ここに、モノマーｍＡ－１（４．０ｇ）、サイクロマーＭ－１００（ダイセル社製）（６．０ｇ）、２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）（１ｇ）、および、２－ブタノン（５ｇ）を混合した溶液を、３時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに３時間還流状態を維持したまま、得られた反応液を撹拌した。
　反応終了後、反応液を室温まで放冷し、反応液に２－ブタノン（３０ｇ）を加えて希釈することで、重合体濃度が約２０質量％の重合体溶液を得た。
　得られた重合体溶液を大過剰のメタノール中へ投入して重合体を沈殿させ、沈殿物をろ別し、得られた固形分を大量のメタノールで洗浄した後、５０℃において１２時間送風乾燥することにより、光配向性基を有する重合体Ｐ－１を得た。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から４０質量％、６０質量％であった。
　また、上述した方法で測定した重合体Ｐ－１の重量平均分子量は４８０００であった。

（重合体Ｐ－２の合成）
　冷却管、温度計、および、撹拌機を備えたフラスコに、ジメチルアセトアミド（３５ｇ）、モノマーｍＡ－２（１３．８ｇ）、および、メタクロイルコリンクロリド（８０％水溶液、東京化成工業社製）（１．７ｇ）を添加し、窒素を５ｍＬ／ｍｉｎ流しながら、得られた溶液を８０℃に加熱し、撹拌した。
　次に、Ｖ－６０１（富士フイルム和光純薬社製）（０．１３ｇ）、および、ジメチルアセトアミド（３５ｇ）を混合した溶液を、２時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに５時間加熱状態を維持したまま、反応液を撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで放冷し、反応液にジメチルアセトアミド（６０ｇ）を加えて希釈することで、重合体濃度が約２０質量％の重合体溶液を得た。
　得られた重合体溶液を大過剰のメタノール中へ投入して重合体を沈殿させ、沈殿物をろ別し、得られた固形分を大量のメタノールで洗浄した後、室温において２４時間送風乾燥することにより、重合体Ｐ－２を得た。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から９１質量％、９質量％であった。
　また、上述した方法で測定した重合体Ｐ－２の重量平均分子量は５８０００であった。

（重合体Ｐ－３の合成）
　冷却管、温度計、および、撹拌機を備えたフラスコに、シクロヘキサノン（３５ｇ）、モノマーｍＡ－２（１２．０ｇ）、および、メタクリル酸（３．０ｇ）を添加し、窒素を５ｍＬ／ｍｉｎ流しながら、得られた溶液を８０℃に加熱し、撹拌した。
　次に、Ｖ－６０１（富士フイルム和光純薬社製）（０．２１ｇ）、および、シクロヘキサノン（１０ｇ）を混合した溶液を、２時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに７時間加熱状態を維持したまま、反応液を撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで放冷し、反応液にシクロヘキサノン（３０ｇ）を加えて希釈することで、重合体濃度が約２０質量％の重合体溶液を得た。
　得られた重合体溶液を大過剰のメタノール中へ投入して重合体を沈殿させ、沈殿物をろ別し、得られた固形分を大量のメタノールで洗浄した後、室温において２４時間送風乾燥することにより、モノマーｍＡ－２とメタクリル酸の重合体を得た。
　さらに、得られたモノマーｍＡ－２とメタクリル酸の重合体（１．０ｇ）をシクロヘキサノン／イソプロピルアルコール（２／１）の混合溶媒（４．０ｇ）に添加し、５０℃で溶解させた。その後、得られた溶液にジイソプロピルエチルアミン（４１８μＬ）を添加し、５０℃にて３０分間撹拌することで、重合体Ｐ－３を得た（固形分濃度２０質量％）。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から７９質量％、２１質量％であった。

（重合体Ｐ－４の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（１２．０ｇ）、および、２，３－ジヒドロキシプロピルメタクリレート（富士フイルム和光純薬社製）（３．０ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体Ｐ－４を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から８０質量％、２０質量％であった。

（重合体Ｐ－５の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（１２．０ｇ）、および、４－（４－アクリロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシフェニルボロン酸（３．０ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体Ｐ－５を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から８１質量％、１９質量％であった。

（重合体Ｐ－６の合成）
　モノマーｍＡ－２をモノマーｍＡ－１に変更した以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から９１質量％、９質量％であった。

（重合体Ｐ－７の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（６．０ｇ）、サイクロマーＭ－１００（ダイセル社製）（７．７ｇ）、および、メタクロイルコリンクロリド（８０％水溶液、東京化成工業社製）（１．７ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体Ｐ－７を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から４０質量％、９質量％、５１質量％であった。

（重合体Ｐ－８の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（６．０ｇ）、１－アダマンチルメタクリレート（東京化成工業社製）（７．７ｇ）、および、メタクロイルコリンクロリド（８０％水溶液、東京化成工業社製）（１．７ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体Ｐ－８を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から４０質量％、９質量％、５１質量％であった。

（重合体Ｐ－９の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（６．０ｇ）、および、２－（メタクリロイロキシ）エチルアセトアセテート（富士フイルム和光純薬社製）（９．０ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体Ｐ－９を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から４０質量％、６０質量％であった。

（重合体Ｐ－１０の合成）
　モノマーとして、モノマーｍＡ－２（１５．０ｇ）を用いた以外は、重合体Ｐ－２と同様の合成方法で、重合体を合成した。
　なお、以下の構造式中の各繰り返し単位中に記載の数値は、全繰り返し単位に対する、各繰り返し単位の含有量（質量％）を表し、以下では左側の繰り返し単位から１００質量％であった。

　得られた重合体Ｐ－１～Ｐ－１０の、シンナメート基に由来する極大吸収波長は、３１１ｎｍであった。

＜基材の作製＞
（基材Ｂ－１の作製）
　セルロースアシレートフィルム（フジタックＺＲＤ４０、富士フイルム社製）（厚み４０μｍ）の片側の面に、下記垂直配向液晶層形成用組成物１を、バーコーターを用いて塗布した。フィルム上に形成された塗膜を、温風にて６０℃で１分間加熱し、次に、６０℃を維持したまま、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、セルロースアシレートフィルムと、垂直配向した液晶化合物が固定されてなる液晶層（厚み０．４μｍ）と、の積層体を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
垂直配向液晶層形成用組成物１の調製
――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　　８３．０質量部
下記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
下記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　　　２．０質量部
重合性モノマー（ＥＢＥＣＲＹＬ１２９０、ダイセル・オルネクス社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．３質量部
重合開始剤（ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０１、ＢＡＳＦ社製）　４．０質量部
下記フッ素系ポリマーＭ－１　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
下記フッ素系ポリマーＭ－２　　　　　　　　　　　　　　　０．５質量部
下記オニウム塩化合物Ｓ０１　　　　　　　　　　　　　　　１．５質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０９．０質量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　１２７．３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

重合性液晶化合物Ｌ－１

重合性液晶化合物Ｌ－２

重合性液晶化合物Ｌ－３

フッ素系ポリマーＭ－１

フッ素系ポリマーＭ－２

オニウム塩化合物Ｓ０１

　得られた積層体の液晶層側を、コロナ処理装置を用いて、出力０．３ｋＷおよび処理速度７．６ｍ／分の条件で１回処理することにより、基材Ｂ－１を得た。
　得られた基材Ｂ－１の波長３１１ｎｍにおける吸光度は０．１２であり、コロナ処理面の水接触角は、６３°であった。
　また、基材Ｂ－１は、コロナ処理された表面上に、ヒドロキシ基などの水素結合性基を有していた。

（基材Ｂ－２の作製）
　セルロースアシレートフィルム（フジタックＺＲＤ４０、富士フイルム社製）（厚み４０μｍ）の片側の面に、下記垂直配向液晶層形成用組成物２を、バーコーターを用いて塗布した。フィルム上に形成された塗膜を、温風にて６０℃で１分間加熱し、次に、６０℃を維持したまま、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、フィルムと、垂直配向した液晶化合物が固定されてなる液晶層（厚み０．４μｍ）と、の積層体を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
垂直配向液晶層形成用組成物２の調製
――――――――――――――――――――――――――――――――――
上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　　８３．０質量部
上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　　　２．０質量部
重合性モノマー（ＥＢＥＣＲＹＬ１２９０、ダイセル・オルネクス社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．３質量部
重合開始剤（ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０１、ＢＡＳＦ社製）　４．０質量部
上記フッ素系ポリマーＭ－１　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
下記フッ素系ポリマーＭ－３　　　　　　　　　　　　　　　０．５質量部
下記オニウム塩化合物Ｓ０１　　　　　　　　　　　　　　　１．５質量部
下記光酸発生剤Ｄ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０９．０質量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　１２７．３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

フッ素系ポリマーＭ－３

光酸発生剤Ｄ－１

　さらに、得られた積層体を、温風にて１３０℃で１分間加熱した。これにより、フッ素系ポリマーＭ－３のアセタール基が分解し、カルボキシ基が発生した。以上の手順により、基材Ｂ－２を得た。
　得られた基材Ｂ－２の波長３１１ｎｍにおける吸光度は、０．１２であり、液晶層の表面の水接触角は、６８°であった。
　また、基材Ｂ－２は、表面上に、カルボキシ基などの水素結合性基を有していた。

（基材Ｂ－３の作製）
　コロナ処理の条件を、出力０．０６ｋＷおよび処理速度８．６ｍ／分とした以外は、基材Ｂ－１と同様の方法で、基材Ｂ－３を作製した。
　得られた基材Ｂ－３の波長３１１ｎｍにおける吸光度は、０．１２であり、コロナ処理面の水接触角は、８５°であった。
　また、基材Ｂ－３は、コロナ処理された表面上に、ヒドロキシ基などの水素結合性基を有していた。

（基材Ｂ－４の作製）
　ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み３０μｍ）の片側の面に、コロナ処理装置を用いて、出力０．３ｋＷおよび処理速度７．６ｍ／分の条件で１回処理することにより、基材Ｂ－４を得た。
　得られた基材Ｂ－４の波長３１１ｎｍにおける吸光度は、１．２であり、コロナ処理面の水接触角は、６０°であった。
　また、基材Ｂ－４は、コロナ処理された表面上に、ヒドロキシ基などの水素結合性基を有していた。

＜実施例１＞
　基材Ｂ－１のコロナ処理側の面に、下記光配向層形成用組成物１を、バーコーターを用いて塗布した。基材上に形成された塗膜を、温風にて１２５℃で２分間加熱し、溶媒を除去し、厚み０．０５μｍの第１塗膜を形成した。
─────────────────────────────────
光配向層形成用組成物１
─────────────────────────────────
重合体Ｐ－１　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００．０質量部
下記熱酸発生剤Ｄ－２　　　　　　　　　　　　　　　　６．０質量部
ジイソプロピルエチルアミン　　　　　　　　　　　　　０．６質量部
酢酸ブチル　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７６７．５質量部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　１９１．９質量部
─────────────────────────────────

熱酸発生剤Ｄ－２

　上記で得られた第１塗膜上に、下記液晶層形成用組成物１を、バーコーターを用いて塗布して、室温で３０秒間乾燥し、第２塗膜を形成した。
　次に、高圧水銀灯を用いて、波長３１３ｎｍのバンドパスフィルター（ＢＰＦ３１３、朝日分光社製）およびワイヤーグリッド偏光子を介して、基材の第１塗膜が形成された表面とは反対側の表面側（基材側）から偏光紫外線を照射した（波長３１３ｎｍで５０ｍＪ／ｃｍ^２）。その後、得られた積層体を温風にて１２０℃で１分間加熱し、次に、６０℃に冷却した後に、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて８０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射し、続いて１２０℃に加熱しながら３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、基材Ｂ－１と、光配向層（厚み０．０５μｍ）と、液晶層（厚み２．７μｍ）と、の積層体である、実施例１の光学フィルムを作製した。得られた光学フィルム（液晶層）のＲｅ（５５０）は１４０ｎｍであった。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・下記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・下記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・下記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・下記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・下記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・下記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

重合性液晶化合物Ｌ－４

重合性液晶化合物Ｌ－５

重合性液晶化合物Ｌ－６

重合性化合物Ａ－１

重合性化合物Ａ－２

レベリング剤Ｔ－１

＜実施例２＞
　偏光紫外線の照射を、第２塗膜側から行った以外は、実施例１と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例３＞
　第１塗膜の厚みを１．３μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例４＞
　基材Ｂ－１のコロナ処理側の面に、下記液晶層形成用組成物２を、バーコーターを用いて塗布し、基材上に形成された塗膜を室温で３０秒間乾燥して、基材Ｂ－１および塗膜を有する積層体を得た。
　次に、高圧水銀灯を用いて、波長３１３ｎｍのバンドパスフィルター（ＢＰＦ３１３、朝日分光社製）およびワイヤーグリッド偏光子を介して、基材の塗膜が形成された表面とは反対側の表面側（基材側）から偏光紫外線を照射した（波長３１３ｎｍで５０ｍＪ／ｃｍ^２）。その後、得られた積層体を温風にて１２０℃で１分間加熱し、次に、６０℃に冷却した後に、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて８０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射し、続いて１２０℃に加熱しながら３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、基材Ｂ－１と、液晶層（厚み２．７μｍ）と、の積層体である、実施例４の光学フィルムを作製した。得られた光学フィルム（液晶層）のＲｅ（５５０）は１４０ｎｍであった。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物２
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例５＞
　液晶層形成用組成物２を、下記液晶層形成用組成物３に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物３
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－３（固形分濃度２０％）　　　　　　　　　１５．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　１９９．８質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５０．０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例６＞
　基材Ｂ－１のコロナ処理側の面に、下記液晶層形成用組成物４を、バーコーターを用いて塗布し、基材上に形成された塗膜を室温で３０秒間乾燥して、基材Ｂ－１および塗膜を有する積層体を得た。
　次に、温風にて１２０℃で１分間加熱した。続いて、高圧水銀灯を用いて、波長３１３ｎｍのバンドパスフィルター（ＢＰＦ３１３、朝日分光社製）およびワイヤーグリッド偏光子を介して、基材の塗膜が形成された表面とは反対側の表面側（基材側）から偏光紫外線を照射した（波長３１３ｎｍで５０ｍＪ／ｃｍ^２）。その後、得られた積層体を温風にて１２０℃で１分間加熱し、次に、６０℃に冷却した後に、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて８０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射し、続いて１２０℃に加熱しながら３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、基材Ｂ－１と、液晶層（厚み２．７μｍ）と、の積層体である、実施例６の光学フィルムを作製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物４
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例７＞
　重合体Ｐ－４を重合体Ｐ－５に変更した以外は、実施例６と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例８＞
　重合体Ｐ－２を重合体Ｐ－６に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例９＞
　液晶層形成用組成物４を下記液晶層形成用組成物５に変更した以外は、実施例６と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物５
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－７　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・上記熱酸発生剤Ｄ－２　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例１０＞
　重合体Ｐ－２を重合体Ｐ－８に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１１＞
　セルロースアシレートフィルム（フジタックＺＲＤ４０、富士フイルム社製）（厚み４０μｍ、水接触角６１°）の片側の面に、下記液晶層形成用組成物６を、バーコーターを用いて塗布し、基材上に形成された塗膜を室温で３０秒間乾燥して、セルロースアシレートフィルムおよび塗膜を有する積層体を得た。
　次に、高圧水銀灯を用いて、波長３１３ｎｍのバンドパスフィルター（ＢＰＦ３１３、朝日分光社製）およびワイヤーグリッド偏光子を介して、基材の塗膜が形成された表面とは反対側の表面側（基材側）から偏光紫外線を照射した（波長３１３ｎｍで５０ｍＪ／ｃｍ^２）。その後、得られた積層体を温風にて１２０℃で１分間加熱し、次に、６０℃に冷却した後に、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて８０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射し、続いて１２０℃に加熱しながら３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、セルロースアシレートフィルムと、液晶層（厚み２．７μｍ）と、の積層体である、実施例１１の光学フィルムを作製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物６
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例１２＞
　基材Ｂ－１を基材Ｂ－２に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１３＞
　偏光紫外線の照射を、塗膜側から行った以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１４＞
　重合体Ｐ－２の添加量を４０．０質量部に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１５＞
　基材Ｂ－１を基材Ｂ－３に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１６＞
　基材Ｂ－１を基材Ｂ－４に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜実施例１７＞
　液晶層形成用組成物２を下記液晶層形成用組成物７に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
液晶層形成用組成物７
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・上記重合性液晶化合物Ｌ－１　　　　　　　　　　　　　７．１質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－２　　　　　　　　　　　　　１．３質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－３　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－４　　　　　　　　　　　　４６．５質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－５　　　　　　　　　　　　２５．０質量部
・上記重合性液晶化合物Ｌ－６　　　　　　　　　　　　１５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－１　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・上記重合性化合物Ａ－２　　　　　　　　　　　　　　　５．０質量部
・下記重合開始剤Ｓ－１　　　　　　　　　　　　　　　　４．０質量部
・上記レベリング剤Ｔ－１　　　　　　　　　　　　　　　０．２質量部
・重合体Ｐ－２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０質量部
・テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　２０９．４質量部
・シクロペンタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　５２．４質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

重合開始剤Ｓ－１

＜実施例１８＞
　重合開始剤Ｓ－１の添加量を０．５質量部に変更した以外は、実施例１７と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜比較例１＞
　基材Ｂ－１のコロナ処理側の面に、上記光配向層形成用組成物１を、バーコーターを用いて塗布した。基材上に形成された塗膜を、温風にて１２５℃で２分間加熱し、塗膜（厚み０．０５μｍ）を形成した。
　次に、高圧水銀灯を用いて、波長３１３ｎｍのバンドパスフィルター（ＢＰＦ３１３、朝日分光社製）およびワイヤーグリッド偏光子を介して、塗膜側から偏光紫外線を照射（波長３１３ｎｍで５０ｍＪ／ｃｍ^２）することで、光配向層（厚み０．３μｍ）を形成した。
　上記で得られた光配向層上に、上記液晶層形成用組成物１を、バーコーターを用いて塗布した。光配向層上に形成された塗膜を室温で３０秒間乾燥し、続いて、温風にて１２０℃で１分間加熱した。その後、得られた積層体を６０℃に冷却した後に、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍにて８０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射し、続いて１２０℃に加熱しながら３００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜側から照射した。上記手順によって、基材Ｂ－１と、光配向層（厚み０．０５μｍ）と、液晶層（厚み２．７μｍ）と、の積層体である、比較例１の光学フィルムを作製した。

＜比較例２＞
　重合体Ｐ－２を重合体Ｐ－１０に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、光学フィルムを作製した。

＜評価＞
（基材表面の水接触角評価）
　接触角計［“ＣＡ－Ｘ”型接触角計、協和界面科学（株）製］を用い、乾燥状態（２０℃／６５％ＲＨ）で、液体として純水を使用して３μＬの液滴を針先に作り、これを基材表面に接触させて、基材上に液滴を作った。滴下後１５秒での基材と液体とが接する点における、液体表面に対する接線と基材表面がなす角で、液体を含む側の角度を測定し、水接触角とした。

（液晶配向性評価）
　各実施例および比較例で得られた積層体から幅４０ｍｍ、長さ４０ｍｍのフィルムを切り出した。試料をクロスニコル下の偏光顕微鏡（１０倍の対物レンズ使用）で観察し、下記の基準で液晶配向性を評価した。
Ａ：観察視野内で光漏れがなかった。
Ｂ：観察視野内で光漏れがわずかにあった。
Ｃ：観察視野内で光漏れがあった。

　なお、実施例４、５、８、１０～１８、および、および、比較例２に関して、偏光紫外線を照射する前の基材と塗膜とを有する積層体に対して、上述した手順に従って、偏在度の測定を実施した。
　また、実施例６、７、および、９に関しては、偏光紫外線を照射する前であって、温風にて１２０℃で１分間加熱した後の基材と塗膜とを有する積層体に対して、上述した手順に従って、偏在度の測定を実施した。

　表１中、「光配向化合物」欄の「極大吸収波長（ｎｍ）」は、光配向性基の極大吸収波長（ｎｍ）を表す。
　「作製プロセス」欄の「１」は上述した第１実施形態の作製プロセスを意図し、「２」は上述した第２実施形態の作製プロセスを意図し、「３」は従来技術の作製プロセスを意図する。

　上記表１に示すように、本発明の製造方法によって得られる光学フィルムは、所定の効果を奏した。
　なかでも、実施例１と２との比較より、工程Ａ３において、偏光を基材側から照射する場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例１と３との比較より、第１塗膜の厚みが１．０μｍ以下である場合、より効果が優れることが確認された。

　また、実施例４～８の比較より、光配向化合物が、式（３）で表される繰り返し単位、式（４）で表される繰り返し単位、および、式（７）で表される繰り返し単位を含む場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例４と１３との比較より、工程Ｂ２において、偏光を基材側から照射する場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例４と１４との比較より、液晶層形成用組成物における光配向化合物の含有量が、液晶化合物の含有量に対して、０．０１～３０質量％の場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例４と１５との比較より、基材の表面の水接触角が８０°以下である場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例４と１６との比較より、極大吸収波長における基材の吸光度が１．０以下である場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例１７と１８との比較より、要件２を満たす場合、より効果が優れることが確認された。

　１０　　基材
　１２　　第１塗膜
　１４　　第２塗膜
　１６　　光配向層
　１８，２２　　液晶層
　２０　　塗膜
　１００　　基材
　１２０　　塗膜
　１４０　　光配向層
　１６０　　塗膜
　１８０　　液晶層

Claims

　基材上に、光配向化合物を含む光配向層形成用組成物を塗布して、第１塗膜を形成する工程Ａ１と、
　前記第１塗膜上に、液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、第２塗膜を形成する工程Ａ２と、
　前記第１塗膜に対して偏光を照射して、第１塗膜に配向規制力を付与して、光配向層を形成する工程Ａ３と、
　前記第２塗膜中の前記液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程Ａ４と、をこの順に有する、光学フィルムの製造方法。
　前記工程Ａ３において、前記偏光を前記基材側から前記第１塗膜に照射する、請求項１に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記液晶化合物が重合性基を有する、請求項１または２に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記第１塗膜の厚みが１．０μｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光配向性基を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向性基が、シンナモイル基、アゾベンゼン基、カルコニル基、および、クマリン基からなる群から選択される、請求項５に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基を有する繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位とを含む、請求項５または６に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記架橋性基を有する繰り返し単位が、式（１）で表される繰り返し単位を含む、請求項７に記載の光学フィルムの製造方法。

　Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表す。
　Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表す。
　Ｚは、架橋性基を表す。
　前記架橋性基が、式（Ｚ１）～（Ｚ４）で表される基のいずれかである、請求項８に記載の光学フィルムの製造方法。

　Ｒ^２は、水素原子、メチル基、または、エチル基を表す。
　Ｒ^３は、水素原子またはメチル基を表す。
　＊は結合位置を表す。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　前記極大吸収波長における前記基材の吸光度が１．０以下である、請求項５～９のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　前記液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、
　前記重合開始剤が要件１または要件２を満たす、請求項５～１０のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
要件１：前記極大吸収波長における、前記重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以下
要件２：前記極大吸収波長における、前記重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより大きく２００００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより小さく、前記液晶化合物の含有量に対する前記重合開始剤の含有量が２．０質量％以下である。
　基材上に、光配向化合物および液晶化合物を含む液晶層形成用組成物を塗布して、前記光配向化合物が前記基材側に偏在している塗膜を形成する工程Ｂ１と、
　前記塗膜に対して偏光を照射して、前記光配向化合物に配向規制力を付与する工程Ｂ２と、
　前記塗膜中の液晶化合物を配向させて、液晶層を形成する工程Ｂ３と、をこの順に有する、光学フィルムの製造方法。
　前記工程Ｂ２において、前記偏光を前記基材側から前記塗膜に照射する、請求項１２に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記液晶化合物が重合性基を有する、請求項１２または１３に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記液晶層形成用組成物における前記光配向化合物の含有量が、前記液晶化合物の含有量に対して、０．０１～３０質量％である、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記基材が、表面に水素結合性基を有する、請求項１２～１５のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記基材の表面の水接触角が８０°以下である、請求項１２～１６のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、水素結合性基、塩構造を有する基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、および、式（２）で表される基からなる群から選択される相互作用性基を有する、請求項１２～１７のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。

　Ｒ^４は、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０のアルキル基を表す。ただし、Ｒ^４が炭素数２～２０のアルキル基である場合、アルキル基を構成する－ＣＨ_２－の１個以上が－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－Ｏ－、または－ＣＯ－に置換されていてもよい。Ｑは、置換基を表す。＊は結合位置を表す。
　前記光配向化合物が、前記相互作用性基を有する繰り返し単位を含む、請求項１８に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記相互作用性基を有する繰り返し単位が、式（３）～（７）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の光学フィルムの製造方法。

　Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　Ｌ^２、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
　Ｘ^＋は、陽イオン基を表す。Ｙ^－は、アニオンを表す。
　Ｄ^－は、陰イオン基を表す。Ｅ^＋は、カチオンを表す。
　Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、または、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ^９およびＲ^１０のいずれか一方は水素原子である。
　Ｒ^１２は、炭素数１～２０のアルキル基を表す。ただし、Ｒ^１２が炭素数２～２０のアルキル基である場合、アルキル基を構成する－ＣＨ_２－の１個以上が－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－Ｏ－、または－ＣＯ－に置換されていてもよい。Ｑは置換基を表す。
　前記相互作用性基を有する繰り返し単位が、式（８）～（１０）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含む、請求項１９または２０に記載の光学フィルムの製造方法。

　Ｒ^１３、Ｒ^１７およびＲ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　Ｌ^７、Ｌ^８およびＬ^９は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
　Ｙ^－は、アニオンを表す。
　Ｅ^＋は、カチオンを表す。
　Ｒ^１４、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表す。
　前記光配向化合物が、光の作用により二量化および異性化の少なくとも一方が生じる光配向性基を有する、請求項１２～２１のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向性基が、シンナモイル基、アゾベンゼン基、カルコニル基、および、クマリン基からなる群から選択される、請求項２２に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基を有する繰り返し単位を含む、請求項２２または２３に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　前記極大吸収波長における前記基材の吸光度が１．０以下である、請求項２２～２４のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
　前記光配向化合物が、前記光配向性基に由来する極大吸収波長を波長２５０～４５０ｎｍに有し、
　前記液晶層形成用組成物が重合開始剤を含み、
　前記重合開始剤が要件１または要件２を満たす、請求項２２～２５のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法。
要件１：前記極大吸収波長における、前記重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以下
要件２：前記極大吸収波長における、前記重合開始剤のモル吸光係数が４０００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより大きく２００００ｌ／ｍｏｌ・ｃｍより小さく、前記液晶化合物の含有量に対する前記重合開始剤の含有量が２．０質量％以下である。