WO2021153340A1 - Ｄ級アンプモジュール、オーディオシステム、自動車 - Google Patents

Ｄ級アンプモジュール、オーディオシステム、自動車 Download PDF

Info

Publication number
WO2021153340A1
WO2021153340A1 PCT/JP2021/001638 JP2021001638W WO2021153340A1 WO 2021153340 A1 WO2021153340 A1 WO 2021153340A1 JP 2021001638 W JP2021001638 W JP 2021001638W WO 2021153340 A1 WO2021153340 A1 WO 2021153340A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
class
amplifier module
output stages
amplifier
audio system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/001638
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘嗣 江籠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to CN202180007194.6A priority Critical patent/CN114830531A/zh
Priority to DE112021000761.0T priority patent/DE112021000761T5/de
Priority to KR1020227014450A priority patent/KR20220132519A/ko
Priority to JP2021574654A priority patent/JP7588100B2/ja
Publication of WO2021153340A1 publication Critical patent/WO2021153340A1/ja
Priority to US17/874,359 priority patent/US20220407477A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2178—Class D power amplifiers; Switching amplifiers using more than one switch or switching amplifier in parallel or in series
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2171—Class D power amplifiers; Switching amplifiers with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
    • H03F1/086—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers with FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2173—Class D power amplifiers; Switching amplifiers of the bridge type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/03—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being designed for audio applications
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/297—Indexing scheme relating to amplifiers the loading circuit of an amplifying stage comprising a capacitor

Definitions

  • This disclosure relates to an audio system.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an audio system 100r.
  • the audio system 100r includes an audio amplifier IC (Integrated Circuit) 200r and a filter 104 P / N in addition to the electroacoustic conversion element 102.
  • the electroacoustic conversion element 102 is BTL (Bridged Transless / Bridge-Tied Load) connected to the audio amplifier IC 200r.
  • the audio amplifier IC200r includes an OUTP terminal and an OUTN terminal.
  • a filter 104 P is provided between the positive electrode terminal + and the OUTP terminal of the electroacoustic conversion element 102, and a filter 104 N is provided between the negative electrode terminal-and the OUTN terminal of the electroacoustic conversion element 102.
  • the filter 104 is a primary filter having a series inductor L1 and a shunt capacitor C1.
  • the audio amplifier IC200r includes a class D amplifier 202 P / N and a pulse modulator 206.
  • the pulse modulator 206 receives an analog or digital audio signal S1 and pulse-modulates it to generate a pulse signal S2 P / N.
  • Class D amplifiers 202 P and 202 N include a driver 203 and an output stage 204, respectively.
  • the driver 203 drives the output stage 204 in response to the pulse signals S2 P and S2 N.
  • the audio system 100r shown in FIG. 1 is composed of 4 channels, and the audio amplifier IC200 has circuits for 4 channels integrated.
  • the switching line 108 is composed of wiring and cables on the printed circuit board, and the length thereof becomes long. Since the long switching line 108 has an unintended parasitic inductance component, it can be a factor of deteriorating the sound quality.
  • a class D amplifier 202 for four channels is integrated in the audio amplifier IC 200.
  • the class D amplifier 202 serves as a heat source during operation, but when a plurality of class D amplifiers 202 are integrated on the same semiconductor chip, heat generation of the audio amplifier IC200r becomes a problem. Therefore, heat dissipation measures such as connecting a huge heat sink to the audio amplifier IC200r are required, which causes an increase in cost.
  • the present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems, and one of the exemplary purposes of the embodiment is to provide an audio amplifier module capable of solving at least one of the above-mentioned problems.
  • Class D amplifiers have n (n ⁇ 1) output stages, each containing a high-side transistor and a low-side transistor, and n high-side transistors, each of which drives one corresponding high-side transistor with n output stages.
  • a semiconductor chip including a driver, n low-side transistors each driving one corresponding low-side transistor in n output stages, and n switching terminals connected to the outputs of n output stages.
  • Each of which includes n inductors, one end of which is connected to one corresponding switching terminal of n output stages, is housed in one package, and operates in response to a control signal from an external processor.
  • 3A and 3B are diagrams showing simulation results of heat generation of the audio system of FIG. 1 and the audio system of FIG. 4 (a) and 4 (b) are diagrams illustrating one of the advantages of the class D amplifier module of FIG. It is a perspective view which shows the structural example of the class D amplifier module.
  • the class D amplifier module includes a semiconductor chip and n inductors, is housed in one package, and operates in response to a control signal from an external processor.
  • a semiconductor chip is an n high-side drivers that drive n (n ⁇ 1) output stages, each containing a high-side transistor and a low-side transistor, and one corresponding high-side transistor, each of which has n output stages.
  • n low-side drivers each driving one corresponding low-side transistor in n output stages, and n switching terminals connected to the outputs of n output stages.
  • One end of each of the n inductors is connected to one corresponding switching terminal of the n output stages.
  • the switching line connecting the output stage and the inductor exists in the package of the class D amplifier module and its length is shortened, the influence of the parasitic inductance can be suppressed and the sound quality can be improved.
  • the switching line exists in the package and its length is shortened, the emission of EMI noise from the switching line can be suppressed.
  • the output stages of the class D amplifier which is a heating element
  • heat dissipation measures can be facilitated and the cost can be reduced.
  • class D amplifier modules By increasing or decreasing the number of class D amplifier modules, it is possible to design systems with different numbers of channels.
  • the class D amplifier module may further include n capacitors, each of which is provided between the other end of the corresponding n inductors and ground.
  • the high-side transistor may be an NMOS transistor.
  • a semiconductor chip receives a constant voltage at a voltage source that generates a constant voltage, n bootstrap terminals, and each anode, and each cathode is connected to the corresponding one of n bootstrap terminals.
  • the rectifying element of the above may be further included.
  • Class D amplifier modules have n bootstrap capacitors, one end of which is connected to the corresponding one of n bootstrap terminals and the other end of which is connected to the corresponding one of n switching terminals. You may also prepare for it.
  • N 2
  • the two output stages may be BTL-connected.
  • the "state in which the member A is connected to the member B” means that the member A and the member B are physically directly connected, and that the member A and the member B are electrically connected to each other. It also includes the case of being indirectly connected via other members, which does not substantially affect the connection state, or does not impair the functions and effects performed by the combination thereof.
  • a state in which the member C is provided between the member A and the member B means that the member A and the member C, or the member B and the member C are directly connected, and their electricity. It also includes the case of being indirectly connected via other members, which does not substantially affect the connection state, or does not impair the functions and effects produced by the combination thereof.
  • FIG. 2 is a block diagram of an audio system 100 including a class D amplifier module 300 according to the embodiment.
  • the audio system 100 is composed of m channels (m ⁇ 1), and includes m electroacoustic conversion elements 102_1 to 102_m, m class D amplifier modules 300_1 to 300_m, and a processor 400.
  • m 4.
  • the processor 400 generates control pulses S1P / S1P to SmP / SmN for m class D amplifier modules 300_1 to 300_m.
  • the semiconductor chip 310 includes n output stages 312_1 to 312_n, n high-side drivers 314_1 to 314_n, n low-side drivers 316_1 to 316_n, and n switching terminals SW1 to SWn, and is integrated on one semiconductor substrate. It has been transformed.
  • the electroacoustic conversion element 102_i is BTL-connected to the output stages 312_1 and 312_2 of the corresponding class D amplifier module 300_i.
  • the high-side driver 314_j drives the corresponding high-side transistor MH of the n output stages 312.
  • the low-side driver 316_j drives the corresponding low-side transistor ML of the n output stages 312.
  • One end of the inductor Lj is connected to the switching terminal SWj of one corresponding 312_j of the n output stages 312. Further, the capacitor Cj is provided between the other end of the corresponding inductor Lj and the ground, and constitutes a low-pass filter together with the inductor Lj.
  • the above is the configuration of the class D amplifier module 300. According to the class D amplifier module 300, at least one of the advantages 1 to 4 can be supplied.
  • the switching line 304 connecting the switching terminal SWj of the output stage 312 and the inductor L1 exists in the package of the class D amplifier module 300, and the length thereof is shortened. As a result, the influence of the parasitic inductance of the switching line 304 can be suppressed and the sound quality can be improved.
  • the switching line 304 exists in the package and its length is shortened, the emission of EMI noise from the switching line 304 can be suppressed.
  • the output stages 312 of the class D amplifier which is a heating element, can be distributed and arranged for each class D amplifier module 300. That is, since the heat sources can be dispersed and arranged, heat dissipation measures can be facilitated and the cost can be reduced.
  • 3 (a) and 3 (b) are diagrams showing simulation results of heat generation of the audio system 100r of FIG. 1 and the audio system 100 of FIG. Each has a 4-channel configuration, and the class D amplifier of each channel is modeled as a 25 W heating element.
  • the audio system 100 of FIG. 2 will be described with reference to FIG. 3 (b).
  • a plurality of class D amplifier modules 300_1 to 300_m are dispersedly arranged in the region where the LC filter existed in FIG. 3A.
  • the temperature rise of each class D amplifier module 300 is suppressed to about 120 ° C. Therefore, the heat dissipation measures can be significantly simplified as compared with the conventional case, and the cost can be reduced.
  • FIG. 4A shows a 4-channel audio system 100
  • FIG. 4B shows a 2-channel audio system 100.
  • the number m of the class D amplifier modules 300 can be increased or decreased according to the number of channels m, and it is possible to easily support systems having different numbers of channels m.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a configuration example of the class D amplifier module 300.
  • the inductors L1 and L2 are configured as a single chip component.
  • the layout of the semiconductor chip 310 and the chip components C1, C2, L1 and L2 on the support substrate 302 is not particularly limited.
  • the semiconductor chip 310 and a plurality of chip components are mounted on the same surface of the support substrate 302, but the present invention is not limited to this, and the semiconductor chip 310 may be mounted three-dimensionally.
  • a member other than the support substrate 302, for example, a lead frame or the like may be used as a base material to form the package.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of the class D amplifier module 300A according to the first modification.
  • the high-side transistor MH is an N-channel FET.
  • N 2
  • the class D amplifier module 300A includes semiconductor chips 310A, inductors L1 and L2, capacitors C1 and C2, and n bootstrap capacitors C B 1 and C B 2.
  • the boot strap capacitor C B j is connected between the corresponding boot strap terminal BSP j and the corresponding switching terminal SW j.
  • the semiconductor chip 310A includes n output stages 312, n high-side drivers 314, n low-side drivers 316, n rectifying elements 322, and a constant voltage source 320.
  • the constant voltage source 320 produces a constant voltage VREG .
  • the class D amplifier module 300A may include a capacitor C REG for smoothing a constant voltage V REG .
  • the anode of the rectifying element 322_j is supplied a constant voltage V REG, the cathode is connected to the corresponding bootstrap terminal BSPj.
  • Rectifying element 322_j bootstrap capacitor C B j constitutes a bootstrap circuit, for generating a supply voltage for the high side driver 314_J.
  • Protection / control circuit 330 is a block for integrally controlling the class D amplifier module 300A, a communication interface with an external microcomputer (e.g. I 2 C), comprising a protective circuit of the semiconductor chip 310A.
  • an external microcomputer e.g. I 2 C
  • the protection / control circuit 330 detects an abnormality, it notifies an external microcomputer or the like via the ERROR pin.
  • the protection / control circuit 330 is connected to an external microcomputer via the clock pin SCL and the data pin SDA, and receives a control signal from the external microcomputer.
  • the protection / control circuit 330 controls the start and stop of the class D amplifier module 300A according to the power-down signal (inversion logic) input to the PDX pin. Further, the protection / control circuit 330 switches between the mute state and the non-mute state according to the mute signal (inversion logic) input to the MUTEX pin.
  • FIG. 7 is a block diagram of the audio system 100B according to the third modification.
  • one electroacoustic conversion element 102 is single-ended connected to one output stage 312.
  • a capacitor Co for decoupling is externally attached between the output pin of the class D amplifier module 300 and the electroacoustic conversion element 102.
  • the capacitor Co may be built in the class D amplifier module 300.
  • the n capacitors C1 to Cn may be externally attached to the class D amplifier module 300.
  • FIG. 8 is a block diagram of an automobile (vehicle-mounted audio device) 500 equipped with an audio system 100.
  • the in-vehicle audio device 500 is composed of four channels (front right FR, rear right RR, front left FL, rear left RL), and includes a plurality of speakers 502FR, 502RR, 502FL, and 502RL corresponding to the four channels.
  • the in-vehicle audio device 500 may have 5.1 channels further including a center channel and a subwoofer channel, or may have more channels.
  • the sound source 504 is a CD player, a DVD player, a Blu-ray player, an HDD / silicon audio player, a radio tuner, or the like, and reproduces an analog or digital audio signal.
  • the DSP 200 receives an audio signal from the sound source 504 and performs various digital signal processing.
  • the audio signal processed by the DSP 200 is input to the amplifier block 506.
  • the amplifier block 506 corresponds to the audio system 100 described above, and includes a processor 400 and a plurality of class D amplifier modules 300.
  • the amplifier block 506 amplifies the analog audio signal of each channel and drives the corresponding speaker 502.
  • the microcomputer 508 integrally controls blocks such as the DSP 200.
  • the sound source 504, the microcomputer 508, the DSP 200, and the amplifier block 506 operate by receiving power supplied from the battery 520.
  • the sound source 504, the microcomputer 508, the DSP 200, and the amplifier block 506 may be built in the head unit 510.
  • This disclosure relates to an audio system.
  • Electroacoustic conversion element 300 Class D amplifier module L1 inductor C1 capacitor 302 Support board 310 Semiconductor chip 312 Output stage MH High side transistor ML Low side transistor 314 High side driver 316 Low side driver 320 Constant voltage source 322 Rectifier element 330 Protection / Control circuit 400 processor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Ｄ級アンプモジュール３００は、半導体チップ３１０と、ｎ個のインダクタＬ１～Ｌｎを備える。半導体チップ３１０は、ｎ個の出力段３１２＿１～３１２＿ｎ、ｎ個のハイサイドドライバ３１４＿１～３１４＿ｎ、ｎ個のローサイドドライバ３１６＿１～３１６＿ｎを備える。半導体チップ３１０およびｎ個のインダクタは、ひとつのパッケージに収容され、外部のプロセッサからの制御信号に応じて動作する。

Description

Ｄ級アンプモジュール、オーディオシステム、自動車
　本開示は、オーディオシステムに関する。
　微弱なオーディオ信号を増幅し、スピーカやヘッドホンなどの電気音響変換素子を駆動するために、オーディオアンプ回路が用いられる。図１は、オーディオシステム１００ｒの回路図である。オーディオシステム１００ｒは、電気音響変換素子１０２に加えて、オーディオアンプＩＣ（Integrated Circuit）２００ｒ、フィルタ１０４Ｐ／Ｎを備える。電気音響変換素子１０２は、オーディオアンプＩＣ２００ｒに対してＢＴＬ（Bridged Transless／Bridge-Tied Load）接続される。
　オーディオアンプＩＣ２００ｒは、ＯＵＴＰ端子、ＯＵＴＮ端子を備える。電気音響変換素子１０２の正極端子＋とＯＵＴＰ端子の間には、フィルタ１０４Ｐが設けられ、電気音響変換素子１０２の負極端子－とＯＵＴＮ端子の間には、フィルタ１０４Ｎが設けられる。フィルタ１０４は、シリーズインダクタＬ１とシャントキャパシタＣ１を有する１次フィルタである。
　オーディオアンプＩＣ２００ｒは、Ｄ級アンプ２０２Ｐ／Ｎおよびパルス変調器２０６を備える。パルス変調器２０６は、アナログもしくはデジタルのオーディオ信号Ｓ１を受け、それをパルス変調して、パルス信号Ｓ２Ｐ／Ｎを生成する。
　Ｄ級アンプ２０２Ｐ、２０２Ｎはそれぞれ、ドライバ２０３および出力段２０４を含む。ドライバ２０３は、パルス信号Ｓ２Ｐ、Ｓ２Ｎに応じて出力段２０４を駆動する。
　図１のオーディオシステム１００ｒは、４チャンネルで構成され、オーディオアンプＩＣ２００には４チャンネル分の回路が集積化されている。
特開２００１－２２３５３７号公報
　本発明者は、図１のオーディオシステム１００ｒについて検討した結果、以下の課題を認識するに至った。
（課題１）
　オーディオシステム１００ｒでは、オーディオアンプＩＣ２００の出力ピンＯＵＴＰ／ＯＵＴＮとフィルタ１０４Ｐ／１０４Ｎの間は、スイッチングライン１０８を介して接続されている。出力ピンＯＵＴＰ／ＯＵＴＮに発生する大信号の出力信号Ｖｏ＋，Ｖｏ－は、スイッチングライン１０８を経由して伝送され、またスイッチングライン１０８には大電流が流れる。
　図１のオーディオシステム１００ｒでは、スイッチングライン１０８は、プリント基板上の配線や、ケーブルで構成され、その長さが長くなる。長いスイッチングライン１０８は、意図しない寄生インダクタンス成分を有するため、音質を劣化させる要因となりうる。
（課題２）
　大信号のスイッチング波形が、長いスイッチングライン１０８を伝搬すると、ＥＭＩ（Electromagnetic Interference）ノイズとして輻射され易いという問題がある。
（課題３）
　図１のオーディオシステム１００ｒでは、オーディオアンプＩＣ２００に４チャンネル分のＤ級アンプ２０２が集積化される。Ｄ級アンプ２０２は動作中に熱源となるところ、複数のＤ級アンプ２０２を同じ半導体チップ上に集積化すると、オーディオアンプＩＣ２００ｒの発熱が問題となる。このため、オーディオアンプＩＣ２００ｒに巨大なヒートシンクを接続するなどの放熱対策が必要となり、コストアップの要因となる。
（課題４）
　図１のオーディオシステム１００ｒでは、４チャンネルのうち、２チャンネルしか使用しない場合に、２チャンネル分のＤ級アンプ２０２が無駄となる。
　本開示は係る課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、上述の課題の少なくともひとつを解決できるオーディオアンプモジュールの提供にある。
　本開示のある態様は、Ｄ級アンプモジュールに関する。Ｄ級アンプは、それぞれがハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むｎ個（ｎ≧１）の出力段と、それぞれがｎ個の出力段の対応するひとつのハイサイドトランジスタを駆動するｎ個のハイサイドドライバと、それぞれがｎ個の出力段の対応するひとつのローサイドトランジスタを駆動するｎ個のローサイドドライバと、ｎ個の出力段の出力と接続されるｎ個のスイッチング端子と、を含む半導体チップと、それぞれの一端がｎ個の出力段の対応するひとつのスイッチング端子と接続されるｎ個のインダクタと、を備え、ひとつのパッケージに収容され、外部のプロセッサからの制御信号に応じて動作する。
　なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本開示の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本開示の態様として有効である。
　本開示によれば、上述の課題１～４の少なくともひとつを解決できる。
オーディオシステムの回路図である。 実施の形態に係るＤ級アンプモジュールを備えるオーディオシステムのブロック図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、図１のオーディオシステムおよび図２のオーディオシステムの発熱のシミュレーション結果を示す図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、図２のＤ級アンプモジュールの利点のひとつを説明する図である。 Ｄ級アンプモジュールの構成例を示す斜視図である。 変形例１に係るＤ級アンプモジュールの回路図である。 変形例３に係るオーディオシステムのブロック図である。 オーディオシステムを備える自動車のブロック図である。
（実施の形態の概要）
　本明細書に開示される一実施の形態は、Ｄ級アンプモジュールに関する。Ｄ級アンプモジュールは、半導体チップと、ｎ個のインダクタを備え、ひとつのパッケージに収容され、外部のプロセッサからの制御信号に応じて動作する。半導体チップは、それぞれがハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むｎ個（ｎ≧１）の出力段と、それぞれがｎ個の出力段の対応するひとつのハイサイドトランジスタを駆動するｎ個のハイサイドドライバと、それぞれがｎ個の出力段の対応するひとつのローサイドトランジスタを駆動するｎ個のローサイドドライバと、ｎ個の出力段の出力と接続されるｎ個のスイッチング端子と、を含む。ｎ個のインダクタは、それぞれの一端がｎ個の出力段の対応するひとつのスイッチング端子と接続される。
　この態様によると、出力段とインダクタを結ぶスイッチングラインが、Ｄ級アンプモジュールのパッケージ内に存在し、その長さが短くなるため、寄生インダクタンスの影響を抑制し、音質を改善できる。
　また、スイッチングラインがパッケージ内に存在し、その長さが短くなるため、スイッチングラインからのＥＭＩノイズの放射を抑制できる。
　また発熱体であるＤ級アンプの出力段を、モジュールごとに分散して配置できるため、放熱対策が容易となり、コストを下げることができる。
　またＤ級アンプモジュールの個数を増減することにより、チャンネル数が異なるシステムを設計できる。
　Ｄ級アンプモジュールは、それぞれがｎ個のインダクタの対応するひとつの他端と接地の間に設けられる、ｎ個のキャパシタをさらに備えてもよい。
　ハイサイドトランジスタはＮＭＯＳトランジスタであってもよい。半導体チップは、定電圧を生成する電圧源と、ｎ個のブートストラップ端子と、それぞれのアノードに定電圧を受け、それぞれのカソードがｎ個のブートストラップ端子の対応するひとつと接続されるｎ個の整流素子と、をさらに含んでもよい。Ｄ級アンプモジュールは、それぞれの一端がｎ個のブートストラップ端子の対応するひとつと接続され、それぞれの他端がｎ個のスイッチング端子の対応するひとつと接続される、ｎ個のブートストラップキャパシタをさらに備えてもよい。
　ｎ＝２であり、２個の出力段はＢＴＬ接続されてもよい。
（実施の形態）
　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、開示を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも開示の本質的なものであるとは限らない。
　本明細書において、「部材Ａが、部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Ａと部材Ｂが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
　同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
　図２は、実施の形態に係るＤ級アンプモジュール３００を備えるオーディオシステム１００のブロック図である。
　オーディオシステム１００は、ｍチャンネル（ｍ≧１）で構成され、ｍ個の電気音響変換素子１０２＿１～１０２＿ｍと、ｍ個のＤ級アンプモジュール３００＿１～３００＿ｍと、プロセッサ４００を備える。本実施の形態ではｍ＝４である。
　プロセッサ４００は、ｍ個のＤ級アンプモジュール３００＿１～３００＿ｍに対する制御パルスＳ１Ｐ／Ｓ１Ｐ～ＳｍＰ／ＳｍＮを生成する。Ｄ級アンプモジュール３００＿ｉ（ｉ＝１，…ｍ）は、制御パルスに応じて、対応する電気音響変換素子１０２＿ｉを駆動する。
　Ｄ級アンプモジュール３００＿１～３００＿ｍはそれぞれ、半導体チップ３１０と、ｎ個（ｎ≧２）のインダクタＬ１～Ｌｎ、ｎ個のキャパシタＣ１～Ｃｎを備え、支持基板３０２上に実装されて、ひとつのパッケージに収容されている。本実施の形態ではｎ＝２である。
　半導体チップ３１０は、ｎ個の出力段３１２＿１～３１２＿ｎ、ｎ個のハイサイドドライバ３１４＿１～３１４＿ｎ、ｎ個のローサイドドライバ３１６＿１～３１６＿ｎ、ｎ個のスイッチング端子ＳＷ１～ＳＷｎを備え、ひとつの半導体基板に集積化されている。
　出力段３１２＿ｊ（ｊ＝１，…ｎ）は、ハイサイドトランジスタＭＨおよびローサイドトランジスタＭＬを含む。電気音響変換素子１０２＿ｉは、対応するＤ級アンプモジュール３００＿ｉの出力段３１２＿１，３１２＿２に対してＢＴＬ接続される。
　ハイサイドドライバ３１４＿ｊは、ｎ個の出力段３１２の対応するひとつ３１２＿ｊのハイサイドトランジスタＭＨを駆動する。ローサイドドライバ３１６＿ｊは、ｎ個の出力段３１２の対応するひとつ３１２＿ｊのローサイドトランジスタＭＬを駆動する。
　インダクタＬｊの一端は、ｎ個の出力段３１２の対応するひとつ３１２＿ｊのスイッチング端子ＳＷｊと接続される。またキャパシタＣｊは、対応するインダクタＬｊの他端と接地の間に設けられ、インダクタＬｊとともにローパスフィルタを構成する。
　以上がＤ級アンプモジュール３００の構成である。このＤ級アンプモジュール３００によれば、利点１～４の少なくともひとつを供給できる。
（利点１）
　図２のＤ級アンプモジュール３００によれば、出力段３１２のスイッチング端子ＳＷｊとインダクタＬ１を接続するスイッチングライン３０４は、Ｄ級アンプモジュール３００のパッケージ内に存在し、その長さが短くなる。これにより、スイッチングライン３０４の寄生インダクタンスの影響を抑制し、音質を改善できる。
（利点２）
　また、スイッチングライン３０４がパッケージ内に存在し、その長さが短くなるため、スイッチングライン３０４からのＥＭＩノイズの放射を抑制できる。図２の構成では、プロセッサ４００からｉ番目（ｉ＝１，…ｍ）のＤ級アンプモジュール３００＿ｉに対して、プリント基板上の配線を介してパルス信号ＳｉＰ／ＳｉＮが供給されるが、パルス信号ＳｉＰ／ＳｉＮは小信号であるため、ＥＭＩノイズの問題は生じにくい。
（利点３）
　図２のオーディオシステム１００において、発熱体であるＤ級アンプの出力段３１２を、Ｄ級アンプモジュール３００ごとに分散して配置できる。すなわち熱源を分散して配置できるため、放熱対策が容易となり、コストを下げることができる。
　図３（ａ）、（ｂ）は、図１のオーディオシステム１００ｒおよび図２のオーディオシステム１００の発熱のシミュレーション結果を示す図である。いずれも４チャンネル構成であり、各チャンネルのＤ級アンプを２５Ｗの発熱体としてモデリングしている。
　図３（ａ）を参照し、図１のオーディオシステム１００ｒについて検討する。この構成では、オーディオアンプＩＣに、２５Ｗ×４チャンネル＝１００Ｗ分の発熱が集中する。その結果、ピーク温度は２５０℃にまで達し、巨大なヒートシンクを設けるなどの放熱対策が必要である。
　図３（ｂ）を参照し、図２のオーディオシステム１００について説明する。この例では、図３（ａ）においてＬＣフィルタが存在していた領域に、複数のＤ級アンプモジュール３００＿１～３００＿ｍを分散して配置している。この構成では、各Ｄ級アンプモジュール３００の温度上昇は１２０℃程度に抑制されている。したがって、従来に比べて放熱対策を大幅に簡素化することができ、コストを下げることができる。
（利点４）
　図４（ａ）、（ｂ）は、図２のＤ級アンプモジュール３００の利点のひとつを説明する図である。図４（ａ）は、４チャンネルのオーディオシステム１００を、図４（ｂ）は、２チャンネルのオーディオシステム１００を示す。このようにチャンネル数ｍに応じて、Ｄ級アンプモジュール３００の個数ｍを増減することができ、チャンネル数ｍが異なるシステムに容易に対応できる。
　続いてＤ級アンプモジュール３００の具体的な構成例を説明する。図５は、Ｄ級アンプモジュール３００の構成例を示す斜視図である。この例では、インダクタＬ１とＬ２は単一のチップ部品として構成される。支持基板３０２上の半導体チップ３１０およびチップ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｌ１，Ｌ２のレイアウトは特に限定されない。この例では、支持基板３０２の同一面に、半導体チップ３１０と複数のチップ部品が実装されているがその限りでなく、３次元的に実装してもよい。また支持基板３０２以外の部材、たとえばリードフレームなどを基材として用い、パッケージを構成してもよい。
　以上、実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本開示あるいは発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
（変形例１）
　図６は、変形例１に係るＤ級アンプモジュール３００Ａの回路図である。この変形例において、ハイサイドトランジスタＭＨはＮチャンネルＦＥＴである。この例ではＮ＝２であり、Ｄ級アンプモジュール３００Ａは、半導体チップ３１０Ａ、インダクタＬ１，Ｌ２、キャパシタＣ１，Ｃ２およびｎ個のブートストラップキャパシタＣＢ１，ＣＢ２を備える。ブートストラプキャパシタＣＢｊは、対応するブートストラップ端子ＢＳＰｊと対応するスイッチング端子ＳＷｊの間に接続される。
　半導体チップ３１０Ａは、ｎ個の出力段３１２、ｎ個のハイサイドドライバ３１４、ｎ個のローサイドドライバ３１６、ｎ個の整流素子３２２および定電圧源３２０を備える。
　定電圧源３２０は、定電圧ＶＲＥＧを生成する。Ｄ級アンプモジュール３００Ａは、定電圧ＶＲＥＧの平滑化用のキャパシタＣＲＥＧを備えてもよい。整流素子３２２＿ｊのアノードには定電圧ＶＲＥＧが供給され、そのカソードは対応するブートストラップ端子ＢＳＰｊと接続される。整流素子３２２＿ｊとブートストラップキャパシタＣＢｊは、ブートストラップ回路を構成しており、ハイサイドドライバ３１４＿ｊの電源電圧を発生する。
　保護／制御回路３３０は、Ｄ級アンプモジュール３００Ａを統合的に制御するブロックであり、外部のマイコンとの通信インタフェース（たとえばＩ２Ｃ）、半導体チップ３１０Ａの保護回路などを備える。保護／制御回路３３０は、異常を検出すると、ＥＲＲＯＲピンを介して外部のマイコンなどに通知する。また保護／制御回路３３０は、クロックピンＳＣＬおよびデータピンＳＤＡを介して外部のマイコンと接続され、外部のマイコンからの制御信号を受ける。保護／制御回路３３０は、ＰＤＸピンに入力されるパワーダウン信号（反転論理）に応じてＤ級アンプモジュール３００Ａの起動、停止を制御する。また保護／制御回路３３０は、ＭＵＴＥＸピンに入力されるミュート信号（反転論理）に応じて、ミュート状態／非ミュート状態を切りかえる。
（変形例３）
　実施の形態では、ｎ＝２個の出力段３１２に対して、電気音響変換素子１０２がＢＴＬ接続される場合を説明したがその限りでない。図７は、変形例３に係るオーディオシステム１００Ｂのブロック図である。この変形例３において、１個の出力段３１２に対して、１個の電気音響変換素子１０２がシングルエンド接続される。Ｄ級アンプモジュール３００の出力ピンと電気音響変換素子１０２の間には、デカップリング用のキャパシタＣｏが外付けされる。なお、Ｄ級アンプモジュール３００を、シングルエンド専用とする場合、キャパシタＣｏを、Ｄ級アンプモジュール３００に内蔵してもよい。
（変形例４）
　変形例４において、ｎ個のキャパシタＣ１～Ｃｎは、Ｄ級アンプモジュール３００に外付けするようにしてもよい。
（変形例５）
　実施の形態では、ひとつのＤ級アンプモジュール３００にｎ＝２の出力段３１２を内蔵したが、その限りでなく、ｎ＝１であってもよいし、ｎ≧３であってもよい。
　最後にオーディオシステム１００の用途の一例を説明する。図８は、オーディオシステム１００を備える自動車（車載オーディオ装置）５００のブロック図である。この車載オーディオ装置５００は、４チャンネル（フロント右ＦＲ、リア右ＲＲ、フロント左ＦＬ、リア左ＲＬ）で構成され、４チャンネルに対応する複数のスピーカ５０２ＦＲ，５０２ＲＲ，５０２ＦＬ，５０２ＲＬを備える。車載オーディオ装置５００は、さらにセンターチャンネル、サブウーファチャンネルを備える５．１チャンネルであってもよいし、さらに多チャンネルであってもよい。
　音源５０４は、ＣＤプレイヤ、ＤＶＤプレイヤ、ブルーレイプレイヤ、ＨＤＤ／シリコンオーディオプレイヤ、ラジオチューナなどであり、アナログあるいはデジタルのオーディオ信号を再生する。ＤＳＰ２００は、音源５０４からのオーディオ信号を受け、さまざまなデジタル信号処理を施す。ＤＳＰ２００の処理を受けたオーディオ信号は、アンプブロック５０６に入力される。アンプブロック５０６は、上述のオーディオシステム１００に対応し、プロセッサ４００および複数のＤ級アンプモジュール３００を備える。アンプブロック５０６は、各チャンネルのアナログオーディオ信号を増幅し、対応するスピーカ５０２を駆動する。マイコン５０８は、ＤＳＰ２００をはじめとするブロックを統合的に制御する。音源５０４、マイコン５０８、ＤＳＰ２００、アンプブロック５０６は、バッテリ５２０からの給電を受けて動作する。音源５０４、マイコン５０８、ＤＳＰ２００、アンプブロック５０６は、ヘッドユニット５１０に内蔵されてもよい。
　本開示は、オーディオシステムに関する。
　１００　オーディオシステム
　１０２　電気音響変換素子
　３００　Ｄ級アンプモジュール
　Ｌ１　インダクタ
　Ｃ１　キャパシタ
　３０２　支持基板
　３１０　半導体チップ
　３１２　出力段
　ＭＨ　ハイサイドトランジスタ
　ＭＬ　ローサイドトランジスタ
　３１４　ハイサイドドライバ
　３１６　ローサイドドライバ
　３２０　定電圧源
　３２２　整流素子
　３３０　保護／制御回路
　４００　プロセッサ

Claims (6)

  1. 　それぞれがハイサイドトランジスタおよびローサイドトランジスタを含むｎ個（ｎ≧１）の出力段と、それぞれが前記ｎ個の出力段の対応するひとつの前記ハイサイドトランジスタを駆動するｎ個のハイサイドドライバと、それぞれが前記ｎ個の出力段の対応するひとつの前記ローサイドトランジスタを駆動するｎ個のローサイドドライバと、前記ｎ個の出力段の出力と接続されるｎ個のスイッチング端子と、を含む半導体チップと、
    　それぞれの一端が前記ｎ個の出力段の対応するひとつの前記スイッチング端子と接続されるｎ個のインダクタと、
    　を備え、ひとつのパッケージに収容され、外部のプロセッサからの制御信号に応じて動作することを特徴とするＤ級アンプモジュール。
  2. 　それぞれが前記ｎ個のインダクタの対応するひとつの他端と接地の間に設けられる、ｎ個のキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＤ級アンプモジュール。
  3. 　前記ハイサイドトランジスタはＮＭＯＳトランジスタであり、
    　前記半導体チップは、
    　定電圧を生成する電圧源と、
    　ｎ個のブートストラップ端子と、
    　それぞれのアノードに前記定電圧を受け、それぞれのカソードが前記ｎ個のブートストラップ端子の対応するひとつと接続されるｎ個の整流素子と、
    　をさらに含み、
    　前記Ｄ級アンプモジュールは、それぞれの一端が前記ｎ個のブートストラップ端子の対応するひとつと接続され、それぞれの他端が前記ｎ個のスイッチング端子の対応するひとつと接続される、ｎ個のブートストラップキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＤ級アンプモジュール。
  4. 　ｎ＝２であり、２個の出力段はＢＴＬ接続されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＤ級アンプモジュール。
  5. 　プロセッサと、
    　ｍ個（ｍ≧１）の電気音響変換素子と、
    　それぞれが前記ｍ個の電気音響変換素子の対応するひとつを駆動するｍ個の請求項４に記載のＤ級アンプモジュールと、
    　を備えることを特徴とするオーディオシステム。
  6. 　請求項５に記載のオーディオステムを備えることを特徴とする自動車。
PCT/JP2021/001638 2020-01-27 2021-01-19 Ｄ級アンプモジュール、オーディオシステム、自動車 Ceased WO2021153340A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180007194.6A CN114830531A (zh) 2020-01-27 2021-01-19 D级放大器模块、音频系统、汽车
DE112021000761.0T DE112021000761T5 (de) 2020-01-27 2021-01-19 Class-D-Verstärkermodul, Audiosystem und Automobil
KR1020227014450A KR20220132519A (ko) 2020-01-27 2021-01-19 D급 앰프 모듈, 오디오 시스템, 자동차
JP2021574654A JP7588100B2 (ja) 2020-01-27 2021-01-19 オーディオシステム、自動車
US17/874,359 US20220407477A1 (en) 2020-01-27 2022-07-27 Class d amplifier module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-011038 2020-01-27
JP2020011038 2020-01-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/874,359 Continuation US20220407477A1 (en) 2020-01-27 2022-07-27 Class d amplifier module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021153340A1 true WO2021153340A1 (ja) 2021-08-05

Family

ID=77078855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/001638 Ceased WO2021153340A1 (ja) 2020-01-27 2021-01-19 Ｄ級アンプモジュール、オーディオシステム、自動車

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220407477A1 (ja)
JP (1) JP7588100B2 (ja)
KR (1) KR20220132519A (ja)
CN (1) CN114830531A (ja)
DE (1) DE112021000761T5 (ja)
WO (1) WO2021153340A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308990A (ja) * 1997-05-09 1998-11-17 Nissan Motor Co Ltd 自動車のスピーカユニット
JP2005294576A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sharp Corp デジタルアンプ基板
JP2010045726A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Sharp Corp 信号増幅装置及び信号処理方法
JP2012060269A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Toyota Motor Corp 増幅器及び方法
JP2016208500A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 ローム株式会社 オーディオアンプ回路、それを用いたオーディオ出力装置、およびそれを用いた電子機器
US20190267957A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 Qsc, Llc Audio amplifier assemblies, processes, and methods

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410061B2 (ja) 2000-02-07 2003-05-26 株式会社 デジアン・テクノロジー Ｄ級アンプ
US7378904B2 (en) * 2003-10-15 2008-05-27 Texas Instruments Incorporated Soft transitions between muted and unmuted states in class D audio amplifiers
JP2006050431A (ja) 2004-08-06 2006-02-16 Taiyo Yuden Co Ltd デジタルアンプモジュールおよび音声処理装置
JP2007259262A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sharp Corp オーディオ装置
JP2011172066A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Renesas Electronics Corp 演算増幅器、並びに、それを用いた表示パネルドライバ及び表示装置
US9685919B2 (en) * 2013-08-21 2017-06-20 On-Bright Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Amplification systems and methods with output regulation
JP6560032B2 (ja) * 2015-06-22 2019-08-14 ローム株式会社 半導体集積回路、オーディオアンプ回路、電子機器
US10243443B2 (en) * 2016-03-16 2019-03-26 Analog Devices, Inc. Bias voltage generator for n-channel based linear regulator
JP6820171B2 (ja) * 2016-09-15 2021-01-27 ローム株式会社 Ｄ級アンプ回路、その制御方法、オーディオ出力装置、電子機器
KR102534861B1 (ko) 2016-12-23 2023-05-22 삼성전자주식회사 앰프 모듈 및 그 제어 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308990A (ja) * 1997-05-09 1998-11-17 Nissan Motor Co Ltd 自動車のスピーカユニット
JP2005294576A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sharp Corp デジタルアンプ基板
JP2010045726A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Sharp Corp 信号増幅装置及び信号処理方法
JP2012060269A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Toyota Motor Corp 増幅器及び方法
JP2016208500A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 ローム株式会社 オーディオアンプ回路、それを用いたオーディオ出力装置、およびそれを用いた電子機器
US20190267957A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 Qsc, Llc Audio amplifier assemblies, processes, and methods

Also Published As

Publication number Publication date
DE112021000761T5 (de) 2022-11-24
CN114830531A (zh) 2022-07-29
JPWO2021153340A1 (ja) 2021-08-05
KR20220132519A (ko) 2022-09-30
US20220407477A1 (en) 2022-12-22
JP7588100B2 (ja) 2024-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8476978B2 (en) Headphone driver/charge pump combination
JP2007531419A (ja) 単一電源直接駆動増幅器
US20080129377A1 (en) Voltage regulator with current sink for diverting external current and digital amplifier including the same
US20130236034A1 (en) Audio output circuit, electronic device using the same, and audio integrated circuit
US20120189139A1 (en) Semiconductor Integrated Circuit Having a Switched Charge Pump Unit and Operating Method Thereof
US12301182B2 (en) Class-D amplifier for reducing audio distortion
US7589590B2 (en) Circuit architecture having differential processing for use in half bridges and full bridges and methods therefore
US20050151584A1 (en) Power amplification circuits
JP7588100B2 (ja) オーディオシステム、自動車
US8184831B2 (en) Audio playing systems
US20070279101A1 (en) Signal Output Circuit, Audio Signal Output Apparatus Using The Same, And Electronic Device
KR100739786B1 (ko) 다중 채널 디지털 앰프 시스템 및 그 신호 처리 방법
US8249272B2 (en) Audio playback apparatus
US11936349B2 (en) Audio circuit, electronic device and vehicle audio system with the audio circuit
US20250258640A1 (en) Audio reproduction system and method
JP3894293B2 (ja) パワーアンプ装置
US7439786B2 (en) Power amplification circuits
JP2006050431A (ja) デジタルアンプモジュールおよび音声処理装置
JP3477097B2 (ja) 集積回路装置
US12293987B2 (en) Electronic package device and method of operating the same
JP2007116262A (ja) デジタルアンプ
US20240348216A1 (en) Radio frequency module
JP2006050430A (ja) デジタルアンプモジュールおよび音声処理装置
JP2022057757A (ja) オーディオ回路、それを用いた電子機器および車載オーディオシステム
JPS5921533Y2 (ja) 車載用音響機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21747346

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021574654

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21747346

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020227014450

Country of ref document: KR