KR20220132519A - D급 앰프 모듈, 오디오 시스템, 자동차 - Google Patents

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Abstract

D급 앰프 모듈(300)은, 반도체 칩(310)과, n개의 인덕터 L1 내지 Ln을 구비한다. 반도체 칩(310)은, n개의 출력단(312_1 내지 312_n), n개의 하이사이드 드라이버(314_1 내지 314_n), n개의 로사이드 드라이버(316_1 내지 316_n)를 구비한다. 반도체 칩(310) 및 n개의 인덕터는, 하나의 패키지에 수용되며, 외부의 프로세서로부터의 제어 신호에 따라서 동작한다.

Description

D급 앰프 모듈, 오디오 시스템, 자동차
본 개시는, 오디오 시스템에 관한 것이다.
미약한 오디오 신호를 증폭하여, 스피커나 헤드폰 등의 전기 음향 변환 소자를 구동하기 위해, 오디오 앰프 회로가 사용된다. 도 1은 오디오 시스템(100r)의 회로도이다. 오디오 시스템(100r)은, 전기 음향 변환 소자(102)에 더하여, 오디오 앰프 IC(Integrated Circuit)(200r), 필터(104P/N)를 구비한다. 전기 음향 변환 소자(102)는, 오디오 앰프 IC(200r)에 대하여 BTL(Bridged Transless/Bridge-Tied Load) 접속된다.
오디오 앰프 IC(200r)는, OUTP 단자, OUTN 단자를 구비한다. 전기 음향 변환 소자(102)의 정극 단자 +와 OUTP 단자 사이에는, 필터(104P)가 마련되고, 전기 음향 변환 소자(102)의 부극 단자 -와 OUTN 단자 사이에는, 필터(104N)가 마련된다. 필터(104N))는, 시리즈 인덕터 L1과 션트 캐패시터 C1을 갖는 1차 필터이다.
오디오 앰프 IC(200r)는, D급 앰프(202P/N) 및 펄스 변조기(206)를 구비한다. 펄스 변조기(206)는, 아날로그 혹은 디지털의 오디오 신호 S1을 받고, 그것을 펄스변조하여, 펄스 신호 S2P/N을 생성한다.
D급 앰프(202P, 202N)는 각각, 드라이버(203) 및 출력단(204)을 포함한다. 드라이버(203)는, 펄스 신호 S2P, S2N에 따라서 출력단(204)을 구동한다.
도 1의 오디오 시스템(100r)은, 4채널로 구성되고, 오디오 앰프 IC(200r)에는 4채널분의 회로가 집적화되어 있다.
일본 특허 공개 제2001-223537호 공보
본 발명자는, 도 1의 오디오 시스템(100r)에 대하여 검토한 결과, 이하의 과제를 인식하기에 이르렀다.
(과제 1)
오디오 시스템(100r)에서는, 오디오 앰프 IC(200r)의 출력 핀 OUTP/OUTN과 필터(104P/104N) 사이는, 스위칭 라인(108)을 통해 접속되어 있다. 출력 핀 OUTP/OUTN에 발생하는 대신호의 출력 신호 Vo+, Vo-는, 스위칭 라인(108)을 경유하여 전송되고, 또한 스위칭 라인(108)에는 대전류가 흐른다.
도 1의 오디오 시스템(100r)에서는, 스위칭 라인(108)은, 프린트 기판 상의 배선이나, 케이블로 구성되어, 그 길이가 길어진다. 긴 스위칭 라인(108)은, 의도치 않은 기생 인덕턴스 성분을 갖기 때문에, 음질을 열화시키는 요인이 될 수 있다.
(과제 2)
대신호의 스위칭 파형이, 긴 스위칭 라인(108)을 통해서 전파되면, EMI(Electromagnetic Interference) 노이즈로서 복사되기 쉽다는 문제가 있다.
(과제 3)
도 1의 오디오 시스템(100r)에서는, 오디오 앰프 IC(200r)에 4채널분의 D급 앰프(202)가 집적화된다. D급 앰프(202)는 동작 중에 열원이 되는 바, 복수의 D급 앰프(202)를 동일한 반도체 칩 상에 집적화하면, 오디오 앰프 IC(200r)의 발열이 문제가 된다. 이 때문에, 오디오 앰프 IC(200r)에 거대한 히트 싱크를 접속하는 등의 방열 대책이 필요해져, 비용 상승의 요인이 된다.
(과제 4)
도 1의 오디오 시스템(100r)에서는, 4채널 중, 2채널밖에 사용하지 않는 경우에, 2채널분의 D급 앰프(202)가 낭비된다.
본 개시는 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 어떤 양태의 예시적인 목적의 하나는, 상술한 과제의 적어도 하나를 해결할 수 있는 오디오 앰프 모듈의 제공에 있다.
본 개시의 어떤 양태는, D급 앰프 모듈에 관한 것이다. D급 앰프는, 각각이 하이사이드 트랜지스터 및 로사이드 트랜지스터를 포함하는 n개(n≥1)의 출력단과, 각각이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 하이사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 하이사이드 드라이버와, 각각이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 로사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 로사이드 드라이버와, n개의 출력단의 출력과 접속되는 n개의 스위칭 단자를 포함하는 반도체 칩과, 각각의 일단이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 스위칭 단자와 접속되는 n개의 인덕터를 구비하고, 하나의 패키지에 수용되며, 외부의 프로세서로부터의 제어 신호에 따라서 동작한다.
또한, 이상의 구성 요소의 임의의 조합, 본 개시의 표현을 방법, 장치 등의 사이에서 변환한 것도 또한, 본 개시의 양태로서 유효하다.
본 개시에 의하면, 상술한 과제 1 내지 4 중 적어도 하나를 해결할 수 있다.
도 1은 오디오 시스템의 회로도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 D급 앰프 모듈을 구비하는 오디오 시스템의 블록도이다.
도 3의 (a), (b)는 도 1의 오디오 시스템 및 도 2의 오디오 시스템의 발열의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 4의 (a), (b)는 도 2의 D급 앰프 모듈의 이점의 하나를 설명하는 도면이다.
도 5는 D급 앰프 모듈의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 6은 변형예 1에 관한 D급 앰프 모듈의 회로도이다.
도 7은 변형예 3에 관한 오디오 시스템의 블록도이다.
도 8은 오디오 시스템을 구비하는 자동차의 블록도이다.
(실시 형태의 개요)
본 명세서에 개시되는 일 실시 형태는, D급 앰프 모듈에 관한 것이다. D급 앰프 모듈은, 반도체 칩과, n개의 인덕터를 구비하고, 하나의 패키지에 수용되며, 외부의 프로세서로부터의 제어 신호에 따라서 동작한다. 반도체 칩은, 각각이 하이사이드 트랜지스터 및 로사이드 트랜지스터를 포함하는 n개(n≥1)의 출력단과, 각각이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 하이사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 하이사이드 드라이버와, 각각이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 로사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 로사이드 드라이버와, n개의 출력단의 출력과 접속되는 n개의 스위칭 단자를 포함한다. n개의 인덕터는, 각각의 일단이 n개의 출력단의 대응하는 하나의 스위칭 단자와 접속된다.
이 양태에 의하면, 출력단과 인덕터를 연결하는 스위칭 라인이, D급 앰프 모듈의 패키지 내에 존재하여, 그 길이가 짧아지기 때문에, 기생 인덕턴스의 영향을 억제하여, 음질을 개선할 수 있다.
또한, 스위칭 라인이 패키지 내에 존재하여, 그 길이가 짧아지기 때문에, 스위칭 라인으로부터의 EMI 노이즈의 방사를 억제할 수 있다.
또한 발열체인 D급 앰프의 출력단을, 모듈마다 분산하여 배치할 수 있기 때문에, 방열 대책이 용이해져, 비용을 낮출 수 있다.
또한 D급 앰프 모듈의 개수를 증감함으로써, 채널수가 다른 시스템을 설계할 수 있다.
D급 앰프 모듈은, 각각이 n개의 인덕터의 대응하는 하나의 타단과 접지 사이에 마련되는, n개의 캐패시터를 더 구비해도 된다.
하이사이드 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터여도 된다. 반도체 칩은, 정전압을 생성하는 전압원과, n개의 부트스트랩 단자와, 각각의 애노드에 정전압을 받고, 각각의 캐소드가 n개의 부트스트랩 단자의 대응하는 하나와 접속되는 n개의 정류 소자를 더 포함해도 된다. D급 앰프 모듈은, 각각의 일단이 n개의 부트스트랩 단자의 대응하는 하나와 접속되고, 각각의 타단이 n개의 스위칭 단자의 대응하는 하나와 접속되는, n개의 부트스트랩 캐패시터를 더 구비해도 된다.
n=2이며, 2개의 출력단은 BTL 접속되어도 된다.
(실시 형태)
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 각 도면에 도시되는 동일 또는 동등한 구성 요소, 부재, 처리에는, 동일한 번호를 붙이는 것으로 하고, 적절히 중복된 설명은 생략한다. 또한, 실시 형태는, 개시를 한정하는 것이 아니라 예시이며, 실시 형태에 기술되는 모든 특징이나 그 조합은, 반드시 개시가 본질적인 것이라고는 할 수 없다.
본 명세서에 있어서, 「부재 A가, 부재 B와 접속된 상태」란, 부재 A와 부재 B가 물리적으로 직접적으로 접속되는 경우 외에, 부재 A와 부재 B가, 그것들의 전기적인 접속 상태에 실질적인 영향을 미치지 않거나, 혹은 그것들의 결합에 의해 발휘되는 기능이나 효과를 손상시키지 않는, 그 밖의 부재를 통해 간접적으로 접속되는 경우도 포함한다.
마찬가지로, 「부재 C가, 부재 A와 부재 B 사이에 마련된 상태」란, 부재 A와 부재 C, 혹은 부재 B와 부재 C가 직접적으로 접속되는 경우 외에, 그것들의 전기적인 접속 상태에 실질적인 영향을 미치지 않거나, 혹은 그것들의 결합에 의해 발휘되는 기능이나 효과를 손상시키지 않는, 그 밖의 부재를 통해 간접적으로 접속되는 경우도 포함한다.
도 2는 실시 형태에 관한 D급 앰프 모듈(300)을 구비하는 오디오 시스템(100)의 블록도이다.
오디오 시스템(100)은, m 채널(m≥1)로 구성되고, m개의 전기 음향 변환 소자(102_1 내지 102_m)와, m개의 D급 앰프 모듈(300_1 내지 300_m)과, 프로세서(400)를 구비한다. 본 실시 형태에서는 m=4이다.
프로세서(400)는, m개의 D급 앰프 모듈(300_1 내지 300_m)에 대한 제어 펄스 S1P/S1P 내지 SmP/SmN을 생성한다. D급 앰프 모듈(300_i)(i=1, … m)은, 제어 펄스에 따라서, 대응하는 전기 음향 변환 소자(102_i)를 구동한다.
D급 앰프 모듈(300_1 내지 300_m)은 각각, 반도체 칩(310)과, n개(n≥2)의 인덕터 L1 내지 Ln, n개의 캐패시터 C1 내지 Cn을 구비하고, 지지 기판(302) 상에 실장되어, 하나의 패키지에 수용되어 있다. 본 실시 형태에서는 n=2이다.
반도체 칩(310)은, n개의 출력단(312_1 내지 312_n), n개의 하이사이드 드라이버(314_1 내지 314_n), n개의 로사이드 드라이버(316_1 내지 316_n), n개의 스위칭 단자 SW1 내지 SWn을 구비하고, 하나의 반도체 기판에 집적화되어 있다.
출력단(312_j)(j=1, … n)은, 하이사이드 트랜지스터 MH 및 로사이드 트랜지스터 ML을 포함한다. 전기 음향 변환 소자(102_i)는, 대응하는 D급 앰프 모듈(300_i)의 출력단(312_1, 312_2)에 대하여 BTL 접속된다.
하이사이드 드라이버(314_j)는, n개의 출력단(312)의 대응하는 하나(312_j)의 하이사이드 트랜지스터 MH를 구동한다. 로사이드 드라이버(316_j)는, n개의 출력단(312)의 대응하는 하나(312_j)의 로사이드 트랜지스터 ML을 구동한다.
인덕터 Lj의 일단은, n개의 출력단(312)의 대응하는 하나(312_j)의 스위칭 단자 SWj와 접속된다. 또한 캐패시터 Cj는, 대응하는 인덕터 Lj의 타단와 접지 사이에 마련되며, 인덕터 Lj와 함께 저역 통과 필터를 구성한다.
이상이 D급 앰프 모듈(300)의 구성이다. 이 D급 앰프 모듈(300)에 의하면, 이점 1 내지 4 중 적어도 하나를 공급할 수 있다.
(이점 1)
도 2의 D급 앰프 모듈(300)에 의하면, 출력단(312)의 스위칭 단자 SWj와 인덕터 L1을 접속하는 스위칭 라인(304)은, D급 앰프 모듈(300)의 패키지 내에 존재하여, 그 길이가 짧아진다. 이에 의해, 스위칭 라인(304)의 기생 인덕턴스의 영향을 억제하여, 음질을 개선할 수 있다.
(이점 2)
또한, 스위칭 라인(304)이 패키지 내에 존재하여, 그 길이가 짧아지기 때문에, 스위칭 라인(304)으로부터의 EMI 노이즈의 방사를 억제할 수 있다. 도 2의 구성에서는, 프로세서(400)로부터 i번째(i=1, … m)의 D급 앰프 모듈(300_i)에 대하여, 프린트 기판 상의 배선을 통해 펄스 신호 SiP/SiN이 공급되지만, 펄스 신호 SiP/SiN은 소신호이기 때문에, EMI 노이즈의 문제는 발생하기 어렵다.
(이점 3)
도 2의 오디오 시스템(100)에 있어서, 발열체인 D급 앰프의 출력단(312)을, D급 앰프 모듈(300)마다 분산하여 배치할 수 있다. 즉 열원을 분산하여 배치할 수 있기 때문에, 방열 대책이 용이해져, 비용을 낮출 수 있다.
도 3의 (a), (b)는 도 1의 오디오 시스템(100r) 및 도 2의 오디오 시스템(100)의 발열의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 모두 4채널 구성이며, 각 채널의 D급 앰프를 25W의 발열체로서 모델링하고 있다.
도 3의 (a)를 참조하여, 도 1의 오디오 시스템(100r)에 대하여 검토한다. 이 구성에서는, 오디오 앰프 IC에, 25W×4채널=100W분의 발열이 집중된다. 그 결과, 피크 온도는 250℃에까지 달하여, 거대한 히트 싱크를 마련하는 등의 방열 대책이 필요하다.
도 3의 (b)를 참조하여, 도 2의 오디오 시스템(100)에 대하여 설명한다. 이 예에서는, 도 3의 (a)에 있어서 LC 필터가 존재하고 있었던 영역에, 복수의 D급 앰프 모듈(300_1 내지 300_m)을 분산하여 배치하고 있다. 이 구성에서는, 각 D급 앰프 모듈(300)의 온도 상승은 120℃ 정도로 억제되어 있다. 따라서, 종래에 비해 방열 대책을 대폭 간소화할 수 있어, 비용을 낮출 수 있다.
(이점 4)
도 4의 (a), (b)는 도 2의 D급 앰프 모듈(300)의 이점 중 하나를 설명하는 도면이다. 도 4의 (a)는 4채널의 오디오 시스템(100)을, 도 4의 (b)는 2채널의 오디오 시스템(100)을 나타낸다. 이와 같이 채널수 m에 따라서, D급 앰프 모듈(300)의 개수 m을 증감할 수 있어, 채널수 m이 다른 시스템에 용이하게 대응할 수 있다.
계속해서 D급 앰프 모듈(300)의 구체적인 구성예를 설명한다. 도 5는 D급 앰프 모듈(300)의 구성예를 도시하는 사시도이다. 이 예에서는, 인덕터 L1과 L2는 단일의 칩 부품으로서 구성된다. 지지 기판(302) 상의 반도체 칩(310) 및 칩 부품 C1, C2, L1, L2의 레이아웃은 특별히 한정되지 않는다. 이 예에서는, 지지 기판(302)의 동일면에, 반도체 칩(310)과 복수의 칩 부품이 실장되어 있지만 그것에 한정되지 않고, 3차원적으로 실장해도 된다. 또한 지지 기판(302) 이외의 부재, 예를 들어 리드 프레임 등을 기재로서 사용하여, 패키지를 구성해도 된다.
이상, 실시 형태는 예시이며, 그것들의 각 구성 요소나 각 처리 프로세스의 조합에 다양한 변형예가 가능한 것, 또한 그러한 변형예도 본 개시 혹은 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해되는 바이다. 이하, 이러한 변형예에 대하여 설명한다.
(변형예 1)
도 6은 변형예 1에 관한 D급 앰프 모듈(300A)의 회로도이다. 이 변형예에 있어서, 하이사이드 트랜지스터 MH는 N 채널 FET이다. 이 예에서는 N=2이며, D급 앰프 모듈(300A)은, 반도체 칩(310A), 인덕터 L1, L2, 캐패시터 C1, C2 및 n개의 부트스트랩 캐패시터 CB1, CB2를 구비한다. 부트스트랩 캐패시터 CBj는, 대응하는 부트스트랩 단자 BSPj와 대응하는 스위칭 단자 SWj 사이에 접속된다.
반도체 칩(310A)은, n개의 출력단(312), n개의 하이사이드 드라이버(314), n개의 로사이드 드라이버(316), n개의 정류 소자(322) 및 정전압원(320)을 구비한다.
정전압원(320)은, 정전압 VREG를 생성한다. D급 앰프 모듈(300A)은, 정전압 VREG의 평활화용의 캐패시터 CREG를 구비해도 된다. 정류 소자(322_j)의 애노드에는 정전압 VREG가 공급되고, 그 캐소드는 대응하는 부트스트랩 단자 BSPj와 접속된다. 정류 소자(322_j)와 부트스트랩 캐패시터 CBj는, 부트스트랩 회로를 구성하고 있고, 하이사이드 드라이버(314_j)의 전원 전압을 발생시킨다.
보호/제어 회로(330)는, D급 앰프 모듈(300A)을 통합적으로 제어하는 블록이며, 외부의 마이크로컴퓨터와의 통신 인터페이스(예를 들어 I2C), 반도체 칩(310A)의 보호 회로 등을 구비한다. 보호/제어 회로(330)는, 이상을 검출하면, ERROR 핀을 통해 외부의 마이크로컴퓨터 등에 통지한다. 또한 보호/제어 회로(330)는, 클럭 핀 SCL 및 데이터 핀 SDA를 통해 외부의 마이크로컴퓨터와 접속되어, 외부의 마이크로컴퓨터로부터의 제어 신호를 받는다. 보호/제어 회로(330)는, PDX 핀에 입력되는 파워 다운 신호(반전 논리)에 따라서 D급 앰프 모듈(300A)의 기동, 정지를 제어한다. 또한 보호/제어 회로(330)는, MUTEX 핀에 입력되는 뮤트 신호(반전 논리)에 따라서, 뮤트 상태/비뮤트 상태를 전환한다.
(변형예 3)
실시 형태에서는, n=2개의 출력단(312)에 대하여, 전기 음향 변환 소자(102)가 BTL 접속되는 경우를 설명하였지만 그것에 한정되지 않는다. 도 7은 변형예 3에 관한 오디오 시스템(100B)의 블록도이다. 이 변형예 3에 있어서, 1개의 출력단(312)에 대하여, 1개의 전기 음향 변환 소자(102)가 싱글 엔드 접속된다. D급 앰프 모듈(300)의 출력 핀과 전기 음향 변환 소자(102) 사이에는, 디커플링용의 캐패시터 Co가 외장된다. 또한, D급 앰프 모듈(300)을, 싱글 엔드 전용으로 하는 경우, 캐패시터 Co를, D급 앰프 모듈(300)에 내장해도 된다.
(변형예 4)
변형예 4에 있어서, n개의 캐패시터 C1 내지 Cn은, D급 앰프 모듈(300)에 외장하도록 해도 된다.
(변형예 5)
실시 형태에서는, 하나의 D급 앰프 모듈(300)에 n=2의 출력단(312)을 내장하였지만, 그것에 한정되는 것은 아니고, n=1이어도 되고, n≥3이어도 된다.
마지막으로 오디오 시스템(100)의 용도의 일례를 설명한다. 도 8은 오디오 시스템(100)을 구비하는 자동차(차량 탑재 오디오 장치)(500)의 블록도이다. 이 차량 탑재 오디오 장치(500)는, 4채널(프론트 우측 FR, 리어 우측 RR, 프론트 좌측 FL, 리어 좌측 RL)로 구성되고, 4채널에 대응하는 복수의 스피커(502FR, 502RR, 502FL, 502RL)를 구비한다. 차량 탑재 오디오 장치(500)는, 또한 센터 채널, 서브우퍼 채널을 구비하는 5.1 채널이어도 되고, 또한 다채널이어도 된다.
음원(504)은, CD 플레이어, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, HDD/실리콘 오디오 플레이어, 라디오 튜너 등이며, 아날로그 혹은 디지털의 오디오 신호를 재생한다. DSP(200)는, 음원(504)으로부터의 오디오 신호를 받아, 다양한 디지털 신호 처리를 실시한다. DSP(200)의 처리를 받은 오디오 신호는, 앰프 블록(506)에 입력된다. 앰프 블록(506)은, 상술한 오디오 시스템(100)에 대응하여, 프로세서(400) 및 복수의 D급 앰프 모듈(300)을 구비한다. 앰프 블록(506)은, 각 채널의 아날로그 오디오 신호를 증폭하여, 대응하는 스피커(502)를 구동한다. 마이크로컴퓨터(508)는, DSP(200)를 비롯한 블록을 통합적으로 제어한다. 음원(504), 마이크로컴퓨터(508), DSP(200), 앰프 블록(506)은, 배터리(520)로부터의 급전을 받아 동작한다. 음원(504), 마이크로컴퓨터(508), DSP(200), 앰프 블록(506)은, 헤드 유닛(510)에 내장되어도 된다.
본 개시는, 오디오 시스템에 관한 것이다.
100: 오디오 시스템
102: 전기 음향 변환 소자
300: D급 앰프 모듈
L1: 인덕터
C1: 캐패시터
302: 지지 기판
310: 반도체 칩
312: 출력단
MH: 하이사이드 트랜지스터
ML: 로사이드 트랜지스터
314: 하이사이드 드라이버
316: 로사이드 드라이버
320: 정전압원
322: 정류 소자
330: 보호/제어 회로
400: 프로세서

Claims (6)

  1. 각각이 하이사이드 트랜지스터 및 로사이드 트랜지스터를 포함하는 n개(n≥1)의 출력단과, 각각이 상기 n개의 출력단의 대응하는 하나의 상기 하이사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 하이사이드 드라이버와, 각각이 상기 n개의 출력단의 대응하는 하나의 상기 로사이드 트랜지스터를 구동하는 n개의 로사이드 드라이버와, 상기 n개의 출력단의 출력과 접속되는 n개의 스위칭 단자를 포함하는 반도체 칩과,
    각각의 일단이 상기 n개의 출력단의 대응하는 하나의 상기 스위칭 단자와 접속되는 n개의 인덕터
    를 구비하고, 하나의 패키지에 수용되며, 외부의 프로세서로부터의 제어 신호에 따라서 동작하는 것을 특징으로 하는 D급 앰프 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    각각이 상기 n개의 인덕터의 대응하는 하나의 타단과 접지 사이에 마련되는, n개의 캐패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 D급 앰프 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 하이사이드 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이며,
    상기 반도체 칩은,
    정전압을 생성하는 전압원과,
    n개의 부트스트랩 단자와,
    각각의 애노드에 상기 정전압을 받고, 각각의 캐소드가 상기 n개의 부트스트랩 단자의 대응하는 하나와 접속되는 n개의 정류 소자
    를 더 포함하고,
    상기 D급 앰프 모듈은, 각각의 일단이 상기 n개의 부트스트랩 단자의 대응하는 하나와 접속되고, 각각의 타단이 상기 n개의 스위칭 단자의 대응하는 하나와 접속되는, n개의 부트스트랩 캐패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 D급 앰프 모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    n=2이며, 2개의 출력단은 BTL 접속되는 것을 특징으로 하는 D급 앰프 모듈.
  5. 프로세서와,
    m개(m≥1)의 전기 음향 변환 소자와,
    각각이 상기 m개의 전기 음향 변환 소자의 대응하는 하나를 구동하는 m개의 제4항에 기재된 D급 앰프 모듈
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 오디오 시스템.
  6. 제5항에 기재된 오디오 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 자동차.
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