WO2021027074A1 - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021027074A1
WO2021027074A1 PCT/CN2019/113962 CN2019113962W WO2021027074A1 WO 2021027074 A1 WO2021027074 A1 WO 2021027074A1 CN 2019113962 W CN2019113962 W CN 2019113962W WO 2021027074 A1 WO2021027074 A1 WO 2021027074A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
retaining wall
array substrate
opening
pixel
light
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/113962
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
闫莹
Original Assignee
Tcl华星光电技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tcl华星光电技术有限公司 filed Critical Tcl华星光电技术有限公司
Priority to US16/615,475 priority Critical patent/US20210288121A1/en
Publication of WO2021027074A1 publication Critical patent/WO2021027074A1/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

一种阵列基板（10）及其制备方法、显示装置（1），阵列基板（10）包括基板（110）；像素定义层（120），设于所述基板（110）上，所述像素定义层（120）中包括开孔（121）和围绕所述开孔（121）的挡墙（122），其中所述挡墙（122）对应非发光区（102），所述开孔（121）对应发光区（101）；相邻两个开孔（121）之间的所述挡墙（122）远离所述基板（110）的一侧设有的凹槽（1221）。阵列基板（10）及其制备方法、显示装置（1）通过在像素定义层（120）的开孔（121）之间的挡墙（122）上开设凹槽（1221）来有效减少墨水混色带来的显示不良。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示装置 技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
AMOLED(英语：Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)是一种显示屏技术。其中OLED(有机发光二极体)是描述薄膜显示技术的具体类型：有机电激发光显示；AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术。目前AMOLED技术主要用于智能手机，并继续朝低功耗、低成本、大尺寸方向发展。
如图1所示，喷墨打印技术在AMOLED显示器件有机功能层的制备中，应用前景较好。喷墨打印技术是将溶有OLED材料的墨水直接滴涂到预先制作好的像素定义层中，待溶剂挥发后形成所需图案。所述像素定义层包括堤坝、以及由堤坝围拢成的多个阵列排布的凹槽，所述凹槽由用来限制住墨水，通过干燥烘烤后，墨水收缩在该凹槽限制的范围内形成薄膜。
随着显示面板的分辨率提高，像素设计也越来越小，这就对应喷墨打印的精度要求越来越高，打印的精度及墨滴量越来越难控制。而目前打印的精度需要位置，液滴大小及液滴的数量的准确优化，才可打出需要的基板，而这些如果调整不佳，则有可能产生桥接(bridge)的现象发生。相邻的像素的墨水从像素定义层的凹槽中溢出(overflow)而搭接在一起，造成显示不良现象发生。
发明概述
技术问题
问题的解决方案
技术解决方案
为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置用以解决现有技术中由于喷墨打印技术中墨水滴落位置不佳而产生的“桥接”现象。
解决上述问题的技术方案是：本发明提供了一种阵列基板，包括发光区和围绕 所述发光区的非发光区，还包括基板；像素定义层，设于所述基板上，所述像素定义层中包括开孔和围绕所述开孔的挡墙，其中所述挡墙对应非发光区，所述开孔对应发光区；相邻两个开孔之间的所述挡墙远离所述基板的一侧设有的凹槽。
进一步的，所述挡墙远离所述基板的一侧为外凸的弧形、外凸的锥形、外凸棱形中的一种，所述凹槽设于所述挡墙远离所述基板的一侧的中间位置。
进一步的，所述凹槽的开口宽度在20～50微米之间，所述凹槽的开口深度为0.5～1微米。
进一步的，任一所述开孔内均设有像素层，所述像素层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层。
进一步的，所述像素定义层的材料为疏水疏油材料。
本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括发光区和围绕所述发光区的非发光区，包括提供一基板；像素定义层制备步骤：在所述基板上形成像素定义层，在所述像素定义层对应所述发光区开设开孔，所述开孔贯穿所述像素定义层；开槽步骤：相邻所述开孔之间的所述像素定义层形成挡墙，在所述挡墙远离所述基板一侧开设凹槽。
进一步的，所述挡墙远离所述基板一侧形成有外凸圆弧表面。
进一步的，在所述像素定义层制备步骤中，采用狭缝掩膜板制备所述外凸圆弧表面。
进一步的，在所述开槽步骤中，采用半色调掩膜板在所述挡墙上开设所述凹槽。
本发明还提供了一种显示装置，包括所述阵列基板。
发明的有益效果
有益效果
本发明的阵列基板及其制备方法、显示装置通过在像素定义层的开孔之间的挡墙上开设凹槽来有效减少墨水混色带来的显示不良，同时将挡墙设为外凸弧形结构，当墨水在滴落时偏移开孔落至挡墙上时，由于挡墙本身的外凸弧形结构，墨水会在重力作用下滑落至开孔内，避免混色现象。像素定义层本身采用疏 水疏油结构，当墨水滴落的位置稍偏移落至外凸弧形结构边缘处时，由于像素定义层边缘疏水疏油的特性，墨水会流回像素定义层开孔内，阵列基板的制备方法通过半色调掩膜板在挡墙上开设凹槽，通过边缘密集，中间稀疏的狭缝掩膜板制备所述外凸弧形结构表面，方法简单，便于大批量生产。
对附图的简要说明
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是背景技术中的像素定义层示意图。
图2是现有技术中的像素定义层示意图。
图3是实施例1中的阵列基板示意图。
图4是实施例1中的阵列基板局部示意图。
图5是实施例2中的阵列基板示意图。
图6是实施例2中的显示装置示意图。
图中
1显示装置；
10阵列基板；                 110基板；
120像素定义层；              101发光区；
102非发光区；                121开孔；
122挡墙；                    1201像素层；
12011红色像素层；            12012绿色像素层；
12013蓝色像素层；            1221凹槽；
发明实施例
本发明的实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左 」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
实施例1
如图3所示，本实施例中，本发明的阵列基板10包括基板110和像素定义层120。
所述阵列基板10包括发光区101和围绕所述发光区101的非发光区102，所述发光区101用于提供显示画面。
如图4所示，所述像素定义层120设于所述基板110上，其材料采用疏水疏油材料，如含氟类材料。为了承接用于发光的墨水，所述像素定义层120对应所述发光区101处设有若干开孔121，其中，相邻所述开孔121之间的所述像素定义层120为挡墙122，现有技术中一般采用喷墨打印的方式将墨水滴入所述开孔121内，但由于分辨率的提高和像素尺寸的减小，所述开孔121的尺寸也相应减少，这就导致在滴入墨水时，由于墨水滴入位置的精度不准，容易产生“桥接”现象，如图2所示，即相邻开孔121内的墨水溢出所述开孔121，溢出部分蔓延至所述挡墙122上从而出现混色现象，本实施例中，所述墨水包括红色墨水、绿色墨水和蓝色墨水，所述墨水滴入所述开孔121内形成像素层1201，其中所述红色墨水对应红色像素层12011，绿色墨水对应绿色像素层12012，蓝色墨水对应蓝色像素层12013，由于红色墨水在滴入过程中偏移至开孔121边缘处并溢出至所述挡墙上，所述绿色墨水在滴入过程中偏移至开孔121边缘处并溢出至与所述红色墨水相邻的所述挡墙上，两种墨水“桥接”形成了新的颜色，造成了混色现象，为了解决这一现象，本实施例中，所述挡墙122设为带有外凸表面的结构，如图3所示，本实施例中，所述挡墙122远离所述基板110一侧为外凸的弧形结构，有利于墨水在滴落时偏移所述开孔121落至所述挡墙122上时，由于所述挡墙122本身的外凸结构，同时像素定义层边缘疏水疏油的特性，墨水会在重力作用下滑落至所述开孔121内，避免混色现象。
实施例2
本实施例中，本发明的阵列基板10包括基板110和像素定义层120。
所述阵列基板10包括发光区101和围绕所述发光区101的非发光区102，所述发 光区101用于提供显示画面。
所述像素定义层120设于所述基板110上，其材料采用疏水疏油材料，如含氟类材料。如图4所示，为了承接用于发光的墨水，所述像素定义层120对应所述发光区101处设有若干开孔121，其中，相邻所述开孔121之间的所述像素定义层120为挡墙122，现有技术中一般采用喷墨打印的方式将墨水滴入所述开孔121内，但由于分辨率的提高和像素尺寸的减小，所述开孔121的尺寸也相应减少，这就导致在滴入墨水时，由于墨水滴入位置的精度不准，容易产生“桥接”现象，即相邻开孔121内的墨水溢出所述开孔121，溢出部分蔓延至所述挡墙122上从而出现混色现象，本实施例中，所述墨水包括红色墨水、绿色墨水和蓝色墨水，所述墨水滴入所述开孔121内形成像素层1201，其中所述红色墨水对应红色像素层12011，绿色墨水对应绿色像素层12012，蓝色墨水对应蓝色像素层12013，由于红色墨水在滴入过程中偏移至开孔121边缘处并溢出至所述挡墙上，所述绿色墨水在滴入过程中偏移至开孔121边缘处并溢出至与所述红色墨水相邻的所述挡墙上，两种墨水“桥接”形成了新的颜色，造成了混色现象。
为了解决这一现象，如图5所示，所述挡墙122设为带有外凸表面的结构，本实施例中，所述挡墙122远离所述基板110一侧为外凸的弧形结构，有利于墨水在滴落时偏移所述开孔121落至所述挡墙122上时，由于所述挡墙122本身的外凸结构，墨水会在重力作用下滑落至所述开孔121内，避免混色现象，同时在所述挡墙122上开设凹槽1221，所述凹槽1221围绕所述开孔121，其长度与所述开孔121长度相同，在40～120微米之间，其开口宽度为20～50微米，深度为0.5～1微米。若墨水滴落的位置偏移较多则落至挡墙中间的凹槽1221，从而不会引起桥联现象，同时凹槽1221内无发光源，落入所述凹槽1221内的墨水不发光，避免混色现象。
为了更好的解释本发明，本实施例中的阵列基板的制备方法步骤包括
提供一基板；
像素定义层制备步骤：在所述基板上形成像素定义层，在所述像素定义层对应所述发光区开设开孔，所述开孔贯穿所述像素定义层。
开槽步骤：相邻所述开孔之间的所述像素定义层形成挡墙，所述挡墙远离所述 基板一侧形成有外凸圆弧表面，采用半色调掩膜板在所述挡墙上开设凹槽。
本实施例中，如图6所示，本发明的显示装置1包括所述阵列基板10，其中，所述显示装置1的所有技术特征和技术效果均集中体现在所述阵列基板10上，对于显示装置1的其它部件，就不再一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

  1. 一种阵列基板，包括发光区和围绕所述发光区的非发光区，其中，还包括
    基板；
    像素定义层，设于所述基板上，所述像素定义层中包括开孔和围绕所述开孔的挡墙，其中所述挡墙对应非发光区，所述开孔对应发光区；
    相邻两个开孔之间的所述挡墙远离所述基板的一侧设有的凹槽。
  2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述挡墙远离所述基板的一侧为外凸的弧形、外凸的锥形、外凸棱形中的一种，所述凹槽设于所述挡墙远离所述基板的一侧的中间位置。
  3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
    所述凹槽的开口宽度在20～50微米之间，所述凹槽的开口深度为0.5～1微米。
  4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
    任一所述开孔内均设有像素层，所述像素层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层。
  5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
    所述像素定义层的材料为疏水疏油材料。
  6. 一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括发光区和围绕所述发光区的非发光区，其中，包括
    提供一基板；
    像素定义层制备步骤：在所述基板上形成像素定义层，在所述像素定义层对应所述发光区开设开孔，所述开孔贯穿所述像素定义层；
    开槽步骤：相邻所述开孔之间的所述像素定义层形成挡墙，在所述挡墙远离所述基板一侧开设凹槽。
  7. 根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其中，
    所述挡墙远离所述基板一侧形成有外凸圆弧表面。
  8. 根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其中，
    在所述像素定义层制备步骤中，采用狭缝掩膜板制备所述外凸圆弧表面。
  9. 根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其中，
    在所述开槽步骤中，采用半色调掩膜板在所述挡墙上开设所述凹槽。
  10. 一种显示装置，其中，包括权利要求1所述的阵列基板。
PCT/CN2019/113962 2019-08-13 2019-10-29 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 WO2021027074A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/615,475 US20210288121A1 (en) 2019-08-13 2019-10-29 Array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910743566.6 2019-08-13
CN201910743566.6A CN110571246A (zh) 2019-08-13 2019-08-13 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021027074A1 true WO2021027074A1 (zh) 2021-02-18

Family

ID=68775175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/113962 WO2021027074A1 (zh) 2019-08-13 2019-10-29 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210288121A1 (zh)
CN (1) CN110571246A (zh)
WO (1) WO2021027074A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110993646B (zh) * 2019-11-08 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制备方法及oled背板
CN114628470A (zh) * 2022-02-17 2022-06-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111166A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Hitachi Ltd 有機ｅｌ素子用バンク付き基板
CN104882468A (zh) * 2015-06-09 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN105140236A (zh) * 2015-07-31 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 基板组件及其制备方法以及显示装置
CN107623082A (zh) * 2017-08-16 2018-01-23 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109713007A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111166A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Hitachi Ltd 有機ｅｌ素子用バンク付き基板
CN104882468A (zh) * 2015-06-09 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN105140236A (zh) * 2015-07-31 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 基板组件及其制备方法以及显示装置
CN107623082A (zh) * 2017-08-16 2018-01-23 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN109713007A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110571246A (zh) 2019-12-13
US20210288121A1 (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10784322B2 (en) Array substrate, manufacturing method, and display device
CN107393939B (zh) 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
WO2016145965A1 (zh) 像素界定层及其制作方法以及相应的发光显示器
CN107452782B (zh) 一种基板及其制备方法、显示面板
US10546904B2 (en) Pixel defining layer having pixel defining sub-layers
WO2016019643A1 (zh) 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
EP3240029A1 (en) Display substrate, manufacturing method and display device thereof
CN109346505B (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN105448957A (zh) 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN105206643A (zh) 一种像素界定层结构及其制作方法、显示面板及显示装置
US20170278914A1 (en) Pixel definition layer and oled device
KR20070001303A (ko) 디스플레이장치 및 그 제조방법
WO2019062580A1 (zh) 显示基板及其制备方法、喷墨打印方法、显示装置
US20220392967A1 (en) Display substrate, fabrication method therefor, and display apparatus
US20210305330A1 (en) Display substrates, display devices and methods of forming display substrates and devices
EP3719843A1 (en) Pixel defining layer, display substrate, display device and inkjet printing method
WO2020001061A1 (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
US11394010B2 (en) Display substrate, method for manufacturing the same and display device
WO2019184387A1 (zh) 有机发光显示面板及其制作方法、显示装置
WO2021174983A1 (zh) 显示面板、其制作方法及显示装置
WO2020224010A1 (zh) Oled 显示面板及其制备方法
CN205542786U (zh) 一种像素界定结构、显示面板及显示装置
WO2021027074A1 (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2020237829A1 (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN103219336A (zh) 一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19941239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19941239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1