WO2020250660A1

WO2020250660A1 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2020250660A1
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Inventors: 和則富士
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Abstract

半導体装置（１）は、絶縁層（３０）と、複数の配線（４０）と、半導体素子（１０）と、封止樹脂（２０）とを備える。絶縁層（３０）は、厚さ方向（Ｚ）において互いに反対側を向く主面（３１）及び裏面（３２）、並びに主面（３１）と裏面（３２）との厚さ方向（Ｚ）の間に形成された側面（３３）を有する。複数の配線（４０）は、絶縁層（３０）に埋め込まれた埋込部（４１）、及び裏面（３２）から側面（３３）までにわたり形成され、埋込部（４１）に繋がる金属膜からなる再配線部（４２）を有する。半導体素子（１０）は、複数の配線（４０）の埋込部（４１）の少なくとも一部に繋がる複数の電極（１４）を有し、主面（３１）に搭載される。封止樹脂（２０）は、主面（３１）に接し、かつ半導体素子（１０）を覆う。

Description

半導体装置及び半導体装置の製造方法

　本開示は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

　近年の電子機器の小型化に伴い、電子機器に用いられる半導体装置の小型化が進められている。そこで、複数の電極を有する半導体素子と、半導体素子のうちの複数の電極が形成される裏面を覆う絶縁層と、絶縁層に形成されるとともに複数の電極と電気的に接続され、半導体素子よりも外方に位置する複数の配線とを備える、いわゆるＦａｎ－Ｏｕｔ型の半導体装置が提案されている。これにより、半導体装置の小型化を図りつつ、半導体装置が実装される配線基板の配線パターンの形状に柔軟に対応できる。

特開２０１６－８９０８１号公報

　ところで、例えば特許文献１の半導体装置では、複数の配線に接続される端子が絶縁層の裏面から露出する構成であるため、半田によって半導体装置が配線基板に実装される場合、半導体装置の外部から半田が視認し難い。このため、半田による半導体装置と配線基板との接合状態から半導体装置の配線基板への実装状態を視認する観点において改善の余地がある。

　本開示の目的は、半導体装置の配線基板への実装状態を容易に確認できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

　上記課題を解決する半導体装置は、絶縁層と、複数の配線と、半導体素子と、封止樹脂と、を含む。前記絶縁層は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面及び裏面、並びに前記主面と前記裏面との前記厚さ方向の間に形成された側面を有する。前記複数の配線は、前記絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた埋込部、及び前記裏面から前記側面までにわたり形成され、前記埋込部に繋がる金属膜からなる再配線部を有する。前記半導体素子は、前記複数の配線の前記埋込部の少なくとも一部に繋がる複数の電極を有し、前記主面に搭載される。前記封止樹脂は、前記主面に接し、かつ前記半導体素子を覆う。

　この構成によれば、半導体装置が配線基板に半田によって実装される場合に、絶縁層の側面に形成された再配線部に半田が付着することによって半田フィレットが形成される。半導体装置の外部に露出する半田フィレットによって、半導体装置を配線基板に接合する半田が視認できる。したがって、半導体装置の実装状態を容易に視認できる。

　上記課題を解決する半導体装置は、第１絶縁層と、第２絶縁層と、第１埋込部と、第１再配線部と、第２埋込部と、第２再配線部と、半導体素子と、封止樹脂と、を含む。前記第１絶縁層は、厚さ方向において互いに反対側を向く第１主面及び第１裏面、並びに前記第１主面と前記第１裏面との前記厚さ方向の間に形成された第１側面を有する。前記第２絶縁層は、前記厚さ方向において前記第１絶縁層に積層され、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２主面及び第２裏面、並びに前記第２主面と前記第２裏面との前記厚さ方向の間に形成された第２側面を有する。前記第１埋込部の少なくとも一部は、前記第１絶縁層に埋め込まれている。前記第１再配線部は、前記第１絶縁層の少なくとも前記第１裏面に形成され、かつ前記第１埋込部に繋がる金属膜からなる。前記第２埋込部の少なくとも一部は、前記第２絶縁層に埋め込まれ、前記第２埋込部は、前記第１再配線部に繋がる。前記第２再配線部は、前記第２裏面から前記第２側面までにわたり形成され、かつ前記第２埋込部に繋がる金属膜からなる。前記半導体素子は、前記第１埋込部の少なくとも一部に繋がる電極を有し、前記第１主面に搭載される。前記封止樹脂は、前記第１主面に接し、かつ前記半導体素子を覆う。

　この構成によれば、半導体装置が配線基板に半田によって実装される場合に、第２絶縁層の第２側面に形成された第２再配線部に半田が付着することによって半田フィレットが形成される。半導体装置の外部に露出する半田フィレットによって、半導体装置を配線基板に接合する半田が視認できる。したがって、半導体装置の実装状態を容易に視認できる。

　上記課題を解決する半導体装置の製造方法は、半導体素子を、樹脂裏面側から前記半導体素子の厚さ方向の一方に設けられた電極が露出するように封止樹脂に埋め込む素子埋込工程と、前記封止樹脂の前記樹脂裏面及び前記電極を覆う主面及び前記主面と反対側を向く裏面とを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に前記裏面と交差する側面を形成する側面形成工程と、前記絶縁層に埋め込まれ、かつ前記電極に繋がる埋込部、及び前記裏面から前記側面までにわたる再配線部を形成する配線形成工程と、を備えた。

　上記半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の配線基板への実装状態を容易に確認できる。

一実施形態の半導体装置の斜視図。図１の半導体装置の裏面側からみた斜視図。図１の半導体装置の裏面図。図３の４－４線に沿った模式的な断面図。図４の複数の配線の一部及びその周辺を拡大した拡大図。図３の６－６線に沿った模式的な断面図。半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャート。半導体装置の製造方法における素子埋込工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法における絶縁層形成工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法における側面形成工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法における配線形成工程の一例を示す説明図。図８Ｄの複数の溝の一部及びその周辺を拡大した拡大図。半導体装置の製造方法における配線形成工程の一例を示す説明図。図８Ｆの複数の配線の一部及びその周辺を拡大した拡大図。半導体装置の製造方法における切断工程の一例を示す説明図。半導体装置の製造方法における切断工程の一例を示す説明図。一実施形態の半導体装置を配線基板に実装した状態の模式的な断面図。変更例の半導体装置の模式的な断面図。図１０の複数の配線の一部及びその周辺を拡大した拡大図。図１０の変更例の半導体装置の製造方法における素子埋込工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の製造方法における絶縁層形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の製造方法における側面形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の製造方法における配線形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の製造方法における切断工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の別の製造方法における素子埋込工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の別の製造方法における絶縁層形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の別の製造方法における側面形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の別の製造方法における配線形成工程の一例を示す説明図。図１０の変更例の半導体装置の別の製造方法における切断工程の一例を示す説明図。変更例の半導体装置の模式的な断面図。変更例の半導体装置の模式的な断面図。変更例の半導体装置の模式的な断面図。図１６の複数の配線の一部及びその周辺を拡大した拡大図。

　以下、半導体装置及び半導体装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

　［実施形態］
　（半導体装置の構成）
　図１～図６を参照して、一実施形態の半導体装置の構成について説明する。

　図１及び図２に示すように、半導体装置１は、半導体素子１０、半導体素子１０の一部を封止する封止樹脂２０、封止樹脂２０に積層された絶縁層３０、及び絶縁層３０に形成された複数の配線４０を備える。半導体装置１は、配線基板に表面実装されるＦａｎ－Ｏｕｔ型のパッケージである。

　なお、以降の説明において、封止樹脂２０及び絶縁層３０の積層方向を「厚さ方向Ｚ」とし、厚さ方向Ｚと直交する所定方向を「横方向Ｘ」とし、厚さ方向Ｚ及び横方向Ｘと直交する方向を「縦方向Ｙ」と定義する。また厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂２０から絶縁層３０に向けてみることを「平面視」とする。

　半導体素子１０は、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）などの集積回路（ＩＣ）である。また半導体素子１０は、ＬＤＯ（Low Drop Out）などの電圧制御回路や、オペアンプなどの増幅素子、ダイオードなどのディスクリート半導体であってもよい。平面視における半導体素子１０の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における半導体素子１０の形状は正方形である。半導体素子１０は、フリップチップ型の素子である。

　半導体素子１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面１１、素子裏面１２、及び素子主面１１と素子裏面１２との厚さ方向Ｚの間に形成された素子側面１３を有する。素子側面１３は、素子主面１１及び素子裏面１２と交差している。図３に示すように、素子裏面１２には、複数（本実施形態では１６個）の電極１４が形成されている。複数の電極１４は、半導体素子１０に構成された回路に導通している。複数の電極１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を含む。図３に示すとおり、本実施形態では、平面視において、各素子側面１３に沿って４個の電極１４が互いに離間して配列されている。なお、電極１４の個数は任意変更可能である。

　図１～図４に示すように、封止樹脂２０は、半導体素子１０の一部を覆っている。具体的には、封止樹脂２０は、半導体素子１０の素子主面１１及び素子側面１３を覆っている。一方、半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４は、封止樹脂２０から露出している。封止樹脂２０は、例えば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂２０は、樹脂主面２１、樹脂裏面２２、及び複数（本実施形態では４面）の樹脂側面２３を有する。樹脂主面２１は、半導体素子１０の素子主面１１と同じ方向を向く。樹脂裏面２２は、半導体素子１０の素子裏面１２と同じ方向を向く。樹脂側面２３は、樹脂主面２１及び樹脂裏面２２と交差している。樹脂側面２３は、半導体素子１０の素子側面１３と同じ方向を向く。

　図４に示すように、封止樹脂２０は、厚さ方向Ｚにおいて絶縁層３０寄りの部分である第１樹脂部分２０Ａと、厚さ方向Ｚにおいて絶縁層３０とは反対側の部分である第２樹脂部分２０Ｂとを有する。第１樹脂部分２０Ａは、樹脂側面２３の一部を構成する第１樹脂側面２３ａを有する。第２樹脂部分２０Ｂは、厚さ方向Ｚと直交する方向において、第１樹脂部分２０Ａよりも大きく形成されている。第２樹脂部分２０Ｂは、樹脂側面２３の一部を構成する第２樹脂側面２３ｂを有する。第１樹脂側面２３ａは、第２樹脂側面２３ｂよりも内方に位置している。このように、封止樹脂２０には、第１樹脂部分２０Ａと第２樹脂部分２０Ｂとの大きさの差によって封止樹脂２０の内側に窪む段差２４が設けられている。段差２４は、封止樹脂２０の周方向の全体にわたり設けられている。

　本実施形態では、第１樹脂部分２０Ａの厚さＴＲ１は、第２樹脂部分２０Ｂの厚さＴＲ２よりも薄い。また厚さＴＲ１は、半導体素子１０の厚さＴＳよりも薄い。第１樹脂部分２０Ａの裏面は、樹脂裏面２２を構成している。第２樹脂部分２０Ｂの主面は、樹脂主面２１を構成している。図４に示すとおり、本実施形態では、樹脂裏面２２は、半導体素子１０の素子裏面１２と面一となる。半導体素子１０の複数の電極１４は、樹脂裏面２２よりも絶縁層３０に向かって突出している。

　図２～図４に示すように、絶縁層３０は、平板状に形成されており、封止樹脂２０の樹脂裏面２２に接している。絶縁層３０は、半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆っている。このように、半導体素子１０は、封止樹脂２０及び絶縁層３０によって封止される。絶縁層３０は、熱硬化性の合成樹脂、及び複数の配線４０の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。絶縁層３０に含まれる合成樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。絶縁層３０の横方向Ｘ及び縦方向Ｙのそれぞれの大きさは、第１樹脂部分２０Ａの横方向Ｘ及び縦方向Ｙのそれぞれの大きさと概ね等しい。絶縁層３０の厚さＴＬは、封止樹脂２０の厚さＴＲよりも薄い。また厚さＴＬは、半導体素子１０の厚さＴＳよりも薄い。また厚さＴＬは、第２樹脂部分２０Ｂの厚さＴＲ２よりも薄い。また厚さＴＬは、第１樹脂部分２０Ａの厚さＴＲ１よりも薄い。なお、第１樹脂部分２０Ａの厚さＴＲ１及び第２樹脂部分２０Ｂの厚さＴＲ２はそれぞれ、任意に変更可能である。例えば厚さＴＲ２が厚さＴＲ１以上であってもよい。半導体素子１０の厚さＴＳと厚さＴＲ１，ＴＲ２との関係は任意に変更可能である。例えば厚さＴＳは、厚さＴＲ１以下であってもよいし、厚さＴＲ２以上であってもよい。

　絶縁層３０は、主面３１、裏面３２、及び複数の側面３３を有する。主面３１及び裏面３２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。主面３１は、半導体素子１０の素子裏面１２と接触している。裏面３２は、半導体装置１が配線基板に実装される場合に配線基板に対向する。複数の側面３３はそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて主面３１と裏面３２との間に形成されている。複数の側面３３はそれぞれ、主面３１と裏面３２との双方に繋がっている。本実施形態では、複数の側面３３は、横方向Ｘ及び縦方向Ｙのいずれかに向いている。各側面３３は、主面３１及び裏面３２と交差している。また側面３３は、封止樹脂２０の樹脂側面２３（第１樹脂側面２３ａ及び第２樹脂側面２３ｂ）と同じ側を向いている。

　図５に示すように、絶縁層３０は、複数（本実施形態では１６個）の溝３４を有する。本実施形態では、複数の溝３４は、互いに同一の形状である。厚さ方向Ｚからみて、複数の溝３４は、半導体素子１０の複数の電極１４と重なる部分を有する。

　複数の溝３４は、裏面３２から厚さ方向Ｚにおいて主面３１に向けて凹んでいる裏面側溝３４Ｘと、側面３３から横方向Ｘ又は縦方向Ｙに対向する側面３３に向けて凹んでいる側面側溝３４Ｚとを有する。複数の溝３４のそれぞれの側面は、溝３４の底面から溝３４の開口端までにわたり溝３４の幅が徐々に拡開するように傾斜している。

　図６は、裏面側溝３４Ｘをその幅方向及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面図である。図６に示すように、複数の裏面側溝３４Ｘのそれぞれの側面３４ａは、裏面側溝３４Ｘの底面３４ｂから絶縁層３０の裏面３２までにわたり裏面側溝３４Ｘの幅が徐々に拡開するように傾斜している。裏面側溝３４Ｘの底面３４ｂの横方向Ｘ（裏面側溝３４Ｘの幅方向）の寸法Ｃ１は、横方向Ｘ（裏面側溝３４Ｘの幅方向）において互いに離間した側面３４ａと裏面３２との境界の間の寸法Ｃ２よりも小さくなる。なお、図示していないが、側面側溝３４Ｚについても裏面側溝３４Ｘと同様に、複数の側面側溝３４Ｚのそれぞれの側面は、側面側溝３４Ｚの底面から絶縁層３０の側面３３までにわたり側面側溝３４Ｚの幅が徐々に拡開するように傾斜している。

　図３及び図５に示すとおり、厚さ方向Ｚからみて、裏面側溝３４Ｘは、半導体素子１０の電極１４と重なるように設けられている。裏面側溝３４Ｘは、裏面３２における半導体素子１０の電極１４よりも内方部分から裏面３２の横方向Ｘ又は縦方向Ｙの端縁までにわたり形成されている。図３に示すとおり、本実施形態では、平面視において、各側面３３に沿って４個の裏面側溝３４Ｘが互いに離間して配列するように設けられている。

　図５に示すように、側面側溝３４Ｚは、厚さ方向Ｚにおいて側面３３の全体にわたり形成されている。側面側溝３４Ｚは、裏面側溝３４Ｘと繋がっている。すなわち、図３に示すとおり、平面視において、各側面３３に沿って４個の側面側溝３４Ｚが互いに離間して配列するように設けられている。絶縁層３０の側面３３のうちの側面側溝３４Ｚが形成されている部分は、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａよりも内方に位置している。また絶縁層３０の側面３３のうちの側面側溝３４Ｚが形成されていない部分は、第１樹脂側面２３ａと面一となる。

　複数の溝３４のうちの厚さ方向Ｚにおいて半導体素子１０の電極１４と重なっている部分には、電極１４に連通する孔３４ｃが形成されている。孔３４ｃを構成する内側面は、絶縁層３０の主面３１から裏面側溝３４Ｘまでにわたり孔３４ｃの内径が徐々に拡径するように傾斜している。孔３４ｃのうちの電極１４に最も近い部分の厚さ方向Ｚに直交する方向の寸法Ｂ１は、孔３４ｃのうちの裏面３２に最も近い部分の厚さ方向Ｚに直交する方向の寸法Ｂ２よりも小さくなる。

　図３に示すように、複数の配線４０は、半導体素子１０の複数の電極１４と電気的に接続されている。複数の配線４０は、半導体素子１０に電力を供給するため、かつ半導体素子１０に信号を入出力するための導電経路を構成している。

　図４～図６に示すように、複数の配線４０は、絶縁層３０に配置されている。本実施形態では、複数の配線４０は、絶縁層３０上に形成されている。複数の配線４０は、複数の溝３４に設けられている。図４及び図５に示すように、複数の配線４０はそれぞれ、埋込部４１及び再配線部４２を有する。

　埋込部４１の少なくとも一部は、絶縁層３０に埋め込まれている。本実施形態では、埋込部４１の全ては、絶縁層３０に埋め込まれている。図５に示すように、本実施形態では、埋込部４１は、孔３４ｃに埋め込まれている。埋込部４１の側面は、孔３４ｃを構成する内側面の形状に沿った形状となるように形成されている。すなわち埋込部４１の側面は、絶縁層３０の主面３１から裏面側溝３４Ｘに向けて埋込部４１の直径が拡径するように傾斜している。埋込部４１の側面の形状は、孔３４ｃを構成する内側面の形状と同一である。埋込部４１は、半導体素子１０の電極１４と繋がっている。

　再配線部４２は、埋込部４１と繋がっている。再配線部４２は、裏面側溝３４Ｘ及び側面側溝３４Ｚのそれぞれに設けられている。図３に示すように、再配線部４２は、半導体素子１０よりも外方に位置する部分を含む。再配線部４２は、裏面側溝３４Ｘに設けられた裏面側再配線部４２Ｘと、側面側溝３４Ｚに設けられた側面側再配線部４２Ｚとを有する。図３に示すとおり、絶縁層３０の各側面３３に沿って４個の裏面側再配線部４２Ｘが互いに離間して配列されている。また各側面３３に沿って４個の側面側再配線部４２Ｚが互いに離間して配列されている。裏面側再配線部４２Ｘは、側面側再配線部４２Ｚと繋がっている。本実施形態では、裏面側再配線部４２Ｘと側面側再配線部４２Ｚとが一体に形成されている。側面側再配線部４２Ｚは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁層３０の側面３３の全体にわたり形成されている。

　埋込部４１及び再配線部４２はそれぞれ、下地層４３及びめっき層４４を有する。下地層４３は、絶縁層３０に含まれる添加剤に含有された金属元素によって組成される。めっき層４４は、例えば銅（Ｃｕ）を含む材料からなる。埋込部４１の下地層４３は、孔３４ｃを構成する内側面に接している。埋込部４１のめっき層４４は、埋込部４１の下地層４３に厚さ方向Ｚまわりに囲まれている。再配線部４２の下地層４３は、裏面側溝３４Ｘに接している。再配線部４２のめっき層４４は、再配線部４２の下地層４３を覆っている。本実施形態では、裏面側再配線部４２Ｘのめっき層４４は、裏面側溝３４Ｘから厚さ方向Ｚに突出している。側面側再配線部４２Ｚのめっき層４４は、側面側溝３４Ｚから側面３３に垂直な方向に突出している。側面側再配線部４２Ｚのめっき層４４は、側面３３に垂直な方向において、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａよりも突出している。このように、再配線部４２は、下地層４３及びめっき層４４を含む金属膜からなる。

　図６は、縦方向Ｙに延びる再配線部４２を厚さ方向Ｚ及び横方向Ｘに沿う平面で切った断面図を示している。この場合、再配線部４２の幅方向は、横方向Ｘと一致する。
　図６に示すように、再配線部４２のめっき層４４は、再配線部４２の厚さ方向に向けて凹む凹部４５を有する。凹部４５は、後述する半導体装置１の製造方法における配線形成工程において、複数の溝３４を覆う下地層４３に対してめっき層４４を形成したことによる痕跡である。このため、凹部４５は、複数の配線４０の再配線部４２の延びる方向に沿って延びる構成となる。詳細には、裏面側再配線部４２Ｘに形成された凹部４５は、裏面側再配線部４２Ｘのめっき層４４の厚さ方向Ｚに向けて凹んでいる。図６では、裏面側再配線部４２Ｘが縦方向Ｙに延びているため、裏面側再配線部４２Ｘのめっき層４４に形成された凹部４５は縦方向Ｙに沿って延びている。また、図示していないが、横方向Ｘに延びる再配線部４２について、この再配線部４２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面視において、めっき層４４に形成された凹部４５は、再配線部４２の横方向Ｘに沿って延びている。また、図示していないが、側面側再配線部４２Ｚが横方向Ｘに延びている裏面側再配線部４２Ｘと連続している場合、側面側再配線部４２Ｚに形成された凹部４５は、側面側再配線部４２Ｚのめっき層４４の横方向Ｘに向けて凹んでいる。側面側再配線部４２Ｚが縦方向Ｙに延びている裏面側再配線部４２Ｘと連続している場合、側面側再配線部４２Ｚに形成された凹部４５は、側面側再配線部４２Ｚのめっき層４４の縦方向Ｙに向けて凹んでいる。側面側再配線部４２Ｚが厚さ方向Ｚに延びているため、側面側再配線部４２Ｚの凹部４５は厚さ方向Ｚに沿って延びている。

　（半導体装置の製造方法）
　図７及び図８Ａ～図８Ｉを参照して、半導体装置１の製造方法について説明する。
　図７に示すように、半導体装置１の製造方法は、素子埋込工程（ステップＳ１）、絶縁層形成工程（ステップＳ２）、側面形成工程（ステップＳ３）、配線形成工程（ステップＳ４）、及び切断工程（ステップＳ５）を備える。本実施形態では、素子埋込工程（ステップＳ１）、絶縁層形成工程（ステップＳ２）、側面形成工程（ステップＳ３）、配線形成工程（ステップＳ４）、及び切断工程（ステップＳ５）の順に実施することによって、半導体装置１が製造される。

　図８Ａに示すように、素子埋込工程では、複数の半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込む。この工程では、金型内に封止樹脂１００の材料と、複数の半導体素子１０とを配置した後、コンプレッション成形を行う。封止樹脂１００の材料として、黒色のエポキシ樹脂を含む材料が用いられる。この工程では、各半導体素子１０の素子主面１１寄りの部分が封止樹脂１００に埋め込まれ、素子裏面１２及び素子裏面１２に形成された複数の電極１４が封止樹脂１００から露出するように、各半導体素子１０が封止樹脂１００に埋め込まれる。図８Ａに示すとおり、各半導体素子１０の素子主面１１及び素子側面１３が封止樹脂１００に覆われる。封止樹脂１００は、素子裏面１２と面一となる樹脂裏面１００ｂｓを有する。複数の電極１４は、樹脂裏面１００ｂｓから厚さ方向Ｚに突出している。

　次に、図８Ｂに示すように、絶縁層形成工程では、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓに積層され、かつ複数の半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆う絶縁層１１０を形成する。絶縁層１１０の材料は、熱硬化性の合成樹脂、及び後述する複数の配線１２０の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。絶縁層１１０の合成樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。絶縁層１１０は、コンプレッション成形によって形成される。絶縁層１１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１１及び裏面１１２を有する。主面１１１は、絶縁層１１０における封止樹脂１００側の面である。裏面１１２は、絶縁層１１０における封止樹脂１００側とは厚さ方向Ｚに反対側の面である。

　次に、図８Ｃに示すように、側面形成工程では、絶縁層１１０及び封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の部分に分離溝１３０を形成する。具体的には、絶縁層１１０のうちの隣り合う半導体素子１０の間の部分を厚さ方向Ｚに切断し、かつ封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の部分の厚さ方向Ｚの一部を切削することによって分離溝１３０が形成される。分離溝１３０は、ダイシングによって形成される。分離溝１３０の底面１３１が半導体素子１０の素子主面１１よりも素子裏面１２の近くに位置するように分離溝１３０が形成される。封止樹脂１００には、分離溝１３０によって、封止樹脂１００の厚さ方向Ｚにおける絶縁層１１０寄りの部分である第１樹脂部分１００Ａが形成される。また、封止樹脂１００には、分離溝１３０によって、第１樹脂部分１００Ａの第１樹脂側面１００ｘａが形成される。また、絶縁層１１０には、分離溝１３０によって、側面１１３が形成される。側面１１３は、主面１１１と裏面１１２との厚さ方向Ｚの間に形成されている。

　次に、図８Ｄ～図８Ｇに示すように、配線形成工程では、半導体素子１０の複数の電極１４に繋がる複数の配線１２０（図８Ｆ及び図８Ｇ参照）を形成する。複数の配線１２０は、半導体装置１の複数の配線４０に相当する。図８Ｆに示すように、複数の配線１２０はそれぞれ、埋込部１２１及び再配線部１２２を有する。埋込部１２１は、絶縁層１１０に埋め込まれ、半導体素子１０の電極１４に繋がる。埋込部１２１及び再配線部１２２はそれぞれ、下地層１２０Ａ及びめっき層１２０Ｂを有する。図７に示すとおり、配線形成工程は、下地層形成工程（ステップＳ４１）及びめっき層形成工程（ステップＳ４２）を含む。下地層形成工程及びめっき層形成工程の順に実施することによって、複数の配線１２０が形成される。

　下地層形成工程では、図８Ｅに示すように、絶縁層１１０の裏面１１２及び側面１１３を加工することによって下地層１２０Ａを析出させる。絶縁層１１０の側面１１３は、絶縁層１１０のうちの分離溝１３０を構成する内側面である。この工程では、図８Ｄに示すように、複数の孔１１４及び複数の溝１１５をレーザによって絶縁層１１０に形成する。複数の孔１１４は、絶縁層１１０を厚さ方向Ｚに貫通している。複数の孔１１４から、半導体素子１０の複数の電極１４が個別に露出している。複数の孔１１４は、複数の電極１４の位置を赤外線カメラなどによって画像認識しつつ、複数の電極１４が露出するまで絶縁層１１０にレーザを照射させることによって形成される。レーザが照射される位置は、画像認識によって得られた複数の電極１４の位置情報に基づいて、逐一補正される。図８Ｅに示すように、各溝１１５は、絶縁層１１０の裏面１１２から厚さ方向Ｚに向けて凹み、かつ複数の孔１１４に繋がっている裏面側溝１１５Ｘと、絶縁層１１０の側面１１３から側面１１３に対して垂直な方向（図８Ｅでは横方向Ｘ）に向けて凹む側面側溝１１５Ｚとを有する。側面側溝１１５Ｚは、裏面側溝１１５Ｘに繋がっている。複数の溝１１５は、絶縁層１１０の裏面１１２にレーザを照射することによって形成される。なお、レーザは、例えば波長が３５５ｎｍ、かつビームの直径が１７μｍの紫外線レーザである。複数の孔１１４及び複数の溝１１５を絶縁層１１０に形成することによって、複数の孔１１４を構成する内側面、及び複数の溝１１５を覆う下地層１２０Ａが析出される。下地層１２０Ａは、絶縁層１１０に含まれる添加剤に含有された金属元素により組成される。レーザ照射によって添加剤に含有された金属元素が励起される。これにより、添加剤に含有された金属元素を含む金属層が下地層１２０Ａとして析出される。

　めっき層形成工程では、図８Ｇに示すように、下地層１２０Ａを覆うめっき層１２０Ｂを形成する。めっき層１２０Ｂは、銅を含む材料からなる。めっき層１２０Ｂは、無電解めっきにより形成される。これにより、複数の孔１１４のそれぞれには、埋込部１２１が形成される。あわせて、複数の溝１１５のそれぞれには、再配線部１２２が形成される。より詳細には、複数の裏面側溝１１５Ｘのそれぞれには、裏面側再配線部１２２Ｘが形成され、複数の側面側溝１１５Ｚのそれぞれには、側面側再配線部１２２Ｚが形成される。以上により、図８Ｆに示すように、複数の配線１２０が形成される。

　最後に、図８Ｈに示すように、切断工程では、絶縁層１１０及び封止樹脂１００を例えば切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードなどで切断することによって、複数の個片に分割する。図８Ｉに示すように、複数の個片は、マトリックス状に配置されている。図８Ｈに示すように、切断線ＣＬは、分離溝１３０内かつ分離溝１３０を構成する内側面よりも外方に位置している。ダイシングブレードによって封止樹脂１００が切断されることによって、封止樹脂１００には、第１樹脂部分１００Ａが窪む段差１０１と、厚さ方向Ｚにおいて段差１０１に対して第１樹脂部分１００Ａとは反対側の部分である第２樹脂部分１００Ｂとが形成される。また封止樹脂１００が切断されることによって、第２樹脂部分１００Ｂの第２樹脂側面１００ｘｂが形成される。

　分割された複数の個片はそれぞれ、１つの半導体素子１０と、半導体素子１０に繋がる複数の配線１２０とを含む。切断工程によって個片となった封止樹脂１００及び絶縁層１１０が半導体装置１の封止樹脂２０及び絶縁層３０に相当する。以上の工程を経ることによって、半導体装置１が製造される。

　（作用）
　本実施形態の作用について比較例の半導体装置との比較に基づいて説明する。
　比較例の半導体装置は、リードフレームと、リードフレームに実装された半導体素子と、半導体素子及びリードフレームを封止する封止樹脂とを備える。リードフレームの表面には、半田の濡れ性を向上させるためにめっき処理が施されている。比較例の半導体装置は、リードフレームが封止樹脂の裏面及び側面に露出する表面実装型の半導体装置である。このような比較例の半導体装置の製造方法では、リードフレームを構成する母材によって複数の半導体装置が接続された状態のものをダイシングによって複数の個片の半導体装置に分離する。このため、各半導体装置においてリードフレームのうちの封止樹脂の側面から露出する部分ではめっき層が形成されていない。このため、比較例の半導体装置を半田によって配線基板に実装する場合、リードフレームのうちの封止樹脂の側面から露出する部分の半田の濡れ性が悪く、半田フィレットが形成され難い。その結果、比較例の半導体装置を配線基板に実装した後、比較例の半導体装置の実装状態を視認し難い。

　この点に鑑み、本実施形態では、絶縁層３０の側面３３に設けられた側面側再配線部４２Ｚはめっき層４４を含む。このため、図９に示すように、半導体装置１が配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装される場合、側面側再配線部４２Ｚに半田ＳＤが付き易くなり、半田フィレットＳＤ１が形成され易い。したがって、半導体装置１を配線基板ＣＢに実装した後、半田フィレットＳＤ１に基づいて半導体装置１の実装状態を容易に確認できる。

　（効果）
　本実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
　（１）再配線部４２は、絶縁層３０の裏面３２から側面３３までにわたり形成されている。この構成によれば、半導体装置１が配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装される場合に、側面３３に形成された再配線部４２である側面側再配線部４２Ｚに半田ＳＤが付着することによって半田フィレットＳＤ１が形成される。半導体装置１の外部に露出する半田フィレットＳＤ１によって、半導体装置１の実装状態を容易に視認できる。

　（２）再配線部４２は、厚さ方向Ｚにおいて絶縁層３０の側面３３の全体にわたり形成されている。この構成によれば、半導体装置１が配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装される場合に、側面側再配線部４２Ｚに半田ＳＤが付着して形成される半田フィレットＳＤ１が大きくなるため、半田フィレットＳＤ１をより視認し易くなる。

　（３）側面側再配線部４２Ｚは、第２樹脂部分２０Ｂの第２樹脂側面２３ｂよりも内方に位置している。この構成によれば、切断工程において、側面側再配線部４２Ｚがダイシングブレードによって削られないため、側面側再配線部４２Ｚのめっき層が形成された状態が維持される。したがって、半導体装置１が配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装された場合に側面側再配線部４２Ｚに半田ＳＤが付着し易くなる。また、側面側再配線部４２Ｚによって半田ＳＤの付着面積は、裏面側再配線部４２Ｘのみを備えた半導体装置と比べて増加する。このため、半導体装置１が配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装された場合に半導体装置１と配線基板ＣＢとの固着力を向上できる。

　（４）半導体装置１は、裏面３２を有する絶縁層３０と、埋込部４１及び再配線部４２を有する複数の配線４０とを備える。複数の配線４０の再配線部４２はそれぞれ、裏面３２に配置されるとともに、半導体素子１０の複数の電極１４に繋がる複数の配線４０の埋込部４１に繋がっている。絶縁層３０は、裏面３２から厚さ方向Ｚに向けて凹む複数の裏面側溝３４Ｘと、側面３３から側面３３と直交する方向に向けて凹む複数の側面側溝３４Ｚとを含む複数の溝３４を有する。複数の配線４０の再配線部４２は、複数の溝３４に接している。複数の溝３４は、半導体装置１の製造方法のうちの配線形成工程において、レーザによって絶縁層１１０に形成された複数の溝１１５に相当する。

　配線形成工程は、絶縁層１１０の表面に下地層１２０Ａを析出させる下地層形成工程と、下地層１２０Ａを覆うめっき層１２０Ｂを形成するめっき層形成工程とを有する。複数の配線１２０は、半導体装置１の複数の配線４０に相当する。絶縁層１１０は、熱硬化性の合成樹脂、及び複数の配線１２０の一部（下地層１２０Ａ）を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。下地層形成工程は、複数の孔１１４及び複数の溝１１５をレーザによって絶縁層１１０に形成することにより、複数の孔１１４を構成する内側面、及び複数の溝１１５を覆う下地層１２０Ａが析出される。複数の孔１１４は、半導体素子１０の複数の電極１４の位置を画像認識しつつ、複数の電極１４を露出させることで形成される。この構成によれば、封止樹脂１００の硬化収縮によって半導体素子１０に変位が生じた場合であっても、画像認識によって複数の電極１４の変位に対応した位置補正がレーザ照射の際になされるため、複数の電極１４が露出する複数の孔１１４を精度よく形成できる。すなわち、複数の電極１４の位置に合致した複数の配線１２０を精度よく形成できる。したがって、半導体素子１０の複数の電極１４と、複数の配線１２０（複数の配線４０）との接合部における位置ずれを抑制できる。

　（５）半導体装置１の製造方法における配線形成工程では、めっき層１２０Ｂは無電解めっきによって形成される。この構成によれば、電解めっきでめっき層１２０Ｂを形成する場合と比較して、めっきを形成するための導電経路となる下地層１２０Ａを析出させることが不要となるため、複数の配線１２０を、より効率よく形成できる。

　（６）再配線部４２の裏面側再配線部４２Ｘは、絶縁層３０の裏面３２に対して厚さ方向Ｚに突出している。この構成によれば、半導体装置１を配線基板ＣＢに実装する場合に、半導体装置１をより実装し易くなる。

　［変更例］
　上記実施形態は本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・上記実施形態において、絶縁層３０の形状は任意に変更可能である。一例では、図１０に示す半導体装置１Ａのように、絶縁層３０が封止樹脂２０の段差２４に入り込んでいてもよい。絶縁層３０は、封止樹脂２０の樹脂裏面２２及び半導体素子１０の素子裏面１２を覆う第１被覆部３５と、絶縁層３０の側面３３及び第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａを覆う第２被覆部３６とを有する。第２被覆部３６は、第１樹脂側面２３ａの全面にわたり覆っている。図１０では、第２被覆部３６の厚さＴＣ２は、第１被覆部３５の厚さＴＣ１よりも薄い。なお、第１被覆部３５の厚さＴＣ１は、上記実施形態の絶縁層３０の厚さＴＬに相当する。

　図１１に示すように、第１被覆部３５には裏面側溝３４Ｘが形成され、第２被覆部３６には側面側溝３４Ｚが形成されている。側面側溝３４Ｚは、厚さ方向Ｚにおいて第２被覆部３６の全体にわたり形成されている。複数の配線４０の再配線部４２は、第１被覆部３５及び第２被覆部３６にわたり形成されている。再配線部４２は、厚さ方向Ｚにおいて第２被覆部３６（側面側溝３４Ｚ）の全体にわたり形成されている。

　次に、図１２Ａ～図１２Ｅを用いて、図１０の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。図１０の半導体装置１Ａの製造方法は、上記実施形態の半導体装置１の製造方法と同様に、素子埋込工程、絶縁層形成工程、側面形成工程、配線形成工程、及び切断工程を備える。

　図１２Ａに示すように、素子埋込工程では、半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込み、封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の連結部１０３に溝１４０を形成する。連結部１０３には、離間した２つの溝１４０が形成される。溝１４０は、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓから厚さ方向Ｚに向けて形成されている。この工程では、金型内に封止樹脂１００の材料と、半導体素子１０とを配置した後、コンプレッション成形を行う。封止樹脂１００の材料は、黒色のエポキシ樹脂を含む材料が用いられる。この工程では、半導体素子１０の素子主面１１寄りの部分が封止樹脂１００に埋め込まれ、素子裏面１２及び素子裏面１２に形成された複数の電極１４が封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓから露出するように、半導体素子１０が封止樹脂１００に埋め込まれる。例えばコンプレッション成形の金型によって半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込む工程と同時に溝１４０を形成してもよい。また、溝１４０は、コンプレッション成形によって半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込んだ後、ダイシングによって溝１４０を形成してもよい。溝１４０の底面１４１が半導体素子１０の素子主面１１よりも素子裏面１２の近くに位置するように溝１４０が形成される。溝１４０によって、封止樹脂１００には、厚さ方向Ｚにおける絶縁層１１０寄りの部分である第１樹脂部分１００Ａが形成される。また、封止樹脂１００には、溝１４０によって、第１樹脂部分１００Ａの第１樹脂側面１００ｘａが形成される。

　次に、図１２Ｂに示すように、絶縁層形成工程では、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓに積層され、かつ半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆う絶縁層１１０を形成する。絶縁層１１０の一部は、溝１４０に入り込む。これにより、第１樹脂部分１００Ａの第１樹脂側面１００ｘａは、絶縁層１１０の一部によって覆われる。絶縁層１１０の材料は、熱硬化性の合成樹脂、及び後述する複数の配線１２０の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。絶縁層１１０の合成樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。絶縁層１１０は、コンプレッション成形によって形成される。

　次に、図１２Ｃに示すように、側面形成工程では、絶縁層１１０及び封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の部分に分離溝１５０を形成する。分離溝１５０は、ダイシングによって形成される。分離溝１５０は、連結部１０３に形成された２つの溝１４０（図１２Ａ参照）が連通するように形成される。分離溝１５０の底面１５１が溝１４０の底面１４１（図１２Ａ参照）と面一となるように分離溝１５０が形成される。分離溝１５０が形成されることにともない、溝１４０に入り込んだ絶縁層１１０の一部が取り除かれてもよい。その結果、絶縁層１１０は、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓ及び半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆う第１被覆部１１６と、封止樹脂１００の第１樹脂側面１００ｘａを覆う第２被覆部１１７とを有する。また絶縁層１１０には、分離溝１５０によって、側面１１３が形成される。側面１１３は、第２被覆部１１７の側面である。側面１１３は、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂１００の第１樹脂側面１００ｘａの全体にわたり形成される。

　次に、図１２Ｄに示すように、配線形成工程では、上記実施形態と同様に複数の配線１２０を形成する。図１２Ｄでは、複数の配線１２０は、第１被覆部１１６及び第２被覆部１１７にわたり形成される。複数の配線１２０は、厚さ方向Ｚにおいて第２被覆部１１７の全体にわたり形成される。複数の配線１２０は、変更例の半導体装置１Ａの複数の配線４０に相当する。

　次に、図１２Ｅに示すように、切断工程では、上記実施形態と同様に、絶縁層１１０及び封止樹脂１００を例えば切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードなどで切断することによって、複数の個片に分割する。この場合、図１２Ｅに示すように、切断線ＣＬは、分離溝１５０内かつ分離溝１５０を構成する内側面よりも外方に位置している。具体的には、ダイシングブレードが第２被覆部１１７に形成された配線１２０と接触しないように、ダイシングブレードの位置及びダイシングブレードの厚さが設定される。ダイシングブレードによって封止樹脂１００が切断されることによって、封止樹脂１００には、第１樹脂部分１００Ａが窪む段差１０１と、厚さ方向Ｚにおいて段差１０１に対して第１樹脂部分１００Ａとは反対側の部分である第２樹脂部分１００Ｂとが形成される。また封止樹脂１００が切断されることによって、第２樹脂部分１００Ｂの第２樹脂側面１００ｘｂが形成される。

　分割された複数の個片はそれぞれ、１つの半導体素子１０と、半導体素子１０に繋がる複数の配線１２０とを含む。切断工程によって個片となった封止樹脂１００及び絶縁層１１０が半導体装置１Ａの封止樹脂２０及び絶縁層３０に相当する。以上の工程を経ることによって、半導体装置１Ａが製造される。

　この構成によれば、側面側再配線部４２Ｚの厚さ方向Ｚの長さを絶縁層３０の厚さよりも長くすることができる。したがって、半導体装置１Ａを配線基板ＣＢに半田ＳＤ（ともに図９参照）によって実装する場合、側面側再配線部４２Ｚに半田が接合されることによって形成される半田フィレットＳＤ１（図９参照）が大きくなる。したがって、半田フィレットＳＤ１が封止樹脂２０の段差２４から露出し易くなるため、配線基板ＣＢへの半導体装置１Ａの実装状態を確認し易くなる。加えて、側面側再配線部４２Ｚによって半田ＳＤの付着面積は、裏面側再配線部４２Ｘのみを備えた半導体装置と比べて増加する。このため、半導体装置１Ａが配線基板ＣＢに半田ＳＤによって実装された場合に半導体装置１Ａと配線基板ＣＢとの固着力を向上できる。加えて、素子埋込工程における溝１４０の形成にダイシングブレードを用いる場合、溝１４０を形成するためのダイシングと、切断工程におけるダイシングとに対して、共通のダイシングブレードを用いることができる。

　・図１０の半導体装置１Ａの製造方法は、図１２Ａ～図１２Ｅに示す上述の製造方法に限られない。例えば、図１０の半導体装置１Ａの製造方法は、図１３Ａ～図１３Ｅに示す工程の順に行われてもよい。この場合についても、図１０の半導体装置１Ａの製造方法は、上述の製造方法と同様に、素子埋込工程、絶縁層形成工程、側面形成工程、配線形成工程、及び切断工程を備える。

　図１３Ａに示すように、素子埋込工程では、半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込み、封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の連結部１０３に溝１６０を形成する。溝１６０は、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓから厚さ方向Ｚに向けて形成されている。溝１６０の横方向Ｘの幅は、２つの溝１４０（図１２Ａ参照）のそれぞれの横方向Ｘの幅よりも大きい。図１３Ａの溝１６０の横方向Ｘの幅は、例えば図１２Ａの横方向Ｘに隣り合う２つの溝１４０を横方向Ｘに結んだ距離と等しい。溝１６０は、その底面１６１が半導体素子１０の素子主面１１よりも素子裏面１２の近くに位置するように形成される。封止樹脂１００には、溝１６０によって、厚さ方向Ｚにおける絶縁層１１０寄りの部分である第１樹脂部分１００Ａが形成される。また、封止樹脂１００には、溝１６０によって、第１樹脂部分１００Ａの第１樹脂側面１００ｘａが形成される。

　素子埋込工程では、金型内に封止樹脂１００の材料と、半導体素子１０とを配置した後、コンプレッション成形を行う。封止樹脂１００の材料は、黒色のエポキシ樹脂を含む材料が用いられる。この工程では、半導体素子１０の素子主面１１寄りの部分が封止樹脂１００に埋め込まれ、素子裏面１２及び素子裏面１２に形成された複数の電極１４が封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓから露出するように、半導体素子１０が封止樹脂１００に埋め込まれる。例えばコンプレッション成形の金型によって半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込む工程と同時に溝１６０を形成してもよい。また、溝１６０は、コンプレッション成形によって半導体素子１０を封止樹脂１００に埋め込んだ後、ダイシングによって溝１６０を形成してもよい。

　次に、図１３Ｂに示すように、絶縁層形成工程では、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓに積層され、かつ半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆う絶縁層１１０を形成する。絶縁層１１０の一部は、溝１６０に入り込む。これにより、第１樹脂部分１００Ａの第１樹脂側面１００ｘａは、絶縁層１１０の一部によって覆われる。絶縁層１１０の材料は、熱硬化性の合成樹脂、及び後述する複数の配線１２０の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。絶縁層１１０の合成樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。絶縁層１１０は、コンプレッション成形によって形成される。

　次に、図１３Ｃに示すように、側面形成工程では、絶縁層１１０及び封止樹脂１００のうちの隣り合う半導体素子１０の間の部分に分離溝１７０を形成する。分離溝１７０は、ダイシングによって形成される。分離溝１７０は、連結部１０３に形成された溝１６０（図１３Ａ参照）に入り込んだ絶縁層１１０をダイシングすることによって形成される。分離溝１７０を形成するダイシングブレードの横方向Ｘの厚さは、溝１６０を形成するダイシングブレードの横方向Ｘの厚さよりも薄い。このため、分離溝１７０の横方向Ｘの幅は、溝１６０の横方向Ｘの幅よりも小さい。また、分離溝１７０は、その底面１７１が溝１６０の底面１６１（図１３Ａ参照）と面一となるように形成される。これにより、絶縁層１１０は、封止樹脂１００の樹脂裏面１００ｂｓ及び半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆う第１被覆部１１６と、封止樹脂１００の第１樹脂側面１００ｘａを覆う第２被覆部１１７とを有する。また絶縁層１１０には、分離溝１７０によって、側面１１３が形成される。側面１１３は、第２被覆部１１７の側面である。側面１１３は、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂１００の第１樹脂側面１００ｘａの全体にわたり形成される。なお、分離溝１７０の横方向Ｘの幅及び厚さ方向Ｚの深さは、分離溝１５０（図１２Ｃ参照）の横方向Ｘの幅及び厚さ方向Ｚの深さとそれぞれ等しい。

　次に、図１３Ｄに示すように、配線形成工程では、上記図１２Ｄに示す配線形成工程と同様に複数の配線１２０を形成する。図１３Ｄでは、複数の配線１２０は、第１被覆部１１６及び第２被覆部１１７にわたり形成される。複数の配線１２０は、厚さ方向Ｚにおいて第２被覆部１１７の全体にわたり形成される。複数の配線１２０は、変更例の半導体装置１Ａの複数の配線４０に相当する。

　図１３Ｅに示すように、切断工程では、上記図１２Ｅに示す配線形成工程と同様に、絶縁層１１０及び封止樹脂１００を例えば切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードなどで切断することによって、複数の個片に分割する。この場合、図１３Ｅに示すように、切断線ＣＬは、分離溝１７０内かつ分離溝１７０を構成する内側面よりも外方に位置している。具体的には、ダイシングブレードが第２被覆部１１７に形成された配線１２０と接触しないように、ダイシングブレードの位置及びダイシングブレードの横方向Ｘの厚さが設定される。すなわち、封止樹脂１００を切断するダイシングブレードの横方向Ｘの厚さは、分離溝１７０を形成するダイシングブレードの横方向Ｘの厚さよりも薄い。ダイシングブレードによって封止樹脂１００が切断されることによって、封止樹脂１００には、第１樹脂部分１００Ａが窪む段差１０１と、厚さ方向Ｚにおいて段差１０１に対して第１樹脂部分１００Ａとは反対側の部分である第２樹脂部分１００Ｂとが形成される。また封止樹脂１００が切断されることによって、第２樹脂部分１００Ｂの第２樹脂側面１００ｘｂが形成される。

　この構成によれば、図１２Ａ～図１２Ｅの半導体装置１Ａの製造方法と同様の効果が得られる。加えて、図１２Ａ～図１２Ｅの半導体装置１Ａの製造方法の素子埋込工程において、１つの連結部１０３あたりの溝１４０をダイシングブレードで形成する場合ではダイシングブレードの走査ライン数が２ラインであったが、溝１６０をダイシングブレードで形成する場合にダイシングブレードの走査ライン数が１ラインとなり、ライン数を低減できる。このため、素子埋込工程を簡略化できる。

　・図１０の変更例において、絶縁層３０の第２被覆部３６の厚さＴＣ２は任意に変更可能である。一例では、厚さＴＣ２は、封止樹脂２０の第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａと第２樹脂部分２０Ｂの第２樹脂側面２３ｂとの間の距離以上であってもよい。すなわち、絶縁層３０の側面３３（第２被覆部３６の側面）が第２樹脂側面２３ｂと面一であってもよいし、側面３３（第２被覆部３６の側面）が第２樹脂側面２３ｂよりも外方に突出するように絶縁層３０が設けられてもよい。

　・上記実施形態及び変更例において、絶縁層３０の第２被覆部３６の厚さ方向Ｚの長さは任意に変更可能である。第２被覆部３６は、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａのうちの厚さ方向Ｚの樹脂裏面２２側の一部を覆う構成であってもよい。

　・上記実施形態において、１層構造の絶縁層３０に代えて、複数層構造の絶縁層を用いてもよい。図１４に示す半導体装置１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに積層された第１絶縁層３０Ａ及び第２絶縁層３０Ｂを有する。第１絶縁層３０Ａと第２絶縁層３０Ｂは、この順番で封止樹脂２０に積層されている。第１絶縁層３０Ａは、第２絶縁層３０Ｂよりも半導体素子１０の近くに配置されている。第１絶縁層３０Ａは、封止樹脂２０及び半導体素子１０の素子裏面１２及び複数の電極１４を覆っている。第１絶縁層３０Ａには、金属膜からなる複数の第１配線４０Ａが設けられている。第２絶縁層３０Ｂには、金属膜からなる複数の第２配線４０Ｂが設けられている。

　第１絶縁層３０Ａは、熱硬化性の合成樹脂、及び複数の第１配線４０Ａの一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。第２絶縁層３０Ｂは、熱硬化性の合成樹脂、及び複数の第２配線４０Ｂの一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる。第１絶縁層３０Ａ及び第２絶縁層３０Ｂの熱硬化性の合成樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である。第１絶縁層３０Ａ及び第２絶縁層３０Ｂは、互いに同一の材料であることが好ましい。

　第１絶縁層３０Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く第１主面３１ａ及び第１裏面３２ａ、並びに第１主面３１ａと第１裏面３２ａとの厚さ方向Ｚの間に形成された第１側面３３ａを有する。第１主面３１ａは、絶縁層３０の主面３１を構成している。第１側面３３ａは、絶縁層３０の側面３３の一部を構成している。

　第１絶縁層３０Ａは、第１絶縁層３０Ａの第１裏面３２ａから厚さ方向Ｚに向けて凹む第１裏面側溝３４ＸＡと、第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａから厚さ方向Ｚに直交する方向（第１絶縁層３０Ａの厚さ方向）に向けて凹む第１側面側溝３４ＺＡとを含む第１溝３４ｄを有する。第１裏面側溝３４ＸＡの幅方向及び厚さ方向Ｚに沿う平面で第１裏面側溝３４ＸＡを切った場合の断面構造は、上記実施形態の裏面側溝３４Ｘの幅方向及び厚さ方向Ｚに沿う平面で裏面側溝３４Ｘを切った場合の断面構造と同様である。図１４に示すとおり、厚さ方向Ｚからみて、第１裏面側溝３４ＸＡは、半導体素子１０の電極１４と重なるように設けられている。第１裏面側溝３４ＸＡは、第１裏面３２ａにおける半導体素子１０の電極１４よりも内方部分から半導体素子１０よりも外方部分かつ第１側面３３ａよりも内方部分までにわたり形成されている。

　複数の第１裏面側溝３４ＸＡのうちの厚さ方向Ｚにおいて半導体素子１０の電極１４と重なっている部分には、電極１４に連通する孔３４ｃｄが形成されている。孔３４ｃｄを構成する内側面は、第１絶縁層３０Ａの第１主面３１ａ（絶縁層３０の主面３１）から第１裏面３２ａまでにわたり孔３４ｃｄの内径が拡径するように傾斜している。孔３４ｃｄを構成する内側面の形状は、上記実施形態の孔３４ｃを構成する内側面の形状と同様である。

　第１側面側溝３４ＺＡは、第１裏面側溝３４ＸＡと繋がっていない。複数の第１裏面側溝３４ＸＡのうちの横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡに対応する第１側面側溝３４ＺＡは、横方向Ｘからみて、横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡと重なっている。横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡに対応する第１側面側溝３４ＺＡは、横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡと横方向Ｘに離間している。複数の第１裏面側溝３４ＸＡのうちの横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡに対応する第１側面側溝３４ＺＡは、横方向Ｘからみて、横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡと重なっている。第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａのうちの第１側面側溝３４ＺＡが形成されている部分は、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａよりも内方に位置している。また第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａのうちの第１側面側溝３４ＺＡが形成されていない部分は、第１樹脂側面２３ａと面一となる。横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡに対応する第１側面側溝３４ＺＡは、横方向Ｘに延びる第１裏面側溝３４ＸＡと横方向Ｘに離間している。第１側面側溝３４ＺＡは、厚さ方向Ｚにおいて、第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａの全体にわたり形成されている。第１側面側溝３４ＺＡの幅方向、及び第１側面３３ａ及び幅方向と直交する方向に沿う平面で第１側面側溝３４ＺＡを切った場合の断面構造は、上記実施形態の側面側溝３４Ｚの幅方向、及び側面３３及び幅方向と直交する方向に沿う平面で側面側溝３４Ｚを切った場合の断面構造と同様である。

　複数の第１配線４０Ａはそれぞれ、第１埋込部４１ａ及び第１再配線部４２ａを有する。第１埋込部４１ａの少なくとも一部は、第１絶縁層３０Ａに埋め込まれている。図１４では、第１埋込部４１ａの全てが第１絶縁層３０Ａに埋め込まれている。第１埋込部４１ａは、孔３４ｃｄに埋め込まれている。第１埋込部４１ａは、半導体素子１０の電極１４に繋がっている。第１再配線部４２ａは、第１裏面３２ａに設けられ、第１埋込部４１ａに繋がっている。第１再配線部４２ａは、第１溝３４ｄに接している。より詳細には、第１再配線部４２ａは、第１裏面側溝３４ＸＡに接する第１裏面側再配線部４２ＸＡと、第１側面側溝３４ＺＡに接する第１側面側再配線部４２ＺＡとを有する。第１裏面側再配線部４２ＸＡは、第１側面側再配線部４２ＺＡと繋がっていない。図１４では、第１裏面側再配線部４２ＸＡは、第１裏面側溝３４ＸＡが延びる方向において第１裏面側溝３４ＸＡの全体にわたり接している。このため、第１裏面側再配線部４２ＸＡは、半導体素子１０よりも外方に位置する部分を含む。

　第２絶縁層３０Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く第２主面３１ｂ及び第２裏面３２ｂ、並びに第２主面３１ｂと第２裏面３２ｂとの厚さ方向Ｚの間に形成された第２側面３３ｂを有する。第２主面３１ｂは、第１絶縁層３０Ａの第１裏面３２ａと接触している。第２裏面３２ｂは、絶縁層３０の裏面３２を構成している。第２側面３３ｂは、絶縁層３０の側面３３の一部を構成している。

　第２絶縁層３０Ｂは、第２絶縁層３０Ｂの第２裏面３２ｂから厚さ方向Ｚに向けて凹む第２裏面側溝３４ＸＢと、第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂから厚さ方向Ｚに直交する方向（第２絶縁層３０Ｂの厚さ方向）に向けて凹む第２側面側溝３４ＺＢとを含む第２溝３４ｅを有する。第２裏面側溝３４ＸＢの幅方向及び厚さ方向Ｚに沿う平面で第２裏面側溝３４ＸＢを切った場合の断面構造は、上記実施形態の裏面側溝３４Ｘの幅方向及び厚さ方向Ｚに沿う平面で裏面側溝３４Ｘを切った場合の断面構造と同様である。図１４に示すとおり、厚さ方向Ｚからみて、第２裏面側溝３４ＸＢは、第１絶縁層３０Ａの第１溝３４ｄと重なるように設けられている。第２裏面側溝３４ＸＢは、第２裏面３２ｂにおいて第１溝３４ｄの孔３４ｃｄよりも内方部分から第１溝３４ｄの外方部分までにわたり形成されている。

　複数の第２裏面側溝３４ＸＢのうちの厚さ方向Ｚにおいて第２裏面側溝３４ＸＢの孔３４ｃｄと重なっている部分には、第２裏面側溝３４ＸＢに連通する孔３４ｃｅが形成されている。孔３４ｃｅを構成する内側面には、第２絶縁層３０Ｂの第２主面３１ｂから第２裏面側溝３４ＸＢまでにわたりテーパが形成されている。孔３４ｃｅのテーパ形状は、上記実施形態の孔３４ｃのテーパ形状と同様である。

　第２側面側溝３４ＺＢは、第２裏面側溝３４ＸＢと繋がっている。第２側面側溝３４ＺＢは、厚さ方向Ｚにおいて第２側面３３ｂの全体にわたり形成されている。第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂのうちの第２側面側溝３４ＺＢが形成されている部分は、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａよりも内方に位置している。第２側面側溝３４ＺＢは、第１絶縁層３０Ａの第１側面側溝３４ＺＡと面一になる。また第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂのうちの第２側面側溝３４ＺＢが形成されていない部分は、第１樹脂側面２３ａと面一となる。第２側面側溝３４ＺＢは、第１側面側溝３４ＺＡと繋がっている。第２側面側溝３４ＺＢの幅方向、及び第２側面３３ｂ及び幅方向と直交する方向に沿う平面で第２側面側溝３４ＺＢを切った場合の断面構造は、上記実施形態の側面側溝３４Ｚの幅方向、及び側面３３及び幅方向と直交する方向に沿う平面で側面側溝３４Ｚを切った場合の断面構造と同様である。

　複数の第２配線４０Ｂはそれぞれ、第２埋込部４１ｂ及び第２再配線部４２ｂを有する。第２埋込部４１ｂの少なくとも一部は、第２絶縁層３０Ｂに埋め込まれている。図１４では、第２埋込部４１ｂの全てが第２絶縁層３０Ｂに埋め込まれている。第２埋込部４１ｂは、孔３４ｃｅに埋め込まれている。第２埋込部４１ｂは、第１絶縁層３０Ａの第１裏面側再配線部４２ＸＡと繋がっている。第２再配線部４２ｂは、第２裏面３２ｂに設けられ、第２埋込部４１ｂに繋がっている。第２再配線部４２ｂは、半導体素子１０よりも外方に位置している。第２再配線部４２ｂは、第１再配線部４２ａよりも外方に位置する部分を含む。第２再配線部４２ｂは、第２裏面３２ｂに設けられた第２裏面側再配線部４２ＸＢと、第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂに設けられた第２側面側再配線部４２ＺＢとを有する。第２裏面側再配線部４２ＸＢは、第２側面側再配線部４２ＺＢと繋がっている。図１４では、第２裏面側再配線部４２ＸＢと第２側面側再配線部４２ＺＢとが一体に形成されている。なお、第１絶縁層３０Ａ及び第２絶縁層３０Ｂが同一材料によって形成される場合、第１側面側再配線部４２ＺＡと第２側面側再配線部４２ＺＢとが繋がっていることにより、第１側面側再配線部４２ＺＡは、第２再配線部４２ｂの一部とみなすこともできる。このため、第２再配線部４２ｂは、厚さ方向Ｚにおいて、第２絶縁層３０Ｂの第２裏面３２ｂから第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａ及び第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂまでにわたり延びていると言える。この場合、第１再配線部４２ａは、第１絶縁層３０Ａの第１裏面３２ａのみに形成されていると言える。

　第２再配線部４２ｂは、第２溝３４ｅに接している。より詳細には、第２裏面側再配線部４２ＸＢは、第２裏面側溝３４ＸＢに接している。第２側面側再配線部４２ＺＢは、第２側面側溝３４ＺＢに接している。図１４では、第２側面側再配線部４２ＺＢは、厚さ方向Ｚにおいて第２側面側溝３４ＺＢの全体にわたり接している。すなわち第２側面側再配線部４２ＺＢは、厚さ方向Ｚにおいて第２側面３３ｂの全体にわたり形成されている。第２側面側再配線部４２ＺＢは、第１絶縁層３０Ａに設けられた第１側面側再配線部４２ＺＡと繋がっている。図１４では、第２側面側再配線部４２ＺＢと第１側面側再配線部４２ＺＡとが一体に形成されている。

　なお、複数の第１配線４０Ａのそれぞれの第１埋込部４１ａ及び第１再配線部４２ａの形成方法、及び複数の第２配線４０Ｂのそれぞれの第２埋込部４１ｂ及び第２再配線部４２ｂの形成方法は、上記実施形態の複数の配線４０のそれぞれの埋込部４１及び再配線部４２の形成方法と同様である。すなわち、第１埋込部４１ａ、第１再配線部４２ａ、第２埋込部４１ｂ、及び第２再配線部４２ｂはそれぞれ、下地層４３及びめっき層４４（ともに図５参照）を有する金属膜からなる。

　半導体装置１Ｂの製造方法は、上記実施形態の半導体装置１の製造方法と比較して、絶縁層形成工程、側面形成工程、及び配線形成工程において異なる。詳細には、半導体装置１Ｂの製造方法は、第１絶縁層３０Ａを形成する第１絶縁層形成工程と、第１配線４０Ａの第１裏面側再配線部４２ＸＡを形成する第１配線形成工程と、第２絶縁層３０Ｂを形成する第２絶縁層形成工程と、第２配線４０Ｂと第１配線４０Ａの第１側面側再配線部４２ＺＡを形成する第２配線形成工程とを有する。半導体装置１Ｂの製造方法では、素子埋込工程、第１絶縁層形成工程、第１配線形成工程、第２絶縁層形成工程、側面形成工程、第２配線形成工程、及び切断工程の順に実施される。このように、側面形成工程では、第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａ及び第２絶縁層３０Ｂの第２側面３３ｂが形成される。そして、第２配線形成工程において、第１配線４０Ａの第１側面側再配線部４２ＺＡと第２配線４０Ｂの第２側面側再配線部４２ＺＢとが形成される。

　この構成によれば、第１絶縁層３０Ａ及び第２絶縁層３０Ｂからなる複数層構造となるため、複数の第１配線４０Ａ及び複数の第２配線４０Ｂを厚さ方向Ｚにおいて複数層配置させることができる。このため、厚さ方向Ｚからみて、複数の第２配線４０Ｂの第２裏面側再配線部４２ＸＢは、複数の第１配線４０Ａの第１裏面側再配線部４２ＸＡに重なる配置形態を取ることができる。したがって、１層の絶縁層の場合と比較して、複雑な配線パターンを取ることができる。

　加えて、半導体装置１Ｂを配線基板ＣＢに半田ＳＤ（ともに図９参照）によって実装する場合、第１絶縁層３０Ａの第１側面側再配線部４２ＺＡ及び第２絶縁層３０Ｂの第２側面側再配線部４２ＺＢのそれぞれに半田ＳＤが接合されることによって、半田フィレットＳＤ１（図９参照）が大きくなる。したがって、半田フィレットＳＤ１が封止樹脂２０の段差２４から露出し易くなるため、配線基板ＣＢへの半導体装置１Ｂの実装状態を確認し易くなる。

　・図１４の変更例の半導体装置１Ｂにおいて、第１側面側再配線部４２ＺＡの厚さ方向Ｚの長さは任意に変更可能である。一例では、第１側面側再配線部４２ＺＡは、第２絶縁層３０Ｂの第２裏面３２ｂから第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａの厚さ方向Ｚの一部までにわたり形成されてもよい。この場合、第１絶縁層３０Ａの第１側面側溝３４ＺＡは、第１絶縁層３０Ａの第１裏面３２ａから第１側面３３ａの厚さ方向Ｚの一部までにわたり形成される。

　また、図１５に示す半導体装置１Ｃのように、第１側面側再配線部４２ＺＡを省略してもよい。すなわち第２側面側再配線部４２ＺＢのみが形成される。この場合、第１絶縁層３０Ａの第１側面側溝３４ＺＡは形成されない。このため、第１絶縁層３０Ａの第１側面３３ａは、第１樹脂部分２０Ａの第１樹脂側面２３ａと面一である。

　・図１５の変更例の半導体装置１Ｃにおいて、第１絶縁層３０Ａを構成する樹脂材料は、任意に変更可能である。例えば、第１絶縁層３０Ａは、複数の第１配線４０Ａの一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含まない材料であってもよい。この場合、レーザ加工による下地層を析出する方法に代えて、第１絶縁層３０Ａの第１裏面３２ａに金属薄膜からなる下地層を例えば蒸着してもよい。そして、下地層上にめっき層を形成することによって複数の第１配線４０Ａが形成される。

　・図１４及び図１５の変更例の半導体装置１Ｂ，１Ｃにおいて、２層構造の絶縁層に代えて、３層構造以上の多層構造の絶縁層としてもよい。
　・上記実施形態及び変更例において、絶縁層３０の側面３３の形状は任意に変更可能である。一例では、図１６及び図１７に示す半導体装置１Ｄのように、側面３３は、厚さ方向Ｚに対して傾斜した傾斜面３３ｘを含む。傾斜面３３ｘは、絶縁層３０の裏面３２から主面３１に向かうにつれて外方に向けて傾斜している。図１６及び図１７では、側面３３は、傾斜面３３ｘからなる。このため、傾斜面３３ｘに形成される側面側再配線部４２Ｚは、絶縁層３０の裏面３２から主面３１に向かうにつれて外方に向けて傾斜している。なお、側面３３の一部が傾斜面３３ｘで構成されてもよい。なお、絶縁層３０が２層構造以上の場合、側面側再配線部４２Ｚが形成される絶縁層３０の側面３３に傾斜面３３ｘが形成される。

　この構成によれば、絶縁層３０の裏面３２に対して垂直な方向（厚さ方向Ｚ）に沿ってレーザを裏面３２に照射することによって裏面側溝３４Ｘを形成する場合、レーザの照射方向を変更せずに傾斜面３３ｘにレーザを照射することによって傾斜面３３ｘに側面側溝３４Ｚを形成できる。したがって、裏面側溝３４Ｘを形成するレーザの照射方向と、側面側溝３４Ｚを形成するレーザの照射方向とが異なる場合と比較して、配線形成工程を簡素化できる。

　・上記実施形態及び変更例において、封止樹脂２０から段差２４を省略してもよい。この場合、封止樹脂２０では、第１樹脂部分２０Ａ及び第２樹脂部分２０Ｂの区分がなくなる。絶縁層３０と封止樹脂２０との間で段差が形成される。すなわち、絶縁層３０と封止樹脂２０との大きさの差によって封止樹脂２０に対して絶縁層３０が内側に窪む段差が形成される。このため、絶縁層３０の側面３３は、封止樹脂２０の樹脂側面２３よりも内方に位置している。このような構成の半導体装置の製造方法では、側面形成工程において、絶縁層１１０のみを切削して分離溝１３０が形成される。この分離溝１３０によって絶縁層１１０の側面１１３（絶縁層３０の側面３３）が形成される。そして切断工程では、封止樹脂１００のみを厚さ方向Ｚに切断することによって、封止樹脂１００と絶縁層１１０との間に段差、及び封止樹脂１００の側面（封止樹脂２０の樹脂側面２３）を形成する。

　・上記実施形態及び変更例の半導体装置１，１Ａ～１Ｄの製造方法において、複数の配線４０（複数の第１配線４０Ａ及び複数の第２配線４０Ｂ）を形成する方法は任意に変更可能である。第１例では、金属粒子を含んだインクで絶縁層３０の裏面３２及び側面３３をそれぞれ印刷することによって複数の配線４０が形成される。金属粒子を含んだインクで裏面３２及び側面３３をそれぞれ印刷する方法としては、例えば、インクを裏面３２及び側面３３に向けて噴射するインクジェット方式を用いることができる。第２例では、絶縁層３０の裏面３２上及び側面３３上の全体にわたり金属膜を形成した後、金属膜のうちの複数の配線４０が形成される箇所以外の部分を除去することによって複数の配線４０が形成される。

１，１Ａ～１Ｄ…半導体装置
１０…半導体素子
１１…素子主面
１２…素子裏面
１４…複数の電極
２０…封止樹脂
２０Ａ…第１樹脂部分
２０Ｂ…第２樹脂部分
２２…樹脂裏面
２３ａ…第１樹脂側面（第１樹脂部分の側面）
２３ｂ…第２樹脂側面（第２樹脂部分の側面）
２４…段差
３０…絶縁層
３０Ａ…第１絶縁層
３０Ｂ…第２絶縁層
３１…主面
３１ａ…第１主面
３１ｂ…第２主面
３２…裏面
３２ａ…第１裏面
３２ｂ…第２裏面
３３…側面
３３ａ…第１側面
３３ｂ…第２側面
３３ｘ…傾斜面
３４…溝
３４Ｘ…裏面側溝
３４ＸＡ…第１裏面側溝
３４ＸＢ…第２裏面側溝
３４Ｚ…側面側溝
３４ＺＡ…第１側面側溝
３４ＺＢ…第２側面側溝
３４ｃ…孔
３４ｄ…第１溝
３４ｅ…第２溝
３５…第１被覆部
３６…第２被覆部
４０…配線
４０Ａ…複数の第１配線
４０Ｂ…複数の第２配線
４１…埋込部
４１ａ…第１埋込部
４１ｂ…第２埋込部
４２…再配線部
４２ａ…第１再配線部
４２ｂ…第２再配線部
４２Ｘ…裏面側再配線部
４２ＸＡ…第１裏面側再配線部
４２ＸＢ…第２裏面側再配線部
４２Ｚ…側面側再配線部
４２ＺＡ…第１側面側再配線部
４２ＺＢ…第２側面側再配線部
４３…下地層
４４…めっき層
４５…凹部
１００…封止樹脂
１００Ａ…第１樹脂部分
１００ｘａ…第１樹脂側面
１００Ｂ…第２樹脂部分
１００ｘｂ…第２樹脂側面
１００ｂｓ…樹脂裏面
１０１…段差
１１０…絶縁層
１１１…主面
１１２…裏面
１１３…側面
１１４…孔
１１５…溝
１１５Ｘ…裏面側溝
１１５Ｚ…側面側溝
１１６…第１被覆部
１１７…第２被覆部
１２０…配線
１２０Ａ…下地層
１２０Ｂ…めっき層
１２１…埋込部
１２２…再配線部
１２２Ｘ…裏面側再配線部
１２２Ｚ…側面側再配線部
１３０…分離溝
１３１…底面
１５０…分離溝
１５１…底面
Ｚ…厚さ方向

Claims

　厚さ方向において互いに反対側を向く主面及び裏面、並びに前記主面と前記裏面との前記厚さ方向の間に形成された側面を有する絶縁層と、
　前記絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた埋込部、及び前記裏面から前記側面までにわたり形成され、前記埋込部に繋がる金属膜からなる再配線部を有する複数の配線と、
　前記複数の配線の前記埋込部の少なくとも一部に繋がる複数の電極を有し、前記主面に搭載される半導体素子と、
　前記主面に接し、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
を備えた、
　半導体装置。
　前記絶縁層は、熱硬化性の合成樹脂、及び前記複数の配線の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる
　請求項１に記載の半導体装置。
　前記再配線部は、前記厚さ方向において前記絶縁層の前記側面の全体にわたり形成されている
　請求項１又は２に記載の半導体装置。
　前記封止樹脂は、
　前記厚さ方向において前記絶縁層寄りの部分であり、前記絶縁層の側面と同じ方向を向く第１側面を有する第１樹脂部分と、
　前記厚さ方向において前記絶縁層と反対側の部分であり、前記厚さ方向と直交する方向において、前記第１樹脂部分よりも大きく形成され、前記第１側面と同じ方向を向く第２側面を有する第２樹脂部分と、
を備え、
　前記第１樹脂部分の前記第１側面は、前記第２樹脂部分の前記第２側面よりも内方に位置している
　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記封止樹脂には、前記第１樹脂部分と前記第２樹脂部分との大きさの差によって前記封止樹脂の内側に窪む段差が形成されている
　請求項４に記載の半導体装置。
　前記半導体素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記素子裏面に前記複数の電極が設けられ、
　前記半導体素子は、前記素子裏面及び前記複数の電極が露出するように前記封止樹脂に埋め込まれており、
　前記絶縁層は、前記半導体素子の前記素子裏面及び前記複数の電極を覆う第１被覆部と、前記第１樹脂部分の前記第１側面の少なくとも一部を覆う第２被覆部とを有し、
　前記第２被覆部は、前記絶縁層の前記側面としての側面を有する
　請求項４又は５に記載の半導体装置。
　前記絶縁層の前記側面は、前記厚さ方向に対して傾斜した傾斜面を含む
　請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記絶縁層は、前記裏面から前記厚さ方向に向けて凹む裏面側溝と、前記側面から前記厚さ方向と直交する方向に向けて凹む側面側溝とを含む溝を有し、
　前記再配線部は、前記溝に接している
　請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記絶縁層は、熱硬化性の合成樹脂、及び前記複数の配線の一部を組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなり、
　前記再配線部は、前記溝に接する下地層と、前記下地層を覆うめっき層と、を有し、
　前記下地層は、前記添加剤に含有された前記金属元素によって組成されている
　請求項８に記載の半導体装置。
　前記めっき層は、前記めっき層の厚さ方向に向けて凹む凹部を有する
　請求項９に記載の半導体装置。
　前記凹部は、前記再配線部の延びる方向に沿って延びている
　請求項１０に記載の半導体装置。
　厚さ方向において互いに反対側を向く第１主面及び第１裏面、並びに前記第１主面と前記第１裏面との前記厚さ方向の間に形成された第１側面を有する第１絶縁層と、
　前記厚さ方向において前記第１絶縁層に積層され、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２主面及び第２裏面、並びに前記第２主面と前記第２裏面との前記厚さ方向の間に形成された第２側面を有する第２絶縁層と、
　前記第１絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた第１埋込部と、
　前記第１絶縁層の少なくとも前記第１裏面に形成され、かつ前記第１埋込部に繋がる金属膜からなる第１再配線部と、
　前記第２絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれ、前記第１再配線部に繋がる第２埋込部と、
　前記第２裏面から前記第２側面までにわたり形成され、かつ前記第２埋込部に繋がる金属膜からなる第２再配線部と、
　前記第１埋込部の少なくとも一部に繋がる電極を有し、前記第１主面に搭載される半導体素子と、
　前記第１主面に接し、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
を備えた、
　半導体装置。
　前記第１再配線部は、前記第１裏面に形成された第１裏面側再配線部と、前記第１裏面側再配線部と離間した状態で前記第１側面に形成された第１側面側再配線部と、を有し、
　前記第１裏面側再配線部は、前記第２埋込部と繋がり、
　前記第１側面側再配線部は、前記第２再配線部と繋がっている
　請求項１２に記載の半導体装置。
　前記厚さ方向からみて、前記第２再配線部は、前記第１再配線部と重なる部分を含む
　請求項１２又は１３に記載の半導体装置。
　前記第２絶縁層は、熱硬化性の合成樹脂、及び前記第２埋込部の一部及び前記第２再配線部の一部をそれぞれ組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる
　請求項１２～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記第１絶縁層は、熱硬化性の合成樹脂、及び前記第１埋込部の一部及び前記第１再配線部の一部をそれぞれ組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなる
　請求項１５に記載の半導体装置。
　前記第１絶縁層は、前記第１絶縁層の前記第１裏面から前記厚さ方向に向けて凹む第１溝を有し、
　前記第２絶縁層は、前記第２絶縁層の前記第２裏面から前記厚さ方向に向けて凹む第２裏面側溝と、前記第２絶縁層の前記第２側面から前記第２側面と直交する方向に向けて凹む第２側面側溝とを含む第２溝を有し、
　前記第１再配線部は、前記第１溝に接しており、
　前記第２再配線部は、前記第２溝に接している
　請求項１２～１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記第１溝は、前記第１絶縁層の前記第１裏面から前記厚さ方向に向けて凹む第１裏面側溝と、前記第１絶縁層の前記第１側面から前記第１側面と直交する方向に向けて凹む第１側面側溝とを含み、
　前記第１再配線部は、前記第１裏面側溝に接している第１裏面側再配線部と、前記第１側面側溝に接しており、前記第１裏面側再配線部とは繋がらない第１側面側再配線部とを有し、
　前記第２再配線部は、前記第２裏面側溝に接しており、前記第１裏面側再配線部と繋がっている第２裏面側再配線部と、前記第１側面側溝に接しており、前記第２裏面側再配線部及び前記第１側面側再配線部のそれぞれに繋がっている第２側面側再配線部とを有する
　請求項１７に記載の半導体装置。
　半導体素子を、樹脂裏面から前記半導体素子の厚さ方向の一方に設けられた電極が露出するように封止樹脂に埋め込む素子埋込工程と、
　前記封止樹脂の前記樹脂裏面及び前記電極を覆う主面及び前記主面と反対側を向く裏面とを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
　前記絶縁層に前記裏面と交差する側面を形成する側面形成工程と、
　前記絶縁層に埋め込まれ、かつ前記電極に繋がる埋込部、及び前記裏面から前記側面までにわたる再配線部を形成する配線形成工程と、
を備えた、
　半導体装置の製造方法。
　前記絶縁層は、熱硬化性の合成樹脂、及び前記埋込部の一部及び前記再配線部の一部をそれぞれ組成する金属元素が含有された添加剤を含む材料からなり、
　前記配線形成工程は、
　前記電極の位置を画像認識しつつ、前記電極を露出させる孔と、前記絶縁層の前記裏面及び前記側面から凹み、かつ前記孔に繋がる溝をレーザによって前記絶縁層に形成することによって、前記孔を構成する内側面、及び前記溝を覆う下地層を析出させる下地層形成工程と、
　前記下地層を覆うめっき層を形成するめっき層形成工程と、
を含む
　請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
　前記めっき層形成工程では、無電解めっきによって前記めっき層が形成される
　請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
　前記素子埋込工程では、前記封止樹脂に複数の半導体素子を埋め込み、
　前記絶縁層形成工程では、前記複数の半導体素子を覆う前記絶縁層を形成し、
　前記側面形成工程では、前記絶縁層形成工程の後、かつ前記配線形成工程の前において、前記絶縁層のうちの隣り合う前記半導体素子の間の部分を前記厚さ方向に切断し、かつ前記封止樹脂のうちの隣り合う前記半導体素子の間の部分の前記厚さ方向の一部を切削することによって分離溝を形成し、
　前記配線形成工程の後、前記封止樹脂のうちの隣り合う前記半導体素子の間の部分を切断することによって複数の半導体装置を形成する切断工程を備える
　請求項１９～２１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
　前記側面形成工程では、前記分離溝によって、前記厚さ方向における前記絶縁層寄りの部分である第１樹脂部分の第１樹脂側面が形成され、
　前記切断工程では、
　前記分離溝の底面から前記封止樹脂を前記厚さ方向に切断することによって、前記封止樹脂には、前記第１樹脂部分が窪む段差と、
　前記厚さ方向において前記段差に対して前記第１樹脂部分とは反対側の部分である第２樹脂部分の第２樹脂側面と、
が形成される
　請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
　前記再配線部のうちの前記絶縁層の前記側面に形成された側面側再配線部は、前記第２樹脂部分の前記第２樹脂側面よりも内方に位置している
　請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
　前記配線形成工程では、金属粒子を含んだインクで前記裏面及び前記側面をそれぞれ印刷することによって前記埋込部及び前記再配線部がそれぞれ形成される
　請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
　前記配線形成工程では、前記絶縁層上に金属膜を形成した後、前記金属膜のうちの前記埋込部以外の部分及び前記再配線部以外の部分を除去することによって前記埋込部及び前記再配線部がそれぞれ形成される
　請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。