WO2020241780A1 - 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク - Google Patents

反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク Download PDF

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WO2020241780A1
WO2020241780A1 PCT/JP2020/021196 JP2020021196W WO2020241780A1 WO 2020241780 A1 WO2020241780 A1 WO 2020241780A1 JP 2020021196 W JP2020021196 W JP 2020021196W WO 2020241780 A1 WO2020241780 A1 WO 2020241780A1
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reflective photomask
reflective
outermost layer
low
reflection portion
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PCT/JP2020/021196
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歩美 合田
福上　典仁
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凸版印刷株式会社
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    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Definitions

  • the present invention relates to reflective photomask blanks and reflective photomasks.
  • Patent Document 2 discloses a reflective mask in which an absorber film is provided on a multilayer reflective film.
  • the absorber film is composed of a phase control film and a laminated film in which high refractive index material layers and low refractive index material layers are alternately laminated.
  • EUV lithography cannot use a refractive optical system that utilizes light transmission, so the optical system member of the EUV exposure apparatus is not a lens but a mirror.
  • the optical system member of the EUV exposure apparatus is not a lens but a mirror.
  • a method is adopted in which the optical axis is tilted 6 degrees from the vertical direction of the EUV photomask to inject EUV light, and the reflected light reflected at an angle of -6 degrees is applied to the resist film on the semiconductor substrate.
  • the optical axis of the incident light is inclined with respect to the vertical direction of the EUV photomask, a shadow of the absorption layer pattern is formed on the EUV photomask, and the absorption layer pattern is applied to the resist film.
  • the transfer performance deteriorates.
  • the deterioration of transfer performance due to this shadow is called the projection effect.
  • the thickness of the absorber film is made thinner (60 nm) by using a film having an extinction coefficient k of 0.03 or more with respect to EUV light as the phase control film and the low refractive index material layer. It is disclosed that the projection effect can be suppressed. Further, in Patent Document 3, the film thickness is reduced and projection is performed by adopting a compound material having high absorption (extinction coefficient) for EUV light with respect to an absorption film containing Ta as a main component or a phase shift film. Methods for reducing the effect are disclosed.
  • the photomask is cleaned with an acidic or alkaline cleaning solution as regular maintenance. Further, in the EUV exposure apparatus, the reflective photomask is exposed to a hydrogen radical environment for cleaning in order to prevent contamination in the chamber due to contamination. In a reflective photomask, if cleaning with an acidic or alkaline cleaning solution or cleaning with hydrogen radicals is repeated, the pattern including the absorbing film may be etched and the film may be reduced.
  • reducing the thickness of the pattern including the absorbing film is effective in suppressing the projection effect.
  • the thinner the pattern the smaller the margin for film loss.
  • the margin of film reduction of the pattern is reduced, and the life of the mask is shortened due to cleaning using hydrogen radicals or the like. I found the problem that it could be shortened.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a reflective photomask blank and a reflective photomask capable of suppressing the projection effect and improving the life of the mask at the same time. To do.
  • the reflective photomask blank includes a substrate, a reflective portion provided on the substrate to reflect incident light, and a low reflection portion provided on the reflective portion to absorb incident light.
  • the low-reflection portion has a laminated structure of at least two layers or more, and the outermost layer of the low-reflection portion has a refractive index n of 0.90 with respect to EUV (Extreme UltraViolet: wavelength 13.5 nm) light.
  • the extinction coefficient k is 0.02 or less.
  • the reflective photomask according to one aspect of the present invention includes a substrate, a reflective portion provided on the substrate to reflect incident light, and a low reflective portion provided on the reflective portion to absorb incident light.
  • the low-reflection portion has a laminated structure of at least two layers or more, and the outermost layer of the low-reflection portion has a refractive index n of 0.90 or more with respect to EUV (Extreme UltraViolet: wavelength 13.5 nm) light.
  • the extinction coefficient k is 0.02 or less.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a reflective photomask blank according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a reflective photomask according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a graph showing the optical constants of the metal material with respect to EUV light (wavelength 13.5 nm).
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the reflective photomask blanks 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing method of the reflective photomask 200 according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a reflective photomask blank according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a reflective photomask according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing method of the reflective photomask 200 according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing method of the reflective photomask 200 according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing method of the reflective photomask 200 according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 9 is a plan view showing a low reflection portion pattern 18a of the reflection type photomask according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic view showing a configuration example of an apparatus for evaluating hydrogen radical resistance.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of the reflective photomask blanks 10 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of the reflective photomask 20 according to the embodiment of the present invention.
  • the reflective photomask 20 shown in FIG. 2 is formed by patterning the low-reflection portion 8 of the reflective photomask blanks 10 shown in FIG.
  • the reflective photomask blanks 10 and the reflective photomask 20 include a multilayer reflective film 2 provided on the substrate 1 and a capping layer 3 provided on the multilayer reflective film 2.
  • the reflective portion 7 is composed of the multilayer reflective film 2 and the capping layer 3.
  • the reflective photomask blanks 10 and the reflective photomask 20 include a low-reflection portion 8 provided on the reflective portion 7.
  • the low reflection portion 8 has a laminated structure of at least two layers or more.
  • the laminated structure has an absorption layer 4 and an outermost layer 5 provided on the absorption layer 4.
  • the outermost layer 5 has a refractive index n of 0.90 or more and an extinction coefficient k of 0.02 or less with respect to EUV having a wavelength of 13.5 nm.
  • the substrate 1 As the substrate 1, a flat Si substrate, a synthetic quartz substrate, or the like can be used. Further, low thermal expansion glass to which titanium is added can be used for the substrate 1.
  • the substrate 1 may be made of a material having a small coefficient of thermal expansion, and is not limited thereto.
  • the multilayer reflective film 2 reflects EUV light (extreme ultraviolet light), which is exposure light, and is composed of a combination of materials having a significantly different refractive index with respect to EUV light.
  • EUV light extreme ultraviolet light
  • the multilayer reflective film 2 is configured by repeatedly laminating layers of a combination of molybdenum (Mo) and silicon (Si) or molybdenum (Mo) and beryllium (Be) for about 40 cycles.
  • the capping layer 3 functions as an etching stopper that prevents damage to the multilayer reflection film 2 when the low reflection portion 8 is etched to form the low reflection portion pattern 8a.
  • the capping layer 3 is made of a material that is resistant to the etching conditions of the absorbing layer 4.
  • the capping layer 3 may be omitted in the reflective photomask blanks 10 and the reflective photomask 20. The capping layer 3 may be omitted if the multilayer reflective film 2 is not damaged due to the material of the multilayer reflective film 2 and the etching conditions of the absorbing layer 4, or if the damage is small but the effect is small.
  • the reflective photomask blanks 10 and the reflective photomask 20 may be provided with a back surface conductive film on the back surface side of the substrate 1.
  • the back surface side of the substrate 1 is the surface opposite to the surface on which the multilayer reflective film 2 is formed (hereinafter referred to as the back surface).
  • the back surface conductive film is a film for fixing the reflective photomask 20 to the EUV exposure apparatus by utilizing the principle of the electrostatic chuck.
  • the low-reflection portion 8 having the absorption layer 4 and the outermost layer 5 can be processed to form a pattern.
  • the absorption layer 4 is composed of tin oxide (SnO) or indium oxide (InO). Tin oxide and indium oxide can be dry-etched into chlorine-based gas.
  • the outermost layer 5 is made of silicon oxide (SiO). Silicon oxide can be dry-etched with a fluorine-based gas. Since silicon oxide is not easily etched by chlorine-based gas, when the absorption layer 4 is tin oxide or indium oxide and the outermost layer 5 is silicon oxide, the outermost layer 5 acts as an etching mask for the absorption layer 4.
  • the photomask cannot withstand long-term use unless it is a low-reflection portion 8 having high resistance to an acidic or alkaline cleaning solution.
  • oxides, nitrides or oxynitrides have higher resistance to acid or alkali cleaning solutions for cleaning photomasks (hereinafter, cleaning resistance) than elemental metals.
  • cleaning resistance the higher the oxygen ratio, the higher the cleaning resistance. Therefore, in the absorption layer 4, the atomic number ratio of tin (Sn) and oxygen (O) is in the range of 1: 1 to 1: 2, and the total content of tin and oxygen is the whole. It is preferably composed of a compound material having an amount of 75 atomic% or more.
  • the amount of film loss when immersed in sulfuric acid at 80 ° C. for 10 minutes is 1 nm or less, and the ratio of ammonia, hydrogen peroxide, and water is 1: 1: 20 in mass ratio.
  • the cleaning resistance is said to be high.
  • a low reflection portion pattern 8a having high cleaning resistance can be realized.
  • the absorption layer 4 is formed on the capping layer 3 by sputtering, but the film quality of the absorption layer 4 is changed in order to improve the roughness of the absorption layer pattern, the uniformity of the in-plane dimensions, and the in-plane uniformity of the transferred image. It is preferably sufficiently amorphous.
  • the compound material constituting the absorption layer 4 is one selected from boron (B), nitrogen (N), silicon (Si), germanium (Ge), and hafnium (Hf). It is preferable to contain the above elements, and it is more preferable to contain one or more of these elements in an atomic composition ratio of less than 10%.
  • the outermost layer 5 is formed on the absorption layer 4 by sputtering, but the film quality of the outermost layer 5 is changed in order to improve the roughness of the outermost layer pattern, the uniformity of in-plane dimensions, and the in-plane uniformity of the transferred image. It is preferably sufficiently amorphous.
  • the compound material constituting the outermost layer 5 contains one or more elements selected from boron (B), nitrogen (N), germanium (Ge), and hafnium (Hf). It is more preferable that one or more of these elements are contained in an atomic composition ratio of less than 10%.
  • the distance between the electrodes of the pair of electrodes arranged in the chamber is 18 mm, and the flow rate of hydrogen H 2 introduced into the chamber is 10 19 at / (cm 2 s).
  • 40 MHz CCP Capacitively Coupled Plasma
  • Hydrogen radical resistance is 0.1 nm / s or less in a hydrogen radical environment. It is said to be expensive.
  • EUV lithography EUV light is obliquely incident from the low reflection portion pattern 8a side of the reflective photomask 20, reflected by the reflection portion 7, and incident on the resist film on the wafer.
  • EUV light incident on the reflective photomask 20 creates a shadow of the low reflection portion pattern 8a on the reflection portion 7, the transfer performance to the resist film deteriorates (projection effect).
  • the main material of the outermost layer 5 is preferably a compound material having a small extinction coefficient k with respect to EUV light so as not to obstruct the optical path.
  • the extinction coefficient k of the outermost layer 5 is preferably 0.02 or less, and the film thickness is preferably 20 nm or less.
  • the absorption layer 4 is preferably made of a compound material having a refractive index n of 0.95 or less and an extinction coefficient k of 0.06 or more with respect to EUV light.
  • FIG. 3 is a graph showing optical constants for EUV light (wavelength 13.5 nm) of a metal material.
  • the horizontal axis of FIG. 3 represents the refractive index n, and the vertical axis represents the extinction coefficient k.
  • an absorption film containing tantalum (Ta) as a main component has been conventionally used, but the extinction coefficient k of Ta with respect to EUV light is 0.041. If the compound material has an extinction coefficient larger than Ta, the thickness of the absorption layer 4 can be reduced. When the extinction coefficient k is 0.06 or more, the thickness of the absorption layer 4 can be made sufficiently thin, and the projection effect can be further reduced.
  • the main material of the outermost layer 5 is preferably a compound material having a refractive index close to 1 in vacuum. As a result, deterioration of resolution due to surface reflection of the outermost layer 5 can be suppressed.
  • the low reflection unit 8 preferably has an optical density (OD value) of 1.5 or more with respect to the reflection unit 7. That is, it is preferable that the low reflection portion 8 has a combination of a compound material having an OD value of 1.5 or more with respect to the reflection portion 7 and a film thickness.
  • the OD value is an index showing the contrast of the light intensity between the reflecting portion 7 and the low reflecting portion 8. The larger the OD value, the better the contrast and the higher the transfer performance.
  • the OD value is represented by the formula (1).
  • OD -log (Ra / Rm) ⁇ ⁇ ⁇ (1)
  • Ra is the reflectance of the low reflection unit 8
  • Rm is the reflectance Rm of the reflection unit 7.
  • a compound material containing Ta as a main component has been applied to the conventional absorption film, but a film thickness of 40 nm or more is required to obtain an OD value of 1 or more, and 70 nm to obtain an OD value of 2 or more.
  • the above film thickness was required.
  • the extinction coefficient of Ta is 0.041, but if a compound material having an extinction coefficient of 0.06 or more is applied to the absorption layer 4, the film thickness of the absorption layer 4 can be reduced even with the same OD value.
  • a film thickness of 27 nm or more is required to obtain an OD value of 1 or more, and an OD value of 2 or more is obtained according to Beer's law.
  • An example is shown of the film thickness of the absorption layer 4 and the outermost layer 5.
  • the film thickness of the absorption layer 4 is, for example, 18 nm or more and 48 nm or less.
  • the film thickness of the outermost layer 5 is, for example, 1 nm or more and 20 nm or less.
  • the film thickness of the low-reflection portion 8 and the low-reflection portion pattern 8a having the absorption layer 4 and the outermost layer 5 is, for example, 19 nm or more and 68 nm or less.
  • the reflective photomask blanks 10 and the reflective photomask 20 include a substrate 1, a reflecting portion 7 provided on the substrate 1 for reflecting incident light, and reflection.
  • a low-reflection portion 8 provided on the portion and absorbing incident light is provided.
  • the low reflection portion 8 has a laminated structure of at least two layers or more.
  • the outermost layer 5 of the low reflection portion 8 has a refractive index n of 0.90 or more and an extinction coefficient k of 0.02 or less with respect to EUV light.
  • the outermost layer 5 contains silicon (Si) and oxygen (O) in an atomic number ratio of 1: 1.5 to 1: 2, and the total content of silicon and oxygen is 50% of the total atoms. It is composed of the above compound materials.
  • Silicon (Si) has an extinction coefficient k of 0.0018 and a refractive index n of 0.999, which meets the above optical conditions.
  • the outermost layer 5 since the outermost layer 5 has an extinction coefficient k of 0.02 or less with respect to EUV light, absorption of EUV light can be suppressed. Since the outermost layer pattern formed from the outermost layer 5 suppresses the formation of shadows due to incident light, the projection effect can be suppressed. Further, as the material constituting the outermost layer 5, a material having high cleaning resistance and high hydrogen radical resistance can be used. Thereby, the film loss of the low reflection portion pattern 8a can be suppressed in the cleaning step using an acidic or alkaline cleaning solution or the cleaning step using hydrogen radicals.
  • the outermost layer pattern can suppress the formation of shadows due to incident light, it can be formed on a thick film.
  • the outermost layer pattern By forming the outermost layer pattern into a thick film, it is possible to increase the margin of film loss in the above-mentioned cleaning step and cleaning step. Since it is possible to suppress the film loss of the outermost layer pattern and increase the margin of the film loss, it is possible to improve the life of the mask.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the reflective photomask blanks 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • a multilayer reflective film 12 was formed on a synthetic quartz substrate 11 having low thermal expansion characteristics.
  • the multilayer reflective film 12 was formed by laminating 40 laminated films in which silicon (Si) and molybdenum (Mo) are paired.
  • the film thickness of the multilayer reflective film 12 was 280 nm.
  • the multilayer reflective film 12 is shown as several pairs of laminated films.
  • a capping layer 13 formed of ruthenium (Ru) as an intermediate film was formed on the multilayer reflective film 12 so that the film thickness was 2.5 nm.
  • a reflective portion 17 having a multilayer reflective film 12 and a capping layer 13 was formed on the substrate 11.
  • An absorption layer 14 made of tin oxide was formed on the capping layer 13 so that the film thickness was 26 nm.
  • the atomic number ratio of tin to oxygen in the absorption layer 14 was 1: 1.6 as measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). Further, when the absorption layer 14 was measured by an XRD (X-ray diffractometer), it was found to be amorphous although a slight crystallinity was observed.
  • the outermost layer 15 formed of silicon oxide was formed on the absorption layer 14 so that the film thickness was within the range of 4 nm to 20 nm.
  • the atomic number ratio of silicon to oxygen in the outermost layer 15 was 1: 1.9 as measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy).
  • a low reflection portion 18 having an absorption layer 14 and an outermost layer 15 was formed on the reflection portion 17.
  • a back surface conductive film 16 was formed with a thickness of 100 nm on the side of the substrate 11 on which the multilayer reflective film 12 was not formed (that is, the back surface side).
  • the back surface conductive film 16 was formed of chromium nitride (CrN).
  • a multi-dimensional sputtering device was used to form the respective films on the substrate 11. The film thickness of each film was controlled by the sputtering time. Through the above steps, a reflective photomask blank 100 was produced.
  • FIG. 5 to 8 are schematic cross-sectional views showing the manufacturing method of the reflective photomask 200 according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
  • a positive chemically amplified resist SEBP9012: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • SEBP9012 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • the film was formed and baked at 110 degrees for 10 minutes to form a resist film 19.
  • a predetermined pattern was drawn on the resist film 19 by an electron beam drawing machine (JBX3030: manufactured by JEOL Ltd.). Then, it was baked at 110 degrees for 10 minutes, and then spray-developed (SFG3000: manufactured by Sigma Meltec).
  • FIG. 6 a resist pattern 19a was formed.
  • the outermost layer 15 was patterned by dry etching mainly using a fluorine-based gas. As a result, as shown in FIG. 7, the outermost layer pattern was formed on the outermost layer 15.
  • the absorption layer 14 was patterned by dry etching mainly containing a chlorine-based gas to form an absorption layer pattern.
  • the low reflection portion pattern 18a was formed as shown in FIG.
  • the remaining resist pattern 19a was peeled off to prepare a reflective photomask 200 according to Example 1.
  • the low-reflection portion pattern 18a formed on the low-reflection portion 18 has a line width of 64 nm LS (line and space) pattern, and a line width for measuring the thickness of the absorption layer 4 using an atomic force microscope (AFM). It includes a 200 nm LS pattern and a 4 mm square low reflection part removing part for measuring EUV reflectance.
  • AFM atomic force microscope
  • Example 2 The absorption layer 14 was formed of indium oxide and formed to have a film thickness of 26 nm. Next, the outermost layer 15 formed of silicon oxide was formed on the absorption layer 14 so that the film thickness was within the range of 4 nm to 20 nm. The atomic number ratio of indium and oxygen was 1: 1.3 as measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). A reflective photomask blank 100 and a reflective photomask 200 were produced in the same manner as in Example 1 except for this.
  • Example 3 The absorption layer was formed of tin oxide and formed to have a film thickness of 26 nm. The outermost layer was not formed. Reflective photomask blanks and reflective photomasks were produced in the same manner as in Example 1 except for this.
  • Example 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 described above the film thickness was measured by a transmission electron microscope.
  • the reflectance Rm of the reflective portion region and the reflectance Ra of the low reflective portion region of the produced reflective photomask are measured by a reflectance measuring device using EUV light. It was measured. The reflectance Rm was measured in a 4 mm square absorption layer removing portion. From the measurement result, the OD value was calculated using the above formula (1).
  • FIG. 10 is a schematic view showing a configuration example of an apparatus for evaluating hydrogen radical resistance.
  • the evaluation device includes a chamber 300 and a plasma generator 310 that generates hydrogen plasma 305 in the chamber 300.
  • a lower electrode 301 and an upper electrode 302 facing the lower electrode 301 are provided in the chamber 300.
  • the object to be evaluated 303 is arranged on the surface facing the upper electrode 302.
  • the distance between the lower electrode 301 and the upper electrode 302 (hereinafter referred to as “electrodes”) is 18 mm.
  • the reflective photomasks prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were placed on the lower electrode 301 as the object to be evaluated 303. In this state, hydrogen H 2 was introduced into the chamber 300 at a flow rate of 10 19 at / (cm 2 s), and the introduced hydrogen H 2 was excited using a CCP of 40 MHz to generate hydrogen radicals.
  • the reflective photomasks prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were exposed to hydrogen radicals and treated with hydrogen radicals.
  • the change in film thickness before and after the hydrogen radical treatment was confirmed using an atomic force microscope (AFM). The change in film thickness was measured using an LS pattern with a line width of 200 nm.
  • NXE3300B manufactured by ASML.
  • the pattern was transferred and exposed. The exposure amount was adjusted so that the LS pattern 18a-x in the x direction shown in FIG. 9 was transferred to the resist film with a line width of 16.0 nm as designed.
  • the resist pattern transferred by the electron beam dimensional measuring machine was observed and the line width was measured to confirm the resolution.
  • Tables 1 to 5 The evaluation results are shown in Tables 1 to 5.
  • Table 1 shows the evaluation results of the three reflective photomasks 200 according to Example 1.
  • the evaluation items are the mask characteristics and the line width of the resist pattern transferred onto the wafer using the mask.
  • the absorption layer 14 is composed of tin oxide (refractive index n is 0.94 and extinction coefficient k is 0.07).
  • the surface layer 15 is a reflective photomask composed of silicon oxide (refractive index n is 0.98 and extinction coefficient k is 0.01).
  • the film thickness of the absorption layer 14 is 26 nm, and the film thickness of the outermost layer 15 is 4 nm, 10 nm, and 20 nm.
  • the hydrogen radical resistance of the three reflective photomasks 200 according to Example 1 was 0.07 nm / s, respectively.
  • the measured hydrogen radical resistance value was 0.1 nm or less, which is a reference value for determination, which was a good result.
  • the OD value was as high as 1.81.
  • the line width in the y direction of the resist pattern formed by transferring the LS pattern 18ay (see FIG. 9) in the y direction to the resist film was 12.2 nm.
  • Table 2 shows the evaluation results of the three reflective photomasks 200 according to the second embodiment.
  • the evaluation items are the mask characteristics and the line width of the resist pattern transferred onto the wafer using the mask.
  • the absorption layer 14 is composed of indium oxide (refractive index n is 0.92, extinction coefficient k is 0.067), and is the most.
  • the surface layer 15 is composed of silicon oxide (refractive index n is 0.98, extinction coefficient k is 0.01).
  • the film thickness of the absorption layer 14 is 26 nm, and the film thickness of the outermost layer 15 is 4 nm, 10 nm, and 20 nm.
  • the hydrogen radical resistance of the reflective photomask 200 according to Example 2 was 0.07 nm / s, respectively.
  • the measured hydrogen radical resistance value was 0.1 nm or less, which is a reference value for determination, which was a good result.
  • the OD value was 1.68, which was not as good as that of tin oxide of Example 1.
  • Table 3 shows the evaluation results of the three reflective photomasks according to Comparative Example 1. The evaluation items are the mask characteristics and the line width of the resist pattern transferred onto the wafer using the mask.
  • the absorption layer is composed of tin oxide (refractive index n is 0.94, extinction coefficient k is 0.07), and the outermost layer is It is composed of tantalum (refractive index n is 0.94 and extinction coefficient k is 0.04).
  • the film thickness of the absorption layer is 26 nm, and the film thickness of the outermost layer is 4 nm, 10 nm, and 20 nm.
  • the hydrogen radical resistance of the reflective photomask according to Comparative Example 1 was as good as 0.0 nm.
  • the absorption layer is composed of tantalum (refractive index n is 0.94, extinction coefficient k is 0.04).
  • the film thickness of the absorption layer is 40 nm.
  • the absorption layer also serves as the outermost layer, and there is no outermost layer separate from the absorption layer.
  • the hydrogen radical resistance of the reflective photomask according to Comparative Example 2 was good at 0.0 nm / s, and the OD value was also good at 1.9, but the projection effect due to the film thickness was good. It was large and the pattern in the y direction was not resolved.
  • Table 5 shows the evaluation results of one reflective photomask according to Comparative Example 3. The evaluation items are the mask characteristics and the line width of the resist pattern transferred onto the wafer using the mask.
  • the absorption layer is composed of tin oxide (refractive index n is 0.94 and extinction coefficient k is 0.07).
  • the film thickness of the absorption layer is 26 nm.
  • the absorption layer also serves as the outermost layer, and there is no outermost layer separate from the absorption layer.
  • the OD value of the reflective photomask according to Comparative Example 3 was 2.01 and the line width in the y direction was 13.0 nm, which were the best values, but the hydrogen radical resistance was 0.14 nm /. The worst result was s.
  • the reflective photomask 200 in which the absorption layer 14 is composed of tin oxide and the outermost layer 15 is composed of silicon oxide has good OD value and hydrogen radical resistance, and can reduce the projection effect. It was found that it has a long life and high transfer performance.
  • the reflective photomask blank and the reflective photomask according to the present invention can be applied to, for example, a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or the like. It can be suitably used in the step of forming a fine pattern by EUV exposure.

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Abstract

射影効果の抑制とマスクの寿命向上とを両立できるようにした反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを提供する。反射型フォトマスクブランクス（１０）は、基板（１）と、基板（１）上に設けられて入射した光を反射する反射部（７）と、反射部（７）上に設けられて入射した光を吸収する低反射部（８）と、を備える。低反射部（８）は少なくとも２層以上の積層構造である。低反射部（８）の最表層（５）はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：波長１３．５ｎｍ）光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である。

Description

反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク
　本発明は、反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクに関する。
　半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおいては、転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光光源から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いた露光光源に置き換わってきている。
　ＥＵＶ光は波長が短いので、ほとんどの物質が高い光吸収性を持つ。このため、ＥＵＶ用のフォトマスクは、従来の透過型フォトマスクと異なり、反射型フォトマスクである（例えば、特許文献１、特許文献２）。特許文献１には、ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、下地基板上に２種類以上の材料層を周期的に積層させた多層膜を形成し、多層膜上に、窒化を含む金属膜からなるマスクパターン、又は窒化金属膜と金属膜の積層構造からなるマスクパターンを形成することが開示されている。特許文献２には、多層反射膜上に吸収体膜が設けられた反射型マスクが開示されている。吸収体膜は、位相制御膜と、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した積層膜とで構成されている。
　ＥＵＶリソグラフィは、上記の通り光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、ＥＵＶ露光装置の光学系部材はレンズではなく、ミラーとなる。通常、ＥＵＶリソグラフィでは光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向から６度傾けてＥＵＶ光を入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板上のレジスト膜に照射する手法が採用されている。このように、ＥＵＶリソグラフィでは、入射光の光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向に対して傾斜させることから、ＥＵＶフォトマスクに吸収層パターンの影ができてしまい、吸収層パターンのレジスト膜への転写性能が悪化するという問題が生じてしまう。この影による転写性能の悪化は、射影効果と呼ばれる。
　特許文献２では、位相制御膜及び低屈折率材料層として、ＥＵＶ光に対する消衰係数ｋが０．０３以上の膜を使用することで、従来よりも吸収体膜の厚さを薄くする（６０ｎｍ以下にする）ことが可能となり、射影効果を抑制できることが開示されている。また、特許文献３では、Ｔａを主成分とする吸収膜、もしくは位相シフト膜に対してＥＵＶ光に対する吸収性（消衰係数）が高い化合物材料を採用することで、膜厚を薄くし、射影効果を低減する方法が開示されている。
特開２００１－２３７１７４号公報 特許第６４０８７９０号公報 国際公開第２０１１／００４８５０号
　フォトマスクは、定期メンテナンスとして、酸性又はアルカリ性の洗浄液で洗浄される。また、ＥＵＶ露光装置では、コンタミネーションによるチャンバー内の汚染を防ぐため、反射型フォトマスクは水素ラジカル環境下に晒されてクリーニングされる。反射型フォトマスクにおいて、酸性又はアルカリ性の洗浄液を用いた洗浄や、水素ラジカルを用いたクリーニングが繰り返し行われると、吸収膜を含むパターンがエッチングされて膜減りする可能性がある。
　反射型フォトマスクにおいて、吸収膜を含むパターンの厚さを薄くすることは射影効果の抑制に有効である。しかしながら、パターンの厚さが薄くなるほど、膜減りのマージンは小さくなる。本発明者は、反射型フォトマスクにおいて、射影効果の抑制を目的にパターンの厚さを薄くすると、パターンの膜減りのマージンが小さくなり、水素ラジカルを用いたクリーニング等が原因でマスクの寿命が短くなる可能性がある、という課題を発見した。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、射影効果の抑制とマスクの寿命向上とを両立できるようにした反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクスは、基板と、前記基板上に設けられて入射した光を反射する反射部と、前記反射部上に設けられて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、前記低反射部は少なくとも２層以上の積層構造であり、前記低反射部の最表層はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：波長１３．５ｎｍ）光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である。
　本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に設けられて入射した光を反射する反射部と、前記反射部上に設けられて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、前記低反射部は少なくとも２層以上の積層構造であり、前記低反射部の最表層はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：波長１３．５ｎｍ）光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である。
　本発明によれば、射影効果の抑制とマスクの寿命向上とを両立できるようにした反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを提供することができる。
図１は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスクブランクスの構成例を示す概略断面図である。 図２は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスクの構成例を示す概略断面図である。 図３は、金属材料のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）に対する光学定数を示すグラフである。 図４は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスクブランクス１００の構造を示す概略断面図である。 図５は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスク２００の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図６は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスク２００の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図７は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスク２００の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図８は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスク２００の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図９は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスクの低反射部パターン１８ａを示す平面図である。 図１０は、水素ラジカル耐性を評価するための装置の構成例を示す模式図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明にかかわる反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクについて説明する。
　図１は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスクブランクス１０の構成例を示す概略断面図である。図２は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスク２０の構成例を示す概略断面図である。図２に示す反射型フォトマスク２０は、図１に示す反射型フォトマスクブランクス１０の低反射部８をパターニングして形成されるものである。
　図１及び図２に示すように、反射型フォトマスクブランクス１０及び反射型フォトマスク２０は、基板１上に設けられた多層反射膜２と、多層反射膜２上に設けられたキャッピング層３とを備える。多層反射膜２及びキャッピング層３によって、反射部７が構成されている。また、反射型フォトマスクブランクス１０及び反射型フォトマスク２０は、反射部７上に設けられた低反射部８を備える。低反射部８は少なくとも２層以上の積層構造を有する。積層構造は、吸収層４と、吸収層４上に設けられた最表層５とを有する。最表層５は波長１３．５ｎｍのＥＵＶに対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下　である。
（基板の構成例）
　基板１には、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができる。基板１は、熱膨張率の小さい材料で構成されていればよく、これらに限定されるものではない。
（反射部の構成例）
　多層反射膜２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するもので、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせで構成されている。例えば、多層反射膜２としては、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）、又はモリブデン（Ｍｏ）とベリリウム（Ｂｅ）といった組み合わせの層が４０周期程度繰り返し積層されて構成されている。
　キャッピング層３は、低反射部８をエッチングして低反射部パターン８ａを形成する際に、多層反射膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能する。キャッピング層３は、吸収層４のエッチング条件に対して耐性を有する材質で構成されている。なお、反射型フォトマスクブランクス１０及び反射型フォトマスク２０において、キャッピング層３は無くてもよい。多層反射膜２の材質や吸収層４のエッチング条件により、多層反射膜２にダメージが生じない、又はダメージが生じたとしてもその影響が小さい場合は、キャッピング層３は無くてもよい。
　また、図示しないが、反射型フォトマスクブランクス１０及び反射型フォトマスク２０は、基板１の裏面側に裏面導電膜を備えてもよい。基板１の裏面側とは、基板１において多層反射膜２が形成される面の反対側の面（以下、裏面）のことである。裏面導電膜は、静電チャックの原理を利用して反射型フォトマスク２０をＥＵＶ露光装置に固定するための膜である。
（低反射部の構成例）
　反射型フォトマスクブランクス１０において、吸収層４と最表層５とを有する低反射部８は、パターンを形成するための加工が可能となっている。例えば、吸収層４は、酸化錫（ＳｎＯ）又は酸化インジウム（ＩｎＯ）で構成されている。酸化錫と酸化インジウムは、塩素系ガスにドライエッチング加工が可能である。また、最表層５は、酸化珪素（ＳｉＯ）で構成されている。酸化珪素はフッ素系ガスでドライエッチングが可能である。酸化珪素は塩素系のガスにはエッチングされにくいので、吸収層４を酸化錫又は酸化インジウムとし、最表層５を酸化珪素としたとき、最表層５は吸収層４に対するエッチングマスクとして働く。
　また、酸性又はアルカリ性の洗浄液に対して高い耐性を持つ低反射部８でなければ、フォトマスクは長期の使用に耐えられない。通常、単体金属よりも酸化物、窒化物もしくは酸窒化物の方が、フォトマスクを洗浄する酸又はアルカリの洗浄液に対する耐性（以下、洗浄耐性）が高い。また、酸素比率の多い方が、洗浄耐性が高い。このため、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比が、１：１から１：２の割合の範囲内であり、かつ、錫及び酸素の合計含有量が全体の７５原子％以上である化合物材料で構成されていることが好ましい。もしくは、吸収層４は、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比が１：１から１：１．５の割合の範囲内で、かつインジウム及び酸素の合計含有量が全体の８０原子％以上である化合物材料で構成されていることが好ましい。また、最表層５は、十分な洗浄耐性を備えるため、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比が１：１．５から１：２の割合の範囲内であり、かつ珪素及び酸素の合計含有量が全体の５０原子％以上である化合物材料で構成されていることが好ましい。
　なお、本発明の実施形態では、８０℃の硫酸に１０分間浸漬したときの膜減り量が１ｎｍ以下であり、かつ、アンモニアと過酸化水素と水とを質量比で１：１：２０の割合で混合した洗浄液の槽に５００Ｗのメガソニックを用いて１０分間浸漬したときの膜減り量が１ｎｍ以下である場合を、洗浄耐性が高いという。吸収層４及び最表層５を構成する各化合物材料がこの条件をそれぞれ満たすことで、洗浄耐性が高い低反射部パターン８ａを実現することができる。
　吸収層４はキャッピング層３上にスパッタで形成されるが、吸収層パターンのラフネスや面内寸法の均一性、転写像の面内均一性を良好なものとするため、吸収層４の膜質は十分にアモルファスであることが好ましい。吸収層４の膜質をアモルファスにするため、吸収層４を構成する化合物材料は、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、珪素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）から選ばれる１種以上の元素を含有することが好ましく、これら１種以上の元素を原子組成比１０％未満で含有することがより好ましい。
　最表層５は吸収層４上にスパッタで形成されるが、最表層パターンのラフネスや面内寸法の均一性、転写像の面内均一性を良好なものとするため、最表層５の膜質は十分にアモルファスであることが好ましい。最表層５の膜質をアモルファスにするため、最表層５を構成する化合物材料は、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）から選ばれる１種以上の元素を含有することが好ましく、これら１種以上の元素を原子組成比１０％未満で含有することがより好ましい。
　ＥＵＶ露光装置では、反射型フォトマスク２０は水素ラジカル環境下に晒される。このため、最表層５は、水素ラジカル耐性の高い化合物材料で構成されていることが好ましい。例えば、最表層５は、上記の酸化珪素など、珪素を主材料とする化合物材料で構成されていることが好ましい。もしくは、最表層５は、遷移金属、ビスマス、珪素の少なくとも一つを主材料とする化合物材料で構成されていてもよい。遷移金属、ビスマス、珪素は、他の金属材料に比べて水素に対して反応性が小さく、且つ揮発性が小さい。これにより、低反射部８の水素ラジカル耐性を高めることができ、反射型フォトマスク２０を長期間の使用に耐えうるマスクとすることができる。
　なお、本発明の実施形態では、チャンバー内に配置された一対の電極の電極間距離が１８ｍｍであり、チャンバー内に導入される水素Ｈ２の流量が１０１９ａｔ／（ｃｍ２ｓ）であり、４０ＭＨｚのＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ：容量結合プラズマ）を使って電極間で水素が励起された水素ラジカル環境下での膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ以下である場合を、水素ラジカル耐性が高いという。最表層５を構成する化合物材料がこの条件を満たすことで、水素ラジカル耐性が高い低反射部パターン８ａを実現することができる。
　ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は、反射型フォトマスク２０の低反射部パターン８ａの側から斜めに入射し、反射部７で反射されてウェハ上のレジスト膜に入射する。ここで、反射型フォトマスク２０に入射するＥＵＶ光が低反射部パターン８ａの影を反射部７に作ると、レジスト膜への転写性能が悪化する（射影効果）。
　上記射影効果を抑制するため、最表層５の主材料は、光路の妨げとならないよう、ＥＵＶ光に対する消衰係数ｋが小さい化合物材料であることが好ましい。例えば、射影効果による解像性の悪化を１０％以内に収めるため、最表層５の消衰係数ｋは０．０２以下であり、膜厚は２０ｎｍ以内であることが好ましい。
　上記射影効果を抑制するため、吸収層４は、ＥＵＶ光に対して屈折率ｎが０．９５以下、消衰係数ｋが０．０６以上である化合物材料で構成されていることが好ましい。
　図３は、金属材料のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）に対する光学定数を示すグラフである。図３の横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。上記の特許文献３に開示されているように、従来からタンタル（Ｔａ）を主成分とする吸収膜が用いられているが、ＴａのＥＵＶ光に対する消衰係数ｋは、０．０４１である。Ｔａより大きい消衰係数の化合物材料であれば、吸収層４の厚さを薄くすることが可能である。消衰係数ｋが０．０６以上であれば、吸収層４の厚さを十分に薄くすることが可能であり、射影効果をさらに低減することができる。
　上記のような光学定数（ｎｋ値）の組み合わせを満たす化合物材料としては、図３に示すように、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）がある。
　最表層５の主材料は、真空の１に近い屈折率の化合物材料であることが好ましい。これにより、最表層５の表面反射による解像性の悪化を抑制することができる。
　低反射部８は、反射部７に対して光学濃度（ＯＤ値）が１．５以上であることが好ましい。すなわち、低反射部８は、反射部７に対してＯＤ値が１．５以上となる化合物材料と膜厚の組み合わせを有することが好ましい。ＯＤ値は、反射部７と低反射部８の光強度のコントラストを表す指標である。ＯＤ値が大きいほうがコントラストは良く、高い転写性能が得られる。ＯＤ値は、式（１）で示される。
　　ＯＤ＝－ｌｏｇ（Ｒａ／Ｒｍ）　　・・・（１）
　式（１）において、Ｒａは低反射部８の反射率であり、Ｒｍは反射部７の反射率Ｒｍである。
　上記のように、射影効果を抑制するためには、吸収層４の膜厚を薄くすることが効果的である。従来の吸収膜にはＴａを主成分とする化合物材料が適用されてきたが、ＯＤ値で１以上を得るには４０ｎｍ以上の膜厚が必要であり、ＯＤ値で２以上を得るには７０ｎｍ以上の膜厚が必要であった。Ｔａの消衰係数は０．０４１だが、消衰係数０．０６以上の化合物材料を吸収層４に適用すると、同じＯＤ値でも吸収層４の膜厚を薄くすることができる。例えば、消衰係数０．０６以上の化合物材料を吸収層４に適用すると、ベールの法則より、ＯＤ値で１以上を得るには２７ｎｍ以上の膜厚が必要となり、ＯＤ値で２以上を得るには４８ｎｍ以上の膜厚が必要となる。
　吸収層４及び最表層５の膜厚について、一例を示す。吸収層４の膜厚は、例えば１８ｎｍ以上４８ｎｍ以下である。最表層５の膜厚は、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。吸収層４と最表層５とを有する低反射部８及び低反射部パターン８ａの膜厚は、例えば１９ｎｍ以上６８ｎｍ以下である。
　以上説明したように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクス１０及び反射型フォトマスク２０は、基板１と、基板１上に設けられて入射した光を反射する反射部７と、反射部上に設けられて入射した光を吸収する低反射部８と、を備える。低反射部８は少なくとも２層以上の積層構造である。低反射部８の最表層５はＥＵＶ光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である。例えば、最表層５は、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）を原子数比が１：１．５から１：２の割合の範囲内で、珪素及び酸素の合計含有量が全体の５０％原子以上である化合物材料で構成されている。珪素（Ｓｉ）は、消衰係数ｋが０．００１８であり、屈折率ｎが０．９９９であり、上記の光学条件に当てはまる。
　これによれば、最表層５は、ＥＵＶ光に対する消衰係数ｋが０．０２以下であるため、ＥＵＶ光の吸収を抑制することができる。最表層５から形成される最表層パターンは、入射光による影の形成が抑制されるため、射影効果を抑制することができる。
　また、最表層５を構成する材料として、洗浄耐性が高く、かつ水素ラジカル耐性が高い材料を用いることができる。これにより、酸性又はアルカリ性の洗浄液を用いる洗浄工程や、水素ラジカルを用いるクリーニング工程で、低反射部パターン８ａの膜減りを抑制することができる。
　さらに、最表層パターンは、入射光による影の形成を抑制することができるので、厚膜に形成することができる。最表層パターンを厚膜に形成することにより、上記の洗浄工程やクリーニング工程で、膜減りのマージンを大きくすることができる。最表層パターンの膜減りを抑制するとともに、膜減りのマージンを大きくすることができるので、マスクの寿命向上が可能である。
　以下、本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを、図と表とを用いて説明する。
（実施例１）
　図４は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスクブランクス１００の構造を示す概略断面図である。図４に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板１１の上に、多層反射膜１２を形成した。多層反射膜１２は、珪素（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜を４０枚積層することで形成した。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍであった。図４では、簡便のため、多層反射膜１２は、数対の積層膜で図示されている。
　次に、多層反射膜１２上に、中間膜としてルテニウム（Ｒｕ）で形成されたキャッピング層１３を、膜厚が２．５ｎｍになるように成膜した。これにより、基板１１上には多層反射膜１２及びキャッピング層１３を有する反射部１７が形成された。キャッピング層１３の上に、酸化錫で形成された吸収層１４を膜厚が２６ｎｍになるよう成膜した。吸収層１４における錫と酸素の原子数比は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．６であった。また、吸収層１４をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることがわかった。
　次に、吸収層１４上に、酸化珪素で形成される最表層１５を膜厚が４ｎｍから２０ｎｍの範囲内になるよう成膜した。最表層１５における珪素と酸素の原子数比は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．９であった。これにより、反射部１７上に、吸収層１４及び最表層１５を有する低反射部１８が形成された。次に、基板１１において多層反射膜１２が形成されていない側（即ち、裏面側）に裏面導電膜１６を１００ｎｍの厚さで成膜した。裏面導電膜１６は、窒化クロム（ＣｒＮ）で形成した。
　基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。以上の工程を経て、反射型フォトマスクブランクス１００を作製した。
　次に、反射型フォトマスクブランクス１００を用いて、反射型フォトマスク２００を作製する。図５から図８は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスク２００の製造方法を工程順に示す概略断面図である。図５に示すように、反射型フォトマスクブランクス１００に備えられた低反射部１８の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学工業社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０度で１０分ベークし、レジスト膜１９を形成した。次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってレジスト膜１９に所定のパターンを描画した。その後、１１０度、１０分ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、図６に示すように、レジストパターン１９ａを形成した。
　次に、レジストパターン１９ａをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを主体としたドライエッチングにより、最表層１５のパターニングを行った。これにより、図７に示すように最表層１５に最表層パターンを形成した。次に、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより吸収層１４のパターニングを行い、吸収層パターンを形成した。これにより、図８に示すように低反射部パターン１８ａを形成した。次に、残ったレジストパターン１９ａ（図７参照）の剥離を行い、本実施例１による反射型フォトマスク２００を作製した。
　実施例１において、低反射部１８に形成した低反射部パターン１８ａは、線幅６４ｎｍＬＳ（ラインアンドスペース）パターン、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いた吸収層４の膜厚測定用の線幅２００ｎｍＬＳパターン、ＥＵＶ反射率測定用の４ｍｍ角の低反射部除去部を含んでいる。
　図９は、本発明の実施例１に係る反射型フォトマスクの低反射部パターン１８ａを示す平面図である。図９において、符号「ＷＬ」はＬＳパターンのライン幅を示し、符号「ＷＳ」はＬＳパターンのスペース幅を示し、符号「ＷＰ」はＬＳパターンの配置ピッチを示す。ＷＰ＝ＷＬ＋ＷＳの関係にある。また、符号「１８ａ－ｘ」は、低反射部パターン１８ａのうち、ｘ方向に延設されたＬＳパターンを示す。符号「１８ａ－ｙ」は、低反射部パターン１８ａのうち、ｙ方向に延設されたＬＳパターンを示す。実施例１では、ＷＬ＝６４ｎｍ、ＷＳ＝６４ｎｍであるＬＳパターン１８ａ－ｘ、１８ａ－ｙを形成した。
（実施例２）
　吸収層１４を酸化インジウムで形成し、膜厚２６ｎｍになるよう成膜した。次に、吸収層１４上に、酸化珪素で形成される最表層１５を膜厚が４ｎｍから２０ｎｍの範囲内になるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．３であった。これ以外は実施例１と同様の方法で、反射型フォトマスクブランクス１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。
（比較例１）
　吸収層を酸化錫で形成し、膜厚２６ｎｍになるよう成膜した。次に、吸収層上に、タンタル（Ｔａ）で形成される最表層を膜厚が４ｎｍから２０ｎｍの範囲内になるよう成膜した。これ以外は実施例１と同様の方法で、反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを作製した。
（比較例２）
　吸収層をタンタル（Ｔａ）で形成し、膜厚４０ｎｍになるよう成膜した。最表層は形成しなかった。これ以外は実施例１と同様の方法で、反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを作製した。
（比較例３）
　吸収層を酸化錫で形成し、膜厚２６ｎｍになるよう成膜した。最表層は形成しなかった。これ以外は実施例１と同様の方法で、反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクを作製した。
（評価方法）
　上記の実施例１、２及び比較例１から３において、膜厚は透過電子顕微鏡によって測定した。上記の実施例１、２及び比較例１から３において、作製した反射型フォトマスクの反射部の領域の反射率Ｒｍと低反射部の領域の反射率ＲａとをＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。反射率Ｒｍの測定は４ｍｍ角の吸収層除去部で行った。その測定結果から、上記の式（１）を用いてＯＤ値を算出した。
　図１０に示す評価装置を用いて、実施例１、２及び比較例１から３で作製した反射型フォトマスクの水素ラジカル耐性を評価した。
　図１０は、水素ラジカル耐性を評価するための装置の構成例を示す模式図である。図１０に示すように、評価装置は、チャンバー３００と、チャンバー３００に水素プラズマ３０５を発生させるプラズマ発生装置３１０と、を備える。チャンバー３００内には、下部電極３０１と、下部電極３０１と向かい合う上部電極３０２とが設けられている。下部電極３０１において、上部電極３０２と向かい合う面上に被評価物３０３が配置される。下部電極３０１と上部電極３０２との間（以下、電極間）の距離は１８ｍｍである。
　下部電極３０１上に、被評価物３０３として、実施例１、２及び比較例１から３で作製した反射型フォトマスクを配置した。この状態で、チャンバー３００内に水素Ｈ２を流量１０１９ａｔ／（ｃｍ２ｓ）で導入し、導入した水素Ｈ２を４０ＭＨｚのＣＣＰを使い励起して、水素ラジカルを発生させた。実施例１、２及び比較例１から３で作製した反射型フォトマスクを水素ラジカルに晒して、水素ラジカル処理を行った。低反射部について、水素ラジカル処理前後での膜厚変化を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて確認した。膜厚変化の測定は、線幅２００ｎｍのＬＳパターンで行った。
　ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に実施例１、２及び比較例１から３で作製した反射型フォトマスクの低反射部パターンを転写露光した。露光量は、図９に示したｘ方向のＬＳパターン１８ａ－ｘが、設計通りの線幅１６．０ｎｍでレジスト膜に転写されるように調節した。電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性の確認を行った。
（評価結果）
　評価結果を表１から５に示す。表１は、実施例１に係る３つの反射型フォトマスク２００の評価結果を示している。評価項目は、マスク特性と、マスクを用いてウェハ上に転写されたレジストパターンの線幅である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、実施例１に係る３つの反射型フォトマスク２００は、吸収層１４が酸化錫（屈折率ｎが０．９４、消衰係数ｋが０．０７）で構成され、最表層１５が酸化珪素（屈折率ｎが０．９８、消衰係数ｋが０．０１）で構成された反射型フォトマスクである。吸収層１４の膜厚は２６ｎｍであり、最表層１５の膜厚は４ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍである。
　表１に示すように、実施例１に係る３つの反射型フォトマスク２００の水素ラジカル耐性は、それぞれ０．０７ｎｍ／ｓであった。実施例１において、測定された水素ラジカル耐性の値は、判定の基準値である０．１ｎｍ以下であり、良好な結果であった。また、最表層１５の膜厚が４ｎｍのとき、ＯＤ値は１．８１と高い値であった。ｙ方向のＬＳパターン１８ａ－ｙ（図９参照）がレジスト膜に転写されて形成されたレジストパターンの、ｙ方向の線幅は１２．２ｎｍであった。最表層１５の膜厚を２０ｎｍまで厚くしたところ、ＯＤ値は向上したが、膜厚が厚くなったことによる射影効果が見られ、ｙ方向の線幅は１１．４ｎｍと悪化した。
　表２は、実施例２に係る３つの反射型フォトマスク２００の評価結果を示している。評価項目は、マスク特性と、マスクを用いてウェハ上に転写されたレジストパターンの線幅である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例２に係る３つの反射型フォトマスク２００は、吸収層１４が酸化インジウム（屈折率ｎが０．９２、消衰係数ｋが０．０６７）で構成され、最表層１５が酸化珪素（屈折率ｎが０．９８、消衰係数ｋが０．０１）で構成されている。吸収層１４の膜厚は２６ｎｍであり、かつ、最表層１５の膜厚は４ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍである。
　表２に示すように、実施例２に係る反射型フォトマスク２００の水素ラジカル耐性は、それぞれ０．０７ｎｍ／ｓであった。実施例２において、測定された水素ラジカル耐性の値は、判定の基準値である０．１ｎｍ以下であり、良好な結果であった。また、最表層１５の膜厚が４ｎｍのとき、ＯＤ値は１．６８で、実施例１の酸化錫には及ばない結果となった。最表層１５の膜厚を２０ｎｍまで厚くしたところ、ＯＤ値は向上したが、膜厚が厚くなったことによる射影効果が見られ、ｙ方向の線幅は１１．２ｎｍと悪化した。
　表３は、比較例１に係る３つの反射型フォトマスクの評価結果を示している。評価項目は、マスク特性と、マスクを用いてウェハ上に転写されたレジストパターンの線幅である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、比較例１に係る３つの反射型フォトマスクは、吸収層が酸化錫（屈折率ｎが０．９４、消衰係数ｋが０．０７）で構成され、最表層がタンタル（屈折率ｎが０．９４、消衰係数ｋが０．０４）で構成されている。吸収層の膜厚は２６ｎｍであり、最表層の膜厚は４ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍである。
　表３に示すように、比較例１に係る反射型フォトマスクの水素ラジカル耐性は０．０ｎｍと良好であった。しかし、最表層の膜厚が４ｎｍと薄膜でも、射影効果が表れ、ｙ方向の線幅は１１．７ｎｍとなり、実施例１、２よりも悪化した結果となった。またＯＤ値も１．５６とコントラストの低下が見られ、実施例１、２よりも表面反射が強く転写性能が悪化した結果となった。最表層の膜厚を厚くするとＯＤ値は向上するが、射影効果が強く表れ、ｙ方向の線幅はさらに悪化した。
　表４は、比較例２に係る１つの反射型フォトマスクの評価結果を示している。評価項目は、マスク特性と、マスクを用いてウェハ上に転写されたレジストパターンの線幅である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４に示すように、比較例２に係る反射型フォトマスクは、吸収層がタンタル（屈折率ｎが０．９４、消衰係数ｋが０．０４）で構成されている。吸収層の膜厚は、４０ｎｍである。吸収層が最表層を兼ねており、吸収層とは別の最表層はない。表４に示すように、比較例２に係る反射型フォトマスクの水素ラジカル耐性は０．０ｎｍ／ｓと良好で、ＯＤ値も１．９と良好な値だったが、膜厚による射影効果が大きく、ｙ方向のパターンは解像しなかった。
　表５は、比較例３に係る１つの反射型フォトマスクの評価結果を示している。評価項目は、マスク特性と、マスクを用いてウェハ上に転写されたレジストパターンの線幅である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５に示すように、比較例３に係る反射型フォトマスクは、吸収層が酸化錫（屈折率ｎが０．９４、消衰係数ｋが０．０７）で構成されている。吸収層の膜厚は、２６ｎｍである。吸収層が最表層を兼ねており、吸収層とは別の最表層はない。表５に示すように、比較例３に係る反射型フォトマスクのＯＤ値は２．０１、ｙ方向の線幅は１３．０ｎｍで最も良い値となったが、水素ラジカル耐性が０．１４ｎｍ／ｓと最も悪い結果となった。
　以上の評価結果から、吸収層１４が酸化錫で構成され、最表層１５が酸化珪素で構成された反射型フォトマスク２００は、ＯＤ値、水素ラジカル耐性が共に良好であり、射影効果を低減でき、長寿命で転写性能が高い、ということがわかった。
　本発明に係る反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスクは、例えば、半導体集積回路などの製造工程に適用することができる。ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成する工程に好適に用いることができる。
１、１１　基板
２、１２　多層反射膜
３、１３　キャッピング層
４、１４　吸収層
５、１５　最表層
７、１７　反射部
８、１８　低反射部
８ａ、１８ａ　低反射部パターン
１０、１００　反射型フォトマスクブランクス
１６　裏面導電膜
１８ａ－ｘ　ＬＳパターン
１８ａ－ｙ　ＬＳパターン
１９　レジスト膜
１９ａ　レジストパターン
２０、２００　反射型フォトマスク
３００　チャンバー
３０１　下部電極
３０２　上部電極
３０３　被評価物
３０５　水素プラズマ
３１０　プラズマ発生装置

Claims (11)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に設けられて入射した光を反射する反射部と、
    　前記反射部上に設けられて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、
    　前記低反射部は少なくとも２層以上の積層構造であり、
    　前記低反射部の最表層はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：波長１３．５ｎｍ）光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である、反射型フォトマスクブランクス。
  2. 　前記最表層は、
    　珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比が１：１．５から１：２の割合の範囲内であり、かつ、前記珪素及び前記酸素の合計含有量が全体の５０原子％以上である化合物材料で構成されている、請求項１に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  3. 　前記最表層を構成する化合物材料は、更にホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）から選ばれる１種以上の元素を含有する、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  4. 　前記最表層の膜厚が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である請求項１から３までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  5. 　前記低反射部は、
    　前記最表層と前記反射部との間に設けられて入射した光を吸収する吸収層を有し、
    　前記吸収層は、
    　前記ＥＵＶ光に対して屈折率ｎが０．９５以下、消衰係数ｋが０．０６以上である化合物材料で構成されている、請求項１から４までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  6. 　前記低反射部は、
    　前記最表層と前記反射部との間に設けられて入射した光を吸収する吸収層を有し、
    　前記吸収層は、
    　錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比が１：１から１：２の割合の範囲内であり、かつ、錫及び酸素の合計含有量が全体の７５原子％以上である化合物材料で構成されている、請求項１から４までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  7. 　前記低反射部は、
    　前記最表層と前記反射部との間に設けられて入射した光を吸収する吸収層を有し、
    　前記吸収層は、
    　インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比が１：１から１：１．５の割合の範囲内であり、かつ、インジウム及び酸素の合計含有量が全体の８０原子％以上である化合物材料で構成されている、請求項１から４までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  8. 　前記吸収層を構成する化合物材料は、更にホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、珪素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）から選ばれる１種以上の元素を含有する、請求項５から７までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  9. 　前記吸収層の膜厚は、１８ｎｍ以上４８ｎｍ以下である請求項５から８までのいずれか一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  10. 　前記低反射部は、前記反射部に対して光学濃度（ＯＤ値）が１．５以上である、請求項１から９までのいずれの一項に記載の反射型フォトマスクブランクス。
  11. 　基板と、
    　前記基板上に設けられて入射した光を反射する反射部と、
    　前記反射部上に設けられて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、
    　前記低反射部は少なくとも２層以上の積層構造であり、
    　前記低反射部の最表層はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：波長１３．５ｎｍ）光に対して屈折率ｎが０．９０以上、消衰係数ｋが０．０２以下である、反射型フォトマスク。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022255458A1 (ja) * 2021-06-02 2022-12-08 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6966013B1 (ja) * 2020-10-14 2021-11-10 凸版印刷株式会社 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法
JP2022107355A (ja) * 2021-01-08 2022-07-21 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP2022123773A (ja) * 2021-02-12 2022-08-24 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP2022124344A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648790B2 (ja) 1981-03-30 1989-02-15 Kokusai Shaku Kk
JP2004207593A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
JP2005268255A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法
WO2010090132A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648790A (en) 1987-07-01 1989-01-12 Fujitsu Ltd Picture switching control system
JP4397496B2 (ja) 2000-02-25 2010-01-13 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 反射型露光マスクおよびｅｕｖ露光装置
CN100454485C (zh) * 2004-12-10 2009-01-21 凸版印刷株式会社 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法
JP2008041740A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Toppan Printing Co Ltd 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法
WO2010007955A1 (ja) * 2008-07-14 2010-01-21 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP5332741B2 (ja) * 2008-09-25 2013-11-06 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスク
KR20120034074A (ko) 2009-07-08 2012-04-09 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
US8841047B2 (en) * 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US9134604B2 (en) * 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648790B2 (ja) 1981-03-30 1989-02-15 Kokusai Shaku Kk
JP2004207593A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
JP2005268255A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法
WO2010090132A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022255458A1 (ja) * 2021-06-02 2022-12-08 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク

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