WO2020241190A1 - 変成器 - Google Patents
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Abstract
トランスの漏洩インダクタンスが低減される。第1コイルは第1端および第2端を含む。第2コイルは第3端および第4端を含む。二次巻線は第1導電体と第2導電体を有する。第1導電体は、第1方向において第1端と第3端に挟まれて第1端と第3端と導通する。第2導電体は、第1方向において第2端と第4端に挟まれて第2端と前記第4端と導通する。第2方向は第1方向と直交する。第1端と第2端とは第2方向において接触せず隣接して並ぶ。第3端と第4端とは第2方向において接触せず隣接して並ぶ。第1導電体と第2導電体とは第2方向において接触せず隣接して並ぶ。第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違する。第1位置は、第1導電体と第2導電体との境界の第2方向における位置である。第2位置は、第1端と第2端との境界の第2方向における位置である。第3位置は、第3端と第4端との境界の第2方向における位置である。
Description
本開示は変成器に関する。
変成器(トランスフォーマ;transformer:以下「トランス」とも称す)に備えられる一次コイルおよび二次コイルのいずれもが積層されたトランスが公知である。例えば特許文献1では同一平面内に一次コイルと二次コイルとが配置された薄型トランスが開示される。当該薄型トランスでは平面コイルが複数枚重ねて配置される。
しかし特許文献1に示された構成では同一平面に一次コイルと二次コイルを設けるので、これらが配置される同一平面は広い面積が必要となる。他方、一次コイルと二次コイルとを単に積層するだけではそれぞれの端部における漏れ磁束が顕著となりやすい。漏洩磁束が増大すると漏洩インダクタンスが増大する。
そこで、積層された一次コイルと二次コイルとを備えながらも漏洩インダクタンスが低減されるトランスを提供することが本開示の目的の一つである。
本開示の変成器は、互いに絶縁される一次巻線と二次巻線とを備え、前記二次巻線は互いに導通する第1コイルと第2コイルとを有し、前記一次巻線は第3コイルを有し、前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルのいずれもが、第1方向に沿う一つの軸の周りを少なくとも部分的に周回する。
前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルが前記第1方向において積層される。前記第1コイルは第1端および第2端を含む。前記第2コイルは第3端および第4端を含む。前記二次巻線は第1導電体と第2導電体を更に有する。
前記第1導電体は、前記第1方向において前記第1端と前記第3端に挟まれて前記第1端と前記第3端と導通する。前記第2導電体は、前記第1方向において前記第2端と前記第4端に挟まれて前記第2端と前記第4端と導通する。第2方向は前記第1方向と直交する。
前記第1端と前記第2端とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。前記第3端と前記第4端とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。前記第1導電体と前記第2導電体とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。
第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違する。前記第1位置は、前記第1導電体と前記第2導電体との境界の前記第2方向における位置である。前記第2位置は、前記第1端と前記第2端との境界の前記第2方向における位置である。前記第3位置は、前記第3端と前記第4端との境界の前記第2方向における位置である。
本開示の変成器によれば、積層された一次コイルと二次コイルとを備えながらも漏洩インダクタンスが低減される。
[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様が列記して説明される。
最初に本開示の実施態様が列記して説明される。
本開示は、次の通りである。
(1)変成器は互いに絶縁される一次巻線と二次巻線とを備え、前記二次巻線は互いに導通する第1コイルと第2コイルとを有し、前記一次巻線は第3コイルを有する。前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルのいずれもが、第1方向に沿う一つの軸の周りを少なくとも部分的に周回する。
(1)変成器は互いに絶縁される一次巻線と二次巻線とを備え、前記二次巻線は互いに導通する第1コイルと第2コイルとを有し、前記一次巻線は第3コイルを有する。前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルのいずれもが、第1方向に沿う一つの軸の周りを少なくとも部分的に周回する。
前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルが前記第1方向において積層される。前記第1コイルは第1端および第2端を含む。前記第2コイルは第3端および第4端を含む。前記二次巻線は第1導電体と第2導電体を更に有する。
前記第1導電体は、前記第1方向において前記第1端と前記第3端に挟まれて前記第1端と前記第3端と導通する。前記第2導電体は、前記第1方向において前記第2端と前記第4端に挟まれて前記第2端と前記第4端と導通する。第2方向は前記第1方向と直交する。
前記第1端と前記第2端とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。前記第3端と前記第4端とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。前記第1導電体と前記第2導電体とは前記第2方向において接触せず隣接して並ぶ。
第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違する。前記第1位置は、前記第1導電体と前記第2導電体との境界の前記第2方向における位置である。前記第2位置は、前記第1端と前記第2端との境界の前記第2方向における位置である。前記第3位置は、前記第3端と前記第4端との境界の前記第2方向における位置である。
第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違することによって、漏洩磁束に対する磁気抵抗を高めるという作用を生じ、漏洩磁束が、ひいては漏洩インダクタンスが低減される。
(2)前記二次巻線は第3導電体を更に有し、前記第1コイルは第5端を更に含み、前記第2コイルは第6端を更に含み、前記第5端と前記第2端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、前記第6端と前記第4端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、前記第3導電体は、前記第1方向において前記第5端と前記第6端とに挟まれて前記第5端と前記第6端と導通し、前記第3導電体と前記第2導電体とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、第4位置が前記第1位置および前記第2位置の少なくとも一つと相違し、前記第4位置は、前記第3導電体と前記第2導電体との境界の前記第2方向における位置であることが好ましい。前記第5端および前記第6端は前記二次巻線の中間タップであるからである。
(3)前記第3コイルは前記第1方向において前記第1コイルと前記第2コイルとに挟まれ、前記第3コイルと前記第1導電体と前記第2導電体とは前記第1方向において揃って位置することが好ましい。漏洩磁束が低減されるからである。
[本開示の実施形態の詳細]
本開示のトランスの具体例が、以下に図面が参照されつつ説明される。なお、本開示はこれらの例示に限定されず、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内における全ての変更が含まれることが意図される。
本開示のトランスの具体例が、以下に図面が参照されつつ説明される。なお、本開示はこれらの例示に限定されず、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内における全ての変更が含まれることが意図される。
[実施形態1]
以下、実施形態1にかかるトランスについて説明される。図1は、実施形態1にかかるトランス100の構成を例示する平面図である。トランス100はコア5を備える。
以下、実施形態1にかかるトランスについて説明される。図1は、実施形態1にかかるトランス100の構成を例示する平面図である。トランス100はコア5を備える。
図2はトランス100の構成を例示する斜視図である。但し、図2では見やすくするために、図1における位置CCよりもコア5側に存在する部分のみが描かれる。
図3はコア5の構成を例示する斜視図である。コア5はいわゆるEIコアである。コア5はI型コア51とE型コア52とを有する。E型コア52は3つの脚501,502,503を含む。脚501,502,503は第2方向Xに沿って並ぶ。脚502は脚501,503の間に位置する。第2方向Xは第1方向Zと直交する。
トランス100は一次巻線1および二次巻線2を備える。一次巻線1は第3コイル11,12,13,14を有する。二次巻線2は第1コイル21および第2コイル22を有する。第1コイル21、第2コイル22、第3コイル11,12,13,14は第1方向Zにおいて積層される。一次巻線1が有する第3コイルの積層数は4に限定されない。
第1コイル21、第2コイル22、第3コイル11,12,13,14のいずれもが、軸Jの周りを少なくとも部分的に周回する。軸Jは第1方向Zに沿って脚502を通る仮想的な軸であり、全ての図において鎖線で示される。
第1コイル21は周回部210と端21a,21cとを含む。周回部210は脚502の周りを、従って軸Jの周りを周回する。端21a,21cは周回部210に連続し、第2方向Xにおいて接触することなく隣接して並ぶ。以下ではこのように並ぶことが「非接触で隣接する」と表現される。境界21acは第2方向Xにおける端21a,21c同士の境界である。
第2コイル22は周回部220と端22b,22cとを含む。周回部220は脚502の周りを、従って軸Jの周りを周回する。端22b,21cは周回部220に連続し、第2方向Xにおいて非接触で隣接して並ぶ。境界22bcは第2方向Xにおける端22b,22c同士の境界である。
実施形態1および後述する実施形態2において、第1方向Zおよび第2方向Xのいずれにも直交する第3方向Yが導入される。周回部210は端21a,21cに対して第3方向Y側に位置する。周回部220は端22a,22cに対して第3方向Y側に位置する。
第1コイル21は境界21acを除いて脚502の周りを一周する。第2コイル22は境界22bcを除いて脚502の周りを一周する。第3コイル11,12,13,14は脚502の周りを複数回で周回する。
図4は一次巻線1および二次巻線2を第1方向Zにおいて分解して例示する斜視図である。図4においてコア5は省略される。図4においても図2と同様に、位置CCよりもコア5側に位置する領域が示される。
第1方向Zにおいて第2コイル22、第3コイル14,13,12,11、第1コイル21がこの順に積層される。
第3コイル11は端11d,11eを含む。第3コイル12は端12d,12eを含む。第3コイル13は端13d,13eを含む。第3コイル14は端14d,14eを含む。
一次巻線1において第3コイル11,12,13,14がこの順に直列に接続される。端11eは端12eと導電体112によって接続される。導電体112は第1方向Zにおいて端11e,12eに挟まれて端11e,12eと導通する。端12dは端13eと導電体123によって接続される。導電体123は第1方向Zにおいて端12d,13eに挟まれて端12d,13eと導通する。端13dは端14eと導電体134によって接続される。導電体134は第1方向Zにおいて端13d,14eに挟まれて端13d,14eと導通する。端11d,14dは一次巻線1の両端として機能する。端11d,14dは第3コイル12,13に対して第3方向Y側に位置する。
図5はトランス100の構成を例示する側面図である。図5は第3方向Yと反対の方向から見た側面を示す。導電体112,123,134に付記されたハッチングは断面を表示するのではなく、視認性を高めるために便宜的に付記される。
第1コイル21および第2コイル22、第3コイル11,12,13,14は複数の絶縁層が積層されたプリント基板60において導電パターンとして実現できる。当該導電パターンは積層される絶縁層の境界もしくは表面に設けられる。導電体112,123,134のそれぞれは、絶縁層において厚み方向に導通するビアホールによって実現できる。図1、図2、図4において当該絶縁層は省略される。図5においてプリント基板60が輪郭のみ鎖線で示されることにより、導電体112,123,134の視認性が高められる。
二次巻線2は導電体群211,212,213,214を有する。導電体群211は導電体211a,211b,211cを含む。導電体群212は導電体212a,212b,212cを含む。導電体群213は導電体213a,213b,213cを含む。導電体群214は導電体214a,214b,214cを含む。
図6は二次巻線2の構成を例示する断面図である。図6は図1に示された位置DDにおいて第3方向Yに沿って見て現れる断面である。
端21aと端21cとは、第2方向Xに沿って境界21acを挟んで非接触に並ぶ。導電体211aと導電体211cとは、第2方向Xに沿って境界211acを挟んで非接触に並ぶ。導電体212aと導電体212cとは、第2方向Xに沿って境界212acを挟んで非接触に並ぶ。導電体213aと導電体213cとは、第2方向Xに沿って境界213acを挟んで非接触に並ぶ。導電体214aと導電体214cとは、第2方向Xに沿って境界214acを挟んで非接触に並ぶ。端22aと端22cとは、第2方向Xに沿って境界22acを挟んで非接触に並ぶ。
端21cと端21bとは、第2方向Xに沿って境界21bcを挟んで非接触に並ぶ。導電体211cと導電体211bとは、第2方向Xに沿って境界211bcを挟んで非接触に並ぶ。導電体212cと導電体212bとは、第2方向Xに沿って境界212bcを挟んで非接触に並ぶ。導電体213cと導電体213bとは、第2方向Xに沿って境界213bcを挟んで非接触に並ぶ。導電体214cと導電体214bとは、第2方向Xに沿って境界214bcを挟んで非接触に並ぶ。端22cと端22bとは、第2方向Xに沿って境界22bcを挟んで非接触に並ぶ。
図2および図4においては表示の煩雑を避けるため、上述の境界の一部もしくは全ての符号が省略される。
導電体611aは、第1方向Zにおいて端21aと導電体211aとに挟まれ、端21aおよび導電体211aと導通する。導電体611aは、端21aと導電体211aとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体612aは、第1方向Zにおいて導電体211aと導電体212aとに挟まれ、導電体211aおよび導電体212aと導通する。導電体612aは、導電体211aと導電体212aとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体623aは、第1方向Zにおいて導電体212aと導電体213aとに挟まれ、導電体212aおよび導電体213aと導通する。導電体623aは、導電体212aと導電体213aとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体634aは、第1方向Zにおいて導電体213aと導電体214aとに挟まれ、導電体213aおよび導電体214aと導通する。導電体634aは、導電体213aと導電体214aとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体642aは、第1方向Zにおいて導電体214aと端22aとに挟まれ、導電体214aおよび端22aと導通する。導電体642aは、導電体214aと端22aとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体611bは、第1方向Zにおいて端21bと導電体211bとに挟まれ、端21bおよび導電体211bと導通する。導電体611bは、端21bと導電体211bとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体612bは、第1方向Zにおいて導電体211bと導電体212bとに挟まれ、導電体211bおよび導電体212bと導通する。導電体612bは、導電体211bと導電体212bとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体623bは、第1方向Zにおいて導電体212bと導電体213bとに挟まれ、導電体212bおよび導電体213bと導通する。導電体623bは、導電体212bと導電体213bとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体634bは、第1方向Zにおいて導電体213bと導電体214bとに挟まれ、導電体213bおよび導電体214bと導通する。導電体634bは、導電体213bと導電体214bとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体642bは、第1方向Zにおいて導電体214bと端22bとに挟まれ、導電体214bおよび端22bと導通する。導電体642bは、導電体214bと端22bとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体611cは、第1方向Zにおいて端21cと導電体211cとに挟まれ、端21cおよび導電体211cと導通する。導電体611cは、端21cと導電体211cとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体612cは、第1方向Zにおいて導電体211cと導電体212cとに挟まれ、導電体211cおよび導電体212cと導通する。導電体612cは、導電体211cと導電体212cとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体623cは、第1方向Zにおいて導電体212cと導電体213cとに挟まれ、導電体212cおよび導電体213cと導通する。導電体623cは、導電体212cと導電体213cとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体634cは、第1方向Zにおいて導電体213cと導電体214cとに挟まれ、導電体213cおよび導電体214cと導通する。導電体634cは、導電体213cと導電体214cとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
導電体642cは、第1方向Zにおいて導電体214cと端22cとに挟まれ、導電体214cおよび端22cと導通する。導電体642cは、導電体214cと端22cとに挟まれる絶縁層において設けられるビアホールによって実現できる。
このような導通によって端21aおよび端22aのいずれもが二次巻線2の一端として機能し、端21bおよび端22bのいずれもが二次巻線2の他端として機能し、端21cおよび端22cのいずれもが二次巻線2の中間タップとして機能する。
特許文献1に開示されるような同一平面に一次コイルと二次コイルとが設けられる構成と比較すると、トランス100は第1方向Zにおいて一次巻線1と二次巻線2とを積層するので、第2方向Xおよび第3方向Yに拡がる面積を小さくできる。これはトランスを小型化する観点で有利である。
一次巻線1の端11d,14dに電圧が印加されると、一次巻線1に電流が流れ、当該電流に由来して磁束が発生する。この磁束には二次巻線2を鎖交しない、いわゆる漏洩磁束となる成分がある。
漏洩磁束の第1成分は、第1方向Zにおける第1コイル21と第3コイル11との間、および第1方向Zにおける第2コイル22と第3コイル14との間を通り、第1コイル21および第2コイル22のいずれにも鎖交しない磁束である。
漏洩磁束の第2成分は、境界21ac,211ac,212ac,213ac,214ac,22acをこの順、もしくは逆の順で通る磁束である。
漏洩磁束の第3成分は、境界21bc,211bc,212bc,213bc,214bc,22bcをこの順、もしくは逆の順で通る磁束である。
漏洩磁束の第2成分は、二次巻線2の端21a,22c同士がトランス100の外部で負荷を介してまたは直接に接続されて得られる閉路が囲む領域を往復する。漏洩磁束の第3成分は、二次巻線2の端21b,22c同士がトランス100の外部で負荷を介してまたは直接に接続されて得られる閉路が囲む領域を往復する。
よって漏洩磁束を低減するためには、漏洩磁束の第2成分を低減する観点では境界21acから境界211ac,212ac,213ac,214acを経由して境界22acに至る経路における第2成分に対する磁気抵抗を高めることが望ましい。漏洩磁束を低減するために漏洩磁束の第3成分を低減する観点で、境界21bcから境界211bc,212bc,213bc,214bcを経由して境界22bcに至る経路における第3成分に対する磁気抵抗を高めることも望ましい。
第2方向Xにおいて境界21ac,211ac,212ac,213ac,214ac,22acは、それぞれ位置x2,x1,x3,x1,x3,x2にある。そして位置x1,x2,x3はいずれも互いに相違する。このため、漏洩磁束の第2成分は、大まかには第1方向Zもしくはその反対の方向に流れる向うものの、第2方向Xに沿ってつづら折りに流れる。このようなつづら折りの磁路は漏洩磁束の第2成分に対する磁気抵抗を高める。
第2方向Xにおいて境界21bc,211bc,212bc,213bc,214bc,22bcは、それぞれ位置x5,x4,x6,x4,x6,x5にある。そして位置x4,x5,x6はいずれも互いに相違する。このため、漏洩磁束の第3成分は、大まかには第1方向Zもしくはその反対の方向に流れる向うものの、第2方向Xに沿ってつづら折りに流れる。このようなつづら折りの磁路は漏洩磁束の第3成分に対する磁気抵抗を高める。
図6に示された例では、第1方向Zにおいて隣接する境界同士の第2方向Xにおける位置が必ず異なっている場合が例示される。この場合、第1方向Zにおいて隣接する境界同士の第2方向Xにおける位置が全て同じ場合と比較すると、漏洩磁束が2~3割程度減少する(但し端21a,21cを短絡し、端21bを開放した場合)。
図6で例示された導電体同士の位置関係は、磁気抵抗を高める観点で望ましいが、必ずしもこのような位置関係が必要ではない。
第2方向Xにおける境界21ac,211ac,212ac,213ac,214ac,22acの位置のいずれか二つが相違すれば、いずれの二つも相違しない(即ち全てが相違しない)場合よりも磁路が長くなり、漏洩磁束の第2成分に対する磁気抵抗は高まる。例えば境界212ac,214acが位置x1にあってもよい。図6では境界21ac,22acがいずれも位置x2に位置するが、境界21ac,22acが第2方向Xにおいて互いに異なる位置にあってもよい。
第2方向Xにおける境界21bc,211bc,212bc,213bc,214bc,22bcの位置のいずれか二つが相違すれば、いずれの二つも相違しない(即ち全てが相違しない)場合よりも磁路が長くなり、漏洩磁束の第3成分に対する磁気抵抗は高まる。例えば境界212bc,214bcが位置x4にあってもよい。図6では境界21bc,22bcがいずれも位置x5に位置するが、境界21bc,22bcが第2方向Xにおいて互いに異なる位置にあってもよい。
以上のことは以下のように表現できる。まず漏洩磁束の第2成分を低減する観点の構成では:
(ia)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(iia)第1位置は、
導電体211aと導電体211cとの境界211acの第2方向Xにおける位置x1;
導電体212aと導電体212cとの境界212acの第2方向Xにおける位置x3;
導電体213aと導電体213cとの境界213acの第2方向Xにおける位置x1;
導電体214aと導電体214cとの境界214acの第2方向Xにおける位置x3
のいずれかであり;
(iiia)第2位置は、
端21aと端21cとの境界21acの第2方向Xにおける位置x2であり;
(iva)第3位置は、
端22aと端22cとの境界22acの第2方向Xにおける位置x2である。
(ia)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(iia)第1位置は、
導電体211aと導電体211cとの境界211acの第2方向Xにおける位置x1;
導電体212aと導電体212cとの境界212acの第2方向Xにおける位置x3;
導電体213aと導電体213cとの境界213acの第2方向Xにおける位置x1;
導電体214aと導電体214cとの境界214acの第2方向Xにおける位置x3
のいずれかであり;
(iiia)第2位置は、
端21aと端21cとの境界21acの第2方向Xにおける位置x2であり;
(iva)第3位置は、
端22aと端22cとの境界22acの第2方向Xにおける位置x2である。
漏洩磁束の第3成分を低減する観点の構成においても、上記(ia)~(iva)と同様に:
(ib)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(iib)第1位置は、
導電体211bと導電体211cとの境界211bcの第2方向Xにおける位置x4;
導電体212bと導電体212cとの境界212bcの第2方向Xにおける位置x6;
導電体213bと導電体213cとの境界213bcの第2方向Xにおける位置x4;
導電体214bと導電体214cとの境界214bcの第2方向Xにおける位置x6
のいずれかであり;
(iiib)第2位置は、端21bと端21cとの境界21bcの第2方向Xにおける位置x5であり;
(ivb)第3位置は、端22bと端22cとの境界22bcの第2方向Xにおける位置x5である。
(ib)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(iib)第1位置は、
導電体211bと導電体211cとの境界211bcの第2方向Xにおける位置x4;
導電体212bと導電体212cとの境界212bcの第2方向Xにおける位置x6;
導電体213bと導電体213cとの境界213bcの第2方向Xにおける位置x4;
導電体214bと導電体214cとの境界214bcの第2方向Xにおける位置x6
のいずれかであり;
(iiib)第2位置は、端21bと端21cとの境界21bcの第2方向Xにおける位置x5であり;
(ivb)第3位置は、端22bと端22cとの境界22bcの第2方向Xにおける位置x5である。
[フルブリッジ型DC-DCコンバータへの適用例]
図7はトランス100が採用されるコンバータ200を例示する回路図である。コンバータ200はフルブリッジ型DC-DCコンバータである。トランス100はコンバータ200においてトランスTとして採用される。
図7はトランス100が採用されるコンバータ200を例示する回路図である。コンバータ200はフルブリッジ型DC-DCコンバータである。トランス100はコンバータ200においてトランスTとして採用される。
トランス100の端11d,14dがトランスTの一次側端子として機能する。トランス100の端21a,21b,21cがトランスTの二次側端子として機能する。端21cはトランスTの中間タップとして機能する。トランスTの内部において端11dに接続される一端を有するインダクタLaは、トランスTの一次側における漏れインダクタンスを等価的に示す。
トランスTの一次側にはスイッチング素子Q1,Q2,Q3,Q4およびダイオードD1,D2が電源線H1,L1の間に設けられる。電源線H1は電源線L1よりも高電位である。
スイッチング素子Q1,Q2は電源線H1,L1の間で直列に接続される。スイッチング素子Q3,Q4は電源線H1,L1の間で直列に接続される。
ダイオードD1,D2は電源線H1,L1の間で直列に接続される。ダイオードD1のアノードおよびダイオードD2のカソードは端11dに接続される。ダイオードD1のカソードは電源線H1に接続される。ダイオードD2のアノードは電源線L1に接続される。
スイッチング素子Q1,Q2同士が接続される接続点P1にはインダクタLbを介して端11dが接続される。スイッチング素子Q3,Q4同士が接続される接続点P2には端14dが接続される。
トランスTの二次側にはスイッチング素子Q101,Q102およびインダクタLc、コンデンサCdが設けられる。コンデンサCdは電源線H2,L2の間に設けられる。電源線H2は電源線L2よりも高電位である。電源線L2は例えば接地される。
スイッチング素子Q101の一端は端21bに接続され、他端は電源線L2に接続される。スイッチング素子Q102の一端は端21aに接続され、他端は電源線L2に接続される。インダクタLcの一端は端21cに接続され、他端は電源線H2に接続される。
スイッチング素子Q1,Q2,Q3,Q4,Q101,Q102はいすれも例えば電界効果トランジスタで実現される。
上述の構成を有するコンバータ200の動作、例えばスイッチング素子Q1,Q2,Q3,Q4,Q101,Q102がスイッチングするタイミングは周知であるので、本実施形態において当該動作の説明は省略する。トランスTにおいてトランス100を採用し、一次側における漏れインダクタンスを低減することの利点について説明される。
インダクタLbはコンバータ200の二次側におけるサージ(surge)電圧を低減する機能を有する。ダイオードD1,D2を介して電源線H1,L1へとエネルギーが回生される。
インダクタLbのインダクタンスの、インダクタLaのインダクタンス(トランスTの一次側における漏れインダクタンス)に対する比が大きいほど、二次側におけるサージ電圧を低減する効果は大きい。インダクタLbのインダクタンスとインダクタLaのインダクタンスとの和はいわゆるソフトスイッチング(soft switching)の共振周期に影響するので、インダクタLbのインダクタンスを無制限に大きくすることは望ましくない。従って、インダクタLaのインダクタンスが小さいことが望まれる。
トランス100は、上記特徴(i)~(iv)を有しており、その一次側における漏れインダクタンスが低減される。よってトランス100は、コンバータ200のようにインダクタLbが採用されるフルブリッジ型DC-DCコンバータへ適用されることは好適である。
[実施形態2]
実施形態2にかかるトランスについて説明される。なお、実施形態2の説明において、実施形態1において説明したものと同様の構成要素については同一符号を付してその説明が省略される。
実施形態2にかかるトランスについて説明される。なお、実施形態2の説明において、実施形態1において説明したものと同様の構成要素については同一符号を付してその説明が省略される。
図8は、実施形態2にかかるトランス101の構成を例示する平面図である。トランス101はコア5を備える。コア5はトランス100と同じ構成が採用できる。
図9は一次巻線1および二次巻線2を第1方向Zにおいて分解して例示する斜視図である。図9においてコア5は省略される。図9においては図8に示された位置EEよりもコア5側に位置する領域が示される。
トランス101は一次巻線1および二次巻線2を備える。一次巻線1は第3コイル11,12,13,14を有する。二次巻線2は第1コイル21および第2コイル22を有する。第1方向Zにおいて第2コイル22、第3コイル14,13,12,11、第1コイル21がこの順に積層される。
第1コイル21、第2コイル22、第3コイル11,12,13,14のいずれもが、軸Jの周りを少なくとも部分的に周回する。トランス101における第3コイル11,12,13,14の構成の例として、トランス100において例示された第3コイル11,12,13,14の構成が採用される。一次巻線1が有するコイルの積層数は4に限定されない。
第1コイル21は周回部210と端21a,21bとを含む。周回部210は軸Jの周りを周回する。トランス101における周回部210には例えばトランス100の周回部210が採用される。端21a,21bは周回部210に連続し、第2方向Xにおいて非接触で隣接する。境界21abは第2方向Xにおける端21a,21b同士の境界である。
第2コイル22は周回部220と端22a,22bとを含む。周回部220は軸Jの周りを周回する。トランス101における周回部220には例えばトランス100の周回部220が採用される。端22a,22bは周回部210に連続し、第2方向Xにおいて非接触で隣接する。境界22abは第2方向Xにおける端22a,22b同士の境界である。
周回部210は端21a,21bに対して第3方向Y側に位置する。周回部220は端22a,22bに対して第3方向Y側に位置する。
第1コイル21は境界21abを除いて軸Jの周りを一周する。第2コイル22は境界22abを除いて軸Jの周りを一周する。
第1コイル21および第2コイル22、第3コイル11,12,13,14は複数の絶縁層が積層されたプリント基板60において導電パターンとして実現できる。当該導電パターンは積層される絶縁層の境界もしくは表面に設けられる。導電体112,123,134のそれぞれは、絶縁層において厚み方向に導通するビアホールによって実現できる。図8、図9において当該絶縁層は省略される。
二次巻線2は導電体群211,212,213,214を有する。導電体群211は導電体211a,211bを含む。導電体群212は導電体212a,212bを含む。導電体群213は導電体213a,213bを含む。導電体群214は導電体214a,214bを含む。
図10は二次巻線2の構成を例示する断面図である。図10は図8に示された位置FFにおいて第3方向Yに沿って見て現れる断面である。
端21aと端21bとは、第2方向Xに沿って境界21abを挟んで非接触に並ぶ。導電体211aと導電体211bとは、第2方向Xに沿って境界211abを挟んで非接触に並ぶ。導電体212aと導電体212bとは、第2方向Xに沿って境界212abを挟んで非接触に並ぶ。導電体213aと導電体213bとは、第2方向Xに沿って境界213abを挟んで非接触に並ぶ。導電体214aと導電体214bとは、第2方向Xに沿って境界214abを挟んで非接触に並ぶ。端22aと端22bとは、第2方向Xに沿って境界22abを挟んで非接触に並ぶ。
図8および図9においては表示の煩雑を避けるため、上述の境界の一部もしくは全ての符号が省略される。
導電体611a,612a,623a,634a,642a,611b,612b,623b,634b,642bは、トランス100と同様に構成、配置される。トランス100が有する端21c,22cをトランス101は有しない。よって導電体611c,612c,623c,634c,642cはトランス101には設けられない。
このような導通によって端21aおよび端22aのいずれもが二次巻線2の一端として機能し、端21bおよび端22bのいずれもが二次巻線2の他端として機能する。
トランス101においても、一次巻線1の端11d,14dに電圧が印加されて発生する磁束には漏洩磁束となる成分がある。
漏洩磁束の第1成分は、第1方向Zにおける第1コイル21と第3コイル11との間、および第1方向Zにおける第2コイル22と第3コイル14との間を通り、第1コイル21および第2コイル22のいずれにも鎖交しない磁束である。
漏洩磁束の第2成分は、境界21ab,211ab,212ab,213ab,214ab,22abをこの順、もしくは逆の順で通る磁束である。
よって漏洩磁束を低減するためには、漏洩磁束の第2成分を低減する観点で境界21abから境界211ab,212ab,213ab,214abを経由して境界22abに至る経路における磁気抵抗を高めることが望ましい。
第2方向Xにおいて境界21ab,211ab,212ab,213ab,214ab,22abは、それぞれ位置x8,x7,x9,x7,x9,x8にある。そして位置x7,x8,x9はいずれも互いに相違する。このため、漏洩磁束の第2成分は、大まかには第1方向Zもしくはその反対の方向に流れる向うものの、第2方向Xに沿ってつづら折りに流れる。このようなつづら折りの磁路は漏洩磁束の第2成分に対する磁気抵抗を高める。
図10に示された例では、第1方向Zにおいて隣接する境界同士の第2方向Xにおける位置が必ず異なっている場合が例示される。図10で例示された導電体同士の位置関係は、磁気抵抗を高める観点で望ましいが、必ずしもこのような位置関係が必要ではない。
第2方向Xにおける境界21ab,211ab,212ab,213ab,214ab,22abの位置のいずれか二つが相違すれば、いずれの二つも相違しない(即ち全てが相違しない)場合よりも磁路が長くなり、漏洩磁束の第2成分に対する磁気抵抗は高まる。例えば境界212ab,214abが位置x7にあってもよい。図10では境界21ab,22abがいずれも位置x8に位置するが、境界21ab,22abが第2方向Xにおいて互いに異なる位置にあってもよい。
以上のことは以下のように統括的に表現できる:
(i)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(ii)第1位置は、
導電体211aと導電体211bとの境界211abの第2方向Xにおける位置x7;
導電体212aと導電体212bとの境界212abの第2方向Xにおける位置x9;
導電体213aと導電体213bとの境界213abの第2方向Xにおける位置x7;
導電体214aと導電体214bとの境界214abの第2方向Xにおける位置x9
のいずれかであり;
(iii)第2位置は、端21aと端21bとの境界21abの第2方向Xにおける位置x8であり;
(iv)第3位置は、端22aと端22bとの境界22abの第2方向Xにおける位置x8である。
(i)第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し;
(ii)第1位置は、
導電体211aと導電体211bとの境界211abの第2方向Xにおける位置x7;
導電体212aと導電体212bとの境界212abの第2方向Xにおける位置x9;
導電体213aと導電体213bとの境界213abの第2方向Xにおける位置x7;
導電体214aと導電体214bとの境界214abの第2方向Xにおける位置x9
のいずれかであり;
(iii)第2位置は、端21aと端21bとの境界21abの第2方向Xにおける位置x8であり;
(iv)第3位置は、端22aと端22bとの境界22abの第2方向Xにおける位置x8である。
[付記]
必ずしも第3コイル11,12,13,14の全てが第1方向Zにおいて第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれる必要はない。第3コイル11,12,13,14のいずれかが第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれてもよいし、いずれもが第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれなくてもよい。
必ずしも第3コイル11,12,13,14の全てが第1方向Zにおいて第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれる必要はない。第3コイル11,12,13,14のいずれかが第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれてもよいし、いずれもが第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれなくてもよい。
漏洩磁束の第1成分を低減する観点では、第3コイル11,12,13,14の全てが第1方向Zにおいて第1コイル21と第2コイル22との間に挟まれることは好適な配置の一例である。
一次巻線1および二次巻線2がプリント基板60において実現される場合には、第1コイル21が第2コイル22および第3コイル11,12,13,14の全てに挟まれないことが望ましい。端21a,21b,21cがトランス100の外部と接続され易いからである。または第2コイル22が第1コイル21および第3コイル11,12,13,14の全てに挟まれないことが望ましい。端22a,22b,22cがトランス100の外部と接続され易いからである。
なお、上記各実施形態および各変形例において説明された各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組合わせられることができる。
1 一次巻線
2 二次巻線
5 コア
11,12,13,14 第3コイル
11d,11e,12d,12e,13d,13e,14d,14e,21a,21b,21c,22a,22b,22c 端
21 第1コイル
22 第2コイル
21ab,21ac,21bc,22ab,22ac,22bc,211ab,211ac,211bc,212ab,212ac,212bc,213ab,213ac,213bc,214ab,214ac,214bc 境界
51 I型コア
52 E型コア
60 プリント基板
100,101,T トランス
112,123,134,211a,211b,211c,212a,212b,212c,213a,213b,213c,214a,214b,214c,611a,611b,611c,612a,612b,612c,623a,623b,623c,634a,634b,634c,642a,642b,642c 導電体
200 コンバータ
210,220 周回部
211,212,213,214 導電体群
501,502,503 脚
CC,DD,EE,FF,x1,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9 位置
Cd コンデンサ
D1,D2 ダイオード
H1,H2,L1,L2 電源線
J 軸
La,Lb,Lc インダクタ
P1,P2 接続点
Q1,Q2,Q3,Q4,Q101,Q102 スイッチング素子
X 第2方向
Y 第3方向
Z 第1方向
2 二次巻線
5 コア
11,12,13,14 第3コイル
11d,11e,12d,12e,13d,13e,14d,14e,21a,21b,21c,22a,22b,22c 端
21 第1コイル
22 第2コイル
21ab,21ac,21bc,22ab,22ac,22bc,211ab,211ac,211bc,212ab,212ac,212bc,213ab,213ac,213bc,214ab,214ac,214bc 境界
51 I型コア
52 E型コア
60 プリント基板
100,101,T トランス
112,123,134,211a,211b,211c,212a,212b,212c,213a,213b,213c,214a,214b,214c,611a,611b,611c,612a,612b,612c,623a,623b,623c,634a,634b,634c,642a,642b,642c 導電体
200 コンバータ
210,220 周回部
211,212,213,214 導電体群
501,502,503 脚
CC,DD,EE,FF,x1,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9 位置
Cd コンデンサ
D1,D2 ダイオード
H1,H2,L1,L2 電源線
J 軸
La,Lb,Lc インダクタ
P1,P2 接続点
Q1,Q2,Q3,Q4,Q101,Q102 スイッチング素子
X 第2方向
Y 第3方向
Z 第1方向
Claims (3)
- 互いに絶縁される一次巻線と二次巻線とを備え、
前記二次巻線は互いに導通する第1コイルと第2コイルとを有し、
前記一次巻線は第3コイルを有し、
前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルのいずれもが、第1方向に沿う一つの軸の周りを少なくとも部分的に周回する変成器であって、
前記第1コイル、前記第2コイル、前記第3コイルが前記第1方向において積層され、
前記第1コイルは第1端および第2端を含み、
前記第2コイルは第3端および第4端を含み、
前記二次巻線は第1導電体と第2導電体を更に有し、
前記第1導電体は、前記第1方向において前記第1端と前記第3端に挟まれて前記第1端と前記第3端と導通し、
前記第2導電体は、前記第1方向において前記第2端と前記第4端に挟まれて前記第2端と前記第4端と導通し、
第2方向は前記第1方向と直交し、
前記第1端と前記第2端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
前記第3端と前記第4端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
前記第1導電体と前記第2導電体とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
第1位置が第2位置および第3位置の少なくとも一つと相違し、
前記第1位置は、前記第1導電体と前記第2導電体との境界の前記第2方向における位置であり、
前記第2位置は、前記第1端と前記第2端との境界の前記第2方向における位置であり、
前記第3位置は、前記第3端と前記第4端との境界の前記第2方向における位置である、変成器。 - 前記二次巻線は第3導電体を更に有し、
前記第1コイルは第5端を更に含み、
前記第2コイルは第6端を更に含み、
前記第5端と前記第2端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
前記第6端と前記第4端とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
前記第3導電体は、前記第1方向において前記第5端と前記第6端とに挟まれて前記第5端と前記第6端と導通し、
前記第3導電体と前記第2導電体とは前記第2方向において接触せず隣接して並び、
第4位置が前記第1位置および前記第2位置の少なくとも一つと相違し、
前記第4位置は、前記第3導電体と前記第2導電体との境界の前記第2方向における位置である、請求項1に記載の変成器。 - 前記第3コイルは前記第1方向において前記第1コイルと前記第2コイルとに挟まれ、
前記第3コイルと前記第1導電体と前記第2導電体とは前記第1方向において揃って位置する、請求項1または請求項2に記載の変成器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6833781B1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-12-21 | National Semiconductor Corporation | High Q inductor in multi-level interconnect |
JP2008270347A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Densei Lambda Kk | トランス |
JP2014179402A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Omron Automotive Electronics Co Ltd | 磁気デバイス |
JP2016139786A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コイル部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3274695B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2002-04-15 | 松下電工株式会社 | 平面型トランス |
JP2008205350A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Oki Power Tech Co Ltd | 磁気デバイス |
JP2009105180A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Tdk-Lambda Corp | トランス |
JP2012134291A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Sanken Electric Co Ltd | 電子回路装置 |
CN109148105A (zh) * | 2017-06-14 | 2019-01-04 | 湖北万星面业股份有限公司 | 一种新型叠层片式电感内线圈以及制造方法 |
JP6658681B2 (ja) * | 2017-06-22 | 2020-03-04 | 株式会社村田製作所 | 積層インダクタの製造方法および積層インダクタ |
JP6922555B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2021-08-18 | Tdk株式会社 | コイル装置 |
CN207977198U (zh) * | 2018-02-08 | 2018-10-16 | 新沂市泰达电子有限公司 | 一种电子变压器 |
-
2019
- 2019-05-28 JP JP2019099186A patent/JP7120154B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-07 WO PCT/JP2020/018499 patent/WO2020241190A1/ja active Application Filing
- 2020-05-07 CN CN202080034952.9A patent/CN113811963B/zh active Active
- 2020-05-07 US US17/612,743 patent/US20220238271A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833781B1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-12-21 | National Semiconductor Corporation | High Q inductor in multi-level interconnect |
JP2008270347A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Densei Lambda Kk | トランス |
JP2014179402A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Omron Automotive Electronics Co Ltd | 磁気デバイス |
JP2016139786A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コイル部品及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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