WO2020196788A1 - 検出装置付き表示機器 - Google Patents

検出装置付き表示機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2020196788A1
WO2020196788A1 PCT/JP2020/013820 JP2020013820W WO2020196788A1 WO 2020196788 A1 WO2020196788 A1 WO 2020196788A1 JP 2020013820 W JP2020013820 W JP 2020013820W WO 2020196788 A1 WO2020196788 A1 WO 2020196788A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
detection
straight line
light emitting
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/013820
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
池田　雅延
金谷　康弘
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ジャパンディスプレイ filed Critical 株式会社ジャパンディスプレイ
Priority to CN202080025349.4A priority Critical patent/CN113632247A/zh
Publication of WO2020196788A1 publication Critical patent/WO2020196788A1/ja
Priority to US17/485,600 priority patent/US11996033B2/en
Priority to US18/413,858 priority patent/US20240185769A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0413—Details of dummy pixels or dummy lines in flat panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Definitions

  • the present invention relates to a display device with a detection device.
  • a display using a minute-sized light emitting diode (micro LED) as a display element has attracted attention (see, for example, Patent Document 1).
  • a plurality of light emitting diodes are connected to an array substrate (driver backplane in Patent Document 1), and the array substrate includes a pixel circuit (electronic control circuit in Patent Document 1) for driving the light emitting diode.
  • a display using a light emitting diode be provided with a fingerprint sensor for personal authentication.
  • An object of the present invention is to provide a display device with a detection device capable of suitably detecting fingerprints.
  • the display device with a detection device includes a substrate, a plurality of pixels provided on the substrate, an inorganic light emitting element provided on each of the plurality of pixels, and a first direction parallel to the substrate.
  • the detection electrode connects a plurality of first straight line portions, a plurality of second straight line portions extending in a direction intersecting the first straight line portion, and the first straight line portion and the second straight line portion.
  • the first straight line portion and the second straight line portion are made of fine metal wires
  • the driving electrode is a translucent conductor.
  • the display device with a detection device includes a substrate, a plurality of pixels provided on the substrate, an inorganic light emitting element provided on each of the plurality of pixels, and a first direction parallel to the substrate.
  • the detection electrode connects a plurality of first straight line portions, a plurality of second straight line portions extending in a direction intersecting the first straight line portion, and the first straight line portion and the second straight line portion.
  • the first bent portion and the plurality of the first straight portion and the plurality of the second straight portions are fine metal wires
  • the driving electrode includes the plurality of third straight portions and the third straight portion. It has a plurality of fourth straight line portions extending in a direction intersecting with, and a second bent portion connecting the third straight line portion and the fourth straight line portion, and the plurality of the third straight line portions and the plurality of said The fourth straight line portion is a thin metal wire.
  • FIG. 1 is a plan view showing a display device with a detection device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II'of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing a display device included in the display device with a detection device.
  • FIG. 4 is a plan view showing a plurality of pixels.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a pixel circuit.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a display device with a detection device cut along the VI-VI'line of FIG.
  • FIG. 7 is a plan view showing a plurality of pixels and cathode electrodes.
  • FIG. 8 is a plan view showing a detection device included in the display device with the detection device.
  • FIG. 8 is a plan view showing a detection device included in the display device with the detection device.
  • FIG. 9 is a block diagram showing a configuration example of the detection device.
  • FIG. 10 is a plan view showing a drive electrode and a detection electrode.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'of FIG.
  • FIG. 12 is a plan view for explaining the arrangement relationship between the drive electrode and the detection electrode and the light emitting element.
  • FIG. 13 is a plan view showing a detection device according to a first modification of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a second modification of the first embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a third modification of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a plan view showing a drive electrode and a detection electrode.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'of FIG.
  • FIG. 12 is a plan view for explaining the arrangement relationship between
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view showing a detection device included in the display device with a detection device according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a plan view showing a display device with a detection device according to the first embodiment.
  • the display device 1 with a detection device includes a display area AA for displaying an image, a detection area FA, and a peripheral area GA provided outside the display area AA and the detection area FA.
  • the detection area FA is an area for detecting surface irregularities of an external object (finger Fin) or the like that is in contact with or is close to the cover member 80.
  • the external object is not limited to the finger Fin, and the capacitance formed with at least one of the detection electrode Rx and the driving electrode Tx may change depending on the unevenness of the surface. For example, a palm print may be used.
  • the display area AA and the detection area FA are coincident or substantially the same, and a fingerprint is printed on the entire surface of the display area AA based on the information on the unevenness of the surface such as the finger Fin. It is possible to detect.
  • the shapes of the display area AA and the detection area FA are, for example, rectangular. However, the case is not limited to the case where the display area AA and the detection area FA match, and for example, the detection area FA may be provided so as to overlap a part of the display area AA.
  • the first direction Dx and the second direction Dy are directions parallel to the surface of the substrate 30 (see FIG. 3).
  • the first direction Dx is orthogonal to the second direction Dy.
  • the first direction Dx may intersect with the second direction Dy without being orthogonal to each other.
  • the third direction Dz is a direction orthogonal to the first direction Dx and the second direction Dy.
  • the third direction Dz corresponds to, for example, the normal direction of the substrate 30.
  • the plan view indicates the positional relationship when viewed from the third direction Dz.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II'of FIG.
  • the display device 1 with a detection device includes a display device 2, a detection device 6, a circularly polarizing plate 7, and a cover member 80.
  • the display device 2, the detection device 6, the circularly polarizing plate 7, and the cover member 80 are laminated in this order.
  • the display device 2 and the detection device 6, the detection device 6 and the circularly polarizing plate 7, and the circularly polarizing plate 7 and the cover member 80 are adhered by adhesive layers 84, 85, and 86 having translucency, respectively.
  • the cover member 80 is a plate-shaped member having a first surface 80a and a second surface 80b opposite to the first surface 80a.
  • the first surface 80a of the cover member 80 is a detection surface for detecting surface irregularities such as finger fins that are in contact with or close to each other, and is a display surface for the observer to visually recognize the image of the display device 2. ..
  • the cover member 80 is, for example, a glass substrate or a resin substrate.
  • the cover member 80 is not limited to the plate-shaped member, and may be a coating layer composed of an inorganic insulating film or an organic insulating film.
  • the decorative layer 81 is provided on the second surface 80b of the cover member 80.
  • the decorative layer 81 is a colored layer having a smaller light transmittance than the cover member 80.
  • the decorative layer 81 can prevent the observer from visually recognizing the wiring, the circuit, and the like that are superposed on the peripheral region GA.
  • the decorative layer 81 is provided on the second surface 80b, but may be provided on the first surface 80a.
  • the decorative layer 81 is not limited to a single layer, and may have a configuration in which a plurality of layers are stacked.
  • the cover member 80, the display device 2, and the detection device 6 are not limited to having a rectangular shape in a plan view, but have a circular shape, an oval shape, or a deformed shape in which a part of these external shapes is omitted. It may be. Further, the cover member 80 is not limited to a flat plate shape. For example, when the display area AA and the detection area FA are formed of a curved surface, or the peripheral area GA is formed of a curved surface curved toward the display device 2, the cover member 80 may also have a curved surface. In this case, the display device 1 with a detection device becomes a curved display having a fingerprint detection function, and fingerprints can be detected even on the curved surface of the curved display.
  • FIG. 3 is a plan view showing a display device included in the display device with a detection device.
  • the display device 2 includes an array substrate 3, a pixel Pix, a drive circuit 12, a drive IC (Integrated Circuit) 210, and a cathode wiring 14.
  • the array substrate 3 is a drive circuit board for driving each pixel Pix, and is also called a backplane or an active matrix substrate.
  • the array substrate 3 has a substrate 30, a plurality of transistors, a plurality of capacitances, various wirings, and the like.
  • the plurality of pixel Pix are arranged in the first direction Dx and the second direction Dy in the display area AA of the substrate 30.
  • the drive circuit 12 is provided in the peripheral region GA of the substrate 30.
  • the drive circuit 12 has a plurality of gate lines (for example, light emission control scan line BG, reset control scan line RG, initialization control scan line IG, and write control scan line SG) based on various control signals from the drive IC 210 (FIG. 5). It is a circuit that drives (see)).
  • the drive circuit 12 sequentially or simultaneously selects a plurality of gate lines and supplies a gate drive signal to the selected gate lines. As a result, the drive circuit 12 selects a plurality of pixel Pix connected to the gate line.
  • the drive IC 210 is a circuit that controls the display of the display device 2.
  • the drive IC 210 is mounted as COG (Chip On Glass) in the peripheral region GA of the substrate 30.
  • the drive IC 210 may be mounted as a COF (Chip On Film) on a wiring board connected to the peripheral region GA of the board 30.
  • the wiring board connected to the board 30 is, for example, a flexible printed circuit board or a rigid board.
  • the cathode wiring 14 is provided in the peripheral region GA of the substrate 30.
  • the cathode wiring 14 is provided so as to surround the plurality of pixels Pix in the display area AA and the drive circuit 12 in the peripheral area GA.
  • the cathode terminals 53 (see FIG. 6) of the plurality of light emitting elements 5 are electrically connected to the common cathode wiring 14, and a fixed potential (for example, a ground potential) is supplied.
  • the cathode wiring 14 may have a slit in a part thereof and may be formed by two different wirings on the substrate 30.
  • FIG. 4 is a plan view showing a plurality of pixels.
  • one pixel Pix includes a plurality of pixels 11.
  • the pixel Pix has a first pixel 11R, a second pixel 11G, and a third pixel 11B.
  • the first pixel 11R displays the primary color red as the first color.
  • the second pixel 11G displays the primary color green as the second color.
  • the third pixel 11B displays the primary color blue as the third color.
  • the first pixel 11R and the second pixel 11G are arranged in the second direction Dy. Further, the second pixel 11G and the third pixel 11B are arranged in the first direction Dx.
  • the first color, the second color, and the third color are not limited to red, green, and blue, respectively, and any color such as a complementary color can be selected.
  • any color such as a complementary color can be selected.
  • it is referred to as pixel 11.
  • Each pixel 11 has a light emitting element 5 and an anode electrode 21 (first electrode).
  • the display device 2 outputs an image by emitting different light (for example, red, green, blue light) for each of the light emitting elements 5R, 5G, and 5B in the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B. indicate.
  • the light emitting element 5 is provided in each of the plurality of pixels 11.
  • the light emitting element 5 is an inorganic light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) chip having a size of several ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less in a plan view. Generally, one element having a chip size of 100 ⁇ m or more is used.
  • LED Light Emitting Diode
  • a mini LED (miniLED), and an element having a size of several ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m is a micro LED (micro LED).
  • micro LED micro LED
  • LEDs of any size can be used, and may be used properly according to the screen size (size of one pixel) of the display device 2.
  • the display device 2 provided with a micro LED in each pixel is also called a micro LED display device.
  • the micro of the micro LED does not limit the size of the light emitting element 5.
  • the plurality of light emitting elements 5 may emit four or more different colors of light.
  • the arrangement of the plurality of pixels 11 is not limited to the configuration shown in FIG.
  • the first pixel 11R may be adjacent to the second pixel 11G or the third pixel 11B in the first direction Dx.
  • the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B may be repeatedly arranged in the first direction Dx in this order.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a pixel circuit.
  • the pixel circuit PICA shown in FIG. 5 is provided in each of the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B.
  • the pixel circuit PICA is a circuit provided on the substrate 30 to supply a drive signal (current) to the light emitting element 5.
  • the description of the pixel circuit PICA can be applied to the pixel circuit PICA of each of the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B.
  • the pixel circuit PICA includes a light emitting element 5, five transistors, and two capacitances. Specifically, the pixel circuit PICA includes a light emission control transistor BCT, an initialization transistor IST, a write transistor SST, a reset transistor RST, and a drive transistor DRT. Some transistors may be shared by a plurality of adjacent pixels 11.
  • Each of the plurality of transistors of the pixel circuit PICA is composed of an n-type TFT (Thin Film Transistor).
  • TFT Thin Film Transistor
  • the present invention is not limited to this, and each transistor may be composed of a p-type TFT.
  • the light emission control scanning line BG is connected to the gate of the light emission control transistor BCT.
  • the initialization control scan line IG is connected to the gate of the initialization transistor IST.
  • the write control scan line SG is connected to the gate of the write transistor SST.
  • the reset control scanning line RG is connected to the gate of the reset transistor RST.
  • the light emission control scan line BG, the initialization control scan line IG, the write control scan line SG, and the reset control scan line RG are each connected to the drive circuit 12 (see FIG. 3).
  • the drive circuit 12 has a light emission control scan line BG, an initialization control scan line IG, a write control scan line SG, and a reset control scan line RG, respectively, in a light emission control signal Vbg, an initialization control signal Vig, and a write control signal Vsg. And the reset control signal Vrg is supplied.
  • the drive IC 210 (see FIG. 3) supplies the video signal Vsig to the pixel circuits PICA of the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B in a time-division manner.
  • a switch circuit such as a multiplexer is provided between each row of the first pixel 11R, the second pixel 11G, and the third pixel 11B and the drive IC 210.
  • the video signal Vsig is supplied to the write transistor SST via the video signal line L2.
  • the drive IC 210 supplies the reset power supply potential Vrst to the reset transistor RST via the reset signal line L3.
  • the drive IC 210 supplies the initialization potential Vini to the initialization transistor IST via the initialization signal line L4.
  • the light emission control transistor BCT, the initialization transistor IST, the write transistor SST, and the reset transistor RST function as switching elements for selecting conduction and non-conduction between two nodes.
  • the drive transistor DRT functions as a current control element that controls the current flowing through the light emitting element 5 according to the voltage between the gate and the drain.
  • the cathode (cathode terminal 53) of the light emitting element 5 is connected to the cathode power supply line L10. Further, the anode (anode terminal 52) of the light emitting element 5 is connected to the anode power supply line L1 (first power supply line) via the drive transistor DRT and the light emission control transistor BCT.
  • the anode power supply potential PVDD first potential is supplied to the anode power supply line L1.
  • the cathode power supply potential PVSS (second potential) is supplied to the cathode power supply line L10.
  • the anode power supply potential PVDD has a higher potential than the cathode power supply potential PVSS.
  • the cathode power line L10 includes a cathode wiring 14.
  • the pixel circuit PICA includes a capacitance Cs1 and a capacitance Cs2.
  • the capacitance Cs1 is a capacitance formed between the gate and the source of the drive transistor DRT.
  • the capacitance Cs2 is an additional capacitance formed between the source of the drive transistor DRT and the anode of the light emitting element 5 and the cathode power supply line L10.
  • the light emission control transistor BCT is turned off (non-conducting state) and the reset transistor RST is turned on (conducting state) according to the potentials of the light emitting control scanning line BG and the reset control scanning line RG.
  • the source of the drive transistor DRT is fixed to the reset power supply potential Vrst.
  • the reset power supply potential Vrst is a potential in which the potential difference between the reset power supply potential Vrst and the cathode power supply potential PVSS is smaller than the potential difference at which the light emitting element 5 starts emitting light.
  • the initialization transistor IST is turned on according to the potential of the initialization control scanning line IG.
  • the gate of the drive transistor DRT is fixed to the initialization potential Vini via the initialization transistor IST.
  • the drive circuit 12 turns on the light emission control transistor BCT and turns off the reset transistor RST.
  • the drive transistor DRT is turned off when the source potential becomes (Vini-Vth), and the variation in the threshold voltage Vth of the drive transistor DRT for each pixel 11 is offset.
  • the light emission control transistor BCT is turned off, the initialization transistor IST is turned off, and the writing transistor SST is turned on.
  • the video signal Vsig is input to the gate of the drive transistor DRT.
  • the light emission control transistor BCT is turned on and the write transistor SST is turned off.
  • the anode power supply potential PVDD is supplied from the anode power supply line L1 to the drive transistor DRT via the light emission control transistor BCT.
  • the drive transistor DRT supplies a current corresponding to the voltage between the gate sources to the light emitting element 5.
  • the light emitting element 5 emits light with a brightness corresponding to this current.
  • the configuration of the pixel circuit PICA shown in FIG. 5 described above is just an example and can be changed as appropriate.
  • the number of wires and the number of transistors in one pixel 11 may be different.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a display device with a detection device cut along the VI-VI'line of FIG.
  • the light emitting element 5 is provided on the array substrate 3.
  • the array substrate 3 has a substrate 30, an anode electrode 21, a counter electrode 24, a connection electrode 24a, various transistors, various wirings, and various insulating films.
  • the substrate 30 is an insulating substrate, and for example, a glass substrate such as quartz or non-alkali glass, or a resin substrate such as polyimide is used.
  • the direction from the substrate 30 toward the light emitting element 5 in the direction perpendicular to the surface of the substrate 30 is referred to as "upper side” or simply “upper side”. Further, the direction from the light emitting element 5 toward the substrate 30 is defined as “lower side” or simply “lower side”.
  • the mode of arranging another structure on a certain structure when simply expressing “above”, unless otherwise specified, the other structure is directly above the other so as to be in contact with the certain structure. It includes both the case of arranging a structure and the case of arranging another structure above one structure via yet another structure.
  • the undercoat film 31 is provided on the substrate 30.
  • the undercoat film 31, the insulating films 32, 33, 34 and the insulating films 36, 37 are inorganic insulating films, such as silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiN).
  • the drive transistor DRT is provided on the undercoat film 31.
  • FIG. 6 shows the drive transistor DRT and the write transistor SST among the plurality of transistors, the light emission control transistor BCT, the initialization transistor IST, and the reset transistor RST included in the pixel circuit PICA are also the drive transistor DRT.
  • the peripheral region GA is provided with a transistor Tr included in the drive circuit 12.
  • the drive transistor DRT has a semiconductor layer 25, a first gate electrode 26, a second gate electrode 27, a source electrode 28, and a drain electrode 29.
  • the first gate electrode 26 is provided on the undercoat film 31.
  • the insulating film 32 is provided on the undercoat film 31 so as to cover the first gate electrode 26.
  • the semiconductor layer 25 is provided on the insulating film 32.
  • polysilicon is used for the semiconductor layer 25, for example.
  • the semiconductor layer 25 is not limited to this, and may be a microcrystalline oxide semiconductor, an amorphous oxide semiconductor, low-temperature polysilicon, or the like.
  • the insulating film 33 is provided on the insulating film 32 so as to cover the semiconductor layer 25.
  • the second gate electrode 27 is provided on the insulating film 33.
  • a channel region 25a is provided in a portion sandwiched between the first gate electrode 26 and the second gate electrode 27.
  • the first wiring 27a is provided in the same layer as the second gate electrode 27.
  • the first gate electrode 26, the second gate electrode 27, and the first wiring 27a are made of, for example, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), or an alloy film thereof.
  • the drive transistor DRT has a dual gate structure in which the first gate electrode 26 and the second gate electrode 27 are provided.
  • the present invention is not limited to this, and the drive transistor DRT may have a bottom gate structure in which only the first gate electrode 26 is provided, or a top gate structure in which only the second gate electrode 27 is provided.
  • the source electrode 28 and the drain electrode 29 are connected to the semiconductor layer 25 via contact holes provided in the insulating films 33 and 34.
  • the source electrode 28 and the drain electrode 29 are, for example, a laminated film of TiAlTi or TiAl which is a laminated structure of titanium and aluminum.
  • the capacitance Cs1 is formed by the first wiring 27a and the source electrode 28 facing each other via the insulating film 34. Further, the capacitance Cs1 also includes a capacitance formed by the semiconductor layer 25 and the first wiring 27a facing each other via the insulating film 33.
  • the transistor included in the pixel circuit PICA such as the write transistor SST and the transistor Tr provided in the peripheral region GA are the same as the drive transistor DRT. This is a cross-sectional configuration of the above, and detailed description thereof will be omitted.
  • the insulating film 35 is provided on the insulating film 34 so as to cover the drive transistor DRT.
  • An organic material such as photosensitive acrylic is used for the insulating film 35.
  • the insulating film 35 is a flattening film, and can flatten unevenness formed by the drive transistor DRT and various wirings.
  • the counter electrode 24, the insulating film 36, the anode electrode 21, and the insulating film 37 are laminated in this order on the insulating film 35.
  • the counter electrode 24 is made of a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • the connection electrode 24a is provided in the same layer as the counter electrode 24.
  • the connection electrode 24a is connected to the source electrode 28 at the bottom of the contact hole.
  • the anode electrode 21 is electrically connected to the connection electrode 24a and the source electrode 28 via a contact hole provided in the insulating film 36. As a result, the anode electrode 21 is electrically connected to the drive transistor DRT.
  • the anode electrode 21 has, for example, a laminated structure of molybdenum (Mo) and aluminum (Al).
  • the anode electrode 21 may be a metal or alloy containing any one or more of molybdenum and titanium, or a translucent conductive material.
  • a capacitance Cs2 is formed between the anode electrode 21 and the counter electrode 24 facing each other via the insulating film 36.
  • the insulating film 37 is provided so as to cover the anode electrode 21.
  • the insulating film 37 covers the peripheral edge of the anode electrode 21 and insulates the anode electrodes 21 of adjacent pixels 11.
  • the insulating film 37 has an opening for mounting the light emitting element 5 at a position overlapping the anode electrode 21.
  • the size of the opening of the insulating film 37 is set to an area larger than that of the light emitting element 5 in consideration of the amount of mounting deviation in the mounting process of the light emitting element 5.
  • the light emitting element 5 has a semiconductor layer 51, an anode terminal 52 (first terminal), and a cathode terminal 53 (second terminal). Each light emitting element 5 is mounted so that the anode terminal 52 is in contact with the anode electrode 21.
  • the anode electrode 21 supplies the anode power supply potential PVDD to the anode terminal 52.
  • As the semiconductor layer 51 a configuration in which an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer are laminated can be adopted.
  • a compound semiconductor such as gallium nitride (GaN), aluminum indium gallium phosphorus (AlInGaP), aluminum gallium arsenide (AlGaAs), or gallium arsenide phosphorus (GaAsP) is used.
  • GaN gallium nitride
  • AlInGaP aluminum indium gallium phosphorus
  • AlGaAs aluminum gallium arsenide
  • GaAsP gallium arsenide phosphorus
  • different materials may be used for each of the light emitting elements 5R, 5G, and 5B.
  • a multiple quantum well structure MQW structure in which a well layer composed of several atomic layers and a barrier layer are periodically laminated may be adopted for high efficiency.
  • An element insulating film 38 is provided between the plurality of light emitting elements 5.
  • the element insulating film 38 is made of a resin material.
  • the element insulating film 38 covers at least the side surface of the light emitting element 5, and the element insulating film 38 is not provided on the cathode terminal 53 of the light emitting element 5.
  • the element insulating film 38 is formed flat so that the upper surface of the element insulating film 38 and the upper surface of the cathode terminal 53 form the same surface. However, the position of the upper surface of the element insulating film 38 may be different from the position of the upper surface of the cathode terminal 53.
  • the cathode electrode 22 (second electrode) covers the plurality of light emitting elements 5 and the element insulating film 38, and is electrically connected to the plurality of light emitting elements 5. More specifically, the cathode electrode 22 is provided over the upper surface of the element insulating film 38 and the upper surface of the cathode terminal 53. The cathode electrode 22 supplies the cathode power potential PVSS to the cathode terminal 53.
  • a conductive material having translucency such as ITO is used for the cathode electrode 22. As a result, the light emitted from the light emitting element 5 can be efficiently taken out to the outside.
  • the cathode electrode 22 is connected to the cathode wiring 14 provided on the array substrate 3 side via the contact hole H11 provided outside the display area AA.
  • the contact hole H11 is provided in the element insulating film 38 and the insulating film 35, and the cathode wiring 14 is provided on the bottom surface of the contact hole H11.
  • the cathode wiring 14 is provided on the insulating film 34. That is, the cathode wiring 14 is provided in the same layer as the source electrode 28 and the drain electrode 29, and is made of the same material.
  • the cathode electrode 22 is continuously provided from the display region AA to the peripheral region GA, and is connected to the cathode wiring 14 at the bottom of the contact hole H11.
  • a black member 23 is provided on the cathode electrode 22.
  • the black member 23 is, for example, a low-reflection film made of a material having a light reflectance lower than that of the anode electrode 21.
  • a resin material colored black or a metal or metal oxide that exhibits black color due to carbon or thin film interference is used.
  • the black member 23 is provided with an opening OP in a region overlapping the light emitting element 5. That is, in the opening OP, the cathode electrode 22 and the adhesive layer 84 are in contact with each other on the upper side of the light emitting element 5. In the portion other than the opening OP, the black member 23 provided on the cathode electrode 22 and the adhesive layer 84 are in contact with each other.
  • the light emitted from the light emitting element 5 travels toward the display surface side through the opening OP and is displayed as a display image.
  • the light emitted from the light emitting element 5 toward the side or the lower side is reflected by various wirings of the array substrate 3.
  • the light reflected by the array substrate 3 is shielded by the black member 23, and the reflected light can be suppressed from being emitted to the display surface side.
  • the external light incident from the display surface is absorbed by the black member 23, and the intrusion into the array substrate 3 is suppressed.
  • the display device 2 can suppress the color mixing of the light between the pixels 11 and the unintended emission of unnecessary light from the display surface, so that the deterioration of the quality of the displayed image can be suppressed.
  • a detection device 6 is provided on the cathode electrode 22 and the black member 23 via an adhesive layer 84.
  • the detection device 6 is a capacitance type fingerprint sensor.
  • the detection device 6 includes a sensor substrate 60, a drive electrode Tx, a detection electrode Rx, and insulating films 68 and 69. In the third direction Dz, the sensor substrate 60, the driving electrode Tx, the insulating film 68, the detection electrode Rx, and the insulating film 69 are laminated in this order.
  • the drive electrode Tx is a translucent conductor such as ITO, and the detection electrode Rx is composed of a thin metal wire.
  • the detection electrode Rx and the drive electrode Tx are provided at positions that do not overlap with the light emitting element 5.
  • the light emitting element 5 is provided at a position overlapping the region SP between the adjacent drive electrodes Tx. As a result, it is possible to prevent the light emitted from the light emitting element 5 from being reflected by the detection electrode Rx and returning to the array substrate 3 side. In addition, it is possible to prevent the intensity of the emitted light from decreasing when passing through the drive electrode Tx.
  • the circular polarizing plate 7 is provided on the detection device 6 via the adhesive layer 85.
  • the plurality of light emitting elements 5, the plurality of detection electrodes Rx, and the plurality of drive electrodes Tx are provided between the substrate 30 and the circularly polarizing plate 7 in the direction perpendicular to the substrate 30.
  • the circular polarizing plate 7 includes, for example, a linear polarizing plate and a 1/4 retardation plate (also referred to as a 1/4 wave plate) provided on one surface side of the linear polarizing plate.
  • the 1/4 retardation plate is provided closer to the substrate 30 than the linear polarizing plate.
  • external light is changed to linearly polarized light by passing through a linear polarizing plate.
  • Linearly polarized light is changed to circularly polarized light by passing through a 1/4 retardation plate.
  • Circularly polarized light is reflected by the detection electrode Rx and the wiring of the array substrate 3, and becomes circularly polarized light (reflected light) in the opposite direction to the incident light.
  • the 1/4 retardation plate again, the reflected light becomes linearly polarized light orthogonal to the incident light and is absorbed by the linear polarizing plate.
  • the reflection of external light is suppressed in the display device 1 with the detection device.
  • a cathode electrode 22 is provided between the detection device 6 and the array substrate 3. Since a fixed potential is supplied to the cathode electrode 22, it also functions as a shield layer of the detection device 6. That is, the cathode electrode 22 can suppress the fluctuation of the potential generated in each transistor and various wirings of the array substrate 3 from being transmitted to the detection device 6 as noise.
  • FIG. 7 is a plan view showing a plurality of pixels and cathode electrodes.
  • the black member 23 is shown with diagonal lines. As shown in FIG. 7, the black member 23 is continuously provided between a plurality of adjacent pixels 11.
  • the light emitting element 5 is provided in the region where the opening OP is provided.
  • the area of the opening OP in a plan view is larger than the area of the light emitting element 5.
  • the area of the opening OP in a plan view is at least larger than the area of the upper surface of the light emitting element 5.
  • the black member 23 can satisfactorily suppress the reflection of external light by the array substrate 3.
  • FIG. 8 is a plan view showing a detection device included in the display device with the detection device.
  • the detection device 6 includes a sensor board 60, a sensor unit 64 provided on the first surface 60a side of the sensor board 60, a drive electrode driver 62, and a detection electrode selection circuit 63. ..
  • the sensor unit 64 includes a drive electrode Tx and a detection electrode Rx.
  • the sensor substrate 60 is a glass substrate having translucency capable of transmitting visible light.
  • the sensor substrate 60 may be a translucent resin substrate or a resin film made of a resin such as polyimide.
  • the sensor unit 64 is a translucent sensor.
  • the drive electrode Tx and the detection electrode Rx are provided in the detection region FA.
  • the plurality of drive electrodes Tx are arranged side by side in the second direction Dy.
  • Each of the plurality of drive electrodes Tx extends in the first direction Dx.
  • the plurality of detection electrodes Rx are arranged side by side in the first direction Dx.
  • Each of the plurality of detection electrodes Rx extends in the second direction Dy.
  • the plurality of drive electrodes Tx are provided so as to intersect the plurality of detection electrodes Rx.
  • the drive electrode driver 62 and the detection electrode selection circuit 63 are provided in the peripheral region GA of the sensor substrate 60.
  • the drive electrode Tx is electrically connected to the drive electrode driver 62.
  • Each detection electrode Rx is electrically connected to the wiring board 65 provided in the peripheral region GA of the sensor board 60 via the detection electrode selection circuit 63.
  • the wiring board 65 is, for example, a flexible printed circuit board. Alternatively, the wiring board 65 may be a rigid board.
  • Capacitance is formed at the intersection of the detection electrode Rx and the drive electrode Tx.
  • the drive electrode driver 62 sequentially selects the drive electrode Tx in a time-division manner, and supplies the drive signal Vs to the selected drive electrode Tx. Then, a detection signal Vdet corresponding to a change in capacitance between the drive electrode Tx and the detection electrode Rx due to surface irregularities such as a finger Fin that is in contact with or adjacent to the finger Fin is output from the detection electrode Rx.
  • the sensor unit 64 performs fingerprint detection.
  • the drive electrode driver 62 may be sequentially selected and driven for each drive electrode block including a plurality of drive electrode Tx.
  • FIG. 8 shows a case where various circuits such as a drive electrode driver 62 and a detection electrode selection circuit 63 are provided in the peripheral region GA of the sensor substrate 60, but this is just an example. At least a part of the various circuits may be included in the detection IC mounted on the wiring board 65. Alternatively, at least a part of the various circuits may be included in the drive IC 210 (see FIG. 3) of the display device 2.
  • various circuits such as a drive electrode driver 62 and a detection electrode selection circuit 63 are provided in the peripheral region GA of the sensor substrate 60, but this is just an example. At least a part of the various circuits may be included in the detection IC mounted on the wiring board 65. Alternatively, at least a part of the various circuits may be included in the drive IC 210 (see FIG. 3) of the display device 2.
  • FIG. 9 is a block diagram showing a configuration example of the detection device.
  • the detection device 6 further includes a detection control circuit 61 and a detection circuit 40.
  • the detection control circuit 61 controls the operations of the sensor unit 64, the detection electrode selection circuit 63, the drive electrode driver 62, and the detection circuit 40.
  • the drive electrode driver 62 is a circuit that supplies a drive signal Vs for detection to the drive electrode Tx of the sensor unit 64 based on the control signal supplied from the detection control circuit 61.
  • the drive signal Vs is, for example, an AC rectangular wave having a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundred kHz).
  • the AC waveform of the drive signal Vs may be a sine wave or a triangular wave.
  • the detection electrode selection circuit 63 selects the detection electrode Rx of the sensor unit 64 based on the control signal supplied from the detection control circuit 61 and connects it to the detection circuit 40.
  • the detection electrode selection circuit 63 is, for example, a multiplexer.
  • the detection circuit 40 is a circuit that detects the shape of the finger Fin and the fingerprint based on the signal supplied from the detection control circuit 61 and the detection signal Vdet output from the detection electrode Rx. For example, the detection circuit 40 detects a change in the detection signal Vdet according to the surface irregularities of a finger Fin or the like that is in contact with or is close to the sensor unit 64.
  • the detection circuit 40 includes a detection signal amplifier circuit 42, an A / D conversion circuit 43, a signal processing circuit 44, a coordinate extraction circuit 45, a synthesis circuit 46, and a detection timing control circuit 47.
  • the detection timing control circuit 47 includes a detection signal amplifier circuit 42, an A / D conversion circuit 43, a signal processing circuit 44, a coordinate extraction circuit 45, and a synthesis circuit based on the clock signal supplied from the detection control circuit 61. It is controlled so that it operates in synchronization with 46.
  • the detection signal Vdet is supplied from the sensor unit 64 to the detection signal amplifier circuit 42 of the detection circuit 40.
  • the detection signal amplification circuit 42 amplifies the detection signal Vdet.
  • the detection signal amplifier circuit 42 has, for example, a plurality of integrator circuits and a plurality of terminals connected to the plurality of integrator circuits, respectively, and the detection electrode selection circuit 63 has the plurality of terminals and the selected detection electrode Rx. And connect.
  • the A / D conversion circuit 43 converts the analog signal output from the detection signal amplification circuit 42 into a digital signal.
  • the detection signal amplifier circuit 42 and the A / D conversion circuit 43 are, for example, an analog front end (AFE) circuit.
  • AFE analog front end
  • the signal processing circuit 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of contact or proximity of the unevenness of the finger Fin to the sensor unit 64 based on the output signal of the A / D conversion circuit 43.
  • the signal processing circuit 44 performs a process of extracting a signal (absolute value
  • the signal processing circuit 44 compares the absolute value
  • the signal processing circuit 44 determines that the convex portion of the finger Fin is in the contact state. In this way, the detection circuit 40 can detect the contact or proximity of the unevenness of the finger Fin.
  • the coordinate extraction circuit 45 is a logic circuit that obtains the detected coordinates when the contact or proximity of the unevenness of the finger Fin is detected in the signal processing circuit 44.
  • the coordinate extraction circuit 45 outputs the detected coordinates to the synthesis circuit 46.
  • the synthesis circuit 46 combines the detection coordinates output from the coordinate extraction circuit 45 to generate two-dimensional information indicating the shape and fingerprint of the finger Fins that are in contact with or close to each other.
  • the synthesis circuit 46 outputs the two-dimensional information as the output signal Vout of the detection circuit 40.
  • the synthesis circuit 46 may generate an image based on the two-dimensional information and use the image information as the output signal Vout.
  • the detection circuit 40 may output the signal extracted by the signal processing circuit 44 as the output signal Vout without having the coordinate extraction circuit 45 and the synthesis circuit 46.
  • the detection circuit 40 is included in the above-mentioned detection IC. However, a part of the function of the detection circuit 40 may be included in the drive IC 210, or may be provided as a function of an external MPU (Micro-processing unit).
  • MPU Micro-processing unit
  • FIG. 10 is a plan view showing a driving electrode and a detection electrode.
  • the shape of the detection electrode Rx is a zigzag-shaped thin metal wire in a plan view.
  • the detection electrode Rx extends in the second direction Dy as a whole.
  • the detection electrode Rx has a plurality of first straight line portions RxL1, a plurality of second straight line portions RxL2, and a plurality of bent portions RxB.
  • the second straight line portion RxL2 extends in a direction intersecting with the first straight line portion RxL1.
  • the first straight line portion RxL1 and the plurality of second straight line portions RxL2 are thin metal wires.
  • the bent portion RxB connects the first straight portion RxL1 and the second straight portion RxL2.
  • the first straight line portion RxL1 extends in the D1 direction intersecting the first direction Dx and the second direction Dy.
  • the second straight line portion RxL2 extends in the D2 direction intersecting the first direction Dx and the second direction Dy.
  • the D1 direction is inclined to the opposite side of the D2 direction with respect to the second direction Dy.
  • the angle formed by the D1 direction and the second direction Dy is equal to the angle formed by the D2 direction and the second direction Dy.
  • the first straight line portion RxL1 and the second straight line portion RxL2 are arranged so as to be symmetrical with respect to the virtual line parallel to the first direction Dx.
  • the arrangement interval Prx is the interval between the bending portions RxB in the first direction Dx between the adjacent detection electrodes Rx.
  • the arrangement interval Pry is the interval of the bent portion RxB in the second direction Dy in each of the plurality of detection electrodes Rx. In the present embodiment, for example, the arrangement interval Prx is smaller than the arrangement interval Pry.
  • a plurality of drive electrodes Tx-1, Tx-2, Tx-3, Tx-4, ... are arranged side by side in the second direction Dy.
  • the drive electrodes Tx-1 and Tx-2 intersect with the first linear portion RxL1 of the detection electrode Rx.
  • the drive electrodes Tx-3 and Tx-4 intersect with the second linear portion RxL2 of the detection electrode Rx.
  • the drive electrodes Tx are simply referred to.
  • the plurality of drive electrodes Tx-1, Tx-2, Tx-3, Tx-4, ... Each have a plurality of electrode portions TxE and a plurality of connection portions TxC, respectively.
  • the plurality of electrode portions TxE are arranged in the first direction Dx and are arranged apart from each other.
  • the connection portion TxC connects the adjacent electrode portions TxE of the plurality of electrode portions TxE.
  • one detection electrode Rx passes between the adjacent electrode portions TxE and intersects with the connection portion TxC.
  • the plurality of electrode portions TxE and the plurality of connection portions TxC are made of a conductive material having translucency such as ITO.
  • the electrode portion TxE includes a first electrode portion TxE1 and a second electrode portion TxE2 having a shape different from that of the first electrode portion TxE1. Seen from the third direction Dz, the first electrode portion TxE1 and the second electrode portion TxE2 are parallelograms, respectively. The shape of the first electrode portion TxE1 inverted upside down is the shape of the second electrode portion TxE2.
  • the drive electrodes Tx-1 and Tx-2 include a plurality of first electrode portions TxE1.
  • the plurality of first electrode portions TxE1 are provided along the first straight line portion RxL1 and have a rectangular shape having two sides parallel to the first straight line portion RxL1 and two sides orthogonal to the first straight line portion RxL1. is there.
  • the drive electrodes Tx-3 and Tx-4 include a plurality of second electrode portions TxE2.
  • the plurality of second electrode portions TxE2 are provided along the second straight line portion RxL2, and each has a quadrangular shape having two sides parallel to the second straight line portion RxL2 and two sides orthogonal to the second straight line portion RxL2. is there.
  • the first electrode portion TxE1 and the second electrode portion TxE2 are arranged along the zigzag-shaped detection electrode Rx. Further, the separation distance between the detection electrode Rx and each electrode portion TxE can be set to a constant length.
  • the number of electrode portions TxE corresponding to one first straight line portion RxL1 or second straight line portion RxL2 may be one or an integer of 3 or more.
  • the arrangement interval of the drive electrode Tx in the second direction Dy is Pt.
  • the arrangement interval Pt is about 1 ⁇ 2 of the arrangement interval Pry of the bent portion RxB of the detection electrode Rx.
  • the arrangement interval Pt is not limited to this, and may be 1 / n of the arrangement interval Pry (n is an integer of 1 or more).
  • the arrangement interval Pt is, for example, 50 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the longitudinal directions of the plurality of connecting portions TxC are aligned in one direction.
  • the longitudinal directions of the connecting portions TxC of the drive electrode Tx are all the first direction Dx.
  • the plurality of connecting portions TxC are arranged on the same straight line.
  • a metal layer TxCa is provided in a region overlapping the plurality of connecting portions TxC. As a result, even when the connecting portion TxC is provided in a narrow width, the resistance value of the laminate of the connecting portion TxC and the metal layer TxCa can be suppressed.
  • the configuration is not limited to the configuration in which the plurality of connecting portions TxC are provided on the same straight line, and the positions of the plurality of connecting portions TxC adjacent to the first direction Dx may be differently arranged in the second direction Dy. ..
  • the display device 1 with a detection device can suppress the occurrence of unintended patterns such as moire.
  • the electrode portion TxE has a parallel quadrilateral shape, but may have a rectangular shape, a polygonal shape, or a different shape. For example, from a polygonal shape in which a first portion arranged between adjacent bent portions RxB and having two sides parallel to the first straight portion RxL1 and a second portion having two sides parallel to the second straight portion RxL2 are combined. It may have a third electrode portion.
  • the number of electrode portions TxE adjacent to the partial structure including one first straight line portion RxL1, one second straight line portion RxL2, and the bent portion RxB connecting them is not limited to an even number, and may be an odd number. ..
  • the dummy electrodes TxD1, TxD2, and TxD3 are provided between the drive electrodes Tx adjacent to each other in the second direction Dy. Specifically, a dummy electrode TxD1 is provided between the first electrode portions TxE1 adjacent to each other in the D1 direction, and a dummy electrode TxD2 is provided between the second electrode portions TxE2 adjacent to each other in the D2 direction. Further, a dummy electrode TxD3 is provided between the first electrode portion TxE1 and the second electrode portion TxE2. The dummy electrodes TxD1, TxD2, TxD3 and each electrode portion TxE are separated by a slit SL.
  • the dummy electrode TxD is a conductive material having translucency such as ITO, and is formed of the same material as the drive electrode Tx.
  • the dummy electrode TxD1 has a quadrangular shape having two sides parallel to the first straight line portion RxL1 and two sides orthogonal to the first straight line portion RxL1.
  • the dummy electrode TxD2 has a quadrangular shape having two sides parallel to the second straight line portion RxL2 and two sides orthogonal to the second straight line portion RxL2.
  • the areas of the dummy electrode TxD1 and the dummy electrode TxD2 are smaller than the areas of the first electrode portion TxE1 and the second electrode portion TxE2, respectively.
  • the dummy electrode TxD3 has a side S1 orthogonal to the first straight portion RxL1, a side S2 orthogonal to the second straight portion RxL2, a side S3 parallel to the first straight portion RxL1, and a side parallel to the second straight portion RxL2. It has S4 and.
  • the arrangement interval Pd of the dummy electrode TxD in the second direction Dy is equal to the arrangement interval Pt of the drive electrode Tx.
  • a plurality of slits SL arranged so as to sandwich the detection electrode Rx are arranged so as not to be aligned on the same straight line.
  • the electrode portion TxE is arranged with the detection electrode Rx in the extending direction of the slit SL.
  • the portion where the electrode portion TxE and the dummy electrode TxD are not provided is arranged so as to bend at a small pitch, so that the detection device 6 reflects an unintended pattern (for example, moire, light) in the detection region FA. It is possible to suppress the occurrence of the pattern).
  • the positional relationship between the shape of the drive electrode Tx and the shape of the detection electrode Rx is aligned between the electrodes. Therefore, the variation in the capacitance of the drive electrode Tx and the variation in the capacitance of the detection electrode Rx are small. Further, there is an advantage that it is easy to correct the calculation of the coordinates in the sensor unit 64.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'of FIG.
  • the cross section of the detection region FA along the XI-XI'line and the portion including the transistor TrS of the peripheral region GA are included.
  • the cross sections of the above are shown schematically connected.
  • the transistor TrS is an element included in the drive electrode driver 62.
  • the sensor substrate 60 has a first surface 60a and a second surface 60b opposite to the first surface 60a.
  • the drive electrode Tx and the detection electrode Rx are provided on the first surface 60a side of the sensor substrate 60.
  • the insulating films 66 and 67 are laminated on the first surface 60a.
  • the drive electrode Tx is provided on the insulating film 67.
  • the electrode portion TxE and the metal layer TxCa are provided on the insulating film 67, and the connecting portion TxC is provided so as to cover the metal layer TxCa.
  • the insulating film 68 is provided on the insulating film 67 so as to cover the driving electrode Tx.
  • the detection electrode Rx is provided on the insulating film 68.
  • the detection electrode Rx is provided at a position where it overlaps with the connection portion TxC and the metal layer TxCa.
  • the insulating film 68 insulates between the detection electrode Rx and the drive electrode Tx.
  • the detection electrode Rx has, for example, a first metal layer 141, a second metal layer 142, and a third metal layer 143.
  • the second metal layer 142 is provided on the third metal layer 143, and the first metal layer 141 is provided on the second metal layer 142.
  • molybdenum (Mo) or a molybdenum alloy is used as the material of the first metal layer 141 and the third metal layer 143.
  • Aluminum (Al) or an aluminum alloy is used as the material of the second metal layer 142.
  • the first metal layer 141 has a lower visible light reflectance than the second metal layer 142.
  • the insulating film 69 is provided on the detection electrode Rx and the insulating film 68. The upper surface and side surfaces of the detection electrode Rx are covered with the insulating film 69.
  • a film having a high refractive index and a low reflectance such as a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or an acrylic resin, is used.
  • the drive electrode Tx extends from the detection region FA to the peripheral region GA and is connected to the transistor TrS.
  • the transistor TrS has a gate electrode 103, a semiconductor layer 113, a source electrode 123, and a drain electrode 125.
  • the gate electrode 103 is provided on the sensor substrate 60.
  • the insulating film 66 is provided on the gate electrode 103.
  • the semiconductor layer 113 is provided on the insulating film 66.
  • the insulating film 67 is provided on the semiconductor layer 113.
  • the source electrode 123 and the drain electrode 125 are provided on the insulating film 67.
  • the source electrode 123 is connected to the semiconductor layer 113 via a contact hole 67H1 provided in the insulating film 67.
  • the drain electrode 125 is connected to the semiconductor layer 113 via a contact hole 67H2 provided in the insulating film 67.
  • An insulating film 68A is provided on the source electrode 123 and the drain electrode 125.
  • the drive electrode Tx is connected to the drain electrode 125 via a contact hole 68H provided in the insulating film 68A.
  • FIG. 12 is a plan view for explaining the arrangement relationship between the drive electrode and the detection electrode and the light emitting element.
  • the plurality of light emitting elements 5 are arranged between the plurality of detection electrodes Rx adjacent to each other in the first direction Dx in a plan view.
  • the plurality of light emitting elements 5 are provided between the plurality of drive electrodes Tx adjacent to each other in the second direction Dy in a plan view.
  • the plurality of light emitting elements 5 are provided in a region that does not overlap with the plurality of detection electrodes Rx and the plurality of drive electrodes Tx in a plan view.
  • the light emitting elements 5G and 5B are arranged between a plurality of first straight line portions RxL1 adjacent to each other in the first direction Dx, and are arranged between a plurality of first electrode portions TxE1 adjacent to each other in the D1 direction. Will be done. Further, the light emitting elements 5G and 5B are arranged between a plurality of second straight line portions RxL2 adjacent to each other in the first direction Dx, and are arranged between a plurality of second electrode portions TxE2 adjacent to each other in the D2 direction. The light emitting element 5B and the light emitting element 5G are arranged adjacent to each other in the first direction Dx with the detection electrode Rx interposed therebetween. The light emitting elements 5G and 5B are arranged at positions where they overlap with the dummy electrode TxD1 or the dummy electrode TxD2, respectively.
  • the light emitting element 5R is arranged between a plurality of bent portions RxB adjacent to the first direction Dx, and is arranged between the first electrode portion TxE1 and the second electrode portion TxE2 adjacent to the second direction Dy. Will be done.
  • the light emitting elements 5R are arranged at positions where they overlap with the dummy electrodes TxD3.
  • the arrangement interval PLx of the light emitting element 5 in the first direction Dx is about the same as the arrangement interval Prx (see FIG. 10) of the detection electrode Rx.
  • the arrangement interval PLy of the light emitting element 5 in the second direction Dy is about 1 ⁇ 2 of the arrangement interval Pry (see FIG. 10) of the detection electrode Rx. Further, the position of the light emitting element 5R in the first direction Dx is deviated from the position of the light emitting element 5G in the first direction Dx.
  • the arrangement interval PLx is set between the light emitting element 5 (for example, the light emitting element 5B) located in one of the first direction Dx and the other of the first direction Dx among the plurality of light emitting elements 5 constituting one pixel Pix. It is an arrangement interval between the light emitting element 5 (for example, the light emitting element 5R) located.
  • the arrangement interval PLy is the light emitting element 5 (for example, the light emitting element 5B) located on one of the second direction Dy and the other of the second direction Dy among the plurality of light emitting elements 5 constituting one pixel Pix. It is an arrangement interval with a light emitting element 5 (for example, a light emitting element 5R) located in.
  • the plurality of light emitting elements 5 are arranged at least at positions that do not overlap with the detection electrode Rx. Therefore, it is possible to suppress the light emitted from the light emitting element 5 from being reflected by the detection electrode Rx. Further, the plurality of light emitting elements 5 arranged in the second direction Dy are provided with a first straight line portion RxL1, a second straight line portion RxL2, or a bent portion RxB of thin metal wires inclined in different directions adjacent to each other.
  • the display device 1 with a detection device can suppress the occurrence of unintended patterns such as moire, as compared with the configuration in which one linear detection electrode Rx is provided adjacent to the plurality of light emitting elements 5. it can. Therefore, the display device 1 with a detection device can suitably detect the fingerprint by the detection device 6 and suppress unnecessary reflection of the light emitted from the light emitting element 5 to suppress deterioration of the quality of the display image.
  • the arrangement of the light emitting elements 5 shown in FIG. 12 is merely an example, and may be arranged differently.
  • two or more light emitting elements 5 may be arranged adjacent to one straight line portion (first straight line portion RxL1 or second straight line portion RxL2).
  • the arrangement of the light emitting elements 5R, 5G, and 5B may be interchanged.
  • FIG. 13 is a plan view showing a detection device according to a first modification of the first embodiment.
  • the same components as those described in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.
  • the detection device 6 according to the first modification has a different configuration in which a part of the dummy electrodes TxD is not provided as compared with the first embodiment.
  • the dummy electrode TxD3 is not provided at the portion overlapping the plurality of light emitting elements 5R.
  • the plurality of light emitting elements 5R are provided in the region SP between the drive electrodes Tx (first electrode portion TxE1 and second electrode portion TxE2) adjacent to the second direction Dy.
  • the sensor substrate 60 of the detection device 6 and the insulating films 66, 67, 68, 69 are provided in the region overlapping the light emitting element 5R.
  • the light emitted from the light emitting element 5R travels to the display surface without passing through the dummy electrode TxD3. That is, in the first modification, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the light emitted from the light emitting element 5R as compared with the first embodiment described above. As a result, even when the luminous efficiency of the light emitting element 5R is lower than the luminous efficiency of the light emitting elements 5G and 5B, the brightness of the red light displayed on the display surface and the brightness of the blue and green lights are combined. The difference can be suppressed.
  • FIG. 13 shows a configuration in which the dummy electrode TxD3 at the portion overlapping the light emitting element 5R is not provided, but the present invention is not limited to this.
  • the dummy electrodes TxD1 and TxD2 at the portion overlapping the light emitting elements 5G and 5B may not be provided.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a second modification of the first embodiment.
  • the cathode electrode 22A is composed of a black conductor. Examples of the black conductor include carbon and metals that exhibit black color due to thin film interference.
  • the cathode electrode 22A is provided with an opening 22Aa at a portion overlapping the cathode terminal 53 of the light emitting element 5.
  • the cathode electrode 22A is connected to the cathode terminal 53 at the periphery of the cathode terminal 53.
  • the black member 23 (see FIG. 6) is not provided on the cathode electrode 22A, and the adhesive layer 84 is provided on the cathode electrode 22A and in the opening 22Aa.
  • the translucent conductor constituting the cathode electrode 22 is not provided on the light emitting element 5. Therefore, the display device 1 with a detection device can improve the extraction efficiency of the light emitted from the light emitting element 5.
  • the configuration of the second modification can also be applied to the above-mentioned first modification.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a third modification of the first embodiment.
  • the detection electrode Rx includes a black conductor.
  • the first metal layer 141 and the third metal layer 143 are composed of a black conductor.
  • a black conductor is used for the first metal layer 141 and the third metal layer 143 located on the outermost surface of the detection electrode Rx, and aluminum (Al) or an aluminum alloy is used for the second metal layer 142 as described above. Used. Therefore, even in the configuration using a black conductor, it is possible to suppress a decrease in the conductivity of the detection electrode Rx.
  • the drive electrode Tx includes a metal layer TxCa formed of a black conductor.
  • the metal layer TxCa and the connecting portion TxC are laminated.
  • the third modification it is possible to suppress the reflection of the external light incident from the display surface on the detection electrode Rx and the metal layer TxCa.
  • the display device 1 with a detection device can suppress the reflection of external light and suppress the decrease in the brightness of the image displayed on the display surface.
  • the circular polarizing plate 7 since the reflection of the external light on the display device 2 is suppressed and the reflection of the external light on the detection device 6 is suppressed, the circular polarizing plate 7 may not be provided.
  • the configuration is not limited to the configuration in which both the detection electrode Rx and the drive electrode Tx include a black conductor. Either one of the detection electrode Rx and the drive electrode Tx may be configured to include a black conductor. Further, the configuration of the third modification can be applied to the first modification and the second modification described above.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to a fourth modification of the first embodiment.
  • the laminated structure of the detection device 6A is different.
  • the detection electrode Rx is provided on the first surface 60a side of the sensor substrate 60
  • the drive electrode Tx is provided on the second surface 60b side.
  • the drive electrode Tx, the sensor substrate 60, and the detection electrode Rx are provided in this order on the light emitting element 5.
  • the configuration of the detection electrode Rx and the drive electrode Tx in a plan view and the arrangement of the light emitting elements 5 are the same as those in FIGS. 10 and 12, and detailed description thereof will be omitted.
  • the drive electrode driver 62 (see FIG. 8) is not provided in the peripheral region GA of the sensor board 60, and the drive electrode driver 62 is provided in the IC connected via the wiring board 65.
  • the drive electrode Tx is connected to the IC via the connection wiring provided in the peripheral region GA.
  • the drive electrode Tx may be provided on the first surface 60a side of the sensor substrate 60, and the detection electrode Rx may be provided on the second surface 60b side. Further, although the detection electrode Rx is provided on the sensor substrate 60 via the insulating film 68, the insulating film 68 may not be provided. Further, the configuration of the fourth modification can be applied to the above-mentioned first modification to the third modification.
  • FIG. 17 is a plan view showing a detection device included in the display device with a detection device according to the second embodiment.
  • the plurality of drive electrodes TxA are each composed of thin metal wires.
  • the drive electrode TxA has a plurality of third straight line portions TxL1, a plurality of fourth straight line portions TxL2, and a plurality of bent portions TxB (second bent portions).
  • the fourth straight line portion TxL2 extends in a direction intersecting with the third straight line portion TxL1.
  • the third straight line portion TxL1 and the fourth straight line portion TxL2 extend in a direction intersecting the first straight line portion RxL1 and the second straight line portion RxL2 of the detection electrode Rx.
  • the bent portion TxB connects the third straight portion TxL1 and the fourth straight portion TxL2.
  • the arrangement interval Ptx of the drive electrode TxA is the interval of the bent portion TxB in the first direction Dx in each of the plurality of drive electrodes TxA. Further, the arrangement interval Pty is the interval between the bent portions TxB in the second direction Dy between the adjacent drive electrodes TxA. In the present embodiment, for example, the arrangement interval Ptx is larger than the arrangement interval Pty.
  • the arrangement interval Ptx of the drive electrode TxA is about twice the arrangement interval Prx of the detection electrode Rx.
  • the arrangement interval Pty of the drive electrode TxA is about 1 ⁇ 2 of the arrangement interval Pry of the detection electrode Rx.
  • the plurality of light emitting elements 5 are arranged between the detection electrodes Rx adjacent to the first direction Dx and between the drive electrodes TxA adjacent to the second direction Dy.
  • the light emitting element 5G is provided in a region surrounded by a third straight line portion TxL1 adjacent to the second direction Dy and a first straight line portion RxL1 adjacent to the first direction Dx.
  • the light emitting element 5B is provided in a region surrounded by a fourth straight line portion TxL2 adjacent to the second direction Dy and a first straight line portion RxL1 adjacent to the first direction Dx.
  • the light emitting element 5R is provided in a region surrounded by a third straight line portion TxL1 adjacent to the second direction Dy and a second straight line portion RxL2 adjacent to the first direction Dx.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a display device with a detection device according to the second embodiment.
  • the drive electrode TxA is provided on the first surface 60a of the sensor substrate 60.
  • the detection electrode Rx is provided on the drive electrode TxA via the insulating film 68. Since the drive electrode TxA is composed of a thin metal wire, it is not necessary to provide a metal layer TxCa (see FIG. 10) at the intersection with the detection electrode Rx.
  • the drive electrode TxA and the detection electrode Rx are composed of a black conductor.
  • the circularly polarizing plate 7 is not provided, and the cover member 80 is provided on the detection device 6B via the adhesive layer 85.
  • a configuration in which the circularly polarizing plate 7 is provided can be adopted.
  • the drive electrode TxA is not limited to a single layer.
  • the drive electrode TxA can have a laminated structure in which a plurality of metal layers are laminated.
  • the detection device 6B can reduce the resistance of the drive electrode TxA. Further, the detection device 6B can reduce the capacitance between the drive electrode TxA and the detection electrode Rx. Further, the configuration of the present embodiment can be applied to the above-described first modification and fourth modification.
  • the portions described as the anode terminal 52 and the cathode terminal 53 are not limited to the description in the specification depending on the connection direction of the light emitting element 5 and the voltage application direction, and are reversed. You may. Further, in FIGS. 6, 14 to 16, and 18, one electrode of the light emitting element 5 is on the lower side and the other electrode is on the upper side, but both of them are on the lower side, that is, the array. The configuration may be on the side facing the substrate 3.
  • the upper portion of the light emitting element 5 is not limited to the face-up structure connected to the cathode electrode 22, and the lower portion of the light emitting element 5 is connected to the anode electrode 21 and the cathode electrode 22. It may have a so-called face-down structure.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Indicating And Signalling Devices For Elevators (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

検出装置付き表示機器は、基板と、基板に設けられた複数の画素と、複数の画素の各々に設けられる無機発光素子（５）と、基板に平行な第１方向（Ｄｘ）に配列された複数の検出電極（Ｒｘ）と、第１方向（Ｄｘ）と交差する第２方向（Ｄｙ）に配列され、基板に垂直な方向からの平面視で、検出電極（Ｒｘ）と交差して設けられる複数の駆動電極（Ｔｘ）と、を有し、検出電極（Ｒｘ）は、複数の第１直線部（ＲｘＬ１）と、第１直線部（ＲｘＬ１）と交差する方向に延びる複数の第２直線部（ＲｘＬ２）と、第１直線部（ＲｘＬ１）と第２直線部（ＲｘＬ２）とを接続する屈曲部（ＲｘＢ）と、を有し、複数の第１直線部（ＲｘＬ１）及び複数の第２直線部（ＲｘＬ２）は金属細線であり、駆動電極（Ｔｘ）は、透光性導電体である。

Description

検出装置付き表示機器
　本発明は、検出装置付き表示機器に関する。
　近年、表示素子として微小サイズの発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ　ＬＥＤ））を用いたディスプレイが注目されている（例えば、特許文献１参照）。複数の発光ダイオードは、アレイ基板（特許文献１ではドライババックプレーン）に接続され、アレイ基板は、発光ダイオードを駆動するための画素回路（特許文献１では電子制御回路）を備える。
特表２０１７－５２９５５７号公報
　発光ダイオードを用いたディスプレイにおいて、個人認証のために指紋センサを備えることが望まれている。
　本発明は、指紋を好適に検出することができる検出装置付き表示機器を提供することを目的とする。
　本発明の一態様の検出装置付き表示機器は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素と、複数の前記画素の各々に設けられる無機発光素子と、前記基板に平行な第１方向に配列された複数の検出電極と、前記第１方向と交差する第２方向に配列され、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記検出電極と交差して設けられる複数の駆動電極と、を有し、前記検出電極は、複数の第１直線部と、前記第１直線部と交差する方向に延びる複数の第２直線部と、前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部と、を有し、複数の前記第１直線部及び複数の前記第２直線部は金属細線であり、前記駆動電極は、透光性導電体である。
　本発明の一態様の検出装置付き表示機器は、基板と、前記基板に設けられた複数の画素と、複数の前記画素の各々に設けられる無機発光素子と、前記基板に平行な第１方向に配列された複数の検出電極と、前記第１方向と交差する第２方向に配列され、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記検出電極と交差して設けられる複数の駆動電極と、を有し、前記検出電極は、複数の第１直線部と、前記第１直線部と交差する方向に延びる複数の第２直線部と、前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する第１屈曲部と、を有し、複数の前記第１直線部及び複数の前記第２直線部は金属細線であり、前記駆動電極は、複数の第３直線部と、前記第３直線部と交差する方向に延びる複数の第４直線部と、前記第３直線部と前記第４直線部とを接続する第２屈曲部と、を有し、複数の前記第３直線部及び複数の前記第４直線部は金属細線である。
図１は、第１実施形態に係る検出装置付き表示機器を示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。 図３は、検出装置付き表示機器が有する表示装置を示す平面図である。 図４は、複数の画素を示す平面図である。 図５は、画素回路を示す回路図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ’線に沿って切断した検出装置付き表示機器の断面図である。 図７は、複数の画素及びカソード電極を示す平面図である。 図８は、検出装置付き表示機器が有する検出装置を示す平面図である。 図９は、検出装置の構成例を示すブロック図である。 図１０は、駆動電極及び検出電極を示す平面図である。 図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。 図１２は、駆動電極及び検出電極と、発光素子との配置関係を説明するための平面図である。 図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る検出装置を示す平面図である。 図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。 図１５は、第１実施形態の第３変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。 図１６は、第１実施形態の第４変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。 図１７は、第２実施形態に係る検出装置付き表示機器が有する検出装置を示す平面図である。 図１８は、第２実施形態に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。
　本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態に係る検出装置付き表示機器を示す平面図である。図１に示すように、検出装置付き表示機器１は、画像を表示させるための表示領域ＡＡと、検出領域ＦＡと、表示領域ＡＡ及び検出領域ＦＡの外側に設けられた周辺領域ＧＡと、を有する。検出領域ＦＡは、カバー部材８０に接触又は近接する外部物体（指Ｆｉｎ）等の表面の凹凸を検出するための領域である。なお、外部物体は、指Ｆｉｎに限らず、表面の凹凸に応じて検出電極Ｒｘ又は駆動電極Ｔｘの少なくとも一方と形成する容量が変化すればよく、例えば、掌紋でも良い。
　本実施形態の検出装置付き表示機器１では、表示領域ＡＡと検出領域ＦＡとが一致又はほぼ一致しており、表示領域ＡＡの全面において、指Ｆｉｎ等の表面の凹凸の情報に基づいて指紋を検出することが可能となっている。表示領域ＡＡ及び検出領域ＦＡの形状は、例えば矩形である。ただし、表示領域ＡＡと検出領域ＦＡとが一致する場合に限定されず、例えば、表示領域ＡＡの一部に重なって検出領域ＦＡが設けられていてもよい。
　本明細書において、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、基板３０（図３参照）の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、基板３０の法線方向に対応する。なお、以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。
　図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図である。図２に示すように、検出装置付き表示機器１は、表示装置２と、検出装置６と、円偏光板７と、カバー部材８０とを有する。第３方向Ｄｚにおいて、表示装置２、検出装置６、円偏光板７及びカバー部材８０の順に積層されている。表示装置２と検出装置６、検出装置６と円偏光板７、円偏光板７とカバー部材８０は、それぞれ透光性を有する接着層８４、８５、８６により接着されている。
　カバー部材８０は、第１面８０ａと、第１面８０ａと反対側の第２面８０ｂとを有する板状の部材である。カバー部材８０の第１面８０ａは、接触又は近接する指Ｆｉｎ等の表面の凹凸を検出するための検出面であり、かつ、表示装置２の画像を観察者が視認するための表示面である。カバー部材８０は、例えばガラス基板、又は樹脂基板である。なお、カバー部材８０は、板状の部材に限らず、無機絶縁膜又は有機絶縁膜で構成されたコーティング層でも良い。
　周辺領域ＧＡにおいて、カバー部材８０の第２面８０ｂに加飾層８１が設けられている。加飾層８１は、カバー部材８０よりも光の透過率が小さい着色層である。加飾層８１は、周辺領域ＧＡに重畳して設けられる配線や回路等が観察者に視認されることを抑制することができる。図２に示す例では、加飾層８１は第２面８０ｂに設けられているが、第１面８０ａに設けられていてもよい。また、加飾層８１は、単層に限定されず、複数の層を重ねた構成であってもよい。
　なお、カバー部材８０、表示装置２及び検出装置６は、平面視で長方形状の構成に限られず、円形状、長円形状、或いは、これらの外形形状の一部を欠落させた異形状の構成であってもよい。また、カバー部材８０は、平板状に限られない。例えば表示領域ＡＡ及び検出領域ＦＡが曲面で構成され、或いは周辺領域ＧＡが表示装置２側に湾曲する曲面で構成される場合、カバー部材８０も曲面を有してもよい。この場合、検出装置付き表示機器１は、指紋検出機能を有する曲面ディスプレイとなり、曲面ディスプレイの曲面においても指紋を検出することが可能となる。
　次に、表示装置２の詳細な構成について説明する。図３は、検出装置付き表示機器が有する表示装置を示す平面図である。図３に示すように、表示装置２は、アレイ基板３と、画素Ｐｉｘと、駆動回路１２と、駆動ＩＣ（Integrated　Circuit）２１０と、カソード配線１４と、を含む。アレイ基板３は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板３は、基板３０、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。
　複数の画素Ｐｉｘは、基板３０の表示領域ＡＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。駆動回路１２は、基板３０の周辺領域ＧＡに設けられる。駆動回路１２は、駆動ＩＣ２１０からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線（例えば、発光制御走査線ＢＧ、リセット制御走査線ＲＧ、初期化制御走査線ＩＧ及び書込制御走査線ＳＧ（図５参照））を駆動する回路である。駆動回路１２は、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、駆動回路１２は、ゲート線に接続された複数の画素Ｐｉｘを選択する。
　駆動ＩＣ２１０は、表示装置２の表示を制御する回路である。駆動ＩＣ２１０は、基板３０の周辺領域ＧＡにＣＯＧ（Chip　On　Glass）として実装される。これに限定されず、駆動ＩＣ２１０は、基板３０の周辺領域ＧＡに接続された配線基板の上にＣＯＦ（Chip　On　Film）として実装されてもよい。なお、基板３０に接続される配線基板は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。
　カソード配線１４は、基板３０の周辺領域ＧＡに設けられる。カソード配線１４は、表示領域ＡＡの複数の画素Ｐｉｘ及び周辺領域ＧＡの駆動回路１２を囲んで設けられる。複数の発光素子５のカソード端子５３（図６参照）は、共通のカソード配線１４に電気的に接続され、固定電位（例えば、グランド電位）が供給される。なお、カソード配線１４は、一部にスリットを有し、基板３０上において、２つの異なる配線で形成されてもよい。
　図４は、複数の画素を示す平面図である。図４に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、複数の画素１１を含む。例えば、画素Ｐｉｘは、第１画素１１Ｒと、第２画素１１Ｇと、第３画素１１Ｂとを有する。第１画素１１Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２画素１１Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３画素１１Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。図４に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、第１画素１１Ｒと第２画素１１Ｇは第２方向Ｄｙで並ぶ。また、第２画素１１Ｇと第３画素１１Ｂは第１方向Ｄｘで並ぶ。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第１画素１１Ｒと、第２画素１１Ｇと、第３画素１１Ｂとをそれぞれ区別する必要がない場合、画素１１という。
　画素１１は、それぞれ発光素子５と、アノード電極２１（第１電極）と、を有する。表示装置２は、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂにおいて、発光素子５Ｒ、５Ｇ、５Ｂごとに異なる光（例えば、赤色、緑色、青色の光）を出射することで画像を表示する。発光素子５は、複数の画素１１の各々に設けられる。発光素子５は、平面視で、数μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light　Emitting　Diode）チップであり、一般的には、一つのチップサイズが１００μｍ以上の素子がミニＬＥＤ（ｍｉｎｉＬＥＤ）であり、数μｍ以上１００μｍ未満のサイズの素子がマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ　ＬＥＤ）である。本発明ではいずれのサイズのＬＥＤも用いることができ、表示装置２の画面サイズ（一画素の大きさ）に応じて使い分ければよい。各画素にマイクロＬＥＤを備える表示装置２は、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、発光素子５の大きさを限定するものではない。
　なお、複数の発光素子５は、４色以上の異なる光を出射してもよい。また、複数の画素１１の配置は、図４に示す構成に限定されない。例えば、第１画素１１Ｒは第２画素１１Ｇ又は第３画素１１Ｂと第１方向Ｄｘに隣り合っていてもよい。また、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂが、この順で第１方向Ｄｘに繰り返し配列されてもよい。
　図５は、画素回路を示す回路図である。図５に示す画素回路ＰＩＣＡは、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂのそれぞれに設けられる。画素回路ＰＩＣＡは、基板３０に設けられ、駆動信号（電流）を発光素子５に供給する回路である。なお、図５において、画素回路ＰＩＣＡについての説明は、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂのそれぞれが有する画素回路ＰＩＣＡに適用できる。
　図５に示すように、画素回路ＰＩＣＡは、発光素子５と、５つのトランジスタと、２つの容量と、を含む。具体的には、画素回路ＰＩＣＡは、発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを含む。一部のトランジスタは、隣接する複数の画素１１で共有されていてもよい。
　画素回路ＰＩＣＡが有する複数のトランジスタは、それぞれｎ型ＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）で構成される。ただし、これに限定されず、各トランジスタは、それぞれｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。
　発光制御走査線ＢＧは、発光制御トランジスタＢＣＴのゲートに接続される。初期化制御走査線ＩＧは、初期化トランジスタＩＳＴのゲートに接続される。書込制御走査線ＳＧは、書込トランジスタＳＳＴのゲートに接続される。リセット制御走査線ＲＧは、リセットトランジスタＲＳＴのゲートに接続される。
　発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧは、それぞれ駆動回路１２（図３参照）に接続される。駆動回路１２は、発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧに、それぞれ、発光制御信号Ｖｂｇ、初期化制御信号Ｖｉｇ、書込制御信号Ｖｓｇ及びリセット制御信号Ｖｒｇを供給する。
　駆動ＩＣ２１０（図３参照）は、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂのそれぞれの画素回路ＰＩＣＡに、時分割で映像信号Ｖｓｉｇを供給する。第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ及び第３画素１１Ｂの各列と、駆動ＩＣ２１０との間には、マルチプレクサ等のスイッチ回路が設けられる。映像信号Ｖｓｉｇは、映像信号線Ｌ２を介して書込トランジスタＳＳＴに供給される。また、駆動ＩＣ２１０は、リセット信号線Ｌ３を介して、リセット電源電位ＶｒｓｔをリセットトランジスタＲＳＴに供給する。駆動ＩＣ２１０は、初期化信号線Ｌ４を介して、初期化電位Ｖｉｎｉを初期化トランジスタＩＳＴに供給する。
　発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、及びリセットトランジスタＲＳＴは、２ノード間の導通と非導通とを選択するスイッチング素子として機能する。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートとドレインとの間の電圧に応じて、発光素子５に流れる電流を制御する電流制御素子として機能する。
　発光素子５のカソード（カソード端子５３）は、カソード電源線Ｌ１０に接続される。また、発光素子５のアノード（アノード端子５２）は、駆動トランジスタＤＲＴ及び発光制御トランジスタＢＣＴを介してアノード電源線Ｌ１（第１電源線）に接続される。アノード電源線Ｌ１には、アノード電源電位ＰＶＤＤ（第１電位）が供給される。カソード電源線Ｌ１０には、カソード電源電位ＰＶＳＳ（第２電位）が供給される。アノード電源電位ＰＶＤＤは、カソード電源電位ＰＶＳＳよりも高い電位である。カソード電源線Ｌ１０は、カソード配線１４を含む。
　また、画素回路ＰＩＣＡは、容量Ｃｓ１及び容量Ｃｓ２を含む。容量Ｃｓ１は、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとソースとの間に形成される容量である。容量Ｃｓ２は、駆動トランジスタＤＲＴのソース及び発光素子５のアノードと、カソード電源線Ｌ１０との間に形成される付加容量である。
　リセット期間では、発光制御走査線ＢＧ及びリセット制御走査線ＲＧの電位に応じて、発光制御トランジスタＢＣＴがオフ（非導通状態）となり、リセットトランジスタＲＳＴがオン（導通状態）となる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴのソースがリセット電源電位Ｖｒｓｔに固定される。リセット電源電位Ｖｒｓｔは、リセット電源電位Ｖｒｓｔとカソード電源電位ＰＶＳＳとの電位差が、発光素子５が発光を開始する電位差よりも小さい電位である。
　次に、初期化制御走査線ＩＧの電位に応じて、初期化トランジスタＩＳＴは、オンとなる。初期化トランジスタＩＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲートが初期化電位Ｖｉｎｉに固定される。また、駆動回路１２は、発光制御トランジスタＢＣＴをオンとし、リセットトランジスタＲＳＴをオフとする。駆動トランジスタＤＲＴは、ソース電位が（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）になるとオフになり、各画素１１ごとの駆動トランジスタＤＲＴのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきがオフセットされる。
　次に、映像信号書込動作期間では、発光制御トランジスタＢＣＴがオフになり、初期化トランジスタＩＳＴがオフになり、書込トランジスタＳＳＴがオンになる。映像信号Ｖｓｉｇが駆動トランジスタＤＲＴのゲートに入力される。
　次に、発光動作期間では、発光制御トランジスタＢＣＴがオンになり、書込トランジスタＳＳＴがオフになる。アノード電源線Ｌ１から、発光制御トランジスタＢＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴにアノード電源電位ＰＶＤＤが供給される。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートソース間の電圧に応じた電流を、発光素子５に供給する。発光素子５は、この電流に応じた輝度で発光する。
　なお、上述した図５に示す画素回路ＰＩＣＡの構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば１つの画素１１での配線の数及びトランジスタの数は異なっていてもよい。
　次に、検出装置付き表示機器１の断面構成について説明する。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ’線に沿って切断した検出装置付き表示機器の断面図である。図６に示すように、表示装置２において、発光素子５は、アレイ基板３の上に設けられる。アレイ基板３は、基板３０、アノード電極２１、対向電極２４、接続電極２４ａ、各種トランジスタ、各種配線及び各種絶縁膜を有する。
　基板３０は絶縁基板であり、例えば、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、又はポリイミド等の樹脂基板が用いられる。
　なお、本明細書において、基板３０の表面に垂直な方向において、基板３０から発光素子５に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、発光素子５から基板３０に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。また、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
　基板３０の上にアンダーコート膜３１が設けられる。アンダーコート膜３１、絶縁膜３２、３３、３４及び絶縁膜３６、３７は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等である。
　駆動トランジスタＤＲＴは、アンダーコート膜３１の上に設けられる。なお、図６では、複数のトランジスタのうち、駆動トランジスタＤＲＴ及び書込トランジスタＳＳＴを示しているが、画素回路ＰＩＣＡに含まれる発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴも、駆動トランジスタＤＲＴと同様の積層構造を有する。また、周辺領域ＧＡには、駆動回路１２に含まれるトランジスタＴｒが設けられている。
　駆動トランジスタＤＲＴは、半導体層２５、第１ゲート電極２６、第２ゲート電極２７、ソース電極２８及びドレイン電極２９を有する。第１ゲート電極２６は、アンダーコート膜３１の上に設けられる。絶縁膜３２は、第１ゲート電極２６を覆ってアンダーコート膜３１の上に設けられる。半導体層２５は、絶縁膜３２の上に設けられる。半導体層２５は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層２５は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン等であってもよい。
　絶縁膜３３は、半導体層２５を覆って絶縁膜３２の上に設けられる。第２ゲート電極２７は、絶縁膜３３の上に設けられる。半導体層２５において、第１ゲート電極２６と第２ゲート電極２７とに挟まれた部分にチャネル領域２５ａが設けられる。なお、駆動トランジスタＤＲＴとして、ｎ型ＴＦＴのみ示しているが、ｐ型ＴＦＴを同時に形成しても良い。
　また、第２ゲート電極２７と同層に第１配線２７ａが設けられる。第１ゲート電極２６、第２ゲート電極２７及び第１配線２７ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金膜で構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、第１ゲート電極２６及び第２ゲート電極２７が設けられたデュアルゲート構造である。ただし、これに限定されず、駆動トランジスタＤＲＴは、第１ゲート電極２６のみが設けられたボトムゲート構造でもよく、第２ゲート電極２７のみが設けられたトップゲート構造でもよい。
　ソース電極２８及びドレイン電極２９は、絶縁膜３３、３４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層２５に接続される。ソース電極２８及びドレイン電極２９は、例えば、チタンとアルミニウムとの積層構造であるＴｉＡｌＴｉ又はＴｉＡｌの積層膜である。
　絶縁膜３４を介して対向する第１配線２７ａとソース電極２８とで、容量Ｃｓ１が形成される。また、容量Ｃｓ１は、絶縁膜３３を介して対向する半導体層２５と第１配線２７ａとで形成される容量も含む。
　なお、図６では、複数のトランジスタのうち駆動トランジスタＤＲＴの構成について説明したが、書込トランジスタＳＳＴ等の画素回路ＰＩＣＡに含まれるトランジスタ及び周辺領域ＧＡに設けられたトランジスタＴｒも駆動トランジスタＤＲＴと同様の断面構成であり、詳細な説明は省略する。
　絶縁膜３５は、駆動トランジスタＤＲＴを覆って絶縁膜３４の上に設けられる。絶縁膜３５は、感光性アクリル等の有機材料が用いられる。絶縁膜３５は、平坦化膜であり、駆動トランジスタＤＲＴや各種配線により形成される凹凸を平坦化することができる。
　絶縁膜３５の上に、対向電極２４、絶縁膜３６、アノード電極２１、絶縁膜３７の順に積層される。対向電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium　Tin　Oxide）等の透光性を有する導電性材料で構成される。対向電極２４と同層に接続電極２４ａが設けられる。接続電極２４ａは、コンタクトホールの底部でソース電極２８と接続される。
　アノード電極２１は、絶縁膜３６に設けられたコンタクトホールを介して接続電極２４ａ及びソース電極２８と電気的に接続される。これにより、アノード電極２１は、駆動トランジスタＤＲＴと電気的に接続される。アノード電極２１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）の積層構造としている。なお、アノード電極２１は、モリブデン、チタンのいずれか１つ以上を含む金属若しくは合金、又は、透光性導電材料であってもよい。
　絶縁膜３６を介して対向するアノード電極２１と対向電極２４との間に容量Ｃｓ２が形成される。絶縁膜３７は、アノード電極２１を覆って設けられる。絶縁膜３７は、アノード電極２１の周縁部を覆っており、隣り合う画素１１のアノード電極２１を絶縁する。
　絶縁膜３７は、アノード電極２１と重なる位置に、発光素子５を実装するための開口を有する。絶縁膜３７の開口の大きさは、発光素子５の実装工程における実装ズレ量等を考慮し、発光素子５よりも大きい面積の開口とする。
　発光素子５は、半導体層５１、アノード端子５２（第１端子）及びカソード端子５３（第２端子）を有する。各発光素子５は、アノード端子５２がアノード電極２１に接するように実装される。アノード電極２１は、アノード端子５２にアノード電源電位ＰＶＤＤを供給する。半導体層５１は、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が積層された構成を採用することができる。
　半導体層５１は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）あるいはアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）あるいはガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）等の化合物半導体が用いられる。半導体層５１は、発光素子５Ｒ、５Ｇ、５Ｂごとに異なる材料が用いられてもよい。また、活性層として、高効率化のために数原子層からなる井戸層と障壁層とを周期的に積層させた多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）が採用されてもよい。
　複数の発光素子５の間に素子絶縁膜３８が設けられる。素子絶縁膜３８は樹脂材料で形成される。素子絶縁膜３８は、少なくとも発光素子５の側面を覆っており、発光素子５のカソード端子５３の上には、素子絶縁膜３８が設けられていない。素子絶縁膜３８の上面と、カソード端子５３の上面とが同一面を形成するように、素子絶縁膜３８は平坦に形成される。ただし、素子絶縁膜３８の上面の位置は、カソード端子５３の上面の位置と異なっていてもよい。
　カソード電極２２（第２電極）は、複数の発光素子５及び素子絶縁膜３８を覆って、複数の発光素子５に電気的に接続される。より具体的には、カソード電極２２は、素子絶縁膜３８の上面と、カソード端子５３の上面とに亘って設けられる。カソード電極２２は、カソード端子５３にカソード電源電位ＰＶＳＳを供給する。カソード電極２２は、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。これにより、発光素子５からの出射光を効率よく外部に取り出すことができる。
　カソード電極２２は、表示領域ＡＡの外側に設けられたコンタクトホールＨ１１を介して、アレイ基板３側に設けられたカソード配線１４と接続される。具体的には、コンタクトホールＨ１１は、素子絶縁膜３８及び絶縁膜３５に設けられ、コンタクトホールＨ１１の底面にカソード配線１４が設けられる。カソード配線１４は、絶縁膜３４の上に設けられる。つまり、カソード配線１４は、ソース電極２８及びドレイン電極２９と同層に設けられ、同じ材料で形成される。カソード電極２２は、表示領域ＡＡから周辺領域ＧＡまで連続して設けられ、コンタクトホールＨ１１の底部でカソード配線１４と接続される。
　カソード電極２２の上に黒色部材２３が設けられている。黒色部材２３は、例えばアノード電極２１よりも光の反射率が小さい材料で構成された低反射膜である。黒色部材２３は、黒色に着色された樹脂材料や、カーボン又は薄膜干渉により黒色を呈する金属又は金属酸化物が用いられる。
　黒色部材２３には、発光素子５と重なる領域に開口ＯＰが設けられる。つまり、開口ＯＰにおいて、発光素子５の上側では、カソード電極２２と接着層８４とが接している。開口ＯＰ以外の部分では、カソード電極２２の上に設けられた黒色部材２３と、接着層８４とが接している。発光素子５から出射された光は、開口ＯＰを通って表示面側に進行し、表示画像として表示される。
　また、発光素子５から側方又は下側に向けて出射された光は、アレイ基板３の各種配線で反射される。アレイ基板３で反射された光は、黒色部材２３により遮蔽され、表示面側に反射光が出射することを抑制できる。また、表示面から入射する外光は、黒色部材２３により吸収され、アレイ基板３への侵入が抑制される。これにより、アレイ基板３で反射された反射光が観察者に視認されることを抑制できる。このため、表示装置２は、画素１１間の光の混色や、意図しない不要な光が表示面から出射することを抑制することができるので、表示画像の品位の低下を抑制することができる。
　カソード電極２２及び黒色部材２３の上には、接着層８４を介して検出装置６が設けられる。検出装置６は、静電容量方式の指紋センサである。検出装置６は、センサ基板６０と、駆動電極Ｔｘと、検出電極Ｒｘと、絶縁膜６８、６９とを有する。第３方向Ｄｚにおいて、センサ基板６０、駆動電極Ｔｘ、絶縁膜６８、検出電極Ｒｘ、絶縁膜６９の順に積層される。
　駆動電極Ｔｘは、ＩＴＯ等の透光性を有する導電体であり、検出電極Ｒｘは、金属細線で構成される。検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘは、発光素子５と重ならない位置に設けられる。発光素子５は、隣り合う駆動電極Ｔｘの間の領域ＳＰと重なる位置に設けられる。これにより、発光素子５から出射された光が、検出電極Ｒｘで反射されてアレイ基板３側に戻ることを抑制できる。また、出射された光の強度が、駆動電極Ｔｘを透過する際に低下することを抑制できる。
　円偏光板７は、接着層８５を介して検出装置６の上に設けられる。言い換えると、基板３０に垂直な方向で、複数の発光素子５、複数の検出電極Ｒｘ及び複数の駆動電極Ｔｘは、基板３０と円偏光板７との間に設けられる。円偏光板７は、例えば、直線偏光板と、直線偏光板の一方の面側に設けられる１／４位相差板（１／４波長板ともいう）と、を備える。直線偏光板よりも１／４位相差板の方が、基板３０に近い位置に設けられる。
　例えば、外光（入射光）は直線偏光板を通過することにより、直線偏光に変更される。直線偏光は１／４位相差板を通過することにより、円偏光に変更される。円偏光は、検出電極Ｒｘやアレイ基板３の配線で反射して、入射光と逆回りの円偏光（反射光）になる。反射光は、再び１／４位相差板を通過することにより、入射時と直交した直線偏光となり、直線偏光板に吸収される。これにより、検出装置付き表示機器１では、外光の反射が抑制される。
　また、第３方向Ｄｚにおいて、検出装置６とアレイ基板３との間にカソード電極２２が設けられる。カソード電極２２には固定電位が供給されるため、検出装置６のシールド層としても機能する。つまり、カソード電極２２は、アレイ基板３が有する各トランジスタや各種配線で発生した電位の変動が、ノイズとして検出装置６に伝わることを抑制することができる。
　図７は、複数の画素及びカソード電極を示す平面図である。なお、図７では、黒色部材２３に斜線を付けて示している。図７に示すように、黒色部材２３は、隣り合う複数の画素１１の間に亘って連続して設けられる。開口ＯＰが設けられた領域に、発光素子５が設けられる。平面視での開口ＯＰの面積は、発光素子５の面積よりも大きい。平面視での開口ＯＰの面積は、少なくとも発光素子５の上面の面積よりも大きい。
　このような構成により、画素回路ＰＩＣＡに含まれる複数のトランジスタ及び各種配線（図５参照）が、黒色部材２３により覆われる。このため、黒色部材２３は、外光がアレイ基板３で反射することを良好に抑制できる。
　次に、検出装置６の詳細な構成について説明する。図８は、検出装置付き表示機器が有する検出装置を示す平面図である。図８に示すように、検出装置６は、センサ基板６０と、センサ基板６０の第１面６０ａ側に設けられたセンサ部６４と、駆動電極ドライバ６２と、検出電極選択回路６３と、を備える。センサ部６４は、駆動電極Ｔｘと、検出電極Ｒｘと、を含む。センサ基板６０は、可視光を透過可能な透光性を有するガラス基板である。又は、センサ基板６０は、ポリイミド等の樹脂で構成された透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。センサ部６４は、透光性を有するセンサである。
　駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、検出領域ＦＡに設けられている。複数の駆動電極Ｔｘは、第２方向Ｄｙに並んで配置されている。複数の駆動電極Ｔｘは、それぞれ第１方向Ｄｘに延在している。複数の検出電極Ｒｘは、第１方向Ｄｘに並んで配置されている。複数の検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｄｙに延在している。平面視で、複数の駆動電極Ｔｘは、複数の検出電極Ｒｘと交差して設けられる。
　駆動電極ドライバ６２及び検出電極選択回路６３は、センサ基板６０の周辺領域ＧＡに設けられる。駆動電極Ｔｘは、駆動電極ドライバ６２に電気的に接続される。各検出電極Ｒｘは、検出電極選択回路６３を介して、センサ基板６０の周辺領域ＧＡに設けられた配線基板６５に電気的に接続される。配線基板６５は、例えば、フレキシブルプリント基板である。又は、配線基板６５はリジッド基板でもよい。
　検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。センサ部６４において、相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ６２は、駆動電極Ｔｘを時分割的に順次選択し、選択された駆動電極Ｔｘに駆動信号Ｖｓを供給する。そして、接触又は近接する指Ｆｉｎ等の表面の凹凸による、駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが検出電極Ｒｘから出力される。これにより、センサ部６４により指紋検出が行われる。なお、駆動電極ドライバ６２は、複数の駆動電極Ｔｘを含む駆動電極ブロックごとに順次選択して駆動してもよい。
　図８では、駆動電極ドライバ６２、検出電極選択回路６３等の各種回路が、センサ基板６０の周辺領域ＧＡに設けられている場合を示しているが、これはあくまで一例である。各種回路の少なくとも一部は、配線基板６５に実装された検出用ＩＣに含まれていてもよい。又は、各種回路の少なくとも一部は、表示装置２の駆動ＩＣ２１０（図３参照）に含まれていてもよい。
　図９は、検出装置の構成例を示すブロック図である。図９に示すように、検出装置６は、さらに、検出制御回路６１と、検出回路４０と、を有する。検出制御回路６１は、センサ部６４、検出電極選択回路６３、駆動電極ドライバ６２、検出回路４０の各動作を制御する。
　駆動電極ドライバ６２は、検出制御回路６１から供給される制御信号に基づいて、センサ部６４の駆動電極Ｔｘに検出用の駆動信号Ｖｓを供給する回路である。駆動信号Ｖｓは、例えば、所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波である。なお、駆動信号Ｖｓの交流波形は、サイン波や三角波であってもよい。検出電極選択回路６３は、検出制御回路６１から供給される制御信号に基づいて、センサ部６４の検出電極Ｒｘを選択して、検出回路４０に接続する。検出電極選択回路６３は、例えば、マルチプレクサである。
　検出回路４０は、検出制御回路６１から供給される信号と、検出電極Ｒｘから出力される検出信号Ｖｄｅｔとに基づいて、指Ｆｉｎの形状や指紋を検出する回路である。例えば、検出回路４０は、センサ部６４に接触又は近接する指Ｆｉｎ等の表面の凹凸に応じた検出信号Ｖｄｅｔの変化を検出する。検出回路４０は、検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、合成回路４６と、検出タイミング制御回路４７と、を備える。検出タイミング制御回路４７は、検出制御回路６１から供給されるクロック信号に基づいて、検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、合成回路４６とが同期して動作するように制御する。
　検出信号Ｖｄｅｔは、センサ部６４から検出回路４０の検出信号増幅回路４２に供給される。検出信号増幅回路４２は、検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。検出信号増幅回路４２は、例えば、複数の積分回路と、複数の積分回路とそれぞれ接続される複数の端子を有し、検出電極選択回路６３は、当該複数の端子と、選択された検出電極Ｒｘとを接続する。Ａ／Ｄ変換回路４３は、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。検出信号増幅回路４２及びＡ／Ｄ変換回路４３は、例えば、アナログ・フロント・エンド（Ａｎａｌｏｇ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ：ＡＦＥ）回路である。
　信号処理回路４４は、Ａ／Ｄ変換回路４３の出力信号に基づいて、センサ部６４に対する指Ｆｉｎの凹凸の接触又は近接の有無を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、指Ｆｉｎの凹凸による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、指Ｆｉｎの凹部が接触状態であると判断する。一方、信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、指Ｆｉｎの凸部が接触状態であると判断する。このようにして、検出回路４０は、指Ｆｉｎの凹凸の接触又は近接を検出することが可能となる。
　座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において指Ｆｉｎの凹凸の接触又は近接が検出されたときに、その検出座標を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、検出座標を合成回路４６に出力する。合成回路４６は、座標抽出回路４５から出力された検出座標を組み合わせて、接触又は近接する指Ｆｉｎの形状や指紋を示す二次元情報を生成する。合成回路４６は、二次元情報を検出回路４０の出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。又は、合成回路４６は、二次元情報に基づいた画像を生成し、画像情報を出力信号Ｖｏｕｔとしてもよい。又は、検出回路４０は、座標抽出回路４５及び合成回路４６を有さず、信号処理回路４４により取り出された信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
　検出回路４０は、上述した検出用ＩＣに含まれる。ただし、検出回路４０の機能の一部は、駆動ＩＣ２１０に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。
　図１０は、駆動電極及び検出電極を示す平面図である。図１０に示すように、検出電極Ｒｘの形状は、平面視で、ジグザグ状の金属細線である。検出電極Ｒｘは、全体として第２方向Ｄｙに延在している。具体的には、検出電極Ｒｘは、複数の第１直線部ＲｘＬ１と、複数の第２直線部ＲｘＬ２と、複数の屈曲部ＲｘＢと、を有する。第２直線部ＲｘＬ２は、第１直線部ＲｘＬ１と交差する方向に延びている。第１直線部ＲｘＬ１及び複数の第２直線部ＲｘＬ２は、金属細線である。また、屈曲部ＲｘＢは、第１直線部ＲｘＬ１と第２直線部ＲｘＬ２とを接続している。
　第１直線部ＲｘＬ１は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差するＤ１方向に延びている。第２直線部ＲｘＬ２は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差するＤ２方向に延びている。第２方向Ｄｙに対して、Ｄ１方向は、Ｄ２方向とは反対側に傾斜する。Ｄ１方向と第２方向Ｄｙとが成す角度は、Ｄ２方向と第２方向Ｄｙとが成す角度と等しい。また、第１直線部ＲｘＬ１と第２直線部ＲｘＬ２は、第１方向Ｄｘに平行な仮想線を軸に、左右対称となるように配置されている。
　配置間隔Ｐｒｘは、隣り合う検出電極Ｒｘ間において、第１方向Ｄｘにおける屈曲部ＲｘＢの間隔である。また、配置間隔Ｐｒｙは、複数の検出電極Ｒｘの各々において、第２方向Ｄｙにおける屈曲部ＲｘＢの間隔である。本実施形態では、例えば、配置間隔Ｐｒｘは配置間隔Ｐｒｙよりも小さい。
　図１０に示すように、複数の駆動電極Ｔｘ－１、Ｔｘ－２、Ｔｘ－３、Ｔｘ－４、…は、第２方向Ｄｙに並んで配置される。駆動電極Ｔｘ－１、Ｔｘ－２は、検出電極Ｒｘの第１直線部ＲｘＬ１と交差する。駆動電極Ｔｘ－３、Ｔｘ－４は、検出電極Ｒｘの第２直線部ＲｘＬ２と交差する。なお、以下の説明において、駆動電極Ｔｘ－１、Ｔｘ－２、Ｔｘ－３、Ｔｘ－４、…を区別して説明する必要がない場合には、単に駆動電極Ｔｘと表す。
　複数の駆動電極Ｔｘ－１、Ｔｘ－２、Ｔｘ－３、Ｔｘ－４、…は、それぞれ複数の電極部ＴｘＥと、複数の接続部ＴｘＣとをそれぞれ有する。複数の駆動電極Ｔｘの各々において、複数の電極部ＴｘＥは第１方向Ｄｘに並んでおり、互いに離隔して配置されている。また、複数の駆動電極Ｔｘの各々において、接続部ＴｘＣは、複数の電極部ＴｘＥのうち隣り合う電極部ＴｘＥ同士を接続している。また、第３方向Ｄｚから見て、１本の検出電極Ｒｘは、隣り合う電極部ＴｘＥの間を通って接続部ＴｘＣと交差している。複数の電極部ＴｘＥ及び複数の接続部ＴｘＣは、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料で構成される。
　電極部ＴｘＥは、第１電極部ＴｘＥ１と、第１電極部ＴｘＥ１とは異なる形状を有する第２電極部ＴｘＥ２と、を含む。第３方向Ｄｚから見て、第１電極部ＴｘＥ１と、第２電極部ＴｘＥ２はそれぞれ平行四辺形である。第１電極部ＴｘＥ１を上下反転させた形状が、第２電極部ＴｘＥ２の形状となっている。
　駆動電極Ｔｘ－１、Ｔｘ－２は、複数の第１電極部ＴｘＥ１を備える。複数の第１電極部ＴｘＥ１は、第１直線部ＲｘＬ１に沿って設けられ、それぞれ、第１直線部ＲｘＬ１と平行な２辺と、第１直線部ＲｘＬ１と直交する２辺とを有する四角形状である。また、駆動電極Ｔｘ－３、Ｔｘ－４は、複数の第２電極部ＴｘＥ２を備える。複数の第２電極部ＴｘＥ２は、第２直線部ＲｘＬ２に沿って設けられ、それぞれ、第２直線部ＲｘＬ２と平行な２辺と、第２直線部ＲｘＬ２と直交する２辺とを有する四角形状である。
　これにより、第１電極部ＴｘＥ１及び第２電極部ＴｘＥ２は、ジグザグ状の検出電極Ｒｘに沿って配置される。また、検出電極Ｒｘと、各電極部ＴｘＥとの離隔距離を一定の長さにすることができる。なお、１つの第１直線部ＲｘＬ１又は第２直線部ＲｘＬ２に対応する電極部ＴｘＥの数は、１つでも３以上の整数であってもよい。
　また、第２方向Ｄｙにおける駆動電極Ｔｘの配置間隔をＰｔとする。配置間隔Ｐｔは、検出電極Ｒｘの屈曲部ＲｘＢの配置間隔Ｐｒｙの１／２程度である。なお、これに限定されず、配置間隔Ｐｔは、配置間隔Ｐｒｙの１／ｎ（ｎは１以上の整数である）であってもよい。配置間隔Ｐｔは、例えば５０μｍ以上、１００μｍ以下である。
　また、複数の接続部ＴｘＣの長手方向は、一方向に揃っていることが好ましい。例えば、駆動電極Ｔｘが有する接続部ＴｘＣの長手方向は、全て第１方向Ｄｘとなっている。また、複数の接続部ＴｘＣは同一直線上に配置される。これにより、検出電極Ｒｘと交差する接続部ＴｘＣの形状が揃うため、検出電極Ｒｘと接続部ＴｘＣとの間の容量のばらつきを抑制できる。また、複数の接続部ＴｘＣと重なる領域に金属層ＴｘＣａが設けられる。これにより、接続部ＴｘＣを細幅に設けた場合でも、接続部ＴｘＣと金属層ＴｘＣａとの積層体の抵抗値を抑制することができる。
　なお、複数の接続部ＴｘＣが同一直線上に設けられる構成に限定されず、第１方向Ｄｘに隣り合う複数の接続部ＴｘＣにおいて、第２方向Ｄｙでの位置が異なって配置されていてもよい。この場合、電極部ＴｘＥと比べて光の透過率が低い金属層ＴｘＣａが一直線状に並ばないので、検出装置付き表示機器１はモアレ等の意図しない模様の発生を抑制することができる。
　なお、電極部ＴｘＥは、それぞれ平行四辺形状であるが、矩形状、多角形状、異形状であってもよい。例えば、隣接する屈曲部ＲｘＢ間に配置され、第１直線部ＲｘＬ１と平行な２辺を有する第１部分と、第２直線部ＲｘＬ２と平行な２辺を有する第２部分が結合した多角形状からなる第３電極部を有してもよい。言い換えると、１つの第１直線部ＲｘＬ１と１つの第２直線部ＲｘＬ２とこれらとつなぐ屈曲部ＲｘＢとからなる部分構造に隣接する電極部ＴｘＥの個数は偶数に限らず、奇数であってもよい。
　ダミー電極ＴｘＤ１、ＴｘＤ２、ＴｘＤ３は、第２方向Ｄｙに隣り合う駆動電極Ｔｘの間に設けられる。具体的には、Ｄ１方向に隣り合う第１電極部ＴｘＥ１の間には、ダミー電極ＴｘＤ１が設けられ、Ｄ２方向に隣り合う第２電極部ＴｘＥ２の間には、ダミー電極ＴｘＤ２が設けられる。また、第１電極部ＴｘＥ１と第２電極部ＴｘＥ２との間には、ダミー電極ＴｘＤ３が設けられる。ダミー電極ＴｘＤ１、ＴｘＤ２、ＴｘＤ３と各電極部ＴｘＥとは、スリットＳＬにより離隔している。なお、以下の説明において、ダミー電極ＴｘＤ１、ＴｘＤ２、ＴｘＤ３を区別して説明する必要がない場合には、単にダミー電極ＴｘＤと表す。ダミー電極ＴｘＤは、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料であり、駆動電極Ｔｘと同じ材料で形成される。
　ダミー電極ＴｘＤ１は、第１直線部ＲｘＬ１と平行な２辺と、第１直線部ＲｘＬ１と直交する２辺とを有する四角形状である。ダミー電極ＴｘＤ２は、第２直線部ＲｘＬ２と平行な２辺と、第２直線部ＲｘＬ２と直交する２辺とを有する四角形状である。ダミー電極ＴｘＤ１及びダミー電極ＴｘＤ２の面積は、それぞれ第１電極部ＴｘＥ１及び第２電極部ＴｘＥ２の面積よりも小さい。ダミー電極ＴｘＤ３は、第１直線部ＲｘＬ１と直交する辺Ｓ１と、第２直線部ＲｘＬ２と直交する辺Ｓ２と、第１直線部ＲｘＬ１と平行な辺Ｓ３と、第２直線部ＲｘＬ２と平行な辺Ｓ４と、を有する。第２方向Ｄｙにおけるダミー電極ＴｘＤの配置間隔Ｐｄは、駆動電極Ｔｘの配置間隔Ｐｔと等しい。
　検出電極Ｒｘを挟んで配置された複数のスリットＳＬは、同一直線上に揃わないように配置される。言い換えると、スリットＳＬの延長方向には、検出電極Ｒｘを挟んで電極部ＴｘＥが配置される。これにより、電極部ＴｘＥ及びダミー電極ＴｘＤが設けられていない部分が、小さいピッチで屈曲するように配置されるので、検出装置６は、検出領域ＦＡに意図しない模様（例えば、モアレ、光を反射した模様）が発生することを抑制することができる。
　図１０に示すセンサ部６４では、駆動電極Ｔｘの形状と検出電極Ｒｘの形状との位置関係が電極間で揃っている。このため、駆動電極Ｔｘの容量のばらつきや、検出電極Ｒｘの容量のばらつきが小さい。また、センサ部６４における座標の算出の補正等も実行し易いという利点がある。
　図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。なお、図１１では、検出領域ＦＡの層構造と周辺領域ＧＡの層構造との関係を示すために、検出領域ＦＡのＸＩ－ＸＩ’線に沿う断面と、周辺領域ＧＡのトランジスタＴｒＳを含む部分の断面とを、模式的に繋げて示している。トランジスタＴｒＳは、駆動電極ドライバ６２が有する素子である。
　図１１に示すように、センサ基板６０は、第１面６０ａと、第１面６０ａと反対側の第２面６０ｂとを有する。駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、センサ基板６０の第１面６０ａ側に設けられる。具体的には、第１面６０ａには、絶縁膜６６、６７が積層される。駆動電極Ｔｘは、絶縁膜６７の上に設けられる。電極部ＴｘＥ及び金属層ＴｘＣａは、絶縁膜６７の上に設けられ、接続部ＴｘＣは、金属層ＴｘＣａを覆って設けられる。絶縁膜６８は、駆動電極Ｔｘを覆って絶縁膜６７の上に設けられる。
　検出領域ＦＡにおいて、検出電極Ｒｘは絶縁膜６８の上に設けられている。検出電極Ｒｘは、接続部ＴｘＣ及び金属層ＴｘＣａと重なる位置に設けられる。絶縁膜６８により、検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとの間が絶縁されている。検出電極Ｒｘは、例えば、第１金属層１４１、第２金属層１４２及び第３金属層１４３を有する。第３金属層１４３上に第２金属層１４２が設けられており、第２金属層１４２上に第１金属層１４１が設けられている。
　例えば、第１金属層１４１、第３金属層１４３の材料には、モリブデン（Ｍｏ）又はモリブデン合金が用いられる。第２金属層１４２の材料には、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金が用いられる。第１金属層１４１は、第２金属層１４２よりも可視光の反射率が低い。
　絶縁膜６９は、検出電極Ｒｘ及び絶縁膜６８の上に設けられる。絶縁膜６９によって、検出電極Ｒｘの上面及び側面は覆われている。絶縁膜６９には、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸窒化膜あるいはアクリル樹脂など、高屈折率で低反射率の膜が用いられる。
　駆動電極Ｔｘは、検出領域ＦＡから周辺領域ＧＡまで延在し、トランジスタＴｒＳに接続される。トランジスタＴｒＳは、ゲート電極１０３、半導体層１１３、ソース電極１２３及びドレイン電極１２５を有する。ゲート電極１０３は、センサ基板６０の上に設けられる。絶縁膜６６は、ゲート電極１０３の上に設けられる。半導体層１１３は、絶縁膜６６の上に設けられる。
　絶縁膜６７は、半導体層１１３の上に設けられる。ソース電極１２３及びドレイン電極１２５は、絶縁膜６７の上に設けられる。ソース電極１２３は、絶縁膜６７に設けられたコンタクトホール６７Ｈ１を介して半導体層１１３と接続される。ドレイン電極１２５は、絶縁膜６７に設けられたコンタクトホール６７Ｈ２を介して半導体層１１３と接続される。
　ソース電極１２３及びドレイン電極１２５の上に絶縁膜６８Ａが設けられる。駆動電極Ｔｘは、絶縁膜６８Ａに設けられたコンタクトホール６８Ｈを介してドレイン電極１２５と接続される。
　図１２は、駆動電極及び検出電極と、発光素子との配置関係を説明するための平面図である。図１２に示すように、複数の発光素子５は、平面視で、第１方向Ｄｘに隣り合う複数の検出電極Ｒｘの間に配置される。かつ、複数の発光素子５は、平面視で、第２方向Ｄｙに隣り合う複数の駆動電極Ｔｘの間に設けられる。言い換えると、複数の発光素子５は、平面視で、複数の検出電極Ｒｘ及び複数の駆動電極Ｔｘと重ならない領域に設けられる。
　具体的には、発光素子５Ｇ、５Ｂは、第１方向Ｄｘに隣り合う複数の第１直線部ＲｘＬ１の間に配置され、かつ、Ｄ１方向に隣り合う複数の第１電極部ＴｘＥ１の間に配置される。又、発光素子５Ｇ、５Ｂは、第１方向Ｄｘに隣り合う複数の第２直線部ＲｘＬ２の間に配置され、かつ、Ｄ２方向に隣り合う複数の第２電極部ＴｘＥ２の間に配置される。発光素子５Ｂと発光素子５Ｇとは検出電極Ｒｘを挟んで第１方向Ｄｘに隣り合って配置される。発光素子５Ｇ、５Ｂは、それぞれダミー電極ＴｘＤ１又はダミー電極ＴｘＤ２と重なる位置に配置される。
　また、発光素子５Ｒは、第１方向Ｄｘに隣り合う複数の屈曲部ＲｘＢの間に配置され、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う第１電極部ＴｘＥ１と第２電極部ＴｘＥ２との間に配置される。発光素子５Ｒは、それぞれダミー電極ＴｘＤ３と重なる位置に配置される。
　第１方向Ｄｘにおける発光素子５の配置間隔ＰＬｘは、検出電極Ｒｘの配置間隔Ｐｒｘ（図１０参照）と同程度である。第２方向Ｄｙにおける発光素子５の配置間隔ＰＬｙは、検出電極Ｒｘの配置間隔Ｐｒｙ（図１０参照）の１／２程度である。また、発光素子５Ｒの第１方向Ｄｘでの位置は、発光素子５Ｇの第１方向Ｄｘでの位置とずれて配置される。
　なお、配置間隔ＰＬｘは、１つの画素Ｐｉｘを構成する複数の発光素子５のうち、第１方向Ｄｘの一方に位置する発光素子５（例えば、発光素子５Ｂ）と、第１方向Ｄｘの他方に位置する発光素子５（例えば、発光素子５Ｒ）との間の配置間隔である。配置間隔ＰＬｙは、同様に、１つの画素Ｐｉｘを構成する複数の発光素子５のうち、第２方向Ｄｙの一方に位置する発光素子５（例えば、発光素子５Ｂ）と、第２方向Ｄｙの他方に位置する発光素子５（例えば、発光素子５Ｒ）との間の配置間隔である。
　このような構成により、複数の発光素子５は、少なくとも検出電極Ｒｘと重ならない位置に配置される。このため、発光素子５から出射された光が検出電極Ｒｘで反射されることを抑制できる。また、第２方向Ｄｙに配列された複数の発光素子５には、それぞれ異なる方向に傾斜する金属細線の第１直線部ＲｘＬ１、第２直線部ＲｘＬ２又は屈曲部ＲｘＢが隣り合って設けられる。
　このため、複数の発光素子５に隣り合って１つの直線状の検出電極Ｒｘが設けられた構成と比べて、検出装置付き表示機器１は、モアレ等の意図しない模様の発生を抑制することができる。したがって、検出装置付き表示機器１は、検出装置６により指紋を好適に検出するとともに、発光素子５から出射された光の不要な反射を抑制して、表示画像の品位の低下を抑制できる。
　なお、図１２に示す発光素子５の配置はあくまで一例であり、異なる配置としてもよい。例えば、１つの直線部（第１直線部ＲｘＬ１又は第２直線部ＲｘＬ２）と隣り合って２つ以上の発光素子５が配置されていてもよい。また、発光素子５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの配置を入れ換えた構成であってもよい。
（第１変形例）
　図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る検出装置を示す平面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
　図１３に示すように、第１変形例に係る検出装置６は、第１実施形態に比べて、一部のダミー電極ＴｘＤが設けられていない構成が異なる。具体的には、複数の発光素子５Ｒと重なる部分で、ダミー電極ＴｘＤ３が設けられていない。言い換えると、複数の発光素子５Ｒは、第２方向Ｄｙに隣り合う駆動電極Ｔｘ（第１電極部ＴｘＥ１と第２電極部ＴｘＥ２）の間の領域ＳＰに設けられる。発光素子５Ｒと重なる領域には検出装置６のセンサ基板６０及び各絶縁膜６６、６７、６８、６９（図１１参照）が設けられる。
　このような構成により、発光素子５Ｒから出射された光は、ダミー電極ＴｘＤ３を透過しないで表示面に進行する。つまり、第１変形例では、上述した第１実施形態に比べて発光素子５Ｒから出射された光の透過率の低下を抑制することができる。これにより、発光素子５Ｒの発光効率が、発光素子５Ｇ、５Ｂの発光効率よりも低い場合であっても、表示面に表示される赤色の光の輝度と、青色及び緑色の光の輝度との差を抑制することができる。
　なお、図１３では、発光素子５Ｒと重なる部分のダミー電極ＴｘＤ３が設けられていない構成を示したが、これに限定されない。発光素子５Ｒに加え、発光素子５Ｇ、５Ｂと重なる部分のダミー電極ＴｘＤ１、ＴｘＤ２が設けられていない構成であってもよい。
（第２変形例）
　図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。図１４に示すように、第２変形例の検出装置付き表示機器１において、カソード電極２２Ａが黒色の導電体で構成される。黒色の導電体として、例えばカーボン又は薄膜干渉により黒色を呈する金属等が挙げられる。カソード電極２２Ａには、発光素子５のカソード端子５３と重なる部分に開口２２Ａａが設けられる。カソード電極２２Ａは、カソード端子５３の周縁でカソード端子５３と接続される。第２変形例では、カソード電極２２Ａの上に黒色部材２３（図６参照）が設けられず、接着層８４は、カソード電極２２Ａの上及び開口２２Ａａに設けられる。
　第２変形例では、第１実施形態に比べて、発光素子５の上にカソード電極２２を構成する透光性の導電体が設けられていない。このため、検出装置付き表示機器１は、発光素子５から出射された光の取り出し効率を向上させることができる。なお、第２変形例の構成は、上述した第１変形例にも適用できる。
（第３変形例）
　図１５は、第１実施形態の第３変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。図１５に示すように、第３変形例の検出装置付き表示機器１において、検出電極Ｒｘは、黒色の導電体を含む。具体的には、第１金属層１４１及び第３金属層１４３が黒色の導電体で構成される。検出電極Ｒｘの、最表層に位置する第１金属層１４１及び第３金属層１４３に黒色の導電体が用いられ、第２金属層１４２には、上述のようにアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金が用いられる。このため、黒色の導電体を用いた構成であっても、検出電極Ｒｘの導電率の低下を抑制できる。
　また、駆動電極Ｔｘは、黒色の導電体で形成された金属層ＴｘＣａを含む。金属層ＴｘＣａと接続部ＴｘＣとが積層される。
　これにより、第３変形例では、表示面から入射した外光が、検出電極Ｒｘ及び金属層ＴｘＣａで反射することを抑制できる。この結果、検出装置付き表示機器１は、外光の反射を抑制して、表示面に表示される画像の輝度の低下を抑制することができる。また、第３変形例では、表示装置２での外光の反射が抑制され、かつ、検出装置６での外光の反射が抑制されるので、円偏光板７を設けない構成としてもよい。
　なお、第３変形例において、検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘの両方が黒色の導電体を含む構成に限定されない。検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘのいずれか一方が、黒色の導電体を含んでいる構成であってもよい。また、第３変形例の構成は、上述した第１変形例及び第２変形例にも適用できる。
（第４変形例）
　図１６は、第１実施形態の第４変形例に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。図１６に示すように、第４変形例の検出装置付き表示機器１において、検出装置６Ａの積層構造が異なる。具体的には、センサ基板６０の第１面６０ａ側に検出電極Ｒｘが設けられ、第２面６０ｂ側に駆動電極Ｔｘが設けられる。第３方向Ｄｚにおいて、発光素子５の上に、駆動電極Ｔｘ、センサ基板６０、検出電極Ｒｘの順に設けられる。検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘの平面視での構成及び発光素子５の配置は、図１０、図１２と同様であり、詳細な説明は省略する。
　第４変形例では、センサ基板６０の周辺領域ＧＡに駆動電極ドライバ６２（図８参照）が設けられず、駆動電極ドライバ６２は配線基板６５を介して接続されたＩＣに設けられる。駆動電極Ｔｘは周辺領域ＧＡに設けられた接続配線を介してＩＣに接続される。
　なお、検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘの配置は逆であってもよい。つまり、センサ基板６０の第１面６０ａ側に駆動電極Ｔｘが設けられ、第２面６０ｂ側に検出電極Ｒｘが設けられていてもよい。また、検出電極Ｒｘは、絶縁膜６８を介してセンサ基板６０に設けられているが、絶縁膜６８が設けられていなくてもよい。また、第４変形例の構成は、上述した第１変形例から第３変形例にも適用できる。
（第２実施形態）
　図１７は、第２実施形態に係る検出装置付き表示機器が有する検出装置を示す平面図である。図１７に示すように、第２実施形態に係る検出装置付き表示機器１Ａにおいて、複数の駆動電極ＴｘＡは、それぞれ金属細線で構成されている。
　具体的には、駆動電極ＴｘＡは、複数の第３直線部ＴｘＬ１と、複数の第４直線部ＴｘＬ２と、複数の屈曲部ＴｘＢ（第２屈曲部）と、を有する。第４直線部ＴｘＬ２は、第３直線部ＴｘＬ１と交差する方向に延在する。第３直線部ＴｘＬ１及び第４直線部ＴｘＬ２は、検出電極Ｒｘの第１直線部ＲｘＬ１及び第２直線部ＲｘＬ２とも交差する方向に延在する。また、屈曲部ＴｘＢは、第３直線部ＴｘＬ１と第４直線部ＴｘＬ２とを接続している。
　駆動電極ＴｘＡの配置間隔Ｐｔｘは、複数の駆動電極ＴｘＡの各々において、第１方向Ｄｘにおける屈曲部ＴｘＢの間隔である。また、配置間隔Ｐｔｙは、隣り合う駆動電極ＴｘＡ間において、第２方向Ｄｙにおける屈曲部ＴｘＢの間隔である。本実施形態では、例えば、配置間隔Ｐｔｘは配置間隔Ｐｔｙよりも大きい。駆動電極ＴｘＡの配置間隔Ｐｔｘは、検出電極Ｒｘの配置間隔Ｐｒｘの２倍程度である。駆動電極ＴｘＡの配置間隔Ｐｔｙは、検出電極Ｒｘの配置間隔Ｐｒｙの１／２程度である。
　複数の発光素子５は、第１方向Ｄｘに隣り合う検出電極Ｒｘの間、かつ、第２方向Ｄｙに隣り合う駆動電極ＴｘＡの間に配置される。具体的には、発光素子５Ｇは、第２方向Ｄｙに隣り合う第３直線部ＴｘＬ１と、第１方向Ｄｘに隣り合う第１直線部ＲｘＬ１とで囲まれた領域に設けられる。発光素子５Ｂは、第２方向Ｄｙに隣り合う第４直線部ＴｘＬ２と、第１方向Ｄｘに隣り合う第１直線部ＲｘＬ１とで囲まれた領域に設けられる。発光素子５Ｒは、第２方向Ｄｙに隣り合う第３直線部ＴｘＬ１と、第１方向Ｄｘに隣り合う第２直線部ＲｘＬ２とで囲まれた領域に設けられる。
　図１８は、第２実施形態に係る検出装置付き表示機器を示す断面図である。図１８に示すように、検出装置６Ｂにおいて、駆動電極ＴｘＡは、センサ基板６０の第１面６０ａに設けられる。検出電極Ｒｘは、絶縁膜６８を介して駆動電極ＴｘＡの上に設けられる。駆動電極ＴｘＡは金属細線で構成されるので、検出電極Ｒｘとの交差部分に金属層ＴｘＣａ（図１０参照）を設ける必要がない。
　また、駆動電極ＴｘＡ及び検出電極Ｒｘは、黒色の導電体で構成される。この場合、円偏光板７が設けられず、検出装置６Ｂの上に接着層８５を介してカバー部材８０が設けられる。ただし、第２実施形態においても円偏光板７を設ける構成を採用することもできる。また、駆動電極ＴｘＡは、単層に限定されない。駆動電極ＴｘＡは、検出電極Ｒｘと同様に複数の金属層が積層された積層構造とすることができる。
　本実施形態において、検出装置６Ｂは、駆動電極ＴｘＡの抵抗を小さくすることができる。また、検出装置６Ｂは、駆動電極ＴｘＡと検出電極Ｒｘとの間の容量を小さくすることができる。また、本実施形態の構成は、上述した第１変形例及び第４変形例にも適用できる。
　これまでの説明において、アノード端子５２、カソード端子５３として表記してきた部分においては、発光素子５の接続方向、及び電圧の印加方向によっては明細書中の記載に限定するものではなく、逆転していても良い。また、図６、図１４から図１６、図１８においては、発光素子５の一方の電極が下側に、他方の電極が上側にある構成を示しているが、その両方が下側、つまりアレイ基板３に対面する側に有る構成であっても良い。すなわち、検出装置付き表示機器１において、発光素子５の上部でカソード電極２２に接続されるフェースアップ構造に限定されず、発光素子５の下部が、アノード電極２１及びカソード電極２２に接続される、いわゆるフェースダウン構造であってもよい。
　以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。
　１　検出装置付き表示機器
　２　表示装置
　３　アレイ基板
　５　発光素子
　６　検出装置
　７　円偏光板
　１１、Ｐｉｘ　画素
　２１　アノード電極
　２２　カソード電極
　２３　黒色部材
　３０　基板
　３８　素子絶縁膜
　４０　検出回路
　５１　半導体層
　５２　アノード端子
　５３　カソード端子
　６０　センサ基板
　Ｌ１　アノード電源線
　Ｌ１０　カソード電源線
　Ｒｘ　検出電極
　ＲｘＬ１　第１直線部
　ＲｘＬ２　第２直線部
　ＲｘＢ、ＴｘＢ　屈曲部
　Ｔｘ　駆動電極
　ＴｘＥ　電極部
　ＴｘＥ１　第１電極部
　ＴｘＥ２　第２電極部
　ＴｘＣ　接続部
　ＴｘＤ１、ＴｘＤ２、ＴｘＤ３　ダミー電極
　ＴｘＬ１　第３直線部
　ＴｘＬ２　第４直線部
　ＤＲＴ　駆動トランジスタ
　ＳＳＴ　書込トランジスタ

Claims (14)

  1. 　基板と、
    　前記基板に設けられた複数の画素と、
    　複数の前記画素の各々に設けられる無機発光素子と、
    　前記基板に平行な第１方向に配列された複数の検出電極と、
    　前記第１方向と交差する第２方向に配列され、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記検出電極と交差して設けられる複数の駆動電極と、を有し、
    　前記検出電極は、
    　複数の第１直線部と、
    　前記第１直線部と交差する方向に延びる複数の第２直線部と、
    　前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部と、を有し、
    　複数の前記第１直線部及び複数の前記第２直線部は金属細線であり、
    　前記駆動電極は、透光性導電体である
    　検出装置付き表示機器。
  2. 　複数の前記無機発光素子は、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記第１方向に隣り合う複数の前記検出電極の間に配置される
    　請求項１に記載の検出装置付き表示機器。
  3. 　前記第２方向に隣り合う前記駆動電極の間に設けられたダミー電極を有し、
    　複数の前記無機発光素子は、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記ダミー電極と重なる領域に配置される
    　請求項１又は請求項２に記載の検出装置付き表示機器。
  4. 　複数の前記無機発光素子は、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記第２方向に隣り合う前記駆動電極の間に設けられる
    　請求項１又は請求項２に記載の検出装置付き表示機器。
  5. 　前記駆動電極は、
    　平面視で、互いに離隔して配置された複数の電極部と、
    　前記複数の電極部のうち隣り合う電極部同士を接続する接続部と、を有し、
    　前記検出電極は、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記隣り合う電極部の間を通って前記接続部と交差している
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  6. 　前記複数の電極部は、
    　複数の第１電極部と、
    　平面視で、前記第１電極部とは形状が異なる複数の第２電極部と、を含み、
    　複数の前記第１電極部は前記第１直線部に沿って設けられ、複数の前記第１電極部の平面視による形状は、前記第１直線部に平行な２辺を有する多角形であり、
    　複数の前記第２電極部は前記第２直線部に沿って設けられ、前記第２電極部の平面視による形状は、前記第２直線部に平行な２辺を有する多角形である
    　請求項５に記載の検出装置付き表示機器。
  7. 　前記駆動電極は、黒色の導電体を含み、
    　前記黒色の導電体と前記接続部とが積層される
    　請求項５又は請求項６に記載の検出装置付き表示機器。
  8. 　前記検出電極は、黒色の導電体を含む
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  9. 　円偏光板を有し、
    　前記基板に垂直な方向で、複数の前記無機発光素子、複数の前記検出電極及び複数の前記駆動電極は、前記基板と前記円偏光板との間に設けられる
    　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  10. 　前記無機発光素子は、第１端子と第２端子とを有し、
    　前記無機発光素子に電気的に接続されるトランジスタと、
    　前記トランジスタに電気的に接続され、前記第１端子に第１電位を供給する第１電極と、
    　前記第１電位と異なる電位を有する第２電位を前記第２端子に供給する第２電極とを有し、
    　前記第２電極の上には黒色部材が設けられる
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  11. 　複数の前記無機発光素子の間に設けられ、前記無機発光素子の少なくとも側面を覆う素子絶縁膜を有し、
    　前記第２電極は、複数の前記無機発光素子及び前記素子絶縁膜を覆って設けられ、
    　前記黒色部材は、前記第２端子と重なる領域に開口を有する
    　請求項１０に記載の検出装置付き表示機器。
  12. 　前記無機発光素子は、第１端子と第２端子とを有し、
    　前記無機発光素子に電気的に接続されるトランジスタと、
    　前記トランジスタに電気的に接続され、前記第１端子に第１電位を供給する第１電極と、
    　前記第２端子に前記第１電位と異なる電位を有する第２電位を供給する第２電極とを有し、
    　前記第２電極は、黒色の導電体であり、前記第２端子と重なる領域に開口が設けられる
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  13. 　第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを備えるセンサ基板を有し、
    　前記検出電極は、前記センサ基板の前記第１面に設けられ、
    　前記駆動電極は、前記センサ基板の前記第２面に設けられる
    　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の検出装置付き表示機器。
  14. 　基板と、
    　前記基板に設けられた複数の画素と、
    　複数の前記画素の各々に設けられる無機発光素子と、
    　前記基板に平行な第１方向に配列された複数の検出電極と、
    　前記第１方向と交差する第２方向に配列され、前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記検出電極と交差して設けられる複数の駆動電極と、を有し、
    　前記検出電極は、
    　複数の第１直線部と、前記第１直線部と交差する方向に延びる複数の第２直線部と、前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する第１屈曲部と、を有し、複数の前記第１直線部及び複数の前記第２直線部は金属細線であり、
    　前記駆動電極は、複数の第３直線部と、前記第３直線部と交差する方向に延びる複数の第４直線部と、前記第３直線部と前記第４直線部とを接続する第２屈曲部と、を有し、複数の前記第３直線部及び複数の前記第４直線部は金属細線である
    　検出装置付き表示機器。
PCT/JP2020/013820 2019-03-28 2020-03-26 検出装置付き表示機器 WO2020196788A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080025349.4A CN113632247A (zh) 2019-03-28 2020-03-26 带检测装置的显示设备
US17/485,600 US11996033B2 (en) 2019-03-28 2021-09-27 Display apparatus with detecting device
US18/413,858 US20240185769A1 (en) 2019-03-28 2024-01-16 Display apparatus with detecting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019064550A JP7281940B2 (ja) 2019-03-28 2019-03-28 検出装置付き表示機器
JP2019-064550 2019-03-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/485,600 Continuation US11996033B2 (en) 2019-03-28 2021-09-27 Display apparatus with detecting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020196788A1 true WO2020196788A1 (ja) 2020-10-01

Family

ID=72611541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/013820 WO2020196788A1 (ja) 2019-03-28 2020-03-26 検出装置付き表示機器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11996033B2 (ja)
JP (2) JP7281940B2 (ja)
CN (1) CN113632247A (ja)
TW (3) TWI747216B (ja)
WO (1) WO2020196788A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6985983B2 (ja) * 2018-05-31 2021-12-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020160380A (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社ジャパンディスプレイ 指紋検出装置及び表示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212076A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013178598A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Japan Display West Co Ltd 近接検出装置、近接検出方法、電子機器
JP2014191657A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Japan Display Inc タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器
CN104679369A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 三星显示有限公司 包括触摸传感器的柔性显示装置
JP2016512347A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイ、及び統合欠陥検出検査を備えた発光ダイオードディスプレイを製造する方法
US20170307933A1 (en) * 2016-04-20 2017-10-26 Innolux Corporation Touch display device
JP2018077600A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018088391A (ja) * 2016-11-22 2018-06-07 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN109154961A (zh) * 2018-02-26 2019-01-04 深圳市汇顶科技股份有限公司 基于利用透镜-针孔模块和其他光学设计的光学成像的lcd屏上光学指纹感测

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102566837A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 东莞联胜液晶显示器有限公司 触控显示装置
US9081453B2 (en) * 2012-01-12 2015-07-14 Synaptics Incorporated Single layer capacitive imaging sensors
JP5778119B2 (ja) * 2012-11-30 2015-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器
CN103293785B (zh) * 2012-12-24 2016-05-18 上海天马微电子有限公司 Tn型液晶显示装置及其触控方法
TWI550450B (zh) * 2013-01-24 2016-09-21 Toppan Printing Co Ltd Touch panel and display device
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
KR102135360B1 (ko) * 2013-11-18 2020-07-17 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP6320227B2 (ja) * 2014-01-17 2018-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2015143933A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量型センサ付き表示装置及びその駆動方法
JP2015230607A (ja) 2014-06-05 2015-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6425921B2 (ja) 2014-06-12 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
JP2016029464A (ja) * 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
CN107077807B (zh) * 2014-12-05 2019-11-08 凸版印刷株式会社 显示装置基板、显示装置基板的制造方法及使用其的显示装置
US20180120986A1 (en) * 2015-02-24 2018-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Touch sensor-equipped display device
CN104750316A (zh) * 2015-04-22 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及触摸显示装置
JP6565517B2 (ja) * 2015-09-09 2019-08-28 凸版印刷株式会社 配線基板、半導体装置、および液晶表示装置
JP2017162032A (ja) 2016-03-07 2017-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10490534B2 (en) 2016-05-20 2019-11-26 Innolux Corporation Display device with LED pixels
US10217403B2 (en) 2016-05-20 2019-02-26 Innolux Corporation Display apparatus
TWI614665B (zh) * 2016-05-31 2018-02-11 Egalax_Empia Tech Inc 電容式觸控面板
CN108074552A (zh) 2016-11-18 2018-05-25 北京酷我科技有限公司 一种钢琴的电子曲谱转换方法及系统
CN108091670B (zh) 2016-11-22 2022-04-15 天马微电子股份有限公司 显示装置及其制造方法
JP7055592B2 (ja) * 2016-12-08 2022-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN108628483B (zh) 2017-03-15 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 触控单元、互电容触控屏和触控显示装置
WO2019049360A1 (ja) 2017-09-11 2019-03-14 凸版印刷株式会社 表示装置及び表示装置基板
CN108196735A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 昆山国显光电有限公司 一种触控面板及触控显示装置
US10303921B1 (en) 2018-02-26 2019-05-28 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. On-LCD screen optical fingerprint sensing based on optical imaging with lens-pinhole module and other optical designs
KR102602739B1 (ko) * 2018-09-07 2023-11-16 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212076A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013178598A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Japan Display West Co Ltd 近接検出装置、近接検出方法、電子機器
JP2016512347A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイ、及び統合欠陥検出検査を備えた発光ダイオードディスプレイを製造する方法
JP2014191657A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Japan Display Inc タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器
CN104679369A (zh) * 2013-12-02 2015-06-03 三星显示有限公司 包括触摸传感器的柔性显示装置
US20170307933A1 (en) * 2016-04-20 2017-10-26 Innolux Corporation Touch display device
JP2018077600A (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018088391A (ja) * 2016-11-22 2018-06-07 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN109154961A (zh) * 2018-02-26 2019-01-04 深圳市汇顶科技股份有限公司 基于利用透镜-针孔模块和其他光学设计的光学成像的lcd屏上光学指纹感测

Also Published As

Publication number Publication date
US20240185769A1 (en) 2024-06-06
TW202312115A (zh) 2023-03-16
TWI786901B (zh) 2022-12-11
CN113632247A (zh) 2021-11-09
TWI747216B (zh) 2021-11-21
US20220013063A1 (en) 2022-01-13
TW202103122A (zh) 2021-01-16
JP2023099644A (ja) 2023-07-13
JP7281940B2 (ja) 2023-05-26
US11996033B2 (en) 2024-05-28
JP2020166057A (ja) 2020-10-08
TW202205234A (zh) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI740431B (zh) 顯示裝置
KR102652572B1 (ko) 플렉서블 전계 발광 표시장치
JP6549405B2 (ja) 入力装置、モジュール、操作装置、ゲーム装置および電子機器
JP2023099644A (ja) 検出装置付き表示機器
WO2020226021A1 (ja) 検出装置
CN112490268A (zh) 有机发光显示面板和包括其的有机发光显示装置
WO2020021978A1 (ja) 検出装置付き表示機器
KR20210034194A (ko) 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
JP7429581B2 (ja) 表示装置
KR20200078829A (ko) 전계 발광 표시장치
KR102660306B1 (ko) 폴더블 전계 발광 표시장치
JP7503693B2 (ja) 表示装置
US11710336B2 (en) Fingerprint detection device and display device
JP2019035835A (ja) 表示装置
US20240215375A1 (en) Display Device and Display Panel
US20240045544A1 (en) Display panel
KR20240075147A (ko) 발광 표시 장치
KR20240080912A (ko) 표시장치
KR20240013951A (ko) 발광 표시 장치
KR20240018725A (ko) 표시 장치
CN118102805A (zh) 显示面板及显示终端
KR20200078091A (ko) 플렉서블 전계 발광 표시장치
KR20200072852A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20779981

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20779981

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1