CN113632247A - 带检测装置的显示设备 - Google Patents

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池田雅延
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Abstract

带检测装置的显示设备具有：基板；多个像素，设置于基板；无机发光元件(5)，设置于多个像素的每一个；多个检测电极(Rx)，排列在与基板平行的第一方向(Dx)上；以及多个驱动电极(Tx)，排列在与第一方向(Dx)交叉的第二方向(Dy)上，且设置为从垂直于基板的方向俯视时与检测电极(Rx)交叉，其中，检测电极(Rx)具有：多个第一直线部(RxL1)；多个第二直线部(RxL2)，在与第一直线部(RxL1)交叉的方向上延伸；弯折部(RxB)，将第一直线部(RxL1)与第二直线部(RxL2)连接，多个第一直线部(RxL1)及多个第二直线部(RxL2)为金属细线，驱动电极(Tx)为透光性导电体。

Description

带检测装置的显示设备
技术领域
本发明涉及带检测装置的显示设备。
背景技术
近年来，采用了微小尺寸的发光二极管(微型LED(micro LED))作为显示元件的显示器备受瞩目(例如参照专利文献1)。多个发光二极管与阵列基板(在专利文献1中为驱动器背板)连接，阵列基板具备用于驱动发光二极管的像素电路(在专利文献1中为电子控制电路)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2017-529557号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在采用了发光二极管的显示器中，为了进行个人认证，希望具备指纹传感器。
本发明的目的在于提供可以良好地检测指纹的带检测装置的显示设备。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的带检测装置的显示设备具有：基板；多个像素，设置于所述基板；无机发光元件，设置于多个所述像素的每一个；多个检测电极，排列在与所述基板平行的第一方向上；以及多个驱动电极，排列在与所述第一方向交叉的第二方向上，设置为从垂直于所述基板的方向俯视时与所述检测电极交叉，其中，所述检测电极具有：多个第一直线部；多个第二直线部，在与所述第一直线部交叉的方向上延伸；以及弯折部，将所述第一直线部与所述第二直线部连接，多个所述第一直线部及多个所述第二直线部为金属细线，所述驱动电极为透光性导电体。
本发明的一个方式的带检测装置的显示设备具有：基板；多个像素，设置于所述基板；无机发光元件，设置于多个所述像素的每一个；多个检测电极，排列在与所述基板平行的第一方向上；多个驱动电极，排列在与所述第一方向交叉的第二方向上，设置为从垂直于所述基板的方向俯视时与所述检测电极交叉，其中，所述检测电极具有：多个第一直线部；多个第二直线部，在与所述第一直线部交叉的方向上延伸；以及第一弯折部，将所述第一直线部与所述第二直线部连接，多个所述第一直线部及多个所述第二直线部为金属细线，所述驱动电极具有：多个第三直线部；多个第四直线部，在与所述第三直线部交叉的方向上延伸；以及第二弯折部，将所述第三直线部与所述第四直线部连接，多个所述第三直线部及多个所述第四直线部为金属细线。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的带检测装置的显示设备的俯视图。
图2是图1的II-II’剖视图。
图3是示出带检测装置的显示设备具有的显示装置的俯视图。
图4是示出多个像素的俯视图。
图5是示出像素电路的电路图。
图6是沿图3的VI-VI’线剖切后的带检测装置的显示设备的剖视图。
图7是示出多个像素及阴极电极的俯视图。
图8是示出带检测装置的显示设备具有的检测装置的俯视图。
图9是示出检测装置的构成例的框图。
图10是示出驱动电极及检测电极的俯视图。
图11是图10的XI-XI’剖视图。
图12是用于说明驱动电极及检测电极与发光元件的配置关系的俯视图。
图13是示出第一实施方式的第一变形例所涉及的检测装置的俯视图。
图14是示出第一实施方式的第二变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。
图15是示出第一实施方式的第三变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。
图16是示出第一实施方式的第四变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。
图17是示出第二实施方式所涉及的带检测装置的显示设备具有的检测装置的俯视图。
图18是示出第二实施方式所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不限定于下面的实施方式中记载的内容。此外，下面记载的构成要素中包括本领域技术人员可以容易想到的要素、实质上相同的要素。而且，下面记载的构成要素能够适当地组合。需要指出，公开内容仅为示例，对于本领域技术人员而言，保持发明主旨的适当变更所能够容易想到的内容当然包含在本发明的范围内。此外，附图为了更加清楚地进行说明，存在与实际的状态相比，示意性地示出各部的宽度、厚度、形状等的情况，但是这仅为示例，并非对本发明的解释进行限定。此外，在本说明书和各图中，对于与已经出现的图中已经描述的要素相同的要素，有时会标注相同的附图标记，并适当地省略详细的说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式所涉及的带检测装置的显示设备的俯视图。如图1所示，带检测装置的显示设备1具有用于显示图像的显示区域AA、检测区域FA、以及设置于显示区域AA及检测区域FA的外侧的周边区域GA。检测区域FA是用于检测与盖部件80接触或接近的外部物体(手指Fin)等的表面的凹凸的区域。需要指出，外部物体并不仅限于手指Fin，只要与检测电极Rx或驱动电极Tx的至少一方所形成的电容根据表面的凹凸而变化即可，例如，也可以是掌纹。
在本实施方式的带检测装置的显示设备1中，显示区域AA与检测区域FA一致或基本一致，在显示区域AA的整个面上，能够基于手指Fin等的表面的凹凸的信息来检测指纹。显示区域AA及检测区域FA的形状例如为矩形。但是，并不限定于显示区域AA与检测区域FA一致的情况，例如，检测区域FA也可以设置为与显示区域AA的一部分重叠。
在本说明书中，第一方向Dx及第二方向Dy是平行于基板30(参照图3)的表面的方向。第一方向Dx与第二方向Dy正交。但是，第一方向Dx也可以与第二方向Dy非正交地交叉。第三方向Dz与第一方向Dx及第二方向Dy正交的方向。第三方向Dz例如与基板30的法线方向对应。需要指出，下面“俯视”表示从第三方向Dz观察时的位置关系。
图2是图1的II-II’剖视图。如图2所示，带检测装置的显示设备1具有显示装置2、检测装置6、圆偏光板7、以及盖部件80。在第三方向Dz上，按照显示装置2、检测装置6、圆偏光板7及盖部件80的顺序而层叠。显示装置2与检测装置6、检测装置6与圆偏光板7、圆偏光板7与盖部件80分别通过具有透光性的粘接层84、85、86而粘接。
盖部件80是具有第一面80a、以及第一面80a的相反侧的第二面80b的板状的部件。盖部件80的第一面80a是用于检测接触或接近的手指Fin等的表面的凹凸的检测面，并且是用于供观察者视觉确认显示装置2的图像的显示面。盖部件80例如为玻璃基板或树脂基板。需要指出，盖部件80并不限定于板状的部件，也可以是由无机绝缘膜或有机绝缘膜构成的涂层。
在周边区域GA中，装饰层81设置于盖部件80的第二面80b。装饰层81是光的透射率比盖部件80小的着色层。装饰层81可以抑制观察者视觉确认到重叠设置于周边区域GA的布线、电路等。在图2所示的例子中，装饰层81设置于第二面80b，但是，也可以设置于第一面80a。此外，装饰层81并不限定于单层，也可以是重叠多层的构成。
需要指出，盖部件80、显示装置2及检测装置6并不限定于俯视时为长方形状的构成，也可以是圆形、长圆形、或者将这些外形形状的一部分去掉而得到的不规则形状的构成。此外，盖部件80并不限定于平板状。例如当显示区域AA及检测区域FA由曲面构成或者周边区域GA由向显示装置2侧弯曲的曲面构成时，盖部件80也可以具有曲面。在这种情况下，带检测装置的显示设备1为具有指纹检测功能的曲面显示器，在曲面显示器的曲面上也能够检测指纹。
接下来，对显示装置2的详细构成进行说明。图3是示出带检测装置的显示设备具有的显示装置的俯视图。如图3所示，显示装置2包括阵列基板3、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210、以及阴极布线14。阵列基板3是用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也称为背板或有源矩阵基板。阵列基板3具有基板30、多个晶体管、多个电容及各种布线等。
多个像素Pix在基板30的显示区域AA中沿第一方向Dx及第二方向Dy排列。驱动电路12设置于基板30的周边区域GA。驱动电路12是基于来自驱动IC210的各种控制信号驱动多条栅极线(例如，发光控制扫描线BG、复位控制扫描线RG、初始化控制扫描线IG及写入控制扫描线SG(参照图5))的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，并向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。
驱动IC210是控制显示装置2的显示的电路。驱动IC210以COG(Chip On Glass：玻璃基板上的芯片)的形式安装于基板30的周边区域GA。并不限定于此，驱动IC210也可以以COF(Chip On Film：覆晶薄膜)的形式安装于与基板30的周边区域GA连接的布线基板之上。需要指出，与基板30连接的布线基板例如是柔性印刷基板或刚性基板。
阴极布线14设置于基板30的周边区域GA。阴极布线14设置为包围显示区域AA的多个像素Pix及周边区域GA的驱动电路12。多个发光元件5的阴极端子53(参照图6)与共用的阴极布线14电连接，并被供给固定电位(例如接地电位)。需要指出，阴极布线14也可以在局部具有狭缝，在基板30上由两条不同的布线形成。
图4是示出多个像素的俯视图。如图4所示，一个像素Pix包括多个像素11。例如，像素Pix具有第一像素11R、第二像素11G以及第三像素11B。第一像素11R显示作为第一色的原色的红色。第二像素11G显示作为第二色的原色的绿色。第三像素11B显示作为第三色的原色的蓝色。如图4所示，在一个像素Pix中，第一像素11R和第二像素11G沿第二方向Dy上排列。此外，第二像素11G和第三像素11B沿第一方向Dx排列。需要指出，第一色、第二色、第三色分别不限定于红色、绿色、蓝色，也可以选择补色等的任意颜色。下面，在无需分别区分第一像素11R、第二像素11G以及第三像素11B时，称为像素11。
像素11分别具有发光元件5以及阳极电极21(第一电极)。显示装置2通过在第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B中，针对每个发光元件5R、5G、5B而射出不同的光(例如，红色、绿色、蓝色的光)来显示图像。发光元件5设置于多个像素11的各个像素11。发光元件5是在俯视时具有数μm以上且300μm以下左右的大小的无机发光二极管(LED：LightEmitting Diode)芯片，一般情况下，一个芯片尺寸为100μm以上的元件是迷你LED(miniLED)，数μm以上且小于100μm的尺寸的元件是微型LED(micro LED)。在本发明中，也可以采用任意尺寸的LED，只要根据显示装置2的画面尺寸(一像素的大小)来区分使用即可。在各像素中具备微型LED的显示装置2也称为微型LED显示装置。需要指出，微型LED的微型并非对发光元件5的大小进行限定。
需要指出，多个发光元件5也可以射出四种颜色以上的不同的光。此外，多个像素11的配置并不限定于图4所示的构成。例如，第一像素11R也可以与第二像素11G或第三像素11B在第一方向Dx上相邻。此外，第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B也可以依次在第一方向Dx上重复排列。
图5是示出像素电路的电路图。图5所示的像素电路PICA分别设置于第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B。像素电路PICA是设置于基板30并将驱动信号(电流)向发光元件5供给的电路。需要指出，在图5中，关于像素电路PICA的说明可以应用于第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B各自具有的像素电路PICA。
如图5所示，像素电路PICA包括发光元件5、五个晶体管以及两个电容。具体而言，像素电路PICA包括发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST、复位晶体管RST及驱动晶体管DRT。一部分晶体管也可以被相邻的多个像素11共享。
像素电路PICA具有的多个晶体管分别由n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。但是，并不限定于此，各晶体管也可以分别由p型TFT构成。
发光控制扫描线BG与发光控制晶体管BCT的栅极连接。初始化控制扫描线IG与初始化晶体管IST的栅极连接。写入控制扫描线SG与写入晶体管SST的栅极连接。复位控制扫描线RG与复位晶体管RST的栅极连接。
发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG分别与驱动电路12(参照图3)连接。驱动电路12向发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG分别供给发光控制信号Vbg、初始化控制信号Vig、写入控制信号Vsg及复位控制信号Vrg。
驱动IC210(参照图3)以时分方式向第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B各自的像素电路PICA供给影像信号Vsig。多路复用器等开关电路设置于第一像素11R、第二像素11G及第三像素11B的各列与驱动IC210之间。影像信号Vsig经由影像信号线L2而被供给至写入晶体管SST。此外，驱动IC210经由复位信号线L3将复位电源电位Vrst供给至复位晶体管RST。驱动IC210经由初始化信号线L4将初始化电位Vini供给至初始化晶体管IST。
发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST及复位晶体管RST作为选择两个节点之间的导通和非导通的开关元件而发挥功能。驱动晶体管DRT作为根据栅极与漏极之间的电压来控制发光元件5中流动的电流的电流控制元件而发挥功能。
发光元件5的阴极(阴极端子53)与阴极电源线L10连接。此外，发光元件5的阳极(阳极端子52)经由驱动晶体管DRT及发光控制晶体管BCT与阳极电源线L1(第一电源线)连接。阳极电源线L1被供给阳极电源电位PVDD(第一电位)。阴极电源线L10被供给阴极电源电位PVSS(第二电位)。阳极电源电位PVDD是高于阴极电源电位PVSS的电位。阴极电源线L10包括阴极布线14。
此外，像素电路PICA包括电容Cs1及电容Cs2。电容Cs1是形成在驱动晶体管DRT的栅极与源极之间的电容。电容Cs2是形成在驱动晶体管DRT的源极及发光元件5的阳极与阴极电源线L10之间的附加电容。
在复位期间，根据发光控制扫描线BG及复位控制扫描线RG的电位，发光控制晶体管BCT成为断开(非导通状态)，复位晶体管RST成为接通(导通状态)。由此，驱动晶体管DRT的源极被固定于复位电源电位Vrst。复位电源电位Vrst为如下电位：复位电源电位Vrst与阴极电源电位PVSS的电位差小于发光元件5开始发光的电位差。
接着，根据初始化控制扫描线IG的电位，初始化晶体管IST成为接通。驱动晶体管DRT的栅极经由初始化晶体管IST被固定于初始化电位Vini。此外，驱动电路12使发光控制晶体管BCT成为接通，并使复位晶体管RST成为断开。在驱动晶体管DRT中，当源极电位达到(Vini-Vth)时断开，各像素11各自的驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的不一致被抵消。
接着，在影像信号写入动作期间，发光控制晶体管BCT成为断开，初始化晶体管IST成为断开，写入晶体管SST成为接通。影像信号Vsig被输入驱动晶体管DRT的栅极。
接着，在发光动作期间，发光控制晶体管BCT成为接通，写入晶体管SST成为断开。从阳极电源线L1经由发光控制晶体管BCT向驱动晶体管DRT供给阳极电源电位PVDD。驱动晶体管DRT向发光元件5供给与栅极源极之间的电压相应的电流。发光元件5以与该电流相应的亮度发光。
需要指出，上述的图5所示的像素电路PICA的构成仅为示例，可以适当变更。例如一个像素11上的布线的数量及晶体管的数量也可以不同。
接着，对带检测装置的显示设备1的剖面构成进行说明。图6是沿图3的VI-VI’线剖切之后的带检测装置的显示设备的剖视图。如图6所示，在显示装置2中，发光元件5设置于阵列基板3之上。阵列基板3具有基板30、阳极电极21、对置电极24、连接电极24a、各种晶体管、各种布线及各种绝缘膜。
基板30为绝缘基板，例如采用石英、无碱玻璃等的玻璃基板、或聚酰亚胺等的树脂基板。
需要指出，在本说明书中，在垂直于基板30的表面的方向上，将从基板30朝向发光元件5的方向称为“上侧”或简称为“上”。此外，将从发光元件5朝向基板30的方向称为“下侧”或简称为“下”。此外，当表述在某结构体之上配置其它结构体的形态时，在仅表述为“之上”的情况下，只要没有特别限定，则包括如下两种情况：以与某结构体接触的方式将其它结构体直接配置于某结构体之上的情况以及在某结构体的上方还隔着其它的结构体来配置其它结构体的情况。
底涂膜31设置于基板30之上。底涂膜31、绝缘膜32、33、34及绝缘膜36、37为无机绝缘膜，例如为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)等。
驱动晶体管DRT设置于底涂膜31之上。需要指出，在图6中，示出了多个晶体管中的驱动晶体管DRT及写入晶体管SST，但是像素电路PICA所包括的发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST及复位晶体管RST也与驱动晶体管DRT具有相同的层叠结构。此外，在周边区域GA中设置有驱动电路12所包括的晶体管Tr。
驱动晶体管DRT具有半导体层25、第一栅极电极26、第二栅极电极27、源极电极28及漏极电极29。第一栅极电极26设置于底涂膜31之上。绝缘膜32覆盖第一栅极电极26而设置于底涂膜31之上。半导体层25设置于绝缘膜32之上。半导体层25例如采用多晶硅。但是，半导体层25并不限定于此，也可以是微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、低温多晶硅等。
绝缘膜33覆盖半导体层25而设置于绝缘膜32之上。第二栅极电极27设置于绝缘膜33之上。在半导体层25中，沟道区域25a设置于被第一栅极电极26和第二栅极电极27夹着的部分。需要指出，作为驱动晶体管DRT，仅示出了n型TFT，但是，也可以同时形成p型TFT。
此外，第二栅极电极27与第一布线27a设置于同层。第一栅极电极26、第二栅极电极27及第一布线27a例如由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)或它们的合金膜构成。驱动晶体管DRT是设置有第一栅极电极26及第二栅极电极27的双栅结构。但是，并不限定于此，驱动晶体管DRT也可以是仅设置有第一栅极电极26的底栅结构，或仅设置有第二栅极电极27的顶栅结构。
源极电极28及漏极电极29经由分别设置于绝缘膜33、34的接触孔与半导体层25连接。源极电极28及漏极电极29例如是作为钛和铝的层叠结构的TiAlTi或TiAl的层叠膜。
通过隔着绝缘膜34而对置的第一布线27a和源极电极28形成电容Cs1。此外，电容Cs1还包括隔着绝缘膜33而对置的半导体层25和第一布线27a所形成的电容。
需要指出，在图6中，对多个晶体管中的驱动晶体管DRT的构成进行了说明，但是，写入晶体管SST等的像素电路PICA所包括的晶体管以及设置于周边区域GA的晶体管Tr也与驱动晶体管DRT为相同的剖面结构，在此省略其详细说明。
绝缘膜35覆盖驱动晶体管DRT而设置于绝缘膜34之上。绝缘膜35采用光敏性丙烯酸等有机材料。绝缘膜35是平坦化膜，可以使由于驱动晶体管DRT、各种布线所形成的凹凸平坦化。
在绝缘膜35之上依次层叠对置电极24、绝缘膜36、阳极电极21、绝缘膜37。对置电极24由例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等具有透光性的导电性材料构成。连接电极24a与对置电极24设置于同层。连接电极24a在接触孔的底部与源极电极28连接。
阳极电极21经由设置于绝缘膜36的接触孔与连接电极24a及源极电极28电连接。由此，阳极电极21与驱动晶体管DRT电连接。阳极电极21例如为钼(Mo)、铝(Al)的层叠结构。需要指出，阳极电极21也可以是包括钼、钛的任一种以上的金属或合金、或者透光性导电材料。
在隔着绝缘膜36对置的阳极电极21与对置电极24之间形成电容Cs2。绝缘膜37设置为覆盖阳极电极21。绝缘膜37覆盖阳极电极21的周缘部，使相邻的像素11的阳极电极21绝缘。
绝缘膜37在与阳极电极21重叠的位置具有用于安装发光元件5的开口。考虑到发光元件5的安装工序中的安装偏移量等，将绝缘膜37的开口的大小设为其面积大于发光元件5的面积。
发光元件5具有半导体层51、阳极端子52(第一端子)及阴极端子53(第二端子)。各发光元件5被安装为阳极端子52与阳极电极21相接触。阳极电极21向阳极端子52供给阳极电源电位PVDD。半导体层51可以采用层叠有n型包覆层、活性层及p型包覆层的构成。
半导体层51采用例如氮化镓(GaN)、铝铟镓磷(AlInGaP)或铝镓砷(AlGaAs)或镓砷磷(GaAsP)等的化合物半导体。半导体层51也可以针对每个发光元件5R、5G、5B而采用不同的材料。此外，为了实现高效率化，活性层也可以采用周期性地层叠由多个原子层构成的阱层和势垒层的多量子阱结构(MQW结构)。
元件绝缘膜38设置于多个发光元件5之间。元件绝缘膜38由树脂材料形成。元件绝缘膜38至少覆盖发光元件5的侧面，在发光元件5的阴极端子53之上并未设置有元件绝缘膜38。元件绝缘膜38平坦地形成，以使元件绝缘膜38的上表面与阴极端子53的上表面形成相同的面。但是，元件绝缘膜38的上表面的位置也可以与阴极端子53的上表面的位置不同。
阴极电极22(第二电极)覆盖多个发光元件5及元件绝缘膜38，并与多个发光元件5电连接。更具体而言，阴极电极22横跨元件绝缘膜38的上表面以及阴极端子53的上表面而设置。阴极电极22向阴极端子53供给阴极电源电位PVSS。阴极电极22采用例如ITO等具有透光性的导电性材料。由此，可以将来自发光元件5的射出光高效地取出到外部。
阴极电极22经由设置于显示区域AA的外侧的接触孔H11与设置于阵列基板3侧的阴极布线14连接。具体而言，接触孔H11设置于元件绝缘膜38及绝缘膜35，在接触孔H11的底面设置有阴极布线14。阴极布线14设置于绝缘膜34之上。也就是说，阴极布线14与源极电极28及漏极电极29设置于同层且由相同的材料形成。阴极电极22从显示区域AA至周边区域GA连续地设置，并在接触孔H11的底部与阴极布线14连接。
在阴极电极22之上设置有黑色部件23。黑色部件23例如是由光的反射率小于阳极电极21的材料构成的低反射膜。黑色部件23采用被着色为黑色的树脂材料、通过碳或薄膜干涉而呈现黑色的金属或金属氧化物。
在黑色部件23中，开口OP设置在与发光元件5重叠的区域。也就是说，在开口OP处，在发光元件5的上侧，阴极电极22与粘接层84相接触。在开口OP以外的部分，设置于阴极电极22之上的黑色部件23与粘接层84相接触。从发光元件5射出的光通过开口OP而向显示面侧行进，并被显示为显示图像。
此外，从发光元件5向侧方或下侧射出的光被阵列基板3的各种布线反射。阵列基板3所反射的光被黑色部件23遮蔽，可以抑制反射光向显示面侧射出。此外，从显示面射入的外部光被黑色部件23吸收，从而抑制其进入到阵列基板3。由此，可以抑制阵列基板3所反射的反射光被观察者视觉确认。因此，显示装置2可以抑制像素11间的光的混色、从显示面射出非预期的不需要的光，因此，可以抑制显示图像的质量的降低。
在阴极电极22及黑色部件23之上，隔着粘接层84设置检测装置6。检测装置6为静电电容方式的指纹传感器。检测装置6具有传感器基板60、驱动电极Tx、检测电极Rx、以及绝缘膜68、69。在第三方向Dz上，依次层叠传感器基板60、驱动电极Tx、绝缘膜68、检测电极Rx、绝缘膜69。
驱动电极Tx是ITO等具有透光性的导电体，检测电极Rx由金属细线构成。检测电极Rx及驱动电极Tx设置在不与发光元件5重叠的位置。发光元件5设置在与相邻的驱动电极Tx之间的区域SP重叠的位置。由此，可以抑制从发光元件5射出的光被检测电极Rx反射而返回到阵列基板3侧。此外，可以抑制所射出的光的强度在透过驱动电极Tx时降低。
圆偏光板7隔着粘接层85设置于检测装置6之上。换言之，在垂直于基板30的方向上，多个发光元件5、多个检测电极Rx及多个驱动电极Tx设置在基板30与圆偏光板7之间。圆偏光板7例如具备直线偏光板、以及设置于直线偏光板的一个面侧的1/4相位差板(也称为1/4波长板)。与直线偏光板相比，1/4相位差板设置于更靠近基板30的位置。
例如，外部光(入射光)通过直线偏光板而变更为直线偏振光。直线偏振光通过1/4相位差板而变更为圆偏振光。圆偏振光被检测电极Rx、阵列基板3的布线反射而成为与入射光相反方向的圆偏振光(反射光)。反射光再次通过1/4相位差板，从而成为与射入时正交的直线偏振光，并被直线偏光板吸收。由此，在带检测装置的显示设备1中，外部光的反射得以抑制。
此外，在第三方向Dz上，阴极电极22设置在检测装置6与阵列基板3之间。阴极电极22被供给固定电位，因此作为检测装置6的屏蔽层而发挥功能。也就是说，阴极电极22可以抑制阵列基板3具有的各晶体管、各种布线中产生的电位的变动作为噪声而传递至检测装置6。
图7是示出多个像素及阴极电极的俯视图。需要指出，在图7中，通过标注斜线来示出黑色部件23。如图7所示，黑色部件23横跨相邻的多个像素11之间而连续设置。在设置有开口OP的区域设置发光元件5。俯视时的开口OP的面积大于发光元件5的面积。俯视时的开口OP的面积至少大于发光元件5的上表面的面积。
通过这样的构成，像素电路PICA所包括的多个晶体管及各种布线(参照图5)被黑色部件23覆盖。因此，黑色部件23可以良好地抑制外部光在阵列基板3上反射。
接下来，对检测装置6的详细构成进行说明。图8是示出带检测装置的显示设备具有的检测装置的俯视图。如图8所示，检测装置6具备传感器基板60、设置于传感器基板60的第一面60a侧的传感器部64、驱动电极驱动器62、以及检测电极选择电路63。传感器部64包括驱动电极Tx以及检测电极Rx。传感器基板60是能够透过可见光的具有透光性的玻璃基板。又或者，传感器基板60也可以是由聚酰亚胺等树脂构成的透光性的树脂基板或树脂膜。传感器部64是具有透光性的传感器。
驱动电极Tx及检测电极Rx设置于检测区域FA。多个驱动电极Tx沿第二方向Dy排列配置。多个驱动电极Tx分别在第一方向Dx上延伸。多个检测电极Rx沿第一方向Dx排列配置。多个检测电极Rx分别在第二方向Dy上延伸。在俯视时，多个驱动电极Tx与多个检测电极Rx交叉设置。
驱动电极驱动器62及检测电极选择电路63设置于传感器基板60的周边区域GA。驱动电极Tx与驱动电极驱动器62电连接。各检测电极Rx经由检测电极选择电路63与设置在传感器基板60的周边区域GA的布线基板65电连接。布线基板65例如是柔性印刷基板。又或者，布线基板65也可以是刚性基板。
在检测电极Rx与驱动电极Tx的交叉部分分别形成静电电容。在传感器部64中，在进行互电容方式的触摸检测动作时，驱动电极驱动器62以时分方式依次选择驱动电极Tx，并向所选择的驱动电极Tx供给驱动信号Vs。然后，从检测电极Rx输出与接触或接近的手指Fin等的表面的凹凸导致的、驱动电极Tx与检测电极Rx之间的电容变化相应的检测信号Vdet。由此，通过传感器部64来进行指纹检测。需要指出，驱动电极驱动器62也可以依次选择并驱动每个包括多个驱动电极Tx的驱动电极块。
在图8中，示出了驱动电极驱动器62、检测电极选择电路63等的各种电路设置于传感器基板60的周边区域GA的情况，但是这仅为示例。各种电路的至少一部分也可以包含在安装于布线基板65的检测用IC中。又或者，各种电路的至少一部分也可以包含在显示装置2的驱动IC210(参照图3)中。
图9是示出检测装置的构成例的框图。如图9所示，检测装置6还具有检测控制电路61以及检测电路40。检测控制电路61控制传感器部64、检测电极选择电路63、驱动电极驱动器62、检测电路40的各动作。
驱动电极驱动器62是基于从检测控制电路61供给的控制信号向传感器部64的驱动电极Tx供给检测用的驱动信号Vs的电路。驱动信号Vs例如是预定频率(例如数kHz～数百kHz左右)的交流矩形波。需要指出，驱动信号Vs的交流波形也可以是正弦波、三角波。检测电极选择电路63基于从检测控制电路61供给的控制信号来选择传感器部64的检测电极Rx，并与检测电路40连接。检测电极选择电路63例如是多路复用器。
检测电路40是基于从检测控制电路61供给的信号以及从检测电极Rx输出的检测信号Vdet来检测手指Fin的形状、指纹的电路。例如，检测电路40检测与接触或接近传感器部64的手指Fin等的表面的凹凸相应的检测信号Vdet的变化。检测电路40具备检测信号放大电路42、A/D转换电路43、信号处理电路44、坐标提取电路45、合成电路46、以及检测定时控制电路47。检测定时控制电路47基于从检测控制电路61供给的时钟信号，控制检测信号放大电路42、A/D转换电路43、信号处理电路44、坐标提取电路45、合成电路46同步地进行动作。
检测信号Vdet从传感器部64被供给至检测电路40的检测信号放大电路42。检测信号放大电路42对检测信号Vdet进行放大。检测信号放大电路42例如具有多个积分电路以及与多个积分电路分别连接的多个端子，检测电极选择电路63连接该多个端子与所选择的检测电极Rx。A/D转换电路43将从检测信号放大电路42输出的模拟信号转换为数字信号。检测信号放大电路42及A/D转换电路43例如是模拟前端(Analog Front End：AFE)电路。
信号处理电路44是基于A/D转换电路43的输出信号检测是否有对于传感器部64的手指Fin的凹凸的接触或接近的逻辑电路。信号处理电路44进行取出由手指Fin的凹凸所产生的检测信号的差分的信号(绝对值|ΔV|)的处理。信号处理电路44将绝对值|ΔV|与预定的阈值电压进行比较，如果该绝对值|ΔV|小于阈值电压，则判断为手指Fin的凹部为接触状态。另一方面，如果绝对值|ΔV|为阈值电压以上，则信号处理电路44判断为手指Fin的凸部为接触状态。由此，检测电路40能够检测手指Fin的凹凸的接触或接近。
坐标提取电路45是在信号处理电路44中检测到手指Fin的凹凸的接触或接近时求出其检测坐标的逻辑电路。坐标提取电路45将检测坐标输出到合成电路46。合成电路46将从坐标提取电路45输出的检测坐标进行组合，生成表示接触或接近的手指Fin的形状、指纹的二维信息。合成电路46将二维信息作为检测电路40的输出信号Vout输出。又或者，合成电路46也可以基于二维信息生成图像，并将图像信息作为输出信号Vout。又或者，检测电路40也可以不具有坐标提取电路45及合成电路46，而将通过信号处理电路44所取出的信号作为输出信号Vout输出。
检测电路40包含在上述的检测用IC中。但是，检测电路40的功能的一部分也可以不包含在驱动IC210中，而是被设置为外部的MPU(Micro-processing unit：微处理单元)的功能。
图10是示出驱动电极及检测电极的俯视图。如图10所示，检测电极Rx的形状在俯视时为锯齿状的金属细线。检测电极Rx整体在第二方向Dy上延伸。具体而言，检测电极Rx具有多个第一直线部RxL1、多个第二直线部RxL2、以及多个弯折部RxB。第二直线部RxL2在与第一直线部RxL1交叉的方向上延伸。第一直线部RxL1及多个第二直线部RxL2为金属细线。此外，弯折部RxB将第一直线部RxL1与第二直线部RxL2连接。
第一直线部RxL1在与第一方向Dx及第二方向Dy交叉的D1方向上延伸。第二直线部RxL2在与第一方向Dx及第二方向Dy交叉的D2方向上延伸。相对于第二方向Dy，D1方向向D2方向所倾斜侧的相反侧倾斜。D1方向与第二方向Dy所成的角度和D2方向与第二方向Dy所成的角度相等。此外，第一直线部RxL1与第二直线部RxL2配置为以平行于第一方向Dx的虚拟线为轴而左右对称。
配置间隔Prx是在相邻的检测电极Rx之间的第一方向Dx上的弯折部RxB的间隔。此外，配置间隔Pry是在多个检测电极Rx的各个检测电极Rx中的第二方向Dy上的弯折部RxB的间隔。在本实施方式中，例如，配置间隔Prx小于配置间隔Pry。
如图10所示，多个驱动电极Tx-1、Tx-2、Tx-3、Tx-4、…在第二方向Dy上排列配置。驱动电极Tx-1、Tx-2与检测电极Rx的第一直线部RxL1交叉。驱动电极Tx-3、Tx-4与检测电极Rx的第二直线部RxL2交叉。需要指出，在下面的说明中，在无需区分说明驱动电极Tx-1、Tx-2、Tx-3、Tx-4、…时，简称为驱动电极Tx。
多个驱动电极Tx-1、Tx-2、Tx-3、Tx-4、…各自分别具有多个电极部TxE以及多个连接部TxC。在多个驱动电极Tx的各驱动电极Tx中，多个电极部TxE在第一方向Dx上排列且相互分离配置。此外，在多个驱动电极Tx的各驱动电极Tx中，连接部TxC对多个电极部TxE中的相邻的电极部TxE之间进行连接。此外，当从第三方向Dz观察时，一个检测电极Rx穿过相邻的电极部TxE之间并与连接部TxC交叉。多个电极部TxE及多个连接部TxC由ITO等具有透光性的导电性材料构成。
电极部TxE包括第一电极部TxE1以及与第一电极部TxE1具有不同形状的第二电极部TxE2。当从第三方向Dz观察时，第一电极部TxE1与第二电极部TxE2分别为平行四边形。将第一电极部TxE1上下翻转后的形状为第二电极部TxE2的形状。
驱动电极Tx-1、Tx-2具备多个第一电极部TxE1。多个第一电极部TxE1沿第一直线部RxL1而设置，分别为具有与第一直线部RxL1平行的两边和与第一直线部RxL1正交的两边的四边形。此外，驱动电极Tx-3、Tx-4具备多个第二电极部TxE2。多个第二电极部TxE2沿第二直线部RxL2而设置，分别为具有与第二直线部RxL2平行的两边和与第二直线部RxL2正交的两边的四边形。
由此，第一电极部TxE1及第二电极部TxE2沿锯齿状的检测电极Rx而配置。此外，可以将检测电极Rx与各电极部TxE的分离距离设定为固定的长度。需要指出，一个第一直线部RxL1或第二直线部RxL2所对应的电极部TxE的数量可以是1，也可以是3以上的整数。
此外，将第二方向Dy上的驱动电极Tx的配置间隔设为Pt。配置间隔Pt为检测电极Rx的弯折部RxB的配置间隔Pry的1/2左右。需要指出，并不限定于此，配置间隔Pt也可以是配置间隔Pry的1/n(n为1以上的整数)。配置间隔Pt例如为50μm以上且100μm以下。
此外，优选多个连接部TxC的长边方向统一为一个方向。例如，驱动电极Tx具有的连接部TxC的长边方向全部为第一方向Dx。此外，多个连接部TxC配置于同一直线上。由此，与检测电极Rx交叉的连接部TxC的形状一致，因此，可以抑制检测电极Rx与连接部TxC之间的电容的不一致。此外，金属层TxCa设置在与多个连接部TxC重叠的区域。由此，即便是将连接部TxC设置为窄幅的情况下，也可以抑制连接部TxC与金属层TxCa的层叠体的电阻值。
需要指出，并不限定于多个连接部TxC设置于同一直线上的构成，也可以配置为在第一方向Dx上相邻的多个连接部TxC中，第二方向Dy上的位置不同。在这种情况下，光的透射率比电极部TxE低的金属层TxCa并未排列为一直线状，因此，带检测装置的显示设备1可以抑制产生莫尔条纹(モアル模様)等非预期的图案。
需要指出，电极部TxE分别为平行四边形，但是，也可以是矩形、多边形、不规则形状。例如，也可以具有由结合第一部分以及第二部分而成的多边形构成的第三电极部，该第一部分配置于相邻的弯折部RxB之间且具有与第一直线部RxL1平行的两边，该第二部分具有与第二直线部RxL2平行的两边。换言之，由一个第一直线部RxL1和一个第二直线部RxL2以及与它们相连的弯折部RxB构成的部分结构所相邻的电极部TxE的数量不限定于偶数，也可以是奇数。
虚拟电极TxD1、TxD2、TxD3设置于在第二方向Dy上相邻的驱动电极Tx之间。具体而言，虚拟电极TxD1设置于在D1方向上相邻的第一电极部TxE1之间，虚拟电极TxD2设置于在D2方向上相邻的第二电极部TxE2之间。此外，虚拟电极TxD3设置在第一电极部TxE1与第二电极部TxE2之间。虚拟电极TxD1、TxD2、TxD3与各电极部TxE通过狭缝SL而分离。需要指出，在下面的说明中，在无需区分说明虚拟电极TxD1、TxD2、TxD3时，简称为虚拟电极TxD。虚拟电极TxD是由ITO等具有透光性的导电性材料且为与驱动电极Tx相同的材料而形成的。
虚拟电极TxD1是具有与第一直线部RxL1平行的两边以及与第一直线部RxL1正交的两边的四边形。虚拟电极TxD2是具有与第二直线部RxL2平行的两边以及与第二直线部RxL2正交的两边的四边形。虚拟电极TxD1及虚拟电极TxD2的面积分别小于第一电极部TxE1及第二电极部TxE2的面积。虚拟电极TxD3具有与第一直线部RxL1正交的边S1、与第二直线部RxL2正交的边S2、与第一直线部RxL1平行的边S3、以及与第二直线部RxL2平行的边S4。第二方向Dy上的虚拟电极TxD的配置间隔Pd与驱动电极Tx的配置间隔Pt相等。
夹着检测电极Rx而配置的多个狭缝SL配置为不在同一直线上对齐。换言之，电极部TxE夹着检测电极Rx配置在狭缝SL的延伸方向上。由此，未设置有电极部TxE及虚拟电极TxD的部分配置为以小间距弯曲，因此，检测装置6可以抑制在检测区域FA产生非预期的图案(例如，莫尔条纹、反射光而成的图案)。
在图10所示的传感器部64中，驱动电极Tx的形状与检测电极Rx的形状的位置关系在电极间一致。因此，驱动电极Tx的电容的不一致、检测电极Rx的电容的不一致较小。此外，具有易于执行传感器部64中的坐标计算的校正这一优点。
图11是图10的XI-XI’剖视图。需要指出，在图11中，为了示出检测区域FA的层结构与周边区域GA的层结构的关系，将沿着检测区域FA的XI-XI’线的剖面与包括周边区域GA的晶体管TrS的部分的剖面示意性地关联起来而示出。晶体管TrS是驱动电极驱动器62具有的元件。
如图11所示，传感器基板60具有第一面60a以及第一面60a的相反侧的第二面60b。驱动电极Tx及检测电极Rx设置于传感器基板60的第一面60a侧。具体而言，绝缘膜66、67层叠于第一面60a。驱动电极Tx设置于绝缘膜67之上。电极部TxE及金属层TxCa设置于绝缘膜67之上，连接部TxC设置为覆盖金属层TxCa。绝缘膜68覆盖驱动电极Tx而设置于绝缘膜67之上。
在检测区域FA中，检测电极Rx设置于绝缘膜68之上。检测电极Rx设置在与连接部TxC及金属层TxCa重叠的位置上。通过绝缘膜68，检测电极Rx与驱动电极Tx之间被绝缘。检测电极Rx例如具有第一金属层141、第二金属层142及第三金属层143。在第三金属层143之上设置有第二金属层142，在第二金属层142之上设置有第一金属层141。
例如，第一金属层141、第三金属层143的材料采用钼(Mo)或钼合金。第二金属层142的材料采用铝(Al)或铝合金。第一金属层141的可见光的反射率低于第二金属层142。
绝缘膜69设置于检测电极Rx及绝缘膜68之上。通过绝缘膜69覆盖检测电极Rx的上表面及侧面。绝缘膜69采用氮化硅膜或氮氧化硅膜或丙烯酸树脂等高折射率且低反射率的膜。
驱动电极Tx从检测区域FA延伸至周边区域GA，并与晶体管TrS连接。晶体管TrS具有栅极电极103、半导体层113、源极电极123及漏极电极125。栅极电极103设置于传感器基板60之上。绝缘膜66设置于栅极电极103之上。半导体层113设置于绝缘膜66之上。
绝缘膜67设置于半导体层113之上。源极电极123及漏极电极125设置于绝缘膜67之上。源极电极123经由设置于绝缘膜67的接触孔67H1与半导体层113连接。漏极电极125经由设置于绝缘膜67的接触孔67H2与半导体层113连接。
绝缘膜68A设置于源极电极123及漏极电极125之上。驱动电极Tx经由设置于绝缘膜68A的接触孔68H与漏极电极125连接。
图12是用于说明驱动电极及检测电极与发光元件的配置关系的俯视图。如图12所示，在俯视时，多个发光元件5配置于在第一方向Dx上相邻的多个检测电极Rx之间。并且，在俯视时，多个发光元件5设置于在第二方向Dy上相邻的多个驱动电极Tx之间。换言之，多个发光元件5设置为在俯视时不与多个检测电极Rx及多个驱动电极Tx重叠的区域。
具体而言，发光元件5G、5B配置于在第一方向Dx上相邻的多个第一直线部RxL1之间且在D1方向上相邻的多个第一电极部TxE1之间的位置。又或者，发光元件5G、5B配置于在第一方向Dx上相邻的多个第二直线部RxL2之间且在D2方向上相邻的多个第二电极部TxE2之间的位置。发光元件5B与发光元件5G夹着检测电极Rx在第一方向Dx相邻配置。发光元件5G、5B分别配置在与虚拟电极TxD1或虚拟电极TxD2重叠的位置上。
此外，发光元件5R配置于在第一方向Dx上相邻的多个弯折部RxB之间且在第二方向Dy上相邻的第一电极部TxE1与第二电极部TxE2之间的位置。发光元件5R分别配置在与虚拟电极TxD3重叠的位置上。
第一方向Dx上的发光元件5的配置间隔PLx与检测电极Rx的配置间隔Prx(参照图10)为相同程度。第二方向Dy上的发光元件5的配置间隔PLy为检测电极Rx的配置间隔Pry(参照图10)的1/2左右。此外，发光元件5R的第一方向Dx上的位置配置为与发光元件5G的第一方向Dx上的位置错开。
需要指出，配置间隔PLx是构成一个像素Pix的多个发光元件5中、位于第一方向Dx的一侧的发光元件5(例如发光元件5B)与位于第一方向Dx的另一侧的发光元件5(例如发光元件5R)之间的配置间隔。同样地，配置间隔PLy是构成一个像素Pix的多个发光元件5中、位于第二方向Dy的一侧的发光元件5(例如发光元件5B)与位于第二方向Dy的另一侧的发光元件5(例如发光元件5R)之间的配置间隔。
通过这样的构成，多个发光元件5至少配置在不与检测电极Rx重叠的位置上。因此，可以抑制从发光元件5射出的光被检测电极Rx反射。此外，在排列于第二方向Dy的多个发光元件5中，分别向不同的方向倾斜的金属细线即第一直线部RxL1、第二直线部RxL2或者弯折部RxB相邻设置。
因此，与多个发光元件5相邻而设置为一条直线状的检测电极Rx的构成相比，带检测装置的显示设备1可以抑制产生莫尔条纹等非预期的图案。因此，带检测装置的显示设备1可以通过检测装置6良好地检测指纹，并且可以抑制从发光元件5射出的光的无用的反射，抑制显示图像的质量的降低。
需要指出，图12所示的发光元件5的配置仅为示例，也可以是不同的配置。例如，也可以是与一个直线部(第一直线部RxL1或第二直线部RxL2)相邻地配置两个以上的发光元件5。此外，也可以是调换发光元件5R、5G、5B的配置的构成。
(第一变形例)
图13是示出第一实施方式的第一变形例所涉及的检测装置的俯视图。需要指出，在下面的说明中，关于和在上述的实施方式中已经说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
如图13所示，在第一变形例所涉及的检测装置6中，与第一实施方式相比，在未设置一部分虚拟电极TxD的构成上不同。具体而言，在与多个发光元件5R重叠的部分未设置有虚拟电极TxD3。换言之，多个发光元件5R设置于在第二方向Dy上相邻的驱动电极Tx(第一电极部TxE1与第二电极部TxE2)之间的区域SP。在与发光元件5R重叠的区域中，设置有检测装置6的传感器基板60及各绝缘膜66、67、68、69(参照图11)。
通过这样的构成，从发光元件5R射出的光不透过虚拟电极TxD3而向显示面行进。也就是说，在第一变形例中，与上述的第一实施方式相比，可以抑制从发光元件5R射出的光的透射率的降低。由此，即便是在发光元件5R的发光效率低于发光元件5G、5B的发光效率的情况下，也可以抑制显示于显示面的红色的光的灰度与蓝色及绿色的光的灰度的差。
需要指出，在图13中，示出了未设置有与发光元件5R重叠的部分的虚拟电极TxD3的构成，但是并不限定于此。也可以是除了未设置有发光元件5R之外，还未设置有与发光元件5G、5B重叠的部分的虚拟电极TxD1、TxD2的构成。
(第二变形例)
图14是示出第一实施方式的第二变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。如图14所示，在第二变形例的带检测装置的显示设备1中，阴极电极22A由黑色导电体构成。作为黑色导电体，例如可以列举出碳或通过薄膜干涉而呈现黑色的金属等。在阴极电极22A中，在与发光元件5的阴极端子53重叠的部分设置开口22Aa。阴极电极22A在阴极端子53的周缘处与阴极端子53连接。在第二变形例中，在阴极电极22A之上未设置有黑色部件23(参照图6)，粘接层84设置于阴极电极22A之上及开口22Aa。
在第二变形例中，与第一实施方式相比，在发光元件5之上未设置有构成阴极电极22的透光性的导电体。因此，带检测装置的显示设备1可以提高从发光元件5射出的光的取出效率。需要指出，第二变形例的构成也可以应用于上述的第一变形例。
(第三变形例)
图15是示出第一实施方式的第三变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。如图15所示，在第三变形例的带检测装置的显示设备1中，检测电极Rx包括黑色导电体。具体而言，第一金属层141及第三金属层143由黑色导电体构成。检测电极Rx的位于最表层的第一金属层141及第三金属层143采用黑色导电体，第二金属层142如上所述地采用铝(Al)或铝合金。因此，即便是采用了黑色导电体的构成，也可以抑制检测电极Rx的导电率的降低。
此外，驱动电极Tx包括由黑色导电体形成的金属层TxCa。金属层TxCa与连接部TxC层叠。
由此，在第三变形例中，可以抑制从显示面射入的外部光在检测电极Rx及金属层TxCa反射。其结果是，带检测装置的显示设备1可以抑制外部光的反射，可以抑制显示于显示面上的图像的灰度的降低。此外，在第三变形例中，显示装置2中的外部光的反射得以抑制，并且检测装置6中的外部光的反射得以抑制，因此，也可以采用不设置圆偏光板7的构成。
需要指出，在第三变形例中，并不限定于检测电极Rx及驱动电极Tx双方包括黑色导电体的构成。也可以是检测电极Rx及驱动电极Tx的任意一方包括黑色导电体的构成。此外，第三变形例的构成也可以应用于上述的第一变形例及第二变形例。
(第四变形例)
图16是示出第一实施方式的第四变形例所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。如图16所示，在第四变形例的带检测装置的显示设备1中，检测装置6A的层叠结构不同。具体而言，在传感器基板60的第一面60a侧设置检测电极Rx，在第二面60b侧设置驱动电极Tx。在第三方向Dz上，在发光元件5之上依次设置驱动电极Tx、传感器基板60、检测电极Rx。检测电极Rx及驱动电极Tx的俯视时的构成及发光元件5的配置与图10、图12是相同的，故省略其详细说明。
在第四变形例中，在传感器基板60的周边区域GA中未设置有驱动电极驱动器62(参照图8)，驱动电极驱动器62设置于经由布线基板65所连接的IC中。驱动电极Tx经由设置于周边区域GA的连接布线与IC连接。
需要指出，检测电极Rx及驱动电极Tx的配置也可以是相反的。也就是说，在传感器基板60的第一面60a侧设置驱动电极Tx，在第二面60b侧设置检测电极Rx。此外，检测电极Rx隔着绝缘膜68而设置于传感器基板60，但是也可以不设置绝缘膜68。此外，第四变形例的构成也可以应用于上述的第一变形例至第三变形例。
(第二实施方式)
图17是示出第二实施方式所涉及的带检测装置的显示设备具有的检测装置的俯视图。如图17所示，在第二实施方式所涉及的带检测装置的显示设备1A中，多个驱动电极TxA分别由金属细线构成。
具体而言，驱动电极TxA具有多个第三直线部TxL1、多个第四直线部TxL2、以及多个弯折部TxB(第二弯折部)。第四直线部TxL2在与第三直线部TxL1交叉的方向上延伸。第三直线部TxL1及第四直线部TxL2在与检测电极Rx的第一直线部RxL1及第二直线部RxL2也交叉的方向上延伸。此外，弯折部TxB将第三直线部TxL1与第四直线部TxL2连接。
驱动电极TxA的配置间隔Ptx是在多个驱动电极TxA的各驱动电极TxA中的、第一方向Dx上的弯折部TxB的间隔。此外，配置间隔Pty是在相邻的驱动电极TxA之间的、第二方向Dy上的弯折部TxB的间隔。在本实施方式中，例如，配置间隔Ptx大于配置间隔Pty。驱动电极TxA的配置间隔Ptx是检测电极Rx的配置间隔Prx的两倍左右。驱动电极TxA的配置间隔Pty是检测电极Rx的配置间隔Pry的1/2左右。
多个发光元件5配置于在第一方向Dx上相邻的检测电极Rx之间且在第二方向Dy上相邻的驱动电极TxA之间的位置。具体而言，发光元件5G设置于在第二方向Dy上相邻的第三直线部TxL1、以及在第一方向Dx上相邻的第一直线部RxL1所包围的区域中。发光元件5B设置于在第二方向Dy上相邻的第四直线部TxL2、以及在第一方向Dx上相邻的第一直线部RxL1所包围的区域中。发光元件5R设置于在第二方向Dy上相邻的第三直线部TxL1、以及在第一方向Dx上相邻的第二直线部RxL2所包围的区域中。
图18是示出第二实施方式所涉及的带检测装置的显示设备的剖视图。如图18所示，在检测装置6B中，驱动电极TxA设置于传感器基板60的第一面60a。检测电极Rx隔着绝缘膜68设置于驱动电极TxA之上。驱动电极TxA由金属细线构成，因此，无需在与检测电极Rx交叉的部分设置金属层TxCa(参照图10)。
此外，驱动电极TxA及检测电极Rx由黑色导电体构成。在这种情况下，未设置有圆偏光板7，且在检测装置6B之上隔着粘接层85设置盖部件80。但是，在第二实施方式中，也可以采用设置圆偏光板7的构成。此外，驱动电极TxA并不限定于单层。驱动电极TxA也可以与检测电极Rx同样是层叠多个金属层的层叠结构。
在本实施方式中，检测装置6B可以减小驱动电极TxA的电阻。此外，检测装置6B可以减小驱动电极TxA与检测电极Rx之间的电容。此外，本实施方式的构成也可以应用于上述的第一变形例及第四变形例。
在之前的说明中，在描述为阳极端子52、阴极端子53的部分中，根据发光元件5的连接方向以及电压的施加方向的不同，并不限定于说明书中的记载，也可以是相反的。此外，在图6、图14至图16、图18中，示出了发光元件5的一方电极在下侧且另一方电极在上侧的构成，但是，也可以是两者都位于下侧、即两者都位于与阵列基板3相对的一侧的构成。即，在带检测装置的显示设备1中，并不限定于在发光元件5的上部与阴极电极22连接的面朝上结构，也可以是发光元件5的下部与阳极电极21及阴极电极22连接的所谓面朝下结构。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但是，本发明并不限定于这样的实施方式。实施方式中公开的内容仅为示例，在未脱离本发明的旨的范围内可以有各种变更。关于在未脱离本发明宗旨的范围内进行的适当变更，当然也属于本发明的技术范围。在未脱离上述的各实施方式及各变形例的宗旨的范围内，可以进行构成要素的各种的省略、替换及变更中的至少一种。
附图标记说明
1…带检测装置的显示设备；2…显示装置；3…阵列基板；5…发光元件；6…检测装置；7…圆偏光板；11、Pix…像素；21…阳极电极；22…阴极电极；23…黑色部件；30…基板；38…元件绝缘膜；40…检测电路；51…半导体层；52…阳极端子；53…阴极端子；60…传感器基板；L1…阳极电源线；L10…阴极电源线；Rx…检测电极；RxL1…第一直线部；RxL2…第二直线部；RxB、TxB…弯折部；Tx…驱动电极；TxE…电极部；TxE1…第一电极部；TxE2…第二电极部；TxC…连接部；TxD1、TxD2、TxD3…虚拟电极；TxL1…第三直线部；TxL2…第四直线部；DRT…驱动晶体管；SST…写入晶体管。

Claims (14)

1.一种带检测装置的显示设备，具有：
基板；
多个像素，设置于所述基板；
无机发光元件，设置于多个所述像素的每一个；
多个检测电极，排列在与所述基板平行的第一方向上；以及
多个驱动电极，排列在与所述第一方向交叉的第二方向上，设置为从垂直于所述基板的方向俯视时与所述检测电极交叉，
所述检测电极具有：
多个第一直线部；
多个第二直线部，在与所述第一直线部交叉的方向上延伸；以及
弯折部，将所述第一直线部与所述第二直线部连接，
多个所述第一直线部及多个所述第二直线部为金属细线，
所述驱动电极为透光性导电体。
2.根据权利要求1所述的带检测装置的显示设备，其中，
从垂直于所述基板的方向俯视时，多个所述无机发光元件配置于在所述第一方向上相邻的多个所述检测电极之间。
3.根据权利要求1或2所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有虚拟电极，所述虚拟电极设置于在所述第二方向上相邻的所述驱动电极之间，
从垂直于所述基板的方向俯视时，多个所述无机发光元件配置在与所述虚拟电极重叠的区域。
4.根据权利要求1或2所述的带检测装置的显示设备，其中，
从垂直于所述基板的方向俯视时，多个所述无机发光元件设置于在所述第二方向上相邻的所述驱动电极之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述驱动电极具有：
多个电极部，在俯视时彼此分离配置；以及
连接部，对所述多个电极部中的相邻的电极部之间进行连接，
从垂直于所述基板的方向俯视时，所述检测电极穿过所述相邻的电极部之间并与所述连接部交叉。
6.根据权利要求5所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述多个电极部包括：
多个第一电极部；
多个第二电极部，在俯视时与所述第一电极部的形状不同，
多个所述第一电极部沿着所述第一直线部而设置，多个所述第一电极部的俯视时的形状为具有平行于所述第一直线部的两边的多边形，
多个所述第二电极部沿着所述第二直线部而设置，所述第二电极部的俯视时的形状为具有平行于所述第二直线部的两边的多边形。
7.根据权利要求5或6所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述驱动电极包括黑色导电体，
所述黑色导电体与所述连接部层叠。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述检测电极包括黑色导电体。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有圆偏光板，
在垂直于所述基板的方向上，多个所述无机发光元件、多个所述检测电极及多个所述驱动电极设置在所述基板与所述圆偏光板之间。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述无机发光元件具有第一端子和第二端子，
所述带检测装置的显示设备具有：
晶体管，与所述无机发光元件电连接；
第一电极，与所述晶体管电连接，向所述第一端子供给第一电位；
第二电极，向所述第二端子供给具有与所述第一电位不同的电位的第二电位，
在所述第二电极之上设置有黑色部件。
11.根据权利要求10所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有元件绝缘膜，所述元件绝缘膜设置于多个所述无机发光元件之间，且至少覆盖所述无机发光元件的侧面，
所述第二电极设置为覆盖多个所述无机发光元件及所述元件绝缘膜，
所述黑色部件在与所述第二端子重叠的区域具有开口。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述无机发光元件具有第一端子和第二端子，
所述带检测装置的显示设备具有：
晶体管，与所述无机发光元件电连接；
第一电极，与所述晶体管电连接，向所述第一端子供给第一电位；
第二电极，向所述第二端子供给具有与所述第一电位不同的电位的第二电位，
所述第二电极为黑色导电体，在与所述第二端子重叠的区域设置有开口。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的带检测装置的显示设备，其中，
所述带检测装置的显示设备具有传感器基板，所述传感器基板具有第一面以及所述第一面的相反侧的第二面，
所述检测电极设置于所述传感器基板的所述第一面，
所述驱动电极设置于所述传感器基板的所述第二面。
14.一种带检测装置的显示设备，具有：
基板；
多个像素，设置于所述基板；
无机发光元件，设置于多个所述像素的每一个；
多个检测电极，排列在与所述基板平行的第一方向上；以及
多个驱动电极，排列在与所述第一方向交叉的第二方向上，设置为从垂直于所述基板的方向俯视时与所述检测电极交叉，
所述检测电极具有：多个第一直线部；多个第二直线部，在与所述第一直线部交叉的方向上延伸；以及第一弯折部，将所述第一直线部与所述第二直线部连接，多个所述第一直线部及多个所述第二直线部为金属细线，
所述驱动电极具有：多个第三直线部；多个第四直线部，在与所述第三直线部交叉的方向上延伸；以及第二弯折部，将所述第三直线部与所述第四直线部连接，多个所述第三直线部及多个所述第四直线部为金属细线。
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