WO2020196629A1 - 基体構造体およびウエハ載置装置 - Google Patents

基体構造体およびウエハ載置装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020196629A1
WO2020196629A1 PCT/JP2020/013359 JP2020013359W WO2020196629A1 WO 2020196629 A1 WO2020196629 A1 WO 2020196629A1 JP 2020013359 W JP2020013359 W JP 2020013359W WO 2020196629 A1 WO2020196629 A1 WO 2020196629A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
terminal
recess
cover
bonding material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2020/013359
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
猛 宗石
保典 川邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2021509510A priority Critical patent/JP7223120B2/ja
Publication of WO2020196629A1 publication Critical patent/WO2020196629A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H05B3/74—Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate structure and a wafer mounting device using the substrate structure.
  • a substrate structure on which an object such as a wafer is placed is known.
  • a ceramic heater disclosed in Patent Document 1 below and a wafer holder disclosed in Patent Document 2 below are known.
  • the substrate structure includes an insulating substrate, a conductor, terminals, a cover, and a metal member.
  • the conductor is located within the substrate. At least a part of the terminal is located in the substrate and is electrically connected to the conductor. Further, the terminal has a first portion facing the outside of the substrate.
  • the cover has a recess, the opening of the recess faces the substrate, and at least a part thereof has an insertion hole.
  • the metal member has a length extending from the first end to the second end, the first end side is connected to the terminal, the inside of the recess extends into the insertion hole, and the second end is outside the cover. Is located in. At least the area surrounded by the substrate and the recesses of the cover is a closed space.
  • the wafer mounting device includes the substrate structure, a power supply unit capable of supplying power to the conductor, and a control unit for controlling the power supply of the power supply unit.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of the wafer mounting device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of III shown in FIG. It is an IV enlarged view shown in FIG.
  • It is a figure which shows the cross section around the terminal of the substrate structure in 2nd Embodiment.
  • It is a figure which shows the cross section around the terminal of the substrate structure in 3rd Embodiment.
  • It is a figure which shows the cross section around the terminal of the substrate structure in 4th Embodiment.
  • top and bottom refer to the top and bottom based on the state in which the wafer is placed on the substrate structure. Further, in the figure, Up is shown above and Dn is shown below. It should be noted that each of the drawings to be referred to is schematically shown, and details may be omitted.
  • the cross-sectional view is exemplified only in the line II-II of FIG.
  • the other cross sections shown in FIG. 2 having different directions around the straight line Li may be the same as the cross section on the line II-II or may be inferred from the cross section on the line II-II as long as there is no contradiction.
  • the wafer mounting device 10 includes a base structure 20 on which an object (for example, a wafer) is placed, a power supply unit 11 that supplies electric power to the base structure 20, and power supply in the power supply unit 11. It has a control unit 13 for controlling the above.
  • the base structure 20 includes a tubular hollow member 30, a base 40 joined to the hollow member 30 on which an object is placed, a conductor 21 located in the base 40, and at least a part of the base 40. Is located and the terminal 22 (metal body 22) connected to the conductor 21, the metal member 50 electrically connected to the conductor 21 via the terminal 22, and the base 40 while covering a part of the metal member 50. It has a cover 60 joined to the metal member 50 and a wiring unit 14 for electrically connecting the metal member 50 and the power supply unit 11.
  • the hollow member 30 supports the substrate 40.
  • the upper end of the hollow member 30 is joined to the lower surface of the base 40, and the lower end faces the direction away from the base 40.
  • a cover 60 joined to the substrate 40 is located inside the tubular hollow member 30.
  • the hollow member 30 is joined to the base 40 at a peripheral position where the cover 60 is joined to the base 40.
  • the hollow member 30 houses the cover 60.
  • the shape of the hollow member 30 is arbitrary.
  • the hollow member 30 has, for example, a through hole, and the hollow portion has a cylindrical shape.
  • the hollow member 30 has, for example, a through hole, and the hollow portion has a shape formed by a polygonal pillar such as a square pillar.
  • the plan view shape for example, it may have a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape such as a rectangular shape.
  • the material of the hollow member 30 is arbitrary.
  • the material of the hollow member 30 is, for example, insulating ceramics.
  • the material of the hollow member 30 is, for example, a conductive material (metal).
  • the shape of the hole located at the center of the hollow member 30 is arbitrary.
  • the hollow member 30 connects the upper surface portion 31 facing the lower surface of the substrate 40, the lower surface portion 32 located on the opposite side of the upper surface portion 31, and the upper surface portion 31 and the lower surface portion 32, and the inner surface of the hollow member 30. It has an inner surface portion 33 that constitutes the above, and an outer surface portion 34 that connects the upper surface portion 31 and the lower surface portion 32 and constitutes the outer surface of the hollow member 30.
  • the inner surface portion 33 and the outer surface portion 34 are along a straight line Li extending from each other in the thickness direction of the substrate 40.
  • the inner surface portion 33 and the outer surface portion 34 may be inclined with respect to the straight line Li extending in the thickness direction of the substrate 40.
  • the hollow member 30 may have a passage (not shown) for introducing a fluid into the flow path in the substrate 40 described later.
  • a fluid consisting of a gas or a liquid passes through the passage.
  • the shape and size of the passage can be set as appropriate.
  • an insulating joining material 101 (hereinafter, referred to as a first joining material 101) that joins the base 40 and the hollow member 30 may be located.
  • the substrate 40 is bonded to the hollow member 30 by the first bonding material 101.
  • the first bonding material 101 may be located between the lower surface of the substrate 40 and the upper surface portion 31, may be located at a position where the lower surface of the substrate 40 and the inner surface portion 33 are in contact with each other, or the lower surface of the substrate 40. And may be located at a position in contact with the outer surface portion 34.
  • the location where the first bonding material 101 is located may be a combination of two or more as described above.
  • the first bonding material 101 is located at the boundary between the substrate 40 and the hollow member 30 over the entire circumferential direction.
  • the first bonding material 101 can be paraphrased as an insulating bonding material.
  • the thickness (vertical direction) of the first bonding material 101 is arbitrary.
  • the thickness of the first bonding material 101 may be, for example, 1 mm or more, 3 mm or more, 5 mm or more, or 10 mm between the substrate 40 and the upper surface portion 31. It may be more than or equal to 15 mm or more. Further, the thickness of the first bonding material 101 may be smaller than 1 mm between the substrate 40 and the upper surface portion 31.
  • the material of the first bonding material 101 is arbitrary.
  • the material of the first bonding material 101 may be, for example, glass.
  • the first bonding material 101 is a glass layer.
  • the glass is made of, for example, silicate glass or crystallized glass.
  • the first bonding material 101 may be a bonding material (adhesive material) other than glass.
  • a bonding material adheresive material
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used. By containing these as main components, the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the substrate 40 (when the substrate 40 is ceramics).
  • the resistance to halogen-based corrosion gas used in the production of semiconductors and the like can be improved.
  • the contents of Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 may be appropriately set.
  • the first bonding material 101 may be two layers of a glass layer and a material other than glass. It can be said that the first bonding material 101 is an insulating bonding material.
  • the lower surface portion 32 of the hollow member 30 may be connected to another part (not shown).
  • a joining material (same or different joining material as the first joining material 101) may be positioned between the lower surface portion 32 and the other part.
  • the hollow member 30 and the separate parts may be fixed by, for example, screwing.
  • the substrate 40 is an insulating material such as ceramics.
  • the ceramics constituting the substrate 40 are, for example, aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 , alumina), silicon carbide (SiC), and silicon nitride (Si 3 N 4 ). Etc. as the main component.
  • the substrate 40 is a sintered body (aluminum nitride ceramics) containing aluminum nitride as a main component.
  • the main component referred to here is, for example, a component that accounts for 50% by mass or more or 80% by mass or more of 100% by mass of all the components constituting the substrate 40.
  • the substrate 40 is a flat plate-like substrate having thicknesses at the top and bottom.
  • the shape of the substrate 40 is arbitrary.
  • the shape of the substrate 40 may be circular, elliptical, rectangular, trapezoidal or the like in a plan view.
  • the size of the substrate 40 is arbitrary.
  • the dimensions of the substrate 40 are, for example, a diameter (for example, a circle-equivalent diameter when the shape in a plan view is not circular) is 20 cm or more and 40 cm or less, and a thickness is 5 mm or more and 35 mm or less.
  • the substrate 40 has a first surface 41 on which an object is placed, a second surface 42 forming a surface opposite to the first surface 41, and the second surface 42 toward the first surface 41. It has a dent 43 and a dent 43.
  • the first surface 41 constitutes the upper surface of the base 40
  • the second surface 42 constitutes the lower surface of the base 40.
  • the first surface 41 and the second surface 42 are parallel to each other.
  • the recess 43 is located inside the hollow member 30, and has a polygonal shape such as a circular shape, an elliptical shape, or a rectangular shape in a cross section parallel to the first surface 41, for example.
  • the recess 43 is connected to a third surface 43a extending from the second surface 42 toward the first surface 41 and the third surface 43a to form the bottom of the recess 43. It has a fourth surface 43b.
  • the length of the third surface 43a is arbitrary, and may be 1/2 or more or 1/4 or more of the thickness of the substrate 40 in the vertical direction. , 1/8 or more in size. Further, the length of the third surface 43a may be smaller than 1/8 with respect to the thickness of the substrate 40 described above. In the example shown in FIG. 3, the third surface 43a extends along the straight line Li.
  • the third surface 43a In the region surrounded by the third surface 43a, a portion located outside the base 40 of the terminal 22 is located. That is, it can be said that the third surface 43a surrounds a portion of the terminal 22 located outside the base 40. Further, the upper end of the metal member 50 is located in the region surrounded by the third surface 43a. That is, it can be said that the third surface 43a surrounds the upper end of the metal member 50 connected to the terminal 22.
  • the fourth surface 43b is perpendicular to the straight line Li.
  • the substrate 40 may have a flow path inside through which a fluid for cooling the mounted wafer and / or a fluid heated by a resistance heating element described later passes.
  • the shape and size of the flow path can be appropriately changed according to the purpose of use of the flow path. That is, the shape and size of the flow path can be determined by various types of fluids consisting of gas or liquid, which are flowed according to the purpose of use.
  • the conductor 21 may be a resistance heating element that generates heat by the electric power from the power supply unit 11. The heat generated by the resistance heating element heats the wafer placed on the first surface 41. That is, it can be said that the substrate structure 20 is a heater.
  • the conductor 21 is made of, for example, a coil or a layered conductor.
  • the conductor 21 is connected (directly connected) to the upper surface of the terminal 22.
  • the conductor 21 may be connected to the side surface of the terminal 22.
  • the conductor 21 has a spiral shape or a mianda shape, for example, in a plan view of the substrate 40.
  • FIG. 2 shows an example in which the layered conductor 21 extends in a spiral shape or a meander shape, and the conductor 21 is shown in a cross section orthogonal to the extending direction (cross section along the width direction of the conductor 21). ..
  • the conductor 21 may extend over the entire area of the substrate 40 along the first surface 41. As a result, the temperature of the entire first surface 41 can be efficiently raised.
  • the conductor 21 is, for example, a metal made of Ni, W, Mo, Pt, or the like, or an alloy containing at least a part thereof.
  • Such a conductor 21 can be positioned in the substrate 40 by, for example, screen printing the substrate before sintering and firing the substrate.
  • the conductor 21 can be positioned in the substrate 40 by using a method such as CVD, vapor deposition, or sputtering.
  • the substrate structure 20 may have one or more conductors 21. In other embodiments, the substrate structure 20 may have two or more conductors 21. When the base structure 20 has two conductors 21, the materials of these conductors 21 may be different from each other. The two conductors 21, 21 may differ in length and / or thickness. The resistance values of the two conductors 21 and 21 may be different from each other.
  • the terminal 22 may be a metal (bulk material) having a predetermined length in the thickness direction of the substrate 40.
  • the terminal 22 is, for example, a metal made of Ni, W, Mo, Pt, or the like, or an alloy containing at least a part thereof.
  • the shape of the terminal 22 is arbitrary.
  • the terminal 22 has, for example, a circular shape, a rectangular shape, a pentagonal shape, or the like in a cross section perpendicular to the direction in which the terminal 22 extends.
  • the terminal 22 has a first portion 22a facing the outside of the substrate 40 and a second portion 22b located inside the substrate 40 and in contact with the conductor 21.
  • the first portion 22a may occupy 15% or more, 35% or more, 50% or more, or 50% or more of the total volume of the terminal 22. It may occupy 65% or more.
  • the ratio of the first portion 22a to the entire terminal 22 may be smaller than 15%.
  • the first portion 22a may be entirely located within the substrate 40. When the entire first portion 22a is located inside the substrate 40, only the lower end of the first portion 22a is exposed to the outside of the substrate 40, and the lower end faces the outside of the substrate 40.
  • the first portion 22a is connected to the metal member 50.
  • the surface of the first portion 22a may have a screw shape. Further, the terminal 22 may be screwed into the metal member 50 having a screw shape. As another aspect, the surface of the first site 22a may be, for example, smooth.
  • the surface of the second portion 22b may be smooth.
  • the surface of the second portion 22b may have a screw shape. Since the surface of the second portion 22b has a screw shape, the contact area of the second portion 22b with respect to the substrate 40 increases. As a result, the terminal 22 is firmly fixed to the substrate 40 as compared with the case where the surface of the second portion 22b is smooth.
  • the upper surface of the second portion 22b may be connected to the lower surface of the conductor 21 (example of FIG. 3), and the side surface (outer peripheral surface) thereof is connected to the side surface of the conductor 21 or the inner peripheral surface of the hole of the conductor 21. It may be (see FIG. 5 described later).
  • the substrate structure 20 can have a plurality (two or more) of terminals 22.
  • the substrate structure 20 has two terminals 22.
  • the number of terminals 22 included in the substrate structure 20 may be one.
  • the metal member 50 has a length extending from the upper end (first end) to the lower end (second end).
  • the upper end side of the metal member 50 is connected to the terminal 22 and is covered with a cover 60.
  • the lower end side of the metal member 50 is located outside the cover 60.
  • the metal member 50 is, for example, a metal made of Cu, Fe, Al, Ag, Ni, W, Mo, Pt, or the like, or an alloy containing at least a part thereof.
  • the alloy stainless steel containing Fe as a main component can be mentioned.
  • the type of metal or alloy can be appropriately set from the viewpoint of cost, durability, and the like.
  • the metal may be an alloy containing Ni or Pt.
  • Ni plating or Pt plating can be applied to the surface of the metal member 50.
  • the metal member 50 includes a connection portion 51 that constitutes the upper end side of the metal member 50 and is connected to the terminal 22, and the metal member 50 that extends from the connection portion 51 to the side opposite to the base 40. It has an extending portion 52 that constitutes the lower end side.
  • the connecting portion 51 includes an A surface 51a forming the upper end of the connecting portion 51, a B surface 51b located on the opposite side of the A surface 51a and forming the lower end of the connecting portion 51, and A. It has a recess 51c (reference numeral is FIG. 4) that is recessed from the surface 51a toward the B surface 51b.
  • the A surface 51a is bonded to the substrate 40. From these facts, it can be said that the metal member 50 is bonded to the substrate 40 around the terminal 22.
  • the recess 51c is located on the A surface 51a and faces the first portion 22a of the terminal 22 together with the A surface 51a. Further, the recess 51c covers the first portion 22a. From this, it can be said that the metal member 50 (upper end side of the metal member 50) covers the first portion 22a from the outside of the substrate 40.
  • the shape of the recess 51c is arbitrary.
  • the recess 51c has a polygonal shape such as a circular shape, an elliptical shape, or a rectangular shape in a plan view.
  • the inner diameter of the recess 51c is slightly larger than the outer diameter of the first portion 22a.
  • the recess 51c may have, for example, a rectangular shape, a trapezoidal shape, a semicircular shape, a semi-elliptical shape, or the like in the vertical cross section of the metal member 50.
  • the recess 51c has an inner wall 53a extending from the A surface 51a toward the B surface 51b and a bottom portion 53b connected to the lower portion of the inner wall 53a and forming the bottom of the recess 51c.
  • the inner wall 53a may have a screw shape on its surface. To reiterate, the inner wall 53a having a screw shape on the surface may be screwed into the first portion 22a having a screw shape. Further, the inner wall 53a may be smooth. The inner wall 53a may be parallel to the straight line Li or may be tilted by a predetermined angle with respect to the straight line Li.
  • the bottom portion 53b is a surface (part) that is located on the B surface 51b side of the elements constituting the recess 51c and faces the fourth surface 43b of the substrate 40.
  • the bottom 53b may be parallel to the first surface 41.
  • the bottom 53b may be tilted by a predetermined angle with respect to the first surface 41.
  • the recess 51c can be easily formed by pressing a rotating body or the like against the bottom portion 53b.
  • the extending portion 52 extends downward from the lower end of the connecting portion 51.
  • the diameter of the extending portion 52 is smaller than the diameter of the connecting portion 51, for example.
  • the diameter of the extending portion 52 may be, for example, 1/2 or less, 1/4 or less, or 1/8 or less with respect to the diameter of the connecting portion 51. You may.
  • the diameter of the extending portion 52 may be larger than 1/2 with respect to the diameter of the connecting portion 51, for example.
  • the diameter of the extending portion 52 may be the same as the diameter of the connecting portion 51.
  • the lower end of the extending portion 52 may be located above the center of the hollow member 30. In another aspect, the lower end of the extending portion 52 may be located below the center of the hollow member 30. Further, the lower end of the extending portion 52 may be located below the lower end of the hollow member 30. In this case, the substrate structure 20 may have a structure in which the extending portion 52 is directly connected to the power supply portion 11.
  • a metal layer 23 that connects the terminals 22 and the connecting portion 51 so as to be energized may be located.
  • the metal layer 23 is, for example, a metal made of Cu, Fe, Al, Ag, Ni, W, Mo, Pt, or the like, or a metal containing at least a part thereof.
  • the type of metal or alloy can be appropriately set from the viewpoint of cost, durability, and the like.
  • the metal is Ni or Pt
  • the durability of the metal layer 23 can be improved from the viewpoint of oxidation resistance.
  • the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the metal layer 23 may be an alloy containing Ni or Pt.
  • the metal layer 23 may be located in the recess 51c, for example. More specifically, the metal layer 23 may be located, for example, between the terminal 22 and the bottom 53b and at least one between the terminal 22 and the inner wall 53a.
  • the metal layer 23 includes, in addition to, or in place of, a portion located outside the recess 51c, between the terminal 22 and the bottom 53b and between the terminal 22 and the inner wall 53a. It may be.
  • an insulating bonding material 102 (hereinafter, referred to as a second bonding material 102) may be located between the substrate 40 and the connecting portion 51.
  • the second bonding material 102 is located between the substrate 40 and the A surface 51a on the substrate 40 side of the metal layer 23.
  • the second bonding material 102 and the metal layer 23 are located in this order in the downward direction (direction from the base 40 to the terminal 22) from the first surface 41 (see FIG. 2).
  • the second bonding material 102 may be located at a position other than the base 40 and the A surface 51a (for example, a position in contact with the side surfaces of the base 40 and the connecting portion 51).
  • the second bonding material 102 may be located at a position formed by a combination of the two or more. From another viewpoint, the second bonding material 102 has a size of a gap between the A surface 51a and the surface of the base 40 facing the A surface 51a (the fourth surface 43b, which is the bottom surface of the recess 43 in the illustrated example). It may have the same thickness as the vertical direction), or may have a thickness larger than the thickness.
  • the second bonding material 102 may be located between the first portion 22a (terminal 22) and the connecting portion 51 over the entire circumferential direction, and may seal the first portion 22a (terminal 22). ..
  • the connecting portion 51 may cover the terminal 22 from the outside of the base 40 and may be joined to the base 40 around the terminal 22 to seal the terminal 22.
  • At least a part of the second bonding material 102 may or may not be in contact with the metal layer 23.
  • the second bonding material 102 may cover the metal layer 23 together with the substrate 40. Thereby, the airtightness of the metal layer 23 can be improved.
  • the material of the second bonding material 102 is arbitrary.
  • the second bonding material 102 is glass.
  • the glass for example, silicate glass, crystallized glass and the like can be adopted.
  • the second bonding material 102 is glass, it can be said that the second bonding material 102 is a glass layer.
  • the second bonding material 102 may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used. By containing these as main components, the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the substrate 40 (when the substrate 40 is ceramics).
  • the resistance to halogen-based corrosion gas used in the production of semiconductors and the like can be improved.
  • the contents of Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 may be appropriately set.
  • the second bonding material 102 may be two layers of a glass layer and a material other than glass.
  • the components of the second bonding material 102 may be the same as or different from the components of the first bonding material 101. It can be said that the second bonding material 102 is an insulating bonding material.
  • the two connecting portions 51 and 51 are joined to the base 40 in a state of being connected to the two terminals 22 and 22, respectively.
  • the two connecting portions 51 and 51 are joined to the substrate 40 via the second joining member 102, respectively.
  • the component of the second joining member 102 that joins one connecting portion 51 may be the same as the component of the second joining member 102 that joins the other connecting portion 51, or the other connecting portion 51. It may be different from the component of the second joining material 102 that joins.
  • the cover 60 See FIG.
  • the cover 60 has a box shape with an open top.
  • the cover 60 is fitted in the recess 43 constituting the base 40. Since the cover 60 is fitted in the recess 43, it can be said that the region SP inside the cover 60 is a closed space SP.
  • the shape of the cover 60 is arbitrary.
  • the cover 60 may have, for example, a cylindrical shape or a cubic shape in appearance.
  • the shape of the cover 60 in a plan view may be, for example, a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape such as a rectangular shape.
  • the cover 60 may have a rectangular shape, a semicircular shape, a semi-elliptical shape, or a trapezoidal shape in a lateral view.
  • the first portion 22a terminal 22
  • the second bonding material 102 the connecting portion 51, and the metal layer 23 are located in the space SP sealed by the cover 60.
  • the space SP sealed by the cover 60 may be filled with, for example, an inert gas. As a result, oxygen is suppressed from being contained in the space SP sealed by the cover 60.
  • the inside of the space SP sealed by the cover 60 may be, for example, a vacuum.
  • the cover 60 has a box-shaped thick portion 61 having an open upper surface and a thin portion 62 protruding from the upper surface of the thick portion 61 toward the substrate 40. .. Further, the cover 60 has a recess 63 that goes from the opening portion of the thin wall portion 62 to the thick wall portion 61 and constitutes the inner surface of the cover 60.
  • the thick portion 61 is thicker than the thin portion 62.
  • the outer diameter of the cover 60 differs in the vertical direction with the boundary between the thick portion 61 and the thin portion 62 as a boundary.
  • the outer diameter of the thick portion 61 is larger than the outer diameter of the thin portion 62.
  • the outer surface (outer surface) of the cover 60 has a bend.
  • the inner diameter of the thick portion 61 and the inner diameter of the thin portion 62 are the same as each other. However, the two may be different.
  • the thick portion 61 includes a first cover surface 61a that constitutes the upper surface of the thick portion 61 and is connected to the thin portion 62, a second cover surface 61b that extends in the direction from the first cover surface 61a, and the first cover surface 61b. It has a third cover surface 61c that is connected to the cover surface 61b and forms the lower surface of the thick portion 61, and an insertion hole 64 that opens at least a part of the third cover surface 61c.
  • the first cover surface 61a faces the substrate 40. There is a gap between the first cover surface 61a and the substrate 40.
  • the size of this interval may be, for example, 0.1 mm or more, 0.5 mm or more, 1 mm or more, or smaller than 0.1 mm.
  • the third bonding material 103 which will be described later, is located within the above interval. There may not be a gap between the first cover surface 61a and the substrate 40.
  • the cover 60 has two insertion holes 64 and 64 (at least a part of the cover 60 has an insertion hole 64). Extension portions 52 and 52 pass through the two insertion holes 64 and 64, respectively.
  • the number of insertion holes 64 is arbitrary and may be one or three or more.
  • the size of this interval may be, for example, 0.1 mm or more, 0.5 mm or more, 1 mm or more, or smaller than 0.1 mm.
  • the fourth joint member 104 which will be described later, is located within the above interval.
  • the thin portion 62 has a fourth cover surface 62a facing the recess 43 of the base 40, and a fifth cover surface 62b connecting the fourth cover surface 62a and the first cover surface 61a.
  • the shape of the recess 63 is arbitrary, and in the vertical cross section of the cover 60, for example, a rectangular shape, a semicircular shape, a semi-elliptical shape, a trapezoidal shape, or the like is exhibited.
  • the opening portion of the recess 63 faces the base 40, and in the sealed space SP surrounded by the base 40 and the recess 63, the first portion 22a (terminal 22), the second bonding material 102, the connecting portion 51, and the metal layer 23 are provided. Is located.
  • the metal member 50 that positions the connecting portion 51 in the recess 63 has the lower end side (extending portion 52) positioned outside the cover 60 through the insertion hole 64.
  • a bonding material 103 (hereinafter, referred to as a third bonding material 103) is located between the substrate 40 and the first cover surface 61a.
  • the third bonding material 103 may be located at a position where the base 40 and the second cover surface 61b are in contact with each other, or may be located at a position where the base 40 and the fifth cover surface 62b are in contact with each other. May be good. Further, the third bonding material 103 may be located at a position where two or more of the above three places are combined.
  • the third bonding material 103 has the cover 60 bonded to the substrate 40.
  • the third bonding material 103 may be located, for example, between the substrate 40 and the cover 60 over the entire circumferential direction.
  • the material of the third bonding material 103 is arbitrary.
  • the third bonding material 103 is glass.
  • the glass for example, silicate glass, crystallized glass and the like can be adopted.
  • the third bonding material 103 is glass, it can be said that the third bonding material 103 is a glass layer.
  • the third bonding material 103 may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used. By containing these as main components, the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the substrate 40 and the cover 60 (when the substrate 40 and the cover 60 are ceramics).
  • the resistance to halogen-based corrosion gas used in the production of semiconductors and the like can be improved.
  • the contents of Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 may be appropriately set.
  • the third bonding material 103 may be two layers of a glass layer and a material other than glass.
  • the components of the third bonding material 103 may be the same as or different from the components of the first bonding material 101 and / or the second bonding material 102. It can be said that the third bonding material 103 is an insulating bonding material.
  • a joining material 104 (hereinafter, referred to as a fourth joining material 104) is located between the extending portion 52 and the inner surface of the insertion hole 64.
  • the fourth joining member 104 may be located at a position where the third cover surface 61c and the extending portion 52 are in contact with each other, or a portion where the recess 63 (for example, the bottom surface thereof) is in contact with the extending portion 52. It may be located in. Further, the fourth bonding material 104 may be located at a position where two or more of the above three places are combined. The fourth joining member 104 fills the space between the extending portion 52 and the inner surface of the insertion hole 64.
  • the material of the fourth bonding material 104 is arbitrary.
  • the fourth bonding material 104 is glass.
  • the glass for example, silicate glass, crystallized glass and the like can be adopted.
  • the fourth bonding material 104 is glass, it can be said that the fourth bonding material 104 is a glass layer.
  • the fourth bonding material 104 may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used. By containing these as main components, the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the substrate 40 (when the substrate 40 is ceramic and the metal member 50 is tungsten W).
  • the fourth bonding material 104 may be two layers of a glass layer and a material other than glass.
  • the components of the fourth bonding material 104 may be the same as or different from the components of the first bonding material 101 and / or the second bonding material 102.
  • the components of the fourth bonding material 104 may be the same as or different from the components of the third bonding material 103. It can be said that the third bonding material 103 is an insulating bonding material.
  • the fourth bonding material 104 can also be called a bonding layer together with the first to third bonding materials 101, 102, 103.
  • the airtightness of the region SP (sealed space SP) surrounded by the recess 63 is further improved. Further, for example, by closing the space between the base 40 and the cover 60 over the entire circumferential direction, for example, the airtightness of the region SP surrounded by the recess 63 can be further improved. Further, for example, by closing the space between the metal member 50 and the cover 60 over the entire circumferential direction, the airtightness of the region SP surrounded by the recess 63 can be further improved.
  • the upper end of the wiring unit 14 is connected to the metal member 50, and the lower end is connected to the power supply unit 11.
  • the wiring portion 14 may be entirely located in the hollow member 30, or may be partially located in the hollow member 30.
  • the power supply unit 11 is located outside the substrate 40 and supplies electric power to the conductor 21 (for example, a resistance heating element) via the wiring unit 14.
  • the power supply unit 11 is electrically connected to the conductor 21 via the wiring unit 14.
  • the power supply unit 11 includes a power supply circuit that converts the electric power supplied from the power source into electric power having an appropriate voltage and supplies the electric power to the conductor 21.
  • Control unit 13 controls the supply of electric power to the conductor 21 in the power supply unit 11. For example, when the control unit 13 controls the power supply unit 11, the resistance heating element generates heat. The heat generated by the resistance heating element heats the object placed on the first surface 41.
  • the base structure 20 has at least a region SP surrounded by the base 40 and the recess 63 of the cover 60.
  • a terminal 22 connected to the first end side of the metal member 50 is located in the region SP surrounded by the base 40 and the recess 63. Therefore, it can be said that the terminal 22 is located in the region SP surrounded by the substrate 40 and the recess 63.
  • the entry of external air (for example, oxygen) into the space where the terminal 22 is located is reduced.
  • contact with the terminal 22 oxygen is suppressed. Therefore, the substrate structure 20 has durability.
  • the area SP is surrounded by the cover 60, it can be said that the area SP is a closed space SP sealed by the cover 60. Since the region SP is a space, it is possible to suppress the application of thermal stress due to the temperature change in the region SP. As a result, it is possible to suppress the load applied to the terminal 22.
  • the base structure 20 may accommodate the cover 60 and may further have a hollow member 30 joined to the base 40 around the joint position between the cover 60 and the base 40.
  • the terminal 22 is doubly surrounded by the hollow member 30 together with the cover 60.
  • the airtightness of the terminal 22 located in the cover 60 can be further improved. Therefore, the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the substrate 40 may have a recess 43.
  • the cover 60 has a thin-walled portion 62 fitted in the recess 43 and a thick-walled portion 61 connected to the thin-walled portion 62 and partially facing the substrate 40.
  • the base 40 and the cover 60 are fixed in close contact with each other.
  • the bonding material can be positioned between the base 40 and the thick portion 61. As a result, the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the metal member 50 may cover the first portion 22a of the terminal 22. By covering the first portion 22a with the metal member 50, the airtightness of the terminal 22 can be further improved. Therefore, the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the terminal 22 is sealed at the same time as the metal member 50 is attached in the assembly work of the base structure 20. You will be able to do it. Further, it is not necessary to prepare a separate component for sealing the terminal 22. As a result, the efficiency of the assembling work of the substrate structure 20 can be improved, and the increase in the number of parts can be suppressed.
  • the metal member 50 may have a recess 51c on the first end side, and the first portion 22a may be covered with the recess 51c of the metal member 50. Since the first portion 22a is covered with the recess 51c, the airtightness of the terminal 22 is further improved. As a result, the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the substrate structure 20 may have a glass layer 102 that is in contact with each of the metal layer 23 and the substrate 40 and covers the metal layer 23 together with the substrate 40. Since the metal layer 23 is covered with the glass layer 102 together with the substrate 40, the metal layer 23 is in a sealed state. As a result, the metal layer 23 is suppressed from being exposed to the outside air. As a result, oxidation of the metal layer 23 is suppressed. Therefore, the durability of the substrate structure 20 is improved.
  • the substrate structure 20 may have a metal member 50 that is connected to the terminal 22 from the outside of the substrate 40 while covering the first portion 22a, and is joined to the substrate 40 to seal the terminal 22. ..
  • a metal member 50 that is connected to the terminal 22 from the outside of the substrate 40 while covering the first portion 22a, and is joined to the substrate 40 to seal the terminal 22. ..
  • the terminal 22 is connected to the metal member 50 while being covered (sealed) by the metal member 50, the terminal 22 is connected to the metal member 50 at the same time as the metal member 50 is attached in the assembly work of the base structure 20. Can be sealed. Further, it is not necessary to prepare a separate component for sealing the terminal 22. As a result, the efficiency of the assembling work of the substrate structure 20 can be improved, and the increase in the number of parts can be suppressed.
  • the substrate structure 20 may be a heater in which the conductor 21 is a resistance heating element. As a result, the substrate structure 20 can directly heat the placed object. As a result, the substrate structure 20 can raise the temperature of the object faster.
  • the terminal 22 is located in the sealed space SP, oxygen is suppressed from coming into contact with the high temperature terminal 22 when heating the object. As a result, the heater is durable.
  • the wafer mounting device 10 includes the above-mentioned substrate structure 20. As a result, the wafer mounting device 10 has durability.
  • FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment in the present disclosure, and corresponds to FIG. 4 above.
  • the substrate structure 20A in the second embodiment is mainly different in that the terminal 22A has a collar portion 25A and that the metal layer 23A is provided around the terminal 22A in relation to the first embodiment. ing.
  • Other specific structures for example, the cover 60, etc.
  • reference numerals are used and detailed description thereof will be omitted.
  • matters not particularly mentioned are the same as those of the embodiments described above, or have been described above. It may be inferred from the embodiment.
  • the conductor 21A is in contact with the metal layer 23A described later.
  • the conductor 21A is connected to the terminal 22A via the metal layer 23A.
  • the terminal 22A has a shaft-shaped portion 24A whose upper end side is located inside the base 40 and whose lower end side is located outside the base 40, a protruding portion 26A protruding from the lower end of the shaft-shaped portion 24A toward the connecting portion 51, and the outside of the base 40. It has a flange portion 25A protruding from the side surface of the shaft-shaped portion 24A toward the side.
  • the terminal 22A can be distinguished into a first portion 22Aa located outside the substrate 40 and a second portion 22Ab located inside the substrate 40.
  • the first portion 22Aa is a portion constituting a part (lower end side) of the shaft-shaped portion 24A, the protruding portion 26A, and the flange portion 25A.
  • the second portion 22Ab is a portion constituting the remaining portion (upper end side) of the shaft-shaped portion 24A.
  • the protruding portion 26A has a screw shape at least a part of the surface thereof, and may be screwed into the recess 51c of the metal member 50.
  • the protruding portion 26A may have a smooth surface and may be joined to the metal member 50 by a metal layer 23 described later.
  • the flange portion 25A protrudes from the protruding portion 26A in the direction intersecting the straight line Li.
  • the flange portion 25A may project in a direction perpendicular to the straight line Li, for example.
  • the flange portion 25A may project so that the inclination angle with respect to the straight line Li is 60 ° or less, or the inclination angle with respect to the straight line Li may be 45 ° or less, for example.
  • At least a part of the collar portion 25A is bonded to the substrate 40, for example. Since the collar portion 25A protrudes from the shaft-shaped portion 24A constituting the first portion 22Aa, it can be said that the collar portion 25A protrudes from the first portion 22Aa.
  • a conductive metal layer 23Aa containing at least a metal (hereinafter, may be referred to as a first metal layer 23Aa) is located between the substrate 40 and the terminal 22A.
  • the first metal layer 23Aa connects the conductor 21A and the terminal 22A so as to be energized.
  • the recess into which the terminal 22A of the substrate 40 is inserted is defined as the terminal recess 44.
  • the first metal layer 23Aa may be located between the inner peripheral surface 44a of the terminal recess 44 and the shaft-shaped portion 24A, and / or the bottom surface 44b of the terminal recess 44 and the shaft-shaped portion 24A. It may be located in between.
  • first metal layer 23Aa may be located between the surface on which the terminal recess 44 is open (the fourth surface 43b, which is the bottom surface of the recess 43 in the illustrated example) and the upper surface of the flange portion 25A. .. From another aspect, the first metal layer 23Aa may be interposed between the side surface of the terminal 22A and the inner surface (or side surface) of the hole of the conductor 21 to contribute to the connection between the two (illustrated example). It may be interposed between the upper surface of the terminal 22A and the lower surface of the conductor 21 to contribute to the connection between the two.
  • the first metal layer 23Aa may have a function as a bonding material.
  • the first metal layer 23Aa may be in close contact with the substrate 40 (and the conductor 21) and the terminal 22A, and may be bonded to each other.
  • the first metal layer 23Aa is a conductive bonding material made of metal.
  • the first metal layer 23Aa is located above the substrate-side bonding material 102Aa described later.
  • a conductive metal layer 23Ab containing at least a metal (hereinafter, may be referred to as a second metal layer 23Ab) is located between the terminal 22A and the metal member 50.
  • the second metal layer 23Ab connects the terminal 22A and the metal member 50 so as to be energized.
  • the second metal layer 23Ab may be located between the A surface 51a and the flange portion 25A, may be located between the protruding portion 26A and the inner wall 53a, or may be located between the protruding portion 26A and the bottom portion 53b. It may be located in between. Further, the second metal layer 23Ab may be located at a location where two or more of the above three locations are combined.
  • the second metal layer 23Ab may have a function as a bonding material.
  • the second metal layer 23Ab may be in close contact with the terminal 22A and the metal member 50 to fix both.
  • the second metal layer 23Ab is a conductive bonding material made of metal.
  • the component of the second metal layer 23Ab may be the same as the component of the first metal layer 23Aa, or may be different from the component of the first metal layer 23Aa.
  • a part of the second bonding material 102A (hereinafter, may be referred to as a substrate side bonding material 102Aa) is located between the substrate 40 and the terminal 22A. More specifically, the substrate-side bonding material 102Aa is located between the substrate 40 and the terminal 22A at a position below the first metal layer 23Aa so that the first metal layer 23Aa is sealed. At this time, the first metal layer 23Aa and the base-side bonding material 102Aa are located in this order in the downward direction (direction from the base 40 to the terminal 22A) from the first surface 41 (see FIG. 2).
  • the first metal layer 23Aa is covered with the substrate 40, the terminals 22A, and the substrate-side bonding material 102Aa. As a result, the first metal layer 23Aa is sealed with the substrate side bonding material 102Aa together with the substrate 40 and the terminal 22A. As a result, the exposure of the metal layer 23 to the outside air is suppressed. Therefore, it is possible to provide a durable substrate structure 20A.
  • the substrate-side bonding material 102Aa may be located between the substrate 40 and the terminal 22A over the entire circumferential direction. As a result, the first metal layer 23Aa is more reliably sealed.
  • the substrate-side bonding material 102Aa may be located between the flange portion 25A and the substrate 40 (fourth surface 43b), or may be located between the shaft-shaped portion 24A and the substrate 40 (inner peripheral surface 44a). You may. Further, the substrate-side bonding material 102Aa may be located at a position formed by a combination thereof.
  • the substrate side bonding material 102Aa (bonding material 102) is located between the substrate 40 and the flange portion 25A.
  • the substrate-side bonding material 102Aa is located between the flange portion 25A and the substrate 40, it can be said that the flange portion 25A is bonded to the substrate 40. Since the flange portion 25A is bonded to the substrate 40, the terminal 22A is bonded to the substrate 40 more strongly than when the collar portion 25A is not bonded to the substrate 40.
  • the substrate-side bonding material 102Aa is located between the flange portion 25A and the substrate 40, the flange portion 25A is not bonded to the substrate 40, so that the flange portion 25A is between the substrate 40 and the terminal 22A.
  • the amount of the substrate-side bonding material 102Aa increases.
  • the first metal layer 23Aa can be more reliably sealed.
  • the airtightness of the first metal layer 23Aa can be further improved.
  • the substrate-side bonding material 102Aa may or may not be in contact with the first metal layer 23Aa. Since the substrate-side bonding material 102Aa is in contact with the first metal layer 23Aa, the airtightness of the first metal layer 23Aa is further improved.
  • the material of the substrate-side bonding material 102Aa is arbitrary.
  • the substrate-side bonding material 102Aa is made of, for example, glass.
  • the substrate-side bonding material 102Aa is made of glass, it can be said that the substrate-side bonding material 102Aa is a glass layer 102Aa. Since the substrate-side bonding material 102Aa is a glass layer, for example, the terminal 22A is fixed by the glass layer together with the first metal layer 23Aa.
  • the glass layer has a large bonding force to the substrate 40, the terminal 22A, and the metal layer 23A (first metal layer 23Aa). As a result, the terminal 22A can be more firmly bonded to the substrate 40.
  • the substrate-side bonding material 102Aa may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used.
  • the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the substrate 40 (when the substrate 40 is ceramic and the terminal 22A and / or the metal member 50 is tungsten W).
  • the resistance to halogen-based corrosion gas used in the production of semiconductors and the like can be improved.
  • the contents of Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 may be appropriately set.
  • the remainder of the second bonding material 102A (hereinafter, may be referred to as the metal member side bonding material 102Ab) is located between the terminal 22A and the metal member 50.
  • the metal member side bonding member 102Ab may be located between the terminal 22A and the metal member 50 over the entire circumferential direction. As a result, the second metal layer 23Ab is more reliably sealed.
  • a part of the metal member side bonding member 102Ab may enter between the terminal 22A and the inner wall 53a.
  • the metal member side bonding material 102Ab may or may not be in contact with the second metal layer 23Ab.
  • the material of the metal member side bonding material 102Ab is arbitrary.
  • the metal member side bonding material 102Ab is made of, for example, glass.
  • the metal member side bonding material 102Ab is glass, it can be said that the metal member side bonding material 102Ab is a glass layer.
  • the metal member side bonding material 102Ab may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • the component of the metal member side bonding material 102Ab may be the same as the component of the substrate side bonding material 102Aa, or may be different from the component of the substrate side bonding material 102Aa.
  • the substrate-side bonding material 102Aa may be a bonding material (adhesive) other than glass.
  • a compound containing Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 as main components may be used.
  • the coefficient of thermal expansion of the compound becomes close to the coefficient of thermal expansion of the terminal 22A and / or the metal member 50 (when the terminal 22A and / or the metal member 50 is tungsten W).
  • the resistance to halogen-based corrosion gas used in the production of semiconductors and the like can be improved.
  • the contents of Al 2 O 3 , Ca O and Y 2 O 3 may be appropriately set.
  • the metal member side bonding member 102Ab may be located between the lower surface of the flange portion 25A and the upper end of the metal member 50.
  • the metal member side bonding member 102Ab may be located between the side surface of the protrusion 26A and the inner wall 53a.
  • the metal member side joining material 102Ab is, for example, an insulating joining material, and joins the terminal 22A and the metal member 50. Further, the metal member side bonding material 102Ab is in contact with, for example, the second metal layer 23Ab, and seals the second metal layer 23Ab. As a result, the airtightness of the second metal layer 23Ab can be improved.
  • the first metal layer 23Aa and the second metal layer 23Ab constitute the metal layer 23A corresponding to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment in the present disclosure, and corresponds to FIG.
  • the insulating joining material 102B extends over the entire fourth surface 43b (bottom surface) of the recess 43, and the joining material 102B covers the cover 60B and the base 40.
  • the main difference is that it also contributes to the connection with.
  • the bonding material 102B covers the entire fourth surface 43b.
  • the fourth surface 43b covered with the bonding material 102B referred to here excludes a region where a recess such as a terminal recess 44 into which the terminal 22 is inserted is formed. Further, even though the entire fourth surface 43b is covered with the joining material 102B, the position where the joining material 102B cannot be arranged may not be covered with the joining material 102B. For example, in the illustrated example, a gap is formed between the cover 60B and the fourth surface 43b, but when the cover 60B has a portion that abuts on the fourth surface 43b, the fourth surface at the contact position is the fourth. The surface 43b may not be covered by the bonding material 102B.
  • voids may be generated due to the viscosity of the bonding material 102B or the like.
  • a relatively small gap may be formed in the vicinity of the corner formed by the fourth surface 43b and the third surface 43a, and the bonding material 102B may not cover the fourth surface 43b. Such a case is also included in the mode in which the entire fourth surface 43b is covered.
  • the thickness of the bonding material 102B is different from the thickness of the bonding material 102 illustrated in FIG. 3, and the A surface 51a of the metal member 50 and the surface (recess 43) of the base 40 facing the A surface 51a. It is made larger than the size of the gap (vertical direction) with the fourth surface 43b) which is the bottom surface of the above.
  • the joining member 102B is in contact with not only the A surface 51a but also the side surface of the metal member 50. Of course, the bonding material 102B may be in contact with only the A surface 51a of the metal member 50.
  • the joining material 102B is also in contact with the cover 60B, and joins the cover 60B and the base 40 (contributing to the fixing of both). Further, the bonding material 102B may be in contact with the cover 60B and the base 40 over the entire circumferential direction of the cover 60B, and may contribute to sealing the sealed space SP. More specifically, in the example of FIG. 6, the upper surface (fourth cover surface 62a) of the cover 60B is the surface of the base 40 facing the fourth cover surface 62a (the fourth surface which is the bottom surface of the recess 43 in the illustrated example). It is far from 43b).
  • the joining material 102B is in contact with the fourth cover surface 62a and also in contact with a part of the inner peripheral surface and the outer peripheral surface of the cover 60B. Unlike the illustrated example, the bonding material 102B may only be in contact with any one of the upper surface, the inner peripheral surface, and the outer peripheral surface of the cover 60B.
  • the joining material 102B extends over the entire fourth surface 43b (bottom surface) of the recess 43, and joins the cover 60B and the base 40.
  • the bonding material 102B extends over the entire fourth surface 43b (bottom surface)
  • the cover 60B and the substrate 40 do not have to be bonded.
  • the upper surface of the cover 60B (fourth cover surface 62a) may be separated from the fourth surface 43b of the substrate 40 with a gap larger than the thickness of the bonding material 102B.
  • the joining material 102B may join the metal member 50 (and / or the terminal 22) and the base 40, and may join the cover 60B and the base 40 in a manner that does not spread over the entire fourth surface 43b. ..
  • the terminal 22 of the first embodiment is illustrated, but the bonding material 102B of the present embodiment may be combined with the terminal 22A of the second embodiment.
  • the thickness of the bonding material 102B at this time may be the thickness from the fourth surface 43b to the upper surface of the flange portion 25A, or the thickness from the fourth surface 43b to the middle of the outer peripheral surface of the collar portion 25A. It may be the thickness from the fourth surface 43b to the lower surface of the collar portion 25A, or may be the thickness from the fourth surface 43b to the lower surface of the collar portion 25A. , The thickness may reach the metal member 50 as in the present embodiment.
  • the bonding material 102B may contribute to the bonding between the terminal 22 or 22A and the substrate 40, or may contribute to the bonding between the metal member 50 and the substrate 40. , It may contribute to both.
  • the bonding material 102B may or may not be provided.
  • the insulating bonding material 102B may come into contact with the bonding material 103, and in such a form, the bonding between the cover 60B and the base 40 becomes stronger and is sealed. Sex is obtained.
  • the substrate 40 has a recess 43 and a terminal recess 44 (FIG. 5) that is open to the bottom surface (fourth surface 43b) of the recess 43. ,have. A part of the terminal 22 is inserted into the terminal recess 44. At least the first end (upper end) of the metal member 50 is housed in the recess 43. At least the opening portion (upper end portion) of the cover 60B is housed in the recess 43. Therefore, as in the other embodiments, the airtightness of the sealed space SP accommodating the terminal 22 and the metal member 50 is improved.
  • the insulating bonding material 102B extends over the entire bottom surface (fourth surface 43b) of the recess 43. In this case, for example, heat dissipation from the fourth surface 43b can be reduced.
  • the substrate structure is a heater, the heating efficiency of the wafer can be improved.
  • the insulating joining material 102B joins the metal member 50 and the bottom surface (fourth surface 43b) of the recess 43, and also joins the cover 60B and the fourth surface 43b. ..
  • the bonding material 102B between the fourth surface 43b and the cover 60B, heat dissipation from the fourth surface 43b to the cover 60B can be reduced.
  • the substrate structure is a heater, the heating efficiency of the wafer can be improved.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fourth embodiment in the present disclosure, and corresponds to FIG.
  • the base body side bonding material 102Ca and the metal member side bonding material 102Cb are connected to cover the flange portion 25A, and the bonding material 102C is a gap between the base body 40C.
  • the main difference is that it penetrates into 40Ca. The difference between the two does not have to hold at the same time. Further, the point that the bonding material 102C enters the gap 40Ca may be applied to the first or third embodiment.
  • the base-side bonding material 102Ca and the metal member-side bonding material 102Cb are connected, for example, over the entire circumferential direction of the terminal 22A. Therefore, the terminal 22A is entirely covered (sealed) with the substrate 40C, the metal member 50, and the bonding material 102C. Also in such an embodiment, the description of other embodiments may be incorporated with respect to the material of the bonding material 102C, the portion where the bonding material 102C contacts the metal member 50, and the like. In the illustrated example, the bonding material 102C covers only the periphery of the terminal recess 44 on the bottom surface (fourth surface 43b) of the recess 43, as in the first and second embodiments. However, as shown in the third embodiment, the bonding material 102C may spread over the entire fourth surface 43b or contribute to the bonding between the cover 60 and the base 40C.
  • the gap 40Ca is open to the inner peripheral surface 44a of the terminal recess 44.
  • the gap 40Ca extends along the first surface 41 (FIG. 1) of the substrate 40C, for example, and forms a layered space. From another viewpoint, the gap 40Ca extends in a vertical cross section as shown in FIG. 7 in a direction intersecting the insertion direction of the terminal 22A into the terminal recess 44.
  • the shape of the gap 40Ca may be appropriately set.
  • the gap 40Ca may expand around the terminal recess 44 in a plan view of the first surface 41, or may expand unevenly in a predetermined direction from the terminal recess 44.
  • the gap 40Ca may have an appropriate planar shape such as a circle or a polygon.
  • the height (length in the vertical direction) of the gap 40Ca may or may not be constant in the vertical cross section as shown in FIG. 7. As an example of the latter, there can be mentioned an aspect in which the height becomes smaller as the distance from the terminal recess 44 increases.
  • the gap 40Ca is expressed as a layered space, but the gap 40Ca may have a shape that cannot be regarded as a layered space (a shape in which the lateral spread is smaller than the height).
  • the height of the gap 40Ca (length in the vertical direction) and the length in the vertical cross section (length in the horizontal direction of the paper surface) may be appropriately set.
  • the height of the gap 40Ca is relatively small, and in the illustrated example, it is smaller than the size of the gap between the terminal 22A and the inner peripheral surface 44a of the terminal recess 44 (in the left-right direction of the paper surface).
  • the height of the gap 40Ca may be larger than the size of the latter gap.
  • an example of the height of the gap 40Ca is 200 ⁇ m or less.
  • the gap 40Ca may have the above-mentioned portion having a thickness of 200 ⁇ m or less over 50% or more, 80% or more, or the entire area of the gap 40Ca in a plan view. Further, the length of the gap 40Ca from the terminal recess 44 in the vertical cross section (or the maximum distance from the terminal recess 44 in the plan view to the outer edge of the gap 40Ca) is twice or more and five times or more the height of the gap 40Ca. Or 10 times or more.
  • the gap 40Ca may be formed by an appropriate method. For example, when the substrate 40C is produced by firing a laminate of ceramic green sheets, the firing conditions are appropriately set, and the shrinkage of the sheets accompanying the firing is used to generate a gap 40Ca between the sheets. You can. Further, for example, by arranging a relatively small spacer between the sheets when laminating the ceramic green sheet, a gap 40Ca may be formed before firing, or a gap due to shrinkage during firing may be easily generated. ..
  • the bonding material 102C is filled in the gap 40Ca.
  • the filling rate may be appropriately set.
  • the bonding material 102C may be filled in 50% or more of the volume of the gap 40Ca, or may be only filled in less than 50%. Further, the bonding material 102C is in contact with at least one of the lower surface and the upper surface of the gap 40Ca (both in the illustrated example).
  • the substrate-side bonding material 102Ca located between the flange portion 25A and the substrate 40C is composed of an insulating material, and the insulating material (bonding material 102C) is the flange portion 25A. It reaches between the flange portion 25A and the metal member 50 via the outer peripheral surface of the flange portion 25A from between the substrate 40C and the base 40C. In this case, for example, heat dissipation from the collar portion 25A is reduced. As a result, the power supply efficiency is improved.
  • the substrate 40C has a terminal recess 44 into which a part of the terminal 22A (second portion 22Ab) is inserted, and a gap 40Ca opened on the inner peripheral surface of the terminal recess 44. have.
  • An insulating bonding material 102C is located between the terminal 22A and the inner peripheral surface 44a of the terminal recess 44 and in the gap 40Ca. In this case, for example, since the bonding material 102C is also located in the gap 40Ca, the adhesion between the bonding material 102C and the substrate 40C is improved, and the reliability of bonding is improved.
  • FIG. 8 is a diagram showing a fifth embodiment in the present disclosure, and corresponds to FIG.
  • the fifth embodiment can be regarded as a modification of the third embodiment.
  • the description of the third embodiment may be incorporated for matters not particularly mentioned.
  • the bonding material 102B spreads over the entire fourth surface 43b (bottom surface) of the recess 43.
  • the joining material 102B of the third embodiment is divided in the direction along the fourth surface 43b, and becomes the joining material 102D and the joining material 103A.
  • the dividing position is, for example, between the connecting portion 51 and the inner surface of the recess 63 of the cover 60.
  • the bonding material 102D may be regarded as the same as the bonding material 102 of the first embodiment. Then, in addition to the joining material 102 of the first embodiment, a joining material 103A for joining the upper end of the cover 60B (the fourth cover surface 62a and its surroundings) and the base 40 is provided. The joining material 103A may be connected to the joining material 103 in the same manner as the joining material 102B of the third embodiment.
  • At least one of the joint between the metal member 50 and the bottom surface (fourth surface 43b) of the recess 43 and the joint between the cover 60B and the bottom surface of the recess 43 is formed. It has the joining materials 102B and 103A of. Therefore, the airtightness around the terminal 22 and / or in the cover 60B is improved.
  • the substrate is bonded to the hollow member via the first bonding material.
  • the substrate may be integrally joined by firing.
  • the materials of the first joint material to the fourth joint material can be arbitrarily set, and the materials of these joint materials can be the same.
  • the temperature of the heat treatment for the first joint material to the fourth joint material at the time of assembling the substrate structure can be made the same.
  • the manufacturing process can be simplified.
  • the conductor which is a resistance heating element has been described.
  • the conductor may be an electrostatic chuck that adsorbs the wafer on the first surface, or may be a high-frequency electrode used when generating plasma.
  • the terminals may be arranged on the upper surface of the substrate, the side surface of the substrate, or the like.
  • the place where the terminal is arranged is arbitrary.
  • the substrate structure in which the first surface on which the wafer is placed is parallel to the second surface has been described.
  • the first plane does not necessarily have to be parallel to the second plane.
  • the substrate structure in which the substrate has a recess has been described.
  • the substrate does not have to have a recess.
  • the recess may not be located inside the hollow member or may not be fitted to the cover.
  • the substrate structure in which the metal member has a recess on the upper end side has been described.
  • the depression is not an essential component and may be eliminated if necessary.
  • an example in which the first portion is covered with a depression has been described.
  • the first portion may be covered with the protrusion. That is, there are at least two or more methods in which the metal member covers the terminal (first portion).
  • the cover has a recess.
  • the cover is not limited to the one having a recess.
  • the cover may have a flat plate shape that closes the recess of the substrate.
  • such a cover may have, for example, a notch cut out to a depth overlapping the recess of the substrate at the edge.
  • the metal member may be extended from the notch.
  • the substrate structure of the present disclosure can also mount an object other than the wafer.
  • the wafer mounted on the substrate structure of the present disclosure is not limited to a semiconductor, and includes, for example, a crystal wafer.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

基体構造体は、絶縁性の基体と、基体内に位置している導体と、少なくとも一部が基体内に位置して導体に電気的に接続されている端子と、を備えている。端子は、基体の外部に臨んでいる第１部位を有する。カバーは、凹部を有し、凹部の開口部分が基体に臨み、少なくとも一部に挿通孔を有する。金属部材は、第１端から第２端に亘る長さを有し、第１端側が端子に接続され、凹部内から挿通孔内に亘り、第２端がカバー外に位置している。少なくとも基体およびカバーの凹部により囲まれた領域は、密閉空間である。

Description

基体構造体およびウエハ載置装置
　本開示は、基体構造体、および基体構造体を用いたウエハ載置装置に関する。
　例えば、半導体を製造する半導体製造装置において、ウエハなどの対象物が載置される基体構造体が知られている。基体構造体としては、例えば、下記特許文献１に開示のセラミックヒータ、および下記特許文献２に開示のウエハ保持体が知られている。
特開２００３－１５１７２７号公報 特開２０１２－２０４４９７号公報
　本開示の一態様にかかる基体構造体は、絶縁性の基体と、導体と、端子と、カバーと、金属部材とを備えている。前記導体は、前記基体内に位置している。前記端子は、少なくとも一部が前記基体内に位置して前記導体に電気的に接続されている。また、前記端子は、前記基体の外部に臨んでいる第１部位を有する。前記カバーは、凹部を有し、前記凹部の開口部分が前記基体に臨み、少なくとも一部に挿通孔を有する。前記金属部材は、第１端から第２端に亘る長さを有し、前記第１端側が前記端子に接続され、前記凹部内から前記挿通孔内に亘り、前記第２端が前記カバー外に位置している。少なくとも前記基体および前記カバーの前記凹部により囲まれた領域が、密閉空間である。
　本開示の一態様にかかるウエハ載置装置は、上記基体構造体と、前記導体に給電可能な電力供給部と、前記電力供給部の給電を制御する制御部と、を有している。
第１実施形態におけるウエハ載置装置の模式的な斜視図である。 図１に示されたウエハ載置装置のII－II線断面図である。 図２に示されたIII拡大図である。 図３に示されたIV拡大図である。 第２実施態様における基体構造体の端子周辺の断面を示す図である。 第３実施態様における基体構造体の端子周辺の断面を示す図である。 第４実施態様における基体構造体の端子周辺の断面を示す図である。 第５実施態様における基体構造体の端子周辺の断面を示す図である。
　本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。尚、説明中、上下とは基体構造体にウエハが載置される状態を基準として上下をいう。また、図中、Ｕｐは上、Ｄｎは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示したものであり、細部が省略されていることもある。断面図は、図１のII－II線におけるもののみが例示される。図２に示す直線Ｌｉ回りの向きが異なる他の断面は、矛盾等が生じない範囲で、II－II線における断面と同様とされたり、II－II線における断面から類推されたりしてよい。
　また、本開示を説明するに当たって、上端および下端などの方向を表す表現が所々に用いられる。これらの表現は図との関係で便宜的に用いられたものである。このため、上端が上方側の端部に限定されることはなく、下端が下方側の端部に限定されることはない。以下、上端を一端（一方の端部）と読み替えることができるし、下端を他端（他方の端部）と読み替えることができる。尚、上面および下面などの上下方向を表す表現についても同様である。
［第１実施形態］
　図１を参照する。ウエハ載置装置１０は、対象物（例えば、ウエハ）が載置される基体構造体２０と、この基体構造体２０に電力を供給する電力供給部１１と、この電力供給部１１における電力の供給を制御する制御部１３と、を有している。
（基体構造体）
　図２を参照する。基体構造体２０は、筒状の中空部材３０と、この中空部材３０に接合され対象物が載置される基体４０と、この基体４０内に位置する導体２１と、基体４０内に少なくとも一部が位置すると共に導体２１に接続された端子２２（金属体２２）と、この端子２２を介し導体２１と電気的に接続された金属部材５０と、この金属部材５０の一部を覆うと共に基体４０に接合されているカバー６０と、金属部材５０および電力供給部１１を通電可能に接続する配線部１４と、を有している。
（中空部材）
　中空部材３０は、基体４０を支持している。中空部材３０は、上端が基体４０の下面に接合され、下端が基体４０から離れる方向に臨んでいる。筒状の中空部材３０の内側には、基体４０に接合されたカバー６０が位置している。別の観点では、中空部材３０は、カバー６０が基体４０に接合されている周囲の位置にて基体４０に接合されている。中空部材３０はカバー６０を収容している。
　中空部材３０の形状は任意である。１つの態様として、中空部材３０は、例えば、貫通孔を有し、中空部分が円柱形状を呈している。その他の態様として、中空部材３０は、例えば、貫通孔を有し、中空部分が四角柱などの多角柱による形状を呈している。平面視形状としては、例えば、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよいし、矩形状などの多角形状を呈していてもよい。中空部材３０の素材は、任意である。１つの態様として、中空部材３０の素材は、例えば、絶縁性のセラミックスである。その他の態様として、中空部材３０の素材は、例えば、導電性の素材（金属）である。中空部材３０の中央に位置する孔の形状は、任意である。
　中空部材３０は、基体４０の下面に臨んでいる上面部３１と、この上面部３１とは反対側に位置する下面部３２と、これら上面部３１および下面部３２を繋ぐと共に中空部材３０の内面を構成している内面部３３と、上面部３１および下面部３２を繋ぐと共に中空部材３０の外面を構成している外面部３４と、を有している。
　図３の例において、内面部３３および外面部３４は、互いが基体４０の厚さ方向に延びる直線Ｌｉに沿っている。その他の態様として、内面部３３および外面部３４は、基体４０の厚さ方向に延びる直線Ｌｉに対して傾斜していてもよい。
　中空部材３０は、後述する基体４０内の流路に流体を導入する通路（図示せず）を有していてもよい。通路には、気体または液体からなる流体が通る。通路の形状や大きさなどは、適宜設定することができる。
　ここで、基体４０と中空部材３０との間には、例えば、両者を接合する絶縁性の接合材１０１（以下、第１接合材１０１と呼ぶ。）が位置してもよい。第１接合材１０１によって、中空部材３０に対して基体４０が接合されている。第１接合材１０１は、基体４０の下面と上面部３１との間に位置してもよいし、基体４０の下面と内面部３３とに接する箇所に位置してもよいし、基体４０の下面と外面部３４とに接する箇所に位置してもよい。第１接合材１０１が位置する箇所は、上記にいう２つ以上の組み合わせでもよい。１つの例として、第１接合材１０１は、周方向の全体に亘って基体４０と中空部材３０との境界に位置している。尚、第１接合材１０１は絶縁性接合材と言い替えることもできる。
　第１接合材１０１の厚み（上下方向）は、任意である。第１接合材１０１の厚みは、基体４０と上面部３１との間において、例えば、１ｍｍ以上であってもよいし、３ｍｍ以上であってもよいし、５ｍｍ以上であってもよいし、１０ｍｍ以上であってもよいし、１５ｍｍ以上であってもよい。更には、第１接合材１０１の厚みは、基体４０と上面部３１との間において、１ｍｍより小さくてもよい。
　第１接合材１０１の素材は、任意である。１つの態様として、第１接合材１０１の素材は、例えば、ガラスであってもよい。この時、第１接合材１０１はガラス層である、ということができる。ガラスは、例えば、珪酸ガラスや結晶化ガラスなどからなる。その他の態様として、第１接合材１０１は、ガラス以外の接合材（接着材）でもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が基体４０（基体４０がセラミックスである場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。更には、第１接合材１０１は、ガラス層とガラス以外の素材との２層であってもよい。尚、第１接合材１０１は絶縁性接合材である、ということができる。
　中空部材３０は、下面部３２を別部品（図示せず）に接続させてもよい。中空部材３０を別部品に接続させる場合、下面部３２と別部品との間にも接合材（第１接合材１０１と同一または異なる接合材）を位置させてもよい。これにより、中空部材３０の内側に外気が入り込むことが抑制される。尚、中空部材３０と別部品とは、例えば、ネジ止めなどによって固定されてもよい。
（基体）
　基体４０は、例えば、セラミックスなどの絶縁性の素材である。基体４０がセラミックスである場合、基体４０を構成するセラミックスは、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、および窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を主成分とする。より詳細には、基体４０は、窒化アルミニウムを主成分とする焼結体（窒化アルミニウム質セラミックス）である。ここでいう主成分とは、例えば、基体４０を構成する全成分１００質量％のうち、５０質量％以上又は８０質量％以上を占める成分のことである。
　図２に示す例において、基体４０は、上下に厚みがある平板状の基板である。基体４０の形状は任意である。基体４０の形状は、平面視において、円形状、楕円形状、矩形状、台形状などを呈していてもよい。基体４０の大きさは任意である。基体４０の寸法は、例えば、直径（平面視における形状が円形でない場合は例えば円相当径）が２０ｃｍ以上４０ｃｍ以下、厚さが５ｍｍ以上３５ｍｍ以下である。
　図２及び図３を参照する。基体４０は、対象物が載置される第１面４１と、この第１面４１とは反対側の面を構成する第２面４２と、この第２面４２から第１面４１に向かって凹んだ凹み４３と、を有している。第１面４１は基体４０の上面を構成し、第２面４２は基体４０の下面を構成している。第１面４１および第２面４２は、互いに平行である。
　凹み４３は、中空部材３０の内側に位置し、例えば、第１面４１に対し平行な断面において、円形状、楕円形状または矩形状などの多角形状を呈している。図３に示す例において、凹み４３は、第２面４２から第１面４１に向かって延びている第３面４３ａと、この第３面４３ａと繋がっており凹み４３の底を構成している第４面４３ｂと、を有している。
　第３面４３ａの長さは任意であり、上下方向における基体４０の厚みに対して、１／２以上の大きさであってもよいし、１／４以上の大きさであってもよいし、１／８以上の大きさであってもよい。更には、第３面４３ａの長さは、上記にいう基体４０の厚みに対して、１／８より小さくてもよい。図３に示す例において、第３面４３ａは、直線Ｌｉに沿って延びている。
　第３面４３ａによって囲われた領域には、端子２２の基体４０外に位置する部位が位置している。つまり、第３面４３ａは端子２２の基体４０外に位置する部位を囲っている、ということができる。更に、第３面４３ａによって囲われた領域には、金属部材５０の上端が位置している。つまり、第３面４３ａは端子２２に接続された金属部材５０の上端を囲っている、ということができる。図３に示す例において、第４面４３ｂは、直線Ｌｉに対して垂直である。
　基体４０は、載置されたウエハを冷却する流体、および／または、後述する抵抗発熱体によって加熱される流体が通る流路を内部に有していてもよい。この流路の形状や大きさなどは、流路の使用目的に応じて適宜変更することができる。つまり、使用目的に応じて流される、気体または液体からなる様々な種類の流体によって、流路の形状や大きさを決めることができる。
　（導体）
　図２を参照する。導体２１は、電力供給部１１からの電力によって発熱する抵抗発熱体であってもよい。抵抗発熱体が発熱することにより、第１面４１に載置されたウエハが加熱される。つまり、基体構造体２０はヒータである、ということができる。導体２１は、例えば、コイルまたは層状導体などからなる。導体２１は、端子２２の上面に接続（直接接続）されている。尚、導体２１は、端子２２の側面に接続されてもよい。
　導体２１は、例えば、基体４０の平面透視で渦巻き状またはミアンダ状を呈している。なお、図２は、層状の導体２１が渦巻き状またはミアンダ状に延びている例において、導体２１が延びる方向に直交する断面（導体２１の幅方向に沿う断面）において導体２１が示されている。導体２１は、第１面４１に沿って基体４０の全域に亘っていてもよい。これにより、第１面４１全体の温度を効率よく上げること上げることができる。導体２１は、例えば、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏまたはＰｔなどからなる金属、または、これらの少なくとも一部を含む合金である。このような導体２１は、例えば、焼結前の基体にスクリーン印刷をし、この基体を焼成することにより基体４０内に位置させることができる。その他の態様として、導体２１は、ＣＶＤや蒸着、スパッタなどの方法を用いて基体４０内に位置させることができる。
　基体構造体２０は、導体２１を１つ以上有していればよい。その他の態様において、基体構造体２０は、導体２１を２つ以上有していてもよい。基体構造体２０が導体２１を２つ有する場合、これらの導体２１の素材は、それぞれ異なっていてもよい。２つの導体２１、２１は、長さおよび／または太さが異なっていてもよい。２つの導体２１、２１は、それぞれ抵抗値が異なっていてもよい。
　（端子）
　図３を参照する。端子２２は、基体４０の厚み方向に所定の長さを有する金属（バルク材）であってもよい。端子２２は、例えば、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏまたはＰｔなどからなる金属、または、これらの少なくとも一部を含む合金である。端子２２の形状は任意である。端子２２は、例えば、端子２２が延びる方向に垂直な断面において、円形状、矩形状、五角形状などを呈している。
　端子２２は、基体４０外に臨んでいる第１部位２２ａと、基体４０内に位置し導体２１に接している第２部位２２ｂと、を有している。
　第１部位２２ａは、体積に関して、端子２２の全体に対して、１５％以上を占めていてもよいし、３５％以上を占めていてもよいし、５０％以上を占めていてもよいし、６５％以上を占めていてもよい。端子２２の全体に対し第１部位２２ａが占める割合は、１５％よりも小さくてもよい。更に、第１部位２２ａは、全部が基体４０内に位置していてもよい。第１部位２２ａの全部が基体４０内に位置している場合、第１部位２２ａの下端のみが基体４０外に露出し、この下端が基体４０外に臨んでいる。第１部位２２ａは、金属部材５０に接続されている。
　図３に示す例において、第１部位２２ａの表面は、ネジ形状を呈してもよい。更に、端子２２は、ネジ形状を有する金属部材５０に螺合されてもよい。その他の態様として、第１部位２２ａの表面は、例えば、平滑であってもよい。
　図３に示す例において、第２部位２２ｂの表面は、平滑であってもよい。その他の態様として、第２部位２２ｂの表面は、ネジ形状を呈していてもよい。第２部位２２ｂの表面がネジ形状を呈していることにより、基体４０に対する第２部位２２ｂの接触面積が増える。これにより、第２部位２２ｂの表面が平滑な場合と比べ、端子２２は、基体４０に対し強く固定される。第２部位２２ｂは、その上面が導体２１の下面と接続されていてもよいし（図３の例）、その側面（外周面）が導体２１の側面又は導体２１の孔の内周面と接続されていてもよい（後述する図５参照。）。
　ここで、基体構造体２０は、端子２２を複数（２つ以上）有することができる。図３に示す例では、基体構造体２０は、端子２２を２つ有している。但し、基体構造体２０が有する端子２２の数は、１つであってもよい。
　（金属部材）
　金属部材５０は、上端（第１端）から下端（第２端）に亘る長さを有している。金属部材５０の上端側は、端子２２に接続されていると共に、カバー６０によって覆われている。金属部材５０の下端側は、カバー６０の外部に位置している。金属部材５０は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏまたはＰｔなどからなる金属、または、これらの少なくとも一部を含む合金である。合金における１つの例として、Ｆｅを主成分とするステンレス鋼を挙げることができる。尚、金属または合金の種類は、コスト面や耐久性などの観点を踏まえて、適宜設定することができる。例えば、金属をＮｉまたはＰｔとした場合、耐酸化の観点における、金属部材５０の耐久性を向上させることができる。これにより、基体構造体２０の耐久性が向上する。尚、耐酸化性能の向上の観点から、金属部材５０をＮｉまたはＰｔを含む合金とすることもできる。更には、金属部材５０の表面にＮｉめっきやＰｔめっきを施すこともできる。
　図３に示す例において、金属部材５０は、金属部材５０の上端側を構成し端子２２に接続されている接続部５１と、この接続部５１から基体４０とは反対側に延び金属部材５０の下端側を構成している延在部５２と、を有している。
　図３に示す例において、接続部５１は、接続部５１の上端を構成するＡ面５１ａと、このＡ面５１ａとは反対側に位置し接続部５１の下端を構成するＢ面５１ｂと、Ａ面５１ａからＢ面５１ｂに向かって窪んでいる窪み５１ｃ（符号は図４）と、を有している。
　図３に示す例において、Ａ面５１ａは、基体４０に接合されている。これらのことから、金属部材５０は端子２２の周囲にて基体４０に接合されている、ということができる。
　窪み５１ｃは、Ａ面５１ａに位置しており、Ａ面５１ａと共に端子２２の第１部位２２ａに臨んでいる。更に、窪み５１ｃは、第１部位２２ａを覆っている。このことから、金属部材５０（金属部材５０の上端側）は、基体４０の外側から第１部位２２ａを覆っている、ということができる。
　窪み５１ｃの形状は任意である。窪み５１ｃは、平面視において、例えば、円形状、楕円形状、矩形状などの多角形状などを呈している。窪み５１ｃの内径は、第１部位２２ａの外径よりも僅かに大きい。窪み５１ｃは、金属部材５０の縦断面において、例えば、矩形状、台形状、半円形状、半楕円形状などを呈していてもよい。
　図４の例において、窪み５１ｃは、Ａ面５１ａからＢ面５１ｂに向かって延びている内壁５３ａと、この内壁５３ａの下部に繋がっており窪み５１ｃの底を構成している底部５３ｂと、を有している。
　内壁５３ａは、表面にネジ形状を有していてもよい。繰り返しになるが、表面にネジ形状を有する内壁５３ａは、ネジ形状を有する第１部位２２ａに螺合されていてもよい。更に、内壁５３ａは、平滑であってもよい。内壁５３ａは、直線Ｌｉに対して平行であってもよいし、直線Ｌｉに対して所定の角度だけ傾いていてもよい。
　底部５３ｂは、窪み５１ｃを構成する要素のうちＢ面５１ｂ側に位置していると共に、基体４０の第４面４３ｂに臨んでいる面（部位）である。図４の例において、底部５３ｂは、第１面４１に対し平行であってもよい。その他の例において、底部５３ｂは、第１面４１に対して所定の角度だけ傾いていてもよい。例えば、底部５３ｂが所定の角度だけ傾いていることにより、底部５３ｂに回転体などを押し当てることにより、容易に窪み５１ｃを作ることができる。
　図３の例において、延在部５２は、接続部５１の下端から下方に向かって延びている。延在部５２の径は、例えば、接続部５１の径よりも小さい。延在部５２の径の大きさは、例えば、接続部５１の径に対して、１／２以下であってもよいし、１／４以下であってもよいし、１／８以下であってもよい。延在部５２の径の大きさは、例えば、接続部５１の径に対して、１／２よりも大きくてもよい。尚、延在部５２の径の大きさは、接続部５１の径と同一であってもよい。
　図２に示す例において、延在部５２（金属部材５０）の下端は、中空部材３０の中央よりも上方側に位置していてもよい。その他の態様において、延在部５２の下端は、中空部材３０の中央よりも下方側に位置していてもよい。更には、延在部５２の下端は、中空部材３０の下端よりも下方に位置していてもよい。この場合、基体構造体２０は、延在部５２が電力供給部１１に直接接続された構造であってもよい。
　図４を参照する。図４に示す例において、端子２２と接続部５１との間には、これらを通電可能に接続する金属層２３が位置していてもよい。金属層２３は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏまたはＰｔなどからなる金属、または、これらの少なくとも一部を含む金属である。尚、金属または合金の種類は、コスト面や耐久性などの観点を踏まえて、適宜設定することができる。例えば、金属をＮｉまたはＰｔとした場合、耐酸化の観点における、金属層２３の耐久性を向上させることができる。これにより、基体構造体２０の耐久性が向上する。尚、耐酸化性能の向上の観点から、金属層２３をＮｉまたはＰｔを含む合金とすることもできる。
　金属層２３は、例えば、窪み５１ｃ内に位置してよい。より詳細には、金属層２３は、例えば、端子２２と底部５３ｂとの間、および、端子２２と内壁５３ａとの間の少なくとも一方の間に位置してよい。金属層２３は、端子２２と底部５３ｂとの間、および、端子２２と内壁５３ａとの間の少なくとも一方の間に位置する部位に加えて、又は代えて、窪み５１ｃ外に位置する部位を含んでもよい。
　基体４０と接続部５１との間には、例えば、絶縁性の接合材１０２（以下、第２接合材１０２と呼ぶ。）が位置してもよい。図４に示す例において、第２接合材１０２は、金属層２３よりも基体４０側における、基体４０とＡ面５１ａとの間に位置している。別の観点では、第１面４１（図２参照）から下方に向かう方向（基体４０から端子２２に向かう方向）において、第２接合材１０２および金属層２３は、この順で位置している。尚、第２接合材１０２は、基体４０とＡ面５１ａ以外の箇所（例えば、基体４０および接続部５１の側面に接する箇所）に位置していてもよい。更に、第２接合材１０２は、上記２つ以上の組み合わせによる箇所に位置してもよい。別の観点では、第２接合材１０２は、Ａ面５１ａと、Ａ面５１ａに対向する基体４０の面（図示の例では凹み４３の底面である第４面４３ｂ）との隙間の大きさ（上下方向）と同等の厚みを有していてもよいし、当該厚みよりも大きい厚さを有していてもよい。
　第２接合材１０２は、例えば、周方向の全体に亘って第１部位２２ａ（端子２２）と接続部５１との間に位置し、第１部位２２ａ（端子２２）を封止してもよい。接続部５１は、例えば、基体４０の外側から端子２２を覆い、端子２２の周囲にて基体４０に接合されて端子２２を封止してもよい。第２接合材１０２の少なくとも一部は、金属層２３に接していてもよいし、金属層２３に接していなくてもよい。第２接合材１０２は、基体４０と共に金属層２３を覆ってもよい。これにより、金属層２３の気密性を向上させることができる。
　第２接合材１０２の素材は、任意である。１つの態様として、第２接合材１０２は、ガラスである。ガラスとしては、例えば、珪酸ガラスや結晶化ガラスなどを採用することができる。上記のように、第２接合材１０２がガラスである場合、第２接合材１０２はガラス層である、ということができる。尚、第２接合材１０２は、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が基体４０（基体４０がセラミックスである場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。更には、第２接合材１０２は、ガラス層とガラス以外の素材との２層であってもよい。第２接合材１０２の成分は、第１接合材１０１の成分と同一であってもよいし、異なっていてもよい。尚、第２接合材１０２は絶縁性接合材である、ということができる。
　図４に示す例において、２つの接続部５１、５１は、２つの端子２２、２２に接続された状態において、それぞれ基体４０に接合されている。２つの接続部５１、５１は、それぞれ第２接合材１０２を介して基体４０に接合されている。このような基体構造体２０においては、一方の接続部５１と基体４０とを接合している第２接合材１０２、および、他方の接続部５１と基体４０とを接合している第２接合材１０２を共に一体的に連続させることができる。一方の接続部５１を接合している第２接合材１０２の成分は、他方の接続部５１を接合している第２接合材１０２の成分と同一であってもよいし、他方の接続部５１を接合している第２接合材１０２の成分と異なっていてもよい。
　（カバー）
　図３を参照する。図３に示す例では、カバー６０は、上部が開口した箱状を呈している。図３に示す例では、カバー６０は、基体４０を構成する凹み４３に嵌合されている。カバー６０が凹み４３に嵌合されているため、カバー６０の内側の領域ＳＰは密閉された空間ＳＰである、ということができる。
　カバー６０の形状は任意である。カバー６０は、外観における形状が、例えば、円柱形状であってもよいし、立方形状などであってもよい。カバー６０は、平面視の形状が、例えば、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、矩形状などの多角形状であってもよい。更に、カバー６０は、側方視の形状が、例えば、矩形状であってもよいし、半円形状または半楕円形状であってもよいし、台形形状であってもよい。
　図３に示す例において、カバー６０によって密閉された空間ＳＰ内には、第１部位２２ａ（端子２２）、第２接合材１０２、接続部５１および金属層２３が位置している。１つの態様として、カバー６０によって密閉された空間ＳＰ内は、例えば、不活性ガスで満たされていてもよい。これにより、カバー６０によって密閉された空間ＳＰ内に酸素が含まれることが抑制される。その他の態様として、カバー６０によって密閉された空間ＳＰ内は、例えば、真空であってもよい。
　図３に示す例において、カバー６０は、上面が開口した箱状の厚肉部６１と、この厚肉部６１の上面から基体４０に向かって突出している薄肉部６２と、を有している。更に、カバー６０は、薄肉部６２の開口部分から厚肉部６１に向かうと共に、カバー６０の内面を構成する凹部６３を有している。
　厚肉部６１は、薄肉部６２よりも肉厚が厚い。カバー６０を上下方向に沿って見ると、カバー６０は、厚肉部６１および薄肉部６２の境界を境として、上下方向で外径が異なる。厚肉部６１の外径は、薄肉部６２の外径よりも大きい。カバー６０の外側（外面）は、屈曲を有している。厚肉部６１の内径および薄肉部６２の内径は、互いに同一である。ただし、両者は異なっていてもよい。
　厚肉部６１は、厚肉部６１の上面を構成し薄肉部６２に繋がっている第１カバー面６１ａと、この第１カバー面６１ａから方向に向かって延びる第２カバー面６１ｂと、この第２カバー面６１ｂに繋がっており厚肉部６１の下面を構成している第３カバー面６１ｃと、この第３カバー面６１ｃの少なくとも一部を開口した挿通孔６４と、を有している。
　図３に示す例において、第１カバー面６１ａは、基体４０に対向している。第１カバー面６１ａと基体４０とには、間隔がある。この間隔の大きさは、例えば、０．１ｍｍ以上であってもよいし、０．５ｍｍ以上であってもよいし、１ｍｍ以上であってもよいし、０．１ｍｍより小さくてもよい。図３に示す例において、上記間隔内には後述する第３接合材１０３が位置している。尚、第１カバー面６１ａと基体４０との間には、間隔が空いてなくてもよい。
　図３に示す例において、カバー６０は、２つの挿通孔６４、６４を有している（少なくとも一部に挿通孔６４を有している）。２つの挿通孔６４、６４には、それぞれ延在部５２、５２が通っている。挿通孔６４の数は、任意であり、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。挿通孔６４と延在部５２との間には、間隔がある。この間隔の大きさは、例えば、０．１ｍｍ以上であってもよいし、０．５ｍｍ以上であってもよいし、１ｍｍ以上であってもよいし、０．１ｍｍより小さくてもよい。図３に示す例において、上記間隔内には後述する第４接合材１０４が位置している。
　薄肉部６２は、基体４０の凹み４３に臨んでいる第４カバー面６２ａと、この第４カバー面６２ａおよび第１カバー面６１ａを繋いでいる第５カバー面６２ｂと、を有している。
　凹部６３の形状は、任意であり、カバー６０の縦断面において、例えば、矩形状、半円形状、半楕円形状、台形形状などを呈している。凹部６３の開口部分は基体４０に臨んでおり、基体４０および凹部６３によって囲われた密閉空間ＳＰには、第１部位２２ａ（端子２２）、第２接合材１０２、接続部５１および金属層２３が位置している。接続部５１を凹部６３内に位置させる金属部材５０は、挿通孔６４を通って下端側（延在部５２）をカバー６０外に位置させている。
図３に示す例において、基体４０と第１カバー面６１ａとの間には、接合材１０３（以下、第３接合材１０３と呼ぶ。）が位置している。その他の態様として、第３接合材１０３は、基体４０と第２カバー面６１ｂとに接する箇所に位置していてもよいし、基体４０と第５カバー面６２ｂとに接する箇所に位置していてもよい。更には、第３接合材１０３は、上記３箇所のうちの２つ以上を組み合わせた箇所に位置していてもよい。第３接合材１０３は、カバー６０を基体４０に接合させている。第３接合材１０３は、例えば、基体４０とカバー６０との間に周方向の全体に亘って位置してもよい。
　第３接合材１０３の素材は、任意である。１つの態様として、第３接合材１０３は、ガラスである。ガラスとしては、例えば、珪酸ガラスや結晶化ガラスなどを採用することができる。上記のように、第３接合材１０３がガラスである場合、第３接合材１０３はガラス層である、ということができる。尚、第３接合材１０３は、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が基体４０やカバー６０（基体４０やカバー６０がセラミックスである場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。更には、第３接合材１０３は、ガラス層とガラス以外の素材との２層であってもよい。第３接合材１０３の成分は、第１接合材１０１および／または第２接合材１０２の成分と同一であってもよいし、異なっていてもよい。尚、第３接合材１０３は絶縁性接合材である、ということができる。
　図３に示す例において、延在部５２と挿通孔６４の内面との間には、接合材１０４（以下、第４接合材１０４と呼ぶ。）が位置している。その他の態様として、第４接合材１０４は、第３カバー面６１ｃと延在部５２とに接する箇所に位置してもよいし、凹部６３（例えばその底面）と延在部５２とに接する箇所に位置してもよい。更には、第４接合材１０４は、上記３箇所のうちの２つ以上を組み合わせた箇所に位置してもよい。第４接合材１０４は、延在部５２と挿通孔６４の内面との間を埋めている。
　第４接合材１０４の素材は、任意である。１つの態様として、第４接合材１０４は、ガラスである。ガラスとしては、例えば、珪酸ガラスや結晶化ガラスなどを採用することができる。上記のように、第４接合材１０４がガラスである場合、第４接合材１０４はガラス層である、ということができる。尚、第４接合材１０４は、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が基体４０（基体４０がセラミックスであり、金属部材５０がタングステンＷの場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。更には、第４接合材１０４は、ガラス層とガラス以外の素材との２層であってもよい。第４接合材１０４の成分は、第１接合材１０１および／または第２接合材１０２の成分と同一であってもよいし、異なっていてもよい。更には、第４接合材１０４の成分は、第３接合材１０３の成分と同一であってもよいし、異なっていてもよい。尚、第３接合材１０３は絶縁性接合材である、ということができる。また、第４接合材１０４は、第１～第３接合材１０１、１０２、１０３と共に接合層と呼ぶこともできる。
　接合材１０３、１０４によってカバー６０が接合されることで、凹部６３によって囲まれた領域ＳＰ（密閉空間ＳＰ）の気密性はより向上する。また、例えば、第３接合材１０３が基体４０とカバー６０との間を周方向の全体に亘って塞ぐことにより、凹部６３によって囲まれた領域ＳＰの気密性をより向上させることができる。また、例えば、第４接合材１０４が金属部材５０とカバー６０との間を周方向の全体に亘って塞ぐことにより、凹部６３によって囲まれた領域ＳＰの気密性をより向上させることができる。
　（配線部）
　図２を参照する。図２に示す例において、配線部１４は、上端が金属部材５０に接続され、下端が電力供給部１１に接続されている。配線部１４は、例えば、全部が中空部材３０内に位置してもよいし、一部のみが中空部材３０内に位置してもよい。
　（電力供給部）
　電力供給部１１は、基体４０の外部に位置し、配線部１４を介して導体２１（例えば、抵抗発熱体）に電力を供給する。電力供給部１１は、配線部１４を介して導体２１と電気的に接続されている。電力供給部１１は、電源から供給された電力を適切な電圧の電力に変換して、これを導体２１に供給する電源回路を含んでいる。
　（制御部）
　制御部１３は、電力供給部１１における導体２１への電力の供給を制御する。例えば、制御部１３が電力供給部１１を制御することによって、抵抗発熱体は発熱する。抵抗発熱体が発熱することによって、第１面４１に載置された対象物が加熱される。
　基体構造体２０は、少なくとも基体４０およびカバー６０の凹部６３により囲まれた領域ＳＰを有している。基体４０および凹部６３に囲まれた領域ＳＰには、金属部材５０の第１端側に接続された端子２２が位置している。このため、基体４０および凹部６３に囲まれた領域ＳＰ内に端子２２が位置している、ということができる。結果、端子２２が位置する空間に外部の空気（例えば、酸素）が入ることが軽減される。これにより、端子２２酸素に触れることが抑制される。よって、基体構造体２０は耐久性を有する。
　加えて、領域ＳＰがカバー６０によって囲われているため、領域ＳＰはカバー６０によって密閉された密閉空間ＳＰである、ということができる。領域ＳＰが空間になっていることにより、領域ＳＰ内には温度変化に伴う熱応力が加わることが抑制される。結果、端子２２に負荷が加わることを抑制することができる。
　基体構造体２０は、カバー６０を収容していると共に、カバー６０と基体４０との接合位置の周囲にて基体４０に接合されている中空部材３０を更に有していてもよい。これにより、端子２２は、カバー６０と共に中空部材３０によって２重に囲われる。結果、カバー６０内に位置する端子２２の気密性をより向上することができる。よって、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　基体４０は、凹み４３を有していてもよい。更に、カバー６０は、凹み４３に嵌合された薄肉部６２と、薄肉部６２に繋がっており基体４０に一部が臨んでいる厚肉部６１と、を有している。薄肉部６２が凹み４３に嵌合されることで、基体４０およびカバー６０は、密着した状態で固定されることになる。更に、薄肉部６２に繋がっている厚肉部６１の一部が臨んでいることにより、例えば、基体４０と厚肉部６１との間に接合材を位置させることができる。これらにより、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　金属部材５０は、端子２２における第１部位２２ａを覆っていてもよい。第１部位２２ａが金属部材５０によって覆われることによって、端子２２の気密性をより向上させることができる。よって、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　加えて、端子２２に電気的に接続される金属部材５０が端子２２を封止する機能を備えることから、基体構造体２０の組み立て作業において、金属部材５０の取り付けと同時に端子２２を封止することができるようになる。更に、端子２２を封止するための別部品を用意することが不要になる。結果、基体構造体２０の組み立て作業の効率化を図ることができると共に、部品点数の増加を抑制することができる。
　金属部材５０は、第１端側に窪み５１ｃを有し、第１部位２２ａが、金属部材５０の窪み５１ｃにより覆われていてもよい。第１部位２２ａが窪み５１ｃによって覆われていることにより、端子２２の気密性がより向上する。結果、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　基体構造体２０は、金属層２３および基体４０のそれぞれに接し、基体４０と共に金属層２３を覆っているガラス層１０２を有していてもよい。金属層２３が基体４０と共にガラス層１０２により覆われていることによって、金属層２３は封止された状態になる。これにより、金属層２３が外部の空気に晒されることが抑制される。結果、金属層２３が酸化することが抑制される。よって、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　基体構造体２０は、基体４０の外側から第１部位２２ａを覆いつつ端子２２に接続されていると共に、基体４０に接合され端子２２を封止している金属部材５０を有していてもよい。端子２２が金属部材５０によって封止されることで、端子２２が直接的に空気（酸素）に触れることが抑制される。結果、基体構造体２０の耐久性が向上する。
　加えて、端子２２は、金属部材５０に覆われつつ（封止されつつ）金属部材５０に接続されていることから、基体構造体２０の組み立て作業において、金属部材５０の取り付けと同時に端子２２を封止することができる。更に、端子２２を封止するための別部品を用意することが不要になる。結果、基体構造体２０の組み立て作業の効率化を図ることができると共に、部品点数の増加を抑制することができる。
　図２を参照する。基体構造体２０は、導体２１が抵抗発熱体であるヒータであってもよい。これにより、基体構造体２０は、載置した対象物を直接加熱することができる。結果、基体構造体２０は、対象物の温度をより早く上昇させることができる。
　加えて、密閉された空間ＳＰ内に端子２２が位置していることから、対象物を加熱するときに酸素が高温の端子２２に接触することが抑制される。結果、ヒータは耐久性を有する。
　図１を参照する。ウエハ載置装置１０は、上記の基体構造体２０を含んでいる。これにより、ウエハ載置装置１０は耐久性を有する。
［第２実施形態］
　図５を参照する。図５は、本開示における第２実施形態を示した図であり、上記図４に対応している。第２実施形態における基体構造体２０Ａは、第１実施形態との関係において、端子２２Ａが鍔部２５Ａを有している点、および、端子２２Ａの周辺に金属層２３Ａがある点が主に異なっている。その他の具体的な構造（例えば、カバー６０など）については、第１実施形態による基体構造体２０と共通する。第１実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。以下に説明する種々の実施形態において、先に説明された実施形態の構成と対応する構成に関して、特に言及が無い事項は、先に説明された実施形態と同様とされたり、先に説明された実施形態から類推されたりしてよい。
　図５に示す例において、導体２１Ａは、後述する金属層２３Ａに接している。導体２１Ａは、金属層２３Ａを介して端子２２Ａに接続されている。
　端子２２Ａは、上端側が基体４０内に位置し下端側が基体４０外に位置する軸状部２４Ａと、この軸状部２４Ａの下端から接続部５１に向かって突出する突出部２６Ａと、基体４０外にて軸状部２４Ａの側面から側方に向かって突出している鍔部２５Ａと、を有している。
　端子２２Ａは、基体４０外に位置する第１部位２２Ａａと、基体４０内に位置する第２部位２２Ａｂと、に区別することができる。図５に示す例において、第１部位２２Ａａは、軸状部２４Ａの一部（下端側）、突出部２６Ａおよび鍔部２５Ａを構成する部位である。図５に示す例において、第２部位２２Ａｂは、軸状部２４Ａの残りの部分（上端側）を構成する部位である。
　図５に示す例において、突出部２６Ａは、表面の少なくとも一部にネジ形状を有し、金属部材５０の窪み５１ｃに螺合されてもよい。その他の態様において、突出部２６Ａは、表面が平滑であり、後述する金属層２３によって金属部材５０に接合されていてもよい。
　図５に示す例において、鍔部２５Ａは、突出部２６Ａから直線Ｌｉに交わる方向に突出している。鍔部２５Ａは、例えば、直線Ｌｉに対して垂直な方向に突出してもよい。その他の態様において、鍔部２５Ａは、例えば、直線Ｌｉに対する傾斜角度が６０°以下になるよう突出してもよいし、直線Ｌｉに対する傾斜角度が４５°以下になるよう突出してもよい。鍔部２５Ａは、例えば、少なくとも一部が基体４０に接合されている。尚、第１部位２２Ａａを構成する軸状部２４Ａから鍔部２５Ａが突出しているため、鍔部２５Ａは第１部位２２Ａａから突出している、ということができる。
　図５に示す例において、基体４０と端子２２Ａとの間には、少なくとも金属を含む導電性の金属層２３Ａａ（以下、第１金属層２３Ａａと呼ぶこともある。）が位置している。第１金属層２３Ａａは、導体２１Ａおよび端子２２Ａを通電可能に接続している。基体４０の端子２２Ａが挿入される凹部を端子用凹部４４とする。第１金属層２３Ａａは、端子用凹部４４の内周面４４ａと軸状部２４Ａとの間に位置してもよいし、および／または、端子用凹部４４の底面４４ｂと軸状部２４Ａとの間に位置してもよい。更に、第１金属層２３Ａａは、端子用凹部４４が開口している面（図示の例では凹み４３の底面である第４面４３ｂ）と鍔部２５Ａの上面との間に位置してもよい。別の観点では、第１金属層２３Ａａは、端子２２Ａの側面と導体２１の孔の内面（または側面）との間に介在して両者の接続に寄与してもよいし（図示の例）、端子２２Ａの上面と、導体２１の下面との間に介在して両者の接続に寄与してもよい。
　第１金属層２３Ａａは、接合材としての機能を有してもよい。言い替えると、第１金属層２３Ａａは、基体４０（および導体２１）および端子２２Ａに密着し、両者を接合していてよい。この場合、第１金属層２３Ａａは金属からなる導電性接合材である、ということができる。尚、図５に示す例において、第１金属層２３Ａａは、後述する基体側接合材１０２Ａａよりも上方に位置している。
　図５に示す例において、端子２２Ａと金属部材５０との間には、少なくとも金属を含む導電性の金属層２３Ａｂ（以下、第２金属層２３Ａｂと呼ぶこともある。）が位置している。第２金属層２３Ａｂは、端子２２Ａおよび金属部材５０を通電可能に接続している。第２金属層２３Ａｂは、Ａ面５１ａと鍔部２５Ａとの間に位置してもよいし、突出部２６Ａと内壁５３ａとの間に位置してもよいし、突出部２６Ａと底部５３ｂとの間に位置してもよい。更に、第２金属層２３Ａｂは、上記３つの箇所のうちの２つ以上を組み合わせた箇所に位置してもよい。
　第２金属層２３Ａｂは、接合材としての機能を有してもよい。言い換えると、第２金属層２３Ａｂは、端子２２Ａおよび金属部材５０に密着し、両者を固定していてよい。この場合、第２金属層２３Ａｂは金属からなる導電性接合材である、ということができる。第２金属層２３Ａｂの成分は、第１金属層２３Ａａの成分と同一であってもよいし、第１金属層２３Ａａの成分と異なっていてもよい。
　図５に示す例において、基体４０と端子２２Ａとの間には、第２接合材１０２Ａの一部（以下、基体側接合材１０２Ａａと呼ぶこともある。）が位置している。より具体的には、第１金属層２３Ａａが封止されるよう、第１金属層２３Ａａよりも下方の箇所において、基体側接合材１０２Ａａが基体４０と端子２２Ａとの間に位置している。この時、第１面４１（図２参照）から下方に向かう方向（基体４０から端子２２Ａに向かう方向）において、第１金属層２３Ａａおよび基体側接合材１０２Ａａは、この順に位置している。第１金属層２３Ａａは、基体４０、端子２２Ａおよび基体側接合材１０２Ａａによって覆われている。これにより、第１金属層２３Ａａは、基体４０および端子２２Ａと共に、基体側接合材１０２Ａａによって封止される。結果、金属層２３が外部の空気に晒されることが抑制される。よって、耐久性のある基体構造体２０Ａを提供することができる。
　基体側接合材１０２Ａａは、周方向の全体に亘って、基体４０と端子２２Ａとの間に位置していてもよい。これにより、第１金属層２３Ａａがより確実に封止される。尚、基体側接合材１０２Ａａは、鍔部２５Ａと基体４０（第４面４３ｂ）との間に位置してもよいし、軸状部２４Ａと基体４０（内周面４４ａ）との間に位置してもよい。更に、基体側接合材１０２Ａａは、これらの組み合わせによる箇所に位置してもよい。
　ここで、基体４０と鍔部２５Ａとの間に基体側接合材１０２Ａａ（接合材１０２）が位置している場合に着目する。鍔部２５Ａと基体４０との間に基体側接合材１０２Ａａが位置している場合、鍔部２５Ａは基体４０に接合されている、ということができる。鍔部２５Ａが基体４０に接合されていることにより、鍔部２５Ａが基体４０に接合されていない場合と比べ、基体４０に対して端子２２Ａをより強く接合される。更に、鍔部２５Ａと基体４０との間に基体側接合材１０２Ａａが位置していることにより、鍔部２５Ａが基体４０に接合されていない場合と比べ、基体４０と端子２２Ａとの間において、基体側接合材１０２Ａａの量が増える。これにより、第１金属層２３Ａａをより確実に封止することができる。結果、第１金属層２３Ａａの気密性をより向上させることができる。尚、基体側接合材１０２Ａａは、第１金属層２３Ａａに接していてもよいし、第１金属層２３Ａａに接していなくてもよい。基体側接合材１０２Ａａが第１金属層２３Ａａに接していることにより、第１金属層２３Ａａの気密性は更に向上する。
　基体側接合材１０２Ａａの素材は任意である。基体側接合材１０２Ａａは、例えば、ガラスからなる。基体側接合材１０２Ａａがガラスからなる場合、基体側接合材１０２Ａａはガラス層１０２Ａａである、ということができる。基体側接合材１０２Ａａがガラス層であることにより、例えば、端子２２Ａは、第１金属層２３Ａａと共にガラス層によって固定されることになる。ガラス層は、基体４０、端子２２Ａおよび金属層２３Ａ（第１金属層２３Ａａ）に対する接合力が大きい。結果、基体４０に対し端子２２Ａをより強固に接合することができる。尚、基体側接合材１０２Ａａは、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が基体４０（基体４０がセラミックスであり、端子２２Ａおよび／または金属部材５０がタングステンＷの場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。
　図５に示す例において、端子２２Ａと金属部材５０との間には、第２接合材１０２Ａの残り（以下、金属部材側接合材１０２Ａｂと呼ぶこともある。）が位置している。金属部材側接合材１０２Ａｂは、周方向の全体に亘って端子２２Ａと金属部材５０との間に位置してもよい。これにより、第２金属層２３Ａｂは、より確実に封止される。金属部材側接合材１０２Ａｂの一部は、端子２２Ａと内壁５３ａとの間に入り込んでいてもよい。金属部材側接合材１０２Ａｂは、第２金属層２３Ａｂに接していてもよいし、第２金属層２３Ａｂに接していなくてもよい。
　金属部材側接合材１０２Ａｂの素材は任意である。金属部材側接合材１０２Ａｂは、例えば、ガラスからなる。金属部材側接合材１０２Ａｂがガラスである場合、金属部材側接合材１０２Ａｂはガラス層である、ということができる。更に、金属部材側接合材１０２Ａｂは、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。尚、金属部材側接合材１０２Ａｂの成分は、基体側接合材１０２Ａａの成分と同一であってもよいし、基体側接合材１０２Ａａの成分と異なっていてもよい。尚、基体側接合材１０２Ａａは、ガラス以外の接合材（接着材）であってもよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３を主成分として含んだ化合物でもよい。これらを主成分として含んでいることにより、化合物の熱膨張係数が端子２２Ａおよび／または金属部材５０（端子２２Ａおよび／または金属部材５０がタングステンＷの場合）の熱膨張係数に近くなる。これにより、例えば、基体構造体２０において、半導体の製造などで用いられるハロゲン系腐蝕ガスに対する耐性を向上させることができる。尚、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＹ２Ｏ３の含有量については、適宜設定してよい。
　図５に示す例において、金属部材側接合材１０２Ａｂは、鍔部２５Ａの下面と金属部材５０の上端との間に位置してもよい。金属部材側接合材１０２Ａｂは、突出部２６Ａの側面と内壁５３ａとの間に位置してもよい。金属部材側接合材１０２Ａｂは、例えば、絶縁性の接合材であり、端子２２Ａと金属部材５０とを接合している。更に、金属部材側接合材１０２Ａｂは、例えば、第２金属層２３Ａｂと接し、第２金属層２３Ａｂを封止している。これらにより、第２金属層２３Ａｂの気密性を向上させることができる。
　第１金属層２３Ａａおよび第２金属層２３Ａｂは、第１実施形態に対応する金属層２３Ａを構成している。
［第３実施形態］
　図６は、本開示における第３実施形態を示した図であり、図３に対応している。第３実施形態は、第１実施形態との関係において、絶縁性の接合材１０２Ｂが凹み４３の第４面４３ｂ（底面）全体に広がっている点、および、接合材１０２Ｂがカバー６０Ｂと基体４０との接合にも寄与している点が主に異なっている。
　既述のように、接合材１０２Ｂは、第４面４３ｂの全体を覆っている。ここでいう接合材１０２Ｂに覆われる第４面４３ｂは、端子２２が挿入される端子用凹部４４等の凹部が形成されている領域を除く。また、第４面４３ｂの全体が接合材１０２Ｂによって覆われているといっても、接合材１０２Ｂを配置不可能な位置は接合材１０２Ｂによって覆われていなくてもよい。例えば、図示の例では、カバー６０Ｂと第４面４３ｂとの間に隙間が生じているが、カバー６０Ｂが第４面４３ｂに当接する部位を有する場合においては、その当接位置において、第４面４３ｂは接合材１０２Ｂによって覆われていなくてもよい。また、接合材１０２Ｂの粘性等に起因する空隙が生じていてもよい。例えば、第４面４３ｂと第３面４３ａとがなす角部付近において、比較的小さい空隙が生じ、接合材１０２Ｂが第４面４３ｂを覆っていなくてもよい。このような場合も、第４面４３ｂの全体が覆われている態様に含まれる。
　接合材１０２Ｂの材料、配置位置及び厚さ等は、矛盾しない限り、第１実施形態の接合材１０２に係る説明が援用されてよい。図６の例では、接合材１０２Ｂの厚さは、図３に例示した接合材１０２の厚さとは異なり、金属部材５０のＡ面５１ａと、Ａ面５１ａに対向する基体４０の面（凹み４３の底面である第４面４３ｂ）との隙間の大きさ（上下方向）よりも大きくされている。そして、接合材１０２Ｂは、Ａ面５１ａだけでなく、金属部材５０の側面にも接している。もちろん、接合材１０２Ｂは、金属部材５０のうちＡ面５１ａのみに接していてもよい。
　接合材１０２Ｂは、既述のように、カバー６０Ｂにも接しており、カバー６０Ｂと基体４０とを接合している（両者の固定に寄与している。）。さらに、接合材１０２Ｂは、カバー６０Ｂの周方向の全体に亘ってカバー６０Ｂと基体４０とに接し、密閉空間ＳＰの密閉に寄与してもよい。より詳細には、図６の例では、カバー６０Ｂの上面（第４カバー面６２ａ）は、第４カバー面６２ａに対向する基体４０の面（図示の例では凹み４３の底面である第４面４３ｂ）から離れている。そして、接合材１０２Ｂは、第４カバー面６２ａに接するとともに、カバー６０Ｂの内周面および外周面の一部にも接している。図示の例とは異なり、接合材１０２Ｂは、カバー６０Ｂの上面、内周面および外周面のいずれか１つのみに接するだけであってもよい。
　本実施形態では、接合材１０２Ｂは、凹み４３の第４面４３ｂ（底面）全体に広がっているとともに、カバー６０Ｂと基体４０とを接合している。ただし、接合材１０２Ｂは、第４面４３ｂ（底面）全体に広がっている一方で、カバー６０Ｂと基体４０とを接合していなくてもよい。例えば、カバー６０Ｂの上面（第４カバー面６２ａ）は、接合材１０２Ｂの厚みよりも大きい隙間で基体４０の第４面４３ｂから離れていてもよい。また、接合材１０２Ｂは、第４面４３ｂ全体に広がらない態様で、金属部材５０（および／または端子２２）と基体４０とを接合するとともに、カバー６０Ｂと基体４０とを接合していてもよい。
　上記の説明では、第１実施形態の端子２２を例示したが、本実施形態の接合材１０２Ｂは、第２実施形態の端子２２Ａと組み合わされてもよい。このときの接合材１０２Ｂの厚さは、第４面４３ｂから鍔部２５Ａの上面までの厚さであってもよいし、第４面４３ｂから鍔部２５Ａの外周面の中途までの厚さであってもよいし、第４面４３ｂから鍔部２５Ａの下面までの厚さであってもよいし、第４面４３ｂから鍔部２５Ａの下面よりも下方までの厚さであってもよいし、本実施形態と同様に金属部材５０に到達する厚さであってもよい。別の観点では、接合材１０２Ｂは、端子２２又は２２Ａと基体４０との接合に寄与するものであってもよいし、金属部材５０と基体４０との接合に寄与するものであってもよいし、双方に寄与するものであってもよい。接合材１０２Ｂが設けられる場合において、接合材１０３は、設けられてもよいし、設けられなくてもよい。また、接合材１０３が設けられた場合、絶縁性の接合材１０２Ｂは、接合材１０３と接触してもよく、そのような形態ならば、カバー６０Ｂと基体４０の接合がより強固になり、密閉性が得られる。
　以上のとおり、本実施形態においても、他の実施形態と同様に、基体４０は、凹み４３と、凹み４３の底面（第４面４３ｂ）に開口している端子用凹部４４（図５）と、を有している。端子２２は、一部が端子用凹部４４に挿入されている。金属部材５０は、少なくとも第１端（上端）が凹み４３に収容されている。カバー６０Ｂは、少なくとも開口部分（上端部分）が凹み４３に収容されている。従って、他の実施形態と同様に、端子２２および金属部材５０を収容する密閉空間ＳＰの密閉性が向上する。
　また、本実施形態では、絶縁性の接合材１０２Ｂは、凹み４３の底面（第４面４３ｂ）全体に広がっている。この場合、例えば、第４面４３ｂからの放熱を低減することができる。基体構造体がヒータの場合においては、ウエハの加熱効率を向上させることができる。
　また、本実施形態では、絶縁性の接合材１０２Ｂは、金属部材５０と凹み４３の底面（第４面４３ｂ）とを接合しているとともに、カバー６０Ｂと第４面４３ｂとを接合している。この場合、例えば、第４面４３ｂとカバー６０Ｂとの間に接合材１０２Ｂが介在することによって、第４面４３ｂからカバー６０Ｂへの放熱を低減することができる。基体構造体がヒータの場合においては、ウエハの加熱効率を向上させることができる。
［第４実施形態］
　図７は、本開示における第４実施形態を示した図であり、図５に対応している。第４実施形態は、第２実施形態との関係において、基体側接合材１０２Ｃａと金属部材側接合材１０２Ｃｂとがつながって鍔部２５Ａを覆っている点、および、接合材１０２Ｃが基体４０Ｃの隙間４０Ｃａに入り込んでいる点が主に異なっている。この２つの相違点は、同時に成立している必要は無い。また、接合材１０２Ｃが隙間４０Ｃａに入り込んでいる点は、第１または第３実施形態に適用されてもよい。
　基体側接合材１０２Ｃａと金属部材側接合材１０２Ｃｂとは、例えば、端子２２Ａの周方向の全体に亘ってつながっている。従って、端子２２Ａは、基体４０Ｃ、金属部材５０および接合材１０２Ｃによってその全体が覆われている（封止されている。）。このような態様においても、接合材１０２Ｃの材料、および接合材１０２Ｃが金属部材５０に接する箇所等について、他の実施形態の説明が援用されてよい。図示の例では、接合材１０２Ｃは、第１および第２実施形態と同様に、凹み４３の底面（第４面４３ｂ）のうち端子用凹部４４の周囲のみを覆っている。ただし、接合材１０２Ｃは、第３実施形態で示したように、第４面４３ｂ全体に広がったり、カバー６０と基体４０Ｃとの接合に寄与したりしてよい。
　隙間４０Ｃａは、端子用凹部４４の内周面４４ａに開口している。隙間４０Ｃａは、例えば、基体４０Ｃの第１面４１（図１）に沿って広がっており、層状の空間を構成している。別の観点では、隙間４０Ｃａは、図７に示すような縦断面において、端子２２Ａの端子用凹部４４への挿入方向に交差する方向に延びている。
　隙間４０Ｃａの形状は、適宜に設定されてよい。例えば、隙間４０Ｃａは、第１面４１の平面視において、端子用凹部４４を中心として広がっていてもよいし、端子用凹部４４から所定方向に偏って広がっていてもよい。また、隙間４０Ｃａは、円形又は多角形等の適宜な平面形状を有してよい。また、隙間４０Ｃａは、図７に示すような縦断面において、高さ（上下方向の長さ）が一定であってもよいし、一定でなくてもよい。後者の例としては、端子用凹部４４から離れるほど高さが小さくなる態様を挙げることができる。上記では、隙間４０Ｃａを層状空間と表現したが、隙間４０Ｃａは、層状空間と捉えられない形状（横方向の広がりが高さに比較して小さい形状）であってもよい。
　隙間４０Ｃａの高さ（上下方向の長さ）及び縦断面における長さ（紙面左右方向）は適宜に設定されてよい。例えば、隙間４０Ｃａの高さは、比較的小さく、図示の例では、端子２２Ａと端子用凹部４４の内周面４４ａとの隙間の大きさ（紙面左右方向）よりも小さい。ただし、隙間４０Ｃａの高さは、後者の隙間の大きさよりも大きくてもよい。また、隙間４０Ｃａの高さの一例を挙げると、２００μｍ以下である。隙間４０Ｃａは、上記の２００μｍ以下の厚さの部分を平面視における隙間４０Ｃａの面積のうち５割以上、８割以上又は全部に亘って有してよい。また、縦断面における隙間４０Ｃａの端子用凹部４４からの長さ（あるいは平面視における端子用凹部４４から隙間４０Ｃａの外縁までの最大距離）は、隙間４０Ｃａの高さの２倍以上、５倍以上または１０倍以上である。
　隙間４０Ｃａは、適宜な方法によって形成されてよい。例えば、基体４０Ｃがセラミックグリーンシートの積層体を焼成することによって作製される場合においては、焼成の条件を適宜に設定し、焼成に伴うシートの収縮を利用してシート間に隙間４０Ｃａを生じさせてよい。また、例えば、セラミックグリーンシートの積層時にシート間に比較的微小なスペーサを配置することによって、焼成前から隙間４０Ｃａを形成したり、又は焼成時の収縮による隙間を生じやすくしたりしてもよい。
　接合材１０２Ｃは、隙間４０Ｃａに充填されている。その充填率は適宜に設定されてよい。例えば、接合材１０２Ｃは、隙間４０Ｃａの体積の５０％以上に充填されていてもよいし、５０％未満に充填されているだけであってもよい。また、接合材１０２Ｃは、隙間４０Ｃａの下面および上面の少なくとも一方（図示の例では双方）に接している。
　以上のとおり、本実施形態では、鍔部２５Ａと基体４０Ｃとの間に位置する基体側接合材１０２Ｃａは絶縁性材料によって構成されており、当該絶縁性材料（接合材１０２Ｃ）は、鍔部２５Ａと基体４０Ｃとの間から鍔部２５Ａの外周面を経由して鍔部２５Ａと金属部材５０との間に至っている。この場合、例えば、鍔部２５Ａからの放熱が低減される。その結果、電力供給効率が向上する。
　また、本実施形態では、基体４０Ｃは、端子２２Ａの一部（第２部位２２Ａｂ）が挿入されている端子用凹部４４と、端子用凹部４４の内周面に開口している隙間４０Ｃａと、を有している。端子２２Ａと端子用凹部４４の内周面４４ａとの間、および隙間４０Ｃａには、絶縁性の接合材１０２Ｃが位置している。この場合、例えば、接合材１０２Ｃが隙間４０Ｃａにも位置していることによって、接合材１０２Ｃと基体４０Ｃとの密着性が向上し、接合の信頼性が向上する。
［第５実施形態］
　図８は、本開示における第５実施形態を示した図であり、図６に対応している。第５実施形態は、第３実施形態の変形例と捉えることができるものである。特に言及が無い事項については、第３実施形態の説明が援用されてよい。第３実施形態では、接合材１０２Ｂが凹み４３の第４面４３ｂ（底面）全体に広がった。これに対して、本実施形態では、第３実施形態の接合材１０２Ｂは、第４面４３ｂに沿う方向において分断されており、接合材１０２Ｄと、接合材１０３Ａとなっている。分断位置は、例えば、接続部５１とカバー６０の凹部６３の内面との間となっている。
　接合材１０２Ｄは、別の観点では、第１実施形態の接合材１０２と同様のものと捉えられてよい。そして、第１実施形態の接合材１０２に加えて、カバー６０Ｂの上端（第４カバー面６２ａ及びその周囲）と基体４０とを接合する接合材１０３Ａが設けられている。接合材１０３Ａは、第３実施形態の接合材１０２Ｂと同様に、接合材１０３とつながっていてもよい。
　以上のとおり、本実施形態では、金属部材５０と凹み４３の底面（第４面４３ｂ）との接合、及びカバー６０Ｂと凹み４３の底面との接合の少なくとも一方の接合をなしている、絶縁性の接合材１０２Ｂ及び１０３Ａを有している。従って、端子２２の周囲及び／又はカバー６０Ｂ内の気密性が向上する。
　本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　第１実施形態において、第１接合材を介して基体が中空部材に接合されている態様について説明した。しかしながら、中空部材および基体のそれぞれがセラミックスからなる場合、これらは焼成によって一体的に接合されてもよい。
　また、第１実施形態において、第１接合材～第４接合材の素材については任意に設定することができ、これらの接合材の素材を同一とすることができる旨も説明した。第１接合材～第４接合材の素材を同一とすることで、基体構造体の組み立ての際における、第１接合材～第４接合材に対する熱処理の温度を同一とすることができる。結果、各接合材ごとの温度設定が不要になるため、第１接合材～第４接合材に対し同時に熱処理をすることができる。これにより、製造工程を簡略化できる。
　更に、第１実施形態において、抵抗発熱体である導体について説明した。しかしながら、導体は、抵抗発熱体以外にも、第１面にウエハを吸着させる静電チャックであってもよいし、プラズマを発生させる際に用いられる高周波電極であってもよい。
　また、第１実施形態において、基体の下面に端子が配置されている基体構造体について説明した。しかしながら、端子は、基体の上面または基体の側面などに配置されてもよい。端子が配置される箇所は任意である。
　更に、第１実施形態において、ウエハが載置される第１面が第２面に対して平行である基体構造体について説明した。しかしながら、第１面は、第２面に対して必ずしも平行である必要はない。また、第１実施態様において、基体が凹みを有している基体構造体について説明した。しかしながら、基体は凹みを有していなくてもよい。更に、凹みは、中空部材の内側に位置してなくてもよいし、カバーに嵌合されてなくてもよい。
　更に、第１実施形態において、金属部材が上端側に窪みを有している基体構造体について説明した。しかしながら、窪みは必須の構成要素ではなく、必要に応じて廃してもよい。また、第１実施形態において、第１部位が窪みに覆われている例について説明した。しかしながら、例えば、金属部材の第１端から基体に向かって突出する突起を有する態様において、第１部位は突起に覆われていてもよい。即ち、金属部材が端子（第１部位）を覆う方法は、少なくとも２つ以上ある。
　また、第１実施形態において、カバーが凹部を有している例について説明した。しかしながら、カバーは、凹部を有するものに限定されない。例えば、カバーは、基体の凹みをふさぐ平板状であってもよい。また、そのようなカバーは、例えば、縁部に基体の凹みに重なる深さまで切りかかれた切り欠き部があってもよい。更には、この切り欠き部から金属部材を延び出させてもよい。
　本開示の基体構造体は、ウエハ以外の対象物も載置することができる。本開示の基体構造体に載置されるウエハは、半導体に限定されず、例えば水晶ウエハなども含んでいる。
　１０、１０Ａ…ウエハ載置装置
　１１…電力供給部
　１３…制御部
　２０、２０Ａ…基体構造体
　２１、２１Ａ…導体
　２２、２２Ａ…端子
　２２ａ、２２Ａａ…第１部位
　２２ｂ、２２Ａｂ…第２部位
　２３、２３Ａ…金属層
　２５Ａ…鍔部
　３０…中空部材
　４０、４０Ｃ…基体
　４３…凹み
　４４…端子用凹部
　５０…金属部材
　５１…接続部
　５１ｃ…窪み
　５２…延在部
　６０、６０Ｂ…カバー
　１０１…接合層（第１接合材）
　１０２、１０２Ａ、１０２Ｂ…接合層（第２接合材）
　１０３…接合層（第３接合材）
　１０４…接合層（第４接合材）
　　Ｌｉ…直線
　　ＳＰ…領域（密閉空間）

Claims (17)

  1. 　絶縁性の基体と、
    　前記基体内に位置している導体と、
    　少なくとも一部が前記基体内に位置して前記導体に電気的に接続されていると共に、前記基体の外部に臨んでいる第１部位を有する端子と、
    　凹部を有し、前記凹部の開口部分が前記基体に臨み、少なくとも一部に挿通孔を有するカバーと、
    　第１端から第２端に亘る長さを有し、前記第１端側が前記端子に接続され、前記凹部内から前記挿通孔内に亘り、前記第２端が前記カバー外に位置している金属部材と、を備え、
    　少なくとも前記基体および前記カバーの前記凹部により囲まれた領域が、密閉空間である、
    　基体構造体。
  2. 前記カバーを収容していると共に、前記カバーと前記基体との接合位置の周囲にて前記基体に接合されている中空部材を更に有している
    　請求項１記載の基体構造体。
  3. 　前記基体は、凹みを有し、
    　前記カバーは、前記凹みに嵌合された薄肉部と、前記薄肉部に繋がり前記基体に一部が臨んでいる厚肉部と、を有している
    　請求項１又は請求項２記載の基体構造体。
  4. 　前記基体は、
    　　凹みと、
    　　前記凹みの底面に開口している端子用凹部と、を有しており、
    　前記端子は、前記一部が前記端子用凹部に挿入されており、
    　前記金属部材は、少なくとも前記第１端が前記凹みに収容されており、
    　前記カバーは、少なくとも前記開口部分が前記凹みに収容されている
    　請求項１又は２に記載の基体構造体。
  5. 　前記金属部材と前記凹みの底面との接合、及び前記カバーと前記凹みの底面との接合の少なくとも一方の接合をなしている、絶縁性の接合材を有している
    　請求項４に記載の基体構造体。
  6. 　前記接合材は、前記凹みの底面全体に広がって、前記金属部材と前記凹みの底面とを接合しているとともに、前記カバーと前記凹みの底面とを接合している
    　請求項５に記載の基体構造体。
  7. 　前記金属部材は、前記端子における前記第１部位を覆っている
    　請求項１～請求項６のいずれか１項記載の基体構造体。
  8. 　前記金属部材は、前記第１端に窪みを有し、
    　前記第１部位は、前記基体外に位置していると共に、前記金属部材の前記窪みにより覆われている
    　請求項１～請求項７のいずれか１項記載の基体構造体。
  9. 　前記基体が、窒化アルミニウム質セラミックスからなり、
    　前記基体から前記端子に向かって、前記基体に接する金属層、前記金属層および前記端子のそれぞれに接する接合層が位置する
    　請求項１～請求項８のいずれか１項記載の基体構造体。
  10. 　前記端子は、前記第１部位に鍔部を有し、前記鍔部の少なくとも一部が前記基体に接合されている
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の基体構造体。
  11. 　前記鍔部と前記基体との間に、接合層が位置する
    　請求項１０に記載の基体構造体。
  12. 　前記接合層は、絶縁性材料によって構成されており、当該絶縁性材料は、前記鍔部と前記基体との間から前記鍔部の外周面を経由して前記鍔部と前記金属部材との間に至っている
    　請求項１１に記載の基体構造体。
  13. 　前記基体は、
    　　前記端子の前記一部が挿入されている端子用凹部と、
    　　当該端子用凹部の内周面に開口している隙間と、を有しており、
    　前記端子と前記端子用凹部の内周面との間、および前記隙間に、絶縁性接合材が位置している
    　請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の基体構造体。
  14. 　絶縁性の基体と、
    　前記基体内に位置している導体と、
    　少なくとも一部が前記基体内に位置して前記導体に電気的に接続されていると共に、前記基体の外部に臨んでいる第１部位を有する端子と、
    　前記基体の外側から前記第１部位を覆いつつ前記端子に接続されていると共に、前記基体に接合され前記端子を封止している金属部材と、
    　を有している基体構造体。
  15. 　窒化アルミニウムを主成分とする焼結体からなる基体と、
    　金属体と、
    　前記金属体に接して当該金属体に接合されている絶縁性接合材と、
    　前記基体と前記絶縁性接合材とに接して両者を接合している金属からなる導電性接合材と、
    　を有している基体構造体。
  16. 　前記導体が抵抗発熱体である、ヒータである
    　請求項１～請求項１５のいずれか１項記載の基体構造体。
  17. 　請求項１～請求項１６のいずれか１項記載の基体構造体と、
    　前記導体に給電可能な電力供給部と、
    　前記電力供給部の給電を制御する制御部と、
    　を有しているウエハ載置装置。
PCT/JP2020/013359 2019-03-28 2020-03-25 基体構造体およびウエハ載置装置 Ceased WO2020196629A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021509510A JP7223120B2 (ja) 2019-03-28 2020-03-25 基体構造体およびウエハ載置装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019063622 2019-03-28
JP2019-063622 2019-03-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020196629A1 true WO2020196629A1 (ja) 2020-10-01

Family

ID=72609925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/013359 Ceased WO2020196629A1 (ja) 2019-03-28 2020-03-25 基体構造体およびウエハ載置装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7223120B2 (ja)
WO (1) WO2020196629A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49121142U (ja) * 1973-02-13 1974-10-17
JPH08306629A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Kyocera Corp ウエハ保持装置
JP2003059789A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Ibiden Co Ltd 接続構造体および半導体製造・検査装置
JP2003160874A (ja) * 2001-09-11 2003-06-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49121142U (ja) * 1973-02-13 1974-10-17
JPH08306629A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Kyocera Corp ウエハ保持装置
JP2003059789A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Ibiden Co Ltd 接続構造体および半導体製造・検査装置
JP2003160874A (ja) * 2001-09-11 2003-06-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020196629A1 (ja) 2020-10-01
JP7223120B2 (ja) 2023-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7213953B2 (ja) 基体構造体及びウエハ載置装置
KR20150122699A (ko) 저 열팽창 계수의 정상부를 갖는 받침부 구성
JP2009005117A (ja) 表面実装型圧電振動デバイス
JP2010251702A (ja) 電子部品、パッケージおよび赤外線センサ
JP7015484B2 (ja) Ｍｅｍｓデバイス
CN102272960A (zh) 多层结构的压电执行器和压电执行器的外电极固定方法
JP7223120B2 (ja) 基体構造体およびウエハ載置装置
JP7143256B2 (ja) ウエハ載置台及びその製法
WO2020067128A1 (ja) セラミック構造体及びウェハ用システム
US20260090330A1 (en) Adsorption substrate
JP7285855B2 (ja) セラミック構造体及び端子付構造体
JP7321285B2 (ja) セラミック構造体及びウェハ用システム
US6765162B2 (en) Multi-seal fluid conductor electrical switch device and method of manufacture therefor
JP4862822B2 (ja) 電子部品用容器、および圧電振動デバイス
JP2020107519A (ja) 多層基板及びその製造方法
JP4799211B2 (ja) 蓋体およびそれを用いた電子装置
JP7360992B2 (ja) 端子付構造体
JP7195336B2 (ja) セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法
JPWO2020067129A1 (ja) ウェハ用部材、ウェハ用システム及びウェハ用部材の製造方法
JP2007012706A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2020009902A (ja) 保持装置
JP2019047309A (ja) 圧電振動子
JP6293518B2 (ja) 圧電デバイスの実装構造、圧電デバイスおよびその実装方法
WO2025173493A1 (ja) 半導体装置、および半導体装置アッセンブリ
WO2025143007A1 (ja) 多層基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20777470

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021509510

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20777470

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1