WO2020195151A1 - 半導体装置及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

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WO2020195151A1
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blow
conductive layer
layer
filament
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PCT/JP2020/003588
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幹生 岡
泰夫 神田
賢治 野口
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device having a storage element capable of storing information by changing a resistance state and an electronic device equipped with the storage element.
  • a chip of a semiconductor integrated circuit used in a semiconductor device is equipped with an electric fuse having a function as an OTP (One Time Programmable) memory.
  • This electric fuse is used as a trimming element for adjusting or correcting characteristics such as performance and power consumption of a semiconductor device.
  • a predetermined current is passed through the filament to generate salicide EM (ElectroMigration) or Si melting in the filament, thereby increasing the resistance value of the filament and writing information to the electric fuse.
  • EM ElectroMigration
  • Si Si melting
  • the initial state is set to "0" and the resistance value is set to "1" to store binary information.
  • An electric fuse using such a filament requires a large current to cut (break) the filament, so that there is a problem that the size of the memory cell becomes large.
  • MTJ Magnetic Tunnel Junction element
  • MRAM Magnetic Random Access Memory
  • the present disclosure has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of efficiently increasing the capacity of a storage element to be mounted in a space-saving manner and an electronic device equipped with the semiconductor device.
  • the first aspect of the present disclosure has a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at least via the insulating layer.
  • the filament has a filament in which at least three distinguishable resistance states are generated by changing the combination of the state of the first conductive layer, the state of the second conductive layer, and the state of the insulating layer.
  • a semiconductor device including a storage element and a writing unit that applies a blow current to the storage element to generate at least three distinguishable resistance states, or an electronic device including the semiconductor device.
  • a second aspect of the present disclosure is a plurality of word lines, a plurality of bit lines arranged in a direction orthogonal to the plurality of word lines, and each of the plurality of word lines and the plurality of bit lines.
  • Each of the memory cells includes a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are provided.
  • the layers are laminated at least via the insulating layer, and at least three identifications can be made by changing the combination of the state of the first conductive layer, the state of the second conductive layer, and the state of the insulating layer.
  • It has a storage element having a filament in which a possible resistance state is generated, and a blow transistor having a gate terminal connected to the word wire and a drain terminal connected to the bit wire, with respect to the filament.
  • a semiconductor device including a writing unit that generates at least three identifiable resistance states by applying a blow current through the transistor, or an electronic device including the semiconductor device.
  • the change in the resistance value R of the filament 16 after the first blow current Iblo1 is passed through the storage element 10 in the first state (initial state before blowing) under the first blow condition only during the first blow time Tblo1. It is a figure which shows an example.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line BB'of FIG.
  • FIG. 12 is a figure which shows the circuit configuration example of a part of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment.
  • the definition of the vertical direction in the following description is merely a definition for convenience of explanation, and does not limit the technical idea of the present disclosure. For example, if the object is rotated by 90 ° and observed, the top and bottom are converted to left and right and read, and if the object is rotated by 180 ° and observed, the top and bottom are reversed and read.
  • each memory cell has a transistor (hereinafter, also referred to as "blow transistor") for cutting (breaking) the filament of the electric fuse. Therefore, if the capacity of the memory cell mounted on the chip is increased by this method, the area occupied by the memory cell (particularly the blow transistor) in the chip increases, and the chip size increases.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of the semiconductor device 1 according to the first embodiment of the present disclosure. Further, FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a storage element and a writing circuit according to the first embodiment.
  • the semiconductor device 1 includes a storage element 10, a writing circuit 20, a reading circuit 30, a reference signal generation circuit 40, a comparator 50, and a control circuit 60.
  • the storage element 10 is composed of a resistance change type storage element.
  • the storage element 10 is composed of a magnetic tunnel junction element (MTJ element). That is, in the first embodiment, the storage element 10 is made of a magnetic material having vertical magnetic anisotropy.
  • the storage element 10 includes a storage layer (also referred to as a free layer, a recording layer, a magnetization reversal layer, a magnetization free layer, or a Magnetic Free Layer) 11 having a variable magnetization direction.
  • a magnetized fixed layer also called a pin layer, also called a Magnetic Pinned Layer
  • a tunnel barrier layer also called a tunnel insulating layer 13 formed between the storage layer 11 and the magnetized fixed layer 12.
  • the upper electrode 14 provided on the storage layer 11 and the lower electrode 15 provided on the magnetization fixing layer 12 are provided.
  • the upper electrode 14 corresponds to the first conductive layer and the first electrode described in the claims
  • the lower electrode 15 corresponds to the second conductive layer and the second electrode described in the claims.
  • the storage layer 11 is composed of, for example, a magnetic metal film containing cobalt (Co), iron (Fe), or the like as main components.
  • the storage layer 11 is composed of, for example, an alloy of Co, Fe and boron (B) (hereinafter, referred to as “CoFeB alloy”).
  • the tunnel barrier layer 13 is made of, for example, magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (AlO), or the like. In the first embodiment, the tunnel barrier layer 13 is composed of, for example, MgO.
  • the magnetization fixing layer 12 is made of a magnetic metal film similar to the storage layer 11. That is, in the first embodiment, the magnetization fixing layer 12 is made of, for example, a CoFeB alloy.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 are made of, for example, tantalum (Ta), aluminum (Al), copper (Cu), tungsten (W) and the like.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 are composed of, for example, W.
  • the storage element 10 is used as an electric fuse capable of recording multiple values of three or more values.
  • the tunnel barrier layer 13, the upper electrode 14, and the lower electrode 15 constituting the storage element 10 are designated as the filament 16.
  • the writing circuit 20 applies a current of a magnitude that irreversibly changes the resistance state of the filament 16 to the storage element 10 due to element destruction.
  • this writing operation is also referred to as "blow”.
  • the current at this time is referred to as "blow current I blow”.
  • the resistance state of the filament 16 is irreversibly changed to realize multi-valued recording of three or more values.
  • the storage element 10 of the first embodiment is not limited to the configuration of a general MTJ element, and may have another configuration as long as it can realize the same function.
  • the storage layer 11 and the magnetization fixing layer 12 may both be configured as a magnetization fixing layer in which the magnetization direction is fixed, or both may be configured as a storage layer in which the magnetization direction is variable. It is desirable that the structure does not increase the number of steps in the manufacturing process.
  • the writing circuit 20 includes a blow transistor 21, a boosting circuit 22, a first writing switch element 23, and a second writing switch element 24.
  • the writing circuit 20 corresponds to the writing unit described in the claims.
  • the blow transistor 21 is a transistor that is turned on according to the blow voltage Vblo applied to the gate terminal.
  • the blow transistor 21 is connected to the storage element 10.
  • the blow transistor 21 is composed of an NMOS type FET.
  • the source terminal of the blow transistor 21 is connected to the ground potential (GND)
  • the drain terminal is connected to the lower electrode 15 of the storage element 10
  • the gate terminal is connected to the output terminal of the booster circuit 22.
  • the booster circuit 22 boosts the input voltage Vin in response to the write control signal Ctrl that instructs the writing of information supplied from the control circuit 60, and generates a plurality of types of blow voltages Vblo. Then, it is a variable output type booster circuit that outputs (applies) the generated blow voltage Vblo to the blow transistor 21. Specifically, the booster circuit 22 generates a blow voltage Vblo of the voltage value indicated by the write control signal Ctrl. The output terminal of the blow voltage Vblo of the booster circuit 22 is connected to the gate terminal of the blow transistor 21, and the blow voltage Vblow generated by the booster circuit 22 is input (applied) to the gate terminal of the blow transistor 21.
  • the write control signal Ctrl has an instruction content for instructing to stop the output of the blow voltage Vblo, and when this signal is supplied, the booster circuit 22 stops the output of the blow voltage Vblo to the blow transistor 21. To do.
  • the first writing switch element 23 is for switching between a connected state and a non-connected state between the upper electrode 14 of the storage element 10 and the power supply terminal of the power supply of the power supply voltage Vfuse (hereinafter, also referred to as “power supply Vfuse”). It is a switch element.
  • the power supply voltage Vfuse (hereinafter, also referred to as “write voltage Vfuse”) is a constant voltage, and the power supply Vfuse has a size required to generate the second to third states described later. It is a power source capable of supplying the blow current Iblo.
  • the first writing switch element 23 is composed of, for example, a transistor. In the example shown in FIG. 2, the first writing switch element 23 is composed of a NMOS type FET.
  • the gate terminal is connected to the supply terminal of the control signal SW of the control circuit 60, the source terminal is connected to the power supply terminal of the power supply Vfuse, and the drain terminal is the storage element 10. It is connected to the upper electrode 14.
  • the first writing switch element 23 is turned on when a Low level control signal SW is input to its gate terminal.
  • the second writing switch element 24 is a switch element for switching between the connected state and the non-connected state of the upper electrode 14 of the storage element 10 and the ground potential (GND).
  • the second writing switch element 24 is composed of, for example, a transistor.
  • the second write switch element 24 is composed of an NMOS type FET.
  • the gate terminal is connected to the supply terminal of the control signal SW of the control circuit 60, the source terminal is connected to the ground potential (GND), and the drain terminal is the upper part of the storage element 10. It is connected to the electrode 14.
  • the second writing switch element 24 is turned on when a high level control signal SW is input to the gate terminal thereof.
  • the second write switch element 24 is turned off when the first write switch element 23 is on, and is turned on when the first write switch element 23 is off, and the upper electrode 14 is pressed. Connect to ground potential.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example of the memory cell according to the first embodiment.
  • the memory cell 2 includes a semiconductor substrate 100.
  • the semiconductor substrate 100 is made of silicon.
  • the semiconductor substrate 100 is a P-type semiconductor substrate.
  • the semiconductor substrate 100 is provided with a P-shaped well region 101, an interlayer insulating film 102, and a blow transistor 21.
  • an NMOS-type blow transistor 21 is provided in the P-type well region 101.
  • a gate electrode 21G is provided on the semiconductor substrate 100 via a gate insulating film (not shown).
  • the source region 21S is provided on one side of the gate electrode 21G, and the drain region 21D is provided on the other side.
  • the blow transistor 21 is composed of the gate insulating film, the gate electrode 21G, the source region 21S, and the drain region 21D.
  • a storage element 10 and a metal wiring 17 are arranged on the drain region 21D via an interlayer insulating film 102.
  • a contact forming the lower electrode 15 is formed on the drain region 21D, and a CoFeB alloy layer forming the storage layer 11 is formed on the contact.
  • an MgO layer forming the tunnel barrier layer 13 is formed on the CoFeB alloy layer, and a CoFeB alloy layer forming the magnetization fixing layer 12 is formed on the MgO layer.
  • a contact forming the upper electrode 14 is formed on the CoFeB alloy layer, and a metal wiring 17 is formed on the contact.
  • the storage element 10 has a bottom pin structure in which the magnetization fixing layer 12 is formed on the lower electrode 15 and the storage layer 11 is formed on the magnetization fixing layer 12 via the tunnel barrier layer 13. It has become.
  • the structure is not limited to this, and a top pin structure may be used in which the storage layer 11 is formed on the lower electrode 15 and the magnetization fixing layer 12 is formed on the storage layer 11 via the tunnel barrier layer 13.
  • the contacts 210 and 211 and the metal wiring 212 are arranged via the interlayer insulating film 102. Specifically, a contact 210 is formed on the source region 21S, a contact 211 is formed on the contact 210, and a metal wiring 212 is formed on the contact 211. Further, a metal wiring 213 is arranged on the gate electrode 21G via an interlayer insulating film 102.
  • the interlayer insulating film 102 is a silicon oxide film (SiO 2 film, SiO 2 H film, SiOCH film, etc.) or a silicon nitride film (SiN film, SiNH film, etc.).
  • the interlayer insulating film 102 is made of, for example, a silicon oxide film.
  • the metal wirings 17, 212 and 213 are made of, for example, Cu or gold (Au).
  • the metal wirings 17, 212 and 213 are made of, for example, Cu.
  • the contacts 210 and 211 are composed of, for example, Ta, Al, Cu, W and the like.
  • the contacts 210 and 211 are composed of, for example, W.
  • At least three identifiable resistance states are generated for the filament 16, and each resistance state is associated with different information for multi-value recording.
  • information is recorded in the storage element 10 in multiple values by appropriately changing the blow conditions when a current is passed through the storage element 10 to write the information.
  • the blow transistor 21 is turned on when the blow voltage Vblo is applied to the gate electrode 21G. Therefore, when the filament 16 is blown (the blow current I blow is passed), the blow voltage V blow is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21.
  • the magnitude of the blow current Iblo changes depending on the potential difference between the gate electrode 21G of the blow transistor 21 and the source region 21S, that is, in this example, the blow voltage Vblo applied to the gate electrode 21G. Specifically, when the blow voltage Vblo is increased, the blow current Iblo is increased.
  • the connection state with the power supply Vfuse, the voltage value of the blow voltage Vblo applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the application time of the blow voltage Vblo (hereinafter referred to as blow time Tblo).
  • the condition including the combination is set as the blow condition.
  • the first blow condition is that the power supply Vfuse is connected to the upper electrode 14 and the first blow voltage Vblo1 is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 only during the first blow time Tblo1. ..
  • the first blow current Iblo1 having a size corresponding to the height of the first blow voltage Vblo1 flows through the storage element 10 only during the first blow time Tblo1.
  • the first blow voltage Vblo1 is set to a voltage at which a first blow current Iblo1 having a magnitude necessary to destroy only the tunnel barrier layer 13 of the filament 16 flows.
  • the first blow time Tblo1 is set to a length required to destroy only the tunnel barrier layer 13 by the first blow current Iblo1.
  • the second blow condition is that the power supply Vfuse is connected to the upper electrode 14 and the second blow voltage Vblo2 is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 only during the second blow time Tblow2.
  • the second blow voltage Vblo2 is set to a voltage larger than the first blow voltage Vblo1
  • the second blow time Tblo2 is set to a longer time than the first blow time Tblo1.
  • the second blow current Iblo2 which is larger than the first blow current Iblo1
  • the second blow voltage Vblo2 is set to a voltage at which a second blow current Iblo2 of a size necessary for destroying the upper electrode 14 and the lower electrode 15 of the filament 16 flows.
  • the second blow time Tblow2 is set to a length required to destroy the upper electrode 14 and the lower electrode 15 by the second blow current Ibrow2. More specifically, the second blow voltage Vblo2 is set to a voltage higher than the first blow voltage Vblo1 under the first blow condition, for example, by 1 [V] or more, and the second blow time Tblow2 (pulse width) is set.
  • the first blow time is set to, for example, 10 times or more longer than Tblo1. However, since this condition changes depending on the size and material composition of the element, it is desirable to set an appropriate condition according to the size and material composition of the element, not limited to this condition.
  • the third blow condition is that the blow voltage Vblo is not applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 and the power supply Vfuse is not connected to the upper electrode 14.
  • the direction in which the blow current I blow is passed is also defined in common. Specifically, it is defined in one direction from the upper electrode 14 to the lower electrode 15 of the storage element 10.
  • the resistance value R in the first state which is the initial resistance state (before blowing) of the filament 16 is defined as the resistance value R0.
  • the resistance value R in the second state which is the resistance state after breaking only the tunnel barrier layer 13 under the first blow condition, is defined as the resistance value R1.
  • the resistance value R in the third state which is the resistance state after the upper electrode 14 and the lower electrode 15 are destroyed under the second blow condition, is defined as the resistance value R2.
  • FIG. 4 shows a filament after the first blow current Iblo1 is passed through the storage element 10 in the first state (initial state before blow) under the first blow condition only during the first blow time Tblo1. It is a figure which shows an example of the change of the resistance value R of 16. Further, FIG. 5 shows a change in the resistance value R of the filament 16 after the second blow current Iblo2 is passed through the storage element 10 in the second state under the second blow condition only during the second blow time Tblo2. It is a figure which shows an example. Further, FIG. 6 is a diagram showing a correspondence relationship between the resistance state of the filament 16 and the multi-value information.
  • the horizontal axis is the resistance value R (logarithm) of the filament 16, and the vertical axis is the amount of variation ⁇ of the resistance value R.
  • the resistance value R0 of the filament 16 varies.
  • the resistance state changes from the first state to the second state as shown in FIG. Since the tunnel barrier layer 13 is an insulating layer, the resistance value R changes from the resistance value R0 to the resistance value R1 (R1 ⁇ R0) after the tunnel barrier layer 13 is destroyed. That is, the resistance value is lower than that of the first state (low resistance state).
  • the resistance state changes from the second state to the third state as shown in FIG. Change.
  • the resistance value R changes significantly from the resistance value R1 to the resistance value R2 (R2 >> R1). That is, the resistance value is significantly higher than that in the second state (high resistance state).
  • the third state is a state in which the resistance value is larger than that in the first state.
  • the difference in resistance between the first state and the second state is small compared to the difference in resistance between the first and second states and the third state, but it distinguishes between the first state and the second state. It has a value as large as possible.
  • multi-value recording of information is performed in the storage element 10 by utilizing the property of the change characteristic of the resistance value R of the filament 16.
  • first threshold value Rth1 two threshold values (hereinafter, referred to as “first threshold value Rth1" and “second threshold value Rth2”) are set for the resistance value R of the filament 16.
  • first threshold value Rth1 is set to a value between the resistance value (near R0) of the first state (state before blowing) of the filament 16 and the resistance value (near R1) of the second state. It is set.
  • second threshold value Rth2 is set to a value between the resistance value in the first state (near R0) and the resistance value in the third state (near R2). It is desirable that the first threshold value Rth1 and the second threshold value Rth2 are set to values that can absorb the variation in the resistance value R0 in the first state.
  • the resistance state of the filament 16 is information "0".
  • the resistance state of the filament 16 is associated with the information "1”.
  • the resistance state of the filament 16 is associated with the information “2”.
  • the information recorded in the storage element 10 is "0". Further, when the filament 16 is set to the second state (near the resistance value R1), the information recorded in the storage element 10 is “1”. Then, when the filament 16 is set to the third state (near the resistance value R2), the information recorded in the storage element 10 becomes “2”.
  • the first state is associated with the information "0”
  • the second state is associated with the information "1”
  • the third state is associated with the information "1”.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example of the readout circuit.
  • the read circuit 30 is a circuit that reads (determines) the information recorded in the storage element 10 in multiple values, and as shown in FIG. 7, the first read switch element 31 and the second read switch element 32 are combined. Be prepared.
  • the first read-out switch element 31 and the second read-out switch element 32 are composed of, for example, transistors.
  • the first read-out switch element 31 is composed of a MPLS-type FET
  • the second read-out switch element 32 is composed of an NMOS-type FET.
  • the gate terminal of the first read-out switch element 31 is connected to the output terminal of the control signal Sr1 of the control circuit 60, and the source terminal is connected to the supply terminal of the power supply voltage VDD.
  • the drain terminal of the first read switch element 31 is connected to the drain terminal of the second read switch element 32 and one input terminal of the comparator 50. The first read switch element 31 is turned on when the Low level control signal Sr1 is input to the gate terminal thereof.
  • the gate terminal is connected to the output terminal of the control signal Sr2 of the control circuit 60, and the source terminal is the first write switch element 23 and the second write switch element in the write circuit 20. It is connected to the drain terminal of 24 and the upper electrode 14 of the storage element 10.
  • the drain terminal of the second read switch element 32 is connected to the drain terminal of the first read switch element 31 and one input terminal of the comparator 50. The second read-out switch element 32 is turned on when a high-level control signal Sr2 is input to its gate terminal.
  • the reference signal generation circuit 40 is a circuit that generates a reference signal (reference voltage signal) that serves as a reference (threshold value) when reading information recorded in multiple values in the storage element 10.
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration example of a reference signal generation circuit. Further, the reference signal generation circuit 40 corresponds to the threshold signal generation unit described in the claims.
  • the reference signal generation circuit 40 includes a first switch element 41, a second switch element 42, a third switch element 43, and a fourth switch element 44 as switch elements for generating a reference signal. In addition, it includes a first reference resistor 45 and a second reference resistor 46.
  • the first to fourth switch elements 41 to 44 are composed of, for example, transistors.
  • the first switch element 41 is composed of a NMOS type FET
  • the second to fourth switch elements 42 to 44 are composed of an NMOS type FET.
  • the gate terminal of the first switch element 41 is connected to the output terminal of the control signal Sr3 of the control circuit 60, and the source terminal is connected to the supply terminal of the power supply voltage VDD.
  • the drain terminal of the first switch element 41 is connected to the drain terminal of the second switch element 42 and the other input terminal of the comparator 50. The first switch element 41 is turned on when the Low level control signal Sr3 is input to the gate terminal thereof.
  • the gate terminal is connected to the output terminal of the control signal Sr4 of the control circuit 60, and the source terminal is connected to one terminal of the first reference resistor 45 and the second reference resistor 46.
  • the drain terminal of the second switch element 42 is connected to the drain terminal of the first switch element 41 and the other input terminal of the comparator 50. The second switch element 42 is turned on when a high level control signal Sr4 is input to its gate terminal.
  • the gate terminal is connected to the output terminal of the control signal Sr5 of the control circuit 60, the source terminal is connected to the ground potential (GND), and the drain terminal is the other of the first reference resistor 45. It is connected to the terminal.
  • the third switch element 43 is turned on when a high level control signal Sr5 is input to its gate terminal.
  • the gate terminal is connected to the output terminal of the control signal Sr6 of the control circuit 60, the source terminal is connected to the ground potential (GND), and the drain terminal is the other of the second reference resistor 46. It is connected to the terminal.
  • the fourth switch element 44 is turned on when a high level control signal Sr6 is input to its gate terminal.
  • the first reference resistor 45 has a resistance value of the first threshold value Rth1 (threshold value for identifying whether the information recorded in the storage element 10 is “0” or “1”) described in FIG. It is composed of the resistance element of.
  • the second reference resistor 46 is for identifying whether the resistance value is the second threshold value Rth2 (the information recorded in the storage element 10 is "0" or "2" described in FIG. 6 above. It is composed of a resistance element (threshold value).
  • the comparator 50 is composed of, for example, a sense amplifier.
  • the comparator 50 corresponds to the discriminating unit described in the claims.
  • connection point P1 (hereinafter, first) between the drain terminal of the first read switch element 31 and the drain terminal of the second read switch element 32 in the read circuit 30 shown in FIG. It is connected to 1 connection point (referred to as P1).
  • connection point P2 (hereinafter referred to as a second connection point P2) between the drain terminal of the first switch element 41 and the drain terminal of the second switch element 42 in the reference signal generation circuit 40. )It is connected to the.
  • the comparator 50 has a voltage signal Vm (a signal relating to the resistance value R of the filament 16) of the first connection point P1 input to one input terminal and a reference voltage of the second connection point P2 input to the other input terminal. It compares with the signal Vref (threshold signal) and outputs the comparison result.
  • Vm a signal relating to the resistance value R of the filament 16
  • control circuit 60 is a circuit that controls the operations of the write circuit 20, the read circuit 30, and the reference signal generation circuit 40 described above in the first embodiment.
  • the control circuit 60 generates a write control signal Ctrl for switching the output voltage (blow voltage Vblo) of the booster circuit 22, and outputs the generated write control signal Ctrl to the booster circuit 22.
  • a control signal SW for switching the connection state between the upper electrode 14 and the power supply Vfuse and the connection state between the upper electrode 14 and the ground potential is generated, and the generated control signal SW is used as the first and second write switch elements. Output to 23 and 24.
  • the control circuit 60 has a timer counter, and the timer counter measures the application time of the blow voltage Vblo to the blow transistor 21, and the writing is output to the booster circuit 22 based on the measured application time. It controls the content of the control signal Timer and the content of the control signal SW output to the first and second write switch elements 23 and 24.
  • the control circuit 60 when writing information to the storage element 10, the control circuit 60 outputs a write control signal Ctrl that indicates a preset voltage value of the blow voltage Vblo to the booster circuit 22.
  • the control signal SW for turning on the first writing switch element 23 is output to the first and second writing switch elements 23 and 24.
  • both the blow transistor 21 and the first write switch element 23 are turned on for the blow time Tblo set in the blow condition.
  • a blow current Ibrow having a magnitude corresponding to the height of the blow voltage Vblow flows to the storage element 10 only during the set blow time Tblow, and information is written.
  • control circuit 60 outputs a write control signal Ctrl that stops the output of the blow voltage Vblo to the blow transistor 21 to the booster circuit 22 when the preset blow time Tblo elapses.
  • control signal SW for turning on the second writing switch element 24 is output to the first and second writing switch elements 23 and 24.
  • the output of the blow voltage Vblo from the booster circuit 22 to the blow transistor 21 is stopped (instead, a Low level signal Vg is applied to the gate electrode 21G), and the upper electrode 14 is connected to the ground potential.
  • control circuit 60 when the control circuit 60 reads information from the storage element 10, the control circuit 60 controls the signal level preset in the first read switch element 31 and the second read switch element 32 in the read circuit 30. The signals Sr1 and Sr2 are output. As a result, a read current Iread is passed through the storage element 10.
  • the blow transistor 21 in the writing circuit 20 when reading information from the storage element 10 (when determining the resistance state of the filament 16), the blow transistor 21 in the writing circuit 20 is in the on state, and the first writing switch element 23 is in the off state. The operation of the writing circuit 20 is controlled so as to be.
  • control circuit 60 when the control circuit 60 reads information from the storage element 10, the control signals Sr3 to the signal level preset in the first to fourth switch elements 41 to 44 in the reference signal generation circuit 40 Output Sr6.
  • the control circuit 60 of the first embodiment performs two read operations in order for the comparator 50 to compare the resistor R of the filament 16 with the first reference resistor 45 and the second reference resistor 46 in order. Do. The first time, the combination of the signal levels of the control signals Sr3 to Sr6 is controlled so that the current flows through the first reference resistor 45, and the second time, the control signals Sr3 to Sr6 so that the current flows through the second reference resistor 46. Control the combination of signal levels.
  • the magnitude of the resistance R of the filament 16 and the first reference resistor 45 is compared for the first time, and the magnitude of the resistor R and the second reference resistor 46 is compared for the second time.
  • Read information based on the result determine the value of the read information).
  • FIG. 9 shows an example of a signal waveform of the blow voltage Vblo applied to the blow transistor 21.
  • a pulsed blow voltage Vblo as shown in FIG. 9 is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21.
  • the blow transistor 21 is turned on during the blow time Tblow, and a blow current Ibrow having a magnitude corresponding to the height of the blow voltage Vblow is supplied to the filament 16 only during the blow time Tbrow.
  • the first blow condition is set so that the second state occurs in the filament 16.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 22 with the write control signal Ctrl of the instruction content to apply the first blow voltage Vblo1 to the gate electrode 21G of the blow transistor 21.
  • the control circuit 60 supplies the low level control signal SW for connecting the power supply Vfuse to the upper electrode 14 to the gate terminals of the first and second write switch elements 23 and 24.
  • the control circuit 60 starts the measurement of the first blow time Tblo1 by the timer counter.
  • the booster circuit 22 generates the first blow voltage Vblo1, and the generated first blow voltage Vblo1 is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the upper electrode 14 is connected to the power supply Vfuse. ..
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 22 with a write control signal Ctrl of an instruction to stop the output of the first blow voltage Vblo1 to the blow transistor 21.
  • the control circuit 60 supplies a high level control signal SW for connecting the upper electrode 14 to the ground potential to the gate terminals of the first and second writing switch elements 23 and 24.
  • the Low level signal Vg is applied from the booster circuit 22 to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the upper electrode 14 is connected to the ground potential. That is, the first blow current Iblo1 flows through the storage element 10 only during the first blow time Tblo1.
  • the tunnel barrier layer 13 of the filament 16 is blown (broken), and the filament 16 shifts to the second state in which the resistance value R becomes the resistance value R1.
  • the second blow condition is set so that the third state occurs in the filament 16.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 22 with the write control signal Ctrl of the instruction content to apply the second blow voltage Vblo2 to the gate of the blow transistor 21.
  • the control circuit 60 supplies the low level control signal SW for connecting the power supply Vfuse to the upper electrode 14 to the gate terminals of the first and second write switch elements 23 and 24.
  • the control circuit 60 starts the measurement of the second blow time Tblo2 by the timer counter. As a result, a second blow voltage Vblow2 is generated in the booster circuit 22, and the generated second blow voltage Vblow2 is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the upper electrode 14 is connected to the power supply Vfuse. ..
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 22 with a write control signal Ctrl of an instruction to stop the output of the second blow voltage Vblo2 to the blow transistor 21.
  • the control circuit 60 supplies a high level control signal SW for connecting the upper electrode 14 to the ground potential to the gate terminals of the first and second writing switch elements 23 and 24.
  • the Low level signal Vg is applied from the booster circuit 22 to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the upper electrode 14 is connected to the ground potential. That is, the second blow current Iblo2 flows through the storage element 10 only during the second blow time Tblow2.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 of the filament 16 are blown (broken), and the filament 16 shifts to a third state in which the resistance value R becomes the resistance value R2.
  • the control circuit 60 outputs the write control signal Ctrl of the instruction content for stopping the output of the blow voltage Vblo to the booster circuit 22, and the high level control signal SW for connecting the upper electrode 14 to the ground potential is the first and first. 2 Supply to the gate terminals of the write switch elements 23 and 24.
  • the booster circuit 22 of the first embodiment does not apply the blow voltage Vblo to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, but instead applies the Low level signal Vg to the gate electrode 21G.
  • the first writing switch element 23 is turned off and the second writing switch element 24 is turned on, and the upper electrode 14 of the storage element 10 is connected to the ground potential.
  • the filament 16 is maintained in the first state in which the resistance value R becomes the resistance value R0.
  • control circuit 60 outputs a control signal of the instruction content to output a high level signal that turns on the blow transistor 21 in the writing circuit 20 to the boosting circuit 22.
  • a high level control signal SW is input to the gate terminals of the first writing switch element 23 and the second writing switch element 24.
  • a high level control signal is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21, the blow transistor 21 is turned on, and the upper electrode 14 of the storage element 10 is connected to the ground potential.
  • the control circuit 60 inputs the Low level control signal Sr1 to the gate terminal of the first read switch element 31 in the read circuit 30, and controls the High level to the gate terminal of the second read switch element 32.
  • the signal Sr2 is input.
  • the control circuit 60 first outputs a Low level control signal Sr3 to the gate terminal of the first switch element 41 and a High level control signal Sr4 to the gate terminal of the second switch element 42 as the first read operation. Is output.
  • the high level control signal Sr5 is output to the gate terminal of the third switch element 43
  • the low level control signal Sr6 is output to the gate terminal of the fourth switch element 44.
  • the comparator 50 refers to the voltage signal Vm of the first connection point P1 in the read circuit 30 and the second connection point P2 in the reference signal generation circuit 40 in a state where a current flows through the first reference resistor 45.
  • the voltage signal Vref is compared (hereinafter, referred to as "first comparison operation").
  • the potential (Vm) of the first connection point P1 becomes the potential corresponding to the resistance value R of the filament 16.
  • the potential (Vref) of the second connection point P2 becomes the potential corresponding to the resistance value (Rth1) of the first reference resistor 45. .. Therefore, in the first comparison operation between the voltage signal Vm and the reference voltage signal Vref in the comparator 50, the resistance value R of the storage element 10 and the resistance value of the first reference resistance 45, that is, the first threshold Rth1 are substantially set. It is equivalent to the operation to be compared.
  • the comparator 50 determines whether or not the voltage signal Vm at the first connection point P1 is smaller than the reference voltage signal Vref at the second connection point P2 (Vm ⁇ Vref). Then, when the voltage signal Vm is smaller than the reference voltage signal Vref (R ⁇ Rth1), the comparator 50 outputs the signal (comparison result) corresponding to the information “1”. As a result, the semiconductor device 1 ends the information reading operation. On the other hand, when the comparator 50 determines that the voltage signal Vm is larger than the reference voltage signal Vref (R> Rth1), the semiconductor device 1 executes the second read operation.
  • the control circuit 60 controls to keep the first switch element 41 and the second switch element 42 in the reference signal generation circuit 40 in the ON state.
  • the Low level control signal Sr5 is input to the gate terminal of the third switch element 43 in the reference signal generation circuit 40
  • the High level control signal Sr6 is input to the gate terminal of the fourth switch element 44.
  • the comparator 50 refers to the voltage signal Vm of the first connection point P1 in the read circuit 30 and the second connection point P2 in the reference signal generation circuit 40 in a state where a current flows through the second reference resistor 46.
  • the voltage signal Vref is compared (hereinafter, referred to as "second comparison operation").
  • the comparator 50 determines whether or not the voltage signal Vm at the first connection point P1 is smaller than the reference voltage signal Vref at the second connection point P2 (Vm ⁇ Vref). When the voltage signal Vm is smaller than the reference voltage signal Vref (R ⁇ Rth2), the signal (comparison result) corresponding to the information "0" is output. As a result, the semiconductor device 1 ends the information reading operation.
  • the comparator 50 outputs the signal (comparison result) corresponding to the information "2". As a result, the semiconductor device 1 ends the information reading operation.
  • the multi-valued information recorded in the storage element 10 is read out in this way.
  • the method of reading information from the storage element 10 in the first embodiment is not limited to the above example.
  • any method can be used as long as the resistance state of the filament 16 can be identified using two threshold values.
  • a current is first passed through the first reference resistor 45 to perform the first comparison operation, and then a current is passed through the second reference resistor 46 to perform the second comparison operation.
  • the order of the comparison operations may be reversed.
  • the filament 16 is brought into the second state (low resistance state) by the first blow to the storage element 10, and the information "1" is recorded in the storage element 10.
  • the state of the storage element 10 before the rewriting of the information is generated.
  • the semiconductor device 1 uses the first threshold value Rth1 as a threshold value for distinguishing between the information "0" and the information "1", as in the above-described multi-value recording information reading process.
  • the memory element 10 in the first state is blown again (second time) to bring the filament 16 into the third state (high resistance state).
  • the state of the storage element 10 after the information is rewritten is generated.
  • the semiconductor device 1 changes the threshold value for distinguishing the information "0" from the information "1” from the first threshold value Rth1 to the second threshold value Rth2. That is, after the information is rewritten, the semiconductor device 1 determines that the resistance state (second state) of the filament 16 before the rewriting (after the first blow) is the information "0", so that the threshold value of the comparator 50 can be determined. To change.
  • the information can be rewritten for the storage element 10 in this way.
  • a part may be used as an electric fuse dedicated to multi-value recording, and the rest may be used as an electric fuse dedicated to rewriting. ..
  • the storage element 10 has an upper electrode 14, a lower electrode 15, and a tunnel barrier layer 13, and the upper electrode 14 and the lower electrode 15 have at least a tunnel barrier layer 13.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 have at least a tunnel barrier layer 13.
  • the writing circuit 20 applies a blow current Iblo to the storage element 10 via the blow transistor 21 to generate at least three distinguishable resistance states.
  • the reading circuit 30 reads a signal relating to the resistance value of the storage element 10, and the reference signal generation circuit 40 generates a reference signal (threshold signal) for discriminating at least three distinguishable resistance states for comparison.
  • the device 50 compares the reference signal generated by the reference signal generation circuit 40 with the signal related to the resistance value read by the reading circuit 30 to determine at least three resistance states.
  • the storage element 10 includes a magnetization fixing layer 12, an upper electrode 14 formed on the magnetization fixing layer 12, a storage layer 11, a lower electrode 15 formed on the storage layer 11, and a magnetization fixing layer 12. It is composed of a magnetic tunnel junction element (MTJ element) having a tunnel barrier layer 13 formed between the storage layer 11 and the storage layer 11. That is, the filament 16 has an upper electrode 14, a lower electrode 15, and a tunnel barrier layer 13, and by changing the combination of these resistance states, at least three distinguishable resistance states are generated.
  • MTJ element magnetic tunnel junction element
  • the semiconductor device 1 damages the tunnel barrier layer 13 by applying the blow current Iblo to the first state, which is the initial state before the blow current Iblo is applied, as the at least three distinguishable resistance states.
  • the configuration includes a second state after the blow current and a third state after the blow current Iblow is applied to damage the upper electrode 14 and the lower electrode 15.
  • the second state is a low resistance state having a lower resistance than the first state
  • the third state is a high resistance state having a higher resistance than the first state.
  • the blow conditions of the filament 16 were set. Specifically, a first blow condition was set in which the first blow voltage Vblo1 was applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 only during the first blow time Tblo1. In addition, a second blow condition is set in which the second blow voltage Vblow2, which is higher than the first blow voltage Vblo1, is applied to the gate electrode 21G only during the second blow time Tbrow2, which is longer than the first blow time Tblo1. Further, a third blow condition for maintaining the first state without applying the first blow voltage Vblow to the gate electrode 21G was set.
  • the storage element 10 is composed of the MTJ element, it is possible to reduce the blow current Iblo when writing information, and the size of the blow transistor 21 can be reduced as in the conventional case. It will be possible.
  • the cell size per information can be reduced as compared with the conventional configuration in which only binary information can be recorded. .. That is, it is possible to increase the capacity of each memory cell without increasing the mounting area of each memory cell as compared with the conventional configuration for recording binary information.
  • the semiconductor device 1 can be manufactured by the same process as the conventional one, there is no need to change the process or add a new process. This makes it possible to prevent an increase in cost due to process modification.
  • the semiconductor device 1 according to the first embodiment further sets the conditions under the first blow condition and the second blow condition that the direction in which the blow current I blow flows is one direction from the upper electrode 14 to the lower electrode 15. ..
  • the blow current Iblow is made to flow in one direction from the upper electrode 14 to the lower electrode 15 or from the lower electrode 15 to the upper electrode 14. Therefore, when a memory cell array is configured, the blow transistor 21 is diffused. It is possible to connect one of the regions to a fixed potential. As a result, the diffusion area can be shared by adjacent memory cells, and the circuit configuration can be simplified. As a result, it is possible to reduce the layout area when the array is formed.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a partial configuration example including a writing circuit and a control circuit of the semiconductor device according to the first modification of the first embodiment.
  • the semiconductor device 1A according to the first modification includes, for example, the writing circuit 20A instead of the writing circuit 20 in the semiconductor device 1 of the first embodiment, and controls instead of the control circuit 60. It is configured to include a circuit 60A.
  • the writing circuit 20A according to modification 1 of the first embodiment includes a blow transistor 21, a boosting circuit 26, a third writing switch element 27, and a fourth writing switch element 28.
  • the booster circuit 26 boosts the input voltage Vin in response to the write control signal Ctrl supplied from the control circuit 60A to instruct the writing of information, and generates a plurality of types of write voltage Vfuse. Then, the output variable type booster circuit outputs (applies) the generated write voltage Vfuse to the storage element 10. Specifically, the booster circuit 26 generates a write voltage Vfuse of a voltage value corresponding to the instruction content according to the content instructed by the write control signal Ctrl. The output terminal of the write voltage Vfuse of the booster circuit 26 is connected to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the write voltage Vfuse generated by the booster circuit 26 is applied to the upper electrode 14. That is, in the present modification 1, the write voltage Vfuse plays the role of the blow voltage Vblo of the first embodiment by making the write voltage Vfuse variable and controlling the magnitude of the blow current Iblo.
  • the write control signal Ctrl has an instruction content for instructing to stop the output of the write voltage Vfuse, and when this signal is supplied, the booster circuit 26 stops the output of the write voltage Vfuse to the upper electrode 14. To do.
  • the third writing switch element 27 is a switch for switching between a connected state and a non-connected state between the gate electrode 21G of the blow transistor 21 and the power supply terminal of the power supply of the power supply voltage Vblo (hereinafter, also referred to as “power supply Vblo”). It is an element.
  • the power supply voltage Vblow is a constant voltage.
  • the power supply voltage Vblow turns on the blow transistor 21 so that the blow current Iblo of a magnitude required to change the resistance state of the filament 16 to the second to third states can be supplied to the storage element 10. Is a possible voltage.
  • the third writing switch element 27 is composed of, for example, a transistor. In the example of FIG. 10, the third writing switch element 27 is composed of a NMOS type FET.
  • the gate terminal of the third writing switch element 27 is connected to the supply terminal of the control signal SW of the control circuit 60, and the source terminal of the third writing switch element 27 is connected to the power supply terminal of the power supply Vblo.
  • the drain terminal of the third writing switch element 27 is connected to the gate terminal (gate electrode 21G) of the blow transistor 21.
  • the third writing switch element 27 is turned on when a Low level control signal SW is input to the gate terminal thereof.
  • the fourth writing switch element 28 is a switch element for switching between a connected state and a non-connected state between the gate terminal of the blow transistor 21 and the ground potential (GND).
  • the fourth writing switch element 28 is composed of, for example, a transistor.
  • the fourth write switch element 28 is composed of an NMOS type FET.
  • the gate terminal of the fourth write switch element 28 is connected to the supply terminal of the control signal SW of the control circuit 60, and the source terminal of the fourth write switch element 28 is connected to the ground potential (GND).
  • the drain terminal of the fourth writing switch element 28 is connected to the gate terminal of the blow transistor 21.
  • the fourth writing switch element 28 is turned on when a high level control signal SW is input to the gate terminal thereof.
  • the fourth write switch element 28 is turned off when the third write switch element 27 is on, and is turned on when the third write switch element 27 is off, and the blow transistor 21 is turned on. Connect the gate terminal to the ground potential.
  • blow condition Tblow the combination of the connection state of the power supply Vblow, the voltage value of the write voltage Vfuse applied to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the application time of the write voltage Vfuse (hereinafter, also referred to as blow time Tblow).
  • a condition including is set as a blow condition.
  • the power supply Vblo is connected to the gate terminal of the blow transistor 21, and the first write voltage Vfuse1 is applied to the upper electrode 14 of the storage element 10 only during the first blow time Tblo1. That is.
  • a first blow current Ibrow1 having a magnitude corresponding to the first write voltage Vfuse1 flows through the storage element 10 only during the first blow time Tblo1.
  • the first write voltage Vfuse1 is set to a voltage high enough to allow a first blow current Iblo1 of a size required to destroy only the tunnel barrier layer 13 of the filament 16 to flow through the storage element 10.
  • the first blow time Tblo1 is set to a length required to destroy only the tunnel barrier layer 13 by the first blow current Iblo1.
  • the fifth blow condition according to the first modification is that the power supply Vblo is connected to the gate terminal of the blow transistor 21 and the second write voltage Vfuse2 is connected to the upper electrode 14 of the storage element 10 only during the second blow time Tblo2.
  • the second write voltage Vfuse2 is set to a voltage larger than the first write voltage Vfuse1
  • the second blow time Tblow2 is set to a time longer than the first blow time Tblow1.
  • the second blow current Iblo2 which is larger than the first blow current Iblo1
  • the second write voltage Vfuse2 is set to a voltage high enough to allow a second blow current Ibrow2 having a size necessary for destroying the upper electrode 14 and the lower electrode 15 of the filament 16 to flow through the storage element 10. It is set. Further, the second blow time Tblo2 is set to a length required to destroy the upper electrode 14 and the lower electrode 15 by the second blow current Iblo2.
  • the sixth blow condition according to the present modification 1 is that the writing voltage Vfuse is not applied to the upper electrode 14 of the storage element 10 and the power supply Vblo is not connected to the gate terminal of the blow transistor 21.
  • the control circuit 60A generates a write control signal Ctrl for switching the output voltage (write voltage Vfuse) of the booster circuit 26, and outputs the generated write control signal Ctrl to the booster circuit 26.
  • a control signal SW for switching the connection state between the gate terminal of the blow transistor 21 and the power supply Vblo and the connection state between the gate terminal of the blow transistor 21 and the ground potential is generated. Then, the generated control signal SW is output to the third and fourth writing switch elements 27 and 28.
  • control circuit 60A has a timer counter, and the timer counter measures the application time of the write voltage Vfuse to the upper electrode 14, and the write output to the booster circuit 26 based on the measured application time.
  • the content of the control signal Timer and the content of the control signal SW output to the third and fourth write switch elements 27 and 28 are controlled.
  • control circuit 60A when the control circuit 60A writes information to the storage element 10, the control circuit 60A outputs a write control signal Ctrl indicating a voltage value of the preset write voltage Vfuse to the booster circuit 26.
  • control signal SW for turning on the third writing switch element 27 is output to the third and fourth writing switch elements 27 and 28.
  • the blow transistor 21 is turned on, and the writing voltage Vfuse is applied to the upper electrode 14 for the blow time Tblow set under the blow conditions.
  • the blow current Ibrow corresponding to the magnitude of the write voltage Vfuse flows to the storage element 10 only during the set blow time Tblo, and information is written.
  • the control circuit 60A outputs a write control signal Ctrl that stops the output of the write voltage Vfuse to the upper electrode 14 to the booster circuit 22 when the preset blow time Tblo elapses.
  • the control signal SW for turning on the fourth writing switch element 28 is output to the third and fourth writing switch elements 27 and 28.
  • the fourth blow condition is set so that the second state occurs in the filament 16.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 26 with a write control signal Ctrl that applies a first write voltage Vfuse1 to the upper electrode 14 of the storage element 10 based on the set fourth blow condition.
  • the control circuit 60 supplies the low level control signal SW for connecting the power supply Vblo to the gate terminal of the blow transistor 21 to the gate terminals of the third and fourth write switch elements 27 and 28.
  • the control circuit 60 starts the measurement of the first blow time Tblo1 by the timer counter. As a result, the first write voltage Vfuse1 is generated in the booster circuit 26, the generated first write voltage Vfuse1 is applied to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the gate terminal of the blow transistor 21 becomes the power supply Vblo. Be connected.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 26 with a write control signal Ctrl that stops the output of the first write voltage Vfuse1 to the upper electrode 14.
  • the control circuit 60 supplies the high level control signal SW for connecting the gate terminal of the blow transistor 21 to the ground potential to the gate terminals of the third and fourth write switch elements 27 and 28.
  • a Low level signal is applied from the booster circuit 26 to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the gate terminal of the blow transistor 21 is connected to the ground potential. That is, the first blow current Iblo1 flows through the storage element 10 only during the first blow time Tblo1.
  • the tunnel barrier layer 13 of the filament 16 is blown (broken), and the filament 16 shifts to the second state in which the resistance value R becomes the resistance value R1.
  • the fifth blow condition is set so that the third state occurs in the filament 16.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 26 with a write control signal Ctrl that applies a second write voltage Vfuse 2 to the upper electrode 14 of the storage element 10 based on the set fifth blow condition.
  • the control circuit 60 supplies the low level control signal SW for connecting the power supply Vblo to the gate terminal of the blow transistor 21 to the gates of the third and fourth write switch elements 27 and 28.
  • the control circuit 60 starts the measurement of the second blow time Tblo2 by the timer counter.
  • the booster circuit 26 generates the second write voltage Vfuse2, the generated second write voltage Vfuse2 is applied to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the gate terminal of the blow transistor 21 becomes the power supply Vblo. Be connected.
  • the control circuit 60 supplies the booster circuit 26 with a write control signal Ctrl that stops the output of the second write voltage Vfuse2 to the upper electrode 14.
  • the control circuit 60 supplies the high level control signal SW for connecting the gate terminal of the blow transistor 21 to the ground potential to the gate terminals of the third and fourth write switch elements 27 and 28.
  • a Low level signal is applied from the booster circuit 26 to the upper electrode 14 of the storage element 10, and the gate terminal of the blow transistor 21 is connected to the ground potential. That is, the second blow current Iblo2 flows through the storage element 10 only during the second blow time Tblow2.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 of the filament 16 are blown (broken), and the filament 16 shifts to a third state in which the resistance value R becomes the resistance value R2.
  • the control circuit 60 outputs the write control signal Ctrl of the instruction content for stopping the output of the write voltage Vfuse to the booster circuit 26.
  • a high level control signal SW that connects the gate terminal of the blow transistor 21 to the ground potential is supplied to the gate terminals of the third and fourth write switch elements 27 and 28.
  • the third writing switch element 27 is turned off and the fourth writing switch element 28 is turned on, and the gate terminal of the blow transistor 21 is connected to the ground potential.
  • the filament 16 is maintained in the first state in which the resistance value R becomes the resistance value R0.
  • the writing circuit 20A makes the writing voltage Vfuse applied to the upper electrode 14 of the storage element 10 variable according to the control signal Ctrl from the control circuit 60A, and causes the blow current Iblo. Control the size.
  • the semiconductor device 1B of the second embodiment is different from the first embodiment in that it has a memory cell array having a structure in which a plurality of single memory cells 2 shown in FIG. 2 described in the first embodiment are arranged in an array.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the array structure of the memory cell array according to the second embodiment.
  • the semiconductor device 1B according to the second embodiment includes a memory cell array 200 having a structure in which the memory cells 2 in the semiconductor device 1 of the first embodiment are arranged in an array.
  • the memory cell array 200 includes a plurality of word lines WL1, WL2, WL3, WL4, WL5, WL6, ..., WLn (n is an even number of 2 or more in the second embodiment).
  • the word lines WL1 to WLn are arranged side by side in the first direction in FIG. 11 and have a configuration extending in the second direction in FIG.
  • the memory cell array 200 is arranged side by side in a direction (second direction) orthogonal to the plurality of word lines WL1 to WLn, and a plurality of bit lines BL1, BL2, BL3, and so on extending in the first direction. ⁇ , BLm (m is a natural number) is provided.
  • a plurality of memory cells 2 are provided, one arranged at each intersection of the plurality of word lines WL1 to WLn and the plurality of bit lines BL1 to BLm.
  • word lines WL are simply referred to as “word lines WL” when it is not necessary to distinguish them.
  • bit line BL when it is not necessary to distinguish the bit lines BL1 to BLm, it is simply referred to as "bit line BL”.
  • the memory cell array 200 further includes a plurality of source lines SL1, SL2, SL3, ..., SLk (k is a natural number of 4 or more).
  • the source lines SL1 to SLk are a set of two word lines WL1 and WL2, WL3 and WL4, WL5 and WL6, ..., WL (n-1) and WLn, which are continuous in the first direction in FIG. For each, one is arranged between the two word line WLs of each set in parallel with these two word line WLs.
  • source line SL when it is not necessary to distinguish the source lines SL1 to SLk, they are simply referred to as "source line SL".
  • blow transistors 21 of two memory cells 2 are arranged in the extending direction of the bit line BL with the source line SL sandwiched between them. It shares SL. That is, the sources of the blow transistors 21 of each of the two memory cells 2 are connected to the common source line SL. For example, in two memory cells adjacent to each other in the first direction (hereinafter, referred to as “memory cell pair”), these blow transistors 21 share the source line SL1.
  • the semiconductor device 1B further includes a plurality of writing circuits 20B for writing information to each storage element 10 of the memory cell array 200. Further, although not shown, a plurality of read circuits 30, a reference signal generation circuit 40 and a comparator 50 for reading information from each storage element 10 and a control circuit 60 for controlling the operation of each circuit are provided.
  • FIG. 12 is a plan view showing an example of the layout configuration of the memory cell array according to the second embodiment. Note that FIG. 12 shows only word lines WL1 to WL6, source lines SL1 to SL3, bit lines BL1 to BL3, and memory cell pairs 201 corresponding thereto.
  • a plurality of element regions (also referred to as active regions) 214 are equidistant in the first direction (row direction) and the second direction (column direction). They are arranged side by side in. Then, two word lines WL (for each of the three element regions 214 arranged in the second direction in the example of FIG. 12) of a plurality of element regions 214 arranged side by side in the second direction (FIG. 12). In the example of, WL1 and WL2, WL3 and WL4, WL5 and WL6) are arranged so as to extend in the second direction. Further, one bit line BL (example of FIG.
  • BL1, BL2, BL3 are arranged so as to extend in the first direction.
  • SL1, SL2, SL3) are arranged so as to extend in the second direction. That is, in the memory cell pair 201 corresponding to each element region 214, two memory cells 2 adjacent to each other in the first direction share one common source line SL.
  • the contact 211 is a contact for connecting the source terminals of the two blow transistors 21 of each memory cell pair 201 to one common source line SL.
  • the storage element 10 connected to the drain terminal side of the blow transistor 21 is formed between the drain terminal and the bit wire BL, and is connected to the bit wire BL by a contact 18 (described later) formed on the metal wiring 17. ing.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 12, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line BB'of FIG. Note that, in FIG. 13, a cross-sectional view of the memory cell pair 201 surrounded by the broken line in FIG. 12 is represented as a representative, and the same configuration is obtained for the other memory cell pairs.
  • the memory cell pair 201 is formed on the semiconductor substrate 100B, which is a P-type silicon substrate. Of the surface region of the semiconductor substrate 100B, the region where the element separation region 103 is not provided is the element region 214.
  • a P-shaped well region 101B is formed in the element region 214, and two blow transistors 21_1 and 21_2 are formed in the well region 101B.
  • two drain regions 21D_1 and 21D_2, two gate electrodes 21G_1 and 21G_2, and one source region 21S are formed in the well region 101B between the drain regions 21D_1 and 21D_2 via a gate insulating film (not shown).
  • a source region 21S is formed in a well region 101B portion between the gate electrodes 21G_1 and 21G_2.
  • the blow transistor 21_1 is composed of the gate insulating film, the gate electrode 21G_1, the drain region 21D_1, and the source region 21S.
  • the blow transistor 21_2 is composed of the gate insulating film, the gate electrode 21G_2, the drain region 21D_2, and the source region 21S. That is, the blow transistors 21_1 and 21_2 share one source region 21S.
  • the metal wiring 213_1 constituting the word line WL1 is arranged on the gate electrode 21G_1 via the interlayer insulating film 102. Further, on the gate electrode 21G_2, the metal wiring 213_2 constituting the word line WL2 is arranged via the interlayer insulating film 102 in the example of FIG.
  • the contacts 210 and 211 and the metal wiring 212 are arranged on the source region 21S via the interlayer insulating film 102. Specifically, the contact 210 is formed on the source region 21S, the contact 211 is formed on the contact 210, and the metal wiring 212 constituting the source line SL1 is formed on the contact 211 in the example shown in FIG. There is.
  • storage elements 10 are arranged on the drain regions 21D_1 and 21D_2, respectively, via the interlayer insulating film 102.
  • the configuration of the storage element 10 is the same as that of the first embodiment.
  • a metal wiring 17, a contact 18, and a metal wiring 19 are arranged on the upper electrode 14 of the storage element 10 via an interlayer insulating film 102.
  • the metal wiring 17 is formed on the upper electrode 14, and the contact 18 is formed on the metal wiring 17.
  • a metal wiring 19 constituting the bit wire BL2 is formed on the contact 18.
  • the contact 18 is composed of, for example, Ta, Al, Cu, W, and the like.
  • the contact 18 is composed of, for example, W.
  • the metal wiring 19 is made of, for example, Cu or Au.
  • the metal wiring 19 is made of, for example, Cu.
  • the element separation region 103 is composed of, for example, an element separation region having an STI (Shallow Trench Isolation) structure.
  • FIG. 15 is a diagram showing a circuit configuration example of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • the gate terminal of the blow transistor 21 constituting the memory cell 2 is connected to the word line WL, and the source terminal of the blow transistor 21 is the source. It is connected to the line SL.
  • the drain terminal of the blow transistor 21 is connected to the lower electrode 15 of the storage element 10 constituting the memory cell 2, and the upper electrode 14 of the storage element 10 is connected to the bit line BL.
  • the drain terminals of the first and second write switch elements 23 and 24 constituting the write circuit 20 and the source terminals of the second read switch element 32 constituting the read circuit 30 are connected to the bit line BL. There is.
  • a blow voltage Vblo is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 via the word line WL, and a power source is supplied to the upper electrode 14 of the storage element 10 and the source terminal of the second read switch element 32 via the bit line BL.
  • Vfuse is connected (write voltage Vfuse is applied).
  • the source terminal of the blow transistor 21 is connected to the ground potential (GND) via the source line SL.
  • the basic operation of the writing circuit 20B according to the second embodiment is the same as that of the writing circuit 20 of the first embodiment.
  • the blow transistor 21 constituting the write circuit 20B is provided for each memory cell 2
  • the booster circuit 22 is provided for each word line WL, for example
  • the first and second write switch elements 23 and 24 is provided for each bit line BL, for example.
  • a plurality of memory cells 2 are arrayed and connected to a common word line WL, bit line BL, and source line SL, it is necessary to select only the memory cell 2 to be written and write the information. ..
  • FIG. 16 is a diagram showing the state of the memory cell array before selecting the memory cell to be written
  • FIG. 17 is a diagram showing the state of the memory cell array after selecting the memory cell to be written.
  • a Low level signal Vg is applied to the word lines WL1 to WLn, and the bit lines BL1 to BLm are set to the ground potential (GND). Be connected. Further, the source lines SL1 to SLk are always connected to the ground potential. Therefore, a Low level signal Vg is applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 of each memory cell 2, and a ground potential is connected to the upper electrode 14 of the storage element 10 of each memory cell 2. .. In addition, a ground potential is connected to the source terminal of the blow transistor 21 of each memory cell 2.
  • the high level blow voltage Vblo is applied to the word line WL1 and the high level power supply voltage Vfuse is applied to the bit line BL2.
  • a high level blow voltage Vblo is applied to the gate electrodes 21G of the blow transistors 21 of all the memory cells 2 connected to the word line WL1.
  • the power supply Vfuse is connected to the upper electrodes 14 of all the storage elements 10 connected to the bit line BL2. That is, only the memory cell 2 connected to both the word line WL1 and the bit line BL2 is applied with the blow voltage Vblo on the gate electrode 21G of the blow transistor 21, and the power supply voltage Vfuse is applied to the upper electrode 14 of the storage element 10. Is applied. Therefore, as shown by the arrow in FIG. 17, the blow current Iblo flows only in the storage element 10 of the memory cell 2, and the information is written.
  • the semiconductor device 1B includes a plurality of word lines WL1 to WLn, a plurality of bit lines BL1 to BLm arranged in a direction orthogonal to the plurality of word lines WL1 to WLn, and a plurality of word lines WL1.
  • a memory cell 2 is provided at each intersection of the WLn and the plurality of bit lines BL1 to BLm, and a writing circuit 20B is provided.
  • Each memory cell 2 includes a storage element 10 and a blow transistor 21.
  • the writing circuit 20B applies a blow current Iblow to the storage element 10 via the blow transistor 21 to generate at least three distinguishable resistance states (first to third states).
  • the semiconductor device 1B further includes a plurality of source lines SL1 to SLk arranged one by one in parallel with the word line WL between each of two word lines WL continuous in the extending direction of the bit lines BL1 to BLk. , The source terminals of the blow transistors 21 of each memory cell 2 arranged in the extending direction of each of the two word line WLs are connected to one common source line SL sandwiched between the two word line WLs. ..
  • the reading circuit 30 reads a signal relating to the resistance value of the storage element 10, and the reference signal generation circuit 40 generates a reference signal (threshold signal) for discriminating at least three distinguishable resistance states, and the comparator.
  • the 50 determines at least three resistance states by comparing the reference signal generated by the reference signal generation circuit 40 with the signal related to the resistance value read by the reading circuit 30.
  • the storage element 10 includes a magnetization fixing layer 12, an upper electrode 14 formed on the magnetization fixing layer 12, a storage layer 11, a lower electrode 15 formed on the storage layer 11, and a magnetization fixing layer 12. It is composed of a magnetic tunnel junction element (MTJ element) having a tunnel barrier layer 13 formed between the storage layer 11 and the storage layer 11. That is, the filament 16 has an upper electrode 14, a lower electrode 15, and a tunnel barrier layer 13, and by changing the combination of these resistance states, at least three distinguishable resistance states are generated.
  • MTJ element magnetic tunnel junction element
  • the semiconductor device 1B damages the tunnel barrier layer 13 by applying the first state, which is the initial state before the blow current Iblow, and the blow current Iblow, as the at least three distinguishable resistance states.
  • the configuration includes a second state after that and a third state after applying a blow current Iblow to damage the upper electrode 14 and the lower electrode 15.
  • the second state is a low resistance state having a lower resistance than the first state
  • the third state is a high resistance state having a higher resistance than the first state.
  • the blow conditions of the filament 16 were set. Specifically, a first blow condition was set in which the first blow voltage Vblo1 was applied to the gate electrode 21G of the blow transistor 21 only during the first blow time Tblo1. In addition, a second blow condition is set in which the second blow voltage Vblow2, which is higher than the first blow voltage Vblo1, is applied to the gate electrode 21G only during the second blow time Tbrow2, which is longer than the first blow time Tblo1. Further, a third blow condition for maintaining the first state without applying the first blow voltage Vblow to the gate electrode 21G was set.
  • the source area can be shared by each of the two memory cells 2 connected to the adjacent word line WL among the plurality of memory cells 2 constituting the memory cell array 200.
  • the mounting area of the plurality of blow transistors 21 constituting the memory cell array 200 can be reduced as compared with the conventional case, and the mounting area of the memory cell array 200 can be reduced as compared with the conventional case.
  • the semiconductor device 1B can be manufactured by the same process as the conventional one, there is no need to change the process or add a new process. This makes it possible to prevent an increase in cost due to process modification.
  • the semiconductor device 1B according to the second embodiment further sets the conditions under the first blow condition and the second blow condition that the direction in which the blow current I blow flows is one direction from the upper electrode 14 to the lower electrode 15. ..
  • the blow current Iblow is made to flow in one direction from the upper electrode 14 to the lower electrode 15 or from the lower electrode 15 to the upper electrode 14, so that the source region of the blow transistor 21 is grounded as described above. It becomes possible to fix it to.
  • the source line SL can be shared by adjacent memory cells, and the circuit configuration can be simplified. As a result, the layout area can be reduced.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technique according to the present disclosure can be applied to various electronic devices such as an imaging device such as a digital still camera or a digital video camera, a mobile phone, or another device provided with an OTP memory.
  • FIG. 18 is a block diagram showing a configuration example of an imaging device as an electronic device to which the present technology can be applied.
  • the image pickup device 301 shown in FIG. 18 includes an optical system 302, a shutter device 303, a solid-state image pickup device 304, a control circuit 305, a signal processing circuit 306, a monitor 307, and a non-volatile memory 308, and includes still images and moving images. The image can be imaged.
  • the optical system 302 is configured to have one or a plurality of lenses, and guides the light (incident light) from the subject to the solid-state image sensor 304 to form an image on the light receiving surface of the solid-state image sensor 304.
  • the shutter device 303 is arranged between the optical system 302 and the solid-state image sensor 304, and controls the light irradiation period and the light-shielding period of the solid-state image sensor 304 according to the control of the control circuit 305.
  • the solid-state image sensor 304 accumulates signal charges for a certain period of time according to the light imaged on the light receiving surface via the optical system 302 and the shutter device 303.
  • the signal charge stored in the solid-state image sensor 304 is transferred according to the drive signal (timing signal) supplied from the control circuit 305.
  • the solid-state image sensor 304 further has an OTP memory 309.
  • the OTP memory 309 is used, for example, for storing data for image quality correction such as pixel defect correction and sensor drive parameter adjustment. Further, as individual adjustment of the lens module, for example, it is also used for lens shading correction, storage of data for inputting AutoFocus parameters, storage of individual identification information, and the like.
  • the control circuit 305 outputs a drive signal for controlling the transfer operation of the solid-state image sensor 304 and the shutter operation of the shutter device 303 to drive the solid-state image sensor 304 and the shutter device 303.
  • the signal processing circuit 306 performs various signal processing on the signal charge output from the solid-state image sensor 304.
  • the image (image data) obtained by performing signal processing by the signal processing circuit 306 is supplied to the monitor 307 and displayed, or supplied to the non-volatile memory 308 and stored (recorded).
  • the layout area of the OTP memory can be reduced by applying the semiconductor devices 1, 1A, and 1B instead of the OTP memory 309 described above. It is also possible to rewrite the information when a better parameter is discovered later.
  • the upper electrode 14 and the lower electrode 15 do not necessarily have to be made of the same material.
  • the materials constituting the upper electrode 14 and the lower electrode 15 may be made of materials having different current resistances. With this configuration, the upper electrode 14 and the lower electrode 15 can be individually blown, and quaternary recording becomes possible.
  • the memory cell does not necessarily have to be composed of the magnetic resistance change memory.
  • the memory cell may be composed of a ferroelectric memory, a phase change memory, a resistance change memory, or the like.
  • the present disclosure includes various embodiments not described here. At least one of the various omissions, substitutions and modifications of the components may be made without departing from the gist of the embodiments and modifications described above. Further, the effects described in the present specification are merely examples and are not limited, and other effects may be obtained. The technical scope of the present disclosure is defined only by the matters specifying the invention relating to the reasonable claims from the above description.
  • the present disclosure may also have the following structure.
  • It has a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at least via the insulating layer, and the first.
  • a semiconductor device including a writing unit that applies a blow current to the storage element to generate the at least three identifiable resistance states.
  • the storage element includes a magnetization fixing layer, a first electrode as the first conductive layer formed on the magnetization fixing layer, a storage layer, and the second electrode formed on the storage layer.
  • the semiconductor according to (1) above which is a magnetic tunnel bonding element having a second electrode as a conductive layer and a tunnel barrier layer as an insulating layer formed between the magnetization fixing layer and the storage layer. apparatus.
  • the low resistance state is a state in which the insulating layer is damaged
  • the high resistance state is a state in which at least one of the first conductive layer and the second conductive layer is damaged.
  • Each memory cell has a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at least via the insulating layer.
  • a semiconductor device comprising a writing unit that applies a blow current to the filament through the transistor to generate the at least three distinguishable resistance states.
  • a plurality of source lines arranged one by one in parallel with the word line are further provided between each of two word lines continuous in the extending direction of the bit line.
  • the source terminal of the transistor of each memory cell arranged in the extending direction of each of the two word lines is connected to one common source line sandwiched between the two word lines.
  • the storage element includes a magnetization fixing layer, a first electrode as the first conductive layer formed on the magnetization fixing layer, a storage layer, and the second conductivity formed on the storage layer.
  • the semiconductor device which is a magnetic tunnel bonding element having a second electrode as a layer and a tunnel barrier layer as an insulating layer formed between the magnetization fixing layer and the storage layer.
  • the described semiconductor device (11)
  • the above (8), wherein the at least three identifiable resistance states of the filament include an initial state, a low resistance state having a lower resistance than the initial state, and a high resistance state having a higher resistance than the initial state. )-(10).
  • the low resistance state is a state in which the insulating layer is damaged
  • the high resistance state is a state in which at least one of the first conductive layer and the second conductive layer is damaged.
  • the semiconductor device according to any one of (8) to (12) above, wherein at least three identifiable resistance states of the filament change depending on the blowing conditions of the filament.
  • the blow condition of the filament includes flowing a blow current in one direction from the first conductive layer of the filament to the second conductive layer.
  • a reading unit that reads out a signal related to the resistance value of the storage element, and A threshold signal generation unit that generates a threshold signal for discriminating at least three distinguishable resistance states
  • the above (8) to (14) further include a discriminating unit for discriminating the resistance state by comparing the threshold signal generated by the threshold signal generation unit with the signal related to the resistance value read by the reading unit.
  • a storage element having a filament in which at least three distinguishable resistance states are generated by changing the combination of the state of the conductive layer, the state of the second conductive layer, and the state of the insulating layer, and the storage.
  • An electronic device comprising a semiconductor device comprising a writing unit that applies a blow current to an element to generate the at least three identifiable resistance states.
  • Each memory cell has a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at least via the insulating layer.
  • the gate terminal is connected to the word wire, and the drain terminal is connected to the bit wire.
  • An electronic device comprising a semiconductor device comprising a writing unit that applies a blow current to the filament through the transistor to generate the at least three distinguishable resistance states.
  • Non-volatile memory 309 OTP memory WL1 to WLn Word line BL1 to BLm Bit line SL1 to SLk Source line Vbloow, Vbloow1, Vblow2 Blow voltage Iblo, Iblo1, Iblo2 Blow current Tblow, Tblow1, Tblo2 Blow time Vfuse Write voltage Rth1 1st threshold Rth2 2nd threshold Ctrl, SW, Sr1 to Sr6 Control signal

Landscapes

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Abstract

搭載する記憶素子の容量を省スペースで効率よく増加させることのできる半導体装置及びこれを備えた電子機器を提供する。半導体装置は、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、第１導電層と第２導電層とは少なくとも絶縁層を介して積層されており、第１導電層の状態と、第２導電層の状態と、絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、記憶素子に対してブロー電流を印加して少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部とを備える。

Description

半導体装置及びこれを備えた電子機器
　本開示は、抵抗状態の変化によって情報を記憶可能な記憶素子を有する半導体装置及びこれを備えた電子機器に関する。
　従来、半導体装置に用いられる例えば半導体集積回路のチップには、ＯＴＰ（One Time Programmable）メモリとしての機能を有する電気ヒューズが搭載されている。この電気ヒューズは、半導体装置の例えばパフォーマンスや消費電力等の特性を調整したり、補正したりするためのトリミング素子として用いられる。
　従来の電気ヒューズでは、そのフィラメントに所定の電流を流して、フィラメントにサリサイドＥＭ（Electro Migration）又はＳｉメルティングを発生させ、これによってフィラメントの抵抗値を増大させて、電気ヒューズに情報を書き込む。例えば、初期状態を「０」、抵抗値増大後を「１」として２値の情報を記憶する。このようなフィラメントを用いた電気ヒューズはフィラメントを切る（破壊する）ために大きい電流が必要となるため、メモリセルのサイズが大きくなる問題がある。
　この問題を解決するために、従来の電気ヒューズのフィラメントよりも、低電流で破壊させることが出来る磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子）を利用した電気ヒューズが提案されている。例えば、ＭＴＪ素子を使った不揮発性メモリであるＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）のメモリセルアレイ内のビットセルに対して、非破壊と破壊の２通りの書き込み方式が可能な書き込み機構を有した半導体装置が開示されている（特許文献１参照）。
特開２０１１－２２５２５９号公報
　しかしながら、上記特許文献１の従来技術では、フィラメントを切るために必要な電流を印加するトランジスタを小さくできるため、その分だけメモリセルのサイズを小さくすることはできるが、各記憶素子の容量の点で改善の余地があった。
　本開示はこのような事情に鑑みてなされたもので、搭載する記憶素子の容量を省スペースで効率よく増加させることのできる半導体装置及びこれを備えた電子機器を提供することを目的とする。
　本開示の第１の態様は、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、前記記憶素子に対してブロー電流を印加して前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部と、を備える半導体装置又はこの半導体装置を備えた電子機器である。
　また、本開示の第２の態様は、複数のワード線と、前記複数のワード線と直交する方向に配置された複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線との各交点に１つずつ配置されたメモリセルと、を備え、各前記メモリセルは、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、ゲート端子が前記ワード線に接続され、ドレイン端子が前記ビット線に接続されたブロー用のトランジスタと、を有し、前記フィラメントに対して前記トランジスタを介してブロー電流を印加して、前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部を備える半導体装置又はこの半導体装置を備えた電子機器である。
本開示の第１実施形態に係る半導体装置１の構成例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る記憶素子と書き込み回路の構成例を示す回路図である。 第１実施形態に係るメモリセルの構成例を示す断面図である。 第１状態（ブロー前の初期状態）の記憶素子１０に対して第１のブロー条件で第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１を第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ流した後の、フィラメント１６の抵抗値Ｒの変化の一例を示す図である。 第２状態の記憶素子１０に対して第２のブロー条件で第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２を第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ流した後の、フィラメント１６の抵抗値Ｒの変化の一例を示す図である。 フィラメント１６の抵抗状態と多値情報との対応関係の一例を示す図である。 第１実施形態に係る読出し回路の構成例を示す回路図である。 第１実施形態に係る参照信号生成回路４０の構成例を示す回路図である。 ブロートランジスタ２１に印加するブロー電圧Ｖｂｌｏｗの信号波形例を示す波形図である。 第１実施形態の変形例１に係る半導体装置の書き込み回路及び制御回路を含む一部分の構成例を示す回路図である。 第２実施形態に係るメモリセルアレイのアレイ構造の一例を示す図である。 第２実施形態に係るメモリセルアレイのレイアウト構成の一例を示す平面図である。 図１２のＡ－Ａ’線断面図である。 図１２のＢ－Ｂ’線断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の一部の回路構成例を示す図である。 書き込み対象のメモリセルに情報を書き込む前のメモリセルアレイの状態を示す図である。 書き込み対象のメモリセルに情報を書き込み時のメモリセルアレイの状態を示す図である。 本技術が適用され得る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
　以下において、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
　また、以下の説明における上下等の方向の定義は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。例えば、対象を９０°回転して観察すれば上下は左右に変換して読まれ、１８０°回転して観察すれば上下は反転して読まれることは勿論である。
　〔第１実施形態〕
　［第１実施形態の半導体装置の構成例］
　まず、本開示の第１実施形態に係る電気ヒューズの機能を有する記憶素子を備えた半導体装置の構成を説明する前に、例えば半導体集積回路等のチップに搭載する電気ヒューズを備えたメモリセルの容量を増加させる際に起こり得る問題について、簡単に説明する。
　例えば半導体集積回路等のチップに搭載するメモリセルの容量を増大させる単純な手法としては、メモリセルの搭載数（搭載容量）を増やす手法が考えられる。しかし、各メモリセルは、電気ヒューズのフィラメントを切る（破壊する）ためのトランジスタ（以下、「ブロートランジスタ」ともいう）を有する。そのため、この手法でチップに搭載するメモリセルの容量を増大させると、チップにおいてメモリセル（特にブロートランジスタ）が占める面積が増大し、チップサイズが増大する。
　従って、チップサイズを増大させずにメモリセルの容量を増大させるためには、第１に、上記特許文献１に係る発明のように、電気ヒューズを構成する記憶素子として、例えば磁気トンネル接合素子などの従来よりも低電流でフィラメントを破壊できる素子を用いる手法が考えられる。また、第２に、より多値記憶できる構成とすることで各記憶素子の容量を増加させてメモリセルの搭載数を低減する手法が考えられる。
　そこで、第１実施形態では、上述した問題を解消することのできる半導体装置の一構成例として、上記第１の手法及び第２の手法を適用した半導体装置を提案する。
　図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置１の構成例を示すブロック図である。また、図２は、第１実施形態に係る記憶素子と書き込み回路の構成例を示す図である。
　図１に示すように、半導体装置１は、記憶素子１０と、書き込み回路２０と、読出し回路３０と、参照信号生成回路４０と、比較器５０と、制御回路６０とを備える。
　［記憶素子１０の構成］
　まず、記憶素子１０の構成について説明する。
　記憶素子１０は、抵抗変化型の記憶素子から構成されている。第１実施形態では、記憶素子１０は、磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）から構成されていることとする。即ち、第１実施形態において、記憶素子１０は、垂直磁気異方性を有する磁性材料から構成されている。この記憶素子１０は、図２に示すように、磁化方向が可変の記憶層（フリー層、記録層、磁化反転層、磁化自由層、Magnetic Free Layer とも呼ばれる）１１を備える。加えて、磁化が固着された磁化固定層（ピン層、Magnetic Pinned Layer とも呼ばれる）１２と、記憶層１１と磁化固定層１２との間に形成されたトンネルバリア層（トンネル絶縁層とも呼ばれる）１３とを備える。更に、記憶層１１上に設けられた上部電極１４と、磁化固定層１２上に設けられた下部電極１５とを備える。ここで、上部電極１４が特許請求の範囲に記載の第１導電層及び第１電極に対応し、下部電極１５が特許請求の範囲に記載の第２導電層及び第２電極に対応する。
　また、記憶層１１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などを主成分とする磁性体金属膜から構成されている。第１実施形態では、記憶層１１は、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ及びホウ素（Ｂ）の合金（以下、「ＣｏＦｅＢ合金」という）から構成されている。トンネルバリア層１３は、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）などから構成されている。第１実施形態では、トンネルバリア層１３は、例えば、ＭｇＯから構成されている。磁化固定層１２は、記憶層１１と同様の磁性体金属膜から構成されている。即ち、第１実施形態では、磁化固定層１２は、例えば、ＣｏＦｅＢ合金から構成されている。
　また、上部電極１４及び下部電極１５は、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などから構成されている。第１実施形態では、上部電極１４及び下部電極１５は、例えば、Ｗから構成されている。
　なお、第１実施形態では、記憶素子１０を、３値以上の多値記録が可能な電気ヒューズとして用いる。具体的に、図２に示すように、記憶素子１０を構成するトンネルバリア層１３、上部電極１４及び下部電極１５をフィラメント１６とする。そして、書き込み回路２０によって、記憶素子１０に、そのフィラメント１６の抵抗状態を素子破壊によって不可逆的に変化させる大きさの電流を印加する。以下、この書き込み動作を「ブロー」ともいう。また、このときの電流を「ブロー電流Ｉｂｌｏｗ」という。これにより、フィラメント１６の抵抗状態を不可逆的に変化させて３値以上の多値記録を実現する。そのため、第１実施形態の記憶素子１０は、一般的なＭＴＪ素子の構成に限らず、同様の機能を実現可能な構成であれば、他の構成としてもよい。例えば、記憶層１１と磁化固定層１２とを、両方とも磁化の方向を固定した磁化固定層として構成してもよいし、両方とも磁化方向を可変とした記憶層として構成してもよい。なお、製造工程で工程数を増加させない構成とすることが望ましい。
　［書き込み回路２０の構成］
　次に、書き込み回路２０の構成を説明する。
　書き込み回路２０は、図２に示すように、ブロートランジスタ２１と、昇圧回路２２と、第１書き込み用スイッチ素子２３と、第２書き込み用スイッチ素子２４とを備える。ここで、書き込み回路２０は、特許請求の範囲に記載の書き込み部に対応する。
　ブロートランジスタ２１は、ゲート端子に印加されるブロー電圧Ｖｂｌｏｗに応じてオン状態となるトランジスタである。ブロートランジスタ２１は、記憶素子１０と接続されている。図２に示す例では、ブロートランジスタ２１は、ＮＭＯＳ型ＦＥＴで構成されている。このブロートランジスタ２１のソース端子は接地電位（ＧＮＤ）に接続され、ドレイン端子は記憶素子１０の下部電極１５に接続され、ゲート端子は昇圧回路２２の出力端子に接続されている。
　昇圧回路２２は、制御回路６０から供給された、情報の書き込みを指示する書き込み制御信号Ｃｔｒｌに応じて、入力電圧Ｖｉｎを昇圧し、複数種類のブロー電圧Ｖｂｌｏｗを生成する。そして、生成したブロー電圧Ｖｂｌｏｗを、ブロートランジスタ２１に出力（印加）する出力可変型の昇圧回路である。具体的に、昇圧回路２２は、書き込み制御信号Ｃｔｒｌで指示された電圧値のブロー電圧Ｖｂｌｏｗを生成する。昇圧回路２２のブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力端子は、ブロートランジスタ２１のゲート端子に接続されており、昇圧回路２２で生成されたブロー電圧Ｖｂｌｏｗは、ブロートランジスタ２１のゲート端子に入力（印加）される。
　また、書き込み制御信号Ｃｔｒｌには、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力停止を指示する指示内容のものがあり、この信号が供給された場合、昇圧回路２２は、ブロートランジスタ２１へのブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力を停止する。
　第１書き込み用スイッチ素子２３は、記憶素子１０の上部電極１４と、電源電圧Ｖｆｕｓｅの電源（以下、「電源Ｖｆｕｓｅ」ともいう）の電源供給端子との接続状態と非接続状態とを切り替えるためのスイッチ素子である。なお、第１実施形態において、電源電圧Ｖｆｕｓｅ（以下、「書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ」ともいう）は一定の電圧であり、電源Ｖｆｕｓｅは、後述する第２～第３状態を生成するのに必要な大きさのブロー電流Ｉｂｌｏｗを供給可能な電源である。第１書き込み用スイッチ素子２３は、例えば、トランジスタから構成されている。図２に示す例では、第１書き込み用スイッチ素子２３は、ＰＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。この第１書き込み用スイッチ素子２３は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号ＳＷの供給端子に接続され、ソース端子が、電源Ｖｆｕｓｅの電源供給端子に接続され、ドレイン端子が、記憶素子１０の上部電極１４に接続されている。なお、第１書き込み用スイッチ素子２３は、そのゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号ＳＷが入力された際にオン状態となる。
　第２書き込み用スイッチ素子２４は、記憶素子１０の上部電極１４と、接地電位（ＧＮＤ）との接続状態と非接続状態とを切り替えるためのスイッチ素子である。第２書き込み用スイッチ素子２４は、例えば、トランジスタから構成されている。図２に示す例では、第２書き込み用スイッチ素子２４は、ＮＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。この第２書き込み用スイッチ素子２４は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号ＳＷの供給端子に接続され、ソース端子が、接地電位（ＧＮＤ）に接続され、ドレイン端子が、記憶素子１０の上部電極１４に接続されている。なお、第２書き込み用スイッチ素子２４は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷが入力された際にオン状態となる。
　従って、第２書き込み用スイッチ素子２４は、第１書き込み用スイッチ素子２３がオン状態のときにオフ状態となり、第１書き込み用スイッチ素子２３がオフ状態のときにオン状態となって上部電極１４を接地電位に接続する。
　［メモリセル２の構成］
　図２において、記憶素子１０とブロートランジスタ２１との組をメモリセル２とし、以下、図３に基づき、このメモリセル２の具体的な構成例を説明する。ここで、図３は、第１実施形態に係るメモリセルの構成例を示す断面図である。
　メモリセル２は、図３に示すように、半導体基板１００を備える。半導体基板１００は、シリコンで構成されている。図３に示す例では、半導体基板１００は、Ｐ型の半導体基板である。半導体基板１００には、Ｐ型のウェル領域１０１と、層間絶縁膜１０２と、ブロートランジスタ２１とが設けられている。具体的に、Ｐ型のウェル領域１０１に、ＮＭＯＳ型のブロートランジスタ２１が設けられている。
　半導体基板１００上には、ゲート絶縁膜（図示略）を介してゲート電極２１Ｇが設けられている。ゲート電極２１Ｇを挟んだ一方の側にソース領域２１Ｓが設けられ、他方の側にドレイン領域２１Ｄが設けられている。そして、これらゲート絶縁膜と、ゲート電極２１Ｇと、ソース領域２１Ｓと、ドレイン領域２１Ｄとによりブロートランジスタ２１が構成されている。
　ドレイン領域２１Ｄ上には、層間絶縁膜１０２を介して、記憶素子１０と、金属配線１７とが配置されている。具体的に、ドレイン領域２１Ｄ上に、下部電極１５を構成するコンタクトが形成され、このコンタクト上に記憶層１１を構成するＣｏＦｅＢ合金層が形成されている。加えて、このＣｏＦｅＢ合金層上にトンネルバリア層１３を構成するＭｇＯ層が形成され、このＭｇＯ層上に磁化固定層１２を構成するＣｏＦｅＢ合金層が形成されている。更に、このＣｏＦｅＢ合金層上に上部電極１４を構成するコンタクトが形成され、このコンタクト上に金属配線１７が形成されている。
　なお、第１実施形態に係る記憶素子１０は、下部電極１５の上に磁化固定層１２を形成し、磁化固定層１２の上にトンネルバリア層１３を介して記憶層１１を形成するボトムピン構造となっている。この構造に限らず、下部電極１５の上に記憶層１１を形成し、記憶層１１の上にトンネルバリア層１３を介して磁化固定層１２を形成するトップピン構造であってもよい。
　一方、ソース領域２１Ｓ上には、層間絶縁膜１０２を介して、コンタクト２１０及び２１１と、金属配線２１２とが配置されている。具体的に、ソース領域２１Ｓ上に、コンタクト２１０が形成され、コンタクト２１０上にコンタクト２１１が形成され、コンタクト２１１上に金属配線２１２が形成されている。また、ゲート電極２１Ｇ上には、層間絶縁膜１０２を介して、金属配線２１３が配置されている。
　ここで、上記層間絶縁膜１０２は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２Ｈ膜、ＳｉＯＣＨ膜など））又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＮＨ膜など）である。一例を挙げると、層間絶縁膜１０２は、例えば、シリコン酸化膜で構成されている。また、上記金属配線１７、２１２及び２１３は、例えばＣｕ又は金（Ａｕ）で構成されている。一例を挙げると、金属配線１７、２１２及び２１３は、例えばＣｕから構成されている。また、上記コンタクト２１０及び２１１は、例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗなどから構成されている。一例を挙げると、コンタクト２１０及び２１１は、例えば、Ｗから構成されている。
　［多値記録の原理］
　次に、半導体装置１の多値記録の原理を説明する。
　第１実施形態の半導体装置１では、フィラメント１６に対して、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成し、各抵抗状態をそれぞれ異なる情報に対応付けて多値記録を行う。
　本実施形態では、記憶素子１０に電流を流して情報を書き込む際のブロー条件を適宜変更することにより、記憶素子１０に情報を多値記録する。
　ブロートランジスタ２１は、そのゲート電極２１Ｇにブロー電圧Ｖｂｌｏｗが印加されたときにオン状態となる。そのため、フィラメント１６をブローする（ブロー電流Ｉｂｌｏｗを流す）ときには、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇにブロー電圧Ｖｂｌｏｗを印加する。なお、ブロー電流Ｉｂｌｏｗの大きさは、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇ及びソース領域２１Ｓ間の電位差、すなわち、この例では、ゲート電極２１Ｇに印加されるブロー電圧Ｖｂｌｏｗにより変化する。具体的には、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗを高くすると、ブロー電流Ｉｂｌｏｗは大きくなる。
　従って、第１実施形態では、電源Ｖｆｕｓｅとの接続状態と、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加するブロー電圧Ｖｂｌｏｗの電圧値と、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗの印加時間（以下、ブロー時間Ｔｂｌｏｗという）との組み合わせを含む条件を、ブロー条件として設定する。
　第１実施形態において、第１ブロー条件は、電源Ｖｆｕｓｅを上部電極１４に接続し、且つ第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１をブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ印加することである。これにより、記憶素子１０には、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１の高さに応じた大きさの第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１が第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ流れる。ここで、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１は、フィラメント１６のトンネルバリア層１３のみを破壊するのに必要な大きさの第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１を流す電圧に設定される。また、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１は、第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１によって、トンネルバリア層１３のみを破壊するのに必要な長さの時間に設定される。
　一方、第２ブロー条件は、電源Ｖｆｕｓｅを上部電極１４に接続し、且つ第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２をブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ印加することである。なお、第１実施形態において、第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２は、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１よりも大きい電圧に設定され、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２は、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い時間に設定される。これにより、記憶素子１０には、第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１よりも大きい第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２が、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ印加される。
　ここで、第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２は、フィラメント１６の上部電極１４及び下部電極１５を破壊するのに必要な大きさの第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２を流す電圧に設定される。また、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２は、第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２によって、上部電極１４及び下部電極１５を破壊するのに必要な長さの時間に設定される。より具体的には、第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２を、第１ブロー条件の第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１よりも、例えば、１［Ｖ］以上高い電圧に設定し、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２（パルス幅）を、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも、例えば、１０倍以上に長い時間に設定する。但し、この条件は素子のサイズや材料構成によって変化するため、この条件に限らず、素子のサイズや材料構成に応じて適切な条件を設定することが望ましい。
　また、第３ブロー条件は、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇにブロー電圧Ｖｂｌｏｗを印加せず且つ上部電極１４に電源Ｖｆｕｓｅを非接続にすることである。
　また、第１ブロー条件及び第２ブロー条件には、共通してブロー電流Ｉｂｌｏｗを流す方向も定められている。具体的に、記憶素子１０の上部電極１４から下部電極１５への一方向に定められている。
　以下、フィラメント１６の初期（ブロー前）の抵抗状態である第１状態の抵抗値Ｒを抵抗値Ｒ０とする。また、第１のブロー条件でトンネルバリア層１３のみを破壊した後の抵抗状態である第２状態の抵抗値Ｒを抵抗値Ｒ１とする。また、第２のブロー条件で上部電極１４及び下部電極１５を破壊した後の抵抗状態である第３状態の抵抗値Ｒを抵抗値Ｒ２とする。
　ここで、図４は、第１状態（ブロー前の初期状態）の記憶素子１０に対して第１のブロー条件で第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１を第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ流した後の、フィラメント１６の抵抗値Ｒの変化の一例を示す図である。また、図５は、第２状態の記憶素子１０に対して第２のブロー条件で第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２を第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ流した後の、フィラメント１６の抵抗値Ｒの変化の一例を示す図である。また、図６は、フィラメント１６の抵抗状態と多値情報との対応関係を示す図である。
　図４～図６において、横軸はフィラメント１６の抵抗値Ｒ（対数）であり、縦軸は抵抗値Ｒのバラツキ量σである。
　図４に示すように、例えば、フィラメント１６の初期状態である第１状態において、フィラメント１６の抵抗値Ｒ０にはバラツキがあることが解る。そして、第１状態において、第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１によってフィラメント１６を構成するトンネルバリア層１３が破壊されると、図４に示すように、抵抗状態が第１状態から第２状態へと変化する。トンネルバリア層１３は絶縁層であるため、トンネルバリア層１３が破壊された後は、抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ０から抵抗値Ｒ１（Ｒ１＜Ｒ０）へと変化する。即ち、第１状態よりも抵抗値が低下した状態（低抵抗状態）となる。
　引き続き、第２状態において、第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２によってフィラメント１６を構成する上部電極１４及び下部電極１５が破壊されると、図５に示すように、抵抗状態が第２状態から第３状態へと変化する。この場合、電極が破壊されるため、抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ１から抵抗値Ｒ２（Ｒ２≫Ｒ１）へと大きく変化する。即ち、第２状態よりも抵抗値が大幅に上昇した状態（高抵抗状態）となる。また、第３状態は、第１状態よりも抵抗値の大きい状態である。
　第１状態と第２状態との抵抗値の差は、第１及び第２状態と第３状態とのそれぞれの抵抗値の差と比較して小さいが、第１状態と第２状態とを識別可能な程度に大きい値を有している。第１実施形態では、このフィラメント１６の抵抗値Ｒの変化特性の性質を利用して、記憶素子１０に情報の多値記録を行う。
　即ち、第１実施形態では、図６に示すように、フィラメント１６の抵抗値Ｒに対して、２つの閾値（以下、「第１閾値Ｒｔｈ１」及び「第２閾値Ｒｔｈ２」という）を設定する。第１閾値Ｒｔｈ１は、図６に示すように、フィラメント１６の第１状態（ブロー前の状態）の抵抗値（Ｒ０付近）と、第２状態の抵抗値（Ｒ１付近）との間の値に設定されている。また、第２閾値Ｒｔｈ２は、第１状態の抵抗値（Ｒ０付近）と、第３状態の抵抗値（Ｒ２付近）との間の値に設定されている。なお、第１閾値Ｒｔｈ１及び第２閾値Ｒｔｈ２は、第１状態の抵抗値Ｒ０のバラツキを吸収できる値に設定することが望ましい。
　第１実施形態では、例えば図６に示すように、フィラメント１６の抵抗値Ｒが第１閾値Ｒｔｈ１と第２閾値Ｒｔｈ２との間の値であるときには、そのフィラメント１６の抵抗状態を情報「０」に対応付ける。また、フィラメント１６の抵抗値Ｒが第１閾値Ｒｔｈ１よりも小さい値であるときには、そのフィラメント１６の抵抗状態を情報「１」に対応付ける。更に、フィラメント１６の抵抗値Ｒが第２閾値Ｒｔｈ２を越えている場合には、そのフィラメント１６の抵抗状態を情報「２」に対応付ける。
　従って、フィラメント１６が第１状態（抵抗値Ｒ０付近）に設定されているときには、記憶素子１０に記録されている情報は「０」となる。また、フィラメント１６が第２状態（抵抗値Ｒ１付近）に設定されているときには、記憶素子１０に記録されている情報は「１」となる。そして、フィラメント１６が第３状態（抵抗値Ｒ２付近）に設定されているときには、記憶素子１０に記録されている情報は「２」となる。
　このように、第１実施形態では、第１～第３状態に対して、第１状態を情報「０」に対応付け、第２状態を情報「１」に対応付け、第３状態を情報「２」に対応付けることで３値記録を実現している。
　［読出し回路３０の構成］
　次に、読み出し回路３０の構成について説明する。ここで、読み出し回路３０は、特許請求の範囲に記載の読出し部に対応する。また、図７は、読出し回路の構成例を示す回路図である。
　読出し回路３０は、記憶素子１０に多値記録された情報を読み出す（判別する）回路であり、図７に示すように、第１読出し用スイッチ素子３１と、第２読出し用スイッチ素子３２とを備える。
　第１読出し用スイッチ素子３１及び第２読出し用スイッチ素子３２は、例えば、トランジスタから構成されている。図７に示す例では、第１読出し用スイッチ素子３１はＰＭＯＳ型ＦＥＴから構成され、第２読出し用スイッチ素子３２はＮＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。
　この構成において、第１読出し用スイッチ素子３１は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ１の出力端子に接続され、ソース端子が、電源電圧ＶＤＤの供給端子に接続されている。加えて、第１読出し用スイッチ素子３１は、ドレイン端子が、第２読出し用スイッチ素子３２のドレイン端子、及び、比較器５０の一方の入力端子に接続されている。なお、第１読出し用スイッチ素子３１は、そのゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ１が入力された際にオン状態となる。
　第２読出し用スイッチ素子３２は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ２の出力端子に接続され、ソース端子が、書き込み回路２０内の第１書き込み用スイッチ素子２３及び第２書き込み用スイッチ素子２４のドレイン端子、及び、記憶素子１０の上部電極１４に接続されている。加えて、第２読出し用スイッチ素子３２は、ドレイン端子が、第１読出し用スイッチ素子３１のドレイン端子、及び、比較器５０の一方の入力端子に接続されている。なお、第２読出し用スイッチ素子３２は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ２が入力された際にオン状態となる。
　[参照信号生成回路４０の構成]
　次に、参照信号生成回路４０の構成について説明する。ここで、参照信号生成回路４０は、記憶素子１０に多値記録された情報を読み出す際にその基準（閾値）となる参照信号（基準電圧信号）を生成する回路である。また、図８は、参照信号生成回路の構成例を示す回路図である。また、参照信号生成回路４０は、特許請求の範囲に記載の閾値信号生成部に対応する。
　参照信号生成回路４０は、図８に示すように、参照信号生成用のスイッチ素子として、第１スイッチ素子４１、第２スイッチ素子４２、第３スイッチ素子４３及び第４スイッチ素子４４を備える。加えて、第１参照抵抗４５と、第２参照抵抗４６とを備える。
　第１～第４スイッチ素子４１～４４は、例えば、トランジスタから構成されている。図８に示す例では、第１スイッチ素子４１は、ＰＭＯＳ型ＦＥＴから構成され、第２～第４スイッチ素子４２～４４は、ＮＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。
　この構成において、第１スイッチ素子４１は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ３の出力端子に接続され、ソース端子が、電源電圧ＶＤＤの供給端子に接続されている。加えて、第１スイッチ素子４１は、ドレイン端子が、第２スイッチ素子４２のドレイン端子、及び、比較器５０の他方の入力端子に接続されている。なお、第１スイッチ素子４１は、そのゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ３が入力された際にオン状態となる。
　第２スイッチ素子４２は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ４の出力端子に接続され、ソース端子が、第１参照抵抗４５、及び、第２参照抵抗４６の一方の端子に接続されている。加えて、第２スイッチ素子４２は、ドレイン端子が、第１スイッチ素子４１のドレイン端子、及び、比較器５０の他方の入力端子に接続されている。なお、第２スイッチ素子４２は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ４が入力された際にオン状態となる。
　第３スイッチ素子４３は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ５の出力端子に接続され、ソース端子が、接地電位（ＧＮＤ）に接続され、ドレイン端子が、第１参照抵抗４５の他方の端子に接続されている。なお、第３スイッチ素子４３は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ５が入力された際にオン状態となる。
　第４スイッチ素子４４は、ゲート端子が、制御回路６０の制御信号Ｓｒ６の出力端子に接続され、ソース端子が、接地電位（ＧＮＤ）に接続され、ドレイン端子が、第２参照抵抗４６の他方の端子に接続されている。なお、第４スイッチ素子４４は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ６が入力された際にオン状態となる。
　第１参照抵抗４５は、抵抗値が上記図６で説明した第１閾値Ｒｔｈ１（記憶素子１０に記録されている情報が「０」及び「１」のいずれであるかを識別するための閾値）の抵抗素子で構成されている。一方、第２参照抵抗４６は、抵抗値が上記図６で説明した第２閾値Ｒｔｈ２（記憶素子１０に記録されている情報が「０」及び「２」のいずれであるかを識別するための閾値）の抵抗素子で構成されている。
　[比較器５０の構成]
　比較器５０は、第１実施形態において、例えばセンスアンプから構成されている。ここで、比較器５０は、特許請求の範囲に記載の判別部に対応する。
　比較器５０の一方の入力端子は、図７に示す、読み出し回路３０内の第１読出し用スイッチ素子３１のドレイン端子と第２読出し用スイッチ素子３２のドレイン端子との接続点Ｐ１（以下、第１接続点Ｐ１という）に接続されている。また、比較器５０の他方の入力端子は、参照信号生成回路４０内の第１スイッチ素子４１のドレイン端子と第２スイッチ素子４２のドレイン端子との接続点Ｐ２（以下、第２接続点Ｐ２という）に接続されている。
　比較器５０は、一方の入力端子に入力される第１接続点Ｐ１の電圧信号Ｖｍ（フィラメント１６の抵抗値Ｒに関する信号）と、他方の入力端子に入力される第２接続点Ｐ２の参照電圧信号Ｖｒｅｆ（閾値信号）とを比較し、その比較結果を出力する。
　[制御回路６０の構成]
　制御回路６０は、第１実施形態において、上記説明した書き込み回路２０、読み出し回路３０及び参照信号生成回路４０の動作を制御する回路である。
　制御回路６０は、昇圧回路２２の出力電圧（ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ）を切り替えるための書き込み制御信号Ｃｔｒｌを生成し、生成した書き込み制御信号Ｃｔｒｌを昇圧回路２２に出力する。加えて、上部電極１４と電源Ｖｆｕｓｅとの接続状態及び上部電極１４と接地電位との接続状態を切り替えるための制御信号ＳＷを生成し、生成した制御信号ＳＷを第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４に出力する。更に、制御回路６０は、タイマ・カウンタを有しており、タイマ・カウンタによって、ブロートランジスタ２１へのブロー電圧Ｖｂｌｏｗの印加時間を計測し、計測した印加時間に基づき、昇圧回路２２に出力する書き込み制御信号Ｃｔｒｌの内容と、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４に出力する制御信号ＳＷの内容とを制御する。
　即ち、制御回路６０は、記憶素子１０に情報を書き込む際は、予め設定されたブロー電圧Ｖｂｌｏｗの電圧値を指示する書き込み制御信号Ｃｔｒｌを、昇圧回路２２に出力する。加えて、第１書き込み用スイッチ素子２３をオン状態にする制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４に出力する。
　これにより、ブロートランジスタ２１及び第１書き込み用スイッチ素子２３が、双方ともブロー条件で設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗだけオン状態となる。その結果、設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗの間だけブロー電圧Ｖｂｌｏｗの高さに応じた大きさのブロー電流Ｉｂｌｏｗが記憶素子１０に流れて情報の書き込みが行われる。
　また、制御回路６０は、予め設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗが経過したときに、ブロートランジスタ２１へのブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力を停止する書き込み制御信号Ｃｔｒｌを、昇圧回路２２に出力する。加えて、第２書き込み用スイッチ素子２４をオン状態にする制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４に出力する。これにより、昇圧回路２２からのブロートランジスタ２１へのブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力が停止する（代わりにＬｏｗレベルの信号Ｖｇをゲート電極２１Ｇに印加する）と共に、上部電極１４が接地電位に接続される。
　また、制御回路６０は、記憶素子１０からの情報の読出しを行う際は、読み出し回路３０内の第１読出し用スイッチ素子３１及び第２読出し用スイッチ素子３２に、予め設定された信号レベルの制御信号Ｓｒ１及びＳｒ２を出力する。これにより、記憶素子１０に読み出し電流Ｉｒｅａｄを流す。なお、制御回路６０は、記憶素子１０から情報を読み出す際（フィラメント１６の抵抗状態を判別する際）、書き込み回路２０内のブロートランジスタ２１がオン状態、第１書き込み用スイッチ素子２３がオフ状態となるように書き込み回路２０の動作を制御する。
　一方、制御回路６０は、記憶素子１０からの情報の読出しを行う際は、参照信号生成回路４０内の第１～第４スイッチ素子４１～４４に、予め設定された信号レベルの制御信号Ｓｒ３～Ｓｒ６を出力する。第１実施形態の制御回路６０は、比較器５０にて、フィラメント１６の抵抗Ｒと、第１参照抵抗４５及び第２参照抵抗４６とをそれぞれ順番に比較させるために、２回の読み出し動作を行う。１回目は、第１参照抵抗４５に電流が流れるように制御信号Ｓｒ３～Ｓｒ６の信号レベルの組み合わせを制御し、２回目は、第２参照抵抗４６に電流が流れるように制御信号Ｓｒ３～Ｓｒ６の信号レベルの組み合わせを制御する。これにより、比較器５０では、１回目にフィラメント１６の抵抗Ｒと第１参照抵抗４５との大小を比較し、２回目に抵抗Ｒと第２参照抵抗４６との大小を比較し、これらの比較結果に基づき情報を読み出す（読み出した情報の値を判断する）。
　なお、第１実施形態では、半導体装置１の各回路内の各種スイッチ素子をＭＯＳトランジスタで構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されず、同様のスイッチ動作が可能なスイッチ素子であれば、任意のスイッチ素子を用いることができる。また、本実施形態のように各回路内の各種スイッチ素子をＭＯＳトランジスタで構成した場合には、各ＭＯＳトランジスタの導電型（Ｎ型またはＰ型）及びそれらの組み合わせは適宜変更できる。
　［記憶素子１０への情報の書き込み動作］
　次に、第１実施形態の書き込み回路２０による記憶素子１０への情報の書き込み動作について説明する。
　まず、図９に、ブロートランジスタ２１に印加するブロー電圧Ｖｂｌｏｗの信号波形例を示す。第１実施形態では、図９に示すようなパルス状のブロー電圧Ｖｂｌｏｗをブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加する。この場合、ブロー時間Ｔｂｌｏｗの間、ブロートランジスタ２１がオン状態となり、フィラメント１６には、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗの高さに応じた大きさのブロー電流Ｉｂｒｏｗがブロー時間Ｔｂｌｏｗの間だけ供給される。
　即ち、図１に示す書き込み回路２０を用いて、第１状態の記憶素子１０に情報「１」を記録する場合には、フィラメント１６に第２状態が発生するように、第１ブロー条件を設定する。制御回路６０は、設定された第１ブロー条件に基づき、昇圧回路２２に、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１を印加させる指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、上部電極１４に電源Ｖｆｕｓｅを接続させるＬｏｗレベルの制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のゲート端子に供給する。また、制御回路６０は、タイマ・カウンタによって、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の計測を開始する。これにより、昇圧回路２２にて第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１が生成され、生成された第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１が、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加されると共に、上部電極１４が電源Ｖｆｕｓｅに接続される。
　制御回路６０は、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１が経過すると、昇圧回路２２に、ブロートランジスタ２１への第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１の出力を停止させる指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、上部電極１４を接地電位に接続させるＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のゲート端子に供給する。これにより、昇圧回路２２からＬｏｗレベルの信号Ｖｇが、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加されると共に、上部電極１４が接地電位に接続される。即ち、記憶素子１０には、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１が流れる。その結果、フィラメント１６のトンネルバリア層１３がブロー（破壊）され、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ１となる第２状態へと移行する。
　また、書き込み回路２０を用いて、第１状態又は第２状態の記憶素子１０に情報「２」を記録する場合には、フィラメント１６に第３状態が発生するように、第２ブロー条件を設定する。制御回路６０は、設定された第２ブロー条件に基づき、昇圧回路２２に、ブロートランジスタ２１のゲートに第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２を印加させる指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、上部電極１４に電源Ｖｆｕｓｅを接続させるＬｏｗレベルの制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のゲート端子に供給する。また、制御回路６０は、タイマ・カウンタによって、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の計測を開始する。これにより、昇圧回路２２にて第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２が生成され、生成された第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２が、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加されると共に、上部電極１４が電源Ｖｆｕｓｅに接続される。
　制御回路６０は、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２が経過すると、昇圧回路２２に、ブロートランジスタ２１への第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２の出力を停止させる指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、上部電極１４を接地電位に接続させるＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のゲート端子に供給する。これにより、昇圧回路２２からＬｏｗレベルの信号Ｖｇが、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加されると共に、上部電極１４が接地電位に接続される。即ち、記憶素子１０には、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２が流れる。その結果、フィラメント１６の上部電極１４及び下部電極１５がブロー（破壊）され、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ２となる第３状態へと移行する。
　また、記憶素子１０に情報「０」を記録する場合には、フィラメント１６をブロー（破壊）せず初期状態（第１状態）のままとする。即ち、制御回路６０は、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗの出力を停止する指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを昇圧回路２２に出力し、上部電極１４を接地電位に接続するＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のゲート端子に供給する。これにより、第１実施形態の昇圧回路２２は、ブロー電圧Ｖｂｌｏｗをブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加せずに、代わりに、ゲート電極２１ＧにＬｏｗレベルの信号Ｖｇを印加する。加えて、第１書き込み用スイッチ素子２３がオフ状態となり且つ第２書き込み用スイッチ素子２４がオン状態となり、記憶素子１０の上部電極１４が接地電位に接続される。その結果、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ０となる第１状態に維持される。
　[記憶素子１０からの情報の読出し動作]
　次に、第１実施形態の読出し回路３０、参照信号生成回路４０及び比較器５０による記憶素子１０からの情報の読み出し動作について説明する。
　制御回路６０は、まず、昇圧回路２２に、書き込み回路２０内のブロートランジスタ２１をオン状態とするＨｉｇｈレベルの信号を出力させる指示内容の制御信号を出力する。加えて、第１書き込み用スイッチ素子２３及び第２書き込み用スイッチ素子２４のゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを入力する。これにより、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１ＧにＨｉｇｈレベルの制御信号が印加されてブロートランジスタ２１がオン状態となり、記憶素子１０の上部電極１４が接地電位に接続された状態となる。
　引き続き、制御回路６０は、読み出し回路３０内の第１読出し用スイッチ素子３１のゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ１を入力し、且つ、第２読出し用スイッチ素子３２のゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ２を入力する。これにより、書き込み回路２０内のブロートランジスタ２１だけでなく、読み出し回路３０内の第１読出し用スイッチ素子３１及び第２読出し用スイッチ素子３２がともにオン状態となる。その結果、記憶素子１０に読み出し電流Ｉｒｅａｄが流れる。
　一方、制御回路６０は、まず、１回目の読み出し動作として、第１スイッチ素子４１のゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ３を出力し、第２スイッチ素子４２のゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ４を出力する。加えて、第３スイッチ素子４３のゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ５を出力し、第４スイッチ素子４４のゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ６を出力する。これにより、参照信号生成回路４０内の第１～第３スイッチ素子４１～４３がオン状態となり、第４スイッチ素子４４がオフ状態となる。この結果、参照信号生成回路４０内の第１参照抵抗４５に電流が流れる。
　また、比較器５０は、第１参照抵抗４５に電流が流れた状態で、読み出し回路３０内の第１接続点Ｐ１の電圧信号Ｖｍと、参照信号生成回路４０内の第２接続点Ｐ２の参照電圧信号Ｖｒｅｆとを比較する（以下、「第１比較動作」という）。
　なお、第１比較動作において、記憶素子１０に読み出し電流Ｉｒｅａｄが流れた状態では、第１接続点Ｐ１の電位（Ｖｍ）は、フィラメント１６の抵抗値Ｒに対応する電位となる。また、第１比較動作において、第１参照抵抗４５に電流が流れた状態では、第２接続点Ｐ２の電位（Ｖｒｅｆ）は、第１参照抵抗４５の抵抗値（Ｒｔｈ１）に対応する電位となる。従って、比較器５０における電圧信号Ｖｍと参照電圧信号Ｖｒｅｆとの第１比較動作は、実質、記憶素子１０の抵抗値Ｒと、第１参照抵抗４５の抵抗値、即ち、第１閾値Ｒｔｈ１とを比較する動作と同等になる。
　比較器５０は、第１接続点Ｐ１の電圧信号Ｖｍが第２接続点Ｐ２の参照電圧信号Ｖｒｅｆより小さい（Ｖｍ＜Ｖｒｅｆ）か否かを判定する。そして、電圧信号Ｖｍが参照電圧信号Ｖｒｅｆより小さい場合（Ｒ＜Ｒｔｈ１）は、比較器５０は、情報「１」に対応する信号（比較結果）を出力する。これにより、半導体装置１は、情報の読み出し動作を終了する。一方、比較器５０にて、電圧信号Ｖｍが参照電圧信号Ｖｒｅｆより大きいと判定された場合（Ｒ＞Ｒｔｈ１）、半導体装置１は、２回目の読み出し動作を実行する。
　２回目の読出し動作において、制御回路６０は、参照信号生成回路４０内の第１スイッチ素子４１及び第２スイッチ素子４２をオン状態に維持する制御を行う。加えて、参照信号生成回路４０内の第３スイッチ素子４３のゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号Ｓｒ５を入力し、且つ、第４スイッチ素子４４のゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号Ｓｒ６を入力する。これにより、参照信号生成回路４０内の第１スイッチ素子４１、第２スイッチ素子４２、及び、第４スイッチ素子４４がオン状態となり、第３スイッチ素子４３がオフ状態となる。この結果、参照信号生成回路４０内の第２参照抵抗４６に電流が流れる。
　一方、比較器５０は、第２参照抵抗４６に電流が流れた状態で、読み出し回路３０内の第１接続点Ｐ１の電圧信号Ｖｍと、参照信号生成回路４０内の第２接続点Ｐ２の参照電圧信号Ｖｒｅｆとを比較する（以下、「第２比較動作」という）。
　なお、第２比較動作において、第２参照抵抗４６に電流が流れた状態では、第２接続点Ｐ２の電位（Ｖｒｅｆ）は、第２参照抵抗４６の抵抗値（Ｒｔｈ２）に対応する電位となる。従って、比較器５０における電圧信号Ｖｍと参照電圧信号Ｖｒｅｆとの第２比較動作は、実質、記憶素子１０の抵抗値Ｒと、第２参照抵抗４６の抵抗値、即ち、第２閾値Ｒｔｈ２とを比較する動作と同等になる。
　比較器５０は、第１接続点Ｐ１の電圧信号Ｖｍが第２接続点Ｐ２の参照電圧信号Ｖｒｅｆより小さい（Ｖｍ＜Ｖｒｅｆ）か否かを判定する。そして、電圧信号Ｖｍが参照電圧信号Ｖｒｅｆより小さい場合（Ｒ＜Ｒｔｈ２）は、情報「０」に対応する信号（比較結果）を出力する。これにより、半導体装置１は、情報の読み出し動作を終了する。
　一方、電圧信号Ｖｍが参照電圧信号Ｖｒｅｆより大きい場合（Ｒ＞Ｒｔｈ２）は、比較器５０は、情報「２」に対応する信号（比較結果）を出力する。これにより、半導体装置１は、情報の読み出し動作を終了する。
　第１実施形態では、このようにして、記憶素子１０に記録された多値情報を読み出す。なお、第１実施形態における記憶素子１０からの情報の読み出し方法は上記例に限定されない。記憶素子１０からの情報の読み出し方法としては、２つの閾値を用いてフィラメント１６の抵抗状態を識別できる方法であれば、任意の方法を用いることができる。例えば、第１実施形態では、最初に第１参照抵抗４５に電流を流して第１比較動作を行い、その後、第２参照抵抗４６に電流を流して第２比較動作を行っているが、この比較動作の順序を逆にしてもよい。
　［電気ヒューズの情報書き直し手法］
　第１実施形態の半導体装置１では、上述のように、記憶素子１０のブロー条件を変えることにより、フィラメント１６の抵抗状態を３つの状態（第１状態、第２状態及び第３状態）のいずれかに設定することが可能である。そのため、第２状態（低抵抗状態）にあるフィラメント１６に対して、再度、ブローを行い、フィラメント１６の状態を第３状態（高抵抗状態）に変更することも可能である。即ち、第１実施形態では、記憶素子１０に対して情報を多値記録できるだけでなく、記憶素子１０の情報の書き直しも可能である。
　第１実施形態では、まず、記憶素子１０に対する１回目のブローで、フィラメント１６を第２状態（低抵抗状態）にし、情報「１」を記憶素子１０に記録する。これにより、情報の書き直し前の記憶素子１０の状態が生成される。
　この状態では、半導体装置１は、上述した多値記録情報の読み出し処理と同様に、第１閾値Ｒｔｈ１を情報「０」と情報「１」とを識別するための閾値として用いる。
　次いで、第１状態にある記憶素子１０に対して再度（２回目）のブローを行い、フィラメント１６を第３状態（高抵抗状態）にする。これにより、情報の書き直し後の記憶素子１０の状態が生成される。
　そして、この状態では、半導体装置１は、情報「０」と情報「１」とを識別するための閾値を第１閾値Ｒｔｈ１から第２閾値Ｒｔｈ２に変更する。即ち、情報の書き直し後において、半導体装置１は、書き直し前（１回目のブロー後）のフィラメント１６の抵抗状態（第２状態）が情報「０」であると判別できるように比較器５０の閾値を変更する。
　本実施形態で、このようにして記憶素子１０に対して情報の書き直しを実施することができる。なお、本実施形態では、例えば半導体集積回路等のチップに搭載する複数の記憶素子１０のうち、一部を多値記録専用の電気ヒューズとして用い、残りを書き直し専用の電気ヒューズとして用いてもよい。
　［第１実施形態の作用及び効果］
　第１実施形態に係る半導体装置１は、記憶素子１０が、上部電極１４と、下部電極１５と、トンネルバリア層１３とを有し、上部電極１４と下部電極１５とは少なくともトンネルバリア層１３を介して積層され、上部電極１４及び下部電極１５の状態と、トンネルバリア層１３の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態（第１実施形態では第１～第３状態）が生成されるフィラメント１６とを有する。更に、書き込み回路２０が、記憶素子１０に対してブロートランジスタ２１を介してブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加して少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する。なお更に、読出し回路３０が、記憶素子１０の抵抗値に関する信号を読み出し、参照信号生成回路４０が、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための参照信号（閾値信号）を生成し、比較器５０が、参照信号生成回路４０で生成した参照信号と、読出し回路３０で読み出した抵抗値に関する信号とを比較して少なくとも３つの抵抗状態を判別する。
　更に、記憶素子１０は、磁化固定層１２と、磁化固定層１２上に形成された上部電極１４と、記憶層１１と、記憶層１１上に形成された下部電極１５と、磁化固定層１２と記憶層１１との間に形成されたトンネルバリア層１３とを有する磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）から構成されている。即ち、フィラメント１６は、上部電極１４及び下部電極１５と、トンネルバリア層１３とを有し、これらの抵抗状態の組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成される。
　また、半導体装置１は、上記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態として、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加する前の初期状態である第１状態と、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加してトンネルバリア層１３にダメージを与えた後の第２状態と、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加して上部電極１４及び下部電極１５にダメージを与えた後の第３状態とを含む構成とした。
　なお、第２状態は、第１状態よりも低抵抗な低抵抗状態であり、第３状態は、第１状態よりも高抵抗な高抵抗状態である。
　また、上記第１～第３状態を生成するために、フィラメント１６のブロー条件を設定した。具体的に、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１をブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ印可する第１ブロー条件を設定した。加えて、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１よりも高い第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２を第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけゲート電極２１Ｇに印加する第２ブロー条件を設定した。更に、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗをゲート電極２１Ｇに印加せずに第１状態を維持する第３ブロー条件を設定した。
　この構成であれば、記憶素子１０がＭＴＪ素子から構成されていることから、情報を書き込む際のブロー電流Ｉｂｌｏｗを小さくすることが可能となり、ブロートランジスタ２１のサイズを従来と同様に小さくすることが可能となる。加えて、１つの記憶素子１０に対して情報を多値記録することができるので、２値情報しか記録できない従来の構成と比較して、１情報当たりのセルサイズを縮小することが可能となる。即ち、従来の２値情報を記録する構成と比較して、各メモリセルの搭載面積を増やすことなく各メモリセルの容量を増大させることが可能となる。
　また、情報を多値記録することができることから、例えばデコーダー等の周辺回路の面積を縮小することが可能となる。
　更に、半導体装置１を従来と同様のプロセスで作製することができるので、プロセスを変更したり、新たにプロセスを追加したりする必要が無い。これにより、プロセスの改変によるコストの増大を防ぐことが可能となる。
　また、第１実施形態に係る半導体装置１は、更に、第１ブロー条件及び第２ブロー条件において、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを流す方向を上部電極１４から下部電極１５に向かう一方向とする条件を設定した。
　この構成であれば、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを上部電極１４から下部電極１５又は下部電極１５から上部電極１４へと一方向に流すようにしたので、メモリセルアレイを構成した場合などに、ブロートランジスタ２１の拡散領域の一方を固定電位に接続することが可能となる。これにより、隣接するメモリセルで拡散領域を共有することが可能となり、回路構成を簡易化することが可能となる。その結果、アレイ化した際などに、レイアウト面積を低減することが可能となる。
　〔第１実施形態の変形例１〕
　上述の第１実施形態では、昇圧回路２２にて、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに印加するブロー電圧Ｖｂｌｏｗの高さを変化させることで、ブロー電流Ｉｂｌｏｗの大きさを制御する構成を説明した。第１実施形態の変形例１は、昇圧回路２６にて、上部電極１４に印加する書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの高さを変化させることで、ブロー電流Ｉｂｌｏｗの大きさを制御する点が上記第１実施形態と異なる。
　[第１実施形態の変形例１に係る半導体装置１Ａの構成]
　ここで、図１０は、第１実施形態の変形例１に係る半導体装置の書き込み回路及び制御回路を含む一部分の構成例を示す回路図である。
　本変形例１に係る半導体装置１Ａは、例えば、図１０に示すように、上記第１実施形態の半導体装置１において、書き込み回路２０に代えて書き込み回路２０Ａを備え、制御回路６０に代えて制御回路６０Ａを備えた構成となっている。
　[第１実施形態の変形例１に係る書き込み回路２０Ａの構成]
　本変形例１に係る書き込み回路２０Ａは、ブロートランジスタ２１と、昇圧回路２６と、第３書き込み用スイッチ素子２７と、第４書き込み用スイッチ素子２８とを備える。
　昇圧回路２６は、制御回路６０Ａから供給された、情報の書き込みを指示する書き込み制御信号Ｃｔｒｌに応じて、入力電圧Ｖｉｎを昇圧し、複数種類の書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを生成する。そして、生成した書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを、記憶素子１０に出力（印加）する出力可変型の昇圧回路である。具体的に、昇圧回路２６は、書き込み制御信号Ｃｔｒｌで指示された内容に応じて、指示内容に対応する電圧値の書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを生成する。昇圧回路２６の書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力端子は、記憶素子１０の上部電極１４に接続されており、昇圧回路２６で生成された書き込み電圧Ｖｆｕｓｅは、上部電極１４に印加される。即ち、本変形例１では、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを可変にして、ブロー電流Ｉｂｌｏｗの大きさを制御することで、上記第１実施形態のブロー電圧Ｖｂｌｏｗの役割を、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅに担わせている。
　また、書き込み制御信号Ｃｔｒｌには、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力停止を指示する指示内容のものがあり、この信号が供給された場合、昇圧回路２６は、上部電極１４への書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力を停止する。
　第３書き込み用スイッチ素子２７は、ブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇと電源電圧Ｖｂｌｏｗの電源（以下、「電源Ｖｂｌｏｗ」ともいう）の電源供給端子との接続状態と非接続状態とを切り替えるためのスイッチ素子である。なお、本変形例１において、電源電圧Ｖｂｌｏｗは一定の電圧である。電源電圧Ｖｂｌｏｗは、フィラメント１６の抵抗状態を第２～第３状態へと変化させるのに必要な大きさのブロー電流Ｉｂｌｏｗを、記憶素子１０に対して供給可能にブロートランジスタ２１をオン状態にすることが可能な電圧である。第３書き込み用スイッチ素子２７は、例えば、トランジスタから構成されている。図１０の例では、第３書き込み用スイッチ素子２７は、ＰＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。この構成において、第３書き込み用スイッチ素子２７のゲート端子は、制御回路６０の制御信号ＳＷの供給端子に接続され、第３書き込み用スイッチ素子２７のソース端子は、電源Ｖｂｌｏｗの電源供給端子に接続され、第３書き込み用スイッチ素子２７のドレイン端子は、ブロートランジスタ２１のゲート端子（ゲート電極２１Ｇ）に接続されている。なお、第３書き込み用スイッチ素子２７は、そのゲート端子にＬｏｗレベルの制御信号ＳＷが入力された際にオン状態となる。
　第４書き込み用スイッチ素子２８は、ブロートランジスタ２１のゲート端子と接地電位（ＧＮＤ）との接続状態と非接続状態とを切り替えるためのスイッチ素子である。第４書き込み用スイッチ素子２８は、例えば、トランジスタから構成されている。図１０に示す例では、第４書き込み用スイッチ素子２８は、ＮＭＯＳ型ＦＥＴから構成されている。この構成において、第４書き込み用スイッチ素子２８のゲート端子は、制御回路６０の制御信号ＳＷの供給端子に接続され、第４書き込み用スイッチ素子２８のソース端子は、接地電位（ＧＮＤ）に接続され、第４書き込み用スイッチ素子２８のドレイン端子は、ブロートランジスタ２１のゲート端子に接続されている。なお、第４書き込み用スイッチ素子２８は、そのゲート端子にＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷが入力された際にオン状態となる。
　従って、第４書き込み用スイッチ素子２８は、第３書き込み用スイッチ素子２７がオン状態のときにオフ状態となり、第３書き込み用スイッチ素子２７がオフ状態のときにオン状態となってブロートランジスタ２１のゲート端子を接地電位に接続する。
　[第１実施形態の変形例１のブロー条件について]
　本変形例１では、電源Ｖｂｌｏｗの接続状態と、記憶素子１０の上部電極１４に印加する書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの電圧値と、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの印加時間（以下、これもブロー時間Ｔｂｌｏｗという）との組み合わせを含む条件を、ブロー条件として設定する。
　本変形例１に係る第４ブロー条件は、電源Ｖｂｌｏｗをブロートランジスタ２１のゲート端子に接続し、且つ第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１を記憶素子１０の上部電極１４に第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ印加することである。これにより、記憶素子１０には、第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１に応じた大きさの第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１が第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ流れる。ここで、第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１は、フィラメント１６のトンネルバリア層１３のみを破壊するのに必要な大きさの第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１を記憶素子１０に流すことが可能な高さの電圧に設定されている。また、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１は、第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１によって、トンネルバリア層１３のみを破壊するのに必要な長さの時間に設定されている。
　一方、本変形例１に係る第５ブロー条件は、電源Ｖｂｌｏｗをブロートランジスタ２１のゲート端子に接続し、且つ第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２を記憶素子１０の上部電極１４に第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ印加することである。なお、第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２は、第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１よりも大きい電圧に設定され、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２は、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い時間に設定されている。これにより、記憶素子１０には、第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１よりも大きい第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２が、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ印加される。
　ここで、第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２は、フィラメント１６の上部電極１４及び下部電極１５を破壊するのに必要な大きさの第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２を記憶素子１０に流すことが可能な高さの電圧に設定されている。また、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２は、第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２によって、上部電極１４及び下部電極１５を破壊するのに必要な長さの時間に設定されている。
　また、本変形例１に係る第６ブロー条件は、記憶素子１０の上部電極１４に書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを印加せず且つブロートランジスタ２１のゲート端子に電源Ｖｂｌｏｗを非接続にすることである。
　[第１実施形態の変形例１の制御回路６０Ａの構成]
　本変形例１に係る制御回路６０Ａは、昇圧回路２６の出力電圧（書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ）を切り替えるための書き込み制御信号Ｃｔｒｌを生成し、生成した書き込み制御信号Ｃｔｒｌを昇圧回路２６に出力する。加えて、ブロートランジスタ２１のゲート端子と電源Ｖｂｌｏｗとの接続状態及びブロートランジスタ２１のゲート端子と接地電位との接続状態を切り替えるための制御信号ＳＷを生成する。そして、生成した制御信号ＳＷを第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８に出力する。更に、制御回路６０Ａは、タイマ・カウンタを有しており、タイマ・カウンタによって、上部電極１４への書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの印加時間を計測し、計測した印加時間に基づき、昇圧回路２６に出力する書き込み制御信号Ｃｔｒｌの内容と、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８に出力する制御信号ＳＷの内容とを制御する。
　即ち、制御回路６０Ａは、記憶素子１０に情報を書き込む際は、予め設定された書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの電圧値を指示する書き込み制御信号Ｃｔｒｌを、昇圧回路２６に出力する。加えて、第３書き込み用スイッチ素子２７をオン状態にする制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８に出力する。
　これにより、ブロートランジスタ２１がオン状態となり、且つ、上部電極１４にブロー条件で設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗだけ書き込み電圧Ｖｆｕｓｅが印加された状態となる。その結果、設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗの間だけ書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの大きさに応じたブロー電流Ｉｂｌｏｗが記憶素子１０に流れて情報の書き込みが行われる。
　また、制御回路６０Ａは、予め設定されたブロー時間Ｔｂｌｏｗが経過したときに、上部電極１４への書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力を停止する書き込み制御信号Ｃｔｒｌを、昇圧回路２２に出力する。加えて、第４書き込み用スイッチ素子２８をオン状態にする制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８に出力する。これにより、昇圧回路２６からの上部電極１４への書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力が停止すると共に、ブロートランジスタ２１のゲート端子が接地電位に接続される。
　［第１実施形態の変形例１の記憶素子１０への情報の書き込み動作］
　次に、本変形例１の書き込み回路２０Ａによる記憶素子１０への情報の書き込み動作について説明する。
　即ち、図１０に示す書き込み回路２０を用いて、第１状態の記憶素子１０に情報「１」を記録する場合には、フィラメント１６に第２状態が発生するように、第４ブロー条件を設定する。制御回路６０は、設定された第４ブロー条件に基づき、昇圧回路２６に、記憶素子１０の上部電極１４に第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１を印加させる書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、ブロートランジスタ２１のゲート端子に電源Ｖｂｌｏｗを接続させるＬｏｗレベルの制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８のゲート端子に供給する。また、制御回路６０は、タイマ・カウンタによって、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の計測を開始する。これにより、昇圧回路２６にて第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１が生成され、生成された第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１が、記憶素子１０の上部電極１４に印加されると共に、ブロートランジスタ２１のゲート端子が電源Ｖｂｌｏｗに接続される。
　制御回路６０は、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１が経過すると、昇圧回路２６に、上部電極１４への第１書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ１の出力を停止させる書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、ブロートランジスタ２１のゲート端子を接地電位に接続させるＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８のゲート端子に供給する。これにより、昇圧回路２６からＬｏｗレベルの信号が、記憶素子１０の上部電極１４に印加されると共に、ブロートランジスタ２１のゲート端子が接地電位に接続される。即ち、記憶素子１０には、第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ第１ブロー電流Ｉｂｌｏｗ１が流れる。その結果、フィラメント１６のトンネルバリア層１３がブロー（破壊）され、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ１となる第２状態へと移行する。
　また、書き込み回路２０Ａを用いて、第１状態又は第２状態の記憶素子１０に情報「２」を記録する場合には、フィラメント１６に第３状態が発生するように、第５ブロー条件を設定する。制御回路６０は、設定された第５ブロー条件に基づき、昇圧回路２６に、記憶素子１０の上部電極１４に第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２を印加させる書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、ブロートランジスタ２１のゲート端子に電源Ｖｂｌｏｗを接続させるＬｏｗレベルの制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８のゲートに供給する。また、制御回路６０は、タイマ・カウンタによって、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の計測を開始する。これにより、昇圧回路２６にて第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２が生成され、生成された第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２が、記憶素子１０の上部電極１４に印加されると共に、ブロートランジスタ２１のゲート端子が電源Ｖｂｌｏｗに接続される。
　制御回路６０は、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２が経過すると、昇圧回路２６に、上部電極１４への第２書き込み電圧Ｖｆｕｓｅ２の出力を停止させる書き込み制御信号Ｃｔｒｌを供給する。これと並行して、制御回路６０は、ブロートランジスタ２１のゲート端子を接地電位に接続させるＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを、第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８のゲート端子に供給する。これにより、昇圧回路２６からＬｏｗレベルの信号が、記憶素子１０の上部電極１４に印加されると共に、ブロートランジスタ２１のゲート端子が接地電位に接続される。即ち、記憶素子１０には、第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけ第２ブロー電流Ｉｂｌｏｗ２が流れる。その結果、フィラメント１６の上部電極１４及び下部電極１５がブロー（破壊）され、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ２となる第３状態へと移行する。
　また、記憶素子１０に情報「０」を記録する場合には、フィラメント１６をブロー（破壊）せず初期状態（第１状態）のままとする。即ち、制御回路６０は、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅの出力を停止する指示内容の書き込み制御信号Ｃｔｒｌを昇圧回路２６に出力する。加えて、ブロートランジスタ２１のゲート端子を接地電位に接続するＨｉｇｈレベルの制御信号ＳＷを第３及び第４書き込み用スイッチ素子２７及び２８のゲート端子に供給する。これにより、本変形例１の昇圧回路２６は、書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを上部電極１４に印加せずに、代わりに、上部電極１４にＬｏｗレベルの信号を印可する。加えて、第３書き込み用スイッチ素子２７がオフ状態となり且つ第４書き込み用スイッチ素子２８がオン状態となり、ブロートランジスタ２１のゲート端子が接地電位に接続される。その結果、フィラメント１６は、その抵抗値Ｒが抵抗値Ｒ０となる第１状態に維持される。
　[第１実施形態の変形例１の作用及び効果]
　本変形例１に係る半導体装置１Ａは、書き込み回路２０Ａが、制御回路６０Ａからの制御信号Ｃｔｒｌに応じて、記憶素子１０の上部電極１４に印加する書き込み電圧Ｖｆｕｓｅを可変にして、ブロー電流Ｉｂｌｏｗの大きさを制御する。
　この構成であれば、上記第１実施形態と同様の作用及び効果が得られる。
　〔第２実施形態〕
　上述の第１実施形態では、単体のメモリセル２を有する半導体装置１の構成を説明した。第２実施形態の半導体装置１Ｂは、第１実施形態で説明した図２に示す単体のメモリセル２を、複数アレイ配置した構造のメモリセルアレイを有する点が上記第１実施形態と異なる。
　以下、上記第１実施形態と同様の構成部については同様の符号を付して適宜説明を省略し、異なる点を詳細に説明する。
　[半導体装置１Ｂの構成]
　図１１は、第２実施形態に係るメモリセルアレイのアレイ構造の一例を示す図である。
　第２実施形態に係る半導体装置１Ｂは、図１１に示すように、上記第１実施形態の半導体装置１におけるメモリセル２をアレイ配置した構造のメモリセルアレイ２００を備える。
　このメモリセルアレイ２００は、図１１に示すように、複数のワード線ＷＬ１、ＷＬ２、ＷＬ３、ＷＬ４、ＷＬ５、ＷＬ６、・・・、ＷＬｎ（第２実施形態においてｎは２以上の偶数）を備える。ワード線ＷＬ１～ＷＬｎは、図１１中の第１の方向に並べて配置されると共に、図１１中の第２の方向に延伸した構成となっている。メモリセルアレイ２００は、更に、複数のワード線ＷＬ１～ＷＬｎと直交する方向（第２の方向）に並べて配置されると共に、第１の方向に延伸する複数のビット線ＢＬ１、ＢＬ２、ＢＬ３、・・・、ＢＬｍ（ｍは自然数）を備える。更に、複数のワード線ＷＬ１～ＷＬｎと複数のビット線ＢＬ１～ＢＬｍとの各交点に１つずつ配置された複数のメモリセル２を備える。以下、ワード線ＷＬ１～ＷＬｎを、区別する必要が無い場合に、単に「ワード線ＷＬ」という。同様に、ビット線ＢＬ１～ＢＬｍを、区別する必要が無い場合に、単に「ビット線ＢＬ」という。
　メモリセルアレイ２００は、更に、複数のソース線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、・・・、ＳＬｋ（ｋは、４以上の自然数）を備えている。ソース線ＳＬ１～ＳＬｋは、図１１中の第１の方向に連続する各２本のワード線ＷＬ１及びＷＬ２、ＷＬ３及びＷＬ４、ＷＬ５及びＷＬ６、・・・、ＷＬ（ｎ－１）及びＷＬｎの組毎に、各組の２本のワード線ＷＬの間にこれら２本のワード線ＷＬと平行に１本ずつ配置されている。以下、ソース線ＳＬ１～ＳＬｋを、区別する必要が無い場合に、単に、「ソース線ＳＬ」という。
　メモリセルアレイ２００は、２本のワード線Ｗの組毎に、ソース線ＳＬを挟んでビット線ＢＬの延伸方向に並ぶ各２つのメモリセル２のブロートランジスタ２１が、間にある１本のソース線ＳＬを共用している。即ち、各２つのメモリセル２のブロートランジスタ２１のソースが、共通のソース線ＳＬに接続されている。例えば、第１の方向に隣接する２つのメモリセル（以下、「メモリセル対」という）では、これらのブロートランジスタ２１がソース線ＳＬ１を共有している。
　半導体装置１Ｂは、更に、図示省略するが、メモリセルアレイ２００の各記憶素子１０に情報を書き込むための複数の書き込み回路２０Ｂを備える。更に、図示省略するが、各記憶素子１０から情報を読み出すための複数の読出し回路３０、参照信号生成回路４０及び比較器５０と、各回路の動作を制御する制御回路６０とを備える。
　[メモリセルアレイ２００の構成]
　図１２は、第２実施形態に係るメモリセルアレイのレイアウト構成の一例を示す平面図である。なお、図１２には、ワード線ＷＬ１～ＷＬ６、ソース線ＳＬ１～ＳＬ３及びビット線ＢＬ１～ＢＬ３と、これらに対応するメモリセル対２０１のみを表示している。
　第２実施形態に係るメモリセルアレイ２００は、図１２に示すように、複数の素子領域（アクティブ領域ともいう）２１４が第１の方向（行方向）及び第２の方向（列方向）に等間隔に並べて配置されている。そして、第２の方向に並べて配置された複数の素子領域２１４の列毎（図１２の例では第２の方向に並ぶ３つの素子領域２１４毎）に、各２本のワード線ＷＬ（図１２の例ではＷＬ１及びＷＬ２、ＷＬ３及びＷＬ４、ＷＬ５及びＷＬ６）が第２の方向に延伸して配置されている。更に、第１の方向に並べて配置された素子領域２１４の行毎（図１２の例では第１の方向に並ぶ３つの素子領域２１４毎）に、各１本のビット線ＢＬ（図１２の例ではＢＬ１、ＢＬ２、ＢＬ３）が第１の方向に延伸して配置されている。
　なお更に、各２本のワード線ＷＬ１及びＷＬ２、ＷＬ３及びＷＬ４、ＷＬ５及びＷＬ６の間には、各２本のワード線ＷＬに対して平行に、各１本のソース線ＳＬ（図１２の例ではＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３）が第２の方向に延伸して配置されている。即ち、各素子領域２１４に対応するメモリセル対２０１において、第１の方向に隣接する２つのメモリセル２が共通の１本のソース線ＳＬを共有している。
　また、コンタクト２１１は、各メモリセル対２０１の２つのブロートランジスタ２１のソース端子を共通の１本のソース線ＳＬに接続するためのコンタクトである。一方、ブロートランジスタ２１のドレイン端子側に接続された記憶素子１０はドレイン端子とビット線ＢＬとの間に形成され、金属配線１７上に形成されたコンタクト１８（後述）によってビット線ＢＬに接続されている。
　[メモリセル対２０１の構成]
　図１３は、図１２のＡ－Ａ’線断面図であり、図１４は、図１２のＢ－Ｂ’線断面図である。なお、図１３では、図１２の破線で囲まれたメモリセル対２０１の断面図を代表として表示しており、他のメモリセル対についても同様の構成となる。
　メモリセル対２０１は、図１３に示すように、Ｐ型のシリコン基板である半導体基板１００Ｂ上に形成されている。半導体基板１００Ｂの表面領域のうち、素子分離領域１０３が設けられていない領域が素子領域２１４となる。素子領域２１４には、Ｐ型のウェル領域１０１Ｂが形成されており、このウェル領域１０１Ｂには、２つのブロートランジスタ２１＿１及び２１＿２が形成されている。具体的に、ウェル領域１０１Ｂには、２つのドレイン領域２１Ｄ＿１及び２１Ｄ＿２と、２つのゲート電極２１Ｇ＿１及び２１Ｇ＿２と、１つのソース領域２１Ｓとが形成されている。なお、ゲート電極２１Ｇ＿１及び２１Ｇ＿２は、ドレイン領域２１Ｄ＿１及び２１Ｄ＿２の間のウェル領域１０１Ｂ上に、ゲート絶縁膜（図示略）を介して形成されている。また、ゲート電極２１Ｇ＿１及び２１Ｇ＿２の間のウェル領域１０１Ｂ部分に、ソース領域２１Ｓが形成されている。
　そして、ゲート絶縁膜と、ゲート電極２１Ｇ＿１と、ドレイン領域２１Ｄ＿１と、ソース領域２１Ｓとによりブロートランジスタ２１＿１が構成されている。加えて、ゲート絶縁膜と、ゲート電極２１Ｇ＿２と、ドレイン領域２１Ｄ＿２と、ソース領域２１Ｓとによりブロートランジスタ２１＿２が構成されている。即ち、ブロートランジスタ２１＿１及び２１＿２は、１つのソース領域２１Ｓを共有している。
　ゲート電極２１Ｇ＿１上には、層間絶縁膜１０２を介して、図１３の例では、ワード線ＷＬ１を構成する金属配線２１３＿１が配置されている。また、ゲート電極２１Ｇ＿２上には、層間絶縁膜１０２を介して、図１３の例では、ワード線ＷＬ２を構成する金属配線２１３＿２が配置されている。
　ソース領域２１Ｓ上には、層間絶縁膜１０２を介して、コンタクト２１０及び２１１と、金属配線２１２とが配置されている。具体的に、ソース領域２１Ｓ上にコンタクト２１０が形成され、コンタクト２１０上にコンタクト２１１が形成され、コンタクト２１１上に、図１３に示す例では、ソース線ＳＬ１を構成する金属配線２１２が形成されている。
　また、図１３及び図１４に示すように、ドレイン領域２１Ｄ＿１及び２１Ｄ＿２上には、層間絶縁膜１０２を介して、それぞれ記憶素子１０が配置されている。記憶素子１０の構成は、上記第１実施形態と同様となる。更に、記憶素子１０の上部電極１４上には、層間絶縁膜１０２を介して、金属配線１７、コンタクト１８及び金属配線１９が配置されている。具体的に、上部電極１４上に金属配線１７が形成され、金属配線１７上にコンタクト１８が形成されている。そして、コンタクト１８上には、図１３に示す例では、ビット線ＢＬ２を構成する金属配線１９が形成されている。
　ここで、上記コンタクト１８は、例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗなどから構成されている。一例を挙げると、コンタクト１８は、例えば、Ｗから構成されている。また、上記金属配線１９は、例えばＣｕ又はＡｕで構成されている。一例を挙げると、金属配線１９は、例えばＣｕから構成されている。また、素子分離領域１０３は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）構造の素子分離領域から構成されている。
　[第２実施形態の半導体装置１Ｂの構成]
　ここで、図１５は、第２実施形態に係る半導体装置の回路構成例を示す図である。
第２実施形態に係る半導体装置１Ｂの書き込み回路２０は、図１５に示すように、メモリセル２を構成するブロートランジスタ２１のゲート端子がワード線ＷＬに接続され、ブロートランジスタ２１のソース端子がソース線ＳＬに接続されている。加えて、ブロートランジスタ２１のドレイン端子がメモリセル２を構成する記憶素子１０の下部電極１５に接続され、記憶素子１０の上部電極１４がビット線ＢＬに接続されている。
　ビット線ＢＬには、書き込み回路２０を構成する第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４のドレイン端子と、読出し回路３０を構成する第２読み出し用スイッチ素子３２のソース端子とが接続されている。
　即ち、ワード線ＷＬを介してブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇにブロー電圧Ｖｂｌｏｗが印加され、ビット線ＢＬを介して記憶素子１０の上部電極１４と第２読出し用スイッチ素子３２のソース端子とに電源Ｖｆｕｓｅが接続（書き込み電圧Ｖｆｕｓｅが印加）される。また、ソース線ＳＬを介してブロートランジスタ２１のソース端子が接地電位（ＧＮＤ）に接続される。
　［第２実施形態の記憶素子１０への情報の書き込み動作］
　第２実施形態に係る書き込み回路２０Ｂの基本的な動作は上記第１実施形態の書き込み回路２０と同様である。但し、書き込み回路２０Ｂを構成するブロートランジスタ２１は、メモリセル２毎に設けられているが、昇圧回路２２は、例えば、ワード線ＷＬ毎に設けられ、第１及び第２書き込み用スイッチ素子２３及び２４は、例えば、ビット線ＢＬ毎に設けられている。また、複数のメモリセル２がアレイ化されて共通のワード線ＷＬ、ビット線ＢＬ及びソース線ＳＬに接続されているため、書き込み対象のメモリセル２のみを選択して、情報を書き込む必要がある。
　図１６は、書き込み対象のメモリセルを選択前のメモリセルアレイの状態を示す図であり、図１７は、書き込み対象のメモリセルを選択後のメモリセルアレイの状態を示す図である。
　図１６に示すように、書き込み対象のメモリセル２を非選択の状態では、ワード線ＷＬ１～ＷＬｎには、Ｌｏｗレベルの信号Ｖｇが印可され、ビット線ＢＬ１～ＢＬｍは、接地電位（ＧＮＤ）に接続される。また、ソース線ＳＬ１～ＳＬｋは、常に接地電位に接続されている。従って、各メモリセル２のブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇには、Ｌｏｗレベルの信号Ｖｇが印可され、各メモリセル２の記憶素子１０の上部電極１４には、接地電位が接続された状態となる。加えて、各メモリセル２のブロートランジスタ２１のソース端子には、接地電位が接続された状態となる。
　一方、図１７に示すように、ワード線ＷＬ１に、Ｈｉｇｈレベルのブロー電圧Ｖｂｌｏｗが印可され、ビット線ＢＬ２に、Ｈｉｇｈレベルの電源電圧Ｖｆｕｓｅが印可されたとする。この場合、ワード線ＷＬ１に接続された全てのメモリセル２のブロートランジスタ２１のゲート電極２１ＧにＨｉｇｈレベルのブロー電圧Ｖｂｌｏｗが印可された状態となる。加えて、ビット線ＢＬ２に接続された全ての記憶素子１０の上部電極１４に電源Ｖｆｕｓｅが接続された状態となる。即ち、ワード線ＷＬ１及びビット線ＢＬ２の双方に接続されたメモリセル２のみ、そのブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇにブロー電圧Ｖｂｌｏｗが印可されると共に、その記憶素子１０の上部電極１４に電源電圧Ｖｆｕｓｅが印可された状態となる。従って、図１７中の矢印に示すように、このメモリセル２の記憶素子１０にのみブロー電流Ｉｂｌｏｗが流れて情報が書き込まれる。
　［第２実施形態の作用及び効果］
　第２実施形態に係る半導体装置１Ｂは、複数のワード線ＷＬ１～ＷＬｎと、これら複数のワード線ＷＬ１～ＷＬｎと直交する方向に配置された複数のビット線ＢＬ１～ＢＬｍと、複数のワード線ＷＬ１～ＷＬｎと複数のビット線ＢＬ１～ＢＬｍとの各交点に１つずつ配置されたメモリセル２と、書き込み回路２０Ｂとを備える。各メモリセル２は、記憶素子１０と、ブロートランジスタ２１とを備えている。書き込み回路２０Ｂが、記憶素子１０に対してブロートランジスタ２１を介してブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加して少なくとも３つの識別可能な抵抗状態（第１～第３状態）を生成する。半導体装置１Ｂは、更に、ビット線ＢＬ１～ＢＬｋの延伸方向に連続する各２本のワード線ＷＬの間に該ワード線ＷＬと平行に１本ずつ配置された複数のソース線ＳＬ１～ＳＬｋを備え、各２本のワード線ＷＬの延伸方向に並ぶ各メモリセル２のブロートランジスタ２１のソース端子が、各２本のワード線ＷＬに挟まれた共通の１本のソース線ＳＬに接続されている。
　更に、読出し回路３０が、記憶素子１０の抵抗値に関する信号を読み出し、参照信号生成回路４０が、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための参照信号（閾値信号）を生成し、比較器５０が、参照信号生成回路４０で生成した参照信号と、読出し回路３０で読み出した抵抗値に関する信号とを比較して少なくとも３つの抵抗状態を判別する。
　更に、記憶素子１０は、磁化固定層１２と、磁化固定層１２上に形成された上部電極１４と、記憶層１１と、記憶層１１上に形成された下部電極１５と、磁化固定層１２と記憶層１１との間に形成されたトンネルバリア層１３とを有する磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）から構成されている。即ち、フィラメント１６は、上部電極１４及び下部電極１５と、トンネルバリア層１３とを有し、これらの抵抗状態の組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成される。
　また、半導体装置１Ｂは、上記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態として、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加する前の初期状態である第１状態と、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加してトンネルバリア層１３にダメージ与えた後の第２状態と、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを印加して上部電極１４及び下部電極１５にダメージを与えた後の第３状態とを含む構成とした。
　なお、第２状態は、第１状態よりも低抵抗な低抵抗状態であり、第３状態は、第１状態よりも高抵抗な高抵抗状態である。
　また、上記第１～第３状態を生成するために、フィラメント１６のブロー条件を設定した。具体的に、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１をブロートランジスタ２１のゲート電極２１Ｇに第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１の間だけ印可する第１ブロー条件を設定した。加えて、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ１よりも高い第２ブロー電圧Ｖｂｌｏｗ２を第１ブロー時間Ｔｂｌｏｗ１よりも長い第２ブロー時間Ｔｂｌｏｗ２の間だけゲート電極２１Ｇに印加する第２ブロー条件を設定した。更に、第１ブロー電圧Ｖｂｌｏｗをゲート電極２１Ｇに印加せずに第１状態を維持する第３ブロー条件を設定した。
　この構成であれば、上記第１実施形態と同様の作用及び効果を得ることが可能となる。加えて、メモリセルアレイ２００を構成する複数のメモリセル２のうち、隣接するワード線ＷＬに接続された各２つのメモリセル２にソース領域を共有させることが可能となる。これにより、メモリセルアレイ２００を構成する複数のブロートランジスタ２１の搭載面積を従来と比較して低減することが可能となり、メモリセルアレイ２００の搭載面積を従来と比較して低減することが可能となる。
　また、情報を多値記録することができることから、例えばデコーダー等の周辺回路の面積を縮小することが可能となる。
　更に、半導体装置１Ｂを従来と同様のプロセスで作製することができるので、プロセスを変更したり、新たにプロセスを追加したりする必要が無い。これにより、プロセスの改変によるコストの増大を防ぐことが可能となる。
　また、第２実施形態に係る半導体装置１Ｂは、更に、第１ブロー条件及び第２ブロー条件において、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを流す方向を上部電極１４から下部電極１５に向かう一方向とする条件を設定した。
　この構成であれば、ブロー電流Ｉｂｌｏｗを上部電極１４から下部電極１５又は下部電極１５から上部電極１４へと一方向に流すようにしたので、上記したように、ブロートランジスタ２１のソース領域を接地電位に固定することが可能となる。これにより、隣接するメモリセルでソース線ＳＬを共有することが可能となり、回路構成を簡易化することが可能となる。その結果、レイアウト面積を低減することが可能となる。
　＜電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、携帯電話機、または、ＯＴＰメモリを備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
　図１８は、本技術が適用され得る電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。図１８に示される撮像装置３０１は、光学系３０２、シャッタ装置３０３、固体撮像素子３０４、制御回路３０５、信号処理回路３０６、モニタ３０７、および不揮発性メモリ３０８を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
　光学系３０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの光（入射光）を固体撮像素子３０４に導き、固体撮像素子３０４の受光面に結像させる。
　シャッタ装置３０３は、光学系３０２および固体撮像素子３０４の間に配置され、制御回路３０５の制御に従って、固体撮像素子３０４への光照射期間および遮光期間を制御する。
　固体撮像素子３０４は、光学系３０２およびシャッタ装置３０３を介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像素子３０４に蓄積された信号電荷は、制御回路３０５から供給される駆動信号（タイミング信号）に従って転送される。
　固体撮像素子３０４は、更に、ＯＴＰメモリ３０９を有している。このＯＴＰメモリ３０９は、例えば、画素の欠陥補正、センサー駆動パラメータの調整等の画質補正のためのデータの格納などに用いられる。また、レンズモジュールの個体調整として、例えばレンズシェーディング補正やAuto Focusパラメータ入力のためのデータの格納、個体識別情報の格納などにも用いられる。
　制御回路３０５は、固体撮像素子３０４の転送動作、および、シャッタ装置３０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像素子３０４およびシャッタ装置３０３を駆動する。
　信号処理回路３０６は、固体撮像素子３０４から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路３０６が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ３０７に供給されて表示されたり、不揮発性メモリ３０８に供給されて記憶（記録）されたりする。
　このように構成されている撮像装置３０１においても、上述したＯＴＰメモリ３０９に代えて、半導体装置１、１Ａ、１Ｂを適用することにより、ＯＴＰメモリのレイアウト面積を低減することが可能となる。また、後からより良いパラメータを発見した場合などに、情報の書き直しをすることも可能である。
　〔その他の実施形態〕
　上記のように、本開示は実施形態及び変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
　例えば、上記実施形態において、上部電極１４及び下部電極１５は必ずしも同じ材料から構成されていなくてもよい。例えば、上部電極１４及び下部電極１５を構成する材料を、電流耐性の異なる材料から構成してもよい。この構成とすることで、上部電極１４及び下部電極１５を個別にブローすることが可能となり、４値記録が可能となる。
　また、例えば、上記実施形態において、メモリセルは、必ずしも磁気抵抗変化メモリから構成されていなくてもよい。例えば、条件が合えば、強誘電体メモリ、相変化メモリ、抵抗変化メモリなどから構成してもよい。
　このように、本開示はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。上述した実施形態及び変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。本開示の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
　なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、
　前記記憶素子に対してブロー電流を印加して前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部と、を備える半導体装置。
（２）前記記憶素子は、磁化固定層と、該磁化固定層上に形成された前記第１の導電層としての第１電極と、記憶層と、該記憶層上に形成された前記第２導電層としての第２電極と、前記磁化固定層及び前記記憶層との間に形成された前記絶縁層としてのトンネルバリア層とを有する磁気トンネル接合素子である、上記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、初期状態、該初期状態よりも低抵抗な低抵抗状態、及び前記初期状態よりも高抵抗な高抵抗状態を含む、上記（１）又は（２）に記載の半導体装置。
（４）前記低抵抗状態は、前記絶縁層にダメージが生じた状態であり、前記高抵抗状態は、前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方にダメージが生じた状態である、上記（３）に記載の半導体装置。
（５）前記フィラメントの前記少なくとも３つの抵抗状態が、前記フィラメントのブロー条件により変化する、上記（１）～（４）のいずれか１に記載の半導体装置。
（６）前記フィラメントのブロー条件は、前記フィラメントの前記第１導電層から前記第２導電層への一方向にブロー電流を流すことを含む、上記（５）に記載の半導体装置。（７）前記記憶素子の抵抗値に関する信号を読み出す読出し部と、
　前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための閾値信号を生成する閾値信号生成部と、
　前記閾値信号生成部で生成した前記閾値信号と、前記読出し部で読み出した前記抵抗値に関する信号とを比較して前記少なくとも３つの抵抗状態を判別する判別部と、を更に備える上記（１）～（６）のいずれか１に記載の半導体装置。
（８）複数のワード線と、
　前記複数のワード線と直交する方向に配置された複数のビット線と、
　前記複数のワード線と前記複数のビット線との各交点に１つずつ配置されたメモリセルと、を備え、
　各前記メモリセルは、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、ゲート端子が前記ワード線に接続され、ドレイン端子が前記ビット線に接続されたブロー用のトランジスタと、を有し、
　前記フィラメントに対して前記トランジスタを介してブロー電流を印加して、前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部を備える、半導体装置。
（９）前記ビット線の延伸方向に連続する各２本のワード線の間に該ワード線と平行に１本ずつ配置された複数のソース線を更に備え、
　前記各２本のワード線の延伸方向に並ぶ各メモリセルの前記トランジスタのソース端子が、前記各２本のワード線に挟まれた共通の１本の前記ソース線に接続されている、上記（８）に記載の半導体装置。
（１０）前記記憶素子は、磁化固定層と、該磁化固定層上に形成された前記第１導電層としての第１電極と、記憶層と、該記憶層上に形成された前記第２導電層としての第２電極と、前記磁化固定層及び前記記憶層との間に形成された前記絶縁層としてのトンネルバリア層とを有する磁気トンネル接合素子である、上記（８）又は（９）に記載の半導体装置。
（１１）前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、初期状態、該初期状態よりも低抵抗な低抵抗状態、及び前記初期状態よりも高抵抗な高抵抗状態を含む、上記（８）～（１０）のいずれか１に記載の半導体装置。
（１２）前記低抵抗状態は、前記絶縁層にダメージが生じた状態であり、前記高抵抗状態は、前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方にダメージが生じた状態である、上記（１１）に記載の半導体装置。
（１３）前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、前記フィラメントのブロー条件により変化する、上記（８）～（１２）のいずれか１に記載の半導体装置。
（１４）前記フィラメントのブロー条件は、前記フィラメントの前記第１導電層から前記第２導電層への一方向にブロー電流を流すことを含む、上記（１３）に記載の半導体装置。
（１５）前記記憶素子の抵抗値に関する信号を読み出す読出し部と、
　前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための閾値信号を生成する閾値信号生成部と、
　前記閾値信号生成部で生成した前記閾値信号と、前記読出し部で読み出した前記抵抗値に関する信号とを比較して前記抵抗状態を判別する判別部と、を更に備える上記（８）～（１４）のいずれか１に記載の半導体装置。
（１６）第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、　前記記憶素子に対してブロー電流を印加して前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部と、を備える半導体装置を備えた、電子機器。
（１７）複数のワード線と、
　前記複数のワード線と直交する方向に配置された複数のビット線と、
　前記複数のワード線と前記複数のビット線との各交点に１つずつ配置されたメモリセルと、を備え、
　各前記メモリセルは、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、ゲート端子が前記ワード線に接続され、ドレイン端子が前記ビット線に接続されたブロー用のトランジスタと、を有し、
　前記フィラメントに対して前記トランジスタを介してブロー電流を印加して、前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部を備える半導体装置を備えた、電子機器。
１、１Ａ、１Ｂ　半導体装置
２　メモリセル
１０　記憶素子
１１　記憶層
１２　磁化固定層
１３　トンネルバリア層
１４　上部電極
１５　下部電極
１６　フィラメント
１７、１９、２１２、２１３、２１３＿１、２１３＿２　金属配線
１８、２１０、２１１　コンタクト
２０、２０Ａ、２０Ｂ　書き込み回路
２１、２１＿１、２１＿２　ブロートランジスタ
２１Ｄ、２１Ｄ＿１、２１Ｄ＿２　ドレイン領域
２１Ｇ、２１Ｇ＿１、２１Ｇ＿２　ゲート電極
２１Ｓ　ソース領域
２２、２６　昇圧回路
２３　第１書き込み用スイッチ素子
２４　第２書き込み用スイッチ素子
２７　第３書き込み用スイッチ素子
２８　第４書き込み用スイッチ素子
３０　読出し回路
３１　第１読み出し用スイッチ素子
３２　第２読み出し用スイッチ素子
４０　参照信号生成回路
４１～４４　第１～第４スイッチ素子
４５　第１参照抵抗
４６　第２参照抵抗
５０　比較器
６０、６０Ａ、６０Ｂ　制御回路
１００、１００Ｂ　半導体基板
１０１、１０１Ｂ　ウェル領域
１０２　層間絶縁膜１０３　素子分離領域
２００　メモリセルアレイ
２０１　メモリセル対
２１４　素子領域
３０１　撮像装置 
３０２　光学系
３０３　シャッタ装置
３０４　固体撮像素子
３０５　制御回路
３０６　信号処理回路
３０７　モニタ
３０８　不揮発性メモリ
３０９　ＯＴＰメモリ
ＷＬ１～ＷＬｎ　ワード線
ＢＬ１～ＢＬｍ　ビット線
ＳＬ１～ＳＬｋ　ソース線
Ｖｂｌｏｗ、Ｖｂｌｏｗ１、Ｖｂｌｏｗ２　ブロー電圧
Ｉｂｌｏｗ、Ｉｂｌｏｗ１、Ｉｂｌｏｗ２　ブロー電流
Ｔｂｌｏｗ、Ｔｂｌｏｗ１、Ｔｂｌｏｗ２　ブロー時間
Ｖｆｕｓｅ　書き込み電圧
Ｒｔｈ１　第１閾値
Ｒｔｈ２　第２閾値
Ｃｔｒｌ、ＳＷ、Ｓｒ１～Ｓｒ６　制御信号

Claims (17)

  1. 　第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、
    　前記記憶素子に対してブロー電流を印加して前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部と、
    　を備える半導体装置。
  2. 　前記記憶素子は、磁化固定層と、該磁化固定層上に形成された前記第１の導電層としての第１電極と、記憶層と、該記憶層上に形成された前記第２導電層としての第２電極と、前記磁化固定層及び前記記憶層との間に形成された前記絶縁層としてのトンネルバリア層とを有する磁気トンネル接合素子である、
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、初期状態、該初期状態よりも低抵抗な低抵抗状態、及び前記初期状態よりも高抵抗な高抵抗状態を含む、
    　請求項１に記載の半導体装置。
  4. 　前記低抵抗状態は、前記絶縁層にダメージが生じた状態であり、前記高抵抗状態は、前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方にダメージが生じた状態である、
    　請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記フィラメントの前記少なくとも３つの抵抗状態が、前記フィラメントのブロー条件により変化する、
    　請求項１に記載の半導体装置。
  6. 　前記フィラメントのブロー条件は、前記フィラメントの前記第１導電層から前記第２導電層への一方向にブロー電流を流すことを含む、
    　請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記記憶素子の抵抗値に関する信号を読み出す読出し部と、
    　前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための閾値信号を生成する閾値信号生成部と、
    　前記閾値信号生成部で生成した前記閾値信号と、前記読出し部で読み出した前記抵抗値に関する信号とを比較して前記少なくとも３つの抵抗状態を判別する判別部と、
    　を更に備える請求項１に記載の半導体装置。
  8. 　複数のワード線と、
    　前記複数のワード線と直交する方向に配置された複数のビット線と、
    　前記複数のワード線と前記複数のビット線との各交点に１つずつ配置されたメモリセルと、を備え、
    　各前記メモリセルは、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、ゲート端子が前記ワード線に接続され、ドレイン端子が前記ビット線に接続されたブロー用のトランジスタと、を有し、
    　前記フィラメントに対して前記トランジスタを介してブロー電流を印加して、前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部を備える、
    　半導体装置。
  9. 　前記ビット線の延伸方向に連続する各２本のワード線の間に該ワード線と平行に１本ずつ配置された複数のソース線を更に備え、
    　前記各２本のワード線の延伸方向に並ぶ各メモリセルの前記トランジスタのソース端子が、前記各２本のワード線に挟まれた共通の１本の前記ソース線に接続されている、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記記憶素子は、磁化固定層と、該磁化固定層上に形成された前記第１導電層としての第１電極と、記憶層と、該記憶層上に形成された前記第２導電層としての第２電極と、前記磁化固定層及び前記記憶層との間に形成された前記絶縁層としてのトンネルバリア層とを有する磁気トンネル接合素子である、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  11. 　前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、初期状態、該初期状態よりも低抵抗な低抵抗状態、及び前記初期状態よりも高抵抗な高抵抗状態を含む、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  12. 　前記低抵抗状態は、前記絶縁層にダメージが生じた状態であり、前記高抵抗状態は、前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくとも一方にダメージが生じた状態である、
    　請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記フィラメントの前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が、前記フィラメントのブロー条件により変化する、
    　請求項８に記載の半導体装置。
  14. 　前記フィラメントのブロー条件は、前記フィラメントの前記第１導電層から前記第２導電層への一方向にブロー電流を流すことを含む、
    　請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記記憶素子の抵抗値に関する信号を読み出す読出し部と、
    　前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を判別するための閾値信号を生成する閾値信号生成部と、
    　前記閾値信号生成部で生成した前記閾値信号と、前記読出し部で読み出した前記抵抗値に関する信号とを比較して前記抵抗状態を判別する判別部と、
    　を更に備える請求項８に記載の半導体装置。
  16. 　第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、
    　前記記憶素子に対してブロー電流を印加して前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部と、を備える半導体装置を備えた、
    　電子機器。
  17. 　複数のワード線と、
    　前記複数のワード線と直交する方向に配置された複数のビット線と、
    　前記複数のワード線と前記複数のビット線との各交点に１つずつ配置されたメモリセルと、を備え、　各前記メモリセルは、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、前記第１導電層と前記第２導電層とは少なくとも前記絶縁層を介して積層されており、前記第１導電層の状態と、前記第２導電層の状態と、前記絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、ゲート端子が前記ワード線に接続され、ドレイン端子が前記ビット線に接続されたブロー用のトランジスタと、を有し、
    　前記フィラメントに対して前記トランジスタを介してブロー電流を印加して、前記少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部を備える半導体装置を備えた、
    　電子機器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289171B1 (en) * 2020-10-02 2022-03-29 Sandisk Technologies Llc Multi-level ultra-low power inference engine accelerator
US11538858B2 (en) * 2021-03-05 2022-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device, method of forming the same, and memory array
JP2024017480A (ja) * 2022-07-28 2024-02-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 記憶装置、電子機器及び記憶装置の制御方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006059919A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Toshiba Corp Ｍｏｓ型電気ヒューズとそのプログラム方法、これを用いた半導体装置
JP2010225774A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びそのスクリーニング方法
JP2014143284A (ja) * 2013-01-23 2014-08-07 Sony Corp 記憶素子、半導体装置、および書込方法
JP2015534204A (ja) * 2012-09-13 2015-11-26 クアルコム，インコーポレイテッド セル内に複数の磁気トンネル接合デバイスを備えたｏｔｐスキーム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010026831A1 (ja) * 2008-09-03 2010-03-11 富士電機ホールディングス株式会社 磁気メモリ素子およびそれを用いる記憶装置
JP4769887B2 (ja) 2009-04-27 2011-09-07 株式会社三栄水栓製作所 管継手及び管接続構造
JP5498235B2 (ja) 2010-04-21 2014-05-21 北海製罐株式会社 飲料用缶体
US9324457B2 (en) * 2014-03-12 2016-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006059919A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Toshiba Corp Ｍｏｓ型電気ヒューズとそのプログラム方法、これを用いた半導体装置
JP2010225774A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びそのスクリーニング方法
JP2015534204A (ja) * 2012-09-13 2015-11-26 クアルコム，インコーポレイテッド セル内に複数の磁気トンネル接合デバイスを備えたｏｔｐスキーム
JP2014143284A (ja) * 2013-01-23 2014-08-07 Sony Corp 記憶素子、半導体装置、および書込方法

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