WO2020187845A1 - Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung - Google Patents

Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung Download PDF

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Definitions

  • a light emitting diode is a light emitting device based on semiconductor materials.
  • An LED usually includes a pn junction. When electrons and holes recombine with one another in the area of the pn junction, for example because a corresponding voltage is applied, electromagnetic radiation is generated.
  • LEDs have been developed for a variety of applications including display devices, lighting devices, automotive lighting, projectors, and others. For example, arrangements of LEDs or light-emitting areas, each with a large number of LEDs or light-emitting areas, are widely used for these purposes.
  • the present invention is based on the object of specifying an improved optoelectronic semiconductor device having a plurality of picture elements and an improved method for its production.
  • a semiconductor optoelectronic device includes a plurality of picture elements.
  • the picture elements each include a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type, which are arranged one above the other to form a semiconductor layer stack.
  • the optoelectronic semiconductor device further comprises separating elements which are arranged between adjacent picture elements and extend in a horizontal direction along a delimitation of the adjacent picture element, adjoin the first and the second semiconductor layer in each case and extend in the vertical direction through the first and the second semiconductor layer the second semiconductor layer extend.
  • the separating elements each include, for example, a separating trench in which a dielectric layer is arranged.
  • a metallic layer can be arranged in each of the separating trenches, and the dielectric layer is arranged between the metallic layer and the adjoining semiconductor material.
  • the separating elements each extend in the vertical direction from a surface of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer to at least one surface of the second semiconductor layer facing away from the first semiconductor layer.
  • the optoelectronic semiconductor device can furthermore have a converter material which is arranged over a first main surface of the second semiconductor layer, wherein the separating element adjoins the converter material.
  • the optoelectronic semiconductor device can also have a first current spreading layer, which is on one of the The side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer is arranged and is electrically connected to the first semiconductor layer.
  • the optoelectronic semiconductor device further comprises a second current spreading layer which is arranged on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer and is connected to the second semiconductor layer via contact elements.
  • the optoelectronic semiconductor device can furthermore have a first connection element which is electrically connected to the first current spreading layer, and a second connection element which is electrically connected to the second current spreading layer
  • the separating elements have a width of less than 10 mm.
  • the separating elements can still have a length of less than 50 mm.
  • the optoelectronic semiconductor device can have more than 100 picture elements, for example.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device comprises the formation of a layer stack comprising a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type over a growth substrate and the formation of separating trenches in a first surface of the first semiconductor layer .
  • the separating trenches each adjoin the first and the second semiconductor layer and extend in the vertical direction through the first and the second semiconductor layer second semiconductor layer up to the growth substrate.
  • the method further comprises removing the growth substrate.
  • the method can further comprise the formation of a dielectric layer in the separating trenches before removing the growth substrate.
  • the method comprises the introduction of a metallic layer after the dielectric layer has been formed and before the growth substrate is removed.
  • the method further comprises the formation of a first current spreading layer on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer.
  • the method can further include forming a second
  • the formation of contact elements and the formation of the separating elements comprise common method steps.
  • An optoelectronic component comprises the optoelectronic semiconductor device as described above and a control device with a multiplicity of control elements which are each suitable for controlling one of the picture elements.
  • the optoelectronic component can, for example, be selected from a motor vehicle lighting device, a projector and a display device.
  • FIG. 1A shows a schematic plan view of an optoelectronic semiconductor device according to embodiments.
  • FIG. 1B shows a schematic plan view of a control device which is connected to the circuit shown in FIG. 1A shown optoelectronic semiconductor device can be combined.
  • FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of part of an optoelectronic semiconductor device according to embodiments.
  • FIG. 2B shows a schematic cross-sectional view of a further part of the optoelectronic semiconductor device according to embodiments.
  • FIG. 2C shows a schematic plan view of elements of an optoelectronic semiconductor device according to embodiments.
  • FIG. 2D shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to further embodiments.
  • FIG. 3A illustrates a workpiece when performing a method according to embodiments.
  • FIG. 3B summarizes a method according to embodiments.
  • FIG. 4 shows an optoelectronic component in accordance with embodiments.
  • wafer or “semiconductor substrate”, which are used in the following description, can include any semiconductor-based structure that has a semiconductor surface. Wafer and structure are to be understood in such a way that they are doped and undoped semiconductors, epitaxial Include semiconductor layers, optionally supported by a base support, and further semiconductor structures. For example, a layer made from a first semiconductor material can be grown on a growth substrate made from a second semiconductor material or from an insulating material, for example on a sapphire substrate. Further examples of materials for growth substrates include glass, silicon dioxide, quartz or a ceramic.
  • the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • semiconductor materials particularly suitable for generating electromagnetic radiation include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultraviolet, blue or longer-wave light can be generated, such as GaN, InGaN, AlN, AlGaN, AlGalnN, Al-GalnBN, Phosphide semiconductor compounds, through which, for example, green or longer-wave light can be generated, such as GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, and other semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga 2 O 3 , Diamond, hexagonal BN and combinations of the mentioned materials.
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • semiconductor materials can include silicon, silicon-germanium and germanium. In the context of the present description, the term “semiconductor”
  • substrate generally includes insulating, conductive, or semiconductor substrates.
  • lateral and horizontal are intended to describe an orientation or alignment that is essentially parallel to a first Surface of a substrate or semiconductor body runs. This can be, for example, the surface of a wafer or a chip (die).
  • the horizontal direction can for example be in a plane perpendicular to a growth direction when growing
  • vertical is intended to describe an orientation which runs essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, be a direction of growth when growing
  • Electrically connected means a low-resistance electrical connection between the connected elements.
  • the electrically connected elements do not necessarily have to be directly connected to one another. Further elements can be arranged between electrically connected elements.
  • the wavelength of electromagnetic radiation emitted by an LED chip can be converted using a converter material which contains a fluorescent substance or phosphor.
  • white light can be generated by combining an LED chip that emits blue light with a suitable phosphor.
  • the phosphor can be a yellow phosphor which, when excited by the light from the blue LED chip, is suitable for emitting yellow light.
  • the phosphor can, for example, absorb part of the electromagnetic radiation emitted by the LED chip.
  • the combination of blue and yellow light is perceived as white light.
  • the color temperature can be changed by adding further phosphors which are suitable for emitting light of a further wavelength, for example a red wavelength.
  • white light can be generated by a combination that includes a blue LED chip and a green and red phosphor. It goes without saying that a converter material can comprise several different phosphors, each of which emits different wavelengths.
  • phosphors are metal oxides, metal halides, metal sulfides, metal nitrides and others. These compounds can also contain additives that lead to special wavelengths being emitted.
  • the additives can include rare earth materials.
  • YAG Ce 3+ (yttrium aluminum garnet (Y 3 Al 5 O 12 ) activated with cerium) or (Sr 1.7 Ba 0.2 Eu 0.1 ) SiO 4 can be used.
  • Further phosphors can be based on MSiO E, in which M can be Ca, Sr or Ba. By selecting the cations with an appropriate concentration, a desired conversion wavelength can be selected. Many other examples of suitable phosphors are known.
  • the phosphor material for example a phosphor powder
  • the matrix material can comprise a resin or polymer composition such as a silicone or an epoxy resin.
  • the size of the fluorescent particles can be, for example, in a micrometer or nanometer range.
  • the matrix material can comprise a glass.
  • the converter material can be formed by sintering the glass, for example SiO 2 with further additives and phosphor powder, with the formation of a phosphor in the glass (PiG).
  • the phosphor material itself can be sintered to form a ceramic.
  • the ceramic phosphor can have a polycrystalline structure.
  • the phosphor material can be grown to form a single-crystal phosphor, for example using the Czochralski (Cz) method.
  • the luminescent material itself can be a semiconductor material which, in volume or in layers, has a suitable band gap for absorption of the light emitted by the LED and for and emission of the desired conversion wavelength.
  • this can be an epitaxially grown semiconductor material.
  • the epitaxially grown semiconductor material can have a band gap which corresponds to a lower energy than that of the primarily emitted light.
  • several suitable semiconductor layers, each of which emits light of different wavelengths can be stacked on top of one another.
  • Quantum wells, quantum dots or quantum wires can be formed in the semiconductor material.
  • FIG. 1A shows a horizontal cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor device 10 according to embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor device 10 comprises a plurality of picture elements 101.
  • the optoelectronic semiconductor device 10 further comprises separating elements 130 which are arranged between adjacent picture elements 101.
  • the partition elements 130 extend in a horizontal direction along a boundary of the adjacent picture element.
  • the picture elements can, for example, be suitable for generating or absorbing electromagnetic radiation. A more precise structure of the individual picture elements will be explained with reference to FIGS. 2A to 2D.
  • the picture elements 101 can have any shape. For example, they can have a rectangular, for example square, shape. However, other shapes are also conceivable.
  • the picture elements 101 can be arranged in rows and columns, for example. According to further embodiments, other arrangement patterns are also conceivable.
  • the separating elements are each arranged between adjacent picture elements 101. They each extend along a boundary of the adjacent picture element. An extension length of the picture elements 101 can in each case be smaller than a lateral extension of the adjoining picture element.
  • the separating elements 130 can each be designed in the shape of a line or rod, with their longitudinal axis being the longitudinal axis of the boundary of the picture elements 101 corresponds.
  • contact elements 125 can also be provided which are suitable, for example, for connecting the second semiconductor layer to a second current spreading layer (not shown in FIG. 1A).
  • the separating elements 130 can each be at a distance from the contact elements 125 and not adjoin them.
  • FIG. 1B shows a control device 20 for controlling the optoelectronic semiconductor device from FIG. 1A.
  • the control device 20 comprises a plurality of control or processing circuits 143, 144. Each of the
  • Drive circuits 143 can be suitable for driving an associated picture element 101.
  • the control device 20 can furthermore have a multiplicity of control lines 141, through which the control circuits 143 can each be addressed.
  • the multiplicity of control circuits 143 can be implemented in a second substrate 140, for example in a silicon substrate.
  • the processing circuits 144 can also be suitable for further processing electromagnetic radiation or image signals received from the picture elements.
  • FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of part of an optoelectronic semiconductor device. The position of the cross-sectional view is between I and I 'as shown in FIG. 2C is illustrated.
  • the in FIG. 2A Schmele- shown ment 101 1 includes a first semiconductor layer 110 by a ERS th conductivity type, for example p-type, and a second Semiconductor layer 120 of a second conductivity type, for example n-type.
  • the first and the second semiconductor layer are arranged one above the other to form a semiconductor layer stack.
  • an active zone 115 can be arranged between the first semiconductor layer 110 and the second semiconductor layer 120.
  • the active zone can have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • SQL single quantum well structure
  • MQW multiple quantum well structure
  • quantum well structure has no meaning here with regard to the dimensionality of the quantization. It thus includes, inter alia, quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these layers.
  • the optoelectronic semiconductor device 10 further comprises a separator 130.
  • the separator 130 is between adjacent ones
  • the separating element 130 adjoins the first semiconductor layer 110 and the second semiconductor layer 120 and extends in the vertical direction through the first and second semiconductor layers 110, 120, respectively.
  • the separating element 130 comprises a trench 133 in which a dielectric layer 131 is arranged.
  • the dielectric layer 131 can comprise silicon dioxide.
  • a width bl (not illustrated in FIG. 2A) of the trench 133 can be, for example, 4 mm, the width being measured in a direction perpendicular to the longitudinal direction.
  • a layer thickness of the dielectric layer 131 can be 300 to 700 nm.
  • An electrically conductive or metallic layer 132 can furthermore be arranged in the trench 133. be in order.
  • the electrically conductive layer 132 can be isolated from the adjacent semiconductor material by the dielectric layer 131.
  • the electrically conductive layer 132 can be a highly reflective layer and comprise a metal, for example silver.
  • the separating element 130 can extend in the vertical direction from a surface of the first layer 110 facing away from the second semiconductor layer 120 to at least one surface of the second semiconductor layer 120 facing away from the first semiconductor layer 110.
  • a height hi of the separating element 130 can be greater than a height 2 of a contact element 125 (shown in FIG. 2B), for example in relation to a surface of the first semiconductor layer 110 remote from the second semiconductor layer 120.
  • a contact layer 111 may be formed in electrical and physical contact with the first semiconductor layer 110, for example.
  • the contact layer 111 can comprise silver, for example.
  • the contact layer 111 can be suitably encapsulated by a suitable material.
  • a further conductive layer 112 can be formed in contact with the contact layer 111.
  • the conductive layer 112 can comprise a metal, for example Ti, Pt, or Au.
  • a first current spreading layer 113 can be formed on the side of the first semiconductor layer 110 facing away from the second semiconductor layer 120.
  • the first current spreading layer 113 can contain nickel.
  • a second current spreading layer 123 can likewise be arranged over the side of the first semiconductor layer 110 facing away from the second semiconductor layer 120.
  • first current spreading layer 113 and the second current spreading layer 123 can be formed by one or more insulating layers 121, 122 may be insulated from one another. According to embodiments, the first current spreading layer 113 and the second current spreading layer 123 can be formed in approximately the same metallization level.
  • one of the first or second current spreading layers 113, 123 can be at a greater distance from the first semiconductor layer 110 than the other. Contact between the second current spreading layer 123 and the second semiconductor layer 120 is illustrated with reference to FIG. 2B will be explained in more detail.
  • a first connection element 117 is connected to the first current spreading layer 113 in an electrically conductive manner.
  • the second connection element 127 is electrically connected to the second current spreading layer 123.
  • the first and the second connection element 117, 127 can be galvanized
  • the first connection element 117 and the second connection element 127 can contain copper.
  • the first current spreading layer 113 can be insulated from the second connection element 127 by an insulating layer 118, for example.
  • connection elements 117, 127 can thus each be controlled electrically via the connection elements 117, 127.
  • the first and second connection elements 117, 127 are arranged on a side of the optoelectronic semiconductor device facing away from the light exit surface 105.
  • FIG. 2B shows a schematic cross-sectional view through a picture element 101 of the optoelectronic semiconductor device between II and II ', as shown in FIG. 2C indicated.
  • the cross-sectional view intersects a contact element 125 through which the second current spreading layer 123 with the second semiconductor Layer 120 is electrically connected.
  • the contact element can contain an electrically conductive material 124 which is insulated from the adjoining semiconductor material by a side wall insulation 126.
  • the second connection element 127 is connected to the second current spreading layer 123.
  • a first main surface 105 of the second semiconductor layer can be roughened in order to increase the coupling-out efficiency.
  • Electromagnetic radiation generated in the active zone 115 can be output via the first main surface 105 of the second semiconductor layer 120, for example. In a corresponding way, electromagnetic radiation to be recorded can penetrate into the active zone 115 of the picture element 101 via the first main surface 105 of the second semiconductor layer 120.
  • FIG. 2C shows a schematic horizontal cross-sectional view of a picture element 101 with adjoining separating elements 130 and contact elements 125.
  • contact elements 125 are in each case arranged at the corners of a rectangularly designed picture element 101.
  • the separating trenches 130 extend along the boundaries of the picture element 101.
  • the contact elements 125 can be arranged at any positions. Furthermore, it is not necessary for four contact elements 125 to be provided per picture element.
  • the contact elements 125 and the separating elements 130 represent a frame for the picture element 101. In a departure from this, however, it is also possible for the contact elements 125 to be arranged within the picture element 101, for example. Furthermore, it is possible for the separating elements 130 to also enclose the picture element 101 at the corners.
  • Image elements 101 can for example be less than 100 mm, for example less than 50 mm, for example 20 to 40 mm. carry.
  • a length f1 of the separating elements 130 can be somewhat smaller than the edge length s1 of the picture element 101.
  • the length f1 of the separating elements 130 can be less than 50 mm, for example less than 40 mm.
  • a width b1 of the separating elements 130 can for example be less than 10 mm, for example 2 to 5 mm, for example 4 mm.
  • a diameter t1 of the contact elements 125 can for example be less than 10 mm, for example 6 to 10 mm, for example 8 mm.
  • a distance d1 between adjacent parallel separating elements can be, for example, less than 60 mm or less than 50 mm, for example approximately 40 mm.
  • the separating elements 130 represent an optically opaque grid.
  • the described separating elements can achieve an improved contrast in pixellated chips.
  • the separating elements each include a trench which extends through the first and the second semiconductor layer, the contrast can be increased without undesired absorption of electromagnetic radiation taking place.
  • FIG. 2D shows a cross-sectional view through the picture elements according to further embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor device here comprises a converter material 135 which is suitable for changing an emission wavelength of the electromagnetic radiation that is emitted by the respective picture element.
  • a converter material 135 which is suitable for changing an emission wavelength of the electromagnetic radiation that is emitted by the respective picture element.
  • FIG. 3A illustrates a vertical cross-sectional view of a workpiece 15 during manufacture of the optoelectronic device according to embodiments.
  • the second semiconductor layer 120 and the first semiconductor layer 110 are grown over a suitable growth substrate 100.
  • An active zone 115 can be formed between the second semiconductor layer 120 and the first semiconductor layer 110.
  • trenches 133 are formed in the first surface 151 of the workpiece 15 by etching.
  • the separating trenches 133 are etched to a depth such that they extend in the second semiconductor layer 120 almost to the first main surface 105 of the second semiconductor layer 120.
  • separating trenches 133 After the separating trenches 133 have been etched, a dielectric layer 131 and a metallic or highly reflective layer 132 are filled into the separating trenches 133. Since the separating trenches 133 are etched into the first surface 151 of the workpiece 15, it is possible to determine the position of the separating trenches with a high level of adjustment accuracy.
  • the separating elements 130 produced protrude from the first main surface 105 of the second semiconductor layer 120.
  • the edges of the respective picture elements 101 are thus at least partially severed from the side of the first semiconductor layer 110.
  • a highly reflective material for example silver
  • FIG. 3B summarizes a method according to embodiments.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device comprises the formation (S100) of a
  • Layer stack which comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type, over a
  • FIG. 4 shows a schematic view of an optoelectronic component according to embodiments.
  • the optoelectronic component 30 comprises the optoelectronic semiconductor device 10 as described above.
  • the optoelectronic component can additionally have a control device 20 as above with reference to FIG. 1B described, have.
  • the optoelectronic component can be a motor vehicle lighting device, a projector or a display device.
  • the motor vehicle lighting device can be a headlight, the individual picture elements of which are controlled by the control device 20 in such a way that certain lighting patterns are generated.
  • the motor vehicle lighting device can also be an interior lighting device.
  • the opto- Electronic component also include a sensor.
  • the individual processing circuits 144 of the control device 20 can be suitable for processing the received light signals.
  • the optoelectronic semiconductor device may have more than 100
  • Picture elements 101 for example more than 1000 picture elements 101.

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)

Abstract

Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) umfasst eine Vielzahl von Bildelementen (101, 1011, 1012), die jeweils eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die unter Ausbildung eines Halbleiterschichtstapels übereinander angeordnet sind, aufweisen. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin Trennelemente (130), die zwischen benachbarten Bildelementen (101, 1011, 1012) angeordnet sind und sich in einer horizontalen Richtung entlang einer Begrenzung (102) des angrenzenden Bildelementes (101) erstrecken, jeweils an die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) angrenzen und sich in vertikaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) erstrecken.

Description

OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER VIELZAHL VON BILDELEMENTEN UND TRENNELEMENTEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
DER OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERVORRICHTUNG
BESCHREIBUNG
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 107 030.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine lichtemittierende Diode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Üblicher- weise umfasst eine LED einen pn-Übergang. Wenn Elektronen und Löcher miteinander im Bereich des pn-Übergangs rekombinieren, beispielsweise, weil eine entsprechende Spannung angelegt wird, wird elektromagnetische Strahlung erzeugt. LEDs sind für eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Anzeigevorrich- tungen, Beleuchtungsvorrichtungen, KFZ-Beleuchtung, Projekto- ren und weitere entwickelt worden. Beispielsweise werden An- ordnungen von LEDs oder lichtemittierenden Bereichen, jeweils mit einer Vielzahl von LEDs oder lichtemittierenden Bereichen, weitverbreitet für diese Zwecke eingesetzt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte optoelektronische Halbleitervorrichtung mit einer Vielzahl von Bildelementen und ein verbessertes Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabe durch den Gegenstand beziehungsweise das Verfahren der unabhängigen Pa- tentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterentwicklungen sind in den abhängigen Patentansprüchen definiert. Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst eine Vielzahl von Bildelementen. Die Bildelemente umfassen jeweils eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeits- typ sowie eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die unter Ausbildung eines Halbleiter- schichtstapels übereinander angeordnet sind. Die optoelektro- nische Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin Trennelemente, die zwischen benachbarten Bildelementen angeordnet sind und sich in einer horizontalen Richtung entlang einer Begrenzung des angrenzenden Bildelements erstrecken, jeweils an die erste und die zweite Halbleiterschicht angrenzen und sich in verti- kaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halb- leiterschicht erstrecken.
Die Trennelemente umfassen beispielsweise jeweils einen Trenn- graben, in dem eine dielektrische Schicht angeordnet ist. Zu- sätzlich kann in den Trenngräben jeweils weiterhin eine metal- lische Schicht angeordnet sein, und die dielektrische Schicht ist zwischen der metallischen Schicht und angrenzendem Halb- leitermaterial angeordnet ist.
Gemäß Aus führungs formen erstrecken sich die Trennelemente je- weils in vertikaler Richtung von einer von der zweiten Halb- leiterschicht abgewandten Oberfläche der ersten Halbleiter- schicht bis mindestens zu einer von der ersten Halbleiter- schicht abgewandten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht.
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung kann ferner ein Konvertermaterial aufweisen, das über einer ersten Hauptober- fläche der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, wobei das Trennelement an das Konvertermaterial angrenzt.
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung kann darüber hin- aus eine erste Stromaufweitungsschicht, die auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der ersten Halb- leiterschicht angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch verbunden ist, aufweisen.
Gemäß Aus führungs formen umfasst die optoelektronische Halb- leitervorrichtung ferner eine zweite Stromaufweitungsschicht, die auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist und über Kontaktelemente mit der zweiten Halbleiterschicht verbunden ist.
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung kann weiterhin ein erstes Anschlusselement, das mit der ersten Stromaufweitungs- schicht elektrisch verbunden ist, und ein zweites Anschlus- selement, das mit der zweiten Stromaufweitungsschicht
elektrisch verbunden ist, aufweisen.
Beispielsweise haben die Trennelemente eine Breite kleiner als 10 mm. Die Trennelemente können weiterhin eine Länge kleiner 50 mm haben.
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung kann beispielswei- se mehr als 100 Bildelemente aufweisen.
Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halb- leitervorrichtung umfasst das Ausbilden eines Schichtstapels, der eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähig- keitstyp sowie eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst, über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden von Trenngräben in einer ersten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht. Die Trenngräben grenzen jeweils an die erste und die zweite Halbleiterschicht an und erstrecken sich in vertikaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiterschicht bis zum Wachstumssubstrat. Das Ver- fahren umfasst weiterhin das Entfernen des Wachstumssubstrats.
Das Verfahren kann ferner das Ausbilden einer dielektrischen Schicht in den Trenngräben vor Entfernen des Wachstumssub- strats umfassen. Beispielsweise umfasst das Verfahren das Ein- bringen einer metallischen Schicht nach Ausbilden der die- lektrischen Schicht und vor Entfernen des Wachstumssubstrats.
Gemäß Aus führungs formen umfasst das Verfahren ferner das Aus- bilden einer ersten Stromaufweitungsschicht auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der ersten Halb- leiterschicht.
Das Verfahren kann weiterhin das Ausbilden einer zweiten
Stromaufweitungsschicht auf einer von der zweiten Halbleiter- schicht abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht und das Ausbilden von Kontaktelementen, die sich durch die erste Halb- leiterschicht erstrecken, umfassend, wobei die zweite Strom- aufweitungsschicht durch die Kontaktelemente mit der zweiten Halbleiterschicht verbunden wird.
Beispielsweise umfasst das Ausbilden von Kontaktelementen und das Ausbilden der Trennelemente gemeinsame Verfahrensschritte.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst die optoelektroni- sche Halbleitervorrichtung wie vorstehend beschrieben sowie eine Ansteuervorrichtung mit einer Vielzahl von Ansteuerele- menten, die jeweils geeignet sind, eines der Bildelemente an- zusteuern. Das optoelektronische Bauelement kann beispielswei- se aus einer Kfz-Beleuchtungseinrichtung, einem Projektor und einer Anzeigevorrichtung ausgewählt sein. Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus- führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau- lichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be- schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel- bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den
Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not- wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen- de Elemente und Strukturen.
FIG. 1A zeigt eine schematische Draufsicht auf eine optoelekt- ronische Halbleitervorrichtung gemäß Aus führungs formen.
FIG. 1B zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Ansteuer- vorrichtung, die mit der in FIG. 1A gezeigten optoelektroni- schen Halbleitervorrichtung kombinierbar ist.
FIG. 2A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teils einer optoelektronische Halbleitervorrichtung gemäß Aus- führungsformen.
FIG. 2B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines wei- teren Teils der optoelektronische Halbleitervorrichtung gemäß Aus führungs formen.
FIG. 2C zeigt eine schematische Draufsicht auf Elemente einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsfor- men.
FIG. 2D zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß weiteren Aus- führungsformen. FIG. 3A veranschaulicht ein Werkstück bei Durchführung eines Verfahrens gemäß Aus führungs formen.
FIG. 3B fasst ein Verfahren gemäß Aus führungs formen zusammen.
FIG. 4 zeigt ein optoelektronisches Bauelement gemäß Ausfüh- rungsformen.
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder- seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi- guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän- kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be- reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die Begriffe "Wafer" oder "Halbleitersubstrat", die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können jegliche auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halb- leiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Halbleiterschichten, gegebenenfalls getragen durch eine Basis- unterlage, und weitere Halbleiterstrukturen einschließen. Bei- spielsweise kann eine Schicht aus einem ersten Halbleitermate- rial auf einem Wachstumssubstrat aus einem zweiten Halbleiter- material oder aus einem isolierenden Material, beispielsweise auf einem Saphirsubstrat, gewachsen sein. Weitere Beispiele für Materialien von Wachstumssubstraten umfassen Glas, Silizi- umdioxid, Quarz oder eine Keramik.
Je nach Verwendungszweck kann der Halbleiter auf einem direk- ten oder einem indirekten Halbleitermaterial basieren. Bei- spiele für zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung beson- ders geeignete Halbleitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultra- violettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, AlN, AlGaN, AlGalnN, Al- GalnBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispiels- weise grünes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halbleitermaterialien wie GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga2O3, Diamant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materialien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalbleitermaterialien kann variieren. Weitere Bei- spiele für Halbleitermaterialien können Silizium, Silizium- Germanium und Germanium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleitermaterialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate.
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be- schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich- tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei- nes Chips (Die) sein.
Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von
Schichten liegen.
Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen- det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli- chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei- spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von
Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite- ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un- bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam- menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt.
Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff
„elektrisch verbunden" eine niederohmige elektrische Verbin- dung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch ver- bundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt mitei- nander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein.
Der Begriff „elektrisch verbunden" umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen. Üblicherweise kann die Wellenlänge von einem LED-Chip emit- tierter elektromagnetischer Strahlung unter Verwendung eines Konvertermaterials, welches einen Leuchtstoff oder Phosphor enthält, konvertiert werden. Beispielsweise kann weißes Licht durch eine Kombination eines LED-Chips, der blaues Licht emit- tiert, mit einem geeigneten Leuchtstoff erzeugt werden. Bei- spielsweise kann der Leuchtstoff ein gelber Leuchtstoff sein, der, wenn er durch das Licht des blauen LED-Chips angeregt wird, geeignet ist, gelbes Licht zu emittieren. Der Leucht- stoff kann beispielsweise einen Teil der von dem LED-Chip emittierten elektromagnetischen Strahlung absorbieren. Die Kombination von blauem und gelbem Licht wird als weißes Licht wahrgenommen. Durch Beimischen weiterer Leuchtstoffe, die ge- eignet sind, Licht einer weiteren, beispielsweise einer roten Wellenlänge, zu emittieren, kann die Farbtemperatur geändert werden. Gemäß weiteren Konzepten kann weißes Licht durch eine Kombination, die einen blauen LED-Chip und einen grünen und roten Leuchtstoff enthält, erzeugt werden. Es ist selbstver- ständlich, dass ein Konvertermaterial mehrere verschiedene Leuchtstoffe, die jeweils unterschiedliche Wellenlängen emit- tieren, umfassen kann.
Beispiele für Leuchtstoffe sind Metalloxide, Metallhalide, Me- tallsulfide, Metallnitride und andere. Diese Verbindungen kön- nen darüber hinaus Zusätze enthalten, die dazu führen, dass spezielle Wellenlängen emittiert werden. Beispielsweise können die Zusätze Seltenerdmaterialien umfassen. Als Beispiel für einen gelben Leuchtstoff kann YAG:Ce3+ (mit Cer aktivierter Yttrium Aluminium Granat (Y3AI5O12)) oder (Sr1.7Ba0.2Eu0.1) SiO4 verwendet werden. Weitere Leuchtstoffe können auf MSiO E , worin M Ca, Sr oder Ba sein kann, basieren. Durch Auswahl der Kationen mit einer angemessenen Konzentration kann eine er- wünschte Konversionswellenlänge ausgewählt werden. Viele wei- tere Beispiele von geeigneten Leuchtstoffen sind bekannt. Gemäß Anwendungen kann das Leuchtstoffmaterial, beispielsweise ein Leuchtstoffpulver, in ein geeignetes Matrixmaterial einge- bettet sein. Beispielsweise kann das Matrixmaterial eine Harz- oder Polymerzusammensetzung wie beispielsweise ein Silikon- oder ein Epoxidharz umfassen. Die Größe der Leuchtstoffteil- chen kann beispielsweise in einem Mikrometer- oder Nanometer- bereich liegen.
Gemäß weiteren Ausführungen kann das Matrixmaterial ein Glas umfassen. Beispielsweise kann das Konvertermaterial durch Sin- tern des Glases, beispielsweise SiO2 mit weiteren Zusätzen und Leuchtstoffpulver gebildet werden, unter Bildung eines Leucht- stoffs im Glas (PiG) .
Gemäß weiteren Ausführungen kann das Leuchtstoffmaterial selbst unter Ausbildung einer Keramik gesintert werden. Bei- spielsweise kann als Ergebnis des Sinterprozesses der kerami- sche Leuchtstoff eine polykristalline Struktur haben.
Gemäß weiteren Ausführungen kann das Leuchtstoffmaterial unter Ausbildung eines einkristallinen Leuchtstoffs gewachsen wer- den, beispielsweise unter Verwendung des Czochralski (Cz-) Verfahrens .
Gemäß weiteren Ausführungen kann das Leuchtstoffmaterial selbst ein Halbleitermaterial sein, das im Volumen oder in Schichten eine geeignete Bandlücke zur Absorption des von der LED emittierten Lichtes und zur und der Emission der gewünsch- ten Konversionswellenlänge aufweist. Insbesondere kann es sich hierbei um ein epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial han- deln. Beispielsweise kann das epitaktisch gewachsene Halb- leitermaterial eine Bandlücke haben, die einer geringeren Energie als der des primär emittierten Lichts entspricht. Wei- terhin können mehrere geeignete Halbleiterschichten, die je- weils Licht unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, überei- nander gestapelt sein. Ein oder mehrere Quantentröge bzw.
Quantentöpfe, Quantenpunkte oder Quantendrähte können in dem Halbleitermaterial gebildet sein.
FIG. 1A zeigt eine horizontale Querschnittsansicht einer opto- elektronischen Halbleitervorrichtung 10 gemäß Aus führungs for- men. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 10 umfasst eine Vielzahl von Bildelementen 101. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 10 umfasst weiterhin Trennelemente 130, die zwischen benachbarten Bildelementen 101 angeordnet sind. Die Trennelemente 130 erstrecken sich in einer horizontalen Richtung entlang einer Begrenzung des angrenzenden Bildele- ments.
Die Bildelemente können beispielsweise geeignet sein, elektro- magnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Ein ge- nauerer Aufbau der einzelnen Bildelemente wird unter Bezugnah- me auf die Figuren 2A bis 2D erläutert werden. Die Bildelemen- te 101 können eine beliebige Form haben. Beispielsweise können sie eine rechteckige, beispielsweise quadratische Form haben. Andere Formen sind jedoch auch denkbar. Die Bildelemente 101 können beispielsweise in Reihen und Spalten angeordnet sein. Gemäß weiteren Aus führungs formen sind auch andere Anordnungs- muster denkbar.
Die Trennelemente sind jeweils zwischen benachbarten Bildele- menten 101 angeordnet. Sie erstrecken sich jeweils entlang ei- ner Begrenzung des angrenzenden Bildelements. Dabei kann eine Erstreckungslänge der Bildelemente 101 jeweils kleiner als ei- ne laterale Ausdehnung des angrenzenden Bildelements sein. In Draufsicht können die Trennelemente 130 jeweils Linien- oder Stabförmig ausgebildet sein, wobei ihre Längsachse der Längs- achse der Begrenzung der Bildelemente 101 entspricht. Gemäß Aus führungs formen können weiterhin Kontaktelemente 125 vorge- sehen sein, die geeignet sind, beispielsweise die zweite Halb- leiterschicht mit einer zweiten Stromaufweitungsschicht (nicht gezeigt in FIG. 1A) zu verbinden. Die Trennelemente 130 können jeweils von den Kontaktelementen 125 beabstandet sein und nicht an sie angrenzen.
FIG. 1B zeigt eine Ansteuervorrichtung 20 zur Ansteuerung der optoelektronischen Halbleitervorrichtung von FIG. 1A. Bei- spielsweise umfasst die Ansteuervorrichtung 20 eine Vielzahl von Ansteuer- oder Verarbeitungsschaltungen 143, 144. Jede der
Ansteuerschaltungen 143 kann geeignet sein, ein zugehöriges Bildelement 101 anzusteuern. Beispielsweise kann die opto- elektronische Halbleitervorrichtung 10 aus FIG. 1A derart mit der Ansteuerschaltung 20 von FIG. 1B verbunden werden, dass jede der Ansteuerschaltungen 143 direkt an das Bildelement 101, welches durch die zugehörige Ansteuerschaltung 143 anzu- steuern ist, angrenzt. Die Ansteuervorrichtung 20 kann ferner eine Vielzahl von Ansteuerleitungen 141 aufweisen, durch die jeweils die Ansteuerschaltungen 143 adressierbar sind. Bei- spielsweise können die Vielzahl von Ansteuerschaltungen 143 in einem zweiten Substrat 140, beispielsweise in einem Silizi- umsubstrat verwirklicht sein. Gemäß weiteren Aus führungs formen können die Verarbeitungsschaltungen 144 auch geeignet sein, von den Bildelementen empfangene elektromagnetische Strahlung oder Bildsignale weiter zu verarbeiten.
FIG. 2A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teils einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung. Die Po- sition der Querschnittsansicht ist zwischen I und I', wie in FIG. 2C veranschaulicht ist. Das in FIG. 2A gezeigte Bildele- ment 1011 weist eine erste Halbleiterschicht 110 von einem ers- ten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise p-Typ, sowie eine zweite Halbleiterschicht 120 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise n-Typ auf. Die erste und die zweite Halbleiter- schicht sind unter Ausbildung eines Halbleiterschichtstapels übereinander angeordnet. Beispielsweise kann eine aktive Zone 115 zwischen der ersten Halbleiterschicht 110 und der zweiten Halbleiterschicht 120 angeordnet sein.
Die aktive Zone kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen.
Die Bezeichnung „Quantentopf-Struktur" entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalitat der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Schichten.
Wie weiterhin in FIG. 2A dargestellt ist, umfasst die opto- elektronische Halbleitervorrichtung 10 weiterhin ein Trennele- ment 130. Das Trennelement 130 ist zwischen benachbarten
Bildelementen 1011, 1012 angeordnet und erstreckt sich in einer horizontalen Richtung entlang einer Begrenzung des angrenzen- den Bildelements 1011. Das Trennelement 130 grenzt an die erste Halbleiterschicht 110 und an die zweite Halbleiterschicht 120 an und erstreckt sich in vertikaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiterschicht 110, 120. Beispielswei- se umfasst das Trennelement 130 einen Graben 133, in dem eine dielektrische Schicht 131 angeordnet ist. Beispielsweise kann die dielektrische Schicht 131 Siliziumdioxid umfassen. Eine Breite bl (nicht veranschaulicht in Fig. 2A) des Grabens 133 kann beispielsweise 4 mm betragen, wobei die Breite in einer zur Längsrichtung senkrechten Richtung gemessen ist. Bei- spielsweise kann eine Schichtdicke der dielektrischen Schicht 131 300 bis 700 nm betragen. Eine elektrisch leitende oder me- tallische Schicht 132 kann weiterhin in dem Graben 133 ange- ordnet sein. Die elektrisch leitende Schicht 132 kann durch die dielektrische Schicht 131 von dem angrenzenden Halbleiter- material isoliert sein. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht 132 eine hochreflektive Schicht sein und ein Metall, beispielsweise Silber umfassen.
Das Trennelement 130 kann sich in vertikaler Richtung von ei- ner von der zweiten Halbleiterschicht 120 abgewandten Oberflä- che der ersten Schicht 110 bis mindestens zu einer von der ersten Halbleiterschicht 110 abgewandten Oberfläche der zwei- ten Halbleiterschicht 120 erstrecken. Beispielsweise kann eine Höhe hi des Trennelements 130 - beispielsweise bezogen auf eine von der zweiten Halbleiterschicht 120 abgewandte Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 110 größer sein als - eine Höhe 2 eines Kontaktelements 125 (gezeigt in Fig. 2B) .
Wie in FIG. 2A weiterhin gezeigt ist, kann beispielsweise eine Kontaktschicht 111 in elektrischem und physischen Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 110 ausgebildet sein. Die Kon- taktschicht 111 kann beispielsweise Silber umfassen. Bei- spielsweise kann die Kontaktschicht 111 durch ein geeignetes Material geeignet eingekapselt sein. Eine weitere leitende Schicht 112 kann in Kontakt mit der Kontaktschicht 111 ausge- bildet sein. Beispielsweise kann die leitende Schicht 112 ein Metall, beispielsweise Ti, Pt oder Au umfassen. Darüber hinaus kann eine erste Stromaufweitungsschicht 113 auf der von der zweiten Halbleiterschicht 120 abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 110 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht 113 Nickel enthalten. Wei- terhin kann eine zweite Stromaufweitungsschicht 123 ebenfalls über der von der zweiten Halbleiterschicht 120 abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 110 angeordnet sein. Bei- spielsweise können die erste Stromaufweitungsschicht 113 und die zweite Stromaufweitungsschicht 123 durch eine oder mehrere isolierende Schichten 121, 122 voneinander isoliert sein. Ge- mäß Aus führungs formen können die erste Stromaufweitungsschicht 113 und die zweite Stromaufweitungsschicht 123 in ungefähr derselben Metallisierungsebene ausgebildet sein.
Gemäß weiteren Aus führungs formen kann eine der ersten oder zweiten Stromaufweitungsschichten 113, 123 einen größeren Ab- stand zur ersten Halbleiterschicht 110 haben als die andere. Ein Kontakt zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht 123 und der zweiten Halbleiterschicht 120 wird unter Bezugnahme auf FIG. 2B näher erläutert werden. Ein erstes Anschlussele- ment 117 ist mit der ersten Stromaufweitungsschicht 113 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist, wie nachfolgend unter Bezugnahme auf FIG. 2B erläutert werden wird, das zweite Anschlusselement 127 mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 123 elektrisch verbunden. Beispielsweise können das erste und das zweite Anschlusselement 117, 127 durch ein galvanisches
Verfahren aufgebracht werden. Beispielsweise können das erste Anschlusselement 117 und das zweite Anschlusselement 127 Kup- fer enthalten. Die erste Stromaufweitungsschicht 113 kann bei- spielsweise durch eine isolierende Schicht 118 von dem zweiten Anschlusselement 127 isoliert sein. Die optoelektronische Halbleitervorrichtung bzw. die einzelnen Bildelemente 1011,
1012 sind somit jeweils über die Anschlusselemente 117, 127 elektrisch ansteuerbar. Die ersten und zweiten Anschlussele- mente 117, 127 sind auf einer von der Lichtaustritts fläche 105 abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleitervorrichtung angeordnet .
FIG. 2B zeigt eine schematische Querschnittsansicht durch ein Bildelement 101 der optoelektronischen Halbleitervorrichtung zwischen II und II', wie in FIG. 2C angegeben. Hier schneidet die Querschnittsansicht ein Kontaktelement 125, durch das die zweite Stromaufweitungsschicht 123 mit der zweiten Halbleiter- Schicht 120 elektrisch verbunden ist. Beispielsweise kann das Kontaktelement ein elektrisch leitendes Material 124 enthal- ten, welches durch eine Seitenwandisolierung 126 von dem an- grenzenden Halbleitermaterial isoliert ist. Weiterhin ist in der dargestellten Querschnittsansicht das zweite Anschlussele- ment 127 mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 123 verbun- den. Wie in den FIG. 2A und 2B dargestellt ist, kann eine ers- te Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiterschicht aufgeraut sein, um die Auskoppeleffizienz zu erhöhen. In der aktiven Zo- ne 115 erzeugte elektromagnetische Strahlung kann beispiels- weise über die erste Hauptoberfläche 105 der zweiten Halb- leiterschicht 120 ausgegeben werden. In entsprechender Weise kann aufzunehmende elektromagnetische Strahlung über die erste Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiterschicht 120 in die aktive Zone 115 des Bildelements 101 eindringen.
FIG. 2C zeigt eine schematische horizontale Querschnittsan- sicht eines Bildelements 101 mit angrenzenden Trennelementen 130 und Kontaktelementen 125. Wie in FIG. 2C dargestellt, sind jeweils Kontaktelemente 125 an den Ecken eines rechteckig aus- gebildeten Bildelements 101 angeordnet. Die Trenngräben 130 erstrecken sich entlang den Begrenzungen des Bildelements 101. Gemäß Aus führungs formen können die Kontaktelemente 125 an be- liebigen Positionen angeordnet sein. Weiterhin ist es nicht erforderlich, dass pro Bildelement vier Kontaktelemente 125 vorgesehen sind. Wie in FIG. 2C veranschaulicht ist, stellen die Kontaktelemente 125 und die Trennelemente 130 eine Umrah- mung des Bildelements 101 dar. Abweichend hiervon ist es je- doch auch möglich, dass die Kontaktelemente 125 beispielsweise innerhalb des Bildelements 101 angeordnet sind. Weiterhin ist es möglich, dass die Trennelemente 130 das Bildelement 101 auch an den Ecken umschließen. Eine Kantenlänge sl der
Bildelemente 101 kann beispielsweise weniger als 100 mm, bei- spielsweise weniger als 50 mm, beispielsweise 20 bis 40 mm be- tragen. In ähnlicher Weise kann eine Länge f1 der Trennelemen- te 130 etwas kleiner als die Kantenlänge s1 des Bildelements 101 sein. Beispielsweise kann die Länge f1 der Trennelemente 130 kleiner als 50 mm, beispielsweise kleiner als 40 mm sein. Eine Breite b1 der Trennelemente 130 kann beispielsweise klei- ner als 10 mm, beispielsweise 2 bis 5 mm, beispielsweise 4 mm betragen. Ein Durchmesser t1 der Kontaktelemente 125 kann bei- spielsweise kleiner als 10 mm, beispielsweise 6 bis 10 mm, beispielsweise 8 mm betragen. Ein Abstand d1 zwischen benach- barten parallelen Trennelementen kann beispielsweise kleiner als 60 mm oder kleiner als 50 mm, beispielsweise etwa 40 mm betragen.
Die Trennelemente 130 stellen ein optisch undurchlässiges Git- ter dar. Durch die beschriebenen Trennelemente kann bei pixe- lierten Chips ein verbesserter Kontrast erzielt werden.
Dadurch, dass die Trennelemente jeweils einen Graben umfassen, der sich durch die erste und die zweite Halbleiterschicht er- treckt, kann der Kontrast erhöht werden, ohne dass unerwünsch- te Absorption elektromagnetischer Strahlung stattfindet.
FIG. 2D zeigt eine Querschnittsansicht durch die Bildelemente gemäß weiteren Aus führungs formen . Zusätzlich zu den Elementen, die unter Bezugnahme auf die FIG. 2A und 2B diskutiert wurden, umfasst hier die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Konvertermaterial 135, welches geeignet ist, eine Emissions- wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung, die durch das jeweilige Bildelement emittiert wird, zu verändern. Bei dieser Anordnung kann ein Übersprechen des Konverters zwischen be- nachbarten Bildelementen 101 vermieden werden. Beispielsweise ist es auch möglich, bei dieser Anordnung für verschiedene Bildelemente jeweils unterschiedliche Konvertermaterialien 135 vorzusehen. Dadurch, dass das Trennelement 130 gegenüber der ersten Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiterschicht 120 hervorsteht, ist es möglich, Konvertermaterialien der ver- schiedenen Bildelemente voneinander zu trennen.
FIG. 3A veranschaulicht eine vertikale Querschnittsansicht ei- nes Werkstücks 15 bei Herstellung der optoelektronischen Vor- richtung gemäß Aus führungs formen . Über einem geeigneten Wachs- tumssubstrat 100 werden zunächst die zweite Halbleiterschicht 120 sowie die erste Halbleiterschicht 110 aufgewachsen . Eine aktive Zone 115 kann zwischen der zweiten Halbleiterschicht 120 und der ersten Halbleiterschicht 110 ausgebildet werden. Nach Aufbringen von beispielsweise der ersten Kontaktschicht 111 über Bereichen der ersten Halbleiterschicht 110 sowie von isolierenden Schichten 122 über weiteren Bereichen der ersten Halbleiterschicht 110 werden Gräben 133 in der ersten Oberflä- che 151 des Werkstücks 15 durch Ätzen ausgebildet. Beispiels- weise werden die Trenngräben 133 mit einer derartigen Tiefe geätzt, dass sie sich in der zweiten Halbleiterschicht 120 bis fast zur ersten Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiter- schicht 120 erstrecken. Nach Ätzen der Trenngräben 133 wird eine dielektrische Schicht 131 sowie eine metallische oder hochreflektierende Schicht 132 in die Trenngräben 133 einge- füllt. Dadurch, dass die Trenngräben 133 in die erste Oberflä- che 151 des Werkstücks 15 geätzt werden, ist es möglich, die Position der Trenngräben mit einer hohen Justagegenauigkeit festzulegen.
Nach Entfernen des Wachstumssubstrats 100 und Aufrauen der ersten Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiterschicht 120 stehen die erzeugten Trennelemente 130 gegenüber der ersten Hauptoberfläche 105 der zweiten Halbleiterschicht 120 hervor.
Durch das beschriebene Verfahren werden somit die Kanten der jeweiligen Bildelemente 101 von der Seite der ersten Halb- leiterschicht 110 mindestens teilweise durchtrennt. Nach Auf- füllen der Trenngräben 133 mit einem Dielektrikum und einem hochreflektierendem Material, beispielsweise Silber, bleibt nach finaler Aufrauhung der zweiten Halbleiterschicht 120 ein hoch reflektierendes Gitter stehen.
FIG. 3B fasst ein Verfahren gemäß Aus führungs formen zusammen. Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halb- leitervorrichtung umfasst das Ausbilden (S100) eines
Schichtstapels, der eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp sowie eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, umfasst, über einem
Wachstumssubstrat, das Ausbilden (S110) von Trenngräben in ei- ner ersten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht, wobei die Trenngräben jeweils an die erste und die zweite Halbleiter- schicht angrenzen und sich in vertikaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiterschicht bis zum
Wachstumssubstrat erstrecken, und das Entfernen (S120) des Wachstumssubstrats.
FIG. 4 zeigt eine schematische Ansicht eines optoelektroni- schen Bauelements gemäß Aus führungs formen . Das optoelektroni- sche Bauelement 30 umfasst die optoelektronische Halbleiter- vorrichtung 10 wie vorstehend beschrieben. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement zusätzlich eine Ansteuervor- richtung 20 wie vorstehend unter Bezugnahme auf FIG. 1B be- schrieben, aufweisen. Beispielsweise kann das optoelektroni- sche Bauelement eine KFZ-Beleuchtungseinrichtung, ein Projek- tor oder eine Anzeigevorrichtung sein. Gemäß Ausgestaltungen kann die KFZ-Beleuchtungseinrichtung ein Scheinwerfer sein, dessen einzelne Bildelemente durch die Ansteuervorrichtung 20 derart gesteuert werden, dass bestimmte Beleuchtungsmuster er- zeugt werden. Gemäß weiteren Ausgestaltungen kann die KFZ- Beleuchtungseinrichtung auch eine Innenraumbeleuchtungsvor- richtung sein. Gemäß weiteren Aus führungs formen kann das opto- elektronische Bauelement auch einen Sensor umfassen. Bei- spielsweise können in diesem Fall die einzelnen Verarbeitungs- schaltungen 144 der Ansteuervorrichtung 20 geeignet sein, die empfangenen Lichtsignale zu verarbeiten. Beispielsweise kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mehr als 100
Bildelemente 101, beispielsweise mehr als 1000 Bildelemente 101 umfassen.
BEZUGSZE ICHENLISTE
10 optoelektronische Halbleitervorrichtung
15 Werkstück
20 Ansteuervorrichtung
30 optoelektronisches Bauelement
100 Wachstumssubstrat
101 Bildelement
102 Begrenzung des Bildelements
105 erste Hauptoberfläche der zweiten Halbleiterschicht
109 erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht
110 erste Halbleiterschicht
111 erste Kontaktschicht
112 leitende Schicht
113 erste Stromaufweitungsschicht
115 aktive Zone
117 erstes Anschlusselement
118 isolierende Schicht
120 zweite Halbleiterschicht
121 isolierende Schicht
122 isolierende Schicht
123 zweite Stromaufweitungsschicht
124 elektrisch leitendes Material
125 Kontaktelement
126 Seitenwandisolierung
127 zweites Anschlusselement
130 Trennelement
131 dielektrische Schicht
132 elektrisch leitende Schicht
133 Trenngraben
135 Konverter
140 zweites Substrat
141 Ansteuerleitung
143 Ansteuerschaltung rarbeitungsschaltung
rste Hauptoberfläche des Werkstücks

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) mit einer
Vielzahl von Bildelementen (101, 1011, 1012), die jeweils
eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die unter Ausbildung ei- nes Halbleiterschichtstapels übereinander angeordnet sind, aufweisen, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung weiterhin
Trennelemente (130) umfasst, die zwischen benachbarten Bildelementen (101, 1011, 1012) angeordnet sind und sich in ei- ner horizontalen Richtung entlang einer Begrenzung (102) des angrenzenden Bildelementes (101) erstrecken, jeweils an die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) der benach- barten Bildelemente angrenzen und sich in vertikaler Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) erstrecken, wobei die Trennelemente (130) jeweils einen Trenngraben (133) umfassen, in dem eine dielektrische Schicht ( 131 ) sowie
eine metallische Schicht (132) angeordnet ist, wobei die dielektrische Schicht (131) jeweils zwischen der metalli- schen Schicht (132) und angrenzendem Halbleitermaterial ange- ordnet ist.
2. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach An- spruch 1 , bei der sich die Trennelemente (130) jeweils in vertikaler Richtung von einer von der zweiten Halbleiter- schicht abgewandten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (110) bis mindestens zu einer von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Oberfläche (105) der zweiten Halbleiterschicht (120) erstrecken. 3. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach An- spruch 1 oder 2, ferner mit einem Konvertermaterial (135), das über einer ersten Hauptoberfläche (105) der zweiten Halb- leiterschicht angeordnet ist, wobei das Trennelement an das Konvertermaterial angrenzt.
4. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner mit einer ersten Strom- aufweitungsschicht (113), die auf einer von der zweiten Halb- leiterschicht (120) abgewandten Seite der ersten Halbleiter- schicht (110) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden ist.
5. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach An- spruch 4, ferner mit einer zweiten Stromaufweitungsschicht (123), die auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (120) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (110) angeord- net ist und über Kontaktelemente (125) mit der zweiten Halb- leiterschicht (120) verbunden ist.
6. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach An- spruch 5, ferner mit einem ersten Anschlusselement (117), das mit der ersten Stromaufweitungsschicht (113) elektrisch ver- bunden ist, und einem zweiten Anschlusselement (127), das mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (123) elektrisch verbunden ist .
7. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei denen die Trennelemente
(130) eine Breite kleiner als 10 mm haben.
8. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei denen die Trennelemente (130) eine Länge kleiner 50 mm haben. 9. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche mehr als 100 Bildelemente (101) aufweist.
10. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung, umfassend :
Ausbilden (S100) eines Schichtstapels, der eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp so- wie eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, umfasst, über einem Wachstumssubstrat
(100) ;
Ausbilden (S110) von Trenngräben (133) in einer ersten Oberfläche (109) der ersten Halbleiterschicht (110), wobei die Trenngräben (133) jeweils an die erste und die zweite Halb- leiterschicht (110, 120) angrenzen und sich in vertikaler
Richtung jeweils durch die erste und die zweite Halbleiter- schicht (110, 120) erstrecken;
Ausbilden einer dielektrischen Schicht (131) in den Trenngräben (133);
Einbringen einer metallischen Schicht (132), so dass die dielektrische Schicht (131) jeweils zwischen der metalli- schen Schicht (132) und dem angrenzenden Halbleitermaterial angeordnet ist, und
Entfernen (S120) des Wachstumssubstrats.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 10, ferner umfassend das Ausbilden einer ersten Stromaufweitungsschicht (113) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (120) abgewandten Sei- te der ersten Halbleiterschicht (110) .
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, ferner umfassend das Ausbilden einer zweiten Stromaufweitungsschicht (123) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (120) abgewandten Sei- te der ersten Halbleiterschicht (110) und das Ausbilden von Kontaktelementen (125), die sich durch die erste Halbleiter- schicht (110) erstrecken, wobei die zweite Stromaufweitungs- schicht (123) durch die Kontaktelemente (125) mit der zweiten Halbleiterschicht (120) verbunden wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Ausbilden von Kontaktelementen (125) und das Ausbilden der Trennelemente (130) gemeinsame Verfahrensschritte umfasst.
14. Optoelektronisches Bauelement (30), umfassend die opto- elektronische Halbleitervorrichtung (10) nach einem der An- sprüche 1 bis 9 sowie eine Ansteuervorrichtung (20) mit einer Vielzahl von Ansteuerschaltungen (143), die jeweils geeignet sind, eines der Bildelemente (101) anzusteuern.
15. Optoelektronisches Bauelement (30) nach Anspruch 14, das ausgewählt ist aus einer Kfz-Beleuchtungseinrichtung, ei- nem Projektor und einer Anzeigevorrichtung.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013092304A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102016123013A1 (de) * 2016-11-29 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
DE102008011848A1 (de) 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102012101409A1 (de) 2011-12-23 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
JP2014022448A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
TW201405792A (zh) * 2012-07-30 2014-02-01 新力股份有限公司 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法及電子機器
DE102012107921A1 (de) * 2012-08-28 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012109460B4 (de) 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
DE102012112302B4 (de) * 2012-12-14 2026-03-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
JP6060851B2 (ja) * 2013-08-09 2017-01-18 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
CN107408606B (zh) * 2015-03-30 2019-12-13 索尼半导体解决方案公司 发光元件、发光单元、发光面板装置及驱动发光面板装置的方法
DE102015108532A1 (de) 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
US11114423B2 (en) * 2015-12-01 2021-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Image-forming element
KR102553630B1 (ko) * 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
FR3061603B1 (fr) 2016-12-29 2021-01-29 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
DE102017106410A1 (de) 2017-03-24 2018-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102018128692A1 (de) 2018-11-15 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit ersten Verbindungsbereichen und optoelektronische Vorrichtung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013092304A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102016123013A1 (de) * 2016-11-29 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte

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