WO2020158766A1 - Expansion method and semiconductor device production method - Google Patents

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啓示 布施
洋一 稲男
忠知 山田
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Abstract

An expansion method comprising a step for stretching a first sheet (10) to which a plurality of semiconductor devices (CP) are bonded and widening the interval between the plurality of semiconductor devices (CP), wherein each of the plurality of semiconductor devices (CP) has a first semiconductor device surface (W1) and a second semiconductor device surface (W3) on the reverse side from the first semiconductor device surface (W1), and each of the plurality of semiconductor devices (CP) includes a protective layer (100) between the second semiconductor device surface (W3) and the first sheet (10).

Description

エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法Expanding method and semiconductor device manufacturing method
　本発明は、エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an expanding method and a semiconductor device manufacturing method.
　近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、ウエハに外部電極等を形成し、最終的にはウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、「ＦＯ－ＷＬＰ」と略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。 In recent years, electronic devices have become smaller, lighter and more sophisticated. Semiconductor devices mounted on electronic devices are also required to be smaller, thinner, and higher in density. A semiconductor chip may be mounted in a package close to its size. Such a package is sometimes referred to as a chip scale package (CSP). One of the CSPs is a wafer level package (WLP). In WLP, external electrodes and the like are formed on a wafer before being diced into individual pieces, and finally the wafer is diced into individual pieces. The WLP includes a fan-in type and a fan-out type. In a fan-out type WLP (hereinafter sometimes abbreviated as “FO-WLP”), the semiconductor chip is covered with a sealing member so as to be a region larger than the chip size to form a semiconductor chip sealing body. Then, the redistribution layer and the external electrodes are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the sealing member.
　例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。 For example, in Patent Document 1, with respect to a plurality of semiconductor chips diced from a semiconductor wafer, an extended wafer is formed by surrounding the periphery with a mold member while leaving a circuit forming surface, and forming an extended wafer in a region outside the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor package is described in which a rewiring pattern is extended and formed. In the manufacturing method described in Patent Document 1, before enclosing a plurality of individual semiconductor chips in a mold member, the wafer mounting tape for expansion is attached to the plurality of semiconductor chips to expand the wafer mounting tape for expansion. The distance between them is increasing.
　また、特許文献２には、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、をこの順に備え、第二基材層の破断伸度が４００％以上である粘着シートが記載されている。特許文献２に記載の半導体装置の製造方法は、この粘着シートの第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、粘着シートを引き延ばして、半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える。 Moreover, in patent document 2, the 2nd base material layer, the 1st base material layer, and the 1st adhesive layer are provided in this order, and the fracture|rupture elongation of a 2nd base material layer is 400% or more. Sheets are listed. The method of manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 2 includes a step of attaching a semiconductor wafer to the first adhesive layer of this adhesive sheet, and a step of dicing the semiconductor wafer into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips. And stretching the adhesive sheet to widen the gap between the semiconductor chips.
国際公開第２０１０／０５８６４６号International Publication No. 2010/058646 特開２０１７－０７６７４８号公報JP, 2017-076748, A
　エキスパンド工程に用いられるテープは、通常、テープ上の半導体チップを固定するために粘着剤層と、粘着剤層を支持するための基材と、を有する。特許文献１に記載のようにエキスパンド用のウエハマウントテープを引き延ばすと、テープの基材だけでなく、粘着剤層も引き延ばされる。エキスパンド工程後、半導体チップを粘着剤層から剥離すると、粘着剤層と接していた半導体チップの表面に粘着剤層が残る不具合が生じる場合がある。このような不具合を、本明細書においては、糊残りと称する場合がある。
　なお、特許文献２に記載の粘着シートを用いてエキスパンド工程を実施すると、半導体チップと接している粘着剤層は引き延ばされないため、糊残りが生じ難いと考えられる。しかしながら、特許文献２に記載の粘着シートは、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、を積層させたテープ構成であるため、より簡略なテープ構成を用いて糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望がある。また、特許文献２に記載のプロセスでは、粘着シート上の半導体ウエハをダイシングし、他の粘着シートに転写することなく、そのまま粘着シートを引き延ばしてエキスパンド工程を実施する。そのため、ダイシングの際のダイシングブレードが第二基材層に到達しないように、ダイシングブレードの切込み深さを慎重に制御する必要があり、より簡略な方法によって糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望もある。
　なお、エキスパンド方法において粘着シートの上に支持する被着体としては、半導体チップだけでなく、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤ等の半導体装置が挙げられる。これら半導体装置についても、半導体チップと同様、半導体装置同士の間隔を拡張させることがある。 The tape used in the expanding step usually has an adhesive layer for fixing the semiconductor chip on the tape and a base material for supporting the adhesive layer. When the wafer mounting tape for expansion is stretched as described in Patent Document 1, not only the base material of the tape but also the adhesive layer is stretched. When the semiconductor chip is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer after the expanding step, there may be a problem that the pressure-sensitive adhesive layer remains on the surface of the semiconductor chip that was in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Such a defect may be referred to as an adhesive residue in the present specification.
When the expanding step is performed using the pressure-sensitive adhesive sheet described in Patent Document 2, the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the semiconductor chip is not stretched, and thus it is considered that adhesive residue is unlikely to occur. However, since the pressure-sensitive adhesive sheet described in Patent Document 2 has a tape structure in which the second base material layer, the first base material layer, and the first pressure-sensitive adhesive layer are laminated, a simpler tape structure is used. There is a demand for an expanding method that can prevent adhesive residue from occurring. Further, in the process described in Patent Document 2, the semiconductor wafer on the pressure-sensitive adhesive sheet is diced, and the pressure-sensitive adhesive sheet is stretched as it is without being transferred to another pressure-sensitive adhesive sheet to perform the expanding step. Therefore, in order to prevent the dicing blade during dicing from reaching the second base material layer, it is necessary to carefully control the cutting depth of the dicing blade, and there is also a demand for an expanding method capable of preventing adhesive residue by a simpler method. is there.
In the expanding method, the adherend supported on the pressure-sensitive adhesive sheet is not limited to a semiconductor chip, but may be, for example, a wafer, a semiconductor device package, or a semiconductor device such as a micro LED. For these semiconductor devices as well, like the semiconductor chip, the distance between the semiconductor devices may be expanded.
　本発明の目的は、従来に比べてテープ構成及びプロセスの少なくともいずれかを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供すること、並びに当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide an expanding method capable of suppressing adhesive residue while simplifying at least one of a tape structure and a process as compared with a conventional one, and a semiconductor device manufacturing method including the expanding method. It is to be.
　本発明の一態様によれば、複数の半導体装置が貼着された第１シートを伸張させて、前記複数の半導体装置の間隔を拡げる工程を含み、前記複数の半導体装置のそれぞれは、第１半導体装置面と前記第１半導体装置面の反対側の第２半導体装置面とを有し、前記複数の半導体装置のそれぞれは、前記第１半導体装置面又は前記第２半導体装置面と前記第１シートとの間に保護層を含んで、貼着されているエキスパンド方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, the method includes a step of expanding a first sheet having a plurality of semiconductor devices attached thereto to widen an interval between the plurality of semiconductor devices, wherein each of the plurality of semiconductor devices includes a first sheet. A semiconductor device surface and a second semiconductor device surface opposite to the first semiconductor device surface, wherein each of the plurality of semiconductor devices includes the first semiconductor device surface or the second semiconductor device surface and the first semiconductor device surface. There is provided an expanding method in which a protective layer is included between the sheet and the sheet and the sheet is attached.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１半導体装置面に前記保護層が形成された後、前記複数の半導体装置を前記第１シートに貼着することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the plurality of semiconductor devices are attached to the first sheet after the protective layer is formed on the surface of the first semiconductor device.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、加工対象物をダイシングして前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable to dice the object to be processed to obtain the plurality of semiconductor devices.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物には、前記保護層が形成され、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the protective layer is formed on the object to be processed, and the object to be processed and the protective layer are diced to obtain the plurality of semiconductor devices.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記保護層が形成された前記加工対象物を、第２粘着剤層と第２基材とを有する第２粘着シートの前記第２粘着剤層に貼着し、前記保護層及び前記加工対象物をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the object to be processed on which the protective layer is formed is attached to the second adhesive layer of a second adhesive sheet having a second adhesive layer and a second base material. It is preferable that the first sheet is adhered to the protective layer and the object to be processed to obtain the plurality of semiconductor devices, and the first sheet is attached to the protective layer after dicing.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着した後、前記第２粘着シートを剥離することが好ましい。 In the expanding method according to an aspect of the present invention, it is preferable that the first adhesive sheet is attached to the protective layer after dicing and then the second adhesive sheet is peeled off.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物を、前記保護層と第３シートとを有する複合シートの前記保護層に貼着し、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、前記第３シートを前記保護層から剥離することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the processed object is attached to the protective layer of a composite sheet having the protective layer and a third sheet, and the processed object and the protective layer are diced. It is preferable to obtain the plurality of semiconductor devices and peel the third sheet from the protective layer.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記保護層と前記第１シートとが予め積層され、前記加工対象物を前記保護層にて支持し、前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得ることが好ましい。 In the expanding method according to an aspect of the present invention, the protective layer and the first sheet are pre-laminated, the workpiece is supported by the protective layer, and the workpiece and the protective layer are diced. It is preferable to obtain the plurality of semiconductor devices.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記加工対象物は、半導体ウエハであることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the processing target is preferably a semiconductor wafer.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１シートは、エキスパンドシートであることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the first sheet is an expanding sheet.
　本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１半導体装置面は、回路を有することが好ましい。 In the expanding method according to the aspect of the present invention, it is preferable that the first semiconductor device surface has a circuit.
　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the above-described aspect of the present invention.
　本発明の一態様によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスの少なくともいずれかを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供できる。本発明の別の一態様によれば、当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide an expanding method capable of suppressing adhesive residue while simplifying at least one of a tape structure and a process as compared with a conventional method. According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method can be provided.
第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment. 実施例で使用した２軸延伸エキスパンド装置を説明する平面図。The top view explaining the biaxial stretching expander used in the example. チップ整列性の測定方法を説明するための概略図。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a method of measuring chip alignment.
〔第１実施形態〕
　以下、本実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。 [First Embodiment]
Hereinafter, an expanding method according to the present embodiment and a semiconductor device manufacturing method including the expanding method will be described.
　図１（図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃ）、図２（図２Ａ及び図２Ｂ）、図３、図４（図４Ａ及び図４Ｂ）及び図５（図５Ａ及び図５Ｂ）は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。 FIG. 1 (FIG. 1A, FIG. 1B and FIG. 1C), FIG. 2 (FIG. 2A and FIG. 2B), FIG. 3, FIG. 4 (FIG. 4A and FIG. 4B) and FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the first embodiment.
　本実施形態に係るエキスパンド方法は、少なくとも、次の工程（Ｐ１）～（Ｐ２）を備える。
（Ｐ１）第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程。複数の半導体装置は、第１シートとの間に保護層を含んで貼着されている。
（Ｐ２）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。 The expanding method according to this embodiment includes at least the following steps (P1) and (P2).
(P1) A step of preparing a plurality of semiconductor devices attached to the first sheet. The plurality of semiconductor devices are attached together with the first sheet including a protective layer.
(P2) A step of expanding the first sheet to widen the intervals between the plurality of semiconductor devices.
　図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂは、工程（Ｐ１）を説明するための図である。 1A, 1B, 1C, 2A, and 2B are views for explaining the step (P1).
（加工対象物）
　図１Ａには、保護層を有する加工対象物の断面概略図が示されている。
　本実施形態においては、加工対象物としての半導体ウエハＷを例に挙げて説明する。本発明において、加工対象物は、ウエハに限定されない。
　半導体ウエハＷは、第１加工対象物面としての回路面Ｗ１と、第２加工対象物面としての裏面Ｗ３と、を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。本実施形態においては、回路面Ｗ１に保護層１００が設けられている。 (Processing object)
FIG. 1A shows a schematic sectional view of an object to be processed having a protective layer.
In the present embodiment, a semiconductor wafer W as an object to be processed will be described as an example. In the present invention, the object to be processed is not limited to the wafer.
The semiconductor wafer W has a circuit surface W1 as a first processing object surface and a back surface W3 as a second processing object surface. A circuit W2 is formed on the circuit surface W1. In the present embodiment, the protective layer 100 is provided on the circuit surface W1.
　半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素等の化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法及びリフトオフ法等が挙げられる。 The semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium/arsenic. As a method for forming the circuit W2 on the circuit surface W1 of the semiconductor wafer W, a commonly used method can be used, and examples thereof include an etching method and a lift-off method.
（保護層）
　保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を覆う層である。保護層１００は、回路面Ｗ１及び回路Ｗ２を保護できれば、特に限定されない。保護層１００の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００の厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。 (Protective layer)
The protective layer 100 is a layer that covers the circuit surface W1 and the circuit W2. The protective layer 100 is not particularly limited as long as it can protect the circuit surface W1 and the circuit W2. The thickness of the protective layer 100 is preferably 1 μm or more, more preferably 5 μm or more. The thickness of the protective layer 100 is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less.
　保護層１００としては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。
　保護膜としては、例えば、樹脂材料を回路面Ｗ１に成膜して得た膜であることが好ましい。保護膜を構成する層は、１層でもよいし、２層以上でもよい。成膜方法としては、例えば、印刷法、スプレーコーティング法、スピンコーティング法及び浸漬法が挙げられる。
　保護シートとしては、例えば、粘着剤層と基材とを有する粘着シートが挙げられる。保護シートにおける基材としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、粘着剤層を支持できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける基材は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。
　保護シートにおける粘着剤層としては、保護層を構成する部材の一つとして適切に機能し、かつ、基材及び回路面Ｗ１に密着できれば、その構成材料は特に限定されない。保護シートにおける粘着剤層としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。 Examples of the protective layer 100 include a protective film and a protective sheet.
The protective film is preferably, for example, a film obtained by forming a resin material on the circuit surface W1. The layer forming the protective film may be one layer or two or more layers. Examples of the film forming method include a printing method, a spray coating method, a spin coating method and a dipping method.
Examples of the protective sheet include an adhesive sheet having an adhesive layer and a base material. The constituent material of the protective sheet is not particularly limited as long as it functions properly as one of the members constituting the protective layer and can support the pressure-sensitive adhesive layer. The base material in the protective sheet is preferably composed of a film containing a resin-based material as a main material. Examples of the film containing a resin-based material as a main material include, for example, ethylene-based copolymer films, polyolefin-based films, polyvinyl chloride-based films, polyester-based films, polyurethane films, polyimide films, polystyrene films, polycarbonate films, and fluororesins. Examples include films.
The constituent material of the pressure-sensitive adhesive layer in the protective sheet is not particularly limited as long as it functions properly as one of the members constituting the protective layer and can adhere to the base material and the circuit surface W1. The pressure-sensitive adhesive layer in the protective sheet is composed of at least one pressure-sensitive adhesive selected from the group consisting of acrylic pressure-sensitive adhesive, urethane pressure-sensitive adhesive, polyester pressure-sensitive adhesive, rubber pressure-sensitive adhesive and silicone pressure-sensitive adhesive. It is preferable that it is composed of an acrylic adhesive.
　本実施形態の説明においては、保護層１００が１層からなる保護膜である場合を例に挙げるが、本発明はこのような態様に限定されない。 In the description of the present embodiment, the case where the protective layer 100 is a protective film composed of one layer is taken as an example, but the present invention is not limited to such an aspect.
［バックグラインド工程］
　半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。第１シートに貼着された複数の半導体装置を準備する工程（Ｐ１）は、このバックグラインド工程を工程（Ｐ１－１）として含むことが好ましい。
　バックグラインド工程においては、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の面を所定の厚さに研削する。裏面Ｗ３は、半導体ウエハＷを裏面研削して形成した面であることが好ましい。半導体ウエハＷを研削した後に露出する面を裏面Ｗ３とする。 [Back grinding process]
The semiconductor wafer W is preferably a wafer obtained by undergoing a back grinding process. The step (P1) of preparing a plurality of semiconductor devices attached to the first sheet preferably includes this back grinding step as step (P1-1).
In the back grinding process, the surface of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface W1 is ground to a predetermined thickness. The back surface W3 is preferably a surface formed by grinding the back surface of the semiconductor wafer W. A surface exposed after grinding the semiconductor wafer W is referred to as a back surface W3.
　半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダー等を用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、バックグラインドシートと呼ばれる粘着シートを回路面Ｗ１に貼着することが好ましい。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわちバックグラインドシート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。バックグラインドシートを回路面Ｗ１に貼着する工程をバックグラインドシートの貼着工程と称する場合がある。 The method of grinding the semiconductor wafer W is not particularly limited, and examples thereof include known methods using a grinder or the like. When the semiconductor wafer W is ground, it is preferable to adhere an adhesive sheet called a back grind sheet to the circuit surface W1 in order to protect the circuit W2. In the back surface grinding of the wafer, the circuit surface W1 side of the semiconductor wafer W, that is, the back grinding sheet side is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where no circuit is formed is ground by a grinder. The step of attaching the back grind sheet to the circuit surface W1 may be referred to as the back grind sheet attaching step.
　研削前の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、５００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
　研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、２０μｍ以上、５００μｍ以下である。 The thickness of the semiconductor wafer W before grinding is not particularly limited and is usually 500 μm or more and 1000 μm or less.
The thickness of the semiconductor wafer W after grinding is not particularly limited and is usually 20 μm or more and 500 μm or less.
［第２粘着シートの貼着工程］
　図１Ｂには、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された半導体ウエハＷが示されている。
　工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経て、さらに、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０を貼着する貼着工程を経て得られたウエハであることが好ましい。この貼着工程を第２粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
　後述するように、工程（Ｐ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。半導体ウエハＷをダイシングする際には、半導体ウエハＷを保持するために、ダイシングシートと呼ばれる粘着シートを裏面Ｗ３に貼着することが好ましい。本実施形態においては、第２粘着シート２０がダイシングシートであることが好ましい。ダイシングシートとして第２粘着シート２０が用いられる場合、半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に向けて貼着される。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１は、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に相当する。半導体ウエハＷの裏面Ｗ３は、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に相当する。 [Step of attaching second adhesive sheet]
FIG. 1B shows a semiconductor wafer W in which the second adhesive sheet 20 is attached to the back surface W3.
The semiconductor wafer W prepared in the step (P1) is preferably a wafer obtained through the back grinding step and the sticking step of sticking the second adhesive sheet 20 to the back surface W3. This attaching step may be referred to as a second adhesive sheet attaching step.
As will be described later, in the step (P2), the semiconductor wafer W is diced into a plurality of semiconductor chips CP. When dicing the semiconductor wafer W, an adhesive sheet called a dicing sheet is preferably attached to the back surface W3 in order to hold the semiconductor wafer W. In the present embodiment, the second adhesive sheet 20 is preferably a dicing sheet. When the second adhesive sheet 20 is used as the dicing sheet, the semiconductor wafer W is attached with the back surface W3 facing the second adhesive layer 22 of the second adhesive sheet 20. The circuit surface W1 of the semiconductor wafer W corresponds to the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP. The back surface W3 of the semiconductor wafer W corresponds to the back surface W3 of the semiconductor chip CP.
［ダイシング工程］
　図１Ｃは、加工対象物としての半導体ウエハＷをダイシングするダイシング工程を説明するための図である。図１Ｃには、第２粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。本実施形態においては、半導体装置の一例として半導体チップＣＰを例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。半導体装置としては、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤが挙げられる。 [Dicing process]
FIG. 1C is a diagram for explaining a dicing step of dicing a semiconductor wafer W as a processing target. FIG. 1C shows a plurality of semiconductor chips CP held by the second adhesive sheet 20. In the present embodiment, the semiconductor chip CP will be described as an example of the semiconductor device, but the present invention is not limited to such an aspect. Examples of the semiconductor device include a wafer, a semiconductor device package, and a micro LED.
　工程（Ｐ１）で準備する複数の半導体装置は、ダイシング工程において半導体ウエハＷをダイシングすることにより得られた複数の半導体チップＣＰであることが好ましい。工程（Ｐ１）は、第２粘着シート２０に支持された半導体ウエハＷをダイシングするダイシング工程を工程（Ｐ１－２）として含むことが好ましい。
　回路面Ｗ１に保護層１００が設けられ、裏面Ｗ３に第２粘着シート２０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。本実施形態では、保護層１００側から切込みを入れて、保護層１００を切断し、さらに半導体ウエハＷを切断する。ダイシング工程後の複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、それぞれ、切断された保護層１００によって覆われた状態である。
　ダイシングには、ダイシングソー等の切断手段が用いられる。
　ダイシングの際の切断深さは、保護層１００及び半導体ウエハＷを個片化できる深さであれば特に限定されない。半導体ウエハＷを確実に切断するという観点から、ダイシング工程における切込みは、保護層１００側から第２粘着シート２０に到達するまでの深さで形成することが好ましく、第２粘着シート２０の第２粘着剤層２２に到達する深さで形成することがより好ましい。ダイシングによって、第２粘着剤層２２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。さらに、ダイシングによって第２基材２１にも切込みが形成される場合がある。 The plurality of semiconductor devices prepared in the step (P1) are preferably the plurality of semiconductor chips CP obtained by dicing the semiconductor wafer W in the dicing step. It is preferable that the step (P1) includes a dicing step of dicing the semiconductor wafer W supported by the second adhesive sheet 20 as the step (P1-2).
The semiconductor wafer W in which the protective layer 100 is provided on the circuit surface W1 and the second adhesive sheet 20 is adhered on the back surface W3 is diced into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips CP. In the present embodiment, a cut is made from the protective layer 100 side, the protective layer 100 is cut, and the semiconductor wafer W is further cut. The circuit surfaces W1 of the plurality of semiconductor chips CP after the dicing process are in a state of being covered by the cut protective layer 100.
A cutting means such as a dicing saw is used for dicing.
The cutting depth during dicing is not particularly limited as long as the protective layer 100 and the semiconductor wafer W can be separated into individual pieces. From the viewpoint of surely cutting the semiconductor wafer W, the cut in the dicing step is preferably formed at a depth from the protective layer 100 side to reach the second adhesive sheet 20. It is more preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed so as to reach the pressure-sensitive adhesive layer 22. The second adhesive layer 22 is also cut into the same size as the semiconductor chip CP by dicing. Furthermore, a cut may be formed in the second base material 21 by dicing.
［第１シートの貼着工程］
　図２Ａは、ダイシング工程の後に複数の半導体チップＣＰに第１シート１０を貼着する工程を説明するための図である。図２Ａには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する粘着シートである。第１シート１０の詳細は、後述する。なお、本発明において、第１シートは、第１粘着剤層と第１基材とを有する２層構成の粘着シートに限定されない。 [Step of attaching first sheet]
FIG. 2A is a diagram for explaining a step of attaching the first sheet 10 to the plurality of semiconductor chips CP after the dicing step. FIG. 2A shows a state in which the first sheet 10 is attached to the plurality of semiconductor chips CP obtained by the dicing process. The first sheet 10 according to this embodiment is an adhesive sheet having a first adhesive layer 12 and a first base material 11. Details of the first sheet 10 will be described later. In the present invention, the first sheet is not limited to a two-layer pressure-sensitive adhesive sheet having a first pressure-sensitive adhesive layer and a first base material.
　本実施形態では、第１シート１０が複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００が介在した積層構造が得られる。 In the present embodiment, when the first sheet 10 is attached to the circuit surface W1 side of the plurality of semiconductor chips CP, the individual sheets are separated between the plurality of semiconductor chips CP and the first adhesive layer 12 of the first sheet 10. A laminated structure with the protected protective layer 100 interposed is obtained.
［第２粘着シートの剥離工程］
　図２Ｂは、第１シートの貼着工程の後に、第２粘着シート２０を剥離する工程を説明するための図である。この工程を第２粘着シートの剥離工程と称する場合がある。図２Ｂには、第１シート１０を貼着後に第２粘着シート２０を半導体ウエハＷの裏面Ｗ３から剥離した状態が示されている。
　第１シート１０を貼着した後、第２粘着シート２０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。
　なお、第２粘着剤層２２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第２粘着剤層２２に第２基材２１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させてから第２粘着シート２０を剥離することが好ましい。 [Peeling Step of Second Adhesive Sheet]
FIG. 2B is a diagram for explaining the step of peeling off the second adhesive sheet 20 after the step of attaching the first sheet. This step may be referred to as the peeling step of the second adhesive sheet. FIG. 2B shows a state in which the second adhesive sheet 20 is peeled from the back surface W3 of the semiconductor wafer W after the first sheet 10 is attached.
When the second adhesive sheet 20 is peeled off after the first sheet 10 is attached, the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP are exposed.
When the energy ray-polymerizable compound is mixed in the second pressure-sensitive adhesive layer 22, the second pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated with energy rays from the second base material 21 side to cure the energy ray-polymerizable compound. It is preferable that the second adhesive sheet 20 is peeled off after the operation.
［エキスパンド工程］
　図３は、工程（Ｐ２）を説明するための図である。工程（Ｐ２）をエキスパンド工程と称する場合がある。図３には、第２粘着シート２０を剥離後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
　複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げる際には、エキスパンドシートと呼ばれる粘着シートにより複数の半導体チップＣＰを保持した状態で、エキスパンドシートを伸張することが好ましい。本実施形態においては、第１シート１０がエキスパンドシートであることが好ましい。
　エキスパンド工程において第１シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第１シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状もしくは円状のエキスパンダを押し当てて第１シート１０を引き延ばす方法、及び把持部材等を用いて第１シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。本実施形態では、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。特に、粘着シートの片面に貼着された複数の半導体チップＣＰにおける、隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。 [Expanding process]
FIG. 3 is a diagram for explaining the step (P2). The step (P2) may be referred to as an expanding step. FIG. 3 shows a state where the first adhesive sheet 20 is peeled off and then the first sheet 10 is expanded to widen the intervals between the plurality of semiconductor chips CP.
When expanding the intervals between the plurality of semiconductor chips CP, it is preferable to stretch the expand sheet while holding the plurality of semiconductor chips CP with an adhesive sheet called an expand sheet. In this embodiment, the first sheet 10 is preferably an expanded sheet.
The method of stretching the first sheet 10 in the expanding step is not particularly limited. As a method of stretching the first sheet 10, for example, a method of stretching the first sheet 10 by pressing an annular or circular expander, and a method of grasping and stretching the outer peripheral portion of the first sheet 10 using a gripping member or the like Etc. In the present embodiment, the spacing D1 between the plurality of semiconductor chips CP depends on the size of the semiconductor chips CP and is not particularly limited. In particular, in the plurality of semiconductor chips CP attached to one surface of the adhesive sheet, the distance D1 between the adjacent semiconductor chips CP is preferably 200 μm or more. It should be noted that the upper limit of the interval between the semiconductor chips CP is not particularly limited. The upper limit of the distance between the semiconductor chips CP may be 6000 μm, for example.
［第１転写工程］
　本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、別の粘着シート（例えば、第５粘着シート）に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
　図４Ａには、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第５粘着シート５０に転写する工程（以下「転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
　第５粘着シート５０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第５粘着シート５０は、第５基材５１と、第５粘着剤層５２とを有する。
　本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第５粘着シート５０を貼着し、その後、第１シート１０を剥離することが好ましい。 [First transfer step]
In the present embodiment, after the expanding step, a step of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the first sheet 10 to another adhesive sheet (for example, a fifth adhesive sheet) (hereinafter, referred to as “first transfer”). Sometimes referred to as a “process”).
FIG. 4A is a diagram illustrating a step of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the first sheet 10 to the fifth adhesive sheet 50 (hereinafter, sometimes referred to as “transfer step”). ing.
The fifth adhesive sheet 50 is not particularly limited as long as it can hold a plurality of semiconductor chips CP. The fifth pressure-sensitive adhesive sheet 50 has a fifth base material 51 and a fifth pressure-sensitive adhesive layer 52.
When the transfer step is performed in the present embodiment, for example, it is preferable that after the expanding step, the fifth adhesive sheet 50 is attached to the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP, and then the first sheet 10 is peeled off. ..
　第５粘着シート５０は、複数の半導体チップＣＰとともに、第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第５粘着シート５０の第５粘着剤層５２の上に、リングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、リングフレームの環形状の内側にて露出する第５粘着剤層５２を半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に押し当てて、第５粘着シート５０に複数の半導体チップＣＰを固定する。 The fifth adhesive sheet 50 may be attached to the second ring frame together with the plurality of semiconductor chips CP. In this case, the ring frame is placed on the fifth adhesive layer 52 of the fifth adhesive sheet 50, and the ring frame is lightly pressed and fixed. Then, the fifth adhesive layer 52 exposed on the inner side of the ring shape of the ring frame is pressed against the back surface W3 of the semiconductor chip CP to fix the plurality of semiconductor chips CP to the fifth adhesive sheet 50.
　図４Ｂには、第５粘着シート５０の貼着後、第１シート１０を剥離する工程を説明する図が示されている。
　本実施形態では、第１シート１０を剥離する際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１を覆う個片化された第１シート１０を保護層１００とともにまとめて剥離する態様を例に挙げて説明する。なお、回路面Ｗ１を覆う個片化された保護層１００を半導体チップＣＰに残したまま、第１シート１０だけを剥離する態様でもよい。
　第５粘着シート５０を貼着した後、第１シート１０及び保護層１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１が露出する。第１シート１０及び保護層１００を剥離した後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。 FIG. 4B is a diagram illustrating a step of peeling off the first sheet 10 after the fifth adhesive sheet 50 is attached.
In the present embodiment, an example is described in which, when the first sheet 10 is peeled off, the individual first sheets 10 that cover the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP are peeled together with the protective layer 100. .. It is also possible to adopt a mode in which only the first sheet 10 is peeled off while leaving the individualized protective layer 100 covering the circuit surface W1 on the semiconductor chip CP.
When the first sheet 10 and the protective layer 100 are peeled off after the fifth adhesive sheet 50 is attached, the circuit surfaces W1 of the plurality of semiconductor chips CP are exposed. It is preferable that the distance D1 between the plurality of semiconductor chips CP expanded in the expanding step is maintained even after the first sheet 10 and the protective layer 100 are peeled off.
［第２転写工程］
　図５Ａには、第５粘着シート５０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第２転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
　第５粘着シート５０から第６粘着シート６０に転写された複数の半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。 [Second transfer process]
FIG. 5A is a diagram illustrating a step of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the fifth adhesive sheet 50 to the sixth adhesive sheet 60 (hereinafter, sometimes referred to as “second transfer step”). It is shown.
It is preferable that the plurality of semiconductor chips CP transferred from the fifth adhesive sheet 50 to the sixth adhesive sheet 60 maintain the distance D1 between the semiconductor chips CP.
　第６粘着シート６０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第６粘着シート６０は、第６基材６１と、第６粘着剤層６２とを有する。
　第６粘着シート６０上の複数の半導体チップＣＰを封止したい場合には、第６粘着シート６０として、封止工程用の粘着シートを用いることが好ましく、耐熱性を有する粘着シートを用いることがより好ましい。また、第６粘着シート６０として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第６基材６１及び第６粘着剤層６２は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。 The sixth adhesive sheet 60 is not particularly limited as long as it can hold a plurality of semiconductor chips CP. The sixth adhesive sheet 60 has a sixth base material 61 and a sixth adhesive layer 62.
When it is desired to seal a plurality of semiconductor chips CP on the sixth adhesive sheet 60, an adhesive sheet for the sealing step is preferably used as the sixth adhesive sheet 60, and an adhesive sheet having heat resistance is used. More preferable. When a heat-resistant pressure-sensitive adhesive sheet is used as the sixth pressure-sensitive adhesive sheet 60, the sixth base material 61 and the sixth pressure-sensitive adhesive layer 62 each have heat resistance capable of withstanding the temperature imposed in the sealing step. It is preferably made of a material.
　第５粘着シート５０から第６粘着シート６０に転写された複数の半導体チップＣＰは、回路面Ｗ１を第６粘着剤層６２に向けて貼着されている。 The plurality of semiconductor chips CP transferred from the fifth adhesive sheet 50 to the sixth adhesive sheet 60 are attached so that the circuit surface W1 faces the sixth adhesive layer 62.
［封止工程］
　図５Ｂには、封止部材３００を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。 [Sealing process]
FIG. 5B is a diagram illustrating a step of sealing a plurality of semiconductor chips CP using the sealing member 300 (hereinafter sometimes referred to as “sealing step”).
　本実施形態において、封止工程は、複数の半導体チップＣＰが第６粘着シート６０に転写された後に実施される。
　封止工程において、回路面Ｗ１が第６粘着シート６０に保護された状態で、複数の半導体チップＣＰを封止部材３００によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３００が充填されている。第６粘着シート６０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３００で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。 In the present embodiment, the sealing step is performed after the plurality of semiconductor chips CP have been transferred to the sixth adhesive sheet 60.
In the sealing step, the sealing body 3 is formed by covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 300 while the circuit surface W1 is protected by the sixth adhesive sheet 60. The sealing member 300 is also filled between the plurality of semiconductor chips CP. Since the circuit surface W1 and the circuit W2 are covered with the sixth adhesive sheet 60, it is possible to prevent the circuit surface W1 from being covered with the sealing member 300.
　封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材３００に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、エキスパンド工程を実施後の間隔Ｄ１が維持された状態で、封止部材３００により覆われることが好ましい。 By the sealing step, the sealing body 3 in which the plurality of semiconductor chips CP separated by a predetermined distance are embedded in the sealing member 300 is obtained. In the sealing process, it is preferable that the plurality of semiconductor chips CP be covered with the sealing member 300 in a state in which the interval D1 after performing the expanding process is maintained.
　封止工程の後、第６粘着シート６０を剥離する。第６粘着シート６０を剥離すると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の第６粘着シート６０と接触していた面３Ａが露出する。 After the sealing step, the sixth adhesive sheet 60 is peeled off. When the sixth adhesive sheet 60 is peeled off, the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 3A of the sealing body 3 that was in contact with the sixth adhesive sheet 60 are exposed.
　前述のエキスパンド工程の後、転写工程及びエキスパンド工程を任意の回数繰り返すことで、半導体チップＣＰ間の距離を所望の距離とし、半導体チップＣＰを封止する際の回路面の向きを所望の向きとすることができる。 After the expanding process described above, the transfer process and the expanding process are repeated any number of times to set the distance between the semiconductor chips CP to a desired distance, and to set the orientation of the circuit surface when sealing the semiconductor chips CP to the desired orientation. can do.
［その他の工程］
　封止体３から粘着シートを剥離した後、この封止体３に対して、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップＣＰの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
　外部端子電極が接続された封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。 [Other processes]
After peeling the adhesive sheet from the sealing body 3, a rewiring layer forming step of forming a rewiring layer electrically connected to the semiconductor chip CP on the sealing body 3, a rewiring layer and an external terminal electrode. And a connecting step of electrically connecting and are sequentially performed. The circuit of the semiconductor chip CP and the external terminal electrode are electrically connected by the rewiring layer forming step and the external terminal electrode connecting step.
The sealing body 3 to which the external terminal electrodes are connected is separated into individual semiconductor chips CP. The method for dividing the sealing body 3 into individual pieces is not particularly limited. By separating the sealing body 3 into individual pieces, a semiconductor package for each semiconductor chip CP is manufactured. The semiconductor package having the fan-out external electrodes connected to the outside of the semiconductor chip CP is manufactured as a fan-out type wafer level package (FO-WLP).
（第１シート）
　本実施形態に係る第１シート１０は、第１基材１１と、第１粘着剤層１２とを有する。第１粘着剤層１２は、第１基材１１に積層されている。 (First sheet)
The first sheet 10 according to the present embodiment has a first base material 11 and a first adhesive layer 12. The first pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first base material 11.
・第１基材
　第１基材１１は、エキスパンド工程等の所望の工程（例えば、工程（Ｐ２））において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
　第１基材１１は、第１基材表面及び第１基材裏面を有する。第１基材裏面は、第１基材表面とは反対側の面である。
　第１シート１０において、第１基材表面及び第１基材裏面の一方の面に第１粘着剤層１２が設けられていることが好ましく、他方の面には粘着剤層が設けられていないことが好ましい。 First Base Material The constituent material of the first base material 11 is not particularly limited as long as it can properly function in a desired process such as an expanding process (for example, the process (P2)).
The first base material 11 has a first base material front surface and a first base material back surface. The back surface of the first base material is a surface opposite to the front surface of the first base material.
In the first sheet 10, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably provided on one surface of the first base material front surface and the first base material back surface, and the other surface is not provided with the pressure-sensitive adhesive layer. It is preferable.
　第１基材１１の材料は、大きく延伸させ易いという観点から、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料であることが好ましく、熱可塑性エラストマーであることがより好ましい。 The material of the first base material 11 is preferably a thermoplastic elastomer or a rubber-based material, and more preferably a thermoplastic elastomer, from the viewpoint of being easily stretched greatly.
　また、第１基材１１の材料としては、大きく延伸させ易いという観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましい。このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、９０℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましく、７０℃以下であることがさらに好ましい。 Further, as the material of the first base material 11, it is preferable to use a resin having a relatively low glass transition temperature (Tg) from the viewpoint of being easily stretched largely. The glass transition temperature (Tg) of such a resin is preferably 90° C. or lower, more preferably 80° C. or lower, and further preferably 70° C. or lower.
　熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びアミド系エラストマー等が挙げられる。熱可塑性エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。熱可塑性エラストマーとしては、大きく延伸させ易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。 Examples of thermoplastic elastomers include urethane elastomers, olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, acrylic elastomers, and amide elastomers. The thermoplastic elastomers may be used alone or in combination of two or more. As the thermoplastic elastomer, it is preferable to use a urethane elastomer from the viewpoint of being easily stretched largely.
　ウレタン系エラストマーは、一般に、長鎖ポリオール、鎖延長剤、及びジイソシアネートを反応させて得られる。ウレタン系エラストマーは、長鎖ポリオールから誘導される構成単位を有するソフトセグメントと、鎖延長剤とジイソシアネートとの反応から得られるポリウレタン構造を有するハードセグメントとからなる。 Urethane elastomers are generally obtained by reacting a long-chain polyol, a chain extender, and a diisocyanate. The urethane elastomer is composed of a soft segment having a constitutional unit derived from a long-chain polyol and a hard segment having a polyurethane structure obtained by the reaction of a chain extender and diisocyanate.
　ウレタン系エラストマーを、長鎖ポリオールの種類によって分類すると、ポリエステル系ポリウレタンエラストマー、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマー、及びポリカーボネート系ポリウレタンエラストマー等に分けられる。ウレタン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。本実施形態では、ウレタン系エラストマーは、大きく延伸させ易いという観点から、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマーであることが好ましい。 Urethane-based elastomers can be classified into polyester-based polyurethane elastomers, polyether-based polyurethane elastomers, and polycarbonate-based polyurethane elastomers by classifying them according to the type of long-chain polyol. The urethane elastomer may be used alone or in combination of two or more. In the present embodiment, the urethane-based elastomer is preferably a polyether-based polyurethane elastomer from the viewpoint of being easily stretched greatly.
　長鎖ポリオールの例としては、ラクトン系ポリエステルポリオール、及びアジペート系ポリエステルポリオール等のポリエステルポリオール；ポリプロピレン（エチレン）ポリオール、及びポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルポリオール；ポリカーボネートポリオール等が挙げられる。本実施形態では、長鎖ポリオールは、大きく延伸させ易いという観点から、アジペート系ポリエステルポリオールであることが好ましい。 Examples of long-chain polyols include lactone-based polyester polyols, polyester polyols such as adipate-based polyester polyols; polypropylene (ethylene) polyols and polyether polyols such as polytetramethylene ether glycol; polycarbonate polyols and the like. In the present embodiment, the long-chain polyol is preferably an adipate-based polyester polyol from the viewpoint of being easily stretched greatly.
　ジイソシアネートの例としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、及びヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。本実施形態では、ジイソシアネートは、大きく延伸させ易いという観点から、ヘキサメチレンジイソシアネートであることが好ましい。 Examples of diisocyanates include 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate. In the present embodiment, the diisocyanate is preferably hexamethylene diisocyanate from the viewpoint of being easily stretched largely.
　鎖延長剤としては、低分子多価アルコール（例えば、１，４－ブタンジオール、及び１，６－ヘキサンジオール等）、及び芳香族ジアミン等が挙げられる。これらのうち、大きく延伸させ易いという観点から、１，６－ヘキサンジオールを使用することが好ましい。 The chain extender includes low molecular weight polyhydric alcohols (eg, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, etc.), aromatic diamines, and the like. Of these, it is preferable to use 1,6-hexanediol from the viewpoint of being easily stretched greatly.
　オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、及びスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むエラストマーが挙げられる。オレフィン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the olefin elastomer include ethylene/α-olefin copolymer, propylene/α-olefin copolymer, butene/α-olefin copolymer, ethylene/propylene/α-olefin copolymer, ethylene/butene/α- Selected from the group consisting of olefin copolymers, propylene/butene-α olefin copolymers, ethylene/propylene/butene-α/olefin copolymers, styrene/isoprene copolymers, and styrene/ethylene/butylene copolymers. An elastomer containing at least one resin may be mentioned. The olefin elastomers may be used alone or in combination of two or more.
　オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されない。例えば、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上、０．９０５ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ３以上、０．９００ｇ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ３以上、０．８９５ｇ／ｃｍ３未満であることが特に好ましい。オレフィン系エラストマーの密度が上記範囲を満たすことで、基材は、被着体としての半導体装置を粘着シートに貼付する時の凹凸追従性等に優れる。 The density of the olefin elastomer is not particularly limited. For example, the density of the olefin elastomers, 0.860 g / cm 3 or more is preferably less than 0.905g / cm 3, 0.862g / cm 3 or more, more is less than 0.900 g / cm 3 It is preferably 0.864 g/cm 3 or more and less than 0.895 g/cm 3 . When the density of the olefin-based elastomer satisfies the above range, the base material has excellent irregularity followability and the like when a semiconductor device as an adherend is attached to an adhesive sheet.
　オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が５０質量％以上、１００質量％以下であることが好ましい。
　オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
　柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。 The olefin elastomer has a mass ratio (also referred to as “olefin content” in the present specification) of the monomer composed of the olefin compound in all the monomers used to form the elastomer of 50 mass %. As described above, it is preferably 100% by mass or less.
If the olefin content is excessively low, the property as an elastomer containing a structural unit derived from olefin becomes difficult to appear, and the base material becomes difficult to exhibit flexibility and rubber elasticity.
From the viewpoint of stably obtaining flexibility and rubber elasticity, the olefin content is preferably 50% by mass or more, and more preferably 60% by mass or more.
　スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体、及びスチレン－オレフィン共重合体等が挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体、スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、及びスチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体等を挙げることができる。また、工業的には、スチレン系エラストマーとしては、タフプレン（旭化成株式会社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン株式会社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学株式会社製）、エポフレンド（株式会社ダイセル製）、ラバロン（三菱ケミカル株式会社製）、セプトン（株式会社クラレ製）、及びタフテック（旭化成株式会社製）等の商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。 Styrene-based elastomers include styrene-conjugated diene copolymers and styrene-olefin copolymers. Specific examples of the styrene-conjugated diene copolymer include styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer, styrene-isoprene copolymer, Unhydrogenated styrene-conjugated diene copolymer such as styrene-isoprene-styrene copolymer (SIS), styrene-ethylene-isoprene-styrene copolymer, styrene-ethylene/propylene-styrene copolymer (SEPS, styrene- Hydrogenated styrene-conjugated diene copolymers such as isoprene-styrene copolymer water additives) and styrene-ethylene-butylene-styrene copolymers (SEBS, styrene-butadiene copolymer hydrogenated products) Can be mentioned. Further, industrially, as a styrene-based elastomer, toughprene (manufactured by Asahi Kasei Corporation), Kraton (manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd.), Sumitomo TPE-SB (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Epofriend (manufactured by Daicel Corporation ), Lavalon (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Septon (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), and Tuftec (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.). The styrene elastomer may be a hydrogenated product or an unhydrogenated product.
　ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及び多硫化ゴム等が挙げられる。ゴム系材料は、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of rubber materials include natural rubber, synthetic isoprene rubber (IR), butadiene rubber (BR), styrene-butadiene rubber (SBR), chloroprene rubber (CR), acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (NBR), butyl rubber ( IIR), halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber. The rubber-based material may be used alone or in combination of two or more.
　第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムが、複数、積層された積層フィルムでもよい。また、第１基材１１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層された積層フィルムでもよい。 The first base material 11 may be a laminated film in which a plurality of films made of the above-mentioned materials (for example, thermoplastic elastomer or rubber-based material) are laminated. The first base material 11 may be a laminated film in which a film made of the above-mentioned material (for example, a thermoplastic elastomer or a rubber-based material) and another film are laminated.
　第１基材１１は、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、添加剤を含んでいてもよい。添加剤の具体例としては、第１基材１１の説明で挙げた添加剤と同様である。添加剤としては、例えば、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、及びフィラー等が挙げられる。顔料としては、例えば、二酸化チタン、及びカーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料、及びニッケル粒子のような金属系材料が例示される。フィルム内に含有させてもよい添加剤の含有量は、特に限定されないが、第１基材１１が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。 The first base material 11 may include an additive in the film containing the above resin-based material as a main material. Specific examples of the additive are the same as those described in the description of the first base material 11. Examples of the additives include pigments, dyes, flame retardants, plasticizers, antistatic agents, lubricants, and fillers. Examples of pigments include titanium dioxide and carbon black. Examples of the filler include organic materials such as melamine resin, inorganic materials such as fumed silica, and metal materials such as nickel particles. The content of the additive that may be contained in the film is not particularly limited, but it is preferable to keep it within the range in which the first base material 11 can exhibit a desired function.
　第１基材１１は、第１基材１１の片面または両面に、第１基材１１の表面に積層される第１粘着剤層１２との密着性を向上させるための処理が施されていてもよい。 The first base material 11 is treated on one or both sides of the first base material 11 to improve adhesion with the first pressure-sensitive adhesive layer 12 laminated on the surface of the first base material 11. Good.
　第１粘着剤層１２がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、第１基材１１は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、第１基材１１は、紫外線に対して透過性を有することが好ましい。エネルギー線として電子線を用いる場合には、第１基材１１は、電子線の透過性を有することが好ましい。 When the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable that the first base material 11 has permeability to energy rays. When ultraviolet rays are used as the energy rays, the first base material 11 preferably has transparency to ultraviolet rays. When an electron beam is used as the energy beam, the first base material 11 preferably has electron beam transparency.
　第１基材１１の厚さは、第１シート１０が所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。第１基材１１の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１基材１１の厚さは、２５０μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the first base material 11 is not limited as long as the first sheet 10 can properly function in a desired process. The thickness of the first base material 11 is preferably 20 μm or more, and more preferably 40 μm or more. Further, the thickness of the first base material 11 is preferably 250 μm or less, and more preferably 200 μm or less.
　また、第１基材１１の第１基材表面または第１基材裏面の面内方向において２ｃｍ間隔で複数箇所の厚さを測定した際の、第１基材１１の厚さの標準偏差は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。当該標準偏差が２μｍ以下であることで、第１シート１０は、精度の高い厚さを有しており、第１シート１０を均一に延伸することが可能となる。 In addition, the standard deviation of the thickness of the first base material 11 when measuring the thickness at a plurality of locations at 2 cm intervals in the in-plane direction of the first base material surface or the first base material back surface of the first base material 11 is It is preferably 2 μm or less, more preferably 1.5 μm or less, still more preferably 1 μm or less. When the standard deviation is 2 μm or less, the first sheet 10 has a highly accurate thickness, and the first sheet 10 can be stretched uniformly.
　２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であることが好ましい。
　引張弾性率及び１００％応力が上記範囲であることで、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。
　第１基材１１の１００％応力は、次のようにして得られる値である。１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）の大きさの試験片を第１基材１１から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を読み取る。第１基材１１の１００％応力は、読み取った引張力の測定値を、基材の断面積で除算することで得られる値である。第１基材１１の断面積は、幅方向長さ１５ｍｍ×第１基材１１（試験片）の厚みで算出される。当該切り出しは、基材の製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。 At 23° C., the tensile elastic moduli of the first base material 11 in the MD direction and the CD direction are 10 MPa or more and 350 MPa or less, respectively, and at 23° C., the 100% stress of the first base material 11 in the MD direction and the CD direction is respectively. It is preferably 3 MPa or more and 20 MPa or less.
When the tensile elastic modulus and the 100% stress are in the above ranges, the first sheet 10 can be greatly stretched.
The 100% stress of the first base material 11 is a value obtained as follows. A test piece having a size of 150 mm (length direction)×15 mm (width direction) is cut out from the first base material 11. Grasp both ends of the cut-out test piece in the length direction with the grip so that the length between the grips is 100 mm. After gripping the test piece with the grip, it is pulled in the length direction at a speed of 200 mm/min, and the measured value of the tensile force when the length between the grips becomes 200 mm is read. The 100% stress of the first base material 11 is a value obtained by dividing the read tensile force measurement value by the cross-sectional area of the base material. The cross-sectional area of the first base material 11 is calculated by the width direction length of 15 mm×the thickness of the first base material 11 (test piece). The cutting is performed so that the flow direction (MD direction) or the direction orthogonal to the MD direction (CD direction) at the time of manufacturing the base material and the length direction of the test piece match. In this tensile test, the thickness of the test piece is not particularly limited and may be the same as the thickness of the base material to be tested.
　２３℃において第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることが好ましい。
　第１基材１１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることで、破断が生じることなく、第１シート１０を大きく延伸することが可能となる。 At 23° C., the breaking elongation in the MD direction and the CD direction of the first base material 11 is preferably 100% or more.
When the breaking elongations in the MD direction and the CD direction of the first base material 11 are 100% or more, respectively, the first sheet 10 can be greatly stretched without breaking.
　基材の引張弾性率（ＭＰａ）及び基材の破断伸度（％）は、次のようにして測定できる。基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍに裁断して試験片を得る。当該試験片について、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：２０１４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃における破断伸度および引張弾性率を測定する。具体的には、上記試験片を、引張試験機（株式会社島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ　５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、破断伸度（％）および引張弾性率（ＭＰａ）を測定する。なお、測定は、基材の製造時の流れ方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行う。 The tensile elastic modulus (MPa) of the substrate and the breaking elongation (%) of the substrate can be measured as follows. The substrate is cut into 15 mm×140 mm to obtain a test piece. For the test piece, the elongation at break and the tensile elastic modulus at 23° C. are measured according to JIS K7161:2014 and JIS K7127:1999. Specifically, the above test piece was set to a chuck distance of 100 mm with a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "Autograph AG-IS 500N") and then pulled at a speed of 200 mm/min. A test is conducted to measure the elongation at break (%) and the tensile elastic modulus (MPa). In addition, the measurement is performed in both the flow direction (MD) at the time of manufacturing the base material and the direction (CD) perpendicular thereto.
・第１粘着剤層
　第１粘着剤層１２は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第１粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤及びウレタン系粘着剤が挙げられる。 -First adhesive layer The constituent material of the first adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it can properly function in a desired process such as an expanding process. Examples of the adhesive contained in the first adhesive layer 12 include rubber-based adhesives, acrylic-based adhesives, silicone-based adhesives, polyester-based adhesives, and urethane-based adhesives.
・エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）
　第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
　エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。 ・Energy ray curable resin (ax1)
The first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains an energy ray curable resin (ax1). The energy ray-curable resin (ax1) has an energy ray-curable double bond in the molecule.
The pressure-sensitive adhesive layer containing the energy ray-curable resin is cured by irradiation with energy rays and its adhesive strength is reduced. When it is desired to separate the adherend and the pressure-sensitive adhesive sheet, they can be easily separated by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with energy rays.
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。 The energy ray curable resin (ax1) is preferably a (meth)acrylic resin.
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、紫外線硬化性の（メタ）アクリル系樹脂であることがより好ましい。 The energy ray curable resin (ax1) is preferably an ultraviolet curable resin, and more preferably an ultraviolet curable (meth)acrylic resin.
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、エネルギー線の照射を受けると重合硬化する樹脂である。エネルギー線としては、例えば、紫外線、及び電子線等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー）が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、及び１，６－ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａ１）は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 The energy ray curable resin (ax1) is a resin that is polymerized and cured when it is irradiated with energy rays. Examples of energy rays include ultraviolet rays and electron rays.
Examples of the energy ray curable resin (ax1) include low molecular weight compounds having an energy ray polymerizable group (monofunctional monomers, polyfunctional monomers, monofunctional oligomers, and polyfunctional oligomers). The energy ray-curable resin (ax1) is specifically trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4- Butylene glycol diacrylate, acrylates such as 1,6-hexanediol diacrylate, cycloaliphatic skeleton-containing acrylates such as dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, and isobornyl acrylate, and polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane Acrylate compounds such as acrylate oligomer, epoxy modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer are used. The energy ray curable resin (a1) may be used alone or in combination of two or more.
　エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の分子量は、通常、１００以上、３００００以下であり、３００以上、１００００以下程度であることが好ましい。 The molecular weight of the energy ray curable resin (ax1) is usually 100 or more and 30,000 or less, preferably 300 or more and 10,000 or less.
・（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）をさらに含んでいることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）とは異なる。 ・(Meth)acrylic copolymer (b1)
The first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably further contains a (meth)acrylic copolymer (b1). The (meth)acrylic copolymer is different from the energy ray curable resin (ax1) described above.
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、エネルギー線硬化性の炭素－炭素二重結合を有することが好ましい。すなわち、本実施形態において、第１粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）と、エネルギー線硬化性の（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）とを含有することが好ましい。 The (meth)acrylic copolymer (b1) preferably has an energy ray-curable carbon-carbon double bond. That is, in the present embodiment, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray curable resin (ax1) and the energy ray curable (meth)acrylic copolymer (b1).
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を１０質量部以上の割合で含有することが好ましく、２０質量部以上の割合で含有することがより好ましく、２５質量部以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　第１粘着剤層１２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を８０質量部以下の割合で含有することが好ましく、７０質量部以下の割合で含有することがより好ましく、６０質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。 The first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray-curable resin (ax1) in an amount of 10 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1), and 20 parts by mass. The content is more preferably in the above proportion, and further preferably in the proportion of 25 parts by mass or more.
The first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains the energy ray-curable resin (ax1) in an amount of 80 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1), and 70 parts by mass. The content is more preferably the following ratio, and further preferably 60 parts by mass or less.
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
　なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。 The weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and further preferably 200,000 or more.
The weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
In addition, the weight average molecular weight (Mw) in this specification is the value of standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography method (GPC method).
　（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル重合体（ｂ２）（以下「エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）」という場合がある。）であることが好ましい。 The (meth)acrylic copolymer (b1) is a (meth)acrylic acid ester polymer (b2) (hereinafter referred to as “energy” in which a functional group having energy ray curability (energy ray curable group) is introduced into a side chain. It may be referred to as a "curable polymer (b2)").
・エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）
　エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）とを反応させて得られる共重合体であることが好ましい。 ・Energy ray curable polymer (b2)
The energy ray-curable polymer (b2) is obtained by reacting an acrylic copolymer (b21) having a functional group-containing monomer unit with an unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group bonded to the functional group. It is preferably a copolymer obtained as described above.
　本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。 In the present specification, (meth)acrylic acid ester means both acrylic acid ester and methacrylic acid ester. The same applies to other similar terms.
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマー、または（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。 The acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer and a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative of a (meth)acrylic acid ester monomer. ..
　アクリル系共重合体（ｂ２１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、官能基と、を分子内に有するモノマーであることが好ましい。官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等からなる群から選択される少なくともいずれかの官能基であることが好ましい。 The functional group-containing monomer as a constituent unit of the acrylic copolymer (b21) is preferably a monomer having a polymerizable double bond and a functional group in the molecule. The functional group is preferably at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group, an epoxy group and the like.
　ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、及び４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl ( Examples thereof include (meth)acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate. The hydroxy group-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、及びシトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid. The carboxy group-containing monomer is used alone or in combination of two or more.
　アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、及びｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the amino group-containing monomer or the substituted amino group-containing monomer include aminoethyl (meth)acrylate and n-butylaminoethyl (meth)acrylate. The amino group-containing monomer or the substituted amino group-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
　アクリル系共重合体（ｂ２１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１以上２０以下であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。 Examples of the (meth)acrylic acid ester monomer that constitutes the acrylic copolymer (b21) include alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, as well as, for example, an alicyclic structure in the molecule. A monomer having a (alicyclic structure-containing monomer) is preferably used.
　アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１以上１８以下であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等がより好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 As the alkyl (meth)acrylate, an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 18 carbon atoms is preferable. The alkyl(meth)acrylate is more preferably, for example, methyl(meth)acrylate, ethyl(meth)acrylate, propyl(meth)acrylate, n-butyl(meth)acrylate, 2-ethylhexyl(meth)acrylate, or the like. Alkyl (meth)acrylate is used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
　脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、及び（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。脂環式構造含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the alicyclic structure-containing monomer include cyclohexyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, adamantyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, and dicyclopentenyl (meth)acrylate. , And dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate are preferably used. The alicyclic structure-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、１質量％以上の割合で含有することが好ましく、５質量％以上の割合で含有することがより好ましく、１０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、３５質量％以下の割合で含有することが好ましく、３０質量％以下の割合で含有することがより好ましく、２５質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。 The acrylic copolymer (b21) preferably contains the structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. It is more preferable that the content is at least mass %.
The acrylic copolymer (b21) preferably contains the structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less. It is more preferable that the content is 25 mass% or less.
　さらに、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、５０質量％以上の割合で含有することが好ましく、６０質量％以上の割合で含有することがより好ましく、７０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
　また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、９９質量％以下の割合で含有することが好ましく、９５質量％以下の割合で含有することがより好ましく、９０質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。 Furthermore, the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 50% by mass or more, and a proportion of 60% by mass or more. Is more preferable, and it is further preferable that the content is 70% by mass or more.
The acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 99% by mass or less, and a proportion of 95% by mass or less. Is more preferable, and it is further preferable that the content is 90% by mass or less.
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られる。
　アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。 The acrylic copolymer (b21) is obtained by copolymerizing the functional group-containing monomer as described above and the (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof by a conventional method.
The acrylic copolymer (b21) may contain at least one structural unit selected from the group consisting of dimethylacrylamide, vinyl formate, vinyl acetate, and styrene, in addition to the above-mentioned monomers. ..
　上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）と反応させることにより、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。 The energy ray-curable polymer (b2) is obtained by reacting the acrylic copolymer (b21) having the functional group-containing monomer unit with the unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group bonded to the functional group. ) Is obtained.
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基又は置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはイソシアネート基又はエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。 The functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) can be appropriately selected according to the type of functional group of the functional group-containing monomer unit of the acrylic copolymer (b21). For example, when the functional group of the acrylic copolymer (b21) is a hydroxy group, an amino group or a substituted amino group, the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an isocyanate group or an epoxy group, and an acrylic group When the functional group contained in the copolymer (b21) is an epoxy group, the functional group contained in the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an amino group, a carboxy group or an aziridinyl group.
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を、１分子中に少なくとも１個含み、１個以上、６個以下含むことが好ましく、１個以上、４個以下含むことがより好ましい。 The unsaturated group-containing compound (b22) contains at least one energy ray-polymerizable carbon-carbon double bond in one molecule, preferably one or more and 6 or less, and preferably one or more and 4 or less. It is more preferable to include the following.
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（２－イソシアナトエチルメタクリレート）、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。 Examples of the unsaturated group-containing compound (b22) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (2-isocyanatoethyl methacrylate), meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1 -(Bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth)acrylate; a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl ( Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction with (meth)acrylate; glycidyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid, 2-(1-aziridinyl)ethyl (meth)acrylate, 2-vinyl-2-oxazoline, 2-iso Propenyl-2-oxazoline and the like can be mentioned.
　不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーのモル数に対して、５０モル％以上の割合（付加率）で用いられることが好ましく、６０モル％以上の割合で用いられることがより好ましく、７０モル％以上の割合で用いられることが更に好ましい。
　また、不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーモル数に対して、９５モル％以下の割合で用いられることが好ましく、９３モル％以下の割合で用いられることがより好ましく、９０モル％以下の割合で用いられることがさらに好ましい。 The unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion (addition rate) of 50 mol% or more, and 60 mol% relative to the number of moles of the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (b21). It is more preferably used in the above ratio, and further preferably used in a ratio of 70 mol% or more.
Further, the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion of 95 mol% or less, and in a proportion of 93 mol% or less, with respect to the number of moles of the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (b21). It is more preferably used, and further preferably used in a proportion of 90 mol% or less.
　アクリル系共重合体（ｂ２１）と不飽和基含有化合物（ｂ２２）との反応においては、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、及び触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ｂ２１）の側鎖に導入され、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。 In the reaction between the acrylic copolymer (b21) and the unsaturated group-containing compound (b22), the functional group of the acrylic copolymer (b21) and the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) Depending on the combination, the reaction temperature, pressure, solvent, time, presence or absence of catalyst, and type of catalyst can be appropriately selected. As a result, the functional group of the acrylic copolymer (b21) reacts with the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22), and the unsaturated group becomes a side chain of the acrylic copolymer (b21). This is introduced to obtain the energy ray-curable polymer (b2).
　エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
　また、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable polymer (b2) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and further preferably 200,000 or more.
The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable polymer (b2) is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
・光重合開始剤（Ｃ）
　第１粘着剤層１２が紫外線硬化性の化合物（例えば、紫外線硬化性樹脂）を含有する場合、第１粘着剤層１２は、光重合開始剤（Ｃ）を含有することが好ましい。
　第１粘着剤層１２が光重合開始剤（Ｃ）を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。 ・Photopolymerization initiator (C)
When the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a UV-curable compound (for example, a UV-curable resin), the first pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains a photopolymerization initiator (C).
When the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains the photopolymerization initiator (C), the polymerization curing time and the light irradiation amount can be reduced.
　光重合開始剤（Ｃ）の具体例は、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物及びパーオキサイド化合物が挙げられる。さらには、光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、アミン又はキノン等の光増感剤等が挙げられる。
　より具体的な光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン及びビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドが挙げられる。光重合開始剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。 Specific examples of the photopolymerization initiator (C) include a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound and a peroxide compound. Furthermore, examples of the photopolymerization initiator (C) include photosensitizers such as amine and quinone.
More specific photopolymerization initiators (C) include, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin. Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl phenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyrol nitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide Can be mentioned. As the photopolymerization initiator (C), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
　光重合開始剤（Ｃ）の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部以上、１０質量部以下であることが好ましく、０．０３質量部以上、５質量部以下であることがより好ましく、０．０５質量部以上、５質量部以下であることがさらに好ましい。 The compounding amount of the photopolymerization initiator (C) is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and 0.03 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. Is more preferable, and it is further preferable that the amount is 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
　光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して０．１質量部以上の量で用いられることが好ましく、０．５質量部以上の量で用いられることがより好ましい。
　また、光重合開始剤（Ｃ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して１０質量部以下の量で用いられることが好ましく、６質量部以下の量で用いられることがより好ましい。 The photopolymerization initiator (C) is an energy ray-curable resin (ax1) when the energy ray-curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are mixed in the pressure-sensitive adhesive layer. Further, it is preferably used in an amount of 0.1 parts by mass or more, more preferably 0.5 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of the (meth)acrylic copolymer (b1). preferable.
Further, the photopolymerization initiator (C) is used as the energy ray-curable resin (ax1) when the energy ray-curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are mixed in the pressure-sensitive adhesive layer. ) And (meth)acrylic copolymer (b1) are used in an amount of 10 parts by mass or less, more preferably 6 parts by mass or less, based on 100 parts by mass in total.
　第１粘着剤層１２は、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。 The first pressure-sensitive adhesive layer 12 may appropriately contain other components in addition to the above components. Examples of other components include a cross-linking agent (E) and the like.
・架橋剤（Ｅ）
　架橋剤（Ｅ）としては、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。第１シート１０における多官能性化合物の例としては、イソシアナート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。 ・Crosslinking agent (E)
As the cross-linking agent (E), a polyfunctional compound having reactivity with a functional group of the (meth)acrylic copolymer (b1) or the like can be used. Examples of the polyfunctional compound in the first sheet 10 include isocyanate compounds, epoxy compounds, amine compounds, melamine compounds, aziridine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, oxazoline compounds, metal alkoxide compounds, metal chelate compounds, metal salts, Examples thereof include ammonium salts and reactive phenol resins.
　架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、０．０３質量部以上であることがより好ましく、０．０４質量部以上であることがさらに好ましい。
　また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、５質量部以下であることがより好ましく、３．５質量部以下であることがさらに好ましい。 The amount of the cross-linking agent (E) compounded is preferably 0.01 parts by mass or more, and more preferably 0.03 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). More preferably, it is more preferably 0.04 parts by mass or more.
The amount of the cross-linking agent (E) compounded is preferably 8 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). More preferably, it is 3.5 parts by mass or less.
　第１粘着剤層１２の厚さは、特に限定されない。第１粘着剤層１２の厚さは、例えば、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、第１粘着剤層１２の厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the first adhesive layer 12 is not particularly limited. The thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably, for example, 10 μm or more, and more preferably 20 μm or more. Further, the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably 150 μm or less, more preferably 100 μm or less.
　第１シート１０の復元率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。第１シート１０の復元率は、１００％以下であることが好ましい。復元率が上記範囲であることで、粘着シートを大きく延伸することができる。
　復元率は、粘着シートを１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、下記数式（数２）で算出される。
　　復元率（％）＝｛１－（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００　・・・　（数２） The restoration rate of the first sheet 10 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 85% or more. The restoration rate of the first sheet 10 is preferably 100% or less. When the restoration rate is within the above range, the pressure-sensitive adhesive sheet can be stretched greatly.
The recovery rate is obtained by grabbing both ends in the length direction with a gripper so that the length between the grippers is 100 mm in a test piece obtained by cutting out an adhesive sheet into 150 mm (length direction)×15 mm (width direction), Then, pull at a speed of 200 mm/min until the length between the grips reaches 200 mm, hold for 1 minute with the length between the grips expanded to 200 mm, and then the length between the grips is 100 mm. Until it reaches 200 mm/min in the length direction, hold for 1 minute with the length between grips returned to 100 mm, and then pull in the length direction at a speed of 60 mm/min to pull the tensile force. The length between the grips when the measured value of 0.1 N/15 mm was measured, and the length obtained by subtracting 100 mm between the initial grips from the length was defined as L2 (mm), and When the length obtained by subtracting the initial length between grips of 100 mm from the length between grips of 200 mm in the expanded state is L1 (mm), it is calculated by the following mathematical expression (Equation 2).
Recovery rate (%)={1-(L2÷L1)}×100 (Equation 2)
　復元率が上記範囲である場合、粘着シートは大きく延伸された後においても復元し易いことを意味する。一般に、降伏点を有するシートを降伏点以上に延伸すると、シートは塑性変形を起こし、塑性変形を起こした部分、即ち極端に延伸された部分が偏在した状態となる。そのような状態のシートをさらに延伸すると、上記の極端に延伸された部分から破断が生じたり、破断が生じなくても、エキスパンドが不均一になる。また、ひずみをｘ軸、伸びをｙ軸にそれぞれプロットした応力－ひずみ線図において、傾きｄｘ／ｄｙが、正の値から０または負の値に変化する応力値をとらず、明確な降伏点を示さないシートであっても、引張量が大きくなるにつれてシートは塑性変形を起こし、同様に破断が生じたり、エキスパンドが不均一になる。一方、塑性変形ではなく弾性変形が生じる場合には、応力を取り除くことでシートが元の形状に復元し易い。そこで、十分大きい引張量である１００％伸長後にどの程度復元するかを表す指標である復元率が、上記範囲であることにより、粘着シートを大きく延伸する際に、フィルムの塑性変形が最小限に抑えられ、破断が生じ難く、且つ均一なエキスパンドが可能となる。 When the restoration rate is within the above range, it means that the pressure-sensitive adhesive sheet is easily restored even after being greatly stretched. In general, when a sheet having a yield point is stretched above the yield point, the sheet undergoes plastic deformation, and the plastically deformed portion, that is, the extremely stretched portion is unevenly distributed. When the sheet in such a state is further stretched, the expand becomes non-uniform even if the above-mentioned extremely stretched portion breaks or does not break. In the stress-strain diagram in which strain is plotted on the x-axis and elongation on the y-axis, the slope dx/dy does not take a stress value that changes from a positive value to 0 or a negative value, and a clear yield point. Even if the sheet does not show the above, the sheet is plastically deformed as the tensile amount increases, and similarly, the sheet is fractured or the expansion becomes uneven. On the other hand, when elastic deformation occurs instead of plastic deformation, the sheet is easily restored to the original shape by removing the stress. Therefore, when the restoration rate, which is an index showing how much the sheet is restored after 100% elongation, which is a sufficiently large tensile amount, is within the above range, the plastic deformation of the film is minimized when the adhesive sheet is largely stretched. It is suppressed, breakage hardly occurs, and uniform expansion becomes possible.
（剥離シート）
　第１シート１０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、第１シート１０の第１粘着剤層１２の表面に貼付される。剥離シートは、第１粘着剤層１２の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第１粘着剤層１２を保護する。剥離シートは、剥離可能に第１シート１０に貼付されており、第１シート１０が使用される前には、第１シート１０から剥離されて取り除かれる。 (Peeling sheet)
A release sheet may be attached to the surface of the first sheet 10. The release sheet is specifically attached to the surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first sheet 10. The release sheet protects the first pressure-sensitive adhesive layer 12 during transportation and storage by being attached to the surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 12. The release sheet is releasably attached to the first sheet 10, and is peeled off and removed from the first sheet 10 before the first sheet 10 is used.
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。 As the release sheet, a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used. Specifically, for example, a release sheet including a release sheet base material and a release agent layer formed by applying a release agent on the surface of the base material can be mentioned.
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
　剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。 A resin film is preferable as the base material for the release sheet. Examples of the resin forming the resin film as the release sheet substrate include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin and polyethylene naphthalate resin, and polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin. To be
Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
　剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 150 μm or less.
（粘着シートの製造方法）
　第１シート１０及びその他の本明細書に記載の粘着シートの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造できる。 (Method for manufacturing adhesive sheet)
The method for producing the first sheet 10 and other pressure-sensitive adhesive sheets described in the present specification is not particularly limited and can be produced by a known method.
　例えば、剥離シート上に設けた粘着剤層を、基材の片面に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。また、剥離シート上に設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。なお、緩衝層を基材の両面に設けた場合には、粘着剤層は緩衝層の上に形成される。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着シートの使用前に適宜剥離して除去すればよい。 For example, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet can be attached to one surface of the base material to produce a pressure-sensitive adhesive sheet having the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the buffer layer provided on the release sheet and the base material are attached to each other, and the release sheet is removed to obtain a laminate of the buffer layer and the base material. Then, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet is attached to the base material side of the laminate to manufacture a pressure-sensitive adhesive sheet in which the release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. When the buffer layer is provided on both sides of the base material, the adhesive layer is formed on the buffer layer. The release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately peeled and removed before the use of the pressure-sensitive adhesive sheet.
　粘着シートの製造方法のより具体的な一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、粘着剤層を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製する。次に、塗工液を、基材の一の面上に、塗布手段により塗布して塗膜を形成する。塗布手段としては、例えば、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、及びナイフコーター等が挙げられる。次に、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成できる。塗工液は、塗布を行うことが可能であれば、その性状は特に限定されない。塗工液は、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、粘着剤層を形成するための成分を分散質として含有する場合もある。同様に、基材の片面または緩衝層の上に、粘着剤組成物を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。 The following method can be cited as a more specific example of the method for manufacturing an adhesive sheet. First, a pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer and, if desired, a coating liquid further containing a solvent or a dispersion medium are prepared. Next, the coating liquid is applied to one surface of the base material by a coating means to form a coating film. Examples of the coating means include a die coater, a curtain coater, a spray coater, a slit coater, and a knife coater. Next, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by drying the coating film. The properties of the coating liquid are not particularly limited as long as the coating liquid can be applied. The coating liquid may contain a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer as a solute, or may contain a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer as a dispersoid. Similarly, the pressure-sensitive adhesive composition may be directly applied on one surface of the substrate or on the buffer layer to form the pressure-sensitive adhesive layer.
　また、粘着シートの製造方法のより具体的な別の一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成する。次に、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面に、基材を貼付して、粘着シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは、工程材料として剥離してもよいし、粘着剤層に被着体（例えば、半導体チップ、及び半導体ウエハ等）が貼付されるまで、粘着剤層を保護していてもよい。 The following method can be given as another more specific example of the method for manufacturing an adhesive sheet. First, a coating liquid is applied on the release surface of the release sheet to form a coating film. Next, the coating film is dried to form a laminate including the pressure-sensitive adhesive layer and the release sheet. Next, a substrate may be attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of this laminate, which is opposite to the surface on the release sheet side, to obtain a laminate of the pressure-sensitive adhesive sheet and the release sheet. The release sheet in this laminate may be released as a process material, and may protect the adhesive layer until an adherend (for example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, etc.) is attached to the adhesive layer. Good.
　塗工液が架橋剤を含有する場合には、塗膜の乾燥の条件（例えば、温度、及び時間等）を変えることにより、または加熱処理を、別途、行うことにより、例えば、塗膜内の（メタ）アクリル系共重合体と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上述の方法等によって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた粘着シートを、例えば、２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。 When the coating liquid contains a cross-linking agent, by changing the conditions for drying the coating film (for example, temperature, time, etc.) or by performing heat treatment separately, for example, The cross-linking reaction between the (meth)acrylic copolymer and the cross-linking agent may proceed to form a cross-linking structure in the pressure-sensitive adhesive layer with a desired existing density. In order to allow the crosslinking reaction to proceed sufficiently, after the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the substrate by the method described above or the like, the obtained pressure-sensitive adhesive sheet is allowed to stand in an environment of, for example, 23° C. and a relative humidity of 50% for several days. You may perform curing such as placing.
　第１シート１０の厚さは、３０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましい。第１シート１０の厚さは、４００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the first sheet 10 is preferably 30 μm or more, more preferably 50 μm or more. The thickness of the first sheet 10 is preferably 400 μm or less, and more preferably 300 μm or less.
（第２粘着シート）
　本実施形態に係る第２粘着シート２０は、第２基材２１と、第２粘着剤層２２とを有する。第２粘着剤層２２は、第２基材２１に積層されている。 (Second adhesive sheet)
The second pressure-sensitive adhesive sheet 20 according to the present embodiment has a second base material 21 and a second pressure-sensitive adhesive layer 22. The second pressure-sensitive adhesive layer 22 is laminated on the second base material 21.
・第２基材
　本実施形態に係る第２基材２１は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
　第２基材２１は、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成されることが好ましい。樹脂系の材料を主材とするフィルムとしては、例えば、エチレン系共重合フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びフッ素樹脂フィルムが挙げられる。 -Second Base Material The second base material 21 according to the present embodiment is not particularly limited in its constituent material as long as it can properly function in a desired process such as a dicing process.
The second base material 21 is preferably composed of a film containing a resin-based material as a main material. Examples of the film containing a resin-based material as a main material include, for example, ethylene-based copolymer films, polyolefin-based films, polyvinyl chloride-based films, polyester-based films, polyurethane films, polyimide films, polystyrene films, polycarbonate films, and fluororesins. Examples include films.
・第２粘着剤層
　第２粘着剤層２２は、ダイシング工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。 -Second Adhesive Layer The constituent material of the second adhesive layer 22 is not particularly limited as long as it can properly function in a desired process such as a dicing process.
　第２粘着剤層２２としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。 The second pressure-sensitive adhesive layer 22 is composed of, for example, at least one pressure-sensitive adhesive selected from the group consisting of acrylic pressure-sensitive adhesive, urethane pressure-sensitive adhesive, polyester pressure-sensitive adhesive, rubber pressure-sensitive adhesive and silicone pressure-sensitive adhesive. It is preferable that it is composed of an acrylic adhesive.
　第２粘着剤層２２は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。 The second adhesive layer 22 may be composed of a non-energy ray curable adhesive or an energy ray curable adhesive.
［本実施形態に係る効果］
　本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、回路面Ｗ１と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００が介在しているため、第１シート１０を伸張させても回路面Ｗ１に接している保護層１００は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
　また、本実施形態に係るエキスパンド方法において用いる粘着シートは、いずれも基材と粘着剤層とからなる簡易な構成である。また、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
　したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べて粘着シート構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
　さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。 [Effects of this embodiment]
According to the expanding method according to the present embodiment, when the first sheet 10 is stretched, the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP is not in contact with the first adhesive layer 12 of the first sheet 10. In each of the semiconductor chips CP, since the protective layer 100 separated into individual pieces in the dicing step is interposed between the circuit surface W1 and the first adhesive layer 12, the circuit is obtained even if the first sheet 10 is expanded. The protective layer 100 in contact with the surface W1 is not stretched. As a result, according to the expanding method of the present embodiment, it is possible to suppress adhesive residue.
The pressure-sensitive adhesive sheets used in the expanding method according to the present embodiment each have a simple structure including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer. Further, before performing the expanding step, the adhesive sheet used when performing the dicing step is replaced with an adhesive sheet for the expanding step, so that the dicing blade does not reach the base material of the dicing sheet in the dicing step. Moreover, it is not necessary to carefully control the depth of cut.
Therefore, according to the expanding method of the present embodiment, the structure and process of the pressure-sensitive adhesive sheet can be simplified and the adhesive residue can be suppressed as compared with the conventional method.
Furthermore, a method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment can be provided.
〔第２実施形態〕
　次に、本発明の第２実施形態について説明する。
　第１実施形態と第２実施形態とは主に次の点で相違する。第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられていたのに対し、第２実施形態においては、保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層を設ける。
　以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The first embodiment and the second embodiment mainly differ in the following points. In the first embodiment, the protective layer is provided on the first object surface (circuit surface W1) of the object (semiconductor wafer W), whereas in the second embodiment, the protective layer and the third layer are provided. The protective layer is provided on the object to be processed by sticking the second object surface (back surface W3) of the object to be processed (semiconductor wafer W) to the protective layer of the composite sheet having the sheet.
In the following description, the part related to the difference from the first embodiment will be mainly described, and the overlapping description will be omitted or simplified. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.
　図６（図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃ）及び図７（図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃ）は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。 6 (FIG. 6A, FIG. 6B and FIG. 6C) and FIG. 7 (FIG. 7A, FIG. 7B and FIG. 7C) are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment.
　本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（ＰＸ１）～（ＰＸ５）の工程を備える。
（ＰＸ１）保護層と第３シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。
（ＰＸ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＸ３）保護層を半導体装置の裏面に残したまま、第３シートを剥離する工程。
（ＰＸ４）半導体装置の裏面側の保護層に第１シートを貼付する工程。
（ＰＸ５）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。 The expanding method according to this embodiment includes the following steps (PX1) to (PX5).
(PX1) A step of sticking an object to be processed to the protective layer of the composite sheet having the protective layer and the third sheet.
(PX2) A step of making an incision from the first object surface side of the object to be processed, cutting the wafer, and further cutting at least the protective layer into individual semiconductor devices. The first object surface becomes the circuit surface of the semiconductor device, and the second object surface becomes the back surface of the semiconductor device.
(PX3) A step of peeling off the third sheet while leaving the protective layer on the back surface of the semiconductor device.
(PX4) A step of attaching the first sheet to the protective layer on the back surface side of the semiconductor device.
(PX5) A step of stretching the first sheet to widen the intervals between the plurality of semiconductor devices.
（複合シート）
　図６Ａには、本実施形態で用いる複合シート１３０の断面概略図が示されている。
　複合シート１３０は、保護層１００Ａと第３シート３０とを有する。複合シート１３０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００Ａに向けて貼着される。 (Composite sheet)
FIG. 6A shows a schematic cross-sectional view of the composite sheet 130 used in this embodiment.
The composite sheet 130 includes the protective layer 100A and the third sheet 30. The composite sheet 130 holds the semiconductor wafer W when dicing the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W is attached so that the back surface W3 faces the protective layer 100A of the composite sheet 130.
（保護層）
　複合シート１３０における保護層１００Ａは、第３シート３０の上に積層されている。保護層１００Ａは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。保護層１００Ａとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ａの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ａの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
　保護層１００Ａとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。 (Protective layer)
The protective layer 100A in the composite sheet 130 is laminated on the third sheet 30. The protective layer 100A is not particularly limited as long as it can be attached to the back surface W3 (back surface of the semiconductor device) of the semiconductor wafer W as the processing target and the semiconductor chip CP as the semiconductor device to protect the back surface W3. Examples of the protective layer 100A include a protective film and a protective sheet. The thickness of the protective layer 100A is preferably 1 μm or more, more preferably 5 μm or more. The thickness of the protective layer 100A is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less.
The protective layer 100A may be, for example, the same protective layer as the protective layer 100 described in the first embodiment.
（第３シート）
　複合シート１３０における第３シート３０は、保護層１００Ａを支持する部材である。第３シート３０は、保護層１００Ａを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。本実施形態の工程（ＰＸ３）においては、保護層１００Ａを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第３シート３０を剥離するため、第３シート３０は、保護層１００Ａから剥離可能な材質等で構成されていることが好ましい。 (Third sheet)
The third sheet 30 in the composite sheet 130 is a member that supports the protective layer 100A. The material of the third sheet 30 is not particularly limited as long as it can support the protective layer 100A. In the step (PX3) of the present embodiment, since the third sheet 30 is peeled off while leaving the protective layer 100A on the back surface W3 of the semiconductor chip CP, the third sheet 30 is made of a material or the like that can be peeled from the protective layer 100A. It is preferably configured.
　複合シート１３０のより詳細な例については、後述する。 A more detailed example of the composite sheet 130 will be described later.
［複合シートの貼着工程］
　図６Ｂは、工程（ＰＸ１）を説明するための図である。図６Ｂには、複合シート１３０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＸ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
　後述するように、工程（ＰＸ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１３０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１３０の保護層１００に向けて貼着される。 [Composite sheet attachment process]
FIG. 6B is a diagram for explaining the step (PX1). FIG. 6B shows the semiconductor wafer W to which the composite sheet 130 is attached. The semiconductor wafer W in this embodiment is also preferably a wafer obtained by undergoing a back grinding process. This step (PX1) may be referred to as a composite sheet attaching step.
As will be described later, in the step (PX2), the semiconductor wafer W is diced into individual semiconductor chips CP. In this embodiment, the composite sheet 130 is attached to the back surface W3 in order to hold the semiconductor wafer W when the semiconductor wafer W is diced. The semiconductor wafer W is attached so that the back surface W3 faces the protective layer 100 of the composite sheet 130.
　本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に、保護層１００Ａとは別の保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。 In the present embodiment, an aspect in which the process is advanced with the circuit surface W1 exposed will be described as an example, but as an example of other aspects, for example, a protective sheet different from the protective layer 100A may be provided on the circuit surface W1. Alternatively, a mode in which the process is carried out with a protective member such as a protective film attached is given.
［ダイシング工程］
　図６Ｃは、工程（ＰＸ２）を説明するための図である。工程（ＰＸ２）をダイシング工程と称する場合がある。図６Ｃには、複合シート１３０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
　裏面Ｗ３に複合シート１３０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。第１半導体装置面としての回路面Ｗ１は、チップの回路面に相当する。第２半導体装置面としての裏面Ｗ３がチップ裏面に相当する。
　本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに複合シート１３０の少なくとも保護層１００Ａを切断する。
　ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第３シート３０まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ａを確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第３シート３０に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。 [Dicing process]
FIG. 6C is a diagram for explaining the step (PX2). The process (PX2) may be referred to as a dicing process. FIG. 6C shows a plurality of semiconductor chips CP held by the composite sheet 130.
The semiconductor wafer W with the composite sheet 130 attached to the back surface W3 is diced into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips CP. The circuit surface W1 as the first semiconductor device surface corresponds to the circuit surface of the chip. The back surface W3 as the second semiconductor device surface corresponds to the chip back surface.
In the present embodiment, a cut is made from the circuit surface W1 side to cut the semiconductor wafer W, and further cut at least the protective layer 100A of the composite sheet 130.
The cutting depth during dicing is not particularly limited as long as the semiconductor wafer W and the protective layer 100A can be separated into individual pieces. In the present embodiment, an example in which no cut is made up to the third sheet 30 will be described, but the present invention is not limited to such an aspect. For example, in another embodiment, from the viewpoint of surely cutting the semiconductor wafer W and the protective layer 100A, the cut may be formed by dicing to a depth that reaches the third sheet 30.
［第３シートの剥離工程］
　図７Ａは、工程（ＰＸ３）を説明するための図である。工程（ＰＸ３）を第３シートの剥離工程と称する場合がある。図７Ａには、ダイシング工程後に個片化された半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に保護層１００Ａを残したまま、第３シート３０を剥離する工程が示されている。
　複合シート１３０の一態様として、第３シート３０の上に、直接、保護層１００Ａが積層されている場合には、第３シートの剥離工程においては、保護層１００Ａと第３シート３０との界面で剥離することが好ましい。第３シート３０を剥離すると、裏面Ｗ３に保護層１００Ａが貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。 [Peeling process of third sheet]
FIG. 7A is a diagram for explaining the step (PX3). The step (PX3) may be referred to as a third sheet peeling step. FIG. 7A shows a step of peeling off the third sheet 30 while leaving the protective layer 100A on the back surface W3 of the individual semiconductor chips CP after the dicing step.
As one mode of the composite sheet 130, when the protective layer 100A is directly laminated on the third sheet 30, in the peeling step of the third sheet, the interface between the protective layer 100A and the third sheet 30. It is preferable to peel off. When the third sheet 30 is peeled off, a plurality of semiconductor chips CP with the protective layer 100A attached to the back surface W3 are obtained.
　第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力は、１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力が１０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、ダイシング時の半導体チップ保持性に優れるという効果が得られる。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることにより、ダイシング後の半導体チップのピックアップ性に優れるという効果が得られる。第３シート３０を保護層１００Ａから剥離する際の剥離力は、３０ｍＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５０ｍＮ／２５ｍｍ以上、５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。 The peeling force when peeling the third sheet 30 from the protective layer 100A is preferably 10 mN/25 mm or more and 2000 mN/25 mm or less. When the peeling force when peeling the third sheet 30 from the protective layer 100A is 10 mN/25 mm or more, the effect of excellent semiconductor chip retention during dicing can be obtained. When the peeling force when peeling the third sheet 30 from the protective layer 100A is 2000 mN/25 mm or less, an effect of excellent pickup property of the semiconductor chip after dicing can be obtained. The peeling force when peeling the third sheet 30 from the protective layer 100A is more preferably 30 mN/25 mm or more and 1000 mN/25 mm or less, and further preferably 50 mN/25 mm or more and 500 mN/25 mm or less.
［第１シートの貼着工程］
　図７Ｂは、工程（ＰＸ４）を説明するための図である。工程（ＰＸ４）を第１シートの貼着工程と称する場合がある。図７Ｂには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第１シート１０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第１シート１０は、第１実施形態で用いた第１シート１０と同様である。
　本実施形態では、第１シート１０が複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００Ａが介在した積層構造が得られる。 [Step of attaching first sheet]
FIG. 7B is a diagram for explaining the step (PX4). The step (PX4) may be referred to as a first sheet attaching step. FIG. 7B shows a state in which the first sheet 10 is attached to the plurality of semiconductor chips CP obtained by the dicing process. The first sheet 10 according to the present embodiment is the same as the first sheet 10 used in the first embodiment.
In the present embodiment, when the first sheet 10 is attached to the back surface W3 side of the plurality of semiconductor chips CP, the plurality of semiconductor chips CP and the first adhesive layer 12 of the first sheet 10 are singulated. A laminated structure with the interposed protective layer 100A is obtained.
［エキスパンド工程］
　図７Ｃは、工程（ＰＸ５）を説明するための図である。工程（ＰＸ５）をエキスパンド工程と称する場合がある。図７Ｃには、第１シート１０を貼着後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
　本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。 [Expanding process]
FIG. 7C is a diagram for explaining the step (PX5). The step (PX5) may be referred to as an expanding step. FIG. 7C shows a state in which the first sheet 10 has been attached and then the first sheet 10 has been expanded to widen the intervals between the plurality of semiconductor chips CP.
Also in the expanding step in the present embodiment, the method for stretching the first sheet 10 is the same as in the first embodiment. Also in the present embodiment, the interval D1 between the plurality of semiconductor chips CP depends on the size of the semiconductor chip CP and is not particularly limited. The distance D1 between the adjacent semiconductor chips CP is preferably 200 μm or more. It should be noted that the upper limit of the interval between the semiconductor chips CP is not particularly limited. The upper limit of the distance between the semiconductor chips CP may be 6000 μm, for example.
［第１転写工程］
　本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第１シート１０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第１実施形態と同様に第６粘着シート６０に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。 [First transfer step]
In the present embodiment, after the expanding step, a step of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the first sheet 10 to the sixth adhesive sheet 60 in the same manner as in the first embodiment (hereinafter referred to as “first transfer”). Sometimes referred to as a “process”).
　本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第６粘着シート６０を貼着し、その後、第１シート１０及び保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離することが好ましい。第１シート１０及び保護層１００Ａをまとめて裏面Ｗ３から剥離してもよいし、第１シート１０を先に剥離して後に保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離してもよい。保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離する工程を、保護層の剥離工程と称する場合がある。
　保護層１００Ａの剥離工程の後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。 When the transfer step is performed in the present embodiment, for example, after the expanding step, the sixth adhesive sheet 60 is attached to the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chips CP, and then the first sheet 10 and the protective layer 100A are attached. It is preferable to peel from the back surface W3. The first sheet 10 and the protective layer 100A may be collectively peeled off from the back surface W3, or the first sheet 10 may be peeled off first and then the protective layer 100A may be peeled off from the back surface W3. The step of peeling the protective layer 100A from the back surface W3 may be referred to as a protective layer peeling step.
It is preferable that the spacing D1 between the plurality of semiconductor chips CP expanded in the expanding step is maintained even after the peeling step of the protective layer 100A.
　保護層１００Ａを裏面Ｗ３から剥離する際に、裏面Ｗ３への糊残りを抑制するという一つの観点から、保護層１００Ａは、第１エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。保護層１００Ａが第１エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、保護層１００Ａにエネルギー線を照射し、第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させると、保護層１００Ａの凝集力が高まり、保護層１００Ａと半導体チップＣＰの裏面Ｗ３との間の粘着力を低下又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第１エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。 From the viewpoint of suppressing adhesive residue on the back surface W3 when the protection layer 100A is peeled off from the back surface W3, it is preferable that the protection layer 100A contains a first energy ray curable resin. When the protective layer 100A contains the first energy ray-curable resin, the protective layer 100A is irradiated with energy rays to cure the first energy ray-curable resin. When the first energy ray curable resin is cured, the cohesive force of the protective layer 100A is increased, and the adhesive force between the protective layer 100A and the back surface W3 of the semiconductor chip CP can be reduced or eliminated. Examples of energy rays include ultraviolet rays (UV) and electron rays (EB), and ultraviolet rays are preferable. Therefore, the first energy ray curable resin is preferably an ultraviolet curable resin.
　第１シート１０を保護層１００Ａとまとめて裏面Ｗ３から剥離するという一つの観点から、第１シート１０が第１粘着剤層１２を備える場合、第１粘着剤層１２は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。保護層１００Ａが第１エネルギー線硬化性樹脂を含有し、かつ、第１粘着剤層１２が第２エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、第１基材１１側から第１粘着剤層１２及び保護層１００Ａにエネルギー線を照射し、第２エネルギー線硬化性樹脂及び第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第２エネルギー線硬化性樹脂を硬化させるためのエネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第２エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。第１基材１１は、エネルギー線の透過性を有することが好ましい。 From one viewpoint of separating the first sheet 10 together with the protective layer 100A from the back surface W3, when the first sheet 10 includes the first pressure-sensitive adhesive layer 12, the first pressure-sensitive adhesive layer 12 is cured by the second energy ray. It is preferable to contain a resin. When the protective layer 100A contains the first energy ray curable resin and the first pressure-sensitive adhesive layer 12 contains the second energy ray curable resin, the first adhesive is applied from the first base material 11 side. The agent layer 12 and the protective layer 100A are irradiated with energy rays to cure the second energy ray curable resin and the first energy ray curable resin. Examples of energy rays for curing the second energy ray curable resin include ultraviolet rays (UV) and electron rays (EB), and ultraviolet rays are preferable. Therefore, the second energy ray curable resin is preferably an ultraviolet curable resin. It is preferable that the first base material 11 be transparent to energy rays.
　なお、本実施形態とは異なる態様としては、保護層１００Ａを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３から剥離せずに、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための保護膜として用いてもよい。保護層１００Ａを裏面Ｗ３の保護膜として用いる場合は、保護層１００Ａは、硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。 As a mode different from the present embodiment, the protective layer 100A may be used as a protective film for protecting the back surface W3 of the semiconductor chip CP without peeling it from the back surface W3 of the semiconductor chip CP. When the protective layer 100A is used as the protective film for the back surface W3, the protective layer 100A preferably contains a curable pressure-sensitive adhesive composition.
［封止工程及びその他の工程］
　本実施形態においても、第１実施形態と同様、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。 [Sealing process and other processes]
In the present embodiment as well, similar to the first embodiment, the sealing step and other steps (rewiring layer forming step and external terminal electrode connecting step) may be performed.
（複合シート）
　本実施形態の一態様においては、複合シート１３０の保護層１００Ａが第３粘着剤層であり、第３シート３０が第３基材であることも好ましい。すなわち、複合シート１３０が、第３基材と第３粘着剤層とを有する粘着シートであって、第３基材と第３粘着剤層との間で剥離可能であることが好ましい。 (Composite sheet)
In one aspect of the present embodiment, it is also preferable that the protective layer 100A of the composite sheet 130 is the third pressure-sensitive adhesive layer and the third sheet 30 is the third base material. That is, it is preferable that the composite sheet 130 is a pressure-sensitive adhesive sheet having a third base material and a third pressure-sensitive adhesive layer, and is peelable between the third base material and the third pressure-sensitive adhesive layer.
・第３基材
　本実施形態に係る第３基材は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第３基材は、第３粘着剤層を支持する部材である。
　第３基材は、例えば、樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムからなる群から選択される少なくともいずれかのフィルムが用いられる。また、第３基材として、これらの架橋フィルムも用いられる。さらに、第３基材は、これらの積層フィルムであってもよい。 -Third substrate The constituent material of the third substrate according to the present embodiment is not particularly limited as long as it can properly function in a desired step. The third base material is a member that supports the third pressure-sensitive adhesive layer.
The third base material is, for example, a resin film. Examples of the resin film include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, Polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/(meth)acrylic acid copolymer film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, and At least one film selected from the group consisting of fluororesin films is used. Further, these crosslinked films are also used as the third base material. Further, the third base material may be a laminated film of these.
　また、第３基材は、例えば、硬質支持体であってもよい。硬質支持体の材質は、機械的強度、及び耐熱性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の材質は、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ、ＡＢＳ、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。 Also, the third base material may be, for example, a hard support. The material of the hard support may be appropriately determined in consideration of mechanical strength, heat resistance and the like. Examples of the material of the hard support include metal materials such as SUS; non-metal inorganic materials such as glass and silicon wafers; resin materials such as epoxy, ABS, acryl, engineering plastics, super engineering plastics, polyimide and polyamideimide; glass epoxy. Examples thereof include composite materials such as resins, and among these, SUS, glass, silicon wafers and the like are preferable. Examples of engineering plastics include nylon, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), and the like. Examples of super engineering plastics include polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), and polyether ether ketone (PEEK).
　第３基材の厚さは特に限定されない。第３基材の厚さは、好ましくは２０μｍ以上、５０ｍｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以上、２０ｍｍ以下である。第３基材の厚さを上記範囲とすることで、第３基材が樹脂フィルムである場合は、第３シート３０が十分な可撓性を有するため、加工対象物（ワーク）に対して良好な貼付性を示す。加工対象物としては、例えば、ウエハ又は半導体素子であり、より具体的な例としては、半導体ウエハ又は半導体チップ等である。第３基材が硬質支持体である場合、硬質支持体の厚さは、機械的強度、及び取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の厚さは、例えば、１００μｍ以上、５０ｍｍ以下である。 The thickness of the third base material is not particularly limited. The thickness of the third base material is preferably 20 μm or more and 50 mm or less, more preferably 60 μm or more and 20 mm or less. By setting the thickness of the third base material within the above range, when the third base material is a resin film, the third sheet 30 has sufficient flexibility, so that the third base material 30 has sufficient flexibility with respect to the workpiece (work). Shows good stickability. The processing target is, for example, a wafer or a semiconductor element, and more specifically, a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or the like. When the third base material is a hard support, the thickness of the hard support may be appropriately determined in consideration of mechanical strength, handleability, and the like. The thickness of the hard support is, for example, 100 μm or more and 50 mm or less.
・第３粘着剤層
　第３粘着剤層は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
　第３粘着剤層の一態様においては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。 -Third adhesive layer The constituent material of the third adhesive layer is not particularly limited as long as it can properly function in a desired step.
In one mode of the third pressure-sensitive adhesive layer, for example, at least one pressure-sensitive adhesive selected from the group consisting of acrylic pressure-sensitive adhesive, urethane pressure-sensitive adhesive, polyester pressure-sensitive adhesive, rubber pressure-sensitive adhesive and silicone pressure-sensitive adhesive. It is preferable to be composed, and more preferable to be composed of an acrylic adhesive.
　第３粘着剤層の一態様においては、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。第３粘着剤層は、紫外線硬化型粘着剤、及び熱硬化型粘着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。第３基材が、耐熱性を備えている場合は、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できることから、粘着剤層は、熱硬化型粘着剤を含有する熱硬化性の粘着剤層であることが好ましい。 In one aspect of the third pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to contain a curable pressure-sensitive adhesive composition that is cured by receiving energy from the outside. Examples of energy supplied from the outside include ultraviolet rays, electron beams, and heat. The third pressure-sensitive adhesive layer preferably contains at least one of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive and a thermosetting pressure-sensitive adhesive. When the third base material has heat resistance, the pressure-sensitive adhesive layer is a thermosetting pressure-sensitive adhesive layer containing a thermosetting pressure-sensitive adhesive because the residual stress at the time of heat curing can be suppressed. It is preferable.
　第３粘着剤層は、例えば、第一の接着剤組成物を含有する。第一の接着剤組成物は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）を含有する。 The third adhesive layer contains, for example, the first adhesive composition. The first adhesive composition contains a binder polymer component (A) and a curable component (B).
（Ａ）バインダーポリマー成分
　第３粘着剤層に十分な粘着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。 (A) Binder polymer component The binder polymer component (A) is used to impart sufficient tackiness and film-forming property (sheet forming property) to the third pressure-sensitive adhesive layer. As the binder polymer component (A), a conventionally known acrylic polymer, polyester resin, urethane resin, acrylic urethane resin, silicone resin, rubber-based polymer or the like can be used.
　バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１２０万以下であることがより好ましい。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ；ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。 The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer component (A) is preferably 10,000 or more and 2 million or less, more preferably 100,000 or more and 1.2 million or less. In the present specification, the weight average molecular weight (Mw) is a standard polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
　バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは－６０℃以上、５０℃以下、より好ましくは－５０℃以上、４０℃以下、さらに好ましくは－４０℃以上、３０℃以下の範囲にある。 An acrylic polymer is preferably used as the binder polymer component (A). The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer is preferably −60° C. or higher and 50° C. or lower, more preferably −50° C. or higher and 40° C. or lower, and further preferably −40° C. or higher and 30° C. or lower.
　上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくとも１種が共重合されていてもよい。 The (meth)acrylic acid ester monomer or its derivative may be used as the monomer constituting the acrylic polymer. For example, an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 18 carbon atoms, specifically, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl. (Meth)acrylate etc. are mentioned. Further, a (meth)acrylate having a cyclic skeleton, specifically, cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, Examples thereof include dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate and imide (meth)acrylate. Further, examples of the monomer having a functional group include hydroxymethyl(meth)acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl(meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl(meth)acrylate; and glycidyl(meth) having an epoxy group. An acrylate etc. are mentioned. The acrylic polymer is preferably an acrylic polymer containing a monomer having a hydroxyl group because it has good compatibility with the curable component (B) described below. The acrylic polymer may be copolymerized with at least one selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
　さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の第３粘着剤層の膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００以上、１０万以下の樹脂が好ましく、３０００以上、８万以下の樹脂がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは－３０℃以上、１２０℃以下、さらに好ましくは－２０℃以上、１２０℃以下であることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、又はポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Further, as the binder polymer component (A), a thermoplastic resin for maintaining the flexibility of the film of the third pressure-sensitive adhesive layer after curing may be blended. As such a thermoplastic resin, a resin having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 100,000 or less is preferable, and a resin of 3000 or more and 80,000 or less is more preferable. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably −30° C. or higher and 120° C. or lower, more preferably −20° C. or higher and 120° C. or lower. Examples of the thermoplastic resin include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.
（Ｂ）硬化性成分
　硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分のうち少なくともいずれかの成分が用いられる。硬化性成分（Ｂ）として熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分を用いてもよい。 (B) Curable Component As the curable component (B), at least one of a thermosetting component and an energy ray-curable component is used. A thermosetting component and an energy ray-curable component may be used as the curable component (B).
　熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂及び熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が好ましい。 A thermosetting resin and a thermosetting agent are used as the thermosetting component. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin is preferable.
　エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。 A conventionally known epoxy resin can be used as the epoxy resin. Specific examples of the epoxy resin include polyfunctional epoxy resins, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin. Examples thereof include resins, bisphenol F type epoxy resins, phenylene skeleton type epoxy resins and the like, and epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule. These may be used alone or in combination of two or more.
　第３粘着剤層には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１質量部以上、１０００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部以上であれば、十分な粘着性が得られないという不具合を抑制できる。熱硬化樹脂の含有量が１０００質量部以下であれば、第３粘着剤層と第３基材との剥離力が高くなりすぎることを防止できる。当該剥離力が高くなりすぎることを防止すれば、第３粘着剤層の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に対する転写不良を防止できる。 The third pressure-sensitive adhesive layer contains a thermosetting resin in an amount of preferably 1 part by mass or more and 1000 parts by mass or less, and more preferably 10 parts by mass or more and 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder polymer component (A). Parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less. When the content of the thermosetting resin is 1 part by mass or more, it is possible to suppress the problem that sufficient tackiness cannot be obtained. When the content of the thermosetting resin is 1000 parts by mass or less, it is possible to prevent the peeling force between the third pressure-sensitive adhesive layer and the third base material from becoming too high. By preventing the peeling force from becoming too high, it is possible to prevent the transfer failure of the third adhesive layer to the back surface W3 of the semiconductor chip CP.
　熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、エポキシ基と反応し得る官能基を１分子中に２個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ基と反応し得る官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、及び酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、及び酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、及びアミノ基が挙げられる。 The thermosetting agent functions as a curing agent for thermosetting resins, especially epoxy resins. Preferred thermosetting agents include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group capable of reacting with the epoxy group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an acid anhydride group. Of these, a phenolic hydroxyl group, an amino group, and an acid anhydride group are preferable, and a phenolic hydroxyl group and an amino group are more preferable.
　フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これら熱硬化剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Specific examples of phenolic curing agents include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac type phenolic resins, dicyclopentadiene type phenolic resins, zilock type phenolic resins, and aralkylphenolic resins. A specific example of the amine-based curing agent is DICY (dicyandiamide). These thermosetting agents may be used alone or in combination of two or more.
　熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上、５００質量部以下であることが好ましく、１質量部以上、２００質量部以下であることがより好ましい。 The content of the thermosetting agent is preferably 0.1 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, and more preferably 1 part by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the thermosetting resin. ..
　第３粘着剤層が、硬化性成分（Ｂ）として、熱硬化性成分を含有する場合、第３粘着剤層は熱硬化性を有する。この場合、第３粘着剤層を加熱により硬化することが可能となるが、本実施形態の第１シート１０において、第３基材が耐熱性を有している場合には、第３粘着剤層の熱硬化の際に、基材に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。 When the third adhesive layer contains a thermosetting component as the curable component (B), the third adhesive layer has thermosetting properties. In this case, the third pressure-sensitive adhesive layer can be cured by heating. However, in the first sheet 10 of the present embodiment, when the third base material has heat resistance, the third pressure-sensitive adhesive is used. When the layer is heat-cured, residual stress is unlikely to occur in the base material and cause a problem.
　エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、あるいは１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート及びイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００以上、３００００以下、好ましくは３００以上、１００００以下である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下であり、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下であり、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下である。 As the energy ray-curable component, a low molecular weight compound (energy ray-polymerizable compound) containing an energy ray-polymerizable group and capable of polymerizing and curing when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron rays can be used. Specific examples of the energy ray-curable component include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and 1,4-butylene. Acrylate compounds such as glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer may be mentioned. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a weight average molecular weight of 100 or more and 30,000 or less, preferably 300 or more and 10,000 or less. The amount of the energy ray-polymerizable compound is preferably 1 part by mass or more and 1500 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or more and 500 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the binder polymer component (A). And more preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less.
　また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分（Ａ）の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分（Ａ）としての機能と、硬化性成分（Ｂ）としての機能を兼ね備える。 As the energy ray-curable component, an energy ray-curable polymer having an energy ray-polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the binder polymer component (A) may be used. Such an energy ray-curable polymer has both the function as the binder polymer component (A) and the function as the curable component (B).
　エネルギー線硬化型重合体の主骨格は、特に限定はされず、バインダーポリマー成分（Ａ）として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが好ましい。 The main skeleton of the energy ray-curable polymer is not particularly limited, and may be an acrylic polymer that is commonly used as the binder polymer component (A), or may be polyester, polyether, or the like. In addition, it is preferable to use an acrylic polymer as the main skeleton because it is easy to control the physical properties.
　エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、例えば、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。 The energy ray-polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy ray-curable polymer is, for example, a group containing an energy ray-polymerizable carbon-carbon double bond, and specifically, a (meth)acryloyl group. Etc. can be illustrated. The energy ray-polymerizable group may be bonded to the energy ray-curable polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group or a polyalkyleneoxy group.
　エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１５０万以下であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０℃以上、５０℃以下であることが好ましく、－５０℃以上、４０℃以下であることがより好ましく、－４０℃以上、３０℃以下であることがさらに好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable polymer to which the energy ray-polymerizable group is bonded is preferably 10,000 or more and 2 million or less, more preferably 100,000 or more and 1.5 million or less. .. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray-curable polymer is preferably −60° C. or higher and 50° C. or lower, more preferably −50° C. or higher and 40° C. or lower, and −40° C. or higher. , 30° C. or lower is more preferable.
　エネルギー線硬化型重合体は、例えば、官能基を含有するアクリルポリマーと、重合性基含有化合物とを反応させて得られる。この官能基を含有するアクリルポリマーが有する官能基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等が挙げられる。この重合性基含有化合物は、アクリルポリマーが有する当該置換基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素－炭素二重結合を１分子毎に１～５個有する重合性基含有化合物である。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、及びカルボキシル基等が挙げられる。 The energy ray-curable polymer is obtained, for example, by reacting a functional group-containing acrylic polymer with a polymerizable group-containing compound. Examples of the functional group contained in the acrylic polymer containing this functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group. The polymerizable group-containing compound is a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 energy-ray polymerizable carbon-carbon double bonds and a substituent that reacts with the substituent of the acrylic polymer. Examples of the substituent that reacts with the functional group include an isocyanate group, a glycidyl group, and a carboxyl group.
　重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリル酸等が挙げられる。 Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and (meth)acrylic acid. Etc.
　アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。 The acrylic polymer is a (meth)acrylic monomer having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, or a derivative thereof, and another (meth)acrylic acid ester copolymerizable therewith. It is preferably a copolymer composed of a monomer or a derivative thereof.
　ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基を有する２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート；カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸；エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。 Examples of the (meth)acrylic monomer having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, an epoxy group or a derivative thereof include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate having a hydroxyl group and 2-hydroxy. Propyl (meth)acrylate; acrylic acid having a carboxyl group, methacrylic acid, itaconic acid; glycidyl methacrylate having an epoxy group, glycidyl acrylate and the like.
　上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、環状骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、及びイミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかが共重合されていてもよい。 Examples of other (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof that can be copolymerized with the (meth)acrylic monomer include alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. Examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate.
Examples of other (meth)acrylic acid ester monomers copolymerizable with the (meth)acrylic monomer or derivatives thereof include (meth)acrylate having a cyclic skeleton, and specifically, cyclohexyl (meth)acrylate. , Benzyl (meth)acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, and imide acrylate. In addition, at least one selected from the group consisting of vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene may be copolymerized with the acrylic polymer.
　エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分（Ａ）を併用してもよい。本実施形態における第３粘着剤層中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体及びバインダーポリマー成分（Ａ）の質量の合計１００質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。 Even when the energy ray-curable polymer is used, the above-mentioned energy ray-polymerizable compound may be used in combination, and the binder polymer component (A) may be used in combination. The relationship of the blending amounts of these three components in the third pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment is that the total amount of the energy ray-curable polymer and the binder polymer component (A) is 100 parts by mass with respect to the energy ray-polymerizable compound. Is preferably contained in an amount of 1 part by mass or more and 1500 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, and further preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less.
　第３粘着剤層にエネルギー線硬化性を付与することで、第３粘着剤層を簡便かつ短時間で硬化でき、硬化粘着剤層付チップの生産効率が向上する。硬化粘着剤層は、半導体素子を保護するための保護膜としても機能し得る。従来、チップ等の半導体素子用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の粘着剤層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与し得る。 By imparting energy ray curability to the third pressure-sensitive adhesive layer, the third pressure-sensitive adhesive layer can be easily and quickly cured, and the production efficiency of chips with a cured pressure-sensitive adhesive layer is improved. The cured adhesive layer can also function as a protective film for protecting the semiconductor element. Conventionally, a protective film for a semiconductor element such as a chip is generally formed of a thermosetting resin such as an epoxy resin, but the thermosetting resin has a curing temperature of over 200° C. and a curing time of about 2 hours. This has been an obstacle to improving production efficiency. However, since the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer is cured in a short time by irradiation with energy rays, a protective film can be easily formed, which can contribute to improvement in production efficiency.
・その他の成分
　第３粘着剤層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。 -Other components The 3rd adhesive layer can contain the following components in addition to the said binder polymer component (A) and curable component (B).
（ＣＸ）着色剤
　第３粘着剤層は、一態様において、着色剤（ＣＸ）を含有する。第３粘着剤層に着色剤を配合することで、第３粘着剤層を硬化させて半導体チップＣＰの保護膜とする場合に、半導体装置を機器に組み込んだ際に、保護膜は、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それら赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、着色剤（ＣＸ）を含有する第３粘着剤層を硬化して得た硬化粘着剤層（保護膜）に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜が形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザ光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。保護膜が着色剤（ＣＸ）を含有することで、保護膜のレーザ光により削り取られた部分と、削り取られていない部分とののコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（ＣＸ）としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料の少なくともいずれかが用いられる。着色剤（ＣＸ）としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、着色剤（ＣＸ）としては、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（ＣＸ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態における第３粘着剤層の高い硬化性は、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有する着色剤であれば特に限定されない。 (CX) Colorant In one aspect, the third pressure-sensitive adhesive layer contains a colorant (CX). When the third adhesive layer is hardened to form a protective film for the semiconductor chip CP by blending a colorant in the third adhesive layer, when the semiconductor device is incorporated into a device, the protective film is It is possible to shield infrared rays and the like generated from the device and prevent malfunction of the semiconductor device due to the infrared rays and the like. Further, the visibility of characters when a product number or the like is printed on the cured adhesive layer (protective film) obtained by curing the third adhesive layer containing the colorant (CX) is improved. That is, in a semiconductor device or a semiconductor chip on which a protective film is formed, the product number or the like is usually printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method in which the surface of the protective film is scraped off by laser light for printing). By containing the colorant (CX) in the protective film, a sufficient contrast difference between the part of the protective film that is cut off by the laser beam and the part that is not cut off is obtained, and the visibility is improved. At least one of an organic pigment, an inorganic pigment, an organic dye, and an inorganic dye is used as the colorant (CX). As the colorant (CX), a black pigment is preferable from the viewpoint of shielding electromagnetic waves and infrared rays. Examples of the black pigment include, but are not limited to, carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, and activated carbon. From the viewpoint of enhancing the reliability of the semiconductor device, carbon black is particularly preferable as the colorant (CX). As the colorant (CX), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. The high curability of the third pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment is particularly preferable when a ultraviolet ray transmissivity is reduced by using a coloring agent that reduces the transmissivity of both visible light and/or infrared ray and ultraviolet ray. To be demonstrated. As the coloring agent that reduces the transmittance of both visible light and/or infrared rays and ultraviolet rays, in addition to the above black pigment, absorbability or reflection in both visible and infrared wavelengths and ultraviolet rays There is no particular limitation as long as it is a colorant having properties.
　着色剤（ＣＸ）の配合量は、第３粘着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、３５質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上、２５質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上、１５質量部以下である。 The amount of the colorant (CX) to be blended is preferably 0.1 parts by mass or more and 35 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solids constituting the third pressure-sensitive adhesive layer. As described above, the amount is 25 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 15 parts by mass or less.
（Ｄ）硬化促進剤
　硬化促進剤（Ｄ）は、第３粘着剤層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。 (D) Curing accelerator The curing accelerator (D) is used for adjusting the curing speed of the third pressure-sensitive adhesive layer. The curing accelerator (D) is particularly preferably used when the epoxy resin and the thermosetting agent are used together in the curable component (B).
　好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これら硬化促進剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; Examples thereof include tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. These curing accelerators can be used alone or in combination of two or more.
　硬化促進剤（Ｄ）は、硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上、１０質量部以下、さらに好ましくは０．１質量部以上、１質量部以下の量で含まれる。 The curing accelerator (D) is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 1 part by mass or less, relative to 100 parts by mass of the curable component (B). Included in quantity.
（ＥＸ）カップリング剤
　カップリング剤（ＥＸ）は、第３粘着剤層の半導体素子に対する粘着性、密着性及び硬化粘着剤層（保護膜）の凝集性の少なくともいずれかを向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（ＥＸ）を使用することで、第３粘着剤層を硬化して得られる硬化粘着剤層（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。 (EX) Coupling Agent The coupling agent (EX) is used to improve at least one of the adhesiveness, the adhesiveness, and the cohesiveness of the cured adhesive layer (protective film) of the third adhesive layer to the semiconductor element. May be. In addition, by using the coupling agent (EX), the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the cured pressure-sensitive adhesive layer (protective film) obtained by curing the third pressure-sensitive adhesive layer. ..
　カップリング剤（ＥＸ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（ＥＸ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらカップリング剤（ＥＸ）は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 As the coupling agent (EX), a compound having a group that reacts with a functional group contained in the binder polymer component (A), the curable component (B), etc. is preferably used. A silane coupling agent is desirable as the coupling agent (EX). Examples of such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-(methacryloxypropyl ) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxy Examples thereof include silane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. These coupling agents (EX) can be used alone or in combination of two or more.
　カップリング剤（ＥＸ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上、２０質量部以下含まれ、好ましくは０．２質量部以上、１０質量部以下含まれ、より好ましくは０．３質量部以上、５質量部以下の割合で含まれる。 The coupling agent (EX) is usually contained in an amount of 0.1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, preferably 0.1 part by mass, relative to 100 parts by mass of the total of the binder polymer component (A) and the curable component (B). It is contained in an amount of 2 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.3 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
（Ｆ）無機充填材
　無機充填材（Ｆ）を第３粘着剤層に配合することにより、硬化後の硬化粘着剤層（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となる。 (F) Inorganic filler By blending the inorganic filler (F) in the third pressure-sensitive adhesive layer, it becomes possible to adjust the thermal expansion coefficient of the cured pressure-sensitive adhesive layer (protective film) after curing.
　好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維並びにガラス繊維等が挙げられる。これら無機充填材のなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、接着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常、１質量部以上、８０質量部以下の範囲で調整が可能である。 Preferred inorganic fillers include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like, spherical beads of these, single crystal fibers and glass fibers. Among these inorganic fillers, silica filler and alumina filler are preferable. The said inorganic filler (F) can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. The content of the inorganic filler (F) can be usually adjusted in the range of 1 part by mass or more and 80 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total solid content constituting the adhesive layer.
（Ｇ）光重合開始剤
　第３粘着剤層が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、第３粘着剤層を構成する組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間を短くすることができ、さらに、光線照射量を少なくすることができる。 (G) Photopolymerization Initiator When the third pressure-sensitive adhesive layer contains an energy ray-curable component as the above-mentioned curable component (B), when it is used, energy rays such as ultraviolet rays are irradiated to generate energy. Cure the line curable component. At this time, by including the photopolymerization initiator (G) in the composition forming the third pressure-sensitive adhesive layer, the polymerization and curing time can be shortened, and further, the light irradiation amount can be reduced.
　このような光重合開始剤（Ｇ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２－ジフェニルメタン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びβ－クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｇ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of such a photopolymerization initiator (G) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal. , 2,4-diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy- Examples thereof include 2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and β-chloranthraquinone. The photopolymerization initiator (G) can be used alone or in combination of two or more.
　光重合開始剤（Ｇ）の配合割合は、エネルギー線硬化性成分１００質量部に対して０．１質量部以上、１０質量部以下含まれることが好ましく、１質量部以上、５質量部以下含まれることがより好ましい。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が０．１質量部以上であれば、光重合の不足で満足な転写性が得られないという不具合を防止できる。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が１０質量部以下であれば、光重合に寄与しない残留物が生成して第３粘着剤層の硬化性が不十分となるという不具合を防止できる。 The mixing ratio of the photopolymerization initiator (G) is preferably 0.1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, and preferably 1 part by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable component. More preferably. When the blending ratio of the photopolymerization initiator (G) is 0.1 part by mass or more, it is possible to prevent the problem that satisfactory transferability cannot be obtained due to insufficient photopolymerization. When the mixing ratio of the photopolymerization initiator (G) is 10 parts by mass or less, it is possible to prevent a problem that a residue that does not contribute to photopolymerization is generated and the curability of the third pressure-sensitive adhesive layer becomes insufficient.
（Ｈ）架橋剤
　第３粘着剤層の初期粘着力及び凝集力を調節するために、第３粘着剤層に架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられる。 (H) Crosslinking Agent A crosslinking agent may be added to the third pressure-sensitive adhesive layer in order to adjust the initial adhesive force and cohesive force of the third pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the cross-linking agent (H) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.
　上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物及びこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、並びにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。 As the organic polyvalent isocyanate compound, aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds and trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds Examples thereof include a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a carboxylic acid with a polyol compound.
　有機多価イソシアネート化合物としては、例えば２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネート及びリジンイソシアネートが挙げられる。 Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane. -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate and lysine Isocyanate may be mentioned.
　上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート及びＮ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。 Examples of the organic polyimine compound include N,N′-diphenylmethane-4,4′-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, and tetramethylolmethane-tri Examples include -β-aziridinyl propionate and N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine.
　架橋剤（Ｈ）はバインダーポリマー成分（Ａ）及びエネルギー線硬化型重合体の合計量１００質量部に対して、通常、０．０１質量部以上、２０質量部以下の比率で用いられ、好ましくは０．１質量部以上、１０質量部以下の比率で用いられ、より好ましくは０．５質量部以上、５質量部以下の比率で用いられる。 The crosslinking agent (H) is usually used in a ratio of 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass with respect to the total amount of the binder polymer component (A) and the energy ray-curable polymer. It is used in a ratio of 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
（Ｉ）汎用添加剤
　第３粘着剤層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、及び連鎖移動剤などが挙げられる。 (I) General-purpose Additives In addition to the above, various additives may be added to the third pressure-sensitive adhesive layer, if necessary. Examples of various additives include leveling agents, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, ion scavengers, gettering agents, and chain transfer agents.
　上記のような各成分からなる第３粘着剤層は、粘着性と硬化性とを有し、未硬化状態では加工対象物（半導体ウエハ又はチップ等）を押圧することで容易に接着する。なお、第３粘着剤層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。 The third adhesive layer composed of each component as described above has adhesiveness and curability, and in the uncured state, it easily adheres by pressing the object to be processed (semiconductor wafer, chip, etc.). The third pressure-sensitive adhesive layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure as long as it includes at least one layer containing the above components.
　第３粘着剤層の厚さは、特に限定されない。第３粘着剤層の厚さは、好ましくは３μｍ以上、３００μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以上、２５０μｍ以下であり、さらに好ましくは７μｍ以上、２００μｍ以下である。 The thickness of the third adhesive layer is not particularly limited. The thickness of the third pressure-sensitive adhesive layer is preferably 3 μm or more and 300 μm or less, more preferably 5 μm or more and 250 μm or less, and further preferably 7 μm or more and 200 μm or less.
　以上が第３粘着剤層に関する説明である。 The above is the explanation regarding the third adhesive layer.
・剥離シート
　複合シート１３０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、複合シート１３０の第３粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、第３粘着剤層の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第３粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に複合シート１３０に貼付されており、複合シート１３０が使用される前には、複合シート１３０から剥離されて取り除かれる。 -Release Sheet A release sheet may be attached to the surface of the composite sheet 130. The release sheet is specifically attached to the surface of the third pressure-sensitive adhesive layer of the composite sheet 130. The release sheet protects the third adhesive layer during transportation and storage by being attached to the surface of the third adhesive layer. The release sheet is releasably attached to the composite sheet 130, and is peeled off and removed from the composite sheet 130 before the composite sheet 130 is used.
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。 As the release sheet, a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used. Specifically, for example, a release sheet including a release sheet base material and a release agent layer formed by applying a release agent on the surface of the base material can be mentioned.
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
　剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。 A resin film is preferable as the base material for the release sheet. Examples of the resin forming the resin film as the release sheet substrate include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin and polyethylene naphthalate resin, and polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin. To be
Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
　剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 150 μm or less.
［本実施形態に係る効果］
　本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ａが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している第１粘着剤層１２は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
　また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、複合シート１３０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では保護層１００Ａ）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り替える工程を実施しなくても、保護層１００Ａと第３シート３０との間で剥離すれば、裏面Ｗ３を保護するための層を形成できる。
　さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
　したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
　さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。 [Effects of this embodiment]
According to the expanding method according to the present embodiment, when the first sheet 10 is stretched, the back surface W3 of the semiconductor chip CP is not in contact with the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first sheet 10. In each of the semiconductor chips CP, the protective layer 100A separated into individual pieces in the dicing process is interposed between the back surface W3 and the first pressure-sensitive adhesive layer 12, and thus the back surface W3 is obtained even when the first sheet 10 is expanded. The first pressure-sensitive adhesive layer 12 in contact with is not stretched. As a result, according to the expanding method of the present embodiment, it is possible to suppress adhesive residue.
In the present embodiment, the semiconductor wafer W is not supported by the dicing sheet but is supported by the composite sheet 130 during the dicing process. Therefore, in order to form a layer (protective layer 100A in this embodiment) for protecting the back surface W3 of the semiconductor chip CP after dicing, a step of replacing the adhesive sheet used in the dicing step with another adhesive sheet is performed. Even if it is not performed, a layer for protecting the back surface W3 can be formed by peeling between the protective layer 100A and the third sheet 30.
Furthermore, before performing the expanding step, the adhesive sheet used when performing the dicing step is replaced with an adhesive sheet for the expanding step, so that the dicing blade does not reach the base material of the dicing sheet in the dicing step. Moreover, it is not necessary to carefully control the depth of cut.
Therefore, according to the expanding method of the present embodiment, the tape structure and process can be simplified and the adhesive residue can be suppressed as compared with the conventional method.
Furthermore, a method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment can be provided.
〔第３実施形態〕
　次に、本発明の第３実施形態について説明する。
　第１実施形態と第３実施形態とは主に次の点で相違する。
　第１実施形態においては加工対象物（半導体ウエハＷ）の第１加工対象物面（回路面Ｗ１）に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、エキスパンド工程の前にダイシングシート（第２粘着シート２０）から、エキスパンドシート（第１シート）へ貼り替えた。これに対し、第３実施形態においては、保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物（半導体ウエハＷ）の第２加工対象物面（裏面Ｗ３）を貼着することにより、加工対象物に保護層が設けられ、ダイシング工程の後、第１シートを別のシートに貼り替えずにエキスパンド工程を実施する。
　以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
The first embodiment and the third embodiment mainly differ in the following points.
In the first embodiment, the protective layer is provided on the first object surface (circuit surface W1) of the object (semiconductor wafer W), and the dicing sheet (second adhesive sheet) is provided after the dicing step and before the expanding step. From 20), it was replaced with an expanded sheet (first sheet). On the other hand, in the third embodiment, the second object surface (back surface W3) of the object (semiconductor wafer W) is attached to the protective layer of the composite sheet including the protective layer and the first sheet. Thus, the protective layer is provided on the object to be processed, and after the dicing step, the expanding step is performed without replacing the first sheet with another sheet.
In the following description, the part related to the difference from the first embodiment will be mainly described, and the overlapping description will be omitted or simplified. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.
　本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（ＰＹ１）～（ＰＹ３）の工程を備える。
（ＰＹ１）保護層と第１シートとを有する複合シートの当該保護層に加工対象物を貼着する工程。保護層は、加工対象物と略同形状である。
（ＰＹ２）加工対象物の第１加工対象物面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも保護層を切断して複数の半導体装置に個片化する工程。第１加工対象物面が半導体装置の回路面になり、第２加工対象物面が半導体装置の裏面となる。
（ＰＹ３）第１シートを伸張させて、複数の半導体装置の間隔を拡げる工程。 The expanding method according to this embodiment includes the following steps (PY1) to (PY3).
(PY1) A step of sticking an object to be processed to the protective layer of the composite sheet having the protective layer and the first sheet. The protective layer has substantially the same shape as the object to be processed.
(PY2) A step of making a notch from the first object surface side of the object to be processed, cutting the wafer, and further cutting at least the protective layer into individual semiconductor devices. The first object surface becomes the circuit surface of the semiconductor device, and the second object surface becomes the back surface of the semiconductor device.
(PY3) A step of stretching the first sheet to widen the intervals between the plurality of semiconductor devices.
　図８（図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃ）及び図９は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。 8 (FIG. 8A, FIG. 8B and FIG. 8C) and FIG. 9 are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment.
（複合シート）
　図８Ａには、本実施形態で用いる複合シート１４０の断面概略図が示されている。
　複合シート１４０は、保護層１００Ｂと第１シート１０とを有する。複合シート１４０は、半導体ウエハＷをダイシングする際に半導体ウエハＷを保持し、エキスパンド工程を実施する際に半導体チップＣＰを保持する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。
　裏面Ｗ３に貼着する第１シート１０及び保護層１００Ｂは、予め、積層された積層型の複合シート１４０であることが好ましい。 (Composite sheet)
FIG. 8A shows a schematic cross-sectional view of the composite sheet 140 used in this embodiment.
The composite sheet 140 includes the protective layer 100B and the first sheet 10. The composite sheet 140 holds the semiconductor wafer W when dicing the semiconductor wafer W, and holds the semiconductor chip CP when performing the expanding step. The semiconductor wafer W is attached so that the back surface W3 faces the protective layer 100B of the composite sheet 140.
It is preferable that the first sheet 10 and the protective layer 100B that are attached to the back surface W3 are laminated type composite sheets 140 that are laminated in advance.
（保護層）
　複合シート１４０における保護層１００Ｂは、第１シート１０の上に積層されている。保護層１００Ｂは、加工対象物としての半導体ウエハＷ及び半導体装置としての半導体チップＣＰの裏面Ｗ３（半導体装置の裏面）に貼着して、裏面Ｗ３を保護できれば、特に限定されない。 (Protective layer)
The protective layer 100B in the composite sheet 140 is laminated on the first sheet 10. The protective layer 100B is not particularly limited as long as it can be attached to the back surface W3 (back surface of the semiconductor device) of the semiconductor wafer W as the processing target and the semiconductor chip CP as the semiconductor device to protect the back surface W3.
　本実施形態においては、保護層１００Ｂは、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３と略同形状である。保護層１００Ｂの形状は、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３を覆うことができる形状であることが好ましい。そのため、保護層１００Ｂは、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３とほぼ同じか、裏面Ｗ３よりも少し大きく形成されていることが好ましい。
　また、保護層１００Ｂは、シートの面方向において、第１シート１０よりも小さく形成されていることが好ましい。第１シート１０の第１粘着剤層１２のうち保護層１００Ｂが積層されていない部分には、リングフレーム等の治具を貼付できる。
　本実施形態に係る保護層１００Ｂは、単層からなる。なお、保護層１００Ｂは、複数の層が積層されてなるシートでもよい。光線透過率の制御の容易性および製造コストの観点においては、保護層１００Ｂは、単層からなることが好ましい。
　保護層１００Ｂの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。保護層１００Ｂの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
　保護層１００Ｂとしては、例えば、保護膜、及び保護シートが挙げられる。保護層１００Ｂとしては、例えば、第１実施形態において説明した保護層１００と同様の保護層でもよい。また、保護層１００Ｂの別の好ましい態様について後述する。 In the present embodiment, the protective layer 100B has substantially the same shape as the back surface W3 of the semiconductor wafer W. The protective layer 100B preferably has a shape that can cover the back surface W3 of the semiconductor wafer W. Therefore, the protective layer 100B is preferably formed to be substantially the same as the back surface W3 of the semiconductor wafer W or slightly larger than the back surface W3.
Further, the protective layer 100B is preferably formed smaller than the first sheet 10 in the sheet surface direction. A jig such as a ring frame can be attached to a portion of the first adhesive layer 12 of the first sheet 10 where the protective layer 100B is not laminated.
The protective layer 100B according to this embodiment is composed of a single layer. The protective layer 100B may be a sheet formed by laminating a plurality of layers. From the viewpoint of easy control of light transmittance and manufacturing cost, the protective layer 100B is preferably a single layer.
The thickness of the protective layer 100B is preferably 1 μm or more, more preferably 5 μm or more. The thickness of the protective layer 100B is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less.
Examples of the protective layer 100B include a protective film and a protective sheet. The protective layer 100B may be the same protective layer as the protective layer 100 described in the first embodiment, for example. Further, another preferable aspect of the protective layer 100B will be described later.
（第１シート）
　複合シート１４０における第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持する部材である。第１シート１０は、保護層１００Ｂを支持できれば、その構成材料は特に限定されない。
　複合シート１４０における第１シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する。第１シート１０は、第１実施形態の第１シート１０と同様である。
　本実施形態においては、第１シート１０が保護層１００Ｂから剥離可能な材質等で構成されている場合、保護層１００Ｂを半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に残したまま第１シート１０を剥離することもできる。 (First sheet)
The first sheet 10 in the composite sheet 140 is a member that supports the protective layer 100B. The constituent material of the first sheet 10 is not particularly limited as long as it can support the protective layer 100B.
The first sheet 10 in the composite sheet 140 includes the first pressure-sensitive adhesive layer 12 and the first base material 11. The first sheet 10 is similar to the first sheet 10 of the first embodiment.
In the present embodiment, when the first sheet 10 is made of a material or the like that can be peeled from the protective layer 100B, the first sheet 10 may be peeled while leaving the protective layer 100B on the back surface W3 of the semiconductor chip CP. it can.
［複合シートの貼着工程］
　図８Ｂは、工程（ＰＹ１）を説明するための図である。図８Ｂには、第１シート１０及び保護層１００Ｂを有する複合シート１４０が貼着された半導体ウエハＷが記載されている。本実施形態における半導体ウエハＷも、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。この工程（ＰＹ１）を複合シートの貼着工程と称する場合がある。
　後述するように、工程（ＰＹ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に複合シート１４０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を複合シート１４０の保護層１００Ｂに向けて貼着される。保護層１００Ｂは、裏面Ｗ３と略同形状に形成されているため、裏面Ｗ３を覆うことができる。本実施形態では、半導体ウエハＷと第１シート１０との間に保護層１００Ｂが挟持されている。 [Composite sheet attachment process]
FIG. 8B is a diagram for explaining the step (PY1). FIG. 8B shows the semiconductor wafer W to which the composite sheet 140 having the first sheet 10 and the protective layer 100B is attached. The semiconductor wafer W in this embodiment is also preferably a wafer obtained by undergoing a back grinding process. This step (PY1) may be referred to as a composite sheet attaching step.
As will be described later, in the step (PY2), the semiconductor wafer W is diced into individual semiconductor chips CP. In the present embodiment, when the semiconductor wafer W is diced, the composite sheet 140 is attached to the back surface W3 in order to hold the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W is attached so that the back surface W3 faces the protective layer 100B of the composite sheet 140. Since the protective layer 100B is formed in substantially the same shape as the back surface W3, the back surface W3 can be covered. In the present embodiment, the protective layer 100B is sandwiched between the semiconductor wafer W and the first sheet 10.
　本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に保護層１００Ｂとは別の保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。 In this embodiment, an aspect in which the process is advanced with the circuit surface W1 exposed will be described as an example, but as an example of another aspect, for example, a protective sheet different from the protective layer 100B on the circuit surface W1 or An example is a mode in which the process is advanced with a protective member such as a protective film attached.
　なお、裏面Ｗ３に第１シート１０及び保護層１００Ｂを貼着する工程は、積層型の複合シート１４０を用いる態様に限定されず、例えば、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３に保護層１００Ｂを貼着した後に、第１シート１０を保護層１００Ｂに貼り合わせる態様でもよい。 The step of attaching the first sheet 10 and the protective layer 100B to the back surface W3 is not limited to the mode using the laminated composite sheet 140, and for example, the protective layer 100B is attached to the back surface W3 of the semiconductor wafer W. A mode in which the first sheet 10 is later attached to the protective layer 100B may be used.
［ダイシング工程］
　図８Ｃは、工程（ＰＹ２）を説明するための図である。工程（ＰＹ２）をダイシング工程と称する場合がある。図８Ｃには、第１シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
　裏面Ｗ３に第１シート１０及び保護層１００Ｂが貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。
　本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに保護層１００Ｂを切断し、さらに第１粘着剤層１２まで切込みを到達させる。このダイシングによって、保護層１００Ｂも半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。
　ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂを個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第１基材１１まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び保護層１００Ｂをより確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第１基材１１に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。また、第１粘着剤層１２まで切込みを到達させずに、保護層１００Ｂを切断してもよい。 [Dicing process]
FIG. 8C is a diagram for explaining the step (PY2). The process (PY2) may be referred to as a dicing process. FIG. 8C shows a plurality of semiconductor chips CP held by the first sheet 10.
The semiconductor wafer W in which the first sheet 10 and the protective layer 100B are attached to the back surface W3 is diced into individual pieces to form a plurality of semiconductor chips CP.
In the present embodiment, a cut is made from the circuit surface W1 side, the semiconductor wafer W is cut, the protective layer 100B is further cut, and the cut is made to reach the first adhesive layer 12. By this dicing, the protective layer 100B is also cut into the same size as the semiconductor chip CP.
The cutting depth during dicing is not particularly limited as long as the semiconductor wafer W and the protective layer 100B can be separated into individual pieces. In the present embodiment, a mode in which no cut is made up to the first base material 11 will be described as an example, but the present invention is not limited to such a mode. For example, in another embodiment, from the viewpoint of more reliably cutting the semiconductor wafer W and the protective layer 100B, the cut may be formed by dicing to a depth that reaches the first base material 11. Further, the protective layer 100B may be cut without reaching the cut to the first pressure-sensitive adhesive layer 12.
　本実施形態では、ダイシング工程によって、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側において、複数の半導体チップＣＰと第１シート１０の第１粘着剤層１２との間に個片化された保護層１００Ｂが介在した積層構造が得られる。 In the present embodiment, the protective layer 100B that is separated into pieces is interposed between the plurality of semiconductor chips CP and the first adhesive layer 12 of the first sheet 10 on the back surface W3 side of the semiconductor chip CP by the dicing process. A laminated structure is obtained.
［エキスパンド工程］
　図９は、工程（ＰＹ３）を説明するための図である。工程（ＰＹ３）をエキスパンド工程と称する場合がある。図９には、ダイシング工程の後に、第１シート１０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
　本実施形態におけるエキスパンド工程においても、第１シート１０を引き延ばす方法は、第１実施形態と同様である。本実施形態においても、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。 [Expanding process]
FIG. 9 is a diagram for explaining the step (PY3). The step (PY3) may be referred to as an expanding step. FIG. 9 shows a state in which the first sheet 10 is expanded after the dicing process to expand the intervals between the plurality of semiconductor chips CP.
Also in the expanding step in the present embodiment, the method for stretching the first sheet 10 is the same as in the first embodiment. Also in the present embodiment, the interval D1 between the plurality of semiconductor chips CP depends on the size of the semiconductor chip CP and is not particularly limited. The distance D1 between the adjacent semiconductor chips CP is preferably 200 μm or more. It should be noted that the upper limit of the interval between the semiconductor chips CP is not particularly limited. The upper limit of the distance between the semiconductor chips CP may be 6000 μm, for example.
［転写工程、封止工程及びその他の工程］
　本実施形態においても、第１実施形態又は第２実施形態と同様、転写工程、封止工程、並びにその他の工程（再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程）を実施してもよい。 [Transfer step, sealing step and other steps]
Also in this embodiment, the transfer step, the sealing step, and the other steps (rewiring layer forming step and external terminal electrode connecting step) may be performed as in the first or second embodiment. ..
（保護層）
　保護層１００Ｂの一態様においては、未硬化の硬化性接着剤から形成されることが好ましい。この場合、保護層１００Ｂに半導体ウエハＷ等の加工対象物（ワーク）を重ね合わせた後、保護層１００Ｂを硬化させることにより、保護層１００Ｂの硬化物（保護膜）を加工対象物に強固に接着することができ、半導体チップＣＰ等の半導体装置に対して、耐久性を有する保護膜を形成できる。 (Protective layer)
In one aspect of the protective layer 100B, it is preferably formed of an uncured curable adhesive. In this case, the object to be processed (work) such as the semiconductor wafer W is superposed on the protective layer 100B, and then the protective layer 100B is cured, so that the hardened material (protective film) of the protective layer 100B firmly adheres to the object to be processed. Adhesion is possible, and a protective film having durability can be formed on a semiconductor device such as the semiconductor chip CP.
　保護層１００Ｂは、常温で粘着性を有するか、加熱により粘着性を発揮することが好ましい。これにより、上記のように保護層１００Ｂに半導体ウエハＷ等の加工対象物を重ね合わせるときに、両者を貼合させることができる。したがって、保護層１００Ｂを硬化させる前に位置決めを確実に行うことができる。 The protective layer 100B preferably has tackiness at room temperature or exhibits tackiness when heated. Thereby, when the processing target such as the semiconductor wafer W is superposed on the protective layer 100B as described above, the both can be bonded. Therefore, the positioning can be reliably performed before the protective layer 100B is cured.
　上記のような特性を有する保護層１００Ｂを構成する硬化性接着剤は、硬化性成分とバインダーポリマー成分とを含有することが好ましい。硬化性成分としては、熱硬化性成分、エネルギー線硬化性成分、または、これらの混合物を用いることができるが、熱硬化性成分を用いることが特に好ましい。すなわち、保護層１００Ｂは、熱硬化性接着剤から構成されることが好ましい。 The curable adhesive that constitutes the protective layer 100B having the above characteristics preferably contains a curable component and a binder polymer component. As the curable component, a thermosetting component, an energy ray curable component, or a mixture thereof can be used, but it is particularly preferable to use the thermosetting component. That is, the protective layer 100B is preferably composed of a thermosetting adhesive.
　熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等、および、これらの混合物が挙げられる。これらの中でも、熱硬化性成分として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびこれらの混合物が好ましく用いられる。 Examples of the thermosetting component include epoxy resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, polyester resin, urethane resin, acrylic resin, polyimide resin, benzoxazine resin, and the like, and mixtures thereof. Among these, epoxy resins, phenol resins and mixtures thereof are preferably used as the thermosetting component.
　エポキシ樹脂は、加熱を受けると三次元網状化し、強固な被膜を形成する性質を有する。このようなエポキシ樹脂としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂が用いられる。通常は、数平均分子量３００～２０００程度のエポキシ樹脂が好ましく、数平均分子量３００～５００のエポキシ樹脂がより好ましい。さらには、数平均分子量３３０～４００の常態で液状のエポキシ樹脂と、数平均分子量４００～２５００（好ましくは、数平均分子量５００～２０００）の常温で固体のエポキシ樹脂とをブレンドしたブレンド型のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、５０ｇ／ｅｑ～５０００ｇ／ｅｑであることが好ましい。また、エポキシ樹脂の数平均分子量は、ＧＰＣ法を用いた方法で求めることができる。 ・Epoxy resin has the property of forming a three-dimensional network when heated and forming a strong coating. As such an epoxy resin, various conventionally known epoxy resins are used. Usually, an epoxy resin having a number average molecular weight of 300 to 2000 is preferable, and an epoxy resin having a number average molecular weight of 300 to 500 is more preferable. Furthermore, a blend type epoxy obtained by blending a normally liquid epoxy resin having a number average molecular weight of 330 to 400 and a solid epoxy resin having a number average molecular weight of 400 to 2500 (preferably a number average molecular weight of 500 to 2000) at room temperature. It is preferable to use a resin. The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 g/eq to 5000 g/eq. Further, the number average molecular weight of the epoxy resin can be determined by a method using the GPC method.
　このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－ジシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシ)シクロヘキシル－５，５－スピロ(３，４－エポキシ)シクロヘキサン－ｍ－ジオキサン等のように、分子内の炭素－炭素二重結合を、例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、例えば、ビフェニル骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、及びナフタレン骨格からなる群から選択される少なくとも１種の骨格を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。 Specific examples of such an epoxy resin include glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A, bisphenol F, resorcinol, phenyl novolac, and cresol novolac; glycidyl alcohols such as butanediol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol. Ethers; glycidyl ethers of carboxylic acids such as phthalic acid, isophthalic acid, tetrahydrophthalic acid; glycidyl-type or alkylglycidyl-type epoxy resins in which active hydrogen bonded to the nitrogen atom such as aniline isocyanurate is replaced with a glycidyl group; vinylcyclohexanediene Such as epoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-dicyclohexanecarboxylate, 2-(3,4-epoxy)cyclohexyl-5,5-spiro(3,4-epoxy)cyclohexane-m-dioxane, etc. The so-called alicyclic epoxide in which epoxy is introduced by, for example, oxidizing a carbon-carbon double bond in the molecule can be mentioned. In addition, for example, an epoxy resin having at least one kind of skeleton selected from the group consisting of a biphenyl skeleton, a dicyclohexadiene skeleton, and a naphthalene skeleton can be used.
　これらエポキシ樹脂の具体例の中でも、エポキシ樹脂として、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、および、フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。これらエポキシ樹脂は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Among these specific examples of epoxy resins, bisphenol-based glycidyl type epoxy resin, o-cresol novolac type epoxy resin, and phenol novolac type epoxy resin are preferably used as the epoxy resin. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
　エポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で、高温で溶出して硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法等が存在する。 When using an epoxy resin, it is preferable to use a heat-activated latent epoxy resin curing agent as an auxiliary agent. The heat-activatable latent epoxy resin curing agent is a curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating above a certain temperature and reacts with the epoxy resin. As a method for activating the heat-activatable latent epoxy resin curing agent, active species (anion, cation) are generated by a chemical reaction by heating; the epoxy resin is stably dispersed in the epoxy resin at around room temperature There is a method of initiating the curing reaction by being compatible with and dissolving with; a method of initiating the curing reaction by elution at a high temperature with a molecular sieve-encapsulated type curing agent; a method of using microcapsules and the like.
　熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、各種オニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上２０重量部以下、より好ましくは０．２重量部以上１０重量部以下、さらに好ましくは０．３重量部以上５重量部以下の割合で用いられる。 Specific examples of the heat activation type latent epoxy resin curing agent include various onium salts, dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, high melting point active hydrogen compounds such as imidazole compounds, and the like. These heat-activatable latent epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more. The heat-activatable latent epoxy resin curing agent as described above is preferably 0.1 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, more preferably 0.2 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. , And more preferably 0.3 to 5 parts by weight.
　フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物などが特に制限されることなく用いられる。具体的には、例えば、フェノールノボラック樹脂、ｏ－クレゾールノボラック樹脂、p－クレゾールノボラック樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が用いられる。 As the phenolic resin, a condensate of an aldehyde with a phenol such as an alkylphenol, a polyhydric phenol, or naphthol can be used without particular limitation. Specifically, for example, phenol novolac resin, o-cresol novolac resin, p-cresol novolac resin, t-butylphenol novolac resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A type novolac resin, or these A modified product or the like is used.
　これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と、加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成することができる。このため、熱硬化性成分として、エポキシ樹脂とフェノール系樹脂とを併用してもよい。 The phenolic hydroxyl group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the above epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance. Therefore, an epoxy resin and a phenolic resin may be used in combination as the thermosetting component.
　バインダーポリマー成分は、保護層１００Ｂに適度なタックを与えることができる。バインダーポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は、５万以上、２００万以下であり、好ましくは１０万以上、１５０万以下であり、より好ましくは２０万以上、１００万以下の範囲にある。分子量が低過ぎると、保護層１００Ｂのフィルム形成が不十分となり、高過ぎると他の成分との相溶性が悪くなることから、結果として均一なフィルム形成が妨げられる。このようなバインダーポリマー成分としては、例えば、アクリル系ポリマー、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及びゴム系ポリマーからなる群から選択される少なくとも１種の樹脂が用いられ、特にアクリル系ポリマーが好ましく用いられる。 The binder polymer component can give an appropriate tack to the protective layer 100B. The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer is usually 50,000 or more and 2 million or less, preferably 100,000 or more and 1.5 million or less, and more preferably 200,000 or more and 1 million or less. .. If the molecular weight is too low, the film formation of the protective layer 100B will be insufficient, and if it is too high, the compatibility with other components will be poor, and as a result, uniform film formation will be hindered. As such a binder polymer component, for example, at least one resin selected from the group consisting of an acrylic polymer, a polyester resin, a phenoxy resin, a urethane resin, a silicone resin, and a rubber polymer is used. Polymers are preferably used.
　アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーと（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで、（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、好ましくはアルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル等を挙げることができる。 The acrylic polymer includes, for example, a (meth)acrylic acid ester copolymer including a (meth)acrylic acid ester monomer and a structural unit derived from a (meth)acrylic acid derivative. Here, the (meth)acrylic acid ester monomer is preferably a (meth)acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, ( Propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate and the like are used. Examples of the (meth)acrylic acid derivative include (meth)acrylic acid, glycidyl (meth)acrylate, and hydroxyethyl (meth)acrylate.
　上記の中でも、メタクリル酸グリシジル等を構成単位として用いてアクリル系ポリマーにグリシジル基を導入すると、前述した熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、保護層１００Ｂの硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、耐熱性が向上する。また、上記の中でも、アクリル酸ヒドロキシエチル等を構成単位として用いてアクリル系ポリマーに水酸基を導入すると、加工対象物への密着性や粘着物性をコントロールすることができる。 Among the above, when a glycidyl group is introduced into an acrylic polymer using glycidyl methacrylate as a constituent unit, the compatibility with the epoxy resin as the thermosetting component described above is improved, and the glass after curing of the protective layer 100B is obtained. The transition temperature (Tg) is increased and the heat resistance is improved. In addition, among the above, when a hydroxyl group is introduced into an acrylic polymer by using hydroxyethyl acrylate or the like as a constituent unit, it is possible to control the adhesiveness to the object to be processed and the adhesive property.
　バインダーポリマーとしてアクリル系ポリマーを使用した場合における前記ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０万以上であり、より好ましくは１５万以上１００万以下である。アクリル系ポリマーのガラス転移温度は、通常は２０℃以下、好ましくは－７０℃～０℃程度であり、アクリル系ポリマーは、常温（２３℃）においては粘着性を有する。 When the acrylic polymer is used as the binder polymer, the weight average molecular weight (Mw) of the polymer is preferably 100,000 or more, more preferably 150,000 or more and 1,000,000 or less. The glass transition temperature of the acrylic polymer is usually 20° C. or lower, preferably about −70° C. to 0° C., and the acrylic polymer has tackiness at room temperature (23° C.).
　熱硬化性成分とバインダーポリマー成分との配合比率は、バインダーポリマー成分１００重量部に対して、熱硬化性成分を、好ましくは５０重量部以上１５００重量部以下、より好ましくは７０重量部以上１０００重量部以下、さらに好ましくは８０重量部以上８００重量部以下配合することが好ましい。このような割合で熱硬化性成分とバインダーポリマー成分とを配合すると、硬化前には適度なタックを示し、貼付作業を安定して行うことができ、また硬化後には、被膜強度に優れた保護膜が得られる。 The mixing ratio of the thermosetting component and the binder polymer component is preferably 50 parts by weight or more and 1500 parts by weight or less, more preferably 70 parts by weight or more and 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder polymer component. It is preferable that the amount is not more than 80 parts by weight, more preferably not less than 80 parts by weight. When the thermosetting component and the binder polymer component are blended in such a ratio, a suitable tack is exhibited before the curing, and the sticking work can be stably performed, and after the curing, a protective film having excellent film strength is provided. A film is obtained.
　保護層１００Ｂは、着色剤およびフィラーの少なくともいずれかを含有することが好ましく、特に着色剤およびフィラーの両者を含有することが好ましい。 The protective layer 100B preferably contains at least one of a colorant and a filler, and particularly preferably contains both a colorant and a filler.
　着色剤としては、例えば、無機系顔料、有機系顔料、有機系染料など公知の着色剤を使用できるが、光線透過率の制御性を高める観点から、着色剤は有機系の着色剤を含有することが好ましい。着色剤の化学的安定性（具体的には、溶出しにくさ、色移りの生じにくさ、経時変化の少なさが例示される。）を高める観点から、着色剤は顔料からなることが好ましい。 As the colorant, for example, known colorants such as inorganic pigments, organic pigments, and organic dyes can be used, but from the viewpoint of enhancing the controllability of light transmittance, the colorant contains an organic colorant. It is preferable. From the viewpoint of increasing the chemical stability of the colorant (specifically, it is difficult to elute, is less likely to cause color transfer, and has little change over time), the colorant is preferably a pigment. ..
　フィラーとしては、例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーが挙げられる。これら無機フィラーの中でも、フィラーとしては、シリカが好ましく、合成シリカがより好ましく、半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが好ましい。フィラーの形状としては、球形、針状、不定形等が挙げられるが、球形であることが好ましく、真球形であることがより好ましい。 Examples of the filler include silica such as crystalline silica, fused silica, and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloons. Among these inorganic fillers, silica is preferable, synthetic silica is more preferable, and synthetic silica of the type in which the α-ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is preferable. Examples of the shape of the filler include a spherical shape, a needle shape, and an amorphous shape, but a spherical shape is preferable, and a true spherical shape is more preferable.
　また、保護層１００Ｂは、カップリング剤を含有してもよい。カップリング剤を含有することにより、保護層１００Ｂの硬化後において、保護膜の耐熱性を損なわずに、保護膜と加工対象物との接着性・密着性を向上させることができるとともに、耐水性（耐湿熱性）を向上させることができる。カップリング剤としては、その汎用性とコストメリットなどからシランカップリング剤が好ましい。 Further, the protective layer 100B may contain a coupling agent. By containing the coupling agent, after the protective layer 100B is cured, the adhesiveness/adhesion between the protective film and the object to be processed can be improved without impairing the heat resistance of the protective film, and the water resistance can be improved. (Moisture and heat resistance) can be improved. As the coupling agent, a silane coupling agent is preferable because of its versatility and cost merit.
　シランカップリング剤としては、例えば、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。シランカップリング剤としては、これらシランカップリング剤のうちの１種を単独で、または２種以上混合して使用できる。 Examples of the silane coupling agent include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-(methacryloxysilane Propyl)trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N -Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltri Examples thereof include methoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. As the silane coupling agent, one of these silane coupling agents may be used alone or in combination of two or more.
　保護層１００Ｂは、硬化前の凝集力を調節するために、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等の架橋剤を含有してもよい。また、保護層１００Ｂは、静電気を抑制し、チップの信頼性を向上させるために、帯電防止剤を含有してもよい。さらに、保護層１００Ｂは、保護膜の難燃性能を高め、パッケージとしての信頼性を向上させるために、リン酸化合物、ブロム化合物、リン系化合物等の難燃剤を含有してもよい。 The protective layer 100B may contain a cross-linking agent such as an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, or an organic metal chelate compound in order to adjust the cohesive force before curing. Further, the protective layer 100B may contain an antistatic agent in order to suppress static electricity and improve the reliability of the chip. Further, the protective layer 100B may contain a flame retardant such as a phosphoric acid compound, a bromine compound, or a phosphorus compound in order to enhance the flame retardancy of the protective film and improve the reliability as a package.
　保護層１００Ｂの厚さは、特に限定されない。保護層１００Ｂを硬化させて保護膜として用いる場合、保護膜としての機能を効果的に発揮させるために、保護層１００Ｂの厚さは、３μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、２００μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以上、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the protective layer 100B is not particularly limited. When the protective layer 100B is cured and used as a protective film, the thickness of the protective layer 100B is preferably 3 μm or more and 300 μm or less, and preferably 5 μm or more, 200 μm in order to effectively exhibit the function as the protective film. The thickness is more preferably below, and further preferably 7 μm or more and 100 μm or less.
［本実施形態に係る効果］
　本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第１シート１０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第１シート１０の第１粘着剤層１２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第１粘着剤層１２との間にダイシング工程で個片化された保護層１００Ｂが介在しているため、第１シート１０を伸張させても裏面Ｗ３に接している保護層１００Ｂは、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
　また、本実施形態においては、保護層１００Ｂが、半導体ウエハＷの裏面Ｗ３と略同形状であり、ダイシングによって半導体ウエハＷの端部側に由来して形成された半導体チップＣＰ（外周側の半導体チップ）の裏面Ｗ３についても保護層１００Ｂが個片化されるため、半導体チップＣＰ同士の間隔を十分に拡張できる。 [Effects of this embodiment]
According to the expanding method according to the present embodiment, when the first sheet 10 is stretched, the back surface W3 of the semiconductor chip CP is not in contact with the first pressure-sensitive adhesive layer 12 of the first sheet 10. In each of the semiconductor chips CP, since the protective layer 100B which is diced in the dicing process is interposed between the back surface W3 and the first pressure-sensitive adhesive layer 12, the back surface W3 is obtained even when the first sheet 10 is expanded. The protective layer 100B in contact with is not stretched. As a result, according to the expanding method of the present embodiment, it is possible to suppress adhesive residue.
Further, in the present embodiment, the protective layer 100B has substantially the same shape as the back surface W3 of the semiconductor wafer W, and the semiconductor chip CP (the semiconductor on the outer peripheral side) formed from the end side of the semiconductor wafer W by dicing. Since the protective layer 100B is also singulated on the back surface W3 of the chip), the distance between the semiconductor chips CP can be sufficiently expanded.
　また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、第１シート１０及び保護層１００Ｂを有する複合シート１４０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では保護層１００Ｂ）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り替える工程を実施しなくてもよく、プロセスを簡略化できる。
　さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替える必要がない。
　したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてプロセスを簡略化し、かつ、チップ同士の間隔を充分に拡張しつつ、糊残りを抑制できる。
　さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。 Further, in the present embodiment, during the dicing step, the semiconductor wafer W is not supported by the dicing sheet but by the composite sheet 140 having the first sheet 10 and the protective layer 100B. Therefore, in order to form a layer (protective layer 100B in this embodiment) for protecting the back surface W3 of the semiconductor chip CP after dicing, a step of replacing the adhesive sheet used in the dicing step with another adhesive sheet is performed. It is not necessary to carry out, and the process can be simplified.
Furthermore, it is not necessary to replace the pressure-sensitive adhesive sheet used when the dicing process was performed with the pressure-sensitive adhesive sheet for the expanding process before performing the expanding process.
Therefore, according to the expanding method of the present embodiment, the process can be simplified as compared with the conventional method, and the space between the chips can be sufficiently expanded while suppressing the adhesive residue.
Furthermore, a method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to the present embodiment can be provided.
［実施形態の変形］
　本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様等を含む。 [Modification of Embodiment]
The present invention is in no way limited to the embodiments described above. The present invention includes modes in which the above-described embodiments are modified, etc., within the range in which the object of the present invention can be achieved.
　例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ－ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。 For example, a circuit or the like on a semiconductor wafer or a semiconductor chip is not limited to the illustrated arrangement or shape. The connection structure with the external terminal electrodes in the semiconductor package is not limited to the aspect described in the above embodiment. In the above-described embodiment, the mode of manufacturing the FO-WLP type semiconductor package has been described as an example, but the present invention is also applicable to the mode of manufacturing other semiconductor packages such as the fan-in type WLP.
　上述したＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略したりしてもよい。 In the FO-WLP manufacturing method described above, some steps may be changed or some steps may be omitted.
　ダイシング工程におけるダイシングは、上述の切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化してもよい。これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハのいずれの側から行ってもよい。 The dicing in the dicing process may be performed by irradiating the semiconductor wafer with laser light instead of using the above cutting means. For example, the semiconductor wafer may be completely divided into a plurality of semiconductor chips by irradiation with laser light. In these methods, laser light irradiation may be performed from either side of the semiconductor wafer.
　第２実施形態においては、複合シート１３０として、保護層１００Ａと第３シート３０とを有する態様、又は保護層１００Ａが第３粘着剤層であり、第３シート３０が第３基材である態様を例に挙げて説明したが、本発明はこれらの態様に限定されない。例えば、第３粘着剤層と第３基材との間に剥離層を有する粘着シートであってもよい。剥離層は、第１実施形態の説明中の剥離シートと同様の材料を用いて構成されることが好ましい。 In the second embodiment, as the composite sheet 130, a mode having a protective layer 100A and a third sheet 30, or a mode in which the protective layer 100A is a third adhesive layer and the third sheet 30 is a third base material. However, the present invention is not limited to these embodiments. For example, it may be a pressure-sensitive adhesive sheet having a release layer between the third pressure-sensitive adhesive layer and the third base material. The release layer is preferably made of the same material as the release sheet in the description of the first embodiment.
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to these examples.
（粘着シートの作製）
［実施例１］
　ブチルアクリレート（ＢＡ）６２質量部、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレート（昭和電工株式会社製、製品名「カレンズＭＯＩ」（登録商標））を付加した樹脂（アクリルＡ）の溶液（粘着剤主剤、固形分３５．０質量％）を調製した。付加率は、アクリル系共重合体の２ＨＥＡ１００モル％に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレートを９０モル％とした。
　得られた樹脂（アクリルＡ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万、Ｍｗ／Ｍｎは４．５であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ、及び数平均分子量Ｍｎを測定し、それぞれの測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
　この粘着剤主剤に、ＵＶ樹脂Ａ（１０官能ウレタンアクリレート、三菱ケミカル株式会社製、製品名「ＵＶ－５８０６」、Ｍｗ＝１７４０、光重合開始剤を含む。）、及び架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、製品名「コロネートＬ」）を添加した。粘着剤主剤中の固形分１００質量部に対して、ＵＶ樹脂Ａを５０質量部添加し、架橋剤を０．２質量部添加した。添加後、３０分間攪拌して、粘着剤組成物Ａ１を調製した。
　次いで、調製した粘着剤組成物Ａ１の溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系剥離フィルム（リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）に塗布して乾燥させ、厚さ４０μｍの粘着剤層を剥離フィルム上に形成した。
　当該粘着剤層に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム株式会社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ１００μｍ）を貼り合わせた後、幅方向における端部の不要部分を裁断除去して粘着シートＳＡ１を作製した。 (Preparation of adhesive sheet)
[Example 1]
62 parts by mass of butyl acrylate (BA), 10 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) were copolymerized to obtain an acrylic copolymer. 2-isocyanatoethylmethacrylate (manufactured by Showa Denko KK, product name "Karenzu MOI" (registered trademark)) is added to this acrylic copolymer solution of resin (acrylic A) (adhesive base, solid Min 35.0% by weight) was prepared. The addition rate was 90 mol% of 2-isocyanatoethyl methacrylate with respect to 100 mol% of 2HEA of the acrylic copolymer.
The weight average molecular weight (Mw) of the obtained resin (acrylic A) was 600,000, and Mw/Mn was 4.5. The weight average molecular weight Mw and the number average molecular weight Mn in terms of standard polystyrene were measured by gel permeation chromatography (GPC) method, and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was determined from the respective measured values.
UV resin A (10-functional urethane acrylate, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "UV-5806", Mw=1740, including a photopolymerization initiator) is contained in the adhesive main agent, and tolylene diisocyanate as a cross-linking agent. A system crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., product name "Coronate L") was added. 50 parts by mass of the UV resin A and 0.2 part by mass of the crosslinking agent were added to 100 parts by mass of the solid content in the adhesive main agent. After the addition, the mixture was stirred for 30 minutes to prepare pressure-sensitive adhesive composition A1.
Next, the prepared solution of the pressure-sensitive adhesive composition A1 was applied to a polyethylene terephthalate (PET)-based release film (manufactured by Lintec Co., Ltd., product name “SP-PET381031”, thickness 38 μm) and dried to give an adhesive having a thickness of 40 μm. The agent layer was formed on the release film.
After sticking a polyester-based polyurethane elastomer sheet (manufactured by Seadam Co., Ltd., product name “High-Grease DUS202”, thickness 100 μm) as a base material to the pressure-sensitive adhesive layer, unnecessary portions at the ends in the width direction are cut and removed. To produce an adhesive sheet SA1.
（チップ間隔の測定方法）
　実施例１で得られた粘着シートを２１０ｍｍ×２１０ｍｍに切断し試験用シートを得た。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シートにおける基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。
　粘着シートに貼着する半導体チップを次に示す手順により準備した。保護層としてのシート（実施例において、保護シートと称する場合がある。）を６インチシリコンウエハに貼着した。保護シートとしてリンテック株式会社製の「Ｅ－３１２５ＫＬ」（製品名）を用いた。次に、保護シート側から６インチシリコンウエハをダイシングして、３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列となるように、計２５個のチップを切り出した。チップのそれぞれには、ダイシングされた保護シートが貼着していた。
　試験用シートの剥離フィルムを剥離し、露出した粘着剤層の中心部に、上述の通り切り出した計２５個のチップの保護シート側を貼付した。このとき、チップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列で並んでいた。 (Measurement method of chip interval)
The pressure-sensitive adhesive sheet obtained in Example 1 was cut into 210 mm×210 mm to obtain a test sheet. At this time, each side of the sheet after cutting was cut so as to be parallel or perpendicular to the MD direction of the base material in the adhesive sheet.
A semiconductor chip to be attached to the adhesive sheet was prepared by the procedure shown below. A sheet as a protective layer (may be referred to as a protective sheet in Examples) was attached to a 6-inch silicon wafer. As the protective sheet, "E-3125KL" (product name) manufactured by Lintec Corporation was used. Next, a 6-inch silicon wafer is diced from the protective sheet side, and a total of 25 chips are cut out so that 3 mm×3 mm size chips are arranged in 5 rows in the X-axis direction and 5 rows in the Y-axis direction. It was A dicing protective sheet was attached to each of the chips.
The release film of the test sheet was peeled off, and the protective sheet side of a total of 25 chips cut out as described above was attached to the center of the exposed adhesive layer. At this time, the chips were arranged in five rows in the X-axis direction and five rows in the Y-axis direction.
　次に、チップが貼付された試験用シートを、２軸延伸可能なエキスパンド装置（離間装置）に設置した。図１０には、当該エキスパンド装置４００を説明する平面図が示される。図１０中、Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交する関係にあり、当該Ｘ軸の正の方向を＋Ｘ軸方向、当該Ｘ軸の負の方向を－Ｘ軸方向、当該Ｙ軸の正の方向を＋Ｙ軸方向、当該Ｙ軸の負の方向を－Ｙ軸方向とする。試験用シート５００は、各辺がＸ軸またはＹ軸と平行となるように、エキスパンド装置４００に設置した。その結果、試験用シート５００における基材のＭＤ方向は、Ｘ軸またはＹ軸と平行となる。なお、図１０中、チップは省略されている。 Next, the test sheet with the chips attached was installed in a biaxially stretchable expander (separator). FIG. 10 is a plan view illustrating the expanding device 400. In FIG. 10, the X axis and the Y axis are orthogonal to each other, the positive direction of the X axis is the +X axis direction, the negative direction of the X axis is the −X axis direction, and the positive direction of the Y axis. Is the +Y axis direction, and the negative direction of the Y axis is the −Y axis direction. The test sheet 500 was installed in the expanding device 400 such that each side was parallel to the X axis or the Y axis. As a result, the MD direction of the base material in the test sheet 500 is parallel to the X axis or the Y axis. Note that the chip is omitted in FIG.
　図１０に示されるように、エキスパンド装置４００は、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向及び－Ｙ軸方向のそれぞれに５つの保持手段４０１（計２０個の保持手段４０１）を備える。各方向における５つの保持手段４０１のうち、保持手段４０１Ａは、両端に位置し、保持手段４０１Ｃは、中央に位置し、保持手段４０１Ｂは、保持手段４０１Ａと保持手段４０１Ｃとの間に位置する。試験用シート５００の各辺を、これらの保持手段４０１によって把持させた。 As shown in FIG. 10, the expanding device 400 includes five holding means 401 (20 holding means 401 in total) in each of the +X axis direction, the −X axis direction, the +Y axis direction, and the −Y axis direction. Of the five holding means 401 in each direction, the holding means 401A is located at both ends, the holding means 401C is located in the center, and the holding means 401B is located between the holding means 401A and the holding means 401C. Each side of the test sheet 500 was held by these holding means 401.
　ここで、図１０に示されるように、試験用シート５００の一辺は２１０ｍｍである。また、各辺における保持手段４０１同士の間隔は４０ｍｍである。また、試験用シート５００の一辺における端部（シートの頂点）と、当該辺に存在し、当該端部に最も近い保持手段４０１Ａとの間隔は２５ｍｍである。 Here, as shown in FIG. 10, one side of the test sheet 500 is 210 mm. The distance between the holding means 401 on each side is 40 mm. Further, the distance between the end portion (vertex of the sheet) on one side of the test sheet 500 and the holding means 401A existing on the side and closest to the end portion is 25 mm.
　続いて、保持手段４０１のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を駆動させて、保持手段４０１をそれぞれ独立に移動させた。試験用シートの四辺をつかみ治具で固定し、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向にそれぞれ５ｍｍ／ｓの速度で、２００ｍｍの拡張量で試験用シートをエキスパンドした。その後、リングフレームにより試験用シート５００の拡張状態を保持した。
　拡張状態を保持した状態で、各チップ間の距離をデジタル顕微鏡で測定し、各チップ間の距離の平均値をチップ間隔とした。
　チップ間隔が１８００μｍ以上であれば合格「Ａ」と判定し、チップ間隔が１８００μｍ未満であれば不合格「Ｂ」と判定した。 Then, a plurality of tension applying means (not shown) corresponding to each of the holding means 401 were driven to move the holding means 401 independently. The four sides of the test sheet were gripped and fixed with a jig, and the test sheet was expanded in the X-axis direction and the Y-axis direction at a speed of 5 mm/s and an expansion amount of 200 mm. After that, the expanded state of the test sheet 500 was held by the ring frame.
While maintaining the expanded state, the distance between the chips was measured with a digital microscope, and the average value of the distances between the chips was taken as the chip interval.
If the chip interval was 1800 μm or more, it was judged as pass “A”, and if the chip interval was less than 1800 μm, it was judged as fail “B”.
（チップ整列性の測定方法）
　上記チップ間隔を測定したワークのＸ軸及びＹ軸方向の隣り合うチップの中心線からのズレ率を測定した。
　図１１に具体的な測定方法の概略図を示す。
　Ｘ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最上端と、チップの最下端との距離Ｄｙをデジタル顕微鏡で測定した。Ｙ軸方向のズレ率は、下記数式（数３）に基づいて算出した。Ｓｙは、Ｙ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
　Ｙ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｙ－Ｓｙ）／２]／Ｓｙ×１００…（数３）
　Ｘ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＹ軸方向のズレ率を算出した。
　Ｙ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最左端と、チップの最右端との距離Ｄｘをデジタル顕微鏡で測定した。Ｘ軸方向のズレ率は、下記数式（数４）に基づいて算出した。Ｓｘは、Ｘ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
　Ｘ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｘ－Ｓｘ）／２]／Ｓｘ×１００…（数４）
　Ｙ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＸ軸方向のズレ率を算出した。
　数式（数３）及び（数４）において、２で除するのは、拡張後におけるチップの所定位置からずれた最大距離を絶対値にて表現するためである。
　Ｘ軸方向及びＹ軸方向のすべての列（計１０列）において、ズレ率が±１０％未満の場合を合格「Ａ」と判定し、１つ以上の列において±１０％以上であれば不合格「Ｂ」と判定した。 (Method of measuring chip alignment)
The deviation rate from the center line of the adjacent chips in the X-axis and Y-axis directions of the work for measuring the chip interval was measured.
FIG. 11 shows a schematic diagram of a specific measuring method.
One row in which five chips were arranged in the X-axis direction was selected, and the distance Dy between the top end of the chip and the bottom end of the chip in the row was measured with a digital microscope. The deviation rate in the Y-axis direction was calculated based on the following mathematical formula (Equation 3). Sy is a chip size in the Y-axis direction and is 3 mm in this embodiment.
Deviation rate in the Y-axis direction [%]=[(Dy−Sy)/2]/Sy×100... (Equation 3)
The deviation rate in the Y-axis direction was calculated in the same manner for the other four rows in which five chips were arranged in the X-axis direction.
One row in which five chips were arranged in the Y-axis direction was selected, and the distance Dx between the leftmost edge of the chip and the rightmost edge of the chip in the row was measured with a digital microscope. The deviation rate in the X-axis direction was calculated based on the following mathematical formula (Equation 4). Sx is a chip size in the X-axis direction, and is 3 mm in this embodiment.
Deviation rate in the X-axis direction [%]=[(Dx−Sx)/2]/Sx×100... (Equation 4)
The misalignment rate in the X-axis direction was calculated in the same manner for the other four rows in which five chips were arranged in the Y-axis direction.
In the mathematical expressions (Equation 3) and (Equation 4), the reason for dividing by 2 is to express the maximum distance deviated from the predetermined position of the expanded chip as an absolute value.
In all the rows in the X-axis direction and the Y-axis direction (total of 10 rows), if the deviation rate is less than ±10%, it is judged as a passing “A”, and if it is ±10% or more in one or more rows, it is not. It was judged to have passed "B".
（糊残りの評価方法）
　前述のチップ間隔の測定方法に記載の条件でエキスパンド後、紫外線照射装置（リンテック株式会社製「ＲＡＤ－２０００　ｍ／１２」）を用いて、実施例１に係る粘着シートのチップが搭載されている面とは反対側の面から照度２２０ｍＷ／ｃｍ２、光量４６０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線照射した。紫外線照射の後、チップを吸着テーブルに保持し、粘着シートを剥離した。粘着シートを剥離した後、粘着シートが貼着されていたチップ表面を光学顕微鏡で観察した。チップ表面に糊残りが観察されなかった場合を合格「Ａ」と判定し、糊残りが観察された場合を不合格「Ｂ」と判定した。 (Evaluation method of adhesive residue)
After expanding under the conditions described in the method for measuring the chip interval, the chips of the pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 1 are mounted using an ultraviolet irradiation device (“RAD-2000 m/12” manufactured by Lintec Co., Ltd.). UV irradiation was performed from the surface opposite to the surface under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light amount of 460 mJ/cm 2 . After the ultraviolet irradiation, the chip was held on the adsorption table and the adhesive sheet was peeled off. After peeling off the pressure-sensitive adhesive sheet, the chip surface to which the pressure-sensitive adhesive sheet was attached was observed with an optical microscope. The case where no adhesive residue was observed on the chip surface was judged as a pass "A", and the case where adhesive residue was observed was judged as a failure "B".
　実施例１に係る粘着シートを用いてエキスパンドしたところ、チップ間隔の評価結果が合格「Ａ」判定であり、チップ整列性の評価結果が合格「Ａ」判定であった。
　チップと実施例に係る粘着シートとの間に保護シートを介在させて粘着シートをエキスパンドしたところ、チップ表面の糊残り評価結果が合格「Ａ」判定であった。 When the pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 1 was expanded, the evaluation result of the chip interval was a pass “A” judgment, and the evaluation result of the chip alignment was a pass “A” judgment.
When the pressure-sensitive adhesive sheet was expanded with the protective sheet interposed between the chip and the pressure-sensitive adhesive sheet according to the example, the adhesive residue evaluation result on the chip surface was a pass “A” judgment.
　１０…第１シート、１００、１００Ａ、１００Ｂ…保護層、１１…第１基材、１２…第１粘着剤層、１３０、１４０…複合シート、２０…第２粘着シート、Ｗ…半導体ウエハ（加工対象物）、Ｗ１…回路面（第１半導体装置面）、Ｗ３…裏面（第２半導体装置面）。 10... 1st sheet, 100, 100A, 100B... Protective layer, 11... 1st base material, 12... 1st adhesive layer, 130, 140... Composite sheet, 20... 2nd adhesive sheet, W... Semiconductor wafer (processing) Object), W1... Circuit surface (first semiconductor device surface), W3... Back surface (second semiconductor device surface).

Claims (12)

  1. 　複数の半導体装置が貼着された第１シートを伸張させて、前記複数の半導体装置の間隔を拡げる工程を含み、
    　前記複数の半導体装置のそれぞれは、第１半導体装置面と前記第１半導体装置面の反対側の第２半導体装置面とを有し、
    　前記複数の半導体装置のそれぞれは、前記第１半導体装置面又は前記第２半導体装置面と前記第１シートとの間に保護層を含んで、貼着されている、
    　エキスパンド方法。     A step of expanding the first sheet having the plurality of semiconductor devices attached thereto to widen the gap between the plurality of semiconductor devices;
    Each of the plurality of semiconductor devices has a first semiconductor device surface and a second semiconductor device surface opposite to the first semiconductor device surface,
    Each of the plurality of semiconductor devices includes a protective layer between the first semiconductor device surface or the second semiconductor device surface and the first sheet, and is attached.
    Expanding method.
  2. 　請求項１に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１半導体装置面に前記保護層が形成された後、前記複数の半導体装置を前記第１シートに貼着する、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to claim 1,
    After the protective layer is formed on the surface of the first semiconductor device, the plurality of semiconductor devices are attached to the first sheet.
    Expanding method.
  3. 　請求項１または請求項２に記載のエキスパンド方法において、
    　加工対象物をダイシングして前記複数の半導体装置を得る、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to claim 1 or 2,
    Obtaining the plurality of semiconductor devices by dicing the object to be processed,
    Expanding method.
  4. 　請求項３に記載のエキスパンド方法において、
    　前記加工対象物には、前記保護層が形成され、
    　前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得る、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to claim 3,
    The protective layer is formed on the object to be processed,
    Dicing the workpiece and the protective layer to obtain the plurality of semiconductor devices,
    Expanding method.
  5. 　請求項４に記載のエキスパンド方法において、
    　前記保護層が形成された前記加工対象物を、第２粘着剤層と第２基材とを有する第２粘着シートの前記第２粘着剤層に貼着し、
    　前記保護層及び前記加工対象物をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、
    　ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着する、
    　エキスパンド方法。     The expanding method according to claim 4,
    The object to be processed on which the protective layer is formed is attached to the second adhesive layer of a second adhesive sheet having a second adhesive layer and a second base material,
    Dicing the protective layer and the processing object to obtain the plurality of semiconductor devices,
    Attaching the first sheet to the protective layer after dicing,
    Expanding method.
  6. 　請求項５に記載のエキスパンド方法において、
    　ダイシング後の前記保護層に前記第１シートを貼着した後、前記第２粘着シートを剥離する、
    　エキスパンド方法。     The expanding method according to claim 5,
    After sticking the first sheet on the protective layer after dicing, peeling off the second adhesive sheet,
    Expanding method.
  7. 　請求項３または請求項４に記載のエキスパンド方法において、
    　前記加工対象物を、前記保護層と第３シートとを有する複合シートの前記保護層に貼着し、
    　前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得て、
    　前記第３シートを前記保護層から剥離する、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to claim 3 or 4,
    Affixing the object to be processed to the protective layer of a composite sheet having the protective layer and a third sheet,
    Dicing the processing object and the protective layer to obtain the plurality of semiconductor devices,
    Peeling the third sheet from the protective layer,
    Expanding method.
  8. 　請求項３に記載のエキスパンド方法において、
    　前記保護層と前記第１シートとが予め積層され、
    　前記加工対象物を前記保護層にて支持し、
    　前記加工対象物及び前記保護層をダイシングして、前記複数の半導体装置を得る、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to claim 3,
    The protective layer and the first sheet are pre-laminated,
    The object to be processed is supported by the protective layer,
    Dicing the workpiece and the protective layer to obtain the plurality of semiconductor devices,
    Expanding method.
  9. 　請求項３から請求項８のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記加工対象物は、半導体ウエハである、
    　エキスパンド方法。     In the expanding method according to any one of claims 3 to 8,
    The object to be processed is a semiconductor wafer,
    Expanding method.
  10. 　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１シートは、エキスパンドシートである、
    　エキスパンド方法。     The expanding method according to any one of claims 1 to 9,
    The first sheet is an expanded sheet,
    Expanding method.
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のエキスパンド方法において、
    　前記第１半導体装置面は、回路を有する、
    　エキスパンド方法。     The expanding method according to any one of claims 1 to 10,
    The first semiconductor device surface has a circuit,
    Expanding method.
  12. 　請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, which includes the expanding method according to any one of claims 1 to 11.
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