WO2020153079A1

WO2020153079A1 - セラミックヒータ

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Publication number: WO2020153079A1
Application number: PCT/JP2019/050428
Authority: WO
Inventors: 征樹石川; 修一郎本山
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2019-01-25
Filing date: 2019-12-23
Publication date: 2020-07-30
Anticipated expiration: 2021-07-25
Also published as: US12144067B2; KR102604134B1; CN113170539B; JPWO2020153079A1; KR20210058993A; JP7216746B2; TWI816958B; TW202103516A; CN113170539A; US20210243850A1

Abstract

セラミックヒータ１０は、セラミックプレート２０と、主抵抗発熱体２２と、副抵抗発熱体２３，２５とを備えている。主抵抗発熱体２２は、セラミックプレート２０の内部でウエハ載置面２０ａと平行な第１面Ｐ１に設けられたコイル状の発熱体である。副抵抗発熱体２３，２５は、セラミックプレート２０の内部で第１面Ｐ１と平行で第１面Ｐ１とウエハ載置面２０ａとの間にある第２面Ｐ２に設けられ、主抵抗発熱体２２による加熱を補完する二次元形状の発熱体である。

Description

セラミックヒータ

　本発明は、セラミックヒータに関する。

　半導体製造装置においては、ウエハを加熱するためのセラミックヒータが採用されている。こうしたセラミックヒータとしては、いわゆる２ゾーンヒータが知られている。この種の２ゾーンヒータとしては、特許文献１に開示されているように、セラミック基体中に、内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを同一平面に埋設し、各抵抗発熱体にそれぞれ独立して電圧を印加することにより、各抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものが知られている。各抵抗発熱体は、タングステンなどの高融点金属からなるコイルである。

特許第３８９７５６３号公報

　しかしながら、特許文献１では、各抵抗発熱体がコイルのため、隣合うコイル同士が短絡しないように間隔をあけておく必要があった。また、セラミックヒータはセラミックプレートを上下方向に貫通するガス穴やリフトピン穴が設けられているが、各抵抗発熱体はこうした穴を迂回する必要があった。そのため、十分な均熱性が得られないという問題があった。

　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、主抵抗発熱体としてコイルを用いた場合でも十分な均熱性が得られるようにすることを主目的とする。

　本発明のセラミックヒータは、
　ウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
　前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行な第１面内に設けられたコイル状の主抵抗発熱体と、
　前記セラミックプレートの内部で前記第１面と平行な第２面に設けられ、前記主抵抗発熱体による加熱を補完する二次元形状の副抵抗発熱体と、
　を備えたものである。

　このセラミックヒータでは、セラミックプレートの内部に設けられたコイル状の主抵抗発熱体によりウエハ載置面に載置されるウエハを加熱する。主抵抗発熱体は、コイルのため、配線するにあたっては制約がある。そのため、主抵抗発熱体による加熱だけでは温度の微調整が難しい。本発明では、セラミックプレートの内部で主抵抗発熱体が設けられた第１面と平行な第２面上に、二次元形状の副抵抗発熱体が設けられている。この副抵抗発熱体は、二次元形状のため、印刷により作製することができ、自由度の高い配線（例えば線幅を細くしたり線間を狭くしたりして高密度に配線する等）が可能になる。そのため、副抵抗発熱体は、コイル状の主抵抗発熱体による加熱を補完して温度を微調整できる。したがって、主抵抗発熱体としてコイルを用いた場合でも十分な均熱性が得られる。

　なお、主抵抗発熱体と副抵抗発熱体は、同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。「平行」とは、完全に平行な場合のほか、実質的に平行な場合（例えば公差の範囲に入る場合など）も含む。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記第２面は、前記第１面と前記ウエハ載置面との間にあるものとしてもよい。こうすれば、副抵抗発熱体による加熱がウエハ載置面の温度に反映されやすいため、ウエハ載置面の温度を微調整しやすい。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記副抵抗発熱体は、セラミックを含有していてもよい。セラミックを含有することにより、副抵抗発熱体の熱膨張係数をセラミックプレートの熱膨張係数に近づけることができると共に副抵抗発熱体とセラミックプレートとの接合強度を上げることができる。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記主抵抗発熱体は、前記第１面内のｍ個（ｍは１以上の整数）のゾーンのそれぞれに設けられ、前記副抵抗発熱体は、前記第２面内のｎ個（ｎはｍより大きな整数）のゾーンのそれぞれに設けられていてもよい。こうすれば、ゾーン毎に個別に温度を調整できるため、ウエハ載置面の温度を微調整しやすい。特に、第１面よりも多くのゾーンに分けられた第２面のゾーンのそれぞれに、温度の微調整に適した副抵抗発熱体が設けられているため、ウエハ載置面の温度を微調整しやすい。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記副抵抗発熱体は、扇形に分割されていてもよい。こうすれば、セラミックプレートの周方向での均熱性を改善することが可能となり、よりきめの細かい温度制御が可能になる。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記副抵抗発熱体が前記主抵抗発熱体より穴に近くなるようにしてもよい。こうすれば、主抵抗発熱体による加熱だけでは温度が低くなりやすい穴の周りを副抵抗発熱体による加熱で補完して、温度を微調整できる。

　本発明のセラミックヒータにおいて、前記ウエハ載置面を平面視したときに前記主抵抗発熱体の端子と重なる位置に前記副抵抗発熱体が配置されていてもよい。こうすれば、低温になりやすい主抵抗発熱体の端子の直上付近を副抵抗発熱体による加熱で補完して、温度を微調整できる。

セラミックヒータ１０の斜視図。セラミックヒータ１０の縦断面図。セラミックプレート２０を第１面Ｐ１で切断して上方からみたときの断面図。セラミックプレート２０を第２面Ｐ２で切断して上方からみたときの断面図。

　本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は本実施形態のセラミックヒータ１０の斜視図、図２はセラミックヒータ１０の縦断面図（セラミックヒータ１０を中心軸を含む面で切断したときの断面図）である。図３はセラミックプレート２０を第１面Ｐ１で切断して上方からみたときの断面図、図４はセラミックプレート２０を第２面Ｐ２で切断して上方からみたときの断面図である。なお、図３，４では、切断面を表すハッチングを省略した。

　セラミックヒータ１０は、エッチングやＣＶＤなどの処理が施されるウエハを加熱するために用いられるものであり、図示しない真空チャンバ内に設置される。このセラミックヒータ１０は、ウエハ載置面２０ａを有する円盤状のセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の面（裏面）２０ｂにセラミックプレート２０と同軸となるように接合された筒状シャフト４０とを備えている。

　セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミックプレート２０の直径は、例えば３００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａには、図示しないが細かな凹凸がエンボス加工により設けられている。セラミックプレート２０は、ウエハ載置面２０ａに平行な仮想の第１面Ｐ１と、第１面Ｐ１に平行な仮想の第２面Ｐ２とを有している。第２面Ｐ２は、第１面Ｐ１とウエハ載置面２０ａとの間にある。セラミックプレート２０の第２面Ｐ２は、セラミックプレート２０と同心円状の仮想境界２０ｃ（図４参照）によって小円形の内周側ゾーンＺ１と円環状の外周側ゾーンＺ２とに分けられている。仮想境界２０ｃの直径は、例えば２００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０の第１面Ｐ１には、主抵抗発熱体２２が設けられている。セラミックプレート２０の第２面Ｐ２には、内周側ゾーンＺ１に内周側副抵抗発熱体２３が設けられ、外周側ゾーンＺ２に外周側副抵抗発熱体２５が設けられている。こうして、主抵抗発熱体２２及び副抵抗発熱体２３，２５がセラミックプレート２０内に埋設されている。

　セラミックプレート２０は、図３，４に示すように、複数のガス穴２６を備えている。ガス穴２６は、セラミックプレート２０の裏面２０ｂからウエハ載置面２０ａまで貫通しており、ウエハ載置面２０ａに設けられた凹凸とウエハ載置面２０ａに載置されるウエハＷとの間に生じる隙間にガスを供給する。この隙間に供給されたガスは、ウエハ載置面２０ａとウエハＷとの熱伝導を良好にする役割を果たす。また、セラミックプレート２０は、複数のリフトピン穴２８を備えている。リフトピン穴２８は、セラミックプレート２０の裏面２０ｂからウエハ載置面２０ａまで貫通しており、図示しないリフトピンが挿通される。リフトピンは、ウエハ載置面２０ａに載置されたウエハＷを持ち上げる役割を果たす。本実施形態では、リフトピン穴２８は、同一円周上に等間隔となるように複数（ここでは３つ）設けられている。

　主抵抗発熱体２２は、図３に示すように、セラミックプレート２０の中央部（セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうち筒状シャフト４０で囲まれた領域）に配設された一対の端子２２ａ，２２ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ第１面Ｐ１のほぼ全域に配線されたあと、一対の端子２２ａ，２２ｂの他方に至るように形成されている。主抵抗発熱体２２は、ガス穴２６やリフトピン穴２８を迂回する湾曲部２２ｐを有している。主抵抗発熱体２２は、高融点金属又はその炭化物を主成分とするコイルである。高融点金属としては、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金などが挙げられる。高融点金属の炭化物としては、例えば炭化タングステンや炭化モリブデンなどが挙げられる。主抵抗発熱体２２はコイルのため、隣合うコイル同士の間隔は短絡しないように広めに設定されている。

　内周側副抵抗発熱体２３は、図４に示すように、セラミックプレート２０の中央部に配設された一対の端子２３ａ，２３ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ内周側ゾーンＺ１のほぼ全域に配線されたあと一対の端子２３ａ，２３ｂの他方に至るように形成されている。内周側副抵抗発熱体２３は、ウエハ載置面２０ａを平面視したときに主抵抗発熱体２２の端子２２ａ，２２ｂと重なる位置に配置されている。外周側副抵抗発熱体２５は、図４に示すようにセラミックプレート２０の中央部に配設された一対の端子２５ａ，２５ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ外周側ゾーンＺ２のほぼ全域に配線されたあと一対の端子２５ａ，２５ｂの他方に至るように形成されている。内周側副抵抗発熱体２３及び外周側副抵抗発熱体２５は、高融点金属又はその炭化物のリボン（平らで細長い形状）であり、高融点金属又はその炭化物のペーストを印刷することにより形成されている。そのため、副抵抗発熱体２３，２５は、自由度の高い配線が可能になる。具体的には、副抵抗発熱体２３，２５のリボンの線幅は、主抵抗発熱体２２のコイル径よりも小さく形成されている。また、副抵抗発熱体２３，２５の隣合うリボン同士の間隔は、主抵抗発熱体２２の隣合うコイル同士の間隔よりも狭くなるように配線されている。また、副抵抗発熱体２３，２５は、折り返し部２３ｃ同士が向かい合っている部分や折り返し部２５ｃ同士が向かい合っている部分の間隔が、主抵抗発熱体２２の折り返し部２２ｃ同士が向かい合っている部分の間隔よりも狭くなるように配線されている。また、副抵抗発熱体２３，２５は、主抵抗発熱体２２に比べてガス穴２６やリフトピン穴２８の近傍まで配線されている。

　筒状シャフト４０は、セラミックプレート２０と同じく窒化アルミニウム、アルミナなどのセラミックで形成されている。筒状シャフトの内径は、例えば４０ｍｍ程度、外径は例えば６０ｍｍ程度である。この筒状シャフト４０は、上端がセラミックプレート２０に拡散接合されている。筒状シャフト４０の内部には、主抵抗発熱体２２の一対の端子２２ａ，２２ｂのそれぞれに接続される給電棒４２ａ，４２ｂが配置されている。また、筒状シャフト４０の内部には、内周側副抵抗発熱体２３の一対の端子２３ａ，２３ｂのそれぞれに接続される給電棒４３ａ，４３ｂや、外周側副抵抗発熱体２５の一対の端子２５ａ，２５ｂのそれぞれに接続される給電棒４５ａ，４５ｂが配置されている。給電棒４２ａ，４２ｂは主抵抗用電源３２に接続され、給電棒４３ａ，４３ｂは副抵抗用第１電源３３に接続され、給電棒４５ａ，４５ｂは副抵抗用第２電源３５に接続されている。なお、図示しないが、ガス穴２６にガスを供給するガス供給管やリフトピン穴２８に挿通されるリフトピンも筒状シャフト４０の内部に配置される。

　次に、セラミックヒータ１０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバ内にセラミックヒータ１０を設置し、そのセラミックヒータ１０のウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置する。そして、図示しない内周側熱電対によって検出された内周側ゾーンＺ１の温度が予め定められた内周側目標温度となるとともに、図示しない外周側熱電対によって検出された外周側ゾーンＺ２の温度が予め定められた外周側目標温度となるように、抵抗発熱体２２，２３，２５に供給する電力を電源３２，３３，３５によって調整する。これにより、ウエハＷの温度が所望の温度になるように制御される。このとき、主抵抗発熱体２２は、コイルで形成されているため、各ゾーンＺ１，Ｚ２の温度が各目標温度となるように大まかに制御するのに用いられる。また、内周側及び外周側副抵抗発熱体２３，２５は、コイルよりも高密度に配線されたリボンで形成されているため、各ゾーンＺ１，Ｚ２の温度が各目標温度となるように微調整するのに用いられる。そして、真空チャンバ内を真空雰囲気もしくは減圧雰囲気になるように設定し、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。

　以上説明した本実施形態のセラミックヒータ１０では、副抵抗発熱体２３，２５は、リボン状のため、印刷により作製することができ、線幅や線間を小さくすることができ、自由度の高い配線が可能になる。そのため、副抵抗発熱体２３，２５は、コイル状の主抵抗発熱体２２による加熱を補完して温度を微調整することができる。したがって、主抵抗発熱体２２としてコイルを用いた場合でも十分な均熱性が得られる。

　また、主抵抗発熱体２２はコイルのため配線するにあたっては制約がある。というのも、セラミックヒータ１０を作製するにあたっては、コイルをセラミック粉末に埋設したあと焼成することがある。その場合、セラミック粉末内でコイルが移動することがあるため、それを考慮してコイルを配線するする必要がある。このため、例えば、主抵抗発熱体２２は、隣合うコイル同士の間隔や、折り返し部２２ｃ同士が向かい合っている部分の間隔を、比較的広く配線する必要がある。また例えば、主抵抗発熱体２２はガス穴２６やリフトピン穴２８を迂回して配線する必要がある。そのため、隣合うコイル同士の間の部分や折り返し部２２ｃ同士が向かい合っている部分、穴２６，２８の周囲などではその他の部分よりも温度が低くなりやすく、温度の微調整が難しい。ここでは、コイルよりも配線自由度の高いリボンである副抵抗発熱体２３，２５が、主抵抗発熱体２２よりも線間が狭くなるように配線され、穴２６，２８の近傍まで配線されている。このため、主抵抗発熱体２２による加熱では温度が低くなりやすい部分を副抵抗発熱体２３，２５による加熱で補完するなどして、温度を微調整できる。なお、コイル同士の間隔は通常１ｍｍ程度必要である。これに対して、リボン同士の間隔はリボンが印刷で作製できることから０．３ｍｍ程度にすることができる。

　更に、主抵抗発熱体２２と副抵抗発熱体２３，２５とが、セラミックプレートの内部のうち異なる面Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ設けられているため、両者を同一面内に設ける場合よりも、副抵抗発熱体２３，２５の配線自由度をより高めることができる。このため、ウエハ載置面２０ａの温度を微調整しやすい。ここで、主抵抗発熱体２２は、一般的にリボン状の抵抗発熱体よりも発熱量が多いコイル状の抵抗発熱体であり、副抵抗発熱体２３，２５は、コイル状の抵抗発熱体よりも厚みが薄いリボン状の抵抗発熱体である。このため、両者がコイル状の場合よりも抵抗発熱体の厚みを薄くでき、ひいてはセラミックプレート２０の厚みを薄くできる。また、両者がリボン状の場合よりも発熱量を大きくするのが容易であり、セラミックヒータ１０の高温化に適している。

　更にまた、副抵抗発熱体２３，２５が設けられた第２面Ｐ２は、主抵抗発熱体２２が設けられた第１面Ｐ１とウエハ載置面２０ａとの間にあるため、副抵抗発熱体２３，２５による加熱がウエハ載置面２０ａの温度に反映されやすい。このため、ウエハ載置面２０ａの温度を微調整しやすい。

　そして、副抵抗発熱体２３，２５は、第２面Ｐ２内の２個のゾーンＺ１，Ｚ２のそれぞれに設けられているため、ゾーン毎に個別に温度を調整できる。特に、第１面Ｐ１よりも多くのゾーンに分けられた第２面Ｐ２のゾーンＺ１，Ｚ２のそれぞれに、温度の微調整に適した副抵抗発熱体２３，２５が設けられているため、ウエハ載置面２０ａの温度を微調整しやすい。副抵抗発熱体２３，２５は、配線自由度が高いため、多ゾーン化に適している。

　そしてまた、ウエハ載置面２０ａを平面視したときに主抵抗発熱体２２の端子２２ａ，２２ｂと重なる位置に内周側副抵抗発熱体２３が配置されているため、低温になりやすい主抵抗発熱体２２の端子２２ａ，２２ｂの直上付近を内周側副抵抗発熱体２３による加熱で補完して、温度を微調整できる。

　なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

　例えば、上述した実施形態では、副抵抗発熱体２３，２５をリボンとしたが、特にこれに限定されるものではなく、二次元形状であればどのような形状を採用してもよい。二次元形状であれば、ペーストを印刷することにより作製できるため、副抵抗発熱体２３，２５を容易に細くすることができ、高密度に配線することができる。

　上述した実施形態の副抵抗発熱体２３，２５は、セラミックを含有していてもよい。例えば、副抵抗発熱体２３，２５を印刷によって形成する際のペーストにセラミックを含有させてもよい。こうすることにより、副抵抗発熱体２３，２５の熱膨張係数をセラミックプレート２０の熱膨張係数に近づけることができると共に副抵抗発熱体２３，２５とセラミックプレート２０との接合強度を上げることができる。

　上述した実施形態では、第２面Ｐ２は第１面Ｐ１とウエハ載置面２０ａとの間にあるものとしたが、第２面Ｐ２は第１面Ｐ１とセラミックプレート２０の裏面２０ｂとの間にあってもよい。

　上述した実施形態では、副抵抗発熱体２３，２５のリボン同士の間隔を主抵抗発熱体２２のコイル同士の間隔よりも狭くしたが、副抵抗発熱体２３，２５による加熱によって主抵抗発熱体２２による加熱を補完できればどのように配線してもよい。例えば、副抵抗発熱体２３，２５のリボン同士の間隔は、主抵抗発熱体２２のコイル同士の間隔と同程度とし、主抵抗発熱体２２のコイル同士の間に対応する部分に副抵抗発熱体２３，２５を配線してもよい。また、副抵抗発熱体２３，２５のリボンの線幅を主抵抗発熱体２２のコイル径よりも細くしたが、主抵抗発熱体２２のコイル径と同等またはそれ以上としてもよい。

　上述した実施形態において、セラミックプレート２０に静電電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置したあと静電電極に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２０ａに静電吸着することができる。あるいは、セラミックプレート２０にＲＦ電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａの上方にスペースをあけて図示しないシャワーヘッドを配置し、シャワーヘッドとＲＦ電極とからなる平行平板電極間に高周波電力を供給する。こうすることによりプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりすることができる。なお、静電電極をＲＦ電極と兼用してもよい。

　上述した実施形態では、第２面Ｐ２の外周側ゾーンＺ２は１つのゾーンとして説明したが、複数の小ゾーンに分割されていてもよい。その場合、小ゾーンごとに抵抗発熱体が配線される。小ゾーンは、セラミックプレート２０と同心円の境界線で外周側ゾーンＺ２を分割することにより環状に形成してもよいし、セラミックプレート２０の中心から放射状に延びる線分で外周側ゾーンＺ２を分割することにより扇形（円錐台の側面を展開した形状）に形成してもよい。このように扇形に分割することにより、セラミックプレート２０の周方向での均熱性を改善することが可能となり、よりきめの細かい温度制御が可能になる。

　上述した実施形態では、第２面Ｐ２の内周側ゾーンＺ１は１つのゾーンとして説明したが、複数の小ゾーンに分割されていてもよい。その場合、小ゾーンごとに抵抗発熱体が配線される。小ゾーンは、セラミックプレート２０と同心円の境界線で内周側ゾーンＺ１を分割することにより環状と円形状に形成してもよいし、セラミックプレート２０の中心から放射状に延びる線分で内周側ゾーンＺ１を分割することにより扇形（円錐の側面を展開した形状）に形成してもよい。

　上述した実施形態では、第２面Ｐ２は円形の内周側ゾーンＺ１と環状の外周側ゾーンＺ２に分割されているものとしたが、セラミックプレート２０の中心から放射状に延びる線分で第２面Ｐ２を分割することにより扇形（円錐の側面を展開した形状）に形成してもよい。

　上述した実施形態では、第１面Ｐ１は１つのゾーンとして説明したが、２以上の小ゾーンに分割されていてもよい。その場合、小ゾーンごとに主抵抗発熱体が配線される。複数の小ゾーンに分割する方法は、第２面Ｐ２で説明した分割方法から適宜選択すればよい。その場合、第２面Ｐ２は、第１面Ｐ１のゾーン数よりも多いゾーン数に分割するのが好ましい。こうすれば、ウエハ載置面の温度を副抵抗発熱体によって微調整しやすい。

本出願は、２０１９年１月２５日に出願された日本国特許出願第２０１９－０１１３０２号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。

本発明は、半導体製造装置に利用可能である。

１０　セラミックヒータ、２０　セラミックプレート、２０ａ　ウエハ載置面、２０ｂ　裏面、２０ｃ　仮想境界、２２　主抵抗発熱体、２２ａ，２２ｂ　端子、２２ｃ　折り返し部、２２ｐ　湾曲部、２３　内周側副抵抗発熱体、２３ａ，２３ｂ　端子、２３ｃ　折り返し部、２５　外周側副抵抗発熱体、２５ａ，２５ｂ　端子、２５ｃ　折り返し部、２６　ガス穴、２８　リフトピン穴、３２　主抵抗用電源、３３　副抵抗用第１電源、３５　副抵抗用第２電源、４０　筒状シャフト、４２ａ，４２ｂ　給電棒、４３ａ，４３ｂ　給電棒、４５ａ，４５ｂ　給電棒、Ｗ　ウエハ、Ｚ１　内周側ゾーン、Ｚ２　外周側ゾーン。

Claims

　ウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
　前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行な第１面内に設けられたコイル状の主抵抗発熱体と、
　前記セラミックプレートの内部で前記第１面と平行な第２面に設けられ、前記主抵抗発熱体による加熱を補完する二次元形状の副抵抗発熱体と、
　を備えたセラミックヒータ。
　前記第２面は、前記第１面と前記ウエハ載置面との間にある、
　請求項１に記載のセラミックヒータ。
　前記副抵抗発熱体は、セラミックを含有している、
　請求項１又は２に記載のセラミックヒータ。
　前記主抵抗発熱体は、前記第１面内のｍ個（ｍは１以上の整数）のゾーンのそれぞれに設けられ、
　前記副抵抗発熱体は、前記第２面内のｎ個（ｎはｍより大きな整数）のゾーンのそれぞれに設けられている、
　請求項１～３のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
　前記副抵抗発熱体は、扇形に分割されている
　請求項１～４のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
　前記副抵抗発熱体が前記主抵抗発熱体より穴に近い
　請求項１～５のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
　前記ウエハ載置面を平面視したときに前記主抵抗発熱体の端子と重なる位置に前記副抵抗発熱体が配置されている、
　請求項１～６のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。