WO2020136714A1 - 表示デバイスの製造装置、表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2020136714A1
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electrodeposition
display device
liquid
substrate
film forming
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PCT/JP2018/047549
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惇 佐久間
康 浅岡
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シャープ株式会社
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission

Definitions

  • the present invention relates to a display device manufacturing apparatus and a display device manufacturing method for forming a functional layer of a display device by electrodeposition.
  • Patent Document 1 discloses a method of forming an organic light emitting layer by an electrodeposition method in the production of an organic light emitting element.
  • a display device manufacturing apparatus of the present invention is a display device manufacturing apparatus that performs electrodeposition on a pixel electrode formed on a substrate, and includes an electrodeposition tank and a side surface of the electrodeposition tank. At a flow path that communicates with the inside of the electrodeposition tank and through which a fluid containing at least two kinds of liquids flows, a bottom electrode formed on the bottom surface of the inside, and a substrate for pressing the electrodeposition tank against each other. A pressure section and an electrodeposition power source for applying at least a binary voltage between the pixel electrode and the bottom electrode.
  • a method of manufacturing a display device of the present invention is a method of manufacturing a display device in which electrodeposition is performed on a pixel electrode formed on a substrate, the substrate being parallel to the substrate.
  • a substrate gripping step of sandwiching the electrodeposition liquid between the bottom electrode and the arranged bottom electrode, and at least a binary voltage is applied between the pixel electrode and the bottom electrode after the substrate gripping step to apply the voltage to the electrode.
  • the device for performing electrodeposition can be downsized and the tact time can be shortened.
  • FIG. 3 is a schematic view of the manufacturing apparatus of the display device according to Embodiment 1 of the present invention in a state where the substrate is pressed against the electrodeposition tank. 3 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the display device according to the first embodiment of the present invention. 4A to 4C are process cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view for explaining an electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention in comparison with an electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus according to the comparative embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the effect of the step of removing the cleaning liquid in the method for manufacturing the display device according to the first embodiment of the present invention. It is a schematic diagram of a manufacturing device of a display device concerning Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of the substrate C according to this embodiment.
  • the substrate C includes a plurality of pixel electrodes E and a plurality of electrodeposition bath connecting electrodes D.
  • the pixel electrode E is patterned on the substrate C so as to be exposed on either surface of the substrate C.
  • the pixel electrodes E are formed in a matrix on the substrate C.
  • a plurality of electrodeposition bath connecting electrodes D are formed along any two sides of the substrate C that are orthogonal to each other on the surface on which the pixel electrodes E of the substrate C are formed.
  • a voltage can be applied to each pixel electrode E by applying a voltage to each electrodeposition bath connecting electrode D.
  • a plurality of transistors (not shown) connected to each pixel electrode E may be formed on the substrate C, and each transistor is driven by applying a voltage to each electrodeposition tank connection electrode D.
  • a voltage may be applied to each pixel electrode E.
  • the pixel electrode E and the electrodeposition bath connection electrode D are flush with the surface of the substrate C on which the pixel electrode E and the electrodeposition bath connection electrode D are formed, and are exposed on the surface.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view of a display device manufacturing apparatus 2.
  • FIG. 1B is a top view of the display device manufacturing apparatus 2.
  • 1C is a sectional view taken along the line AA in FIG. It should be noted that FIG. 1A illustrates a state in which the substrate C is installed in the display device manufacturing apparatus 2. However, for simplicity of illustration, the illustration of the substrate C is omitted in FIGS. 1B and 1C.
  • the top view of the display device manufacturing apparatus 2 in each drawing is the top view at a position corresponding to (b) of FIG. 1 unless otherwise specified.
  • the cross-sectional view of the display device manufacturing apparatus 2 in each drawing is a cross-sectional view at a position corresponding to (c) of FIG. 1 unless otherwise specified.
  • the display device manufacturing apparatus 2 includes an electrodeposition tank 4, a flow path 6, a bottom electrode 8, a pressing unit 10, and an electrodeposition power source 12.
  • the electrodeposition tank 4 includes an outer side surface 14 that defines the outer shape of the electrodeposition tank 4, and an inner side surface 16 and a bottom surface 18 that define the inside 4A of the electrodeposition tank 4.
  • An edge portion 20 is defined between the outer side surface 14 and the inner side surface 16.
  • a plurality of substrate connecting electrodes 22 are formed on the upper surface of the edge portion 20. That is, a plurality of substrate connecting electrodes 22 are formed on the outer periphery of the electrodeposition tank 4.
  • the flow passage 6 includes a supply passage 28 including an electrodeposition liquid supply passage 24 and a cleaning liquid supply passage 26, and a discharge passage 30.
  • the electrodeposition liquid supply passage 24, the cleaning liquid supply passage 26, and the discharge passage 30 are all tubular and penetrate the outer side surface 14 and the inner side surface 16 of the electrodeposition tank 4 to the outside of the electrodeposition tank 4. And communicates with the interior 4A.
  • the flow passage 6 includes a valve that controls the flow of fluid between the inside of the electrodeposition tank 4 and the outside of the electrodeposition tank 4 in the flow passage 6.
  • the electrodeposition liquid supply passage 24, the cleaning liquid supply passage 26, and the discharge passage 30 are provided with valves 24V, 26V, and 30V, respectively.
  • the valves provided in the flow path are not shown.
  • each flow path 6 includes a valve. The specific operation of the valve provided in the flow path 6 will be described later.
  • the electrodeposition liquid supply path 24 communicates with the electrodeposition liquid source 32 on the outside of the electrodeposition tank 4. From the electrodeposition liquid source 32, the electrodeposition liquid L1 described later is supplied to the inside 4A via the electrodeposition liquid supply passage 24. Further, the cleaning liquid supply path 26 communicates with the cleaning liquid source 34 on the outer side of the electrodeposition tank 4. From the cleaning liquid source 34, the cleaning liquid L2 described later is supplied to the interior 4A via the cleaning liquid supply passage 26. Therefore, the supply passage 28 functions as a liquid supply passage through which the electrodeposition liquid L1 or the cleaning liquid L2 supplied to the inside 4A flows.
  • the electrodeposition liquid source 32 and the cleaning liquid source 34 may each have a built-in pump for supplying each liquid to the inside 4A.
  • the discharge passage 30 communicates with the discharge pump 36 on the outside of the electrodeposition tank 4.
  • the discharge pump 36 discharges the fluid in the interior 4A to the outside of the electrodeposition tank 4 via the discharge passage 30.
  • the discharge pump 36 sucks the electrodeposition liquid L1 and the cleaning liquid L2, which are supplied to the inside 4A, through the discharge passage 30 toward the outside of the electrodeposition tank 4. Therefore, the discharge passage 30 functions as a liquid discharge passage through which the electrodeposition liquid L1 and the cleaning liquid L2, which are discharged to the outside of the electrodeposition tank 4, flow.
  • the bottom electrode 8 is formed on the bottom surface 18 of the electrodeposition tank 4.
  • the bottom surface electrode 8 is flush with the bottom surface 18 and is exposed from the bottom surface 18. Further, when the substrate C is installed in the display device manufacturing apparatus 2, the bottom electrode 8 faces the pixel electrode E formed on the substrate C.
  • the pressurizing unit 10 has a mechanism for moving at least one of the substrate C and the electrodeposition tank 4 to control the relative distance between the substrate C and the electrodeposition tank 4.
  • the substrate C is placed in the display device manufacturing apparatus 2 by disposing the substrate C in the pressing unit 10.
  • the substrate C is disposed such that the pixel electrode E of the substrate C faces the bottom electrode 8 of the electrodeposition tank 4 in parallel.
  • the pressing unit 10 may be, for example, a vacuum chuck that holds the substrate C.
  • the pressurizing unit 10 may control the relative distance between the substrate C and the electrodeposition tank 4 by moving the substrate C with respect to the electrodeposition tank 4.
  • the pressurizing unit 10 can bring the substrate C and the electrodeposition tank 4 close to each other until the substrate C and the electrodeposition tank 4 come close to each other.
  • 3A and 3B are schematic diagrams corresponding to FIGS. 1A and 1C in a state where the substrate C and the electrodeposition tank 4 are pressed against each other. Shown respectively. 3B, the cross section of the substrate C is also illustrated.
  • the bottom surface electrode 8 faces the pixel electrode E of the substrate C via the inside 4A, as shown in FIG. 3B. That is, when the substrate C and the electrodeposition tank 4 are pressed against each other, the inside 4A is sandwiched between the substrate C and the bottom electrode 8 that is parallel to the substrate C.
  • the substrate connection electrode 22 of the electrodeposition tank 4 and the electrodeposition tank connection electrode D of the substrate C are shown. And come into contact with each other and become electrically conductive with each other.
  • the electrodeposition bath 4 serves to assist the electrical continuity between the substrate connection electrode 22 and the electrodeposition bath connection electrode D.
  • a spring 38 that pushes up the substrate connection electrode 22 may be provided below each substrate connection electrode 22.
  • the interior 4A defined by the side surface 16 and the bottom surface 18 has a distance d1 from the upper surface of the edge portion 20 to the upper surface of the bottom electrode 8.
  • This distance d1 corresponds to the depth of the interior 4A, and the bottom electrode 8 and the pixel electrode E when the substrate C and the electrodeposition tank 4 are pressed against each other as shown in FIG. 3B. Substantially equal to the distance between.
  • the electrodeposition power source 12 is a power source that individually applies at least a binary voltage to the bottom electrode 8 and the substrate connecting electrode 22. Therefore, the electrodeposition power source 12 can individually apply a voltage to the pixel electrode E of the substrate C via the substrate connection electrode 22 and the electrodeposition bath connection electrode D. Therefore, the electrodeposition power source 12 applies at least a binary voltage between each pixel electrode E and the bottom electrode 8.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining an example of a manufacturing method using the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a process cross-sectional view of the display device manufacturing apparatus 2 and the substrate C in the manufacturing method shown in FIG.
  • the display device manufacturing apparatus 2 includes the electrodeposition liquid supply passage 24 and the electrodeposition liquid source 32, unless otherwise specified.
  • the illustration of the cleaning liquid supply path 26 and the cleaning liquid source 34 on the back side of the is omitted.
  • the display device manufacturing apparatus 2 includes the cleaning liquid supply path 26 and the cleaning liquid source 34.
  • Step S2 is performed, for example, by placing the substrate C on the pressing unit 10 so that the pixel electrode E of the substrate C faces the bottom electrode 8.
  • Step S4 is executed by supplying the electrodeposition liquid L1 from the electrodeposition liquid source 32 to the inside 4A via the electrodeposition liquid supply passage 24.
  • step S4 the valve 26V (not shown) of the cleaning liquid supply passage 26 and the valve 30V of the discharge passage 30 are closed.
  • FIG. 5A shows a state in which the valve 30V of the discharge passage 30 is closed.
  • the state in which the valve 30V is closed refers to a state in which the discharge passage 30 is sealed by the valve 30V and the flow of fluid through the discharge passage 30 is restricted.
  • the valve 26V has the same configuration as the valve 30V, and restricts the flow of the fluid through the cleaning liquid supply passage 26 by closing the valve 26V.
  • the electrodeposition liquid L1 supplied from the electrodeposition liquid source 32 to the inside 4A via the electrodeposition liquid supply passage 24 does not flow in the other flow passages 6 except the electrodeposition liquid supply passage 24, and thus, FIG. As shown in (a) of FIG.
  • step S6 the pressurizing unit 10 is controlled to press the substrate C against the electrodeposition tank 4 (step S6).
  • step S6 As shown in FIG. 5B, the surface of the substrate C on which the pixel electrode E is formed and the upper surface of the edge portion 20 are in contact with each other.
  • step S6 the electrodeposition liquid L1 filled in the interior 4A is sandwiched between the substrate C and the bottom surface electrode 8 parallel to the substrate C.
  • step S4 the supply of the electrodeposition liquid L1 to the inside 4A is filled with the inside 4A, and the liquid level of the electrodeposition liquid L1 in the inside 4A is slightly higher than the upper surface of the edge portion 20 due to the surface tension. It will be implemented until it becomes. As a result, even if the surface of the substrate C on which the pixel electrode E is formed is flush, the surface of the pixel electrode E is immersed in the electrodeposition liquid L1 when the surface contacts the upper surface of the edge portion 20. It
  • the substrate C may be thinly formed only in the portion contacting the edge portion 20 in step S6.
  • the surface of the pixel electrode E enters the inside 4A more than the upper surface of the edge portion 20, so that the surface of the pixel electrode E is more surely contacted. Be immersed in.
  • the electrodeposition bath connection electrode D formed on the substrate C and the upper surface of the edge portion 20.
  • the substrate connecting electrode 22 exposed from the abutment is brought into contact with and electrically connected.
  • step S6 the electrodeposition power source 12 is controlled, a voltage is applied between the bottom electrode 8 and the pixel electrode E, and the electrodeposition step is performed (step S8).
  • the voltage is applied to the pixel electrode E in the electrodeposition step by applying a voltage from the electrodeposition power source 12 to the substrate connecting electrode 22 so that each pixel electrode E is connected via the electrodeposition bath connecting electrode D. It may be realized by driving.
  • the electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment will be described in comparison with the electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus according to the comparative embodiment.
  • FIG. 6A and 6B are process cross-sectional views for explaining the electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 6C and FIG. 6D are process cross-sectional views for explaining the electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus according to the comparative embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus is related to the present embodiment, except that, instead of the electrodeposition tank 4, it is provided with an electrodeposition tank 4C having a distance d2 larger than the distance d1 as a depth. It has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2.
  • 6(a) and 6(b) show enlarged side views of the vicinity of the electrodeposition tank 4 in the electrodeposition process of this embodiment.
  • 6C and 6D are enlarged side views in the vicinity of the electrodeposition tank 4C in the electrodeposition process of the comparative embodiment.
  • first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2 of the pixel electrodes E shown in the respective drawings of FIG. 6 are formed by the first film forming material contained in the electrodeposition liquid L1.
  • An example of forming the first layer F1 and the second layer F2 made of the film forming material M will be given.
  • the electrodeposition liquid L1 shown in each drawing of FIG. 6 is provided with a film forming material M which is a material of a layer formed on the pixel electrode E in each form.
  • the film forming material M has a functional group, and the functional group is charged either positively or negatively.
  • the polarity in which the functional group of the film forming material M is charged is regarded as the polarity of the film forming material M.
  • the electric field generated between the bottom electrode 8 and the pixel electrode E causes the film forming material M contained in the electrodeposition liquid L1 to migrate toward the pixel electrode E by Coulomb interaction.
  • the voltage applied to each electrode is controlled.
  • the film forming material M is caused to migrate only to a certain specific pixel electrode E, for example, the first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2.
  • the film forming material M may include inorganic nanoparticles, and particularly may include semiconductor nanoparticles, that is, quantum dots. Further, the film forming material M may be a material for a functional layer including a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, or the like, which is included between two electrodes of the self-luminous element. That is, in the film forming step of this embodiment, a functional layer containing the film forming material M may be formed on the pixel electrode E which is one electrode of the self-luminous element.
  • FIG. 6A and 6A and 6B show a state in which a voltage is applied between the bottom electrode 8 and the pixel electrode E, the film forming material M is migrated, and film formation is performed by electrodeposition in each form. (C) of.
  • the polarity which the functional material M has is a negative polarity is described. That is, a negative polarity voltage is applied to the bottom surface electrode 8, and a positive polarity voltage is applied to the first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2.
  • the polarities of the functional material M are reversed, the polarities of the voltages applied to the electrodes may be reversed.
  • a voltage having the same polarity as the voltage applied to the bottom electrode 8 may be applied to the other pixel electrodes E except the first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2.
  • an electric field is also generated between the other pixel electrodes E adjacent to the first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2, and the first pixel electrode E1 and the second pixel electrode E2. Can be improved.
  • the electrodeposition step it may be difficult to apply a uniform voltage to all the pixel electrodes E on which film formation is desired.
  • a voltage drop may occur in the specific pixel electrode E.
  • the voltage applied to the second pixel electrode E2 with respect to the first pixel electrode E1 is lower than the desired voltage.
  • the electric field generated between the bottom surface electrode 8 and the second pixel electrode E2 is weaker than the electric field generated between the bottom surface electrode 8 and the first pixel electrode E1.
  • the film formation rate of the second layer F2 becomes slow.
  • the film forming speed of the film forming material M on the pixel electrode E is rapidly reduced.
  • the film forming rate of the first layer F1 is relatively high, so that the film forming material M in the vicinity of the first pixel electrode E1 is consumed relatively quickly.
  • the electrodeposition tank 4 having the depth of the relatively short distance d1 as in the present embodiment the total amount of the film forming material M in the electrodeposition tank 4 is relatively small.
  • the film forming rate of the first layer F1 is changed after the film forming of the first layer F1 continues for a while. Falls rapidly.
  • the film formation rate of the second layer F2 is relatively low, the film formation material M still remains in the vicinity of the second pixel electrode E2 even when the film formation rate of the first layer F1 rapidly decreases. ing. For this reason, as the time further elapses, the film formation of the second layer F2 continues even after the film formation of the first layer F1 is substantially stopped. The film formation of the second layer F2 continues until the film forming material M in the vicinity of the second pixel electrode E2 is reduced.
  • the total amount of the film-forming material M near each pixel electrode is substantially the same. That is, when the film formation takes a sufficient time, the amounts of the film forming material M contained in the first layer F1 and the second layer F2 become substantially the same. Therefore, as shown in FIG. 6B, when the film thicknesses of the first layer F1 and the second layer F2 are set to the film thickness dF1 and the film thickness dF2, respectively, the film thickness dF1 and the film thickness dF2 are substantially the same. The film thickness is the same.
  • the display device manufacturing apparatus 2 forms a film on each pixel electrode E even when a voltage drop occurs in a specific pixel electrode E when a voltage is applied to each pixel electrode E.
  • the difference in film thickness between the formed layers can be reduced.
  • the total amount of the film forming material M in the electrodeposition tank 4C is relatively large. Therefore, even after the first layer F1 has been formed for a while, a relatively large amount of the film forming material M in the vicinity of the first pixel electrode E1 remains. Therefore, the deposition rate of the first layer F1 does not decrease for a relatively long time, and the deposition of the first layer F1 is continuously performed. Therefore, in the comparative form, film formation is continued not only on the second pixel electrode E2 but also on the first pixel electrode E1 while the voltage is being applied.
  • the film thickness of the first layer F1 is larger than that of the second layer F2 due to the film formation of the first layer F1 having a faster film forming speed than that of the second layer F2.
  • the film thickness dFA is larger than the film thickness dFB.
  • FIG. 7 shows a film forming material M in the electrodeposition liquid L1 during the film formation of the first layer F1 and the second layer F2 in the electrodeposition process using the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • 3 is a graph for explaining the relationship between the concentration of ⁇ and the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2.
  • FIG. 7 illustrates the case where the set value of the voltage applied between the bottom electrode 8 and the pixel electrode E is 10 V, and the target film thickness of the first layer F1 and the second layer F2 is 40 nm. ..
  • the concentration of the film forming material M in the electrodeposition liquid L1 is shown by the concentration of the film forming material M in the electrodeposition liquid L1 before the start of film formation being 100% by volume.
  • the film thicknesses of the first layer F1 and the second layer F2 are set to AFM (atomic force) after scratching each of the first layer F1 and the second layer F2 after forming the film on each pixel electrode E. It is measured by observing with a microscope. Further, the concentration of the film forming material M in the electrodeposition liquid L1 is derived by measuring the light absorptance of the electrodeposition liquid L1 using UV-vis (ultraviolet-visible light) spectroscopy.
  • the difference begins to grow.
  • the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 starts to become smaller.
  • the concentration of the film-forming material M contained in the electrodeposition liquid L1 is 60 volume% or less of the concentration before the start of film formation
  • the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 is The film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 immediately after the start of the film formation of the material M starts to become smaller.
  • the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 continues to decrease.
  • the concentration of the film forming material M contained in the electrodeposition liquid L1 is 25% by volume or less of the concentration before the start of film formation
  • the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 is near 0 nm. Decrease to. Even if film formation is continued thereafter, the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2 does not change significantly from around 0 nm.
  • the film forming material M immediately after the film forming is started. It is preferable because it is smaller than the film thickness difference between the first layer F1 and the second layer F2. Further, in the film forming step, when the concentration of the film forming material M contained in the electrodeposition liquid L1 is reduced by 75% by volume or more as compared with that before the film formation is started, the first layer F1 and the second layer F2 are separated from each other. It is more preferable because there is no significant difference in film thickness.
  • the distance d1 corresponding to the depth of the electrodeposition tank 4 is appropriately designed, and preferably, the distance d1 is made as small as possible. Just design. As a result, the capacity of the electrodeposition liquid L1 existing in the interior 4A in the film forming step is reduced, so that the concentration of the film forming material M in the electrodeposition liquid L1 is rapidly reduced by the above electrodeposition.
  • step S8 that is, after the film forming process is completed, the pressing unit 10 is controlled to release the pressing force between the substrate C and the electrodeposition tank 4, and further, as shown in FIG. Is pulled up from the electrodeposition tank 4 (step S10).
  • step S10 the substrate C and the electrodeposition tank 4 may be separated from each other so that a slight gap may be generated between the substrate C and the electrodeposition tank 4 to allow gas to flow into the interior 4A.
  • step S12 the discharge pump 36 is used to discharge the electrodeposition liquid L1 from the inside 4A through the discharge passage 30 (step S12).
  • step S12 since there is a gap between the substrate C and the electrodeposition tank 4 in step S10 which is the previous step, the electrodeposition liquid L1 can be quickly discharged from the inside 4A.
  • step S12 as shown in (d) of FIG. 5, after substantially all the electrodeposition liquid L1 is discharged from the inside 4A, as shown in (e) of FIG. Is supplied (step S14).
  • Step S14 is executed by supplying the cleaning liquid L2 from the cleaning liquid source 34 to the inside 4A via the cleaning liquid supply passage 26.
  • step S14 as shown in FIG. 5E, the valve 24V of the electrodeposition liquid supply passage 24 and the valve 30V of the discharge passage 30 are closed.
  • step S12 before step S14 that is, the effect of discharging the electrodeposition liquid L1 before supplying the cleaning liquid L2 to the interior 4A will be described with reference to FIG.
  • step S12 When the step S12 is performed and the electrodeposition solution L1 is almost completely discharged from the inside 4A, and the step S14 is performed to supply the cleaning solution L2, as shown in FIG. As a result, the cleaning liquid L2 spreads to every corner of the interior 4A. Therefore, in step S14, the interior 4A can be efficiently cleaned up to every corner with the cleaning liquid L2.
  • step S12 when step S12 is not performed and the electrodeposition liquid L1 is discharged while supplying the cleaning liquid L2, as shown in FIG. 8B, the electrodeposition liquid L1 remains and the cleaning liquid L2 is discharged first. It may be discharged through 30. Therefore, the interior 4A may not be efficiently cleaned by the cleaning liquid L2.
  • step S16 the pressurizing unit 10 is controlled to press the substrate C against the electrodeposition tank 4 again (step S16).
  • step S16 the surface of the substrate C including the surface of the film forming material M formed on each pixel electrode E is immersed in the cleaning liquid L2 in the interior 4A.
  • step S18 the cleaning of the substrate C after the film forming process is performed.
  • step S14 the supply of the cleaning liquid L2 to the inside 4A in step S14 is performed until the liquid level of the cleaning liquid L2 in the inside 4A becomes slightly higher than the upper surface of the edge portion 20 due to the surface tension, as in step S4. It As a result, even if the surface of the substrate C on which the pixel electrode E is formed is flush, when the surface contacts the upper surface of the edge portion 20, the surface of the pixel electrode E is immersed in the cleaning liquid L2.
  • the substrate C may be thinly formed only in the portion contacting the edge portion 20 in step S16.
  • the surface of the pixel electrode E enters the inside 4A more than the upper surface of the edge portion 20, so that the surface of the pixel electrode E is more reliably immersed in the cleaning liquid L2. To be done.
  • step S18 the supply of the cleaning liquid L2 via the cleaning liquid supply passage 26 and the discharge of the cleaning liquid L2 via the discharge passage 30 may be carried out at the same time. This allows the cleaning liquid L2 to flow in the interior 4A to clean the substrate C. Further, in step S18, the substrate C may be cleaned by vibration of ultrasonic waves.
  • Step S20 the cleaned substrate C is pulled up from the electrodeposition tank 4 (step S20).
  • Step S20 may be implemented by the same method as step S10.
  • the cleaning liquid L2 is discharged from the inside 4A to the outside of the electrodeposition tank 4 via the discharge passage 30 (step S22).
  • the substrate C is removed from the pressing unit 10 to remove the substrate C from the display device manufacturing apparatus 2 (step S24). This completes all the processing on the substrate C in the present embodiment.
  • step S20 in consideration of removing the substrate C from the pressurizing unit 10 in step S24, the substrate C and the electrodeposition tank 4 may be separated to a position where the substrate C can be easily attached and detached.
  • step S24 the processing on different substrates C may be continuously executed by executing step S2 and subsequent steps again.
  • the display device manufacturing apparatus 2 In the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment, two kinds of liquid including the electrodeposition liquid L1 and the cleaning liquid L2 flow in the flow path 6. Therefore, in the present embodiment, after the electrodeposition step on the substrate C is completed, the substrate C can be cleaned only by exchanging the fluid in the inside 4A of the electrodeposition tank 4. It is not necessary to immerse the substrate C in. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce the length of the display device manufacturing apparatus 2 and reduce the takt time.
  • the flow path 6 functions as a liquid supply path through which the liquid supplied to the electrodeposition tank 4 flows and a discharge path through which the liquid discharged from the electrodeposition tank 4 flows.
  • 30 and 30 are provided separately. Therefore, as compared with a configuration including a flow passage that shares a supply passage and a discharge passage, the electrodeposition liquid L1 discharged from the flow passage and attached to the flow passage is supplied with the cleaning liquid L2 through the flow passage. To prevent the electrodeposition liquid L1 from being supplied to the electrodeposition tank 4 again together with the cleaning liquid L2. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce the possibility of contamination of the inside 4A by the electrodeposition liquid L1.
  • the electrode 22 for substrate connection is provided on the upper surface of the edge portion 20 corresponding to the outer periphery of the electrodeposition tank 4, and the electrodeposition power supply 12 is the electrode 22 for substrate connection.
  • a voltage is applied to the substrate C via. Therefore, it is not necessary to directly connect the electrodeposition power source 12 to the substrate C, which leads to simplification of the display device manufacturing apparatus 2. Further, when the substrates C are replaced, it is not necessary to reconnect the electrodeposition power source 12 to a different substrate C, which leads to a reduction in tact time.
  • Electrodeposition in this specification includes an electrochemical film forming method for forming a thin film of a material in a solution by causing a potential difference between two electrodes in the solution.
  • Electrodeposition in the present specification may include, for example, a method such as an electrodeposition method, an electrodeposition coating method, an electrophoretic deposition method, a dielectrophoretic deposition method, a micelle electric field method, electroplating, or electroforming. .. Even when any one of these methods is selected as the above-mentioned electrodeposition step, it is possible to provide the manufacturing method and the manufacturing apparatus of the display device that have the above-described effects.
  • FIG. 9 is a schematic top view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment further includes an electrodeposition liquid supply passage 40 as the flow passage 6. Further, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment further includes an electrodeposition liquid source 42 that communicates with the electrodeposition liquid supply passage 40 on the outer side of the electrodeposition tank 4. Except for the above points, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the previous embodiment.
  • the electrodeposition liquid supply passage 40 is provided independently of the electrodeposition liquid supply passage 24, is tubular like the electrodeposition liquid supply passage 24, and has the outer surface 14 and the inner surface 16 of the electrodeposition tank 4. It penetrates and communicates with the outside and inside 4A of the electrodeposition tank 4.
  • a second electrodeposition liquid which is different from the first electrodeposition liquid L1 that is the first electrodeposition liquid, is supplied from the electrodeposition liquid source 42 to the inside 4A via the electrodeposition liquid supply passage 40.
  • the second electrodeposition liquid contains a second film forming material different from the first film forming material contained in the electrodeposition liquid L1.
  • the first film forming material and the second film forming material may be light emitting materials, and the respective light emitting colors of the first film forming material and the second film forming material may be different from each other.
  • step S2 to step S22 shown in FIG. 4 are sequentially executed.
  • step S24 is not performed, and following step S22, the second electrodeposition liquid is supplied to the inside 4A from the electrodeposition liquid source 42 via the electrodeposition liquid supply passage 40. Then, steps S6 to S22 are executed again.
  • each process after supplying the second electrodeposition liquid to the inside 4A is the same as the method for manufacturing the display device according to the previous embodiment after replacing the electrodeposition liquid L1 with the second electrodeposition liquid.
  • the layer containing the second film forming material contained in the second electrodeposition liquid is formed in a region of the substrate C different from the region in which the first film forming material is formed.
  • two kinds of electrodeposition liquids respectively containing different film forming materials flow individually. Therefore, two types of layers each containing different film forming materials can be formed on the substrate C by electrodeposition. Therefore, it is not necessary to change the electrodeposition tank 4 for pressing the substrate C in order to form two types of layers different from each other, and it is possible to reduce the length of the display device manufacturing apparatus 2 and reduce the takt time. it can.
  • the first film forming material and the second film forming material are light emitting materials
  • the light emitting layers containing the first film forming material and the second film forming material, respectively, are formed by the method for manufacturing the display device according to the present embodiment.
  • the same electrodeposition bath 4 can be used to individually form different regions of the substrate C.
  • the case where there are two electrodeposition liquid supply passages has been taken as an example, but the present invention is not limited to this.
  • a plurality of electrodepositions containing materials for a hole transport layer, a red light emitting layer, a green light emitting layer, a blue light emitting layer, and an electron transport layer respectively
  • the liquid may be supplied to the electrodeposition tank 4 via different electrodeposition liquid supply paths.
  • FIG. 10 is a schematic top view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment further includes a common flow path 44 as the flow path 6, and further includes a switching valve 46 communicating with the common flow path 44.
  • the flow passage 6 communicating with the interior 4A is only the common flow passage 44, and the electrodeposition liquid supply passage 24, the cleaning liquid supply passage 26, and the discharge passage 30 are connected to the switching valve 46 instead of the electrodeposition tank 4. ing.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment.
  • the switching valve 46 is controlled so that only the fluid from any one of the electrodeposition liquid supply passage 24, the cleaning liquid supply passage 26, and the discharge passage 30 flows. That is, the type of fluid flowing through the switching valve 46 is set according to the type of flow passage opened and closed by the switching valve 46.
  • the switching valve 46 when the switching valve 46 is set to open the electrodeposition liquid supply passage 24, only the electrodeposition liquid L1 from the electrodeposition liquid source 32, the electrodeposition liquid supply passage 24, the switching valve 46, and the common flow. It is supplied to the interior 4A through the path 44 in order. Further, for example, when the switching valve 46 is set to open the discharge passage 30, the liquid is discharged from the inside 4A through the common flow passage 44, the switching valve 46, and the discharge passage 30 in this order.
  • the method for manufacturing the display device according to this embodiment may be realized by the same method as the above-described manufacturing method.
  • the flow path 6 communicating with the interior 4A can be the common flow path 44 only. Therefore, the display device manufacturing apparatus 2 can be further simplified.
  • FIG. 11 is a schematic top view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment further includes, as the flow path 6, an auxiliary discharge path 48 and an auxiliary discharge pump 50. Except for the above points, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment.
  • the auxiliary discharge passage 48 functions as a liquid discharge passage similarly to the discharge passage 30, and is formed at least at one corner 16C of the interior 4A.
  • the corner portion 16C is formed at a contact point between two adjacent inner side surfaces 16.
  • two auxiliary discharge passages 48 are provided, one at each of the two corner portions 16C far from the electrodeposition liquid supply passage 24 and the discharge passage 30.
  • each auxiliary discharge passage 48 is connected to an auxiliary discharge pump 50.
  • the auxiliary discharge pump 50 may have the same structure as the discharge pump 36.
  • the provision of the flow path in the corner portion 16C includes that the opening of the flow path in the inner side surface 16 is formed at a position including the contact points of two adjacent inner side surfaces 16.
  • the provision of the flow passage in the corner portion 16C means that the inner wall of the flow passage is formed so as to be flush with the one inner side surface 16 like the auxiliary discharge passage 48 shown in FIG. Including that.
  • FIG. 12(a) and 12(b) show that in the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment and the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment, the electrodeposition liquid L1 is supplied to the inside 4A.
  • FIG. 6 is a top view showing a state of supply.
  • the electrodeposition liquid L1 may not spread from the electrodeposition liquid supply passage 24 and the discharge passage 30 to the far corner 16C. is there. In such a case, the bubbles AL may remain in the corner portion 16C. Therefore, it may be difficult to fill the inside 4A with the electrodeposition liquid L1.
  • the auxiliary discharge passage 48 is formed even in the corner portion 16C far from the electrodeposition liquid supply passage 24 and the discharge passage 30. Therefore, when bubbles AL are generated in the corner portion 16C during the supply of the electrodeposition liquid L1 to the inside 4A, the bubbles AL are contained in the bubbles AL via the auxiliary discharge passage 48 as shown in FIG. The generated gas can be discharged together with the electrodeposition liquid L1 in the interior 4A.
  • the interior 4A can be efficiently filled with the electrodeposition liquid L1. This also applies to the step of supplying the cleaning liquid L2 to the interior 4A.
  • the step of discharging the electrodeposition liquid L1 or the cleaning liquid L2 in the interior 4A may be performed by using the discharge passage 30 and the auxiliary discharge passage 48 together.
  • the discharge passage 30 and the auxiliary discharge passage 48 together it is possible to reduce the possibility that the electrodeposition liquid L1 or the cleaning liquid L2 partially remains in the inside 4A, and it is possible to more quickly discharge the inside 4A of the electrodeposition liquid L1 or the cleaning liquid L2.
  • FIG. 13 is a schematic top view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the electrodeposition liquid supply passage 24 and the discharge passage 30 are also formed in the corner portion 16C of the interior 4A.
  • an auxiliary discharge path 48 is also provided in the corner portion 16C adjacent to the electrodeposition liquid supply path 24.
  • the discharge passage 30 or the auxiliary discharge passage 48 is formed in each of the corners 16C.
  • a sensor 52 is formed in the discharge passage 30 and each auxiliary discharge passage 48.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the previous embodiment.
  • the sensor 52 can determine whether the liquid is flowing through the discharge passage 30 or each auxiliary discharge passage 48.
  • the auxiliary discharge passage 48 may also be provided with the valve 48V (not shown). Further, the valve 30V or the valve 48V may be opened or closed depending on the result of the sensor 52.
  • FIG. 14A and 14B are process top views of the process of supplying the electrodeposition liquid L1 to the electrodeposition tank 4 in the present embodiment.
  • the discharge passage 30 and each auxiliary discharge passage 48 are opened while the electrodeposition liquid L1 is supplied to the electrodeposition tank 4. In this case, it can be determined that the electrodeposition liquid L1 has spread to every corner of the electrodeposition tank 4 when the electrodeposition liquid L1 flows into all the discharge channels 30 and the auxiliary discharge channels 48.
  • the sensor 52 formed in the discharge passage 30 and each auxiliary discharge passage 48 at the position where the bubble AL is not generated indicates that the electrodeposition liquid L1 starts flowing through the discharge passage 30 and each auxiliary discharge passage 48. To detect. However, the sensor 52 formed in the auxiliary discharge passage 48 at the position where the bubble AL is generated detects that the electrodeposition liquid L1 does not flow through the auxiliary discharge passage 48.
  • the valve 30V and each valve 48V are provided only in the discharge passage 30 and each auxiliary discharge passage 48 in which the sensor 52 detects the flow of the electrodeposition liquid L1. Is closed. Therefore, the electrodeposition liquid L1 which is continuously supplied to the electrodeposition tank 4 starts to flow toward the auxiliary discharge passage 48 in which the valve 48V is not closed. Therefore, the bubbles AL are discharged from the auxiliary discharge path 48 together with the electrodeposition liquid L1.
  • the inside 4A is filled with the electrodeposition liquid L1. May be determined to have been completed, and the supply of the electrodeposition liquid L1 may be completed. Further, the above-mentioned supply process of the electrodeposition liquid L1 may be similarly applied to the supply process of the cleaning liquid L2.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment, except that the electrodeposition tank 4 further includes a heater 54.
  • the heater 54 is formed, for example, as shown in FIG. 15, below the electrodeposition tank 4, specifically below the bottom electrode 8. As the heater 54, various conventionally known heating devices can be applied as long as it can heat the interior 4A.
  • the step of firing the substrate C can be performed by controlling the heater 54 while the substrate C and the electrodeposition bath 4 are pressed against each other by the pressure unit 10.
  • the substrate C can be fired without moving the substrate C to a firing furnace or the like. Therefore, in the present embodiment, when the baking process of the substrate C is included in the manufacturing process of the display device, it is possible to reduce the length of the display device manufacturing apparatus 2 and reduce the takt time. Further, in the present embodiment, since the step of moving the substrate C to the firing furnace or the like can be omitted, it is possible to prevent contamination of the substrate C that may occur in the moving step.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment includes a gas supply path 56 and a gas discharge path 58 as the flow path 6 and as a gas flow path through which gas flows.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment further includes a blower 60 and a gas discharge pump 62. Except for the above points, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the previous embodiment.
  • the gas supply path 56 and the gas discharge path 58 are both tubular and penetrate the outer side surface 14 and the inner side surface 16 of the electrodeposition tank 4 and communicate with the outside and inside 4A of the electrodeposition tank 4.
  • the gas supply passage 56 and the gas discharge passage 58 respectively include a valve 56V and a valve 58V (not shown) that control the flow of the fluid.
  • the gas supply path 56 communicates with the blower 60 outside the electrodeposition tank 4. Gas is supplied from the blower 60 to the interior 4A via the gas supply path 56.
  • the type of gas supplied by the blower 60 is not particularly limited. For example, in the present embodiment, when the substrate C is baked using the heater 54, nitrogen or the like supplied to the electrodeposition tank 4 during the baking is performed.
  • the blower 60 may supply the inert gas. In this case, the firing of the substrate C can be performed in an appropriate atmosphere.
  • the gas discharge path 58 communicates with the gas discharge pump 62 on the outside of the electrodeposition tank 4.
  • the gas discharge pump 62 discharges the gas in the interior 4A to the outside of the electrodeposition tank 4 via the gas discharge passage 58.
  • the lifting of the substrate C and the electrodeposition tank 4 of the substrate C are performed before and after the supply of the liquid to the electrodeposition tank 4 and the discharge of the liquid from the electrodeposition tank 4, the lifting of the substrate C and the electrodeposition tank 4 of the substrate C are performed.
  • the step of pressing against can be omitted. That is, in the display device manufacturing method according to the present embodiment, at least step S10 and step S16 in FIG. 4 can be omitted. This will be described with reference to the process cross-sectional views illustrating an example of the method for manufacturing the display device according to the present embodiment shown in FIG. 17.
  • steps S2 to S8 shown in FIG. 4 are performed by the same method as the display device manufacturing method described above.
  • step S10 is omitted and step S12 is performed.
  • the gas from the blower 60 is supplied to the interior 4A through the gas supply passage 56.
  • the electrodeposition liquid L1 can be discharged from the electrodeposition tank 4 without pulling up the substrate C from the electrodeposition tank 4.
  • the valve 26V (not shown) is opened, and the cleaning liquid L2 is supplied to the interior 4A via the cleaning liquid supply passage 26.
  • the cleaning liquid L2 was quickly filled in the interior 4A, as shown in (c) of FIG.
  • the cleaning liquid L2 is filled into the substantially vacuum interior 4A, the residual amount of the electrodeposition liquid L1 in the previous step is reduced, and the generation of bubbles during the filling of the cleaning liquid L2 is reduced.
  • step S18 the same method as the manufacturing method of the display device described above is performed.
  • each valve included in the flow passage 6 is preferably a pressure resistant on-off valve.
  • the electrodeposition liquid supply passage 24 and the cleaning liquid supply passage 26, which are liquid supply passages, and the gas supply passage 56 are provided independently.
  • the present embodiment is not limited to this, and not only the liquid but also the gas may be supplied to the interior 4A via at least one of the electrodeposition liquid supply passage 24 and the cleaning liquid supply passage 26. In this case, the formation of the gas supply path 56 is unnecessary, which leads to further simplification of the display device manufacturing apparatus 2.
  • the discharge passage 30 which is a liquid discharge passage and the gas discharge passage 58 are provided independently.
  • the present embodiment is not limited to this, and not only the liquid but also the gas may be discharged from the inside 4A via the discharge passage 30.
  • the formation of the gas discharge path 58 is unnecessary, which leads to further simplification of the display device manufacturing apparatus 2.
  • the takt time can be further improved in the above-described display device manufacturing method.
  • FIG. 18 is a schematic sectional view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment, except that the bottom electrode 8 includes a plurality of pattern electrodes 64.
  • a plurality of pattern electrodes 64 are arranged on the bottom surface 18 of the electrodeposition tank 4.
  • the electrodeposition power source 12 applies a plurality of different potentials to the respective pattern electrodes 64 at once.
  • the method for manufacturing the display device according to this embodiment may be realized by the same method as the above-described manufacturing method.
  • each of the plurality of formed pattern electrodes 64 different potentials can be applied to each of the plurality of formed pattern electrodes 64. Therefore, in the electrodeposition process, when a voltage drop occurs in a specific pixel electrode E on the substrate C and the position of the pixel electrode E can be specified, the voltage of the corresponding pattern electrode 64 can be adjusted. That is, in the present embodiment, the electric field generated between the pixel electrode E and the pattern electrode 64 can be individually adjusted for each pixel electrode E.
  • FIG. 19 is a schematic sectional view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment includes a bottom electrode 66 instead of the bottom electrode 8. Further, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment includes an opening/closing control unit 68. Except for the above points, the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device manufacturing apparatus 2 according to the first embodiment.
  • the bottom surface electrode 66 is formed above the electrodeposition tank 4 with respect to the supply passage 28 including the electrodeposition liquid supply passage 24 and the cleaning liquid supply passage 26 and the discharge passage 30.
  • the space formed between the upper surface 66T of the bottom electrode 66 and the inner side surface 16 is defined as the inside 4A of the electrodeposition tank 4. That is, the bottom surface of the interior 4A becomes the top surface 66T of the bottom electrode 66.
  • the space formed between the inner side surface 16 and the bottom surface 18 below the bottom electrode 66 is defined as the preliminary tank 4B of the electrodeposition tank 4.
  • the bottom electrode 66 includes a first bottom electrode 66A and a second bottom electrode 66B, as shown in FIG.
  • the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B are in close contact with each other.
  • the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B may have the same structure.
  • the other may not be an electrode and may be formed of an insulator or the like.
  • the opening/closing control unit 68 can move at least one of the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B in the plane direction of the bottom surface electrode 66.
  • the opening/closing control unit 68 controls the relative positional relationship between the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B in the plane direction of the bottom surface electrode 66.
  • the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B have a plurality of first holes 70A and a plurality of second holes 70B, respectively.
  • a hole 70 penetrating the bottom surface electrode 66 is formed by communicating any one of the first hole 70A and the second hole 70B.
  • all the first holes 70A are formed.
  • 70A communicates with the second hole 70B.
  • the inside 4A and the auxiliary tank 4B communicate with each other through the hole 70.
  • the opening/closing control unit 68 causes at least one of the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B to move in the plane direction of the bottom surface electrode 66. It is realized by moving to. That is, the first hole 70A is closed by the second bottom surface electrode 66B, and the second hole 70B is closed by the first bottom surface electrode 66A.
  • the liquid supplied through the supply path 28 first fills the preliminary tank 4B, and then is supplied from the preliminary tank 4B to the inside 4A through the hole 70.
  • the opening/closing control unit 68 controls the positional relationship between the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B, and the hole 70 is closed to fill the interior 4A with the liquid. Can be maintained. Further, in the state where the hole 70 is formed, by discharging the liquid from the preliminary tank 4B through the discharge passage 30, the liquid is also discharged from the inside 4A through the hole 70.
  • the liquid is supplied to the interior 4A via the holes 70 formed in the bottom electrode 66. Therefore, the uniformity of the liquid in the interior 4A is improved as compared with the case where the liquid is supplied from only one liquid supply passage. Further, in the present embodiment, the total cross-sectional area of the holes 70, which are the supply ports for supplying the liquid to the interior 4A, can be made larger than the cross-sectional area of each of the supply passages 28 or the discharge passages 30. Therefore, the time required for filling the liquid into the interior 4A or discharging the liquid from the interior 4A is shortened, which further improves the tact time.
  • the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B are each a continuous electrode.
  • the present embodiment is not limited to this, and at least one of the first bottom surface electrode 66A and the second bottom surface electrode 66B may be formed in a plurality of patterns.
  • the above-described manufacturing method may be applied by regarding the spaces between the electrodes formed with the plurality of patterns as the holes formed in the electrodes.
  • FIG. 20 is a schematic top view showing the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment is provided with a partition wall 72 that is continuous with the edge portion 20 inside the outer periphery of the electrodeposition tank 4 except that the display device according to the first embodiment is provided. It has the same configuration as the device manufacturing apparatus 2.
  • the partition wall 72 divides the space of the interior 4A into a plurality of spaces, as shown in FIG.
  • the space of the interior 4A is separated by the partition wall 72 into four spaces having substantially the same shape.
  • a bottom electrode 8 is provided in each of the separated spaces.
  • a plurality of substrate connecting electrodes 22 are formed on the upper surface of the partition wall 72. That is, the plurality of substrate connecting electrodes 22 are formed not only on the outer circumference of the electrodeposition tank 4 but also inside the outer circumference of the electrodeposition tank 4.
  • partition openings 74 are formed in the partition 72.
  • the partition wall opening 74 is formed so as to penetrate the two side surfaces 76 of the partition wall 72. Therefore, the spaces of the interiors 4A adjacent to each other, which are separated by the partition wall 72, communicate with each other through the partition wall opening 74.
  • a corner portion 76C is formed at a contact point between the side surface 76 and the inner side surface 16 which are adjacent to each other.
  • the partition wall opening 74 is formed in a corner portion 76C, as shown in FIG.
  • the liquid when the liquid is supplied to one of the separated spaces, the liquid is also supplied to the other space through the partition opening 74. Further, when the liquid filled in one of the separated spaces is discharged to the outside of the electrodeposition tank 4, the liquid filled in the other spaces also passes through the partition wall opening 74 to be stored in the electrodeposition tank 4. It is discharged to the outside.
  • the present embodiment it is possible to carry out the electrodeposition step of the substrate C in each of the separated electrodeposition tanks 4.
  • the four substrates C are simultaneously processed. Can be electrodeposited.
  • the display device manufactured by the method for manufacturing a display device according to each of the above embodiments may have a display panel having a flexible and bendable display element.
  • the display element includes a display element whose brightness and transmittance are controlled by current and a display element whose brightness and transmittance are controlled by voltage.
  • the display device may include an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • the display device may include an inorganic light emitting diode as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be a QLED display including an EL display QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) such as an inorganic EL display.
  • QLED Quantum dot Light Emitting Diode
  • the voltage-controlled display element there is a liquid crystal display element or the like.
  • Electrodeposition Tank 2 Display Device Manufacturing Equipment 4 Electrodeposition Tank 6 Flow Paths 8 and 66 Bottom Electrode 10 Pressurizing Section 12 Electrodeposition Power Supply 14 Outer Side Surface 16 Inner Side Surface 18 Bottom 22 Substrate Connecting Electrodes 24 and 40 Electrodeposition Solution Supply Path 26 Cleaning Solution Supply Path 28 Supply path 30 Discharge path 46 Switching valve 48 Auxiliary discharge path 54 Heater 56 Gas supply path 58 Gas discharge path 64 Pattern electrode 68 Opening/closing control unit 70 Hole C Substrate E Pixel electrode L1 Electrodeposition liquid L2 Cleaning liquid M Film forming material

Landscapes

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Abstract

表示デバイスの製造装置（２）は、電着槽（４）と、該電着槽の側面（１４、１６）において前記電着槽の内部（４Ａ）と連通し、少なくとも２種の流体が流動する流動路（６）と、前記内部の底面（１８）に形成された底面電極（８）と、基板（Ｃ）と前記電着槽とを互いに押し付ける加圧部（１０）と、前記基板に形成された画素電極（Ｅ）と前記底面電極との間に少なくとも２値の電圧を印加する電着電源（１２）とを備え、前記画素電極に対する電着を行う。

Description

表示デバイスの製造装置、表示デバイスの製造方法
　本発明は、表示デバイスの機能層を電着により形成する、表示デバイスの製造装置および表示デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１には、有機発光素子の製造において、有機発光層を電着法によって形成する方法が開示されている。
日本国公表特許公報「特開２００２－３１３５６５」
　特許文献１に記載の技術においては、電着工程後の基板の洗浄、あるいは電着液の変更を行う場合に、基板を浸漬する液槽を変更する必要がある。このために、製造装置の長大化、およびタクトタイムの増加が問題となる。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造装置は、基板に形成された画素電極に対する電着を行う表示デバイスの製造装置であって、電着槽と、該電着槽の側面において前記電着槽の内部と連通し、少なくとも２種の液体を含む流体が流動する流動路と、前記内部の底面に形成された底面電極と、前記基板と前記電着槽とを互いに押し付ける加圧部と、前記画素電極と前記底面電極との間に少なくとも２値の電圧を印加する電着電源とを備える。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、基板に形成された画素電極に対する電着を行う表示デバイスの製造方法であって、前記基板と、該基板に平行に配置された底面電極との間において、電着液を挟持する基板把持工程と、前記基板把持工程に次いで、前記画素電極と前記底面電極との間に少なくとも２値の電圧を印加し、前記電着液に含まれる成膜材料を前記基板に成膜する成膜工程と、前記基板と前記底面電極との間に、前記電着液とは異なる液体を供給する液体供給工程とを備える。
　上記構成により、表示デバイスの製造において、電着を実施するための装置を小型化し、タクトタイムを短縮できる。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態１に係る基板の概略図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造装置において、基板を電着槽に押し付けた状態における、当該製造装置の概略図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造装置を用いた電着工程を、比較形態に係る表示デバイスの製造装置を用いた電着工程と比較して説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、電着液中の成膜材料の濃度と、互いに異なる電極間において成膜された層の膜厚差との関係を説明するためのグラフである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、洗浄液を脱去する工程の効果を説明するための概略図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造装置の効果を説明するための概略図である。 本発明の実施形態５に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態５に係る表示デバイスの製造装置の電着槽に電着液を供給する工程の一例を説明するための概略図である。 本発明の実施形態６に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態７に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態７に係る表示デバイスの製造装置の電着槽から電着液を排出する工程と電着槽へ洗浄液を供給する工程との一例を説明するための概略図である。 本発明の実施形態８に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態９に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。 本発明の実施形態１０に係る表示デバイスの製造装置の概略図である。
　〔実施形態１〕
　本明細書における、「連通する」、または「分離する」とは、特に断りのない限り、特定の２つの空間の間が、流体的に連通する、または分離することを指す。
　本明細書においては、図２に示す基板Ｃに対して電着を実施するための製造装置および製造方法について説明を行う。図２は、本実施形態に係る基板Ｃの概略斜視図である。図２に示すように、基板Ｃは、複数の画素電極Ｅと、複数の電着槽接続用電極Ｄとを備える。
　画素電極Ｅは、基板Ｃの何れか一方の面上において露出するように、基板Ｃにパターン形成されている。例えば、画素電極Ｅは、基板Ｃ上において、マトリクス状に形成されている。
　電着槽接続用電極Ｄは、基板Ｃの画素電極Ｅが形成されて面上において、基板Ｃの互いに直交する何れか２辺に沿って複数形成される。個々の電着槽接続用電極Ｄに電圧を印加することにより、個々の画素電極Ｅに電圧を印加することができる。このため、基板Ｃには、各画素電極Ｅと接続する、図示しないトランジスタが複数形成されていてもよく、個々の電着槽接続用電極Ｄに電圧を印加することにより、各トランジスタを駆動し、個々の画素電極Ｅに電圧を印加してもよい。
　画素電極Ｅおよび電着槽接続用電極Ｄは、基板Ｃの画素電極Ｅおよび電着槽接続用電極Ｄが形成された面と面一であり、当該面において露出している。
　図１は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２の概略図である。図１の（ａ）は、表示デバイスの製造装置２の斜視図である。図１の（ｂ）は、表示デバイスの製造装置２の上面図である。図１の（ｃ）は、図１の（ｂ）における、Ａ－Ａ線矢視断面図である。なお、図１の（ａ）においては、基板Ｃが表示デバイスの製造装置２に設置された様子を図示する。しかしながら、図示の簡単のために、図１の（ｂ）および図１の（ｃ）においては、基板Ｃの図示を省略している。
　また、本明細書において、各図の表示デバイスの製造装置２の上面図は、特に断りの無い限り、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図を示すものとする。さらに、本明細書において、各図の表示デバイスの製造装置２の断面図は、特に断りの無い限り、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図を示すものとする。
　図１に示すように、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、電着槽４と、流動路６と、底面電極８と、加圧部１０と、電着電源１２とを備える。
　電着槽４は、電着槽４の外形を規定する外側面１４と、電着槽４の内部４Ａを規定する内側面１６および底面１８を含む。外側面１４と内側面１６との間には、縁部２０が規定される。縁部２０の上面には、複数の基板接続用電極２２が形成されている。すなわち、電着槽４の外周には、複数の基板接続用電極２２が形成されている。
　流動路６は、電着液供給路２４および洗浄液供給路２６を含む供給路２８と、排出路３０とを備える。電着液供給路２４と、洗浄液供給路２６と、排出路３０とは、何れも管状であり、電着槽４の外側面１４と内側面１６とを貫通して、電着槽４の外部および内部４Ａと連通する。
　なお、図１には図示されていないが、流動路６は、当該流動路６における、電着槽４の内部と電着槽４の外部との流体の流動を制御する弁を備えている。特に、本実施形態において、電着液供給路２４、洗浄液供給路２６、および排出路３０は、それぞれ、弁２４Ｖ、２６Ｖ、および３０Ｖを備える。なお、図示の簡単のために、流動路と電着槽とが一対に接続されている場合は、流動路中に設けられた弁の図示を省略する。さらに、本実施形態のように、表示デバイスの製造装置２が流動路６を複数備える場合は、各流動路６が弁を備えている。流動路６が備える弁の具体的動作については後述する。
　電着液供給路２４は、電着槽４の外部側において、電着液源３２と連通する。電着液源３２からは、電着液供給路２４を介して、内部４Ａに、後述する電着液Ｌ１が供給される。また、洗浄液供給路２６は、電着槽４の外部側において、洗浄液源３４と連通する。洗浄液源３４からは、洗浄液供給路２６を介して、内部４Ａに、後述する洗浄液Ｌ２が供給される。したがって、供給路２８は、内部４Ａに供給される、電着液Ｌ１または洗浄液Ｌ２が流動する、液体供給路として機能する。電着液源３２と洗浄液源３４とは、各液体を内部４Ａに供給するためのポンプを、それぞれ内蔵していてもよい。
　さらに、排出路３０は、電着槽４の外部側において、排出ポンプ３６と連通する。排出ポンプ３６は、排出路３０を介して、内部４Ａの流体を電着槽４の外部に排出する。特に、本実施形態においては、排出ポンプ３６は、排出路３０を介して、内部４Ａに供給された、電着液Ｌ１および洗浄液Ｌ２を、電着槽４の外部に向かって吸引する。このため、排出路３０は、電着槽４の外部に排出される、電着液Ｌ１および洗浄液Ｌ２が流動する、液体排出路として機能する。
　底面電極８は、電着槽４の底面１８に形成されている。底面電極８は、底面１８と面一であり、かつ、底面１８から露出している。さらに、表示デバイスの製造装置２に基板Ｃが設置された際に、底面電極８は、基板Ｃに形成された画素電極Ｅと向かい合う。
　加圧部１０は、基板Ｃと電着槽４との少なくとも一方を移動させて、基板Ｃと電着槽４との相対距離を制御する機構を有する。本実施形態においては、基板Ｃを加圧部１０に配置することにより、表示デバイスの製造装置２への基板Ｃの設置が実施されるとする。基板Ｃを加圧部１０に配置する際、基板Ｃの画素電極Ｅが、電着槽４の底面電極８と、平行に向かい合うように、基板Ｃを配置する。
　加圧部１０としては、例えば、基板Ｃを把持する真空チャックであってもよい。この場合、加圧部１０は、基板Ｃを電着槽４に対して移動させることにより、基板Ｃと電着槽４との相対距離を制御してもよい。
　加圧部１０は、基板Ｃと電着槽４と接近させて、互いに接触させる位置まで、基板Ｃと電着槽４とを互いに近接させることができる。基板Ｃと電着槽４とが互いに押し付けられた状態における、図１の（ａ）および図１の（ｃ）に対応する概略図を、図３の（ａ）および図３の（ｂ）にそれぞれ示す。なお、図３の（ｂ）については、基板Ｃの断面についても図示をしている。
　基板Ｃと電着槽４とが互いに押し付けられた際、図３の（ｂ）に示すように、底面電極８は、内部４Ａを介して、基板Ｃの画素電極Ｅと対向する。すなわち、基板Ｃと電着槽４とが互いに押し付けられた状態においては、基板Ｃと、基板Ｃと平行である底面電極８との間において、内部４Ａを挟持する。
　また、基板Ｃと電着槽４とが互いに押し付けられた際、図３の（ｂ）に示すように、電着槽４の基板接続用電極２２と、基板Ｃの電着槽接続用電極Ｄとが接触し、互いに電気的に導通する。なお、図１の（ｃ）および図３の（ｂ）に示すように、電着槽４は、基板接続用電極２２と、電着槽接続用電極Ｄとの電気的導通を補助するために、基板接続用電極２２を押し上げるバネ３８を、各基板接続用電極２２の下部に備えていてもよい。
　ここで、図１の（ｃ）に示すように、側面１６と底面１８とにより規定された、内部４Ａは、縁部２０の上面から底面電極８の上面までの距離ｄ１を有する。この距離ｄ１は、内部４Ａの深さに相当し、図３の（ｂ）に示すように、基板Ｃと電着槽４とが互いに押し付けられた際の、底面電極８と画素電極Ｅとの間の距離と、実質的に一致する。
　電着電源１２は、底面電極８と基板接続用電極２２とに対して、少なくとも２値の電圧を個々に印加する電源である。このため、電着電源１２は、基板接続用電極２２および電着槽接続電極Ｄを介して、基板Ｃの画素電極Ｅに対しても、個々に電圧を印加することができる。したがって、電着電源１２は、個々の画素電極Ｅと底面電極８との間に、少なくとも２値の電圧を印加する。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を用いて、基板Ｃの画素電極Ｅ上に電着による成膜を実行する一例について、図４および図５を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を用いた製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図５は、図４に示す製造方法における、表示デバイスの製造装置２および基板Ｃの工程断面図である。
　なお、図５以降の表示デバイスの製造装置２の断面図において、図示の簡単のため、特に断りのない限り、表示デバイスの製造装置２が、電着液供給路２４と電着液源３２との奥側の洗浄液供給路２６と洗浄液源３４との図示を省略する。ただし、特に断りのない限り、各実施形態において、表示デバイスの製造装置２は、洗浄液供給路２６と洗浄液源３４とを備えるものとする。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、はじめに、図５の（ａ）に示すように、表示デバイスの製造装置２に基板Ｃを設置する（ステップＳ２）。ステップＳ２は、例えば、基板Ｃの画素電極Ｅが底面電極８と向かい合うように、基板Ｃを加圧部１０に設置することにより実行される。
　本実施形態においては、ステップＳ２において加圧部１０に設置された基板Ｃを、電着槽４に近接させる前に、図５の（ａ）に示すように、内部４Ａに電着液Ｌ１を供給する（ステップＳ４）。ステップＳ４は、電着液Ｌ１を、電着液源３２から電着液供給路２４を介して、内部４Ａに供給することにより実行される。
　ステップＳ４においては、洗浄液供給路２６の弁２６Ｖ（図示せず）および排出路３０の弁３０Ｖを閉じる。図５の（ａ）には、排出路３０の弁３０Ｖを閉じた状態が図示されている。弁３０Ｖを閉じた状態とは、弁３０Ｖにより排出路３０を密封し、排出路３０を介した流体の流動を制限した状態を指す。弁２６Ｖは、弁３０Ｖと同一の構成を備え、弁２６Ｖを閉じることにより、洗浄液供給路２６を介した流体の流動を制限する。
　このため、電着液源３２から電着液供給路２４を介して内部４Ａに供給された電着液Ｌ１は、電着液供給路２４を除く他の流動路６を流動せず、図５の（ａ）に示すように、内部４Ａに貯留する。
　ステップＳ２およびステップＳ４の両方が実行された後、加圧部１０を制御して、基板Ｃを電着槽４に押し付ける（ステップＳ６）。ステップＳ６の実行により、図５の（ｂ）に示すように、基板Ｃの画素電極Ｅが形成された面と、縁部２０の上面とが当接する。ステップＳ６が完了した時点において、内部４Ａに充填された電着液Ｌ１は、基板Ｃと、基板Ｃと平行である底面電極８との間において挟持されている。
　この際、基板Ｃから露出した画素電極Ｅの表面は、内部４Ａの電着液Ｌ１に浸漬される。このため、ステップＳ４における、電着液Ｌ１の内部４Ａへの供給は、内部４Ａが満たされ、内部４Ａの電着液Ｌ１の液面が、表面張力により、縁部２０の上面よりも若干高くなるまで実施される。これにより、基板Ｃの画素電極Ｅが形成された面が面一であったとしても、当該面が縁部２０の上面と当接した際、画素電極Ｅの表面が電着液Ｌ１に浸漬される。
　また、ステップＳ６において、確実に画素電極Ｅの表面を電着液Ｌ１に浸漬するために、ステップＳ６において縁部２０と当接する部分のみ、基板Ｃを薄く形成してもよい。当該構成であれば、基板Ｃと縁部２０と当接した際、画素電極Ｅの表面が縁部２０の上面よりも内部４Ａに入り込むため、より確実に画素電極Ｅの表面が電着液Ｌ１に浸漬される。
　なお、ステップＳ６により、基板Ｃが縁部２０の上面に押し付けられるため、図５の（ｂ）に示すように、基板Ｃに形成された電着槽接続用電極Ｄと、縁部２０の上面から露出する基板接続用電極２２とが当接し、電気的に導通する。
　ステップＳ６に次いで、電着電源１２を制御し、底面電極８と画素電極Ｅとの間に電圧を印加し、電着工程を実施する（ステップＳ８）。電着工程における、画素電極Ｅへの電圧の印加は、電着電源１２から基板接続用電極２２に電圧を印加することにより、電着槽接続用電極Ｄを介して、個々の画素電極Ｅを駆動することにより実現してもよい。
　ここで、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を用いた電着工程について、比較形態に係る表示デバイスの製造装置を用いた電着工程と比較して説明する。
　図６の（ａ）および図６の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を用いた電着工程について説明するための工程断面図である。図６の（ｃ）および図６の（ｄ）は、比較形態に係る表示デバイスの製造装置を用いた電着工程について説明するための工程断面図である。
　なお、比較形態に係る表示デバイスの製造装置は、電着槽４の代わりに、距離ｄ１よりも大きい距離ｄ２を深さとして有する、電着槽４Ｃを備える点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　図６の（ａ）および図６の（ｂ）においては、本実施形態の電着工程における、電着槽４近傍の拡大側面図を示す。図６の（ｃ）および図６の（ｄ）においては、比較形態の電着工程における、電着槽４Ｃ近傍の拡大側面図を示す。
　本実施形態および比較形態においては、図６の各図に示す、画素電極Ｅのうち、第１画素電極Ｅ１と第２画素電極Ｅ２とのみに、電着液Ｌ１が含む第１成膜材料である、成膜材料Ｍからなる、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２とをそれぞれ形成する例を挙げる。
　図６の各図に示す電着液Ｌ１は、各形態において画素電極Ｅ上に成膜される層の材料である、成膜材料Ｍを備えている。成膜材料Ｍは官能基を有し、当該官能基は正または負の何れかに帯電している。本実施形態においては、成膜材料Ｍの官能基が帯電している極性を、成膜材料Ｍの極性とみなす。
　電着工程においては、底面電極８と画素電極Ｅとの間に生じる電界によって、電着液Ｌ１に含まれる成膜材料Ｍが、クーロン相互作用により、画素電極Ｅに向かって泳動するように、各電極に印加される電圧が制御される。この際、個々の画素電極Ｅを個別に駆動することにより、ある特定の画素電極Ｅ、例えば、第１画素電極Ｅ１と第２画素電極Ｅ２とにのみ、成膜材料Ｍを泳動させる。
　本実施形態においては、成膜材料Ｍは、無機ナノ粒子を含んでいてもよく、特に、半導体ナノ粒子、すなわち、量子ドットを含んでいてもよい。また、成膜材料Ｍは、自発光素子の２電極間に含まれる、正孔輸送層、発光層、または電子輸送層等を含む、機能層の材料であってもよい。すなわち、本実施形態における成膜工程においては、自発光素子の一方の電極である画素電極Ｅ上に、成膜材料Ｍを含む機能層を成膜してもよい。
　各形態において、底面電極８と画素電極Ｅとの間に電圧を印加し、成膜材料Ｍを泳動させ、電着による成膜の実施している様子を、図６の（ａ）および図６の（ｃ）に示す。なお、図６の各図においては、機能材料Ｍが有する極性が、負極性である場合を記載している。すなわち、底面電極８には負の極性の電圧を印加し、第１画素電極Ｅ１および第２画素電極Ｅ２には正の極性の電圧を印加している。なお、機能材料Ｍが有する極性が逆転した場合、各電極に印加する電圧の極性についても逆転させればよい。また、第１画素電極Ｅ１および第２画素電極Ｅ２を除く他の画素電極Ｅには、底面電極８に印加する電圧と同極性の電圧を印加してもよい。この場合、第１画素電極Ｅ１および第２画素電極Ｅ２とそれぞれ隣接する他の画素電極Ｅと、第１画素電極Ｅ１および第２画素電極Ｅ２との間においても電界が発生するため、成膜速度を向上させることができる。
　ここで、電着工程においては、成膜を行いたい全ての画素電極Ｅに対し、均一に電圧を印加することが困難である場合がある。特に、特定の画素電極Ｅにおいて電圧の降下が発生する場合がある。本実施形態および比較形態においても、第１画素電極Ｅ１に対し、第２画素電極Ｅ２に印加された電圧が、望ましい電圧よりも降下したとする。この場合、底面電極８と第１画素電極Ｅ１との間に生じる電界よりも、底面電極８と第２画素電極Ｅ２との間に生じる電界が弱くなるため、第１層Ｆ１の成膜速度よりも、第２層Ｆ２の成膜速度が遅くなる。
　しかしながら、ある特定の画素電極Ｅの近傍に存在する成膜材料Ｍが、成膜によって減少することにより、当該画素電極Ｅに対する成膜材料Ｍの成膜速度は急激に低下する。ここで、上記成膜工程において、第１層Ｆ１の成膜速度が比較的速いことにより、第１画素電極Ｅ１の近傍の成膜材料Ｍは比較的素早く消費される。また、本実施形態のように、比較的短い距離ｄ１を深さとして有する電着槽４においては、電着槽４中の成膜材料Ｍの総量が比較的少ない。したがって、上記成膜工程においては、第１画素電極Ｅ１の近傍の成膜材料Ｍが急速に少なくなるため、しばらく第１層Ｆ１の成膜が続いた後、第１層Ｆ１の成膜速度は急速に低下する。
　また、第２層Ｆ２の成膜速度は比較的遅いため、第１層Ｆ１の成膜速度が急速に低下した時点においても、まだ第２画素電極Ｅ２の近傍には成膜材料Ｍが残存している。このために、さらに時間が経過することにより、第２層Ｆ２の成膜は、第１層Ｆ１の成膜が実質的に停止した後も継続する。第２層Ｆ２の成膜は、第２画素電極Ｅ２の近傍の成膜材料Ｍが少なくなるまで続く。
　成膜材料Ｍが電着液Ｌ１において略均等に分散しているとすると、各画素電極近傍における成膜材料Ｍの総量は略同一である。すなわち、成膜に十分に時間をかけた場合、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２とに含まれる成膜材料Ｍの量は、実質的に同一となる。したがって、図６の（ｂ）に示すように、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚をそれぞれ、膜厚ｄＦ１と膜厚ｄＦ２とおくと、膜厚ｄＦ１と膜厚ｄＦ２とは略同一の膜厚となる。
　ゆえに、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、各画素電極Ｅに対する電圧印加を行った際、特定の画素電極Ｅにおいて電圧降下等が発生した場合においても、各画素電極Ｅに成膜された層の膜厚差を低減できる。
　一方、比較形態のように、比較的長い距離ｄ２を深さとして有する電着槽４Ｃにおいては、電着槽４Ｃ中の成膜材料Ｍの総量が比較的多くなる。このために、しばらく第１層Ｆ１の成膜が続いた後であっても、第１画素電極Ｅ１の近傍の比較的多くの成膜材料Ｍは残存している。このため、第１層Ｆ１の成膜速度は比較的長時間低下せず、継続して第１層Ｆ１の成膜が実施される。したがって、比較形態においては、電圧を印加している間、第２画素電極Ｅ２のみならず、第１画素電極Ｅ１においても成膜が継続することとなる。
　ゆえに、第２層Ｆ２と比較して、成膜速度が速い第１層Ｆ１が急速に成膜されることにより、第１層Ｆ１の膜厚が第２層Ｆ２の膜厚と比較して厚くなる。すなわち、図６の（ｄ）に示すように、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚をそれぞれ、膜厚ｄＦＡと膜厚ｄＦＢとおくと、膜厚ｄＦＡは膜厚ｄＦＢよりも厚くなる。このため、比較形態に係る表示デバイスの製造装置においては、各画素電極Ｅに対する電圧印加を行った際、特定の画素電極Ｅにおいて電圧降下等が発生した場合、各画素電極Ｅに成膜された層の間に膜厚差が生じる。
　図７は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を用いた電着工程において、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２とを成膜する間の、電着液Ｌ１中の成膜材料Ｍの濃度と、第１層Ｆ１および第２層Ｆ２の膜厚差との関係を説明するためのグラフである。なお、図７は、底面電極８と画素電極Ｅとの間に印加する電圧の設定値を１０Ｖ、第１層Ｆ１および第２層Ｆ２の目標の膜厚を４０ｎｍとした場合において図示している。また、電着液Ｌ１中の成膜材料Ｍの濃度は、成膜開始前の電着液Ｌ１中の成膜材料Ｍの濃度を１００体積パーセントとして示す。
　また、第１層Ｆ１および第２層Ｆ２の膜厚は、各画素電極Ｅ上に成膜を実施した後、第１層Ｆ１および第２層Ｆ２のそれぞれに傷を付け、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって観察することにより測定している。さらに、電着液Ｌ１中の成膜材料Ｍの濃度は、ＵＶ－ｖｉｓ（紫外可視光）分光法を用いて、電着液Ｌ１の光の吸収率を測定することにより導出している。
　図７に示すように、底面電極８と各画素電極Ｅとの間に電圧が印加され、成膜材料Ｍの成膜が開始されると、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差は大きくなり始める。しかしながら、成膜材料Ｍの成膜が進むにつれ、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差が小さくなり始める。そして、電着液Ｌ１中に含まれる成膜材料Ｍの濃度が、成膜開始前の濃度の６０体積パーセント以下となると、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差は、成膜材料Ｍの成膜の開始直後の第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差を下回り始める。
　さらに、成膜を継続すると、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差は減少を続ける。そして、電着液Ｌ１中に含まれる成膜材料Ｍの濃度が、成膜開始前の濃度の２５体積パーセント以下となると、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差は、０ｎｍ近傍まで減少する。その後成膜を継続しても、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差は、０ｎｍ近傍から大きく変化しない。
　したがって、成膜工程においては、電着液Ｌ１中に含まれる成膜材料Ｍの濃度が、成膜開始前と比較して４０体積パーセント以上減少すると、成膜材料Ｍの成膜の開始直後の第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚差を下回るため好ましい。さらに、成膜工程においては、電着液Ｌ１中に含まれる成膜材料Ｍの濃度が、成膜開始前と比較して７５体積パーセント以上減少すると、第１層Ｆ１と第２層Ｆ２との膜厚の有意な差が無くなるためより好ましい。
　成膜工程において、上述した成膜材料Ｍの濃度の減少を発生させるためには、電着槽４の深さに相当する距離ｄ１を適切に設計し、好ましくは、可能な限り小さくなるように設計すればよい。これにより、成膜工程において内部４Ａに存在する電着液Ｌ１の容量が少なくなるため、上述した電着により電着液Ｌ１中の成膜材料Ｍの濃度が速やかに減少する。
　ステップＳ８、すなわち、成膜工程が完了した後、加圧部１０を制御し、基板Ｃと電着槽４との押し付けを解除し、さらに、図５の（ｃ）に示すように、基板Ｃを電着槽４から引き上げる（ステップＳ１０）。ステップＳ１０においては、基板Ｃと電着槽４とを引き離して、基板Ｃと電着槽４との間に、内部４Ａに気体が流入できる程度の間隙がわずかでも生じればよい。
　次いで、図５の（ｃ）に示すように、排出ポンプ３６を用いて、内部４Ａから、電着液Ｌ１を、排出路３０を介して排出する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２においては、前工程であるステップＳ１０により、基板Ｃと電着槽４との間に間隙が生じているため、速やかに内部４Ａから電着液Ｌ１を排出できる。
　この際、図５の（ｃ）に示すように、電着液源３２から、電着液供給路２４を介して、電着液Ｌ１が内部４Ａに流入することを防止するため、電着液供給路２４の弁２４Ｖが閉じられる。同様に、洗浄液供給路２６の弁２６Ｖ（図示せず）が閉じられている。
　ステップＳ１２において、図５の（ｄ）に示すように、内部４Ａから実質的に全ての電着液Ｌ１が排出された後、図５の（ｅ）に示すように、内部４Ａへの洗浄液Ｌ２の供給を実行する（ステップＳ１４）。ステップＳ１４は、洗浄液Ｌ２を、洗浄液源３４から洗浄液供給路２６を介して、内部４Ａに供給することにより実行される。なお、ステップＳ１４においては、図５の（ｅ）に示すように、電着液供給路２４の弁２４Ｖと排出路３０の弁３０Ｖとが閉じられている。
　ステップＳ１４の前にステップＳ１２を実施することによる効果、すなわち、内部４Ａに洗浄液Ｌ２を供給する前に、電着液Ｌ１を排出することによる効果を、図８を参照して説明する。
　ステップＳ１２を実施し、電着液Ｌ１を略完全に内部４Ａから排出した状態において、ステップＳ１４を実施し、洗浄液Ｌ２の供給を実施した場合、図８の（ａ）に示すように、表面張力により、洗浄液Ｌ２が内部４Ａの隅々までいきわたる。このために、ステップＳ１４において、洗浄液Ｌ２によって、内部４Ａを隅々まで効率よく洗浄できる。
　しかしながら、ステップＳ１２を実施せず、洗浄液Ｌ２を供給しつつ電着液Ｌ１を排出した場合、図８の（ｂ）に示すように、電着液Ｌ１が残存し、洗浄液Ｌ２が先に排出路３０を介して排出されてしまう場合がある。このため、洗浄液Ｌ２によって、内部４Ａを効率よく洗浄できない可能性がある。
　次いで、加圧部１０を制御して、再度基板Ｃを電着槽４に押し付ける（ステップＳ１６）。ステップＳ１６においては、各画素電極Ｅに対して成膜された成膜材料Ｍの表面を含む、基板Ｃの表面が、内部４Ａの洗浄液Ｌ２に浸漬される。これにより、成膜工程後の基板Ｃの洗浄が実施される（ステップＳ１８）。
　このことから、ステップＳ１４における、洗浄液Ｌ２の内部４Ａへの供給は、ステップＳ４と同じく、内部４Ａの洗浄液Ｌ２の液面が、表面張力により、縁部２０の上面よりも若干高くなるまで実施される。これにより、基板Ｃの画素電極Ｅが形成された面が面一であったとしても、当該面が縁部２０の上面と当接した際、画素電極Ｅの表面が洗浄液Ｌ２に浸漬される。
　また、ステップＳ１６において、確実に画素電極Ｅの表面を洗浄液Ｌ２に浸漬するために、ステップＳ１６において縁部２０と当接する部分のみ、基板Ｃを薄く形成してもよい。当該構成であれば、基板Ｃと縁部２０と当接した際、画素電極Ｅの表面が縁部２０の上面よりも内部４Ａに入り込むため、より確実に画素電極Ｅの表面が洗浄液Ｌ２に浸漬される。
　なお、ステップＳ１８において、洗浄液供給路２６を介した洗浄液Ｌ２の供給と、排出路３０を介した洗浄液Ｌ２の排出とを同時に実施してもよい。これにより、内部４Ａにおいて洗浄液Ｌ２を流動させ、基板Ｃを洗浄することができる。また、ステップＳ１８において、基板Ｃを超音波による振動により洗浄してもよい。
　ついで、洗浄が完了した基板Ｃを電着槽４から引き上げる（ステップＳ２０）。ステップＳ２０は、ステップＳ１０と同一の手法にて実施されてもよい。次いで、内部４Ａから、排出路３０を介して、洗浄液Ｌ２が電着槽４の外部へと排出される（ステップＳ２２）。また、ステップＳ２２とは独立して、基板Ｃを加圧部１０から取り外すことにより、表示デバイスの製造装置２から基板Ｃを取り外す（ステップＳ２４）。これにより、本実施形態における基板Ｃへの処理が全て完了する。
　なお、ステップＳ２０においては、ステップＳ２４において、加圧部１０から基板Ｃを取り外すことを考慮し、基板Ｃの脱着が容易となる位置まで、基板Ｃと電着槽４とを引き離してもよい。また、ステップＳ２４の完了後、再度ステップＳ２以降を実行することにより、異なる基板Ｃへの処理を引き続き実行してもよい。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２においては、流動路６において、電着液Ｌ１と洗浄液Ｌ２とを含む、２種の液体が流動する。このため、本実施形態においては、基板Ｃへの電着工程の完了後、電着槽４の内部４Ａの流体を入れ替えるのみにて、基板Ｃの洗浄を実施するできるため、異なる電着槽４に基板Ｃを浸漬する必要がない。したがって、本実施形態においては、表示デバイスの製造装置２の長大化を低減し、タクトタイムを低減することができる。
　また、流動路６は、電着槽４に供給される液体が流動する液体供給路として機能する供給路２８と、電着槽４から排出される液体が流動する液体排出路として機能する排出路３０とを、個別に備えている。このため、供給路と排出路とを共有する流動路を備える構成と比較して、流動路から排出され、当該流動路に付着した電着液Ｌ１が、流動路を介して供給される洗浄液Ｌ２と接触し、再び電着槽４に電着液Ｌ１が洗浄液Ｌ２と共に供給されることを防止する。したがって、本実施形態においては、内部４Ａの、電着液Ｌ１による汚染の可能性を低減できる。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２においては、電着槽４の外周に相当する、縁部２０の上面に、基板接続用電極２２を備え、電着電源１２が、基板接続用電極２２を介して基板Ｃに電圧を印加する。このため、電着電源１２を直接基板Ｃに接続する必要が無く、表示デバイスの製造装置２の簡素化につながる。また、基板Ｃを入れ替える際に、電着電源１２を異なる基板Ｃに接続し直す必要が無いため、タクトタイムの低減にもつながる。
　なお、本明細書における「電着」とは、溶液中において二電極間に電位差を生じさせることにより、当該溶液中の材料からなる薄膜を成膜する電気化学的成膜方法を含んでいる。本明細書における「電着」は、例えば、電着法、電着塗装法、電気泳動堆積法、誘電泳動堆積法、ミセル電界法、電気めっき、または電鋳等の手法を含んでいてもよい。これらの何れかの手法を、上述の電着工程として選択した場合であっても、上述した効果を奏する表示デバイスの製造方法および製造装置を提供できる。
　〔実施形態２〕
　図９は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略上面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、流動路６として、さらに、電着液供給路４０を備える。また、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、電着槽４の外部側において、電着液供給路４０と連通する電着液源４２をさらに備える。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、前実施形態に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　電着液供給路４０は、電着液供給路２４とは独立して設けられ、電着液供給路２４と同様に、管状であり、電着槽４の外側面１４と内側面１６とを貫通して、電着槽４の外部および内部４Ａと連通する。電着液源４２からは、電着液供給路４０を介して、内部４Ａに、第１電着液である電着液Ｌ１とは異なる、第２電着液が供給される。
　第２電着液は、電着液Ｌ１が含む第１成膜材料とは異なる第２成膜材料を含む。なお、第１成膜材料および第２成膜材料は発光材料であってもよく、第１成膜材料および第２成膜材料のそれぞれの発光色が互いに異なっていてもよい。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、はじめに、図４に示すステップＳ２からステップＳ２２が順次実行される。ここで、本実施形態においては、ステップＳ２４が実施されず、ステップＳ２２に次いで、内部４Ａに、電着液源４２から電着液供給路４０を介して、第２電着液を供給する。この後、再度ステップＳ６からステップＳ２２までが再度実行される。
　なお、第２電着液を内部４Ａに供給してからの各工程は、電着液Ｌ１を第２電着液と読み替えた上で、前実施形態に係る表示デバイスの製造方法と同一の手法によって実施される。ただし、本実施形態においては、第２電着液が有する第２成膜材料を含む層を、基板Ｃの、第１成膜材料を成膜した領域とは異なる領域に成膜する。
　本実施形態においては、流動路６において、互いに異なる成膜材料をそれぞれ含む２種の電着液が、個別に流動する。このため、互いに異なる成膜材料をそれぞれ含む２種の層を、電着によって基板Ｃに形成することができる。したがって、互いに異なる２種の層を成膜するために、基板Ｃを押し付ける電着槽４を変更する必要が無く、表示デバイスの製造装置２の長大化を低減し、タクトタイムを低減することができる。
　また、第１成膜材料および第２成膜材料が発光材料である場合、本実施形態に係る表示デバイスの製造方法によって、第１成膜材料および第２成膜材料をそれぞれ含む発光層を、同一の電着槽４を用いて、基板Ｃの異なる領域に個別に形成することができる。
　本実施形態においては、電着液供給路が２つの場合を例に挙げたが、これに限られない。例えば、自発光素子の２電極間に含まれる機能層を成膜する場合、正孔輸送層、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、および電子輸送層の材料をそれぞれ含む複数の電着液を、それぞれ異なる電着液供給路を介して電着槽４に供給してもよい。
　〔実施形態３〕
　図１０は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略上面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、流動路６として、さらに共通流動路４４を備え、共通流動路４４と連通する切り替え弁４６をさらに備える。さらに、内部４Ａと連通する流動路６は共通流動路４４のみであり、電着液供給路２４、洗浄液供給路２６、および排出路３０は、電着槽４の代わりに切り替え弁４６に接続されている。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　切り替え弁４６は、電着液供給路２４、洗浄液供給路２６、および排出路３０の内、何れか１つの流動路からの流体のみが流動するように制御される。すなわち、切り替え弁４６を流動する流体の種類は、切り替え弁４６が開閉する流動路の種類によって設定される。
　例えば、切り替え弁４６が電着液供給路２４を開くように設定されている場合、電着液源３２からの電着液Ｌ１のみが、電着液供給路２４、切り替え弁４６、および共通流動路４４を順に介して、内部４Ａに供給される。また、例えば、切り替え弁４６が排出路３０を開くように設定されている場合、共通流動路４４、切り替え弁４６、および排出路３０を順に介して、内部４Ａから液体が排出される。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法は、上述した製造方法と同一の方法によって実現してもよい。本実施形態においては、内部４Ａと連通する流動路６を、共通流動路４４のみとすることができる。このため、より表示デバイスの製造装置２を簡素化することが可能である。
　〔実施形態４〕
　図１１は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略上面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、流動路６として、さらに補助排出路４８を備え、補助排出ポンプ５０をさらに備える。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　補助排出路４８は、排出路３０と同様に液体排出路として機能し、内部４Ａの角部１６Ｃの少なくとも１か所に形成されている。角部１６Ｃは、隣接する２つの内側面１６の接点に形成される。本実施形態においては、図１１に示すように、２つの補助排出路４８を、それぞれ、電着液供給路２４および排出路３０から遠い、２つの角部１６Ｃに１つずつ備えている。さらに、それぞれの補助排出路４８は補助排出ポンプ５０に接続されている。補助排出ポンプ５０は、排出ポンプ３６と全く同一の構成を備えていてもよい。
　なお、本明細書において、流動路を角部１６Ｃに備えるとは、内側面１６における流動路の開口が、隣接する２つの内側面１６の接点を含む位置に形成されていることを含む。また、本明細書において、流動路を角部１６Ｃに備えるとは、図１１に示す補助排出路４８のように、流動路の内壁が、一方の内側面１６と面一となるように形成されていることも含む。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２の奏する効果を、図１２を参照して説明する。図１２の（ａ）と図１２の（ｂ）とは、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２と実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２とにおいて、電着液Ｌ１を内部４Ａへ供給する様子を示した上面図である。
　実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２においては、図１２の（ｂ）に示すように、電着液供給路２４および排出路３０から遠い角部１６Ｃまで電着液Ｌ１が行き渡らない場合がある。このような場合、当該角部１６Ｃに、気泡ＡＬが残存する場合がある。したがって、内部４Ａを、電着液Ｌ１によって充填することが難しい場合がある。
　一方、本実施形態においては、電着液供給路２４および排出路３０から遠い角部１６Ｃにおいても、補助排出路４８が形成されている。このため、電着液Ｌ１の内部４Ａへの供給の間、角部１６Ｃに気泡ＡＬが生じた場合、図１２の（ａ）に示すように、補助排出路４８を介して、気泡ＡＬに含まれる気体を、内部４Ａの電着液Ｌ１とともに排出することができる。
　本実施形態においては、電着液Ｌ１を内部４Ａに供給する工程において、気泡ＡＬが内部４Ａに残存する可能性を低減できる。このため、内部４Ａを電着液Ｌ１によって効率よく充填することができる。このことが、洗浄液Ｌ２を内部４Ａに供給する工程においても同様である。
　さらに、本実施形態においては、内部４Ａの電着液Ｌ１または洗浄液Ｌ２を排出する工程を、排出路３０と補助排出路４８とを併用して実施してもよい。これにより、内部４Ａに電着液Ｌ１または洗浄液Ｌ２が一部残存する可能性を低減でき、かつ、より速やかに電着液Ｌ１または洗浄液Ｌ２の内部４Ａの排出が可能となる。
　〔実施形態５〕
　図１３は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略上面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、電着液供給路２４と排出路３０とについても、内部４Ａの角部１６Ｃに形成されている。さらに、流動路６として、補助排出路４８を、電着液供給路２４に近接する角部１６Ｃにおいても備えている。換言すれば、全ての角部１６Ｃに排出路３０または補助排出路４８がそれぞれ形成されている。加えて、排出路３０および各補助排出路４８には、センサ５２が形成されている。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、前実施形態に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　センサ５２は、排出路３０または各補助排出路４８を液体が流動しているか否かについて判定することができる。本実施形態においては、補助排出路４８についても弁４８Ｖ（図示せず）を備えていてもよい。また、センサ５２の結果に応じて、弁３０Ｖまたは弁４８Ｖが開閉してもよい。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法における、電着槽４への電着液Ｌ１を供給する工程について、図１４を参照して説明する。図１４の（ａ）および図１４の（ｂ）は、本実施形態における電着槽４への電着液Ｌ１を供給する工程の工程上面図である。
　本実施形態においては、電着槽４へ電着液Ｌ１を供給する間、排出路３０および各補助排出路４８を開放する。この場合、全ての排出路３０および補助排出路４８に電着液Ｌ１が流入した時点において、電着槽４の隅々まで電着液Ｌ１が行き渡ったと判断できる。
　ここで、図１４の（ａ）に示すように、１つの補助排出路４８付近において、気泡ＡＬが発生し、当該補助排出路４８への電着液Ｌ１の流入が始まらなかったとする。
　この場合、気泡ＡＬが発生しなかった位置における排出路３０および各補助排出路４８に形成されたセンサ５２は、当該排出路３０および各補助排出路４８を電着液Ｌ１が流動し始めたことを検出する。しかしながら、気泡ＡＬが発生した位置における補助排出路４８に形成されたセンサ５２は、当該補助排出路４８を電着液Ｌ１が流動していないことを検出する。
　ここで、本実施形態においては、図１４の（ｂ）に示すように、センサ５２が電着液Ｌ１の流動を検出した排出路３０および各補助排出路４８のみにおいて、弁３０Ｖおよび各弁４８Ｖが閉じられる。このため、電着槽４に供給され続けている電着液Ｌ１は、弁４８Ｖが閉じられていない補助排出路４８に向かって流動し始める。このため、電着液Ｌ１と共に、気泡ＡＬが補助排出路４８から排出される。
　気泡ＡＬが発生した位置における補助排出路４８に形成されたセンサ５２が、当該補助排出路４８を電着液Ｌ１が流動し始めたことを検出した時点において、内部４Ａの電着液Ｌ１による充填が完了したと判断して、電着液Ｌ１の供給を完了してもよい。また、上述した電着液Ｌ１の供給工程は、洗浄液Ｌ２の供給工程に対しても、同様に適用してもよい。
　〔実施形態６〕
　図１５は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略断面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、電着槽４がさらにヒータ５４を備える点を除いて、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　ヒータ５４は、例えば、図１５に示すように、電着槽４の下部、具体的には、底面電極８の下方に形成されている。ヒータ５４は、内部４Ａを加熱できる構成であれば、従来公知の様々な加熱装置を適用できる。
　本実施形態においては、ヒータ５４によって、内部４Ａを加熱することが可能である。このため、加圧部１０によって、基板Ｃと電着槽４とを互いに押し付けた状態において、ヒータ５４を制御することにより、基板Ｃを焼成する工程を実施することができる。
　したがって、電着によって製膜された層に対し、焼成工程が必要な場合であっても、基板Ｃを焼成炉等に移動させることなく、基板Ｃの焼成が可能である。ゆえに、本実施形態においては、表示デバイスの製造工程中に基板Ｃの焼成工程が含まれる場合には、表示デバイスの製造装置２の長大化を低減し、タクトタイムを低減することができる。また、本実施形態においては、基板Ｃの焼成炉等への移動工程を省略できるため、当該移動工程において生じ得る、基板Ｃの汚染を防止することができる。
　〔実施形態７〕
　図１６は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略断面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、流動路６として、さらに、気体が流動する気体流動路として、気体供給路５６と気体排出路５８とを備える。また、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、送風機６０と、気体排出ポンプ６２とをさらに備える。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、前実施形態に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　気体供給路５６と、気体排出路５８とは、何れも管状であり、電着槽４の外側面１４と内側面１６とを貫通して、電着槽４の外部および内部４Ａと連通する。なお、図１６には図示されていないが、気体供給路５６および気体排出路５８は、それぞれ、流体の流動を制御する弁５６Ｖおよび弁５８Ｖ（図示せず）を備える。
　気体供給路５６は、電着槽４の外部側において、送風機６０と連通する。送風機６０からは、気体供給路５６を介して、内部４Ａに気体が供給される。送風機６０が供給する気体の種類は特に限定されないが、例えば、本実施形態において、ヒータ５４を用いた基板Ｃの焼成を行う場合、当該焼成の間に電着槽４に供給される、窒素等の不活性ガスを、送風機６０が供給してもよい。この場合、適切な雰囲気下において、基板Ｃの焼成が実行できる。
　気体排出路５８は、電着槽４の外部側において、気体排出ポンプ６２と連通する。気体排出ポンプ６２は、気体排出路５８を介して、内部４Ａの気体を電着槽４の外部に排出する。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、電着槽４への液体の供給と、電着槽４からの液体の排出との前後における、基板Ｃの持ち上げおよび基板Ｃの電着槽４への押し付けの工程を省略できる。すなわち、本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、少なくとも、図４における、ステップＳ１０およびステップＳ１６を省略できる。このことについて、図１７に示す、本実施形態に係る表示デバイスの製造方法の一例を説明する工程断面図を参照して説明を行う。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、図４に示す、ステップＳ２からステップＳ８までを、前述した表示デバイスの製造方法と同一の方法によって実施する。
　次いで、ステップＳ１０を省略して、ステップＳ１２を実施する。この際、図１７の（ａ）に示すように、電着液Ｌ１を、排出路３０を介して排出しつつ、気体供給路５６を介して、送風機６０からの気体を内部４Ａに供給する。これにより、基板Ｃを電着槽４から引き上げることなく、電着液Ｌ１の電着槽４からの排出が実行できる。
　次いで、図１７の（ｂ）に示すように、基板Ｃを電着槽４に押し付けたまま、気体排出ポンプ６２にて、内部４Ａの気体を、気体排出路５８を介して、電着槽４の外部へと排出する。この際、気体排出路５８の弁５８Ｖを除く、全ての流動路６の弁を閉じておく。これにより、基板Ｃと各弁とによって密閉された、内部４Ａが実質的に真空となる。
　次いで、弁５８Ｖを閉じたのち、弁２６Ｖ（図示せず）を開放し、洗浄液供給路２６を介して洗浄液Ｌ２を内部４Ａに供給する。ここで、内部４Ａが実質的に真空となっていたため、図１７の（ｃ）に示すように、洗浄液Ｌ２は速やかに内部４Ａに充填される。また、実質的に真空の内部４Ａに洗浄液Ｌ２を充填するため、前工程における電着液Ｌ１の残留が低減され、洗浄液Ｌ２の充填における気泡の発生が低減される。
　この後、ステップＳ１８以降は、前述した表示デバイスの製造方法と同一の方法によって実施する。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法においては、一部の基板Ｃの電着槽４からの引き上げおよび電着槽４への押し付けの工程が省略できるため、タクトタイムの改善につながる。なお、本実施形態において、上述した、内部４Ａを略真空とする工程がある場合には、流動路６が備える各弁は、耐圧式開閉弁であることが好ましい。
　また、本実施形態においては、液体供給路である電着液供給路２４および洗浄液供給路２６と、気体供給路５６とを独立して設けた。しかしながら、本実施形態においてはこれに限られず、電着液供給路２４および洗浄液供給路２６の少なくとも一方を介して、液体のみならず、気体についても内部４Ａに供給されてもよい。この場合、気体供給路５６の形成が不要となるため、表示デバイスの製造装置２のさらなる簡素化につながる。
　また、本実施形態においては、液体排出路である排出路３０と、気体排出路５８とを独立して設けた。しかしながら、本実施形態においてはこれに限られず、排出路３０を介して、液体のみならず、気体についても内部４Ａから排出されてもよい。この場合、気体排出路５８の形成が不要となるため、表示デバイスの製造装置２のさらなる簡素化につながる。さらに、排出路３０を介して、液体の排出と気体の排出とを連続して実現できるため、上述した表示デバイスの製造方法において、さらにタクトタイムを改善できる。
　〔実施形態８〕
　図１８は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略断面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、底面電極８として、複数のパターン電極６４を備える点を除いて、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　パターン電極６４は、図１８に示すように、電着槽４の底面１８において、複数パターン配置されている。本実施形態においては、電着電源１２が、それぞれのパターン電極６４に対し、互いに異なる複数の電位を一度に印加する。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法は、上述した製造方法と同一の方法によって実現してもよい。
　本実施形態においては、複数形成されたパターン電極６４のそれぞれに対し、互いに異なる電位を印加することができる。このため、電着工程において、基板Ｃの特定の画素電極Ｅにおいて、電圧降下が生じ、当該画素電極Ｅの位置が特定できた場合には、対応するパターン電極６４の電圧を調節できる。すなわち、本実施形態においては、画素電極Ｅとパターン電極６４との間に生じる電界を、画素電極Ｅごとに、個々に調節することができる。
　したがって、基板Ｃの特定の画素電極Ｅにおいて、電圧降下が生じた場合であっても、画素電極Ｅとパターン電極６４との間に生じる電界の、画素電極Ｅごとの強度の差を低減することができる。ゆえに、電着工程において、各画素電極Ｅに対してより均一に電圧印加ができるため、表示デバイスの製造における歩留まりがさらに向上する。また、基板Ｃの画素電極Ｅが形成された領域の面積、または画素電極Ｅの形成パターン等が変更された場合においても、パターン電極６４に印加する電圧の調節により、これらの変更に対応することが可能である。
　〔実施形態９〕
　図１９は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略断面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、底面電極８のかわりに、底面電極６６を備える。さらに、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、開閉制御部６８を備えている。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　本実施形態において、底面電極６６は、図１９に示すように、電着液供給路２４および洗浄液供給路２６を含む、供給路２８と、排出路３０よりも、電着槽４の上方に形成されている。本実施形態においては、底面電極６６の上面６６Ｔと、内側面１６との間において形成される空間を、電着槽４の内部４Ａと定義する。すなわち、内部４Ａの底面は、底面電極６６の上面６６Ｔとなる。一方、本実施形態においては、底面電極６６の下方において、内側面１６と、底面１８との間において形成される空間を、電着槽４の予備槽４Ｂと規定する。
　底面電極６６は、図１９に示すように、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとを備える。第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとは互いに密接する。第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとは、同一の構造を備えていてもよい。なお、本実施形態においては、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの一方が電極である限りは、他方が電極でなくてもよく、絶縁体等から形成されていてもよい。
　開閉制御部６８は、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの少なくとも何れか一方を、底面電極６６の平面方向に動かすことができる。これにより、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの、底面電極６６の平面方向における、相対的な位置関係が、開閉制御部６８によって制御される。
　第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとは、それぞれ、複数の第１孔７０Ａと複数の第２孔７０Ｂとを有する。図１９の（ａ）に示すように、何れかの第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通することにより、底面電極６６を貫通する孔７０が形成される。なお、本実施形態においては、図１９の（ａ）に示すように、何れかの第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通し、孔７０が形成される場合に、全ての第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通する。この場合、内部４Ａと予備槽４Ｂとは、孔７０により連通している。
　一方、本実施形態において、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの、底面電極６６の平面方向における、相対的な位置関係によっては、図１９の（ｂ）に示すように、第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通せず、孔７０が形成されない。孔７０が形成されない状態は、図１９の（ａ）に示す状態から、開閉制御部６８によって、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの少なくとも何れか一方を、底面電極６６の平面方向に動かすことにより実現する。すなわち、第１孔７０Ａは第２底面電極６６Ｂによって閉じられ、第２孔７０Ｂは第１底面電極６６Ａによって閉じられている。
　なお、本実施形態において、図１９の（ｂ）に示すように、何れかの第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通しない場合には、全ての第１孔７０Ａと第２孔７０Ｂとが連通しない。この場合、内部４Ａと予備槽４Ｂとは、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとにより分離している。
　本実施形態においては、供給路２８を介して供給された液体は、はじめに予備槽４Ｂを充填し、予備槽４Ｂから孔７０を介して内部４Ａへ供給される。内部４Ａを液体によって充填した後、開閉制御部６８によって、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの位置関係を制御し、孔７０を閉じることにより、内部４Ａに液体が充填された状態を維持できる。また、孔７０が形成された状態において、排出路３０を介して予備槽４Ｂから液体を排出することにより、孔７０を介して内部４Ａからも液体が排出される。
　本実施形態においては、内部４Ａに、底面電極６６に形成された孔７０を介して液体が供給される。このため、１つの液体供給路のみから液体が供給される場合と比較して、内部４Ａにおける液体の均一性が向上する。さらに、本実施形態においては、内部４Ａに液体を供給するための供給口である孔７０の総断面積を、各供給路２８または排出路３０の各断面積よりも広くすることができる。このため、液体を内部４Ａに充填する、あるいは、液体を内部４Ａから排出するために必要な時間が短縮されるため、さらにタクトタイムの改善につながる。
　本実施形態においては、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとは、それぞれ一続きの電極である。しかし、本実施形態においては、これに限られず、第１底面電極６６Ａと第２底面電極６６Ｂとの少なくとも一方が、複数パターン形成されていてもよい。この場合、複数パターン形成された電極同士の間を、当該電極に形成された孔とみなすことにより、上述した製造方法を適用してもよい。
　〔実施形態１０〕
　図２０は、本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２を示す概略上面図である。本実施形態に係る表示デバイスの製造装置２は、電着槽４の外周よりも内側に、縁部２０と一続きである、隔壁７２を備えている点を除いて、実施形態１に係る表示デバイスの製造装置２と同一の構成を備える。
　本実施形態において、隔壁７２は、図２０に示すように、内部４Ａの空間を複数の空間に分離する。特に、本実施形態においては、内部４Ａの空間は、隔壁７２によって、略同一形状の４つの空間に分離される。分離されたそれぞれの空間には、底面電極８がそれぞれ設けられている。さらに、隔壁７２の上面には、複数の基板接続用電極２２が形成されている。すなわち、複数の基板接続用電極２２は、電着槽４の外周のみならず、電着槽４の外周よりも内側においても形成されている。
　また、隔壁７２には、隔壁開口７４が複数形成されている。隔壁開口７４は、隔壁７２の２つの側面７６を貫通するように形成されている。このため、隔壁７２によって分離された、互いに隣接する内部４Ａの空間同士は、隔壁開口７４によって互いに連通する。互いに隣接する側面７６と内側面１６との接点においては、角部７６Ｃが形成されている。隔壁開口７４は、図２０に示すように、角部７６Ｃに形成されている。
　したがって、分離された空間のうちの１つに液体を供給すると、当該液体は隔壁開口７４を介して他の空間にも供給される。また、分離された空間のうちの１つに充填された液体を、電着槽４の外部に排出すると、他の空間に充填された液体についても、隔壁開口７４を介して電着槽４の外部に排出される。
　本実施形態においては、分離された電着槽４のそれぞれにおいて、基板Ｃの電着工程を実施することが可能である。例えば、図２０に示す表示デバイスの製造装置２を用いた場合、４つの基板Ｃのそれぞれに対し、分離された電着槽４のそれぞれにおいて電着工程を実施することにより、同時に４つの基板Ｃに対する電着を実施できる。このため、本実施形態においては、複数の基板Ｃに対する電着を１度に実施することが可能であるため、複数の表示デバイスを製造する場合には、タクトタイムの改善につながる。
　上述の各実施形態に係る表示デバイスの製造方法によって製造される表示デバイスは、柔軟性を有し、屈曲可能な表示素子を備えた表示パネルを備えていてもよい。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。
　例えば、上述の各実施形態に係る表示デバイスは、電流制御の表示素子として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　または、上述の各実施形態に係る表示デバイスは、電流制御の表示素子として、無機発光ダイオードを備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた、ＱＬＥＤディスプレイであってもよい。
　また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　　　表示デバイスの製造装置
４　　　　　電着槽
６　　　　　流動路
８、６６　　底面電極
１０　　　　加圧部
１２　　　　電着電源
１４　　　　外側面
１６　　　　内側面
１８　　　　底面
２２　　　　基板接続用電極
２４、４０　電着液供給路
２６　　　　洗浄液供給路
２８　　　　供給路
３０　　　　排出路
４６　　　　切り替え弁
４８　　　　補助排出路
５４　　　　ヒータ
５６　　　　気体供給路
５８　　　　気体排出路
６４　　　　パターン電極
６８　　　　開閉制御部
７０　　　　孔
Ｃ　　　　　基板
Ｅ　　　　　画素電極
Ｌ１　　　　電着液
Ｌ２　　　　洗浄液
Ｍ　　　　　成膜材料

Claims (29)

  1. 　基板に形成された画素電極に対する電着を行う表示デバイスの製造装置であって、
    　電着槽と、
    　該電着槽の側面において前記電着槽の内部と連通し、少なくとも２種の液体を含む流体が流動する流動路と、
    　前記内部の底面に形成された底面電極と、
    　前記基板と前記電着槽とを互いに押し付ける加圧部と、
    　前記画素電極と前記底面電極との間に少なくとも２値の電圧を印加する電着電源とを備えた表示デバイスの製造装置。
  2. 　前記流動路において、成膜材料を含む少なくとも２種の電着液が個別に流動し、
    　前記電着液にそれぞれ含まれる前記成膜材料が互いに異なる請求項１に記載の表示デバイスの製造装置。
  3. 　前記成膜材料の少なくとも２種が、互いに異なる発光色を有する発光材料である請求項２に記載の表示デバイスの製造装置。
  4. 　さらに、前記流動路を流動する前記流体の種類の切り替えを行う切り替え弁を備えた請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  5. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路と、前記電着槽から排出される液体が流動する液体排出路とを備えた請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  6. 　前記液体供給路において、さらに、前記電着槽に供給される気体が流動する請求項５に記載の表示デバイスの製造装置。
  7. 　前記液体排出路において、さらに、前記電着槽から排出される気体が流動する請求項５または６に記載の表示デバイスの製造装置。
  8. 　さらに、前記液体排出路を介して、気体を吸引するポンプを備え、
    　前記流動路が、当該流動路における流体の流動を制御する耐圧式開閉弁を備えた請求項７に記載の表示デバイスの製造装置。
  9. 　前記電着槽の角部の少なくとも１か所に前記液体排出路を備えた請求項５から８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  10. 　前記電着槽の全ての角部に前記液体排出路を備えた請求項９に記載の表示デバイスの製造装置。
  11. 　前記流動路が、気体が流動する気体流動路を備えた請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  12. 　さらに、前記気体流動路を介して、気体を吸引するポンプを備え、
    　前記流動路が、当該流動路における流体の流動を制御する耐圧式開閉弁を備えた請求項１１に記載の表示デバイスの製造装置。
  13. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路を複数備え、
    　各前記液体供給路において、成膜材料を含む少なくとも２種の電着液が個別に流動し、
    　前記電着液にそれぞれ含まれる前記成膜材料が互いに異なる請求項１に記載の表示デバイスの製造装置。
  14. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路を複数備え、
    　複数の前記液体供給路は切り替え弁と接続し、
    　前記流動路が、前記切り替え弁と前記電着槽の内部とを連通する共通流動路をさらに備え、
    　前記切り替え弁が、前記共通流動路と連通する、複数の前記液体供給路の１つを切り替えることにより、前記電着槽の内部に供給される前記液体の種類の切り替えを行う請求項１に記載の表示デバイスの製造装置。
  15. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路と、前記電着槽から排出される液体が流動する複数の液体排出路とを備え、
    　前記電着槽の角部の少なくとも１か所に複数の前記液体排出路の内の１つを備えた請求項１から４の何れか１項記載の表示デバイスの製造装置。
  16. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路と、前記電着槽から排出される液体が流動する複数の液体排出路とを備え、
    　前記電着槽の全ての角部に複数の前記液体排出路を１つずつ備えた請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  17. 　前記流動路が、前記電着槽に供給される液体が流動する液体供給路と、前記電着槽から排出される液体が流動する液体排出路と、前記電着槽に供給される気体が流動する気体供給路と、前記電着槽から排出される気体が流動する気体排出路とを備え、
    　さらに、前記気体排出路を介して、気体を吸引するポンプを備え、
    　前記流動路が、当該流動路における流体の流動を制御する耐圧式開閉弁を備えた請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  18. 　さらに、前記電着槽を加熱するヒータを備えた請求項１から１７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  19. 　前記底面電極が、前記電着槽の底面において複数パターン配置され、前記電着電源が、それぞれの前記底面電極に対し、互いに異なる複数の電位を一度に印加する請求項１から１８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  20. 　前記底面電極が、複数の孔を備え、
    　さらに、前記孔の開閉を制御する開閉制御部を備えた請求項１から１９の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  21. 　前記電着槽の外周に、基板接続用電極を備え、前記電着電源が、前記基板接続用電極を介して前記基板に電圧を印加する請求項１から２０の何れか１項に記載の表示デバイスの製造装置。
  22. 　前記基板接続用電極を、前記電着槽の外周よりも内側においても備えた請求項２１に記載の表示デバイスの製造装置。
  23. 　基板に形成された画素電極に対する電着を行う表示デバイスの製造方法であって、
    　前記基板と、該基板に平行に配置された底面電極との間において、電着液を挟持する基板把持工程と、
    　前記基板把持工程に次いで、前記画素電極と前記底面電極との間に少なくとも２値の電圧を印加し、前記電着液に含まれる成膜材料を前記基板に成膜する成膜工程と、
    　前記基板と前記底面電極との間に、前記電着液とは異なる液体を供給する液体供給工程とを備えた表示デバイスの製造方法。
  24. 　前記電着液が、第１成膜材料を前記成膜材料として含む第１電着液であり、前記電着液と異なる前記液体が、第１成膜材料とは異なる第２成膜材料を前記成膜材料として含む第２電着液であり、
    　前記基板把持工程が、前記画素電極と前記底面電極との間に前記第１電着液を挟持する第１基板把持工程であり、
    　前記成膜工程が、前記第１成膜材料を、前記基板に成膜する第１成膜工程であり、
    　前記第１成膜工程より後に、前記画素電極と前記底面電極との間に前記第２電着液を挟持する第２基板把持工程と、
    　前記第２基板把持工程に次いで、前記第２成膜材料を、前記基板の前記第１成膜材料を成膜した領域とは異なる領域に成膜する第２成膜工程とをさらに備えた請求項２３に記載の表示デバイスの製造方法。
  25. 　前記第１成膜材料と前記第２成膜材料とが、互いに異なる発光色を有する発光材料である請求項２４に記載の表示デバイスの製造方法。
  26. 　前記成膜材料が、無機ナノ粒子を含む請求項２３から２５の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  27. 　前記成膜工程の後において、前記成膜工程の前と比較して、前記電着液に含まれる前記成膜材料の濃度が４０体積パーセント以上減少する請求項２３から２６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  28. 　前記成膜工程の後において、前記成膜工程の前と比較して、前記電着液に含まれる前記成膜材料の濃度が７５体積パーセント以上減少する請求項２７に記載の表示デバイスの製造方法。
  29. 　前記成膜工程において、自発光素子の機能層を成膜する請求項２３から２８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
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