WO2020088877A1 - Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips - Google Patents

Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips Download PDF

Info

Publication number
WO2020088877A1
WO2020088877A1 PCT/EP2019/076768 EP2019076768W WO2020088877A1 WO 2020088877 A1 WO2020088877 A1 WO 2020088877A1 EP 2019076768 W EP2019076768 W EP 2019076768W WO 2020088877 A1 WO2020088877 A1 WO 2020088877A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
optoelectronic semiconductor
semiconductor chip
contact
area
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/076768
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ivar TÅNGRING
Korbinian Perzlmaier
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to JP2021523364A priority Critical patent/JP7277580B2/ja
Priority to DE112019005410.4T priority patent/DE112019005410A5/de
Priority to KR1020217013262A priority patent/KR102653810B1/ko
Priority to US17/288,569 priority patent/US20210399169A1/en
Publication of WO2020088877A1 publication Critical patent/WO2020088877A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Definitions

  • the optoelectronic semiconductor chip comprises an x-doped region.
  • the x-doped region is doped with at least one x-dopant.
  • the x-dopant can be a p-dopant or an n-dopant.
  • the x-dopant is preferably a p-dopant. If we talk about x or y below, replace them with p or n.
  • the x-doped region can comprise one or more x-doped semiconductor layers.
  • the x-doped region can be formed with a semiconductor material, such as a III-V compound semiconductor material. For example, the x-doped region has GaN.
  • the x-doped region can be one at least in places
  • the main extension plane of the x-doped region runs parallel to one of the top surfaces of the cuboid or
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises a y-doped region.
  • the y-doped region is doped with at least one y-dopant.
  • the y-dopant can be a p-dopant or an n-dopant.
  • the y-dopant is preferably an n-dopant.
  • the y-doped region can comprise one or more y-doped semiconductor layers.
  • the y-doped region can be marked with a
  • the y-doped region has GaN.
  • the y-doped region can be at least in places
  • the main extension plane of the y-doped region runs parallel to one of the top surfaces of the cuboid or
  • the y-doped region can be in, in particular direct, contact with an electrically conductive y-contact layer.
  • the y contact layer can be used for
  • the y-doped region can thus be electrically contacted via the y-contact layer.
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises an active region which is arranged between the x-doped region and the y-doped region.
  • the active region can be designed for the operation of the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic To emit and / or detect radiation.
  • the active region can have at least one quantum well structure.
  • the semiconductor chip is, for example, a luminescence diode chip such as a light-emitting diode chip or a laser diode chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises an x contact area.
  • the x contact area can be one or more layers.
  • the x contact area can be provided for electrical contacting of the x-doped area.
  • the x contact area can be one
  • Main extension plane of the x-doped area is.
  • the x contact area can be set at least in places
  • the x contact area can be doped at least in places with at least one x dopant.
  • the x contact area is on the side of the x-doped area facing away from the active area
  • the x-contact area can be in direct contact with the x-doped area.
  • the x contact area can be arranged between the x-doped area and an x-side contact of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the x-side contact can be provided for electrical contacting of the x-doped region.
  • the x-contact area can thus be designed to establish an electrical contact between the x-side contact and the x-doped area. This means that the x contact area is electrically conductive at least in places.
  • the x-sided contact can have an electrically conductive material, for example a metal.
  • An x-contact layer can be arranged between the x-contact area and the x-side contact.
  • the x contact layer can be provided for electrical contacting of the x-doped region.
  • the x contact layer has, for example, a metal, for example silver.
  • the x contact layer can be designed to emit from the active area
  • the coupling-out efficiency of the optoelectronic semiconductor chip can thus be improved.
  • the rate of radiative recombination can be increased by a metallic x contact layer, in particular by using the Purcell effect.
  • the y-doped region, the active region, the x-doped region and the x-contact region can be arranged on a common carrier.
  • the carrier can be a growth substrate onto which semiconductor layers of the optoelectronic semiconductor chip are epitaxially deposited.
  • the carrier can be another mechanically load-bearing component of the semiconductor chip.
  • the growth substrate can be thinned or
  • the x-contact region has at least one first region and at least one second region.
  • the first and second areas can each be part of a layer. It is also possible for the first region and / or the second region to be a layer.
  • the first and the second area can directly adjoin each other. This means that the first and second areas can be in direct contact.
  • the first and second areas can be in their
  • the x contact region is designed such that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip, more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the x-doped region can be contacted via the x-side
  • Load carriers are supplied.
  • the charge carriers are in particular holes.
  • the x contact area is designed such that during operation of the
  • more charge carriers are injected from the x-side contact through the second region into the x-doped region than through the first region. This can mean that charge carriers provided by the x-side contact can reach the x-doped region through the x-contact layer and the second region. Of the charge carriers that reach the x-doped region during operation of the optoelectronic semiconductor chip, a larger proportion of these charge carriers passes through the second region to the x-doped region than through the first region.
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises an x-doped region, a y-doped region, an active region which is arranged between the x-doped region and the y-doped region, and an x-contact region, wherein the x-contact area is arranged on the side of the x-doped area facing away from the active area, the x-contact area is at least a first area and has at least one second region, and the x contact region is designed such that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip, more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the optoelectronic semiconductor chip described here is based, among other things, on the idea that the
  • optoelectronic semiconductor chip can be operated more efficiently if the electrical current in the operation of the
  • optoelectronic semiconductor chips is distributed as evenly as possible in the optoelectronic semiconductor chip.
  • An uneven distribution of the current strength can occur between the y-contact layer and the x-side contact if the y-contact layer is not arranged over a large area, but rather selectively or locally in the optoelectronic semiconductor chip and the x-side contact is formed over a large area. This means in particular that with a large area
  • the x-side contact Holes are made available over the entire extent of the x-side contact for the active area for recombination. However, electrons are only made available locally in the area of the y-contact layer. Therefore, the electrical resistance for the electrons is lowest in the y-doped region in the vicinity of the y-contact layer and increases with the distance to the y-contact layer. In addition, the electrical conductivity of the y-doped region is usually significantly smaller than that of the x-side contact. This uneven distribution of electrical resistance can cause the
  • the optoelectronic semiconductor chip in particular in the active region.
  • the active region for example, the
  • Contact resistance between the x-side contact and the x-doped region may be greater in the first region than in the second region. This means that more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region. Overall, the electrical resistance, which is reduced in the y-doped region in the vicinity of the y contact layer, can be reduced by a
  • the active area can also cover a large area
  • Load carriers, in particular with holes, are supplied.
  • the introduction of the x contact area, in which the injection of charge carriers varies, for example the resistance is increased in places, means that overall the electrical resistance between the y contact layer and the x-side contact is less distant from the distance to the y- Contact layer depends. Therefore, the current intensity during operation of the optoelectronic semiconductor chip also has more uniform values. The occurrence of increased currents in the vicinity of the y-contact layer or in the active region is thus reduced or avoided. Therefore, overall
  • the optoelectronic semiconductor chip can be operated with a higher current due to the reduction in the maximum current intensity that occurs. This means that the optoelectronic semiconductor chip can emit light with a greater intensity. Furthermore, the control difference is reduced due to the increased efficiency.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a multiplicity of y-contact layers, small differences in the electrical resistance between the different y-doped regions, which can occur during production, can be compensated for via the x-contact region. In addition, differences in electrical resistance that occur due to different heat dissipation can be compensated.
  • the first region has a first
  • the second region has a second electrical conductivity, the first electrical conductivity being at most 20 percent of the second electrical conductivity. This means that the second electrical conductivity is greater than the first
  • the first electrical conductivity is at most 10 percent of the second electrical conductivity.
  • the first and the second electrical conductivity can each refer to an electrical conductivity in a vertical direction. The vertical direction runs perpendicular to the main plane of extent of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the first and second electrical conductivity are in particular one
  • Conductivity can be a first hole conductivity and the second electrical conductivity can be a second
  • the electrical resistance is thus greater in the first area than in the second area.
  • the contact resistance between the x-side contact and the x-doped region can be influenced in this way. Due to the
  • the first region has a first
  • the second region has a second electrical conductivity, the first electrical conductivity being at least 0.1 percent
  • the first region is in particular not electrically insulating, but rather has a certain electrical conductivity, which, however, is in particular smaller than the electrical one
  • the first and the second region have the same material. That can
  • first and the second region have the same material composition. It is also possible that the first and the second area have the same
  • first and second areas differ only in their structure, for example.
  • the fact that the first and the second region have the same material means that the
  • the first and second regions can have GaN or be formed with GaN.
  • the first and the second region are arranged next to one another in a lateral direction, the lateral direction being parallel to the
  • Main extension plane of the optoelectronic semiconductor chip runs.
  • the first and the second region can be arranged directly next to one another in the lateral direction. This means that the first and the second area are arranged adjacent to one another. Because the first and the second
  • the x-contact area has different values of the electrical conductivity in the lateral direction.
  • the holes provided by the x-side contact can mainly pass through the second area into the active one
  • the electrical current through the first region during operation of the optoelectronic semiconductor chip is significantly lower than the electrical current through the second region.
  • the active area can be provided with holes and on the other hand the electrical resistance of the y-doped area is Contact area compensated.
  • the optoelectronic semiconductor chip can thus be operated more efficiently.
  • the extent of the first region in the lateral direction can be less than 1 ⁇ m. It is also possible that the extent of the first region in the lateral direction is less than 500 nm.
  • the extent of the second region in the lateral direction can be less than 1 ⁇ m. It is also possible that the extent of the second region in the lateral direction is less than 500 nm.
  • the first and the second region can have the same extent in the lateral direction. Alternatively, it is possible for the first and the second area to be different
  • the first region can have a thickness of at most 100 nm. Furthermore, it is possible for the first region to have a thickness of at most 10 nm in the vertical direction.
  • the second region can have a thickness of at most 100 nm in the vertical direction
  • the second region may have a thickness of at most 10 nm in the vertical direction.
  • the first and second regions may have the same thickness in the vertical direction.
  • the electrical dimension can be determined by the extent of the first and second regions in the lateral direction and by the thickness of the first and second regions in the vertical direction
  • Resistance of the x contact area can be set.
  • the electrical resistance of the x contact area can thus be such can be set so that this compensates for the electrical resistance of the y-doped region.
  • the x contact region has a multiplicity of first regions and / or a multiplicity of second regions.
  • the first and second areas are arranged alternately in the x contact area. This means that when the optoelectronic semiconductor chip is in operation, a larger electric current occurs in the second areas than in the first areas. Since the x-doped region also has a certain electrical conductivity, the holes provided by the x-side contact can become in the x-doped
  • the first and second regions have, for example, an extent of at most 1 ⁇ m or at most 500 nm in a lateral direction.
  • optoelectronic semiconductor chip can be operated more efficiently.
  • the y-doped region extends for electrical contacting
  • the breakthrough has an electrically conductive material, such as a metal.
  • a y-contact layer can be arranged in the opening.
  • the y-contact layer has an electrically conductive material, such as a metal.
  • the y-contact layer can be in direct contact with the y-doped region.
  • Breakthrough can extend in the vertical direction through the x-doped region and the active region. Furthermore, the breakthrough can extend at least in places through the y-doped region.
  • An insulation region can be arranged between the opening and the x-doped region. The insulation region can have an electrically insulating material. For example, the
  • Isolation area AI 2 O 3 and / or SiCy Isolation area AI 2 O 3 and / or SiCy.
  • Isolation area can further be arranged between the active area and the opening and at least in places between the y-doped area and the opening.
  • the cross section through the opening in a plane which is parallel to the main extension plane of the optoelectronic semiconductor chip can have the shape of a circle. The breakthrough serves to make electrical contact with the y-doped region.
  • the size of the second regions in a lateral direction is greater the further the second regions are from the breakthrough, the lateral direction being parallel to
  • Main extension plane of the optoelectronic semiconductor chip runs. This means that second areas which are arranged in the vicinity of the opening have a smaller size in the lateral direction than second areas which are arranged further away from the opening.
  • the size of the second areas in the lateral direction may vary are an extension or extension of the second regions in the lateral direction.
  • the second areas have different sizes in the lateral direction, the size of the respective second areas increasing in the lateral direction with the distance to the opening.
  • the size of the first regions in the lateral direction can be the same within the scope of the manufacturing tolerance.
  • This arrangement advantageously compensates for the lower electrical resistance in the y-doped region in the vicinity of the breakdown by the increased electrical resistance of the first regions.
  • the size of the compensation can advantageously be set by the size of the second areas in the lateral direction.
  • the first region has a disturbed crystal structure. This can mean that the crystal structure in the first area is polycrystalline.
  • the first area can be dislocations or cracks
  • the material in the first area can be structured.
  • the material can be treated with a plasma in the first area.
  • the crystal structure is changed or disturbed by the plasma treatment.
  • the crystal structure is disturbed only in the first region and not in the layers below, such as the active region or the y-doped region.
  • the material of the second area is not treated with a plasma.
  • the material in the second region can therefore be single-crystalline. Furthermore, the material in the second area
  • Contact resistance between the x-side contact and the x-doped region is higher in the first region than in the second region. It can thereby be achieved that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip, more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the first region has an electrically insulating layer.
  • the electrically insulating layer can extend over the entire extent of the first region.
  • the electrically insulating layer can be a dielectric layer which has, for example, SiCg.
  • the insulating layer can have a thickness of at most 100 nm in the vertical direction. It is also possible for the electrically insulating layer to have a thickness of at most 10 nm in the vertical direction. Alternatively, the electrically insulating layer can have a thickness of at most 2 nm in the vertical direction.
  • the second area can be free of an electrically insulating layer. Since the first region has the electrically insulating layer, the electrical resistance in the first region is increased compared to the electrical resistance in the second region. It can thus be achieved by introducing the electrically insulating layer in the first region that the contact resistance between the x-side contact and the x-doped region is higher in the first region than in the second region. This can be achieved in the operation of the optoelectronic Semiconductor chips more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the first and the second region have an electrically conductive layer with a third electrical conductivity, the third electrical conductivity being greater than the electrical conductivity of the y-doped region.
  • the electrically conductive layer can extend in the entire first and second region.
  • the electrically conductive layer can be at least partially transparent to the electromagnetic radiation generated by the active region.
  • the electrically conductive layer has x-doped
  • ITO Indium tin oxide
  • the thickness of the electrically conductive layer in the vertical direction can be adapted to the electrical conductivity of the y-doped region. This means that the thickness of the electrically conductive layer is vertical
  • Conductivity is ten times greater than electrical
  • the thickness of the electrically conductive layer in the vertical direction is 10% of the thickness of the y-doped region in the vertical direction.
  • the extent of the first region in the lateral direction can be greater than 10 ⁇ m.
  • the extent of the second region in the lateral direction can be greater than 10 ⁇ m.
  • the first and the second area can have different extents in the lateral
  • the first area also has an electrical
  • the electrically conductive layer is arranged between the electrically insulating layer and the x-doped region.
  • the electrically insulating layer can have a dielectric material such as SiCg.
  • the thickness of the electrically insulating layer in the vertical direction can be at most 50 nm or at most 10 nm.
  • the electrically insulating layer is between the x-doped region and the x-side contact
  • charge carriers can only get into the electrically conductive layer via the second region. This can be achieved in the operation of the optoelectronic
  • the conductive layer has a greater electrical conductivity than the x-doped region, it is advantageous that the holes in the electrically conductive layer
  • the radiation exit side is the side of the optoelectronic semiconductor chip on which a large part of those emitted by the active area during operation
  • Radiation exit side can be the optoelectronic
  • Semiconductor chip have a roughened or structured surface.
  • the surface can be structured by etching, dry chemical processes, mechanical processes or by plasma treatment.
  • the surface on the radiation exit side can be any shape.
  • Optoelectronic semiconductor chip can preferably be produced using a method described here. In other words, all for the optoelectronic semiconductor chip
  • the method comprises a method step in which an x-doped region is applied to a y-doped region to form an active region between the x-doped region and the y-doped region.
  • the y-doped region can be grown on a substrate.
  • the Substrate can have sapphire.
  • the x-doped region and the y-doped region can have GaN.
  • the method comprises a method step in which an x contact region is applied to the x-doped region.
  • the x-contact area can be formed on the x-doped area in one or more steps.
  • the x contact area can be applied directly to the x-doped area.
  • the x contact area has at least a first area and at least a second area.
  • the first and second areas can be molded in sequence.
  • the x contact area is designed so that during operation of the
  • optoelectronic semiconductor chips more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the method described here is based, inter alia, on the idea that a more uniform distribution of the current strength in the optoelectronic semiconductor chip can be achieved, since more during operation of the optoelectronic semiconductor chip
  • Charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • the electrical resistance between the y-contact layer and the x-side contact is caused by the
  • the first area in the x contact area is formed in such a way that it has a greater electrical resistance than the second region.
  • the electrical resistance which is reduced in the y-doped region in the vicinity of the y contact layer, can be increased by a larger one
  • the optoelectronic semiconductor chip can be operated more efficiently.
  • the first area is treated with a plasma.
  • a photoresist is applied to the x-doped area in places. In the area or areas where there is no photoresist
  • the x-doped region is treated with a plasma.
  • the plasma can be an argon plasma.
  • the crystal structure on the surface of the x-doped region is disturbed by the plasma treatment.
  • the first area is thereby formed.
  • the first area has the area in which the crystal structure is disturbed.
  • the areas or the area which is arranged in the lateral direction next to the first area are the second area or the second areas. In the second area, the crystal structure is not disturbed.
  • an electrically insulating layer is applied to the x-doped region in the first region. This means that the first region is formed by the electrical insulating layer being applied in places to the x-doped region.
  • the electrically insulating layer can be structured by etching or photolithography in such a way that it is arranged in the first region on the x-doped region.
  • the electrically insulating layer can extend over the entire extent of the first region.
  • the electrically insulating layer can be a dielectric
  • the electrically insulating layer which has for example SiCg.
  • the electrically insulating layer can have a thickness of at most 100 nm in the vertical direction. It is also possible that the electrically insulating layer in
  • the second area can be electrically free
  • the electrical resistance in the first region is increased compared to the second region. It can thus be achieved by introducing the electrically insulating layer in the first region that the contact resistance between the x-side contact and the x-doped region is higher in the first region than in the second region. It can thereby be achieved that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip, more charge carriers are injected into the x-doped region via the second region than via the first region.
  • an electrically conductive area is applied to the first and the second area x contact layer is applied.
  • the x contact layer can have a metal such as silver.
  • the x contact layer can be designed for this purpose in the direction of the electromagnetic radiation emitted by the active region
  • the rate of radiative recombination can be increased by a metallic x-contact layer (Purcell effect).
  • an electrical becomes electrical before the application of the x contact area
  • the x-contact area is arranged between the x-contact layer and the x-side contact. In the event that the x contact area is not
  • the x-contact layer between the x-doped region and the x-contact region.
  • an electrically conductive layer is applied to the x-contact layer in the first region and then a diffusion layer is applied to the electrically conductive layer and the x-contact layer, the diffusion layer having an oxide.
  • the electrically conductive layer can have a metal such as titanium.
  • the electrically conductive layer can be applied directly to the x contact layer in the first region.
  • the x contact layer is arranged on the x-doped region.
  • the diffusion layer is applied in the first and in the second area.
  • the diffusion layer has ZnO.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be heated to an elevated temperature be heated.
  • the optoelectronic semiconductor chip is heated to a temperature of at least 200 ° C.
  • the second area oxygen can diffuse from the diffusion layer into the x-contact layer.
  • the contact resistance to the x-doped region is thus reduced.
  • the diffusion of oxygen from the diffusion layer into the x-contact layer is reduced or prevented by the electrically conductive layer.
  • the second region therefore has a greater electrical conductivity than the first region and the contact resistance to the x-doped region is higher in the first region than in the second region. The increased contact resistance in the first area can achieve that during operation of the optoelectronic
  • the diffusion layer is removed and a cover layer is applied to the electrically conductive layer and the x-contact layer.
  • the cover layer can instead of
  • Diffusion layer can be used to improve the contact resistance.
  • the cover layer can have nickel. Alternatively, before applying the cover layer
  • the electrically conductive layer can also be removed.
  • Figure 1 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor chip according to one
  • Figure 2 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor chip according to another
  • FIGS. 4A, 4B and 4C A further exemplary embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip is described in conjunction with FIGS. 4A, 4B and 4C.
  • FIGS. 5A, 5B, 5C, 5D and 5E further exemplary embodiments of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip are shown.
  • FIG. 6 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor chip according to another
  • FIGS. 7A, 7B and 7C A further exemplary embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip is described in conjunction with FIGS. 7A, 7B and 7C.
  • FIGS. 8A and 8B are top views
  • FIG. 9 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor chip according to another
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor chip 20 according to one
  • Semiconductor chip 20 has a y-doped region 22.
  • the y-doped region 22 has a structured surface 36. By structuring the surface 36
  • Coupling efficiency for electromagnetic radiation, which is emitted by the optoelectronic semiconductor chip 20, is improved.
  • the y-doped region 22 is arranged on an x-doped region 21, so that an active region 23 is formed between the y-doped region 22 and the x-doped region 21.
  • the active region 23 is designed for this during the operation of the optoelectronic
  • Optoelectronic semiconductor chips 20 are arranged on the side of the y-doped region 22 facing away from the active region 23.
  • the x-doped region 21 is arranged on an x contact region 24.
  • the x contact area 24 is at the Active region 23 facing away from the x-doped region 21.
  • the x-contact area 24 has at least one first area 25 with a first electrical conductivity and at least one second area 26 with a second electrical conductivity.
  • the first and second regions 25, 26 are not shown in FIG. 1.
  • the x contact area 24 is arranged on an x contact layer 31.
  • the x contact layer 31 has silver.
  • the x contact layer 31 is thus designed to be active
  • the x-contact layer 31 is arranged on an x-side contact 37.
  • the x-side contact 37 has a metal.
  • the x contact region 24 has a main extension plane.
  • a lateral direction x runs parallel to
  • the x-contact area 24 is direct in the lateral direction x over the entire extent of the x-contact area 24
  • the x-contact layer 31 is in the lateral direction x over the entire extent of the x-contact layer 31 in direct contact with the x-contact region 24 and with the x-side contact 37.
  • the x-side Contact 37 is designed to make electrical contact with the x-doped region 21.
  • an opening 27 extends through the x-doped
  • the opening 27 extends in places through the y-doped region 22.
  • the opening 27 extends in a vertical direction z, which is perpendicular to the Main extension plane of the x-doped region 21 runs.
  • An electrically conductive material 44 is arranged in the opening 27.
  • the electrically conductive material 44 can be a metal.
  • a y-contact layer 35 is arranged in the opening 27.
  • the y-contact layer 35 is applied to side walls 45 of the opening 27.
  • the opening 27 is completely filled with the y-contact layer 35 and the electrically conductive material 44.
  • the y-contact layer 35 is in direct contact with the electrically conductive material 44.
  • an insulation region 34 is arranged between the opening 27 and the x-doped region 21. Furthermore, the insulation region 34 is arranged between the opening 27 and the x-contact region 24, between the opening 27 and the x-contact layer 31 and between the opening 27 and the x-side contact 37.
  • Insulation area 34 has an electrically insulating
  • Charge carriers which are made available for the y-doped region 22 via the y-contact layer 35 can reach the active region 23 over the entire lateral extent of the y-doped region 22.
  • the electrical resistance increases with the distance from the y-contact layer 35. The movement of the charge carriers is shown with arrows in FIG.
  • Figure 2 is a schematic cross section through a further embodiment of the optoelectronic
  • Semiconductor chip 20 has the structure shown in FIG. 1. In addition, part of the x contact area 24 is enlarged shown. The enlarged section shows that the x-contact area 24 on the x-contact layer 31
  • the x contact region 24 has a multiplicity of first regions 25 and a multiplicity of second ones
  • the first regions 25 and the second regions 26 are arranged next to one another in the lateral direction x.
  • the x-contact area 24 is designed such that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip 20, more charge carriers are injected into the x-doped area 21 via the second area 26 than via the first area 25.
  • the first electrical conductivity can be at most 20% of the second electrical conductivity. Therefore, provided by the x-side contact 37
  • the size of the second areas 26 in the lateral direction x is larger the further the second areas 26 from
  • Breakthrough 27 are removed. In this way, the electrical resistance between the y-contact layer 35 and the x-side contact 37 in the vicinity of the opening 27 is increased. At greater distances from the opening 27, the electrical resistance in the y-doped region 22 is also greater, so that only a slight increase in the
  • the optoelectronic semiconductor chip 20 is influenced in a targeted manner by this structure in such a way that no large differences in the current intensity occur in the active region 23. Thereby the optoelectronic semiconductor chip 20 can be operated more efficiently.
  • the y-doped region 22 is applied to a substrate 40.
  • the substrate 40 has sapphire.
  • the x-doped region 21 is applied to the y-doped region 22.
  • a photoresist 38 is applied to the x-doped region 21.
  • a mask 39 is applied in places to the photoresist 38.
  • the mask 39 has recesses so that a multiplicity of regions on the photoresist 38 are covered by the mask 39 and a multiplicity of other regions on the photoresist 38 are not covered by the mask 39.
  • the photoresist 38 is then irradiated with UV radiation.
  • the surface of the x-doped region 21 is thus structured by means of photolithography.
  • a dielectric layer is applied to the x-doped region 21 before the photoresist 38 is applied
  • the dielectric layer acts as a protective layer.
  • FIG. 3B shows that in a next step the photoresist 38 in the areas in which no mask 39
  • the x-doped region 21 is in the regions where no photoresist 38 is arranged by the Plasma damaged, leaving a variety of first areas
  • the x contact area 24 is on the x-doped
  • the photoresist 38 can thus be efficiently removed with a plasma without the second regions 26 being damaged, since these are protected by the dielectric layer.
  • FIG. 3C shows that the photoresist 38 is removed in a next step.
  • the x-contact layer 31 is then applied to the first regions 25 and the second regions 26. Since the first regions 25 have a disturbed crystal structure, the first one is
  • FIGS. 4A, 4B and 4C A further exemplary embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip 20 is described in conjunction with FIGS. 4A, 4B and 4C.
  • the method step shown in FIG. 4A corresponds to the step shown in FIG. 3A.
  • FIG. 4B shows that in a next step of the method, an electrically insulating layer 28 is applied to the x-doped region 21 and the photoresist 38.
  • the electrically insulating layer 28 has SiCg.
  • the thickness of the electrically insulating layer 28 in the vertical direction z is at most 2 nm.
  • the photoresist 38 is removed.
  • the regions in which the electrically insulating layer 28 is arranged form the first regions 25.
  • the regions in which the electrically insulating layer 28 is arranged form the first regions 25.
  • the insulating layer 28 is not arranged, form the second regions 26.
  • the x-contact layer 31 is applied to the first regions 25 and the second regions 26. Since the first regions 25 have the electrically insulating layer 28, the electrical resistance in the first regions 25 is increased compared to the electrical resistance in the second regions 26. It can thus be achieved that, during operation of the optoelectronic semiconductor chip 20, more charge carriers are injected into the x-doped region 21 via the second region 26 than via the first region 25.
  • FIGS. 5A, 5B, 5C, 5D and 5E further exemplary embodiments of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip 20 are shown.
  • FIG. 5A shows that in a first step, according to an embodiment of the method, the y-doped
  • Area 22 is applied to the substrate 40.
  • the x-doped region 21 is opened to form the active region 23 applied the y-doped region 22.
  • the x-contact layer 31 is applied to the x-doped region 21.
  • a photoresist 38 is applied to the x-contact layer 31.
  • a mask 39 is applied in places to the photoresist 38.
  • the mask 39 is applied to the photoresist 38 as described in connection with FIG. 3C.
  • the photoresist 38 is then irradiated with UV radiation.
  • the photoresist 38 is removed from the x-contact layer 31.
  • Mask 39 is also removed.
  • An electrically conductive layer 29 is then applied to the x-contact layer 31 and the photoresist 38.
  • the electrically conductive layer 29 has titanium.
  • the photoresist 38 is removed.
  • FIG. 5C shows that the regions in which the electrically conductive layer 29 is arranged on the x-contact layer 31 form the first regions 25.
  • the regions in which the electrically conductive layer 29 is not arranged on the x-contact layer 31 form the second
  • Areas 26 are applied to form the x-contact area 24, a diffusion layer 32.
  • the diffusion layer 32 has ZnO.
  • the structure is heated to a temperature of at least 200 ° C and at most 450 ° C. Then oxygen can diffuse through the second regions 26 from the diffusion layer 32 into the x-contact layer 31 and thus lower the contact resistance.
  • oxygen can be present or added in the environment.
  • the first regions 25 allow significantly less or no oxygen diffuse from the diffusion layer 32 into the x-contact layer 31.
  • the first areas 25 the first areas 25
  • Regions 26 are produced, wherein during operation of the optoelectronic semiconductor chip 20 more charge carriers are injected into the x-doped region 21 via the second region 26 than via the first region 25.
  • FIG. 5D shows an alternative method step to the step shown in FIG. 5C.
  • Diffusion layer 32 removed after the diffusion of oxygen into the x-contact layer 31.
  • a cover layer 33 is then applied to the first regions 25 and the second regions 26.
  • the cover layer 33 can have nickel.
  • FIG. 5E shows a further alternative method step to the step shown in FIG. 5C.
  • first regions 25 differ in their oxygen concentration from the second regions 26.
  • the second regions 26 have a larger oxygen concentration and thus one
  • Figure 6 is a schematic cross section through a further embodiment of the optoelectronic
  • the exemplary embodiment differs from that in FIG. 2 Embodiment shown by the structure of the x-contact area 24.
  • the x-contact area 24 has a first area 25 and a second area 26.
  • the first region 25 and the second region 26 have an electrically conductive layer 29.
  • the electrically conductive layer 29 extends over the entire lateral extent of the first region 25 and the second region 26
  • electrically conductive layer 29 has x-doped
  • the electrically conductive layer 29 has a third electrical conductivity, which is greater than the electrical conductivity of the y-doped region 22.
  • Conductive layer 29 in the vertical direction z can be adapted to the electrical conductivity of the y-doped region 22. Overall, the electrically conductive layer 29 has a smaller thickness in the vertical direction z than the y-doped region 22.
  • the first region 25 additionally has an electrical one
  • the electrically insulating layer 28 is electrically insulating
  • Layer 28 extends across the entire lateral
  • the charge carriers provided by the x-side contact 37 mainly enter the electrically conductive layer 29 through the second region 26. As a result, more can be achieved during operation of the optoelectronic semiconductor chip 20
  • Charge carriers are injected into the x-doped region 21 via the second region 26 than via the first region 25. Due to the high electrical conductivity of the electrically conductive layer 29, the holes in the electrically conductive layer 29 can be distributed over the entire lateral extent of the latter. About the electrically conductive In layer 29, the charge carriers enter the x-doped region 21. Since the electrical resistance between the y-contact layer 35 and the x-side contact 37 in the vicinity of the y-contact layer 35 is thus increased, the
  • FIG. 7A, 7B and 7C A further exemplary embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor chip 20 is described in conjunction with FIGS. 7A, 7B and 7C.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 6 can be produced using the method shown in FIGS. 7A, 7B and 7C.
  • FIG. 7A shows that the y-doped region 22, the active region 23 and the x-doped region 21 on the
  • Substrate 40 are arranged.
  • the electrically conductive layer 29 is applied to the x-doped region 21.
  • the electrically insulating layer 28 is applied to the electrically conductive layer 29.
  • a photoresist 38 is applied to the electrically insulating layer 28.
  • a mask 39 is applied in places to the photoresist 38.
  • the photoresist 38 is then irradiated with UV radiation.
  • FIG. 7C shows that the electrically insulating layer 28 is then removed in the region in which the mask 39 is arranged.
  • the second region 26 is formed in the region in which the electrically insulating layer 28 is removed.
  • the first region 25 is formed by the region in which both the electrically insulating layer 28 and the electrically conductive layer 29 are arranged on the x-doped region 21.
  • the x-contact layer 31 is then applied to the first region 25 and the second region 26.
  • the charge carriers provided by the x-side contact 37 thus mainly enter the electrically conductive layer 29 through the second region 26.
  • FIG. 8A shows a top view of an exemplary embodiment of the optoelectronic semiconductor chip 20.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 8A is the exemplary embodiment shown in FIG. 6.
  • a large number of openings 27 for electrical contacting of the y-doped region 22 is distributed uniformly in the optoelectronic semiconductor chip 20.
  • the openings 27 are arranged at nodes of a square grid.
  • the openings 27 have a circular cross section in plan view. Also, a variety of second
  • Regions 26 evenly distributed in the optoelectronic semiconductor chip 20.
  • the second areas 26 are on
  • the second areas 26 have a plan view
  • the second regions 26 are each in the middle of a diagonal between two
  • Breakthroughs 27 arranged.
  • Figure 8B is a top view of another
  • This exemplary embodiment is also the exemplary embodiment shown in FIG. 6. in the In contrast to the exemplary embodiment shown in FIG. 8A, the second regions 26 have the shape of a square grid. Overall is a symmetrical shape or
  • FIG. 9 is a schematic cross section through a further exemplary embodiment of the optoelectronic
  • optoelectronic semiconductor chip 20 has a carrier 41.
  • the electrically conductive material 44 of the opening 27 extends over the entire extent of the optoelectronic semiconductor chip 20. Between the electrically conductive
  • Isolation area 34 arranged.
  • the carrier 41 is connected to the electrically conductive material 46
  • the optoelectronic semiconductor chip 20 has a first electrical contact 42. On the side of the carrier 41 facing away from the radiation exit side 30, the optoelectronic semiconductor chip 20 has a second electrical contact 43. Alternatively, the first and second electrical
  • Contact 42, 43 can both be arranged on the radiation exit side 30 or on the side of the carrier 41 facing away from the radiation exit side 30.

Abstract

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) angegeben mit: - einem x-dotierten Bereich (21), - einem y-dotierten Bereich (22), - einem aktiven Bereich (23), welcher zwischen dem x-dotierten Bereich (21) und dem y-dotierten Bereich (22) angeordnet ist, und - einem x-Kontaktbereich (24), wobei - der x-Kontaktbereich (24) an der dem aktiven Bereich (23) abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs (21) angeordnet ist, - der x-Kontaktbereich (24) mindestens einen ersten Bereich (25) und mindestens einen zweiten Bereich (26) aufweist, und - der x-Kontaktbereich (24) dazu ausgelegt ist, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (20) mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich (26) als über den ersten Bereich (25) in den x-dotierten Bereich (21) injiziert werden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (20) angegeben.

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Es werden ein optoelektronischer Halbleiterchip und ein
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterchips angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen
optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der effizient betrieben werden kann. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Halbleiterchips anzugeben, der effizient betrieben werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen x-dotierten Bereich. Der x-dotierte Bereich ist mit zumindest einem x-Dotierstoff dotiert. Bei dem x-Dotierstoff kann es sich um einen p-Dotierstoff oder um einen n- Dotierstoff handeln. Bevorzugt handelt es sich bei dem x- Dotierstoff um einen p-Dotierstoff . Wenn im Folgenden von x oder y die Rede ist, sind diese durch p oder n zu ersetzen. Der x-dotierte Bereich kann eine oder mehrere x-dotierte Halbleiterschichten umfassen. Der x-dotierte Bereich kann mit einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem III-V- Verbindungshalbleitermaterial , gebildet sein. Beispielsweise weist der x-dotierte Bereich GaN auf. Bei dem x-dotierten Bereich kann es sich zumindest stellenweise um einen
dreidimensionalen Körper handeln, welcher beispielsweise die Form eines Quaders oder eines Zylinders aufweist. Die
Haupterstreckungsebene des x-dotierten Bereichs verläuft parallel zu einer der Deckflächen des Quaders oder des
Zylinders .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen y-dotierten Bereich. Der y-dotierte Bereich ist mit zumindest einem y-Dotierstoff dotiert. Bei dem y-Dotierstoff kann es sich um einen p-Dotierstoff oder um einen n- Dotierstoff handeln. Bevorzugt handelt es sich bei dem y- Dotierstoff um einen n-Dotierstoff . Der y-dotierte Bereich kann eine oder mehrere y-dotierte Halbleiterschichten umfassen. Der y-dotierte Bereich kann mit einem
Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem III-V- Verbindungshalbleitermaterial , gebildet sein. Beispielsweise weist der y-dotierte Bereich GaN auf. Bei dem y-dotierten Bereich kann es sich zumindest stellenweise um einen
dreidimensionalen Körper handeln, welcher beispielsweise die Form eines Quaders oder eines Zylinders aufweist. Die
Haupterstreckungsebene des y-dotierten Bereichs verläuft parallel zu einer der Deckflächen des Quaders oder des
Zylinders. Der y-dotierte Bereich kann in, insbesondere direktem, Kontakt mit einer elektrisch leitfähigen y- Kontaktschicht sein. Die y-Kontaktschicht kann zur
elektrischen Kontaktierung des y-dotierten Bereichs
vorgesehen sein. Somit kann der y-dotierte Bereich über die y-Kontaktschicht elektrisch kontaktiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen aktiven Bereich, welcher zwischen dem x-dotierten Bereich und dem y-dotierten Bereich angeordnet ist. Der aktive Bereich kann dazu ausgelegt sein im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu detektieren. Der aktive Bereich kann zumindest eine QuantentopfStruktur aufweisen.
Bei dem Halbleiterchip handelt es sich zum Beispiel um einen Lumineszenzdiodenchip wie einen Leuchtdiodenchip oder einen Laserdiodenchip .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen x-Kontaktbereich . Bei dem x-Kontaktbereich kann es sich um eine oder mehrere Schichten handeln. Der x-Kontaktbereich kann zur elektrischen Kontaktierung des x-dotierten Bereichs vorgesehen sein. Der x-Kontaktbereich kann eine
Haupterstreckungsebene aufweisen, welche parallel zur
Haupterstreckungsebene des x-dotierten Bereichs ist. Der x- Kontaktbereich kann zumindest stellenweise ein
Halbleitermaterial aufweisen. Der x-Kontaktbereich kann zumindest stellenweise mit zumindest einem x-Dotierstoff dotiert sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, ist der x-Kontaktbereich an der dem aktiven Bereich abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs
angeordnet. Der x-Kontaktbereich kann in direktem Kontakt mit dem x-dotierten Bereich sein. Der x-Kontaktbereich kann zwischen dem x-dotierten Bereich und einem x-seitigen Kontakt des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein. Der x-seitige Kontakt kann zur elektrischen Kontaktierung des x- dotierten Bereichs vorgesehen sein. Somit kann der x- Kontaktbereich dazu ausgelegt sein einen elektrischen Kontakt zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x-dotierten Bereich herzustellen. Das heißt, der x-Kontaktbereich ist zumindest stellenweise elektrisch leitfähig. Der x-seitige Kontakt kann ein elektrisch leitfähiges Material, zum Beispiel ein Metall, aufweisen .
Zwischen dem x-Kontaktbereich und dem x-seitigen Kontakt kann eine x-Kontaktschicht angeordnet sein. Die x-Kontaktschicht kann zur elektrischen Kontaktierung des x-dotierten Bereichs vorgesehen sein. Die x-Kontaktschicht weist zum Beispiel ein Metall, beispielsweise Silber, auf. Die x-Kontaktschicht kann dazu ausgelegt sein vom aktiven Bereich emittierte
elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Somit kann die Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Halbleiterchips verbessert werden. Außerdem kann durch eine metallische x- Kontaktschicht die Rate der strahlenden Rekombination, insbesondere durch Ausnutzung des Purcell Effekts, vergrößert werden .
Der y-dotierte Bereich, der aktive Bereich, der x-dotierte Bereich und der x-Kontaktbereich können auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sein. Bei dem Träger kann es sich um ein Aufwachssubstrat handeln, auf das Halbleiterschichten des optoelektronischen Halbleiterchips epitaktisch abgeschieden sind. Alternativ kann es sich bei dem Träger um eine andere mechanisch tragende Komponente des Halbleiterchips handeln. Das Aufwachssubstrat kann in diesem Fall gedünnt oder
entfernt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, weist der x-Kontaktbereich mindestens einen ersten Bereich und mindestens einen zweiten Bereich auf. Bei dem ersten und zweiten Bereich kann es sich jeweils um einen Teil einer Schicht handeln. Es ist weiter möglich, dass es sich bei dem ersten Bereich und/oder bei dem zweiten Bereich um eine Schicht handelt. Der erste und der zweite Bereich können direkt aneinander angrenzen. Das bedeutet, der erste und der zweite Bereich können in direktem Kontakt sein. Der erste und der zweite Bereich können sich in ihrer
Materialzusammensetzung unterscheiden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, ist der x-Kontaktbereich dazu ausgelegt, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden. Der x- dotierte Bereich kann über den x-seitigen Kontakt mit
Ladungsträgern versorgt werden. Bei den Ladungsträgern handelt es sich insbesondere um Löcher. Der x-Kontaktbereich ist derart ausgestaltet, dass im Betrieb des
optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger vom x- seitigen Kontakt durch den zweiten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden als durch den ersten Bereich. Das kann bedeuten, dass vom x-seitigen Kontakt bereitgestellte Ladungsträger durch die x-Kontaktschicht und den zweiten Bereich in den x-dotierten Bereich gelangen können. Von den Ladungsträgern, welche im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips in den x-dotierten Bereich gelangen, gelangt ein größerer Anteil dieser Ladungsträger über den zweiten Bereich den x-dotierten Bereich als über den ersten Bereich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen x-dotierten Bereich, einen y-dotierten Bereich, einen aktiven Bereich, welcher zwischen dem x-dotierten Bereich und dem y-dotierten Bereich angeordnet ist, und einen x- Kontaktbereich, wobei der x-Kontaktbereich an der dem aktiven Bereich abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs angeordnet ist, der x-Kontaktbereich mindestens einen ersten Bereich und mindestens einen zweiten Bereich aufweist, und der x- Kontaktbereich dazu ausgelegt ist, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x- dotierten Bereich injiziert werden.
Dem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass der
optoelektronische Halbleiterchip effizienter betrieben werden kann, wenn die elektrische Stromstärke im Betrieb des
optoelektronischen Halbleiterchips möglichst gleichmäßig im optoelektronischen Halbleiterchip verteilt ist. Zwischen der y-Kontaktschicht und dem x-seitigen Kontakt kann es zu einer ungleichmäßigen Verteilung der Stromstärke kommen, wenn die y-Kontaktschicht nicht großflächig sondern punktuell oder lokal im optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet ist und der x-seitige Kontakt großflächig ausgebildet ist. Das bedeutet insbesondere, dass bei einer großflächigen
Ausbildung des x-seitigen Kontakts Löcher über die gesamte Ausdehnung des x-seitigen Kontakts für den aktiven Bereich zur Rekombination zur Verfügung gestellt werden. Elektronen werden jedoch nur lokal im Bereich der y-Kontaktschicht zur Verfügung gestellt. Daher ist der elektrische Widerstand für die Elektronen im y-dotierten Bereich in der Nähe der y- Kontaktschicht am geringsten und nimmt mit dem Abstand zur y- Kontaktschicht zu. Außerdem ist die elektrische Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs üblicherweise deutlich kleiner als die des x-seitigen Kontakts. Diese ungleichmäßige Verteilung des elektrischen Widerstands kann dazu führen, dass die
Stromstärke in manchen Bereichen deutlich größer als in anderen Bereichen ist. Die Effizienz der strahlenden
Rekombination ist jedoch bei geringen Stromstärken größer als bei großen Stromstärken. Da im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden, kann eine gleichmäßigere Verteilung der Stromstärke im
optoelektronischen Halbleiterchip, insbesondere im aktiven Bereich, erreicht werden. Zum Beispiel kann der
Kontaktwiderstand zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x- dotierten Bereich im ersten Bereich größer als im zweiten Bereich sein. Dies führt dazu, dass mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x- dotierten Bereich injiziert werden. Insgesamt kann somit der elektrische Widerstand, welcher im y-dotierten Bereich in der Nähe der y-Kontaktschicht verringert ist, durch einen
größeren elektrischen Widerstand im x-Kontaktbereich
kompensiert werden. Da der x-Kontaktbereich mindestens einen ersten Bereich und mindestens einen zweiten Bereich aufweist, kann der aktive Bereich weiter großflächig mit
Ladungsträgern, insbesondere mit Löchern, versorgt werden.
Das Einbringen des x-Kontaktbereichs , in dem die Injektion von Ladungsträgern variiert, also zum Beispiel der Widerstand stellenweise erhöht ist, führt dazu, dass insgesamt der elektrische Widerstand zwischen der y-Kontaktschicht und dem x-seitigen Kontakt weniger stark vom Abstand zur y- Kontaktschicht abhängt. Daher weist auch die Stromstärke im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips gleichmäßigere Werte auf. Das Auftreten von erhöhten Stromstärken in der Nähe der y-Kontaktschicht oder im aktiven Bereich wird damit verringert oder vermieden. Daher ist insgesamt
vorteilhafterweise die Homogenität des im Halbleiterchip fließenden Stroms erhöht. Da das Auftreten von lokal erhöhten Stromstärken vermieden wird, kann die Effizienz der
strahlenden Rekombination und somit die Effizienz des optoelektronischen Halbleiterchips erhöht werden. Außerdem kann der optoelektronische Halbleiterchip aufgrund der Verringerung der maximal auftretenden Stromstärke mit einem höheren Strom betrieben werden. Das bedeutet, dass der optoelektronische Halbleiterchip Licht mit einer größeren Intensität emittieren kann. Des Weiteren ist durch die erhöhte Effizienz die Regeldifferenz reduziert. Eine
Vermeidung von lokal erhöhten Stromstärken führt weiter zu einer erhöhten Lebensdauer des optoelektronischen
Halbleiterchips, da eine lokale Überhitzung des
optoelektronischen Halbleiterchips verringert oder vermieden wird .
Weist der optoelektronische Halbleiterchip eine Vielzahl von y-Kontaktschichten auf, so können über den x-Kontaktbereich kleine Unterschiede im elektrischen Widerstand zwischen den verschiedenen y-dotierten Bereichen, welche im Rahmen der Herstellung auftreten können, ausgeglichen werden. Außerdem können Unterschiede im elektrischen Widerstand, welche aufgrund unterschiedlicher Wärmeableitung auftreten, ausgeglichen werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, weist der erste Bereich eine erste
elektrische Leitfähigkeit auf und der zweite Bereich weist eine zweite elektrische Leitfähigkeit auf, wobei die erste elektrische Leitfähigkeit höchstens 20 Prozent der zweiten elektrischen Leitfähigkeit beträgt. Das bedeutet, die zweite elektrische Leitfähigkeit ist größer als die erste
elektrische Leitfähigkeit. Es ist weiter möglich, dass die erste elektrische Leitfähigkeit höchstens 10 Prozent der zweiten elektrischen Leitfähigkeit beträgt. Die erste und die zweite elektrische Leitfähigkeit können sich jeweils auf eine elektrische Leitfähigkeit in einer vertikalen Richtung beziehen. Die vertikale Richtung verläuft senkrecht zur Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterchips. Bei der ersten und zweiten elektrischen Leitfähigkeit handelt es sich insbesondere um eine
Lochleitfähigkeit. Das heißt, die erste elektrische
Leitfähigkeit kann eine erste Lochleitfähigkeit sein und die zweite elektrische Leitfähigkeit kann eine zweite
Lochleitfähigkeit sein. Der elektrische Widerstand ist somit im ersten Bereich größer als im zweiten Bereich. Darüber kann der Kontaktwiderstand zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x-dotierten Bereich beeinflusst werden. Aufgrund der
unterschiedlichen elektrischen Leitfähigkeiten des ersten und zweiten Bereichs werden im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert. Somit kann eine gleichmäßigere Verteilung der Stromstärke im optoelektronischen Halbleiterchip erreicht werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips, weist der erste Bereich eine erste
elektrische Leitfähigkeit auf und der zweite Bereich weist eine zweite elektrische Leitfähigkeit auf, wobei die erste elektrische Leitfähigkeit wenigstens 0,1 Prozent,
insbesondere wenigstens 1 Prozent der zweiten elektrischen Leitfähigkeit beträgt. Das heißt, der erste Bereiche ist insbesondere nicht elektrisch isolierend ausgebildet, sondern weißt eine bestimmte elektrische Leitfähigkeit auf, die insbesondere jedoch kleiner ist, als die elektrische
Leitfähigkeit des zweiten Bereichs. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen der erste und der zweite Bereich das gleiche Material auf. Das kann
bedeuten, dass der erste und der zweite Bereich die gleiche Materialzusammensetzung aufweisen. Weiter ist es möglich, dass der erste und der zweite Bereich mit dem gleichen
Material gebildet sind. Somit unterscheiden sich der erste und der zweite Bereich beispielsweise lediglich durch ihre Struktur. Dadurch dass der erste und der zweite Bereich das gleiche Material aufweisen, ist die Herstellung des
optoelektronischen Halbleiterchips vereinfacht. Der erste und der zweite Bereich können GaN aufweisen oder mit GaN gebildet sein .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der erste und der zweite Bereich in einer lateralen Richtung nebeneinander angeordnet, wobei die laterale Richtung parallel zur
Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterchips verläuft. Der erste und der zweite Bereich können in der lateralen Richtung direkt nebeneinander angeordnet sein. Das bedeutet, dass der erste und der zweite Bereich benachbart zueinander angeordnet sind. Da der erste und der zweite
Bereich in einer lateralen Richtung nebeneinander angeordnet sind, weist der x-Kontaktbereich in der lateralen Richtung unterschiedliche Werte der elektrischen Leitfähigkeit auf.
Die vom x-seitigen Kontakt bereitgestellten Löcher können hauptsächlich durch den zweiten Bereich in den aktiven
Bereich gelangen. Der elektrische Strom durch den ersten Bereich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips ist deutlich geringer als der elektrische Strom durch den zweiten Bereich. Durch diese Anordnung kann einerseits der aktive Bereich mit Löchern versorgt werden und andererseits wird der elektrische Widerstand des y-dotierten Bereichs durch den x- Kontaktbereich kompensiert. Somit kann der optoelektronische Halbleiterchip effizienter betrieben werden.
Die Ausdehnung des ersten Bereichs in der lateralen Richtung kann kleiner als 1 ym sein. Weiter ist es möglich, dass die Ausdehnung des ersten Bereichs in der lateralen Richtung kleiner als 500 nm ist. Die Ausdehnung des zweiten Bereichs in der lateralen Richtung kann kleiner als 1 ym sein. Weiter ist es möglich, dass die Ausdehnung des zweiten Bereichs in der lateralen Richtung kleiner als 500 nm ist. Der erste und der zweite Bereich können die gleiche Ausdehnung in der lateralen Richtung aufweisen. Alternativ ist es möglich, dass der erste und der zweite Bereich unterschiedliche
Ausdehnungen in der lateralen Richtung aufweisen.
In der vertikalen Richtung, welche sich senkrecht zur
lateralen Richtung erstreckt, kann der erste Bereich eine Dicke von höchstens 100 nm aufweisen. Weiter ist es möglich, dass der erste Bereich in der vertikalen Richtung eine Dicke von höchstens 10 nm aufweist. Der zweite Bereich kann in der vertikalen Richtung eine Dicke von höchstens 100 nm
aufweisen. Weiter ist es möglich, dass der zweite Bereich in der vertikalen Richtung eine Dicke von höchstens 10 nm aufweist. Der erste und der zweite Bereich können die gleiche Dicke in der vertikalen Richtung aufweisen. Alternativ ist es möglich, dass der erste und der zweite Bereich eine
unterschiedliche Dicke in der vertikalen Richtung aufweisen.
Über die Ausdehnung des ersten und zweiten Bereichs in lateraler Richtung und über die Dicke des ersten und zweiten Bereichs in vertikaler Richtung kann der elektrische
Widerstand des x-Kontaktbereichs eingestellt werden. Somit kann der elektrische Widerstand des x-Kontaktbereichs derart eingestellt werden, dass dieser den elektrischen Widerstand des y-dotierten Bereichs kompensiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der x- Kontaktbereich eine Vielzahl von ersten Bereichen und/oder eine Vielzahl von zweiten Bereichen auf. Zum Beispiel sind die ersten und zweiten Bereiche alternierend im x- Kontaktbereich angeordnet. Das bedeutet, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips in den zweiten Bereichen ein größerer elektrischer Strom auftritt als in den ersten Bereichen. Da auch der x-dotierte Bereich eine gewisse elektrische Leitfähigkeit aufweist, können sich die vom x- seitigen Kontakt bereitgestellten Löcher im x-dotierten
Bereich verteilen und diese werden über einen großflächigen Bereich dem aktiven Bereich zur Verfügung gestellt. Eine möglichst gleichmäßige Verteilung der Ladungsträger im x- dotierten Bereich wird durch eine geringe laterale Ausdehnung der ersten und zweiten Bereiche erreicht. Dazu weisen die ersten und zweiten Bereiche in einer lateralen Richtung beispielsweise eine Ausdehnung von höchstens 1 ym oder höchstens 500 nm auf. Mit einer Vielzahl von ersten und zweiten Bereichen im x-Kontaktbereich wird einerseits
gewährleistet, dass Löcher über eine große Fläche in den aktiven Bereich eingebracht werden und andererseits dass der elektrische Widerstand im x-Kontaktbereich stellenweise erhöht ist, um den verringerten elektrischen Widerstand im y- dotierten Bereich auszugleichen. Somit kann der
optoelektronische Halbleiterchip effizienter betrieben werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich zur elektrischen Kontaktierung des y-dotierten Bereichs ein
Durchbruch durch den x-dotierten Bereich und den aktiven Bereich. Der Durchbruch weist ein elektrisch leitfähiges Material, wie beispielsweise ein Metall auf. Weiter kann eine y-Kontaktschicht im Durchbruch angeordnet sein. Die y- Kontaktschicht weist ein elektrisch leitfähiges Material, wie beispielsweise ein Metall, auf. Die y-Kontaktschicht kann in direktem Kontakt mit dem y-dotierten Bereich sein. Der
Durchbruch kann sich in der vertikalen Richtung durch den x- dotierten Bereich und den aktiven Bereich erstrecken. Weiter kann sich der Durchbruch zumindest stellenweise durch den y- dotierten Bereich erstrecken. Zwischen dem Durchbruch und dem x-dotierten Bereich kann ein Isolationsbereich angeordnet sein. Der Isolationsbereich kann ein elektrisch isolierendes Material aufweisen. Beispielsweise weist der
Isolationsbereich AI2O3 und/oder SiCy auf. Der
Isolationsbereich kann weiter zwischen dem aktiven Bereich und dem Durchbruch und zumindest stellenweise zwischen dem y- dotierten Bereich und dem Durchbruch angeordnet sein. Der Querschnitt durch den Durchbruch in einer Ebene, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterchips ist, kann die Form eines Kreises aufweisen. Der Durchbruch dient zur elektrischen Kontaktierung des y- dotierten Bereichs.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Größe der zweiten Bereiche in einer lateralen Richtung umso größer je weiter die zweiten Bereiche vom Durchbruch entfernt sind, wobei die laterale Richtung parallel zur
Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterchips verläuft. Das bedeutet, dass zweite Bereiche, welche in der Nähe des Durchbruchs angeordnet sind, eine geringere Größe in der lateralen Richtung aufweisen als zweite Bereiche, welche weiter entfernt vom Durchbruch angeordnet sind. Bei der Größe der zweiten Bereiche in der lateralen Richtung kann es sich um eine Ausdehnung oder Erstreckung der zweiten Bereiche in der lateralen Richtung handeln. Somit weisen die zweiten Bereiche unterschiedliche Größen in lateraler Richtung auf, wobei die Größe der jeweiligen zweiten Bereiche in lateraler Richtung mit dem Abstand zum Durchbruch zunimmt. Die Größe der ersten Bereiche in der lateralen Richtung kann im Rahmen der Herstellungstoleranz gleich sein. Vorteilhafterweise wird mit dieser Anordnung der geringere elektrische Widerstand im y-dotierten Bereich in der Nähe des Durchbruchs durch den vergrößerten elektrischen Widerstand der ersten Bereiche kompensiert. Der elektrische Widerstand im y-dotierten
Bereich nimmt mit dem Abstand zum Durchbruch zu, weshalb mit zunehmendem Abstand vom Durchbruch eine geringere
Kompensation durch den x-Kontaktbereich benötigt wird. Die Größe der Kompensation kann vorteilhafterweise durch die Größe der zweiten Bereiche in lateraler Richtung eingestellt werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der erste Bereich eine gestörte Kristallstruktur auf. Das kann bedeuten, dass die Kristallstruktur im ersten Bereich polykristallin ist. Weiter kann der erste Bereich Versetzungen oder Risse
aufweisen. Das Material im ersten Bereich kann strukturiert sein. Dazu kann das Material im ersten Bereich mit einem Plasma behandelt werden. Durch die Plasmabehandlung wird die Kristallstruktur verändert oder gestört. Insbesondere ist die Kristallstruktur nur im ersten Bereich und nicht in den darunterliegenden Schichten, wie beispielsweise dem aktiven Bereich oder dem y-dotierten Bereich, gestört. Das Material des zweiten Bereichs wird nicht mit einem Plasma behandelt. Daher kann das Material im zweiten Bereich einkristallin sein. Weiter kann das Material im zweiten Bereich eine
Kristallstruktur aufweisen, welche nicht gestört ist. Da der erste Bereich eine gestörte Kristallstruktur aufweist, ist die erste elektrische Leitfähigkeit geringer als die zweite elektrische Leitfähigkeit. Somit kann durch die
Plasmabehandlung die erste elektrische Leitfähigkeit
vorteilhafterweise derart geändert werden, dass der
Kontaktwiderstand zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x- dotierten Bereich im ersten Bereich höher als im zweiten Bereich ist. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der erste Bereich eine elektrisch isolierende Schicht auf. Die elektrisch isolierende Schicht kann sich über die gesamte Ausdehnung des ersten Bereichs erstrecken. Bei der elektrisch isolierenden Schicht kann es sich um eine dielektrische Schicht handeln, welche beispielsweise SiCg aufweist. Die elektrisch
isolierende Schicht kann in vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 100 nm aufweisen. Es ist weiter möglich, dass die elektrisch isolierende Schicht in vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 10 nm aufweist. Alternativ kann die elektrisch isolierende Schicht in vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 2 nm aufweisen. Der zweite Bereich kann frei von einer elektrisch isolierenden Schicht sein. Da der erste Bereich die elektrisch isolierende Schicht aufweist, ist der elektrische Widerstand im ersten Bereich gegenüber dem elektrischen Widerstand im zweiten Bereich erhöht. Somit kann durch das Einbringen der elektrisch isolierenden Schicht im ersten Bereich erreicht werden, dass der Kontaktwiderstand zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x-dotierten Bereich im ersten Bereich höher als im zweiten Bereich ist. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen der erste und der zweite Bereich eine elektrisch leitfähige Schicht mit einer dritten elektrischen Leitfähigkeit auf, wobei die dritte elektrische Leitfähigkeit größer als die elektrische Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs ist. Die elektrisch leitfähige Schicht kann sich im gesamten ersten und zweiten Bereich erstrecken. Die elektrisch leitfähige Schicht kann zumindest teilweise transparent für die vom aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung sein. Beispielsweise weist die elektrisch leitfähige Schicht x-dotiertes
Indiumzinnoxid (ITO) auf.
Die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht in vertikaler Richtung kann an die elektrische Leitfähigkeit des y- dotierten Bereichs angepasst sein. Das bedeutet, dass die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht in vertikaler
Richtung derart eingestellt wird, dass die elektrische
Leitfähigkeit der elektrisch leitfähigen Schicht der
elektrischen Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs
entspricht. Wenn beispielsweise die dritte elektrische
Leitfähigkeit zehnmal so groß ist wie die elektrische
Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs, so beträgt die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht in vertikaler Richtung 10 % der Dicke des y-dotierten Bereichs in vertikaler Richtung.
Die Ausdehnung des ersten Bereichs in der lateralen Richtung kann größer als 10 ym sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Ausdehnung des zweiten Bereichs in der lateralen Richtung größer als 10 ym sein. Der erste und der zweite Bereich können unterschiedliche Ausdehnungen in der lateralen
Richtung aufweisen.
Der erste Bereich weist zusätzlich eine elektrisch
isolierende Schicht auf. Dabei ist die elektrisch leitfähige Schicht zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und dem x-dotierten Bereich angeordnet. Die elektrisch isolierende Schicht kann ein dielektrisches Material wie beispielsweise SiCg aufweisen. Die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht in vertikaler Richtung kann höchstens 50 nm oder höchstens 10 nm betragen. Die elektrisch isolierende Schicht ist zwischen dem x-dotierten Bereich und dem x-seitigen Kontakt
angeordnet. Die vom x-seitigen Kontakt bereitgestellten
Ladungsträger können jedoch nur über den zweiten Bereich in die elektrisch leitfähige Schicht gelangen. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden. Da sich die elektrisch leitfähige Schicht über den gesamten ersten und zweiten Bereich erstreckt, können sich die Ladungsträger in der gesamten elektrisch leitfähigen Schicht verteilen und über eine große Fläche in den x-dotierten Bereich gelangen. Da die elektrisch
leitfähige Schicht eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der x-dotierte Bereich, ist es vorteilhaft, dass sich die Löcher in der elektrisch leitfähigen Schicht
verteilen statt im x-dotierten Bereich. Das Einbringen der elektrisch leitfähigen Schicht gewährleistet somit, dass die vom x-seitigen Kontakt bereitgestellten Löcher großflächig in den aktiven Bereich gelangen. Daher werden lokal erhöhte Stromstärken vermieden und die strahlende Rekombination ist effizienter . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine
Strahlungsaustrittsseite des optoelektronischen
Halbleiterchips an der dem aktiven Bereich abgewandten Seite des y-dotierten Bereichs angeordnet. Bei der
Strahlungsaustrittsseite handelt es sich um die Seite des optoelektronischen Halbleiterchips, an der ein Großteil der vom aktiven Bereich im Betrieb emittierten
elektromagnetischen Strahlung austritt. An der
Strahlungsaustrittsseite kann der optoelektronische
Halbleiterchip eine aufgeraute oder strukturierte Oberfläche aufweisen. Beispielsweise kann die Oberfläche durch Ätzen, trocken-chemische Prozesse, mechanische Prozesse oder durch Plasmabehandlung strukturiert werden. Eine aufgeraute
Oberfläche an der Strahlungsaustrittsseite kann die
Auskoppeleffizienz der von aktiven Bereich im Betrieb
emittierten elektromagnetischen Strahlung erhöhen.
Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Der
optoelektronische Halbleiterchip ist bevorzugt mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Mit anderen Worten, sämtliche für den optoelektronischen Halbleiterchip
offenbarte Merkmale sind auch für das Verfahren zur
Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein x- dotierter Bereich auf einen y-dotierten Bereich aufgebracht wird zur Formung eines aktiven Bereichs zwischen dem x- dotierten Bereich und dem y-dotierten Bereich. Der y-dotierte Bereich kann auf einem Substrat aufgewachsen sein. Das Substrat kann Saphir aufweisen. Der x-dotierte Bereich und der y-dotierte Bereich können GaN aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein x- Kontaktbereich auf den x-dotierten Bereich aufgebracht wird. Der x-Kontaktbereich kann in einem oder in mehreren Schritten auf dem x-dotierten Bereich geformt werden. Der x- Kontaktbereich kann direkt auf den x-dotierten Bereich aufgebracht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der x-Kontaktbereich mindestens einen ersten Bereich und mindestens einen zweiten Bereich auf. Der erste und der zweite Bereich können nacheinander geformt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der x-Kontaktbereich dazu ausgelegt, dass im Betrieb des
optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x- dotierten Bereich injiziert werden.
Dem hier beschriebenen Verfahren liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass eine gleichmäßigere Verteilung der Stromstärke im optoelektronischen Halbleiterchip erreicht werden kann, da im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr
Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden. Dazu wird beispielsweise der elektrische Widerstand zwischen der y-Kontaktschicht und dem x-seitigen Kontakt durch das
Einbringen des x-Kontaktbereichs verändert. Zum Beispiel wird der erste Bereich im x-Kontaktbereich derart ausgebildet, dass dieser einen größeren elektrischen Widerstand als der zweite Bereich aufweist. Somit kann insgesamt der elektrische Widerstand, welcher im y-dotierten Bereich in der Nähe der y- Kontaktschicht verringert ist, durch einen größeren
elektrischen Widerstand im x-Kontaktbereich kompensiert werden. Dadurch kann der optoelektronische Halbleiterchip effizienter betrieben werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der erste Bereich mit einem Plasma behandelt. Dazu wird auf den x-dotierten Bereich stellenweise ein Fotolack aufgebracht. In dem Bereich oder in den Bereichen, wo kein Fotolack
aufgebracht ist, wird der x-dotierte Bereich mit einem Plasma behandelt. Bei dem Plasma kann es sich um ein Argon-Plasma handeln. Durch die Plasmabehandlung wird die Kristallstruktur an der Oberfläche des x-dotierten Bereichs gestört. Dadurch wird der erste Bereich ausgebildet. Der erste Bereich weist den Bereich auf, in welchem die Kristallstruktur gestört ist. Bei den Bereichen oder dem Bereich, welcher in lateraler Richtung neben dem ersten Bereich angeordnet ist, handelt es sich um den zweiten Bereich oder die zweiten Bereiche. Im zweiten Bereich ist die Kristallstruktur nicht gestört.
Vorteilhafterweise kann auf diese Art und Weise der
elektrische Widerstand im ersten Bereich im Vergleich zum zweiten Bereich erhöht sein, ohne dass ein weiteres Material benötigt wird. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden. Außerdem kann die gesamte Ausdehnung des optoelektronischen Halbleiterchips in vertikaler Richtung unverändert sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird im ersten Bereich eine elektrisch isolierende Schicht auf den x- dotierten Bereich aufgebracht. Das bedeutet, dass der erste Bereich dadurch geformt wird, dass die elektrisch isolierende Schicht stellenweise auf den x-dotierten Bereich aufgebracht wird. Die elektrisch isolierende Schicht kann durch Ätzen oder Photolithographie derart strukturiert werden, dass sie im ersten Bereich auf dem x-dotierten Bereich angeordnet ist. Die elektrisch isolierende Schicht kann sich über die gesamte Ausdehnung des ersten Bereichs erstrecken. Bei der elektrisch isolierenden Schicht kann es sich um eine dielektrische
Schicht handeln, welche beispielsweise SiCg aufweist. Die elektrisch isolierende Schicht kann in vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 100 nm aufweisen. Es ist weiter möglich, dass die elektrisch isolierende Schicht in
vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 10 nm aufweist. Alternativ kann die elektrisch isolierende Schicht in
vertikaler Richtung eine Dicke von höchstens 2 nm aufweisen. Der zweite Bereich kann frei von einer elektrisch
isolierenden Schicht sein. Da der erste Bereich die
elektrisch isolierende Schicht aufweist, ist der elektrische Widerstand im ersten Bereich gegenüber dem zweiten Bereich erhöht. Somit kann durch das Einbringen der elektrisch isolierenden Schicht im ersten Bereich erreicht werden, dass der Kontaktwiderstand zwischen dem x-seitigen Kontakt und dem x-dotierten Bereich im ersten Bereich höher als im zweiten Bereich ist. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf den ersten und den zweiten Bereich eine elektrisch leitfähige x-Kontaktschicht aufgebracht wird. Die x-Kontaktschicht kann ein Metall wie beispielsweise Silber aufweisen. Die x- Kontaktschicht kann dazu ausgelegt sein vom aktiven Bereich emittierte elektromagnetische Strahlung in Richtung der
Strahlungsaustrittsseite zu reflektieren. Außerdem kann durch eine metallische x-Kontaktschicht die Rate der strahlenden Rekombination vergrößert werden (Purcell Effekt) .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen des x-Kontaktbereichs eine elektrisch
leitfähige x-Kontaktschicht auf den x-dotierten Bereich aufgebracht. Das bedeutet, dass der x-Kontaktbereich zwischen der x-Kontaktschicht und dem x-seitigen Kontakt angeordnet ist. Für den Fall, dass der x-Kontaktbereich nicht
transparent für die vom aktiven Bereich emittierte
elektromagnetische Strahlung ist, ist es vorteilhaft die x- Kontaktschicht zwischen dem x-dotierten Bereich und dem x- Kontaktbereich anzuordnen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird im ersten Bereich eine elektrisch leitfähige Schicht auf die x- Kontaktschicht aufgebracht und anschließend wird auf die elektrisch leitfähige Schicht und die x-Kontaktschicht eine Diffusionsschicht aufgebracht, wobei die Diffusionsschicht ein Oxid aufweist. Die elektrisch leitfähige Schicht kann ein Metall wie beispielsweise Titan aufweisen. Die elektrisch leitfähige Schicht kann im ersten Bereich direkt auf die x- Kontaktschicht aufgebracht werden. Dabei ist die x- Kontaktschicht auf dem x-dotierten Bereich angeordnet. Die Diffusionsschicht wird im ersten und im zweiten Bereich aufgebracht. Beispielsweise weist die Diffusionsschicht ZnO auf. Nach dem Aufbringen der Diffusionsschicht kann der optoelektronische Halbleiterchip auf eine erhöhte Temperatur erwärmt werden. Beispielsweise wird der optoelektronische Halbleiterchip auf eine Temperatur von mindestens 200°C und höchstens 450 °C erwärmt. Im zweiten Bereich kann dadurch Sauerstoff aus der Diffusionsschicht in die x-Kontaktschicht diffundieren. Somit wird der Kontaktwiderstand zum x- dotierten Bereich verringert. Im ersten Bereich wird die Diffusion von Sauerstoff aus der Diffusionsschicht in die x- Kontaktschicht durch die elektrisch leitfähige Schicht verringert oder verhindert. Daher weist der zweite Bereich eine größere elektrische Leitfähigkeit als der erste Bereich auf und der Kontaktwiderstand zum x-dotierten Bereich ist im ersten Bereich höher als im zweiten Bereich. Durch den erhöhten Kontaktwiderstand im ersten Bereich kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich als über den ersten Bereich in den x-dotierten Bereich injiziert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Diffusionsschicht entfernt und auf die elektrisch leitfähige Schicht und die x-Kontaktschicht wird eine Abdeckschicht aufgebracht. Die Abdeckschicht kann anstelle der
Diffusionsschicht zur Verbesserung des Kontaktwiderstandes verwendet werden. Die Abdeckschicht kann Nickel aufweisen. Alternativ kann vor dem Aufbringen der Abdeckschicht
ebenfalls die elektrisch leitfähige Schicht entfernt werden.
Im Folgenden werden der hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchip und das hier beschriebene Verfahren zur
Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips in
Verbindung mit Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem
Ausführungsbeispiel .
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel .
In Verbindung mit den Figuren 3A, 3B und 3C ist ein
Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips beschrieben.
In Verbindung mit den Figuren 4A, 4B und 4C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips beschrieben.
In Verbindung mit den Figuren 5A, 5B, 5C, 5D und 5E sind weitere Ausführungsbeispiele des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips gezeigt.
Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel .
In Verbindung mit den Figuren 7A, 7B und 7C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips beschrieben.
In den Figuren 8A und 8B sind Draufsichten auf
Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Halbleiterchips gezeigt . Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
In Figur 1 ist ein schematischer Querschnitt durch einen optoelektronischen Halbleiterchip 20 gemäß einem
Ausführungsbeispiel gezeigt. Der optoelektronische
Halbleiterchip 20 weist einen y-dotierten Bereich 22 auf. Der y-dotierte Bereich 22 weist eine strukturierte Oberfläche 36 auf. Durch das Strukturieren der Oberfläche 36 ist die
Auskoppeleffizienz für elektromagnetische Strahlung, welche vom optoelektronischen Halbleiterchip 20 emittiert wird, verbessert. Der y-dotierte Bereich 22 ist auf einem x- dotierten Bereich 21 angeordnet, so dass zwischen dem y- dotierten Bereich 22 und dem x-dotierten Bereich 21 ein aktiver Bereich 23 geformt ist. Der aktive Bereich 23 ist dazu ausgelegt im Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips 20 elektromagnetische Strahlung zu
emittieren. Eine Strahlungsaustrittsseite 30 des
optoelektronischen Halbleiterchips 20 ist an der dem aktiven Bereich 23 abgewandten Seite des y-dotierten Bereichs 22 angeordnet .
Der x-dotierte Bereich 21 ist auf einem x-Kontaktbereich 24 angeordnet. Somit ist der x-Kontaktbereich 24 an der dem aktiven Bereich 23 abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs 21 angeordnet. Der x-Kontaktbereich 24 weist mindestens einen ersten Bereich 25 mit einer ersten elektrischen Leitfähigkeit und mindestens einen zweiten Bereich 26 mit einer zweiten elektrischen Leitfähigkeit auf. Der erste und der zweite Bereich 25, 26 sind in Figur 1 nicht gezeigt.
Der x-Kontaktbereich 24 ist auf einer x-Kontaktschicht 31 angeordnet. Die x-Kontaktschicht 31 weist Silber auf. Somit ist die x-Kontaktschicht 31 dazu ausgelegt vom aktiven
Bereich 23 emittierte elektromagnetische Strahlung in
Richtung der Strahlungsaustrittsseite 30 zu reflektieren. Die x-Kontaktschicht 31 ist auf einem x-seitigen Kontakt 37 angeordnet. Der x-seitige Kontakt 37 weist ein Metall auf.
Der x-Kontaktbereich 24 weist eine Haupterstreckungsebene auf. Eine laterale Richtung x verläuft parallel zur
Haupterstreckungsebene des x-Kontaktbereichs 24. Der x- Kontaktbereich 24 ist in lateraler Richtung x über die gesamte Ausdehnung des x-Kontaktbereichs 24 in direktem
Kontakt mit dem x-dotierten Bereich 21. Die x-Kontaktschicht 31 ist in lateraler Richtung x über die gesamte Ausdehnung der x-Kontaktschicht 31 in direktem Kontakt mit dem x- Kontaktbereich 24 und mit dem x-seitigen Kontakt 37. Der x- seitige Kontakt 37 ist dazu ausgelegt den x-dotierten Bereich 21 elektrisch zu kontaktieren.
Zur elektrischen Kontaktierung des y-dotierten Bereichs 22 erstreckt sich ein Durchbruch 27 durch den x-dotierten
Bereich 21 und durch den aktiven Bereich 23. Außerdem
erstreckt sich der Durchbruch 27 stellenweise durch den y- dotierten Bereich 22. Der Durchbruch 27 erstreckt sich in einer vertikalen Richtung z, welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene des x-dotierten Bereichs 21 verläuft. Im Durchbruch 27 ist ein elektrisch leitfähiges Material 44 angeordnet. Bei dem elektrisch leitfähigen Material 44 kann es sich um ein Metall handeln. Außerdem ist im Durchbruch 27 eine y-Kontaktschicht 35 angeordnet. Die y-Kontaktschicht 35 ist auf Seitenwände 45 des Durchbruchs 27 aufgebracht. Der Durchbruch 27 ist vollständig mit der y-Kontaktschicht 35 und dem elektrisch leitfähigen Material 44 gefüllt. Die y- Kontaktschicht 35 ist in direktem Kontakt mit dem elektrisch leitfähigen Material 44. Um den Durchbruch 27 elektrisch von den übrigen Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips 20 zu isolieren, ist zwischen dem Durchbruch 27 und dem x- dotierten Bereich 21 ein Isolationsbereich 34 angeordnet. Weiter ist der Isolationsbereich 34 zwischen dem Durchbruch 27 und dem x-Kontaktbereich 24, zwischen dem Durchbruch 27 und der x-Kontaktschicht 31 und zwischen dem Durchbruch 27 und dem x-seitigen Kontakt 37 angeordnet. Der
Isolationsbereich 34 weist ein elektrisch isolierendes
Material auf.
Ladungsträger, welche über die y-Kontaktschicht 35 für den y- dotierten Bereich 22 zur Verfügung gestellt werden, können über die gesamte laterale Ausdehnung des y-dotierten Bereichs 22 in den aktiven Bereich 23 gelangen. Dabei nimmt der elektrische Widerstand mit dem Abstand zur y-Kontaktschicht 35 zu. Die Bewegung der Ladungsträger ist in Figur 1 mit Pfeilen dargestellt.
In Figur 2 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen
Halbleiterchips 20 gezeigt. Der optoelektronische
Halbleiterchip 20 weist den in Figur 1 gezeigten Aufbau auf. Außerdem ist ein Teil des x-Kontaktbereichs 24 vergrößert dargestellt. In dem vergrößerten Ausschnitt ist gezeigt, dass der x-Kontaktbereich 24 auf der x-Kontaktschicht 31
angeordnet ist. Der x-Kontaktbereich 24 weist eine Vielzahl von ersten Bereichen 25 und eine Vielzahl von zweiten
Bereichen 26 auf. Dabei sind die ersten Bereiche 25 und die zweiten Bereiche 26 in lateraler Richtung x nebeneinander angeordnet. Der x-Kontaktbereich 24 ist dazu ausgelegt, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden. Dazu kann die erste elektrische Leitfähigkeit höchstens 20 % der zweiten elektrischen Leitfähigkeit betragen. Daher gelangen vom x-seitigen Kontakt 37 bereitgestellte
Ladungsträger hauptsächlich durch die ersten Bereiche 25 in den x-dotierten Bereich 21. Die Bewegung der Ladungsträger durch die ersten Bereiche 25 ist in Figur 2 mit Pfeilen dargestellt. Bei den vom x-seitigen Kontakt 37
bereitgestellten Ladungsträgern handelt es sich um Löcher.
Die Größe der zweiten Bereiche 26 in der lateralen Richtung x ist umso größer je weiter die zweiten Bereiche 26 vom
Durchbruch 27 entfernt sind. Auf diese Art und Weise wird der elektrische Widerstand zwischen der y-Kontaktschicht 35 und dem x-seitigen Kontakt 37 in der Nähe des Durchbruchs 27 vergrößert. Bei größeren Entfernungen vom Durchbruch 27 ist auch der elektrische Widerstand im y-dotierten Bereich 22 größer, so dass nur eine geringe Vergrößerung des
elektrischen Widerstands im x-Kontaktbereich 24 benötigt wird und die zweiten Bereiche 26 eine größere Ausdehnung in lateraler Richtung x aufweisen können. Durch diesen Aufbau wird der Stromfluss im optoelektronischen Halbleiterchip 20 gezielt derart beeinflusst, dass im aktiven Bereich 23 keine großen Unterschiede in der Stromstärke auftreten. Dadurch kann der optoelektronische Halbleiterchip 20 effizienter betrieben werden.
In Verbindung mit den Figuren 3A, 3B und 3C ist ein
Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips 20 beschrieben.
In einem ersten Schritt des Verfahrens wird, wie in Figur 3A gezeigt, der y-dotierte Bereich 22 auf ein Substrat 40 aufgebracht. Das Substrat 40 weist Saphir auf. Zur Formung des aktiven Bereichs 23 wird der x-dotierte Bereich 21 auf den y-dotierten Bereich 22 aufgebracht. Auf den x-dotierten Bereich 21 wird ein Fotolack 38 aufgebracht. Auf den Fotolack 38 wird stellenweise eine Maske 39 aufgebracht. Die Maske 39 weist Ausnehmungen auf, so dass eine Vielzahl von Bereichen auf dem Fotolack 38 von der Maske 39 bedeckt ist und eine Vielzahl anderer Bereiche auf dem Fotolack 38 nicht von der Maske 39 bedeckt ist. Anschließend wird der Fotolack 38 mit UV-Strahlung bestrahlt. Somit wird die Oberfläche des x- dotierten Bereichs 21 mittels Photolithographie strukturiert. Optional wird vor dem Aufbringen des Fotolacks 38 eine dielektrische Schicht auf den x-dotierten Bereich 21
aufgebracht, welche nicht gezeigt ist. Die dielektrische Schicht wirkt als Schutzschicht.
In Figur 3B ist gezeigt, dass in einem nächsten Schritt der Fotolack 38 in den Bereichen, in denen keine Maske 39
angeordnet ist, vom x-dotierten Bereich 21 entfernt wird. Anschließend wird die gesamte Oberfläche, somit der x- dotierte Bereich 21 und der Fotolack 38, mit einem Plasma behandelt. Bei dem Plasma handelt es sich zum Beispiel um ein Argon-Plasma. Dabei wird der x-dotierte Bereich 21 in den Bereichen, wo kein Fotolack 38 angeordnet ist, durch das Plasma beschädigt, so dass eine Vielzahl von ersten Bereichen
25 geformt wird. Das Material der ersten Bereiche 25 weist eine gestörte Kristallstruktur auf. In den Bereichen, in denen die Maske 39 angeordnet ist, werden zweite Bereiche 26 geformt, in denen die Kristallstruktur nicht gestört ist. Somit wird der x-Kontaktbereich 24 auf dem x-dotierten
Bereich 21 geformt. Die ersten und die zweiten Bereiche 25,
26 weisen das gleiche Material auf. Ist eine dielektrische Schicht auf dem x-dotierten Bereich 21 angeordnet, so wird diese in den Bereichen, in denen keine Maske 39 angeordnet ist, nasschemisch entfernt. Nach der Behandlung mit dem
Plasma wird der verbliebene Fotolack 38 entfernt, zum
Beispiel mit einem Cg Plasma. Anschließend wird die
dielektrische Schicht entfernt. Somit kann der Fotolack 38 effizient mit einem Plasma entfernt werden, ohne dass die zweiten Bereiche 26 beschädigt werden, da diese durch die dielektrische Schicht geschützt sind.
In Figur 3C ist gezeigt, dass in einem nächsten Schritt der Fotolack 38 entfernt wird. Anschließend wird die x- Kontaktschicht 31 auf die ersten Bereiche 25 und die zweiten Bereiche 26 aufgebracht. Da die ersten Bereiche 25 eine gestörte Kristallstruktur aufweisen, ist die erste
elektrische Leitfähigkeit geringer als die zweite elektrische Leitfähigkeit. Somit kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden.
In Verbindung mit den Figuren 4A, 4B und 4C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 20 beschrieben. Der in Figur 4A gezeigte Verfahrensschritt entspricht dem in Figur 3A gezeigten Schritt.
In Figur 4B ist gezeigt, dass in einem nächsten Schritt des Verfahrens eine elektrisch isolierende Schicht 28 auf den x- dotierten Bereich 21 und den Fotolack 38 aufgebracht wird.
Die elektrisch isolierende Schicht 28 weist SiCg auf. Die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 28 in vertikaler Richtung z beträgt höchstens 2 nm.
In einem nächsten Schritt, wie in Figur 4C gezeigt, wird der Fotolack 38 entfernt. Die Bereiche, in welchen die elektrisch isolierende Schicht 28 angeordnet ist, bilden die ersten Bereiche 25. Die Bereiche, in denen die elektrisch
isolierende Schicht 28 nicht angeordnet ist, bilden die zweiten Bereiche 26. Auf die ersten Bereiche 25 und die zweiten Bereiche 26 wird die x-Kontaktschicht 31 aufgebracht. Da die ersten Bereiche 25 die elektrisch isolierende Schicht 28 aufweisen, ist der elektrische Widerstand in den ersten Bereichen 25 gegenüber dem elektrischen Widerstand in den zweiten Bereichen 26 erhöht. Somit kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden.
In Verbindung mit den Figuren 5A, 5B, 5C, 5D und 5E sind weitere Ausführungsbeispiele des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 20 gezeigt.
In Figur 5A ist gezeigt, dass in einem ersten Schritt gemäß einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens der y-dotierte
Bereich 22 auf das Substrat 40 aufgebracht wird. Zur Formung des aktiven Bereichs 23 wird der x-dotierte Bereich 21 auf den y-dotierten Bereich 22 aufgebracht. Auf den x-dotierten Bereich 21 wird die x-Kontaktschicht 31 aufgebracht.
In einem nächsten Schritt, wie in Figur 5B gezeigt, wird ein Fotolack 38 auf die x-Kontaktschicht 31 aufgebracht. Auf den Fotolack 38 wird stellenweise eine Maske 39 aufgebracht.
Dabei wird die Maske 39 wie in Verbindung mit Figur 3C beschrieben auf den Fotolack 38 aufgebracht. Anschließend wird der Fotolack 38 mit UV-Strahlung bestrahlt. In den
Bereichen, in welchen keine Maske 39 angeordnet ist, wird der Fotolack 38 vom der x-Kontaktschicht 31 entfernt. Außerdem wird die Maske 39 entfernt. Anschließend wird eine elektrisch leitfähige Schicht 29 auf die x-Kontaktschicht 31 und den Fotolack 38 aufgebracht. Die elektrisch leitfähige Schicht 29 weist Titan auf. In einem nächsten Schritt wird der Fotolack 38 entfernt.
In Figur 5C ist gezeigt, dass die Bereiche in welchen die elektrisch leitfähige Schicht 29 auf der x-Kontaktschicht 31 angeordnet ist, die ersten Bereiche 25 bilden. Die Bereiche, in welchen die elektrisch leitfähige Schicht 29 nicht auf der x-Kontaktschicht 31 angeordnet ist, bilden die zweiten
Bereiche 26. Auf die ersten Bereiche 25 und die zweiten
Bereiche 26 wird zur Ausbildung des x-Kontaktbereichs 24 eine Diffusionsschicht 32 aufgebracht. Die Diffusionsschicht 32 weist ZnO auf. In einem nächsten Schritt wird die Struktur auf eine Temperatur von mindestens 200°C und höchstens 450°C erwärmt. Dann kann durch die zweiten Bereiche 26 Sauerstoff aus der Diffusionsschicht 32 in die x-Kontaktschicht 31 diffundieren und somit den Kontaktwiderstand senken.
Alternativ oder zusätzlich kann Sauerstoff in der Umgebung vorhanden seid oder hinzugefügt werden. Durch die ersten Bereiche 25 kann wesentlich weniger oder gar kein Sauerstoff aus der Diffusionsschicht 32 in die x-Kontaktschicht 31 diffundieren. Somit ist in den ersten Bereichen 25 der
Kontaktwiderstand größer als in den zweiten Bereichen 26. Daher kann mit diesem Verfahren ein optoelektronischer
Halbleiterchip 20 mit ersten Bereichen 25 und zweiten
Bereichen 26 hergestellt werden, wobei im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden.
In Figur 5D ist ein alternativer Verfahrensschritt zu dem in Figur 5C gezeigten Schritt dargestellt. Dabei wird die
Diffusionsschicht 32 nach der Diffusion von Sauerstoff in die x-Kontaktschicht 31 wieder entfernt. Anschließend wird eine Abdeckschicht 33 auf die ersten Bereiche 25 und die zweiten Bereiche 26 aufgebracht. Die Abdeckschicht 33 kann Nickel aufweisen .
In Figur 5E ist ein weiterer alternativer Verfahrensschritt zu dem in Figur 5C gezeigten Schritt dargestellt. Dabei werden sowohl die Diffusionsschicht 32 als auch die
elektrisch leitfähige Schicht 29 entfernt. Anschließend wird die Abdeckschicht 33 auf die ersten Bereiche 25 und die zweiten Bereiche 26 aufgebracht. In diesem Fall unterscheiden sich die ersten Bereiche 25 in ihrer Sauerstoffkonzentration von den zweiten Bereichen 26. Die zweiten Bereiche 26 weisen eine größere Sauerstoffkonzentration und somit einen
geringeren elektrischen Widerstand auf.
In Figur 6 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen
Halbleiterchips 20 gezeigt. Das in Figur 6 gezeigte
Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Figur 2 gezeigten Ausführungsbeispiel durch den Aufbau des x- Kontaktbereichs 24. Der x-Kontaktbereich 24 weist einen ersten Bereich 25 und einen zweiten Bereich 26 auf. Der erste Bereich 25 und der zweite Bereich 26 weisen eine elektrisch leitfähige Schicht 29 auf. Die elektrisch leitfähige Schicht 29 erstreckt sich über die gesamte laterale Ausdehnung des ersten Bereichs 25 und des zweiten Bereichs 26. Die
elektrisch leitfähige Schicht 29 weist x-dotiertes
Indiumzinnoxid (ITO) auf. Außerdem weist die elektrisch leitfähige Schicht 29 eine dritte elektrische Leitfähigkeit auf, welche größer als die elektrische Leitfähigkeit des y- dotierten Bereichs 22 ist. Die Dicke der elektrisch
leitfähigen Schicht 29 in vertikaler Richtung z kann an die elektrische Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs 22 angepasst sein. Insgesamt weist die elektrisch leitfähige Schicht 29 eine geringere Dicke in vertikaler Richtung z auf als der y-dotierte Bereich 22.
Der erste Bereich 25 weist zusätzlich eine elektrisch
isolierende Schicht 28 auf. Die elektrisch isolierende
Schicht 28 erstreckt sich über die gesamte laterale
Ausdehnung des ersten Bereichs 25. Weiter weist die
elektrisch isolierende Schicht 28 SiCy auf. Die vom x- seitigen Kontakt 37 bereitgestellten Ladungsträger gelangen hauptsächlich durch den zweiten Bereich 26 in die elektrisch leitfähige Schicht 29. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr
Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden. In der elektrisch leitfähigen Schicht 29 können die Löcher aufgrund der hohen elektrischen Leitfähigkeit der elektrisch leitfähigen Schicht 29 über die gesamte laterale Ausdehnung dieser verteilt werden. Über die elektrisch leitfähige Schicht 29 gelangen die Ladungsträger in den x-dotierten Bereich 21. Da somit der elektrische Widerstand zwischen der y-Kontaktschicht 35 und dem x-seitigen Kontakt 37 in der Nähe der y-Kontaktschicht 35 vergrößert ist, sind die
Ladungsträger im Betrieb des optoelektronischen
Halbleiterchips 20 gleichmäßig im y-dotierten Bereich 22 verteilt. Die Bewegung der Ladungsträger ist in Figur 6 durch Pfeile dargestellt.
In Verbindung mit den Figuren 7A, 7B und 7C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 20 beschrieben. Mit dem in den Figuren 7A, 7B und 7C gezeigten Verfahren kann das in Figur 6 gezeigte Ausführungsbeispiel hergestellt werden.
In Figur 7A ist gezeigt, dass der y-dotierte Bereich 22, der aktive Bereich 23 und der x-dotierte Bereich 21 auf dem
Substrat 40 angeordnet sind. Auf den x-dotierten Bereich 21 wird die elektrisch leitfähige Schicht 29 aufgebracht. Auf die elektrisch leitfähige Schicht 29 wird die elektrisch isolierende Schicht 28 aufgebracht.
In einem nächsten Schritt, wie in Figur 7B gezeigt, wird ein Fotolack 38 auf die elektrisch isolierende Schicht 28 aufgebracht. Auf den Fotolack 38 wird stellenweise eine Maske 39 aufgebracht. Anschließend wird der Fotolack 38 mit UV- Strahlung bestrahlt.
In Figur 7C ist gezeigt, dass anschließend die elektrisch isolierende Schicht 28 in dem Bereich, in dem die Maske 39 angeordnet ist, entfernt wird. Somit wird in dem Bereich, in dem die elektrisch isolierende Schicht 28 entfernt wird, der zweite Bereich 26 gebildet. Den ersten Bereich 25 bildet der Bereich, in dem sowohl die elektrisch isolierende Schicht 28 als auch die elektrisch leitfähige Schicht 29 auf dem x- dotierten Bereich 21 angeordnet sind. Anschließend wird auf den ersten Bereich 25 und den zweiten Bereich 26 die x- Kontaktschicht 31 aufgebracht. Die vom x-seitigen Kontakt 37 bereitgestellten Ladungsträger gelangen somit hauptsächlich durch den zweiten Bereich 26 in die elektrisch leitfähige Schicht 29. Dadurch kann erreicht werden, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 20 mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich 26 als über den ersten Bereich 25 in den x-dotierten Bereich 21 injiziert werden.
In Figur 8A ist eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 20 gezeigt. Bei dem in Figur 8A gezeigten Ausführungsbeispiel handelt es sich um das in Figur 6 gezeigte Ausführungsbeispiel. Eine Vielzahl von Durchbrüchen 27 zur elektrischen Kontaktierung des y- dotierten Bereichs 22 ist gleichmäßig im optoelektronischen Halbleiterchip 20 verteilt. Dabei sind die Durchbrüche 27 an Knotenpunkten eines quadratischen Gitters angeordnet. Die Durchbrüche 27 weisen in der Draufsicht einen kreisförmigen Querschnitt auf. Außerdem ist eine Vielzahl von zweiten
Bereichen 26 gleichmäßig im optoelektronischen Halbleiterchip 20 verteilt. Dabei sind die zweiten Bereiche 26 an
Knotenpunkten eines quadratischen Gitters angeordnet. Die zweiten Bereiche 26 weisen in der Draufsicht einen
kreisförmigen Querschnitt auf. Die zweiten Bereiche 26 sind jeweils in der Mitte einer Diagonalen zwischen zwei
Durchbrüchen 27 angeordnet.
In Figur 8B ist eine Draufsicht auf ein weiteres
Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 20 gezeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich ebenfalls um das in Figur 6 gezeigte Ausführungsbeispiel. Im Unterschied zu dem in Figur 8A gezeigten Ausführungsbeispiel weisen die zweiten Bereiche 26 die Form eines quadratischen Gitters auf. Insgesamt ist eine symmetrische Form oder
Anordnung der zweiten Bereiche 26 vorteilhaft, wie
beispielsweise eine hexagonale oder geradlinige Form.
In Figur 9 ist ein schematischer Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen
Halbleiterchips 20 gezeigt. Im Vergleich zu dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist gezeigt, dass der
optoelektronische Halbleiterchip 20 einen Träger 41 aufweist. Das elektrisch leitfähige Material 44 des Durchbruchs 27 erstreckt über die gesamte Ausdehnung des optoelektronischen Halbleiterchips 20. Zwischen dem elektrisch leitfähigen
Material 44 und dem x-seitigen Kontakt 37 ist der
Isolationsbereich 34 angeordnet. Der Träger 41 ist über ein Verbindungsmaterial 46 mit dem elektrisch leitfähigen
Material 44 verbunden. In der rechten Ansicht in Figur 9 ist ebenfalls gezeigt, dass in der linken Ansicht in Figur 9 ein Ausschnitt des optoelektronischen Halbleiterchips 20 gezeigt ist. An der Strahlungsaustrittsseite 30 weist der
optoelektronische Halbleiterchip 20 einen ersten elektrischen Kontakt 42 auf. An der der Strahlungsaustrittsseite 30 abgewandten Seite des Trägers 41 weist der optoelektronische Halbleiterchip 20 einen zweiten elektrischen Kontakt 43 auf. Alternativ können der erste und der zweite elektrische
Kontakt 42, 43 beide an der Strahlungsaustrittsseite 30 oder an der der Strahlungsaustrittsseite 30 abgewandten Seite des Trägers 41 angeordnet sein.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102018127201.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
20: optoelektronischer Halbleiterchip
21: x-dotierter Bereich
22: y-dotierter Bereich
23: aktiver Bereich
24: x-Kontaktbereich
25: erster Bereich
26: zweiter Bereich
27: Durchbruch
28: elektrisch isolierende Schicht
29: elektrisch leitfähige Schicht
30: Strahlungsaustrittsseite
31: x-Kontaktschicht
32: Diffusionsschicht
33: Abdeckschicht
34: Isolationsbereich
35: y-Kontaktschicht
36: Oberfläche
37 : x-seitiger Kontakt
38: Fotolack
39: Maske
40: Substrat
41 : Träger
42: erster elektrischer Kontakt 43: zweiter elektrischer Kontakt 44: elektrisch leitfähiges Material 45: Seitenwand
46: Verbindungsmaterial
x: laterale Richtung
z: vertikale Richtung

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) mit:
- einem x-dotierten Bereich (21),
- einem y-dotierten Bereich (22),
- einem aktiven Bereich (23) , welcher zwischen dem x- dotierten Bereich (21) und dem y-dotierten Bereich (22) angeordnet ist, und
- einem x-Kontaktbereich (24), wobei
- der x-Kontaktbereich (24) an der dem aktiven Bereich (23) abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs (21) angeordnet ist,
- der x-Kontaktbereich (24) mindestens einen ersten Bereich (25) und mindestens einen zweiten Bereich (26) aufweist,
- der x-Kontaktbereich (24) dazu ausgelegt ist, dass im
Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (20) mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich (26) als über den ersten Bereich (25) in den x-dotierten Bereich (21) injiziert werden,
- der erste Bereich (25) eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist und der zweite Bereich (26) eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei die erste elektrische
Leitfähigkeit wenigstens 0,1 Prozent der zweiten elektrischen Leitfähigkeit beträgt.
2. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß Anspruch 1, bei dem die erste elektrische Leitfähigkeit höchstens 20 Prozent der zweiten elektrischen Leitfähigkeit beträgt.
3. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste und der zweite
Bereich (25, 26) das gleiche Material aufweisen.
4. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste und der zweite
Bereich (25, 26) in einer lateralen Richtung (x)
nebeneinander angeordnet sind, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des
optoelektronischen Halbleiterchips (20) verläuft.
5. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der x-Kontaktbereich (24) eine Vielzahl von ersten Bereichen (25) und eine Vielzahl von zweiten Bereichen (26) aufweist.
6. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß dem
vorherigen Anspruch, bei dem sich zur elektrischen
Kontaktierung des y-dotierten Bereichs (22) ein Durchbruch (27) durch den x-dotierten Bereich (21) und den aktiven
Bereich (23) erstreckt.
7. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß dem
vorherigen Anspruch, bei dem die Größe der zweiten Bereiche (26) in einer lateralen Richtung (x) umso größer ist je weiter die zweiten Bereiche (26) vom Durchbruch (27) entfernt sind, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur
Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterchips (20) verläuft.
8. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Bereich (25) eine gestörte Kristallstruktur aufweist.
9. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste Bereich (25) eine elektrisch isolierende Schicht (28) aufweist.
10. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste und der zweite
Bereich (25, 26) eine elektrisch leitfähige Schicht (29) mit einer dritten elektrischen Leitfähigkeit aufweisen, wobei die dritte elektrische Leitfähigkeit größer als die elektrische Leitfähigkeit des y-dotierten Bereichs (22) ist.
11. Optoelektronischer Halbleiterchip (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem eine Strahlungsaustrittsseite (30) des optoelektronischen Halbleiterchips (20) an der dem aktiven Bereich (23) abgewandten Seite des y-dotierten
Bereichs (22) angeordnet ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterchips (20) mit den Schritten:
- Aufbringen eines x-dotierten Bereichs (21) auf einen y- dotierten Bereich (22) zur Formung eines aktiven Bereichs (23) zwischen dem x-dotierten Bereich (21) und dem y- dotierten Bereich (22), und
- Aufbringen eines x-Kontaktbereichs (24) auf den x-dotierten Bereich (21), wobei
- der x-Kontaktbereich (24) mindestens einen ersten Bereich (25) und mindestens einen zweiten Bereich (26) aufweist, und
- der x-Kontaktbereich (24) dazu ausgelegt ist, dass im
Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (20) mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich (26) als über den ersten Bereich (25) in den x-dotierten Bereich (21) injiziert werden .
13. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem der erste Bereich (25) mit einem Plasma behandelt wird.
14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 oder 13, bei dem im ersten Bereich (25) eine elektrisch isolierende Schicht (28) auf den x-dotierten Bereich (21) aufgebracht wird.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem auf den ersten und den zweiten Bereich (25, 26) eine
elektrisch leitfähige x-Kontaktschicht (31) aufgebracht wird.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, bei dem vor dem Aufbringen des x-Kontaktbereichs (24) eine elektrisch leitfähige x-Kontaktschicht (31) auf den x-dotierten Bereich (21) aufgebracht wird.
17. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem im ersten Bereich (25) eine elektrisch leitfähige Schicht (29) auf die x-Kontaktschicht (31) aufgebracht wird und
anschließend auf die elektrisch leitfähige Schicht (29) und die x-Kontaktschicht (31) eine Diffusionsschicht (32)
aufgebracht wird, wobei die Diffusionsschicht (32) ein Oxid aufweist .
18. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem die Diffusionsschicht (32) entfernt wird und auf die elektrisch leitfähige Schicht (29) und die x-Kontaktschicht (31) eine Abdeckschicht (33) aufgebracht wird.
PCT/EP2019/076768 2018-10-31 2019-10-02 Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips WO2020088877A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021523364A JP7277580B2 (ja) 2018-10-31 2019-10-02 オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法
DE112019005410.4T DE112019005410A5 (de) 2018-10-31 2019-10-02 Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
KR1020217013262A KR102653810B1 (ko) 2018-10-31 2019-10-02 광전자 반도체 칩 및 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법
US17/288,569 US20210399169A1 (en) 2018-10-31 2019-10-02 Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018127201.4A DE102018127201A1 (de) 2018-10-31 2018-10-31 Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102018127201.4 2018-10-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020088877A1 true WO2020088877A1 (de) 2020-05-07

Family

ID=68210765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/076768 WO2020088877A1 (de) 2018-10-31 2019-10-02 Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210399169A1 (de)
JP (1) JP7277580B2 (de)
KR (1) KR102653810B1 (de)
DE (2) DE102018127201A1 (de)
WO (1) WO2020088877A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020114772A1 (de) * 2020-06-03 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050205886A1 (en) * 2002-11-29 2005-09-22 Sanken Electric Co., Ltd. Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
EP2555255A2 (de) * 2011-08-01 2013-02-06 Lextar Electronics Corp. Lichtemittierende Diodenstruktur und Herstellungsverfahren dafür
WO2015121665A1 (en) * 2014-02-13 2015-08-20 Mled Limited Semiconductor modification process and structures
EP2950355A1 (de) * 2014-05-30 2015-12-02 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende vorrichtung
EP2603936B1 (de) * 2010-08-10 2016-05-11 Koninklijke Philips N.V. Shunt-schichtanordnung für leds

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004026231B4 (de) * 2004-05-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2006032665A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP2008227109A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置
JP2011061036A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
DE112011101156T5 (de) * 2010-04-01 2013-01-24 Panasonic Corporation Leuchtdiodenelement und Leuchtdiodenvorrichtung
US20120097918A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implanted current confinement structure to improve current spreading
JP2014096460A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Panasonic Corp 紫外半導体発光素子およびその製造方法
JP2015153827A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
DE102015112538B4 (de) * 2015-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR102460072B1 (ko) * 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP6697275B2 (ja) * 2016-01-22 2020-05-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、照明装置、および、車両用照明装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050205886A1 (en) * 2002-11-29 2005-09-22 Sanken Electric Co., Ltd. Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
EP2603936B1 (de) * 2010-08-10 2016-05-11 Koninklijke Philips N.V. Shunt-schichtanordnung für leds
EP2555255A2 (de) * 2011-08-01 2013-02-06 Lextar Electronics Corp. Lichtemittierende Diodenstruktur und Herstellungsverfahren dafür
WO2015121665A1 (en) * 2014-02-13 2015-08-20 Mled Limited Semiconductor modification process and structures
EP2950355A1 (de) * 2014-05-30 2015-12-02 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019005410A5 (de) 2021-08-05
KR20210066003A (ko) 2021-06-04
KR102653810B1 (ko) 2024-04-01
JP7277580B2 (ja) 2023-05-19
US20210399169A1 (en) 2021-12-23
JP2022506166A (ja) 2022-01-17
DE102018127201A1 (de) 2020-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2553726B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
DE112017006473B4 (de) Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser, Anordnung mit einem solchen Halbleiterlaser und Betriebsverfahren hierfür
EP2321863B1 (de) Verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements und organisches strahlungsemittierendes bauelement
EP1964183B1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit stromaufweitungsschicht
DE19817368A1 (de) Leuchtdiode
DE202009018090U1 (de) Halbleiter-Lichtemittervorrichtung
DE112015002796B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
EP1749317B1 (de) Verfahren zur herstellung eines bereichs mit reduzierter elektrischer leitfähigkeit innerhalb einer halbleiterschicht und optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2016151112A1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterkörpers
DE102014108300A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102016114992A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2020088877A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
DE102012022929A1 (de) Laserhärten von GaN-LEDs mit reduzierten Mustereffekten
DE102018119688A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102017123755A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren
WO2020239749A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2021028185A1 (de) Bauelement mit reduzierter absorption und verfahren zur herstellung eines bauelements
DE102019100799A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem schichtstapel mit anisotroper leitfähigkeit und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102019113119A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102017130757A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2017140615A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2016030184A1 (de) Optoelektronische vorrichtung
DE102020112414A1 (de) Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements
DE102023127789A1 (de) Oberflächenemittierende Laservorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19786508

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021523364

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217013262

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112019005410

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19786508

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1