WO2020066337A1 - 電気光学装置 - Google Patents

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洋祐 兵頭
敏行 日向野
絵美 日向野
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Definitions

  • the plurality of wirings (first wirings) WR1 electrically connected to the transistor Tr1 include a peripheral region PF2, a bending region BND1, and It extends so as to straddle the peripheral region PF1.
  • an inorganic insulating film When an inorganic insulating film is formed between the substrate 10 and the wiring WR1, and the wiring WR1 is formed on the inorganic insulating film, the adhesion between the wiring WR1 and the inorganic insulating film serving as a base material is improved.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or an aluminum oxide film is easily broken by being broken by a bending moment. For this reason, when the insulating film 11 is disposed in the bending region BND1, the insulating film 11 is broken, and the crack in the insulating film 11 propagates to the wiring WR1 stacked thereon, thereby damaging the wiring WR1.
  • the organic film OF1 is interposed between the wiring WR1 and the substrate 10, and the wiring WR1 is formed on the organic film OF1.
  • the organic film OF1 is bonded to each of the substrate 10 and the wiring WR1. Since the organic film OF1 is a film made of an organic material, the adhesiveness between the organic film OF1 and the substrate 10 is better than the adhesiveness between the wiring WR1 and the substrate 10 (in other words, the adhesive strength is high). Further, since a material different from that of the substrate 10 can be used for the organic film OF1, the material can be selected in consideration of the adhesiveness to the wiring WR1.
  • the thickness of the portion 10B may be small. Therefore, one or both of the front surface 10f and the back surface 10b of the substrate 10 shown in FIG. In the case of the present embodiment, the thickness of the portion 10B of the substrate 10 is thinner on the front surface 10f side of the substrate 10 and not thinner on the rear surface 10b side.
  • the substrate 10 has a step portion STP1 at the boundary between the portion 10A and the portion 10B on the front surface 10f.
  • the configuration shown in FIG. 6 can also be expressed as follows. That is, the substrate 10 includes a front surface 10f1 in the portion 10A facing the insulating film 11 as an inorganic insulating film, and a front surface 10f2 in the portion 10B facing the organic film OF1 in the thickness direction of the substrate 10. Prepare.
  • the organic film OF1 is formed by applying a liquid coating liquid on the substrate 10 and then volatilizing a solvent component contained in the coating liquid. Since the viscosity of the coating liquid can be reduced by adjusting the viscosity of the solvent, the front surface (upper surface) of the coating liquid is flattened when the unevenness of the base layer of the coating liquid is small. However, when a step having a large difference in height (for example, see a step portion STP1 shown in FIG. 6) is provided in the base layer of the coating liquid, the front surface of the coating liquid is positioned with respect to the XY plane (see FIG. 1). It becomes an inclined surface.
  • the wiring WR1 is formed on the front surface OF1f of the organic film OF1. Therefore, the wiring WR1 is formed following the shape of the front surface OF1f of the organic film OF1.
  • the front surface 10f1 of the substrate 10 extends along the XY plane (see FIG. 1).
  • the wiring WR1 is inclined with respect to the XY plane at a position overlapping the step STP1 of the substrate 10. Specifically, the wiring WR1 is inclined with respect to the XY plane at a position overlapping the step portion STP1 and a peripheral region thereof.
  • the substrate 10 has a rear surface 10b opposite to the front surface 10f.
  • the portion 10B of the substrate 10 preferably has a certain thickness.
  • the mask RM1 is removed from the insulating film 11.
  • the mask RM1 is made of an organic film such as a resin and can be removed by ashing.
  • the substrate 10 is an organic film, and when the ashing process is performed, if the portion 10B of the substrate 10 is not particularly protected, the front surface 10f side of the portion 10B of the substrate 10 is removed by the ashing process of removing the mask RM1.
  • the insulating film 11 functions as a resist mask for the ashing process, a portion not overlapping with the insulating film 11, that is, the front surface 10f side of the portion 10B is selectively removed. Thereby, the step portion STP1 can be formed.
  • the stress applied to the wiring WR1 can be reduced.
  • the bending region BND1 shown in FIGS. 6 and 7 when the substrate 10, the organic films OF1, OF2, and the wiring WR1 are considered as an integrated laminated film, the voltage is applied to the bending region BND1 in the thickness direction of the laminated film.
  • the neutral plane for the bending moment is between the back surface 10b of the substrate 10 (see FIG. 2) and the front surface OF2f of the organic film OF2.
  • the stress applied to the wiring WR1 can be reduced.
  • the position of the neutral plane changes depending on the density, Young's modulus, cross-sectional area, and other values of each material constituting the laminated film.
  • the wiring WR1 is formed directly on the front surface 10f of the substrate 10, but when the adhesion between the substrate 10 and the wiring WR1 is low, the wiring WR1 and the substrate 10 There is a concern that the peeling may cause phenomena such as damage to the wiring WR1 or short-circuiting of the adjacent wiring WR1.
  • the inventor of the present application examined a mode in which the insulating film 11 as an inorganic insulating film is extended over the peripheral region PF2 and the bent region BND1, and the wiring WR1 is formed on the insulating film 11.
  • an inorganic insulating film is formed between the substrate 10 and the wiring WR1, and the wiring WR1 is formed on the inorganic insulating film, the adhesion between the wiring WR1 and the inorganic insulating film serving as a base material is improved.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or an aluminum oxide film is easily broken by being broken by a bending moment. For this reason, when the insulating film 11 is disposed in the bending region BND1, the insulating film 11 is broken, and the crack in the insulating film 11 propagates to the wiring WR1 stacked thereon, thereby damaging the wiring WR1.
  • the organic film OF1 formed from the peripheral region PF2 to the bent region BND1 and the peripheral region PF1 is made of the same material as the insulating film 13 in the display region DA.
  • the insulating film 13 is a material used as a base material for forming a conductor pattern made of a metal or a conductive oxide. Therefore, the adhesion between the organic film OF1 and the wiring WR1 is better than the adhesion between the wiring WR1 and the substrate 10 (in other words, the bonding strength is high).
  • the organic film OF1 has a smaller Young's modulus (that is, softer) than the insulating films 11 and 12 which are inorganic insulating films. Therefore, even when the organic film OF1 is arranged in the bending region BND1, the organic film OF1 is not easily broken. As a result, the wiring WR1 formed on the organic film OF1 is hardly damaged.
  • each of the display area DA and the peripheral area PF2 has a plurality of wirings WR2 that electrically connect the plurality of transistors Tr1 and the wiring WR1.
  • the wiring WR2 is the source line SL formed on the conductive layer CL2.
  • a plurality of openings CH1 are provided in the organic film OF1 or the insulating film 13.
  • Each of the plurality of wirings WR1 is connected to the plurality of wirings WR2 via the plurality of openings CH1.
  • Each of the plurality of wirings WR1 is connected to the plurality of wirings WR2 in the plurality of openings CH1.
  • FIG. 5 is a contact hole that electrically connects the wiring WR1 and the wiring WR2.
  • a part of the wiring WR2 is exposed from the organic film OF1 on the bottom surface of the opening CH1.
  • the wiring WR1 is joined to an exposed part of the wiring WR2.
  • the wiring WR1 has one end connected to the wiring WR2 in the peripheral region PF2 and the other end connected to the wiring board FWB1 in the peripheral region PF1. Specifically, the wiring WR1 is connected to the terminal TM1 in the peripheral area PF1. Terminal TM1 is arranged so as to face terminal TM2 of wiring board FWB1. The terminals TM1 and TM2 are electrically connected via the anisotropic conductive film ACF1.
  • the anisotropic conductive film ACF1 includes a plurality of conductive particles and an insulating film around the plurality of conductive particles. In other words, the anisotropic conductive film ACF1 is an insulating film containing a plurality of conductive particles.
  • the terminal TM1 is formed on the front surface OF1f (see FIG. 6) of the organic film OF1 similarly to the wiring WR1.
  • the terminal TM1 is exposed from the organic film OF2.
  • the organic film OF2 extends to near the region where the terminal TM1 is arranged. Most of the wiring WR1 is covered with the organic film OF2.
  • the display device DSP2 shown in FIG. 9 is different from the display device DSP1 shown in FIG. 6 in that the substrate 20 is bent similarly to the substrate 10.
  • the substrate 20 of the display device DSP3 has flexibility and extends so as to straddle the display area DA, the peripheral area PF2, the bending area BND1, and the peripheral area PF1.
  • the organic film OF2 is covered with the substrate 20.
  • the substrate 20 is bent according to the bent shape of the organic film OF2.
  • the front surface OF2f of the organic film OF2 and the rear surface 20b of the substrate 20 are in contact (close contact).
  • the stacked film including the organic film OF1, the wiring WR1, and the organic film OF2 is sandwiched between the substrate 10 and the substrate 20.
  • the organic film OF2 is made of the same material as the sealing material SLM, and is formed integrally with the sealing material SLM.
  • the front surface OF2f of the organic film OF2 and the rear surface 20b of the substrate 20 are bonded.
  • the adhesive strength with the substrate 20 can be improved.
  • the entire organic film OF2 is a sealing material SLM as in the display device DSP2
  • a step of separately forming the organic film OF2 shown in FIG. 6 is not required. Therefore, the manufacturing efficiency of the display device DSP3 can be improved.
  • the display device DSP2 illustrated in FIG. 9 is the same as the display device DSP1 illustrated in FIG. 6 except for the above-described differences, and thus redundant description will be omitted.
  • each of the insulating films 11 and 12 is, for example, a silicon nitride (SiN) film, a silicon oxide (SiO) film, and an aluminum oxide (AlOx). Film or a laminated film of these.
  • the insulating film 15, which is an inorganic insulating film can prevent moisture from entering as compared with the substrates 10 and 20. Therefore, if the back surface 20b of the substrate 20 is covered with the insulating film 15, which is an inorganic insulating film, it is possible to suppress the entry of moisture into the liquid crystal layer LQ.
  • the insulating film 15 which is an inorganic insulating film is easily broken by the influence of the bending moment. Therefore, from the viewpoint of preventing the insulating film 15 from being broken, the insulating film 15 is formed in the portion 20B of the substrate 20 (specifically, the portion 20B including the bending region BND1) as in the display device DSP3. Preferably not.
  • the insulating film 15 may be formed at a position overlapping the portion 20B.
  • the substrate 20 of the display device DSP3 has a step portion STP2 between the portion 20A overlapping the insulating film 15 and the portion 20B not overlapping the insulating film 15 on the back surface 20b side.
  • the thickness of the portion 20B of the substrate 20 is smaller than the thickness of the portion 20A.
  • the step portion STP2 is provided, the thickness of the organic film OF2 (the sealant SLM in the example shown in FIG. 10) between the portion 20B of the substrate 20 and the portion 10B of the substrate 10 is large.
  • FIG. 10 an example is shown in which one type of sealing material SLM is arranged between the wiring WR1 and the substrate 20, but a plurality of organic films are stacked between the wiring WR1 and the substrate 20. be able to.
  • the position of the neutral plane in the bending region BND1 is adjusted by adjusting values such as the density, the Young's modulus, and the cross-sectional area of each material constituting the stacked film stacked between the wiring WR1 and the substrate 20. Easier to do.
  • FIG. 11 is an enlarged sectional view of a display device which is another modification example of FIG.
  • the display device DSP4 shown in FIG. 11 has a point that the organic film OF3 is disposed between the sealing material SLM and the wiring WR1, and a point that the insulating film OC1 is disposed between the substrate 20 and the sealing material SLM. And is different from the display device DSP2 shown in FIG.
  • the display device DSP4 has an organic film OF3 arranged between the organic film OF1 and the sealing material SLM in a region overlapping with the portion 10B of the substrate 10 and the portion 20B of the substrate 20.
  • the organic film PF3 faces the organic film OF1.
  • the thickness of the organic film OF3 is substantially the same as the thickness of the insulating film 14, and is smaller than the thickness of the organic film OF1.
  • the distance between the portion 10B of the substrate 10 and the portion 20B of the substrate 20 is larger than the distance between the portions 10A and 20A.
  • the thickness of the liquid crystal layer LQ is preferably substantially constant from the viewpoint of improving display quality. As shown in FIG. 1, since the bending area BND1 itself is a non-display area NDA, there is no problem even if the separation distance between the substrate 10 and the substrate 20 is increased in the bending area BND1.
  • the thickness of the liquid crystal layer LQ may become unstable at the end.
  • the separation distance between the substrate 10 and the substrate 20 is reduced near the liquid crystal layer LQ due to the effect of bending the bending region BND1 of the substrate 10 and the substrate 20
  • the thickness of the end of the liquid crystal layer LQ is reduced.
  • the thickness of the edge of the liquid crystal layer LQ increases.
  • an organic film OF3 covering the organic film OF1 and the wiring WR1 is provided, and the thickness of the organic film OF3 is substantially equal to the thickness of the insulating film 14.
  • the back surface 20b side of the substrate 20 is covered with the insulating film OF1.
  • the separation distance between the organic film OF3 and the insulating film OC1 in the vicinity of the liquid crystal layer LQ is substantially equal to the thickness of the liquid crystal layer LQ. Therefore, it is possible to suppress the thickness of the end portion of the liquid crystal layer LQ from becoming unstable. In the example shown in FIG.
  • the insulating film covering the back surface 20b of the substrate 20 is the insulating film OF1 extending from the display area DA to the bending area BND1.
  • the back surface 20b of the substrate 20 may be covered with an organic film formed separately from the insulating film OF1 shown in FIG. In this case, it is preferable that the thickness of the organic film covering the back surface 20b is substantially equal to the thickness of the insulating film OC1.
  • FIG. 12 is a plan view showing a modification example of FIG.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line AA of FIG.
  • the display device DSP5 shown in FIGS. 12 and 13 is shown in FIG. 1 in that it has a bending area BND2 on each of the X1 side and the X2 side in the X direction crossing (specifically, orthogonally) the Y direction. This is different from the display device DSP1.
  • the display device DSP1 (see FIG. 1) and the display device DSP5 have peripheral regions PF1, PF2 outside the display region DA in the Y direction, and a bent region BND1.
  • the display device DSP5 has, in addition to the peripheral regions PF1, PF2 and the bending region BND1, peripheral regions PF3, PF4, and a bending region BND2 that are outside the display region DA in the X direction.
  • the display device DSP5 includes a display area DA surrounded by the sealing material SLM, a peripheral area PF3 outside (in other words, surroundings) of the display area DA, and a peripheral area PF3 and the display area DA adjacent to the display area DA.
  • the bending region BND2 is a portion where the substrate 10 shown in FIG. 13 and each member arranged on the substrate 10 are bent, and has a certain area.
  • the boundary between the peripheral region PF1 and the bending region BND1, the boundary between the peripheral region PF2 and the bending region BND1, the boundary between the peripheral region PF3 and the bending region BND2, and the boundary between the peripheral region PF4 and the bending region BND2 are indicated by dotted lines. Is shown.
  • the display device DSP5 has a plurality of wirings WR3 electrically connected to the transistor Tr1 (see FIG. 4) in the display area DA via the gate line GL.
  • Each of the plurality of wirings (third wiring) WR3 extends over peripheral region PF4, bending region BND2, and peripheral region PF3. Since the wiring WR3 is disposed in the bending region BND2, it is preferable to take measures to suppress damage due to bending moment, similarly to the wiring WR1 shown in FIGS. Although the overlapping description is omitted, by taking measures against the wiring WR1 described with reference to FIGS. 1 to 13 to the wiring WR3, damage to the wiring WR3 can be suppressed.
  • the substrate 10 of the display device DSP5 includes the display region DA, and overlaps with the insulating film 11 (see FIG. 6), which is an inorganic insulating film, and the insulating film 11 overlaps with the insulating film 11.
  • a portion 10B that includes the bending region BND2 and a portion 10C that is located on the opposite side of the portion 10B in plan view does not overlap the insulating film 11, and includes the bending region BND2.
  • the wiring WR3 overlaps the portion 10A and the portion 10B.
  • Each of the thickness TH1B of the portion 10B and the thickness TH1C of the portion 10C is smaller than the thickness TH1A of the portion 10A.
  • a wiring connected to the touch sensor is provided in addition to a wiring connected to a display circuit. For this reason, for example, the wiring arrangement density is higher than that of the display device DSP1 shown in FIG.
  • the present invention is applicable to a display device and an electronic device in which the display device is incorporated.
  • 10,20 substrates base substrate, insulating substrate
  • ACF1 Anisotropic conductive film AL1, AL2 Alignment film BL Backlight unit (light source)
  • BM Light-shielding films BND1, BND2 Bending area
  • Common electrode drive circuit CE Common electrode (display electrode) CFB, CFG, CFR Color filter CH1 Openings CL1, CL2, CL3, CL4 Conductive layer CVM Cover member DA Display area DE Drain electrodes DSP1, DSP2, DSP3, DSP4, DSP5 Display device FWB1 Wiring board (flexible wiring board) GD scan line drive circuit (gate drive circuit) GE Gate electrode GL Gate line (scanning line

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Abstract

電気光学装置は、第1前面を有する可撓性の第1基板と、第1基板の第1前面の上方に形成された液晶層(電気光学層)と、第1基板と液晶層との間にあるトランジスタ素子と、第1前面側にあり、トランジスタ素子に電気的に接続された第1配線と、第1基板と第1配線との間に形成された第1有機膜と、トランジスタ素子と第1基板との間にあり、第1基板の第1前面上に形成された第1無機絶縁膜と、を有する。第1基板は更に、表示領域と重なり、かつ、絶縁膜と重なる第1部分と、絶縁膜11と重ならず、かつ、曲げ領域を含む第2部分と、を備える。第1配線は、第1部分および第2部分と重なり、第2部分の厚さは、第1部分の厚さより薄い。

Description

電気光学装置
 本発明は、液晶層を用いた電気光学装置に関し、例えば、可撓性の基板の周辺領域を屈曲させて用いる表示装置に適用して有効な技術に関する。
 表示装置を構成する基板として、可撓性を有する基板を使用する技術がある(特開2015-118373号公報(特許文献1)参照)。
特開2015-118373号公報
 可撓性を有する基板を用いた場合、基板を屈曲させることができるので、表示領域の外側にある周辺領域の面積を低減できる。しかし、表示領域にある電極と、周辺領域にある駆動回路とを電気的に接続する配線は、一部分が曲げ領域に配置される。このため、可撓性を有する基板を用いる表示装置の信頼性を向上させるためには、曲げ領域を跨ぐように延びる配線の信頼性を向上させる必要がある。例えば、曲げ領域を跨ぐように延びる配線が、曲げ領域の周辺に印加される応力の影響で損傷することを防ぐ必要がある。
 本発明の目的は、電気光学装置の性能を向上させる技術を提供することにある。
 本発明の一態様である電気光学装置は、第1前面を有する可撓性の第1基板と、前記第1基板の前記第1前面の上方に形成された電気光学層と、前記第1基板と前記電気光学層との間にあるトランジスタ素子と、前記第1前面側にあり、前記トランジスタ素子に電気的に接続された第1配線と、前記電気光学層と前記第1配線との間に形成された第1有機膜と、前記第1配線と前記第1基板との間にあり、前記第1基板の前記第1前面上に形成された第1無機絶縁膜と、を有する。前記第1基板は更に、表示領域と重なり、かつ、前記第1無機絶縁膜と重なる第1部分と、前記表示領域に隣接し、前記第1無機絶縁膜と重ならず、かつ、曲げ領域を含む第2部分と、を備える。前記第1基板の前記第2部分の厚さは、前記第1部分の厚さより薄い。
一実施の形態である示装置の一例を示す平面図である。 図1のA-A線に沿った断面図である。 図1の表示領域の一部分の拡大断面図である。 図1に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。 図1に示す表示装置の曲げ領域周辺を拡大して示す拡大平面図である。 図5のA-A線に沿った拡大断面図である。 図5のB-B線に沿った拡大断面図である。 図6に示す段差部を形成する工程を順に示す拡大断面図である。 図6に示す表示装置の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図9に示す表示装置の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図9に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図1に対する変形例を示す平面図である。 図12のA-A線に沿った断面図である。
 以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
 以下の実施の形態では、電気光学層である液晶層を備えた電気光学装置の例として、表示領域に種々の画像を表示させる液晶表示装置を取り上げて説明する。なお、電気光学装置としては、車のルームミラーなどに使われる光の透過を制御するためのシャッター液晶素子なども含まれる。
 また、液晶表示装置は、液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の2通りに分類される。すなわち、第1の分類として、表示装置の厚さ方向(あるいは表示面の面外方向)に電界が印加される、所謂、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばTN(Twisted Nematic)モードや、VA(Vertical Alignment)モードなどがある。また、第2の分類として、表示装置の平面方向(あるいは表示面の面内方向)に電界が印加される、所謂、横電界モードがある。横電界モードには、例えばIPS(In-Plane Switching)モードや、IPSモードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードなどがある。以下で説明する技術は、縦電界モードおよび横電界モードのいずれにも適用できるが、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明する。
 <表示装置の構成>
 まず、表示装置の構成について説明する。図1は、本実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図1では、平面視における表示領域DAと非表示領域NDAの境界を二点鎖線で示している。また、図1では、表示装置DSP1が備える回路のうち、画像を表示する表示部に相当する回路ブロックや配線の一部を実線で模式的に示している。また、図1では、基板SUB1と対向するように配置された基板SUB2(図2参照)およびカバー部材CVM(図2参照)の図示を省略している。また、図1では、平面視において、シール材(接着材)SLMが配置される領域(シール領域)にドットパターンを付している。また、図1では、周辺領域PF1と曲げ領域BND1との境界、および周辺領域PF2と曲げ領域BND1との境界を点線で示している。また、図1に示す基板SUB1は、曲げ領域BND1において屈曲しているため、表示領域DAに対する法線方向から視た平面視において、周辺領域PF1は視認できない。しかし、図1では、配線WR1の延在方向を明示するため、周辺領域PF1を示している。図2は、図1のA-A線に沿った断面図である。図2は断面図であるが、見易さのため、液晶層LQ、シール材SLM、非表示領域NDAの配線WR1および配線板FWB1を除き、ハッチングは省略されている。図3は、図1の表示領域の一部分の拡大断面図である。図3では、基板SUB1の厚さ方向(図1に示すZ方向)におけるゲート線GLとソース線SLとの位置関係の例を示すため、図3とは異なる断面に設けられたゲート線GLを一緒に示している。図4は、図1に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。
 図1に示すように、本実施の形態の表示装置DSP1は、外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域DAを有する。また、表示装置DSP1は、平面視において、表示領域DAの周囲にある非表示領域(額縁領域)NDAを有する。なお、図1に示す表示装置DSP1の表示領域DAは四角形であるが、表示領域が多角形や円形など、四角形以外の形状であってもよい。表示領域DAは、表示面を視た平面視において、表示装置DSP1が画像を表示する有効領域である。基板SUB1および基板SUB2(図2参照)のそれぞれは、平面視において表示領域DAと重なる位置にある。言い換えれば、表示領域DAは、基板SUB1および基板SUB2を有する。
 また、図2に示すように、表示装置DSP1は、液晶層LQを介して対向するように貼り合せられた基板SUB1および基板SUB2を有している。基板SUB1と基板SUB2とは、表示装置DSP1の厚さ方向であるZ方向に配列される。言い換えれば、基板SUB1と基板SUB2とは、表示装置DSP1の厚さ方向(Z方向)において互いに対向する。基板SUB1は、液晶層LQ(および基板SUB2)と対向する前面(主面、面)BSfを有する。また基板SUB2は、基板SUB1の前面BSf(および液晶層LQ)と対向する背面(主面、面)FSbを有する。基板SUB1は、スイッチング素子(能動素子)としての複数のトランジスタ(トランジスタ素子)Tr1(図4参照)がアレイ状に配置されたアレイ基板である。また、基板SUB2は、表示面側に設けられた基板である。基板SUB2は、アレイ基板に対向配置された基板という意味で、対向基板と言い換えることができる。
 また、液晶層LQは、基板SUB1の前面BSfと基板SUB2の背面FSbとの間にある。液晶層LQは、上記した電気光学層であって、上記したスイッチング素子を介して液晶層LQの周辺に形成される電界の状態を制御することにより、そこを通過する光を変調する機能を備えている。基板SUB1および基板SUB2にある表示領域DAは、図2に示すように液晶層LQと重畳する。
 また、基板SUB1と基板SUB2とは、シール材(接着材)SLMを介して接着される。図1に示すように、シール材SLMは、表示領域DAの周囲を囲むように、非表示領域NDAに配置される。シール材SLMの内側には、図2に示すように液晶層LQがある。シール材SLMは、基板SUB1と基板SUB2との間に液晶を封入するシールとしての役割を果たす。また、シール材SLMは、基板SUB1と基板SUB2とを接着する、接着材としての役割を果たす。
 また、図2に示すように、表示装置DSP1は、光学素子OD1と、光学素子OD2と、を有する。光学素子OD1は、基板SUB1とバックライトユニットBLとの間に配置される。光学素子OD2は、基板SUB2の表示面側、すなわち基板SUB2を挟んで基板SUB1の反対側に配置される。光学素子OD1および光学素子OD2は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。
 また、図2に示すように、表示装置DSP1は、基板SUB2の表示面側を覆う、カバー部材CVMを備えている。カバー部材CVMは、基板SUB2の背面(面)FSbの反対側の前面(面)FSfに対向する。言い換えれば、カバー部材CVMは、基板20(図3参照)の背面(面)20b(図3参照)の反対側の前面(面)20fに対向する。基板SUB2(言い換えれば図3に示す基板20)は、Z方向において、カバー部材CVMと基板SUB1(言い換えれば図3に示す基板10)の間にある。言い換えれば、Z方向において、カバー部材CVMは、基板SUB2(言い換えれば図3に示す基板20)のZ1側に配置されている。カバー部材CVMは、基板SUB1、SUB2や光学素子OD2を保護する保護部材であって、表示装置DSP1の表示面側に配置されている。ただし、本実施の形態に対する変形例としては、カバー部材CVMが無い場合もある。
 また、基板SUB1は、基板(ベース基板、絶縁性基板)10を備えている。また、基板SUB2は、基板(ベース基板、絶縁性基板)20を備えている。基板10および基板20のそれぞれは、可視光が透過する特性を備えている。また、基板10は、可撓性を備えている。図2に例示するように、平面視において、基板SUB1の周辺領域PF1と、基板SUB2の周辺領域PF2とが重畳している。また、基板SUB1は、非表示領域NDAの一部分が折り曲げられている。言い換えれば、基板SUB1の非表示領域NDAのうち、シール材SLMの外側にある周辺領域PF1は湾曲した部分を有している。さらに言い換えれば、基板SUB1の前面BSf(詳しくは、図3に示す基板10の前面10f)は、平坦面領域と、厚さ方向(Z方向)に曲がった曲面領域と、を有する。基板SUB1は図2に例示するような曲げ変形が可能な程度の可撓性を備えている。上記した可撓性を基板SUB1に持たせるため、基板10は、可撓性を備えている。可撓性を備える基板10の構成材料として、例えば、基板10は、ポリイミドやポリアミド、ポリカルボナート、あるいは、ポリエステルなどのポリマーを含む樹脂材料を例示することができる。一方、図2に示す例では、基板SUB2の背面FSbは、平坦面であり、曲面領域は有していない。このため、基板20は可撓性を備えていなくても良い。この場合、基板20を構成する材料は、基板10を構成する材料と比較して選択の自由度が高い。ただし、変形例として後述するように、基板SUB2の周辺領域PF2を曲げ変形させる場合には、基板20も可撓性を備えている必要がある。この場合、基板10と基板20とは、例えば同じ材料で構成されている。もちろん、基板SUB2が曲げられていない場合でも、基板10と基板20とが同じ材料で構成されていても良い。
 図3に示すように、基板10は、液晶層LQ(および基板20)と対向する前面(主面、面)10fを有する。また基板20は、基板10の前面10f(および液晶層LQ)と対向する背面(主面、面)20bを有する。液晶層LQは、基板10の前面10fと基板20の背面20bとの間にある。
 また、図3に示すように、基板SUB1は、基板10と液晶層LQとの間にある複数の導体パターンを有する。基板10と液晶層LQとの間にある複数の導体パターンには、複数のゲート線(走査線)GL、複数のソース線(信号線)SL、共通電極CE、および複数の画素電極PEが含まれる。また、複数の導体パターンのそれぞれの間には絶縁膜が介在している。隣り合う導体パターンの間に配置され、導体パターンを互いに絶縁する絶縁膜には、絶縁膜11、12、13、14、および配向膜AL1が含まれる。なお、図3では、ゲート線GL、および共通電極CEについては、それぞれ一個ずつ示している。
 上記した複数の導体パターンのそれぞれは、基板10上に積層された複数の配線層の一部分を構成する。図3に示す例では、表示装置DSP1の表示領域DAには、基板10の前面10fから順に、導電層CL1、CL2、CL3、およびCL4がある。導電層CL1の表示領域DAと重なる部分には、主に、トランジスタTr1(図4参照)のゲート線GLがある。また、導電層CL2の表示領域DAと重なる部分には、主に、ソース線SLがある。また、導電層CL3の表示領域DAと重なる部分には、主に、共通電極CEがある。また、導電層CL4の表示領域DAと重なる部分には、画素電極PEがある。
 導電層CL1、およびCL2のそれぞれは、金属材料を含む。図3に示す例では、導電層CL1の導体パターンは、例えばモリブデン(Mo)やタングステン(W)等の金属またはそれらの合金から成る金属膜を含んでいる。また、導電層CL2の導体パターンは、例えばアルミニウム(Al)膜がチタン(Ti)膜や窒化チタン(TiN)膜などに挟まれた積層膜など、多層構造の金属膜を含んでいる。また、導電層CL3およびCL4は、主に、ITO(Indium tin oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)などの導電性の酸化物材料(透明導電材料)を含む。
 基板10から各導電層CL4までの間には、それぞれ絶縁膜が形成される。絶縁膜11、12、および14のそれぞれは、無機材料から成る無機絶縁膜である。例えば、絶縁膜11および12のそれぞれは、例えば窒化珪素(SiN)膜、酸化珪素(SiO)膜、酸化アルミニウム(AlOx)膜あるいはこれらの積層膜である。
 また、絶縁膜11と絶縁膜12の間には、ゲート線GLの他に、図4に示す画素スイッチ素子PSWとしてのトランジスタ(トランジスタ素子)Tr1のゲート電極GEや半導体層などが形成される。図4に示すトランジスタTr1は薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)である。また、ゲート線GLは、画素スイッチ素子PSWとしてのトランジスタTr1のゲート電極GEを含んでいる。
 本実施の形態の場合、基板10は、ポリイミドなどの有機材料から成る。また、基板10は可撓性を備えるので、基板10の前面10fは柔らかい。このため、基板10の前面10fに直接的に導電層CL1を形成しようとすると、導電層CL1を構成する導電性材料を製膜し、パターニングする工程において、導電層CL1の導体パターンが基板10と剥離する懸念がある。本実施の形態のように、基板10と導電層CL1との間に、無機絶縁膜である絶縁膜11が配置されている場合、絶縁膜11が無い場合と比較して、導体パターンが剥離し難い。
 また、絶縁膜11および12として無機絶縁膜を用いると、トランジスタTr1の特性を制御し易い。このように、無機絶縁膜は、導体パターンを形成し易くする効果、あるいは、トランジスタTr1の電気的特性を制御し易くする効果があるが、膜の表面を平坦化するという観点からは、無機絶縁膜よりも有機絶縁膜の方が厚く積層出来るため好ましい。このため、共通電極CEの平坦化を維持するために、絶縁膜13は、無機絶縁膜である絶縁膜11および12と比較して平坦化し易い有機絶縁膜が用いられる。絶縁膜13の一例としては、例えば、アクリル系の感光性樹脂から成る、有機絶縁膜が例示できる。
 なお、図3に示す例では、絶縁膜13と絶縁膜14との間に共通電極CEが配置されている。ただし、変形例として、絶縁層13と共通電極CEとの間、あるいは、絶縁層14と共通電極CEとの間に、共通電極CE用の電位が供給される配線(コモン信号線)が配置されている場合もある。コモン信号線は、共通電極CEに駆動波形(各画素において共通するコモン電位)を供給する配線であって、共通電極CE上に直接、あるいは、共通電極CE上に絶縁膜を介して配置される。
 また、図1に示すように、複数のゲート線GLのそれぞれは、X方向に延在している。また、複数のゲート線GLは、Y方向に互いに間隔を空けて配列される。言い換えれば、複数のゲート線GLは、Y方向の一方の側であるY1側から他方の側であるY2側に向かって配列される。複数のゲート線GLのそれぞれは、表示領域DAの外側の非表示領域NDAに引き出され、ゲート駆動回路(走査線駆動回路)GDに接続される。ゲート駆動回路GDは、複数のゲート線GLに入力される走査信号Gsi(図4参照)を出力する走査信号出力回路である。ゲート駆動回路GDは、基板SUB1の非表示領域NDAにある。
 信号線駆動回路SD(図4参照)に接続され、複数の画素PXに映像信号を供給する信号伝送経路である映像信号線のうち、表示領域DAにある部分(配線部)をソース線SLと呼ぶ。また、上記映像信号線のうち、表示領域DAの外側にある部分(配線部)を信号用接続配線SCLと呼ぶ。複数のソース線SLのそれぞれは、Y方向に延びている。一方、信号用接続配線SCLは、Y方向に対して交差する方向に延びる部分を有している。図1に示すように、複数のソース線(信号線、映像信号線)SLのそれぞれは、Y方向に延在している。また、複数のソース線SLは、X方向に互いに間隔を空けて配列される。言い換えれば、複数のソース線SLは、X方向の一方の側であるX1側から他方の側であるX2側に向かって配列される。複数のソース線SLのそれぞれは、表示領域DAの外側の非表示領域NDAに引き出される。
 複数のソース線SLの各々は、図4に示すように、トランジスタTr1を介して画素電極PEに接続される。詳しくは、ソース線SLは、トランジスタTr1のソース電極SEに接続され、画素電極PEは、トランジスタTr1のドレイン電極DEに接続される。トランジスタTr1がオンになっている時、画素電極PEには、ソース線SLから映像信号Spicが供給される。映像信号Spicは、信号線駆動回路SDから供給される。図1に示すように、表示領域DA内のソース線SLは、接続配線(引き出し配線とも呼ぶ)としての信号用接続配線SCLを介して信号線駆動回路SDと電気的に接続される。信号線駆動回路SDは、ソース線SLを介して複数の画素PXのそれぞれが備える画素電極PE(図4参照)に映像信号Spic(図4参照)を供給する。信号線駆動回路SDは、例えば、図1および図2に示す配線板(フレキシブル配線板)FWB1、または、図2に示す回路基板CB1に形成されている。
 また、図1に示す例では、ソース線SLと信号用接続配線SCLとの間には、スイッチ回路部SWSがある。スイッチ回路部SWSは、例えばマルチプレクサ回路であって、複数のソース線SLから選択されたソース線SLに対して信号を供給(出力)する。例えば、赤色用、青色用、および緑色用の3種類のソース線SLがある場合、スイッチ回路部SWSは選択された色用のソース線SLに対して信号を供給(出力)する。複数のソース線SLがスイッチ回路SWSに接続されている場合、スイッチ回路SWSと信号線駆動回路SDとを接続する配線の数をソース線SLの数より少なくすることができる。
 また、基板SUB1の表示領域DAには、共通電極CEおよび画素電極PE(図3参照)がある。表示装置DSP1が画像を表示する表示期間において、共通電極CEと画素電極PEとの間の電位差に応じて、液晶分子を駆動する電界が形成される。図3に示すように、共通電極CEは、絶縁膜13上に形成される。共通電極CEには、表示期間において、複数の画素PX(図1参照)に対して共通の駆動電位が供給される。共通の駆動電位は、図4に示す共通電極駆動回路CD(図4参照)から供給される。共通電極駆動回路CDは、図2に示す配線板FWB1、または、回路基板CB1に形成される。共通電極CEは、表示領域DAの全体に配置される。表示領域DAに1個の共通電極CEがあっても良いし、表示領域DAに複数の共通電極CEがあっても良い。共通電極CEは、ITO(Indium tin oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)など、導電性の酸化物から成る透明導電材料が好ましい。
 また、図3に示す例では、複数の画素電極PEは絶縁膜14上に形成される。平面視において、各画素電極PEは、互いに隣り合う2つのソース線SLの間に位置している。また、図3に示す例では、共通電極CEと画素電極PEとは互いに異なる層に形成されている。ただし変形例としては、複数の共通電極CEと複数の画素電極PEとが同一面(例えば絶縁膜13上)に形成され、互いに隣り合うように交互に配列されていても良い。また、共通電極CEが基板SUB2に設けられている場合もある。画素電極PEは、例えば、ITOまたはIZOなどの透明な導電材料または金属材料が好ましい。複数の画素電極PEのそれぞれは、上記したように、図4に示すトランジスタTr1を介してソース線SLおよび信号用接続配線SCLと電気的に接続されている。
 また、複数の画素電極PEのそれぞれは、配向膜AL1に覆われる。配向膜AL1は液晶層LQに含まれる液晶分子の初期配向を揃える機能を備える有機絶縁膜であって、例えばポリイミド樹脂から成る。また、配向膜AL1は、液晶層LQに接する。
 また、図3に示すように、基板SUB2は、基板20の基板SUB1に対向する背面(主面、面)20bと液晶層LQとの間にある、遮光膜BMと、カラーフィルタCFR、CFGおよびCFBと、絶縁膜OC1と、配向膜AL2と、を有する。
 カラーフィルタCFR、CFGおよびCFBは、基板SUB1と対向する背面20b側に形成される。図3に示す例では、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のカラーフィルタCFR、CFG、CFBが周期的に配列される。カラー表示装置では、例えばこの赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の画素を1組として、カラー画像を表示する。基板SUB2の複数のカラーフィルタCFR、CFG、CFBは、基板SUB1に形成される画素電極PEを有するそれぞれの画素PX(図1参照)と、互いに対向する位置に配置される。なお、カラーフィルタの種類は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に限定されるものではない。
 また、各色のカラーフィルタCFR、CFG、CFBのそれぞれの境界には、遮光膜BMが配置される。遮光膜BMはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属から成る。遮光膜BMは、平面視において、例えば格子状に形成される。言い換えれば、遮光膜BMは、X方向およびY方向に延在している。詳しくは、遮光膜BMは、Y方向に延びる複数の部分と、Y方向に交差するX方向に延びる複数の部分を有している。各画素PXをブラックマトリクスで区画することにより、光漏れや混色を抑制することができる。
 また、遮光膜BMは、基板SUB2の非表示領域NDAに形成される。非表示領域NDAは、遮光膜BMと重畳する。表示領域DAは、非表示領域NDAよりも内側の領域として規定される。また、非表示領域NDAは、図2に示すバックライトユニット(光源)BLから照射された光を遮光する遮光膜BMと重畳する領域である。遮光膜BMは表示領域DA内にも形成されるが、表示領域DAには、遮光膜BMに複数の開口部が形成される。一般的に、遮光膜BMに形成され、カラーフィルタが露出する開口部のうち、最も周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域DAと非表示領域NDAの境界として規定される。
 また、図3に示す絶縁膜OC1は、カラーフィルタCFR、CFG、CFBを覆っている。絶縁膜OC1は、カラーフィルタから液晶層に対して不純物が拡散するのを防止する保護膜として機能する。絶縁膜OC1は、例えばアクリル系の感光性樹脂等から成る、有機絶縁膜である。
 <非表示領域の詳細構造>
 次に、図1に示す表示装置DSP1の非表示領域NDAの詳細な構造について説明する。図5は、図1に示す表示装置の曲げ領域周辺を拡大して示す拡大平面図である。図6は、図5のA-A線に沿った拡大断面図、図7は、図5のB-B線に沿った拡大断面図である。なお、図2に示すように、周辺領域PF1は、表示領域DAの裏側にある。図5では、複数の配線WR1および複数の開口部CH1のそれぞれを実線で示し、複数の配線WR2を点線で示している。また、図5では、配線WR2に接続される複数のトランジスタTr1を四角形で模式的に示している。また、図5では、図6に示す絶縁膜11の終端部を二点鎖線で示している。
 図1に示すように、表示装置DSP1は、シール材SLMに囲まれた表示領域DAと、表示領域DAの外側(言い換えれば周囲)にある周辺領域PF1と、表示領域DAに隣接し、周辺領域PF1と表示領域DAとの間にある周辺領域PF2と、周辺領域PF2と周辺領域PF1との間にある曲げ領域BND1と、を備える。曲げ領域BND1は、図2に示す基板10および基板10上に配置された各部材が屈曲している部分であり、ある範囲の面積を有する。図1では曲げ領域BND1の両端を点線で示している。
 図2に示すように、基板10を含む基板SUB1を屈曲させることで、Y方向において、Y2側の非表示領域NDAの幅を低減できる。図2に示す例の場合、配線板FWB1は、バックライトユニットBLと重なる位置において、基板10に接続されている。図2に示すZ方向において、表示面側であるZ1側からZ2側を視た時に、視認可能な非表示領域NDAの面積を低減させることができれば、表示装置DSP1の表示領域DAの有効面積率を向上させることができる。したがって、図2に示す例の場合、配線板FWB1と基板10とを接続するために必要なスペース分は、非表示領域NDAから削減できる。また、曲げ領域BND1における曲率半径を小さくする程、非表示領域NDAの面積を低減できる。
 基板10を屈曲させて、表示領域DAの背面側に配線板FWB1や回路基板CB1を配置する場合、表示領域DAにあるトランジスタTr1(図4参照)や各種の電極と、表示領域DAの背面側に配置される各種の駆動回路(図4に示す信号線駆動回路SD、共通電極駆動回路CDなど)とを電気的に接続する必要がある。このため、図1や図2に例示的に示すように、トランジスタTr1(図4参照)に電気的に接続された複数の配線(第1配線)WR1は、周辺領域PF2、曲げ領域BND1、および周辺領域PF1を跨ぐように延びる。言い換えれば、複数の配線(第1配線)WR1は、周辺領域PF2、曲げ領域BND1、および周辺領域PF1に亘って形成されている。本願発明者の検討によれば、曲げ領域BND1に配置される配線WR1は、曲げ領域BND1に配置されない配線と比較して損傷し易く、この配線WR1を保護することにより表示装置DSP1の信頼性が向上することが判った。
 配線WR1が損傷する要因としては、例えば以下の点が挙げられる。第一に、曲げ領域BND1では、基板10や基板10上に配置された各種の部材が、曲げ中心からの距離に応じて収縮または延伸する。詳しくは、曲げ領域BND1において曲げられる部材のうち、相対的に曲げ中心に近い位置に配置される部分は収縮する。一方、曲げ領域BND1において曲げられる部材のうち、相対的に曲げ中心から遠い位置に配置される部分は延伸する。そして、収縮する部分あるいは延伸する部分に配線WR1があると、曲げによって生じる力(曲げモーメント)に応じて、配線WR1に応力(垂直応力およびせん断応力)が印加される。この応力が大きい場合、配線WR1が応力に起因して損傷する場合がある。
 また、曲げ領域BND1を折り曲げた場合、配線WR1には、配線WR1自身に曲げモーメントが印加されることに起因する応力に加え、配線WR1が周囲の部材(例えば基板10や有機膜OF1、OF2等)に生じた応力が配線WR1に伝搬される。配線WR1に印加されるこれらの応力に起因して配線WR1が損傷する。
 本願発明者は、上記した要因に鑑みて、配線WR1の損傷を抑制する技術について検討した。この結果、配線WR1の一部分に集中的に応力が印加されることを抑制することで、配線WR1の損傷を抑制できる事が判った。図6に示すように、基板10は、表示領域DAと重なり、かつ、無機絶縁膜である絶縁膜11と重なる部分(第1部分)10Aと、絶縁膜11とは重ならず、かつ、曲げ領域BND1を含む部分(第2部分)10Bと、を備える。部分10Bは、表示領域DAを有する部分10Aに隣接する。配線WR1は、部分10Aおよび部分10Bと重なる。部分10Bの厚さTH1B(図2参照)は、部分10Aの厚さTH1A(図2参照)より薄い。
 曲げ領域BND1において、基板10の厚さを薄くすることにより、基板10の部分10Bは、部分10Aよりも変形し易くなる。部分10Aが変形し易い場合、部分10Aが曲げ変形された時に生じる応力が小さくなる。本実施の形態の場合、部分10Aと部分10Bとの厚さが等しい場合と比較して、基板10に生じる応力が小さくなるので、配線WR1に伝搬される応力が小さくなる。配線WR1に伝搬される応力を小さくすることにより、応力に起因する配線WR1の損傷を抑制できる。
 また、配線WR1の損傷を抑制する観点からは、配線WR1と配線WR1の下地材との密着性を向上させることが好ましい。例えば、図2に示す配線WR1が基板10の前面10f上に直接的に形成され、かつ、基板10と配線WR1との接着性が低い場合、配線WR1と基板10とが剥離して、この剥離に起因して配線WR1の損傷、あるいは隣り合う配線WR1の短絡、等の現象が発生する懸念がある。基板10と配線WR1の間に無機絶縁膜が形成され、配線WR1が無機絶縁膜上に形成されている場合、配線WR1と下地材である無機絶縁膜との接着性が向上する。しかし、窒化珪素膜、酸化珪素膜、あるいは酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜は、曲げモーメントによって割れてしまい、破壊され易い。このため、曲げ領域BND1に絶縁膜11を配置すると、絶縁膜11が割れ、絶縁膜11の割れがその上に積層された配線WR1にも伝播して、配線WR1が損傷する。
 図6に示す表示装置DSP1の場合、配線WR1と基板10との間に有機膜OF1が介在し、配線WR1は、有機膜OF1上に形成されている。言い換えれば、有機膜OF1は、基板10および配線WR1のそれぞれに接着されている。有機膜OF1は、有機材料から成る膜なので、有機膜OF1と基板10との接着性は、配線WR1と基板10との接着性より良好である(言い換えれば接着強度が高い)。また、有機膜OF1は、基板10とは異なる材料を用いることができるので、配線WR1との接着性を考慮して材料を選択することができる。
 例えば、表示装置DSP1の場合、周辺領域PF2から曲げ領域BND1、周辺領域PF1にかけて形成される有機膜OF1は、表示領域DA中の絶縁膜13と同じ材料である。絶縁膜13は、金属または導電性の酸化物から成る導体パターンを形成する下地材として用いる材料である。したがって、有機膜OF1と配線WR1との接着性は、配線WR1と基板10との接着性より良好である(言い換えれば接着強度が高い)。さらに、有機膜OF1は、無機絶縁膜である絶縁膜11や絶縁膜12より、ヤング率が小さい(すなわち、柔らかい)。したがって、有機膜OF1が曲げ領域BND1に配置されている場合でも、有機膜OF1は破壊され難い。この結果、有機膜OF1上に形成された配線WR1が損傷し難い。
 ところで、単に部分10Bが曲がり易くなるには、部分10Bの厚さが薄ければ良い。したがって、図2に示す基板10の前面10fおよび背面10bのうち、いずれか一方、あるいは両方が薄くなっていれば良い。本実施の形態の場合、基板10の部分10Bの厚さは、基板10の前面10f側において薄くなっており、背面10b側においては薄くなっていない。
 詳しくは、図6に示すように、基板10は、前面10fにおいて、部分10Aと部分10Bとの境界に段差部STP1を有する。図6に示す構成は、以下のように表現することもできる。すなわち、基板10は、部分10Aにあり、無機絶縁膜である絶縁膜11と対向する前面10f1と、部分10Bにあり、基板10の厚さ方向において、有機膜OF1と対向する前面10f2と、を備える。
 有機膜OF1は、液状の塗布液を基板10上に塗布した後、塗布液に含まれる溶媒成分を揮発させることにより形成される。塗布液は、溶媒の粘度を調整することにより低粘度にすることができるので、塗布液の下地層の凹凸が小さい場合には、塗布液の前面(上面)は平坦化される。しかし、塗布液の下地層に高低差の大きい段差(例えば、図6に示す段差部STP1参照)が設けられている場合、塗布液の前面は、X-Y平面(図1参照)に対して傾斜した面になる。この状態で、塗布液に含まれる溶媒を揮発させると、図6に示す有機膜OF1の前面OFf1は、曲げ領域BND1以外の平坦な領域(図6の場合、周辺領域PF2)において、X-Y平面に対して傾斜した面になる。図6に示す例では、有機膜OF1の前面OFf1は、段差部STP1と重なる位置およびその周辺において、X-Y平面に対して傾斜している。
 表示装置DSP1の場合、図6に示すように、段差部STP1の周辺において、有機膜OF1の厚さが局所的に厚くなっている。上記したように有機膜OF1はヤング率が低い材料なので、段差部STP1上に配置された有機膜OF1の厚さが厚い部分は、曲げ領域BND1に生じた応力を緩和する応力緩和部として機能する。曲げ領域BND1の近傍に応力緩和部が設けられることにより、曲げ領域BND1に配置される配線WR1に生じる応力を緩和できる。
 また、段差部STP1の近傍にある有機膜OF1の応力緩和機能を向上させるため、段差部STP1の高低差は、大きい方が好ましい。例えば、図6に示す例では、段差部STP1の高低差は、絶縁膜11の厚さより大きい。言い換えれば、基板10の前面10f1と前面10f2との高低差は、絶縁膜11の厚さより大きい。絶縁膜11の厚さは、例えば数百nm(ナノメートル)である。一方、段差部STP1の高低差(言い換えれば、基板10の前面10f1と前面10f2との高低差)は、2~3μm(マイクロメートル)程度である。
 表示装置DSP1の場合、配線WR1は、有機膜OF1の前面OF1f上に形成されている。したがって、配線WR1は、有機膜OF1の前面OF1fの形状に倣って形成される。基板10の部分10Aにおいて、基板10の前面10f1は、X-Y平面(図1参照)に沿って広がる。配線WR1は、基板10の段差部STP1と重なる位置において、X-Y平面に対して傾斜する。詳しくは、配線WR1は、段差部STP1と重なる位置およびその周辺領域において、X-Y平面に対して傾斜する。この場合、配線WR1のうち、曲げ領域BND1に配置されている部分に曲げモーメントが印加された時に、配線WR1の傾斜部分は、配線WR1の折り曲げられた部分に生じる応力を緩和する緩和部として機能する。
 また、配線WR1の傾斜部分は、有機膜OF1のうち、厚さが厚い部分に密着している。したがって、配線WR1の傾斜部分が、配線WR1の折り曲げられた部分に印加されたモーメントに起因して変形した場合でも、配線基板WR1の傾斜部分に応力が集中することを抑制できる。
 また、図2に示すように、基板10は、前面10fの反対側にある背面10bを有している。基板10の背面10b側において、基板10の部分10Aと部分10Bとの境界には、段差部STP1(図6参照)のような段差部がない。上記したように、基板10の部分10Bは薄くすることにより、曲げ変形をさせ易くなる。しかし、基板10の支持強度を維持する観点からは、基板10の部分10Bにもある程度の厚さがあることが好ましい。背面10b側に段差部が設けられていない場合、背面10b側にも段差部が設けられた場合と比較して、部分10Bの支持強度を確保し、かつ、図6に示す段差部STP1の高低差を大きくすることができる。
 図2に示す段差部STP1は、絶縁膜11の端部と重なる位置に形成されている。段差部STP1は、例えば以下のような方法により形成することができる。図8は、図6に示す段差部を形成する工程を順に示す拡大断面図である。図8にステップS1として示すように前面10f上に絶縁膜11が形成された基板10を準備して、基板10の部分10A上を覆うようにマスクRM1を配置する。無機膜である絶縁膜11は、例えば、スパッタ法やCVD法で形成される。図8に示す工程では絶縁膜11は、基板10の部分10B上にも形成されている。マスクRM1は、エッチング用のレジストマスクである。
 次に、図8にステップS2として示すように、基板10を覆う絶縁膜11のうち、部分10Bと重なる部分を選択的に除去する。除去する方法としては、例えばドライエッチングなどの方法を利用できる。このエッチング工程により、部分10Bは、絶縁膜11から露出する。
 次に、図8にステップS3として示すように、絶縁膜11上からマスクRM1を取り除く。マスクRM1は、樹脂などの有機膜から成り、アッシング処理により取り除くことができる。基板10は、有機膜であり、アッシング処理を行う時に、基板10の部分10Bが特に保護されていない場合、マスクRM1を取り除くアッシング処理により基板10の部分10Bの前面10f側が取り除かれる。この時、絶縁膜11は、アッシング処理のレジストマスクとして機能するので、絶縁膜11と重なっていない部分、すなわち部分10Bの前面10f側が選択的に除去される。これにより、段差部STP1を形成することができる。
 この方法の場合、絶縁膜11の一部分を除去する一連の工程において、段差部STP1を形成することができるので、製造工程を増加させる事無く段差部STP1を形成することができる。また、アッシング処理の時間などの条件を調整することにより、段差部STP1の高低差、言い換えれば、前面10f1と前面10f2との高低差を制御することができる。また、図8に示す各工程は、基板10の部分10Bを折り曲げる前に行うことで、段差部STP1の高低差の精度を向上させることができる。上記の方法により、段差部STP1が形成される場合、無機絶縁膜である絶縁膜11と重なる位置に段差部STP1が形成される。
 また、図6に示すように、配線WR1は、有機膜(有機絶縁膜)OF1と有機膜(有機絶縁膜)OF2との間に配置される。有機膜OF1は、配線WR1と接する。有機膜OF2は、複数の配線WR1の有機膜OF1に接する面と反対側の面に形成される。有機膜OF2は、配線WR1を覆い、かつ、図7に示すように配線WR1および有機膜OF1と密着する。配線WR1が、有機膜OF2に覆われていることで、衝撃、あるいは大気中に含まれる水分から配線WR1を保護することができる。
 また、曲げ領域BND1において、配線WR1が有機膜OF1と有機膜OF2との間に挟まれている場合、配線WR1に印加される応力を低減できる。図6および図7に示す曲げ領域BND1において、基板10、有機膜OF1、OF2、および配線WR1を一体化された積層膜として考えた場合、積層膜の厚さ方向において、曲げ領域BND1に印加される曲げモーメントに対する中立面は、基板10の背面10b(図2参照)と有機膜OF2の前面OF2fとの間にある。配線WR1が積層膜の中立面に配置されている場合、配線WR1に印加される応力は、理想的には無くなる。また、配線WR1が中立面の近傍に配置されている場合、配線WR1に印加される応力を低減させることができる。中立面の位置は、積層膜を構成する各材料の密度、ヤング率や断面積などの値により変化する。
 本実施の形態の場合、図7に示すように、曲げ領域BND1において、複数の配線WR1と基板10との間に有機膜OF2があり、かつ、有機膜OF1と有機膜OF2との間に複数の配線WR1がある。したがって、有機膜OF1および有機膜OF2の密度、ヤング率や厚さ(あるいは断面積)などの値を調整することができる。したがって、単に、基板10の前面10f上に配線WR1が配置されている場合と比較して、曲げに起因して配線WR1に印加される応力を低減することができる。
 また、配線WR1の損傷を抑制する観点からは、配線WR1と配線WR1の下地材との密着性を向上させることが好ましい。例えば、図8に示す表示装置DSP2の場合、配線WR1は基板10の前面10f上に直接的に形成されているが、基板10と配線WR1との接着性が低い場合、配線WR1と基板10とが剥離して、この剥離に起因して配線WR1の損傷、あるいは隣り合う配線WR1の短絡、等の現象が発生する懸念がある。本願発明者は、上記現象の対策として、無機絶縁膜である絶縁膜11を周辺領域PF2および曲げ領域BND1に亘って延在させ、絶縁膜11上に配線WR1を形成する態様について検討した。基板10と配線WR1の間に無機絶縁膜を形成し、配線WR1が無機絶縁膜上に形成されている場合、配線WR1と下地材である無機絶縁膜との接着性は向上する。しかし、窒化珪素膜、酸化珪素膜、あるいは酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜は、曲げモーメントによって割れてしまい、破壊され易い。このため、曲げ領域BND1に絶縁膜11を配置すると、絶縁膜11が割れ、絶縁膜11の割れがその上に積層された配線WR1にも伝播して、配線WR1が損傷する。
 図6に示す表示装置DSP1の場合、配線WR1と基板10との間に有機膜OF1が介在し、配線WR1は、有機膜OF1上に形成されている。言い換えれば、有機膜OF1は、基板10および配線WR1のそれぞれに接着されている。有機膜OF1は、有機材料から成る膜なので、有機膜OF1と基板10との接着性は、配線WR1と基板10との接着性より良好である(言い換えれば接着強度が高い)。また、有機膜OF1は、基板10とは異なる材料を用いることができるので、配線WR1との接着性を考慮して材料を選択することができる。
 例えば、表示装置DSP1の場合、周辺領域PF2から曲げ領域BND1、周辺領域PF1にかけて形成される有機膜OF1は、表示領域DA中の絶縁膜13と同じ材料である。絶縁膜13は、金属または導電性の酸化物から成る導体パターンを形成する下地材として用いる材料である。したがって、有機膜OF1と配線WR1との接着性は、配線WR1と基板10との接着性より良好である(言い換えれば接着強度が高い)。さらに、有機膜OF1は、無機絶縁膜である絶縁膜11や絶縁膜12より、ヤング率が小さい(すなわち、柔らかい)。したがって、有機膜OF1が曲げ領域BND1に配置されている場合でも、有機膜OF1は破壊され難い。この結果、有機膜OF1上に形成された配線WR1が損傷し難い。
 また、図5に示すように、表示領域DAおよび周辺領域PF2のそれぞれは、複数のトランジスタTr1と配線WR1とを電気的に接続する複数の配線WR2を有する。本実施例において、配線WR2は、導電層CL2に形成されたソース線SLである。周辺領域PF2において、有機膜OF1あるいは絶縁膜13には複数の開口部CH1が設けられる。複数の配線WR1のそれぞれは、複数の開口部CH1を介して、複数の配線WR2に接続される。複数の配線WR1のそれぞれは、複数の開口部CH1内において、複数の配線WR2に接続される。図5に示す複数の開口部CH1のそれぞれは、配線WR1と配線WR2とを電気的に接続するコンタクトホールである。図6に示すように、配線WR2の一部分は開口部CH1の底面において、有機膜OF1から露出している。配線WR1は、配線WR2の露出した部分に接合されている。
 また、図6に示すように、基板10の前面10f上には、表示領域DA、および周辺領域PF2を跨ぐように延びる無機絶縁膜(図6に示す絶縁膜11および12)がある。有機膜OF1の複数の開口部CH1は、平面視において、上記無機絶縁膜と重なる位置にある。複数の配線WR2は上記無機絶縁膜上にあり、かつ、上記無機絶縁膜上で終端している。言い換えれば、無機絶縁膜である絶縁膜11および12は、周辺領域PF2で終端し、曲げ領域BND1と周辺領域PF1との境界は跨がない。また、複数の配線WR2のそれぞれは、平面視において、絶縁膜11の終端部より表示領域DAに近い位置で終端している。
 また、表示装置DSP1の場合、図6に示すシール材SLMと有機膜OF2とは、互いに異なる材料から成る。有機膜OF2がシール材SLMと異なる材料である場合、有機膜OF2を構成する材料の選択の自由度が増す。したがって、配線WR1が形成される位置が曲げ領域BND1の曲げに対する中立面に近づくように調整し易い。また、有機膜OF2の構成材料として、図7に示す有機膜OF1との接着性が高い材料を選択すれば、隣り合う配線WR1の間において有機膜OF1と有機膜OF2との接着強度が向上する。例えば、有機膜OF1の前面OF1fを構成する材料と、有機膜OF2の背面OF2bを構成する材料とが、互いに同じ有機材料である場合、有機膜OF1と有機膜OF2との接着性は高くなる。
 また、図2に示すように、配線WR1は、一方の端部が周辺領域PF2で配線WR2に接続され、他方の端部が周辺領域PF1で配線板FWB1に接続される。詳しくは、配線WR1は、周辺領域PF1において端子TM1に接続される。端子TM1は、配線板FWB1の端子TM2と対向するように配置される。端子TM1と端子TM2とは、異方導電膜ACF1を介して電気的に接続される。異方導電膜ACF1は、複数の導電粒子および複数の導電粒子の周囲にある絶縁膜を含む。言い換えれば、異方導電膜ACF1は、複数の導電粒子を含有する絶縁膜である。端子TM1は、配線WR1と同様に、有機膜OF1の前面OF1f(図6参照)上に形成されている。端子TM1は、有機膜OF2から露出する。ただし、有機膜OF2は、端子TM1が配置される領域の近傍まで延びている。配線WR1の大部分は、有機膜OF2により覆われている。
 <変形例1>
 次に、上記した表示装置DSP1に対する種々の変形例について、順に説明する。図9は、図6に示す表示装置の変形例である表示装置の拡大断面図である。また、図10は、図9に示す表示装置の変形例である表示装置の拡大断面図である。
 図9に示す表示装置DSP2は、基板20が基板10と同様に屈曲している点で図6に示す表示装置DSP1と相違する。詳しくは、表示装置DSP3の基板20は、可撓性を有し、表示領域DA、周辺領域PF2、曲げ領域BND1、および周辺領域PF1を跨ぐように延びる。また、有機膜OF2は、基板20に覆われている。また、基板20は、有機膜OF2の曲げ形状に倣って曲げられている。有機膜OF2の前面OF2fと基板20の背面20bとは接して(密着して)いる。言い換えれば、有機膜OF1、配線WR1、および有機膜OF2を備える積層膜は、基板10と基板20との間に挟まれている。
 表示装置DSP2が備える基板20は可撓性を有する。また基板20は基板10の部分10Aと対向する部分20A、および基板10の部分10Bと対向する部分20Bを備える。部分20Aは液晶層LQを介して基板10の部分10Aと対向する。基板20の部分20Bは、シール材SLMを介して基板10の部分10Bと対向する。このように、配線WR1が基板10と基板20との間に設けられている場合でも、基板10に段差部STP1があれば、配線WR1に印加される応力を低減することができる。
 表示装置DSP2の場合、有機膜OF1および有機膜OF2(シール材SLM)が基板10と基板20との間に挟まれているので、有機膜OF1および有機膜OF2に対して水分が侵入し難い。このため、有機膜OF1と有機膜OF2との間に位置する配線WR1が水分の影響により腐食することを抑制できる。
 また、図9に示すように、有機膜OF2は、シール材SLMと同じ材料から成り、かつ、シール材SLMと一体に形成されている。基板20を有機膜OF2の形状に倣って曲げるためには、有機膜OF2の前面OF2fと基板20の背面20bとが接着されていることが好ましい。表示装置DSP2のように、有機膜OF2の前面OF2fがシール材SLMである場合、基板20との接着強度を向上させることができる。また、表示装置DSP2のように、有機膜OF2の全体がシール材SLMである場合、図6に示す有機膜OF2を別途で形成する工程が必要ない。このため、表示装置DSP3の製造効率を向上させることができる。
 図9に示す表示装置DSP2は、上記した相違点を除き、図6に示す表示装置DSP1と同様なので、重複する説明は省略する。
 <変形例2>
 図10は、図9に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。図10に示す表示装置DSP3は、基板20の背面20b上に無機絶縁膜である絶縁膜15が形成されている点で、図10に示す表示装置DSP2と相違する。表示装置DSP3が備える基板20の部分20A上には、無機絶縁膜である絶縁膜15が配置される。絶縁膜15は、絶縁膜と同じ、あるいは異なる無機絶縁膜であって、例えば、絶縁膜11および12のそれぞれは、例えば窒化珪素(SiN)膜、酸化珪素(SiO)膜、酸化アルミニウム(AlOx)膜、あるいはこれらの積層膜である。
 無機絶縁膜である絶縁膜15は、基板10、20と比較して、水分の侵入を防止できる。したがって、基板20の背面20bが無機絶縁膜である絶縁膜15に覆われていれば、液晶層LQへの水分の侵入を抑制できる。ただし、既に説明した絶縁膜11と同様に、無機絶縁膜である絶縁膜15は、曲げモーメントの影響で破壊され易い。したがって、絶縁膜15が破壊することを防止する観点からは、表示装置DSP3のように、基板20の部分20B(詳しくは、曲げ領域BND1を含む部分20B)には、絶縁膜15が形成されていないことが好ましい。
 ただし、表示装置DSP3の場合、基板20と配線WR1との距離が十分に離れている場合には、絶縁膜15にクラックが生じても、そのクラックが配線WR1まで進展しない場合もある。例えば、基板20側に配線WR1が形成されない場合には、部分20Bと重なる位置に絶縁膜15が形成されている場合もある。
 表示装置DSP3の基板20は、背面20b側において、絶縁膜15と重なる部分20Aと、絶縁膜15と重ならない部分20Bとの間に、段差部STP2を有する。この場合、基板20の部分20Bの厚さは部分20Aの厚さより薄い。このように、曲げ領域BND1に配置される部分20Bの厚さを薄くすることにより、基板20は曲げやすくなる。また、段差部STP2が設けられている場合、基板20の部分20Bと基板10の部分10Bとの間にある有機膜OF2(図10に示す例ではシール材SLM)の厚さが厚い。図10に示す例では、配線WR1と基板20との間に一種類のシール材SLMが配置された例を示しているが、配線WR1と基板20との間に複数層の有機膜を積層することができる。
 この場合、配線WR1と基板20との間に積層される積層膜を構成する各材料の密度、ヤング率や断面積などの値を調整することにより、曲げ領域BND1における中立面の位置が調整し易くなる。
 <変形例3>
 図11は、図9に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。図11に示す表示装置DSP4は、シール材SLMと配線WR1との間に、有機膜OF3が配置されている点、および基板20とシール材SLMとの間に絶縁膜OC1が配置されている点で図9に示す表示装置DSP2と相違する。
 詳しくは、表示装置DSP4は、基板10の部分10Bおよび基板20の部分20Bと重なる領域において、有機膜OF1とシール材SLMとの間に配置される有機膜OF3を有する。有機膜PF3は、有機膜OF1と対向する。有機膜OF3の厚さは、絶縁膜14の厚さと同程度であって、有機膜OF1の厚さより薄い。
 基板10に段差部STP1が設けられている場合、基板10の部分10Bと基板20の部分20Bとの離間距離は、部分10Aと部分20Aとの離間距離より大きい。液晶表示装置の場合、表示品質を向上させる観点から、液晶層LQの厚さは、ほぼ一定になっていることが好ましい。図1に示すように、曲げ領域BND1自体は、非表示領域NDAなので曲げ領域BND1において、基板10と基板20の離間距離が広がっていても問題はない。
 ところが、液晶層LQの近傍で、基板10と基板20との離間距離が安定しない場合、液晶層LQの端部において、その厚さが不安定になる場合がある。例えば、基板10および基板20の曲げ領域BND1を折り曲げた影響により、液晶層LQの近傍において、基板10と基板20との離間距離が小さくなると、液晶層LQの端部の厚さが薄くなる。また、基板10と基板20との離間距離が大きくなると、液晶層LQの端部の厚さが厚くなる。
 表示装置DSP4の場合、有機膜OF1および配線WR1を覆う有機膜OF3が設けられ、有機膜OF3の厚さは、絶縁膜14の厚さと同程度である。また、基板20の背面20b側は、絶縁膜OF1に覆われている。この場合、液晶層LQの近傍(例えば、段差部STP1と重なる領域)において、有機膜OF3と絶縁膜OC1との離間距離は、液晶層LQの厚さと同程度になる。このため、液晶層LQの端部の厚さが不安定になることを抑制できる。なお、図11に示す例では、部分20Bにおいて、基板20の背面20bを覆う絶縁膜は、表示領域DAから曲げ領域BND1に亘って延びる絶縁膜OF1である。ただし、変形例として、基板20の背面20bが、図11に示す絶縁膜OF1とは別に形成された有機膜に覆われていても良い。この場合、背面20bを覆う有機膜の厚さが、絶縁膜OC1の厚さと同程度であることが好ましい。
 <変形例4>
 図12は、図1に対する変形例を示す平面図である。図13は、図12のA-A線に沿った断面図である。図12および図13に示す表示装置DSP5は、Y方向に交差する(詳しくは直交する)X方向において、X1側およびX2側のそれぞれに曲げ領域BND2を有している点で、図1に示す表示装置DSP1と相違する。
 表示装置DSP1(図1参照)および表示装置DSP5は、Y方向において表示領域DAの外側にある周辺領域PF1、PF2、および曲げ領域BND1を有する。表示装置DSP5は、周辺領域PF1、PF2、および曲げ領域BND1に加え、X方向において表示領域DAの外側にある周辺領域PF3、PF4、および曲げ領域BND2を有する。表示装置DSP5は、シール材SLMに囲まれた表示領域DAと、表示領域DAの外側(言い換えれば周囲)にある周辺領域PF3と、表示領域DAに隣接し、周辺領域PF3と表示領域DAとの間にある周辺領域PF4と、周辺領域PF4と周辺領域PF3との間にある曲げ領域BND2と、を備える。曲げ領域BND2は、図13に示す基板10および基板10上に配置された各部材が屈曲している部分であり、ある範囲の面積を有する。図12では周辺領域PF1と曲げ領域BND1との境界、周辺領域PF2と曲げ領域BND1との境界、周辺領域PF3と曲げ領域BND2との境界、および周辺領域PF4と曲げ領域BND2との境界を点線で示している。
 また、表示装置DSP5は、ゲート線GLを介して表示領域DAのトランジスタTr1(図4参照)と電気的に接続される複数の配線WR3を有する。複数の配線(第3配線)WR3のそれぞれは、周辺領域PF4、曲げ領域BND2、および周辺領域PF3に亘って延びる。配線WR3は、曲げ領域BND2に配置されるので、図5や図6に示す配線WR1と同様に、曲げモーメントによる損傷を抑制する対策を施すことが好ましい。重複する説明は省略するが、図1~図13を用いて説明した配線WR1に対する対策を配線WR3に対して施すことにより、配線WR3の損傷を抑制できる。
 例えば、図13に示すように、表示装置DSP5の基板10は、表示領域DAを含み、かつ、無機絶縁膜である絶縁膜11(図6参照)と重なる部分10Aと、絶縁膜11とは重ならず、かつ、曲げ領域BND2を含む部分10Bと、平面視において部分10Bの反対側に位置し、絶縁膜11とは重ならず、かつ、曲げ領域BND2を含む部分10Cと、を備える。配線WR3は、部分10Aおよび部分10Bと重なる。部分10Bの厚さTH1Bおよび部分10Cの厚さTH1Cのそれぞれは、部分10Aの厚さTH1Aより薄い。また、基板10は、前面10fにおいて、部分10Aと部分10Bとの境界に段差部STP3を有する。また、基板10は、前面10fにおいて、部分10Aと部分10Cとの境界に段差部STP4を有する。
 <変形例5>
 また、図1~図13を用いて説明した技術は、外部から入力されたコマンドを信号として検出するタッチセンサを備えた表示装置に適用することもできる。タッチセンサ付きの表示装置の場合、表示用の回路に接続される配線に加え、タッチセンサに接続される配線を備える。このため、例えば図1に示す表示装置DSP1と比較して、さらに、配線の配置密度が高密度になる。
 本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
 本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。
10,20 基板(ベース基板、絶縁性基板)
10A,10B,10C,20A,20B 部分
10b,20b,FSb 背面(主面、面)
10f,10f1,10f2,20f,BSf 前面(主面、面)
11,12,14,15 絶縁膜(無機絶縁膜)
13 絶縁膜(有機絶縁膜)
ACF1 異方導電膜
AL1,AL2 配向膜
BL バックライトユニット(光源)
BM 遮光膜
BND1,BND2 曲げ領域
CB1 回路基板
CD 共通電極駆動回路
CE 共通電極(表示電極)
CFB,CFG,CFR カラーフィルタ
CH1 開口部
CL1,CL2,CL3,CL4 導電層
CVM カバー部材
DA 表示領域
DE ドレイン電極
DSP1,DSP2,DSP3,DSP4,DSP5 表示装置
FWB1 配線板(フレキシブル配線板)
GD 走査線駆動回路(ゲート駆動回路)
GE ゲート電極
GL ゲート線(走査線)
Gsi 走査信号
LQ 液晶層
NDA 非表示領域(額縁領域)
OC1 絶縁膜(有機絶縁膜)
OD1,OD2 光学素子
OF1、OF2,OF3 有機膜(有機絶縁膜)
OF1f,OF2f 前面
OF2b 背面
PE 画素電極(表示電極)
PF1,PF2,PF3,PF4 周辺領域
PS,PS1,PS2 スペーサ部材
PSW 画素スイッチ素子
PX 画素
RM1 マスク
S1,S2,S3 ステップ
SCL 信号用接続配線
SD 信号線駆動回路
SE ソース電極
SL ソース線(映像信号線、信号線)
SLM シール材(接着材)
Spic 映像信号
STP1,STP2,STP3,STP4 段差部
SUB1,SUB2 基板
SWS スイッチ回路部
TH1A,TH1B,TH1C 厚さ
TM1,TM2 端子
Tr1 トランジスタ
WR1,WR2,WR3 配線

Claims (20)

  1.  第1前面を有する可撓性の第1基板と、
     前記第1基板の前記第1前面の上方に形成された電気光学層と、
     前記第1基板と前記電気光学層との間にあるトランジスタ素子と、
     前記第1前面側にあり、前記トランジスタ素子に電気的に接続された第1配線と、
     前記電気光学層と前記第1配線との間に形成された第1有機膜と、
     前記第1配線と前記第1基板との間にあり、前記第1基板の前記第1前面上に形成された第1無機絶縁膜と、を有し、
     前記第1基板は更に、
     表示領域と重なり、かつ、前記第1無機絶縁膜と重なる第1部分と、
     前記表示領域に隣接し、前記第1無機絶縁膜と重ならず、かつ、曲げ領域を含む第2部分と、
     を備え、
     前記第1基板の前記第2部分の厚さは、前記第1部分の厚さより薄い、電気光学装置。
  2.  請求項1において、
     前記第1基板は、前記第1前面側において、前記第1部分と前記第2部分との境界に第1段差部を有する、電気光学装置。
  3.  請求項2において、
     前記第1段差部の高低差は、前記第1無機絶縁膜の厚さより大きい、電気光学装置。
  4.  請求項2において、
     前記第1部分において、前記第1基板の前記第1前面は、第1平面に沿って広がり、
     前記第1配線は、前記第1基板の前記第1段差部と重なる位置において、前記第1平面に対して傾斜する、電気光学装置。
  5.  請求項2において、
     前記第1基板は、前記第1前面の反対側にある第1背面を有し、
     前記第1背面側において、前記第1部分と前記第2部分との境界に段差部はない、電気光学装置。
  6.  請求項1において、
     前記第1基板は、
     前記第1部分にあり、前記第1無機絶縁膜と対向する前記第1前面と、
     前記第2部分にあり、前記第1基板の厚さ方向において前記第1前面とは異なる高さにあり、かつ、前記第1有機膜と対向する第2前面と、
     を備え、
     前記第1前面と第2前面との高低差は、前記第1無機絶縁膜の厚さより大きい、電気光学装置。
  7.  請求項1において、
     前記第1有機膜上には、前記第1有機膜と対向する第2有機膜が配置され、
     前記第1配線は、前記第1有機膜と前記第2有機膜とに挟まれる、電気光学装置。
  8.  請求項1~7のいずれか1項において、
     前記第1基板の前記第1前面と対向する第2背面を有し、シール材を介して前記第1基板に接着された第2基板を有し、
     前記第2基板は可撓性を有し、且つ、前記第1基板の前記第1部分と対向する第3部分、および前記シール材を介して前記第1基板の前記第2部分と対向する第4部分を備え、
     前記電気光学層は、液晶層からなる、電気光学装置。
  9.  請求項8において、
     前記第2基板の前記第3部分上には、第2無機絶縁膜が配置され、
     前記第2基板の前記第4部分は、前記第2無機絶縁膜と重ならず、
     前記第2基板は、前記第2背面側において、前記第3部分と前記第4部分との境界に第2段差部を有する、電気光学装置。
  10.  請求項8において、
     前記第1基板の前記第2部分、および前記第2基板の前記第4部分と重なる領域において、前記第1有機膜と前記シール材との間には、前記第1有機膜と対向する第3有機膜が配置される、電気光学装置。
  11.  請求項3において、
     前記第1部分において、前記第1基板の前記第1前面は、第1平面に沿って広がり、
     前記第1配線は、前記第1基板の前記第1段差部と重なる位置において、前記第1平面に対して傾斜する、電気光学装置。
  12.  請求項3において、
     前記第1基板は、前記第1前面の反対側にある第1背面を有し、
     前記第1背面側において、前記第1部分と前記第2部分との境界に段差部はない、電気光学装置。
  13.  請求項4において、
     前記第1基板は、前記第1前面の反対側にある第1背面を有し、
     前記第1背面側において、前記第1部分と前記第2部分との境界に段差部はない、電気光学装置。
  14.  請求項11において、
     前記第1基板は、前記第1前面の反対側にある第1背面を有し、
     前記第1背面側において、前記第1部分と前記第2部分との境界に段差部はない、電気光学装置。
  15.  請求項2において、
     前記第1有機膜上には、前記第1有機膜と対向する第2有機膜が配置され、
     前記第1配線は、前記第1有機膜と前記第2有機膜とに挟まれる、電気光学装置。
  16.  請求項2において、
     前記第1有機膜上には、前記第1有機膜と対向する第2有機膜が配置され、
     前記第1配線は、前記第1有機膜と前記第2有機膜とに挟まれる、電気光学装置。
  17.  請求項2において、
     前記第1有機膜上には、前記第1有機膜と対向する第2有機膜が配置され、
     前記第1配線は、前記第1有機膜と前記第2有機膜とに挟まれる、電気光学装置。
  18.  請求項2において、
     前記第1基板の前記第1前面と対向する第2背面を有し、シール材を介して前記第1基板に接着された第2基板を有し、
     前記第2基板は可撓性を有し、且つ、前記第1基板の前記第1部分と対向する第3部分、および前記シール材を介して前記第1基板の前記第2部分と対向する第4部分を備え、
     前記電気光学層は、液晶層からなる、電気光学装置。
  19.  請求項3において、
     前記第1基板の前記第1前面と対向する第2背面を有し、シール材を介して前記第1基板に接着された第2基板を有し、
     前記第2基板は可撓性を有し、且つ、前記第1基板の前記第1部分と対向する第3部分、および前記シール材を介して前記第1基板の前記第2部分と対向する第4部分を備え、
     前記電気光学層は、液晶層からなる、電気光学装置。
  20.  請求項4において、
     前記第1基板の前記第1前面と対向する第2背面を有し、シール材を介して前記第1基板に接着された第2基板を有し、
     前記第2基板は可撓性を有し、且つ、前記第1基板の前記第1部分と対向する第3部分、および前記シール材を介して前記第1基板の前記第2部分と対向する第4部分を備え、
     前記電気光学層は、液晶層からなる、電気光学装置。
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