WO2020059702A1 - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020059702A1
WO2020059702A1 PCT/JP2019/036358 JP2019036358W WO2020059702A1 WO 2020059702 A1 WO2020059702 A1 WO 2020059702A1 JP 2019036358 W JP2019036358 W JP 2019036358W WO 2020059702 A1 WO2020059702 A1 WO 2020059702A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
pixel
electrode
region
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/036358
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
孝治 古見
周治 萬田
良輔 松本
智之 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2020548506A priority Critical patent/JP7436373B2/ja
Priority to US17/250,834 priority patent/US12100722B2/en
Priority to DE112019004720.5T priority patent/DE112019004720T5/de
Priority to KR1020217006809A priority patent/KR102716767B1/ko
Priority to CN201980059490.3A priority patent/CN112673484B/zh
Publication of WO2020059702A1 publication Critical patent/WO2020059702A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H10F39/8033—Photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/807—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections

Definitions

  • the present disclosure relates to an imaging device.
  • Patent Document 1 in a configuration of a SPAD (Single Photon Avalanche Diode), a first semiconductor layer that is a first buried layer having a first conductivity type and a first semiconductor layer below the first semiconductor layer are described. A second semiconductor layer having a second conductivity type opposite to the conductivity type of the second semiconductor layer. The second semiconductor layer is embedded in the epitaxial layer, and the second semiconductor layer is completely depleted by applying a bias voltage. Is described.
  • SPAD Single Photon Avalanche Diode
  • a transparent electrode or an electrode formed by an impurity layer is provided on the light-irradiated surface. In some cases, noise may occur at the contact portion. Further, when the electrode is formed of an impurity layer, it is necessary to implant a high concentration of impurities, and a depletion layer cannot be formed in a region of the impurity layer. It is necessary to ensure the thickness, and in this case, there is a problem that the sensitivity of light having a short wavelength is reduced.
  • a first semiconductor layer formed on a semiconductor substrate, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and having a conductivity type opposite to that of the first semiconductor layer, the first semiconductor layer, A pixel separating portion that defines a pixel region including the second semiconductor layer, a first electrode connected to the first semiconductor layer from one surface side of the semiconductor substrate, and light that is the other surface of the semiconductor substrate.
  • An image pickup device comprising: a metal layer connected to the second semiconductor layer from an irradiation surface side and buried in the pixel separation unit in at least a part of the semiconductor substrate in a thickness direction.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration example in which a SPAD photodiode is of a back-illuminated type, one anode electrode is provided on the back side, and a high voltage is applied.
  • 1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device (SPAD photodiode) according to an embodiment of the present disclosure. It is a schematic diagram which shows the other example of a structure of this embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration in which a buried metal layer having the configuration shown in FIG. 3 is buried from the back side.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an auxiliary electrode connected to an anode electrode is provided on the outermost surface of a pixel region in the configuration example illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device (SPAD photodiode) according to an embodiment of the present disclosure. It is a schematic diagram which shows the other example of a structure of this embodiment.
  • FIG. 4 is a
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer is provided on the outermost surface of a photoelectric conversion unit and a metal layer having a light-shielding property is provided on the insulating layer in a range on a pixel separation unit in the configuration example illustrated in FIG. .
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example in which a metal layer having a light-shielding property is provided on an anode electrode without providing an insulating film on a pixel separation portion.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example in which an insulating layer is provided on a light irradiation surface without providing a light-shielding metal layer in the configuration example shown in FIG. 3.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer is provided on the outermost surface of a photoelectric conversion unit and a metal layer having a light-shielding property is provided on the insulating layer in a range on a pixel separation unit in the configuration
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer and a metal layer having a light-shielding property are provided in the configuration example illustrated in FIG. 3, similarly to the configuration example illustrated in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer and a metal layer having a light-shielding property are provided in the configuration example illustrated in FIG. 3, similarly to the configuration example illustrated in FIG. 7.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example in which, in the configuration example illustrated in FIG. 4, an anode electrode is disposed closer to a pixel region than a pixel separation unit, and the anode electrode is connected to a surface metal layer provided on the pixel separation unit.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an example in which the length of a buried metal layer is shortened in a depth direction of a pixel region in the configuration example shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a positional relationship between an anode electrode and an electrode connected to the anode electrode.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a positional relationship between an anode electrode and an electrode connected to the anode electrode.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a positional relationship between an anode electrode and an electrode connected to the anode electrode.
  • FIG. 3 is a plan view showing a positional relationship between an anode electrode and a contact layer.
  • FIG. 3 is a plan view showing a positional relationship between an anode electrode and a contact layer.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a configuration in which a color filter is provided on an insulating layer on a light irradiation surface and an on-chip lens is provided further above the color filter in the configuration shown in FIG. 12.
  • FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a state where a region on the photoelectric conversion unit side is viewed from the interface between the photoelectric conversion unit and the insulating layer illustrated in FIG. 18.
  • FIG. 21 is a block diagram illustrating a configuration example of a camera device as an electronic device to which the present technology is applied.
  • FIG. 3 is a schematic sectional view showing a basic configuration common to each variation.
  • FIG. 21B is a schematic cross-sectional view showing an example in which a metal layer is covered with the same insulating film as in FIG. 18 and a color filter is provided in FIG. 21A.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of a pixel separation unit in detail regarding an imaging device of a first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a different mode of the imaging device according to the first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 3 is a plan view of an imaging device according to a first variation.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing the semiconductor device according to the first variation in the order of steps.
  • FIG. 25 is a schematic diagram showing a manufacturing process in the case where the second buried layer formed from the front side to the back side is surrounded by a high-concentration P layer using solid-phase diffusion or the like in the manufacturing method shown in FIG. 24.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating an imaging device according to a second variation.
  • FIG. 11 is a schematic sectional view illustrating an imaging device according to a third variation.
  • FIG. 32 is an enlarged schematic diagram showing a range of a region A1 shown in FIG. 31. It is an outline sectional view showing another example of the 3rd variation.
  • FIG. 30 is an enlarged schematic diagram illustrating a range of a region A2 illustrated in FIG. 29.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a semiconductor device according to a third variation in the order of steps.
  • FIG. 32 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the insulating film formed on the first buried layer in the trench recedes in the step (5) of FIG. 31 and an insulating film is further formed in this portion.
  • FIG. 33 is an enlarged cross-sectional view showing a region A3 in a step (5-1) and a step (5-2) shown in FIG. 32.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of an electronic device including an imaging device. It is a block diagram showing an example of a schematic structure of a vehicle control system. It is explanatory drawing which shows an example of the installation position of a vehicle exterior information detection part and an imaging part. It is a figure showing an example of the schematic structure of an endoscope operation system.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of a camera head and a CCU.
  • SPAD Single Photon Avalanche Diode
  • SPAD Single Photon Avalanche Diode
  • a high voltage of about ⁇ several tens of volts is required to cause multiplication, so it is difficult to design an impurity implantation, and it is difficult to achieve both miniaturization and noise reduction or improvement in photoelectric conversion efficiency.
  • the SPAD photodiode is of a back-illuminated type, one of the anode electrodes 1130 is provided on the back side, and a high voltage is applied to solve the problem of the lateral electric field mitigation and to achieve a deep depletion.
  • a high electric field is generated between the high-concentration P-type layer (second semiconductor layer) 1170 in contact with the P-type photoelectric conversion unit 1160 and the N-type layer (first semiconductor layer) 1180 of the cathode.
  • a multiplication area is formed.
  • N-type layer 1180 is connected to cathode electrode 1100.
  • An electrode 1102 is connected to the front side of the cathode electrode 1100.
  • a contact layer 1140 connected to the anode electrode 1130 and extending the anode electrode 1130 to the surface side is provided outside the pixel array.
  • anode electrode 1130 in order to form the anode electrode 1130 on the irradiation surface on the back side with the back surface structure as shown in FIG. 1, it is necessary to use a transparent electrode as the anode electrode 1130.
  • a transparent electrode such as ITO
  • noise occurs at a contact portion between the anode electrode 1130 and the photoelectric conversion unit 1160.
  • an electrode in which a high concentration impurity is implanted may be formed on the outermost surface of the photodiode, that is, the outermost surface of the photoelectric conversion portion 1160.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an imaging device (SPAD photodiode) 1000 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the configuration illustrated in FIG. 2 includes a multiplication region as a SPAD pixel, a photoelectric conversion unit 160 that performs photoelectric conversion, and includes a cathode electrode 100 and an anode electrode 130.
  • the configuration shown in FIG. 2 is a back-illuminated type pixel.
  • the substrate of the photodiode is thinned to 10 ⁇ m or less, and one anode electrode 130 of a pair of electrodes to which a high voltage is applied is located on the back side. Is provided.
  • the front side of the semiconductor substrate 50 is the side on which the wiring layer is formed on the semiconductor substrate 50, and in the imaging device 100 of the present embodiment, the back side of the semiconductor substrate 50 is the light irradiation surface.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided corresponding to the pixel separating section 150.
  • the thickness of the anode electrode 130 is, for example, 500 nm or more, and is a low-resistance electrode.
  • the photoelectric conversion unit 160 is provided in a pixel region between the pixel separation units 150, and the outermost surface on the back side of the photoelectric conversion unit 160 is a light irradiation unit to which light is irradiated.
  • the pixel region is defined by the distance of the pixel separating section 150, and has a rectangular planar shape of 5 ⁇ m or less in length and width.
  • the anode electrode 130 is connected to a contact layer 140 formed by deep impurity implantation or metal embedding outside the pixel array, and the potential is taken out to the surface side.
  • a predetermined voltage is applied to the electrode 142 connected to the contact layer 140 on the front surface side.
  • a predetermined voltage is applied to the anode electrode 130 via the contact layer 140.
  • the contact layer 140 be formed so as to surround the pixel array.
  • the contact layer 140 may be provided at one place or may be divided into a plurality.
  • the anode electrode 140 may have a plurality of contact layers 140 formed in the pixel array. As the number of contact layers 140 for taking out the electrode increases, the voltage fluctuation in the anode electrode 130 on the back surface side can be suppressed.
  • the pixels are separated by the pixel separating unit 150 in the pixel array.
  • FIG. 2 shows one pixel in the pixel array.
  • the pixel separation section 150 is formed by changing the polarity of impurities with the photoelectric conversion section 160.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided corresponding to the position of the pixel separation unit 150, and is provided immediately above the pixel separation unit 150 in FIG.
  • the pixel separation section 150 is formed by high-concentration impurity implantation, and the anode electrode 130 has a sufficient thickness, for example, 500 nm or more in order to sufficiently reduce the resistance. With such a structure, the depletion layer of the photoelectric conversion unit 160 can be formed up to the outermost surface on the back surface side of the pixel, and short wavelength sensitivity can be sufficiently maintained.
  • an N-type impurity layer is formed on the front surface side to form the cathode electrode 100, and a P-type impurity layer is formed on the back surface side to form the anode electrode.
  • An N-type layer (first semiconductor layer) 180 is connected to the cathode electrode 100.
  • An electrode 102 is connected to the front side of the cathode electrode 100.
  • the photoelectric conversion unit 160 connected to the anode electrode 130 is a low-concentration P-type, and has a high-concentration P-type layer (second semiconductor layer) 170 in contact with the photoelectric conversion unit (third semiconductor layer) 160 and an N-type cathode.
  • a multiplication region in which a high electric field is generated is formed between the substrate and the mold layer 180. Further, a low-concentration N-type layer is used as the pixel separating section 150. Note that the P-type layer 170 may be expanded to the region of the photoelectric conversion unit 160 without providing the photoelectric conversion unit 160.
  • the conductivity type and the concentration of the impurity layer are merely examples, and the anode and the cathode may be replaced with each other by replacing P and N.
  • various other methods can be considered for forming the multiplication region in which a high electric field is generated.
  • an impurity implantation region for isolating the multiplication region may be provided, or a buried insulating film or the like may be provided as the pixel separation unit 150.
  • the anode electrode 130 and the cathode electrode 100 are provided on the front and back surfaces of the substrate.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided in the pixel separation region 150.
  • the photoelectric conversion unit 160 formed of the depletion layer can be extended to the outermost surface of the light irradiation surface, so that the short-wavelength sensitivity can be significantly increased.
  • the anode electrode 130 is located at the edge of the pixel, so that the electric field in the pixel is not constant and the depletion layer is difficult to spread to the surface of the photoelectric conversion unit 160 in the center of the pixel. Since the potential from the pixel end reaches the center of the pixel, a structure in which the anode electrode 130 on the back side is provided in the pixel separating section 150 can be adopted.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing another configuration example of the present embodiment, in which a metal layer 152 having a light-shielding property is used as a pixel separating section 150 on the pixel surface on the back side.
  • the metal layer 152 can be made of a metal such as tungsten (W).
  • W tungsten
  • a high-concentration impurity implantation region similar to that of FIG. The metal layer 152 may be in contact with the anode electrode 130 made of a high-concentration impurity region.
  • the anode electrode 130 may be taken out to the front side similarly to FIG. 2, but may be directly connected to the bonding pad on the back side.
  • the pixel separating unit 150 has a grid-like planar shape so as to surround a rectangular pixel area. For this reason, the anode electrode 130 formed on the pixel separation unit 150 and the metal layer 152 formed on the anode electrode 130 can also have a lattice planar shape following the pixel separation unit 150.
  • a buried metal layer 190 having a light-shielding property is buried in the pixel separating section 150 from the front side.
  • the buried metal layer 190 can be made of a metal such as tungsten (W), like the metal layer 152.
  • the buried metal layer 190 and the photoelectric conversion unit 160 are separated by the insulating film 194, and the buried metal layer 190 is surrounded by the insulating film 194 between adjacent pixel regions.
  • the buried metal layer 190 is buried from the front side to the middle of the photoelectric conversion section 160, and a high concentration impurity region is formed directly above the buried metal layer 190 to form the anode electrode 130 on the back side.
  • the buried metal layer 190 having the configuration shown in FIG. 3 is buried from the back side.
  • the anode electrode 130 composed of the high-concentration impurity region is formed in the pixel region so as to surround the buried metal layer 190.
  • the provision of the buried metal layer 190 blocks the connection of the anode electrode 130 between pixels. Therefore, the metal layer 152 is provided on the pixel separating section 150, and the metal layer 152 and the anode electrode 130 are contacted to connect the anode electrode 130 between pixels.
  • the metal 152 is insulated from the buried metal layer 190.
  • the buried metal layer 190 may be buried only in a part of the photoelectric conversion unit 160, but is more preferably buried in the entire pixel region. With this structure, interference between pixels due to light is completely blocked, and interference between pixels due to voltage fluctuations is suppressed, so that miniaturization and high quantum efficiency can be achieved, and a low-noise pixel can be realized. .
  • the anode electrode 130 is formed so as to correspond to the position of the pixel separation unit 150. It should be noted that the formation of the anode electrode 130 so as to correspond to the position of the pixel separation unit 150 means that the anode electrode 130 is formed immediately above the pixel separation unit 150 as shown in FIG. The case where the electrode 130 is formed on the pixel region side of the pixel separation unit 150 is included. Further, the anode electrode 130 is formed so as to correspond to the position of the pixel separating unit 150, but may not be provided to correspond to all of the pixel separating unit 150. May be provided correspondingly.
  • FIG. 5 shows an example in which an auxiliary electrode 132 connected to the anode electrode 130 is provided on the outermost surface of the pixel region in the configuration example shown in FIG.
  • the auxiliary electrode 132 has the same conductivity type as the anode electrode 130.
  • the thickness of the auxiliary electrode 132 is, for example, 50 nm or less, so that the area of the photoelectric conversion unit 160 can be secured to the maximum.
  • the auxiliary electrode 132 may be provided on the outermost surface on the back surface side in the pixel by implanting high-concentration impurities.
  • the thickness of the region of the auxiliary electrode 132 in which impurities are implanted in the pixel is sufficiently thin, for example, 50 nm or less.
  • the insulating layer 200 is provided over the auxiliary electrode 132, and light is emitted to the photoelectric conversion unit 160 through the insulating layer 200.
  • the auxiliary electrode 132 By providing the auxiliary electrode 132, the potential of the outermost surface of the photoelectric conversion unit 160 on the back surface can be made constant, and the spread of the depletion layer and the electric field in the multiplication region can be uniformed in the pixel.
  • the auxiliary electrode 132 has a small thickness and does not affect the short-wavelength sensitivity, it has a high resistance. However, since the resistance of the anode electrode 130 provided in the pixel separation portion is low, the potential of other pixels does not fluctuate.
  • the configuration example illustrated in FIG. 6 is different from the configuration example illustrated in FIG. 2 in that the insulating layer 200 is provided on the outermost surface (light irradiation surface) of the photoelectric conversion unit 160 and the insulating layer 200
  • a metal layer 152 having a light shielding property is provided in FIG.
  • the configuration example shown in FIG. 7 illustrates an example in which the metal layer 152 having a light-shielding property is provided on the anode electrode 130 without providing the insulating film 200 on the pixel separating unit 150.
  • the metal layer 152 having a light-shielding property By providing the metal layer 152 having a light-shielding property, a light intrusion path can be divided for each pixel.
  • the anode electrode 130 and the metal layer 152 having a light-shielding property can be set to the same potential.
  • FIG. 8 shows an example in which the insulating layer 200 is provided on the light irradiation surface without providing the light-blocking metal layer 152 in the configuration example shown in FIG. 9 shows an example in which an insulating layer 200 and a metal layer 152 having a light-shielding property are provided in the configuration example shown in FIG. 3, similarly to the configuration example shown in FIG. 10 shows an example in which an insulating layer 200 and a metal layer 152 having a light-shielding property are provided in the configuration example shown in FIG. 3, similarly to the configuration example shown in FIG.
  • the configuration example shown in FIG. 11 is different from the configuration example shown in FIG. 4 in that the anode electrode 130 is disposed closer to the pixel region than the pixel separation unit 150, and the surface metal provided on the anode electrode 130 and the pixel separation unit 150 is provided.
  • An example in which layers 220 are connected is shown.
  • the anode electrode 130 is connected to the anode electrode 130 in the adjacent pixel region by the surface metal layer 220.
  • the surface metal layer 220 is formed so as to straddle the pixel separating section 150.
  • the configuration example shown in FIG. 12 shows an example in which the length of the buried metal layer 190 is shortened in the depth direction of the pixel region (the photoelectric conversion unit 160) as compared with the configuration example shown in FIG.
  • FIGS. 13 to 15 are schematic diagrams showing the positional relationship between the anode electrode 130 and the electrode 142 connected to the anode electrode 130.
  • the electrode 142 is provided outside the pixel array and functions as a bonding pad (lead electrode).
  • FIG. 13 illustrates an example in which the contact layer 140 is provided as in FIG. 2, whereby the anode electrode 130 is drawn out to the front side through the contact layer 140 and the contact layer 140 and the front-side electrode 142 are connected. Note that the contact layer 140 may be connected to circuits around the pixel array.
  • FIG. 14 shows an example in which an electrode 142 is provided on the same back side as the anode electrode 130 and the anode electrode 130 and the electrode 142 are directly connected.
  • an electrode 142 as a bonding pad is provided on the back surface side.
  • a metal layer 152 having a light-shielding property may be provided on the anode electrode 130, and the metal layer 152 may be connected to the electrode 142 as a bonding pad.
  • FIG. 15 is an example in which an electrode 142 is provided on the front surface side in the same manner as the example shown in FIG. 13. However, an electrode 152 connected to the anode electrode 130 is provided, and the electrode 152 It is a schematic diagram which shows the example which performed connection.
  • FIGS. 16 and 17 are plan views showing the positional relationship between the anode electrode 130 and the contact layer 140, as viewed from the light irradiation surface side (back surface side).
  • the inside of the dashed line R is a region inside the pixel array
  • the outside of the dashed line R is a region outside the pixel array.
  • the anode electrode 130 has a lattice shape.
  • the metal layer 152 having a light-shielding property is provided, the metal layer 152 having a shape following the grid-like anode electrode 130 shown in FIG.
  • the metal layer 152 having the light-shielding property can be formed on the anode electrode 130 via the insulating layer 200 as shown in FIG. 6, the metal layer 152 and the anode electrode 130 are not integrated.
  • the position of the metal layer 152 can be shifted from the pixel separating section 150 (the anode electrode 130) toward the periphery.
  • a contact layer 140 is provided so as to surround the pixel array. As shown in FIG. 2, the anode electrode 130 is drawn out to the front side via the contact layer 140.
  • FIG. 17 shows an example in which a contact layer 140 is provided in the pixel array in addition to the configuration of FIG.
  • a contact layer 140 is provided in the pixel array in addition to the configuration of FIG.
  • FIG. 18 shows a configuration shown in FIG. 12, in which color filters 300a, 300b, and 300c are provided on the insulating layer 200 on the light irradiation surface, and further above the color filters 300a, 300b, and 300c.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration in which an on-chip lens 400 is provided. Light transmitted through the on-chip lens 400 and the color filters 300a, 300b, 300c is applied to the photoelectric conversion unit 160. Note that in FIG. 18, the insulating film 194 of the pixel separation section 150 shown in FIG. 12 is provided in common with the insulating layer 200 on the light irradiation surface.
  • FIG. 19 is a schematic diagram showing a state in which a region on the photoelectric conversion unit 160 side is viewed from the interface between the photoelectric conversion unit 160 and the insulating layer 200 shown in FIG.
  • a pixel separation unit 150 is provided from a buried metal layer 190 and an insulation layer 200 (insulation film 194), and a pixel region including the photoelectric conversion unit 160 is defined by the pixel separation unit 150.
  • the anode electrode 130 is provided so as to surround the pixel region along the pixel separation unit 150.
  • FIG. 20 is a block diagram illustrating a configuration example of a camera device 2000 as an electronic device to which the present technology is applied.
  • a camera device 2000 illustrated in FIG. 20 includes an optical unit 2100 including a lens group, the above-described imaging device (imaging device) 1000, and a DSP circuit 2200 that is a camera signal processing device.
  • the camera device 2000 also includes a frame memory 2300, a display unit (display device) 2400, a recording unit 2500, an operation unit 2600, and a power supply unit 2700.
  • the DSP circuit 2200, the frame memory 2300, the display unit 2400, the recording unit 2500, the operation unit 2600, and the power supply unit 2700 are mutually connected via a bus line 2800.
  • the optical unit 2100 captures incident light (image light) from a subject and forms an image on the imaging surface of the imaging device 1000.
  • the imaging device 1000 converts the amount of incident light formed on the imaging surface by the optical unit 2100 into an electric signal for each pixel and outputs the electric signal as a pixel signal.
  • the display unit 2400 includes a panel-type display device such as a liquid crystal panel or an organic EL (Electro Luminescence) panel, and displays a moving image or a still image captured by the imaging device 1000.
  • the DSP circuit 2200 receives a pixel signal output from the imaging device 1000 and performs a process for displaying the pixel signal on the display unit 2400.
  • the recording unit 2500 records a moving image or a still image captured by the imaging device 1000 on a recording medium such as a video tape or a DVD (Digital Versatile Disk).
  • the operation unit 2600 issues an operation command for various functions of the imaging apparatus 1000 under the operation of the user.
  • the power supply unit 2700 appropriately supplies various power supplies serving as operation power supplies for the DSP circuit 2200, the frame memory 2300, the display unit 2400, the recording unit 2500, and the operation unit 2600 to these supply targets.
  • FIG. 21A is a schematic cross-sectional view showing a basic configuration common to each variation.
  • the imaging device 1000 illustrated in FIG. 21A includes a multiplication region as a SPAD pixel and a photoelectric conversion unit (N-region) 160 that performs photoelectric conversion, and the outermost surface on the back side of the photoelectric conversion unit 160 is irradiated with light. It is an irradiation unit.
  • the metal layer 152 functioning as the anode electrode 130 is electrically connected to the P region 760.
  • the P region 760 is configured such that the lower the layer, the lower the impurity concentration.
  • a P region 700 and a P ⁇ region 710 are formed from the P region 760 along the pixel separating section 150, and the P region 760 and the avalanche section 720 are electrically connected.
  • the avalanche portion 720 is configured by joining a P + region 730 and an N + region 740.
  • the P region 700 is configured by accumulating reverse charges (holes) so that charges (electrons) to be read out by the avalanche section 720 pass through.
  • the P ⁇ region 710 is desirably a low concentration region in order to increase the central potential so that electric charges pass through the avalanche portion 720.
  • the N + region 740 is connected to the electrode 102 via the N + region 750.
  • An N ⁇ region 780 is formed on the side surface of the P + region 730 and the N + region 740.
  • a P + layer 790 that is electrically connected to the N + region 740 and the N ⁇ region 780 is provided, and the P + layer 790 is grounded (GND) via the electrode 800.
  • the P + layer 790 may be an N layer.
  • an electrode such as the wiring layer 820 connected to the P + layer 790 may not be formed.
  • the electrode 102 is an electrode that outputs a signal corresponding to the incident light.
  • the electrode 800 is an electrode for discharging holes. Note that the P + layer 790 and the electrode 800 need not be provided.
  • the buried metal layer 190 provided in the electrode 102, the electrode 800, and the pixel separation unit 150 is connected to the wiring layer 820, respectively.
  • the wiring layer 820 shows a part of the uppermost wiring layer among the wiring layers shown in FIG.
  • the P + layer 790 may be an N layer. Further, an electrode such as the wiring layer 820 connected to the P + layer 790 may not be provided.
  • An insulating film (fixed charge film) 810 is provided on the side surface of the pixel separating section 150 and on the upper layer of the P region 760.
  • the insulating film 810 is, for example, negatively charged.
  • the configuration of the upper layer of P region 760 is basically the same as the configuration shown in FIG. Note that in the configuration shown in FIG. 21A, the imaging device 1000 can be configured by exchanging the P-type and N-type conductivity types.
  • the N + region 740 and the N + region 750 correspond to the N-type layer 180 shown in FIG.
  • the P region 760, the P region 700, and the P ⁇ region 710 correspond to the photoelectric conversion unit (third semiconductor layer) 160 and the P-type layer 170.
  • FIG. 21A is a schematic cross-sectional view showing an example in which the metal layer 152 in FIG. 21A is covered with the same insulating film 200 as in FIG. 18 and color filters 300a, 300b, and 300c are provided.
  • the first variation relates to a configuration in which the anode electrode 130 is a metal layer 152 and the buried metal layer 190 is electrically connected to the anode electrode 130 (metal layer 152).
  • FIG. 22A is a schematic cross-sectional view showing the vicinity of the pixel separation unit 150 in detail regarding the imaging device 1000 of the first variation.
  • a buried metal layer 190 is provided so as to penetrate the pixel separating section 150.
  • the buried metal layer 190 is electrically connected to the P region 760 on the back surface via the metal layer 152.
  • the parasitic resistance of the anode electrode can be reduced, and the voltage drop particularly at the center of the pixel area can be reduced. Become.
  • FIGS. 22B to 22H are schematic cross-sectional views showing different modes of the imaging device 1000 according to the first variation. 22B to 22H, the buried metal layer 190 and the metal layer 152 are electrically connected.
  • FIG. 22B illustrates an example in which the pixel separation unit 150 is covered with the metal layer 152.
  • FIG. 22C shows an example in which the width of the pixel separating section 150 from the back surface to the front surface is made constant without forming the buried insulating film 510 on the front surface as shown in FIG. 22A.
  • FIG. 22D shows an example in which a buried insulating film 510 shown in FIG. 22A is dug to form a recess 520, and a buried metal layer 530 connected to the buried metal layer 190 is formed in the recess 520.
  • FIG. 22E is a schematic diagram showing an example in which the buried metal layer 190 is formed without providing the insulating film 194 in the configuration shown in FIG. 22A.
  • FIG. 22E shows a configuration in which the upper end surface of the buried metal layer 190 protrudes above the upper surface of the insulating film 810, but the upper end surface of the buried metal layer 190 is at the same position as the upper surface of the insulating film 810. Is also good.
  • FIG. 22F shows a configuration in which the embedded metal layer 190 is not connected to the wiring layer 820 in the configuration shown in FIG. 22A.
  • FIG. 22G illustrates a structure in which the insulating film 810 is extended to a lower portion of the buried insulating film 510 in the structure illustrated in FIG. 22A.
  • FIG. 22H shows a structure in which a high-concentration P layer 830 is provided on the side of the buried metal layer 190 without providing the insulating film 810 in the structure shown in FIG. 22A.
  • the high-concentration P layer 830 corresponds to a P layer 544 shown in a manufacturing process of FIG. 25 described later.
  • a high-concentration P layer 830 may be formed instead of the insulating film 810. Note that in FIG. 22H, the insulating film 810 formed over the P region 760 may not be provided. 22A to 22C, 22E, 22G, and 22H, the buried metal layer 190 is connected to the wiring layer 820 on the opposite side of the metal layer 152.
  • the buried metal layer 190 and the wiring layer 820 By connecting the buried metal layer 190 and the wiring layer 820, the area as the anode wiring is increased, and the resistance of the anode can be further reduced. Further, by connecting the buried metal layer 190 and the wiring layer 820, leakage of light and color mixing in adjacent pixels can be further suppressed. Further, since the buried metal layer 190 is connected to the wiring layer 820 extending in the horizontal direction or the wiring layer 820 formed deeper than the substrate, light is reflected by the lower wiring layer 820 and light enters adjacent pixels. Can be suppressed. In addition, the obliquely incident light can be reflected by the horizontal wiring layer 820 connected to the buried metal layer 190, and the light can be re-incident on a pixel to be detected.
  • charges holes collected by the P-type
  • the light incident surface side upper side
  • the lower wiring layer 820 can be arbitrarily formed similarly to the upper wiring layout.
  • FIGS. 23A to 23G are plan views of the imaging device 1000 according to the first variation.
  • the example illustrated in FIG. 23A corresponds to the configuration in FIG. 22A, and the metal layer 152 is formed along the pixel separation unit 150 with a wider width than the buried metal layer 190.
  • 23A to 23G the region of the metal layer 152 is indicated by dots, and a portion C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 is shown.
  • the example shown in FIG. 23A shows a configuration in which the portion C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 is four places per pixel.
  • the example illustrated in FIG. 23B illustrates a configuration in which, in the configuration of FIG.
  • a portion C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 is one per pixel.
  • portions C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 are provided along four sides along the buried metal layer 190, and the metal layer 152 is formed in the P region 760.
  • FIG. 3 shows a configuration in which a portion C electrically connected to a ring is formed.
  • the portion C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 may be only one side along the buried metal layer 190.
  • the example shown in FIG. 23D corresponds to the configuration in FIG. 22B. In the example shown in FIG. 23D, similarly to FIG.
  • the metal layer 152 is formed along the pixel separation portion 150 with a wider width than the buried metal layer 190, and the P region adjacent to the buried metal layer 190 at the four corners of the pixel.
  • a portion C electrically connected to 760 is provided.
  • FIG. 23E illustrates a configuration in which only one portion C electrically connected to the P region 760 is provided in one pixel in FIG. 23D.
  • FIG. 23F illustrates a configuration in which the planar shape of the portion C electrically connected to the P region 760 in FIG. 23D is triangular. According to the configuration of FIG. 23F, the opening of the metal layer 152 on which light enters can be further expanded.
  • the planar shape of the portion C electrically connected to the P region 760 may be a shape other than a triangle, and may be, for example, a circle.
  • the example illustrated in FIG. 23G is a schematic diagram illustrating an example in which a portion C electrically connected to the P region 760 is provided along the buried metal layer 190 in FIG. 23D.
  • the portion C where the metal layer 152 is electrically connected to the P region 760 may be only one side along the buried metal layer 190.
  • the metal layer 152 does not protrude toward the photoelectric conversion unit side from the pixel separation unit 150 except for the part C electrically connected to the P region 760.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing the semiconductor device according to the first variation in the order of steps.
  • step (1) necessary N layers and P layers are formed in the Si substrate 520 by ion implantation and heat treatment, and a desired structure is formed by film formation or the like, and a buried insulating film is formed so as to surround the pixels.
  • the first layer 528 in which the insulating film is embedded is formed. Thereby, each N region and each P region shown in FIG. 21A are formed. In FIG. 24, illustration of each N region and each P region is omitted.
  • a metal layer 530 is formed over the first layer 528 in which the insulating film is embedded, and a structure in which the metal layer 530 is embedded in the first layer 528 is obtained by forming an insulating film.
  • the burying of the first layer 528 such as an oxide film, a nitride film, and a stack of an oxide film and a nitride film can be considered. It is desirable that the metal layer 530 be formed of tungsten (W) or the like. Note that the metal layer 530 need not be formed.
  • step (2) after forming a necessary wiring layer, the front and back surfaces are inverted by a method such as bonding, and unnecessary layers are removed.
  • step (3) after etching the Si substrate 520 so as to reach the buried insulating film, an insulating film 532 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 2 ) or the like, and an oxide film An insulating film 534 made of, for example, is formed. For the film formation, it is preferable to use a film type having good coverage.
  • a trench (trench) penetrating the first burying layer 528 and reaching the metal layer 530 is formed, and the metal film 536 is buried.
  • the metal film 536 be formed of tungsten (W) or the like. After penetrating the Si layer 526 and the first burying layer 528, an insulating film 532 and an insulating film 534 may be formed and the metal layer 536 may be buried. Finally, in the step (5), after the insulating film 200 is formed, an electrode 538 for making a back contact is formed. Through these steps, an element having a back electrode is manufactured. Note that the N layer and the P layer may be reversed. In that case, the type of the insulating film 532 is changed. Then, color filters 300a, 300b, 300c and an on-chip lens 400 (not shown in FIG. 24) as shown in FIG. 21A are formed on the insulating film 200 and the electrodes 538.
  • W tungsten
  • FIG. 25 is a schematic diagram showing a manufacturing process in this case.
  • step (1) necessary N layers and P layers are formed in the Si substrate 520 by ion implantation and heat treatment, and a desired structure is formed by film formation or the like. Thereby, each N region and each P region shown in FIG. 21A are formed.
  • the second layer 540 is embedded in the Si substrate 520, and the metal film 542 is embedded in the second layer 540.
  • a high-concentration P layer 544 is formed on the Si substrate 520 adjacent to the second layer 540 by using solid-phase diffusion or the like.
  • step (2) the front and back surfaces are inverted, and unnecessary layers are removed. Then, after a predetermined insulating film is formed on the Si substrate 520, an electrode 538 for making a back contact is formed in the same manner as in the step (5) in FIG. Then, color filters 300a, 300b, 300c and an on-chip lens 400 (not shown in FIG. 24) as shown in FIG. 21A are formed on the insulating film 200 and the electrodes 538.
  • the insulating film 532 corresponds to the insulating film 810 in FIGS. 22A to 22F
  • the metal layer 536 corresponds to the buried metal layer 190 in FIGS. It corresponds to the layer 152 (anode electrode).
  • the buried metal layer 190 and the metal layer 152 may be formed of the same material, and for example, may be formed of a metal such as tungsten (W).
  • the metal layer 152 functioning as the anode electrode 130 is electrically connected to the P region 760 of the photoelectric conversion unit 160, the parasitic resistance of the anode wiring can be reduced. Become. Since the metal layer 152 functioning as the anode electrode 130 is electrically connected to the P region 760 of the photoelectric conversion unit 160, a voltage drop at the center of the pixel region can be suppressed.
  • the metal layer 152 (anode electrode) connected to the P region 760 is formed along the pixel separation section 150 as shown in FIG. Therefore, a sufficient contact area between P region 760 and metal layer 152 can be ensured, and the contact resistance between P region 760 and metal layer 152 can be reduced.
  • the photoelectric conversion unit of each pixel is reduced by the wiring layer 500 formed inside the pixel separation unit 150.
  • the buried metal layer 190 and the metal layer 152 are electrically connected.
  • the P area 760 is dug to increase the contact area and reduce the contact resistance.
  • the area occupied by the wiring layer 500 inside the pixel separation unit 150 is reduced by the amount of the increase in the contact area, and the area of the photoelectric conversion unit of each pixel is secured to the maximum.
  • the sensitivity of the imaging device 1000 can be further improved without increasing the image quality.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an imaging device 1000 according to the second variation.
  • a contact portion 152a of metal layer 152 connected to P region 760 is filled in a region dug in P region 760.
  • the region dug in the P region 760 may have a plurality of shapes such as a groove shape, a hole shape, and a shape connected to a groove formed by engraving between pixels.
  • the metal layer 152 does not protrude to the photoelectric conversion unit side from the pixel separation unit 150 except for the region where the contact unit 152a is formed.
  • the contact area between contact portion 152a and P region 760 increases, and the contact resistance can be reduced.
  • FIG. 27 is a schematic sectional view showing an imaging device 1000 according to the third variation.
  • an insulating film 810 is formed along the insulating film 194 of the pixel separation section 150.
  • the position of the upper end of the insulating film 810 along the pixel separating section 150 has receded to a position lower than the upper end of the insulating film 194 of the pixel separating section 150.
  • the distance d1 shown in FIG. 27 indicates the amount of retreat in the downward direction of the insulating film 700.
  • FIG. 28 is an enlarged schematic diagram showing the range of the region A1 shown in FIG. 27, and shows states before and after the metal layer 152 is filled, respectively.
  • FIG. 28 shows the vicinity of the insulating film 810 in more detail.
  • a film 193 formed of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) or the like and an insulating film 192 are formed adjacent to the insulating film 810. Since the film 193 is formed by the sputtering method, the coverage is relatively low, and is not formed on the side wall of the groove 701.
  • the insulating film 192 is formed by CVD or the like and has good coverage. The state before filling of the metal layer 152 shown on the left side of FIG.
  • FIG. 28 shows a state where a groove 701 for filling the buried metal layer 190 is formed in the pixel separating section 150 and an opening 702 is formed on the pixel separating section 150. I have. In this state, the trench 701 is not filled with the buried metal layer 190, and the opening 702 is not filled with the metal layer 152.
  • a dashed line in FIG. 28 indicates a range of the opening 702 before the insulating film 810 is retracted. After forming the opening 702 in the range shown by the broken line, the insulating film 810 is receded by a cleaning step.
  • the insulating film 700 recedes vertically by a distance d1 and recedes horizontally by a distance d2.
  • the retreat amount is about several nm to several tens nm.
  • the buried metal layer 190 is formed so as to fill the groove 701, and the metal layer 152 is formed so as to fill the opening 702. Accordingly, the region of the metal layer 152 connected to the P region 760 expands by the amount of the recess of the insulating film 810, and the contact resistance between the P region 760 and the metal layer 152 can be reduced.
  • the metal layer 152 and the buried metal film 190 are formed integrally.
  • the contact region between the P region 760 and the metal layer 152 can be enlarged by retreating the insulating film 810. Therefore, according to the configuration of the third variation shown in FIG. 27, it is possible to further reduce the contact resistance between P region 760 and metal layer 152.
  • FIG. 29 is a schematic sectional view showing another example of the third variation.
  • the contact of the metal layer 152 with the P region 760 is performed at a position separated from the pixel separating section 150.
  • FIG. 30 is a schematic diagram showing an enlarged range of the area A2 shown in FIG. A broken line shown in FIG. 30 indicates a range of the opening 704 before the insulating film 810 is retracted. After the opening 704 is formed in the range shown by the broken line, the insulating film 810 is receded in the horizontal direction by a distance d2 by a cleaning process.
  • a metal layer 152 is formed so as to fill the opening 704.
  • the region where metal layer 152 and P region 760 are in contact with each other is expanded by the amount that insulating film 810 is receded in the horizontal direction, and the contact resistance between metal layer 152 and P region 760 is reduced. Can be.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the third variation in the order of steps.
  • step (4) in FIG. 31 the Si layer 926 is etched to reach the buried insulating film, and then aluminum oxide (Al)
  • Al aluminum oxide
  • An insulating film 810 made of 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or the like, and an insulating film 934 made of an oxide film or the like are formed.
  • the insulating film 810 recedes downward and horizontally.
  • the insulating film 810 is formed using aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or the like, the insulating film 810 is formed using an inorganic chemical solution of DHF or a general organic chemical solution used for cleaning after processing. It is retracted by about several nm to several tens nm.
  • the metal film 936 is embedded. It is desirable that the metal film 936 be formed of tungsten (W) or the like. Sputtering, CVD, or the like can be used as a method for forming a metal film, but CVD (Chemical Vapor Deposition) is more advantageous for coverage.
  • the metal layer 936 is filled in a region including the inside of the groove and the opening 702 formed in the step (5).
  • the metal layer 936 is also filled in a portion where the insulating film 810 is recessed.
  • the filled metal layer 936 corresponds to the buried metal layer 190 and the metal layer 152.
  • the P layer 924 corresponds to the P region 760 in FIG. After that, the color filters 300a, 300b, 300c and the on-chip lens 400 (not shown in FIG. 31) as shown in FIG. 21A are formed.
  • the insulating film 810 recedes downward and horizontally in the cleaning step of step (5). Then, by filling the metal layer 936 in the step (6), the metal layer 936 is filled in the portion where the insulating film 810 is recessed, so that the contact area between the metal layer 936 and the P region 760 is increased, Resistance is reduced.
  • the opening 704 may be formed at a position separated from the pixel separating section 150 in the step (5).
  • FIG. 32 shows an example in which the insulating film 810 formed on the first buried layer 928 in the trench recedes in the step (5) of FIG. 31 and an insulating film is further formed on this portion. It is an outline sectional view.
  • FIG. 33 is an enlarged cross-sectional view showing the region A3 in the step (5-1) and the step (5-2) shown in FIG.
  • a cleaning process is performed, so that the insulating film 810 is exposed on the first buried layer 928.
  • the insulating film 810 is recessed on the first buried layer 928. Since the withstand voltage of the pixel separation unit 150 may decrease due to the receding, in FIG. 32, an insulating film 950 is formed in the contact hole in the step (5-2), and the contact film is formed on the first buried layer 928.
  • the insulating film 810 exposed in the hole is covered with the insulating film 950.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the insulating film 810 is covered with the insulating film 950 on the first burying layer 928 as shown in the right side diagram of FIG.
  • the insulating film 950 in a portion where the insulating film 810 has receded remains, and the insulating film in an unnecessary portion can be removed.
  • a step (5-3) an opening 702 is formed and a cleaning step is performed, so that the insulating film 810 is receded downward and horizontally, as in the step (5) shown in FIG. Subsequent steps are the same as in FIG.
  • the contact area between the metal layer 152 and the P region 760 can be increased by retreating the insulating film 810, and the contact resistance can be reduced.
  • the withstand voltage can be improved by retreating the insulating film 810 on the side wall of the pixel separating portion 150 which is not the contact portion and embedding the insulating film.
  • Example of application to devices other than imaging device The present disclosure can also be applied to other devices that detect light, such as a TOF (Time Of Flight) sensor.
  • a TOF sensor When applied to a TOF sensor, for example, it can be applied to a range image sensor based on a direct TOF measurement method and a range image sensor based on an indirect TOF measurement method.
  • an optical pulse having a short pulse width is transmitted and an electric pulse is generated by a receiver that responds at a high speed in order to directly determine the arrival timing of a photon in each pixel in a time domain.
  • the present disclosure can be applied to a receiver at that time.
  • the time of flight of light is measured using a semiconductor element structure in which the amount of carriers generated and generated by light changes depending on the arrival timing of light.
  • the present disclosure can be applied to such a semiconductor structure.
  • it is optional to provide the color filters 300a, 300b, 300c and the on-chip lens 400 as shown in FIG. 18, and these may not be provided.
  • FIG. 34 is a schematic diagram illustrating a configuration of an electronic device 3000 including the above-described imaging device 1000.
  • An electronic device 3000 illustrated in FIG. 34 includes a first semiconductor chip 3100 having a sensor unit 3010 in which a plurality of photoelectric conversion units 160 are arranged, and a signal processing unit 3020 that processes a signal acquired by the photoelectric conversion unit 160. And a second semiconductor chip 3200. The first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 are stacked.
  • a control unit 3030 that controls the electronic device 3000 and a memory unit 3040 that stores signals acquired by the photoelectric conversion unit 160 are provided near the signal processing unit 3020.
  • the control unit 3030 can be arranged, for example, in the vicinity of the photoelectric conversion unit 160 for the purpose of another drive or control in addition to the control of the signal processing unit 3020.
  • the control unit 3030 can be provided in any region of the first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 so as to have any function other than the arrangement shown in the drawing.
  • the plurality of photoelectric conversion units 160 are arranged in a two-dimensional matrix (matrix).
  • FIG. 34 shows the first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 in a separated state for the sake of explanation.
  • the technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure is realized as a device mounted on any type of moving object such as an automobile, an electric vehicle, a hybrid electric vehicle, a motorcycle, a bicycle, a personal mobility, an airplane, a drone, a ship, and a robot. You may.
  • FIG. 35 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of a vehicle control system that is an example of a moving object control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • Vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside information detection unit 12030, an inside information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio / video output unit 12052, and a vehicle-mounted network I / F (Interface) 12053 are illustrated.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of the device related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the driving system control unit 12010 includes a driving force generating device for generating driving force of the vehicle such as an internal combustion engine or a driving motor, a driving force transmission mechanism for transmitting driving force to wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control mechanism such as a steering mechanism for adjusting and a braking device for generating a braking force of the vehicle.
  • the body control unit 12020 controls the operation of various devices mounted on the vehicle body according to various programs.
  • the body control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a head lamp, a back lamp, a brake lamp, a blinker, and a fog lamp.
  • a radio wave or various switch signals transmitted from a portable device replacing the key may be input to the body control unit 12020.
  • the body control unit 12020 receives the input of these radio waves or signals and controls a door lock device, a power window device, a lamp, and the like of the vehicle.
  • Out-of-vehicle information detection unit 12030 detects information external to the vehicle on which vehicle control system 12000 is mounted.
  • an imaging unit 12031 is connected to the outside-of-vehicle information detection unit 12030.
  • the out-of-vehicle information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image outside the vehicle, and receives the captured image.
  • the out-of-vehicle information detection unit 12030 may perform an object detection process or a distance detection process of a person, a vehicle, an obstacle, a sign, a character on a road surface, or the like based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electric signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output an electric signal as an image or can output the information as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared light.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects information in the vehicle.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 is connected to, for example, a driver status detection unit 12041 that detects the status of the driver.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that captures an image of the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 determines the degree of driver fatigue or concentration based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. The calculation may be performed, or it may be determined whether the driver has fallen asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates a control target value of the driving force generation device, the steering mechanism or the braking device based on the information on the inside and outside of the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030 or the inside information detection unit 12040, and the drive system control unit A control command can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes functions of an ADAS (Advanced Driver Assistance System) including a vehicle collision avoidance or a shock mitigation, a following operation based on an inter-vehicle distance, a vehicle speed maintaining operation, a vehicle collision warning, or a vehicle lane departure warning. Cooperative control for the purpose.
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generation device, the steering mechanism, the braking device, and the like based on the information about the surroundings of the vehicle obtained by the outside information detection unit 12030 or the inside information detection unit 12040, so that the driver 120 It is possible to perform cooperative control for automatic driving or the like in which the vehicle travels autonomously without depending on the operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12030 based on the information on the outside of the vehicle obtained by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamp in accordance with the position of the preceding vehicle or the oncoming vehicle detected by the outside-of-vehicle information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of preventing glare such as switching a high beam to a low beam. It can be carried out.
  • the sound image output unit 12052 transmits at least one of a sound signal and an image signal to an output device capable of visually or audibly notifying a passenger of the vehicle or the outside of the vehicle of information.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 36 is a diagram illustrating an example of an installation position of the imaging unit 12031.
  • imaging unit 12031 there are imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, at positions such as a front nose, a side mirror, a rear bumper, a back door, and an upper part of a windshield in the vehicle interior of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12101 provided on the front nose and the imaging unit 12105 provided above the windshield in the passenger compartment mainly acquire an image in front of the vehicle 12100.
  • the imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirror mainly acquire images of the side of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or the back door mainly acquires an image behind the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield in the passenger compartment is mainly used for detecting a preceding vehicle or a pedestrian, an obstacle, a traffic light, a traffic sign, a lane, or the like.
  • FIG. 36 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • the imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • the imaging ranges 12112 and 12113 indicate the imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • the imaging range 12114 indicates 13 shows an imaging range of an imaging unit 12104 provided in a rear bumper or a back door.
  • a bird's-eye view image of the vehicle 12100 viewed from above is obtained by superimposing image data captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of imaging elements or an imaging element having pixels for detecting a phase difference.
  • the microcomputer 12051 calculates a distance to each three-dimensional object in the imaging ranges 12111 to 12114 and a temporal change of the distance (relative speed with respect to the vehicle 12100).
  • a distance to each three-dimensional object in the imaging ranges 12111 to 12114 and a temporal change of the distance (relative speed with respect to the vehicle 12100).
  • microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured before the preceding vehicle and perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for automatic driving or the like in which the vehicle travels autonomously without depending on the operation of the driver.
  • the microcomputer 12051 converts the three-dimensional object data relating to the three-dimensional object into other three-dimensional objects such as a motorcycle, a normal vehicle, a large vehicle, a pedestrian, a telephone pole, and the like based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic avoidance of obstacles. For example, the microcomputer 12051 distinguishes obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating a risk of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or more than the set value and there is a possibility of collision, via the audio speaker 12061 or the display unit 12062. By outputting an alarm to the driver through forced driving and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving assistance for collision avoidance can be performed.
  • driving assistance for collision avoidance can be performed.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared light.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether or not a pedestrian exists in the captured images of the imaging units 12101 to 12104. The recognition of such a pedestrian is performed by, for example, extracting a feature point in an image captured by the imaging units 12101 to 12104 as an infrared camera, and performing a pattern matching process on a series of feature points indicating the outline of the object to determine whether the object is a pedestrian.
  • the audio image output unit 12052 outputs a rectangular contour for emphasis to the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled so that is superimposed. Further, the sound image output unit 12052 may control the display unit 12062 so as to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • Example of Application to Endoscopic Surgery System The technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be applied to an endoscopic surgery system.
  • FIG. 37 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system to which the technology (the present technology) according to the present disclosure may be applied.
  • FIG. 37 shows a state in which an operator (doctor) 11131 is performing an operation on a patient 11132 on a patient bed 11133 using the endoscopic surgery system 11000.
  • the endoscopic surgery system 11000 includes an endoscope 11100, other surgical tools 11110 such as an insufflation tube 11111 and an energy treatment tool 11112, and a support arm device 11120 that supports the endoscope 11100.
  • a cart 11200 on which various devices for endoscopic surgery are mounted.
  • the endoscope 11100 includes a lens barrel 11101 having a predetermined length from the distal end inserted into the body cavity of the patient 11132, and a camera head 11102 connected to the proximal end of the lens barrel 11101.
  • the endoscope 11100 which is configured as a so-called rigid endoscope having a hard lens barrel 11101 is illustrated.
  • the endoscope 11100 may be configured as a so-called flexible endoscope having a soft lens barrel. Good.
  • An opening in which an objective lens is fitted is provided at the tip of the lens barrel 11101.
  • a light source device 11203 is connected to the endoscope 11100, and light generated by the light source device 11203 is guided to the distal end of the lens barrel by a light guide that extends inside the lens barrel 11101, and the objective The light is radiated toward the observation target in the body cavity of the patient 11132 via the lens.
  • the endoscope 11100 may be a direct view scope, a perspective view scope, or a side view scope.
  • An optical system and an image sensor are provided inside the camera head 11102, and the reflected light (observation light) from the observation target is focused on the image sensor by the optical system.
  • the observation light is photoelectrically converted by the imaging element, and an electric signal corresponding to the observation light, that is, an image signal corresponding to the observation image is generated.
  • the image signal is transmitted to a camera control unit (CCU: ⁇ Camera ⁇ Control ⁇ Unit) 11201 as RAW data.
  • the $ CCU 11201 is configured by a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), and the like, and controls the operations of the endoscope 11100 and the display device 11202 overall. Further, the CCU 11201 receives an image signal from the camera head 11102, and performs various image processing on the image signal for displaying an image based on the image signal, such as a development process (demosaicing process).
  • a development process demosaicing process
  • the display device 11202 displays an image based on an image signal on which image processing has been performed by the CCU 11201 under the control of the CCU 11201.
  • the light source device 11203 includes a light source such as an LED (light emitting diode), for example, and supplies the endoscope 11100 with irradiation light when capturing an image of an operation part or the like.
  • a light source such as an LED (light emitting diode), for example, and supplies the endoscope 11100 with irradiation light when capturing an image of an operation part or the like.
  • the input device 11204 is an input interface for the endoscopic surgery system 11000.
  • the user can input various information and input instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204.
  • the user inputs an instruction or the like to change imaging conditions (type of irradiation light, magnification, focal length, and the like) by the endoscope 11100.
  • the treatment instrument control device 11205 controls the driving of the energy treatment instrument 11112 for cauterizing, incising a tissue, sealing a blood vessel, and the like.
  • the insufflation device 11206 is used to inflate the body cavity of the patient 11132 for the purpose of securing the visual field by the endoscope 11100 and securing the working space of the operator.
  • the recorder 11207 is a device that can record various types of information related to surgery.
  • the printer 11208 is a device capable of printing various types of information on surgery in various formats such as text, images, and graphs.
  • the light source device 11203 that supplies the endoscope 11100 with irradiation light at the time of imaging the operation site can be configured by, for example, a white light source including an LED, a laser light source, or a combination thereof.
  • a white light source is configured by a combination of the RGB laser light sources, the output intensity and output timing of each color (each wavelength) can be controlled with high accuracy. It can be carried out.
  • the laser light from each of the RGB laser light sources is radiated to the observation target in a time-division manner, and the driving of the image pickup device of the camera head 11102 is controlled in synchronization with the irradiation timing. It is also possible to capture the image obtained in a time-division manner. According to this method, a color image can be obtained without providing a color filter in the image sensor.
  • the driving of the light source device 11203 may be controlled so as to change the intensity of output light at predetermined time intervals.
  • the driving of the image sensor of the camera head 11102 in synchronization with the timing of the change of the light intensity, an image is acquired in a time-division manner, and the image is synthesized, so that a high dynamic image without so-called blackout and whiteout is obtained. An image of the range can be generated.
  • the light source device 11203 may be configured to be able to supply light in a predetermined wavelength band corresponding to special light observation.
  • the special light observation for example, the wavelength dependence of light absorption in body tissue is used to irradiate light of a narrower band compared to irradiation light (ie, white light) at the time of normal observation, so that the surface of the mucous membrane is exposed.
  • a so-called narrow-band light observation (Narrow Band Imaging) for photographing a predetermined tissue such as a blood vessel with high contrast is performed.
  • fluorescence observation in which an image is obtained by fluorescence generated by irradiating excitation light may be performed.
  • the body tissue is irradiated with excitation light to observe fluorescence from the body tissue (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally injected into the body tissue and Irradiation with excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent can be performed to obtain a fluorescence image.
  • the light source device 11203 can be configured to be able to supply narrowband light and / or excitation light corresponding to such special light observation.
  • FIG. 38 is a block diagram showing an example of a functional configuration of the camera head 11102 and the CCU 11201 shown in FIG.
  • the camera head 11102 includes a lens unit 11401, an imaging unit 11402, a driving unit 11403, a communication unit 11404, and a camera head control unit 11405.
  • the CCU 11201 includes a communication unit 11411, an image processing unit 11412, and a control unit 11413.
  • the camera head 11102 and the CCU 11201 are communicably connected to each other by a transmission cable 11400.
  • the lens unit 11401 is an optical system provided at a connection with the lens barrel 11101. Observation light taken in from the tip of the lens barrel 11101 is guided to the camera head 11102, and enters the lens unit 11401.
  • the lens unit 11401 is configured by combining a plurality of lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the number of imaging elements constituting the imaging unit 11402 may be one (so-called single-panel type) or plural (so-called multi-panel type).
  • the imaging unit 11402 is configured as a multi-panel type, for example, an image signal corresponding to each of RGB may be generated by each image sensor, and a color image may be obtained by combining the image signals.
  • the imaging unit 11402 may be configured to include a pair of imaging elements for acquiring right-eye and left-eye image signals corresponding to 3D (dimensional) display. By performing the 3D display, the operator 11131 can more accurately grasp the depth of the living tissue in the operative part.
  • a plurality of lens units 11401 may be provided for each imaging element.
  • the imaging unit 11402 does not necessarily have to be provided in the camera head 11102.
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101 immediately after the objective lens.
  • the drive unit 11403 is configured by an actuator, and moves the zoom lens and the focus lens of the lens unit 11401 by a predetermined distance along the optical axis under the control of the camera head control unit 11405.
  • the magnification and the focus of the image captured by the imaging unit 11402 can be appropriately adjusted.
  • the communication unit 11404 is configured by a communication device for transmitting and receiving various information to and from the CCU 11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 as RAW data to the CCU 11201 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11404 receives a control signal for controlling driving of the camera head 11102 from the CCU 11201 and supplies the control signal to the camera head control unit 11405.
  • the control signal includes, for example, information indicating that the frame rate of the captured image is specified, information that specifies the exposure value at the time of imaging, and / or information that specifies the magnification and focus of the captured image. Contains information about the condition.
  • the above-described imaging conditions such as the frame rate, the exposure value, the magnification, and the focus may be appropriately designated by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal. Good.
  • the endoscope 11100 has a so-called AE (Auto Exposure) function, an AF (Auto Focus) function, and an AWB (Auto White Balance) function.
  • the camera head control unit 11405 controls the driving of the camera head 11102 based on the control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is configured by a communication device for transmitting and receiving various information to and from the camera head 11102.
  • the communication unit 11411 receives an image signal transmitted from the camera head 11102 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11411 transmits a control signal for controlling driving of the camera head 11102 to the camera head 11102.
  • the image signal and the control signal can be transmitted by electric communication, optical communication, or the like.
  • the image processing unit 11412 performs various types of image processing on an image signal that is RAW data transmitted from the camera head 11102.
  • the control unit 11413 performs various kinds of control related to imaging of the operation section and the like by the endoscope 11100 and display of a captured image obtained by imaging the operation section and the like. For example, the control unit 11413 generates a control signal for controlling driving of the camera head 11102.
  • control unit 11413 causes the display device 11202 to display a captured image showing the operative part or the like based on the image signal subjected to the image processing by the image processing unit 11412.
  • the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques. For example, the control unit 11413 detects a shape, a color, or the like of an edge of an object included in the captured image, and thereby detects a surgical tool such as forceps, a specific living body site, bleeding, a mist when using the energy treatment tool 11112, and the like. Can be recognized.
  • the control unit 11413 may use the recognition result to superimpose and display various types of surgery support information on the image of the operative site.
  • the burden on the operator 11131 can be reduced, and the operator 11131 can reliably perform the operation.
  • the transmission cable 11400 connecting the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electric signal cable corresponding to electric signal communication, an optical fiber corresponding to optical communication, or a composite cable thereof.
  • the communication is performed by wire using the transmission cable 11400, but the communication between the camera head 11102 and the CCU 11201 may be performed wirelessly.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the endoscope 11100 and the imaging unit 11402 of the camera head 11102 among the configurations described above.
  • the endoscopic surgery system has been described as an example, but the technology according to the present disclosure may be applied to, for example, a microscopic surgery system or the like.
  • a first semiconductor layer formed on a semiconductor substrate A second semiconductor layer having a conductivity type opposite to that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer; A pixel separation unit that defines a pixel region including the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A first electrode connected to the first semiconductor layer from one surface side of the semiconductor substrate; A metal layer that is connected to the second semiconductor layer from the light irradiation surface side, which is the other surface of the semiconductor substrate, and that is embedded in the pixel separation unit in at least a part of the semiconductor substrate in a thickness direction;
  • An imaging device comprising: (2) a second electrode connected to the second semiconductor layer from the light irradiation surface side and formed so as to correspond to a position of the pixel separation unit; The imaging device according to claim 1, wherein the metal layer is electrically connected to the second semiconductor layer via the second electrode.
  • the second electrode is embedded in an opening provided in the second semiconductor layer, a region is provided in which an end of the insulating film is recessed from a wall surface of the opening, and the region is filled with the second electrode.
  • the imaging device according to any one of the above (2) to (7). (9) an insulating film formed along the pixel separation portion;
  • the imaging device according to (2) wherein a voltage for electron multiplication is applied between the first electrode and the second electrode.
  • the second electrode is provided on an upper surface of the pixel separation unit.
  • the pixel separation unit and the second electrode have a grid-like planar shape surrounding a plurality of the pixel regions.

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)

Abstract

本開示によれば、半導体基板に形成された第１半導体層（１８０）と、前記第１半導体層（１８０）上に形成された前記第１半導体層（１８０）と逆導電型の第２半導体層（１７０）と、前記第１半導体層（１８０）及び前記第２半導体層（１７０）を含む画素領域を画定する画素分離部（１５０）と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層（１８０）と接続された第１電極（１３０）と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層（１７０）と接続され、前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において前記画素分離部（１５０）に埋め込まれた金属層（１５２）と、を備える、撮像装置が提供される。

Description

撮像装置
　本開示は、撮像装置に関する。
　従来、例えば下記の特許文献１には、ＳＰＡＤ(Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｈｏｔｏｎ　Ａｖａｌａｎｃｈｅ　Ｄｉｏｄｅ)の構成において、第１の導電型を有する第１の埋め込み層である第１半導体層と、第１半導体層下に第１の導電型とは反対の第２の導電型を有する第２半導体層と、を備え、第２半導体層はエピタキシャル層に埋め込まれ、バイアス電圧を印加することによって第２半導体層を完全に空乏層化させることが記載されている。
特開２０１５－４１７４６号公報
　ＳＰＡＤの技術では、高電圧のバイアス電圧を印加して電子増倍をすることにより光入射を大信号として抽出することができる。しかしながら、特許文献１に記載されている構成では、高電圧を印加する１対の電極を基板の表面に並べて設けているため、ノイズの低減や光電変換効率の向上を図るためには、１対の電極間を確実に絶縁する必要がある。特に、微細化が進むほど１対の電極間の絶縁が困難になり、微細化と、ノイズの低減もしくは光電変換効率の向上等とを両立することは困難である。
　また、１対の電極を基板の表面側と裏面側に設けた場合は、光照射面に透明電極又は不純物層により形成した電極を設けることになるが、透明電極を設けた場合は、基板とのコンタクト部でノイズが発生する場合がある。また、電極を不純物層により形成した場合、高濃度の不純物を注入する必要があり、不純物層の領域には空乏層を形成することができないが、電極を低抵抗化するためには不純物層の厚さを確保する必要があり、その場合、特に短波長の光の感度が低下する問題がある。
　そこで、画素の微細化と低ノイズ化及び高量子効率を実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ短波長の感度を改善することが求められていた。
　本開示によれば、半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において前記画素分離部に埋め込まれた金属層と、を備える、撮像装置が提供される。
　以上説明したように本開示によれば、画素の微細化と低ノイズ化及び高量子効率を実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ短波長の感度を改善することが可能となる。
　なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、一方のアノード電極を裏面側に設け、高電圧を印加する構成例を示す模式図である。 本開示の一実施形態に係る半導体装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）を示す模式図である。 本実施形態の他の構成例を示す模式図である。 図３に示す構成の埋め込み金属層が裏面側から埋め込まれている構成を示す模式図である。 図２に示す構成例に対して、画素領域の最表面にアノード電極と連なる補助電極を設けた例を示す模式図である。 図２に示す構成例に対して、光電変換部の最表面に絶縁層を設け、画素分離部上の範囲で、絶縁層上に遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 画素分離部上には絶縁膜を設けることなく、アノード電極上に遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、遮光性を有する金属層を設けることなく、光照射面に絶縁層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、図６に示した構成例と同様に、絶縁層と遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、図７に示した構成例と同様に、絶縁層と遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図４に示した構成例において、アノード電極を画素分離部よりも画素領域側に配置し、アノード電極と画素分離部上に設けた表面金属層を接続した例を示す模式図である。 図１に示した構成例に対し、埋め込み金属層の長さを画素領域の深さ方向で短くした例を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極とコンタクト層との位置関係を示す平面図である。 アノード電極とコンタクト層との位置関係を示す平面図である。 図１２に示す構成において、光照射面の絶縁層上にカラーフィルタが設けられ、カラーフィルタの更に上にオンチップレンズが設けられた構成を示す概略断面図である。 図１８に示す光電変換部と絶縁層との界面から光電変換部側の領域を見た状態を示す模式図である。 本技術を適用した電子機器としての、カメラ装置の構成例を示すブロック図である。 各バリエーションで共通する基本構成を示す概略断面図である。 図２１Ａにおいて、金属層を図１８と同様の絶縁膜で覆った上で、カラーフィルタを設けた例を示す概略断面図である。 第１のバリエーションの撮像装置に関し、画素分離部の近傍を詳細に示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の異なる態様を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る撮像装置の平面図である。 第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図２４に示した製造方法において、固相拡散等を用いて、表側から裏面側に形成した第２の埋め込み層を高濃度のＰ層で囲む場合の製造工程を示す模式図である。 第２のバリエーションに係る撮像装置を示す概略断面図である。 第３のバリエーションに係る撮像装置を示す概略断面図である。 図３１に示す領域Ａ１の範囲を拡大して示す模式図である。 第３のバリエーションの別の例を示す概略断面図である。 図２９に示す領域Ａ２の範囲を拡大して示す模式図である。 第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図３１の工程（５）において、溝内の第１の埋め込み層の上に形成された絶縁膜が後退することに伴い、この部分に絶縁膜を更に形成する例を示す概略断面図である。 図３２に示す工程（５－１）、工程（５－２）において、領域Ａ３を拡大して示す断面図である。 撮像装置を含む電子デバイスの構成を示す模式図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　１．前提となる技術
　２．本実施形態に係る撮像装置の構成例
　３．本実施形態に係る撮像装置の他の構成例
　４．アノード電極の外部への引き出し
　５．アノード電極とコンタクト層との位置関係
　６．カラーフィルタ、レンズを含む構成例
　７．本実施形態に係る撮像装置の適用例
　８．本開示のバリエーション
　８．１．共通する構造
　８．２．第１のバリエーション
　８．３．第２のバリエーション
　８．４．第３のバリエーション
　９．撮像装置以外への適用例
　１０．電子デバイスの構成例
　１１．移動体への応用例
　１２．内視鏡手術システムへの応用例
１．前提となる技術
　電子増倍をすることにより１光子レベルの読み出し感度を持ったフォトダイオードを実現するＳＰＡＤ(Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｈｏｔｏｎ　Ａｖａｌａｎｃｈｅ　Ｄｉｏｄｅ)の技術がある。ＳＰＡＤでは、増倍を起こすために±数１０Ｖ程度の高電圧が必要であるため、不純物の注入設計が難しく、微細化と、ノイズの低減もしくは光電変換効率の向上などを両立することが難しい。このため、図１に示すように、ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、一方のアノード電極１１３０を裏面側に設け、高電圧を印加することで横方向電界緩和の問題を解決しつつ、深い空乏層を作り出せるようにする技術がある。図１に示す構成では、Ｐ型の光電変換部１１６０と接する高濃度のＰ型層（第２半導体層）１１７０とカソードのＮ型層（第１半導体層）１１８０との間で高電界になる増倍領域を形成している。カソード電極１１００にはＮ型層１１８０が接続されている。カソード電極１１００の表側には電極１１０２が接続されている。
　アノード電極１１３０は表面側に取り出されるが、表面側へのコンタクト部とカソード電極１１００との間で電界を緩和するためには、コンタクト部とカソード電極１１００との間を十分に離間する必要がある。このため、図１に示す構成では、アノード電極１１３０と接続されてアノード電極１１３０を表面側に引き出すコンタクト層１１４０を画素アレイの外側に設けている。
　一方、図１のように裏面構造にして、裏面側の照射面にアノード電極１１３０を形成するためには、アノード電極１１３０として透明電極を用いる必要がある。ＩＴＯなどの透明電極でアノード電極１１３０を形成して光電変換部１１６０に接触させる方法では、アノード電極１１３０と光電変換部１１６０との接触部でノイズが発生する。このため、フォトダイオード最表面、すなわち光電変換部１１６０の最表面に高濃度の不純物を注入した電極を形成する場合がある。しかし、光電変換部１１６０に高濃度の不純物注入を行うと、この部分には空乏層を形成できなくなり、フォトダイオード最表面で光電変換ができなくなるため、短波長光の量子効率が低下してしまう。このため、光電変換部１１６０の最表面に形成した高濃度の不純物部分を薄くする必要があるが、高濃度の不純物部分を薄くすると抵抗が高くなってしまう。特に、画素アレイの外側にコンタクト層１１４０を設けて裏面側のアノード電極１１３０へのコンタクトを行う場合、微細化には有利であるが、コンタクト層１１４０から画素までの電気抵抗が高くなり、ＳＰＡＤに特有の大きな増倍電流が流れた時に電圧が変動してしまう。この変動が他の画素にも影響し、他の画素の特性を変えてしまうような画素間干渉が起きてしまう。
　以上の点に鑑み、本実施形態では、微細画素を実現できる裏面電極構造を取りつつ、電極内での電圧変動による画素間干渉を抑制し、さらに、特に短波長側の量子効率を改善する。
　２．本実施形態に係る撮像装置の構成例
　図２は本開示の一実施形態に係る撮像装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）１０００を示す模式図である。図２に示す構成では、ＳＰＡＤ画素としての増倍領域と光電変換を行う光電変換部１６０を備え、カソード電極１００とアノード電極１３０を有する。図２に示す構成は裏面照射型の画素であり、フォトダイオードの基板は１０ｕｍ以下に薄肉化されていて、高電圧が印加される１対の電極のうち、一方のアノード電極１３０は裏面側に設けられている。なお、半導体基板５０の表面側とは、半導体基板５０上に配線層が形成される側であり、本実施形態の撮像装置１００では、半導体基板５０の裏面側が光照射面とされている。裏面側のアノード電極１３０は、画素分離部１５０に対応して設けられている。アノード電極１３０の厚さは、一例として５００ｎｍ以上とされ、低抵抗化な電極とされている。画素分離部１５０の間の画素領域に光電変換部１６０が設けられ、光電変換部１６０の裏面側の最表面は光が照射される光照射部とされている。画素領域は、画素分離部１５０の距離で規定され、縦横５μｍ以下の矩形の平面形状を有している。アノード電極１３０は、画素アレイ外で、深い不純物注入や金属の埋め込みなどによって形成されるコンタクト層１４０と接続され、表面側にその電位が取り出されている。表面側でコンタクト層１４０と接続された電極１４２に所定の電圧が印加されることで、アノード電極１３０には、コンタクト層１４０を介して所定の電圧が印加される。コンタクト層１４０は画素アレイを囲んで形成されているのが望ましい。コンタクト層１４０は、１か所でも良いし、複数に分割されていても良い。また、アノード電極１４０は、画素アレイ内で複数のコンタクト層１４０が形成されていても良い。電極取り出しのためのコンタクト層１４０が多いほど裏面側のアノード電極１３０内での電圧変動を抑えることができる。
　図２に示すように、画素アレイ内では画素分離部１５０によって画素が分離されている。図２では、画素アレイ内の１画素を示している。画素分離部１５０は、光電変換部１６０と不純物の極性を変えることにより形成されている。裏面側のアノード電極１３０は、画素分離部１５０の位置に対応して設けられ、図２では画素分離部１５０の直上に設けられている。画素分離部１５０は、高濃度の不純物注入により形成され、抵抗を十分に低くするために、アノード電極１３０は十分な厚さ、例えば５００ｎｍ以上とされている。このような構造にすることで、光電変換部１６０の空乏層を画素裏面側の最表面まで形成することができ、短波長の感度を十分に保つことができる。
　図２では、表面側にＮ型の不純物層を形成してカソード電極１００として、裏面側にＰ型の不純物層を形成してアノード電極１３０としている。カソード電極１００にはＮ型層（第１半導体層）１８０が接続されている。また、カソード電極１００の表側には電極１０２が接続されている。アノード電極１３０に接続されている光電変換部１６０は低濃度のＰ型であり、光電変換部（第３半導体層）１６０と接する高濃度のＰ型層（第２半導体層）１７０とカソードのＮ型層１８０との間で高電界になる増倍領域を形成している。また、画素分離部１５０として低濃度のＮ型層を用いている。なお、光電変換部１６０を設けずに、Ｐ型層１７０が光電変換部１６０の領域まで拡大されていても良い。
　なお、不純物層の導電型と濃度は一例であり、ＰとＮを入れ替えてアノードとカソードを逆の導電型にしても良い。また、高電界になる増倍領域の作り方は他にも様々な方法が考えられる。更に、増倍領域を分離するための不純物注入領域を設けたり、画素分離部１５０として埋め込み絶縁膜などを設けても良い。
　以上のように、本実施形態では、裏面照射型のＳＰＡＤにおいて、アノード電極１３０とカソード電極１００を基板の表面と裏面に有する。裏面側のアノード電極１３０は画素間分離領域１５０に設けられている。これにより、空乏層からなる光電変換部１６０を光照射面の最表面まで拡大できるため、短波長感度を大幅に高めることができる。画素が比較的大きい場合はアノード電極１３０が画素端に位置するため、画素内の電界が一定にならず画素中央部では空乏層が光電変換部１６０の表面まで広がりにくい場合もあるが、微細画素では画素端からの電位が画素中央にも届くため、裏面側のアノード電極１３０を画素分離部１５０に設ける構造を採用できる。
　図３は本実施形態の他の構成例を示す模式図であり、裏面側の画素表面に画素分離部１５０として遮光性を有する金属層１５２を使用した例である。これにより光による画素間干渉を低減しつつ、裏面のアノード電極１３０の抵抗も下げることができ、電圧変動による画素干渉をさらに抑制できる。金属層１５２は、タングステン（Ｗ）などの金属で構成することができる。この金属層１５２の直下に図２と同様の高濃度の不純物注入領域を設けてアノード電極１３０とする。金属層１５２と高濃度不純物領域からなるアノード電極１３０はコンタクトしていても良い。図３に示す構成例の場合も、図２と同様にアノード電極１３０は表面側に取り出されても良いが、裏面側でそのままボンディングパッドへ接続されても良い。
　画素分離部１５０は矩形の画素領域を囲むように格子状の平面形状を有する。このため、画素分離部１５０上に形成されるアノード電極１３０、アノード電極１３０上に形成される金属層１５２も、画素分離部１５０に倣った格子状の平面形状を有することができる。
　また、図３に示す例では、画素分離部１５０に遮光性のある埋め込み金属層１９０が表面側から埋め込まれている。埋め込み金属層１９０は、金属層１５２と同様にタングステン（Ｗ）などの金属で構成することができる。この場合、埋め込み金属層１９０と光電変換部１６０は絶縁膜１９４で分離されており、埋め込み金属層１９０は隣接する画素領域間で絶縁膜１９４に囲まれている。この構造では、画素領域の深い領域で起こる画素間干渉を抑制でき、且つ裏面側にアノード電極１３０を設けた微細化に有利な構造を組み合わせることができる。埋め込み金属層１９０は表面側から光電変換部１６０の途中まで埋め込まれていて、この埋め込み金属層１９０の直上に高濃度不純物領域を作り、裏面側のアノード電極１３０とする。
　図４に示す例では、図３に示す構成の埋め込み金属層１９０が裏面側から埋め込まれている。この場合、高濃度不純物領域からなるアノード電極１３０は埋め込み金属層１９０を囲むように画素領域内に形成されるが、埋め込み金属層１９０を設けたことによりアノード電極１３０の画素間での接続が遮断されるため、金属層１５２を画素分離部１５０上に設け、金属層１５２とアノード電極１３０をコンタクトして画素間でアノード電極１３０を接続する。金属１５２は、埋め込み金属層１９０とは絶縁されている。埋め込み金属層１９０は光電変換部１６０の一部のみに埋め込まれていても良いが、より好ましくは、画素領域の全体に埋め込まれている。この構造とすることで、光による画素間干渉を完全に遮断しつつ、電圧変動による画素間干渉も抑制して、微細化と高量子効率を達成でき、低ノイズな画素を実現することができる。
　以上のように、本実施形態では、アノード電極１３０が画素分離部１５０の位置に対応するように形成されている。なお、アノード電極１３０が画素分離部１５０の位置に対応するように形成されることは、図２のようにアノード電極１３０が画素分離部１５０の直上に形成される場合、図４のようにアノード電極１３０が画素分離部１５０の画素領域側に形成される場合、を含むものとする。また、アノード電極１３０は、画素分離部１５０の位置に対応するように形成されているが、画素分離部１５０の全てに対応して設けられていなくても良く、画素分離部１５０の一部のみに対応して設けられていても良い。
　３．本実施形態に係る撮像装置の他の構成例
　以下では、図２～図４に示した構成例を基に、本実施形態の幾つかのバリエーションについて説明する。図５に示す構成例は、図２に示す構成例に対して、画素領域の最表面にアノード電極１３０と連なる補助電極１３２を設けた例を示している。補助電極１３２は、アノード電極１３０と同じ導電型で形成されている。補助電極１３２の厚さは、一例として５０ｎｍ以下とされ、光電変換部１６０の領域を最大限確保できるようにしている。このように、画素内の裏面側の最表面には、高濃度の不純物注入により補助電極１３２を設けても良い。但し、画素内に不純物が注入された補助電極１３２の領域の厚さは十分に薄くし、例えば５０ｎｍ以下とすることが好適である。図５に示す例では、補助電極１３２上に絶縁層２００が設けられており、絶縁層２００を介して光電変換部１６０に光が照射される。補助電極１３２を設けることで、裏面側の光電変換部１６０の最表面の電位を一定にすることができ、空乏層の広がりや増倍領域の電界を画素内で均一化できる。この補助電極１３２は厚さが薄くて短波長感度には影響しない分、抵抗も高いが、画素分離部に設けたアノード電極１３０の抵抗が低いために、他の画素の電位変動は起きない。
　図６に示す構成例は、図２に示す構成例に対して、光電変換部１６０の最表面（光照射面）に絶縁層２００を設け、画素分離部１５０上の範囲で、絶縁層２００上に遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。また、図７に示す構成例は、画素分離部１５０上には絶縁膜２００を設けることなく、アノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。遮光性を有する金属層１５２を設けることで、光侵入経路を画素毎に区分することができる。図７に示す構成例によれば、アノード電極１３０と遮光性を有する金属層１５２を同電位にすることができる。
　図８に示す構成例は、図３に示した構成例において、遮光性を有する金属層１５２を設けることなく、光照射面に絶縁層２００を設けた例を示している。また、図９に示す構成例は、図３に示した構成例において、図６に示した構成例と同様に、絶縁層２００と遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。また、図１０に示す構成例は、図３に示した構成例において、図７に示した構成例と同様に、絶縁層２００と遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。
　また、図１１に示す構成例は、図４に示した構成例において、アノード電極１３０を画素分離部１５０よりも画素領域側に配置し、アノード電極１３０と画素分離部１５０上に設けた表面金属層２２０を接続した例を示している。アノード電極１３０は、隣接する画素領域のアノード電極１３０と表面金属層２２０によって接続される。このため、表面金属層２２０は、画素分離部１５０を跨ぐように形成されている。また、図１２に示す構成例は、図１に示した構成例に対し、埋め込み金属層１９０の長さを画素領域（光電変換部１６０）の深さ方向で短くした例を示している。
　４．アノード電極の外部への引き出し
　図１３～図１５は、アノード電極１３０と、アノード電極１３０と接続される電極１４２との位置関係を示す模式図である。ここで、電極１４２は画素アレイ外に設けられ、ボンディングパッド（引き出し電極）として機能する。図１３は、図２と同様にコンタクト層１４０を設けることで、コンタクト層１４０を介してアノード電極１３０を表面側に引き出し、コンタクト層１４０と表面側の電極１４２を接続した例を示している。なお、コンタクト層１４０は、画素アレイ周辺の回路に接続されていても良い。
　図１４に示す例は、アノード電極１３０と同じ裏面側に電極１４２を設け、アノード電極１３０と電極１４２を直接的に接続した例を示している。図１４に示す例では、ボンディングパッドとしての電極１４２が裏面側に設けられる。また、図１４において、アノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を設け、金属層１５２とボンディングパッドとしての電極１４２を接続しても良い。
　図１５に示す例は、図１３に示す例と同様に表面側に電極１４２を設けた例であるが、アノード電極１３０と接続される電極１５２を設け、電極１５２を介してコンタクト層１４０との接続を行った例を示す模式図である。
　５．アノード電極とコンタクト層との位置関係
　図１６及び図１７は、アノード電極１３０とコンタクト層１４０との位置関係を示す平面図であって、光照射面側（裏面側）から見た状態を示している。図１６及び図１７において、一点鎖線Ｒの内側は画素アレイ内の領域であり、一点鎖線Ｒの外側は画素アレイ外の領域である。図１６に示すように、画素アレイ内では、アノード電極１３０は画素分離部１５０に沿って設けられるため、アノード電極１３０は格子状の形状とされている。遮光性を有する金属層１５２を設ける場合は、図１６に示す格子状のアノード電極１３０に倣った形状の金属層１５２をアノード電極１３０上に設けることができる。遮光性を有する金属層１５２は、画素アレイ内の周辺に行くほどその位置を画素分離部１５０からずらすことで、瞳位置に応じた補正を行うことができ、遮光効果を高めることができる。特に、図６のように絶縁層２００を介してアノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を形成した場合は、金属層１５２とアノード電極１３０が一体化されていないため、画素アレイ内の周辺に行くほど金属層１５２の位置を画素分離部１５０（アノード電極１３０）からずらすことができる。画素アレイ外には、画素アレイを囲むようにコンタクト層１４０が設けられ、図２に示したように、アノード電極１３０はコンタクト層１４０を介して表面側に引き出されている。コンタクト層１４０を画素アレイ外の全周に設けることで、アノード電極１３０内での電圧変動を確実に抑えることができる。
　図１７は、図１６の構成に加えて、画素アレイ内にもコンタクト層１４０を設けた例を示している。図１７に示すように、画素アレイ内にもコンタクト層１４０を設けることで、アノード電極１３０の電位を更に安定させることが可能である。
　６．カラーフィルタ、レンズを含む構成例
　図１８は、図１２に示す構成において、光照射面の絶縁層２００上にカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃが設けられ、カラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃの更に上にオンチップレンズ４００が設けられた構成を示す概略断面図である。オンチップレンズ４００及びカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃを透過した光は、光電変換部１６０に照射される。なお、図１８において、図１２に示す画素分離部１５０の絶縁膜１９４は、光照射面の絶縁層２００と共通に設けられている。
　図１９は、図１８に示す光電変換部１６０と絶縁層２００との界面から光電変換部１６０側の領域を見た状態を示す模式図である。図１９に示すように、埋め込み金属層１９０と絶縁層２００（絶縁膜１９４）から画素分離部１５０が設けられ、画素分離部１５０によって光電変換部１６０からなる画素領域が画定されている。図１９に示す各光電変換部１６０において、アノード電極１３０は画素分離部１５０に沿って画素領域を囲むように設けられている。
　７．本実施形態に係る撮像装置の適用例
　図２０は、本技術を適用した電子機器としての、カメラ装置２０００の構成例を示すブロック図である。図２０に示すカメラ装置２０００は、レンズ群などからなる光学部２１００、上述した撮像装置（撮像デバイス）１０００、およびカメラ信号処理装置であるＤＳＰ回路２２００を備える。また、カメラ装置２０００は、フレームメモリ２３００、表示部（表示装置）２４００、記録部２５００、操作部２６００、および電源部２７００も備える。ＤＳＰ回路２２００、フレームメモリ２３００、表示部２４００、記録部２５００、操作部２６００および電源部２７００は、バスライン２８００を介して相互に接続されている。
　光学部２１００は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像装置１０００の撮像面上に結像する。撮像装置１０００は、光学部２１００によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
　表示部２４００は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro　Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、撮像装置１０００で撮像された動画または静止画を表示する。ＤＳＰ回路２２００は、撮像装置１０００から出力された画素信号を受け取り、表示部２４００に表示させるための処理を行う。記録部２５００は、撮像装置１０００で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやＤＶＤ(Digital　Versatile　Disk)等の記録媒体に記録する。
　操作部２６００は、ユーザによる操作の下に、撮像装置１０００が有する様々な機能について操作指令を発する。電源部２７００は、ＤＳＰ回路２２００、フレームメモリ２３００、表示部２４００、記録部２５００および操作部２６００の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
　８．本開示のバリエーション
　以下では、本開示を具体的に実施した場合に生ずる課題と、課題を解決するための実施例のバリエーションについて説明する。
　８．１．共通する構造
　最初に、各バリエーションで共通する基本構成について説明する。図２１Ａは、各バリエーションで共通する基本構成を示す概略断面図である。図２１Ａに示す撮像装置１０００は、ＳＰＡＤ画素としての増倍領域と光電変換を行う光電変換部（Ｎ－領域）１６０を備え、光電変換部１６０の裏面側の最表面は光が照射される光照射部とされている。
　図２１Ａに示すように、アノード電極１３０として機能する金属層１５２は、Ｐ領域７６０と電気的に接続されている。Ｐ領域７６０は、下層ほど不純物濃度が低くなるように構成されている。また、Ｐ領域７６０から画素分離部１５０に沿ってＰ領域７００、Ｐ－領域７１０が形成され、Ｐ領域７６０からアバランシュ部７２０までが電気的に接続されている。アバランシュ部７２０はＰ＋領域７３０とＮ＋領域７４０が接合されて構成されている。Ｐ領域７００は、アバランシュ部７２０で読み出したい電荷（電子）が通過するように、逆の電荷（ホール）を蓄積させることで構成されている。Ｐ－領域７１０は、アバランシュ部７２０に電荷が通過するよう、中央の電位を高くするため、低濃度の領域とすることが望ましい。
　Ｎ＋領域７４０は、Ｎ＋領域７５０を介して電極１０２と接続されている。また、Ｐ＋領域７３０とＮ＋領域７４０の側面には、Ｎ－領域７８０が形成されている。また、Ｎ＋領域７４０及びＮ－領域７８０と電気的に接続されるＰ＋層７９０が設けられ、Ｐ＋層７９０は電極８００を介して接地（ＧＮＤ）されている。なお、Ｐ＋層７９０は、Ｎ層であっても良い。また、Ｐ＋層７９０接続される配線層８２０などの電極が形成されていなくても良い。電極１０２は、入射した光に対応した信号を出力する電極である。一方、電極８００は、正孔（ホール）の排出用の電極である。なお、Ｐ＋層７９０及び電極８００は、設けられていなくても良い。電極１０２、電極８００、画素分離部１５０に設けられた埋め込み金属層１９０は、それぞれ配線層８２０と接続されている。なお、配線層８２０は、図１８に示す配線層のうち、最上層の一部の配線層を示している。なお、Ｐ＋層７９０は、Ｎ層であっても良い。また、Ｐ＋層７９０接続される配線層８２０などの電極は無くても良い。
　画素分離部１５０の側面とＰ領域７６０の上層には、絶縁膜（固定電荷膜）８１０が設けられている。絶縁膜８１０は、例えば負に帯電している。また、Ｐ領域７６０の上層の構成は、基本的に図１８に示した構成と同様である。なお、図２１Ａに示した構成において、Ｐ型とＮ型の導電型を入れ換えて撮像装置１０００を構成することもできる。
　以上のように構成された図２１Ａの撮像装置２０００において、Ｎ＋領域７４０及びＮ＋領域７５０は、図２に示したＮ型層１８０に対応する。また、Ｐ領域７６０、Ｐ領域７００、及びＰ－領域７１０は、光電変換部（第３半導体層）１６０、Ｐ型層１７０に対応する。
　以下で説明する各バリエーションにおいては、基本的に図２１Ａに示したＳＰＡＤ画素の構成を備えるものとし、これらの構成を基本構成として、図示は適宜省略する。また、各バリエーションにおいては、基本構成以外の構成を一部示すが、基本構成に適宜置き換えることが可能である。図２１Ｂは、図２１Ａにおいて、金属層１５２を図１８と同様の絶縁膜２００で覆った上で、カラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃを設けた例を示す概略断面図である。
　８．２．第１のバリエーション
　図３に示したように、画素分離部１５０に埋め込み金属層１９０を埋め込むことで、隣接する画素領域間の遮光性を高めることができ、画素領域の深い領域で起こる画素間干渉を抑制できる。第１のバリエーションは、アノード電極１３０を金属層１５２とし、埋め込み金属層１９０とアノード電極１３０（金属層１５２）を電気的に接続した構成に関する。
　図２２Ａは、第１のバリエーションの撮像装置１０００に関し、画素分離部１５０の近傍を詳細に示す概略断面図である。図２２Ａに示すように、画素分離部１５０を貫通するように埋め込み金属層１９０が設けられている。埋め込み金属層１９０は、金属層１５２を介して裏面側のＰ領域７６０と電気的に接続されている。埋め込み金属層１９０とアノード電極１３０としての金属層１５２を電気的に接続したことで、アノード電極の寄生抵抗を低下することができ、特に画素エリア中央部での電圧降下を低減することが可能となる。
　図２２Ｂ～図２２Ｈは、第１のバリエーションに係る撮像装置１０００の異なる態様を示す概略断面図である。図２２Ｂ～図２２Ｈのいずれの態様においても、埋め込み金属層１９０と金属層１５２とが電気的に接続されている。
　図２２Ｂは、画素分離部１５０上を金属層１５２で覆った例を示している。図２２Ｃは、図２２Ａに示すような表面側の埋め込み絶縁膜５１０を形成せずに、裏面から表面に至る画素分離部１５０の幅を一定にした例を示している。また、図２２Ｄは、図２２Ａに示す埋め込み絶縁膜５１０を掘り込んで凹部５２０を形成し、凹部５２０内に埋め込み金属層１９０と接続される埋め込み金属層５３０を形成した例を示している。また、図２２Ｅは、図２２Ａに示す構成において、絶縁膜１９４を設けずに埋め込み金属層１９０を形成した例を示す模式図である。図２２Ｅに示す構成では、埋め込み金属層１９０の上側の端面は絶縁膜８１０の上面よりも上に突出しているが、埋め込み金属層１９０の上側の端面が絶縁膜８１０の上面と同じ位置であっても良い。また、図２２Ｆは、図２２Ａに示す構成において、埋め込み金属層１９０が配線層８２０に接続されていない構成を示している。また、図２２Ｇは、図２２Ａに示す構成において、絶縁膜８１０を埋め込み絶縁膜５１０の下部まで延ばした構成を示している。また、図２２Ｈは、図２２Ａに示す構成において、埋め込み金属層１９０の側方に絶縁膜８１０を設けずに、高濃度のＰ層８３０を設けた構成を示している。高濃度のＰ層８３０は、後述する図２５の製造工程に示すＰ層５４４に対応する。図２２Ｈに示すように、絶縁膜８１０の代わりに高濃度のＰ層８３０を形成しても良い。なお、図２２Ｈにおいて、Ｐ領域７６０上に形成されている絶縁膜８１０を設けなくても良い。
　図２２Ａ～２２Ｃ，２２Ｅ，２２Ｇ，２２Ｈでは、金属層１５２の反対側で、埋め込み金属層１９０が配線層８２０に接続されている。埋め込み金属層１９０と配線層８２０を接続することで、アノード配線としての面積が拡大し、よりアノードの抵抗を下げることができる。
　また、埋め込み金属層１９０と配線層８２０を接続することで、隣接画素での光の漏れ込み、混色を更に抑制することができる。また、横方向に延在する配線層８２０または基板よりも深く形成された配線層８２０と埋め込み金属層１９０が接続されることで、下層の配線層８２０で反射して隣接画素に光が入射してしまうことを抑制できる。また、埋め込み金属層１９０と接続された横方向の配線層８２０で、斜めに入射した光を反射させることができ、検出したい画素に光を再入射させることもできる。
　また、光の入射面側（上側）で電荷（Ｐ型が収集する正孔（ホール））を排出することもできるし、下側で配線層８２０と接続していれば下側又は上下両方から電荷を排出することもできる。平面視では、上側の配線レイアウトと同様、下側の配線層８２０も任意に形成できる。
　図２３Ａ～図２３Ｇは、第１のバリエーションに係る撮像装置１０００の平面図である。図２３Ａに示す例は、図２２Ａの構成に対応し、金属層１５２は、埋め込み金属層１９０よりも広い幅で画素分離部１５０に沿って形成されている。図２３Ａ～図２３Ｇでは、金属層１５２の領域にドットを付して示しており、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを示している。図２３Ａに示す例は、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを１画素につき４箇所とした構成を示している。図２３Ｂに示す例は、図２２Ａの構成において、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを１画素につき１箇所とした構成を示している。図２３Ｃに示す例は、図２２Ａの構成において、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを埋め込み金属層１９０に沿った四辺に沿って設け、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃをリング状にした構成を示している。なお、図２３Ｃにおいて、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを埋め込み金属層１９０に沿った１辺のみとしても良い。図２３Ｄに示す例は、図２２Ｂの構成に対応している。図２３Ｄに示す例では、図２３Ａと同様に金属層１５２は埋め込み金属層１９０よりも広い幅で画素分離部１５０に沿って形成され、画素の四隅に、埋め込み金属層１９０と隣接してＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃが設けられている。図２３Ｅに示す例は、図２３Ｄにおいて、Ｐ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを１画素に１箇所のみ設けた構成を示している。図２３Ｆに示す例は、図２３Ｄにおいて、Ｐ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃの平面形状を三角形にした構成を示している。図２３Ｆの構成によれば、光が入射する金属層１５２の開口をより拡げることができる。なお、Ｐ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃの平面形状は、三角形以外の形状であっても良く、例えば円形であっても良い。図２３Ｇに示す例は、図２３Ｄにおいて、Ｐ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを埋め込み金属層１９０に沿って設けた例を示す模式図である。なお、図２３Ｇにおいて、金属層１５２がＰ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃを埋め込み金属層１９０に沿った１辺のみとしても良い。なお、図２３Ａ～図２３Ｇでは、平面構成において、金属層１５２は、Ｐ領域７６０と電気的に接続される部位Ｃ以外は、画素分離部１５０よりも光電変換部側に突出していない。
　以下、図２４に基づいて、第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図２４は、第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
　先ず、工程（１）では、Ｓｉ基板５２０にイオン注入と熱処理等を用いて必要なＮ層、Ｐ層を形成し、成膜等で所望の構造を形成し、画素を囲うように埋め込み絶縁膜の絶縁膜を埋め込んだ第１の層５２８を形成する。これにより、図２１Ａに示した各Ｎ領域、各Ｐ領域が形成される。なお、図２４において、各Ｎ領域、各Ｐ領域の図示は省略する。そして、絶縁膜を埋め込んだ第１の層５２８上にメタル層５３０を形成し、更に絶縁膜を形成することで第１の層５２８の中にメタル層５３０を埋め込んだ構造を得る。第１の層５２８の埋め込みは、酸化膜、窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層等、色々なバリエーションが考えられる。メタル層５３０はタングステン（Ｗ）等で形成するのが望ましい。なお、メタル層５３０を形成しなくても良い。
　次に、工程（２）では、必要な配線層を形成した上で、貼り合わせ等の手法により表裏面を反転させ、不要な層を除去する。次の工程（３）では、埋め込み絶縁膜に到達するようにＳｉ基板５２０をエッチングした上で、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等からなる絶縁膜５３２と、酸化膜等からなる絶縁膜５３４を成膜する。成膜はカバレッジの良い膜種を用いることが好適である。そして、工程（４）では、第１の埋め込み層５２８を貫通し、メタル層５３０に到達する溝（トレンチ）を形成し、メタル膜５３６を埋め込む。メタル膜５３６はタングステン（Ｗ）等で形成するのが望ましい。なお、Ｓｉ層５２６と第１の埋め込み層５２８を貫通させた後、絶縁膜５３２と絶縁膜５３４を成膜し、メタル層５３６を埋め込んでも良い。最後に、工程（５）では、絶縁膜２００を形成した後、裏面コンタクトを取る電極５３８を形成する。これらの工程により、裏面電極を備えた素子を製造する。なお、Ｎ層、Ｐ層が反転しても構わない。その場合は、絶縁膜５３２の種類を変更する。そして、絶縁膜２００及び電極５３８上に、図２１Ａに示したようなカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃ及びオンチップレンズ４００（図２４において不図示）を形成する。
　図２４に示した製造方法において、絶縁膜５３２の形成ではなく、表面側形成時に、固相拡散等を用いて、表側から裏面側に形成した第２の埋め込み層を高濃度のＰ層で囲んでも良い。図２５は、この場合の製造工程を示す模式図である。工程（１）において、Ｓｉ基板５２０にイオン注入と熱処理等を用いて必要なＮ層、Ｐ層を形成し、成膜等で所望の構造を形成する。これにより、図２１Ａに示した各Ｎ領域、各Ｐ領域が形成される。そして、Ｓｉ基板５２０に第２の層５４０を埋め込み、第２の層５４０の中にメタル膜５４２を埋め込む。第２の層５４０を埋め込む際に、固相拡散等を用いて第２の層５４０と隣接するＳｉ基板５２０に高濃度のＰ層５４４を形成する。
　次の工程（２）では、表裏面を反転させ、不要な層を除去する。その後、Ｓｉ基板５２０上に所定の絶縁膜を形成した後、図２４の工程（５）と同様に、裏面コンタクトを取る電極５３８を形成する。そして、絶縁膜２００及び電極５３８上に、図２１Ａに示したようなカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃ及びオンチップレンズ４００（図２４において不図示）を形成する。
　図２４及び図２５に示す工程図において、絶縁膜５３２は図２２Ａ～図２２Ｆの絶縁膜８１０に相当し、メタル層５３６は図２２Ａ～図２２Ｆの埋め込み金属層１９０に相当し、電極５３８は金属層１５２（アノード電極）に相当する。埋め込み金属層１９０と金属層１５２は同一の材料で形成しても良く、例えばタングステン（Ｗ）などの金属で形成することができる。
　第１のバリエーションによれば、アノード電極１３０として機能する金属層１５２が、光電変換部１６０のＰ領域７６０と電気的に接続されていることにより、アノード配線の寄生抵抗を低減することが可能となる。アノード電極１３０として機能する金属層１５２が、光電変換部１６０のＰ領域７６０と電気的に接続されていることにより、画素領域の中央での電圧降下を抑制することができる。
　８．３．第２のバリエーション
　第１のバリエーションにおいて、Ｐ領域７６０と接続される金属層１５２（アノード電極）は、図２３に示したように、画素分離部１５０に沿って形成されている。このため、Ｐ領域７６０と金属層１５２との接触面積を十分に確保することができ、Ｐ領域７６０と金属層１５２との間のコンタクト抵抗を低減することができる。一方、この構成の場合、各画素の光電変換部は、画素分離部１５０の内側に形成された配線層５００によって縮小される。
　第２のバリエーションでは、第１のバリエーションと同様に、埋め込み金属層１９０と金属層１５２を電気的に接続する。そして、金属層１５２とＰ領域７６０との接続部において、Ｐ領域７６０を掘り込むことでコンタクト面積が増大し、コンタクト抵抗を低減できる。また、Ｐ領域７６０を掘り込むことでコンタクト面積が増大した分だけ画素分離部１５０の内側における配線層５００の占有面積を抑え、各画素の光電変換部の領域を最大限確保すれば、コンタクト抵抗が増大することなく撮像装置１０００の感度をより向上することができる。
　図２６は、第２のバリエーションに係る撮像装置１０００を示す概略断面図である。図２６において、Ｐ領域７６０と接続される金属層１５２のコンタクト部１５２ａは、Ｐ領域７６０に堀られた領域に充填されている。これにより、コンタクト領域がコンタクト部１５２ａの側壁にも形成されるため、コンタクト面積が増大し、コンタクト抵抗を低減することができる。Ｐ領域７６０に掘られた領域は、溝形状、ホール形状、画素間に彫り込んで形成された溝と繋がっている形状など、複数の形状が考えられる。平面構成において、金属層１５２は、コンタクト部１５２ａが形成された領域以外は、画素分離部１５０よりも光電変換部側に突出していない。コンタクト部１５２ａの長さをより長くすることで、コンタクト部１５２ａとＰ領域７６０との接触面積が増大し、コンタクト抵抗を低減できる。
　第２のバリエーションによれば、金属層１５２とＰ領域７６０との接続をコンタクト部１５２ａによって行うことで、光電変換部の領域をより広く確保することが可能となる。
　８．４．第３のバリエーション
　第３のバリエーションでは、埋め込み金属層１９０と接続された金属層１５２をＰ領域７６０に接続する際に、画素分離部１５０の絶縁膜８１０を後退させることで、金属層１５２とＰ領域７６０のコンタクト抵抗を低減する。
　図２７は、第３のバリエーションに係る撮像装置１０００を示す概略断面図である。図２７に示す構成において、画素分離部１５０の絶縁膜１９４に沿って絶縁膜８１０が形成されている。画素分離部１５０に沿った絶縁膜８１０の上端の位置は、画素分離部１５０の絶縁膜１９４の上端よりも低い位置まで後退している。図２７に示す距離ｄ１は、絶縁膜７００の下方向への後退量を示している。
　図２８は、図２７に示す領域Ａ１の範囲を拡大して示す模式図であって、金属層１５２の充填前と充填後の状態をそれぞれ示している。図２８では、絶縁膜８１０の近傍をより詳細に示している。絶縁膜８１０と隣接して、タンタルオキサイド（Ｔａ２Ｏ５）等から形成される膜１９３と絶縁膜１９２が形成されている。膜１９３は、スパッタ法により形成されるため、カバレッジが比較的低く、溝７０１の側壁には形成されていない。一方、絶縁膜１９２はＣＶＤ等により形成され、カバレッジが良好であるため、溝７０１の側壁にも形成される。図２８の左側に示す金属層１５２の充填前の状態は、画素分離部１５０に埋め込み金属層１９０を充填する溝７０１を形成し、画素分離部１５０の上部に開口７０２を形成した状態を示している。この状態では、溝７０１に埋め込み金属層１９０は充填されておらず、また、開口７０２に金属層１５２は充填されていない。図２８に示す破線は、絶縁膜８１０を後退させる前の開口７０２の範囲を示している。破線に示す範囲で開口７０２を形成した後、洗浄工程により絶縁膜８１０を後退させる。絶縁膜７００は垂直方向に距離ｄ１だけ後退し、水平方向に距離ｄ２だけ後退する。一例として、後退量は、数ｎｍから数十ｎｍ程度である。
　その後、図２８の右側に示す充填後の状態に示すように、溝７０１を充填するように埋め込み金属層１９０を形成し、開口７０２を充填するように金属層１５２を形成する。これにより、Ｐ領域７６０と接続される金属層１５２の領域は、絶縁膜８１０が後退した分だけ広がることになり、Ｐ領域７６０と金属層１５２との間のコンタクト抵抗を低減することができる。なお、図２７及び図２８に示す例では、金属層１５２と埋め込み金属膜１９０は一体的に形成される。
　以上のように、絶縁膜８１０を後退させたことにより、Ｐ領域７６０と金属層１５２の接触領域を拡大することができる。従って、図２７に示す第３のバリエーションの構成によれば、Ｐ領域７６０と金属層１５２との間のコンタクト抵抗をより低減することが可能となる。
　図２９は、第３のバリエーションの別の例を示す概略断面図である。図２９に示す構成では、金属層１５２のＰ領域７６０とのコンタクトが、画素分離部１５０から離間した位置で行われている。
　図３０は、図２９に示す領域Ａ２の範囲を拡大して示す模式図である。図３０に示す破線は、絶縁膜８１０を後退させる前の開口７０４の範囲を示している。破線に示す範囲で開口７０４を形成した後、洗浄工程により絶縁膜８１０を距離ｄ２だけ水平方向に後退させる。
　その後、開口７０４を充填するように金属層１５２を形成する。これにより、金属層１５２とＰ領域７６０とが接触する領域は、絶縁膜８１０が水平方向に後退した分だけ広がることになり、金属層１５２とＰ領域７６０との間のコンタクト抵抗を低減することができる。
　以下、図３１に基づいて、第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図３１は、第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
　図２４の工程（１）～（２）と同様の工程を行った後、図３１の工程（４）では、埋め込み絶縁膜に到達するようにＳｉ層９２６をエッチングした上で、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等からなる絶縁膜８１０と、酸化膜等からなる絶縁膜９３４を成膜する。成膜はカバレッジの良い膜種を用いることが好適である。
　次に、工程（５）では、第１の埋め込み層９２８を貫通し、メタル層９３０に到達する溝を形成する。更に、工程（５）では、開口７０２を形成した後、洗浄を行う。これにより、図２８で説明したように、絶縁膜８１０が下方向及び水平方向に後退する。例えば、絶縁膜８１０を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等で形成した場合、ＤＨＦの無機薬液や加工後洗浄で使用する一般的な有機薬液を用い、絶縁膜８１０を数ｎｍ～数十ｎｍ程度後退させる。
　次に、工程（６）では、メタル膜９３６を埋め込む。メタル膜９３６はタングステン（Ｗ）等で形成するのが望ましい。メタル成膜の形成方法としてスパッタやＣＶＤ等を用いることができるが、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の方がカバレッジには有利である。これにより、工程（５）で形成した溝内、開口７０２内を含む領域にメタル層９３６が充填される。メタル層９３６は、絶縁膜８１０を後退させた部分にも充填される。充填されたメタル層９３６は、埋め込み金属層１９０及び金属層１５２に相当する。また、Ｐ層９２４は図２７のＰ領域７６０に相当する。その後、図２１Ａに示したようなカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃ及びオンチップレンズ４００（図３１において不図示）を形成する。
　以上のように、工程（５）の洗浄工程で絶縁膜８１０が下方向及び水平方向に後退する。そして、工程（６）でメタル層９３６を充填することにより、絶縁膜８１０を後退させた部分にメタル層９３６が充填されるため、メタル層９３６とＰ領域７６０との接触面積が拡大され、コンタクト抵抗が低減される。なお、図２９に示す構成の場合、工程（５）において、開口７０４を画素分離部１５０から離間した位置に形成すれば良い。
　図３２は、図３１の工程（５）において、溝内の第１の埋め込み層９２８の上に形成された絶縁膜８１０が後退することに伴い、この部分に絶縁膜を更に形成する例を示す概略断面図である。
　図３３は、図３２に示す工程（５－１）、工程（５－２）において、領域Ａ３を拡大して示す断面図である。第１の埋め込み層９２８を貫通し、メタル層９３０に到達する溝を形成した後、洗浄工程を行うことにより、第１の埋め込み層９２８上に絶縁膜８１０が露出しているため、図３３の左側の図に示すように、第１の埋め込み層９２８上で絶縁膜８１０が後退する。この後退により画素分離部１５０の耐圧が低下する可能性があるため、図３２では、工程（５－２）において、コンタクトホール内に絶縁膜９５０を形成し、第１の埋め込み層９２８上でコンタクトホール内に露出している絶縁膜８１０を絶縁膜９５０で覆う。この際、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの手法を用い、耐圧の高い絶縁膜９５０を形成することが好適である。これにより、図３３の右側の図に示すように、第１の埋め込み層９２８上で絶縁膜８１０が絶縁膜９５０で覆われた状態となる。ドライエッチング等によるエッチバックを行うことで、絶縁膜８１０が後退した部位の絶縁膜９５０を残し、不要な部位の絶縁膜を除去することができる。
　その後、工程（５－３）では、開口７０２を形成して洗浄工程を行うことにより、図３１に示す工程（５）と同様に、絶縁膜８１０を下方向及び水平方向に後退させる。その後の工程は、図３１と同様である。
　以上のように、第３のバリエーションによれば、絶縁膜８１０を後退させることにより、金属層１５２とＰ領域７６０との接触面積を拡大することができ、コンタクト抵抗を低減することが可能となる。また、図３２及び図３３に示したように、コンタクト部ではない画素分離部１５０の側壁の絶縁膜８１０を後退させ、絶縁膜を埋め込むことで、耐圧を向上することが可能である。
　９．撮像装置以外への適用例
　本開示は、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ　Ｏｆ　Ｆｌｉｇｈｔ）センサーなど、光を検出する他の装置へ適用することもできる。ＴＯＦセンサーへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサー、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサーへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサーでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを送信し、高速に応答する受信機で電気的パルスを生成する。その際の受信機に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような半導体構造としても適用することが可能である。ＴＯＦセンサーへ適用する場合は、図１８に示したようなカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃとオンチップレンズ４００を設けることは任意であり、これらを設けなくても良い。
　１０．電子デバイスの構成例
　図３４は、上述した撮像装置１０００を含む電子デバイス３０００の構成を示す模式図である。図３４に示す電子デバイス３０００は、複数の光電変換部１６０が配置されて成るセンサ部３０１０を有する第１半導体チップ３１００と、光電変換部１６０によって取得された信号を処理する信号処理部３０２０を有する第２半導体チップ３２００と、を備えている。第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００とは積層されている。また、信号処理部３０２０と近接して、電子デバイス３０００を制御する制御部３０３０、光電変換部１６０によって取得された信号を記憶するメモリ部３０４０が設けられている。制御部３０３０は、信号処理部３０２０の制御以外にも、例えば光電変換部１６０の近傍に、他の駆動や制御の目的で配置することができる。制御部３０３０は、図示した配置以外にも、第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００の任意の領域に、任意の機能を有するように設けることができる。なお、複数の光電変換部１６０は、２次元マトリクス状（行列状）に配置されている。また、図３４においては、説明の関係上、第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００とを分離した状態で図示している。
　１１．移動体への応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図３５は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３５に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced　Driver　Assistance　System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３５の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図３６は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図３６では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図３６には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。
　１２．内視鏡手術システムへの応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図３７は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図３７では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ:　Camera　Control　Unit）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）やＧＰＵ（Graphics　Processing　Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light　emitting　diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow　Band　Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図３８は、図３７に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto　Exposure）機能、ＡＦ（Auto　Focus）機能及びＡＷＢ（Auto　White　Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２に適用され得る。
　なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
　本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　例えば、本明細書に記載された材料例の化学式は一例であって、化学式が記載のものから変更されても良い。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）　半導体基板に形成された第１半導体層と、
　前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、
　前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、
　前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、
　前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において前記画素分離部に埋め込まれた金属層と、
　を備える、撮像装置。
（２）　前記光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極を備え、
　前記金属層は、前記第２電極を介して前記第２半導体層と電気的に接続された、請求項１に記載の撮像装置。
（３）　前記第２電極は、前記画素領域の周縁に沿って形成された、前記（２）に記載の撮像装置。
（４）　前記第２電極は、前記画素領域の周縁の一部の領域に形成された、前記（２）に記載の撮像装置。
（５）　前記第２電極は、矩形の前記画素領域の四隅の少なくとも１箇所に形成された、前記（４）に記載の撮像装置。
（６）　前記第２電極は、前記第２半導体層に形成された孔に埋め込まれた、前記（４）又は（５）に記載の撮像装置。
（７）　前記第２電極と前記金属層が同一の材料で形成された、前記（２）～（６）のいずれかに記載の撮像装置。
（８）　前記画素分離部及び前記光照射面に沿って形成された絶縁膜を備え、
　前記第２電極は前記第２半導体層に設けられた開口に埋め込まれ、前記絶縁膜の端部が前記開口の壁面よりも後退した領域が設けられ、前記領域に前記第２電極が充填されている、前記（２）～（７）のいずれかに記載の撮像装置。
（９）　前記画素分離部に沿って形成された絶縁膜を備え、
　前記絶縁膜の端部が前記画素分離部の厚さ方向に後退した領域が設けられ、前記領域に絶縁膜が充填されている、前記（１）～（８）のいずれかに記載の撮像装置。
（１０）　前記第１電極と前記第２電極の間に電子増倍のための電圧が印加される、前記（２）に記載の撮像装置。
（１１）　前記第２半導体層上に形成された前記第２半導体層と同じ導電型の第３半導体層を備える、前記（１）～（１０）のいずれかに記載の撮像装置。
（１２）　前記第２電極は、前記画素分離部の上面に設けられた、前記（２）に記載の撮像装置。
（１３）　前記画素分離部及び前記第２電極は、複数の前記画素領域を囲む格子状の平面形状を有する、前記（２）に記載の撮像装置。
　１００　　カソード電極（第２電極）
　１３０　　アノード電極（第１電極）
　１３２　　補助電極
　１４０　　コンタクト層
　１５０　　画素分離部
　１５２　　金属層
　１６０　　光電変換部（第３半導体層）
　１７０　　Ｐ型層（第２半導体層）
　１８０　　Ｎ型層（第１半導体層）
　１９０　　埋め込み金属層
　７６０　　Ｐ領域

Claims (13)

  1. 　半導体基板に形成された第１半導体層と、
    　前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、
    　前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、
    　前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、
    　前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において前記画素分離部に埋め込まれた金属層と、
    　を備える、撮像装置。
  2. 　前記光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極を備え、
    　前記金属層は、前記第２電極を介して前記第２半導体層と電気的に接続された、請求項１に記載の撮像装置。
  3. 　前記第２電極は、前記画素領域の周縁に沿って形成された、請求項２に記載の撮像装置。
  4. 　前記第２電極は、前記画素領域の周縁の一部の領域に形成された、請求項２に記載の撮像装置。
  5. 　前記第２電極は、矩形の前記画素領域の四隅の少なくとも１箇所に形成された、請求項４に記載の撮像装置。
  6. 　前記第２電極は、前記第２半導体層に形成された孔に埋め込まれた、請求項４に記載の撮像装置。
  7. 　前記第２電極と前記金属層が同一の材料で形成された、請求項４に記載の撮像装置。
  8. 　前記画素分離部及び前記光照射面に沿って形成された絶縁膜を備え、
    　前記第２電極は前記第２半導体層に設けられた開口に埋め込まれ、前記絶縁膜の端部が前記開口の壁面よりも後退した領域が設けられ、前記領域に前記第２電極が充填されている、請求項２に記載の撮像装置。
  9. 　前記画素分離部に沿って形成された絶縁膜を備え、
    　前記絶縁膜の端部が前記画素分離部の厚さ方向に後退した領域が設けられ、前記領域に絶縁膜が充填されている、請求項１に記載の撮像装置。
  10. 　前記第１電極と前記金属層の間に電子増倍のための電圧が印加される、請求項１に記載の撮像装置。
  11. 　前記第２半導体層上に形成された前記第２半導体層と同じ導電型の第３半導体層を備える、請求項１に記載の撮像装置。
  12. 　前記第２電極は、前記画素分離部の上面に設けられた、請求項２に記載の撮像装置。
  13. 　前記画素分離部及び前記第２電極は、複数の前記画素領域を囲む格子状の平面形状を有する、請求項２に記載の撮像装置。
PCT/JP2019/036358 2018-09-21 2019-09-17 撮像装置 Ceased WO2020059702A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020548506A JP7436373B2 (ja) 2018-09-21 2019-09-17 撮像装置
US17/250,834 US12100722B2 (en) 2018-09-21 2019-09-17 Imaging device with improved short-wavelength sensitivity
DE112019004720.5T DE112019004720T5 (de) 2018-09-21 2019-09-17 Bildgebungsvorrichtung
KR1020217006809A KR102716767B1 (ko) 2018-09-21 2019-09-17 촬상 장치
CN201980059490.3A CN112673484B (zh) 2018-09-21 2019-09-17 摄像装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-177893 2018-09-21
JP2018177893 2018-09-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020059702A1 true WO2020059702A1 (ja) 2020-03-26

Family

ID=69887116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/036358 Ceased WO2020059702A1 (ja) 2018-09-21 2019-09-17 撮像装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12100722B2 (ja)
JP (1) JP7436373B2 (ja)
KR (1) KR102716767B1 (ja)
CN (1) CN112673484B (ja)
DE (1) DE112019004720T5 (ja)
TW (1) TWI814902B (ja)
WO (1) WO2020059702A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111968999A (zh) * 2020-09-08 2020-11-20 上海大芯半导体有限公司 堆栈式背照单光子雪崩二极管图像传感器
CN114497096A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 佳能株式会社 光电转换设备、光电转换系统和可移动体
WO2022138467A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
IT202100009443A1 (it) * 2021-04-14 2022-10-14 Fond Bruno Kessler Un sensore di radiazioni
WO2022219515A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Fondazione Bruno Kessler A diode radiation sensor
WO2022219516A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Fondazione Bruno Kessler A diode radiation sensor
JP2023002152A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法
JP2023154356A (ja) * 2022-04-06 2023-10-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置ならびに撮像装置
WO2023234070A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置
JP2023178686A (ja) * 2022-06-06 2023-12-18 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10777597B2 (en) * 2017-03-22 2020-09-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device
TWI807248B (zh) * 2021-01-22 2023-07-01 財團法人國家實驗研究院 具有增強感光效果之聚光結構
US20230317758A1 (en) * 2022-04-04 2023-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Isolation structures in image sensors
JP2023178687A (ja) * 2022-06-06 2023-12-18 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム
US20250248139A1 (en) * 2024-01-26 2025-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Enhanced channel structure for heterojunction semiconductor devices

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08130309A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Ricoh Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2008294454A (ja) * 2008-06-13 2008-12-04 Hamamatsu Photonics Kk ホトダイオードアレイおよびその製造方法
JP2014225647A (ja) * 2013-04-01 2014-12-04 オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド バイアス深溝分離部を有する高度光子検出装置
US20160099371A1 (en) * 2014-10-03 2016-04-07 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure
WO2016143531A1 (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 ソニー株式会社 撮像素子及びその製造方法、並びに電子機器
WO2018057975A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 Apple Inc. Stacked backside illuminated spad array
JP2018088488A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップおよび電子機器
JP2018093126A (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、撮像素子および電子機器
JP2018137284A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、固体撮像装置及び電子装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004079825A1 (ja) * 2003-03-06 2004-09-16 Sony Corporation 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の駆動方法
US8519503B2 (en) * 2006-06-05 2013-08-27 Osi Optoelectronics, Inc. High speed backside illuminated, front side contact photodiode array
KR101016474B1 (ko) * 2008-09-11 2011-02-24 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP4846811B2 (ja) 2009-02-03 2011-12-28 シャープ株式会社 光スポット位置検出装置およびそれを含む光デバイス、並びに、その光デバイスを含む電子機器
JP5132641B2 (ja) * 2009-08-25 2013-01-30 株式会社東芝 固体撮像装置の製造方法
JP6090060B2 (ja) 2013-08-23 2017-03-08 株式会社豊田中央研究所 シングルフォトンアバランシェダイオード
US9431452B1 (en) * 2015-05-13 2016-08-30 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor pixel with dielectric layer reflecting ring
US9570494B1 (en) * 2015-09-29 2017-02-14 Semiconductor Components Industries, Llc Method for forming a semiconductor image sensor device
US10777597B2 (en) * 2017-03-22 2020-09-15 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08130309A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Ricoh Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2008294454A (ja) * 2008-06-13 2008-12-04 Hamamatsu Photonics Kk ホトダイオードアレイおよびその製造方法
JP2014225647A (ja) * 2013-04-01 2014-12-04 オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド バイアス深溝分離部を有する高度光子検出装置
US20160099371A1 (en) * 2014-10-03 2016-04-07 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure
WO2016143531A1 (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 ソニー株式会社 撮像素子及びその製造方法、並びに電子機器
WO2018057975A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 Apple Inc. Stacked backside illuminated spad array
JP2018088488A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップおよび電子機器
JP2018093126A (ja) * 2016-12-07 2018-06-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、撮像素子および電子機器
JP2018137284A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、固体撮像装置及び電子装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111968999A (zh) * 2020-09-08 2020-11-20 上海大芯半导体有限公司 堆栈式背照单光子雪崩二极管图像传感器
CN111968999B (zh) * 2020-09-08 2025-01-21 上海大芯半导体有限公司 堆栈式背照单光子雪崩二极管图像传感器
JP7551589B2 (ja) 2020-10-28 2024-09-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム
CN114497096A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 佳能株式会社 光电转换设备、光电转换系统和可移动体
JP2022071828A (ja) * 2020-10-28 2022-05-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム
EP3993042A3 (en) * 2020-10-28 2022-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system
CN114497096B (zh) * 2020-10-28 2026-03-17 佳能株式会社 光电转换设备、光电转换系统和可移动体
JP7791267B2 (ja) 2020-10-28 2025-12-23 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム
US12324265B2 (en) 2020-10-28 2025-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system
JP2024163157A (ja) * 2020-10-28 2024-11-21 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム
JPWO2022138467A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30
JP7767319B2 (ja) 2020-12-25 2025-11-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
US12484330B2 (en) 2020-12-25 2025-11-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device
WO2022138467A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
WO2022219516A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Fondazione Bruno Kessler A diode radiation sensor
WO2022219515A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Fondazione Bruno Kessler A diode radiation sensor
IT202100009443A1 (it) * 2021-04-14 2022-10-14 Fond Bruno Kessler Un sensore di radiazioni
JP2023002152A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法
JP2023154356A (ja) * 2022-04-06 2023-10-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置ならびに撮像装置
WO2023234070A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置
JP2023178686A (ja) * 2022-06-06 2023-12-18 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20220052092A1 (en) 2022-02-17
CN112673484A (zh) 2021-04-16
KR20210060456A (ko) 2021-05-26
TW202021040A (zh) 2020-06-01
KR102716767B1 (ko) 2024-10-15
US12100722B2 (en) 2024-09-24
DE112019004720T5 (de) 2021-06-02
JPWO2020059702A1 (ja) 2021-08-30
CN112673484B (zh) 2025-02-25
TWI814902B (zh) 2023-09-11
JP7436373B2 (ja) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7436373B2 (ja) 撮像装置
US20240266381A1 (en) Imaging element and semiconductor element
KR102787253B1 (ko) 촬상 장치 및 신호 처리 장치
WO2022065131A1 (ja) 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法
US20240379709A1 (en) Light detection device, method of manufacturing light detection device, and electronic equipment
US20250133847A1 (en) Imaging apparatus and electronic device
US20240038807A1 (en) Solid-state imaging device
WO2021124974A1 (ja) 撮像装置
US20240088191A1 (en) Photoelectric conversion device and electronic apparatus
US20220344390A1 (en) Organic cis image sensor
US20200286936A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP7699548B2 (ja) 光検出器
WO2019181466A1 (ja) 撮像素子、電子機器
WO2021045139A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2019134229A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP7759387B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20260090117A1 (en) Imaging device and electronic apparatus
US20260059875A1 (en) Photodetection device
WO2024057814A1 (ja) 光検出装置および電子機器
KR20250028350A (ko) 촬상 소자 및 전자 기기
WO2024241851A1 (ja) 光検出装置、電子機器
WO2023021740A1 (ja) 撮像素子、撮像装置、製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19862508

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020548506

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217006809

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19862508

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 201980059490.3

Country of ref document: CN