TW202021040A - 攝像裝置 - Google Patents

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Abstract

根據本揭示，提供一種攝像裝置，其具備：第1半導體層(180)，其形成於半導體基板；第2半導體層(170)，其形成於前述第1半導體層(180)上，與前述第1半導體層(180)為逆導電型；像素分離部(150)，其區劃包含前述第1半導體層(180)及前述第2半導體層(170)之像素區域；第1電極(130)，其自前述半導體基板之一個面側與前述第1半導體層(180)連接；及金屬層(152)，其自前述半導體基板之另一個面即光照射面側與前述第2半導體層(170)連接，且於前述半導體基板之厚度方向之至少一部分處埋入前述像素分離部(150)。

Description

攝像裝置
本揭示係關於一種攝像裝置。
先前，例如於下述之專利文獻1中，記載有在SPAD(Single Photon Avalanche Diode，單光子雪崩二極體)之構成中，具備：第1半導體層，其係具有第1導電型之第1埋入層；及第2半導體層，其於第1半導體層下，且具有與第1導電型相反之第2導電型；並且第2半導體層被埋入磊晶層，藉由施加偏置電壓而使第2半導體層完全地空乏層化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-41746號公報
[發明所欲解決之問題]
在SPAD之技術中，可藉由施加高電壓之偏置電壓而進行電子倍增，而將光入射提取為大信號。然而，在專利文獻1記載之構成中，由於將施加高電壓之1對電極排列地設置於基板之表面，故為了謀求雜訊之減少或光電轉換效率之提高，而需要將1對電極間確實地絕緣。特別是，愈推進細微化則1對電極間之絕緣愈加困難，而難以兼顧細微化與雜訊之減少或光電轉換效率之提高等。
又，在將1對電極設置於基板之表面側與背面側之情形下，於光照射面設置由透明電極或雜質層形成之電極，但在設置透明電極之情形下，有在與基板之接觸部產生雜訊之情形。又，在由雜質層形成電極之情形下，需要注入高濃度之雜質，而無法於雜質層之區域形成空乏層，但為了將電極低電阻化而需要確保雜質層之厚度，在該情形下，存在特別是短波長之光之感度降低之問題。
因此，謀求實現像素之細微化與低雜訊化及高量子效率，且在抑制像素間之干擾及每個像素之不一致下改善短波長之感度。 [解決問題之技術手段]
根據本揭示，提供一種攝像裝置，其具備：第1半導體層，其形成於半導體基板；第2半導體層，其形成於前述第1半導體層上，與前述第1半導體層為逆導電型；像素分離部，其區劃包含前述第1半導體層及前述第2半導體層之像素區域；第1電極，其自前述半導體基板之一個面側與前述第1半導體層連接；及金屬層，其自前述半導體基板之另一個面即光照射面側與前述第2半導體層連接，且於前述半導體基板之厚度方向之至少一部分處埋入前述像素分離部。 [發明之效果]
如以上所說明般，根據本揭示，能夠實現像素之細微化與低雜訊化及高量子效率，且在抑制像素間之干擾及每個像素之不一致下改善短波長之感度。 此外，上述之效果不一定為限定性之效果，本發明可發揮上述之效果，且可替代上述之效果而發揮本說明書所示之任一效果、或發揮根據本說明書可掌握之其他之效果。
以下，一面參照附圖一面對於本揭示之較佳之實施方式詳細地進行說明。再者，在本說明書及圖式中，對於在實質上具有相同之功能構成的構成要件，藉由賦予相同之符號而省略重複說明。
又，說明按照以下之順序進行。 1.成為前提之技術 2.本實施形態之攝像裝置之構成例 3.本實施形態之攝像裝置之又一構成例 4.陽極電極之朝外部之引出 5.陽極電極與接觸層之位置關係 6.包含彩色濾光器、透鏡之構成例 7.本實施形態之攝像裝置之應用例 8.本揭示之變型 8.1.共通之構造 8.2.第1變型 8.3.第2變型 8.4.第3變型 9.針對攝像裝置以外之應用例 10.電子器件之構成例 11.針對移動體之應用例 12.針對內視鏡手術系統之應用例
1.成為前提之技術 具有藉由電子倍增而實現具有1光子級別之讀出感度之光電二極體之SPAD(Single Photon Avalanche Diode，單光子雪崩二極體)之技術。在SPAD中，由於為了引起倍增而需要±數10 V左右之高電壓，故難以進行雜質之注入設計，而難以兼顧細微化與雜訊之降低或光電轉換效率之提高。因此，存在如圖1所示般，將SPAD光電二極體設為背面照射型，於背面側設置一個陽極電極1130，藉由施加高電壓而解決橫方向電場緩和之問題，且作出深的空乏層之技術。在圖1所示之構成中，在與P型光電轉換部1160相接之高濃度之P型層(第2半導體層)1170與陰極之N型層(第1半導體層)1180之間形成成為高電場之倍增區域。於陰極電極1100連接有N型層1180。於陰極電極1100之表側連接有電極1102。
陽極電極1130被取出於表面側，但為了在朝表面側之接觸部與陰極電極1100之間緩和電場，而需要將接觸部與陰極電極1100之間充分地隔開。因此，在圖1所示之構成中，於像素陣列之外側設置接觸層1140，其與陽極電極1130連接而將陽極電極1130引出至表面側。
另一方面，為了如圖1所示般設置為背面構造，且於背面側之照射面形成陽極電極1130，而需要將透明電極用作陽極電極1130。在利用ITO等之透明電極形成陽極電極1130並與光電轉換部1160接觸之方法中，在陽極電極1130與光電轉換部1160之接觸部產生雜訊。因此，有在光電二極體最表面、亦即光電轉換部1160之最表面注入高濃度之雜質而形成電極之情形。然而，若於光電轉換部1160進行高濃度之雜質注入，則在該部分無法形成空乏層，而無法在光電二極體最表面進行光電轉換，故短波長光之量子效率降低。因此，需要減薄形成於光電轉換部1160之最表面之高濃度之雜質部分，但若減薄高濃度之雜質部分則電阻變高。特別是，當於像素陣列之外側設置接觸層1140而進行朝背面側之陽極電極1130之接觸之情形下，雖然對於細微化有利，但接觸層1140至像素之電性阻值變高，當在SPAD流動有特有大小之倍增電流時，電壓會變動。該變動亦會影響其他像素，而引起如改變其他像素之特性之像素間干擾。
鑒於以上之點，在本實施形態中採用可實現細微像素之背面電極構造，且抑制因在電極內之電壓變動所致之像素間干擾，進而，特別是改善短波長側之量子效率。
2.本實施形態之攝像裝置之構成例 圖2係顯示本揭示之一實施形態之攝像裝置(SPAD光電二極體)1000之示意圖。在圖2所示之構成中，具備作為SPAD像素之倍增區域與進行光電轉換之光電轉換部160，且具有陰極電極100與陽極電極130。圖2所示之構成係背面照射型像素，光電二極體之基板被薄壁化為10 μm以下，且被施加有高電壓之1對電極中之一個陽極電極130設置於背面側。再者，所謂半導體基板50之表面側係於半導體基板50上形成有配線層之側，在本實施形態之攝像裝置100中，將半導體基板50之背面側作為光照射面。背面側之陽極電極130與像素分離部150對應地設置。陽極電極130之厚度作為一例被設為500 nm以上，而形成低電阻化之電極。於像素分離部150之間之像素區域設置有光電轉換部160，光電轉換部160之背面側之最表面設為供光照射之光照射部。像素區域係由像素分離部150之距離規定，具有縱橫5 μm以下之矩形之平面形狀。陽極電極130在像素陣列外，與藉由較深之雜質注入或金屬之埋入等而形成之接觸層140連接，而其電位被取出於表面側。藉由特定之電壓施加於在表面側與接觸層140連接之電極142，而於陽極電極130經由接觸層140被施加特定之電壓。接觸層140理想的是形成為包圍像素陣列。接觸層140既可為1個部位，亦可分割為複數個部位。又，陽極電極140亦可在像素陣列內形成有複數個接觸層140。用於電極取出之接觸層140愈多，則愈可抑制在背面側之陽極電極130內之電壓變動。
如圖2所示般，在像素陣列內藉由像素分離部150將像素予以分離。在圖2中，顯示像素陣列內之1像素。像素分離部150藉由改變光電轉換部160與雜質之極性而形成。背面側之陽極電極130與像素分離部150之位置對應地設置，在圖2中，設置於像素分離部150之正上方。像素分離部150藉由高濃度之雜質注入而形成，為了充分降低電阻，而將陽極電極130設為充分之厚度、例如500 nm以上。藉由採用如此之構造，而可將光電轉換部160之空乏層形成至像素背面側之最表面，從而可充分地確保短波長之感度。
在圖2中，於表面側形成N型之雜質層作為陰極電極100，且於背面側形成P型之雜質層作為陽極電極130。於陰極電極100連接有N型層(第1半導體層)180。又，於陰極電極100之表側連接有電極102。連接於陽極電極130之光電轉換部160為低濃度之P型，在與光電轉換部(第3半導體層)160相接之高濃度之P型層(第2半導體層)170和陰極之N型層180之間形成成為高電場之倍增區域。又，將低濃度之N型層用作像素分離部150。再者，亦可不設置光電轉換部160，而P型層170擴大至光電轉換部160之區域。
再者，雜質層之導電型與濃度為一例，亦可調換P與N而將陽極與陰極設為相反之導電型。又，成為高電場之倍增區域之製作方法除此以外亦可考量有各種方法。進而，亦可設置用於分離倍增區域之雜質注入區域，或設置埋入絕緣膜等作為像素分離部150。
如以上所述般，在本實施形態中，在背面照射型之SPAD中，於基板之表面與背面具有陽極電極130與陰極電極100。背面側之陽極電極130設置於像素間分離區域150。藉此，由於可將包含空乏層之光電轉換部160擴大至光照射面之最表面，故可大幅度提高短波長感度。在像素較大之情形下，由於陽極電極130位於像素端，故有像素內之電場不形成為一定而在像素中央部空乏層難以擴展至光電轉換部160之表面之情形，但因在細微像素中來自像素端之電位亦到達像素中央，故可採用將背面側之陽極電極130設置於像素分離部150之構造。
圖3係顯示本實施形態之又一構成例之示意圖，係於背面側之像素表面將具有遮光性之金屬層152用作像素分離部150之例。藉此可在降低因光所致之像素間干擾下，亦降低背面之陽極電極130之電阻，從而可進一步抑制因電壓變動所致之像素干擾。金屬層152可由鎢(W)等之金屬構成。於該金屬層152之正下方設置與圖2同樣之高濃度之雜質注入區域作為陽極電極130。金屬層152可與包含高濃度雜質區域之陽極電極130接觸。在圖3所示之構成例之情形下亦然，既可與圖2同樣地將陽極電極130取出於表面側，亦可在背面側保持原樣連接於接合墊。
像素分離部150以包圍矩形之像素區域之方式而具有格子狀之平面形狀。因此，形成於像素分離部150上之陽極電極130、形成於陽極電極130上之金屬層152亦可具有仿照像素分離部150之格子狀之平面形狀。
又，在圖3所示之例中，於像素分離部150自表面側埋入具有遮光性之埋入金屬層190。埋入金屬層190可與金屬層152同樣地由鎢(W)等之金屬構成。該情形下，埋入金屬層190與光電轉換部160被絕緣膜194分離，而埋入金屬層190在相鄰之像素區域間由絕緣膜194包圍。在該構造中，可抑制在像素區域之較深之區域引起之像素間干擾，且可組合於背面側設置陽極電極130之有利於細微化之構造。埋入金屬層190自表面側埋入至光電轉換部160之中途，於該埋入金屬層190之正上方形成高濃度雜質區域作為背面側之陽極電極130。
在圖4所示之例中，自背面側埋入有圖3所示之構成之埋入金屬層190。該情形下，包含高濃度雜質區域之陽極電極130以包圍埋入金屬層190之方式形成於像素區域內，但因藉由設置埋入金屬層190而遮斷陽極電極130之像素間之連接，故而將金屬層152設置於像素分離部150上，將金屬層152與陽極電極130接觸而在像素間連接陽極電極130。金屬152與埋入金屬層190絕緣。埋入金屬層190可僅埋入光電轉換部160之一部分，更佳為埋入像素區域之整體。藉由採用該構造，而可完全地遮斷因光所致之像素間干擾，且亦抑制電壓變動所致之像素間干擾，而可達成細微化與高量子效率，從而可實現低雜訊之像素。
如以上所述般，在本實施形態中，陽極電極130以與像素分離部150之位置對應之方式形成。再者，陽極電極130以與像素分離部150之位置對應之方式形成包含如圖2所示般陽極電極130形成於像素分離部150之正上方之情形、以及如圖4所示般陽極電極130形成於像素分離部150之像素區域側之情形。又，陽極電極130以與像素分離部150之位置對應之方式形成，既可與像素分離部150之全部對應地設置，亦可與像素分離部150之一部分對應地設置。
3.本實施形態之攝像裝置之其他構成例 以下，基於圖2～圖4所示之構成例，對於本實施形態若干個變型進行說明。圖5所示之構成例顯示相對於圖2所示之構成例，於像素區域之最表面設置與陽極電極130相連之輔助電極132之例。輔助電極132係由與陽極電極130相同之導電型形成。輔助電極132之厚度作為一例被設為50 nm以下，可最大限度地確保光電轉換部160之區域。如此般，可於像素內之背面側之最表面，藉由高濃度之雜質注入而設置輔助電極132。然而，較佳為將於像素內被注入雜質之輔助電極132之區域之厚度充分減薄，例如50 nm以下。在圖5所示之例中，於輔助電極132上設置有絕緣層200，經由絕緣層200於光電轉換部160照射有光。藉由設置輔助電極132，可將背面側之光電轉換部160之最表面之電位設為一定，而可將空乏層之擴展或倍增區域之電場在像素內均一化。該輔助電極132之厚度雖然薄而不影響短波長感度，但電阻高，然而由於設置於像素分離部之陽極電極130之電阻低，因此不引起其他像素之電位變動
圖6所示之構成例顯示相對於圖2所示之構成例，於光電轉換部160之最表面(光照射面)設置絕緣層200，在像素分離部150上之範圍內，於絕緣層200上設置具有遮光性之金屬層152之例。又，圖7所示之構成例顯示在像素分離部150上不設置絕緣膜200，而在陽極電極130上設置具有遮光性之金屬層152之例。藉由設置具有遮光性之金屬層152，而可就每一像素區分光侵入路徑。根據圖7所示之構成例，可將陽極電極130與具有遮光性之金屬層152設為同電位。
圖8所示之構成例顯示在圖3所示之構成例中，不設置具有遮光性之金屬層152，而於光照射面設置絕緣層200之例。又，圖9所示之構成例顯示在圖3所示之構成例中，與圖6所示之構成例同樣地，設置絕緣層200與具有遮光性之金屬層152之例。又，圖10所示之構成例顯示在圖3所示之構成例中，與圖7所示之構成例同樣地，設置絕緣層200與具有遮光性之金屬層152之例。
又，圖11所示之構成例，顯示在圖4所示之構成例中，將陽極電極130配置於較像素分離部150更靠近像素區域側，將陽極電極130與設置於像素分離部150上之表面金屬層220加以連接之例。陽極電極130與相鄰之像素區域之陽極電極130藉由表面金屬層220連接。因此，表面金屬層220以跨著像素分離部150之方式形成。又，圖12所示之構成例顯示相對於圖1所示之構成例，將埋入金屬層190之長度在像素區域(光電轉換部160)之深度方向縮短之例。
4.陽極電極之朝外部之引出 圖13～圖15係顯示陽極電極130和與陽極電極130連接之電極142之位置關係之示意圖。此處，電極142設置於像素陣列外，作為接合墊(引出電極)發揮功能。圖13顯示藉由與圖2同樣地設置接觸層140，而經由接觸層140將陽極電極130引出至表面側，將接觸層140與表面側之電極142加以連接之例。再者，接觸層140可連接於像素陣列周邊之電路。
圖14所示之例顯示在與陽極電極130相同之背面側設置電極142，將陽極電極130與電極142直接地連接之例。在圖14所示之例中，作為接合墊之電極142設置於背面側。又，在圖14中，可於陽極電極130上設置具有遮光性之金屬層152，並將金屬層152與作為接合墊之電極142加以連接。
圖15所示之例係與圖13所示之例同樣地在表面側設置電極142之例，係顯示設置與陽極電極130連接之電極152，且經由電極152進行與接觸層140之連接之例之示意圖。
5.陽極電極與接觸層之位置關係 圖16及圖17係顯示陽極電極130與接觸層140之位置關係之平面圖，顯示自光照射面側(背面側)觀察之狀態。在圖16及圖17中，一點鏈線R之內側係像素陣列內之區域，一點鏈線R之外側係像素陣列外之區域。如圖16所示般，由於在像素陣列內，陽極電極130沿著像素分離部150設置，故陽極電極130被設為格子狀之形狀。在設置具有遮光性之金屬層152之情形下，可於陽極電極130上設置仿照圖16所示之格子狀之陽極電極130之形狀之金屬層152。具有遮光性之金屬層152藉由愈往向像素陣列內之周邊愈將其位置自像素分離部150偏移，而可進行與光瞳位置相應之修正，從而可提高遮光效果。特別是，在如圖6所示般於陽極電極130上隔著絕緣層200形成具有遮光性之金屬層152之情形下，由於金屬層152與陽極電極130未被一體化，故愈往向像素陣列內之周邊則可愈將金屬層152之位置自像素分離部150(陽極電極130)偏移。於像素陣列外，以包圍像素陣列之方式設置有接觸層140，如圖2所示般，陽極電極130經由接觸層140被引出至表面側。藉由將接觸層140設置於像素陣列外之全周，而可確實地抑制在陽極電極130內之電壓變動。
圖17顯示在圖16之構成以外，於像素陣列內亦設置接觸層140之例。如圖17所示般，藉由在像素陣列內亦設置接觸層140，而可進一步穩定陽極電極130之電位。
6.包含彩色濾光器、透鏡之構成例 圖18係顯示在圖12所示之構成中，於光照射面之絕緣層200上設置有彩色濾光器300a、300b、300c，且於彩色濾光器300a、300b、300c之更上方設置有晶片上透鏡400之構成之概略剖視圖。透過晶片上透鏡400及彩色濾光器300a、300b、300c之光照射至光電轉換部160。再者，在圖18中，圖12所示之像素分離部150之絕緣膜194與光照射面之絕緣層200共通地設置。
圖19係顯示自圖18所示之光電轉換部160與絕緣層200之界面觀察光電轉換部160側之區域之狀態之示意圖。如圖19所示般，自埋入金屬層190與絕緣層200(絕緣膜194)設置有像素分離部150，藉由像素分離部150區劃包含光電轉換部160之像素區域。在圖19所示之各光電轉換部160中，陽極電極130以沿著像素分離部150包圍像素區域之方式設置。
7.本實施形態之攝像裝置之應用例 圖20係顯示作為應用本技術之電子機器之相機裝置2000之構成例之方塊圖。圖20所示之相機裝置2000具備：包含透鏡群等之光學部2100、上述攝像裝置(攝像器件)1000、及作為相機信號處理裝置之DSP電路2200。又，相機裝置2000具備：圖框記憶體2300、顯示部(顯示裝置)2400、記錄部2500、操作部2600、及電源部2700。DSP電路2200、圖框記憶體2300、顯示部2400、記錄部2500、操作部2600、及電源部2700經由匯流排線2800相互連接。
光學部2100取入來自被攝體之入射光(像光)而在攝像裝置1000之攝像面上成像。攝像裝置1000將由光學部2100在攝像面上成像之入射光之光量以像素單位轉換為電信號並作為像素信號輸出。
顯示部2400包含例如液晶面板或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)面板等之面板型顯示裝置，顯示由攝像元件1000拍攝之動畫或靜畫。DSP電路2200接收自攝像裝置1000輸出之像素信號並進行用於顯示於顯示部2400之處理。記錄部2500將由攝像裝置1000拍攝之動畫或靜畫記錄於錄影帶或DVD(Digital Versatile Disk，數位光碟)等記錄媒體。
操作部2600在使用者之操作下，對於攝像裝置1000所具有之各種功能發出操作指令。電源部2700將成為DSP電路2200、圖框記憶體2300、顯示部2400、記錄部2500及操作部2600之動作電源之各種電源適當供給至該等供給對象。
8.本揭示之變型 以下，對於在具體地實施本揭示之情形下產生之課題、與用於解決課題之之實施例之變型進行說明。
8.1.共通之構造 首先，對於在各變型中共通之基本構成進行說明。圖21A係顯示在各變型中共通之基本構成之概略剖視圖。圖21A所示之攝像裝置1000具備作為SPAD像素之倍增區域與進行光電轉換之光電轉換部(N-區域)160，將光電轉換部160之背面側之最表面設為供光照射之光照射部。
如圖21A所示般，作為陽極電極130發揮功能之金屬層152與P區域760電性連接。P區域760構成為愈為下層則雜質濃度愈低。又，自P區域760沿著像素分離部150形成有P區域700、P-區域710，自P區域760至雪崩部720被電性連接。雪崩部720係P+區域730與N+區域740接合而構成。P區域700以欲在雪崩部720中讀出之電荷(電子)通過之方式，藉由蓄積相反之電荷(電洞)而構成。P-區域710為了提高中央之電位以便電荷在雪崩部720通過，理想的是設為低濃度之區域。
N+區域740經由N+區域750與電極102連接。又，於P+區域730與N+區域740之側面，形成有N-區域780。又，設置有與N+區域740及N-區域780電性連接之P+層790，且P+層790經由電極800接地(GND)。再者，P+層790亦可為N層。又，可不形成P+層790連接之配線層820等之電極。電極102係輸出與入射之光對應之信號之電極。另一方面，電極800係正孔(電洞)之排出用之電極。再者，亦可不設置P+層790及電極800。電極102、電極800、設置於像素分離部150之埋入金屬層190分別與配線層820連接。再者，配線層820顯示圖18所示之配線層中之最上層之一部分配線層。再者，P+層790亦可為N層。又，亦可無P+層790連接之配線層820等之電極。
於像素分離部150之側面與P區域760之上層，設置有絕緣膜(固定電荷膜)810。絕緣膜810例如帶負電。又，P區域760之上層之構成基本而言與圖18所示之構成同樣。再者，在圖21A所示之構成中，亦可調換P型與N型之導電型而構成攝像裝置1000。
在如以上般構成之圖21A之攝像裝置2000中，N+區域740及N+區域750與圖2所示之N型層180對應。又，P區域760、P區域700、及P-區域710與光電轉換部(第3半導體層)160、P型層170對應。
在以下說明之各變型中，設為基本上具備圖21A所示之SPAD像素之構成者，以該等構成作為基本構成，而適當省略圖示。又，在各變型中，顯示一部分基本構成以外之構成，可適當置換為基本構成。圖21B係顯示在圖21A中，在由與圖18同樣之絕緣膜200覆蓋金屬層152後，設置彩色濾光器300a、300b、300c之例之概略剖視圖。
8.2.第1變型 如圖3所示般，藉由將埋入金屬層190埋入像素分離部150，而可提高相鄰之像素區域間之遮光性，從而可抑制在像素區域之較深之區域引起之像素間干擾。第1變型係關於一種以陽極電極130為金屬層152，而將埋入金屬層190與陽極電極130(金屬層152)電性連接之構成。
圖22A係針對第1變型之攝像裝置1000，詳細地顯示像素分離部150之附近之概略剖視圖。如圖22A所示般，以貫通像素分離部150之方式設置有埋入金屬層190。埋入金屬層190經由金屬層152與背面側之P區域760電性連接。藉由將埋入金屬層190與作為陽極電極130之金屬層152電性連接，而可降低陽極電極之寄生電阻，特別是可降低在像素區域中央部之壓降。
圖22B～圖22H係顯示第1變型之攝像裝置1000之不同之態樣之概略剖視圖。在圖22B～圖22H之任一態樣中，均將埋入金屬層190與金屬層152電性連接。
圖22B係顯示由金屬層152覆蓋像素分離部150上之例。圖22C係顯示不形成如圖22A所示之表面側之埋入絕緣膜510，而將自背面至表面之像素分離部150之寬度設為一定之例。又，圖22D係顯示挖掘圖22A所示之埋入絕緣膜510而形成凹部520，並形成於凹部520內與埋入金屬層190連接之埋入金屬層530之例。又，圖22E係顯示在圖22A所示之構成中，不設置絕緣膜194而形成埋入金屬層190之例之示意圖。在圖22E所示之構成中，埋入金屬層190之上側之端面較絕緣膜810之上表面更朝上突出，但埋入金屬層190之上側之端面亦可為與絕緣膜810之上表面相同之位置。又，圖22F係顯示在圖22A所示之構成中，埋入金屬層190未與配線層820連接之構成。又，圖22G係顯示在圖22A所示之構成中，將絕緣膜810延伸至埋入絕緣膜510之下部之構成。又，圖22H係顯示在圖22A所示之構成中，於埋入金屬層190之側方不設置絕緣膜810，而設置高濃度之P層830之構成。高濃度之P層830與後述之圖25之製造步驟所示之P層544對應。如圖22H所示般，可形成高濃度之P層830而取代絕緣膜810。再者，在圖22H中，可不設置形成於P區域760上之絕緣膜810。 在圖22A～22C、22E、22G、22H中，在金屬層152之相反側，埋入金屬層190與配線層820連接。藉由將埋入金屬層190與配線層820加以連接，而擴大作為陽極配線之面積，從而可進一步降低陽極之電阻。 又，藉由將埋入金屬層190與配線層820加以連接，而可進一步抑制在相鄰像素之光之漏入、混色。又，藉由將在橫方向延伸之配線層820或較基板更深地形成之配線層820與埋入金屬層190加以連接，而可抑制光在下層之配線層820反射而入射至相鄰像素。又，在與埋入金屬層190連接之橫方向之配線層820處，可使傾斜地入射之光反射，從而可使光再入射至欲要檢測之像素。 又，既可在光之入射面側(上側)將電荷(收集有P型之正孔(電洞))排出，亦可在下側若與配線層820連接則自下側或上下兩側將電荷排出。在俯視下，與上側之配線佈局同樣地，下側之配線層820可任意地形成。
圖23A～圖23G係第1變型之攝像裝置1000之平面圖。圖23A所示之例與圖22A之構成對應，金屬層152以較埋入金屬層190更廣之寬度沿著像素分離部150而形成。在圖23A～圖23G中，於顯示金屬層152之區域標注黑點而顯示，顯示金屬層152與P區域760電性連接之部位C。圖23A所示之例顯示將金屬層152與P區域760電性連接之部位C就每一像素設為4個部位之構成。圖23B所示之例顯示在圖22A之構成中，將金屬層152與P區域760電性連接之部位C就每一像素設為1個部位之構成。圖23C所示之例顯示在圖22A之構成中，將金屬層152與P區域760電性連接之部位C沿順著埋入金屬層190之四條邊而設置，將金屬層152與P區域760電性連接之部位C設為環狀之構成。再者，在圖23C中，亦可將金屬層152與P區域760電性連接之部位C設為僅沿埋入金屬層190之1條邊。圖23D所示之例與圖22B之構成對應。在圖23D所示之例中，與圖23A同樣地，金屬層152以較埋入金屬層190更廣之寬度沿著像素分離部150形成，於像素之四個角隅，設置有與埋入金屬層190相鄰且與P區域760電性連接之部位C。圖23E所示之例顯示在圖23D中，將與P區域760電性連接之部位C就一個像素僅設置1個部位之構成。圖23F所示之例係顯示在圖23D中，將與P區域760電性連接之部位C之平面形狀設為三角形之構成。根據圖23F之構成，可進一步擴寬供光入射之金屬層152之開口。再者，與P區域760電性連接之部位C之平面形狀亦可為三角形以外之形狀，例如可為圓形。圖23G所示之例係顯示在圖23D中，將與P區域760電性連接之部位C沿著埋入金屬層190設置之例之示意圖。再者，在圖23G中，亦可將金屬層152與P區域760電性連接之部位C設為僅沿著埋入金屬層190之1條邊。再者，在圖23A～圖23G中，在平面構成中，金屬層152之與P區域760電性連接之部位C以外，並未較像素分離部150更朝光電轉換部側突出。
以下，基於圖24，依照步驟順序說明第1變型之半導體裝置之製造方法。圖24係依照步驟順序顯示第1變型之半導體裝置之製造方法之概略剖視圖。
首先，在步驟(1)中，於Si基板520利用離子植入與熱處理等形成必要之N層、P層，藉由成膜等形成所期望之構造，以包圍像素之方式形成已將埋入絕緣膜之絕緣膜埋入之第1層528。藉此，形成圖21A所示之各N區域、各P區域。再者，在圖24中，省略各N區域、各P區域之圖示。然後，在已埋入絕緣膜之第1層528上形成金屬層530，藉由進一步形成絕緣膜而獲得在第1層528中已埋入金屬層530之構造。第1層528之埋入可考量氧化膜、氮化膜、氧化膜與氮化膜之積層等各種變型。金屬層530理想的是由鎢(W)等形成。再者，亦可不形成金屬層530。
其次，在步驟(2)中，在形成必要之配線層後，藉由貼合等方法使表背面反轉，而去除不需要之層。在後續之步驟(3)中，以到達埋入絕緣膜之方式將Si基板520蝕刻後，將包含氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鉿(HfO2 )等之絕緣膜532與包含氧化膜等之絕緣膜534成膜。成膜較佳為使用覆蓋度良好之膜類型。然後，在步驟(4)中，將第1埋入層528貫通，而形成到達金屬層530之槽(trench，溝槽)，而將金屬膜536埋入。金屬膜536理想的是由鎢(W)等形成。再者，亦可在將Si層526與第1埋入層528貫通後，將絕緣膜532與絕緣膜534成膜，並埋入金屬層536。最後，在步驟(5)中，在形成絕緣膜200後，形成取得背面接觸之電極538。藉由該等步驟，而製造具備背面電極之元件。再者，可將N層、P層反轉。該情形下，變更絕緣膜532之種類。然後，在絕緣膜200及電極538上，形成如圖21A所示之彩色濾光器300a、300b、300c及晶片上透鏡400(在圖24中未圖示)。
在圖24所示之製造方法中，亦可不是在絕緣膜532之形成，而是在表面側形成時，利用固相擴散等以高濃度之P層自表側包圍形成於背面側之第2埋入層。圖25係顯示該情形之製造步驟之示意圖。在步驟(1)中，在Si基板520利用離子植入與熱處理等形成必要之N層、P層，藉由成膜等而形成所期望之構造。藉此，形成圖21A所示之各N區域、各P區域。然後，將第2層540埋入Si基板520，將金屬膜542埋入第2層540中。在埋入第2層540時，利用固相擴散等在與第2層540相鄰之Si基板520形成高濃度之P層544。
在後續之步驟(2)中，使表背面反轉，去除不需要之層。其後，在Si基板520上形成特定之絕緣膜後，與圖24之步驟(5)同樣地，形成取得背面接觸之電極538。然後，在絕緣膜200及電極538上，形成如圖21A所示之彩色濾光器300a、300b、300c及晶片上透鏡400(在圖24中未圖示)。
在圖24及圖25所示之步驟圖中，絕緣膜532相當於圖22A～圖22F之絕緣膜810，金屬層536相當於圖22A～圖22F之埋入金屬層190，電極538相當於金屬層152(陽極電極)。埋入金屬層190與金屬層152可由同一材料形成，例如可由鎢(W)等之金屬形成。
根據第1變型，藉由作為陽極電極130發揮功能之金屬層152與光電轉換部160之P區域760電性連接，而可降低陽極配線之寄生電阻。藉由作為陽極電極130發揮功能之金屬層152與光電轉換部160之P區域760電性連接，而可抑制在像素區域之中央之壓降。
8.3.第2變型 在第1變型中，與P區域760連接之金屬層152(陽極電極)，如圖23所示般沿著像素分離部150形成。因此，可充分地確保P區域760與金屬層152之接觸面積，從而可降低P區域760與金屬層152之間之接觸電阻。另一方面，該構成之情形下，各像素之光電轉換部被形成於像素分離部150之內側之配線層500縮小。
在第2變型中，與第1變型同樣地，將埋入金屬層190與金屬層152電性連接。而且，在金屬層152與P區域760之連接部，藉由挖掘P區域760而增大接觸面積，從而可降低接觸電阻。又，若將像素分離部150之內側之配線層500之佔有面積確保藉由挖掘P區域760而增大接觸面積之份額，且最大限度確保各像素之光電轉換部之區域，而可在不增大接觸電阻下進一步提高攝像裝置1000之感度。
圖26係顯示第2變型之攝像裝置1000之概略剖視圖。在圖26中，與P區域760連接之金屬層152之接觸部152a被填充於在P區域760被挖之區域。藉此，由於接觸區域亦形成於接觸部152a之側壁，故可增大接觸面積，從而可降低接觸電阻。於P區域760被挖之區域，可考量槽形狀、電洞形狀、與在像素間雕入而形成之槽相連之形狀等複數種形狀。在平面構成中，金屬層152之除了形成有接觸部152a之區域以外，未較像素分離部150朝光電轉換部側突出。藉由將接觸部152a之長度進一步加長，而增大接觸部152a與P區域760之接觸面積，從而可降低接觸電阻。
根據第2變型，藉由利用接觸部152a進行金屬層152與P區域760之連接，而可更寬廣地確保光電轉換部之區域。
8.4.第3變型 在第3變型中，在將與埋入金屬層190連接之金屬層152連接於P區域760時，藉由使像素分離部150之絕緣膜810後退，而降低金屬層152與P區域760之接觸電阻。
圖27係顯示第3變型之攝像裝置1000之概略剖視圖。在圖27所示之構成中，沿著像素分離部150之絕緣膜194而形成有絕緣膜810。沿著像素分離部150之絕緣膜810之上端之位置，後退至較像素分離部150之絕緣膜194之上端低之位置。圖27所示之距離d1表示絕緣膜700之朝下方向之後退量。
圖28係將圖27所示之區域A1之範圍放大而顯示之示意圖，分別顯示金屬層152之填充前與填充後之狀態。在圖28中，更詳細地顯示絕緣膜810之附近。與絕緣膜810相鄰，而形成有包含五氧化二鉭(Ta2 O5 )等之膜193與絕緣膜192。由於膜193係藉由濺鍍法形成，故覆蓋度比較低，而未形成於槽701之側壁。另一方面，由於絕緣膜192係藉由CVD等形成，而覆蓋度良好，故亦形成於槽701之側壁。圖28之左側所示之金屬層152之填充前之狀態顯示下述狀態，即：於像素分離部150形成填充埋入金屬層190之槽701，且於像素分離部150之上部形成開口702。在此狀態下，於槽701未填充有埋入金屬層190，又，於開口702未填充有金屬層152。圖28所示之虛線顯示使絕緣膜810後退之前之開口702之範圍。在虛線所示之範圍內形成開口702之後，藉由洗淨步驟使絕緣膜810後退。絕緣膜700朝垂直方向後退距離d1，朝水平方向後退距離d2。作為一例，後退量為數nm至數十nm左右。
其後，如圖28之右側所示之填充後之狀態所示般，以填充槽701之方式形成埋入金屬層190，以填充開口702之方式形成金屬層152。藉此，與P區域760連接之金屬層152之區域擴寬絕緣膜810後退之份額，而可降低P區域760與金屬層152之間之接觸電阻。再者，在圖27及圖28所示之例中，金屬層152與埋入金屬膜190係一體地形成。
如以上所述般，藉由使絕緣膜810後退，而可擴大P區域760與金屬層152之接觸區域。因此，根據圖27所示之第3變型之構成，可進一步降低P區域760與金屬層152之間之接觸電阻。
圖29係顯示第3變型之又一例之概略剖視圖。在圖29所示之構成中，金屬層152之與P區域760之接觸在自像素分離部150離開之位置進行。
圖30係將圖29所示之區域A2之範圍放大而顯示之示意圖。圖30所示之虛線顯示使絕緣膜810後退前之開口704之範圍。在虛線所示之範圍內形成開口704後，藉由洗淨步驟使絕緣膜810朝水平方向後退距離d2。
其後，以填充開口704之方式形成金屬層152。藉此，金屬層152與P區域760接觸之區域擴寬絕緣膜810朝水平方向後退之份額，而可降低金屬層152與P區域760之間之接觸電阻。
以下，基於圖31，依照步驟順序說明第3變型之半導體裝置之製造方法。圖31係依照步驟順序顯示第3變型之半導體裝置之製造方法之概略剖視圖。
在進行與圖24之步驟(1)～(2)同樣之步驟後，在圖31之步驟(4)中，在以到達埋入絕緣膜之方式將Si層926蝕刻後，將包含氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鉿(HfO2 )等之絕緣膜810與包含氧化膜等之絕緣膜934成膜。成膜較佳為使用覆蓋度良好之膜類型。
其次，在步驟(5)中，將第1埋入層928貫通，而形成到達金屬層930之槽。進而，在步驟(5)中，在形成開口702後，進行洗淨。藉此，如在圖28中所說明般，絕緣膜810朝下方向及水平方向後退。例如，在將絕緣膜810由氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鉿(HfO2 )等形成之情形下，利用DHF之無機藥液或在加工後洗淨中所使用之一般性之有機藥液，使絕緣膜810後退數nm～數十nm左右。
其次，在步驟(6)中，埋入金屬膜936。金屬膜936理想的是由鎢(W)等形成。作為金屬成膜之形成方法可利用濺鍍或CVD等，但CVD(Chemical vapor deposition ，化學汽相沈積)對於覆蓋度更為有利。藉此，在步驟(5)中形成之槽內，於包含開口702內之區域填充有金屬層936。金屬層936亦填充於使絕緣膜810後退之部分。經填充之金屬層936相當於埋入金屬層190及金屬層152。又，P層924相當於圖27之P區域760。其後，形成如圖21A所示之彩色濾光器300a、300b、300c及晶片上透鏡400(在圖31中未圖示)。
如以上所述般，在步驟(5)之洗淨步驟中，絕緣膜810朝下方向及水平方向後退。然後，藉由在步驟(6)中填充金屬層936，而在使絕緣膜810後退之部分填充有金屬層936，故金屬層936與P區域760之接觸面積擴大，而接觸電阻降低。再者，在圖29所示之構成之情形下，可在步驟(5)中，將開口704形成於自像素分離部150離開之位置。
圖32係顯示在圖31之步驟(5)中，伴隨著形成於槽內之第1埋入層928之上之絕緣膜810後退，而於該部分進一步形成絕緣膜之例之概略剖視圖。
圖33係在圖32所示之步驟(5-1)、步驟(5-2)中，將區域A3放大而顯示之剖視圖。在將第1埋入層928貫通，而形成到達金屬層930之槽後，藉由進行洗淨步驟，而絕緣膜810露出於第1埋入層928上，故如圖33之左側之圖所示般，絕緣膜810在第1埋入層928上後退。存在因該後退而像素分離部150之耐壓降低之可能性，故在圖32中，在步驟(5-2)中，在接觸孔內形成絕緣膜950，利用絕緣膜950覆蓋在第1埋入層928上露出於接觸孔內之絕緣膜810。此時，較佳為利用ALD(atomic layer deposition，原子層沈積)等方法，形成耐壓較高之絕緣膜950。藉此，如圖33之右側之圖所示般，形成在第1埋入層928上由絕緣膜950覆蓋絕緣膜810之狀態。藉由進行乾式蝕刻等之回蝕，而殘留絕緣膜810後退之部位之絕緣膜950，且可去除不需要之部位之絕緣膜。
其後，在步驟(5-3)中，藉由形成開口702並進行洗淨步驟，而與圖31所示之步驟(5)同樣地，使絕緣膜810朝下方向及水平方向後退。其後之步驟與圖31同樣。
如以上所述般，根據第3變型，藉由使絕緣膜810後退，而可擴大金屬層152與P區域760之接觸面積，從而能夠降低接觸電阻。又，如圖32及圖33所示般，藉由使非接觸部之像素分離部150之側壁之絕緣膜810後退，並埋入絕緣膜，而可提高耐壓。
9.針對攝像裝置以外之應用例 本揭示可應用於例如TOF(Time Of Flight，飛行時間)感測器等檢測光之其他裝置。在應用於TOF感測器之情形下，例如可應用於由直接TOF計測法進行之距離圖像感測器、由間接TOF計測法進行之距離圖像感測器。在由直接TOF計測法進行之距離圖像感測器中，為了在各像素中利用直接時間區域求得光子之到來時序，而發送較短脈衝寬度之光脈衝，且在高速應答之接收機產生電性脈衝。可將本揭示應用於此時之接收機。又，在間接TOF法中，由光產生之載子之檢測與蓄積量，利用依存於光之到來時序而變化之半導體元件構造而計測光之飛行時間。本揭示亦可而用作如此之半導體構造。在應用於TOF感測器之情形下，設置如圖18所示之彩色濾光器300a、300b、300c與晶片上透鏡400為任意，亦可不設置該等。
10.電子器件之構成例 圖34係顯示包含上述攝像裝置1000之電子器件3000之構成之示意圖。圖34所示之電子器件3000具備：第1半導體晶片3100，其具有配置複數個光電轉換部160而成之感測部3010；及第2半導體晶片3200，其具有處理由光電轉換部160取得之信號之信號處理部3020。第1半導體晶片3100與第2半導體晶片3200積層。又，與信號處理部3020接近，而設置有控制電子器件3000之控制部3030、記憶由光電轉換部160取得之信號之記憶部3040。控制部3030除了信號處理部3020之控制以外，亦可以其他驅動或控制之目的配置於例如光電轉換部160之附近。控制部3030除了圖示之配置以外，亦可以在第1半導體晶片3100與第2半導體晶片3200之任意之區域，具有任意之功能之方式設置。再者，複數個光電轉換部160配置為二維矩陣狀(行列狀)。又，在圖34中，在說明之關係上，圖示將第1半導體晶片3100與第2半導體晶片3200分離之狀態。
11.針對移動體之應用例 本揭示之技術(本技術)可應用於各種產品。例如，本揭示之技術可實現為搭載於汽車、電動汽車、油電混合汽車、機車、自行車、個人移動裝置、飛機、無人機、船舶、機器人等任一種類之移動體之裝置。
圖35係顯示作為可應用本揭示之技術之移動體控制系統之一例之車輛控制系統之概略性構成例之方塊圖。
車輛控制系統12000具備經由通訊網路12001連接之複數個電子控制單元。在圖35所示之例中，車輛控制系統12000具備：驅動系統控制單元12010、車體系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040、及綜合控制單元12050。又，作為綜合控制單元12050之功能構成，圖示有微電腦12051、聲音圖像輸出部12052、及車載網路I/F(interface，介面)12053。
驅動系統控制單元12010依照各種程式控制與車輛之驅動系統相關聯之裝置之動作。例如，驅動系統控制單元12010作為內燃機或驅動用馬達等之用於產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用於將驅動力傳遞至車輪之驅動力傳遞機構、調節車輛之舵角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等之控制裝置發揮功能。
車體系統控制單元12020依照各種程式控制裝備於車體之各種裝置之動作。例如，車體系統控制單元12020作為無鑰匙進入系統、智慧型鑰匙系統、電動窗裝置、或前照燈、尾燈、煞車燈、方向燈或霧燈等之各種燈之控制裝置發揮功能。該情形下，對於車體系統控制單元12020，可輸入有自代替鑰匙之可攜式裝置發出之電波或各種開關之信號。車體系統控制單元12020受理該等之電波或信號之輸入，而控制車輛之車門鎖閉裝置、電動窗裝置、燈等。
車外資訊檢測單元12030檢測搭載車輛控制系統12000之車輛之外部之資訊。例如，在車外資訊檢測單元12030連接有攝像部12031。車外資訊檢測單元12030使攝像部12031拍攝車外之圖像，且接收所拍攝之圖像。車外資訊檢測單元12030可基於所接收之圖像，進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等之物體檢測處理或距離檢測處理。
攝像部12031係接受光且輸出與該光之受光量相應之電信號之光感測器。攝像部12031既可將電信號作為圖像輸出，亦可作為測距之資訊輸出。又，攝像部12031所接受之光既可為可視光，亦可為紅外線等非可視光。
車內資訊檢測單元12040檢測車內之資訊。於車內資訊檢測單元12040例如連接有檢測駕駛者之狀態之駕駛者狀態檢測部12041。駕駛者狀態檢測部12041包含例如拍攝駕駛者之照相機，車內資訊檢測單元12040基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊，既可算出駕駛者之疲勞度或集中度，亦可判別駕駛者是否打瞌睡。
微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車內外之資訊，運算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，且對驅動系統控制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行以實現包含車輛之碰撞避免或衝擊緩和、基於車距之追隨行駛、車速維持行駛、車輛之碰撞警告、或車輛之車道脫離警告等的ADAS(Advanced Driver Assistance Systems，先進駕駛輔助系統)之功能為目的之協調控制。
又，微電腦12051藉由基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車輛之周圍之資訊控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，而可進行以在不依賴於駕駛者之操作下自主地行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
又，微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030取得之車外之資訊，對車體系統控制單元12030輸出控制指令。例如，微電腦12051與由車外資訊檢測單元12030檢測到之前方車或對向車之位置相應而控制前照燈，而可進行將遠光切換為近光等之以謀求防眩為目的之協調控制。
聲音圖像輸出部12052朝可針對車輛之乘客或車外視覺性或聽覺性通知資訊之輸出裝置發送聲音及圖像中之至少一者之輸出信號。在圖35之例中，例示有音訊揚聲器12061、顯示部12062及儀錶板12063作為輸出裝置。顯示部12062例如可包含機上顯示器及抬頭顯示器之至少一者。
圖36係顯示攝像部12031之設置位置之例之圖。
在圖36中，作為攝像部12031有攝像部12101、12102、12103、12104、12105。
攝像部12101、12102、12103、12104、12105設置於例如車輛12100之前端突出部、側視鏡、後保險杠、後背門及車廂內之擋風玻璃之上部等之位置。前端部所具備之攝像部12101及車室內之擋風玻璃之上部所具備之攝像部12105主要獲得車輛12100之前方之圖像。側視鏡所具備之攝像部12102、12103主要取得車輛12100之側方之圖像。後保險杠或後背門所具備之攝像部12104主要取得車輛12100之後方之圖像。車廂內之擋風玻璃之上部所具有之攝像部12105主要用於前方車輛或行人、障礙物、信號燈、交通標誌或車道等之檢測。
又，在圖36中，顯示攝像部12101至12104之攝影範圍之一例。攝像範圍12111表示設置於前端突出部之攝像部12101之攝像範圍，攝像範圍12112、12113表示分別設置於側視鏡之攝像部12102、12103之攝像範圍，攝像範圍12114表示設置於後保險杠或後背門之攝像部12104之攝像範圍。例如，藉由重疊由攝像部12101至12104拍攝之圖像資料，而可取得自上方觀察車輛12100之俯瞰圖像。
攝像部12101至12104之至少1個可具有取得距離資訊之功能。例如，攝像部12101至12104之至少1個既可為含有複數個攝像元件之立體照相機，亦可為具有相位差檢測用之像素之攝像元件。
例如，微電腦12051藉由基於根據攝像部12101至12104取得之距離資訊，求得至攝像範圍12111至12114內之各立體物之距離、及該距離之時間性變化(對於車輛12100之相對速度)，而可在尤其是位於車輛12100之前進路上之最近之立體物中，將朝與車輛12100大致相同之方向以特定之速度(例如，0ｋm/h以上)行進之立體物作為前方車提取。進而，微電腦12051設定針對前方車之近前預先設定必須確保之車距，而可進行自動制動控制(亦包含追隨停止控制)或自動加速控制(亦包含追隨行駛控制)等。如此般可進行以在不依賴於駕駛者之操作下自主地行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
例如，微電腦12051可基於自攝像部12101至12104取得之距離資訊，將與立體物相關之立體物資料分類為2輪車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他之立體物並提取，且用於障礙物之自動躲避。例如，微電腦12051將車輛12100之周邊之障礙物識別為車輛12100之駕駛員能夠視認之障礙物及難以視認之障礙物。然後，微電腦12051判斷表示與各障礙物之碰撞之危險度之碰撞風險，在碰撞風險為設定值以上而有碰撞可能性之狀況時，藉由經由音訊揚聲器12061或顯示部12062對駕駛員輸出警報，或經由驅動系統控制單元12010進行強制減速或躲避操舵，而可進行用於避免碰撞之駕駛支援。
攝像部12101至12104之至少1個可為檢測紅外線之紅外線照相機。例如，微電腦12051可藉由判定在攝像部12101至12104之攝像圖像中是否有行人而辨識行人。如此之行人之辨識藉由例如提取作為紅外線照相機之攝像部12101至12104之攝像圖像之特徵點之程序、針對表示物體之輪廓之一系列特徵點進行圖案匹配處理而判別是否為行人之程序而進行。微電腦12051當判定在攝像部12101至12104之攝像圖像中有行人，且辨識為行人時，聲音圖像輸出部12052以針對該被辨識出之行人重疊顯示用於強調之方形輪廓線之方式控制顯示部12062。又，聲音圖像輸出部12052亦可以將表示行人之圖標等顯示於所期望之位置之方式控制顯示部12062。
以上，對於可應用本揭示之技術之車輛控制系統之一例進行了說明。本揭示之技術可應用於以上說明之構成之中之攝像部12031。
12.15.針對內視鏡手術系統之應用例 本揭示之技術(本技術)可應用於各種產品。例如，本揭示之技術可應用於內視鏡手術系統。
圖37係顯示可應用本揭示之技術(本技術)之內視鏡手術系統之概略性構成之一例之圖。
在圖37中，圖示手術者(醫生)11131使用內視鏡手術系統11000對病床11133上之患者11132進行手術之樣態。如圖示般，內視鏡手術系統11000包含：內視鏡11100、氣腹管11111或能量處置具11112等其他術具11110、支持內視鏡11100之支持臂裝置11120、及搭載有用於內視鏡下手術之各種裝置之推車11200。
內視鏡11100包含：鏡筒11101，其自前端起特定長度之區域插入患者11132之體腔內；及照相機頭11102，其連接於鏡筒11101之基端。在圖示之例中，圖示構成為具有硬性鏡筒11101之所謂硬性鏡之內視鏡11100，但內視鏡11100亦可構成為具有軟性鏡筒之所謂軟性鏡。
於鏡筒11101之前端，設置有供物鏡嵌入之開口部。於內視鏡11100連接有光源裝置11203，由該光源裝置11203產生之光藉由被延設至鏡筒11101之內部之光導件導光至該鏡筒之前端，經由物鏡朝向患者11132之體腔內之觀察對象進行照射。再者，內視鏡11100既可為直視鏡，亦可為斜視鏡或側視鏡。
於照相機頭11102之內部設置有光學系統及攝像元件，來自觀察對象之反射光(觀察光)藉由該光學系統而朝該攝像元件集光。觀察光藉由該攝像元件進行光電變換，產生與觀察光對應之電信號，亦即產生與觀察圖像對應之圖像信號。該圖像信號作為RAW資料被發送至相機控制單元(CCU：Camera Control Unit)11201。
CCU 11201係由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或GPU(Graphics Processing Unit，圖形處理單元)等構成，統括地控制內視鏡11100及顯示裝置11202之動作。進而，CCU 11201自照相機頭11102接收圖像信號，且對該圖像信號施以例如顯影處理(解馬賽克處理)等之用於顯示基於該圖像信號之圖像的各種圖像處理。
顯示裝置11202藉由來自CCU 11201之控制，顯示基於由該CCU 11201施加圖像處理之圖像信號之圖像。
光源裝置11203例如由LED(light emitting diode，發光二極體)等之光源構成，對內視鏡11100供給對手術部位等進行拍攝時之照射光。
輸入裝置11204係針對內視鏡手術系統11000之輸入介面。使用者可經由輸入裝置11204對於內視鏡手術系統11000進行各種資訊之輸入或指示輸入。例如，使用者輸入變更內視鏡11100之攝像條件(照射光之種類、倍率及焦距等)之主旨之指示等。
處置具控制裝置11205控制用於組織之灼燒、切開或血管之封閉等之能量處置具11112之驅動。氣腹裝置11206以內視鏡11100之視野之確保及手術者之作業空間之確保為目的，為了使患者11132之體腔膨起，而經由氣腹管11111將氣體送入該體腔內。記錄器11207係可記錄與手術相關之各種資訊之裝置。印表機11208係可將與手術相關之各種資訊以文字、圖像或圖表等各種形式印刷之裝置。
再者，對內視鏡11100供給在拍攝手術部位時之照射光之光源裝置11203可包含白色光源，該白色光源由例如LED、雷射光源或該等之組合構成。在藉由RGB雷射光源之組合構成白色光源之情形下，由於可高精度地控制各色(各波長)之輸出強度及輸出時機，故在光源裝置11203中可進行拍攝圖像之白平衡之調整。又，該情形下，將來自RGB雷射光源各者之雷射光按照時間分割朝觀察對象照射，藉由與該照射時機同步地控制照相機頭11102之攝像元件之驅動，而可將與RGB各者對應之圖像按照時間分割進行拍攝。根據該方法，即便於該攝像元件不設置彩色濾光器，亦可獲得彩色圖像。
又，光源裝置11203亦可以將所輸出之光之強度就每一特定之時間進行變更之方式控制其驅動。藉由與該光之強度之變更之時機同步地控制照相機頭11102之攝像元件之驅動而按照時間分割取得圖像，且將該圖像合成，而可產生所謂之無黑斑及跳白之高動態範圍之圖像。
又，光源裝置11203可構成為可供給對應特殊光觀察之特定之波長頻帶之光。在特殊光觀察中，例如，藉由利用身體組織之光之吸收之波長依存性，照射與通常之觀察時之照射光(亦即，白色光)相比更窄頻帶之光，而進行在高對比度下拍攝黏膜表層之血管等之特定之組織之所謂窄頻帶光觀察(Narrow Band Imaging，窄頻影像)。或者是，在特殊光觀察中，亦可進行利用藉由照射激發光而產生之螢光獲得圖像之螢光觀察。在螢光觀察中，可進行對身體組織照射激發光而觀察來自該身體組織之螢光(自身螢光觀察)、或靛氰綠(Indocyanine Green，ICG)等之試劑局部注入身體組織，並對該身體組織照射與該試劑之螢光波長對應之激發光而獲得螢光圖像等。光源裝置11203可構成為可供給與如此之特殊光觀察對應之窄頻帶光及/或激發光。
圖38係顯示圖37所示之照相機頭11102及CCU 11201之功能構成之一例之方塊圖。
照相機頭11102具有：透鏡單元11401、攝像部11402、驅動部11403、通訊部11404、及照相機頭控制部11405。CCU 11201具有：通訊部11411、圖像處理部11412、及控制部11413。照相機頭11102與CCU 11201藉由傳送纜線11400可相互通訊地連接。
透鏡單元11401係設置於與鏡筒11101之連接部之光學系統。自鏡筒11101之前端擷取入之觀察光被導光至照相機頭11102，而朝該透鏡單元11401入射。透鏡單元11401係組合有包含變焦透鏡及對焦透鏡之複數個透鏡而構成。
構成攝像部11402之攝像元件既可為1個(所謂之單板式)，也可為複數個(所謂之多板式)。在攝像部11402由多板式構成時，例如由各攝像元件產生與RGB各者對應之圖像信號，藉由將其等合成而可獲得彩色圖像。或，攝像部11402可構成為具有用於分別取得與3D(Dimensional，維度)顯示對應之右眼用及左眼用之圖像信號的一對攝像元件。藉由進行3D顯示，而手術者11131可更正確地掌握手術部位之生物體組織之深度。此外，在攝像部11402由多板式構成時，透鏡單元11401可與各攝像元件對應地設置複數個系統。
又，攝像部11402可不一定設置於照相機頭11102。例如，攝像部11402可在鏡筒11101之內部設置於物鏡之正後方。
驅動部11403係由致動器構成，藉由來自照相機頭控制部11405之控制，而使透鏡單元11401之變焦透鏡及對焦透鏡沿光軸移動特定之距離。藉此，可適當地調整由攝像部11402拍攝之攝像圖像之倍率及焦點。
通訊部11404係由用於在與CCU 11201之間發送接收各種資訊之通訊裝置構成。通訊部11404將自攝像部11402獲得之圖像信號作為RAW資料經由傳送纜線11400朝CCU 11201發送。
又，通訊部11404自CCU 11201接收用於控制照相機頭11102之驅動之控制信號，並供給至照相機頭控制部11405。在該控制信號中例如包含指定攝像圖像之圖框率之意旨之資訊、指定攝像時之曝光值之意旨之資訊、以及/或指定攝像圖像之倍率及焦點之意旨之資訊等有關攝像條件之資訊。
此外，上述之圖框率或曝光值、倍率、焦點等攝像條件既可由使用者適當地指定，也可基於所取得之圖像信號由CCU 11201之控制部11413自動地設定。在為後者之情形下，可於內視鏡11100搭載所謂之AE(Auto Exposure，自動曝光)功能、AF(Auto Focus，自動對焦)功能及AWB(Auto White Balance，自動白平衡)功能。
照相機頭控制部11405基於經由通訊部11404接收之來自CCU 11201之控制信號控制照相機頭11102之驅動。
通訊部11411係由用於在與照相機頭11102之間發送接收各種信息之通訊裝置構成。通訊部11411接收自照相機頭11102經由傳送纜線11400發送之圖像信號。
又，通訊部11411對照相機頭11102發送用於控制照相機頭11102之驅動之控制信號。圖像信號或控制信號可藉由電性通訊或光通訊等發送。
圖像處理部11412對自照相機頭11102發送之作為RAW數據之圖像信號實施各種圖像處理。
控制部11413進行與由內視鏡11100進行之手術部位等之攝像、及由手術部位等之攝像獲得之攝像圖像之顯示相關之各種控制。例如，控制部11413產生用於控制照相機頭11102之驅動之控制信號。
又，控制部11413基於由圖像處理部11412實施圖像處理之圖像信號使顯示設備11202顯示拍攝到手術部位等之攝像圖像。此時，控制部11413可利用各種圖像辨識技術辨識攝像圖像內之各種物體。例如，控制部11413藉由檢測攝像圖像中所含之物體之邊緣之形狀或顏色等，而可辨識鑷子等手術器具、特定之生物體部位、出血、能量處置具11112之使用時之霧氣等。控制部11413可在使顯示設備11202顯示攝像圖像時，利用該辨識結果使各種手術支援信息重疊顯示於該手術部位之圖像。藉由重疊顯示手術支援信息，對手術者11131予以提示，而可減輕手術者11131之負擔，而手術者11131準確地進行手術。
連接照相機頭11102及CCU 11201之傳送纜線11400可為與電信號之通訊對應之電信號纜線、與光通訊對應之光纖、或其等之複合纜線。
此處，在圖示之例中，可利用傳送纜線11400以有線進行通訊，但照相機頭11102與CCU 11201之間之通訊亦可利用無線進行。
以上，對於可應用本發明之技術之內視鏡手術系統之一例進行了說明。本揭示之技術可應用於以上所說明之構成中之內視鏡11100、或照相機頭11102之攝像部11402。
再者，此處，作為一例而說明了內視鏡手術系統，但本揭示之技術亦可應用於其他例如顕微鏡手術系統等。
對於本揭示之較佳之實施形態詳細地進行了說明，但本揭示之技術範圍並不限定於如此之例。只要係具有本發明之技術領域之通常之知識之技術人員顯然可在專利申請範圍中所記載之技術性思想之範圍內想到各種變化例或修正例，應瞭解其等亦屬於本發明之技術性範圍內。
例如，本說明書所記載之材料例之化學式為一例，可自記載有化學式者進行變更。 又，本說明書中所記載之效果終極而言僅為說明性或例示性效果，而非限定性效果。即，本發明之技術除可獲得上述之效果外，還可取代上述之效果而獲得本領域技術人員根據本說明書之記載即顯而易知之其他效果。
此外，如以下之構成亦屬於本揭示之技術性範圍內。 (1) 一種攝像裝置，其具備：第1半導體層，其形成於半導體基板； 第2半導體層，其形成於前述第1半導體層上且與前述第1半導體層為逆導電型； 像素分離部，其區劃包含前述第1半導體層及前述第2半導體層之像素區域； 第1電極，其自前述半導體基板之一個面側與前述第1半導體層連接；及 金屬層，其自前述半導體基板之另一個面即光照射面側與前述第2半導體層連接，且於前述半導體基板之厚度方向之至少一部分處埋入前述像素分離部。 (2) 如技術方案1之攝像裝置，其更具備第2電極，該第2電極以自前述光照射面側與前述第2半導體層連接，且與前述像素分離部之位置對應之方式形成，且 前述金屬層經由前述第2電極與前述第2半導體層電性連接。 (3) 如前述(2)之攝像裝置，其中前述第2電極沿著前述像素區域之周緣而形成。 (4) 如前述(2)之攝像裝置，其中前述第2電極形成於前述像素區域之周緣之一部分區域。 (5) 如前述(4)之攝像裝置，其中前述第2電極形成於矩形之前述像素區域之四個角隅之至少1個部位。 (6) 如前述(4)或(5)之攝像裝置，其中前述第2電極埋入形成於前述第2半導體層之孔。 (7) 如前述(2)至(6)中任一項之攝像裝置，其中前述第2電極與前述金屬層係由同一材料形成。 (8) 如前述(2)至(7)中任一項之攝像裝置，其具備絕緣膜，該絕緣膜沿著前述像素分離部及前述光照射面而形成， 前述第2電極埋入設置於前述第2半導體層之開口，設置有前述絕緣膜之端部較前述開口之壁面更後退之區域，且於前述區域填充有前述第2電極。 (9) 如前述(1)至(8)中任一項之攝像裝置，其具備絕緣膜，該絕緣膜沿著前述像素分離部形成，且 設置有前述絕緣膜之端部朝前述像素分離部之厚度方向後退之區域，於前述區域填充有絕緣膜。 (10) 如前述(2)之攝像裝置，其中在前述第1電極與前述第2電極之間施加有用於電子倍增之電壓。 (11) 如前述(1)至(10)中任一項之攝像裝置，其具備與形成於前述第2半導體層上之前述第2半導體層相同導電型之第3半導體層。 (12) 如前述(2)之攝像裝置，其中前述第2電極設置於前述像素分離部之上表面。 (13) 如前述(2)之攝像裝置，其中前述像素分離部及前述第2電極具有包圍複數個前述像素區域之格子狀之平面形狀。
50:半導體基板 100:第2電極、陰極電極 102:電極 130:第1電極、陽極電極 132:輔助電極 140:接觸層 142:電極 150:像素分離部 152:金屬層(陽極電極)、電極 152a:接觸部 160:光電轉換部(第3半導體層) 170:P型層(第2半導體層) 180:N型層(第1半導體層) 190:埋入金屬層 192:絕緣膜 193:膜 194:絕緣膜 200:絕緣層（絕緣膜） 220:表面金屬層 300a:彩色濾光器 300b:彩色濾光器 300c:彩色濾光器 400:晶片上透鏡 510:埋入絕緣膜 520:凹部、Si基板 528:第1埋入層 530:金屬層 532:絕緣膜 534:絕緣膜 536:金屬膜 538:電極 540:第2層 542:金屬膜 544:P層 700:P區域 701:填充槽 702:開口 704:開口 710:P-區域 720:雪崩部 730:P+區域 740:N+區域 750:N+區域 760:P區域 780:N-區域 790:P+層 810:絕緣膜(固定電荷膜) 820:配線層 830:P層 926:Si層 928:第1埋入層 930:金屬層 934:絕緣膜 936:金屬膜、金屬層 950:絕緣膜 1000:攝像裝置(SPAD光電二極體、攝像器件)、攝像元件 1100:陰極電極 1102:電極 1130:陽極電極 1140:接觸層 1160:光電轉換部 1170:P型層(第2半導體層) 1180:N型層(第1半導體層) 2000:相機裝置 2100:光學部 2200:DSP電路 2300:圖框記憶體 2400:顯示部(顯示裝置) 2500:記錄部 2600:操作部 2700:電源部 2800:匯流排線 3000:电子器件 3010:感測部 3020:信號處理部 3030:控制部 3040:記憶部 3100:第1半導體晶片 3200:第2半導體晶片 11000:內視鏡手術系統 11100:內視鏡 11101:鏡筒 11102:照相機頭 11110:其他術具 11111:氣腹管 11112:能量處置具 11120:支持臂裝置 11131:手術者(醫生) 11132:患者 11133:病床 11200:推車 11201:相機控制單元(CCU) 11202:顯示裝置 11203:光源裝置 11204:輸入裝置 11205:處置具控制裝置 11206:氣腹裝置 11207:記錄器 11208:印表機 11400:傳送纜線 11401:透鏡單元 11402:攝像部 11403:驅動部 11404:通訊部 11405:照相機頭控制部 11411:通訊部 11412:圖像處理部 11413:控制部 12000:車輛控制系統 12001:通訊網路 12010:驅動系統控制單元 12020:車體系統控制單元 12030:車外資訊檢測單元 12031:攝像部 12040:車內資訊檢測單元 12041:駕駛者狀態檢測部 12050:綜合控制單元 12051:微電腦 12052:聲音圖像輸出部 12053:車載網路I/F 12061:音訊揚聲器 12062:顯示部 12063:儀錶板 12100:車輛 12101:攝像部 12102:攝像部 12103:攝像部 12104:攝像部 12105:攝像部 12111:攝像範圍 12112:攝像範圍 12113:攝像範圍 12114:攝像範圍 A1:區域 A2:區域 A3:區域 C:部位 d1:距離 d2:距離 R:一點鏈線
圖1係顯示將SPAD光電二極體設為背面照射型，且於背面側設置一個陽極電極，而施加高電壓之構成例之示意圖。 圖2係顯示本揭示之一實施形態之半導體裝置(SPAD光電二極體)之示意圖。 圖3係顯示本實施形態之又一構成例之示意圖。 圖4係顯示圖3所示之構成之埋入金屬層自背面側被埋入之構成之示意圖。 圖5係顯示相對於圖2所示之構成例，於像素區域之最表面設置與陽極電極相連之輔助電極之例之示意圖。 圖6係顯示相對於圖2所示之構成例，於光電轉換部之最表面設置絕緣層，在像素分離部上之範圍內，於絕緣層上設置具有遮光性之金屬層之例之示意圖。 圖7係顯示在像素分離部上不設置絕緣膜，而在陽極電極上設置具有遮光性之金屬層之例之示意圖。 圖8係顯示在圖3所示之構成例中，不設置具有遮光性之金屬層，而於光照射面設置絕緣層之例之示意圖。 圖9係顯示在圖3所示之構成例中，與圖6所示之構成例同樣地，設置絕緣層與具有遮光性之金屬層之例之示意圖。 圖10係顯示在圖3所示之構成例中，與圖7所示之構成例同樣地，設置絕緣層與具有遮光性之金屬層之例之示意圖。 圖11係顯示在圖4所示之構成例中，將陽極電極配置於較像素分離部更靠近像素區域側，且將陽極電極與設置於像素分離部上之表面金屬層加以連接之例之示意圖。 圖12係顯示相對於圖1所示之構成例，將埋入金屬層之長度在像素區域之深度方向縮短之例之示意圖。 圖13係顯示陽極電極和與陽極電極連接之電極之位置關係之示意圖。 圖14係顯示陽極電極和與陽極電極連接之電極之位置關係之示意圖。 圖15係顯示陽極電極和與陽極電極連接之電極之位置關係之示意圖。 圖16係顯示陽極電極與接觸層之位置關係之平面圖。 圖17係顯示陽極電極與接觸層之位置關係之平面圖。 圖18係顯示在圖12所示之構成中，於光照射面之絕緣層上設置有彩色濾光器，於彩色濾光器之更上方設置有晶片上透鏡之構成之概略剖視圖。 圖19係顯示自圖18所示之光電轉換部與絕緣層之界面觀察光電轉換部側之區域之狀態之示意圖。 圖20係顯示作為應用本技術之電子機器之相機裝置之構成例之方塊圖。 圖21A係顯示在各變型中共通之基本構成之概略剖視圖。 圖21B係顯示在圖21A中，在由與圖18同樣之絕緣膜覆蓋金屬層後，設置彩色濾光器之例之概略剖視圖。 圖22A係關於第1變型之攝像裝置，詳細地顯示像素分離部之附近之概略剖視圖。 圖22B係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22C係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22D係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22E係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22F係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22G係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖22H係顯示第1變型之攝像裝置之不同之態樣之概略剖視圖。 圖23A係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23B係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23C係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23D係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23E係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23F係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖23G係第1變型之攝像裝置之平面圖。 圖24係依照步驟順序顯示第1變型之半導體裝置之製造方法之概略剖視圖。 圖25係顯示在圖24所示之製造方法中，利用固相擴散等以高濃度之P層自表側包圍形成於背面側之第2埋入層之情形之製造步驟之示意圖。 圖26係顯示第2變型之攝像裝置之概略剖視圖。 圖27係顯示第3變型之攝像裝置之概略剖視圖。 圖28係將圖31所示之區域A1之範圍放大而顯示之示意圖。 圖29係顯示第3變型之又一例之概略剖視圖。 圖30係將圖29所示之區域A2之範圍放大而顯示之示意圖。 圖31係依照步驟順序顯示第3變型之半導體裝置之製造方法之概略剖視圖。 圖32係顯示在圖31之步驟(5)中，伴隨著形成於槽內之第1埋入層之上之絕緣膜後退，而於該部分進一步形成絕緣膜之例之概略剖視圖。 圖33係在圖32所示之步驟(5-1)、步驟(5-2)中，將區域A3放大而顯示之剖視圖。 圖34係顯示包含攝像裝置之電子器件之構成之示意圖。 圖35係顯示車輛控制系統之概略性構成之一例之方塊圖。 圖36係顯示車外資訊檢測部及攝像部之設置位置之一例之說明圖。 圖37係顯示內視鏡手術系統之概略性構成之一例之圖。 圖38係顯示照相機頭及CCU之功能構成之一例之方塊圖。
150:像素分離部
152:金屬層(陽極電極)、電極
190:埋入金屬層
194:絕緣膜
510:埋入絕緣膜
700:P區域
760:P區域
810:絕緣膜(固定電荷膜)
820:配線層

Claims (13)

  1. 一種攝像裝置，其具備：第1半導體層，其形成於半導體基板； 第2半導體層，其形成於前述第1半導體層上且與前述第1半導體層為逆導電型； 像素分離部，其區劃包含前述第1半導體層及前述第2半導體層之像素區域； 第1電極，其自前述半導體基板之一個面側與前述第1半導體層連接；及 金屬層，其自前述半導體基板之另一個面即光照射面側與前述第2半導體層連接，且於前述半導體基板之厚度方向之至少一部分處埋入前述像素分離部。
  2. 如請求項1之攝像裝置，其更具備第2電極，該第2電極以自前述光照射面側與前述第2半導體層連接，且與前述像素分離部之位置對應之方式形成，且 前述金屬層經由前述第2電極與前述第2半導體層電性連接。
  3. 如請求項2之攝像裝置，其中前述第2電極沿著前述像素區域之周緣而形成。
  4. 如請求項2之攝像裝置，其中前述第2電極形成於前述像素區域之周緣之一部分區域。
  5. 如請求項4之攝像裝置，其中前述第2電極形成於矩形之前述像素區域之四個角隅之至少1個部位。
  6. 如請求項4之攝像裝置，其中前述第2電極埋入形成於前述第2半導體層之孔。
  7. 如請求項4之攝像裝置，其中前述第2電極與前述金屬層係由同一材料形成。
  8. 如請求項2之攝像裝置，其具備絕緣膜，該絕緣膜沿著前述像素分離部及前述光照射面而形成，且 前述第2電極埋入設置於前述第2半導體層之開口，設置有前述絕緣膜之端部較前述開口之壁面更後退之區域，且於前述區域填充有前述第2電極。
  9. 如請求項1之攝像裝置，其具備絕緣膜，該絕緣膜沿著前述像素分離部形成，且 設置有前述絕緣膜之端部朝前述像素分離部之厚度方向後退之區域，於前述區域填充有絕緣膜。
  10. 如請求項1之攝像裝置，其中於前述第1電極與前述金屬層之間施加有用於電子倍增之電壓。
  11. 如請求項1之攝像裝置，其具備與形成於前述第2半導體層上之前述第2半導體層相同導電型之第3半導體層。
  12. 如請求項2之攝像裝置，其中前述第2電極設置於前述像素分離部之上表面。
  13. 如請求項2之攝像裝置，其中前述像素分離部及前述第2電極具有包圍複數個前述像素區域之格子狀之平面形狀。
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