WO2020039725A1

WO2020039725A1 - 光送信装置、光送信方法、及びプログラム

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Publication number: WO2020039725A1
Application number: PCT/JP2019/024468
Authority: WO
Inventors: 勇人佐野
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2018-08-23
Filing date: 2019-06-20
Publication date: 2020-02-27
Also published as: JPWO2020039725A1; JP6880333B2; WO2020039549A1

Abstract

入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅により特徴づけられる送信用変調信号（１）によってパルス振幅変調して光信号として出力する第１の光変調器（２２０）と、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧（２）から第３のＤＣバイアス電圧（４）による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器（２３１）から（２３３）と、第２の光変調器（２３１）から（２３３）の第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を受け、第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいた第１の駆動条件制御用信号（８）を出力し、第２の光変調器（２３１）から（２３３）に印加する第１のＤＣバイアス電圧（２）から第３のＤＣバイアス電圧（４）を出力する駆動条件探索部（２００ｂ）と、駆動条件探索部（２００ｂ）からの第１の駆動条件制御用信号（８）に基づき、第１の光変調器（２２０）に印加する送信用変調信号（１）の直流成分である直流バイアス電圧Ｖbiasの電圧値を調整する光送信器制御部（３００）を備える。

Description

光送信装置、光送信方法、及びプログラム

　この発明は、光送信装置、光送信方法、及びプログラムに係り、特に、ＰＡＭ４変調方式を主とした多値変調方式に適用可能な光送信装置、光送信方法、及びプログラムに関する。

　光通信の分野において、ＮＲＺ（Non Return to Zero）変調方式が多く採用されている。近年、通信の大容量化、様々な伝送距離及び用途に応じた光通信ネットワークを実現するために、標準化団体などにおいて標準化が検討されている。
　現在、ＩＥＥＥ　Ｐ８０２.３ｂｓにおいて次世代イーサネット規格（イーサネットは登録商標）である４００ＧｂＥの議論が進められており、４００ＧｂＥでは多値変調方式の一つであるＰＡＭ（Pulse Amplitude Modulation）４変調方式が採用される見込みがある。
　ＰＡＭ４変調方式として、例えば、非特許文献１にて提案されている。

"4-PAM for High-Speed Short-Range Optical Communications", K. Szczerba, A. Larsson et al., Journal of Optical Communications and Networking, Vol. 4, No. 11, November 2012.

　１シンボルで１ビット（１と０の２値）を送るＮＲＺ（Non Return to Zero）変調方式を適用した光通信ネットワークにおいて、ＥＡ変調器（電界吸収型変調器、ＥＡ＝Electro-Absorption）を適用した光送信器は、ＥＡ変調器が持つ消光カーブ特性の温度に対する変動により光信号の誤り率が大きくなるという問題があった。
　また、１シンボルで２ビット（３、２、１、０の４値）を送るＰＡＭ４変調方式は、振幅のレベルを３、２、１、０に対応させて変調する４値の振幅変調であるため、ＮＲＺ変調方式に対して容量を２倍にできるものの、レベル間の振幅差が１／３となるため、ＥＡ変調器が持つ消光カーブ特性の温度に対する変動による光信号の誤り率の増加がＮＲＺ変調方式と比べてより大きな問題となる。
　温度変動に対する対策の一つとして、ＥＡ変調器の温度制御に熱電コントローラ（ＴＥＣ＝Thermoelectric Cooler）を用いる方法がある。
　しかるに、ＥＡ変調器に対してミリメートルあるいはセンチメートル規模での温度制御がなされることから、光送信器全体の消費電力に対するＴＥＣの消費電力の占める割合が比較的大きく、消費電力の点で問題があった。

　この発明は上記した問題点に鑑みてなされたものであり、ＥＡ変調器に対して熱電コントローラを用いることなく、温度変動が生じても光信号の誤り率を小さくできる光送信装置を得ることを目的とする。

　この発明に係る光送信装置は、入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器と、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器と、第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を受け、第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第１の駆動条件制御用信号を得るとともに、第２の光変調器に印加する第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧を出力する駆動条件探索部と、駆動条件探索部にて得られた第１の駆動条件制御用信号に基づき、第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を調整する光送信器制御部を備える。

　この発明によれば、第１の光変調器における消光カーブ特性が変化しても、第１の光変調器に印加される送信用変調信号が調整され、第１の光変調器から出力される光信号の誤り率を小さくできる。

この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００の構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態１に係る光信号生成部２００ａの構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０における消光カーブ特性とＤＣバイアス電圧の関係を示す図である。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０におけるＰＡＭ４変調方式における光信号のアイパターン(適切な駆動条件)を示す図である。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０における制御方式の原理を説明するための図である。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０、２３１から２３３における、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔ及びフォトカレントＩphの関係を示す図である。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０、２３１から２３３における、駆動振幅調整モードの時の、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔの関係を示す図。この発明の実施の形態１に係るＥＡ変調器２２０における、温度ｔ1と温度ｔ２時の調整有、調整無の時の消光カーブと逆方向印加電圧Ｖとの関係を示す図である。この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００のハードウェア構成を示す図である。この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００における調整モードを示すフローチャートである。この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００におけるＤＣバイアス電圧調整モードを示すフローチャートである。この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００における駆動振幅調整モードを示すフローチャートである。この発明の実施の形態２に係る光送信装置１００の構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態２に係る光送信装置１００における調整モードを示すフローチャートである。この発明の実施の形態３に係る光信号生成部２００ｃの構成を示すブロック図であるこの発明の実施の形態４に係る光信号生成部２００ｄの構成を示すブロック図であるこの発明の実施の形態５に係る光送信装置１００における調整モードを示すフローチャートである。この発明の実施の形態６に係る光送信装置１００の構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態６に係る光信号生成部２００ｅの構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態６に係るＥＡ変調器２２０、２３１から２３４における、駆動振幅調整モードの時の、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔの関係を示す図。この発明の実施の形態６に係る光送信装置１００における駆動振幅調整モードを示すフローチャートである。

　以下、この発明をより詳細に説明するため、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
　この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００について、図１から図１２を用いて説明する。なお、図１において、実線矢印は光信号の流れを、点線矢印は電気信号の流れを示している。

　図１はこの発明の実施の形態１における光送信装置１００の構成を示すブロック図である。光送信装置１００は、光ファイバ又は無線空間などで構成された光通信ネットワークにおいて、光信号の送受信を司る通信機器及び光トランシーバの、その送信機能に着目した装置である。そのため、実際のシステムでは同じ筐体に光受信器及び光受信器を制御する制御機器が光送信装置１００とともに含まれている。この実施の形態１において、光受信器及び光受信器を制御する制御機器については、通常知られている機器を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
　また、光送信装置１００はＰＡＭ４変調方式が適用された光送信装置であり、例えば、大容量光ファイバ通信機器用に適用される。

　光送信装置１００は、光送信器２００と光送信器制御部３００を備えている。光送信器２００は、通信相手に送るデータ情報として入力された電気信号を光信号に変換し、出力する。光送信器２００は最低１個の光デバイスによって構成される。データ情報として入力される電気信号は超高速な電気信号である送信用変調信号１として光デバイスに入力される。送信用変調信号１はＤＣバイアス電圧Ｖbiasと駆動振幅ＶRFによって特徴づけられる変調信号である。
　また、光送信装置１００は、送信用変調信号１に対してのＤＣバイアス電圧（Ｖbias）調整モードと駆動振幅（ＶRF）調整モードの２つの調整モードが通常の光通信に併せて繰り返し行なわれる。なお、これら調整モードは常時行なわず、所定間隔毎に繰り返して行なわれるものでも良い。

　光送信器制御部３００は送信用変調信号１を生成し、送信用変調信号１を光送信器２００へ出力するとともに、光送信器２００からの種々の電気信号が入力され、入力された電気信号に基づき光送信器２００を制御する。光送信器制御部３００は、光送信器２００に対する専用の制御基板上で実現されても良いし、光送信装置１００全体に対する制御基板上で実現されても良い。

　光送信器２００は、ＰＡＭ４変調方式が適用される光送信器であり、電界吸収型変調器集積型半導体レーザ（ＥＭＬ＝Electro-absorption Modulator Laser Diode)の光デバイスによって構成される。光送信器２００は、光素子である光信号生成部２００ａと駆動条件探索部２００ｂとを備えている。
　光信号生成部２００ａは、電気信号及び光信号の生成、送受を行ない、光送信器２００としての主機能を果たす。光信号生成部２００ａは、通常知られている、連続レーザ光出力部（以下、ＣＷ光出力部と称す）２１０と電界吸収型変調器（以下、ＥＡ変調器と称す）２２０を基本的な構成要素とする光デバイスに、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３を備えさせたものである。

　ＣＷ光出力部２１０は、光信号の元となるＣＷ(Continuous Wave)光（連続波発振光）を生成し、後段ブロックへとＣＷ光を送り出す半導体レーザにより構成される。
　ＣＷ光出力部２１０は、図２に示すように、発光部２１１と、ＣＷ光分岐部２１２と、観測用ＣＷ光分岐部２１３を備えている。

　発光部２１１はＣＷ光を出力する半導体レーザ（ＬＤ）である。ＣＷ光分岐部２１２は、発光部２１１からのＣＷ光を２つに分岐してＥＡ変調器２２０と観測用ＣＷ光分岐部２１３に出力する。観測用ＣＷ光分岐部２１３はＣＷ光分岐部２１２からのＣＷ光を３つに分岐して第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に出力する。
　ＣＷ光分岐部２１２の分岐前及び分岐後のＣＷ光の特性は光パワー以外同じであり、観測用ＣＷ光分岐部２１３の分岐前及び分岐後のＣＷ光の特性は光パワー以外同じである。
　ＣＷ光分岐部２１２及び観測用ＣＷ光分岐部２１３は、光結合器又は多モード干渉導波路などで構成される。
　また、光送信装置１００の運用中全ての期間について調整モードを実施しているが、調整モードを周期的に行なう場合は、ＣＷ光分岐部２１２は調整モードの時のみ、発光部２１１からのＣＷ光を観測用ＣＷ光分岐部２１３に分岐するものでも良い。

　ＥＡ変調器２２０は、外部変調器である導波路構造をしており、ＣＷ光出力部２１０と光接続され、ＣＷ光分岐部２１２を介して入力されるＣＷ光出力部２１０からのＣＷ光を、導波路に設けた電極を通じて印加される変調用の電気信号である送信用変調信号１により変調を行い、光信号を生成し、出力する。ＥＡ変調器２２０は、電気信号が印加されることにより、導波路内に電界が生じて通過するＣＷ光の光吸収が生じ、その結果として出力光の光パワーが低下する性質を利用している。ＥＡ変調器２２０は、送信用変調信号１として高速な電気信号を与えることにより、光パワーが変調された光信号の生成を行い、光信号を出力している。

　送信用変調信号１はＥＡ変調器２２０を駆動させるためのバイアス印加された変調信号であり、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasと駆動振幅ＶRFの変調信号を合成した電気信号である。
　ＥＡ変調器２２０は、ＣＷ光分岐部２１２を介して入力されたＣＷ光出力部２１０からの連続レーザ光の光パワーを電界吸収効果により減衰させる機能を有し、入力された連続レーザ光を、印加される送信用変調信号１によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器を構成する。

　ＥＡ変調器２２０は、図３に示すような逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔの関係、つまり消光カーブ特性を有している。図３は、光送信装置１００の使用許容温度範囲内の稼働開始時温度もしくは定常動作時の設定温度に対する消光カーブＴ0を示している。
　図３において、横軸は逆方向印加電圧Ｖ、つまり、送信用変調信号１における電圧値を示し、縦軸はＥＡ変調器２２０のパワー透過率Ｔを示している。なお、横軸において逆方向印加電圧Ｖを正の値としている。

　消光カーブＴ0は、印加される逆方向印加電圧Ｖに対して、パワー透過率Ｔが非線形性を持って変化しているため、消光カーブＴ0における線形な領域で変調を行うように適切にバイアス印加された送信用変調信号１がＥＡ変調器２２０に与えられる。

　すなわち、消光カーブＴ0における線形な領域の中心点近辺の逆方向印加電圧Ｖを、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasとし、PAM４変調方式におけるレベル３とレベル０に対応する送信用変調信号１の電圧差を送信用変調信号１の駆動振幅ＶRFとする。
　理想的には、レベル３からレベル０における光信号のパワー透過率Ｔが等間隔で現れるのが良い。
　従って、レベル３の時の送信用変調信号１を示す逆方向印加電圧値は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、駆動振幅ＶRFの１／２をマイナスした値、レベル２の時の送信用変調信号１を示す逆方向印加電圧値は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、駆動振幅ＶRFの１／６をマイナスした値、レベル１の時の送信用変調信号１を示す逆方向印加電圧値は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、駆動振幅ＶRFの１／６をプラスした値、レベル０の時の送信用変調信号１を示す逆方向印加電圧値は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、駆動振幅ＶRFの１／２をプラスした値とする。

　このようにすることにより、ＥＡ変調器２２０の光出力パワーは、図４に示すように、レベル３からレベル０それぞれに対してＰ03からＰ00となる。従って、レベル３からレベル０に対応して４値の光出力が得られる。
　しかも、ＥＡ変調器２２０から出力される光信号のアイパターンは、レベル３～２間のアイ、レベル２～１間のアイ、レベル１～０間のアイの上中下３つのアイを有し、３つのアイが等間隔に開いている状態であるため、上中下３つのアイにおける信号の誤りは同程度の頻度で生じ、それぞれのレベルの振幅差が大きいほど誤り率は小さくなる。

　ＥＡ変調器２２０の消光カーブ特性は、光送信装置１００内外の諸環境から影響を受ける。消光カーブＴ0に対する温度ｔ0に対して温度が変動すると、消光カーブは消光カーブＴ0から変動する。
　但し、ＥＡ変調器２２０において、電界吸収効果における温度が与える影響は複雑であるため、温度変化に対応する消光カーブの変動は関数の平行移動のように簡単には表せない。

　すなわち、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasと駆動振幅ＶRFを初期設定にしたままであると、温度の変動によって、消光カーブＴ0の線形領域にて送信用変調信号１を印加していたものが、消光カーブの非線形の領域に送信用変調信号１を印加することになり、ＥＡ変調器２２０から出力される光信号のアイパターンが歪み、上中下３つのアイが不等間隔になり、光信号の誤り率が増大する恐れがある。

　この実施の形態１では、ＤＣバイアス電圧調整モードと駆動振幅調整モードの２つの調整モードを持ち、送信用変調信号１における逆方向印加電圧値を変更し、送信用変調信号１がＥＡ変調器２２０の消光カーブの線形領域に印加されるように制御している。
　制御に関する基本的な考えは、ＥＡ変調器２２０の消光カーブ特性における消光カーブの傾きの極大値に狙いを定め、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを求めることである。

　この点について、図５を用いて説明する。
　図５は、ＥＡ変調器２２０の駆動条件探索の原理を示す図である。図５において、横軸は逆方向印加電圧Ｖ、つまり、送信用変調信号１における電圧値を示し、縦軸はＥＡ変調器２２０のパワー透過率Ｔを示している。なお、横軸において逆方向印加電圧Ｖを正の値としている。２つの温度ｔ1及び温度ｔ2に対し、実線Ｔ1と実線Ｔ2は消光カーブを、点線Ｔ1’と点線Ｔ2’は消光カーブＴ1と消光カーブＴ2に対して電圧で微分をとった消光カーブの傾き特性を示している。温度ｔ1と温度ｔ2は異なる温度であり、温度がｔ1からｔ2に変化すると、各電圧に対するパワー透過率Ｔが変化する。つまり、消光カーブは図５に示すようにＴ1からＴ2に変化する。

　温度変化に対する消光カーブ特性の変動は、ＥＡ変調器２２０における電界吸収効果における温度が与える影響が複雑であるため、関数の平行移動のように簡単には表せないが、最適ではないにしても適切な値として指標になるのが、消光カーブの傾きの極大値である。
　すなわち、消光カーブ特性が完全に線形である場合において、消光カーブの傾きはどのＤＣバイアス電圧に対しても一定となる。しかし、実際には、消光カーブが示すパワー透過率Ｔは０以上かつ１以下の値となるため、全てのＤＣバイアス電圧Ｖbiasに対して傾きが一定ということはなく、傾きはＤＣバイアス電圧Ｖbiasに対して増減する。傾きが増減するなかで、図５に示すように、消光カーブの傾き特性Ｔ1’及び傾き特性Ｔ2’の極大値の付近では傾きの変化率が小さい。言い換えれば、極大値を与えるＤＣバイアス電圧Ｖbiasでは消光カーブＴ1及び消光カーブＴ2の線形性が高い領域となる。このことから、ＥＡ変調器２２０に印加するＤＣバイアス電圧Ｖbiasとして、消光カーブの傾きの極大値を与える電圧は適切である。

　一方、変調信号の駆動振幅ＶRFを非常に大きくした場合には、レベル３又はレベル０を与える送信用変調信号１の値が消光カーブの非線形性の領域に入ってしまい、どのようなＤＣバイアス電圧条件でも波形が歪んでしまう。従って、変調信号の駆動振幅ＶRFを適切な値に制御し、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasとして、傾きの極大値を与える電圧とする。
　このような考えに基づき、ＥＡ変調器２２０に対する送信用変調信号１を生成している。
　この点について、以下、具体的に説明する。

　光信号生成部２００ａにおける第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３はＥＡ変調器２２０の適切な駆動条件を探索するためのものである。第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３はそれぞれＥＡ変調器２２０と同様の構成をしており、ＣＷ光出力部２１０からのＣＷ光に対して対応する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４が印加されることにより電界吸収効果を引き起こし、その際に生じる電流であるフォトカレントの値を第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７を出力する。

　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は、ＥＡ変調器２２０の適切な駆動条件を探索するという目的から、その半導体の層構造、組成比がＥＡ変調器２２０と極力同一にしてある。第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４は異なる電圧値を持つ。第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を異なる電圧値としているのは、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの出力となるフォトカレントの値の差異を利用して、ＥＡ変調器２２０に対する送信用変調信号１を調整するとの考えに基づく。

　したがって、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は、印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値以外は導波路の構造及び電界吸収効果が生じる領域の長さなどを極力同じにしてある。
　言い換えれば、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は、同じ構成のＥＡ変調器である。ただし、ＤＣバイアス電圧調整モードにおいては、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３の導波路の長さがＥＡ変調器２２０の導波路の長さと必ずしも同じである必要はない。

　すなわち、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は、観測用ＣＷ光分岐部２１３を介して入力されたＣＷ光出力部２１０からの連続レーザ光の光パワーを電界吸収効果により減衰させる機能をそれぞれが有する３つの導波路で構成され、ＣＷ光出力部２１０からの連続レーザ光をそれぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器を構成する。

　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は、それぞれ、導波路に設けた電極を通じて印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４により、導波路内での光吸収が生じると、印加する電極の間にフォトカレントが発生する。フォトカレントの大きさにより、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３における光吸収量ひいてはパワー透過率Ｔを推定できる。この性質を利用して、ＥＡ変調器２２０に印加される送信用変調信号１を制御する一要件としている。

　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値は、以下のようにされる。
　初期値において、ＤＣバイアス電圧調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）を差分値α2とし、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）を差分値α3と設定する。

　第１のＤＣバイアス電圧２の電圧値Ｖ1をＶbiasとすると、第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値Ｖ2はＶbias－α2、第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値Ｖ3はＶbias－α2－α3となる。
　差分値α2及び差分値α3は、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasをこの実施の形態１では０．１Ｖ程度の分解能で制御を行うため、０．１Ｖ程度の分解能で制御する。
　また、初期値におけるＶbiasは、図３に示した値、つまり、温度ｔ0の消光カーブＴ0におけるレベル１とレベル２との中間の値に設定する。

　また、駆動振幅調整モードの第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）を差分値β2とし、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）を差分値β3と設定する。
　第１のＤＣバイアス電圧２が示す電圧値Ｖ1をＶbiasとすると、第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値Ｖ2がＶbias－β2、第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値Ｖ3がＶbias－β2－β3となる。

　差分値β2は駆動振幅ＶRFの１／６、差分値β3は駆動振幅ＶRFの１／３である。つまり、差分値β3は図３で示した等間隔のレベル間の電圧差に相当し、差分値β2はレベル間の電圧差の１/２に相当する。
　また、駆動振幅調整モード開始時におけるＶbiasは、この実施の形態１では、ＤＣバイアス電圧調整モード終了直後に行なうため、ＤＣバイアス電圧調整モード終了直後に設定された値である。

　駆動条件探索部２００ｂは、電気信号の生成、送受、制御などを行ない、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を受け、第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号の差分量に基づいてＥＡ変調器２２０に対する適切な駆動条件を探索するための処理、つまり、ＥＡ変調器２２０を適切に駆動させるための送信用変調信号１を生成するための第１の駆動条件制御用信号８及び第２の駆動条件制御用信号９を得、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を出力する。

　駆動条件探索部２００ｂは、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３と、第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２と、比較部２６０と、駆動条件制御部２７０と、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０を備える。
　なお、図１において、駆動条件探索部２００ｂの各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。
　第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３は第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対応しており、それぞれが、対応した第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示す電流値を電圧値に変換して第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号としての第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２を得る。

　すなわち、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３から出力された第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示すフォトカレントの値Ｉph1から値Ｉph3を電圧値Ｖph1からＶph3に変換する。この変換では、例えば、抵抗を介した線形変換、つまりオームの法則（Ｖ＝Ｉ×Ｒ）に基づき行なわれる。第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３は同じ抵抗値を有する抵抗にて構成している。

　第１の差動増幅部２５１は、第１の電流－電圧変換部２４１からの第１の条件変更用電圧１０が示す電圧値Ｖph1と第２の電流－電圧変換部２４２からの第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値Ｖph2に基づき、第１の条件変更用電圧１０と第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値との差分量（Ｖph1－Ｖph2）を線形的に増幅した値である第１の中間駆動条件１３を得る。
　第２の差動増幅部２５２は、第２の電流－電圧変換部２４２からの第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値Ｖph2と第３の電流－電圧変換部２４３からの第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値Ｖph3に基づき、第２の条件変更用電圧１１と第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値との差分量（Ｖph2－Ｖph3）を線形的に増幅した値である第２の中間駆動条件１４を得る。

　第１の差動増幅部２５１は、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率をａ１、駆動振幅調整モードの増幅率をｂ１とされる。第２の差動増幅部２５２は、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率をａ２、駆動振幅調整モードの増幅率をｂ２とされる。
　従って、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧の絶対値は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、ａ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜に、駆動振幅調整モード時、ｂ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜になる。
　第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧の絶対値は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、ａ2×｜Ｖph3－Ｖph2｜に、駆動振幅調整モード時、ｂ２×｜Ｖph3－Ｖph2｜になる。

　第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２が線形増幅を行う理由は、次の処理における必要な入力電圧を確保することと、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値４電圧値の差分を与える差分値α2及び差分値α3が異なる値であるときに増幅量を調整するためである。

　ここで、ＥＡ変調器における、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔ及びフォトカレントＩphの関係について図６を用いて説明する。併せて、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔの傾きについて図６を用いて説明する。
　なお、逆方向印加電圧ＶはＥＡ変調器に印加される電圧、フォトカレントＩphはＥＡ変調器から出力される電流値である。

　図６の右グラフは、逆方向印加電圧Ｖに対するフォトカレントＩphの関係を示す。横軸は逆方向印加電圧Ｖを、縦軸はフォトカレントＩphの値を示している。
　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を逆方向印加電圧として示すＶ1からＶ3とすると、電圧値Ｖ1からＶ3に対するフォトカレントＩphを○印にて示している。

　図６の左グラフは、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔの関係を示す。横軸は逆方向印加電圧Ｖを、縦軸はパワー透過率Ｔの値を示している。
　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を逆方向印加電圧として示すＶ1からＶ3とすると、電圧値Ｖ1からＶ3に対するパワー透過率Ｔを○印にて示している。
　逆方向印加電圧Ｖ2（第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３）におけるパワー透過率Ｔを示す○印と逆方向印加電圧Ｖ1（第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２）におけるパワー透過率Ｔを示す○印結ぶ傾きがＶ2～Ｖ1の傾きになり、逆方向印加電圧Ｖ3（第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４）におけるパワー透過率Ｔを示す○印と逆方向印加電圧Ｖ2（第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３）におけるパワー透過率Ｔを示す○印を結ぶ傾きがＶ3～Ｖ2の傾きになる。

　次に、ＤＣバイアス電圧調整モードにおいて、差分値α2及び差分値α3が異なる値であるときに増幅量を調整する必要性について説明する。
　消光カーブの傾きを比較してＤＣバイアス電圧Ｖbiasを調整することから、例えば、図６の左グラフを参考にして説明すると、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３と第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値α3が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値α2の２倍である時に比較を行うためには、第２の差動増幅部２５２における線形増幅の増幅率ａ２を第１の差動増幅部２５１における線形増幅の増幅率ａ１の１／２倍に設定する必要がある。

　また、駆動振幅調整モード時において、図７に示すように、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３と第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値β3が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値β2の２倍である時に比較を行うためには、第２の差動増幅部２５２における線形増幅の増幅率ｂ２を第１の差動増幅部２５１における線形増幅の増幅率ｂ１の１／２倍に設定する必要がある。
　なお、図７は、ＥＡ変調器２２０、２３１から２３３における、駆動振幅調整モードの時の、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔを○印にて示している。横軸は逆方向印加電圧Ｖを、縦軸はパワー透過率Ｔの値を示している。

　比較部２６０は、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３と第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４に基づき、第１の中間駆動条件１３と第２の中間駆動条件１４が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号１５を得る。
　すなわち、比較部２６０は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧の絶対値（ａ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）と第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧の絶対値（ａ2×｜Ｖph3－Ｖph2｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動条件調整用信号１５を得る。

　また、駆動振幅調整モード時、比較部２６０は、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値（ｂ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）と第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値（ｂ2×｜Ｖph3－Ｖph2｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動条件調整用信号１５を得る。

　駆動条件調整用信号１５は、例えば、第１の中間駆動条件１３の電圧値が第２の中間駆動条件１４の電圧値より高い場合にＨレベル（デジタル値の１を示す）とし、第１の中間駆動条件１３の電圧値が第２の中間駆動条件１４の電圧値より低い場合にＬレベル（デジタル値の０を示す）とする２値の信号である。
　また、オフセット量を設定し、第１の中間駆動条件１３の電圧値が第２の中間駆動条件１４の電圧値とオフセット量との和又は差より高い場合にＨレベル（デジタル値の１を示す）とし、第１の中間駆動条件１３の電圧値が第２の中間駆動条件１４の電圧値とオフセット量との和又は差より低い場合にＬレベル（デジタル値の０を示す）とする２値の信号であっても良い。
　なお、駆動条件調整用信号１５としてデジタル値を用いるのでなく、アナログ値を用いる場合は、閾値電圧より低い電圧あるいは高い電圧を出力することで大小関係を判別するものとする。

　ＤＣバイアス電圧調整モード時、第１の中間駆動条件１３（Ｖ1～Ｖ2）が第２の中間駆動条件１４（Ｖ2～Ｖ3）に対して大きい場合及び小さい場合における調整の指針を次のようにしている。
　大きい場合：線形領域で変調するためにＶbiasをＶ1側に調整する。
　小さい場合：線形領域で変調するためにＶbiasをＶ3側に調整する。

　例えば、第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧の絶対値（ａ2×｜Ｖph3－Ｖph2｜）が第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧の絶対値（ａ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）より大きい場合、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５はＬレベルを示す。この場合、駆動条件調整用信号１５が示すＬレベルは、Ｖ２～Ｖ１間の傾きがＶ３～Ｖ２間の傾きより小さいことを意味している。
　なお、Ｖ２～Ｖ１間の傾き及びＶ３～Ｖ２間の傾きは、図６を参考にすることにより理解できる。

　すなわち、電圧Ｖ3側の方が電圧Ｖ1より消光カーブの傾きの極大値を与える電圧に近いため、ＶbiasをＶ3側に調整するように、送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias、この実施の形態１では分解能相当、つまり、０．１Ｖ程度減少させることを意味する。逆に、第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値が第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値より小さい場合、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５はＨレベルを示す。駆動条件調整用信号１５が示すＨレベルは、ＶbiasをＶ1側に調整するように、送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias増大させることを意味する。

　駆動振幅調整モード時、第１の中間駆動条件１３（Ｖ1～Ｖ2）が第２の中間駆動条件１４（Ｖ2～Ｖ3）に対して大きい場合及び小さい場合における調整の指針を次のようにしている。
　大きい場合：非線形領域で変調しているため、ＶRFを小さくする。
　小さい場合：線形領域で変調しているため、ＶRFを大きくする余地がある。

　例えば、図７に示すように、第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値（ｂ2×｜Ｖph3－Ｖph2｜）が第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値（ｂ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）より大きい場合、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５はＬレベルを示す。この場合、駆動条件調整用信号１５が示すＬレベルは、レベル３～２間のアイ振幅がレベル２～１間のアイ振幅より広いため、レベル２～１間のアイが狭いことを意味しており、送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFの大きさを単位量ΔＶRF、この実施の形態１では分解能相当、つまり、０．１Ｖ程度増加させることを意味する。逆に、第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値が第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値より小さい場合、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５はＨレベルを示す。駆動条件調整用信号１５が示すＨレベルは、レベル３～２間のアイが消光カーブ特性の非線形性のために狭くなっていることを意味しており、送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFの大きさを単位量ΔＶRF、この実施の形態１では分解能相当、つまり、０．１Ｖ程度減少させることを意味する。

　比較部２６０は、大小関係判定時のオフセット量などが設定される。
　オフセット量を設定する理由は次の理由による。つまり、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３は同じＥＡ変調器を用いているが、層構造、組成比及び電界吸収効果が生じる領域の長さが等しいことが理想的であるものの、製作上の誤差によりわずかにこれらが異なり、結果として第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３における消光カーブ特性に差異が生じる可能性がある。そのため、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３におけるわずかな特性差を比較部２６０の設定で補償するため、この実施の形態１では、比較部２６０に大小関係判定時のオフセット量の設定を行なえるようにしている。

　また、駆動振幅調整モードにおいて、比較部２６０における大小関係判定時のオフセット量の設定は、駆動振幅が過剰に低下するのを防ぐためにも必要である。すなわち、この実施の形態１では、ＤＣバイアス電圧調整モードにより消光カーブの傾き特性の極大値をＶbiasに設定し、変調を行っており、この場合、レベル２－１の振幅差はレベル３－２の振幅差よりもわずかに大きいのが通常である。すると、ＶRFは調整を繰り返すごとに小さくなり続ける恐れがある。従って、オフセット量を適切に設定することで、レベル２－１の振幅差とレベル３－２の振幅差がおおよそ等間隔になるように比較と調整を維持できる。

　駆動条件制御部２７０は、光送信装置１００の稼働前に以下に示す設定値１から設定値６の各種設定が行なわれる。
　すなわち、設定値１：第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４に対する、ＤＣバイアス電圧調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値α2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値α3。
　設定値２：第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４に対する、駆動振幅調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値β2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値β3。

　設定値３：ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１における、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに対する一回の調整における増減の単位量ΔＶbiasと、駆動振幅ＶRFに対する一回の調整における増減の単位量ΔＶRF。
　設定値４：第１の差動増幅部２５１における、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率ａ１、駆動振幅調整モードの増幅率ｂ１、第２の差動増幅部２５２における、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率ａ２、駆動振幅調整モードの増幅率ｂ２。
　設定値５：比較部２６０における大小関係判定時のオフセット量。
　設定値６：ＤＣバイアス電圧Ｖbiasと駆動振幅ＶRFにおける調整可能な上限値及び下限値。

　駆動条件制御部２７０は、光送信装置１００が稼動開始後、ＤＣバイアス電圧調整モード又は駆動振幅調整モードのいずれのモードを行なうかを指示する。つまり、駆動条件制御部２７０は、送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを制御するか否か、及び送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFを制御するか否かを切り替える役割も併せ持つ。

　ＤＣバイアス電圧調整モードと駆動振幅調整モードは、まず、ＤＣバイアス電圧調整モードが行なわれ、その後、駆動振幅調整モードが行なわれ、引き続き、ＤＣバイアス電圧調整モードと駆動振幅調整モードが交互に繰り返し行なわれる。
　なお、ＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を連続的に行なわず、一定間隔毎にＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を行なうようにしても良い。

　駆動条件制御部２７０は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、まず、設定値１から設定値６に示すＤＣバイアス電圧調整モード時の設定値を各構成要素に設定する。各構成要素に設定されている設定値が同じであれば、再設定しなくともよい。
　駆動条件制御部２７０は、第３の駆動条件制御用信号１６として、差分値α2及び差分値α3を設定させる信号とする。
　駆動条件制御部２７０は、第１の差動増幅部２５１における増幅率をａ１、第２の差動増幅部２５２における増幅率をａ２とする。

　駆動条件制御部２７０は、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５に基づき、第１の駆動条件制御用信号８を得るとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を得る。
　ＤＣバイアス電圧調整モードであるので第２の駆動条件制御用信号９は発生しない。
　その結果、第１の駆動条件制御用信号８によりＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを光送信器制御部３００に調整させ、第２の駆動条件制御用信号９を発生させないことにより送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFを光送信器制御部３００に維持させる。
　また、駆動条件制御部２７０が得る第３の駆動条件制御用信号１６は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を調整させるためのものである。

　駆動条件制御部２７０は、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５がＬレベルを示すと、第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias減少させる信号とし、駆動条件調整用信号１５がＨレベルを示すと、第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias増加させる信号とする。

　ＤＣバイアス電圧調整モードが終了すると、駆動条件制御部２７０は駆動振幅調整モードを開始する。
　駆動条件制御部２７０は、第３の駆動条件制御用信号１６として、差分値β2及び差分値β3を設定させる信号とする。
　駆動条件制御部２７０は、第１の差動増幅部２５１における増幅率をｂ１、第２の差動増幅部２５２における増幅率をｂ２とする。

　駆動条件制御部２７０は、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５に基づき、第２の駆動条件制御用信号９を得るとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を得る。
　駆動振幅調整モードであるので第１の駆動条件制御用信号８は発生しない。
　その結果、第２の駆動条件制御用信号９によりＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFを光送信器制御部３００に調整させ、第１の駆動条件制御用信号８を発生させないことにより送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを光送信器制御部３００に維持させる。
　また、駆動条件制御部２７０が得る第３の駆動条件制御用信号１６は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を調整させるためのものである。

　駆動条件制御部２７０は、比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５がＬレベルを示すと、第２の駆動条件制御用信号９を駆動振幅ＶRFの大きさを単位量ΔＶRF増加させる制御信号とするとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）減少させる信号とし、駆動条件調整用信号１５がＨレベルを示すと、第２の駆動条件制御用信号９を駆動振幅ＶRFの大きさを単位量ΔＶRF減少させる信号とするとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）増加させる信号とする。

　駆動振幅調整モードが終了すると、光送信器制御部３００からの送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbias及び駆動振幅ＶRFは、ＤＣバイアス電圧調整モード時に設定されたＤＣバイアス電圧Ｖbias及び駆動振幅調整モード時に設定された駆動振幅ＶRFに維持され、次のＤＣバイアス電圧調整モードに進む。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、調整モードの時、駆動条件制御部２７０にて得た第３の駆動条件制御用信号１６に基づき、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を出力する。つまり、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、駆動条件制御部２７０にて得た第３の駆動条件制御用信号１６から、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４をそれぞれ調整する役割を持つ。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、ＤＣバイアス電圧調整モードの時、最初に駆動条件制御部２７０により、初期値としてＤＣバイアス電圧Ｖbiasと差分値α2及び差分値α3が設定され、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ2がＶbias－α2－α3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が単位量ΔＶbias増加させる信号を示すと、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbias＋ΔＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2＋ΔＶbiasである第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－α2－α3＋ΔＶbiasである第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。

　次の周期におけるＤＣバイアス電圧調整モードにても駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が単位量ΔＶbias増加させる信号を示すと、さらに、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加する第１のＤＣバイアス電圧２に、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する第２のＤＣバイアス電圧３に、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する第３のＤＣバイアス電圧４に、単位量ΔＶbiasを増加させる。駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が単位量ΔＶbias増加させる信号を示さなくなるまで繰り返される。

　駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が単位量ΔＶbias減少させる信号を示すと、増加させる信号を示した場合と同様に、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbias－ΔＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2－ΔＶbiasである第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－α2－α3－ΔＶbiasである第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。
　次の周期におけるＤＣバイアス電圧調整モード以降、駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が単位量ΔＶbias減少させる信号を示さなくなるまで繰り返される。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、駆動振幅調整モードの時、最初に駆動条件制御部２７０により、初期値としてＤＣバイアス電圧調整モード終了時のＤＣバイアス電圧Ｖbiasと差分値β2及び差分値β3が設定され、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－β2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ2がＶbias－β2－β3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）減少させる信号を示すと、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－β2－ΔＶRF／６である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－β2－ΔＶRF／６－β3－ΔＶRF／３である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。

　次の周期における駆動振幅調整モードにても駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）減少させる信号を示すと、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する第２のＤＣバイアス電圧３にΔＶRF／６を、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する第３のＤＣバイアス電圧４に（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）を減少させる。駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）減少させる信号を示さなくなるまで繰り返される。

　駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）増加させる信号を示すと、減少させる信号を示した場合と同様に、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－β2＋ΔＶRF／６である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－β2＋ΔＶRF／６－β3＋ΔＶRF／３である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。
　次の周期における駆動振幅調整モード以降、駆動条件制御部２７０にて第３の駆動条件制御用信号１６が、第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値から（ΔＶRF／６＋ΔＶRF／３）増加させる信号を示さなくなるまで繰り返される。

　駆動条件制御部２７０と３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０とは、駆動条件調整用信号１５に基づき第１の駆動条件制御用信号８及び第２の駆動条件制御用信号９を生成し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を出力する駆動条件生成部を構成する。

　光送信器制御部３００は、ＤＣバイアス電圧制御部３１０と、変調信号生成部３２０と、直流交流合成部３３０とを備える。
　なお、光送信器制御部３００の各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。
　光送信器制御部３００は、駆動条件探索部２００ｂからの第１の駆動条件制御用信号８に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧Ｖbiasの電圧値を設定し、駆動条件探索部２００ｂからの第２の駆動条件制御用信号９に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づける駆動振幅ＶRFの電圧値を設定し、設定した直流バイアス電圧Ｖbiasの電圧値に、駆動振幅VRFの変調信号を合成して送信用変調信号１を生成し、この送信用変調信号１をＥＡ変調器２２０に印加する。

　ＤＣバイアス電圧制御部３１０は、初期状態において、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧Ｖbiasを設定し、ＤＣバイアス電圧調整モードの時、駆動条件探索部２００ｂの駆動条件制御部２７０からの第１の駆動条件制御用信号８に基づき、送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧Ｖbiasを生成し、維持する。

　ＤＣバイアス電圧制御部３１０は、ＤＣバイアス電圧調整モードの時、駆動条件制御部２７０にて得た第１の駆動条件制御用信号８が単位量ΔＶbias増加させる信号を示すと、ＤＣバイアス生成信号１７の電圧値をＶbias＋ΔＶbiasとし、第１の駆動条件制御用信号８が単位量ΔＶbias減少させる信号を示すと、ＤＣバイアス生成信号１７の電圧値をＶbias－ΔＶbiasとし、第１の駆動条件制御用信号８が単位量ΔＶbias増加させる又は減少させる信号でなくなるまで繰り返される。
　調整モードが終了すると、ＤＣバイアス電圧制御部３１０は、終了時の直流バイアス電圧Ｖbiasを維持する。

　変調信号生成部３２０は、レベル３からレベル０を示す電気信号１９が入力され、データ送信するための高速な電気信号の駆動振幅を調整、多くの場合には増幅し、これを出力するものであり、ドライバなどで構成される。
　すなわち、変調信号生成部３２０は、初期状態において、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づける駆動振幅ＶRFを設定し、駆動振幅調整モードの時、駆動条件制御部２７０にて得た第２の駆動条件制御用信号９が単位量ΔＶRF減少させる信号を示すと、変調信号１８の駆動振幅ＶRF－ΔＶRFとし、第２の駆動条件制御用信号９が単位量ΔＶRF増加させる信号を示すと、変調信号１８の駆動振幅ＶRF＋ΔＶRFとし、第２の駆動条件制御用信号９が単位量ΔＶRF減少させる又は増加させる信号でなくなるまで繰り返される。
　駆動振幅調整モードが終了すると、変調信号生成部３２０は、終了時の駆動振幅ＶRFを維持する。

　直流交流合成部３３０は、変調信号生成部３２０にて得た駆動振幅ＶRFの変調信号１８に対してＤＣバイアス電圧制御部３１０にて得た直流バイアス電圧Ｖbiasをバイアス印加し、変調のための送信用変調信号１を生成し、ＥＡ変調器２２０に印加する。
　変調信号生成部３２０にレベル３を示す電気信号１９が与えられる時、直流交流合成部３３０から出力される送信用変調信号１の電圧値はＶbias－1/2ＶRFを、変調信号生成部３２０にレベル２を示す電気信号１９が与えられる時、送信用変調信号１の電圧値はＶbias－1/6ＶRFを、変調信号生成部３２０にレベル１を示す電気信号１９が与えられる時、、送信用変調信号１の電圧値はＶbias＋1/6ＶRFを、変調信号生成部３２０にレベル０を示す電気信号１９が与えられる時、送信用変調信号１の電圧値はＶbias＋1/2ＶRFを示す。
　なお、上記説明では、説明を簡略するため、ＶbiasはＤＣバイアス電圧制御部３１０にて調整され、維持された電圧値とし、ＶRFは変調信号生成部３２０にて調整され、維持された電圧値としている。

　このように構成された光送信装置１００において、図８の左上グラフに示すように、温度ｔ１における消光カーブの線形領域の中央に位置する逆方向印加電圧ＶがＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１における直流バイアス電圧Ｖbias、つまり、ＤＣバイアス電圧制御部３１０にて得た直流バイアス電圧Ｖbiasとなっており、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１における駆動振幅ＶRFが変調信号生成部３２０にて得た駆動振幅ＶRFになっている。
　このような状況にて温度がｔ１から温度ｔ２に変化した場合、ＥＡ変調器２２０に印加される送信用変調信号１を調整しないと、右グラフに示すように、ＥＡ変調器２２０の消光カーブは左方向に変化するため、レベル３～２間のアイ、レベル２～１間のアイ、レベル１～０間のアイが等間隔であったものが、等間隔でなくなり、かつ、狭くなっている。その結果、それぞれのレベルの振幅差が小さくなり、誤り率が高くなる。

　この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００においては、直流バイアス電圧Ｖbiasを調整しているため、下グラフに示すように、ＥＡ変調器２２０における消光カーブの左方向の変化に追随してＤＣバイアス電圧制御部３１０にて得た直流バイアス電圧Ｖbiasも左方向に追随して変化するため、レベル３～２間のアイ、レベル２～１間のアイ、レベル１～０間のアイは等間隔が維持され、レベルの振幅差が維持されるため、誤り率は小さい。

　上記説明では、ＤＣバイアス電圧制御部３１０にて得る直流バイアス電圧Ｖbiasの調整だけでＥＡ変調器２２０における消光カーブの線形領域にレベル３からレベル０を得られるものとしたが、直流バイアス電圧Ｖbiasの調整後、レベル３又はレベル０がＥＡ変調器２２０における消光カーブの非線形領域に存在するようになるような場合、この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００においては、変調信号生成部３２０にて駆動振幅ＶRFを調整するため、レベル３～２間のアイ、レベル２～１間のアイ、レベル１～０間のアイは等間隔が維持され、誤り率は小さい。

　次に、図１及び図２に示した光送信装置１００のハードウェア構成を、図９を用いて説明する。なお、図９中、図１及び図２に示す符号と同一な符号は同一又は相当部分を示す。
　光信号生成部２００ａは図１及び図２にて説明したハードウェア構成である。
　光送信器制御部３００は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）又はシステムＬＳＩ（Large　Scale　Integration）などのプロセッサ３０１と、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）及びＲＯＭ（Read　Only　Memory）などで構成されるメモリ３０２と、通信インタフェース３０３と、入出力インタフェース３０４を備えている。
　プロセッサ３０１、メモリ３０２、通信インタフェース３０３及び入出力インタフェース３０４はバス３０５に接続され、バス３０５を介してデータ及び制御信号などの受け渡しが相互に行なわれる。

　プロセッサ３０１はメモリ３０２に記録されたプログラムを読み込み、処理を実行する。
　メモリ３０２には、各種データ、実施の形態１を実施するためのプログラム、及びシステムの起動に必要な処理プログラムなどが格納される。
　通信インタフェース３０３は、光送信装置１００内部の各種部品あるいは外部の各種部品と装置とのデータ及び制御信号の送受信に使用する。
　入出力インタフェース３０４は、電気配線４１０から電気配線４５０を通じて、光送信器２００と光送信器制御部３００の間の制御信号及び変調信号を送受する。例えば、ＣＷ光出力部２１０に対しては光を発生させるための光源への注入電流であり、ＥＡ変調器２２０に対しては送信用変調信号１であり、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対しては第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４及び第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号である。
　光送信器制御部３００は、メモリ３０２に格納されている、光送信装置１００として動作するためのプログラムをプロセッサ３０１が実行することにより実現される。

　駆動条件探索部２００ｂも光送信器制御部３００と同様にプロセッサ２０１と、メモリ２０２と、通信インタフェース２０３と、入出力インタフェース２０４を有する。
　メモリ２０２には、ＤＣバイアス電圧調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値α2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値α3と、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに対する一回の調整における増減の単位量ΔＶbiasと、駆動振幅調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値β2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値β3、駆動振幅ＶRFに対する一回の調整における増減の単位量ΔＶRFと、第１の差動増幅部２５１における、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率ａ１と、駆動振幅調整モードの増幅率ｂ１と、第２の差動増幅部２５２における、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率ａ２と、駆動振幅調整モードの増幅率ｂ２と、比較部２６０における大小関係判定時のオフセット量が格納されている。

　また、駆動条件探索部２００ｂは、光デバイスを含まない電気回路で構成されているため、必ずしも光送信器２００の中に含まれる必要性はなく、光送信装置１００の中において光送信器制御部３００と別の電気回路基板上で構成されても良いし、同じ電気回路基板上で構成されても良い。
　駆動条件探索部２００ｂを光送信器制御部３００と同じ回路基板に構成する場合、プロセッサ２０１とプロセッサ３０１、メモリ２０２とメモリ３０２、通信インタフェース２０３と通信インタフェース３０３、入出力インタフェース２０４と入出力インタフェース３０４は、共通のハード構成で良い。

　メモリ３０２とメモリ２０２は、この実施の形態１では、図１０から図１２に示す光送信装置１００におけるイベント認識の処理フローを示すフローチャートを実行するプログラムを記憶している。
　図１０に示すフローチャートは、光送信装置１００の稼働前に、駆動条件探索部２００ｂの各種設定を行うステップＳＴ１と、変調を開始するステップＳＴ２と、ＤＣバイアス電圧調整モードを実施するステップＳＴ３と、ＤＣバイアス電圧の調整を確認するステップＳＴ４と、駆動振幅調整モードを実施するステップＳＴ５と、駆動振幅の調整を確認するステップＳＴ６により構成される。

　ステップＳＴ１からステップＳＴ６と、図１に示した光送信装置１００における光送信器制御部３００及び駆動条件探索部２００ｂとの関係を踏まえ、以下に各ステップについて説明する。
　すなわち、ステップＳＴ１は、光送信装置１００の稼働前に、メモリ２０２に格納された上記した各種設定値を設定するステップである。つまり、メモリ２０２を構成するＲＯＭに格納された各種設定値を読み出し、メモリ２０２を構成するＲＡＭに一時的に記憶させる。

　ステップＳＴ２は、変調を開始するステップである。光送信器２００のＣＷ光出力部２１０に対して光を発生させるための光源への注入電流が電気配線４１０を介して印加される。ＥＡ変調器２２０に対してはステップＳＴ１にて設定された設定値に基づき直流交流合成部３３０からの送信用変調信号１が電気配線４１０を介して印加される。その結果、ＥＡ変調器２２０から光信号が出力される。これは、主に光送信装置１００の運用開始時におけるステップである。

　ステップＳＴ３は、光信号が出力される光送信装置１００の運用と併せて行なわれるＤＣバイアス電圧調整モードを実施するステップである。ステップＳＴ３は図１１に示すように、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３の第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４に対するＤＣバイアス電圧Ｖbiasを設定するとともに差分値α2及び差分値α3を設定し、第１の差動増幅部２５１の増幅率ａ１及び第２の差動増幅部２５２の増幅率ａ２を設定するステップＳＴａ１と、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を印加するステップＳＴａ２と、比較部２６０にて駆動条件調整用信号１５を得るステップＳＴａ３及びステップＳＴａ４と、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを増加するステップＳＴａ５と、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを減少させるステップＳＴａ６を備えている。

　すなわち、図１１において、ステップＳＴａ１は、駆動条件制御部２７０がＤＣバイアス電圧Ｖbiasを調整対象とし、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０にＤＣバイアス電圧調整モードであることを通達する。一方、メモリ２０２から増幅率ａ１及び増幅率ａ２を読み出し、第１の差動増幅部２５１の増幅率をａ１に、第２の差動増幅部２５２の増幅率をａ２に設定する。なお、第１の差動増幅部２５１の増幅率及び第２の差動増幅部２５２の増幅率が既に設定した値と同じである場合には特に更新する必要はない。

　ステップＳＴａ２は、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ2がＶbias－α2－α3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。ここで、α2およびα3はステップＳＴａ１で設定された値であり、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasの制御を０．１Ｖ程度の分解能で行うため、α2及びα3も０．１Ｖ程度の分解能で行なう。

　このように設定することにより、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３で出力されるフォトカレントの差分と第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の差分を考慮することで、ＥＡ変調器２２０における（Ｖ2～Ｖ1）間及び（Ｖ3～Ｖ2）間の消光カーブの傾きを推定できる。消光カーブの傾きの大小比較から極大値を追尾するようにＤＣバイアス電圧Ｖbiasを正又は負の方向に微調させることで、温度変化で変動する消光カーブ特性に対してＤＣバイアス電圧Ｖbiasを適応的に調整することができる。

　ステップＳＴａ３は、駆動条件探索部２００ｂにおいて、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示すフォトカレント（電流値）を基に複数の単純な処理を順に行う。
　まず、第１に、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３が、それぞれ、対応した第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示す電流値（Ｉph1、Ｉph2、Ｉph3）を電圧値（Ｖph1、Ｖph2、Ｖph3）に変換して第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号としての第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２を得る。

　第２に、第１の差動増幅部２５１が、第１の電流－電圧変換部２４１からの第１の条件変更用電圧１０が示す電圧値Ｖph1と第２の電流－電圧変換部２４２からの第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値Ｖph2に基づき、第１の条件変更用電圧１０と第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値との差分量（Ｖph2－Ｖph1）を線形的に増幅した値である第１の中間駆動条件１３を得る。第２の差動増幅部２５２が、第２の電流－電圧変換部２４２からの第２の条件変更用電圧１１が示す電圧値Ｖph2と第３の電流－電圧変換部２４３からの第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値Ｖph3に基づき、第２の条件変更用電圧１１と第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値との差分量（Ｖph3－Ｖph2）を線形的に増幅した値である第２の中間駆動条件１４を得る。

　最後に、比較部２６０が、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧の絶対値（ａ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）と第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧の絶対値（ａ２×｜Ｖph3－Ｖph2｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動条件調整用信号１５を得、駆動条件調整用信号１５を駆動条件制御部２７０に出力する。

　ステップＳＴａ４は、駆動条件調整用信号１５がどのような信号であるか判断するステップである。
　すなわち、駆動条件調整用信号１５が、第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値が第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値より大きいか否かを判定する。

　第１の中間駆動条件１３が示す電圧値が第２の中間駆動条件１４が示す電圧値より大きい場合、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２と第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２の電圧Ｖ１の間（Ｖ２～Ｖ１）の消光カーブの傾きが、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧Ｖ３と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２の間（Ｖ３～Ｖ２）の消光カーブの傾きより大きいことを意味し、ステップＳＴａ５に進む。

　ステップＳＴａ５は、比較部２６０が得た、（Ｖ2～Ｖ1）間の消光カーブの傾きが（Ｖ3～Ｖ2）間の消光カーブの傾きより大きいことを示す駆動条件調整用信号１５により、駆動条件制御部２７０が、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias増加させる第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧制御部３１０及び３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０に出力する。
　単位量ΔＶbias増加させる第１の駆動条件制御用信号８を得たＤＣバイアス電圧制御部３１０は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに単位量ΔＶbiasを足してＤＣバイアス電圧Ｖbiasを更新し、直流交流合成部３３０に出力する。直流交流合成部３３０にて、更新されたＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、変調のための電気信号１９に従って変調信号生成部３２０から出力される駆動振幅ＶRFの変調信号を合成して送信用変調信号１を生成し、この送信用変調信号１をＥＡ変調器２２０に印加する。

　一方、単位量ΔＶbias増加させる第３の駆動条件制御用信号１６を得た３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに単位量ΔＶbiasを足してＤＣバイアス電圧Ｖbiasを更新し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－α2－α3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。
　その後、図１０に示すステップＳＴ４に進む。

　すなわち、ステップＳＴａ５において、ＤＣバイアス電圧調整モードにおける１周期で増加させる調整量は次のようになる。
　ＤＣバイアス電圧Ｖbias、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加する電圧値Ｖ1、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する電圧値Ｖ2（Ｖbias－α2）、及び第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ3（Ｖbias－α2－α3）それぞれに単位量ΔＶbiasを増加させる。
　なお、駆動振幅ＶRF、差分値α2、及び差分値α3は設定された値を維持する。

　また、ステップＳＴａ４において、第１の中間駆動条件１３が示す電圧値が第２の中間駆動条件１４が示す電圧値より大きくない場合、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２と第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２の電圧Ｖ１の間（Ｖ2～Ｖ1）の消光カーブの傾きが、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧Ｖ３と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２の間（Ｖ3～Ｖ2）の消光カーブの傾きより小さいことを意味し、ステップＳＴａ６に進む。

　ステップＳＴａ６は、比較部２６０が得た、（Ｖ2～Ｖ1）間の消光カーブの傾きが（Ｖ3～Ｖ2）間の消光カーブの傾きより小さいことを示す駆動条件調整用信号１５により、駆動条件制御部２７０が、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias減少させる第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧制御部３１０及び３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０に出力する。
　単位量ΔＶbias減少させる第１の駆動条件制御用信号８を得たＤＣバイアス電圧制御部３１０は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに単位量ΔＶbiasを引いてＤＣバイアス電圧Ｖbiasを更新し、直流交流合成部３３０に出力する。直流交流合成部３３０にて更新されたＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、変調のための電気信号１９に従って変調信号生成部３２０から出力される駆動振幅ＶRFの変調信号を合成して送信用変調信号１を生成し、この送信用変調信号１をＥＡ変調器２２０に印加する。

　一方、単位量ΔＶbias減少させる第３の駆動条件制御用信号１６を得た３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasに単位量ΔＶbiasを引いてＤＣバイアス電圧Ｖbiasを更新し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－α2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－α2－α3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。
　その後、図１０に示すステップＳＴ４に進む。

　すなわち、ステップＳＴａ６において、ＤＣバイアス電圧調整モードにおける１周期で減少させる調整量は次のようになる。
　ＤＣバイアス電圧Ｖbias、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加する電圧値Ｖ1、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する電圧値Ｖ2（Ｖbias－α2）、及び第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ3（Ｖbias－α2－α3）それぞれに単位量ΔＶbiasを減少させる。
　なお、駆動振幅ＶRF、差分値α2、及び差分値α3は設定された値を維持する。

　図１０において、ステップＳＴ４は、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasの調整が充分に行なわれたかを判断する。充分になされたという判断基準はステップＳＴ１にて設定される。例えば、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasにおける調整可能な上限値又は下限値を超えない範囲での調整を行なう必要があり、上限値又は下限値に達成した場合は充分になされたと判断する。また、上限値又は下限値に達成していない場合でも、図１１に示したＤＣバイアス電圧調整モードの回数を、経験により、設定する、あるいはステップＳＴａ４における大小関係の結果が一つ前の結果から反転するとＤＣバイアス電圧調整モードを終了するなどの判断基準とする。このような判断基準により、ＤＣバイアス電圧の調整が充分に行なわれていないと判断される（ＮＯ）とステップＳＴ３に戻り、充分に行なわれたと判断される（ＹＥＳ）とステップＳＴ５に進む。

　ステップＳＴ５は、駆動振幅調整モードを実施するものであり、図１２に示すように、第１の差動増幅部２５１の増幅率ｂ１及び第２の差動増幅部２５２の増幅率ｂ２を設定するステップＳＴｂ１と、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３の第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４に対するＤＣバイアス電圧を設定し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を印加するステップＳＴｂ２と、比較部２６０にて駆動条件調整用信号１５を得るステップＳＴｂ３及びステップＳＴｂ４と、駆動振幅ＶRFを減少するステップＳＴｂ５と、駆動振幅ＶRFを増加させるステップＳＴｂ６と、駆動振幅調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値β2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値β3を駆動振幅ＶRFに合わせて変更するステップＳＴｂ７を備えている。

　図１２において、ステップＳＴｂ１は、駆動条件制御部２７０が調整対象をＤＣバイアス電圧Ｖbiasから送信用変調信号１の駆動振幅ＶRFに切替える。また、第１の差動増幅部２５１の増幅率をｂ１に、第２の差動増幅部２５２の増幅率をｂ２に設定する。ＤＣバイアス電圧調整モードにおける第１の差動増幅部２５１の増幅率ａ１と、第２の差動増幅部２５２の増幅率ａ２とそれぞれ同じ値である場合には特に変更する必要はない。

　ステップＳＴｂ２は、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３の第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４に対するＤＣバイアス電圧を設定し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。
　すなわち、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がＶbias－β2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がＶbias－β2－β3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。ここで、差分値β2及び差分値β3は初期値としてステップＳＴｂ１にて設定された値であり、その後、ステップＳＴｂ７にて駆動振幅ＶRFに合わせて変更、更新、つまり、第２のＤＣバイアス電圧３にあっては第２のＤＣバイアス電圧３の電圧値からΔＶRF／６を、第３のＤＣバイアス電圧４にあっては第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値からΔＶRF／３を引く又は足すことによって更新された値である。

　また、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される電圧値Ｖ1であるＶbiasがアイパターンの中心に対応させ、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される電圧値Ｖ2および第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される電圧値Ｖ3をレベル２およびレベル３に対応させるために、差分値β2はＶRF／６、差分値β3はＶRF／３に設定する。
　このように設定することにより、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３から出力されるフォトカレントの差分と第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の差分を考慮することで、レベル３～２間の振幅、及びレベル２～１間の半分の振幅を推定できる。

　駆動振幅ＶRFの調整前に、ＥＡ変調器２２０におけるレベル３が消光カーブの非線形領域にあると、レベル３～２間のフォトカレントの差分は小さく、これを大小比較で検知することにより、送信用変調信号１の駆動振幅ＶRFを下げることにより、ＥＡ変調器２２０は消光カーブの線形領域での変調が可能となる。
　なお、この実施の形態１では、PAM４変調方式におけるアイパターンの中心から上のレベルを観測し、アイパターンの中心から下側の非線形状態の観測はしていないが、駆動振幅調整モードの前にＤＣバイアス電圧調整モードを実施し、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasが調整されていることから、駆動振幅ＶRFはＤＣバイアス電圧Ｖbiasを中心に対称であると近似できる。従って、アイパターンの中心から上のレベル又は下のレベルの一方を行なうことで駆動振幅ＶRFの調整が可能である。

　ステップＳＴｂ３は、ＤＣバイアス電圧調整モードにおけるステップＳＴａ３と同様の処理を行なう。
　すなわち、駆動条件探索部２００ｂにおいて、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示すフォトカレント（電流値）を基に複数の単純な処理を順に行う。
　まず、第１に、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３からの第１の条件変更用電流５から第３の条件変更用電流７が示す電流値（Ｉph1、Ｉph2、Ｉph3）を電圧値（Ｖph1、Ｖph2、Ｖph3）に変換して第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号としての第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２を得る。

　最後に、比較部２６０が、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値（ｂ１×｜Ｖph2－Ｖph1｜）と第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値（ｂ２×｜Ｖph3－Ｖph2｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動条件調整用信号１５を得、駆動条件調整用信号１５を駆動条件制御部２７０に出力する。

　このステップＳＴｂ３では、第１の差動増幅部２５１の増幅率ｂ１、第２の差動増幅部２５２の増幅率ｂ２は、レベル３～２とレベル２～１間の振幅差を同じにする目的があるため、差分値β2及び差分値β3に合わせて適切な値を選ぶ。この実施の形態１では差分値β3が差分値β2の２倍に設定しているので、増幅率ｂ２が増幅率ｂ１の１／２倍に設定している。

　ステップＳＴｂ４は、駆動条件調整用信号１５がどのような信号であるか判断するステップである。
　すなわち、駆動条件調整用信号１５が、第１の差動増幅部２５１からの第１の中間駆動条件１３が示す電圧値が第２の差動増幅部２５２からの第２の中間駆動条件１４が示す電圧値より大きいか否かを判定する。

　第１の中間駆動条件１３が示す電圧値が第２の中間駆動条件１４が示す電圧値より大きい場合（ＹＥＳ）、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２と第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２の電圧Ｖ１の間（Ｖ２～Ｖ１）から推定されるレベル２～１間のアイ振幅が、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧Ｖ３と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２の間（Ｖ３～Ｖ２）のレベル３～２間のアイ振幅より大きいことを意味し、ステップＳＴｂ５に進む。

　ステップＳＴｂ５は、比較部２６０が得た、（Ｖ２～Ｖ１）間から推定されるレベル２～１間のアイ振幅が（Ｖ３～Ｖ２）間のレベル３～２間のアイ振幅より大きいことを示す、つまり、レベル３～２間のアイ振幅が狭い状態であることを意味する駆動条件調整用信号１５により、駆動条件制御部２７０が、駆動振幅ＶRFを単位量ΔＶRF減少させる第２の駆動条件制御用信号９を変調信号生成部３２０に出力する。

　単位量ΔＶRF減少させる第２の駆動条件制御用信号９を得た変調信号生成部３２０は、駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを引いて駆動振幅ＶRFを更新し、直流交流合成部３３０に出力する。直流交流合成部３３０にてＤＣバイアス電圧制御部３１０からのＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、変調のための電気信号１９に従って変調信号生成部３２０から出力される駆動振幅ＶRFの変調信号を合成して送信用変調信号１を生成し、この送信用変調信号１をＥＡ変調器２２０に印加するに印加する。

　その後、ステップＳＴｂ７に進む。
　ステップＳＴｂ７は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対する３つの印加電圧の差分値β2及び差分値β3を更新した駆動振幅ＶRFに合わせて変更する。
　すなわち、第１のＤＣバイアス電圧２をＶbias、第２のＤＣバイアス電圧３をＶbias－（ＶRF－ΔＶRF）／６、第３のＤＣバイアス電圧４をＶbias－（ＶRF－ΔＶRF）／６－（ＶRF－ΔＶRF）／３とする。

　すなわち、ステップＳＴｂ５及びステップＳＴｂ７において、駆動振幅調整モードにおける１周期で減少させる調整量は次のようになる。
　駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを減少、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する電圧値Ｖ2（Ｖbias－α2）にΔＶRF／６を増加、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ3（Ｖbias－α2－α3）にΔＶRF／６＋ΔＶRF／３を増加、差分値β2にΔＶRF／６を減少、及び差分値β3にΔＶRF／３を減少させる
　ＤＣバイアス電圧Ｖbias、及び第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加する電圧値Ｖ1は設定された値を維持する。

　また、ステップＳＴｂ４において、第１の中間駆動条件１３が示す電圧値が第２の中間駆動条件１４が示す電圧値より大きくない場合（ＮＯ）、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２と第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される第１のＤＣバイアス電圧２の電圧Ｖ１の間（Ｖ2～Ｖ1）から推定されるレベル２～１間のアイ振幅が、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第３のＤＣバイアス電圧４の電圧Ｖ３と第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加される第２のＤＣバイアス電圧３の電圧Ｖ２の間（Ｖ3～Ｖ2）のレベル３～２間のアイ振幅より大きくないことを意味し、ステップＳＴｂ６に進む。

　ステップＳＴｂ６は、比較部２６０が得た、（Ｖ2～Ｖ1）間から推定されるレベル２～１間のアイ振幅とオフセット量の和あるいは差が（Ｖ3～Ｖ2）間のレベル３～２間のアイ振幅より大きくないことを示す、つまり、駆動振幅VRFを増やす余地があることを意味する駆動条件調整用信号１５により、駆動条件制御部２７０が、駆動振幅ＶRFを単位量ΔＶRF増加させる第２の駆動条件制御用信号９を変調信号生成部３２０に出力する。

　単位量ΔＶRF増加させる第２の駆動条件制御用信号９を得た変調信号生成部３２０は、駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを足して駆動振幅ＶRFを更新し、直流交流合成部３３０に出力する。直流交流合成部３３０にてＤＣバイアス電圧制御部３１０から出力されるＤＣバイアス電圧Ｖbiasに、変調のための電気信号１９に従って変調信号生成部３２０から出力される駆動振幅ＶRFの変調信号を合成して送信用変調信号１を生成し、この送信用変調信号１をＥＡ変調器２２０に印加する。

　その後、ステップＳＴｂ７に進む。
　ステップＳＴｂ７は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対する３つの印加電圧の差分値β2及び差分値β3を更新した駆動振幅ＶRFに合わせて変更する。
　すなわち、第１のＤＣバイアス電圧２をＶbias、第２のＤＣバイアス電圧３をＶbias－（ＶRF＋ΔＶRF）／６、第３のＤＣバイアス電圧４をＶbias－（ＶRF＋ΔＶRF）／６－（ＶRF＋ΔＶRF）／３とする。

　ステップＳＴｂ６及びステップＳＴｂ７において、駆動振幅調整モードにおける１周期で減少させる調整量は次のようになる。
　駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを増加、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に印加する電圧値Ｖ2（Ｖbias－α2）にΔＶRF／６を減少、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ3（Ｖbias－α2－α3）にΔＶRF／６＋ΔＶRF／３を減少、差分値β2にΔＶRF／６を増加、及び差分値β3にΔＶRF／３を増加させる。
　ＤＣバイアス電圧Ｖbias、及び第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加する電圧値Ｖ1は設定された値を維持する。

　その後、図１０に示したステップＳＴ６に進む。図１０において、ステップＳＴ６は、駆動振幅ＶRFの調整が充分に行なわれたかを判断する。充分になされたという判断基準はステップＳＴ１にて設定される。例えば、駆動振幅ＶRFにおける調整可能な上限値又は下限値を超えない範囲での調整を行なう必要があり、上限値又は下限値に達成した場合は充分になされたと判断する。また、上限値又は下限値に達成していない場合でも、図１２に示した駆動振幅調整モードの回数を、経験により、設定する、あるいはステップＳＴｂ４における大小関係の結果が一つ前の結果から反転すると駆動振幅調整モードを終了するなどの判断基準とする。このような判断基準により、駆動振幅ＶRFの調整が充分に行なわれていないと判断される（ＮＯ）とステップＳＴ５に戻り、充分に行なわれたと判断される（ＹＥＳ）とステップＳＴ３に進む。

　ステップＳＴ３では、駆動条件制御部２７０が調整対象を再びＤＣバイアス電圧調整モードに戻し、以降はループを繰り返す。
　これにより光送信器２００の運用中においてＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１のＤＣバイアス電圧Ｖbias及び駆動振幅ＶRFが適応的に調整される。
　なお、光送信器２００の運用中全ての期間において、ＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を繰り返して行なうものとしたが、調整モードを周期的に行なうものでも良い。

　以上に述べたように、この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００にあっては、図８に左上のグラフとして示したように、光出力を行なう第１の光変調器を構成するＥＡ変調器２２０が温度ｔ１における消光カーブに対して比較的線形な領域で駆動し、レベル３からレベル０における各間隔が適切に確保されている状態から、温度がｔ１からｔ２に変化した場合にＥＡ変調器２２０における温度ｔ１の消光カーブから図８の右に示すグラフに変化したとしても、第２の光変調器を構成する第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３によってフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を得、駆動条件探索部２００ｂが第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいた第１の駆動条件制御用信号を出力し、光送信器制御部３００が、ＤＣバイアス電圧調整モードにて第１の駆動条件制御用信号に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を調整し、駆動振幅調整モードにて第２の駆動条件制御用信号に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づける駆動振幅の電圧値を調整するため、図８の下のグラフとして示したように、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づけるＤＣバイアス電圧Ｖbias及び駆動振幅ＶRFを適応的に調整することができる。

　従って、この発明の実施の形態１に係る光送信装置１００にあっては、温度の変化により、ＥＡ変調器２２０における消光カーブ特性が大きく変わった場合にも良好なアイパターンを得ることができるという効果がある。また、送信用変調信号１の駆動振幅を最適化することでなるべく広いレベル間隔を取ることができ、結果として消光比を高くすることができるという効果がある。

実施の形態２．
　次に、この発明の実施の形態２について図１３及び図１４を用いて説明する。
　実施の形態２に係る光送信装置１００は、実施の形態１に係る光送信装置１００がＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの２つの調整モードを実施する構成であるのに対して、駆動振幅調整モードを持たず、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の駆動振幅ＶRFは固定値とした構成としたものである。
　図１３及び図１４において、図１及び図１０と同一符号は同一又は相当部分を示す。

　すなわち、変調信号生成部３２０は、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づける駆動振幅ＶRFを固定値として設定し、直流交流合成部３３０に出力する。
　駆動振幅ＶRFの固定値は、ＥＡ変調器２２０が適切な環境にて通常駆動される時の温度に対する消光カーブの線形領域によって設定される。

　ＤＣバイアス電圧条件制御部２７１は実施の形態１における駆動条件制御部２７０に相当し、ＤＣバイアス電圧調整モード時に動作する。
　すなわち、ＤＣバイアス電圧条件制御部２７１は、実施の形態１に示した駆動条件制御部２７０におけるＤＣバイアス電圧調整モードの時と同じ動作をする。
　要するに、ＤＣバイアス電圧条件制御部２７１は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、次の動作を実行する。
　１）実施の形態１にて示した設定値１から設定値６に示すＤＣバイアス電圧調整モード時の設定値を各構成要素に設定する。

　２）第３の駆動条件制御用信号１６を、差分値α2及び差分値α3を設定させる信号とする。
　３）第１の差動増幅部２５１における増幅率をａ１、第２の差動増幅部２５２における増幅率をａ２とする。
　４）比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５に基づき、第１の駆動条件制御用信号８を得るとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を得る。
　その結果、第１の駆動条件制御用信号８によりＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１におけるＤＣバイアス電圧Ｖbiasを光送信器制御部３００に調整させる。

　５）第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を調整させるための第３の駆動条件制御用信号１６を得る。
　６）比較部２６０にて得られた駆動条件調整用信号１５がＬレベルを示すと、第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias減少させる信号とし、駆動条件調整用信号１５がＨレベルを示すと、第１の駆動条件制御用信号８及び第３の駆動条件制御用信号１６を、ＤＣバイアス電圧Ｖbiasを単位量ΔＶbias増加させる信号とする。

　図１３に示した光送信装置１００のハードウェア構成は、実施の形態１として示した図９と基本的な構成は同じであり、メモリ３０２に格納されたプログラムが異なるだけである。
　すなわち、メモリ３０２とメモリ２０２は、この実施の形態２では、図１４に示す、光送信装置１００におけるイベント認識の処理フローを示すフローチャートを実行するプログラムを記憶している。
　なお、図１４は、実施の形態１における図１０及び図１１を合成したフローチャートに相当する。

　図１４において、ステップＳＴａ１１からステップＳＴａ６１はそれぞれ図１１に示したステップＳＴａ１からステップＳＴａ６に相当し、図１０に示したステップＳＴ３のＤＣバイアス電圧調整モードのステップに相当する。
　実施の形態２では、駆動振幅調整モードを持たないため、図１０に示したステップＳＴ４からステップＳＴ６を持たない。
　このフローチャートは常時ループのフローとなっており、ループ開始とループ終了の間の処理を繰り返す。

　ステップＳＴａ５１及びステップＳＴａ６１の処理後、ステップＳＴａ２１に戻り、以降はループを繰り返す。これにより光送信装置１００の運用中においてＤＣバイアス電圧Ｖbiasを適応に調整する。
　なお、光送信器２００の運用中全ての期間において、ＤＣバイアス電圧調整モードを繰り返して行なうものとしたが、ＤＣバイアス電圧調整モードを周期的に行なうものでも良い。

　以上に述べたように、この発明の実施の形態２に係る光送信装置１００にあっても、実施の形態１と同様に、第２の光変調器を構成する第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３によってフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を得、駆動条件探索部２００ｂが第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいた第１の駆動条件制御用信号を出力し、光送信器制御部３００が、第１の駆動条件制御用信号に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧Ｖbiasの電圧値を調整し、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１のＤＣバイアス電圧Ｖbiasを適応的に調整することができる。
　従って、この発明の実施の形態２に係る光送信装置１００にあっては、温度の変化により、ＥＡ変調器２２０に消光カーブ特性が大きく変わった場合にも良好なアイパターンを得ることができるという効果がある。
　また、PAM４変調方式以外の多値変調方式においても適用できるという効果がある。

実施の形態３．
　次に、この発明の実施の形態３について図１５を用いて説明する。
　実施の形態３に係る光送信装置１００は、実施の形態１及び実施の形態２に係る光送信装置１００におけるＣＷ光出力部２１０をＣＷ光出力部２１０ｃに変更したものであり、その他の構成は同じである。

　従って、ＣＷ光出力部２１０ｃを備えた光信号生成部２００ｃについて説明する。
　ＣＷ光出力部２１０ｃは発光部２１１ｃと観測用ＣＷ光分岐部２１３ｃを備えている。
　発光部２１１ｃはＣＷ光を出力する半導体レーザ（ＬＤ）である。
　この半導体レーザ（ＬＤ）は、対向するミラーで形成された共振器構造を有し、それぞれのミラーから異なった方向にＣＷ光を取り出す構造である。
　発光部２１１ｃの一方のミラーから取り出されたＣＷ光はＥＡ変調器２２０へ出力される。
　発光部２１１ｃの他方のミラーから取り出されたＣＷ光は観測用ＣＷ光分岐部２１３ｃへ出力される。
　観測用ＣＷ光分岐部２１３ｃへ入力されたＣＷ光は３つに分岐されて第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３へ出力する。
　観測用ＣＷ光分岐部２１３は、光結合器又は多モード干渉導波路などである。

　この実施の形態３に係る光送信装置１００にあっても、実施の形態１及び実施の形態２に係る光送信装置１００とＣＷ光出力部２１０ｃが異なるだけであるので、実施の形態１に係る光送信装置１００と同様の効果もしくは実施の形態２に係る光送信装置１００と同様の効果を奏する。

実施の形態４．
　次に、この発明の実施の形態４について図１６を用いて説明する。
　実施の形態４に係る光送信装置１００は、実施の形態１及び実施の形態２に係る光送信装置１００における光信号生成部２００ａを光信号生成部２００ｄに変更したものであり、その他の構成は同じである。

　従って、光信号生成部２００ｄについて説明する。
　光信号生成部２００ｄは、ＣＷ光を出力する半導体レーザ（ＬＤ）である発光部２１１ｄからなるＣＷ光出力部２１０ｄと、ＥＡ変調器２２０と、変調光分岐部２１４と、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３を備えている。
　発光部２１１ｄから出力されたＣＷ光はＥＡ変調器２２０に変調されて光信号として出力される。
　変調光分岐部２１４は、ＥＡ変調器２２０と第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３の間に設けられ、ＥＡ変調器２２０と第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３が直列的に光接続されている。

　ＥＡ変調器２２０からの光信号は、変調光分岐部２１４を介して光出力向けポートから光出力として出力される。
　ＥＡ変調器２２０からの光信号は、変調光分岐部２１４にてさらに３つに分岐されて第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３へ出力される。
　変調光分岐部２１４における光出力向けポートの配分比率は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対する出力ポートの配分比率より大きくし、光送信装置１００からの光パワーを下げないようにしている。

　この実施の形態４に係る光送信装置１００にあっても、実施の形態１及び実施の形態２に係る光送信装置１００と光信号生成部２００ｄが異なるだけであるので、実施の形態１に係る光送信装置１００と同様の効果もしくは実施の形態２に係る光送信装置１００と同様の効果を奏する。

実施の形態５．
　次に、この発明の実施の形態５について図１７を用いて説明する。
　実施の形態５に係る光送信装置１００は、実施の形態１に係る光送信装置１００における光信号生成部２００ａに対して、さらに第２の駆動振幅調整モードを追加したものである。
　すなわち、実施の形態１に係る光送信装置１００における駆動振幅調整モードが、PAM４変調方式におけるアイパターンの中心から上のレベルを観測したものであるが、さらに、アイパターンの中心から下のレベルを観測する第２の駆動振幅調整モードを追加したものである。

　図１７において、ステップＳＴ７はステップＳＴ５と同様のステップである。
　ステップＳＴ７において、第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）である差分値γ2と、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）である差分値γ3を設定するとともに、第１の差動増幅部２５１の増幅率をｃ１と、第２の差動増幅部２５２の増幅率をｃ２に設定する。差分値γ2はＶRF／６、差分値γ3はＶRF／３である。
　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０が、第１の観測用ＥＡ変調器２３１に印加される電圧値Ｖ1がＶbiasである第１のＤＣバイアス電圧２を印加し、第２の観測用ＥＡ変調器２３２に電圧値Ｖ2がレベル１の電圧となるＶbias＋γ2である第２のＤＣバイアス電圧３を印加し、第３の観測用ＥＡ変調器２３３に電圧値Ｖ3がレベル０の電圧となるＶbias＋γ2＋γ3である第３のＤＣバイアス電圧４を印加する。

　そして、駆動条件探索部２００ｂは、ステップＳＴ５と同様に処理し、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に対する３つの印加電圧の差分値γ2及び差分値γ3を、それぞれ駆動振幅ＶRFにΔＶRF／６、ΔＶRF／３を足す、又は引いて更新した駆動振幅ＶRFに合わせて変更する。
　すなわち、第１のＤＣバイアス電圧２をＶbias、第２のＤＣバイアス電圧３をＶbias＋ＶRF／６＋ΔＶRF／６又はbias＋ＶRF／６－ΔＶRF／６、第３のＤＣバイアス電圧４をＶbias＋ＶRF／６＋ΔＶRF／６＋ＶRF／３＋ΔＶRF／３又はＶbias＋ＶRF／６－ΔＶRF／６＋ＶRF／３－ΔＶRF／３とする。

　その後、ステップＳＴ８に進む。
　ステップＳＴ８にて駆動振幅ＶRFの調整が充分に行なわれたと判断されるまで、ステップＳＴ７に示す第２の駆動振幅調整モードを繰り返して行なわれ、駆動振幅ＶRFの調整が充分に行なわれたと判断されるとステップＳＴ３に進む。
　ステップＳＴ３では、駆動条件制御部２７０が調整対象を再びＤＣバイアス電圧調整モードに戻し、以降はループを繰り返す。
　これにより光送信器２００の運用中においてＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１のＤＣバイアス電圧Ｖbias及び駆動振幅ＶRFが適応的に調整される。

　この実施の形態５に係る光送信装置１００は、実施の形態１に係る光送信装置１００に対して第２の駆動振幅調整モードを追加しているので、実施の形態１に係る光送信装置１００と同様の効果を奏する他、もしくは実施の形態２に係る光送信装置１００と同様の効果を奏する他、送信用変調信号１の駆動振幅をさらに広いレベル間隔を取ることができ、結果として消光比をより高くすることができるという効果がある。

実施の形態６．
　次に、この発明の実施の形態６に係る光送信装置１００について、図１８から図２１を用いて説明する。
　実施の形態６に係る光送信装置１００は、実施の形態１に係る光送信装置１００に対して、ＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの２つの調整モードのうち、駆動振幅調整モードを行なう構成として、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に第４の観測用ＥＡ変調器を追加し、さらに、第４の電流－電圧変換部２４４と、第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４及び駆動振幅調整用比較部２６１により構成される駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂと、駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１を追加したものである。なお、各図中同一符号は、同一又は相当部分を示す。

　要するに、この実施の形態６に係る光送信装置１００は、ＤＣバイアス電圧調整モードは、第２の光変調器を構成する第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３と、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３と、第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２及び比較部２６０を有するDCバイアス調整用信号生成部２５０ａと、駆動条件制御部２７２と、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０を用いて行なう。

　一方、駆動振幅調整モードは、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３のうちから選択された観測用ＥＡ変調器及び選択された観測用ＥＡ変調器に対応する電流－電圧変換部と、第３の光変調器を構成する第４の観測用ＥＡ変調器２３４と、第４の電流－電圧変換部２４４と、第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４及び駆動振幅調整用比較部２６１を有する駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂと、駆動条件制御部２７２と、駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１を用いて行なう。

　以下に、実施の形態１に係る光送信装置１００と相違する点を中心に説明する。
　ＣＷ光出力部２１０ｅは、図１９に示すように、発光部２１１と、ＣＷ光分岐部２１２と、観測用ＣＷ光分岐部２１３ｅを備えている。
　観測用ＣＷ光分岐部２１３ｅは、ＣＷ光分岐部２１２からのＣＷ光を４つに分岐して第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４に出力する。観測用ＣＷ光分岐部２１３ｅの分岐前及び分岐後のＣＷ光の特性は光パワー以外同じである。

　第４の観測用ＥＡ変調器２３４は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３とともに、ＥＡ変調器２２０の適切な駆動条件を探索するための、ＥＡ変調器２２０に対する送信用変調信号の駆動振幅の電圧値を得るためのものである。
　第４の観測用ＥＡ変調器２３４は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３と同様の構成をしており、印加される第４のＤＣバイアス電圧２０により、ＣＷ光出力部２１０ｅからの連続レーザ光に対する電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第４の条件変更用信号２１を出力する第３の光変調器を構成する。第４の観測用ＥＡ変調器２３４は、観測用ＣＷ光分岐部２１３ｅからの分岐後のＣＷ光を受ける。
　第４の観測用ＥＡ変調器２３４は、第４のＤＣバイアス電圧２０が第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４の電圧値と異なる以外は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３と、その半導体の層構造、組成比、導波路の構造及び電界吸収効果が生じる領域の長さなどを極力同じにしてある。

　第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４及び第４のＤＣバイアス電圧２０の電圧値は、以下のようにされる。
　初期値において、ＤＣバイアス電圧調整モード時の第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）を差分値α2とし、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）を差分値α3と設定する。
　また、駆動振幅調整モード時においても、第１のＤＣバイアス電圧２と第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値の電圧差（Ｖ1－Ｖ2）を差分値α2とし、第２のＤＣバイアス電圧３と第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値の電圧差（Ｖ2－Ｖ3）を差分値α3と設定し、さらに、第３のＤＣバイアス電圧４と第４のＤＣバイアス電圧２０が示す電圧値の電圧差（Ｖ3－Ｖ4）を差分値β４と設定する。

　すなわち、第１のＤＣバイアス電圧２が示す電圧値Ｖ1をＶbiasとすると、第２のＤＣバイアス電圧３が示す電圧値Ｖ2がＶbias－α2、第３のＤＣバイアス電圧４が示す電圧値Ｖ3がＶbias－α2－α3となり、これは実施の形態１におけるＤＣバイアス電圧調整モードと同じ電圧である。
　一方、第４のＤＣバイアス電圧が示す電圧値Ｖ4はＶbias－α2－α3－β４となる。
　実施の形態６では、第４の観測用ＥＡ変調器に印加される電圧値Ｖ4をレベル３に対応させるため、電圧差（Ｖ1－Ｖ4）、すなわち（α2＋α3＋β４）が駆動振幅の半値であるＶRF／２に等しくなるようにβ４を設定する。

　駆動条件探索部２００ｆは、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３と、第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２及び比較部２６０を有するDCバイアス調整用信号生成部２５０ａと、駆動条件制御部２７２と、３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０に加え、第４の電流－電圧変換部２４４と、第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４及び駆動振幅調整用比較部２６１を有する駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂと、駆動振幅調整用ＤＣデバイス電圧制御部２８１を備える。
　なお、図１８において、駆動条件探索部２００ｆの各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。

　第４の電流－電圧変換部２４４は第４の観測用ＥＡ変調器２３４からの第４の条件変更用電流２１が示す電流値を電圧値に変換して第４の条件変更用信号としての第４の条件変更用電圧２２を得る。
　すなわち、第４の電流－電圧変換部２４４は、第４の観測用ＥＡ変調器２３４から出力された第４の条件変更用電流２１が示すフォトカレントの値Ｉph4を電圧値Ｖph4に変換する。この変換では、例えば、抵抗を介した線形変換、つまりオームの法則（Ｖ＝Ｉ×Ｒ）に基づき行なわれる。第４の電流－電圧変換部２４４は、第１の電流－電圧変換部２４１から第３の電流－電圧変換部２４３と同じ抵抗値を有する抵抗にて構成している。

　第３の差動増幅部２５３は、第１の電流－電圧変換部２４１からの第１の条件変更用電圧１０が示す電圧値Ｖph1と第３の電流－電圧変換部２４３からの第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値Ｖph3に基づき、第１の条件変更用電圧１０と第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値との差分量（Ｖph1－Ｖph3）を線形的に増幅した値である第３の中間駆動条件２３を得る。
　第４の差動増幅部２５４は、第１の電流－電圧変換部２４１からの第１の条件変更用電圧１０が示す電圧値Ｖph1と第４の電流－電圧変換部２４４からの第４の条件変更用電圧２２が示す電圧値Ｖph4に基づき、第１の条件変更用電圧１０と第４の条件変更用電圧２２が示す電圧値との差分量（Ｖph1－Ｖph4）を線形的に増幅した値である第４の中間駆動条件２４を得る。

　第３の差動増幅部２５３は増幅率をｂ３に、第４の差動増幅部２５４は増幅率をｂ４に設定される。
　従って、駆動振幅調整モード時、第３の差動増幅部２５３からの第３の中間駆動条件２３が示す電圧の絶対値はｂ３×｜Ｖph3－Ｖph1｜になり、第４の差動増幅部２５４からの第４の中間駆動条件２４が示す電圧の絶対値はｂ４×｜Ｖph4－Ｖph1｜になる。
　なお、第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４は、駆動振幅調整モード時に使用されるため、ＤＣバイアス電圧調整モード時に不活性にしても良い。

　また、実施の形態１では、第１の差動増幅部２５１は、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率をａ１、駆動振幅調整モードの増幅率をｂ１に設定しているが、増幅率をａ１とし、駆動振幅調整モード時に不活性化しても良い。同様に、第２の差動増幅部２５２は、ＤＣバイアス電圧調整モード時の増幅率をａ２、駆動振幅調整モードの増幅率をｂ２に設定しているが、増幅率をａ２とし、駆動振幅調整モード時に不活性にしても良い。
　ＤＣバイアス電圧調整モードで使用する第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部における線形増幅の増幅率ａ１及び増幅率ａ２の比率は実施の形態１と同様の考えに基づき決められる。

　駆動振幅調整モードで使用する第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４における増幅率ｂ３及び増幅率ｂ４の比率も、実施の形態１において、駆動振幅調整モードで使用する場合の第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２における線形増幅の増幅率ｂ１及び増幅率ｂ２の比率における設定と同様の考えに基づき決められる。
　但し、図２０に示すように、第２の観測用ＥＡ変調器２３２から第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される電圧が実施の形態１における電圧と異なっているために比率の値が異なる。

　すなわち、第４の差動増幅部２５４の増幅率ｂ４は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される電圧の差分量を考慮して、第３の差動増幅部２５３の増幅率ｂ３の｛（α２＋α３）／（α２＋α３＋β４）｝倍に設定する必要がある。
　なお、図２０は、駆動振幅調整モード時の、ＥＡ変調器２２０及び第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４における、逆方向印加電圧Ｖに対するパワー透過率Ｔを○印にて示している。横軸は逆方向印加電圧Ｖを、縦軸はパワー透過率Ｔの値を示している。

　駆動振幅調整用比較部２６１は、第３の差動増幅部２５３から出力される第３の中間駆動条件２３と第４の差動増幅部２５４から出力される第４の中間駆動条件２４に基づき、第３の中間駆動条件２３と第４の中間駆動条件２４が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号の一つである駆動振幅調整用信号１５ｂを得る。
　すなわち、駆動振幅調整用比較部２６１は、第３の中間駆動条件２３が示す電圧の絶対値（ｂ３×｜Ｖph3－Ｖph1｜）と第４の中間駆動条件２４が示す電圧の絶対値（ｂ４×｜Ｖph4－Ｖph1｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動振幅調整用信号１５ｂを得る。
　駆動振幅調整用信号１５ｂは、実施の形態１における駆動振幅調整モード時の、駆動条件調整用信号１５と同様に、大小関係を判別するときにオフセット量を設定することができる。オフセット量を設ける理由は、実施の形態１と同様で、ＶRFが調整を繰り返すごとに不要に小さくなり続けることを防ぐためである。従って、オフセット量を適切に設定することで、レベル２－１の振幅差とレベル３－２の振幅差がおおよそ等間隔になるように駆動振幅の調整を維持できる。

　要するに、駆動条件探索部２００ｆは、ＤＣバイアス電圧調整モード時に使用する、第１の差動増幅部２５１及び第２の差動増幅部２５２及び比較部２６０を有するDCバイアス調整用信号生成部２５０ａと、駆動振幅調整モードに使用する、第３の差動増幅部２５３及び第４の差動増幅部２５４及び駆動振幅調整用比較部２６１を有する駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂとを備えている。
　ＤＣバイアス調整用信号生成部２５０ａは、ＤＣバイアス電圧調整モード時に、第１の条件変更用信号５から第３の条件変更用信号７に基づく第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせ、この実施の形態６では、第１の条件変更用電圧１０と第２の条件変更用電圧１１の組み合わせと、第２の条件変更用電圧１１と第３の条件変更用電圧１２の組み合わせ、による光吸収量の差分量に基づいて駆動条件調整用信号の一つであるＤＣバイアス調整用信号１５ａを得る。

　駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂは、駆動振幅調整モード時に、第１の条件変更用信号５から第３の条件変更用信号７に基づく第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２の３つの組み合わせのうちの残りの組み合わせと、残りの組み合わせのうちの一つの条件変更用電圧と第４の条件変更用信号２１に基づく第４の条件変更用電圧２２による光吸収量の差分量、この実施の形態６では、第１の条件変更用電圧１０と第３の条件変更用電圧１２の組み合わせと、第１の条件変更用電圧１０と第４の条件変更用電圧２２、による光吸収量の差分量に基づいて駆動振幅調整用信号１５ｂを得る。

　なお、この実施の形態６では、駆動振幅調整用信号生成部２５０ｂは、駆動振幅調整モード時に、第１の条件変更用信号５から第３の条件変更用信号７に基づく第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２の３つの組み合わせのうちの残りの組み合わせと、残りの組み合わせのうちの一つの条件変更用電圧と第４の条件変更用信号２１に基づく第４の条件変更用電圧２２による光吸収量の差分量とを用いているが、第１の条件変更用信号５から第３の条件変更用信号７に基づく第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２の３つの組み合わせのうちの一つの組み合わせと、第１の条件変更用電圧１０から第３の条件変更用電圧１２のうちの一つの条件変更用電圧と第４の条件変更用信号２１に基づく第４の条件変更用電圧２２による光吸収量の差分量に基づいて駆動振幅調整用信号１５ｂを得るものでも良い。

　駆動条件制御部２７２は、実施の形態１と同様に光送信装置１００の稼働前に各種の設定値の設定が行なわれ、光送信装置１００が稼動開始後、ＤＣバイアス電圧調整モード又は駆動振幅調整モードのいずれのモードを行なうかを指示する。
　駆動条件制御部２７２は、ＤＣバイアス電圧調整モード時、比較部２６０にて得られたＤＣバイアス調整用信号１５ａに基づき、第１の駆動条件制御用信号８を得るとともに、第３の駆動条件制御用信号１６を得る。駆動条件制御部２７２は、ＤＣバイアス電圧調整モードであるので第２の駆動条件制御用信号９は発生しない。
　このときの駆動条件制御部２７２の動作は、実施の形態１と同じであるので説明は省略する。

　一方、駆動振幅調整モード時、駆動条件制御部２７２は、駆動振幅調整用比較部２６１にて得られた駆動振幅調整用信号１５ｂに基づき、第２の駆動条件制御用信号９を得るとともに、第４の駆動条件制御用信号２５を得る。駆動条件制御部２７２は、駆動振幅調整モード時であるので第１の駆動条件制御用信号８は発生しない。このとき、駆動条件制御部２７２は第３の駆動条件制御用信号１６の変わりに初期値もしくは駆動振幅調整モード直前の状態を維持させる信号を出力する。
　駆動条件制御部２７２が得る第３の駆動条件制御用信号１６は、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を調整させるためのものであり、第４の駆動条件制御用信号２５は、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される第４のＤＣバイアス電圧２０を調整させるためのものである。

　駆動条件制御部２７２は、ＤＣバイアス電圧調整モード時に実施の形態１と同様に３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０などの制御を行い、駆動振幅調整モード時、駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１、第３の差動増幅部２５３、及び第４の差動増幅部２５４に対して制御を行う。
　駆動条件制御部２７２は、駆動振幅調整モード時の設定値として、実施の形態１にて示した設定値２に対応して設定値７が、設定値４に対応して設定８の設定が行なわれる。
　設定値７：第３のＤＣバイアス電圧４と第４のＤＣバイアス電圧２０が示す電圧値の電圧差（Ｖ3－Ｖ4）である差分値β４。
　設定値８：第３の差動増幅部２５３の増幅率ｂ３、第４の差動増幅部２５４の増幅率ｂ４。

　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、ＤＣバイアス電圧調整モードの時、駆動条件制御部２７２からの第３の駆動条件制御用信号１６を受けて実施の形態１と同様に動作する。
　３点ＤＣバイアス電圧制御部２８０は、駆動振幅調整モード時、初期値もしくは、ＤＣバイアス電圧調整モード後に駆動振幅調整モードが開始された場合は、ＤＣバイアス電圧調整モード直後の状態を維持する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する。この状態は駆動振幅調整モード期間維持される。

　駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１は、駆動振幅調整モード時、駆動条件制御部２７２からの第４の駆動条件制御用信号２５を受けて、初期値としてＤＣバイアス電圧Ｖbiasと差分値α2及び差分値α3の他に差分値β4が設定され、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に電圧値Ｖ4がＶ1－α2－α3－β4＝Ｖbias－ＶRF／２である第４のＤＣバイアス電圧２０を印加する。

　駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１は、駆動振幅調整モード時、駆動条件制御部２７２からの第４の駆動条件制御用信号２５を受けて、第４の駆動条件制御用信号２５がΔＶRF／２減少させる信号を示すと、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に電圧値Ｖ4がＶbias－ＶRF／２－ΔＶRF／２を印加する。駆動条件制御部２７２からの第４の駆動条件制御用信号２５がΔＶRF／２減少させる信号を示さなくなるまで繰り返される。
　駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１は、駆動振幅調整モード時、駆動条件制御部２７２からの第４の駆動条件制御用信号２５を受けて、第４の駆動条件制御用信号２５がΔＶRF／２増加させる信号を示すと、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に電圧値Ｖ4がＶbias－ＶRF／２＋ΔＶRF／２を印加する。駆動条件制御部２７２からの第４の駆動条件制御用信号２５がΔＶRF／２増加させる信号を示さなくなるまで繰り返される。

　光送信器制御部３００を構成する、ＤＣバイアス電圧制御部３１０と、変調信号生成部３２０と、直流交流合成部３３０は、実施の形態１と同様に動作する。

　図１８及び図１９にて示す実施の形態６の光送信装置１００のハードウェア構成は、実施の形態１のハードウェア構成を示した図９のハードウェア構成に第４の観測用ＥＡ変調器２３４を追加した構成であり、メモリ３０２に記録された実施の形態１を実施するためのプログラムが実施の形態６を実施するためのプログラムに変更されている。
　メモリ３０２とメモリ２０２は、この実施の形態６では、図１０、図１１、及び図２１に示す光送信装置１００におけるイベント認識の処理フローを示すフローチャートを実行するプログラムを記憶している。

　すなわち、ＤＣバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの２つの調整モードの交互反復については、実施の形態１と同様に、図１０に示すフローチャートに基づいて行われる。ただし、駆動振幅調整モードの詳細については図２１に示すフローチャートに基づいて行われる。
　図２１に示すフローチャートは、図１０に示した調整モード全体における駆動振幅調整モードのステップであるステップＳＴ５に相当し、同時に、実施の形態１における駆動振幅調整モードの詳細フローチャートを示す図１２に対応する。図２１に示すステップＳＴｂ１１からステップＳＴｂ７１はそれぞれ図１２に示したステップＳＴｂ１からステップＳＴｂ７に対応する。

　要するに、実施の形態６における駆動振幅調整モード（ステップＳＴ５）のフローチャートは、図２１に示すように、第３の差動増幅部の増幅率ｂ３及び第４の差動増幅部２３４の増幅率ｂ４を設定するステップＳＴｂ１１と、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に第４のＤＣバイアス電圧２０を印加するステップＳＴｂ２１と、駆動振幅調整用比較部２６１にて駆動振幅調整用信号１５ｂを得るステップＳＴｂ３１及びステップＳＴｂ４１と、駆動振幅ＶRFを減少させるステップＳＴｂ５１と、駆動振幅ＶRFを増加させるステップＳＴｂ６１と、駆動振幅調整モード時の第３のＤＣバイアス電圧１２と第４のＤＣバイアス電圧２２が示す電圧値の電圧差（Ｖ3－Ｖ4）である差分値β４を駆動振幅ＶRFに合わせて変更するステップＳＴｂ７１を備えている。

　図２１において、ステップＳＴｂ１１は、駆動条件制御部２７２が調整対象を送信用変調信号１のＤＣバイアス電圧Ｖbiasから駆動振幅ＶRFに切替える。また、第３の差動増幅部２５３の増幅率をｂ３に、第４の差動増幅部２５４の増幅率をｂ４に設定する。

　ステップＳＴｂ２１では、駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部２８１が、第４の観測用ＥＡ変調器２３４の第４のＤＣバイアス電圧２０に対するＤＣバイアス電圧を設定し、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に第４のＤＣバイアス電圧２０を印加する。すなわち、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に電圧値Ｖ4が（Ｖbias－α２－α３－β４）である第４のＤＣバイアス電圧２０を印加する。また、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加される第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧はＤＣバイアス電圧調整モード（ステップＳＴ３）における値を維持している。ここで、差分値β４は初期値としてステップＳＴ１１にて設定された値であり、その後、ステップＳＴｂ７１にて駆動振幅ＶRFに合わせて変更、更新される。

　それぞれのＤＣバイアス電圧を設定することにより、図２０に示すように、第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４において出力されるフォトカレントの差分と第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４及び第４のＤＣバイアス電圧２０の差分を考慮することで、ＥＡ変調器２２０におけるレベル３が消光カーブの非線形領域にあるかが推定できる。すなわち、レベル３が線形領域にある場合には、それぞれのフォトカレントの差分はそれぞれの印加電圧の差分（横軸）に線形比例の関係となるが、レベル３が非線形領域にある場合、図２０の左側にて示したグラフから理解されるように線形比例の関係でなくなるため、これを検知し駆動振幅を小さくすることで線形比例の関係に戻すことができる。

　ステップＳＴｂ３１では、ステップＳＴｂ３と同様な方法で、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に対応した第４の条件変更用電流（Ｉph4）２１、第４の条件変更用電圧（Ｖph4）２２を得る。続いて、第３の差動増幅部２５３が、第１の条件変更用電圧１０と第３の条件変更用電圧１２が示す電圧値との差分量（Ｖph1－Ｖph3）を線形的に増幅した値である第３の中間駆動条件２３を得る。また、第４の差動増幅部２５４が、第１の条件変更用電圧１０と第４の条件変更用電圧２２が示す電圧値との差分量（Ｖph1－Ｖph4）を線形的に増幅した値である第４の中間駆動条件２４を得る。

　最後に、駆動振幅調整用比較部２６１が、第３の差動増幅部２５３からの第３の中間駆動条件が示す電圧値（ｂ３×｜Ｖph3－Ｖph1｜）と第４の差動増幅部からの第４の中間駆動条件が示す電圧値（ｂ４×｜Ｖph4－Ｖph1｜）を比較し、大小関係を２値情報とした駆動振幅調整用信号１５ｂを得、駆動振幅調整用信号１５ｂを駆動条件制御部２７２に出力する。

　ステップＳＴｂ４１では、駆動振幅調整用信号１５ｂがどのような信号であるか判断するステップである。すなわち、駆動振幅調整用信号１５ｂが、第３の差動増幅部２５３から出力される第３の中間駆動条件２３が示す電圧値が第４の差動増幅部２５４から出力される第４の中間駆動条件２４が示す電圧値より大きいか否かを判定する。

　第３の中間駆動条件２３が示す電圧値が第４の中間駆動条件２４が示す電圧値より大きい場合（ＹＥＳ）、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される第４のＤＣバイアス電圧２０に対応するレベル３が消光カーブの非線形性領域に存在（図２０の左側のグラフに示す）し、レベル２～１間のアイ振幅がレベル３～２間のアイ振幅より大きいことを意味し、ステップＳＴｂ５１に進む。

　ステップＳＴｂ５１では、駆動振幅調整用比較部２６１が得た、推定されるレベル２～１間のアイ振幅がレベル３～２間のアイ振幅より大きいことを示す、つまり、レベル３～２間のアイ振幅が狭い状態であることを意味する駆動振幅調整用信号１５ｂにより、ステップＳＴｂ５と同様な手順で、駆動条件制御部２７２が駆動振幅ＶRFを単位量ΔＶRF減少させる。

　その後、ステップＳＴｂ７１に進む。
　ステップＳＴｂ７１は、第３の観測用ＥＡ変調器２３３と第４の観測用ＥＡ変調器２３４に対する印加電圧の差分値β４を、更新した駆動振幅ＶRFに合わせて変更する。
　すなわち、第４のＤＣバイアス電圧２０をＶbias－（ＶRF－ΔＶRF）／２とする。

　したがって、ステップＳＴｂ５１及びステップＳＴｂ７１において、駆動振幅調整モードにおける１周期で変更させる調整量は次のようになる。
　駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを減少、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加する電圧値Ｖ4にΔＶRF／２を増加、差分値β４にΔＶRF／２を減少させる。ＤＣバイアス電圧Ｖbias、及び第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ1、Ｖ2、及びＶ3は設定された値を維持する。
　すなわち、駆動振幅調整モードにおいて、β４は駆動振幅ＶRFに合わせて調整され、α２およびα３は調整されない。

　また、ステップＳＴｂ４１において、第３の中間駆動条件２３が示す電圧値が第４の中間駆動条件２４が示す電圧値より大きくない場合（ＮＯ）、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加される第４のＤＣバイアス電圧２０に対応するレベル３が消光カーブの線形性領域に存在し、レベル２～１間のアイ振幅がレベル３～２間のアイ振幅より大きくないことを意味し、ステップＳＴｂ６１に進む。

　ステップＳＴｂ６１は、駆動振幅調整用比較部２６１が得た、推定されるレベル２～１間のアイ振幅がレベル３～２間のアイ振幅より大きくないことを示す、つまり、駆動振幅ＶRFを増やす余地があることを意味する駆動振幅調整用信号１５ｂにより、ステップＳＴｂ６と同様な手順で、駆動条件制御部が駆動振幅ＶRFを単位量ΔＶRF増加させる。

　その後、ステップＳＴｂ７１に進む。
　ステップＳＴｂ７１は、第３の観測用ＥＡ変調器２３３と第４の観測用ＥＡ変調器２３４に対する印加電圧の差分値β４を、更新した駆動振幅ＶRFに合わせて変更する。
　すなわち、第４のＤＣバイアス電圧をＶbias－（ＶRF＋ΔＶRF）／２とする。

　ステップＳＴｂ６１及びステップＳＴｂ７１において、駆動振幅調整モードにおける１周期で変更させる調整量は次のようになる。
　駆動振幅ＶRFに単位量ΔＶRFを増加、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に印加する電圧値Ｖ4にΔＶRF／２を減少、差分値β４にΔＶRF／２を増加させる。ＤＣバイアス電圧Ｖbias、及び第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３に印加する電圧値Ｖ1、Ｖ2、及びＶ3は設定された値を維持する。
　すなわち、駆動振幅調整モードにおいて、β４は駆動振幅ＶRFに合わせて調整され、α２およびα３は調整されない。

　その後、図１０に示したステップＳＴ６に進み、実施の形態１と同様の動作が行われる。
　このようにして、第４のＤＣバイアス電圧２０は調整され、図２０の右側のグラフに示すように、光変調の非線形状態は改善される。

　以上に述べたように、この発明の実施の形態６に係る光送信装置１００にあっては、
　ア）第２の光変調器を構成する第１の観測用ＥＡ変調器２３１から第３の観測用ＥＡ変調器２３３によってフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号５から第３の条件変更用信号７を得、第３の光変調器を構成する第４の観測用ＥＡ変調器２３４によってフォトカレントの値に基づく第４の条件変更用信号２１を得、
　イ）駆動条件探索部２００ｆが第１の条件変更用信号５からから第３の条件変更用信号７及び第４の条件変更用信号２１による光吸収量の差分量に基づいた第１の駆動条件制御用信号及び第２の駆動条件制御用信号を出力し、
　ウ）光送信器制御部３００が、ＤＣバイアス電圧調整モードにて第１の駆動条件制御用信号に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値Ｖbiasを適応的に調整し、駆動振幅調整モードにて第２の駆動条件制御用信号に基づき、ＥＡ変調器２２０に印加する送信用変調信号１を特徴づける駆動振幅の電圧値ＶRFを適応的に調整することができる。

　従って、この発明の実施の形態６に係る光送信装置１００にあっては、ＤＣバイアス電圧調整モードと駆動振幅調整モードの２つの調整モードの交互反復の中で、第２の光変調器に印加する第１のＤＣバイアス電圧２から第３のＤＣバイアス電圧４を変更することなく、実施の形態１と同等な効果が得られる。

　なお、実施の形態６において、第３の光変調器を第４の観測用ＥＡ変調器２３４にて構成するものを示したが、これに限られるものではなく、第４の観測用ＥＡ変調器２３４に加えて第５の観測用ＥＡ変調器を追加するなど、複数の観測用ＥＡ変調器により構成しても良い。
　複数の観測用ＥＡ変調器により構成する場合、複数の観測用ＥＡ変調器に印加するＤＣバイアス電圧は全て同じにしてもよいし、それぞれ異なる電圧としてもよい。このように第３の光変調器を複数の観測用ＥＡ変調器により構成することにより、レベル３又はその他のレベルが消光カーブの非線形領域に存在するかを推定する際の精度を高めることができる。

　なお、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

　１００　光送信装置、２００　光送信器、２００ａ，２００ｃ，２００ｄ　光信号生成部（光素子）、２００ｂ　駆動条件探索部、２１０，２１０ｃ，２１０ｄ　ＣＷ光出力部、２１１，２１１ｃ，２１１ｄ　発光部、２１２　ＣＷ光分岐部、２１３，２１３ｃ　観測用ＣＷ光分岐部、２１４　変調光分岐部、２２０　ＥＡ変調器、２３１　第１の観測用ＥＡ変調器、２３２　第２の観測用ＥＡ変調器、２３３　第３の観測用ＥＡ変調器、２３４　第４の観測用ＥＡ変調器、２４１　第１の電流－電圧変換部、２４２　第２の電流－電圧変換部、２４３　第３の電流－電圧変換部、２４４　第４の電流－電圧変換部、２５１　第１の差動増幅部、２５２　第２の差動増幅部、２５３　第３の差動増幅部、２５４　第４の差動増幅部、２６０　比較部、２６１　駆動振幅調整用比較部、２７０、２７２　駆動条件制御部、２７１　ＤＣバイアス電圧条件制御部、２８０　３点ＤＣバイアス電圧制御部、２８１　駆動振幅調整用ＤＣバイアス電圧制御部、３００　光送信器制御部、３１０　ＤＣバイアス電圧制御部、３２０　変調信号生成部、３３０　直流交流合成部、

Claims

　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器、
　入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号を受け、前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第１の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を出力する駆動条件探索部、
　前記駆動条件探索部が得た第１の駆動条件制御用信号に基づき、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を調整する光送信器制御部、
　を備えた光送信装置。
　前記駆動条件探索部は、さらに、前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第２の駆動条件制御用信号を得、
　前記光送信器制御部は、前記駆動条件探索部にて得た第２の駆動条件制御用信号に基づき、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を設定し、前記設定した直流バイアス電圧の電圧値と前記設定した駆動振幅の電圧値に基づき送信用変調信号を生成し、前記第１の光変調器に印加することを特徴とする請求項１記載の光送信装置。
　前記第１の光変調器に印加される送信用変調信号は、直流バイアス電圧と駆動振幅の電圧値による４段階の値を取る信号であり、
　前記第１の光変調器は、前記送信用変調信号によって４段階のレベルを取る光信号を出力する電界吸収型変調器であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光送信装置。
　前記第２の光変調器は、
　前記連続レーザ光が入力され、入力された連続レーザ光を、第１のＤＣバイアス電圧が印加されて前記第１の条件変更用信号を出力する第１の観測用電界吸収型変調器と、
　前記連続レーザ光が入力され、入力された連続レーザ光を、第２のＤＣバイアス電圧が印加されて前記第２の条件変更用信号を出力する第２の観測用電界吸収型変調器と、
　前記連続レーザ光が入力され、入力された連続レーザ光を、第３のＤＣバイアス電圧が印加されて前記第３の条件変更用信号を出力する第３の観測用電界吸収型変調器を備えたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光送信装置。
　前記第１の光変調器に入力される連続レーザ光は、連続レーザ光を出力する発光部からレーザ光分岐部を介して入力される連続レーザ光であり、
　前記第２の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記発光部から前記レーザ光分岐部及び観測用レーザ光分岐部を介して入力される連続レーザ光であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光送信装置。
　前記第１の光変調器に入力される連続レーザ光は、２方向に連続レーザ光を出力する発光部からの一方の連続レーザ光であり、
　前記第２の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記発光部から観測用レーザ光分岐部を介して入力される他方の連続レーザ光であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光送信装置。
　前記第１の光変調器に入力される連続レーザ光は、連続レーザ光を出力する発光部からの連続レーザ光であり、
　前記第２の光変調器に入力される光信号は、前記第１の光変調器から出力された光信号であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光送信装置。
　前記駆動条件探索部は、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号が示すフォトカレントの値をそれぞれ電圧値に変換して第１の条件変更用電圧から第３の条件変更用電圧を得る電流―電圧変換部と、
　前記第１の条件変更用電圧から前記第３の条件変更用電圧の電圧値に基づいて、前記第２の光変調器が有する３つの導波路間での光吸収量の差分を算出し、第１の中間駆動条件及び第２の中間駆動条件を得る差動増幅部と、
　前記第１の中間駆動条件と前記第２の中間駆動条件が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号を得る比較部と、
　前記駆動条件調整用信号に基づき前記第１の駆動条件制御用信号を生成し、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を出力する駆動条件生成部と、
　を備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の光送信装置。
　前記駆動条件探索部は、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号が示すフォトカレントの値をそれぞれ電圧値に変換して第１の条件変更用電圧から第３の条件変更用電圧を得る電流―電圧変換部と、
　前記第１の条件変更用電圧から前記第３の条件変更用電圧の電圧値に基づいて、前記第２の光変調器が有する３つの導波路間での光吸収量の差分を算出し、第１の中間駆動条件及び第２の中間駆動条件を得る差動増幅部と、
　前記第１の中間駆動条件と前記第２の中間駆動条件が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号を得る比較部と、
　前記駆動条件調整用信号に基づき前記第１の駆動条件制御用信号及び前記第２の駆動条件制御用信号を生成し、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を出力する駆動条件生成部と、
　を備えることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の光送信装置。
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に、前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を印加する第１のステップと、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第２のステップと、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する第３のステップと、
　を備えた光送信方法。
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第４のステップを備えたことを特徴とする請求項１０記載の光送信方法。
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、入力された連続レーザ光を、第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第１のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値を引いた電圧値を示す第２のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値及び第２の差分値を引いた電圧値を示す第３のＤＣバイアス電圧を印加する第１のステップと、
　前記第１のステップにて第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧が印加された前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第２のステップと、
　前記第１のステップにて第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧が印加された前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する第３のステップと、
　前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧が印加された前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第４のステップと、
　前記第２の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第１のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値を足した電圧値を示す第２のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値及び第２の差分値を足した電圧値を示す第３のＤＣバイアス電圧を印加する第５のステップと、
　前記第５のステップにて第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧が印加された前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第６のステップと、
　を備えた光送信方法。
　コンピュータに、
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を得る第１の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第２の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第３の手順と、
　を実行させるためのプログラム。
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第４の手順を実行させるための請求項１３記載のプログラム。
　コンピュータに、
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、入力された連続レーザ光を、第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に印加する、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第１のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値を引いた電圧値を示す第２のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値及び第２の差分値を引いた電圧値を示す第３のＤＣバイアス電圧を得る第１の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第２の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第３の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第４の手順と、
　前記第２の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第１のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値を足した電圧値を示す第２のＤＣバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第１の差分値及び第２の差分値を足した電圧値を示す第３のＤＣバイアス電圧を得る第５の手順と、
　前記第５の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第６の手順と、
　を実行させるためのプログラム。
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器、
　入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器、
　入力された連続レーザ光を、前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧と異なる電圧値である第４のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第４の条件変更用信号として出力する第３の光変調器、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号及び前記第３の光変調器からの第４の条件変更用信号を受け、前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて第１の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を出力し、前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの１つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第４の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第２の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第３の光変調器に印加する前記第４のＤＣバイアス電圧を出力する駆動条件探索部、
　前記駆動条件探索部が得た第１の駆動条件制御用信号に基づき、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を設定するとともに、前記駆動条件探索部が得た第２の駆動条件制御用信号に基づき、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を設定し、前記設定した直流バイアス電圧の電圧値と前記設定した駆動振幅の電圧値に基づき送信用変調信号を生成し、前記第１の光変調器に印加する光送信器制御部、
　を備えた光送信装置。
　入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に、前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を印加する第１のステップと、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第２のステップと、
　前記第２の光変調器からの第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する第３のステップと、
　入力された連続レーザ光を、前記第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧と異なる電圧値である第４のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第４の条件変更用信号として出力する第３の光変調器に、前記第４のＤＣバイアス電圧を印加する第４のステップと、
　前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの１つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第４の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第５のステップと、
　前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの１つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第４の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第３の光変調器に印加する前記第４のＤＣバイアス電圧の電圧
値を更新する第６のステップと、
　を備えた光送信方法。
　コンピュータに、
　ＤＣバイアス電圧調整モード時、入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第１の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号として出力する第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧を得る第１の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第２の手順と、
　前記第１の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの２つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第２の光変調器に印加する前記第１のＤＣバイアス電圧から前記第３のＤＣバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第３の手順と、
　駆動振幅調整モード時、入力された連続レーザ光を、第１のＤＣバイアス電圧から第３のＤＣバイアス電圧と異なる電圧値である第４のＤＣバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第４の条件変更用信号として出力する第３の光変調器に印加する前記第４のＤＣバイアス電圧を得る第４の手順と、
　前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの１つの組み合わせによる光吸収量の差分量と、前記第４の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第４の手順にて得た第４の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第１の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第５の手順と、
　前記第１の条件変更用信号から前記第３の条件変更用信号の３つの組み合わせのうちの１つの組み合わせによる光吸収量の差分量と、前記第４の手順にて得た第１の条件変更用信号から第３の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第４の手順にて得た第４の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第３の光変調器に印加す
る前記第４のＤＣバイアス電圧の電圧値を得る第６の手順と、
　を実行させるためのプログラム。