JP2008141498A

JP2008141498A - 光伝送装置

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Publication number: JP2008141498A
Application number: JP2006325894A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Itakura; 豊板倉; Yuichi Ikeda; 雄一池田
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2006-12-01
Filing date: 2006-12-01
Publication date: 2008-06-19

Abstract

【課題】
光伝送装置に於いて、光伝送条件を検出し、電気光変換器のバイアス、光出力を可変させ、様々な光伝送条件に於いて、最適な歪み・雑音特性を得る。
【解決手段】
それぞれ送信部と受信部を有する第１局１と第２局２との間で光伝送を行う光伝送装置に於いて、少なくとも前記第１局は送信部の電気光変換器６のバイアスを検知して該電気光変換器の利得を制御するＯＭＩ値制御部２５を具備し、少なくとも前記第２局は光電気変換器１６の受光出力を検知して伝送区間の光ロスを検出し、前記第１局に光ロスを送信する光ロス制御部３０を具備し、前記ＯＭＩ値制御部は送信された光ロスを加味して前記電気光変換器のバイアスを制御する様構成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、種々の光回線環境下に於いて、光変調度を最適な状態に自動調整する様にした光伝送装置に関するものである。

光伝送に於いては、信号伝達の安定性、信頼性を維持する為、電気／光変換した場合に種々の光回線環境下に於いて最適な歪み（ＩＭ）、ＣＮＲ（ＣａｒｒｉｅｒｔｏＮｏｉｓｅＲａｔｉｏ）特性（出力と雑音レベルの比の特性：雑音特性）とすることが望まれる。

先ず、図７に於いて従来のアナログ方式の光伝送システムについて説明する。

光伝送システムは、通常、複数の局間、例えば第１局としての親局１と第２局としての子局２が光ファイバ３，３′によって接続され、前記親局１と前記子局２間の信号の授受が前記光ファイバ３，３′を介する光信号によって行われる。

前記親局１は送信部４として、増幅器５、レーザダイオード（ＬＤ）等の電気光変換器６を具備し、又受信部７としてフォトダイオード（ＰＤ）等の光電気変換器８、増幅器９、可変減衰部１０を具備する。

前記子局２も、前記親局１と同様の構成を具備し、送信部１２として、増幅器１３、レーザダイオード（ＬＤ）等の電気光変換器１４を具備し、又受信部１５としてフォトダイオード（ＰＤ）等の光電気変換器１６、増幅器１７、可変減衰部１８を具備する。

例えば前記親局１から前記子局２に情報（ＲＦ信号）が送信される場合、前記増幅器５でＲＦ信号が増幅され、更に前記電気光変換器６によって光強度信号に変換（ＡＭ変調）され、前記光ファイバ３を介して前記子局２に伝送され、該子局２では前記光電気変換器１６で光強度信号が電気信号に変換され、変換された電気信号は前記増幅器１７、前記可変減衰部１８等により所要の信号処理がなされた後、図示しないアンテナ等に出力される。

上記した光伝送システムに於いて、前記光ファイバ３の信号品質は、歪み、雑音特性に依存し、又歪み、雑音特性は光変調度（ＯＭＩ：ＯｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＩｎｄｅｘ）によって決定される。

前記光ファイバ３，３′を介した光伝送に於いて、光伝送損失に対する歪みと雑音特性との関係は図８に示される様に、光伝送損失が大きくなると、歪み特性が良くなり、ＣＮ特性は悪くなる。逆に光伝送損失が小さくなると、歪み特性が悪くなり、ＣＮ特性は良くなる。即ち、光伝送損失に関し、歪みと雑音特性とはトレードオフの関係にある。

従来の光伝送装置では、歪み・雑音特性がバランス良く取れる様に、前記電気光変換器６のバイアス値をモニタし、モニタしたバイアス値に基づき平均光出力パワーが（入力されるＲＦ信号のパワーとの比に於いて）一定値となる様に前記電気光変換器６を制御し、光変調度（ＯＭＩ）を一定に保っている。

又、前記電気光変換器６の光出力パワーを１点で固定しており、光伝送条件によって光出力を可変としてなく、又設定した出力値が光伝送条件に適正でない場合もあり、光伝送装置として適正な特性を出切れていない場合も考えられた。

特開２００６−１６６００４号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、光伝送条件を検出し、電気光変換器のバイアス、光出力を可変させ、様々な光伝送条件に於いて、最適な歪み・雑音特性を得ることを目的とするものである。

本発明は、それぞれ送信部と受信部を有する第１局と第２局との間で光伝送を行う光伝送装置に於いて、少なくとも前記第１局は送信部の電気光変換器のバイアスを検知して該電気光変換器の利得を制御するＯＭＩ値制御部を具備し、少なくとも前記第２局は光電気変換器の受光出力を検知して伝送区間の光ロスを検出し、前記第１局に光ロスを送信する光ロス制御部を具備し、前記ＯＭＩ値制御部は送信された光ロスを加味して前記電気光変換器のバイアスを制御する様構成した光伝送装置に係るものである。

本発明によれば、それぞれ送信部と受信部を有する第１局と第２局との間で光伝送を行う光伝送装置に於いて、少なくとも前記第１局は送信部の電気光変換器のバイアスを検知して該電気光変換器の利得を制御するＯＭＩ値制御部を具備し、少なくとも前記第２局は光電気変換器の受光出力を検知して伝送区間の光ロスを検出し、前記第１局に光ロスを送信する光ロス制御部を具備し、前記ＯＭＩ値制御部は送信された光ロスを加味して前記電気光変換器のバイアスを制御する様構成したので、伝送条件が反映されてＯＭＩ値が制御され、様々な光伝送条件に於いて、最適な歪み・雑音特性を得ることができるという優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

上記した様に、電気光変換器の光出力に関し、歪みと雑音特性とはトレードオフの関係にある。即ち、図９に示される様に、光出力を大きくすると、ＣＮ特性は良くなり、歪み特性が悪くなる。逆に光出力を小さくすると、歪み特性が良くなり、ＣＮ特性は悪くなる。

本発明は、光伝送損失に関する歪みと雑音特性のトレードオフ関係と、光出力に関する歪みと雑音特性のトレードオフ関係とを利用して、最適な歪み・雑音特性を得る様にしたものである。

先ず、電気光変換器（ＬＤ）に於ける歪み特性と雑音特性と光変調度（ＯＭＩ）との関係について説明する。ＯＭＩは光強度の変調振幅と平均光強度の比で定義される（式１）。

ＯＭＩ＝（光強度の変調振幅）／（平均光強度）
＝（Ｐpeak−Ｐave ）／Ｐave
＝√（２ＰRF／ＺLD）／（Ｉb−Ｉth） …（式１）
ここで、ＰRF：キャリア１波当りの電気光変換器（ＬＤ）入力レベル
ＺLD：ＬＤの入力インピーダンス
Ｉb ：バイアス電流
Ｉth：閾値電流

（式１）にてＺLD、Ｉb 、ＩthはＬＤに対して固定値となるので、変動可能なパラメータはＰRFのみである。従って、歪み特性と雑音特性の検討の際、考慮すべきはＰRFとなる。

故に、前記ＯＭＩを変動させるには、前記ＰRF、即ちＬＤへの入力レベルを変動させればよい。又、（式１）よりＯＭＩを大きくするには前記ＬＤへの入力レベルを大きくすればよい。

次にＬＤ及びＰＤを含めた光区間の歪み特性（ＩＭ）、雑音特性（ＣＮ）及び利得（Ｇopt ）は（式１）、（式２）、（式３）及び（式４）で表される。

ＩＭ＝ＩＭref ＋４０ｌｏｇ（ＯＭＩ／ＯＭＩref ） …（式２）
ここで、ＩＭref ：ＯＭＩref で変調した時のＩＭ
ＯＭＩref ：基準となるＯＭＩで０．２

ＣＮ＝（１／２）ＯＭＩ^２（η・Ｐr ）^２／｛ＲＩＮ（η・Ｐr ）^２＋２ｑηＰr＋（Ｉｎ）^２｝・ＢＷ …（式３）
ここで、ＲＩＮ：相対強度雑音（ＲｅｌａｔｉｖｅＩｎｔｅｎｓｉｔｙＮｏｉｓｅ）
η：フォトダイオード（ＰＤ）の受光感度効率
光ロスαならＰr ＝α・Ｐave
ｑ：電気素量１．６０×１０^−１９
Ｉｎ：入力換算雑音電流密度
ＢＷ：雑音帯域幅

Ｇopt ＝ＰRF_OUT−ＰRF＝（ＺPD／２）（ＯＭＩ・η・Ｐr ）^２−（ＺLD／２）｛ＯＭＩ・（Ｉb −Ｉth）｝^２ …（式４）
ここで、ＺPD：ＰＤの負荷抵抗

従って、ＯＭＩ（ＬＤ）への入力レベルを大きくすれば雑音特性（ＣＮ）が良くなり、ＯＭＩ（ＬＤ）への入力レベルを小さくすれば歪み特性（ＩＭ）が良くなる。

次に、図１を参照して本発明に係る光伝送装置について説明する。

尚、図１中、図７中で示したものと同等のものには同符号を付し、説明を省略する。

親局１はＲＦ信号を光信号に変換して送信する送信部４と、光信号を受信して電気信号に変換する受信部７を具備し、子局２も同様に送信部１２、受信部１５を具備している。

前記親局１の概略の構成を説明する。

前記送信部４は、電気信号を増幅する増幅器２１、該増幅器２１の利得のバラツキを吸収する可変減衰部２２、ＬＤ等電気光変換器６（以下ＬＤ６）の利得のバラツキを吸収し、又最適なＯＭＩ値の設定を行う可変減衰部２３、前記ＬＤ６のバイアス値を検出して、Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部２４を具備している。前記可変減衰部２２は、運用中に於いて前記可変減衰部２３への絶対入力レベルが規定値になる様に調整される。

前記受信部７は、受信した光信号を電気信号に変換する光電気変換器８（以下ＰＤ８）及び図示していないが、該ＰＤ８から出力される信号を増幅し、或は利得のバラツキを吸収する可変減衰部等を具備している（図７参照）。

又、前記親局１はＯＭＩ値を設定する為のＯＭＩ値制御部２５を具備しており、該ＯＭＩ値制御部２５は少なくとも演算制御器（ＣＰＵ２６）、記憶部２７、前記ＰＤ８の変換出力の直流成分（光入力パワー）を検出し、Ａ／Ｄ変換する前記Ａ／Ｄ変換部２９を有している。前記記憶部２７には、後述する様にデータ、データテーブルが格納されている。

前記ＣＰＵ２６には前記Ａ／Ｄ変換部２４からの信号が入力され、前記ＣＰＵ２６は前記Ａ／Ｄ変換部２４からの信号、前記Ａ／Ｄ変換部２９からの信号、及び前記データ、データテーブルを基に適正なＯＭＩ値を演算し、演算した値に対応する制御信号を出力し、制御信号はＤ／Ａ変換部２８を介して前記可変減衰部２３に入力される。

前記子局２の概略構成を説明する。

該子局２は前記親局１から送信された光信号を電気信号に変換し、所要の信号処理を行う前記受信部１５と、電気信号を光信号に変換して前記親局１に送信する前記送信部１２、光ロス制御部３０とを具備している。

前記受信部１５は、光信号を電気信号に変換する光電気変換器１６（以下ＰＤ１６）、該ＰＤ１６からの電気信号を増幅する増幅器１７、増幅器３１、増幅器３３、前記増幅器１７の伝幡損失及び前記可変変換部２３の減衰量を補償する様に制御される可変減衰部１８、前記増幅器３１等の利得のバラツキを吸収する可変減衰部３２等によって構成される。

前記送信部１２は電気信号を増幅等所要の処理をする信号処理部（図示せず）と電気信号を光信号に変換する電気光変換器１４（以下ＬＤ１４）を具備している。

前記光ロス制御部３０は、前記ＰＤ１６の平均出力電流（平均光入力パワー）を検知するＡ／Ｄ変換部３４、ＣＰＵ３５、該ＣＰＵ３５からの制御信号をＤ／Ａ変換して前記可変減衰部１８に出力するＤ／Ａ変換部３６、データ、データテーブルを格納する記憶部３７等から構成される。

以下、前記光伝送装置の作用について説明する。

先ず、本装置の理解の為に、伝幡損失は考慮せず、ＬＤバイアスのバラツキに対し単にＯＭＩ（つまり光出力パワー）を一定にする場合を説明する。

ＲＦ電気信号は前記増幅器２１、前記増幅器５によって増幅され、前記可変減衰部２２でレベルが揃えられ、前記可変減衰部２３によって利得のバラツキが吸収された後、前記ＬＤ６によって光信号に変換された後、前記光ファイバ３を介して送信される。

前記ＬＤ６のバイアス電流は通常、単に抵抗を介して供給される為、温度等で変動し、平均光出力パワーが変化する為、そのままではＯＭＩを精確に制御できない。従ってバイアス値は前記Ａ／Ｄ変換部２４によって検出され、デジタル信号に変換され前記ＣＰＵ２６に入力される。該ＣＰＵ２６では、前記記憶部２７に格納された第１のデータテーブル４１（図２参照）を基に入力値に対する出力値を求めて出力する。

前記ＣＰＵ２６からの出力は前記Ｄ／Ａ変換部２８によってアナログ信号に変換され、前記可変減衰部２３に入力され、該可変減衰部２３が適切な減衰量となる様に制御される。該可変減衰部２３により、ＬＤバイアスのバラツキが吸収されることで、ＯＭＩが一定に保たれる。

前記第１のデータテーブル４１について図２を参照して説明する。

該第１のデータテーブル４１は前記ＬＤ６のバイアス値（Ｉb ）、前記Ａ／Ｄ変換部２４への入力値（Ｖb ）、前記ＣＰＵ２６への入力値（Ｃb ）、該ＣＰＵ２６からの出力値（ＣAT）、前記Ｄ／Ａ変換部２８の出力値（ＶAT）、減衰量（ＤAT）の対応関係を示している。

例えば、ＬＤバイアス電流がＩb1の時、Ｉb1を電流−電圧変換して前記Ａ／Ｄ変換部２４への入力値はＶb1になり該Ａ／Ｄ変換部２４にてＣb1に変換されて前記ＣＰＵ２６に入力される。該ＣＰＵ２６への入力値Ｃb に対応する該ＣＰＵ２６の出力値はＣAT1 であり、ＣAT1 は前記Ｄ／Ａ変換部２８（出力電圧ＶAT）によりＶAT1 に変換され、前記可変減衰部２３に印加される。該可変減衰部２３（減衰量ＤAT）はＶAT1 が印加されることで、減衰量がＤATに制御される。

前記ＰＤ１６が光信号を受光することで、電気信号に変換され、前記増幅器１７、前記増幅器３１、前記増幅器３３によって増幅されると共に前記可変減衰部１８、前記可変減衰部３２によって利得のバラツキが吸収されて出力される。光ロスによる利得バラツキが吸収されることで、利得は一定に保たれる。

又、前記ＰＤ１６の平均受光電流は前記Ａ／Ｄ変換部３４によって検出され、Ａ／Ｄ変換され、光ロス情報として前記ＣＰＵ３５に入力される。つまり前記親局１からの光出力パワーはＬＤバイアスの変動の影響はあるものの略一定なので、受光電流の逆数が略減衰量を示している。前記ＣＰＵ３５では、前記記憶部３７に格納された第２のデータテーブル４２（図３参照）を基に光ロスに対応する減衰量を求め、出力する。

前記Ｄ／Ａ変換部３６は前記ＣＰＵ３５からの信号をＤ／Ａ変換して、前記可変減衰部１８に入力する。該可変減衰部１８は適切な減衰量となる様に一定制御される。

前記第２のデータテーブル４２について、図３を参照して説明する。

該第２のデータテーブル４２は、前記ＰＤ１６が受光して発生するバイアス電流値（Ｉopt ）、前記Ａ／Ｄ変換部３４への入力値（電圧値）Ｖopt 、前記ＣＰＵ３５への入力値（Ｃopt ）、該ＣＰＵ３５からの出力値（ＣoptAT ）、前記Ｄ／Ａ変換部３６の出力値（ＶoptAT ）、減衰量（ＤoptAT ）の対応関係を示している。

例えば、受光電流がＩopt1の時、Ｉopt1を電流−電圧変換して前記Ａ／Ｄ変換部３４への電圧入力値はＶopt1になり、該Ａ／Ｄ変換部３４にてＣＰＵ入力値（Ｃopt1）に変換されて前記ＣＰＵ３５に入力される。

該ＣＰＵ３５では各ＣＰＵ入力値（Ｃopt1）に対応するＣＰＵ出力値（ＣoptAT1）を出力する。ＣoptAT1は前記Ｄ／Ａ変換部３６によりＶoptAT1に変換される。該ＶoptAT1が前記可変減衰部１８に入力され、該可変減衰部１８の減衰量がＤoptAT1に制御される。

以上の説明は伝幡損失（光ロス）を考慮しない場合であった。然し実際に前記親局１から前記子局２に光伝送する場合、距離に対応して光ロスが異なる等伝送条件は一定とは限らない。この為、伝送条件の相違、例えば光ロスの相違を考慮して前記可変減衰部１８の減衰量の修正再設定が行われる。

前記Ａ／Ｄ変換部３４で検出された光ロス情報は、前記ＣＰＵ３５に入力される。該ＣＰＵ３５は前記記憶部３７に格納された第３のデータテーブル４３（図４参照）を基に算出した信号を前記Ｄ／Ａ変換部３６に出力する。前記ＣＰＵ３５からの信号は、前記Ｄ／Ａ変換部３６でＤ／Ａ変換され、前記可変減衰部１８に印加され、該可変減衰部１８の減衰量が制御される。該可変減衰部１８の制御は、可変減衰器の減衰量及び光ロスを補償する制御となる。

前記第３のデータテーブル４３について、図４を参照して説明する。

該第３のデータテーブル４３は、前記ＰＤ１６が受光して発生する電流値（Ｉopt ）、前記Ａ／Ｄ変換部３４への（電圧値）Ｖopt 、前記ＣＰＵ３５への入力値（Ｃopt ）、該ＣＰＵ３５からの出力値（ＣoptAT'＝ＣoptAT ＋ＣＣoptAT ）、前記Ｄ／Ａ変換部３６の出力値（ＶoptAT'）、減衰量（ＤoptAT'＝ＤoptAT ＋ＤＣoptAT ）の対応関係を示している。

尚、前記ＣＰＵ３５からの出力値（ＣoptAT'）は、前記出力値ＣoptAT に対し、最適ＯＭＩを実現する為の補正値ＣＣoptAt を加味したものとなっている。

例えば、受光電流がＩopt1の時、Ｉopt1を電流−電圧変換して前記Ａ／Ｄ変換部３４への電圧入力値はＶopt1になり、該Ａ／Ｄ変換部３４にてＣopt1に変換されて前記ＣＰＵ３５に入力される。該ＣＰＵ３５では前記第３のデータテーブル４３に基づき、Ｃopt1に対応するＣoptAT'1 を出力する。

ＣoptAT'1 は前記Ｄ／Ａ変換部３６に於いて、ＶoptAT'1 に変換され、前記可変減衰部１８の減衰量がＤoptAT'1 （ＤoptAT1＋ＤＣoptAT1）となる様に制御される。

上記の制御を行うことにより、光ロスによる利得バラツキを吸収し、最適なＯＭｌ値が実現される。ＤoptAT 自体は光ロスを丁度補う様に働くので、Ｉopt ［ｄＢ］に比例するが、本実施の形態では光ロスが大きい時に後述する様にＯＭＩを高くするので、ＤoptAT'はＤoptAT の半分程度の傾きになる。

又、前記Ａ／Ｄ変換部３４、前記ＣＰＵ３５で検出された光ロス情報は、前記ＬＤ１４によって電気光変換され、前記光ファイバ３′を介して前記親局１に送信される。

前記ＰＤ８で光電変換され、前記Ａ／Ｄ変換部２９に於いて光ロス情報はデジタル信号に変換され、前記ＣＰＵ２６に入力される。前記親局１への送信は、例えば光ロス情報を適当なキャリアでデジタル変調しＲＦ信号と周波数多重させる方法や、前記可変減衰部２３相当を前記子局２にも備えてＲＦ信号レベルを可変させレベルとして伝送する方法を用いることができる。

該ＣＰＵ２６は前記記憶部２７に格納された第４のデータテーブル４４（図５参照）を基に前記光ロスを考慮した最適減衰率を求め、前記Ｄ／Ａ変換部２８を介して前記可変減衰部２３に出力する。即ち、前記ＣＰＵ２６は前記子局２から光ロス情報がフィードバックされない状態では、検出した前記ＬＤ６のバイアス値を基に前記可変減衰部２３の減衰量を制御し、前記子局２から光情報がフィードバックされる状態では、前記ＬＤ６のバイアス値と、光ロスとを考慮して前記可変減衰部２３が制御される。

前記第４のデータテーブル４４について図５を参照して説明する。

該第４のデータテーブル４４は前記ＬＤ６のバイアス値（Ｉb ）、前記Ａ／Ｄ変換部２４への入力値（Ｖb ）、前記ＣＰＵ２６への入力値（Ｃb ，ＣＣoptAT ）、該ＣＰＵ２６からの出力値（ＣAT' ＝ＣAT＋ＣＣAT）、前記Ｄ／Ａ変換部２８の出力値（ＶAT' ）、減衰量（ＤAT' ＝ＤAT＋ＤＣAT）の対応関係を示している。

例えば、前記ＣＰＵ２６は前記入力値Ｃb1とＣＣoptAT1とをインデックスとして、前記第４のデータテーブル４４からＣＰＵ出力値ＣAT'1を読出して出力する。実際のテーブルは任意のＣb とＣＣoptAT の組合せからＣAT' を読出せる様に２次元テーブルになっている。前記ＣＰＵ出力値ＣAT'1は前記ＣＰＵ２６からの出力値ＣAT' に最適なＯＭＩを実現する為の補正値ＣＣATを加味したものである。

ＣＰＵ出力値ＣAT' は前記Ｄ／Ａ変換部２８により、ＶAT'1に変換され前記可変減衰部２３の減衰量がＤAT' に制御される。ＤAT' は前記ＤATに最適なＯＭＩを実現する為の補正値ＤＣATを加味したものである。ＤＣATはＣＣoptAT に応じ、光ロスが大きい時に減衰量を小さくする様に働く。尚、前記可変減衰部１８での補正値ＤＣoptAT を補正値ＤＣATにて相殺する事になるので、「ＤＣoptAT ＝−ＤＣAT」という式が成り立つ。

以上の制御を行うことにより、各ＬＤバイアスの利得バラツキを吸収し、更に最適なＯＭＩ値の自動設定を実現することができる。

図６は、本発明を実施した場合の光ロスと歪み、ＣＮ特性関係を示している。図中、破線は従来での光ロスと歪み、ＣＮ特性の関係、実線は本発明を実施した場合の光ロスと歪み、ＣＮ特性の関係を示している。

ＬＤのバイアスを制御することで、最大、最少光ロスの時の差が小さくなり、結果的に光伝送装置の総合的な性能が向上する。

尚、図１では光ロスを考慮した前記ＬＤ６の出力制御を示しているが、前記ＯＭＩ値制御部２５と同様な構成を前記子局２に設け、又前記光ロスを加味させ、前記子局２から前記親局１への光伝送の制御、即ち前記ＬＤ１４の出力制御を行うことは勿論である。

本発明の実施の形態に係る光伝送装置を示す概略ブロック図である。該光伝送装置に用いられる第１のデータテーブルを示す図である。該光伝送装置に用いられる第２のデータテーブルを示す図である。該光伝送装置に用いられる第３のデータテーブルを示す図である。該光伝送装置に用いられる第４のデータテーブルを示す図である。本発明を実施した場合の光ロスと歪み、ＣＮ特性の関係を示す線図である。従来の光伝送装置の概略を示すブロック図である。従来の光伝送装置の光ロスと歪み、ＣＮ特性の関係を示す線図である。光伝送に於ける光出力と歪み、ＣＮ特性の関係を示す線図である。

符号の説明

１親局
２子局
３光ファイバ（下り）
３′ 光ファイバ（上り）
６ＬＤ
７受信部
８ＰＤ
１２送信部
１４ＬＤ
１５受信部
１６ＰＤ
１８可変減衰部
２３可変減衰部
２５ＯＭＩ値制御部
２６ＣＰＵ
２７記憶部
３０光ロス制御部
３５ＣＰＵ
３７記憶部

Claims

それぞれ送信部と受信部を有する第１局と第２局との間で光伝送を行う光伝送装置に於いて、少なくとも前記第１局は送信部の電気光変換器のバイアスを検知して該電気光変換器の利得を制御するＯＭＩ値制御部を具備し、少なくとも前記第２局は光電気変換器の受光出力を検知して伝送区間の光ロスを検出し、前記第１局に光ロスを送信する光ロス制御部を具備し、前記ＯＭＩ値制御部は送信された光ロスを加味して前記電気光変換器のバイアスを制御する様構成したことを特徴とする光伝送装置。