JP6880333B2 - 光送信装置、光送信方法、及びプログラム - Google Patents
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Description
現在、IEEE P802.3bsにおいて次世代イーサネット規格(イーサネットは登録商標)である400GbEの議論が進められており、400GbEでは多値変調方式の一つであるPAM(Pulse Amplitude Modulation)4変調方式が採用される見込みがある。
PAM4変調方式として、例えば、非特許文献1にて提案されている。
また、1シンボルで2ビット(3、2、1、0の4値)を送るPAM4変調方式は、振幅のレベルを3、2、1、0に対応させて変調する4値の振幅変調であるため、NRZ変調方式に対して容量を2倍にできるものの、レベル間の振幅差が1/3となるため、EA変調器が持つ消光カーブ特性の温度に対する変動による光信号の誤り率の増加がNRZ変調方式と比べてより大きな問題となる。
温度変動に対する対策の一つとして、EA変調器の温度制御に熱電コントローラ(TEC=Thermoelectric Cooler)を用いる方法がある。
しかるに、EA変調器に対してミリメートルあるいはセンチメートル規模での温度制御がなされることから、光送信器全体の消費電力に対するTECの消費電力の占める割合が比較的大きく、消費電力の点で問題があった。
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係る光送信装置100について、図1から図12を用いて説明する。なお、図1において、実線矢印は光信号の流れを、点線矢印は電気信号の流れを示している。
また、光送信装置100はPAM4変調方式が適用された光送信装置であり、例えば、大容量光ファイバ通信機器用に適用される。
また、光送信装置100は、送信用変調信号1に対してのDCバイアス電圧(Vbias)調整モードと駆動振幅(VRF)調整モードの2つの調整モードが通常の光通信に併せて繰り返し行なわれる。なお、これら調整モードは常時行なわず、所定間隔毎に繰り返して行なわれるものでも良い。
光信号生成部200aは、電気信号及び光信号の生成、送受を行ない、光送信器200としての主機能を果たす。光信号生成部200aは、通常知られている、連続レーザ光出力部(以下、CW光出力部と称す)210と電界吸収型変調器(以下、EA変調器と称す)220を基本的な構成要素とする光デバイスに、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233を備えさせたものである。
CW光出力部210は、図2に示すように、発光部211と、CW光分岐部212と、観測用CW光分岐部213を備えている。
CW光分岐部212の分岐前及び分岐後のCW光の特性は光パワー以外同じであり、観測用CW光分岐部213の分岐前及び分岐後のCW光の特性は光パワー以外同じである。
CW光分岐部212及び観測用CW光分岐部213は、光結合器又は多モード干渉導波路などで構成される。
また、光送信装置100の運用中全ての期間について調整モードを実施しているが、調整モードを周期的に行なう場合は、CW光分岐部212は調整モードの時のみ、発光部211からのCW光を観測用CW光分岐部213に分岐するものでも良い。
EA変調器220は、CW光分岐部212を介して入力されたCW光出力部210からの連続レーザ光の光パワーを電界吸収効果により減衰させる機能を有し、入力された連続レーザ光を、印加される送信用変調信号1によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する第1の光変調器を構成する。
図3において、横軸は逆方向印加電圧V、つまり、送信用変調信号1における電圧値を示し、縦軸はEA変調器220のパワー透過率Tを示している。なお、横軸において逆方向印加電圧Vを正の値としている。
理想的には、レベル3からレベル0における光信号のパワー透過率Tが等間隔で現れるのが良い。
従って、レベル3の時の送信用変調信号1を示す逆方向印加電圧値は、DCバイアス電圧Vbiasに、駆動振幅VRFの1/2をマイナスした値、レベル2の時の送信用変調信号1を示す逆方向印加電圧値は、DCバイアス電圧Vbiasに、駆動振幅VRFの1/6をマイナスした値、レベル1の時の送信用変調信号1を示す逆方向印加電圧値は、DCバイアス電圧Vbiasに、駆動振幅VRFの1/6をプラスした値、レベル0の時の送信用変調信号1を示す逆方向印加電圧値は、DCバイアス電圧Vbiasに、駆動振幅VRFの1/2をプラスした値とする。
しかも、EA変調器220から出力される光信号のアイパターンは、レベル3〜2間のアイ、レベル2〜1間のアイ、レベル1〜0間のアイの上中下3つのアイを有し、3つのアイが等間隔に開いている状態であるため、上中下3つのアイにおける信号の誤りは同程度の頻度で生じ、それぞれのレベルの振幅差が大きいほど誤り率は小さくなる。
但し、EA変調器220において、電界吸収効果における温度が与える影響は複雑であるため、温度変化に対応する消光カーブの変動は関数の平行移動のように簡単には表せない。
制御に関する基本的な考えは、EA変調器220の消光カーブ特性における消光カーブの傾きの極大値に狙いを定め、DCバイアス電圧Vbiasを求めることである。
図5は、EA変調器220の駆動条件探索の原理を示す図である。図5において、横軸は逆方向印加電圧V、つまり、送信用変調信号1における電圧値を示し、縦軸はEA変調器220のパワー透過率Tを示している。なお、横軸において逆方向印加電圧Vを正の値としている。2つの温度t1及び温度t2に対し、実線T1と実線T2は消光カーブを、点線T1’と点線T2’は消光カーブT1と消光カーブT2に対して電圧で微分をとった消光カーブの傾き特性を示している。温度t1と温度t2は異なる温度であり、温度がt1からt2に変化すると、各電圧に対するパワー透過率Tが変化する。つまり、消光カーブは図5に示すようにT1からT2に変化する。
すなわち、消光カーブ特性が完全に線形である場合において、消光カーブの傾きはどのDCバイアス電圧に対しても一定となる。しかし、実際には、消光カーブが示すパワー透過率Tは0以上かつ1以下の値となるため、全てのDCバイアス電圧Vbiasに対して傾きが一定ということはなく、傾きはDCバイアス電圧Vbiasに対して増減する。傾きが増減するなかで、図5に示すように、消光カーブの傾き特性T1’及び傾き特性T2’の極大値の付近では傾きの変化率が小さい。言い換えれば、極大値を与えるDCバイアス電圧Vbiasでは消光カーブT1及び消光カーブT2の線形性が高い領域となる。このことから、EA変調器220に印加するDCバイアス電圧Vbiasとして、消光カーブの傾きの極大値を与える電圧は適切である。
このような考えに基づき、EA変調器220に対する送信用変調信号1を生成している。
この点について、以下、具体的に説明する。
言い換えれば、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233は、同じ構成のEA変調器である。ただし、DCバイアス電圧調整モードにおいては、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233の導波路の長さがEA変調器220の導波路の長さと必ずしも同じである必要はない。
初期値において、DCバイアス電圧調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)を差分値α2とし、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)を差分値α3と設定する。
差分値α2及び差分値α3は、EA変調器220に印加する送信用変調信号1におけるDCバイアス電圧Vbiasをこの実施の形態1では0.1V程度の分解能で制御を行うため、0.1V程度の分解能で制御する。
また、初期値におけるVbiasは、図3に示した値、つまり、温度t0の消光カーブT0におけるレベル1とレベル2との中間の値に設定する。
第1のDCバイアス電圧2が示す電圧値V1をVbiasとすると、第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値V2がVbias−β2、第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値V3がVbias−β2−β3となる。
また、駆動振幅調整モード開始時におけるVbiasは、この実施の形態1では、DCバイアス電圧調整モード終了直後に行なうため、DCバイアス電圧調整モード終了直後に設定された値である。
なお、図1において、駆動条件探索部200bの各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。
第1の電流−電圧変換部241から第3の電流−電圧変換部243は第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に対応しており、それぞれが、対応した第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233からの第1の条件変更用電流5から第3の条件変更用電流7が示す電流値を電圧値に変換して第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号としての第1の条件変更用電圧10から第3の条件変更用電圧12を得る。
第2の差動増幅部252は、第2の電流−電圧変換部242からの第2の条件変更用電圧11が示す電圧値Vph2と第3の電流−電圧変換部243からの第3の条件変更用電圧12が示す電圧値Vph3に基づき、第2の条件変更用電圧11と第3の条件変更用電圧12が示す電圧値との差分量(Vph2−Vph3)を線形的に増幅した値である第2の中間駆動条件14を得る。
従って、第1の差動増幅部251からの第1の中間駆動条件13が示す電圧の絶対値は、DCバイアス電圧調整モード時、a1×|Vph2−Vph1|に、駆動振幅調整モード時、b1×|Vph2−Vph1|になる。
第2の差動増幅部252からの第2の中間駆動条件14が示す電圧の絶対値は、DCバイアス電圧調整モード時、a2×|Vph3−Vph2|に、駆動振幅調整モード時、b2×|Vph3−Vph2|になる。
なお、逆方向印加電圧VはEA変調器に印加される電圧、フォトカレントIphはEA変調器から出力される電流値である。
第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を逆方向印加電圧として示すV1からV3とすると、電圧値V1からV3に対するフォトカレントIphを○印にて示している。
第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を逆方向印加電圧として示すV1からV3とすると、電圧値V1からV3に対するパワー透過率Tを○印にて示している。
逆方向印加電圧V2(第2の観測用EA変調器232に印加される第2のDCバイアス電圧3)におけるパワー透過率Tを示す○印と逆方向印加電圧V1(第1の観測用EA変調器231に印加される第1のDCバイアス電圧2)におけるパワー透過率Tを示す○印結ぶ傾きがV2〜V1の傾きになり、逆方向印加電圧V3(第3の観測用EA変調器233に印加される第3のDCバイアス電圧4)におけるパワー透過率Tを示す○印と逆方向印加電圧V2(第2の観測用EA変調器232に印加される第2のDCバイアス電圧3)におけるパワー透過率Tを示す○印を結ぶ傾きがV3〜V2の傾きになる。
消光カーブの傾きを比較してDCバイアス電圧Vbiasを調整することから、例えば、図6の左グラフを参考にして説明すると、第2の観測用EA変調器232に印加される第2のDCバイアス電圧3と第3の観測用EA変調器233に印加される第3のDCバイアス電圧4の電圧差(V2−V3)である差分値α3が、第1の観測用EA変調器231に印加される第1のDCバイアス電圧2と第2の観測用EA変調器232に印加される第2のDCバイアス電圧3の電圧差(V1−V2)である差分値α2の2倍である時に比較を行うためには、第2の差動増幅部252における線形増幅の増幅率a2を第1の差動増幅部251における線形増幅の増幅率a1の1/2倍に設定する必要がある。
なお、図7は、EA変調器220、231から233における、駆動振幅調整モードの時の、逆方向印加電圧Vに対するパワー透過率Tを○印にて示している。横軸は逆方向印加電圧Vを、縦軸はパワー透過率Tの値を示している。
すなわち、比較部260は、DCバイアス電圧調整モード時、第1の差動増幅部251からの第1の中間駆動条件13が示す電圧の絶対値(a1×|Vph2−Vph1|)と第2の差動増幅部252からの第2の中間駆動条件14が示す電圧の絶対値(a2×|Vph3−Vph2|)を比較し、大小関係を2値情報とした駆動条件調整用信号15を得る。
また、オフセット量を設定し、第1の中間駆動条件13の電圧値が第2の中間駆動条件14の電圧値とオフセット量との和又は差より高い場合にHレベル(デジタル値の1を示す)とし、第1の中間駆動条件13の電圧値が第2の中間駆動条件14の電圧値とオフセット量との和又は差より低い場合にLレベル(デジタル値の0を示す)とする2値の信号であっても良い。
なお、駆動条件調整用信号15としてデジタル値を用いるのでなく、アナログ値を用いる場合は、閾値電圧より低い電圧あるいは高い電圧を出力することで大小関係を判別するものとする。
大きい場合:線形領域で変調するためにVbiasをV1側に調整する。
小さい場合:線形領域で変調するためにVbiasをV3側に調整する。
なお、V2〜V1間の傾き及びV3〜V2間の傾きは、図6を参考にすることにより理解できる。
大きい場合:非線形領域で変調しているため、VRFを小さくする。
小さい場合:線形領域で変調しているため、VRFを大きくする余地がある。
オフセット量を設定する理由は次の理由による。つまり、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233は同じEA変調器を用いているが、層構造、組成比及び電界吸収効果が生じる領域の長さが等しいことが理想的であるものの、製作上の誤差によりわずかにこれらが異なり、結果として第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233における消光カーブ特性に差異が生じる可能性がある。そのため、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233におけるわずかな特性差を比較部260の設定で補償するため、この実施の形態1では、比較部260に大小関係判定時のオフセット量の設定を行なえるようにしている。
すなわち、設定値1:第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4に対する、DCバイアス電圧調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)である差分値α2と、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)である差分値α3。
設定値2:第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4に対する、駆動振幅調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)である差分値β2と、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)である差分値β3。
設定値4:第1の差動増幅部251における、DCバイアス電圧調整モード時の増幅率a1、駆動振幅調整モードの増幅率b1、第2の差動増幅部252における、DCバイアス電圧調整モード時の増幅率a2、駆動振幅調整モードの増幅率b2。
設定値5:比較部260における大小関係判定時のオフセット量。
設定値6:DCバイアス電圧Vbiasと駆動振幅VRFにおける調整可能な上限値及び下限値。
なお、DCバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を連続的に行なわず、一定間隔毎にDCバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を行なうようにしても良い。
駆動条件制御部270は、第3の駆動条件制御用信号16として、差分値α2及び差分値α3を設定させる信号とする。
駆動条件制御部270は、第1の差動増幅部251における増幅率をa1、第2の差動増幅部252における増幅率をa2とする。
DCバイアス電圧調整モードであるので第2の駆動条件制御用信号9は発生しない。
その結果、第1の駆動条件制御用信号8によりEA変調器220に印加する送信用変調信号1におけるDCバイアス電圧Vbiasを光送信器制御部300に調整させ、第2の駆動条件制御用信号9を発生させないことにより送信用変調信号1における駆動振幅VRFを光送信器制御部300に維持させる。
また、駆動条件制御部270が得る第3の駆動条件制御用信号16は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を調整させるためのものである。
駆動条件制御部270は、第3の駆動条件制御用信号16として、差分値β2及び差分値β3を設定させる信号とする。
駆動条件制御部270は、第1の差動増幅部251における増幅率をb1、第2の差動増幅部252における増幅率をb2とする。
駆動振幅調整モードであるので第1の駆動条件制御用信号8は発生しない。
その結果、第2の駆動条件制御用信号9によりEA変調器220に印加する送信用変調信号1における駆動振幅VRFを光送信器制御部300に調整させ、第1の駆動条件制御用信号8を発生させないことにより送信用変調信号1におけるDCバイアス電圧Vbiasを光送信器制御部300に維持させる。
また、駆動条件制御部270が得る第3の駆動条件制御用信号16は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を調整させるためのものである。
次の周期におけるDCバイアス電圧調整モード以降、駆動条件制御部270にて第3の駆動条件制御用信号16が単位量ΔVbias減少させる信号を示さなくなるまで繰り返される。
次の周期における駆動振幅調整モード以降、駆動条件制御部270にて第3の駆動条件制御用信号16が、第2のDCバイアス電圧3の電圧値からΔVRF/6、第3のDCバイアス電圧4の電圧値から(ΔVRF/6+ΔVRF/3)増加させる信号を示さなくなるまで繰り返される。
なお、光送信器制御部300の各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。
光送信器制御部300は、駆動条件探索部200bからの第1の駆動条件制御用信号8に基づき、EA変調器220に印加する送信用変調信号1の直流成分である直流バイアス電圧Vbiasの電圧値を設定し、駆動条件探索部200bからの第2の駆動条件制御用信号9に基づき、EA変調器220に印加する送信用変調信号1を特徴づける駆動振幅VRFの電圧値を設定し、設定した直流バイアス電圧Vbiasの電圧値に、駆動振幅VRFの変調信号を合成して送信用変調信号1を生成し、この送信用変調信号1をEA変調器220に印加する。
調整モードが終了すると、DCバイアス電圧制御部310は、終了時の直流バイアス電圧Vbiasを維持する。
すなわち、変調信号生成部320は、初期状態において、EA変調器220に印加する送信用変調信号1を特徴づける駆動振幅VRFを設定し、駆動振幅調整モードの時、駆動条件制御部270にて得た第2の駆動条件制御用信号9が単位量ΔVRF減少させる信号を示すと、変調信号18の駆動振幅VRF−ΔVRFとし、第2の駆動条件制御用信号9が単位量ΔVRF増加させる信号を示すと、変調信号18の駆動振幅VRF+ΔVRFとし、第2の駆動条件制御用信号9が単位量ΔVRF減少させる又は増加させる信号でなくなるまで繰り返される。
駆動振幅調整モードが終了すると、変調信号生成部320は、終了時の駆動振幅VRFを維持する。
変調信号生成部320にレベル3を示す電気信号19が与えられる時、直流交流合成部330から出力される送信用変調信号1の電圧値はVbias−1/2VRFを、変調信号生成部320にレベル2を示す電気信号19が与えられる時、送信用変調信号1の電圧値はVbias−1/6VRFを、変調信号生成部320にレベル1を示す電気信号19が与えられる時、、送信用変調信号1の電圧値はVbias+1/6VRFを、変調信号生成部320にレベル0を示す電気信号19が与えられる時、送信用変調信号1の電圧値はVbias+1/2VRFを示す。
なお、上記説明では、説明を簡略するため、VbiasはDCバイアス電圧制御部310にて調整され、維持された電圧値とし、VRFは変調信号生成部320にて調整され、維持された電圧値としている。
このような状況にて温度がt1から温度t2に変化した場合、EA変調器220に印加される送信用変調信号1を調整しないと、右グラフに示すように、EA変調器220の消光カーブは左方向に変化するため、レベル3〜2間のアイ、レベル2〜1間のアイ、レベル1〜0間のアイが等間隔であったものが、等間隔でなくなり、かつ、狭くなっている。その結果、それぞれのレベルの振幅差が小さくなり、誤り率が高くなる。
光信号生成部200aは図1及び図2にて説明したハードウェア構成である。
光送信器制御部300は、CPU(Central Processing Unit)又はシステムLSI(Large Scale Integration)などのプロセッサ301と、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)などで構成されるメモリ302と、通信インタフェース303と、入出力インタフェース304を備えている。
プロセッサ301、メモリ302、通信インタフェース303及び入出力インタフェース304はバス305に接続され、バス305を介してデータ及び制御信号などの受け渡しが相互に行なわれる。
メモリ302には、各種データ、実施の形態1を実施するためのプログラム、及びシステムの起動に必要な処理プログラムなどが格納される。
通信インタフェース303は、光送信装置100内部の各種部品あるいは外部の各種部品と装置とのデータ及び制御信号の送受信に使用する。
入出力インタフェース304は、電気配線410から電気配線450を通じて、光送信器200と光送信器制御部300の間の制御信号及び変調信号を送受する。例えば、CW光出力部210に対しては光を発生させるための光源への注入電流であり、EA変調器220に対しては送信用変調信号1であり、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に対しては第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4及び第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号である。
光送信器制御部300は、メモリ302に格納されている、光送信装置100として動作するためのプログラムをプロセッサ301が実行することにより実現される。
メモリ202には、DCバイアス電圧調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)である差分値α2と、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)である差分値α3と、DCバイアス電圧Vbiasに対する一回の調整における増減の単位量ΔVbiasと、駆動振幅調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)である差分値β2と、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)である差分値β3、駆動振幅VRFに対する一回の調整における増減の単位量ΔVRFと、第1の差動増幅部251における、DCバイアス電圧調整モード時の増幅率a1と、駆動振幅調整モードの増幅率b1と、第2の差動増幅部252における、DCバイアス電圧調整モード時の増幅率a2と、駆動振幅調整モードの増幅率b2と、比較部260における大小関係判定時のオフセット量が格納されている。
駆動条件探索部200bを光送信器制御部300と同じ回路基板に構成する場合、プロセッサ201とプロセッサ301、メモリ202とメモリ302、通信インタフェース203と通信インタフェース303、入出力インタフェース204と入出力インタフェース304は、共通のハード構成で良い。
図10に示すフローチャートは、光送信装置100の稼働前に、駆動条件探索部200bの各種設定を行うステップST1と、変調を開始するステップST2と、DCバイアス電圧調整モードを実施するステップST3と、DCバイアス電圧の調整を確認するステップST4と、駆動振幅調整モードを実施するステップST5と、駆動振幅の調整を確認するステップST6により構成される。
すなわち、ステップST1は、光送信装置100の稼働前に、メモリ202に格納された上記した各種設定値を設定するステップである。つまり、メモリ202を構成するROMに格納された各種設定値を読み出し、メモリ202を構成するRAMに一時的に記憶させる。
まず、第1に、第1の電流−電圧変換部241から第3の電流−電圧変換部243が、それぞれ、対応した第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233からの第1の条件変更用電流5から第3の条件変更用電流7が示す電流値(Iph1、Iph2、Iph3)を電圧値(Vph1、Vph2、Vph3)に変換して第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号としての第1の条件変更用電圧10から第3の条件変更用電圧12を得る。
すなわち、駆動条件調整用信号15が、第2の差動増幅部252からの第2の中間駆動条件14が示す電圧値が第1の差動増幅部251からの第1の中間駆動条件13が示す電圧値より大きいか否かを判定する。
単位量ΔVbias増加させる第1の駆動条件制御用信号8を得たDCバイアス電圧制御部310は、DCバイアス電圧Vbiasに単位量ΔVbiasを足してDCバイアス電圧Vbiasを更新し、直流交流合成部330に出力する。直流交流合成部330にて、更新されたDCバイアス電圧Vbiasに、変調のための電気信号19に従って変調信号生成部320から出力される駆動振幅VRFの変調信号を合成して送信用変調信号1を生成し、この送信用変調信号1をEA変調器220に印加する。
その後、図10に示すステップST4に進む。
DCバイアス電圧Vbias、第1の観測用EA変調器231に印加する電圧値V1、第2の観測用EA変調器232に印加する電圧値V2(Vbias−α2)、及び第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V3(Vbias−α2−α3)それぞれに単位量ΔVbiasを増加させる。
なお、駆動振幅VRF、差分値α2、及び差分値α3は設定された値を維持する。
単位量ΔVbias減少させる第1の駆動条件制御用信号8を得たDCバイアス電圧制御部310は、DCバイアス電圧Vbiasに単位量ΔVbiasを引いてDCバイアス電圧Vbiasを更新し、直流交流合成部330に出力する。直流交流合成部330にて更新されたDCバイアス電圧Vbiasに、変調のための電気信号19に従って変調信号生成部320から出力される駆動振幅VRFの変調信号を合成して送信用変調信号1を生成し、この送信用変調信号1をEA変調器220に印加する。
その後、図10に示すステップST4に進む。
DCバイアス電圧Vbias、第1の観測用EA変調器231に印加する電圧値V1、第2の観測用EA変調器232に印加する電圧値V2(Vbias−α2)、及び第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V3(Vbias−α2−α3)それぞれに単位量ΔVbiasを減少させる。
なお、駆動振幅VRF、差分値α2、及び差分値α3は設定された値を維持する。
すなわち、3点DCバイアス電圧制御部280が、第1の観測用EA変調器231に印加される電圧値V1がVbiasである第1のDCバイアス電圧2を印加し、第2の観測用EA変調器232に電圧値V2がVbias−β2である第2のDCバイアス電圧3を印加し、第3の観測用EA変調器233に電圧値V3がVbias−β2−β3である第3のDCバイアス電圧4を印加する。ここで、差分値β2及び差分値β3は初期値としてステップSTb1にて設定された値であり、その後、ステップSTb7にて駆動振幅VRFに合わせて変更、更新、つまり、第2のDCバイアス電圧3にあっては第2のDCバイアス電圧3の電圧値からΔVRF/6を、第3のDCバイアス電圧4にあっては第3のDCバイアス電圧4の電圧値からΔVRF/3を引く又は足すことによって更新された値である。
このように設定することにより、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233から出力されるフォトカレントの差分と第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4の差分を考慮することで、レベル3〜2間の振幅、及びレベル2〜1間の半分の振幅を推定できる。
なお、この実施の形態1では、PAM4変調方式におけるアイパターンの中心から上のレベルを観測し、アイパターンの中心から下側の非線形状態の観測はしていないが、駆動振幅調整モードの前にDCバイアス電圧調整モードを実施し、DCバイアス電圧Vbiasが調整されていることから、駆動振幅VRFはDCバイアス電圧Vbiasを中心に対称であると近似できる。従って、アイパターンの中心から上のレベル又は下のレベルの一方を行なうことで駆動振幅VRFの調整が可能である。
すなわち、駆動条件探索部200bにおいて、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233からの第1の条件変更用電流5から第3の条件変更用電流7が示すフォトカレント(電流値)を基に複数の単純な処理を順に行う。
まず、第1に、第1の電流−電圧変換部241から第3の電流−電圧変換部243が、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233からの第1の条件変更用電流5から第3の条件変更用電流7が示す電流値(Iph1、Iph2、Iph3)を電圧値(Vph1、Vph2、Vph3)に変換して第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号としての第1の条件変更用電圧10から第3の条件変更用電圧12を得る。
すなわち、駆動条件調整用信号15が、第1の差動増幅部251からの第1の中間駆動条件13が示す電圧値が第2の差動増幅部252からの第2の中間駆動条件14が示す電圧値より大きいか否かを判定する。
ステップSTb7は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に対する3つの印加電圧の差分値β2及び差分値β3を更新した駆動振幅VRFに合わせて変更する。
すなわち、第1のDCバイアス電圧2をVbias、第2のDCバイアス電圧3をVbias−(VRF−ΔVRF)/6、第3のDCバイアス電圧4をVbias−(VRF−ΔVRF)/6−(VRF−ΔVRF)/3とする。
駆動振幅VRFに単位量ΔVRFを減少、第2の観測用EA変調器232に印加する電圧値V2(Vbias−α2)にΔVRF/6を増加、第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V3(Vbias−α2−α3)にΔVRF/6+ΔVRF/3を増加、差分値β2にΔVRF/6を減少、及び差分値β3にΔVRF/3を減少させる
DCバイアス電圧Vbias、及び第1の観測用EA変調器231に印加する電圧値V1は設定された値を維持する。
ステップSTb7は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に対する3つの印加電圧の差分値β2及び差分値β3を更新した駆動振幅VRFに合わせて変更する。
すなわち、第1のDCバイアス電圧2をVbias、第2のDCバイアス電圧3をVbias−(VRF+ΔVRF)/6、第3のDCバイアス電圧4をVbias−(VRF+ΔVRF)/6−(VRF+ΔVRF)/3とする。
駆動振幅VRFに単位量ΔVRFを増加、第2の観測用EA変調器232に印加する電圧値V2(Vbias−α2)にΔVRF/6を減少、第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V3(Vbias−α2−α3)にΔVRF/6+ΔVRF/3を減少、差分値β2にΔVRF/6を増加、及び差分値β3にΔVRF/3を増加させる。
DCバイアス電圧Vbias、及び第1の観測用EA変調器231に印加する電圧値V1は設定された値を維持する。
これにより光送信器200の運用中においてEA変調器220に印加する送信用変調信号1のDCバイアス電圧Vbias及び駆動振幅VRFが適応的に調整される。
なお、光送信器200の運用中全ての期間において、DCバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの調整動作を繰り返して行なうものとしたが、調整モードを周期的に行なうものでも良い。
次に、この発明の実施の形態2について図13及び図14を用いて説明する。
実施の形態2に係る光送信装置100は、実施の形態1に係る光送信装置100がDCバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの2つの調整モードを実施する構成であるのに対して、駆動振幅調整モードを持たず、EA変調器220に印加する送信用変調信号1の駆動振幅VRFは固定値とした構成としたものである。
図13及び図14において、図1及び図10と同一符号は同一又は相当部分を示す。
駆動振幅VRFの固定値は、EA変調器220が適切な環境にて通常駆動される時の温度に対する消光カーブの線形領域によって設定される。
すなわち、DCバイアス電圧条件制御部271は、実施の形態1に示した駆動条件制御部270におけるDCバイアス電圧調整モードの時と同じ動作をする。
要するに、DCバイアス電圧条件制御部271は、DCバイアス電圧調整モード時、次の動作を実行する。
1)実施の形態1にて示した設定値1から設定値6に示すDCバイアス電圧調整モード時の設定値を各構成要素に設定する。
3)第1の差動増幅部251における増幅率をa1、第2の差動増幅部252における増幅率をa2とする。
4)比較部260にて得られた駆動条件調整用信号15に基づき、第1の駆動条件制御用信号8を得るとともに、第3の駆動条件制御用信号16を得る。
その結果、第1の駆動条件制御用信号8によりEA変調器220に印加する送信用変調信号1におけるDCバイアス電圧Vbiasを光送信器制御部300に調整させる。
6)比較部260にて得られた駆動条件調整用信号15がLレベルを示すと、第1の駆動条件制御用信号8及び第3の駆動条件制御用信号16を、DCバイアス電圧Vbiasを単位量ΔVbias減少させる信号とし、駆動条件調整用信号15がHレベルを示すと、第1の駆動条件制御用信号8及び第3の駆動条件制御用信号16を、DCバイアス電圧Vbiasを単位量ΔVbias増加させる信号とする。
すなわち、メモリ302とメモリ202は、この実施の形態2では、図14に示す、光送信装置100におけるイベント認識の処理フローを示すフローチャートを実行するプログラムを記憶している。
なお、図14は、実施の形態1における図10及び図11を合成したフローチャートに相当する。
実施の形態2では、駆動振幅調整モードを持たないため、図10に示したステップST4からステップST6を持たない。
このフローチャートは常時ループのフローとなっており、ループ開始とループ終了の間の処理を繰り返す。
なお、光送信器200の運用中全ての期間において、DCバイアス電圧調整モードを繰り返して行なうものとしたが、DCバイアス電圧調整モードを周期的に行なうものでも良い。
従って、この発明の実施の形態2に係る光送信装置100にあっては、温度の変化により、EA変調器220に消光カーブ特性が大きく変わった場合にも良好なアイパターンを得ることができるという効果がある。
また、PAM4変調方式以外の多値変調方式においても適用できるという効果がある。
次に、この発明の実施の形態3について図15を用いて説明する。
実施の形態3に係る光送信装置100は、実施の形態1及び実施の形態2に係る光送信装置100におけるCW光出力部210をCW光出力部210cに変更したものであり、その他の構成は同じである。
CW光出力部210cは発光部211cと観測用CW光分岐部213cを備えている。
発光部211cはCW光を出力する半導体レーザ(LD)である。
この半導体レーザ(LD)は、対向するミラーで形成された共振器構造を有し、それぞれのミラーから異なった方向にCW光を取り出す構造である。
発光部211cの一方のミラーから取り出されたCW光はEA変調器220へ出力される。
発光部211cの他方のミラーから取り出されたCW光は観測用CW光分岐部213cへ出力される。
観測用CW光分岐部213cへ入力されたCW光は3つに分岐されて第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233へ出力する。
観測用CW光分岐部213は、光結合器又は多モード干渉導波路などである。
次に、この発明の実施の形態4について図16を用いて説明する。
実施の形態4に係る光送信装置100は、実施の形態1及び実施の形態2に係る光送信装置100における光信号生成部200aを光信号生成部200dに変更したものであり、その他の構成は同じである。
光信号生成部200dは、CW光を出力する半導体レーザ(LD)である発光部211dからなるCW光出力部210dと、EA変調器220と、変調光分岐部214と、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233を備えている。
発光部211dから出力されたCW光はEA変調器220に変調されて光信号として出力される。
変調光分岐部214は、EA変調器220と第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233の間に設けられ、EA変調器220と第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233が直列的に光接続されている。
EA変調器220からの光信号は、変調光分岐部214にてさらに3つに分岐されて第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233へ出力される。
変調光分岐部214における光出力向けポートの配分比率は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に対する出力ポートの配分比率より大きくし、光送信装置100からの光パワーを下げないようにしている。
次に、この発明の実施の形態5について図17を用いて説明する。
実施の形態5に係る光送信装置100は、実施の形態1に係る光送信装置100における光信号生成部200aに対して、さらに第2の駆動振幅調整モードを追加したものである。
すなわち、実施の形態1に係る光送信装置100における駆動振幅調整モードが、PAM4変調方式におけるアイパターンの中心から上のレベルを観測したものであるが、さらに、アイパターンの中心から下のレベルを観測する第2の駆動振幅調整モードを追加したものである。
ステップST7において、第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)である差分値γ2と、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)である差分値γ3を設定するとともに、第1の差動増幅部251の増幅率をc1と、第2の差動増幅部252の増幅率をc2に設定する。差分値γ2はVRF/6、差分値γ3はVRF/3である。
3点DCバイアス電圧制御部280が、第1の観測用EA変調器231に印加される電圧値V1がVbiasである第1のDCバイアス電圧2を印加し、第2の観測用EA変調器232に電圧値V2がレベル1の電圧となるVbias+γ2である第2のDCバイアス電圧3を印加し、第3の観測用EA変調器233に電圧値V3がレベル0の電圧となるVbias+γ2+γ3である第3のDCバイアス電圧4を印加する。
すなわち、第1のDCバイアス電圧2をVbias、第2のDCバイアス電圧3をVbias+VRF/6+ΔVRF/6又はbias+VRF/6−ΔVRF/6、第3のDCバイアス電圧4をVbias+VRF/6+ΔVRF/6+VRF/3+ΔVRF/3又はVbias+VRF/6−ΔVRF/6+VRF/3−ΔVRF/3とする。
ステップST8にて駆動振幅VRFの調整が充分に行なわれたと判断されるまで、ステップST7に示す第2の駆動振幅調整モードを繰り返して行なわれ、駆動振幅VRFの調整が充分に行なわれたと判断されるとステップST3に進む。
ステップST3では、駆動条件制御部270が調整対象を再びDCバイアス電圧調整モードに戻し、以降はループを繰り返す。
これにより光送信器200の運用中においてEA変調器220に印加する送信用変調信号1のDCバイアス電圧Vbias及び駆動振幅VRFが適応的に調整される。
次に、この発明の実施の形態6に係る光送信装置100について、図18から図21を用いて説明する。
実施の形態6に係る光送信装置100は、実施の形態1に係る光送信装置100に対して、DCバイアス電圧調整モード及び駆動振幅調整モードの2つの調整モードのうち、駆動振幅調整モードを行なう構成として、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に第4の観測用EA変調器を追加し、さらに、第4の電流−電圧変換部244と、第3の差動増幅部253及び第4の差動増幅部254及び駆動振幅調整用比較部261により構成される駆動振幅調整用信号生成部250bと、駆動振幅調整用DCバイアス電圧制御部281を追加したものである。なお、各図中同一符号は、同一又は相当部分を示す。
CW光出力部210eは、図19に示すように、発光部211と、CW光分岐部212と、観測用CW光分岐部213eを備えている。
観測用CW光分岐部213eは、CW光分岐部212からのCW光を4つに分岐して第1の観測用EA変調器231から第4の観測用EA変調器234に出力する。観測用CW光分岐部213eの分岐前及び分岐後のCW光の特性は光パワー以外同じである。
第4の観測用EA変調器234は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233と同様の構成をしており、印加される第4のDCバイアス電圧20により、CW光出力部210eからの連続レーザ光に対する電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第4の条件変更用信号21を出力する第3の光変調器を構成する。第4の観測用EA変調器234は、観測用CW光分岐部213eからの分岐後のCW光を受ける。
第4の観測用EA変調器234は、第4のDCバイアス電圧20が第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4の電圧値と異なる以外は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233と、その半導体の層構造、組成比、導波路の構造及び電界吸収効果が生じる領域の長さなどを極力同じにしてある。
初期値において、DCバイアス電圧調整モード時の第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)を差分値α2とし、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)を差分値α3と設定する。
また、駆動振幅調整モード時においても、第1のDCバイアス電圧2と第2のDCバイアス電圧3が示す電圧値の電圧差(V1−V2)を差分値α2とし、第2のDCバイアス電圧3と第3のDCバイアス電圧4が示す電圧値の電圧差(V2−V3)を差分値α3と設定し、さらに、第3のDCバイアス電圧4と第4のDCバイアス電圧20が示す電圧値の電圧差(V3−V4)を差分値β4と設定する。
一方、第4のDCバイアス電圧が示す電圧値V4はVbias−α2−α3−β4となる。
実施の形態6では、第4の観測用EA変調器に印加される電圧値V4をレベル3に対応させるため、電圧差(V1−V4)、すなわち(α2+α3+β4)が駆動振幅の半値であるVRF/2に等しくなるようにβ4を設定する。
なお、図18において、駆動条件探索部200fの各構成要件間を電気信号の流れとして示しているが、ソフトウェア的に行なわれる場合は、実際の電気信号の流れはない。
すなわち、第4の電流−電圧変換部244は、第4の観測用EA変調器234から出力された第4の条件変更用電流21が示すフォトカレントの値Iph4を電圧値Vph4に変換する。この変換では、例えば、抵抗を介した線形変換、つまりオームの法則(V=I×R)に基づき行なわれる。第4の電流−電圧変換部244は、第1の電流−電圧変換部241から第3の電流−電圧変換部243と同じ抵抗値を有する抵抗にて構成している。
第4の差動増幅部254は、第1の電流−電圧変換部241からの第1の条件変更用電圧10が示す電圧値Vph1と第4の電流−電圧変換部244からの第4の条件変更用電圧22が示す電圧値Vph4に基づき、第1の条件変更用電圧10と第4の条件変更用電圧22が示す電圧値との差分量(Vph1−Vph4)を線形的に増幅した値である第4の中間駆動条件24を得る。
従って、駆動振幅調整モード時、第3の差動増幅部253からの第3の中間駆動条件23が示す電圧の絶対値はb3×|Vph3−Vph1|になり、第4の差動増幅部254からの第4の中間駆動条件24が示す電圧の絶対値はb4×|Vph4−Vph1|になる。
なお、第3の差動増幅部253及び第4の差動増幅部254は、駆動振幅調整モード時に使用されるため、DCバイアス電圧調整モード時に不活性にしても良い。
DCバイアス電圧調整モードで使用する第1の差動増幅部251及び第2の差動増幅部における線形増幅の増幅率a1及び増幅率a2の比率は実施の形態1と同様の考えに基づき決められる。
但し、図20に示すように、第2の観測用EA変調器232から第4の観測用EA変調器234に印加される電圧が実施の形態1における電圧と異なっているために比率の値が異なる。
なお、図20は、駆動振幅調整モード時の、EA変調器220及び第1の観測用EA変調器231から第4の観測用EA変調器234における、逆方向印加電圧Vに対するパワー透過率Tを○印にて示している。横軸は逆方向印加電圧Vを、縦軸はパワー透過率Tの値を示している。
すなわち、駆動振幅調整用比較部261は、第3の中間駆動条件23が示す電圧の絶対値(b3×|Vph3−Vph1|)と第4の中間駆動条件24が示す電圧の絶対値(b4×|Vph4−Vph1|)を比較し、大小関係を2値情報とした駆動振幅調整用信号15bを得る。
駆動振幅調整用信号15bは、実施の形態1における駆動振幅調整モード時の、駆動条件調整用信号15と同様に、大小関係を判別するときにオフセット量を設定することができる。オフセット量を設ける理由は、実施の形態1と同様で、VRFが調整を繰り返すごとに不要に小さくなり続けることを防ぐためである。従って、オフセット量を適切に設定することで、レベル2−1の振幅差とレベル3−2の振幅差がおおよそ等間隔になるように駆動振幅の調整を維持できる。
DCバイアス調整用信号生成部250aは、DCバイアス電圧調整モード時に、第1の条件変更用信号5から第3の条件変更用信号7に基づく第1の条件変更用電圧10から第3の条件変更用電圧12の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせ、この実施の形態6では、第1の条件変更用電圧10と第2の条件変更用電圧11の組み合わせと、第2の条件変更用電圧11と第3の条件変更用電圧12の組み合わせ、による光吸収量の差分量に基づいて駆動条件調整用信号の一つであるDCバイアス調整用信号15aを得る。
駆動条件制御部272は、DCバイアス電圧調整モード時、比較部260にて得られたDCバイアス調整用信号15aに基づき、第1の駆動条件制御用信号8を得るとともに、第3の駆動条件制御用信号16を得る。駆動条件制御部272は、DCバイアス電圧調整モードであるので第2の駆動条件制御用信号9は発生しない。
このときの駆動条件制御部272の動作は、実施の形態1と同じであるので説明は省略する。
駆動条件制御部272が得る第3の駆動条件制御用信号16は、第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加される第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を調整させるためのものであり、第4の駆動条件制御用信号25は、第4の観測用EA変調器234に印加される第4のDCバイアス電圧20を調整させるためのものである。
駆動条件制御部272は、駆動振幅調整モード時の設定値として、実施の形態1にて示した設定値2に対応して設定値7が、設定値4に対応して設定8の設定が行なわれる。
設定値7:第3のDCバイアス電圧4と第4のDCバイアス電圧20が示す電圧値の電圧差(V3−V4)である差分値β4。
設定値8:第3の差動増幅部253の増幅率b3、第4の差動増幅部254の増幅率b4。
3点DCバイアス電圧制御部280は、駆動振幅調整モード時、初期値もしくは、DCバイアス電圧調整モード後に駆動振幅調整モードが開始された場合は、DCバイアス電圧調整モード直後の状態を維持する第1のDCバイアス電圧2から第3のDCバイアス電圧4を第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加する。この状態は駆動振幅調整モード期間維持される。
駆動振幅調整用DCバイアス電圧制御部281は、駆動振幅調整モード時、駆動条件制御部272からの第4の駆動条件制御用信号25を受けて、第4の駆動条件制御用信号25がΔVRF/2増加させる信号を示すと、第4の観測用EA変調器234に電圧値V4がVbias−VRF/2+ΔVRF/2を印加する。駆動条件制御部272からの第4の駆動条件制御用信号25がΔVRF/2増加させる信号を示さなくなるまで繰り返される。
メモリ302とメモリ202は、この実施の形態6では、図10、図11、及び図21に示す光送信装置100におけるイベント認識の処理フローを示すフローチャートを実行するプログラムを記憶している。
図21に示すフローチャートは、図10に示した調整モード全体における駆動振幅調整モードのステップであるステップST5に相当し、同時に、実施の形態1における駆動振幅調整モードの詳細フローチャートを示す図12に対応する。図21に示すステップSTb11からステップSTb71はそれぞれ図12に示したステップSTb1からステップSTb7に対応する。
ステップSTb71は、第3の観測用EA変調器233と第4の観測用EA変調器234に対する印加電圧の差分値β4を、更新した駆動振幅VRFに合わせて変更する。
すなわち、第4のDCバイアス電圧20をVbias−(VRF−ΔVRF)/2とする。
駆動振幅VRFに単位量ΔVRFを減少、第4の観測用EA変調器234に印加する電圧値V4にΔVRF/2を増加、差分値β4にΔVRF/2を減少させる。DCバイアス電圧Vbias、及び第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V1、V2、及びV3は設定された値を維持する。
すなわち、駆動振幅調整モードにおいて、β4は駆動振幅VRFに合わせて調整され、α2およびα3は調整されない。
ステップSTb71は、第3の観測用EA変調器233と第4の観測用EA変調器234に対する印加電圧の差分値β4を、更新した駆動振幅VRFに合わせて変更する。
すなわち、第4のDCバイアス電圧をVbias−(VRF+ΔVRF)/2とする。
駆動振幅VRFに単位量ΔVRFを増加、第4の観測用EA変調器234に印加する電圧値V4にΔVRF/2を減少、差分値β4にΔVRF/2を増加させる。DCバイアス電圧Vbias、及び第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233に印加する電圧値V1、V2、及びV3は設定された値を維持する。
すなわち、駆動振幅調整モードにおいて、β4は駆動振幅VRFに合わせて調整され、α2およびα3は調整されない。
このようにして、第4のDCバイアス電圧20は調整され、図20の右側のグラフに示すように、光変調の非線形状態は改善される。
ア)第2の光変調器を構成する第1の観測用EA変調器231から第3の観測用EA変調器233によってフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号5から第3の条件変更用信号7を得、第3の光変調器を構成する第4の観測用EA変調器234によってフォトカレントの値に基づく第4の条件変更用信号21を得、
イ)駆動条件探索部200fが第1の条件変更用信号5からから第3の条件変更用信号7及び第4の条件変更用信号21による光吸収量の差分量に基づいた第1の駆動条件制御用信号及び第2の駆動条件制御用信号を出力し、
ウ)光送信器制御部300が、DCバイアス電圧調整モードにて第1の駆動条件制御用信号に基づき、EA変調器220に印加する送信用変調信号1の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値Vbiasを適応的に調整し、駆動振幅調整モードにて第2の駆動条件制御用信号に基づき、EA変調器220に印加する送信用変調信号1を特徴づける駆動振幅の電圧値VRFを適応的に調整することができる。
複数の観測用EA変調器により構成する場合、複数の観測用EA変調器に印加するDCバイアス電圧は全て同じにしてもよいし、それぞれ異なる電圧としてもよい。このように第3の光変調器を複数の観測用EA変調器により構成することにより、レベル3又はその他のレベルが消光カーブの非線形領域に存在するかを推定する際の精度を高めることができる。
Claims (18)
- 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器、
前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられ、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する第2の光変調器、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号を受け、前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第1の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を出力する駆動条件探索部、
前記駆動条件探索部が得た第1の駆動条件制御用信号に基づき、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を調整する光送信器制御部、
を備えた光送信装置。 - 前記第2の光変調器は、
前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第1のDCバイアス電圧が印加されて前記第1の条件変更用信号を出力する第1の観測用電界吸収型変調器と、
前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第2のDCバイアス電圧が印加されて前記第2の条件変更用信号を出力する第2の観測用電界吸収型変調器と、
前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第3のDCバイアス電圧が印加されて前記第3の条件変更用信号を出力する第3の観測用電界吸収型変調器を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。 - 前記連続レーザ光出力部は、連続レーザ光を出力する発光部と、前記発光部からの連続レーザ光を2つの連続レーザ光に分岐するレーザ光分岐部と、前記レーザ光分岐部から分岐された他方の連続レーザ光を分岐する観測用レーザ光分岐部とを備え、
前記第1の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記レーザ光分岐部から分岐された一方の連続レーザ光であり、
前記第2の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記観測用レーザ光分岐部から分岐された連続レーザ光であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光送信装置。 - 前記連続レーザ光出力部は、2方向に連続レーザ光を出力する発光部と、前記発光部からの他方の連続レーザ光を分岐する観測用レーザ光分岐部とを備え、
前記第1の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記発光部からの一方の連続レーザ光であり、
前記第2の光変調器に入力される連続レーザ光は、前記観測用レーザ光分岐部から分岐された連続レーザ光であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光送信装置。 - 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する電界吸収型変調器である第1の光変調器、
前記第1の光変調器からの光信号が変調光分岐部により分岐された光信号が入力され、当該入力された光信号を第1のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号を出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の第1の観測用電界吸収型変調器と、前記第1の光変調器からの光信号が前記変調光分岐部により分岐された光信号が入力され、当該入力された光信号を第2のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第2の条件変更用信号を出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の第2の観測用電界吸収型変調器と、前記第1の光変調器からの光信号が前記変調光分岐部により分岐された光信号が入力され、当該入力された光信号を第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第3の条件変更用信号を出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の第3の観測用電界吸収型変調器とを有する第2の光変調器、
前記第1の観測用電界吸収型変調器から前記第3の観測用電界吸収型変調器それぞれから出力された第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号を受け、前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第1の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第1の観測用電界吸収型変調器から前記第3の観測用電界吸収型変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を出力する駆動条件探索部、
前記駆動条件探索部が得た第1の駆動条件制御用信号に基づき、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を調整する光送信器制御部、
を備えた光送信装置。 - 前記第1の光変調器に印加される送信用変調信号は、直流バイアス電圧と駆動振幅の電圧値による4段階の値を取る信号であり、
前記第1の光変調器は、前記送信用変調信号によって4段階のレベルを取る光信号を出力することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光送信装置。 - 前記駆動条件探索部は、さらに、前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第2の駆動条件制御用信号を得、
前記光送信器制御部は、前記駆動条件探索部にて得た第2の駆動条件制御用信号に基づき、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を設定し、前記設定した直流バイアス電圧の電圧値と前記設定した駆動振幅の電圧値に基づき送信用変調信号を生成し、前記第1の光変調器に印加することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光送信装置。 - 前記駆動条件探索部は、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号が示すフォトカレントの値をそれぞれ電圧値に変換して第1の条件変更用電圧から第3の条件変更用電圧を得る電流―電圧変換部と、
前記第1の条件変更用電圧から前記第3の条件変更用電圧の電圧値に基づいて、前記第2の光変調器が有する3つの導波路間での光吸収量の差分を算出し、第1の中間駆動条件及び第2の中間駆動条件を得る差動増幅部と、
前記第1の中間駆動条件と前記第2の中間駆動条件が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号を得る比較部と、
前記駆動条件調整用信号に基づき前記第1の駆動条件制御用信号を生成し、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を出力する駆動条件生成部と、
を備えることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光送信装置。 - 前記駆動条件探索部は、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号が示すフォトカレントの値をそれぞれ電圧値に変換して第1の条件変更用電圧から第3の条件変更用電圧を得る電流―電圧変換部と、
前記第1の条件変更用電圧から前記第3の条件変更用電圧の電圧値に基づいて、前記第2の光変調器が有する3つの導波路間での光吸収量の差分を算出し、第1の中間駆動条件及び第2の中間駆動条件を得る差動増幅部と、
前記第1の中間駆動条件と前記第2の中間駆動条件が示す電圧値を比較し、駆動条件調整用信号を得る比較部と、
前記駆動条件調整用信号に基づき前記第1の駆動条件制御用信号及び前記第2の駆動条件制御用信号を生成し、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を出力する駆動条件生成部と、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の光送信装置。 - 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に、前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を印加する第1のステップと、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第2のステップと、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する第3のステップと、
を備えた光送信方法。 - 前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第4のステップを備えたことを特徴とする請求項10記載の光送信方法。
- 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第1のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値を引いた電圧値を示す第2のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値及び第2の差分値を引いた電圧値を示す第3のDCバイアス電圧を印加する第1のステップと、
前記第1のステップにて第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧が印加された前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第2のステップと、
前記第1のステップにて第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧が印加された前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、
前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する第3のステップと、
前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧が印加された前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第4のステップと、
前記第2の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第1のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値を足した電圧値を示す第2のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値及び第2の差分値を足した電圧値を示す第3のDCバイアス電圧を印加する第5のステップと、
前記第5のステップにて第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧が印加された前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第6のステップと、
を備えた光送信方法。 - コンピュータに、
連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を得る第1の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第2の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第3の手順と、
を実行させるためのプログラム。 - 前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第4の手順を実行させるための請求項13記載のプログラム。
- コンピュータに、
連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に印加する、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第1のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値を引いた電圧値を示す第2のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値及び第2の差分値を引いた電圧値を示す第3のDCバイアス電圧を得る第1の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第2の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第3の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第4の手順と、
前記第2の光変調器に、前記直流バイアス電圧の電圧値を示す第1のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値を足した電圧値を示す第2のDCバイアス電圧と、前記直流バイアス電圧の電圧値に第1の差分値及び第2の差分値を足した電圧値を示す第3のDCバイアス電圧を得る第5の手順と、
前記第5の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第6の手順と、
を実行させるためのプログラム。 - 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器、
前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられ、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する第2の光変調器、
前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器であり、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧と異なる電圧値である第4のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第4の条件変更用信号として出力する第3の光変調器、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号及び前記第3の光変調器からの第4の条件変更用信号を受け、前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて第1の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を出力し、前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの1つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第4の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて第2の駆動条件制御用信号を得るともに、前記第3の光変調器に印加する前記第4のDCバイアス電圧を出力する駆動条件探索部、
前記駆動条件探索部が得た第1の駆動条件制御用信号に基づき、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を設定するとともに、前記駆動条件探索部が得た第2の駆動条件制御用信号に基づき、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を設定し、前記設定した直流バイアス電圧の電圧値と前記設定した駆動振幅の電圧値に基づき送信用変調信号を生成し、前記第1の光変調器に印加する光送信器制御部、
を備えた光送信装置。 - 連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に、前記送信用変調信号を印加するとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に、前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を印加する第1のステップと、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する第2のステップと、
前記第2の光変調器からの第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する第3のステップと、
前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、前記第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧と異なる電圧値である第4のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第4の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器である第3の光変調器に、前記第4のDCバイアス電圧を印加する第4のステップと、
前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの1つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第4の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する第5のステップと、
前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの1つの組み合わせによる光吸収量の差分量と前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第4の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第3の光変調器に印加する前記第4のDCバイアス電圧の電圧値を更新する第6のステップと、
を備えた光送信方法。 - コンピュータに、
DCバイアス電圧調整モード時、連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、直流バイアス電圧と駆動振幅で特徴づけられる送信用変調信号によってパルス振幅変調を行い、光信号として出力する、電界吸収型変調器である第1の光変調器に印加する前記送信用変調信号を得るとともに、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、それぞれが異なる電圧値である第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器が用いられた第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧を得る第1の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号の直流成分である直流バイアス電圧の電圧値を更新する直流バイアス電圧の電圧値を得る第2の手順と、
前記第1の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの2つの組み合わせによる光吸収量の差分量に基づいて、前記第2の光変調器に印加する前記第1のDCバイアス電圧から前記第3のDCバイアス電圧の電圧値を更新する電圧値を得る第3の手順と、
駆動振幅調整モード時、前記連続レーザ光出力部から出力された連続レーザ光が入力され、当該入力された連続レーザ光を、第1のDCバイアス電圧から第3のDCバイアス電圧と異なる電圧値である第4のDCバイアス電圧による電界吸収効果にて引き起こされたフォトカレントの値に基づく第4の条件変更用信号として出力する、前記第1の光変調器と同様の構成の電界吸収型変調器である第3の光変調器に印加する前記第4のDCバイアス電圧を得る第4の手順と、
前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの1つの組み合わせによる光吸収量の差分量と、前記第4の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第4の手順にて得た第4の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第1の光変調器に印加する送信用変調信号を特徴づける駆動振幅の電圧値を更新する駆動振幅の電圧値を得る第5の手順と、
前記第1の条件変更用信号から前記第3の条件変更用信号の3つの組み合わせのうちの1つの組み合わせによる光吸収量の差分量と、前記第4の手順にて得た第1の条件変更用信号から第3の条件変更用信号のうちの一つの条件変更用信号と前記第4の手順にて得た第4の条件変更用信号による光吸収量の差分量に基づいて、前記第3の光変調器に印加する前記第4のDCバイアス電圧の電圧値を得る第6の手順と、
を実行させるためのプログラム。
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