JP6713843B2 - 光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 - Google Patents
光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6713843B2 JP6713843B2 JP2016113695A JP2016113695A JP6713843B2 JP 6713843 B2 JP6713843 B2 JP 6713843B2 JP 2016113695 A JP2016113695 A JP 2016113695A JP 2016113695 A JP2016113695 A JP 2016113695A JP 6713843 B2 JP6713843 B2 JP 6713843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- section
- unit
- optical transmitter
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 78
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 72
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 description 2
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007630 basic procedure Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図1(a)は第1実施形態に係る変調器集積型半導体レーザ素子の上面を示す。変調器集積型半導体レーザ素子(EA変調器集積型LD)は、変調器(ここではEA変調器)と半導体レーザがモノリシックに集積された半導体素子である。なお、以降の説明では集積型を用いて説明するが、これに限定されずEA変調器と半導体レーザが別体の場合であっても本願発明の効果は得られる。図1(b)は第1実施形態に係る変調器集積型半導体レーザ素子100の光のAAでの断面を示す。図1(c)は第1実施形態に係る変調器集積型半導体レーザ素子100の光のBBでの断面を示す。
図8は、第2実施形態に係る変調器集積型半導体レーザ素子200を示す。第1実施形態に係る半導体レーザ素子100とは異なり、半導体レーザ素子200は第1EA部204と第2EA部205を有し、第1EA部204と第2EA部205には、それぞれ電極209a,209bを介して変調信号に相当するAC電圧が印加される。
図9は、第3実施形態に係る変調器集積型半導体レーザ素子300の上面図を示す。本実施形態では、パッシブな光導波路307aが2つの光導波路307bと307cに分岐している。一方の光導波路307bには第1EA部304と第2EA部305が直列接続され、他方の光導波路307cには第3EA部306が接続されている。
図10は、本発明に係る変調器集積型半導体レーザ素子400の上面図を示す。本実施形態では、光源403は、右側で光導波路407cを介して第3EA部406と接続し、かつ、左側で光導波路407bを介して第1EA部404及び第2EA部405と接続する。第1EA部404と第2EA部405は光導波路407aを介して接続される。光源403と第3EA部406は一般的なEA−DFB LDを構成する。本実施形態では、DFB−LDの左側に接続された光導波路407aに第1EA部404と第2EA部405が直列に接続されている。しかしその光導波路407aを分岐させ、それぞれに第1EA部104と第2EA部105を接続してもよい。
式(2)から明らかなように、入力光強度が、光電流、吸収係数、及び変調器長から求められる。変調器長は既知であるので、本発明を用いればIphの比と吸収係数の関係がわかる。つまり、上述のような消光比制御の過程において、入力光強度が求まる。したがって、出力光強度も自動的に求まる。このことは、光出力制御が可能であることを意味する。これは上記第1乃至第4実施形態のいずれにも適用される。
上記第1乃至第5実施形態では、第1EA部104,204,304と第2EA部105,205,305の変調器長はそれぞれ異なっていて、かつ、第1EA部104,204,304と第2EA部105,205,305にはそれぞれ異なる強度の光が入射する。しかし式(5)からわかるように、第1EA部104,204,304と第2EA部105,205,305が直列接続されている場合には、両者の変調器長は同一であってもよい。また第1EA部104,204,304と第2EA部105,205,305が並列接続されている場合には、第1EA部104,204,304と第2EA部105,205,305には同一の強度の光が入射してもよい。
Claims (8)
- 光源と、
前記光源と光学的に結合する第1電界吸収部と、
前記光源と光学的に結合する第2電界吸収部と、
前記光源と光学的に結合する第3電界吸収部と、
前記第1電界吸収部に電圧を印加する第1電圧印加部と、
前記第2電界吸収部に電圧を印加する第2電圧印加部と、
前記第1電界吸収部に流れる電流を検出する第1電流検出手段と、
前記第2電界吸収部に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、
前記第1電流検出手段及び前記第2電流検出手段が検出する2つの電流から決定される前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部の吸収係数に基づいて制御信号を生成することで前記第3電界吸収部に印加される第3電圧を制御する制御用ICを備え、
前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部は、光の伝播方向の長さ又は入力される光の強度の少なくとも一方が異なり、かつ共通の組成、組成比、及び前記光の伝播方向に垂直な断面における構造を有する、
光送信機。 - 請求項1に記載の光送信機において、
前記第3電界吸収部は、前記制御信号に応じて変調光を発生するように構成され、
前記第3電界吸収部は、前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部と共通の組成、組成比、及び前記光の伝播方向に垂直な断面における構造を有する光送信機。 - 請求項1に記載の光送信機において、
前記制御用ICは、前記制御信号に応じて前記第2電界吸収部が発生する他の変調光を制御する光送信機。 - 請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の光送信機において、
前記第1及び第2電圧印加部は、前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部へ同一の大きさの電圧を印加する光送信機。 - 請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の光送信機において、
前記制御用ICは、前記第1電界吸収部に流れる電流と前記第2電界吸収部に流れる電流との比を算出することによって前記制御信号を生成する光送信機。 - 請求項1乃至5のうちいずれか一項に記載の光送信機において、
前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部の吸収係数は、前記第1電流検出手段及び前記第2電流検出手段が検出する2つの電流に基づいて決定され、
前記光源から前記第1電界吸収部へ入射する光出力が、前記第1電界吸収部に流れる電流と前記吸収係数に基づいて制御される、光送信機。 - 請求項1乃至6のうちいずれか一項に記載の光送信機において、
前記光源に電流注入するための直流電源をさらに有し、
前記直流電源は、前記制御用ICと接続されており、
前記制御用ICは、前記第1電流検出手段及び前記第2電流検出手段が検出する2つの電流から前記直流電源を制御するための他の制御信号を生成し、
前記他の制御信号は前記制御信号とは異なる、
ことを特徴とする光送信機。 - 光源と、該光源と光学的に結合する第1電界吸収部と、前記光源と光学的に結合する第2電界吸収部と、前記光源と光学的に結合する第3電界吸収部を備え、前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部はそれぞれ異なる光の伝播方向の長さを有し、前記第1電界吸収部及び前記第2電界吸収部は、共通の組成、組成比、及び前記光の伝播方向に垂直な断面における構造を有する、光送信機の制御信号生成方法であって、
前記第1電界吸収部に電圧を印加する段階と、
前記第2電界吸収部に電圧を印加する段階と、
前記第1電界吸収部に流れる電流を検出する段階と、
前記第2電界吸収部に流れる電流を検出する段階と、
前記第1及び第2電界吸収部に流れる電流から決定される前記第1電界吸収部並びに前記第2電界吸収部の吸収係数に基づいて信号を生成することで前記第3電界吸収部に印加される第3電圧を制御する段階、
を有する光送信機の制御信号生成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113695A JP6713843B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113695A JP6713843B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017219686A JP2017219686A (ja) | 2017-12-14 |
JP6713843B2 true JP6713843B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=60657665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016113695A Active JP6713843B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6713843B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020039549A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 三菱電機株式会社 | 光送信装置、光送信方法、及びプログラム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3853411B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2006-12-06 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールを用いた光通信システム |
JP2003098492A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光変調器及び光変調器集積型半導体レーザ |
US6856441B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-02-15 | T-Networks, Inc. | Method of tuning wavelength tunable electro-absorption modulators |
JP4411938B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-02-10 | 住友電気工業株式会社 | 変調器集積半導体レーザ、光変調システムおよび光変調方法 |
JP2007158204A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
JP2013076776A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光送信機、及び波形補償方法 |
-
2016
- 2016-06-07 JP JP2016113695A patent/JP6713843B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017219686A (ja) | 2017-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3880868B2 (ja) | 高い動作温度許容差を有する電気吸収変調レーザ | |
US6516017B1 (en) | Multiwavelength semiconductor laser device with single modulator and drive method therefor | |
US10678074B2 (en) | Semiconductor optical amplifier, method for manufacturing same, and optical phase modulator | |
JP5381993B2 (ja) | 光増幅制御装置、半導体光増幅器の制御方法、及び光伝送装置 | |
US20090238219A1 (en) | Optical module | |
US7460571B2 (en) | Laser control apparatus and control method thereof | |
EP2372710A1 (en) | Light oscillation device and recording device | |
JPH11119176A (ja) | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器 | |
CN102890943A (zh) | 光学振荡装置和记录设备 | |
JP6713843B2 (ja) | 光送信機及び光送信機の制御信号生成方法 | |
CN111033918B (zh) | 半导体光学集成元件 | |
JP2005352219A (ja) | 半導体電界吸収型光変調器、半導体電界吸収型光変調器集積レーザ、光送信モジュール、および光送受信モジュール | |
JP6939411B2 (ja) | 半導体光素子 | |
JP6452198B2 (ja) | 半導体レーザ光源 | |
JP4690569B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光送信装置。 | |
JP2003098492A (ja) | 半導体光変調器及び光変調器集積型半導体レーザ | |
JP2004179206A (ja) | 光半導体装置および光伝送モジュール、光増幅モジュール | |
US6018540A (en) | Semiconductor light emitting element and optical fiber transmission system | |
JP2003017798A (ja) | 光変調器集積光源モジュール | |
US4785454A (en) | Stabilized cleaved-coupled cavity laser | |
JP2001013472A (ja) | 光半導体素子および光通信装置 | |
JP2005129824A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US11374380B2 (en) | Semiconductor laser | |
US20230253759A1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
JP6168265B1 (ja) | 光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6713843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |