WO2020039002A1 - Display und herstellungsverfahren für ein display - Google Patents

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WO2020039002A1
WO2020039002A1 PCT/EP2019/072382 EP2019072382W WO2020039002A1 WO 2020039002 A1 WO2020039002 A1 WO 2020039002A1 EP 2019072382 W EP2019072382 W EP 2019072382W WO 2020039002 A1 WO2020039002 A1 WO 2020039002A1
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emitters
fuse
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PCT/EP2019/072382
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Jens Richter
Kilian REGAU
Patrick Hörner
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Osram Oled Gmbh
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    • G09G2330/10—Dealing with defective pixels

Definitions

  • a display is shown.
  • a display is shown.
  • a display is shown.
  • a display is shown.
  • a display is shown.
  • WO 2017/167812 A1 relates to an LED module with redundant subpixels.
  • a display with micro LEDs is known from the publication US 2016/0190110 A1.
  • One task to be solved is to provide a display in which the effects of defective subpixels can be remedied efficiently.
  • the display described here comprises redundant subpixels which can be used for light emission via a correction circuit instead of a primary emitter, for example by activation by means of the
  • the display comprises a large number of pixels, also referred to as pixels.
  • the pixels are set up to correspond to one
  • Control signal to emit light especially colored light.
  • the pixels can be RGB pixels which have subpixels for generating green light, red light and blue light.
  • the display can use the pixels to display colored images and / or films.
  • At least some of the pixels have an emitter unit. At least half of the pixels or at least 90% of the pixels or all pixels preferably have an emitter unit.
  • Emitter unit can form a sub-pixel. So that's it
  • Emitter unit provided in particular for generating red light, blue light or green light.
  • Each subpixel is preferably the pixel by one
  • emitting emitter unit be present.
  • Emitter units each have at least one primary emitter and at least one secondary emitter. The or the
  • Primary emitters and secondary emitters are set up to generate light of the same color.
  • the at least one secondary emitter is assigned to the at least one primary emitter of the emitter unit in question.
  • the emitter units each comprise exactly one primary emitter and exactly one secondary emitter.
  • the primary emitters and the secondary emitters are based on one or more semiconductor materials.
  • the primary emitters and the associated secondary emitters are based on the same semiconductor material.
  • the primary emitters and the secondary emitters each preferably comprise one
  • Secondary emitters can be formed from the same semiconductor layer sequence.
  • the primary emitters and the secondary emitters are designed as light-emitting diode units, or LED units for short.
  • the semiconductor layer sequences are preferably based on
  • the at least one semiconductor material is
  • Compound semiconductor material such as Al n In ] __ nm Ga m As or like Al n Ga m In ] __ nm As P ] _-k, where 0 dn ⁇ 1, 0 dm ⁇ 1 and n + m ⁇ 1 and 0 dk ⁇ 1 is.
  • the emitter units each comprise one or more correction circuits, in particular exactly one correction circuit.
  • Correction circuit is set up to be able to switch the generation of light from the primary emitter to the assigned secondary emitter if the primary emitter is defective. This switching can take place automatically or by changing or adapting the correction circuit
  • Transistors are preferably designed as thin-film transistors, TFT for short, in particular in or on the carrier.
  • the display comprises a large number of pixels. At least some of the pixels have an emitter unit.
  • the emitter units each comprise a primary emitter and a secondary emitter for generating light of the same color, the secondary emitter
  • Primary emitter is assigned to the corresponding emitter unit.
  • the primary emitters and the secondary emitters are based on at least one semiconductor material.
  • the emitter units each comprise a correction circuit.
  • Correction circuits are each set up to be able to switch the generation of light from the primary emitter to the assigned secondary emitter in the event of a defect in the associated primary emitter.
  • the displays described here are preferably micro-LED active matrix displays, in which each pixel of a cell with three LED units, like the subpixels,
  • the three LED units are preferably by one red, one green and one blue-emitting LED unit.
  • the LED units within the cells, ie within the pixels, are operated in particular with a constant current, for example by means of pulse width modulation.
  • the errors or defects do not, or only to a small extent, go back to the LED units themselves, but originate entirely or predominantly from equipping and / or electrical contacting of the LED units.
  • the LED unit in question can no longer be operated with the specified parameters and the corresponding cell, ie the corresponding pixel, is considered defective. If an "Open” occurs in a parallel connection of LED units, then more current flows through the additional LED unit. If it is a so-called real "Open” with R - °° , the entire current flows through the additional LED unit and the associated pixel is intact. However, if a "short” occurs in one of the LEDs in this circuit, more current flows through this branch. If it is a so-called real "short” with R - 0, the entire current flows through this branch and none of the LED units lights up. It is therefore a pure one
  • the display described here has the correction circuits, which can be implemented in different ways. This enables parallel and series connections to be redundant
  • a defect density in the display can thus be significantly reduced, in particular by means of circuitry measures.
  • One of two LED units can be used as
  • Defective primary emitter is preferred with one
  • the second LED unit that is to say the secondary emitter, is activated in terms of circuitry.
  • Measures are, for example, the lasering of conductor tracks, so-called electrically caused burn-in processes
  • Secondary emitters are uniquely assigned to one of the primary emitters. There is therefore a 1: 1 assignment between the secondary emitters and the primary emitters.
  • the primary emitters and secondary emitters are preferably identical in construction. That is, within the manufacturing tolerances, there is between the
  • the primary emitter and the assigned secondary emitter preferably have no or no significant deviations.
  • Secondary emitter of the emitter unit concerned no light as long as the correction circuit is not actuated. This means that the secondary emitter is then inactive by default.
  • the roles of the primary emitter and the secondary emitter can be interchangeable, that is, primary emitter and
  • Secondary emitters can be equal and / or indistinguishable if the correction circuit is not activated. In other words, the division into primary emitters and Secondary emitters irrelevant to the status as primary or secondary light source.
  • Correction circuit one or more transistors, one or more disconnectable fuses and / or one or more anti-fuses.
  • Detachable fuses are also known as fuses
  • anti-fuses are also called antifuses.
  • Anti-fuses are reproduced, for example, in the English-language Wikipedia entry for "Antifuse”.
  • the term "disconnectable fuses” includes fuses that like mechanical or optical processing
  • Laser radiation are separated, as well as fuses that automatically interrupt when the current is too high.
  • the primary emitter and the associated secondary emitter of an emitter unit are electrically connected in series.
  • An anti-fuse is electrically connected in parallel to the primary emitter.
  • the secondary emitter is a severable fuse
  • Emitter units the primary emitter each
  • a cutable fuse is electrically connected in parallel to the secondary emitter. This is especially true in the event that the primary emitter and the assigned secondary emitter are electrically connected in series.
  • Control electrode of the field effect transistor connected to a negative as well as a positive supply voltage, as long as the correction circuit is not actuated.
  • a resistor can be attached between the negative supply voltage and the control electrode.
  • control electrode of the field effect transistor is only negative after the correction circuit has been actuated
  • Control electrode also called gate
  • the positive supply voltage preferably a cut fuse
  • a resistor and the secondary emitter are assigned a common electrode with low resistance. This applies in particular when the primary emitter and the associated secondary emitter are connected in series.
  • the resistor preferably connects only one
  • Transistor with the negative supply voltage to turn on the transistor when a fuse is opened.
  • the primary emitter and the associated secondary emitter are electrically connected in parallel. This means here and below
  • all primary emitters and all secondary emitters or groups of primary emitters and assigned secondary emitters have a low resistance to a common electrode, in particular to a common cathode.
  • correction circuit has not yet been operated.
  • group means in particular at least 100 or 1000 or 10000 primary emitters and associated secondary emitters.
  • Secondary emitter and a field effect transistor electrically connected in series.
  • the secondary emitter is electrically connected to an emitter of the field effect transistor, also referred to as a drain.
  • a drain an emitter of the field effect transistor
  • Secondary emitter is electrically connected in series, via a second disconnectable fuse with a positive one
  • Supply voltage and / or connected to a negative supply voltage via a resistor Supply voltage and / or connected to a negative supply voltage via a resistor.
  • the first and the second cutable fuses are as long as the
  • the original state is preferably permanent for the
  • the primary emitter and the secondary emitter are each separable
  • the primary emitter and the secondary emitter are each electrical with one
  • Low-resistance means in particular a direct electrical connection via an electrical conductor track without intermediate dedicated resistors or other electrical components such as capacitors or coils or transistors.
  • low-resistance means a line resistance or connection resistance of at most 10 Q or 3 Q or 1 Q.
  • Field-effect transistor with low resistance before actuating the correction circuit with the primary emitter and the secondary emitter connected can be connected in a source circuit.
  • the control electrode also as a gate
  • referred to can be connected to a variable control voltage.
  • Control voltage is preferably lower than in regular operation of the corresponding pixel of the display.
  • the emission side of the display is partially or completely freely accessible. This applies to part of the
  • Correction circuits or for all correction circuits This makes it possible to actuate the correction circuits from the emission side.
  • the back of the display is freely accessible.
  • the back is opposite the emission side and, as intended, no light generated in the display is emitted on the back. This applies to part or all of the correction circuits.
  • the correction circuit is preferably only partially freely accessible.
  • Fuses apply, but need not be the case.
  • a transistor of the correction circuit are spatially separate from the fuse and can be located within the carrier.
  • the primary emitters and the secondary emitters are each formed by their own LED chips.
  • the primary emitter and the secondary emitters are each formed by their own LED chips.
  • Secondary emitters have a common semiconductor layer sequence and / or be monolithically integrated.
  • a manufacturing method for a display is specified, in particular for a display, as described in connection with one or more of the above-mentioned embodiments. Features of the display are therefore also disclosed for the manufacturing process and vice versa.
  • this includes
  • correction circuits the correction circuits have not yet been actuated
  • correction circuits it is also possible that the actuation of the correction circuit means that the secondary emitter is switched off and an emission only takes place via the primary emitter. In this case, both the primary emitter and the secondary emitter can emit light when the correction circuit is not actuated.
  • the at least one defective primary emitter has functional ones
  • Primary emitters have an electrical resistance increased by at least a factor of 3 or 5 or 10 or 100. Alternatively, the electrical resistance of the defective primary emitter compared to the functional primary emitters is at least a factor of 2 or 5 or 10 or 100 lower. Both primary emitters with increased and primary emitters with reduced resistance can be present in the display, depending on the defect or fault in the primary emitter in question.
  • the proportion of defective primary emitters on the display is at most 0.2% or 1% or 5%.
  • this proportion of defective primary emitters is at least 10 or 10 or 10 ⁇ or 1 per thousand or 3 per thousand.
  • Figure 1 is a schematic sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a
  • Figure 3 is a schematic circuit diagram of one here
  • Figure 4 is a schematic circuit diagram of one here
  • Figure 5 is a schematic circuit diagram of one here
  • Figure 6 is a schematic circuit diagram of one here
  • Figure 7 is a schematic plan view of a severable
  • FIGS. 8 and 9 are schematic sectional views of
  • FIG. 1 An exemplary embodiment of a display 1 is shown in FIG.
  • the display 1 has a large number of pixels 2, only one pixel 2 being drawn to simplify the illustration.
  • Pixel 2 includes one
  • Emitter unit 21 for generating red light one
  • Emitter unit 22 for generating green light and an emitter unit 23 for generating blue light The
  • Emitter units 21, 22, 23 can be operated independently of one another.
  • the emitter units 21, 22, 23 have a semiconductor layer sequence 60.
  • the emitter units 21, 22, 23 can be made from the same semiconductor layer sequence 60
  • the display 1 can thus be a yLED display.
  • Phosphors that are not shown can be present for setting the emission colors, in particular for the generation of green and red light by means of full conversion from blue light or also for the generation of green, red and also blue light in each case by means of full conversion from UV radiation.
  • the semiconductor layer sequence 60 has an active zone 66 for generating radiation. It is possible that second
  • Contact electrodes 62 are passed through the active zone 66 from a rear side 15 to an emission side 10.
  • an n-side is the
  • a p-side of the semiconductor layer sequence 60 on the carrier 5 can, for example, have a flat first
  • Contact electrodes 61 may be contacted. The first
  • Contact electrode 61 can extend continuously over all emitter units 21, 22, 23. To simplify the
  • Contact electrodes 62 are designed in particular as a cathode and the first contact electrode 61 accordingly as an anode.
  • the emitter units 21, 22, 23 are controlled, for example, via control circuits 52, which can be integrated in the carrier 5.
  • the carrier 5 is, for example, a silicon carrier.
  • the carrier 5 is, for example, a printed circuit board.
  • Control circuits 52 include, in particular, transistors, current sources, interfaces, address units and / or
  • the carrier 5 can also be a so-called
  • the second contact electrode 62 in each case individual emitters 31, 32 is limited and that the second contact electrodes 62 are connected as a common cathode. That is, the then individual first contact electrodes 61 can in this case be electrically connected directly to the
  • Control circuits 52 may be connected.
  • Each of the emitter units 21, 22, 23 comprises one
  • the emitters 31, 32 are designed as LED units.
  • Secondary emitter 32 is redundancy to the primary emitters
  • Correction circuit 4 available. At least some of the correction circuits 4 are preferably freely accessible,
  • FIG. 1 A further exemplary embodiment of the display 1 is illustrated in FIG. Unlike in Figure 1, the
  • Emitter units 21, 22, 23 are preferably removed at least through the active zone 66.
  • FIG. 2 also illustrates that all emitters 31,
  • Control circuit 52 can be controlled.
  • the emitters 31, 32 of the respective emitter units 21, 22, 23 are preferably LED units which are electrically independent of one another.
  • Correction circuits 4 on the back 15 are freely accessible. A high fill factor of the emission side 10 with the emitter units 21, 22, 23 is thus possible.
  • the emitters 31, 32 within the emitter units 21, 22, 23 are at a smaller distance from one another than adjacent emitter units 21, 22, 23 from one another, it is also possible, in deviation from the illustration in FIG. 2, for the respectively assigned exposed areas of the correction circuits 4 are attached between the adjacent emitter units 21, 22, 23 on the emission side 10.
  • FIGS. 3 to 6 show different interconnections of the primary emitter 31 and the secondary emitter 32 with the
  • FIG. 4 shows a parallel connection structure with a fuse and with a possible burn-in.
  • Figure 5 is on a
  • Series circuit structure directed with a MOS-FET and Figure 6 relates to a series circuit structure with an anti-fuse.
  • the circuit of FIG. 3 has the primary emitter 31 and the secondary emitter 32, which are in principle electrically connected in parallel, so that the emitters 31, 32 have at least one common electrode.
  • a primary fuse F1 is electrically connected in series to the primary emitter 31.
  • a transistor TI is electrically connected in series to the secondary emitter 32, the secondary emitter 32 being located along a source-drain path of the transistor TI.
  • Control electrode G also referred to as gate, is connected to a positive supply voltage Vp via a second fuse F2 and to a negative supply voltage Vn via a resistor R.
  • the primary emitter 31 is defective and forms a "short” or an "open", this will be tested when the Displays 1 detected.
  • the two fuses F1, F2 of the correction circuit 4 are then disconnected in a defined manner and the associated electrical connections are interrupted. This is done, for example, using a laser. By opening the fuse F2, the transistor T is turned on and the secondary emitter 32 can emit light as a replacement for the primary emitter 31.
  • the transistor T is preferably chosen so that the
  • the threshold voltage of the transistor T is less than the sum of the forward voltage of the secondary emitter 32 and the voltage on the drain-source path.
  • the primary emitter 31 is separated.
  • the gate-source path of the transistor T which was previously short-circuited, is now pulled via the resistor R to the negative supply voltage Vn.
  • the transistor T is turned on and the secondary emitter 32 can emit light.
  • Primary emitter 31 a "short" with a reduced
  • the emitter unit 21, 22, 23 lights up normally, the secondary emitter 32 being used as the light source instead of the primary emitter 31.
  • Primary emitter 31 there is nothing more to be done. In the case of a comparatively ideal “open”, ie in the case of a defective primary emitter 31 with one opposite
  • the fuse F1 can also be cut through, since the primary emitter 31 carries practically no current. In the case of a "shorts", both fuses F1, F2 must be opened.
  • Emitters 31, 32 are connected to a negative supply voltage Vn with low resistance.
  • Series circuits 31, Fl and 32, F2 can also the positions of the emitters 31, 32 and the fuses Fl, F2
  • the emitters 31, 32 are connected to the transistor T in the direction of the positive supply voltage Vp.
  • the transistor T can be the power transistor of the emitter unit 21, 22, 23.
  • a control electrode G of the transistor T is connected to a control voltage Vc, with a
  • Capacitor C can be a source circuit of the transistor T.
  • the control voltage Vc can be the same as the supply voltage Vp during operation of the display 1, on the other hand, when the correction circuit 4 is actuated, the control voltage Vc is different from the supply voltage Vp.
  • the transistor T is preferably a MOS-FET, in particular a PFET, as in all others
  • the transistor T corresponds to the power transistor of the subpixel 21, 22, 23 and the control voltage Vc one
  • Supply voltage Vp is set to a voltage which corresponds to the voltage drop of the emitters 31, 32 at nominal current. These are, for example, approximately 6 V for semiconductor emitters based on InGaN, for example for green and blue light, and approximately 4 V for semiconductor emitters based on InGaAlP for red light.
  • the control voltage Vc is set to a minimum value, for example approximately 0.2 V, determined by the driver for the source of the transistor T. Furthermore, the negative
  • the intact emitter 31, 32 carries the current, which cuts off the transistor T, since the voltage drop across the emitter 31, 32 at the nominal current corresponds to the total available voltage drop.
  • a correction via the correction circuit 4 is thus possible in a purely electronic manner without additional work steps from outside such as disconnecting fuses having to be necessary, in particular if the emitters 31, 32 can both be operated simultaneously, if both Emitter 31, 32
  • correction circuit 4 can thus optionally be completely integrated in a carrier 5.
  • the emitters 31, 32 are electrically connected in series.
  • the transistor T is connected in parallel to the primary emitter 31 and the fuse F1 to the secondary emitter 32.
  • the control electrode G of the transistor T is connected to the positive via a second fuse F2
  • Supply voltage Vp connected and via a resistor R to the negative supply voltage Vn.
  • a current source I is also present.
  • control electrode G of the transistor T which is manufactured, for example, in PMOS technology, is connected to the positive supply voltage Vp
  • the primary emitter 31 shows an "open" with an increased resistance, neither of the emitters 31, 32 lights up.
  • the two fuses F1, F2 are opened, for example by means of laser radiation.
  • the control electrode G of the transistor T is pulled via the resistor R to the negative supply voltage Vn, as a result of which the transistor T is switched to a low resistance.
  • the primary emitter 31 is bridged and current is only conducted via the secondary emitter 32.
  • the primary emitter 31 shows an "open” with an increased resistance.
  • the fuse F2 could also optionally be cut. The practically short-circuited primary emitter 31 would not be bridged by the transistor T and the current for the secondary emitter 32 would flow via the "short" of the primary emitter 31.
  • control voltage Vc, the positive supply voltage Vp, the capacitor C and the transistor T can be one
  • a corresponding power source can also be used in all others
  • Embodiments are used.
  • an action on the correction circuit 4 can only be carried out in the event of an error. If both emitters 31, 32 are intact, only the primary emitter 31 lights up.
  • the emitters 31, 32 are electrically connected in series.
  • An anti-fuse A is connected in parallel to the primary emitter 31 and one is connected to the secondary emitter 32
  • the anti-fuse A is not conductive in the normal state.
  • the anti-fuse A is designed in such a way that, in the case of voltages higher than the maximum forward voltage of the primary emitter 31, it is also alloyed through to a safety buffer. If the primary emitter 31 is defective, the
  • Fuse F can be separated, for example, by means of laser radiation, as a result of which the secondary emitter 32 is switched on as a replacement LED unit.
  • the previously short-circuited secondary emitter 32 can now serve as a replacement, and current only flows via the secondary emitter 32 and the primary emitter 31 to be treated as a short circuit.
  • the fuse F is interrupted, for example by means of a laser.
  • the current source becomes switched on and the primary emitter 31 is interrupted in accordance with an "open", the current source goes into it
  • the anti-fuse A is switched on, ie short-circuits due to alloying, for example. If the fuse F is interrupted, current can flow through the secondary emitter 32 and the anti-fuse A and the secondary emitter 32 lights up.
  • a fuse F is described schematically in FIG.
  • the associated conductor track 51 has one
  • FIG. 8 illustrates that the emitter units 21, 22, 23 of the display 1 are formed by separate LED chips 7.
  • the LED chips 7 can depend on the desired one
  • FIGS. 1 to 7 are based, for example, on InGaN with different indium contents for generating blue and green light and on InAlGaP for generating red light. Otherwise, the explanations for FIGS. 1 to 7 apply accordingly.
  • Emitter units 21, 22, 23 each by separate LED chips 7 formed.
  • the correction circuits 4 and the control circuits 52 can be at least partially integrated in the carrier 5.
  • the emitters 31, 32 can be electrically controlled individually via the first contact electrodes 61.
  • the emitters 31, 32 have a common second contact electrode 62, which is designed in particular as a common cathode.
  • a transparent conductive layer 63 is formed over the emitter units 21, 22, 23.
  • the transparent conductive layer 63 is
  • the transparent conductive layer 63 preferably represents a component of the correction circuits 4.
  • a filler 64 is optionally present between the emitters 31, 32 for planarization.
  • the filling 64 is preferably transparent or opaque, in particular black.
  • the filling 64 is preferably not reflective, in particular not diffusely reflective.
  • FIG. 10 A top view of FIG. 10, which is based on FIG. 9, illustrates one possible implementation of the circuit, in particular from FIG. 3.
  • the defective primary emitters 31 are cut out of the layer 63 serving as a common cathode with laser cuts 81. This corresponds to cutting the fuse F1 in FIG. 3.
  • the fuse F2, which can run below the fuse F2, is preferably cut at the same time. With that is pre-curative
  • Fuse F2 is placed below the laser cutting area provided for the fuse Fl, in order to do both with just one cut Cut fuses Fl and F2. This saves process time.
  • the prerequisite for the laser cuts 81 is generally that the laser is set so that it only cuts the fuse F1 and / or the fuse F2 and no other function blocks. For example, all important electrical lines and / or components that should not be damaged by the laser are advantageously placed where no laser cutting is provided.
  • FIG. 10 Variants of FIG. 10 are illustrated in FIG. In the emitter unit 21, the fuse F2 is through the
  • the fuse F2 can be guided through the laser cutting area in various forms.
  • the fuse F2 is cut through with its own laser cut 82.
  • Both anode feed lines for the primary emitter 31 and for the secondary emitter 32 can act as a migration fuse, in the present case as a constriction

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Abstract

In einer Ausführungsform umfasst das Display (1) eine Vielzahl von Pixeln (2). Die Pixel (2) weisen zumindest eine Emittereinheit (21, 22, 23) auf. Die Emittereinheiten (21, 22, 23) umfassen je einen Primäremitter (31) und einen Sekundäremitter (32) zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe, wobei der Sekundäremitter (32) dem Primäremitter (31) der entsprechenden Emittereinheit (21, 22, 23) zugeordnet ist. Die Primäremitter (31) und die Sekundäremitter (32) basieren auf mindestens einem Halbleitermaterial.Ferner umfassen die Emittereinheiten (21, 22, 23) je eine Korrekturschaltung (4). Die Korrekturschaltungen (4) sind jeweils dazu eingerichtet, bei einem Defekt des zugehörigen Primäremitters (31) die Erzeugung von Licht vom Primäremitter (31) auf den zugeordneten Sekundäremitter (32) umschalten zu können.

Description

Beschreibung
DISPLAY UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN DISPLAY
Es wird ein Display angegeben. Darüber hinaus wird ein
Herstellungsverfahren für ein Display angegeben.
Die Druckschrift WO 2017/167812 Al betrifft ein LED-Modul mit redundanten Subpixeln.
Aus der Druckschrift US 2016/0190110 Al ist ein Display mit Mikro-LEDs bekannt.
Die Druckschriften US 2007/0215854 Al, US 2014/0139499 Al und US 2015/0264757 Al betreffen Verfahren zur Korrektur einer Lichtemission eines LED-Arrays bei einzelnen defekten LED- Einheiten .
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein Display anzugeben, bei dem die Auswirkungen von defekten Subpixeln effizient behebbar sind.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Display und durch ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Insbesondere umfasst das hier beschriebene Display redundante Subpixel, die über eine Korrekturschaltung anstatt eines Primäremitters zur Lichtemission verwendet werden können, zum Beispiel durch ein Freischalten mittels der
KorrekturSchaltung . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Display eine Vielzahl von Pixeln, auch als Bildpunkte bezeichnet. Die Pixel sind dazu eingerichtet, entsprechend einem
Ansteuersignal Licht zu emittieren, insbesondere farbiges Licht. Bei den Pixeln kann es sich um RGB-Pixel handeln, die Subpixel zur Erzeugung von grünem Licht, rotem Licht sowie blauem Licht aufweisen. Mittels der Pixel kann das Display farbige Bilder und/oder Filme darstellen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen mindestens einige der Pixel eine Emittereinheit auf. Bevorzugt weisen mindestens die Hälfte der Pixel oder mindestens 90 % der Pixel oder alle Pixel eine Emittereinheit auf. Die
Emittereinheit kann ein Subpixel bilden. Damit ist die
Emittereinheit insbesondere zur Erzeugung von rotem Licht, blauem Licht oder grünem Licht vorgesehen.
Bevorzugt ist jedes Subpixel der Pixel durch eine
entsprechende Emittereinheit gebildet. Das heißt, es kann pro Pixel sowohl eine rot emittierende Emittereinheit als auch eine blau emittierende Emittereinheit und eine grün
emittierende Emittereinheit vorhanden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die
Emittereinheiten je mindestens einen Primäremitter und mindestens einen Sekundäremitter auf. Der oder die
Primäremitter sowie Sekundäremitter sind zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe eingerichtet. Der mindestens eine Sekundäremitter ist dem mindestens einen Primäremitter der betreffenden Emittereinheit zugeordnet. Insbesondere umfassen die Emittereinheiten jeweils genau einen Primäremitter und genau einen Sekundäremitter. Gemäß zumindest einer Ausführungsform basieren die Primäremitter und die Sekundäremitter auf einem oder auf mehreren Halbleitermaterialien. Insbesondere basieren die Primäremitter und die je zugeordneten Sekundäremitter auf dem gleichen Halbleitermaterial. Dazu umfassen die Primäremitter und die Sekundäremitter bevorzugt jeweils eine
Halbleiterschichtenfolge. Die Primäremitter und die
Sekundäremitter können aus derselben Halbleiterschichtenfolge gebildet sein. Insbesondere sind die Primäremitter und die Sekundäremitter als Leuchtdiodeneinheiten, kurz LED- Einheiten, gestaltet.
Die Halbleiterschichtenfolgen basieren bevorzugt auf
zumindest einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem zumindest einen Halbleitermaterial handelt es sich zum
Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamN und/oder um ein Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial wie
AlnIn]__n-mGamP und/oder um ein Arsenid-
Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamAs oder wie AlnGamIn]__n-mAs P]_-k, wobei jeweils 0 d n < 1, 0 d m < 1 und n + m < 1 sowie 0 d k < 1 ist. Bevorzugt gilt für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der
Halbleiterschichtenfolge 0 < n < 0,8, 0,4 < m < 1 und
n + m < 0,95 sowie 0 < k < 0,5. Dabei kann die
Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Emittereinheiten je eine oder mehrere Korrekturschaltungen, insbesondere genau eine Korrekturschaltung. Die
Korrekturschaltung ist dazu eingerichtet, bei einem Defekt des Primäremitters die Erzeugung von Licht vom Primäremitter auf den zugeordneten Sekundäremitter umschalten zu können. Dieses Umschalten kann automatisch erfolgen oder durch eine Veränderung oder Anpassung der Korrekturschaltung
durchgeführt werden, beispielsweise durch das Unterbrechen oder durch das Hinzufügen elektrischer Verbindungen und/oder durch das Durchschalten oder Sperren von Schalteinheiten wie Transistoren, insbesondere Feldeffekttransistoren. Die
Transistoren sind bevorzugt als Dünnfilmtransistoren, kurz TFT, insbesondere im oder am Träger ausgebildet.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Display eine Vielzahl von Pixeln. Mindestens einige der Pixel weisen eine Emittereinheit auf. Die Emittereinheiten umfassen je einen Primäremitter und einen Sekundäremitter zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe, wobei der Sekundäremitter dem
Primäremitter der entsprechenden Emittereinheit zugeordnet ist. Die Primäremitter und die Sekundäremitter basieren auf mindestens einem Halbleitermaterial. Ferner umfassen die Emittereinheiten je eine Korrekturschaltung. Die
Korrekturschaltungen sind jeweils dazu eingerichtet, bei einem Defekt des zugehörigen Primäremitters die Erzeugung von Licht vom Primäremitter auf den zugeordneten Sekundäremitter umschalten zu können.
Bei den hier beschriebenen Displays handelt es sich bevorzugt um Mikro-LED-Aktivmatrix-Displays , bei der jedes Pixel einer Zelle mit drei LED-Einheiten, gleich den Subpixeln,
entspricht. Bei den drei LED-Einheiten handelt es sich bevorzugt jeweils um eine rot, eine grün und eine blau emittierende LED-Einheit. Die LED-Einheiten innerhalb der Zellen, also innerhalb der Pixel, werden insbesondere mit einem konstanten Strom betrieben, beispielsweise mittels Impulsweitenmodulation .
Eine fehlerhafte Bestückung des Display-Panels mit Mikro-LEDs oder Defekte innerhalb der LED-Einheiten können bei einzelnen LEDs zu einer verminderten Betriebsspannung bis hin zu einem Kurzschluss führen. Dieser Fall kann im Folgenden auch als "Short" bezeichnet werden, wobei der Widerstand im Vergleich zu funktionstüchtigen LED-Einheiten dann vergleichsweise gering ist und als gegen Null gehend betrachtet werden kann.
Zum anderen können solche Fehler oder Defekte bei einzelnen LED-Einheiten zu einer erhöhten Betriebsspannung bis hin zu einem offenen Kontakt führen. Dieser Fall kann im Folgenden auch als "Open" bezeichnet werden, da der Widerstand der entsprechenden LED-Einheit gegenüber funktionierenden LED- Einheiten signifikant erhöht ist und als gegen Unendlich gehend betrachtet werden kann.
Die Fehler oder Defekte gehen insbesondere nicht oder nur zu einem kleinen Teil auf die LED-Einheiten selbst zurück, sondern stammen ganz oder überwiegend von einem Bestücken mit und/oder elektrischen Kontaktieren der LED-Einheiten.
Tritt einer dieser beiden Fälle auf, so kann die betreffende LED-Einheit nicht mehr mit den vorgegebenen Parametern betrieben werden und die entsprechende Zelle, also das entsprechende Pixel, gilt als defekt. Tritt in einer Parallelschaltung von LED-Einheiten ein "Open" auf, so fließt vermehrt Strom über die zusätzliche LED- Einheit. Handelt es sich um einen sogenannten echten "Open" mit R - °°, so fließt der gesamte Strom über die zusätzliche LED-Einheit und das zugehörige Pixel ist intakt. Wenn in dieser Schaltung bei einer der LEDs jedoch ein "Short" auftritt, so fließt vermehrt Strom über diesen Zweig. Handelt es sich um einen sogenannten echten "Short" mit R - 0, so fließt der komplette Strom über diesen Zweig und keine der LED-Einheiten leuchtet. Es ist somit bei einer reinen
Parallelschaltung nicht möglich zu identifizieren, welche der beiden LED-Einheiten einen "Short" aufweist.
Tritt entsprechend in einer Serienschaltung bei einer der beiden LED-Einheiten ein echter "Open" auf mit R - °°, so fließt durch keine der beiden LED-Einheiten Strom und das Pixel ist defekt. Wenn in dieser Schaltung bei einer der LED- Einheiten ein echter "Short" mit R - 0 auftritt, so kann die zweite LED-Einheit ordnungsgemäß betrieben werden und das Pixel ist intakt.
Weder mit einer reinen Serienschaltung noch mit einer reinen Parallelschaltung von LED-Einheiten lassen sich die beiden genannten Fehlerfälle, also "Short" oder "Open", nachhaltig abfangen. Zudem gilt die obige Betrachtung für herkömmliche, reine Parallelschaltungen und Serienschaltungen
strenggenommen nur, falls ein idealer "Short" oder "Open" vorliegt mit R = 0 oder R = . Ist dies nicht der Fall, so sind weitere Prozessschritte nötig, um die defekten Zweige aufzutrennen. Insbesondere können bei reinen
Parallelschaltungen und Serienschaltungen auch in dem Fall, dass beide LED-Einheiten funktionsfähig sind, zusätzliche sequentielle Prozessschritte erforderlich sein, um die gewünschten Betriebsparameter und die gewollte
Abstrahlcharakteristik zu erzielen.
Um die mit reinen Parallelschaltungen und Serienschaltungen verbundenen Probleme zu lösen, weist das hier beschriebene Display die Korrekturschaltungen auf, die auf verschiedene Arten und Weisen realisiert sein können. Damit lassen sich Parallelschaltungen und Serienschaltungen redundant
implementierter LED-Einheiten effizient zur Korrektur einer Emissionscharakteristik und zur Reparatur von ansonsten defekten Pixeln verwenden.
Somit kann insbesondere durch schaltungstechnische Maßnahmen eine Defektdichte im Display signifikant reduziert werden. Dabei kann eine von zwei LED-Einheiten als
schaltungstechnisch bevorzugte LED-Einheit festgelegt werden, entsprechend dem Primäremitter. Damit ist es möglich, dass in dem Fall, dass der Primäremitter funktionsfähig ist, keine weiteren Maßnahmen ergriffen werden müssen. Ist der
Primäremitter defekt, wird bevorzugt mit einer
durchzuführenden Maßnahme die zweite LED-Einheit, also der Sekundäremitter, schaltungstechnisch aktiviert. Solche
Maßnahmen sind beispielsweise das Auflasern von Leiterbahnen, sogenannte elektrisch verursachte Burn-in-Prozesse zum
Durchlegieren von Sicherungseinheiten oder ähnliches.
Bei dem hier beschriebenen Display lassen sich also
Fehlerfälle wie "Shorts" und "Opens" in Pixeln abfangen. Eine Realisierung in einer Aktivmatrix-Struktur ist möglich. Durch die Redundanz der LED-Einheiten in den Emittereinheiten sind signifikante Steigerungen bei der Ausbeute im Rahmen der Herstellung möglich. Die Schaltungsausführungen machen einen zusätzlichen Reparaturprozessschritt an der Korrekturschaltung bevorzugt nur dann notwendig, wenn eine LED-Einheit defekt ist, speziell wenn der Primäremitter defekt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Sekundäremitter jeweils eineindeutig einem der Primäremitter zugeordnet. Somit besteht zwischen den Sekundäremittern und den Primäremittern eine 1:1 Zuordnung. Bevorzugt sind die Primäremitter und Sekundäremitter baugleich. Das heißt, im Rahmen der Herstellungstoleranzen gibt es zwischen dem
Primäremitter und dem zugeordneten Sekundäremitter bevorzugt keine oder keine signifikanten Abweichungen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform emittiert der
Sekundäremitter der betreffenden Emittereinheit kein Licht, solange die Korrekturschaltung nicht betätigt ist. Das heißt, der Sekundäremitter ist dann standardmäßig inaktiv.
Alternativ ist es möglich, dass sowohl der Primäremitter als auch der Sekundäremitter zur Strahlungsemission und zur
Lichterzeugung vorgesehen sind, wenn die Korrekturschaltung noch nicht betätigt ist. Dann wird bevorzugt einer der
Emitter beim in diesem Fall optionalen Betätigen der
Korrekturschaltung deaktiviert.
Sind sowohl der Primäremitter als auch der Sekundäremitter aktiv, solange die Korrekturschaltung nicht betätigt ist, so können die Rollen des Primäremitters und des Sekundäremitters vertauschbar sein, das heißt Primäremitter und
Sekundäremitter können bei unbetätigter Korrekturschaltung gleichberechtigt und/oder ununterscheidbar sein. Mit anderen Worten ist dann die Unterteilung in Primäremitter und Sekundäremitter ohne Bedeutung für den Status als primäre oder sekundäre Lichtquelle.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Korrekturschaltung einen oder mehrere Transistoren, eine oder mehrere durchtrennbare Sicherungen und/oder eine oder mehrere Antisicherungen. Auftrennbare Sicherungen werden auch als Fuse bezeichnet, Antisicherungen auch als Antifuse.
Antisicherungen sind beispielsweise in dem englischsprachigen Wikipedia-Eintrag zu "Antifuse" wiedergegeben. Der Begriff "auftrennbare Sicherungen" schließt Sicherungen ein, die über ein mechanisches oder optisches Bearbeiten wie
Laserbestrahlung aufgetrennt werden, als auch Sicherungen, die bei einer zu großen Stromstärke selbsttätig unterbrechen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Primäremitter und der zugeordneten Sekundäremitter einer Emittereinheit elektrisch seriell verschaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in den
Emittereinheiten dem Primäremitter jeweils eine Antisicherung elektrisch parallel geschaltet. Alternativ oder zusätzlich ist dem Sekundäremitter eine durchtrennbare Sicherung
elektrisch parallel geschaltet. Dies gilt insbesondere in dem Fall, dass der Primäremitter und der Sekundäremitter
elektrisch seriell verschaltet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in den
Emittereinheiten dem Primäremitter jeweils ein
Feldeffekttransistor elektrisch parallel geschaltet.
Alternativ oder zusätzlich ist dem Sekundäremitter eine durchtrennbare Sicherung elektrisch parallel geschaltet. Dies gilt speziell in dem Fall, dass der Primäremitter und der zugeordneten Sekundäremitter elektrisch seriell verschaltet sind .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine
Steuerelektrode des Feldeffekttransistors mit einer negativen wie auch mit einer positiven Versorgungsspannung verbunden, solange die Korrekturschaltung nicht betätigt ist. Dabei kann zum Beispiel zwischen der negativen Versorgungsspannung und der Steuerelektrode ein Widerstand angebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors, nachdem die Korrekturschaltung betätigt wurde, nur noch mit der negativen
Versorgungsspannung verbunden. Somit befindet sich nach dem Betätigen der Korrekturschaltung zwischen der
Steuerelektrode, auch als Gate bezeichnet, und der positiven Versorgungsspannung bevorzugt eine durchtrennte Sicherung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind einem Widerstand und dem Sekundäremitter eine gemeinsame Elektrode niederohmig zugeordnet. Dies gilt insbesondere bei einer Serienschaltung des Primäremitters und des zugeordneten Sekundäremitters. Dabei verbindet der Widerstand bevorzugt lediglich eine
Steuerelektrode eines dem Primäremitter zugeordneten
Transistors mit der negativen Versorgungsspannung, um beim Auftrennen einer Sicherung den Transistor durchzusteuern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Primäremitter und der zugeordneten Sekundäremitter elektrisch parallel verschaltet. Dies bedeutet hier und im Folgenden
insbesondere, dass der Primäremitter und der zugeordnete Sekundäremitter niederohmig mit einer gemeinsamen Elektrode, insbesondere mit einer gemeinsamen Kathode, verbunden sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle Primäremitter und alle Sekundäremitter oder Gruppen von Primäremittern und zugeordneten Sekundäremittern niederohmig an eine gemeinsame Elektrode, insbesondere an eine gemeinsame Kathode,
angebunden, zumindest, solange die zugehörige
Korrekturschaltung noch nicht betätigt wurde. Der Begriff „Gruppe" meint insbesondere mindestens 100 oder 1000 oder 10000 Primäremitter und zugeordnete Sekundäremitter.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind eine erste
durchtrennbare Sicherung und der Primäremitter elektrisch seriell verschaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der
Sekundäremitter und ein Feldeffekttransistor elektrisch seriell verschaltet. Dies bedeutet insbesondere, dass der Sekundäremitter mit einem Emitter des Feldeffekttransistors, auch als Drain bezeichnet, elektrisch verbunden ist. Dies ist zum Beispiel bei einer elektrischen Parallelschaltung des Primäremitters und des Sekundäremitters der Fall.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine
Steuerelektrode des Feldeffekttransistors, der dem
Sekundäremitter elektrisch seriell verschaltet ist, über eine zweite durchtrennbare Sicherung mit einer positiven
Versorgungsspannung und/oder über einen Widerstand mit einer negativen Versorgungsspannung verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die erste und die zweite durchtrennbaren Sicherungen, solange die
Korrekturschaltung noch nicht betätigt wurde, noch
durchverbunden. Das heißt, die erste und die zweite durchtrennbare Sicherung werden beim Betätigen der Korrekturschaltung durchtrennt und die entsprechenden
elektrischen Verbindungen werden unterbrochen. Der Begriff „noch nicht betätigt" bezieht sich insbesondere auf die
Korrekturschaltung im Urzustand, wie ursprünglich gefertigt. Der Urzustand liegt bevorzugt dauerhaft für die
funktionierenden Emittereinheiten vor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Primäremitter und der Sekundäremitter je mit einer durchtrennbaren
Sicherung elektrisch in Serie geschaltet. Dies gilt
insbesondere bei einer Parallelschaltung des Primäremitters zum Sekundäremitter.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Primäremitter und der Sekundäremitter je elektrisch mit einem
Feldeffekttransistor elektrisch niederohmig verbunden, solange die Korrekturschaltung noch nicht betätigt wurde.
Nach dem Betätigen der Korrekturschaltung gilt dies bevorzugt nur entweder für den Primäremitter oder für den
Sekundäremitter. Niederohmig bedeutet insbesondere eine unmittelbare elektrische Verbindung über eine elektrische Leiterbahn ohne zwischengeschaltete dezidierte Widerstände oder andere elektrische Komponenten wie Kondensatoren oder Spulen oder Transistoren.
Insbesondere bedeutet niederohmig einen Leitungswiderstand oder Verbindungswiderstand von höchstens 10 Q oder 3 Q oder 1 Q.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der
Feldeffekttransistor vor dem Betätigen der Korrekturschaltung niederohmig mit dem Primäremitter und dem Sekundäremitter verbunden. Der Transistor kann in einer Sourceschaltung verschaltet sein. Die Steuerelektrode, auch als Gate
bezeichnet, kann mit einer variablen Steuerspannung verbunden sein. Beim Betätigen der Korrekturschaltung ist die
Steuerspannung bevorzugt niedriger als in einem regulären Betrieb des entsprechenden Pixels des Displays.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Korrekturschaltungen der Emissionseinheiten von einer
Emissionsseite des Displays her teilweise oder vollständig frei zugänglich. Dies gilt für einen Teil der
Korrekturschaltungen oder auch für alle Korrekturschaltungen. Hierdurch ist es möglich, die Korrekturschaltungen von der Emissionsseite her zu betätigen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Korrekturschaltungen der Emissionseinheiten von einer
Rückseite des Displays her teilweise oder vollständig frei zugänglich. Dabei liegt die Rückseite der Emissionsseite gegenüber und bestimmungsgemäß wird an der Rückseite kein im Display erzeugtes Licht abgestrahlt. Dies gilt für einen Teil oder für alle Korrekturschaltungen.
Bevorzugt ist die Korrekturschaltung nur teilweise frei zugänglich. Insbesondere liegen nur die Sicherungen, die zu einem Auftrennen zum Beispiel mittels Laserstrahlung
vorgesehen sind, frei zugänglich insbesondere an einer
Trägeraußenseite, sowie optional elektrische Leiterbahnen als Zuführung zu solchen Sicherungen. Gleiches kann für
Antisicherungen und für rein elektrisch auftrennbare
Sicherungen gelten, braucht hierfür jedoch nicht der Fall zu sein. Insbesondere kann ein Transistor der Korrekturschaltung räumlich von der Sicherung getrennt vorliegen und kann innerhalb des Trägers lokalisiert sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Primäremitter und die Sekundäremitter jeweils durch eigene LED-Chips gebildet. Alternativ können die Primäremitter und die
Sekundäremitter über eine gemeinsame Halbleiterschichtenfolge verfügen und/oder monolithisch integriert sein.
Darüber hinaus wird ein Herstellungsverfahren für ein Display angegeben, insbesondere für ein Display, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Displays sind daher auch für das Herstellungsverfahren offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das
Herstellungsverfahren die folgenden Schritte, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:
- Bereitstellen der Emittereinheiten mit den
Korrekturschaltungen, wobei die Korrekturschaltungen noch nicht betätigt wurden,
- Testen der Emittereinheiten, wobei festgestellt wird, ob zumindest ein Primäremitter defekt ist und gegebenenfalls welcher oder welche Primäremitter defekt sind, und
- Betätigen zumindest der Korrekturschaltungen, denen ein defekter Primäremitter zugeordnet ist, sodass der zugehörige Sekundäremitter dauerhaft zur Lichterzeugung eingerichtet ist .
Alternativ zu einem Umschalten von dem Primäremitter zum Sekundäremitter durch Betätigen der betreffenden
Korrekturschaltungen ist es auch möglich, dass das Betätigen der Korrekturschaltung bedeutet, dass der Sekundäremitter abgeschaltet wird und eine Emission nur über den Primäremitter erfolgt. In diesem Fall können bei nicht betätigter Korrekturschaltung sowohl der Primäremitter als auch der Sekundäremitter Licht emittieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der zumindest eine defekte Primäremitter gegenüber funktionsfähigen
Primäremittern einen um mindestens einen Faktor 3 oder 5 oder 10 oder 100 erhöhten elektrischen Widerstand auf. Alternativ liegt der elektrische Widerstand des defekten Primäremitters gegenüber den funktionsfähigen Primäremittern um mindestens einen Faktor 2 oder 5 oder 10 oder 100 niedriger. In dem Display können sowohl Primäremitter mit erhöhtem als auch Primäremitter mit verringertem Widerstand vorliegen, je nach Defekt oder Fehler beim betreffenden Primäremitter.
Zum Beispiel liegt der Anteil defekter Primäremitter an dem Display, bezogen auf eine Anzahl der gesamten Primäremitter, bei höchstens 0,2 % oder 1 % oder 5 %. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Anteil defekter Primäremitter bei mindestens 10- oder 10- oder 10-^ oder 1 Promille oder 3 Promille .
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Display unter
Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen: Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
Displays ,
Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
Displays ,
Figur 3 eine schematische Schaltskizze einer hier
beschriebenen Emittereinheit mit einer
Korrekturschaltung bei elektrisch parallel verschalteten Emittern,
Figur 4 eine schematische Schaltskizze einer hier
beschriebenen Korrekturschaltung bei elektrisch parallel geschalteten Emittern,
Figur 5 eine schematische Schaltskizze einer hier
beschriebenen Korrekturschaltung bei elektrisch seriell verschalteten Emittern,
Figur 6 eine schematische Schaltskizze einer hier
beschriebenen Korrekturschaltung bei elektrisch seriell verschalteten Emittern,
Figur 7 eine schematische Draufsicht auf eine durchtrennbare
Sicherung,
Figuren 8 und 9 schematische Schnittdarstellungen von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Displays, und Figuren 10 bis 12 schematische Draufsichten auf
Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Displays .
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines Displays 1 gezeichnet. Das Display 1 weist eine Vielzahl von Pixeln 2 auf, wobei zur Vereinfachung der Darstellung nur ein einziges Pixel 2 gezeichnet ist. Das Pixel 2 umfasst eine
Emittereinheit 21 zur Erzeugung von rotem Licht, eine
Emittereinheit 22 zur Erzeugung von grünem Licht und eine Emittereinheit 23 zur Erzeugung von blauem Licht. Die
Emittereinheiten 21, 22, 23 sind unabhängig voneinander betreibbar. Dazu weisen die Emittereinheiten 21, 22, 23 eine Halbleiterschichtenfolge 60 auf. Die Emittereinheiten 21, 22, 23 können aus derselben Halbleiterschichtenfolge 60
hergestellt sein. Insbesondere basiert die
Halbleiterschichtenfolge 60 auf dem Materialsystem AlInGaN und/oder AlInGaP. Damit kann das Display 1 ein yLED-Display sein .
Zur Einstellung der Emissionsfarben können jeweils nicht gezeichnete Leuchtstoffe vorhanden sein, insbesondere zur Erzeugung von grünem und rotem Licht mittels Vollkonversion aus blauem Licht oder auch zur Erzeugung von grünem, rotem und auch blauem Licht jeweils mittels Vollkonversion aus UV- Strahlung .
Die Halbleiterschichtenfolge 60 weist eine aktive Zone 66 zur Strahlungserzeugung auf. Es ist möglich, dass zweite
Kontaktelektroden 62 von einer Rückseite 15 her hin zu einer Emissionsseite 10 durch die aktive Zone 66 hindurchgeführt sind. Damit ist insbesondere eine n-Seite der
Halbleiterschichtenfolge 60 an einer einem Träger 5 abgewandten Seite nahe an der Emissionsseite 10 über die zweiten Kontaktelektroden 62 elektrisch kontaktiert.
Insbesondere eine p-Seite der Halbleiterschichtenfolge 60 an dem Träger 5 kann über beispielsweise flächige erste
Kontaktelektroden 61 kontaktiert sein. Die erste
Kontaktelektrode 61 kann sich über alle Emittereinheiten 21, 22, 23 durchgehend erstrecken. Zur Vereinfachung der
Darstellung sind elektrische Isolierungen zwischen den
Kontaktelektroden 61, 62 nicht gezeichnet. Die zweiten
Kontaktelektroden 62 sind insbesondere als Kathode und die erste Kontaktelektrode 61 demgemäß als Anode konzipiert.
Eine Ansteuerung der Emittereinheiten 21, 22, 23 erfolgt beispielsweise über Steuerschaltungen 52, die in dem Träger 5 integriert sein können. Bei dem Träger 5 handelt es sich beispielsweise um einen Siliziumträger. Alternativ ist der Träger 5 zum Beispiel eine Leiterplatte. Die
Steuerschaltungen 52 umfassen insbesondere Transistoren, Stromquellen, Schnittstellen, Adresseinheiten und/oder
Speicherbausteine .
Es kann sich bei dem Träger 5 auch um eine sogenannte
Backplane aus Glas oder Polyimid mit aufgebrachten
Halbleiterschichten für die Transistoren, kurz TFT für thin film transistor, und mit Strukturen aus Indium-Gallium-Zink- Oxid, kurz IGZO, und/oder aus Niedertemperatursilizium, auch als Low Temperature Poly Silicon oder kurz LTPS bezeichnet, handeln. Dies gilt auch für alle anderen
Ausführungsbeispiele .
Abweichend von der Darstellung in Figur 1 ist es genauso möglich, dass die zweite Kontaktelektrode 62 jeweils auf einzelne Emitter 31, 32 beschränkt ist und dass die zweiten Kontaktelektroden 62 als gemeinsame Kathode geschaltet sind. Das heißt, die dann einzelnen ersten Kontaktelektroden 61 können in diesem Fall elektrisch direkt mit den
Steuerschaltungen 52 verbunden sein.
Jede der Emittereinheiten 21, 22, 23 umfasst einen
Primäremitter 31 und einen Sekundäremitter 32. Die Emitter 31, 32 sind als LED-Einheiten gestaltet. Über die
Sekundäremitter 32 ist eine Redundanz zu den Primäremittern
31 erreicht.
Um die Primäremitter 31 und die zugeordneten Sekundäremitter
32 der jeweiligen Emittereinheiten 21, 22, 23 anzusprechen, ist in den Emittereinheiten 21, 22, 23 je eine
Korrekturschaltung 4 vorhanden. Bevorzugt ist mindestens ein Teil der Korrekturschaltungen 4 frei zugänglich,
beispielsweise an dem Träger 5 von der Emissionsseite 10 her. Es können entsprechende Leiterbahnen 51 zur elektrischen Verdrahtung vorhanden sein.
Externe elektrische Anschlussstellen für das Display 1 sind zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnet.
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Displays 1 illustriert. Anders als in Figur 1 erstreckt sich die
Halbleiterschichtenfolge 60 durchgehend über alle
Emittereinheiten 21, 22, 23 hinweg, wobei die
Halbleiterschichtenfolge 60 zwischen benachbarten
Emittereinheiten 21, 22, 23 bevorzugt bis mindestens durch die aktive Zone 66 hindurch entfernt ist. Weiterhin ist in Figur 2 illustriert, dass alle Emitter 31,
32 einer Emittereinheit 21, 22, 23 über die gleiche
Steuerschaltung 52 angesteuert werden können. Auch hierbei sind die Emitter 31, 32 der jeweiligen Emittereinheiten 21, 22, 23 bevorzugt elektrisch voneinander unabhängige LED- Einheiten .
Weiterhin ist es gemäß Figur 2 möglich, dass Teile der
Korrekturschaltungen 4 an der Rückseite 15 frei zugänglich sind. Damit ist ein hoher Füllfaktor der Emissionsseite 10 mit den Emittereinheiten 21, 22, 23 möglich.
Weisen die Emitter 31, 32 innerhalb der Emittereinheiten 21, 22, 23 einen kleineren Abstand zueinander auf als benachbarte Emittereinheiten 21, 22, 23 zueinander, so ist es abweichend von der Darstellung in Figur 2 auch möglich, dass die jeweils zugeordneten freiliegenden Bereiche der Korrekturschaltungen 4 zwischen den benachbarten Emittereinheiten 21, 22, 23 an der Emissionsseite 10 angebracht sind.
Die verschiedenen Varianten der Anbringung der freiliegenden Teile der Korrekturschaltungen 4, der Steuerschaltungen 52 sowie der Gestaltung der Halbleiterschichtenfolge 60, insbesondere zwischen den Emittereinheiten 21, 22, 23, wie in den Figuren 1 und 2 dargestellt, können auch unterschiedlich miteinander kombiniert werden.
In den Figuren 3 bis 6 sind verschiedene Verschaltungen der Primäremitter 31 und der Sekundäremitter 32 mit den
zugehörigen Korrekturschaltungen 4 für die Emittereinheiten 21, 22, 23 illustriert. Figur 3 zeigt eine
Parallelschaltungsstruktur mit einem
Metalloxidfeldeffekttransistor, kurz MOS-FET. Figur 4 zeigt eine Parallelschaltungsstruktur mit einer Sicherung und mit einem möglichen Einbrennen. Figur 5 ist auf eine
Serienschaltungsstruktur mit einem MOS-FET gerichtet und Figur 6 betrifft eine Serienschaltungsstruktur mit einer AntiSicherung .
Mit allen Beispielen gemäß der Figuren 3 bis 6 können an den Emittern 31, 32 auftretende "Shorts", bei denen ein
Widerstand erheblich reduziert ist, als auch "Opens", bei denen ein Widerstand gegenüber funktionierenden Emittern erheblich erhöht ist, abgefangen werden.
Die Schaltung der Figur 3 weist den Primäremitter 31 und den Sekundäremitter 32 auf, die im Prinzip elektrisch parallel geschaltet sind, sodass die Emitter 31, 32 zumindest eine gemeinsame Elektrode aufweisen. Dem Primäremitter 31 ist elektrisch eine erste Sicherung Fl in Serie geschaltet. Dem Sekundäremitter 32 ist ein Transistor TI elektrisch in Serie geschaltet, wobei sich der Sekundäremitter 32 entlang eines Source-Drain-Pfades des Transistors TI befindet. Eine
Steuerelektrode G, auch als Gate bezeichnet, ist über eine zweite Sicherung F2 mit einer positiven Versorgungsspannung Vp verbunden und über einen Widerstand R mit einer negativen Versorgungsspannung Vn .
Beim Beispiel der Figur 3 gibt es eine Haupt-LED in Form des Primäremitters 31, die leuchtet, falls sie funktionsfähig ist. Leuchtet der Primäremitter 31 bei einem Funktionstest, ist hinsichtlich der Verschaltung nichts weiter zu
unternehmen .
Sollte der Primäremitter 31 defekt sein und einen "Short" oder einen "Open" bilden, wird dies bei einem Testen des Displays 1 detektiert. Daraufhin werden die beiden Sicherungen Fl, F2 der Korrekturschaltung 4 definiert aufgetrennt und die zugeordneten elektrischen Verbindungen werden unterbrochen. Dies erfolgt beispielsweise mittels eines Lasers. Durch das Öffnen der Sicherung F2 wird der Transistor T leitend geschaltet und der Sekundäremitter 32 kann als Ersatz für den Primäremitter 31 Licht emittieren.
Der Transistor T wird bevorzugt so gewählt, dass die
Schwellenspannung des Transistors T kleiner ist als die Summe der Vorwärtsspannung des Sekundäremitters 32 und der Spannung an der Drain-Source-Strecke .
Durch das Unterbrechen der Sicherung Fl beispielsweise mittels Laser wird der Primäremitter 31 weggetrennt. Durch das Unterbrechen der Sicherung F2, beispielsweise wiederum mittels Laser, wird die Gate-Source-Strecke des Transistors T, die zuvor kurzgeschlossen war, nun über den Widerstand R auf die negative Versorgungsspannung Vn gezogen. Dadurch wird der Transistor T leitend geschalten und der Sekundäremitter 32 kann Licht emittieren.
Dieses Vorgehen ist gleich, unabhängig davon, ob der
Primäremitter 31 einen "Short" mit einem reduzierten
elektrischen Widerstand oder einen "Open" mit einem erhöhten elektrischen Widerstand als Fehler aufzeigt. Im Ergebnis leuchtet die Emittereinheit 21, 22, 23 normal, wobei anstatt des Primäremitters 31 der Sekundäremitter 32 als Lichtquelle benutzt wird.
Sind beide Emitter 31, 32 defekt, so ist der Fehler mit der Schaltung der Figur 3 nicht behebbar. Funktioniert der
Primäremitter 31, ist nichts weiter zu unternehmen. Im Falle eines vergleichsweise idealen „Open", also im Falle eines defekten Primäremitters 31 mit einem gegenüber
funktionierenden Primäremittern 31 um mindestens einen Faktor 10 oder 50 oder 100 oder gegen unendlich erhöhten Widerstand, kann auf das Durchtrennen der Sicherung Fl auch verzichtet werden, da der Primäremitter 31 praktisch keinen Strom führt. Im Falle eines „Shorts" sind beide Sicherungen Fl, F2 zu öffnen .
Bei der Schaltung der Figur 4 sind die Emitter 31, 32
elektrisch parallel geschaltet und jeweils mit einer der Sicherungen Fl, F2 elektrisch in Serie geschaltet. Die
Emitter 31, 32 sind an eine negative Versorgungsspannung Vn niederohmig angebunden. In den entsprechenden
Serienschaltungen 31, Fl sowie 32, F2 können die Positionen der Emitter 31, 32 und der Sicherungen Fl, F2 auch
miteinander vertauscht sein.
Hin zur positiven Versorgungsspannung Vp sind die Emitter 31, 32 mit dem Transistor T verbunden. Bei dem Transistor T kann es sich um den Leistungstransistor der Emittereinheit 21, 22, 23 handeln. Eine Steuerelektrode G des Transistors T ist mit einer Steuerspannung Vc verbunden, wobei über einen
Kondensator C eine Source-Schaltung des Transistors T gegeben sein kann. Die Steuerspannung Vc kann im Betrieb des Displays 1 gleich der Versorgungsspannung Vp sein, beim Betätigen der Korrekturschaltung 4 dagegen ist die Steuerspannung Vc dagegen verschieden von der Versorgungsspannung Vp . Es kann eine sogenannte 2T1C-Pixeltreiberschaltung vorliegen. Bei dem Transistor T handelt es sich bevorzugt um einen MOS-FET, insbesondere um einen PFET, wie auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen möglich. Somit entspricht der Transistor T dem Leistungstransistor des Subpixels 21, 22, 23 und die Steuerspannung Vc einem
Eingangssignal der Emitter 31, 32. Sind beide Emitter 31, 32 intakt, so teilt sich der Strom entsprechend der
Innenwiderstände der LED-Einheiten 31, 32 auf. Ist dies nicht gewünscht, so könnte eine der Sicherungen Fl, F2
beispielsweise mittels eines Lasers aufgetrennt werden.
Ist einer der Emitter 31, 32 im Fehlerfall "Open" und zeigt damit einen sehr hohen Widerstand auf, muss nichts weiter unternommen werden. Der Strom fließt dann durch den intakten Emitter 32 , 31.
Bildet einer der Emitter 31, 32 dagegen einen Kurzschluss aus, also einen "Short", so wird die positive
Versorgungsspannung Vp auf eine Spannung gelegt, die dem Spannungsabfall der Emitter 31, 32 bei Nennstrom entspricht. Dies sind beispielsweise ungefähr 6 V bei Halbleiteremittern auf Basis von InGaN etwa für grünes und blaues Licht und ungefähr 4 V bei Halbleiteremittern auf Basis von InGaAlP für rotes Licht.
Die Steuerspannung Vc wird auf einen minimalen Wert gelegt, beispielsweise ungefähr 0,2 V, bestimmt durch den Treiber für die Source des Transistors T. Ferner wird die negative
Versorgungsspannung Vn auf 0 gelegt.
Damit wird die Spannung zwischen Gate und Source am
Transistor T maximal und Strom fließt durch den
kurzgeschlossenen Emitter 31, 32. Dabei wird abhängig von der Auslegung und Ausprägung des Kurzschlusses der Strom
bevorzugt mindestens 2-fach oder 3-fach, beispielsweise ungefähr 4-fach, gegenüber einem Nennstrom erhöht. Hierdurch erfolgt aufgrund der vergleichsweise großen Stromstärke ein Öffnen der zugehörigen Sicherung Fl, F2.
Nach dem Öffnen der betreffenden Sicherung Fl, F2 trägt der intakte Emitter 31, 32 den Strom, womit der Transistor T abgeschnürt wird, da der Spannungsabfall über den Emitter 31, 32 beim Nennstrom dem gesamten verfügbaren Spannungsabfall entspricht .
Beim Beispiel der Figur 4 ist somit eine Korrektur über die Korrekturschaltung 4 auf rein elektronischem Wege möglich, ohne dass zusätzliche Arbeitsschritte von außerhalb wie ein Auftrennen von Sicherungen erforderlich zu sein braucht, insbesondere wenn die Emitter 31, 32 beide gleichzeitig betrieben werden dürfen, falls beide Emitter 31, 32
funktionsfähig sind. Damit kann die Korrekturschaltung 4 optional vollständig in einen Träger 5 integriert sein.
Beim Ausführungsbeispiel der Figur 5 sind die Emitter 31, 32 elektrisch in Serie geschaltet. Dem Primäremitter 31 ist der Transistor T parallel geschaltet, dem Sekundäremitter 32 die Sicherung Fl. Die Steuerelektrode G des Transistors T ist über eine zweite Sicherung F2 mit der positiven
Versorgungsspannung Vp verbunden und über einen Widerstand R mit der negativen Versorgungsspannung Vn . Weiterhin ist eine Stromquelle I vorhanden.
Sind beide Emitter 31, 32 intakt, so ist die Steuerelektrode G des Transistors T, der beispielsweise in PMOS-Technologie gefertigt ist, an die positive Versorgungsspannung Vp
geklemmt, via der Sicherung F2. Damit ist der Transistor T hochohmig geschalten. Ist die Sicherung Fl geschlossen, wird der Strom vollständig nur durch den Primäremitter 31 geführt und es ist keine Aktion hinsichtlich der Korrekturschaltung 4 nötig, insbesondere kein Lasertrennen.
Zeigt der Primäremitter 31 einen "Open" mit einem erhöhten Widerstand auf, so leuchtet keiner der Emitter 31, 32. In diesem Fall werden die beiden Sicherungen Fl, F2 aufgetrennt, beispielsweise mittels Laserstrahlung. Die Steuerelektrode G des Transistors T wird über den Widerstand R auf die negative Versorgungsspannung Vn gezogen, wodurch der Transistor T niederohmig geschaltet wird. Dadurch wird der Primäremitter 31 überbrückt und Strom wird nur über den Sekundäremitter 32 geführt .
Zeigt der Sekundäremitter 32 einen "Open" oder "Short" auf, ist keine Aktion notwendig.
Zeigt der Primäremitter 31 einen "Short" mit einem
reduzierten Widerstand auf, wird analog zu dem Fall
vorgegangen, dass der Primäremitter 31 einen "Open" mit einem erhöhten Widerstand aufzeigt. Im „Short"-Fall könnte auch auf das Durchtrennen der Sicherung F2 optional verzichtet werden. Damit würde der praktisch kurzgeschlossene Primäremitter 31 nicht durch den Transistor T gebrückt und der Strom für den Sekundäremitter 32 würde über den „Short" des Primäremitters 31 fließen.
Die Steuerspannung Vc, die positive Versorgungsspannung Vp, der Kondensator C sowie der Transistor T können eine
klassische Treiberschaltung für Emittereinheiten mit einem Speicherkondensator und einem Treibertransistor bilden und können damit die Steuerschaltung 52 formen. Eine entsprechende Stromquelle kann auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen verwendet werden.
Wie auch beim Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist damit beim Beispiel der Figur 5 nur im Fehlerfall eine Aktion an der Korrekturschaltung 4 durchzuführen. Sind beide Emitter 31, 32 intakt, leuchtet nur der Primäremitter 31.
Im Beispiel der Figur 6 sind die Emitter 31, 32 elektrisch in Serie geschaltet. Dem Primäremitter 31 ist eine Antisicherung A parallel geschaltet und dem Sekundäremitter 32 eine
Sicherung F.
Ist der Primäremitter 31 funktionsfähig, ist nichts weiter zu unternehmen. Die Antisicherung A ist im Normalzustand nicht leitend. Die Antisicherung A wird so ausgelegt, dass sie bei Spannungen höher als der maximalen Vorwärtsspannung des Primäremitters 31 zusätzlich zu einem Sicherheitspuffer durchlegiert. Ist der Primäremitter 31 defekt, kann die
Sicherung F beispielsweise mittels Laserstrahlung aufgetrennt werden, wodurch der Sekundäremitter 32 als Ersatz-LED-Einheit hinzugeschaltet wird.
Zeigt somit der Primäremitter 31 einen "Short" mit einem reduzierten Widerstand auf, so wird die Sicherung F
beispielsweise mittels Lasern unterbrochen. Der bisher kurzgeschlossene Sekundäremitter 32 kann nun als Ersatz dienen und Strom fließt nur über den Sekundäremitter 32 sowie den als Kurzschluss zu behandelnden Primäremitter 31.
Zeigt der Primäremitter 31 einen "Open" mit einem erhöhten Widerstand auf, so erfolgt beispielsweise mittels Laser ein Unterrechen der Sicherung F. Wird die Stromquelle angeschaltet und ist der Primäremitter 31 entsprechend einem "Open" unterbrochen, so geht die Stromquelle in ihr
Spannungsmaximum, welches an der Antisicherung A anliegt. Die Antisicherung A wird leitend geschaltet, schließt also beispielsweise aufgrund von Durchlegieren kurz. Wird die Sicherung F unterbrochen, kann Strom über den Sekundäremitter 32 und die Antisicherung A fließen und der Sekundäremitter 32 leuchtet .
In Figur 7 ist schematisch eine Sicherung F beschrieben.
Beispielsweise weist die zugehörige Leiterbahn 51 eine
Einschnürung 59 auf, die sich bei einer bestimmten
Stromstärke erhitzt und aufschmilzt, sodass die Leiterbahn 51 unterbrochen wird.
Es gibt zusätzlich noch die Möglichkeit, die Sicherung F mittels Migration aufzutrennen, was einen Unterschied zum thermischen Aufschmelzen darstellt. Dieser Effekt wird als Elektromigration bezeichnet und könnte gezielt angewandt werden, um Leiterbahnen nicht durch Überhitzung
wegzuschmelzen, sondern durch Migration aufzutrennen.
In Figur 8 ist illustriert, dass die Emittereinheiten 21, 22, 23 des Displays 1 durch separate LED-Chips 7 gebildet sind. Die LED-Chips 7 können abhängig von der gewünschten
Emissionsfarbe auf unterschiedlichen Materialsystemen
basieren, beispielsweise auf InGaN mit unterschiedlichen Indiumgehalten zur Erzeugung von blauem und grünem Licht und auf InAlGaP zur Erzeugung von rotem Licht. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 7 entsprechend.
Auch beim Ausführungsbeispiel der Figur 9 sind die
Emittereinheiten 21, 22, 23 jeweils durch separate LED-Chips 7 gebildet. Die Korrekturschaltungen 4 sowie die Steuerschaltungen 52 können zumindest zum Teil im Träger 5 integriert sein. Die Emitter 31, 32 sind über die ersten Kontaktelektroden 61 elektrisch einzeln ansteuerbar. Zudem verfügen die Emitter 31, 32 über eine gemeinsame zweite Kontaktelektrode 62, die insbesondere als gemeinsame Kathode gestaltet ist.
Dazu ist ausgehend von metallischen Anschlussstellen der zweite Kontaktelektrode 62 eine transparente leitfähige Schicht 63 über die Emittereinheiten 21, 22, 23 hinweg geformt. Die transparente leitfähige Schicht 63 ist
beispielsweise aus ITO. Die transparente leitfähige Schicht 63 stellt bevorzugt eine Komponente der Korrekturschaltungen 4 dar .
Optional ist zur Planarisierung zwischen den Emittern 31, 32 eine Füllung 64 vorhanden. Die Füllung 64 ist bevorzugt transparent oder lichtundurchlässig, insbesondere schwarz. Zur Erhöhung eines Kontrasts zwischen den Pixeln 2 ist die Füllung 64 bevorzugt nicht reflektierend, insbesondere nicht diffus reflektierend.
In der Draufsicht der Figur 10, die auf Figur 9 basiert, ist eine Realisierungsmöglichkeit der Schaltung insbesondere aus Figur 3 veranschaulicht. Mit Laserschnitten 81 werden die defekten Primäremitter 31 aus der als gemeinsame Kathode dienenden Schicht 63 freigeschnitten. Dies entspricht einer Durchtrennung der Sicherung Fl in Figur 3. Bevorzugt wird gleichzeitig die Sicherung F2 durchtrennt, die unterhalb der Sicherung F2 verlaufen kann. Damit ist vorheilhaft die
Sicherung F2 unterhalb den für die Sicherung Fl vorgesehenen Laserschnittbereich gelegt, um mit nur einem Schnitt beide Sicherungen Fl und F2 zu durchtrennen. Dies spart Prozesszeit .
Voraussetzung für die Laserschnitte 81 ist im Allgemeinen, dass der Laser so eingestellt wird, dass er nur die Sicherung Fl und/oder die Sicherung F2 durchtrennt und keine anderen Funktionsbausteine. Vorteilhaft werden zum Beispiel alle wichtigen elektrischen Leitungen und/oder Komponenten, die nicht vom Laser beschädigt werden sollen, dort platziert, wo kein Laserschnitt vorgesehen ist.
In Figur 11 sind Varianten zu Figur 10 illustriert. Bei der Emittereinheit 21 ist die Sicherung F2 durch den
Laserschnittbereich für die Sicherung Fl gelegt, um beide Sicherungen Fl und F2 mit nur einem Schnitt zu trennen. Die Sicherung F2 kann dabei in vielfältigen Formen durch den Laserschnittbereich geführt werden.
Eine alternative Ausführung für die Sicherung F2 ist zur Emittereinheit 22 veranschaulicht. Hierbei wird die Sicherung F2 mit einem eigenen Laserschnitt 82 durchtrennt.
Basierend auf Figur 9 ist in Figur 12 eine Realisierung der Schaltung aus Figur 4 gezeigt. Beide Anodenzuleitungen für den Primäremitter 31 und für den Sekundäremitter 32 können als Migrations-Fuse wirken, vorliegend als Verengung
dargestellt .
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 120 730.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 Display
10 Emissionsseite
15 Rückseite
2 Pixel
2 1, 22, 23 Emittereinheit
31 Primäremitter
32 Sekundäremitter
4 KorrekturSchaltung
5 Träger
51 Leiterbahn
52 SteuerSchaltung
5 9 Einschnürung
60 Halbleiterschichtenfolge
61 erste Kontaktelektrode
62 zweite Kontaktelektrode
63 transparente leitfähige Schicht
64 Füllung
66 aktive Zone
7 LED-Chip
8 1 Laserschnitt
82 Laserschnitt
A Antisicherung (antifuse)
C Kondensator
F Sicherung (fuse)
G Steuerelektrode des Feldeffekttransistors
I Stromquelle
R Widerstand
T Feldeffekttransistor
Vc SteuerSpannung
Vn negative Versorgungsspannung
Vp positive Versorgungsspannung

Claims

Patentansprüche
1. Display (1) mit einer Vielzahl von Pixeln (2),
wobei
- mindestens einige der Pixel (2) eine Emittereinheit (21, 22, 23) aufweisen,
- die Emittereinheiten (21, 22, 23) je einen Primäremitter
(31) und einen Sekundäremitter (32) zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe aufweisen und der Sekundäremitter dem Primäremitter (31) zugeordnet ist,
- die Primäremitter (31) und die Sekundäremitter (32) auf zumindest einem Halbleitermaterial basieren,
- die Emittereinheiten (21, 22, 23) je eine
Korrekturschaltung (4) umfassen,
- die Korrekturschaltung (4) bei einem Defekt des
Primäremitters (31) dazu eingerichtet ist, die Erzeugung von Licht vom Primäremitter (31) auf den zugeordneten
Sekundäremitter (32) umschalten zu können,
- der Primäremitter (31) und der zugeordnete Sekundäremitter
(32) elektrisch seriell verschaltet sind, und
- in den Emittereinheiten (21, 22, 23) jeweils dem
Primäremitter (31) eine Antisicherung (A) oder ein
Feldeffekttransistor (T) und dem Sekundäremitter (32) eine durchtrennbare Sicherung (F) elektrisch parallel geschaltet sind .
2. Display (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem die Sekundäremitter (32) jeweils eineindeutig einem Primäremitter (31) zugeordnet sind und die einander
zugeordneten Primäremitter (31) und Sekundäremitter (32) baugleich sind.
3. Display (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Sekundäremitter (32) der betreffenden
Emittereinheit (21, 22, 23) kein Licht emittiert, solange die Korrekturschaltung (4) nicht betätigt ist.
4. Display (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Korrekturschaltung (4) zumindest einen Transistor (T) , eine durchtrennbare Sicherung (F) und eine Antisicherung (A) umfasst.
5. Display (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in den Emittereinheiten (21, 22, 23) jeweils dem Primäremitter (31) eine Antisicherung (A) und dem
Sekundäremitter (32) eine durchtrennbare Sicherung (F) elektrisch parallel geschaltet sind.
6. Display (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem in den Emittereinheiten (21, 22, 23) jeweils dem Primäremitter (31) ein Feldeffekttransistor (T) und dem
Sekundäremitter (32) eine durchtrennbare Sicherung (F) parallel geschaltet sind.
7. Display (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem eine Steuerelektrode (G) des Feldeffekttransistors (T) , solange die Korrekturschaltung (4) nicht betätigt ist, mit einer negativen als auch mit einer positiven
Versorgungsspannung (Vn, Vp) verbunden ist,
wobei die Steuerelektrode (G) , wenn die Korrekturschaltung (4) betätigt wurde, über einen Widerstand (R) nur noch mit der negativen Versorgungsspannung (Vn) verbunden ist.
8. Display (1) mit einer Vielzahl von Pixeln (2),
wobei
- mindestens einige der Pixel (2) eine Emittereinheit (21, 22, 23) aufweisen,
- die Emittereinheiten (21, 22, 23) je einen Primäremitter
(31) und einen Sekundäremitter (32) zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe aufweisen und der Sekundäremitter dem Primäremitter (31) zugeordnet ist,
- die Primäremitter (31) und die Sekundäremitter (32) auf zumindest einem Halbleitermaterial basieren,
- die Emittereinheiten (21, 22, 23) je eine
Korrekturschaltung (4) umfassen,
- die Korrekturschaltung (4) bei einem Defekt des
Primäremitters (31) dazu eingerichtet ist, die Erzeugung von Licht vom Primäremitter (31) auf den zugeordneten
Sekundäremitter (32) umschalten zu können, und
- der Primäremitter (31) und der zugeordneten Sekundäremitter
(32) elektrisch niederohmig mit einer gemeinsamen Elektrode verbunden sind.
9. Display (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem eine erste durchtrennbare Sicherung (F) und der
Primäremitter (31) elektrisch seriell verschaltet sind, wobei der Sekundäremitter (32) und ein Feldeffekttransistor (T) elektrisch seriell verschaltet sind.
10. Display (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem eine Steuerelektrode (G) des Feldeffekttransistors (T) über eine zweite durchtrennbare Sicherung (F) mit einer positiven Versorgungsspannung (Vp) und über einen Widerstand (R) mit einer negativen Versorgungsspannung (Vp) verbunden ist,
wobei die durchtrennbaren Sicherungen (F) , wenn die
Korrekturschaltung (4) noch nicht betätigt wurde, noch durchverbunden sind.
11. Display (1) nach Anspruch 8,
bei dem der Primäremitter (31) und der Sekundäremitter (32) je mit einer durchtrennbaren Sicherung (F) elektrisch seriell verschaltet sind,
wobei der Primäremitter (31) und der Sekundäremitter (32) je elektrisch mit einem Feldeffekttransistor (T) elektrisch niederohmig verbunden sind, solange die Korrekturschaltung (4) noch nicht betätigt wurde.
12. Display (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem der Feldeffekttransistor (T) , der zum Betätigen der Korrekturschaltung (4) vorgesehen ist, gleichzeitig ein
Leistungstransistor für die zugeordnete Emittereinheit (21, 22, 23) ist .
13. Display (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Korrekturschaltungen (4) der Emissionseinheiten (21, 22, 23) je von einer Emissionsseite (10) des Displays her zumindest zum Teil frei zugänglich sind.
14. Display (1) nach einem der beiden vorhergehenden
Ansprüche,
bei dem die Korrekturschaltungen (4) der Emissionseinheiten (21, 22, 23) je von einer Rückseite (15) des Displays her zumindest zum Teil frei zugänglich sind und an der Rückseite (15) bestimmungsgemäß kein im Display erzeugtes Licht
abgestrahlt wird.
15. Herstellungsverfahren für ein Display (1) nach einem der vorherigen Ansprüche mit den folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge:
- Bereitstellen der Emittereinheiten (21, 22, 23) mit den Korrekturschaltungen (4), wobei die Korrekturschaltungen (4) noch nicht betätigt wurden, - Testen der Emittereinheiten (21, 22, 23), wobei festgestellt wird, ob zumindest ein Primäremitter (31) defekt ist, und
- Betätigen zumindest der Korrekturschaltungen (4), denen ein defekter Primäremitter (31) zugeordnet ist, sodass der zugehörige Sekundäremitter (32) dauerhaft zur Lichterzeugung eingerichtet wird.
16. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei der zumindest eine defekte Primäremitter (31) gegenüber funktionsfähigen Primäremittern (31) einen um mindestens einen Faktor 3 erhöhten oder einen um mindestens einen Faktor 2 reduzierten elektrischen Widerstand aufzeigt.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137413A (ja) * 1994-11-08 1996-05-31 Hitachi Ltd 半導体発光素子表示装置
US20070215854A1 (en) 2006-03-03 2007-09-20 Chen-Jean Chou Electrical compensation and fault tolerant structure for light emitting device array
US20140139499A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Apple Inc. Redundant operation of a backlight unit of a display device under a shorted led condition
US20140319486A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display
US20150264757A1 (en) 2012-10-08 2015-09-17 Koninklijke Philips N.V. Methods and apparatus for compensating a removal of leds from an led array
US20160190110A1 (en) 2013-08-21 2016-06-30 Osram Opto Semiconductiors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Chip
WO2017167812A1 (de) 2016-04-01 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes modul und anzeigevorrichtung mit diesem
US20170309224A1 (en) * 2016-04-26 2017-10-26 Oculus Vr, Llc Display with redundant light emitting devices
US20180007750A1 (en) * 2016-03-21 2018-01-04 X-Celeprint Limited Electrically parallel fused leds

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260818A (en) * 1992-05-11 1993-11-09 Industrial Technology Research Institute Display panel provided with repair capability of defective elements
WO2001056000A2 (en) * 2000-01-25 2001-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent element
GB201609878D0 (en) * 2016-06-06 2016-07-20 Microsoft Technology Licensing Llc Redundancy in a display comprising autonomous pixels

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137413A (ja) * 1994-11-08 1996-05-31 Hitachi Ltd 半導体発光素子表示装置
US20070215854A1 (en) 2006-03-03 2007-09-20 Chen-Jean Chou Electrical compensation and fault tolerant structure for light emitting device array
US20150264757A1 (en) 2012-10-08 2015-09-17 Koninklijke Philips N.V. Methods and apparatus for compensating a removal of leds from an led array
US20140139499A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Apple Inc. Redundant operation of a backlight unit of a display device under a shorted led condition
US20140319486A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display
US20160190110A1 (en) 2013-08-21 2016-06-30 Osram Opto Semiconductiors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Chip
US20180007750A1 (en) * 2016-03-21 2018-01-04 X-Celeprint Limited Electrically parallel fused leds
WO2017167812A1 (de) 2016-04-01 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes modul und anzeigevorrichtung mit diesem
US20170309224A1 (en) * 2016-04-26 2017-10-26 Oculus Vr, Llc Display with redundant light emitting devices

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