WO2020004176A1 - 基板構造体 - Google Patents

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WO2020004176A1
WO2020004176A1 PCT/JP2019/024301 JP2019024301W WO2020004176A1 WO 2020004176 A1 WO2020004176 A1 WO 2020004176A1 JP 2019024301 W JP2019024301 W JP 2019024301W WO 2020004176 A1 WO2020004176 A1 WO 2020004176A1
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heat transfer
heat
substrate
thermistor
transfer pattern
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PCT/JP2019/024301
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俊悟 平谷
秀哲 田原
有延 中村
尚熙 鄭
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株式会社オートネットワーク技術研究所
住友電装株式会社
住友電気工業株式会社
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    • H05K2201/10196—Variable component, e.g. variable resistor

Definitions

  • the present invention relates to a substrate structure including a substrate.
  • This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2018-12155 filed on Jun. 26, 2018, and incorporates all the contents described in the Japanese application.
  • a conductive member also referred to as a bus bar or the like
  • a circuit for conducting a relatively large current is fixed to a substrate on which a conductive pattern constituting a circuit for conducting a relatively small current is formed.
  • Substrate structures are generally known.
  • Patent Literature 1 discloses a battery sensor device that fixes a substrate on which a thermistor is mounted to a mounting portion that is in contact with a terminal (heat source) of a battery and detects heat of the battery.
  • the substrate structure according to an aspect of the present disclosure is a substrate structure including: an electronic component that generates heat; and a sensor mounted on a substrate that is spaced apart from the electronic component and that detects a temperature of the electronic component.
  • FIG. 2 is a front view of the electric device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded view of the electric device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic view of the substrate structure of the electric device according to the first embodiment as viewed from below.
  • FIG. 4 is a vertical sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing the vicinity of a heat transfer member in FIG. 4 in an enlarged manner.
  • FIG. 2 is a partial schematic diagram of the circuit board of the board structure according to the first embodiment when viewed from above.
  • FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of a thermistor in the substrate structure according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a partial schematic view of a circuit board of the board structure according to Embodiment 3 when viewed from above.
  • FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of a thermistor in a substrate structure according to a fourth embodiment.
  • FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of a thermistor in a substrate structure according to a fifth embodiment.
  • the circuit related to the conductive member includes an electronic component that generates heat
  • the sensor and the control circuit that perform the monitoring are also provided on the substrate side so as not to be affected by heat. Must be provided.
  • the substrate is provided separately from the circuit related to the conductive member, it is difficult to transmit heat generated by the electronic component to the sensor side, and it is difficult to accurately detect the temperature by the sensor.
  • the sensor includes heat (temperature) of the electronic component. It is an object of the present invention to provide a substrate structure that can accurately detect the substrate structure.
  • a substrate structure includes a substrate structure including: an electronic component that generates heat; and a sensor that is mounted on a substrate that is spaced apart from the electronic component and that detects a temperature of the electronic component. , A heat transfer pattern formed surrounding the sensor and a heat transfer member that transfers heat from the electronic component to the heat transfer pattern.
  • the heat transfer member transfers the heat to the heat transfer pattern. Therefore, the sensor surrounded by the heat transfer pattern can detect the temperature of the electronic component via the heat transfer pattern.
  • the heat transfer pattern is a land portion remote from the other pattern, conduction of heat of the heat transfer pattern to the other pattern is suppressed. Therefore, it is possible to prevent the heat of the heat transfer pattern from affecting other electronic components via the other pattern.
  • the heat transfer member has a plurality of ends surrounding the sensor on the substrate side.
  • the heat transfer member has a plurality of ends, and the plurality of ends surround the sensor. Therefore, heat from the electronic component transmitted through the heat transfer member is easily transmitted to the sensor, and the sensor can more accurately detect the temperature of the electronic component.
  • a part of the space exists between the sensor and the substrate, and a part of the heat transfer pattern is formed at the space.
  • the sensor can more accurately detect the temperature of the electronic component.
  • the substrate has a structure of a plurality of layers, and is located at a position corresponding to the sensor in a thickness direction of the substrate in a layer other than a mounting layer of the sensor. And an internal heat transfer pattern formed in contact with the heat transfer member.
  • the internal heat transfer pattern is formed at a position corresponding to the sensor in the thickness direction of the substrate, heat is also transmitted to the sensor from inside the substrate (internal heat transfer pattern). . Therefore, the sensor can more accurately detect the temperature of the electronic component.
  • the substrate structure according to an aspect of the present disclosure includes a conductive member that transfers heat of the heat conductive member to the sensor.
  • the conduction member directly conducts heat of the heat conduction member to the sensor. Therefore, the sensor can more accurately detect the temperature of the electronic component.
  • FIG. 1 is a front view of the electric device 1 according to the first embodiment
  • FIG. 2 is an exploded view of the electric device 1 according to the first embodiment.
  • the electric device 1 constitutes an electric connection box arranged on a power supply path between a power supply such as a battery included in a vehicle and a load including a vehicle-mounted electric component such as a lamp and a wiper or a motor.
  • the electric device 1 is used as an electronic component such as a DC-DC converter and an inverter.
  • the “front”, “rear”, “left”, “right”, “upper”, and “lower” of the electric device 1 are referred to as front and rear, left and right, and up and down directions shown in FIGS. Is defined.
  • the configuration of the electric device 1 will be described using the front, rear, left, right, and upper and lower directions defined as above.
  • the electric device 1 includes the substrate structure 10 and a support member 20 that supports the substrate structure 10.
  • the board structure 10 includes a circuit board 12 having a circuit pattern, a bus bar forming a power circuit, electronic components mounted on the circuit board and the bus bar, and the like (not shown).
  • the electronic components are appropriately mounted according to the use of the electric device 1, and include switching elements such as FETs (Field Effect Transistors), resistors, coils, capacitors, and the like.
  • the support member 20 has a base 21 having a support surface 211 for supporting the substrate structure 10 on an upper surface, a heat radiator 22 provided on a surface (lower surface 212) opposite to the support surface 211, and a heat radiator 22 therebetween. And a plurality of legs 23 provided at both left and right ends of the base 21.
  • the base 21, the radiator 22, and the legs 23 of the support member 20 are integrally formed by, for example, die casting using a metal material such as aluminum or an aluminum alloy.
  • the base 21 is a rectangular flat plate member having an appropriate thickness.
  • the substrate structure 10 is fixed to the support surface 211 of the base 21 by a known method such as adhesion, screwing, or soldering.
  • the heat dissipating portion 22 includes a plurality of heat dissipating fins 221 protruding downward from the lower surface 212 of the base 21 and dissipates heat generated from the substrate structure 10 to the outside.
  • the plurality of radiating fins 221 extend in the left-right direction and are arranged side by side at intervals in the front-rear direction.
  • Legs 23 are provided on both left and right ends of base 21. One or more legs 23 are provided on the left and right sides of the base 21, respectively.
  • FIG. 3 is a schematic view of the substrate structure 10 of the electric device 1 according to the first embodiment as viewed from below. That is, FIG. 3 is a diagram showing the substrate structure 10 as viewed from the direction of the arrow in FIG.
  • the board structure 10 includes a power circuit 30, a circuit board 12 on which a control circuit for giving an on / off signal to the power circuit 30 is mounted, and a housing 11 for housing the power circuit 30 and the circuit board 12.
  • the circuit board 12 and the power circuit 30 are provided separately from each other.
  • the power circuit 30 includes at least the bus bars 111 to 113 and a semiconductor switching element 13 (component) to which a control signal is input from the circuit board 12 and which switches on / off based on the input control signal.
  • the semiconductor switching element 13 is, for example, an FET (more specifically, a surface-mount type power MOSFET), and is mounted above the bus bars 111 to 113.
  • Electronic components such as Zener diodes may be mounted on the upper side of the bus bars 111 to 113 in addition to the semiconductor switching element 13 (hereinafter, referred to as FET 13).
  • FET 13 semiconductor switching element 13
  • FIG. 3 for convenience of description, a configuration in which only one FET 13 is mounted is shown, but it is needless to say that a plurality of FETs 13 may be mounted.
  • the FET 13 has a drain terminal 131 on the right side of the element body and a source terminal 132 and a gate terminal 133 on the left side of the element body.
  • the drain terminal 131 of the FET 13 is soldered to a bus bar 111 (hereinafter, referred to as a drain bus bar 111) disposed in a region occupying most of the right side of the region exposed on the lower surface of the substrate structure 10.
  • the source terminal 132 of the FET 13 is connected by soldering to a bus bar 112 (hereinafter, referred to as a source bus bar 112) arranged in a region occupying most of the left and rear sides of the region exposed on the lower surface of the substrate structure 10.
  • the drain bus bar 111 and the source bus bar 112 are conductive plate members formed of a metal material such as copper or a copper alloy, and have a thickness of, for example, about 1.5 to 2.0 mm.
  • the gate terminal 133 of the FET 13 is soldered to, for example, a rectangular bus bar 113 (hereinafter, referred to as a gate bus bar 113) disposed between the drain bus bar 111 and the source bus bar 112 at a distance.
  • the gate bus bar 113 is a conductive plate member formed of a metal material such as copper or a copper alloy, and has a thickness of, for example, about 0.64 mm.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • the gate bus bar 113 is different from the drain bus bar 111 and the source bus bar 112, and is exposed on the lower surface of the substrate structure 10 and is connected to the gate terminal 133.
  • the length of the board connecting portion 113b extending to the (12th) side in the vertical direction can be appropriately designed in accordance with the specifications of the board structure 10, the required heat resistance, and the like.
  • the drain bus bar 111, the source bus bar 112, and the gate bus bar 113 are formed on the lower surface of the resin molded body 114. That is, the drain bus bar 111, the source bus bar 112, and the gate bus bar 113 are integrated with the resin molded body 114 of the insulating resin material to form the housing 11.
  • the resin molded body 114 is manufactured by insert molding using an insulating resin material such as a phenol resin and a glass epoxy resin.
  • the resin molded body 114 is a resin case having an open upper and lower ends.
  • the resin molded body 114 is integrated with the bus bars 111 to 113 to integrate them, and a part of the resin molded body 114 is arranged between the bus bars 111 to 113 to insulate the bus bars from each other. Further, the resin molded body 114 accommodates the circuit board 12 therein by supporting the peripheral edge of the circuit board 12 from the lower surface side by a rib formed on the inner peripheral surface of the peripheral wall.
  • the circuit board 12 has, for example, a substantially rectangular insulating substrate. On an upper surface 122 of the insulating substrate, a control circuit (not shown) including electronic components such as a resistor, a coil, a capacitor, and a diode is mounted, and a circuit pattern for electrically connecting these electronic components is formed. ing.
  • a thermistor 40 (sensor) for detecting heat (temperature) generated by the FET 13 of the power circuit 30 is mounted on the upper surface 122 of the circuit board 12 (see FIGS. 4 and 5).
  • the control circuit controls the power circuit 30 based on the control.
  • the control circuit monitors the resistance value of the thermistor 40, and when it is determined that the temperature of the FET 13 is equal to or higher than the threshold value, for example, a control signal for turning off the power circuit 30 Is output.
  • the thickness of the source bus bar 112 and the drain bus bar 111 is made larger than the thickness of the gate bus bar 113, so that a power source such as a battery included in a vehicle and a vehicle-mounted electric component such as a lamp and a wiper or a motor or the like is provided. It is possible to cope with a large current flowing between the load and the load.
  • the substrate structure 10 includes the thermistor 40 on the circuit board 12 and monitors the temperature of the FET 13 as described above.
  • the power circuit 30 on which the FET 13 is mounted and the circuit board 12 on which the thermistor 40 is mounted are provided separately from each other (see FIGS. 4 and 5), the heat (temperature) of the FET 13 by the thermistor 40 is increased. There is a possibility that the accuracy of the detection may be lacking.
  • the substrate structure 10 according to the present embodiment is configured to solve such a problem. The details will be described below.
  • FIG. 6 is a partial schematic view of the circuit board 12 of the board structure 10 according to the first embodiment when viewed from above.
  • FIG. 6 shows the vicinity of the thermistor 40 on the upper surface 122 of the circuit board 12.
  • the thermistor 40 has a rectangular parallelepiped shape, and has terminals 41, 41 at both ends in the longitudinal direction.
  • the terminals 41 and 41 are connected by soldering to wirings (circuit patterns) 123 formed on the upper surface 122 of the circuit board 12.
  • the thermistor 40 (and the wiring 123) is surrounded by the heat transfer pattern 124.
  • the heat transfer pattern 124 is made of a material having excellent heat conductivity, such as silver or copper, and has a hollow rectangular film shape.
  • the heat transfer pattern 124 is, for example, a copper film, and is formed by a patterning process together with a circuit pattern 126 (another pattern) for electrically connecting each electronic component of the control circuit of the circuit board 12.
  • the heat transfer pattern 124 is conductive has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and a material that is insulative and has excellent heat conductivity may be used.
  • the heat transfer pattern 124 can be formed so as to surround only the thermistor 40.
  • the heat transfer pattern 124 is a land portion separated from the circuit pattern 126. That is, the heat transfer pattern 124 is not in contact with the circuit pattern 126, and a part 125 (hereinafter, referred to as an insulating portion 125) of the insulating substrate is interposed between the heat transfer pattern 124 and the circuit pattern 126. I have. Therefore, the heat transfer pattern 124 is completely insulated from the circuit pattern 126.
  • a through hole 121 is formed in the heat transfer pattern 124 near the thermistor 40. As described above, the upper end of the heat transfer member 115 is inserted into the through hole 121, and the heat transfer pattern 124 and the heat transfer member 115 are joined by the joint 127.
  • the joint 127 is a material having excellent heat conductivity.
  • the FET 13 is disposed on the drain bus bar 111, and the heat transfer member 115 is in contact with the drain bus bar 111. Therefore, the heat generated by the FET 13 is transmitted to the lower end of the heat transfer member 115 via the drain bus bar 111. In this way, the heat transmitted to the heat transfer member 115 is transferred to the heat transfer pattern 124 via the joint 127 on the upper end side of the heat transfer member 115. Thereafter, the heat spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124. Since the thermistor 40 is surrounded by the heat transfer pattern 124, the heat generated by the FET 13 can be reliably detected.
  • the thermistor 40 can reliably detect the temperature of the FET 13.
  • the heat transfer pattern 124 is separated from the circuit pattern 126. Therefore, the heat transmitted to the heat transfer pattern 124 is not transmitted to the circuit pattern 126, and the electronic components mounted on the circuit pattern 126 can be prevented from being affected by the heat.
  • the case where the insulating portion 125 surrounds the periphery of the heat transfer pattern 124 has been described as an example, since the circuit pattern 126 is formed around the heat transfer pattern 124. However, it is not limited to this.
  • the heat transfer pattern 124 may be provided at the edge of the circuit board 12.
  • the circuit pattern 126 is not formed on the edge of the substrate. Therefore, by forming the heat transfer pattern 124 (thermistor 40) at the edge of the circuit board 12, the formation of the insulating portion 125 can be partially omitted, and the area occupied by the heat transfer pattern 124 can be minimized.
  • the rectangular heat transfer pattern 124 is formed at the corner of the rectangular circuit board 12 so that the two sides of the heat transfer pattern 124 are parallel to the two sides of the circuit board 12, The insulating portion 125 may be formed only in a portion corresponding to the other two sides.
  • the heat transfer member 115 has a single end on the lower side and a plurality of ends on the upper side.
  • the heat transfer member 115 has two upper ends.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of the thermistor 40 in the substrate structure 10 according to the second embodiment.
  • the heat transfer member 115 has an end 115I and an end 115II branched into a U-shape on the upper side (on the circuit board 12 side).
  • ⁇ 2Two through holes 121 are formed in the heat transfer pattern 124 and near the thermistor 40, respectively. Ends 115I and 115II are inserted into the two through holes 121, respectively, and are joined to the heat transfer pattern 124 by the joint 127. At this time, the thermistor 40 is surrounded by the ends 115I and 115II. That is, the thermistor 40 is disposed between the end 115I and the end 115II.
  • the substrate structure 10 according to the present embodiment is not limited to the above description.
  • the upper end of the heat transfer member 115 may be configured to have three or more ends.
  • FIG. 7 illustrates a case where the upper end portion of the heat transfer member 115 includes three portions. That is, FIG. 7 illustrates a case where the heat transfer member 115 has an end 115III (a broken line in FIG. 7) in addition to the end 115I and the end 115II.
  • the thermistor 40 is disposed at a position surrounded by the plurality of portions.
  • the thermistor 40 is located at the center of the triangle formed by the end 115I, the end 115II, and the end 115III.
  • the heat generated by the FET 13 is transmitted to the lower end of the heat transfer member 115 via the drain bus bar 111.
  • the heat transmitted to the heat transfer member 115 is transmitted to the heat transfer pattern 124 via the joints 127 of the end 115I and the end 115II (and the end 115III).
  • the heat spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124 more quickly than when the heat transfer member 115 has only one end. Since the thermistor 40 is surrounded by the heat transfer pattern 124, the heat generated by the FET 13 can be reliably detected.
  • the temperature of the FET 13 can be detected more quickly and reliably.
  • FIG. 8 is a partial schematic diagram when the circuit board 12 of the board structure 10 according to the third embodiment is viewed from above.
  • FIG. 8 shows the vicinity of the thermistor 40 on the upper surface 122 of the circuit board 12.
  • the thermistor 40 has the terminals 41, 41 at both ends in the longitudinal direction, and the terminals 41, 41 are connected by soldering to the wiring 123 formed on the upper surface 122 of the circuit board 12. That is, the thermistor 40 is connected to the wiring 123 (the upper surface 122 of the circuit board 12) only at both ends in the longitudinal direction. There is an interval G (see FIG. 7). In the present embodiment, a part of the heat transfer pattern 124 is formed at the interval G.
  • the heat transfer pattern 124 is a hollow rectangle, and surrounds the thermistor 40 in a square shape. In other words, inside the heat transfer pattern 124, near the thermistor 40 and the wiring 123, there is an exclusion part 128 where the heat transfer pattern 124 is not formed.
  • the exclusion part 128 is substantially rectangular, and the upper surface 122 of the circuit board 12 is exposed.
  • the heat transfer pattern 124 has an extension 124A extending from the edge of the exclusion 128 along the upper surface 122 of the circuit board 12.
  • the extension portion 124A is a strip-shaped film, and extends toward the center of the exclusion portion 128 through the gap G between the thermistor 40 and the upper surface 122 of the circuit board 12.
  • the heat generated by the FET 13 is transmitted to the lower end of the heat transfer member 115 via the drain bus bar 111, and then is transmitted from the upper end of the heat transfer member 115 to the nearby thermistor 40 by radiation.
  • the heat transmitted to the heat transfer member 115 is transferred to the heat transfer pattern 124 via the joint 127 on the upper end side of the heat transfer member 115. Thereafter, the heat spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124 including the extension portion 124A.
  • the thermistor 40 is surrounded by the heat transfer pattern 124, and an extension 124 ⁇ / b> A of the heat transfer pattern 124 is formed directly below the thermistor 40. Therefore, the thermistor 40 can reliably detect the heat generated by the FET 13.
  • the temperature of the FET 13 can be detected more reliably.
  • the circuit board 12 has a multilayer structure.
  • the circuit board 12 is formed of three layers will be described as an example.
  • FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of the thermistor 40 in the substrate structure 10 according to the fourth embodiment.
  • the circuit board 12 includes a first layer 12A (mounting layer) on the upper surface 122 side on which the thermistor 40 is mounted, a third layer 12C on the lower surface opposite to the upper surface 122, and a first layer 12A and a third layer 12C. It has a second layer 12B interposed therebetween.
  • the second layer 12B has an internal heat transfer pattern 129. That is, the internal heat transfer pattern 129 is provided inside the circuit board 12.
  • the internal heat transfer pattern 129 is formed so as to include a position corresponding to the thermistor 40 in the thickness direction of the circuit board 12, that is, in the vertical direction. Further, the internal heat transfer pattern 129 is formed in a wider range than the thermistor 40 in the left-right direction and the front-back direction crossing the vertical direction.
  • the area occupied by the internal heat transfer pattern 129 is indicated by a broken line in FIG.
  • the internal heat transfer pattern 129 is made of a material having excellent heat conductivity, such as silver or copper, and has a film shape.
  • the internal heat transfer pattern 129 is configured to contact the heat transfer member 115.
  • the heat generated by the FET 13 is transmitted to the lower end of the heat transfer member 115 via the drain bus bar 111, and thereafter, the heat transmitted to the heat transfer member 115 is transferred to the heat transfer pattern via the joint 127 on the upper end side of the heat transfer member 115. It reaches to 124. Thereafter, the heat spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124.
  • the thermistor 40 is surrounded by the heat transfer pattern 124, and the thermistor 40 can reliably detect the heat generated by the FET 13.
  • the heat transmitted to the heat transfer member 115 is also transmitted to the internal heat transfer pattern 129 of the second layer 12B via the heat transfer member 115. Thereafter, heat spreads over the entire surface of the internal heat transfer pattern 129 and is transmitted to the thermistor 40 via the first layer 12A.
  • the temperature of the FET 13 can be detected more reliably.
  • the substrate structure 10 according to the present embodiment is configured so that heat of the heat transfer member 115 can be directly transmitted to the thermistor 40.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing the vicinity of the thermistor 40 in the substrate structure 10 according to the fifth embodiment.
  • the substrate structure 10 according to the present embodiment includes a conductive member 50 that directly transfers the heat of the heat transfer member 115 to the thermistor 40.
  • the conductive member 50 is provided so as to be in contact with the heat transfer member 115 and the thermistor 40. More specifically, the conductive member 50 covers the upper end of the heat transfer member 115 while being in contact with substantially the entire surface of the upper end of the heat transfer member 115.
  • the conductive member 50 covers the thermistor 40 while being in contact with the surface of the thermistor 40 except for the lower surface. Therefore, the heat of the heat transfer member 115 can be directly transmitted to the thermistor 40.
  • the conductive member 50 is provided so that a part thereof is also in contact with the heat transfer pattern 124. Therefore, the conductive member 50 can also directly transfer the heat of the heat transfer member 115 to the heat transfer pattern 124.
  • the conductive member 50 is made of an insulating material having excellent thermal conductivity.
  • the conductive member 50 may be, for example, a gel such as grease, or a solid such as a heat transfer sheet or alumite.
  • Heat generated by the FET 13 is transmitted to the lower end of the heat transfer member 115 via the drain bus bar 111.
  • the heat transmitted to the heat transfer member 115 is transferred to the heat transfer pattern 124 via the joint 127 on the upper end side of the heat transfer member 115. Thereafter, the heat spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124.
  • the thermistor 40 is surrounded by the heat transfer pattern 124, and the thermistor 40 can reliably detect the heat generated by the FET 13.
  • the heat transmitted to the heat transfer member 115 is directly transferred from the heat transfer member 115 to the thermistor 40 by the conductive member 50. Further, the heat transmitted to the heat transfer member 115 is also directly transferred to the heat transfer pattern 124 via the conductive member 50 and spreads over the entire surface of the heat transfer pattern 124.
  • the temperature of the FET 13 can be detected more reliably.

Abstract

熱を発する電子部品と、該電子部品から離隔配置された回路基板（１２）に実装され、前記電子部品の温度を検出するサーミスタ（４０）とを備える基板構造体において、サーミスタ（４０）を取り囲んで形成された熱伝パターン（１２４）と、前記電子部品からの熱を前記熱伝パターン（１２４）に伝える熱伝部材（１１５）とを備える。

Description

基板構造体
　本発明は、基板を備える基板構造体に関する。
　本出願は、２０１８年６月２６日出願の日本出願第２０１８－１２１１５５号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
　従来、比較的小さな電流を導通させる回路を構成する導電パターンが形成された基板に対して、比較的大きな電流を導通させるための回路を構成する導電部材（バスバー等とも称される）が固定された基板構造体が一般的に知られている。
　一方、特許文献１には、バッテリのターミナル（熱源）に接触している取付部に、サーミスタが実装された基板を固定し、バッテリの熱を検出するバッテリセンサ装置が開示されている。
国際公開第２０１６／０４２７３２号
　本開示の一態様に係る基板構造体は、熱を発する電子部品と、該電子部品から離隔配置された基板に実装され、前記電子部品の温度を検出するセンサとを備える基板構造体において、前記センサを取り囲んで形成された熱伝パターンと、前記電子部品からの熱を前記熱伝パターンに伝える熱伝部材とを備える。
実施形態１に係る電気装置の正面図である。 実施形態１に係る電気装置の分解図である。 実施形態１に係る電気装置の基板構造体を下方から見た概略図である。 図３のＩＶ‐ＩＶ線による縦断面図である。 図４における熱伝部材の付近を拡大して示す拡大図である。 実施形態１に係る基板構造体の回路基板を上面から見た場合の部分的概略図である。 実施形態２に係る基板構造体におけるサーミスタの付近を示す縦断面図である。 実施形態３に係る基板構造体の回路基板を上面から見た場合の部分的概略図である。 実施形態４に係る基板構造体におけるサーミスタの付近を示す縦断面図である。 実施形態５に係る基板構造体におけるサーミスタの付近を示す縦断面図である。
［本開示が解決しようとする課題］
　上述したような基板構造体においては、大きな電流を導通させることから導電部材が大量の熱を発するので、基板を導電部材から離隔して設けることによって、導電部材の発熱により前記基板上の電子部品が熱的弊害を被ることを未然に防止している。
　更に、導電部材に係る回路が熱を発する電子部品を含み、該電子部品の温度監視を要する場合は、監視を行うセンサ及び制御回路も、熱的弊害を被らないように、前記基板側に設ける必要がある。
　このような場合、基板が導電部材に係る回路から離隔して設けられているので、センサ側に電子部品が発する熱を伝え難くなり、センサによる的確な温度検出が困難であるという問題がある。
　しかしながら、特許文献１のバッテリセンサ装置においては、サーミスタが実装された基板が取付部を介して熱源に直接固定されているので、熱源からの熱が取付部を介して基板全体に伝導することから、基板に制御回路等が実装された場合は熱的弊害を被る。従って、特許文献１のバッテリセンサ装置では、上述の問題を解決できない。
　そこで、熱を発する電子部品と、該電子部品から離隔配置された基板に実装され、前記電子部品の温度を検出するセンサとを備える基板構造体において、前記センサが前記電子部品の熱（温度）を的確に検出できる基板構造体を提供することを目的とする。
［本開示の効果］
　本開示の一態様によれば、基板上に実装されるセンサが、前記基板から離隔して設けられた電子部品の熱（温度）を検出する場合においても、より的確に前記部品の熱を検出できる。
［本発明の実施形態の説明］
　最初に本開示の実施態様を列挙して説明する。また、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
（１）本開示の一態様に係る基板構造体は、熱を発する電子部品と、該電子部品から離隔配置された基板に実装され、前記電子部品の温度を検出するセンサとを備える基板構造体において、前記センサを取り囲んで形成された熱伝パターンと、前記電子部品からの熱を前記熱伝パターンに伝える熱伝部材とを備える。
　本態様にあっては、前記電子部品が熱を発した場合、前記熱伝部材が前記熱を前記熱伝パターンに伝える。従って、前記熱伝パターンに取り囲まれた前記センサは前記熱伝パターンを介して前記電子部品の温度を検出することができる。
（２）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記基板には他のパターンが形成されており、前記熱伝パターンは前記他のパターンから離れたランド部である。
　本態様にあっては、前記熱伝パターンは前記他のパターンから離れたランド部であるので、前記他のパターンに前記熱伝パターンの熱が伝導されることが抑制される。従って、前記熱伝パターンの熱が前記他のパターンを介して他の電子部品に影響を及ぼすことを未然に防止できる。
（３）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記熱伝部材は、前記基板側に、前記センサを囲む複数の端部を有する。
　本態様にあっては、前記熱伝部材は複数の端部を有し、斯かる複数の端部は前記センサを取り囲む。従って、前記熱伝部材を介して伝わる前記電子部品からの熱が前記センサに伝導され易くなり、前記センサはより的確に前記電子部品の温度を検出することができる。
（４）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記センサと前記基板との間には間隔が一部存在し、前記熱伝パターンの一部が前記間隔に形成されている。
　本態様にあっては、前記熱伝パターンの一部が前記間隔に形成されているので、前記間隔側の前記熱伝パターンからも前記センサに熱が伝わる。従って、前記センサはより的確に前記電子部品の温度を検出することができる。
（５）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記基板は複数層の構造であり、前記センサの実装層を除く他層にて、前記基板の厚み方向における前記センサに対応する位置に、前記熱伝部材と接触して形成された内部熱伝パターンを備える。
　本態様にあっては、前記基板の厚み方向における前記センサに対応する位置に前記内部熱伝パターンが形成されているので、前記基板の内側（内部熱伝パターン）からも前記センサに熱が伝わる。従って、前記センサはより的確に前記電子部品の温度を検出することができる。
（６）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記熱伝部材の熱を前記センサに伝導する伝導部材を備える。
　本態様にあっては、前記伝導部材が前記熱伝部材の熱を前記センサに直接伝導する。従って、前記センサはより的確に前記電子部品の温度を検出することができる。
[本発明の実施形態の詳細]
　本発明をその実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。本開示の実施形態に係る基板構造体を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（実施形態１）
　以下においては、実施形態１に係る基板構造体を備えた電気装置を例に挙げて説明する。図１は、実施形態１に係る電気装置１の正面図、図２は、実施形態１に係る電気装置１の分解図である。
　電気装置１は、車両が備えるバッテリなどの電源と、ランプ、ワイパ等の車載電装品又はモータなどからなる負荷との間の電力供給経路に配される電気接続箱を構成する。電気装置１は、例えばＤＣ－ＤＣコンバータ、インバータなどの電子部品として用いられる。
　実施形態１では、便宜上、図１及び図２に示す前後、左右、上下の各方向により、電気装置１の「前」、「後」、「左」、「右」、「上」、「下」を定義する。以下では、このように定義される前後、左右、上下の各方向を用いて、電気装置１の構成について説明する。
　電気装置１は、基板構造体１０と、基板構造体１０を支持する支持部材２０とを備える。基板構造体１０は、回路パターンを有する回路基板１２、電力回路を構成するバスバー、回路基板及びバスバーに実装される電子部品等（不図示）を備える。電子部品は、電気装置１の用途に応じて適宜実装され、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）などのスイッチング素子、抵抗、コイル、コンデンサ等を含む。
　支持部材２０は、上面に基板構造体１０を支持する支持面２１１を有する基部２１と、支持面２１１とは反対側の面（下面２１２）に設けられた放熱部２２と、放熱部２２を挟んで基部２１の左右両端に設けられた複数の脚部２３とを備える。支持部材２０が備える基部２１、放熱部２２、及び脚部２３は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料を用いたダイキャストにより一体的に成形される。
　基部２１は、適宜の厚みを有する矩形状の平板部材である。基部２１の支持面２１１には、接着、ネジ止め、半田付け等の公知の方法にて、基板構造体１０が固定される。
　放熱部２２は、基部２１の下面２１２から下方に向けて突出した複数の放熱フィン２２１を備え、基板構造体１０から発せられる熱を外部へ放熱する。複数の放熱フィン２２１は、左右方向に延びると共に、前後方向に間隔を隔てて並設されている。
　脚部２３は、基部２１の左右両端に設けられている。各脚部２３は、基部２１の左右側に夫々一つ又は複数設けられている。
　図３は、実施形態１に係る電気装置１の基板構造体１０を下方から見た概略図である。即ち、図３は、図２の矢印方向から見た場合の基板構造体１０を示す図である。
　基板構造体１０は、電力回路３０と、電力回路３０にオン／オフ信号を与える制御回路が実装された回路基板１２と、電力回路３０及び回路基板１２を収容する収容部１１とを備える。回路基板１２及び電力回路３０は夫々分離して設けられている。
　電力回路３０は、バスバー１１１～１１３と、回路基板１２からの制御信号が入力され、入力された制御信号に基づき通電／非通電を切り替える半導体スイッチング素子１３（部品）とを少なくとも備える。
　半導体スイッチング素子１３は、例えばＦＥＴ（より具体的には面実装タイプのパワーＭＯＳＦＥＴ）であり、バスバー１１１～１１３の上側に実装される。バスバー１１１～１１３の上側には半導体スイッチング素子１３（以下、ＦＥＴ１３と称する）の他に、ツェナーダイオード等の電子部品が実装されてもよい。
　なお、図３の例では、説明の便宜上、ＦＥＴ１３を１つだけ実装した構成について示したが、複数のＦＥＴ１３が実装されてもよいことは言うまでもない。
　ＦＥＴ１３は、素子本体の右側面にドレイン端子１３１を備え、素子本体の左側面にソース端子１３２及びゲート端子１３３を備える。ＦＥＴ１３のドレイン端子１３１は、基板構造体１０の下面に露出した領域のうち、右側の大部分を占める領域に配置されたバスバー１１１（以下、ドレインバスバー１１１と称する）に半田接続されている。また、ＦＥＴ１３のソース端子１３２は、基板構造体１０の下面に露出した領域のうち、左側及び後側の大部分を占める領域に配置されたバスバー１１２（以下、ソースバスバー１１２と称する）に半田接続されている。これらのドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２は、銅又は銅合金等の金属材料により形成された導電性板部材であり、例えば１．５～２．０ｍｍ程度の厚みを有する。
　一方、ＦＥＴ１３のゲート端子１３３は、例えば、ドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２の間にて間隔を隔てて配置された矩形のバスバー１１３（以下、ゲートバスバー１１３と称する）に半田接続されている。ゲートバスバー１１３は、銅又は銅合金等の金属材料により形成された導電性板部材であり、例えば、０．６４ｍｍ程度の厚みを有する。
　図４は、図３のＩＶ‐ＩＶ線による縦断面図である。
　ゲートバスバー１１３は、ドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２とは異なり、基板構造体１０の下面に露出し、ゲート端子１３３に接続される端子接続部１１３ａと、端子接続部１１３ａの一端から上方（回路基板１２側）に延びる基板接続部１１３ｂの上下方向の長さ寸法は、基板構造体１０の仕様又は要求される耐熱性能等に応じて適宜設計され得る。
　これらのドレインバスバー１１１、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３は、樹脂成形体１１４の下面に形成されている。即ち、ドレインバスバー１１１、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３は、絶縁性樹脂材の樹脂成形体１１４と共に一体化され、収容部１１を構成する。
　樹脂成形体１１４は、例えばフェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料を用いたインサート成形により製造される。樹脂成形体１１４は、上端側及び下端側が開口した樹脂製のケースである。
　樹脂成形体１１４は、バスバー１１１～１１３と係合されることによって、これらを一体化すると共に、その一部がバスバー１１１～１１３夫々の間に配されることによって、各バスバー間を絶縁する。また、樹脂成形体１１４は、周壁の内周面に形成されたリブによって回路基板１２の周縁部を下面側から支持することにより、回路基板１２を内部に収容する。
　回路基板１２は、例えば略矩形状の絶縁基板を有する。この絶縁基板の上面１２２には、抵抗、コイル、コンデンサ、ダイオード等の電子部品を備えた制御回路（不図示）が実装されると共に、これらの電子部品を電気的に接続する回路パターンが形成されている。
　また、回路基板１２の上面１２２には、電力回路３０のＦＥＴ１３が発する熱（温度）を検出するサーミスタ４０（センサ）が実装されており（図４及び図５参照）、サーミスタ４０による検出結果に基づいて前記制御回路が電力回路３０の制御を行う。
　即ち、ＦＥＴ１３は電流が流れる場合に発熱するので、故障の虞がある。従って、サーミスタ４０を用いてＦＥＴ１３が発する熱の温度を検出する。サーミスタ４０は温度に応じて抵抗値が変動するので、前記制御回路はサーミスタ４０の抵抗値を監視し、ＦＥＴ１３の温度が閾値以上であると判定した場合、例えば電力回路３０をオフにする制御信号を出力する。
　本実施形態では、ソースバスバー１１２及びドレインバスバー１１１の板厚を、ゲートバスバー１１３の板厚よりも厚くすることにより、車両が備えるバッテリなどの電源と、ランプ、ワイパ等の車載電装品又はモータなどからなる負荷との間に流れる大電流に対応することが可能となる。
　一方、上述したように、ＦＥＴ１３は電流が流れた場合に発熱が起きるので、大電流が流れる場合は異常発熱が生じ、故障する虞がある。このようなＦＥＴ１３の故障を防ぐために、本実施形態に係る基板構造体１０では、上述の如く、回路基板１２にサーミスタ４０を備え、ＦＥＴ１３の温度を監視する。
　しかし、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、サーミスタ４０が実装された回路基板１２とが互いに分離されて設けられているため（図４及び図５参照）、サーミスタ４０によるＦＥＴ１３の熱（温度）の検出に正確性が欠ける虞がある。
　本実施形態に係る基板構造体１０はこのような問題を解決できるように構成されている。以下、詳しく説明する。
　図６は、実施形態１に係る基板構造体１０の回路基板１２を上面から見た場合の部分的概略図である。図６は、回路基板１２の上面１２２において、サーミスタ４０の付近を示している。
　サーミスタ４０は直方体状をなし、長手方向の両端部に端子４１，４１を有する。端子４１，４１は、回路基板１２の上面１２２に形成された配線（回路パターン）１２３に半田接続されている。
　サーミスタ４０（及び配線１２３）は、熱伝パターン１２４によって取り囲まれている。熱伝パターン１２４は、銀、銅等のように熱伝導性の優れた材料からなり、中空矩形の膜状をなしている。本実施形態においては、熱伝パターン１２４は、例えば銅膜であり、回路基板１２の前記制御回路の各電子部品を電気的に接続する回路パターン１２６（他のパターン）と共に、パターニング処理によって形成される。
　本実施形態においては、熱伝パターン１２４が導電性である場合を例にして説明したが、これに限定するものでなく、絶縁性であって熱伝導性の優れた材料を用いれば良い。この場合、サーミスタ４０のみを取り囲むように熱伝パターン１２４を形成することができる。
　熱伝パターン１２４は、回路パターン１２６から離隔されたランド部である。即ち、熱伝パターン１２４は回路パターン１２６と接触されておらず、熱伝パターン１２４及び回路パターン１２６の間には、前記絶縁基板の一部１２５（以下、絶縁部１２５と称する）が介在されている。従って、熱伝パターン１２４は回路パターン１２６と完全に絶縁されている。
　熱伝パターン１２４内であって、サーミスタ４０の近傍には、スルーホール１２１が形成されている。上述したように、スルーホール１２１には、熱伝部材１１５の上端が挿入され、接合部１２７によって、熱伝パターン１２４と熱伝部材１１５が接合されている。接合部１２７は熱伝導性の優れた材料である。
　ＦＥＴ１３は大部分がドレインバスバー１１１上に配設されており、ドレインバスバー１１１には熱伝部材１１５が接触されている。従って、ＦＥＴ１３が発する熱はドレインバスバー１１１を介して熱伝部材１１５の下端に伝わる。このようにして、熱伝部材１１５に伝わった熱は、熱伝部材１１５の上端側の接合部１２７を介して熱伝パターン１２４に伝わる。以降、熱は熱伝パターン１２４の全面に広がる。サーミスタ４０は熱伝パターン１２４によって取り囲まれているので、ＦＥＴ１３が発する熱を確実に検出できる。
　このような構成を有することから、本実施形態に係る基板構造体１０においては、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、電力回路３０（ＦＥＴ１３）の温度を検出するサーミスタ４０が実装された回路基板１２とが分離されていても、サーミスタ４０がＦＥＴ１３の温度を確実に検出できる。
　また、上述したように、熱伝パターン１２４は回路パターン１２６から離隔されている。従って、熱伝パターン１２４に伝わった熱が回路パターン１２６に伝わることはなく、回路パターン１２６に実装された電子部品が熱によって弊害を被ることを未然に防止できる。
　以上においては、熱伝パターン１２４の周囲に回路パターン１２６が形成されているため、熱伝パターン１２４の周囲を絶縁部１２５が取り囲んでいる場合を例に挙げて説明した。しかし、これに限定するものでない。
　例えば、熱伝パターン１２４を回路基板１２の縁部に設けても良い。一般に基板の縁部には回路パターン１２６が形成されていない。従って、回路基板１２の縁部に熱伝パターン１２４（サーミスタ４０）を形成することによって、絶縁部１２５の形成を一部省くことができ、熱伝パターン１２４によって占められる面積を最小化できる。例えば、矩形の回路基板１２の隅に、熱伝パターン１２４の２つの辺が回路基板１２の２つの辺と平行するように、矩形の熱伝パターン１２４を形成した場合は、熱伝パターン１２４の他の２つの辺に対応する部分にのみ絶縁部１２５を形成すれば良い。
（実施形態２）
　本実施形態に係る基板構造体１０において、熱伝部材１１５は、単一の端部を下側に有し、複数の端部を上側に有する。以下、説明の便宜上、熱伝部材１１５が２つの上端部を有する場合を例に挙げて説明する。
　図７は、実施形態２に係る基板構造体１０におけるサーミスタ４０の付近を示す縦断面図である。熱伝部材１１５は、Ｕ字形状に分岐された、端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩを上側（回路基板１２側）に有する。
　熱伝パターン１２４内であって、サーミスタ４０の近傍には、２つのスルーホール１２１が夫々形成されている。２つのスルーホール１２１には、端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩが夫々挿入され、接合部１２７によって、熱伝パターン１２４と接合されている。この際、サーミスタ４０は端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩによって囲まれている。即ち、サーミスタ４０は端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩの間に配置されている。
　本実施形態に係る基板構造体１０は、以上の記載に限定されるものでない。熱伝部材１１５の上端部が３つ以上の端部を有するように構成しても良い。図７には、熱伝部材１１５の上端部が３つの部分からなる場合を例示している。即ち、図７においては、熱伝部材１１５が、端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩに加え、端部１１５ＩＩＩ（図７中、破線部）を有する場合を例示している。
　このように、熱伝部材１１５の上端部が３つ以上の部分からなる場合においても、これら複数の部分によって囲まれた位置に、サーミスタ４０が配置される。例えば、図７においては、端部１１５Ｉ、端部１１５ＩＩ及び端部１１５ＩＩＩからなる三角形の中心にサーミスタ４０が位置する。
　ＦＥＴ１３が発する熱はドレインバスバー１１１を介して熱伝部材１１５の下端に伝わる。このようにして、熱伝部材１１５に伝わった熱は、端部１１５Ｉ及び端部１１５ＩＩ（並びに端部１１５ＩＩＩ）の各接合部１２７を介して熱伝パターン１２４に伝わる。以降、熱伝部材１１５の端部が１つである場合に比べて迅速に、熱が熱伝パターン１２４の全面に広がる。サーミスタ４０は熱伝パターン１２４によって取り囲まれているので、ＦＥＴ１３が発する熱を確実に検出できる。
　このような構成を有することから、本実施形態に係る基板構造体１０においては、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、電力回路３０（ＦＥＴ１３）の温度を検出するサーミスタ４０が実装された回路基板１２とが分離されていても、サーミスタ４０がＦＥＴ１３の温度をより迅速に、且つ確実に検出できる。
　実施形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。　　
（実施形態３）
　図８は、実施形態３に係る基板構造体１０の回路基板１２を上面から見た場合の部分的概略図である。図８は、回路基板１２の上面１２２において、サーミスタ４０の付近を示している。
　上述したように、サーミスタ４０は長手方向の両端部に端子４１，４１を有し、端子４１，４１は、回路基板１２の上面１２２に形成された配線１２３に半田接続されている。即ち、サーミスタ４０は、長手方向の両端のみが配線１２３（回路基板１２の上面１２２）と接続しているので、長手方向の両端を除く部分（特に、長手方向の中央部）においては上面１２２との間に間隔Ｇ（図７参照）が存在する。
　本実施形態においては、間隔Ｇに、熱伝パターン１２４の一部が形成されている。
　熱伝パターン１２４は中空矩形であり、サーミスタ４０を四角状に取り囲んでいる。換言すれば、熱伝パターン１２４の内側であって、サーミスタ４０及び配線１２３の付近には、熱伝パターン１２４が形成されていない除外部１２８が存在する。除外部１２８は略矩形であり、回路基板１２の上面１２２が露出している。
　熱伝パターン１２４は、除外部１２８の縁から、回路基板１２の上面１２２に沿って延びる拡張部１２４Ａを有する。拡張部１２４Ａは、短冊状の膜であり、サーミスタ４０と回路基板１２の上面１２２との間の間隔Ｇを通って、除外部１２８の中央部に向けて延びる。
　ＦＥＴ１３が発する熱は、ドレインバスバー１１１を介して熱伝部材１１５の下端に伝わり、その後、熱伝部材１１５の上端から近傍のサーミスタ４０に輻射によって伝わる。
　また、熱伝部材１１５に伝わった熱は、熱伝部材１１５の上端側の接合部１２７を介して熱伝パターン１２４に伝わる。以降、熱は、拡張部１２４Ａを含む熱伝パターン１２４の全面に広がる。サーミスタ４０は熱伝パターン１２４によって取り囲まれており、熱伝パターン１２４の拡張部１２４Ａがサーミスタ４０の真下に形成されている。従って、サーミスタ４０はＦＥＴ１３が発する熱を確実に検出できる。
　このような構成を有することから、本実施形態に係る基板構造体１０においては、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、電力回路３０（ＦＥＴ１３）の温度を検出するサーミスタ４０が実装された回路基板１２とが分離されていても、サーミスタ４０がＦＥＴ１３の温度をより確実に検出できる。
　実施形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
（実施形態４）
　本実施形態に係る基板構造体１０において、回路基板１２は複数層の構造を有する。以下の説明においては、回路基板１２が３層からなる場合を例として説明する。
　図９は、実施形態４に係る基板構造体１０におけるサーミスタ４０の付近を示す縦断面図である。
　回路基板１２は、サーミスタ４０が実装された上面１２２側の第１層１２Ａ（実装層）と、上面１２２と反対側の下面側の第３層１２Ｃと、第１層１２Ａ及び第３層１２Ｃの間に介在する第２層１２Ｂを有する。
　第２層１２Ｂは内部熱伝パターン１２９を有する。即ち、内部熱伝パターン１２９は、回路基板１２の内部に設けられている。内部熱伝パターン１２９は、回路基板１２の厚み方向、即ち上下方向において、サーミスタ４０と対応する位置を含むように形成されている。また、内部熱伝パターン１２９は、上下方向と交差する左右方向及び前後方向において、サーミスタ４０より広い範囲に形成されている。内部熱伝パターン１２９によって占められる範囲を、図６に破線にて示している。内部熱伝パターン１２９は、銀、銅等のように熱伝導性の優れた材料からなり、膜状をなしている。
　また、図６及び図９から分かるように、内部熱伝パターン１２９は熱伝部材１１５と接触するように構成されている。
　ＦＥＴ１３が発する熱は、ドレインバスバー１１１を介して熱伝部材１１５の下端に伝わり、その後、熱伝部材１１５に伝わった熱は、熱伝部材１１５の上端側の接合部１２７を介して熱伝パターン１２４に伝わる。以降、熱は熱伝パターン１２４の全面に広がる。サーミスタ４０は熱伝パターン１２４によって取り囲まれており、サーミスタ４０はＦＥＴ１３が発する熱を確実に検出できる。
　この際、熱伝部材１１５に伝わった熱は、熱伝部材１１５を介して第２層１２Ｂの内部熱伝パターン１２９にも伝わる。以降、熱は内部熱伝パターン１２９の全面に広がり、第１層１２Ａを介してサーミスタ４０に伝わる。
　このような構成を有することから、本実施形態に係る基板構造体１０においては、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、電力回路３０（ＦＥＴ１３）の温度を検出するサーミスタ４０が実装された回路基板１２とが分離されていても、サーミスタ４０がＦＥＴ１３の温度をより確実に検出できる。
　実施形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
（実施形態５）
　本実施形態に係る基板構造体１０においては、熱伝部材１１５の熱がサーミスタ４０に直接伝導できるように構成されている。
　図１０は、実施形態５に係る基板構造体１０におけるサーミスタ４０の付近を示す縦断面図である。
　本実施形態に係る基板構造体１０は、熱伝部材１１５の熱を直接サーミスタ４０に伝導する伝導部材５０を備えている。伝導部材５０は熱伝部材１１５及びサーミスタ４０と共に接するように設けられている。より詳しくは、伝導部材５０は、熱伝部材１１５の上端部の略全表面と接しつつ、熱伝部材１１５の上端部を覆っている。また、伝導部材５０は、サーミスタ４０の下面を除く表面と接しつつ、サーミスタ４０を覆っている。従って、熱伝部材１１５の熱がサーミスタ４０に直接伝導できる。
　更に、伝導部材５０は、一部が、熱伝パターン１２４とも接するように設けられている。従って、伝導部材５０は、熱伝部材１１５の熱を熱伝パターン１２４に直接伝導することもできる。
　伝導部材５０は、熱伝導性に優れた絶縁材からなる。伝導部材５０は、例えば、グリスのようなゲル状であっても良く、熱伝シート、又はアルマイト等の固体であっても良い。
　ＦＥＴ１３が発する熱は、ドレインバスバー１１１を介して熱伝部材１１５の下端に伝わる。熱伝部材１１５に伝わった熱は、熱伝部材１１５の上端側の接合部１２７を介して熱伝パターン１２４に伝わる。以降、熱は熱伝パターン１２４の全面に広がる。サーミスタ４０は熱伝パターン１２４によって取り囲まれており、サーミスタ４０はＦＥＴ１３が発する熱を確実に検出できる。
　また、熱伝部材１１５に伝わった熱は、伝導部材５０によって、熱伝部材１１５からサーミスタ４０に直接伝導される。更に、熱伝部材１１５に伝わった熱は伝導部材５０を介して熱伝パターン１２４にも直接伝導され、熱伝パターン１２４の全面に広がる。
　このような構成を有することから、本実施形態に係る基板構造体１０においては、ＦＥＴ１３が実装された電力回路３０と、電力回路３０（ＦＥＴ１３）の温度を検出するサーミスタ４０が実装された回路基板１２とが分離されていても、サーミスタ４０がＦＥＴ１３の温度をより確実に検出できる。
　実施形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　基板構造体
　１２　回路基板
　１２Ａ　第１層
　１３　ＦＥＴ
　４０　サーミスタ
　５０　伝導部材
　１１３ｂ　基板接続部
　１１５　熱伝部材
　１１５Ｉ、１１５ＩＩ、１１５ＩＩＩ　端部
　１２４　熱伝パターン
　１２４Ａ　拡張部
　１２６　回路パターン
　１２９　内部熱伝パターン
　Ｇ　間隔
 

Claims (6)

  1. 　熱を発する電子部品と、該電子部品から離隔配置された基板に実装され、前記電子部品の温度を検出するセンサとを備える基板構造体において、
    　前記センサを取り囲んで形成された熱伝パターンと、
    　前記電子部品からの熱を前記熱伝パターンに伝える熱伝部材とを備えることを特徴とする基板構造体。
  2. 　前記基板には他のパターンが形成されており、
    　前記熱伝パターンは前記他のパターンから離れたランド部であることを特徴とする請求項１に記載の基板構造体。
  3. 　前記熱伝部材は、前記基板側に、前記センサを囲む複数の端部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板構造体。
  4. 　前記センサと前記基板との間には間隔が一部存在し、
    　前記熱伝パターンの一部が前記間隔に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板構造体。
  5. 　前記基板は複数層の構造であり、
    　前記センサの実装層を除く他層にて、前記基板の厚み方向における前記センサに対応する位置に、前記熱伝部材と接触して形成された内部熱伝パターンを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板構造体。
  6. 　前記熱伝部材の熱を前記センサに伝導する伝導部材を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板構造体。
     
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