WO2019225830A1 - 웨이퍼 가공 장치 - Google Patents

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WO2019225830A1
WO2019225830A1 PCT/KR2019/000550 KR2019000550W WO2019225830A1 WO 2019225830 A1 WO2019225830 A1 WO 2019225830A1 KR 2019000550 W KR2019000550 W KR 2019000550W WO 2019225830 A1 WO2019225830 A1 WO 2019225830A1
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WO
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wafer
slot
diffractive optical
wafer processing
beam path
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PCT/KR2019/000550
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English (en)
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권강혁
Original Assignee
한화정밀기계 주식회사
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a surface of a wafer by providing a slot portion on which a diffractive optical element is mounted to make a desired number, interval, shape, and the like.
  • LCO Laser Contact Opening
  • the hourly yield of conventional LCO wafer processing equipment currently commercialized is approximately 4,000.
  • the initial processing pattern to remove the passivation layer was a line shape.
  • the conventional LCO wafer processing apparatus was able to obtain sufficient productivity through proper repeatability and scan speed using a laser device and a scanner.
  • the wafer processing apparatus may provide an apparatus capable of easily and quickly processing the entire surface of the wafer in a desired number, interval, and shape by dividing a beam generated by the laser generator.
  • a wafer processing apparatus includes a laser generator configured to generate a beam for processing a wafer, and a plurality of slots in which at least one diffractive optical element for dividing the beam into a plurality is inserted and the beam is penetrated. And a slot for including a scanner for transmitting a beam transmitted from the slot to a surface of the wafer, wherein one of the plurality of slots is formed to be positioned on the beam path, and at least one of the plurality of slots. Wherein the diffractive optical element is uninserted to form an empty slot, the surface of the wafer can be processed by a plurality of beams divided by the at least one diffractive optical element and a beam passing through the empty slot.
  • a plurality of diffractive optical elements may be formed, and the plurality of diffractive optical elements may divide the beams generated by the laser generator into different numbers and intervals.
  • the plurality of slots are arranged in a direction perpendicular to the beam path, so that the slot portion is moved in a direction perpendicular to the beam path by the driving portion, or the slot portion is formed in a circular shape and rotated by the driving portion, and the slot portion rotates. Accordingly, one of the plurality of slots may be located in the beam path.
  • the apparatus may further include a collimator positioned between the laser generator and the slot to adjust the spot size of the beam generated by the laser generator.
  • the apparatus may further include a collimator positioned between the slot part and the scanner to adjust the spot size of the beam passing through the empty slot and to adjust the spacing of the plurality of beams divided by the diffractive optical element.
  • the wafer processing apparatus of the present invention is provided with a slot portion including a plurality of slots, so that the entire surface of the wafer can be processed through a plurality of beams divided by a diffractive optical element inserted into the slots and a beam passing through the empty slots. Therefore, the efficiency of the solar cell can be increased.
  • FIG. 1 is a view showing a conventional wafer processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic view of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view showing a wafer processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic view of a wafer according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 6 and 7 are schematic views illustrating slot portions of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a wafer processing method of the present invention.
  • FIG. 2 is a view schematically showing a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is a block diagram showing a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • Figure 4 is a further embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic view illustrating a wafer processing apparatus
  • FIG. 5 is a schematic view illustrating a wafer according to an embodiment of the present invention.
  • a wafer processing apparatus may include a laser generation unit 20, a slot unit 30, and a scanner 40.
  • the laser generator 20 may generate a beam for processing the wafer 10.
  • the wafer 10 may be formed of the photovoltaic cell wafer 10 formed by cutting edges of a general circular wafer to have a shape in which polygons or squares are removed from edges, but is not limited thereto. .
  • the slot unit 30 includes a plurality of slots 32 in which at least one diffraction optical element (DOE) is inserted into the beam generating unit 20 and the beam is penetrated. ) May be included. That is, one of the plurality of slots 32 positioned on the beam path may be formed to penetrate the beam. In addition, the slot unit 30 may be formed to be moved by the driving unit 70 to be described later, so that any one of the plurality of slots 32 is positioned on the beam path so that the beam penetrates.
  • DOE diffraction optical element
  • a plurality of slots 32 are formed in a direction perpendicular to the beam path at the side or outer periphery of the slot portion 30, and a plurality of slots through which the beam can pass from one surface to the other surface of the slot portion 30.
  • the penetrating portion 36 may be formed at a position corresponding to the plurality of slots. Accordingly, the diffractive optical element 34 may be inserted into the slot 32 to a position corresponding to the through portion 36 in a direction perpendicular to the beam path.
  • the scanner 40 serves to process the surface of the wafer 10 by transferring the beam transmitted from the slot part 30 to the surface of the wafer 10.
  • the scanner 40 is provided with a plurality of galvano mirrors, and as the galvano mirror is rotated by a separate driving unit (not shown) to move the beam transmitted to the x-axis and y-axis
  • the desired area of the surface of the wafer 10 can be processed.
  • the separate driver may be controlled by the controller 90 to be described later.
  • At least one of the plurality of slots 32 may be formed as an empty slot by not inserting the diffractive optical element 34.
  • the surface of the wafer 10 can be machined by a plurality of beams split by the at least one diffractive optical element 34 and a beam passing through the empty slot.
  • the beam passes through any one of the plurality of slots 32 through the plurality of penetrations 36 to the scanner 40, where the diffractive optical element 34 is inserted into the slot 32 through which the beam passes.
  • the surface of the wafer 10 may be processed into a plurality of dot shapes as shown in FIG. 5. As such, when the wafer 10 is processed into a dot shape, the efficiency of the photovoltaic cell is increased when processing the surface into a conventional line shape.
  • the diffractive optical element 34 may be formed in plural and inserted into some of the plurality of slots 32 of the slot part 30.
  • the plurality of diffractive optical elements 34 inserted into the plurality of slots 32 may be formed to split the beams in different numbers, intervals, and shapes.
  • the number of beams split by the first diffractive optical element and the second diffractive optical element may be formed differently.
  • the beam generated by the laser generator 20 is divided into a plurality of pieces by the selected diffractive optical element 34. It may be delivered to the wafer 10 surface.
  • the wafer 10 processing apparatus includes an isolator 50, a collimator 60, and a red portion 70 driving unit 80. ), And may further include a control unit 90.
  • the isolator 50 is positioned between the laser generator 20 and the slot 30 so that the beam generated by the laser generator 20 is returned to the laser generator 20 by various peripheral devices. Or to prevent distortion of the characteristics of the beam or destruction of surrounding components and components. Accordingly, the beam generated by the laser generator 20 passes through the isolator 50, but may be blocked from returning to the laser generator 20 again.
  • the collimator 60 is positioned between the laser generation unit 20 and the slot unit 30 to form a parallel beam by adjusting the beam generated by the laser generation unit 20 to a predetermined size. That is, the collimator 60 may be formed to adjust the size of the spot of the beam, and if the isolator 60 is provided, the collimator 60 may be located between the isolator 50 and the slot part 30.
  • the collimator 60 may adjust the spot size of the beam according to the processing pattern or processing conditions desired by the user. For example, when the wafer 10 is first processed by the diffractive optical element 34 and secondly processes the unprocessed region of the wafer 10, the beam generated by the laser generator 20 When used as it is, since a difference may occur in a dot pattern formed on the wafer 10, the spot size of the beam may be adjusted to process the unprocessed area of the wafer to correspond to the existing dot pattern shape.
  • the collimator 60 of the wafer processing apparatus is located between the slot portion 30 and the scanner 40 so that the beam spot may be formed by the diffractive optical element 34. It may be configured to adjust the spacing as well as to adjust the size.
  • the collimator 60 may be positioned between the slot 30 and the scanner 40 so that the beam interval fixed by the diffractive optical element 34 may be widened or reduced. ), And the number of diffractive optical elements 34 can be reduced, so that cost can be reduced.
  • the lens unit 70 is positioned between the scanner 40 and the wafer 10, and if the rotational amount of the galvano mirror of the scanner 40 is insufficient, the entire surface of the wafer 10 cannot be processed. It may be formed as an F-theta lens to play a role. Accordingly, the beam transmitted from the scanner may reach the surface of the wafer through the lens unit 70.
  • the controller 90 controls the driver 80, the laser generator 20, the scanner 40, the collimator 60, the isolator 50, and the like to process the wafer 10 so that the wafer 10 can be efficiently processed. It can be configured to be processed.
  • the controller 90 stores a plurality of drawings with processing patterns for processing the wafer 10 so that the pattern processed on the wafer 10 corresponds to the pattern shown in the drawings.
  • the generation unit 20, the scanner 40, the collimator 60, the isolator 50, the lens unit 70, and the like can be controlled.
  • the first drawing may show a pattern for processing the overall surface area of the wafer 10
  • the second drawing may show a pattern for processing the unprocessed area after the wafer 10 is processed. have.
  • each drawing may be formed in consideration of the characteristics of the beam split through the diffractive optical element provided in each slot and the beam passing through the empty slot.
  • a plurality of drawings may be stored in a separate storage (not shown).
  • the driving unit 80 may be formed of a motor or the like to drive the slot unit 30 such that any one of the plurality of slots is positioned on the beam path under the control of the controller 90.
  • FIG. 5 (a) shows the surface of the wafer 10 processed through the beam split by the at least one diffractive optical element 34
  • FIG. 5 (b) is divided by the diffractive optical element 34.
  • region of the wafer 10 using the completed beam and the beam which passed through the empty slot is shown.
  • the wafer 10 of the present invention is processed through a beam passing through an empty slot and a plurality of beams divided by the diffractive optical element 34.
  • the unprocessed region may exist according to the chamfered wafer shape of the wafer 10 described above.
  • the unprocessed region is generated, securing of the movement path of the holes is insufficient, thereby reducing the generated current, thereby lowering the efficiency of the solar cell. Therefore, there is a need to increase the efficiency of the photovoltaic cell by processing more dot shapes on the photovoltaic wafer.
  • the beam passing through the empty slot can be transferred to the scanner 40 to process the remaining unprocessed wafer 10 surface area. That is, the unprocessed wafer area can be processed into a single, undivided beam.
  • the wafer 10 processing apparatus sequentially the surface of the wafer 10 through a plurality of beams divided by at least one diffractive optical element 34 and a beam passing through the empty slot. By processing the whole, the efficiency of the solar cell can be increased.
  • FIG. 6 and 7 is a view showing a slot portion according to an embodiment of the present invention.
  • the slot unit 30 of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention may be formed to be driven by the driving unit 80 as described above.
  • a plurality of diffractive optical elements 34 may be inserted into some of the plurality of slots, and the plurality of diffractive optical elements 34 may receive beams generated by the laser generator 20 in different numbers and intervals. Since it can be divided, it can be moved by the drive unit 80 as described above in order to position the desired diffractive optical element 34 among the plurality of diffractive optical elements 34 on the beam path.
  • the slot portion 30 of the wafer processing apparatus is formed in a direction perpendicular to the beam path, so a plurality of slots are also arranged in a direction perpendicular to the beam path, so It can be formed to move in a direction perpendicular to the beam path.
  • the slot unit 30 when the slot unit 30 is moved (eg, left and right or up and down) by the driving unit 80 in a direction perpendicular to the beam path, one of the plurality of slots is positioned on the beam path, and the beam
  • the slot located on the path is an empty slot
  • the beam passes through the empty slot as it is, and when the diffractive optical element 34 is mounted in the slot, the beam is divided into a plurality according to the shape and characteristics of the diffractive optical element 34. Can be.
  • the slot part 30 of the wafer processing apparatus may be formed in a circular shape and rotated by the driving unit 80.
  • the plurality of slots 32 may be formed in the direction of the center of the slot portion 30 at the outer periphery of the slot portion 30, and the central axis around which the slot portion 30 is rotated may be formed to be parallel to the beam path. .
  • the slot unit 30 As the slot unit 30 is rotated by the driving unit 80, one of the plurality of slots can be located in the beam path, so that when the slot 32 located on the beam path is an empty slot, the beam is the slot unit.
  • the diffractive optical element 34 When the diffractive optical element 34 is mounted as it is and the slot is mounted in the slot, the beam may be divided into a plurality of parts according to the shape and characteristics of the diffractive optical element 34.
  • the slot portion 30 is formed in a circular shape, it may be formed in another shape if the slot portion can be formed to rotate.
  • a separate element separation preventing cover may be provided in the slot part 30 or each slot 32.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of processing a wafer 10 according to an embodiment of the present invention.
  • the wafer processing method includes positioning the diffractive optical element 34 on the beam path (S101), recognizing the first drawing (S102), primary processing step (S103), and placing an empty slot in the beam path.
  • the second drawing may be recognized in operation S105, and the second processing operation may be performed in operation S106.
  • the user selects one of the plurality of diffractive optical elements 34 for the surface processing of the wafer 10 through the control unit and then positions it on the beam path. This is the step. Specifically, as the user selects any one of the plurality of diffractive optical elements 34 according to a desired processing pattern or processing condition through the control unit, the selected diffractive optical element may be positioned on the beam path.
  • Recognizing the first drawing is a step of recognizing the first drawing among a plurality of drawings stored in the controller. It can be recognized as a user selects a drawing in which a desired processing pattern is configured through a control unit.
  • control unit 90 controls the laser generating unit 20, the scanner 40, the collimator 60, the isolator 50, the lens unit 70, and the driving unit 80 according to the selected first drawing. ) To process the surface of the wafer 10.
  • Positioning the empty slot in the beam path (S104) is a step of controlling by the controller to position the empty slot on the beam path in order to process the unprocessed region of the wafer.
  • Recognizing the second drawing is a step of recognizing the second drawing among a plurality of drawings stored in the controller in order to process the unprocessed region.
  • control unit controls the driving unit 80, the laser generating unit 20, the scanner 40, the collimator 60, the isolator 50, and the lens unit 70 according to the selected second drawing. To process the unprocessed wafer region by the wafer shape.
  • the surface of the wafer may be processed first by processing the surface of the wafer with a beam passing through the empty slot and then divided by the beam split by the diffractive optical element.

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼를 가공하기 위한 빔을 생성하는 레이저 발생부, 상기 빔을 복수개로 분할하는 적어도 하나의 회절 광학 소자가 삽입되고 상기 빔이 관통되도록 형성된 복수의 슬롯을 포함하는 슬롯부, 상기 슬롯부에서 전달된 빔을 상기 웨이퍼의 표면으로 전달하는 스캐너를 포함할 수 있다.

Description

웨이퍼 가공 장치
본 발명은 웨이퍼 가공 장치에 관한 것으로, 구체적으로 회절 광학 소자가 탑재된 슬롯부를 구비하여 빔을 원하는 개수, 간격, 형태 등으로 만들어 웨이퍼의 표면을 가공하는 장치에 관한 것이다.
일반적인 태양광 전지 웨이퍼의 경우 후면에 Passivation layer를 형성하고 그 위에 Al를 인쇄한 후 소성 시킨다. 이로 인해 장파장 영역의 반사도 증가로 인하여 Isc(short circuit current)가 증가하고 Passivation 효과가 발생한다. 따라서, Voc(open circuit voltage)가 증가하므로 인하여 저항이 상승하고 이 때문에 정동의 이동 통로가 부족하여 충전율(Fill Factor)가 저하된다. 그러므로 태양광 전지의 효율이 저하되는 결과가 발생한다.
이와 같은 효율 저하를 방지하기 위하여 Al 인쇄 전 정공의 이동 통로를 확보하기 위해 Passivation layer를 수 마이크로미터(um)깊이로 제거하는 공정을 추가하였으며 이를 LCO(Laser Contact Opening)이라 한다.
현재 상용화된 종래의 LCO 웨이퍼 가공 장치의 시간당 생산량은 대략 4,000 장 정도이다. Passivation Layer를 제거하기 위한 초기 가공 패턴은 Line 형상이었다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 LCO 웨이퍼 가공 장치는 레이저 장치와 스캐너를 사용하여 적절한 반복도와 스캔 속도를 통해 충분한 생산성을 얻을 수 있었다.
그러나 가공 패턴이 Dot 형태로 변하고 그 간격이 세밀해짐으로 위 조합만으로 생산성을 달성할 수 없을 뿐만 아니라 요구되는 생산성이 점점 증가하고 있어 위 조합에 대한 장치를 여러 대 설치해야 하므로 많은 비용과 유지 보수 어려움이 수반될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치는 레이저 발생부에서 발생된 빔을 분할하여 사용자가 원하는 개수, 간격, 형태로 쉽고 빠르게 웨이퍼의 표면 전체를 가공할 수 있는 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼를 가공하기 위한 빔을 생성하는 레이저 발생부, 상기 빔을 복수개로 분할하는 적어도 하나의 회절 광학 소자가 삽입되고 상기 빔이 관통되도록 형성된 복수의 슬롯을 포함하는 슬롯부, 상기 슬롯부에서 전달된 빔을 상기 웨이퍼의 표면으로 전달하는 스캐너를 포함하되, 상기 복수의 슬롯 중 한 곳은 상기 빔 경로 상에 위치하도록 형성되고, 상기 복수의 슬롯 중 적어도 한 곳은 상기 회절 광학 소자가 미 삽입되어 빈 슬롯으로 형성되고, 상기 웨이퍼의 표면은 상기 적어도 하나의 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔과 상기 빈 슬롯을 관통한 빔에 의하여 가공될 수 있다.
또한, 상기 회절 광학 소자는 복수개로 형성되고, 상기 복수의 회절 광학 소자는 상기 레이저 발생부에서 생성된 빔을 서로 다른 개수와 간격 형태로 분할할 수 있다.
또한, 복수의 슬롯은 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 나열되어 있어, 상기 슬롯부는 구동부에 의하여 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 이동되거나 슬롯부는 원형으로 형성되고 구동부에 의해 회전되고, 슬롯부가 회전함에 따라 상기 복수의 슬롯 중 하나가 상기 빔 경로에 위치될 수 있다.
또한, 레이저 발생부와 상기 슬롯부 사이에 위치하여, 상기 레이저 발생부에서 생성된 빔의 스폿 크기를 조절하는 콜리메이터를 더 포함할 수 있다.
또한, 슬롯부와 상기 스캐너 사이에 위치하여, 상기 빈 슬롯을 관통한 빔의 스폿 크기를 조절하고, 상기 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔의 간격을 조절하는 콜리메이터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하여 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 웨이퍼 가공 장치는 복수의 슬롯을 포함하는 슬롯부가 구비되어 있어, 슬롯에 삽입된 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔과 빈 슬롯을 관통하는 빔을 통하여 웨이퍼의 표면 전체를 가공할 수 있으므로, 태양광 전지의 효율을 증대 시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 가공 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 나타낸 블록도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 슬롯부를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 웨이퍼 가공 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 나타낸 블록도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참고해보면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치는 레이저 발생부(20), 슬롯부(30), 스캐너(40)(Scanner)를 포함할 수 있다.
레이저 발생부(20)는 웨이퍼(10)를 가공하기 위한 빔을 생성할 수 있다. 웨이퍼(10)는 예를 들어 도 5에 도시된 바와 같이 일반적인 원형 웨이퍼의 가장자리를 깎아 다각형 혹은 사각형에서 모서리가 제거된 형상으로 형성된 태양광 전지 웨이퍼(10)로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
슬롯부(30)는 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔을 복수개로 분할하는 적어도 하나의 회절 광학 소자(34)(DOE: Diffraction Optical Element)가 삽입되고 빔이 관통되도록 형성된 복수의 슬롯(32)을 포함할 수 있다. 즉, 빔 경로 상에 위치한 복수의 슬롯(32) 중 한 곳은 빔이 관통되도록 형성될 수 있다. 또한 슬롯부(30)는 후술할 구동부(70)에 의하여 이동되도록 형성되어 복수의 슬롯(32) 중 어느 하나가 빔 경로 상에 위치하여 빔이 관통되도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 슬롯부(30)의 측면 또는 외주연에서 빔 경로에 수직한 방향으로 복수의 슬롯(32)이 형성되고, 슬롯부(30)의 일면부터 타면까지 빔이 관통할 수 있는 복수의 관통부(36)가 복수의 슬롯에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 회절 광학 소자(34)는 빔 경로와 수직한 방향으로 관통부(36)에 대응되는 위치까지 슬롯(32)에 삽입될 수 있다.
스캐너(40)는 슬롯부(30)에서 전달된 빔을 웨이퍼(10) 표면으로 전달하여 웨이퍼(10) 표면이 가공되도록 하는 역할을 한다. 특히, 스캐너(40)는 복수의 갈바노 미러(Galvano-mirror)가 구비되어 있어, 별도의 구동부(미도시)에 의하여 갈바노 미러가 회전됨에 따라 전달된 빔을 x축과 y축으로 이동시켜 웨이퍼(10) 표면 중 원하는 영역을 가공할 수 있다. 별도의 구동부는 후술할 제어부(90)에 의하여 제어될 수 있다.
한편, 복수의 슬롯(32) 중 적어도 한 곳은 회절 광학 소자(34)가 미 삽입되어 빈 슬롯으로 형성할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 표면은 적어도 하나의 회절 광학 소자(34)에 의하여 분할된 복수의 빔과 빈 슬롯을 관통한 빔에 의하여 가공될 수 있다.
결국, 빔은 복수의 관통부(36)를 통해 복수의 슬롯(32) 중 어느 한 곳을 관통하여 스캐너(40)로 전달되는데, 이때 빔이 관통하는 슬롯(32)에 회절 광학 소자(34)가 삽입될 경우, 빔은 복수개로 분할되어 스캐너(40)로 전달되므로 웨이퍼(10)의 표면은 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 점(Dot) 형상으로 가공될 수 있다. 이처럼, Dot 형상으로 웨이퍼(10)를 가공하면, 종래의 Line 형상으로 표면을 가공할 때 보다 태양광 전지의 효율을 증대된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 회절 광학 소자(34)는 복수개로 형성되어 슬롯부(30)의 복수의 슬롯(32) 중 일부에 삽입될 수 있다. 구체적으로 복수의 슬롯(32)에 삽입된 복수의 회절 광학 소자(34)는 각각 서로 다른 개수, 간격, 형태로 빔을 분할하도록 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 회절 광학 소자와 제2 회절 광학 소자에 의하여 분할되는 빔의 개수는 서로 다르게 형성될 수 있다.
따라서, 사용자가 원하는 가공 패턴 또는 가공 조건에 따라 복수의 회절 광학 소자(34) 중 하나를 선택함에 따라 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔은 선택된 회절 광학 소자(34)에 의하여 복수개로 분할되어 웨이퍼(10) 표면에 전달될 수 있다.
다시, 도 2 및 도 3을 참고해보면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼(10) 가공 장치는, 아이솔레이터(Isolator)(50), 콜리메이터(Collimator)(60), 레즈부(70) 구동부(80), 제어부(90)를 더 포함할 수 있다.
아이솔레이터(50)는 레이저 발생부(20)와 슬롯부(30) 사이에 위치하여, 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔이 여러 주변 장치에 의해 다시 레이저 발생부(20) 방향으로 돌아 오는 것을 방지하거나, 빔의 특성이 왜곡되거나 주변 구성 및 부품이 파괴되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이에 따라 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔은 아이솔레이터(50)를 통과하되 다시 레이저 방생부(20) 방향으로 되돌아오 것이 차단될 수 있다.
콜리메이터(60)는 레이저 발생부(20)와 슬롯부(30) 사이에 위치하여, 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔을 일정한 크기로 조절하여 평행 빔을 형성한다. 즉, 콜리메이터(60)는 빔의 스폿의 크기를 조절하도록 형성될 수 있으며, 아이솔레이터(60)가 구비되어 있으면 콜리메이터(60)는 아이솔레이터(50)와 슬롯부(30) 사이에 위치할 수 있다.
따라서, 콜리메이터(60)는 사용자가 원하는 가공 패턴 혹은 가공 조건에 따라 빔의 스폿 크기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 회절 광학 소자(34)에 의하여 1차적으로 웨이퍼(10)가 가공이 되고, 2차적으로 웨이퍼(10)의 미 가공 영역을 가공할 때, 레이저 발생부(20)에서 생성됨 빔을 그대로 사용할 경우, 웨이퍼(10) 상에 형성되는 Dot 패턴에 차이점이 발생할 수 있으므로, 기존 Dot 패턴 형상에 대응되게 웨이퍼의 미 가공 영역을 가공하도록 빔의 스폿 크기를 조절할 수 있다.
또한 도 4을 참고해보면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 콜리메이터(60)는 슬롯부(30)와 스캐너(40) 사이에 위치하여 회절 광학 소자(34)에 의하여 빔 스폿의 크기를 조정하는 것뿐만 아니라 고정된 빔 간의 간격을 조정하도록 형성될 수 있다.
예를 들어 슬롯(32)에 삽입되어 있는 회절 광학 소자(34)에 의하여 분할된 복수의 빔이 사용자가 원하는 간격으로 웨이퍼(10)를 가공하지 못할 경우, 새로운 회절 광학 소자(34)가 필요하므로 새로 제작하여 교체를 하여야 한다. 이에 따라 비용이 더 발생할 수 있으므로 콜리메이터(60)가 슬롯부(30)와 스캐너(40) 사이에 위치하여 회절 광학 소자(34)에 의하여 고정된 빔 간격을 넓히거나 줄일 수 있으므로 효율적으로 웨이퍼(10)를 가공할 수 있고, 회절 광학 소자(34)의 개수를 줄일 수 있으므로 원가절감을 할 수 있다.
렌즈부(70)는 스캐너(40)와 웨이퍼(10) 사이에 위치하게 되며, 스캐너(40)의 갈바노 미러의 회전량이 부족하여 웨이퍼(10)의 표면 전체를 가공할 수 없을 경우, 이를 보완하기 위한 역할로 F-theta Lens로 형성될 수 있다. 이에 따라 스캐너로부터 전달된 빔은 렌즈부(70)를 통하여 웨이퍼의 표면에 도달할 수 있다.
제어부(90)는 웨이퍼(10)를 가공하기 위하여 구동부(80), 레이저 발생부(20), 스캐너(40), 콜리메이터(60), 아이솔레이터(50) 등을 제어하여 효율적으로 웨이퍼(10)가 가공되도록 구성될 수 있다.
특히, 제어부(90)는 웨이퍼(10)를 가공하기 위한 가공 패턴이 구비된 복수의 도면이 저장되어 있어 웨이퍼(10)에 가공되는 패턴이 도면에 도시된 패턴과 대응되도록 구동부(80), 레이저 발생부(20), 스캐너(40), 콜리메이터(60), 아이솔레이터(50), 렌즈부(70)등을 제어할 수 있다. 예를 들어 제1 도면은 웨이퍼(10)의 표면 전반적인 영역을 가공하기 위한 패턴이 도시될 수 있고, 제2 도면은 웨이퍼(10) 가공 후, 미 가공된 영역을 가공하기 위한 패턴이 도시될 수 있다.
또한, 각 도면은 각 슬롯에 구비된 회절 광학 소자에 의하여 분할되는 빔과 빈 슬롯을 관통하는 빔의 특성을 고려하여 형성될 수 있다. 한편, 복수의 도면은 별도의 저장부(미도시)에 저장될 수 있다.
구동부(80)는 모터 등으로 형성되어 제어부(90)의 제어에 따라 복수의 슬롯 중 어느 하나가 빔 경로상에 위치하도록 슬롯부(30)를 구동시킬 수 있다.
한편, 도 5(a)는 적어도 하나의 회절 광학 소자(34)에 의하여 분할된 빔을 통해 가공된 웨이퍼(10)의 표면을 나타내고, 도 5(b)는 회절 광학 소자(34)에 의해 분할된 빔과 빈 슬롯을 통과 빔을 이용하여 웨이퍼(10)의 미 가공 영역을 가공한 웨이퍼(10)의 표면을 나타낸 도면이다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼(10)는 빈 슬롯을 관통한 빔과 회절 광학 소자(34)에 의하여 분할된 복수의 빔을 통하여 가공된다. 도 5(a)을 참고해보면, 회절 광학 소자(34)만을 사용할 경우, 상술한 웨이퍼(10)의 면취된 웨이퍼 형상에 따라 미 가공 영역이 존재할 수 있다. 미 가공 영역이 발생하면, 정공의 이동 통로 확보가 미진하여 발생 전류가 감소하고 이로 인하여 태양광 전지의 효율이 저하될 수 있다. 따라서 태양광 전지 웨이퍼에 보다 많은 Dot 형상 가공을 통해 태양광 전지의 효율을 증대할 필요성이 있다.
따라서, 이 경우 빈 슬롯을 관통한 빔을 스캐너(40)로 전달하여 나머지 미 가공된 웨이퍼(10) 표면 영역을 가공할 수 있다. 즉, 분할되지 않은 단일 빔으로 미 가공된 웨이퍼 영역을 가공할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼(10) 가공 장치는 적어도 하나의 회절 광학 소자(34)에 의하여 분할된 복수의 빔과 빈 슬롯을 관통한 빔을 통하여 순차적으로 웨이퍼(10)의 표면 전체를 가공함으로써, 태양광 전지의 효율을 증가시킬 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 슬롯부를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 슬롯부(30)는 전술한 바와 같이 구동부(80)에 의하여 구동되도록 형성될 수 있다.
즉, 복수의 슬롯 중 일부에는 복수의 회절 광학 소자(34)가 삽입될 수 있고, 이 복수의 회절 광학 소자(34)는 서로 다른 개수와 간격 형태로 레이저 발생부(20)에서 생성된 빔을 분할 수 있으므로, 복수의 회절 광학 소자(34) 중 사용자가 원하는 회절 광학 소자(34)를 빔 경로상에 위치하도록 하기 위하여 전술한 바와 같이 구동부(80)에 의하여 이동될 수 있다.
구체적으로 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 슬롯부(30)는 빔 경로와 수직 방향으로 형성되어 복수의 슬롯 또한 빔 경로와 수직한 방향으로 나열되므로 구동부에 의하여 빔 경로와 수직한 방향으로 이동되도록 형성될 수 있다.
따라서, 구동부(80)에 의하여 슬롯부(30)가 빔 경로와 수직한 방향으로 이동(예를 들어, 좌우 또는 상하 방향)될 경우, 복수의 슬롯 중 하나가 빔 경로 상에 위치하게 되고, 빔 경로 상에 위치한 슬롯이 빈 슬롯일 경우, 빔은 빈 슬롯을 그대로 관통하고, 슬롯에 회절 광학 소자(34)가 탑재될 경우, 회절 광학 소자(34)의 형상 및 특성에 따라 빔은 복수개로 분할될 수 있다.
도 7를 참고해보면, 위와 다르게, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 슬롯부(30)는 원형으로 형성되고 구동부(80)에 의하여 회전되도록 형성될 수 있다. 이때는 복수의 슬롯(32)은 슬롯부(30)의 외주연에서 슬롯부(30)의 중심 방향으로 형성될 수 있고, 슬롯부(30)가 회전되는 중심축은 빔 경로와 평행하도록 형성될 수 있다.
따라서, 슬롯부(30)가 구동부(80)에 의하여 회전함에 따라 복수의 슬롯 중 하나가 빔 경로에 위치될 수 있으므로, 빔 경로 상에 위치한 슬롯(32)이 빈 슬롯일 경우, 빔은 슬롯부(30)를 그대로 관통하고 슬롯에 회절 광학 소자(34)가 탑재될 경우, 회절 광학 소자(34)의 형상 및 특성에 따라 빔을 분할하여 복수개로 분할될 수 있다. 비록, 설명에는 슬롯부(30)가 원형으로 형성되다고 기재가 되어 있지만, 슬롯부가 회전되도록 형성될 수 있다면 다른 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 슬롯(32)에서 삽입된 회절 광학 소자(34)가 분리되는 구동에 의해 분리되는 것을 방지하기 위하여 슬롯부(30) 혹은 각 슬롯(32)에 별도의 소자 이탈 방지 커버가 구비될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼(10) 가공 방법을 나타낸 순서도이다.
웨이퍼 가공 방법은 회절 광학 소자(34)를 빔 경로 상에 위치하는 단계(S101), 제1 도면을 인식하는 단계(S102), 1차 가공 단계(S103), 빈 슬롯을 빔 경로에 위치하는 단계(S104), 제2 도면을 인식하는 단계(S105), 2차 가공 단계(S106)를 포함할 수 있다.
회절 광학 소자(34)를 광 경로 상에 위치하는 단계(S101)는 사용자가 제어부를 통하여 웨이퍼(10)의 표면 가공을 위한 복수의 회절 광학 소자(34) 중 하나를 선택하여 빔 경로 상에 위치시키는 단계이다. 구체적으로, 사용자가 제어부를 통하여 원하는 가공 패턴 혹은 가공 조건에 따라 복수의 회절 광학 소자(34) 중 어느 하나를 선택함에 따라 구동부 제어되어 선택된 회절 광학 소자는 빔 경로 상에 위치될 수 있다.
제1 도면을 인식하는 단계(S102)는 제어부에 저장된 복수의 도면 중 제1 도면을 인식하는 단계이다. 사용자가 제어부를 통하여 원하는 가공 패턴이 구성되어 있는 도면을 선택함에 따라 인식될 수 있다.
1차 가공 단계(S103)는 선택된 제1 도면에 따라 제어부(90)가 레이저 발생부(20), 스캐너(40), 콜리메이터(60), 아이솔레이터(50), 렌즈부(70), 구동부(80)를 제어하여 웨이퍼(10)의 표면을 가공하는 단계이다.
빈 슬롯을 빔 경로에 위치하는 단계(S104)는 웨이퍼의 미 가공된 영역을 가공하기 위하여 빈 슬롯을 빔 경로 상에 위치하도록 제어부가 제어하는 단계이다.
제2 도면을 인식하는 단계(S105)는 미 가공된 영역을 가공하기 위하여 제어부에 저장된 복수의 도면 중 제2 도면을 인식하는 단계이다.
2차 가공 단계(S106)는 선택된 제2 도면에 따라 제어부가 구동부(80), 레이저 발생부(20), 스캐너(40), 콜리메이터(60), 아이솔레이터(50), 렌즈부(70)를 제어하여 웨이퍼 형상에 의하여 미 가공된 웨이퍼 영역을 가공하는 단계이다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치의 콜리메이터(60)가 슬롯부(30)와 스캐너(40) 사이에 구비될 경우 1차 가공 시, 분할된 빔 간의 간격을 조절되도록 제어부에 의하여 제어될 수 있다.
비록 앞서 설명은 회절 광학 소자에 의하여 분할한 빔으로 1차적으로 웨이퍼의 표면을 가공하고 2차적으로 빈 슬롯을 관통한 빔으로 웨이퍼의 미 가공영역을 가공하는 특징으로 기재되어 있지만, 가공 조건과 필요에 따라 이와 반대로 빈 슬롯을 관통한 빔으로 먼저 웨이퍼의 표면을 가공한 후에 회절 광학 소자에 의하여 분할된 빔으로 웨이퍼의 표면을 가공할 수도 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼를 가공하기 위한 빔을 생성하는 레이저 발생부;
    상기 빔을 복수개로 분할하는 적어도 하나의 회절 광학 소자가 삽입되고 상기 빔이 관통되도록 형성된 복수의 슬롯을 포함하는 슬롯부;
    상기 슬롯부에서 전달된 빔을 상기 웨이퍼의 표면으로 전달하는 스캐너;
    를 포함하되,
    상기 복수의 슬롯 중 한 곳은 상기 빔 경로 상에 위치하도록 형성되고,
    상기 복수의 슬롯 중 적어도 한 곳은 상기 회절 광학 소자가 미 삽입되어 빈 슬롯으로 형성되고,
    상기 웨이퍼의 표면은 상기 적어도 하나의 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔과 상기 빈 슬롯을 관통한 빔에 의하여 가공되는 웨이퍼 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회절 광학 소자는 복수개로 형성되고,
    상기 복수의 회절 광학 소자는 상기 레이저 발생부에서 생성된 빔을 서로 다른 개수와 간격 형태로 분할하는 웨이퍼 가공 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 슬롯은 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 나열되어 있어, 상기 슬롯부는 구동부에 의하여 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 이동되는 웨이퍼 가공 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 슬롯부는 원형으로 형성되고 구동부에 의해 회전되고,
    상기 슬롯부가 회전함에 따라 상기 복수의 슬롯 중 하나가 상기 빔 경로에 위치되는 웨이퍼 가공 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 발생부와 상기 슬롯부 사이에 위치하여, 상기 레이저 발생부에서 생성된 빔의 스폿 크기를 조절하는 콜리메이터를 더 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 슬롯부와 상기 스캐너 사이에 위치하여, 상기 빈 슬롯을 관통한 빔의 스폿 크기를 조절하고, 상기 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔의 간격을 조절하는 콜리메이터를 더 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 슬롯부는
    상기 회절 광학 조사가 슬롯에서 분리되는 것을 방지하는 이탈 방지 커버를 더 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 표면은 상기 회절 공학 조사에 의하여 분할된 복수의 빔을 통해 1차적으로 가공되는 웨이퍼 가공 장치.
  9. 제9항에 있어서,
    상기 웨이퍼 표면은 상기 빈 슬롯을 관통한 빔에 의하여 2차적으로 가공되는 웨이퍼 가공 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 발생부와 상기 슬롯부 사이에는 아이솔레이터가 더 구비되는 웨이퍼 가공 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 표면은 복수의 점 형상으로 가공되는 웨이퍼 가공 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 가공하기 위한 복수의 도면이 저장된 제어부를 더 포함하고,
    상기 복수의 도면에는 상기 웨이퍼를 가공하기 위한 가공 패턴이 구비되고.
    상기 제어부는
    상기 웨이퍼가 상기 복수의 도면의 가공 패턴에 따라 가공되도록 상기 레이저 발생부, 슬롯부, 스캐너를 제어하는 웨이퍼 가공 장치.
  13. 웨이퍼 가공을 위해 슬롯부에 삽입된 복수의 회절 광학 소자 중 하나를 회절 광학 소자를 레이저 발생부에 의하여 형성된 빔 경로상에 위치하는 단계;
    제어부에 저장된 복수의 도면 중 제1 도면을 인식하는 단계;
    상기 제1 도면에 따라 웨이퍼 표면을 1차 가공하는 단계;
    상기 슬롯부의 복수의 회절 광학 소자가 미 삽입된 빈 슬롯을 상기 빔 경로상에 위치하는 단계;
    상기 제어부를 통해 상기 저장된 복수의 도면 중 제2 도면을 인식하는 단계;
    상기 제2 도면에 따라 웨이퍼 표면을 2차 가공하는 단계를 포함하는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    빔 경로상에 위치하는 단계는
    구동부를 통해 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 복수의 슬롯이 나열되어 있는 슬롯부를 상기 빔 경로와 수직한 방향으로 이동시키는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    빔 경로상에 위치하는 단계는
    구동부를 통해 복수의 슬롯 중 하나가 상기 빔 경로에 위치하도록 상기 원형으로 형성된 슬롯부를 회전시키는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 2차 가공 단계는 상기 1차 가공 단계에서 미 가공된 웨이퍼 영역을 가공하는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 2차 가공 단계는
    상기 레이저 발생부 및 상기 슬롯부 사이에 위치하는 콜리메이터에 의하여 상기 빔의 크기를 조절하는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 1차 가공 단계는,
    상기 회절 광학 소자에 의하여 분할된 복수의 빔의 간격을 콜리메이터에 의해 조절하는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 웨이퍼 표면은 복수의 점 형상으로 가공되는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 회절 광학 소자는 상기 레이저 발생부에서 생성된 빔을 서로 다른 개수와 간격 형태로 분할하는 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070109448A (ko) * 2006-05-11 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 노광설비에서의 광학 시스템
JP4106701B2 (ja) * 2001-12-12 2008-06-25 株式会社ニコン 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法
KR20130121073A (ko) * 2010-07-01 2013-11-05 선파워 코포레이션 고처리율 태양 전지 융삭 시스템
US20150293371A1 (en) * 2012-10-25 2015-10-15 Applied Materials, Inc. Diffractive optical elements and methods for patterning thin film electrochemical devices
KR20160127462A (ko) * 2015-04-27 2016-11-04 삼성전기주식회사 레이저 가공장치 및 그 가공방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4106701B2 (ja) * 2001-12-12 2008-06-25 株式会社ニコン 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法
KR20070109448A (ko) * 2006-05-11 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 노광설비에서의 광학 시스템
KR20130121073A (ko) * 2010-07-01 2013-11-05 선파워 코포레이션 고처리율 태양 전지 융삭 시스템
US20150293371A1 (en) * 2012-10-25 2015-10-15 Applied Materials, Inc. Diffractive optical elements and methods for patterning thin film electrochemical devices
KR20160127462A (ko) * 2015-04-27 2016-11-04 삼성전기주식회사 레이저 가공장치 및 그 가공방법

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