WO2019194326A1 - 웨이퍼 수납용기 - Google Patents

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WO2019194326A1
WO2019194326A1 PCT/KR2018/003876 KR2018003876W WO2019194326A1 WO 2019194326 A1 WO2019194326 A1 WO 2019194326A1 KR 2018003876 W KR2018003876 W KR 2018003876W WO 2019194326 A1 WO2019194326 A1 WO 2019194326A1
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purge gas
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우범제
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우범제
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means

Definitions

  • the present invention relates to a wafer storage container.
  • the present invention relates to a wafer storage container for supplying a purge gas to a wafer stored in a storage chamber to remove fume from the wafer or to remove moisture from the wafer.
  • a semiconductor device is manufactured by selectively and repeatedly performing a deposition process, a polishing process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, a heat treatment process, and the like on a wafer. To this end, the wafer is transported to a specific location required for each process.
  • the wafer is a high-precision article that is stored or transported in a wafer container such as a front opening uni-pod (FOUP) or the like so as not to be contaminated or damaged from external contaminants and impacts.
  • a wafer container such as a front opening uni-pod (FOUP) or the like so as not to be contaminated or damaged from external contaminants and impacts.
  • FOUP front opening uni-pod
  • process gas used in the process and fume, a by-product of the process remain on the surface of the wafer without being removed, thereby causing contamination of semiconductor manufacturing equipment during the process or etching patterns of the wafer. pattern) defects may occur and the reliability of the wafer is deteriorated.
  • purging techniques have been developed to supply a purge gas to a wafer accommodated in a wafer storage container to remove fumes remaining on the surface of the wafer or to prevent oxidation of the wafer.
  • a wafer storage container capable of supplying a purge gas is known from Korean Patent No. 10-1637498 (hereinafter referred to as 'Patent Document 1').
  • the wafer storage container of Patent Literature 1 separates a storage chamber in which a wafer is stored therein, a first gas injection chamber communicating with the storage chamber, and a storage chamber and the first gas injection chamber into separate spaces independent of each other.
  • a first separation wall having a first hole formed therein, a second gas injection chamber communicating with the storage chamber, and a storage chamber and the second gas injection chamber separated into independent spaces, and having a plurality of second holes through which gas is communicated.
  • the second separation wall, the gas exhaust chamber communicating with the storage chamber, the storage chamber and the gas exhaust chamber are separated into separate spaces independent of each other, but the third partition wall having a plurality of third holes through which gas is communicated, and supporting the wafer It comprises a plurality of plates.
  • the gas introduced into the first and second gas injection chambers is injected into the storage chamber through the first and second holes, respectively, and is exhausted through the third hole to the gas exhaust chamber together with the fumes remaining on the surface of the wafer. Fume removal can be achieved.
  • the first and second gas injection chambers have a simple chamber shape, the injection force of the gas injected into the storage chamber through the first and second holes in the lower region of the first and second gas injection chambers, and the first In addition, the injection force of the gas from the upper region of the two gas injection chambers to the storage chamber through the first and second holes must be different. Therefore, there is a limitation that the fume removal of the wafers stored in the storage chamber cannot be made even.
  • inequality of gas injection force is generated in both vertical and horizontal positions of the first and second gas injection chambers, which contributes to the formation of turbulent flow of the gas injected into the storage chamber.
  • Patent Document 1 Korean Registered Patent No. 10-1670383
  • the present invention has been made to solve the above-described problem, and minimize the dead zone generation through the spray of uniform purge gas and at the same time prevent the formation of turbulence in the storage compartment to increase the efficiency of wafer purging, into the interior of the storage compartment
  • An object of the present invention is to provide a wafer storage container capable of compacting an injection member for injecting purge gas, thereby achieving compactness of the entire wafer storage container.
  • a wafer storage container includes: a storage room in which a wafer accommodated through a front opening is received; And an injection member disposed on at least a portion of a circumferential surface of the storage chamber to inject purge gas into the storage chamber, wherein the injection member comprises: an inlet for introducing the purge gas into the injection member; A plurality of injection holes arranged on the partial surface to inject the purge gas into the storage chamber; And a branch flow path portion having at least one branch section to flow the purge gas introduced through the inlet to the plurality of injection holes, wherein the branch flow path portion is provided on a surface parallel to the partial surface. It is done.
  • branch flow path portion the main flow path communicating with the inlet, the main flow path is formed in the vertical direction of the surface parallel to the moving surface;
  • a plurality of branch flow paths communicating with the main flow path and the plurality of injection holes, respectively, being branched symmetrically with respect to the main flow path to form the branch section, and formed in a horizontal direction of a plane parallelly moved from the partial surface. It characterized by including.
  • the inlet is characterized in that located in the center of the vertical length of the main flow path.
  • the flow distances of the purge gas flowing from the inlet to each of the plurality of injection ports through the branch flow path are all characterized in that the same.
  • branch section of the branch flow path is characterized in that it is branched in opposite directions to be branched into two branch flow paths.
  • the injection member, the injection plate is formed with the plurality of injection holes and the branch flow path; And an inlet plate coupled to the injecting plate and the inlet formed therein, wherein the plurality of injecting holes are formed on one side of the injecting plate, and the branch flow channel is formed on the opposite side of the injecting plate.
  • the injection member may further include an additional flow path plate disposed between the injection plate and the inflow plate and having an additional flow path communicating with the inflow port and the branch flow path.
  • the flow rate of the purge gas supplied from the external supply unit can be maintained through the flow path structure of the injection member chamber chamber of the conventional wafer storage container, the injection speed of the purge gas injected from the injection port is increased, thereby Therefore, it is possible to minimize the occurrence of dead zones inside the storage compartment.
  • Purging to the lower region, the central region and the upper region inside the storage compartment can be controlled individually.
  • the injection member can be easily coupled / detached, when contaminants are accumulated in the injection member using the wafer storage container for a long time, the injection member can be easily replaced and thus easy to maintain.
  • FIG. 1 is a perspective view of a wafer storage container according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG.
  • FIG. 3 is a bottom view of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a view showing a flow of purge gas flowing to the injection member in the lower plate of FIG.
  • FIG. 5 is a perspective view of the left front injection member of FIG.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of FIG. 5;
  • FIG. 7 is a view showing the branch flow channel plate of FIG.
  • FIG. 8 is a view showing a flow of purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG.
  • FIG. 9 is a perspective view of the exhaust member of FIG.
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of FIG. 9;
  • FIG. 11 is a view illustrating a flow of purge gas injected to a wafer supported by the support of FIG. 1 and a flow of purge gas and fume exhausted to the exhaust member;
  • Fig. 12 is a view showing the branch flow path plate of the left front ejection member according to the first modification.
  • FIG. 13 is a view showing a flow of purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG.
  • FIG. 14 is a perspective view of the left front ejection member according to the second modification
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of FIG. 14;
  • Figure 16 (a) is a view showing the front of the injection plate of Figure 15.
  • Figure 16 (b) is a view showing the back of the injection plate of FIG.
  • FIG. 17 illustrates a flow of purge gas flowing through the injection plate of FIG. 16 (b).
  • FIG. 18 is a view showing the front side of the additional euro plate of FIG.
  • Fig. 19A is a view showing the front face of the jetting plate of the left front ejection member according to the third modification.
  • Fig. 19B is a view showing the back side of the jetting plate of the left front jetting member according to the third modification
  • Fig. 20A is a view showing the front face of the jetting plate of the right front ejection member according to the third modification.
  • 20 (b) is a view showing the rear face of the jetting plate of the right front ejection member according to the third modification
  • Fig. 21 (a) is a view showing the front face of the spray plate of the center rear spray member according to the third modification.
  • FIG. 21 (b) is a view showing the rear surface of the jet plate of the central rear injection member according to the third modification
  • FIG. 22 is a view illustrating a flow of purge gas injected to a wafer supported by a support of a wafer storage container with injection members according to a third modified example, and a flow of purge gas and fume exhausted to the exhaust member;
  • the purge gas referred to below refers to an inert gas for removing the fume of the wafer, and in particular, may be nitrogen (N 2 ) gas, which is one of the inert gases.
  • purging is a general term for preventing oxidation of the wafer by spraying purge gas on the wafer to remove fumes remaining on the wafer surface or to remove humidity in the storage chamber.
  • a wafer storage container includes a storage chamber in which a wafer accommodated through a front opening is accommodated, a support provided in the storage chamber to support a wafer, a lower plate forming a lower surface of the wafer storage container, An upper plate constituting the upper surface of the wafer storage container, an injection member disposed on at least part of the circumferential surface of the storage chamber and injecting purge gas, and a remaining surface on which the injection member of the peripheral surface of the storage chamber is not disposed And an exhaust member for exhausting the purge gas.
  • a front opening is formed at the front of the storage chamber, and the wafer enters and exits the storage chamber through the front opening.
  • the support is provided inside the storage chamber to support the wafer, and the wafer is accommodated in the support through the front opening formed at the front of the storage chamber.
  • the upper plate and the lower plate form the upper and lower surfaces of the wafer container, respectively. Therefore, the upper and lower surfaces of the storage chamber are closed by the upper plate and the lower plate.
  • the lower plate is provided with a supply port and a supply flow path communicating with the supply port.
  • the purge gas introduced through the supply flow path flows to the injection member.
  • the injection member is disposed on at least part of the circumferential surface of the storage chamber in which the wafer is accommodated, and functions to spray the purge gas introduced through the lower plate flow path formed in the lower plate to the storage chamber.
  • the injection member is in communication with the supply passage for injecting the purge gas into the injection member, a plurality of injection holes arranged on a portion of the peripheral surface of the circumference of the storage chamber is arranged to inject the purge gas into the storage chamber, and through the inlet
  • a branch flow path portion having at least one branching section for flowing the introduced purge gas to a plurality of injection holes, wherein the branch flow path portion is in parallel with the surface of the storage chamber in parallel with a portion of the injection member is disposed It is provided.
  • the exhaust member is disposed on at least the other surface of the circumferential surface of the storage chamber in which the wafer is accommodated, that is, at least a portion of the peripheral surface of the storage chamber, and exhausts fumes of the wafer and the purge gas injected into the storage chamber.
  • the wafer storage container includes an injection member for injecting purge gas into the storage chamber and an exhaust member for exhausting the purge gas, thereby achieving fume removal and humidity control of the wafer accommodated in the storage chamber.
  • the injection member injects the purge gas into the storage chamber
  • the exhaust member exhausts the fume of the wafer and the purge gas injected into the storage chamber by the injection member, thereby achieving fume removal of the wafer or exhausting by the exhaust member.
  • the purge gas is injected from the injection member into the storage chamber, whereby humidity control of the wafer can be achieved.
  • the injection member and the exhaust member as described above may be provided with a plurality depending on the size, use, etc. of the wafer storage container.
  • the front opening of the storage compartment is provided, and the circumferential surface of the storage compartment is in order from left to right, and includes the front left side, the left rear side, the center rear side, the right rear side, and the right front side.
  • the plurality of spray members may include a left front spray member disposed on the left front side of the circumferential surface of the storage chamber, a right front spray member disposed on the right front surface of the circumferential surface of the storage chamber, and a circumferential surface of the storage chamber. It may be composed of a central rear spray member disposed in the central rear surface.
  • the plurality of exhaust members may be disposed on the left rear surface and the right rear surface on which the injection member is not disposed among the peripheral surfaces of the storage chamber.
  • the plurality of injection members 500 may have a left front surface, a right front surface, and a center rear surface of the circumference of the storage chamber 100. It consists of a left front injection member 500LF, a right front injection member 500RF and a center rear injection member 500MR disposed on each side, and the exhaust member 600 is a single exhaust member 600, and includes a storage chamber ( It will be described on the basis of the wafer holding container 10 made of the exhaust member 600 disposed on the right rear side of the peripheral surface of the injection member 500 is not disposed.
  • the left front injection member 500LF indicates that the injection member 500 is disposed at the left front (LEFT FRONT)
  • the right front injection member 500RF indicates that the injection member 500 is positioned at the right front RIGHT FRONT
  • the center rear spray member 500MR indicates that the spray member 500 is disposed in the middle rear MIDDLE REAR.
  • the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR differ only in their arrangement positions, and their configurations are the same. Therefore, in the following description, the left front injection member 500LF will be described as a reference, and the overlapping descriptions of the remaining right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR will be described with the left front injection member 500LF.
  • the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR are arranged to be arranged for ease of explanation, the left front injection member 500LF and the right front are as described above. Regardless of the terms of the injection member 500RF and the central rear injection member 500MR, both of them may be understood as the term injection member 500.
  • Wafer receiving container 10 according to a preferred embodiment of the present invention
  • FIG. 1 is a perspective view of a wafer storage container according to a preferred embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG. 1
  • FIG. 3 is a bottom view of FIG. 1
  • FIG. 4 is an injection member in the lower plate of FIG. 1.
  • 5 is a perspective view of the left front injection member of FIG. 1
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of FIG. 5
  • FIG. 7 is a branch flow path plate of FIG. 6.
  • 8 is a view showing a flow of purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG. 7
  • FIG. 9 is a perspective view of the exhaust member of FIG. 1
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of FIG. 9, and FIG. 11.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a flow of purge gas injected to a wafer supported by the support of FIG. 1 and a flow of purge gas and fume exhausted to the exhaust member.
  • the wafer storage container 10 includes a storage chamber 100 in which a wafer W accommodated through the front opening 110 is accommodated.
  • the support 200 provided in the storage chamber 100 to support the wafer W, the lower plate 300 forming the lower surface of the wafer storage container 10, and the upper surface of the wafer storage container 10 are provided.
  • the right front injection member 500RF disposed on the right front side of the surface to inject the purge gas into the storage chamber 100 and the center rear side of the peripheral surface of the storage chamber 100 are purged in the storage chamber 100.
  • the center rear injection member 500MR for injecting gas and the right rear surface of the peripheral surface of the storage chamber 100 where the injection member 500 is not arranged are disposed. Is is configured to include an exhaust member 600 for the fume exhaust of the storage chamber 100, the purge gas and the wafer (W) of the.
  • the storage chamber 100 has a function of accommodating the wafer W therein, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the center rear injection member. (500MR), the left rear wall (130LR, 130 LEFT REAR) and the exhaust member 600 is defined as an inner space surrounded by the peripheral surface.
  • the front opening 110 is formed at the front of the storage chamber 100, and the wafer W enters and exits through the front opening 110.
  • the upper surface of the storage compartment 100 is composed of an upper plate 400
  • the lower surface of the storage compartment 100 is composed of a lower plate 300
  • the circumferential surface of the storage compartment 100 is in order from left to right. It consists of the left front, left rear, center rear, right rear and right front.
  • the left front injection member 500LF is disposed on the left front surface
  • the left rear wall member 130LR is disposed on the left rear surface
  • the center rear injection member 500MR is disposed on the central rear surface.
  • the exhaust member 600 is disposed
  • the right front injection member 500RF is disposed on the right front surface.
  • the storage chamber 100 has an upper surface, a lower surface, and a circumferential surface except for the front opening 110, and an upper plate 400, a lower plate 300, a left front spray member 500LF, and a right rear spray member 500. ),
  • the center rear ejection member 500MR, the left rear wall 130LR, and the exhaust member 600 are closed.
  • the purge gas has a left front surface and a right side of the storage chamber 100 in which the left front injection member 500LF, the right rear injection member 500 and the center rear injection member 500MR are disposed.
  • the purge gas and the fume of the wafer W which are injected into the storage chamber 100 from the front surface and the center rear surface, and are injected into the storage chamber 100, are disposed on the right rear side of the storage chamber 100. Exhaust through 600.
  • the support 200 supporting the wafer W is provided inside the storage chamber 100.
  • the support 200 is provided in plural in the vertical direction according to the number of wafers W accommodated in the storage chamber 100.
  • the plurality of supports 200 are fixed to the front left side, left rear side, right front side and right rear side of the storage chamber 100 by the support coupler 210.
  • the support 200 is provided with a stepped step 230 downward to overlap a portion of the outer side of the wafer W, and the stepped 230 is provided with three protruding pins 250. Accordingly, the wafer W is supported on the support 200 by being mounted on the protruding pin 250.
  • the wafer W is mounted on the protruding pin 250 to be supported by the support 200, the area in which the wafer W and the support 200 are in contact with each other can be minimized. Breakage of (W) can be minimized.
  • the lower plate 300 forms a lower surface of the wafer storage container 10, and closes the lower portion of the storage chamber 100 while at the outside of the wafer storage container 10.
  • the supply port 311 serves to introduce the gas supplied from the outside of the wafer storage container 10 into the lower plate 300.
  • the supply port 311 is formed on the lower surface of the lower plate 300, that is, the lower surface of the lower plate 300, and is a vertical area in the storage compartment 100, that is, the lower area, the center area, and the upper area.
  • the center area supply port 313M and the rear side upper area supply port 313T are formed.
  • the supply passage 331 communicates with the supply port 311 to flow the purge gas supplied from the outside of the wafer storage container 10, that is, the purge gas supplied from the external supply unit (not shown) to the injection member 500. It acts as a passage.
  • the supply passage 331 communicates with the left and right lower region supply holes 311B, the left and right central region supply ports 311M, and the left and right upper region supply ports 311T, so that the left front injection member 500LF and the right front injection member ( Left and right lower region supply passage 331B, left and right middle region supply passage 331M, left and right upper region supply passage 331T, rear side lower region supply passage 313B, and rear side central region for purging the purge gas to 500RF).
  • Rear side lower region supply passage 333B and rear side central region supply passage 333M communicating with the supply port 313M and the rear upper region supply port 313T for flowing purge gas to the rear front spray member 500.
  • a rear side upper region supply passage 333T is
  • the left and right lower region supply passages 331B are connected to the lower region communication port 511B of the left front ejection member 500LF and the lower region communication port 511B of the right front ejection member 500RF, respectively.
  • the left and right central area supply passages 331M have one end and the other end of the center area communication port 511M of the left front injection member 500LF and the center area communication port 511M of the right front injection member 500RF, respectively.
  • one end of the rear side lower region supply passage 333B communicates with the lower region communication port 511B of the central rear injection member 500MR, and one end of the rear side central region supply passage 333M is the center rear side. It communicates with the center region communication port 511M of the injection member 500MR, and one end of the rear side upper region supply passage 333T communicates with the upper region communication port 511T of the center rear injection member 500MR. .
  • the upper plate 400 forms an upper surface of the wafer storage container 10 and functions to close an upper portion of the storage chamber 100.
  • the overall shape of the upper plate 400 preferably has the same shape as the overall shape of the lower plate 300.
  • the injection member 500 includes a left front injection member 500LF disposed on the front left side of the circumferential surface of the storage chamber 100 and the storage chamber 100.
  • the right front spraying member 500RF disposed on the right front side of the circumferential surface, and the center rear spraying member 500MR disposed on the center rear side of the circumferential surface of the storage chamber 100.
  • the left front injection member 500LF includes an inflow plate 510 having a communication port 511 and an inlet 513 communicating with a supply flow path of the lower plate 300, and
  • the left front wall 530LF coupled with the inflow plate 510 and constituting the left front surface of the circumferential surface of the storage compartment 100, and the branch flow path part 551 coupled with the left front wall 530LF and communicating with the inlet port
  • the branch flow path plate 550 and the branch flow path plate 550 are coupled to the injection port plate 570 and the inlet plate 510 in which a plurality of injection holes 571 are formed to communicate with the branch flow path part 551. It is configured to include a heater rod 590 is provided.
  • the lower portion of the inflow plate 510 is formed with a communication port 511 communicating with the supply passage 331 of the lower plate 300.
  • the communication port 511 communicates with the lower region communication port 511B communicating with one end of the left and right lower region supply passage 331B of the lower plate 300, and the central region communicating with one end of the left and right central region supply passage 331M.
  • an inlet 513 is formed in the inlet plate 510 to communicate with the branch channel part 551 of the branch channel part plate 550.
  • the inlet 513 communicates with the lower region inlet 513B communicating with the lower region communicating port 511B, the central region inlet 513M communicating with the central region communicating port 511M, and the upper region communicating port 511T.
  • the upper region inlet 513T is formed.
  • each communication port 511 and each inlet 513 is communicated by an internal flow path (not shown) formed inside the inflow plate 510.
  • the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T each consist of three inlets 513.
  • the left front wall 530LF is coupled to the front direction of the inflow plate 510 (the right direction in FIGS. 1 and 2) so as to be placed between the inflow plate 510 and the branch flow path plate 550, and the storage compartment 100 is provided. It is a wall that forms the front left side of the peripheral surface.
  • the inflow plate 510, the branch flow path plate 550, and the injection hole plate 570 are coupled to the left front wall 530LF, so that the left front injection member 500LF is disposed on the left front side of the peripheral surface of the storage chamber 100. ) Can be easily arranged.
  • the left front ejection member 500LF is separated. By replacing them, the life of the wafer storage container 10 can be maintained for a long time.
  • the inflow plate 510 except for the left front wall 530LF and the branch flow path plate 550 and the nozzle plate 570 may be removed and replaced.
  • the coupling / disengagement structure of the left front wall 530LF has an effect that it is very easy to achieve replacement of only the components to be replaced.
  • the above-described coupling / separation structure may also be applied to the right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR.
  • the right front injection member 500RF itself may be replaced as necessary, or the inflow plate 510, the branch flow path plate 550, and the injection hole plate 570, except for the right front wall 530RF, may be separated and replaced. Can be.
  • the rear rear spray member 500MR itself may be replaced as necessary, or the inlet plate 510, the inlet plate 510, and the branch flow path portion except the center rear wall body 530MR may be used.
  • the plate 550 and the nozzle plate 570 may be separated and replaced.
  • the branch flow path plate 550 is coupled to the front direction (the right direction in FIGS. 1 and 2) of the left front wall 530LF so as to be placed between the left front wall 530LF and the injection hole plate 570.
  • the plate 550 is formed with a branch passage 551 communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510 described above.
  • the branch passage 551 communicates with the inlet 513 of the inlet plate 510 as described above, and includes three regions, namely, the lower region branch passage 551B, the central region branch passage 551M, and the upper portion.
  • the area branch channel 551T may be provided.
  • the lower region branch passage 551B, the central region branch passage 551M, and the upper region branch passage 551T each communicate with the inlet 513 of the inflow plate 510, and
  • the branch flow path 563 communicated with the plurality of injection holes 571 of the injection hole plate 570, and is comprised.
  • Three holes 565 are formed in each of the main passage 561 of the lower region branch passage 551B, the central region branch passage 551M, and the upper region branch passage 551T, and three holes 565 are formed. Are connected to three lower region inlets 513B, a central region inlet 513M, and an upper region inlet 513T, respectively.
  • At least one of the three holes 565 is preferably disposed so as to be located at the center of the vertical length of the main flow path 561. This means that when the hole 565 is located at the center of the vertical length of the main flow path 561, the purge gas flowing along the main flow path 561 through the hole 565 located at the center is directed upward or downward. This is because the flow distance is the same when flowing at. Therefore, unlike the above, even if only one hole 565 is formed in the main flow passage 561, it is possible to ensure a uniform flow of the purge gas to some extent, provided that the flow amount and injection speed according to the flow distance difference of the purge gas are different. Differences may occur to some degree).
  • the branch flow path 563 is branched symmetrically with respect to the main flow path 561 to form a branch section.
  • the branch flow path 563 is provided with a plurality of injection holes 571 and the main flow path 561 of the injection hole plate 570, respectively. Communicate.
  • the injection hole plate 570 is coupled to the front direction (the right direction in FIGS. 1 and 2) of the branch flow path plate 550, and the injection hole plate 570 communicates with the plurality of branch flow paths 563 described above.
  • the injection port 571 is provided.
  • the plurality of nozzles 571 have a plurality of rows and columns (FIG. 5 and FIG. 6 show 30 rows and four columns, a total of 120 nozzles 571, and the lower part of the 30 rows is shown. From the beginning, up to 10 rows may be referred to as the lower region injection port 571B, 11 to 20 rows may be referred to as the central region injection port 571M, and 21 to 30 rows may be referred to as the upper region injection port 571T. ).
  • the plurality of injection holes 571 serve to inject the purge gas flowing through the branch flow path 563 into the interior of the storage chamber 100. As described above, when the plurality of injection holes 571 have 30 rows. In addition, purge gas may be injected onto the upper surfaces of each of the 30 wafers W to remove fumes of the wafers W and to control humidity.
  • the main flow path 561 of the branch flow channel plate 550 is formed in a vertical direction of a surface which is parallelly moved from some surfaces of the peripheral surface of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed.
  • a part of the circumferential surface of the storage chamber 100 may be defined as a left front surface in which the left front injection member 500LF is disposed, and parallel to some surfaces.
  • the moved surface may be defined as the front surface (the right side surface in FIGS. 1 and 2) of the branch flow channel plate 550 in which the main flow path 561 is formed.
  • the front surface of the branch flow path plate 550 is moved outward from the front surface of the injection hole plate 570.
  • the front surface of the branch channel part plate 550 on which the main flow path 561 is formed may be a surface moved in parallel on some surfaces because it is a parallel surface.
  • the main flow path 561 of the branch flow path portion 551 formed in the branch flow path plate 550 of the right front injection member 500RF is parallel to the right front surface of the peripheral surface of the storage chamber 100.
  • the main flow path 561 of the branch flow path part 551 formed in the branch flow path plate 550 of the central rear spray member 500MR is formed in the vertical direction of the moved surface and is centered among the peripheral surfaces of the storage chamber 100. It can be said that it is formed in the vertical direction of the surface moved in parallel with the rear surface.
  • the main flow path 561 of the branch flow path plate plate 550 of the injection member 500 moves in a vertical direction in a plane in which some of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed are moved in parallel.
  • the branch flow path plate 550 may be formed to have a small thickness, through which the compaction of the injection member 500 and the wafer storage container 10 may be achieved.
  • the wafer W supported by the support 200 is supported by several layers in the vertical direction, and the branch flow path including the main flow path 561 of the branch flow path plate 550 of the injection member 500, and the like. Due to the shape of the part 551, unlike a conventional wafer storage container, purge gas can be easily supplied from the lower part to the upper part through the injection member 500 having a small thickness, that is, the compact injection member 500. It is made to achieve the purge gas injection into the interior of the storage chamber (100).
  • each injection member 500 that is, the left front injection member (500LF), the right front injection member (500RF) and the center rear injection member (500MR) is different from the plane shown in Figs.
  • a part of the surface on which the left front ejection member is disposed that is, a circumferential surface of the storage chamber is formed in a curved shape similar to a circular shape, and thus the left front surface of the circumferential surface of the storage chamber has a curved surface.
  • the parallel movement has a surface coinciding with the front surface of the branch flow path plate having a curved surface (i.e., even in the case of a curved surface, the front surface of the front surface of the branch flow path plate is the front surface of the branch flow path plate. This can be called.)
  • the main flow paths 561 of the respective injection members 500 that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR are stored in the storage chamber 100.
  • the branch flow path plate 550 of each of the left front ejection member 500LF, the right front ejection member 500RF and the center rear ejection member 500MR so as to be parallel to the receiving direction of the wafer W accommodated in the wafer W, that is, the vertical direction. Is formed.
  • the branch channel 563 of the branch channel part plate 550 is branched from the main channel 561 at a right angle, that is, at an angle of 90 degrees. Therefore, it can be said that the branch flow path 563 is formed in the horizontal direction of the surface parallelly moved from some surfaces of the peripheral surface of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed.
  • the main flow passage 561 is formed in the vertical direction of the surface parallelly moved from some surfaces of the circumferential surface of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed, and the branch flow passage 563 is formed. Since the branching channel 563 is branched from the main channel 561 at a right angle, that is, at an angle of 90 °, the branch channel 563 is formed by moving the surface parallel to a part of the peripheral surface of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed. It can be said that it is formed in the horizontal direction.
  • the heater rod 590 is inserted into the inlet plate 510 and is provided to heat the purge gas flowing into the inner flow path of the inlet plate 510 to raise the temperature and simultaneously heat the inside of the storage chamber 100. It raises the temperature.
  • the heater rod 590 since the heater rod 590 is inserted into the inlet plate 510 so as to be close to the inner passage of the inlet plate 510, when the heater rod 590 generates heat by itself, the heater rod 590 flows into the inner passage.
  • the purge gas is heated. Therefore, as the purge gas, which is an inert gas, is heated, the flow of the purge gas becomes more active, so that the injection into the interior of the storage chamber 100 can be smoothly performed.
  • the right front injection member 500RF is coupled to the inlet plate 510 and the inlet plate 510 formed with a communication port 511 and an inlet 513 communicating with the supply channel 331 of the lower plate 300.
  • Branch basin flow paths formed with a branch flow path part 551, which is coupled to the right front wall body 530RF and the right front wall body 530RF, which form the right front surface, of the circumferential surface of the storage chamber 100, and communicates with the inlet 513.
  • the injection plate 550 coupled to the branch flow path plate 550, the injection port plate 570 formed with a plurality of injection holes (571) in communication with the branch flow path portion 551, the inlet plate 510 is provided It is configured to include a heater rod 590.
  • the central rear spray member 500MR includes an inlet plate 510 and a inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet port 513 communicating with the supply passage 331 of the lower plate 300.
  • the branch flow path portion 551 is formed in communication with the inlet 513 is formed.
  • the branch flow path plate 550 and the branch flow path plate 550 are coupled to the branch flow path plate 551 and the injection port plate 570 in which the plurality of injection holes 571 are formed, and the inflow plate 510. It is configured to include a heater rod 590 is provided.
  • the right front injection member 500RF and the center rear injection member 500MR are different from the left front injection member 500LF and their arrangement positions, and include the right front wall body 530RF and the center rear wall body 530MR, respectively. There is only a difference in point, and has a configuration substantially similar to the left front injection member (500LF).
  • the exhaust member 600 is disposed on the right rear side of the circumferential surface of the storage chamber 100 is not disposed, the injection member 500, the lower An exhaust hopper 610 formed with an exhaust hole 611, an exhaust plate 650 formed with a plurality of exhaust ports 651 connected to the exhaust hopper 611 and communicating with the exhaust hole 611, and an exhaust hopper 610. And a blocking plate 630 disposed between the exhaust port plate 650 and blocking the purge gas of the exhaust member 600 and the fume exhaust of the wafer W.
  • a lower portion of the exhaust hopper 610 that is, the exhaust hopper 610, has an exhaust hole 611 communicating with an external exhaust portion (not shown) of the wafer storage container 10.
  • the exhaust plate 650 is coupled to the front direction (left side in FIGS. 1 and 2) of the exhaust hopper 610, and a plurality of exhaust ports 651 communicating with the exhaust hole 611 are formed.
  • the plurality of exhaust ports 651 may have a larger opening area from the lower portion of the exhaust plate 650 toward the upper portion thereof, and thus, the upper exhaust port 651 is relatively far from the exhaust hole 611.
  • the blocking plate 630 is disposed between the exhaust hopper 610 and the exhaust port plate 650, and a plurality of exhaust communication ports 633 corresponding to the plurality of exhaust ports 651 of the exhaust plate 650 are formed. .
  • the blocking plate 630 and the exhaust hopper 610 are connected by the driving unit 631, and the driving unit 631 serves to raise and lower the blocking plate 630.
  • the blocking plate 630 can be lowered relative to the exhaust hopper 610 and the exhaust plate 650 according to the operation of the driving unit 631, thereby blocking the exhaust of the exhaust member 600. .
  • the blocking plate 630 when the blocking plate 630 is in the correct position, that is, the lowered position, the plurality of exhaust ports 651 of the exhaust plate 650 and the plurality of exhaust communication ports 633 of the blocking plate 630 are provided. Becomes in communication. This is because the plurality of exhaust communication ports 633 are formed in the same shape so as to correspond to the plurality of exhaust ports 651.
  • the blocking plate 630 when the blocking plate 630 is in the correct position, when a fan or the like of the external exhaust unit is operated to generate a suction force, the purge gas and the fume of the wafer W in the storage chamber 100 are discharged through the plurality of exhaust ports 651.
  • the exhaust gas is discharged to the external exhaust unit through the plurality of exhaust communication ports 633 and the exhaust hole 611.
  • the blocking plate 630 when the blocking plate 630 is in the blocking position, that is, the raised position, communication between the plurality of exhaust ports 651 and the plurality of exhaust communication ports 633 is blocked.
  • the exhaust communication port 633 is formed in the purge gas of the storage chamber 100 and the fume of the wafer W in the region of the front surface of the blocking plate 630. It is blocked by the unenclosed area so that the exhaust is blocked.
  • the blocking plate 630 to block the exhaust of the exhaust member 600 has the following advantages.
  • the blocking plate 630 is not provided and the exhaust of the exhaust member 600 can be selectively controlled by controlling a valve or the like provided in the communication portion with the external exhaust portion, the interior of the storage chamber 100 can be controlled. Contaminant gases such as fume of the wafer W may be mixed.
  • the exhaust valve 600 is stopped to exhaust the purge gas and the wafer W. Is trapped in the space where the exhaust hole 611 and the external exhaust part communicate (that is, the passage to the valve among the communication passages of the exhaust hole 611 and the external exhaust part).
  • the purge gas and the fume of the wafer W in the space are mixed with the purge gas injected from the injection member 500 until the valve is opened and the exhaust member 600 is discharged again. For this reason, there is a risk that the inside of the storage chamber 100 is contaminated.
  • the space is easily contaminated, which may cause a problem that the entire exhaust line needs to be replaced.
  • the blocking plate 630 is provided in the exhaust member 600, since the blocking plate 630 blocks the storage chamber 100 and the exhaust line itself, contaminant gas remains in the above-described space. Not only that, but also the exhaust blocking of the exhaust member 600 can be achieved at a faster time.
  • the blocking plate 630 of the exhaust member 600 may block only a part of the exhaust port 651 without completely blocking the exhaust port 651 according to its position.
  • the exhaust communication port 633 is not formed in some areas of the exhaust port 651 in front of the blocking plate 630. It is blocked by an area (ie, an area between the plurality of exhaust communication ports 633), but the remaining area of the exhaust port 651 is still in communication with the exhaust communication port 633.
  • the exhaust can be made by the communication between the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633, but since the communication region of the exhaust port 651 is reduced, the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633 are completely communicated. Exhaust power is weaker than when.
  • the opening area of the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633 may be adjusted by adjusting the rising position of the blocking plate 630, that is, the rising height.
  • the exhaust force of the exhaust unit 600 can be controlled as desired.
  • the above-described exhaust member 600 may be disposed on the left rear side of the circumferential surface of the storage chamber 100 according to the use, size, etc. of the wafer storage container 10.
  • the blocking plate 630 of the exhaust member 600 is moved up and down by the driving unit 631, so as to cut off the exhaust of the exhaust member 600, but the wafer storage container 10 has been described as a reference.
  • the exhaust of the exhaust member 600 may also be blocked by a horizontal slide movement, rotation, or the like as necessary.
  • the blocking plate 630 above is between the injection member 500, that is, the front right side injection member 500, the left front injection member 500LF, the rear of the injection port plate 570 of the central rear injection member 500MR With the above-described configuration and function, it is possible to block the purge gas injection of the injection member 500.
  • the flow of purge gas injected into the storage chamber 100 through the injection member 500 that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR.
  • the injection member 500 that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR.
  • the supplied purge gas is introduced into the lower plate 300 through the supply port 311 of the lower plate 300.
  • the purge gas flowing into the left and right lower region supply ports 311B among the supply ports 311 flows into the left front injection member 500LF through the left and right lower region supply passages 331B.
  • the lower area communication port 511B of the plate 510 and the lower area communication port 511B of the inflow plate 510 of the right front injection member 500RF are divided and flowed.
  • the purge gas flowing into the left and right center region supply port 311M of the supply port 311 is the central region communication port of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF through the left and right center region supply passage 331M. 511M and the central area communication port 511M of the inflow plate 510 of the right front injection member 500RF are flowed.
  • the purge gas flowing into the left and right upper region supply port 311T among the supply ports 311 is connected to the upper region of the upper plate inlet plate 510 of the left front injection member 500LF through the left and right upper region supply passage 331T. It is divided into 511T and the upper area communication port 511T of the inflow plate 510 of the right front injection member 500RF to flow.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the lower region branch passage 551B flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the lower region branch passage 551B.
  • the lower area injection hole 571B of the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 may be injected into the storage chamber 100.
  • the purge gas flowed to the central region communication port 511M of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF flows to the central region inlet port 513M through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the main channel 561 of the central region branch channel 551M flows through the hole of the main channel 561 of the central region branch channel 551M. Done.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the central region branch passage 551M flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the central region branch passage 551M, and then the branch passage
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.
  • the purge gas flowed into the upper region communication port 511T of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF flows to the upper region inlet port 513T through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the branch flow path plate 550 As shown in FIG. 8, through the hole of the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T, the flow flows into the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T. Done.
  • the purge gas flowed into the main passage 561 of the upper region branch passage 551T flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the upper region branch passage 551T.
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.
  • the above-described flow of the purge gas of the left front injection member 500LF may be applied to the flow of the purge gas of the right front injection member 500RF.
  • the purge gas flowed into the lower region communication port 511B of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the lower region inlet port 513B through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the branch passage 551 flows to the main passage 561 of the lower region branch passage 551B. Done.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the lower region branch passage 551B flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the lower region branch passage 551B.
  • the lower area injection hole 571B of the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 may be injected into the storage chamber 100.
  • the purge gas flowed to the central region communication port 511M of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the central region inlet port 513M through the internal channel, and the branch channel part plate 550 is provided. As shown in FIG. 8, the main channel 561 of the central region branch channel 551M flows through the hole of the main channel 561 of the central region branch channel 551M. Done.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the central region branch passage 551M flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the central region branch passage 551M, and then the branch passage
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.
  • the purge gas flowed into the upper region communication port 511T of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the upper region inlet port 513T through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the branch flow path plate 550 As shown in FIG. 8, through the hole of the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T, the flow flows into the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T. Done.
  • the purge gas flowed into the main passage 561 of the upper region branch passage 551T flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the upper region branch passage 551T.
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.
  • the rear lower region supply port 313B of the supply port 311 of the lower plate 300 is provided.
  • the purge gas is introduced through the rear central region supply port 313M and the rear upper region supply port 313T.
  • the purge gas flowing into the rear lower region supply port 313B among the supply ports 311 of the lower plate 300 is introduced into the central rear spray member 500MR through the rear lower region supply channel 333B.
  • the purge gas flowing to the lower region communication port 511B of 510 and flowing to the rear central region supply port 313M of the supply port 311 of the lower plate 300 is the rear central region supply passage 333M.
  • the flowed purge gas flows to the upper region communication port 511T of the inlet plate 510 of the central rear injection member 500MR through the rear side upper region supply passage 333T.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the lower region branch passage 551B flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the lower region branch passage 551B.
  • the lower area injection hole 571B of the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 may be injected into the storage chamber 100.
  • the purge gas flowed into the central region communication port 511M of the inlet plate 510 of the rear central spray member 500 flows to the central region inlet port 513M through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the main channel 561 of the central region branch channel 551M flows through the hole of the main channel 561 of the central region branch channel 551M. Done.
  • the purge gas flowing into the main passage 561 of the central region branch passage 551M flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the central region branch passage 551M, and then the branch passage
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.
  • the purge gas flowed into the upper region communication port 511T of the inlet plate 510 of the rear central spray member 500 flows to the upper region inlet port 513T through the internal flow path, and the branch flow path plate 550.
  • the branch flow path plate 550 As shown in FIG. 8, through the hole of the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T, the flow flows into the main flow path 561 of the upper area branch flow path 551T. Done.
  • the purge gas flowed into the main passage 561 of the upper region branch passage 551T flows along the branch passage 563 branched from the main passage 561 of the upper region branch passage 551T.
  • the injection hole 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.
  • the purge gas introduced into the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the center rear injection member 500MR is respectively injected into the lower region injection hole 571B and the central region injection hole 571M of the injection hole plate 570. And an inside of the storage chamber 100 through the upper region injection port 571T. Therefore, the purge gas injected from the lower region injection port 571B, the central region injection port 571M, and the upper region injection port 571T is injected into each of the lower region, the central region, and the upper region inside the storage chamber 100.
  • the holes are divided into three regions in the lower region, the central region and the upper region, that is, the upper and lower directions, and thus, the lower region, the central region and the upper region,
  • the purging region partitioned into three regions in the up and down direction (or vertical direction) is formed.
  • the chamber shape of the conventional wafer storage container is formed.
  • the flow rate of the purge gas supplied from the external supply portion rather than the injection member can be maintained. Therefore, the injection speed of the purge gas injected from the injection port is higher than that of the conventional wafer storage container, and the occurrence of the dead zone inside the storage chamber 100 can be suppressed accordingly.
  • the three purging regions that is, the purging regions of the lower region, the center region, and the upper region, each have 10 wafers W (when 30 wafers W are stored in the storage chamber 100 as described above). Are respectively purged, whereby a uniform purging of the wafer W can be achieved.
  • the purge gas is provided only in the desired area inside the storage chamber 100. It is possible to achieve the injection of, thereby, it is possible to easily control the purging of the three purging areas in the storage chamber (100).
  • the valve when the valve is provided in the external supply unit, and the valve controls the flow of the purge gas flowing to the left and right lower region supply port 311B, the left and right middle region supply port 311M and the left and right upper region supply port 311T.
  • the purging of the lower region, the central region and the upper region inside the storage chamber 100 can be easily controlled.
  • the wafer storage container 10 may achieve the purge gas injection control in the vertical direction inside the storage chamber 100.
  • the purge gas is supplied to the left front injection member 500LF and the right front injection member 500RF from the left and right lower region supply passages 331B, the left and right center region supply passages 331M, and the left and right upper regions of the lower plate 300.
  • the purge gas is supplied by the supply flow path 331T, and the supply of purge gas to the central rear injection member 500MR is performed by the rear side lower area supply flow path 331B, the rear side center area supply flow path 331M, and the rear of the lower plate 300.
  • region supply flow path 331T separately, the injection amount of the equal purge gas in the storage chamber 100 can be achieved.
  • the left and right lower region supply passage 331B and the left and right central region supply passage through the left and right lower region supply port 311B, the left and right central region supply port 311M, and the left and right upper region supply port 311T from the external supply unit Assume that the flow rate of the purge gas supplied to each of the 331M and the left and right upper region supply passages 331T is '2'.
  • the flow rate of the gas is '1', respectively (because the left and right lower region supply passage 331B, left and right middle region supply passage 331M and left and right upper region supply passage 331T are divided).
  • the rear side lower region supply passage 333B, the rear side central region through the rear side lower region supply port 313B, the rear central region supply port 313M and the rear side upper region supply port 313T from the external supply portion.
  • the flow rate of the purge gas supplied to the supply flow path 333M and the rear upper region supply flow path 333T is set to '1'
  • the flow amount of the purge gas flowing into the central rear injection member 500MR is adjusted to '1'. Can be.
  • the flow amount of the purge gas supplied to the left and right supply channel, the rear supply channel of the supply channel 331 of the lower plate 300, the purge gas flowing into the injection member 500 The flow amount can be equally matched, and thus, the flow amount of the purge gas injected into the storage chamber 100 can be equally matched.
  • the flow of the purge gas of the wafer storage container 10 according to the preferred embodiment of the present invention, as shown in Figure 11, the left front injection member 500LF, the front right injection member 500 and the center rear injection member
  • the purge gas is injected from the front left side, front right side and center rear side of the circumferential surface of the storage chamber 100 by 500MR, and from the rear right side of the circumferential surface of the storage chamber 100 by the exhaust member 600.
  • the purge gas and the fume of the wafer W are exhausted.
  • purging of the wafer W may be performed without a dead region in which the fume of the wafer W cannot be removed, and through this, the fume generated through the wafer W manufacturing process may be uniformly removed.
  • the above-described heater rod 590 may heat the interior of the storage chamber 100 to help control humidity. As a result, the efficiency of humidity control can be increased.
  • the aforementioned injection member 500 that is, the left front injection member 500LF, the front right injection member 500 and the center rear injection member 500MR may have various modifications.
  • injection member according to the first to the third modified examples to be described later also described on the basis of the left front injection member 500LF of each modification, which is another injection member, that is, the front right injection member 500 and the center rear It can also be applied to the injection member 500MR.
  • a left front injection member 500 LF according to a first modification that may be applied to a wafer storage container 10 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.
  • FIG. 12 is a view showing a branch flow path plate of the left front injection member according to the first modification
  • FIG. 13 is a view showing a flow of purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG. 12.
  • the left front injection member 500'LF includes an inlet plate 510 and a inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet port 513 communicating with a supply flow path of the lower plate 300.
  • a branch flow path portion 551 that is coupled to the 510 and coupled to the left front wall 530LF and the left front wall 530LF that forms the left front surface of the circumferential surface of the storage chamber 100 and communicates with the inlet 513.
  • a branch flow passage plate 570 having a branch flow path plate 550 ′ formed therein and a branch flow path plate 550 ′, and having a plurality of injection holes 571 communicating with the branch flow path portion 551 ′; , Is configured to include a heater rod 590 provided on the inlet plate 510.
  • the inflow plate 510, the left front wall 530LF, the injection hole plate 570, and the heater rod 590 of the left front injection member 500'LF according to the first modified example are the left front injection member 500LF. Since the same configuration as the inflow plate 510, the left front wall 530LF, the injection hole plate 570 and the heater rod 590, the description thereof will be omitted.
  • the left front injection member 500'LF according to the first modified example is an injection member 500 'that has a different shape of the branch flow path portion 551' of the branch flow path plate 550 '.
  • any one of the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T may be formed of two inlets 513.
  • the branch flow path plate 550 ′ is formed with a branch flow path 551 ′ communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510, and the branch flow path 551 ′ is illustrated in FIG. 12.
  • the main flow passage 561 ′ communicating with the inlet 513 of the inflow plate 510, and the branch flow passage 563 communicating with the main flow passage 561 ′ and communicating with the plurality of injection ports 571 of the injection hole plate 570.
  • the main flow path 561 ′ is formed in a vertical direction of a plane which is parallelly moved on some surfaces of the peripheral surface of the storage chamber 100 in which the injection member 500 ′ is disposed.
  • the main flow path 561 ′ of the branch flow path plate 550 ′ of the left front injection member 500 LF is the left side of the circumferential surface of the storage chamber 100 in which the left front injection member 500 LF is disposed. It is formed in the vertical direction of the surface moved in parallel in the front surface (the detailed description thereof will be omitted in the description of the left front injection member 500 'above).
  • a hole 565 ' is formed at the center of the main flow passage 561' to communicate with the inlet 513 of the inlet plate 510.
  • the purge gas is inlet 513 and the hole of the inlet plate 510. It flows into the main flow path 561 through 565 '.
  • four holes 565 ' are formed in each branch flow path portion 551'.
  • the branch channel 563 ' is branched in opposite directions at both ends of the main channel 561' and branched into two branch channels 563 '.
  • branch passages 563 ' are formed in one main passage 561' based on one branch passage 551 ', respectively, two at each of the upper and lower ends.
  • the angle between the main flow path 561 'and the branch flow path 563' is formed at right angles, that is, 90 °, and has a form of a 'T' shape.
  • each branch flow path (563 ') is divided into a' T 'shape, the flow of purge gas To flow in opposite directions.
  • the continuous branch flow paths 563 ' form a continuous branch flow path 567', and the continuous branch flow path 567 'has a shape in which the entire shape is connected to five' I's (of a large 'I' shape). At each end of the branch channel, the 'I' branch channel is continuously connected).
  • each branch flow path (563') is formed to be divided into a 'T' shape.
  • the last section in which the purge gas reaches the continuous branch flow path 567 ' is a communication flow path 569'.
  • the communication passage 569 ′ is arranged at a position corresponding to the plurality of injection holes 571 of the injection hole plate 570. Therefore, the purge gas flowing through the inlet 513 and the hole 565 'in order through the main flow passage 561', the branch flow passage 563 ', and the continuous branch flow passage 567' in the communication flow passage 569 '. It is injected into the storage chamber 100 through the injection port 571.
  • the left front injection member 500'LF according to the first modified example having the above configuration has the following advantages.
  • purge gas is injected through each of the plurality of injection holes 571 through the communication channel 569' at the hole 565 'of the branch channel portion plate 550'.
  • the flow distances of the purge gas are all the same.
  • the occurrence of turbulence due to uneven injection of the purge gas in the storage chamber 100 can be minimized.
  • the purge gas flow in the storage chamber 100 forms a kind of turbulence. can do.
  • the flow of the purge gas flowing through the upper surface of each wafer W is not made smoothly, and the flow of the purge gas may be concentrated only in any one region.
  • the flow of the purge gas promotes the generation of the dead zone in which the fume of the wafer W cannot be removed, and thus, the fume removal and humidity control of the wafer W may not be achieved.
  • the flow distance of the purge gas from the inlet 513 to the injection port 571 is shown.
  • a uniform flow amount of the purge gas injected through the injection hole 571 may be ensured. Therefore, it is possible to prevent a turbulence phenomenon or the like inside the storage chamber 100 that may occur in the conventional wafer storage container, and thus the efficiency of purging the wafer W is greatly increased.
  • branching sections 563 'and the continuous branching passage 567' each have a right angle, that is, a continuous' T 'shape, the branching channel part of the branching channel part plate 550' ( The branch flow path portion 551 'can be formed without wasting the area of the surface on which the 551' is formed.
  • the branch flow path plate 550 ′ may be manufactured to minimize the size of the branch flow path plate 550 ′.
  • the size of the injection member 500 ′ may also be minimized, thereby achieving compactness of the wafer storage container 10. .
  • FIG. 14 is a perspective view of the left front spray member according to the second modified example
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of FIG. 14
  • FIG. 16A is a front view of the injection plate of FIG. 15, and
  • FIG. 16B Is a view showing the back side of the injection plate of Figure 15
  • Figure 17 is a view showing the flow of purge gas flowing through the injection plate of Figure 16 (b)
  • Figure 18 is a front surface of the additional euro plate of Figure 15 Is a diagram showing.
  • the left front spray member 500 ′′ LF has an inlet plate 510 having a communication port and an inlet port communicating with a supply channel of the lower plate 300. And a branch flow path portion coupled to the inflow plate 510 and coupled to the left front wall 530LF and the left front wall 530LF that form the left front surface of the circumferential surface of the storage chamber 100. And an injection plate 580 ′′ in which a plurality of injection holes 571 ′′ communicating with the branch flow path part are formed, and disposed between the inflow plate 510 and the injection plate 580 ′′, the inlet port 513 and the branch flow path part. And an additional flow path plate 540 " having an additional flow path 541 " for communicating 551 ", and a heater rod 590 provided in the inflow plate 510.
  • the inflow plate 510 of the left front injection member 500 "LF, the left front wall 530LF and the heater rod 590 according to the second modified example are the inflow plate 510 of the left front injection member 500LF. Since it is the same as the left front wall 530LF and the heater rod 590, the overlapping description is abbreviate
  • the branch flow path plate 550 and the injection hole plate 570 of the left front injection member 500LF described above have one injection plate 580". It can be referred to as the injection member 500 "is configured to deform.
  • any one of the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T may be formed of five inlets 513, and the other may be formed of four inlets 513.
  • FIG. 15 includes five lower region inlets 513B
  • the injection plate 580 ′′ and the additional flow path plate 540 ′′ are formed in plural and are coupled to the left front wall 530LF.
  • 13 injection plates 580 "and 13 additional flow path plates 540" are provided, and the number of injection plates 580 "and additional flow path plates 540" is the same. It is preferable that it consists of.
  • a plurality of injection holes 571" are formed in one side (front side) of the injection plate 580 ", and FIG. 16 (b) As shown in FIG. 1, a branch flow path portion 551 " is formed on the opposite side (back side) of the spray plate 580 ".
  • the injection plate 580 ′′ is formed with the injection port 571 ′′ and the branch flow path portion 551 ′′ on each of both sides thereof, and thus, the injection plate 570 and the branch flow path plate are formed by only one injection plate 580 ′′.
  • the function of 550 can be achieved simultaneously.
  • the branch channel 551 "formed on the opposite side of the spray plate 580" includes a main channel 561 "communicating with the additional channel 541" of the additional channel 540 ", and a main channel 561". It comprises a continuous branch flow path (567 ") that is continuously branched at both ends of the.
  • the continuous branching passage 567 " like the continuous branching passage 567 'of the left front injection member 500'LF according to the first variation described above, causes the branching passages to be continuously divided into a' T 'shape.
  • the overall shape has a form in which five 'I's are connected (a' I 'branching passage is continuously connected to each end of the branch passage of the large' I 'shape).
  • the branch channels of the continuous branch channel 567 ′′ may be formed to be divided into 'T' shapes in order to flow the purge gas in opposite directions.
  • a plurality of injection holes 571 ′′ opened in one side direction are formed in a section in which the purge gas reaches the last point in the continuous branch flow passage 567 ′′.
  • the additional flow path plate 540 ′′ has an additional flow path 541 ′′ formed on one side (front) thereof, and a hole 565 ′′ is formed in the additional flow path 541 ′′.
  • the hole 565 " serves to communicate the inlet 513 of the inlet plate 510 with the main channel 561 " of the branch channel 551 " of the spray plate 580 ".
  • the additional flow path 541 " is formed in the same length, height, and width, that is, the same volume as the main flow path 561", and the hole 565 "is formed at the center point in the longitudinal direction of the additional flow path 541". Located.
  • the left front injection member 500 "LF according to the second modified example having the above configuration has the following advantages.
  • both the plurality of injection holes 571 "and the branch flow path part 551" are formed in the injection plate 580 ", one injection is different from the left front injection member 500'LF according to the first modification.
  • the plate 580 "alone can achieve the functions of the nozzle plate 570 and the branch flow path plate 550 'of the left front injection member 500'LF according to the first modified example. Savings and compactness of the left front ejection member 500 "LF can be achieved.
  • the left front injection member 500 "LF using the wafer storage container 10 for a long time.
  • contaminants accumulate in the flow path of)
  • only the heavily contaminated parts can be easily replaced, and thus easy maintenance can be achieved.
  • the left front injection member (500 “LF) is the purge gas through the hole 565" in communication with the inlet (513) of the inlet plate 510
  • purge gas flows along the additional flow passage 541 ′′ and the main flow passage 561 ′′ to connect each continuous branch flow passage 567 ′′ communicated with the main flow passage 561 ′′. Flow through. Therefore, the purge gas flowing into the continuous branch flow passage 567 "is finally injected into the storage chamber 100 through the plurality of injection holes 571".
  • the left front injection member 500 As described above, even when purge gas flows and is injected along the branch flow path portion 551 ′′ of the left front injection member 500 ′′ LF according to the second modification, the left front injection member 500 according to the first modification Like the branch passage 551 of the 'LF', when the purge gas is injected from the hole 565 "of the additional passage 541" to each of the plurality of injection holes 571 ", the flow distance of the purge gas is all Is formed identically.
  • uniform purge gas may be injected into the storage chamber 100, thereby suppressing the formation of turbulence in the storage chamber 100, and thereby, efficiency of purging the wafers W of the wafer storage container 10. This will rise significantly.
  • the width of the additional flow path 541 "and the main flow path 561” is the same as the first modification. It is larger than the main flow path 561 'of the branch flow path portion 551' of the left front injection member 500'LF.
  • the width of the additional flow path 541 "and the main flow path 561" becomes larger, so that when the purge gas flows into the continuous branch flow path 567 "communicating with the main flow path 561", Due to the volume difference, the flow rate of the purge gas may be faster, and thus, the injection speed of the purge gas injected through the injection hole 571 ′′ may also be faster.
  • the injection speed of the purge gas injected into the storage chamber 100 is increased through the injection port 571 ′′, the flow amount of the purge gas is also increased, and more purge gas is stored in the storage chamber 100.
  • the purge gas flowing over a greater distance is increased (or can be said to be injected with a larger area).
  • the left front injection member 500 "LF according to the second modified example may achieve higher efficiency purge gas injection than the left front injection member 500 'LF according to the first modified example.
  • the left front injection member 500 ′′ 'LF according to the third modified example that may be applied to the wafer storage container 10 according to the preferred embodiment of the present invention, and the right front injection member (500 "'RF) and the center rear injection member 500" MR are demonstrated.
  • the plurality of injection holes 571 "' are small injection nozzles 571"' S, 571 “'SMALL, and normal injection holes 571"' R, 571 “'REGULAR, large according to the opening area.
  • the jetting holes 571 " 'L and 571 "' large will be described.
  • the ratio of the opening area of the small jet sphere 571 "'S, the normal jet sphere 571"' R, and the large jet sphere 571 “'L is” 1: 2: 4 ".
  • FIG. 19 (a) is a view showing the front surface of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example
  • Figure 19 (b) shows the back surface of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example
  • 20 (a) is a view showing the front surface of the injection plate of the right front injection member according to the third modified example
  • FIG. 20 (b) is the injection plate of the right front injection member according to the third modified example.
  • Figure 21 (a) is a view showing the front surface of the injection plate of the central rear injection member according to the third modified example
  • Figure 21 (b) is a central rear injection according to the third modified example
  • FIG. 22 is a view showing the back surface of the injection plate of the member
  • FIG. 22 is a flow of purge gas injected to the wafer supported on the support of the wafer storage container with the injection members according to the third modification and purge gas exhausted to the exhaust member.
  • the injection member 500 "' according to the third modification, that is, the left front injection member 500"' LF, the right front injection member 500 “'RF and the center rear injection member 500”' MR, respectively, ,
  • An inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet 513 communicating with a supply flow path of the lower plate 300, coupled with the inlet plate 510, and left of the peripheral surface of the storage chamber 100.
  • the left front wall 530LF, the right front wall 530RF, and the center rear wall 530MR which form the front surface, the right front side injection member 500RF, and the center rear side injection member 500MR, respectively (left front side injection member 500LF).
  • the right front injection member (500RF) includes the right front wall (530RF)
  • in the case of the center rear injection member (500MR) includes a central rear wall (530MR)
  • an additional flow path 541 "' disposed between the inflow plate 510 and the injection plate 580"' and communicating the inflow port 513 with the branch flow path portion 551 "'. It is configured to include a ropeul rate (540 " '), and a heater rod 590 provided in the inlet plate 510.
  • the left front ejection member 500 "'LF, the right front ejection member 500"' RF, and the center rear ejection member 500 “'MR according to the 3rd modified example are left front according to the 2nd modified example. Since only the shape of the injection hole 571 "of the injection member 500" LF and the injection plate 580 "is different, the remainder is the same (of course, the arrangement positions are different), and the overlapping description is omitted.
  • the left front injection member 500 "'LF, the right front injection member 500”' RF, and the center rear injection member 500 “'MR according to the 3rd modified example are left front injection according to the 2nd modified example.
  • the member 500 "LF may be referred to as an injection member 500" 'which is formed by modifying only the shape of the injection hole 571 ".
  • the injection holes 571 ′ ′ corresponding to the first to third rows of the plurality of injection holes 571 ′ ′ of the injection plate 580 ′′ ′ LF are ordinary injection holes 571 ′′. It is formed of 'R', and the injection hole 571 "'corresponding to a 4th row is formed with the large injection hole 571"' L.
  • the common injection port 571 "'R has one side (FIG. 19) of the end part of the" I "shape which the purge gas finally reaches in the continuous branch flow path 567"', as shown in FIG.19 (b). Only the right side is opened based on (b).
  • the large injection port 571 "'L has open all the end portions of the" I' shape which the purge gas finally reaches in the continuous branch flow path 567 "'.
  • the injection holes 571 ′ ′ corresponding to the second to fourth rows of the plurality of injection holes 571 ′ ′ of the injection plate 580 ′ RF are injection holes 571 ′′. It is formed of 'R', and the injection hole 571 "'corresponding to a 1st row is formed with the big injection hole 571"' L.
  • the common injection port 571 "'R has one end (Fig. 20) of the end of the" I "shape which the purge gas finally reaches in the continuous branch flow path 567"'. Only the left side is opened based on (b).
  • the large injection port 571 "'L has open all the end portions of the" I' shape which the purge gas finally reaches in the continuous branch flow path 567 "'.
  • the injection holes 571 ′ ′ corresponding to the first and sixth rows of the plurality of injection holes 571 ′ ′ of the injection plates 580 ′′ ′ MR are normal injection holes 571. It is formed of “'R, and the injection hole 571"' corresponding to the 2nd thru
  • the common injection port 571 "'R has one side (FIG. 21) of the end of the" I "shape which the purge gas finally reaches in the continuous branch flow path 567"'. Only the left or right side is opened based on (b).
  • the small jet port 571 " 'S has half openings on both sides of the end portion of the' I 'shape in which the purge gas finally reaches the continuous branch flow path 567 "'. (Half of the opening area of the above-mentioned ordinary injection port 571 "'R is opened one by one on both sides of an end part.)
  • the ratio of the opening area of the small jet port 571 "'S, the normal jet port 571"' R, and the large jet port 571 “'L is” 1: 2: 4 ".
  • the ratio of the injection amount of the purge gas injected through each of the 571 "'S, the normal injection port 571"' R, and the large injection port 571 “'L is also" 1: 2: 4 ".
  • the second to fourth rows of the injection plate 580 "'LF of the left front injection member 500"' LF and the injection plate 580 "'RF of the right front injection member 500"' RF First and sixth rows of purge gas injected through ordinary injection ports 571 "'R positioned in the second to fourth rows, and the injection plates 580"' MR of the central rear injection member 500 "'MR, respectively.
  • the purge gas injected through the normal injection port 571 "'R located in the column flows in the left rear and right rear directions of the upper surface of the wafer W, thereby filling the dead area of the wafer W ( Compared with FIG. 11).
  • purge gas is injected in the left and right directions on both sides, that is, the left and right sides of the center rear injection member 500 "'MR, and the left front injection member 500"' LF Purge gas is injected in the rearward direction from each of the front and right front injection members 500 "'RF, and the purge of the left rear and right rear surfaces of the storage chamber 100 in which the injection member 500"' is not arrange
  • positioned is carried out.
  • the flow of gas can be filled, and through this, it is possible to minimize the occurrence of the dead zones on the left rear side and the right rear side of the storage chamber 100.
  • the first row of the injection plate 580"' LF of the left front injection member 500 "'LF and the right front injection member 500 are shown. Since the flow amount of the purge gas injected through the large injection holes 571 "'L respectively located in the fourth row of the injection plate 580"' RF of "'RF" becomes "4", the front opening part of the storage chamber 100 A large amount of purge gas is injected in the (110) direction, and thus, there is an effect that can block the external gas from flowing into the storage chamber 100.
  • the purge gas injected through the common injection port 571 "'R located in the first row and the sixth row of the injection plate 580"' MR of the central rear injection member 500 "'MR is respectively received in the storage chamber 100. Since it is injected obliquely in the left front direction and the right rear direction of), and the flow amount is '2', when the purge gas and the fume is exhausted through the exhaust unit 600, the flow of the purge gas is Helping with evacuation, thereby achieving a smooth purging of the wafer containment vessel.
  • the injection members 500 "'according to the third modification have the shape of the injection port 571"' as the small injection port 571 “'S, the general injection port 571”' R, and the large injection port 571 “'L.
  • the injection direction and the flow rate of the purge gas are controlled, and through this, by controlling the flow of the purge gas inside the storage chamber 100, the fume of the wafer W is not removed. It is possible to minimize the occurrence and at the same time to form the air flow in the storage compartment (100).
  • the position and opening area of the injection holes may be modified, which Through this, it is possible to manufacture a wafer storage container 10 that can achieve the formation of an optimized air flow of the purge gas in the storage chamber 100 to fit the position of the injection member of the wafer storage container 10.
  • step 250 protruding pin
  • 311B Left and right bottom area feed holes 311M: Left and right bottom area feed holes
  • 311T Left and right upper zone supply ports 313B: Rear side lower zone feed holes
  • 313M Rear side center zone supply port 313T: Rear side top zone supply port
  • Supply passage 331B Left and right lower region supply passage
  • 331M Left and right central zone supply flow path 331T: Left and right upper zone supply flow path
  • 333B Rear side lower region supply passage
  • 333M Rear side central region supply passage
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Abstract

본 발명은 수납실에 수납되는 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여 웨이퍼의 퓸을 제거하거나 웨이퍼의 습기를 제거하는 웨이퍼 수납용기에 관한 것으로서, 특히, 균일한 퍼지가스의 분사를 통해 사영역 발생을 최소화함과 동시에 수납실 내부의 난류 형성을 방지하여 웨이퍼 퍼징의 효율을 높이고, 수납실 내부로 퍼지가스를 분사하는 분사부재의 컴팩트화를 도모하여 웨이퍼 수납용기 전체의 컴팩트화를 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 수납용기
본 발명은 웨이퍼 수납용기에 관한 것으로서, 수납실에 수납되는 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여 웨이퍼의 퓸을 제거하거나, 웨이퍼의 습기를 제거하는 웨이퍼 수납용기에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.
웨이퍼는 고정밀도의 물품으로서 외부의 오염 물질과 충격으로부터 오염되거나 손상되지 않도록 개구형 통합형 포드(Front Opening Unifie Pod, FOUP) 등과 같은 웨이퍼 수납용기에 수납되어 보관되거나 운반되어 진다.
이 경우, 공정상에서 사용되는 공정 가스 및 공정상의 부산물인 퓸(Fume) 등이 제거되지 않고 웨이퍼 표면에 잔존하게 되며, 이로 인해, 공정 중 반도체 제조장비의 오염이 발생하거나, 웨이퍼의 에칭 패턴(etch pattern) 불량 등이 발생하여 웨이퍼의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
최근에 이러한 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여, 웨이퍼의 표면에 잔존하는 퓸을 제거하거나, 웨이퍼의 산화를 방지하는 퍼징(Purging) 기술들이 개발되고 있다.
위와 같이, 퍼지가스의 공급이 가능한 웨이퍼 수납용기로는 한국등록특허 제10-1637498호(이하, '특허문헌 1' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.
특허문헌 1의 웨이퍼 수납용기는,내부에 웨이퍼가 수납되는 수납실과, 수납실과 연통되는 제1가스주입실과, 수납실과 제1가스주입실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제1구멍이 형성된 제1분리벽과, 수납실과 연통되는 제2가스주입실과, 수납실과 제2가스주입실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제2구멍이 형성된 제2분리벽과, 수납실과 연통되는 가스배기실과, 수납실과 가스배기실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제3구멍이 형성된 제3분리벽과, 웨이퍼를 지지하는 다수의 플레이트를 포함하여 구성된다.
따라서, 제1, 2가스주입실로 유입된 가스는 각각 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되어 웨이퍼의 표면에 잔존하는 퓸과 함께 제3구멍을 통해 가스배기실로 배기되며, 이로 인해, 웨이퍼의 퓸 제거가 달성될 수 있다.
그러나, 특허문헌 1의 웨이퍼 수납용기의 경우, 가스 유입홀을 통해 제1, 2가스주입실 각각에 유입된 가스가 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입될 때, 가스가 수납실 내부로 균일하게 주입하는데 한계가 있다.
상세하게 설명하자면, 제1, 2가스주입실이 단순한 챔버형태로 이루어져 있으므로, 제1, 2가스주입실의 하부 영역에서 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되는 가스의 주입력과, 제1, 2가스주입실의 상부 영역에서 제1, 2구멍을 통해 수납실로 가스의 주입력은 서로 다를 수 밖에 없다. 따라서, 수납실 내부에 수납된 웨이퍼들의 퓸 제거가 고르게 이루어질 수 없다는 한계가 있다..
또한, 전술한, 제1, 2가스주입실의 상, 하 영역 뿐만 아니라, 가스 유입홀과 상대적으로 먼 위치의 영역의 경우에도 가스 주입력의 불균등성이 발생할 개연성을 갖고 있다. 즉, 제1, 2가스주입실의 수직 및 수평 위치에 모두에 따라 가스 주입력의 불균등성이 발생되며, 이는 수납실 내부로 주입된 가스의 난류 형성에 기여하게 된다.
위와 같이, 수납실 내부에 주입된 가스들이 일종의 난류를 형성함에 따라, 웨이퍼의 전 영역에 퍼징이 고르게 이루어질 수 없다는 한계가 있다.
또한, 전술한 가스의 주입력 측면에서도, 상대적으로 직경이 작은 가스 유입홀을 통해 상대적으로 큰 부피를 갖는 제1, 2가스 주입실로 가스가 유입되게 되므로, 가스 유입홀로 유동될 때의 가스의 유동력, 즉, 가스의 유동속도가 그대로 유지될 수 없다는 한계가 있고, 이로 인해, 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되는 가스의 주입력(가스의 유동 속도)이 현저히 약해지게 된다. 따라서, 웨이퍼의 퍼징이 이루어지지 않는 사영역이 많이 존재할 수 있는 문제점이 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 1) 한국등록특허 제10-1670383호
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 균일한 퍼지가스의 분사를 통해 사영역 발생을 최소화함과 동시에 수납실 내부의 난류 형성을 방지하여 웨이퍼 퍼징의 효율을 높이고, 수납실 내부로 퍼지가스를 분사하는 분사부재의 컴팩트화를 도모하여 웨이퍼 수납용기 전체의 컴팩트화를 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따른 웨이퍼 수납용기는, 전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실; 및 상기 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 상기 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재;를 포함하되, 상기 분사부재는, 상기 퍼지가스를 상기 분사부재로 유입시키는 유입구; 상기 퍼지가스를 상기 수납실로 분사하도록 상기 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구; 및 상기 유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 상기 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부;를 포함하고, 상기 분지유로부는 상기 일부면에서 평행이동한 면에 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분지유로부는, 상기 유입구와 연통되며, 상기 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성되는 메인유로; 및 상기 메인유로와 상기 복수 개의 분사구를 각각 연통시키고, 상기 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하며, 상기 일부면에서 평행이동한 면의 수평방향으로 형성되는 복수 개의 분지유로;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유입구는 상기 메인유로의 수직방향 길이의 중심에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분지유로부를 통해 상기 유입구에서 상기 복수 개의 분사구 각각으로 유동하는 퍼지가스의 유동거리는 모두 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분지유로부의 상기 분지구간은 서로 반대 방향으로 분지되어 2개의 분지유로로 분지되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분사부재는, 상기 복수 개의 분사구 및 상기 분지유로부가 형성되는 분사플레이트; 및 상기 분사플레이트에 결합하며, 상기 유입구가 형성되는 유입플레이트;를 더 포함하되, 상기 분사플레이트의 일측면에 상기 복수 개의 분사구가 형성되고, 상기 분사플레이트의 반대측면에 상기 분지유로부가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분사부재는, 상기 분사플레이트와 상기 유입플레이트 사이에 배치되며, 상기 유입구와 상기 분지유로부를 연통시키는 부가유로가 형성된 부가유로플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 웨이퍼 수납용기에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
분사부재의 유로 구조를 통해 종래의 웨이퍼 수납용기의 챔버 형태의 분사부재보다 외부 공급부에서 공급된 퍼지 가스의 유동 속도가 유지될 수 있으므로, 분사구에서 분사되는 퍼지가스의 분사 속도가 높아지게 되며, 이로 인해, 수납실 내부의 사영역의 발생을 최소화할 수 있다.
수납실 내부의 하부영역, 중앙영역 및 상부영역으로의 퍼징을 개별적으로 제어할 수 있다.
분사부재 및 웨이퍼 수납용기의 컴팩트화를 달성함과 동시에 효율적인 웨이퍼 퍼징을 달성할 수 있다.
분사부재의 분사구를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량이 균일하므로, 불균등한 퍼지가스의 분사로 인해 발생하는 수납실 내부의 난류 발생을 방지할 수 있으며, 이로 인해, 수납실 내부의 기류 형성을 원활하게 할 수 있다.
분사부재를 쉽게 결합/분리할 수 있는 구조이므로, 웨이퍼 수납용기를 장기간 사용하여 분사부재에 오염물질이 쌓인 경우, 이를 쉽게 교체할 수 있어 유지보수가 용이하다.
웨이퍼 수납용기에 배치되는 분사부재의 배치위치에 따라 분사부재의 분사구들의 위치 및 개구 면적을 변화시킴으로써, 수납실 내부의 최적화된 퍼지가스의 기류 형성을 달성할 수 있으며, 이로 인해, 사영역 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
배기부재의 배기를 선택적으로 차단시킴으로써, 수납실 내부의 퍼지가스 분사 및 퍼지가스 및 퓸의 배기를 통해 웨이퍼의 퓸 제거를 달성하거나, 수납실 내부에 퍼지가스를 채움으로써 수납실 내부의 습도 제어를 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기의 사시도.
도 2는 도 1의 분해 사시도.
도 3은 도 1의 저면도.
도 4는 도 1의 하부플레이트에서 분사부재들로 유동되는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 5는 도 1의 좌측전방분사부재의 사시도.
도 6은 도 5의 분해 사시도.
도 7은 도 6의 분지유로부플레이트를 도시한 도.
도 8은 도 7의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 9는 도 1의 배기부재의 사시도.
도 10은 도 9의 분해 사시도.
도 11은 도 1의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도.
도 12는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분지유로부플레이트를 도시한 도.
도 13은 도 12의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 14는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 사시도.
도 15는 도 14의 분해 사시도.
도 16(a)는 도 15의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 16(b)는 도 15의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 17은 도 16(b)의 분사플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 18은 도 15의 부가유로플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 19(a)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 19(b)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 20(a)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 20(b)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 21(a)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 21(b)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 22는 제3변형 예에 따른 분사부재들이 구비된 웨이퍼 수납용기의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도.
이하에서 언급되는 '퍼지가스'는 웨이퍼의 퓸을 제거하기 위한 불활성 가스를 통칭하는 말이며, 특히, 불활성 가스 중 하나인 질소(N2) 가스일 수 있다.
또한, '퍼징(Purging)'은 웨이퍼에 퍼지가스를 분사하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 퓸을 제거하거나, 수납실 내부의 습도를 제거함으로써, 웨이퍼의 산화를 방지하는 것을 통칭하는 말이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기는 전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실과, 수납실 내부에 구비되어 웨이퍼를 지지하는 지지대와, 웨이퍼 수납용기의 하부면을 이루는 하부플레이트와, 웨이퍼 수납용기의 상부면을 이루는 상부플레이트와, 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 퍼지가스를 분사하는 분사부재와, 수납실의 둘레면 중 적어도 분사부재가 배치되지 않은 나머지면에 배치되어 퍼지가스를 배기하는 배기부재를 포함하여 구성된다.
수납실의 전방에는 전방개구부가 형성되어 있으며, 전방개구부를 통해 웨이퍼가 수납실 내부로 출입하게 된다.
지지대는 수납실의 내부에 구비되어 웨이퍼를 지지하는 기능을 하며, 웨이퍼는 수납실의 전방에 형성된 전방개구부를 통해 지지대에 수납되게 된다.
상부플레이트와 하부플레이트는 각각 웨이퍼 수납용기의 상부면 및 하부면을 이루게 된다. 따라서, 수납실은 상부플레이트 및 하부플레이트에 의해 수납실의 상부면 및 하부면이 폐쇄되어 있다.
하부플레이트에는 공급구와, 공급구와 연통되는 공급유로가 형성되어 있으며, 공급구를 통해 외부 퍼지가스가 공급되어 하부플레이트 내로 유입되면, 공급유로를 통해 유입된 퍼지가스를 분사부재로 유동시킨다.
분사부재는 웨이퍼가 수납되는 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되며, 하부플레이트에 형성된 하부플레이트 유로를 통해 유입된 퍼지가스를 수납실로 분사하는 기능을 한다.
분사부재는 공급유로와 연통되어 퍼지가스를 분사부재로 유입시키는 유입구와, 퍼지가스를 수납실로 분사하도록 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치된 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구와, 유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부를 포함하며, 이 경우, 분지유로부는 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치된 일부면과 평행 이동한 면에 구비되어 있다.
배기부재는 웨이퍼가 수납되는 수납실의 둘레면 중 적어도 분사부재가 배치되지 않은 나머지면, 즉, 적어도 일부면이 아닌 나머지면에 배치되며, 수납실에 분사된 퍼지가스와 웨이퍼의 퓸을 배기하는 기능을 한다.
이처럼, 웨이퍼 수납용기에 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재와, 퍼지가스를 배기하는 배기부재가 구비됨에 따라, 수납실에 수납된 웨이퍼의 퓸 제거 및 습도 제어를 달성할 수 있다.
다시 말해, 분사부재는 수납실에 퍼지가스를 분사하고, 배기부재는 분사부재에 의해 수납실로 분사된 퍼지가스와 웨이퍼의 퓸을 배기함으로써, 웨이퍼의 퓸 제거를 달성하거나, 배기부재에 의한 배기가 이루어지지 않도록 한 후, 분사부재에서퍼지가스를 수납실에 분사함으로써, 웨이퍼의 습도 제어를 달성할 수 있는 것이다.
위와 같은 분사부재 및 배기부재는 웨이퍼 수납용기의 크기, 용도 등에 따라 복수 개가 구비될 수 있다.
예컨데, 수납실의 전방이 개방된 전방개구부가 구비되어 있고, 수납실의 둘레면이 좌측부터 우측 순으로, 좌측전방면, 좌측후방면, 중앙후방면, 우측후방면 및 우측전방면으로 이루어져 있을 경우, 복수 개의 분사부재는, 수납실의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되는 좌측전방분사부재와, 수납실의 둘레면 중 우측전방면에 배치되는 우측전방분사부재와, 수납실의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되는 중앙후방분사부재로 이루어질 수 있다.
또한, 복수 개의 배기부재는, 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치되지 않은 좌측후방면과, 우측후방면에 배치될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)의 하나의 실시 예로서, 복수 개의 분사부재(500)가 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면, 우측전방면, 중앙후방면 각각에 배치되는 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)로 이루어지고, 배기부재(600)는 하나의 배기부재(600)로서, 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치된 배기부재(600)로 이루어진 웨이퍼 수납용기(10)인 것을 기준으로 설명한다.
이 경우, 좌측전방분사부재(500LF)는 분사부재(500)가 좌측전방(LEFT FRONT)에 배치된다는 것을 나타내고, 우측전방분사부재(500RF)는 분사부재(500)가 우측전방(RIGHT FRONT)에 배치된다는 것을 나타내며, 중앙후방분사부재(500MR)는 분사부재(500)가 중앙후방(MIDDLE REAR)에 배치된다는 것을 나타낸다.
다시 말해, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 그 배치 위치만 상이할 뿐, 그 구성들은 동일하다. 따라서, 이하의 설명에서 좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하고, 나머지 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)에서 중복되는 설명은 좌측전방분사부재(500LF)의 설명으로 갈음한다.
또한, 위와 같이 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 설명의 용이함을 위해 그 배치 위치를 지정한 것이므로, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)의 용어에 상관없이 모두 분사부재(500)라는 용어로 이해될 수 있다.
또한, 이하의 설명에서 나타나는 하부영역, 중앙영역 및 상부영역 각각에 해당하는 유로 및 구멍들은 이해를 돕기 위해, 그 도면부호에 'B(BOTTOM), M(MIDDLE), T(TOP)'을 붙여 설명한다. 따라서, 각 도면에 'B, M, T' 가 표시되지 않은 도면 부호라도, 전술한 바와 같이, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역 각각에 해당하는 유로 및 구멍들로 이해될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)
이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기의 사시도이고, 도 2는 도 1의 분해 사시도이고, 도 3은 도 1의 저면도이고, 도 4는 도 1의 하부플레이트에서 분사부재들로 유동되는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 5는 도 1의 좌측전방분사부재의 사시도이고, 도 6은 도 5의 분해 사시도이고, 도 7은 도 6의 분지유로부플레이트를 도시한 도이고, 도 8은 도 7의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 9는 도 1의 배기부재의 사시도이고, 도 10은 도 9의 분해 사시도이고, 도 11은 도 1의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)는, 전방개구부(110)를 통해 수납된 웨이퍼(W)가 수납되는 수납실(100)과, 수납실(100) 내부에 구비되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지대(200)와, 웨이퍼 수납용기(10)의 하부면을 이루는 하부플레이트(300)와, 웨이퍼 수납용기(10)의 상부면을 이루는 상부플레이트(400)와, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 좌측전방분사부재(500LF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 우측전방분사부재(500RF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 중앙후방분사부재(500MR)와, 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치되어 수납실(100)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸을 배기하는 배기부재(600)를 포함하여 구성된다.
수납실(100)
이하, 수납실(100)에 대해 설명한다.
도 1 및 도 11에 도시된 바와 같이, 수납실(100)은 내부에 웨이퍼(W)를 수납하는 기능을 하며, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF), 중앙후방분사부재(500MR), 좌측후방벽체(130LR, 130 LEFT REAR) 및 배기부재(600)가 배치된 둘레면으로 둘러싸인 내측 공간으로 정의된다.
수납실(100)의 전방에는 전방개구부(110)가 형성되어 있으며, 전방개구부(110)를 통해 웨이퍼(W)가 출입하게 된다.
수납실(100)의 상부면은 상부플레이트(400)로 이루어져 있고, 수납실(100)의 하부면은 하부플레이트(300)로 이루어져 있으며, 수납실(100)의 둘레면은 좌측에서 우측 순으로 좌측전방면, 좌측후방면, 중앙후방면, 우측후방면 및 우측전방면으로 이루어져 있다.
이 경우, 좌측전방면에는 좌측전방분사부재(500LF)가 배치되고, 좌측후방면에는 좌측후방벽체(130LR)가 배치되고, 중앙후방면에는 중앙후방분사부재(500MR)가 배치되고, 우측후방면에는 배기부재(600)가 배치되며, 우측전방면에는 우측전방분사부재(500RF)가 배치된다.
따라서, 수납실(100)은 전방개구부(110)를 제외한 상부면, 하부면 및 둘레면이 상부플레이트(400), 하부플레이트(300), 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500), 중앙후방분사부재(500MR), 좌측후방벽체(130LR) 및 배기부재(600)에 의해 폐쇄되어 있다.
따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 퍼지가스는 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)가 배치된 수납실(100)의 좌측전방면, 우측전방면 및 중앙후방면에서 수납실(100) 내부로 분사되고, 수납실(100) 내부에 분사된 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 수납실(100)의 우측후방면에 배치된 배기부재(600)를 통해 배기된다.
지지대(200)
도 1, 도 2 및 도 11에 도시된 바와 같이, 수납실(100)의 내부에는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지대(200)가 구비된다.
지지대(200)는 수납실(100)에 수납되는 웨이퍼(W)의 갯수에 따라 수직 방향으로 복수 개가 구비된다.
예컨데, 수납실(100)에 30개의 웨이퍼(W)가 수납될 경우, 30개의 웨이퍼(W) 각각을 지지하는 30개의 지지대(200)가 구비된다.
위와 같은, 복수 개의 지지대(200)는 지지대결합부(210)에 의해, 수납실(100)의 좌측전방면, 좌측후방면, 우측전방면 및 우측후방면에 고정되어 결합된다.
또한, 지지대(200)에는 웨이퍼(W)의 외측 방향 일부 영역이 겹쳐지도록 하방으로 단턱진 단턱(230)이 구비되며, 단턱(230)에는 3개의 돌출핀(250)이 구비된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 돌출핀(250)에 얹어져 지지대(200)에 지지되게 된다.
위와 같이, 웨이퍼(W)가 돌출핀(250)에 얹어져 지지대(200)에 지지되게 됨으로써, 웨이퍼(W)와 지지대(200)가 접하는 면적이 최소화될 수 있으며, 이로 인해, 접촉에 의한 웨이퍼(W)의 파손이 최소화될 수 있다.
하부플레이트(300) 및 상부플레이트(400)
이하, 하부플레이트(300) 및 상부플레이트(400)에 대해 설명한다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)는 웨이퍼 수납용기(10)의 하부면을 이루며, 수납실(100)의 하부를 폐쇄함과 동시에 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 퍼지가스를 하부플레이트(300)의 하부면, 즉, 밑면에 형성된 공급구와 하부플레이트(300)의 내부에 형성된 공급유로를 통해 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)로 유동시키는 기능을 한다.
공급구(311)는 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 가스를 하부플레이트(300)로 유입시키는 기능을 한다.
이러한 공급구(311)는 하부플레이트(300)의 하부면, 즉, 하부플레이트(300)의 밑면에 형성되며, 수납실(100) 내부의 수직방향 영역, 즉, 하부영역, 중앙영역, 상부영역 중 어느 영역으로 퍼지가스를 공급하냐에 따라 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 좌우측상부영역공급구(311T), 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)로 이루어져 있다.
공급유로(331)는 공급구(311)와 연통되어, 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 퍼지가스, 즉, 외부 공급부(미도시)에서 공급된 퍼지가스를 분사부재(500)에 유동시키는 통로 역할을 한다.
이러한 공급유로(331)는 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 및 좌우측상부영역공급구(311T)와 연통되어 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)에 퍼지가스를 유동시키는 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)와, 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)와 연통되어 후방전방분사부재(500)에 퍼지가스를 유동시키는 후방측하부영역공급유로(333B), 후방측중앙영역공급유로(333M) 및 후방측상부영역공급유로(333T)로 이루어져 있다.
이 경우, 좌우측하부영역공급유로(331B)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 하부영역연통구(511B) 및 우측전방분사부재(500RF)의 하부영역연통구(511B)와 연통되어 있고, 좌우측중앙영역공급유로(331M)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 중앙영역연통구(511M) 및 우측전방분사부재(500RF)의 중앙영역연통구(511M)와 연통되어 있으며, 좌우측상부영역공급유로(331T)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 상부영역연통구(511T) 및 우측전방분사부재(500RF)의 상부영역연통구(511T)와 연통되어 있다.
또한, 후방측하부영역공급유로(333B)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 하부영역연통구(511B)와 연통되어 있고, 후방측중앙영역공급유로(333M)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 중앙영역연통구(511M)와 연통되어 있으며, 후방측상부영역공급유로(333T)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 상부영역연통구(511T)와 연통되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상부플레이트(400)는 웨이퍼 수납용기(10)의 상부면을 이루며, 수납실(100)의 상부를 폐쇄하는 기능을 한다. 이 경우, 상부플레이트(400)의 전체적인 형상은 하부플레이트(300)의 전체적인 형상과 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하다.
분사부재(500)
도 1 내지 도 4 및 도 11에 도시된 바와 같이, 분사부재(500)는 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되는 좌측전방분사부재(500LF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면에 배치되는 우측전방분사부재(500RF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되는 중앙후방분사부재(500MR)로 이루어져 있다.
좌측전방분사부재(500LF)는, 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며 유입구와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
유입플레이트(510)의 하부에는 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511)가 형성되어 있다.
연통구(511)는 하부플레이트(300)의 좌우측하부영역공급유로(331B)의 일단과 연통되는 하부영역연통구(511B)와, 좌우측중앙영역공급유로(331M)의 일단과 연통되는 중앙영역연통구(511M)와, 좌우측상부영역공급유로(331T)의 일단과 연통되는 상부영역연통구(511T)로 이루어진다.
또한, 유입플레이트(510)에는 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551)와 연통되는 유입구(513)가 형성되어 있다.
유입구(513)는 하부영역연통구(511B) 연통되는 하부영역유입구(513B)와, 중앙영역연통구(511M)와 연통되는 중앙영역유입구(513M)와, 상부영역연통구(511T)와 연통되는 상부영역유입구(513T)로 이루어진다.
이 경우, 각 연통구(511)와 각 유입구(513)는 유입플레이트(510) 내부에 형성된 내부유로(미도시)에 의해 연통된다.
또한, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T)는 각각 3개의 유입구(513)로 이루어진다.
좌측전방벽체(530LF)는 유입플레이트(510)와 분지유로부플레이트(550) 사이에 게재되도록 유입플레이트(510)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측방향)에 결합되며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 벽체이다.
이러한 좌측전방벽체(530LF)에 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)가 결합함으로써, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 좌측전방분사부재(500LF)가 용이하게 배치될 수 있다.
또한, 위와 같은 결합구조에 의해, 웨이퍼 수납용기(10)를 장기간 사용함에 따라 좌측전방분사부재(500LF)에 웨이퍼(W)의 퓸 등 오염물질이 쌓일 경우, 좌측전방분사부재(500LF)를 분리하여 교체함으로써, 웨이퍼 수납용기(10)의 수명을 오랫동안 유지할 수 있다.
또한, 좌측전방벽체(530LF)에는 오염물질이 쌓이지 않고, 좌측전방분사부재(500LF)의 유로들에만 오염물질이 쌓일 경우, 좌측전방벽체(530LF)를 제외한 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다. 이처럼, 좌측전방벽체(530LF)의 결합/분리 구조는 교체를 원하는 구성요소만의 교체를 매우 쉽게 달성할 수 있다는 효과가 있다.
물론, 전술한 결합/분리 구조는 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)도 적용될 수 있다.
이 경우, 필요에 따라 우측전방분사부재(500RF) 자체를 교체하거나, 우측전방벽체(530RF)를 제외한 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다.
또한, 중앙후방분사부재(500MR)의 경우에도 필요에 따라 중앙후방분사부재(500MR) 자체를 교체하거나, 중앙후방벽체(530MR)를 제외한 유입플레이트(510), 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다.
분지유로부플레이트(550)는 좌측전방벽체(530LF)와 분사구플레이트(570) 사이에 게재되도록 좌측전방벽체(530LF)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측 방향)에 결합되며, 분지유로부플레이트(550)에는 전술한 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성되어 있다.
분지유로부(551)는 전술한 바와 같이 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되며, 3개의 영역, 즉, 하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)로 이루어질 수 있다.
또한, 하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)는 각각 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 메인유로(561)와, 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 연통되는 분지유로(563)를 포함하여 구성되어 있다.
하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561) 각각에는 3개의 구멍(565)이 형성되어 있으며, 3개의 구멍(565)은 각각 3개의 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T)에 연통되어 있다.
이 경우, 3개의 구멍(565) 중 적어도 하나의 구멍은 메인유로(561)의 수직방향 길이의 중심에 위치하도록 배치되어 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 구멍(565)이 메인유로(561)의 수직방향 길이의 중심에 위치할 경우, 상기 중심에 위치한 구멍(565)을 통해 메인유로(561)를 따라 유동되는 퍼지가스가 상부 방향 또는 하부 방향으로 유동할 때 유동거리가 같아지기 때문이다. 따라서, 전술한 바와 달리 1개의 구멍(565)만이 메인유로(561)에 형성되어 있어도 어느 정도 퍼지가스의 균일한 유동을 보장할 수 있다(단, 퍼지가스의 유동 거리차에 따른 유동량, 분사속도 등의 차이는 어느정도 발생할 수 있다).
분지유로(563)는 메인유로(561)를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 분지구간을 형성하게 되며, 복수 개로 구비되어 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 메인유로(561)를 각각 연통시킨다.
분사구플레이트(570)는 분지유로부플레이트(550)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측 방향)에 결합되며, 분사구플레이트(570)에는 전술한 복수 개의 분지유로(563)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 구비되어 있다. 이 경우, 복수 개의 분사구(571)는 복수 개의 행과 열을 갖는다(도 5 및 도 6에는 30개의 행 및 4개의 열, 총 120개의 분사구(571)가 도시되어 있으며, 30개의 행 중 하부를 기점으로 10개까지의 행은 하부영역분사구(571B), 11개부터 20개까지의 행은 중앙영역분사구(571M), 21개부터 30개까지의 행은 상부영역분사구(571T)라 할 수 있다).
복수 개의 분사구(571)는 분지유로(563)를 통해 유동된 퍼지가스를 수납실(100)의 내부로 분사시키는 기능을 하게 되며, 위와 같이, 복수 개의 분사구(571)가 30개의 행을 갖는 경우, 30개의 웨이퍼(W) 각각의 상면에 퍼지가스를 분사하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거 및 습도 제어 등을 달성할 수 있다.
전술한 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561)는 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성된다.
좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하면, 수납실(100)의 둘레면 중 일부면이라 함은 좌측전방분사부재(500LF)가 배치된 좌측전방면으로 정의될 수 있으며, 일부면에서 평행이동한 면은 메인유로(561)가 형성된 분지유로부플레이트(550)의 앞면(도 1 및 도 2에서는 우측방향 면)으로 정의될 수 있다.
예컨데, 좌측전방분사부재(500LF)의 가장 내측면인 분사구플레이트(570)의 앞면을 좌측전방면이라 가정하면, 분지유로부플레이트(550)의 앞면은 분사구플레이트(570)의 앞면에서 외측방향으로 평행이동한 면이기 때문에 메인유로(561)가 형성된 분지유로부플레이트(550)의 앞면은 일부면에서 평행이동한 면이 될 수 있다.
따라서, 이를 적용하면, 우측전방분사부재(500RF)의 분지유로부플레이트(550)에 형성된 분지유로부(551)의 메인유로(561)는 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면과 평행이동한 면의 수직방향으로 형성되고, 중앙후방분사부재(500MR)의 분지유로부플레이트(550)에 형성된 분지유로부(551)의 메인유로(561)는 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면과 평행이동한 면의 수직방향으로 형성된다고 할 수 있다.
위와 같이, 분사부재(500)의 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561)가 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성됨으로써, 분지유로부플레이트(550)는 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있으며, 이를 통해 분사부재(500) 및 웨이퍼 수납용기(10)의 컴팩트화가 달성될 수 있다.
상세하게 설명하면, 지지대(200)에 지지되는 웨이퍼(W)는 수직방향으로 여러 층 지지되어 있고, 분사부재(500)의 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561) 등을 포함한 분지유로부(551)의 형상으로 인해, 종래의 웨이퍼 수납용기와 달리, 작은 두께를 갖는 분사부재(500), 즉, 컴팩트화된 분사부재(500)를 통해 하부에서 상부로의 퍼지가스 공급이 용이하게 이루어져 수납실(100) 내부로의 퍼지가스 분사를 달성할 수 있는 것이다.
또한, 위와 같은 개념은 각 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)가 도 5 내지 도 8 등에 도시된 것과 달리 평면이 아닌 곡면을 갖는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. 이는, 좌측전방분사부재가 배치된 일부면, 즉, 수납실의 둘레면이 원형과 유사한 곡면으로 형성되어, 수납실의 둘레면 중 좌측전방면이 곡면의 형상을 갖고 있는 경우에도 좌측전방면을 평행이동시키게 되면 곡면을 갖는 분지유로부플레이트의 앞면과 일치한 면을 갖기 때문이다.(즉, 곡면의 경우에도, 좌측전방면 또는 분사구플레이트의 앞면을 평행이동시킨 면은 분지유로부플레이트의 앞면이라 할 수 있다.)
위와 같은 구조로 인해, 각 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)의 메인유로(561)들은 수납실(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 수납방향, 즉, 수직방향과 평행하도록 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각의 분지유로부플레이트(550)에 형성된다.
전술한 분지유로부플레이트(550)의 분지유로(563)는 메인유로(561)로부터 직각, 즉, 90˚의 사잇각을 갖도록 분지된다. 따라서, 분지유로(563)는 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수평방향으로 형성된다고 할 수 있다.
이는, 전술한 바와 같이, 메인유로(561)가 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성되고, 분지유로(563)가 메인유로(561)로부터 직각, 즉, 90˚의 사잇각을 갖도록 분지되므로, 분지유로(563)는 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수평방향으로 형성된다고 할 수 있는 것이다.
히터봉(590)은 유입플레이트(510)의 내부에 삽입되어 구비되며, 유입플레이트(510)의 내부유로로 유동하는 퍼지가스를 가열시켜 온도를 올리는 기능과 동시에 수납실(100) 내부를 가열시켜 온도를 올리는 기능을 한다.
다시 말해, 히터봉(590)은 유입플레이트(510)의 내부유로와 가깝도록 유입플레이트(510)의 내부에 삽입되어 구비되므로, 히터봉(590)이 자체적으로 발열하게 되면, 내부유로로 유동하는 퍼지가스가 가열된다. 따라서, 비활성기체인 퍼지가스가 가열됨에 따라, 퍼지가스의 유동이 더욱 활발하게 되어 수납실(100) 내부로의 분사 등이 원할하게 이루어질 수 있다.
또한, 히터봉(590)이 자체적으로 발열되면 분사부재(500) 자체를 가열하게 되므로, 수납실(100) 내부까지 열이 전달되어 수납실(100) 내부의 온도가 상승하게 된다. 따라서, 수납실(100)의 내부 온도가 상승함에 따라, 수납실(100) 내부의 수분이 적어지게되는 제습효과가 이루어지게 되며, 이를 통해, 퍼지가스의 퍼징과 더불어 웨이퍼 수납용기(10)의 제습을 달성할 수 있다.
우측전방분사부재(500RF)는, 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면을 이루는 우측전방벽체(530RF)와, 우측전방벽체(530RF)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며, 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
또한, 중앙후방분사부재(500MR)는, 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면을 이루는 중앙후방벽체(530MR)와, 중앙후방벽체(530MR)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며, 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
즉, 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 좌측전방분사부재(500LF)와 그 배치 위치가 상이하고, 각각 우측전방벽체(530RF)와 중앙후방벽체(530MR)를 포함한다는 점에서 차이가 있을 뿐, 좌측전방분사부재(500LF)와 대동소이한 구성을 갖는다.
배기부재(600)
이하, 배기부재(600)에 대해 설명한다.
도 1, 도 2, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 배기부재(600)는 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치되며, 하부에 배기홀(611)이 형성된 배기호퍼(610)와, 배기호퍼(610)에 결합하며, 배기홀(611)과 연통되는 복수 개의 배기구(651)가 형성된 배기구플레이트(650)와, 배기호퍼(610)와 배기구플레이트(650) 사이에 게재되며, 배기부재(600)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸 배기를 차단하는 차단플레이트(630)를 포함하여 구성된다.
배기호퍼(610)의 하부, 즉, 배기호퍼(610)에는 웨이퍼 수납용기(10)의 외부 배기부(미도시)와 연통되는 배기홀(611)이 형성되어 있다.
배기구플레이트(650)는 배기호퍼(610)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 좌측 방향)에 결합되며, 배기홀(611)과 연통되는 복수 개의 배기구(651)가 형성되어 있다.
이 경우, 복수 개의 배기구(651)는 배기구플레이트(650)의 하부에서 상부로 갈수록 그 개구면적이 크게 형성될 수 있으며, 이로 인해, 상대적으로 배기홀(611)과 거리가 먼 상부의 배기구(651)에서의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸의 배기가 원할하게 이루어질 수 있다.
차단플레이트(630)는 배기호퍼(610)와 배기구플레이트(650)의 사이에 게재되며, 배기구플레이트(650)의 복수 개의 배기구(651)와 대응되는 복수 개의 배기연통구(633)가 형성되어 있다.
차단플레이트(630)와 배기호퍼(610)는 구동부(631)에 의해 연결되며, 구동부(631)는 차단플레이트(630)를 승하강시키는 기능을 한다.
위와 같은 구성으로 인해, 차단플레이트(630)는 구동부(631)의 작동에 따라 배기호퍼(610) 및 배기구플레이트(650)에 대해 상대적으로 승하강함으로써, 배기부재(600)의 배기를 차단할 수 있다.
상세하게 설명하면, 차단플레이트(630)가 정 위치, 즉, 하강된 위치에 있을 경우, 배기구플레이트(650)의 복수 개의 배기구(651)와 차단플레이트(630)의 복수 개의 배기연통구(633)가 연통되게 된다. 이는, 복수 개의 배기연통구(633)는 복수 개의 배기구(651)에 대응되도록 같은 형상으로 형성되기 때문이다.
따라서, 차단플레이트(630)가 정위치에 있을 경우, 외부 배기부의 팬 등이 작동되어 흡입력이 발생하면, 수납실(100) 내부의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 복수 개의 배기구(651), 복수 개의 배기연통구(633) 및 배기홀(611)을 통해 외부 배기부로 배기되게 된다.
그러나, 차단플레이트(630)가 차단 위치, 즉, 상승된 위치에 있을 경우, 복수 개의 배기구(651)와 복수 개의 배기연통구(633)의 연통이 차단된다.
이는, 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역(즉, 복수 개의 배기연통구(633)들 사이의 영역)이 복수 개의 배기구(651)를 막음으로써, 복수 개의 배기구(651)와 복수 개의 배기연통구(633)의 연통을 차단시키는 것이다.
따라서, 외부 배기부의 팬 등이 작동하여 흡입력이 발생하더라도, 수납실(100)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 상기 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역에 의해 차단되어 배기가 차단되게 된다.
위와 같이, 차단플레이트(630)가 배기부재(600)의 배기를 차단하게 됨으로써, 다음과 같은 이점을 갖는다.
만약, 차단플레이트(630)가 구비되지 않고, 외부 배기부와 연통 부분에 구비된 밸브 등을 제어함으로써, 배기부재(600)의 배기를 선택적으로 제어할 수 있는 경우, 수납실(100) 내부에 웨이퍼(W)의 퓸 등 오염기체가 혼합될 수 있다.
상세하게 설명하면, 외부 배기부의 팬 등의 작동에 의해 배기부재(600)를 통해 배기가 진행되던 중, 밸브를 잠궈 배기부재(600)의 배기를 멈추게 되면, 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 배기홀(611)과 외부 배기부가 연통되어 있는 공간(즉, 배기홀(611)과 외부 배기부의 연통 통로 중 밸브까지의 통로)에 갇히게 된다.
따라서, 밸브를 개방 상태로 전환하여 다시 배기부재(600)의 배기를 진행할 때까지, 상기 공간에 갖힌 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 분사부재(500)에서 분사되는 퍼지가스와 섞이게 되며, 이로 인해, 수납실(100) 내부가 오염될 위험성을 가지게 된다.
또한, 상기 공간에 계속 웨이퍼(W)의 퓸, 즉, 오염된 기체가 머물게 되므로, 상기 공간이 쉽게 오염되며, 이로 인해, 배기라인 전체를 교체해야 하는 문제점이 발생할 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 배기부재(600)에 차단플레이트(630)가 구비되면, 수납실(100)과 배기라인 자체를 차단플레이트(630)가 차단하게 되므로, 전술한 공간에 오염 기체가 잔존하지도 않을뿐만 아니라, 더욱 빠른 시간에 배기부재(600)의 배기 차단을 달성할 수 있다.
전술한 배기부재(600)의 차단플레이트(630)는 그 위치에 따라, 배기구(651)를 완전히 차단하지 않고, 배기구(651)의 일부 영역만을 차단할 수도 있다.
다시 말해, 전술한 상승된 위치보다 조금 낮은 위치만큼 차단플레이트(630)를 상승시키게 되면, 배기구(651)의 일부 영역은 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역(즉, 복수 개의 배기연통구(633)들 사이의 영역)에 의해 차단되나, 배기구(651)의 나머지 영역은 여전히 배기연통구(633)와 연통되게 된다.
따라서, 상기 배기구(651)와 배기연통구(633)의 연통에 의해 배기가 이루어질 수 있으나, 배기구(651)의 연통 영역이 줄어들었으므로, 배기구(651)와 배기연통구(633)가 완전히 연통되었을 때보다 배기력이 약해지게 된다.
이처럼, 차단플레이트(630)의 상승 위치, 즉, 상승 높이의 조절을 통해 배기구(651)와 배기연통구(633)의 연통영역, 즉, 배기구(651)의 개구 면적을 조절할 수 있으며, 이를 통해, 배기부(600)의 배기력을 원하는데로 제어할 수 있다.
물론, 전술한 배기부재(600)는 웨이퍼 수납용기(10)의 용도, 크기 등에 따라 필요적으로 수납실(100)의 둘레면 중 좌측후방면에 배치될 수도 있다.
또한, 전술한 설명에서는 배기부재(600)의 차단플레이트(630)가 구동부(631)에 의해 승하강함으로써, 배기부재(600)의 배기를 차단하는 것을 기준으로 설명하였으나, 웨이퍼 수납용기(10)의 용도, 크기 등에 따라 필요적으로 수평방향 슬라이드 이동, 회전 등의 움직임으로도 배기부재(600)의 배기를 차단할 수도 있다.
또한, 위의 차단플레이트(630)는 분사부재(500), 즉, 전방우측분사부재(500), 좌측전방분사부재(500LF), 중앙후방분사부재(500MR)의 분사구플레이트(570)의 뒷면 사이에 구비되어 전술한 구성 및 기능으로, 분사부재(500)의 퍼지가스 분사를 차단할 수도 있다.
웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동
이하, 전술한 구성을 갖는 웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.
먼저, 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.
웨이퍼 수납용기(10)의 외부 공급부에서 퍼지가스가 공급되면, 공급된 퍼지가스는 하부플레이트(300)의 공급구(311)를 통해 하부플레이트(300)로 유입된다.
이 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 공급구(311) 중 좌우측하부영역공급구(311B)로 유동된 퍼지가스는 좌우측하부영역공급유로(331B)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 나눠져서 유동하게 된다.
또한, 공급구(311) 중 좌우측중앙영역공급구(311M)로 유동된 퍼지가스는 좌우측중앙영역공급유로(331M)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 나눠져서 유동하게 된다.
또한, 공급구(311) 중 좌우측상부영역공급구(311T)로 유동된 퍼지가스는 좌우측상부영역공급유로(331T)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 나눠져서 유동하게 된다.
좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 퍼지가스의 유동은 우측전방분사부재(500RF)의 퍼지가스 유동에도 적용될 수 있다.
즉, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
중앙후방분사부재(500MR)의 경우, 전술한 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)와 달리, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)를 통해 퍼지가스가 유입되게 된다.
따라서, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측하부영역공급구(313B)로 유동된 퍼지가스는 후방측하부영역공급유로(333B)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동하고, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측중앙영역공급구(313M)로 유동된 퍼지가스는 후방측중앙영역공급유로(333M)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동하고, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측상부영역공급구(313T)로 유동된 퍼지가스는 후방측상부영역공급유로(333T)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동한다.
후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
또한, 후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다.
상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
이처럼 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각으로 유입된 퍼지가스는 분사구플레이트(570)의 하부영역분사구(571B), 중앙영역분사구(571M) 및 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 유입된다. 따라서, 하부영역분사구(571B), 중앙영역분사구(571M) 및 상부영역분사구(571T)에서 분사된 퍼지가스는 수납실(100) 내부의 하부영역, 중앙영역, 상부영역 각각에 분사되게 되는 것이다.
다시 말해, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각에서 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)의 유로 및 구멍들은 위와 같이, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역, 즉, 상, 하 방향으로 3개의 영역으로 구획되어 형성되며, 이로 인해, 수납실(100) 내부에도 하부영역, 중앙영역 및 상부영역, 즉, 상, 하 방향(또는 수직방향)으로 3개의 영역으로 구획된 퍼징영역이 형성되게 되는 것이다.
위와 같이, 좌측전방분사부재(500LF)의 내부에는 각각의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징영역으로의 유로 및 구멍이 형성되어 있으므로, 종래의 웨이퍼 수납용기의 챔버 형태의 분사부재보다 외부 공급부에서 공급된 퍼지가스의 유동 속도가 유지될 수 있다. 따라서, 분사구에서 분사되는 퍼지가스의 분사 속도가 종래의 웨이퍼 수납용기보다 높아지게 되며, 그만큼 수납실(100) 내부의 사영역의 발생이 억제되게 된다.
또한, 3개의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징영역은 각각 10개의 웨이퍼(W)(전술한 바와 같이 수납실(100)에 30장의 웨이퍼(W)가 수납된 경우)를 각각 퍼징하게 되며, 이로 인해, 균일한 웨이퍼(W)의 퍼징이 달성될 수 있다.
또한, 3개의 퍼징영역과 연결된 유로를 선택적으로 차단, 즉, 하부플레이트(300)의 공급구를 통해 유동하는 유로들을 선택적으로 차단하는 것만으로도, 수납실(100) 내부의 원하는 영역에만 퍼지가스의 분사를 달성할 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부의 3개의 퍼징영역의 퍼징을 용이하게 제어할 수 있다.
즉, 외부 공급부에 밸브를 구비하고, 상기 밸브가 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M) 및 좌우측상부영역공급구(311T)로 유동하는 퍼지가스의 유동을 제어하게 되면, 수납실(100) 내부의 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징을 용이하게 제어할 수 있는 것이다.
한편, 전술한 바와 달리, 3개의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역으로 구분되지 않고, 그 이상의 퍼징영역으로 구분될 수도 있다.
위와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)는 수납실(100) 내부의 수직방향으로의 퍼지가스 분사 제어를 달성할 수 있다.
또한, 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)로의 퍼지가스의 공급은 하부플레이트(300)의 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)에 의해 이루어지고, 중앙후방분사부재(500MR)로의 퍼지가스의 공급은 하부플레이트(300)의 후방측하부영역공급유로(331B), 후방측중앙영역공급유로(331M) 및 후방측상부영역공급유로(331T)에 의해 따로 이루어짐으로써, 수납실(100) 내부의 동등한 퍼지가스의 분사량을 달성할 수 있다.
상세하게 설명하면, 외부 공급부에서 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 좌우측상부영역공급구(311T)를 통해 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T) 각각으로 공급시키는 퍼지가스의 유동량을 '2'라 가정하자.
이 경우, 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)를 통해 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)로 유입되는 퍼지가스의 유동량은 각각 '1'이 된다(좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)가 갈라지게 되므로)
따라서, 외부 공급부에서 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)를 통해 후방측하부영역공급유로(333B), 후방측중앙영역공급유로(333M) 및 후방측상부영역공급유로(333T)로 공급시키는 퍼지가스의 유동량을 '1'로 맞추게 되면, 중앙후방분사부재(500MR)로 유입되는 퍼지가스의 유동량을 '1'로 맞출 수 있다.
따라서, 위와 같이, 외부 공급부에서 하부플레이트(300)의 공급유로(331) 중 좌우측공급유로, 후방측공급유로로 공급되는 퍼지가스의 유동량을 조절시킴으로써, 분사부재(500)로 유입되는 퍼지가스의 유동량을 동일하게 맞출 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동량 또한 동일하게 맞출 수 있다.
이처럼 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동량을 동일하게 함으로써, 수납실(100) 내부의 퍼지가스의 흐름이 원할하게 이루어지게 할 수 있으며, 이로 인해, 한 쪽으로 퍼지가스의 분사가 치우쳐 난류 등이 발생하는 것을 최소화시킬 수 있다.
배기부재(600)를 통해 배기되는 수납실(100) 내부의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸의 유동은 배기부재(600)에 대한 설명에서 전술하였으므로 생략한다.
이처럼, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동은 도 11에 도시된 바와 같이, 좌측전방분사부재(500LF), 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)에 의해 수납실(100)의 둘레면 중 전방좌측면, 전방우측면 및 중앙후방면에서 퍼지가스가 분사되고, 배기부재(600)에 의해 수납실(100)의 둘레면 중 후방우측면에서 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸이 배기되게 된다.
따라서, 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되지 못하는 사영역 없이 웨이퍼(W)의 퍼징이 이루어질 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W) 제조 공정을 통해 발생된 퓸이 균일하게 제거될 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 배기부재(600)의 차단플레이트(630)를 작동시켜 배기부재(600)의 배기를 차단할 수 있으며, 이와 같은 경우, 수납실(100) 내부에 퍼지가스가 가득 차도록 분사가 되므로, 퍼지가스를 통해 수납실(100) 내부의 습도를 낮출 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기 제거를 달성할 수 있다.
더불어 위와 같이, 웨이퍼 수납용기(10)가 수납실(100) 내부의 습도 제어를 할 경우, 전술한 히터봉(590)이 수납실(100) 내부를 가열함으로써, 습도 제어를 도와줄 수 있으며, 이로 인해, 습도 제어의 효율이 상승될 수 있다.
전술한 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 다양한 변형 예를 가질 수 있다.
따라서, 이하의 설명에서는 분사부재의 제1 내지 제3변형 예에 대해 순서대로 설명한다.
단, 후술할 제1 내지 제3변형 예에 따른 분사부재 또한, 각 변형 예의 좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하며, 이를 다른 분사부재, 즉, 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)에도 적용할 수 있다.
또한, 전술한 분사부재(500)에 대한 설명에서 중복되는 설명은 생략하며, 중복된 설명은 전술한 설명에서 언급한 내용으로 갈음한다.
따라서, 전술한 분사부재(500)의 구성요소와 동일한 구성요소는 동일한 도면부호로 표현하며, 변형이 된 구성요소는 제1변형 예의 경우 도면부호에 (')를 붙어 표기하고, 제2변형 예의 경우 도면부호에 (")를 붙여 표기하고, 제3변형 예의 경우, ("')를 붙여 표기한다.
제1변형 예에 따른 분사부재(500')
이하, 도 12 및 도 13을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)에 대해 설명한다.
도 12는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분지유로부플레이트를 도시한 도이고, 도 13은 도 12의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이다.
제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551')가 형성된 분지유로부플레이트(550')와, 분지유로부플레이트(550')와 결합하며, 분지유로부(551')와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF), 분사구플레이트(570) 및 히터봉(590)은 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF), 분사구플레이트(570) 및 히터봉(590)과 동일한 구성이므로, 그 설명은 생략한다.
즉, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는 분지유로부플레이트(550')의 분지유로부(551')의 형상을 달리한 분사부재(500')이다.
단, 유입플레이트(510)의 유입구(513)의 경우, 후술할 메인유로(561')의 구멍(565')이 4개가 형성되어 있으므로, 구멍(565')과 동일하게 4개로 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T) 중 어느 하나가 2개의 유입구(513)로 형성될 수 있다.
분지유로부플레이트(550')에는 유입구플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551')가 형성되며, 분지유로부(551')는, 도 12에 도시된 바와 같이, 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 메인유로(561')와, 메인유로(561')에 연통되며, 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 연통되는 분지유로(563')를 포함하여 구성되어 있다.
메인유로(561')는 분사부재(500')가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성된다.
따라서, 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부플레이트(550')의 메인유로(561')는 좌측전방분사부재(500'LF)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성된다(이에 대한 자세한 설명은 위의 좌측전방분사부재(500')에 대한 설명에서 전술하였으므로, 생략한다).
메인유로(561')의 중앙에는 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 구멍(565')이 형성되어 있으며, 이로 인해, 퍼지가스는 유입플레이트(510)의 유입구(513) 및 구멍(565')을 통해 메인유로(561)로 유입된다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 구멍(565')은 각 분지유로부(551')에 1개씩 총4개가 형성된다.
분지유로(563')는 메인유로(561')의 양 단부에서 서로 반대방향으로 분지되어 2개의 분지유로(563')로 분지된다.
따라서, 하나의 분지유로부(551')를 기준으로 하나의 메인유로(561')에는 상부, 하부 단부 각각에 2개씩 총 4개의 분지유로(563')들이 형성되게 된다.
이 경우, 메인유로(561')와 분지유로(563')들 간의 사잇각은 직각, 즉, 90˚로 형성되며, 일종의 'T' 형상의 형태를 갖게 된다.
위와 같은 분지유로(563')들의 단부에서는 또 다른 분지유로(563')들이 연속되게 형성되며, 각각의 분지유로(563')들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 되어, 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키게 된다.
위와 같이, 연속되는 분지유로(563')들은 연속분지유로(567')를 형성하게 되며, 연속분지유로(567')는 그 전체적인 형상이 'I' 5개가 연결된 형태(큰 'I' 형상의 분지유로의 단부 각각에 'I' 분지유로가 연속되게 연통된 형태)를 갖게 된다.
위와 같은 연속분지유로(567')의 경우에도, 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키기 위해, 각각의 분지유로(563')들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 형성된다고 할 수 있다.
연속분지유로(567')에서 퍼지가스가 가장 마지막으로 도달하는 구간은 연통유로(569')이다.
이러한 연통유로(569')는 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)에 대응되는 위치에 배열되어 있다. 따라서, 유입구(513) 및 구멍(565')을 통해 메인유로(561'), 분지유로(563'), 연속분지유로(567')를 순서대로 유동한 퍼지가스는 연통유로(569')에서 분사구(571)를 통해 수납실(100)로 분사된다.
위와 같은 구성을 갖는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는 다음과 같은 이점을 갖는다.
전술한 분지유로부(551')의 구조로 인해, 퍼지가스가 분지유로부플레이트(550')의 구멍(565')에서 연통유로(569')를 통해 복수 개의 분사구(571) 각각을 통해 분사될 때, 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하다.
따라서, 복수 개의 분사구(571)를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량이 모두 일정하게 유지될 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부에는 균일한 퍼지가스의 분사가 이루어질 수 있다.
또한, 위와 같은 수납실(100) 내부의 균일한 퍼지가스의 분사로 인해, 수납실(100) 내부에서 퍼지가스의 불균등한 분사에 의한 난류의 발생이 최소화될 수 있다.
상세하게 설명하면, 수납실(100) 내부에 분사되는 퍼지가스의 유동량이 비교적 균일하게 이루어지지 않고, 한쪽으로만 지나치게 많이 분사되게 되면, 수납실(100) 내부의 퍼지가스 유동이 일종의 난류를 형성할 수 있다.
따라서, 각각의 웨이퍼(W)의 상면을 유동하는 퍼지가스의 흐름이 원할하게 이루어지지 못하고, 어느 임의의 한 영역에만 퍼지가스의 흐름이 몰리게 될 수 있다. 이러한 퍼지가스의 흐름은 웨이퍼(W)의 퓸을 제거하지 못하는 사영역의 발생을 촉진시키게 되고, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퓸 제거, 습도 제어를 달성하지 못하는 원인이 될 수 있다.
그러나, 웨이퍼 수납용기(10)에 제1변형 예에 따른 분사부재(500')를 적용하게 되면, 도 13에 도시된 바와 같이, 유입구(513)로부터 분사구(571)까지의 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하며, 이로 인해, 분사구(571)를 통해 분사되는 퍼지가스의 균일한 유동량이 보장될 수 있다. 따라서, 종래의 웨이퍼 수납용기에서 발생할 수 있는 수납실(100) 내부의 난류 현상 등을 방지할 수 있고, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퍼징의 효율이 대폭 상승되게 된다.
또한, 분지유로(563'), 연속분지유로(567')의 분지구간이 모두 직각, 즉, 'T' 형상이 연속된 형태를 갖고 있으므로, 분지유로부플레이트(550')의 분지유로부(551')가 형성된 면의 면적을 낭비하는 일 없이 분지유로부(551')를 형성시킬 수 있다.
따라서, 분지유로부플레이트(550')의 크기를 최소화하여 제작할 수 있으며, 이로 인해, 분사부재(500')의 크기 또한 최소화될 수 있으므로, 웨이퍼 수납용기(10)의 컴팩트화를 달성할 수 있다.
제2변형 예에 따른 분사부재(500")
이하, 도 14 내지 도 18을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)에 대해 설명한다.
도 14는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 사시도이고, 도 15는 도 14의 분해 사시도이고, 도 16(a)는 도 15의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 16(b)는 도 15의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 17은 도 16(b)의 분사플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 18은 도 15의 부가유로플레이트의 앞면을 도시한 도이다.
제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구 및 유입구가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며, 유입구와 연통되는 분지유로부 및 분지유로부와 연통되는 복수 개의 분사구(571")가 형성되는 분사플레이트(580")와, 유입플레이트(510)와 분사플레이트(580") 사이에 배치되며, 유입구(513)와 분지유로부(551")를 연통시키는 부가유로(541")가 형성된 부가유로플레이트(540")와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF) 및 히터봉(590)은 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF) 및 히터봉(590)과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
즉, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 분지유로부플레이트(550)와 분사구플레이트(570)가 하나의 분사플레이트(580")로 변형되어 구성되어 있는 분사부재(500")라 할 수 있다.
단, 유입플레이트(510)의 유입구(513)의 경우, 후술할 부가유로(541")의 구멍(565")이 총 13개로 형성되어있으므로, 구멍(565")과 동일한 갯수인 13개로 형성되는 것이 바람직하다.
이 경우, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T) 중 어느 하나가 5개의 유입구(513)로 형성되고, 나머지가 4개의 유입구(513)로 형성될 수 있다.(도 15에는 하부영역유입구(513B)가 5개로 형성되어 있다)
분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")는 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 복수 개로 이루어지며, 좌측전방벽체(530LF)에 결합되어 있다.
도 14 및 도 15에서는 하나의 실시 예로써 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")가 각각 13개로 이루어져 있으며, 이처럼 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")는 동일한 갯수로 이루어진 것이 바람직하다.
분사플레이트(580")의 경우, 도 16(a)에 도시된 바와 같이, 분사플레이트(580")의 일측면(앞면)에 복수 개의 분사구(571")가 형성되어 있으며, 도 16(b)에 도시된 바와 같이, 분사플레이트(580")의 반대측면(뒷면)에는 분지유로부(551")가 형성되어 있다.
즉, 분사플레이트(580")는 양측면 각각에 분사구(571")와 분지유로부(551")가 형성되며, 이를 통해 하나의 분사플레이트(580")만으로도 분사구플레이트(570) 및 분지유로부플레이트(550)의 기능을 동시에 달성할 수 있다.
분사플레이트(580")의 반대측면에 형성된 분지유로부(551")는 부가유로플레이트(540")의 부가유로(541")와 연통되는 메인유로(561")와, 메인유로(561")의 양단부에서 연속하여 분지되는 연속분지유로(567")를 포함하여 구성된다.
연속분지유로(567")는 전술한 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 연속분지유로(567')와 같이, 분지유로들이 'T' 형상의 형태로 연속되게 갈라지게 되며, 그 전체적인 형상이 'I' 5개가 연결된 형태(큰 'I' 형상의 분지유로의 단부 각각에 'I' 분지유로가 연속되게 연통된 형태)를 갖는다.
이 경우, 연속분지유로(567")의 분지유로들은 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키기 위해 각각의 분지유로들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 형성된다고 할 수 있다.
연속분지유로(567")에서 퍼지가스가 가장 마지막으로 도달하는 구간에는 일측면 방향으로 개구된 복수 개의 분사구(571")가 형성되어 있다.
부가유로플레이트(540")는 도 18에 도시된 바와 같이, 그 일측면(앞면)에 부가유로(541")가 형성되어 있으며, 부가유로(541")에는 구멍(565")이 형성되고, 구멍(565")은 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 분사플레이트(580")의 분지유로부(551")의 메인유로(561")를 연통시키는 역할을 한다. 이 경우, 부가유로(541")는 메인유로(561")와 동일한 길이, 높이, 폭, 즉, 동일한 부피로 형성되며, 구멍(565")은 부가유로(541")의 길이 방향의 중심점에 위치한다.
위와 같은 구성을 갖는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 다음과 같은 이점을 갖는다.
먼저, 분사플레이트(580")에 복수 개의 분사구(571")와 분지유로부(551")가 모두 형성되어 있으므로, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)와 달리 하나의 분사플레이트(580")만으로도 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분사구플레이트(570) 및 분지유로부플레이트(550')의 기능을 달성할 수 있으며, 이를 통해, 제조비용의 절감 및 좌측전방분사부재(500"LF)의 컴팩트화를 달성할 수 있다.
또한, 복수 개의 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")가 좌측전방벽체(530LF)에 결합되는 구조이므로, 장기간동안 웨이퍼 수납용기(10)를 사용하여 좌측전방분사부재(500"LF)의 유로 등에 오염물질이 쌓인 경우, 심하게 오염된 부위만을 쉽게 교체할 수 있으므로, 용이한 유지보수를 달성할 수 있다.
또한, 퍼지가스의 유동 및 분사를 살펴보면, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통된 구멍(565")을 통해 퍼지가스가 유입될 때, 도 17에 도시된 바와 같이, 퍼지가스가 부가유로(541") 및 메인유로(561")를 따라 유동하여 메인유로(561")와 연통된 각 연속분지유로(567")를 통해 유동하게 된다. 따라서, 연속분지유로(567")로 유동된 퍼지가스는 최종적으로 복수 개의 분사구(571")를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.
위와 같이, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)의 분지유로부(551")를 따라 퍼지가스가 유동하여 분사되는 경우에도, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부(551')와 같이, 퍼지가스가 부가유로(541")의 구멍(565")에서 복수 개의 분사구(571") 각각으로 분사될 때, 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하게 형성된다.
따라서, 수납실(100) 내부에 균일한 퍼지가스의 분사가 이루어질 수 있어, 수납실(100) 내부의 난류 형성을 억제시키고, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기(10)의 웨이퍼(W) 퍼징의 효율이 대폭 상승하게 된다.
또한, 전술한 바와 같이, 부가유로(541")와 메인유로(561")의 형상이 서로 동일하게 되어 있으므로, 부가유로(541") 및 메인유로(561")의 폭이 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부(551')의 메인유로(561') 보다 더 크게 된다.
위와 같이, 부가유로(541") 및 메인유로(561")의 폭이 더 커지게 되므로, 메인유로(561")와 연통된 연속분지유로(567")로 퍼지가스가 유동할 경우, 유로의 부피 차이에 의해 퍼지가스의 유동 속도가 더 빨라질 수 있으며, 이로 인해, 분사구(571")를 통해 분사되는 퍼지가스의 분사속도 또한 더 빨라지게 된다.
이는, 기체의 유동속도는 단면적에 반비례하므로, 상대적으로 단면적이 큰 메인유로(561") 및 부가유로(541") 구간에서 단면적이 상대적으로 작은 연속분지유로(567")로 퍼지가스가 유동되면, 순간적으로 퍼지가스의 유동속도가 상승할 수 있기 때문이다.
위와 같이, 분사구(571")를 통해 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 분사속도가 커지게 되므로, 퍼지가스의 유동량 또한, 늘어나게 되며, 수납실(100) 내부에는 더욱 더 많은 퍼지가스와, 더욱 더 먼 거리로 유동하는 퍼지가스가 늘어나게 된다(또는 더욱 넓은 면적으로의 퍼지가스가 분사된다고 할 수 있다).
따라서, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)보다 더욱 높은 효율의 퍼지가스 분사를 달성할 수 있다.
제3변형 예에 따른 분사부재(500"')
이하, 도 19 내지 도 22를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"MR)에 대해 설명한다.
단, 이하의 설명에서, 복수 개의 분사구(571"')는 그 개구 면적에 따라 작은분사구(571"'S, 571"' SMALL), 보통분사구(571"'R, 571"' REGULAR), 큰분사구(571"'L, 571"' LARGE)로 구분하여 설명한다.
이 경우, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L)의 개구면적의 비는 '1:2:4' 이다.
도 19(a)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 19(b)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 20(a)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 20(b)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 21(a)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 21(b)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 22는 제3변형 예에 따른 분사부재들이 구비된 웨이퍼 수납용기의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도이다.
제3변형 예에 따른 분사부재(500"'), 즉, 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR) 각각은, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면, 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각을 이루는 좌측전방벽체(530LF), 우측전방벽체(530RF) 및 중앙후방벽체(530MR)와(좌측전방분사부재(500LF)의 경우 좌측전방벽체(530LF)를 포함하고, 우측전방분사부재(500RF)의 경우 우측전방벽체(530RF)를 포함하며, 중앙후방분사부재부재(500MR)의 경우 중앙후방벽체(530MR)를 포함함), 유입플레이트(510)와 분사플레이트(580"') 사이에 배치되며, 유입구(513)와 분지유로부(551"')를 연통시키는 부가유로(541"')가 형성된 부가유로플레이트(540"')와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.
이 경우, 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR)는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)와 분사플레이트(580")의 분사구(571")의 형상만이 다를 뿐 나머지는 동일하므로(물론 배치위치는 각각 다르다), 중복되는 설명은 생략한다.
즉, 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR)는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)에서 분사구(571")의 형상만을 변형하여 구성되어 있는 분사부재(500"')라 할 수 있다.
먼저, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"LF)의 분사구(571"') 형상을 설명한다.
도 19(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'LF)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제1 내지 제3열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제4열에 해당하는 분사구(571"')는 큰분사구(571"'L)로 형성되어 있다.
이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 19(b)를 기준으로 우측)만 개구되어 있다.
또한, 큰분사구(571"'L)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 모두 개구되어 있다.
이하, 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580")의 분사구(571"') 형상을 설명한다.
도 20(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'RF)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제2 내지 제4열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제1열에 해당하는 분사구(571"')는 큰분사구(571"'L)로 형성되어 있다.
이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 20(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 20(b)를 기준으로 좌측)만 개구되어 있다.
또한, 큰분사구(571"'L)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 모두 개구되어 있다.
이하, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"')의 분사구(571"') 형상을 설명한다.
도 21(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'MR)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제1열 및 제6열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제2 내지 제5열에 해당하는 분사구(571"')는 작은분사구(571"'S)로 형성되어 있다.
이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 21(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 21(b)를 기준으로 좌측 또는 우측)만 개구되어 있다.
또한, 작은분사구(571"'S)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부의 양측에 절반씩 개구되어 있다(전술한 보통분사구(571"'R)의 개구면적의 절반이 단부의 양측에 하나씩 개구되어 있음)
이하, 도 22를 참조하여 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.
다만, 전술한 바와 같이, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L)의 개구면적의 비는 '1:2:4' 이므로, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L) 각각을 통해 분사되는 퍼지가스의 분사량의 비 또한 '1:2:4'이다.
좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제1열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제4열에 각각 위치한 큰분사구(571"'L)를 통해 분사되는 퍼지가스는 직선으로 웨이퍼(W)를 향해 분사된다.
좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제2 내지 제4열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제2 내지 제4열에 각각 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 수납실(100)의 후방 방향으로 경사지게 분사된다. 이는, 분지유로부(551"')의 'I' 형상의 단부 일측에만 보통분사구(571"'R)가 형성되어 있으므로, 퍼지가스의 유동에 경사가 발생하게 되는 것이다.
중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 각각 수납실(100)의 좌측전방 방향 및 우측후방 방향으로 경사지게 분사되며, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제2 내지 제5열에 위치한 작은분사구(571"'S)를 통해 분사되는 퍼지가스는 직선으로 웨이퍼(W)를 향해 분사된다.
위와 같이, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제2 내지 제4열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제2 내지 제4열에 각각 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스와, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 웨이퍼(W) 상면의 좌측후방 및 우측후방 방향으로 분사되어 유동되며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 사영역을 메꿔주게 된다(도 11과 비교).
다시 말해, 도 22에 도시된 바와 같이, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 양측, 즉, 좌우측에서, 각각 좌, 우측 방향으로 퍼지가스가 분사되고, 좌측전방분사부재(500"'LF) 및 우측전방분사부재(500"'RF) 각각에서 후방측 방향으로 퍼지가스가 분사됨으로써, 분사부재(500"')가 배치되지 않는 수납실(100)의 좌측후방면 및 우측후방면의 퍼지가스의 유동이 메꿔질 수 있으며, 이를 통해, 수납실(100)의 좌측후방면 및 우측후방면의 사영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 것이다.
또한, 전술한 분사구(571"')의 개구면적의 비율에 비추어 볼 때, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제1열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제4열에 각각 위치한 큰분사구(571"'L)를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량은 '4'가 되므로, 수납실(100)의 전방개구부(110) 방향에 많은 양의 퍼지가스가 분사되며, 이로 인해, 외부 기체가 수납실(100) 내부로 유입되는 것을 차단할 수 있는 효과가 있다.
또한, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 각각 수납실(100)의 좌측전방 방향 및 우측후방 방향으로 경사지게 분사되고, 그 유동량이 '2'가 되므로, 배기부(600)를 통해 퍼지가스 및 퓸이 배기 될 때, 상기 퍼지가스의 유동이 퍼지가스 및 퓸의 배기를 도와주게 되며, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기의 원할한 퍼징을 달성할 수 있다.
위와 같이 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')들은 분사구(571"')의 형상을 작은분사구(571"'S), 일반분사구(571"'R) 및 큰분사구(571"'L)로 차등을 두어 형성시킴으로써, 퍼지가스의 분사 방향 및 유량을 제어하게 되며, 이를 통해, 수납실(100) 내부의 퍼지가스의 흐름을 제어함으로써 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되지 못하는 사영역의 발생을 최소화함과 동시에 수납실(100) 내부의 기류 형성을 달성할 수 있다.
물론, 전술한 웨이퍼 수납용기(10)에 배치되는 분사부재의 배치위치에 따라, 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')와 다르게 분사구들의 위치 및 개구 면적에 변형을 줄 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기(10)의 분사부재의 배치위치에 알맞도록 수납실(100) 내부의 최적화된 퍼지가스의 기류 형성을 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기(10)를 제작할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예 및 분사부재의 변형 예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
[부호의 설명]
10: 웨이퍼 수납용기 100: 수납실
110: 전방개구부 130LR: 좌측후방벽체
200: 지지대 210: 지지대결합부
230: 단턱 250: 돌출핀
300: 하부플레이트 311: 공급구
311B: 좌우측하부영역공급구 311M: 좌우측중앙영역공급구
311T: 좌우측상부영역공급구 313B: 후방측하부영역공급구
313M: 후방측중앙영역공급구 313T: 후방측상부영역공급구
331: 공급유로 331B: 좌우측하부영역공급유로
331M: 좌우측중앙영역공급유로 331T: 좌우측상부영역공급유로
333B: 후방측하부영역공급유로 333M: 후방측중앙영역공급유로
333T: 후방측상부영역공급유로 400: 상부플레이트
500, 500', 500", 500"': 분사부재
500LF, 500'LF, 500"LF, 500"'LF: 좌측전방분사부재
500RF, 500'RF, 500"RF, 500"'RF: 좌측전방분사부재
500MR, 500'MR, 500"MR, 500"'MR: 중앙후방분사부재
530: 벽체 530LF: 좌측전방벽체
530RF: 우측전방벽체 530MR: 중앙후방벽체
540": 부가유로플레이트 541": 부가유로
550, 550': 분지유로부플레이트
551, 551', 551", 551"': 분지유로부
551B: 하부영역분지유로부 551M: 중앙영역분지유로부
551T: 상부영역분지유로부
561, 561', 561", 561"': 메인유로 563, 563'분지유로
565, 565', 565": 구멍
567', 567", 567"': 연속분지유로
569': 연통유로 570: 분사구플레이트
571, 571", 571"': 분사구 571B: 하부영역분사구
571M: 중앙영역분사구 571T: 상부영역분사구
571"'S: 작은분사구 571"'R: 보통분사구
571"'L: 큰분사구
580", 580"', 580"'LF, 580"'RF, 580"'MR:분사플레이트
590: 히터봉 600: 배기부재
610: 배기호퍼 611: 배기홀
630: 차단플레이트 631: 구동부
633: 배기연통구 650: 배기구플레이트
651: 배기구

Claims (7)

  1. 전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실; 및
    상기 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 상기 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재;를 포함하되,
    상기 분사부재는,
    상기 퍼지가스를 상기 분사부재로 유입시키는 유입구;
    상기 퍼지가스를 상기 수납실로 분사하도록 상기 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구; 및
    상기 유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 상기 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부;를 포함하고,
    상기 분지유로부는 상기 일부면에서 평행이동한 면에 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분지유로부는,
    상기 유입구와 연통되며, 상기 일부면에서 평행이동한 면의 수직방향으로 형성되는 메인유로; 및
    상기 메인유로와 상기 복수 개의 분사구를 각각 연통시키고, 상기 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하며, 상기 일부면에서 평행이동한 면의 수평방향으로 형성되는 복수 개의 분지유로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유입구는 상기 메인유로의 수직방향 길이의 중심에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분지유로부를 통해 상기 유입구에서 상기 복수 개의 분사구 각각으로 유동하는 퍼지가스의 유동거리는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 분지유로부의 상기 분지구간은 서로 반대 방향으로 분지되어 2개의 분지유로로 분지되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분사부재는,
    상기 복수 개의 분사구 및 상기 분지유로부가 형성되는 분사플레이트; 및
    상기 분사플레이트에 결합하며, 상기 유입구가 형성되는 유입플레이트;를 더 포함하되,
    상기 분사플레이트의 일측면에 상기 복수 개의 분사구가 형성되고, 상기 분사플레이트의 반대측면에 상기 분지유로부가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분사부재는,
    상기 분사플레이트와 상기 유입플레이트 사이에 배치되며, 상기 유입구와 상기 분지유로부를 연통시키는 부가유로가 형성된 부가유로플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
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