WO2019187078A1 - 表示デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

表示デバイス（２）の製造方法は、第１平坦化層の形成領域に存在する突出部の位置および高さを検査する検査工程（Ｓ２２）と、閾値以上の高さを有する上記突出部を選出する選出工程（Ｓ２３）と、上記突出部の高さが第１平坦化層の厚み未満の高さとなるように研磨する研磨工程（Ｓ２４）とを含む。

Description

表示デバイスの製造方法

　本発明は、表示デバイスの製造方法に関する。

　特許文献１には、表示デバイス等における発光素子を最終的に無機封止層で封止する前に該発光素子の配置領域に付着した異物を有機緩衝層で覆って平坦化することが開示されている。また、特許文献２には、異物を下部無機封止層で覆い、該下部無機封止層の表面全体を研磨して平坦化した後、該下部無機封止層上に上部無機封止層を形成することが開示されている。

日本国公開特許公報「特開２０１５－５６３３５号（公開日：２０１５年３月２３日） 日本国公開特許公報「特開２０１４－０９３１９５号（公開日：２０１４年５月１９日）」

　しかしながら、特許文献１は、有機緩衝層の厚み以上の高さを有する異物について何ら考慮していない。有機緩衝層の厚み以上の高さを有する異物が存在すると、該有機緩衝層上に形成される無機封止層のカバレッジが悪化し、封止不良が発生する。発光素子は、水分や酸素等による影響を受け易く、微量の水分や酸素と接触すると、その特性が劣化し、最終的に得られる装置の信頼性の低下等の問題を引き起こす。

　また、特許文献２の方法では、下部無機封止層全体を研磨して平坦化するため、該下部無機封止層にクラック等の欠陥が生じたり、該下部無機封止層の下層の構造物の表面を削ってしまったりするおそれがあるという問題がある。また、異物を研磨により完全に除去すると、該異物の下の層を傷付けてしまうおそれがある。

　上述の課題を解決するために、本願の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、複数の発光素子を含む発光素子層と、上記発光素子層を覆う封止膜と、を有し、上記封止膜が、第１平坦化層と上記第１平坦化層上に設けられた第１無機封止層とを含む表示デバイスの製造方法であって、上記発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、上記発光素子層形成工程後に、上記第１平坦化層の形成領域に存在する、異物を少なくとも含む、該異物の周囲の平面よりも上方に突出している突出部の位置および高さを検査する検査工程と、閾値以上の高さを有する上記突出部を選出する選出工程と、上記閾値以上の高さを有する上記突出部の一部を、該突出部の高さが上記第１平坦化層の厚み未満の高さとなるように研磨する研磨工程と、上記研磨工程で研磨した上記突出部を覆うように上記第１平坦化層を形成する第１平坦化層形成工程と、上記第１平坦化層上に上記第１無機封止層を形成する第１無機封止層形成工程と、を含む。

　本発明の一態様によれば、上記突出部の高さが閾値以上である異物を選出して該異物を少なくとも含む上記突出部の一部のみを、上部第１平坦化層で覆うことができる高さまで研磨し、上記突出部全体を研磨しない。すなわち、本発明の一態様によれば、封止膜の表面全体を研磨したり、異物全体を研磨除去したりしない。それ故、上記第１無機封止層の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、信頼性が高い表示デバイスを製造することができる表示デバイスの製造方法を提供することができる。

実施形態１にかかる表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態１にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。 実施形態１にかかる表示デバイスの概略構成を示す平面図である。 実施形態１にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。 （ａ）～（ｆ）は、実施形態１にかかる封止膜形成工程を工程順に示す断面図である。 実施形態２にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。 実施形態２にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。 （ａ）～（ｆ）は、実施形態２にかかる封止膜形成工程を工程順に示す断面図である。 実施形態３にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。 （ａ）～（ｇ）は、実施形態３にかかる封止膜形成工程の一部を工程順に示す断面図である。 実施形態４にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一例を示すフローチャートである。 実施形態４にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。 （ａ）～（ｆ）は、実施形態４にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一部を、工程順に示す断面図である。 実施形態５にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。 実施形態５にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。 （ａ）～（ｅ）は、実施形態５にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一部を、工程順に示す断面図である。

　〔実施形態１〕
　以下、本発明の一実施形態にかかる表示デバイスの製造方法について、図１～図１６を参照しながら、詳細に説明する。なお、以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

　＜表示デバイスの構成および製造方法＞
　図１は本実施形態にかかる表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、本実施形態にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。図３は、本実施形態にかかる表示デバイスの概略構成を示す平面図である。

　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（Ｓ１）。次いで、バリア層３を形成する（Ｓ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（Ｓ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（Ｓ４）。次いで、封止膜６を形成する（Ｓ５）。次いで、封止膜６上に上面フィルムを貼り付ける（Ｓ６）。

　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（Ｓ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（Ｓ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止膜６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（Ｓ９）。次いで、得られた個片に上面フィルム３９を貼り付ける（Ｓ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域ＤＡ（図３参照）よりも外側（非表示領域ＮＡ、額縁）の一部（端子部ＴＭ、図３参照）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（Ｓ１１）。なお、Ｓ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（Ｓ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。

　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。

　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の層間絶縁膜２１とを含む。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。

　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層のメタル層が含まれる。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。層間絶縁膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５は、層間絶縁膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のアノードカバー膜２３と、アノードカバー膜２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。また、発光素子層５は、カソード２５よりも上層に、有機キャッピング層、無機キャッピング層等のキャッピング層を含んでいてもよい。アノードカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。

　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード、ＱＬＥＤ：量子ドットダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。

　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、アノードカバー膜２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。

　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。

　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。

　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。

　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。

　封止膜６は透光性であり、カソード２５を覆う無機層２６と、無機層２６よりも上層の有機層２７（有機封止層）と、有機層２７よりも上層の無機層２８とを含む（図２を参照）。発光素子層５を覆う封止膜６は、発光素子層５への水、酸素等の異物の浸透を防いでいる。なお、封止膜形成工程（Ｓ５）および封止膜６の材料については、後で詳述する。

　無機層２６および無機層２８は無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機層２７は、平坦化効果のある透光性有機層であり、アクリル樹脂、またはＰＩ等の有機材料によって構成することができる。有機層２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができる。

　図３に示すように、非表示領域ＮＡには、層間絶縁膜２１を囲むように、インクジェット塗布されるインク（液状の有機材料）を堰き止めるための枠状のバンク４１および該バンク４１を囲む枠状のバンク４２が設けられていてもよい。

　バンク４１は、有機層２７の形成に用いられるインクを堰き止めることで有機層２７のエッジを規定する。バンク４２は、バンク４１によってインクを堰き止めることができなかった場合に、バンク４１を乗り越えたインクを堰き止める。

　バンク４１の内側は、有機層２７で覆われており、有機層２７のエッジは、バンク４１と重なっている。したがって、バンク４１で囲まれた領域が、有機層２７の形成領域となる。

　バンク４１は、アノードカバー膜２３と同じ材料で、同時に形成することができる。また、バンク４２は、例えば、下層と上層との二層構造を有している。上記下層は、層間絶縁膜２１のパターン形成時に、層間絶縁膜２１と同じ材料で、同時に形成することができる。上記上層は、例えば、アノードカバー膜２３の形成時に、アノードカバー膜２３と同じ材料で、同時に形成することができる。

　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。上面フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。

　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後Ｓ９に移行する。

　図４は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図５の（ａ）～（ｆ）は、本実施形態にかかる封止膜形成工程を工程順に示す断面図である。

　図４に示すように、本実施形態にかかる封止膜形成工程（Ｓ５）は、下部無機層形成工程（Ｓ２１）と、検査工程（Ｓ２２）と、選出工程（Ｓ２３）と、研磨工程（Ｓ２４）と、有機層形成工程（Ｓ２５）と、上部無機層形成工程（Ｓ２６）とを、この順に含む。

　下部無機層形成工程（Ｓ２１）では、図５の（ａ）に示すように、下部無機層である無機層２６（第２無機封止層、封止層）を形成する。このとき、無機層２６は、発光素子層５（例えばカソード２５）上に異物６３が付着していたとしても、異物６３を取り除くことなく、該異物６３を覆うように、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＡにかけて形成される。無機層２６を形成する方法としては、前述したように、例えば、ＣＶＤ法が用いられる。

　下部無機層形成工程（Ｓ２１）において無機層２６が形成された基板は、検査工程（Ｓ２２）に供するために、好適には、窒素等の不活性ガス雰囲気下で、無機層２６の形成に用いられる成膜チャンバから搬出される。検査工程（Ｓ２２）、選出工程（Ｓ２３）、研磨工程（Ｓ２４）は、何れも窒素等の不活性ガス雰囲気下で行われ、その間の基板の移動並びに研磨工程（Ｓ２４）後の基板の移動も、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行われる。なお、本実施形態では、基板の表面に無機層２６が形成されていることから、成膜チャンバからの上記基板の搬送、並びに、検査工程（Ｓ２２）および選出工程（Ｓ２３）は、必ずしも不活性ガス雰囲気下で行われる必要はない。但し、研磨工程（Ｓ２４）では、無機層２６の一部が研磨されることから、研磨工程（Ｓ２４）並びに研磨工程（Ｓ２４）後の基板の搬送は、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行う必要がある。

　検査工程（Ｓ２２）では、下部無機層形成工程（Ｓ２１）後に、有機層２７の形成領域に存在する、異物６３を少なくとも含む、該異物６３の周囲の平面よりも上方に突出している突出部６２の位置および高さを検査する。ここで、検査とは、突出部６２の位置情報および高さ情報を取得することを意味する。

　本実施形態では、上述したように、異物６３が、無機層２６で覆われている。したがって、本実施形態において、異物６３の周囲の平面とは、異物６３の周囲における、異物が存在していない部分の無機層２６の表面（つまり、無機層２６がなす平面）を意味する。また、本実施形態において、突出部６２とは、図５の（ａ）に枠囲みで示すように、異物６３および該異物を覆う無機層２６が、異物６３の周囲の無機層２６がなす平面から突出している部分を示す。また、突出部６２の高さとは、上記平面を基準面として測定した、上記平面からの高さを示す。

　本実施形態において、突出部６２は、異物６３および該異物６３を覆う無機層２６を含んでいる。上記平面よりも上方に突出している突出部６２の高さとは、図５の（ｂ）に示すように、異物６３の周囲の無機層２６がなす平面から突出している突出部６２の高さｄ１を意味する。

　検査工程（Ｓ２２）において、突出部６２の位置および高さｄ１を検査する方法は特に限定されない。該方法としては、例えば、ＣＣＤ（charge coupled device）カメラによる自動光学検査装置（ＡＯＩ：Automated Optical Inspection）を用いて検査する方法等が挙げられる。

　選出工程（Ｓ２３）では、図５の（ｂ）に示す、検査工程（Ｓ２２）において検査された突出部６２の高さｄ１が、閾値以上である突出部６２を選出する。

　上記閾値には、研磨工程（Ｓ２４）の後で形成される有機封止層（第１平坦化層）の厚み以下の値が設定される。したがって本実施形態では、上記閾値には、有機層２７の厚み以下の値が設定される。この場合、高さｄ１が、有機層２７の厚み以上である突出部６２が、後述する研磨工程（Ｓ２４）において研磨を施す対象として選出される。

　上記閾値を、有機層２７の厚み以下の値に設定することで、突出部６２の高さｄ１を確実に有機層２７の厚み未満にすることができる。

　研磨工程（Ｓ２４）では、図５の（ｃ）・（ｄ）に示すように、選出工程（Ｓ２３）で選出した突出部６２の一部を、該突出部６２の高さが上記閾値未満の高さ、つまり、研磨工程（Ｓ２４）の後で形成される有機封止層（第１平坦化層）の厚み未満の高さとなるように研磨する。したがって、本実施形態では、上記突出部６２の高さｄ１が有機層２７の厚み未満の高さとなるように研磨する。上記閾値未満の高さ（言い換えれば、有機層２７で封止できる高さ）を有する突出部６２は、研磨が施されることなく、有機層形成工程（Ｓ２５）以降の工程が施される。

　本工程において、異物６３の研磨は、図５の（ｃ）に示すように、例えば、テープ形状を有する研磨部材（研磨テープ７２）を備えた研磨装置７４を用いて行うことができる。具体的には、研磨装置７４が有する研磨テープ７２が、研磨ヘッド７３と突出部６２の表面との間に挟まれながら矢印の方向へ移動することで、研磨テープ７２の表面と接する突出部６２の表面を研磨することができる。

　また、研磨時および研磨後において、研磨により異物６３から生じた破片（不図示）を除去するという目的で、エアブローまたは吸引等の工程が行われてもよい。

　研磨量としては、突出部６２の高さｄ１が、有機層２７の厚み未満となる量であればよいが、研磨後の突出部６２の高さｄ１が、有機層２７の厚みの半分以下の高さとなるように設定されることが好ましい。このように研磨量を設定することで、異物６３が、図３に示す表示領域ＤＡ（図５の（ａ）～（ｆ）に示すように例えばカソード２５上）に存在する場合に、後述の有機層形成工程（Ｓ２５）において、該表示領域ＤＡにおける有機層２７の表面を確実に平坦化することができる。該研磨量の例として、有機層形成工程（Ｓ２５）において、１０μｍの厚みを有する有機層２７が形成される場合、本工程においては、異物６３の高さが、１０μｍ以下、好適には５μｍ以下となるまで、突出部６２を研磨する。

　有機層形成工程（Ｓ２５）では、図５の（ｅ）に示すように、研磨工程（Ｓ２４）において研磨された異物６３を覆うように、有機層２７を形成する。上述の研磨工程（Ｓ２４）において説明した通り、研磨後の異物６３の高さは、有機層２７の厚み未満となっている。それ故、異物６３が有機層２７の形成領域に存在したまま、本工程において異物６３の上に有機層２７を形成しても、有機層２７の表面から異物６３が突出することなく、有機層２７を形成することができる。

　前述したように、有機層２７は、例えばインクジェット塗布等によって、インクを、バンク４１で囲まれた領域内に塗布し、ＵＶ硬化等して硬化させることで形成される。インクには、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料を用いることができる。

　上部無機層形成工程（Ｓ２６）では、図５の（ｆ）に示すように、有機層２７上に、無機層２６と同様にして、上部無機層である無機層２８（第１無機封止層）を形成する。

　無機層２６および無機層２８は、水分の浸入を防ぐ防湿機能を有し、水分や酸素による発光素子ＥＳの劣化を防止するバリア層として機能する。有機層２７は、膜応力が大きい無機層２６・２８の応力緩和、発光素子層５の表面の段差や異物６３を埋めることによる平坦化、ピンホールの穴埋め、あるいは、無機層２８の積層時のクラックや膜剥がれの発生を抑制する。

　無機層２６・２８の厚みは、例えば５００～１５００ｎｍである。有機層２７の厚みは、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下である。

　本実施形態によれば、以上のように、有機層２７の形成領域に存在する異物６３を覆うように無機層２６を形成した後、該無機層２６で覆われた異物６３（言い換えれば、異物６３を含む突出部６２）の位置および高さを検査し、有機層２７で覆うことができない高さを有する突出部６２を選出して、該突出部６２を研磨する。このとき、本実施形態では、上記突出部６２の一部のみを、有機層２７で覆うことができる高さまで研磨し、突出部６２全体を研磨しない。それ故、無機層２８の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、異物６３の増大や、無機層２６のクラック等の欠陥が生じず、信頼性が高い表示デバイス２を製造することができる。

　〔実施形態２〕
　以下に、本実施形態にかかる表示デバイス２およびその製造方法を、図７および図８を参照しながら詳細に説明する。図６は、本実施形態にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。図７は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図８の（ａ）～（ｆ）は、本実施形態にかかる封止膜形成工程を工程順に示す断面図である。以下では、実施形態１との相異点について説明する。

　本実施形態にかかる表示デバイス２は、図６に示す通り、有機層２７が、下部有機層２７ａ（第２平坦化層、封止層）と、該下部有機層２７ａ上に形成される上部有機層２７ｂ（第１平坦化層、有機封止層）とで形成されている。下部有機層２７ａおよび上部有機層２７ｂの合計の厚みは、前述した有機層２７の厚みと同様に設定される。下部有機層２７ａおよび上部有機層２７ｂが有する厚みは、ほぼ同一の厚みであり、前述した有機層２７の厚みの例えば半分の厚みに設定される。

　図７に示すように、本実施形態にかかる封止膜形成工程（Ｓ５）は、下部無機層形成工程（Ｓ２１）と、下部有機層形成工程（Ｓ３１）と、検査工程（Ｓ２２）と、選出工程（Ｓ２３）と、研磨工程（Ｓ２４）と、上部有機層形成工程（Ｓ３２）と、上部無機層形成工程（Ｓ２６）とを、この順に含む。

　本実施形態では、図７および図８の（ａ）に示すように、実施形態１において下部無機層形成工程（Ｓ２１）後、図８の（ｂ）に示すように、下部無機層形成工程（Ｓ２１）で形成した無機層２６上に、有機層２７の厚みの例えば半分の厚みを有する下部有機層２７ａを形成する（Ｓ３１）。なお、下部有機層２７ａは、図２に示す有機層２７と同じく、例えば、インクジェット塗布等によって、インクを、バンク４１で囲まれた領域内に塗布し、ＵＶ硬化等して硬化させることで形成される。

　本実施形態では、下部有機層形成工程（Ｓ３１）後に、検査工程（Ｓ２２）、選出工程（Ｓ２３）、研磨工程（Ｓ２４）を行う。このため、検査工程（Ｓ２２）では、下部有機層形成工程（Ｓ３１）後に、有機層２７の形成領域に存在する、異物６３を少なくとも含む、該異物６３の周囲の平面よりも上方に突出している突出部６２の位置および高さを検査する。

　本実施形態では、異物６３が、無機層２６および下部有機層２７ａで覆われている。したがって、本実施形態において、突出部６２とは、図８の（ｂ）に示すように、異物６３および該異物６３を覆う無機層２６および下部有機層２７ａが、該異物６３の周囲の下部有機層２７ａがなす平面から突出している部分を示す。本実施形態において、突出部６２は、異物６３および該異物６３を覆う無機層２６および下部有機層２７ａを含んでいる。本実施形態では、検査工程（Ｓ２２）で、異物６３を少なくとも含む、該異物６３の周囲の平面よりも上方に突出している突出部６２の位置および高さとして、異物６３の周囲における、異物が存在していない部分の下部有機層２７ａの表面（つまり、下部有機層２７ａがなす平面）よりも上方に突出している突出部６２の位置および高さｄ２を検査する。

　そして、選出工程（Ｓ２３）では、図８の（ｂ）に示す、検査工程（Ｓ２２）において検査された突出部６２の高さｄ２が、閾値以上である突出部６２を選出する。

　この場合、上記閾値には、研磨工程（Ｓ２４）の後で形成される有機封止層（第１平坦化層）の厚み以下の値が設定される。したがって本実施形態では、上記有機封止層は上部有機層２７ｂであり、上記閾値には、上部有機層２７ｂの厚み以下の値が設定される。このため、本実施形態では、高さｄ２が、上部有機層２７ｂの厚み以上の突出部６２が、研磨工程（Ｓ２４）において研磨を施す対象として選出される。上記閾値を、上部有機層２７ｂの厚み以下の値に設定することで、突出部６２の高さｄ２を確実に上部有機層２７ｂの厚み未満にすることができる。

　研磨工程（Ｓ２４）では、図８の（ｃ）・（ｄ）に示すように、選出工程（Ｓ２３）で選出した突出部６２の一部を、該突出部６２の高さが上記閾値未満の高さ、つまり、研磨工程（Ｓ２４）の後で形成される有機封止層（第１平坦化層）の厚み未満の高さとなるように研磨する。したがって、本実施形態では、上記突出部６２の高さｄ２が上部有機層２７ｂの厚み未満の高さとなるように研磨する。研磨量の例として、下部有機層２７ａおよび上部有機層２７ｂの厚さが各５μｍである場合、本工程においては、異物６３の高さが５μｍ以下となるまで、突出部６２を研磨する。

　上部有機層形成工程（Ｓ３２）では、図８の（ｅ）に示すように、研磨工程（Ｓ２４）において研磨された突出部６２を覆うように、上部有機層２７ｂを形成する。上部有機層２７ｂは、下部有機層２７ａと同じく、例えば、インクジェット塗布等によって、インクを、バンク４１で囲まれた領域内に塗布し、ＵＶ硬化等して硬化させることで形成される。

　上述の研磨工程（Ｓ２４）において説明した通り、研磨後の突出部６２の高さは、上部有機層２７ｂの厚み未満となっている。それ故、突出部６２が下部有機層２７ａおよび上部有機層２７ｂの形成領域に存在したまま、本工程において突出部６２の上に上部有機層２７ｂを形成しても、上部有機層２７ｂの表面から、異物６３を含む突出部６２が突出することなく、上部有機層２７ｂが形成できる。

　上部無機層形成工程（Ｓ２６）では、図８の（ｆ）に示すように、上部有機層２７ｂ上に、実施形態１と同様にして無機層２８を形成する。

　本実施形態によれば、以上のように、有機層２７の形成領域（つまり、下部有機層２７ａおよび上部有機層２７ｂの形成領域）に存在する異物６３を覆うように無機層２６および下部有機層２７ａを形成した後、該無機層２６および下部有機層２７ａで覆われた異物６３（言い換えれば、異物６３を含む突出部６２）の位置および高さを検査し、上部有機層２７ｂで覆うことができない高さを有する突出部６２を選出して、該突出部６２を研磨する。このとき、本実施形態では、上記突出部６２の一部のみを、上部有機層２７ｂで覆うことができる高さまで研磨し、突出部６２全体を研磨しない。それ故、無機層２８の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、異物６３の増大や、無機層２６のクラック等の欠陥が生じず、信頼性が高い表示デバイス２を製造することができる。

　〔実施形態３〕
　以下に、本実施形態にかかる表示デバイス２の製造方法を、図９および図１０の（ａ）～（ｇ）を参照しながら詳細に説明する。図９は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図１０の（ａ）～（ｇ）は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一部を工程順に示す断面図である。以下では、実施形態１との相異点について説明する。

　図９に示すように、本実施形態にかかる封止膜形成工程（Ｓ５）は、第１検査工程（Ｓ４１）と、スポット塗布層形成工程（Ｓ４２）と、第２検査工程（Ｓ４３）と、選出工程（Ｓ２３）と、研磨工程（Ｓ２４）と、有機層形成工程（Ｓ２５）と、上部無機層形成工程（Ｓ２６）とを、例えばこの順に含む。

　本実施形態では、図９および図１０の（ａ）に示すように、実施形態１において下部無機層形成工程（Ｓ２１）後、例えばＡＯＩ等を用いて、実施形態１にかかる検査工程（Ｓ２２）と同様にして第１検査工程（Ｓ４１）を行い、突出部６２の位置を特定する。したがって、第１検査工程（Ｓ４１）で特定される突出部６２は、実施形態１と同じく、異物６３および該異物６３を覆う無機層２６が、該異物６３の周囲の無機層２６がなす平面から突出している部分を示す。

　次いで、図１０の（ｂ）に示すように、第１検査工程（Ｓ４１）で特定された突出部６２の表面を覆うように、インクジェット法により、インクＬａ（液状の有機材料）を局所的に塗布する（有機材料塗布工程）。その後、突出部６２の表面を覆うインクＬａをＵＶ硬化等して硬化させる（有機材料硬化工程）。これにより、図１０の（ｃ）に示すように、上記インクＬａからなるスポット塗布層２７ｃを形成する。

　インクＬａに含まれる有機材料（樹脂材料）としては、例えば、ポリイミド、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリアミド等が挙げられる。ここで、インクＬａは、液滴量が１０ｐＬ程度であり、粘度が０．０１Ｐａ・ｓ程度である。また、インクＬａの吐出周波数は、例えば、数ｋＨｚ～数１０ｋＨｚ程度である。また、インクＬａの吐出電圧は、例えば、７Ｖ～１５Ｖ程度である。また、インクＬａの吐出速度は、８ｍ／ｓ～１０ｍ／ｓ程度である。なお、インクＬａを吐出する前には、インクジェット装置のノズル内のインクＬａのメニスカスを揺動して、初弾を吐出し易くしてもよい。また、インクＬａの粘度（例えば、０．０２Ｐａ・ｓ）を後述するインクＬｂの粘度（例えば、０．０１Ｐａ・ｓ）よりも高くすることにより、異物６３上にインクＬａを確実に配置させてもよい。また、インクＬａの吐出速度（例えば、１０ｍ／ｓ）を後述するインクＬｂの吐出速度（例えば、８ｍ／ｓ）よりも高くすることにより、異物６３上にインクＬａを確実に配置させてもよい。インクＬａとインクＬｂとには、同じ有機材料（樹脂材料、但し、上述したよに粘度は異なっていてもよい）が用いられるが、互いに異なる有機材料（樹脂材料）を用いても構わない。

　その後、例えばＡＯＩ等を用いて、第１検査工程（Ｓ４１）と同様にして、第２検査工程（Ｓ４３）を行う。第２検査工程（Ｓ４３）では、異物６３が、無機層２６およびスポット塗布層２７ｃで覆われている。第２検査工程（Ｓ４３）では、スポット塗布層形成工程（Ｓ４２）後に、有機層２７の形成領域に存在する、異物６３を少なくとも含む、該異物６３の周囲の平面よりも上方に突出している突出部６２’の位置および高さを検査する。ここで、突出部６２’とは、図１０の（ｃ）に示すように、異物６３および該異物６３を覆う無機層２６およびスポット塗布層２７ｃが、該異物６３の周囲の無機層２６がなす平面から突出している部分を示す。つまり、突出部６２’は、異物６３および該異物６３を覆うスポット塗布層２７ｃを含んでいる。第２検査工程（Ｓ４３）では、異物６３の周囲における、異物が存在していない部分の無機層２６の表面（つまり、無機層２６がなす平面）よりも上方に突出している突出部６２’の位置および高さｄ３を検査する。

　そして、選出工程（Ｓ２３）では、図１０の（ｂ）に示す、第２検査工程（Ｓ２３）において検査された突出部６２’の高さｄ３が、閾値（第１閾値）以上である突出部６２’を選出する。上記閾値には、有機層２７の厚み以下の値が設定される。このため、本実施形態では、高さｄ３が、有機層２７の厚み以上の突出部６２’が、研磨工程（Ｓ２４）において研磨を施す対象として選出される。上記閾値を、有機層２７の厚み以下の値に設定することで、突出部６２’の高さｄ３を確実に有機層２７の厚み未満にすることができる。

　研磨工程（Ｓ２４）では、図１０の（ｄ）に示すように、選出工程（Ｓ２３）で選出した突出部６２’の一部を、該突出部６２’の高さが上記閾値（第１閾値）未満の高さ、つまり、有機層２７の厚み未満の高さとなるように研磨する。

　有機層形成工程（Ｓ２５）では、図１０の（ｅ）に示すように、研磨工程（Ｓ２４）において研磨された突出部６２’を覆うように、インクジェット塗布等によって、インクＬｂを、バンク４１で囲まれた領域内に塗布する。その後、上記インクＬｂをＵＶ硬化等して硬化させることで、有機層２７を形成する。

　上述の研磨工程（Ｓ２４）において説明した通り、研磨後の突出部６２’の高さは、有機層２７の厚み未満となっている。それ故に、突出部６２’が有機層２７の形成領域に存在したまま、本工程において突出部６２’の上に有機層２７を形成しても、有機層２７の平面から、突出部６２’が突出することなく、有機層２７が形成できる。

　上部無機層形成工程（Ｓ２６）では、図１０の（ｇ）に示すように、有機層２７上に、実施形態１と同様にして無機層２８を形成する。

　本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を得ることができるとともに、以上のように、研磨工程（Ｓ２４）の前に、上記突出部６２を覆うようにインクＬａを局所的に塗布してスポット塗布層２７ｃを形成することで、研磨工程（Ｓ２４）において、研磨される突出部６２’の下地層に対するダメージの緩和（応力緩和）を行うことができる。

　なお、上記有機材料塗布工程では、第１検査工程（Ｓ２７）で検査された突出部６２の高さｄ１に拘らず、全ての突出部６２の表面をインクＬａで覆ってもよく、第１検査工程（Ｓ２７）後に、さらに、選出工程（Ｓ２３）と同様の選出工程を行い、閾値（第２閾値）以上の高さを有する突出部６２の表面をインクＬａで覆ってもよい。ここで、第２閾値は、第１閾値よりも小さい値であってもよく、第１閾値と同じ値であってもよい。

　また、本実施形態では、上述したように、第２検査工程（Ｓ４３）の後で選出工程（Ｓ２３）を行う場合を例に挙げて説明した。しかしながら、第１検査工程（Ｓ２７）の後に選出工程を行う場合、研磨工程（Ｓ２４）で、該選出工程の後で形成されるスポット塗布層２７ｃの高さを考慮して突出部６２’を研磨する等することで、第２検査工程（Ｓ４３）および該第２検査工程（Ｓ４３）後の選出工程は、省略することができる。したがって、選出工程（Ｓ２３）は、第１検査工程（Ｓ４１）後、スポット塗布層形成工程（Ｓ４２）の前に行われても構わない。

　また、本実施形態では、図９および図１０の（ａ）～（ｇ）に示すように、スポット塗布層形成工程（Ｓ４２）が、下部無機層形成工程（Ｓ２１）後、有機層形成工程（Ｓ２５）の前に行われる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、スポット塗布層２７ｃを形成する異物６３の特定を行う第１検査工程（Ｓ４１）およびスポット塗布層形成工程（Ｓ４２）は、研磨工程（Ｓ２４）の前に行われればよい。したがって、第１検査工程（Ｓ４１）およびスポット塗布層形成工程（Ｓ４２）は、下部無機層形成工程研磨工程（Ｓ２４）の前、あるいは、実施形態２の下部有機層形成工程（Ｓ３１）の後に行う等してもよい。

　〔実施形態４〕
　以下に、本実施形態にかかる表示デバイス２の製造方法を、図１１、図１２および図１３の（ａ）～（ｆ）を参照しながら詳細に説明する。図１１は、本実施形態にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一例を示すフローチャートである。図１２は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図１３の（ａ）～（ｆ）は、本実施形態にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一部を、工程順に示す断面図である。なお、本実施形態では、実施形態１にかかる図２に示す表示デバイス２の製造方法の他の一例について説明する。以下では、実施形態１との相異点について説明する。

　本実施形態では、図１１に示すように、Ｓ４における発光素子層５の形成後、Ｓ５における封止膜６の形成前に、検査工程（Ｓ２２）と、検出工程（Ｓ２３）と、研磨工程（Ｓ２４）とを、この順に行う。Ｓ５における封止膜６の形成工程は、図１２に示すように、下部無機層形成工程（Ｓ２１）と、有機層形成工程（Ｓ２５）と、上部無機層形成工程（Ｓ２６）とを、この順に含む。

　本実施形態では、発光素子層５が形成された基板を、検査工程（Ｓ２２）に供するために、封止膜６の形成前に、成膜チャンバから搬出する。このため、上記基板は、カソード２５の上層に図示しないキャッピング層が形成された状態で、窒素等の不活性ガス雰囲気下で、無機層２６の形成に用いられる成膜チャンバから搬出される。また、検査工程（Ｓ２２）、選出工程（Ｓ２３）、研磨工程（Ｓ２４）は、何れも窒素等の不活性ガス雰囲気下で行われ、その間の基板の移動並びに研磨工程（Ｓ２４）後の基板の移動も、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行われる。

　本実施形態では、発光素子層形成工程（Ｓ４）後に、検査工程（Ｓ２２）、選出工程（Ｓ２３）、研磨工程（Ｓ２４）を行う。このため、検査工程（Ｓ２２）では、発光素子層形成工程（Ｓ４）後に、有機層２７の形成領域に存在する、異物６３を少なくとも含む、該異物６３の周囲の平面よりも上方に突出している突出部６２の位置および高さを検査する。

　したがって、本実施形態において、突出部６２は、図１３の（ａ）に示すように、異物６３が、該異物６３の周囲の発光素子層５がなす平面（言い換えれば、発光素子層５の上面）から突出している部分を示し、発光素子層５の上面に異物６３が付着している場合、突出部６２は、異物６３そのものとなる。

　なお、図１３の（ａ）では、キャッピング層の図示を省略している。図１３の（ａ）では、一例として、発光素子層５のカソード２５上に異物６３が付着している場合を例に挙げて図示している。

　異物６３の一部が、キャッピング層に埋もれている場合には、異物６３の周囲の発光素子層５がなす平面は、キャッピング層がなす平面のとなり、突出部６２は、キャッピング層よりも上方に突出している部分となる。

　以下では、一例として、図１３の（ａ）に示すように、突出部６２が異物６３そのものである場合を例に挙げて説明する。この場合、検査工程（Ｓ２２）では、上述したように、突出部６２の位置および高さとして、発光素子層５の上面に付着している異物６３の位置および高さｄ４を検査する。

　そして、選出工程（Ｓ２３）では、図１３の（ｂ）に示す、検査工程（Ｓ２２）において検査された異物６３の高さｄ４が、閾値以上である異物６３を選出する。

　研磨工程（Ｓ２４）では、図１３の（ｃ）に示すように、選出工程（Ｓ２３）で選出した異物６３の一部を、該異物６３の高さが上記閾値未満の高さ、つまり、研磨工程（Ｓ２４）の後で形成される有機層２７の厚み未満の高さとなるように研磨する。

　本実施形態では、研磨工程（Ｓ２４）後に、封止膜形成工程（Ｓ５）を行う。このため、本実施形態では、研磨工程（Ｓ２４）後に、図１３の（ｄ）～図１３の（ｆ）に示すように、実施形態１と同様にして、無機層２６、有機層２７、無機層２８を、この順に形成する。

　本実施形態によれば、以上のように、例えば、有機層２７の形成領域に存在する異物６３の位置および高さｄ４を、突出部６２の位置および高さとして検査し、有機層２７で覆うことができない高さを有する異物６３を選出して、該異物６３を研磨する。このとき、本実施形態では、上記異物６３の一部のみを、有機層２７で覆うことができる高さまで研磨し、異物６３全体を研磨しない。それ故、無機層２８の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、異物６３の増大や、無機層２６のクラック等の欠陥が生じず、信頼性が高い表示デバイス２を製造することができる。

　〔実施形態５〕
　以下に、本実施形態にかかる表示デバイス２の製造方法を、図１１、および、図１４乃至図１６の（ａ）～（ｅ）を参照しながら詳細に説明する。図１４は、本実施形態にかかる表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。図１５は、本実施形態にかかる封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図１６の（ａ）～（ｅ）は、本実施形態にかかる発光素子層形成工程から封止膜形成工程までの工程の一部を、工程順に示す断面図である。以下では、実施形態４との相異点について説明する。

　表示デバイス２は、必ずしも無機層２６を必要としない。このため、本実施形態にかかる表示デバイス２は、例えば、図１４に示す通り、発光素子層５を覆う封止膜６が、有機層２７と無機層２８とがこの順に積層されてなる構成を有している。

　本実施形態では、実施形態４と同じく、図１１に示すように、Ｓ４における発光素子層５の形成後、Ｓ５における封止膜６の形成前に、検査工程（Ｓ２２）と、検出工程（Ｓ２３）と、研磨工程（Ｓ２４）とを、この順に行う。但し、本実施形態では、実施形態４とは異なり、Ｓ５における封止膜６の形成工程が、図１５に示すように、下部無機層形成工程（Ｓ２１）を含まず、有機層形成工程（Ｓ２５）と、上部無機層形成工程（Ｓ２６）とを、この順に含む。

　したがって、本実施形態において、図１６の（ａ）～（ｃ）に示す工程は、図１３の（ａ）～（ｃ）に示す工程と同じである。本実施形態では、研磨工程（Ｓ２４）後に、図１５および図１４の（ｄ）・（ｅ）に示すように、実施形態１と同様にして、有機層２７、無機層２８を、この順に形成する。

　したがって、本実施形態でも、実施形態４と同じく、例えば、異物６３の一部のみを、有機層２７で覆うことができる高さまで研磨し、異物６３全体を研磨しない。それ故、無機層２８の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、異物６３の増大や、無機層２６のクラック等の欠陥が生じず、信頼性が高い表示デバイス２を製造することができる。

　なお、本実施形態では、図２に示す表示デバイス２の製造にかかる実施形態４との相異点を例に挙げて説明したが、実施形態１～４の何れに対しても、上述した変形を行うことが可能であることは、言うまでもない。

　〔まとめ〕
　本発明の一態様にかかる表示デバイスの製造方法は、複数の発光素子を含む発光素子層と、上記発光素子層を覆う封止膜と、を有し、上記封止膜が、第１平坦化層と上記第１平坦化層上に設けられた第１無機封止層とを含む表示デバイスの製造方法であって、上記発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、上記発光素子層形成工程後に、上記第１平坦化層の形成領域に存在する、異物を少なくとも含む、該異物の周囲の平面よりも上方に突出している突出部の位置および高さを検査する検査工程と、閾値以上の高さを有する上記突出部を選出する選出工程と、上記閾値以上の高さを有する上記突出部の一部を、該突出部の高さが上記第１平坦化層の厚み未満の高さとなるように研磨する研磨工程と、上記研磨工程で研磨した上記突出部を覆うように上記第１平坦化層を形成する第１平坦化層形成工程と、上記第１平坦化層上に上記第１無機封止層を形成する第１無機封止層形成工程と、を含む。

　上記方法によれば、上記突出部の一部のみを、上記第１平坦化層で覆うことができる高さまで研磨し、上記突出部全体を研磨しない。それ故、上記第１無機封止層の形成前に封止不良を抑制することができるとともに、信頼性が高い表示デバイスを製造することができる表示デバイスの製造方法を提供することができる。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記閾値は、上記第１平坦化層の厚み以下の値であってもよい。

　上記方法によれば、突出部の高さを確実に、第１平坦化層の厚み未満にすることができる。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記封止膜は、上記第１平坦化層の下層に設けられた、上記異物の高さよりも厚みが小さい封止層をさらに含むとともに、上記突出部が、上記封止層よりも上方に突出している部分であり、上記検査工程の前に、上記封止層を形成する封止層形成工程をさらに含み、上記研磨工程では、上記封止層よりも上方に突出する突出部の一部を研磨してもよい。

　上記方法によれば、無機封止膜上に欠陥を生じさせることなく、封止層、第１平坦化層、および第１無機封止層の３層を有する表示デバイスを製造できる。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記封止層は、第２無機封止層であってもよい。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記封止層は、第２平坦化層であってもよい。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記封止膜は、上記第１平坦化層の下層に設けられた、上記異物の高さよりも厚みが小さい第２無機封止層をさらに含むとともに、上記研磨工程と第１平坦化層形成工程との間に、上記研磨工程で研磨した上記突出部を覆うように上記第２無機封止層を形成する第２無機封止層形成工程をさらに含み、上記第１平坦化層形成工程では、上記研磨工程で研磨した上記突出部および該突出部上に形成された上記第２無機封止層を覆うように上記第１平坦化層を形成してもよい。

　上記表示デバイスの製造方法は、上記研磨工程よりも前に、上記突出部を覆うように有機材料を局所的に塗布する有機材料塗布工程をさらに含んでいてもよい。

　上記表示デバイスの製造方法において、上記有機材料がポリイミドを含んでいてもよい。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　５　発光素子層
　６　封止膜
　２６、２８　無機層
　２７　有機層
　２７ａ　下部有機層
　２７ｂ　上部有機層
　２７ｃ　スポット塗布層
　６２、６２’　突出部
　６３　異物

Claims (8)

1. 　複数の発光素子を含む発光素子層と、上記発光素子層を覆う封止膜と、を有し、上記封止膜が、第１平坦化層と上記第１平坦化層上に設けられた第１無機封止層とを含む表示デバイスの製造方法であって、
   　上記発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、
   　上記発光素子層形成工程後に、上記第１平坦化層の形成領域に存在する、異物を少なくとも含む、該異物の周囲の平面よりも上方に突出している突出部の位置および高さを検査する検査工程と、
   　閾値以上の高さを有する上記突出部を選出する選出工程と、
   　上記閾値以上の高さを有する上記突出部の一部を、該突出部の高さが上記第１平坦化層の厚み未満の高さとなるように研磨する研磨工程と、
   　上記研磨工程で研磨した上記突出部を覆うように上記第１平坦化層を形成する第１平坦化層形成工程と、
   　上記第１平坦化層上に上記第１無機封止層を形成する第１無機封止層形成工程と、を含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法。
2. 　上記閾値は、上記第１平坦化層の厚み以下の値であることを特徴とする請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
3. 　上記封止膜は、上記第１平坦化層の下層に設けられた、上記異物の高さよりも厚みが小さい封止層をさらに含むとともに、上記突出部が、上記封止層よりも上方に突出している部分であり、
   　上記検査工程の前に、上記封止層を形成する封止層形成工程をさらに含み、
   　上記研磨工程では、上記封止層よりも上方に突出する突出部の一部を研磨することを特徴とする請求項１または２に記載の表示デバイスの製造方法。
4. 　上記封止層は、第２無機封止層であることを特徴とする請求項３に記載の表示デバイスの製造方法。
5. 　上記封止層は、第２平坦化層であることを特徴とする請求項３に記載の表示デバイスの製造方法。
6. 　上記封止膜は、上記第１平坦化層の下層に設けられた、上記異物の高さよりも厚みが小さい第２無機封止層をさらに含むとともに、
   　上記研磨工程と第１平坦化層形成工程との間に、上記研磨工程で研磨した上記突出部を覆うように上記第２無機封止層を形成する第２無機封止層形成工程をさらに含み、
   　上記第１平坦化層形成工程では、上記研磨工程で研磨した上記突出部および該突出部上に形成された上記第２無機封止層を覆うように上記第１平坦化層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の表示デバイスの製造方法。
7. 　上記研磨工程よりも前に、上記突出部を覆うように有機材料を局所的に塗布する有機材料塗布工程をさらに含むことを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
8. 　上記有機材料がポリイミドを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示デバイスの製造方法。

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