WO2019146209A1 - 昇圧型スイッチング電源回路 - Google Patents

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WO2019146209A1
WO2019146209A1 PCT/JP2018/041007 JP2018041007W WO2019146209A1 WO 2019146209 A1 WO2019146209 A1 WO 2019146209A1 JP 2018041007 W JP2018041007 W JP 2018041007W WO 2019146209 A1 WO2019146209 A1 WO 2019146209A1
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power supply
failure
circuit
switching element
detection
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PCT/JP2018/041007
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山中 豊
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株式会社デンソー
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    • H02M1/0003Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0009Devices or circuits for detecting current in a converter

Definitions

  • the present disclosure relates to a step-up switching power supply circuit performing a step-up operation.
  • an electronic control unit mounted on a vehicle is provided with a step-up switching power supply circuit.
  • the electronic control device is also referred to as an ECU
  • the step-up switching power supply circuit is also referred to as a step-up power supply.
  • the boost power supply provided in the ECU is often used in a supplementary manner when the battery voltage is temporarily reduced due to, for example, cranking. Therefore, when the other main power supply circuit is in operation, it is difficult to confirm the above-mentioned failure because the boosted power supply does not operate.
  • An object of the present disclosure is to provide a step-up switching power supply circuit capable of detecting a failure of a switching element without causing a significant increase in circuit scale.
  • a step-up switching power supply circuit includes an inductor and a switching element that increases a current flowing to the inductor by being turned on, and performs a boosting operation to boost an input voltage supplied via an input terminal. I do.
  • a step-up switching power supply circuit includes a step-up control circuit, a failure detection control circuit, a current detection unit, and a switching unit.
  • the boost control circuit controls the driving of the switching element to execute the boost operation.
  • the failure detection control circuit controls driving of the switching element to detect a failure of the switching element.
  • the current detection unit detects the current flowing through the switching element.
  • the switching unit performs switching such that any one of the boost control circuit and the failure detection control circuit can control the driving of the switching element.
  • the switching unit prior to the execution of the boosting operation, performs switching such that the drive of the switching element is controlled by the failure detection control circuit. Then, the failure detection control circuit turns on the switching element, and detects an open failure of the switching element based on the detection result of the current by the current detection unit.
  • the failure detection control circuit turns on the switching element, and detects an open failure of the switching element based on the detection result of the current by the current detection unit.
  • the step-up switching power supply circuit further includes a disconnecting switch interposed in series in a power supply path from the input terminal to the inductor.
  • the on / off of the on / off switch is controlled by the failure detection control circuit.
  • the failure detection control circuit turns on the on / off switch and detects a short failure of the switching element based on the detection result of the current by the current detection unit.
  • the switching element when the switching element has a short circuit failure, when the switch for powering on is turned on, the current flowing through the switching element is increased although the switching element is not turned on. Therefore, in the detection of the short circuit failure, for example, when the detected value of the current by the current detection unit reaches a predetermined threshold value, it can be determined that the short circuit failure occurs in the switching element. In this way, in addition to the open failure of the switching element, the short failure can be detected without executing the actual boosting operation.
  • FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the contents of the failure detection process according to the first embodiment
  • FIG. 3 is for explaining the operation of the power supply circuit at the normal time according to the first embodiment, and is a view schematically showing the waveforms of the signals of the respective parts
  • FIG. 4 is for describing a specific setting example of the detection threshold according to the first embodiment, and is a view schematically showing a generated current
  • FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the contents of the failure detection process according to the first embodiment
  • FIG. 3 is for explaining the operation of the power supply circuit at the normal time according to the first embodiment, and is a view schematically showing the waveforms of the signals of the respective parts
  • FIG. 4 is for describing a specific setting example of the detection threshold according to the first embodiment, and is a view schematic
  • FIG. 5 is a view for explaining the operation of the power supply circuit at the time of occurrence of a short failure according to the first embodiment, and is a view schematically showing the waveforms of the signals of the respective parts
  • FIG. 6 is a view for explaining the operation of the power supply circuit at the time of occurrence of an open failure according to the first embodiment, and schematically showing the waveforms of the signals of the respective parts
  • FIG. 7 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a second embodiment
  • FIG. 8 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a third embodiment
  • FIG. 9 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a fourth embodiment
  • FIG. 10 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a fifth embodiment
  • FIG. 11 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a sixth embodiment
  • FIG. 12 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to a seventh embodiment
  • FIG. 13 is a view schematically showing a configuration of a power supply system according to an eighth embodiment
  • FIG. 14 is a view for explaining the operation of the power supply circuit at the time of the occurrence of an open failure according to the eighth embodiment, and schematically showing the waveforms of the signals of the respective parts.
  • the power supply system 1 shown in FIG. 1 is used for a data communication module mounted on a vehicle, that is, a wireless communication ECU called DCM.
  • Power supply system 1 is supplied with voltage + B from vehicle battery 2 mounted in the vehicle via input terminal 3 and is supplied with voltage BUB from backup battery 4 mounted in the vehicle via input terminal 5 .
  • the backup battery 4 is configured of, for example, a lithium ion battery.
  • the power supply system 1 generates an output voltage Vout which is a power supply voltage of each component of the wireless communication ECU from the voltage + B or the voltage BUB, and outputs the output voltage Vout via the output terminal 6.
  • the target value of the output voltage Vout is, for example, + 5V.
  • the power supply system 1 includes two power supply circuits 7 and 8.
  • the power supply circuit 7 is a step-down DC / DC converter that steps down and outputs the voltage + B supplied from the vehicle battery 2.
  • power supply circuit 7 operates during a period in which voltage + B is a voltage value in a range considered to be normal, that is, in a steady state, and is a main power supply circuit in power supply system 1.
  • the power supply circuit 8 is a step-up switching power supply circuit that boosts and outputs the voltage BUB supplied from the backup battery 4.
  • the power supply circuit 8 of this embodiment has a synchronous rectification configuration.
  • the power supply circuit 8 operates at the time of abnormality such as when the vehicle battery 2 is removed from the vehicle, for example, when the voltage value of the voltage + B falls below the target value of the output voltage Vout due to cranking or the like This is an auxiliary power supply circuit in the power supply system 1.
  • the input terminal Pi of the power supply circuit 7 is connected to the input terminal 3 of the power supply system 1 via a reverse current blocking diode 9 in the reverse direction.
  • the output terminal Po of the power supply circuit 7 is connected to the power supply line 10.
  • the power supply line 10 is connected to the output terminal 6 of the power supply system 1.
  • the target value of the output voltage of the power supply circuit 7 is a value (for example, +5 V) similar to the target value of the output voltage Vout of the power supply system 1.
  • the power supply circuit 8 performs a boosting operation to boost the voltage BUB, which is an input voltage supplied via the input terminal 5, and includes transistors Q1 to Q4, an inductor L1, capacitors C1 and C2, a resistor R1 and a control circuit 11. And so on.
  • the transistors Q1 and Q2 are both P-channel MOS transistors. Body diodes D1 and D2 whose drain sides are anodes are connected between the drain and source of the transistors Q1 and Q2.
  • the transistors Q1 and Q2 have their sources connected in common.
  • the drain of the transistor Q1 is connected to the input terminal 5.
  • the drain of the transistor Q2 is connected to a ground line Lg to which a ground potential (0 V) to be a reference potential of the circuit is applied via a capacitor C1.
  • the drain of the transistor Q2 is connected to the node N1 via the inductor L1.
  • the drive signal CUT output from the control circuit 11 is supplied to each gate of the transistors Q1 and Q2. Thus, the drive of the transistors Q1 and Q2 is controlled by the control circuit 11.
  • the transistor Q3 is a P-channel MOS transistor, and a body diode D3 whose drain side is an anode is connected between the drain and the source.
  • the drain of the transistor Q3 is connected to the node N1, and the source is connected to the power supply line 10.
  • the drive signal EXP output from the control circuit 11 is supplied to the gate of the transistor Q3.
  • a capacitor C2 for smoothing the output voltage Vout is connected between the power supply line 10 and the ground line Lg.
  • the transistor Q4 is an N-channel MOS transistor, and its drain is connected to the node N1.
  • the source of the transistor Q4 is connected to the ground line Lg via the current detection resistor R1.
  • the drive signal EXN output from the control circuit 11 is supplied to the gate of the transistor Q4. Thus, the drive of the transistor Q4 is controlled by the control circuit 11.
  • the voltage of the node N2, which is an interconnection point of the transistor Q4 and the resistor R1 is input to the control circuit 11 as a current detection signal IS which is a voltage signal corresponding to the current flowing through the transistor Q4.
  • the voltage itself of the power supply line 10 or a voltage obtained by dividing the voltage of the power supply line 10 is input to the control circuit 11 as a voltage detection signal FB which is a voltage signal corresponding to the output voltage Vout.
  • the control circuit 11 performs feedback control so that the output voltage Vout matches the target value based on the voltage detection signal FB.
  • the transistors Q1 and Q2 correspond to a disconnecting switch interposed in series in the power supply path from the input terminal 5 to the inductor L1.
  • the transistor Q4 corresponds to a switching element that is turned on to increase the current flowing to the inductor L1.
  • the resistor R1 corresponds to a shunt resistor provided to be interposed in series between the switching element and the ground.
  • the transistors Q1 and Q2 are connected in series between the input terminal 5 and the inductor L1 such that the respective body diodes D1 and D2 are opposite to each other. According to such a configuration, when the transistors Q1 and Q2 are turned off, the flow of current through the body diodes D1 and D2 is also prevented, so the power supply path from the input terminal 5 to the inductor L1 is It can be completely shut off.
  • the control circuit 11 is configured of, for example, an application specific integrated circuit, that is, an ASIC.
  • the control circuit 11 includes a boost control circuit 12, a detection circuit 13, a filter circuit 14, a failure detection control circuit 15, a selector 16 and predrivers 17 and 18. Although illustration is omitted, the control circuit 11 is supplied with a voltage BUB or a voltage generated based on the voltage BUB as a power supply voltage. The control circuit 11 operates in response to the supply of such a power supply voltage.
  • the boost control circuit 12 controls the drive of the transistors Q3 and Q4 to execute a boost operation, and is formed of, for example, a logic circuit.
  • the boost control circuit 12 generates and outputs a control signal Sa for controlling the driving of the transistors Q3 and Q4 based on the voltage detection signal FB.
  • the detection circuit 13 detects the current flowing through the transistor Q4 based on the terminal voltage of the resistor R1, and includes a comparator CP1 with hysteresis.
  • the current detection signal IS is input to the non-inverted input terminal of the comparator CP1, and the reference voltage Vref is input to the inverted input terminal.
  • the reference voltage Vref is generated by a reference voltage generation circuit (not shown), and is a voltage corresponding to the detection threshold of the current flowing through the transistor Q4.
  • the detection threshold is used, for example, for detecting a failure of the transistor Q4 described later.
  • the output signal IS_D of the comparator CP1 becomes low level (for example, 0 V) when the current detection signal IS falls below the reference voltage Vref, and goes high (for example +5 V) when the current detection signal IS exceeds the reference voltage Vref. become.
  • the low level is referred to as L level
  • the high level is referred to as H level.
  • the resistor R1 and the detection circuit 13 constitute a current detection unit 19 that detects the current flowing through the transistor Q4.
  • the filter circuit 14 is, for example, a low pass filter, receives the output signal IS_D of the comparator CP1, and outputs a signal obtained by removing noise from the input signal.
  • the output signal of the filter circuit 14 is input to the failure detection control circuit 15.
  • the failure detection control circuit 15 controls driving of the transistors Q3 and Q4 to detect a failure of the transistor Q4, and is formed of, for example, a logic circuit. Although details will be described later, the failure detection control circuit 15 detects a failure of the transistor Q4 based on the output signal of the filter circuit 14 representing the detection result of the current by the current detection unit 19.
  • the failure detection control circuit 15 generates a drive signal CUT for driving the transistors Q1 and Q2, and outputs the drive signal CUT to the gates of the transistors Q1 and Q2. That is, in this case, the on / off of the transistors Q1 and Q2 is controlled by the failure detection control circuit 15.
  • the failure detection control circuit 15 generates and outputs a control signal Sb for controlling the driving of the transistors Q3 and Q4.
  • the control signal Sb output from the failure detection control circuit 15 is input to the other input terminal of the selector 16.
  • the failure detection control circuit 15 generates a switching signal Sc for controlling the switching operation of the selector 16 and outputs the switching signal Sc to the selector 16.
  • the failure detection control circuit 15 can communicate with the external control device 20.
  • the control device 20 is mainly configured of a micro processor unit, that is, an MPU. Although details will be described later, the failure detection control circuit 15 communicates with the control device 20 when detecting a failure of the transistor Q4.
  • the selector 16 performs a switching operation of outputting one of the input control signals Sa and Sb based on the switching signal Sc.
  • the output signal of selector 16 is applied to predrivers 17 and 18.
  • the selector 16 corresponds to a switching unit that switches so that one of the boost control circuit 12 and the failure detection control circuit 15 can control the driving of the transistors Q3 and Q4.
  • the predriver 17 generates a drive signal EXP for driving the transistor Q3 based on the output signal of the selector 16, and outputs the drive signal EXP to the gate of the transistor Q3.
  • the predriver 18 generates a drive signal EXN for driving the transistor Q4 based on the output signal of the selector 16, and outputs the drive signal EXN to the gate of the transistor Q4.
  • a fault detection process which is a process for detecting a fault of the transistor Q4, is performed. Specifically, in the power supply circuit 8, for example, failure detection processing is executed at the time of startup. The start-up time is when the power is turned on, that is, when the supply of the voltage BUB to the power supply circuit 8 is started.
  • the failure detection processing is executed mainly by the failure detection control circuit 15, and the specific content thereof is, for example, as shown in FIG.
  • the control signal Sb is output from the selector 16 at any time before the start of the failure detection process, that is, the drive of the transistors Q3 and Q4 is controlled by the failure detection control circuit 15. As described above, the operation of the selector 16 is controlled.
  • step S101 is first executed.
  • step S101 the transistors Q1 and Q2 are turned on.
  • step S3 and Q4 are off.
  • step S102 it is determined based on the output signal of the filter circuit 14 whether the current flowing through the transistor Q4 has reached the detection threshold.
  • step S102 if the current flowing through the transistor Q4 has reached the detection threshold, "YES" is determined in the step S102, and the process proceeds to the step S103.
  • the transistor Q4 is turned off, it is considered that current flows in the transistor Q4. Therefore, in step S103, it is detected that a short circuit failure has occurred in the transistor Q4, and "short circuit failure" is stored as a detection result by the current failure detection process. After execution of step S103, the failure detection process ends.
  • step S104 the transistor Q4 is turned on.
  • step S105 it is determined based on the output signal of the filter circuit 14 whether or not the current flowing through the transistor Q4 has reached the detection threshold.
  • step S105 if the current flowing through the transistor Q4 does not reach the detection threshold, "NO" is determined in the step S105, and the process proceeds to the step S106.
  • the transistor Q4 is turned on, it is considered that no current flows in the transistor Q4. Therefore, in step S106, it is detected that the open failure has occurred in the transistor Q4, and "open failure" is stored as the detection result by the current failure detection processing.
  • step S106 After execution of step S106, the failure detection process ends. In this case, it is detected in the failure detection process that the transistor Q4 is open-circuited, so that execution of the boosting operation by the step-up control circuit 12 is prohibited after the failure detection process is completed, and processing upon failure detection is executed. Be done.
  • step S105 determines whether the current flowing through the transistor Q4 has reached the detection threshold. If the current flowing through the transistor Q4 has reached the detection threshold, "YES" is determined in the step S105, and the process proceeds to the step S107. In this case, it is considered that neither the short circuit failure nor the open circuit failure has occurred in the transistor Q4. Therefore, in step S107, it is detected that the transistor Q4 is normal, and "normal" is stored as the detection result of the current failure detection process.
  • step S107 the transistor Q4 is turned off.
  • the failure detection process ends. In this case, since it is detected in the failure detection process that the transistor Q4 is normal, the execution of the boosting operation by the boost control circuit 12 is permitted after the completion of the failure detection process.
  • the failure detection control circuit 15 controls the drive of the transistors Q 3 and Q 4 by the failure detection control circuit 15 prior to the execution of the boosting operation by the boost control circuit 12. The operation of the selector 16 is controlled. Then, the failure detection control circuit 15 turns on the transistor Q4, and detects an open failure of the transistor Q4 based on the detection result of the current by the current detection unit 19.
  • the failure detection control circuit 15 turns on the transistors Q1 and Q2 prior to the execution of the boosting operation by the boost control circuit 12, and based on the detection result of the current by the current detection unit 19. A short circuit failure of transistor Q4 is detected. However, in this case, the failure detection control circuit 15 detects a short failure of the transistor Q4 prior to the detection of the open failure of the transistor Q4.
  • the control circuit 11 normally starts operation. At this time, the drive signals CUT and EXP are at the OFF level which is about the same as the voltage BUB, and the transistors Q1 to Q3 are thus turned off. In addition, the drive signal EXN is at the OFF level which is a voltage value substantially equal to the ground potential (0 V), whereby the transistor Q4 is turned off.
  • the switching operation of the selector 16 is performed such that the drive of the transistors Q3 and Q4 is controlled by the failure detection control circuit 15. Thereafter, at time t2, the failure detection control circuit 15 turns on the transistors Q1 and Q2 by turning the drive signal CUT to the ON level which is a voltage value substantially equal to the ground potential (0 V).
  • the failure detection control circuit 15 turns on the transistor Q4 by turning the drive signal EXN to the ON level which is a voltage value substantially equal to the power supply voltage (for example, the voltage BUB).
  • the transistor Q4 since the transistor Q4 is normal and is turned on, a current flows through the transistor Q4, and the current detection signal IS rises accordingly.
  • the output signal IS_D turns to H level. Therefore, in this case, it can be determined that no open failure has occurred in transistor Q4.
  • the failure detection control circuit 15 detects that the output signal IS_D has turned to H level based on the output signal of the filter circuit 14, the transistor Q4 is turned off by turning the drive signal EXN to the OFF level.
  • the failure detection control circuit 15 performs control to turn off the transistor Q4 immediately after the above detection.
  • the failure detection control circuit 15 is configured as a logic circuit, and operates in synchronization with the clock signal. Therefore, the delay time also includes a delay associated with clock synchronization in the failure detection control circuit 15. If the detection threshold is set by ignoring such a delay time, an excessive current flows between the detection and the time when the transistor Q4 is actually turned off, which may cause the transistor Q4 to break down.
  • the detection threshold is set so that the current flowing through the transistor Q4 can be suppressed to less than the rated current of the transistor Q4.
  • the delay time is 1.5 ⁇ s
  • the rated current of the transistor Q4 is 6A.
  • the backup battery 4 is a secondary battery such as a lithium ion battery, and the steady value of the voltage BUB is + 3.6V. Further, the inductance value of the inductor L1 is 2.2 ⁇ H. Furthermore, the specifications regarding the resistance of each element constituting the power supply circuit 8 are as follows.
  • Transistor Q1 on-resistance 25 m ⁇
  • Transistor Q2 on-resistance 25 m ⁇
  • Equivalent series resistance of inductor L1 34 m ⁇
  • Transistor Q4 on-resistance 19 m ⁇
  • Resistance value of resistor R1: 33m ⁇ Circuit board etc. parasitic resistance 50m ⁇ Therefore, the resistance value of the path from the input terminal 5 to the ground line Lg is 186 m ⁇ .
  • transistor Q4 is a current determined by the voltage value of voltage BUB, the resistance value of the path from input terminal 5 to ground line Lg, the inductance value of inductor L1, etc. immediately after transistor Q4 is turned on. Flow.
  • the current flowing to the transistor Q4 is also referred to as a generation current. As shown in FIG. 4, the generated current increases in proportion to the elapsed time from the time when the transistor Q4 is turned on.
  • the detection threshold is set to 1.26A.
  • the reference voltage Vref may be 42 mV.
  • the generated current reaches 1.26 A approximately 0.8 ⁇ s after the time when the transistor Q4 is turned on.
  • the current detection signal IS reaches the reference voltage Vref, and the output signal IS_D of the comparator CP1 is inverted.
  • the transistor Q4 is turned off.
  • the generated current is 3.49 A, which is suppressed to a current sufficiently lower than 6 A which is the rated current of the transistor Q4. Therefore, according to the above configuration, in the failure detection process, no current exceeding the rated current flows in the transistor Q4.
  • the output signal IS_D turns to H level. Therefore, in this case, it can be determined that a short circuit failure has occurred in transistor Q4.
  • the failure detection control circuit 15 detects that the output signal IS_D turns to the H level based on the output signal of the filter circuit 14, the drive signal CUT turns to the OFF level to drive the transistors Q1 and Q2 off. . By doing this, it is possible to prevent an excessive current from flowing to the short-circuited transistor Q4.
  • the current detection signal IS does not rise from the ground potential (0 V), whereby the output signal IS_D remains at L level. Therefore, in this case, it can be determined that an open failure has occurred in transistor Q4. Thus, after the detection of the open failure is finished, it is necessary to drive the transistor Q4 off. This is because, if the transistor Q4 is kept on, excessive current may flow when the transistor Q4 suddenly recovers to normal.
  • the failure detection control circuit 15 continues to turn on the transistor Q4 until an instruction to turn off the transistor Q4 is given from the external control device 20, and turns off the transistor Q4 when the instruction is given. It is supposed to be driven. As a result, after a predetermined time has elapsed since the detection of the open failure has ended, the transistor Q4 is turned off.
  • the switching operation of the selector 16 is performed such that the drive of the transistors Q3 and Q4 is controlled by the failure detection control circuit 15. Then, the failure detection control circuit 15 turns on the transistor Q4, and detects an open failure of the transistor Q4 based on the detection result of the current by the current detection unit 19.
  • the transistor Q4 has an open failure
  • the current flowing through the transistor Q4 does not increase even if the transistor Q4 is turned on. Therefore, in the detection of the open failure, when the current flowing to the transistor Q4 does not reach a predetermined detection threshold, it can be determined that the transistor Q4 is open failure.
  • the open fault can be detected by adding a fault detection control circuit 15 or the like configured as a logic circuit to the configuration of the conventional step-up switching power supply circuit. There is no need to make major changes and additions to the circuit. Therefore, according to the present embodiment, an excellent effect of being able to detect a failure of the transistor Q4 can be obtained without causing a significant increase in circuit scale.
  • the power supply circuit 8 includes transistors Q1 and Q2 interposed in series in a power supply path from the input terminal 5 to the inductor L1, and the on and off of the transistors Q1 and Q2 are controlled by the failure detection control circuit 15.
  • the failure detection control circuit 15 turns on the transistors Q1 and Q2, and detects a short failure of the transistor Q4 based on the detection result of the current by the current detection unit 19.
  • the transistor Q4 when the transistor Q4 has a short circuit failure, when the transistors Q1 and Q2 are turned on, the current flowing to the transistor Q4 increases although the transistor Q4 is not turned on. Therefore, in the detection of the short failure, when the current flowing through the transistor Q4 reaches a predetermined detection threshold, it can be determined that the short failure has occurred in the transistor Q4. In this way, in addition to the open failure of the transistor Q4, a short failure can also be detected without performing the actual boosting operation.
  • the transistor Q4 is interposed in series between the input terminal 5 to which the voltage BUB is applied and the ground line Lg. Therefore, when the transistor Q4 has a short circuit failure, an excessive short circuit current may flow. On the other hand, when the transistor Q4 has an open failure, although the boosting operation can not be performed, there is no possibility that an excessive short circuit current will flow. Therefore, in the present embodiment, the failure detection control circuit 15 detects a short failure of the transistor Q4 prior to the detection of the open failure of the transistor Q4. In this way, it is possible to preferentially execute the detection of a short failure that may be more problematic in the event of a failure, and the safety can be improved.
  • the failure detection control circuit 15 causes the transistors Q1 and Q2 to be turned on and the transistors Q3 and Q4 to be turned off prior to the boosting control circuit 12 performing the boosting operation. In such a state, control device 20 monitors current detection signal FB via communication.
  • control device 20 can detect the short failure of transistor Q3 based on the level of current detection signal FB monitored as described above.
  • the detection of the short circuit failure of the transistor Q3 may not necessarily be performed on the control device 20 side, but may be performed on the control circuit 11 side.
  • the power supply circuit 22 included in the power supply system 21 of the present embodiment is a step-up switching power supply circuit similar to the power supply circuit 8 of the first embodiment.
  • the power supply circuit 22 is different from the power supply circuit 8 in that the diode rectification configuration is provided with a diode D21 instead of the transistor Q3.
  • the anode of the diode D21 is connected to the node N1, and the cathode is connected to the power supply line 10.
  • the power supply circuit 22 having such a configuration of diode rectification it is possible to perform the same failure detection as that of the first embodiment. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained also by the present embodiment.
  • the power supply circuit 32 included in the power supply system 31 of the present embodiment is a step-up switching power supply circuit similar to the power supply circuit 8 of the first embodiment.
  • the power supply circuit 32 differs from the power supply circuit 8 in that the current detection unit 33 is provided instead of the current detection unit 19.
  • the current detection unit 33 has the same configuration as the current detection unit 19, that is, the resistor R 1 and the detection circuit 13.
  • the comparator CP1 of the detection circuit 13 operates with the ground, which is the potential on the low potential side of the resistor R1, as the reference potential.
  • the same failure detection as that of the first embodiment can be performed according to the present embodiment described above, so that the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, in the present embodiment, the ground in the current detection unit 33 is shared. That is, since the ground on the side of the resistor R1 and the ground on the side of the detection circuit 13 are made common, an error in current detection due to the potential difference of the ground does not occur. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to improve the accuracy of current detection, and as a result, it is possible to improve the accuracy of failure detection.
  • the power supply circuit 42 included in the power supply system 41 of the present embodiment is a step-up switching power supply circuit similar to the power supply circuit 32 of the third embodiment.
  • the power supply circuit 42 differs from the power supply circuit 32 in that the current detection unit 43 is provided instead of the current detection unit 33.
  • the current detection unit 43 includes an amplification circuit 44 in addition to the same configuration as the current detection unit 33.
  • the amplification circuit 44 is a differential amplifier, and the current detection signal IS is input to its non-inverting input terminal. A signal corresponding to the potential of the ground line Lg is input to the inverting input terminal of the amplifier circuit 44. With such a configuration, the amplifier circuit 44 amplifies and outputs the terminal voltage of the resistor R1. In this case, the output signal of the amplifier circuit 44 is input to the non-inverted input terminal of the comparator CP1.
  • an amplifier circuit 44 for amplifying the terminal voltage of the resistor R1 is provided, and the output signal of the amplifier circuit 44 is used to determine whether the current flowing in the transistor Q4 has reached the detection threshold. It has become. In this way, the resistance value of the resistor R1 can be further reduced, and effects such as loss reduction and efficiency improvement in the power supply circuit 42 can be obtained.
  • the power supply circuit 52 included in the power supply system 51 of the present embodiment differs from the power supply circuit 8 of the first embodiment in that a control circuit 53 is provided instead of the control circuit 11.
  • the control circuit 53 includes, in addition to the same configuration as the control circuit 11, transistors Q3 and Q4 and a resistor R1.
  • the transistors Q3 and Q4 and the resistor R1 are incorporated in the control circuit 53 configured as an ASIC. Even in the power supply circuit 52 having the configuration in which the transistors Q3 and Q4 and the like are built in the control circuit 53 as described above, it is possible to perform the same failure detection as that of the first embodiment. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained also by the present embodiment.
  • the step-up switching power supply circuit includes an overcurrent detection circuit for detecting that an excessive current exceeding the overcurrent determination threshold flows in the switching element that increases the current flowing to the inductor by turning on.
  • an overcurrent detection circuit for detecting that an excessive current exceeding the overcurrent determination threshold flows in the switching element that increases the current flowing to the inductor by turning on.
  • the current detection unit configured to detect the current flowing through the transistor Q4 is configured by sharing the comparator included in the above-described overcurrent detection circuit.
  • the power supply circuit 62 included in the power supply system 61 of the present embodiment includes a current detection unit 63 in place of the current detection unit 19 of the power supply circuit 8 of the first embodiment. And a failure detection control circuit 64 in place of the failure detection control circuit 15.
  • the detection circuit 65 of the current detection unit 63 includes a comparator CP61 with hysteresis similar to the comparator CP1 included in the detection circuit 13, a switch SW61, and a switch SW62.
  • the current detection signal IS is input to the non-inverting input terminal of the comparator CP61.
  • the reference voltage Vref1 is input to the inverting input terminal of the comparator CP61 via the switch SW61, and the reference voltage Vref2 is input via the switch SW62.
  • the reference voltage Vref1 is a voltage corresponding to a detection threshold similar to the reference voltage Vref in the first embodiment and the like.
  • the reference voltage Vref2 is a voltage corresponding to the overcurrent determination threshold, and is higher than the reference voltage Vref1.
  • the overcurrent determination threshold is used when detecting that an excessive current flows in the transistor Q4, that is, when detecting an overcurrent.
  • the failure detection control circuit 64 has a function of detecting a failure of the transistor Q4, and an overcurrent detection circuit which detects that an excessive current exceeding the overcurrent determination threshold flows in the transistor Q4. It also has a function as Note that the failure detection control circuit 64 may be configured either alone to realize the function as an overcurrent detection circuit or configured to cooperate with the external control device 20 to realize the function as an overcurrent detection circuit.
  • the failure detection control circuit 64 turns on the switch SW 61 and turns off the switch SW 62 when the power supply circuit 62 is activated. This makes it possible to execute the same failure detection processing as that of the first embodiment and the like at the time of start-up and the like. In addition, the failure detection control circuit 64 normally turns off the switch SW61 and turns on the switch SW62. This makes it possible to realize the above-described overcurrent detection at normal times.
  • the same failure detection as that of the first embodiment can be performed according to the present embodiment described above, so that the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, in the present embodiment, a part of the configuration of the overcurrent detection circuit for detecting the flow of the overcurrent in the transistor Q4, specifically, the comparator CP61 is shared to be used for failure detection.
  • the current detection unit 63 is configured. According to this configuration, it is possible to reduce the number of circuit elements by the shared configuration, and as a result, the circuit size of the power supply circuit 62 can be reduced.
  • the seventh embodiment will be described below with reference to FIG. 12, the power supply circuit 72 included in the power supply system 71 of the present embodiment is different from the power supply circuit 8 of the first embodiment in that a current detection unit 73 is provided instead of the current detection unit 19. It is different.
  • the current detection unit 73 detects the current flowing through the transistor Q4 in the same manner as the current detection unit 19, but differs from the current detection unit 19 in the following points.
  • the current detection unit 19 has a low-side current detection configuration in which the resistor R1, which is a shunt resistor, is provided on the low side of the transistor Q4.
  • the current detection unit 73 has a high-side current detection configuration in which a resistor R71, which is a shunt resistor, is provided on the high side of the transistor Q4.
  • one terminal of the resistor R71 is connected to the drain of the transistor Q2, and the other terminal is connected to the node N1 via the inductor L1.
  • the terminal voltages of the resistor R71 are input to the detection circuit 74 as current detection signals ISP and ISN which are voltage signals corresponding to the current flowing through the transistor Q4, respectively.
  • the detection circuit 74 detects the current flowing through the transistor Q4 based on the terminal voltage of the resistor R71, and includes a comparator CP71 with hysteresis.
  • the current detection signal ISP is input to the non-inversion input terminal of the comparator CP71, and the current detection signal ISN is input to the inversion input terminal.
  • the power supply circuit 8 according to the first embodiment includes the current detection unit 19 having the low side current detection configuration. Similar fault detection can be performed. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained also by the present embodiment.
  • the power supply circuit 82 included in the power supply system 81 of the present embodiment is different from the power supply circuit 8 of the first embodiment in that a failure detection control circuit 83 is provided instead of the failure detection control circuit 15. Etc.
  • the failure detection control circuit 83 has a function of detecting a failure of the transistor Q4.
  • the failure detection control circuit 83 has a time-out function, and performs failure detection of the transistor Q4 without communicating with the external control device 20.
  • the operation when an open failure occurs is as shown in FIG.
  • the operation when the transistor Q4 is turned on that is, the operation up to time t3 is the same as the operation according to the configuration of the first embodiment shown in FIG.
  • the failure detection control circuit 83 drives the transistor Q4 off at time t4 when a predetermined time has elapsed without inverting the output signal IS_D. It is supposed to be.
  • the power supply circuit 82 configured to detect the failure of the transistor Q4 without performing communication with the external control device 20, the detection and open circuit of the short failure similar to the first embodiment. It is possible to detect a fault. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained also by the present embodiment.
  • the present disclosure can be applied not only to the power supply circuits 8, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82 applied to wireless communication ECUs mounted on vehicles, but also to boost-type switching power supply circuits in general.

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Abstract

昇圧型スイッチング電源回路(8、22、32、42、52、62、72、82)は、スイッチング素子(Q4)の駆動を制御して昇圧動作を実行する昇圧制御回路(12)と、前記スイッチング素子の駆動を制御して前記スイッチング素子の故障を検出する故障検出制御回路(15、64、83)と、前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部(19、33、43、63、73)と、前記昇圧制御回路および前記故障検出制御回路のうちいずれか一方が前記スイッチング素子の駆動を制御可能となるように切り替えを行う切替部(16)と、を備え、前記昇圧動作の実行に先立って、前記切替部は、前記故障検出制御回路により前記スイッチング素子の駆動が制御されるように切り替えを行い、前記故障検出制御回路は、前記スイッチング素子をオン駆動し、前記電流検出部による電流の検出結果に基づいて前記スイッチング素子のオープン故障を検出する。

Description

昇圧型スイッチング電源回路 関連出願の相互参照
 本出願は、2018年1月25日に出願された日本出願番号2018-010547号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
 本開示は、昇圧動作を行う昇圧型スイッチング電源回路に関する。
 例えば特許文献1に開示されているように、車両に搭載される電子制御装置には、昇圧型スイッチング電源回路が設けられている。なお、以下、電子制御装置のことをECUとも称するとともに、昇圧型スイッチング電源回路のことを昇圧電源とも称する。近年、電子製品の機能安全への対応として、ECUに実装された昇圧電源を含む各ディスクリート部品を、製品として出荷された後の実動作時に部品外れや故障などが発生していないかどうかをセルフチェックする機能が求められている。
特開2010-229877号公報
 昇圧電源が備えるMOSトランジスタなどのスイッチング素子が故障しているか否かを確認する場合、昇圧電源を実際に動作させる必要がある。しかし、ECUに設けられる昇圧電源は、例えばクランキングなどによりバッテリ電圧が一時的に低下したときに補助的に動作するような使用方法が多い。そのため、他の主たる電源回路が動作している場合、昇圧電源が動作しなくなることから、上記故障を確認することが困難であった。
 そこで、昇圧電源の出力目標値を意図的に高めることにより、主たる電源回路の動作中においても昇圧電源を強制的に動作させるといった方法が考えられる。しかし、このような方法を採用するためには、フィードバック系の回路に大幅な変更および追加を加える必要があるため、回路規模の大幅な増加を招くという別の問題が生じる。
 本開示の目的は、回路規模の大幅な増加を招くことなく、スイッチング素子の故障を検出することができる昇圧型スイッチング電源回路を提供することにある。
 本開示の一態様において、昇圧型スイッチング電源回路は、インダクタと、オンすることによりインダクタに流れる電流を増加させるスイッチング素子と、を備え、入力端子を介して供給される入力電圧を昇圧する昇圧動作を行う。このような昇圧型スイッチング電源回路は、昇圧制御回路、故障検出制御回路、電流検出部および切替部を備える。昇圧制御回路は、スイッチング素子の駆動を制御して昇圧動作を実行する。故障検出制御回路は、スイッチング素子の駆動を制御してスイッチング素子の故障を検出する。電流検出部は、スイッチング素子に流れる電流を検出する。切替部は、昇圧制御回路および故障検出制御回路のうちいずれか一方がスイッチング素子の駆動を制御可能となるように切り替えを行う。
 上記構成では、昇圧動作の実行に先立って、切替部は、故障検出制御回路によりスイッチング素子の駆動が制御されるように切り替えを行う。そして、故障検出制御回路は、スイッチング素子をオン駆動し、電流検出部による電流の検出結果に基づいてスイッチング素子のオープン故障を検出する。上記構成において、スイッチング素子がオープン故障している場合、そのスイッチング素子がオン駆動されたとしても、そのスイッチング素子に流れる電流は増加することがない。そのため、上記オープン故障の検出では、例えば電流検出部による電流の検出値が所定の閾値に達しない場合にスイッチング素子がオープン故障していると判断することができる。
 このようにすれば、実際の昇圧動作を実行することなく、スイッチング素子のオープン故障を検出することが可能となる。そして、この場合、従来の昇圧型スイッチング電源回路の構成に対し、故障検出制御回路を追加することにより、上記オープン故障の検出が可能となっており、フィードバック系の回路に大幅な変更および追加を加える必要がない。したがって、上記構成によれば、回路規模の大幅な増加を招くことなく、スイッチング素子の故障を検出することができるという優れた効果が得られる。
 本開示の一態様において、昇圧型スイッチング電源回路は、さらに、入力端子からインダクタへと至る電源供給経路に直列に介在する通断電用スイッチを備える。その通断電用スイッチのオンとオフは、故障検出制御回路により制御される。この場合、昇圧動作の実行に先立って、故障検出制御回路は、通断電用スイッチをオンし、電流検出部による電流の検出結果に基づいてスイッチング素子のショート故障を検出する。
 上記構成において、スイッチング素子がショート故障している場合、通断電用スイッチがオンされると、上記スイッチング素子がオン駆動されていないにもかかわらず、そのスイッチング素子に流れる電流が増加する。そのため、上記ショート故障の検出では、例えば電流検出部による電流の検出値が所定の閾値に達した場合にスイッチング素子がショート故障していると判断することができる。このようにすれば、実際の昇圧動作を実行することなく、スイッチング素子のオープン故障に加えてショート故障についても検出することができる。
 本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。その図面は、
図1は、第1実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図2は、第1実施形態に係る故障検出処理の内容を模式的に示す図であり、 図3は、第1実施形態に係る正常時における電源回路の動作を説明するためのものであり、各部の信号の波形を模式的に示す図であり、 図4は、第1実施形態に係る検出閾値の具体的な設定例を説明するためのものであり、発生電流を模式的に示す図であり、 図5は、第1実施形態に係るショート故障発生時における電源回路の動作を説明するためのものであり、各部の信号の波形を模式的に示す図であり、 図6は、第1実施形態に係るオープン故障発生時における電源回路の動作を説明するためのものであり、各部の信号の波形を模式的に示す図であり、 図7は、第2実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図8は、第3実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図9は、第4実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図10は、第5実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図11は、第6実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図12は、第7実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図13は、第8実施形態に係る電源システムの構成を模式的に示す図であり、 図14は、第8実施形態に係るオープン故障発生時における電源回路の動作を説明するためのものであり、各部の信号の波形を模式的に示す図である。
 以下、複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
   (第1実施形態)
 以下、第1実施形態について図1~図6を参照して説明する。
 図1に示す電源システム1は、車両に搭載されるData Communication Module、つまりDCMと称される無線通信ECUに用いられる。
 電源システム1には、車両に搭載された車両バッテリ2から入力端子3を介して電圧+Bが供給されるとともに、車両に搭載されたバックアップバッテリ4から入力端子5を介して電圧BUBが供給される。なお、バックアップバッテリ4は、例えばリチウムイオン電池などから構成されている。電源システム1は、電圧+Bまたは電圧BUBから上記無線通信ECUの各構成の電源電圧となる出力電圧Voutを生成し、出力端子6を介して出力する。なお、出力電圧Voutの目標値は、例えば+5Vとなっている。
 電源システム1は、2つの電源回路7、8を備えている。電源回路7は、車両バッテリ2から供給される電圧+Bを降圧して出力する降圧型のDC/DCコンバータである。この場合、電源回路7は、電圧+Bが正常と考えられる範囲の電圧値である期間、つまり定常時に動作するものであり、電源システム1における主たる電源回路である。
 一方、電源回路8は、バックアップバッテリ4から供給される電圧BUBを昇圧して出力する昇圧型スイッチング電源回路である。なお、詳細な構成は後述するが、本実施形態の電源回路8は、同期整流構成となっている。この場合、電源回路8は、例えばクランキングなどにより電圧+Bの電圧値が出力電圧Voutの目標値未満にまで低下した場合、車両バッテリ2が車両から外された場合などの異常時に動作するものであり、電源システム1における補助的な電源回路である。
 電源回路7の入力端子Piは、逆流阻止用のダイオード9を逆方向に介して電源システム1の入力端子3に接続されている。電源回路7の出力端子Poは、電源線10に接続されている。なお、電源線10は、電源システム1の出力端子6に接続されている。電源回路7の出力電圧の目標値は、電源システム1の出力電圧Voutの目標値と同様の値(例えば+5V)となっている。
 電源回路8は、入力端子5を介して供給される入力電圧である電圧BUBを昇圧する昇圧動作を行うものであり、トランジスタQ1~Q4、インダクタL1、コンデンサC1、C2、抵抗R1および制御回路11などを備えている。トランジスタQ1、Q2は、いずれもPチャネル型のMOSトランジスタである。トランジスタQ1、Q2の各ドレイン・ソース間には、ドレイン側をアノードとしたボディダイオードD1、D2が接続されている。
 トランジスタQ1、Q2は、互いのソースが共通接続されている。トランジスタQ1のドレインは、入力端子5に接続されている。トランジスタQ2のドレインは、コンデンサC1を介して回路の基準電位となるグランド電位(0V)が与えられるグランド線Lgに接続されている。また、トランジスタQ2のドレインは、インダクタL1を介してノードN1に接続されている。トランジスタQ1、Q2の各ゲートには、制御回路11から出力される駆動信号CUTが与えられている。これにより、トランジスタQ1、Q2の駆動は、制御回路11により制御される。
 トランジスタQ3は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレイン・ソース間には、ドレイン側をアノードとしたボディダイオードD3が接続されている。トランジスタQ3のドレインはノードN1に接続され、そのソースは電源線10に接続されている。トランジスタQ3のゲートには、制御回路11から出力される駆動信号EXPが与えられている。これにより、トランジスタQ3の駆動は、制御回路11により制御される。電源線10およびグランド線Lgの間には、出力電圧Voutを平滑するためのコンデンサC2が接続されている。
 トランジスタQ4は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレインはノードN1に接続されている。トランジスタQ4のソースは、電流検出用の抵抗R1を介してグランド線Lgに接続されている。トランジスタQ4のゲートには、制御回路11から出力される駆動信号EXNが与えられている。これにより、トランジスタQ4の駆動は、制御回路11により制御される。
 トランジスタQ4および抵抗R1の相互接続点であるノードN2の電圧は、トランジスタQ4に流れる電流に対応した電圧信号である電流検出信号ISとして、制御回路11に入力されている。また、電源線10の電圧そのもの、または電源線10の電圧を分圧した電圧は、出力電圧Voutに対応した電圧信号である電圧検出信号FBとして、制御回路11に入力されている。制御回路11は、電圧検出信号FBに基づいて、出力電圧Voutを目標値に一致させるようにフィードバック制御を行う。
 上記構成において、トランジスタQ1、Q2は、入力端子5からインダクタL1へと至る電源供給経路に直列に介在する通断電用スイッチに相当する。また、上記構成において、トランジスタQ4は、オンされることによりインダクタL1に流れる電流を増加させるスイッチング素子に相当する。さらに、上記構成において、抵抗R1は、スイッチング素子とグランドとの間に直列に介在するように設けられたシャント抵抗に相当する。
 なお、この場合、トランジスタQ1、Q2は、入力端子5およびインダクタL1の間に、それぞれのボディダイオードD1、D2が互いに逆向きとなるように直列接続されている。このような構成によれば、トランジスタQ1、Q2がオフされると、ボディダイオードD1、D2を経由して電流が流れることも防止されるため、入力端子5からインダクタL1へと至る電源供給経路を完全に遮断することができる。
 制御回路11は、例えばApplication Specific Integrated Circuit、つまりASICにより構成されている。制御回路11は、昇圧制御回路12、検出回路13、フィルタ回路14、故障検出制御回路15、セレクタ16およびプリドライバ17、18を備えている。図示は省略しているが、制御回路11には、電圧BUBまたは電圧BUBに基づいて生成される電圧が電源電圧として供給されている。制御回路11は、このような電源電圧の供給を受けて動作する構成となっている。
 昇圧制御回路12は、トランジスタQ3、Q4の駆動を制御して昇圧動作を実行するものであり、例えばロジック回路により構成されている。昇圧制御回路12は、電圧検出信号FBに基づいてトランジスタQ3、Q4の駆動を制御するための制御信号Saを生成して出力する。
 この場合、トランジスタQ3、Q4は、一方がオンされるときには他方がオフされる、つまり相補的にオンオフされる。なお、「相補的にオンオフされる」とは、双方のスイッチがオフする期間、いわゆるデッドタイムを設けるケースを除外するものではない。昇圧制御回路12から出力される制御信号Saは、セレクタ16の一方の入力端子に入力される。
 検出回路13は、抵抗R1の端子電圧に基づいてトランジスタQ4に流れる電流を検出するもので、ヒステリシス付きのコンパレータCP1を備えている。コンパレータCP1の非反転入力端子には電流検出信号ISが入力され、その反転入力端子には基準電圧Vrefが入力される。基準電圧Vrefは、図示しない基準電圧生成回路により生成されるものであり、トランジスタQ4に流れる電流の検出閾値に対応した電圧である。なお、検出閾値は、後述するトランジスタQ4の故障検出などに用いられる。
 上記構成によれば、コンパレータCP1の出力信号IS_Dは、電流検出信号ISが基準電圧Vrefを下回るとロウレベル(例えば0V)になり、電流検出信号ISが基準電圧Vrefを上回るとハイレベル(例えば+5V)になる。以下、ロウレベルをLレベルと称するとともに、ハイレベルをHレベルと称する。この場合、抵抗R1および検出回路13により、トランジスタQ4に流れる電流を検出する電流検出部19が構成される。
 フィルタ回路14は、例えばローパスフィルタであり、コンパレータCP1の出力信号IS_Dを入力し、その入力した信号からノイズを除去した信号を出力する。フィルタ回路14の出力信号は、故障検出制御回路15に入力されている。故障検出制御回路15は、トランジスタQ3、Q4の駆動を制御してトランジスタQ4の故障を検出するものであり、例えばロジック回路により構成されている。詳細は後述するが、故障検出制御回路15は、電流検出部19による電流の検出結果を表すフィルタ回路14の出力信号に基づいてトランジスタQ4の故障を検出する。
 故障検出制御回路15は、トランジスタQ1、Q2を駆動するための駆動信号CUTを生成し、その駆動信号CUTをトランジスタQ1、Q2のゲートへ出力する。つまり、この場合、トランジスタQ1、Q2のオンとオフは、故障検出制御回路15により制御される。故障検出制御回路15は、トランジスタQ3、Q4の駆動を制御するための制御信号Sbを生成して出力する。故障検出制御回路15から出力される制御信号Sbは、セレクタ16の他方の入力端子に入力される。
 また、故障検出制御回路15は、セレクタ16による切替動作を制御するための切替信号Scを生成し、その切替信号Scをセレクタ16へ出力する。この場合、故障検出制御回路15は、外部の制御装置20との間で通信を行うことができる。なお、制御装置20は、Micro Processor Unit、つまりMPUを主体として構成されている。詳細は後述するが、故障検出制御回路15は、トランジスタQ4の故障を検出する際、制御装置20と通信を行うようになっている。
 セレクタ16は、切替信号Scに基づいて、入力される制御信号SaおよびSbのうちいずれか一方を出力する切替動作を行う。セレクタ16の出力信号は、プリドライバ17、18に与えられる。この場合、セレクタ16は、昇圧制御回路12および故障検出制御回路15のうちいずれか一方がトランジスタQ3、Q4の駆動を制御可能となるように切り替えを行う切替部に相当する。
 プリドライバ17は、セレクタ16の出力信号に基づいてトランジスタQ3を駆動するための駆動信号EXPを生成し、その駆動信号EXPをトランジスタQ3のゲートへ出力する。プリドライバ18は、セレクタ16の出力信号に基づいてトランジスタQ4を駆動するための駆動信号EXNを生成し、その駆動信号EXNをトランジスタQ4のゲートへ出力する。
 次に、上記構成の作用について参照して説明する。
  [1]故障検出処理について
 電源回路8では、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行に先立って、トランジスタQ4の故障を検出するための処理である故障検出処理が行われる。具体的には、電源回路8では、例えば起動時に故障検出処理が実行される。なお、起動時とは、電源投入時、つまり電源回路8に対して電圧BUBの供給が開始されたときのことである。
 故障検出処理は、故障検出制御回路15を主体として実行されるものであり、その具体的な内容は、例えば図2に示すような内容となっている。なお、この場合、故障検出処理が開始される時点よりも前の任意の時点において、セレクタ16から制御信号Sbが出力されるように、つまり故障検出制御回路15によりトランジスタQ3、Q4の駆動が制御されるように、セレクタ16の動作が制御されるようになっている。
 図2に示すように、故障検出処理が開始されると、まずステップS101が実行される。ステップS101では、トランジスタQ1、Q2がオン駆動される。なお、この時点では、トランジスタQ3、Q4は、オフ駆動されている。続くステップS102では、フィルタ回路14の出力信号に基づいて、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達したか否かが判断される。
 ここで、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達した場合、ステップS102で「YES」となり、ステップS103に進む。この場合、トランジスタQ4がオフ駆動されているにもかかわらず、トランジスタQ4に電流が流れていると考えられる。したがって、ステップS103では、トランジスタQ4にショート故障が生じていることが検出され、今回の故障検出処理による検出結果として「ショート故障」が記憶される。ステップS103の実行後は、故障検出処理が終了となる。
 この場合、故障検出処理においてトランジスタQ4がショート故障していることが検出されたため、故障検出処理の終了後、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行が禁止されるとともに、故障検出時の処理が実行される。なお、故障検出時の処理としては、例えば制御装置20に対してトランジスタQ4が故障している旨を報知するといった処理などを挙げることができる。
 一方、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達しない場合、ステップS102で「NO」となり、ステップS104に進む。ステップS104では、トランジスタQ4がオン駆動される。続くステップS105では、フィルタ回路14の出力信号に基づいて、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達したか否かが判断される。
 ここで、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達しない場合、ステップS105で「NO」となり、ステップS106に進む。この場合、トランジスタQ4がオン駆動されているにもかかわらず、トランジスタQ4に電流が流れていないと考えられる。したがって、ステップS106では、トランジスタQ4にオープン故障が生じていることが検出され、今回の故障検出処理による検出結果として「オープン故障」が記憶される。
 ステップS106の実行後は、故障検出処理が終了となる。この場合、故障検出処理においてトランジスタQ4がオープン故障していることが検出されたため、故障検出処理の終了後、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行が禁止されるとともに、故障検出時の処理が実行される。
 一方、トランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達した場合、ステップS105で「YES」となり、ステップS107に進む。この場合、トランジスタQ4には、ショート故障およびオープン故障のいずれも生じていないと考えられる。したがって、ステップS107では、トランジスタQ4が正常であることが検出され、今回の故障検出処理による検出結果として「正常」が記憶される。
 また、ステップS107では、トランジスタQ4がオフ駆動される。ステップS107の実行後は、故障検出処理が終了となる。この場合、故障検出処理においてトランジスタQ4が正常であることが検出されたため、故障検出処理の終了後、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行が許可される。
 このように、上記構成の電源回路8では、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行に先立って、故障検出制御回路15は、故障検出制御回路15によりトランジスタQ3、Q4の駆動が制御されるようにセレクタ16の動作を制御する。そして、故障検出制御回路15は、トランジスタQ4をオン駆動し、電流検出部19による電流の検出結果に基づいてトランジスタQ4のオープン故障を検出する。
 また、上記構成の電源回路8では、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行に先立って、故障検出制御回路15は、トランジスタQ1、Q2をオンし、電流検出部19による電流の検出結果に基づいてトランジスタQ4のショート故障を検出する。ただし、この場合、故障検出制御回路15は、トランジスタQ4のオープン故障の検出に先立って、トランジスタQ4のショート故障の検出を行う。
  [2]正常時の動作
 トランジスタQ4に故障が生じていない正常時における電源回路8の動作について図3を参照して説明する。なお、図3などにおいて、電流検出信号ISは、紙面の都合上、比較的緩やかに上昇するような波形として示しているが、実際はさらに急峻に上昇するような信号波形となっている。
 図3に示すように、電圧BUBが定常値まで上昇すると、制御回路11が正常に動作を開始する。このとき、駆動信号CUTおよびEXPは電圧BUBと同程度の電圧値であるOFFレベルとなっており、これにより、トランジスタQ1~Q3はオフ駆動されている。また、駆動信号EXNはグランド電位(0V)と同程度の電圧値であるOFFレベルとなっており、これにより、トランジスタQ4はオフ駆動されている。
 このような状態となっている期間中の任意の時刻t1において、故障検出制御回路15によりトランジスタQ3、Q4の駆動が制御されるようにセレクタ16の切替動作が行われる。その後、時刻t2において、故障検出制御回路15は、駆動信号CUTをグランド電位(0V)と同程度の電圧値であるONレベルに転じさせることにより、トランジスタQ1、Q2をオン駆動する。
 この場合、トランジスタQ4は正常であるとともにオフ駆動されているため、トランジスタQ4に電流は流れない。そのため、電流検出信号ISがグランド電位(0V)から上昇することがなく、これにより出力信号IS_DはLレベルのままとなる。したがって、この場合、トランジスタQ4にショート故障が生じていないと判断することができる。
 その後、時刻t3において、故障検出制御回路15は、駆動信号EXNを電源電圧(例えば電圧BUB)と同程度の電圧値であるONレベルに転じさせることにより、トランジスタQ4をオン駆動する。この場合、トランジスタQ4は正常であるとともにオン駆動されているため、トランジスタQ4に電流が流れ、これに伴い、電流検出信号ISが上昇する。
 そして、電流検出信号ISが基準電圧Vrefに達した時点、つまりトランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達した時点である時刻t4において、出力信号IS_DがHレベルに転じる。したがって、この場合、トランジスタQ4にオープン故障が生じていないと判断することができる。
 故障検出制御回路15は、フィルタ回路14の出力信号に基づいて出力信号IS_DがHレベルに転じたことを検出すると、駆動信号EXNをOFFレベルに転じさせることにより、トランジスタQ4をオフ駆動する。なお、ここで、トランジスタQ4を直ちにオフ駆動しないと、トランジスタQ4に過大な電流が流れるおそれがある。そのため、故障検出制御回路15は、上記検出の後、直ちにトランジスタQ4をオフ駆動するように制御を行うようになっている。
 しかし、上記検出から実際にトランジスタQ4がオフされるまでには、回路動作などに起因する遅延時間が存在する。この場合、故障検出制御回路15は、ロジック回路として構成されており、クロック信号に同期した動作となる。したがって、上記遅延時間には、故障検出制御回路15におけるクロック同期に伴う遅延も含まれることになる。このような遅延時間を無視して検出閾値を設定すると、上記検出から実際にトランジスタQ4がオフされるまでの間に過大な電流が流れてしまい、トランジスタQ4が故障するおそれがある。
 そこで、本実施形態では、このような遅延時間を考慮し、トランジスタQ4に流れる電流がトランジスタQ4の定格電流未満に抑えられるように、検出閾値を設定している。以下、検出閾値の具体的な設定例に関して図4を参照して説明する。この場合、上記遅延時間は、1.5μsとなっており、トランジスタQ4の定格電流は、6Aとなっている。
 また、この場合、バックアップバッテリ4がリチウムイオン電池などの二次電池であり、電圧BUBの定常値は、+3.6Vとなっている。また、インダクタL1のインダクタンス値は、2.2μHとなっている。さらに、電源回路8を構成する各素子の抵抗に関する仕様は、次のようになっている。
    トランジスタQ1のオン抵抗:25mΩ
    トランジスタQ2のオン抵抗:25mΩ
    インダクタL1の等価直列抵抗:34mΩ
    トランジスタQ4のオン抵抗:19mΩ
    抵抗R1の抵抗値:33mΩ
    回路基板などの寄生抵抗:50mΩ
 したがって、入力端子5からグランド線Lgへと至る経路の抵抗値は、186mΩとなっている。
 上記構成の電源回路8では、トランジスタQ4がオンされた直後、電圧BUBの電圧値、入力端子5からグランド線Lgへと至る経路の抵抗値、インダクタL1のインダクタンス値などにより定まる電流がトランジスタQ4に流れる。なお、以下、トランジスタQ4に流れる電流のことを発生電流とも呼ぶ。図4に示すように、トランジスタQ4がオンされた時点からの経過時間に比例して発生電流は増加するようになっている。
 本実施形態では、検出閾値は1.26Aに設定されている。なお、検出閾値を1.26Aに設定するためには、基準電圧Vrefを42mVとすればよい。この場合、図4に示すように、トランジスタQ4がオンされた時点から約0.8μs後に発生電流が1.26Aに達する。これにより、電流検出信号ISが基準電圧Vrefに達してコンパレータCP1の出力信号IS_Dが反転する。
 その後、遅延時間(1.5μs)が経過した後、つまりトランジスタQ4がオンされた時点から約2.3μs後、トランジスタQ4がオフされる。このとき、発生電流は3.49Aとなっており、トランジスタQ4の定格電流である6Aより十分低い電流に抑えられている。したがって、上記構成によれば、故障検出処理において、トランジスタQ4に、その定格電流を超える電流が流れることがない。
  [3]ショート故障発生時の動作
 トランジスタQ4にショート故障が生じているショート故障発生時における電源回路8の動作について図5を参照して説明する。なお、この場合、トランジスタQ1、Q2がオン駆動される時点、つまり時刻t2までの動作は、正常時の動作と同様である。ただし、この場合、トランジスタQ4はショート故障している。そのため、トランジスタQ1、Q2がオン駆動されると、直ちにトランジスタQ4に電流が流れ、これに伴い、電流検出信号ISが上昇する。
 そして、電流検出信号ISが基準電圧Vrefに達した時点、つまりトランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達した時点である時刻t3において、出力信号IS_DがHレベルに転じる。したがって、この場合、トランジスタQ4にショート故障が生じていると判断することができる。
 故障検出制御回路15は、フィルタ回路14の出力信号に基づいて出力信号IS_DがHレベルに転じたことを検出すると、駆動信号CUTをOFFレベルに転じさせることにより、トランジスタQ1、Q2をオフ駆動する。このようにすることで、ショート故障したトランジスタQ4に過大な電流が流れることが防止される。
  [4]オープン故障発生時の動作
 トランジスタQ4にオープン故障が生じているオープン故障発生時における電源回路8の動作について図6を参照して説明する。なお、この場合、トランジスタQ4がオン駆動される時点、つまり時刻t3までの動作は、正常時の動作と同様である。ただし、この場合、トランジスタQ4はオープン故障しているため、トランジスタQ4がオン駆動されても、トランジスタQ4に電流は流れない。
 そのため、電流検出信号ISがグランド電位(0V)から上昇することがなく、これにより出力信号IS_DはLレベルのままとなる。したがって、この場合、トランジスタQ4にオープン故障が生じていると判断することができる。このようにしてオープン故障の検出が終わった後は、トランジスタQ4をオフ駆動する必要がある。なぜなら、トランジスタQ4をオン駆動し続けていると、トランジスタQ4が急に正常に復帰した場合などに、過大な電流が流れるおそれがあるからである。
 本実施形態では、故障検出制御回路15は、外部の制御装置20からトランジスタQ4をオフ駆動する旨の指示が与えられるまでトランジスタQ4のオン駆動を継続し、上記指示が与えられるとトランジスタQ4をオフ駆動するようになっている。これにより、オープン故障の検出が終了してから一定時間が経過した後、トランジスタQ4がオフ駆動される。
 以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
 電源回路8では、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行に先立って、故障検出制御回路15によりトランジスタQ3、Q4の駆動が制御されるようにセレクタ16の切替動作が行われる。そして、故障検出制御回路15は、トランジスタQ4をオン駆動し、電流検出部19による電流の検出結果に基づいてトランジスタQ4のオープン故障を検出する。電源回路8において、トランジスタQ4がオープン故障している場合、トランジスタQ4がオン駆動されたとしても、トランジスタQ4に流れる電流は増加することがない。そのため、上記オープン故障の検出では、トランジスタQ4に流れる電流が所定の検出閾値に達しない場合にトランジスタQ4がオープン故障していると判断することができる。
 このようにすれば、実際の昇圧動作を実行することなく、トランジスタQ4のオープン故障を検出することが可能となる。そして、この場合、従来の昇圧型スイッチング電源回路の構成に対し、ロジック回路として構成される故障検出制御回路15などを追加することにより、上記オープン故障の検出が可能となっており、フィードバック系の回路に大幅な変更および追加を加える必要がない。したがって、本実施形態によれば、回路規模の大幅な増加を招くことなく、トランジスタQ4の故障を検出することができるという優れた効果が得られる。
 電源回路8は、入力端子5からインダクタL1へと至る電源供給経路に直列に介在するトランジスタQ1、Q2を備え、それらトランジスタQ1、Q2のオンとオフは、故障検出制御回路15により制御される。この場合、昇圧動作の実行に先立って、故障検出制御回路15は、トランジスタQ1、Q2をオン駆動し、電流検出部19による電流の検出結果に基づいてトランジスタQ4のショート故障を検出する。
 電源回路8において、トランジスタQ4がショート故障している場合、トランジスタQ1、Q2がオン駆動されると、トランジスタQ4がオン駆動されていないにもかかわらず、トランジスタQ4に流れる電流が増加する。そのため、上記ショート故障の検出では、トランジスタQ4に流れる電流が所定の検出閾値に達した場合にトランジスタQ4がショート故障していると判断することができる。このようにすれば、実際の昇圧動作を実行することなく、トランジスタQ4のオープン故障に加えてショート故障についても検出することができる。
 トランジスタQ4は、電圧BUBが与えられる入力端子5とグランド線Lgとの間に直列に介在している。そのため、トランジスタQ4がショート故障した場合、過大な短絡電流が流れるおそれがある。一方、トランジスタQ4がオープン故障した場合、昇圧動作を実行することができなくなるものの、過大な短絡電流が流れるおそれはない。そこで、本実施形態では、故障検出制御回路15は、トランジスタQ4のオープン故障の検出に先立って、トランジスタQ4のショート故障の検出を行うようになっている。このようにすれば、故障が生じた場合において一層問題となる可能性があるショート故障の検出を優先的に実行することが可能となり、安全性を向上させることができる。
 なお、本実施形態の構成によれば、次のように、トランジスタQ3のショート故障を検出することも可能である。すなわち、故障検出制御回路15は、昇圧制御回路12による昇圧動作の実行に先立って、トランジスタQ1、Q2をオン駆動するとともに、トランジスタQ3、Q4をオフ駆動する。このような状態において、制御装置20は、通信を介して電流検出信号FBをモニタする。
 この場合、トランジスタQ3が正常であれば、電流検出信号FBはロウレベル(0V)に固定されている。しかし、トランジスタQ3がショート故障している場合、電流検出信号FBは電圧BUBの電圧値に近いレベルとなる。制御装置20は、このような点を考慮し、上述したようにモニタした電流検出信号FBのレベルに基づいてトランジスタQ3のショート故障を検出することができる。なお、トランジスタQ3のショート故障の検出は、必ずしも制御装置20側で行わなくともよく、制御回路11側で行ってもよい。
   (第2実施形態)
 以下、第2実施形態について図7を参照して説明する。
 図7に示すように、本実施形態の電源システム21が備える電源回路22は、第1実施形態の電源回路8と同様の昇圧型スイッチング電源回路である。ただし、電源回路22は、電源回路8に対し、トランジスタQ3に代えてダイオードD21を備えたダイオード整流の構成となっている点が異なる。
 この場合、ダイオードD21のアノードはノードN1に接続され、そのカソードは電源線10に接続されている。このようなダイオード整流の構成である電源回路22であっても、第1実施形態と同様の故障検出を行うことが可能である。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
   (第3実施形態)
 以下、第3実施形態について図8を参照して説明する。
 図8に示すように、本実施形態の電源システム31が備える電源回路32は、第1実施形態の電源回路8と同様の昇圧型スイッチング電源回路である。ただし、電源回路32は、電源回路8に対し、電流検出部19に代えて電流検出部33を備えている点が異なる。電流検出部33は、電流検出部19と同様の構成、つまり抵抗R1および検出回路13を備えている。ただし、この場合、検出回路13のコンパレータCP1は、抵抗R1の低電位側の電位であるグランドを基準電位として動作するようになっている。
 以上説明した本実施形態によっても、第1実施形態と同様の故障検出を行うことが可能であるため、第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、電流検出部33におけるグランドが共通化されている。つまり、抵抗R1側のグランドと検出回路13側のグランドとが共通化されているため、グランドの電位差による電流検出の誤差が生じることがない。したがって、本実施形態によれば、電流検出の精度を向上させることが可能となり、その結果、故障検出の精度を高めることができる。
   (第4実施形態)
 以下、第4実施形態について図9を参照して説明する。
 図9に示すように、本実施形態の電源システム41が備える電源回路42は、第3実施形態の電源回路32と同様の昇圧型スイッチング電源回路である。ただし、電源回路42は、電源回路32に対し、電流検出部33に代えて電流検出部43を備えている点が異なる。
 電流検出部43は、電流検出部33と同様の構成に加え、増幅回路44を備えている。増幅回路44は、差動増幅器であり、その非反転入力端子には、電流検出信号ISが入力されている。増幅回路44の反転入力端子には、グランド線Lgの電位に対応した信号が入力されている。このような構成により、増幅回路44は、抵抗R1の端子電圧を増幅して出力する。この場合、コンパレータCP1の非反転入力端子には、増幅回路44の出力信号が入力されている。
 以上説明した本実施形態によっても、第1実施形態と同様の故障検出を行うことが可能であるため、第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、抵抗R1の端子電圧を増幅する増幅回路44を設け、その増幅回路44の出力信号を用いてトランジスタQ4に流れる電流が検出閾値に達したか否かを判断する構成となっている。このようにすれば、抵抗R1の抵抗値を一層小さくすることが可能となり、電源回路42における損失低減、効率向上などの効果が得られる。
   (第5実施形態)
 以下、第5実施形態について図10を参照して説明する。
 図8に示すように、本実施形態の電源システム51が備える電源回路52は、第1実施形態の電源回路8に対し、制御回路11に代えて制御回路53を備えている点が異なる。制御回路53は、制御回路11と同様の構成に加え、トランジスタQ3、Q4および抵抗R1を備えている。
 すなわち、電源回路52では、トランジスタQ3、Q4および抵抗R1は、ASICとして構成された制御回路53に内蔵されている。このようにトランジスタQ3、Q4などが制御回路53に内蔵された構成の電源回路52であっても、第1実施形態と同様の故障検出を行うことが可能である。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
   (第6実施形態)
 以下、第6実施形態について図11を参照して説明する。
 一般に、昇圧型スイッチング電源回路は、オンすることによりインダクタに流れる電流を増加させるスイッチング素子に過電流判定閾値を超える過大な電流が流れたことを検出するための過電流検出回路を備えている。このような過電流検出回路の構成の少なくとも一部を共用化することにより、トランジスタQ4に流れる電流を検出する電流検出部を構成することが可能である。
 本実施形態では、上述した過電流検出回路が備えるコンパレータを共用化することにより、トランジスタQ4に流れる電流を検出する電流検出部を構成するようになっている。具体的には、図11に示すように、本実施形態の電源システム61が備える電源回路62は、第1実施形態の電源回路8に対し、電流検出部19に代えて電流検出部63を備えている点、故障検出制御回路15に代えて故障検出制御回路64を備えている点などが異なる。
 電流検出部63の検出回路65は、検出回路13が備えるコンパレータCP1と同様のヒステリシス付きのコンパレータCP61、スイッチSW61、SW62などを備えている。コンパレータCP61の非反転入力端子には、電流検出信号ISが入力される。コンパレータCP61の反転入力端子には、スイッチSW61を介して基準電圧Vref1が入力されるとともに、スイッチSW62を介して基準電圧Vref2が入力される。
 基準電圧Vref1は、第1実施形態などにおける基準電圧Vrefと同様の検出閾値に対応した電圧である。一方、基準電圧Vref2は、過電流判定閾値に対応した電圧であり、基準電圧Vref1よりも高い電圧となっている。過電流判定閾値は、トランジスタQ4に過大な電流が流れたことを検出する際、つまり過電流検出の際に用いられる。
 スイッチSW61、SW62のオンとオフは、故障検出制御回路64により制御される。故障検出制御回路64は、故障検出制御回路15と同様、トランジスタQ4の故障を検出する機能を有するとともに、トランジスタQ4に過電流判定閾値を超える過大な電流が流れたことを検出する過電流検出回路としての機能も有する。なお、故障検出制御回路64は、単独で過電流検出回路としての機能を実現する構成および外部の制御装置20と協働して過電流検出回路としての機能を実現する構成のいずれでもよい。
 故障検出制御回路64は、電源回路62の起動時などにはスイッチSW61をオンするとともにスイッチSW62をオフする。これにより、起動時などにおいて、第1実施形態などと同様の故障検出処理を実行することが可能となる。また、故障検出制御回路64は、通常時にはスイッチSW61をオフするとともにスイッチSW62をオンする。これにより、通常時において、上述した過電流検出を実現することが可能となる。
 以上説明した本実施形態によっても、第1実施形態と同様の故障検出を行うことが可能であるため、第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、トランジスタQ4に過電流が流れたことを検出するための過電流検出回路の構成の一部、具体的にはコンパレータCP61を共用化することにより、故障検出に用いるための電流検出部63を構成するようになっている。このようにすれば、共用化された構成の分だけ回路素子を削減することが可能となり、その結果、電源回路62の回路規模を小さく抑えることができるという効果が得られる。
   (第7実施形態)
 以下、第7実施形態について図12を参照して説明する。
 図12に示すように、本実施形態の電源システム71が備える電源回路72は、第1実施形態の電源回路8に対し、電流検出部19に代えて電流検出部73を備えている点などが異なる。電流検出部73は、電流検出部19と同様、トランジスタQ4に流れる電流を検出するものであるが、次の点において電流検出部19とは異なる。
 すなわち、電流検出部19は、トランジスタQ4のロウサイド側にシャント抵抗である抵抗R1が設けられたロウサイド電流検出の構成であった。これに対し、電流検出部73は、トランジスタQ4のハイサイド側にシャント抵抗である抵抗R71が設けられたハイサイド電流検出の構成となっている。
 具体的には、抵抗R71の一方の端子はトランジスタQ2のドレインに接続され、その他方の端子はインダクタL1を介してノードN1に接続されている。抵抗R71の各端子電圧は、それぞれトランジスタQ4に流れる電流に対応した電圧信号である電流検出信号ISP、ISNとして、検出回路74に入力されている。
 検出回路74は、抵抗R71の端子電圧に基づいてトランジスタQ4に流れる電流を検出するもので、ヒステリシス付きのコンパレータCP71を備えている。コンパレータCP71の非反転入力端子には電流検出信号ISPが入力され、その反転入力端子には電流検出信号ISNが入力されている。
 上記したようなハイサイド電流検出の構成である電流検出部73を備えた電源回路72であっても、ロウサイド電流検出の構成である電流検出部19を備えた第1実施形態の電源回路8と同様の故障検出を行うことが可能である。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
   (第8実施形態)
 以下、第8実施形態について図13および図14を参照して説明する。
 図13に示すように、本実施形態の電源システム81が備える電源回路82は、第1実施形態の電源回路8に対し、故障検出制御回路15に代えて故障検出制御回路83を備えている点などが異なる。故障検出制御回路83は、故障検出制御回路15と同様、トランジスタQ4の故障を検出する機能を有する。ただし、故障検出制御回路83は、タイムアウト機能を有しており、外部の制御装置20との間で通信を行うことなく、トランジスタQ4の故障検出を行う。本実施形態の構成では、オープン故障発生時の動作は、図14に示すようなものとなる。
 なお、この場合、トランジスタQ4がオン駆動される時点、つまり時刻t3までの動作は、図6に示した第1実施形態の構成による動作と同様である。ただし、この場合、故障検出制御回路83は、トランジスタQ4にオープン故障が生じていると判断した後、出力信号IS_Dが反転することなく一定時間Taが経過した時刻t4にてトランジスタQ4をオフ駆動するようになっている。
 以上説明したように、外部の制御装置20との間で通信を行うことなくトランジスタQ4の故障検出を行う構成の電源回路82であっても、第1実施形態と同様のショート故障の検出およびオープン故障の検出を行うことが可能である。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
   (その他の実施形態)
 なお、本開示は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
 上記各実施形態で示した数値などは例示であり、それに限定されるものではない。
 本開示は、車両に搭載される無線通信ECUに適用される電源回路8、22、32、42、52、62、72、82に限らず、昇圧型スイッチング電源回路全般に適用することができる。
 本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

Claims (6)

  1.  インダクタ(L1)と、オンすることにより前記インダクタに流れる電流を増加させるスイッチング素子(Q4)と、を備え、入力端子(5)を介して供給される入力電圧を昇圧する昇圧動作を行う昇圧型スイッチング電源回路(8、22、32、42、52、62、72、82)であって、
     前記スイッチング素子の駆動を制御して前記昇圧動作を実行する昇圧制御回路(12)と、
     前記スイッチング素子の駆動を制御して前記スイッチング素子の故障を検出する故障検出制御回路(15、64、83)と、
     前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部(19、33、43、63、73)と、
     前記昇圧制御回路および前記故障検出制御回路のうちいずれか一方が前記スイッチング素子の駆動を制御可能となるように切り替えを行う切替部(16)と、
     を備え、
     前記昇圧動作の実行に先立って、
     前記切替部は、前記故障検出制御回路により前記スイッチング素子の駆動が制御されるように切り替えを行い、
     前記故障検出制御回路は、前記スイッチング素子をオン駆動し、前記電流検出部による電流の検出結果に基づいて前記スイッチング素子のオープン故障を検出する昇圧型スイッチング電源回路。
  2.  さらに、前記入力端子から前記インダクタへと至る電源供給経路に直列に介在する通断電用スイッチを備え、
     前記通断電用スイッチ(Q1、Q2)のオンとオフは、前記故障検出制御回路により制御され、
     前記昇圧動作の実行に先立って、
     前記故障検出制御回路は、前記通断電用スイッチをオンし、前記電流検出部による電流の検出結果に基づいて前記スイッチング素子のショート故障を検出する請求項1に記載の昇圧型スイッチング電源回路。
  3.  前記故障検出制御回路は、前記スイッチング素子のオープン故障の検出に先立って、前記スイッチング素子のショート故障の検出を行う請求項2に記載の昇圧型スイッチング電源回路。
  4.  前記電流検出部(33、43、63)は、前記スイッチング素子とグランドとの間に直列に介在するように設けられたシャント抵抗(R1)と、前記シャント抵抗の端子電圧に基づいて前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出回路(13、65)と、を備え、
     前記検出回路は、前記グランドを基準電位として動作するようになっている請求項1から3のいずれか一項に記載の昇圧型スイッチング電源回路。
  5.  前記電流検出部(43、63、73)は、
     前記スイッチング素子に流れる電流が流れる経路に直列に介在するように設けられたシャント抵抗(R1、R71)と、
     前記シャント抵抗の端子電圧を増幅する増幅回路(44)と、
     前記増幅回路の出力電圧に基づいて前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出回路(13、65、74)と、
     を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の昇圧型スイッチング電源回路。
  6.  さらに、前記スイッチング素子に過電流判定閾値を超える過大な電流が流れたことを検出する過電流検出回路(64)を備え、
     前記電流検出部(63)は、前記過電流検出回路の構成の少なくとも一部を共用化することにより構成されている請求項1から5のいずれか一項に記載の昇圧型スイッチング電源回路。
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