WO2019112231A1 - 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금 - Google Patents

전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금 Download PDF

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    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10—Sintering only
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
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    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2203/00—Controlling
    • B22F2203/11—Controlling temperature, temperature profile

Definitions

  • the present invention relates to a process for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member and a Ta-Cu alloy for an electrical contact member produced thereby. More particularly, the present invention relates to a process for producing a Ta- Cu alloys for electrical contact members by sintering the powders in solid state and a Ta-Cu alloy for electrical contact members manufactured thereby.
  • the electrical contact member refers to a workpiece and a workpiece for opening and closing a circuit, and is used in an electric appliance such as a circuit breaker for a wiring, a switch, a switch, or an electric appliance.
  • Such an electrical contact member may cause abnormal consumption, fusion, entanglement, or the like due to an arc generated when the electrical circuit is opened or closed. Therefore, the electrical contact member is selected by using a material having a small contact resistance, a melting point, a high sublimation point, and an excellent electrical lifetime.
  • Ag is generally used as the main material of the electrical contact member.
  • the Ag member not only the Ag is expensive, but also the circuit is short-circuited when operated at a high voltage.
  • the Ag-CdO member used as an alternative thereto heavy metals Cd scattered in a vapor state during operation may be adsorbed on the human body, and environmental pollution occurs when the product is disposed of.
  • the electrical contact member used in an environment with a large current of 300 A or more it is necessary to develop an electrical contact member having cost competitiveness and reliability because the reliability is insufficient compared to the domestic production scale.
  • a method of manufacturing a contact material for a vacuum switch by mixing Ta 2 O 5 powder and Cu powder is disclosed in the prior art document 1 (Korean Patent No. 10-0101045, titled “Contact Material for Vacuum Switch and Its Manufacturing Method”) .
  • a method of manufacturing a vacuum valve contact material by mixing Cr powder and at least one powder of Ag or Cu is disclosed in the prior art document 2 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-153352, entitled “Vacuum Valve Point”) have.
  • the prior art reference 1 has a problem that manufacturing cost is increased and the process becomes complicated because a contact material for a vacuum switch is manufactured by sintering a mixed powder obtained by mixing Ta 2 O 5 powder and Cu powder twice.
  • the prior art document 2 does not aim at improving the heat resistance (or the thermal expansion coefficient), but it can be predicted that the heat resistance is low because the refractory metal powder Ta is 15 to 40 wt%.
  • Patent Document 1 Korean Patent No. 10-0101045
  • Patent Document 2 Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-153352
  • the present invention has been conceived in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for producing a Ta- Cu-based alloy for an electrical contact member of 13 x 10 < -6 > / DEG C or less.
  • the present invention also provides a method of manufacturing a Ta-Cu-based alloy for use in a semiconductor device and an electrical contact member manufactured thereby.
  • a method of manufacturing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member comprises the steps of: a) mixing 40 to 90% by weight of Ta powder and remaining Cu powder to prepare a mixed raw material step; And b) solid-phase sintering the mixed raw material, wherein the step a) may be carried out such that the Ta powder is not deformed but its shape is maintained.
  • the step a) may be physically mixed by rotation of a rotary shaft containing the Ta powder and the Cu powder.
  • the step a) may rotate the spinneret at 130 to 170 rpm for 1.5 to 5 hours.
  • the step (b) may solid-phase sinter the mixed raw material at a temperature of 900 to 1000 ° C.
  • the solid-phase sintering is performed at a temperature raising rate of 30 to 100 ⁇ / min at the above temperature, For a while.
  • the step (b) may solid-phase-sinter the mixed raw material by Spark Plasma Sintering (SPS).
  • SPS Spark Plasma Sintering
  • the thermal expansion coefficient of the Ta-Cu alloy for the electrical contact member may be 13 x 10 -6 / ° C or less at 250 ° C.
  • the content of the Ta powder is less than 70% by weight, and the thermal expansion coefficient of the Ta-Cu alloy for the electrical contact member is 250 It may be a 12 ⁇ 10 -6 / °C to 13 ⁇ 10 -6 / °C in °C.
  • the Ta-Cu alloy for the electrical contact member according to the present invention may be composed of 40 to 90% by weight of Ta and the balance of Cu, and the coefficient of thermal expansion at 250 ⁇ may be 13 ⁇ 10 -6 / ° C. or less.
  • the method for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to the present invention can provide an electrical contact member having improved electrical conductivity and thermal conductivity required for an electrical contact member and improved heat resistance.
  • the method of manufacturing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to the present invention can provide an electrical contact member in which Ta is uniformly dispersed in a Ta-Cu alloy base without generation of a secondary phase during sintering.
  • FIG. 1 is a flow chart of a process for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an SEM photograph showing the microstructure of the mixed raw materials produced in Production Example 1 of the present invention and Comparative Production Example 1.
  • FIG. 3 is an SEM photograph showing the microstructure of the mixed raw materials produced in Production Example 1 of the present invention and Comparative Production Example 1.
  • Example 5 is an SEM photograph showing the microstructure of the electrical contact member manufactured according to Example 2 and Comparative Example 1 of the present invention.
  • Ta and Cu are hardly made of an alloy made of Ta and Cu since they are not dissolved in each other or form a new second phase.
  • the Ta when solid-phase sintering is performed at a temperature lower than the Cu melting point after simply mixing the Ta powder and the Cu powder insoluble in each other, the Ta is not dispersed uniformly during sintering and the sintered structure is not densified and the heat resistance is extremely low Lt; / RTI >
  • the method for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member comprises the steps of: a) mixing 40 to 90% by weight of Ta powder and remaining Cu powder to prepare a mixed raw material; And b) solid-phase sintering the mixed raw material, wherein the step a) is characterized in that the Ta powder is mixed so that the shape of the Ta powder is not deformed.
  • the thermal expansion coefficient of the Ta-Cu alloy for the electrical contact member according to the present invention is less than 13 x 10 -6 / ° C at 250 ° C, and the heat resistance is increased.
  • FIG. 1 is a flow chart of a process for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to an embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to an embodiment of the present invention may include a step of mixing Ta powder and Cu powder (S100) and a solid-phase sintering step (S200).
  • the mixing step (S100) of the Ta powder and the Cu powder means a step of mixing the Ta powder and the remaining Cu powder to prepare a mixed raw material.
  • the powder may be physically mixed by rotation of the spinneret to receive the powder and the Cu powder.
  • the shape of the spinneret is not particularly limited, it may be a circular hollow having an inner portion, and the inner shape may also be a cylindrical shape.
  • the total volume of the inside of the spinneret may be about 50 to 5000 ml when the Ta powder and the Cu powder are mixed (S100).
  • the spinneret may contain 5 to 20 parts by volume of the Ta powder and 5 to 15 parts by volume of the powder of the Ta and 100 parts by volume of the total volume of the inside of the spinneret. Accordingly, the Ta powder and the Cu powder are dropped or slid by the gravity by rotation in the rotator, and the Ta powder and the Cu powder can be physically mixed with each other without a ball.
  • the spinneret in the step of mixing the Ta powder and the Cu powder (S100), the spinneret is heated at 130 to 170 rpm for 1.5 to 5 hours So as to produce the mixed raw material. That is, the Ta powder and the Cu powder can maintain the shape of the initial powder according to the rotation speed and the holding time of the spinning, respectively, and the coefficient of thermal expansion is lowered by dispersing Cu and Ta evenly during sintering.
  • the Ta powder and the Cu powder fall or slide due to gravity to be uniformly mixed with each other, and the raw material of the Ta powder is not deformed.
  • the method of confirming whether the Ta powder and the Cu powder are mixed with each other uniformly can be confirmed by the mixing ratio of Ta and Cu in the microstructure of the raw material with respect to the mixing ratio of the initial Ta powder and the Cu powder.
  • the Ta content of the mixed raw material in a specific region may be 45 to 55 wt%, preferably 48 to 52 wt% %. ≪ / RTI >
  • the specific region is not limited in shape, but, for example, when the shape of the specific region is a rectangle, the width and length may be 10 ⁇ x 10 ⁇ to 1000 ⁇ x 1000 ⁇ .
  • an apparatus for measuring the mixing ratio in microstructure may be a conventional apparatus for measuring a composition commonly used in this field, but one example is SEM-EDS.
  • the Ta powder may be prepared by mixing 40 wt% or more and less than 70 wt% of the Ta powder, .
  • the thermal expansion coefficient of the Ta-Cu alloy for the electrical contact member is 12 x 10 -6 / ° C to 13 ⁇ 10 -6 / ° C.
  • the content of the Ta powder exceeds 70% by weight, the electrical conductivity of the Ta-Cu alloy for electrical contact member is reduced rapidly, and it is difficult to have a value of 30% IACS or more. If the Ta content is less than 40 wt%, the thermal expansion coefficient increases to about 14 x 10 < -6 > / DEG C and the heat resistance deteriorates.
  • a solid-phase sintering step (S200) of solid-phase sintering the mixed raw material produced in the mixing step (S100) of the Ta powder and the Cu powder is performed.
  • the solid-phase sintering step (S200) may be a solid-phase sintering of the above-mentioned mixed raw material at a temperature of 900 ° C. or more and less than 1000 ° C. Accordingly, the method for producing a Ta-Cu alloy for an electrical contact member according to the present invention can uniformly disperse Ta and Cu in an alloy base, and can prevent some Cu from being lost due to liquefaction during solid-phase sintering.
  • the solid phase sintering step (S200) may include heating the mixed raw material at a temperature raising rate of 30 to 100 ⁇ ⁇ / And sintering the solid phase at less than 1000 ° C for 5 to 15 minutes.
  • the mixed raw material may be locally instantaneously heated and ignited to solid-phase sinter.
  • Spark plasma sintering (SPS) using an electrification plasma sintering apparatus can be used as a method of locally instantly heating and igniting a part of the mixed raw material, but the present invention is not necessarily limited to the electrification plasma sintering method .
  • the current is concentrated on the surface of the mixed raw material so that Cu and Ta are uniformly dispersed and the structure becomes dense, Generation can be prevented. Accordingly, the electrical contact required by the electrical contact member to be manufactured can be ensured, and at the same time, the wear resistance and the wear resistance can be increased.
  • the electrification plasma sintering method is increased at a temperature rising rate of about 50 deg. Under a temperature condition of less than 1000 ⁇ , for 5 minutes to 15 minutes.
  • the present invention also includes a Ta-Cu-based alloy for an electrical contact member manufactured by the above-described method for producing a Ta-Cu-based alloy for an electrical contact member.
  • the Ta-Cu alloy for electrical contact member according to an embodiment of the present invention is made of 40 to 90% by weight of Ta and the balance of Cu and can have a thermal expansion coefficient of less than or equal to 13 ⁇ 10 -6 / ° C at 250 ° C.
  • the rotator is a long cylindrical shape with an inner diameter of 7 cm and a height of 10 cm, and the total volume of the inside of the rotator is 500 ml.
  • the Ta powder and the Cu powder were added to about 10 parts by volume of 100 parts by volume of the inside of the spinneret.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was carried out except that a ball mill (zirconia ball) (diameter: 10 mm) was charged with the Ta powder and the Cu powder in the spinning method.
  • the Zr balls were charged so as to be 10 parts by weight per 100 parts by weight of the Ta powder and the Cu powder.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out, except that the above-mentioned spinnerets were rotated under the conditions listed in Table 1 below.
  • Evaluation example 1 Microstructure measurement
  • the microstructure of the Ta powder and Cu powder used in Production Examples 1 to 4 and Comparative Production Examples 1 to 5 is shown in FIG.
  • the microstructure of the mixed raw materials prepared in Preparation Example 1 and Comparative Preparation Example 1 is shown in FIG.
  • FIG. 2 is an SEM photograph showing the microstructure of Ta powder and Cu powder used in Production Examples 1 to 4 and Comparative Production Examples 1 to 5.
  • the Ta powder before mixing (expressed as a Ta raw material powder) shows a coral shape, and Ta particles of 50 to 500 nm size aggregate with each other to form a coral shape irregularly aggregated with a size of 1 to 100 ⁇ m .
  • the pre-mixed Cu powder (represented by the Cu raw material powder) exhibits a flake shape.
  • FIG. 3 is a SEM photograph showing the microstructure of the mixed raw materials prepared in Preparation Example 1 and Comparative Preparation Example 1.
  • FIG. 3 it can be seen that the mixed raw material produced in Production Example 1 maintains the shape of the Ta powder and the shape of the Cu powder before mixing, and hardly processes the powder.
  • the left picture is a high magnification (about 1000 magnification), and the right picture is a low magnification (about 500 magnification) photograph)
  • the mixed raw material prepared in Comparative Example 1 was processed into the shape of a piece from the coral shape of the Ta powder.
  • the mixed raw material prepared in Comparative Example 1 has a problem in that the powder flowability is reduced during sintering due to the processing of the Ta powder to inhibit the formation of the sintered powder, and the degree of densification of the sintered body is lowered.
  • the left picture is a high magnification (about 1000 magnification), and the right picture is a low magnification (about 500 magnification) photograph)
  • the components and microstructure of the mixed raw materials prepared in Preparation Examples 1 to 4 and Comparative Preparation Examples 1 to 5 were measured using an energy dispersive spectroscope (SEM-EDS) equipped in an SEM. Further, in order to confirm the dispersion state of the mixed raw materials, the content of Ta detected by SEM-EDS in a measurement region having a size of 200 mu m x 200 mu m in width and length was used to determine the amount of the raw material powder The dispersed state is shown in Table 2 as "? &Quot;,”? &Quot;, and "X ".
  • SEM-EDS energy dispersive spectroscope
  • the dispersion state of the raw material powder using the Ta content detected by SEM-EDS in the measurement region is defined by the following [Formula 1], and when the dispersion state value of the raw material powder is 10% or less, Good “),” ⁇ (moderate) “for more than 10% but less than 15%, and” X (poor) “for more than 15%. Also, in order to obtain statistically meaningful values, the positions of the same specimens were changed repeatedly, and their average values were obtained.
  • Dispersion state of raw material powder ((Ta content (wt%) / Ta content (wt%) detected through SEM-EDS) x 100
  • the mixed raw materials thus prepared were heated at a temperature raising rate of 50 ° C / min from room temperature to 900 and solid-phase sintered in a vacuum atmosphere at 900 ° C for 15 minutes under a pressure of 30 MPa to prepare a Ta-Cu alloy for electrical contact members Respectively.
  • Example 2 As shown in the following Table 2, the same procedure as in Example 1 was carried out, except that the mixed raw materials (weighed in a weight ratio of 50:50) prepared in Preparation Example 1 were used.
  • Example 2 The mixed raw materials described in Example 2 were subjected to liquid phase sintering by Spark Plasma Sintering (SPS). Specifically, in Comparative Example 1, the mixed raw material was heated at a temperature raising rate of 50 ⁇ / min and liquid-sintered at a temperature of more than 1000 ⁇ for 5 minutes under a pressure of 30 MPa.
  • SPS Spark Plasma Sintering
  • FIG. 5 is an SEM photograph showing the microstructure of the electrical contact member manufactured in Example 2 and Comparative Example 1.
  • FIG. 5 it can be seen that the electrical contact member manufactured in Example 2 hardly vanished Cu.
  • a large number of pores are formed on the surface of the electrical contact member manufactured in Comparative Example 1. This is because it is judged that some Cu is lost due to liquefaction at the time of sintering, It was confirmed that it is impossible to use it as a member.
  • the electrical contact members manufactured in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 were processed to have a diameter of 5 mm and a height of 10 mm, and then two specimens were prepared and analyzed using a thermal property analyzer (TMA 2940, TA Instrument USA) And the temperature was increased from 5 to 700 ° C to 5 ° C per minute to measure a coefficient of thermal expansion (CTE).
  • Table 4 shows the results of measuring the thermal expansion coefficient (250 DEG C) of the Ta-Cu alloy prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5.
  • an electrical contact member containing 40% by weight or more of Ta drastically decreases its thermal expansion coefficient to about 13 ⁇ 10 -6 / or less.
  • An electrical contact member having such a composition ratio can reduce material damage due to thermal expansion, and can provide an electrical contact member with improved heat resistance.
  • the thermal expansion coefficient of the Ta-Cu alloy for the electrical contact member is about 12 x 10 -6 / To 13 x 10 < -6 > / [deg.] C. This is because the raw material powder is dispersed and sintered at a rate of 30 to 100 [deg.] C / min and then pressurized at 20 to 40 MPa .

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Abstract

본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법은 a) Ta 분말 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu 분말을 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계; 및 b) 상기 혼합원료를 고상 소결하는 단계를 포함하며, 상기 a) 단계는 상기 Ta 분말이 변형되지 않고 그 형상이 유지되도록 혼합하는 것을 특징으로 한다.

Description

전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금
본 발명은 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄탈륨(Ta) 분말 및 구리(Cu) 분말의 혼합 분말을 고상 소결하여 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금에 관한 것이다.
전기 접점 부재는, 회로의 개폐 또는 접촉을 위한 소재 및 가공재를 지칭하는 것으로, 배선용 차단기, 개폐기, 스위치 등의 전기기구나 전기설비 등에서 사용된다.
이러한 전기 접점 부재는, 전기회로의 개폐 시에 발생되는 아크(arc)로 인하여 이상 소모, 융착, 교락 등이 발생할 우려가 있다. 따라서 전기 접점 부재는, 접촉 저항이 작고, 녹는점 및 승화점이 높으며, 전기적 수명이 우수한 재료를 선택하여 사용하게 된다.
따라서, 일반적으로 전기 접점 부재의 주 재료로는 전기 전도성이 우수한 Ag를 사용하는데, Ag 부재의 경우에는, Ag가 고가일 뿐만 아니라, 높은 전압에서 동작 시 회로의 단락이 발생하는 문제점이 있다. 이에 대한 대안으로 사용되는 Ag-CdO 부재의 경우에는, 동작 시 증기 상태로 비산되는 중금속 Cd가 인체에 흡착될 우려가 있고, 제품의 폐기 시에 환경오염이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 300A 이상 중대전류의 환경에서 사용되는 전기 접점 부재의 경우에는, 국내 생산규모에 비하여 신뢰성 확보가 미비한 실정으로 가격 경쟁력과 신뢰성이 있는 전기 접점 부재의 개발이 필요한 실정이다.
선행기술문헌 1(한국등록특허 제10-0101045호, 명칭: 진공스위치용 접점재료 및 그 제법)에는 Ta2O5 분말과 Cu 분말을 혼합하여 진공스위치용 접점재료를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 선행기술문헌 2(일본 공개특허공보 특개평7-153352호, 명칭: 진공 밸브 용점)에는 Cr 분말과 Ag, Cu 중 적어도 하나의 분말을 혼합하여 진공 밸브 접점재료를 제조하는 방법이 개시되어 있다.
선행기술문헌 1은 Ta2O5 분말과 Cu 분말을 혼합한 혼합 분말을 두 번 소결하여 진공스위치용 접점재료가 제조되기 때문에 제조비용이 증가하고 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
선행기술문헌 2는 내열성(또는 열팽창 계수) 개선을 목적으로 하지 않고, 내화성 금속분말인 Ta가 15~40 중량%이기 때문에 내열성이 저조할 것으로 예측할 수 있다.
[선행기술문헌]
(특허문헌 1) 한국등록특허 제10-0101045호
(특허문헌 2) 일본 공개특허공보 특개평7-153352호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 탄탈륨(Ta) 분말 및 구리(Cu) 분말의 혼합 분말을 고상 소결하는 경우, Ta-Cu계 합금 기지 내에 Ta를 고루 분산시켜 열팽창계수가 13×10-6/℃ 이하인 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, Ta 분말 및 Cu 분말의 혼합 분말을 빠른 승온속도로 가열하고 소결시 적정 압력으로 가압하는 고상 소결법을 이용하여, 고효율의 전기 접점 부재를 제공할 수 있도록 구성되는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재를 제공하는 것이다.
한편, 본 발명의 명시되지 않은 또 다른 목적들은 하기의 상세한 설명 및 그 효과로부터 용이하게 추론할 수 있는 범위 내에서 추가로 고려될 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법은 a) Ta 분말 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu 분말을 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계; 및 b) 상기 혼합원료를 고상 소결하는 단계를 포함하며, 상기 a) 단계는 상기 Ta 분말이 변형되지 않고 그 형상이 유지되도록 혼합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 a) 단계는 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 수용하는 회전통의 회전에 의하여 물리적으로 혼합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 a) 단계는 상기 회전통을 130 내지 170 rpm으로 1.5 내지 5 시간 동안 회전할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 b) 단계는 상기 혼합원료를 900 이상 1000℃ 온도 미만에서 고상 소결할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 고상 소결은 상기 온도로 30 내지 100℃/min의 승온 속도로 승온하고, 상기 온도에서 5 내지 15분 동안 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 b) 단계는 상기 혼합원료를 통전플라즈마소결법(Spark Plasma Sintering, SPS)으로 고상 소결할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수는 250℃에서 13x10-6/℃ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법에 있어, 상기 Ta 분말의 함량은 70중량% 미만이고, 상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수가 250℃에서 12×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금은 Ta 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu로 이루어지고, 250℃에서 열팽창계수는 13x10-6/℃ 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법은 전기 접점 부재에 요구되는 전기전도성 및 열전도성을 확보함과 동시에, 내열성이 향상된 전기 접점 부재를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법은 소결 시 2차상의 생성이 없고, Ta-Cu계 합금 기지 내에 Ta가 고루 분산되는 전기 접점 부재를 제공할 수 있다.
한편, 여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급됨을 첨언한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법의 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1 내지 4 및 비교제조예 1 내지 5에서 사용된 Ta 분말 및 Cu 분말의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조된 혼합원료의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 제조예 1, 비교제조예 2 및 비교제조예 3에서 제조된 혼합원료의 SEM-EDS 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2 및 비교예 1에 따라 제조된 전기 접점 부재의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다.
이하 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예 및 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 또한, 본 발명의 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
일반적으로 Ta와 Cu는 서로 고용되거나 새로운 제 2의 상을 형성하지 않기 때문에 Ta와 Cu로 이루어진 합금으로 거의 제조하지 않는 것으로 알려져 있다.
본 발명자들에 따르면, 서로 불용성인 Ta 분말과 Cu 분말을 단순히 혼합한 후 Cu 융점 이하에서 고상 소결하게 되면, 소결시 Ta가 고루 분산되지 않고 소결조직이 치밀하지 못하며 이로 인해 내열성이 극히 저조해지는 문제점이 발생하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명자들(출원인)은 오랜기간 각고의 노력끝에, Ta 분말의 형상이 변형되지 않고 유지되도록 혼합함으로써, 소결후 내열성이 극히 향상되는 전기 점점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법을 개발하였다.
본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법은 a) Ta 분말 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu 분말을 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계; 및 b) 상기 혼합원료를 고상 소결하는 단계를 포함하며, 상기 a) 단계는 상기 Ta 분말이 변형되지 않고 그 형상이 유지되도록 혼합하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수는 250℃에서 13x10-6/℃ 이하로 나타나게 되어 내열성이 상승하는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법의 공정 순서도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법은 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100) 및 고상 소결 단계(S200)을 포함할 수 있다.
상기 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100)는 Ta 분말 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu 분말을 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계를 의미하며, 상기 Ta 분말이 변형되지 않고 그 형상이 유지되도록 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 수용하는 회전통의 회전에 의하여 물리적으로 혼합할 수 있다.
상세하게, 상기 회전통은 그 형상이 특별히 한정되는 것은 아니나, 내부가 비어 있는 원통일 수 있으며, 내부 형상 또한 원통형상일 수 있다.
구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100) 시, 상기 회전통 내부의 전체 부피가 약 50 내지 5000 ml 인 것을 사용할 수 있다. 또한 상기 회전통은 상기 회전통 내부의 전체 부피 100 부피부에 대하여 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 5 내지 20 부피부, 또는 5 내지 15 부피부가 되도록 수용할 수 있다. 이에 따라, 상기 회전통에 회전에 의하여 상기 Ta 분말 및 Cu 분말이 중력에 의해 낙하 또는 슬라이딩되며, 볼(ball) 없이도 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 서로 물리적으로 혼합시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법에 있어, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100) 시, 상기 회전통을 130 내지 170rpm으로 1.5 내지 5시간 동안 회전시켜 상기 혼합원료를 제조할 수 있다. 즉, 상기 회전통의 회전 속도 및 유지 시간에 따라, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말은 각각 초기 분말의 형상을 유지할 수 있고, 소결시 Cu 및 Ta가 고루 분산되어 열팽창계수가 낮아지게 된다.
한편, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100) 시, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말이 중력에 의해 낙하 또는 슬라이딩함으로써 서로 균일하게 혼합되고 상기 Ta 분말이 변형되지 않는 혼합원료를 제조할 수 있도록 한다.
상기 Ta 분말 및 Cu 분말이 서로 균일하게 혼합된 혼합원료인지 여부를 확인하는 방법은 초기 Ta 분말 및 Cu 분말의 중량 혼합비에 대해 혼합원료의 미세조직에서 Ta 및 Cu의 혼합비를 통하여 확인할 수 있다.
구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 중량비로 50:50으로 혼합하는 경우, 특정 영역에서 혼합원료의 Ta 함량은 45 내지 55 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 48 내지 52 중량%일 수 있다.
본 발명을 상술함에 있어, 상기 특정 영역은 형상에 제한 받지 않으나, 일 예로서 상기 특정 영역의 형상을 사각형이라 할 때, 가로×세로는 10㎛×10㎛ 내지 1000㎛×1000㎛일 수 있다.
본 발명을 상술함에 있어, 미세조직에서 혼합비를 측정하는 장치는 이 분야에서 통상적으로 사용하는 성분 측정 장치이면 족하나, 일 예로 SEM-EDS를 들 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법에 있어, 상기 Ta 분말은 40 중량% 이상 70 중량% 미만, 및 나머지 Cu 분말로 혼합된 혼합원료를 제조할 수 있다.
상기 혼합원료에 상기 Ta 분말은 40 중량% 이상 70 중량% 미만으로 함유되면, 상기 Ta 분말의 함량이 다소 증가하거나 감소하더라도 상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수가 250℃에서 12×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃으로 일정하게 유지되는 효과가 있다.
그러나, 상기 Ta 분말의 함량이 70 중량%를 초과하게 되면, 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 전기전도도가 급감하여 30 %IACS 이상 값을 가지기 어려운 문제점이 있다. 또한, 상기 Ta 함량이 40 중량% 미만이면, 열팽창계수가 약 14×10-6/℃으로 증가하여 내열성이 저하되는 문제가 있다.
다음으로, 상기 Ta 분말 및 Cu 분말 혼합 단계(S100)에서 제조된 혼합원료를 고상 소결하는 고상 소결 단계(S200)를 수행한다.
상기 고상 소결 단계(S200)는 상술한 혼합원료를 900 이상 1000℃ 미만에서 고상 소결하는 것일 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법은 합금 기지내에 Ta 및 Cu를 고루 분산시킬 수 있고, 고상 소결시 일부 Cu가 액화로 인하여 소실되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법에 있어, 상기 고상 소결 단계(S200)는 상술한 혼합원료를 30 내지 100℃/min의 승온 속도로 승온하여 900 이상 1000℃ 미만에서 5 내지 15분 동안 고상 소결하는 것일 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 고상 소결 단계(S200)시 상기 혼합원료를 국부적으로 순간 가열 및 점화시켜 고상 소결할 수 있다.
상기 혼합원료의 일부분을 국부적으로 순간 가열 및 점화시키는 방법으로는 통전플라즈마소결장치를 이용한 통전플라즈마소결법(Spark Plasma Sintering, SPS)을 들 수 있으나, 본 발명이 상기 통전플라즈마소결법에 반드시 한정되는 것은 아니다.
구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 통전활성소결법을 이용하여 고상 소결하는 경우, 상기 혼합원료의 표면에 전류가 집중됨으로써 Cu 및 Ta 가 고루 분산되어 조직이 치밀해지고, 저항열에 의한 합금 및 2차상의 생성이 방지될 수 있다. 따라서 제조되는 전기 접점 부재가 필요로 하는 전기전도성을 확보함과 동시에 그 내용착성, 내소모성이 증가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법에 있어, 상기 고상 소결 단계(S200)에서 통전플라즈마소결법은 상온에서 약 50℃/min의 승온 속도로 증가되어 900 내지 1000℃ 미만의 온도 조건하에서, 5분 내지 15분 동안 수행될 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법으로 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금은 Ta 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu로 이루어지고, 250℃에서 열팽창계수가 13×10-6/℃ 이하일 수 있다.
이하 본 발명의 구체적인 설명을 위하여 하기의 실시예를 들어 상세하게 설명하겠으나, 본 발명이 다음 실시예에 한정되는 것은 아니다.
제조예 1 내지 4
50:50의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 회전통에 넣은 후, 하기 표 1에 수록된 조건으로 상기 회전통을 회전시켜 혼합원료를 제조하였다. 이때, 상기 회전통은 길이가 긴 원통형상으로 내경 7 cm, 높이 10 cm이고, 상기 회전통 내부의 전체부피는 500 ml이다. 또한 상기 회전통 내부의 전체부피 100 부피부에 대하여 상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 약 10 부피부가 되도록 하였다.
비교제조예 1
상기 회전통에 Ta 분말 및 Cu 분말과 함께 지르코니아 볼(직경: 10 mm)을 장입하여 볼밀링한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 또한 상기 Zr 볼은 Ta 분말 및 Cu 분말 100 중량부에 대해 10 중량부가 되도록 장입하였다.
비교제조예 2 내지 5
상기 회전통을 하기 표 1에 수록된 조건으로 회전시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
Figure PCTKR2018014819-appb-T000001
평가예 1: 미세조직 측정
상기 제조예 1 내지 4 및 비교제조예 1 내지 5에서 사용된 Ta 분말 및 Cu 분말의 미세조직을 도 2에 도시하였다. 또한 상기 제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조된 혼합원료의 미세조직을 도 3에 도시하였다.
도 2는 상기 제조예 1 내지 4 및 비교제조예 1 내지 5에서 사용된 Ta 분말 및 Cu 분말의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다. 도 2를 참조하면, 혼합 전 Ta 분말(Ta 원료 분말로 표시)은 산호 형상을 나타내며, 50 내지 500nm 크기의 Ta 입자가 서로 응집되어 1 내지 100㎛ 크기로 불규칙하게 응집된 산호 모양의 형상을 가지는 것을 알 수 있다. 또한, 혼합 전 Cu 분말(Cu 원료 분말로 표시)은 편상 형상을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 3은 상기 제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조된 혼합원료의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다. 도 3을 참조하면, 상기 제조예 1에 제조된 혼합원료는 혼합 전 Ta 분말의 형상과 Cu 분말의 형상을 각각 유지하여, 분말의 가공이 거의 발생하지 않는 것을 알 수 있다. (좌측사진은 고배율(약 1000배율), 우측사진은 저배율(약 500배율) 사진이다)
그러나, 비교예 1에서 제조된 혼합원료는 Ta 분말이 산호 형상에서 편상 형상으로 가공된 것을 확인할 수 있다. 이에 따라 비교예 1에서 제조된 혼합원료는 상기 Ta 분말의 가공으로 인해 소결시 분말 유동성이 감소되어 형상화가 억제되고, 조직의 치밀화 정도가 저하되어 기공이 유발될 우려가 있다. (좌측사진은 고배율(약 1000 배율), 우측사진은 저배율(약 500 배율) 사진이다)
평가예 2: 분산상태 측정
상기 제조예 1 내지 4 및 비교제조예 1 내지 5에서 제조된 혼합원료의 성분 및 미세조직을 SEM에 장착된 에너지 분산 분광기(SEM-EDS)를 이용하여 측정하였다. 또한 상기 혼합원료의 분산 상태를 확인하기 위해 가로×세로가 200㎛×200㎛인 측정영역에서 SEM-EDS를 통해 검출된 Ta의 함량을 이용하여, 하기 [일반식 1]로 정의되는 원료분말의 분산상태를 "○", "△", "X"로 하기 표 2에 표기하였다. 상세하게, 상기 측정영역에서 SEM-EDS를 통해 검출된 Ta 함량을 이용한 원료분말의 분산상태는 하기 [일반식 1]로 정의되며, 원료분말의 분산상태 값이 10% 이하로 나타나는 경우 "○(좋음)", 10% 초과 15% 이하인 경우 "△(보통)", 15% 초과인 경우 "X(나쁨)"로 표시하였다. 또한 통계적으로 의미있는 값을 얻기 위해, 동일한 시편에 대해 위치를 변경하여 반복 측정하고, 그 평균값을 구하여 나타내었다.
[일반식 1]
원료분말의 분산상태 = ((SEM-EDS를 통해 검출된 Ta 함량(wt%)/칭량된 Ta 함량(wt%))×100
Figure PCTKR2018014819-appb-T000002
도 4는 상기 제조예 1, 비교제조예 2 및 비교제조예 3에서 제조된 혼합원료의 SEM-EDS 사진이다. 도 4를 참조하면, 제조예 1에서 제조된 혼합원료는 Ta 및 Cu의 함량비가 약 Ta:Cu=51:49인 것을 알 수 있으므로, 상기 제조예 1에서 혼합된 혼합원료는 Ta 분말 및 Cu 분말이 고르게 혼합된 것을 알 수 있다.
그러나, 비교제조예 2 및 3에서 제조된 혼합원료는 Ta 및 Cu의 함량비가 약 Ta:Cu=77:33 (비교제조예 2), 약 Ta:Cu=60:40 (비교제조예 3)인 것을 확인할 수 있다. 이는, 상기 비교제조예 2 및 3에서 제조된 혼합원료는 회전수가 너무 높거나 낮고, 또한 적정 회전수를 갖더라도 유지시간이 짧아서 상기한 Ta 분말 및 Cu 분말이 균일하게 혼합되지 않는 것으로 예상할 수 있다. 또한 상기 Ta 분말 및 Cu 분말이 균일하게 혼합되지 않은 혼합분말은 추후 고상 소결시 Cu 및 Ta가 고루 분산되지 않아 조직이 치밀해지지 않고 열팽창계수의 급격한 증가를 야기시킬 수 있다.
실시예 1
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 40:60의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일하게 실시하여 혼합원료를 제조하였다.
이후 제조된 혼합원료를 상온에서 900까지 50℃/min의 승온 속도로 승온시키고, 30MPa의 압력 조건 하에서 900℃ 온도로 15분 동안 진공분위기에서 고상 소결하여 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금을 제조하였다.
실시예 2
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 제조예 1에서 제조된(50:50의 중량 비율로 칭량된) 혼합원료를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
실시예 3
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 60:40의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
실시예 4
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 70:30의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
실시예 5
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 80:20의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
실시예 6
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 90:10의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
비교예 1
상기 실시예 2에 기재된 혼합원료를 통전플라즈마소결법(Spark Plasma Sintering, SPS)으로 액상 소결하였다. 상세하게, 비교예 1에서는 상기 혼합원료를 50℃/min의 승온 속도로 승온시키고, 30MPa의 압력 조건 하에서 1000℃ 초과의 온도로 5분 동안 액상소결하였다.
비교예 2
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 10:90의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
비교예 3
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 20:80의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
비교예 4
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 30:70의 중량 비율로 칭량된 Ta 분말 및 Cu 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
평가예 3: 분산상태 측정
상기 평가예 2에서 수행한 방법과 동일하게, 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 혼합원료에 대하여, 상술한 [일반식 1]로 정의되는 원료분말의 분산상태를 측정하여 하기 표 3에 수록하였다.
Figure PCTKR2018014819-appb-T000003
도 5는 상기 실시예 2 및 비교예 1에서 제조된 전기 접점 부재의 미세조직을 나타낸 SEM 사진이다. 도 5를 참조하면, 실시예 2에서 제조된 전기 접점 부재는 Cu의 소실이 거의 이루어지지 않는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 비교예 1에서 제조된 전기 접점 부재는 표면 상에 다수의 기공이 형성된 것을 확인할 수 있으며, 이는, 일부 Cu가 소결시에 액화로 인하여 소실된 것으로 판단되며, 이에 따라 비교예 1은 전기 접점 부재로 사용이 불가능함을 확인할 수 있었다.
평가예 4: 열팽창계수 측정
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 전기 접점 부재를 직경 5㎜, 높이 10㎜로 가공한 후 시편 2개를 준비하고, 열물성 분석기(TMA 2940, TA Instrument USA)를 이용하여 25~700℃까지 분당 5℃로 승온시켜 열팽창계수(CTE: Coefficient of Thermal Expansion)를 측정하였다. 하기 표 4은 상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수(@250℃) 측정 결과를 나타낸다.
Figure PCTKR2018014819-appb-T000004
표 4를 참조하면, Ta를 40 중량% 이상으로 함유하는 전기 접점 부재는 그 열팽창계수가 약 13×10-6/ 이하로 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있다. 이러한 조성비를 가지는 전기 접점 부재는 열팽창에 따른 재료 손상을 줄일 수 있는 것으로서, 내열성이 향상된 전기 접점 부재가 제공할 수 있다.
또한, 표 4를 참조하면, 상기 Ta 분말의 함량은 40 중량% 이상 70중량% 미만인 경우에, 상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수가 250℃에서 약 12×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃으로 유지되는 것을 알 수 있는데, 이는 상술한 원료분말의 분산상태와 소결시 30 내지 100℃/min의 승온 속도로 가열한 후 20 내지 40 MPa에서 가압하는 소결방법에 의한 것으로 판단된다.
이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. a) Ta 분말 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu 분말을 혼합하여 혼합원료를 제조하는 단계; 및
    b) 상기 혼합원료를 고상 소결하는 단계를 포함하며,
    상기 a) 단계는 상기 Ta 분말이 변형되지 않고 그 형상이 유지되도록 혼합하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 a) 단계는,
    상기 Ta 분말 및 Cu 분말을 수용하는 회전통의 회전에 의하여 물리적으로 혼합하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 a) 단계는,
    상기 회전통을 130 내지 170 rpm으로 1.5 내지 5 시간 동안 회전하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 b) 단계는,
    상기 혼합원료를 900 이상 1000℃ 온도 미만에서 고상 소결하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 고상 소결은 상기 온도로 30 내지 100℃/min의 승온 속도로 승온하고, 상기 온도에서 5 내지 15분 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 b) 단계는,
    상기 혼합원료를 통전플라즈마소결법(Spark Plasma Sintering, SPS)으로 고상 소결하는 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수는 250℃에서 13x10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 Ta 분말의 함량은 70 중량% 미만이고,
    상기 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 열팽창계수가 250℃에서 12×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃인 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법.
  9. Ta 40 내지 90 중량% 및 나머지 Cu로 이루어지고, 250℃에서 열팽창계수는 13x10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금.
PCT/KR2018/014819 2017-12-07 2018-11-28 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전기 접점 부재용 Ta-Cu계 합금 Ceased WO2019112231A1 (ko)

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