WO2019107331A1 - 基板液処理装置 - Google Patents

基板液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019107331A1
WO2019107331A1 PCT/JP2018/043496 JP2018043496W WO2019107331A1 WO 2019107331 A1 WO2019107331 A1 WO 2019107331A1 JP 2018043496 W JP2018043496 W JP 2018043496W WO 2019107331 A1 WO2019107331 A1 WO 2019107331A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
heating
processing
ceiling plate
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/043496
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
一騎 元松
金子　聡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019557222A priority Critical patent/JP6926233B2/ja
Priority to US16/768,245 priority patent/US11441225B2/en
Priority to KR1020207018462A priority patent/KR102770925B1/ko
Publication of WO2019107331A1 publication Critical patent/WO2019107331A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1642—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive semiconductor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1676—Heating of the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
    • C23C18/163—Supporting devices for articles to be coated

Definitions

  • the present invention relates to a substrate liquid processing apparatus.
  • a substrate liquid processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid such as a cleaning liquid for cleaning the substrate (wafer) or a plating liquid for plating the substrate (for example, Patent Document 1) See 3).
  • a processing liquid such as a cleaning liquid for cleaning the substrate (wafer) or a plating liquid for plating the substrate (for example, Patent Document 1) See 3).
  • a heated processing liquid may be used.
  • the processing liquid needs to have a desired temperature suitable for liquid processing on the substrate, and in particular, in order to perform uniform liquid processing over the entire surface of the processing surface, the entire surface of the processing surface
  • the processing solution needs to have a uniform temperature throughout the
  • the treatment liquid may not necessarily have a uniform temperature on the treatment surface.
  • the temperature of the treatment liquid on the outer peripheral portion of the substrate tends to be lower than that of the central portion.
  • the processing surface is divided into a plurality of processing zones, and the heating unit such as a heater is divided into a plurality of heating zones, corresponding to each processing zone.
  • the heating unit such as a heater is divided into a plurality of heating zones, corresponding to each processing zone.
  • a method is conceivable in which a heating zone is allocated and the treatment liquid is heated by the amount of heat optimized for each treatment zone.
  • it is difficult to appropriately control the heating of the processing solution in units of processing zones.
  • the heat generated from the heating unit is conducted between adjacent heating zones, it may not be possible to make a clear difference or gradient in the amount of heat substantially imparted to the processing solution between the adjacent heating zones. is there.
  • the present invention has been made in consideration of these points, and provides a substrate liquid processing apparatus capable of performing heating control of the processing liquid on the substrate with high accuracy in zone units.
  • One embodiment of the present invention is a substrate liquid processing apparatus that performs liquid processing of a processing surface of a substrate with a processing liquid, and a processing liquid is provided on a substrate holding unit that holds a substrate and the processing surface of a substrate held by the substrate holding unit.
  • a heating unit for heating the treatment liquid on the treatment surface including a heater, and a first planar body and a second planar body provided so as to sandwich the heater.
  • the heater has a plurality of heating elements provided in each of a plurality of heating zones of the heating unit, and at least one of the first planar body and the second planar body has a groove.
  • the groove relates to a substrate liquid processing apparatus provided in a region corresponding to the boundary between adjacent heating zones among the plurality of heating zones.
  • heating control of the processing liquid on the substrate can be accurately performed in zone units.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the plating apparatus.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the plating processing unit shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of the heating unit showing a plurality of heating zones in the heating unit.
  • FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional configuration of the heating unit (first example) at a location indicated by reference symbol “IV” in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a view showing a cross-sectional configuration of the heating unit (second example).
  • FIG. 6 is a view showing a cross-sectional configuration of a modification of the heating unit.
  • FIG. 7 is a view showing a cross-sectional configuration of another modification of the heating unit.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a plating process of the substrate in the plating apparatus of FIG.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a plating processing apparatus as an example of a substrate liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the plating processing apparatus is an apparatus that supplies the plating solution L1 (processing liquid) to the substrate W to perform plating processing (liquid processing) on the substrate W.
  • the plating processing apparatus 1 includes a plating processing unit 2 and a control unit 3 that controls the operation of the plating processing unit 2.
  • the plating unit 2 performs various processes on the substrate W (wafer). The various processes which the plating process unit 2 performs are mentioned later.
  • the control unit 3 is, for example, a computer, and includes an operation control unit and a storage unit.
  • the operation control unit is configured of, for example, a CPU (Central Processing Unit), and controls the operation of the plating processing unit 2 by reading and executing a program stored in the storage unit.
  • the storage unit is composed of, for example, a storage device such as a random access memory (RAM), a read only memory (ROM), or a hard disk, and stores a program for controlling various processes executed in the plating processing unit 2.
  • the program may be recorded on a recording medium 31 readable by a computer, or may be installed from the recording medium 31 in a storage unit.
  • Examples of the computer readable recording medium 31 include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • a program for controlling the plating processing apparatus 1 to execute a plating processing method described later is recorded in the recording medium 31. .
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the plating unit 2.
  • the plating processing unit 2 has a loading and unloading station 21 and a processing station 22 provided adjacent to the loading and unloading station 21.
  • the loading / unloading station 21 includes a placement unit 211 and a transport unit 212 provided adjacent to the placement unit 211.
  • carriers C accommodating the plurality of substrates W in a horizontal state are placed.
  • the transport unit 212 includes a transport mechanism 213 and a delivery unit 214.
  • the transport mechanism 213 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and to pivot around the vertical axis.
  • the processing station 22 includes a plating processing unit 5.
  • the number of the plating processing units 5 included in the processing station 22 is two or more, but may be one.
  • the plating processing units 5 are arranged on both sides of the transport path 221 extending in a predetermined direction (both sides in the direction orthogonal to the moving direction of the transport mechanism 222 described later).
  • the transport mechanism 222 includes a holding mechanism that holds the substrate W, and is configured to be able to move in the horizontal direction and the vertical direction and to pivot around the vertical axis.
  • the transport mechanism 213 of the loading / unloading station 21 transports the substrate W between the carrier C and the delivery unit 214. Specifically, the transport mechanism 213 takes out the substrate W from the carrier C placed on the placement unit 211 and places the taken-out substrate W on the delivery unit 214. Further, the transport mechanism 213 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 by the transport mechanism 222 of the processing station 22, and stores the substrate W in the carrier C of the placement unit 211.
  • the transport mechanism 222 of the processing station 22 transports the substrate W between the delivery unit 214 and the plating unit 5 and between the plating unit 5 and the delivery unit 214. Specifically, the transport mechanism 222 takes out the substrate W placed on the delivery unit 214 and carries the taken-out substrate W into the plating processing unit 5. Further, the transport mechanism 222 takes out the substrate W from the plating processing unit 5 and places the taken-out substrate W on the delivery unit 214.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the plating processing unit 5.
  • the plating processing unit 5 performs a liquid process including an electroless plating process.
  • the plating processing unit 5 is disposed on the chamber 51, the substrate holding unit 52 disposed in the chamber 51 and holding the substrate W horizontally, and plating on the upper surface (processing surface Sw) of the substrate W held by the substrate holding unit 52.
  • a plating solution supply unit 53 (treatment solution supply unit) for supplying the solution L1 (treatment solution).
  • the substrate holding unit 52 has a chuck member 521 that vacuum-sucks the lower surface (rear surface) of the substrate W.
  • the substrate holding unit 52 is a so-called vacuum chuck type, but the substrate holding unit 52 is not limited to this, and may be, for example, a mechanical chuck type that holds the outer edge portion of the substrate W by a chuck mechanism or the like.
  • a rotation motor 523 (rotation drive unit) is connected to the substrate holding unit 52 via a rotation shaft 522. When the rotation motor 523 is driven, the substrate holding unit 52 rotates with the substrate W.
  • the rotary motor 523 is supported by a base 524 fixed to the chamber 51.
  • the plating solution supply unit 53 discharges (supplys) the plating solution L1 to the substrate W held by the substrate holding unit 52 (plating solution nozzle 531 (processing solution nozzle)) and plating that supplies the plating solution L1 to the plating solution nozzle 531 And a liquid supply source 532.
  • the plating solution supply source 532 supplies the plating solution nozzle 531 with the plating solution L1 that has been heated or adjusted to a predetermined temperature.
  • the temperature of the plating solution L1 when discharged from the plating solution nozzle 531 is, for example, 55 ° C. or more and 75 ° C. or less, more preferably 60 ° C. or more and 70 ° C. or less.
  • the plating solution nozzle 531 is held by the nozzle arm 56 so as to be movable.
  • the plating solution L1 is a plating solution for autocatalytic (reduction) electroless plating.
  • the plating solution L1 includes, for example, metal ions such as cobalt (Co) ion, nickel (Ni) ion, tungsten (W) ion, copper (Cu) ion, palladium (Pd) ion, gold (Au) ion, and the like. It contains a reducing agent such as phosphoric acid and dimethylamine borane.
  • the plating solution L1 may contain an additive and the like.
  • Examples of the plating film (metal film) formed by the plating treatment using the plating solution L1 include CoWB, CoB, CoWP, CoWBP, NiWB, NiB, NiWP, NiWBP and the like.
  • the plating processing unit 5 As another processing liquid supply unit, the plating processing unit 5 according to the present embodiment rinses the upper surface of the substrate W with the cleaning liquid supply unit 54 that supplies the cleaning liquid L2 to the upper surface of the substrate W held by the substrate holding unit 52. And a rinse liquid supply unit 55 for supplying the liquid L3.
  • the cleaning solution supply unit 54 has a cleaning solution nozzle 541 for discharging the cleaning solution L2 onto the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a cleaning solution supply source 542 for supplying the cleaning solution L2 to the cleaning solution nozzle 541.
  • the cleaning liquid L2 include organic acids such as formic acid, malic acid, succinic acid, citric acid and malonic acid, and hydrofluoric acid (DHF) diluted to a concentration that does not corrode the surface to be plated of the substrate W.
  • An aqueous solution of hydrogen chloride or the like can be used.
  • the cleaning solution nozzle 541 is held by the nozzle arm 56 so as to be movable together with the plating solution nozzle 531.
  • the rinse liquid supply unit 55 has a rinse liquid nozzle 551 that discharges the rinse liquid L3 onto the substrate W held by the substrate holding unit 52, and a rinse liquid supply source 552 that supplies the rinse liquid L3 to the rinse liquid nozzle 551.
  • the rinse solution nozzle 551 is held by the nozzle arm 56 and is movable together with the plating solution nozzle 531 and the cleaning solution nozzle 541.
  • pure water can be used as the rinse liquid L3.
  • a nozzle moving mechanism (not shown) is connected to the nozzle arm 56 holding the plating solution nozzle 531, the cleaning solution nozzle 541, and the rinse solution nozzle 551 described above.
  • the nozzle moving mechanism moves the nozzle arm 56 horizontally and vertically. More specifically, between the discharge position at which the nozzle arm 56 discharges the processing liquid (plating solution L1, cleaning liquid L2 or rinse liquid L3) onto the substrate W by the nozzle moving mechanism, and the retracted position retracted from the discharge position. It is possible to move with.
  • the ejection position is not particularly limited as long as the processing liquid can be supplied to any position on the upper surface of the substrate W. For example, it is preferable to set a position where the processing liquid can be supplied to the center of the substrate W as a discharge position.
  • the discharge position of the nozzle arm 56 may be different depending on when the rinse liquid L3 is supplied.
  • the retracted position is a position in the chamber 51 which does not overlap the substrate W when viewed from above, and is a position separated from the discharge position.
  • a cup 571 is provided around the substrate holding unit 52.
  • the cup 571 is formed in a ring shape when viewed from above, and receives the processing liquid scattered from the substrate W when the substrate W rotates, and guides the processing liquid to a drain duct 581 described later.
  • An atmosphere blocking cover 572 is provided on the outer peripheral side of the cup 571 to suppress the diffusion of the atmosphere around the substrate W into the chamber 51.
  • the atmosphere blocking cover 572 is formed in a cylindrical shape so as to extend in the vertical direction, and the upper end is open. A lid 6 described later can be inserted into the atmosphere blocking cover 572 from above.
  • a drain duct 581 is provided below the cup 571.
  • the drain duct 581 is formed in a ring shape when viewed from above, and receives and discharges the processing liquid received and lowered by the cup 571 and the processing liquid directly lowered from the periphery of the substrate W.
  • An inner cover 582 is provided on the inner peripheral side of the drain duct 581.
  • the substrate W held by the substrate holding unit 52 is covered by the lid 6.
  • the lid 6 has a ceiling 61 and a side wall 62 extending downward from the ceiling 61.
  • the ceiling portion 61 is disposed above the substrate W held by the substrate holding portion 52 when the lid 6 is positioned at a lower position described later, and faces the substrate W at a relatively small distance.
  • the ceiling portion 61 includes a first ceiling plate 611 and a second ceiling plate 612 provided on the first ceiling plate 611.
  • a heater 63 (heating unit) is interposed between the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612, and the first ceiling plate 611 is provided as a first planar body and a second planar body provided so as to sandwich the heater 63.
  • a second ceiling plate 612 is provided.
  • the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 seal the heater 63 so that the heater 63 does not touch the processing solution such as the plating solution L1.
  • a seal ring 613 is provided between the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 on the outer peripheral side of the heater 63, and the heater 63 is sealed by the seal ring 613.
  • the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 preferably have corrosion resistance to a processing solution such as the plating solution L1, and may be made of, for example, an aluminum alloy.
  • a processing solution such as the plating solution L1
  • the first ceiling plate 611, the second ceiling plate 612 and the side wall portion 62 may be coated with Teflon (registered trademark).
  • a lid moving mechanism 7 is connected to the lid 6 via a lid arm 71.
  • the lid moving mechanism 7 moves the lid 6 horizontally and vertically. More specifically, the lid moving mechanism 7 has a swing motor 72 for moving the lid 6 in the horizontal direction, and a cylinder 73 (space adjustment unit) for moving the lid 6 in the vertical direction.
  • the swing motor 72 is mounted on a support plate 74 provided so as to be movable in the vertical direction with respect to the cylinder 73.
  • an actuator (not shown) including a motor and a ball screw may be used.
  • the swing motor 72 of the lid moving mechanism 7 moves the lid 6 between an upper position disposed above the substrate W held by the substrate holding unit 52 and a retracted position retracted from the upper position.
  • the upper position is a position facing the substrate W held by the substrate holding unit 52 at a relatively large distance, and is a position overlapping the substrate W when viewed from above.
  • the retracted position is a position in the chamber 51 which does not overlap the substrate W when viewed from above.
  • the cylinder 73 of the lid moving mechanism 7 moves the lid 6 in the vertical direction to adjust the distance between the substrate W on which the plating solution L1 is deposited on the processing surface Sw and the first ceiling plate 611 of the ceiling portion 61. Do. More specifically, the cylinder 73 positions the lid 6 at a lower position (indicated by a solid line in FIG. 2) and at an upper position (indicated by a two-dot chain line in FIG. 2).
  • the first ceiling plate 611 When the lid 6 is disposed at the lower position, the first ceiling plate 611 approaches the substrate W. In this case, it is preferable to set the lower position so that the first ceiling plate 611 does not touch the plating solution L1 on the substrate W in order to prevent the contamination of the plating solution L1 and the generation of air bubbles in the plating solution L1. is there.
  • the upper position is a height position that can prevent the lid 6 from interfering with surrounding structures such as the cup 571 and the atmosphere blocking cover 572 when the lid 6 is pivoted in the horizontal direction. .
  • the heater 63 when the heater 63 is driven and the lid 6 is positioned at the above-described lower position, the plating solution L1 on the substrate W is heated.
  • the side wall portion 62 of the lid 6 extends downward from the peripheral portion of the first ceiling plate 611 of the ceiling portion 61, and when heating the plating solution L1 on the substrate W (ie, the lid 6 is positioned at the lower position) Case) is disposed on the outer peripheral side of the substrate W.
  • the lower end of the side wall portion 62 may be positioned lower than the substrate W.
  • a heater 63 is provided on the ceiling portion 61 of the lid 6.
  • the heater 63 heats the processing solution (preferably, the plating solution L1) on the substrate W when the lid 6 is positioned at the lower position.
  • the heater 63 is interposed between the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 of the lid 6, and is sealed as described above, and the heater 63 is treated with the plating solution L1 or the like. It is prevented from touching the liquid.
  • an inert gas for example, nitrogen (N 2 ) gas
  • the inert gas supply unit 66 includes a gas nozzle 661 that discharges an inert gas to the inside of the lid 6 and an inert gas supply source 662 that supplies the gas nozzle 661 with the inert gas.
  • the gas nozzle 661 is provided on the ceiling portion 61 of the lid 6 and discharges the inert gas toward the substrate W in a state where the lid 6 covers the substrate W.
  • the ceiling portion 61 and the side wall portion 62 of the lid 6 are covered by a lid cover 64.
  • the lid cover 64 is placed on the second ceiling plate 612 of the lid 6 via the support portion 65. That is, on the second ceiling plate 612, a plurality of support portions 65 projecting upward from the upper surface of the second ceiling plate 612 are provided, and the lid cover 64 is placed on the support portions 65.
  • the lid cover 64 is movable together with the lid 6 in the horizontal and vertical directions.
  • the lid cover 64 preferably has higher heat insulation than the ceiling portion 61 and the side wall portion 62 in order to suppress heat in the lid 6 from escaping to the periphery.
  • the lid cover 64 is preferably made of a resin material, and it is more preferable that the resin material has heat resistance.
  • a fan filter unit 59 (gas supply unit) for supplying clean air (gas) around the lid 6 is provided.
  • the fan filter unit 59 supplies air into the chamber 51 (particularly, into the atmosphere blocking cover 572), and the supplied air flows toward an exhaust pipe 81 described later.
  • a downflow in which the air flows downward is formed around the lid 6, and a gas vaporized from the processing solution such as the plating solution L1 flows toward the exhaust pipe 81 by the downflow.
  • the gas vaporized from the processing liquid is prevented from rising and diffusing into the chamber 51.
  • the gas supplied from the fan filter unit 59 described above is exhausted by the exhaust mechanism 8.
  • the exhaust mechanism 8 has two exhaust pipes 81 provided below the cup 571 and an exhaust duct 82 provided below the drain duct 581.
  • the two exhaust pipes 81 penetrate the bottom of the drain duct 581 and communicate with the exhaust duct 82, respectively.
  • the exhaust duct 82 is substantially formed in a semicircular ring shape when viewed from above. In the present embodiment, one exhaust duct 82 is provided below the drain duct 581, and two exhaust pipes 81 communicate with the exhaust duct 82.
  • the plating solution L1 on the processing surface Sw of the substrate W is heated by the heating unit 35 including the heater 63 and the ceiling portion 61 supporting the heater 63. .
  • FIG. 3 is a plan view of the heating unit 35 and shows a plurality of heating zones Z1 to Z3 in the heating unit 35.
  • the heating unit 35 has a circular planar shape as a whole, has substantially the same size or a slightly larger size as the processing surface Sw of the substrate W in the horizontal direction, and can cover the entire processing surface Sw of the substrate W.
  • the heating unit 35 of the present embodiment includes a first heating zone Z1 having a circular planar shape, a second heating zone Z2 having an annular planar shape surrounding the first heating zone Z1, and an annular shape surrounding the second heating zone Z2. And a third heating zone Z3 having a planar shape of The respective heating zones Z1 to Z3 are provided to heat the processing solution on the processing surface Sw of the substrate W located immediately below when the lid 6 is disposed at the lower position (see the solid line position in FIG. 2). It is done.
  • the treatment surface Sw is divided into a plurality of treatment zones (not shown), each of the plurality of treatment zones is assigned a specific heating zone of the heating unit 35, and the treatment liquid is It is heated per treatment zone.
  • the first heating zone Z1 mainly heats the processing solution in the processing zone having a circular planar shape based on the center of the processing surface Sw.
  • the third heating zone Z3 mainly heats the processing solution on the processing zone (in particular, the processing zone including the outer peripheral portion of the processing surface Sw) having an annular planar shape.
  • the second heating zone Z2 mainly heats the processing solution in the processing zone having an annular planar shape between the processing zone to which the first heating zone Z1 is allocated and the processing zone to which the third heating zone Z3 is allocated.
  • the planar shape and arrangement of the plurality of heating zones Z1 to Z3 are not limited to the illustrated shape and arrangement.
  • the plurality of heating zones Z1 to Z3 are provided with equal widths in the radial direction from the center O, the radial widths of the plurality of heating zones Z1 to Z3 are not necessarily mutually It does not have to be equal to
  • the plurality of heating zones Z1 to Z3 are provided concentrically, but, for example, each heating zone may have a rectangular planar shape.
  • the above-mentioned names of the first heating zone Z1, the second heating zone Z2 and the third heating zone Z3 are used solely to distinguish the heating zones, and the arrangement relationship of the heating zones is limited. Absent.
  • the first heating zone Z1 may be farther from the center of the processing surface Sw than the second heating zone Z2 and the third heating zone Z3, and the first heating zone Z1 to the third heating zone Z3 are not necessarily in the ordinal order You do not have to line up.
  • the planar shape and the arrangement of the treatment zone on the treatment surface Sw correspond to the planar shape and the arrangement of the heating zone of the heating unit 35.
  • FIG. 4 is a view showing a cross-sectional configuration of the heating unit 35 (first example) at a portion indicated by reference symbol “IV” in FIG.
  • the cross-sectional structure in the vicinity of the boundary B23 between the second heating zone Z2 and the third heating zone Z3 will be described as an example, but the boundary B12 between the first heating zone Z1 and the second heating zone Z2 will be described.
  • the cross section in the vicinity also has the same structure.
  • the heater 63 has a plurality of heating elements 40 provided in each of the plurality of heating zones Z1 to Z3 of the heating unit 35, and a support plate 41 for supporting the heating elements 40.
  • the specific configuration of the heating element 40 and the support plate 41 is not limited, and the heater 63 can be configured by a mica heater that is typically a planar heating element, and the support plate 41 is configured by mica (mica) It is also good.
  • each heating element 40 is embedded in the support plate 41 in the illustrated heater 63, the installation mode of each heating element 40 with respect to each support plate 41 is not limited.
  • each heating element 40 is interposed between a pair of support plates 41. It may be arranged.
  • At least one of the first ceiling plate 611 (first planar body) and the second ceiling plate 612 (second planar body) has a groove 45.
  • the groove 45 is provided in a region corresponding to the boundary between adjacent heating zones among the plurality of heating zones Z1 to Z3.
  • the groove 45 is constituted by a space formed in the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612.
  • the specific shape and configuration of the groove 45 are not limited to the illustrated example.
  • the groove 45 may be a space which does not penetrate the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612 as shown in FIG. 4 (that is, a space defined by the side wall and the bottom wall).
  • the groove 45 may be a space passing through the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612 (that is, a space defined by the side wall) as shown in FIG. 5 described later.
  • each of the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 has one groove 45 between adjacent heating zones.
  • the cross-sectional area in the height direction of the portion where the groove 45 is provided is smaller than the cross-sectional area in the height direction of the portion where the groove 45 is not provided.
  • the groove 45 having such a configuration acts as a resistance for heat transfer and suppresses the conduction of heat between adjacent heating zones. That is, the amount of heat conducted is suppressed in the portion where the groove 45 is provided in the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 as compared with the portion where the groove 45 is not provided.
  • the heating control in units of heating zones is accurately performed. be able to. Therefore, the heating control of the plating solution L1 on the processing surface Sw of the substrate W can be accurately performed in zone units.
  • FIG. 5 is a view showing a cross-sectional configuration of the heating unit 35 (second example).
  • the elements that are the same as or similar to the heating unit 35 (see FIG. 4) of the first example described above are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted.
  • the groove 45 provided in the first ceiling plate 611 penetrates the first ceiling plate 611.
  • the other configuration of the heating unit 35 shown in FIG. 5 is the same as that of the heating unit 35 shown in FIG.
  • the groove 45 of the first ceiling plate 611 completely penetrates the first ceiling plate 611, whereby the first ceiling plate 611 can be completely divided between the heating zones. Thereby, the conduction of heat through the first ceiling plate 611 is blocked by the groove 45, and heat can be effectively prevented from being transmitted between adjacent heating zones. Therefore, it is easy to provide a large temperature difference between adjacent heating zones, and heating control of the processing liquid on the processing surface Sw of the substrate W can be performed with high accuracy in processing zone units. Further, even in the case where a large temperature difference is provided between the heating zones, the thermal stress that can be generated in the first ceiling plate 611 can be effectively reduced by the groove 45 provided as a through hole, and the heating caused by the thermal stress The occurrence of distortion of the unit 35 can be prevented.
  • the groove 45 of the second ceiling plate 612 shown in FIG. 5 is opened to the heater 63 side similarly to the groove 45 of the second ceiling plate 612 shown in FIG. 4, and the side opposite to the heater 63 is the second ceiling plate 612. Is closed by The groove 45 of the second ceiling plate 612 may also penetrate through the second ceiling plate 612 similarly to the groove 45 of the first ceiling plate 611. For example, the groove 45 of the second ceiling plate 612 may penetrate through the second ceiling plate 612 while the groove 45 of the first ceiling plate 611 penetrates the first ceiling plate 611. Although the groove 45 of the first ceiling plate 611 does not penetrate the first ceiling plate 611, the groove 45 of the second ceiling plate 612 may penetrate the second ceiling plate 612.
  • the second ceiling plate 612 is not completely divided by the groove 45.
  • the second ceiling plate 612 contributes less to the heating of the processing liquid on the processing surface Sw than the first ceiling plate 611.
  • the groove 45 of the first ceiling plate 611 penetrates the first ceiling plate 611 while the second ceiling
  • the groove 45 of the plate 612 preferably does not penetrate through the second ceiling plate 612.
  • the inventors of the present invention have repeatedly performed a simulation to consider a temperature difference that may occur between heating zones while changing characteristics such as the shape and arrangement of the groove 45 of the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612.
  • temperature differences of about 1 to 2 ° C. may not be applied between adjacent heating zones, but by forming the grooves 45 as through holes between adjacent heating zones.
  • a temperature difference of 10 ° C. or more could be added.
  • a temperature difference of 30 ° C. or more can be provided between adjacent heating zones by forming the second ceiling plate 612 with a resin thermal insulator and making the groove 45 of the first ceiling plate 611 a through hole. It was also confirmed that there is a case.
  • it is very effective to form a large temperature difference between adjacent heating zones, by configuring the groove 45 of the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612 as a through hole.
  • each groove 45 shown in FIG. 4 opens in a direction toward the heater 63, but may open in a direction away from the heater 63.
  • one of the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 (for example, the first ceiling plate 611) has a groove 45 opened in a direction away from the heater 63, and the other (for example, the second ceiling plate 612) is a heater It may have a groove 45 opening in a direction toward 63.
  • first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 may have both the groove 45 opening in the direction away from the heater 63 and the groove 45 opening in the direction toward the heater 63.
  • the form of the groove 45 may be determined according to the formation location. For example, the form of the groove 45 provided in the region corresponding to the boundary B12 between the first heating zone Z1 and the second heating zone Z2 and the boundary B23 between the second heating zone Z2 and the third heating zone Z3 The form of the grooves 45 provided in the corresponding regions may be different from each other.
  • the first ceiling plate 611 is disposed at a position closer to the processing surface Sw than the second ceiling plate 612 between the heater 63 and the processing surface Sw. Therefore, from the viewpoint of accurately controlling the heating of the plating solution L1 on the processing surface Sw in units of processing zones, at least the first ceiling plate 611 of the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 may be provided with the groove 45. preferable. Further, from the viewpoint of efficiently transferring the heat from the heating element 40 to the plating solution L1 on the treated surface Sw, the groove 45 opened in the direction away from the heater 63 is formed in the first ceiling plate 611. It is preferable to increase the surface area of the lower surface to increase the heat dissipation area.
  • Each of the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 shown in FIGS. 4 and 5 has one groove 45 in the area corresponding to the boundary between the adjacent heating zones.
  • the groove 45 may be provided.
  • the "area corresponding to the boundary between adjacent heating zones” refers to an area near the boundary defined with reference to the boundary between adjacent heating zones, and a heating element provided in each of the adjacent heating zones An area 40 is not arranged.
  • the symbol “B” represents “an area corresponding to the boundary between adjacent heating zones", and one or both ends of the adjacent heating zones are "on the boundary between adjacent heating zones. It may be included in the corresponding area B ".
  • the material of the second ceiling plate 612 may be different from the material of the first ceiling plate 611.
  • the first ceiling plate 611 is made of a material (for example, an aluminum alloy) excellent in heat transfer performance (especially heat conduction performance and heat radiation performance)
  • the heat transfer performance is inferior to the constituent materials of the first ceiling board 611
  • the second ceiling plate 612 may be made of a material (for example, resin).
  • the radiant heat from the first ceiling plate 611 is directly transmitted to the processing liquid on the processing surface Sw of the substrate W. Therefore, the processing liquid on the processing surface Sw of the substrate W can be efficiently heated by forming the first ceiling plate 611 with a material excellent in heat transfer performance.
  • the heat of the second ceiling plate 612 is basically to the treatment liquid on the treatment surface Sw. Can not be transmitted directly.
  • the heat of the second ceiling plate 612 is transmitted between the heating zones of the heating unit 35 through the second ceiling plate 612, which may inhibit the formation of a large temperature difference between the heating zones. Therefore, by forming the second ceiling plate 612 with a material having a low heat transfer performance, it is possible to easily make a desired temperature difference between the heating zones of the heating unit 35.
  • the filling member 46 may be disposed in the groove 45.
  • the filling member 46 is a material (for example, resin or other heat insulation) inferior to the first ceiling plate 611 and the second ceiling plate 612 in heat transfer performance (particularly heat conduction performance). Material) is preferable.
  • the groove 45 of the first ceiling plate 611 is a through hole, the first ceiling plate 611 is used to prevent particles from falling through the groove 45 onto the processing surface Sw during processing of the substrate W.
  • the filling member 46 is arranged in the groove 45 provided in the. In the heating unit 35 shown in FIG.
  • both the groove 45 of the first ceiling plate 611 and the groove 45 of the second ceiling plate 612 are through holes, and the whole of each of the grooves 45 is made of a heat insulating material.
  • the filling member 46 is filled. In this case, it is possible to prevent the heat transfer between the heating zones while securing the strength of the heating unit 35, and to easily provide a large temperature difference between the heating zones.
  • the filling member 46 may not necessarily fill the entire groove 45, and may be disposed only in a part of the groove 45. Also, the filling member 46 may be disposed in the groove 45 (see FIG. 4) which is not a through hole.
  • the distance between the first ceiling plate 611 and the processing surface Sw of the substrate W may be different from each other. That is, the first ceiling plate 611 in a certain heating zone may project further to the processing surface Sw side (that is, the lower side in FIG. 7) of the substrate W than the first ceiling plate 611 in one or more other heating zones. In this case, the surface on the treated surface Sw side of the first ceiling plate 611 in a certain heating zone is closer to the treated surface Sw than the surface on the treated surface Sw side of the first ceiling plate 611 in one or more other heating zones. It can be arranged. As the first ceiling plate 611 is closer to the processing surface Sw, the processing liquid on the processing surface Sw is efficiently heated. Accordingly, by changing the distance between the first ceiling plate 611 and the processing surface Sw of the substrate W between the heating zones, the heating efficiency of the processing liquid can be changed for each processing zone.
  • the distance (also referred to as “first heating interval”) D1 between the first ceiling plate 611 and the processing surface Sw in the first heating zone Z1 is the distance between the first ceiling plate 611 and the treatment in the second heating zone Z2.
  • the distance to the surface Sw (also referred to as “second heating interval”) D2 is smaller (D1 ⁇ D2). Therefore, the temperature of the processing liquid in the processing zone corresponding to the first heating zone Z1 is more likely to be raised by the heating unit 35 than the temperature of the processing liquid in the processing zone corresponding to the second heating zone Z2.
  • the distance (also referred to as “third heating interval”) D3 between the first ceiling plate 611 and the processing surface Sw in the third heating zone Z3 is the first heating interval D1 and / or Alternatively, it may be different from the second heating interval D2.
  • the heating interval of the heating zone corresponding to the treatment zone in which the temperature of the treatment liquid hardly rises (for example, the first heating interval D1 and / or the third heating interval D3) Is preferably smaller than the heating intervals (for example, the second heating interval D2) of the other heating zones.
  • Control of heating unit 35 is performed by control part 3 (refer to Drawing 1).
  • the third The calorific value from the heating element 40 disposed in the heating zone Z3 is larger than the calorific value from the heating element 40 disposed in the first heating zone Z1.
  • a temperature detection sensor such as an infrared sensor capable of measuring the temperature of the plating solution L1 on the processing surface Sw for each processing zone may be installed.
  • the control unit 3 may control the calorific value of each heating element 40 (for example, the electric power supplied to each heating element 40) based on the detection result of the temperature detection sensor.
  • the plating method implemented by the plating apparatus 1 includes a plating process on the substrate W.
  • the plating process is performed by the plating unit 5.
  • the operation of the plating processing unit 5 described below is controlled by the control unit 3. During the following processing, clean air is supplied from the fan filter unit 59 into the chamber 51 and flows toward the exhaust pipe 81.
  • the substrate W is carried into the plating processing unit 5, and the substrate W is held horizontally by the substrate holding unit 52 (step S1).
  • step S2 cleaning processing of the substrate W held by the substrate holding unit 52 is performed (step S2).
  • the rotary motor 523 is first driven to rotate the substrate W at a predetermined number of rotations, and then the nozzle arm 56 positioned at the retracted position is moved to the discharge position, and the rotating substrate W is cleaned
  • the cleaning liquid L2 is supplied from the nozzle 541 to clean the surface of the substrate W.
  • the cleaning liquid L2 supplied to the substrate W is discharged to the drain duct 581.
  • a rinse process is performed on the substrate W (step S3).
  • the rinse solution L3 is supplied from the rinse solution nozzle 551 to the rotating substrate W to rinse the surface of the substrate W.
  • the cleaning liquid L2 remaining on the substrate W is washed away.
  • the rinse liquid L3 supplied to the substrate W is discharged to the drain duct 581.
  • a plating solution application step of forming a paddle of the plating solution L1 on the processing surface Sw of the substrate W is performed (step S4).
  • the number of rotations of the substrate W is reduced compared to the number of rotations at the time of the rinse process, and for example, the number of rotations of the substrate W may be 50 to 150 rpm. Thereby, the plating film formed on the substrate W can be made uniform.
  • the amount of deposition of the plating solution L1 may be increased by stopping the rotation of the substrate W.
  • the plating solution L1 is discharged from the plating solution nozzle 531 to the upper surface (that is, the processing surface Sw) of the substrate W.
  • the plating solution L1 remains on the treated surface Sw due to surface tension, and a layer (so-called paddle) of the plating solution L1 is formed. A portion of the plating solution L1 flows out of the processing surface Sw and is discharged through the drain duct 581. After the predetermined amount of plating solution L1 is discharged from the plating solution nozzle 531, the discharge of the plating solution L1 is stopped. Thereafter, the nozzle arm 56 is positioned at the retracted position.
  • a plating solution heat treatment step the plating solution L1 deposited on the substrate W is heated.
  • a process of covering the substrate W with the cover 6 step S5), a process of supplying an inert gas (step S6), and the process of arranging the cover 6 at a lower position
  • a heating step (step S7) of heating and a step (step S8) of retracting the lid 6 from above the substrate W are included.
  • the number of rotations of the substrate W is preferably maintained at the same speed (or the rotation stop) as the plating solution deposition step.
  • step S5 In the step of covering the substrate W with the lid 6 (step S5), first, the swing motor 72 of the lid moving mechanism 7 is driven to horizontally move the lid 6 positioned at the retracted position in the horizontal direction. It is located at the upper position. Subsequently, the cylinder 73 of the lid moving mechanism 7 is driven, and the lid 6 positioned at the upper position is lowered and positioned at the lower position, and the substrate W is covered by the lid 6 and the periphery of the substrate W Space is blocked.
  • an inert gas is discharged from the gas nozzle 661 provided on the ceiling 61 of the lid 6 to the inside of the lid 6 (step S6).
  • the air inside the lid 6 is replaced with the inert gas, and the periphery of the substrate W becomes a low oxygen atmosphere.
  • the inert gas is discharged for a predetermined time, and then the discharge of the inert gas is stopped.
  • the plating solution L1 deposited on the substrate W is heated (step S7).
  • the temperature of the plating solution L1 rises to a temperature at which the component in the plating solution L1 precipitates, the component of the plating solution L1 precipitates on the upper surface of the substrate W to form and grow a plating film.
  • the plating solution L1 is heated and maintained at the deposition temperature for a time necessary to obtain a plating film having a desired thickness.
  • the lid moving mechanism 7 is driven to position the lid 6 at the retracted position (step S8).
  • the plating solution heat treatment process steps S5 to S8 of the substrate W is completed.
  • the substrate W is rinsed (step S9).
  • this rinse process first, the number of rotations of the substrate W is increased more than the number of rotations during the plating process, and the substrate W is rotated at the same number of rotations as the substrate rinsing process (step S3) before the plating process, for example.
  • the rinse liquid nozzle 551 positioned at the retracted position is moved to the discharge position.
  • the rinse solution L3 is supplied from the rinse solution nozzle 551 to the rotating substrate W, the surface of the substrate W is cleaned, and the plating solution L1 remaining on the substrate W is washed away.
  • the substrate W is dried (step S10).
  • the substrate W is rotated at a high speed, and, for example, the number of rotations of the substrate W is increased more than the number of rotations of the substrate rinsing process (step S9).
  • the rinse liquid L3 remaining on the substrate W is shaken off and removed, and the substrate W on which the plating film is formed is obtained.
  • drying of the substrate W may be promoted by blowing an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas onto the substrate W.
  • the substrate W is taken out of the substrate holding unit 52 and carried out of the plating processing unit 5 (step S11).
  • step S7 particularly when the plating solution L1 on the processing surface Sw of the substrate W is heated (step S7), the energized state of the heating element 40 in each heating zone of the heater 63 divided by the groove 45 Is controlled by the control unit 3, and heating control of the plating solution L1 on the processing surface Sw is performed in zone units.
  • the heating control of the plating solution L1 on the substrate W is accurately performed in zone units by providing the grooves 45 in the region corresponding to the boundary between adjacent heating zones in the heater 63. be able to.
  • the groove 45 in the first ceiling plate 611 disposed between the heater 63 and the substrate W in particular, the processing surface Sw
  • the amount of heat emitted from the heater 63 toward the substrate W is effective for each heating zone Can be changed.
  • the groove 45 so as to open in the direction toward the heater 63, the surface area of the portion of the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612 facing the heater 63 can be increased. It can receive efficiently the radiation of the heat emitted from 63. Also, the exposed surface (i.e., the lower surface) of the first ceiling plate 611 and the exposed surface (i.e., the upper surface) of the second ceiling plate 612 can be formed flat.
  • the groove 45 so as to open in a direction away from the heater 63, it is possible to increase the surface area exposed outward, and the heat generated by the heater 63 (particularly each heating element 40) is efficiently It can be transmitted outside.
  • the heat conduction between the heating zones can be more effectively suppressed, and the surface area can be further increased.
  • the process of forming the groove 45 in the first ceiling plate 611 and / or the second ceiling plate 612 can be performed relatively easily, and the heating unit 35 can be configured simply. Furthermore, a general-purpose device such as a mica heater can be used as the heater 63, and the heating unit 35 can be configured inexpensively.
  • the present invention is not limited to the above embodiment and modification as it is, and at the implementation stage, the constituent elements can be modified and embodied without departing from the scope of the invention. Further, various inventions can be formed by appropriate combinations of a plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiment and modification. Some components may be deleted from all the components shown in the embodiment and the modification. Furthermore, components in different embodiments and variations may be combined as appropriate.
  • the substrate liquid processing apparatus and the substrate liquid processing method according to the present invention are effective for processing liquids other than the plating liquid L1 and liquid processing other than the plating processing.
  • a program that when executed by a computer for controlling the operation of the substrate liquid processing apparatus (plating processing apparatus 1), the computer controls the substrate liquid processing apparatus to execute the above-described substrate liquid processing method.
  • the present invention may be embodied as a recorded recording medium (for example, the recording medium 31 of the control unit 3).

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

［課題］基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる基板液処理装置を提供する。 ［解決手段］基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板の処理面に処理液を供給する処理液供給部と、処理面上の処理液を加熱する加熱ユニットとを備える。加熱ユニットは、ヒータと、ヒータを挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体とを有する。ヒータは、加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有する。第１面状体及び第２面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる。

Description

基板液処理装置
　本発明は、基板液処理装置に関する。
　一般に、基板（ウエハ）を洗浄処理するための洗浄液や、基板をめっき処理するためのめっき液等の処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置が知られている（例えば特許文献１～３参照）。このような基板液処理装置において、加熱された処理液を用いることがある。そのような液処理を適切に行うには、基板上において処理液が液処理に適した所望温度を有する必要があり、特に処理面の全面にわたって均一な液処理を行うには、処理面の全面にわたって処理液が均一な温度を有する必要がある。
　しかしながら様々な要因で、処理液は処理面上において必ずしも均一な温度を有していないことがある。例えば基板の外周部の処理液は、中央部の処理液に比べて温度が低下し易い傾向がある。
　そのような基板上の処理液の温度の不均一を解消するため、処理面を複数の処理ゾーンに分割するとともにヒータ等の加熱ユニットを複数の加熱ゾーンに分割し、それぞれの処理ゾーンに対応の加熱ゾーンを割り当てて、処理ゾーン単位で最適化された熱量によって処理液を加熱する方法が考えられる。しかしながら、処理液の加熱制御を処理ゾーン単位で適切に行うことは難しい。特に、加熱ユニットから発せられる熱は隣接する加熱ゾーン間で伝導するため、隣接する加熱ゾーン間で、処理液に対して実質的に付与する熱量に明確な差や勾配をつけることができない場合がある。
特開平９－１７７６１号公報 特開２００４－１０７７４７号公報 特開２０１２－１３６７８３号公報
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる基板液処理装置を提供する。
　本発明の一態様は、処理液によって基板の処理面の液処理を行う基板液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部により保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給部と、処理面上の処理液を加熱する加熱ユニットと、を備え、加熱ユニットは、ヒータと、ヒータを挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体と、を有し、ヒータは、加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有し、第１面状体及び第２面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる基板液処理装置に関する。
　本発明によれば、基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる。
図１は、めっき処理装置の構成を示す概略平面図である。 図２は、図１に示すめっき処理部の構成を示す断面図である。 図３は、加熱ユニットの平面図であり、加熱ユニットにおける複数の加熱ゾーンを示す。 図４は、図３の符合「ＩＶ」で示される箇所における加熱ユニット（第１の例）の断面構成を示す図である。 図５は、加熱ユニット（第２の例）の断面構成を示す図である。 図６は、加熱ユニットの一変形例の断面構成を示す図である。 図７は、加熱ユニットの他の変形例の断面構成を示す図である。 図８は、図１のめっき処理装置における基板のめっき処理を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。
　まず、図１を参照して、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給して基板Ｗをめっき処理（液処理）する装置である。
　図１に示すように、本発明の実施の形態に係るめっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。
　めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウエハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。
　制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。
　図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。
　めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。
　搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。
　載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。
　搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。
　処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。
　搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。
　めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。
　めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。
　次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。
　めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。このめっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面（処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１（処理液）を供給するめっき液供給部５３（処理液供給部）と、を備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプであるが、基板保持部５２はこれに限られず、例えばチャック機構等によって基板Ｗの外縁部を把持するメカニカルチャックタイプであってもよい。
　基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。　
　めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１（処理液ノズル）と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。
　めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。
　本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。
　洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。　
　リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１および洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。
　上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、およびリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２またはリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの上面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。
　基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。
　カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。
　基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。
　天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２および側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。
　蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。
　蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。
　蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。
　蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。
　上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。
　本実施の形態では、ヒータ６３が駆動されて、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されるように構成されている。
　蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（すなわち下方位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。
　蓋体６の天井部６１には、ヒータ６３が設けられている。ヒータ６３は、蓋体６が下方位置に位置づけられた場合に、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。本実施の形態では、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在し、上述したように密封されており、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れることが防止されている。
　本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有する。ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。
　蓋体６の天井部６１および側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向および上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。
　チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。
　上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。
［加熱ユニット（第１の例）］
　上述のように本実施形態のめっき処理部５では、ヒータ６３と当該ヒータ６３を支持する天井部６１とを具備する加熱ユニット３５によって、基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される。
　図３は、加熱ユニット３５の平面図であり、加熱ユニット３５における複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３を示す。加熱ユニット３５は、全体として円形の平面形状を持ち、水平方向に関して基板Ｗの処理面Ｓｗとほぼ同じサイズ若しくはやや大きなサイズを有し、基板Ｗの処理面Ｓｗの全体を覆うことができる。
　本実施形態の加熱ユニット３５は、円形の平面形状を持つ第１加熱ゾーンＺ１と、第１加熱ゾーンＺ１を囲む環状の平面形状を持つ第２加熱ゾーンＺ２と、第２加熱ゾーンＺ２を囲む環状の平面形状を持つ第３加熱ゾーンＺ３とに分割される。それぞれの加熱ゾーンＺ１～Ｚ３は、蓋体６が下方位置に配置された際に（図２の実線位置参照）、直下に位置する基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液を加熱するために設けられている。このように処理面Ｓｗは複数の処理ゾーン（図示省略）に分割され、複数の処理ゾーンの各々には加熱ユニット３５のうちの特定の加熱ゾーンが割り当てられ、処理液は、対応の加熱ゾーンによって処理ゾーン単位で加熱される。
　例えば第１加熱ゾーンＺ１は、処理面Ｓｗの中心を基準とした円形の平面形状を持つ処理ゾーンの処理液を主として加熱する。また第３加熱ゾーンＺ３は、環状の平面形状を持つ処理ゾーン（特に処理面Ｓｗの外周部を含む処理ゾーン）上の処理液を主として加熱する。そして第２加熱ゾーンＺ２は、第１加熱ゾーンＺ１が割り当てられる処理ゾーンと第３加熱ゾーンＺ３が割り当てられる処理ゾーンとの間の環状の平面形状を持つ処理ゾーンの処理液を主として加熱する。
　なお、複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３の平面形状や配置は図示の形状や配置には限定されない。例えば、図３に示す加熱ユニット３５では中心Ｏから半径方向に相互に等しい幅で複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３が設けられているが、複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３の半径方向の幅は必ずしも相互に等しくなくてもよい。また図示の加熱ユニット３５では複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３が同心円状に設けられているが、例えば各加熱ゾーンが矩形状の平面形状を有していてもよい。また上述の第１加熱ゾーンＺ１、第２加熱ゾーンＺ２及び第３加熱ゾーンＺ３の呼称は、専ら加熱ゾーンを区別するために用いられているに過ぎず、加熱ゾーンの配置関係を限定するものではない。例えば、第１加熱ゾーンＺ１が第２加熱ゾーンＺ２及び第３加熱ゾーンＺ３よりも処理面Ｓｗの中心から離れていてもよいし、第１加熱ゾーンＺ１～第３加熱ゾーンＺ３は必ずしも序数の順番に並んでいなくてもよい。なお処理面Ｓｗにおける処理ゾーンの平面形状や配置は、加熱ユニット３５の加熱ゾーンの平面形状や配置に対応する。
　図４は、図３の符合「ＩＶ」で示される箇所における加熱ユニット３５（第１の例）の断面構成を示す図である。以下では、一例として、第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間の境界Ｂ２３の近傍の断面構造を説明するが、第１加熱ゾーンＺ１と第２加熱ゾーンＺ２との間の境界Ｂ１２近傍の断面も同様の構造を有する。
　ヒータ６３は、加熱ユニット３５の複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３のそれぞれに設けられる複数の発熱体４０と、各発熱体４０を支持する支持プレート４１とを有する。発熱体４０及び支持プレート４１の具体的な構成は限定されず、典型的には面状発熱体であるマイカヒータによってヒータ６３を構成することができ、支持プレート４１をマイカ（雲母）によって構成してもよい。図示のヒータ６３では各発熱体４０が支持プレート４１に埋設されているが、各支持プレート４１に対する各発熱体４０の設置態様は限定されず、例えば一対の支持プレート４１間に各発熱体４０が配置されてもよい。
　上述の構成を有する加熱ユニット３５において、第１天井板６１１（第１面状体）及び第２天井板６１２（第２面状体）のうちの少なくともいずれか一方は溝４５を有する。この溝４５は、複数の加熱ゾーンＺ１～Ｚ３のうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる。
　溝４５は、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に形成された空間により構成されている。溝４５の具体的な形状及び構成は図示の例に限定されない。溝４５は、図４に示すように第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２を貫通しない空間（すなわち側壁及び底壁によって定められる空間）であってもよい。また溝４５は、後述の図５に示すように第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２を貫通する空間（すなわち側壁によって定められる空間）であってもよい。
　図４に示す加熱ユニット３５では、第１天井板６１１及び第２天井板６１２の各々が、隣接する加熱ゾーン間において１つの溝４５を有する。第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち、溝４５が設けられている箇所の高さ方向の断面積は、溝４５が設けられていない箇所の高さ方向の断面積よりも小さい。このような構成を有する溝４５は、伝熱に関する抵抗として働き、隣接する加熱ゾーン間における熱の伝導を抑制する。すなわち、第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち溝４５が設けられている箇所は、溝４５が設けられていない箇所に比べて伝導される熱量が抑えられる。このように隣接する加熱ゾーン間（図４では第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間）で熱が伝導されることを抑制することによって、加熱ゾーン単位の加熱制御を精度良く行うことができる。したがって基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御を、ゾーン単位で精度良く行うことができる。
［加熱ユニット（第２の例）］
　図５は、加熱ユニット３５（第２の例）の断面構成を示す図である。本例において、上述の第１の例の加熱ユニット３５（図４参照）と同一又は類似の要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
　本例の加熱ユニット３５において、第１天井板６１１（第１面状体）に設けられている溝４５は、第１天井板６１１を貫通する。図５に示す加熱ユニット３５の他の構成は、図４に示す加熱ユニット３５と同様である。
　第１天井板６１１が有する溝４５が第１天井板６１１を完全に貫通することによって、第１天井板６１１を加熱ゾーン間で完全に分割することができる。これにより、第１天井板６１１を通じた熱の伝導が溝４５によって遮断され、隣り合う加熱ゾーン間で熱が伝えられることを効果的に抑えることができる。そのため隣り合う加熱ゾーン間において大きな温度差をつけることが容易であり、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液の加熱制御を処理ゾーン単位で高精度に行うことができる。また加熱ゾーン間において大きな温度差を付ける場合であっても、貫通孔として設けられる溝４５によって第１天井板６１１に生じうる熱応力を効果的に低減することができ、熱応力に起因する加熱ユニット３５の歪みの発生を防ぐことができる。
　図５に示す第２天井板６１２が有する溝４５は、図４に示す第２天井板６１２が有する溝４５と同様に、ヒータ６３側に開口し、ヒータ６３とは反対側が第２天井板６１２によって閉じられている。なお第２天井板６１２が有する溝４５も、第１天井板６１１が有する溝４５と同様に、第２天井板６１２を貫通していてもよい。例えば第１天井板６１１が有する溝４５が第１天井板６１１を貫通しつつ、第２天井板６１２が有する溝４５が第２天井板６１２を貫通していてもよい。また第１天井板６１１が有する溝４５は第１天井板６１１を貫通しないが、第２天井板６１２が有する溝４５は第２天井板６１２を貫通していてもよい。
　ただし加熱ユニット３５の強度を確保する観点からは、第２天井板６１２は溝４５によって完全には分割されていない方が好ましい。第２天井板６１２は、第１天井板６１１に比べ、処理面Ｓｗ上の処理液の加熱に対する寄与が小さい。処理面Ｓｗ上の処理液の加熱制御と加熱ユニット３５の強度確保とをバランス良く両立させる観点からは、第１天井板６１１が有する溝４５は第１天井板６１１を貫通しつつ、第２天井板６１２が有する溝４５は第２天井板６１２を貫通しないことが好ましい。
　本件発明者は、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２が有する溝４５の形状及び配置等の特性を変えつつ、加熱ゾーン間に生じうる温度差を考察するシミュレーションを繰り返し行った。その結果、溝４５が貫通孔ではない場合には隣り合う加熱ゾーン間で１～２℃程度の温度差しか付けられなくても、溝４５を貫通孔として構成することによって隣り合う加熱ゾーン間において１０℃以上の温度差を付けることができる場合があることが確認された。特に、第２天井板６１２を樹脂製断熱材で構成し且つ第１天井板６１１が有する溝４５を貫通孔とすることで、隣り合う加熱ゾーン間において３０℃以上の温度差を付けることができる場合があることも確認された。このように、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２が有する溝４５を貫通孔として構成することは、隣り合う加熱ゾーン間に大きな温度差を付けるのに非常に有効である。
［加熱ユニット（他の例）］
　なお、溝４５は図４及び図５に示す形態には限定されず、様々な形態で第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に設けられることが可能である。例えば図４に示す各溝４５は、ヒータ６３に向かう方向に開口するが、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口していてもよい。また第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうちの一方（例えば第１天井板６１１）がヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５を有し、他方（例えば第２天井板６１２）がヒータ６３に向かう方向に開口する溝４５を有していてもよい。また第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうちの少なくとも一方が、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５及びヒータ６３に向かう方向に開口する溝４５の両者を有していてもよい。また形成場所に応じて溝４５の形態を決めてもよい。例えば、第１加熱ゾーンＺ１と第２加熱ゾーンＺ２との間の境界Ｂ１２に対応する領域に設けられる溝４５の形態と、第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間の境界Ｂ２３に対応する領域に設けられる溝４５の形態とを、互いに異ならせてもよい。
　第１天井板６１１は、ヒータ６３と処理面Ｓｗとの間において、第２天井板６１２よりも処理面Ｓｗに近い位置に配置される。そのため処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱を処理ゾーン単位で精度良く制御する観点からは、第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち少なくとも第１天井板６１１に溝４５を設けることが好ましい。また発熱体４０からの熱を効率良く処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１に伝える観点からは、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５を第１天井板６１１に形成し、第１天井板６１１の下面部の表面積を増大させて放熱面積を大きくすることが好ましい。
　また図４及び図５に示す第１天井板６１１及び第２天井板６１２の各々は、隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域において１つの溝４５を有しているが、当該領域において２以上の溝４５を有していてもよい。ここで言う「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域」とは、隣接する加熱ゾーン間の境界を基準にして定められる境界近傍の領域を指し、隣接する加熱ゾーンの各々に設けられる発熱体４０が配置されない領域である。図４では符合「Ｂ」によって「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域」が表されており、隣接する加熱ゾーンのうちの一方又は両方の端部が「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域Ｂ」に含まれていてもよい。
　また第２天井板６１２を構成する材料を、第１天井板６１１を構成する材料と異ならせてもよい。例えば、伝熱性能（特に熱伝導性能及び熱放射性能）に優れた材料（例えばアルミニウム合金）によって第１天井板６１１を構成しつつ、第１天井板６１１の構成材料よりも伝熱性能が劣る材料（例えば樹脂）によって第２天井板６１２を構成してもよい。第１天井板６１１からの放射熱は、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液に対して直接的に伝えられる。したがって伝熱性能に優れた材料により第１天井板６１１を構成することで、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液を効率良く加熱することができる。一方、第２天井板６１２と基板Ｗとの間にはヒータ６３及び第１天井板６１１が存在するので、第２天井板６１２の熱は、基本的に、処理面Ｓｗ上の処理液に対して直接的には伝えられない。また第２天井板６１２の熱は、第２天井板６１２を通じて加熱ユニット３５の加熱ゾーン間で伝えられるため、加熱ゾーン間で大きな温度差を付けることを阻害しうる。したがって、伝熱性能が低い材料により第２天井板６１２を構成することで、加熱ユニット３５の加熱ゾーン間において所望の温度差を付けることを容易にすることができる。
　また図６に示すように、溝４５に充填部材４６が配置されていてもよい。加熱ゾーン間で大きな温度差を付ける観点からは、充填部材４６は、第１天井板６１１及び第２天井板６１２よりも伝熱性能（特に熱伝導性能）に劣る材料（例えば樹脂や他の断熱材）によって構成されることが好ましい。また第１天井板６１１が有する溝４５が貫通孔である場合、基板Ｗの処理中にパーティクルが当該溝４５を通って処理面Ｓｗ上に落下することを防ぐ観点からは、第１天井板６１１に設けられている溝４５に充填部材４６が配置されることが好ましい。図６に示す加熱ユニット３５では、第１天井板６１１が有する溝４５及び第２天井板６１２が有する溝４５の両方が貫通孔であり、これらの溝４５の各々の全体が、断熱材によって構成される充填部材４６により埋められている。この場合、加熱ユニット３５の強度を確保しつつ、加熱ゾーン間の伝熱を防いで、加熱ゾーン間で大きな温度差を容易に付けることが可能である。なお充填部材４６は、必ずしも溝４５の全体を埋めなくてもよく、溝４５の一部のみに配置されていてもよい。また貫通孔ではない溝４５（図４参照）に、充填部材４６が配置されていてもよい。
　また加熱ユニット３５の複数の加熱ゾーンのうちの少なくとも２つの加熱ゾーンにおいて、第１天井板６１１と基板Ｗの処理面Ｓｗとの間の間隔がお互いに異なっていてもよい。すなわち、ある加熱ゾーンにおける第１天井板６１１が他の１以上の加熱ゾーンにおける第１天井板６１１よりも、基板Ｗの処理面Ｓｗ側（すなわち図７の下側）に突出していてもよい。この場合、ある加熱ゾーンにおける第１天井板６１１の処理面Ｓｗ側の面を、他の１以上の加熱ゾーンにおける第１天井板６１１の処理面Ｓｗ側の面よりも、処理面Ｓｗの近くに配置することができる。第１天井板６１１が処理面Ｓｗに近いほど、処理面Ｓｗ上の処理液が効率良く加熱される。したがって、第１天井板６１１と基板Ｗの処理面Ｓｗとの間の間隔を加熱ゾーン間で変えることにより、処理液の加熱効率を処理ゾーン毎に変えることができる。
　図７では、第１加熱ゾーンＺ１における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間の間隔（「第１加熱間隔」とも称する）Ｄ１が、第２加熱ゾーンＺ２における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間隔（「第２加熱間隔」とも称する）Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。したがって第１加熱ゾーンＺ１に対応する処理ゾーンの処理液の温度は、第２加熱ゾーンＺ２に対応する処理ゾーンの処理液の温度よりも、加熱ユニット３５によって上昇されやすい。図７には示されていないが、第３加熱ゾーンＺ３における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間の間隔（「第３加熱間隔」とも称する）Ｄ３を、第１加熱間隔Ｄ１及び／又は第２加熱間隔Ｄ２と異ならせてもよい。なお第１加熱間隔Ｄ１、第２加熱間隔Ｄ２及び第３加熱間隔Ｄ３の具体的な関係は限定されず、例えば「Ｄ３＜Ｄ２」や「Ｄ１＝Ｄ３」の関係が満たされていてもよい。処理面Ｓｗ上の処理液の温度を均一化する観点からは、処理液の温度が上昇し難い処理ゾーンに対応する加熱ゾーンの加熱間隔（例えば第１加熱間隔Ｄ１及び／又は第３加熱間隔Ｄ３）を、他の加熱ゾーンの加熱間隔（例えば第２加熱間隔Ｄ２）よりも小さくすることが好ましい。
　なお加熱ユニット３５（特に各発熱体４０）の制御は制御部３（図１参照）によって行われる。例えば、基板Ｗの処理面Ｓｗの外周部のめっき液Ｌ１の加熱量を処理面Ｓｗの中央部のめっき液Ｌ１の加熱量よりも大きくする場合には、制御部３の制御下で、第３加熱ゾーンＺ３に配置される発熱体４０からの発熱量が第１加熱ゾーンＺ１に配置される発熱体４０からの発熱量よりも大きくされる。このような加熱制御を適切に行うために、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の温度を処理ゾーン毎に計測することができる赤外線センサ等の温度検出センサ（図示省略）を設置してもよい。この場合、制御部３は、その温度検出センサの検出結果に基づいて、各発熱体４０の発熱量（例えば各発熱体４０に通電する電力）を制御してもよい。
　次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について、図８を用いて説明する。ここでは、基板液処理方法の一例として、めっき処理装置１を用いためっき処理方法について説明する。
　めっき処理装置１によって実施されるめっき処理方法は、基板Ｗに対するめっき処理を含む。めっき処理は、めっき処理部５により実施される。以下に示すめっき処理部５の動作は、制御部３によって制御される。なお、下記の処理が行われている間、ファンフィルターユニット５９から清浄な空気がチャンバ５１内に供給され、排気管８１に向かって流れる。
　まず、めっき処理部５に基板Ｗが搬入され、基板Ｗが基板保持部５２によって水平に保持される（ステップＳ１）。
　次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの洗浄処理が行われる（ステップＳ２）。この洗浄処理では、まず回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転し、続いて、退避位置に位置づけられていたノズルアーム５６が吐出位置に移動し、回転する基板Ｗに洗浄液ノズル５４１から洗浄液Ｌ２が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄される。これにより基板Ｗに付着した付着物等が基板Ｗから除去される。基板Ｗに供給された洗浄液Ｌ２はドレンダクト５８１に排出される。
　続いて、基板Ｗのリンス処理が行われる（ステップＳ３）。このリンス処理では、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。これにより基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ２が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ３はドレンダクト５８１に排出される。
　次に、基板Ｗの処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１のパドルを形成するめっき液盛り付け工程が行われる（ステップＳ４）。この工程では、まず、基板Ｗの回転数がリンス処理時の回転数よりも低減され、例えば基板Ｗの回転数を５０～１５０ｒｐｍにしてもよい。これにより、基板Ｗ上に形成されるめっき膜を均一化させることができる。なお、基板Ｗの回転を停止させて、めっき液Ｌ１の盛り付け量を増大してもよい。続いて、めっき液ノズル５３１から基板Ｗの上面（すなわち処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１が吐出される。このめっき液Ｌ１は表面張力によって処理面Ｓｗに留まり、めっき液Ｌ１の層（いわゆるパドル）が形成される。めっき液Ｌ１の一部は、処理面Ｓｗから流出してドレンダクト５８１介して排出される。所定量のめっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出された後、めっき液Ｌ１の吐出が停止される。その後、ノズルアーム５６は退避位置に位置づけられる。
　次に、めっき液加熱処理工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。このめっき液加熱処理工程は、蓋体６が基板Ｗを覆う工程（ステップＳ５）と、不活性ガスを供給する工程（ステップＳ６）と、蓋体６を下方位置に配置してめっき液Ｌ１を加熱する加熱工程（ステップＳ７）と、蓋体６を基板Ｗ上から退避する工程（ステップＳ８）と、を有する。なお、めっき液加熱処理工程においても、基板Ｗの回転数は、めっき液盛り付け工程と同様の速度（あるいは回転停止）で維持されることが好適である。
　蓋体６が基板Ｗを覆う工程（ステップＳ５）では、まず、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、退避位置に位置づけられていた蓋体６が水平方向に旋回移動して、上方位置に位置づけられる。続いて、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が下降して下方位置に位置づけられ、基板Ｗが蓋体６によって覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。
　基板Ｗが蓋体６によって覆われた後、蓋体６の天井部６１に設けられたガスノズル６６１から蓋体６の内側に不活性ガスが吐き出される（ステップＳ６）。これにより蓋体６の内側の空気が不活性ガスに置換され、基板Ｗの周囲が低酸素雰囲気になる。不活性ガスは、所定時間吐出され、その後、不活性ガスの吐出を停止する。
　次に、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される（ステップＳ７）。めっき液Ｌ１の温度が、めっき液Ｌ１中の成分が析出する温度まで上昇すると、基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１の成分が析出してめっき膜が形成され成長する。この加熱工程では、所望厚さのめっき膜を得るのに必要な時間、めっき液Ｌ１は加熱されて析出温度に維持される。　
　加熱工程が終了すると、蓋体移動機構７が駆動されて、蓋体６が退避位置に位置づけられる（ステップＳ８）。このようにして、基板Ｗのめっき液加熱処理工程（ステップＳ５～Ｓ８）が終了する。
　次に、基板Ｗのリンス処理が行われる（ステップＳ９）。このリンス処理では、まず、基板Ｗの回転数をめっき処理時の回転数よりも増大させ、例えばめっき処理前の基板リンス処理工程（ステップＳ３）と同様の回転数で基板Ｗを回転させる。続いて、退避位置に位置づけられていたリンス液ノズル５５１が、吐出位置に移動する。次に、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄され、基板Ｗ上に残存するめっき液Ｌ１が洗い流される。
　続いて、基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ１０）。この乾燥処理では、基板Ｗを高速で回転させ、例えば基板Ｗの回転数を基板リンス処理工程（ステップＳ９）の回転数よりも増大させる。これにより基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ３が振り切られて除去され、めっき膜が形成された基板Ｗが得られる。この場合、窒素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスを基板Ｗに吹き付けて、基板Ｗの乾燥を促進してもよい。
　その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されて、めっき処理部５から搬出される（ステップＳ１１）。
　上述の一連の工程のうち、特に基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される際（ステップＳ７）に、溝４５によって区切られたヒータ６３の各加熱ゾーンにおける発熱体４０の通電状態が制御部３によって制御され、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御がゾーン単位で行われる。
　以上説明したように本実施の形態では、ヒータ６３における隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に溝４５を設けることによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる。とりわけ、ヒータ６３と基板Ｗ（特に処理面Ｓｗ）との間に配置される第１天井板６１１に溝４５を設けることによって、ヒータ６３から基板Ｗに向かって発せられる熱量を加熱ゾーン毎に効果的に変えることができる。
　また、ヒータ６３に向かう方向に開口するように溝４５を設けることによって、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２のうちヒータ６３に対向する箇所の表面積を増大させることができ、ヒータ６３から発せられた熱の放射を効率良く受けることができる。また、第１天井板６１１の露出面（すなわち下方面）及び第２天井板６１２の露出面（すなわち上方面）を平坦に形成することができる。一方、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口するように溝４５を設けることによって、外方に露出される表面積を増大させることができ、ヒータ６３（特に各発熱体４０）で発せられた熱を効率良く外方へ伝えることができる。
　また隣接する加熱ゾーン間に複数の溝４５を並べることによって、加熱ゾーン間における熱の伝導をより効果的に抑えることができるとともに、表面積を更に増大させることができる。
　また、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に溝４５を形成する加工は比較的に簡単に行うことができ、加熱ユニット３５をシンプルに構成することができる。さらに、マイカヒータ等の汎用の装置をヒータ６３として活用することができ、加熱ユニット３５を安価に構成することも可能である。
　本発明は上記実施の形態および変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態および変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
　例えば、めっき液Ｌ１以外の処理液及びめっき処理以外の液処理に対しても本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法は有効である。また、基板液処理装置（めっき処理装置１）の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板液処理装置を制御して上述のような基板液処理方法を実行させるプログラムが記録された記録媒体（例えば制御部３の記録媒体３１）として、本発明が具体化されてもよい。
１　　　　　めっき処理装置
３５　　　　加熱ユニット
４５　　　　溝
５２　　　　基板保持部
５３　　　　めっき液供給部
６３　　　　ヒータ
６１１　　　第１天井板
６１２　　　第２天井板
Ｌ１　　　　めっき液
Ｓｗ　　　　処理面
Ｗ　　　　　基板
Ｚ１　　　　第１加熱ゾーン
Ｚ２　　　　第２加熱ゾーン
Ｚ３　　　　第３加熱ゾーン

Claims (9)

  1. 　処理液によって基板の処理面の液処理を行う基板液処理装置であって、
    　前記基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部により保持された前記基板の前記処理面に前記処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記処理面上の前記処理液を加熱する加熱ユニットと、を備え、
    　前記加熱ユニットは、ヒータと、前記ヒータを挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体と、を有し、
    　前記第１面状体は、前記ヒータと前記処理面との間に配置され、
    　前記ヒータは、前記加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有し、
    　前記第１面状体及び前記第２面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、前記複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる基板液処理装置。
  2. 　前記溝は、前記第１面状体及び前記第２面状体のうち少なくとも前記第１面状体に設けられている請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 　前記溝は、前記ヒータに向かう方向に開口する請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
  4. 　前記溝は、前記ヒータから遠ざかる方向に開口する請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
  5. 　前記溝は、隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域において複数設けられる請求項１～４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  6. 　前記ヒータは、前記複数の発熱体を支持する支持プレートを有し、
    　前記支持プレートは、マイカによって構成される請求項１～５のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  7. 　前記第１面状体に設けられている前記溝は、前記第１面状体を貫通している請求項２に記載の基板液処理装置。
  8. 　前記第１面状体に設けられている前記溝に配置されている充填部材を更に備える請求項７に記載の基板液処理装置。
  9. 　前記複数の加熱ゾーンのうちの少なくとも２つの加熱ゾーンにおいて、前記第１面状体と前記処理面との間の間隔がお互いに異なる請求項１～８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
PCT/JP2018/043496 2017-12-01 2018-11-27 基板液処理装置 Ceased WO2019107331A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019557222A JP6926233B2 (ja) 2017-12-01 2018-11-27 基板液処理装置
US16/768,245 US11441225B2 (en) 2017-12-01 2018-11-27 Substrate liquid processing apparatus
KR1020207018462A KR102770925B1 (ko) 2017-12-01 2018-11-27 기판 액 처리 장치

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-231745 2017-12-01
JP2017231745 2017-12-01
JP2018203794 2018-10-30
JP2018-203794 2018-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019107331A1 true WO2019107331A1 (ja) 2019-06-06

Family

ID=66665004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/043496 Ceased WO2019107331A1 (ja) 2017-12-01 2018-11-27 基板液処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11441225B2 (ja)
JP (1) JP6926233B2 (ja)
KR (1) KR102770925B1 (ja)
WO (1) WO2019107331A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128617U (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 日産自動車株式会社 射出成形金型の２次スプル−ブツシユ
JPH10249891A (ja) * 1997-03-07 1998-09-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd 射出成形機の射出ノズル
JP2002129344A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Ebara Corp 無電解めっき装置
JP2005060792A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法
JP2017082290A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
JP2018003097A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128617A (ja) 1984-07-18 1986-02-08 Penta Ocean Constr Co Ltd 鋼製杭の打込み固定工法
JP3250090B2 (ja) 1995-06-27 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
US6858084B2 (en) * 2000-10-26 2005-02-22 Ebara Corporation Plating apparatus and method
KR100756107B1 (ko) * 2001-02-09 2007-09-05 동경 엘렉트론 주식회사 성막 장치
JP3982402B2 (ja) * 2002-02-28 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3495033B1 (ja) 2002-09-19 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
KR20070058310A (ko) 2005-12-02 2007-06-08 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법
KR100809595B1 (ko) * 2006-09-13 2008-03-04 세메스 주식회사 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법
JP5938164B2 (ja) * 2011-02-21 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法
JP5788349B2 (ja) * 2012-03-19 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128617U (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 日産自動車株式会社 射出成形金型の２次スプル−ブツシユ
JPH10249891A (ja) * 1997-03-07 1998-09-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd 射出成形機の射出ノズル
JP2002129344A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Ebara Corp 無電解めっき装置
JP2005060792A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法
JP2017082290A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
JP2018003097A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP6926233B2 (ja) 2021-08-25
US20210172066A1 (en) 2021-06-10
KR20200094760A (ko) 2020-08-07
JPWO2019107331A1 (ja) 2020-12-03
US11441225B2 (en) 2022-09-13
KR102770925B1 (ko) 2025-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6736386B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP7720888B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102629524B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기록 매체
JP7221414B2 (ja) 基板液処理方法および基板液処理装置
WO2019107331A1 (ja) 基板液処理装置
WO2019116939A1 (ja) 基板液処理装置
JP7267470B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2019107330A1 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP7090710B2 (ja) 基板液処理装置および基板液処理方法
TWI846928B (zh) 基板液處理方法、基板液處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體
TWI868153B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2020100804A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR20230170941A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
WO2022168614A1 (ja) めっき処理方法およびめっき処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18884617

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019557222

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207018462

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18884617

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1