WO2019093145A1 - レジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
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- Radiation-sensitive compositions used for fine processing by lithography include electromagnetic waves such as far ultraviolet rays (ArF excimer laser light, KrF excimer laser light etc.), extreme ultraviolet rays (EUV: Extreme Ultraviolet rays), etc., and charged particle rays such as electron beams
- electromagnetic waves such as far ultraviolet rays (ArF excimer laser light, KrF excimer laser light etc.), extreme ultraviolet rays (EUV: Extreme Ultraviolet rays), etc.
- charged particle rays such as electron beams
- the metal atom-containing compound has only a ladder structure and both ends of two atomic chains of this ladder structure are bonded to each other to form a ring
- the maximum number of atoms in the ring As a lower limit of the number of metal atoms contained in the ring which has, 5 is preferable and 8 is more preferable. As a maximum of the above-mentioned number of metal atoms, 20 is preferred and 15 is more preferred.
- ether solvent for example, a dialkyl ether solvent having 4 to 14 carbon atoms such as diethyl ether; Cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran; And aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole.
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Abstract
高い感度を維持しつつ、除去容易性に優れるレジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。本発明は、１以上の金属原子及び炭素数１～２０の有機基を有する金属原子含有化合物と、溶媒とを含有するレジスト膜形成用組成物であって、上記金属原子含有化合物がゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子とで構成される環構造を有し、上記環構造は１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下であり、上記有機基が有する炭素原子と上記金属原子とが互いに結合しているレジスト膜形成用組成物である。
Description
本発明は、レジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法に関する。
リソグラフィーによる微細加工に用いられる感放射線性組成物は、遠紫外線（ＡｒＦエキシマレーザー光、ＫｒＦエキシマレーザー光等）、極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）等の電磁波や、電子線等の荷電粒子線などで露光されることにより露光部で酸やラジカルが発生し、この酸を触媒とする化学反応や、このラジカルが関与するラジカル反応により露光部及び未露光部で現像液に対する溶解速度に差が生じるため、基板上にレジストパターンを形成できる。
かかる感放射線性組成物には、加工技術の微細化に伴ってレジスト性能を向上させることが要求されている。この要求に対し、組成物に用いられる重合体、酸発生剤、その他の成分の種類や分子構造等が検討され、さらにその組み合わせについても詳細に検討されている（特開平１１－１２５９０７号公報、特開平８－１４６６１０号公報及び特開２０００－２９８３４７号公報参照）。
現状、パターンの微細化が線幅４０ｎｍ以下のレベルまで進展したことにより、感放射線性組成物には種々のレジスト性能のさらなる向上が求められている。特に金属原子含有化合物を含有するレジスト膜形成用組成物においては、電子線を照射、又はＥＵＶ等で露光した場合にも高い感度を発揮できることに加えて、当該レジスト膜形成用組成物を塗工した際、これがウエハの不要な部分に付着しても溶媒で洗浄することにより容易に除去することも要求されている。しかし、上記従来のレジスト膜形成用組成物では、この要求を満たすことはできていない。
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、高い感度を維持しつつ、除去容易性に優れるレジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することにある。
上記課題を解決するためになされた発明は、１以上の金属原子及び炭素数１～２０の有機基を有する金属原子含有化合物（以下、「［Ａ１］金属原子含有化合物」ともいう）と、溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）とを含有するレジスト膜形成用組成物であって、上記［Ａ１］金属原子含有化合物がゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子とで構成される環構造を有し、上記環構造は１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下であり、上記有機基が有する炭素原子と上記金属原子とが互いに結合しているレジスト膜形成用組成物（以下、「レジスト膜形成用組成物（Ｉ）」ともいう）である。
上記課題を解決するためになされた別の発明は、１以上の金属原子及び炭素数１～２０の有機基を有する金属原子含有化合物（以下、「［Ａ２］金属原子含有化合物」ともいう）と、溶媒（［Ｂ］溶媒）とを含有するレジスト膜形成用組成物であって、上記［Ａ２］金属原子含有化合物がゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１個以上１０個以下の金属原子と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子とで構成される環構造を有し、上記環構造の構成原子数が３以上２０以下であり、上記有機基が有する炭素原子と上記金属原子とが互いに結合しているレジスト膜形成用組成物（以下、「レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）」ともいう）である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、当該レジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト膜に極端紫外線又は電子線を照射する工程と、上記照射されたレジスト膜を有機溶媒含有液で現像する工程とを備えるレジストパターン形成方法である。
ここで、「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
本発明のレジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法によれば、高い感度を維持して、除去容易性に優れ、良好なレジストパターンを形成することができる。従って、これらは今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。
＜レジスト膜形成用組成物＞
当該レジスト膜形成用組成物としては、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）及びレジスト膜形成用組成物（ＩＩ）が挙げられる。
当該レジスト膜形成用組成物としては、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）及びレジスト膜形成用組成物（ＩＩ）が挙げられる。
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。
レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、［Ａ２］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。
以下、［Ａ１］金属原子含有化合物と［Ａ２］金属原子含有化合物とを合わせて、［Ａ］金属原子含有化合物ともいう。
レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、［Ａ２］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。
以下、［Ａ１］金属原子含有化合物と［Ａ２］金属原子含有化合物とを合わせて、［Ａ］金属原子含有化合物ともいう。
当該レジスト膜形成用組成物は、［Ａ］金属原子含有化合物を含有することで、高い感度を維持しつつ、除去容易性に優れる。当該レジスト膜形成用組成物が上記構成を備えることで、上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、［Ａ］金属原子含有化合物は、環構造を有し、その環構造が１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下であるか、又は［Ａ］金属原子含有化合物は、環構造の金属原子数が１以上１０以下かつ構成原子数が３以上２０以下の比較的小さな構造を有している。［Ａ］金属原子含有化合物は、このような構造を有することにより、溶媒への溶解性が高まり、その結果、除去容易性が向上すると考えられる。以下、各レジスト膜形成用組成物について説明する。
＜レジスト膜形成用組成物（Ｉ）＞
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
［［Ａ１］金属原子含有化合物］
［Ａ１］金属原子含有化合物は環構造を有する。この環構造は１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下である。この環構造は、ゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子（以下、「金属原子（Ｘ）」ともいう）と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子（以下、「原子（Ｙ）」ともいう）とで構成されている。また、上記炭素数１～２０の１価の有機基（以下、「基（Ｚ）」ともいう）が有する炭素原子と上記金属原子（Ｘ）とが互いに結合している。
［Ａ１］金属原子含有化合物は環構造を有する。この環構造は１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下である。この環構造は、ゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子（以下、「金属原子（Ｘ）」ともいう）と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子（以下、「原子（Ｙ）」ともいう）とで構成されている。また、上記炭素数１～２０の１価の有機基（以下、「基（Ｚ）」ともいう）が有する炭素原子と上記金属原子（Ｘ）とが互いに結合している。
［Ａ１］金属原子含有化合物における環構造は、金属原子（Ｘ）と原子（Ｙ）とで構成される。これらの構造には、共有結合のみで形成される構造だけでなく、共有結合と配位結合とを組み合わせて形成される構造も含まれる。
「単環」とは、金属原子（Ｘ）と原子（Ｙ）とで構成される環（以下、「単環（Ｐ）」ともいう）であって、１つの環が他の環と原子を共有していない構造をいう。２つの単環が１個以上３個以下の原子を共有する環構造としては、２つの単環が１個の原子を共有することにより形成されるスピロ構造、２つの単環が２個の原子を共有することにより形成される縮環構造、２つの単環が３個の原子を共有することにより形成される橋かけ構造、２つの単環が２個以上３個以下の原子を共有することにより形成されるラダー型構造が挙げられる。「縮環構造」とは、隣接する２つの環が２個以上の原子を共有することにより形成される構造をいう。「橋かけ構造」とは、縮環構造のうち、２つの環が３個以上の原子を共有することにより形成される構造をいう。「ラダー型構造」とは、縮環構造のうち、２本の原子鎖同士を互いに連結して形成されるはしご状の構造をいう。ラダー型構造には、２本の原子鎖の両端同士がそれぞれ結合して、輪を形成したものも含まれる。
［Ａ１］金属原子含有化合物において、環構造における環を構成する原子の全てが同一面に配列していることも好ましい。「同一面に配列している」とは、配列している複数の環構成原子のすべてを通過する１つの曲面を規定することができることをいう。［Ａ１］金属原子含有化合物がこのような二次元的な構造を有することで、溶媒への溶解性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。このような効果が得られる理由は定かではないが、単環構造や、２つの単環が少ない原子を共有して形成される環構造は、立体的に小さいため、溶媒への溶解性が高まるものと考えられる。
金属原子（Ｘ）としては、ゲルマニウム原子又はスズ原子が好ましく、スズ原子がより好ましい。
原子（Ｙ）としては、酸素原子が好ましい。原子（Ｙ）が酸素原子の場合、この酸素原子は、２つの金属原子（Ｘ）に結合する。但し、金属原子（Ｘ）がスズ又は鉛の場合、酸素原子は配位結合によりもう１つの金属原子（Ｘ）に結合していてもよい。原子（Ｙ）が炭素原子である場合、この炭素原子は、メチレン基を構成していることが好ましい。［Ａ１］金属原子含有化合物において２個の原子（Ｙ）が互いに隣接して存在する場合、これらの原子（Ｙ）は互いに異なること、すなわち、一方が酸素原子、他方が炭素原子であることが好ましい。
上記環構造における単環（Ｐ）において、金属原子（Ｘ）と原子（Ｙ）とが交互に存在する配列であること、すなわち、単環（Ｐ）中の互いに隣接する２個の原子は一方が金属原子（Ｘ）、他方が原子（Ｙ）であることが好ましい。このような原子の配列とすることで、［Ａ１］金属原子含有化合物の安定性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。
単環（Ｐ）を構成する金属原子（Ｘ）の数の下限としては、２が好ましく、３がより好ましい。上記数の上限としては、１０が好ましく、５がより好ましく、４がさらに好ましい。
単環（Ｐ）を構成する原子（Ｙ）の数の下限としては、２が好ましく、３がより好ましい。上記数の上限としては、１０が好ましく、５がより好ましく、４がさらに好ましい。
単環（Ｐ）を構成する原子数の下限としては、４が好ましく、６がより好ましい。上記原子数の上限としては、２０が好ましく、１０がより好ましく、８がさらに好ましい。
複数の単環（Ｐ）で構成される場合の上記環構造が有する単環（Ｐ）の数の下限としては、２が好ましく、３がより好ましい。上記数の上限としては、１０が好ましく、４がより好ましい。
上記環構造を構成する金属原子（Ｘ）の数の下限としては、２が好ましく、３がより好ましく、４がさらに好ましい。上記数の上限としては、２０が好ましく、８がより好ましく、６がさらに好ましい。
上記環構造の構成原子数の下限としては、３が好ましく、６がより好ましく、８がさらに好ましい。上記数の上限としては、４０が好ましく、２０がより好ましく、１５がさらに好ましい。
金属原子（Ｘ）には、原子（Ｙ）以外に、通常、１つ以上の基（以下、「基（Ｉ）」ともいう）が結合している。基（Ｉ）のうちの少なくとも１つは基（Ｚ）であり、基（Ｚ）が有する炭素原子と金属原子（Ｘ）とが互いに結合している。
基（Ｉ）としては、例えば炭素数１～２０の１価の有機基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基等が挙げられる。
基（Ｉ）である炭素数１～２０の１価の有機基としては、例えば炭素数１～２０の１価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素－炭素間に２価のヘテロ原子含有基を含む基（α）、上記炭化水素基及び基（α）の水素原子の一部又は全部を１価のヘテロ原子含有基で置換した基などが挙げられる。
ここで「炭化水素基」には、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が含まれる。この「炭化水素基」は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でもよい。「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基をいい、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の両方を含む。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基をいい、単環の脂環式炭化水素基及び多環の脂環式炭化水素基の両方を含む。但し、脂環式炭化水素基は、脂環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基をいう。但し、芳香族炭化水素基は、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環構造を含んでいてもよい。
炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、炭素数１～２０の１価の鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６～２０の１価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
炭素数１～２０の１価の鎖状炭化水素基としては、例えば
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基等のアルキル基；
エテニル基、１－プロペニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基等のアルキル基；
エテニル基、１－プロペニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
炭素数３～２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環の脂環式飽和炭化水素基；
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環の脂環式不飽和炭化水素基；
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基等の多環の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環の脂環式不飽和炭化水素基などが挙げられる。
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環の脂環式飽和炭化水素基；
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環の脂環式不飽和炭化水素基；
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基等の多環の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環の脂環式不飽和炭化水素基などが挙げられる。
炭素数６～２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
１価又は２価のヘテロ原子含有基を構成するヘテロ原子としては、例えば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
２価のヘテロ原子含有基としては、例えば－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＣＳ－、－ＮＲ’－、これらのうちの２つ以上を組み合わせた基等が挙げられる。Ｒ’は、水素原子又は１価の炭化水素基である。これらの中で、－Ｏ－が好ましい。
１価のヘテロ原子含有基としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基（－ＳＨ）等が挙げられる。これらの中で、フッ素原子が好ましい。
基（Ｚ）としては、［金属原子（Ｘ）］－［炭素原子］の結合が放射線の作用によってより開裂し易く、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）の感度がより向上する観点から、金属原子（Ｘ）と結合している炭素原子が２級炭素原子又は３級炭素原子である分岐状アルキル基、アリル基又はベンジル基が好ましい。上記分岐状アルキル基としては、例えばｉ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。
［Ａ１］金属原子含有化合物としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。
上記式中、Ｍは、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子である。Ｒは、Ｍに炭素原子で結合する炭素数１～２０の１価の有機基である。Ｒ’は、炭素数１～２０の１価の有機基である。複数存在するＲは互いに同一又は異なり、複数存在するＲ’は互いに同一又は異なる。
上記式において、「→」は、金属原子Ｍ及び酸素原子間の配位結合を示す。
上記式において、「→」は、金属原子Ｍ及び酸素原子間の配位結合を示す。
［Ａ１］金属原子含有化合物が縮環構造のみを有し、この縮環構造において、ｎ個の単環（Ｐ）同士が互いに１辺（すなわち、隣接する２つの環構成原子）のみを共有して構成される多環が単環（Ｐ１）－単環（Ｐ２）－単環（Ｐ３）－・・・－単環（Ｐｎ）で表され、単環（Ｐ１）と単環（Ｐｎ）とが互いに１辺のみを共有することによって縮環構造が輪を形成している場合、上記輪のうち最大の原子数を有する輪に含まれる金属原子数の下限としては、５が好ましく、８がより好ましい。上記金属原子数の上限としては、２０が好ましく、１５がより好ましい。縮環構造における輪の金属原子数を上記範囲とすることで、［Ａ１］金属原子含有化合物の溶解性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。［Ａ１］金属原子含有化合物が縮環構造のみを有する場合、この縮環構造は輪を形成していないことが好ましい。縮環構造が輪を形成していないことで、［Ａ１］金属原子含有化合物の溶解性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。
［Ａ１］金属原子含有化合物がラダー型構造のみを有し、このラダー型構造の２本の原子鎖の両端同士がそれぞれ結合して輪を形成している場合、上記輪のうち最大の原子数を有する輪に含まれる金属原子数の下限としては、５が好ましく、８がより好ましい。上記金属原子数の上限としては、２０が好ましく、１５がより好ましい。ラダー型構造における輪の金属原子数を上記範囲とすることで、［Ａ１］金属原子含有化合物の溶解性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。［Ａ１］金属原子含有化合物がラダー型構造のみを有する場合、ラダー型構造は輪を形成していないことが好ましい。ラダー型構造が輪を形成していないことで、［Ａ１］金属原子含有化合物の溶解性がより高まり、その結果、除去容易性がより向上する。
［Ａ１］金属原子含有化合物は、文献等に記載の公知の方法により合成することができる。
［Ａ１］金属原子含有化合物の分子量の下限としては、１００が好ましく、２００がより好ましく、３００がさらに好ましく、４００が特に好ましい。上記分子量の上限としては、１０，０００が好ましく、３，０００がより好ましく、２，０００がさらに好ましく、１，０００が特に好ましい。［Ａ１］金属原子含有化合物の分子量を上記範囲とすることで、感度及び除去容易性をより向上することができる。
［Ａ１］金属原子含有化合物の含有量の下限としては、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）中の固形分に対して、５０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、８０質量％がさらに好ましく、８５質量％が特に好ましい。上記含有量の上限としては、例えば１００質量％であり、９５質量％がより好ましい。「レジスト膜形成用組成物（Ｉ）中の固形分」とは、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）における［Ｂ］溶媒以外の全成分をいう。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物を１種又は２種以上含有していてもよい。
＜［Ｂ］溶媒＞
［Ｂ］溶媒は、少なくとも［Ａ１］金属原子含有化合物及び必要に応じて含有される任意成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
［Ｂ］溶媒は、少なくとも［Ａ１］金属原子含有化合物及び必要に応じて含有される任意成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
［Ｂ］溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
アルコール系溶媒としては、例えば
４－メチル－２－ペンタノール、ｎ－ヘキサノール等の炭素数１～１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；
シクロヘキサノール等の炭素数３～１８の脂環式モノアルコール系溶媒；
プロピレングリコール等の炭素数２～１８の多価アルコール系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３～１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
４－メチル－２－ペンタノール、ｎ－ヘキサノール等の炭素数１～１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；
シクロヘキサノール等の炭素数３～１８の脂環式モノアルコール系溶媒；
プロピレングリコール等の炭素数２～１８の多価アルコール系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３～１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチルエーテル等の炭素数４～１４のジアルキルエーテル系溶媒；
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ジエチルエーテル等の炭素数４～１４のジアルキルエーテル系溶媒；
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、２－ヘプタノン等の炭素数３～１２の鎖状ケトン系溶媒：
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒：
２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、２－ヘプタノン等の炭素数３～１２の鎖状ケトン系溶媒：
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒：
２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば
Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；
Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；
Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば
酢酸ｎ－ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル系溶媒、プロピオン酸エチル等のプロピオン酸エステル系溶媒などのモノカルボン酸エステル系溶媒；
エチルラクテート、グリコール酸ｎ－ブチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒；
酢酸プロピレングリコール等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；
酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；
γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
酢酸ｎ－ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル系溶媒、プロピオン酸エチル等のプロピオン酸エステル系溶媒などのモノカルボン酸エステル系溶媒；
エチルラクテート、グリコール酸ｎ－ブチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒；
酢酸プロピレングリコール等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；
酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；
γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
炭化水素系溶媒としては、例えば
ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン等の炭素数５～１２の脂肪族炭化水素系溶媒；
トルエン、キシレン等の炭素数６～１６の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン等の炭素数５～１２の脂肪族炭化水素系溶媒；
トルエン、キシレン等の炭素数６～１６の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
［Ｂ］溶媒としては、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群から選ばれる溶媒が好ましく、脂肪族モノアルコール系溶媒、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒及び芳香族炭化水素系溶媒からなる群から選ばれる溶媒がより好ましく、４－メチル－２－ペンタノール、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル及びキシレンからなる群から選ばれる溶媒がさらに好ましい。当該レジスト膜形成用樹脂組成物は、［Ｂ］溶媒を１種又は２種以上含有していてもよい。
＜任意成分＞
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物及び［Ｂ］溶媒以外に、任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、例えば感放射線性酸発生体、酸捕捉体、界面活性剤、増感剤、フッ素原子含有重合体等が挙げられる。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）が任意成分を含有する場合、その含有量の下限としては、［Ａ１］金属原子含有化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．５質量部がより好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましい。その他の任意成分は１種又は２種以上を用いてもよい。感放射線性酸発生体としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、Ｎ－スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。感放射線性酸発生体としては、オニウム塩化合物又はＮ－スルホニルオキシイミド化合物が好ましく、トリフェニルスルホニウム塩又はＮ－スルホニルオキシイミド化合物がさらに好ましい。このような感放射線性酸発生体としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム１，１，２，２－テトラフルオロ－６－（１－アダマンタンカルボニロキシ）－ヘキサン－１－スルホネート、トリフェニルスルホニウム２－（１－アダマンチル）－１，１－ジフルオロエタンスルホネート又はトリフェニルスルホニウム２－（アダマンタン－１－イルカルボニルオキシ）－１，１，３，３，３－ペンタフルオロプロパン－１－スルホネート等が挙げられる。
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ１］金属原子含有化合物及び［Ｂ］溶媒以外に、任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、例えば感放射線性酸発生体、酸捕捉体、界面活性剤、増感剤、フッ素原子含有重合体等が挙げられる。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）が任意成分を含有する場合、その含有量の下限としては、［Ａ１］金属原子含有化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．５質量部がより好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましい。その他の任意成分は１種又は２種以上を用いてもよい。感放射線性酸発生体としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、Ｎ－スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。感放射線性酸発生体としては、オニウム塩化合物又はＮ－スルホニルオキシイミド化合物が好ましく、トリフェニルスルホニウム塩又はＮ－スルホニルオキシイミド化合物がさらに好ましい。このような感放射線性酸発生体としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム１，１，２，２－テトラフルオロ－６－（１－アダマンタンカルボニロキシ）－ヘキサン－１－スルホネート、トリフェニルスルホニウム２－（１－アダマンチル）－１，１－ジフルオロエタンスルホネート又はトリフェニルスルホニウム２－（アダマンタン－１－イルカルボニルオキシ）－１，１，３，３，３－ペンタフルオロプロパン－１－スルホネート等が挙げられる。
＜レジスト膜形成用組成物の調製＞
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、例えば［Ａ１］金属原子含有化合物、［Ｂ］溶媒及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することにより調製できる。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）中の固形分の濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、１質量％がさらに好ましく、２質量％が特に好ましい。上記固形分の濃度の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましく、５質量％が特に好ましい。
レジスト膜形成用組成物（Ｉ）は、例えば［Ａ１］金属原子含有化合物、［Ｂ］溶媒及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することにより調製できる。レジスト膜形成用組成物（Ｉ）中の固形分の濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、１質量％がさらに好ましく、２質量％が特に好ましい。上記固形分の濃度の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましく、５質量％が特に好ましい。
＜レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）＞
レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、［Ａ２］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、［Ａ２］金属原子含有化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
＜［Ａ２］金属原子含有化合物＞
［Ａ２］金属原子含有化合物は、環構造（以下、「環構造（Ｗ）」ともいう）を有する。環構造（Ｗ）は、ゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１個以上１０個以下の金属原子（Ｘ）と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子（Ｙ）とで構成されている。環構造（Ｗ）の構成原子数は３以上２０以下である。また、炭素数１～２０の１価の有機基（基（Ｚ））が有する炭素原子と金属原子（Ｘ）とが互いに結合している。
［Ａ２］金属原子含有化合物は、環構造（以下、「環構造（Ｗ）」ともいう）を有する。環構造（Ｗ）は、ゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１個以上１０個以下の金属原子（Ｘ）と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子（Ｙ）とで構成されている。環構造（Ｗ）の構成原子数は３以上２０以下である。また、炭素数１～２０の１価の有機基（基（Ｚ））が有する炭素原子と金属原子（Ｘ）とが互いに結合している。
［Ａ２］金属原子含有化合物における環構造（Ｗ）は、金属原子（Ｘ）と原子（Ｙ）とで構成される。この環構造（Ｗ）には、金属原子（Ｘ）及び／又は原子（Ｙ）の原子間の共有結合で形成されるものだけでなく、構造中に［金属原子（Ｘ）］－［酸素原子］間の配位結合を有するものも含まれる。
［Ａ２］金属原子含有化合物における金属原子（Ｘ）、原子（Ｙ）、金属原子（Ｘ）に結合する基（Ｉ）及び基（Ｚ）については、［Ａ１］金属原子含有化合物において説明したものと同様である。
環構造（Ｗ）を構成する金属原子（Ｘ）の数の下限としては、１であり、２が好ましく、３がより好ましく、４がさらに好ましい。上記数の上限としては、１０であり、８が好ましく、６がより好ましく、５がさらに好ましい。
環構造（Ｗ）の構成原子数の下限としては、３であり、４が好ましく、５がより好ましく、６がさらに好ましい。上記構成原子数の上限としては、２０であり、１６が好ましく、１２がより好ましく、１０がさらに好ましい。
環構造を有する［Ａ２］金属原子含有化合物としては、例えば［Ａ１］金属原子含有化合物として例示したもののうち、環構造の構成原子数が３以上２０以下であるのもの等が挙げられる。
［Ａ２］金属原子含有化合物は、文献等に記載の公知の方法により合成することができる。
［Ａ２］金属原子含有化合物の分子量の下限としては、１００が好ましく、２００がより好ましく、３００がさらに好ましく、４００が特に好ましい。上記分子量の上限としては、３，０００が好ましく、２，０００がより好ましく、１，０００がさらに好ましく、８００が特に好ましい。［Ａ２］金属原子含有化合物の分子量を上記範囲とすることで、感度及び除去容易性をより向上することができる。
［Ａ２］金属原子含有化合物の含有量の下限としては、レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）中の固形分に対して、５０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、８０質量％がさらに好ましく、８５質量％が特に好ましい。上記含有量の上限としては、例えば１００質量％であり、９５質量％がより好ましい。「レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）中の固形分」とは、レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）における［Ｂ］溶媒以外の全成分をいう。レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、［Ａ２］金属原子含有化合物を１種又は２種以上含有していてもよい。
レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）が含有する［Ｂ］溶媒及び任意成分については、レジスト膜形成用組成物（Ｉ）において説明したものと同様である。レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）は、上述のレジスト膜形成用組成物（Ｉ）の調製と同様にして調製することができる。レジスト膜形成用組成物（ＩＩ）中の固形分の濃度の好適範囲は、上述のレジスト膜形成用組成物（Ｉ）中の固形分の濃度の好適範囲と同様である。
＜レジストパターン形成方法＞
当該レジストパターン形成方法は、当該レジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程（以下、「露光工程」ともいう）と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程（以下、「現像工程」ともいう）とを備える。
当該レジストパターン形成方法は、当該レジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程（以下、「露光工程」ともいう）と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程（以下、「現像工程」ともいう）とを備える。
当該レジストパターン形成方法は、上述の当該レジスト膜形成用組成物を用いるので、高い感度で、ウエハの汚染を減らしつつ良好なレジストパターンを形成することができる。以下、各工程について説明する。
［塗工工程］
本工程では、当該レジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する。具体的には、得られる塗膜が所望の厚みとなるように当該レジスト膜形成用組成物を塗工した後、必要に応じてプレベーク（ＰＢ）によって当該レジスト膜形成用組成物の溶媒等を揮発させることでレジスト膜を形成する。塗工方法としては、例えば回転塗工、流延塗工、ロール塗工等が挙げられる。基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等が挙げられる。なお、レジスト膜形成用組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。
本工程では、当該レジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する。具体的には、得られる塗膜が所望の厚みとなるように当該レジスト膜形成用組成物を塗工した後、必要に応じてプレベーク（ＰＢ）によって当該レジスト膜形成用組成物の溶媒等を揮発させることでレジスト膜を形成する。塗工方法としては、例えば回転塗工、流延塗工、ロール塗工等が挙げられる。基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等が挙げられる。なお、レジスト膜形成用組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。
形成されたレジスト膜の平均厚みの下限としては、１ｎｍが好ましく、５ｎｍがより好ましく、１０ｎｍがさらに好ましく、２０ｎｍが特に好ましい。一方、上記平均厚みの上限としては、１，０００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましく、７０ｎｍが特に好ましい。
ＰＢ温度の下限としては、６０℃が好ましく、８０℃がより好ましい。ＰＢ温度の上限としては、１４０℃が好ましく、１２０℃がより好ましい。ＰＢ時間の下限としては、５秒が好ましく、１０秒がより好ましい。ＰＢ時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
［露光工程］
本工程では、塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する。具体的には、例えば所定のパターンを有するマスクを介して上記膜に放射線を照射する。本工程では、必要に応じ、水等の液浸媒体を介した放射線の照射、つまり液浸露光を採用してもよい。照射する放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）、Ｘ線、γ線等の電磁波；電子線、α線等の荷電粒子線などが挙げられる。これらの中で、ＥＵＶ又は電子線が好ましい。
本工程では、塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する。具体的には、例えば所定のパターンを有するマスクを介して上記膜に放射線を照射する。本工程では、必要に応じ、水等の液浸媒体を介した放射線の照射、つまり液浸露光を採用してもよい。照射する放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）、Ｘ線、γ線等の電磁波；電子線、α線等の荷電粒子線などが挙げられる。これらの中で、ＥＵＶ又は電子線が好ましい。
露光後に、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行うことが好ましい。ＰＥＢ温度の下限としては、５０℃が好ましく、８０℃がより好ましい。ＰＥＢ温度の上限としては、２００℃が好ましく、１８０℃がより好ましい。ＰＥＢ時間の下限としては、５秒が好ましく、１０秒がより好ましい。ＰＢ時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
［現像工程］
本工程では、露光されたレジスト膜を従来公知の方法で現像する。これにより、所定のレジストパターンが形成される。上記現像液としては、例えばアルカリ水溶液、有機溶媒含有液等が挙げられる。上記現像液としては、現像性等の観点から、有機溶媒含有液が好ましい。
本工程では、露光されたレジスト膜を従来公知の方法で現像する。これにより、所定のレジストパターンが形成される。上記現像液としては、例えばアルカリ水溶液、有機溶媒含有液等が挙げられる。上記現像液としては、現像性等の観点から、有機溶媒含有液が好ましい。
上記有機溶媒含有液中の有機溶媒としては、例えば当該レジスト膜形成用組成物の［Ｂ］溶媒として例示した有機溶媒と同様のもの等が挙げられる。これらの中で、ケトン系溶媒及び／又はエステル系溶媒が好ましく、２－へプタノン及び／又は酢酸ブチルがより好ましい。
上記有機溶媒含有液における有機溶媒の含有量の下限としては、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましく、９９質量％が特に好ましい。上記有機溶媒の含有量を上記範囲とすることで、露光部及び未露光部での現像液に対する溶解速度のコントラストをより向上できる。なお、上記有機溶媒含有液の有機溶媒以外の成分としては、例えば水、シリコーンオイル等が挙げられる。
上記現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加してもよい。上記界面活性剤としては例えばイオン性又は非イオン性のフッ素系界面活性剤、シリコーン系の界面活性剤等を用いることができる。
上記現像後に得られるレジストパターンは、水、アルコール等のリンス液を用いてリンスした後、乾燥させることが好ましい。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値は下記方法により測定した。
［［Ａ］金属原子含有化合物を含む液の固形分濃度］
［Ａ］金属原子含有化合物を含む液の固形分濃度は、［Ａ］金属原子含有化合物を含む液の質量（Ｍ１）と、この液を乾固させた後の質量（Ｍ２）とから、Ｍ２×１００／Ｍ１（質量％）により算出した。
［Ａ］金属原子含有化合物を含む液の固形分濃度は、［Ａ］金属原子含有化合物を含む液の質量（Ｍ１）と、この液を乾固させた後の質量（Ｍ２）とから、Ｍ２×１００／Ｍ１（質量％）により算出した。
＜［Ａ］金属原子含有化合物の合成＞
［合成例１～５］
下記式（Ａ－１）～（Ａ－５）で表される環状金属原子含有化合物を、下記文献に従い、含有溶液として合成し、この含有溶液から溶媒を減圧除去して各化合物を得た。
式（Ａ－１）～（Ａ－２）及び（Ａ－４）～（Ａ－５）で表される環状金属原子含有化合物は単環構造を有する。当該単環構造は、ゲルマニウム原子及びスズ原子からなる群から選択される３個又は４個の金属原子と、酸素原子及び／又は炭素原子とで構成され、環構造の構成原子数が６又は８である。
式（Ａ－３）で表される環状金属原子含有化合物は、スズ原子２個と酸素原子２個で構成される環員数４の環構造を有し、隣接する２つの単環が共有する原子の数は２個である。
［合成例１～５］
下記式（Ａ－１）～（Ａ－５）で表される環状金属原子含有化合物を、下記文献に従い、含有溶液として合成し、この含有溶液から溶媒を減圧除去して各化合物を得た。
式（Ａ－１）～（Ａ－２）及び（Ａ－４）～（Ａ－５）で表される環状金属原子含有化合物は単環構造を有する。当該単環構造は、ゲルマニウム原子及びスズ原子からなる群から選択される３個又は４個の金属原子と、酸素原子及び／又は炭素原子とで構成され、環構造の構成原子数が６又は８である。
式（Ａ－３）で表される環状金属原子含有化合物は、スズ原子２個と酸素原子２個で構成される環員数４の環構造を有し、隣接する２つの単環が共有する原子の数は２個である。
（Ａ－１）Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ，１９８１，ｖｏｌ．９３，ｐ．６２２－６２３
（Ａ－２）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９４８，ｖｏｌ．７０，ｐ．１８０１
（Ａ－３）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００８，ｖｏｌ．６９３，＃７ ｐ．１３８９－１３９２
（Ａ－４）Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０１２，ｖｏｌ．３１，＃８ ｐ．２９５７－２９６０
（Ａ－５）Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９８７，ｖｏｌ．６，ｐ．６５９－６６２
（Ａ－２）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９４８，ｖｏｌ．７０，ｐ．１８０１
（Ａ－３）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００８，ｖｏｌ．６９３，＃７ ｐ．１３８９－１３９２
（Ａ－４）Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０１２，ｖｏｌ．３１，＃８ ｐ．２９５７－２９６０
（Ａ－５）Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９８７，ｖｏｌ．６，ｐ．６５９－６６２
［比較合成例１］
イソプロピルスズトリクロリド２．０ｇを５０ｇのテトラヒドロフラン中で溶解し、ここに水１．０ｇを添加して、室温で４８時間撹拌を行った。ここに４－メチル－２－ペンタノール４０ｇを加えた後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した後に、濃縮液を孔径０．２０μｍのＰＴＦＥメンブランフィルターでろ過し、金属原子含有化合物（Ａ－６）を含む液を得た。この液の固形分濃度は４．０質量％であった。１１９Ｓｎ－ＮＭＲ（－３００ｐｐｍ，－４８０ｐｐｍ）により、この金属原子含有化合物（Ａ－６）は３次元かご型構造を有することがわかった。文献等より、この構造はスズ原子を１２個含むｃｌｏｓｏ型スタノキサンであると推測される（Ｊａｕｍｉｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９８、ｐ．３６９－３７０）。このｃｌｏｓｏ型スタノキサンは、環構造の構成原子数が８である単環と、環構造の構成原子数が８である単環とが、互いに４個の原子を共有している。また金属原子含有化合物（Ａ－６）は、スズ原子１２個と酸素原子１８個の計３０個の原子でかご型構造を形成している。
イソプロピルスズトリクロリド２．０ｇを５０ｇのテトラヒドロフラン中で溶解し、ここに水１．０ｇを添加して、室温で４８時間撹拌を行った。ここに４－メチル－２－ペンタノール４０ｇを加えた後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した後に、濃縮液を孔径０．２０μｍのＰＴＦＥメンブランフィルターでろ過し、金属原子含有化合物（Ａ－６）を含む液を得た。この液の固形分濃度は４．０質量％であった。１１９Ｓｎ－ＮＭＲ（－３００ｐｐｍ，－４８０ｐｐｍ）により、この金属原子含有化合物（Ａ－６）は３次元かご型構造を有することがわかった。文献等より、この構造はスズ原子を１２個含むｃｌｏｓｏ型スタノキサンであると推測される（Ｊａｕｍｉｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９８、ｐ．３６９－３７０）。このｃｌｏｓｏ型スタノキサンは、環構造の構成原子数が８である単環と、環構造の構成原子数が８である単環とが、互いに４個の原子を共有している。また金属原子含有化合物（Ａ－６）は、スズ原子１２個と酸素原子１８個の計３０個の原子でかご型構造を形成している。
＜レジスト膜形成用組成物の調製＞
［実施例１］
［Ａ］金属原子含有化合物としての（Ａ－１）１００質量部と、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノール３，９００質量部とを混合して溶解させ、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－１）を得た。
［実施例１］
［Ａ］金属原子含有化合物としての（Ａ－１）１００質量部と、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノール３，９００質量部とを混合して溶解させ、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－１）を得た。
［実施例２～５及び比較例１］
下記表１に示す種類の［Ａ］金属原子含有化合物１００質量部と、表１に示す種類の［Ｂ］溶媒３，９００質量部とを混合して、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、得られた液を孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－２）～（Ｒ－５）を得た。
なお、比較例１のレジスト膜形成用組成物（Ｒ－６）は、上記合成した金属原子含有化合物（Ａ－６）を含む溶液を用い、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノールの量を調整して、固形分濃度２．５質量％とした。
下記表１に示す種類の［Ａ］金属原子含有化合物１００質量部と、表１に示す種類の［Ｂ］溶媒３，９００質量部とを混合して、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、得られた液を孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－２）～（Ｒ－５）を得た。
なお、比較例１のレジスト膜形成用組成物（Ｒ－６）は、上記合成した金属原子含有化合物（Ａ－６）を含む溶液を用い、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノールの量を調整して、固形分濃度２．５質量％とした。
＜レジストパターンの形成＞
シリコンウエハ上に、上記調製した各レジスト膜形成用組成物をスピンコートした後、１００℃、６０秒の条件でＰＢを行い、平均厚み３５ｎｍのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、真空紫外光露光装置（ＮＡ：０．３、ダイポール照明、波長１３．５ｎｍ）を用いて線幅３０ｎｍのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が３０ｎｍのスペース部とからなるライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）のマスクを介して露光し、パターニングを行った。その後、１７０℃、１８０秒の条件でＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行い、次いで、２－ヘプタノンを用い、２３℃で１分間、パドル法により現像してパターニングした後、乾燥して、ネガ型レジストパターンを形成した。
シリコンウエハ上に、上記調製した各レジスト膜形成用組成物をスピンコートした後、１００℃、６０秒の条件でＰＢを行い、平均厚み３５ｎｍのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、真空紫外光露光装置（ＮＡ：０．３、ダイポール照明、波長１３．５ｎｍ）を用いて線幅３０ｎｍのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が３０ｎｍのスペース部とからなるライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）のマスクを介して露光し、パターニングを行った。その後、１７０℃、１８０秒の条件でＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行い、次いで、２－ヘプタノンを用い、２３℃で１分間、パドル法により現像してパターニングした後、乾燥して、ネガ型レジストパターンを形成した。
＜評価＞
上記調製したレジスト膜形成用組成物及び上記形成したレジストパターンについて、下記項目を下記方法に従い評価した。評価結果を下記表２に示す。
上記調製したレジスト膜形成用組成物及び上記形成したレジストパターンについて、下記項目を下記方法に従い評価した。評価結果を下記表２に示す。
［感度］
真空紫外線（波長１３．５ｎｍ）によるパターニングで、幅３０ｎｍの直線状のライン部（凸部）と、幅３０ｎｍの直線状のスペース部（凹部）とが交互に平行配置されたライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とした。感度は、３０ｍＪ／ｃｍ２以下である場合は「ＡＡ（非常に良好）」、３０ｍＪ／ｃｍ２を超えて５０ｍＪ／ｃｍ２以下である場合は「Ａ（良好）」と、５０ｍＪ／ｃｍ２を超える場合は「Ｂ（不良）」と評価した。
真空紫外線（波長１３．５ｎｍ）によるパターニングで、幅３０ｎｍの直線状のライン部（凸部）と、幅３０ｎｍの直線状のスペース部（凹部）とが交互に平行配置されたライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ２）とした。感度は、３０ｍＪ／ｃｍ２以下である場合は「ＡＡ（非常に良好）」、３０ｍＪ／ｃｍ２を超えて５０ｍＪ／ｃｍ２以下である場合は「Ａ（良好）」と、５０ｍＪ／ｃｍ２を超える場合は「Ｂ（不良）」と評価した。
［除去容易性］
レジスト下層膜（ＪＳＲ（株）の「ＮＦＣ ＨＭ８００５」）を成膜（２００ｎｍ）した基板上に、上記調製したレジスト膜形成用組成物をスピンコーターを用いて１，５００ｒｐｍで塗工した。この基板を、ベーク工程を経ずにそのままシクロヘキサノンを過剰量ディスペンスして、塗工したレジスト膜形成用組成物を除去した。次いで、上記レジスト下層膜をドライエッチング装置（東京エレクトロン（株）の「Ｔｅｌｉｕｓ ＳＣＣＭ」）を用いてエッチングした。その後、基板上の金属元素のコンタミネーション量をＩＣＰ－ＭＳ分析で評価した。この評価で求められる「コンタミネーション量」は、除去されずに基板上に残った、レジスト膜形成用組成物に由来する金属元素の量に相当する。除去容易性は、コンタミネーション量が１．０×１０１１Ａｔｏｍ／ｃｍ２未満である場合は「Ａ（良好）」と、１．０×１０１１Ａｔｏｍ／ｃｍ２以上である場合は「Ｂ（不良）」と評価した。
レジスト下層膜（ＪＳＲ（株）の「ＮＦＣ ＨＭ８００５」）を成膜（２００ｎｍ）した基板上に、上記調製したレジスト膜形成用組成物をスピンコーターを用いて１，５００ｒｐｍで塗工した。この基板を、ベーク工程を経ずにそのままシクロヘキサノンを過剰量ディスペンスして、塗工したレジスト膜形成用組成物を除去した。次いで、上記レジスト下層膜をドライエッチング装置（東京エレクトロン（株）の「Ｔｅｌｉｕｓ ＳＣＣＭ」）を用いてエッチングした。その後、基板上の金属元素のコンタミネーション量をＩＣＰ－ＭＳ分析で評価した。この評価で求められる「コンタミネーション量」は、除去されずに基板上に残った、レジスト膜形成用組成物に由来する金属元素の量に相当する。除去容易性は、コンタミネーション量が１．０×１０１１Ａｔｏｍ／ｃｍ２未満である場合は「Ａ（良好）」と、１．０×１０１１Ａｔｏｍ／ｃｍ２以上である場合は「Ｂ（不良）」と評価した。
［実施例６］
［Ａ］金属原子含有化合物としての（Ａ－１）１００質量部と、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノール３，８９５質量部と、感放射線性酸発生体としてのトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート５質量部を混合して溶解させ、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－７）を得た。次いで実施例１と同様にして感度及び除去容易性を評価した。その結果、感度は「ＡＡ」、除去容易性は「Ａ」であった。
［Ａ］金属原子含有化合物としての（Ａ－１）１００質量部と、［Ｂ］溶媒としての４－メチル－２－ペンタノール３，８９５質量部と、感放射線性酸発生体としてのトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート５質量部を混合して溶解させ、固形分濃度２．５質量％の液を調製し、孔径０．２０μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト膜形成用組成物（Ｒ－７）を得た。次いで実施例１と同様にして感度及び除去容易性を評価した。その結果、感度は「ＡＡ」、除去容易性は「Ａ」であった。
表２及び実施例６の結果から明らかなように、実施例のレジスト膜形成用組成物は、感度及び塗工後ベーク前の溶媒による膜除去性能、すなわち除去容易性に優れている。比較例のレジスト膜形成用組成物は、感度は良好なものの、除去容易性について劣っている。
本発明のレジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法によれば、高い感度を維持しつつ、除去容易性に優れ、良好なレジストパターンを形成することができる。従って、これらは今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。
Claims (6)
- １以上の金属原子及び炭素数１～２０の有機基を有する金属原子含有化合物と、溶媒とを含有するレジスト膜形成用組成物であって、
上記金属原子含有化合物がゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子とで構成される環構造を有し、
上記環構造は１又は複数の単環であり、２つの単環が原子を共有する場合、２つの単環が共有する原子の数は１個以上３個以下であり、
上記有機基が有する炭素原子と上記金属原子とが互いに結合しているレジスト膜形成用組成物。 - １以上の金属原子及び炭素数１～２０の有機基を有する金属原子含有化合物と、溶媒とを含有するレジスト膜形成用組成物であって、
上記金属原子含有化合物がゲルマニウム原子、スズ原子及び鉛原子からなる群から選択される１個以上１０個以下の金属原子と、酸素原子及び炭素原子からなる群から選択される１種又は２種の原子とで構成される環構造を有し、
上記環構造の構成原子数が３以上２０以下であり、
上記有機基が有する炭素原子と上記金属原子とが互いに結合しているレジスト膜形成用組成物。 - 上記溶媒が、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒又はエステル系溶媒を含む請求項１又は請求項２に記載のレジスト膜形成用組成物。
- さらに感放射線性酸発生体を含有する請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト膜形成用組成物。
- 上記有機基が分岐状アルキル基、アリル基又はベンジル基であり、
上記有機基が分岐状アルキル基の場合は、分岐状アルキル基を構成する２級炭素原子又は３級炭素原子が上記金属原子と結合している請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレジスト膜形成用組成物。 - 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のレジスト膜形成用組成物を基板上に塗工する工程と、
上記塗工工程により形成されたレジスト膜に極端紫外線又は電子線を照射する工程と、
上記照射されたレジスト膜を有機溶媒含有液で現像する工程と
を備えるレジストパターン形成方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210128794A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR20210128793A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150079393A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | The Research Foundation For The State University Of New York | Molecular Organometallic Resists for EUV |
| JP2016530565A (ja) * | 2013-08-22 | 2016-09-29 | インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物 |
| US20170256418A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography Patterning with a Gas Phase Resist |
| WO2017164018A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性組成物、感活性光線性又は感放射線性組成物の精製方法、感活性光線性又は感放射線性組成物の製造方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2016530565A (ja) * | 2013-08-22 | 2016-09-29 | インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物 |
| US20150079393A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | The Research Foundation For The State University Of New York | Molecular Organometallic Resists for EUV |
| US20170256418A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography Patterning with a Gas Phase Resist |
| WO2017164018A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性組成物、感活性光線性又は感放射線性組成物の精製方法、感活性光線性又は感放射線性組成物の製造方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210128794A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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| KR102573328B1 (ko) | 2020-04-17 | 2023-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR102577299B1 (ko) * | 2020-04-17 | 2023-09-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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