WO2019047082A1 - 一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法 - Google Patents

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俞磊
陆朝晖
杨钰帆
陆朝阳
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深圳市同富达电子科技有限公司
扬州大学
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Abstract

一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，先在40～90℃环境温度条件下，将铝膜在葡萄糖、2-氯-4硝基苯亚硒酸的水混合溶液中浸渍12～24h后，在500～600℃焙烧2～8h。该方法步骤简单易行，可在使用廉价易得的铝膜的同时，大大改善耳机低频延伸。

Description

一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法 技术领域
本发明涉及一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法。
背景技术
低频延伸是耳机性能参数中的重要指标之一。其好坏取决于耳机振膜材质。一般来说，耳机振膜多有铝、铁、铜、高聚物材料乃至生物材质等制成。其中铝膜有质量轻，价格低廉，易加工等优点，被广泛应用。然而，传统铝膜制成的耳机，低频延伸较差，一般难以到达50Hz以下，从而在播放低音时，存在层次感差、音效失真等缺点。最近，我们发现，使用常见的20μm铝膜，经过表面硒化处理形成纳米涂层后，可显著改善其低频延伸，最低可达38Hz。
本发明提供了一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法。该方法步骤简单易行，从而可在使用廉价易得的铝膜的同时，大大改善耳机低频延伸。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，以提升廉价的铝膜的低频延伸性能。
本发明通过以下技术方案实现的：
本发明提出一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，先在40～90℃环境温度条件下，将铝膜在葡萄糖、2-氯-4硝基苯亚硒酸的水混合溶液中浸渍12～24h后，在500～600℃焙烧2～8h。
本发明配方简单，步骤简洁。因此，适合大规模生产，有较好的应用前景。
进一步地，本发明所述浸渍混合溶液中葡萄糖浓度为0.2～0.8mol/L，优选的浓度为0.5mol/L。在该浓度范围类，振膜低频延伸最佳。
本发明所述浸渍混合溶液中2-氯-4硝基苯亚硒酸浓度为0.001～0.005mol/L，优选的浓度为0.003mol/L。在该浓度范围类，振膜低频延伸最佳。
所述浸渍温度为40～90℃，优选70℃；浸渍时间为12～24h，优选18h；烘焙温度为500～600℃，优选550℃；烘焙时间为2～8h，优选5h。在此浸渍、烘焙温度时间下所制备材料做振膜低频延伸最佳。
本发明的有益效果：
本发明提供了一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法。该方法步骤简单易行，从而可在使用廉价易得的铝膜的同时，大大改善耳机低频延伸。
具体实施方式
下面的实施例对本发明进行更详细的阐述，而不是对本发明的进一步限定。
实施例1
70℃下，将一片20μm厚铝振膜(1cm×1cm)在10mL葡萄糖(0.5mol/L)、2-氯-4硝基苯亚硒(0.003mol/L)的混合水溶液中浸渍18h后，在550℃下焙烧5h，可制在铝膜表明形成硒处理纳米膜。测定其制成耳机的低频延伸为38Hz。
实施例2
其他条件同实施例1，使用不同浓度的葡萄糖溶液处理铝膜，实验结果见表1。
表1 不同浓度的葡萄糖溶液处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000001
Figure PCTCN2017100784-appb-000002
由上述结果可知，葡萄糖溶液浓度为0.5mol/L时，处理后的铝膜低频延伸最低(编号4)。
实施例3
其他条件同实施例1，使用不同浓度的2-氯-4硝基苯亚硒酸处理铝膜，实验结果见表2。
表2 不同浓度的2-氯-4硝基苯亚硒酸处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000003
由上述结果可知，2-氯-4硝基苯亚硒酸浓度为0.003mol/L时，铝膜低频延伸最低(编号3)。
实施例4
其他条件同实施例1，使用不同浸渍温度处理铝膜，实验结果见表3。
表3 不同浸渍温度处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000004
由上述结果可知，浸渍温度为70度时，效果最佳(编号4)。
实施例5
其他条件同实施例1，使用不同浸渍时间处理铝膜，实验结果见表4。
表4 不同浸渍时间处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000005
由上述结果可知，浸渍时间为18小时最佳(编号3)。
实施例6
其他条件同实施例1，使用不同焙烧温度处理铝膜，实验结果见表5。
表5 不同焙烧温度处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000006
由上述结果可知，焙烧温度为550度时效果最佳(编号3)。
实施例7
其他条件同实施例1，使用不同焙烧时间处理铝膜，实验结果见表6。
表6 不同焙烧时间处理铝膜的实验结果
Figure PCTCN2017100784-appb-000007
由上述结果可知，焙烧时间5小时，效果最佳(编号4)。

Claims (13)

  1. 一种改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：将铝膜在葡萄糖、2-氯-4硝基苯亚硒酸的水溶液中浸渍后，再加以焙烧，即可在其表面形成硒处理纳米涂层，将铝膜应用于耳机振膜，可改善耳机低频延伸性能。
  2. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：所述葡萄糖溶液浓度为0.2～0.8mol/L。
  3. 根据权利要求2所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：所述葡萄糖溶液浓度为0.5mol/L。
  4. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：所述2-氯-4硝基苯亚硒酸溶液浓度为0.001～0.005mol/L；
  5. 根据权利要求4所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：所述2-氯-4硝基苯亚硒酸溶液浓度为0.003mol/L。
  6. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：浸渍温度为40～90℃。
  7. 根据权利要求6所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：浸渍温度为70℃。
  8. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：浸渍时间为12～24h。
  9. 根据权利要求8所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：浸渍时间为18h。
  10. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：烘焙温度为500～600℃。
  11. 根据权利要求10所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：烘焙温度为550℃。
  12. 根据权利要求1所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：烘焙时间为2～8h。
  13. 根据权利要求12所述改善耳机低频延伸铝表面硒处理纳米涂层的形成方法，其特征在于：烘焙时间为5h。
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