WO2019017022A1 - 無線通信デバイス - Google Patents

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加藤　登
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株式会社村田製作所
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    • H01Q9/265—Open ring dipoles; Circular dipoles
    • H04B5/72—

Definitions

  • the present invention relates to wireless communication devices such as RFID (Radio Frequency IDentification) tags and communication modules, and more particularly to a wireless communication device provided with a dipole antenna.
  • RFID Radio Frequency IDentification
  • Patent Document 1 shows an RFID tag in which an RFIC element is mounted on a base on which a conductor pattern that functions as a dipole antenna is formed.
  • the RFID tag is attached to an article for physical distribution management, for example, and read / write is performed by a reader / writer as needed.
  • the dipole antenna is composed of two dipole elements connected to two connection ends of the RFIC element.
  • each dipole element is patterned in a meander shape.
  • the wireless communication device In order to miniaturize the wireless communication device, it is sufficient to miniaturize the pattern of the dipole element, but there are restrictions in the manufacturing of the wireless communication device such as dimensional accuracy. In addition, since the resistance value of the dipole element increases with the miniaturization of the pattern of the dipole element, there is a limit in downsizing of the wireless communication device in order to suppress the resistance value to a certain degree.
  • an object of the present invention is to provide a wireless communication device that is miniaturized while suppressing an increase in resistance value of a dipole element.
  • the wireless communication device of the present invention An RFIC device having a first input / output terminal and a second input / output terminal; One end is a first connection end connected to the first input / output terminal, and the other end is a first dipole element having a first open end, and a second connection connected at one end to the second input / output terminal
  • a dipole antenna comprising a second dipole element which is an end and the other end is a second open end, Equipped with
  • the first dipole element is A first capacitance component and a first parallel inductance component formed by opposing the first open end and a first open end near the first open end, and the middle portion of the first dipole element A first LC parallel circuit, A first series inductance component connected in series between the first LC parallel circuit and the first connection end;
  • the second dipole element is A second capacitance component and a second parallel inductance component formed by facing the second open end and the second open end near the second open end and the middle portion of the second dipole element A second LC
  • a predetermined resonance frequency of the dipole antenna can be obtained while shortening the line lengths of the first dipole element and the second dipole element. Therefore, the line width of the first dipole element and the second dipole element can be reduced and the resistance value can not be increased by lengthening, and the wireless communication device can be miniaturized.
  • the wireless communication device of the present invention is A substrate, An RFIC element mounted on the substrate and having a first input / output terminal and a second input / output terminal; A first dipole element provided on the base material, one end being a first connection end connected to the first input / output terminal, and the other end being a first open end, and one end being the second input / output A dipole antenna configured of a second dipole element whose second connection end is connected to the terminal and whose other end is a second open end; Equipped with The first dipole element is A first folded portion configured such that the first open end faces a middle portion of the first dipole element; A first intermediate portion interposed in an area connecting the first open end and the outer edge of the second dipole element; Have The second dipole element is A second folded portion configured such that the second open end faces the middle portion of the second dipole element; A second intervening portion interposed in an area connecting the second open end and the outer edge of the first dipole element; Have It is characterized by
  • the resonance frequency of the dipole antenna is set to a predetermined value while shortening the line lengths of the first dipole element and the second dipole element. Therefore, the line width of the first dipole element and the second dipole element can be reduced and the resistance value can not be increased by lengthening, and the wireless communication device can be miniaturized.
  • unnecessary capacitance generated between the first open end and the vicinity of the first open end of the first dipole element and the second dipole element (in particular, the second open end) is suppressed, and in the same manner, Since unnecessary capacitance generated between the second open end and the second open end and its vicinity and the first dipole element (in particular, the first open end) is suppressed, changes in directivity and gain are suppressed.
  • the RFIC element is disposed at the center of the base material, and the first turnback portion and the second turnback portion are in a point symmetrical relationship with respect to the position of the RFIC element.
  • This structure effectively separates the open end of the first dipole element from the open end of the second dipole element, and capacitively couples the open end of the first dipole element to the open end of the second dipole element. The inhibition of the electromagnetic radiation of the antenna is suppressed.
  • the formation region of the dipole antenna is a first end and a second end facing each other in the first axial direction in plan view, and a second end facing each other in the second axial direction orthogonal to the first axial direction
  • a first conductor pattern having one side and a second side, the first dipole element having a meandering meander between the first input / output terminal and the first end;
  • the second dipole element is preferably a second conductor pattern having a meandering meander between the second input / output terminal and the second end.
  • the first open end may enter the gap of the meandering portion of the first conductor pattern, and the second open end may enter the gap of the meandering portion of the second conductor pattern.
  • the resonance frequency can be set independently of the directivity and gain of the dipole antenna by the amount of the first and second open ends entering the inside of the meander.
  • the first dipole element has a first sub-conductor pattern located between the RFIC element and the first side or the second side, and the second dipole element is the RFIC element. It is preferable to have a 2nd subconductor pattern located between and the said 1st side or the said 2nd side. Thereby, the formation area of the dipole antenna can be effectively used, and the size can be further reduced accordingly.
  • the first sub-conductor patterns are at two positions facing each other across the land to which the first input / output terminal of the RFIC element is connected, and the second sub-conductor patterns are of the RFIC element There are two opposing positions across the land to which the second input / output terminal is connected.
  • the first sub-conductor patterns formed at two positions facing each other across the land to which the first input / output terminal of the RFIC element is connected are shielded by the land, and unnecessary magnetic field coupling is suppressed. Therefore, the first and second sub-conductor patterns effectively function as a part of the radiation element and also as an inductance element.
  • the formation region of the dipole antenna has a longitudinal direction and a short direction in plan view, the longitudinal direction corresponds to the first axial direction, and the short direction corresponds to the second axial direction
  • the dimension in the longitudinal direction is 1 ⁇ 8 wavelength or less of the operating frequency of the dipole antenna.
  • the dimension of the said longitudinal direction is 2 times or more of the dimension of the said transverse direction.
  • the RFIC element is preferably an element in which an RFIC chip and an impedance matching circuit for matching the impedances of the RFIC chip and the dipole antenna are integrated.
  • the RFIC element preferably communicates in the UHF band via the dipole antenna. Thereby, it can be adapted to a wireless communication device using the UHF band.
  • the dipole type antenna of a predetermined resonance frequency is formed while shortening the line length of the first dipole element and the second dipole element, the line widths of the first dipole element and the second dipole element are narrowed.
  • the wireless communication device can be miniaturized without an increase in resistance value due to
  • FIG. 1 is a plan view of the RFID tag 301 according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is an equivalent circuit diagram of the dipole antenna according to the first embodiment.
  • FIG. 2 (B) is an equivalent circuit diagram further simplifying the equivalent circuit shown in FIG. 2 (A).
  • FIG. 3 is a diagram showing frequency characteristics of gain of the dipole antenna according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a perspective view of the RFIC element 100.
  • FIG. FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the RFIC element shown in FIG.
  • FIG. 6A is a plan view of the upper insulating layer of the multilayer substrate 120 as viewed from directly above.
  • FIG. 6B is a plan view of the middle insulating layer of the multilayer substrate 120. As shown in FIG.
  • FIG. 6C is a plan view of the lower insulating layer of the multilayer substrate 120.
  • FIG. FIG. 7A is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6A along the line B1-B1.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6B along the line B2-B2.
  • FIG. 7C is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6C along the line B3-B3.
  • FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit of the RFIC element 100.
  • FIG. 9 is a diagram showing the direction of the magnetic field generated in the inductors L1 to L4 of the RFIC element 100.
  • FIG. 9 is a diagram showing the direction of the magnetic field generated in the inductors L1 to L4 of the RFIC element 100.
  • FIG. 10 is a diagram showing the distribution of rigid regions and flexible regions in the RFIC element 100.
  • FIG. 11 is a view showing a state in which the RFID tag in which the RFIC element 100 is attached to the lands LA1 and LA2 is bent.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of current flowing in the equivalent circuit of the RFID tag of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing frequency characteristics of reflection loss when the circuit connected to the RFIC chip in the RFID tag of FIG. 11 is viewed from the RFIC chip.
  • FIG. 14 is a plan view of the RFID tag 302 according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a plan view of the RFID tag 303A according to the third embodiment.
  • FIG. 16 is a plan view of the RFID tag 303B according to the third embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view of an RFID tag 303C according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a plan view of the RFID tag 301 according to the first embodiment.
  • the RFID tag 301 according to the present embodiment includes a rectangular plate-shaped base 1, a first dipole element 10 formed on the base 1, a second dipole element 20, and an RFIC element 100 mounted on the base 1.
  • the RFID tag 301 is an example of the “wireless communication device” according to the present invention.
  • the base material 1 has a first axial direction (X-axis direction in FIG. 1) and a second axial direction (Y-axis direction in FIG. 1) in plan view, and is a first end opposite to each other in the first axial direction. It has an end E1 and a second end E2, and has a first side S1 and a second side S2 which are opposite sides in the second axial direction.
  • the base material 1 has a longitudinal direction and a latitudinal direction in plan view.
  • the longitudinal direction corresponds to the first axial direction
  • the short direction corresponds to the second axial direction.
  • Lands LA1 and LA2 for mounting the RFIC element 100 are formed at the center of the substrate 1.
  • the first input / output terminal and the second input / output terminal of the RFIC element 100 are connected to the lands LA1 and LA2, respectively.
  • the first dipole element 10 and the second dipole element 20 formed on the substrate 1 constitute one dipole antenna.
  • the first dipole element 10 is a first conductor pattern having a meandering meander between the land LA1 and the first end E1, and the second dipole element 20 has the land LA2 and the second end E2. It is a 2nd conductor pattern which has a meander-like meandering part between.
  • the line width of the conductor pattern is 100 ⁇ m, and the distance between the lines is 200 ⁇ m.
  • the substrate 1 is, for example, a polyethylene naphthalate (PEN) film.
  • the conductor pattern is obtained by patterning a Cu foil attached to the substrate 1 by photolithography and etching.
  • One end of the first dipole element 10 is a first connection end CE1 connected to the land LA1 (connected to the first input / output terminal of the RFIC element).
  • the other end of the first dipole element 10 is a first open end OE1.
  • One end of the second dipole element 20 is a second connection end CE2 connected to the land LA2 (connected to the second input / output terminal of the RFIC element).
  • the other end of the second dipole element 20 is a second open end OE2.
  • the RFID tag 301 of the present embodiment has a dimension of 24 mm in the longitudinal direction of the formation region of the dipole antenna, 8 mm in the lateral direction, and a dimensional ratio of 1: 3 in the lateral direction and the longitudinal direction. That is, the dimension in the longitudinal direction is twice or more the dimension in the transverse direction.
  • the planar dimension is 50 mm or less in the longitudinal direction, 25 mm or less in the transverse direction, and 30 mm or less in the longitudinal direction, and 10 mm or less in the transverse direction.
  • Very small tags can be configured.
  • the working frequency (1/2 wavelength fundamental resonant frequency) of this dipole antenna is, for example, 920 MHz, and the effective relative permittivity around the antenna formed of the base 1 and space is about 1.5. Therefore, the longitudinal dimension (24 mm) is equal to or less than 1 ⁇ 8 wavelength (about 29 mm) of the operating frequency of the dipole antenna. This makes it possible to secure a long communication distance while being compact.
  • the first dipole element 10 is composed of the main conductor pattern portion 11 and the first folded portion 12.
  • the second dipole element 20 is composed of the main conductor pattern portion 21 and the second folded portion 22.
  • the first folded portion 12 is configured such that the first open end OE1 faces the middle portion of the first dipole element 10.
  • the first folded portion 12 is shaped so as to be folded in a direction approaching the RFIC element 100 from the outer edge (in the present embodiment, the first end E1) of the formation region of the first dipole element 10.
  • the first folded back portion 12 includes a first open end OE1 and a first open end vicinity NE1 near the first open end OE1.
  • the first folded portion 12 faces the facing portion FP1 of the first dipole element.
  • the second folded portion 22 is configured such that the second open end OE2 faces the middle portion of the second dipole element 20.
  • the second folded portion 22 is shaped so as to be folded in a direction approaching the RFIC element 100 from the outer edge (the second end E2 in the present embodiment) of the formation region of the second dipole element 20.
  • the second folded portion 22 includes a second open end OE2 and a second open end vicinity NE2 near the second open end OE2.
  • the second folded portion 22 faces the facing portion FP2 of the second dipole element.
  • the first dipole element 10 has a first intervening portion 10i interposed between the first open end OE1 and the second dipole element 20. That is, in the first dipole element 10, in particular, the first intervening portion 10i intervenes in an area connecting the first open end OE1 and the outer edge of the second dipole element 20 (the formation region of the second dipole element 20).
  • the second dipole element 20 includes a second intervening portion 20i in an area connecting the second open end OE2 and the outer edge of the first dipole element 10.
  • the RFIC element is disposed at the center of the substrate 1, and the first turnback portion 12 and the second turnback portion 22 are in a point symmetrical relationship with the position of the RFIC element 100. Further, in the present embodiment, the first dipole element 10 and the second dipole element 20 are in a point-symmetrical relationship with the position of the RFIC element 100 as a whole.
  • FIG. 2A is an equivalent circuit diagram of the dipole antenna according to the present embodiment.
  • FIG. 2 (B) is an equivalent circuit diagram further simplifying the equivalent circuit shown in FIG. 2 (A).
  • the capacitance element C1 corresponds to the capacitance generated between the first folded portion 12 and the first facing portion FP1 shown in FIG. That is, it corresponds to a first capacitance component formed by the opposing relationship between the first open end OE1 and the vicinity of the first open end and the middle portion of the first dipole element 10.
  • the inductance element L11 corresponds to a first parallel inductance component generated in the conductor pattern including the first opposing portion FP1 in the first dipole element 10.
  • the inductance element L12 corresponds to a first series inductance component generated in a conductor pattern other than the conductor pattern including the first facing portion FP1 in the first dipole element 10.
  • the capacitance element C2 corresponds to the capacitance generated between the second folded portion 22 and the second opposing portion FP2 shown in FIG. That is, it corresponds to a second capacitance component formed by the opposing relationship between the second open end OE2 and the vicinity of the second open end and the middle portion of the second dipole element 20.
  • the inductance element L21 corresponds to a second parallel inductance component generated in the conductor pattern including the second opposing portion FP2 in the second dipole element 20.
  • the inductance element L22 corresponds to a second series inductance component generated in a conductor pattern other than the conductor pattern including the second facing portion FP2 in the second dipole element 20.
  • a first LC parallel circuit LC1 is configured by the capacitance element C1 and the inductance element L11. That is, the first dipole element 10 is configured by the first LC parallel circuit LC1 and the inductance element L12 connected in series between the first LC parallel circuit LC1 and the first connection end CE1.
  • a second LC parallel circuit LC2 is configured by the capacitance element C2 and the inductance element L21, and the second dipole element 20 is disposed between the second LC parallel circuit LC2 and the second LC parallel circuit LC2 and the second connection end CE2. And an inductance element L22 connected in series.
  • the impedance can be expressed as infinite.
  • the impedance across the first LC parallel circuit LC1 becomes infinite at its parallel resonant frequency (eg, 1.8 GHz), and the first LC parallel circuit LC1 does not function as a radiating element, but in a frequency band lower than this resonant frequency
  • the first LC parallel circuit LC1 is inductive, and the impedance at the second end Pa of the first LC parallel circuit has a value (eg, 500 ⁇ ) lower than infinity. That is, the first LC parallel circuit contributes to the radiation at that frequency.
  • the second LC parallel circuit LC2 the second LC parallel circuit LC2.
  • FIG. 3 is a diagram showing the frequency characteristics of the gain of the dipole antenna according to the present embodiment.
  • a curve G0 indicates the frequency characteristics of the gain of the dipole antenna in the absence of the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2 shown in FIG. 2 (A) and FIG. 2 (B).
  • the frequency fo is the resonant frequency of the dipole antenna, and the gain peaks at this frequency fo.
  • Curves G1 and G2 both indicate the frequency characteristics of the gain of the dipole antenna provided with the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2.
  • the resonance frequency of the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2 is fs1
  • the resonance frequency of the dipole antenna is fo1.
  • the resonance frequency of the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2 is fs2
  • the resonance frequency of the dipole antenna is fo2.
  • the resonant frequency of the dipole antenna is lowered. Further, as the capacitances of the capacitance elements C1 and C2 are increased (resonance frequency is decreased), the resonance frequency of the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2 is lowered, and the resonance frequency of the dipole antenna is lowered. Therefore, by forming the LC parallel circuit, it is possible to obtain a dipole antenna of a predetermined resonance frequency while shortening the line lengths of the first dipole element and the second dipole element.
  • the operating frequency of the dipole antenna is 920 MHz band.
  • the resonant frequency of the first LC parallel circuit LC1 and the resonant frequency of the second LC parallel circuit LC2 are at least twice as high as the working frequency of the dipole antenna. For example, it is in the range of 1.5 GHz to 3 GHz.
  • the resonant frequency of the first LC parallel circuit LC1 and the second LC parallel circuit LC2 are inductive in the 920 MHz band, and the line lengths of the first and second dipole elements (the meandering conductor pattern Line length) becomes equivalently longer.
  • a dipole antenna having a predetermined resonance frequency can be obtained while shortening the line lengths of the first dipole element 10 and the second dipole element 20. Therefore, there is no increase in resistance value by narrowing the line widths of the first dipole element 10 and the second dipole element 20, and the RFID tag can be miniaturized.
  • the first interposing element 10i since the first intervening portion 10i is interposed between the first open end OE1 and the second dipole element 20, the first interposing element 10i The unnecessary capacity generated between the open end OE1 and the first open end vicinity NE1 and the second dipole element 20 (in particular, the second open end OE2) is suppressed. Similarly, unnecessary capacitance generated between the second open end OE2 and the second open end vicinity NE2 of the second dipole element 20 and the first dipole element 10 (in particular, the first open end OE1) is suppressed. Therefore, the change in directivity and the decrease in gain of the dipole antenna are suppressed. In a small RFID, since the reading distance is shortened as the directivity changes, it is important to be miniaturized while maintaining the directivity.
  • the meandering conductor pattern of the first dipole element 10 is present between the first open end OE1 and the first connection end CE1, the conductor pattern closer to the first connection end CE1 and the first conductor end CE1 (1) Stray capacitance is unlikely to occur between the open end OE1.
  • a meandering conductor pattern of the second dipole element 20 exists between the second open end OE2 and the second connection end CE2, the conductor pattern closer to the second connection end CE2 and the second open end OE2 Stray capacitance is unlikely to occur. Therefore, even if the length of the first folded portion 12 or the length of the second folded portion 22 is changed, the impedance matching characteristics of the RFIC element 100 and the dipole antenna hardly change. This also suppresses the decrease in the reading distance of the RFID tag.
  • both the capacitance component and the inductance component change depending on the length of the spiral conductor pattern, so the resonant frequency of the dipole antenna Is difficult to set to a predetermined value.
  • the folded portion 12 hardly acts as an inductance element, but acts as a capacitance forming conductor pattern that forms a capacitance with the meandering conductor pattern. Therefore, the additional capacity can be determined independently.
  • FIG. 4 is a perspective view of the RFIC element 100.
  • the RFIC element 100 is, for example, an RFIC element corresponding to a communication frequency of 900 MHz band, that is, UHF band.
  • the RFIC element 100 has a multilayer substrate 120 whose main surface is rectangular.
  • the multilayer substrate 120 is flexible.
  • the multilayer substrate 120 has, for example, a laminated structure in which a flexible resin insulating layer such as polyimide or liquid crystal polymer is laminated.
  • the dielectric constant of each insulating layer composed of these materials is smaller than the dielectric constant of the ceramic base layer represented by LTCC.
  • the length direction of the multilayer substrate 120 is taken as the X axis, the width direction of the multilayer substrate 120 as the Y axis, and the thickness direction of the multilayer substrate 120 as the Z axis.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the RFIC element shown in FIG.
  • FIG. 6A is a plan view of the upper insulating layer of the multilayer substrate 120 as viewed from directly above.
  • FIG. 6B is a plan view of the middle insulating layer of the multilayer substrate 120.
  • FIG. 6C is a plan view of the lower insulating layer of the multilayer substrate 120.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6A along the line B1-B1.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6B along the line B2-B2.
  • FIG. 7C is a cross-sectional view of the insulating layer shown in FIG. 6C along the line B3-B3.
  • an RFIC chip 160 and an impedance matching circuit 180 are incorporated in the multilayer substrate 120.
  • a first terminal electrode 140 a and a second terminal electrode 140 b are formed on one main surface of the multilayer substrate 120.
  • the matching circuit 180 impedance-matches the RFIC chip 160 with the first dipole element 10 and the second dipole element 20, and determines the resonant frequency characteristic of the antenna.
  • the RFIC chip 160 has a structure in which various elements are incorporated in a hard semiconductor substrate made of a semiconductor such as silicon. Both main surfaces of the RFIC chip 160 are square. Further, as shown in FIG. 6C, on the other main surface of the RFIC chip 160, a first input / output terminal 160a and a second input / output terminal 160b are formed. Inside the multilayer substrate 120, each side of the square of the RFIC chip 160 extends along the X axis direction or the Y axis direction, and one main surface and the other main surface are parallel to the XY plane, Located at the center of each of the X, Y, and Z axes.
  • the matching circuit 180 is configured of the coil conductor 200 and the interlayer connection conductors 240 a and 240 b.
  • the coil conductor 200 is configured by the coil patterns 200a to 200c shown in FIG. 6B or 6C.
  • a part of the coil pattern 200a is configured by the first coil portion CIL1.
  • a part of the coil pattern 200b is configured by the second coil portion CIL2.
  • a part of the coil pattern 200c is configured by the third coil portion CIL3 and the fourth coil portion CIL4.
  • the first coil portion CIL1, the third coil portion CIL3, and the interlayer connection conductor 240a are arranged in the Z-axis direction.
  • the second coil portion CIL2, the fourth coil portion CIL4, and the interlayer connection conductor 240b are also arranged in the Z-axis direction.
  • the RFIC chip 160 is disposed between the first coil portion CIL1 and the second coil portion CIL2 when the multilayer substrate 120 is viewed in the Z-axis direction.
  • the RFIC chip 160 is disposed between the third coil portion CIL3 and the fourth coil portion CIL4 when the multilayer substrate 120 is viewed in the Y-axis direction.
  • Each of the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b is formed in a strip shape using a flexible copper foil as a material.
  • the sizes of the main surfaces of each of the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b match each other.
  • the short sides of the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b extend in the X-axis direction.
  • the long sides of the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b extend in the Y-axis direction.
  • the RFIC chip 160 is sandwiched between a part of the matching circuit 180 and another part of the matching circuit 180 when the multilayer substrate 120 is viewed from the Y-axis direction. Further, the RFIC chip 160 overlaps the matching circuit 180 when the multilayer substrate 120 is viewed from the X-axis direction.
  • the matching circuit 180 partially overlaps each of the first terminal electrode 140 a and the second terminal electrode 140 b when the multilayer substrate 120 is viewed in plan.
  • the multilayer substrate 120 is configured by three sheet-like insulating layers 120a to 120c stacked as shown in FIGS. 6A to 6C.
  • the insulating layer 120 a is located on the upper side
  • the insulating layer 120 b is located on the middle side
  • the insulating layer 120 c is located on the lower side.
  • a first terminal electrode 140a and a second terminal electrode 140b are formed on one main surface of the insulating layer 120a.
  • a rectangular through hole HL1 reaching the other main surface is formed at the central position of one of the main surfaces of the insulating layer 120b.
  • the through hole HL1 is formed to a size including the RFIC chip 160.
  • a coil pattern 200c is formed around the through hole HL1 on one of the main surfaces of the insulating layer 120b.
  • the coil pattern 200c is configured using a flexible copper foil as a material.
  • One end of the coil pattern 200c is disposed at a position overlapping the first terminal electrode 140a in plan view, and is connected to the first terminal electrode 140a by the interlayer connection conductor 220a extending in the Z-axis direction.
  • the other end of the coil pattern 200c is disposed at a position overlapping the second terminal electrode 140b in plan view, and is connected to the second terminal electrode 140b by the interlayer connection conductor 220b extending in the Z-axis direction.
  • the interlayer connection conductors 220a and 220b are made of a hard metal bulk mainly composed of Sn.
  • Coil patterns 200a and 200b are formed on one main surface of the insulating layer 120c.
  • the coil patterns 200a and 200b are configured using a flexible copper foil as a material.
  • the first coil end T1 and the second coil end T2 are both formed in a rectangular shape when the insulating layer 120c is viewed in plan.
  • One end of the coil pattern 200a is connected to one end of the coil pattern 200c by an interlayer connection conductor 240a extending in the Z-axis direction.
  • One end of the coil pattern 200b is connected to the other end of the coil pattern 200c by an interlayer connection conductor 240b extending in the Z-axis direction.
  • the interlayer connection conductors 240a and 240b are made of a hard metal bulk mainly composed of Sn.
  • a section of the coil pattern 200a overlaps a section of the coil pattern 200c, and a section of the coil pattern 200b is also another section of the coil pattern 200c.
  • the section on the coil pattern 200a side is referred to as “first coil portion CIL1”
  • the section on the coil pattern 200c side is referred to as "third coil portion CIL3”.
  • the section on the coil pattern 200b side is referred to as "second coil section CIL2”
  • the section on the coil pattern 200c side is referred to as "fourth coil section CIL4".
  • first position P1 the position of one end of the coil pattern 200a or the one end of the coil pattern 200c is referred to as "first position P1"
  • second position P2 the position of the one end of the coil pattern 200b or the other end of the coil pattern 200c is "second position P2" It is said.
  • Rectangular dummy conductors 260a and 260b are formed on one main surface of the insulating layer 120c.
  • the dummy conductors 260a and 260b are made of a flexible copper foil.
  • the dummy conductors 260a and 260b are arranged to overlap two of the four corner portions of the rectangular through hole HL1.
  • the RFIC chip 160 is mounted on the insulating layer 120c such that the four corner portions of the other main surface face the first coil end T1, the second coil end T2, and the dummy conductors 260a and 260b.
  • the first input / output terminal 160a is disposed on the other main surface of the RFIC chip 160 so as to overlap with the first coil end T1 in plan view.
  • the second input / output terminal 160b is disposed on the other main surface of the RFIC chip 160 so as to overlap the second coil end T2 in a plan view.
  • the RFIC chip 160 is connected to the first coil end T1 by the first input / output terminal 160a, and is connected to the second coil end T2 by the second input / output terminal 160b.
  • the thickness of the insulating layers 120a to 120c is 10 ⁇ m to 100 ⁇ m. Therefore, the RFIC chip 160 and the matching circuit 180 built in the multilayer substrate 120 can be seen through from the outside. Therefore, the connection state (presence or absence of disconnection) of the RFIC chip 160 and the matching circuit 180 can be easily confirmed.
  • FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit of the RFIC element 100 configured as described above.
  • an inductor L1 corresponds to the first coil portion CIL1.
  • the inductor L2 corresponds to the second coil portion CIL2.
  • the inductor L3 corresponds to the third coil portion CIL3.
  • the inductor L4 corresponds to the fourth coil portion CIL4.
  • the characteristics of impedance matching by matching circuit 180 are defined by the values of inductors L1 to L4.
  • One end of the inductor L1 is connected to a first input / output terminal 160a provided in the RFIC chip 160.
  • One end of the inductor L2 is connected to a second input / output terminal 160b provided on the RFIC chip 160.
  • the other end of the inductor L1 is connected to one end of the inductor L3.
  • the other end of the inductor L2 is connected to one end of the inductor L4.
  • the other end of the inductor L3 is connected to the other end of the inductor L4.
  • the first terminal electrode 140a is connected to the connection point of the inductors L1 and L3.
  • the second terminal electrode 140 b is connected to the connection point of the inductors L 2 and L 4.
  • the first coil portion CIL1, the second coil portion CIL2, the third coil portion CIL3, and the fourth coil portion CIL4 are wound such that the magnetic fields are in phase and in series with each other. It is connected. Therefore, the magnetic field is generated at a certain point so as to turn in the direction indicated by the arrow in FIG. On the other hand, the magnetic field is generated at another time point so as to turn in the opposite direction to the direction shown by the arrow in FIG.
  • the first coil portion CIL1 and the third coil portion CIL3 have substantially the same loop shape and the same first winding axis.
  • the second coil portion CIL2 and the fourth coil portion CIL4 have substantially the same loop shape and the same second winding axis.
  • the first winding axis and the second winding axis are disposed at positions sandwiching the RFIC chip 160.
  • first coil portion CIL1 and the third coil portion CIL3 are magnetically and capacitively coupled.
  • second coil portion CIL2 and the fourth coil portion CIL4 are magnetically and capacitively coupled.
  • the RFIC chip 160 has the first input / output terminal 160 a and the second input / output terminal 160 b and is built in the multilayer substrate 120.
  • the matching circuit 180 is incorporated in the multilayer substrate 120 including the coil patterns 200a to 200c.
  • the first terminal electrode 140 a and the second terminal electrode 140 b are provided on one main surface of the multilayer substrate 120.
  • first coil portion CIL1 is present in a section from the first coil end T1 to the first position P1, and has a first winding axis in a direction intersecting with one main surface of the multilayer substrate 120.
  • the second coil portion CIL2 is present in a section from the second coil end T2 to the second position P2, and has a second winding axis in a direction intersecting with one main surface of the multilayer substrate 120.
  • the third coil portion CIL3 is arranged to overlap the first coil portion CIL1 in plan view.
  • the fourth coil portion CIL4 is arranged to overlap the second coil portion CIL2 in plan view.
  • the first coil portion CIL1, the third coil portion CIL3, the second coil portion CIL2, and the fourth coil portion CIL4 are disposed at positions sandwiching the RFIC chip 160.
  • the matching circuit 180 and the RFIC chip 160 are incorporated in the multilayer substrate 120.
  • the RFIC chip 160 is formed of a semiconductor substrate. Therefore, the RFIC chip 160 functions as a ground or a shield for the first coil portion CIL1, the second coil portion CIL2, the third coil portion CIL3, and the fourth coil portion CIL4. As a result, the first coil portion CIL1 and the second coil portion CIL2 as well as the third coil portion CIL3 and the fourth coil portion CIL4 become difficult to couple to each other magnetically or capacitively. Thus, narrowing of the pass band of the communication signal is suppressed.
  • FIG. 10 is a diagram showing the distribution of rigid regions and flexible regions in the RFIC element 100.
  • FIG. 11 is a view showing a state in which the RFID tag in which the RFIC element 100 is attached to the lands LA1 and LA2 is bent.
  • the multilayer substrate 120, the coil patterns 200a to 200c, the first terminal electrode 140a, and the second terminal electrode 140b are made of flexible members.
  • interlayer connection conductors 220a, 220b, 240a, 240b, and the RFIC chip 160 are made of hard members.
  • the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b are relatively large in size, their flexibility is low.
  • the flexibility of the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b is even lower. Become.
  • a rigid region and a flexible region are formed in the RFIC element 100. More specifically, the area in which the first terminal electrode 140a, the second terminal electrode 140b, and the RFIC chip 160 are disposed is a rigid area, and the other area is a flexible area. In particular, since the first terminal electrode 140a and the second terminal electrode 140b are provided at a distance from the RFIC chip 160, the first terminal electrode 140a and the RFIC chip 160, and the second terminal electrode 140b and the RFIC chip 160. The area is a flexible area.
  • the RFIC element 100 bends as shown in FIG. 11, for example.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of current flowing in the equivalent circuit of the RFID tag of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing frequency characteristics of reflection loss when the circuit connected to the RFIC chip in the RFID tag of FIG. 11 is viewed from the RFIC chip.
  • a parasitic capacitance (floating capacitance) Cp that the RFIC chip 160 has is present between the first input / output terminal 160a and the second input / output terminal 160b. Therefore, in the RFIC element 100, two resonances occur.
  • the first resonance is a resonance that occurs in the current path configured by the first dipole element 10, the second dipole element 20, and the inductors L3 and L4.
  • the second resonance is a resonance that occurs in a current path (current loop) formed of the inductors L1 to L4 and the parasitic capacitance Cp. These two resonances are coupled by the inductors L3 to L4 shared by the respective current paths.
  • Two currents I1 and I2 respectively corresponding to the two resonances flow as indicated by broken arrows in FIG.
  • both the first resonance frequency and the second resonance frequency are affected by the inductors L3 to L4.
  • a difference of several tens of MHz is generated between the first resonance frequency f1 and the second resonance frequency f2.
  • the impedance matching circuit for determining the resonance frequency characteristic of the antenna is provided. The following effects are achieved.
  • the area of the substrate can be effectively used as a space for forming a dipole element, and the RFID tag can be miniaturized. Also, if the size is the same, high gain can be achieved.
  • the lands LA1 and LA2 on which the RFIC element 100 is mounted overlap the first coil portion CIL1, the second coil portion CIL2, the third coil portion CIL3 and the fourth coil portion CIL4 of the RFIC element 100 in plan view,
  • the sections CIL1 to CIL4 are electromagnetically shielded by the lands LA1 and LA2, which make the sections CIL1 to CIL4 unlikely to be affected by the electromagnetic properties of the article to which the RFID tag is attached. That is, even when the RFID tag 301 is attached to an article having a high relative dielectric constant or relative permeability, the change in the electromagnetic characteristics of the RFID tag is small between the attached state and the single state before attachment.
  • the second embodiment shows an RFID tag in which the shape of the dipole antenna is different from that shown in the first embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view of the RFID tag 302 according to the second embodiment.
  • the RFID tag 302 according to this embodiment includes a rectangular plate-shaped base 1, a first dipole element 10 and a second dipole element 20 formed on the base 1, and an RFIC element 100 mounted on the base 1.
  • a first dipole element 10 and a second dipole element 20 are formed on the substrate 1.
  • the first dipole element 10 and the second dipole element 20 constitute one dipole antenna.
  • One end of the first dipole element 10 is a first connection end CE1 connected to the land LA1 (connected to the first input / output terminal of the RFIC element).
  • the other end of the first dipole element 10 is a first open end OE1.
  • One end of the second dipole element 20 is a second connection end CE2 connected to the land LA2 (connected to the first input / output terminal of the RFIC element).
  • the other end of the second dipole element 20 is a second open end OE2.
  • the first dipole element 10 includes first sub conductor patterns 10S1 and 10S2.
  • the first sub conductor pattern 10S1 is disposed between the RFIC element 100 and the second side S2, and the first sub conductor pattern 10S2 is disposed between the RFIC element 100 and the first side S1.
  • the second dipole element 20 includes second sub conductor patterns 20S1 and 20S2.
  • the second sub conductor pattern 20S1 is disposed between the RFIC element 100 and the first side S1
  • the second sub conductor pattern 20S2 is disposed between the RFIC element 100 and the second side S2.
  • the formation region of the dipole antenna can be effectively used, and the dipole antenna can be used accordingly Can be further miniaturized.
  • the land LA1 is formed between the first sub conductor pattern 10S1 and the first sub conductor pattern 10S2, unnecessary magnetic coupling between the first sub conductor pattern 10S1 and the first sub conductor pattern 10S2 is obtained. Be suppressed.
  • the land LA2 is formed between the second sub conductor pattern 20S1 and the second sub conductor pattern 20S2, unnecessary magnetic coupling between the second sub conductor pattern 20S1 and the second sub conductor pattern 20S2 is performed. Is suppressed. Accordingly, the first sub conductor patterns 10S1 and 10S2 and the second sub conductor patterns 20S1 and 20S2 effectively function as a part of the radiation element and as an inductance element.
  • the first sub conductor pattern 10S1 is also a part of a first intervening portion interposed between the first open end OE1 and the second dipole element 20.
  • the second sub conductor pattern 20S1 is also a part of a second intervening portion interposed between the second open end OE2 and the first dipole element 10.
  • the other configuration is the same as that of the RFID tag 301 shown in FIG.
  • the third embodiment shows an RFID tag in which the shape of the dipole antenna is different from that shown in the first and second embodiments.
  • FIG. 15 is a plan view of the RFID tag 303A according to the third embodiment.
  • the RFID tag 303A according to the present embodiment includes a rectangular plate-shaped substrate 1, a first dipole element 10 and a second dipole element 20 formed on the substrate 1, and an RFIC element 100 mounted on the substrate 1.
  • a first folded portion is configured by the first open end OE1 of the first dipole element 10 and the vicinity portions NE11 and NE12 thereof.
  • the first open end near portion NE12 is a conductor pattern folded back in the direction of the second dipole element 20 (the X-axis direction) from the first end E1.
  • the first open end vicinity NE11 is a conductor pattern extending in the direction (Y-axis direction) along the conductor pattern of the meandering meander from the tip of the first open end proximity NE1. In this manner, the first open end OE1 of the first dipole element 10 and the first open end vicinity NE11 of the first dipole element 10 enter the gap of the meandering serpentine portion of the first dipole element 10.
  • a second folded back portion is configured by the second open end OE2 of the second dipole element 20 and the vicinity portions NE21 and NE22 thereof.
  • the second open end near portion NE22 is a conductor pattern folded back in the direction of the first dipole element 10 ( ⁇ X axis direction) from the second end E2.
  • the second open end near portion NE21 is a conductor pattern extending from the end of the second open end near portion NE22 in the direction (-Y-axis direction) along the conductor pattern of the meandering meander.
  • the second open end OE2 of the second dipole element 20 and the second open end vicinity NE21 of the second dipole element 20 enter the gap of the meandering serpentine portion of the second dipole element 20.
  • a capacitance is generated between the first folded portion and a portion of the first dipole element to which the first folded portion faces.
  • a capacitance is generated between the second folded portion and a portion of the second dipole element opposed to the second folded portion.
  • FIG. 16 is a plan view of another RFID tag 303B according to the third embodiment.
  • the position of the first open end OE1 is different from the position of the second open end OE2 from the RFID tag 303A shown in FIG.
  • the length of the first open end vicinity NE11 and the length of the second open end vicinity NE21 are shorter than those shown in FIG. 15.
  • FIG. 17 is a plan view of still another RFID tag 303C according to the third embodiment.
  • the position of the first open end OE1 is different from the position of the second open end OE2 from the RFID tag 303A shown in FIG.
  • the first open end OE1 and the first open end vicinity NE1 of the first dipole element 10 do not enter the gap of the meandering serpentine portion of the first dipole element 10.
  • the second open end OE2 and the second open end vicinity NE2 of the second dipole element 20 do not enter the gap of the meandering meander of the second dipole element 20.
  • the resonance frequency of the dipole antenna of the RFID tag 303A is foA
  • the resonance frequency of the dipole antenna of the RFID tag 303B is foB
  • the resonance frequency of the dipole antenna of the RFID tag 303C is foC.
  • FoA ⁇ foB ⁇ foC the resonance frequency of the antenna can be adjusted (set) only by changing the length of the folded portion.
  • the open end OE1 of the first dipole element 10 is equivalently invisible (electromagnetically) from the second dipole element 20, and the open end OE2 of the second dipole element 20 is equivalent to the first dipole element 10 Because they are invisible (electromagnetically), the gain and directivity of the dipole antenna hardly change. Therefore, frequency adjustment (setting) of the dipole antenna becomes possible independently of gain and directivity.
  • the opposing distance between the first folded portion and the portion of the first dipole element opposed to it, and the opposing distance between the second folded portion and the portion of the second dipole element opposed thereto are between the patterns of the meandering conductor patterns As it is close to the distance, it is unlikely to be affected by external dielectrics.
  • a wide conductor pattern for adding capacitance is formed at the tip of the dipole element. The capacitance provided to the dipole element is less susceptible to the influence of an external dielectric, as compared to the dipole antenna of the conventional structure.
  • the RFID tag has been described as an example, but the present invention can be similarly applied to a wireless communication device such as a Bluetooth (registered trademark) module or a wireless LAN module.
  • a wireless communication device such as a Bluetooth (registered trademark) module or a wireless LAN module.

Abstract

ＲＦＩＤタグ（３０１）は、基材（１）とＲＦＩＣ素子（１００）とダイポール型アンテナとを備える。ダイポール型アンテナは、第１ダイポールエレメント（１０）および第２ダイポールエレメント（２０）で構成される。第１ダイポールエレメント（１０）は第１折り返し部（１２）を有し、第１折り返し部（１２）と第１対向部（ＦＰ１）との間に容量を形成する。また、第１ダイポールエレメント（１０）は第１開放端（ＯＥ１）と第２ダイポールエレメント（２０）との間に介在する第１介在部（１０ｉ）を有する。同様に、第２ダイポールエレメント（２０）は第２折り返し部（２２）を有し、第２折り返し部（２２）と第２対向部（ＦＰ２）との間に容量を形成する。また、第２ダイポールエレメント（２０）は第２開放端（ＯＥ２）と第１ダイポールエレメント（１０）との間に介在する第２介在部（２０ｉ）を有する。

Description

無線通信デバイス
　本発明は、ＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）タグや通信モジュール等の無線通信デバイスに関し、特に、ダイポール型アンテナを備える無線通信デバイスに関する。
　ＵＨＦ帯を利用するＲＦＩＤタグのアンテナは、通常、ダイポール型アンテナである。特許文献１には、ダイポール型アンテナとして作用する導体パターンが形成された基材にＲＦＩＣ素子が搭載されたＲＦＩＤタグが示されている。このＲＦＩＤタグは例えば物流管理のために物品に貼付され、必要に応じてリーダ／ライタで読み取り／書き込みが行われる。
特許第５９０４３１６号公報
　上記ダイポール型アンテナは、ＲＦＩＣ素子の二つの接続端に接続される二つのダイポールエレメントで構成される。ダイポール型アンテナを小型化するため、特許文献１に示されているように、各ダイポールエレメントはミアンダ状にパターニングされる。
　しかし、ＲＦＩＤタグや通信モジュール等の無線通信デバイスを設ける適用先のスペースが限定されている場合や、小型の物品や装置へ適用するためには、より小型の無線通信デバイスが必要になる。
　無線通信デバイスを小型化するためにはダイポールエレメントのパターンを微細化すればよいが、無線通信デバイスの製造上、寸法精度などの制約がある。また、ダイポールエレメントのパターンの微細化に伴って、ダイポールエレメントの抵抗値が増大するため、抵抗値をある程度に抑えるためには、無線通信デバイスの小型化には自ずと限界がある。
　そこで、本発明の目的は、ダイポールエレメントの抵抗値の増大を抑えつつ小型化を図った無線通信デバイスを提供することにある。
（１）本発明の無線通信デバイスは、
　第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
　一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
　を備え、
　前記第１ダイポールエレメントは、
　　前記第１開放端および当該第１開放端の近傍である第１開放端近傍部と、前記第１ダイポールエレメントの中途部分との対向によって形成される、第１キャパシタンス成分および第１並列インダクタンス成分による第１ＬＣ並列回路と、
　　前記第１ＬＣ並列回路と前記第１接続端との間に直列に繋がる第１直列インダクタンス成分と、で構成され、
　前記第２ダイポールエレメントは、
　　前記第２開放端および当該第２開放端の近傍である第２開放端近傍部と、前記第２ダイポールエレメントの中途部分との対向によって形成される、第２キャパシタンス成分および第２並列インダクタンス成分による第２ＬＣ並列回路と、
　　前記第２ＬＣ並列回路と前記第２接続端との間に直列に繋がる第２直列インダクタンス成分と、で構成され、
　前記第１ＬＣ並列回路の共振周波数および前記第２ＬＣ並列回路の共振周波数は、前記ダイポール型アンテナの使用周波数の２倍以上である、
　ことを特徴とする。
　このように、ＬＣ並列回路の形成により、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの線路長を短くしつつ、ダイポール型アンテナの所定の共振周波数が得られる。したがって、第１ダイポールエレメント、第２ダイポールエレメントの線幅を細くし、長くすることによる抵抗値の増大がなく、無線通信デバイスを小型化できる。
（２）また、本発明の無線通信デバイスは、
　基材と、
　前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
　前記基材上に設けられ、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
　を備え、
　前記第１ダイポールエレメントは、
　　前記第１開放端が前記第１ダイポールエレメントの中途部分に対向するように構成された第１折り返し部と、
　　前記第１開放端と前記第２ダイポールエレメントの外縁とを結ぶエリア内に介在する第１介在部と、
　を有し、
　前記第２ダイポールエレメントは、
　　前記第２開放端が前記第２ダイポールエレメントの中途部分に対向するように構成された第２折り返し部と、
　　前記第２開放端と前記第１ダイポールエレメントの外縁とを結ぶエリア内に介在する第２介在部と、
　を有する、
　ことを特徴とする。
　上記構成により、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの線路長を短くしつつ、ダイポール型アンテナの共振周波数は所定値に定められる。したがって、第１ダイポールエレメント、第２ダイポールエレメントの線幅を細くし、長くすることによる抵抗値の増大がなく、無線通信デバイスを小型化できる。また、第１ダイポールエレメントの第１開放端および第１開放端近傍部と第２ダイポールエレメント（特に第２開放端）との間に生じる不要な容量が抑制され、同様に、第２ダイポールエレメントの第２開放端および第２開放端近傍部と第１ダイポールエレメント（特に第１開放端）との間に生じる不要な容量が抑制されるので、指向性や利得の変化が抑制される。
（３）前記ＲＦＩＣ素子は、前記基材の中央に配置され、前記第１折り返し部と前記第２折り返し部とは、前記ＲＦＩＣ素子の位置に対して点対称関係の位置にあることが好ましい。この構造により、第１ダイポールエレメントの開放端と第２ダイポールエレメントの開放端とが効果的に離れ、第１ダイポールエレメントの開放端と第２ダイポールエレメントの開放端とが容量結合することによるダイポール型アンテナの電磁波放射の阻害が抑制される。
（４）前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で第１軸方向に互いに対向する第１端部および第２端部、前記第１軸方向に直交する第２軸方向に互いに対向する第１側部および第２側部を有し、前記第１ダイポールエレメントは、前記第１入出力端子と前記第１端部との間にミアンダ状の蛇行部を有する第１導体パターンであり、前記第２ダイポールエレメントは、前記第２入出力端子と前記第２端部との間にミアンダ状の蛇行部を有する第２導体パターンであることが好ましい。この構造により、小型のダイポール型アンテナが構成される。
（５）前記第１開放端は前記第１導体パターンの蛇行部の隙間に入り込み、前記第２開放端は前記第２導体パターンの蛇行部の隙間に入り込んでいてもよい。この構造によれば、第１、第２開放端が蛇行部の内側に入る量によって、ダイポール型アンテナの指向性および利得から独立して共振周波数の設定ができる。
（６）前記第１ダイポールエレメントは、前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部または前記第２側部との間に位置する第１副導体パターンを有し、前記第２ダイポールエレメントは、前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部または前記第２側部との間に位置する第２副導体パターンを有することが好ましい。これにより、ダイポール型アンテナの形成領域を有効に利用でき、その分、さらに小型化できる。
（７）例えば、前記第１副導体パターンは、前記ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子が接続されるランドを挟んで対向する二つの位置にあり、前記第２副導体パターンは、前記ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子が接続されるランドを挟んで対向する二つの位置にある。この構造によれば、ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子が接続されるランドを挟んで対向する二つの位置に形成された第１副導体パターン同士はランドで遮蔽され、不要な磁界結合が抑制されるので、第１、第２副導体パターンは放射素子の一部として、また、インダクタンス素子として、有効に作用する。
（８）前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向と短手方向とをもち、前記長手方向は前記第１軸方向に対応し、前記短手方向は前記第２軸方向に対応し、前記長手方向の寸法は前記ダイポール型アンテナの使用周波数の１／８波長以下であることが好ましい。これにより、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの蛇行部が延びる方向がダイポール型アンテナとして放射に有効に寄与し、小型でありながら、長い通信距離が確保できる。
（９）前記長手方向の寸法は前記短手方向の寸法の２倍以上であることが好ましい。この構造により、ＲＦＩＣ素子から互いに概略反対方向へ延びる第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの範囲を長く確保でき、ダイポール型アンテナの所定の利得が得やすい。
（１０）前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを一体化した素子であることが好ましい。この構成により、無線通信デバイスを設ける部材の誘電率や透磁率の影響を受けず、無線通信デバイス単体での電気的特性を保てる。
（１１）前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信することが好ましい。これにより、ＵＨＦ帯を利用する無線通信デバイスに適合できる。
　本発明によれば、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの線路長を短くしつつ、所定共振周波数のダイポール型アンテナが構成されるので、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの線幅を細くすることによる抵抗値の増大がなく、無線通信デバイスを小型化できる。
図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。 図２（Ａ）は、第１の実施形態に係るダイポール型アンテナの等価回路図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示した等価回路を更に簡略化した等価回路図である。 図３は第１の実施形態に係るダイポール型アンテナの利得の周波数特性を示す図である。 図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。 図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。 図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。 図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。 図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。 図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１－Ｂ１線断面図である。 図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２－Ｂ２線断面図である。 図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３－Ｂ３線断面図である。 図８は、ＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。 図９は、ＲＦＩＣ素子１００のインダクタＬ１～Ｌ４に生じる磁界の方向を示す図である。 図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。 図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。 図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。 図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。 図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２の平面図である。 図１５は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ａの平面図である。 図１６は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ｂの平面図である。 図１７は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ｃの平面図である。
　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第１の実施形態》
　図１は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０１は、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０、第２ダイポールエレメント２０、および基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。このＲＦＩＤタグ３０１は本発明に係る「無線通信デバイス」の一例である。
　基材１は、平面視で第１軸方向（図１におけるＸ軸方向）および第２軸方向（図１におけるＹ軸方向）をもち、第１軸方向の互いに対向する端部である第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有し、第２軸方向の互いに対向する側部である第１側部Ｓ１および第２側部Ｓ２を有する。本実施形態では、基材のほぼ全面が、ダイポール型アンテナの形成領域であるので、基材１の「第１軸方向」、「第２軸方向」、「第１端部Ｅ１」、「第２端部Ｅ２」、「第１側部Ｓ１」および「第２側部Ｓ２」は、本発明に係る「第１軸方向」、「第２軸方向」、「第１端部」、「第２端部」、「第１側部」および「第２側部」にそれぞれ対応する。
　また、基材１は、平面視で長手方向および短手方向をもつ。長手方向は上記第１軸方向に対応し、短手方向は上記第２軸方向に対応する。
　基材１の中央には、ＲＦＩＣ素子１００を実装するためのランドＬＡ１，ＬＡ２が形成されている。このランドＬＡ１，ＬＡ２にＲＦＩＣ素子１００の第１入出力端子および第２入出力端子がそれぞれ接続される。
　基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０で１つのダイポール型アンテナが構成される。
　第１ダイポールエレメント１０は、ランドＬＡ１と第１端部Ｅ１との間にミアンダ状の蛇行部を有する第１導体パターンであり、第２ダイポールエレメント２０は、ランドＬＡ２と第２端部Ｅ２との間にミアンダ状の蛇行部を有する第２導体パターンである。例えば導体パターンの線幅は１００μｍ、線間距離は２００μｍである。
　基材１は例えばポリエチレンナフタレート（PEN）フィルムである。導体パターンは、基材１に貼り付けられたＣｕ箔がフォトリソグラフィおよびエッチングによってパターニングされたものである。
　第１ダイポールエレメント１０の一端は、ランドＬＡ１に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第１接続端ＣＥ１である。第１ダイポールエレメント１０の他端は第１開放端ＯＥ１である。第２ダイポールエレメント２０の一端は、ランドＬＡ２に接続される（ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子に接続される）第２接続端ＣＥ２である。第２ダイポールエレメント２０の他端は第２開放端ＯＥ２である。
　本実施形態のＲＦＩＤタグ３０１は、ダイポール型アンテナの形成領域の長手方向の寸法は２４ｍｍ、短手方向の寸法は８ｍｍであり、短手方向と長手方向の寸法比は１：３である。すなわち長手方向の寸法は短手方向の寸法の２倍以上である。この構造により、ＲＦＩＣ素子１００から互いに概略反対方向へ延びる第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０の範囲を長く確保でき、ダイポール型アンテナの所定の利得が得やすい。このように、本発明によれば、長手方向の寸法が５０ｍｍ以下、短手方向の寸法が２５ｍｍ以下、さらには長手方向の寸法が３０ｍｍ以下、短手方向の寸法が１０ｍｍ以下の、平面寸法の極めて小さなタグを構成できる。
　また、このダイポール型アンテナの使用周波数（１／２波長基本共振周波数）は例えば９２０ＭＨｚであり、基材１と空間とで構成されるアンテナの周りの実効比誘電率は、約１．５であるので、長手方向の寸法（２４ｍｍ）はダイポール型アンテナの使用周波数の１／８波長（約２９ｍｍ）以下である。これにより、小型でありながら、長い通信距離を確保できる。
　第１ダイポールエレメント１０は主導体パターン部１１と第１折り返し部１２とで構成される。第２ダイポールエレメント２０は主導体パターン部２１と第２折り返し部２２とで構成される。
　第１折り返し部１２は、第１開放端ＯＥ１が第１ダイポールエレメント１０の中途部分に対向するように構成されたものである。この第１折り返し部１２は、第１ダイポールエレメント１０の形成領域のうち、その外縁（本実施形態では第１端部Ｅ１）からＲＦＩＣ素子１００へ近づく方向に折り返された形状である。この第１折り返し部１２は、第１開放端ＯＥ１およびこの第１開放端ＯＥ１の近傍である第１開放端近傍部ＮＥ１とで構成される。第１折り返し部１２は第１ダイポールエレメントの対向部ＦＰ１と対向する。
　同様に、第２折り返し部２２は、第２開放端ＯＥ２が第２ダイポールエレメント２０の中途部分に対向するように構成されたものである。この第２折り返し部２２は、第２ダイポールエレメント２０の形成領域のうち、その外縁（本実施形態では第２端部Ｅ２）からＲＦＩＣ素子１００へ近づく方向に折り返された形状である。この第２折り返し部２２は、第２開放端ＯＥ２およびこの第２開放端ＯＥ２の近傍である第２開放端近傍部ＮＥ２とで構成される。第２折り返し部２２は第２ダイポールエレメントの対向部ＦＰ２と対向する。
　第１ダイポールエレメント１０は、第１開放端ＯＥ１と第２ダイポールエレメント２０との間に介在する第１介在部１０ｉを有する。つまり、第１ダイポールエレメント１０のうち、特に第１介在部１０ｉは第１開放端ＯＥ１と第２ダイポールエレメント２０の外縁（第２ダイポールエレメント２０の形成領域）とを結ぶエリア内に介在する。
　同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２開放端ＯＥ２と第１ダイポールエレメント１０の外縁とを結ぶエリア内に介在する第２介在部２０ｉを有する。
　上記ＲＦＩＣ素子は、基材１の中央に配置され、第１折り返し部１２と第２折り返し部２２とは、ＲＦＩＣ素子１００の位置に対して点対称関係の位置にある。また、本実施形態では、第１ダイポールエレメント１０と第２ダイポールエレメント２０とは、それら全体がＲＦＩＣ素子１００の位置に対して点対称の関係にある。
　図２（Ａ）は、本実施形態に係るダイポール型アンテナの等価回路図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示した等価回路を更に簡略化した等価回路図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）において、キャパシタンス素子Ｃ１は、図１に示した第１折り返し部１２と第１対向部ＦＰ１との間に生じる容量に相当する。つまり、第１開放端ＯＥ１およびこの第１開放端の近傍部と、第１ダイポールエレメント１０の中途部分との対向によって形成される第１キャパシタンス成分に相当する。また、図２（Ａ）、図２（Ｂ）においてインダクタンス素子Ｌ１１は、第１ダイポールエレメント１０のうち、第１対向部ＦＰ１を含む導体パターンに生じる第１並列インダクタンス成分に相当する。また、インダクタンス素子Ｌ１２は、第１ダイポールエレメント１０のうち、第１対向部ＦＰ１を含む導体パターン以外の導体パターンに生じる第１直列インダクタンス成分に相当する。
　同様に、図２（Ａ）、図２（Ｂ）において、キャパシタンス素子Ｃ２は、図１に示した第２折り返し部２２と第２対向部ＦＰ２との間に生じる容量に相当する。つまり、第２開放端ＯＥ２およびこの第２開放端の近傍部と、第２ダイポールエレメント２０の中途部分との対向によって形成される第２キャパシタンス成分に相当する。また、図２（Ａ）、図２（Ｂ）においてインダクタンス素子Ｌ２１は、第２ダイポールエレメント２０のうち、第２対向部ＦＰ２を含む導体パターンに生じる第２並列インダクタンス成分に相当する。また、インダクタンス素子Ｌ２２は、第２ダイポールエレメント２０のうち、第２対向部ＦＰ２を含む導体パターン以外の導体パターンに生じる第２直列インダクタンス成分に相当する。
　キャパシタンス素子Ｃ１とインダクタンス素子Ｌ１１とによって第１ＬＣ並列回路ＬＣ１が構成される。つまり、第１ダイポールエレメント１０は第１ＬＣ並列回路ＬＣ１と、この第１ＬＣ並列回路ＬＣ１と第１接続端ＣＥ１との間に直列接続されるインダクタンス素子Ｌ１２とで構成される。
　同様に、キャパシタンス素子Ｃ２とインダクタンス素子Ｌ２１とによって第２ＬＣ並列回路ＬＣ２が構成され、第２ダイポールエレメント２０は第２ＬＣ並列回路ＬＣ２と、この第２ＬＣ並列回路ＬＣ２と第２接続端ＣＥ２との間に直列接続されるインダクタンス素子Ｌ２２とで構成される。
　図２（Ｂ）において、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１の第１端Ｐｏは第１ダイポールエレメント１０の開放端であるので、インピーダンスは無限大と表せる。第１ＬＣ並列回路ＬＣ１はその並列共振周波数（例えば１．８ＧＨｚ）において両端間のインピーダンスは無限大となって、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１は放射素子として作用しないが、この共振周波数より低い周波数帯においては、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１は誘導性となって、第１ＬＣ並列回路の第２端Ｐａ点のインピーダンスは、無限大より低い或る値（例えば５００Ω）となる。すなわち、第１ＬＣ並列回路はその周波数における放射に寄与する。上述のことは第２ＬＣ並列回路ＬＣ２についても同様である。
　図３は本実施形態に係るダイポール型アンテナの利得の周波数特性を示す図である。図３において、曲線Ｇ０は図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示した第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２が無い場合のダイポール型アンテナの利得の周波数特性を示す。この例では周波数ｆｏはダイポール型アンテナの共振周波数であり、この周波数ｆｏで利得がピークとなる。曲線Ｇ１、Ｇ２は、いずれも第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２を設けたダイポール型アンテナの利得の周波数特性を示す。曲線Ｇ１で示すダイポール型アンテナの例では、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２の共振周波数がｆｓ１、ダイポール型アンテナの共振周波数がｆｏ１である。また、曲線Ｇ２で示すダイポール型アンテナの例では、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２の共振周波数がｆｓ２、ダイポール型アンテナの共振周波数がｆｏ２である。
　このように、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２を備えることによって、ダイポール型アンテナの共振周波数は低下する。また、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２のキャパシタンスを大きくする（共振周波数を低くする）ほど、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２の共振周波数が低下するとともに、ダイポール型アンテナの共振周波数は低下する。したがって、ＬＣ並列回路の形成により、第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの線路長を短くしつつ、所定共振周波数のダイポール型アンテナが得られる。
　本実施形態のＲＦＩＤタグはＵＨＦ帯を利用するＲＦＩＤタグであるので、上記ダイポール型アンテナの使用周波数は９２０ＭＨｚ帯である。一方、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１の共振周波数および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２の共振周波数は、ダイポール型アンテナの使用周波数の２倍以上である。例えば、１．５ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の範囲内である。
　このような関係であることで、第１ＬＣ並列回路ＬＣ１の共振周波数および第２ＬＣ並列回路ＬＣ２は９２０ＭＨｚ帯では誘導性を持ち、第１、第２のダイポールエレメントの線長（ミアンダ状の導体パターンの線長）が等価的に長くなる。
　上記構成により、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０の線路長を短くしつつ、所定共振周波数のダイポール型アンテナが得られる。したがって、第１ダイポールエレメント１０、第２ダイポールエレメント２０の線幅を細くすることによる抵抗値の増大がなく、ＲＦＩＤタグを小型化できる。
　また、本実施形態によれば、図１に示したとおり、第１介在部１０ｉが、第１開放端ＯＥ１と第２ダイポールエレメント２０との間に介在するので、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１および第１開放端近傍部ＮＥ１と第２ダイポールエレメント２０（特に第２開放端ＯＥ２）との間に生じる不要な容量が抑制される。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２および第２開放端近傍部ＮＥ２と第１ダイポールエレメント１０（特に第１開放端ＯＥ１）との間に生じる不要な容量が抑制される。そのため、ダイポール型アンテナの指向性の変化や利得の低下が抑制される。小さなＲＦＩＤにおいては、指向性の変化に伴い読み取り距離が短くなるので、指向性を保ったまま小形化されることは重要である。
　また、本実施形態によれば、第１開放端ＯＥ１と第１接続端ＣＥ１との間に第１ダイポールエレメント１０のミアンダ状導体パターンが存在するので、第１接続端ＣＥ１寄りの導体パターンと第１開放端ＯＥ１との間に浮遊容量が生じにくい。同様に、第２開放端ＯＥ２と第２接続端ＣＥ２との間に第２ダイポールエレメント２０のミアンダ状導体パターンが存在するので、第２接続端ＣＥ２寄りの導体パターンと第２開放端ＯＥ２との間に浮遊容量が生じにくい。そのため、第１折り返し部１２の長さや第２折り返し部２２の長さを変更しても、ＲＦＩＣ素子１００とダイポール型アンテナとのインピーダンス整合特性は変化し難い。このことによっても、ＲＦＩＤタグの読み取り距離の低下が抑制される。
　なお、ダイポールエレメントの先端部にスパイラル状の導体パターンを形成した従来のダイポール型アンテナにおいては、スパイラル状導体パターンの長さによってキャパシタンス成分とインダクタンス成分の両方が変化するので、ダイポール型アンテナの共振周波数を所定値に設定し難い。これに対して、本実施形態によれば、折り返し部１２は、インダクタンス素子しては殆ど作用せず、ミアンダ状導体パターンとの間で容量を形成する容量形成用導体パターンとして作用する。そのため、付加容量を独立して定めることができる。
　以降、ＲＦＩＣ素子１００の構成と作用について説明する。
　図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、９００ＭＨｚ帯、すなわちＵＨＦ帯の通信周波数に対応するＲＦＩＣ素子である。ＲＦＩＣ素子１００は、主面が矩形をなす多層基板１２０を有する。多層基板１２０は、可撓性を有している。多層基板１２０は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する樹脂絶縁層を積層した積層体の構造を有する。これらの材料で構成される各絶縁層の誘電率は、ＬＴＣＣに代表されるセラミック基材層の誘電率よりも小さい。
　ここでは、多層基板１２０の長さ方向をＸ軸とし、多層基板１２０の幅方向をＹ軸とし、多層基板１２０の厚み方向をＺ軸とする。
　図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１－Ｂ１線断面図である。図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２－Ｂ２線断面図である。図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３－Ｂ３線断面図である。
　多層基板１２０には、図５に示すように、ＲＦＩＣチップ１６０およびインピーダンス整合回路１８０が内蔵されている。多層基板１２０の一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。整合回路１８０はＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とをインピーダンス整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定める。
　ＲＦＩＣチップ１６０は、シリコン等の半導体を素材とする硬質の半導体基板に各種の素子を内蔵した構造を有している。ＲＦＩＣチップ１６０の両主面は正方形である。また、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面には、図６Ｃに示すように、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂが形成されている。多層基板１２０の内部において、ＲＦＩＣチップ１６０は、正方形の各辺がＸ軸方向またはＹ軸方向に沿って延び、且つ一方の主面および他方の主面がＸ－Ｙ面に平行な状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸の各々における中央に位置する。
　整合回路１８０は、コイル導体２００および層間接続導体２４０ａ，２４０ｂによって構成されている。コイル導体２００は、図６Ｂまたは図６Ｃに示すコイルパターン２００ａ～２００ｃによって構成されている。コイルパターン２００ａの一部は、第１コイル部ＣＩＬ１により構成されている。コイルパターン２００ｂの一部は、第２コイル部ＣＩＬ２により構成されている。コイルパターン２００ｃの一部は、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４により構成されている。
　第１コイル部ＣＩＬ１、第３コイル部ＣＩＬ３、および層間接続導体２４０ａは、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。第２コイル部ＣＩＬ２、第４コイル部ＣＩＬ４、および層間接続導体２４０ｂも、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。
　ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＺ軸方向から見たとき、第１コイル部ＣＩＬ１と第２コイル部ＣＩＬ２との間に配置されている。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、第３コイル部ＣＩＬ３と第４コイル部ＣＩＬ４との間に配置されている。
　第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、いずれも可撓性を有する銅箔を素材として短冊状に形成されている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々の主面のサイズは、互いに一致する。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの短辺は、Ｘ軸方向に延びている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの長辺は、Ｙ軸方向に延びている。
　従って、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、整合回路１８０の一部と整合回路１８０の他の一部とによって挟まれる。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＸ軸方向から見たとき、整合回路１８０と重なる。整合回路１８０は、多層基板１２０を平面視したとき、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々と部分的に重なる。
　多層基板１２０は、図６Ａ～図６Ｃに示すように、積層された３つのシート状の絶縁層１２０ａ～１２０ｃによって構成されている。絶縁層１２０ａは上位に位置し、絶縁層１２０ｂは中位に位置し、絶縁層１２０ｃは下位に位置する。
　絶縁層１２０ａの一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。絶縁層１２０ｂの一方の主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１が形成されている。貫通孔ＨＬ１は、ＲＦＩＣチップ１６０を包含するサイズに形成されている。また、絶縁層１２０ｂの一方の主面のうち貫通孔ＨＬ１の周辺には、コイルパターン２００ｃが形成されている。コイルパターン２００ｃは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。
　コイルパターン２００ｃの一端部は、平面視において、第１端子電極１４０ａと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ａによって第１端子電極１４０ａと接続されている。また、コイルパターン２００ｃの他端部は、平面視において、第２端子電極１４０ｂと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ｂによって第２端子電極１４０ｂと接続されている。層間接続導体２２０ａ，２２０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。
　絶縁層１２０ｃの一方の主面には、コイルパターン２００ａ，２００ｂが形成されている。コイルパターン２００ａ，２００ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。
　第１コイル端Ｔ１および第２コイル端Ｔ２は、いずれも、絶縁層１２０ｃを平面視したとき、矩形に形成されている。
　コイルパターン２００ａの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ａによってコイルパターン２００ｃの一端部と接続されている。コイルパターン２００ｂの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ｂによってコイルパターン２００ｃの他端部と接続されている。層間接続導体２４０ａ，２４０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。
　絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、コイルパターン２００ａの一部の区間はコイルパターン２００ｃの一部の区間と重なり、コイルパターン２００ｂの一部の区間もコイルパターン２００ｃの他の一部の区間と重なる。ここでは、コイルパターン２００ａ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ａ側の区間を“第１コイル部ＣＩＬ１”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第３コイル部ＣＩＬ３”という。また、コイルパターン２００ｂ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ｂ側の区間を“第２コイル部ＣＩＬ２”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第４コイル部ＣＩＬ４”という。さらに、コイルパターン２００ａの一端部またはコイルパターン２００ｃの一端部の位置を“第１位置Ｐ１”といい、コイルパターン２００ｂの一端部またはコイルパターン２００ｃの他端部の位置を“第２位置Ｐ２”という。
　絶縁層１２０ｃの一方の主面には、矩形のダミー導体２６０ａ，２６０ｂが形成されている。ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、矩形の貫通孔ＨＬ１の４つのコーナー部のうち、２つのコーナー部にそれぞれ重なるように配置されている。
　ＲＦＩＣチップ１６０は、他方の主面の４つのコーナー部が第１コイル端Ｔ１、第２コイル端Ｔ２、およびダミー導体２６０ａ，２６０ｂとそれぞれ対向するように、絶縁層１２０ｃに実装されている。第１入出力端子１６０ａは、平面視において第１コイル端Ｔ１と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。同様に、第２入出力端子１６０ｂは、平面視において第２コイル端Ｔ２と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。
　その結果、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａによって第１コイル端Ｔ１と接続され、第２入出力端子１６０ｂによって第２コイル端Ｔ２と接続されている。
　なお、絶縁層１２０ａ～１２０ｃの厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。このため、多層基板１２０に内蔵されたＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０は、外側から透けて見える。従って、ＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０の接続状態（断線の有無）を容易に確認することができる。
　図８は、上述したように構成されるＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。図８において、インダクタＬ１は、第１コイル部ＣＩＬ１に対応している。インダクタＬ２は、第２コイル部ＣＩＬ２に対応している。インダクタＬ３は、第３コイル部ＣＩＬ３に対応している。インダクタＬ４は、第４コイル部ＣＩＬ４に対応している。整合回路１８０によるインピーダンス整合の特性は、インダクタＬ１～Ｌ４の値によって規定される。
　インダクタＬ１の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第１入出力端子１６０ａに接続されている。インダクタＬ２の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第２入出力端子１６０ｂに接続されている。インダクタＬ１の他端部は、インダクタＬ３の一端部に接続されている。インダクタＬ２の他端部は、インダクタＬ４の一端部に接続されている。インダクタＬ３の他端部は、インダクタＬ４の他端部に接続されている。第１端子電極１４０ａは、インダクタＬ１，Ｌ３の接続点に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、インダクタＬ２，Ｌ４の接続点に接続されている。
　図８に示す等価回路から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁界が同相となるように巻回され且つ互いに直列接続されている。従って、磁界は、ある時点において、図９において矢印で示す方向に向くように発生する。一方、磁界は、別の時点において、図９において矢印で示す方向とは反対の方向に向くように発生する。
　また、図６Ｂおよび図６Ｃから分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第１巻回軸を有している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第２巻回軸を有している。第１巻回軸および第２巻回軸は、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。
　すなわち、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、磁気的且つ容量的に結合している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的且つ容量的に結合している。
　以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂを有し、多層基板１２０に内蔵されている。また、整合回路１８０は、コイルパターン２００ａ～２００ｃを含んで多層基板１２０に内蔵されている。このうち、コイルパターン２００ａは第１入出力端子１６０ａに接続された他端部（＝第１コイル端Ｔ１）を有し、コイルパターン２００ｂは第２入出力端子１６０ｂに接続された他方に端部（＝第２コイル端Ｔ２）を有する。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、多層基板１２０の一方の主面に設けられている。第１端子電極１４０ａは、コイルパターン２００ａの一端部（＝第１位置Ｐ１）に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、コイルパターン２００ｂの一端部（＝第２位置Ｐ２）にそれぞれ接続されている。
　また、第１コイル部ＣＩＬ１は、第１コイル端Ｔ１から第１位置Ｐ１までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第１巻回軸を有する。第２コイル部ＣＩＬ２は、第２コイル端Ｔ２から第２位置Ｐ２までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第２巻回軸を有する。第３コイル部ＣＩＬ３は、平面視において第１コイル部ＣＩＬ１と重なるように配置されている。第４コイル部ＣＩＬ４は、平面視において第２コイル部ＣＩＬ２と重なるように配置されている。第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。多層基板１２０には、整合回路１８０と、ＲＦＩＣチップ１６０とが内蔵されている。
　ＲＦＩＣチップ１６０は、半導体基板で構成されている。このため、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４にとって、ＲＦＩＣチップ１６０は、グランドまたはシールドとして機能する。その結果、第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２、並びに、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域の狭帯域化が抑制される。
　次に、ＲＦＩＣ素子１００をはんだ等の導電性接合材１３ａ，１３ｂによってランドＬＡ１，ＬＡ２上に取り付けた例について説明する。図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。
　上述したように、多層基板１２０、コイルパターン２００ａ～２００ｃ、第１端子電極１４０ａ、および第２端子電極１４０ｂは、可撓性を有する部材で構成されている。一方、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０は、硬質の部材で構成されている。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、比較的サイズが大きいため、可撓性が低い。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂにＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｓｎ等のめっき膜を施した場合には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの可撓性はさらに低くなる。
　このため、ＲＦＩＣ素子１００には、図１０に示すように、リジッド領域およびフレキシブル領域が形成される。より具体的には、第１端子電極１４０ａ、第２端子電極１４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０が配置された領域はリジッド領域になり、他の領域はフレキシブル領域となる。特に、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂはＲＦＩＣチップ１６０から離れた位置に設けられるため、第１端子電極１４０ａとＲＦＩＣチップ１６０との間、および第２端子電極１４０ｂとＲＦＩＣチップ１６０との間はフレキシブル領域になる。
　このため、ＲＦＩＣ素子１００が基材１のランドＬＡ１，ＬＡ２に貼り付けたＲＦＩＤタグを曲面に貼り付けた場合、ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、図１１に示すように撓む。
　図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。
　図１２に示すように、第１入出力端子１６０ａとび第２入出力端子１６０ｂとの間には、ＲＦＩＣチップ１６０が有する寄生容量（浮遊容量）Ｃｐが存在する。このため、ＲＦＩＣ素子１００では２つの共振が発生する。１つ目の共振は、第１ダイポールエレメント１０、第２ダイポールエレメント２０、インダクタＬ３，Ｌ４で構成される電流経路に生じる共振である。２つ目の共振は、インダクタＬ１～Ｌ４および寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。これらの２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３～Ｌ４によって結合される。２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流Ｉ１およびＩ２は、図１２において破線の矢印で示すように流れる。
　また、１つ目の共振周波数および２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３～Ｌ４の影響を受ける。これにより、図１３に示すように、１つ目の共振周波数ｆ１と２つ目の共振周波数ｆ２との間には、数１０ＭＨｚ（具体的には５ＭＨｚ以上５０ＭＨｚ以下程度）の差が生じる。このように二つの共振を結合させることで、図１３に示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。
　本実施形態によれば、ＲＦＩＣ素子１００内にＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とのインピーダンスを整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定めるインピーダンス整合回路を設けたので、次のような作用効果を奏する。
　先ず、インピーダンス整合および共振周波数特性設定用の回路を基材に形成する必要が無いので、基材の面積を、ダイポールエレメントを形成するためのスペースとして有効に利用でき、ＲＦＩＤタグの小型化が図れる。また、同サイズであれば、高利得化が図れる。
　また、ＲＦＩＣ素子１００を実装するランドＬＡ１，ＬＡ２は、平面視でＲＦＩＣ素子１００の第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４と重なるので、コイル部ＣＩＬ１～ＣＩＬ４はランドＬＡ１，ＬＡ２で電磁気的に遮蔽される、このことにより、ＲＦＩＤタグの貼付先の物品の電磁気的特性の影響を受けにくい。つまり、比誘電率や比透磁率の高い物品にＲＦＩＤタグ３０１を貼付する場合でも、その貼付した状態と貼付前の単体状態とで、ＲＦＩＤタグの電磁気的特性の変化が少ない。
《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、ダイポール型アンテナの形状が第１の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＤタグについて示す。
　図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２の平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２は、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
　基材１には第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０が形成されている。この第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０で１つのダイポール型アンテナが構成される。
　第１ダイポールエレメント１０の一端は、ランドＬＡ１に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第１接続端ＣＥ１である。第１ダイポールエレメント１０の他端は第１開放端ＯＥ１である。第２ダイポールエレメント２０の一端は、ランドＬＡ２に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第２接続端ＣＥ２である。第２ダイポールエレメント２０の他端は第２開放端ＯＥ２である。
　第１ダイポールエレメント１０は第１副導体パターン１０Ｓ１，１０Ｓ２を備える。第１副導体パターン１０Ｓ１はＲＦＩＣ素子１００と第２側部Ｓ２との間に配置されていて、第１副導体パターン１０Ｓ２はＲＦＩＣ素子１００と第１側部Ｓ１との間に配置されていている。同様に、第２ダイポールエレメント２０は第２副導体パターン２０Ｓ１，２０Ｓ２を備える。第２副導体パターン２０Ｓ１はＲＦＩＣ素子１００と第１側部Ｓ１との間に配置されていて、第２副導体パターン２０Ｓ２はＲＦＩＣ素子１００と第２側部Ｓ２との間に配置されていている。
　本実施形態によれば、第１副導体パターン１０Ｓ１，１０Ｓ２および第２副導体パターン２０Ｓ１，２０Ｓ２が形成されていることにより、ダイポール型アンテナの形成領域を有効に利用でき、その分、ダイポール型アンテナの形成領域をさらに小型化できる。
　また、第１副導体パターン１０Ｓ１と第１副導体パターン１０Ｓ２との間には、ランドＬＡ１が形成されているので、第１副導体パターン１０Ｓ１と第１副導体パターン１０Ｓ２との不要な磁界結合が抑制される。同様に、第２副導体パターン２０Ｓ１と第２副導体パターン２０Ｓ２との間には、ランドＬＡ２が形成されているので、第２副導体パターン２０Ｓ１と第２副導体パターン２０Ｓ２との不要な磁界結合が抑制される。したがって、これら第１副導体パターン１０Ｓ１，１０Ｓ２、第２副導体パターン２０Ｓ１，２０Ｓ２は放射素子の一部として、また、インダクタンス素子として有効に作用する。
　本実施形態においては、第１副導体パターン１０Ｓ１は、第１開放端ＯＥ１と第２ダイポールエレメント２０との間に介在する第１介在部の一部でもある。同様に、第２副導体パターン２０Ｓ１は、第２開放端ＯＥ２と第１ダイポールエレメント１０との間に介在する第２介在部の一部でもある。その他の構成は図１に示したＲＦＩＤタグ３０１と同じである。
《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、ダイポール型アンテナの形状が第１、第２の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＤタグについて示す。
　図１５は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ａの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０３Ａは、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
　第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１とその近傍部ＮＥ１１，ＮＥ１２とによって第１折り返し部が構成されている。第１開放端近傍部ＮＥ１２は、第１端部Ｅ１から第２ダイポールエレメント２０方向（Ｘ軸方向）へ折り返された導体パターンである。第１開放端近傍部ＮＥ１１は第１開放端近傍部ＮＥ１２の先端から、ミアンダ状蛇行部の導体パターンに沿う方向（Ｙ軸方向）に延伸する導体パターンである。このようにして、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１および第１開放端近傍部ＮＥ１１は、第１ダイポールエレメント１０のミアンダ状蛇行部の隙間に入り込んでいる。
　同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２とその近傍部ＮＥ２１，ＮＥ２２とによって第２折り返し部が構成されている。第２開放端近傍部ＮＥ２２は、第２端部Ｅ２から第１ダイポールエレメント１０方向（－Ｘ軸方向）へ折り返された導体パターンである。第２開放端近傍部ＮＥ２１は第２開放端近傍部ＮＥ２２の先端から、ミアンダ状蛇行部の導体パターンに沿う方向（－Ｙ軸方向）に延伸する導体パターンである。このようにして、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２および第２開放端近傍部ＮＥ２１は、第２ダイポールエレメント２０のミアンダ状蛇行部の隙間に入り込んでいる。
　上記第１折り返し部と、この第１折り返し部が対向する、第１ダイポールエレメントの一部との間に容量が生じる。同様に、上記第２折り返し部と、この第２折り返し部が対向する、第２ダイポールエレメントの一部との間に容量が生じる。
　図１６は第３の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０３Ｂの平面図である。図１５に示したＲＦＩＤタグ３０３Ａとは、第１開放端ＯＥ１の位置および第２開放端ＯＥ２の位置が異なる。図１６に示す例では、第１開放端近傍部ＮＥ１１の長さおよび第２開放端近傍部ＮＥ２１の長さが、図１５に示したものより短い。
　図１７は第３の実施形態に係るさらに別のＲＦＩＤタグ３０３Ｃの平面図である。図１５に示したＲＦＩＤタグ３０３Ａとは、第１開放端ＯＥ１の位置および第２開放端ＯＥ２の位置が異なる。図１７に示す例では、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１および第１開放端近傍部ＮＥ１は、第１ダイポールエレメント１０のミアンダ状蛇行部の隙間に入り込んでいない。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２および第２開放端近傍部ＮＥ２は、第２ダイポールエレメント２０のミアンダ状蛇行部の隙間に入り込んでいない。
　ここで、ＲＦＩＤタグ３０３Ａのダイポール型アンテナの共振周波数をｆｏＡ、ＲＦＩＤタグ３０３Ｂのダイポール型アンテナの共振周波数をｆｏＢ、ＲＦＩＤタグ３０３Ｃのダイポール型アンテナの共振周波数をｆｏＣで表すと、ｆｏＡ＜ｆｏＢ＜ｆｏＣの関係にある。このように、折り返し部の長さを変えるだけで、アンテナの共振周波数を調整（設定）できる。また、第１ダイポールエレメント１０の開放端ＯＥ１は、第２ダイポールエレメント２０から等価的に（電磁気的に）見えず、第２ダイポールエレメント２０の開放端ＯＥ２は、第１ダイポールエレメント１０から等価的に（電磁気的に）見えないので、ダイポール型アンテナの利得および指向性は殆ど変化しない。そのため、利得・指向性から独立してダイポール型アンテナの周波数調整（設定）が可能となる。
　また、上記第１折り返し部とそれに対向する第１ダイポールエレメントの部分との対向距離、および上記第２折り返し部とそれに対向する第２ダイポールエレメントの部分との対向距離はミアンダ状導体パターンのパターン間距離程度に近いので、外部の誘電体の影響を受けにくい。また、特に、図１５、図１６に示したように、開放端がミアンダ状蛇行部の隙間に入り込んでいる構造であれば、ダイポールエレメントの先端部に容量付加用の幅広の導体パターンを形成した従来構造のダイポール型アンテナに比べて、ダイポールエレメントに付与される容量は、外部の誘電体の影響を受けにくい。
　なお、以上の各実施形態では、ＲＦＩＤタグを例に挙げて説明したが、本発明はBluetooth（登録商標）モジュールや無線LANモジュール等の無線通信デバイスにも同様に適用できる。
　最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
Ｃ１，Ｃ２…キャパシタンス素子
ＣＥ１…第１接続端
ＣＥ２…第２接続端
ＣＩＬ１…第１コイル部
ＣＩＬ２…第２コイル部
ＣＩＬ３…第３コイル部
ＣＩＬ４…第４コイル部
Ｃｐ…寄生容量
Ｅ１…第１端部
Ｅ２…第２端部
ＦＰ１…第１対向部
ＦＰ２…第２対向部
ＨＬ１…貫通孔
Ｌ１～Ｌ４…インダクタ
Ｌ１１，Ｌ１２…インダクタンス素子
Ｌ２１，Ｌ２２…インダクタンス素子
ＬＡ１，ＬＡ２…ランド
ＬＣ１…第１ＬＣ並列回路
ＬＣ２…第２ＬＣ並列回路
ＮＥ１…第１開放端近傍部
ＮＥ１１，ＮＥ１２…第１開放端近傍部
ＮＥ２…第２開放端近傍部
ＮＥ２１，ＮＥ２２…第２開放端近傍部
ＯＥ１…第１開放端
ＯＥ２…第２開放端
Ｐ１…第１位置
Ｐ２…第２位置
Ｐａ…第２端
Ｐｏ…第１端
Ｓ１…第１側部
Ｓ２…第２側部
Ｔ１…第１コイル端
Ｔ２…第２コイル端
１０…第１ダイポールエレメント
１０ｉ…第１介在部
１０Ｓ１，１０Ｓ２…第１副導体パターン
１１，２１…主導体パターン部
１２…第１折り返し部
１３ａ，１３ｂ…導電性接合材
２０…第２ダイポールエレメント
２０ｉ…第２介在部
２０Ｓ１，２０Ｓ２…第２副導体パターン
２２…第２折り返し部
１００…ＲＦＩＣ素子
１２０…多層基板
１２０ａ…絶縁層
１２０ｂ，１２０ｃ…絶縁層
１４０ａ…第１端子電極
１４０ｂ…第２端子電極
１６０…ＲＦＩＣチップ
１６０ａ…第１入出力端子
１６０ｂ…第２入出力端子
１８０…インピーダンス整合回路
２００…コイル導体
２００ａ，２００ｂ，２００ｃ…コイルパターン
２２０ａ，２２０ｂ…層間接続導体
２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂ…層間接続導体
２６０ａ，２６０ｂ…ダミー導体
３０１，３０２，３０３Ａ，３０３Ｂ，３０３Ｃ…ＲＦＩＤタグ

Claims (11)

  1. 　第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
    　一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
    　を備え、
    　前記第１ダイポールエレメントは、
    　　前記第１開放端および当該第１開放端の近傍である第１開放端近傍部と、前記第１ダイポールエレメントの中途部分との対向によって形成される、第１キャパシタンス成分および第１並列インダクタンス成分による第１ＬＣ並列回路と、
    　　前記第１ＬＣ並列回路と前記第１接続端との間に直列に繋がる第１直列インダクタンス成分と、で構成され、
    　前記第２ダイポールエレメントは、
    　　前記第２開放端および当該第２開放端の近傍である第２開放端近傍部と、前記第２ダイポールエレメントの中途部分との対向によって形成される、第２キャパシタンス成分および第２並列インダクタンス成分による第２ＬＣ並列回路と、
    　　前記第２ＬＣ並列回路と前記第２接続端との間に直列に繋がる第２直列インダクタンス成分と、で構成され、
    　前記第１ＬＣ並列回路の共振周波数および前記第２ＬＣ並列回路の共振周波数は、前記ダイポール型アンテナの使用周波数の２倍以上である、
    　ことを特徴とする無線通信デバイス。
  2. 　基材と、
    　前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
    　前記基材上に設けられ、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
    　を備え、
    　前記第１ダイポールエレメントは、
    　　前記第１開放端が前記第１ダイポールエレメントの中途部分に対向するように構成された第１折り返し部と、
    　　前記第１開放端と前記第２ダイポールエレメントの外縁とを結ぶエリア内に介在する第１介在部と、
    　を有し、
    　前記第２ダイポールエレメントは、
    　　前記第２開放端が前記第２ダイポールエレメントの中途部分に対向するように構成された第２折り返し部と、
    　　前記第２開放端と前記第１ダイポールエレメントの外縁とを結ぶエリア内に介在する第２介在部と、
    　を有する、
    　ことを特徴とする無線通信デバイス。
  3. 　前記ＲＦＩＣ素子は、前記基材の中央に配置され、
    　前記第１折り返し部と前記第２折り返し部とは、前記ＲＦＩＣ素子の位置に対して点対称関係の位置にある、
    　請求項２に記載の無線通信デバイス。
  4. 　前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で第１軸方向に互いに対向する第１端部および第２端部、前記第１軸方向に直交する第２軸方向に互いに対向する第１側部および第２側部を有し、
    　前記第１ダイポールエレメントは、前記第１入出力端子と前記第１端部との間にミアンダ状の蛇行部を有する第１導体パターンであり、
    　前記第２ダイポールエレメントは、前記第２入出力端子と前記第２端部との間にミアンダ状の蛇行部を有する第２導体パターンである、
    　請求項２または３に記載の無線通信デバイス。
  5. 　前記第１開放端は前記第１導体パターンの蛇行部の隙間に入り込み、
    　前記第２開放端は前記第２導体パターンの蛇行部の隙間に入り込む、
    　請求項４に記載の無線通信デバイス。
  6. 　前記第１ダイポールエレメントは、前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部または前記第２側部との間に位置する第１副導体パターンを有し、
    　前記第２ダイポールエレメントは、前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部または前記第２側部との間に位置する第２副導体パターンを有する、
    　請求項４または５に記載の無線通信デバイス。
  7. 　前記第１副導体パターンは、前記ＲＦＩＣ素子の前記第１入出力端子が接続されるランドを挟んで対向する二つの位置にあり、
    　前記第２副導体パターンは、前記ＲＦＩＣ素子の前記第２入出力端子が接続されるランドを挟んで対向する二つの位置にある、
    　請求項６に記載の無線通信デバイス。
  8. 　前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向と短手方向とをもち、前記長手方向は前記第１軸方向に対応し、前記短手方向は前記第２軸方向に対応し、
    　前記長手方向の寸法は前記ダイポール型アンテナの使用周波数の１／８波長以下である、
    　請求項４から７のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  9. 　前記長手方向の寸法は前記短手方向の寸法の２倍以上である、
    　請求項８に記載の無線通信デバイス。
  10. 　前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを一体化した素子である、請求項１から９のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  11. 　前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信する、請求項１から１０のいずれかに記載の無線通信デバイス。
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