WO2019011863A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

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support surface
carrier
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Ivar TÅNGRING
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/60—Reflective elements
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • Optoelectronic device and an optoelectronic device specified.
  • An optoelectronic component is described for example in the publication DE 102016121510.
  • a component is to be specified which has an increased light output. Furthermore, a should
  • Component can be specified with increased light extraction.
  • a carrier is provided with a pedestal having a support surface.
  • a liquid joining material with filler particles is applied according to an embodiment of the method.
  • the joining material is an adhesive.
  • the joining substance preferably forms a drop on the
  • the joining material wets only the support surface of the pedestal, while side surfaces of the pedestal remain free of the joining material.
  • the support surface is completely wetted by the joining material.
  • the mounting surface of the pedestal is preferably in one
  • Carrier stands.
  • the pedestal sticks out of the carrier.
  • a side wall of the pedestal is preferably perpendicular to a main extension plane of the carrier.
  • the side surfaces of the pedestal which form the support surface of the pedestal superior part of the mounting surface and a
  • the joining material fills in the application of the semiconductor chip on the support surface
  • the carrier which is not surmounted by the semiconductor chip, particularly preferably remains free of the
  • the semiconductor chip is particularly preferably applied to the support surface by lowering such that the joining material, before filling the recess, the mounting surface of the
  • the joining substance is cured, preferably after the application of the semiconductor chip.
  • a cohesive connection is preferably formed between the joining material
  • the bonding layer has a thickness of between 1 micron and 5 microns inclusive.
  • Such a thin joining layer in particular allows a good thermal connection of the semiconductor chip to the carrier. This leads to a good heat dissipation from the semiconductor chip during operation of the device.
  • the carrier comprises a lead frame.
  • the lead frame may be formed of metal.
  • the surface of the lead frame is formed by silver.
  • the lead frame may be incorporated in a housing body having a cavity.
  • the lead frame may be freely accessible in places in the housing body.
  • the lead frame partially forms a bottom surface of a cavity into which the semiconductor chip is mounted.
  • the pedestal is part of the lead frame and thus formed metallic.
  • heat can be effectively removed from the semiconductor chip via the metallic pedestal.
  • the radiation-emitting semiconductor chip comprises an epitaxial semiconductor layer sequence with an active zone, which is suitable for generating electromagnetic radiation of a first wavelength range.
  • the active zone is adapted to produce blue light.
  • the semiconductor chip preferably has a substrate which is permeable to electromagnetic radiation of the active zone, such as blue light.
  • the substrate comprises sapphire or is formed of sapphire, while the epitaxial semiconductor layer sequence based on a nitride compound semiconductor material.
  • Compound semiconductor materials containing nitrogen such as the materials from the system In x Al y Gai x - y N with 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1 and x + y ⁇ 1.
  • the epitaxial semiconductor layer sequence is epitaxially grown on a first main surface of the substrate.
  • the first main surface of the substrate faces a second main surface, which can form a mounting surface of the semiconductor chip.
  • side surfaces of the substrate are arranged between the first main surface of the substrate and the second main surface of the substrate. Is the substrate permeable to radiation of the active zone
  • electromagnetic radiation is preferably also on the side surfaces of the substrate of the
  • the semiconductor chip emitted during operation. Furthermore, the semiconductor chip has two electrical contacts, which are preferably arranged on a front side of the semiconductor chip, which lies opposite the mounting surface of the semiconductor chip.
  • the joining material has a silicone into which the filler particles are introduced.
  • the joining material can also be formed from a silicone with filler particles.
  • the filler particles are reflective, at least for the electromagnetic radiation of the active zone, formed. Particularly preferably, the filler particles are formed diffusely reflecting at least for the radiation of the active zone. In diffuse
  • Reflective filler particles may be any suitable Reflective filler particles.
  • titanium dioxide particles act. Is the Joining compound provided with diffusely reflecting GrestoffPéron, so the cured joining material is usually also diffuse reflective and thus formed white. If the underfill is designed to be reflective, the luminous efficacy from the component and thus its brightness are advantageously increased since radiation which is emitted on the back side via the substrate is reflected to a radiation exit surface of the component. Furthermore, the filler particles can also
  • Wavelength-converting filler particles are preferably suitable for electromagnetic radiation of the first
  • Wavelength range which is generated in the active zone, in electromagnetic radiation of a second
  • Wavelength range is different.
  • the wavelength-converting filler particles are suitable for converting blue light into red light.
  • the filler particles are reflective, they preferably have a diameter between them
  • a surface of the carrier at least partially forms one
  • the cavity is preferably filled with a potting, are introduced into the phosphor particles.
  • the phosphor particles convert radiation of the first
  • Wavelength range at least partially in radiation of a third wavelength range.
  • Wavelength range, the second wavelength range and the third wavelength range are preferably different from each other. Particularly preferred convert the
  • Fluorescent particles convert blue light into green light.
  • the optoelectronic component comprises a carrier with a pedestal.
  • the pedestal has a support surface.
  • the optoelectronic component comprises a carrier with a pedestal.
  • optoelectronic component a radiation-emitting semiconductor chip having a mounting surface which is larger than the support surface of the pedestal. The over the bearing surface of the Podest protruding part of the mounting surface limits one
  • the recess is furthermore preferably delimited by side surfaces of the pedestal and parts of a surface of the carrier over which the semiconductor chip protrudes.
  • the semiconductor chip is arranged centered on the support surface of the pedestal.
  • the semiconductor chip is applied via a joining layer with its mounting surface cohesively on the support surface of the pedestal.
  • the joining layer is preferably formed from a joining substance with filler particles.
  • the recess is particularly preferably at least partially filled with the cured joining material with filler particles.
  • the cured joining substance preferably forms a mechanically stable underfill under the semiconductor chip.
  • a region of a surface of the carrier that is not surmounted by the semiconductor chip is particularly preferably free of the underfill.
  • the underfill is preferably arranged only in the recess below the semiconductor chip, while the remaining surface of the carrier is free of the underfill.
  • the side surfaces of the semiconductor chip are free of the joining material. According to one embodiment of the device is the
  • the semiconductor chip emits blue light and is provided with an underfill
  • the wavelength-converting filler particles are preferably suitable for converting blue light into red light, while the phosphor particles of the encapsulation are preferred are suitable to convert blue light into green light.
  • the component preferably emits mixed-colored light, which consists of unconverted blue radiation of the semiconductor chip, converted red radiation of the
  • the mixed-colored light of the component preferably has a color location in the white area.
  • the carrier has a single pedestal.
  • the semiconductor chip is preferably applied centrally on the support surface of the pedestal.
  • the recess which protrudes through the part of the mounting surface of the semiconductor chip projecting beyond the carrier
  • the pedestal on a breakthrough or a recess, which is bounded by the support surface.
  • the pedestal may be formed as a frame that limits a breakthrough.
  • the pedestal limits a frame-like element that has a recess
  • the frame or the frame-like element have the bearing surface on which the semiconductor chip is applied with its mounting surface. If the pedestal is formed as a frame that limits an aperture, then the recess is preferred, which through the mounting surface above the
  • Breakthrough and the surface of the carrier is limited, preferably filled with the underfill.
  • the semiconductor chip has two electrical contacts on its front side.
  • the carrier comprises two pedestals, each of which is disposed below an electrical contact of the semiconductor chip.
  • the pedestals support the semiconductor chip below the electrical contacts, while the areas between the pedestals contribute to the recess.
  • the component is based inter alia on the idea that
  • the mounting surface of the semiconductor chip is preferably formed larger than the support surface of the pedestal in order to minimize the proportion of radiation of the semiconductor chip, which is absorbed by the metallic lead frame.
  • the recess, which thus arises under the semiconductor chip is preferably filled with an underfill, which may be designed to be reflective and / or wavelength-converting. Regardless of their optical properties, the underfill improves the heat dissipation from the semiconductor chip.
  • Underfilling advantageously increases the brightness of the component, while a wavelength-converting underfill can also advantageously increase the life of the device.
  • less radiation of the first wavelength range usually advantageously impinges on the surface of the carrier, which may, for example, comprise silver.
  • the component can be manufactured with advantage by a method described here, in which the joining layer of the attachment of the semiconductor chip on the pedestal and the Underfilling simultaneously from a drop of liquid
  • Joining substance is formed by the semiconductor chip is slowly and controlled lowered to the covered with liquid joining material support surface of the pedestal. It is important here that the liquid joining material first covers the mounting surface of the semiconductor chip as completely as possible and then runs down the side surfaces of the pedestal. Furthermore, only the area below the semiconductor chip should be covered with the joining material. This is the exact setting of
  • FIGS. 12 and 13 show an optoelectronic component according to one exemplary embodiment.
  • the carrier 1 comprises a metallic leadframe 2 and a housing body 3.
  • the leadframe 2 is introduced into the housing body 3 and forms in places a surface of the support 1.
  • the lead frame 2 has a pedestal 4 with a support surface.
  • the housing body 3 forms a cavity 5 with a bottom surface, wherein the bottom surface of the cavity 5 extends in places through the surface of the leadframe 2
  • the pedestal 4 in the cavity 5 is freely accessible from the outside.
  • the joining material 6 in this case has reflective
  • the liquid joining material 6 wets the support surface completely, while the side surfaces of the pedestal 4 and the remaining surface of the support 1 are free of the joining material 6. Then, a
  • the semiconductor chip 7 has an epitaxial
  • the epitaxial semiconductor layer sequence 8 has grown epitaxially on a first main surface of a substrate 10.
  • the substrate is a sapphire substrate suitable for the blue light of the active zone 9 is permeable.
  • the first main surface of the substrate 10 faces a second main surface of the substrate 10, which in the present case forms the mounting surface of the semiconductor chip 7.
  • the semiconductor chip 7 transmits the light generated in the active zone 9 via its
  • the semiconductor chip 7 comprises two front-side electrical contacts 11.
  • the semiconductor chip 7 is lowered onto the joining material 6 so that the joining material 6 not only supports the supporting surface of the pedestal 4 but also the mounting surface of the substrate
  • the joining material 6 is
  • the filler particles are reflective in the present embodiment
  • the joining material 6 fills a
  • Recess 13 which is limited by the projecting over the support surface part of the mounting surface, partially made.
  • the recess 13 is further through the side surfaces of the
  • Semiconductor chips 7 produces, is achieved. Furthermore, when hardened, a mechanically stable, reflective coating is produced
  • Semiconductor chips 7 are arranged, with electrical
  • connection points of the lead frame 2 by a bonding wire 14 are electrically connected ( Figure 6).
  • Front side of the semiconductor chip 7 is the case
  • the recess 13 of the housing body 3 is filled with a potting 15, are introduced into the phosphor particles.
  • the phosphor particles are suitable for blue light of the semiconductor chip 7 in yellow light
  • the phosphor particles sediment in the potting 15 and form a wavelength-converting layer 16 on the surface of the substrate 1 and on the surface of the substrate Semiconductor chips 7 off. Then the potting 15 is cured ( Figure 7).
  • filler particles are suitable for converting blue light from the active zone into red light.
  • the semiconductor chip 7 is fixed mechanically stable on the support surface of the pedestal 4 by a joining layer 12, are introduced in the wavelength-converting filler particles. Furthermore, the recess 13, which protrudes through the projecting over the support surface part of the mounting surface of the
  • Wavelength-converting underfill arranged.
  • the semiconductor chip 7 is again electrically contacted, as already described with reference to FIG. 6 (FIG. 10).
  • Phosphor particles are suitable for converting blue light of the active zone into green light.
  • the phosphor particles sediment in a wavelength-converting layer 16 on the surface of the semiconductor chip 7.
  • FIG. 12 shows a section of an optoelectronic component, as can be produced by the method according to FIGS. 1 to 7.
  • Embodiment of Figure 12 has a carrier 1 with a pedestal 4.
  • a semiconductor chip 7 is applied with its mounting surface.
  • the mounting surface protrudes laterally beyond the pedestal 4 and forms with the side surfaces of the pedestal 4 and the surface of the support 1, which is surmounted by the semiconductor chip 7, a recess 13.
  • the recess 13 is filled with an underfill of a cured joining material 6, in the reflective filler particles,
  • the semiconductor chip 7 is over the joining layer 12, the
  • the semiconductor chip 7 is
  • the semiconductor chip 7 is of a
  • the device according to the Embodiment of Figure 12 emits mixed-colored light, which consists of unconverted blue light of
  • wavelength converting layer 16 to white light
  • FIG. 13 shows a section of an optoelectronic component, as can be produced by the method according to FIGS. 8 to 11.
  • Embodiment of Figure 13 is the cured
  • the wavelength-converting filler particles are capable of blue light of the
  • Fluorescent particles provided, the blue light in green
  • the component according to the exemplary embodiment of FIG. 13 emits mixed-color light which consists of blue light of the semiconductor chip 7, red light of FIG
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, it includes The invention relates to any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features i the claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly in the

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben : - Bereitstellen eines Trägers (1) mit einem Podest (4), das eine Auflagefläche aufweist, - Aufbringen eines flüssigen Fügestoffs (6) mit Füllstoffpartikeln auf die Auflagefläche des Podests (4), und - Aufbringen eines Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (7) mit einer Montagefläche, die größer ist als die Auflagefläche des Podests (4), auf den flüssigen Fügestoff (6) derart, dass der Fügestoff (6) eine Fügeschicht (12) zwischen der Auflagefläche des Podests (4) und der Montagefläche des Halbleiterchips (7) ausbildet und der Fügestoff (6) nur eine Ausnehmung (13), die durch den über die Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche begrenzt wird, zumindest teilweise befüllt. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements und ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Ein optoelektronisches Bauelement ist beispielsweise in der Druckschrift DE 102016121510 beschrieben.
Vorliegend soll ein Bauelement angegeben werden, das eine erhöhte Lichtauskopplung aufweist. Weiterhin soll ein
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit erhöhter Lichtauskopplung angegeben werden.
Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1 und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und des optoelektronischen Bauelements sind
Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Träger mit einem Podest bereitgestellt, das eine Auflagefläche aufweist. Auf die Auflagefläche des Podests wird gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens ein flüssiger Fügestoff mit FüllstoffPartikeln aufgebracht. Beispielsweise handelt es sich bei dem Fügestoff um einen Klebstoff. Der Fügestoff bildet bevorzugt einen Tropfen auf der
Auflagefläche aus. Besonders bevorzugt benetzt der Fügestoff nur die Auflagefläche des Podests, während Seitenflächen des Podests frei bleiben von dem Fügestoff. Besonders bevorzugt wird die Auflagefläche vollständig von dem Fügestoff benetzt.
Die Montagefläche des Podests ist bevorzugt in einer
vertikaler Richtung beabstandet zumindest zu einem Bereich der Oberfläche des Trägers angeordnet, wobei die vertikale Richtung senkrecht auf einer Haupterstreckungsebene des
Trägers steht. Mit anderen Worten ragt das Podest aus dem Träger heraus. Eine Seitenwand des Podests steht bevorzugt senkrecht auf einer Haupterstreckungsebene des Trägers. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahren wird in einem nächsten Schritt ein strahlungsemittierender
Halbleiterchip mit einer Montagefläche, die größer ist als die Auflagefläche des Podests, auf den flüssigen Fügestoff derart aufgebracht, beispielsweise durch Absenken, dass der Fügestoff eine Fügeschicht zwischen der Auflagefläche des
Podests und der Montagefläche des Halbleiterchips ausbildet.
Ist der Halbleiterchip auf die Auflagefläche aufgebracht, so bilden die Seitenflächen des Podests, der die Auflagefläche des Podests überragende Teil der Montagefläche und eine
Oberfläche des Trägers unterhalb des Halbleiterchips
bevorzugt eine Ausnehmung aus. Der Fügestoff füllt bei dem Aufbringen des Halbleiterchips auf die Auflagefläche
bevorzugt nur die Ausnehmung zumindest teilweise. Die übrige Oberfläche des Trägers, die nicht von dem Halbleiterchip überragt wird, bleibt besonders bevorzugt frei von dem
Fügestoff. Besonders bevorzugt wird also nur die Oberfläche des Trägers unterhalb der Montagefläche des Halbleiterchips mit dem Fügestoff bedeckt, während der Rest der Oberfläche des Trägers frei bleibt von dem Fügestoff.
Beim Aufbringen des Halbleiterchips auf den flüssigen
Fügestoff auf der Auflagefläche des Podests wird der
Fügestoff teilweise verdrängt und es bildet sich die
Fügeschicht zwischen der Auflagefläche des Podests und der Montagefläche des Halbleiterchips aus. Weiterhin läuft ein Teil des verdrängten Fügestoffs über die Seitenflächen des Podests auf die Bodenfläche des Trägers unterhalb des
Halbleiterchips herunter.
Besonders bevorzugt sind die Seitenflächen des
Halbleiterchips frei von dem Fügestoff. Auf diese Art und Weise wird die Lichtauskopplung aus dem Halbleiterchip und damit die Helligkeit des optoelektronischen Bauelements erhöht .
Besonders bevorzugt wird der Halbleiterchip durch Absenken derart auf die Auflagefläche aufgebracht, dass der Fügestoff vor dem Befüllen der Ausnehmung die Montagefläche des
Halbleiterchips zunächst vollständig benetzt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Fügestoff ausgehärtet, bevorzugt nach dem Aufbringen des Halbleiterchips. Beim Aushärten des Fügestoffs entsteht bevorzugt eine Stoffschlüssige Verbindung zwischen der
Auflagefläche des Podests und der Montagefläche des
Halbleiterchips aufgrund der ausgehärteten Fügeschicht. Auch der Fügestoff in der Ausnehmung, die durch den über die
Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche begrenzt wird, wird ausgehärtet, sodass eine mechanisch stabile Unterfüllung aus ausgehärtetem Fügestoff unter dem Halbleiterchip entsteht. Die Unterfüllung unter dem Halbleiterchip
verbessert mit Vorteil die thermische Anbindung des
Halbleiterchips an den Träger. Besonders bevorzugt weist die Fügeschicht eine Dicke zwischen einschließlich 1 Mikrometer und einschließlich 5 Mikrometer auf. Eine derart dünne Fügeschicht erlaubt insbesondere eine gute thermische Anbindung des Halbleiterchips an den Träger. Dies führt zu einer guten Wärmeabfuhr von dem Halbleiterchip im Betrieb des Bauelements.
Beispielsweise umfasst der Träger einen Leiterrahmen. Der Leiterrahmen kann aus Metall gebildet sein. Bevorzugt ist die Oberfläche des Leiterrahmens durch Silber gebildet. Der Leiterrahmen kann in einen Gehäusekörper eingebracht sein, der eine Kavität aufweist. Der Leiterrahmen kann stellenweise in dem Gehäusekörper frei zugänglich sein. Beispielsweise bildet der Leiterrahmen stellenweise eine Bodenfläche einer Kavität aus, in die der Halbleiterchip montiert ist.
Bevorzugt ist das Podest Teil des Leiterrahmens und folglich metallisch ausgebildet. Über das metallische Podest kann mit Vorteil Wärme von dem Halbleiterchip effektiv abgeführt werden . Bevorzugt umfasst der Strahlungsemittierende Halbleiterchip eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu erzeugen. Bevorzugt ist die aktive Zone dazu geeignet, blaues Licht zu erzeugen.
Weiterhin weist der Halbleiterchip bevorzugt ein Substrat auf, das für elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone, wie blaues Licht, durchlässig ist. Beispielsweise weist das Substrat Saphir auf oder ist aus Saphir gebildet, während die epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basiert. Nitrid- Verbindungshalbleitermaterialien sind
Verbindungshalbleitermaterialien, die Stickstoff enthalten, wie die Materialien aus dem System InxAlyGai-x-yN mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x+y < 1.
Beispielsweise ist die epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf einer ersten Hauptfläche des Substrats epitaktisch aufgewachsen. Der ersten Hauptfläche des Substrats liegt eine zweite Hauptfläche gegenüber, die eine Montagefläche des Halbleiterchips ausbilden kann. Bevorzugt sind zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und der zweiten Hauptfläche des Substrats Seitenflächen des Substrats angeordnet. Ist das Substrat durchlässig für Strahlung der aktiven Zone
ausgebildet, so wird elektromagnetische Strahlung bevorzugt auch über die Seitenflächen des Substrats von dem
Halbleiterchip im Betrieb ausgesandt. Weiterhin weist der Halbleiterchip zwei elektrische Kontakte auf, die bevorzugt auf einer Vorderseite des Halbleiterchips angeordnet sind, die der Montagefläche des Halbleiterchips gegenüberliegt.
Beispielsweise weist der Fügestoff ein Silikon auf, in das die Füllstoffpartikel eingebracht sind. Der Fügestoff kann auch aus einem Silikon mit FüllstoffPartikeln gebildet sein.
Gemäß einer Ausführungsform sind die Füllstoffpartikel reflektierend, zumindest für die elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone, ausgebildet. Besonders bevorzugt sind die Füllstoffpartikel diffus reflektierend zumindest für die Strahlung der aktiven Zone ausgebildet. Bei diffus
reflektierenden FüllstoffPartikeln kann es sich
beispielsweise um Titandioxidpartikel handeln. Ist der Fügestoff mit diffus reflektierenden FüllstoffPartikeln versehen, so ist der ausgehärtete Fügestoff in der Regel ebenfalls diffus reflektierend und somit weiß ausgebildet. Ist die Unterfüllung reflektierend ausgebildet, so wird die Lichtausbeute aus dem Bauelement und somit dessen Helligkeit mit Vorteil erhöht, da Strahlung, die rückseitig über das Substrat ausgesandt wird, zu einer Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements reflektiert wird. Weiterhin können die Füllstoffpartikel auch
wellenlängenkonvertierend ausgebildet sein. Die
wellenlängenkonvertierenden Füllstoffpartikel sind bevorzugt dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten
Wellenlängenbereichs, die in der aktiven Zone erzeugt wird, in elektromagnetische Strahlung eines zweiten
Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten
Wellenlängenbereich verschieden ist. Besonders bevorzugt sind die wellenlängenkonvertierenden Füllstoffpartikel dazu geeignet, blaues Licht in rotes Licht umzuwandeln.
Sind die Füllstoffpartikel wellenlängenkonvertierend
ausgebildet, so tragen die wellenlängenkonvertierenden
Füllstoffpartikel mit Vorteil zur Wärmeabfuhr von dem
Halbleiterchip bei. Auf diese Art und Weise werden die
Lebensdauer und die Effizienz des Bauelements mit Vorteil erhöht .
Sind die Füllstoffpartikel wellenlängenkonvertierend
ausgebildet, so weisen sie bevorzugt einen Durchmesser zwischen einschließlich 0,5 Mikrometer und einschließlich 1,5 Mikrometer auf. Sind die Füllstoffpartikel reflektierend ausgebildet, so weisen sie bevorzugt einen Durchmesser zwischen
einschließlich 150 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer auf .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens bildet eine Oberfläche des Trägers zumindest teilweise eine
Bodenfläche einer Kavität aus, in der der Halbleiterchip angeordnet ist. Die Kavität wird bevorzugt mit einem Verguss gefüllt, in den Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel wandeln Strahlung des ersten
Wellenlängenbereichs zumindest teilweise in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs um. Der erste
Wellenlängenbereich, der zweiten Wellenlängenbereich und der dritte Wellenlängenbereich sind bevorzugt jeweils voneinander verschieden. Besonders bevorzugt wandeln die
Leuchtstoffpartikel blaues Licht in grünes Licht um.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren kann ein
optoelektronisches Bauelement hergestellt werden. Merkmale und Ausführungsformen, die vorliegend lediglich in
Zusammenhang mit dem Verfahren beschrieben sind, können ebenso bei dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein und umgekehrt.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen Träger mit einem Podest. Das Podest weist eine Auflagefläche auf. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Bauelement einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit einer Montagefläche, die größer ist als die Auflagefläche des Podests. Der über die Auflagefläche des Podests ragende Teil der Montagefläche begrenzt eine
Ausnehmung. Die Ausnehmung ist weiterhin bevorzugt durch Seitenflächen des Podests und Teile einer Oberfläche des Trägers begrenzt, über die der Halbleiterchip hinausragt. Bevorzugt ist der Halbleiterchip auf der Auflagefläche des Podests zentriert angeordnet.
Bevorzugt ist der Halbleiterchip über eine Fügeschicht mit seiner Montagefläche stoffschlüssig auf die Auflagefläche des Podests aufgebracht. Die Fügeschicht ist bevorzugt aus einem Fügestoff mit FüllstoffPartikeln gebildet.
Die Ausnehmung ist besonders bevorzugt zumindest teilweise mit dem ausgehärteten Fügestoff mit FüllstoffPartikeln gefüllt. Der ausgehärtete Fügestoff bildet bevorzugt eine mechanisch stabile Unterfüllung unter dem Halbleiterchip aus. Ein Bereich einer Oberfläche des Trägers, der nicht von dem Halbleiterchip überragt wird, ist besonders bevorzugt frei von der Unterfüllung. Mit anderen Worten ist die Unterfüllung bevorzugt nur in der Ausnehmung unter dem Halbleiterchip angeordnet, während die restliche Oberfläche des Trägers frei ist von der Unterfüllung. Besonders bevorzugt sind auch die Seitenflächen des Halbleiterchips frei von dem Fügestoff. Gemäß einer Ausführungsform des Bauelements ist der
Halbleiterchip in einer Kavität angeordnet, die mit einem wellenlängenkonvertierenden Verguss gefüllt ist.
Beispielsweise sendet der Halbleiterchip blaues Licht aus und ist mit einer Unterfüllung versehen, die
wellenlängenkonvertierende Füllstoffpartikel aufweist. Die wellenlängenkonvertierenden Füllstoffpartikel sind bevorzugt dazu geeignet, blaues Licht in rotes Licht umzuwandeln, während die Leuchtstoffpartikel des Vergusses bevorzugt dazu geeignet sind, blaues Licht in grünes Licht umzuwandeln. Das Bauelement sendet in diesem Fall bevorzugt mischfarbiges Licht aus, das sich aus unkonvertierter blauer Strahlung des Halbleiterchips, konvertierter roter Strahlung der
Unterfüllung und konvertierter grüner Strahlung des Vergusses zusammensetzt. Bevorzugt weist das mischfarbige Licht des Bauelements einen Farbort im weißen Bereich auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Bauelements weist der Träger ein einziges Podest auf. Der Halbleiterchip ist hierbei bevorzugt mittig auf der Auflagefläche des Podests aufgebracht. Die Ausnehmung, die durch den über den Träger ragenden Teil der Montagefläche des Halbleiterchips
ausgebildet ist, ist bevorzugt vollständig umlaufend um das Podest ausgebildet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Bauelements weist das Podest einen Durchbruch oder eine Einbuchtung auf, die von der Auflagefläche begrenzt wird. Mit anderen Worten kann das Podest als Rahmen ausgebildet sein, der einen Durchbruch begrenzt. Außerdem ist es möglich, dass das Podest ein rahmenartiges Element begrenzt, das eine Einbuchtung
begrenzt. Der Rahmen oder das rahmenartige Element weisen die Auflagefläche auf, auf der der Halbleiterchip mit seiner Montagefläche aufgebracht wird. Ist das Podest als Rahmen ausgebildet, der einen Durchbruch begrenzt, so ist bevorzugt die Ausnehmung, die durch die Montagefläche über dem
Durchbruch und die Oberfläche des Trägers begrenzt wird, bevorzugt mit der Unterfüllung gefüllt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Bauelements weist der der Halbleiterchip zwei elektrische Kontakte an seiner Vorderseite auf. Bevorzugt umfasst der Träger zwei Podeste, von denen jedes unterhalb eines elektrischen Kontakts des Halbleiterchips angeordnet ist. Mit anderen Worten, stützen die Podeste den Halbleiterchip unterhalb den elektrischen Kontakten ab, während die Bereiche zwischen den Podesten zu der Ausnehmung beitragen. Diese Ausführungsform weist den Vorteil auf, dass Bonddrähte auf die elektrischen Kontakte besonders einfach gesetzt werden können ohne dass der
Halbleiterchip kippt. Das Bauelement beruht unter anderem auf der Idee, den
Halbleiterchip auf einem metallischen Podest eines
Leiterrahmens anzuordnen, um eine gute Wärmeabfuhr von dem Halbleiterchip im Betrieb zu ermöglichen. Gleichzeitig ist die Montagefläche des Halbleiterchips bevorzugt größer ausgebildet als die Auflagefläche des Podests, um den Anteil an Strahlung des Halbleiterchips, die von dem metallischen Leiterrahmen absorbiert wird, zu minimieren. Die Ausnehmung, die so unter dem Halbleiterchip entsteht, wird bevorzugt mit einer Unterfüllung gefüllt, die reflektierend und/oder wellenlängenkonvertierend ausgebildet sein kann. Unabhängig von ihren optischen Eigenschaften verbessert die Unterfüllung die Wärmeabfuhr vom Halbleiterchip. Eine reflektierende
Unterfüllung erhöht mit Vorteil die Helligkeit des Bauteils, während eine wellenlängenkonvertierende Unterfüllung mit Vorteil außerdem die Lebensdauer des Bauelements erhöhen kann. Zudem trifft bei einer wellenlängenkonvertierenden Unterfüllung mit Vorteil in der Regel weniger Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs auf die Oberfläche des Trägers, die beispielsweise Silber aufweisen kann.
Das Bauelement kann mit Vorteil mit einem hier beschriebenen Verfahren gefertigt werden, bei dem die Fügeschicht der Befestigung des Halbleiterchips auf dem Podest und die Unterfüllung gleichzeitig aus einem Tropfen flüssigen
Fügestoffs gebildet wird, indem der Halbleiterchip langsam und kontrolliert auf die mit flüssigem Fügestoff bedeckte Auflagefläche des Podest abgesenkt wird. Wichtig ist hierbei, dass der flüssige Fügestoff zunächst die Montagefläche des Halbleiterchips möglichst vollständig bedeckt und dann erst die Seitenflächen des Podests hinabläuft. Weiterhin soll nur der Bereich unterhalb des Halbleiterchips mit dem Fügestoff bedeckt werden. Hierzu ist die genaue Einstellung der
Fügestoffmenge notwendig.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1 bis 7 wird ein Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 8 bis 11 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens näher erläutert.
Die schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 12 und 13 zeigen ein optoelektronisches Bauelement gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 7 wird in einem ersten Schritt ein Träger 1
bereitgestellt (Figur 1) . Der Träger 1 umfasst vorliegend einen metallischen Leiterrahmen 2 und einen Gehäusekörper 3. Der Leiterrahmen 2 ist in den Gehäusekörper 3 eingebracht und bildet stellenweise eine Oberfläche des Trägers 1 aus. Der Leiterrahmen 2 weist ein Podest 4 mit einer Auflagefläche auf. Der Gehäusekörper 3 bildet vorliegend eine Kavität 5 mit einer Bodenfläche aus, wobei die Bodenfläche der Kavität 5 stellenweise durch die Oberfläche des Leiterrahmens 2
gebildet ist. Weiterhin ist das Podest 4 in der Kavität 5 von außen frei zugänglich.
In einem nächsten Schritt wird ein Tropfen flüssigen
Fügestoffs 6 auf die Auflagefläche des Podests 4 aufgebracht. Der Fügestoff 6 weist vorliegend reflektierende
Füllstoffpartikel auf. Der flüssige Fügestoff 6 benetzt die Auflagefläche vollständig, während die Seitenflächen des Podests 4 und die restliche Oberfläche des Trägers 1 frei sind von dem Fügestoff 6. Dann wird ein
strahlungsemittierender Halbleiterchip 7, beispielsweise in einem Pick-and-Place-Verfahren, über dem Podest 4 mit dem Fügestoff 6 positioniert (Figur 2) .
Der Halbleiterchip 7 weist eine epitaktische
Halbleiterschichtenfolge 8 mit einer aktiven Zone 9 auf, die dazu geeignet ist, blaues Licht zu erzeugen. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 8 ist auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 10 epitaktisch gewachsen. Bei dem Substrat handelt es sich vorliegend um ein Saphirsubstrat, das für das blaue Licht der aktiven Zone 9 durchlässig ist. Der ersten Hauptfläche des Substrats 10 liegt eine zweite Hauptfläche des Substrats 10 gegenüber, die vorliegend die Montagefläche des Halbleiterchips 7 ausbildet. Der Halbleiterchip 7 sendet das von in der aktiven Zone 9 erzeugte Licht über seine
Strahlungsaustrittsfläche aus, die der Montagefläche
gegenüberliegt. Weiterhin umfasst der Halbleiterchip 7 zwei vorderseitige elektrische Kontakte 11. In einem nächsten Schritt wird der Halbleiterchip 7 auf den Fügestoff 6 abgesenkt, so dass der Fügestoff 6 neben der Auflagefläche des Podests 4 auch die Montagefläche des
Halbleiterchips 7 vollständig benetzt (Figur 3) . In den Fügestoff 6 sind vorliegend Füllstoffpartikel
eingebracht. Bei dem Fügestoff 6 handelt es sich
beispielsweise um ein Silikon. Die Füllstoffpartikel sind bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel reflektierend
ausgebildet. Beispielsweise handelt es sich bei den
FüllstoffPartikeln um Titandioxidpartikel.
In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 4
dargestellt ist, wird der Strahlungsemittierende
Halbleiterchip 7 derart auf das Podest 4 abgesenkt, dass eine Fügeschicht 12 aus Fügestoff 6 zwischen der Auflagefläche des Podests 4 und der Montagefläche des Halbleiterchips 7
ausgebildet wird. Weiterhin füllt der Fügestoff 6 eine
Ausnehmung 13, die durch den über die Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche begrenzt wird, teilweise aus. Die Ausnehmung 13 wird weiterhin durch die Seitenflächen des
Podests 4 und Teile der Oberfläche des Trägers 1 begrenzt, die von dem Halbleiterchip 7 überragt werden. Vorliegend wird nur die Ausnehmung 13 teilweise mit dem Fügestoff 6 befüllt, während der Rest der Oberfläche, die nicht von dem Halbleiterchip 7 überragt wird, frei bleibt von dem Fügestoff 6. Auch die Seitenflächen des Halbleiterchips 7 bleiben mit Vorteil frei von dem Fügestoff 6. Dann wird der Fügestoff 6 ausgehärtet, so dass eine mechanisch stabile Fügeschicht 12, die eine Stoffschlüssige Verbindung zwischen der
Auflagefläche des Podests 4 und der Montagefläche des
Halbleiterchips 7 herstellt, erzielt wird. Weiterhin entsteht beim Aushärten eine mechanisch stabile, reflektierende
Unterfüllung des Halbleiterchips 7 aus dem ausgehärteten Fügestoff in der Ausnehmung 13 (Figur 5) .
In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 6 dargestellt ist, wird der Halbleiterchip 7 elektrisch
kontaktiert, in dem zwei elektrische Kontakte 11 des
Halbleiterchips 7, die auf einer Vorderseite des
Halbleiterchips 7 angeordnet sind, mit elektrischen
Anschlussstellen des Leiterrahmens 2 durch einen Bonddraht 14 elektrisch leitend verbunden werden (Figur 6) . Die
Vorderseite des Halbleiterchips 7 liegt hierbei der
Montagefläche des Halbleiterchips 7 gegenüber.
Dann wird die Ausnehmung 13 des Gehäusekörpers 3 mit einem Verguss 15 gefüllt, in den Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel sind vorliegend dazu geeignet, blaues Licht des Halbleiterchips 7 in gelbes Licht
umzuwandeln .
Bei dem Verfahren gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sedimentieren die Leuchtstoffpartikel in dem Verguss 15 und bilden eine wellenlängenkonvertierende Schicht 16 auf der Oberfläche des Trägers 1 und auf der Oberfläche des Halbleiterchips 7 aus. Dann wird der Verguss 15 ausgehärtet (Figur 7 ) .
Bei dem Verfahren gemäß den Figuren 8 bis 11 wird zuerst wiederum ein Träger 1 bereitgestellt, wie er bereits anhand von Figur 1 beschrieben wurde (Figur 8) .
Dann werden die Verfahrensschritte durchgeführt, wie bereits anhand der Figuren 2 bis 4 beschrieben, wobei jedoch die Füllstoffpartikel in dem Fügestoff 6 nicht reflektierend, sondern wellenlängenkonvertierend ausgebildet sind. Die
Füllstoffpartikel sind vorliegend dazu geeignet, blaues Licht der aktiven Zone in rotes Licht umzuwandeln. Der Halbleiterchip 7 ist auf der Auflagefläche des Podests 4 durch eine Fügeschicht 12 mechanisch stabil befestigt, in der wellenlängenkonvertierende Füllstoffpartikel eingebracht sind. Weiterhin ist die Ausnehmung 13, die durch den über die Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche des
Halbleiterchips 7, die Seitenflächen des Podests 4 sowie die Oberfläche des Trägers 1 unterhalb des Halbleiterchips 7 begrenzt wird, mit dem Fügestoff 6 befüllt, der
wellenlängenkonvertierende Füllstoffpartikel aufweist (Figur 9) . Unterhalb des Halbleiterchips 7 ist also eine
wellenlängenkonvertierende Unterfüllung angeordnet.
In einem nächsten Schritt wird der Halbleiterchip 7 wiederum elektrisch kontaktiert, wie bereits anhand der Figur 6 beschrieben (Figur 10) .
Dann wird wiederum ein wellenlängenkonvertierender Verguss 15 in die Kavität 5 des Gehäusekörpers 3 eingebracht, der
Leuchtstoffpartikel aufweist. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figuren 1 bis 7 sind die
Leuchtstoffpartikel dazu geeignet, blaues Licht der aktiven Zone in grünes Licht umzuwandeln. Die Leuchtstoffpartikel sedimentieren in einer wellenlängenkonvertierenden Schicht 16 auf der Oberfläche des Halbleiterchips 7. Nach dem
Sedimentieren der Leuchtstoffpartikel wird der Verguss 15 ausgehärtet (Figur 11).
Figur 12 zeigt einen Ausschnitt eines optoelektronischen Bauelements, wie es mit dem Verfahren gemäß der Figuren 1 bis 7 erzeugt werden kann.
Das optoelektronische Bauelement gemäß dem
Ausführungsbeispiel der Figur 12 weist einen Träger 1 mit einem Podest 4 auf. Auf die Auflagefläche des Podests 4 ist ein Halbleiterchip 7 mit seiner Montagefläche aufgebracht. Hierbei ragt die Montagefläche seitlich über das Podest 4 hinaus und bildet mit den Seitenflächen des Podests 4 sowie der Oberfläche des Trägers 1, die von dem Halbleiterchip 7 überragt wird, eine Ausnehmung 13 aus. Die Ausnehmung 13 ist mit einer Unterfüllung eines ausgehärteten Fügestoffs 6 ausgefüllt, in den reflektierende Füllstoffpartikel ,
beispielsweise Titandioxidpartikel, eingebracht sind. Der Halbleiterchip 7 ist über die Fügeschicht 12, die aus
ausgehärtetem Fügestoff 6 gebildet ist, mit dem Podest 4 mechanisch stabil verbunden. Der Halbleiterchip 7 ist
vorderseitig über zwei elektrische Kontakte 11 mit
Bonddrähten 14 elektrisch kontaktiert. Weiterhin ist der Halbleiterchip 7 von einer
wellenlängenkonvertierenden Schicht 16 umgeben, die dazu geeignet ist, blaues Licht des Halbleiterchips 7 in gelbes Licht umzuwandeln. Das Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 12 sendet mischfarbiges Licht aus, das sich aus unkonvertiertem blauen Licht des
Halbleiterchips 7 und gelbem konvertiertem Licht der
wellenlängenkonvertierenden Schicht 16 zu weißem Licht zusammensetzt.
Figur 13 zeigt einen Ausschnitt eines optoelektronischen Bauelements wie es mit dem Verfahren gemäß der Figuren 8 bis 11 erzeugt werden kann.
Bei dem optoelektronischen Bauelement gemäß dem
Ausführungsbeispiel der Figur 13 ist der ausgehärtete
Fügestoff 6 der Unterfüllung nicht mit reflektierenden
FüllstoffPartikeln, sondern mit wellenlängenkonvertierenden FüllstoffPartikeln gefüllt. Die wellenlängenkonvertierenden Füllstoffpartikel sind dazu geeignet, blaues Licht des
Halbleiterchips 7 in rotes Licht umzuwandeln. Weiterhin ist die wellenlängenkonvertierende Schicht 16 bei dem Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 13 mit
LeuchtstoffPartikeln versehen, die blaues Licht in grünes
Licht umwandeln. Das Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 13 sendet mischfarbiges Licht aus, das sich aus blauem Licht des Halbleiterchips 7, rotem Licht der
wellenlängenkonvertierenden Füllstoffpartikel und grünem Licht der wellenlängenkonvertierenden Schicht 16
zusammensetzt .
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102017115656.9, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
1 Träger
2 Leiterrahmen
3 Gehausekörper
4 Podest
5 Kavität
6 Fügestoff
7 Halbleiterchip
8 epitaktische Halbleiterschichtenfolge
9 aktive Zone
10 Substrat
11 elektrischer Kontakt
12 Fügeschicht
13 Ausnehmung
14 Bonddraht
15 Verguss
16 wellenlängenkonvertierende Schicht

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (1) mit einem Podest (4), das eine Auflagefläche aufweist,
- Aufbringen eines flüssigen Fügestoffs (6) mit
FüllstoffPartikeln auf die Auflagefläche des Podests (4), und
- Aufbringen eines Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (7) mit einer Montagefläche, die größer ist als die
Auflagefläche des Podests (4), auf den flüssigen Fügestoff (6) derart, dass der Fügestoff (6) eine Fügeschicht (12) zwischen der Auflagefläche des Podests (4) und der
Montagefläche des Halbleiterchips (7) ausbildet und der
Fügestoff (6) nur eine Ausnehmung (13), die durch den über die Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche begrenzt wird, zumindest teilweise befüllt.
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem eine Oberfläche des Trägers (1) nur unterhalb der Montagefläche des Halbleiterchips (7) mit dem Fügestoff (6) bedeckt wird, während der Rest der Oberfläche des Trägers (1) frei bleibt von dem Fügestoff (6) .
3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem der Halbleiterchip (7) durch Absenken derart auf die Auflagefläche aufgebracht wird, dass der Fügestoff (6) vor dem Befüllen der Ausnehmung (13) die Montagefläche des
Halbleiterchips (7) vollständig benetzt.
4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem der Träger (1) einen Leiterrahmen (2) umfasst.
5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem der Halbleiterchip (7) umfasst:
- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (8) mit einer aktiven Zone (9), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu erzeugen, und
- ein Substrat (10), das für elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone (9) durchlässig ist.
6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Füllstoffpartikel reflektierend oder
wellenlängenkonvertierend ausgebildet sind.
7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Füllstoffpartikel wellenlängenkonvertierend ausgebildet sind und dazu geeignet, blaues Licht in rotes Licht umzuwandeln.
8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Fügeschicht (12) eine Dicke zwischen
einschließlich 1 Mikrometer und einschließlich 5 Mikrometer aufweist .
9. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Füllstoffpartikel wellenlängenkonvertierend ausgebildet sind und einen Durchmesser zwischen
einschließlich 0,5 Mikrometer und einschließlich 1,5
Mikrometer aufweisen.
10. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Füllstoffpartikel reflektierend ausgebildet sind und einen Durchmesser zwischen einschließlich 150 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweisen.
11. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem
- eine Oberfläche des Trägers (1) zumindest teilweise eine Bodenfläche einer Kavität (5) ausbildet, in der der
Halbleiterchip (7) angeordnet ist, und
- die Kavität (5) mit einem Verguss (15) gefüllt wird, in den Leuchtstoffpartikel eingebracht sind, die Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten
Wellenlängenbereichs umwandeln.
12. Optoelektronisches Bauelement mit:
- einem Träger (1) umfassend ein Podest (4) mit einer
Auflägefläche,
- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7), der eine Montagefläche aufweist, die größer ist als die Auflagefläche des Podests (4), so dass eine Ausnehmung (13) durch den über die Auflagefläche ragenden Teil der Montagefläche begrenzt wird,
- einer Fügeschicht (12), die aus einem Fügestoff (6) mit FüllstoffPartikeln gebildet ist und die die Montagefläche des Halbleiterchips (1) und die Auflagefläche des Podests (4) Stoffschlüssig miteinander verbindet, und
- einer Unterfüllung, die aus dem Fügestoff (6) mit den
FüllstoffPartikeln gebildet ist und die nur in der Ausnehmung (13) angeordnet ist, während ein Bereich einer Oberfläche des Trägers (1), der nicht von dem Halbleiterchip (7) überragt wird, frei ist von der Unterfüllung.
13. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorherigen
Anspruch,
bei dem die Füllstoffpartikel reflektierend oder
wellenlängenkonvertierend ausgebildet sind.
14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 13,
bei dem die Seitenflächen des Halbleiterchips (7) frei sind von dem Fügestoff (6) .
15. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
das warmweißes Licht aussendet.
16. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
bei dem der Träger (1) ein einziges Podest (4) aufweist und der Halbleiterchip (7) mittig auf der Auflagefläche des
Podests (4) aufgebracht ist, so dass die Ausnehmung (13) vollständig umlaufend um das Podest (4) ausgebildet ist.
17. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
bei dem das Podest (4) einen Durchbruch oder eine Einbuchtung aufweist, die von der Auflagefläche begrenzt wird.
18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
bei dem der Halbleiterchip (7) zwei elektrische Kontakte an einer Vorderseite des Halbeiterchips (4) aufweist, und der Träger (1) zwei Podeste (4) aufweist, von denen jedes unterhalb eines elektrischen Kontakts des Halbleiterchips (7) angeordnet ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021144120A1 (de) * 2020-01-13 2021-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse, optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006755A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 Ng Kee Yean Die attach for light emitting diode
US20110151626A1 (en) * 2008-03-25 2011-06-23 Lin Charles W C Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US20140353704A1 (en) * 2012-06-18 2014-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
DE102016121510A1 (de) 2016-11-10 2018-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219919A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Wang Der-Nan Package method for enhancing the brightness of LED
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
JP4773048B2 (ja) * 2003-09-30 2011-09-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006093672A (ja) * 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101438826B1 (ko) * 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
KR101047791B1 (ko) * 2008-11-18 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
TWI540766B (zh) * 2013-07-10 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝結構
DE102017111426A1 (de) 2017-05-24 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006755A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 Ng Kee Yean Die attach for light emitting diode
US20110151626A1 (en) * 2008-03-25 2011-06-23 Lin Charles W C Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US20140353704A1 (en) * 2012-06-18 2014-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
DE102016121510A1 (de) 2016-11-10 2018-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021144120A1 (de) * 2020-01-13 2021-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse, optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren

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