WO2018199021A1 - コンデンサのノイズ低減回路および電源装置 - Google Patents

コンデンサのノイズ低減回路および電源装置 Download PDF

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WO2018199021A1
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capacitor
case
noise reduction
ground path
reduction circuit
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Inventor
吉田　敦
清水　敏久
Original Assignee
日本ケミコン株式会社
公立大学法人首都大学東京
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/28—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices with other electric components not covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a noise reduction technique such as a reduction in high-frequency current flowing in a ground path of a capacitor installed in a power supply device.
  • a large electrolytic capacitor is used as a DC smoothing capacitor after AC is converted to DC.
  • a capacitor comprises a metal band.
  • the metal band is a fixing means for fixing the capacitor to the device frame and is used as a safety ground.
  • This metal band is attached to the capacitor case via an insulating film.
  • a stray capacitance of about 100 [pF] is parasitic between the metal band and the capacitor case due to the contact area and the intervening insulating film.
  • the switching element of the inverter operates, a high-frequency current flows through the stray capacitance and the inductance of the ground path due to the switching. That is, the ground path including the stray capacitance is a source of noise current.
  • the stray capacitance between the case 104 and the capacitor element 106 of each capacitor 102 is Ck1
  • the stray capacitance due to the insulating film between the case 104 and the metal band 108 is Ck2.
  • the combined stray capacitance Ctam when N capacitors 102 are paralleled is proportional to the parallel number N of capacitors 102.
  • Ctam N ⁇ Cta (2) Therefore, the number of capacitors 102 increases according to the parallel number N.
  • the high-frequency currents flowing from the case 104 of each capacitor 102 to the metal band 108 are i1, i2, i3...
  • the combined stray capacitance Ctb of the stray capacitance Ck3 is proportional to the parallel number N of capacitors 102. Will increase.
  • the outer diameter of the metal band 108 is equivalent to the amount of the low dielectric constant material inserted. Only get bigger. If the low dielectric constant material is several millimeters or more, there is a problem that the diameter of the metal band 108 increases to about twice the thickness of the inserted low dielectric constant material and the installation area of the capacitor 102 is expanded. . (5) Installing a low dielectric constant material between the case 104 and the metal band 108 has a problem of increasing the installation cost and processing cost of the low dielectric constant material.
  • an object of the present invention is to reduce noise current caused by stray capacitance or parasitic capacitance in the ground path of a capacitor.
  • an earth path connected between a conductive fixing member for fixing the capacitor and an apparatus frame or an earth potential is connected to the earth path.
  • An element for reducing the flowing high-frequency current is provided.
  • the element may be installed in the ground path connected to a plurality of capacitors at once.
  • the element may include at least one of a capacitor element, an inductance element, and a resistance element.
  • the capacitor may have a cathode foil protruding from a capacitor element in contact with an inner bottom surface of the capacitor case.
  • the capacitor includes a capacitor element in which at least one of a cathode foil and an anode foil is protruded, and an insulating material is installed between the element and the case, or An insulating layer may be provided on the surface of the case that contacts the element.
  • the power supply device includes a noise reduction circuit for the capacitor.
  • any of the following effects can be obtained.
  • (1) The high-frequency current flowing in the capacitor ground path can be reduced, and the noise current can be suppressed.
  • the combined stray capacitance on the capacitor side can be reduced by serializing the elements provided in the ground path or the capacitances included in the elements, and the noise current can be suppressed. .
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a ground path of the capacitor module according to the first embodiment.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating an equivalent circuit of a capacitor ground path according to the second embodiment, and FIG. 7B is a diagram illustrating an equivalent circuit of a capacitor ground path according to the third embodiment.
  • A is a diagram showing a capacitor according to the fourth embodiment, and B is a diagram showing an equivalent circuit of a ground path.
  • A is a diagram illustrating a capacitor according to the fifth embodiment, and B is a diagram illustrating an equivalent circuit of a ground path.
  • A is a diagram showing a high-frequency current reducing element according to Example 6, B is a diagram showing a high-frequency current reducing element according to Example 7, C is a diagram showing a high-frequency current reducing element according to Example 8, and D is Example 9. It is a figure which shows the high frequency current reduction element which concerns on. It is a figure which shows the equivalent circuit of the earth
  • FIG. 1 shows an inverter as an example of a power supply device which is an embodiment of a capacitor noise reduction circuit of the present invention.
  • the configuration shown in FIG. 1 is an example, and the present invention is not limited to such a configuration.
  • the inverter 2 includes a rectifying unit 4, a heat radiating unit 6, and a capacitor module 8.
  • the rectifying unit 4 includes, for example, a diode rectifier circuit, and converts an AC input such as commercial AC into DC.
  • the heat dissipating unit 6 is a heat dissipating unit such as the rectifying unit 4, is attached to a device frame (not shown) of the inverter 2, and is connected to the ground point 10.
  • the capacitor module 8 is a means for smoothing the rectified output of the rectifying unit 4 and includes, for example, capacitors 14-1, 14-2, 14-3... 14-N (not shown) as a plurality of capacitors.
  • Each of the capacitors 14-1, 14-2, 14-3,... 14-N is a large electrolytic capacitor having the same rating.
  • Each of the capacitors 14-1, 14-2, 14-3... 14 -N is connected in parallel with the conductor 16 and connected to the output unit of the rectifying unit 4.
  • Each of the capacitors 14-1, 14-2, 14-3,..., 14-N is individually attached with a metal band 18, and each metal band 18 is connected between adjacent capacitors 14-1, 14-2. 14-2 and 14-3 are connected by a fixing screw 20.
  • the metal band 18 is an example of a conductive fixing member that fixes a capacitor, such as a metal fixture.
  • a high-frequency current reducing element (hereinafter simply referred to as a “high-frequency current reducing element”) is provided between the conductor 22 and the heat radiating portion 6 connected in common to the metal band 18 of each of the capacitors 14-1, 14-2, 14-3. 24, referred to as “reducing element”. That is, although the metal bands 18 are arranged in parallel, the reduction element 24 is connected in series to the parallel circuit.
  • each metal band 18 is connected to the ground point 10 via the reduction element 24.
  • the ground point 10 is an example of a ground potential. That is, along with the parallel arrangement of the metal bands 18 by the conductor 22, the ground path 26 is formed through the reduction element 24.
  • the ground path 26 is a safety ground and functions as a high-frequency ground.
  • the metal band 18 is a means for fixing and fastening a capacitor formed of a conductive material, and constitutes a part of the ground path 26.
  • the reduction element 24 may be any element or circuit that reduces the high-frequency current flowing through the ground path 26.
  • the reduction element 24 may include at least one of a capacitance element, an inductance element, and a resistance element.
  • Each of the capacitors 14-1, 14-2, 14-3,... 14-N includes a case 28, a capacitor element 30, an anode terminal 32-1, and a cathode terminal 32-2, as shown in FIG. . Between the anode terminal 32-1 and the cathode terminal 32-2, the rated capacity C set for each capacitor element 30 is obtained.
  • the case 28 is insulated by covering with an insulating film (not shown). As a result, a dielectric made of an insulating film is interposed between the facing surfaces of the case 28 and the metal band 18.
  • the stray capacitance Ck2 is parasitic between the metal bands 18.
  • the stray capacitance Ck1 is generated by a dielectric between the electrode of the capacitor element 30 and the case 28.
  • the stray capacitance Ck ⁇ b> 2 is generated between the facing surfaces of the case 28 using the insulating film covering the case 28 as a dielectric and the metal band 18.
  • the reduction element 24 connected between the parallel circuit of the metal band 18 and the grounding point 10 is assumed to be only the capacitor Cq.
  • This Cq is connected in series to the total combined stray capacitance Ctam. That's right.
  • the high-frequency current i is reduced by the combined capacitance Ckqa, and as a result, the noise current is suppressed. That is, Ctq ⁇ N ⁇ Cta, and the combined capacitance Ctq when the capacitance Cq is connected is greatly reduced. As a result, the high frequency current i is reduced.
  • a reduction element 24 is provided in the ground path 26 from each capacitor 14-1, 14-2... 14-N to the ground point 10. Thereby, the total combined stray capacitance Ctam of the combined stray capacitance Cta of the stray capacitances Ck1 and Ck2 can be reduced. In addition, the high-frequency current i can be reduced. (2) By reducing the high-frequency current i, the noise current at the time of driving the inverter 2, that is, at the time of driving the capacitor module 8 can be reduced and suppressed.
  • the metal band 18 can be insulated only by a conventional insulating film. Can be prevented.
  • the capacitor module 8 is not enlarged even if the reduction element 24 is installed. The volume occupied by the capacitor module 8 in the inverter 2 can be reduced.
  • FIG. 3 shows an equivalent circuit of the ground path 26 of the capacitor module 8 according to the first embodiment.
  • the metal band 18 is directly installed in each case 28 except for the resin film covering the surface of the case 28 of each capacitor 14-1, 14-2... 14-N. ing.
  • the parasitic capacitance Ck2 parasitic between the case 28 and the metal band 18 is eliminated by the direct connection of the case 28 and the metal band 18 of the capacitors 14-1, 14-2... 14-N. .
  • Example 1 ⁇ Effect of Example 1> (1) Also in Example 1, the high-frequency current can be reduced and the noise current can be suppressed as in the above-described one embodiment. (2)
  • the capacitor module 8 can be configured by using a plurality of capacitors 14-1, 14-2... 14-N from which the resin film is removed. (3)
  • the capacitance value of the reducing element 24 can be set without considering the stray capacitance Ck2 described above.
  • the capacitor module 8 is illustrated.
  • the reduction element 24 may be provided in the ground path 26 of the single capacitor 14 instead of the capacitor module 8.
  • the combined capacity Ckq can be reduced to Ck1 or less, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 5A shows the capacitor 14 and the ground path 26 according to the fourth embodiment.
  • the cathode foil 34 is exposed from the element end face of the capacitor element 30, and the cathode foil 34 is in close contact with the bottom surface portion of the case 28.
  • the metal band 18 is connected to the ground point 10 by the conductor 22 to which the reduction element 24 is connected, and the ground path 26 is formed.
  • the capacitor module 8 can be configured using the capacitor 14 having such a configuration as shown in FIGS. 1 to 3.
  • the capacitor module 8 provided with such a capacitor 14 by providing the reduction element 24 in the ground path 26, the effect of reducing the high-frequency current i is enhanced, and a noise reduction effect is synergistically achieved.
  • FIG. 6A shows the capacitor 14 and the ground path 26 according to the fifth embodiment.
  • an insulating layer 38 is provided on the end face of the cathode foil 34 exposed on the element end face of the capacitor element 30 and is in close contact with the bottom face portion of the case 28. That is, the insulating layer 38 is interposed between the bottom surface of the case 28 and the cathode foil 34.
  • the metal band 18 is connected to the ground point 10 by the conductor 22 to which the reduction element 24 is connected, and the ground path 26 is formed.
  • the stray capacitance Ck4 due to the insulating layer 38 interposed between the case 28 and the cathode foil 34 of the capacitor element 30 is parasitic, and the earth path 26 has a stray capacitance.
  • a reduction element 24 is connected in series to Ck2 and Ck4.
  • the combined capacity Ckq can be reduced to Ckm or less, and the same effect as in the embodiment can be obtained.
  • Example 5 Compared with Example 4 in which the cathode foil 34 is in direct contact with the case 28, the heat dissipation effect of the capacitor element 30 toward the case 28 is reduced, but noise generated in the capacitor element 30 is directly applied to the case 28. There is a tendency that noise current is suppressed without being transmitted. (2) Similarly, by providing the reduction element 24 in the ground path 26, the high-frequency current i can be reduced, and as a result, the noise current can be suppressed. (3) Although the single capacitor 14 is described in the fifth embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, the capacitor module 8 can be configured by using the capacitor 14 having such a configuration. In the provided capacitor module 8, the reduction element 24 is provided in the ground path 26, whereby the effect of reducing the high-frequency current i is enhanced and the noise reduction effect is synergistically achieved.
  • the reduction element 24 according to the sixth embodiment can be configured with a capacitor 40 as shown in FIG. In such a configuration, the reduction element 24 can be easily realized, and the ground path 26 can be simplified.
  • the reduction element 24 according to the seventh embodiment is configured by a series circuit of a resistance element 42 and a capacitance element 44 as shown in FIG. 7B. With such a configuration, a noise reduction effect due to current consumption by the resistive element 42 can be expected.
  • the reduction element 24 includes an inductance element 46 as shown in FIG. 7C.
  • the inductance element 46 may be configured, for example, by winding a conductor of the ground path 26 around a ferrite core in a coil shape. In such a configuration, high-frequency grounding by absorption of high-frequency current by the ferrite core is possible as well as safety grounding.
  • the reduction element 24 according to the ninth embodiment is configured by a resistance element 42 except for the capacitive element 44 from the seventh embodiment.
  • a large electrolytic capacitor is illustrated as the capacitor 14, but the present invention is not limited to a large electrolytic capacitor, and is also limited to an electrolytic capacitor. Not a thing.
  • the present invention can reduce high-frequency current flowing from a capacitor such as a large electrolytic capacitor used in a power supply device or the like to the ground path, and can reduce noise current generated from the ground path.
  • Capacitor module 10 Grounding point 12 Fin 14-1, 14-2, 14-3 ... 14-N Capacitor 16 Conductor 18 Metal band 20 Fixing screw 22 Conductor 24 High frequency current reduction element 26 Ground path 28 Case 30 Capacitor element 32-1 Anode terminal 32-2 Cathode terminal 34 Cathode foil 36 Resin film 38 Insulating layer 40 Capacitor 42 Resistive element 44 Capacitance element 46 Inductive element 100 Capacitor module 102 Capacitor 104 Case 106 Capacitor element 108 Metal Band 110 ground path

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Abstract

コンデンサ（１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎ）を固定する導電性固定部材（金属製バンド１８）と装置フレームまたはアース電位（アース点１０）との間に接続したアース経路（２６）が、該アース経路（２６）に流れる高周波電流を低減する素子（高周波電流低減素子２４）を備え、アース経路（２６）に流れるノイズ電流を抑制する。これによりコンデンサのアース経路の浮遊容量または寄生容量に起因するノイズ電流の低減を実現する。

Description

コンデンサのノイズ低減回路および電源装置
　本発明はたとえば、電源装置に設置されたコンデンサのアース経路に流れる高周波電流の低減など、ノイズ低減技術に関する。
　インバータなどの電源装置では、交流を直流変換した後の直流平滑用コンデンサとして大型の電解コンデンサが用いられる。斯かるコンデンサは金属製バンドを備える。金属製バンドはコンデンサを装置フレームに固定する固定手段であるとともに、保安アースとして用いられる。この金属製バンドは絶縁用フィルムを介してコンデンサケースに取り付けられる。これにより金属製バンドとコンデンサケースの間には接触面積および介在する絶縁用フィルムにより、１００〔ｐＦ〕程度の浮遊容量が寄生する。このため、インバータのスイッチング素子が動作すると、そのスイッチングにより該浮遊容量およびアース経路のインダクタンスを介して高周波電流が流れる。つまり、浮遊容量を含むアース経路がノイズ電流の発生源となる。
　このノイズ電流の低減に関し、電解コンデンサを固定する金属製バンドと装置フレームの間や、コンデンサケースと金属製バンドの間に、コンデンサケースの外面に設置される絶縁用フィルムより厚い、数ミリメートル以上のプラスチックやゴムなどの低誘電率材料を挿入して電解コンデンサを固定することが知られている（特許文献１）。
特開２００５－１０９１５２号公報
　ところで、コンデンサのケースとコンデンサを固定するための金属製バンドの間に、コンデンサケースを覆う絶縁用フィルムより厚い、数ミリメートル以上のプラスチックやゴムなどの低誘電率材料を挿入すれば、コンデンサと金属製バンドとの間が絶縁されるので、結合容量が小さくなり、アース経路の高周波電流を低減できる（特許文献１）。
　しかし、斯かる技術には次のような課題がある。
　(1) 複数のコンデンサを並列化するコンデンサモジュールでは、結合容量がコンデンサの並列個数に比例して増加する。このようなコンデンサモジュールでは、そのアース経路の高周波電流を低減できるとは限らない。
　(2) 図８に示すように、コンデンサモジュール１００では各コンデンサ１０２のケース１０４とコンデンサ素子１０６の間の浮遊容量をＣｋ１、ケース１０４と金属製バンド１０８との間の絶縁フィルムによる浮遊容量をＣｋ２とすれば、単一のコンデンサ１０２あたりの合成浮遊容量Ｃｔａは、
　　　　　　Ｃｔａ＝Ｃｋ１・Ｃｋ２／（Ｃｋ１＋Ｃｋ２）　　・・・(1) 
となる。Ｎ個のコンデンサ１０２が並列化されている場合の合成浮遊容量Ｃｔａｍは、コンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例し、
　　　　　Ｃｔａｍ＝Ｎ×Ｃｔａ　　　　　　　　　　　　　　・・・(2) 
となるので、コンデンサ１０２の並列個数Ｎにより増加することになる。また、各コンデンサ１０２のケース１０４から金属製バンド１０８に流れる高周波電流をｉ１、ｉ２、ｉ３・・・ｉｎとすると、アース経路１１０の高周波電流ｉ（＝ｉ１＋ｉ２＋ｉ３・・・＋ｉｎ）はコンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例して増加することになる。そのためアース経路１１０の高周波電流ｉの低減効果は期待できない。
　(3) ケース１０４と金属製バンド１０８との間に絶縁フィルムに加えて低誘電率材料が追加挿入された場合、その浮遊容量をＣｋ３とすれば、単一のコンデンサ１０２当たりの合成浮遊容量Ｃｔｂは、
　　　　　　Ｃｔｂ＝Ｃｋ１・Ｃｋ３／（Ｃｋ１＋Ｃｋ３）　　・・・(3) 
となる。これと同様に、Ｎ個のコンデンサ１０２が並列化されている場合の合成浮遊容量Ｃｔｂｍは、コンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例し、
　　　　　Ｃｔｂｍ＝Ｎ×Ｃｔｂ　　　　　　　　　　　　　　・・・(4) 
となる。つまり、低誘電率材料が挿入されることでコンデンサ１０２の１個当たりの浮遊容量がＣｋ２からＣｋ３に減少しても、浮遊容量Ｃｋ３の合成浮遊容量Ｃｔｂがコンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例して増加することになる。
同様に、アース経路１１０の高周波電流ｉ（＝ｉ１＋ｉ２＋ｉ３・・・＋ｉｎ）はコンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例して増加することになる。そのため、低誘電率材料が挿入されることで、コンデンサ１０２の１個当たりの浮遊容量がＣｋ２からＣｋ３に減少しても、ノイズ電流の低減効果は期待できないという課題がある。
　(4) ケース１０４と金属製バンド１０８の間に、絶縁フィルムよりも十分厚いプラスチックやゴムなどの低誘電率材料を挿入すれば、金属製バンド１０８の外径が低誘電率材料を挿入した分だけ大きくなる。低誘電率材料が数ミリ以上であれば、挿入された低誘電率材料の厚さの２倍程度に金属製バンド１０８の直径が増大し、コンデンサ１０２の設置面積が拡大されるという課題がある。
　(5) ケース１０４と金属製バンド１０８との間に低誘電率材料を設置することは、低誘電率材料の設置コストや加工コストを増大させるという課題がある。
　(6) 複数のコンデンサ１０２を用いるコンデンサモジュール１００では、その金属製バンド１０８の直径増加分がコンデンサ１０２の並列個数Ｎに比例して増加することになる。これにより、コンデンサモジュール１００はモジュール体積を増大させ、製品のコストアップとなる。
　そこで、本発明の目的は上記課題に鑑み、コンデンサのアース経路の浮遊容量または寄生容量に起因するノイズ電流を低減することにある。
　上記目的を達成するため、本発明のコンデンサのノイズ低減回路の一側面によれば、コンデンサを固定する導電性固定部材と装置フレームまたはアース電位との間に接続したアース経路が、該アース経路に流れる高周波電流を低減する素子を備える。
　上記コンデンサのノイズ低減回路において、前記素子は、複数のコンデンサに一括して接続された前記アース経路に設置されてよい。
　上記コンデンサのノイズ低減回路において、前記素子は、容量素子、インダクタンス素子または抵抗素子の少なくとも一つを含んでよい。
　上記コンデンサのノイズ低減回路において、前記コンデンサは、コンデンサ素子から突出させた陰極箔を前記コンデンサのケースの内底面に接触させてよい。
　上記コンデンサのノイズ低減回路において、前記コンデンサは、陰極箔または陽極箔の少なくともいずれか一方の一部を突出させたコンデンサ素子を備え、該素子と前記ケースの間に絶縁材を設置し、または前記素子と接触する前記ケースの面部に絶縁層を備えてよい。
　上記目的を達成するため、本発明の電源装置の一側面によれば、該電源装置に上記コンデンサのノイズ低減回路を備える。
　本発明によれば、次のいずれかの効果が得られる。
　(1) コンデンサのアース経路に流れる高周波電流を低減でき、ノイズ電流を抑制することができる。
　(2) 複数のコンデンサを備えるコンデンサモジュールにおいて、コンデンサ側の合成浮遊容量を、アース経路に備えた素子または該素子に含まれる静電容量の直列化により低減でき、ノイズ電流を抑制することができる。
　(3) コンデンサケースに直結され、アース経路に流れる高周波電流を低減する素子を設置するので、コンデンサに取り付けられる金属製バンドの大型化を防止できる。
　(4) 複数のコンデンサを用いても、コンデンサを一括して形成されるアース経路上に設置した素子で高周波電流を低減することができる。
　(5) 金属製バンドによるコンデンサの設置面積の増加がないので、複数のコンデンサを用いるコンデンサモジュールの体積を増加させることがない。
　(6) 従前のように、低誘電体材料を設置する必要がなく、コンデンサのノイズ低減回路を簡略化できる。
　そして、本発明の他の目的、特徴および利点は、添付図面および各実施の形態を参照することにより、一層明確になるであろう。
一実施の形態に係るコンデンサモジュールのノイズ低減回路を示す図である。 コンデンサモジュールのアース経路の等価回路を示す図である。 実施例１に係るコンデンサモジュールのアース経路の等価回路を示す図である。 Ａは実施例２に係るコンデンサのアース経路の等価回路を示す図、Ｂは実施例３に係るコンデンサのアース経路の等価回路を示す図である。 Ａは実施例４に係るコンデンサを示す図、Ｂはアース経路の等価回路を示す図である。 Ａは実施例５に係るコンデンサを示す図、Ｂはアース経路の等価回路を示す図である。 Ａは実施例６に係る高周波電流低減素子を示す図、Ｂは実施例７に係る高周波電流低減素子を示す図、Ｃは実施例８に係る高周波電流低減素子を示す図、Ｄは実施例９に係る高周波電流低減素子を示す図である。 従来のコンデンサモジュールのアース経路の等価回路を示す図である。
　図１は、本発明のコンデンサのノイズ低減回路の一実施の形態である電源装置の一例としてインバータを示している。図１に示す構成は一例であり、斯かる構成に本発明が限定されるものではない。
　このインバータ２には整流部４、放熱部６およびコンデンサモジュール８が備えられる。整流部４ではたとえば、ダイオード整流回路を備えて、商用交流などの交流入力を直流に変換する。放熱部６は整流部４などの放熱手段であり、インバータ２の図示しない装置フレームに取り付けられ、アース点１０に接続されている。放熱部６には導電材料および放熱材料としてたとえば、アルミニウムが用いられ、その放熱面部に複数のフィン１２を備えて放熱面積を拡大している。
　コンデンサモジュール８は整流部４の整流出力の平滑手段であり、複数のコンデンサとしてたとえば、コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎ（図示省略）が備えられる。各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎには同一定格である大型の電解コンデンサが用いられる。各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎは、導体１６を以て並列化されて整流部４の出力部に接続されている。
　各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎには個別に金属製バンド１８が取り付けられ、各金属製バンド１８は隣り合うコンデンサ１４－１、１４－２間、コンデンサ１４－２、１４－３間で固定ねじ２０により連結されている。金属製バンド１８は、金属製固定具など、コンデンサを固定する導電性固定部材の一例である。この例では、各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎの金属製バンド１８に共通に接続された導体２２と放熱部６の間に高周波電流低減素子（以下単に「低減素子」と称する）２４が接続されている。つまり、各金属製バンド１８は並列化されているが、その並列回路に低減素子２４が直列に接続される。これにより、各金属製バンド１８の並列回路が低減素子２４を介してアース点１０に接続されている。アース点１０はアース電位の一例である。つまり、導体２２による各金属製バンド１８の並列化とともに、低減素子２４を媒介とするアース経路２６が形成される。このアース経路２６は、保安アースであるとともに高周波アースとして機能する。金属製バンド１８は、導体材料で形成されるコンデンサの固定および締結手段であるとともに、アース経路２６の一部を構成している。
　低減素子２４は、アース経路２６に流れる高周波電流を低減する素子または回路であればよく、たとえば、容量素子、インダクタンス素子または抵抗素子の少なくとも一つを含めばよい。
＜アース経路２６の等価回路＞
　各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎには、図２に示すように、ケース２８、コンデンサ素子３０、陽極端子３２－１および陰極端子３２－２が備えられる。陽極端子３２－１および陰極端子３２－２間には、各コンデンサ素子３０に設定された定格容量Ｃが得られる。ケース２８には、図示しない絶縁フィルムの被覆により絶縁が施される。これにより、ケース２８と金属製バンド１８の対向面間には絶縁フィルムによる誘電体が介在している。
　各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎのコンデンサ素子３０の陰極側とアース点１０の間には、コンデンサ素子３０－ケース２８間の浮遊容量Ｃｋ１、ケース２８－金属製バンド１８間に浮遊容量Ｃｋ２が寄生することになる。浮遊容量Ｃｋ１は、コンデンサ素子３０の電極とケース２８の間の誘電体により生成される。浮遊容量Ｃｋ２は、ケース２８を覆う絶縁フィルムを誘電体とするケース２８と金属製バンド１８の対向面間で生成される。これら浮遊容量Ｃｋ１、Ｃｋ２は直列化されているので、浮遊容量Ｃｋ１、Ｃｋ２の合成浮遊容量Ｃｔａは、式(1) と同様に、
　　　　Ｃｔａ＝Ｃｋ１×Ｃｋ２／（Ｃｋ１＋Ｃｋ２）　　　　・・・(5) 
となる。
　金属製バンド１８は導体２２によって並列化されているから、Ｎ個のトータル合成浮遊容量Ｃｔａｍは、式(2) と同様に、
　　　Ｃｔａｍ＝Ｎ×Ｃｔａ　　　　　　　　　　　　　　　　・・・(6) 
となる。各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎ側では、ひとつのコンデンサ１４のＮ倍の浮遊容量になる。
　金属製バンド１８の並列回路とアース点１０の間に接続された低減素子２４が説明を容易にするため、容量Ｃｑのみであるとすれば、このＣｑがトータル合成浮遊容量Ｃｔａｍに直列に接続されたことになる。この場合、この容量Ｃｑを含むアース経路２６の合成容量Ｃｋｑａは、
　Ｃｋｑａ＝Ｃｔａｍ×Ｃｑ／（Ｃｔａｍ＋Ｃｑ）
　　　　　＝Ｎ×Ｃｔａ×Ｃｑ／（Ｎ×Ｃｔａ＋Ｃｑ）　　　　・・・(7) 
となる。ここで、容量Ｃｑについて、Ｃｔａ＝Ｃｑと仮定すると、式(7) は、
　Ｃｋｑａ＝Ｎ×Ｃｔａ×Ｃｔａ／（Ｎ×Ｃｔａ＋Ｃｔａ）
　　　　　＝Ｎ×Ｃｔａ×Ｃｔａ／Ｃｔａ（Ｎ＋１）
　　　　　＝Ｃｔａ×Ｎ／（Ｎ＋１）＜Ｃｔａ　　　　　　　　・・・(8) 
となる。故に、低減素子２４として容量Ｃｑを直列に接続すると、各コンデンサ１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎの合成浮遊容量をコンデンサひとつ分の合成浮遊容量Ｃｔａ以下に低減できることになる。
　ここで、コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎの各ケース２８からアース経路２６に流れ込む高周波電流をｉ１、ｉ２・・・ｉｎとすれば、アース経路２６の高周波電流ｉは、
　　　　　ｉ＝ｉ１＋ｉ２＋・・・＋ｉｎ　　　　　　　　　　・・・(9) 
となるが、この高周波電流ｉが合成容量Ｃｋｑａにより低減され、この結果、ノイズ電流が抑制されることになる。つまり、Ｃｔｑ＜Ｎ×Ｃｔａであり、静電容量Ｃｑを接続した際の合成容量Ｃｔｑは大幅に低下する。この結果、高周波電流ｉが低減される。
＜一実施の形態の効果＞
　(1) 各コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎからアース点１０に至るアース経路２６内に低減素子２４を備える。これにより各浮遊容量Ｃｋ１、Ｃｋ２の合成浮遊容量Ｃｔａのトータル合成浮遊容量Ｃｔａｍを低減できる。また、高周波電流ｉの低減化を図ることができる。
　(2) 高周波電流ｉの低減化により、インバータ２の駆動時、つまり、コンデンサモジュール８の駆動時のノイズ電流を低減し、抑制できる。
　(3) 金属製バンド１８と各コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎの各ケース２８との間には従前の絶縁フィルムのみで絶縁することができ、金属製バンド１８の大型化を防止できる。
　(4) 金属製バンド１８の大型化を回避できるとともに、低減素子２４を設置してもコンデンサモジュール８を大型化することがない。そしてインバータ２におけるコンデンサモジュール８が占める体積を低減できる。
　(5) 従前の金属製バンド１８と各コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎの各ケース２８との間に低誘電体材料を設置する必要がない。たとえば、単一の低減素子２４の設置のみで、ノイズ低減が可能であり、ノイズ低減回路の簡略化を図ることができる。
　図３は、実施例１に係るコンデンサモジュール８のアース経路２６の等価回路を示している。
　この実施例１のコンデンサモジュール８では、各コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎのケース２８の表面を覆う樹脂フィルムを除き、各ケース２８に直に金属製バンド１８を設置している。
　斯かる構成では、コンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎのケース２８と金属製バンド１８の直結化により、ケース２８と金属製バンド１８の間に寄生する浮遊容量Ｃｋ２が除かれる。
＜実施例１の効果＞
　(1) 実施例１においても、既述の一実施の形態と同様に高周波電流を低減でき、ノイズ電流を抑制することができる。
　(2) 樹脂フィルムが除かれた複数のコンデンサ１４－１、１４－２・・・１４－Ｎを用いてコンデンサモジュール８を構成できる。
　(3) 既述の浮遊容量Ｃｋ２を考慮することなく、低減素子２４の容量値を設定することができる。
　図１および図２に示す一実施の形態ではコンデンサモジュール８を例示したが、図４のＡに示すように、コンデンサモジュール８に代えて単一のコンデンサ１４のアース経路２６に低減素子２４を備えてもよい。
　この低減素子２４を容量Ｃｑとし、式(7) において、Ｎ＝１とすれば、
　　　Ｃｋｑａ＝Ｃｔａ×Ｃｑ／（Ｃｔａ＋Ｃｑ）　　　　　・・・(10)
となり、合成容量Ｃｋｑａは、Ｃｔａ以下に低減でき、一実施の形態と同様の効果が得られる。
　図３に示す実施例１ではコンデンサモジュール８を例示したが、図４のＢに示すように、コンデンサモジュール８に代えて単一のコンデンサ１４のアース経路２６に低減素子２４を備えてもよい。
　この低減素子２４を容量Ｃｑとし、合成容量Ｃｋｑは、
　　　Ｃｋｑ＝Ｃｋ１×Ｃｑ／（Ｃｋ１＋Ｃｑ）　　　　　　・・・(11)
となり、合成容量ＣｋｑはＣｋ１以下に低減でき、実施例１と同様の効果が得られる。
　図５のＡは、実施例４に係るコンデンサ１４およびアース経路２６を示している。この実施例４のコンデンサ１４では、コンデンサ素子３０の素子端面から陰極箔３４を露出させ、この陰極箔３４をケース２８の底面部に密着させている。
　そして、金属製バンド１８は低減素子２４を接続した導体２２によりアース点１０に接続され、アース経路２６が形成されている。
　このアース経路２６では、図５のＢに示すように、ケース２８にコンデンサ素子３０の陰極箔３４が直結されて既述の浮遊容量Ｃｋ１は解消され、アース経路２６にはケース２８、樹脂フィルム３６および金属製バンド１８による既述の浮遊容量Ｃｋ２および低減素子２４のみとなる。
　この場合、合成容量Ｃｋｑは、
　　　Ｃｋｑ＝Ｃｋ２×Ｃｑ／（Ｃｋ２＋Ｃｑ）　　　　　　・・・(12)
となる。これにより合成容量ＣｋｑはＣｋ２以下に低減でき、一実施の形態と同様の効果が得られる。
＜実施例４の効果＞
　(1) 陰極箔３４をケース２８に直接接触させると、コンデンサ素子３０の熱がケース２８に伝わり、放熱効果を高めることができる。
　(2) 陰極箔３４をケース２８に直接接触させると、コンデンサ素子３０で生じたノイズが直接ケース２８に伝達され、ノイズ電流が大きくなる傾向を呈する。しかし、ケース２８の外面に樹脂フィルム３６を備えたことや、また、低減素子２４をアース経路２６に備えたことにより、高周波電流ｉを低減でき、この高周波電流ｉの低減と相乗的にノイズ電流を抑制することができる。
　(3) 実施例４では単一のコンデンサ１４を記載しているが、図１ないし図３に示すように、斯かる構成のコンデンサ１４を用いてコンデンサモジュール８を構成できる。斯かるコンデンサ１４を備えたコンデンサモジュール８では、低減素子２４をアース経路２６に備えることにより、高周波電流ｉの低減効果が高められ、相乗的にノイズ低減効果が図られる。
　図６のＡは、実施例５に係るコンデンサ１４およびアース経路２６を示している。
　この実施例５のコンデンサ１４では、コンデンサ素子３０の素子端面に露出させた陰極箔３４の端面に絶縁層３８を備えてケース２８の底面部に密着させている。つまり、ケース２８の底面と陰極箔３４との間に絶縁層３８を介在させている。
　そして、金属製バンド１８は低減素子２４を接続した導体２２によりアース点１０に接続され、アース経路２６が形成されている。
　このアース経路２６では、図６のＢに示すように、ケース２８とコンデンサ素子３０の陰極箔３４との間に介在させた絶縁層３８による浮遊容量Ｃｋ４が寄生し、アース経路２６には浮遊容量Ｃｋ２、Ｃｋ４に対して低減素子２４が直列に接続される。
　この場合、浮遊容量Ｃｋ２、Ｃｋ４の合成浮遊容量Ｃｋｍは、
　Ｃｋｍ＝Ｃｋ２×Ｃｋ４／（Ｃｋ２＋Ｃｋ４）　　　　　　・・・(13)
となる。そこで、低減素子２４の容量Ｃｑを含むアース経路２６の合成容量Ｃｋｑは、
　Ｃｋｑ＝Ｃｋｍ×Ｃｑ／（Ｃｋｍ＋Ｃｑ）　　　　　　　　・・・(14)
となり、合成容量ＣｋｑはＣｋｍ以下に低減でき、一実施の形態と同様の効果が得られる。
＜実施例５の効果＞
　(1) 陰極箔３４をケース２８に直接接触させた実施例４に比較すれば、ケース２８側へのコンデンサ素子３０の放熱効果は低下するが、コンデンサ素子３０で生じたノイズが直接ケース２８に伝達されることがなく、ノイズ電流が抑制される傾向となる。
　(2) 同様に、低減素子２４をアース経路２６に備えたことにより、高周波電流ｉを低減でき、この結果、ノイズ電流を抑制できる。
　(3) 実施例５では単一のコンデンサ１４を記載しているが、図１ないし図３に示すように、斯かる構成のコンデンサ１４を用いてコンデンサモジュール８を構成でき、斯かるコンデンサ１４を備えたコンデンサモジュール８では、低減素子２４をアース経路２６に備えることにより、高周波電流ｉの低減効果が高められ、相乗的にノイズ低減効果が図られる。
　実施例６に係る低減素子２４は、図７のＡに示すように、コンデンサ４０で構成できる。
　斯かる構成では、容易に低減素子２４を実現でき、アース経路２６の簡略化を図ることができる。
　実施例７に係る低減素子２４は、図７のＢに示すように、抵抗素子４２および容量素子４４の直列回路で構成されている。
　斯かる構成では、抵抗素子４２による電流消費でのノイズ低減効果が期待できる。
　実施例８に係る低減素子２４は、図７のＣに示すように、インダクタンス素子４６で構成されている。このインダクタンス素子４６はたとえば、フェライトコアにアース経路２６の導線をコイル状に巻き付けて構成すればよい。
　斯かる構成では、保安接地とともに、フェライトコアによる高周波電流の吸収による高周波接地が可能である。
　実施例９に係る低減素子２４は、図７のＤに示すように、実施例７から容量素子４４を除き、抵抗素子４２で構成している。
〔他の実施の形態〕
　(1) 上記実施の形態または実施例では、コンデンサ１４について、大型の電解コンデンサを例示しているが、本発明は大型の電解コンデンサに限定されるものではなく、また、電解コンデンサに限定されるものでもない。
　以上、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明した。本発明は、上記記載に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載され、または発明を実施するための形態に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能である。斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
　本発明は、電源装置などに用いられる大型の電解コンデンサなどのコンデンサからアース経路に流れる高周波電流を低減し、アース経路から生ずるノイズ電流を低減することができる。
　２　インバータ
　４　整流部
　６　放熱部
　８　コンデンサモジュール
　１０　アース点
　１２　フィン
　１４－１、１４－２、１４－３・・・１４－Ｎ　コンデンサ
　１６　導体
　１８　金属製バンド
　２０　固定ねじ
　２２　導体
　２４　高周波電流低減素子
　２６　アース経路
　２８　ケース
　３０　コンデンサ素子
　３２－１　陽極端子
　３２－２　陰極端子
　３４　陰極箔
　３６　樹脂フィルム
　３８　絶縁層
　４０　コンデンサ
　４２　抵抗素子
　４４　容量素子
　４６　インダクタンス素子
　１００　コンデンサモジュール
　１０２　コンデンサ
　１０４　ケース
　１０６　コンデンサ素子
　１０８　金属製バンド
　１１０　アース経路

Claims (6)

  1. 　コンデンサを固定する導電性固定部材と装置フレームまたはアース電位との間に接続したアース経路が、該アース経路に流れる高周波電流を低減する素子を備えることを特徴とするコンデンサのノイズ低減回路。
  2. 　前記素子は、複数のコンデンサに一括して接続された前記アース経路に設置されたことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサのノイズ低減回路。
  3. 　前記素子は、容量素子、インダクタンス素子または抵抗素子の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンデンサのノイズ低減回路。
  4. 　前記コンデンサは、コンデンサ素子から突出させた陰極箔を前記コンデンサのケースの内底面に接触させたことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかの請求項に記載のコンデンサのノイズ低減回路。
  5. 　前記コンデンサは、陰極箔または陽極箔の少なくともいずれか一方の一部を突出させたコンデンサ素子を備え、該素子と前記ケースの間に絶縁材を設置し、または前記素子と接触する前記ケースの面部に絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかの請求項に記載のコンデンサのノイズ低減回路。
  6. 　請求項１ないし５に記載の前記コンデンサのノイズ低減回路を備えたことを特徴とする電源装置。

                                                                                    
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