WO2018194062A1 - 電子モジュールとその製造方法 - Google Patents

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Abstract

柔軟性と電気絶縁性を有する基材１２と、基材１２の少なくとも一方の面に形成された配線パターン１３に、電子デバイス１４が実装された回路部１５を有する。回路部１５を、電気絶縁性樹脂で封止した樹脂体１６を備える。基材１２は、電気絶縁性樹脂による封止時の圧力により変形可能な柔軟性を有する。基材１２は、通気性を有する材料で構成されている。配線パターン１３は、半田付けが可能な金属箔である。金属箔は、電気絶縁性樹脂で回路部１５を封止する際の成形温度以下の、再結晶温度又は融点の材料である。電子デバイス１４を実装して回路部１５を形成する回路部形成工程と、回路部１５を電気絶縁性樹脂の樹脂体１６で封止する封止工程とを有する。

Description

電子モジュールとその製造方法
　本発明は、発光素子やＩＣチップ等の電子デバイスが実装された回路部を、電気絶縁性樹脂により封止した電子モジュールとその製造方法に関する。
　この種の電子モジュールは、例えば特許文献１に開示されているように、配線パターンが形成された基板に電子デバイスが実装され、電子デバイスが実装された基板をケース内に位置決めして収容している。この電子デバイスは、ケース内に位置決めされた状態で、ケース内に樹脂が充填されることにより、電子デバイスが実装された基板が樹脂中に封止されている。
特開平９－１２１０９０号公報
　しかしながら、特許文献１の構成では、電子デバイスが実装された基板を樹脂で封止する際に、ケース内に充填される溶融樹脂により、基板及び電子デバイスには大きな圧力がかかる。そのため、基板に実装されている電子デバイスにダメージを与えたり、基板上の配線パターンの断線が発生するという問題が発生していた。
　本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、電子デバイスにダメージを与えることや配線パターンの断線が発生することを回避することができる電子モジュールとその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、柔軟性と電気絶縁性を有する基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成された配線パターンに電子デバイスが実装された回路部と、該回路部を電気絶縁性樹脂で封止した樹脂体とを備え、前記基材は、前記電気絶縁性樹脂による封止時の圧力により変形可能な柔軟性を有する電子モジュールである。
　前記配線パターンは、半田付けが可能な金属箔で構成され、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂で前記回路部を封止する際の成形温度以下の再結晶温度を有する材料から構成されているものである。又は、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂で前記回路部を封止する際の成形温度以下の融点を有する材料から構成されていてもよい。
　前記金属箔は、半田箔により構成されていることが好ましい。さらに、前記基材の前記一方の面上に、導電性を有する下地層を備え、前記金属箔は、前記下地層の上に形成されていると良い。前記下地層は、溶融した半田に対して濡れ性があるものであると良い。
　前記基材は、通気性を有する材料から構成されているものである。特に、前記基材は、多数のガラス繊維でなるガラスクロスから構成され、該ガラスクロスの前記電子デバイスが実装された側の面とは反対側の面に、前記ガラスクロスと同程度以上の柔軟性を有する樹脂から成る保持層を備えていると良い。前記保持層は、例えばウレタン樹脂から構成されている。
　また本発明は、柔軟性と電気絶縁性を有する基材の表面に配線パターンを形成し、この配線パターンに電子デバイスを実装して回路部を形成する回路部形成工程と、該回路部を電気絶縁性樹脂の樹脂体で封止する封止工程とを有する電子モジュールの製造方法であって、前記基材は、前記電気絶縁性樹脂による封止時に変形可能な柔軟性を有する材料により構成し、前記封止工程では、前記基材及び前記回路部を、前記電気絶縁性樹脂により封止する電子モジュールの製造方法である。
　前記配線パターンを半田付けが可能な金属箔で構成し、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂の成形温度以下の再結晶温度を有し、回路部形成工程では、前記配線パターンに前記電子デバイスを半田付けするものである。又は、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂の成形温度以下の融点を有し、回路部形成工程では、前記配線パターンに前記電子デバイスを半田付けするものでも良い。
　前記封止工程は、金型のキャビティ内に前記基材及び前記回路部を設置し、溶融した熱可塑性の前記電気絶縁性樹脂を前記キャビティ内に射出成形して硬化させ、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止するものである。
　前記封止工程は、前記基材及び前記回路部を、熱可塑性の前記電気絶縁性樹脂のシートにより挟持し、前記シートを互いに圧着して前記基材及び前記回路部を封止するものでも良い。
　前記封止工程は、金型のキャビティ内に前記基材及び前記回路部を設置し、流動性のある熱硬化性樹脂を前記キャビティ内に注入して硬化させ、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止するものでも良い。
　前記封止工程は、成形型の収容部内に前記基材及び前記回路部を設置するとともに、前記収容部に流動性のある熱硬化性樹脂を注入し、前記熱硬化性樹脂中に前記基材及び前記回路部を浸漬し、前記熱硬化性樹脂を硬化させて、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止するものでも良い。
　前記封止工程は、成形型の収容部内に前記基材及び前記回路部を設置し、柔軟な熱硬化性樹脂で前記基材及び前記回路部を挟持し、前記金型で前記電気絶縁性樹脂を成形し、前記基材及び前記回路部を封止するものでも良い。
　本発明の電子モジュールとその製造方法によれば、柔軟性を有するとともに電気絶縁性を有する基材の表面上に形成された配線パターンに、電子デバイスを接続して回路部を形成し、この回路部と基材を樹脂封止する構造において、樹脂封止による電子デバイスや配線パターンにかかる負荷を抑え、電子デバイスの損傷や配線パターンの断線を防止することができる。
本発明の第一実施形態の電子モジュールの平面図である。 図１の電子モジュールの要部の縦断面図である。 この実施形態の電子モジュールの製造において、スクリーン印刷工程で下地インクを塗布している状態を示す図である。 この実施形態の電子モジュールの製造において、スクリーン印刷後に下地インクが硬化した状態を示す図である。 この実施形態の電子モジュールの製造において、下地インクの上に配線用半田層を乗せた状態を示す図である。 この実施形態の電子モジュールを射出成形するための上下一対の金型のうち、一方の可動側の金型の平面図である。 この実施形態の電子モジュールを射出成型するための上下一対の金型のうち、他方の固定側の金型の底面図である。 この実施形態の電子モジュールの製造において、上下一対の金型を閉じて一次成形品を成形する部分の縦断面図である。 図８の上下一対の金型の縦断面図において、電子デバイスが基材上に実装された回路部が、金型内に装着された状態を示す断面図である。 この実施形態の電子モジュールの製造工程において、上下一対の金型を閉じた状態で、二次成形品を成形する部分の縦断面図である。 図１０の上下一対の金型の縦断面図において、電子デバイスが基材の上に実装された回路部の片面を樹脂封止した一次成形品が金型内に装着された状態を示す縦断面図である。 本発明の第二実施形態の電子モジュールの製造方法を示す概略図である。 本発明の第三実施形態の電子モジュールの製造方法を示す概略図である。 本発明の第四実施形態の電子モジュールの製造方法を示す概略図である。
　図１は、本発明の第一実施形態の電子モジュール１０を示している。この電子モジュール１０は、柔軟性及び可撓性を有するとともに電気絶縁性を有し、かつシート状又は板状で表面と裏面とを有する基材１２を備える。基材１２は、表面と裏面の一方の面上に形成される配線パターン１３を有し、配線パターン１３に、発光素子等の電子デバイス１４が実装された回路部１５と、回路部１５を電気絶縁性樹脂で封止する樹脂体１６とを備えている。回路部１５は、一端部である端子部１５ａが樹脂体１６で封止されず、図示しない装置等に電気的に接続可能に形成されている。この実施形態では、電子デバイス１４である発光素子を、基材１２に実装することによって、光学系の電子モジュール１０構成している。発光素子としては、発光ダイオード、レーザーダイオード等を用いることができる。電子デバイス１４としては、受光素子や、チップ状電子部品、ＩＣ、その他の電子部品を備えていてもよい。
　この電子モジュール１０は、柔軟性を有する基材１２の一方の面上に形成される配線パターン１３に、電子デバイス１４が実装されているので、溶融樹脂からの圧力により基材１２が変形し、溶融樹脂から基材１２及び回路部１５が受ける力を軽減することができる。ここで言う柔軟性とは、電気絶縁性樹脂による封止時に、電気絶縁性樹脂から作用する圧力により、変形可能な程度の柔軟性を言う。これにより、電子モジュール１０は、樹脂封止時に、基材１２に実装されている電子デバイス１４にダメージが与えられることがなく、配線パターン１３の断線が発生することもない。
　基材１２は、通気性を有する材料から構成されている。具体的には、多数のガラス繊維でなるガラスクロスにより基材１２が構成されていると良い。その他、紙、不織布、多数の合成繊維が編み込まれた合成樹脂クロスからなるシート等、柔軟性を有し、且つ電気絶縁性を有する材料であればどのようなものでも良い。基材１２が通気性を有する材料から構成されていることにより、基材１２に電子デバイス１４が実装された側の面とは反対側面（図２では基材１２の下面）にも溶融樹脂が回り易くなる。さらに、通気性を有する基材１２に形成されている隙間（ガラスクロスの網目）に、溶融した電気絶縁性樹脂が入り込むことで、基材１２に実装された電子デバイス１４に作用する溶融樹脂からの圧力を効果的に和らげることができる。これにより不良品の発生が少なく、生産性を高めることができる。
　基材１２の一方の面上には、配線パターン１３と同様のパターン形状で、溶融した半田に対して濡れ性がある下地層１７が形成されている。下地層１７は、導電性を有する樹脂により構成されている。このように、下地層１７が導電性を有する樹脂から構成されていれば、配線パターン１３にクラックが発生していても、導電性を有する下地層１７を通して、基材１２上に実装された電子デバイス１４と配線パターン１３との通電を維持することができる。下地層１７としては、導電性を有する樹脂により構成する他、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層、銅（Ｃｕ）メッキ層等の半田とは異なる金属層により構成することもできる。
　基材１２のガラスクロスが多数のガラス繊維を編み込んで構成されている場合には、ガラス繊維が解れ易いので、この解れを阻止するために、基材２の、電子デバイス１４が実装された側の面とは反対側の面（図２では下面）に、柔軟性を有するウレタン樹脂の保持層１８を備えていると良い。この保持層１８は、溶融したウレタン樹脂を基材１２の下面に塗布することにより形成される。この柔軟性を有するウレタン樹脂の保持層１８が、ガラスクロスの網目に食い込んだ状態で一体化するため、ガラスクロスの柔軟性が阻害されることがない。ここでは、保持層１８として柔軟性の高いウレタン樹脂を用いているが、保持層１８は、柔軟性を有する各種の樹脂層を用いてもよい。
　この実施形態では、柔軟性のある電気絶縁性樹脂による樹脂体１６は、光学デバイスである電子デバイス１４を封止するので、透明樹脂で構成される。電気絶縁性樹脂の樹脂体１６の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリル、シクロオレフィンポリマー、ポリアセタール、非晶性ポリオレフィン系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂が好適に用いられる。
　さらに、電気絶縁性樹脂による樹脂体１６として、シリコーン樹脂やシリコーンゴムその他の熱硬化性透明樹脂を用いてもよい。
　尚、この実施形態では、光学デバイスである電子デバイス１４を基材１２に実装しているので、樹脂体１６は、透明樹脂により封止する構成としている。従って、電気絶縁性樹脂による樹脂体１６は、光が通過できる樹脂材料であれば、透明樹脂でなくてもよい。又、透明樹脂に光が通過できる程度の塗料を表面に塗布したものであってもよい。
　配線パターン１３は、半田付けが可能な金属箔で構成され、この金属箔は、この実施形態では、半田箔からなり、電子デバイス１４の配線パターン１３への半田による接続を容易且つ確実なものとしている。この配線パターン１３の半田箔は、溶融した電気絶縁性樹脂を、後述する金型１９のキャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１内に射出して、回路部１５を封止する際の、電気絶縁性樹の成形温度以下の融点を有する材料から構成されている。
　この実施形態では、配線パターン１３を構成する金属箔（ここでは半田箔）が、樹脂体１６の成形温度以下の融点を有する材料から構成されていることにより、溶融された電気絶縁性樹脂をキャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１内に射出して回路部１５を封止する際の成形温度により、金属箔を構成する金属材料の少なくとも一部が軟化又は溶融する。これにより、回路部１５を封止する際に、溶融した樹脂が勢いよくキャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１に流れ込んだとしても、配線パターン１３の金属箔が、基材１２の変形に耐えて断線が生じない。さらに、回路部１５を封止する成形時の、電気絶縁性樹脂の樹脂体１６及び金属箔の配線パターン１３の、各々の熱膨張及び収縮により、基材１２が受けるストレスも軽減することができる。尚、金属箔の表面には、既に酸化膜が形成されているため、金属材料の溶融によって金属箔が型崩れすることが少ない。
　キャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１内の温度は、前記金属箔を構成する金属材料の融点よりも低い場合であっても、キャビティ９Ｓ内の温度が金属材料の再結晶温度以上であれば、金属材料を加熱することにより柔らかくなって、半田箔等の金属箔が変形し易く、損傷も生じにくくなる。これにより、前述と同様に、回路部１５を封止する成形時の、電気絶縁性樹脂の樹脂体１６及び金属箔の配線パターン１３の、各々の熱膨張及び収縮により、基材１２が受けるストレスを軽減することができる。
　次に、上記構成の電子モジュール１０の製造方法について説明する。この電子モジュール１０の製造方法は、電気絶縁性を有する基材の表面に配線パターン１３を形成し、この配線パターン１３に電子デバイス１４を実装して回路部１５を形成する回路部形成工程と、該回路部１５を電気絶縁性樹脂の樹脂体１６で封止する封止工程とを主要な工程としている。
　回路部形成工程は、保持層形成工程、スクリーン印刷工程、配線パターン形成工程、電子デバイス１４の実装工程を備えている。
　保持層形成工程は、溶融したウレタン樹脂を基材１２の裏面（図２では下面）に塗布する。基材１２に保持層１８を形成することによって、印刷時の基材１２の吸引固定が可能になり、スクリーン版の離れを良くすることができる。さらに、下地インクが、基材１２の裏面側に浸透してしまうことを防ぐことができる。保持層形成工程は、スクリーン印刷工程や実装工程の前でも後でも良く、基材１２に予めウレタン樹脂の保持層１８を形成しておいても良い。なお、上記の基材１２の固定や、基材１２の繊維の解れが問題とならないのであれば、保持層形成工程は省略してもよい。
　スクリーン印刷工程は、図３に示すように、所定の位置に多数の孔２０Ａが形成されたスクリーン２０とスキージ２１を用いて、基材１２の実装側となる一方の面（図３では上面）に、下地層１７を構成するための下地インク１７ａを塗布する工程である。配線パターン形成工程は、スクリーン印刷工程終了後、図４に示すように、下地インク１７ａが硬化した後、配線パターン１３を形成するための配線用半田１３ａを、下地インク１７ａの上に塗布する工程である。配線用半田１３ａは、図５に示すように、硬化した下地層１７の上に重ねて塗布される。配線パターン形成工程の終了後、実装工程を実行する。実装工程は、図示していないが、発光素子等の電子デバイス１４を、配線パターン１３上に載置し、図２に示すように半田２２で電子デバイス１４の電極を配線パターン１３に接続し、電子デバイス１４の実装工程が完了する。以上の工程により、回路部形成工程が完了する。
　回路部形成工程で回路部１５を設けた後、封止工程に移行する。封止工程は、回路部１５を備えた基材１２を、片面ずつに分けて封止し、回路部１５の両面を封止する。先ず、封止工程に使用する金型１９について説明する。
　金型１９は、図６～図１１に示すように、上側に位置する固定側の金型部１９Ａと、下側に位置する上下方向に移動可能な可動側の金型部１９Ｂとを備えている。可動側の金型部１９Ｂの表面には、図６に示すように、電子デバイス１４が実装された回路部１５の貼り付け位置を決めるための長方形の目印２３が、破線で形成されている。目印２３は、回路部１５の外形と同じ大きさに描かれ、回路部１５の外形を、目印２３の破線に合わせて貼り付けを行う。目印２３は、実線や色分けでも良く、周囲と区別可能な印でれば良い。
　金型部１９Ｂには、目印２３の隣に、最初の成形による一次成形品Ｄ１を二次成形するための、二次側の第１凹部２４が形成されている。第１凹部２４は、目印２３に平行に隣接して位置し、電子デバイス１４が実装された回路部１５の実装側の面が一次成形で樹脂封止された一次成形品Ｄ１を収容するための空間である。第１凹部２４は、図１０、図１１に示すように、回路部１５の一次成形品Ｄｌの、樹脂封止された部分である本体部Ｄ１ａを収容する本体部側凹部２４Ａと、回路部１５の一次成形品Ｄｌの樹脂封止されていない一端部である端子部１５ａを収容する端子部側凹部２４Ｂとを備えている。端子部側端部２４Ｂは、本体部側凹部２４Ａよりも幅が少し狭く、深さも基材１２が入る程度の浅い深さを有する。
　固定側の金型部１９Ａには、図７～図９に示すように、一次成形において、電子デバイス１４が実装された回路部１５の上面側を収容し、回路部１５の実装側の面に樹脂封止するためのキャビティ１９Ｓを形成する第２凹部２５を備えている。金型部１９Ａの第２凹部２５は、樹脂を充填するキャビティ１９Ｓを形成する樹脂充填用凹部２５Ａと、電子デバイス１４が実装された回路部１５の樹脂封止しない一端部である端子部１５ａを収容する端子部側凹部２５Ｂとを備えている。端子部側凹部２５Ｂは、樹脂充填用凹部２５Ａよりも幅が少し狭く、基材１２が入る程度の浅い深さを有する。
　金型部１９Ａには、第２凹部２５に隣接して、一次成形品Ｄｌの、回路部１５が樹脂封止された側とは反対側の面を覆い、二次成形するための二次側の第３凹部２６が形成されている。二次側の第３凹部２６に溶融樹脂を充填することにより、一次成形品Ｄｌの実装側とは反対側の面を樹脂封止する。二次側の第３凹部２６は、図１０、図１１に示すように、一次側の第２凹部２５に隣接して形成され、樹脂を充填するキャビティ１９Ｓ１が形成されている。この第３凹部２６は、一次成形品Ｄ１の本体部Ｄ１ａと同じ大きさに構成されている。
　次に、図６～図１１を基にして、封止工程において、電子デバイス１４が実装された回路部１５の実装側の面を樹脂封止する工程について説明する。封止工程では、可動側の金型部１９Ｂを下降させることにより、上下一対の金型部１９Ａ，１９Ｂを開いた状態にする。この状態において、下方側の可動側の金型部１９Ｂの目印２３に、基材１２の外形を合わせた状態で回路部１５を配置する。この回路部１５は、電子デバイス１４が実装された面が上方を向くように配置している。このとき、下方側の可動側の金型部１９Ｂのフラットな表面（上面）１９ｃに、回路部１５を両面テープにより固定して、溶融樹脂の射出時に回路部１５が金型内で大きく移動することがないようにする。
　回路部１５の配置後、図９に示すように、下側の可動側の金型部１９Ｂを上昇させて一対の金型部１９Ａ，１９Ｂを閉じた状態にする。この状態で、上側の固定側の金型部１９Ａの長手方向略中央部かつ短手方向の一端部寄りに形成された射出口Ｈ１から、上側の固定側の金型部１９Ａの第２凹部２５の樹脂充填用凹部２５Ａに、熱可塑性の溶融樹脂が射出される。この射出される溶融樹脂によって、電子デバイス１４が覆われるとともに基材１２の実装側の面及び基材１２の網目を通して実装側とは反対側の面まで溶融樹脂が到達して、基材１２の実装側の面を完全に覆った状態にする。
　射出成形後、金型部１９Ａ，１９Ｂを冷却し、下側の可動側の金型部１９Ｂを下降して金型部１９Ａ，１９Ｂを開き、基材１２の片面側が樹脂封止された回路部１５を取り出す。ここでは、金型１９が、上下方向で開閉する金型部１９Ａ，１９Ｂを備えているが、水平方向で開閉する金型部を備えていてもよい。
　次に、電子デバイス１４が取り付けられた回路部１５であって、実装側の面が樹脂封止された一次成形品Ｄ１の、実装側とは反対側の面を樹脂封止する二次成形を行う。先ず、成形された一次成形品Ｄ１の実装側とは反対側の面が上方を向くように、下側の可動側の金型部１９Ｂの第１凹部２４に一次成形品Ｄ１を配置する。一次成形品Ｄ１の配置後、図１０、図１１に示すように、下側の可動側の金型部１９Ｂを上昇させて一対の金型部１９Ａ，１９Ｂを閉じた状態にする。この状態で、上側の金型部１９Ａの長手方向略中央部かつ短手方向寄り（射出口Ｈ１とは反対側）に形成の射出口Ｈ２から、上側の金型部１９Ａの二次側の第３凹部２６内に、熱可塑性の溶融樹脂を射出する。射出される溶融樹脂によって、基材１２の実装側の面とは反対側の面が溶融樹脂で覆われる。
　これによって、基材１２の回路部１５の両面が樹脂で完全に覆われた状態になり、樹脂で覆われた部分は、防水性を有する。尚、図２に示すように、配線パターン１３の内側面及び下地層１７の内側面にも基材１２の網目を通して入り込んだ樹脂で覆われた状態になっている。射出成形後は、金型部１９Ａ，１９Ｂを冷却し、下側の可動側の金型部１９Ｂを下降させることにより、一対の金型部１９Ａ，１９Ｂを開き、二次成形品である両面が樹脂封止された電子モジュール１０を取り出し、回路部１５の封止工程を終了する。
　ここで、金型部１９Ａ，１９Ｂのキャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１内に充填される樹脂温度は、例えば約２５０℃であり、配線パターン１３を構成する半田箔の半田の融点または再結晶温度、及び電子デバイス１４を実装するための半田の融点または再結晶温度が、キャビティ１９Ｓ，１９Ｓ１内に充填される樹脂温度よりも低い温度である約２２０℃である。ここでは、配線パターン１３を構成する半田と電子デバイス１４を実装する半田とを同一温度の融点、即ち同一成分のものから構成しているが、異なる温度の融点の半田であってもよい。
　射出される溶融樹脂によって少なくとも一部の半田が軟化し又は溶けることにより、前述したように、回路部１５を封止する成形時の半田箔の熱膨張及び収縮により、基材１２が受けるストレスを軽減することができる。また、一般的なガラスクロスの軟化温度は、約７５０℃以上であるため、射出時の溶融樹脂により変形あるいは溶け出すことはない。
　尚、ガラスクロスに代えて、紙、不織布、多数の合成繊維が編み込まれた合成樹脂クロスを用いてもよい。この場合、射出される溶融樹脂によって溶けない、あるいは成形温度に耐え得る材料で構成することが好ましい。このように柔軟性を有する基材１２の両面が熱可塑性樹脂で封止された電子モジュール１０に対して、変形可能な熱を加えることによって、電子モジュール１０を所定の角度に折り曲げてアーチ状やＬ字状あるいはＵ字状等、いろいろな形状に形成することができる。
　この実施形態に係る電子モジュール１０によれば、柔軟性を有する基材１２の表面に形成される配線パターン１３にデバイス１４が接続されているので、封止する樹脂からの圧力により基材１２が変形することによって、樹脂から基材１２が受ける力を軽減することができる。よって、基材１２に接続されているデバイス４にダメージを与えることがない。さらに、基材１２の回路部１５の配線パターン１３に、断線が発生することを回避することができる。
　前記実施形態に係る電子モジュール１０では、配線パターン１３が、半田付けが可能な金属箔で構成され、該金属箔が、電気絶縁性樹脂で回路部１５を封止する際の成形温度以下の融点または再結晶温度を有する材料から構成されている。従って、電気絶縁性樹脂で回路部１５を封止する際の成形温度により、電気絶縁性樹脂による樹脂体１６及び金属箔の配線パターン１３が熱膨張し、金属箔を構成する金属材料の少なくとも一部が溶融または軟化することにより、溶融した樹脂が勢いよく流れ込んだとしても、金属箔が変形に耐えることができる。さらに、配線パターン１３の金属箔を構成する金属材料の少なくとも一部が溶融または軟化するので、回路部１５を封止する成形時の金属箔の熱膨張及び収縮により、基材１２が受けるストレスを軽減することができる。
　この実施形態に係る電子モジュール１０は、特に金属箔が半田箔から構成されているとよい。これにより、電子デバイス１４と配線パターン１３の半田箔に対して、半田による接続が容易且つ確実に行うことができる。
　その他、前記実施形態に係る電子モジュール１０では、基材１２の表面に、導電性を有する下地層１７を備え、金属箔は、下地層１７の上に形成されている。特に、下地層１７が導電性を有する樹脂から構成されていることにより、配線パターン１３にクラックが発生していても、導電性を有する下地層１７を通して、基材１２上に実装された電子デバイス１４と配線パターン１３との通電を維持することができる。
　この実施形態に係る電子モジュール１０は、基材１２が通気性を有する材料から構成されていていることより、基材１２の接続側の面とは反対側面にも溶融樹脂が回り易くなり、基材１２に形成されている隙聞に溶融樹脂が入り込むことで基材に接続された電子デバイス１４に溶融樹脂からの圧力を和らげることができる。これにより、不良品の発生が少なく、生産性を高めることができる。
　特に、電子モジュール１０では、基材１２が、多数のガラス繊維でなるガラスクロスを備え、電子デバイス接続側の面とは反対側のガラスクロス面に、ガラスクロスと同程度以上の柔軟性を有する樹脂の保持層１８を備えているので、基材１２のガラスクロスの解れを保持層１８で確実に阻止することができる。しかも、柔軟性を有する保持層１８が、ガラスクロスの網目に食い込んだ状態で一体化しているため、ガラスクロスの柔軟性が阻害されることがない。保持層１８は、ウレタン樹脂から構成されているとよい。保持層１８が柔軟性の高いウレタン樹脂から構成されていれば、ガラスクロスの柔軟性がより一層阻害されることがなく好ましい。
　尚、前記実施形態では、回路部１５の片面ずつ樹脂で覆う２つの工程を行うことによって、回路部５の両面を樹脂で覆うようにしたが、１つの工程で、回路部１５の両面を樹脂で覆うようにしてもよい。
　次に本発明の電子モジュール１０の他の製造方法について以下に説明する。ここで、上記実施形態と同様の構成は同一の符号を付して説明を省略する。
　図１２は、本発明の第二実施形態の電子モジュール１０の製造方法を示す。この実施形態では、図１２（ａ）に示すように、熱可塑性樹脂であって柔軟性を有する電気絶縁性樹脂から成る一対の樹脂シート３０，３１により、回路部１５に電子デバイス１４が実装された基材１２を、真空中で挟持する。樹脂シート３０，３１の電気絶縁性樹脂は、上記実施形態で説明した熱可塑性樹脂を用いることができる。
　この後、図１２（ｂ）に示すように、両面から図示しない金型等で加圧し、熱可塑性樹脂の樹脂シート３０，３１の成型温度に加熱し、樹脂シート３０，３１を密着させる。これにより、図１２（ｃ）に示すように、樹脂シート３０，３１により成形された樹脂体１６で、電子デバイス１４が封止された電子モジュール１０が形成される。この処理は、例えばオートクレーブ装置により行うことができる。
　尚、樹脂シート３０，３１で基材１２及び回路部１５を挟持して封止する方法は、上記以外に、樹脂シート３０，３１で挟持した基材１２及び回路部１５を、真空バッグ内に入れて、真空バッグの内の空気を抜き、その状態でオーブンに入れて加熱し、樹脂シート３０，３１を密着させた後、硬化させ電子モジュール１０を形成しても良い。
　この製造方法によれば、より簡単に電気絶縁性樹脂の樹脂体１６で、電子デバイス１４が封止された電子モジュール１０を製造することができる。
　また、樹脂シート３０，３１で挟持した基材１２及び回路部１５を、真空ラミネータ装置内に入れて、真空ラミネータ装置内の空気を抜き、その状態で加圧及び加熱し、樹脂シート３０，３１を密着させ、硬化させて電子モジュール１０を形成しても良い。
　図１３は、本発明の第三実施形態の電子モジュール１０の製造方法を示す。この実施形態では、図１３（ａ）に示すように、熱硬化性樹脂であって柔軟性を有する電気絶縁性樹脂として、シリコーン樹脂を用いたものである。
　先ず、成形型３２の収容部３２ａ内に回路部１５が形成された基材１２を設置し、流動性のある熱硬化性樹脂である液状のシリコーン樹脂３３と硬化剤を混合して収容部３２ａに注入する。基材１２及び回路部１５を、熱硬化性樹脂と硬化剤の混合液中に浸漬した状態で、シリコーン樹脂３３を硬化させて、基材１２及び回路部１５の一方の面を電気絶縁性樹脂で封止する。
　次に、図１３（ｂ）に示すように、基材１２及び回路部１５の他方の面、ここでは、電子デバイス１４が実装されていない面を上にして、成形型３２の収容部３２ａに基材１２を設置し、シリコーン樹脂３４を収容部３２ａに注入し、硬化剤によりシリコーン樹脂３４を硬化させる。これにより、図１３（ｃ）に示すように、電子デバイス１４が、シリコーン樹脂３３，３４による樹脂体１６で封止された電子モジュール１０が形成される。
　この製造方法によっても、簡単に熱硬化性の電気絶縁性樹脂の樹脂体１６で、電子デバイス１４が封止された電子モジュール１０を製造することができる。
　この第三実施形態の電子モジュール１０の製造方法において、液状のシリコーン樹脂を用いて、図示しない金型のキャビティ内に、回路部１５を形成した基材１２を設置し、キャビティ内に液状のシリコーン樹脂を射出して、電子モジュール１０を成形しても良い。このとき、射出する液状のシリコーン樹脂とその硬化剤を、別々に金型のキャビティ内に加圧注入して、液状のシリコーン樹脂を硬化させる。この製造方法でも、基材１２及び回路部１５を、柔軟性のある熱硬化性樹脂であるシリコーン樹脂中に封止することができる。
　図１４は、本発明の第四実施形態の電子モジュール１０の製造方法を示す。この実施形態では、図１４（ａ）に示す成形型であるプレス用金型３６を用いて、電気絶縁性樹脂のシリコーン樹脂を成形するものである。ここで用いるシリコーン樹脂３７は、熱硬化性樹脂であって柔軟性及び可塑性を有し、プレス成形可能な生ゴム状のシリコーン樹脂であり、シリコーンゴムとも言う。
　先ず、プレス用金型３６の上金型３６Ａと下金型３６Ｂを開き、下金型３６Ｂの収容部３６ｃ内に、塑性変形可能な状態のシリコーン樹脂３７の塊３７ａを入れる。塊３７ａの量は、基材１２の電子デバイス１４が実装されていない面を覆う程度の量である。この後、シリコーン樹脂３７の塊３７ａの上に、回路部１５が形成された基材１２を載置し、図１４（ｂ）に示すように、基材１２及び回路部１５の上部にさらにシリコーン樹脂３７の塊３７ｂを載せて、プレス用金型３６の上金型３６Ａと下金型３６Ｂを閉じて、加圧成形する。このとき、熱も加えて、シリコーン樹脂３７を硬化させ成形する。これにより、図１４（ｃ）に示すように、電子デバイス１４がシリコーン樹脂３７による樹脂体１６で封止された電子モジュール１０が形成される。
　この製造方法によっても、より簡単に熱硬化性の電気絶縁性樹脂の樹脂体１６で、電子デバイス１４が封止された電子モジュール１０を製造することができる。
　尚、本発明の電子モジュールとその製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、電子デバイスは、抵抗、コイル、コンデンサ、ダイオード、トランジス夕、各種パワー素子等のチップ状電子部品、ＩＣ等の集積回路素子を含む。これらの光学デバイス以外の電子デバイスのみを基材に実装する場合には、樹脂体が必ずしも透明な樹脂材料から構成されなくてもよい。その他、柔軟性のあるウレタン樹脂の保持層を、電子デバイスの実装側の面とは反対側のガラスクロスの面に備えた例を示したが、保持層は省略しても良い。その他、下地層の形成は、をスクリーン印刷により形成する他、オフセット印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷等により形成してもよい。
１０　電子モジュール
１２　基材
１３　配線パターン
１３ａ　配線用半田
１４　電子デバイス
１５　回路部
１５ａ　端子部
１６　樹脂体
１７　下地層
１７ａ　下地インク
１８　保持層
１９　金型
１９Ａ　固定側の金型部
１９Ｂ　可動側の金型部
１９Ｓ，１９Ｓ１　キャビティ
２０　スクリーン
２０Ａ　孔
２１　スキージ
２２　半田
２３　目印
２４　第１凹部
２４Ａ　本体部側凹部
２４Ｂ　端子部側凹部
２５　第２凹部
２５Ａ　樹脂充填用凹部
２５Ｂ　端子部側凹部
２６　第３凹部
Ｄ１　一次成形品
Ｄ１ａ　本体部
Ｈ１，Ｈ２　射出口

Claims (17)

  1. 　柔軟性と電気絶縁性を有する基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成された配線パターンに電子デバイスが実装された回路部と、該回路部を電気絶縁性樹脂で封止した樹脂体とを備え、
    　前記基材は、前記電気絶縁性樹脂による封止時の圧力により変形可能な柔軟性を有することを特徴とする電子モジュール。
  2. 　前記配線パターンは、半田付けが可能な金属箔で構成され、
    　該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂で前記回路部を封止する際の成形温度以下の再結晶温度を有する材料から構成されている請求項１記載の電子モジュール。
  3. 　前記配線パターンは、半田付けが可能な金属箔で構成され、
    　該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂で前記回路部を封止する際の成形温度以下の融点を有する材料から構成されている請求項１記載の電子モジュール。
  4. 　前記金属箔は、半田箔により構成されていることを特徴とする請求項２又は３記載の電子モジュール。
  5. 　前記基材の前記一方の面上に、導電性を有する下地層を備え、前記金属箔は、前記下地層の上に形成されている請求項２又は３記載の電子モジュール。
  6. 　前記下地層は、溶融した半田に対して濡れ性がある請求項５記載の電子モジュール。
  7. 　前記基材は、通気性を有する材料から構成されている請求項１，２又は３記載の電子モジュール。
  8. 　前記基材は、多数のガラス繊維でなるガラスクロスから構成され、該ガラスクロスの前記電子デバイスが実装された側の面とは反対側の面に、前記ガラスクロスと同程度以上の柔軟性を有する樹脂から成る保持層を備えた請求項７記載の電子モジュール。
  9. 　前記保持層が、ウレタン樹脂により構成されている請求項８記載の電子モジュール。
  10. 　柔軟性と電気絶縁性を有する基材の表面に配線パターンを形成し、この配線パターンに電子デバイスを実装して回路部を形成する回路部形成工程と、該回路部を電気絶縁性樹脂の樹脂体で封止する封止工程とを有する電子モジュールの製造方法であって、
    　前記基材は、前記電気絶縁性樹脂による封止時に変形可能な柔軟性を有する材料により構成し、
    　前記封止工程では、前記基材及び前記回路部を、前記電気絶縁性樹脂により封止することを特徴とする電子モジュールの製造方法。
  11. 　前記配線パターンを半田付けが可能な金属箔で構成し、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂の成形温度以下の再結晶温度を有し、
    　回路部形成工程では、前記配線パターンに前記電子デバイスを半田付けする請求項１０記載の電子モジュールの製造方法。
  12. 　前記配線パターンを半田付けが可能な金属箔で構成し、該金属箔は、前記電気絶縁性樹脂の成形温度以下の融点を有し、
    　回路部形成工程では、前記配線パターンに前記電子デバイスを半田付けする請求項１０記載の電子モジュールの製造方法。
  13. 　前記封止工程は、金型のキャビティ内に前記基材及び前記回路部を設置し、溶融した熱可塑性の前記電気絶縁性樹脂を前記キャビティ内に射出成形して硬化させ、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止する請求項１０，１１，又は１２記載の電子モジュールの製造方法の製造方法。
  14. 　前記封止工程は、前記基材及び前記回路部を、熱可塑性の前記電気絶縁性樹脂のシートにより挟持し、前記シートを互いに圧着して前記基材及び前記回路部を封止する請求項１０，１１，又は１２記載の電子モジュールの製造方法の製造方法。
  15. 　前記封止工程は、金型のキャビティ内に前記基材及び前記回路部を設置し、流動性のある熱硬化性樹脂を前記キャビティ内に注入して硬化させ、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止する請求項１０，１１，又は１２記載の電子モジュールの製造方法の製造方法。
  16. 　前記封止工程は、成形型の収容部内に前記基材及び前記回路部を設置するとともに、前記収容部に流動性のある熱硬化性樹脂を注入し、前記熱硬化性樹脂中に前記基材及び前記回路部を浸漬し、前記熱硬化性樹脂を硬化させて、前記基材及び前記回路部を前記電気絶縁性樹脂で封止する請求項１０，１１，又は１２記載の電子モジュールの製造方法の製造方法。
  17. 　前記封止工程は、成形型の収容部内に前記基材及び前記回路部を設置し、柔軟な熱硬化性樹脂で前記基材及び前記回路部を挟持し、前記金型で前記電気絶縁性樹脂を成形し、前記基材及び前記回路部を封止する請求項１０，１１，又は１２記載の電子モジュールの製造方法の製造方法。
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