WO2018189977A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device.
  • An organic electroluminescence (EL) display device has a display panel in which a thin film transistor (TFT), an organic light emitting diode (OLED), or the like is formed on a substrate.
  • TFT thin film transistor
  • OLED organic light emitting diode
  • Such a display panel generates electromagnetic noise, which may cause malfunction of an added touch panel, for example.
  • Patent Document 1 proposes to form an ITO film on a touch panel substrate or a display panel substrate.
  • an object of the present invention is to provide an organic EL display device that can more reliably suppress adverse effects due to electromagnetic noise.
  • the organic EL display device of the present invention includes a substrate, a plurality of pixels disposed on the substrate, a first inorganic insulating layer covering the plurality of pixels, and the plurality of the first inorganic insulating layers.
  • a conductive layer that is located on the opposite side of the pixel and covers the plurality of pixels, and a second inorganic insulation layer that is located on the opposite side of the conductive layer to the first inorganic insulating layer and covers the plurality of pixels And having.
  • a touch panel is disposed on the side of the second inorganic insulating layer opposite to the conductive layer.
  • the sheet resistance of the conductive layer is 500 ⁇ / ⁇ or less.
  • the visible light transmittance of the conductive layer is 50% or more.
  • the conductive layer includes a binder resin.
  • the conductive layer includes nanowires and / or nanotubes.
  • the conductive layer includes ITO.
  • the conductive layer includes a resin and a conductive material.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view illustrating an example of a display panel of the organic EL display device illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a III-III cross section of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a state in which a touch panel is disposed on the display panel illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
  • the organic EL display device 2 includes a pixel array unit 4 that displays an image and a drive unit that drives the pixel array unit 4.
  • the organic EL display device 2 has a display panel in which a laminated structure such as TFT and OLED is formed on a substrate.
  • the schematic diagram shown in FIG. 1 is an example, and the present embodiment is not limited to this.
  • OLEDs 6 and pixel circuits 8 are arranged in a matrix corresponding to the pixels.
  • the pixel circuit 8 includes a plurality of TFTs 10 and 12 and a capacitor 14.
  • the drive unit includes a scanning line drive circuit 20, a video line drive circuit 22, a drive power supply circuit 24, and a control device 26, and drives the pixel circuit 8 to control light emission of the OLED 6.
  • the scanning line driving circuit 20 is connected to a scanning signal line 28 provided for each horizontal arrangement (pixel row) of pixels.
  • the scanning line driving circuit 20 sequentially selects the scanning signal lines 28 according to the timing signal input from the control device 26, and applies a voltage for turning on the lighting TFT 10 to the selected scanning signal lines 28.
  • the video line driving circuit 22 is connected to a video signal line 30 provided for each vertical arrangement (pixel column) of pixels.
  • the video line driving circuit 22 receives a video signal from the control device 26, and in accordance with the selection of the scanning signal line 28 by the scanning line driving circuit 20, a voltage corresponding to the video signal of the selected pixel row is applied to each video signal line. Output to 30.
  • the voltage is written into the capacitor 14 via the lighting TFT 10 in the selected pixel row.
  • the driving TFT 12 supplies a current corresponding to the written voltage to the OLED 6, whereby the OLED 6 of the pixel corresponding to the selected scanning signal line 28 emits light.
  • the drive power supply circuit 24 is connected to a drive power supply line 32 provided for each pixel column, and supplies current to the OLED 6 via the drive power supply line 32 and the drive TFT 12 of the selected pixel row.
  • the lower electrode of the OLED 6 is connected to the driving TFT 12.
  • the upper electrode of each OLED 6 is configured by an electrode common to the OLED 6 of all pixels.
  • the lower electrode is configured as an anode (anode)
  • the upper electrode is a cathode (cathode) and a low potential is input.
  • the lower electrode is configured as a cathode (cathode)
  • a low potential is input
  • the upper electrode is an anode (anode) and a high potential is input.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the display panel of the organic EL display device shown in FIG.
  • the pixel array unit 4 shown in FIG. 1 is provided in the display area 42 of the display panel 40, and the OLEDs are arranged in the pixel array unit 4 as described above.
  • the upper electrode 44 constituting the OLED 6 is formed in common for each pixel and covers the entire display region 42.
  • a component mounting area 46 is provided on one side of the rectangular display panel 40, and wiring connected to the display area 42 is arranged.
  • a driver integrated circuit (IC) 48 constituting a driving unit is mounted or an FPC 50 is connected.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 50 is connected to the control device 26 and other circuits 20, 22, 24, etc., and an IC is mounted thereon.
  • FIG. 3 is a view showing an example of a section taken along the line III-III in FIG.
  • the display panel 40 has a structure in which a circuit layer made of a TFT 72 and the like, an OLED 6 and a sealing layer 106 for sealing the OLED 6 are stacked on a substrate 70.
  • substrate 70 is comprised with resin films, such as a glass plate and a polyimide resin, for example.
  • the pixel array unit 4 is a top emission type, and the light generated by the OLED 6 is emitted to the side opposite to the substrate 70 side (upward in FIG. 3).
  • the colorization system in the organic EL display device 2 is a color filter system, for example, it is disposed above the sealing layer 106. For example, red (R), green (G), and blue (B) light is produced by passing white light generated by the OLED 6 through the color filter.
  • the pixel circuit 8 In the circuit layer of the display area 42, the pixel circuit 8, the scanning signal line 28, the video signal line 30, the drive power supply line 32, and the like are formed. At least a part of the driving unit can be formed as a circuit layer on the substrate 70 in a region adjacent to the display region 42. As described above, the driver IC 48 and the FPC 50 constituting the driving unit can be connected to the wiring 116 of the circuit layer in the component mounting region 46.
  • a base layer 80 made of an inorganic insulating material is disposed on the substrate 70.
  • the inorganic insulating material for example, silicon nitride (SiN y ), silicon oxide (SiO x ), and a composite thereof are used.
  • a semiconductor region 82 serving as a channel portion and a source / drain portion of the top gate type TFT 72 is formed on the substrate 70 through the base layer 80.
  • the semiconductor region 82 is made of, for example, polysilicon (p-Si).
  • the semiconductor region 82 is formed, for example, by providing a semiconductor layer (p-Si film) on the substrate 70, patterning the semiconductor layer, and selectively leaving a portion used in the circuit layer.
  • a gate electrode 86 is disposed on the channel portion of the TFT 72 via a gate insulating film 84.
  • the gate insulating film 84 is typically formed of TEOS.
  • the gate electrode 86 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like, for example.
  • An interlayer insulating layer 88 is disposed on the gate electrode 86 so as to cover the gate electrode 86.
  • the interlayer insulating layer 88 is formed of, for example, the above inorganic insulating material. Impurities are introduced into the semiconductor region 82 (p-Si) serving as the source / drain portion of the TFT 72 by ion implantation, and further, a source electrode 90a and a drain electrode 90b electrically connected thereto are formed. Is done.
  • An interlayer insulating film 92 is disposed on the TFT 72.
  • a wiring 94 is disposed on the surface of the interlayer insulating film 92.
  • the wiring 94 is formed by patterning a metal film formed by sputtering or the like.
  • the metal film forming the wiring 94 and the metal film used for forming the gate electrode 86, the source electrode 90a, and the drain electrode 90b include, for example, the wiring 116 and the scanning signal line 28, the video signal line 30, and the like shown in FIG.
  • the drive power supply line 32 can be formed with a multilayer wiring structure.
  • a planarizing film 96 is formed of a resin material such as acrylic resin, and the OLED 6 is formed on the planarizing film 96 in the display region 42.
  • the OLED 6 includes a lower electrode 100, an organic material layer 102, and an upper electrode 104.
  • the organic material layer 102 includes a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like.
  • the OLED 6 is typically formed by laminating the lower electrode 100, the organic material layer 102, and the upper electrode 104 in this order from the substrate 70 side.
  • the lower electrode 100 is an anode (anode) of the OLED
  • the upper electrode 104 is a cathode (cathode).
  • the lower electrode 100 is connected to the source electrode 90a of the TFT 72.
  • a contact hole 110 for connecting the lower electrode 100 to the TFT 72 is formed.
  • a bank 112 for separating pixels is arranged on the above structure. For example, after the formation of the lower electrode 100, a bank 112 is formed at the pixel boundary, and the organic material layer 102 and the upper electrode 104 are stacked in an effective region (region where the lower electrode 100 is exposed) surrounded by the bank 112.
  • the upper electrode 104 is typically formed of a transparent electrode material.
  • a sealing layer 106 is disposed on the upper electrode 104.
  • the sealing layer 106 can function as a protective layer that protects the OLED 6 from moisture or the like, and is formed so as to cover the entire display region 42.
  • a protective layer may be disposed on the surface of the display region 42 in order to ensure the mechanical strength of the surface of the display panel 40.
  • a protective layer is usually not provided in the component mounting area 46 in order to facilitate connection of an IC or FPC.
  • the wiring of the FPC 50 and the terminal of the driver IC 48 are electrically connected to the wiring 116, for example.
  • a configuration in which the touch panel is externally attached to the display panel (out-cell method) and the outside of the display panel (for example, between the display panel and a polarizing plate disposed outside the display panel)
  • a configuration (on-cell method) provided and integrated in a display panel and a configuration (in-cell method) provided inside the display panel In this embodiment, an out-cell method or an on-cell method is adopted.
  • the touch panel 60 is disposed on the sealing layer 106 of the display panel 40 and is stored in the housing of the organic EL display device 2 in this state. 4, the stacked structure excluding the sealing layer 106 on the substrate 70 in the stacked structure of the display panel 40 illustrated in FIG.
  • the sealing layer 106 includes a first sealing layer 106a, a conductive layer 108, and a second sealing layer 106b in this order from the substrate 70 side.
  • the conductive layer 108 does not exist at the end of the sealing layer 106 outside the display region 42, and the first sealing layer 106 a and the second sealing layer 106 b are in direct contact with each other. .
  • the electromagnetic noise can be shielded at a position closer to the electromagnetic noise generation source (display unit), and the adverse effect due to the electromagnetic noise can be more reliably suppressed. For example, malfunction of the touch panel can be more reliably suppressed.
  • the conductive layer can be formed during the sealing layer forming step, which can contribute to an improvement in manufacturing efficiency.
  • Each of the first sealing layer (inorganic insulating layer) 106a and the second sealing layer (inorganic insulating layer) 106b is formed of an inorganic insulating material film such as SiN y by chemical vapor deposition (CVD), for example. For example, it is formed by forming a film with a thickness of about several ⁇ m.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the conductive layer 108 is formed so that the sheet resistance is 500 ⁇ / ⁇ or less from the viewpoint of sufficiently obtaining a shielding effect of electromagnetic noise generated in the display portion (the structural layer 114 below the sealing layer 106). It is preferable.
  • the conductive layer 108 is preferably formed so as to ensure transparency (for example, the visible light transmittance is 50% or more).
  • the conductive layer 108 includes a conductive material.
  • the conductive material include metals such as silver, gold, copper, and nickel, and alloys thereof (for example, Cu—Ni), metal oxides such as carbon and indium tin oxide (ITO), conductive polymers, and the like. It is done.
  • the conductive layer 108 includes, for example, a binder resin such as an acrylic resin and the conductive material.
  • the thickness of the conductive layer 108 is, for example, 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • Any appropriate form can be adopted as the conductive material to be combined with the binder resin, but nanowires (typically metal nanowires) and / or nanotubes (typically carbon nanotubes) are preferably used.
  • metal nanowires are particularly preferably used. This is because, for example, the above conductivity and transparency can be satisfactorily satisfied.
  • the nanowire refers to a conductive material having a solid structure and a diameter of nanometer
  • the nanotube refers to a conductive material having a hollow structure and a diameter of nanometer.
  • Their thickness is, for example, 5 nm to 500 nm, preferably 5 nm to 50 nm. These lengths are, for example, 1 ⁇ m to 1000 ⁇ m, preferably 10 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
  • a coating material containing a binder resin and a conductive material is applied onto the first sealing layer 106a (for example, by an ink jet method), and post-processing (for example, heat treatment) according to the type of the binder resin (Curing treatment or photocuring treatment) is appropriately performed.
  • the conductive layer 108 can also function as a planarization layer of the sealing layer 106.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
  • it can be replaced with a configuration that is substantially the same as the configuration described in the above embodiment, a configuration that exhibits the same effects, or a configuration that can achieve the same purpose.
  • the conductive layer 108 may be composed of, for example, an ITO film.

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Abstract

有機ＥＬ表示装置において、電磁ノイズによる悪影響をより確実に抑制する。　有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板の上に配置された複数の画素と、前記複数の画素を覆う第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層の前記複数の画素とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う導電層と、前記導電層の前記第１の無機絶縁層とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う第２の無機絶縁層と、を有する。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。このような表示パネルは電磁ノイズを発生し、例えば、付加されたタッチパネルの誤作動を引き起こす場合がある。このような問題に対し、例えば、下記特許文献１では、タッチパネル部の基板や表示パネル部の基板にＩＴＯ膜を形成することが提案されている。
特開２００３－９９１９３号公報
　しかし、電磁ノイズによる悪影響をより確実に抑制することが望まれている。
　本発明は、上記に鑑み、電磁ノイズによる悪影響をより確実に抑制し得る有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
　本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板の上に配置された複数の画素と、前記複数の画素を覆う第１の無機絶縁層と、前記第１の無機絶縁層の前記複数の画素とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う導電層と、前記導電層の前記第１の無機絶縁層とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う第２の無機絶縁層と、を有する。
　１つの実施形態においては、上記第２の無機絶縁層の前記導電層とは反対の側にタッチパネルが配置される。
　１つの実施形態においては、上記導電層のシート抵抗が５００Ω／□以下である。
　１つの実施形態においては、上記導電層の可視光透過率が５０％以上である。
　１つの実施形態においては、上記導電層はバインダー樹脂を含む。
　１つの実施形態においては、上記導電層はナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む。
　１つの実施形態においては、上記導電層はＩＴＯを含む。
　１つの実施形態においては、上記導電層は樹脂と導電性材料とを含む。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。 図２のIII－III断面の一例を示す図である。 図２に示す表示パネル上にタッチパネルが配置された状態の一例を示す概略図断面である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略することがある。
　図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板上にＴＦＴやＯＬＥＤなどの積層構造が形成された表示パネルを有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
　画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
　上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
　走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
　映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
　駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
　ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
　図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤが配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極４４は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
　矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
　図３は、図２のIII－III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基板７０の上にＴＦＴ７２などからなる回路層、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基板７０は、例えば、ガラス板、ポリイミド樹脂等の樹脂フィルムで構成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基板７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６よりも上側に配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
　表示領域４２の回路層には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板７０上に回路層として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層の配線１１６に接続することができる。
　図３に示すように、基板７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置される。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
　表示領域４２においては、下地層８０を介して、基板７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成される。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ－Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基板７０上に半導体層（ｐ－Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置される。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置される。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ－Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
　ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置される。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料により平坦化膜９６が形成され、表示領域４２において、平坦化膜９６上にＯＬＥＤ６が形成される。
　ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基板７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤの陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
　図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。
　上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置される。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、代表的には、透明電極材料で形成される。
　上部電極１０４上には、封止層１０６が配置される。封止層１０６は、例えば、ＯＬＥＤ６を水分等から保護する保護層として機能し得るため、表示領域４２の全体を覆うように形成される。また、図示しないが、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面には保護層が配置され得る。この場合、部品実装領域４６には、ＩＣやＦＰＣを接続し易くするため、通常、保護層を設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４８の端子は、例えば、配線１１６に電気的に接続される。
　表示装置においてタッチパネルを搭載する際には、タッチパネルを表示パネルに外付けする構成（アウトセル方式）と、表示パネルの外部（例えば、表示パネルと表示パネルの外側に配置される偏光板との間）に設けて一体化する構成（オンセル方式）と、表示パネルの内部に設ける構成（インセル方式）とが知られている。本実施形態では、アウトセル方式もしくはオンセル方式が採用される。具体的には、図４に示すように、表示パネル４０の封止層１０６上にタッチパネル６０が配置され、この状態で、有機ＥＬ表示装置２の筐体に格納される。なお、図４において、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の封止層１０６を除く積層構造を上部構造層１１４として簡略化して示している。
　封止層１０６は、基板７０側から、第１の封止層１０６ａ、導電層１０８および第２の封止層１０６ｂをこの順で含む。図示するように、表示領域４２の外側の封止層１０６の端部では、導電層１０８は存在せず、第１の封止層１０６ａと第２の封止層１０６ｂとが直に接している。このように、封止層１０６に導電層を含ませることで、電磁ノイズ発生源（表示部）により近い位置で電磁ノイズをシールドして、より確実に電磁ノイズによる悪影響を抑制することができる。例えば、タッチパネルの誤作動をより確実に抑制することができる。また、封止層の形成工程の際に導電層を形成することができ、製造効率の向上に寄与し得る。
　第１の封止層（無機絶縁層）１０６ａおよび第２の封止層（無機絶縁層）１０６ｂは、それぞれ、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ等の無機絶縁材料膜を、例えば、厚み数μｍ程度に成膜することにより形成される。このような封止層中に導電層１０８が挿入されることにより、換言すれば、導電層１０８の全体が第１の封止層１０６ａと第２の封止層１０６ｂとによって覆われることにより、導電層１０８が他の部材に及ぼす悪影響を抑制し得る。導電層１０８は、表示領域４２を被覆するように形成される。導電層１０８は、例えば、表示部（封止層１０６より下の構造層１１４）で発生する電磁ノイズのシールド効果を十分に得る観点から、そのシート抵抗が５００Ω／□以下となるように形成されるのが好ましい。また、導電層１０８は、透明性を確保するように（例えば、可視光透過率が５０％以上となるように）形成されることが好ましい。
　導電層１０８は、導電性材料を含む。導電性材料としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル等の金属およびこれらの合金（例えば、Ｃｕ－Ｎｉ）、カーボン、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属酸化物、導電性ポリマー等が用いられる。
　導電層１０８は、例えば、アクリル系樹脂等のバインダー樹脂および上記導電性材料を含む。この場合、導電層１０８の厚みは、例えば、１０μｍ～５０μｍである。バインダー樹脂と組み合わせる導電性材料としては、任意の適切な形態が採用され得るが、ナノワイヤ（代表的には、金属ナノワイヤ）および／またはナノチューブ（代表的には、カーボンナノチューブ）が好ましく用いられる。中でも、金属ナノワイヤが特に好ましく用いられる。例えば、上記導電性および透明性を良好に満足し得るからである。ここで、ナノワイヤとは、中実構造の繊維状で、径がナノメートルサイズの導電性物質をいい、ナノチューブとは、中空構造の繊維状で、径がナノメートルサイズの導電性物質いう。これらの太さは、例えば５ｎｍ～５００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ～５０ｎｍである。これらの長さは、例えば１μｍ～１０００μｍであり、好ましくは１０μｍ～１０００μｍである。導電層１０８は、例えば、バインダー樹脂と導電性材料を含む塗布物を第１の封止層１０６ａ上に塗布し（例えば、インクジェット方式により）、バインダー樹脂の種類に応じた後処理（例えば、熱硬化処理や光硬化処理）を適宜施すことにより形成される。導電層１０８は、封止層１０６の平坦化層としても機能し得る。
　本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体的には、導電層１０８を、例えば、ＩＴＯ膜で構成してもよい。
 

Claims (18)

  1. 　基板と、
    　前記基板の上に配置された複数の画素と、
    　前記複数の画素を覆う第１の無機絶縁層と、
    　前記第１の無機絶縁層の前記複数の画素とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う導電層と、前記導電層の前記第１の無機絶縁層とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う第２の無機絶縁層と、
    　を有する有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記基板の上に、前記複数の画素を含む表示領域が位置し、
    　前記第１の無機絶縁層と前記導電層と前記第２の無機絶縁層とは、前記表示領域を覆い、
    　前記第１の無機絶縁層の一部は、前記表示領域の外側に位置し、
    　前記第２の無機絶縁層の一部は、前記外側に位置し、
    　前記外側で、前記第１の無機絶縁層の端部と前記第２の無機絶縁層の端部とは、平面的に見て重なる、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　前記導電層の一部は、前記外側に位置し、
    　前記導電層の前記一部の端部は、前記第１の無機絶縁層の前記端部と前記表示領域との間に位置する、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記第１の無機絶縁層は、前記第２の無機絶縁層と直に接する領域を有し、
    　前記導電層の全体が、前記第１の無機絶縁層と前記第２の無機絶縁層とによって覆われている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記複数の画素の各々は、下部電極と、前記下部電極の上の発光層と、前記発光層の上の上部電極とを有し、
    　前記第１の無機絶縁層は、前記上部電極の上に位置し、
    　前記第１の無機絶縁層と前記第２の無機絶縁層とは、前記発光層を封止する封止層である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記第２の無機絶縁層の前記導電層とは反対の側に、タッチパネルが位置する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　前記導電層はバインダー樹脂を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　前記導電層はナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　前記導電層はＩＴＯを含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　前記導電層は、樹脂と導電性材料とを含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　前記導電層のシート抵抗が５００Ω／□以下である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  12. 　前記導電層の可視光透過率が５０％以上である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  13. 　各々が下部電極と、前記下部電極の上の発光層と、前記発光層の上の上部電極と、を有する複数の画素と、
    　前記上部電極の上に位置し、前記複数の画素を覆う第１の封止層と、
    　前記第１の封止層の前記複数の画素とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う導電層と、
    　前記導電層の前記第１の封止層とは反対側に位置し、前記複数の画素を覆う第２の封止層と、
    　前記第２の封止層の前記導電層とは反対側に位置するタッチパネルと、を有する有機ＥＬ表示装置。
  14. 　前記第１の封止層は、前記第２の封止層と直に接する領域を有し、
    　前記導電層の全体が、前記第１の封止層と前記第２の封止層とによって覆われている、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  15. 　前記第１の封止層と前記導電層と前記第２の封止層とは、前記複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域の外側とに跨って位置し、
    　前記外側で、前記第１の封止層の端部と前記第２の封止層の端部とは、平面的に見て重なる、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  16. 　前記外側に位置する前記導電層の端部は、前記第１の封止層の前記端部と前記表示領域との間に位置する、請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。
  17. 　前記導電層はバインダー樹脂を含む、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  18. 　前記導電層はナノワイヤおよび／またはナノチューブを含む、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。

     
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