WO2018186051A1 - 電子部品の製造方法、及び、電子部品 - Google Patents
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Abstract
本発明の電子部品の製造方法は、基板上に、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第1の金属膜を有する基層を形成した後、上記第1の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなる第2の金属膜を最表層に形成することにより、2層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、上記第2の金属膜を構成する上記金属とは反応せず、上記第1の金属膜を構成する上記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を上記電極に付与する工程と、を備え、上記第1の金属膜の露出部に上記樹脂が析出する結果、上記電極の少なくとも側面に、上記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする。
Description
本発明は、電子部品の製造方法、及び、電子部品に関する。
基板上に電極が形成された電子部品の構造として、例えば、特許文献1(特開平7-106384号公報)には、基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上にボンディングパッドを形成した構造が開示されている。ボンディングパッドの周辺部は、保護層によって覆われている。
特許文献2(特開平11-330693号公報)には、セラミック基体と、上記セラミック基体上に形成される少なくとも1層の絶縁ガラス層と、上記絶縁ガラス層の表面に形成される導体膜とを備える多層セラミック基板が開示されている。上記導体膜は、上記絶縁ガラス層上に形成される第1の導体層と、上記第1の導体層の周縁部を露出させた状態で上記第1の導体層上に形成される第2の導体層とを備え、上記第1の導体層の周縁部を覆うが上記第2の導体層を覆わないように、上記絶縁ガラス層上に形成される、電気絶縁性の被覆層をさらに備えている。
特許文献1に記載されている保護層、及び、特許文献2に記載されている被覆層のようなソルダーレジスト(以下、オーバーコート層ともいう)は、従来、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによって形成されている。この場合、オーバーコート層を形成するための位置合わせが必要となる。また、位置ずれした場合に備えて、電極の上面の周縁部をオーバーコート層によって覆う必要があり、例えば、スクリーン印刷であれば、電極端部より50μm程度は電極の上面を覆う必要がある。そのため、電極の有効エリアが狭くなり、電極設計に制約が生じる。さらに、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成する方法では、形成可能な最小の線幅等の制約が生じ、電極の狭ピッチ化が制限されるため、配線の高密度化が困難である。また、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーでは、曲面状の基板上に形成された電極や基板の凹面に形成された電極にオーバーコート層を形成することが困難であるため、基板の形状にも制約が生じる。
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、位置合わせを行うことなく、基板上の電極の所望の領域にオーバーコート層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、上記の製造方法により製造することができる、電極設計の自由度が高い電子部品を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、基板上に、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第1の金属膜を有する基層を形成した後、上記第1の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなる第2の金属膜を最表層に形成することにより、2層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、上記第2の金属膜を構成する上記金属とは反応せず、上記第1の金属膜を構成する上記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を上記電極に付与する工程と、を備え、上記第1の金属膜の露出部に上記樹脂が析出する結果、上記電極の少なくとも側面に、上記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法においては、第1の金属膜を構成する金属、すなわち、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与することにより、第1の金属膜の露出部に樹脂が析出し、その結果、電極の少なくとも側面に樹脂からなるオーバーコート層が形成される。この方法では、従来の方法のように位置合わせを行うことなくオーバーコート層を形成することができる。また、樹脂は等方成長するため、薬液の濃度、析出時間、温度を変更することにより、オーバーコート層が形成される領域、及び、オーバーコート層の厚み等を調整することができる。そのため、電極の上面を覆うオーバーコート層の領域を従来の方法に比べて小さくすることができ、さらには、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層を形成することもできる。したがって、電極設計の自由度が高い電子部品が得られる。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記オーバーコート層は、上記電極の上面を覆わないように形成されることが好ましい。
樹脂の析出量を調整することによって、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層を形成することができる。したがって、電極設計の自由度が高い電子部品が得られる。
樹脂の析出量を調整することによって、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層を形成することができる。したがって、電極設計の自由度が高い電子部品が得られる。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第1の金属膜の露出部から離れるほど小さくなることが好ましい。
第1の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を用いると、樹脂は等方成長するため、第1の金属膜の露出部付近のオーバーコート層の厚みを大きく、第1の金属膜の露出部から離れるほどオーバーコート層の厚みを小さくすることができる。
第1の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を用いると、樹脂は等方成長するため、第1の金属膜の露出部付近のオーバーコート層の厚みを大きく、第1の金属膜の露出部から離れるほどオーバーコート層の厚みを小さくすることができる。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記第1の金属膜は、上記基層の最下層に形成されることが好ましい。
第1の金属膜が基層の最下層であると、樹脂の析出量を調整することによって、オーバーコート層の厚みを調整することができる。また、第1の金属膜を基層の最下層に形成することにより、電極の上面までの距離を大きくすることができるため、電極の上面に樹脂をできるだけ析出させず、目的の部分のみに樹脂を析出させるといった調整が容易になる。
第1の金属膜が基層の最下層であると、樹脂の析出量を調整することによって、オーバーコート層の厚みを調整することができる。また、第1の金属膜を基層の最下層に形成することにより、電極の上面までの距離を大きくすることができるため、電極の上面に樹脂をできるだけ析出させず、目的の部分のみに樹脂を析出させるといった調整が容易になる。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法において、上記第2の金属膜は、Au、Pt、Pd、Sn又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法においては、上記第1の金属膜がCuめっき膜であり、上記第2の金属膜がAuめっき膜であることが好ましい。
本発明の一態様に係る電子部品は、基板と、上記基板上に形成された、2層以上の金属膜を有する電極と、上記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、上記電極は、上記基板上に形成され、第1の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第2の金属膜とを有し、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第1の金属膜の側面から離れるほど小さくなることを特徴とする。
本発明の一態様に係る電子部品は、上述した製造方法により製造することができる。この場合、第1の金属膜付近に樹脂を厚く析出させることによって、樹脂を硬化させる際に発生する硬化収縮の引っ張り応力を第1の金属膜付近に集中させることができる。その結果、電極を基板側に押し付ける力を発生させることができるため、電極の密着強度が向上する。
本発明の一態様に係る電子部品において、上記オーバーコート層は、上記電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されていることが好ましい。
電極を構成する各金属膜の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成されていると、電極設計の自由度が高くなる。その結果、電極の狭ピッチ化も可能となる。
電極を構成する各金属膜の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成されていると、電極設計の自由度が高くなる。その結果、電極の狭ピッチ化も可能となる。
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第2の金属膜は、上記基層の上面の全てを覆うように形成されていることが好ましい。
上述した製造方法により電子部品を製造する場合、特許文献2に記載されているように第2の金属膜を第1の金属膜よりも小さくすることなく、オーバーコート層を形成することができる。そのため、電極設計の自由度がより高くなる。
上述した製造方法により電子部品を製造する場合、特許文献2に記載されているように第2の金属膜を第1の金属膜よりも小さくすることなく、オーバーコート層を形成することができる。そのため、電極設計の自由度がより高くなる。
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第1の金属膜は、上記基層の最下層に形成されることが好ましい。
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第1の金属膜は、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなり、上記第2の金属膜は、上記第1の金属膜を構成する上記金属とは異なる金属からなることが好ましい。
本発明の一態様に係る電子部品において、上記第2の金属膜は、Au、Pt、Pd、Sn又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。
本発明の一態様に係る電子部品においては、上記第1の金属膜がCuめっき膜であり、上記第2の金属膜がAuめっき膜であることが好ましい。
本発明によれば、位置合わせを行うことなく、基板上の電極の所望の領域にオーバーコート層を形成することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法、及び、電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の実施形態の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の実施形態の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第2実施形態以降では、第1実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態では、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成される。
本発明の第1実施形態では、電極の上面を覆わないようにオーバーコート層が形成される。
図1(a)、図1(b)、図1(c)及び図1(d)は、本発明の第1実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図1(d)は、本発明の第1実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図でもある。
まず、基板上に、第1の金属膜を有する基層を形成した後、第2の金属膜を最表層に形成することにより、2層以上の金属膜を有する電極を形成する。
図1(a)では、基板10上に、Cuめっき膜21a及びNiめっき膜21bを有する基層21を形成した後、Auめっき膜22を最表層に形成することにより、3層の金属膜を有する電極20を形成している。図1(a)では、Cuめっき膜21aが第1の金属膜であり、Auめっき膜22が第2の金属膜である。
図1(a)には示していないが、Cuめっき膜等のめっき膜は、Ag電極等の下地電極を基板上に形成した後、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって形成される。Ag電極等の下地電極は、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。
本明細書において、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地電極は、電極の基層に含まないものとする。また、電極の基層及び最表層を構成する金属膜は、めっき膜からなることが好ましい。
本明細書において、導電性ペーストを焼き付けることによって形成される下地電極は、電極の基層に含まないものとする。また、電極の基層及び最表層を構成する金属膜は、めっき膜からなることが好ましい。
電極の基層は、第1の金属膜のみを有してもよいし、第1の金属膜に加えて、第1の金属膜以外の金属膜を1層以上有してもよい。基層が2層以上の金属膜を有する場合、第1の金属膜が形成される位置は特に限定されないが、基層の最下層に形成されることが好ましい。また、基層は、第1の金属膜を2層以上有していてもよい。
電極の基層のうち、第1の金属膜を構成する金属は、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金である。
本明細書において、「主成分」とは、元素の存在割合(重量%)が最も大きい元素成分をいう。なお、第1の金属膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、他の元素成分が含まれていてもよい。
本明細書において、「主成分」とは、元素の存在割合(重量%)が最も大きい元素成分をいう。なお、第1の金属膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、他の元素成分が含まれていてもよい。
電極の基層のうち、第1の金属膜以外の金属膜を構成する金属は特に限定されないが、例えば、Ni等が挙げられる。
電極の最表層に形成される第2の金属膜を構成する金属は、第1の金属膜を構成する金属、すなわち、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金とは異なる金属である。第2の金属膜を構成する金属は、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金以外の金属である必要ではなく、第1の金属膜を構成する金属と異なる金属であればよい。例えば、第1の金属膜を構成する金属がCuである場合、第2の金属膜を構成する金属はFeであってもよい。なお、第2の金属膜には、本発明の効果を損なわない範囲において、他の元素成分が含まれていてもよい。
第2の金属膜を構成する金属は特に限定されないが、Au、Pt、Pd、Sn又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金であることが好ましい。
特に、第1の金属膜がCuめっき膜であり、第2の金属膜がAuめっき膜であることが好ましい。この場合、第1の金属膜であるCuめっき膜は、基層の最下層に形成されることがより好ましい。
図1(a)では、第2の金属膜であるAuめっき膜22は、基層21の上面の全てを覆うように形成されており、基層21を構成するNiめっき膜21bは、Cuめっき膜21aの上面の全てを覆うように形成されている。このように、第2の金属膜は、基層の上面の全てを覆うように形成されることが好ましいが、特許文献2に記載されているように、基層の周縁部を露出させた状態で基層上に形成されてもよい。また、基層が2層以上の金属膜を有する場合、上層の金属膜は、下層の金属膜の上面の全てを覆うように形成されることが好ましいが、下層の金属膜の周縁部を露出させた状態で下層の金属膜上に形成されてもよい。
なお、電極の表面形状は平坦でなくてもよく、例えば、電極表面の周縁に突起部が形成されていてもよい。
基板は、樹脂又はセラミック等からなる配線基板であり、通常、樹脂層又はセラミック層等の層間に内層電極パターンが形成されている多層基板である。セラミック基板としては、例えば、低温焼結セラミック(LTCC)基板等が挙げられる。LTCC基板は、内層電極パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートを積み重ねて積層体とした後、一体的に焼成されることによって形成される。
なお、基板は、チップコンデンサ又はチップコイル等の素子を表裏面に実装する基板に限定されず、コンデンサ又はコイル等の素子が内層電極パターンにて形成され内蔵されている多層基板であってもよい。
次に、第2の金属膜を構成する金属とは反応せず、第1の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与する。薬液を電極に付与する方法は特に限定されないが、電極が形成された基板を薬液に浸漬する方法が好ましい。
上記薬液が第1の金属膜を構成する金属と反応することにより、第1の金属膜の露出部に樹脂が析出する。第1の金属膜を構成する金属に応じて、例えば、Cuと選択的に反応して樹脂が析出する薬液、Feと選択的に反応して樹脂が析出する薬液、Agと選択的に反応して樹脂が析出する薬液等が用いられる。このような薬液としては、例えば、日本パーカライジング株式会社製「パルミック」等が挙げられる。
基層が第1の金属膜以外の金属膜を有する場合、上記薬液は、第2の金属膜を構成する金属と反応しないだけでなく、第1の金属膜以外の金属膜を構成する金属とも反応しないことが好ましい。
図1(b)では、Au及びNiとは反応せず、Cuと選択的に反応する薬液を用いることにより、第1の金属膜であるCuめっき膜21aの露出部に樹脂31が析出する。
第1実施形態では、樹脂の析出量を調整することにより、図1(c)に示すように、電極20の上面20αを覆わない状態まで樹脂31を析出させる。図1(c)では、電極20の側面20βのうち、Cuめっき膜21a及びNiめっき膜21bの側面に樹脂31が析出しているが、Auめっき膜22の側面の一部に樹脂31が析出してもよい。このような樹脂としては、例えば、アクリル樹脂が挙げられるが、樹脂の種類はこれに限定されず、アクリル樹脂以外の樹脂であってもよい。
その後、例えば、150℃、20分間の条件で加熱して樹脂を硬化させる。これにより、図1(d)に示すように、電極20の側面20βに、樹脂からなるオーバーコート層30が形成される。図1(d)において、オーバーコート層30は、電極20の上面20αを覆わないように形成される。
以上により、電子部品1が得られる。
図1(d)に示す電子部品1では、Auめっき膜22は、基層21の上面の全てを覆うように形成されており、基層21を構成するNiめっき膜21bは、Cuめっき膜21aの上面の全てを覆うように形成されているため、オーバーコート層30は、Cuめっき膜21a、Niめっき膜21b及びAuめっき膜22の上面を覆わないように形成されている。このように、オーバーコート層は、電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されていることが好ましい。
図1(d)に示す電子部品1では、電極20の側面20βに形成されるオーバーコート層30の厚みは、第1の金属膜であるCuめっき膜21aの側面から離れるほど小さくなっている。このように、電極の側面に形成されるオーバーコート層の厚みは、第1の金属膜の側面から離れるほど小さくなることが好ましい。
上記の製造方法により製造される電子部品は、基板と、上記基板上に形成された、2層以上の金属膜を有する電極と、上記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、上記電極は、上記基板上に形成され、第1の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第2の金属膜とを有し、上記電極の側面に形成される上記オーバーコート層の厚みは、上記第1の金属膜の側面から離れるほど小さくなっている。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態では、電極の上面の一部を覆うようにオーバーコート層が形成される。
本発明の第2実施形態では、電極の上面の一部を覆うようにオーバーコート層が形成される。
図2(a)、図2(b)、図2(c)及び図2(d)は、本発明の第2実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。図2(d)は、本発明の第2実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図でもある。
まず、基板上に、第1の金属膜を有する基層を形成した後、第2の金属膜を最表層に形成することにより、2層以上の金属膜を有する電極を形成する。
図2(a)では、基板10上に、Cuめっき膜21a及びNiめっき膜21bを有する基層21を形成した後、Auめっき膜22を最表層に形成することにより、3層の金属膜を有する電極20を形成している。図2(a)では、Cuめっき膜21aが第1の金属膜であり、Auめっき膜22が第2の金属膜である。
電極を形成する方法、電極の構成、基板の構成等は、第1実施形態と同じである。
次に、第2の金属膜を構成する金属とは反応せず、第1の金属膜を構成する金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を電極に付与する。
薬液を電極に付与する方法、薬液の種類等は、第1実施形態と同じである。
図2(b)では、Au及びNiとは反応せず、Cuと選択的に反応する薬液を用いることにより、第1の金属膜であるCuめっき膜21aの露出部に樹脂31が析出する。
第2実施形態では、樹脂の析出量を調整することにより、図2(c)に示すように、電極20の上面20αの一部を覆う状態まで樹脂31を析出させる。電極の上面を覆う樹脂の量は特に限定されないが、電極端部より数μm程度であることが好ましい。
その後、例えば、150℃、20分間の条件で加熱して樹脂を硬化させる。これにより、図2(d)に示すように、電極20の側面20βに、樹脂からなるオーバーコート層30が形成される。図2(d)において、オーバーコート層30は、電極20の上面20αの一部を覆うように形成される。
以上により、電子部品2が得られる。
図2(d)に示す電子部品2では、電極20の側面20βに形成されるオーバーコート層30の厚みは、第1の金属膜であるCuめっき膜21aの側面から離れるほど小さくなっている。このように、電極の側面に形成されるオーバーコート層の厚みは、第1の金属膜の側面から離れるほど小さくなることが好ましい。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態では、曲面状の基板上に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第1実施形態又は第2実施形態で説明した方法と同じである。
本発明の第3実施形態では、曲面状の基板上に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第1実施形態又は第2実施形態で説明した方法と同じである。
図3は、本発明の第3実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図3に示す電子部品3は、曲面状の基板11と、基板11上に形成された、2層以上の金属膜を有する電極20と、電極20の側面20βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層30と、を備えている。オーバーコート層30は、電極20の上面20αを覆わないように形成されている。
図3に示す電子部品3は、曲面状の基板11と、基板11上に形成された、2層以上の金属膜を有する電極20と、電極20の側面20βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層30と、を備えている。オーバーコート層30は、電極20の上面20αを覆わないように形成されている。
第3実施形態において、オーバーコート層は、第1実施形態のように、電極の上面を覆わないように形成されていることが好ましいが、第2実施形態のように、電極の上面の一部を覆うように形成されていてもよい。
基板の形状が異なることを除いて、電子部品の他の構成は、第1実施形態又は第2実施形態と同じである。
曲面状の基板上に電極が形成されている場合、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成することは困難であるが、第1実施形態又は第2実施形態で説明した薬液を用いる方法では、オーバーコート層を容易に形成することができる。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態では、基板の凹面に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第1実施形態又は第2実施形態で説明した方法と同じである。
本発明の第4実施形態では、基板の凹面に形成された電極に対してオーバーコート層が形成される。オーバーコート層を形成する方法は、第1実施形態又は第2実施形態で説明した方法と同じである。
図4は、本発明の第4実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図4に示す電子部品4は、凹面を有する基板12と、基板12の凹面に形成された、2層以上の金属膜を有する電極20と、電極20の側面20βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層30と、を備えている。オーバーコート層30は、電極20の上面20αを覆わないように形成されている。
図4に示す電子部品4は、凹面を有する基板12と、基板12の凹面に形成された、2層以上の金属膜を有する電極20と、電極20の側面20βに形成された、樹脂からなるオーバーコート層30と、を備えている。オーバーコート層30は、電極20の上面20αを覆わないように形成されている。
第4実施形態において、オーバーコート層は、第1実施形態のように、電極の上面を覆わないように形成されていることが好ましいが、第2実施形態のように、電極の上面の一部を覆うように形成されていてもよい。
基板の形状が異なることを除いて、電子部品の他の構成は、第1実施形態又は第2実施形態と同じである。
基板の凹面に電極が形成されている場合、スクリーン印刷又はフォトリソグラフィーによってオーバーコート層を形成することは困難であるが、第1実施形態又は第2実施形態で説明した薬液を用いる方法では、オーバーコート層を容易に形成することができる。
(その他の実施形態)
第3実施形態及び第4実施形態で説明した基板の形状に限らず、第1実施形態又は第2実施形態で説明した薬液を用いる方法では、任意の形状を有する基板上に形成されている電極に対してオーバーコート層を形成することができる。
第3実施形態及び第4実施形態で説明した基板の形状に限らず、第1実施形態又は第2実施形態で説明した薬液を用いる方法では、任意の形状を有する基板上に形成されている電極に対してオーバーコート層を形成することができる。
1,2,3,4 電子部品
10,11,12 基板
20 電極
20α 電極の上面
20β 電極の側面
21 基層
21a Cuめっき膜(第1の金属膜)
21b Niめっき膜
22 Auめっき膜(第2の金属膜、最表層)
30 オーバーコート層
31 樹脂
10,11,12 基板
20 電極
20α 電極の上面
20β 電極の側面
21 基層
21a Cuめっき膜(第1の金属膜)
21b Niめっき膜
22 Auめっき膜(第2の金属膜、最表層)
30 オーバーコート層
31 樹脂
Claims (13)
- 基板上に、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる第1の金属膜を有する基層を形成した後、前記第1の金属膜を構成する前記金属とは異なる金属からなる第2の金属膜を最表層に形成することにより、2層以上の金属膜を有する電極を形成する工程と、
前記第2の金属膜を構成する前記金属とは反応せず、前記第1の金属膜を構成する前記金属と選択的に反応して樹脂が析出する薬液を前記電極に付与する工程と、を備え、
前記第1の金属膜の露出部に前記樹脂が析出する結果、前記電極の少なくとも側面に、前記樹脂からなるオーバーコート層が形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記オーバーコート層は、前記電極の上面を覆わないように形成される請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記電極の側面に形成される前記オーバーコート層の厚みは、前記第1の金属膜の露出部から離れるほど小さくなる請求項1又は2に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属膜は、前記基層の最下層に形成される請求項1~3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第2の金属膜は、Au、Pt、Pd、Sn又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる請求項1~4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属膜がCuめっき膜であり、前記第2の金属膜がAuめっき膜である請求項1~4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された、2層以上の金属膜を有する電極と、
前記電極の側面に形成された、樹脂からなるオーバーコート層と、を備え、
前記電極は、前記基板上に形成され、第1の金属膜を有する基層と、最表層に形成された第2の金属膜とを有し、
前記電極の側面に形成される前記オーバーコート層の厚みは、前記第1の金属膜の側面から離れるほど小さくなることを特徴とする電子部品。 - 前記オーバーコート層は、前記電極を構成する各金属膜の上面を覆わないように形成されている請求項7に記載の電子部品。
- 前記第2の金属膜は、前記基層の上面の全てを覆うように形成されている請求項7又は8に記載の電子部品。
- 前記第1の金属膜は、前記基層の最下層に形成される請求項7~9のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記第1の金属膜は、Cu、Fe、Ag又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなり、
前記第2の金属膜は、前記第1の金属膜を構成する前記金属とは異なる金属からなる請求項7~10のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記第2の金属膜は、Au、Pt、Pd、Sn又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金からなる請求項11に記載の電子部品。
- 前記第1の金属膜がCuめっき膜であり、前記第2の金属膜がAuめっき膜である請求項7~10のいずれか1項に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019511093A JP6828809B2 (ja) | 2017-04-04 | 2018-02-26 | 電子部品の製造方法、及び、電子部品 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017074474 | 2017-04-04 | ||
JP2017-074474 | 2017-04-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018186051A1 true WO2018186051A1 (ja) | 2018-10-11 |
Family
ID=63713219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/006942 WO2018186051A1 (ja) | 2017-04-04 | 2018-02-26 | 電子部品の製造方法、及び、電子部品 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6828809B2 (ja) |
WO (1) | WO2018186051A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63164491A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | 三菱電線工業株式会社 | 回路基板並びにその製造方法 |
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-
2018
- 2018-02-26 JP JP2019511093A patent/JP6828809B2/ja active Active
- 2018-02-26 WO PCT/JP2018/006942 patent/WO2018186051A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6828809B2 (ja) | 2021-02-10 |
JPWO2018186051A1 (ja) | 2020-01-16 |
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