WO2018168923A1 - 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム - Google Patents

制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム Download PDF

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Definitions

  • Control device and control method for controlling spatial light modulator used in exposure apparatus, exposure apparatus and exposure method using this control method, device manufacturing method using this exposure method, spatial light modulation used in exposure apparatus TECHNICAL FIELD The present invention relates to a data generation method for generating control data for controlling a device, and a technical field of a program for executing this control method or data generation method.
  • an exposure apparatus including a spatial light modulator (SLM) having a plurality of optical elements (for example, micromirrors) that can reflect incident light Patent Document 1. reference.
  • an exposure apparatus including a spatial light modulator having a plurality of optical elements (for example, liquid crystal elements) each capable of transmitting incident light has also been proposed (see Patent Document 1).
  • There is room for improvement in the quality of the intensity of the aerial image formed by the light that passes through the spatial light modulator for example, the quality of the intensity distribution).
  • a first aspect is a control device that controls a spatial light modulator that is used in an exposure apparatus including a projection optical system that projects a pattern image onto an object, and includes a plurality of optical elements whose states can be changed.
  • the state of the plurality of optical elements located in the first region is in the first state so that a part of light from the plurality of optical elements located in the first region is incident on the projection optical system.
  • the first optical element and the second optical element in a second state different from the first state are set to a first distribution distributed in a first distribution pattern, and the first optical element is incident on the projection optical system.
  • the states of the plurality of optical elements located in the second region adjacent to the first region are changed to the first optical component and the second optical component.
  • the element is different from the first distribution pattern
  • an exposure apparatus that projects light from a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed onto an object via a projection optical system and projects a pattern image onto the object.
  • a third aspect is a control device that controls a spatial light modulator that is used in an exposure apparatus that transfers a pattern to an object, and that includes a plurality of optical elements whose states can be changed, and is located in the first region.
  • the first optical element in the first state and the second optical element in the second state different from the first state are distributed in a first distribution pattern in the state of the plurality of optical elements.
  • the distribution of the plurality of optical elements positioned in the second region adjacent to the first region is different from the first distribution pattern in the first optical element and the second optical element. It is a control apparatus which sets to the 2nd distribution distributed by 2 distribution patterns.
  • a fourth aspect is a control device that controls a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed, the first diffracted light emitted from the first region on the spatial light modulator, The state of the plurality of optical elements located in the first region and the second state so that the second diffracted light emitted from the second region different from the first region on the spatial light modulator interferes with each other. It is a control apparatus which sets the state of the some optical element located in 2 area
  • a fifth aspect is a control device for controlling a spatial light modulator including a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable, Among the plurality of optical elements of the spatial light modulator, a plurality of optical elements located in a first region are defined by an optical element in a first state and an optical element in a second state different from the first state.
  • the optical elements in the state are set to be arranged in a second rule different from the first rule, and the region where the optical elements in the first and second states are arranged in the first rule includes the second region
  • the state of the optical element in the region including the second region is different from the state of the optical element in the second region.
  • a 6th aspect is a control apparatus which controls a spatial light modulator provided with the some optical element which each state can change between a 1st state and a 2nd state and was arranged along the arrangement
  • the state of the plurality of optical elements is set so that the first group of optical elements has periodicity with respect to the periodic direction, and the second group of the plurality of optical elements is different from the first group.
  • the state is set so that the optical element has periodicity in the periodic direction, and the period of the plurality of optical elements in the first group and the period of the plurality of optical elements in the second group are the period. It is a control device that is in different phases with respect to direction.
  • a seventh aspect is a control device for controlling a spatial light modulator including a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable, Two optical elements of the plurality of optical elements are set such that an optical element in a first state and an optical element in a second state different from the first state are aligned along a third direction, and the plurality of optical elements Two optical elements different from the two optical elements are set such that the optical element in the second state and the optical element in the first state are aligned along the third direction, and the two optical elements A control device in which an element and the two different optical elements are adjacent to each other, or an even number of the optical elements are positioned between the two optical elements and the two different optical elements.
  • An eighth aspect is a control device for controlling a spatial light modulator including a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable, The first optical element of the plurality of optical elements is set to the first state, and the second optical element adjacent to the third direction side of the first optical element of the plurality of optical elements is different from the first state.
  • a third optical element that is set to the second state and that is different from the first and second optical elements among the plurality of optical elements is set to the second state, and the third optical element among the plurality of optical elements is set
  • the fourth optical element adjacent to the third direction side is set to the first state, and the first optical element and the third optical element are at the same position with respect to the first direction, or Between the first optical element and the third optical element in one direction Odd number of said optical element is a control device for intervening.
  • a ninth aspect is a control method for controlling a spatial light modulator that is used in an exposure apparatus including a projection optical system that projects a pattern image onto an object, and includes a plurality of optical elements whose states can be changed.
  • the state of the plurality of optical elements located in the first region is in the first state so that a part of light from the plurality of optical elements located in the first region is incident on the projection optical system.
  • the first optical element and the second optical element in a second state different from the first state are set to a first distribution distributed in a first distribution pattern, and the first optical element is incident on the projection optical system.
  • the states of the plurality of optical elements located in the second region adjacent to the first region are changed to the first optical component and the second optical component.
  • the element is different from the first distribution pattern
  • an exposure apparatus that projects light from a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed onto an object via a projection optical system and projects a pattern image onto the object.
  • An eleventh aspect is a control method for controlling a spatial light modulator that is used in an exposure apparatus that transfers a pattern to an object and includes a plurality of optical elements whose states can be changed, and is located in the first region.
  • the first optical element in the first state and the second optical element in the second state different from the first state are distributed in a first distribution pattern in the state of the plurality of optical elements.
  • the distribution of the plurality of optical elements positioned in the second region adjacent to the first region is different from the first distribution pattern in the first optical element and the second optical element.
  • This is a control method for setting the second distribution distributed in the two distribution patterns.
  • a twelfth aspect is a control method for controlling a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed, the first diffracted light emitted from the first region on the spatial light modulator, The state of the plurality of optical elements located in the first region and the second state so that the second diffracted light emitted from the second region different from the first region on the spatial light modulator interferes with each other.
  • This is a control method for setting the states of a plurality of optical elements located in two regions.
  • a thirteenth aspect is a control method for controlling a spatial light modulator including a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable, Among the plurality of optical elements of the spatial light modulator, a plurality of optical elements located in a first region are defined by an optical element in a first state and an optical element in a second state different from the first state.
  • a plurality of optical elements located in a second region different from the first region among the plurality of optical elements of the spatial light modulator, the optical element in the first state and the optical element in the first state The second state optical elements are arranged in a second rule different from the first rule, and the region where the first and second state optical elements are arranged in the first rule When expanded to include the second region, the second region
  • the state of the optical elements in the region encompassing, the state of the optical element in the second region are mutually different control methods.
  • an exposure apparatus for projecting light from a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed onto an object via a projection optical system and projecting a pattern image onto the object.
  • an exposure apparatus that projects light from a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed onto an object via a projection optical system and projects a pattern image onto the object.
  • a control method for controlling the spatial light modulator comprising a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable. Two optical elements of the plurality of optical elements, such that an optical element in a first state and an optical element in a second state different from the first state are aligned along a third direction.
  • two optical elements different from the two optical elements among the plurality of optical elements, the optical element in the second state and the optical element in the first state are arranged along the third direction And including setting One of the optical elements and said two different optical elements are adjacent, or wherein the optical element of the even rows between the two optical elements and the two different optical element is a control method for position.
  • an exposure apparatus for projecting light from a spatial light modulator including a plurality of optical elements whose states can be changed onto an object via a projection optical system and projecting a pattern image onto the object.
  • a control method for controlling the spatial light modulator comprising a plurality of optical elements arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, each state being changeable.
  • a first optical element among the plurality of optical elements is set to a first state, and a second adjacent to the third direction side of the first optical element among the plurality of optical elements.
  • a seventeenth aspect includes a spatial light modulator and a controller that controls the spatial light modulator, and the controller executes the control method according to any one of the ninth to sixteenth aspects described above.
  • An eighteenth aspect is an exposure apparatus comprising a spatial light modulator and the control device according to any one of the first to eighth aspects described above for controlling the spatial light modulator.
  • a nineteenth aspect is an exposure method for transferring a pattern to an object, wherein a plurality of optical elements included in the spatial light modulator are provided using the control method according to any one of the ninth to sixteenth aspects described above.
  • An exposure method that sets a state and exposes the object using light exposure through the spatial light modulator.
  • the twentieth aspect is an exposure method for transferring a pattern to an object, and includes exposing the object using the exposure apparatus according to the eighteenth aspect described above.
  • the object coated with a photosensitive agent is exposed using the exposure method in the nineteenth or twentieth aspect described above, a desired pattern is transferred to the object, and the exposed photosensitive agent is exposed. Is developed to form an exposure pattern layer corresponding to the desired pattern, and the object is processed through the exposure pattern layer.
  • a twenty-second aspect is a data generation method for generating control data of a spatial light modulator that is used together with an exposure apparatus that transfers a pattern to an object and includes a plurality of optical elements whose states can be changed.
  • the plurality of optical elements located in the region are divided into a first distribution pattern in which a first optical element in a first state and a second optical element in a second state different from the first state are in a first distribution pattern.
  • First setting data for setting the first distribution to be distributed is generated as a part of the control data, and the states of the plurality of optical elements located in the second region adjacent to the first region are set as the first data.
  • Second setting data for setting a second distribution in which one optical element and the second optical element are distributed in a second distribution pattern different from the first distribution pattern is generated as a part of the control data.
  • a twenty-third aspect is a data generation method for generating control data of a spatial light modulator that is used with an exposure apparatus including a projection optical system that projects a pattern image onto an object and includes a plurality of optical elements whose states can be changed. Setting data for setting the states of the plurality of optical elements so as to reduce the influence of the light traveling from the spatial light modulator to the outside of the pupil of the projection optical system on the projection of the pattern.
  • control method is executed by a controller connected to the spatial light modulator and changing each state of the plurality of optical elements. It is a program.
  • the twenty-fifth aspect is a program that causes a computer to execute the data generation method according to the twenty-second or twenty-third aspect described above.
  • FIG. 1 is a side view showing an example of the structure of the exposure apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 2A is a plan view showing the structure of the light modulation surface of the spatial light modulator
  • FIG. 2B is a perspective view showing the structure of a part of the light modulation surface of the spatial light modulator.
  • 2 (c) is a perspective view showing the configuration of one mirror element of the spatial light modulator
  • FIG. 2 (d) is a side view showing two states that the mirror element included in the spatial light modulator can take.
  • FIG. FIG. 3A is a plan view showing an example of the movement path of the exposure region on the surface of the wafer.
  • FIGS. 3B and 3C shows an example of the state of a plurality of mirror elements.
  • FIG. 4A is a block diagram illustrating the structure of the pattern design apparatus
  • FIGS. 4B and 4C are block diagrams illustrating examples of the installation positions of the pattern design apparatus.
  • FIG. 5 is a flowchart showing the flow of the pattern design operation performed by the pattern design apparatus.
  • 6A is a graph showing the intensity distribution of the exposure light through the mask together with the mask
  • FIG. 6B is a graph showing the intensity distribution of the exposure light through the spatial light modulator and the state of the mirror element. It is a graph shown with.
  • FIG. 7A is a plan view showing a part of mirror elements corresponding to the vicinity of the boundary between the opening and the light shielding portion
  • FIG. 7B is a graph showing the polarity of the amplitude of the exposure light.
  • FIG. 8A and 8B are plan views showing amplitude components obtained by decomposing the amplitude distribution of the exposure light EL3 via the mirror element shown in FIG. 7A, respectively.
  • FIG. 9A is a graph showing the spectrum of exposure light shown in the second stage of FIG. 8B
  • FIG. 9B is the spectrum of exposure light shown in the third stage of FIG. 8B. It is a graph which shows (especially the spectrum of the 1st-order diffracted light of exposure light).
  • FIG. 10 is a plan view showing a plurality of divided regions obtained by dividing a light shielding region where a plurality of mirror elements corresponding to the light shielding portion are located.
  • FIG. 11A and FIG. 11B are plan views each showing an array pattern candidate set for each divided region.
  • FIG. 12A is a plan view showing a plurality of divided regions obtained by dividing a light shielding region where a plurality of mirror elements corresponding to the light shielding portion are located
  • FIG. 12B is a plan view in real space. It is a top view which shows a certain division area.
  • FIG. 13A is a plan view showing two divided regions adjacent to each other in a direction intersecting with each of the X-axis direction and the Y-axis direction, and FIG. It is a top view which shows the arrangement
  • FIG.13 (c) is a figure of exposure light through the division area where the arrangement pattern shown to Fig.13 (a) was set.
  • FIG. 13A is a plan view showing a plurality of divided regions obtained by dividing a light shielding region where a plurality of mirror elements corresponding to the light shielding portion are located
  • FIG. 12B is a plan view in real space. It is a top view which shows a certain division area
  • FIG. 13D is a graph showing the intensity distribution of the exposure light through the divided areas in which the arrangement pattern shown in FIG. 13B is set.
  • FIG. 14A is a plan view showing two divided regions adjacent along the X-axis direction, and FIG. 14B shows two divided regions shown in FIG. 14A by intensity distribution compensation processing. It is a top view which shows the arrangement
  • FIG.14 (c) is a graph which shows intensity distribution of an aerial image.
  • FIG. 15A is a plan view showing four divided areas set with the same arrangement pattern, and FIG. 15B shows the intensity of exposure light through the four divided areas shown in FIG. It is a graph which shows distribution.
  • FIG. 14A is a plan view showing two divided regions adjacent along the X-axis direction
  • FIG. 14B shows two divided regions shown in FIG. 14A by intensity distribution compensation processing. It is a top view which shows the arrangement
  • FIG.14 (c) is a graph which shows intensity distribution of an aerial image.
  • FIG. 16A is a plan view showing four divided regions in which different array patterns are set in two divided regions adjacent to each other along the direction intersecting both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • FIG. 16B is a graph showing the intensity distribution of the exposure light through the four divided regions shown in FIG.
  • FIG. 17A is a plan view showing 16 divided regions obtained by further dividing each of the four divided regions shown in FIG. 16A, and FIG. It is a graph which shows intensity distribution of exposure light through 16 division fields shown in a).
  • FIGS. 18A to 18C are plan views showing four divided regions in which different arrangement patterns are set in the two divided regions.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a microdevice.
  • each of the X-axis direction and the Y-axis direction is a horizontal direction (that is, a predetermined direction in the horizontal plane), and the Z-axis direction is a vertical direction (that is, a direction orthogonal to the horizontal plane). Yes, in the vertical direction).
  • the rotation directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are referred to as a ⁇ X direction, a ⁇ Y direction, and a ⁇ Z direction, respectively.
  • Exposure apparatus 1 The exposure apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 1 is a side view showing an example of the structure of the exposure apparatus 1 of the present embodiment.
  • the exposure apparatus 1 includes a light source 11, an illumination optical system 12, a mirror 13, a spatial light modulator (SLM) 14, a projection optical system 15, a stage 16, And a controller 17.
  • a light source 11 an illumination optical system 12
  • a mirror 13 a spatial light modulator (SLM) 14
  • SLM spatial light modulator
  • the light source 11 is controlled by the controller 17 and emits exposure light EL1.
  • the light source 11 emits pulsed light that repeats blinking at a predetermined frequency as the exposure light EL1. That is, the light source 11 emits pulsed light emitted at a predetermined frequency at a predetermined light emission time (hereinafter, the light emission time is referred to as “pulse width”).
  • the light source 11 may emit pulsed light with a pulse width of 50 ns at a frequency of 4 kHz to 6 kHz.
  • the exposure light EL1 pulsed from the light source 11 may be ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm.
  • the illumination optical system 12 includes an illuminance uniformizing optical system having an optical integrator such as a fly-eye lens or a rod-type integrator, and an illumination field stop (whichever (Not shown) may also be included.
  • the illumination optical system 12 equalizes the light amount EL1 of the exposure light from the light source 11 and emits it as exposure light EL2.
  • the light modulation surface 14a of the spatial light modulator 14 is illuminated by the exposure light EL2.
  • a rectangular illumination area defined by the illumination field stop (masking system) of the illumination optical system 12 is formed on the light modulation surface 14a of the spatial light modulator.
  • the illumination optical system 12 may include a beam intensity distribution changing unit that changes the intensity distribution of the exposure light EL2 on the light modulation surface 14a.
  • the mirror 13 deflects the exposure light EL2 output from the illumination optical system 12 and guides it to the light modulation surface 14a of the spatial light modulator 14.
  • the spatial light modulator 14 includes a plurality of mirror elements 141 arranged two-dimensionally as will be described later.
  • the surface on which the plurality of mirror elements 141 are arranged is referred to as a light modulation surface 14a.
  • the light modulation surface 14a is irradiated with exposure light EL2 propagating from the illumination optical system 12 via the mirror 13.
  • the light modulation surface 14a is a plane parallel to the XY plane and intersects the traveling direction of the exposure light EL2.
  • the light modulation surface 14a has a rectangular shape.
  • the exposure light EL2 illuminates the light modulation surface 14a with a substantially uniform illuminance distribution.
  • the spatial light modulator 14 reflects the exposure light EL ⁇ b> 2 irradiated on the light modulation surface 14 a of the spatial light modulator 14 toward the projection optical system 15.
  • the spatial light modulator 14 spatially modulates the exposure light EL2 according to a device pattern to be transferred to the wafer 161 (that is, a pattern image to be projected onto the wafer 161).
  • spatial modulation of light means the amplitude (intensity) of the light, the phase of the light, the polarization state of the light, the wavelength of the light, and the direction of travel of the light (in other words, in other words, in the cross-section crossing the light traveling direction It may mean that the distribution of the optical characteristic which is at least one of the deflection states is changed.
  • the spatial light modulator 14 is a reflective spatial light modulator.
  • the spatial light modulator 14 includes a plurality of mirror elements 141.
  • FIG. 2B is a drawing in which a part of the plurality of mirror elements 141 shown in FIG.
  • the plurality of mirror elements 141 are arranged in a two-dimensional array (in other words, in a matrix) on the XY plane, which is a plane parallel to the light modulation surface 14a.
  • the number of arrays of the plurality of mirror elements 141 along the Y-axis direction is several hundred to several thousand.
  • the number of arrangement of the plurality of mirror elements 141 along the X-axis direction is several to several tens of times the number of arrangement of the plurality of mirror elements 141 along the Y-axis direction.
  • An example of the number of arrangement of the plurality of mirror elements 141 along the X-axis direction is several hundred to several tens of thousands.
  • the plurality of mirror elements 141 are arranged so as to have a predetermined arrangement interval px along the X-axis direction and a predetermined arrangement interval py along the Y-axis direction.
  • An example of the arrangement interval px is, for example, 10 micrometers to 1 micrometer.
  • An example of the arrangement interval py is, for example, 10 micrometers to 1 micrometer.
  • Each mirror element 141 has a square shape (or other arbitrary plate shape).
  • the size of each mirror element 141 in the X-axis direction and the Y-axis direction is smaller than the above-described arrangement intervals px and py, respectively, because the position and / or posture of each mirror element 141 is changed. That is, a gap 142 that does not constitute the mirror element 141 exists between the two mirror elements 141 adjacent in the X-axis direction and between the two mirror elements 141 adjacent in the Y-axis direction.
  • each mirror element 141 in the X-axis direction and the Y-axis direction is the same as the above-described arrangement intervals px and py (that is, It is estimated that it is technically difficult to manufacture each mirror element 141 so that there is no gap 142).
  • the shape and size of each mirror element 141 may be arbitrary (for example, the size of each mirror element 141 in the X-axis direction and the Y-axis direction may be substantially the same as the above-described arrangement intervals px and py). Good).
  • the surface irradiated with the exposure light EL2 is a reflection surface 141a that reflects the exposure light EL2.
  • the surface located on the ⁇ Z direction side is a reflecting surface 141a.
  • a reflective film is formed on the reflective surface 141a.
  • the reflective film of the reflective surface 141a for example, a metal film or a dielectric multilayer film may be used.
  • a set of the reflecting surfaces 141a of the plurality of mirror elements 141 substantially becomes the light modulation surface 14a irradiated with the exposure light EL2.
  • each mirror element 141 of the spatial light modulator 14 is connected to the hinge portion 144 by the first connection member 143.
  • the hinge part 144 has flexibility capable of bending in the Z-axis direction using elastic deformation.
  • the hinge portion 144 is supported by a pair of post portions 145 provided on the support substrate 149.
  • the hinge part 144 is provided with a second connection member 147 that connects the anchor part 146 and the hinge part 144 that receive an action of electrostatic force (attraction or repulsion) by an electrode 148 described later.
  • the anchor part 146 and the mirror element 141 are mechanically connected via the first connection member 143, the second connection member 147, and the hinge part 144.
  • An electrode 148 is formed on the surface of the support substrate 149.
  • the post portions 145 are not limited to a pair, and may be two or more.
  • an electrostatic force acts between the back surface of the anchor portion 146 and the electrode 148.
  • the anchor portion 146 moves to the support substrate 149 side, and the mirror element 141 moves to the support substrate 149 side along with this movement. To do.
  • each mirror element 141 is along the direction orthogonal to the reflecting surface 141a (that is, the Z-axis direction) due to the electrostatic force acting between the anchor portion 146 and the electrode 148 and the elastic force of the hinge portion 144. Switch between two states with different positions. For example, as shown on the left side of FIG. 2D, when an electrostatic force is not acting between the anchor portion 146 and the electrode 148 (that is, when the hinge portion 144 is not bent), each mirror element 141 is a first state in which the reflecting surface 141a of each mirror element 141 coincides with the reference plane A1. For example, as shown on the right side of FIG.
  • each mirror element 141 when an electrostatic force is acting between the anchor portion 146 and the electrode 148 (that is, when the hinge portion 144 is bent), each mirror element 141 represents a second state in which the reflecting surface 141a of each mirror element 141 coincides with a displacement plane A2 shifted by a distance d1 from the reference plane A1 toward the + Z direction.
  • the reflection surface 141a of the mirror element 141 in the second state is at a position shifted by a distance d1 from the reflection surface 141a of the mirror element 141 in the first state toward the + Z direction side. Therefore, the phase of the wavefront of the exposure light EL3 obtained when the mirror element 141 in the second state reflects the exposure light EL2, and the mirror element 141 in the first state reflects the exposure light EL2. It is different from the wavefront phase of the exposure light EL3. This phase difference corresponds to a length twice the distance d1. In the present embodiment, the distance d1 is equal to 1 ⁇ 4 of the wavelength ⁇ of the exposure light EL1.
  • the phase of the wavefront of the exposure light EL3 obtained by the mirror element 141 in the second state reflecting the exposure light EL2 is obtained by the mirror element 141 in the first state reflecting the exposure light EL2.
  • the first state is referred to as “0 state” and the second state is referred to as “ ⁇ state”.
  • the spatial light modulator 14 controls the state of the plurality of mirror elements 141 under the control of the controller 17 in accordance with a device pattern to be transferred to the wafer 161 (that is, a pattern image to be projected onto the wafer 161, the same applies hereinafter).
  • a device pattern to be transferred to the wafer 161 that is, a pattern image to be projected onto the wafer 161, the same applies hereinafter.
  • the pattern design apparatus 2 determines the states of the plurality of mirror elements 141 according to the device pattern to be transferred to the wafer 161. For example, the pattern design apparatus 2 determines the states of the plurality of mirror elements 141 by determining whether each of the plurality of mirror elements 141 should be in the 0 state or the ⁇ state.
  • the controller 17 acquires modulation pattern data defining the states of the plurality of mirror elements 141 from the pattern design device 2.
  • the controller 17 controls the state of the plurality of mirror elements 141 based on the modulation pattern data.
  • the projection optical system 15 projects a bright and dark pattern image on the wafer 161 with the exposure light EL3 spatially modulated by the spatial light modulator.
  • the projection optical system 15 projects a pattern image corresponding to the spatial modulation by the spatial light modulator 14 onto the surface of the wafer 161 (specifically, the surface of the resist film coated on the wafer 161) with the exposure light EL3. .
  • the projection optical system 15 projects the exposure light EL3 onto a planar exposure area ELA set on the surface of the wafer 161. That is, the projection optical system 15 projects the exposure light EL3 onto the exposure area ELA so that the planar exposure area ELA set on the surface of the wafer 161 is exposed by the exposure light EL3.
  • the optical axis AX of the projection optical system 15 is orthogonal to the planar exposure area ELA.
  • the planar exposure area ELA is formed at a position deviating from the optical axis AX of the projection optical system 15.
  • a predetermined area deviated from a portion where the surface of the wafer 161 and the optical axis AX of the projection optical system 15 coincide with each other is a planar exposure area ELA.
  • the projection optical system 15 projects the exposure light EL3 having a phase distribution based on the device pattern onto the surface of the wafer 161 as a spatial image having an intensity distribution corresponding to the phase distribution.
  • Projection optical system 15 is a reduction system.
  • the projection magnification of the projection optical system 15 is 1/200 as an example.
  • the resolution of the projection optical system 15 in this embodiment is set to be larger than the value obtained by multiplying the size of each mirror element 141 of the spatial light modulator 14 (the dimension of one side of each mirror element) by the projection magnification. Yes. Therefore, the exposure light EL3 reflected by the single mirror element 141 is not resolved on the exposure area ELA.
  • the projection magnification of the projection optical system is not limited to a reduction magnification of 1/200, and may be, for example, a reduction magnification of 1/400, an equal magnification, or an enlargement magnification.
  • the stage 16 can hold the wafer 161 and can release the held wafer 161.
  • the stage 16 is movable along a plane (for example, XY plane) including the exposure area ELA while holding the wafer 161 under the control of the controller 17.
  • the stage 16 is movable along at least one of the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, the ⁇ X direction, the ⁇ Y direction, and the ⁇ Z direction.
  • the stage 16 may be moved by the operation of a stage drive system 162 including a planar motor.
  • An example of a stage drive system 162 including a planar motor is disclosed in, for example, US Pat. No. 6,452,292.
  • the stage drive system 162 may include another motor (for example, a linear motor) in addition to or instead of the planar motor.
  • the position of the stage 16 in the XY plane (which may include a rotation angle along at least one of the ⁇ X direction, the ⁇ Y direction, and the ⁇ Z direction) is, for example, 0.25 nm by the laser interferometer 163. It is always measured with a resolution of the order.
  • the measurement result of the laser interferometer 163 is output to the controller 17.
  • the exposure apparatus 1 may include another measurement device (for example, an encoder) that can measure the position of the stage 16 in the XY plane in addition to or instead of the laser interferometer 163.
  • the controller 17 controls the operation of the exposure apparatus 1.
  • the controller 17 may include, for example, a CPU (Central Processing Unit) and a memory.
  • the controller 17 controls the emission operation of the exposure light EL1 by the light source 11.
  • the controller 17 controls the light source 11 so as to emit pulsed light having a predetermined pulse width and pulsed at a predetermined frequency as the exposure light EL1 at an appropriate timing.
  • the controller 17 controls the spatial modulation operation of the exposure light EL ⁇ b> 2 by the spatial light modulator 14.
  • the controller 17 controls the states of the plurality of mirror elements 141 based on the modulation pattern data acquired from the pattern design device 2.
  • the controller 17 controls the movement of the stage 16.
  • the controller 17 controls the stage drive system 162 so that the exposure area ELA moves relatively on the surface of the wafer 161 through a desired movement path.
  • the illumination optical system 12 may adjust the exposure light EL1 so that the exposure light EL2 is applied to a part of the light modulation surface 14a.
  • the illumination optical system 12 may adjust the exposure light EL1 so that the irradiation area irradiated with the exposure light EL2 on the light modulation surface 14a is smaller than the light modulation surface 14a.
  • the illumination optical system 12 may adjust the exposure light EL1 so that the shape of the irradiation region irradiated with the exposure light EL1 on the light modulation surface 14a does not match the shape of the light modulation surface 14a.
  • the shape of the irradiation area irradiated with the exposure light EL2 on the light modulation surface 14a may be a polygonal shape (trapezoidal shape, parallelogram shape, hexagonal shape, etc.) smaller than the light modulation surface.
  • the illumination optical system 12 may change the intensity distribution in the beam cross section of the exposure light EL2 to make the illuminance distribution of the exposure light EL2 reaching the light modulation surface 14a substantially uniform.
  • the illumination optical system 12 may include a beam intensity distribution changing unit disposed in the optical path on the emission side of the optical integrator provided in the illumination optical system 12.
  • the illumination optical system 12 changes the intensity distribution in the beam cross section of the exposure light EL2, and the illuminance distribution of the exposure light EL2 reaching the light modulation surface 14a is non-uniform, for example, trapezoidal in a direction orthogonal to the scanning direction. It is good. Further, the illuminance distribution of the exposure light EL2 reaching the light modulation surface 14a may be trapezoidal in the scan direction.
  • the spatial light modulator 14 follows the intensity distribution of the exposure light EL3 (that is, the direction orthogonal to (or intersects with) the traveling direction of the exposure light EL3).
  • the intensity distribution on the surface may be controlled.
  • the spatial light modulator 14 may include an arbitrary device (for example, a liquid crystal panel or the like) capable of spatially modulating the exposure light EL2 instead of the plurality of mirror elements 141.
  • the spatial light modulator 14 in the above-described example is a phase type (piston type) spatial light modulation including a plurality of mirror elements 141 whose positions along the vertical direction (that is, the traveling direction of the exposure light EL2) are variable. It is a vessel.
  • the spatial light modulator 14 may be a tilted spatial light modulator including a plurality of mirror elements that can be tilted (for example, tiltable with respect to the X axis or the Y axis).
  • An inclined spatial light modulator is between a reference state in which a reflecting surface is located along an array surface of mirrors included in the spatial light modulator and an inclined state in which the reflecting surface is inclined with respect to the array surface.
  • the spatial light modulator 14 may be a phase-step inclined mirror type spatial light modulator in which steps are provided on the reflection surfaces of a plurality of mirror elements provided in the inclined type spatial light modulator.
  • the spatial light modulator of the phase difference tilt mirror type is a level between the light reflected by the reflecting surface 141a parallel to the light modulating surface 14a and the light reflected by the reflecting surface 141a inclined with respect to the light modulating surface 14a. This is a spatial light modulator that sets the phase difference to ⁇ / 2 (180 degrees ( ⁇ radians)).
  • a spatial light modulator that spatially modulates the light intensity by moving the mirror in the vertical direction may be used.
  • FIG. 3A is a plan view showing an example of the movement path of the exposure area ELA on the surface of the wafer 161.
  • FIG. 3B and FIG. 3C are plan views showing an example of the state of the plurality of mirror elements 141, respectively.
  • the exposure apparatus 1 loads the wafer 161.
  • the wafer 161 that is, the wafer 161 coated with a resist
  • the exposure apparatus 1 exposes the wafer 161.
  • the exposure light EL3 is applied to a planar exposure area ELA set on the surface of the wafer 161.
  • the exposure light EL3 exposes the exposure area ELA.
  • the exposure area ELA is exposed by one or a plurality of pulse emission of the pulsed light that is the exposure light EL3.
  • the exposure light EL3 is applied to the exposure target surface 110, which is at least a part of the surface of the wafer 161 that overlaps the exposure area ELA.
  • the stage 16 moves so that the exposure area ELA moves relatively on the surface of the wafer 161 through a desired movement path.
  • the arrows shown in FIG. 3A indicate an example of the movement path of the exposure area ELA.
  • the stage 16 moves in the ⁇ Y direction so that the exposure area ELA moves in the + Y direction (+ scan direction) at a certain timing.
  • the stage 16 moves in the + X direction (+ step direction) so that the exposure area ELA moves in the ⁇ X direction.
  • the stage 16 moves in the + Y direction so that the exposure area ELA moves in the -Y direction (-scan direction).
  • the stage 16 moves in the + X direction so that the exposure area ELA moves in the ⁇ X direction ( ⁇ step direction). Thereafter, the stage 16 repeats the movement toward the ⁇ Y direction, the movement toward the + X direction, the movement toward the + Y direction, and the movement toward the + X direction.
  • the exposure area ELA moves relatively on the surface of the wafer 161 through a path indicated by an arrow in FIG.
  • Such an exposure method is disclosed in, for example, US Pat. No. 8,089,616.
  • the surface of the wafer 161 can be divided into a plurality of exposure target surfaces 110.
  • the stage 16 moves so that the exposure area ELA sequentially overlaps the plurality of exposure target surfaces 110.
  • the stage 16 moves so that the exposure area ELA sequentially traces the plurality of exposure target surfaces 110.
  • the stage 16 moves in the ⁇ Y direction so that the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-1.
  • the light source 11 emits the exposure light EL1 so that the exposure light EL3 exposes the exposure area ELA (that is, the exposure target surface 110-1) at the timing when the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-1.
  • the light source 11 emits the exposure light EL3 so that the timing at which the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-1 and the timing of one pulse emission of the pulsed light emitted from the light source 11 coincide. .
  • the stage 16 moves in the ⁇ Y direction so that the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-2a adjacent to the exposure target surface 110-1 along the Y-axis direction. While the exposure area ELA is moving from the exposure target surface 110-1 toward the exposure target surface 110-2, the light source 11 does not emit the exposure light EL1. That is, pulse light emission is not performed while the exposure area ELA is moving from the exposure target surface 110-1 toward the exposure target surface 110-2.
  • the light source 11 emits the exposure light EL1 so that the exposure light EL3 exposes the exposure area ELA (that is, the exposure target surface 110-2) at the timing when the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-2. Thereafter, the same operation is repeated for a series of exposure target surfaces 110 arranged along the Y axis. After that, when the exposure on the series of exposure target surfaces 110 arranged along the Y axis is completed (that is, the exposure on the exposure target surface 110-3 is completed), the stage 16 moves in the X axis direction on the exposure target surface 110-3. And moves in the ⁇ X direction so that the exposure area ELA overlaps the exposure target surface 110-4 adjacent thereto. Thereafter, the same operation is repeated for a series of exposure target surfaces 110 arranged along the Y axis starting from the exposure target surface 110-4. Thereafter, the above-described operation is repeated so that the exposure target surface ELA moves through the movement path shown in FIG.
  • one exposure target surface 110 does not overlap another adjacent exposure target surface 110 for the sake of simplification of description. That is, it is assumed that a part of one exposure target surface 110 does not overlap with a part of another adjacent exposure target surface 110. However, at least a part of one exposure target surface 110 may overlap with at least a part of another adjacent exposure target surface 110. For example, a part of one exposure target surface 110 is exposed by one pulse emission, and a part of the other exposure target surface 110 that overlaps a part of this one exposure target surface 110 is emitted by one pulse emission. You may expose.
  • the wafer 161 is emitted by one or a plurality of pulse emission.
  • the exposure area ELA may be stationary on the wafer 161 at the timing when the wafer 161 is exposed.
  • the exposure apparatus 1 performs an operation of moving the exposure area ELA on the surface of the wafer 161 after exposing the exposure target surface 110.
  • the exposure apparatus 1 uses a plurality of pulse emission instead of the exposure by one pulse emission. Exposure may be performed.
  • the plurality of mirror elements 141 included in the spatial light modulator 14 is in a state based on a device pattern to be transferred to the wafer 161 by one pulse emission for each exposure (that is, one pulse emission). Transition to. In other words, the plurality of mirror elements 141 transition to the state of the plurality of mirror elements 141 when performing exposure by one pulse emission defined by the modulation pattern data. In other words, the plurality of mirror elements 141 transition to a state based on a data block corresponding to a device pattern to be transferred to a certain exposure target area 110 by one pulse emission of modulation pattern data.
  • the plurality of mirror elements 141 when the exposure target surface 110-1 is exposed, the plurality of mirror elements 141 should be transferred to the wafer 161 by one exposure to the exposure target surface 110-1.
  • a transition is made to a state based on a device pattern (that is, a device pattern to be transferred to the wafer 161 located below the exposure target surface 110-1).
  • the plurality of mirror elements 141 are transferred to the wafer 161 by one exposure of the exposure target surface 110-2.
  • the state transitions to a state based on the device pattern to be transferred (that is, the device pattern to be transferred to the wafer 161 positioned below the exposure target surface 110-2).
  • FIG. 3B shows an example of the state of a plurality of mirror elements 141 for exposing the exposure target surface 110-1.
  • FIG. 3C shows an example of a state of a plurality of mirror elements 141 for exposing the exposure target surface 110-2.
  • region in FIG.3 (b) and FIG.3 (c) has shown the mirror element 141 in a 0 state.
  • the mirror element 141 indicated by the shaded area in FIGS. 3B and 3C indicates the mirror element 141 in the ⁇ state.
  • the wafer 161 is developed by a developer (not shown). Thereafter, the wafer 161 is etched by an etching apparatus (not shown). As a result, the device pattern is transferred (in other words, formed) onto the wafer 161.
  • Pattern design device 2 Subsequently, referring to FIGS. 4A to 17B, a pattern for generating modulation pattern data (that is, control data for controlling the spatial light modulator 14) that defines the states of the plurality of mirror elements 141.
  • the design device 2 will be described.
  • FIG. 4 is a block diagram showing the structure of the pattern design apparatus 2.
  • the pattern design device 2 includes a controller 21, a memory 22, an input unit 23, an operation device 24, and a display device 25.
  • the pattern design apparatus 2 is connected to the plurality of exposure apparatuses 1 via a wired or wireless communication interface 4 to centrally control the plurality of exposure apparatuses 1.
  • the computer 3 may be provided.
  • the host computer 3 may be provided in a device manufacturing factory where the exposure apparatus 1 is installed, or may be provided outside the device manufacturing factory. For example, a device manufacturer has a host computer.
  • the pattern design apparatus 2 may be provided in a server connected to a plurality of exposure apparatuses 1 via a wired or wireless communication interface 5.
  • the pattern design apparatus 2 may be connected to the host computer 3 via a wired or wireless communication interface 6.
  • the pattern design apparatus 2 may be provided in the device manufacturing factory in which the exposure apparatus 1 is installed, and may be provided outside the device manufacturing factory.
  • the controller 21 controls the operation of the pattern design apparatus 2.
  • the controller 21 generates modulation pattern data as will be described in detail later.
  • the controller 21 adjusts the design variable that defines the cost function so that the end condition of a predetermined cost function (in other words, the objective function) is satisfied. That is, the controller 21 solves an optimization problem or a mathematical programming problem for optimizing the design variable.
  • the controller 21 can generate modulation pattern data based on the optimized design variable.
  • “optimization of design variable” here means an operation of calculating a design variable capable of defining an exposure operation capable of transferring a device pattern onto the wafer 161 with better characteristics.
  • the controller 21 can generate the modulation pattern data defining the states of the plurality of mirror elements 141 by adjusting the design variable that defines the cost function. That is, the controller 21 can generate modulation pattern data by optimizing the design variables.
  • the controller 21 substantially functions as an EDA (Electronic Design Automation) tool. Therefore, the controller 21 may function as an EDA tool by executing a computer program for causing the controller 21 to perform the above-described design variable adjustment operation (particularly, pattern design operation).
  • EDA Electronic Design Automation
  • the memory 22 stores a computer program for causing the controller 21 to perform the above-described modulation pattern data generation processing.
  • the memory 22 further temporarily stores intermediate data generated while the controller 21 performs the modulation pattern data generation process described above.
  • the input unit 23 receives input of various data used for the controller 21 to generate modulation pattern data. Examples of such data include data indicating a device pattern to be transferred to the wafer 161, data indicating initial values of design variables, data indicating constraints on design variables, and the like. However, the pattern design apparatus 2 may not include the input unit 23.
  • the operating device 24 receives a user operation on the pattern design apparatus 2.
  • the operating device 24 may include, for example, at least one of a keyboard, a mouse, and a touch panel.
  • the controller 21 may perform the above-described modulation pattern data generation process based on a user operation received by the operation device 24.
  • the pattern design device 2 may not include the operation device 24.
  • the display device 25 can display desired information.
  • the display device 25 may display information indicating the state of the pattern design device 2 directly or indirectly.
  • the display device 25 may display the modulation pattern data generated by the pattern design device 2 directly or indirectly.
  • the display device 25 may directly or indirectly display any information related to the modulation pattern data generation process described above.
  • the pattern design apparatus 2 may not include the display device 25.
  • the pattern design apparatus 2 may be an apparatus that constitutes a part of the controller 17 included in the exposure apparatus 1. That is, the pattern design apparatus 2 may be an apparatus that constitutes a part of the exposure apparatus 1.
  • the controller 17 generates modulation pattern data and controls the spatial light modulator 14 based on the generated modulation pattern data.
  • the controller 21 sets design variables related to the illumination optical system 12 (step S21).
  • Design variables related to the illumination optical system 12 include the characteristics of the light source 11 (for example, the light intensity distribution on the light modulation surface 14a, the distribution of the polarization state of light on the light modulation surface 14a, the pupil plane of the illumination optical system 12). These are adjustable or fixed parameters that define the light intensity distribution, the distribution of the polarization state of light on the pupil plane of the illumination optical system 12, and the like.
  • design variables related to the light source 11 include at least one of the shape of the illumination pattern by the light source 11 (that is, the shape of the emission pattern of the exposure light EL1) and the light intensity of the exposure light EL1.
  • the controller 21 further sets design variables related to the projection optical system 15 (step S22).
  • the design variable related to the projection optical system 15 is an adjustable or fixed parameter that defines the characteristics of the projection optical system 15 (for example, optical characteristics such as aberration and retardation).
  • design variables related to the projection optical system 15 the wavefront shape of the exposure light EL3 projected by the projection optical system 15, the intensity distribution of the exposure light EL3 projected by the projection optical system 15, and the exposure projected by the projection optical system 15. At least one of the phase shift amounts of the light EL3 is an example.
  • the projection optical system 15 includes a wavefront manipulator capable of adjusting at least one of the wavefront shape of the exposure light EL3, the intensity distribution of the exposure light EL3, the phase shift amount of the exposure light EL3, and the like.
  • the control amount (or state) of the wavefront manipulator is given as an example.
  • Controller 21 further sets design variables related to the design layout (step S23).
  • the design variables associated with the design layout are characteristics of the design layout (ie, the physical or virtual mask pattern used to transfer the desired device pattern onto the wafer 161 or the desired device pattern itself) (eg, optical Adjustable or fixed parameter that defines the characteristic).
  • the design layout is generated by so-called EDA based on a device pattern to be transferred to the wafer 161 and a predetermined design rule. Examples of the predetermined design rule include a minimum width of a line or a hole and a minimum space between two lines or two holes.
  • the controller 21 further sets design variables related to the spatial light modulator 14 (step S24).
  • Design variables associated with the spatial light modulator 14 are adjustable or fixed parameters that define the characteristics (eg, optical characteristics) of the spatial light modulator 14.
  • the optical characteristic of each mirror element 141 provided in the spatial light modulator 14 is given as an example.
  • each mirror element 141 is set to the first state (0 state) or the second state ( ⁇ state).
  • the design variable related to the spatial light modulator 14 is substantially the state of each mirror element 141 (or the distribution of the mirror elements 141 in the 0 state and the distribution of the mirror elements 141 in the ⁇ state). Is a design variable indicating
  • the controller 21 may set a constraint condition for each design variable. Furthermore, the controller 21 may acquire various data used for the controller 21 to generate modulation pattern data via the input unit 23. The set constraint conditions and various data acquired via the input unit 23 may be taken into account when adjusting design variables described later.
  • the controller 21 defines a cost function CF defined by the design variables set in steps S21 to S24 (step S25).
  • An example of the cost function CF is represented by Equation 1, for example.
  • (z1 1 ,..., Z1 N1 ) indicates a design variable related to the light source 11 set in step S21.
  • “N1” indicates the total number of design variables related to the light source 11.
  • “(Z2 1 ,..., Z2 N2 )” indicates design variables related to the projection optical system 15 set in step S22.
  • “N2” indicates the total number of design variables related to the projection optical system 15.
  • “(Z3 1 ,..., Z3 N3 )” indicates design variables related to the design layout set in step S23.
  • “N3” indicates the total number of design variables related to the design layout.
  • “(Z4 1 ,..., Z4 N4 )” indicates design variables related to the spatial light modulator 14 set in step S24.
  • N4 indicates the total number of design variables related to the spatial light modulator 14.
  • F p (z1 1 ,..., Z1 N1 , z2 1 ,..., Z2 N2 , z3 1 ,..., Z3 N3 , z4 1 ,..., Z4 N4 )”
  • the design variable “z1 1 , ⁇ , z1 N1, z2 1 , ⁇ , z2 N1, z3 1, ⁇ , z3 N3, z4 1, ⁇ , and the estimated value of the characteristic realized by z4 N4 ", the p This is a function for deriving a difference from the target value of the characteristic to be realized at the second evaluation point.
  • W p is a weighting coefficient assigned to the p-th evaluation point.
  • P is a weighting coefficient assigned to the p-th evaluation point.
  • cost function CF shown in Formula 1 is merely an example. Therefore, a cost function CF different from Equation 1 may be defined. Another example of the cost function CF is described in, for example, the above-described Patent Document 1 (International Publication No. 2006/083585 pamphlet), and the detailed description thereof is omitted.
  • the controller 21 adjusts (in other words, changes) at least one of the design variables set in Step S21 to Step S24 so that the termination condition of the cost function CF is satisfied (Step S26). For example, the controller 21 adjusts at least one design variable so that the termination condition “the cost function CF is minimized” is satisfied. As a result, the value of the design variable that satisfies the termination condition of the cost function CF is determined.
  • the controller 21 can generate modulation pattern data that defines the distribution of the states of the plurality of mirror elements 141 based on the design variable related to the spatial light modulator 14.
  • the controller 21 further performs an intensity distribution compensation process on the generated modulation pattern data (step S27).
  • the intensity distribution compensation process the actual intensity distribution of the exposure light EL3 on the wafer 161 via the spatial light modulator 14 controlled based on the modulation pattern data generated in step S26 and the ideal exposure light EL3.
  • This is a process for reducing an error between the intensity distributions (that is, an actual intensity distribution distortion based on the ideal intensity distribution).
  • the intensity distribution compensation process is a process of correcting (in other words, adjusting or changing) the modulation pattern data so that the actual intensity distribution of the exposure light EL3 based on the modulation pattern data approaches the ideal intensity distribution. is there.
  • the intensity distribution compensation process will be described later in detail (see FIG. 6 and the like).
  • the modulation pattern data generated by the controller 21 by performing the above processing is modulation pattern data corresponding to all device patterns to be transferred to the wafer 161.
  • the modulation pattern data generated by the controller 21 may be modulation pattern data corresponding to a part of the device pattern to be transferred to the wafer 161.
  • each of the plurality of mirror elements 141 is a device to be transferred to a certain exposure target surface 110 by exposure by one pulse emission for each exposure (that is, one pulse emission). Transition to a state based on a pattern. Therefore, the controller 17 extracts a data block corresponding to a device pattern to be transferred to a certain exposure target area 110 by one pulse emission from the modulation pattern data.
  • the controller 17 controls the states of the plurality of mirror elements 141 based on the extracted data blocks. As a result, the exposure target surface 110 corresponding to the data block is exposed. The controller 17 repeats the above operation for the number of exposure target surfaces 110 set on the wafer 161.
  • FIG. 6A is a plan view showing a mask M on which a device pattern used for forming a single contact hole is formed.
  • the mask M includes an opening M1 through which the exposure light can pass and a light shielding part M2 that blocks the exposure light.
  • the intensity distribution of the exposure light projected onto the wafer 161 through such a mask M is shown in the lower part of FIG.
  • the intensity distribution of the exposure light in the region on the wafer 161 corresponding to the opening M1 increases as each region portion approaches the region corresponding to the center of the opening M1.
  • the intensity distribution is such that the intensity of the exposure light in each region increases.
  • the intensity of the exposure light becomes substantially zero (or becomes a predetermined intensity or less). Further, the intensity distribution of the exposure light is a symmetric distribution with respect to a region corresponding to the center of the opening M1 (that is, the center of the contact hole), and a distribution according to the contact hole to be formed.
  • the intensity distribution shown in FIG. 6A corresponds to an ideal intensity distribution.
  • the upper part of FIG. 6 (b) shows a mirror element 141 controlled to form a single contact hole. That is, the upper part of FIG. 6B is a mirror element controlled based on the modulation pattern data generated when the device pattern shown in the upper part of FIG. 6A is given as a design variable related to the design layout. 141 is shown. As shown in the upper part of FIG. 6B, the modulation pattern data sets all the states of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 to the 0 state (or ⁇ state).
  • the modulation pattern data includes a mirror element 141 (hereinafter, referred to as “mirror element 141 (0)” as appropriate) and a mirror that is in the ⁇ state for the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2.
  • the element 141 (hereinafter, appropriately referred to as “mirror element 141 ( ⁇ )”) is set to be alternately distributed (that is, lined up) along each of the X direction and the Y direction.
  • the mirror element 141 indicated by the white area indicates the mirror element 141 (0) and is indicated by the shaded area.
  • Element 141 represents a mirror element 141 ( ⁇ ). The same applies to the following drawings.
  • the intensity distribution of the exposure light EL3 projected onto the wafer 161 through the mirror element 141 is shown in the lower part of FIG.
  • the intensity of the exposure light EL3 through the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 is relatively large (for example, a predetermined intensity or more).
  • the intensity of the exposure light EL3 that passes through the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding part M2 is substantially zero (or less than a predetermined intensity). This is because the exposure light EL3 through the mirror element 141 (0) and the exposure light EL3 through the mirror element 141 ( ⁇ ) adjacent to the mirror element 141 (0) cancel each other.
  • the intensity distribution of the exposure light EL3 projected onto the wafer 161 via the mirror element 141 can substantially approximate the intensity distribution of the exposure light projected onto the wafer 161 via the mask M.
  • the intensity distribution of the exposure light EL3 projected onto the wafer 161 via the mirror element 141 is the ideal intensity distribution (that is, the mask) shown in FIG.
  • the shape of the contact hole formed by the exposure light EL3 via the mirror element 141 may also be distorted with respect to the ideal shape of the contact hole.
  • Such a distortion is caused by the exposure light EL3 through a boundary region where the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 and the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 are adjacent to each other.
  • the mirror element 141 shown in FIG. 7A shows a part of the mirror element 141 corresponding to the vicinity of the boundary between the opening M1 and the light shielding part M2 in the mirror element 141 shown in FIG. 6B.
  • the exposure light EL3 projected onto the wafer 161 through the mirror element 141 is exposed to the exposure light EL3 through the mirror element 141 (0) corresponding to the opening M1 and the mirror element 141 ( 0) and 141 ( ⁇ ) and exposure light EL3.
  • the phase of the exposure light EL3 via the mirror element 141 (0) is inverted with respect to the phase of the exposure light EL3 via the mirror element 141 ( ⁇ ) (that is, 180 degrees). Is out of alignment). Therefore, as shown in FIG. 7B, the polarity of the amplitude of the exposure light EL3 via the mirror element 141 (0) is relative to the polarity of the amplitude of the exposure light EL3 via the mirror element 141 ( ⁇ ). It can be said that it is reversed.
  • the amplitude of the exposure light EL3 that passes through the mirror element 141 (0) is expressed as “1 (ie, +1)”
  • the amplitude of the exposure light EL3 that passes through the mirror element 141 ( ⁇ ) is “ ⁇ 1”.
  • the reference level (zero level) of the amplitude of the exposure light EL3 is the peak value of the amplitude of the exposure light EL3 through the mirror element 141 (0) and the exposure light EL3 through the mirror element 141 ( ⁇ ). It corresponds to the average value with the peak value of amplitude.
  • the amplitude distribution of the exposure light EL3 through the mirror element 141 shown in FIG. The amplitude distribution shown in the first stage of a) is obtained. Further, the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the first stage of FIG. 8A is the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8A and the third stage of FIG. 8A. It can be decomposed into the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown.
  • the amplitude of “0” shown in the third stage of FIG. 8A is zero level of the exposure light EL3 through the mirror element 141 (that is, the exposure light EL3 through the mirror element 141 is substantially equal). It is not projected onto the wafer 161).
  • the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8A is exposure via the mirror element 141 (0) and the mirror element 141 ( ⁇ ) that are alternately distributed along the X direction and the Y direction. This is equivalent to the amplitude distribution of the light EL3.
  • the exposure light EL3 through the mirror element 141 (0) and the exposure light EL3 through the mirror element 141 ( ⁇ ) adjacent to the mirror element 141 (0) cancel each other.
  • the actual amplitude on the wafer 161 of the exposure light EL3 having the amplitude distribution shown in the second stage of FIG. 8A is zero (or less than a predetermined intensity). Accordingly, it is unlikely that the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8A is a cause of distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3.
  • the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the third stage of FIG. 8A is the same as the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8B, as shown in FIG. FIG. 8B can be decomposed into the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the third stage.
  • the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8B is the amplitude distribution of the exposure light EL3 via the mirror element 141 shown in FIG. 7A (that is, in FIG. 8A).
  • This is equivalent to the intensity distribution of the exposure light EL3 shown in the first stage. Therefore, it can be said that the exposure light EL3 having the amplitude distribution shown in the second stage of FIG. 8B is the exposure light EL3 for transferring the device pattern. Accordingly, it is unlikely that the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8B is a cause of distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3.
  • the cause of the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 is the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the third stage of FIG. Therefore, as shown in FIGS. 9A and 9B, the intensity distribution of the exposure light EL3 in the real space shown in the second and third stages in FIG.
  • the cause of the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 is further examined by converting into the spectrum of the exposure light EL3 in the corresponding Fourier space.
  • FIG. 9A shows the spectrum of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8B.
  • the spectrum of the exposure light EL3 shown in FIG. FIG. 9B shows the spectrum of the exposure light EL3 shown in the third row of FIG. 8B (particularly, the spectrum of the first-order diffracted light of the exposure light EL3).
  • the amplitude distribution of the exposure light EL3 shown in the third stage of FIG. 8B is an amplitude distribution in which an amplitude of “0” and an amplitude of “1” are alternately distributed along the X direction and the Y direction, respectively.
  • the spectrum of the exposure light EL3 shown in the second stage of FIG. 8B is referred to as “0/1 checker spectrum”. Called. According to the 0/1 checker spectrum shown in FIG. 9 (b), most of the exposure light EL3 corresponding to the 0/1 checker spectrum (hereinafter referred to as “0/1 checker pattern light”) is a projection optical system. Propagate out of 15 pupils. However, as shown in FIG. 9B, a part of the 0/1 checker pattern light (particularly the 0/1 checker pattern light corresponding to the exposure light EL2 diffracted on the light modulation surface 14a) is part of the projection optical system 15.
  • Such wraparound of the 0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15 is a convolution of the object spectrum in the Fourier space and the 0/1 checker spectrum (that is, the object spectrum in the real space).
  • the distribution area of the 0/1 checker spectrum is enlarged in the Fourier space due to the interference between the corresponding exposure light EL3 and the 0/1 checker pattern light, which becomes more prominent.
  • Such a wraparound of the 0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15 is not required for transferring the device pattern. Therefore, it is assumed that the wraparound of the 0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15 causes the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3.
  • the intensity distribution compensation process described above is a process for reducing the wraparound of the 0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15.
  • FIGS. 6A to 9B illustrate distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 that occurs when a device pattern used to form a single contact hole is transferred to the wafer 161.
  • FIG. Yes the intensity distribution of the exposure light EL3 can be distorted for the same reason.
  • the first specific example of the intensity distribution compensation processing is a wraparound amount R (0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15 (
  • the intensity distribution compensation processing corrects the modulation pattern data so as to directly minimize the distortion amount of the intensity distribution due to the wraparound of the 0/1 checker pattern light. That is, the controller 21 corrects the modulation pattern data so that the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil is minimized.
  • the wraparound amount R ( ⁇ , ⁇ ) of the 0/1 checker pattern light at arbitrary coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in the Fourier space can be specified by Equation 2.
  • p indicates the size of the mirror element 141 in the real space (size in the X-axis direction or Y-axis direction).
  • the size of the mirror element 141 in the X-axis direction is the same as the size of the mirror element 141 in the Y-axis direction.
  • the size of the mirror element 141 in the X-axis direction may not be the same as the size of the mirror element 141 in the Y-axis direction.
  • m ⁇ / 2p and “n ⁇ / 2p” in Expression 2 are , Respectively, “m ⁇ / 2px (where px represents the size of the mirror element 141 in the X-axis direction)” and “n ⁇ / 2py (where px represents the size of the mirror element 141 in the Y-axis direction)” May be replaced.
  • “ ⁇ ” in Expression 2 represents the wavelength of the exposure light EL1.
  • (m, n) in Equation 2 represents coordinates outside the pupil in Fourier space (where m and n are integers of 1 or more and ⁇ 1 or less), which are substantially the same as those described above. This corresponds to the coordinates at which the 0/1 checker spectrum appears.
  • a mn in Expression 2 indicates a 0/1 checker spectrum at coordinates (m, n), and can be specified by Expression 3.
  • T PATTERN ( ⁇ , ⁇ ) in Expression 2 indicates a spectrum of an aerial image to be realized at coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in order to transfer a desired device pattern.
  • the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is obtained by adding the wraparound amount R ( ⁇ , ⁇ ) specified by Equation 2 at all coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in the pupil. Proportional to the value obtained. For this reason, the controller 21 corrects the modulation pattern data so as to satisfy Formula 4. Note that “( ⁇ , ⁇ ) ⁇ pupil” in Equation 4 represents all coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in the pupil.
  • the correction of the modulation pattern data is performed, for example, so that at least a part of the mirror element 141 set to the 0 state according to the modulation pattern data before the correction is set to the ⁇ state according to the modulation pattern data after the correction. Including correcting at least a portion of the modulation pattern data.
  • the correction of the modulation pattern data is performed, for example, so that at least a part of the mirror element 141 set to the ⁇ state according to the modulation pattern data before correction is set to the 0 state according to the modulation pattern data after correction. Including correcting at least a portion of the modulation pattern data.
  • the modulation pattern data is corrected so as to satisfy Formula 4, the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil of the projection optical system 15 is minimized. As a result, distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 is also minimized. That is, the actual intensity distribution of the exposure light EL3 based on the corrected modulation pattern data is closest to the ideal intensity distribution. For this reason, the exposure quality by the exposure light EL3 via the spatial light modulator 14a is improved.
  • the controller 21 corrects the modulation pattern data so that the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is minimized.
  • the controller 21 corrects the modulation pattern data so that the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is equal to or less than the first predetermined amount (in other words, decreases). Also good. Even in this case, the amount of wraparound R of the 0/1 checker pattern light into the pupil can be reduced as compared with the case where the modulation pattern data is not corrected. As a result, distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 can also be suppressed.
  • the controller 21 corrects the modulation pattern data so as to satisfy Formula 4
  • the corrected modulation pattern data becomes modulation pattern data that can appropriately transfer the device pattern defined by the design layout to the wafer 161. Constraint conditions may be adopted. In other words, the controller 21 does not need to correct the modulation pattern data when the device pattern specified by the design layout cannot be properly transferred to the wafer 161 with the modulation pattern data corrected so as to satisfy Expression 4. Good.
  • the controller 21 can be specified by Expression 4 although Expression 4 is not satisfied.
  • the amount of rounding R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is correspondingly reduced (for example, less than the first predetermined amount), and the device pattern defined by the design layout can be appropriately transferred to the wafer 161.
  • the modulation pattern data may be corrected. The same applies to the case where the modulation pattern data is corrected in the second to fourth specific examples described below.
  • the controller 21 corrects the modulation pattern data so as to satisfy Formula 4
  • the cost function CF indicated by Formula 1 described above does not become too large (in other words, the cost function CF becomes equal to or less than a predetermined value). Constraint conditions may be adopted. In other words, the controller 21 does not have to correct the modulation pattern data when the cost function CF becomes too large with the modulation pattern data corrected to satisfy the expression 4.
  • the controller 21 does not satisfy Equation 4, but 0/1 checker into the pupil that can be specified by Equation 4
  • the modulation pattern data may be corrected so that the amount of wraparound R of the pattern light is correspondingly reduced (for example, less than the first predetermined amount) and the cost function CF does not become too large.
  • the modulation pattern data is corrected in the second to fourth specific examples described below.
  • the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 is caused by the wraparound of the 0/1 checker pattern light into the pupil of the projection optical system 15.
  • the 0/1 checker pattern light corresponds to a part of the exposure light EL3 through the boundary region where the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 and the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 are adjacent to each other. For this reason, if the data portion for controlling the mirror element 141 in the boundary region is corrected in the modulation pattern data, it is estimated that the amount of wraparound R of the 0/1 checker pattern light into the pupil can be reduced.
  • the controller 21 corrects a data portion for controlling at least a part of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 and the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 in the modulation pattern data. As a result, the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil can be reduced.
  • all the states of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 are set to the 0 state (or the ⁇ state).
  • This setting is for maintaining the intensity of the exposure light EL3 through the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 at a predetermined intensity. Therefore, there is a possibility that there is relatively little room for correcting the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 in the modulation pattern data. This is because the modulation pattern data is corrected so that at least a part of the mirror element 141 set to 0 state according to the modulation pattern data before correction is set to ⁇ state according to the modulation pattern data after correction.
  • the state of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 is set to a state in which the mirror elements 141 (0) and the mirror elements 141 ( ⁇ ) are alternately distributed along the X direction and the Y direction, respectively. Is done. This setting is for making the intensity of the exposure light EL3 through the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 zero (or not more than a predetermined intensity).
  • the state of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding part M2 should be set to any state. is there. Therefore, there is a relatively large room for correcting the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 in the modulation pattern data.
  • the controller 21 includes a plurality of mirrors corresponding to the light shielding portion M2 in the modulation pattern data so as to reduce the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil. It is assumed that the data portion for controlling the element 141 is corrected. In particular, in order to reduce the processing load caused by determining whether or not a plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding unit M2 exist in the boundary region, the controller 21 blocks the light shielding that exists in the boundary region in the modulation pattern data. It is assumed that the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the portion M2 and the light shielding portion M2 that does not exist in the boundary region is corrected.
  • the controller 21 corrects the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding part M2 existing in the boundary area in the modulation pattern data, but does not exist in the boundary area in the modulation pattern data.
  • the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 may not be corrected.
  • the controller 21 corrects the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 by the following procedure. Specifically, as shown in FIG. 10, the controller 21 forms a light shielding region SL in which a plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 are located on the light modulation surface 14a of the spatial light modulator 14 with a predetermined shape. Is divided into a plurality of divided areas DA.
  • the predetermined shape is, for example, a rectangle. However, the predetermined shape may be an arbitrary shape different from the rectangle.
  • FIG. 10 shows an example in which the light shielding area is divided into four rectangular divided areas DA # 11 to DA # 14.
  • the controller 21 can arrange the arrangement pattern of the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) in each divided area DA as an arrangement pattern that can reduce the intensity of the exposure light EL3 through each divided area DA to zero.
  • the controller 21 may set the same arrangement pattern for the plurality of divided areas DA.
  • the controller 21 may set different arrangement patterns for the plurality of divided areas DA.
  • the controller 21 selects one candidate pattern as an array pattern to be set in each divided area DA from among a plurality of pattern candidates corresponding to array patterns each capable of reducing the intensity of the exposure light EL3 to zero. select. For example, the controller 21 selects the first candidate pattern as the array pattern to be set in the divided area DA # 1, and selects the first candidate pattern or the first candidate pattern as the array pattern to be set in the divided area DA # 2. A second candidate pattern different from is selected. A plurality of pattern candidates may be stored in the memory 22 in advance, or may be appropriately generated by the controller 21.
  • the intensity of the exposure light EL3 through the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 becomes zero because the state of the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 is the mirror.
  • the exposure light EL3 via the element 141 (0) and the exposure light EL3 via the mirror element 141 ( ⁇ ) adjacent to the mirror element 141 (0) are set to be able to cancel each other. That is why. Therefore, for each divided area DA, the exposure light EL3 via the mirror element 141 (0) and the exposure light EL3 via the mirror element 141 ( ⁇ ) adjacent to the mirror element 141 (0) are mutually connected.
  • An arrangement pattern in which the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are arranged so as to be canceled is set.
  • the plurality of pattern candidates that are candidates for the array pattern set for each divided area DA may include a plurality of basic patterns.
  • a plurality of pattern candidates includes two mirror elements 141 (0) and two mirror elements 141 ( ⁇ ) as mirror elements 141 (0).
  • the plurality of pattern candidates include an arbitrary number of mirror elements 141 (0) and an arbitrary number of mirror elements 141 ( ⁇ ), and the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are arranged in the first array.
  • a basic pattern arranged in a manner a basic pattern in which mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are arranged in a second arrangement manner,..., Mirror element 141 (0) and mirror element 141 ( ⁇ ) May include a basic pattern arranged in an s-th (where s is an integer of 2 or more) arrangement mode.
  • Equation 5 The amount of wraparound R of the 0/1 checker pattern light into the pupil under the situation where the light shielding region SL is divided into a plurality of divided regions DA can be specified by Equation 5.
  • N represents the total number of divided areas DA.
  • I indicates an identification number unique to each of the N divided areas DA, and is an integer satisfying 1 ⁇ i ⁇ N.
  • TCHECKER (i) ( ⁇ , ⁇ )” in Expression 5 indicates a spectrum at the coordinates ( ⁇ , ⁇ ) of the exposure light EL3 through the i-th divided area DA.
  • “Sign (i)” in Equation 5 represents a function whose value including a sign changes according to the array pattern (pattern candidate or basic pattern) set for the i-th divided area DA.
  • sign (i) is a case where the pattern candidate shown in FIG. 11A is set for the i-th divided area DA.
  • the function is either +1 or ⁇ 1. Good.
  • sign (i) is either + k1 or ⁇ k1 (where k1 is an arbitrary real number) when the first pattern candidate is set for the i-th divided area DA, and the second Is set for the i-th divided area DA, + k2 and -k2 (where k2 is any real number that is the same as or different from k1), and the qth ( However, when q is an integer of 2 or more pattern candidates are set for the i-th divided area DA, + kq and ⁇ kq (where kq is the same as or different from at least one of k1 to kq ⁇ 1). Any real number) function may be used.
  • the controller 21 calculates the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil using Equation 5.
  • the controller 21 adjusts the arrangement pattern set for each divided area DA so that the amount of rounding R is minimized. That is, the controller 21 sets an appropriate arrangement pattern for each divided area DA so that the amount of rounding R is minimized (that is, so as to satisfy Expression 6).
  • the controller 21 does not necessarily have to correct the entire modulation pattern data when performing the intensity distribution compensation process. That is, the controller 21 can complete the intensity distribution compensation process by correcting a part of the modulation pattern data (for example, a data part for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding part M2). . In other words, the controller 21 can complete the intensity distribution compensation process without correcting another part of the modulation pattern data. Therefore, the processing load required for the intensity distribution compensation process can be reduced as compared with the first specific example in which the entire modulation pattern data may be corrected.
  • the controller 21 completes the intensity distribution compensation process by correcting the data portion for controlling the mirror element 141 located in a predetermined area called the divided area DA in the modulation pattern data. Can do. That is, the controller 21 can complete the intensity distribution compensation processing by correcting a data portion that can be specified in advance as a data portion to be corrected in the modulation pattern data. Accordingly, the processing load required for the intensity distribution compensation process can be reduced as compared with the first specific example in which an index relating to which data portion of the modulation pattern data is to be corrected is not clearly shown.
  • the controller 21 performs an operation for selecting one candidate pattern to be set for the divided area DA from among the plurality of candidate patterns for all of the plurality of divided areas DA.
  • the intensity distribution compensation process can be completed. That is, the controller 21 determines how to correct the data portion for controlling the mirror element 141 located in each divided area DA by selecting one candidate pattern from a plurality of candidate patterns. Can be easily determined. Therefore, the processing load required for the intensity distribution compensation process is not as clear as the index regarding how to correct the modulation pattern data (that is, the modulation pattern data may be corrected randomly). Can be reduced.
  • the controller 21 corresponds to the opening M1 in the modulation pattern data in addition to or instead of correcting the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 corresponding to the light shielding portion M2 in the modulation pattern data.
  • the data portion for controlling the plurality of mirror elements 141 may be corrected.
  • the controller 21 divides a region where the plurality of mirror elements 141 corresponding to the opening M1 are located into a plurality of divided regions DA having a predetermined shape. Thereafter, the controller 21 can increase the intensity of the exposure light EL3 through each divided area DA to a predetermined intensity or more as an array pattern of the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) in each divided area DA. Set the array pattern. Note that the dividing method and the setting method described above can be applied to the dividing method into the divided area DA and the setting method of the array pattern, respectively.
  • the third specific example of the intensity distribution compensation processing is that even if the sizes of the plurality of divided regions DA are different, the sizes of the plurality of divided regions DA are unified. This is different from the second specific example of the good intensity distribution compensation processing.
  • the mathematical expression that can specify the amount of wraparound R of the 0/1 checker pattern light into the pupil due to the uniform size of the plurality of divided areas DA is described above. Instead of Equation 5, Equation 7 can be used. Therefore, in the third specific example, the controller 21 sets an appropriate distribution pattern for each divided area DA so as to satisfy Expression 8.
  • Equation 8 “l (specifically, vector l)” is a vector indicating coordinates ( ⁇ , ⁇ ). “I (l)” in Expression 8 indicates that the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) pass through an infinite number of mirror elements 141 in which the elements are alternately distributed along the X-axis direction and the Y-axis direction. The spectrum of the exposure light EL3 at the position of the vector l (that is, the coordinates ( ⁇ , ⁇ )) is shown and can be specified by Equation 9. “B mn ” in Expression 9 indicates a spectrum at the coordinates (m, n) of the exposure light EL3 through the virtual infinite number of mirror elements 141 described above, and can be specified by Expression 10.
  • “ ⁇ ” in Equation 9 represents a Dirac delta function (Dirac's delta).
  • “J” in Equation 8 represents a complex number.
  • “R i (specifically, vector r i )” in Expression 8 is a vector that specifies coordinates in the real space of the i-th divided area DA, as shown in FIG. “Jinc (l)” in Expression 8 is expressed by Expression 11.
  • “ ⁇ x ” in Expression 11 indicates the size of the divided area DA along the X-axis direction in the real space, as shown in FIG.
  • “ ⁇ y ” in Expression 11 indicates the size of the divided area DA along the Y-axis direction in real space, as shown in FIG. “K” in Equation 11 represents a predetermined coefficient.
  • the other features of the third specific example of the intensity distribution compensation process may be the same as the other features of the second specific example of the intensity distribution compensation process.
  • Equation 8 the variable that changes in accordance with the change of the array pattern set for the divided area DA among the variables included in Equation 8 is “sign (i)”. .
  • “I (l)”, “jinc (l)”, and “exp ( ⁇ jl ⁇ r i )” in Equation 8 change even if the arrangement pattern set for the divided area DA changes.
  • a variable that is, a fixed value in practice. This is because, since the sizes of the plurality of divided areas DA are unified, the weight of the influence that the plurality of divided areas DA has on the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light is also leveled. It is.
  • the controller 21 changes “I (l)”, “jinc (l)”, and “exp” even when the array pattern set for the divided area DA is changed. While the ( ⁇ jl ⁇ r i ) ”is fixed, the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil can be specified. Therefore, in the third specific example, it is possible to reduce the processing load for specifying the amount R of the 0/1 checker pattern light sneaking into the pupil as compared with the second specific example. That is, in the third specific example, the processing load required for the intensity distribution compensation process can be reduced as compared with the second specific example.
  • the controller 21 utilizes the fact that “I (l)”, “jinc (l)”, and “exp ( ⁇ jl ⁇ r i )” do not change due to a change in the array pattern set for the divided area DA.
  • an appropriate distribution pattern may be set for each divided area DA so as to satisfy Expression 8.
  • the controller 21 first sets I (l) * jicn (l ) (E.g., by calculating a value), a vector l () indicating coordinates ( ⁇ , ⁇ ) at which a spectrum that relatively contributes to the formation of an aerial image for transferring the device pattern appears.
  • the vector l) indicating the coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in the pupil of the projection optical system 15 is calculated, or the controller 21 first shows the coordinates at which a spectrum that makes a relatively large contribution to the transfer of the device pattern appears.
  • a vector l is, for example, a vector indicating coordinates ( ⁇ , ⁇ ) at which the first-order diffracted light component of the exposure light EL3 appears, after which the controller 21 relates to the calculated vector l.
  • the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil is minimized (however, addition in all coordinates ( ⁇ , ⁇ ) in the pupil in Expression 8 is not performed).
  • An appropriate array pattern may be set for each divided area DA by appropriately changing the array pattern to be set.
  • the controller 21 when the controller 21 sets an appropriate arrangement pattern for each divided area DA, the controller 21 sets the amount of wraparound 0/1 checker pattern light into the pupil. Do not calculate. Instead of calculating the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil, the controller 21 depends on the state of the mirror elements 141 in the plurality of divided areas DA and the arrangement mode of the plurality of divided areas DA. An appropriate arrangement pattern is set for each divided area DA.
  • the controller 21 Two different types of arrangement patterns are set for two divided areas DA that are adjacent to each other in a direction that intersects (or is orthogonal to) the X-axis direction and the Y-axis direction. In this case, the controller 21 can use two types of arrangement patterns in an inverted relationship as two different types of arrangement patterns.
  • FIG. 13A shows two divided areas DA # 31 and DA # 32 that are adjacent to each other in the direction intersecting with each of the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • Such divided regions DA # 31 and DA # 32 may exist in a region where the mirror element 141 controlled to form two adjacent contact holes is located, for example.
  • the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are alternately arranged along the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively.
  • the controller 21 obtains an array pattern obtained by inverting the array pattern set in the divided area DA # 31 with the array pattern set in the divided area DA # 32.
  • An array pattern is set for each of the two divided areas DA # 31 and DA # 32.
  • the intensity distribution of the exposure light EL3 via the two divided areas DA # 31 and DA # 32 is the intensity distribution shown in FIG.
  • the intensity distribution of the exposure light EL3 through the divided areas DA # 31 and DA # 32 is the intensity distribution shown in FIG. Become.
  • FIGS. 13 (c) and 13 (d) when two types of array patterns having an inverted relationship are set in the two divided areas DA # 31 and DA # 32, two divided areas are set. It can be seen that the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 is reduced as compared with the case where the same arrangement pattern is set for DA # 31 and DA # 32.
  • a mirror element group including a plurality of mirror elements 141 (0) continuously arranged along the X-axis direction and a plurality of mirror elements 141 arranged continuously along the X-axis direction.
  • the controller 21 uses two different types of arrangements for two divided areas DA adjacent along the Y-axis direction.
  • a pattern (for example, two types of array patterns in an inverted relationship) is set.
  • a mirror element group including a plurality of mirror elements 141 (0) arranged continuously along the Y-axis direction and a plurality of mirror elements 141 arranged continuously along the Y-axis direction.
  • the controller 21 has an inverted relationship with respect to two divided areas DA adjacent along the X-axis direction. Two types of distribution patterns are set.
  • FIG. 14A shows two divided areas DA # 41 and DA # 42 that are adjacent along the Y-axis direction.
  • a mirror element group including a plurality of mirror elements 141 (0) arranged continuously along the Y-axis direction and a plurality arranged continuously along the Y-axis direction.
  • Mirror element groups including the mirror element 141 ( ⁇ ) appear alternately along the X-axis direction. Therefore, as shown in FIG. 14B, the controller 21 obtains an array pattern obtained by inverting the array pattern set in the divided area DA # 41 with the array pattern set in the divided area DA # 42. An array pattern is set for each of the two divided areas DA # 41 and DA # 42.
  • FIG. 14C when two types of arrangement patterns having an inverted relationship are set to the two divided areas DA # 41 and DA # 42, the two divided areas DA # 41 are set. Compared with the case where the same arrangement pattern is set for DA # 42, the distortion of the intensity distribution of the exposure light EL3 can be reduced.
  • FIG. 14C the intensity distribution I (a) along the X-axis direction of the aerial image obtained with the array pattern shown in FIG. 14A and the array pattern shown in FIG. 14B.
  • the intensity distribution I (b) along the X-axis direction of the aerial image obtained at the time is shown.
  • the horizontal distribution (intensity distribution distortion) of the intensity distribution is smaller in the intensity distribution I (b) of the aerial image in the arrangement pattern shown in FIG. 14B. Accordingly, when two types of arrangement patterns having an inverted relationship are set in the two divided areas DA # 41 and DA # 42, the same arrangement pattern is set in the two divided areas DA # 41 and DA # 42. Compared with the case where the 0/1 checker pattern light enters the pupil, the amount of wraparound R can be reduced.
  • the present invention is not limited to the examples shown in FIGS. 13A to 14C, and when the mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are distributed according to a predetermined arrangement rule in the plurality of divided areas DA.
  • the controller 21 uses two different types of arrangement patterns (two different arrangement patterns DA for two divided areas DA adjacent in the direction according to the predetermined arrangement rule or arranged in the arrangement mode according to the predetermined arrangement rule. For example, two types of arrangement patterns having an inverted relationship may be set.
  • the controller 21 does not actually calculate the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil, but the state of the mirror elements 141 in the plurality of divided areas DA.
  • An appropriate arrangement pattern can be set for each divided area DA according to the arrangement direction of the plurality of divided areas DA. For this reason, in the fourth specific example, the processing load required for the intensity distribution compensation process can be reduced as compared with the second specific example or the stand 3 specific example.
  • the controller 21 Two different arrangement patterns may be set for two divided areas DA adjacent along the Y-axis direction.
  • the controller 21 When appearing alternately along the Y-axis direction, the controller 21 applies the two divided regions DA adjacent to each other along the X-axis direction or along the direction intersecting with each of the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • Two different types of arrangement patterns may be set.
  • the controller 21 When appearing alternately along the X-axis direction, the controller 21 applies the two divided regions DA adjacent to each other along the Y-axis direction or along the direction intersecting with each of the X-axis direction and the Y-axis direction. Two different types of arrangement patterns may be set.
  • a plurality of mirror elements 141 located in the first area are connected to the mirror element 141 (0) in the first state (0 state) and the second state
  • a plurality of mirror elements which are set so that the mirror elements 141 ( ⁇ ) in the ⁇ state are arranged in a first rule (for example, basic pattern # 2) and are positioned in the second area (for example, divided area DA # 32) 141 is set so that the mirror element 141 (0) in the first state (0 state) and the mirror element 141 ( ⁇ ) in the second state ( ⁇ state) are arranged in a second rule (for example, basic pattern # 1). It can be said that they are doing.
  • the state of the mirror element 141 in the region including the second region (divided region DA # 32) and the state of the mirror element 141 in the second region (divided region DA # 32) may be different from each other.
  • the diffracted light from the plurality of mirror elements 141 arranged according to the second rule located at 32) causes destructive interference (for example, destructive interference) on the entrance pupil plane of the projection optical system 15, and these diffractions.
  • the intensity of the light is weakened, and as a result, the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is reduced.
  • the first rule and the second region in the first region are such that the 0/1 checker pattern lights from the first and second regions incident on the entrance pupil plane of the projection optical system 15 have different phases. It may be said that the second rule is established.
  • the first group of mirror elements 141-31a and 141-31b is in a state (first state) so as to have periodicity in the periodic direction (for example, the X direction). (0 state) or the second state ( ⁇ state)), and among the plurality of mirror elements 141, the second group of mirror elements 141-32a and 141-32b is in a state having periodicity in the periodic direction ( It can be said that the first state (0 state) or the second state ( ⁇ state) is set.
  • the period of the plurality of mirror elements 141-31a and 141-31b in the first group and the period of the plurality of mirror elements 141-32a and 141-32b in the second group may be different in phase with respect to the period direction.
  • the phase of the states of the plurality of mirror elements 141 being different means that the plurality of mirror elements 141 whose states are periodically changed from the first state to the second state or from the second state to the first state.
  • the distribution of the plurality of mirror elements 141 is expressed by a rectangular wave with the vertical axis as the vertical axis and the position of the mirror element 141 as the horizontal axis, the phases of the rectangular waves may be different from each other.
  • the second group of mirror elements 141-32a and 141-32b may be arranged on the periodic direction (X direction) side of the first group of mirror elements 141-31a and 141-31b.
  • a plurality of rows of mirror elements 141 may be provided in the X direction between the first group of mirror elements 141-31a and 141-31b and the second group of mirror elements 141-32a and 141-32b. Each row may extend along the Y direction.
  • the first group of mirror elements 141-31a and 141-31b and the second group of mirror elements 141-32a and 141-32b may be adjacent to each other.
  • two mirror elements 141-31a and 141-31b of the plurality of mirror elements 141 are replaced with a mirror element 141-31a in the first state (0 state) and a mirror in the second state ( ⁇ state).
  • Two mirror elements 141-32a and 141-32b different from the two mirror elements 141-31a and 141-31b of the plurality of mirror elements 141 are set so that the element 141-31b is aligned along the X direction. It can be said that they are set along the X direction.
  • the even-numbered mirror elements 141 may be positioned between the two mirror elements 141-31a and 141-31b and the two different mirror elements 141-32a and 141-32b.
  • each of the columns of the mirror elements 141 may extend along the Y direction, and the columns of the mirror elements 141 may be even columns in the X direction.
  • the two mirror elements may be adjacent to two different mirror elements.
  • two mirror elements 141 and two different mirror elements 141 may be adjacent in the X direction.
  • the first mirror element 141-31a is set to the first state (0 state), and among the plurality of mirror elements 141, the first mirror element 141-31a is in the X direction.
  • the second mirror element 141-31b adjacent to the side is set to the second state ( ⁇ state), and among the plurality of mirror elements 141, the third mirror element 141-32a is set to the second state ( ⁇ state), It can be said that the fourth mirror element 141-32b adjacent to the X direction side of the third mirror element 141-32a among the mirror elements 141 is set to the first state (0 state).
  • an odd number of mirror elements 141 may be interposed between the first mirror element 141-31a and the third mirror element 141-32a in the X direction or the Y direction.
  • the first mirror element 141-31a and the third mirror element 141-32a may be at the same position in the X direction or the Y direction.
  • the controller 21 may apply the “arrangement pattern setting rules for the plurality of divided areas DA” used in the fourth specific example in the second or third specific example. That is, in the second or third specific example, when the controller 21 sets an array pattern in each divided region DA so that the amount of wraparound R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is minimized, An appropriate arrangement pattern may be set for each divided area DA according to the state of the mirror elements 141 in the divided areas DA and the arrangement mode of the plurality of divided areas DA.
  • a 0/1 checker pattern in the pupil can be obtained simply by setting an array pattern for each divided area DA according to the state of the mirror elements 141 in the plurality of divided areas DA and the arrangement mode of the plurality of divided areas DA.
  • the controller 21 may change the array pattern set for each divided area DA so that the amount R of the 0/1 checker pattern light entering the pupil is minimized.
  • the controller 21 may divide (that is, subdivide) each divided area DA into smaller divided areas DA.
  • FIG. 15A shows four divided regions DA # 51 to DA # 54 in which mirror elements 141 (0) and 141 ( ⁇ ) are alternately distributed along the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. The example which adjoins in 2x2 matrix form is shown. Such divided regions DA # 51 to DA # 54 may exist in a region where the mirror element 141 controlled to form four adjacent contact holes is located, for example.
  • FIG. 15B shows the intensity distribution of the exposure light EL3 through the four divided areas DA # 51 to DA # 54. As shown in FIG. 15B, it can be seen that the intensity distribution of the exposure light EL3 is distorted.
  • the controller 21 determines that the arrangement pattern set in the divided area DA # 54 is divided along the direction intersecting both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • An array having an inverted relationship in each of the two divided areas DA # 51 and DA # 54 so as to obtain an array pattern obtained by inverting the array pattern set in the divided area DA # 51 adjacent to 54. Set the pattern.
  • FIG. 16A An array having an inverted relationship in each of the two divided areas DA # 51 and DA # 54 so as to obtain an array pattern obtained by inverting the array pattern set in the divided area DA # 51 adjacent to 54.
  • the controller 21 determines that the arrangement pattern set in the divided area DA # 53 is divided along the direction intersecting both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the two divided areas DA # 52 and DA # 53 are in an inverted relationship so that an array pattern obtained by inverting the array pattern set in the divided area DA # 52 adjacent to 53 is obtained.
  • Set the pattern As shown in FIG. 16B, it can be seen that the intensity distribution of the exposure light EL3 through the four divided areas DA # 51 to DA # 54 is still distorted. That is, there is a possibility that the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is not minimized.
  • the controller 21 divides the divided area DA # 51 into four smaller divided areas DA # 51-1 to DA # 51-4 as shown in FIG. 17A.
  • the controller 21 may set the array pattern for each of the 16 divided areas DA using the “rule for setting the array pattern for the plurality of divided areas DA” used in the fourth specific example. .
  • the controller 21 may set the array pattern for each of the 16 divided areas DA without using the “rule for setting the array pattern for the plurality of divided areas DA” used in the fourth specific example.
  • FIG. 17A shows an example in which an array pattern is set for each of the 16 divided areas DA without using the “arrangement pattern setting rules for a plurality of divided areas DA” used in the fourth specific example. Is shown.
  • the wraparound amount R of the 0/1 checker pattern light into the pupil is minimized.
  • the distortion in the intensity distribution of the exposure light EL3 through the 16 divided areas DA # 51-1 to DA # 54-4 is also minimized.
  • the distortion in the intensity distribution of the exposure light EL3 may be a deformation amount with respect to the intensity distribution in the ideal state.
  • the intensity distribution in this ideal state is such that the intensity is maximum in an area where each divided area DA # 51 to DA # 54 is geometrically reduced or enlarged by the magnification of the projection optical system 15, and the intensity is 0 in other areas. Distribution can be obtained.
  • an arrangement pattern as shown in FIGS. 18A to 18C may be used.
  • the configurations and operations of the exposure apparatus 1 and the pattern design apparatus 2 described with reference to FIGS. 1 to 18C are examples. Therefore, at least a part of the configuration and operation of the exposure apparatus 1 and the pattern design apparatus 2 may be modified as appropriate. Hereinafter, an example of modification of at least a part of the configuration and operation of the exposure apparatus 1 and the pattern design apparatus 2 will be described.
  • the spatial light modulator 14 is a reflective spatial light modulator.
  • the spatial light modulator 14 may be a transmissive spatial light modulator including a plurality of optical elements (for example, a plurality of transmissive pixels configured by liquid crystal elements or the like) each capable of transmitting the exposure light EL2. Good.
  • the plurality of transmissive pixels may control at least one of the light amount, phase, and polarization of light passing through the transmissive pixel.
  • the light modulation surface 14a of the spatial light modulator 14 has a rectangular shape.
  • the light modulation surface 14a is not limited to a rectangular shape.
  • a polygonal shape trapezoidal shape, parallelogram shape, hexagonal shape, etc.
  • circular shape An arbitrary shape such as an elliptical shape or an oval shape
  • shape of the plurality of mirror elements 141 of the spatial light modulator 14 is a square shape, but is not limited to a square shape, for example, a polygonal shape (a trapezoidal shape, a parallelogram shape, a hexagonal shape, etc.). Or any shape such as a circular shape, an elliptical shape, or an oval shape.
  • the exposure apparatus 1 is a dry type exposure apparatus that exposes the wafer 161 without using a liquid.
  • the exposure apparatus 1 forms an immersion space including the optical path of the exposure light EL3 between the projection optical system 15 and the wafer 161, and exposes the wafer 161 through the projection optical system 15 and the immersion space.
  • An immersion exposure apparatus may be used.
  • An example of the immersion exposure apparatus is disclosed in, for example, European Patent Application Publication No. 1,420,298, International Publication No. 2004/055803 and US Pat. No. 6,952,253. Yes.
  • the exposure apparatus 1 may be a twin stage type or multistage type exposure apparatus including a plurality of stages 16.
  • the exposure apparatus 1 may be a twin-stage type or multi-stage type exposure apparatus that includes a plurality of stages 16 and measurement stages.
  • An example of a twin stage type exposure apparatus is disclosed in, for example, US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407 and US Pat. No. 6,262,796, which are incorporated herein by reference. It is disclosed.
  • the light source 11 may emit any light different from the ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm as the exposure light EL1.
  • the light source 11 may emit far ultraviolet light (DUV light: Deep Ultra Violet light) such as KrF excimer laser light having a wavelength of 248 nm.
  • the light source 11 may emit vacuum ultraviolet light (VUV light: Vacuum Ultra Violet light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm).
  • VUV light Vacuum Ultra Violet light
  • the light source 11 may emit arbitrary laser light having a desired wavelength or other arbitrary light (for example, a bright line emitted from a mercury lamp, such as g-line, h-line, or i-line).
  • a mercury lamp such as g-line, h-line, or i-line.
  • the light source 11 is a single-wavelength laser beam in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser, for example, erbium (or , Both of erbium and yttrium) may be amplified by a fiber amplifier doped with them, and harmonics obtained by wavelength conversion to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be emitted.
  • the light source 11 is not limited to light having a wavelength of 100 nm or more, and may emit light having a wavelength of less than 100 nm.
  • the light source 11 may emit EUV (Extreme Ultra Violet) light in a soft X-ray region (for example, a wavelength region of 5 to 15 nm).
  • the exposure apparatus 1 may include an electron beam source that emits an electron beam that can be used as the exposure light EL1 in addition to or instead of the light source 11.
  • the exposure apparatus 1 may include a solid-state pulse laser light source that generates harmonics of laser light output from a YAG laser or a solid-state laser (semiconductor laser or the like) in addition to or instead of the light source 11.
  • the solid-state pulse laser light source has a wavelength that can be used as the exposure light EL1 of 193 nm (various other wavelengths such as 213 nm, 266 nm, and 355 nm are possible) and a pulse laser beam with a pulse width of about 1 ns. Injectable at a frequency of about 2 MHz.
  • the exposure apparatus 1 may include a beam source that emits an arbitrary energy beam that can be used as the exposure light EL1 in addition to or instead of the light source 11.
  • the object to which the device pattern is transferred is not limited to the wafer 161, and may be an arbitrary object such as a glass plate, a ceramic substrate, a film member, or mask blanks.
  • the exposure apparatus 1 may be an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto the wafer 161.
  • the exposure apparatus 1 may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or for manufacturing a display.
  • the exposure apparatus 1 may be an exposure apparatus for manufacturing at least one of a thin film magnetic head, an image sensor (for example, CCD), a micromachine, a MEMS, a DNA chip, and a mask or reticle used for photolithography. .
  • a microdevice such as a semiconductor device may be manufactured through the steps shown in FIG.
  • the steps for manufacturing the microdevice are step S201 for performing the function and performance design of the microdevice, step S202 for adjusting the design variable based on the function and performance design (see FIG. 5 described above), and the base material of the device.
  • Step S203 for manufacturing the wafer 161 Step S204 for exposing the wafer 161 using the exposure light EL3 obtained by the spatial light modulator 14 reflecting the exposure light EL2, and developing the exposed wafer 161, device assembly processing Step S205 including (processing such as dicing processing, bonding processing, and package processing) and step S206 for inspecting the device may be included.

Landscapes

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Abstract

制御装置は、パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、第1領域に位置する光学要素からの光の一部を投影光学系に入射させるように、前記第1領域の光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、投影光学系に入射する第1領域からの光に起因するパターン像の劣化を軽減するように、第2領域の光学要素の状態を、第1光学要素と第2光学要素とが第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する。

Description

制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム
 露光装置に用いられる空間光変調器を制御するための制御装置及び制御方法、この制御方法を用いた露光装置及び露光方法、この露光方法を用いたデバイス製造方法、露光装置に用いられる空間光変調器を制御するための制御データを生成するデータ生成方法、並びに、この制御方法若しくはデータ生成方法を実行するためのプログラムの技術分野に関する。
 マスクに代えて、それぞれが入射する光を反射可能な複数の光学要素(例えば、微小ミラー)を有する空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)を備える露光装置が提案されている(特許文献1参照)。更には、それぞれが入射する光を透過可能な複数の光学要素(例えば、液晶素子)を有する空間光変調器を備える露光装置もまた提案されている(特許文献1参照)。この空間光変調器を介した光が形成する空間像の強度の品質(例えば、強度分布の品質)には、改善の余地がある。
国際公開第2006/083685号パンフレット
 第1の態様は、パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、第1領域に位置する複数の前記光学要素からの光の一部を前記投影光学系に入射させるように、前記第1領域に位置する前記複数の光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、前記投影光学系に入射する前記第1領域からの光に起因する前記パターン像の劣化を軽減するように、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する制御装置である。
 第2の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御装置であって、前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターン像の投影に対して与える影響を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する制御装置である。
 第3の態様は、パターンを物体に転写する露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する制御装置である。
 第4の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、前記空間光変調器上の第1領域から発する第1回折光と、前記空間光変調器上の前記第1領域と異なる第2領域から発する第2回折光とが互いに弱め合う干渉を行うように、前記第1領域内に位置する複数の光学要素の状態と前記第2領域内に位置する複数の光学要素の状態とを設定する制御装置である。
 第5の態様は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
 前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、第1領域に位置する複数の光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第1規則で並ぶように設定し、前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と異なる第2領域に位置する複数の光学要素を、前記第1状態の光学要素と前記第2状態の光学要素とが前記第1規則と異なる第2規則で並ぶように設定し、前記第1及び第2状態の光学要素が前記第1規則で並んでいる領域を前記第2領域を包含するように拡張した場合に、前記第2領域を包含する領域における光学要素の状態と、前記第2領域における光学要素の状態とは互いに異なる制御装置である。
 第6の態様は、それぞれの状態が第1状態と第2状態との間で変更可能で配列面に沿って配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、前記複数の光学要素のうち、第1群の光学要素を周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定し、前記複数の光学要素のうち、前記第1群とは異なる第2群の光学要素を前記周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定し、前記第1群の前記複数の光学要素の周期と、前記第2群の前記複数の光学要素の周期とは、前記周期方向に関して異なる位相である制御装置である。
 第7の態様は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、前記複数の光学要素のうち2つの光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第3方向に沿って並ぶように設定し、前記複数の光学要素のうち前記2つの光学要素と異なる2つの光学要素を、前記第2状態の光学要素と前記第1状態の光学要素とが前記第3方向に沿って並ぶように設定し、前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とが隣接する、又は前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素との間に偶数列の前記光学要素が位置する制御装置である。
 第8の態様は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、前記複数の光学要素のうち第1光学要素を第1状態に設定し、前記複数の光学要素のうち前記第1光学要素の第3方向側に隣接する第2光学要素を前記第1状態と異なる第2状態に設定し、前記複数の光学要素のうち前記第1及び第2光学要素と異なる第3光学要素を前記第2の状態に設定し、前記複数の光学要素のうち前記第3光学要素の前記第3方向側に隣接する第4光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素とは同じ位置である、又は、前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素との間に奇数個の前記光学要素が介在する制御装置である。
 第9の態様は、パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、第1領域に位置する複数の前記光学要素からの光の一部を前記投影光学系に入射させるように、前記第1領域に位置する前記複数の光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、前記投影光学系に入射する前記第1領域からの光に起因する前記パターン像の劣化を軽減するように、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する制御方法である。
 第10の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターン像の投影に対して与える影響を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する制御方法である。
 第11の態様は、パターンを物体に転写する露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する制御方法である。
 第12の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器上の第1領域から発する第1回折光と、前記空間光変調器上の前記第1領域と異なる第2領域から発する第2回折光とが互いに弱め合う干渉を行うように、前記第1領域内に位置する複数の光学要素の状態と前記第2領域内に位置する複数の光学要素の状態とを設定する制御方法である。
 第13の態様は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、第1領域に位置する複数の光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第1規則で並ぶように設定することと、前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と異なる第2領域に位置する複数の光学要素を、前記第1状態の光学要素と前記第2状態の光学要素とが前記第1規則と異なる第2規則で並ぶように設定することとを含み、前記第1及び第2状態の光学要素が前記第1規則で並んでいる領域を前記第2領域を包含するように拡張した場合に、前記第2領域を包含する領域における光学要素の状態と、前記第2領域における光学要素の状態とは互いに異なる制御方法である。
 第14の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器は、それぞれの状態が第1状態と第2状態との間で変更可能で配列面に沿って配列された複数の光学要素を備えるものであり、前記複数の光学要素のうち、第1群の光学要素を周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定することと、前記複数の光学要素のうち、前記第1群とは異なる第2群の光学要素を前記周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定することと、を含み、前記第1群の前記複数の光学要素の周期と、前記第2群の前記複数の光学要素の周期とは、前記周期方向に関して異なる位相である制御方法である。
 第15の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備えるものであり、前記複数の光学要素のうち2つの光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第3方向に沿って並ぶように設定することと、前記複数の光学要素のうち前記2つの光学要素と異なる2つの光学要素を、前記第2状態の光学要素と前記第1状態の光学要素とが前記第3方向に沿って並ぶように設定することとを含み、前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とが隣接する、又は前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素との間に偶数列の前記光学要素が位置する制御方法である。
 第16の態様は、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、前記空間光変調器は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備えるものであり、前記複数の光学要素のうち第1光学要素を第1状態に設定することと、前記複数の光学要素のうち前記第1光学要素の第3方向側に隣接する第2光学要素を前記第1状態と異なる第2状態に設定することと、前記複数の光学要素のうち前記第1及び第2光学要素と異なる第3光学要素を前記第2の状態に設定することと、前記複数の光学要素のうち前記第3光学要素の前記第3方向側に隣接する第4光学要素を前記第1の状態に設定することと、を含み、前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素とは同じ位置である、又は、前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素との間に奇数個の前記光学要素が介在する制御装置である。
 第17の態様は、空間光変調器と、前記空間光変調器を制御するコントローラとを備え、前記コントローラは、上述した第9から第16の態様のいずれか一つにおける制御方法を実行することで前記空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を設定する露光装置。
 第18の態様は、空間光変調器と、前記空間光変調器を制御する上述した第1から第8の態様のいずれか一つにおける制御装置とを備える露光装置である。
 第19の態様は、パターンを物体に転写する露光方法であって、上述した第9から第16の態様のいずれか一つにおける制御方法を用いて前記空間光変調器が備える複数の光学要素の状態を設定し、前記空間光変調器を介した光露光を用いて前記物体を露光する露光方法である。
 第20の態様は、パターンを物体に転写する露光方法であって、上述した第18の態様における露光装置を用いて前記物体を露光することを含む露光方法である。
 第21の態様は、上述した第19又は第20の態様における露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法である。
 第22の態様は、物体にパターンを転写する露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定するための第1設定データを、前記制御データの一部として生成し、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定するための第2設定データを、前記制御データの一部として生成するデータ生成方法である。
 第23の態様は、パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターンの投影に対して与える影響を軽減するように前記複数の光学要素の状態を設定するための設定データを、前記制御データの一部として生成するデータ生成方法である。
 第24の態様は、上述した第9から第16の態様のいずれか一つにおける制御方法を、前記空間光変調器に接続され且つ前記複数の光学要素のそれぞれの状態を変更するコントローラに実行させるプログラムである。
 第25の態様は、上述した第22又は第23の態様のデータ生成方法を、コンピュータに実行させるプログラムである。
 上記態様の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
図1は、本実施形態の露光装置の構造の一例を示す側面図である。 図2(a)は、空間光変調器の光変調面の構造を示す平面図であり、図2(b)は、空間光変調器の光変調面の一部の構造を示す斜視図であり、図2(c)は、空間光変調器の1つのミラー要素の構成を示す斜視図であり、図2(d)は、空間光変調器が備えるミラー要素がとりえる2つの状態を示す側面図である。 図3(a)は、ウェハの表面上における露光領域の移動経路の一例を示す平面図であり、図3(b)及び図3(c)の夫々は、複数のミラー要素の状態の一例を示す平面図である。 図4(a)は、パターン設計装置の構造を示すブロック図であり、図4(b)及び図4(c)は、夫々、パターン設計装置の設置位置の一例を示すブロック図である。 図5は、パターン設計装置が行うパターン設計動作の流れを示すフローチャートである。 図6(a)は、マスクを介した露光光の強度分布を、マスクと共に示すグラフであり、図6(b)は、空間光変調器を介した露光光の強度分布を、ミラー要素の状態と共に示すグラフである。 図7(a)は、開口部と遮光部との境界付近に対応する一部のミラー要素を示す平面図であり、図7(b)は、露光光の振幅の極性を示すグラフである。 図8(a)及び図8(b)は、夫々、図7(a)に示すミラー要素を介した露光光EL3の振幅分布を分解することで得られる振幅成分を示す平面図である。 図9(a)は、図8(b)の2段目に示す露光光のスペクトルを示すグラフであり、図9(b)は、図8(b)の3段目に示す露光光のスペクトル(特に、露光光の1次回折光のスペクトル)を示すグラフである。 図10は、遮光部に対応する複数のミラー要素が位置する遮光領域を分割することで得られる複数の分割領域を示す平面図である。 図11(a)及び図11(b)は、夫々、分割領域に対して設定される配列パターンの候補を示す平面図である。 図12(a)は、遮光部に対応する複数のミラー要素が位置する遮光領域を分割することで得られる複数の分割領域を示す平面図であり、図12(b)は、実空間でのある分割領域を示す平面図である。 図13(a)は、X軸方向及びY軸方向の夫々に交差する方向に沿って隣接する2つの分割領域を示す平面図であり、図13(b)は、強度分布補償処理によって図13(a)に示す2つの分割領域に設定される配列パターンを示す平面図であり、図13(c)は、図13(a)に示す配列パターンが設定された分割領域を介した露光光の強度分布を示すグラフであり、図13(d)は、図13(b)に示す配列パターンが設定された分割領域を介した露光光の強度分布を示すグラフである。 図14(a)は、X軸方向に沿って隣接する2つの分割領域を示す平面図であり、図14(b)は、強度分布補償処理によって図14(a)に示す2つの分割領域に設定される配列パターンを示す平面図であり、図14(c)は、空間像の強度分布を示すグラフである。 図15(a)は、同じ配列パターンが設定された4つの分割領域を示す平面図であり、図15(b)は、図15(a)に示す4つの分割領域を介した露光光の強度分布を示すグラフである。 図16(a)は、X軸方向及びY軸方向の双方に交差する方向に沿って隣り合う2つの分割領域に異なる配列パターンが設定された4つの分割領域を示す平面図であり、図16(b)は、図16(a)に示す4つの分割領域を介した露光光の強度分布を示すグラフである。 図17(a)は、図16(a)に示す4つの分割領域の夫々を更に分割することで得られる16個の分割領域を示す平面図であり、図17(b)は、図17(a)に示す16個の分割領域を介した露光光の強度分布を示すグラフである。 図18(a)から図18(c)は、2つの分割領域に異なる配列パターンが設定された4つの分割領域を示す平面図である。 図19は、マイクロデバイスを製造する方法を示すフローチャートである。
 以下、図面を参照しながら、実施形態にかかる制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラムについて説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。
 以下の説明では、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸から定義されるXYZ直交座標系を用いて、露光装置を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、X軸方向及びY軸方向のそれぞれが水平方向(つまり、水平面内の所定方向)であり、Z軸方向が鉛直方向(つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向)であるものとする。また、X軸、Y軸及びZ軸周りの回転方向(言い換えれば、傾斜方向)を、それぞれ、θX方向、θY方向及びθZ方向と称する。
 (1)露光装置1
 図1から図3を参照しながら、本実施形態の露光装置1について説明する。
 (1-1)露光装置1の構造
 初めに、図1を参照しながら、本実施形態の露光装置1の構造について説明する。図1は、本実施形態の露光装置1の構造の一例を示す側面図である。
 図1に示すように、露光装置1は、光源11と、照明光学系12と、ミラー13と、空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)14と、投影光学系15と、ステージ16と、コントローラ17とを備えている。
 光源11は、コントローラ17によって制御され、露光光EL1を射出する。光源11は、露光光EL1として、所定の周波数で明滅を繰り返すパルス光を射出する。つまり、光源11は、所定の発光時間(以下、当該発光時間を“パルス幅”と称する)で発光するパルス光を所定の周波数で射出する。例えば、光源11は、パルス幅が50nsとなるパルス光を4kHzから6kHzの周波数で射出してもよい。光源11からパルス発光される露光光EL1は、波長が193nmとなるArFエキシマレーザ光であってもよい。
 照明光学系12は、例えば米国特許第8,792,081号公報などに開示されるように、フライアイレンズやロッド型インテグレータ等のオプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及び照野絞り(いずれも不図示)を有していてもよい。照明光学系12は、光源11からの露光光の光量EL1を均一化して露光光EL2として射出する。この露光光EL2によって空間光変調器14の光変調面14aが照明される。尚、空間光変調器の光変調面14a上には、照明光学系12の照野絞り(マスキングシステム)で規定された矩形状の照明領域が形成される。
 尚、照明光学系12は、光変調面14a上での露光光EL2の強度分布を変更するビーム強度分布変更部等を含んでいてもよい。
 ミラー13は、照明光学系12から出力される露光光EL2を偏向して、空間光変調器14の光変調面14aに導く。
 空間光変調器14は、後述するように、2次元的に配列された複数のミラー要素141を備える。ここで、複数のミラー要素141が配列されている面を光変調面14aと称する。この光変調面14aには、照明光学系12からミラー13を介して伝搬してくる露光光EL2が照射される。光変調面14aは、XY平面に平行な平面であって、露光光EL2の進行方向に交わる面である。光変調面14aは、矩形の形状を有している。露光光EL2は、光変調面14aをほぼ均一な照度分布で照明する。
 空間光変調器14は、当該空間光変調器14の光変調面14aに照射された露光光EL2を、投影光学系15に向けて反射する。空間光変調器14は、露光光EL2を反射する際に、当該露光光EL2を、ウェハ161に転写するべきデバイスパターン(つまり、ウェハ161に投影するべきパターン像)に応じて空間変調する。ここで、「光を空間変調する」とは、当該光の進行方向を横切る断面における当該光の振幅(強度)、光の位相、光の偏光状態、光の波長及び光の進行方向(言い換えれば、偏向状態)のうちの少なくとも1つである光特性の分布を変化させることを意味していてもよい。本実施形態では、空間光変調器14は、反射型の空間光変調器である。
 次に、図2(a)から図2(d)を参照しながら、空間光変調器14について更に説明を加える。図2(a)及び図2(b)に示すように、空間光変調器14は、複数のミラー要素141を備えている。尚、図2(b)は、図面の見易さを考慮して、図2(a)に示す複数のミラー要素141の一部を抜粋した図面である。複数のミラー要素141は、光変調面14aに平行な面であるXY平面上において、二次元のアレイ状に(言い換えれば、マトリクス状に)配列されている。例えば、複数のミラー要素141のY軸方向に沿った配列数は、数百から数千である。例えば、複数のミラー要素141のX軸方向に沿った配列数は、複数のミラー要素141のY軸方向に沿った配列数の数倍から数十倍である。複数のミラー要素141のX軸方向に沿った配列数の一例は、数百から数万である。複数のミラー要素141は、X軸方向に沿って所定の配置間隔pxの間隔を隔て且つY軸方向に沿って所定の配置間隔pyの間隔を隔てるように、配列されている。配置間隔pxの一例は、例えば、10マイクロメートルから1マイクロメートルである。配置間隔pyの一例は、例えば、10マイクロメートルから1マイクロメートルである。
 各ミラー要素141は、正方形の形状(或いは、その他任意の板状の形状)を有している。各ミラー要素141のX軸方向及びY軸方向のサイズは、各ミラー要素141の位置及び/又は姿勢が変更されるため、それぞれ、上述した配置間隔px及びpyよりも小さくなる。つまり、X軸方向に沿って隣接する2つのミラー要素141の間及びY軸方向に沿って隣接する2つのミラー要素141の間には、ミラー要素141を構成しない隙間142が存在する。逆に言えば、各ミラー要素141の位置及び/又は姿勢の変更を考慮すると、各ミラー要素141のX軸方向及びY軸方向のサイズがそれぞれ上述した配置間隔px及びpyと同一となる(つまり、隙間142が存在しない)ように各ミラー要素141を製造することは、技術的に困難であると推定される。但し、各ミラー要素141の形状及びサイズは任意であってもよい(例えば各ミラー要素141のX軸方向及びY軸方向のサイズが上述した配置間隔px及びpyと実質的に同一であってもよい)。
 各ミラー要素141のうち露光光EL2が照射される面は、露光光EL2を反射する反射面141aとなっている。各ミラー要素141のXY平面に平行な2つの表面のうち-Z方向側に位置する表面は、反射面141aとなっている。反射面141aには、例えば反射膜が形成されている。反射面141aの反射膜としては、例えば金属膜や誘電体多層膜を用いてもよい。複数のミラー要素の141の反射面141aの集合が、実質的には、露光光EL2が照射される光変調面14aとなる。
 図2(c)に示すように、空間光変調器14の各ミラー要素141は、第1接続部材143によってヒンジ部144と接続されている。ヒンジ部144は、弾性変形を利用してZ軸方向に撓むことが可能な可撓性を有している。このヒンジ部144は、支持基板149上に設けられた一対のポスト部145によって支持されている。また、ヒンジ部144には、後述する電極148によって静電力(引力又は斥力)の作用を受けるアンカー部146とヒンジ部144とを接続する第2接続部材147が設けられている。このように、アンカー部146とミラー要素141とは、第1接続部材143及び第2接続部材147並びにヒンジ部144を介して機械的に接続されている。そして、支持基板149の表面には電極148が形成されている。なお、ポスト部145は一対には限定されず、2以上の数であってもよい。
 電極148に所定の電圧が印加されると、アンカー部146の裏面と電極148との間に静電力が作用する。上述の通り、アンカー部146の裏面と電極148との間に静電力を作用させると、アンカー部146が支持基板149側に移動し、この移動に伴ってミラー要素141も支持基板149側に移動する。
 各ミラー要素141の状態は、アンカー部146と電極148との間に作用する静電力及びヒンジ部144の弾性力に起因して、反射面141aに直交する方向(つまり、Z軸方向)に沿った位置が異なる2つの状態の間で切り替わる。例えば、図2(d)の左側に示すように、アンカー部146と電極148との間に静電力が作用していない場合(つまり、ヒンジ部144が撓んでいない場合)には、各ミラー要素141は、各ミラー要素141の反射面141aが基準平面A1に一致する第1状態となる。例えば、図2(d)の右側に示すように、アンカー部146と電極148との間に静電力が作用している場合(つまり、ヒンジ部144が撓んでいる場合)には、各ミラー要素141は、各ミラー要素141の反射面141aが基準平面A1から+Z方向側に向かって距離d1だけシフトした変位平面A2に一致する第2状態となる。
 第2状態にあるミラー要素141の反射面141aは、第1状態にあるミラー要素141の反射面141aから+Z方向側に向かって距離d1だけシフトした位置にある。このため、第2状態にあるミラー要素141が露光光EL2を反射することで得られる露光光EL3の波面の位相と、第1状態にあるミラー要素141が露光光EL2を反射することで得られる露光光EL3の波面の位相とは異なる。この位相差は、距離d1の倍の長さに相当する。本実施形態では、距離d1は、露光光EL1の波長λの1/4と一致する。つまり、d1は、d1=λ/4±mλ(但し、mは整数)という数式にて表現される。この場合、第2状態にあるミラー要素141が露光光EL2を反射することで得られる露光光EL3の波面の位相は、第1状態にあるミラー要素141が露光光EL2を反射することで得られる露光光EL3の波面の位相と比較して、180度(πラジアン)だけ異なる。つまり、第1状態にあるミラー要素141を介した露光光EL3の波面の位相は、第2状態にあるミラー要素141を介した露光光EL3の波面の位相に対して反転している。尚、以下では、説明の便宜上、第1状態を「0状態」と称し、第2状態を「π状態」と称する。
 空間光変調器14は、コントローラ17の制御下で、ウェハ161に転写するべきデバイスパターン(つまり、ウェハ161に投影するべきパターン像、以下同じ)に応じて、複数のミラー要素141の状態を制御する。具体的には、後に詳述するパターン設計装置2(図4(a)等参照)は、ウェハ161に転写するべきデバイスパターンに応じて、複数のミラー要素141の状態を決定する。例えば、パターン設計装置2は、複数のミラー要素141のそれぞれが0状態となるべきか又はπ状態となるべきかを決定することで、複数のミラー要素141の状態を決定する。これにより、複数のミラー要素141で反射される露光光EL3の、当該露光光EL3の進行方向に直交する(或いは、交わる)面における位相分布が決定される。コントローラ17は、パターン設計装置2から、複数のミラー要素141の状態を規定する変調パターンデータを取得する。コントローラ17は、変調パターンデータに基づいて、複数のミラー要素141の状態を制御する。
 尚、このような空間光変調器14の一例は、例えば、米国特許出願公開第2013/0222781号明細書に記載されている。
 再び図1において、投影光学系15は、空間光変調器14によって空間変調された露光光EL3でウェハ161に明暗のパターン像を投影する。投影光学系15は、露光光EL3でウェハ161の表面(具体的には、ウェハ161に塗布されているレジスト膜の表面)に、空間光変調器14による空間変調に応じたパターン像を投影する。
 投影光学系15は、露光光EL3を、ウェハ161の表面に設定される面状の露光領域ELAに投影する。つまり、投影光学系15は、ウェハ161の表面に設定される面状の露光領域ELAが露光光EL3によって露光されるように、露光領域ELAに露光光EL3を投影する。投影光学系15の光軸AXは、面状の露光領域ELAに直交する。面状の露光領域ELAは投影光学系15の光軸AXから外れた位置に形成される。ウェハ161の表面と投影光学系15の光軸AXとが一致する部分から外れた所定領域が、面状の露光領域ELAとなる。
 投影光学系15は、デバイスパターンに基づく位相分布を有する露光光EL3を、位相分布に応じた強度分布を持つ空間像としてウェハ161の表面に投影する。
 投影光学系15は、縮小系である。本実施形態では、投影光学系15の投影倍率は、一例として1/200である。本実施形態における投影光学系15の解像度は、空間光変調器14の各ミラー要素141の大きさ(各ミラー要素の一辺の寸法)に投影倍率を乗じた値よりも大きくなるように設定されている。従って、単一のミラー要素141によって反射された露光光EL3は、露光領域ELA上では解像されることはない。なお、投影光学系の投影倍率は、1/200の縮小倍率には限定されず、例えば1/400の縮小倍率であってもよく、等倍や拡大倍率であってもよい。
 ステージ16は、ウェハ161を保持可能であり、保持したウェハ161をリリース可能である。ステージ16は、コントローラ17の制御下で、ウェハ161を保持した状態で、露光領域ELAを含む平面(例えば、XY平面)に沿って移動可能である。ステージ16は、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及びθZ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。例えば、ステージ16は、平面モータを含むステージ駆動系162の動作により移動してもよい。尚、平面モータを含むステージ駆動系162の一例は、例えば、米国特許第6,452,292号に開示されている。但し、ステージ駆動系162は、平面モータに加えて又は代えて、他のモータ(例えば、リニアモータ)を含んでいてもよい。
 ステージ16のXY平面内での位置(但し、θX方向、θY方向及びθZ方向のうちの少なくとも一つに沿った回転角度を含んでいてもよい)は、レーザ干渉計163によって、例えば0.25nm程度の分解能で常時計測されている。レーザ干渉計163の計測結果は、コントローラ17に出力される。但し、露光装置1は、レーザ干渉計163に加えて又は代えて、ステージ16のXY平面内での位置を計測可能なその他の計測装置(例えば、エンコーダ)を備えていてもよい。
 コントローラ17は、露光装置1の動作を制御する。コントローラ17は、例えば、CPU(Central Processing Unit)や、メモリを含んでいてもよい。例えば、コントローラ17は、光源11による露光光EL1の射出動作を制御する。具体的には、コントローラ17は、所定のパルス幅を有すると共に所定の周波数でパルス発光するパルス光を露光光EL1として適切なタイミングで射出するように光源11を制御する。更に、コントローラ17は、空間光変調器14による露光光EL2の空間変調動作を制御する。具体的には、コントローラ17は、パターン設計装置2から取得した変調パターンデータに基づいて、複数のミラー要素141の状態を制御する。更に、コントローラ17は、ステージ16の移動を制御する。具体的には、コントローラ17は、露光領域ELAがウェハ161の表面上を所望の移動経路を通って相対的に移動していくように、ステージ駆動系162を制御する。
 尚、照明光学系12は、露光光EL2が光変調面14aの一部に照射されるように露光光EL1を調整してもよい。照明光学系12は、光変調面14a上での露光光EL2が照射される照射領域が光変調面14aよりも小さくなるように、露光光EL1を調整してもよい。照明光学系12は、光変調面14a上での露光光EL1が照射される照射領域の形状が光変調面14aの形状と一致しないように、露光光EL1を調整してもよい。例えば、光変調面14a上での露光光EL2が照射される照射領域の形状を、光変調面より小さな多角形状(台形状、平行四辺形状、六角形状等)にしてもよい。また、照明光学系12は、露光光EL2のビーム断面内での強度分布を変更して、光変調面14aに達する露光光EL2の照度分布をほぼ均一にしてもよい。この場合、照明光学系12は、照明光学系12が備えるオプティカルインテグレータの射出側の光路に配置されるビーム強度分布変更部を備えていてもよい。尚、照明光学系12は、露光光EL2のビーム断面内での強度分布を変更して、光変調面14aに達する露光光EL2の照度分布を不均一、例えば走査方向と直交する方向において台形状としてもよい。また、光変調面14aに達する露光光EL2の照度分布をスキャン方向において台形状としてもよい。
 空間光変調器14は、露光光EL3の位相分布を制御することに加えて又は代えて、露光光EL3の強度分布(つまり、露光光EL3の進行方向に直交する(或いは、交わる)方向に沿った面上における強度分布)を制御してもよい。空間光変調器14は、複数のミラー要素141に代えて、露光光EL2を空間変調することが可能な任意の装置(例えば、液晶パネル等)を備えていてもよい。
 上述の例における空間光変調器14は、それぞれの上下方向(つまり、露光光EL2の進行方向)に沿った位置が可変である複数のミラー要素141を備える位相型(ピストン型)の空間光変調器である。しかしながら、空間光変調器14は、それぞれが傾斜可能な(例えば、X軸又はY軸に対して傾斜可能な)複数のミラー要素を備える傾斜型の空間光変調器であってもよい。傾斜型の空間光変調器は、空間光変調器が有するミラーの配列面に沿って反射面が位置する基準状態と、当該配列面に対して反射面が傾斜している傾斜状態との間で反射される光の間の位相差を与える空間光変調器であってもよい。また、空間光変調器14は、傾斜型の空間光変調器が備える複数のミラー要素の反射面に段差を設けた位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器であってもよい。位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器は、光変調面14aに平行な反射面141aが反射する光と光変調面14aに対して傾斜している反射面141aが反射する光との間の位相差をλ/2(180度(πラジアン))に設定する空間光変調器である。また、国際公開第2014/104001号パンプレットに開示されている、それぞれの上下方向の位置が可変である複数のミラー要素と、当該複数のミラー要素の間に位置する固定反射面とを備え、ミラーの上下方向の移動によって光強度を空間変調する空間光変調器が用いられてもよい。
 (1-2)露光装置1の動作
 続いて、図3(a)から図3(c)を参照しながら、本実施形態の露光装置1の動作(特に、露光動作)について説明する。図3(a)は、ウェハ161の表面上における露光領域ELAの移動経路の一例を示す平面図である。図3(b)及び図3(c)は、それぞれ、複数のミラー要素141の状態の一例を示す平面図である。
 まず、露光装置1は、ウェハ161をローディングする。言い換えれば、ステージ16上にウェハ161(つまり、レジストが塗布されたウェハ161)が搭載される。その後、露光装置1は、ウェハ161を露光する。
 図3(a)に示すように、露光光EL3は、ウェハ161の表面に設定される面状の露光領域ELAに照射される。露光光EL3は、露光領域ELAを露光する。露光領域ELAは、露光光EL3であるパルス光のうちの1回又は複数回のパルス発光によって露光される。その結果、露光光EL3は、ウェハ161の表面のうち露光領域ELAと重なる少なくとも一部の面部分である露光対象面110に照射される。
 露光領域ELAがウェハ161の表面上を所望の移動経路を通って相対的に移動していくようにステージ16が移動する。図3(a)中に示す矢印は、露光領域ELAの移動経路の一例を示している。図3(a)に示す例では、あるタイミングで露光領域ELAが+Y方向(+スキャン方向)に向かって移動するように、ステージ16が-Y方向に向かって移動する。その後、露光領域ELAが-X方向に向かって移動するように、ステージ16が+X方向(+ステップ方向)に向かって移動する。その後、露光領域ELAが-Y方向(-スキャン方向)に向かって移動するように、ステージ16が+Y方向に向かって移動する。その後、露光領域ELAが-X方向(-ステップ方向)に向かって移動するように、ステージ16が+X方向に向かって移動する。以降、ステージ16は、-Y方向に向かう移動、+X方向に向かう移動、+Y方向に向かう移動及び+X方向に向かう移動を繰り返す。その結果、露光領域ELAは、ウェハ161の表面を図3(a)中の矢印が示す経路を通って相対的に移動する。尚、このような露光方法は、例えば米国特許第8,089,616号公報に開示されている。
 ウェハ161の表面は、複数の露光対象面110に区分可能である。この場合、ステージ16は、露光領域ELAが複数の露光対象面110に順次重なるように移動する。ステージ16は、露光領域ELAが複数の露光対象面110を順次トレースするように移動する。図3(a)に示す例では、ステージ16は、露光領域ELAが露光対象面110-1に重なるように-Y方向に向かって移動する。露光領域ELAが露光対象面110-1に重なるタイミングで露光光EL3が露光領域ELA(つまり、露光対象面110-1)を露光するように、光源11は、露光光EL1を射出する。つまり、光源11は、露光領域ELAが露光対象面110-1に重なるタイミングと光源11が射出するパルス光のうちの1回のパルス発光のタイミングとが一致するように、露光光EL3を射出する。その後、ステージ16は、Y軸方向に沿って露光対象面110-1に隣接する露光対象面110-2aに露光領域ELAが重なるように-Y方向に向かって移動する。露光領域ELAが露光対象面110-1から露光対象面110-2に向かって移動している間は、光源11は、露光光EL1を射出しない。つまり、露光領域ELAが露光対象面110-1から露光対象面110-2に向かって移動している間は、パルス発光が行われることはない。露光領域ELAが露光対象面110-2に重なるタイミングで露光光EL3が露光領域ELA(つまり、露光対象面110-2)を露光するように、光源11は、露光光EL1を射出する。以降、Y軸に沿って並ぶ一連の露光対象面110に対しても同様の動作が繰り返される。その後、Y軸に沿って並ぶ一連の露光対象面110に対する露光が終了する(つまり、露光対象面110-3に対する露光が終了する)と、ステージ16は、露光対象面110-3にX軸方向に沿って隣接する露光対象面110-4に露光領域ELAが重なるように-X方向に向かって移動する。以降、露光対象面110-4を起点として、Y軸に沿って並ぶ一連の露光対象面110に対しても同様の動作が繰り返される。以降は、図3(a)に示す移動経路を通って露光対象面ELAが移動するように、上述した動作が繰り返される。
 尚、図3(a)に示す例では、説明の簡略化のために、一の露光対象面110は、隣接する他の露光対象面110と重なることはないものとする。つまり、一の露光対象面110の一部が、隣接する他の露光対象面110の一部と重複することはないものとする。但し、一の露光対象面110の少なくとも一部は、隣接する他の露光対象面110の少なくとも一部と重なってもよい。例えば、一の露光対象面110の一部を1回のパルス発光で露光し、この一の露光対象面110の一部と重複する他の露光対象面110の一部を1回のパルス発光で露光してもよい。
 また、図3(a)に示す例では、露光領域ELAがウェハ161の表面を所望の移動経路を通って相対的に移動している間に、1回又は複数回のパルス発光でウェハ161が露光されている。しかしながら、ウェハ161が露光されるタイミングで、露光領域ELAがウェハ161上で静止していてもよい。この場合、露光装置1は、露光対象面110を露光した後に、露光領域ELAをウェハ161の表面上で移動させる動作を行う。また、このようにウェハ161に対して露光領域ELAが静止した状態でウェハ161が露光される場合には、露光装置1は、1回のパルス発光による露光に代えて、複数回のパルス発光による露光を行ってもよい。
 空間光変調器14が備える複数のミラー要素141は、1回の露光(つまり、1回のパルス発光)毎に、1回のパルス発光による露光によってウェハ161に転写されるべきデバイスパターンに基づく状態に遷移する。つまり、複数のミラー要素141は、変調パターンデータが規定する、1回のパルス発光による露光を行う際の複数のミラー要素141の状態に遷移する。言い換えれば、複数のミラー要素141は、変調パターンデータのうち1回のパルス発光によってある露光対象領域110に転写されるべきデバイスパターンに対応するデータブロックに基づく状態に遷移する。
 図3(a)に示す例では、露光対象面110-1が露光される場合には、複数のミラー要素141は、露光対象面110-1に対する1回の露光によってウェハ161に転写されるべきデバイスパターン(つまり、露光対象面110-1の下部に位置するウェハ161に転写されるべきデバイスパターン)に基づく状態に遷移する。その後、露光対象面110-1に続いて露光対象面110-2が露光される場合には、複数のミラー要素141は、露光対象面110-2に対する1回の露光によってウェハ161に転写されるべきデバイスパターン(つまり、露光対象面110-2の下部に位置するウェハ161に転写されるべきデバイスパターン)に基づく状態に遷移する。例えば、図3(b)は、露光対象面110-1を露光するための複数のミラー要素141の状態の一例を示す。例えば、図3(c)は、露光対象面110-2を露光するための複数のミラー要素141の状態の一例を示す。
 尚、図3(b)及び図3(c)中の白抜き領域で示すミラー要素141は、0状態にあるミラー要素141を示している。一方で、図3(b)及び図3(c)中の網掛け領域で示すミラー要素141は、π状態にあるミラー要素141を示している。
 以上説明したようにウェハ161が露光された後には、ウェハ161は、不図示のデベロッパーによって現像される。その後、ウェハ161は、不図示のエッチング装置によってエッチングされる。その結果、ウェハ161上に、デバイスパターンが転写(言い換えれば、形成)される。
 (2)パターン設計装置2
 続いて、図4(a)から図17(b)を参照しながら、複数のミラー要素141の状態を規定する変調パターンデータ(つまり、空間光変調器14を制御する制御データ)を生成するパターン設計装置2について説明する。
 (2-1)パターン設計装置2の構造
 はじめに、図4(a)から図4(c)を参照しながら、パターン設計装置2の構造について説明する。図4は、パターン設計装置2の構造を示すブロック図である。
 図4(a)に示すように、パターン設計装置2は、コントローラ21と、メモリ22と、入力部23と、操作機器24と、表示機器25とを備える。
 ここで、図4(b)に示すように、パターン設計装置2は、複数の露光装置1と有線又は無線の通信インターフェース4を介して接続されて複数の露光装置1を統括的に制御するホストコンピュータ3に設けられていてもよい。このホストコンピュータ3は、露光装置1が設置されるデバイス製造工場内に設けられていてもよいし、デバイス製造工場外に設けられていてもよい。ホストコンピュータは、例えば、デバイス製造メーカが有する。
 また、図4(c)に示すように、パターン設計装置2は、複数の露光装置1と有線又は無線の通信インターフェース5を介して接続されたサーバに設けられていてもよい。そして、このパターン設計装置2は、ホストコンピュータ3と、有線又は無線の通信インターフェース6を介して接続されていてもよい。図4(c)の場合において、パターン設計装置2は、露光装置1が設置されるデバイス製造工場内に設けられていてもよいし、デバイス製造工場外に設けられていてもよい。
 コントローラ21は、パターン設計装置2の動作を制御する。コントローラ21は特に、後に詳述するように、変調パターンデータを生成する。具体的には、コントローラ21は、所定の費用関数(言い換えれば、目的関数)の終了条件が満たされるように、当該費用関数を定義する設計変数を調整する。つまり、コントローラ21は、設計変数を最適化するための最適化問題又は数理計画問題を解く。その結果、コントローラ21は、最適化された設計変数に基づいて変調パターンデータを生成することができる。尚、ここで言う「設計変数の最適化」とは、デバイスパターンをより良好な特性でウェハ161に転写することが可能な露光動作を規定可能な設計変数を算出する動作を意味する。
 設計変数の少なくとも一部は、後に詳述するように、複数のミラー要素141の状態を直接的に又は間接的に規定する。このため、コントローラ21は、費用関数を定義する設計変数を調整することで、複数のミラー要素141の状態を規定する変調パターンデータを生成することができる。つまり、コントローラ21は、設計変数を最適化することで、変調パターンデータを生成することができる。
 コントローラ21は、実質的には、EDA(Electronic Design Automation)ツールとして機能する。このため、コントローラ21は、上述した設計変数の調整動作(特に、パターン設計動作)をコントローラ21に行わせるためのコンピュータプログラムを実行することで、EDAツールとして機能してもよい。
 メモリ22は、上述した変調パターンデータの生成処理をコントローラ21に行わせるためのコンピュータプログラムを格納する。メモリ22は、更に、コントローラ21が上述した変調パターンデータの生成処理を行っている間に生成される中間データを一時的に格納する。
 入力部23は、コントローラ21が変調パターンデータの生成処理を行うために用いられる各種データの入力を受け付ける。このようなデータの一例として、ウェハ161に対して転写するべきデバイスパターンを示すデータや、設計変数の初期値を示すデータや、設計変数の制約条件を示すデータ等があげられる。但し、パターン設計装置2は、入力部23を備えていなくてもよい。
 操作機器24は、パターン設計装置2に対するユーザの操作を受け付ける。操作機器24は、例えば、キーボード、マウス及びタッチパネルの少なくとも一つを含んでいてもよい。コントローラ21は、操作機器24が受け付けたユーザの操作に基づいて、上述した変調パターンデータの生成処理を行ってもよい。但し、パターン設計装置2は、操作機器24を備えていなくてもよい。
 表示機器25は、所望の情報を表示可能である。例えば、表示機器25は、パターン設計装置2の状態を示す情報を直接的に又は間接的に表示してもよい。例えば、表示機器25は、パターン設計装置2が生成している変調パターンデータを直接的に又は間接的に表示してもよい。例えば、表示機器25は、上述した変調パターンデータの生成処理に関連する任意の情報を直接的に又は間接的に表示してもよい。但し、パターン設計装置2は、表示機器25を備えていなくてもよい。
 尚、パターン設計装置2は、露光装置1が備えるコントローラ17の一部を構成する装置であってもよい。つまり、パターン設計装置2は、露光装置1の一部を構成する装置であってもよい。この場合、コントローラ17は、変調パターンデータを生成し、生成した変調パターンデータに基づいて空間光変調器14を制御する。
 (2-2)パターン設計装置が行う変調パターンデータの生成処理
 続いて、図5のフローチャートを参照しながら、パターン設計装置2が行う変調パターンデータの生成処理について説明する。
 図5に示すように、コントローラ21は、照明光学系12に関連する設計変数を設定する(ステップS21)。照明光学系12に関連する設計変数は、光源11の特性(例えば、光変調面14aでの光強度分布、光変調面14aでの光の偏光状態の分布、照明光学系12の瞳面での光強度分布、照明光学系12の瞳面での光の偏光状態の分布等)を規定する、調整可能な又は固定されたパラメータである。このような光源11に関連する設計変数として、光源11による照明パターンの形状(つまり、露光光EL1の射出パターンの形状)及び露光光EL1の光強度等のうちの少なくとも一つが一例としてあげられる。
 コントローラ21は、更に、投影光学系15に関連する設計変数を設定する(ステップS22)。投影光学系15に関連する設計変数は、投影光学系15の特性(例えば、収差やリターデーション等の光学特性)を規定する、調整可能な又は固定されたパラメータである。このような投影光学系15に関連する設計変数として、投影光学系15が投影する露光光EL3の波面形状、投影光学系15が投影する露光光EL3の強度分布及び投影光学系15が投影する露光光EL3の位相シフト量等のうちの少なくとも一つが一例としてあげられる。或いは、投影光学系15が露光光EL3の波面形状、露光光EL3の強度分布及び露光光EL3の位相シフト量等のうちの少なくとも一つを調整可能な波面マニピュレータを備えている場合には、このような投影光学系15に関連する設計変数として、波面マニピュレータの制御量(或いは、状態)が一例としてあげられる。
 コントローラ21は、更に、設計レイアウトに関連する設計変数を設定する(ステップS23)。設計レイアウトに関連する設計変数は、設計レイアウト(つまり、ウェハ161に所望のデバイスパターンを転写するために用いられる物理的な又は仮想的なマスクパターン又は所望のデバイスパターンそのもの)の特性(例えば、光学特性)を規定する、調整可能な又は固定されたパラメータである。設計レイアウトは、ウェハ161に転写するべきデバイスパターン及び所定の設計ルールに基づいて、いわゆるEDAによって生成される。所定の設計ルールとして、例えば、ライン又はホールの最小幅や、2本のライン又は2つのホールの間の最小空間が一例としてあげられる。
 尚、照明光学系に関連する設計変数、投影光学系15に関連する設計変数及び設計レイアウトに関連する設計変数の一例は、上述した特許文献1(国際公開第2006/083685号パンフレット)等に記載されている。このため、説明の簡略化のために、これらの設計変数に関する詳細な記載は省略する。
 コントローラ21は、更に、空間光変調器14に関連する設計変数を設定する(ステップS24)。空間光変調器14に関連する設計変数は、空間光変調器14の特性(例えば、光学特性)を規定する、調整可能な又は固定されたパラメータである。このような空間光変調器14に関連する設計変数として、空間光変調器14が備える各ミラー要素141の光学特性が一例としてあげられる。尚、上述したように、各ミラー要素141は、第1状態(0状態)又は第2状態(π状態)に設定される。このため、空間光変調器14に関連する設計変数は、実質的には、各ミラー要素141の状態(或いは、0状態にあるミラー要素141の分布や、π状態にあるミラー要素141の分布)を示す設計変数である。
 ステップS21からステップS24の動作に加えて、コントローラ21は、各設計変数の制約条件を設定してもよい。更に、コントローラ21は、入力部23を介して、コントローラ21が変調パターンデータを生成するために用いられる各種データを取得してもよい。設定された制約条件及び入力部23を介して取得された各種データは、後述する設計変数の調整の際に考慮されてもよい。
 その後、コントローラ21は、ステップS21からステップS24において設定された設計変数によって規定される費用関数CFを定義する(ステップS25)。費用関数CFの一例は、例えば数式1によって示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
 ここで、「(z1、・・・、z1N1)」は、ステップS21において設定された光源11に関連する設計変数を示す。「N1」は、光源11に関連する設計変数の総数を示す。「(z2、・・・、z2N2)」は、ステップS22において設定された投影光学系15に関連する設計変数を示す。「N2」は、投影光学系15に関連する設計変数の総数を示す。「(z3、・・・、z3N3)」は、ステップS23において設定された設計レイアウトに関連する設計変数を示す。「N3」は、設計レイアウトに関連する設計変数の総数を示す。「(z4、・・・、z4N4)」は、ステップS24において設定された空間光変調器14に関連する設計変数を示す。「N4」は、空間光変調器14に関連する設計変数の総数を示す。「f(z1、・・・、z1N1、z2、・・・、z2N2、z3、・・・、z3N3、z4、・・・、z4N4)」は、p番目の評価ポイント(例えば、ウェハ161上における空間像(つまり、露光光EL3の強度分布)ないしは当該空間像によって規定されるレジスト像のうちの所望の像部分に相当する評価ポイント)において設計変数「z1、・・・、z1N1、z2、・・・、z2N1、z3、・・・、z3N3、z4、・・・、z4N4」によって実現される特性の推定値と、当該p番目の評価ポイントにおいて実現されるべき特性の目標値との差分を導出する関数である。「w」は、p番目の評価ポイントに割り当てられた重み付け係数である。「P」は、評価ポイントの総数である。
 尚、数式1に示す費用関数CFはあくまで一例である。従って、数式1とは異なる費用関数CFが定義されてもよい。費用関数CFの他の一例は、例えば、上述した特許文献1(国際公開第2006/083685号パンフレット)等に記載されているため、その詳細な説明は省略する。
 その後、コントローラ21は、費用関数CFの終了条件が満たされるように、ステップS21からステップS24において設定した設計変数のうちの少なくとも一つを調整(言い換えれば、変更)する(ステップS26)。例えば、コントローラ21は、「費用関数CFが最小となる」という終了条件が満たされるように、少なくとも一つの設計変数を調整する。その結果、費用関数CFの終了条件を満たす設計変数の値が決定される。ここで、空間光変調器14に関連する設計変数が決定されると、空間光変調器14が備える複数のミラー要素141の状態が決定される。このため、コントローラ21は、空間光変調器14に関連する設計変数に基づいて、複数のミラー要素141の状態の分布を規定する変調パターンデータを生成することができる。
 変調パターンデータが生成された後、コントローラ21は更に、生成した変調パターンデータに対して、強度分布補償処理を行う(ステップS27)。強度分布補償処理は、ステップS26で生成された変調パターンデータに基づいて制御される空間光変調器14を介した露光光EL3のウェハ161上での実際の強度分布と露光光EL3の理想的な強度分布との間の誤差(つまり、理想的な強度分布を基準とする実際の強度分布の歪み)を低減するための処理である。言い換えれば、強度分布補償処理は、変調パターンデータに基づく露光光EL3の実際の強度分布を理想的な強度分布に近づけるように変調パターンデータを補正する(言い換えれば、調整する又は変更する)処理である。尚、強度分布補償処理については、後に詳述する(図6等参照)。
 以上の処理を行うことでコントローラ21が生成する変調パターンデータは、ウェハ161に転写されるべき全てのデバイスパターンに対応する変調パターンデータである。但し、コントローラ21が生成する変調パターンデータは、ウェハ161に転写されるべきデバイスパターンのうちの一部に対応する変調パターンデータであってもよい。一方で、上述したように、複数のミラー要素141は、1回の露光(つまり、1回のパルス発光)毎に、1回のパルス発光による露光によってある露光対象面110に転写されるべきデバイスパターンに基づく状態に遷移する。このため、コントローラ17は、変調パターンデータから、1回のパルス発光によってある露光対象領域110に転写されるべきデバイスパターンに対応するデータブロックを抽出する。その後、コントローラ17は、抽出したデータブロックに基づいて、複数のミラー要素141の状態を制御する。その結果、当該データブロックに対応する露光対象面110に対する露光が行われる。コントローラ17は、以上の動作を、ウェハ161上に設定される露光対象面110の数だけ繰り返す。
 (2-3)強度分布補償処理
 続いて、パターン設計装置2が行う強度分布補償処理について説明する。
 (2-3-1)露光光EL3の強度分布の歪み
 まず、図6(a)から図6(d)を参照しながら、強度分布補償処理の前提となる「露光光EL3の実際の強度分布と露光光EL3の理想的な強度分布との間の誤差(つまり、露光光EL3の強度分布の歪み)」について説明する。以下、デバイスパターンの一例として、単一のコンタクトホールを形成するために用いられるデバイスパターンを用いて、当該デバイスパターンをウェハ161に転写する露光光EL3の強度分布について説明する。
 図6(a)の上部は、単一のコンタクトホールを形成するために用いられるデバイスパターンが形成されたマスクMを示す平面図である。図6(a)の上部に示すように、このマスクMは、露光光が通過可能な開口部M1と、露光光を遮光する遮光部M2とを含む。このようなマスクMを介してウェハ161に投影される露光光の強度分布は、図6(a)の下部に示されている。図6(a)の下部に示すように、開口部M1に対応するウェハ161上の領域内での露光光の強度分布は、各領域部分が開口部M1の中心に対応する領域に近づくほど当該各領域部分での露光光の強度が大きくなるという強度分布となる。遮光部M2に対応するウェハ161上の領域内では、露光光の強度が概ねゼロになる(或いは、所定強度以下になる)。また、露光光の強度分布は、開口部M1の中心(つまり、コンタクトホールの中心)に対応する領域を基準に対称な分布であって且つ形成するべきコンタクトホールに応じた分布となる。図6(a)に示す強度分布は、理想的な強度分布に相当する。
 一方で、図6(b)の上部は、単一のコンタクトホールを形成するように制御されるミラー要素141を示している。つまり、図6(b)の上部は、設計レイアウトに関連する設計変数として図6(a)の上部に示すデバイスパターンが与えられた場合に生成される変調パターンデータに基づいて制御されるミラー要素141を示している。図6(b)の上部に示すように、変調パターンデータは、開口部M1に対応する複数のミラー要素141の全ての状態を0状態(或いは、π状態)に設定する。更に、変調パターンデータは、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141の状態を、0状態となるミラー要素141(以降、適宜“ミラー要素141(0)”と称する)及びπ状態になるミラー要素141(以降、適宜“ミラー要素141(π)”と称する)がX方向及びY方向の夫々に沿って交互に分布する(つまり、並ぶ)状態に設定する。尚、図6(b)においても、図3(b)及び図3(c)と同様に、白抜き領域で示すミラー要素141は、ミラー要素141(0)を示し、網掛け領域で示すミラー要素141は、ミラー要素141(π)を示している。以下の各図面においても同様である。
 このようなミラー要素141を介してウェハ161に投影される露光光EL3の強度分布は、図6(b)の下部に示されている。開口部M1に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度は、相対的に大きくなる(例えば、所定強度以上になる)。一方で、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度は、概ねゼロになる(或いは、所定強度以下になる)。なぜならば、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3と当該ミラー要素141(0)に隣接するミラー要素141(π)を介した露光光EL3とは、互いに打ち消しあうからである。その結果、ミラー要素141を介してウェハ161に投影される露光光EL3の強度分布は、マスクMを介してウェハ161に投影される露光光の強度分布を実質的に近似可能である。しかしながら、図6(b)の下部に示すように、ミラー要素141を介してウェハ161に投影される露光光EL3の強度分布は、図6(a)に示す理想的な強度分布(つまり、マスクMを介してウェハ161に投影される露光光の強度分布)に対して歪んでいる。その結果、ミラー要素141を介した露光光EL3によって形成されるコンタクトホールの形状もまた、コンタクトホールの理想的な形状に対して歪んでしまうおそれがある。
 このような歪みは、開口部M1に対応する複数のミラー要素141と遮光部M2に対応する複数のミラー要素141とが隣り合う境界領域を介した露光光EL3によって引き起こされる。以下、このような歪みが生ずる技術的理由について、図7(a)に示すミラー要素141を介した露光光EL3の強度分布を用いて説明する。図7(a)に示すミラー要素141は、図6(b)に示すミラー要素141のうち開口部M1と遮光部M2との境界付近に対応する一部のミラー要素141を示している。このようなミラー要素141を介してウェハ161に投影される露光光EL3は、開口部M1に対応するミラー要素141(0)を介した露光光EL3と、遮光部M2に対応するミラー要素141(0)及び141(π)を介した露光光EL3とを含む。
 ここで、上述したように、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3の位相は、ミラー要素141(π)を介した露光光EL3の位相に対して反転している(つまり、180度ずれている)。このため、図7(b)に示すように、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3の振幅の極性は、ミラー要素141(π)を介した露光光EL3の振幅の極性に対して反転していると言える。従って、便宜上、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3の振幅を「1(つまり、+1)」と表現すると、ミラー要素141(π)を介した露光光EL3の振幅は「-1」と表現可能である。尚、この場合、露光光EL3の振幅の基準レベル(ゼロレベル)は、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3の振幅のピーク値とミラー要素141(π)を介した露光光EL3の振幅のピーク値との平均値に相当する。
 このようなミラー要素141(0)及び141(π)を介した露光光EL3の振幅を考慮すると、図7(a)に示すミラー要素141を介した露光光EL3の振幅分布は、図8(a)の1段目に示す振幅分布となる。更に、図8(a)の1段目に示す露光光EL3の振幅分布は、図8(a)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布と、図8(a)の3段目に示す露光光EL3の振幅分布とに分解可能である。尚、図8(a)の3段目に示す「2(つまり、+2)」という振幅は、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3の振幅の2倍に相当する振幅を意味する。また、図8(a)の3段目に示す「0」という振幅は、ミラー要素141を介した露光光EL3の振幅がゼロレベルとなる(つまり、ミラー要素141を介した露光光EL3が実質的にウェハ161に投影されない)ことを意味する。
 図8(a)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布は、X方向及びY方向の夫々に沿って交互に分布するミラー要素141(0)及びミラー要素141(π)を介した露光光EL3の振幅分布と等価である。上述したように、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3と当該ミラー要素141(0)に隣接するミラー要素141(π)を介した露光光EL3とは、互いに打ち消しあう。このため、図8(a)の2段目に示す振幅分布を有する露光光EL3のウェハ161上での実際の振幅は、ゼロとなる(或いは、所定強度以下となる)。従って、図8(a)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布が露光光EL3の強度分布の歪みの原因である可能性は低い。
 一方で、図8(a)の3段目に示す露光光EL3の振幅分布は、図8(b)に示すように、図8(b)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布と、図8(b)の3段目に示す露光光EL3の振幅分布とに分解可能である。
 ここで、図8(b)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布は、図7(a)に示すミラー要素141を介した露光光EL3の振幅分布(つまり、図8(a)の1段目に示す露光光EL3の強度分布)と等価である。従って、図8(b)の2段目に示す振幅分布を有する露光光EL3は、デバイスパターンを転写するための露光光EL3であると言える。従って、図8(b)の2段目に示す露光光EL3の振幅分布が露光光EL3の強度分布の歪みの原因である可能性は低い。このため、露光光EL3の強度分布の歪みの原因は、図8(b)の3段目に示す露光光EL3の振幅分布にある可能性が高いと想定される。そこで、図9(a)及び図9(b)に示すように、図8(b)の2段目及び3段目に示す実空間上での露光光EL3の強度分布を、当該実空間に対応するフーリエ空間上での露光光EL3のスペクトルに変換して、露光光EL3の強度分布の歪みの原因を更に検討する。
 図9(a)は、図8(b)の2段目に示す露光光EL3のスペクトルを示す。尚、上述したように、図8(b)の2段目に示す露光光EL3は、デバイスパターンを転写するための露光光EL3であることから、以下では、図8(b)の2段目に示す露光光EL3のスペクトルを、“物体スペクトル”と称する。また、図9(b)は、図8(b)の3段目に示す露光光EL3のスペクトル(特に、露光光EL3の1次回折光のスペクトル)を示す。尚、図8(b)の3段目に示す露光光EL3の振幅分布は、「0」という振幅と「1」という振幅とがX方向及びY方向の夫々に沿って交互に分布する振幅分布(いわば、チェッカーマーク又は市松模様に相当する振幅分布)となっていることから、以下では、図8(b)の2段目に示す露光光EL3のスペクトルを、“0/1チェッカースペクトル”と称する。図9(b)に示す0/1チェッカースペクトルによれば、当該0/1チェッカースペクトルに相当する露光光EL3(以降、“0/1チェッカーパターン光”と称する)の大部分は、投影光学系15の瞳外において伝搬する。しかしながら、図9(b)に示すように、0/1チェッカーパターン光(特に、光変調面14aにおいて回折した露光光EL2に相当する0/1チェッカーパターン光)の一部は、投影光学系15の瞳内に回り込んでしまう。このような投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみは、フーリエ空間上での物体スペクトルと0/1チェッカースペクトルとの畳み込み(つまり、実空間上での物体スペクトルに相当する露光光EL3と0/1チェッカーパターン光との干渉)に起因してフーリエ空間上で0/1チェッカースペクトルの分布領域が拡大してしまうことで、より顕著になる。このような投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみは、デバイスパターンを転写するためには必要とされない。従って、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみが、露光光EL3の強度分布の歪みの原因となっていると想定される。
 このため、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみが低減(言い換えれば、抑制)されれば、露光光EL3の強度分布の歪みもまた低減(言い換えれば、抑制)される。つまり、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみが低減されれば、変調パターンデータに基づく露光光EL3の実際の強度分布が理想的な強度分布に近づく。従って、上述した強度分布補償処理は、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみを低減する処理であるとも言える。
 尚、図6(a)から図9(b)は、単一のコンタクトホールを形成するために用いられるデバイスパターンをウェハ161に転写する際に生ずる露光光EL3の強度分布の歪みについて説明している。しかしながら、任意のデバイスパターンをウェハ161に転写する際にも、同様の理由から、露光光EL3の強度分布の歪みが生じ得ることに変わりはない。
 (2-3-2)強度分布補償処理の具体例
 続いて、強度分布補償処理の具体例について説明する。以下では、強度分布補償処理の4つの具体例(第1具体例から第4具体例)について順に説明する。
 (2-3-2-1)強度分布補償処理の第1具体例
 強度分布補償処理の第1具体例は、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量R(言い換えれば、0/1チェッカーパターン光の回り込みに起因した強度分布の歪み量)を直接的に最小にするように、変調パターンデータを補正する強度分布補償処理である。つまり、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように、変調パターンデータを補正する。
 ここで、フーリエ空間での任意の座標(ξ、η)における0/1チェッカーパターン光の回りこみ量R(ξ、η)は、数式2によって特定可能である。尚、数式2における「p」は、実空間でのミラー要素141のサイズ(X軸方向又はY軸方向のサイズ)を示す。尚、説明の簡略化のため、数式2では、ミラー要素141のX軸方向のサイズは、ミラー要素141のY軸方向のサイズと同じであるものとする。しかしながら、ミラー要素141のX軸方向のサイズは、ミラー要素141のY軸方向のサイズと同じでなくてもよく、この場合には、数式2の「mλ/2p」及び「nλ/2p」が、夫々、「mλ/2px(但し、pxは、ミラー要素141のX軸方向のサイズを示す)」及び「nλ/2py(但し、pxは、ミラー要素141のY軸方向のサイズを示す)」に置き換えられてもよい。また、数式2における「λ」は、露光光EL1の波長を示す。また、数式2における(m、n)は、フーリエ空間での瞳外の座標(但し、m及びnの夫々は、1以上若しくは-1以下の整数)を示しており、実質的には、上述した0/1チェッカースペクトルが現れる座標に相当する。また、数式2における「amn」は、座標(m、n)における0/1チェッカースペクトルを示しており、数式3によって特定可能である。また、数式2における「TPATTERN(ξ、η)」は、所望のデバイスパターンを転写するために座標(ξ、η)において実現されるべき空間像のスペクトルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rは、数式2によって特定される回りこみ量R(ξ、η)を、瞳内の全ての座標(ξ、η)において加算することで得られる値に比例する。このため、コントローラ21は、数式4を満たすように変調パターンデータを補正する。尚、数式4における「(ξ、η)∈pupil」は、瞳内の全ての座標(ξ、η)を示す。変調パターンデータの補正は、例えば、補正前の変調パターンデータによれば0状態に設定されるミラー要素141の少なくとも一部が、補正後の変調パターンデータによればπ状態に設定されるように変調パターンデータの少なくとも一部を補正することを含む。変調パターンデータの補正は、例えば、補正前の変調パターンデータによればπ状態に設定されるミラー要素141の少なくとも一部が、補正後の変調パターンデータによれば0状態に設定されるように変調パターンデータの少なくとも一部を補正することを含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 数式4を満たすように変調パターンデータが補正されると、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になる。その結果、露光光EL3の強度分布の歪みもまた最小になる。つまり、補正後の変調パターンデータに基づく露光光EL3の実際の強度分布が理想的な強度分布に最も近づく。このため、空間光変調器14aを介した露光光EL3による露光品質が向上する。
 尚、上述した説明では、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように、変調パターンデータを補正している。しかしながら、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが第1所定量以下になる又は軽減される(言い換えれば、減少する)ように、変調パターンデータを補正してもよい。この場合であっても、変調パターンデータが補正されない場合と比較して、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが低減可能である。その結果、露光光EL3の強度分布の歪みもまた抑制可能である。
 また、コントローラ21は、数式4を満たすように変調パターンデータを補正する際に、補正後の変調パターンデータが、設計レイアウトが規定するデバイスパターンをウェハ161に適切に転写できる変調パターンデータになるという制約条件を採用してもよい。逆に言えば、コントローラ21は、数式4を満たすように補正された変調パターンデータでは設計レイアウトが規定するデバイスパターンをウェハ161に適切に転写できない場合には、変調パターンデータを補正しなくてもよい。或いは、コントローラ21は、数式4を満たすように補正された変調パターンデータでは設計レイアウトが規定するデバイスパターンをウェハ161に適切に転写できない場合には、数式4を満たさないものの数式4によって特定可能な瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが相応に低減される(例えば、第1所定量以下になる)と共に設計レイアウトが規定するデバイスパターンをウェハ161に適切に転写できるように、変調パターンデータを補正してもよい。以下に説明する第2具体例から第4具体例において変調パターンデータを補正する場合についても同様である。
 また、コントローラ21は、数式4を満たすように変調パターンデータを補正する際に、上述した数式1が示す費用関数CFが大きくなりすぎない(言い換えれば、費用関数CFが所定値以下になる)という制約条件を採用してもよい。逆に言えば、コントローラ21は、数式4を満たすように補正された変調パターンデータでは費用関数CFが大きくなりすぎる場合には、変調パターンデータを補正しなくてもよい。或いは、コントローラ21は、数式4を満たすように補正された変調パターンデータでは費用関数CFが大きくなりすぎる場合には、数式4を満たさないものの数式4によって特定可能な瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが相応に低減される(例えば、第1所定量以下になる)と共に費用関数CFが大きくなりすぎないように、変調パターンデータを補正してもよい。以下に説明する第2具体例から第4具体例において変調パターンデータを補正する場合についても同様である。
 (2-3-2-2)強度分布補償処理の第2具体例
 続いて、図10から図11(b)を参照しながら、強度分布補償処理の第2具体例について説明する。上述したように、露光光EL3の強度分布の歪みは、投影光学系15の瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみが原因である。0/1チェッカーパターン光は、開口部M1に対応する複数のミラー要素141と遮光部M2に対応する複数のミラー要素141とが隣り合う境界領域を介した露光光EL3の一部に相当する。このため、変調パターンデータのうち境界領域のミラー要素141を制御するためのデータ部分が補正されれば、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが低減可能であると推定される。
 境界領域には、開口部M1に対応する複数のミラー要素141と、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141とが存在する。従って、コントローラ21は、変調パターンデータのうち開口部M1に対応する複数のミラー要素141及び遮光部M2に対応する複数のミラー要素141のうちの少なくとも一部を制御するためのデータ部分を補正することで、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを低減可能である。
 ここで、上述したように、開口部M1に対応する複数のミラー要素141の全ての状態は、0状態(或いは、π状態)に設定される。この設定は、開口部M1に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度を所定強度に維持するためである。従って、変調パターンデータのうち開口部M1に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正する余地は相対的に小さい可能性がある。なぜならば、補正前の変調パターンデータによれば0状態に設定されるミラー要素141の少なくとも一部が、補正後の変調パターンデータによればπ状態に設定されるように変調パターンデータが補正されると、開口部M1に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度が低下してしまう可能性があるからである。一方で、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141の状態は、ミラー要素141(0)とミラー要素141(π)とがX方向及びY方向の夫々に沿って交互に分布する状態に設定される。この設定は、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度をゼロ(或いは、所定強度以下)にするためである。従って、露光光EL3の強度をゼロ(或いは、所定強度以下)にすることができる限りは、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141の状態はどのような状態に設定されてもよいはずである。従って、変調パターンデータのうち遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正する余地は相対的に大きい。
 以上の理由から、第2具体例では、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを低減するように、変調パターンデータのうち遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正するものとする。特に、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141が境界領域に存在するか否かを判定することによる処理負荷を低減するために、コントローラ21は、変調パターンデータのうち境界領域に存在する遮光部M2及び境界領域に存在しない遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正するものとする。但し、コントローラ21は、変調パターンデータのうち境界領域に存在する遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正する一方で、変調パターンデータのうち境界領域に存在しない遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正しなくてもよい。
 第2具体例では、コントローラ21は、以下の手順で、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正する。具体的には、コントローラ21は、図10に示すように、空間光変調器14の光変調面14a上において、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141が位置する遮光領域SLを、所定形状の複数の分割領域DAに分割する。所定形状は、例えば、矩形である。但し、所定形状は、矩形とは異なる任意の形状であってもよい。図10は、遮光領域が、4つの矩形の分割領域DA#11からDA#14に分割される例を示している。
 その後、コントローラ21は、各分割領域DA内におけるミラー要素141(0)及び141(π)の配列パターンとして、各分割領域DAを介した露光光EL3の強度をゼロにすることが可能な配列パターンを設定する。コントローラ21は、複数の分割領域DAに対して、同一の配列パターンを設定してもよい。コントローラ21は、複数の分割領域DAに対して、異なる配列パターンを設定してもよい。
 このとき、コントローラ21は、夫々が露光光EL3の強度をゼロにすることが可能な配列パターンに相当する複数のパターン候補の中から、各分割領域DAに設定する配列パターンとして一の候補パターンを選択する。例えば、コントローラ21は、分割領域DA#1に設定する配列パターンとして、第1の候補パターンを選択し、分割領域DA#2に設定する配列パターンとして、第1の候補パターン又は第1の候補パターンとは異なる第2の候補パターンを選択する。複数のパターン候補は、メモリ22に予め格納されていてもよいし、コントローラ21が適宜生成してもよい。
 ここで、上述したように、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を介した露光光EL3の強度がゼロになるのは、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141の状態が、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3と当該ミラー要素141(0)に隣接するミラー要素141(π)を介した露光光EL3とが互いに打ち消すことが可能な状態に設定されていることが理由である。このため、各分割領域DAに対しては、ミラー要素141(0)を介した露光光EL3と当該ミラー要素141(0)に隣接するミラー要素141(π)を介した露光光EL3とが互いに打ち消されるようにミラー要素141(0)及び141(π)が配列される配列パターンが設定される。このような配列パターンは、少なくとも1つのミラー要素141(0)と少なくとも1つのミラー要素141(π)とが所定規則に従って並んでいる基本パターンが、X軸方向及びY軸方向に沿って繰返し現れる配列パターンとなる可能性が高い。このため、各分割領域DAに対して設定される配列パターンの候補となる複数のパターン候補は、複数の基本パターンを含んでいてもよい。例えば、図11(a)及び図11(b)に示すように、複数のパターン候補は、2つのミラー要素141(0)及び2つのミラー要素141(π)が、ミラー要素141(0)とミラー要素141(π)とがX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って隣接するように2×2のマトリクス状に並ぶ基本パターン#1と、基本パターン#1を反転させる(つまり、基本パターン#1におけるミラー要素141(0)及び141(π)を夫々ミラー要素141(π)及び141(0)に置き換える)ことで得られる基本パターン#2とを含んでいてもよい。或いは、複数のパターン候補は、任意の数のミラー要素141(0)及び任意の数のミラー要素141(π)が、ミラー要素141(0)とミラー要素141(π)とが第1の配列態様で並ぶ基本パターンと、ミラー要素141(0)とミラー要素141(π)とが第2の配列態様で並ぶ基本パターンと、・・・、ミラー要素141(0)とミラー要素141(π)とが第s(但し、sは2以上の整数)の配列態様で並ぶ基本パターンとを含んでいてもよい。
 遮光領域SLが複数の分割領域DAに分割された状況下での瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rは、数式5によって特定可能である。尚、数式5における「N」は、分割領域DAの総数を示す。数式5における「i」は、N個の分割領域DAの夫々に固有の識別番号を示しており、1≦i≦Nを満たす整数となる。数式5における「TCHECKER(i)(ξ、η)」は、i番目の分割領域DAを介した露光光EL3の、座標(ξ、η)におけるスペクトルを示す。数式5における「sign(i)」は、i番目の分割領域DAに対して設定された配列パターン(パターン候補ないしは基本パターン)に応じて符号を含めた値が変わる関数を示す。例えば、図11(a)及び図11(b)に示すパターン候補の例では、sign(i)は、図11(a)に示すパターン候補がi番目の分割領域DAに対して設定された場合に+1及び-1のいずれか一方となり、図11(b)に示すパターン候補がi番目の分割領域DAに対して設定された場合に+1及び-1のいずれか他方となる関数であってもよい。例えば、sign(i)は、第1のパターン候補がi番目の分割領域DAに対して設定された場合に+k1及び-k1(但し、k1は、任意の実数)のいずれか一方となり、第2のパターン候補がi番目の分割領域DAに対して設定された場合に+k2及び-k2(但し、k2は、k1と同じ又は異なる任意の実数)のいずれか一方となり、・・・、第q(但し、qは、2以上の整数)のパターン候補がi番目の分割領域DAに対して設定された場合に+kq及び-kq(但し、kqは、k1からkq-1の少なくとも一つと同じ又は異なる任意の実数)のいずれか一方となる関数であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 コントローラ21は、各分割領域DAに対して配列パターンを設定する都度、数式5を用いて、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを算出する。コントローラ21は、この回りこみ量Rが最小になるように、各分割領域DAに対して設定する配列パターンを調整する。つまり、コントローラ21は、回りこみ量Rが最小になるように(つまり、数式6を満たすように)、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 このような第2具体例によれば、コントローラ21は、強度分布補償処理を行う際に、変調パターンデータの全体を必ずしも補正しなくてもよくなる。つまり、コントローラ21は、変調パターンデータの一部(例えば、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分)を補正することで、強度分布補償処理を完了することができる。言い換えれば、コントローラ21は、変調パターンデータの他の一部を補正することなく、強度分布補償処理を完了することができる。従って、変調パターンデータの全体を補正する可能性がある第1具体例と比較して、強度分布補償処理に要する処理負荷が低減可能である。
 特に、第2具体例では、コントローラ21は、変調パターンデータのうち分割領域DAという決まった領域内に位置するミラー要素141を制御するデータ部分を補正することで、強度分布補償処理を完了することができる。つまり、コントローラ21は、変調パターンデータのうち補正するべきデータ部分として予め特定可能なデータ部分を補正することで、強度分布補償処理を完了することができる。従って、変調パターンデータのどのデータ部分を補正すればよいかに関する指標が明示されない第1具体例と比較して、強度分布補償処理に要する処理負荷が低減可能である。
 更には、第2具体例では、コントローラ21は、複数の候補パターンの中から分割領域DAに対して設定するべき一の候補パターンを選択する動作を、複数の分割領域DAの全てに対して行うことで、強度分布補償処理を完了することができる。つまり、コントローラ21は、各分割領域DA内に位置するミラー要素141を制御するためのデータ部分をどのように補正するかを、複数の候補パターンから一の候補パターンを選択することで、比較的容易に決定することができる。従って、変調パターンデータをどのように補正するかに関する指標が明示されない(つまり、変調パターンデータをランダムに補正する可能性がある)第1具体例と比較して、強度分布補償処理に要する処理負荷が低減可能である。
 尚、コントローラ21は、変調パターンデータのうち遮光部M2に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正することに加えて又は代えて、変調パターンデータのうち開口部M1に対応する複数のミラー要素141を制御するためのデータ部分を補正してもよい。この場合、コントローラ21は、開口部M1に対応する複数のミラー要素141が位置する領域を、所定形状の複数の分割領域DAに分割する。その後、コントローラ21は、各分割領域DA内におけるミラー要素141(0)及び141(π)の配列パターンとして、各分割領域DAを介した露光光EL3の強度を所定強度以上にすることが可能な配列パターンを設定する。尚、分割領域DAへの分割方法及び配列パターンの設定方法は、夫々、上述した分割方法及び設定方法を適用可能である。
 (2-3-2-3)強度分布補償処理の第3具体例
 続いて、図12(a)から図12(b)を参照しながら、強度分布補償処理の第3具体例について説明する。強度分布補償処理の第3具体例は、強度分布補償処理の第2具体例と同様に、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141が位置する遮光領域SLを、所定形状の複数の分割領域DAに分割する。その後、強度分布補償処理の第3具体例は、強度分布補償処理の第2具体例と同様に、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定する。
 但し、図12(a)に示すように、強度分布補償処理の第3具体例は、複数の分割領域DAのサイズが統一されるという点で、複数の分割領域DAのサイズが異なっていてもよい強度分布補償処理の第2具体例とは異なる。更に、第3具体例では、複数の分割領域DAのサイズが統一されていることに起因して、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを特定可能な数式として、上述した数式5に代えて、数式7を用いることが可能である。従って、第3具体例では、コントローラ21は、数式8を満たすように、各分割領域DAに対して適切な分布パターンを設定する。尚、数式8における「l(具体的には、ベクトルl)」は、座標(ξ、η)を示すベクトルである。数式8における「I(l)」は、ミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に分布する仮想的な無限個のミラー要素141を介した露光光EL3の、ベクトルlの位置(つまり、座標(ξ、η))でのスペクトルを示しており、数式9によって特定可能である。数式9における「bmn」は、上述した仮想的な無限個のミラー要素141を介した露光光EL3の座標(m、n)におけるスペクトルを示しており、数式10によって特定可能である。数式9における「δ」は、ディラックのデルタ関数(Dirac‘s delta)を示す。数式8における「j」は、複素数を示す。数式8における「r(具体的には、ベクトルr)」は、図12(b)に示すように、i番目の分割領域DAの実空間における座標を特定するベクトルである。数式8における「jinc(l)」は、数式11によって示される。数式11における「Δ」は、図12(b)に示すように、実空間でのX軸方向に沿った分割領域DAのサイズを示す。数式11における「Δ」は、図12(b)に示すように、実空間でのY軸方向に沿った分割領域DAのサイズを示す。数式11における「k」は、所定の係数を示す。強度分布補償処理の第3具体例のその他の特徴は、強度分布補償処理の第2具体例のその他の特徴と同じであってもよい。
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 ここで、数式8から数式11から分かるように、数式8に含まれる変数のうち分割領域DAに対して設定される配列パターンの変化に合わせて変化する変数は、「sign(i)」である。一方で、数式8中の「I(l)」、「jinc(l)」及び「exp(-jl×r)」は、分割領域DAに対して設定される配列パターンが変化しても変化しない変数(つまり、実質的には固定値)となる。というのも、複数の分割領域DAのサイズが統一されているがゆえに、複数の分割領域DAが0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rに対して与える影響の重みもまた平準化されるからである。このため、第3具体例では、コントローラ21は、分割領域DAに対して設定される配列パターンを変化させた場合であっても、「I(l)」、「jinc(l)」及び「exp(-jl×r)」を固定したまま瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを特定することができる。このため、第3具体例では、第2具体例と比較して、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを特定するための処理負荷が低減可能である。つまり、第3具体例では、第2具体例と比較して、強度分布補償処理に要する処理負荷が低減可能である。
 尚、分割領域DAに対して設定される配列パターンの変化によって「I(l)」、「jinc(l)」及び「exp(-jl×r」が変化しないことを利用して、コントローラ21は、以下の手順で、数式8を満たすように各分割領域DAに対して適切な分布パターンを設定してもよい。具体的には、コントローラ21は、まず、I(l)*jicn(l)を評価して(例えば、値を算出して)、デバイスパターンの転写のための空間像の結像に対して相対的に大きく寄与するスペクトルが現れる座標(ξ、η)を示すベクトルl(特に、投影光学系15の瞳内の座標(ξ、η)を示すベクトルl)を算出する。或いは、コントローラ21は、まず、デバイスパターンの転写に対して相対的に大きく寄与するスペクトルが現れる座標(ξ、η)を示すベクトルlを算出する。このようなベクトルlは、例えば、露光光EL3の1次回折光成分が現れる座標(ξ、η)を示すベクトルとなる。その後、コントローラ21は、算出したベクトルlに関して瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように(但し、数式8における、瞳内の全ての座標(ξ、η)での加算はしない)各分割領域DAに対して配列パターンを暫定的に設定した後、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小となるように暫定的に設定した配列パターンに基づいて各分割領域DAに対して設定する配列パターンを適宜変更することで、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定してもよい。
 (2-3-2-4)強度分布補償処理の第4具体例
 続いて、図13(a)から図14(d)を参照しながら、強度分布補償処理の第4具体例について説明する。強度分布補償処理の第4具体例は、強度分布補償処理の第3具体例と同様に、遮光部M2に対応する複数のミラー要素141が位置する遮光領域SLを、同一サイズの複数の分割領域DAに分割する。その後、強度分布補償処理の第4具体例は、強度分布補償処理の第3具体例と同様に、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定する。
 但し、強度分布補償処理の第4具体例では、コントローラ21は、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定する際に、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを算出しない。瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを算出する代わりに、コントローラ21は、複数の分割領域DA内のミラー要素141の状態及び複数の分割領域DAの配列態様に応じて、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定する。
 具体的には、複数の分割領域DA内においてミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に分布している場合には、コントローラ21は、X軸方向及びY軸方向の夫々に交差する(或いは、直交する)方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターンを設定する。この場合、コントローラ21は、異なる2種類の配列パターンとして、反転した関係にある2種類の配列パターンを用いることができる。
 例えば、図13(a)は、X軸方向及びY軸方向の夫々に交差する方向に沿って隣接する2つの分割領域DA#31及びDA#32を示している。このような分割領域DA#31及びDA#32は、例えば、隣接する2つのコンタクトホールを形成するように制御されるミラー要素141が位置する領域に存在し得る。2つの分割領域DA#31及びDA#32内では、ミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に配列している。このため、コントローラ21は、図13(b)に示すように、分割領域DA#32に設定される配列パターンが、分割領域DA#31に設定される配列パターンを反転させることで得られる配列パターンとなるように、2つの分割領域DA#31及びDA#32の夫々に配列パターンを設定する。その結果、このような2つの分割領域DA#31及びDA#32を介した露光光EL3の強度分布は、図13(c)に示す強度分布となる。
 参考までに、同一の配列パターンが設定される分割領域DA#31及びDA#32(図13(a)参照)を介した露光光EL3の強度分布は、図13(d)に示す強度分布となる。図13(c)及び図13(d)に示すように、2つの分割領域DA#31及びDA#32に反転した関係にある2種類の配列パターンが設定される場合には、2つの分割領域DA#31及びDA#32に同じ配列パターンが設定される場合と比較して、露光光EL3の強度分布の歪みが低減していることが分かる。従って、2つの分割領域DA#31及びDA#32に反転した関係にある2種類の配列パターンが設定される場合には、2つの分割領域DA#31及びDA#32に同じ配列パターンが設定される場合と比較して、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが低減していることが分かる。
 或いは、複数の分割領域DA内において、X軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(0)を含むミラー要素群と、X軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(π)を含むミラー要素群とが、Y軸方向に沿って交互に現れる場合には、コントローラ21は、Y軸方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターン(例えば、反転した関係にある2種類の配列パターン)を設定する。或いは、複数の分割領域DA内において、Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(0)を含むミラー要素群と、Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(π)を含むミラー要素群とが、X軸方向に沿って交互に現れる場合には、コントローラ21は、X軸方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、反転した関係にある2種類の分布パターンを設定する。
 例えば、図14(a)は、Y軸方向に沿って隣接する2つの分割領域DA#41及びDA#42を示している。2つの分割領域DA#41及びDA#42内では、Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(0)を含むミラー要素群と、Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(π)を含むミラー要素群とが、X軸方向に沿って交互に現れる。このため、コントローラ21は、図14(b)に示すように、分割領域DA#42に設定される配列パターンが、分割領域DA#41に設定される配列パターンを反転させることで得られる配列パターンとなるように、2つの分割領域DA#41及びDA#42の夫々に配列パターンを設定する。その結果、図14(c)に示すように、2つの分割領域DA#41及びDA#42に反転した関係にある2種類の配列パターンが設定される場合には、2つの分割領域DA#41及びDA#42に同じ配列パターンが設定される場合と比較して、露光光EL3の強度分布の歪みが低減可能である。図14(c)においては、図14(a)に示した配列パターンのときに得られる空間像のX軸方向に沿った強度分布I(a)と、図14(b)に示した配列パターンのときに得られる空間像のX軸方向に沿った強度分布I(b)とを示す。図14(c)から明らかな通り、図14(b)に示した配列パターンのときの空間像の強度分布I(b)の方が強度分布の横ズレ(強度分布の歪み)が小さい。従って、2つの分割領域DA#41及びDA#42に反転した関係にある2種類の配列パターンが設定される場合には、2つの分割領域DA#41及びDA#42に同じ配列パターンが設定される場合と比較して、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが低減可能である。
 或いは、図13(a)から図14(c)に示す例に限らず、複数の分割領域DA内においてミラー要素141(0)及び141(π)が所定の配列規則に従って分布している場合には、コントローラ21は、所定の配列規則に応じた方向に沿って隣接する又は所定の配列規則に応じた配列態様で配列されている2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターン(例えば、反転した関係にある2種類の配列パターン)を設定してもよい。
 このような第4具体例によれば、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rを実際に算出することなく、複数の分割領域DA内のミラー要素141の状態及び複数の分割領域DAの配列方向に応じて、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定することができる。このため、第4具体例では、第2具体例又は台3具体例と比較して、強度分布補償処理に要する処理負荷が低減可能である。
 尚、複数の分割領域DA内においてミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に分布している場合において、コントローラ21は、X軸方向又はY軸方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターンを設定してもよい。X軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(0)を含むミラー要素群と、X軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(π)を含むミラー要素群とが、Y軸方向に沿って交互に現れる場合において、コントローラ21は、X軸方向に沿って又はX軸方向及びY軸方向の夫々に交差する方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターンを設定してもよい。Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(0)を含むミラー要素群と、Y軸方向に沿って連続して並ぶ複数のミラー要素141(π)を含むミラー要素群とが、X軸方向に沿って交互に現れる場合において、コントローラ21は、Y軸方向に沿って又はX軸方向及びY軸方向の夫々に交差する方向に沿って隣接する2つの分割領域DAに対して、異なる2種類の配列パターンを設定してもよい。
 尚、第4具体例においては、第1領域(例えば、分割領域DA#31)に位置する複数のミラー要素141を、第1状態(0状態)のミラー要素141(0)と第2状態(π状態)のミラー要素141(π)とが第1規則(例えば、基本パターン#2)で並ぶように設定し、且つ第2領域(例えば、分割領域DA#32)に位置する複数のミラー要素141を、第1状態(0状態)のミラー要素141(0)と第2状態(π状態)のミラー要素141(π)とが第2規則(例えば、基本パターン#1)で並ぶように設定しているとも言える。このとき、1状態(0状態)のミラー要素141(0)と第2状態(π状態)のミラー要素141(π)とが第1規則(基本パターン#1)で並んでいる領域を、第2領域を包含するように拡張した場合に、第2領域(分割領域DA#32)を包含する領域におけるミラー要素141の状態と、第2領域(分割領域DA#32)におけるミラー要素141の状態とが互いに異なっていてもよい。
 第4具体例においては、第1領域(例えば、分割領域DA#31)に位置する第1規則で配列された複数のミラー要素141からの回折光と、第2領域(例えば、分割領域DA#32)に位置する第2規則で配列された複数のミラー要素141からの回折光とは、投影光学系15の入射瞳面において互いに弱め合う干渉(例えば、破壊的干渉)を起こし、これらの回折光の強度は弱められ、結果として瞳内への0/1チェッカーパターン光の回り込み量Rが小さくなる。言い換えると、投影光学系15の入射瞳面内に入射する第1及び第2領域からの0/1チェッカーパターン光同士が互いに異なる位相となるように、第1領域における第1規則と第2領域における第2規則とが定められると言ってもよい。
 第4具体例においては、複数の光学素子141のうち、第1群のミラー要素141-31a及び141-31bを周期方向(例えば、X方向)に関して周期性を持つように、状態(第1状態(0状態)又は第2状態(π状態))を設定し、複数のミラー要素141のうち、第2群のミラー要素141-32a及び141-32bを周期方向に関して周期性を持つように状態(第1状態(0状態)又は第2状態(π状態))を設定していると言える。このとき、第1群の複数のミラー要素141-31a及び141-31bの周期と、第2群の複数のミラー要素141-32a及び141-32bの周期とが周期方向に関して異なる位相であってもよい。ここで、複数のミラー要素141の状態の周期の位相が異なるとは、第1状態から第2状態又は第2状態から第1状態へと周期的に状態が変化している複数のミラー要素141の状態を縦軸にとり、ミラー要素141の位置を横軸にとった矩形波で複数のミラー要素141の分布を表現したときに、矩形波同士の位相が異なることを指してもよい。また、第1群のミラー要素141-31a及び141-31bの周期方向(X方向)側に第2群のミラー要素141-32a及び141-32bが配置されていてもよい。第1群のミラー要素141-31a及び141-31bと第2群のミラー要素141-32a及び141-32bとの間に、ミラー要素141の列がX方向に関して複数列設けられていてもよく、各列はY方向に沿って延びていてもよい。また、第1群のミラー要素141-31a及び141-31bと第2群のミラー要素141-32a及び141-32bとは互いに隣接していてもよい。
 第4具体例においては、複数のミラー要素141のうち2つのミラー要素141-31a及び141-31bを、第1状態(0状態)のミラー要素141-31aと第2状態(π状態)のミラー要素141-31bとがX方向に沿って並ぶように設定し、複数のミラー要素141のうち2つのミラー要素141-31a及び141-31bと異なる2つのミラー要素141-32a及び141-32bとがX方向に沿って並ぶように設定していると言える。この場合、2つのミラー要素141-31a及び141-31bと異なる2つのミラー要素141-32a及び141-32bとの間に偶数列のミラー要素141が位置していてもよい。このとき、ミラー要素141の列のそれぞれは、Y方向に沿って延びていてもよく、ミラー要素141の列は、X方向において偶数の列であってもよい。尚、この場合、2つのミラー要素と異なる2つのミラー要素とは隣接していてもよい。ここで、2つのミラー要素141と異なる2つのミラー要素141とがX方向において隣接していてもよい。
 第4具体例においては、複数のミラー要素141のうち第1ミラー要素141-31aを第1状態(0状態)に設定し、複数のミラー要素141のうち第1ミラー要素141-31aのX方向側に隣接する第2ミラー要素141-31bを第2状態(π状態)に設定し、複数のミラー要素141のうち第3ミラー要素141-32aを第2状態(π状態)に設定し、複数のミラー要素141のうち第3ミラー要素141-32aのX方向側に隣接する第4ミラー要素141-32bを第1状態(0状態)に設定していると言える。この場合、X方向又はY方向に関して第1ミラー要素141-31aと第3ミラー要素141-32aとの間に奇数個のミラー要素141が介在してもよい。また、この場合、X方向又はY方向に関して第1ミラー要素141-31aと第3ミラー要素141-32aとが同じ位置であってもよい。
 また、コントローラ21は、第4具体例で用いる「複数の分割領域DAへの配列パターンの設定規則」を、第2又は第3具体例において適用してもよい。つまり、第2又は第3具体例において、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように各分割領域DAに配列パターンを設定する際に、複数の分割領域DA内のミラー要素141の状態及び複数の分割領域DAの配列態様に応じて、各分割領域DAに対して適切な配列パターンを設定してもよい。
 但し、複数の分割領域DA内のミラー要素141の状態及び複数の分割領域DAの配列態様に応じて各分割領域DAに対して配列パターンを設定するだけでは、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小にならない(或いは、第1所定量以下にならない)可能性がある。この場合には、コントローラ21は、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になるように、各分割領域DAに対して設定した配列パターンを変更してもよい。或いは、コントローラ21は、各分割領域DAを、更にサイズが小さな分割領域DAに分割(つまり、細分化)してもよい。以下、図15(a)から図17(b)を参照しながら、各分割領域DAを更にサイズが小さな分割領域DAに分割する例について説明する。
 図15(a)は、ミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に分布している4つの分割領域DA#51からDA#54が、2×2のマトリクス状に隣接する例を示している。このような分割領域DA#51からDA#54は、例えば、隣接する4つのコンタクトホールを形成するように制御されるミラー要素141が位置する領域に存在し得る。また、図15(b)は、このような4つの分割領域DA#51からDA#54を介した露光光EL3の強度分布を示す。図15(b)に示すように、露光光EL3の強度分布に歪みが生じていることが分かる。
 4つの分割領域DA#51からDA#54内では、ミラー要素141(0)及び141(π)がX軸方向及びY軸方向の夫々に沿って交互に配列している。このため、コントローラ21は、図16(a)に示すように、分割領域DA#54に設定される配列パターンが、X軸方向及びY軸方向の双方に交差する方向に沿って分割領域DA#54に隣接する分割領域DA#51に設定される配列パターンを反転させることで得られる配列パターンとなるように、2つの分割領域DA#51及びDA#54の夫々に、反転した関係にある配列パターンを設定する。同様に、コントローラ21は、図16(a)に示すように、分割領域DA#53に設定される配列パターンが、X軸方向及びY軸方向の双方に交差する方向に沿って分割領域DA#53に隣接する分割領域DA#52に設定される配列パターンを反転させることで得られる配列パターンとなるように、2つの分割領域DA#52及びDA#53の夫々に、反転した関係にある配列パターンを設定する。しかしながら、図16(b)に示すように、このような4つの分割領域DA#51からDA#54を介した露光光EL3の強度分布には、依然として歪みが生じていることが分かる。つまり、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になっていない可能性がある。
 そこで、コントローラ21は、図17(a)に示すように、分割領域DA#51を、更にサイズが小さな4つの分割領域DA#51-1からDA#51-4に分割する。コントローラ21は、その他の分割領域DA#52からDA#54の夫々についても、4つの分割領域DAに分割する。その後、コントローラ21は、4×4=16個の分割領域DAの夫々に配列パターンを設定する。この場合にも、コントローラ21は、第4具体例で用いる「複数の分割領域DAへの配列パターンの設定規則」を用いて、16個の分割領域DAの夫々に配列パターンを設定してもよい。或いは、コントローラ21は、第4具体例で用いる「複数の分割領域DAへの配列パターンの設定規則」を用いることなく、16個の分割領域DAの夫々に配列パターンを設定してもよい。尚、図17(a)は、第4具体例で用いる「複数の分割領域DAへの配列パターンの設定規則」を用いることなく、16個の分割領域DAの夫々に配列パターンが設定された例を示している。その結果、瞳内への0/1チェッカーパターン光の回りこみ量Rが最小になる。このため、図17(b)に示すように、このような16個の分割領域DA#51-1からDA#54-4を介した露光光EL3の強度分布における歪みもまた最小になる。尚、露光光EL3の強度分布における歪みは、理想状態における強度分布に対する変形量としてもよい。この理想状態における強度分布は、各分割領域DA#51からDA#54を投影光学系15の倍率分だけ幾何的に縮小或いは拡大した領域内で強度が最大となりそれ以外の領域で強度が0となる分布にすることができる。
 尚、第4具体例において、図18(a)から図18(c)に示すような配列パターンであってもよい。
 尚、図1から図18(c)を用いて説明した露光装置1及びパターン設計装置2の構成及び動作は一例である。従って、露光装置1及びパターン設計装置2の構成及び動作の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、露光装置1及びパターン設計装置2の構成及び動作の少なくとも一部の改変の例について説明する。
 上述した説明では、空間光変調器14は、反射型の空間光変調器である。しかしながら、空間光変調器14は、それぞれが露光光EL2を透過可能な複数の光学要素(例えば、液晶素子等によって構成される複数の透過画素)を備える透過型の空間光変調器であってもよい。ここで、空間光変調器14が透過型の空間光変調器である場合、複数の透過画素は、透過画素を通過する光の光量、位相及び偏光のうち少なくとも1つを制御してもよい。また、上述した説明では、空間光変調器14の光変調面14aは矩形の形状であったが、矩形に限られず、例えば多角形状(台形状、平行四辺形状、六角形状等)や円形状、楕円形状、長丸状等の任意の形状とすることができる。また、上述した説明では、空間光変調器14の複数のミラー要素141の形状は正方形状であったが、正方形状には限られず、例えば多角形状(台形状、平行四辺形状、六角形状等)や円形状、楕円形状、長丸状等の任意の形状とすることができる。
 上述の説明では、露光装置1は、液体を介することなくウェハ161を露光するドライタイプの露光装置である。しかしながら、露光装置1は、露光光EL3の光路を含む液浸空間を投影光学系15とウェハ161との間に形成すると共に、投影光学系15及び液浸空間を介してウェハ161を露光する液浸露光装置であってもよい。尚、液浸露光装置の一例は、例えば、欧州特許出願公開第1,420,298号明細書、国際公開第2004/055803号及び米国特許第6,952,253号明細書等に開示されている。
 露光装置1は、複数のステージ16を備えるツインステージ型又はマルチステージ型の露光装置であってもよい。露光装置1は、複数のステージ16及び計測ステージを備えるツインステージ型又はマルチステージ型の露光装置であってもよい。ツインステージ型の露光装置の一例は、例えば、援用によって本願明細書に取り込まれる米国特許第6,341,007号、米国特許第6,208,407号及び米国特許第6,262,796号に開示されている。
 光源11は、露光光EL1として、波長が193nmであるArFエキシマレーザ光とは異なる任意の光を射出してもよい。例えば、光源11は、波長が248nmであるKrFエキシマレーザ光等の遠紫外光(DUV光:Deep Ultra Violet光)を射出してもよい。光源11は、Fレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光:Vacuum Ultra Violet光)を射出してもよい。光源11は、所望の波長を有する任意のレーザ光又はその他任意の光(例えば、水銀ランプから射出される輝線であり、例えば、g線、h線若しくはi線等)を射出してもよい。光源11は、米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(或いは、エルビウムとイットリウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅すると共に非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換することで得られる高調波を射出してもよい。光源11は、波長が100nm以上の光に限らず、波長が100nm未満の光を射出してもよい。例えば、光源11は、軟X線領域(例えば、5から15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultra Violet)光を射出してもよい。露光装置1は、光源11に加えて又は代えて、露光光EL1として用いることが可能な電子線ビームを射出する電子線ビーム源を備えていてもよい。露光装置1は、光源11に加えて又は代えて、YAGレーザ若しくは固体レーザ(半導体レーザ等)から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源を備えていてもよい。固体パルスレーザ光源は、露光光EL1として用いることが可能な波長が193nm(これ以外の種々の波長、例えば213nm、266nm、355nm等の波長が可能)でパルス幅1ns程度のパルスレーザ光を1~2MHz程度の周波数で射出可能である。露光装置1は、光源11に加えて又は代えて、露光光EL1として用いることが可能な任意のエネルギビームを射出するビーム源を備えていてもよい。
 また、上述において、米国公開公報第2006/0170901号及び第2007/0146676号に開示されるいわゆる偏光照明方法を適用してもよい。
 デバイスパターンが転写される物体は、ウェハ161に限らず、ガラス板や、セラミック基板や、フィルム部材や、マスクブランクス等の任意の物体であってもよい。露光装置1は、ウェハ161に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置であってもよい。露光装置1は、液晶表示素子製造用の又はディスプレイ製造用の露光装置であってもよい。露光装置1は、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(例えば、CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ及びフォトリソグラフィーに用いられるマスク若しくはレチクルのうちの少なくとも一つを製造するための露光装置であってもよい。
 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図19に示す各ステップを経て製造されてもよい。マイクロデバイスを製造するためのステップは、マイクロデバイスの機能及び性能設計を行うステップS201、機能及び性能設計に基づく設計変数の調整を行うステップS202(上述の図5参照)、デバイスの基材であるウェハ161を製造するステップS203、空間光変調器14が露光光EL2を反射することで得られる露光光EL3を用いてウェハ161を露光し且つ露光されたウェハ161を現像するステップS204、デバイス組み立て処理(ダイシング処理、ボンディング処理、パッケージ処理等の加工処理)を含むステップS205及びデバイスの検査を行うステップS206を含んでいてもよい。
 上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
 本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラムもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
 1 露光装置
 11 光源
 12 照明光学系
 14 空間光変調器
 14a 光変調面
 141 ミラー要素
 15 投影光学系
 16 ステージ
 161 ウェハ
 17 コントローラ
 2 パターン設計装置
 21 CPU
 22 メモリ
 EL1、EL2、EL3 露光光

Claims (74)

  1.  パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     第1領域に位置する複数の前記光学要素からの光の一部を前記投影光学系に入射させるように、前記第1領域に位置する前記複数の光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、
     前記投影光学系に入射する前記第1領域からの光に起因する前記パターン像の劣化を軽減するように、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する
     制御装置。
  2.  前記第2の分布パターンは、前記第1の分布パターンを反転させた分布パターンである
     請求項1に記載の制御装置。
  3.  前記第1及び第2分布パターンの夫々は、前記第1及び第2光学要素が第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向の夫々に沿って交互に分布する分布パターンであり、
     前記第2領域は、前記第1及び第2方向に交差する第3方向に沿って前記第1領域に隣接する
     請求項1又は2に記載の制御装置。
  4.  前記第1及び第2分布パターンの夫々は、前記第1及び第2光学要素が第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向の夫々に沿って交互に分布する分布パターンであり、
     前記第2領域は、前記第1又は第2方向に沿って前記第1領域に隣接する
     請求項1又は2に記載の制御装置。
  5.  前記第1及び第2分布パターンの夫々は、第4方向に沿って並ぶ複数の前記第1光学要素を含む第1要素群と前記第4方向に沿って並ぶ複数の前記第2光学要素を含む第2要素群とが、前記第4方向に交差する第5方向に沿って交互に分布する分布パターンであり、
     前記第2領域は、前記第5方向に沿って前記第1領域に隣接する
     請求項1又は2に記載の制御装置。
  6.  前記空間光変調器の光変調面上の所定領域を複数の分割領域に分割し、前記複数の分割領域の夫々に位置する複数の光学要素の状態を設定する
     請求項1から5のいずれか一項に記載の制御装置。
  7.  前記空間光変調器の光変調面上の所定領域を複数の分割領域に分割し、前記複数の分割領域のうちの一の分割領域を前記第1領域に設定し、前記複数の分割領域のうちの他の分割領域を前記第2領域に設定する
     請求項1から6のいずれか一項に記載の制御装置。
  8.  前記所定領域は、前記第1及び第2光学要素が第6方向及び前記第6方向に交差する第7方向の夫々に沿って交互に分布する領域を含む
     請求項6又は7に記載の制御装置。
  9.  前記所定領域は、第8方向に沿って並ぶ複数の前記第1光学要素を含む第3要素群と前記第8方向に沿って並ぶ複数の前記第2光学要素を含む第4要素群とが、前記第8方向に交差する第9方向に沿って交互に分布する領域を含む
     請求項6から8のいずれか一項に記載の制御装置。
  10.  前記所定領域を前記複数の分割領域に分割する動作を、前記分割領域のサイズを小さくしながら繰り返す
     請求項6から9のいずれか一項に記載の制御装置。
  11.  前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターン像の投影に対して与える影響を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する
     請求項1から10のいずれか一項に記載の制御装置。
  12.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターン像の投影に対して与える影響を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する制御装置。
  13.  前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かうべき光のうち前記投影光学系の瞳内に回り込んでしまう光成分を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する
     請求項11又は12に記載の制御装置。
  14.  フーリエ空間での位置を(ξ、η)という座標で示し、実空間での前記複数の光学要素の夫々のサイズをpとし、前記第1若しくは第2光学要素と前記光を反射しない仮想的な第3光学要素とが第10方向及び前記第10方向に交差する第11方向の夫々に沿って交互に分布する複数の光学要素を介した前記光の、前記フーリエ空間での瞳外の座標(m、n)におけるスペクトルをamnとし、前記光の波長をλとし、前記パターン像を転写するために座標(ξ、η)において実現されるべき空間像のスペクトルをTPATTERN(ξ、η)とすると、数式1を満たすように前記複数の光学要素の状態を設定する
     請求項11から13のいずれか一項に記載の制御装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
  15.  前記空間光変調器の光変調面上の所定領域を複数の分割領域に分割し、
     フーリエ空間での位置を(ξ、η)という座標で示し、前記複数の分割領域の総数をNとし、前記複数の分割領域のうちi(但し、iは1≦i≦Nを満たす整数)番目の分割領域を介した光の、座標(ξ、η)でのスペクトルをTCHECKER (i)(ξ、η)とし、前記i番目の分割領域に位置する光学要素の状態に応じて符号を含めた値が変わる関数をsign(i)とすると、数式2を満たすように前記複数の分割領域に位置する光学要素の状態を設定する
     請求項11から14のいずれか一項に記載の制御装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
  16.  前記数式2を満たすように、前記複数の分割領域の夫々に位置する複数の前記光学要素の状態を、予め用意した複数の候補から選択した一の候補に対応する状態に設定する
     請求項15に記載の制御装置。
  17.  前記複数の分割領域のサイズが同一であり、
     座標(ξ、η)を示すベクトルをlとし、前記i番目の分割領域の実空間上での座標を特定するベクトルをrとし、前記第1及び第2光学要素が第12方向及び前記第12方向に交差する第13方向の夫々に沿って交互に分布する仮想的な無限個の光学要素からの光の、座標(ξ、η)でのスペクトルをI(ベクトルl)とし、複素数をjで示すと、数式3を満たすように前記複数の分割領域に位置する光学要素の状態を設定し、
     数式3中のjinc関数は、数式4によって規定され、数式4中のΔは、実空間での前記第12方向に沿った前記分割領域のサイズを示し、数式4中のΔは、実空間での前記第13方向に沿った前記分割領域のサイズを示し、数式4中のkは係数とする
     請求項15又は16に記載の制御装置。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003

    Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
  18.  前記数式3を満たすように、前記複数の分割領域の夫々に位置する複数の前記光学要素の状態を、予め用意した複数の候補から選択した一の候補に対応する状態に設定する
     請求項16に記載の制御装置。
  19.  パターンを物体に転写する露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、
     前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する
     制御装置。
  20.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記空間光変調器上の第1領域から発する第1回折光と、前記空間光変調器上の前記第1領域と異なる第2領域から発する第2回折光とが互いに弱め合う干渉を行うように、前記第1領域内に位置する複数の光学要素の状態と前記第2領域内に位置する複数の光学要素の状態とを設定する
    制御装置。
  21.  それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、第1領域に位置する複数の光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第1規則で並ぶように設定し、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と異なる第2領域に位置する複数の光学要素を、前記第1状態の光学要素と前記第2状態の光学要素とが前記第1規則と異なる第2規則で並ぶように設定し、
     前記第1及び第2状態の光学要素が前記第1規則で並んでいる領域を前記第2領域を包含するように拡張した場合に、前記第2領域を包含する領域における光学要素の状態と、前記第2領域における光学要素の状態とは互いに異なる
     制御装置。
  22.  パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、
     第1領域に位置する複数の前記光学要素からの光の一部を前記投影光学系に入射させるように、前記第1領域に位置する前記複数の光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、
     前記投影光学系に入射する前記第1領域からの光に起因する前記パターン像の劣化を軽減するように、前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する
     制御方法。
  23.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターン像の投影に対して与える影響を軽減するように、前記複数の光学要素の状態を設定する制御方法。
  24.  パターンを物体に転写する露光装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、
     第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定し、
     前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定する
     制御方法。
  25.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器上の第1領域から発する第1回折光と、前記空間光変調器上の前記第1領域と異なる第2領域から発する第2回折光とが互いに弱め合う干渉を行うように、前記第1領域内に位置する複数の光学要素の状態と前記第2領域内に位置する複数の光学要素の状態とを設定する
    制御方法。
  26.  それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、第1領域に位置する複数の光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第1規則で並ぶように設定することと、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と異なる第2領域に位置する複数の光学要素を、前記第1状態の光学要素と前記第2状態の光学要素とが前記第1規則と異なる第2規則で並ぶように設定することと
     を含み、
     前記第1及び第2状態の光学要素が前記第1規則で並んでいる領域を前記第2領域を包含するように拡張した場合に、前記第2領域を包含する領域における光学要素の状態と、前記第2領域における光学要素の状態とは互いに異なる
     制御方法。
  27.  空間光変調器と、
     前記空間光変調器を制御するコントローラと
     を備え、
     前記コントローラは、請求項22から26のいずれか一項に記載の制御方法を実行することで前記空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を設定する露光装置。
  28.  空間光変調器と、
     前記空間光変調器を制御する請求項1から21のいずれか一項に記載の制御装置と
     を備える露光装置。
  29.  パターンを物体に転写する露光方法であって、
     請求項22から26のいずれか一項に記載の制御方法を用いて前記空間光変調器が備える複数の光学要素の状態を設定し、
     前記空間光変調器を介した光露光を用いて前記物体を露光する露光方法。
  30.  パターンを物体に転写する露光方法であって、
     請求項28に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することを含む露光方法。
  31.  請求項29又は30に記載の露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、
     露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、
     前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法。
  32.  物体にパターンを転写する露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
     第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、第1の状態にある第1光学要素と前記第1の状態とは異なる第2の状態にある第2光学要素とが第1の分布パターンで分布する第1分布に設定するための第1設定データを、前記制御データの一部として生成し、
     前記第1領域に隣接する第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を、前記第1光学要素と前記第2光学要素とが前記第1の分布パターンとは異なる第2の分布パターンで分布する第2分布に設定するための第2設定データを、前記制御データの一部として生成する
     データ生成方法。
  33.  前記露光装置は、前記パターンの像を前記物体に投影する投影光学系を備え、
     前記第1設定データを生成することは、前記第1領域に位置する複数の前記光学要素からの光の一部を前記投影光学系に入射させるように、前記第1領域に位置する複数の前記光学要素の状態を前記第1分布に設定するための前記第1設定データを生成することを含み、
     前記第2設定データを生成することは、前記投影光学系に入射する前記第1領域からの光に起因する前記パターン像の劣化を軽減するように、前記第2領域に位置する複数の前記光学要素の状態を前記第2分布に設定するための前記第2設定データを生成することを含む
     請求項32に記載のデータ生成方法。
  34.  パターン像を物体に投影する投影光学系を備える露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
     前記空間光変調器から前記投影光学系の瞳外へ向かう光が前記パターンの投影に対して与える影響を軽減するように前記複数の光学要素の状態を設定するための設定データを、前記制御データの一部として生成する
     データ生成方法。
  35.  物体にパターンを転写する露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
     前記空間光変調器上の第1領域から発する第1回折光と、前記空間光変調器上の前記第1領域と異なる第2領域から発する第2回折光とが互いに弱め合う干渉を行うように、前記第1領域内に位置する複数の光学要素の状態と前記第2領域内に位置する複数の光学要素の状態とを設定する設定データを生成する
     データ生成方法。
  36.  物体にパターンを転写する露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、第1領域に位置する複数の光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第1規則で並ぶように設定するための第1設定データを生成することと、
     前記空間光変調器の前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と異なる第2領域に位置する複数の光学要素を、前記第1状態の光学要素と前記第2状態の光学要素とが前記第1規則と異なる第2規則で並ぶように設定する第2設定データを生成することと
     を含み、
     前記第1及び第2状態の光学要素が前記第1規則で並んでいる領域を前記第2領域を包含するように拡張した場合に、前記第2領域を包含する領域における光学要素の状態と、前記第2領域における光学要素の状態とは互いに異なる
     データ生成方法。
  37.  請求項22から26のいずれか一項に記載した制御方法を、前記空間光変調器に接続され且つ前記複数の光学要素のそれぞれの状態を変更するコントローラに実行させるプログラム。
  38.  請求項32から36のいずれか一項に記載したデータ生成方法を、コンピュータに実行させるプログラム。
  39.  それぞれの状態が第1状態と第2状態との間で変更可能で配列面に沿って配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記複数の光学要素のうち、第1群の光学要素を周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定し、
     前記複数の光学要素のうち、前記第1群とは異なる第2群の光学要素を前記周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定し、
     前記第1群の前記複数の光学要素の周期と、前記第2群の前記複数の光学要素の周期とは、前記周期方向に関して異なる位相である
     制御装置。
  40.  前記複数の光学要素は、第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向のそれぞれに沿って配列されており、
     前記周期方向は、前記第1又は第2方向である
     請求項39に記載の制御装置。
  41.  前記第1群の光学要素は、前記第1状態に設定された第1光学要素と、前記第1光学要素の前記周期方向側に配置されて前記第2状態に設定された第2光学要素とを備え、
     前記第2群の光学要素は、前記第2状態に設定された第3光学要素と、前記第3光学要素の前記周期方向側に配置されて前記第1状態に設定された第4光学要素とを備える
     請求項39又は40に記載の制御装置。
  42.  前記第1群の光学要素と前記第2群の光学要素とは互いに隣接している
     請求項41に記載の制御装置。
  43.  前記第1群の光学要素と前記第2群の光学要素との間に、前記第1方向に沿って延びた光学要素の列が前記第2方向に偶数列位置する
     請求項41に記載の制御装置。
  44.  前記第1状態に設定された前記光学要素は第1位相の光を射出し、前記第2状態に設定された前記光学要素は前記第1位相と異なる第2位相の光を射出する
     請求項39から43のいずれか一項に記載の制御装置。
  45.  前記第1群の光学要素は、前記第1群の光学要素に入射する光を回折し、
     前記第2群の光学要素は、前記第2群の光学要素に入射する光を回折する
     請求項39から44のいずれか一項に記載の制御装置。
  46.  前記第1群の光学要素で回折された光と、前記第2群の光学要素で回折された光とは、互いに異なる位相である
     請求項45に記載の制御装置。
  47.  前記空間光変調器からの光を像面に投影する投影光学系と共に用いられ、
     前記第1群の光学要素で回折された光と、前記第2群の光学要素で回折された光とは、前記投影光学系の内部で交差する
     請求項46に記載の制御装置。
  48.  前記投影光学系の内部で互いに交差した前記第1群の光学要素で回折された光と、前記第2群の光学要素で回折された光とは、弱め合う干渉を起こす
     請求項47に記載の制御装置。
  49.  それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記複数の光学要素のうち2つの光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第3方向に沿って並ぶように設定し、
     前記複数の光学要素のうち前記2つの光学要素と異なる2つの光学要素を、前記第2状態の光学要素と前記第1状態の光学要素とが前記第3方向に沿って並ぶように設定し、
     前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とが隣接する、又は前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素との間に偶数列の前記光学要素が位置する
     制御装置。
  50.  前記第3方向は、前記第1方向又は前記第2方向と同じ方向である
     請求項49に記載の制御装置。
  51.  前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とは、前記第3方向に沿って並べられている
     請求項49又は50に記載の制御装置。
  52.  前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とは、前記第3方向において隣接している
     請求項51に記載の制御装置。
  53.  前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素との間に、前記第1方向に沿って延びた列が前記第2方向に偶数列位置する
     請求項49から請求項51に記載の制御装置。
  54.  前記第1状態に設定された前記光学要素は第1位相の光を射出し、前記第2状態に設定された前記光学要素は前記第1位相と異なる第2位相の光を射出する
     請求項49から53のいずれか一項に記載の制御装置。
  55.  前記2つの光学要素は、前記2つの光学要素に入射する光を回折し、
     前記異なる2つの光学要素は、前記異なる2つの光学要素に入射する光を回折する
     請求項49から54のいずれか一項に記載の制御装置。
  56.  前記2つの光学要素で回折された光と、前記異なる2つの光学要素で回折された光とは、互いに異なる位相である
     請求項55に記載の制御装置。
  57.  前記空間光変調器からの光を像面に投影する投影光学系と共に用いられ、
     前記2つの光学要素で回折された光と、前記異なる2つの光学要素で回折された光とは、前記投影光学系の内部で交差する
     請求項56に記載の制御装置。
  58.  前記投影光学系の内部で互いに交差した前記2つの光学要素で回折された光と、前記異なる2つの光学要素で回折された光とは、弱め合う干渉を起こす
     請求項57に記載の制御装置。
  59.  それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置であって、
     前記複数の光学要素のうち第1光学要素を第1状態に設定し、
     前記複数の光学要素のうち前記第1光学要素の第3方向側に隣接する第2光学要素を前記第1状態と異なる第2状態に設定し、
     前記複数の光学要素のうち前記第1及び第2光学要素と異なる第3光学要素を前記第2の状態に設定し、
     前記複数の光学要素のうち前記第3光学要素の前記第3方向側に隣接する第4光学要素を前記第1の状態に設定し、
     前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素とは同じ位置である、又は、前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素との間に奇数個の前記光学要素が介在する
     制御装置。
  60.  前記第3方向は、前記第1方向又は前記第2方向と同じ方向である
     請求項59に記載の制御装置。
  61.  前記第1光学要素と前記第3光学要素との間に、前記第2方向に延びた列が前記第1方向に沿って複数列配列される
     請求項59又は60に記載の制御装置。
  62.  前記第1状態に設定された前記第1及び第4光学要素は第1位相の光を射出し、前記第2状態に設定された前記第2及び第3光学要素は前記第1位相と異なる第2位相の光を射出する
     請求項59から61のいずれか一項に記載の制御装置。
  63.  前記第1及び第2光学要素は、前記第1及び第2光学要素に入射する光を回折し、
     前記第3及び第4光学要素は、前記第3及び第4光学要素に入射する光を回折する
     請求項59から62のいずれか一項に記載の制御装置。
  64.  前記第1及び第2光学要素で回折された光と、前記第3及び第4光学要素で回折された光とは、互いに異なる位相である
     請求項63に記載の制御装置。
  65.  前記空間光変調器からの光を像面に投影する投影光学系と共に用いられ、
     前記第1及び第2光学要素で回折された光と、前記第3及び第4光学要素で回折された光とは、前記投影光学系の内部で交差する
     請求項64に記載の制御装置。
  66.  前記投影光学系の内部で互いに交差した前記第1及び第2光学要素で回折された光と、前記第3及び第4光学要素で回折された光とは、弱め合う干渉を起こす
     請求項65に記載の制御装置。
  67.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器は、それぞれの状態が第1状態と第2状態との間で変更可能で配列面に沿って配列された複数の光学要素を備えるものであり、
     前記複数の光学要素のうち、第1群の光学要素を周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定することと、
     前記複数の光学要素のうち、前記第1群とは異なる第2群の光学要素を前記周期方向に関して周期性を持つように前記状態を設定することと、
     を含み、
     前記第1群の前記複数の光学要素の周期と、前記第2群の前記複数の光学要素の周期とは、前記周期方向に関して異なる位相である
     制御方法。
  68.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備えるものであり、
     前記複数の光学要素のうち2つの光学要素を、第1状態の光学要素と前記第1状態と異なる第2状態の光学要素とが第3方向に沿って並ぶように設定することと、
     前記複数の光学要素のうち前記2つの光学要素と異なる2つの光学要素を、前記第2状態の光学要素と前記第1状態の光学要素とが前記第3方向に沿って並ぶように設定することと
     を含み、
     前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素とが隣接する、又は前記2つの光学要素と前記異なる2つの光学要素との間に偶数列の前記光学要素が位置する
     制御方法。
  69.  それぞれの状態が変更可能な複数の光学要素を備える空間光変調器からの光を、投影光学系を介して物体に投影して前記物体にパターン像を投影する露光装置が備える前記空間光変調器を制御する制御方法であって、
     前記空間光変調器は、それぞれの状態が変更可能で第1方向及び前記第1方向と交差する第2方向に配列された複数の光学要素を備えるものであり、
     前記複数の光学要素のうち第1光学要素を第1状態に設定することと、
     前記複数の光学要素のうち前記第1光学要素の第3方向側に隣接する第2光学要素を前記第1状態と異なる第2状態に設定することと、
     前記複数の光学要素のうち前記第1及び第2光学要素と異なる第3光学要素を前記第2の状態に設定することと、
     前記複数の光学要素のうち前記第3光学要素の前記第3方向側に隣接する第4光学要素を前記第1の状態に設定することと、
     を含み、
     前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素とは同じ位置である、又は
     前記第1方向に関して前記第1光学要素と前記第3光学要素との間に奇数個の前記光学要素が介在する
     制御装置。
  70.  空間光変調器と、
     前記空間光変調器を制御するコントローラと
     を備え、
     前記コントローラは、請求項67から69のいずれか一項に記載の制御方法を実行することで前記空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を設定する露光装置。
  71.  空間光変調器と、
     前記空間光変調器を制御する請求項39から66のいずれか一項に記載の制御装置と
     を備える露光装置。
  72.  パターンを物体に転写する露光方法であって、
     請求項67から69のいずれか一項に記載の制御方法を用いて前記空間光変調器が備える複数の光学要素の状態を設定し、
     前記空間光変調器を介した光露光を用いて前記物体を露光する露光方法。
  73.  パターンを物体に転写する露光方法であって、
     請求項70又は71に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することを含む露光方法。
  74.  請求項72又は73に記載の露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、
     露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、
     前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法。
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